特開 2025-28820 可変ドーパント濃度を有するシリコンカーバイドパワーデバイスのための製造プロセス

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025028820

(43)【公開日】2025-03-05

(54)【発明の名称】可変ドーパント濃度を有するシリコンカーバイドパワーデバイスのための製造プロセス

(51)【国際特許分類】

   H10D 30/66 20250101AFI20250226BHJP

   H10D 30/01 20250101ALI20250226BHJP

   H01L 21/265 20060101ALI20250226BHJP

【ＦＩ】

H01L29/78 652C

H01L29/78 652T

H01L29/78 652H

H01L29/78 652J

H01L29/78 658A

H01L21/265 V

H01L21/265 Q

H01L29/78 658E

H10D30/66 101C

H10D30/66 101T

H10D30/66 101H

H10D30/66 101M

H10D30/01 301A

H10D30/01 301E

【審査請求】未請求

【請求項の数】17

【出願形態】ＯＬ

【外国語出願】

(21)【出願番号】P 2024126663

(22)【出願日】2024-08-02

(31)【優先権主張番号】102023000016734

(32)【優先日】2023-08-04

(33)【優先権主張国・地域又は機関】IT

(31)【優先権主張番号】18/779,699

(32)【優先日】2024-07-22

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(71)【出願人】

【識別番号】312014443

【氏名又は名称】エスティマイクロエレクトロニクス インターナショナル エヌ．ヴイ．

(74)【代理人】

【識別番号】100079108

【弁理士】

【氏名又は名称】稲葉 良幸

(74)【代理人】

【識別番号】100109346

【弁理士】

【氏名又は名称】大貫 敏史

(74)【代理人】

【識別番号】100117189

【弁理士】

【氏名又は名称】江口 昭彦

(74)【代理人】

【識別番号】100134120

【弁理士】

【氏名又は名称】内藤 和彦

(74)【代理人】

【識別番号】100126480

【弁理士】

【氏名又は名称】佐藤 睦

(72)【発明者】

【氏名】カマッレリ，カテノ マルコ

(72)【発明者】

【氏名】サッジョ，マリオ ジュゼッペ

(72)【発明者】

【氏名】グアルネラ，アルフィオ

(72)【発明者】

【氏名】フラッツェット，アレッシア マリア

(57)【要約】      （修正有）

【課題】可変ドーパント濃度を有するＳｉＣパワーデバイスのための製造プロセスを提供する。
【解決手段】ＭＯＳＦＥＴ １の製造プロセスは、格子構造が空間対称性を有する半導体材料を含有する層から、空間対称性を有する格子構造及び第１の導電性を有するエピタキシャル層１２成長させることと、エピタキシャル層において、第１の導電性とは反対の第２の導電性を有するボディ領域１５を形成することと、ボディ領域の間のエピタキシャル層に、電流拡散層３０を形成することと、を含む。ボディ領域を形成することは、ボディマスクを使用して、ボディチャネリングイオン注入を実施することを含む。電流拡散層を形成することは、格子構造が浅い損傷領域において変化するように、ボディマスクを通して前記ボディ領域に前記浅い損傷領域を形成することと、浅い損傷領域を注入マスクとして使用して、電流拡散チャネリングイオン注入を実施することと、を含む。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

垂直伝導パワーデバイスのための製造プロセスであって、
格子構造が空間対称性を有する半導体材料を含有する層を形成し、空間対称性を有する前記格子構造及び第１の導電性を有する第１のエピタキシャル層を成長させることと、
前記第１のエピタキシャル層において、前記第１の導電性とは反対の第２の導電性を有する第１のボディ領域を形成することと、
前記第１のボディ領域の間の前記第１のエピタキシャル層において、前記第１の導電性を有する第１の電流拡散層を形成することと、
を含み、
前記第１のボディ領域を形成することが、
第１のボディマスクを使用して、第１のボディチャネリングイオン注入を実施することを含み、
前記第１の電流拡散層を形成することが、
前記格子構造が、第１の浅い損傷領域において変化するように、前記第１のボディマスクを通して前記第１のボディ領域に前記第１の浅い損傷領域を形成することと、
前記第１の浅い損傷領域を注入マスクとして使用して、第１の電流拡散チャネリングイオン注入を実施することと、を含む、製造プロセス。

【請求項2】

前記第１の浅い損傷領域を形成することが、
シリコン、アルゴン、ゲルマニウム、ヘリウムのイオンを含む群から選定される非反応性又は非ドーパントイオン種の非チャネルランダムイオン注入、及び
第１の化学エッチ、のうちの１つを実施することを含む、請求項１に記載の製造プロセス。

【請求項3】

前記第１のボディ領域の第１のドーピングレベル及び前記第１の電流拡散層の第２のドーピングレベルが、前記第１のボディ領域における第１の全電荷が前記第１の電流拡散層における第２の全電荷よりも少なくとも５倍大きくなるように選択される、請求項１に記載の製造プロセス。

【請求項4】

前記第１のエピタキシャル層を形成し、空間対称性を有する前記格子構造及び前記第１の導電性を有する第２のエピタキシャル層を成長させることと、
前記第２のエピタキシャル層において、前記第２の導電性を有する第２のボディ領域を形成することと、
前記第２のエピタキシャル層の前記第２のボディ領域の間に、前記第１の導電性を有する第２の電流拡散層を形成することと、
を更に含み、
前記第２のボディ領域を形成することが、
第２のボディマスクを使用して、第２のボディチャネリングイオン注入を実施することを含み、
前記第２の電流拡散層を形成することが、
前記格子構造が、前記第２のボディ領域の第２の浅い損傷領域において変化するように、前記第２のボディマスクを通して前記第２のボディ領域に前記第２の浅い損傷領域を形成することと、
前記第２のボディ領域の前記第２の浅い損傷領域を注入マスクとして使用して、第２の電流拡散チャネリングイオン注入を実施することと、を含む、請求項１に記載の製造プロセス。

【請求項5】

前記第２のボディマスクが、それぞれの第１のボディ領域に対応する位置に開口部を有する、請求項４に記載の製造プロセス。

【請求項6】

前記第２のエピタキシャル層を成長させる前に、前記第１の浅い損傷領域を除去することを更に含む、請求項４に記載の製造プロセス。

【請求項7】

前記第２の浅い損傷領域を除去することを更に含む、請求項４に記載の製造プロセス。

【請求項8】

前記第２のボディ領域が、前記第２のエピタキシャル層の全体にわたって、それぞれの第１のボディ領域まで深さ方向に延在し、それぞれの第１のボディ領域と接触している、請求項４に記載の製造プロセス。

