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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2025038239
(43)【公開日】2025-03-18
(54)【発明の名称】電磁波遮蔽材料
(51)【国際特許分類】
H05K 9/00 20060101AFI20250311BHJP
【ＦＩ】
H05K9/00 W
【審査請求】有
【請求項の数】1
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024230376
(22)【出願日】2024-12-26
(62)【分割の表示】P 2021561571の分割
【原出願日】2020-11-27
(31)【優先権主張番号】P 2019215451
(32)【優先日】2019-11-28
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(31)【優先権主張番号】P 2020111760
(32)【優先日】2020-06-29
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000004503
【氏名又は名称】ユニチカ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100145403
【弁理士】
【氏名又は名称】山尾 憲人
(74)【代理人】
【識別番号】100221501
【弁理士】
【氏名又は名称】式見 真行
(74)【代理人】
【識別番号】100197583
【弁理士】
【氏名又は名称】高岡 健
(72)【発明者】
【氏名】竹田 裕孝
(57)【要約】 （修正有）
【課題】本発明は、数十ＧＨｚの高周波領域（特に準ミリ波およびミリ波）における電磁波遮蔽性、特に電磁波吸収性に優れた電磁波遮蔽材料を提供する。
【解決手段】本発明は、鉄とニッケルとから構成されるナノワイヤーを含む電磁波遮蔽材料に関する。ナノワイヤーにおける鉄とニッケルの質量比率（鉄／ニッケル）が２０／８０～６５／３５である電磁波遮蔽材料。さらに誘電体を含む。誘電体がバインダーである。ナノワイヤーと前記誘電体の合計に対するナノワイヤーの割合が１０質量％以上６５質量％未満である。ナノワイヤーと前記誘電体の合計に対する前記ナノワイヤーの割合が４０質量％以上６０質量％以下である。体積抵抗率が１０－２Ω・ｃｍ以上である。
【選択図】なし
【解決手段】本発明は、鉄とニッケルとから構成されるナノワイヤーを含む電磁波遮蔽材料に関する。ナノワイヤーにおける鉄とニッケルの質量比率（鉄／ニッケル）が２０／８０～６５／３５である電磁波遮蔽材料。さらに誘電体を含む。誘電体がバインダーである。ナノワイヤーと前記誘電体の合計に対するナノワイヤーの割合が１０質量％以上６５質量％未満である。ナノワイヤーと前記誘電体の合計に対する前記ナノワイヤーの割合が４０質量％以上６０質量％以下である。体積抵抗率が１０－２Ω・ｃｍ以上である。
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
鉄とニッケルとから構成されるナノワイヤーを含む電磁波遮蔽材料。
【請求項2】
前記ナノワイヤーにおける鉄とニッケルの質量比率（鉄／ニッケル）が２０／８０～６５／３５である請求項１に記載の電磁波遮蔽材料。
【請求項3】
さらに誘電体を含む請求項１または２に記載の電磁波遮蔽材料。
【請求項4】
誘電体がバインダーである請求項３に記載の電磁波遮蔽材料。
【請求項5】
前記ナノワイヤーと前記誘電体の合計に対する前記ナノワイヤーの割合が１０質量％以上６５質量％未満である請求項３または４に記載の電磁波遮蔽材料。
【請求項6】
前記ナノワイヤーと前記誘電体の合計に対する前記ナノワイヤーの割合が４０質量％以上６０質量％以下である請求項３または４に記載の電磁波遮蔽材料。
【請求項7】
体積抵抗率が１０－２Ω・ｃｍ以上である請求項１～６いずれかに記載の電磁波遮蔽材料。
【請求項8】
請求項１～７いずれかに記載の電磁波遮蔽材料を含む分散液。
【請求項9】
請求項１～７いずれかに記載の電磁波遮蔽材料を含むシート。
【請求項10】
請求項１～７いずれかに記載の電磁波遮蔽材料を含むフィルム。
【請求項11】
請求項１～７いずれかに記載の電磁波遮蔽材料を含む電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、数十ＧＨｚの高周波領域の電磁波遮蔽性、特に電磁波吸収性に優れた電磁波遮蔽材料に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、第５世代移動通信システムや先進運転支援システムにおいて、準ミリ波やミリ波領域の電波の利用が急速に進んでいる。第５世代移動通信システムでは、ｎ２５７（２６．５０－２９．５０ＧＨｚ）、ｎ２５８（２４．２５－２７．５０ＧＨｚ）、ｎ２５９（３９．５－４３．５０ＧＨｚ）、ｎ２６０（３７．００－４０．００ＧＨｚ）、ｎ２６１（２７．５０－２８．３５ＧＨｚ）などの周波数の電波を使い無線通信を行う。先進運転支援システムの一部であるミリ波レーダーでは、２４ＧＨｚ帯狭帯域レーダシステムとして２４．０５－２４．２５ＧＨｚ、２４ＧＨｚ／２６ＧＨｚ帯ＵＷＢレーダシステムとして２４．２５－２９．０ＧＨｚ、６０ＧＨｚ帯ミリ波レーダシステムとして６０．０－６１．０ＧＨｚ、７６ＧＨｚ帯ミリ波レーダシステムとして７６．０－７７．０ＧＨｚ、７９ＧＨｚ帯高分解能レーダシステムとして７７．０－８１．０ＧＨｚの周波数の電波ビームを使い自車周辺のセンシングを行う。これら第５世代移動通信システムや、先進運転支援システムのミリ波レーダーの電子部品はこれまでと異なり、準ミリ波やミリ波領域の電波を含むノイズの発生や影響を抑制するため、それに適した電磁波遮蔽材料が切望されている。
【0003】
従来、電子機器類のＥＭＣ（電磁両立性）はメタルケース等の導電体で装置自体を覆うのが主流であった。しかし、第５世代移動通信システムや先進運転支援システムにおける準ミリ波およびミリ波の利用や、電子部品の小型化や高集積化などにより、装置等内部で発生したノイズにより半導体等の電子部品の特性低下が起こる自家中毒（イントラＥＭＣ）と呼ばれる現象が問題となっている。自家中毒の抑制には従来の導電体ではなく、電波を吸収する材料が望まれている。
【0004】
準ミリ波やミリ波帯を吸収する電磁波遮蔽材料（電波吸収体）としては、メタマテリアル電波吸収体が公知であるが、吸収可能な周波数帯が０．１ＧＨｚ未満と非常に狭く、第５世代移動通信システムや先進運転支援システムのミリ波レーダーなど広い帯域を使い大容量の無線通信を行うシステムには不適であった。また、引用文献１に、ニッケルナノワイヤーを用いた電磁波遮蔽材料が開示されている。しかしながら、引用文献１の電磁波遮蔽材料は、その遮蔽性能が不十分であり、特に電波の吸収に課題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２０１７－１６５９９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明は、数十ＧＨｚの高周波領域（特に準ミリ波領域およびミリ波領域）における電磁波遮蔽性、特に電磁波吸収性に優れた電磁波遮蔽材料を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明者は、鉄とニッケルから構成されるナノワイヤーを含む材料が、上記目的を達成することを見出し、本発明に到達した。
【0008】
すなわち、本発明の要旨は以下のとおりである。
（１） 鉄とニッケルとから構成されるナノワイヤーを含む電磁波遮蔽材料。
（２） 前記ナノワイヤーにおける鉄とニッケルの質量比率（鉄／ニッケル）が２０／８０～６５／３５である（１）に記載の電磁波遮蔽材料。
（３） さらに誘電体を含む（１）または（２）に記載の電磁波遮蔽材料。
（４） 誘電体がバインダーである（３）に記載の電磁波遮蔽材料。
（５） 前記ナノワイヤーと前記誘電体の合計に対する前記ナノワイヤーの割合が１０質量％以上６５質量％未満である（３）または（４）に記載の電磁波遮蔽材料。
（６） 前記ナノワイヤーと前記誘電体の合計に対する前記ナノワイヤーの割合が４０質量％以上６０質量％以下である（３）または（４）に記載の電磁波遮蔽材料。
（７） 体積抵抗率が１０－２Ω・ｃｍ以上である（１）～（６）いずれかに記載の電磁波遮蔽材料。
（８） （１）～（７）いずれかに記載の電磁波遮蔽材料を含む分散液。
（９） （１）～（７）いずれかに記載の電磁波遮蔽材料を含むシート。
（１０） （１）～（７）いずれかに記載の電磁波遮蔽材料を含むフィルム。
（１１） （１）～（７）いずれかに記載の電磁波遮蔽材料を含む電子部品。
（１） 鉄とニッケルとから構成されるナノワイヤーを含む電磁波遮蔽材料。
（２） 前記ナノワイヤーにおける鉄とニッケルの質量比率（鉄／ニッケル）が２０／８０～６５／３５である（１）に記載の電磁波遮蔽材料。
