特開 2025-31522 積層型電子部品

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025031522

(43)【公開日】2025-03-07

(54)【発明の名称】積層型電子部品

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/30 20060101AFI20250228BHJP

【ＦＩ】

H01G4/30 201M

H01G4/30 515

【審査請求】未請求

【請求項の数】14

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024085144

(22)【出願日】2024-05-24

(31)【優先権主張番号】10-2023-0110629

(32)【優先日】2023-08-23

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】110000877

【氏名又は名称】弁理士法人ＲＹＵＫＡ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】ユン、ハン ソル

(72)【発明者】

【氏名】カン、スン ヒュン

(72)【発明者】

【氏名】キム、ジ ウォン

(72)【発明者】

【氏名】カン、ミン ゴー

【テーマコード（参考）】

5E001

5E082

【Ｆターム（参考）】

5E001AB03

5E001AD02

5E001AE01

5E001AE03

5E001AE04

5E001AF06

5E082AA01

5E082AB03

5E082BC40

5E082EE04

5E082FF05

5E082FG04

5E082FG26

5E082GG10

5E082PP03

(57)【要約】

【課題】積層型電子部品の内部で発生する熱を効果的に放出して積層型電子部品の信頼性を改善する。
【解決手段】
本発明の一実施形態は、第１方向に交互に配置される誘電体層及び内部電極を含む容量形成部、及び上記容量形成部の上記第１方向に向かい合う両面上に配置されるカバー部を含む本体及び上記本体の外部に配置されて上記内部電極と連結される外部電極を含み、上記カバー部は、一般式ＡＢＯ_３で表されるペロブスカイト構造を有する第１誘電物質とＣｕ、Ｗ、Ａｇ、及びＺｎのうち１つ以上を含む第１金属を含み、上記カバー部の少なくとも一部の領域において、上記第１金属含有量は、上記Ｂサイト元素１００モルに対して２．０モル以上９．０モル以下である積層型電子部品を提供する。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１方向に交互に配置される誘電体層及び内部電極を含む容量形成部、及び前記容量形成部の前記第１方向に向かい合う両面上に配置されるカバー部を含む本体と、
前記本体の外部に配置されて、前記内部電極と連結される外部電極と、を含み、
前記カバー部は、一般式ＡＢＯ_３で表されるペロブスカイト構造を有する第１誘電物質とＣｕ、Ｗ、Ａｇ及びＺｎのうち１つ以上を含む第１金属を含み、
前記カバー部の少なくとも一部の領域において、前記第１金属の含有量は、Ｂサイト元素１００モルに対して２．０モル以上９．０モル以下である、積層型電子部品。

【請求項2】

前記第１金属はＣｕである、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項3】

前記カバー部の少なくとも一部の領域において、前記第１金属の含有量は、前記Ｂサイト元素１００モルに対して６．０モル以下である、請求項２に記載の積層型電子部品。

【請求項4】

前記カバー部は、前記第１方向における前記Ｂサイト元素１００モルに対する前記第１金属の含有量の標準偏差が３．０モル以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項5】

前記第１誘電物質は、複数の誘電体結晶粒及び隣接する誘電体結晶粒間に配置される結晶粒界を含み、
前記第１金属の少なくとも一部は、前記複数の誘電体結晶粒に含まれる、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項6】

前記第１誘電物質は、複数の誘電体結晶粒及び隣接する誘電体結晶粒間に配置される結晶粒界を含み、
前記第１金属の少なくとも一部は、前記結晶粒界に存在する、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項7】

前記誘電体層は、前記第１誘電物質を含み、
Ａサイト元素はＣａを含み、
前記Ｂサイト元素はＺｒを含む、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項8】

前記第１誘電物質は、（Ｃａ_１－ｘＳｒ_ｘ）（Ｚｒ_１－ｙＴｉ_ｙ）Ｏ_３（前記ｘの範囲は０≦ｘ≦０．５、前記ｙの範囲は０≦ｙ≦０．５）である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項9】

前記誘電体層は、Ｍｎを含む第１副成分を含み、
前記誘電体層の少なくとも一部の領域において、前記第１副成分の含有量は、前記Ｂサイト元素１００モルに対して０．１モル以上２．０モル以下である、請求項７に記載の積層型電子部品。

【請求項10】

前記誘電体層は、Ｙを含む第２副成分を含み、
前記誘電体層の少なくとも一部の領域において、前記第２副成分の含有量は、前記Ｂサイト元素１００モルに対して０．１モル以上２．０モル以下である、請求項７に記載の積層型電子部品。

【請求項11】

前記誘電体層はＳｉを含む第３副成分を含み、
前記誘電体層の少なくとも一部の領域において、前記第３副成分の含有量は、前記Ｂサイト元素１００モルに対して０．１モル以上２．０モル以下である、請求項７に記載の積層型電子部品。

【請求項12】

前記誘電体層は前記第１金属を含まない、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項13】

前記誘電体層は前記第１金属を含み、
前記誘電体層に含まれた第１金属の濃度は、前記カバー部に含まれた第１金属の濃度よりも低い、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項14】

前記本体は、前記第１方向に向かい合う第１面及び第２面、前記第１面及び前記第２面と連結され、第２方向に向かい合う第３面及び第４面、前記第１面から前記第４面と連結され、第３方向に向かい合う第５面及び第６面を含み、
前記外部電極は前記第３面及び前記第４面に配置され、
前記積層型電子部品の前記第２方向の最大大きさは３．２ｍｍ以上であり、前記第３方向の最大大きさは１．６ｍｍ以上である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、積層型電子部品に関するものである。

【背景技術】

【0002】

積層型電子部品の一つである積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマ表示装置パネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）などの映像機器、コンピュータ、スマートフォン及び携帯電話などの様々な電子製品のプリント回路基板に装着されて電気を充電または放電させる役割を果たすチップ形態のコンデンサである。

