特開 2025-35965 ファブリペロー干渉フィルタ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025035965

(43)【公開日】2025-03-14

(54)【発明の名称】ファブリペロー干渉フィルタ

(51)【国際特許分類】

   G02B 26/00 20060101AFI20250306BHJP

【ＦＩ】

G02B26/00

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023184652

(22)【出願日】2023-10-27

(31)【優先権主張番号】P 2023142258

(32)【優先日】2023-09-01

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(71)【出願人】

【識別番号】000236436

【氏名又は名称】浜松ホトニクス株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100088155

【弁理士】

【氏名又は名称】長谷川 芳樹

(74)【代理人】

【識別番号】100113435

【弁理士】

【氏名又は名称】黒木 義樹

(74)【代理人】

【識別番号】100140442

【弁理士】

【氏名又は名称】柴山 健一

(72)【発明者】

【氏名】鈴木 大幾

(72)【発明者】

【氏名】間瀬 光人

(72)【発明者】

【氏名】藁科 禎久

【テーマコード（参考）】

2H141

【Ｆターム（参考）】

2H141MA22

2H141MB28

2H141MC06

2H141MD02

2H141ME22

2H141MF05

2H141MF24

2H141MZ02

2H141MZ30

(57)【要約】

【課題】第１電極と第２電極との間の初期距離が精度良く確保されたファブリペロー干渉フィルタを提供する。
【解決手段】ファブリペロー干渉フィルタ１は、第１反射膜５０と、第２反射膜６０と、第１反射膜５０を支持している第１層１０と、Ｚ軸方向における一方の側において第１層１０上に積層された第２層２０と、を備える。第２層２０は、第２基板２１と、第２電極２２と、を含む。第１層１０は、光透過部材１４と、支持部材１５と、半導体層１２と、を含む。半導体層１２は、光透過部材１４上に配置された電極部１６と、支持部材１５上に配置された支持部１７と、電極部１６と支持部１７とを接続している弾性変形部１８と、を含む。電極部１６は、第１電極１９である。半導体層１２には、電極部１６の表面１６ａ及び弾性変形部１８の表面１８ａが支持部１７の表面１７ａよりもＺ軸方向における他方の側に位置するように、凹部が形成されている。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１反射膜と、
光透過領域において、空間を介して前記第１反射膜と向かい合っている第２反射膜と、
第１電極を含み、前記第１反射膜及び前記第２反射膜が互いに向かい合っている第１方向に移動可能な可動部において前記第１反射膜を支持している可動層と、
前記第１方向における一方の側において前記可動層上に積層された配線層と、を備え、
前記配線層は、
基板と、
前記基板に対して前記可動層側に配置されており、前記第１方向において空間を介して前記第１電極と向かい合っている第２電極と、を含み、
前記可動層は、
前記可動部を構成している光透過部材と、
前記第１方向から見た場合に前記光透過領域を包囲している支持部材と、
前記光透過部材及び前記支持部材に対して前記配線層側に配置された半導体層と、を含み、
前記半導体層は、
前記光透過部材上に配置されており、前記第１電極が設けられた又は前記第１電極である電極部と、
前記第１方向から見た場合に前記光透過領域を包囲しており、前記支持部材上に配置された支持部と、
前記電極部と前記支持部とを接続している弾性変形部と、を含み、
前記半導体層は、前記支持部における前記配線層側の接合面において前記基板と接合されており、
前記半導体層には、前記電極部における前記配線層側の表面及び前記弾性変形部における前記配線層側の表面が前記支持部の前記接合面よりも前記第１方向における他方の側に位置するように、前記配線層側に開口する凹部が形成されている、ファブリペロー干渉フィルタ。

【請求項2】

前記基板は、ガラス基板であり、
前記半導体層は、シリコン層である、請求項１に記載のファブリペロー干渉フィルタ。

【請求項3】

前記基板における前記可動層側の表面は、平坦面である、請求項１に記載のファブリペロー干渉フィルタ。

【請求項4】

前記第１電極と前記第２電極との間に電位差が発生していない状態において、前記第１電極と前記第２電極との間の距離は、前記凹部の深さよりも小さい、請求項１に記載のファブリペロー干渉フィルタ。

【請求項5】

前記第１方向における前記他方の側において前記可動層上に積層されており、前記第２反射膜を支持している固定層を更に備える、請求項１に記載のファブリペロー干渉フィルタ。

【請求項6】

前記凹部は、ドライエッチングによって形成された凹部である、請求項１に記載のファブリペロー干渉フィルタ。

【請求項7】

前記凹部の側面は、前記第１方向から見た場合に前記支持部材における内側の側面よりも外側に位置している、請求項１に記載のファブリペロー干渉フィルタ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、ファブリペロー干渉フィルタに関する。

【背景技術】

【0002】

第１基板と、第１基板上に積層された第２基板と、第２基板上に積層された第３基板と、第１基板における第２基板側の表面上に配置された第１反射膜と、空間を介して第１反射膜と向かい合うように第２基板における第１基板側の表面上に配置された第２反射膜と、第２基板における第３基板側の表面上に配置された第１電極と、空間を介して第１電極と向かい合うように第３基板における第２基板側の表面上に配置された第２電極と、を備えるファブリペロー干渉フィルタであって、第１基板、第２基板及び第３基板のそれぞれがガラス基板であり、第２基板において第２反射膜及び第１電極を支持している部分が、第１反射膜と第２反射膜との間の距離を変化させるための可動部として構成されたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１３－２２４９９５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

上述したようなファブリペロー干渉フィルタでは、第１電極及び第２電極が空間を介して互いに向かい合うように、第２基板側に開口する凹部が第３基板に形成されている。しかし、第３基板がガラス基板であるため、ファブリペロー干渉フィルタの製造時に第３基板に凹部を精度良く形成することが困難であり、その結果、製造されたファブリペロー干渉フィルタでは、第１電極と第２電極との間の初期距離（第１電極と第２電極との間に電位差が発生していない状態での第１電極と第２電極との間の距離）が所望の値からずれるおそれがある。なお、第２基板もガラス基板であるため、ファブリペロー干渉フィルタの製造時に第２基板に凹部を精度良く形成することも困難である。

【0005】

本発明は、第１電極と第２電極との間の初期距離が精度良く確保されたファブリペロー干渉フィルタを提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明のファブリペロー干渉フィルタは、［１］「第１反射膜と、光透過領域において、空間を介して前記第１反射膜と向かい合っている第２反射膜と、第１電極を含み、前記第１反射膜及び前記第２反射膜が互いに向かい合っている第１方向に移動可能な可動部において前記第１反射膜を支持している可動層と、前記第１方向における一方の側において前記可動層上に積層された配線層と、を備え、前記配線層は、基板と、前記基板に対して前記可動層側に配置されており、前記第１方向において空間を介して前記第１電極と向かい合っている第２電極と、を含み、前記可動層は、前記可動部を構成している光透過部材と、前記第１方向から見た場合に前記光透過領域を包囲している支持部材と、前記光透過部材及び前記支持部材に対して前記配線層側に配置された半導体層と、を含み、前記半導体層は、前記光透過部材上に配置されており、前記第１電極が設けられた又は前記第１電極である電極部と、前記第１方向から見た場合に前記光透過領域を包囲しており、前記支持部材上に配置された支持部と、前記電極部と前記支持部とを接続している弾性変形部と、を含み、前記半導体層は、前記支持部における前記配線層側の接合面において前記基板と接合されており、前記半導体層には、前記電極部における前記配線層側の表面及び前記弾性変形部における前記配線層側の表面が前記支持部の前記接合面よりも前記第１方向における他方の側に位置するように、前記配線層側に開口する凹部が形成されている、ファブリペロー干渉フィルタ」である。