（３） さらに誘電体を含む（１）または（２）に記載の電磁波遮蔽材料。
（４） 誘電体がバインダーである（３）に記載の電磁波遮蔽材料。
（５） 前記ナノワイヤーと前記誘電体の合計に対する前記ナノワイヤーの割合が１０質量％以上６５質量％未満である（３）または（４）に記載の電磁波遮蔽材料。
（６） 前記ナノワイヤーと前記誘電体の合計に対する前記ナノワイヤーの割合が４０質量％以上６０質量％以下である（３）または（４）に記載の電磁波遮蔽材料。
（７） 体積抵抗率が１０－２Ω・ｃｍ以上である（１）～（６）いずれかに記載の電磁波遮蔽材料。
（８） （１）～（７）いずれかに記載の電磁波遮蔽材料を含む分散液。
（９） （１）～（７）いずれかに記載の電磁波遮蔽材料を含むシート。
（１０） （１）～（７）いずれかに記載の電磁波遮蔽材料を含むフィルム。
（１１） （１）～（７）いずれかに記載の電磁波遮蔽材料を含む電子部品。
【発明の効果】
【0009】
本発明によれば、数十ＧＨｚの高周波領域（特に準ミリ波領域およびミリ波領域における電磁波遮蔽性、特に電磁波吸収性に優れた電磁波遮蔽材料を提供することができる。
本発明の電磁波遮蔽材料は、第５世代移動通信システムや、先進運転支援システムなどの電子部品等で好適に用いることできる。
本発明の電磁波遮蔽材料は、第５世代移動通信システムや、先進運転支援システムなどの電子部品等で好適に用いることできる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】実施例１のＫバンドにおける電磁波吸収性を示した図面である。
【図2】実施例１のＫａバンドにおける電磁波吸収性を示した図面である。
【図3】実施例１のＵバンドにおける電磁波吸収性を示した図面である。
【図4】実施例１のＥバンドにおける電磁波吸収性を示した図面である。
【図5】実施例１のＫバンドにおける電磁波遮蔽性を示した図面である。
【図6】実施例１のＫａバンドにおける電磁波遮蔽性を示した図面である。
【図7】実施例１のＵバンドにおける電磁波遮蔽性を示した図面である。
【図8】実施例１のＥバンドにおける電磁波遮蔽性を示した図面である。
【図9】実施例５のＫバンドにおける電磁波吸収性を示した図面である。
【図10】実施例５のＫａバンドにおける電磁波吸収性を示した図面である。
【図11】実施例５のＵバンドにおける電磁波吸収性を示した図面である。
【図12】実施例５のＥバンドにおける電磁波吸収性を示した図面である。
【図13】実施例５のＫバンドにおける電磁波遮蔽性を示した図面である。
【図14】実施例５のＫａバンドにおける電磁波遮蔽性を示した図面である。
【図15】実施例５のＵバンドにおける電磁波遮蔽性を示した図面である。
【図16】実施例５のＥバンドにおける電磁波遮蔽性を示した図面である。
【図17】比較例２のＫバンドにおける電磁波吸収性を示した図面である。
【図18】比較例２のＫａバンドにおける電磁波吸収性を示した図面である。
【図19】比較例２のＵバンドにおける電磁波吸収性を示した図面である。
【図20】比較例２のＥバンドにおける電磁波吸収性を示した図面である。
【図21】比較例２のＫバンドにおける電磁波遮蔽性を示した図面である。
【図22】比較例２のＫａバンドにおける電磁波遮蔽性を示した図面である。
【図23】比較例２のＵバンドにおける電磁波遮蔽性を示した図面である。
【図24】比較例２のＥバンドにおける電磁波遮蔽性を示した図面である。
【発明を実施するための形態】
【0011】
本発明の電磁波遮蔽材料は、鉄とニッケルとから構成されるナノワイヤーを含む。
【0012】
本発明において、電磁波遮蔽（シールド）性とは、電磁波を反射する性能（電磁波反射性）と電磁波を吸収する性能（電磁波吸収性）をいずれも考慮した性能である。電磁波反射性とは、電磁波の入射面方向に電磁波を反射することで対面への電磁波の透過を抑制する性能を意味する。電磁波吸収性とは、電磁波のエネルギーを磁性、熱に変換し、対面への透過する電磁波を抑制する性能を意味する。電磁波遮蔽性と電磁波吸収性は、フリースペース法にて測定することができる。本明細書中、数十ＧＨｚの高周波数帯とは、１８～１１０ＧＨｚ（特に２４．０５～８１．０ＧＨｚ）の周波数域を意味する。準ミリ波とは、２０～３０ＧＨｚの周波数帯を意味する。ミリ波とは、３０～３００ＧＨｚの周波数帯を意味する。
【0013】
本発明に用いるナノワイヤーは、平均径が１μｍ未満の繊維状物である。ナノワイヤーは、電磁波遮蔽材料の製造しやすさや、電磁波遮蔽性、特に電磁波吸収性のさらなる向上の観点から、平均径は５０～９００ｎｍ、平均長は５μｍ以上（特に１０μｍ以上）であることが好ましく、平均径は７０～７００ｎｍ、平均長は１５～５００μｍであることがより好ましい。本発明に用いるナノワイヤーのアスペクト比は通常、１０以上（特に５０以上）であり、電磁波遮蔽性（特に電磁波吸収性）のさらなる向上の観点から、好ましくは１０～１０００であり、より好ましくは５０～５００である。
【0014】
本明細書中、ナノワイヤーのアスペクト比は、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で撮影した画像から各ナノワイヤーの長軸（長さ）／短軸（径）の値を算出し、１００本の値の平均値を用いた。
【0015】
ナノワイヤーを構成する鉄とニッケルのモルフォロジーは特に限定されないが、例えば、鉄とニッケルがランダムに配された構造、鉄の周りにニッケルが配された芯鞘構造、ニッケルの周りに鉄が配された芯鞘構造、鉄粒子とニッケル粒子の粒子連鎖構造が挙げられる。中でも、電磁波遮蔽性、特に電磁波吸収性向上の観点から、鉄とニッケルがランダムに配された構造が好ましい。
【0016】
ナノワイヤーにおける鉄とニッケルの質量比率（鉄／ニッケル）は特に限定されない。電磁波を吸収するには磁性材料が有利であり、そのため、鉄とニッケルの質量比率は２０／８０～６５／３５であることが好ましく、より好ましくは２０／８０～５０／５０であり、さらに好ましくは２０／８０～４０／６０であり、特に好ましくは２０／８０～３０／７０であり、さらに透磁率が高くなるため、パーマロイＡの質量比（鉄：ニッケル＝２１．５：７８．５（質量比率））が最も好ましい。
【0017】
本発明に用いるナノワイヤーの製造方法は特に限定されないが、例えば、反応溶液中で鉄塩とニッケル塩を還元しナノワイヤー分散液を作製し、その後、ナノワイヤーを回収する方法が挙げられる。
【0018】
反応溶液中で鉄塩とニッケル塩を還元しナノワイヤー分散液を作製する方法としては、例えば、陽電子酸化膜を用いた電解法や液相還元法が挙げられる。液相還元法とは、反応溶液中で、磁場をかけながら、鉄塩とニッケル塩を還元し、分散液を得る方法である。中でも、比較的安価に製造することができることから、後者の方法が好ましい。
【0019】
鉄塩とニッケル塩は、塩化物、酢酸物が好ましく、得られる分散液の分散性の観点から、塩化物がより好ましい。具体的には、鉄塩は、塩化鉄（ＩＩ）、塩化鉄（ＩＩ）四水和物が好ましく、ニッケル塩は、塩化ニッケル、塩化ニッケル六水和物が好ましい。
【0020】
反応溶液中の鉄塩とニッケル塩の合計濃度は、１０～１０００μｍｏｌ／ｇとすることが好ましく、得られるナノワイヤーの形状制御や収率向上の観点から、１０～５００μｍｏｌ／ｇとすることがより好ましく、１５～８５μｍｏｌ／ｇとすることがさらに好ましい。
【0021】
反応溶液には、得られるナノワイヤーの形状制御や収率向上の観点から、クエン酸塩を添加することが好ましい。クエン酸塩の添加量は、鉄塩とニッケル塩の合計に対して０．５～５ｍｏｌ％とすることが好ましく、０．５～３ｍｏｌ％とすることがより好ましい。
【0022】
反応溶液に用いる反応溶媒は、極性の高い反応溶媒が好ましく、例えば、水、アルコール、グリコール等が挙げられる。還元反応の温度や発生ガスに対して安定であることから、沸点および粘度の高いエチレングリコールが好ましい。
【0023】
本発明において、還元反応の溶液の液性は重要であり、酸性から中性の領域では還元反応が進行せず、ナノワイヤーが生成しない。そのため、還元反応の溶液の液性は、アルカリ性であることが必要である。溶液の液性は、アルカリ性の化合物の添加により調整すればよく、具体的には、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ性化合物を添加することにより調整すればよい。アルカリ性化合物の添加量は、鉄塩とニッケル塩の合計１ｍｏｌに対して、１ｍｏｌ以下とすることが好ましく、鉄塩およびニッケル塩の還元反応性や、得られるナノワイヤーの形状制御や収率向上の観点から、０．２～１ｍｏｌとすることが好ましく、０．５～０．８ｍｏｌとすることがより好ましい。アルカリ性化合物は、反応溶媒に溶解していることが好ましい。
【0024】