【0003】

最近、電気自動車市場の拡大により、自動車高電圧バッテリ充電器（ＯＢＣ）及びＤＣ／ＤＣコンバータなどの回路内における作動電圧が２５０Ｖ以上の高温及び高圧用積層セラミックキャパシタの使用が拡大している。

【0004】

上記水準の高温及び高圧環境では、積層セラミックキャパシタの誘電損失及び内部電極と外部電極に含まれた金属抵抗による自己発熱現象が現れるおそれがある。このような発熱現象は、誘電体層の劣化を加速させ、積層セラミックキャパシタの寿命を短縮させるため、積層セラミックキャパシタの放熱改善のための研究が必要な実情である。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明の様々な目的の一つは、積層型電子部品の内部で発生する熱を効果的に放出して積層型電子部品の信頼性を改善することである。

【0006】

但し、本発明の目的は上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明の一実施形態は、第１方向に交互に配置される誘電体層及び内部電極を含む容量形成部、及び上記容量形成部の上記第１方向に向かい合う両面上に配置されるカバー部を含む本体及び上記本体の外部に配置されて、上記内部電極と連結される外部電極を含み、上記カバー部は、一般式ＡＢＯ_３で表されるペロブスカイト構造を有する第１誘電物質とＣｕ、Ｗ、Ａｇ、及びＺｎのうち１つ以上を含む第１金属を含み、上記カバー部の少なくとも一部の領域において、上記第１金属含有量は、上記Ｂサイト元素１００モルに対して２．０モル以上９．０モル以下の積層型電子部品を提供する。

【発明の効果】

【0008】

本発明の様々な効果の一つとして、積層型電子部品の内部で発生する熱を効果的に放出して積層型電子部品の信頼性を改善することができる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】本発明の一実施形態による積層型電子部品を概略的に示した斜視図である。

【図2】図１のＩ－Ｉ'線に沿った切断断面を概略的に示した断面図である。

【図3】図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿った切断断面を概略的に示した断面図である。

【図4】本発明の一実施形態による積層型電子部品の本体を分解して概略的に示した分解斜視図である。

【図5】図２のＫ１領域拡大図である。

【図6】積層型電子部品の発熱評価方法を概略的に示した模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下、具体的な実施形態及び添付の図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。しかし、本発明の実施形態は、いくつかの他の形態に変形することができ、本発明の範囲が以下説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、通常の技術者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために拡大縮小表示（又は強調表示や簡略化表示）がされることがあり、図面上に同一符号で示される要素は同一要素である。

【0011】

尚、図面において本発明を明確に説明するために説明と関係ない部分は省略し、図示した各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜のために任意で示したものであるため、本発明は必ずしも図示により限定されない。また、同一の思想の範囲内の機能が同一である構成要素は、同一の参照符号を用いて説明することができる。さらに、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」というのは、特に反対される記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。

【0012】

図面において、第１方向は厚さＴ方向、第２方向は長さＬ方向、第３方向は幅Ｗ方向と定義することができる。

【0013】

［積層型電子部品］
図１は、本発明の一実施形態による積層型電子部品を概略的に示した斜視図であり、図２は、図１のＩ－Ｉ'線に沿った切断断面を概略的に示した断面図であり、図３は、図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿った切断断面を概略的に示した断面図であり、図４は、本発明の一実施形態による積層型電子部品の本体を分解して概略的に示した分解斜視図であり、図５は、図２のＫ１領域拡大図である。

【0014】

以下、図１～図５を参照して、本発明の一実施形態による積層型電子部品１００について説明する。また、積層型電子部品の一例として積層セラミックキャパシタ（Ｍｕｌｔｉ－ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ、以下「ＭＬＣＣ」という）について説明するが、本発明がこれに限定されるものではなく、積層セラミックキャパシタに対する説明と矛盾しない限り、様々な積層型電子部品、例えば、インダクタ、圧電体素子、バリスタ、またはサーミスタなどにも適用されることができる。

【0015】

本発明の一実施形態による積層型電子部品１００は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２を含む容量形成部Ａｃ、及びカバー部１１２、１１３を含む本体１１０と外部電極１３１、１３２を含むことができる。

【0016】

本体１１０の具体的な形状に特に制限はないが、図示のように本体１１０は六面体状やこれと類似した形状からなることができる。焼成過程で本体１１０に含まれた誘電物質粉末の収縮やエッジ部の研磨により、本体１１０は完全な直線を有する六面体状ではないが、実質的に六面体状を有することができる。

【0017】

本体１１０は、第１方向に向かい合う第１面１及び第２面２、上記第１面１、及び第２面２と連結され、第２方向に向かい合う第３面３及び第４面４、第１面１から第４面４と連結され、第３方向に向かい合う第５面５、及び第６面６を有することができる。

【0018】

本体１１０は、第１方向に交互に配置される誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２を含む容量形成部Ａｃ、及び容量形成部Ａｃの第１方向に向かい合う両面上に配置されるカバー部１１２、１１３を含むことができる。

【0019】

容量形成部Ａｃは、本体１１０の内部に配置され、誘電体層１１１を挟んで互いに交互に配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含んで積層型電子部品１００の容量を形成することができる。カバー部１１２、１１３は、容量形成部Ａｃの第１方向に向かい合う両面上にそれぞれ配置される第１カバー部１１２及び第２カバー部１１３を含むことができる。カバー部１１２、１１３は、基本的に物理的または化学的ストレスによる容量形成部Ａｃの損傷を防止する役割を果たすことができる。

【0020】

本発明の一実施形態によると、カバー部１１２、１１３は、一般式ＡＢＯ_３で表されるペロブスカイト構造を有する第１誘電物質と第１金属を含むことができる。上記Ａサイト元素は、例えば、Ｃａを含むことができ、上記Ｂサイト元素は、例えばＺｒを含むことができる。上記第１誘電物質は、例えば、（Ｃａ_１－ｘＳｒ_ｘ）（Ｚｒ_１－ｙＴｉ_ｙ）Ｏ_３（上記ｘの範囲は０≦ｘ≦０．５、上記ｙの範囲は０≦ｙ≦０．５）であることができる。上記第１誘電物質に対する詳細な説明は後述する。

