特開 2025-38644 基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025038644

(43)【公開日】2025-03-19

(54)【発明の名称】基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05H 1/46 20060101AFI20250312BHJP

   C23C 14/00 20060101ALI20250312BHJP

【ＦＩ】

H05H1/46 L

H05H1/46 M

C23C14/00 B

【審査請求】未請求

【請求項の数】6

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023145380

(22)【出願日】2023-09-07

(71)【出願人】

【識別番号】000232243

【氏名又は名称】日本電気硝子株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107423

【弁理士】

【氏名又は名称】城村 邦彦

(74)【代理人】

【識別番号】100120949

【弁理士】

【氏名又は名称】熊野 剛

(74)【代理人】

【識別番号】100168550

【弁理士】

【氏名又は名称】友廣 真一

(72)【発明者】

【氏名】齊藤 隆義

【テーマコード（参考）】

2G084

4K029

【Ｆターム（参考）】

2G084AA02

2G084AA04

2G084AA05

2G084AA07

2G084BB02

2G084BB11

2G084BB29

2G084CC12

2G084CC13

2G084CC25

2G084CC33

2G084DD02

2G084DD03

2G084DD13

2G084DD15

2G084DD25

2G084DD32

2G084DD55

2G084FF07

4K029AA09

4K029AA24

4K029CA05

4K029DA04

4K029DA09

4K029DC16

4K029FA09

4K029GA02

4K029JA02

(57)【要約】

【課題】プラズマを確実に着火させつつ、着火後のプラズマ密度を高め、安定したプラズマ処理工程を実現する。
【解決手段】真空容器２内に設けられた処理エリア６でプラズマを発生させることにより、基板Ｇにプラズマ処理を行うプラズマ処理工程を備える基板の製造方法であって、プラズマ処理工程は、プラズマを発生させるためのアンテナ２９にＲＦ電力を供給し、処理エリア６でプラズマを着火させる着火工程と、着火工程の後に、アンテナ２９にＲＦ電力を供給し、プラズマにより基板Ｇにプラズマ処理を行う実行工程とを含む。アンテナ２９の一端は、ＲＦ電力を供給するＲＦ電源３１に接続され、アンテナ２９の他端は静電容量が可変のコンデンサ部４１を介して接地されている。着火工程におけるコンデンサ部４１の静電容量は、実行工程におけるコンデンサ部４１の静電容量よりも大きい。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

真空容器内に設けられた処理エリアでプラズマを発生させることにより、基板にプラズマ処理を行うプラズマ処理工程を備える基板の製造方法であって、
前記プラズマ処理工程は、前記プラズマを発生させるためのアンテナにＲＦ電力を供給し、前記処理エリアで前記プラズマを着火させる着火工程と、
前記着火工程の後に、前記アンテナに前記ＲＦ電力を供給し、前記プラズマにより前記基板にプラズマ処理を行う実行工程とを含み、
前記アンテナの一端は前記ＲＦ電力を供給するＲＦ電源に接続され、前記アンテナの他端は静電容量が可変のコンデンサ部を介して接地されており、
前記着火工程における前記コンデンサ部の静電容量が、前記実行工程における前記コンデンサ部の静電容量よりも大きいことを特徴とする基板の製造方法。

【請求項2】

前記アンテナのインダクタンスをＬ［Ｈ］、前記実行工程における前記コンデンサ部の静電容量をＣ［Ｆ］、前記ＲＦ電源の周波数をｆ［Ｈｚ］とした場合に、
Ｃ＝ａ×１／（２π^２ｆ^２Ｌ） （ただし、０．７≦ａ≦１．４）
なる関係が成立する請求項１に記載の基板の製造方法。

【請求項3】

前記着火工程における前記コンデンサ部の静電容量が、前記実行工程における前記コンデンサ部の静電容量の１．５～１０倍である請求項１又は２に記載の基板の製造方法。

【請求項4】

前記プラズマ処理工程は、前記着火工程の後に、前記アンテナに前記ＲＦ電力を印加し、前記プラズマにより前記処理エリアをクリーニングするクリーニング工程をさらに備え、
前記クリーニング工程における前記コンデンサ部の静電容量が、前記実行工程における前記コンデンサ部の静電容量よりも小さい請求項１又は２に記載の基板の製造方法。

