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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2025058878
(43)【公開日】2025-04-09
(54)【発明の名称】オニウム塩の製造方法及びオニウム塩の精製方法
(51)【国際特許分類】
C07C 213/10 20060101AFI20250402BHJP
C07C 217/08 20060101ALI20250402BHJP
C07C 51/487 20060101ALI20250402BHJP
C07C 53/10 20060101ALI20250402BHJP
C07C 53/122 20060101ALI20250402BHJP
C07C 59/125 20060101ALI20250402BHJP
C07D 233/58 20060101ALI20250402BHJP
C07D 233/60 20060101ALI20250402BHJP
【ＦＩ】
C07C213/10
C07C217/08
C07C51/487
C07C53/10
C07C53/122
C07C59/125 A
C07C59/125 E
C07D233/58
C07D233/60 103
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024093747
(22)【出願日】2024-06-10
(31)【優先権主張番号】P 2023168608
(32)【優先日】2023-09-28
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000167646
【氏名又は名称】広栄化学株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000796
【氏名又は名称】弁理士法人三枝国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】武知 義明
(72)【発明者】
【氏名】玉越 里美
【テーマコード（参考）】
4H006
【Ｆターム（参考）】
4H006AA02
4H006AB80
4H006AD16
4H006AD30
4H006BB14
4H006BB31
4H006BP10
4H006BS70
4H006BU50
(57)【要約】
【課題】カルボン酸を含まないオニウム塩、または、オニウム塩に対するセルロースの充分な溶解度が得られる程度にカルボン酸の含有量が低減されたオニウム塩の製造方法を提供する。
【解決手段】オニウム塩とカルボン酸を含む混合物から前記オニウム塩を得ることを特徴とするオニウム塩の製造方法であって、下記工程（１）及び工程（２）を含む、前記オニウム塩の製造方法。
工程（１）：オニウム塩とカルボン酸を含む混合物に、アミンを添加して、該アミンとカルボン酸とからなるアミンーカルボン酸塩を生成させる工程。
工程（２）：オニウム塩と、工程（１）で生成したアミンーカルボン酸塩を分離し、オニウム塩を得る工程。
【選択図】なし
【解決手段】オニウム塩とカルボン酸を含む混合物から前記オニウム塩を得ることを特徴とするオニウム塩の製造方法であって、下記工程（１）及び工程（２）を含む、前記オニウム塩の製造方法。
工程（１）：オニウム塩とカルボン酸を含む混合物に、アミンを添加して、該アミンとカルボン酸とからなるアミンーカルボン酸塩を生成させる工程。
工程（２）：オニウム塩と、工程（１）で生成したアミンーカルボン酸塩を分離し、オニウム塩を得る工程。
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
下記式（１）で表されるオニウム塩と下記式（３）のカルボン酸を含む混合物から式（１）で表されるオニウム塩を得ることを特徴とするオニウム塩の製造方法であって、下記工程（１）及び工程（２）を含む、式（１）で表されるオニウム塩の製造方法。
式（１）：
（式（１）中、Ａ+は、ピリジニウム、アンモニウム又はイミダゾリウムのいずれかを表し、
Ｘ-は、下記式（２）で表されるカルボン酸アニオンである。）
式（２）：
（式（２）中、Ｒ1は炭素数１～１２の炭化水素基を表し、ヘテロ原子及び／又は二重結合を含んでも良い。）
式（３）：
（式（３）中、Ｒ2は炭素数１～１２の炭化水素基を表し、ヘテロ原子及び／又は二重結合を含んでも良く、Ｒ1と同一でも良い。）
工程（１）：
式（１）で表されるオニウム塩と式（３）のカルボン酸を含む混合物に、アミンを添加して、該アミンと式（３）のカルボン酸とからなるアミンーカルボン酸塩を生成させる工程。
工程（２）：
式（１）で表されるオニウム塩と、工程（１）で生成したアミンーカルボン酸塩を分離し、式（１）で表されるオニウム塩を得る工程。
式（１）：
【化1】