【0007】

上記［１］記載のファブリペロー干渉フィルタでは、可動層において、光透過部材及び支持部材に対して配線層側に半導体層が配置されており、電極部、支持部及び弾性変形部を含む半導体層が、支持部における配線層側の接合面において配線層の基板と接合されており、電極部における配線層側の表面及び弾性変形部における配線層側の表面が支持部の接合面よりも第１方向における他方の側に位置するように、配線層側に開口する凹部が半導体層に形成されている。ここで、例えばガラス基板に比べると、半導体層には凹部を精度良く形成することが可能である。そのため、配線層の基板の材料に依らず、第１電極と第２電極との間の初期距離が所望の値からずれるのを抑制することができる。よって、上記［１］記載のファブリペロー干渉フィルタは、第１電極と第２電極との間の初期距離が精度良く確保されたものとなる。

【0008】

本発明のファブリペロー干渉フィルタは、［２］「前記基板は、ガラス基板であり、前記半導体層は、シリコン層である、上記［１］に記載のファブリペロー干渉フィルタ」であってもよい。当該［２］記載のファブリペロー干渉フィルタによれば、ガラス基板に比べて加工性に優れたシリコン基板に凹部を形成すればよいため、第１電極と第２電極との間の初期距離が所望の値からずれるのをより確実に抑制することができる。

【0009】

本発明のファブリペロー干渉フィルタは、［３］「前記基板における前記可動層側の表面は、平坦面である、上記［１］又は［２］に記載のファブリペロー干渉フィルタ」であってもよい。当該［３］記載のファブリペロー干渉フィルタによれば、配線層の基板の材料に依らず、半導体層に凹部を形成するだけで、第１電極と第２電極との間の初期距離が所望の値からずれるのを抑制することができる。

【0010】

本発明のファブリペロー干渉フィルタは、［４］「前記第１電極と前記第２電極との間に電位差が発生していない状態において、前記第１電極と前記第２電極との間の距離は、前記凹部の深さよりも小さい、上記［１］～［３］のいずれか一つに記載のファブリペロー干渉フィルタ」であってもよい。当該［４］記載のファブリペロー干渉フィルタによれば、可動部の可動範囲が制限されることになるため、弾性変形部が損傷するのを抑制することができる。

【0011】

本発明のファブリペロー干渉フィルタは、［５］「前記第１方向における前記他方の側において前記可動層上に積層されており、前記第２反射膜を支持している固定層を更に備える、上記［１］～［４］のいずれか一つに記載のファブリペロー干渉フィルタ」であってもよい。当該［５］記載のファブリペロー干渉フィルタによれば、可動層の可動部を配線層及び固定層によって両側から保護することができる。

【0012】

本発明のファブリペロー干渉フィルタは、［６］「前記凹部は、ドライエッチングによって形成された凹部である、上記［１］～［５］のいずれか一つに記載のファブリペロー干渉フィルタ」であってもよい。当該［６］記載のファブリペロー干渉フィルタによれば、凹部が精度良く形成されたものとなるため、第１電極と第２電極との間の初期距離が所望の値からずれるのをより確実に抑制することができる。

【0013】

本発明のファブリペロー干渉フィルタは、［７］「前記凹部の側面は、前記第１方向から見た場合に前記支持部材における内側の側面よりも外側に位置している、上記［１］～［６］のいずれか一つに記載のファブリペロー干渉フィルタ」であってもよい。当該［７］記載のファブリペロー干渉フィルタによれば、支持部材に対する凹部の位置が若干ずれたとしても、凹部の側面が支持部材上に位置しなくなるのを抑制することができ、弾性変形部を適切に機能させることができる。なお、凹部の側面が支持部材上に位置しなくなると、弾性変形部の長さが変わってしまうため、弾性変形部を適切に機能させることができないおそれがある。

【発明の効果】

【0014】

本発明によれば、第１電極と第２電極との間の初期距離が精度良く確保されたファブリペロー干渉フィルタを提供することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】一実施形態のファブリペロー干渉フィルタの斜視図である。

【図2】図１に示されるファブリペロー干渉フィルタの分解斜視図である。

【図3】図１に示されるファブリペロー干渉フィルタの分解斜視図である。

【図4】図１に示されるファブリペロー干渉フィルタの縦断面図である。

【図5】図１に示される第１層の平面図及び底面図である。

【図6】図１に示される第２層の平面図及び底面図である。

【図7】図１に示される第３層の平面図及び底面図である。

【図8】図１に示される吸収膜の一部分の縦断面図である。

【図9】図４に示されるファブリペロー干渉フィルタの一部分の縦断面図である。

【図10】変形例のファブリペロー干渉フィルタの縦断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0016】

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、各図において同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
［ファブリペロー干渉フィルタの構成］

【0017】

図１、図２、図３及び図４に示されるように、ファブリペロー干渉フィルタ１は、第１層（可動層）１０と、第２層（配線層）２０と、第３層（固定層）３０と、第１反射膜５０と、第２反射膜６０と、吸収膜７０と、を備えている。第１反射膜５０及び第２反射膜６０は、空間を介して互いに向かい合っている。以下の説明では、第１反射膜５０及び第２反射膜６０が互いに向かい合っている方向（第１方向）を「Ｚ軸方向」といい、Ｚ軸方向に垂直な一方向（第１方向と交差する第２方向）を「Ｘ軸方向」といい、Ｚ軸方向及びＸ軸方向の両方向に垂直な方向（第１方向及び第２方向の両方向と交差する第３方向）を「Ｙ軸方向」という。なお、単に「一方の側」といった場合には、Ｚ軸方向における一方の側を意味し、単に「他方の側」といった場合には、Ｚ軸方向における他方の側を意味する。また、単に「厚さ」といった場合には、Ｚ軸方向における厚さを意味する。

【0018】

ファブリペロー干渉フィルタ１では、Ｚ軸方向から見た場合に第１反射膜５０及び第２反射膜６０の両方と重なる領域が光透過領域１ａとして機能する。光透過領域１ａは、第１反射膜５０及び第２反射膜６０がミラーとして機能し、第１反射膜５０と第２反射膜６０との距離に応じた光を透過させる領域である。一例として、光透過領域１ａは、Ｚ軸方向に平行な直線Ｌを中心線とする円柱状の領域である。以下の説明では、Ｚ軸方向から見た場合に直線Ｌを中心とする円の径方向を単に「径方向」といい、当該円の周方向を単に「周方向」という。なお、図４の縦断面図は、ファブリペロー干渉フィルタ１を模式的に示したものであり、図４において縦横の比率は実際のものと一致していない。

