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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2025056800
(43)【公開日】2025-04-09
(54)【発明の名称】半導体装置
(51)【国際特許分類】
H01L 23/48 20060101AFI20250402BHJP
【ＦＩ】
H01L23/48 H
【審査請求】未請求
【請求項の数】15
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022003860
(22)【出願日】2022-01-13
(71)【出願人】
【識別番号】000116024
【氏名又は名称】ローム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100135389
【弁理士】
【氏名又は名称】臼井 尚
(74)【代理人】
【識別番号】100168044
【弁理士】
【氏名又は名称】小淵 景太
(72)【発明者】
【氏名】中野 昂樹
(72)【発明者】
【氏名】齊藤 光俊
(57)【要約】
【課題】高耐電圧化を図ることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置Ａ１０において、半導体素子６と、半導体素子６に導通する導電部材５と、半導体素子６を覆う封止樹脂８とを備えた。導電部材５は、半導体素子６が搭載された搭載部１１０と、第１端子１２０および第２端子２２０とを備える。封止樹脂８は、ｘ方向を向き、かつ、第１端子１２０が突出する樹脂端面８３と、樹脂端面８３とは異なる方向を向き、かつ、第２端子２２０が突出する樹脂第２側面８５とを備える。第１端子１２０は、ｘ方向に延びる。第２端子２２０は、樹脂第２側面８５から突出する第２突出部２２１と、ｘ方向に延びる第２直行部２２２と、第２突出部２２１と第２直行部２２２とにつながる第２連結部２２３とを備える。
【選択図】図３
【解決手段】半導体装置Ａ１０において、半導体素子６と、半導体素子６に導通する導電部材５と、半導体素子６を覆う封止樹脂８とを備えた。導電部材５は、半導体素子６が搭載された搭載部１１０と、第１端子１２０および第２端子２２０とを備える。封止樹脂８は、ｘ方向を向き、かつ、第１端子１２０が突出する樹脂端面８３と、樹脂端面８３とは異なる方向を向き、かつ、第２端子２２０が突出する樹脂第２側面８５とを備える。第１端子１２０は、ｘ方向に延びる。第２端子２２０は、樹脂第２側面８５から突出する第２突出部２２１と、ｘ方向に延びる第２直行部２２２と、第２突出部２２１と第２直行部２２２とにつながる第２連結部２２３とを備える。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体素子と、
前記半導体素子に導通する導電部材と、
前記半導体素子を覆う封止樹脂と、
を備え、
前記導電部材は、
前記半導体素子が搭載された搭載部と、第１端子および第２端子とを備え、
前記封止樹脂は、
前記搭載部の厚さ方向に直交する第１方向を向き、かつ、前記第１端子が突出する樹脂第１面と、
前記樹脂第１面とは異なる方向を向き、かつ、前記第２端子が突出する樹脂第２面と、
を備え、
前記第１端子は、前記第１方向に延び、
前記第２端子は、前記樹脂第２面から突出する突出部と、前記第１方向に延びる直行部と、前記突出部と前記直行部とにつながる連結部と、を備える、
半導体装置。
前記半導体素子に導通する導電部材と、
前記半導体素子を覆う封止樹脂と、
を備え、
前記導電部材は、
前記半導体素子が搭載された搭載部と、第１端子および第２端子とを備え、
前記封止樹脂は、
前記搭載部の厚さ方向に直交する第１方向を向き、かつ、前記第１端子が突出する樹脂第１面と、
前記樹脂第１面とは異なる方向を向き、かつ、前記第２端子が突出する樹脂第２面と、
を備え、
前記第１端子は、前記第１方向に延び、
前記第２端子は、前記樹脂第２面から突出する突出部と、前記第１方向に延びる直行部と、前記突出部と前記直行部とにつながる連結部と、を備える、
半導体装置。
【請求項2】
前記搭載部と前記第１端子とがつながっている、
請求項１に記載の半導体装置。
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記搭載部と前記第２端子とがつながっている、
請求項１に記載の半導体装置。
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記樹脂第２面は、前記厚さ方向および前記第１方向に直交する第２方向を向く、
請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体装置。
請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項5】
前記樹脂第２面は、前記厚さ方向を向く、
請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体装置。
請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項6】
前記導電部材は、第３端子をさらに備える、
請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体装置。
請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項7】
前記封止樹脂は、前記樹脂第２面とは反対側を向く樹脂第３面をさらに備え、
前記第３端子は、前記樹脂第３面から突出する、
請求項６に記載の半導体装置。
前記第３端子は、前記樹脂第３面から突出する、
請求項６に記載の半導体装置。
【請求項8】
前記第３端子は、前記樹脂第１面から突出する、
請求項６に記載の半導体装置。
請求項６に記載の半導体装置。
【請求項9】
前記第３端子は、前記樹脂第２面から突出する、
請求項６に記載の半導体装置。
請求項６に記載の半導体装置。
【請求項10】
前記第３端子は、前記第１方向に延びる第３直行部を備える、
請求項６ないし９のいずれかに記載の半導体装置。
請求項６ないし９のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項11】
前記導電部材は、前記第１方向に延びる部分を有する第４端子をさらに備える、
請求項６ないし１０のいずれかに記載の半導体装置。
請求項６ないし１０のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項12】
前記搭載部は、前記半導体素子が接合される搭載部主面と、前記厚さ方向において前記搭載部主面とは反対側を向く搭載部裏面と、を備え、
前記搭載部裏面は、前記封止樹脂から露出している、
請求項１ないし１１のいずれかに記載の半導体装置。
前記搭載部裏面は、前記封止樹脂から露出している、
請求項１ないし１１のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項13】
前記搭載部の前記厚さ方向の寸法は、前記第１端子の前記厚さ方向の寸法より大きい、
請求項１ないし１２のいずれかに記載の半導体装置。
請求項１ないし１２のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項14】
前記半導体素子は、
前記厚さ方向において互いに反対側を向く素子主面および素子裏面と、前記素子裏面に配置された第１電極と、前記素子主面に配置された第２電極と、を備え、
前記第１電極は、前記搭載部に接合されている、
請求項１ないし１３のいずれかに記載の半導体装置。
前記厚さ方向において互いに反対側を向く素子主面および素子裏面と、前記素子裏面に配置された第１電極と、前記素子主面に配置された第２電極と、を備え、
前記第１電極は、前記搭載部に接合されている、
請求項１ないし１３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項15】
前記半導体素子は、前記素子主面に配置された第３電極をさらに備えている、
請求項１４に記載の半導体装置。
請求項１４に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体素子を備えた半導体装置は、様々な構成が提案されている。特許文献１には、従来の半導体装置の一例が開示されている。同文献に開示された半導体装置は、半導体素子、複数のリード、および封止樹脂を備えている。半導体素子は、第１リードに搭載され、裏面のコレクタ電極が第１リードに導通している。また、半導体素子の主面のエミッタ電極が第３リードに導通している。封止樹脂は、複数のリードの一部ずつと半導体素子とを覆っている。第１リードの第１端子および第３リードの第３端子は、どちらも、封止樹脂の樹脂第１側面から突出する。当該半導体装置の第１端子と第３端子との間に高電圧（たとえば数千Ｖ）が印加されると、第１端子と第３端子との間の封止樹脂の表面上で放電が起こり、第１端子と第３端子とが短絡する場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１８－１４４９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、高耐電圧化を図ることができる半導体装置を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示によって提供される半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子に導通する導電部材と、前記半導体素子を覆う封止樹脂とを備え、前記導電部材は、前記半導体素子が搭載された搭載部と、第１端子および第２端子とを備え、前記封止樹脂は、前記搭載部の厚さ方向に直交する第１方向を向き、かつ、前記第１端子が突出する樹脂第１面と、前記樹脂第１面とは異なる方向を向き、かつ、前記第２端子が突出する樹脂第２面とを備え、前記第１端子は、前記第１方向に延び、前記第２端子は、前記樹脂第２面から突出する突出部と、前記第１方向に延びる直行部と、前記突出部と前記直行部とにつながる連結部とを備える。
【発明の効果】
【0006】
本開示にかかる半導体装置は、高耐電圧化を図ることができる。
【0007】
本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、本開示の好ましい実施の形態を、添付図面を参照して具体的に説明する。
【0010】