水酸化ナトリウム、水酸化カリウムを添加すると、各塩から生じる鉄イオンやニッケルイオンと反応し、鉄とニッケルを含む塩の共沈物が発生する。共沈物は還元しにくいため、還元反応が著しく遅延したり、鱗片状や不定形の粒子が生成したりする等の問題が生じる。本発明においては、共沈物を再溶解するため、アンモニアを添加しアンミン錯体化することが好ましい。アンモニアの添加量は、アルカリ性化合物１ｍｏｌに対して３～３０ｍｏｌとすることが好ましく、鉄イオンおよびニッケルイオンの還元反応性や、得られるナノワイヤーの形状制御や収率向上の観点から、１０～３０ｍｏｌとすることが好ましく、２０～３０ｍｏｌとすることがより好ましい。アンモニアは、取扱い等の観点からアンモニア水での添加が好ましい。
【0025】
還元反応は、還元剤を用いておこなう。還元剤としては、例えば、ヒドラジン、ヒドラジン一水和物が挙げられる。次亜リン酸等のリン系還元剤やジメチルアミノボラン等のホウ素系還元剤等のヒドラジン類以外の還元剤を用いた場合、ナノワイヤーが得られない場合がある。
【0026】
還元剤としてヒドラジン一水和物を用いる場合、鉄イオンおよびニッケルイオンの還元反応性や、得られるナノワイヤーの形状制御や収率向上観点から、その濃度は、鉄塩とニッケル塩の合計１ｍｏｌに対して、１～２０ｍｏｌとすることが好ましく、２～１０ｍｏｌとすることがより好ましく、２～４ｍｏｌとすることがさらに好ましく、２．５～３．５ｍｏｌとすることが特に好ましい。還元反応時の、ニッケル塩、鉄塩、クエン酸塩、アンモニア、還元剤等の添加順序は、還元剤を最後に添加する限り添加順序は特に限定されない。
【0027】
還元反応時に、磁場を印加することにより、ナノワイヤーを得ることができる。磁場を印加する方法としてはネオジム磁石で作る磁気回路程度で印加すればよく、その強度は１００ｍＴ程度が好ましく、特に１００～２００ｍＴが好ましい。
【0028】
還元反応の温度および反応時間は、還元反応が進行する限り特に限定されない。例えば、ヒドラジン、ヒドラジン一水和物等のヒドラジン類を還元剤として用いる場合、還元反応の温度は、鉄イオンおよびニッケルイオンの還元反応性や、ナノワイヤーへの形状制御や収率向上の観点から、７０～１００℃とすることが好ましく、８０～１００℃とすることがより好ましく、８０～９５℃とすることがさらに好ましい。また、還元時間は、鉄イオンおよびニッケルイオンの還元反応性や、ナノワイヤーへの形状制御や収率向上の観点から、３０分以上とすることが好ましく、６０分以上とすることがより好ましい。
【0029】
還元反応後、ナノワイヤー分散液を濾過やデカンテーション等をおこなうことによりナノワイヤーを精製回収することができ、好ましくは濾過により精製回収することができる。濾過の方法としては、吸引濾過、加圧濾過等が挙げられる。
【0030】
濾過に用いるフィルターは、アルカリ性溶媒や極性溶媒が用いることができるフィルターであれば特に限定されない。フィルターは、ポリフッ化ビニリデン樹脂（ＰＶＤＦ）等の疎水性フィルターであっても、アルコール等で濾過面を湿潤させておけば用いることができる。フィルターの孔径は、ナノワイヤー長より小さいものであれば特に限定されず、具体的には１０μｍ以下であることが好ましい。
【0031】
精製回収したナノワイヤーに、さらに誘電体を混合することにより、本発明の電磁波遮蔽材料を得ることができる。詳しくは、本発明の電磁波遮蔽材料は、誘電体中において、ナノワイヤーが分散および含有されている。誘電体としては、導電体および半導体の化合物以外の化合物が挙げられ、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、スチレン樹脂、ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、エラストマー、ゴム（特に天然ゴム）等の有機材料；およびセラミック等の無機材料が挙げられる。誘電体は、バインダーとしての効果も有する。ナノワイヤーに誘電体を混合することにより、成形することができるようになり、電磁波遮蔽体とすることができる。これらの中でエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、セラミックなどは耐熱性に優れ、吸湿性が低いため好ましく、さらにエポキシ樹脂、シリコーン樹脂は電子部品との密着性に優れるため好ましい。誘電体は、電磁波遮蔽材料の電磁波遮蔽性（特に電磁波吸収性）のさらなる向上の観点から、好ましくはスチレン樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂であり、より好ましくはスチレン樹脂、シリコーン樹脂であり、さらに好ましくはスチレン樹脂である。なお、樹脂はポリマーを含む概念で用いている。
【0032】
本発明の電磁波遮蔽材料におけるナノワイヤーと誘電体の質量比率（ナノワイヤー／誘電体）は特に限定されず、通常は１０／９０～９５／１０であり、電磁波遮蔽性（特に電磁波吸収性）のさらなる向上の観点から、好ましくは１０／９０～９０／１０であり、より好ましくは１０／９０以上６５／３５未満であり、さらに好ましくは４０／６０～６０／４０である。前記質量比率は、電磁波を反射または吸収により遮蔽するかにより適宜変更することができる。
【0033】
ナノワイヤーと誘電体の合計に対するナノワイヤーの割合を１０質量％以上６５質量％未満とした場合、誘電体の材料を得ることができる。具体的には、得られる材料の体積抵抗率を１０－２Ω・ｃｍ以上（特に４．４×１０６Ω・ｃｍ以上）とすることができる。このような材料は、主に電磁波を吸収することにより遮蔽することができる。通常、ナノワイヤーの比率が許容範囲内で高いほど電磁波遮蔽性（特に電磁波吸収性）に関する性能は高くなるが、加工性が悪くなり、ポッティングやデッピング、スクリーン印刷などに加工手段が限定される可能性があり、ナノワイヤーの比率を低くするとダイコーター、スプレーコートなどの各種コーティングや転写、プレス成型などが可能となる。電磁波遮蔽性（特に電磁波吸収性）と加工性とのバランスの観点から、ナノワイヤーの割合はナノワイヤーと誘電体の合計に対して４０質量％以上６０質量％以下であることが好ましい。
【0034】
ナノワイヤーと誘電体の合計に対するナノワイヤーの割合を６５質量％以上９０質量％以下とした場合、導電体を得ることができる。具体的には、得られる材料の体積抵抗率を１０－２Ω・ｃｍ未満とすることができる。ナノワイヤーと誘電体の合計に対するナノワイヤーの割合は、８０質量％以上９０質量％以下とすることがより好ましい。このような材料は、主に電磁波を反射することにより遮蔽することができる。
【0035】
本発明の電磁波遮蔽材料には、本発明の効果を損なわない範囲において、フィラー、柔軟化剤、酸化防止剤、タック性付与剤等を含有させてもよい。本発明の電磁波遮蔽材料は硬化剤（または架橋剤）により硬化（または架橋）されていてもよい。
【0036】
本発明の電磁波遮蔽材料は、鉄ニッケルナノワイヤーと誘電体を混合することで製造できる。混合方法は特に限定されないが、例えば、溶媒等を用いて遊星ミキサーで混合し、電磁波遮蔽材料を含む分散液とし、それを成形する方法が挙げられる。
【0037】
詳しくは、例えば、誘電体が有機材料の場合、有機材料を含む溶媒に鉄ニッケルナノワイヤーを分散させて分散液とし、分散液を塗布し、溶媒を乾燥することにより、本発明の電磁波遮蔽材料を得ることができる。分散液中、有機材料は溶解されていてもよいし、または分散されていてもよい。有機材料として、当該有機材料を形成し得るモノマー（特に重合性モノマー）を用いてもよく、この場合、分散液を塗布した後、重合（または硬化）させればよい。この場合、分散液は溶媒を含まなくてもよい。分散液はペーストとして用いることもできる。上記した分散液やペーストを板状のテンプレートに充填し、硬化させることでシートを得ることができる。
【0038】
また例えば、誘電体が有機材料の場合、有機材料および鉄ニッケルナノワイヤーを溶融および混合し、成形することにより、本発明の電磁波遮蔽材料を得ることができる。
【0039】
また例えば、誘電体が無機材料の場合、無機材料および鉄ニッケルナノワイヤーを溶媒とともに混合し、混合物を成形および焼結することにより、本発明の電磁波遮蔽材料を得ることができる。
【0040】
本発明は電磁波遮蔽材料を含む分散液も提供する。電磁波遮蔽材料を含む分散液とは、本発明の電磁波遮蔽材料を製造することができる分散液のことである。当該分散液は、本発明の電磁波遮蔽材料を構成する鉄ニッケルナノワイヤーおよび溶媒ならびに所望により誘電体（例えば有機材料または当該有機材料を形成し得るモノマー（特に重合性モノマー））を含む。溶媒としては、ナノワイヤーの分散液の分野で使用されているあらゆる溶媒が使用可能であり、例えば、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン等の有機溶媒が挙げられる。当該分散液は、有機材料として、当該有機材料を形成し得るモノマー（特に重合性モノマー）を用いる場合、溶媒を含まなくてもよい。
【0041】
本発明の電磁波遮蔽材料の形状は特に限定されないが、例えば、シートやフィルムが挙げられる。また、本発明の電磁波遮蔽材料は、半導体等の各種電子部品の塗膜としても用いることができる。シートおよびフィルムは１μｍ～５ｍｍの厚みを有していてもよい。塗膜は１～５００μｍの厚みを有していてもよい。
【0042】