【0019】

図４及び図５に示されるように、第１層１０は、第１基板１１と、半導体層１２と、金属パッド１３と、を含んでいる。なお、図５の（ａ）は、第１層１０の平面図であり、図５の（ｂ）は、第１層１０の底面図である。

【0020】

第１基板１１は、光透過部材１４と、支持部材１５と、を含んでいる。光透過部材１４及び支持部材１５のそれぞれの材料は、例えば、ガラス、シリコン等の光透過性材料である。一例として、光透過部材１４及び支持部材１５は、半導体層１２となるシリコン基板と接合されたガラス基板をエッチングすることで、別体で形成される。なお、ガラス基板とシリコン基板との接合には、常温接合、プラズマ活性化接合、陽極接合等の気密接合が用いられる。ファブリペロー干渉フィルタ１では、同一の光透過性材料によって形成された光透過部材１４及び支持部材１５が第１基板１１を構成しているが、少なくとも光透過部材１４が光透過性材料によって形成されていれば、光透過部材１４及び支持部材１５は、互いに異なる材料によって形成されていてもよい。

【0021】

光透過部材１４は、光透過領域１ａの一部を構成している。Ｚ軸方向から見た場合に、光透過部材１４の外縁は、光透過領域１ａの外縁の外側に位置している。一例として、光透過部材１４は、直線Ｌを中心線とする円形板状に形成されている。光透過部材１４の外径は、例えば、４～６ｍｍ程度である。光透過部材１４の厚さは、例えば、０．２～０．５ｍｍ程度である。

【0022】

支持部材１５は、Ｚ軸方向から見た場合に光透過部材１４を包囲している。つまり、支持部材１５は、Ｚ軸方向から見た場合に光透過領域１ａを包囲している。光透過部材１４と支持部材１５との間には、空間が形成されている。支持部材１５の厚さは、光透過部材１４の厚さと略等しい。一例として、支持部材１５は、Ｘ軸方向に垂直な一対の側面及びＹ軸方向に垂直な一対の側面を有するように矩形枠状に形成されている。Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれの方向における支持部材１５の幅は、例えば、１１ｍｍ程度である。支持部材１５の厚さは、例えば、０．２～０．５ｍｍ程度である。光透過部材１４と支持部材１５との間の空間の幅は、例えば、０．５～１．５ｍｍ程度である。

【0023】

半導体層１２は、光透過部材１４及び支持部材１５に対して第２層２０側（すなわち、一方の側）に配置されている。半導体層１２は、電極部１６と、支持部１７と、複数の弾性変形部１８と、を含んでいる。電極部１６、支持部１７、及び複数の弾性変形部１８は、導電性を有している。電極部１６、支持部１７、及び複数の弾性変形部１８のそれぞれの材料は、例えば、低抵抗（１Ωｃｍ以下）のｐ型シリコンである。つまり、半導体層１２は、シリコン層である。一例として、電極部１６、支持部１７、及び複数の弾性変形部１８は、第１基板１１となるガラス基板と接合されたシリコン基板をエッチングすることで、一体で形成される。

【0024】

電極部１６は、Ｚ軸方向から見た場合に光透過領域１ａを包囲している。電極部１６は、Ｚ軸方向から見た場合に光透過部材１４の外縁に沿って延在しており、光透過部材１４における一方の側の表面１４ａに接合されている。つまり、電極部１６は、光透過部材１４上に配置されている。Ｚ軸方向から見た場合に、電極部１６の外縁は、光透過部材１４の外縁の外側に位置している。Ｚ軸方向から見た場合に、電極部１６の内縁は、光透過部材１４の外縁の内側に位置しており、光透過領域１ａの外縁と略一致している。一例として、電極部１６は、直線Ｌを中心線とする円形枠状に形成されている。電極部１６の内径は、例えば、３～５ｍｍ程度である。電極部１６の外径は、例えば、４～６ｍｍ程度である。電極部１６の厚さは、例えば、３０μｍ程度である。ファブリペロー干渉フィルタ１では、電極部１６は、第１電極１９として機能する。つまり、第１層１０は、第１電極１９を含んでいる。

【0025】

支持部１７は、Ｚ軸方向から見た場合に電極部１６を包囲している。つまり、支持部１７は、Ｚ軸方向から見た場合に光透過領域１ａを包囲している。電極部１６と支持部１７との間には、空間が形成されている。支持部１７は、支持部材１５における一方の側の表面１５ａに接合されている。つまり、支持部１７は、支持部材１５上に配置されている。ファブリペロー干渉フィルタ１では、Ｚ軸方向から見た場合に、支持部１７の外縁は、支持部材１５の外縁と略一致している。Ｚ軸方向から見た場合に、支持部１７の内縁は、支持部材１５の内縁の内側に位置している。一例として、支持部１７は、Ｘ軸方向に垂直な一対の側面及びＹ軸方向に垂直な一対の側面を有するように矩形枠状に形成されている。Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれの方向における支持部１７の幅は、例えば、１１ｍｍ程度である。支持部１７の厚さは、例えば、３４μｍ程度である。電極部１６と支持部１７との間の空間の幅は、例えば、０．５～１．５ｍｍ程度である。

【0026】

複数の弾性変形部１８は、電極部１６と支持部１７との間に位置しており、Ｚ軸方向から見た場合に電極部１６を包囲している。互いに隣り合っている一対の弾性変形部１８の間には、空間が形成されている。各弾性変形部１８は、電極部１６と支持部１７とを接続している。つまり、各弾性変形部１８の一端部は、電極部１６に接続されており、各弾性変形部１８の他端部は、支持部１７に接続されている。一例として、複数の弾性変形部１８は、等角度間隔で周方向に並んでいる。一例として、各弾性変形部１８は、径方向に延在するように矩形板状に形成されている。ファブリペロー干渉フィルタ１では、複数の弾性変形部１８は、Ｘ軸方向において電極部１６の両側に位置する一対の弾性変形部１８、及びＹ軸方向において電極部１６の両側に位置する一対の弾性変形部１８である。径方向における各弾性変形部１８の幅は、例えば、０．５～１．５ｍｍ程度である。径方向に垂直な方向における各弾性変形部１８の幅は、例えば、５０μｍ～１ｍｍ程度である。各弾性変形部１８の厚さは、例えば、３０μｍ程度である。

