特開 2025-44296 炭化ケイ素結晶の作製装置及び方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025044296

(43)【公開日】2025-04-01

(54)【発明の名称】炭化ケイ素結晶の作製装置及び方法

(51)【国際特許分類】

   C30B 29/36 20060101AFI20250325BHJP

【ＦＩ】

C30B29/36 A

【審査請求】有

【請求項の数】15

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024162003

(22)【出願日】2024-09-19

(31)【優先権主張番号】63/583,591

(32)【優先日】2023-09-19

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(31)【優先権主張番号】112151418

(32)【優先日】2023-12-28

(33)【優先権主張国・地域又は機関】TW

(71)【出願人】

【識別番号】521237963

【氏名又は名称】盛新材料科技股▲ふん▼有限公司

【氏名又は名称原語表記】ＴＡＩＳＩＣ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ ＣＯＲＰ．

【住所又は居所原語表記】ＮＯ．５，ＺＩＱＩＡＮＧ １ＳＴ ＲＤ．，ＺＨＯＮＧＬＩ ＤＩＳＴ．，ＴＡＯＹＵＡＮ ＣＩＴＹ ３２０，ＴＡＩＷＡＮ

(74)【代理人】

【識別番号】110002066

【氏名又は名称】弁理士法人筒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】馬 代良

(72)【発明者】

【氏名】虞 邦英

(72)【発明者】

【氏名】林 柏丞

【テーマコード（参考）】

4G077

【Ｆターム（参考）】

4G077AA02

4G077AB02

4G077AB09

4G077BE08

4G077DA02

4G077EG25

4G077HA12

(57)【要約】      （修正有）

【課題】大寸法の高品質インゴットを作製することができる炭化ケイ素結晶の作製装置及び作製方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素結晶の作製装置であって、坩堝１１０及び結晶拡張案内アセンブリ１２０を備え、坩堝は、原材料を収容する内部空間１１６を有する坩堝本体１１２と、種結晶６０を固定して坩堝本体を覆う坩堝蓋１１４と、を含み、結晶拡張案内アセンブリは、坩堝本体に固定され、且つ坩堝蓋と原材料５０との間に位置し、直径が種結晶の結晶成長面の直径よりも大きな貫通孔１２６を有する外縁部材１２２と、可撓性を持って高純度のグラファイト材料であり、貫通孔の内壁に機械的に接続され、内径が種結晶の結晶成長面の直径以下であり、長さが底部と原材料との距離よりも小さい管状コア部材１２４と、を含む。結晶成長過程において管状コア部材が結晶の結晶成長前縁の接触により落ちて、外縁部材が結晶と反応しない。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

炭化ケイ素結晶の作製装置であって、坩堝及び結晶拡張案内アセンブリを備え、
前記坩堝は、原材料を収容するための内部空間を有する坩堝本体と、種結晶を固定するためのものであって、前記坩堝本体を覆う坩堝蓋と、を含み、
前記結晶拡張案内アセンブリは、
前記坩堝本体又は前記坩堝本体と前記坩堝蓋との間に固定され、前記種結晶と前記原材料との間に位置し、且つ貫通孔を有し、前記貫通孔の直径が前記種結晶の結晶成長面の直径よりも大きい外縁部材と、
可撓性を持って純度が９９.９％よりも大きなグラファイト材料であり、前記貫通孔の内壁に機械的に接続され、内径が前記種結晶の前記結晶成長面の前記直径以下であり、長さが前記原材料との距離よりも小さく、且つ結晶成長過程において前記外縁部材が結晶と反応せず、前記結晶の結晶成長前縁が接触すると前記原材料の表面に落ちる管状コア部材と、を含む、
炭化ケイ素結晶の作製装置。

【請求項2】

前記管状コア部材の外径が本質的に前記貫通孔の前記直径に等しく、前記管状コア部材が前記貫通孔の前記内壁に係合接続される、
請求項１に記載の炭化ケイ素結晶の作製装置。

【請求項3】

前記管状コア部材が可撓性を持つ単一のグラファイト材料層を管状に巻き取ってなり、前記グラファイト材料層が前記貫通孔の前記内壁に係合接続される、
請求項１に記載の炭化ケイ素結晶の作製装置。

【請求項4】

前記管状コア部材が可撓性を持つ複数のグラファイト材料層を管状に巻き取って積層して組み合わせてなり、これらのグラファイト材料層の前記種結晶に向かう頂端が前記管状コア部材の厚さ方向に沿って下り階段状に配置され、又は平行に配置され、これらのグラファイト材料層の厚さが同じであり、又は異なる、
請求項１に記載の炭化ケイ素結晶の作製装置。

【請求項5】

これらのグラファイト材料層の前記種結晶に向かう前記頂端が前記管状コア部材の前記厚さ方向に沿って下り階段状に配置される場合、前記結晶成長過程において、前記結晶の前記結晶成長前縁が順にこれらのグラファイト材料層と接触して、接触されたこれらのグラファイト材料層を順に前記原材料の表面に落ちさせる、
請求項４に記載の炭化ケイ素結晶の作製装置。