【0021】

上述したように、高温及び高圧環境で積層型電子部品１００の自己発熱現象が発生する可能性があり、このような発熱現象は誘電体層１１１の劣化を加速させ、積層型電子部品１００の寿命を短縮させるおそれがある。積層型電子部品１００の内部で発生した熱は、上記第１誘電物質を主成分とする誘電体層１１１とカバー部１１２、１１３よりも比較的熱伝導率の高い金属を主成分とする内部電極１２１、１２２と外部電極１３１、１３２を介して積層型電子部品１００の外部に放出することができるが、積層型電子部品１００の外表面のうちカバー部１１２、１１３が占める面積は相当であるため、カバー部１１２、１１３を介した放熱を活性化させる必要がある。

【0022】

これによって、本発明の一実施形態では、積層型電子部品１００の外表面の一部を構成するカバー部１１２、１１３が上記第１金属を含むことにより積層型電子部品１００の内部で発生した熱がカバー部１１２、１１３を介しても放出されることができ、これによって積層型電子部品１００の信頼性を向上させることができる。

【0023】

上記第１金属は、例えば、Ｃｕ、Ｗ、Ａｇ及びＺｎのうち１つ以上であることができる。Ｃｕ、Ｗ、Ａｇ及びＺｎは、金属元素の中でも熱伝導度に優れた金属元素であるため、積層型電子部品１００の内部で発生した熱を効果的に放出することができる。より好ましくは、上記第１金属はＣｕであることができる。Ｃｕは２０℃で熱伝導率が約３９７Ｗ／（ｍ・Ｋ）であり、金属元素のうち熱伝導率が２番目で高い元素であり、値段も安価であるため、第１金属はＣｕであることが好ましい。

【0024】

但し、上記第１金属は導体であるため、カバー部１１２、１１３に含まれた上記第１金属含有量が増加するほど、カバー部１１２、１１３の絶縁性が低下するおそれがあり、結果的に積層型電子部品１００の絶縁抵抗を低下させたり、耐湿信頼性を低下させるおそれがある。

【0025】

これによって、本発明の一実施形態では、カバー部１１２、１１３の少なくとも一部の領域において、上記第１金属含有量は、上記Ｂサイト元素１００モルに対して２．０モル以上９．０モル以下であることが好ましいことができる。より好ましくは、カバー部１１２、１１３の少なくとも一部の領域において、上記第１金属含有量は、上記Ｂサイト元素１００モルに対して２．０モル以上６．０モル以下であることができる。カバー部１１２、１１３の少なくとも一部の領域において、上記第１金属含有量が上記Ｂサイト元素１００モルに対して２．０モル未満である場合、本発明の熱放出効果が僅かであり、上記第１金属含有量が上記Ｂサイト元素１００モルに対して９．０モル超過である場合、積層型電子部品１００の絶縁抵抗が低下したり、積層型電子部品１００の耐湿信頼性が低下することがある。

【0026】

カバー部１１２、１１３に含まれた上記第１金属含有量を測定する方法は、特に限定する必要はない。例えば、本体１１０の第３方向の中央で切断した第１方向及び第２方向の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影したイメージを得た後、カバー部１１２、１１３内の任意の領域に対するエネルギー分散型分光分析法（ＥＤＳ）を介して上記Ｂサイト元素の含有量（ａｔ％）と上記第１金属含有量（ａｔ％）を測定することができ、これにより上記Ｂサイト元素１００モルに対する上記第１金属含有量を測定することができる。また、カバー部１１２、１１３に含まれた上記第１金属含有量は、第１方向に等間隔の１０個以上の地点で上記Ｂサイト元素１００モルに対する上記第１金属のモル数を測定した後、測定したモル数を平均した値を意味することもできる。すなわち、カバー部１１２、１１３に含まれた上記第１金属の平均含有量は、上記Ｂサイト元素１００モルに対して２．０モル以上９．０モル以下であることができる。また、カバー部１１２、１１３に含まれた上記第１金属含有量は、当業界で一般的に用いられる測定法を用いて測定することもできる。

【0027】

一実施形態において、カバー部１１２、１１３は、第１方向における上記Ｂサイト元素１００モルに対して上記第１金属含有量の標準偏差が３．０モル以下であることができる。すなわち、カバー部１１２、１１３内における上記第１金属含有量は、第１方向を基準に比較的均一であることができる。容量形成部Ａｃで発生した熱をカバー部１１２、１１３の外表面を介して効果的に放出するためには、熱伝導率の高い上記第１金属が第１方向を基準に均一に分布していることが好ましいことができる。

【0028】

第１方向における上記Ｂサイト元素１００モルに対して上記第１金属含有量の標準偏差を測定する方法の一例を説明する。例えば、本体１１０の第３方向の中央で切断した第１方向及び第２方向の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したイメージを得た後、カバー部１１２、１１３で第１方向に等間隔の１０個以上の地点、２０個以上の地点、または３０個以上の地点をエネルギー分散型分光分析法（ＥＤＳ）で分析することができる。このとき、各地点における上記Ｂサイト元素の含有量（ａｔ％）と第１金属含有量（ａｔ％）を測定することができ、これにより各地点における上記Ｂサイト元素１００モルに対する上記第１金属のモル数を測定することができる。上記第１金属含有量の標準偏差は、上記各地点における第１金属のモル数の測定値の分散（ｖａｒｉａｎｃｅ）を求めた後、上記分散に平方根を取って得ることができる。

【0029】

図５を参照すると、上記第１誘電物質は、複数の誘電体結晶粒Ｇ及び隣接する誘電体結晶粒の間に配置される結晶粒界ＧＢを含むことができる。このとき、上記第１金属の少なくとも一部は、複数の誘電体結晶粒Ｇに含まれることができる。例えば、Ｃｕ、Ｗ、Ａｇ及びＺｎなどは、第１誘電物質のＡサイト元素またはＢサイト元素を置換することによって誘電体結晶粒Ｇに含まれることができる。