【0027】

各弾性変形部１８の厚さは、電極部１６の厚さと略等しい。支持部１７の厚さは、支持部１７のうちＺ軸方向から見た場合に内縁に沿った内縁領域を除き、電極部１６の厚さ及び各弾性変形部１８の厚さよりも大きい。支持部１７の内縁領域の厚さは、電極部１６の厚さ及び各弾性変形部１８の厚さと略等しい。電極部１６における一方の側の表面１６ａ、各弾性変形部１８における一方の側の表面１８ａ、及び支持部１７の内縁領域における一方の側の表面１７ｃは、一続きとなっている。電極部１６の表面１６ａ、各弾性変形部１８の表面１８ａ、及び支持部１７の内縁領域の表面１７ｃは、支持部１７における一方の側の表面１７ａよりも低くなっている。つまり、電極部１６の表面１６ａ、各弾性変形部１８の表面１８ａ、及び支持部１７の内縁領域の表面１７ｃは、支持部１７における一方の側の表面１７ａよりも他方の側に位置している。電極部１６における他方の側の表面１６ｂ、各弾性変形部１８における他方の側の表面１８ｂ、及び支持部１７における他方の側の表面１７ｂは、一続きとなっている。電極部１６には、各弾性変形部１８の一端部の両側（周方向における両側）において外側に開口する複数の切欠き部１６ｃが形成されている。なお、支持部１７は、表面１７ｃを有する内側領域を含め、支持部材１５の表面１５ａに接合されている。

【0028】

金属パッド１３は、支持部１７の表面１７ａに形成されている。金属パッド１３は、半導体層１２を配線として、第１電極１９である電極部１６と電気的に接続されている。つまり、半導体層１２は、第１電極１９と金属パッド１３とを電気的に接続する配線層として機能する。一例として、金属パッド１３は、表面１７ａの外縁のうちＹ軸方向に平行な一辺に沿って延在するように矩形膜状に形成されている。金属パッド１３の材料は、例えば、Ａｌ等の金属材料である。Ｘ軸方向における金属パッド１３の幅は、例えば、０．１～１ｍｍ程度である。Ｙ軸方向における金属パッド１３の幅は、例えば、０．１～８ｍｍ程度である。金属パッド１３の厚さは、例えば、１μｍ程度である。

【0029】

以上のように構成された第１基板１１及び半導体層１２では、光透過部材１４及び電極部１６によって可動部１０ａが構成されている。可動部１０ａは、光透過領域１ａと重なる部分であり、複数の弾性変形部１８が変形することでＺ軸方向に移動可能となっている。つまり、第１層１０は、光透過領域１ａと重なる部分がＺ軸方向に移動可能な可動部１０ａとして構成された可動層である。

【0030】

第１反射膜５０は、光透過部材１４における他方の側の表面１４ｂ上に配置されている。つまり、第１層１０は、可動部１０ａにおいて第１反射膜５０を支持している。第１反射膜５０は、可動部１０ａと共にＺ軸方向に移動可能である。一例として、第１反射膜５０は、直線Ｌを中心線とする円形膜状に形成されている。第１反射膜５０は、例えば、Ａｇ等からなる金属膜における表面１４ｂとは反対側の表面に、酸化アルミニウム等からなる誘電体膜が形成されることで、構成されている。第１反射膜５０の外径は、例えば、４～６ｍｍ程度である。第１反射膜５０の厚さは、例えば、２１０ｎｍ程度である。なお、第１反射膜５０は、Ａｇ等からなる金属膜のみによって構成されていてもよいし、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化アルミニウム等からなる誘電体膜のみによって構成されていてもよいし、或いは、それらの複数の誘電体膜が積層されることで構成されていてもよい。

【0031】

図４及び図６に示されるように、第２層２０は、第１層１０の一方の側において第１層１０上に積層されている。第２層２０は、第２基板（基板）２１と、複数の第２電極２２と、遮光膜２３と、複数の第３電極２４と、複数の電極パッド２５と、複数の貫通電極２６と、を含んでいる。なお、図６の（ａ）は、第２層２０の平面図であり、図６の（ｂ）は、第２層２０の底面図である。

【0032】

第２基板２１は、光透過領域１ａの一部を構成している。第２基板２１は、一方の側の表面２１ａ及び他方の側の表面２１ｂを有している。表面２１ａは、第１層１０とは反対側の表面であり、表面２１ｂは、第１層１０側の表面である。第２基板２１の表面２１ｂは、支持部１７の表面１７ａと接合されており、電極部１６の表面１６ａ、各弾性変形部１８の表面１８ａ、及び支持部１７の内縁領域の表面１７ｃから離間している。第２基板２１の厚さは、半導体層１２の厚さよりも大きい。一例として、第２基板２１は、Ｘ軸方向に垂直な一対の側面及びＹ軸方向に垂直な一対の側面を有するように矩形板状に形成されている。ファブリペロー干渉フィルタ１では、Ｚ軸方向から見た場合に、第２基板２１の外縁は、後述する切欠き部２１０を除き、支持部１７の外縁と略一致している。第２基板２１は、ガラス基板である。Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれの方向における第２基板２１の幅は、例えば、１１ｍｍ程度である。第２基板２１の厚さは、例えば、０．５ｍｍ程度である。なお、支持部１７と第２基板２１との接合には、常温接合、プラズマ活性化接合、陽極接合等の気密接合が用いられる。

【0033】

第２基板２１には、切欠き部２１０が形成されている。切欠き部２１０は、Ｘ軸方向において光透過領域１ａとは反対側に開口しており、金属パッド１３を外部に露出させている。切欠き部２１０は、第１側面２１０ａ、及び一対の第２側面２１０ｂを有している。第１側面２１０ａは、Ｘ軸方向において外側に向いている。一対の第２側面２１０ｂは、Ｙ軸方向において互いに向かい合っている。第１側面２１０ａと各第２側面２１０ｂとの間の隅部には、ラウンド状の面取り面２１０ｃが形成されている。Ｘ軸方向における切欠き部２１０の幅は、例えば、１ｍｍ程度である。Ｙ軸方向における切欠き部２１０の幅は、例えば、１～１０ｍｍ程度である。

【0034】

複数の第２電極２２は、第２基板２１の表面２１ｂ上に配置されている。つまり、複数の第２電極２２は、第２基板２１に対して第１層１０側に配置されている。複数の第２電極２２は、Ｚ軸方向から見た場合に光透過領域１ａを包囲しており、Ｚ軸方向において空間を介して電極部１６（すなわち、第１電極１９）と向かい合っている。一例として、複数の第２電極２２は、等角度間隔で周方向に並んでおり、互いに隣り合っている一対の第２電極２２の間には、径方向に延在するスリット状の隙間が形成されている。一例として、各第２電極２２は、周方向に延在するように膜状に形成されている。各第２電極２２の材料は、例えば、Ａｕ等の金属材料である。径方向における各第２電極２２の幅は、例えば、１ｍｍ程度である。周方向における各第２電極２２の幅は、例えば、円周に沿って複数の第２電極２２が並んでいる場合に当該円周の長さを第２電極２２の数で除した値であり、例えば、５ｍｍの直径を有する円周に沿って四つの第２電極２２が並んでいる場合には、４ｍｍ程度である。各第２電極２２の厚さは、例えば、１～５μｍ程度である。互いに隣り合っている一対の第２電極２２の間の隙間の幅は、例えば、０．１ｍｍ程度である。電極部１６（すなわち、第１電極１９）と各第２電極２２との間の初期距離（第１電極１９と各第２電極２２との間に電位差が発生していない状態での第１電極１９と各第２電極２２との間の距離）は、例えば、３μｍ程度である。