Ｘ-は、下記式（２）で表されるカルボン酸アニオンである。）
式（２）：
【化2】
式（３）：
【化3】
工程（１）：
式（１）で表されるオニウム塩と式（３）のカルボン酸を含む混合物に、アミンを添加して、該アミンと式（３）のカルボン酸とからなるアミンーカルボン酸塩を生成させる工程。
工程（２）：
式（１）で表されるオニウム塩と、工程（１）で生成したアミンーカルボン酸塩を分離し、式（１）で表されるオニウム塩を得る工程。
【請求項2】
前記工程（１）で添加するアミンが、下記式（４）で表されるアミンである、請求項１に記載のオニウム塩の製造方法。
式（４）：
（式（４）中、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5は、同一でも異なっても良く、水素原子又は炭素数１～１８の炭化水素基であり、前記炭化水素基は二重結合を含んでも良く、分岐構造及び又は環構造を含んでも良い。また、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5のそれぞれに含まれる炭素数の合計は８以上である。）
式（４）：
【化4】
【請求項3】
前記式（１）で表されるオニウム塩が少なくとも２種である、請求項１に記載のオニウム塩の製造方法。
【請求項4】
前記式（１）で表されるオニウム塩と前記式（３）のカルボン酸を含む混合物が、さらに、水及び／又は親水性溶媒を含む、請求項１に記載のオニウム塩の製造方法。
【請求項5】
前記工程（１）で添加するアミンが、溶媒で希釈されたアミン溶液である、請求項１に記載のオニウム塩の製造方法。
【請求項6】
下記式（１）で表されるオニウム塩と下記式（３）のカルボン酸を含む混合物から式（３）のカルボン酸を除去することによる前記オニウム塩の精製方法であって、下記工程（１）及び工程（２）を含む、式（１）で表されるオニウム塩の精製方法。
式（１）：
（式（１）中、Ａ+は、ピリジニウム、アンモニウム又はイミダゾリウムのいずれかを表し、
Ｘ-は、下記式（２）で表されるカルボン酸アニオンである。）
式（２）：
（式（２）中、Ｒ1は炭素数１～１２の炭化水素基を表し、ヘテロ原子及び／又は二重結合を含んでも良い。）
式（３）：
（式（３）中、Ｒ2は炭素数１～１２の炭化水素基を表し、ヘテロ原子及び／又は二重結合を含んでも良く、Ｒ1と同一でも良い。）
工程（１）：
式（１）で表されるオニウム塩と式（３）のカルボン酸を含む混合物に、アミンを添加して、該アミンと式（３）のカルボン酸とからなるアミンーカルボン酸塩を生成させる工程。
工程（２）：
式（１）で表されるオニウム塩と、工程（１）で生成したアミンーカルボン酸塩を分離し、式（１）で表されるオニウム塩を得る工程。
式（１）：
【化5】
Ｘ-は、下記式（２）で表されるカルボン酸アニオンである。）
式（２）：
【化6】
式（３）：
【化7】
工程（１）：
式（１）で表されるオニウム塩と式（３）のカルボン酸を含む混合物に、アミンを添加して、該アミンと式（３）のカルボン酸とからなるアミンーカルボン酸塩を生成させる工程。
工程（２）：
式（１）で表されるオニウム塩と、工程（１）で生成したアミンーカルボン酸塩を分離し、式（１）で表されるオニウム塩を得る工程。
【請求項7】
前記工程（１）で添加するアミンが、下記式（４）で表されるアミンである、請求項６に記載のオニウム塩の精製方法。
式（４）：
（式（４）中、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5は、同一でも異なっても良く、水素原子又は炭素数１～１８の炭化水素基であり、前記炭化水素基は二重結合を含んでも良く、分岐構造及び又は環構造を含んでも良い。また、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5のそれぞれに含まれる炭素数の合計は８以上である。）
式（４）：
【化8】
【請求項8】
前記式（１）で表されるオニウム塩が少なくとも２種である、請求項６に記載のオニウム塩の精製方法。
【請求項9】
前記式（１）で表されるオニウム塩と前記式（３）のカルボン酸を含む混合物が、さらに、水及び／又は親水性溶媒を含む、請求項６に記載のオニウム塩の精製方法。
【請求項10】
前記工程（１）で添加するアミンが、溶媒で希釈されたアミン溶液である、請求項６に記載のオニウム塩の精製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、オニウム塩の製造方法及びオニウム塩の精製方法に関する。
【背景技術】
【0002】
多糖類はグリコシド結合によって単糖分子が多数重合した物質である。その中でもβ-グルコース分子から構成される多糖類のセルロースは地球上に最も多く存在するバイオマス資源であり、環境配慮型素材として、溶解や成型に関する研究が広く行われている。しかしながらセルロースは分子鎖間又は分子鎖内の強固な水素結合をもつため、一般的な溶剤では溶解させることが難しい。