【0030】

但し、本発明がこれに限定されるものではなく、上記第１金属含有量が増加して上記第１金属が誘電体結晶粒Ｇに過固溶すると、上記第１金属の少なくとも一部は結晶粒界ＧＢに存在することができる。

【0031】

カバー部１１２、１１３の厚さは特に限定する必要はない。但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化のために、カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃは、６００μｍ以下、４００μｍ以下、２００μｍ以下、１００μｍ又は２０μｍ以下であることができる。カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃは、例えば、５μｍ以上、２０μｍ以上、１００μｍ以上、２００μｍ以上、又は５００μｍ以上であることができるが、本発明がこれに限定されるものではない。ここで、カバー部１１２、１１３の平均厚さは、第１カバー部１１２及び第２カバー部１１３のそれぞれの平均厚さを意味する。

【0032】

カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃは、カバー部１１２、１１３の第１方向への平均大きさを意味することができ、本体１１０の第３方向の中央から切断した第１方向及び第２方向の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したイメージにおいて、第２方向に等間隔の５地点で測定したカバー部の第１方向の大きさを平均した値であることができる。

【0033】

本体１１０の容量形成部Ａｃは、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２が交互に積層されていることができる。本体１１０を形成する複数の誘電体層１１１は焼成された状態であり、隣接する誘電体層１１１間の境界は走査電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を利用せずには確認しにくいほど一体化することができる。

【0034】

誘電体層１１１は、上記第１誘電物質を含むことができる。上記Ａサイト元素は、例えばＣａを含むことができ、上記Ｂサイト元素は、例えばＺｒを含むことができる。すなわち、誘電体層１１１に含まれた上記第１誘電物質は、例えば、（Ｃａ_１－ｘＳｒ_ｘ）（Ｚｒ_１－ｙＴｉ_ｙ）Ｏ_３（上記ｘの範囲は０≦ｘ≦０．５、上記ｙの範囲は０≦ｙ≦０.５）であることができる。誘電体層１１１は、上記第１誘電物質を主成分として含むことができる。

【0035】

誘電体層１１１に適用される誘電物質としてチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）などの強誘電体を用いる場合、常温で高い誘電率を有するが、高温及び高圧環境で電歪クラックが発生したり、静電容量が減少するという問題点が発生することがある。

【0036】

一方、常誘電体であるＣａＺｒＯ_３系ペロブスカイト化合物は、誘電率の温度変化が小さく、誘電損失が小さいという特徴がある。すなわち、誘電体層１１１に含まれた第１誘電物質としてＣａＺｒＯ_３系化合物を用いることにより、静電容量の温度変化率と誘電損失を低くして積層型電子部品の高温信頼性を確保することができる。すなわち、カバー部１１２、１１３が上記第１金属を含み、誘電体層１１１が上記第１誘電物質を含む場合、高温及び高圧での放熱特性及び電気的特性に優れた積層型電子部品１００を得ることができる。

【0037】

誘電体層１１１はその他の副成分を含むことができる。例えば、誘電体層１１１は、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ及びＣｏのうち１つ以上を含む第１副成分を含むことができる。例えば、誘電体層１１１は、Ｍｎを含む第１副成分を含むことができ、第１副成分はＭｎであることができる。上記第１副成分は、耐還元性を付与し、微細構造の緻密化を向上させ、高温寿命を維持する役割を果たすことができる。

【0038】

上記第１副成分の含有量は特に限定する必要はないが、誘電体層１１１の少なくとも一部の領域において、上記第１副成分の含有量は上記Ｂサイト元素１００モルに対して０．１モル以上２．０モル以下であることができる。上記第１副成分の含有量が上記Ｂサイト元素１００モルに対して０．１モル未満であると耐還元性及び信頼性が低下することがあり、２．０モル超過であると焼成温度増加及び高温耐電圧低下等の副効果が発生することがある。

【0039】

誘電体層１１１は、例えば、Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｅｒ及びＺｒのうち１つ以上を含む第２副成分を含むことができる。例えば、誘電体層１１１は、Ｙを含む第２副成分を含むことができ、第２副成分はＹであることができる。上記第２副成分は、粒成長制御及び誘電体結晶粒の分布を均一化することによって信頼性を向上させる役割を果たすことができる。

【0040】

第２副成分の含有量は特に限定する必要はないが、誘電体層１１１の少なくとも一部の領域において、上記第２副成分の含有量は、上記Ｂサイト元素１００モルに対して０．１モル以上２．０モル以下であることができる。

【0041】

誘電体層１１１は、例えば、Ｓｉを含む第３副成分を含むことができる。上記第３副成分は、焼結温度を下げて焼結性を促進させる役割を果たすことができる。

【0042】

第３副成分の含有量は特に限定する必要はないが、誘電体層１１１の少なくとも一部の領域において、上記第３副成分の含有量は、上記Ｂサイト元素１００モルに対して０．１モル以上２．０モル以下であることができる。上記第３副成分の含有量が上記Ｂサイト元素１００モルに対して０．１モル未満であると誘電体層の緻密性が低下することがあり、２．０モル超過であると２次相生成により耐電圧特性が低下することがある。

【0043】

一方、カバー部１１２、１１３も上記第１副成分～第３副成分を含むことが好ましいことができる。また、カバー部１１２、１１３の少なくとも一部の領域において、上記第１副成分の含有量は、上記Ｂサイト元素１００モルに対して０．１モル以上２．０モル以下であることができ、上記第２副成分の含有量は上記Ｂサイト元素１００モルに対して０．１モル以上２．０モル以下であることができ、上記第３副成分の含有量は、上記Ｂサイト元素１００モルに対して０．１モル以上２．０モル以下であることができる。

【0044】

一方、誘電体層１１１は上記第１金属を含まないことが好ましい。カバー部１１２、１１３に含まれた上記第１金属は、積層型電子部品１００の電気的特性に大きな影響を与えずに積層型電子部品１００の放熱特性を改善することができるが、誘電体層１１１が導体である上記第１金属を含む場合、積層型電子部品１００の絶縁抵抗を低下させたり、ショート不良などを誘発することがある。