【請求項5】

前記クリーニング工程における前記コンデンサ部の静電容量が、前記実行工程における前記コンデンサ部の静電容量の０．４～０．６倍である請求項４に記載の基板の製造方法。

【請求項6】

前記処理エリアとは異なる位置で前記真空容器内に設けられた成膜エリアで、前記基板に薄膜を形成する成膜工程と、前記処理エリアと前記成膜エリアとの間で前記基板を移動させる移動工程とをさらに備え、
前記成膜工程の後に、前記クリーニング工程を行う請求項４に記載の基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基板の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

ガラス基板などの基板の製造方法として、真空容器内でプラズマを発生させ、基板にプラズマ処理を行うプラズマ処理工程を備えるものがある。プレズマ処理には、例えば、基板上への薄膜の形成、基板又は薄膜の表面改質やエッチングなどが含まれる。

【0003】

プラズマ処理工程では、高周波電波（ＲＦ電波）を発射するアンテナを使用し、誘導結合型プラズマを発生させる場合がある。この場合、アンテナには、プラズマを発生させるために高周波電力（ＲＦ電力）が供給される。

【0004】

具体的には、アンテナの一端はＲＦ電力を供給する高周波電源（ＲＦ電源）に接続される。アンテナの他端は直接接地されたり（例えば特許文献１）、固定コンデンサを介して接地されたりする（例えば特許文献２）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】国際公開２００４／１０８９７９号

【特許文献2】特開平１１－６１４２２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

特許文献１に開示されているように、アンテナの他端を直接接地する場合、プラズマを着火させやすいという利点はあるが、着火後のプラズマ密度が低く、安定したプラズマ処理が難しいという欠点がある。

【0007】

一方、特許文献２に開示されているように、アンテナの他端を固定コンデンサを介して接地する場合、着火後のプラズマ密度が高く、安定したプラズマ処理が実現できるという利点はあるが、プラズマを着火させにくいという欠点がある。

【0008】

本発明は、プラズマを確実に着火させつつ、着火後のプラズマ密度を高め、安定したプラズマ処理を実現することを課題とする。

【課題を解決するための手段】

【0009】

（１） 上記の課題を解決するために創案された本発明は、真空容器内に設けられた処理エリアでプラズマを発生させることにより、基板にプラズマ処理を行うプラズマ処理工程を備える基板の製造方法であって、プラズマ処理工程は、プラズマを発生させるためのアンテナにＲＦ電力を供給し、処理エリアでプラズマを着火させる着火工程と、着火工程の後に、アンテナにＲＦ電力を供給し、プラズマにより基板にプラズマ処理を行う実行工程とを含み、アンテナの一端はＲＦ電力を供給するＲＦ電源に接続され、アンテナの他端は静電容量が可変のコンデンサ部を介して接地されており、着火工程におけるコンデンサ部の静電容量が、実行工程におけるコンデンサ部の静電容量よりも大きいことを特徴とする。

【0010】

このようにすれば、コンデンサ部の静電容量が可変であり、着火工程におけるコンデンサ部の静電容量が、実行工程におけるコンデンサ部の静電容量よりも大きくなる。そのため、プラズマを確実に着火させること、及び、着火後のプラズマ密度を高めて安定したプラズマ処理を実現することを両立できる。

【0011】

（２） 上記（１）の構成において、アンテナのインダクタンスをＬ［Ｈ］、実行工程におけるコンデンサ部の静電容量をＣ［Ｆ］、ＲＦ電源の周波数をｆ［Ｈｚ］とした場合に、Ｃ＝ａ×１／（２π^２ｆ^２Ｌ） （ただし、０．７≦ａ≦１．４）なる関係が成立することが好ましい。

【0012】

このようにすれば、実行工程でプラズマ密度をより高めることができる。

【0013】

（３） 上記（１）又は（２）の構成において、着火工程におけるコンデンサ部の静電容量が、実行工程におけるコンデンサ部の静電容量の１．５～１０倍であることが好ましい。