【0003】
セルロースを溶解させる溶媒としてオニウム塩が提案されており、特許文献１には、セルロースを溶解する方法に、１－アルキル－３－メチルイミダゾリウム陽イオン及びアセテート陰イオンからなる溶融イオン性液体を用いることが記載されている。
【0004】
特許文献２には、四級アンモニウム炭酸塩を製造し、生成した四級アンモニウム炭酸塩を有機酸と混合して、有機酸にアニオン交換することを特徴とする四級アンモニウム有機酸塩の製造方法が記載されており、Ｎ－メチルイミダゾール、Ｎ－メチルベンズイミダゾールなどの含窒素ヘテロ環芳香族類を原料として四級アンモニウム炭酸塩を製造し、有機酸として酢酸を混合してアニオン交換する四級アンモニウム有機酸塩の製造方法が記載されている。
【0005】
特許文献３には、第４級アンモニウムアルキル炭酸塩を、カルボン酸と反応させることを特徴とする第４級アンモニウムカルボン酸塩の製造方法が記載されており、その実施例には、Ｎ，Ｎ－ジエチル－Ｎ－（２－メトキシエチル）－Ｎ－メチルアンモニウム＝メチルカーボネートとメトキシ酢酸を反応させて、Ｎ，Ｎ－ジエチル－Ｎ－（２－メトキシエチル）－Ｎ－メチルアンモニウム＝メトキシアセテートを得たことが記載されている。
【0006】
また、非特許文献１には、下記のスキームで表される１，３－ジアルキルイミダゾリウム アセテート（Ｒ1とＲ2が同一の場合）及び、１－アルキル－３－メチルイミダゾリウム アセテート、１，３－ジアルキルイミダゾリウム アセテート、１，３－ジメチルイミダゾリウム アセテート（Ｒ1がメチル基で、Ｒ1とＲ2が異なる場合）の混合物のOne-pot（ワン－ポット）合成法が記載されている。そして、イオン液体であるイミダゾリウム アセテート等を脱色チャコールカラムに通すことによって、着色不純物が除去されることが記載されている。
【化1】
【0007】
非特許文献２には、イオン液体である１－エチルー３－メチルイミダゾリウム アセテートを含む合成混合物から酢酸を分離する方法が記載されており、その分離方法として、１－エチルー３－メチルイミダゾリウム アセテートを含む混合物から揮発成分として酢酸を蒸発させる方法、１－エチルー３－メチルイミダゾリウム アセテートと混和しない溶媒によって酢酸を抽出する方法、及び、１－エチルー３－メチルイミダゾリウム アセテートを含む混合物にメタノールを加えて酢酸をエステル化して、酢酸メチルを蒸留して除去する方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0008】
【特許文献1】特表２００５－５０６４０１号公報
【特許文献2】特開昭６３－２８００４５号公報
【特許文献3】特開２０１５－８３５４５号公報
【非特許文献】
【0009】
【非特許文献1】Pure Appl. Chem., Vol.84, No.3, pp.745-754, 2012
【非特許文献2】J. Chem. Eng. Data 2013, 58, 197-202
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
先行技術文献に記載されているイオン液体であり、オニウム塩である四級アンモニウムカルボン酸塩の製造方法では、使用するカルボン酸が生成物である四級アンモニウムカルボン酸塩に含まれて残存する。残存したカルボン酸は、生成した四級アンモニウムカルボン酸塩と会合体を作り、該会合体を含む四級アンモニウムカルボン酸塩をセルロースの溶解に用いると、四級アンモニウムカルボン酸塩に対するセルロースの溶解度が低下する。
【0011】
かかる先行技術の状況において、本発明はカルボン酸を含まないオニウム塩、または、オニウム塩に対するセルロースの充分な溶解度が得られる程度にカルボン酸の含有量が低減されたオニウム塩の製造方法を提供することを課題とする。
また、本発明はオニウム塩に含まれるカルボン酸を除去する、または、オニウム塩に対するセルロースの充分な溶解度が得られる程度にカルボン酸の含有量を低減させるオニウム塩の精製方法を提供することを課題とする。
また、本発明はオニウム塩に含まれるカルボン酸を除去する、または、オニウム塩に対するセルロースの充分な溶解度が得られる程度にカルボン酸の含有量を低減させるオニウム塩の精製方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0012】
本発明者らは、カルボン酸を含まないオニウム塩、または、オニウム塩に対するセルロースの充分な溶解度が得られる程度にカルボン酸の含有量が低減されたオニウム塩の製造方法、及び、オニウム塩の精製方法について、鋭意検討し、本発明を完成するに至った。
【0013】
即ち本発明は、以下の［１］～［１０］を提供するものである。
［１］