【0045】

これにより、誘電体層１１１が上記第１金属を含む場合には、誘電体層１１１に含まれた第１金属の濃度は、カバー部１１２、１１３に含まれた第１金属の濃度よりも低いことが好ましい。

【0046】

内部電極１２１、１２２は誘電体層１１１と交互に配置されることができ、例えば、互いに異なる極性を有する一対の電極である第１内部電極１２１と第２内部電極１２２が誘電体層１１１を挟んで互いに対向するように配置されることができる。第１内部電極１２１と第２内部電極１２２は、その間に配置された誘電体層１１１によって互いに電気的に分離することができる。

【0047】

第１内部電極１２１は、第４面４と離隔し、第３面３に向かって延びるように配置されることができる。第２内部電極１２２は、第３面３と離隔し、第４面４に向かって延びるように配置されることができる。

【0048】

内部電極１２１、１２２に含まれる導電性金属は、特に限定する必要はないが、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｗ、Ｔｉ及びこれらの合金のうち１つ以上を含むことができる。

【0049】

一方、内部電極１２１、１２２は、例えば、Ｎｉを主成分として含むことができる。ここで、主成分とは、内部電極１２１、１２２を構成する成分のうち５０ａｔ％以上の成分を意味する。但し、誘電体層１１１がＣａＺｒＯ_３系化合物を主成分として含む場合、内部電極１２１、１２２がＮｉを主成分として含むと、誘電体層１１１と内部電極１２１、１２２を同時に焼成するとき、ＣａＺｒＯ_３系化合物を還元させて誘電特性が低下することがある。これにより、一実施形態において、内部電極１２１、１２２は、Ｎｉに比べて耐酸化性に優れたＣｕを主成分として含むことができる。内部電極１２１、１２２がＣｕを主成分として含む場合、ＣａＺｒＯ_３系化合物の還元を容易に防止することができる。

【0050】

誘電体層１１１の平均厚さｔｄは特に限定する必要はないが、例えば１．０μｍ以上５０．０μｍ以下であることができる。内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは特に限定する必要はないが、例えば０．５μｍ以上３．０μｍ以下であることができる。一実施形態において、誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、内部電極１２１、１２２の平均厚さの２倍よりも大きいことができる。すなわち、ｔｄ＞２×ｔｅを満たすことができる。高電圧電装用電子部品の場合、高電圧環境下での絶縁破壊電圧の低下を防ぐために、誘電体層１１１の平均厚さを内部電極１２１、１２２の平均厚さの２倍よりもさらに大きくすることで絶縁破壊電圧特性を向上させることができる。

【0051】

誘電体層１１１の平均厚さｔｄ及び内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは、それぞれ誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２の第１方向の大きさを意味する。誘電体層１１１の平均厚さｔｄ及び内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でスキャンして測定することができる。より具体的には、誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、１つの誘電体層１１１の多数の地点、例えば第２方向に等間隔の３０地点でその厚さを測定して平均値を測定することができる。また、内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは、１つの内部電極１２１、１２２の多数の地点、例えば第２方向に等間隔の３０地点でその厚さを測定して平均値を測定することができる。上記等間隔の３０地点は容量形成部Ａｃで指定されることができる。一方、このような平均値測定をそれぞれ１０個の誘電体層１１１及び１０個の内部電極１２１、１２２について実施した後、平均値を測定すると、誘電体層１１１の平均厚さｔｄ及び内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅをさらに一般化することができる。

【0052】

本体１１０は、容量形成部Ａｃの第３方向に向かい合う両面上にそれぞれ配置される第１マージン部１１４及び第２マージン部１１５を含むことができる。すなわち、マージン部１１４、１１５は、本体１１０を第１方向及び第３方向に切った断面で内部電極１２１、１２２の両端と本体１１０の境界面との間の領域を意味することができる。

【0053】

マージン部１１４、１１５は、内部電極１２１、１２２を含まないことを除いては、誘電体層１１１と同じ材料を含むことができる。一実施形態において、マージン部１１４、１１５は上記第１金属を含まないことができる。マージン部１１４、１１５は、カバー部１１２、１１３に比べて誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２に大きな影響を与えることができる。したがって、マージン部１１４、１１５が導体である上記第１金属を含む場合、積層型電子部品１００の絶縁抵抗を低下させたり、ショート不良などを引き起こすことがある。マージン部１１４、１１５が上記第１金属を含む場合には、マージン部１１４、１１５に含まれた第１金属の濃度は、カバー部１１２、１１３に含まれた第１金属の濃度よりも低いことが好ましい。

【0054】

マージン部１１４、１１５は、セラミックグリーンシート上にマージン部が形成されるところを除いて内部電極用導電性ペーストを塗布して焼成することにより形成されたものであることができる。または、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後に内部電極１２１、１２２が本体の第５面５及び第６面６に露出するように切断した後、単一誘電体層または２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの第３方向に向かい合う両面上に積層することにより、マージン部１１４、１１５を形成することもできる。

【0055】

マージン部１１４、１１５の平均厚さｔｍは、特に限定する必要はない。但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化のために、マージン部１１４、１１５の平均厚さｔｍは５００μｍ以下、４００μｍ以下、１００μｍ以下、５０μｍ以下、または２０μｍ以下であることができる。ここで、マージン部１１４、１１５の平均厚さは、第１マージン部１１４及び第２マージン部１１５のそれぞれの平均厚さを意味する。

【0056】

マージン部１１４、１１５の平均厚さは、マージン部１１４、１１５の第３方向の平均大きさを意味することができ、本体１１０の第１方向及び第３方向の断面で等間隔の５地点で測定した第３方向の大きさを平均した値であることができる。

【0057】

外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３面３及び第４面４に配置されることができ、第１面１、第２面２、第５面５及び第６面６の一部上に延びることができる。外部電極１３１、１３２は、第１内部電極１２１と連結される第１外部電極１３１及び第２内部電極１２２と連結される第２外部電極１３２を含むことができる。