【請求項6】

前記グラファイト材料層がグラファイトペーパー、グラファイト箔又はグラファイトブランケットである、
請求項３又は４に記載の炭化ケイ素結晶の作製装置。

【請求項7】

前記外縁部材の材質がグラファイト材料、金属炭化物材料又は耐溶融化合物である、
請求項１に記載の炭化ケイ素結晶の作製装置。

【請求項8】

前記貫通孔の前記直径が本質的に最も大きな結晶成長直径に等しい、
請求項１に記載の炭化ケイ素結晶の作製装置。

【請求項9】

炭化ケイ素結晶の作製方法であって、
炭化ケイ素結晶の作製システムを提供し、前記炭化ケイ素結晶の作製システムは炭化ケイ素結晶の作製装置、種結晶及びヒータを備え、前記炭化ケイ素結晶の作製装置は坩堝及び結晶拡張案内アセンブリを備え、前記坩堝は坩堝本体及び坩堝蓋を含み、前記坩堝本体が原材料を収容するための内部空間を有し、前記ヒータが前記坩堝の周りに設置され、前記坩堝蓋が前記種結晶を固定するためのものであって、前記坩堝本体を覆い、前記結晶拡張案内アセンブリは外縁部材及び管状コア部材を含み、前記外縁部材は前記坩堝本体又は前記坩堝本体と前記坩堝蓋との間に固定され、前記種結晶と前記原材料との間に位置し、且つ貫通孔を有し、前記貫通孔の直径が前記種結晶の結晶成長面の直径よりも大きく、前記管状コア部材は可撓性を持って純度が９９.９％よりも大きなグラファイト材料であり、前記貫通孔の内壁に機械的に接続され、内径が前記種結晶の前記結晶成長面の前記直径以下であり、長さが前記原材料との距離よりも小さいステップ(ａ)と、
前記炭化ケイ素結晶の作製装置の成長圧力を設定し、且つ前記ヒータにより前記炭化ケイ素結晶の作製装置の成長温度を設定し、結晶を前記種結晶から成長させ、且つ結晶成長過程において前記外縁部材が前記結晶と反応せず、前記結晶の結晶成長前縁が前記管状コア部材と接触すると、前記管状コア部材が前記原材料の表面に落ちるステップ(ｂ)と、を含む、
炭化ケイ素結晶の作製方法。

【請求項10】

前記管状コア部材は、可撓性を持つ単一のグラファイト材料層を管状に巻き取ってなり、且つ前記グラファイト材料層が前記貫通孔の前記内壁に係合接続され、又は、可撓性を持つ複数のグラファイト材料層を管状に巻き取ってなり、且つこれらのグラファイト材料層が平行に積層されて前記貫通孔の前記内壁に係合接続され、前記ステップ(ｂ)は、前記結晶成長過程において、前記結晶の前記結晶成長前縁が前記グラファイト材料層/これらのグラファイト材料層と接触すると、前記グラファイト材料層/これらのグラファイト材料層が前記外縁部材から前記原材料の表面に落ちることを含む、
請求項９に記載の炭化ケイ素結晶の作製方法。

【請求項11】

前記管状コア部材が可撓性を持つ複数のグラファイト材料層を管状に巻き取ってなり、これらのグラファイト材料層の種結晶に向かう頂端が前記管状コア部材の厚さ方向に沿って下り階段状に配置され、且つ積層されて前記貫通孔の前記内壁に係合接続され、前記ステップ(ｂ)は、前記結晶成長過程において、前記結晶の前記結晶成長前縁が順にこれらのグラファイト材料層と接触すると、接触されたこれらのグラファイト材料層が順に前記原材料の表面に落ちることを含む、
請求項９に記載の炭化ケイ素結晶の作製方法。

【請求項12】

前記ステップ(ｂ)は、落ちていないグラファイト材料層は前記外縁部材が熱を受けて発生した遊離炭素が前記結晶に入ることを阻止することを更に含む、
請求項１０又は１１に記載の炭化ケイ素結晶の作製方法。

【請求項13】

前記ステップ(ｂ)は、前記管状コア部材が前記原材料の表面に落ちた後、前記結晶の前記結晶成長前縁と前記外縁部材との間に形成された空間を結晶拡張領域とし、前記結晶を前記結晶拡張領域内に成長させることを更に、
含む請求項９に記載の炭化ケイ素結晶の作製方法。

【請求項14】

前記結晶は４Ｈ炭化ケイ素、６Ｈ炭化ケイ素及び１５Ｒ炭化ケイ素からなる群から選ばれたものであり、前記結晶はｐ型炭化ケイ素、ｎ型炭化ケイ素又は半絶縁性炭化ケイ素を含む、
請求項９に記載の炭化ケイ素結晶の作製方法。

【請求項15】

前記種結晶の直径が６インチ以上であり、結晶拡張成長後の前記結晶の直径が１４５～２０５ミリメートルである、
請求項９に記載の炭化ケイ素結晶の作製方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本願は炭化ケイ素インゴットの製造技術に関し、特に低欠陥のエッジを有するインゴットを作製することができる炭化ケイ素結晶の作製装置及び方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来の炭化ケイ素結晶の作製装置は一般的に結晶拡張方式により徐々に寸法のより大きな結晶を得て、特に摂氏２３００度を超える高温下(即ち、高温に耐える)で依然として一定の強度を持つグラファイト材料で製造された固定構造を有する案内部材(即ち、貫通孔を有する案内部材)を利用して、案内部材の内径により原材料の昇華する経路を計画し、物理気相輸送法(ＰＶＴ、physical vapor transport)を用いる結晶成長過程において新たに生成した結晶が案内部材の形状に応じて成長する。

【0003】

炭化ケイ素結晶の結晶拡張プロセスにおいて、結晶エッジが案内部材の異質材料と接触ひいては反応することとなるため、結晶拡張プロセスを経た後の結晶エッジがグラファイト材料に接続され、冷却又は案内部材の除去過程において、炭化ケイ素結晶と案内部材の材料との間に熱膨張特性の違いがあるため、結晶に発生した引張応力又は圧縮応力が発生して、結晶が割れてしまう。

【0004】

また、結晶拡張プロセスにより成長した結晶が大きければ大きいほど、内部応力が大きくなり、元の等径の結晶の厚さ成長速度に応じて結晶成長を行えば、火入れ時に割れやすい。このため、一般的な炭化ケイ素結晶の結晶拡張プロセスは等径で成長する一般的な結晶製造プロセスよりも長い時間をかける必要があり、より遅い成長速度では、結晶拡張領域の結晶は結晶成長過程において最小活性化エネルギーを持つ結晶成長位置に配列調整するために必要な運動エネルギーが十分にあり、欠陥の発生を低減して良い結晶品質を得るようにする以外に、結晶の内部応力を調整して、冷却後の結晶にクラックが入る確率を低下させることもできる。

【0005】

ところが、固定構造を有する案内部材がグラファイト材料を用いる場合、結晶作製装置により作製された結晶はエッジに多結晶、高い炭素被覆物濃度、ポリタイプ(ｐｏｌｙｔｙｐｅ)を有する結晶欠陥が発生しやすいが、結晶の多結晶、高い炭素被覆物濃度、ポリタイプなどの欠陥は常に応力集中領域であるため、後続の結晶又はチップの加工による割れを引き起こしてしまう。このため、固定構造を有する案内部材がグラファイト材料を用いる場合、利用可能な結晶又はウェハを得ることができず、又は利用比率が低いため、材料費及び時間コストが増加して、効果と利益が低くなってしまう。