【請求項9】

前記第２の電流拡散層が、前記第２のエピタキシャル層の全体にわたって、前記第１のエピタキシャル層まで深さ方向に延在し、前記第１のエピタキシャル層と接触している、請求項４に記載の製造プロセス。

【請求項10】

前記第１のボディ領域の前記第１のドーピングレベルが、前記第２のボディ領域の第３のドーピングレベルと異なり、かつ／又は前記第１の電流拡散層の前記第２のドーピングレベルが、前記第２の電流拡散層の第４のドーピングレベルと異なる、請求項３に記載の製造プロセス。

【請求項11】

前記第２の浅い損傷領域を形成することが、
シリコン、アルゴン、ゲルマニウム、ヘリウムのイオンを含む群から選定される非反応性又は非ドーパントイオン種の第２の非チャネルランダムイオン注入、及び
第２の化学エッチ、のうちの１つを実施することを含む、請求項４に記載の製造プロセス。

【請求項12】

空間対称性を有する前記格子構造及び前記第１の導電性を有する、前記第１のエピタキシャル層の部分を成長させることと、
前記第１のエピタキシャル層の最後に成長した部分において、前記第２の導電性を有する前記第１のボディ領域の部分を形成することと、
前記第１のエピタキシャル層の前記最後に成長した部分の前記第１のボディ領域の部分の間に前記第１の電流拡散層の部分を形成することと、
を反復して繰り返すことを更に含み、
前記第１のエピタキシャル層の前記最後に成長した部分の前記第１のボディ領域の前記部分を形成することが、
前記第１のボディマスクを使用して、それぞれのボディチャネリングイオン注入を実施することを含み、
前記第１の電流拡散層の前記部分を形成することが、
前記格子構造が、前記第１のエピタキシャル層の前記最後に成長した部分の前記第１のボディ領域の前記部分の前記第１の浅い損傷領域において変化するように、前記第１のボディマスクを通して前記第１のエピタキシャル層の前記最後に成長した部分の前記第１のボディ領域の前記部分に浅い損傷領域を形成することと、
前記第１のエピタキシャル層の前記最後に成長した部分の前記第１のボディ領域の前記部分の前記第１の浅い損傷領域を注入マスクとして使用して、それぞれの電流拡散チャネリングイオン注入を実施することと、を含む、請求項１に記載の製造プロセス。

【請求項13】

前記半導体材料が、シリコンカーバイドを含有する、請求項１に記載の製造プロセス。

【請求項14】

垂直伝導パワーデバイスであって、
格子構造が空間対称性を有する半導体材料を含有する基板と、
前記基板上に配置され、空間対称性を有する前記格子構造及び第１の導電性を有する、第１のエピタキシャル層と、
前記第１のエピタキシャル層における、前記第１の導電性とは反対の第２の導電性を有する第１のボディ領域と、
前記第１のボディ領域の間の前記第１のエピタキシャル層における、前記第１の導電性を有する第１の電流拡散層と、
を備える、垂直伝導パワーデバイス。

【請求項15】

前記第１のボディ領域の第１のドーピングレベル及び前記第１の電流拡散層の第２のドーピングレベルが、前記第１のボディ領域における第１の全電荷が前記第１の電流拡散層における第２の全電荷よりも少なくとも５倍大きくなるように選択される、請求項１４に記載のパワーデバイス。

【請求項16】

前記第１のエピタキシャル層上に配置され、空間対称性を有する前記格子構造及び前記第１の導電性を有する、第２のエピタキシャル層と、
前記第２のエピタキシャル層における、前記第２の導電性を有する第２のボディ領域と、
前記第２のエピタキシャル層の前記第２のボディ領域の間の前記第１の導電性を有する第２の電流拡散層と、を更に備え、
前記第２のボディ領域が、前記第２の電流拡散層の面に垂直な方向に前記第２の電流拡散層の全体にわたって延在し、それぞれの第１のボディ領域に対応する位置にあり、それぞれの第１のボディ領域に接触している、請求項１４に記載のパワーデバイス。

【請求項17】

前記半導体材料が、シリコンカーバイドを含有する、請求項１４に記載のパワーデバイス。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

（関連出願の相互参照）
本出願は、２０２３年８月４日に出願され、「ＰＲＯＣＥＳＳＯ ＤＩ ＦＡＢＢＲＩＣＡＺＩＯＮＥ ＰＥＲ ＤＩＳＰＯＳＩＴＩＶＩ ＤＩ ＰＯＴＥＮＺＡ ＩＮ ＣＡＲＢＵＲＯ ＤＩ ＳＩＬＩＣＩＯ ＣＯＮ ＣＯＮＣＥＮＴＲＡＺＩＯＮＥ ＤＩ ＤＲＯＧＡＮＴＥ ＶＡＲＩＡＢＩＬＥ」と題された伊国特許出願第１０２０２３００００１６７３４号の優先権を主張し、これは、法律によって許容される最大範囲で参照により本明細書に組み込まれる。

【0002】

（発明の分野）
本開示の例示的な実施形態は、可変ドーパント濃度を有するシリコンカーバイドパワーデバイスのための製造プロセスに関する。

【背景技術】

【0003】

知られているように、例えば１．１ｅＶより大きい広いバンドギャップ、低いオン状態抵抗、高い熱伝導率、高い作動周波数、及び高い電荷キャリア飽和速度を有する半導体材料は、具体的には、電力用途（すなわち、例えば６００Ｖ～１３００Ｖに含まれる作動電圧、又は高温などの特定の作動条件）のための、シリコンの電子デバイスよりも高い性能を有するダイオード及びトランジスタなどの電子デバイスを得ることを可能にする。

【0004】

詳細には、ポリタイプのうちの１つのシリコンカーバイド（ＳｉＣ）、例えば３Ｃ－ＳｉＣ、４Ｈ－ＳｉＣ、及び６Ｈ－ＳｉＣのウェハから出発してそのような電子デバイスを得ることが知られており、これらは上に列挙した特性によって区別される。ＳｉＣタイプの半導体を使用して得ることができる電子パワーデバイスは、例えば、垂直伝導ＭＯＳＦＥＴ又はＪＦＥＴであり得る。

【0005】

イオン注入は、今日、ドーパントをシリコンカーバイドに導入するための統合された技術である。実際に、他の半導体材料（シリコンなど）と比較してＳｉＣの拡散性が低いため、ドーパントの拡散は、使用するのに好都合な技術ではない場合がある。更に、エピタキシャル成長は、具体的には局所的に閉じ込められたドーピングに対して、効果的な代替案ではない可能性がある。