【0035】

ファブリペロー干渉フィルタ１では、複数の第２電極２２は、Ｘ軸方向において光透過領域１ａの両側に位置する一対の第２電極２２、及びＹ軸方向において光透過領域１ａの両側に位置する一対の第２電極２２である。各第２電極２２は、本体部２２ａと、一対の突出部２２ｂと、を含んでいる。本体部２２ａは、周方向に延在する部分であり、Ｚ軸方向において空間を介して第１電極１９と向かい合っている。一対の突出部２２ｂは、本体部２２ａから径方向における外側に突出する部分であり、Ｚ軸方向から見た場合に、周方向において弾性変形部１８の両側に位置している（図５参照）。本体部２２ａには、一対の突出部２２ｂの間において外側に開口する切欠き部２２ｃが形成されている。切欠き部２２ｃは、Ｚ軸方向から見た場合に、弾性変形部１８の一端部及びその両側の一対の切欠き部１６ｃと重なっている（図５参照）。

【0036】

遮光膜２３は、第２基板２１の表面２１ａ上に配置されている。つまり、遮光膜２３は、第２層２０の一方の側において第２層２０上に形成されている。遮光膜２３は、Ｚ軸方向から見た場合に光透過領域１ａを包囲している第１金属膜２７である。遮光膜２３は、Ｚ軸方向から見た場合に光透過領域１ａの外縁に沿って延在している。ファブリペロー干渉フィルタ１では、遮光膜２３は、Ｚ軸方向から見た場合に光透過領域１ａの外縁に沿って円環状に延在している。遮光膜２３は、Ｚ軸方向から見た場合に光透過領域１ａと重なる開口２３ａを有している。遮光膜２３の材料は、例えば、Ａｕ等の金属材料である。遮光膜２３の内径（すなわち、開口２３ａの直径）は、例えば、３～５ｍｍ程度である。遮光膜２３の外径は、例えば、５～７ｍｍ程度である。遮光膜２３の厚さは、例えば、１～５μｍ程度である。なお、遮光膜２３（すなわち、第１金属膜２７）は、電極又は配線としての機能を有していない。

【0037】

複数の第３電極２４は、第２基板２１の表面２１ａ上に配置されている。複数の第３電極２４は、Ｚ軸方向から見た場合に第１金属膜２７を包囲している複数の第２金属膜２８である。つまり、複数の第３電極２４は、Ｚ軸方向から見た場合に光透過領域１ａを包囲している。一例として、複数の第３電極２４は、等角度間隔で周方向に並んでおり、互いに隣り合っている一対の第３電極２４の間には、径方向に延在するスリット状の隙間が形成されている。一例として、各第３電極２４は、周方向に延在するように膜状に形成されており、遮光膜２３と各第３電極２４との間には、周方向に延在するスリット状の隙間が形成されている。各第３電極２４の材料は、例えば、Ａｕ等の金属材料である。径方向における各第３電極２４の幅は、例えば、１ｍｍ程度である。周方向における各第３電極２４の幅は、例えば、円周に沿って複数の第３電極２４が並んでいる場合に当該円周の長さを第３電極２４の数で除した値であり、例えば、５ｍｍの直径を有する円周に沿って四つの第３電極２４が並んでいる場合には、４ｍｍ程度である。各第３電極２４の厚さは、例えば、１～５μｍ程度である。互いに隣り合っている一対の第３電極２４の間の隙間の幅は、例えば、０．１ｍｍ程度である。遮光膜２３と各第３電極２４との間の隙間の幅は、例えば、０．１ｍｍ程度である。

【0038】

ファブリペロー干渉フィルタ１では、複数の第３電極２４は、Ｘ軸方向において遮光膜２３の両側に位置する一対の第３電極２４、及びＹ軸方向において遮光膜２３の両側に位置する一対の第３電極２４である。各第３電極２４は、Ｚ軸方向から見た場合に、各第２電極２２の本体部２２ａに対して径方向における外側に位置している。各第３電極２４は、Ｚ軸方向から見た場合に、各第２電極２２の一対の突出部２２ｂと重なっている。

【0039】

複数の電極パッド２５は、複数の配線２５ａと共に、第２基板２１の表面２１ａ上に配置されている。各第３電極２４は、各配線２５ａを介して各電極パッド２５と電気的に接続されている。ファブリペロー干渉フィルタ１では、各電極パッド２５は、矩形状の表面２１ａの四隅のそれぞれに配置されており、円形膜状に形成されている。各配線２５ａは、互いに対応する第３電極２４及び電極パッド２５において、周方向における第３電極２４の一端部と電極パッド２５とを接続している。各電極パッド２５の材料及び各配線２５ａの材料は、例えば、Ａｕ等の金属材料である。各電極パッド２５の外径は、例えば、０．５～１ｍｍ程度である。各配線２５ａの幅は、例えば、０．１～０．５ｍｍ程度である。各電極パッド２５の厚さ及び各配線２５ａの厚さは、例えば、１～５μｍ程度である。

【0040】

ファブリペロー干渉フィルタ１では、遮光膜２３、及び複数の第３電極２４は、同じ材料によって形成されている。つまり、第１金属膜２７、及び複数の第２金属膜２８は、同じ材料によって形成されている。複数の電極パッド２５及び複数の配線２５ａは、第１金属膜２７及び第２金属膜２８と同じ材料によって、複数の第３電極２４と一体で形成されている。

【0041】

複数の貫通電極２６は、第２基板２１に設けられている。複数の貫通電極２６は、Ｚ軸方向に延在し且つ表面２１ａ及び表面２１ｂに開口するように第２基板２１に形成された複数の貫通孔内に配置されており、複数の貫通孔を気密に塞いでいる。各第２電極２２は、複数の貫通電極２６の少なくとも二つの貫通電極２６を介して各第３電極２４と電気的に接続されている。ファブリペロー干渉フィルタ１では、各貫通電極２６は、互いに対応する第２電極２２及び第３電極２４において、第２電極２２の各突出部２２ｂと第３電極２４とを接続している。つまり、互いに対応する第２電極２２及び第３電極２４において、第２電極２２は、二つの貫通電極２６を介して第３電極２４と電気的に接続されている。各貫通電極２６の材料は、例えば、Ａｕ等の金属材料である。Ｚ軸方向における各貫通電極２６の長さは、例えば、０．５ｍｍ程度である。Ｚ軸方向に垂直な方向における各貫通電極２６の幅は、例えば、０．１ｍｍ程度である。なお、複数の貫通電極２６は、第２基板２１に形成された複数の貫通孔を気密に塞いでいなくてもよい。