【0006】

このため、業界において炭化タンタル又は炭化タングステン塗膜(又は、めっき)層を備えるグラファイト材料で製造された固定構造を有する案内部材を提供し、低いエッチングピット密度(ＥＰＤ、etching pits density)を有する結晶を作製することができるが、コストが高く、割れやすくて加工しにくく、抵抗率を調整しにくく、Ｎ型結晶を製造しにくく、膨張係数に適合せず、応力が集中し、且つ結晶の寸法が増加する場合に効果がより顕著になり、また、結晶に高温金属の不純物があることを検出して後続の応用に失効又は予期せぬ影響を与えてしまうという問題がある。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

本願の実施例は炭化ケイ素結晶の作製装置及び方法を提供し、従来の炭化ケイ素結晶の作製装置がグラファイト材料で製造された固定構造を有する案内部材を用いることによる、利用可能なインゴット又はウェハを得ることができず、又は利用比率が低い問題、及び炭化タンタル又は炭化タングステン塗膜(又は、めっき)層を備えるグラファイト材料で製造された固定構造を有する案内部材を用いることによる、コストが高く、結晶に高温金属の不純物があることを検出して後続の応用に失効又は予期せぬ影響を与えてしまう問題を解決することができる。

【課題を解決するための手段】

【0008】

上記技術的問題を解決するために、本願は以下のように実現される。

【0009】

本願は炭化ケイ素結晶の作製装置を提供し、坩堝及び結晶拡張案内アセンブリを備え、坩堝は、原材料を収容するための内部空間を有する坩堝本体と、種結晶を固定するためのものであって、坩堝本体を覆う坩堝蓋と、を含み、結晶拡張案内アセンブリは、坩堝本体又は坩堝本体と坩堝蓋との間に固定され、且つ坩堝蓋と原材料との間に位置し(即ち、種結晶と原材料との間に位置する)、且つ貫通孔を有し、貫通孔の直径が種結晶の結晶成長面の直径よりも大きい外縁部材と、可撓性を持って純度が９９.９％よりも大きなグラファイト材料であり、貫通孔の内壁に機械的に接続され、内径が種結晶の結晶成長面の直径以下であり、長さが底部と原材料との距離よりも小さい管状コア部材と、を含む。結晶成長過程において、管状コア部材が結晶の結晶成長前縁の接触により原材料の表面に落ちて、外縁部材が結晶と反応しない。

【0010】

本願は炭化ケイ素結晶の作製方法を更に提供し、炭化ケイ素結晶の作製システムを提供し、炭化ケイ素結晶の作製システムは炭化ケイ素結晶の作製装置、種結晶及びヒータを備え、炭化ケイ素結晶の作製装置は坩堝及び結晶拡張案内アセンブリを備え、該坩堝は坩堝本体及び坩堝蓋を含み、坩堝本体が原材料を収容するための内部空間を有し、ヒータが坩堝の周りに設置され、坩堝蓋が種結晶を固定するためのものであって、坩堝本体を覆い、結晶拡張案内アセンブリは外縁部材及び管状コア部材を含み、外縁部材は坩堝本体又は坩堝本体と坩堝蓋との間に固定され、且つ坩堝蓋と原材料との間に位置し(即ち、種結晶と原材料との間に位置する)、且つ貫通孔を有し、貫通孔の直径が種結晶の結晶成長面の直径よりも大きく、管状コア部材は可撓性を持って純度が９９.９％よりも大きなグラファイト材料であり、貫通孔の内壁に機械的に接続され、内径が種結晶の結晶成長面の直径以下であり、長さが原材料との距離よりも小さいステップと、炭化ケイ素結晶の作製装置の成長圧力を設定し、且つヒータにより炭化ケイ素結晶の作製装置の成長温度を設定し、結晶を種結晶から成長させ、且つ結晶成長過程において外縁部材が結晶と反応せず、結晶の結晶成長前縁が管状コア部材と接触すると、管状コア部材が原材料の表面に落ちるステップと、を含む。

【発明の効果】

【0011】

本願の実施例では、外縁部材及び管状コア部材の設計(即ち、外縁部材の貫通孔の直径は種結晶の結晶成長面の直径よりも大きく、管状コア部材は可撓性を持って純度が９９.９％よりも大きなグラファイト材料であり、貫通孔の内壁に機械的に接続され、内径が種結晶の結晶成長面の直径以下であり、長さが種結晶から離れる底端と原材料との距離よりも小さい)によって、結晶成長過程において管状コア部材が結晶の結晶成長前縁に接触されると原材料を落ちさせ、結晶が外縁部材と反応しないように維持するようにし、それにより本願に係る炭化ケイ素結晶の作製装置により作製された結晶は低欠陥のエッジを有する。また、本願に係る外縁部材は構造部材とされるものに過ぎず、反応に参加せずに再利用可能であり、且つ高純度グラファイト材料の管状コア部材(結晶成長過程において管状コア部材が落ちることとなる)を用い、炭化タンタル又は炭化タングステン塗膜(又は、めっき)層を備えるグラファイト材料で製造された固定構造を有する案内部材を用いる場合に比べて、コストがより低く、後続に影響を与える不純物を生成することもない。

【図面の簡単な説明】

【0012】

ここで説明される図面は本願の更なる理解を提供するためのものであり、本願の一部を構成し、本願の模式的な実施例及びその説明は本願を解釈するためのものであり、本願を不正に限定するものではない。図中、

【図1】図１は本願に係る炭化ケイ素結晶の作製装置の一実施例の構造模式図である。

【図2】図２は図１における結晶拡張案内アセンブリの斜視模式図である。

【図3】図３は図１における管状コア部材が落ちる模式図である。

【図4】図４は本願に係る炭化ケイ素結晶の作製装置の別の実施例の構造模式図である。

【図5】図５は図４における結晶拡張案内アセンブリの斜視模式図である。

【図6】図６は図５におけるグラファイト材料層が落ちる模式図である。

【図7】図７は本願に係る炭化ケイ素結晶の作製装置の更に別の実施例の構造模式図である。

【図8】図８は図６における結晶拡張案内アセンブリの斜視模式図である。

【図9】図９は図８におけるグラファイト材料層が落ちる模式図である。

【図10】図１０は図１における炭化ケイ素結晶の作製装置が応用される炭化ケイ素結晶の作製システムの構造模式図である。

【図11】図１１は図７における炭化ケイ素結晶の作製システムに応用される炭化ケイ素結晶の作製方法の一実施例の方法フローチャートである。

【図12】図１２は従来の炭化ケイ素結晶の作製装置がグラファイト材料で製造された固定構造を有する案内部材を応用して成長した６インチのウェハの一実施例の欠陥図である。