【0006】

知られているように、使用されるイオンのエネルギー及びタイプに加えて、ＳｉＣの結晶構造は、注入中に、得られる深さ分布に影響を及ぼす。実際に、いわゆるチャネリングは、アモルファスターゲットと比較して、結晶材料におけるドーパントイオンの浸透の深さをかなり増加させることがある。この現象は、入射イオンビームの方向が主結晶軸又は面に対して実質的に平行であり、明確に規定され含有される範囲内（すなわち、いわゆる「臨界チャネリング角」内）にある場合に起こり得る。これらの方向では、イオンの経路の長さ当たりのエネルギー損失の低減は、より小さく、イオンがターゲット内でより深く移動し得るという利益を伴う。実際に、注入がＳｉＣ技術を使用して結晶軸に沿って実施される場合、最も深いチャネリングイオンは、同じ注入エネルギーが使用されると仮定すると、対応するランダム注入に対して予想される範囲よりも何倍も大きい距離にわたって浸透する場合がある。

【0007】

形状及びドーピングプロファイルの両方に関して局所的に閉じ込められた注入領域を形成するために、注入中にＳｉＣダイ又はチップを局所的に遮蔽するように構成された、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ_２）のハード注入マスクを使用することが知られている。しかしながら、本出願人は、ハードマスクの使用が、マスク自体の除去後に、マスクが適用される層の平坦性の問題を引き起こす場合があることを見出した。実際に、ハードマスクは、ＳｉＣ基板上に格子応力を引き起こす場合がある。

【0008】

更に、ハードマスクの使用は、その寸法の減少（専門用語、「微細化」）の結果として、すなわち、使用中にパワーデバイスから抽出され得る電流を増加させることを目的としたデバイスの「ピッチ」の減少の結果として、同じダイにおいて得ることができる基本セル（elementary cell）の密度の漸進的増加に適合しない場合があり、すなわち、スケーリングが困難である場合がある。実際、基本セルの微細化及びそれらの結果として生じる相互接近を考慮すると、マスクの使用に基づくプロセスは、ダイの互いの上部に配置された層に属する領域間の整合の問題を提示する場合があり、設計仕様に対応しないレイアウトのために望ましくない電気現象が発生する可能性がある。とりわけ、デバイスの電気的特性（オン状態抵抗、ゲートエリアの高電界からの遮蔽など）のパラメータ化の目的のための、可変ドーピングプロファイルを有するＳｉＣダイの領域の画定は、注入マスクを使用して複雑であることが証明され得る。

【発明の概要】

【0009】

結果として、本開示の様々な実施形態の目的は、従来技術の欠点及び制限を克服するか、又は少なくとも軽減することである。

【0010】

本開示の様々な実施形態によれば、付属の特許請求の範囲で定義されるように、可変ドーパント濃度を有するシリコンカーバイドパワーデバイスのための製造プロセスが提供される。

【図面の簡単な説明】

【0011】

本開示の様々な実施形態のより良い理解のために、添付の図面を参照して、非限定的な例として、その好ましい実施形態が提供される。

【図1】本開示の一実施形態によるパワーデバイスを通る断面図である。

【図2A】本開示の一実施形態による製造プロセスの連続的な機械加工ステップにおける半導体ウェハを通る断面図である。

【図2B】本開示の一実施形態による製造プロセスの連続的な機械加工ステップにおける半導体ウェハを通る断面図である。

【図2C】本開示の一実施形態による製造プロセスの連続的な機械加工ステップにおける半導体ウェハを通る断面図である。

【図2D】本開示の一実施形態による製造プロセスの連続的な機械加工ステップにおける半導体ウェハを通る断面図である。

【図2E】本開示の一実施形態による製造プロセスの連続的な機械加工ステップにおける半導体ウェハを通る断面図である。

【図2F】本開示の一実施形態による製造プロセスの連続的な機械加工ステップにおける半導体ウェハを通る断面図である。

【図2G】本開示の一実施形態による製造プロセスの連続的な機械加工ステップにおける半導体ウェハを通る断面図である。

【図2H】本開示の一実施形態による製造プロセスの連続的な機械加工ステップにおける半導体ウェハを通る断面図である。

【図2I】本開示の一実施形態による製造プロセスの連続的な機械加工ステップにおける半導体ウェハを通る断面図である。

【図3】図２Ａ～図２Ｉのプロセスに関する簡略ブロック図である。

【図4】本開示の異なる実施形態によるパワーデバイスを通る断面図である。

【図5】図４の拡大詳細図である。

【図6】本開示の異なる実施形態による製造プロセスに関する簡略ブロック図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

本開示の一実施形態に従って製造されたパワーデバイスは、図１にその一部が図示されており、番号１で示されている。パワーデバイス１は、例えば、ＭＯＳＦＥＴ、具体的にはパワーＭＯＳＦＥＴ、より更に具体的にはシリコンカーバイド（ＳｉＣ）技術を使用して得られる垂直伝導ＭＯＳＦＥＴであり、添付の図には図示されていないダイ又はチップに収容される。以下、パワーデバイス１は、結果として、交換可能に「ＭＯＳＦＥＴ」とも呼ばれ、これは、いかなる一般性の損失も含意するものではない。

【0013】

図１は、互いに直交する軸Ｘ、Ｙ、Ｚの基準系におけるＭＯＳＦＥＴ １を断面図で示す。

【0014】

ＭＯＳＦＥＴ １は、互いに同じであり、ドレイン端子Ｄ、ゲート端子Ｇ、及びソース端子Ｓを共有するように同じダイに配置された複数の基本セル（そのうちの１つだけが添付の図面に図示されている）を備え、すなわち、基本セルは、互いに並列に電気的に接続されている。

【0015】

ＭＯＳＦＥＴ １は、半導体材料のボディ２に形成される。ボディ２は、軸Ｚの方向において互いに対向する、前面２ａによって上部、及び後面２ｂによって底部で区切られる。ボディ２は、基板、又は他に１つ以上のエピタキシャル層を成長させ、ポリタイプのうちの１つのシリコンカーバイド、ここでは４Ｈ－ＳｉＣポリタイプから作製される、基板を備えてもよい。

【0016】

一実施形態では、具体的には、ボディ２は、後面２ｂによって底部で区切られた基板１０と、基板１０上の第１のエピタキシャル層１２と、第１のエピタキシャル層１２の上に延在し、前面２ａによって上部で区切られた第２のエピタキシャル層２２と、を備える。

【0017】

基板１０は、単結晶半導体材料、例えばポリタイプのうちの１つのシリコンカーバイド、ここではポリタイプ４Ｈ－ＳｉＣから作製され、空間対称性を有する格子構造を有し、第１及び第２のエピタキシャル層１２、２２は、同じ材料で作製され、同じ結晶構造を保持する。