【0014】

このようにすれば、プラズマの着火をより確実にしつつ、着火後のプラズマ密度をより高めることができる。

【0015】

（４） 上記（１）～（３）のいずれかの構成において、プラズマ処理工程は、着火工程の後に、アンテナにＲＦ電力を印加し、プラズマにより処理エリアをクリーニングするクリーニング工程をさらに備え、クリーニング工程におけるコンデンサ部の静電容量が、実行工程におけるコンデンサ部の静電容量よりも小さいことが好ましい。

【0016】

このようにすれば、クリーニング工程におけるプラズマ電位が高くなり、処理エリアのクリーニング効果を高めることができる。

【0017】

（５） 上記（４）の構成において、クリーニング工程におけるコンデンサ部の静電容量が、実行工程におけるコンデンサ部の静電容量の０．４～０．６倍であることが好ましい。

【0018】

このようにすれば、クリーニング工程における処理エリアのクリーニング効果をより高めることができる。

【0019】

（６） 上記（４）又は（５）の構成において、処理エリアとは異なる位置で真空容器内に設けられた成膜エリアで、基板に薄膜を形成する成膜工程と、処理エリアと成膜エリアとの間で基板を移動させる移動工程とをさらに備え、成膜工程の後に、クリーニング工程を行うことが好ましい。

【0020】

このようにすれば、成膜工程により処理エリアが汚染された場合でも、クリーニング工程によって、汚染された処理エリアをクリーニングすることができる。

【発明の効果】

【0021】

本発明によれば、プラズマを確実に着火させつつ、着火後のプラズマ密度を高め、安定したプラズマ処理工程を実現できる。

【図面の簡単な説明】

【0022】

【図1】基板の製造装置を示す概略断面図である。

【図2】アンテナを示す平面図である。

【図3】プラズマ発生装置の回路構成の一例を示す図である。

【図4】基板の製造方法のフロー図である。

【図5】プラズマ処理工程の一例を示すフロー図である。

【図6】コンデンサ部の静電容量と、プラズマ密度及びプラズマ電位との関係を示す模式図である。

【図7】プラズマ処理工程の別の一例を示すフロー図である。

【図8】プラズマ発生装置の回路構成の別の一例を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0023】

以下、本発明を実施するための形態について図面を参照しながら説明する。

【0024】

（基板の製造装置）
図１に示すように、本実施形態に係る基板の製造装置１として、カルーセル型のスパッタ装置を例示する。

【0025】

本製造装置１は、真空容器２と、複数の基板Ｇを真空容器２内で保持する基板ホルダ３と、真空容器２内に設けられた第一成膜エリア４と、真空容器２内に設けられた第二成膜エリア５と、真空容器２内に設けられた処理エリア６とを備える。

【0026】

真空容器２は、基板Ｇに成膜やプラズマ処理を施すための空間を区画形成する。真空容器２の形状は、特に限定されるものではないが、例えば、中空の略直方体状、中空の円柱状などをなす。基板Ｇとしては、例えば、ガラス基板などが利用される。

【0027】

基板ホルダ３は、真空容器２内の略中央に配置されている。基板ホルダ３は、真空容器２内の略中央で上下方向に沿って延びる回転軸３ａを中心として、真空容器２内で回転駆動される。基板ホルダ３は、中空の多角柱状であり、各側面で基板Ｇを保持可能となっている。各基板Ｇは、基板ホルダ３の回転に伴って、回転軸３ａを中心として公転する。この公転によって、各基板Ｇは、第一成膜エリア４、第二成膜エリア５及び処理エリア６の順に移動する。なお、基板ホルダ３の形状は特に限定されず、例えば、中空の円柱状、中空の円錐状などであってもよい。

【0028】

第一成膜エリア４は、スパッタにより、基板Ｇに第一薄膜（例えば金属膜）を形成するエリアである。第一成膜エリア４は、真空容器２の内壁面、基板ホルダ３の外周面及び仕切壁７により囲繞されている。

【0029】

第一成膜エリア４には、第一成膜装置８が配置されている。第一成膜装置８は、ターゲット９，１０と、ターゲット９，１０を保持する電極１１，１２と、電極１１，１２に接続された電源１３と、第一成膜エリア４内に不活性ガスを供給するガスノズル１４とを備える。ガスノズル１４は、流量調整バルブ１５を介して、不活性ガスが貯留されたガス供給源１６に接続されている。