本発明の電磁波遮蔽材料（特にナノワイヤーと誘電体の合計に対するナノワイヤーの割合が１０質量％以上６５質量％未満である本発明の電磁波遮蔽材料）は、１８ＧＨｚ以上の周波数において、電磁波（電波）を吸収することもできる。詳しくは、１８ＧＨｚ以上の周波数の電磁波として、以下のいずれかの周波数域において平均１５ｄＢ以上の吸収を有することが好ましく、さらにこれらの領域において、３帯域以上の複数の周波数帯を吸収できることが好ましい。また吸収率としては１５ｄＢ以上であれば９７％の電波の電力を吸収することができるため好ましく、２０ｄＢであれば９９％吸収することができるため、さらに好ましい。
（周波数域）
・第５世代移動通信システムでは、日本、韓国で使用されるｎ２５７（２６．５０－２９．５０ＧＨｚ）、ＥＵで使用されるｎ２５８（２４．２５－２７．５０ＧＨｚ）、アメリカ、中国で使用されるｎ２５９（３９．５－４３．５０ＧＨｚ）、ｎ２６０（３７．００－４０．００ＧＨｚ）、ｎ２６１（２７．５０－２８．３５ＧＨｚ）；および
・先進運転支援システムの一部であるミリ波レーダーでは、２４ＧＨｚ帯狭帯域レーダシステムとして２４．０５－２４．２５ＧＨｚ、２４ＧＨｚ／２６ＧＨｚ帯ＵＷＢレーダシステムとして２４．２５－２９．０ＧＨｚ、６０ＧＨｚ帯ミリ波レーダシステムとして６０．０－６１．０ＧＨｚ、７６ＧＨｚ帯ミリ波レーダシステムとして７６．０－７７．０ＧＨｚ、７９ＧＨｚ帯高分解能レーダシステムとして７７．０－８１．０ＧＨｚ。
（周波数域）
・第５世代移動通信システムでは、日本、韓国で使用されるｎ２５７（２６．５０－２９．５０ＧＨｚ）、ＥＵで使用されるｎ２５８（２４．２５－２７．５０ＧＨｚ）、アメリカ、中国で使用されるｎ２５９（３９．５－４３．５０ＧＨｚ）、ｎ２６０（３７．００－４０．００ＧＨｚ）、ｎ２６１（２７．５０－２８．３５ＧＨｚ）；および
・先進運転支援システムの一部であるミリ波レーダーでは、２４ＧＨｚ帯狭帯域レーダシステムとして２４．０５－２４．２５ＧＨｚ、２４ＧＨｚ／２６ＧＨｚ帯ＵＷＢレーダシステムとして２４．２５－２９．０ＧＨｚ、６０ＧＨｚ帯ミリ波レーダシステムとして６０．０－６１．０ＧＨｚ、７６ＧＨｚ帯ミリ波レーダシステムとして７６．０－７７．０ＧＨｚ、７９ＧＨｚ帯高分解能レーダシステムとして７７．０－８１．０ＧＨｚ。
【0043】
本発明の電磁波遮蔽材料を用いた部品の電磁波遮蔽性は、用途に適した吸収率、遮蔽率を設計すればよい。遮蔽率は１０ｄＢで電磁波の電力を９０％遮蔽することができ、１５ｄＢで９７％、２０ｄＢで９９％、２５ｄＢで９９．７％、３０ｄＢで９９．９％遮蔽することができる。
【0044】
本発明の電磁波遮蔽材料は、ナノワイヤーの割合をナノワイヤーと誘電体の合計に対して４０質量％以上６０質量％以下とすることにより、以下の周波数帯において、平均で１５ｄＢ以上、特に２０ｄＢ以上の吸収を示すことができる：
・ｎ２５７（２６．５０－２９．５０ＧＨｚ）；
・ｎ２６１（２７．５０－２８．３５ＧＨｚ）；および
・７９ＧＨｚ帯高分解能レーダシステムとしての７７．０－８１．０ＧＨｚ。
・ｎ２５７（２６．５０－２９．５０ＧＨｚ）；
・ｎ２６１（２７．５０－２８．３５ＧＨｚ）；および
・７９ＧＨｚ帯高分解能レーダシステムとしての７７．０－８１．０ＧＨｚ。
【0045】
本発明のシートの電磁波吸収性や電磁波遮蔽性は、磁界中で処理することで、変化させることができる。例えば、磁界中で本発明の電磁波遮蔽材料を再溶融させ、成型することにより、吸収率が低かった周波数帯の吸収率を上げることができる。
【0046】
本発明の一実施態様において、本発明の電磁波遮蔽材料は、１８ＧＨｚ以上の周波数において、電磁波を吸収性する。詳しくは、以下の通りである。
本発明の電磁波遮蔽材料は、２６．５から２９．５ＧＨｚの周波数の電磁波を平均１０ｄＢ以上吸収することができる。
本発明の電磁波遮蔽材料は、２４．５から２７．５ＧＨｚの周波数の電磁波を平均１０ｄＢ以上吸収することができる。
本発明の電磁波遮蔽材料は、３９．５から４３．５ＧＨｚの周波数の電磁波を平均１０ｄＢ以上吸収することができる。
本発明の電磁波遮蔽材料は、３７．０から４０．０ＧＨｚの周波数の電磁波を平均１０ｄＢ以上吸収することができる。
本発明の電磁波遮蔽材料は、２７．５から２８．３５ＧＨｚの周波数の電磁波を平均１０ｄＢ以上吸収することができる。
本発明の電磁波遮蔽材料は、２４．０５から２４．２５ＧＨｚの周波数の電磁波を平均１０ｄＢ以上吸収することができる。
本発明の電磁波遮蔽材料は、２４．２５から２９．０ＧＨｚの周波数の電磁波を平均１０ｄＢ以上吸収することができる。
本発明の電磁波遮蔽材料は、６０．０から６１．０ＧＨｚの周波数の電磁波を平均１０ｄＢ以上吸収することができる。
本発明の電磁波遮蔽材料は、７６．０から７７．０Ｈｚの周波数の電磁波を平均１０ｄＢ以上吸収することができる。
本発明の電磁波遮蔽材料は、７７．０から８１．０ＧＨｚの周波数の電磁波を平均１０ｄＢ以上吸収することができる。
本発明の電磁波遮蔽材料は、２６．５から２９．５ＧＨｚの周波数の電磁波を平均１０ｄＢ以上吸収することができる。
本発明の電磁波遮蔽材料は、２４．５から２７．５ＧＨｚの周波数の電磁波を平均１０ｄＢ以上吸収することができる。
本発明の電磁波遮蔽材料は、３９．５から４３．５ＧＨｚの周波数の電磁波を平均１０ｄＢ以上吸収することができる。
本発明の電磁波遮蔽材料は、３７．０から４０．０ＧＨｚの周波数の電磁波を平均１０ｄＢ以上吸収することができる。
本発明の電磁波遮蔽材料は、２７．５から２８．３５ＧＨｚの周波数の電磁波を平均１０ｄＢ以上吸収することができる。
本発明の電磁波遮蔽材料は、２４．０５から２４．２５ＧＨｚの周波数の電磁波を平均１０ｄＢ以上吸収することができる。
本発明の電磁波遮蔽材料は、２４．２５から２９．０ＧＨｚの周波数の電磁波を平均１０ｄＢ以上吸収することができる。
本発明の電磁波遮蔽材料は、６０．０から６１．０ＧＨｚの周波数の電磁波を平均１０ｄＢ以上吸収することができる。
本発明の電磁波遮蔽材料は、７６．０から７７．０Ｈｚの周波数の電磁波を平均１０ｄＢ以上吸収することができる。
本発明の電磁波遮蔽材料は、７７．０から８１．０ＧＨｚの周波数の電磁波を平均１０ｄＢ以上吸収することができる。
【0047】
本発明の別の一実施態様において、本発明の電磁波遮材料は、厚み１ｍｍシートに加工した際、１８～１１０ＧＨｚの周波数における電磁波吸収性の平均値を１０ｄＢ以上とすることができる。本発明の電磁波遮蔽材料はまた、１８～１１０ＧＨｚのいずれかの周波数で極大ピークを有し、前記極大ピークの最大値を５０ｄＢ以上とすることができる。本発明の電磁波遮蔽材料はさらに、厚み１ｍｍシートに加工した際、１８～１１０ＧＨｚの周波数における電磁波遮蔽性の平均値を１０ｄＢ以上とすることができる。本発明においては、理由は明確ではないが、透磁率が高い鉄とニッケルから構成されるナノワイヤーを用いたことにより、特異的な電磁波遮蔽性を示したものと推定される。
【0048】
本発明のまた別の一実施態様においては、本発明の電磁波遮蔽材料をノイズ等に対する電波吸収体として用いる場合、１８ＧＨｚ以上の周波数において、電磁波吸収性の最大値が２０ｄＢ以上であることが好ましく、４０ｄＢ以上であることがより好ましい。
【実施例0049】
以下、本発明を実施例によって具体的に説明するが、本発明はこれらによって限定されるものではない。
【0050】
評価は、以下の方法によりおこなった。
Ａ．電磁波遮蔽材料の評価
（１）体積抵抗率
実施例、比較例で得られたシートをＪＩＳ Ｋ ７１９４（１９９４）に準じて５箇所測定し、平均値を算出した。
Ａ．電磁波遮蔽材料の評価
（１）体積抵抗率
実施例、比較例で得られたシートをＪＩＳ Ｋ ７１９４（１９９４）に準じて５箇所測定し、平均値を算出した。
【0051】
（２）電磁波吸収性
実施例、比較例で得られたシートにアルミ板を貼り付けたものをサンプルとし、ベクトルネットワークアナライザを用いたフリースペース法にて、Ｋバンド（１８～２６．５ＧＨｚ）、Ｋａバンド（２６．５～４０ＧＨｚ）、Ｕバンド（４０ＧＨｚ～６０ＧＨｚ）、Ｅバンド（６０ＧＨｚ～９０ＧＨｚ）、Ｗバンド（７５ＧＨｚ～１１０ＧＨｚ）の電磁波吸収測定をおこなった。
例えば、実施例１のシートにおける、Ｋバンド、Ｋａバンド、ＵバンドおよびＥバンドの電磁波吸収測定結果をそれぞれ図１～図４に示す。
また例えば、実施例５のシートにおける、Ｋバンド、Ｋａバンド、ＵバンドおよびＥバンドの電磁波吸収測定結果をそれぞれ図９～図１２に示す。
また例えば、比較例２のシートにおける、Ｋバンド、Ｋａバンド、ＵバンドおよびＥバンドの電磁波吸収測定結果をそれぞれ図１７～図２０に示す。
実施例、比較例で得られたシートにアルミ板を貼り付けたものをサンプルとし、ベクトルネットワークアナライザを用いたフリースペース法にて、Ｋバンド（１８～２６．５ＧＨｚ）、Ｋａバンド（２６．５～４０ＧＨｚ）、Ｕバンド（４０ＧＨｚ～６０ＧＨｚ）、Ｅバンド（６０ＧＨｚ～９０ＧＨｚ）、Ｗバンド（７５ＧＨｚ～１１０ＧＨｚ）の電磁波吸収測定をおこなった。