本開示において、「ある物Ａがある物Ｂに形成されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に形成されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接形成されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに形成されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂに配置されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に配置されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接配置されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに配置されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂ上に位置している」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに接して、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物が介在しつつ、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」を含む。また、「ある物Ａがある物Ｂにある方向に見て重なる」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂのすべてに重なること」、および、「ある物Ａがある物Ｂの一部に重なること」を含む。
【0011】
【0012】
図１は、半導体装置Ａ１０を示す斜視図である。図２は、半導体装置Ａ１０の斜視図である。図２においては、理解の便宜上、封止樹脂８を透過している。図３は、半導体装置Ａ１０の平面図である。図３においては、理解の便宜上、封止樹脂８を透過して、封止樹脂８の外形を想像線（二点鎖線）で示している。図４は、半導体装置Ａ１０の底面図である。図５は、半導体装置Ａ１０の左側面図である。図６は、図３のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図である。図７は、図３のＶIＩ－ＶＩI線に沿う断面図である。
【0013】
これらの図に示す半導体装置Ａ１０は、様々な機器の回路基板に実装される装置である。なお、半導体装置Ａ１０の用途や機能は限定されない。半導体装置Ａ１０のパッケージ形式は、ＳＩＰ（Single Inline Package）である。なお、半導体装置Ａ１０のパッケージ形式は、ＳＩＰに限定されない。半導体装置Ａ１０の封止樹脂８に覆われた部分の厚さ方向視の形状は矩形状である。説明の便宜上、半導体装置Ａ１０の厚さ方向（平面視方向）をｚ方向とし、ｚ方向に直交する半導体装置Ａ１０の端子（後述する第１端子１２０の第１直行部１２１、第２端子２２０の第２直行部２２２、および第３端子３２０の第３直行部３２２）の延びる方向（図３および図４における上下方向）をｘ方向、ｚ方向およびｘ方向に直交する方向（図３および図４における左右方向）をｙ方向とする。また、ｚ方向の一方側（図５～図７における下側）をｚ１側とし、他方側（図５～図７における上側）をｚ２側とする。ｘ方向の一方側（図３および図４における下側）をｘ１側とし、他方側（図３および図４における上側）をｘ２側とする。ｙ方向の一方側（図３における左側）をｙ１側とし、他方側（図３における右側）をｙ２側とする。ｚ方向が本開示の「厚さ方向」に相当し、ｘ方向が本開示の「第１方向」に相当し、ｙ方向が本開示の「第２方向」に相当する。半導体装置Ａ１０の各寸法は特に限定されない。
【0014】
導電部材５は、半導体素子６と導通し、半導体装置Ａ１０が回路基板に実装されたときに、半導体素子６と回路配線との導通経路を構成する。導電部材５は、たとえば、金属板に打ち抜き加工や折り曲げ加工等を施すことにより形成されている。導電部材５は、金属からなり、好ましくはＣｕおよびＮｉのいずれか、またはこれらの合金や４２アロイなどからなる。本実施形態においては、導電部材５が、Ｃｕからなる場合を例に説明する。導電部材５の厚さは特に限定されない。導電部材５は、第１リード１、第２リード２、および第３リード３を備えている。
【0015】
第１リード１は、半導体素子６を支持するとともに、半導体素子６と導通している。第１リード１は、搭載部１１０および第１端子１２０を備えている。
【0016】
搭載部１１０は、半導体素子６を搭載する部分であり、ｚ方向視略矩形状である。搭載部１１０は、搭載部主面１１１、搭載部裏面１１２、搭載部端面１１４、および搭載部貫通孔１１３を備えている。搭載部主面１１１および搭載部裏面１１２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。搭載部主面１１１は、ｚ方向ｚ２側を向いている。搭載部主面１１１は、半導体素子６が接合されている。搭載部裏面１１２は、ｚ方向ｚ１側を向いている。搭載部裏面１１２は、封止樹脂８から露出して、裏面端子になる。搭載部端面１１４は、搭載部主面１１１および搭載部裏面１１２につながり、ｘ方向ｘ１側を向く面である。搭載部貫通孔１１３は、搭載部主面１１１から搭載部裏面１１２までｚ方向に平行に貫通する孔である。搭載部貫通孔１１３は、搭載部１１０のｙ方向中央で、かつ、ｘ方向ｘ２側寄り（図３および図４においては上側寄り）に配置され、ｚ方向視円形状である。なお、搭載部貫通孔１１３の位置および形状は限定されない。
【0017】
第１端子１２０は、搭載部１１０につながっており、搭載部１１０を介して、半導体素子６に導通している。図３に示すように、第１端子１２０の幅寸法（ｙ方向の寸法）は、搭載部１１０の幅寸法（ｙ方向の寸法）より小さい。また、図６に示すように、第１端子１２０の厚さ寸法（ｚ方向の寸法）は、搭載部１１０の厚さ寸法（ｚ方向の寸法）より小さい。逆に言うと、搭載部１１０の厚さ寸法は、第１端子１２０の厚さ寸法より大きい。第１端子１２０は、本実施形態では、図３に示すように搭載部端面１１４のｙ方向中央で、かつ、図６に示すように搭載部端面１１４のｚ方向ｚ２側の端部につながっている。なお、第１端子１２０の位置は限定されない。第１端子１２０は、ｘ方向に延びており、封止樹脂８からｘ方向ｘ１側に突出している。
【0018】
第１端子１２０は、第１直行部１２１および第１接続部１２２を備えている。第１直行部１２１は、ｘ方向に沿って真っすぐ延びる部分であり、封止樹脂８に覆われた部分と封止樹脂８から突出する部分とを含んでいる。第１直行部１２１は、基端部１２１ａおよび先端部１２１ｂを備えている。基端部１２１ａは、第１直行部１２１のうちｘ方向ｘ２側に位置する部位であり、封止樹脂８に覆われた部分と封止樹脂８から突出する部分とを含んでいる。先端部１２１ｂは、第１直行部１２１のうちｘ方向ｘ１側に位置する部位であり、基端部１２１ａにつながっている。先端部１２１ｂは、全体が封止樹脂８から露出しており、幅寸法（ｙ方向の寸法）が基端部１２１ａより小さい。
【0019】
第１接続部１２２は、第１直行部１２１と搭載部１１０とを接続する部分であり、第１直行部１２１および搭載部１１０につながっている。第１接続部１２２は、全体が封止樹脂８に覆われており、搭載部１１０および第１直行部１２１に対して傾斜する部分を含んでいる。第１直行部１２１は、搭載部主面１１１と同じ側を向く面（ｚ方向ｚ２側を向く面）が、搭載部主面１１１に対して、ｚ方向ｚ２側に位置している。したがって、第１接続部１２２の傾斜部分は、ｘ方向ｘ１側の方がよりｚ方向ｚ２側に位置する傾斜になっている。
【0020】
なお、第１リード１の形状は上記したものに限定されない。たとえば、搭載部１１０は、第１リード１が封止樹脂８からｚ方向ｚ１側に抜け落ちることを防止するために、ｚ方向視における搭載部裏面１１２の周囲に、搭載部裏面１１２から搭載部主面１１１側に凹んで封止樹脂８に覆われる裏面側凹部が形成されてもよい。
【0021】
第２リード２は、半導体素子６と導通している。第２リード２は、第１リード１から離間して配置されている。第２リード２は、図３に示すように、第１リード１の搭載部１１０のｘ方向ｘ１側で、第１端子１２０のｙ方向ｙ１側に配置されている。また、第２リード２は、図５および図７に示すように、搭載部１１０に対して、ｚ方向ｚ２側に配置されている。第２リード２のｚ方向における位置は、第１リード１の第１端子１２０の第１直行部１２１のｚ方向における位置と同じである。第２リード２は、第２パッド部２１０および第２端子２２０を備えている。
【0022】
第２パッド部２１０は、ワイヤ７１がボンディングされる部分であり、ｚ方向視においてｙ方向に長い略矩形状である。図７に示すように、第２パッド部２１０は、第２パッド部主面２１１および第２パッド部裏面２１２を有する。第２パッド部主面２１１および第２パッド部裏面２１２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。第２パッド部主面２１１は、ｚ方向ｚ２側を向いている。第２パッド部主面２１１は、ワイヤ７１が接合されている。第２パッド部裏面２１２は、ｚ方向ｚ１側を向いている。第２パッド部２１０は、全体にわたって封止樹脂８に覆われている。
【0023】
第２端子２２０は、第２パッド部２１０につながっており、第２パッド部２１０およびワイヤ７１を介して、半導体素子６に導通している。図７に示すように、第２端子２２０の厚さ寸法（ｚ方向の寸法）は、第２パッド部２１０の厚さ寸法（ｚ方向の寸法）と同じであり、第１端子１２０の厚さ寸法と同じである。第２端子２２０は、図３に示すように、第２パッド部２１０のｙ方向ｙ１側端部のｘ方向中央部分につながっている。第２端子２２０は、封止樹脂８からｙ方向ｙ１側に突出し、屈曲して、ｘ方向ｘ１側に延びている。
【0024】
第２端子２２０は、第２突出部２２１、第２直行部２２２、および第２連結部２２３を備えている。第２突出部２２１は、第２パッド部２１０につながって、ｙ方向ｙ１側に延び、封止樹脂８から突出している。第２突出部２２１の幅寸法（ｘ方向の寸法）は、第２パッド部２１０の幅寸法（ｘ方向の寸法）より小さい。第２直行部２２２は、ｘ方向に沿って真っすぐ延びる部分である。第２直行部２２２は、全体が封止樹脂８から露出している。第２直行部２２２の幅寸法（ｙ方向の寸法）は、第１端子１２０の第１直行部１２１の先端部１２１ｂの幅寸法と同じである。第２直行部２２２のｚ方向の位置は、第１端子１２０の第１直行部１２１のｚ方向の位置と同じである。第２連結部２２３は、第２突出部２２１および第２直行部２２２を連結する部分であり、第２突出部２２１および第２直行部２２２につながっている。第２連結部２２３は、全体が封止樹脂８から露出している。第２連結部２２３は、ｚ方向視においてＬ字形状であり、第２突出部２２１のｙ方向ｙ１側の端部からｘ方向ｘ１側に延びる部分と、第２直行部２２２のｘ方向ｘ２側の端部からｙ方向ｙ１側に延びる部分とを備えている。本実施形態では、第２連結部２２３のｘ方向ｘ１側の端縁は、第１直行部１２１の基端部１２１ａのｘ方向ｘ１側の端縁（基端部１２１ａと先端部１２１ｂの境界）と、ｘ方向における位置が一致している。なお、第２リード２の形状は上記したものに限定されない。
【0025】