【0030】

不活性ガスとしては、例えばアルゴン等が挙げられる。なお、第一成膜エリア４内には、不活性ガスに加えて反応性ガスを供給してもよい。反応性ガスとしては、例えば酸素、窒素、水素、メタン等が挙げられる。

【0031】

第二成膜エリア５は、スパッタにより、基板Ｇに第二薄膜（例えば金属膜）を形成するエリアである。第二成膜エリア５は、真空容器２の内壁面、基板ホルダ３の外周面及び仕切壁１７により囲繞されている。

【0032】

第二成膜エリア５には、第二成膜装置１８が配置されている。第二成膜装置１８は、ターゲット１９，２０と、ターゲット１９，２０を保持する電極２１，２２と、電極２１，２２に接続された電源２３と、第二成膜エリア５内に不活性ガスを供給するガスノズル２４とを備える。ガスノズル２４は、流量調整バルブ２５を介して、不活性ガスが貯留されたガス供給源２６に接続されている。なお、第二成膜エリア５内には、不活性ガスに加えて反応性ガスを供給してもよい。第二薄膜は、第一薄膜と同一であってもよいし異なっていてもよい。第二薄膜を形成しない場合は、第二成膜エリア５及び第二成膜装置１８は、省略してもよい。

【0033】

処理エリア６は、誘導型プラズマにより、基板Ｇ又は基板Ｇに形成された薄膜にプラズマ処理を行うエリアである。本実施形態では、基板Ｇに形成された薄膜にプラズマ処理を行う場合を例示する。処理エリア６は、真空容器２の内壁面、基板ホルダ３の外周面及び仕切壁２７により囲繞されている。

【0034】

処理エリア６には、プラズマ発生装置２８が配置されている。プラズマ発生装置２８は、アンテナ２９と、整合器３０と、アンテナ２９にＲＦ電力を供給するＲＦ電源３１と、処理エリア６内に処理ガスを供給するガスノズル３２とを備える。ガスノズル３２は、流量調整バルブ３３を介して、処理ガスが貯留されたガス供給源３４に接続されている。処理ガスとしては、例えば酸素、窒素、水素等が挙げられる。

【0035】

アンテナ２９は、石英ガラスなどの絶縁体３５ａにより構成された保護ケース３５内に収容されている。アンテナ２９は、絶縁体３５ａを介して、基板ホルダ３に保持された基板Ｇと対向するように配置されている。

【0036】

第一成膜エリア４と処理エリア６との間の位置、及び、第二成膜エリア５と処理エリア６との間の位置には、それぞれ排気口２ａが設けられている。排気口２ａには、排気用配管（図示省略）が接続されており、この排気用配管を通じて真空容器２内の気体を外部に排気することにより、真空容器２内の真空度が調整できるようになっている。

【0037】

第一成膜エリア４と第二成膜エリア５との間の位置には、基板ホルダ３を真空容器２外に取り出すためのゲート３６が設けられている。

【0038】

図２に示すように、本実施形態では、アンテナ２９は、金属線等の導電線を円周状に巻いた第一アンテナ３７と、金属線等の導電線を円周状に巻いた第二アンテナ３８と、電極端子３９，４０とを備える。第一アンテナ３７及び第二アンテナ３８は、電極端子３９，４０に並列に接続されている。本実施形態では、第一アンテナ３７及び第二アンテナ３８は、同一平面上に配置されており、巻き径の小さい第一アンテナ３７が内側、巻き径の大きい第二アンテナ３８が外側に位置している。なお、アンテナ２９の形状は、特に限定されるものではなく、例えば、第一アンテナ３７及び第二アンテナ３８のうち、第一アンテナ３７のみを備えたものであってもよい。また、アンテナ２９の導電線のターン数（巻数）も１ターンであってもよいし、複数ターンであってもよい。

【0039】

図３に示すように、アンテナ２９の一端（例えば、図２の電極端子３９）は、整合器３０を介してＲＦ電源３１に接続されている。アンテナ２９の他端（例えば、図２の電極端子４０）は、静電容量が可変のコンデンサ部４１を介して接地されている。本実施形態では、コンデンサ部４１は、可変コンデンサで構成されている。