【図13】図１３は本願に係る炭化ケイ素結晶の作製装置により成長した６インチのウェハの一実施例の欠陥図である。

【図14】図１４は従来の炭化ケイ素結晶の作製装置がグラファイト材料で製造された固定構造を有する案内部材を応用して成長した８インチのウェハの一実施例のウェハの偏光グラフである。

【図15】図１５は本願に係る炭化ケイ素結晶の作製装置により成長した８インチのウェハの一実施例のウェハの偏光グラフである。

【発明を実施するための形態】

【0013】

以下、関連する図面と組み合わせて本発明の実施例を説明する。これらの図面において、同じ番号が同様又は類似の素子又は方法プロセスを示す。

【0014】

理解しなければならないことは、本明細書に使用される「備える」、「含む」などの用語は、特定の技術的特徴、数値、方法ステップ、作業処理及び/又は素子が存在することを示すためのものであるが、より多くの技術的特徴、数値、方法ステップ、作業処理、素子、又は以上の任意の組み合わせを追加してもよいことを排除しない。

【0015】

理解しなければならないことは、素子が別の素子に「接続」又は「結合」されると説明される場合、他の素子に直接連結又は結合してもよく、中間素子が存在する可能性がある。それとは逆に、素子が別の素子に「直接接続」又は「直接結合」されると説明される場合、いかなる中間素子が存在しない。

【0016】

図１～図３を参照し、図１は本願に係る炭化ケイ素結晶の作製装置の一実施例の構造模式図であり、図２は図１における結晶拡張案内アセンブリの斜視模式図であり、図３は図１における管状コア部材が落ちる模式図である。図１～図３に示すように、炭化ケイ素結晶の作製装置１００は坩堝１１０及び結晶拡張案内アセンブリ１２０を備える。

【0017】

坩堝１１０は坩堝本体１１２及び坩堝蓋１１４を含み、坩堝本体１１２が内部空間１１６を有し、内部空間１１６が原材料５０を収容するためのものであり、坩堝蓋１１４が種結晶６０を固定するためのものであって、坩堝本体１１２を覆う。

【0018】

坩堝１１０は種結晶６０を原材料５０により結晶成長させるためのものであり、坩堝蓋１１４に固定保持装置(図示せず)が配置されてもよく、前記固定保持装置が種結晶６０を固定するためのものであってもよく、且つ種結晶６０の結晶成長面６２の直径Ｄ２を限定する(即ち、結晶成長面６２の露出する直径Ｄ２を限定する)ためのものであり、坩堝１１０はグラファイト坩堝であってもよいが、それに限らず、種結晶６０は炭化ケイ素を用いてもよいが、それに限らず、種結晶６０の直径は６インチ(１５０ミリメートル)以上であってもよいが、それに限らず、原材料５０はケイ素及び/又は炭化ケイ素、並びに炭素を含んでもよいが、それらに限らず、原材料５０の形態は粉末状、粒状又は塊状であってもよいが、それらに限らず、原材料５０の純度は９９.９９％よりも大きくてもよく、原材料５０の結晶相はα相又はβ相であってもよいが、それらに限らず、本実施例は本願を限定するためのものではない。

【0019】

結晶拡張案内アセンブリ１２０は外縁部材１２２及び管状コア部材１２４を含み、外縁部材１２２が坩堝本体１１２に固定され、坩堝蓋１１４と原材料５０との間に位置する(即ち、種結晶６０と原材料５０との間に位置する)。外縁部材１２２が坩堝本体１１２に埋設されてもよい。別の実施例では、坩堝本体１１２及び坩堝蓋１１４に階段状エッジがそれぞれ設置されてもよく、それにより外縁部材１２２が坩堝本体１１２と坩堝蓋１１４の階段状エッジの底部との間に挟設され得るようにする(即ち、外縁部材１２２が坩堝本体１１２と坩堝蓋１１４との間に固定され、図４に示され、図４は本願に係る炭化ケイ素結晶の作製装置の別の実施例の構造模式図である)。

【0020】

外縁部材１２２は貫通孔１２６を有し、貫通孔１２６の直径Ｄ１が種結晶６０の結晶成長面６２の直径Ｄ２よりも大きく、従って、結晶成長過程において外縁部材１２２と反応しないように維持することができ、外縁部材１２２が構造部材とされるものに過ぎず、従って、再利用可能である。外縁部材１２２の材質はグラファイト材料、金属炭化物材料又は耐火性化合物であってもよいが、それらに限らず、グラファイト材料、高温金属炭化物材料又は耐火性化合物の純度が９９.９％よりも大きくてもよく、高温金属炭化物材料は炭化タングステン、炭化タンタル、炭化ニオブ又は炭化チタンであってもよいが、それらに限らず、且つ耐高温(例えば、摂氏２５００度以上)及び耐腐食の特性を備える。また、結晶成長過程において、外縁部材１２２は基本的に結晶と接触せず、構造部材とされるものに過ぎず、反応に参加せず、再利用可能である。

【0021】

管状コア部材１２４の内径Ｄ３が種結晶６０の結晶成長面６２の直径Ｄ２以下であり、それにより原材料５０が熱を受けてから昇華・気化して気相分子の形式で管状コア部材１２４を通過して種結晶６０の結晶成長面６２に堆積する(即ち、管状コア部材１２４が結晶成長・結晶拡張の経路に位置する)ようにする。

【0022】

管状コア部材１２４は、可撓性を持って純度が９９.９％よりも大きなグラファイト材料であり、貫通孔１２６の内壁に機械的に接続されることにより、結晶成長過程において結晶の結晶成長前縁の接触により落ちるようにし(図３に示される)、且つ長さＬ１(即ち、管状コア部材１２４の種結晶６０に向かう頂端から種結晶６０を離れる底端との距離)が原材料５０との距離Ｌ２(即ち、管状コア部材１２４の種結晶６０から離れる底端と原材料５０の表面との距離)よりも小さいことにより、最終的に原材料５０の表面に落ちることができるようにし、結晶の結晶拡張成長に影響を与えず、且つ結晶拡張案内アセンブリ１２０からより大きな結晶成長直径が露出し、結晶が結晶拡張成長して外縁部材１２２と接触することにより発生し得る欠陥及び応力を解消する。