第３リード３は、半導体素子６と導通している。第３リード３は、第１リード１および第２リード２から離間して配置されている。第３リード３は、図３に示すように、第１リード１の搭載部１１０のｘ方向ｘ１側で、第１端子１２０のｙ方向ｙ２側に配置されている。また、第３リード３は、搭載部１１０に対して、ｚ方向ｚ２側に配置されている。第３リード３のｚ方向における位置は、第１リード１の第１端子１２０の第１直行部１２１のｚ方向における位置と同じである。つまり、第１端子１２０の第１直行部１２１、第２リード２、および第３リード３は、ｚ方向において同じ位置にある。第３リード３は、第３パッド部３１０および第３端子３２０を備えている。
【0026】
第３パッド部３１０は、ワイヤ７２がボンディングされる部分であり、ｚ方向視においてｙ方向に長い略矩形状である。第３パッド部３１０は、第３パッド部主面３１１および第３パッド部裏面３１２を有する。第３パッド部主面３１１および第３パッド部裏面３１２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。第３パッド部主面３１１は、ｚ方向ｚ２側を向いている。第３パッド部主面３１１は、ワイヤ７２が接合されている。第３パッド部裏面３１２は、ｚ方向ｚ１側を向いている。第３パッド部３１０は、全体にわたって封止樹脂８に覆われている。
【0027】
第３端子３２０は、第３パッド部３１０につながっており、第３パッド部３１０およびワイヤ７２を介して、半導体素子６に導通している。第３端子３２０の厚さ寸法（ｚ方向の寸法）は、第３パッド部３１０の厚さ寸法（ｚ方向の寸法）と同じであり、第１端子１２０の厚さ寸法と同じである。第３端子３２０は、図３に示すように、第３パッド部３１０のｙ方向ｙ２側端部のｘ方向中央部分につながっている。第３端子３２０は、封止樹脂８からｙ方向ｙ２側に突出し、屈曲して、ｘ方向ｘ１側に延びている。
【0028】
第３端子３２０は、第３突出部３２１、第３直行部３２２、および第３連結部３２３を備えている。第３突出部３２１は、第３パッド部３１０につながって、ｙ方向ｙ２側に延び、封止樹脂８から突出している。第３突出部３２１の幅寸法（ｘ方向の寸法）は、第３パッド部３１０の幅寸法（ｘ方向の寸法）より小さい。第３直行部３２２は、ｘ方向に沿って真っすぐ延びる部分である。第３直行部３２２は、全体が封止樹脂８から露出している。第３直行部３２２の幅寸法（ｙ方向の寸法）は、第１端子１２０の第１直行部１２１の先端部１２１ｂの幅寸法と同じである。第３直行部３２２のｚ方向の位置は、第１端子１２０の第１直行部１２１のｚ方向の位置と同じである。つまり、第１端子１２０の第１直行部１２１、第２端子２２０の第２直行部２２２、および第３端子３２０の第３直行部３２２は、ｚ方向において同じ位置にある。第３連結部３２３は、第３突出部３２１および第３直行部３２２を連結する部分であり、第３突出部３２１および第３直行部３２２につながっている。第３連結部３２３は、全体が封止樹脂８から露出している。第３連結部３２３は、ｚ方向視においてＬ字形状であり、第３突出部３２１のｙ方向ｙ２側の端部からｘ方向ｘ１側に延びる部分と、第３直行部３２２のｘ方向ｘ２側の端部からｙ方向ｙ２側に延びる部分とを備えている。本実施形態では、第３連結部３２３のｘ方向ｘ１側の端縁は、第１直行部１２１の基端部１２１ａのｘ方向ｘ１側の端縁（基端部１２１ａと先端部１２１ｂの境界）と、ｘ方向における位置が一致している。なお、第３リード３の形状は上記したものに限定されない。
【0029】
第１端子１２０の第１直行部１２１の先端部１２１ｂ、第２端子２２０の第２直行部２２２、および第３端子３２０の第３直行部３２２は、同様の形状になっており、ｙ方向に等間隔で並び、ｚ方向およびｘ方向において同じ位置にある。これらの部分は、半導体装置Ａ１０が回路基板に搭載される際に、回路基板に形成された孔に挿通される。
【0030】
第１リード１、第２リード２、および第３リード３の封止樹脂８から露出した部分には、たとえばＳｎを主成分とする合金からなる外層めっき層が形成されてもよい。また、第１リード１の搭載部主面１１１のうち半導体素子６が接合される領域、第２リード２の第２パッド部主面２１１のうちワイヤ７１が接合される領域、および、第３リード３の第３パッド部主面３１１のうちワイヤ７２が接合される領域には、たとえばＡｇからなる内層めっき層が形成されてもよい。
【0031】
半導体素子６は、半導体装置Ａ１０の電気的機能を発揮する要素である。半導体素子６の種類は特に限定さない。本実施形態では、半導体素子６は、ＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）などのトランジスタである。半導体素子６は、素子本体６０、第１電極６３、第２電極６４、および第３電極６５を備えている。
【0032】
素子本体６０は、ｚ方向視矩形状の板状である。素子本体６０は、半導体材料からなり、本実施形態では、Ｓｉ（シリコン）からなる。なお、素子本体６０の材料は限定されず、たとえばＳｉＣ（シリコンカーバイド）やＧａＮ(ガリウムナイトライド)などの他の材料であってもよい。素子本体６０は、素子主面６１および素子裏面６２を有する。素子主面６１および素子裏面６２は、ｚ方向において互いに反対側を向いている。素子主面６１は、ｚ方向ｚ２側を向いている。素子裏面６２は、ｚ方向ｚ１側を向いている。第２電極６４および第３電極６５は、素子主面６１に配置されている。第１電極６３は、素子裏面６２に配置されている。本実施形態においては、第１電極６３はドレイン電極であり、第２電極６４はソース電極であり、第３電極６５はゲート電極である。
【0033】
図３に示すように、半導体素子６は、搭載部主面１１１のｙ方向中央で、ｘ方向ｘ１側寄りに搭載されている。半導体素子６は、ｚ方向視において搭載部貫通孔１１３にかからない位置に配置されている。図６および図７に示すように、半導体素子６は、素子裏面６２を搭載部主面１１１に向けて、接合材６９を介して、搭載部主面１１１に接合されている。本実施形態では、接合材６９は、導電性の接合材であり、たとえばはんだである。なお、接合材６９は、銀ペーストおよび焼結銀接合材などの他の導電性接合材であってもよい。これにより、半導体素子６の第１電極６３は、接合材６９によって搭載部主面１１１に接合され、第１リード１に電気的に接続されている。
【0034】
ワイヤ７１は、半導体素子６の第２電極６４と、第２リード２の第２パッド部主面２１１とに接合されている。これにより、半導体素子６の第２電極６４は、第２リード２に電気的に接続されている。ワイヤ７２は、半導体素子６の第３電極６５と、第３リード３の第３パッド部主面３１１とに接合されている。これにより、半導体素子６の第３電極６５は、第３リード３に電気的に接続されている。なお、ワイヤ７１，７２の材料や太さ、数は限定されない。また、半導体素子６と第２リード２および第３リード３とは、ワイヤ７２，７３以外の導電性を有する接続部材（たとえば金属板および金属リボンなど）によって接続されてもよい。第１電極６３に導通する第１リード１の第１端子１２０が半導体装置Ａ１０のドレイン端子として機能し、第２電極６４に導通する第２リード２の第２端子２２０が半導体装置Ａ１０のソース端子として機能し、第３電極６５に導通する第３リード３の第３端子３２０が半導体装置Ａ１０のゲート端子として機能する。第１端子１２０（ドレイン端子）と第２端子２２０（ソース端子）との間には、外部から高電圧が印加される。また、第１端子１２０（ドレイン端子）と第３端子３２０（ゲート端子）との間の電位差も、印加された高電圧に応じて大きくなる。
【0035】
封止樹脂８は、第１リード１、第２リード２、および第３リード３の一部ずつと、半導体素子６およびワイヤ７１，７２の全体とを覆っている。封止樹脂８は、たとえば黒色のエポキシ樹脂からなる。なお、封止樹脂８の材料は限定されない。封止樹脂８は、たとえば金型を用いたトランスファ成形により形成される。
【0036】
封止樹脂８は、樹脂主面８１、樹脂裏面８２、樹脂端面８３、樹脂第１側面８４、樹脂第２側面８５、および樹脂第３側面８６を備えている。樹脂主面８１と樹脂裏面８２とは、ｚ方向において互いに反対側を向いている。樹脂主面８１はｚ方向ｚ２側を向いており、樹脂裏面８２は、ｚ方向ｚ１側を向いている。図４、図６、および図７に示すように、第１リード１の搭載部裏面１１２は、全体にわたって、樹脂裏面８２から露出しており、樹脂裏面８２と搭載部裏面１１２とは互いに面一になっている。
【0037】
樹脂端面８３および樹脂第１側面８４は、それぞれ、樹脂主面８１および樹脂裏面８２につながる面である。樹脂端面８３および樹脂第１側面８４は、ｘ方向において互いに反対側を向いている。樹脂端面８３は、ｘ方向ｘ１側に配置されてｘ方向ｘ１側を向く面である。樹脂第１側面８４は、ｘ方向ｘ２側に配置されてｘ方向ｘ２側を向く面である。樹脂第２側面８５および樹脂第３側面８６は、それぞれ、樹脂主面８１、樹脂裏面８２、樹脂端面８３、および樹脂第１側面８４につながる面である。樹脂第２側面８５および樹脂第３側面８６は、ｙ方向において互いに反対側を向いている。樹脂第２側面８５は、ｙ方向ｙ１側に配置されてｙ方向ｙ１側を向く面である。樹脂第３側面８６は、ｙ方向ｙ２側に配置されてｙ方向ｙ２側を向く面である。
【0038】
樹脂端面８３、樹脂第１側面８４、樹脂第２側面８５、および樹脂第３側面８６は、それぞれ、樹脂主面８１につながり、樹脂主面８１に向かうほど互いに近づくように傾斜する面を備えている。つまり、封止樹脂８のうち、これらの樹脂主面８１につながり傾斜する面に囲まれる部分は、ｘｙ平面での断面積が樹脂主面８１に向かうほど小さくなるテーパ形状である。また、樹脂端面８３、樹脂第１側面８４、樹脂第２側面８５、および樹脂第３側面８６は、それぞれ、樹脂裏面８２につながり、樹脂裏面８２に向かうほど互いに近づくように傾斜する面を備えている。つまり、封止樹脂８のうち、これらの樹脂主面８１につながり傾斜する面に囲まれる部分は、ｘｙ平面での断面積が樹脂裏面８２に向かうほど小さくなるテーパ形状である。なお、樹脂端面８３、樹脂第１側面８４、樹脂第２側面８５、および樹脂第３側面８６の形状は限定されない。
【0039】
樹脂端面８３は、第１端子１２０が突出する面である。つまり、第１端子１２０は、樹脂端面８３から突出している。樹脂第２側面８５は、第２端子２２０が突出する面である。つまり、第２端子２２０は、樹脂第２側面８５から突出している。樹脂第３側面８６は、第３端子３２０が突出する面である。つまり、第３端子３２０は、樹脂第３側面８６から突出している。また、図５～図７に示すように、第１端子１２０の第１直行部１２１、第２端子２２０、および第３端子３２０は、ｚ方向において、封止樹脂８の中間付近（樹脂主面８１と樹脂裏面８２との中間付近）に位置する。したがって、第１端子１２０は樹脂端面８３のｚ方向における中間付近から突出し、第２端子２２０は樹脂第２側面８５のｚ方向における中間付近から突出し、第３端子３２０は樹脂第３側面８６のｚ方向における中間付近から突出している。
【0040】