【0040】

整合器３０は、ＲＦ電源３１とアンテナ２９との間でインピーダンスを整合させ、ＲＦ電源３１から出力されるＲＦ電力を効率よくアンテナ２９に伝送するように動作する。整合器３０は、第一可変コンデンサ３０ａと、第二可変コンデンサ３０ｂとを備える。第一可変コンデンサ３０ａは、ＲＦ電源３１と接地との間に直列で接続されている。第二可変コンデンサ３０ｂは、ＲＦ電源３１とアンテナ２９との間に直列に接続されている。

【0041】

（基板の製造方法）
次に、本実施形態に係る基板の製造方法について説明する。本製造方法では、上記の製造装置１が用いられる。

【0042】

本製造方法では、基板Ｇの上に、第一化合物薄膜と第二化合物薄膜とを交互に複数層含む多層膜を形成する場合を例示する。図４に示すように、本製造方法では、各基板Ｇに対して、第一化合物薄膜を形成する工程Ｓ１と、第二化合物薄膜を形成する工程Ｓ２とを交互に複数回繰り返す。

【0043】

第一化合物薄膜を形成する工程Ｓ１では、各基板Ｇに対して、第一成膜エリア４で実施される第一成膜工程Ｓ１１と、処理エリア６で実施されるプラズマ処理工程Ｓ１２とを交互に複数回繰り返す。第一成膜工程Ｓ１１とプラズマ処理工程Ｓ１２とを交互に繰り返すために、基板ホルダ３を回転駆動させ、基板Ｇを第一成膜エリア４と処理エリア６との間で移動させる（移動工程）。

【0044】

第一成膜工程Ｓ１１では、第一成膜エリア４に位置する基板Ｇに第一薄膜を形成する。プラズマ処理工程Ｓ１２では、処理エリア６に位置する基板Ｇに形成された第一薄膜をプラズマ処理により酸化させるなどして、第一薄膜を第一化合物薄膜に変化させる。このような第一成膜工程Ｓ１１及びプラズマ処理工程Ｓ１２を、第一化合物薄膜が所定の厚みになるまで繰り返す。

【0045】

第一化合物薄膜を形成する工程Ｓ１により第一化合物薄膜が所定の厚みまで形成された後に、第二化合物薄膜を形成する工程Ｓ２では、各基板Ｇに対して、第二成膜エリア５で実施される第二成膜工程Ｓ２１と、処理エリア６で実施されるプラズマ処理工程Ｓ２２とを交互に複数回繰り返す。第二成膜工程Ｓ２１とプラズマ処理工程Ｓ２２とを交互に繰り返すために、基板ホルダ３を回転駆動させ、基板Ｇを第二成膜エリア５と処理エリア６との間で移動させる（移動工程）。

【0046】

第二成膜工程Ｓ２１では、第二成膜エリア５に位置する基板Ｇに第二薄膜を形成する。プラズマ処理工程Ｓ２２では、処理エリア６に位置する基板Ｇに形成された第二薄膜をプラズマ処理により酸化させるなどして、第二薄膜を第二化合物薄膜に変化させる。このような第二成膜工程Ｓ２１及びプラズマ処理工程Ｓ２２を、第二化合物薄膜が所定の厚みになるまで繰り返す。

【0047】

そして、所定の厚みを有する第一化合物薄膜と、所定の厚みを有する第二化合物薄膜とを交互に含む多層膜が所定の厚みになるまで、第一成膜工程Ｓ１１及びプラズマ処理工程Ｓ１２を含む工程Ｓ１と、第二成膜工程Ｓ２１及びプラズマ処理工程Ｓ２２を含む工程Ｓ２とを交互に複数回繰り返す。これにより、基板Ｇ上には、所定の厚みを有する多層膜が形成される。

【0048】

図５に示すように、上記のプラズマ処理工程Ｓ１２，Ｓ２２は、アンテナ２９にＲＦ電力を供給し、処理エリア６でプラズマを着火させる着火工程Ｓ３１と、着火工程Ｓ３１の後に、アンテナ２９にＲＦ電力を供給し、処理エリア６でプラズマにより基板にプラズマ処理を行う実行工程Ｓ３２とを含む。