【0023】

また、結晶拡張案内アセンブリ１２０の設置によって、結晶の内部応力を改善することができ、厚さが１０ミリメートルよりも大きな球状結晶を成長させることができ、且つ球状結晶が火入れ時に割れることがない(炭化ケイ素の結晶成長過程において、結晶の内部応力が大きすぎれば、厚さが１０ミリメートルよりも大きな球状結晶を成長させることができない)。説明すべきことは、本実施例における管状コア部材１２４の種結晶６０から離れる底端と外縁部材１２２の種結晶６０から離れる底端とが平行に設置されるため、管状コア部材１２４と原材料５０との距離Ｌ２が外縁部材１２２と原材料５０との距離に等しいが、この実施例は本発明を限定するためのものではない。

【0024】

一実施例では、管状コア部材１２４の外径が本質的に貫通孔１２６の直径Ｄ１に等しくてもよく、管状コア部材１２４が貫通孔１２６の内壁に係合接続されてもよい。例えば、管状コア部材１２４が可撓性を持つため、中間ばめ方式により貫通孔１２６の内壁に接続されることができ、これにより、結晶の結晶成長前縁が管状コア部材１２４と接触すると、管状コア部材１２４が接触推力により摺動して原材料５０の表面に落ちるようにする。

【0025】

一実施例では、貫通孔１２６の直径Ｄ１が本質的に最も大きな結晶成長直径に等しい。具体的に、管状コア部材１２４が最終的に原材料５０の表面に落ちることができるため、結晶の結晶成長前縁と外縁部材１２２との間に形成された空間を結晶成長のための結晶拡張領域とし、従って、貫通孔１２６の直径Ｄ１が本質的に最も大きな結晶成長直径に等しい。

【0026】

一実施例では、管状コア部材１２４が可撓性を持つ単一のグラファイト材料層７０を管状に巻き取ってなるものであってもよく、グラファイト材料層７０が貫通孔１２６の内壁に係合接続されてもよい(図１～図３に示される)。グラファイト材料層７０はグラファイトペーパー、グラファイト箔又はグラファイトブランケットであってもよいが、それらに限らず、必要な形状に加工しやすい利点を有し、グラファイト材料層７０の厚さは３ミリメートルであってもよいが、それに限らない。

【0027】

グラファイト材料層７０が原材料５０に落ちた後、原材料５０の表面に坩堝１１０の内壁と結晶との間を隔てる炭素被覆物通路を形成することができるため、結晶中の炭素被覆物濃度を低減することもでき、それにより結晶欠陥(例えば、微小管及び転位)の形成原因を減少させる。

【0028】

一実施例では、管状コア部材１２４が可撓性を持つ複数のグラファイト材料層７０を管状に巻き取って積層して組み合わせてなるものであってもよく、これらのグラファイト材料層７０の種結晶６０に向かう頂端が管状コア部材１２４の厚さ方向Ｆ(即ち、管状コア部材１２４の内口径から外口径に向かう方向)に沿って平行に配置され(即ち、各グラファイト材料層７０の長さが一致し、図４～図６に示され、図５は図４における結晶拡張案内アセンブリの斜視模式図であり、図６は図５におけるグラファイト材料層が落ちる模式図である)、又は下り階段状に配置され(図７～図９に示すように、図７は本願に係る炭化ケイ素結晶の作製装置の更に別の実施例の構造模式図であり、図８は図６における結晶拡張案内アセンブリの斜視模式図であり、図９は図８におけるグラファイト材料層が落ちる模式図である)、これらのグラファイト材料層７０の厚さが同じであってもよく、又は異なってもよい。

【0029】

各グラファイト材料層７０の厚さは１ミリメートルであってもよいが、それに限らず、グラファイト材料層７０の層数は３層であってもよいが、それに限らず、必要に応じてグラファイト材料層７０の層数を調整することができる。

【0030】

図４～図６に示すように、これらのグラファイト材料層７０の種結晶６０に向かう頂端が管状コア部材１２４の厚さ方向Ｆに沿って平行に配置される場合、結晶成長過程において、結晶の結晶成長前縁がこれらのグラファイト材料層７０と同時に接触してもよく、それによりこれらのグラファイト材料層７０が原材料５０の表面に同時に落ちることができるようにする。具体的に、これらのグラファイト材料層７０が平行に積層して組み合わせられる設計によって、結晶の結晶成長前縁がこれらのグラファイト材料層７０と同時に接触するとき、これらのグラファイト材料層７０が原材料５０の表面に同時に落ちることができるようにする。

【0031】

図７～図９に示すように、これらのグラファイト材料層７０の種結晶６０に向かう頂端が管状コア部材１２４の厚さ方向Ｆに沿って下り階段状に配置される場合、結晶成長過程において、結晶の結晶成長前縁が順にこれらのグラファイト材料層７０と接触して、接触されたこれらのグラファイト材料層７０を順に原材料５０の表面に落ちさせる。

【0032】

図９において、これらのグラファイト材料層７０が下り階段状に配置される(即ち、これらのグラファイト材料層７０の間に高度差がある)上で、第２層のグラファイト材料層７０が最外層のグラファイト材料層７０よりも優先的に結晶の結晶成長前縁に接触されて落ちるようにし、その後、最外層のグラファイト材料層７０が結晶の結晶成長前縁に接触されて落ちることとなる。

【0033】

各グラファイト材料層７０はグラファイトペーパー、グラファイト箔又はグラファイトブランケットであってもよいが、それらに限らず、必要な形状に加工しやすい利点を有し、３つのグラファイト材料層７０の最大長さＬ３(即ち、最内層のグラファイト材料層７０の長さＬ３)が管状コア部材１２４の種結晶６０から離れる底端と原材料５０の表面との距離Ｌ２よりも小さく、それにより管状コア部材１２４が最終的に原材料５０の表面に落ちることができるようにし、結晶の結晶拡張成長に影響を与えない。

【0034】

説明すべきことは、本実施例における管状コア部材１２４の種結晶６０から離れる底端と外縁部材１２２の種結晶６０から離れる底端とが平行に設置されるため、管状コア部材１２４と原材料５０との距離Ｌ２が外縁部材１２２と原材料５０との距離に等しいが、この実施例は本発明を限定するためのものではない。また、各グラファイト材料層７０が原材料５０に落ちた後、原材料５０の表面に坩堝１１０の内壁と結晶との間を隔てる炭素被覆物通路を形成することができ、結晶中の炭素被覆物濃度を低減することもでき、それにより結晶欠陥(例えば、微小管及び転位)の形成原因を減少させる。