【0018】

ドリフト領域１０１、第１の電流拡散層（以下、単に「第１のＣＳＬ」）３０、及び複数の深いボディ領域１５（図１にはそのうちの２つが図示されている）は、第１のエピタキシャル層１２に形成される。第２の電流拡散層（以下、単に「第２のＣＳＬ」）４０、複数の浅いボディ領域２０（そのうちの２つが図１に図示されている）、及び複数のソース領域２５（そのうちの２つが図１に図示されている）は、第２のエピタキシャル層２２に形成される。

【0019】

図１の半導体材料のボディ２、すなわち基板１０及びドリフト領域１０１は、例えばＮ型の第１の導電性を有する。深いボディ領域１５は、第１の導電性と反対のＰ型の第２の導電性を有し、第１のドーピングレベル（又はドーパント濃度）Ｐ１を有する。第１のＣＳＬ ３０は、Ｎ型であり、第２のドーピングレベルＮ１を有する。浅いボディ領域２０は、Ｐ型であり、第３のドーピングレベルＰ２を有する。第２のＣＳＬ ４０は、Ｎ型であり、第４のドーピングレベルＮ２を有する。第１及び第３のドーピングレベルＰ１、Ｐ２は、互いに異なっていてもよく、同様に、第２及び第４のドーピングレベルＮ１、Ｎ２は、互いに異なっていてもよい。いずれにしても、第１のドーピングレベルＰ１及び第２のドーピングレベルＮ１は、深いボディ領域１５及び第１のＣＳＬ ３０の全体積を考慮した場合に、深いボディ領域１５における第１の全電荷ＱＰ１が第１のＣＳＬ ３０における第２の全電荷ＱＮ１よりも著しく大きくなるように選択される。典型的には、深いボディ領域１５における第１の全電荷ＱＰ１は、第１のＣＳＬ ３０における第２の全電荷ＱＮ１よりも少なくとも５倍大きい。最後に、複数のソース領域２５は、第１の導電性を有する。

【0020】

第１のエピタキシャル層１２において、隣接する深いボディ領域１５は、第１のＣＳＬ ３０の部分によって軸Ｘに沿って分離され、第２のエピタキシャル層２２において、隣接する浅いボディ領域２０は、第２のＣＳＬ ４０の部分によって軸Ｘに沿って分離される。更に、各浅いボディ領域２０は、それぞれの深いボディ領域１５に少なくとも部分的に重なり、それと接触し、第２のＣＳＬ ４０は、第１のＣＳＬ ３０に少なくとも部分的に重なり、それと接触する。

【0021】

各ソース領域２５は、前面２ａから延在し、それぞれの浅いボディ領域２０に少なくとも部分的に含有される。各基本セルのソース領域２５のうちの少なくとも１つは、前面２ａからそれぞれの浅いボディ領域２０まで延在するボディコンタクト領域２８を含む。更に、各ソース領域２５及び第２のＣＳＬ ４０は、それぞれの浅いボディ領域２０においてチャネル領域２７を横方向に区切る。

【0022】

深いボディ領域１５、浅いボディ領域２０、ソース領域２５、及びボディコンタクト領域２８は、Ｙ軸に平行な方向に帯状に延在している。

【0023】

第１及び第２のエピタキシャル層１２、２２の重ね合わせは、使用時に、すなわち、ゲート端子Ｇとソース端子Ｓとの間の電圧（Ｖ_ＧＳ）が基本セルの導通しきい値電圧（Ｖ_ＴＨ）よりも大きいときに、電流が、各チャネル領域２７、第２のＣＳＬ ４０及び第１のＣＳＬ ３０、並びにドリフト領域１０１を通って、ソース端子Ｓとドレイン端子Ｄとの間を流れ得るようになっている。第１及び第２のＣＳＬ ３０、４０は、実際には、電荷キャリアが遭遇する抵抗を局所的に調整する（より一般的には、ＭＯＳＦＥＴ １のオン状態抵抗の値を改善する）機能を有する濃縮層を形成し、ドリフト領域１０１は、使用時に電荷キャリアのドリフト層を形成する。

【0024】

図１のボディ２、より一般的にはＭＯＳＦＥＴ １は、本開示の主題の様々な実施形態を形成する製造プロセスによって得られ、その連続するステップは、図２Ａ～図２Ｉに図示され、図３のフローチャートに概略的に示される。

【0025】

図２Ａは、シリコンカーバイド（４Ｈ－ＳｉＣポリタイプ）のウェハ１００の断面図を示し、ここでは、（Ｎ型の）第１の導電性と、軸Ｚの方向に互いに対向する第１の表面１００ａ及び第２の表面１００ｂと、を有する。ウェハ１００は、最初に基板１０を備え、その上に、第１のエピタキシャル成長（第１のステップＳ１）によって、例えば、軸Ｚに沿った厚さが１μｍ～６０μｍに含まれる第１のエピタキシャル層１２が形成される。第１のエピタキシャル層１２の結晶又は格子構造は、チャネリング現象を利用することによってイオン注入を可能にする。

【0026】

深いボディ領域１５及びその後の第１のＣＳＬ ３０は、チャネリングイオン注入によって形成される。チャネリング注入は、注入中のイオンビームがチャネリング方向：例えば、ＳｉＣでは、０００－１方向又は１１－２３方向と整合されるときに得られる。典型的には、基板は、０００－１方向に成長したインゴットから切断され、表面は、直径１５０ｍｍ又は２００ｍｍの基板に対して４°傾斜している（ウェハの切断のため）。０００－１ウェハ上にチャネリング注入を行うために、注入中のイオンビームは、４°の傾きで配向され、１１－２３方向に成長したウェハについては、１３°又は２１°の傾きで配向される。

【0027】

製造プロセスの第２のステップＳ２を特定する図２Ｂを参照すると、深いボディマスク１０５がウェハ１００の第１の表面１００ａ上に適用される。深いボディマスク１０５は、深いボディ領域１５が形成されるウェハ１００の部分を露出させる。深いボディマスク１０５を使用して、Ｐ型、すなわち、ウェハ１００の第１の導電性とは反対の第２の導電性に対応するドーパントイオンの第１のチャネリングイオン注入が実施される（ここでは、チャネリング注入を示すために軸Ｚに対して傾斜した矢印１１０によって示される）。第１のチャネリングイオン注入は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）又はホウ素（Ｂ）のイオン及び２０ｋｅＶ～２０００ｋｅＶに含まれる注入エネルギーを使用して実施される。したがって、深いボディ領域１５は、第１の表面１００ａから始まる軸Ｚに沿った０．５～５μｍに含まれる第１の厚さＴ_１及び軸Ｘに沿った１～１０μｍに含まれる第１の寸法Ｌ_１によって画定され、１×１０^１７～１×１０^１９原子／ｃｍ^３のオーダーの第１のドーピングレベルＰ１を有する。