【0058】

外部電極１３１、１３２は、第３面３及び第４面４に配置されて、内部電極１２１、１２２と連結される電極層１３１ａ、１３２ａ及び電極層１３１ａ、１３２ａ上に配置されるめっき層１３１ｂ、１３２ｂを含むことができる。具体的には、第１外部電極１３１は、第３面３に配置されて第１内部電極１２１と連結される第１電極層１３１ａ及び第１電極層１３１ａ上に配置される第１めっき層１３１ｂを含み、第２外部電極１３２は第４面４に配置されて第２内部電極１２２と連結される第２電極層１３２ａ及び第２電極層１３２ａ上に配置される第２めっき層１３２ｂを含むことができる。

【0059】

電極層１３１ａ、１３２ａは金属及びガラスを含むことができる。電極層１３１ａ、１３２ａに含まれた金属は、電気的連結性を確保する役割を果たし、ガラスは本体１１０との結合力を向上させる役割を果たすことができる。

【0060】

電極層１３１ａ、１３２ａに含まれた金属は、電気導電性を有するものであれば、如何なる物質を用いても形成されることができ、電気的特性、構造的安定性などを考慮して具体的な物質が決定されることができる。例えば、電極層１３１ａ、１３２ａに含まれた金属は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群から選択された１つ以上であることができる。

【0061】

一方、電極層１３１ａ、１３２ａは、金属及びガラスを含む１層のみで構成されることができるが、本発明がこれに制限されるものではなく、電極層１３１ａ、１３２ａは多層構造を有することができる。

【0062】

例えば、電極層１３１ａ、１３２ａは、金属及びガラスを含む第１層及び上記第１層上に配置され、金属及び樹脂を含む第２層を含むことができる。電極層１３１ａ、１３２ａが第２層を含むことにより、積層型電子部品１００の反り強度を改善することができる。

【0063】

上記第２層に含まれる金属は特に制限されず、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群から選択された１つ以上を含むことができる。

【0064】

上記第２層に含まれる金属は、球状粉末及びフレーク状粉末のうち１つ以上を含むことができる。すなわち、上記第２層に含まれる金属は、フレーク状粉末のみで構成されるか、球状粉末のみで構成されることができ、フレーク状粉末と球状粉末が混合した形態であることもできる。ここで、球状粉末は、完全な球状ではない形態も含むことができ、例えば、長軸と短軸の長さ比率（長軸／短軸）が１．４５以下の形態を含むことができる。フレーク状粉末は、平らでありながら細長い形態を有する粉末を意味し、特に制限されるものではないが、例えば、長軸と短軸の長さ比率（長軸／短軸）が１．９５以上であることができる。上記球状粉末及びフレーク状粉末の長軸と短軸の長さは、積層型電子部品の第３方向の中央部で切断した第１及び第２方向の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でスキャンして得られたイメージから測定することができる。

【0065】

上記第２層に含まれる樹脂は、接合性確保及び衝撃吸収の役割を果たすことができる。上記樹脂は、接合性及び衝撃吸収性を有し、金属粉末と混合してペーストを作ることができるものであれば、特に制限されず、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂、エチルセルロース（Ｅｔｈｙｌ Ｃｅｌｌｕｌｏｓｅ）等から選択された１種以上を含むことができる。

【0066】

また、上記第２層は、複数の金属粒子、金属間化合物及び樹脂を含むことができる。上記金属間化合物を含むことにより、上記第１層との電気的連結性をより向上させることができる。上記金属間化合物は、複数の金属粒子を連結して電気的連結性を向上させる役割を果たし、複数の金属粒子を囲んで互いに連結する役割を果たすことができる。

【0067】

このとき、上記金属間化合物は、樹脂の硬化温度よりも低い融点を有する金属を含むことができる。すなわち、上記金属間化合物が樹脂の硬化温度よりも低い融点を有する金属を含むため、樹脂の硬化温度よりも低い融点を有する金属が乾燥及び硬化工程を経る過程で溶融し、金属粒子の一部と金属間化合物を形成して金属粒子を囲むようになる。このとき、金属間化合物は、好ましくは３００℃以下の低融点金属を含むことができる。

【0068】

一実施形態において、上記第２層はＳｎを含むことができる。乾燥及び硬化工程を経る過程でＳｎが溶融し、溶融したＳｎがＡｇ、Ｎｉ又はＣｕなどの高融点の金属粒子を毛細管現象によって濡らし、Ａｇ、Ｎｉ又はＣｕ金属粒子の一部と反応してＡｇ_３Ｓｎ、Ｎｉ_３Ｓｎ_４、Ｃｕ_６Ｓｎ_５、Ｃｕ_３Ｓｎなどの金属間化合物を形成するようになる。反応に関与していないＡｇ、ＮｉまたはＣｕは金属粒子の形態で残るようになる。

【0069】

したがって、上記複数の金属粒子は、Ａｇ、Ｎｉ及びＣｕのうち１つ以上を含み、上記金属間化合物は、Ａｇ_３Ｓｎ、Ｎｉ_３Ｓｎ_４、Ｃｕ_６Ｓｎ_５及びＣｕ_３Ｓｎのうち１つ以上を含むことができる。

【0070】

めっき層１３１ｂ、１３２ｂは、実装特性を向上させることができる。めっき層１３１ｂ、１３２ｂの種類は、特に限定されず、ニッケル（Ｎｉ）、スズ（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）及び／またはこれを含む合金などを含むめっき層であることができ、複数の層から形成されることもできる。めっき層１３１ｂ、１３２ｂは、例えば、ニッケル（Ｎｉ）めっき層またはスズ（Ｓｎ）めっき層であることができ、ニッケル（Ｎｉ）めっき層及びスズ（Ｓｎ）めっき層が順次形成された形態であることもできる。また、めっき層１３１ｂ、１３２ｂは、複数のニッケル（Ｎｉ）めっき層及び／または複数のスズ（Ｓｎ）めっき層を含むこともできる。