下記式（１）で表されるオニウム塩と下記式（３）のカルボン酸を含む混合物から式（１）で表されるオニウム塩を得ることを特徴とするオニウム塩の製造方法であって、下記工程（１）及び工程（２）を含む、式（１）で表されるオニウム塩の製造方法。
式（１）：
（式（１）中、Ａ+は、ピリジニウム、アンモニウム又はイミダゾリウムのいずれかを表し、
Ｘ-は、下記式（２）で表されるカルボン酸アニオンである。）
式（２）：
（式（２）中、Ｒ1は炭素数１～１２の炭化水素基を表し、ヘテロ原子及び／又は二重結合を含んでも良い。）
式（３）：
（式（３）中、Ｒ1は前記に定義されるとおりである。）
工程（１）：
式（１）で表されるオニウム塩と式（３）のカルボン酸を含む混合物に、アミンを添加して、該アミンと式（３）のカルボン酸とからなるアミンーカルボン酸塩を生成させる工程。
工程（２）：
式（１）で表されるオニウム塩と、工程（１）で生成したアミンーカルボン酸塩を分離し、式（１）で表されるオニウム塩を得る工程。
［２］
前記工程（１）で添加するアミンが、下記式（４）で表されるアミンである、［１］に記載のオニウム塩の製造方法。
式（４）：
（式（４）中、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5は、同一でも異なっても良く、水素原子又は炭素数１～１８の炭化水素基であり、前記炭化水素基は二重結合を含んでも良く、分岐構造及び又は環構造を含んでも良い。また、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5のそれぞれに含まれる炭素数の合計は８以上である。）
［３］
前記式（１）で表されるオニウム塩が少なくとも２種である、［１］に記載のオニウム塩の製造方法。
［４］
前記式（１）で表されるオニウム塩と前記式（３）のカルボン酸を含む混合物が、さらに、水及び／又は親水性溶媒を含む、［１］に記載のオニウム塩の製造方法。
［５］
前記工程（１）で添加するアミンが、溶媒で希釈されたアミン溶液である、［１］に記載のオニウム塩の製造方法。
［６］
下記式（１）で表されるオニウム塩と下記式（３）のカルボン酸を含む混合物から式（３）のカルボン酸を除去することによる前記オニウム塩の精製方法であって、下記工程（１）及び工程（２）を含む、式（１）で表されるオニウム塩の精製方法。
式（１）：
（式（１）中、Ａ+は、ピリジニウム、アンモニウム又はイミダゾリウムのいずれかを表し、
Ｘ-は、下記式（２）で表されるカルボン酸アニオンである。）
式（２）：
（式（２）中、Ｒ1は炭素数１～１２の炭化水素基を表し、ヘテロ原子及び／又は二重結合を含んでも良い。）
式（３）：
（式（３）中、Ｒ1は前記に定義されるとおりである。）
工程（１）：
式（１）で表されるオニウム塩と式（３）のカルボン酸を含む混合物に、アミンを添加して、該アミンと式（３）のカルボン酸とからなるアミンーカルボン酸塩を生成させる工程。
工程（２）：
式（１）で表されるオニウム塩と、工程（１）で生成したアミンーカルボン酸塩を分離し、式（１）で表されるオニウム塩を得る工程。
［７］
前記工程（１）で添加するアミンが、下記式（４）で表されるアミンである、［６］に記載のオニウム塩の精製方法。
式（４）：
（式（４）中、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5は、同一でも異なっても良く、水素原子又は炭素数１～１８の炭化水素基であり、前記炭化水素基は二重結合を含んでも良く、分岐構造及び又は環構造を含んでも良い。また、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5のそれぞれに含まれる炭素数の合計は８以上である。）
［８］
前記式（１）で表されるオニウム塩が少なくとも２種である、［６］に記載のオニウム塩の精製方法。
［９］
前記式（１）で表されるオニウム塩と前記式（３）のカルボン酸を含む混合物が、さらに、水及び／又は親水性溶媒を含む、［６］に記載のオニウム塩の精製方法。
［１０］
前記工程（１）で添加するアミンが、溶媒で希釈されたアミン溶液である、［６］に記載のオニウム塩の精製方法。
［１］
下記式（１）で表されるオニウム塩と下記式（３）のカルボン酸を含む混合物から式（１）で表されるオニウム塩を得ることを特徴とするオニウム塩の製造方法であって、下記工程（１）及び工程（２）を含む、式（１）で表されるオニウム塩の製造方法。
式（１）：
【化2】
Ｘ-は、下記式（２）で表されるカルボン酸アニオンである。）
式（２）：
【化3】
式（３）：
【化4】
工程（１）：
式（１）で表されるオニウム塩と式（３）のカルボン酸を含む混合物に、アミンを添加して、該アミンと式（３）のカルボン酸とからなるアミンーカルボン酸塩を生成させる工程。
工程（２）：
式（１）で表されるオニウム塩と、工程（１）で生成したアミンーカルボン酸塩を分離し、式（１）で表されるオニウム塩を得る工程。