【0028】

一実施形態によれば、ウェハ１００は、その後、ドーパントイオンの活性化のため、かつ注入によって引き起こされ得る結晶格子内の欠陥の低減のためのアニーリングのステップを受ける。

【0029】

第３のステップＳ３（図２Ｃ）の間、深いボディマスク１０５は、以下に説明されるように、第１のＣＳＬ ３０の自己整合形成の目的のために複数の第１の意図的に損傷させた領域（単に「ＩＤＲ」とも呼ばれる）５０を作り出すために使用される。第１の損傷領域５０は、ウェハ１００の表面領域であり、深いボディマスク１０５が再び使用されると仮定すると、第１の損傷領域５０は、それぞれの深いボディ領域１５に対応する領域に得られる。

【0030】

本出願人は、チャネリングの効果がウェハ１００の表面領域の意図的な損傷によって変化することを実際に見出した。当該損傷は、例えば、非反応性又は非ドーパント種（図２Ｃの矢印１２０によって示される）の第１のランダムイオン注入（すなわち、非チャネルイオン注入）によって得ることができ、これは、ウェハ１００の導電特性を局所的に変化させることなく、ウェハ１００の結晶格子に損傷を引き起こす。この目的に適した化学種には、例えば、シリコン（Ｓｉ）、アルゴン（Ａｒ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ヘリウム（Ｈｅ）のイオンが含まれる。

【0031】

したがって、本開示の態様によれば、第１の損傷領域５０は、第１のＣＳＬ ３０を形成するための後続の注入ステップにおいて局所的にチャネリングを変化又は抑制するように、第１の表面１００ａに形成され、それぞれの深いボディ領域１５と整合され（軸Ｘ及びＹに沿って）、それぞれの深いボディ領域１５に画定される。各第１の損傷領域５０は、ウェハ１００において第１の表面１００ａから始まり、例えば０．０５～０．２μｍ（両端値を含む）に含まれる最大深さまで延在する。各第１の損傷領域５０の厚さ（軸Ｚに沿った深さ）は、均一であるか、又は他に０．０５μｍの最小値と０．２μｍの最大値との間で変動してもよい。図２Ｃに図示されるように、第３のステップＳ３においても深いボディマスク１０５を使用するおかげで、各第１の損傷領域５０は、それぞれの深いボディ領域１５の第１の寸法Ｌ_１に実質的に等しい軸Ｘに沿った広がりを有する。

【0032】

第１の損傷領域５０を形成するために、１０^１３原子／ｃｍ^２を超える注入ドーズ量及び所望の深さのために結晶体系から原子を変位させるのに十分なエネルギー（例えば、３０～３００ｋｅＶの範囲のエネルギー）が使用され得る。損傷を引き起こす注入は、チャネリング条件がない状態で実施され、生成された損傷を除去しないように、プロセス中のウェハ１００のアニーリングは、回避される。

【0033】

更なる実施形態によれば、第１の損傷領域５０は、深いボディ領域１５において、深いボディマスク１０５を通して第１の表面１００ａを局所的にエッチングする１つ以上のステップによって得られる。例えば、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）プロセスは、物理的エッチングの特性、すなわち、Ａｒイオンによるプラズマイオン衝撃を用いて使用されてもよい。得ることができる深さは、例えば、０．１μｍに等しい。

【0034】

第１の損傷領域５０におけるウェハ１００の格子構造は、ウェハ１００の非損傷領域の格子構造とは異なる。具体的には、ウェハ１００は、損傷された場合、意図的な損傷が存在しないウェハ１００の部分の空間対称性を有さないアモルファス構造、又は無秩序な結晶構造若しくは格子構造を有する。

【0035】

深いボディマスク１０５が除去されると、第１の損傷領域５０は、図１のＭＯＳＦＥＴ １の第１のＣＳＬ ３０が存在しない第１のエピタキシャル層１２の部分の上に延在する。言い換えれば、第１の損傷領域５０は、第１のＣＳＬ ３０が注入されるウェハ１００の部分に対して相補的な部分に形成される（第３のステップＳ３）。図２Ｄは、製造プロセスの第４のステップＳ４を参照し、実際に、第１の損傷領域５０が、Ｎ型、すなわち第１の導電性に対応するドーパントイオンの第２のチャネリングイオン注入（ここでは、チャネリング注入を示すために軸Ｚに対して傾斜した矢印１３０によって示される）に関して注入マスクとしてどのように作用するかを示す。

【0036】

詳細には、ウェハ１００全体が第２のチャネリングイオン注入にさらされるが、第１のＣＳＬ ３０は、表面損傷のないウェハ１００の部分、すなわち深いボディ領域１５の外側に実質的に排他的に得られる。このようにして、深いボディ領域１５は、第２のチャネリングイオン注入から遮蔽され、同時に、第１のＣＳＬ ３０は、注入条件によって決定される所望の深さまで、第１のエピタキシャル層１２内の深いボディ領域１５に対して自己整合的な方法で画定される。

【0037】

第２のチャネリングイオン注入（矢印１３０）は、例えば、リン（Ｐ）又は窒素（Ｎ）のイオン及び２０ｋｅＶ～２０００ｋｅＶに含まれる注入エネルギーを使用して実施される。これらのパラメータは、複数の深いボディ領域１５の間の第２のドーピングレベルＮ１であって、例えば、１０^１７原子／ｃｍ^３、又は他にそれを収容する半導体ウェハの部分のドーピングレベルの２～２０倍のオーダーの、第２のドーピングレベルＮ１と、第１の表面１００ａから始まり、ＭＯＳＦＥＴ １において、例えば、深いボディ領域１５の第１の厚さＴ１に等しい、軸Ｚに沿った深さと、を規定する。具体的には、深いボディ領域１５の第１のドーピングレベルＰ１及び第１のＣＳＬ ３０の第２のドーピングレベルＮ１は、深いボディ領域１５における第１の全電荷ＱＰ１が第１のＣＳＬ ３０における第２の全電荷ＱＮ１よりも少なくとも５倍大きくなるように、深いボディ領域１５及び第１のＣＳＬ ３０の総体積にも関連して選択される。