【0049】

コンデンサ部４１の静電容量を変化させることにより、着火工程Ｓ３１におけるコンデンサ部４１の静電容量Ｃ１は、実行工程Ｓ３２におけるコンデンサ部４１の静電容量Ｃ２よりも大きい値に設定される（Ｃ１＞Ｃ２）。これにより、着火工程Ｓ３１では、処理エリア６のプラズマ電位（空間電位）が高くなり、処理エリア６でプラズマが着火しやすくなる。一方、着火工程Ｓ３１後の実行工程Ｓ３２では、処理エリア６のプラズマ電位が低くなり、その結果、処理エリア６のプラズマ密度（電子密度）が高くなり、安定したプラズマ処理を実現できる。

【0050】

ここで、アンテナ２９のインダクタンスをＬ［Ｈ］、実行工程Ｓ３２におけるコンデンサ部４１の静電容量をＣ２［Ｆ］、ＲＦ電源３１の周波数をｆ［Ｈｚ］とした場合に、
Ｃ２＝ａ×１／（２π^２ｆ^２Ｌ） （ただし、０．７≦ａ≦１．４）
であることが好ましい。これにより、実行工程Ｓ３２において、処理エリア６のプラズマ密度をより高めることができる。ａは、０．８以上１．３以下であることがより好ましく、０．９以上１．２以下であることがさらに好ましく、１であることが特に好ましい。なお、ａが１である場合、つまり、Ｃ２が１／（２π^２ｆ^２Ｌ）となる場合に、処理エリア６のプラズマ電位が最小になる。このときのＣ２をＣ_ｍｉｎとする。

【0051】

着火工程Ｓ３１におけるコンデンサ部４１の静電容量Ｃ１は、実行工程Ｓ３２におけるコンデンサ部４１の静電容量Ｃ２の１．５～１０倍であることが好ましい。これにより、プラズマの着火をより確実にしつつ、着火後のプラズマ密度をより高めることができる。静電容量Ｃ１を静電容量Ｃ２で除した値Ｃ１／Ｃ２は、１．６以上９．５以下であることがより好ましく、１．７以上９以下であることがさらに好ましく、１．８以上８．５以下であることが特に好ましい。

【0052】

着火工程Ｓ３１におけるコンデンサ部４１の静電容量Ｃ１は、
Ｃ１＝ｂ×Ｃ_ｍｉｎ （ただし、ｂ＞１．４、Ｃ_ｍｉｎ＝１／（２π^２ｆ^２Ｌ））
であることが好ましい。これにより、プラズマがより着火しやすくなる。ｂは、１．５以上１０以下であることがより好ましく、１．６以上９．５以下であることがさらに好ましく、１．７以上９以下であることが特に好ましい。

【0053】

ここで、着火工程Ｓ３１におけるコンデンサ部４１の静電容量Ｃ１を実行工程Ｓ３２におけるコンデンサ部４１の静電容量Ｃ２よりも小さくした場合も、処理エリア６のプラズマ電位が大きくなり、着火工程Ｓ３１でプラズマが着火しやすくなる場合がある。しかしながら、図６に示すように、コンデンサ部４１の静電容量を変化させた場合のプラズマ密度の変化量は、Ｃ１＜Ｃ_ｍｉｎの場合よりもＣ１＞Ｃ_ｍｉｎの場合の方が小さい。したがって、本発明のようにＣ１＞Ｃ２とした場合、着火工程Ｓ３１から実行工程Ｓ３２にスムーズに移行できるとともに、移行時の膜質変化を小さくできるという利点がある。

【0054】

図７に示すように、プラズマ処理工程Ｓ１２，Ｓ２２は、着火工程Ｓ３１の後かつ実行工程Ｓ３２の前に、アンテナ２９にＲＦ電力を印加し、プラズマにより処理エリア６をクリーニングするクリーニング工程Ｓ３３をさらに備えていてもよい。クリーニング工程Ｓ３３は、第一成膜工程Ｓ１１及び／又は第二成膜工程Ｓ２１の後に行うことが好ましい。このようにクリーニング工程Ｓ３３を行えば、第一成膜工程Ｓ１１や第二成膜工程Ｓ２１によって処理エリア６が汚染された場合でも、処理エリア６をクリーニングし、放電不良を防止できる。