【0035】

図１０は図１における炭化ケイ素結晶の作製装置が応用される炭化ケイ素結晶の作製システムの構造模式図である。炭化ケイ素結晶の作製システム２００は炭化ケイ素結晶の作製装置１００、種結晶６０及びヒータ８０を備え、ヒータ８０が熱源を供給するためのものであり、ヒータ８０が坩堝１１０の周りに設置され、図示のヒータ８０が複数あり、システム配置に応じて１つ設置されてもよく、図示の数は模式的に説明するものであって、ヒータ８０の実際の設置数を制限するものではない。

【0036】

ヒータ８０は高周波ヒータ又は抵抗ヒータを用いてもよく、より具体的な実施例では、ヒータ８０は加熱コイル又は加熱抵抗線(網)を用いてもよい。また、炭化ケイ素結晶の作製システム２００は保温材料９０を更に含んでもよく、保温材料９０が坩堝本体１１２及び坩堝蓋１１４の外部に設置されてもよく、保温材料９０は多孔質断熱炭素材料であってもよいが、それに限らず、それにより温度を保持する効果が実現される。また、炭化ケイ素結晶の作製システム２００に図４又は図７における炭化ケイ素結晶の作製装置１００が応用されてもよい。

【0037】

図１１は図７における炭化ケイ素結晶の作製システムに応用される炭化ケイ素結晶の作製方法の一実施例の方法フローチャートである。図１１に示すように、炭化ケイ素結晶の作製方法３００は、炭化ケイ素結晶の作製システム２００を提供するステップ(ステップ３１０)と、炭化ケイ素結晶の作製装置１００の成長圧力を設定し、且つヒータ８０により炭化ケイ素結晶の作製装置１００の成長温度を設定し、結晶を種結晶６０から成長させ、且つ結晶成長過程において外縁部材１２２が結晶と反応せず、結晶の結晶成長前縁が管状コア部材１２４と接触すると、管状コア部材１２４が原材料５０の表面に落ちるステップ(ステップ３２０)と、を含む。

【0038】

成長圧力及び成長温度は実際のニーズに応じて調整されてもよく、例えば、成長圧力は２００パスカル(pa、pascal)～５００pa又は４００pa～１１００paであってもよいが、それらに限らず、成長温度は温度勾配を含んでもよく、温度勾配が坩堝１１０の上方温度及び坩堝１１０の下方温度を含んでもよく、温度勾配を形成するように坩堝１１０の下方温度が坩堝１１０の上方温度よりも高い必要があり、それにより結晶成長の駆動力を発生させるのであり、坩堝１１０の上方温度は１９５０℃～２１５０℃又は２１００℃～２２００℃であってもよいが、それらに限らず、坩堝１１０の下方温度は坩堝１１０の上方温度よりも高ければよく、実際のニーズに応じて坩堝１１０の上方温度及び坩堝１１０の下方温度を調整することができる。

【0039】

一実施例では、ステップ３２０は、管状コア部材１２４が原材料５０の表面に落ちた後、結晶の結晶成長前縁と外縁部材１２２との間に形成された空間を結晶拡張領域とし、結晶を前記結晶拡張領域内に成長させることを更に含んでもよい。結晶が前記結晶拡張領域内に結晶拡張成長する際に外縁部材１２２により阻止されず、且つ外縁部材１２２と反応することがなく、従って、炭化ケイ素結晶の作製方法３００を応用して成長した結晶に低欠陥・低応力のエッジが発生することができる。

【0040】

結晶エッジの応力により低角粒界(ＬＡＧＢ、low angle grain boundary)が発生し、ＬＡＧＢの先端に応力集中点が存在するため、球状結晶の火入れ時の割れ問題及び結晶の加工時の割れ問題を引き起こしやすく、結晶エッジの応力を改善した後、結晶をインゴットひいてはウェハ(チップ)に加工する直行率を向上させて、生産コストを低減することができる。

【0041】

炭化ケイ素結晶の作製システム２００が図１における炭化ケイ素結晶の作製装置１００を用いることができ(即ち、管状コア部材１２４が可撓性を持つ単一のグラファイト材料層７０を管状に巻き取ってなるものであってもよく、且つグラファイト材料層７０が貫通孔１２６の内壁に係合接続される)、又は図４における炭化ケイ素結晶の作製装置１００を用いることができる(即ち、管状コア部材１２４が可撓性を持つ複数のグラファイト材料層７０を管状に巻き取ってなるものであってもよく、且つこれらのグラファイト材料層７０が平行に積層されて貫通孔１２６の内壁に係合接続される)場合、ステップ３２０は、結晶成長過程において、結晶の結晶成長前縁が単層のグラファイト材料層７０/多層のグラファイト材料層７０と接触すると、単層のグラファイト材料層７０/多層のグラファイト材料層７０が外縁部材１２２から原材料５０の表面に落ちることを含んでもよい。

【0042】

また、ステップ３２０は、落ちていないグラファイト材料層７０は外縁部材１２２が熱を受けて発生した遊離炭素が結晶に入ることを阻止する(即ち、結晶成長初期に、管状コア部材１２４は外縁部材１２２が熱を受けて発生した遊離炭素が結晶に入ることを阻止する)ことを更に含んでもよい。具体的に、外縁部材１２２が熱を受けて発生した遊離炭素は炭化ケイ素の二次元種結晶の成長に影響を与えてしまうため、落ちていないグラファイト材料層７０の設置によって、この状況の発生を回避することができる。

【0043】

また、従来のグラファイト材料で製造された固定構造を有する案内部材が熱を受けると不可避的に不純物(例えば、アルミニウム、窒素、ホウ素)を成長雰囲気に導入し、成長の初期段階に成長界面での不均質核形成をもたらし、それにより炭化ケイ素の二次元種結晶の成長を阻止してポリタイプ介在物を形成し、且つ成長界面の前縁の熱場及び流れ場の安定性を明らかに破壊し、このため、本願における反応に参加しない外縁部材１２２及び接触しなければ落ちない高純度のグラファイト材料層７０の設置によって、上記状況の発生を回避することができる。

