特開 2025-31589 外部部品を製造するべく基板を３次元装飾する方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025031589

(43)【公開日】2025-03-07

(54)【発明の名称】外部部品を製造するべく基板を３次元装飾する方法

(51)【国際特許分類】

   G04B 45/00 20060101AFI20250228BHJP

   G04B 37/22 20060101ALI20250228BHJP

【ＦＩ】

G04B45/00 D

G04B37/22 V

G04B37/22 J

【審査請求】有

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

【外国語出願】

(21)【出願番号】P 2024128648

(22)【出願日】2024-08-05

(31)【優先権主張番号】23192986.0

(32)【優先日】2023-08-23

(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP

(71)【出願人】

【識別番号】524293371

【氏名又は名称】コマデュール ソシエテ アノニム

(74)【代理人】

【識別番号】100083806

【弁理士】

【氏名又は名称】三好 秀和

(74)【代理人】

【識別番号】100111235

【弁理士】

【氏名又は名称】原 裕子

(74)【代理人】

【識別番号】100195257

【弁理士】

【氏名又は名称】大渕 一志

(72)【発明者】

【氏名】ル ブードゥイル、 ダミアン

(57)【要約】      （修正有）

【課題】基板の表面上に隆起した装飾物を備える外部部品の製造方法を提供する。
【解決手段】外部部品１０を３次元装飾する方法であって、セラミック基材１１の外面１１０上に少なくとも一つのエナメルベース層を堆積するステップと、ベース層によって覆われた基板１１を焼成するステップと、一以上のブラインドキャビティを生成するように、ベース層を所定の装飾パターンでエッチングするステップと、セラミック材料及び／又は金属材料の装飾層をベース層１２及びキャビティに堆積させ、装飾要素１３０を形成し、キャビティを充填するステップであって、装飾層の材料は、その融点が、ベース層を構成する材料のガラス転移温度未満となるように選択される、ステップと、装飾層に表面加工をしてベース層に堆積された層のすべてを除去するステップと、ベース層全体を除去するべく基板１１、ベース層及び装飾層に摩擦仕上げをするステップとを含む。
【選択図】図１ｆ

【特許請求の範囲】

【請求項1】

外部部品（１０）を製造するべく基板（１１）を３次元装飾する方法であって、
・セラミック基材（１１）の外面（１１０）上に少なくとも一つのエナメルベース層（１２）を堆積するステップと、
・前記ベース層（１２）によって覆われた前記基板（１１）を焼成するステップと、
前記基板（１１）によって形成された底部と前記ベース層（１２）によって形成された開口との間に延びる一以上のブラインドキャビティ（１２０）を生成するように、前記ベース層（１２）を所定の装飾パターンでエッチングするステップと、
・セラミック材料及び／又は金属材料の装飾層（１３）を前記ベース層（１２）及び前記キャビティ（１２０）に堆積させ、装飾要素（１３０）を形成し、前記キャビティ（１２０）を充填するステップであって、前記装飾層（１３）の材料は、その融点が、前記ベース層（１２）を構成する材料のガラス転移温度未満となるように選択される、ステップと、
・前記装飾層（１３）に表面加工をして前記ベース層に堆積された前記層のすべてを除去するステップと、
・前記ベース層（１２）全体を除去するべく前記基板（１１）、前記ベース層（１２）及び前記装飾層（１３）に摩擦仕上げをするステップと
を含む、方法。

【請求項2】

前記ベース層（１２）には、前記焼成するステップの後に表面加工がされる、請求項１に記載の方法。

【請求項3】

前記装飾層（１３）は、前記キャビティ（１２０）におけるその厚さが、前記方法の最後に前記装飾要素（１３０）の厚さ以上となるように堆積される、請求項１に記載の方法。

【請求項4】

前記ベース層（１２）はホウケイ酸塩エナメルから作られる、請求項１に記載の方法。

【請求項5】

前記ベース層（１２）はホウケイ酸ナトリウムエナメルから作られる、請求項４に記載の方法。

【請求項6】

前記焼成するステップの間、前記ベース層（１２）によって覆われた前記基板（１１）がさらされる温度が、５００℃から１５００℃の間であり、好ましくは実質的に１０００℃に等しい、請求項１に記載の方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、時計、宝飾品又はファッションアイテムの装飾に関し、特に外部部品の製造に関する。