【0055】

プラズマ処理工程Ｓ１２，Ｓ２２がクリーニング工程Ｓ３３を含む場合、コンデンサ部４１の静電容量を変化させることにより、クリーニング工程Ｓ３３におけるコンデンサ部４１の静電容量Ｃ３は、実行工程Ｓ３２におけるコンデンサ部４１の静電容量Ｃ２よりも小さい値に設定されることが好ましい（Ｃ１＞Ｃ２＞Ｃ３）。Ｃ３がＣ２よりも小さく、Ｃ３＝１／（４π^２ｆ^２Ｌ）となる時、アンテナ２９とコンデンサ部４１の共振条件となりインピーダンスが最小となる。そのため、コンデンサの容量変化に対し大きなプラズマ電位の変化が得られ、効率よくチャンバークリーニングに最適な高いプラズマ電位が得られる。これにより、クリーニング工程Ｓ３３において、処理エリア６のプラズマ電位が高くなり、処理エリア６のクリーニング効果を高めることができる。

【0056】

クリーニング工程Ｓ３３におけるコンデンサ部４１の静電容量Ｃ３は、実行工程Ｓ３２におけるコンデンサ部４１の静電容量Ｃ２の０．４～０．６倍であることが好ましい。これにより、クリーニング工程Ｓ３３における処理エリア６のクリーニング効果をより高めることができる。静電容量Ｃ３を静電容量Ｃ２で除した値Ｃ３／Ｃ２は、０．４５以上０．５５以下であることがより好ましく、０．４８以上０．５２以下であることがさらに好ましく、０．４９以上０．５１以下であることが特に好ましい。

【0057】

なお、本発明は、上記実施形態の構成に限定されるものではなく、上記した作用効果に限定されるものでもない。本発明は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。

【0058】

上記の実施形態では、コンデンサ部４１が、可変コンデンサから構成される場合を説明したが、これに限定されない。例えば、図８に示すように、コンデンサ部４１は、並列に接続された３つの固定コンデンサ４１ａ，４１ｂ，４１ｃと、スイッチ４１ｄとを備えていてもよい。各固定コンデンサ４１ａ，４１ｂ，４１ｃの一端は、アンテナ２９に接続されており、各固定コンデンサ４１ａ，４１ｂ，４１ｃの他端は、スイッチ４１ｄを介して接地可能となっている。スイッチ４１ｄを切り替えることにより、接地される固定コンデンサ４１ａ，４１ｂ，４１ｃが選択される。着火工程Ｓ３１時に選択される固定コンデンサ４１ａの静電容量はＣ１、実行工程Ｓ３２時に選択される固定コンデンサ４１ｂの静電容量はＣ２、クリーニング工程Ｓ３３時に選択される固定コンデンサ４１ｃの静電容量はＣ３とされる（Ｃ１＞Ｃ２＞Ｃ３）。なお、クリーニング工程Ｓ３３を行わない場合は、静電容量Ｃ３を有する固定コンデンサ４１ｃは省略してもよい。

【0059】

上記の実施形態では、基板に薄膜を形成する方法として、スパッタを例示したが、基板に薄膜を形成する方法はこれに限定されない。例えば、基板に蒸着などを用いて、薄膜を形成してもよい。

【0060】

上記の実施形態では、基板の製造方法が、スパッタ等を用いた成膜工程と、プラズマを用いたプラズマ処理工程とを含む場合を説明したが、スパッタ等を用いた成膜工程は省略してもよい。つまり、基板に対してプラズマ処理工程のみを行ってもよい。この場合、プラズマ処理工程におけるプラズマ処理により、基板に薄膜を成膜してもよい。あるいは、プレズマ処理により、基板又は薄膜の表面改質やエッチングなどを行ってもよい。

【符号の説明】

【0061】

１ 基板の製造装置
２ 真空容器
３ 基板ホルダ
４ 第一成膜エリア
５ 第二成膜エリア
６ 処理エリア
８ 第一成膜装置
１８ 第二成膜装置
２８ プラズマ発生装置
２９ アンテナ
３０ 整合器
３１ ＲＦ電源
４１ コンデンサ部
Ｇ 基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】