【0071】

図面では、積層型電子部品１００が２つの外部電極１３１、１３２を有する構造を説明しているが、これに限定されるものではなく、外部電極１３１、１３２の個数や形状などは内部電極１２１、１２２の形態やその他の目的に応じて変わることができる。

【0072】

積層型電子部品１００のサイズは特に限定する必要はない。但し、本発明の一実施形態は、高温及び高圧用積層型電子部品の高温信頼性を向上させることができ、特に、積層型電子部品１００のサイズが３２１６（長さ×幅、３．２ｍｍ×１．６ｍｍ）以上の場合、本発明の高温及び高圧での放熱特性及び電気的特性の改善効果がより顕著になることができる。すなわち、積層型電子部品１００の第２方向の最大大きさは３．２ｍｍ以上であり、積層型電子部品１００の第３方向の最大大きさが１．６ｍｍ以上である場合、本発明による信頼性向上の効果がより顕著になることができる。

【0073】

以下、上述した積層型電子部品１００の製造方法の一例について説明する。

【0074】

まず、誘電体層１１１を形成するための第１誘電物質粉末を準備する。第１誘電物質粉末は、例えば、（Ｃａ_１－ｘＳｒ_ｘ）（Ｚｒ_１－ｙＴｉ_ｙ）Ｏ_３（上記ｘの範囲は０≦ｘ≦０．５、上記ｙの範囲は０≦ｙ≦０．５）である場合がある。上記第１誘電物質粉末は、固相反応法、水熱合成法、共沈法、アルカリ加水分解法などの公知の方法で合成することができる。

【0075】

上記第１誘電物質粉末とは別に、副成分粉末を準備する。副成分粉末は、例えば、第１～第３副成分粉末を含むことができる。第１副成分粉末は、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ及びＣｏのうち１つ以上を含む酸化物または炭酸塩を含むことができる。第２副成分粉末は、Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｅｒ及びＺｒのうち１つ以上を含む酸化物または炭酸塩を含むことができる。第３副成分粉末は、Ｓｉを含む酸化物または炭酸塩を含むことができる。

【0076】

次に、準備された上記第１誘電物質粉末と副成分粉末とエタノール等の有機溶剤及びポリビニルブチラール等のバインダーを混合して誘電体層用スラリーを製造することができ、上記誘電体層用スラリーをキャリアフィルム（ｃａｒｒｉｅｒ ｆｉｌｍ）上に塗布及び乾燥して誘電体層用グリーンシートを設ける。

【0077】

次に、誘電体層用グリーンシート上に所定の厚さで金属粉末、バインダーなどを含む内部電極用導電性ペーストをスクリーン印刷法またはグラビア印刷法などで印刷することで内部電極パターンを形成する。この後、内部電極パターンが印刷された誘電体層用グリーンシートをキャリアフィルムから剥離した後、所定の層数だけ内部電極パターンが印刷された誘電体層用グリーンシートを積層して積層体を形成する。

【0078】

一方、カバー部用スラリーは、誘電体層用スラリーに上記第１金属粉末をさらに添加することにより得ることができる。上記第１金属粉末は、Ｃｕ、Ｗ、Ａｇ及びＺｎのうち１つ以上を含み、カバー部用スラリーに含まれた第１金属粉末の含有量は、例えば、第１誘電物質粉末１００重量部に対して１．１重量部～３．３重量部であることができる。上記カバー部用スラリーをキャリアフィルム上に塗布及び乾燥してカバー部用グリーンシートを設けた後、上記積層体の第１方向の上部及び下部に積層することができる。

【0079】

この後、上記積層体を所定のチップサイズを有するように切断することができる。切断されたチップに含まれたバインダーなどは、好ましくは脱バインダー工程を介して除去されることができる。脱バインダー工程の条件は、使用したバインダーの種類によって異なることができ、特に制限されない。例えば、脱バインダー工程は、１８０℃以上４５０℃以下、０．５時間以上２４時間以下の間で進行されることができる。

【0080】

脱バインダー処理されたチップを１１００℃以上１３００℃以下の温度で焼成して誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２を含む容量形成部Ａｃとカバー部１１２、１１３を含む本体１１０を形成することができる。

【0081】

次に、外部電極１３１、１３２を形成する。電極層１３１ａ、１３２ａは、本体１１０の第３面３及び第４面４を金属粉末及びガラスを含む導電性ペーストにディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）した後、焼成することにより電極層１３１ａ、１３２ａを形成することができる。このとき、焼成温度は、例えば７００℃～９００℃であることができる。

【0082】

一方、電極層１３１ａ、１３２ａが金属及びガラスを含む第１層及び上記第１層上に配置され、導電性金属及び樹脂を含む第２層を含む場合、上記第２層は金属粉末及び樹脂を含む導電性樹脂組成物を上記第１層上に塗布及び乾燥した後、２５０℃～５５０℃の温度で硬化熱処理することにより形成されることができる。

【0083】

（実験例）
＜サンプル製作＞
まず、誘電体層１１１を形成するための第１誘電物質粉末に第１副成分としてＭｎ、第２副成分としてＹ、第３副成分としてＳｉを添加した後、上記第１誘電物質を有機溶剤及びバインダーと混合して誘電体層用スラリーを製造した。

【0084】

上記誘電体層用スラリーをキャリアフィルム上に塗布及び乾燥して誘電体層用グリーンシートを設け、誘電体層用グリーンシート上に所定の厚さでＮｉ粉末、バインダー等を含む内部電極用導電性ペーストを印刷して内部電極パターンを形成した。この後、内部電極パターンが印刷された誘電体層用グリーンシートをキャリアフィルムから剥離した後、所定の層数だけ積層して積層体を形成した。

【0085】

次に、誘電体層用スラリーにＣｕ粉末をさらに添加したカバー部用スラリーをキャリアフィルム上に塗布及び乾燥してカバー部用グリーンシートを設け、上記積層体の第１方向の上部及び下部に上記カバー部用グリーンシートを積層した後、上記積層体を所定のチップサイズを有するように切断し、脱バインダー工程及び焼成工程を行って本体１１０を形成した。