また、本実施形態では、封止樹脂８は、樹脂貫通孔８８を備えている。樹脂貫通孔８８は、樹脂主面８１から樹脂裏面８２までｚ方向に平行に貫通する貫通孔である。樹脂貫通孔８８は、封止樹脂８のｙ方向中央で、かつ、ｘ方向ｘ２側寄り（図３においては上側寄り）に配置され、ｚ方向視円形状である。本実施形態においては、樹脂貫通孔８８の中心は、搭載部貫通孔１１３の中心と同一である。また、樹脂貫通孔８８の直径は、搭載部貫通孔１１３の直径よりも小さい。したがって、図３、図４、図６、および図７に示すように、樹脂貫通孔８８は搭載部貫通孔１１３の内側に位置し、樹脂貫通孔８８の孔壁は、全て封止樹脂８によって形成されている。つまり、樹脂貫通孔８８の孔壁からは搭載部１１０が露出しない。樹脂貫通孔８８は、ねじなどの締結部材を挿通させて、半導体装置Ａ１０に放熱部材を取り付けるためなどに用いられる。搭載部裏面１１２が、電気絶縁シートなどを介して、放熱部材に接続されることで、半導体素子６から発生した熱が搭載部１１０および放熱部材を介して放出される。
【0041】
次に、半導体装置Ａ１０の作用効果について説明する。
【0042】
本実施形態によると、第１リード１は、封止樹脂８から突出する第１端子１２０を備えている。また、第２リード２は、封止樹脂８から突出する第２端子２２０を備えている。第１端子１２０は、樹脂端面８３から突出するが、第２端子２２０は、樹脂第２側面８５から突出する。封止樹脂８の表面（樹脂端面８３および樹脂第２側面８５）における、第１端子１２０と第２端子２２０との最短距離（沿面距離）は、第１端子１２０および第２端子２２０が同じ樹脂端面８３から突出する場合と比較して大きい。これにより、半導体装置Ａ１０は、第１端子１２０と第２端子２２０との間に高電圧が印加された場合でも、封止樹脂８の表面での放電を抑制できる。また、第３リード３は、封止樹脂８から突出する第３端子３２０を備えている。第３端子３２０は、樹脂第３側面８６から突出する。封止樹脂８の表面（樹脂端面８３および樹脂第３側面８６）における、第１端子１２０と第２端子２２０との沿面距離は、第１端子１２０および第３端子３２０が同じ樹脂端面８３から突出する場合と比較して大きい。これにより、半導体装置Ａ１０は、第１端子１２０と第３端子３２０との間の電位差が大きくなった場合でも、封止樹脂８の表面での放電を抑制できる。以上のように、半導体装置Ａ１０は、高耐電圧化を図ることができる。
【0043】
また、本実施形態によると、搭載部裏面１１２は、樹脂裏面８２から露出している。したがって、半導体装置Ａ１０は、搭載部裏面１１２に放熱部材を接続して、半導体素子６が放出する熱を放出できる。また、封止樹脂８は、ｚ方向に平行に貫通する樹脂貫通孔８８を備えている。したがって、半導体装置Ａ１０は、ねじなどの締結部材を樹脂貫通孔８８に挿通させることで、容易に放熱部材を取り付けられる。また、樹脂貫通孔８８の中心は搭載部貫通孔１１３の中心と同一であり、樹脂貫通孔８８の直径は搭載部貫通孔１１３の直径よりも小さい。したがって、樹脂貫通孔８８は搭載部貫通孔１１３の内側に位置し、樹脂貫通孔８８の孔壁は、全て封止樹脂８によって形成されている。つまり、樹脂貫通孔８８の孔壁からは搭載部１１０が露出しない。これにより、搭載部１１０と締結部材とが絶縁される。また、本実施形態によると、搭載部１１０の厚さ寸法は、第１端子１２０、第２リード２、および第３リード３の厚さ寸法より大きい。したがって、半導体装置Ａ１０は、半導体素子６が放出する熱を効率よく搭載部１１０に吸収できる。
【0044】
なお、本実施形態においては、搭載部１１０が搭載部貫通孔１１３を備え、封止樹脂８が樹脂貫通孔８８を備えている場合について説明したが、これに限られない。搭載部１１０は搭載部貫通孔１１３を備えなくてもよいし、封止樹脂８は樹脂貫通孔８８を備えなくてもよい。後述する他の実施形態および変形例においても同様である。
【0045】
【0046】
〔第１変形例〕
図８および図９は、第１実施形態の第１変形例にかかる半導体装置Ａ１１を説明するための図である。図８は、半導体装置Ａ１１の底面図であり、図４に対応する図である。図９は、半導体装置Ａ１１の断面図であり、図６に対応する図である。半導体装置Ａ１１は、搭載部裏面１１２が樹脂裏面８２から露出しておらず、封止樹脂８によって覆われている。
図８および図９は、第１実施形態の第１変形例にかかる半導体装置Ａ１１を説明するための図である。図８は、半導体装置Ａ１１の底面図であり、図４に対応する図である。図９は、半導体装置Ａ１１の断面図であり、図６に対応する図である。半導体装置Ａ１１は、搭載部裏面１１２が樹脂裏面８２から露出しておらず、封止樹脂８によって覆われている。
【0047】
〔第２変形例〕
図１０は、第１実施形態の第２変形例にかかる半導体装置Ａ１２を示す断面図であり、図６に対応する図である。半導体装置Ａ１２は、第１端子１２０が搭載部１１０につながる位置が半導体装置Ａ１０とは異なる。半導体装置Ａ１２では、第１端子１２０は、搭載部端面１１４のｙ方向中央で、かつ、図１０に示すように搭載部端面１１４のｚ方向の中央の位置につながっている。
図１０は、第１実施形態の第２変形例にかかる半導体装置Ａ１２を示す断面図であり、図６に対応する図である。半導体装置Ａ１２は、第１端子１２０が搭載部１１０につながる位置が半導体装置Ａ１０とは異なる。半導体装置Ａ１２では、第１端子１２０は、搭載部端面１１４のｙ方向中央で、かつ、図１０に示すように搭載部端面１１４のｚ方向の中央の位置につながっている。
【0048】
〔第３変形例〕
図１１は、第１実施形態の第３変形例にかかる半導体装置Ａ１３を示す断面図であり、図６に対応する図である。半導体装置Ａ１３は、搭載部１１０の厚さ寸法が半導体装置Ａ１０とは異なる。半導体装置Ａ１３では、搭載部１１０の厚さ寸法が第１端子１２０の厚さ寸法と同じである。なお、本変形例では、ｚ方向における搭載部主面１１１の位置は、半導体装置Ａ１０の場合と同様である。
図１１は、第１実施形態の第３変形例にかかる半導体装置Ａ１３を示す断面図であり、図６に対応する図である。半導体装置Ａ１３は、搭載部１１０の厚さ寸法が半導体装置Ａ１０とは異なる。半導体装置Ａ１３では、搭載部１１０の厚さ寸法が第１端子１２０の厚さ寸法と同じである。なお、本変形例では、ｚ方向における搭載部主面１１１の位置は、半導体装置Ａ１０の場合と同様である。
【0049】
〔第４変形例〕
図１２は、第１実施形態の第４変形例にかかる半導体装置Ａ１４を示す断面図であり、図６に対応する図である。半導体装置Ａ１４は、ｚ方向における第１リード１の配置位置が半導体装置Ａ１３とは異なる。半導体装置Ａ１４では、搭載部１１０の厚さ寸法が第１端子１２０の厚さ寸法と同じである。また、搭載部裏面１１２が樹脂裏面８２から露出しており、ｚ方向における搭載部主面１１１の位置が、半導体装置Ａ１３とは異なる。半導体装置Ａ１４では、第１端子裏面１２５が、搭載部裏面１１２と面一になっており、樹脂裏面８２から露出している。
図１２は、第１実施形態の第４変形例にかかる半導体装置Ａ１４を示す断面図であり、図６に対応する図である。半導体装置Ａ１４は、ｚ方向における第１リード１の配置位置が半導体装置Ａ１３とは異なる。半導体装置Ａ１４では、搭載部１１０の厚さ寸法が第１端子１２０の厚さ寸法と同じである。また、搭載部裏面１１２が樹脂裏面８２から露出しており、ｚ方向における搭載部主面１１１の位置が、半導体装置Ａ１３とは異なる。半導体装置Ａ１４では、第１端子裏面１２５が、搭載部裏面１１２と面一になっており、樹脂裏面８２から露出している。
【0050】
〔第５変形例〕
図１３は、第１実施形態の第５変形例にかかる半導体装置Ａ１５を示す平面図であり、図３に対応する図である。図１３においては、理解の便宜上、封止樹脂８を透過して、封止樹脂８の外形を想像線（二点鎖線）で示している。半導体装置Ａ１５は、第１端子１２０の第１直行部１２１、第２端子２２０の第２直行部２２２、および第３端子３２０の第３直行部３２２の形状が、半導体装置Ａ１０とは異なる。第２直行部２２２は、第２連結部２２３につながる部分の近くに、幅寸法（ｙ方向の寸法）が他より大きくなっている幅広部２２２ａを備えている。また、第３直行部３２２は、第３連結部３２３につながる部分の近くに、幅寸法（ｙ方向の寸法）が他より大きくなっている幅広部３２２ａを備えている。幅広部２２２ａおよび幅広部３２２ａは、リードフレームにおいて第２直行部２２２および第３直行部３２２につながっていたタイバーの一部を残した部分である。本変形例では、第１直行部１２１の基端部１２１ａが、幅広部２２２ａおよび幅広部３２２ａのｘ方向ｘ１側の端部の位置まで延びている。本変形例によると、第１直行部１２１、第２直行部２２２、および第３直行部３２２が、回路基板に形成された孔に挿通されて、半導体装置Ａ１５が回路基板に搭載されたときに、第２連結部２２３および第３連結部３２３のｙ方向に延びる部分が、回路基板に当接することを防止できる。
図１３は、第１実施形態の第５変形例にかかる半導体装置Ａ１５を示す平面図であり、図３に対応する図である。図１３においては、理解の便宜上、封止樹脂８を透過して、封止樹脂８の外形を想像線（二点鎖線）で示している。半導体装置Ａ１５は、第１端子１２０の第１直行部１２１、第２端子２２０の第２直行部２２２、および第３端子３２０の第３直行部３２２の形状が、半導体装置Ａ１０とは異なる。第２直行部２２２は、第２連結部２２３につながる部分の近くに、幅寸法（ｙ方向の寸法）が他より大きくなっている幅広部２２２ａを備えている。また、第３直行部３２２は、第３連結部３２３につながる部分の近くに、幅寸法（ｙ方向の寸法）が他より大きくなっている幅広部３２２ａを備えている。幅広部２２２ａおよび幅広部３２２ａは、リードフレームにおいて第２直行部２２２および第３直行部３２２につながっていたタイバーの一部を残した部分である。本変形例では、第１直行部１２１の基端部１２１ａが、幅広部２２２ａおよび幅広部３２２ａのｘ方向ｘ１側の端部の位置まで延びている。本変形例によると、第１直行部１２１、第２直行部２２２、および第３直行部３２２が、回路基板に形成された孔に挿通されて、半導体装置Ａ１５が回路基板に搭載されたときに、第２連結部２２３および第３連結部３２３のｙ方向に延びる部分が、回路基板に当接することを防止できる。
【0051】
【0052】
〔第２実施形態〕
図１４は、本開示の第２実施形態にかかる半導体装置Ａ２０を説明するための図である。図１４は、半導体装置Ａ２０を示す平面図であり、図３に対応する図である。図１４においては、理解の便宜上、封止樹脂８を透過して、封止樹脂８の外形を想像線（二点鎖線）で示している。本実施形態にかかる半導体装置Ａ２０は、第１リード１および第２リード２の形状が、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０と異なる。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１実施形態の各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