例えば、実施例１のシートにおける、Ｋバンド、Ｋａバンド、ＵバンドおよびＥバンドの電磁波吸収測定結果をそれぞれ図１～図４に示す。
また例えば、実施例５のシートにおける、Ｋバンド、Ｋａバンド、ＵバンドおよびＥバンドの電磁波吸収測定結果をそれぞれ図９～図１２に示す。
また例えば、比較例２のシートにおける、Ｋバンド、Ｋａバンド、ＵバンドおよびＥバンドの電磁波吸収測定結果をそれぞれ図１７～図２０に示す。
【0052】
測定結果の評価としては、ｎ２５７（２６．５０－２９．５０ＧＨｚ）、ｎ２５８（２４．２５－２７．５０ＧＨｚ）、ｎ２５９（３９．５－４３．５０ＧＨｚ）、ｎ２６０（３７．００－４０．００ＧＨｚ）、ｎ２６１（２７．５０－２８．３５ＧＨｚ）、２４ＧＨｚ帯狭帯域レーダシステム（２４．０５－２４．２５ＧＨｚ）、２４ＧＨｚ／２６ＧＨｚ帯ＵＷＢレーダシステム（２４．２５－２９．０ＧＨｚ）、６０ＧＨｚ帯ミリ波レーダシステム（６０．０－６１．０ＧＨｚ）、７６ＧＨｚ帯ミリ波レーダシステム（７６．０－７７．０ＧＨｚ）、７９ＧＨｚ帯高分解能レーダシステム（７７．０－８１．０ＧＨｚ）の１０区間の周波数帯それぞれの吸収率の平均値を算出した。各平均値を金属成分の含有量に応じて以下の基準で評価した。なお、本発明においては、含有量がいずれの場合も〇あるいは◎の帯域が多いほど好ましい。
【0053】
金属成分を５０質量％含有するサンプルに関しては、以下の基準に従い、各平均値を評価するとともに、総合評価を行った。
（各周波数帯の吸収率の平均値）
◎：２０ｄＢ以上；
〇：１５ｄＢ以上２０ｄＢ未満；
△：１０ｄＢ以上１５ｄＢ未満；
×：１０ｄＢ未満。
（各周波数帯の吸収率の総合評価）
最良：◎および〇の周波数帯の数が７以上；
優：◎および〇の周波数帯の数が６；
良：◎および〇の周波数帯の数が５；
可：◎および〇の周波数帯の数が３～４；
不可：◎および〇の周波数帯の数が２以下。
本発明において、金属成分を５０質量％含有する場合、「各周波数帯の吸収率の総合評価」の結果は「可」以上のレベルであることが求められ、好ましくは「良」以上のレベルであり、より好ましくは「優」以上のレベルであり、最も好ましくは「最良」である。
（各周波数帯の吸収率の平均値）
◎：２０ｄＢ以上；
〇：１５ｄＢ以上２０ｄＢ未満；
△：１０ｄＢ以上１５ｄＢ未満；
×：１０ｄＢ未満。
（各周波数帯の吸収率の総合評価）
最良：◎および〇の周波数帯の数が７以上；
優：◎および〇の周波数帯の数が６；
良：◎および〇の周波数帯の数が５；
可：◎および〇の周波数帯の数が３～４；
不可：◎および〇の周波数帯の数が２以下。
本発明において、金属成分を５０質量％含有する場合、「各周波数帯の吸収率の総合評価」の結果は「可」以上のレベルであることが求められ、好ましくは「良」以上のレベルであり、より好ましくは「優」以上のレベルであり、最も好ましくは「最良」である。
【0054】
金属成分を２０質量％含有するサンプルに関しては、以下の基準に従い、各平均値を評価するとともに、総合評価を行った。
（各周波数帯の吸収率の平均値）
〇：１０ｄＢ以上；
×：１０ｄＢ未満。
（各周波数帯の吸収率の総合評価）
優：〇の周波数帯の数が３以上；
良：〇の周波数帯の数が２；
可：〇の周波数帯の数が１；
不可：〇の周波数帯の数が０。
本発明において、金属成分を２０質量％含有する場合、「各周波数帯の吸収率の総合評価」の結果は「可」以上のレベルであることが求められ、好ましくは「良」以上のレベルであり、より好ましくは「優」である。
（各周波数帯の吸収率の平均値）
〇：１０ｄＢ以上；
×：１０ｄＢ未満。
（各周波数帯の吸収率の総合評価）
優：〇の周波数帯の数が３以上；
良：〇の周波数帯の数が２；
可：〇の周波数帯の数が１；
不可：〇の周波数帯の数が０。
本発明において、金属成分を２０質量％含有する場合、「各周波数帯の吸収率の総合評価」の結果は「可」以上のレベルであることが求められ、好ましくは「良」以上のレベルであり、より好ましくは「優」である。
【0055】
金属成分を１０質量％含有するサンプルに関しては、以下の基準に従い、各平均値を評価するとともに、総合評価を行った。
（各周波数帯の吸収率の平均値）
〇：１０ｄＢ以上；
×：１０ｄＢ未満。
（各周波数帯の吸収率の総合評価）
可：〇の周波数帯の数が１以上；
不可：〇の周波数帯の数が０。
本発明において、金属成分を１０質量％含有する場合、「各周波数帯の吸収率の総合評価」の結果は「可」以上のレベルであることが求められる。
（各周波数帯の吸収率の平均値）
〇：１０ｄＢ以上；
×：１０ｄＢ未満。
（各周波数帯の吸収率の総合評価）
可：〇の周波数帯の数が１以上；
不可：〇の周波数帯の数が０。
本発明において、金属成分を１０質量％含有する場合、「各周波数帯の吸収率の総合評価」の結果は「可」以上のレベルであることが求められる。
【0056】
次に、１８～１１０ＧＨｚの全周波数帯の吸収率について、平均値ならびに最大値およびその位置（周波数）を求め、以下の基準で評価した。
（１８～１１０ＧＨｚ帯の吸収率の平均値）
◎：２０ｄＢ以上；
○:１０ｄＢ以上２０ｄＢ未満；
△:７．５ｄＢ以上１０ｄＢ未満；
×：７．５ｄＢ未満。
平均値は、実用上、７．５ｄＢ以上であることが求められ、１０ｄＢ以上（○または◎）であることが好ましく、２０ｄＢ以上（◎）であることがより好ましい。
（１８～１１０ＧＨｚの吸収率の最大値）
◎：４０ｄＢ以上；
○：２０ｄＢ以上４０ｄＢ未満；
△：１０ｄＢ以上２０ｄＢ未満；
×：１０ｄＢ未満。
本発明においては、電磁波吸収性の最大値が１０ｄＢ以上（△）である場合、合格とした。電磁波吸収性の最大値は２０ｄＢ以上（○）であることが好ましく、４０ｄＢ以上（◎）であることがより好ましい。
（１８～１１０ＧＨｚ帯の吸収率の平均値）
◎：２０ｄＢ以上；
○:１０ｄＢ以上２０ｄＢ未満；
△:７．５ｄＢ以上１０ｄＢ未満；
×：７．５ｄＢ未満。
平均値は、実用上、７．５ｄＢ以上であることが求められ、１０ｄＢ以上（○または◎）であることが好ましく、２０ｄＢ以上（◎）であることがより好ましい。
（１８～１１０ＧＨｚの吸収率の最大値）
◎：４０ｄＢ以上；
○：２０ｄＢ以上４０ｄＢ未満；
△：１０ｄＢ以上２０ｄＢ未満；
×：１０ｄＢ未満。
本発明においては、電磁波吸収性の最大値が１０ｄＢ以上（△）である場合、合格とした。電磁波吸収性の最大値は２０ｄＢ以上（○）であることが好ましく、４０ｄＢ以上（◎）であることがより好ましい。
【0057】
（３）電磁波遮蔽性
実施例、比較例で得られたシートをサンプルとし、ベクトルネットワークアナライザを用いたフリースペース法にて、Ｋバンド（１８～２６．５ＧＨｚ）、Ｋａバンド（２６．５～４０ＧＨｚ）、Ｕバンド（４０ＧＨｚ～６０ＧＨｚ）、Ｅバンド（６０ＧＨｚ～９０ＧＨｚ）、Ｗバンド（７５ＧＨｚ～１１０ＧＨｚ）の電磁波遮蔽測定をおこなった。
例えば、実施例１のシートにおける、Ｋバンド、Ｋａバンド、ＵバンドおよびＥバンドの電磁波遮蔽測定結果をそれぞれ図５～図８に示す。
また例えば、実施例５のシートにおける、Ｋバンド、Ｋａバンド、ＵバンドおよびＥバンドの電磁波遮蔽測定結果をそれぞれ図１３～図１６に示す。
また例えば、比較例２のシートにおける、Ｋバンド、Ｋａバンド、ＵバンドおよびＥバンドの電磁波遮蔽測定結果をそれぞれ図２１～図２４に示す。
実施例、比較例で得られたシートをサンプルとし、ベクトルネットワークアナライザを用いたフリースペース法にて、Ｋバンド（１８～２６．５ＧＨｚ）、Ｋａバンド（２６．５～４０ＧＨｚ）、Ｕバンド（４０ＧＨｚ～６０ＧＨｚ）、Ｅバンド（６０ＧＨｚ～９０ＧＨｚ）、Ｗバンド（７５ＧＨｚ～１１０ＧＨｚ）の電磁波遮蔽測定をおこなった。
例えば、実施例１のシートにおける、Ｋバンド、Ｋａバンド、ＵバンドおよびＥバンドの電磁波遮蔽測定結果をそれぞれ図５～図８に示す。
また例えば、実施例５のシートにおける、Ｋバンド、Ｋａバンド、ＵバンドおよびＥバンドの電磁波遮蔽測定結果をそれぞれ図１３～図１６に示す。
また例えば、比較例２のシートにおける、Ｋバンド、Ｋａバンド、ＵバンドおよびＥバンドの電磁波遮蔽測定結果をそれぞれ図２１～図２４に示す。
【0058】
測定結果の評価としては、ｎ２５７（２６．５０－２９．５０ＧＨｚ）、ｎ２５８（２４．２５－２７．５０ＧＨｚ）、ｎ２５９（３９．５－４３．５０ＧＨｚ）、ｎ２６０（３７．００－４０．００ＧＨｚ）、ｎ２６１（２７．５０－２８．３５ＧＨｚ）、２４ＧＨｚ帯狭帯域レーダシステム（２４．０５－２４．２５ＧＨｚ）、２４ＧＨｚ／２６ＧＨｚ帯ＵＷＢレーダシステム（２４．２５－２９．０ＧＨｚ）、６０ＧＨｚ帯ミリ波レーダシステム（６０．０－６１．０ＧＨｚ）、７６ＧＨｚ帯ミリ波レーダシステム（７６．０－７７．０ＧＨｚ）、７９ＧＨｚ帯高分解能レーダシステム（７７．０－８１．０ＧＨｚ）の１０区間の周波数帯それぞれの遮蔽率の平均値を算出した。各平均値を金属成分の含有量に応じて以下の基準で評価した。なお、本発明においては、含有量がいずれの場合も〇あるいは◎の帯域が多いほど好ましい。
【0059】
金属成分を５０質量％含有するサンプルに関しては、以下の基準に従い、各平均値を評価するとともに、総合評価を行った。
（各周波数帯の遮蔽率の平均値）