【0042】

図４及び図７に示されるように、第３層３０は、第１層１０の他方の側において第１層１０上に積層されている。第３層３０は、第３基板３１と、複数の凸部３２と、を含んでいる。なお、図７の（ａ）は、第３層３０の平面図であり、図７の（ｂ）は、第３層３０の底面図である。

【0043】

第３基板３１は、光透過領域１ａの一部を構成している。第３基板３１は、一方の側の表面３１ａ及び他方の側の表面３１ｂを有している。表面３１ａは、第１層１０側の表面であり、表面３１ｂは、第１層１０とは反対側の表面である。第３基板３１の表面３１ａは、支持部材１５における他方の側の表面１５ｂと接合されている。第３基板３１の厚さは、半導体層１２の厚さよりも大きい。一例として、第３基板３１は、Ｘ軸方向に垂直な一対の側面及びＹ軸方向に垂直な一対の側面を有するように矩形板状に形成されている。ファブリペロー干渉フィルタ１では、Ｚ軸方向から見た場合に、第３基板３１の外縁は、支持部材１５の外縁と略一致している。第３基板３１は、ガラス基板である。Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれの方向における第３基板３１の幅は、例えば、１１ｍｍ程度である。第３基板３１の厚さは、例えば、０．５ｍｍ程度である。なお、支持部材１５と第３基板３１との接合には、常温接合、プラズマ活性化接合、金属拡散接合等の気密接合が用いられる。

【0044】

複数の凸部３２は、第３基板３１の表面３１ａ上に配置されている。複数の凸部３２は、Ｚ軸方向から見た場合に光透過領域１ａを包囲しており、第１反射膜５０のうち光透過領域１ａの外側に位置する領域とＺ軸方向において向かい合っている。一例として、各凸部３２は、円柱状に形成されている。各凸部３２の材料は、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素等である。各凸部３２の外径は、例えば、０．１ｍｍ程度である。Ｚ軸方向における各凸部３２の高さは、例えば、５０ｎｍ程度である。

【0045】

第２反射膜６０は、第３基板３１の表面３１ａ上に配置されている。つまり、第３層３０は、第２反射膜６０を支持している。第２反射膜６０のうち光透過領域１ａの外側に位置する領域は、複数の凸部３２を覆っている。一例として、第２反射膜６０は、直線Ｌを中心線とする円形膜状に形成されている。ファブリペロー干渉フィルタ１では、第１電極１９と各第２電極２２との間に電位差が発生していない状態において、第２反射膜６０のうち各凸部３２上に位置する部分は、第１反射膜５０のうち光透過領域１ａの外側に位置する領域と接触している。これにより、光透過領域１ａにおいては、第１反射膜５０と第２反射膜６０との間に空間が形成され、第１反射膜５０と第２反射膜６０との面接触が防止される。第２反射膜６０は、例えば、Ａｇ等からなる金属膜における表面１４ｂとは反対側の表面に、酸化アルミニウム等からなる誘電体膜が形成されることで、構成されている。第２反射膜６０の外径は、例えば、５～８ｍｍ程度である。第２反射膜６０の厚さは、例えば、２１０ｎｍ程度である。第１電極１９と各第２電極２２との間に電位差が発生していない状態において、光透過領域１ａにおける第１反射膜５０と第２反射膜６０との間の距離は、例えば、５０ｎｍ程度である。なお、第２反射膜６０は、Ａｇ等からなる金属膜のみによって構成されていてもよいし、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化アルミニウム等からなる誘電体膜のみによって構成されていてもよいし、或いは、それらの複数の誘電体膜が積層されることで構成されていてもよい。

【0046】

吸収膜７０は、第３基板３１の表面３１ｂ上に配置されている。つまり、吸収膜７０は、第１反射膜５０及び第２反射膜６０に対して他方の側に位置している。吸収膜７０における一方の側の面７０ａは、光吸収性を有しており、吸収膜７０における他方の側の面７０ｂは、光反射性を有している。吸収膜７０は、Ｚ軸方向から見た場合に光透過領域１ａを包囲している。吸収膜７０は、Ｚ軸方向から見た場合に光透過領域１ａと重なる開口７０ｃを有している。ファブリペロー干渉フィルタ１では、Ｚ軸方向から見た場合に、吸収膜７０の外縁は、第３基板３１の外縁と略一致している。開口７０ｃの直径は、例えば、３～５ｍｍ程度である。

【0047】

図８に示されるように、吸収膜７０は、反射層７１と、共振層７２と、吸収層７３と、を含む多層構造を有している。反射層７１、共振層７２及び吸収層７３は、第３基板３１とは反対側からこの順序で積層されている。つまり、共振層７２は、反射層７１と第３基板３１との間に配置されており、吸収層７３は、共振層７２と第３基板３１との間に配置されている。反射層７１は、一方の側の面７０ａに入射する光（少なくとも、互いの距離が可変な第１反射膜５０及び第２反射膜６０を透過する波長帯の光）を透過させない金属層である。一方の側の面７０ａに入射する光の波長において、共振層７２の内部の光透過率は、吸収層７３の内部の光透過率より大きい。一方の側の面７０ａに入射する光の波長において、反射層７１の表面の光反射率は、共振層７２の表面の光反射率より大きい。このように構成された吸収膜７０は、一方の側の面７０ａが光吸収性を有し且つ他方の側の面７０ｂが光反射性を有するものとなる。反射層７１の材料は、例えば、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ等の金属材料である。反射層７１の厚さは、例えば、１００ｎｍ以上である。共振層７２の材料は、例えば、ＳｉＯ_２等の誘電体材料である。共振層７２の厚さは、例えば、一方の側の面７０ａに入射する光の波長（中心波長等の基準波長）の４分の１の整数倍を中心とする±２０％の範囲内である。吸収層７３の材料は、例えば、Ｃｒ、Ｔｉ等の金属材料、又はシリサイドである。吸収層７３の厚さは、例えば、１～１０ｎｍ程度である。

【0048】

以上のように構成されたファブリペロー干渉フィルタ１では、金属パッド１３及び複数の電極パッド２５を介して第１電極１９及び複数の第２電極２２に電圧が印加されることで第１電極１９と複数の第２電極２２との間に電位差が発生すると、当該電位差に応じた静電力が第１電極１９と複数の第２電極２２との間に発生する。第１電極１９と複数の第２電極２２との間に静電力が発生することで可動部１０ａが一方の側に移動し、第１反射膜５０と第２反射膜６０との間の距離が変化する。ここで、ファブリペロー干渉フィルタ１の光透過領域１ａを通過する光の波長は、第１反射膜５０と第２反射膜６０との間の距離に依存する。したがって、第１電極１９及び複数の第２電極２２に印加する電圧（すなわち、第１電極１９と複数の第２電極２２との間に発生する電位差）を調整することで、ファブリペロー干渉フィルタ１を透過する光の波長を選択することができる。なお、ファブリペロー干渉フィルタ１では、第１基板１１、半導体層１２、第２基板２１及び第３基板３１が互いに気密に接合されており、第２基板２１に形成された複数の貫通孔が複数の貫通電極２６によって気密に塞がれているため、可動部１０ａは、気密空間においてＺ軸方向に移動することになる。
［第１層の半導体層の構成］