［２］
前記工程（１）で添加するアミンが、下記式（４）で表されるアミンである、［１］に記載のオニウム塩の製造方法。
式（４）：
【化5】
［３］
前記式（１）で表されるオニウム塩が少なくとも２種である、［１］に記載のオニウム塩の製造方法。
［４］
前記式（１）で表されるオニウム塩と前記式（３）のカルボン酸を含む混合物が、さらに、水及び／又は親水性溶媒を含む、［１］に記載のオニウム塩の製造方法。
［５］
前記工程（１）で添加するアミンが、溶媒で希釈されたアミン溶液である、［１］に記載のオニウム塩の製造方法。
［６］
下記式（１）で表されるオニウム塩と下記式（３）のカルボン酸を含む混合物から式（３）のカルボン酸を除去することによる前記オニウム塩の精製方法であって、下記工程（１）及び工程（２）を含む、式（１）で表されるオニウム塩の精製方法。
式（１）：
【化6】
Ｘ-は、下記式（２）で表されるカルボン酸アニオンである。）
式（２）：
【化7】
式（３）：
【化8】
工程（１）：
式（１）で表されるオニウム塩と式（３）のカルボン酸を含む混合物に、アミンを添加して、該アミンと式（３）のカルボン酸とからなるアミンーカルボン酸塩を生成させる工程。
工程（２）：
式（１）で表されるオニウム塩と、工程（１）で生成したアミンーカルボン酸塩を分離し、式（１）で表されるオニウム塩を得る工程。
［７］
前記工程（１）で添加するアミンが、下記式（４）で表されるアミンである、［６］に記載のオニウム塩の精製方法。
式（４）：
【化9】
［８］
前記式（１）で表されるオニウム塩が少なくとも２種である、［６］に記載のオニウム塩の精製方法。
［９］
前記式（１）で表されるオニウム塩と前記式（３）のカルボン酸を含む混合物が、さらに、水及び／又は親水性溶媒を含む、［６］に記載のオニウム塩の精製方法。
［１０］
前記工程（１）で添加するアミンが、溶媒で希釈されたアミン溶液である、［６］に記載のオニウム塩の精製方法。
【発明の効果】
【0014】
本発明によれば、カルボン酸を含まないオニウム塩、または、オニウム塩に対するセルロースの充分な溶解度が得られる程度にカルボン酸の含有量が低減されたオニウム塩の製造方法を提供できる。また、本発明によれば、オニウム塩に含まれるカルボン酸を除去する、または、オニウム塩に対するセルロースの充分な溶解度が得られる程度にカルボン酸の含有量を低減させるオニウム塩の精製方法を提供できる。
【発明を実施するための形態】
【0015】
以下、本発明を具体的に説明する。本発明の一つの実施形態は、
下記式（１）で表されるオニウム塩と下記式（３）のカルボン酸を含む混合物から式（１）で表されるオニウム塩を得ることを特徴とするオニウム塩の製造方法であって、下記工程（１）及び工程（２）を含む、式（１）で表されるオニウム塩の製造方法に係るものである。
式（１）：
（式（１）中、Ａ+は、ピリジニウム、アンモニウム又はイミダゾリウムのいずれかを表し、
Ｘ-は、下記式（２）で表されるカルボン酸アニオンである。）
式（２）：
式（２）中、Ｒ1は炭素数１～１２の炭化水素基を表し、ヘテロ原子及び／又は二重結合を含んでも良い。）
式（３）：
（式（３）中、Ｒ1は前記に定義されるとおりである。）
工程（１）：
式（１）で表されるオニウム塩と式（３）のカルボン酸を含む混合物に、アミンを添加して、該アミンと式（３）のカルボン酸とからなるアミンーカルボン酸塩を生成させる工程。
工程（２）：
式（１）で表されるオニウム塩と、工程（１）で生成したアミンーカルボン酸塩を分離し、式（１）で表されるオニウム塩を得る工程。
下記式（１）で表されるオニウム塩と下記式（３）のカルボン酸を含む混合物から式（１）で表されるオニウム塩を得ることを特徴とするオニウム塩の製造方法であって、下記工程（１）及び工程（２）を含む、式（１）で表されるオニウム塩の製造方法に係るものである。
式（１）：
【化10】
Ｘ-は、下記式（２）で表されるカルボン酸アニオンである。）
式（２）：
【化11】
式（３）：
【化12】
工程（１）：
式（１）で表されるオニウム塩と式（３）のカルボン酸を含む混合物に、アミンを添加して、該アミンと式（３）のカルボン酸とからなるアミンーカルボン酸塩を生成させる工程。
工程（２）：
式（１）で表されるオニウム塩と、工程（１）で生成したアミンーカルボン酸塩を分離し、式（１）で表されるオニウム塩を得る工程。
【0016】
前記式（１）中、Ａ+は、ピリジニウム、アンモニウム又はイミダゾリウムのいずれかを表す。
【0017】
ピリジニウムとしては、下記式（１－１）で表されるピリジニウムが挙げられる。
式（１－１）：