◎：２０ｄＢ以上；
〇：１５ｄＢ以上２０ｄＢ未満；
△：１０ｄＢ以上１５ｄＢ未満；
×：１０ｄＢ未満。
（各周波数帯の遮蔽率の総合評価）
最良：◎の周波数帯の数が１０；
優：◎の周波数帯の数が９；
良：◎の周波数帯の数が８；
可：◎の周波数帯の数が７；
不可：◎の周波数帯の数が６以下。
本発明において、金属成分を５０質量％含有する場合、「各周波数帯の遮蔽率の総合評価」の結果は「可」以上のレベルであることが求められ、好ましくは「良」以上のレベルであり、より好ましくは「優」以上のレベルであり、最も好ましくは「最良」である。
（各周波数帯の遮蔽率の平均値）
◎：２０ｄＢ以上；
〇：１５ｄＢ以上２０ｄＢ未満；
△：１０ｄＢ以上１５ｄＢ未満；
×：１０ｄＢ未満。
（各周波数帯の遮蔽率の総合評価）
最良：◎の周波数帯の数が１０；
優：◎の周波数帯の数が９；
良：◎の周波数帯の数が８；
可：◎の周波数帯の数が７；
不可：◎の周波数帯の数が６以下。
本発明において、金属成分を５０質量％含有する場合、「各周波数帯の遮蔽率の総合評価」の結果は「可」以上のレベルであることが求められ、好ましくは「良」以上のレベルであり、より好ましくは「優」以上のレベルであり、最も好ましくは「最良」である。
【0060】
金属成分を２０質量％含有するサンプルに関しては、以下の基準に従い、各平均値を評価するとともに、総合評価を行った。
（各周波数帯の遮蔽率の平均値）
〇：１０ｄＢ以上；
×：１０ｄＢ未満。
（各周波数帯の遮蔽率の総合評価）
優：〇の周波数帯の数が９以上；
良：〇の周波数帯の数が８；
可：〇の周波数帯の数が７；
不可：〇の周波数帯の数が６以下。
本発明において、金属成分を２０質量％含有する場合、「各周波数帯の遮蔽率の総合評価」の結果は「可」以上のレベルであることが求められ、好ましくは「良」以上のレベルであり、より好ましくは「優」である。
（各周波数帯の遮蔽率の平均値）
〇：１０ｄＢ以上；
×：１０ｄＢ未満。
（各周波数帯の遮蔽率の総合評価）
優：〇の周波数帯の数が９以上；
良：〇の周波数帯の数が８；
可：〇の周波数帯の数が７；
不可：〇の周波数帯の数が６以下。
本発明において、金属成分を２０質量％含有する場合、「各周波数帯の遮蔽率の総合評価」の結果は「可」以上のレベルであることが求められ、好ましくは「良」以上のレベルであり、より好ましくは「優」である。
【0061】
金属成分を１０質量％含有するサンプルに関しては、以下の基準に従い、各平均値を評価するとともに、総合評価を行った。
（各周波数帯の遮蔽率の平均値）
〇：１０ｄＢ以上；
×：１０ｄＢ未満。
（各周波数帯の遮蔽率の総合評価）
最良：〇の周波数帯の数が５以上；
優：〇の周波数帯の数が３または４；
良：〇の周波数帯の数が２；
可：〇の周波数帯の数が１；
不可：〇の周波数帯の数が０。
本発明において、金属成分を１０質量％含有する場合、「各周波数帯の遮蔽率の総合評価」の結果は「可」以上のレベルであることが求められる。
（各周波数帯の遮蔽率の平均値）
〇：１０ｄＢ以上；
×：１０ｄＢ未満。
（各周波数帯の遮蔽率の総合評価）
最良：〇の周波数帯の数が５以上；
優：〇の周波数帯の数が３または４；
良：〇の周波数帯の数が２；
可：〇の周波数帯の数が１；
不可：〇の周波数帯の数が０。
本発明において、金属成分を１０質量％含有する場合、「各周波数帯の遮蔽率の総合評価」の結果は「可」以上のレベルであることが求められる。
【0062】
次に、２８ＧＨｚ帯（２８ＧＨｚを中心とした１ＧＨｚ幅の周波数帯）の遮蔽率平均値、７９ＧＨｚ帯（７９ＧＨｚを中心とした１ＧＨｚ幅の周波数帯）の遮蔽率平均値、ならびに１８～１１０ＧＨｚの全周波数帯域の遮蔽率の平均値および最大値を求め、以下の基準で評価した。
（２８ＧＨｚ帯、７９ＧＨｚ帯および１８～１１０ＧＨｚの遮蔽率の平均値）
◎：２５ｄＢ以上；
○:２０ｄＢ以上２５ｄＢ未満；
△:１０ｄＢ以上２０ｄＢ未満；
×：１０ｄＢ未満。
当該平均値は、実用上、１０ｄＢ以上であることが求められ、２０ｄＢ以上（○または◎）であることが好ましく、２５ｄＢ以上（◎）であることがより好ましい。
（１８～１１０ＧＨｚの遮蔽率の最大値）
◎：７０ｄＢ以上；
○：２０ｄＢ以上７０ｄＢ未満；
△：１０ｄＢ以上２０ｄＢ未満；
×：１０ｄＢ未満。
本発明においては、電磁波遮蔽性の最大値が１０ｄＢ以上（△）である場合、合格とした。電磁波遮蔽性の最大値は２０ｄＢ以上（○）であることが好ましく、７０ｄＢ以上（◎）であることがより好ましい。
（２８ＧＨｚ帯、７９ＧＨｚ帯および１８～１１０ＧＨｚの遮蔽率の平均値）
◎：２５ｄＢ以上；
○:２０ｄＢ以上２５ｄＢ未満；
△:１０ｄＢ以上２０ｄＢ未満；
×：１０ｄＢ未満。
当該平均値は、実用上、１０ｄＢ以上であることが求められ、２０ｄＢ以上（○または◎）であることが好ましく、２５ｄＢ以上（◎）であることがより好ましい。
（１８～１１０ＧＨｚの遮蔽率の最大値）
◎：７０ｄＢ以上；
○：２０ｄＢ以上７０ｄＢ未満；
△：１０ｄＢ以上２０ｄＢ未満；
×：１０ｄＢ未満。
本発明においては、電磁波遮蔽性の最大値が１０ｄＢ以上（△）である場合、合格とした。電磁波遮蔽性の最大値は２０ｄＢ以上（○）であることが好ましく、７０ｄＢ以上（◎）であることがより好ましい。
【0063】
Ｂ．材料
本発明の電磁波遮蔽材料に用いたナノワイヤーおよび粒子は以下のとおり作製した。
（１）鉄とニッケルから構成されるナノワイヤー（ＦｅＮｉＮＷ１、Ｆｅ：Ｎｉ＝２１．５：７８．５）
塩化ニッケル六水和物１５．３５ｇ（６４．５８ｍｍｏｌ）、クエン酸三ナトリウム二水和物０．３０ｇ（１．０２ｍｍｏｌ）をエチレングリコールに添加し、全量で３５０．０ｇとした。この溶液を９０℃に加熱し、塩化ニッケルを溶解させ、ニッケル－クエン酸塩溶液を得た。
水酸化ナトリウム２．５０ｇ（６２．５２ｍｍｏｌ）をエチレングリコールに添加し、全量で３８８．５ｇにした。この溶液を９０℃に加熱し、水酸化ナトリウムを溶解させ、水酸化ナトリウム溶液を得た。
塩化鉄（ＩＩ）四水和物３．７０ｇ（１８．６１ｍｍｏｌ）をエチレングリコールに添加し、全量で１５０．０ｇとした。室温で撹拌することで、塩化鉄（ＩＩ）四水和物を溶解させ、鉄溶液を得た。
中心に磁場を印加できる磁気回路の中にある反応容器を９０～９５℃に加熱し、ニッケル－クエン酸塩溶液３５０．０ｇ、水酸化ナトリウム溶液３８８．５ｇ、２８％アンモニア水１００．０ｇ（アンモニア量２８．０ｇ）、鉄溶液１５０．０ｇ、ヒドラジン一水和物１１．５ｇ（２２９．７２ｍｍｏｌ）をこの順で添加した。すべて添加後、１５０ｍＴの磁場を印加し、９０～９５℃で、９０分間還元反応をおこなった。
反応終了後、Ｔ１００Ａ０９０ＣのＰＴＦＥ製フィルターを用いてナノワイヤーを回収した。
回収したナノワイヤーをＩＣＰ－ＭＳで確認したところ、鉄とニッケルの質量比率は２１．５／７８．５であった。ナノワイヤーの長さ、径、アスペクト比の平均値はそれぞれ２２．６μｍ、０．２μｍ、１１３であった。
本発明の電磁波遮蔽材料に用いたナノワイヤーおよび粒子は以下のとおり作製した。
（１）鉄とニッケルから構成されるナノワイヤー（ＦｅＮｉＮＷ１、Ｆｅ：Ｎｉ＝２１．５：７８．５）
塩化ニッケル六水和物１５．３５ｇ（６４．５８ｍｍｏｌ）、クエン酸三ナトリウム二水和物０．３０ｇ（１．０２ｍｍｏｌ）をエチレングリコールに添加し、全量で３５０．０ｇとした。この溶液を９０℃に加熱し、塩化ニッケルを溶解させ、ニッケル－クエン酸塩溶液を得た。
水酸化ナトリウム２．５０ｇ（６２．５２ｍｍｏｌ）をエチレングリコールに添加し、全量で３８８．５ｇにした。この溶液を９０℃に加熱し、水酸化ナトリウムを溶解させ、水酸化ナトリウム溶液を得た。
塩化鉄（ＩＩ）四水和物３．７０ｇ（１８．６１ｍｍｏｌ）をエチレングリコールに添加し、全量で１５０．０ｇとした。室温で撹拌することで、塩化鉄（ＩＩ）四水和物を溶解させ、鉄溶液を得た。
中心に磁場を印加できる磁気回路の中にある反応容器を９０～９５℃に加熱し、ニッケル－クエン酸塩溶液３５０．０ｇ、水酸化ナトリウム溶液３８８．５ｇ、２８％アンモニア水１００．０ｇ（アンモニア量２８．０ｇ）、鉄溶液１５０．０ｇ、ヒドラジン一水和物１１．５ｇ（２２９．７２ｍｍｏｌ）をこの順で添加した。すべて添加後、１５０ｍＴの磁場を印加し、９０～９５℃で、９０分間還元反応をおこなった。
反応終了後、Ｔ１００Ａ０９０ＣのＰＴＦＥ製フィルターを用いてナノワイヤーを回収した。
回収したナノワイヤーをＩＣＰ－ＭＳで確認したところ、鉄とニッケルの質量比率は２１．５／７８．５であった。ナノワイヤーの長さ、径、アスペクト比の平均値はそれぞれ２２．６μｍ、０．２μｍ、１１３であった。
【0064】
（２）鉄とニッケルから構成されるナノワイヤー（ＦｅＮｉＮＷ２、Ｆｅ：Ｎｉ＝５５：４５）
塩化ニッケル六水和物８．１８ｇ（３４．４３ｍｍｏｌ）、クエン酸三ナトリウム二水和物０．３０ｇ（１．０２ｍｍｏｌ）をエチレングリコールに添加し、全量で３５０．０ｇとした。この溶液を９０℃に加熱し、塩化ニッケルを溶解させ、ニッケル－クエン酸塩溶液を得た。
水酸化ナトリウム２．５０ｇ（６２．５２ｍｍｏｌ）をエチレングリコールに添加し、全量で３８８．５ｇにした。この溶液を９０℃に加熱し、水酸化ナトリウムを溶解させ、水酸化ナトリウム溶液を得た。