図１４は、本開示の第２実施形態にかかる半導体装置Ａ２０を説明するための図である。図１４は、半導体装置Ａ２０を示す平面図であり、図３に対応する図である。図１４においては、理解の便宜上、封止樹脂８を透過して、封止樹脂８の外形を想像線（二点鎖線）で示している。本実施形態にかかる半導体装置Ａ２０は、第１リード１および第２リード２の形状が、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０と異なる。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１実施形態の各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
【0053】
本実施形態では、第２端子２２０が搭載部１１０につながっており、搭載部１１０と第２端子２２０とが、第１リード１を構成している。したがって、第１リード１の第２端子２２０が半導体装置Ａ１０のドレイン端子として機能する。第２端子２２０は、搭載部端面１１４のｙ方向ｙ１側の端部で、かつ、搭載部端面１１４のｚ方向ｚ２側の端部につながっている。なお、第２端子２２０の位置は限定されない。第２端子２２０は、第２接続部２２４をさらに備えている。第２接続部２２４は、第２突出部２２１と搭載部１１０とを接続する部分であり、第２突出部２２１および搭載部１１０につながっている。第２接続部２２４は、全体が封止樹脂８に覆われており、搭載部１１０および第２突出部２２１に対して傾斜する部分を含んでいる。第２突出部２２１は、搭載部主面１１１と同じ側を向く面（ｚ方向ｚ２側を向く面）が、搭載部主面１１１に対して、ｚ方向ｚ２側に位置している。したがって、第２接続部２２４の傾斜部分は、ｘ方向ｘ１側の方がよりｚ方向ｚ２側に位置する傾斜になっている。
【0054】
また、本実施形態では、第２パッド部２１０が、ｙ方向において、第２端子２２０の第２接続部２２４と第３パッド部３１０との間に配置されている。そして、第１端子１２０が第２パッド部２１０につながっており、第２パッド部２１０と第１端子１２０とが、第２リード２を構成している。第１端子１２０は、第１接続部１２２を備えておらず、第１直行部１２１が第２パッド部２１０のｘ方向ｘ１側端部のｙ方向中央部分につながっている。したがって、第２リード２の第１端子１２０が半導体装置Ａ１０のソース端子として機能する。
【0055】
本実施形態によると、第１リード１は、封止樹脂８から突出する第２端子２２０を備えている。また、第２リード２は、封止樹脂８から突出する第１端子１２０を備えている。第１端子１２０は、樹脂端面８３から突出するが、第２端子２２０は、樹脂第２側面８５から突出する。第１端子１２０と第２端子２２０との沿面距離は、第１端子１２０および第２端子２２０が同じ樹脂端面８３から突出する場合と比較して大きい。これにより、半導体装置Ａ２０は、第１端子１２０と第２端子２２０との間に高電圧が印加された場合でも、封止樹脂８の表面での放電を抑制できる。第３端子３２０は、樹脂第３側面８６から突出するので、第２端子２２０と第３端子３２０との沿面距離は十分大きい。これにより、半導体装置Ａ２０は、第２端子２２０と第３端子３２０との間の電位差が大きくなった場合でも、封止樹脂８の表面での放電を抑制できる。以上のように、半導体装置Ａ２０は、高耐電圧化を図ることができる。また、半導体装置Ａ２０は、半導体装置Ａ１０と共通する構成により、半導体装置Ａ１０と同等の効果を奏する。
【0056】
〔第３実施形態〕
図１５は、本開示の第３実施形態にかかる半導体装置Ａ３０を説明するための図である。図１５は、半導体装置Ａ３０を示す平面図であり、図３に対応する図である。図１５においては、理解の便宜上、封止樹脂８を透過して、封止樹脂８の外形を想像線（二点鎖線）で示している。本実施形態にかかる半導体装置Ａ３０は、第３端子３２０の形状が、第２実施形態にかかる半導体装置Ａ２０と異なる。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第２実施形態と同様である。なお、上記の第１～２実施形態の各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
図１５は、本開示の第３実施形態にかかる半導体装置Ａ３０を説明するための図である。図１５は、半導体装置Ａ３０を示す平面図であり、図３に対応する図である。図１５においては、理解の便宜上、封止樹脂８を透過して、封止樹脂８の外形を想像線（二点鎖線）で示している。本実施形態にかかる半導体装置Ａ３０は、第３端子３２０の形状が、第２実施形態にかかる半導体装置Ａ２０と異なる。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第２実施形態と同様である。なお、上記の第１～２実施形態の各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
【0057】
本実施形態では、第３端子３２０は、第１端子１２０と同様の形状である。第３端子３２０は、第３パッド部３１０のｘ方向ｘ１側端部のｙ方向中央部分につながっている。第３端子３２０は、ｘ方向に延びており、封止樹脂８の樹脂端面８３から突出している。第３端子３２０は、基端部３２０ａおよび先端部３２０ｂを備えている。基端部３２０ａは、第３端子３２０のうちｘ方向ｘ２側に位置する部位であり、封止樹脂８に覆われた部分と封止樹脂８から突出する部分とを含んでいる。先端部３２０ｂは、第３端子３２０のうちｘ方向ｘ１側に位置する部位であり、基端部３２０ａにつながっている。先端部３２０ｂは、全体が封止樹脂８から露出しており、幅寸法（ｙ方向の寸法）が基端部３２０ａより小さい。
【0058】
本実施形態においても、第２リード２の第１端子１２０は、樹脂端面８３から突出するが、第１リード１の第２端子２２０は、樹脂第２側面８５から突出する。第１端子１２０と第２端子２２０との沿面距離は、第１端子１２０および第２端子２２０が同じ樹脂端面８３から突出する場合と比較して大きい。これにより、半導体装置Ａ３０は、第１端子１２０と第２端子２２０との間に高電圧が印加された場合でも、封止樹脂８の表面での放電を抑制できる。第３端子３２０も、樹脂端面８３から突出するので、第２端子２２０と第３端子３２０との沿面距離は十分大きい。これにより、半導体装置Ａ３０は、第２端子２２０と第３端子３２０との間の電位差が大きくなった場合でも、封止樹脂８の表面での放電を抑制できる。以上のように、半導体装置Ａ３０は、高耐電圧化を図ることができる。また、半導体装置Ａ３０は、半導体装置Ａ１０と共通する構成により、半導体装置Ａ１０と同等の効果を奏する。
【0059】
〔第４実施形態〕
図１６は、本開示の第４実施形態にかかる半導体装置Ａ４０を説明するための図である。図１６は、半導体装置Ａ４０を示す平面図であり、図３に対応する図である。図１６においては、理解の便宜上、封止樹脂８を透過して、封止樹脂８の外形を想像線（二点鎖線）で示している。本実施形態にかかる半導体装置Ａ４０は、第４リード４をさらに備えている点で、第３実施形態にかかる半導体装置Ａ３０と異なる。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第３実施形態と同様である。なお、上記の第１～３実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
図１６は、本開示の第４実施形態にかかる半導体装置Ａ４０を説明するための図である。図１６は、半導体装置Ａ４０を示す平面図であり、図３に対応する図である。図１６においては、理解の便宜上、封止樹脂８を透過して、封止樹脂８の外形を想像線（二点鎖線）で示している。本実施形態にかかる半導体装置Ａ４０は、第４リード４をさらに備えている点で、第３実施形態にかかる半導体装置Ａ３０と異なる。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第３実施形態と同様である。なお、上記の第１～３実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
【0060】
本実施形態では、半導体装置Ａ４０は、第４リード４およびワイヤ７３をさらに備えている。第４リード４は、半導体素子６と導通している。第４リード４は、第１リード１、第２リード２、および第３リード３から離間して配置されている。第４リード４は、第１リード１の搭載部１１０のｘ方向ｘ１側で、ｙ方向において第２リード２と第３リード３との間に配置されている。また、第４リード４は、搭載部１１０に対して、ｚ方向ｚ２側に配置されている。第４リード４のｚ方向における位置は、第２リード２および第３リード３と同じである。第４リード４は、第３リード３と同様の形状である。第４リード４は、第４パッド部４１０および第４端子４２０を備えている。
【0061】
第４パッド部４１０は、ワイヤ７３がボンディングされる部分であり、ｚ方向視においてｙ方向に長い略矩形状である。第４パッド部４１０は、第４パッド部主面４１１を有する。第４パッド部主面４１１は、ｚ方向ｚ２側を向いており、ワイヤ７３が接合されている。なお、ワイヤ７３の材料や太さ、数は限定されない。第４パッド部４１０は、全体にわたって封止樹脂８に覆われている。
【0062】
第４端子４２０は、第４パッド部４１０につながっており、第４パッド部４１０およびワイヤ７３を介して、半導体素子６の第２電極６４（ソース電極）に導通している。第４端子４２０は、半導体装置Ａ４０のソースセンス端子として機能する。第４端子４２０の幅寸法（ｙ方向の寸法）は、第４パッド部４１０の幅寸法（ｙ方向の寸法）より小さい。また、第４端子４２０の厚さ寸法（ｚ方向の寸法）は、第４パッド部４１０の厚さ寸法（ｚ方向の寸法）と同じであり、第１端子１２０の厚さ寸法と同じである。第４端子４２０は、第４パッド部４１０のｘ方向ｘ１側端部のｙ方向中央部分につながっている。なお、第４端子４２０の位置は限定されない。第４端子４２０は、ｘ方向に延びており、封止樹脂８から突出する部分を含んでいる。第４端子４２０は、基端部４２０ａおよび先端部４２０ｂを備えている。基端部４２０ａは、第４端子４２０のうちｘ方向ｘ２側に位置する部位であり、封止樹脂８に覆われた部分と封止樹脂８から突出する部分とを含んでいる。先端部４２０ｂは、第４端子４２０のうちｘ方向ｘ１側に位置する部位であり、基端部４２０ａにつながっている。先端部４２０ｂは、全体が封止樹脂８から露出しており、幅寸法（ｙ方向の寸法）が基端部４２０ａより小さい。なお、第４リード４の形状は上記したものに限定されない。
【0063】