（式（１－１）中、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10及びＲ11は同一又は異なって、水素原子、又はヘテロ原子を含んでも良い炭化水素基を示す。Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10及びＲ11は分岐や環構造、二重結合を含んでいてもよく、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10及びＲ11の一部又は全てが、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10及びＲ11が結合している窒素原子及び炭素原子と一緒になって相互に結合して環構造を形成してもよい。）
式（１－１）：
【化13】
【0018】
式（１－１）中、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10及びＲ11は、水素原子又はヘテロ原子を含んでいても良い炭化水素基を示す。「ヘテロ原子を含んでいても良い炭化水素基」は直鎖であってもよく、分岐や環構造、二重結合を含んでいてもよい。また、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10及びＲ11において、炭化水素基はヘテロ原子を含んでいなくても良い。
【0019】
式（１－１）中、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10及びＲ11がヘテロ原子を含まない炭化水素基の場合、炭素数として好ましくは１～１２であり、より好ましくは１～８、さらに好ましくは１～３である。Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10及びＲ11がヘテロ原子を含む炭化水素基である場合、炭素数として好ましくは２～１２であり、より好ましくは２～８、さらに好ましくは２～４である。
【0020】
式（１－１）中、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10及びＲ11がヘテロ原子を含む場合、ヘテロ原子の数として好ましくは１～５個であり、より好ましくは１～２個である。炭化水素基の炭素数は２以上となり、好ましくは２～１２であり、より好ましくは２～８、さらに好ましくは２～４である。
【0021】
式（１－１）中、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10及びＲ11がヘテロ原子を含む炭化水素基である場合、「ヘテロ原子」としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等が挙げられる。また、ヘテロ原子の数として好ましくは１～５個であり、より好ましくは１～２個である。
【0022】
式（１－１）中、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10及びＲ11において、「ヘテロ原子を含む炭化水素基」は、ヘテロ原子を含まない炭化水素基の（ｉ）隣接する２個の炭素原子間の結合、及び／又は、（ｉｉ）１つの－ＣＨ2－（メチレン基）の水素原子と、他のーＣＨ2－（メチレン基）の水素原子が、－Ｏ－、－Ｎ＜、－ＮＨ－、－Ｓ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－、＝Ｎ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｎ＜、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｎ＜、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｎ［－Ｃ（＝Ｏ）－］－、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－Ｃ（＝Ｏ）－、＞Ｎ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｎ＜、＞Ｎ－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－、－ＨＮ－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－、－Ｓ（＝Ｏ）－、－Ｓ（＝Ｏ）2－、－Ｓ（＝Ｏ）2－Ｏ－、－Ｏ－Ｓ（＝Ｏ）2－Ｏ－、＞Ｎ－Ｃ（＝Ｓ）－Ｎ＜、＞Ｎ－Ｃ（＝Ｓ）－ＮＨ－、－ＨＮ－Ｃ（＝Ｓ）－ＮＨ－、－Ｃ（＝Ｎ－）－、－Ｃ（＝ＮＨ）－等の構造により置換されたものであり、これらの構造による置換の数や組み合わせは、特に限定されないが、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10及びＲ11中のヘテロ原子が１～５個が好ましく、１～２個となるものがより好ましい。
【0023】