塩化鉄（ＩＩ）四水和物９．２４ｇ（４６．４８ｍｍｏｌ）をエチレングリコールに添加し、全量で１５０．０ｇとした。室温で撹拌することで、塩化鉄（ＩＩ）四水和物を溶解させ、鉄溶液を得た。
中心に磁場を印加できる磁気回路の中にある反応容器を９０～９５℃に加熱し、ニッケル－クエン酸塩溶液３５０．０ｇ、水酸化ナトリウム溶液３８８．５ｇ、２８％アンモニア水１００．０ｇ（アンモニア量２８．０ｇ）、鉄溶液１５０．０ｇ、ヒドラジン一水和物１１．５ｇ（２２９．７２ｍｍｏｌ）をこの順で添加した。すべて添加後、１５０ｍＴの磁場を印加し、９０～９５℃で、９０分間還元反応をおこなった。
反応終了後、Ｔ１００Ａ０９０ＣのＰＴＦＥ製フィルターを用いてナノワイヤーを回収した。
回収したナノワイヤーをＩＣＰ－ＭＳで確認したところ、鉄とニッケルの質量比率は５４．８／４５．２であった。ナノワイヤーの長さ、径、アスペクト比の平均値はそれぞれ２４．６μｍ、０．２μｍ、１２３であった。
塩化ニッケル六水和物８．１８ｇ（３４．４３ｍｍｏｌ）、クエン酸三ナトリウム二水和物０．３０ｇ（１．０２ｍｍｏｌ）をエチレングリコールに添加し、全量で３５０．０ｇとした。この溶液を９０℃に加熱し、塩化ニッケルを溶解させ、ニッケル－クエン酸塩溶液を得た。
水酸化ナトリウム２．５０ｇ（６２．５２ｍｍｏｌ）をエチレングリコールに添加し、全量で３８８．５ｇにした。この溶液を９０℃に加熱し、水酸化ナトリウムを溶解させ、水酸化ナトリウム溶液を得た。
塩化鉄（ＩＩ）四水和物９．２４ｇ（４６．４８ｍｍｏｌ）をエチレングリコールに添加し、全量で１５０．０ｇとした。室温で撹拌することで、塩化鉄（ＩＩ）四水和物を溶解させ、鉄溶液を得た。
中心に磁場を印加できる磁気回路の中にある反応容器を９０～９５℃に加熱し、ニッケル－クエン酸塩溶液３５０．０ｇ、水酸化ナトリウム溶液３８８．５ｇ、２８％アンモニア水１００．０ｇ（アンモニア量２８．０ｇ）、鉄溶液１５０．０ｇ、ヒドラジン一水和物１１．５ｇ（２２９．７２ｍｍｏｌ）をこの順で添加した。すべて添加後、１５０ｍＴの磁場を印加し、９０～９５℃で、９０分間還元反応をおこなった。
反応終了後、Ｔ１００Ａ０９０ＣのＰＴＦＥ製フィルターを用いてナノワイヤーを回収した。
回収したナノワイヤーをＩＣＰ－ＭＳで確認したところ、鉄とニッケルの質量比率は５４．８／４５．２であった。ナノワイヤーの長さ、径、アスペクト比の平均値はそれぞれ２４．６μｍ、０．２μｍ、１２３であった。
【0065】
（３）鉄とニッケルから構成されるナノワイヤー（ＦｅＮｉＮＷ３、Ｆｅ：Ｎｉ＝６４：３６）
塩化ニッケル六水和物６．８９ｇ（２８．９９ｍｍｏｌ）、クエン酸三ナトリウム二水和物０．３０ｇ（１．０２ｍｍｏｌ）をエチレングリコールに添加し、全量で３５０．０ｇとした。この溶液を９０℃に加熱し、塩化ニッケルを溶解させ、ニッケル－クエン酸塩溶液を得た。
水酸化ナトリウム２．５０ｇ（６２．５２ｍｍｏｌ）をエチレングリコールに添加し、全量で３８８．５ｇにした。この溶液を９０℃に加熱し、水酸化ナトリウムを溶解させ、水酸化ナトリウム溶液を得た。
塩化鉄（ＩＩ）四水和物１０．７８ｇ（５４．１７ｍｍｏｌ）をエチレングリコールに添加し、全量で１５０．０ｇとした。室温で撹拌することで、塩化鉄（ＩＩ）四水和物を溶解させ、鉄溶液を得た。
中心に磁場を印加できる磁気回路の中にある反応容器を９０～９５℃に加熱し、ニッケル－クエン酸塩溶液３５０．０ｇ、水酸化ナトリウム溶液３８８．５ｇ、２８％アンモニア水１００．０ｇ（アンモニア量２８．０ｇ）、鉄溶液１５０．０ｇ、ヒドラジン一水和物１１．５ｇ（２２９．７２ｍｍｏｌ）をこの順で添加した。すべて添加後、１５０ｍＴの磁場を印加し、９０～９５℃で、９０分間還元反応をおこなった。
反応終了後、Ｔ１００Ａ０９０ＣのＰＴＦＥ製フィルターを用いてナノワイヤーを回収した。
回収したナノワイヤーをＩＣＰ－ＭＳで確認したところ、鉄とニッケルの質量比率は６４．０／３６．０であった。ナノワイヤーの長さ、径、アスペクト比の平均値はそれぞれ２３．２μｍ、０．２μｍ、１１６であった。
塩化ニッケル六水和物６．８９ｇ（２８．９９ｍｍｏｌ）、クエン酸三ナトリウム二水和物０．３０ｇ（１．０２ｍｍｏｌ）をエチレングリコールに添加し、全量で３５０．０ｇとした。この溶液を９０℃に加熱し、塩化ニッケルを溶解させ、ニッケル－クエン酸塩溶液を得た。
水酸化ナトリウム２．５０ｇ（６２．５２ｍｍｏｌ）をエチレングリコールに添加し、全量で３８８．５ｇにした。この溶液を９０℃に加熱し、水酸化ナトリウムを溶解させ、水酸化ナトリウム溶液を得た。
塩化鉄（ＩＩ）四水和物１０．７８ｇ（５４．１７ｍｍｏｌ）をエチレングリコールに添加し、全量で１５０．０ｇとした。室温で撹拌することで、塩化鉄（ＩＩ）四水和物を溶解させ、鉄溶液を得た。
中心に磁場を印加できる磁気回路の中にある反応容器を９０～９５℃に加熱し、ニッケル－クエン酸塩溶液３５０．０ｇ、水酸化ナトリウム溶液３８８．５ｇ、２８％アンモニア水１００．０ｇ（アンモニア量２８．０ｇ）、鉄溶液１５０．０ｇ、ヒドラジン一水和物１１．５ｇ（２２９．７２ｍｍｏｌ）をこの順で添加した。すべて添加後、１５０ｍＴの磁場を印加し、９０～９５℃で、９０分間還元反応をおこなった。
反応終了後、Ｔ１００Ａ０９０ＣのＰＴＦＥ製フィルターを用いてナノワイヤーを回収した。
回収したナノワイヤーをＩＣＰ－ＭＳで確認したところ、鉄とニッケルの質量比率は６４．０／３６．０であった。ナノワイヤーの長さ、径、アスペクト比の平均値はそれぞれ２３．２μｍ、０．２μｍ、１１６であった。
【0066】
（４）鉄とニッケルから構成される粒子（ＦｅＮｉＰ）
塩化ニッケル六水和物１５．３５ｇ（６４．５８ｍｍｏｌ）、クエン酸三ナトリウム二水和物０．３０ｇ（１．０２ｍｍｏｌ）をエチレングリコールに添加し、全量で３５０．０ｇとした。この溶液を９０℃に加熱し、塩化ニッケルを溶解させ、ニッケル－クエン酸塩溶液を得た。
水酸化ナトリウム２．５０ｇ（６２．５２ｍｍｏｌ）をエチレングリコールに添加し、全量で３８８．５ｇにした。この溶液を９０℃に加熱し、水酸化ナトリウムを溶解させ、水酸化ナトリウム溶液を得た。
塩化鉄（ＩＩ）四水和物３．７０ｇ（１８．６１ｍｍｏｌ）をエチレングリコールに添加し、全量で１５０．０ｇとした。室温で撹拌することで、塩化鉄（ＩＩ）四水和物を溶解させ、鉄溶液を得た。
反応容器を９０～９５℃に加熱し、ニッケル－クエン酸塩溶液３５０．０ｇ、水酸化ナトリウム溶液３８８．５ｇ、２８％アンモニア水１００．０ｇ（アンモニア量２８．０ｇ）、鉄溶液１５０．０ｇ、ヒドラジン一水和物１１．５ｇ（２２９．７２ｍｍｏｌ）をこの順で添加した。すべて添加後、９０～９５℃で、９０分間還元反応をおこなった。
反応終了後、Ｔ１００Ａ０９０ＣのＰＴＦＥ製フィルターを用いてナノワイヤーを回収した。
回収した粒子をＩＣＰ－ＭＳで確認したところ、鉄とニッケルの質量比率は２１．５／７８．５であった。粒子状であったため、アスペクト比は１であった。
塩化ニッケル六水和物１５．３５ｇ（６４．５８ｍｍｏｌ）、クエン酸三ナトリウム二水和物０．３０ｇ（１．０２ｍｍｏｌ）をエチレングリコールに添加し、全量で３５０．０ｇとした。この溶液を９０℃に加熱し、塩化ニッケルを溶解させ、ニッケル－クエン酸塩溶液を得た。
水酸化ナトリウム２．５０ｇ（６２．５２ｍｍｏｌ）をエチレングリコールに添加し、全量で３８８．５ｇにした。この溶液を９０℃に加熱し、水酸化ナトリウムを溶解させ、水酸化ナトリウム溶液を得た。
塩化鉄（ＩＩ）四水和物３．７０ｇ（１８．６１ｍｍｏｌ）をエチレングリコールに添加し、全量で１５０．０ｇとした。室温で撹拌することで、塩化鉄（ＩＩ）四水和物を溶解させ、鉄溶液を得た。
反応容器を９０～９５℃に加熱し、ニッケル－クエン酸塩溶液３５０．０ｇ、水酸化ナトリウム溶液３８８．５ｇ、２８％アンモニア水１００．０ｇ（アンモニア量２８．０ｇ）、鉄溶液１５０．０ｇ、ヒドラジン一水和物１１．５ｇ（２２９．７２ｍｍｏｌ）をこの順で添加した。すべて添加後、９０～９５℃で、９０分間還元反応をおこなった。
反応終了後、Ｔ１００Ａ０９０ＣのＰＴＦＥ製フィルターを用いてナノワイヤーを回収した。
回収した粒子をＩＣＰ－ＭＳで確認したところ、鉄とニッケルの質量比率は２１．５／７８．５であった。粒子状であったため、アスペクト比は１であった。
【0067】
（５）ニッケルから構成されるナノワイヤー（ＮｉＮＷ）
塩化ニッケル六水和物４．００ｇ（１６．８ｍｍｏｌ）、クエン酸三ナトリウム二水和物０．３７５ｇ（１．２７ｍｍｏｌ）をエチレングリコールに添加し、全量で５００．０ｇとした。この溶液を９０℃に加熱し溶解させ、ニッケル－クエン酸塩溶液を得た。
別の容器に、水酸化ナトリウム１．００ｇをエチレングリコールに添加し、全量で４９９．０ｇにした。この溶液を９０℃に加熱し溶解させ、水酸化ナトリウム溶液を得た。
中心に磁場を印加できる磁気回路の中にある反応容器を９０～９５℃に加熱し、ニッケル－クエン酸塩溶液５００．０ｇ、水酸化ナトリウム溶液４９９．０ｇ、ヒドラジン一水和物１．０ｇ（２２９．７２ｍｍｏｌ）をこの順で添加した。すべて添加後、１５０ｍＴの磁場を印加し、９０～９５℃で、９０分間還元反応をおこなった。