【0044】

炭化ケイ素結晶の作製システム２００が図７における炭化ケイ素結晶の作製装置１００を用いることができる(即ち、管状コア部材１２４が可撓性を持つ複数のグラファイト材料層７０を管状に巻き取ってなり、これらのグラファイト材料層７０の種結晶６０に向かう頂端が管状コア部材１２４の厚さ方向Ｆに沿って下り階段状に配置されて積層されて貫通孔１２６の内壁に係合接続される)場合、ステップ３２０は、結晶成長過程において、結晶の結晶成長前縁が順にこれらのグラファイト材料層７０と接触すると、接触されたこれらのグラファイト材料層７０が順に原材料５０の表面に落ちることを含んでもよい。また、ステップ３２０は、落ちていないグラファイト材料層７０は外縁部材１２２が熱を受けて発生した遊離炭素が結晶に入ることを阻止することを更に含んでもよい。

【0045】

一実施例では、前記結晶は４Ｈ炭化ケイ素、６Ｈ炭化ケイ素及び１５Ｒ炭化ケイ素からなる群から選ばれたものであってもよいが、この実施例は本願を限定するためのものではない。例えば、前記結晶は他のポリタイプ(polytype)炭化ケイ素であってもよい。

【0046】

一実施例では、前記結晶は半絶縁性炭化ケイ素を含んでもよい。

【0047】

一実施例では、前記結晶はｎ型炭化ケイ素を含んでもよい。

【0048】

一実施例では、前記結晶はｐ型炭化ケイ素を含んでもよい。

【0049】

一実施例では、種結晶６０の直径は６インチ以上であってもよいが、それに限らず、炭化ケイ素結晶の作製方法３００を応用して結晶拡張成長した後の結晶の直径は１４５～２０５ミリメートルであってもよいが、それらに限らない。説明すべきことは、前記固定保持装置が種結晶６０を固定する際に結晶成長面６２の露出する直径Ｄ２を限定することとなり(結晶成長面６２の露出する直径Ｄ２が種結晶６０の直径よりも小さい)、従って、結晶拡張成長後の結晶の直径は種結晶６０の直径よりも小さい可能性があり、結晶拡張成長後の結晶の直径は外縁部材１２２の貫通孔１２６の直径Ｄ１に応じて決定されてもよい。

【0050】

一実施例では、結晶拡張成長後の結晶は表面が突出形状又は平坦形状を呈する炭化ケイ素単結晶インゴットであってもよい。

【0051】

表１を参照し、表１は異なる実施例における外縁部材の貫通孔の直径、管状コア部材のグラファイト材料層の層数、種結晶の結晶成長面の直径(即ち、前記固定保持装置が種結晶を固定する際の種結晶の露出する結晶成長面の直径)、結晶拡張直径、成長圧力及び成長温度の関係表であり、各グラファイト材料層の厚さが１ミリメートルであってもよく、最終的な結晶直径(即ち、最も大きな結晶成長直径)が本質的に外縁部材の貫通孔の直径に等しくてもよく、結晶拡張直径が最終的な結晶直径と種結晶の結晶成長面の直径との差分であり、前記成長温度が坩堝の上方温度及び坩堝の下方温度を含んでもよく、坩堝の下方温度が上方温度よりも高く、外縁部材の厚さ(即ち、外縁部材の種結晶に向かう頂端から種結晶を離れる底端までの距離)が３０ミリメートルであってもよいが、それに限らない。

【0052】

【表1】

【0053】

表１から分かるように、炭化ケイ素結晶の作製装置に適切な成長圧力及び成長温度を設定することにより、結晶を種結晶から成長させることができ、外縁部材の貫通孔の直径により最終的な結晶直径(即ち、最も大きな結晶成長直径)を限定することができ、実際のニーズ(例えば、異なる外縁部材の貫通孔の直径)に応じてグラファイト材料層の層数を調整することができる。

【0054】

図１２及び図１３を参照し、図１２は従来の炭化ケイ素結晶の作製装置がグラファイト材料で製造された固定構造を有する案内部材を応用して成長した６インチのウェハの一実施例の欠陥図であり、図１３は本願に係る炭化ケイ素結晶の作製装置により成長した６インチのウェハの一実施例の欠陥図である。

【0055】

図１２におけるウェハについては、種結晶の結晶成長面の直径が１４５ミリメートル、固定構造を有する案内部材の貫通孔の直径が１５２ミリメートル、成長圧力が４００pa、及び坩堝の上方温度が２１２０℃であることを、従来の炭化ケイ素結晶の作製装置が利用して生成した最終的な結晶直径が１５３ミリメートルである結晶を、加工成形して１５０ミリメートルのインゴットに製造し、更に切断・研磨・バフ研磨などの加工ステップにより１５０ミリメートルのウェハシートに製造し、且つ表面洗浄プロセスを経てウェハの表面欠陥検出を行って図１２の欠陥図を取得する。

【0056】

図１３におけるウェハについては、種結晶の結晶成長面の直径が１４５ミリメートル、外縁部材の貫通孔の直径が１５５ミリメートル、管状コア部材のグラファイト材料層の層数が５層(各グラファイト材料層の厚さが１ミリメートルであってもよい)、成長圧力が４００pa、及び坩堝の上方温度が２１１５℃であることを、本願に係る炭化ケイ素結晶の作製装置が利用して生成した最終的な結晶直径が１５４.５ミリメートルである結晶を、加工成形して１５０ミリメートルのインゴットに製造し、更に切断・研磨・バフ研磨などの加工ステップにより１５０ミリメートルのウェハシートに製造し、且つ表面洗浄プロセスを経てウェハの表面欠陥検出を行って図１３の欠陥図を取得する。

【0057】

図１２及び図１３における黒点がウェハの欠陥箇所である。図１２におけるウェハの総欠陥数が１２７９個、ウェハの総欠陥密度(ＴＤＤ、total defect density)が約７.８９/cm²、微小管数が６０６個、微小管密度(ＭＰＤ、Micro-pipe density)が約３.７４/cm²であり、且つほとんどの欠陥がウェハのエッジに分布し、図１３におけるウェハの総欠陥数が４１個(一部の欠陥が大きなフラットエッジのレーザエッチング箇所に位置し、検出テーブルが欠陥であると誤判断する可能性があるため、実際の総欠陥数が一層少なくなる)、ウェハの総欠陥密度が約０.２５/cm²、微小管数が３つ、微小管密度が約０.０２/cm²であり、且つエッジがきれいで欠陥が少ない。