好ましくは炭化水素基の（ｉ）隣接する２個の炭素原子間の結合、及び／又は、（ｉｉ）１つの－ＣＨ2－（メチレン基）の水素原子と、他のーＣＨ2－（メチレン基）の水素原子が、－Ｏ－又は－Ｓ－の構造により置換されているものであり、より好ましくは－Ｏ－の構造により置換されているものである。
【0024】
本発明において、炭化水素基の（ｉ）隣接する２個の炭素原子間の結合、及び／又は、（ｉｉ）１つの－ＣＨ2－（メチレン基）の水素原子と、他の－ＣＨ2－（メチレン基）の水素原子が、－Ｏ－又は－Ｓ－の構造により置換されている構造としては、エーテル構造、チオエーテル構造といった構造以外にも、たとえば、エポキシ基やチオエポキシ基、グリシジルエーテル基、エポキシシクロヘキシル基等のエポキシ構造もしくはチオエポキシ構造を形成していても良い。この場合において、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10及びＲ11がエポキシ基やチオエポキシ基等となっても良い。
【0025】
Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10及びＲ11において、－Ｏ－及び／又は－Ｓ－の構造を２個以上含む場合、－Ｏ－及び／又は－Ｓ－の構造間の炭素数は２以上であることが望ましい。
【0026】
式（１－１）中、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10及びＲ11において「ヘテロ原子を含んでいても良い炭化水素基」としては、ヘテロ原子を含んでいても良い直鎖又は分岐を有するアルキル基、ヘテロ原子を含んでいても良い直鎖又は分岐を有するアルケニル基、ヘテロ原子を含んでいても良い直鎖又は分岐を有するアルキニル基、ヘテロ原子を含んでいても良く分岐を有していても良いシクロアルキル基、ヘテロ原子を含んでいても良く分岐を有していても良いシクロアルケニル基、ヘテロ原子を含んでいても良く分岐を有していても良いアリール基、ヘテロ原子を含んでいても良く分岐を有していても良いアラルキル基等が挙げられる。好ましくはヘテロ原子を含んでいても良い直鎖又は分岐を有するアルキル基、ヘテロ原子を含んでいても良い直鎖又は分岐を有するアルケニル基、ヘテロ原子を含んでいても良く分岐を有していても良いシクロアルキル基である。
【0027】
「ヘテロ原子を含んでいても良い直鎖又は分岐を有するアルキル基」として好ましくは、ヘテロ原子を１～５個含んでいても良い炭素数1～１２の直鎖又は分岐を有するアルキル基である。別の様態として好ましくはヘテロ原子を１～２個含んでいても良い炭素数1～１２の直鎖又は分岐を有するアルキル基、より好ましくはヘテロ原子を１～２個含んでいても良い炭素数1～８の直鎖又は分岐を有するアルキル基、さらに好ましくはヘテロ原子を１～２個含んでいても良い炭素数1～４の直鎖又は分岐を有するアルキル基である。さらに別の様態として、好ましくは炭素数1～１２の直鎖又は分岐を有するアルキル基、より好ましくは炭素数1～８の直鎖又は分岐を有するアルキル基、さらに好ましくは炭素数１～３の直鎖又は分岐を有するアルキル基である。
【0028】
「ヘテロ原子を含んでいても良い直鎖又は分岐を有するアルケニル基」として好ましくは、ヘテロ原子を１～５個含んでいても良い炭素数２～１２の直鎖又は分岐を有するアルケニル基である。別の様態として好ましくはヘテロ原子を１～２個含んでいても良い炭素数２～１２の直鎖又は分岐を有するアルケニル基、より好ましくはヘテロ原子を１～２個含んでいても良い炭素数２～８の直鎖又は分岐を有するアルケニル基、さらに好ましくはヘテロ原子を１～２個含んでいても良い炭素数２～４の直鎖又は分岐を有するアルケニル基である。さらに別の様態として、好ましくは炭素数２～１２の直鎖又は分岐を有するアルケニル基、より好ましくは炭素数２～８の直鎖又は分岐を有するアルケニル基、さらに好ましくは炭素数２～３の直鎖又は分岐を有するアルケニル基である。
【0029】
「ヘテロ原子を含んでいても良く分岐を有していても良いシクロアルキル基」として好ましくは、ヘテロ原子を１～５個含んでいても良い炭素数３～１２の分岐を有していても良いシクロアルキル基である。別の様態として好ましくはヘテロ原子を１～２個含んでいても良い炭素数３～１２の分岐を有していても良いシクロアルキル基、より好ましくはヘテロ原子を１～２個含んでいても良い炭素数３～８の分岐を有していても良いシクロアルキル基、さらに好ましくはヘテロ原子を１～２個含んでいても良い炭素数３～４の分岐を有していても良いシクロアルキル基である。さらに別の様態として、好ましくは炭素数３～１２の分岐を有していても良いシクロアルキル基、より好ましくは炭素数３～８の分岐を有していても良いシクロアルキル基、さらに好ましくは炭素数３のシクロアルキル基である。
【0030】