反応終了後、Ｔ１００Ａ０９０ＣのＰＴＦＥ製フィルターを用いてナノワイヤーを回収した。ナノワイヤーの長さ、径、アスペクト比の平均値はそれぞれ２４μｍ、０．１μｍ、２４０であった。
塩化ニッケル六水和物４．００ｇ（１６．８ｍｍｏｌ）、クエン酸三ナトリウム二水和物０．３７５ｇ（１．２７ｍｍｏｌ）をエチレングリコールに添加し、全量で５００．０ｇとした。この溶液を９０℃に加熱し溶解させ、ニッケル－クエン酸塩溶液を得た。
別の容器に、水酸化ナトリウム１．００ｇをエチレングリコールに添加し、全量で４９９．０ｇにした。この溶液を９０℃に加熱し溶解させ、水酸化ナトリウム溶液を得た。
中心に磁場を印加できる磁気回路の中にある反応容器を９０～９５℃に加熱し、ニッケル－クエン酸塩溶液５００．０ｇ、水酸化ナトリウム溶液４９９．０ｇ、ヒドラジン一水和物１．０ｇ（２２９．７２ｍｍｏｌ）をこの順で添加した。すべて添加後、１５０ｍＴの磁場を印加し、９０～９５℃で、９０分間還元反応をおこなった。
反応終了後、Ｔ１００Ａ０９０ＣのＰＴＦＥ製フィルターを用いてナノワイヤーを回収した。ナノワイヤーの長さ、径、アスペクト比の平均値はそれぞれ２４μｍ、０．１μｍ、２４０であった。
【0068】
実施例１
ＦｅＮｉＮＷ１ １０ｇとスチレン樹脂（Ｓｔ、富士フイルム和光純薬社製）１０ｇとトルエン１０ｇとを遊星ミキサーで混合し、分散液を得た。
得られた分散液をテフロンシート上に流延塗布し、４０℃で乾燥し、被膜をテフロンシートから剥離し、厚み１ｍｍのシートを得た。
ＦｅＮｉＮＷ１ １０ｇとスチレン樹脂（Ｓｔ、富士フイルム和光純薬社製）１０ｇとトルエン１０ｇとを遊星ミキサーで混合し、分散液を得た。
得られた分散液をテフロンシート上に流延塗布し、４０℃で乾燥し、被膜をテフロンシートから剥離し、厚み１ｍｍのシートを得た。
【0069】
実施例２
ＦｅＮｉＮＷ１ １０ｇとＴＳＥ３４５０（Ｓｉ、モメンティブ社製シリコーン樹脂）９ｇとを遊星ミキサーで混合し、さらにＴＳＥ３４５０（モメンティブ社製シリコーン樹脂用硬化剤）１ｇを混合し、分散液を得た。
得られた分散液を、ポリカーボネート樹脂シートに流延塗布し、室温で２４時間以上硬化させ、被膜をポリカーボネート樹脂シートから剥離し、厚み１ｍｍのシートを得た。
ＦｅＮｉＮＷ１ １０ｇとＴＳＥ３４５０（Ｓｉ、モメンティブ社製シリコーン樹脂）９ｇとを遊星ミキサーで混合し、さらにＴＳＥ３４５０（モメンティブ社製シリコーン樹脂用硬化剤）１ｇを混合し、分散液を得た。
得られた分散液を、ポリカーボネート樹脂シートに流延塗布し、室温で２４時間以上硬化させ、被膜をポリカーボネート樹脂シートから剥離し、厚み１ｍｍのシートを得た。
【0070】
実施例３、４
ＦｅＮｉＮＷ１とスチレン樹脂の質量比率が表２Ａまたは３Ａの質量比率になるように、用いるＦｅＮｉＮＷとスチレン樹脂の質量比率を変更する以外は実施例１と同様の操作をおこなって、シートを得た。
ＦｅＮｉＮＷ１とスチレン樹脂の質量比率が表２Ａまたは３Ａの質量比率になるように、用いるＦｅＮｉＮＷとスチレン樹脂の質量比率を変更する以外は実施例１と同様の操作をおこなって、シートを得た。
【0071】
実施例５
実施例１で作製したシートの両面にテフロンシートを積層し、テフロンシート／実施例１で得たシート／テフロンシートからなる積層体を作製した。
得られた積層体の端に、１ｍｍ厚のスペーサー板で厚みを固定した後、積層体をフェライト磁石板２枚で挟み、１３０℃で４時間熱処理をおこなった。その後、積層体を取り出し、テフロンシートを剥離し、厚み１ｍｍのシートを得た。
実施例１で作製したシートの両面にテフロンシートを積層し、テフロンシート／実施例１で得たシート／テフロンシートからなる積層体を作製した。
得られた積層体の端に、１ｍｍ厚のスペーサー板で厚みを固定した後、積層体をフェライト磁石板２枚で挟み、１３０℃で４時間熱処理をおこなった。その後、積層体を取り出し、テフロンシートを剥離し、厚み１ｍｍのシートを得た。
【0072】
実施例６
ＦｅＮｉＮＷ１ １３ｇとｊＥＲ（Ｅｐ、三菱ケミカル社製エポキシ樹脂）９ｇとを遊星ミキサーで混合し、さらにトリメチルヘキサメチレンジアミン４ｇを混合し、分散液を得た。
得られた分散液を、テフロンシートに流延塗布し、１２０℃で３０分以上硬化させ、被膜をテフロンシートから剥離し、厚み１ｍｍのシートを得た。
ＦｅＮｉＮＷ１ １３ｇとｊＥＲ（Ｅｐ、三菱ケミカル社製エポキシ樹脂）９ｇとを遊星ミキサーで混合し、さらにトリメチルヘキサメチレンジアミン４ｇを混合し、分散液を得た。
得られた分散液を、テフロンシートに流延塗布し、１２０℃で３０分以上硬化させ、被膜をテフロンシートから剥離し、厚み１ｍｍのシートを得た。
【0073】
実施例７、８
ＦｅＮｉＮＷ１をＦｅＮｉＮＷ２またはＦｅＮｉＮＷ３に変更する以外は、実施例６と同様の作業により厚み１ｍｍのシートを得た。
ＦｅＮｉＮＷ１をＦｅＮｉＮＷ２またはＦｅＮｉＮＷ３に変更する以外は、実施例６と同様の作業により厚み１ｍｍのシートを得た。
【0074】
比較例１
ＦｅＮｉＮＷをＦｅＮｉＰに変更する以外は実施例１と同様の操作をおこなって、シートを得た。
ＦｅＮｉＮＷをＦｅＮｉＰに変更する以外は実施例１と同様の操作をおこなって、シートを得た。
【0075】
比較例２
ＦｅＮｉＮＷをＮｉＮＷに変更する以外は、実施例１と同様の操作をおこなって、シートを得た。
ＦｅＮｉＮＷをＮｉＮＷに変更する以外は、実施例１と同様の操作をおこなって、シートを得た。
【0076】
比較例３
ＦｅＮｉＮＷをＮｉＮＷに変更する以外は、実施例２と同様の操作をおこなって、シートを得た。
ＦｅＮｉＮＷをＮｉＮＷに変更する以外は、実施例２と同様の操作をおこなって、シートを得た。
【0077】
比較例４
ＦｅＮｉＮＷをＮｉＮＷに変更する以外は、実施例３と同様の操作をおこなって、シートを得た。
ＦｅＮｉＮＷをＮｉＮＷに変更する以外は、実施例３と同様の操作をおこなって、シートを得た。
【0078】
比較例５
ＦｅＮｉＮＷをＮｉＮＷに変更する以外は、実施例４と同様の操作をおこなって、シートを得た。
ＦｅＮｉＮＷをＮｉＮＷに変更する以外は、実施例４と同様の操作をおこなって、シートを得た。
【0079】
比較例６
ＦｅＮｉＮＷをＡｇＮＷ（アルドリッチ製）に変更する以外は、実施例１と同様の操作をおこなって、シートを得た。
ＦｅＮｉＮＷをＡｇＮＷ（アルドリッチ製）に変更する以外は、実施例１と同様の操作をおこなって、シートを得た。
【0080】
実施例および比較例で得られた電磁波遮蔽材料の組成および評価結果を表１Ａ、表１Ｂ、表１Ｃ、表２Ａ、表２Ｂ、表２Ｃ、表３Ａ、表３Ｂ、表３Ｃ、表４Ａ、表４Ｂおよび表４Ｃに示す。
【0081】
【表1A】
【0082】
【表1B】
【0083】
【表1C】
【0084】
【表2A】
【0085】
【表2B】
【0086】
【表2C】
【0087】
【表3A】
【0088】
【表3B】
【0089】
【表3C】
【0090】
【表4A】
【0091】
【表4B】
【0092】
【表4C】
【0093】
金属成分を５０％含有する実施例１、２、６は利用される１０周波数帯中６以上の周波数帯において１５ｄＢ以上の電磁波の吸収率を有し、電磁波遮蔽特性とともに優れていた。一方、比較例１～３、６は、実施例１、２、６と同じ金属成分の含有量であったが、鉄とニッケルからなるナノワイヤーを含まないため、１５ｄＢ以上吸収可能な帯域の数が３未満（特に２以下）であり、十分に吸収できない周波数帯が多く、材料として使用が限定されるものであった。
【0094】
金属成分を２０％含有する実施例３は１０ｄＢ以上吸収することができる周波数帯の数が４であり、電磁波遮蔽性とともに優れていた。対する比較例４は１０ｄＢ以上吸収できる周波数帯が無かった。
【0095】
金属成分を１０％含有する実施例４は１０ｄＢ以上吸収することができる周波数帯の数が１つであったが、対する比較例５は１０ｄＢ以上吸収できる周波数帯が無かった。
【0096】
実施例５は実施例１と同様の組成であるが、磁場中で溶融再成型することで、実施例１では吸収できなかったｎ２５８（２４．２５－２７．５ＧＨｚ）と２４ＧＨｚ帯狭帯域レーダシステム（２４．０５－２４．２５ＧＨｚ）、さらに吸収率が１５ｄＢ未満であった２４ＧＨｚ／２６ＧＨｚ帯ＵＷＢレーダシステム（２４．２５－２９．０ＧＨｚ）で２０ｄＢ以上の高い吸収率が確認できた。
【産業上の利用可能性】
【0097】
本発明の電磁波遮蔽材料は、高周波領域（特に準ミリ波領域およびミリ波領域）における電磁波遮蔽性、特に電磁波吸収性に優れていることから、第５世代移動通信システムや、先進運転支援システムなどの電子部品に対して好適に用いることできる。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【手続補正書】
【提出日】2025-01-21
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
鉄とニッケルとから構成されるナノワイヤーを含む電磁波遮蔽材料。