本実施形態においても、第２リード２の第１端子１２０は、樹脂端面８３から突出するが、第１リード１の第２端子２２０は、樹脂第２側面８５から突出する。第１端子１２０と第２端子２２０との沿面距離は、第１端子１２０および第２端子２２０が同じ樹脂端面８３から突出する場合と比較して大きい。これにより、半導体装置Ａ４０は、第１端子１２０と第２端子２２０との間に高電圧が印加された場合でも、封止樹脂８の表面での放電を抑制できる。第３端子３２０および第４端子４２０も、樹脂端面８３から突出するので、第２端子２２０と第３端子３２０および第４端子４２０との沿面距離は十分大きい。これにより、半導体装置Ａ４０は、第２端子２２０と第３端子３２０および第４端子４２０との間の電位差が大きくなった場合でも、封止樹脂８の表面での放電を抑制できる。以上のように、半導体装置Ａ４０は、高耐電圧化を図ることができる。また、半導体装置Ａ４０は、半導体装置Ａ１０と共通する構成により、半導体装置Ａ１０と同等の効果を奏する。
【0064】
なお、本実施形態では、第２端子２２０が搭載部１１０につながって第１リード１を構成し、第１端子１２０が第２パッド部２１０につながって第２リード２を構成している場合について説明したが、これに限られない。たとえば、第１実施形態のように、第１端子１２０が搭載部１１０につながって第１リード１を構成し、第２端子２２０が第２パッド部２１０につながって第２リード２を構成してもよい。
【0065】
〔第５実施形態〕
図１７は、本開示の第５実施形態にかかる半導体装置Ａ５０を説明するための図である。図１７は、半導体装置Ａ５０を示す平面図であり、図３に対応する図である。図１７においては、理解の便宜上、封止樹脂８を透過して、封止樹脂８の外形を想像線（二点鎖線）で示している。本実施形態にかかる半導体装置Ａ５０は、半導体素子６の種類が異なる点と、第２リード２を備えていない点とで、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０と異なる。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１～４実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
図１７は、本開示の第５実施形態にかかる半導体装置Ａ５０を説明するための図である。図１７は、半導体装置Ａ５０を示す平面図であり、図３に対応する図である。図１７においては、理解の便宜上、封止樹脂８を透過して、封止樹脂８の外形を想像線（二点鎖線）で示している。本実施形態にかかる半導体装置Ａ５０は、半導体素子６の種類が異なる点と、第２リード２を備えていない点とで、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０と異なる。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１～４実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
【0066】
本実施形態では、半導体素子６は、ダイオードである。半導体素子６は、素子主面６１に第３電極６５を備えていない。本実施形態においては、第１電極６３はカソード電極であり、第２電極６４はアノード電極である。また、本実施形態では、半導体装置Ａ５０は、第２リード２を備えていない。第１端子１２０は、搭載部端面１１４のｙ方向ｙ２側の端部につながっている。半導体素子６の第１電極６３は、接合材６９によって搭載部主面１１１に接合され、第１リード１に電気的に接続されている。ワイヤ７１は、半導体素子６の第２電極６４と、第２リード２の第２パッド部主面２１１とに接合されている。これにより、半導体素子６の第２電極６４は、第２リード２に電気的に接続されている。第１電極６３に導通する第１リード１の第１端子１２０が半導体装置Ａ５０のカソード端子として機能し、第２電極６４に導通する第２リード２の第２端子２２０が半導体装置Ａ５０のアノード端子として機能する。
【0067】
本実施形態においても、第１リード１は、封止樹脂８から突出する第１端子１２０を備えている。また、第２リード２は、封止樹脂８から突出する第２端子２２０を備えている。第１端子１２０は、樹脂端面８３から突出するが、第２端子２２０は、樹脂第２側面８５から突出する。第１端子１２０と第２端子２２０との沿面距離は、第１端子１２０および第２端子２２０が同じ樹脂端面８３から突出する場合と比較して大きい。これにより、半導体装置Ａ５０は、第１端子１２０と第２端子２２０との間に高電圧が印加された場合でも、封止樹脂８の表面での放電を抑制できるので、高耐電圧化を図ることができる。また、半導体装置Ａ５０は、半導体装置Ａ１０と共通する構成により、半導体装置Ａ１０と同等の効果を奏する。
【0068】
なお、本実施形態では、第１端子１２０が搭載部１１０につながって第１リード１を構成し、第２端子２２０が第２パッド部２１０につながって第２リード２を構成している場合について説明したが、これに限られない。たとえば、第２実施形態のように、第２端子２２０が搭載部１１０につながって第１リード１を構成し、第１端子１２０が第２パッド部２１０につながって第２リード２を構成してもよい。
【0069】
〔第６実施形態〕
図１８～図２０は、本開示の第６実施形態にかかる半導体装置Ａ６０を説明するための図である。図１８は、半導体装置Ａ６０を示す斜視図であり、図１に対応する図である。図１９は、半導体装置Ａ６０を示す平面図であり、図３に対応する図である。図１９においては、理解の便宜上、封止樹脂８を透過して、封止樹脂８の外形を想像線（二点鎖線）で示している。図２０は、半導体装置Ａ６０を示す左側面図であり、図５に対応する図である。本実施形態にかかる半導体装置Ａ６０は、第２リード２の第２端子２２０および第３リード３の第３端子３２０の形状が、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０と異なる。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１～５実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
図１８～図２０は、本開示の第６実施形態にかかる半導体装置Ａ６０を説明するための図である。図１８は、半導体装置Ａ６０を示す斜視図であり、図１に対応する図である。図１９は、半導体装置Ａ６０を示す平面図であり、図３に対応する図である。図１９においては、理解の便宜上、封止樹脂８を透過して、封止樹脂８の外形を想像線（二点鎖線）で示している。図２０は、半導体装置Ａ６０を示す左側面図であり、図５に対応する図である。本実施形態にかかる半導体装置Ａ６０は、第２リード２の第２端子２２０および第３リード３の第３端子３２０の形状が、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０と異なる。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１～５実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
【0070】
本実施形態では、第２端子２２０は、第１実施形態にかかる第２端子２２０の一部がｚ方向ｚ２側に折り曲げられた形状である。具体的には、第２突出部２２１の第２パッド部２１０につながる部分付近と、第２連結部２２３の第２直行部２２２につながる部分付近とが、略９０°折り曲げられている。これにより、第２突出部２２１は、ｚ方向ｚ２側に延びて、樹脂主面８１から突出している。なお、第２端子２２０の形状は限定されない。たとえば、折り曲げる角度は、９０°より小さい角度であってもよいし、９０°より大きい角度であってもよい。第２端子２２０は、第２突出部２２１が樹脂主面８１から突出し、かつ、第２直行部２２２がｘ方向に沿って真っすぐ延びていればよい。
【0071】
また、本実施形態では、第３端子３２０も、第２端子２２０と同様であり、第１実施形態にかかる第３端子３２０の一部がｚ方向ｚ２側に折り曲げられた形状である。具体的には、第３突出部３２１の第３パッド部３１０につながる部分付近と、第３連結部３２３の第３直行部３２２につながる部分付近とが、略９０°折り曲げられている。これにより、第３突出部３２１は、ｚ方向ｚ２側に延びて、樹脂主面８１から突出している。なお、第３端子３２０の形状は限定されない。たとえば、折り曲げる角度は、９０°より小さい角度であってもよいし、９０°より大きい角度であってもよい。第３端子３２０は、第３突出部３２１が樹脂主面８１から突出し、かつ、第３直行部３２２がｘ方向に沿って真っすぐ延びていればよい。
【0072】
本実施形態によると、第１端子１２０は、樹脂端面８３から突出するが、第２端子２２０は、樹脂主面８１から突出する。第１端子１２０と第２端子２２０との沿面距離は、第１端子１２０および第２端子２２０が同じ樹脂端面８３から突出する場合と比較して大きい。これにより、半導体装置Ａ６０は、第１端子１２０と第２端子２２０との間に高電圧が印加された場合でも、封止樹脂８の表面での放電を抑制できる。また、第３端子３２０は、樹脂主面８１から突出するので、第１端子１２０と第３端子３２０との沿面距離は、第１端子１２０および第３端子３２０が同じ樹脂端面８３から突出する場合と比較して大きい。これにより、半導体装置Ａ６０は、第１端子１２０と第３端子３２０との間の電位差が大きくなった場合でも、封止樹脂８の表面での放電を抑制できる。以上のように、半導体装置Ａ６０は、高耐電圧化を図ることができる。また、半導体装置Ａ６０は、半導体装置Ａ１０と共通する構成により、半導体装置Ａ１０と同等の効果を奏する。
【0073】
なお、本実施形態においては、第２端子２２０および第３端子３２０が、樹脂主面８１から突出する場合について説明したが、これに限られない。第２端子２２０および第３端子３２０は、両方とも樹脂裏面８２から突出してもよいし、一方が樹脂主面８１から突出し、他方が樹脂裏面８２から突出してもよい。
【0074】
第１実施形態および第６実施形態から理解されるように、第２端子２２０および第３端子３２０が突出する封止樹脂８の面は限定されない。第２端子２２０および第３端子３２０の少なくとも一方が、樹脂端面８３以外の面から突出していればよい。
【0075】
〔第７実施形態〕
図２１～図２２は、本開示の第７実施形態にかかる半導体装置Ａ７０を説明するための図である。図２１は、半導体装置Ａ７０を示す斜視図であり、図１に対応する図である。図２２は、半導体装置Ａ７０を示す平面図であり、図３に対応する図である。図２２においては、理解の便宜上、封止樹脂８を透過して、封止樹脂８の外形を想像線（二点鎖線）で示している。本実施形態にかかる半導体装置Ａ７０は、第２リード２の第２端子２２０および第３リード３の第３端子３２０の形状が、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０と異なる。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１～６実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