【0002】

詳しくは、本発明は、外部部品を製造するべく基板を３次元装飾する方法に関する。この方法は、有利なことに、時計製造、宝飾品、又は革製品、眼鏡、筆記具若しくは携帯用電子デバイスのようなファッションアイテムの分野における任意の外部部品に適用することができる。

【背景技術】

【0003】

時計製造の分野において、文字盤、プレート、ブリッジ、歯車トレイン、振動おもり、ベゼル、中間部、ブレスレットのリンク、又はブレスレットのクラスプのような外部部品を形成するべく、基板の表面上に隆起した装飾物を製造する方法が多数存在する。

【0004】

これらの方法の中には、基板上にマスクを生成するものがあり、マスクは、その輪郭が所望の装飾要素の形状に対応する複数の開口を含む。これらの開口は、装飾要素を構成する材料によって充填され、その後、マスクが除去される。

【0005】

この方法は簡単であるが、一定数の欠点を有する。詳しくは、いくつかの場合において、マスクが基板の表面に密着していないかもしれず、これは、装飾の製造公差を満たす上で問題になり得る。

【0006】

他の欠点は、この方法では、装飾要素の堆積によりマスクが損傷を受けることがないように求められることである。この場合、製造公差が尊重されず、基板及び装飾が損傷を受けることなくマスクを除去することが求められる。すなわち、この方法は、基板及び装飾を作るべく使用され得る材料について、自由度が極めて小さい。

【発明の概要】

【0007】

本発明は上述した欠点を、装飾の製造公差が尊重されることと、装飾要素が堆積されているときにマスクが所定位置に保持されることとを保証し、マスクが除去されているときに基板及び装飾の完全性が尊重されることも保証するソリューションを提供することによって克服する。

【0008】

この目的に向けて、本発明は、外部部品を製造するべく基板を３次元装飾する方法に関する。この方法は、
・セラミック基板の外面上に少なくとも一つのエナメルベース層を堆積するステップと、
・ベース層によって覆われた基板を焼成するステップと、
・基板によって形成された底部とベース層によって形成された開口との間に延びる一以上のブラインドキャビティを生成するように、ベース層を所定の装飾パターンでエッチングするステップと、
・セラミック材料及び／又は金属材料の装飾層をベース層及びキャビティに堆積させ、装飾要素を形成し、前記キャビティを充填するステップと、
・装飾層に表面加工をしてベース層に堆積された前記層のすべてを除去するステップと、
・ベース層全体を除去するべく基板、ベース層及び装飾層に摩擦仕上げをするステップと
を含む。

【0009】

特定の実装例において、本発明は、単独で、又は技術的に可能な任意の組み合わせに応じて、以下の特徴のうち一以上をさらに含み得る。

【0010】

特定の実装例において、ベース層には、焼成するステップの後に表面加工がされる。

【0011】

特定の実装例において、装飾層は、キャビティにおけるその厚さが、方法の最後における装飾要素の厚さ以上となるように堆積される。

【0012】

特定の実装例において、ベース層は、ホウケイ酸エナメルから作られる。

【0013】

特定の実装例において、ベース層は、ホウケイ酸ナトリウムエナメルから作られる。

【0014】

特定の実装例において、焼成するステップの間、ベース層によって覆われた基板がさらされる温度が、摂氏５００℃から１５００℃の間であり、好ましくは実質的に１０００℃に等しい。