【0038】

このステップでは、第１の損傷領域５０に最大厚さ０．３μｍの薄い注入層が形成され得る。言い換えれば、ＣＳＬは、損傷領域に表面的に閉じ込められ得る。本出願人は、そのような薄いＣＳＬの存在が、後続のステップで形成される重なっている層に関連して、ＭＯＳＦＥＴ １の作動に影響を及ぼさないことを見出した。しかしながら、以下にも説明されるように、また、本開示の様々な実施形態の主題を形成する製造プロセスに適用されるように、損傷領域に重なる層における可能な結晶学的欠陥を防止するために、第１の損傷領域５０は、後続の機械加工ステップの前に、例えば、水素（Ｈ_２）環境におけるウェハ１００のエッチングによって選択的に除去される。

【0039】

このようにして、図１のＭＯＳＦＥＴ １の第１のエピタキシャル層１２の処理が完了する。具体的には、ドリフト領域１０１自体も、このようにして、第１のＣＳＬ ３０及び深いボディ領域１５によって占有されていない第１のエピタキシャル層１２の部分に画定される。

【0040】

次に（図２Ｅ、ステップＳ５）、第２のエピタキシャル層２２が、第２のエピタキシャル成長によってウェハ１００上に形成される。詳細には、第２のエピタキシャル層２２は、ウェハ１００と同様に、シリコンカーバイド（４Ｈ－ＳｉＣポリタイプ）、すなわち、チャネリング現象を利用することによって、イオン注入が可能な材料から作製され、例えば、１×１０^１５～１×１０^１７原子／ｃｍ^３のオーダーのドーピングを有する。第２のエピタキシャル層２２は、０．１μｍ～３μｍに含まれ、例えば１．５μｍに等しい第２の厚さＴ_２にわたって成長させる（第１の表面１００ａから始まり測定される）。

【0041】

ウェハ１００及び第２のエピタキシャル層２２は、ワークウェハ１１８を形成し、これは、基本的にボディ２に対応し、ボディ２の前面２ａと後面２ｂとの間に延在する。ワークウェハ１１８は、第５のステップＳ５に続くステップについて説明したように処理されて、第２のエピタキシャル層２２内に存在するＭＯＳＦＥＴ １の構造を画定する。

【0042】

図２Ｆ（第６のステップＳ６）を参照すると、第２のエピタキシャル層２２上に浅いボディマスク１２５が適用され、これは、浅いボディ領域２０が形成される第２のエピタキシャル層２２の部分を露出させる。具体的には、浅いボディマスク１２５は、軸Ｚの方向において、必ずしも同じ寸法ではないそれぞれの深いボディ領域１５に対応する位置に開口部を有する。浅いボディマスク１２５を使用して、Ｐ型、すなわち第２のエピタキシャル層２２の第１の導電性と反対の第２の導電性に対応するドーパントイオンの第３のチャネリングイオン注入が実施される（ここでは、チャネリング注入を示すために軸Ｚに対して傾斜した矢印１４０によって示される）。第３のチャネリングイオン注入は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）又はホウ素（Ｂ）のイオン及び２０ｋｅＶ～２０００ｋｅＶに含まれる注入エネルギーを使用して実施される。このように画定された浅いボディ領域２０は、第２のエピタキシャル層２２の第２の厚さＴ_２に等しい深さ、１～１０μｍに含まれる軸Ｘに沿った第２の寸法Ｌ_２、及び１×１０^１７～１×１０^１９原子／ｃｍ^３のオーダーの第３のドーピングレベルＰ２を有する。

【0043】

図２Ｆのワークウェハ１１８において、したがって図１のＭＯＳＦＥＴ １において、前面２ａから始まる浅いボディ領域２０の深さは、第２のエピタキシャル層２２の厚さに対応する。更に、浅いボディマスク１２５は、ＭＯＳＦＥＴ １の浅いボディ領域２０が、軸Ｚに平行な方向において、深いボディ領域１５に整合させるようなものである。上述したように、各浅いボディ領域２０は、それぞれの深いボディ領域１５に重なり、それに接触する。第１及び第２の寸法Ｌ_１、Ｌ_２は、互いに異なり、具体的には、各浅いボディ領域２０は、それぞれの深いボディ領域１５の対応する寸法よりも小さい軸Ｘに沿った寸法を有する。

【0044】

第１及び第２の寸法Ｌ_１、Ｌ_２は、以下でより詳細に説明するように、ＭＯＳＦＥＴ １の電気的性能に対応するＭＯＳＦＥＴ １の設計パラメータである。したがって、第１及び第２の寸法Ｌ_１、Ｌ_２は、それぞれの深いボディマスク１０５及び浅いボディマスク１２５を調整して選択され得、その結果、各深いボディ領域１５は、所望の性能に従って、それぞれの浅いボディ領域２０の広がりよりも大きい（図１）、小さい、又は同じ軸Ｘに沿った寸法を交互に有することになる（それぞれ、Ｌ_１＞Ｌ_２、Ｌ_１＜Ｌ_２、又はＬ_１＝Ｌ_２）。

【0045】

第７のステップＳ７（図２Ｇ）の間、浅いボディマスク１２５は、第２のＣＳＬ ４０の自己整合形成の目的で意図的に損傷させた複数の第２の領域７０を作り出すために使用される。第２の損傷領域７０は、第２のエピタキシャル層２２の表面領域であり、チャネリングを局所的に変化又は抑制するために、それぞれの浅いボディ領域２０と整合され（軸Ｘ及びＹに沿って）、それぞれの浅いボディ領域２０に画定される。

【0046】

上記の損傷は、例えば、非反応性又は非ドーパント種の第２のランダム（すなわち、非チャネル）イオン注入（図２Ｇにおいて矢印１５０によって示される）によって、すなわち、第２のエピタキシャル層２２の結晶格子に、その導電特性を局所的に変化させることなく損傷を引き起こすように、得ることができる。この目的のために設計された化学種には、例えば、シリコン（Ｓｉ）、アルゴン（Ａｒ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ヘリウム（Ｈｅ）のイオンが含まれる。

【0047】

第２の損傷領域７０を形成するために、１０^１３原子／ｃｍ^２を超える注入ドーズ量及び所望の深さのために結晶体系から原子を変位させるのに十分なエネルギー（例えば、３０～３００ｋｅＶの範囲のエネルギー）が使用され得る。各第２の損傷領域７０は、第２のエピタキシャル層２２において前面２ａから始まり、例えば、０．０５～０．２μｍ（両端値を含む）に含まれる最大深さまで延在する。

【0048】

浅いボディマスク１２５が除去されると、損傷領域７０は、図１のＭＯＳＦＥＴ １の第２のＣＳＬ ４０が存在しない第２のエピタキシャル層２２の部分の上に延在する。言い換えれば、第２の損傷領域７０は、第２のＣＳＬ ４０が注入される第２のエピタキシャル層２２の部分と相補的な部分に形成される（第７のステップＳ７）。図２Ｈは、製造プロセスの第８のステップＳ８に関し、実際に、第２の損傷領域７０が、Ｎ型、すなわち第１の導電性に対応するドーパントイオンの第４のチャネリングイオン注入（ここでは、チャネリング注入を示すために軸Ｚに対して傾斜した矢印１６０によって示される）に関して注入マスクとしてどのように作用するかを示す。