図２１～図２２は、本開示の第７実施形態にかかる半導体装置Ａ７０を説明するための図である。図２１は、半導体装置Ａ７０を示す斜視図であり、図１に対応する図である。図２２は、半導体装置Ａ７０を示す平面図であり、図３に対応する図である。図２２においては、理解の便宜上、封止樹脂８を透過して、封止樹脂８の外形を想像線（二点鎖線）で示している。本実施形態にかかる半導体装置Ａ７０は、第２リード２の第２端子２２０および第３リード３の第３端子３２０の形状が、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０と異なる。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１～６実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
【0076】
本実施形態では、第２端子２２０は、第１実施形態にかかる第２端子２２０の一部がｚ方向ｚ２側に折り曲げられた形状である。具体的には、第２突出部２２１の第２連結部２２３につながる部分付近と、第２連結部２２３のｙ方向に延びる部分とが、略９０°折り曲げられている。本実施形態では、第６実施形態の場合より、ｙ方向ｙ１側の位置で折り曲げられている。これにより、第２突出部２２１は、樹脂第２側面８５から突出して、突出した位置よりｙ方向ｙ１側で折り曲げられている。なお、第２端子２２０の形状は限定されない。たとえば、折り曲げる角度は、９０°より小さい角度であってもよいし、９０°より大きい角度であってもよい。本実施形態では、第２端子２２０は、第１実施形態と同様に、第２突出部２２１が樹脂第２側面８５から突出し、かつ、第２直行部２２２がｘ方向に沿って真っすぐ延びている。
【0077】
また、本実施形態では、第３端子３２０も、第２端子２２０と同様であり、第１実施形態にかかる第３端子３２０の一部がｚ方向ｚ２側に折り曲げられた形状である。具体的には、第３突出部３２１の第３連結部３２３につながる部分付近と、第３連結部３２３のｙ方向に延びる部分とが、略９０°折り曲げられている。本実施形態では、第６実施形態の場合より、ｙ方向ｙ２側の位置で折り曲げられている。これにより、第３突出部３２１は、樹脂第３側面８６から突出して、突出した位置よりｙ方向ｙ２側で折り曲げられている。なお、第３端子３２０の形状は限定されない。たとえば、折り曲げる角度は、９０°より小さい角度であってもよいし、９０°より大きい角度であってもよい。本実施形態では、第３端子３２０は、第１実施形態と同様に、第３突出部３２１が樹脂第３側面８６から突出し、かつ、第３直行部３２２がｘ方向に沿って真っすぐ延びている。
【0078】
本実施形態においても、第１端子１２０は、樹脂端面８３から突出するが、第２端子２２０は、樹脂第２側面８５から突出する。第１端子１２０と第２端子２２０との沿面距離は、第１端子１２０および第２端子２２０が同じ樹脂端面８３から突出する場合と比較して大きい。これにより、半導体装置Ａ７０は、第１端子１２０と第２端子２２０との間に高電圧が印加された場合でも、封止樹脂８の表面での放電を抑制できる。また、第３端子３２０は、樹脂第３側面８６から突出するので、第１端子１２０と第３端子３２０との沿面距離は、第１端子１２０および第３端子３２０が同じ樹脂端面８３から突出する場合と比較して大きい。これにより、半導体装置Ａ７０は、第１端子１２０と第３端子３２０との間の電位差が大きくなった場合でも、封止樹脂８の表面での放電を抑制できる。以上のように、半導体装置Ａ７０は、高耐電圧化を図ることができる。また、半導体装置Ａ７０は、半導体装置Ａ１０と共通する構成により、半導体装置Ａ１０と同等の効果を奏する。さらに、第２端子２２０および第３端子３２０は、封止樹脂８から露出した後に、ｚ方向ｚ２側に折り曲げられた形状である。したがって、半導体装置Ａ７０は、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０と比較して、ｙ方向の寸法を小さくできる。
【0079】
なお、本実施形態においては、第２端子２２０および第３端子３２０が、ｚ方向ｚ２側に折り曲げられた場合について説明したが、これに限られない。第２端子２２０および第３端子３２０は、両方ともｚ方向ｚ１側に折り曲げられてもよいし、一方がｚ方向ｚ１側に折り曲げられ、他方がｚ方向ｚ２側に折り曲げられてもよい。
【0080】
〔第８実施形態〕
図２３～図２４は、本開示の第８実施形態にかかる半導体装置Ａ８０を説明するための図である。図２３は、半導体装置Ａ８０を示す斜視図であり、図１に対応する図である。図２４は、半導体装置Ａ８０を示す断面図であり、図７に対応する図である。本実施形態にかかる半導体装置Ａ８０は、第２リード２および第３リード３の形状が、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０と異なる。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１～７実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
図２３～図２４は、本開示の第８実施形態にかかる半導体装置Ａ８０を説明するための図である。図２３は、半導体装置Ａ８０を示す斜視図であり、図１に対応する図である。図２４は、半導体装置Ａ８０を示す断面図であり、図７に対応する図である。本実施形態にかかる半導体装置Ａ８０は、第２リード２および第３リード３の形状が、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０と異なる。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１～７実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
【0081】
本実施形態では、第２リード２の第２パッド部２１０は、ｚ方向において第２パッド部主面２１１が搭載部主面１１１と同じ位置になるように配置されている。そして、第２端子２２０の第２連結部２２３のｘ方向に延びる部分が、第２突出部２２１および第２直行部２２２に対して傾斜している。当該傾斜部分は、ｘ方向ｘ１側の方がよりｚ方向ｚ２側に位置する傾斜になっている。また、第３リード３の第３パッド部３１０は、ｚ方向において第３パッド部主面３１１が搭載部主面１１１と同じ位置になるように配置されている。そして、第３端子３２０の第３連結部３２３のｘ方向に延びる部分が、第３突出部３２１および第３直行部３２２に対して傾斜している。当該傾斜部分は、ｘ方向ｘ１側の方がよりｚ方向ｚ２側に位置する傾斜になっている。
【0082】
本実施形態においても、第１端子１２０は、樹脂端面８３から突出するが、第２端子２２０は、樹脂第２側面８５から突出する。第１端子１２０と第２端子２２０との沿面距離は、第１端子１２０および第２端子２２０が同じ樹脂端面８３から突出する場合と比較して大きい。これにより、半導体装置Ａ８０は、第１端子１２０と第２端子２２０との間に高電圧が印加された場合でも、封止樹脂８の表面での放電を抑制できる。また、第３端子３２０は、樹脂第３側面８６から突出するので、第１端子１２０と第３端子３２０との沿面距離は、第１端子１２０および第３端子３２０が同じ樹脂端面８３から突出する場合と比較して大きい。これにより、半導体装置Ａ８０は、第１端子１２０と第３端子３２０との間の電位差が大きくなった場合でも、封止樹脂８の表面での放電を抑制できる。以上のように、半導体装置Ａ８０は、高耐電圧化を図ることができる。また、半導体装置Ａ８０は、半導体装置Ａ１０と共通する構成により、半導体装置Ａ１０と同等の効果を奏する。さらに、半導体装置Ａ８０は、第１実施形態の場合と比較して、第２パッド部２１０および第３パッド部３１０がｚ方向ｚ１側に位置するので、ワイヤ７１，７２の高さを低減できる。
【0083】
〔第９実施形態〕
図２５は、本開示の第９実施形態にかかる半導体装置Ａ９０を説明するための図である。図２５は、半導体装置Ａ９０を示す平面図であり、図３に対応する図である。図２５においては、理解の便宜上、封止樹脂８を透過して、封止樹脂８の外形を想像線（二点鎖線）で示している。本実施形態にかかる半導体装置Ａ９０は、第３リード３の形状が、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０と異なる。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１～８実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
図２５は、本開示の第９実施形態にかかる半導体装置Ａ９０を説明するための図である。図２５は、半導体装置Ａ９０を示す平面図であり、図３に対応する図である。図２５においては、理解の便宜上、封止樹脂８を透過して、封止樹脂８の外形を想像線（二点鎖線）で示している。本実施形態にかかる半導体装置Ａ９０は、第３リード３の形状が、第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０と異なる。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１～８実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
【0084】
本実施形態では、第３リード３の第３端子３２０は、第３パッド部３１０のｘ方向ｘ１側端部のｙ方向中央部分につながっている。第３端子３２０は、ｘ方向に延びており、封止樹脂８の樹脂端面８３から突出している。第３端子３２０は、基端部３２０ａおよび先端部３２０ｂを備えている。基端部３２０ａは、第３端子３２０のうちｘ方向ｘ２側に位置する部位であり、封止樹脂８に覆われた部分と封止樹脂８から突出する部分とを含んでいる。先端部３２０ｂは、第３端子３２０のうちｘ方向ｘ１側に位置する部位であり、基端部３２０ａにつながっている。先端部３２０ｂは、全体が封止樹脂８から露出しており、幅寸法（ｙ方向の寸法）が基端部３２０ａより小さい。
【0085】
本実施形態においても、第１リード１は、封止樹脂８から突出する第１端子１２０を備えている。また、第２リード２は、封止樹脂８から突出する第２端子２２０を備えている。第１端子１２０は、樹脂端面８３から突出するが、第２端子２２０は、樹脂第２側面８５から突出する。第１端子１２０と第２端子２２０との沿面距離は、第１端子１２０および第２端子２２０が同じ樹脂端面８３から突出する場合と比較して大きい。これにより、半導体装置Ａ９０は、第１端子１２０と第２端子２２０との間に高電圧が印加された場合でも、封止樹脂８の表面での放電を抑制できる。したがって、半導体装置Ａ９０は、高耐電圧化を図ることができる。また、半導体装置Ａ９０は、半導体装置Ａ１０と共通する構成により、半導体装置Ａ１０と同等の効果を奏する。
【0086】
なお、上記第１～９実施形態では半導体素子６がトランジスタまたはダイオードである例を説明したが、これに限られない。半導体素子６の種類は限定されず、集積回路などの他の半導体素子であってもよい。また、上記第１～８実施形態では、２～４個の端子が配置された場合について説明したが、これに限られない。配置される端子の数は限定されず、半導体素子６の素子主面６１に配置された電極の数および配置に応じて、適宜設定される。