【0086】

次に、Ｃｕ粉末及びガラスを含む導電性ペーストに本体１１０をディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）した後、焼成することにより電極層１３１ａ、１３２ａを形成し、上記電極層上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層が順次形成されためっき層１３１ｂ、１３２ｂを形成してサンプルチップを設けた。

【0087】

下記表１の試料番号１～７は同様の方法で製造されるが、カバー部用スラリーに含まれたＣｕ粉末の含有量のみを第１誘電物質粉末１００重量部に対して０～３．７重量部の間の範囲で変更した。

【0088】

次に、サンプルチップの本体１１０の第３方向の中央で切断した第１及び第２方向の断面を加速電圧：１０ｋＶ、電流：６０Ａ、Ｗｏｒｋｉｎｇ ｄｉｓｔａｎｃｅ：８．５ｍｍ測定条件の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影したイメージを得た後、カバー部の第２方向の中央領域に配置された第１方向に等間隔の１０地点に対するエネルギー分散型分光分析法（ＥＤＳ）を行った。上記１０地点に対する上記Ｂサイト元素１００モルに対するＣｕの含有量を測定した後、上記１０地点のＣｕ含有量の平均値を下記表１に記載した。

【0089】

＜発熱評価＞
図６は、積層型電子部品の発熱評価方法を概略的に示した模式図である。図６のように、積層型電子部品１００をプリント回路基板２００に実装した後、積層型電子部品１００が実装されたプリント回路基板２００をホットプレート３００上に設けた。Ｐｏｗｅｒ ｓｕｐｐｌｙ（ｋｅｙｓｉｇｈｔ Ｅ３６２３４Ａ）、ｏｓｃｉｌｌｏｓｃｏｐｅ（Ｋｅｙｓｉｇｈｔ ＤＳＯＸ１２０４Ａ）、ｓｏｕｒｃｅ ｍｅｔｅｒ（ｋｅｙｓｉｇｈｔ ３４９７２Ａ）を用いて測定条件（周波数：１００ｋＨｚ、温度：１０５℃、電圧：６３０Ｖ）を印加し、熱画像カメラ４００を用いて積層型電子部品１００の自己温度変化を測定した。

【0090】

下記表１に記載された△Ｔは、各試料番号当たり５個のサンプルチップで自己温度変化を測定した後、その平均値を記載したものである。

【0091】

＜耐湿信頼性及びＩＲ評価＞
各試料番号当たり合計３２０個のサンプルチップをプリント回路基板に実装した後、温度８５℃、相対湿度８５％の条件で６３０Ｖの電圧を４８時間印加した後、ＩＲ（Ｉｎｓｕｌａｔｉｏｎ ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）値が初期ＩＲ値の１０％以下に落ちた場合を不良と判定した。下記表１には、試料番号当たりのサンプルチップの総個数のうち不良であるサンプルチップの割合を記載した。

【0092】

ＩＲ値は、ＩＲ測定器（ＶＩＴＲＥＫ ＱＴＰｒｏ ＩＩ－９５０）設備を用いて測定し、電圧６３０Ｖ、測定時間６０秒条件で測定した。

【0093】

【表1】

【0094】

上記表１を参照すると、試料番号１は、カバー部がＣｕなどの第１金属を含んでいないため、サンプルチップの温度変化が過度に大きいことを確認することができる。試料番号２もカバー部がＢサイト元素１００モルに対して２．０モル未満のＣｕを含んでおり、サンプルチップの温度変化が依然として大きく、試料番号１と試料番号２との間のサンプルチップ温度変化の差は０．３℃に過ぎないことが確認できる。

【0095】

一方、試料番号７はカバー部がＢサイト元素１００モルに対して１０モルのＣｕを含んでおり、サンプルチップの温度変化は低いが、ＩＲが過度に低下し、これにより耐湿不良が発生することが確認できる。

【0096】

一方、試料番号３～６はカバー部がＢサイト元素１００モルに対して２モル～９モルのＣｕを含んでおり、サンプルチップの自己温度変化は下げながらもＩＲ値が良好であることが確認できる。特に、試料番号２と試料番号３との間のサンプルチップ温度変化の差は２．０℃に達することが確認できる。

【0097】

また、試料番号３～５はカバー部がＢサイト元素１００モルに対して２モル～６モルのＣｕを含んでおり、サンプルチップの自己温度変化は下げながらもＩＲが２００ＧΩ以上を維持することが確認できる。

【0098】

本発明は、上述した実施形態及び添付された図面によって限定されるものではなく、添付された特許請求の範囲によって限定しようとする。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で当技術分野の通常の知識を有する者によって多様な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これもまた本発明の範囲に属するといえる。

【0099】

また、「一実施形態」という表現は、互いに同一の実施形態を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかしながら、上記提示された一実施形態は、他の一実施形態の特徴と組み合わせて実現されることを排除しない。例えば、特定の一実施形態で説明された事項が他の一実施形態で説明されていなくても、他の一実施形態でその事項と反対または矛盾する説明がない限り、他の一実施形態に関連した説明であると理解することができる。

【0100】

さらに、第１、第２などの表現は、ある構成要素と他の構成要素を区分するために用いられるものであって、該当構成要素の順序及び／または重要度などを限定しない。場合によっては、権利範囲から逸脱することなく、第１構成要素は第２構成要素と命名されることもでき、同様に第２構成要素は第１構成要素と命名されることもできる。

【符号の説明】

【0101】

１００ 積層型電子部品
１１１ 誘電体層
１１２、１１３ カバー部
１１４、１１５ マージン部
１２１、１２２ 内部電極
１３１、１３２ 外部電極
１３１ａ、１３２ａ 電極層
１３１ｂ、１３２ｂ めっき層
２００ プリント回路基板
３００ ホットプレート
４００ 熱画像カメラ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】