【0049】

詳細には、第２のエピタキシャル層２２全体が第４のチャネリングイオン注入にさらされるが、チャネリングによる第２のＣＳＬ ４０の形成は、事実上、表面損傷のないエピタキシャル層２２の部分、すなわち浅いボディ領域２０の外側でのみ得られる。このようにして、浅いボディ領域２０は、第４のチャネリングイオン注入から遮蔽され、同時に、第２のＣＳＬ ４０は、第２のエピタキシャル層２２内に、複数の浅いボディ領域２０に対して自己整合的な方法で画定される。

【0050】

第４のチャネリングイオン注入（矢印１６０）は、例えば、窒素又はリンイオン及び２０ｋｅＶ～２０００ｋｅＶに含まれる注入エネルギーを使用して実施される。当該パラメータは、複数の浅いボディ領域２０の間の第４のドーピングレベルＮ２であって、例えば、１０^１７原子／ｃｍ^３、又は他にそれを収容する半導体層の部分のドーピングレベルの２～２０倍のオーダーの、第４のドーピングレベルＮ２と、前面２ａから始まり、ＭＯＳＦＥＴ １において、例えば、浅いボディ領域２０の第２の厚さＴ_２に等しい、軸Ｚに沿った深さと、を規定する。

【0051】

第４のチャネリングイオン注入の終わりに、ＭＯＳＦＥＴ １の第２のＣＳＬ ４０は、第１のＣＳＬ ３０に接触して重なり、深いボディ領域１５に少なくとも部分的に接触して重なる。

【0052】

次いで、第２の損傷領域７０は、例えば、ワークウェハ１１８の水素環境（Ｈ_２）におけるエッチングによって選択的に除去される。

【0053】

図４及び図５の拡大詳細図に図示される一実施形態では、ここではそれぞれ１１５及び１３０によって示される深いボディ領域及び第１のＣＳＬは、既に説明したステップＳ１～Ｓ４と同様のステップＳ１’～Ｓ４’を、プログラムされた反復回数Ｑだけ繰り返すことによって得ることができる。実際には、各反復において、第１のエピタキシャル層１２の部分を成長させ（Ｓ１’、図６）、深いボディマスク１０５を使用して、ドーパントイオンのチャネリングイオン注入が実施され（Ｓ２’、図６）、したがって、それぞれの濃度Ｐ１１、．．．、Ｐ１Ｋ、．．．、Ｐ１Ｑを有する深いボディ領域１１５の部分が得られ、深いボディ領域１１５（Ｓ３’、図６）のそれぞれの部分の表面上に、深いボディマスク１０５を通した１つ以上の局所的エッチングステップによって、意図的に損傷させた領域（図示せず）が形成され、それぞれの濃度Ｎ１１、．．．、Ｎ１Ｋ、．．．、Ｎ１Ｑを有する第１のＣＳＬ １３０の部分が、損傷領域を注入マスクとして使用して、チャネリングイオン注入によって形成される（Ｓ４’、図６）。ドーパント種の濃度Ｐ１１、．．．、Ｐ１Ｋ、．．．、Ｐ１Ｑ、及びＮ１１、．．．、Ｎ１Ｋ、．．．、Ｎ１Ｑは、いずれの場合も、深いボディ領域１１５における第１の全電荷ＱＰ１’が、第１のＣＳＬ １３０（図４で追加される）における第２の全電荷ＱＮ１’よりも著しく大きく、典型的には少なくとも５倍大きいように、設計選好に従って選択され得る。更に、ドーパント種の濃度Ｐ１Ｋ、．．．、Ｐ１Ｑ、及びＮ１１、．．．、Ｎ１Ｋ、．．．、Ｎ１Ｑは、エピタキシャル層の各Ｋ番目の部分（図５）において、深いボディ領域１１５の部分における第１の層全電荷ＱＰ１Ｋが、第１のＣＳＬ １３０の部分における第２の層全電荷ＱＮ１Ｋよりも著しく大きく、典型的には少なくとも５倍大きくなるように選択され得る。

【0054】

次いで、プロセスは、既に説明したステップＳ５～Ｓ８に進む。

【0055】

ＭＯＳＦＥＴ １の基本セルは、ボディ２の製造プロセスの第８のステップＳ８に続いて形成される。詳細には、１つの基本セルのみが図示されている図２Ｉを参照すると、ソース領域２５（第１の導電性を有する）及びボディコンタクト領域２８（第２の導電性を有する）が、存在する場合には、注入、拡散などのセクタで知られている形成技術によって画定される。

【0056】

各ソース領域２５及び各ボディコンタクト領域２８は、エピタキシャル層２２の前面２ａから始まり、それぞれの浅いボディ領域２０において、かつ例えば０．２μｍ及び２μｍのそれぞれの深さにわたって延在する。ソース領域２５は、典型的にはドリフト領域１０１のＮドーピングレベルよりも大きく、１×１０^１８～１×１０^２０原子／ｃｍ^３のオーダーの、Ｎ＋で示されるドーピングレベルを有し、各々が軸Ｘに沿って例えば２μｍの広がりを有する。ボディコンタクト領域２８は、１×１０^１８～１×１０^２０原子／ｃｍ^３のオーダーのＰ＋で示されるドーピングを有する。

【0057】

このようにして、図１のＭＯＳＦＥＴ １の第２の層２２が完了し、実際にはボディ２全体も完了する。

【0058】

次に、複数のゲート領域３５が、セクタの典型的な技術を使用して、堆積及びリソグラフィ画定のステップによってボディ２の前面２ａ上に形成される。ゲート領域３５は各々、ボディ２の前面２ａに接触するゲート絶縁層３６（例えば酸化シリコン）と、ゲート絶縁層３６に直接重なるゲート導電層３７（例えば、ポリシリコン層）と、ゲート導電層３７を覆い、ゲート絶縁層３６とともにゲート導電層３７を封止するパッシベーション層３８と、によって形成される。詳細には、各ゲート領域３５のゲート絶縁層３６は、第２のＣＳＬ ４０のそれぞれの部分の上、第２のＣＳＬ ４０の当該それぞれの部分に隣接してその部分を区切る２つのチャネル領域２７上、及びそれぞれのチャネル領域２７に隣接する２つのソース領域２５上に部分的に延在する。ゲート領域３５のゲート導電層３７は、ここでは図示されていない方法で電気的に並列に接続され、ＭＯＳＦＥＴ １のゲート端子Ｇを形成する。