【0087】
本開示にかかる半導体装置は、先述した実施形態に限定されるものではない。本開示にかかるおよび半導体装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
【0088】
〔付記１〕
半導体素子（６）と、
前記半導体素子に導通する導電部材（５）と、
前記半導体素子を覆う封止樹脂（８）と、
を備え、
前記導電部材は、
前記半導体素子が搭載された搭載部（１１０）と、第１端子（１２０）および第２端子（２２０）とを備え、
前記封止樹脂は、
前記搭載部の厚さ方向（ｚ方向）に直交する第１方向（ｘ方向）を向き、かつ、前記第１端子が突出する樹脂第１面（８３）と、
前記樹脂第１面とは異なる方向を向き、かつ、前記第２端子が突出する樹脂第２面（８５，８１）と、
を備え、
前記第１端子は、前記第１方向に延び、
前記第２端子は、前記樹脂第２面から突出する突出部（２２１）と、前記第１方向に延びる直行部（２２２）と、前記突出部と前記直行部とにつながる連結部（２２３）と、を備える、
半導体装置。
〔付記２、第１実施形態〕
前記搭載部と前記第１端子とがつながっている、
付記１に記載の半導体装置。
〔付記３、第２～４実施形態、図１４～図１６〕
前記搭載部と前記第２端子とがつながっている、
付記１に記載の半導体装置。
〔付記４、第１～５，７実施形態〕
前記樹脂第２面は、前記厚さ方向および前記第１方向に直交する第２方向（ｙ方向）を向く、
付記１ないし３のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記５、第６実施形態、図１８～図２０〕
前記樹脂第２面は、前記厚さ方向を向く、
付記１ないし３のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記６〕
前記導電部材は、第３端子（３２０）をさらに備える、
付記１ないし５のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記７、第１～２，７実施形態〕
前記封止樹脂は、前記樹脂第２面とは反対側を向く樹脂第３面（８６，８２）をさらに備え、
前記第３端子は、前記樹脂第３面から突出する、
付記６に記載の半導体装置。
〔付記８、第３～４実施形態、図１５～図１６〕
前記第３端子は、前記樹脂第１面から突出する、
付記６に記載の半導体装置。
〔付記９、第６実施形態、図１８～図２０〕
前記第３端子は、前記樹脂第２面から突出する、
付記６に記載の半導体装置。
〔付記１０〕
前記第３端子は、前記第１方向に延びる第３直行部（３２２）を備える、
付記６ないし９のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１１、第４実施形態、図１６〕
前記導電部材は、前記第１方向に延びる部分を有する第４端子（４２０）をさらに備える、
付記６ないし１０のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１２〕
前記搭載部は、前記半導体素子が接合される搭載部主面（１１１）と、前記厚さ方向において前記搭載部主面とは反対側を向く搭載部裏面（１１２）と、を備え、
前記搭載部裏面は、前記封止樹脂から露出している、
付記１ないし１１のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１３〕
前記搭載部の前記厚さ方向の寸法は、前記第１端子の前記厚さ方向の寸法より大きい、
付記１ないし１２のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１４〕
前記半導体素子（６）は、
前記厚さ方向において互いに反対側を向く素子主面（６１）および素子裏面（６２）と、前記素子裏面に配置された第１電極（６３）と、前記素子主面に配置された第２電極（６４）と、を備え、
前記第１電極は、前記搭載部に接合されている、
付記１ないし１３のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１５〕
前記半導体素子は、前記素子主面に配置された第３電極（６５）をさらに備えている、
付記１４に記載の半導体装置。
半導体素子（６）と、
前記半導体素子に導通する導電部材（５）と、
前記半導体素子を覆う封止樹脂（８）と、
を備え、
前記導電部材は、
前記半導体素子が搭載された搭載部（１１０）と、第１端子（１２０）および第２端子（２２０）とを備え、
前記封止樹脂は、
前記搭載部の厚さ方向（ｚ方向）に直交する第１方向（ｘ方向）を向き、かつ、前記第１端子が突出する樹脂第１面（８３）と、
前記樹脂第１面とは異なる方向を向き、かつ、前記第２端子が突出する樹脂第２面（８５，８１）と、
を備え、
前記第１端子は、前記第１方向に延び、
前記第２端子は、前記樹脂第２面から突出する突出部（２２１）と、前記第１方向に延びる直行部（２２２）と、前記突出部と前記直行部とにつながる連結部（２２３）と、を備える、
半導体装置。
〔付記２、第１実施形態〕
前記搭載部と前記第１端子とがつながっている、
付記１に記載の半導体装置。
〔付記３、第２～４実施形態、図１４～図１６〕
前記搭載部と前記第２端子とがつながっている、
付記１に記載の半導体装置。
〔付記４、第１～５，７実施形態〕
前記樹脂第２面は、前記厚さ方向および前記第１方向に直交する第２方向（ｙ方向）を向く、
付記１ないし３のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記５、第６実施形態、図１８～図２０〕
前記樹脂第２面は、前記厚さ方向を向く、
付記１ないし３のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記６〕
前記導電部材は、第３端子（３２０）をさらに備える、
付記１ないし５のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記７、第１～２，７実施形態〕
前記封止樹脂は、前記樹脂第２面とは反対側を向く樹脂第３面（８６，８２）をさらに備え、
前記第３端子は、前記樹脂第３面から突出する、
付記６に記載の半導体装置。
〔付記８、第３～４実施形態、図１５～図１６〕
前記第３端子は、前記樹脂第１面から突出する、
付記６に記載の半導体装置。
〔付記９、第６実施形態、図１８～図２０〕
前記第３端子は、前記樹脂第２面から突出する、
付記６に記載の半導体装置。
〔付記１０〕
前記第３端子は、前記第１方向に延びる第３直行部（３２２）を備える、
付記６ないし９のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１１、第４実施形態、図１６〕
前記導電部材は、前記第１方向に延びる部分を有する第４端子（４２０）をさらに備える、
付記６ないし１０のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１２〕
前記搭載部は、前記半導体素子が接合される搭載部主面（１１１）と、前記厚さ方向において前記搭載部主面とは反対側を向く搭載部裏面（１１２）と、を備え、
前記搭載部裏面は、前記封止樹脂から露出している、
付記１ないし１１のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１３〕
前記搭載部の前記厚さ方向の寸法は、前記第１端子の前記厚さ方向の寸法より大きい、
付記１ないし１２のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１４〕
前記半導体素子（６）は、
前記厚さ方向において互いに反対側を向く素子主面（６１）および素子裏面（６２）と、前記素子裏面に配置された第１電極（６３）と、前記素子主面に配置された第２電極（６４）と、を備え、
前記第１電極は、前記搭載部に接合されている、
付記１ないし１３のいずれかに記載の半導体装置。
〔付記１５〕
前記半導体素子は、前記素子主面に配置された第３電極（６５）をさらに備えている、
付記１４に記載の半導体装置。
【符号の説明】
【0089】
Ａ１０～Ａ１５，Ａ２０，Ａ３０，Ａ４０，Ａ５０，Ａ６０，Ａ７０：半導体装置
５ ：導電支持部材
１ ：第１リード
１１０ ：搭載部
１１１ ：搭載部主面
１１２ ：搭載部裏面
１１３ ：搭載部貫通孔
１１４ ：搭載部端面
１２０ ：第１端子
１２１ ：第１直行部
１２１ａ ：基端部
１２１ｂ ：先端部
１２２ ：第１接続部
２ ：第２リード
２１０ ：第２パッド部
２１１ ：第２パッド部主面
２１２ ：第２パッド部裏面
２２０ ：第２端子
２２１ ：第２突出部
２２２ ：第２直行部
２２２ａ ：幅広部
２２３ ：第２連結部
２２４ ：第２接続部
３ ：第３リード
３１０ ：第３パッド部
３１１ ：第３パッド部主面
３１２ ：第３パッド部裏面
３２０ ：第３端子
３２１ ：第３突出部
３２２ ：第３直行部
３２２ａ ：幅広部
３２３ ：第３連結部
３２０ａ ：基端部
３２０ｂ ：先端部
４ ：第４リード
４１０ ：第４パッド部
４１１ ：第４パッド部主面
４２０ ：第４端子
４２０ａ ：基端部
４２０ｂ ：先端部
６ ：半導体素子
６０ ：素子本体
６１ ：素子主面
６２ ：素子裏面
６３ ：第１電極
６４ ：第２電極
６５ ：第３電極
６９ ：接合材
７１，７２，７３：ワイヤ
８ ：封止樹脂
８１ ：樹脂主面
８２ ：樹脂裏面
８３ ：樹脂端面
８４ ：樹脂第１側面
８５ ：樹脂第２側面
８６ ：樹脂第３側面
８８ ：樹脂貫通孔
５ ：導電支持部材
１ ：第１リード
１１０ ：搭載部
１１１ ：搭載部主面
１１２ ：搭載部裏面
１１３ ：搭載部貫通孔
１１４ ：搭載部端面
１２０ ：第１端子
１２１ ：第１直行部
１２１ａ ：基端部
１２１ｂ ：先端部
１２２ ：第１接続部
２ ：第２リード
２１０ ：第２パッド部
２１１ ：第２パッド部主面
２１２ ：第２パッド部裏面
２２０ ：第２端子
２２１ ：第２突出部
２２２ ：第２直行部
２２２ａ ：幅広部
２２３ ：第２連結部
２２４ ：第２接続部
３ ：第３リード
３１０ ：第３パッド部
３１１ ：第３パッド部主面
３１２ ：第３パッド部裏面
３２０ ：第３端子
３２１ ：第３突出部
３２２ ：第３直行部
３２２ａ ：幅広部
３２３ ：第３連結部
３２０ａ ：基端部
３２０ｂ ：先端部
４ ：第４リード
４１０ ：第４パッド部
４１１ ：第４パッド部主面
４２０ ：第４端子
４２０ａ ：基端部
４２０ｂ ：先端部
６ ：半導体素子
６０ ：素子本体
６１ ：素子主面
６２ ：素子裏面
６３ ：第１電極
６４ ：第２電極
６５ ：第３電極
６９ ：接合材
７１，７２，７３：ワイヤ
８ ：封止樹脂
８１ ：樹脂主面
８２ ：樹脂裏面
８３ ：樹脂端面
８４ ：樹脂第１側面
８５ ：樹脂第２側面
８６ ：樹脂第３側面
８８ ：樹脂貫通孔
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】