【図面の簡単な説明】

【0015】

本発明の他の特徴及び利点が、添付図面を参照する以下の詳細な説明から明らかになる。この説明は、例示により与えられ、決して限定とはならない。

【0016】

【図1a】図１ａから図１ｆは、本発明の好ましい実施例に係る外部部品を製造するべく基板を装飾する方法を実行することに関与するステップの断面図を概略的に示す。

【図1b】図１ａから図１ｆは、本発明の好ましい実施例に係る外部部品を製造するべく基板を装飾する方法を実行することに関与するステップの断面図を概略的に示す。

【図1c】図１ａから図１ｆは、本発明の好ましい実施例に係る外部部品を製造するべく基板を装飾する方法を実行することに関与するステップの断面図を概略的に示す。

【図1d】図１ａから図１ｆは、本発明の好ましい実施例に係る外部部品を製造するべく基板を装飾する方法を実行することに関与するステップの断面図を概略的に示す。

【図1e】図１ａから図１ｆは、本発明の好ましい実施例に係る外部部品を製造するべく基板を装飾する方法を実行することに関与するステップの断面図を概略的に示す。

【図1f】図１ａから図１ｆは、本発明の好ましい実施例に係る外部部品を製造するべく基板を装飾する方法を実行することに関与するステップの断面図を概略的に示す。

【0017】

明確性を目的として図面が必ずしも縮尺どおりには描かれないことに留意すべきである。

【発明を実施するための形態】

【0018】

本発明は、図１ａから図１ｆまでに連続して示されるように、外部部品１０を製造するべく基板１１を３次元装飾する方法に関する。

【0019】

方法は最初に、図１ａに示されるように、少なくとも一つのエナメルベース層１２をセラミック基材１１の外面１１０に堆積するステップを含む。外面１１０は、ひとたび外部部品１０の製造が完了するとユーザにとって可視となることが意図される。好ましくは、ベース層１２は、外面１１０の全体にわたって堆積される。

【0020】

本発明の好ましい実装例において、ベース層１２は、以下に詳述される理由により、ホウケイ酸塩エナメル、詳しくはホウケイ酸ナトリウムエナメル、から作られる。ベース層１２は、ディップコーティング、スプレー、又はブラッシングによって塗布され得る。本明細書において、言語の理由により、かつ、読みやすさのために、ベース層１２を参照するときに単数形が使用されるが、ベース層１２は、複数の層の積層体から構成されてよい。

【0021】

有利には、基板１１は、ジルコニア、アルミナ、イットリウム・アルミニウム・ガーネット（頭字語「ＹＡＧ」としても知られる）のような任意の高密度セラミック、サファイア、又はこれらの元素の混合物から作られる。

【0022】

ベース層１２及び基板１１はその後、摂氏５００度から１５００度の間の温度、好ましくは摂氏１０００度にあるオーブンにおいて焼成され、ベース層１２の溶融、及び基板１１への化学的接着が引き起こされる。その組成のおかげで、このステップの後においてのベース層１２の基板１１への接着が保証される。

【0023】

ベース層１２は、その可視表面を平坦にしてその厚さを均一にするべく、焼成するステップの後に表面加工がされるのが好ましい。詳しくは、図１ａに誇張して示されるように、ベース層１２は厚さが変化しやすい。特に、ベース層１２の表面が、ベース層１２の焼成中に生じる表面張力現象に起因して、連続した窪み及び膨らみを有し得るので、ベース層１２の厚さは、その層の濡れ性に起因して、その周辺よりも外面１１０の中心が大きくなり得る。さらに、外面１１０が水平に延びていない場合、すなわち傾斜を形成している場合、ベース層１２は、焼成中に傾斜の方向に流れやすくなり得るので、重力の影響下で、かつ、その高温粘性ゆえに、過剰な厚さが生じる。

【0024】

ベース層１２は、好ましくは、機械的摩耗によって、例えばグラインディング又はサンディングによって、表面加工がされる。このステップの結果が、概略的に図１ｂに示される。

【0025】

ベース層１２はその後、所定の装飾パターンに応じてエッチングされる。詳しくは、このエッチングステップの目的は、以下に詳述されるように、隆起した装飾要素１３０を収容するべくベース層１２に一以上のブラインドキャビティ１２０を生成することにある。キャビティ１２０は、図１ｃに示されるように、基板１１によって形成された底部とベース層１２によって形成された開口との間に延びる。表面加工ステップにより、キャビティ１２０の製造公差を制御することが可能となる。表面加工ステップの後に、ベース層１２の可視表面が計画される。

【0026】

有利なことに、キャビティ１２０は、図１ｃから図１ｆに示されるように、基板１１の中へと延びてよい。この特徴は、基板１１内の装飾要素１３０の接着性をさらに高める。

【0027】

好ましくは、エッチングステップは、レーザーによって行われるが、任意の適切な技術的ソリューションによって、例えば機械加工によって、行われてもよい。

【0028】

装飾層１３がその後、図１ｄに示されるように、ベース層１２の上に、及びビティ１２０の中に堆積される。かかる装飾層１３は、装飾層１３に対して想定される材料に応じて、スプレー、プレス、熱及びプラズマ溶射、又はスリップ堆積によって堆積されてよい。詳しくは、装飾層１３は、セラミック材料、例えば、ホウケイ酸塩エナメル若しくは長石のようなエナメルから作られてよく、及び／又は金属材料から作られてよい。本明細書において、「金属材料」という用語は、任意の金属合金、任意の純金属、又は任意の金属複合材を指す。