【0049】

上述したように、第１層１０の半導体層１２は、シリコン層であり、第２層２０の第２基板２１は、ガラス基板である。図４及び図９に示されるように、電極部１６の表面１６ａ、各弾性変形部１８の表面１８ａ、及び支持部１７の内縁領域の表面１７ｃは、支持部１７の表面１７ａよりも他方の側に位置している。つまり、半導体層１２には、電極部１６の表面１６ａ及び各弾性変形部１８の表面１８ａが支持部１７の表面１７ａよりも他方の側に位置するように、第２層２０に開口する凹部１２０が形成されている。ファブリペロー干渉フィルタ１では、凹部１２０の側面１２１が、支持部１７の表面１７ａと支持部１７の内縁領域の表面１７ｃとの間の段差面（表面１７ａ，１７ｃに垂直な面）であり、凹部１２０の底面１２２が、電極部１６の表面１６ａ、各弾性変形部１８の表面１８ａ、及び支持部１７の内縁領域の表面１７ｃを含む面である。Ｚ軸方向から見た場合に、凹部１２０の側面１２１は、支持部１７の表面１７ａ上に位置しており、支持部材１５における内側の側面１５ｃよりも外側（Ｚ軸方向から見た場合にファブリペロー干渉フィルタ１の中央からファブリペロー干渉フィルタ１の外縁に向かう側、すなわち、ファブリペロー干渉フィルタ１では径方向における外側）に位置している。以上のような凹部１２０は、半導体層１２となるシリコン基板に対してドライエッチングを施すことで形成される。つまり、凹部１２０は、ドライエッチングによって形成された凹部である。

【0050】

半導体層１２は、支持部１７の表面（接合面）１７ａにおいて第２基板２１と接合されている。より具体的には、半導体層１２は、支持部１７の表面１７ａと第２基板２１の表面２１ｂとが互いに接合されることで、第２基板２１と接合されている。第２基板２１の表面２１ｂは、平坦面である。第２基板２１では、他方の側に向いている面（第２基板２１の厚さ方向に垂直な面）が平坦面として構成されており、他方の側に向いている当該面が表面２１ｂである。第１電極１９（すなわち、電極部１６）と各第２電極２２との間の初期距離（第１電極１９と各第２電極２２との間に電位差が発生していない状態での第１電極１９と各第２電極２２との間の距離）ｄ１は、凹部１２０の深さ（Ｚ軸方向における支持部１７の表面１７ａと支持部１７の内縁領域の表面１７ｃとの距離）ｄ２よりも小さくなっている。第１電極１９と各第２電極２２との間の初期距離ｄ１は、例えば、３μｍ程度であり、凹部１２０の深さｄ２は、例えば、４μｍ程度である。ファブリペロー干渉フィルタ１では、第１電極１９と各第２電極２２との間に電位差が発生していない状態において、第１反射膜５０の厚さ、第２反射膜６０の厚さ及び凸部３２の高さの総和の分だけ光透過部材１４が支持部材１５に対して第２層２０側に移動しているため、第１電極１９と各第２電極２２との間の初期距離ｄ１が、凹部１２０の深さｄ２よりも小さくなっている。
［作用及び効果］

【0051】

ファブリペロー干渉フィルタ１では、第１層１０において、光透過部材１４及び支持部材１５に対して第２層２０側に半導体層１２が配置されており、電極部１６、支持部１７、及び複数の弾性変形部１８を含む半導体層１２が、支持部１７の表面１７ａにおいて第２層２０の第２基板２１と接合されており、電極部１６の表面１６ａ及び各弾性変形部１８の表面１８ａが支持部１７の表面１７ａよりも他方の側に位置するように、第２層２０側に開口する凹部１２０が半導体層１２に形成されている。ここで、例えばガラス基板に比べると、半導体層１２には凹部１２０を精度良く形成することが可能である。そのため、第２層２０の第２基板２１の材料に依らず、第１電極１９と各第２電極２２との間の初期距離ｄ１が所望の値からずれるのを抑制することができる。よって、ファブリペロー干渉フィルタ１は、第１電極１９と各第２電極２２との間の初期距離ｄ１が精度良く確保されたものとなる。

【0052】

ファブリペロー干渉フィルタ１では、一例として、次のように凹部１２０の形成を実施することができる。すなわち、第２基板２１の表面２１ｂに第２電極２２を形成し、形成された第２電極２２の厚さを測定し、測定された厚さに応じて凹部１２０の深さを決定し、決定された深さを有するように半導体層１２に凹部１２０を形成する。これによれば、形成された第２電極２２の厚さがばらつくような場合にも、第１電極１９と第２電極２２との間の初期距離ｄ１が精度良く確保されたファブリペロー干渉フィルタ１を得ることができる。例えばガラス基板に比べると、半導体層１２には凹部１２０を精度良く形成することが可能であるため、上述したような凹部１２０の形成は、第１電極１９と各第２電極２２との間の初期距離ｄ１を精度良く確保する上で、特に有効である。また、第２基板２１の表面２１ｂに第２電極２２をめっきによって形成する場合には、第２電極２２の厚さがばらつきやすいため、上述したような凹部１２０の形成は、第１電極１９と各第２電極２２との間の初期距離ｄ１を精度良く確保する上で、特に有効である。

【0053】

ファブリペロー干渉フィルタ１では、第２基板２１がガラス基板であり、半導体層１２がシリコン層である。この場合、ガラス基板に比べて加工性に優れたシリコン基板に凹部１２０を形成すればよいため、第１電極１９と各第２電極２２との間の初期距離ｄ１が所望の値からずれるのをより確実に抑制することができる。

【0054】

ファブリペロー干渉フィルタ１では、第２基板２１の表面２１ｂが平坦面である。この場合、第２層２０の第２基板２１の材料に依らず、半導体層１２に凹部１２０を形成するだけで、第１電極１９と各第２電極２２との間の初期距離ｄ１が所望の値からずれるのを抑制することができる。

【0055】

ファブリペロー干渉フィルタ１では、第１電極１９と各第２電極２２との間の初期距離ｄ１が、凹部１２０の深さｄ２よりも小さい。これにより、可動部１０ａの可動範囲が制限されることになるため、各弾性変形部１８が損傷するのを抑制することができる。

【0056】

ファブリペロー干渉フィルタ１では、第１層１０の他方の側において第１層１０上に積層された第３層３０が、第２反射膜６０を支持している。これにより、第１層１０の可動部１０ａを第２層２０及び第３層３０によって両側から保護することができる。

【0057】

ファブリペロー干渉フィルタ１では、凹部１２０が、ドライエッチングによって形成された凹部である。この場合、凹部１２０が精度良く形成されたものとなるため、第１電極１９と各第２電極２２との間の初期距離ｄ１が所望の値からずれるのをより確実に抑制することができる。