【0058】

従って、図１２及び図１３から分かるように、従来の炭化ケイ素結晶の作製装置により成長したウェハに比べて、本願に係る炭化ケイ素結晶の作製装置により成長したウェハは低欠陥・低応力のエッジを有し、且つ本願に係る炭化ケイ素結晶の作製装置を応用して得たウェハにおける結晶拡張案内アセンブリの不純物又はケイ素蒸気が坩堝壁を侵食したり、結晶拡張案内アセンブリに炭素被覆物が発生したりすることによる総欠陥密度は大幅に低減する。

【0059】

上記図１２及び図１３の実施例における前記加工により製造された１５０ミリメートル(即ち、６インチ)のインゴットはいずれも１２枚の６インチの炭化ケイ素ウェハに製造される。

【0060】

図１２の実施例において得られた１２枚のウェハのうち、加工により割れたものが５枚、最終的な加工を完了したものが７枚あり、７枚のウェハのうちの１枚のみのウェハのＭＰＤが１/cm²よりも小さく、市販品グレードに合い、歩留まりが８.３％であり、図１３の実施例において得られた１２枚のウェハのうち、加工を完了したものが１２枚(加工による割れがない)あり、１２枚のウェハのＭＰＤがいずれも１/cm²よりも小さく、製品グレードのウェハの歩留まりが１００％である。従って、結晶エッジの応力を改善し、応力による結晶欠陥を改善し、結晶の総欠陥密度を低減することにより、製品グレードのウェハの収率を向上させることが分かる。

【0061】

図１４及び図１５を参照し、図１４は従来の炭化ケイ素結晶の作製装置がグラファイト材料で製造された固定構造を有する案内部材を応用して成長した８インチのウェハの一実施例のウェハの偏光グラフであり、図１５は本願に係る炭化ケイ素結晶の作製装置により成長した８インチのウェハの一実施例のウェハの偏光グラフである。

【0062】

図１４におけるウェハについては、種結晶の結晶成長面の直径が１９３ミリメートル、固定構造を有する案内部材の内径が２００ミリメートル、成長圧力が２００pa、及び坩堝の上方温度が１９８０℃であることを、従来の炭化ケイ素結晶の作製装置が利用して生成した最終的な結晶直径が２０３ミリメートルである結晶を、加工・スライス・研磨してから直径２００ミリメートルの炭化ケイ素ウェハを得て、図１５におけるウェハについては、種結晶の結晶成長面の直径が１９５ミリメートル、外縁部材の貫通孔の直径が２０５ミリメートル、管状コア部材のグラファイト材料層の層数が５層(各グラファイト材料層の厚さが１ミリメートルであってもよい)、成長圧力が２００pa、及び坩堝の上方温度が２０００℃であることを、本願に係る炭化ケイ素結晶の作製装置が利用して生成した最終的な結晶直径が２０３～２０４ミリメートルである結晶を、加工・スライス・研磨してから直径２００ミリメートルの炭化ケイ素ウェハを得る。

【0063】

図１４及び図１５に示すように、従来の炭化ケイ素結晶の作製装置により成長したウェハに比べて、本願に係る炭化ケイ素結晶の作製装置により成長したウェハは低欠陥・低応力のエッジを有し、且つ本願に係る炭化ケイ素結晶の作製装置を応用して得たウェハにおける結晶拡張案内アセンブリの不純物又はケイ素蒸気が坩堝壁を侵食したり、結晶拡張案内アセンブリに炭素被覆物が発生したりすることによる多結晶状態の挿入物の欠陥は減少する。

【0064】

要するに、外縁部材及び管状コア部材の設計(即ち、外縁部材の貫通孔の直径は種結晶の結晶成長面の直径よりも大きく、管状コア部材は可撓性を持って純度が９９.９％よりも大きなグラファイト材料であり、貫通孔の内壁に機械的に接続され、内径が種結晶の結晶成長面の直径以下であり、長さが種結晶から離れる底端と原材料との距離よりも小さい)によって、結晶成長過程において管状コア部材が結晶の結晶成長前縁に接触されると原材料を落ちさせ、結晶が外縁部材と反応しないように維持するようにし、それにより本願に係る炭化ケイ素結晶の作製装置により作製された結晶は低欠陥のエッジを有する。

【0065】

また、本願に係る外縁部材は構造部材とされるものに過ぎず、反応に参加せずに再利用可能であり、且つ高純度グラファイト材料の管状コア部材(結晶成長過程において管状コア部材が落ちることとなる)を用い、炭化タンタル又は炭化タングステン塗膜(又は、めっき)層を備えるグラファイト材料で製造された固定構造を有する案内部材を用いる場合に比べて、コストがより低く、後続に影響を与える不純物を生成することもない。

【0066】

また、結晶の内部応力及びエッジ応力を改善することにより、球状結晶の成長厚さやインゴットの製品厚さを増加させ、エッジ応力による低角粒界や微小管を改善することにより、ウェハの加工又はプロセス過程における割れ確率を減少させ、同じ炉内投入数及び炉内投入材料や人件費で、製品グレードのウェハの全体生産量を増加させることができる。

【0067】

本発明は以上の実施例により説明したが、注意すべきことは、これらの説明は本発明を限定するためのものではない。それとは逆に、この発明は当業者にとって明らかな修正及び類似の設定を含む。従って、出願の特許範囲は最も広い方式で解釈されてすべての明らかな修正及び類似の設定を含む必要がある。

【符号の説明】

【0068】

５０ 原材料
６０ 種結晶
６２ 結晶成長面
７０ グラファイト材料層
８０ ヒータ
９０ 保温材料
１００ 炭化ケイ素結晶の作製装置
１１０ 坩堝
１１２ 坩堝本体
１１４ 坩堝蓋
１１６ 内部空間
１２０ 結晶拡張案内アセンブリ
１２２ 外縁部材
１２４ 管状コア部材
１２６ 貫通孔
２００ 炭化ケイ素結晶の作製システム
３００ 炭化ケイ素結晶の作製方法
３１０、３２０ ステップ
Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３ 直径
Ｆ 厚さ方向
Ｌ１、Ｌ３ 長さ
Ｌ２ 距離

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】