【0059】

ＭＯＳＦＥＴ １は、例えば金属材料及び／又は金属シリサイドのソースメタライゼーション領域２６を更に備え、これは、ＭＯＳＦＥＴ １のソース端子Ｓを形成し、ボディ２の前面２ａの上に延在し、ソース領域２５及びボディコンタクト領域２８と直接電気的に接触している。ボディコンタクト領域２８は、実際には、ソース端子Ｓの電位で、浅いボディ領域２０、したがって深いボディ領域１５をバイアスするために使用される。

【0060】

最後に、ＭＯＳＦＥＴ １は、導電性材料、例えば、金属又はシリサイドのドレインメタライゼーション領域１１を備え、これは、基板１０と直接電気的に接触してボディ２の後面２ｂの上に（ソースメタライゼーション領域２６と反対の方向に）延在し、ＭＯＳＦＥＴ １のドレイン端子Ｄを形成する。

【0061】

本開示のプロセスの様々な実施形態に従って製造されたＭＯＳＦＥＴ １は、改善された電気的性能を呈する。含有される注入エネルギーの使用は、おそらくチャネリング現象のおかげで、ドーパントイオンの低減された横方向分散を得ることを可能にし、したがって、制御され得、設計段階で確立されたものと一致する、ボディ２におけるドーパントイオンの濃度プロファイルを得ることを可能にする。更に、第１及び第２の層１２、２２が、含有される注入エネルギーを使用して画定されることを仮定すると、薄いマスクを使用することが可能であり、そのため、より大きな横方向の画定を得ることがより容易である。

【0062】

既に注入された領域（ここでは、例えば、チャネル注入で得られる）上にランダム注入条件（すなわち、チャネリングがない）で実施される意図的に損傷させた領域（ＩＤＲ）に頼る技術は、具体的には、損傷後のステップで形成される領域が、例えば、異なるドーピングレベル又は反対のドーピングレベルを示す既に存在する領域に対して自己整合され得るので、横方向の画定を更に改善することを可能にする。損傷によってチャネリングを局所的に変化又は抑制することによって、実際に、（チャネリングによって）後続のステップで形成される領域の広がりを随意に選択し、既に存在する領域を後続のチャネリング注入から保護し、その所望のドーピングレベルを保持することが可能である。表面的に損傷された領域は、実際に、その後のチャネル注入に関して注入マスクとして作用する。

【0063】

このようにして、エピタキシャル成長させた（ここではシリコンカーバイドの）層内で、層自体の寸法に沿って（ここでは例えば平面ＸＹにおいて）及び層の重ね合わせの方向に（ここでは軸Ｚに沿って）可変であり得るプロファイルを用いて、ドーピングレベルを正確に、かつより低い生産コスト（含有される注入エネルギー、自己整合）で規定することが可能である。

【0064】

ＭＯＳＦＥＴ １において、これは、ボディ領域とドレイン領域との間の接合を規定する際に、及び導電チャネルの濃度を制御する際に、より大きな柔軟性をもたらし、微細化方向におけるＭＯＳＦＥＴ １のスケーラビリティに関して、したがって基本セルの数の増加に関して、全体的な利益を伴う。

【0065】

第１及び第２の寸法Ｌ_１、Ｌ_２は、第１及び第２の厚さＴ_１、Ｔ_２、並びに第１及び第３のドーピングレベルＰ１、Ｐ２と同様に、実際には、ＭＯＳＦＥＴ １の電気的性能に対応するＭＯＳＦＥＴ １の設計パラメータである。詳細には、深いボディ領域１５及び浅いボディ領域２０は、ボディ２の強い電界に関して、ボディ２に重なる層、具体的には、ゲート絶縁層３６を遮蔽する機能を有する全体的なボディ構造を形成する。改善された遮蔽は、結果として、パワーデバイスの低減されたスイッチングオン電圧をもたらし得る。

【0066】

深いボディ領域１５の存在は、ＭＯＳＦＥＴ １がオフ状態にあり、ソース端子Ｓとドレイン端子Ｄとの間の電圧（Ｖ_ＤＳ）が高いとき、例えば、４００Ｖよりも高いとき、電界のより高い値が、前面２ａから離れたボディ２の深さにおいて得られることを意味する。これにより、電界は、ボディ２のより浅い部分（ここでは第２のＣＳＬ ４０）において、具体的にはゲート絶縁層３６の近傍において、より低い値をとる。結果として、ＭＯＳＦＥＴ １は、信頼性の高い性能を呈する。

【0067】

第１及び第２の寸法Ｌ_１、Ｌ_２、並びに同時に第１及び第２の厚さＴ_１、Ｔ_２、並びに第１及び第３のドーピングレベルＰ１、Ｐ２は、個々の基本セルの寸法に関しても、所望の電気的パラメータ（正確には電界に対する遮蔽など）を得るために機能するボディ構造に対する形状（ＭＯＳＦＥＴ １では、例えば逆Ｔの形状）及びドーピングプロファイルを提供するように選択される。

【0068】

同時に、第１及び第２のＣＳＬ ３０、４０も電流拡散構造を形成し、その寸法（ボディ構造の形状及び寸法に関連して）及びそのドーピングプロファイルは、本開示の様々な実施形態によるプロセスによって柔軟に選択され得る。具体的には、異なるＣＳＬの間の異なるドーパント濃度は、チャネル濃度の、したがってデバイスの電気パラメータの効果的な変調を可能にし、更に、使用中のボディ領域のピンチング及びオン状態抵抗の制御されない変動などの望ましくない現象に対抗する。

【0069】

最後に、付属の特許請求の範囲において定義される本開示の範囲から逸脱することなく、本明細書で説明及び図示されるものに対して修正及び変形が行われ得ることが明らかである。

【0070】

例えば、ボディ構造は、図示されたものとは異なる形状を有してもよい。深いボディ領域は、浅いボディ領域よりも（軸Ｘに沿って）広がりが小さくてもよく、この場合、浅いボディ領域は、第１のＣＳＬに少なくとも部分的に重なり、それと接触する。あるいは、深いボディ領域及び浅いボディ領域は、（軸Ｘに沿って）同一の広がりを有してもよい。

【0071】

製造プロセスの変形例（図示せず）では、第１及び第２のＣＳＬ ３０、４０のチャネリングイオン注入は、前述の第１及び第２の厚さＴ_１、Ｔ_２よりも小さい又は大きいそれぞれの深さを規定するようなものである。

【図1】

【図2A】

【図2B】

【図2C】

【図2D】

【図2E】

【図2F】

【図2G】

【図2H】

【図2I】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【外国語明細書】