【0058】

ファブリペロー干渉フィルタ１では、凹部１２０の側面１２１が、Ｚ軸方向から見た場合に支持部材１５における内側の側面１５ｃよりも外側に位置している。これにより、支持部材１５に対する凹部１２０の位置が若干ずれたとしても、凹部１２０の側面１２１が支持部材１５上に位置しなくなるのを抑制することができ、各弾性変形部１８を適切に機能させることができる。なお、凹部１２０の側面１２１が支持部材１５上に位置しなくなると、各弾性変形部１８の長さが変わってしまうため、各弾性変形部１８を適切に機能させることができないおそれがある。

【0059】

ファブリペロー干渉フィルタ１では、半導体層１２の支持部１７が、表面１７ｃを有する内側領域を含め、支持部材１５の表面１５ａに接合されている。これにより、支持部材１５に対する凹部１２０の位置が若干ずれたとしても、各弾性変形部１８の長さが変わるのを抑制することができ、各弾性変形部１８を適切に機能させることができる。
［変形例］

【0060】

本発明は、上記実施形態に限定されない。例えば、第２基板２１は、ガラス基板に限定されず、ガラス以外の光透過性材料（例えば、シリコン）からなる基板であってもよい。同様に、第３基板３１は、ガラス基板に限定されず、ガラス以外の光透過性材料（例えば、シリコン）からなる基板であってもよい。また、半導体層１２は、シリコン層に限定されず、シリコン以外の半導体材料からなる層であってもよい。その場合にも、例えばガラス基板に比べれば、半導体層１２に凹部１２０を精度良く形成することが可能である。

【0061】

第２基板２１の表面２１ｂは、平坦面に限定されず、例えば、第２基板２１の表面２１ｂに、第１層１０側に開口している凹部が形成されており、当該凹部の底面上に第２電極２２が配置されていてもよい。その場合にも、例えば、当該凹部の深さ及び第２電極２２の厚さに応じて凹部１２０の深さを決定し、決定された深さを有するように半導体層１２に凹部１２０を形成すれば、第２基板２１の凹部の深さ及び第２電極２２の厚さがばらつくような場合にも、第１電極１９と第２電極２２との間の初期距離ｄ１が精度良く確保されたファブリペロー干渉フィルタ１を得ることができる。

【0062】

第１電極１９と第２電極２２との間の初期距離ｄ１は、凹部１２０の深さｄ２以上であってもよい。上述したように、第２基板２１の表面２１ｂに、第１層１０側に開口している凹部が形成されており、当該凹部の底面上に第２電極２２が配置されている場合に、初期距離ｄ１が深さｄ２以上となり得る。

【0063】

第１層１０の他方の側において第１層１０上に第３層３０が積層されておらず、第２層２０が第２反射膜６０を支持していてもよい。その場合、例えば、第１反射膜５０が、第１電極１９の内側において光透過部材１４の表面１４ａ上に配置され、第２反射膜６０が、第２電極２２の内側において第２基板２１の表面２１ｂ上に配置される。

【0064】

凹部１２０は、ドライエッチングによって形成された凹部に限定されず、その他の方法によって形成された凹部であってもよい。また、凹部１２０の側面１２１は、Ｚ軸方向から見た場合に支持部材１５における内側の側面１５ｃと一致していてもよいし、或いは、Ｚ軸方向から見た場合に支持部材１５における内側の側面１５ｃよりも内側に位置していてもよい。

【0065】

第２層２０は、Ｚ軸方向において空間を介して第１電極１９と向かい合っている一つの第２電極２２と、Ｚ軸方向から見た場合に第１金属膜２７を包囲している一つの第２金属膜２８と、を含んでいてもよい。その場合、一つの第２電極２２は、少なくとも一つの貫通電極２６を介して一つの第２金属膜２８と電気的に接続されていてもよい。つまり、第２層２０は、Ｚ軸方向から見た場合に遮光膜２３を包囲している一つの第３電極２４を含んでいてもよい。

【0066】

第２層２０は、Ｚ軸方向から見た場合に光透過領域１ａを包囲している複数の第１金属膜２７を含んでいてもよい。その場合、各第２電極２２は、少なくとも一つの貫通電極２６を介して各第１金属膜２７と電気的に接続されていてもよい。また、第２層２０は、Ｚ軸方向において空間を介して第１電極１９と向かい合っている一つの第２電極２２と、Ｚ軸方向から見た場合に光透過領域１ａを包囲している一つの第１金属膜２７と、を含んでいてもよい。その場合、一つの第２電極２２は、少なくとも一つの貫通電極２６を介して一つの第１金属膜２７と電気的に接続されていてもよい。以上のように、第２層２０では、第１金属膜２７が第３電極２４として構成されており、第２金属膜２８が遮光膜２３として構成されていてもよい。

【0067】

第１電極１９は、電極部１６に設けられていてもよい。一例として、図１０に示されるように、第１電極１９は、電極部１６における一方の側の表面上に配置されていてもよい。図１０に示される例では、第１電極１９は、Ｚ軸方向から見た場合に光透過領域１ａを包囲している一つの電極であり、Ｚ軸方向において、空間を介して複数の第２電極２２と向かい合っている。

【0068】

第２層２０は、第２基板２１の表面２１ａ上に配置された第４電極を更に含んでいてもよい。その場合、第４電極は、少なくとも一つの貫通電極２６を介して第１電極１９と電気的に接続されていてもよい。

【0069】

第１層１０は、Ｚ軸方向から見た場合に光透過領域１ａを包囲している複数の第１電極１９を含んでおり、第２層２０は、Ｚ軸方向から見た場合に光透過領域１ａを包囲している複数の第４電極を更に含んでいてもよい。その場合、各第１電極１９は、少なくとも一つの貫通電極２６を介して各第４電極と電気的に接続されていてもよい。これによれば、例えば、第１反射膜５０及び第２反射膜６０が互いに平行となるように、各第１電極１９に付与する電位を微調整することができると共に、各第２電極２２に付与する電位を微調整することができる。

【0070】

第２基板２１の表面２１ａ上には、第２金属膜２８を包囲している少なくとも一つの第３金属膜が配置されていてもよい。その場合、遮光膜２３と同様に、少なくとも一つの第３金属膜を遮光膜として機能させることができる。

【符号の説明】

【0071】

１…ファブリペロー干渉フィルタ、１ａ…光透過領域、１０…第１層（可動層）、１０ａ…可動部、１２…半導体層、１４…光透過部材、１５…支持部材、１５ｃ…側面、１６…電極部、１６ａ…表面、１７…支持部、１７ａ…表面（接合面）、１８…弾性変形部、１８ａ…表面、１９…第１電極、２０…第２層（配線層）、２１…第２基板（基板）、２１ｂ…表面、２２…第２電極、３０…第３層（固定層）、５０…第１反射膜、６０…第２反射膜、１２０…凹部、１２１…側面。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】