【0029】

装飾層１３を構成する材料は、有利には、ベース層１２を構成する材料のガラス転移温度よりも低い融点を有するので、装飾層１３が堆積されているときにベース層１２が損傷を受けることがない。一例として、ベース層１２を構成する材料の融点は、摂氏６００度未満である。

【0030】

装飾層１３は、キャビティ１２０におけるその厚さが、この方法の最後における装飾要素１３０の所望厚さ以上となるように堆積される。

【0031】

装飾層１３が堆積された後に表面加工ステップが行われ、図１ｅに示されるように、ベース層１２上に堆積された前記装飾層１３のすべてが除去される。かかる表面加工作業は、有利には、機械的摩耗、例えばグラインディング又はサンディングによって行われる。

【0032】

ひとたび装飾層１３がキャビティ１２０の中にのみ存在するようになると、摩擦仕上げステップが行われてベース層１２全体が除去され、外部部品１０が形成される。有利なことに、ベース層１２の材料のおかげで、このベース層は、研磨要素が基材１１の外部表面１１０への又は装飾層１３の残部により形成された装飾要素１３０への、制御不能な損傷を引き起こすことなく、摩擦仕上げステップによって非常に容易かつ迅速に除去される。

【0033】

図１ｆは、この外部部品１０と、装飾要素１３０に対する摩擦仕上げステップの潜在的効果とを概略的に示す。詳しくは、装飾要素１３０の鋭いエッジが、摩擦仕上げステップの間に引き起こされる摩耗によって丸められる。

【0034】

装飾層１３の材料は、犠牲的であるベース層１２よりも良好に、摩擦仕上げステップに耐えるように選択される。

【0035】

一般的に、上記で考慮された実装例及び実施形態は、非限定的な例として説明されており、それゆえ他の代替例も可能であること留意すべきである。

【図1a】

【図1b】

【図1c】

【図1d】

【図1e】

【図1f】

【手続補正書】

【提出日】2024-09-18

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【特許請求の範囲】

【請求項1】

外部部品（１０）を製造するべく基板（１１）を３次元装飾する方法であって、
・セラミック基材（１１）の外面（１１０）上に少なくとも一つのエナメルベース層（１２）を堆積するステップと、
・前記エナメルベース層（１２）によって覆われた前記基板（１１）を焼成するステップと、
前記基板（１１）によって形成された底部と前記エナメルベース層（１２）によって形成された開口との間に延びる一以上のブラインドキャビティ（１２０）を生成するように、前記エナメルベース層（１２）を所定の装飾パターンでエッチングするステップと、
・セラミック材料及び／又は金属材料の装飾層（１３）を前記エナメルベース層（１２）及び前記ブラインドキャビティ（１２０）に堆積させ、装飾要素（１３０）を形成し、前記ブラインドキャビティ（１２０）を充填するステップであって、前記装飾層（１３）の材料は、その融点が、前記エナメルベース層（１２）を構成する材料のガラス転移温度未満となるように選択される、ステップと、
・前記装飾層（１３）に表面加工をして前記エナメルベース層に堆積された前記装飾層（１３）のすべてを除去するステップと、
・前記エナメルベース層（１２）全体を除去するべく前記基板（１１）、前記エナメルベース層（１２）及び前記装飾層（１３）に摩擦仕上げをするステップと
を含む、方法。

【請求項2】

前記エナメルベース層（１２）には、前記焼成するステップの後に表面加工がされる、請求項１に記載の方法。

【請求項3】

前記装飾層（１３）は、前記ブラインドキャビティ（１２０）におけるその厚さが、前記方法の最後に前記装飾要素（１３０）の厚さ以上となるように堆積される、請求項１に記載の方法。

【請求項4】

前記エナメルベース層（１２）はホウケイ酸塩エナメルから作られる、請求項１に記載の方法。

【請求項5】

前記エナメルベース層（１２）はホウケイ酸ナトリウムエナメルから作られる、請求項４に記載の方法。

【請求項6】

前記焼成するステップの間、前記エナメルベース層（１２）によって覆われた前記基板（１１）がさらされる温度が、５００℃から１５００℃の間である、請求項１に記載の方法。

【請求項7】

前記焼成するステップの間、前記エナメルベース層（１２）によって覆われた前記基板（１１）がさらされる温度が１０００℃に等しい、請求項６に記載の方法。

【外国語明細書】