式（１－１）中、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10及びＲ11において、「ヘテロ原子を含まない炭化水素基」としては、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、２－エチルヘキシル基、デシル基、ドデシル基、ビニル基、エチニル基、プロぺニル基、イソプロぺニル基、アリル基、プロパルギル基、ブテニル基、クロチル基、ブタジエニル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基、フェニル基、ベンジル基、トリル基、スチリル基、２，４，６－トリメチルフェニル基等が挙げられ、好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ－ブチル基である。
【0031】
式（１－１）中、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10及びＲ11において「ヘテロ原子を含む炭化水素基」としては、好ましくは３－インドリル基、ｐ－メトキシフェニル基、７－オキサビシクロ［２，２，１］ヘプタ－５－エン－２－イル基、１，２－エポキシエチル基、１－メチル－２－メトキシビニル基、２－フリル基、２－ピリジル基、４－イミダゾリル基、ベンジルオキシメチル基であり、より好ましくは１－メチル－２－メトキシビニル基、２－フリル基であるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0032】
式（１－１）中、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10及びＲ11として、好ましくは水素原子又はメチル基であり、より好ましくは水素原子である。
【0033】
式（１－１）において、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10及びＲ11の一部又は全てが、それらが結合している窒素原子や炭素原子と一緒になって相互に結合して環構造を形成してもよい。環構造とは、具体的にはＲ6及びＲ7、Ｒ7及びＲ8、Ｒ8及びＲ9、Ｒ9及びＲ10、Ｒ10及びＲ11、又はＲ6及びＲ11が結合しヘテロ原子を２～１０個含む炭素数２～２４の炭化水素によって架橋されたことにより環状となった構造が挙げられるが、特に限定されない。
【0034】
式（１－１）で表されるピリジニウムとしては、具体的には、Ｎ－メチルピリジニウム、Ｎ－メチル－２，６－ジメチルピリジニウム、Ｎ－メチル－３，５－ジメチルピリジニウム、Ｎ－メチル－４－メチルピリジニウム、Ｎ－メチル－２，６－メトキシメチルピリジニウム、Ｎ－メチル－２，６－メトキシメトキシメチルピリジニウム、Ｎ－メチル－２，６－メトキシエトキシメチルピリジニウム、Ｎ－メチル－２，６－メトキシエチルピリジニウム、Ｎ－メチル－２，６－メトキシメトキシエチルピリジニウム、Ｎ－メチル－２，６－メトキシエトキシエチルピリジニウム、Ｎ－エチルピリジニウム、Ｎ－エチル－２，６－ジメチルピリジニウム、Ｎ－エチル－３，５－ジメチルピリジニウム、Ｎ－エチル－４－メチルピリジニウム、Ｎ－エチル－２，６－メトキシメチルピリジニウム、Ｎ－エチル－２，６－メトキシメトキシメチルピリジニウム、Ｎ－エチル－２，６－メトキシエトキシメチルピリジニウム、Ｎ－エチル－２，６－メトキシエチルピリジニウム、Ｎ－エチル－２，６－メトキシメトキシエチルピリジニウム、Ｎ－エチル－２，６－メトキシエトキシエチルピリジニウム、Ｎ－（２－メトキシエチル）ピリジニウム、Ｎ－（２－メトキシエチル）ピリジニウム等が挙げられる。
【0035】
アンモニウムとしては、下記式（１－２）で表されるアンモニウムが挙げられる。
式（１－２）：
（式（１－２）中、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14及びＲ15は同一又は異なって、水素原子、又はヘテロ原子を含んでも良い炭化水素基を示す。Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14及びＲ15は分岐や環構造、二重結合を含んでいてもよく、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14及びＲ15の一部又は全てが、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14及びＲ15が結合している窒素原子及び炭素原子と一緒になって相互に結合して環構造を形成してもよい。）
式（１－２）：
【化14】
【0036】
式（１－２）中、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14及びＲ15は、水素原子又はヘテロ原子を含んでいても良い炭化水素基を示す。「ヘテロ原子を含んでいても良い炭化水素基」は直鎖であってもよく、分岐や環構造、二重結合を含んでいてもよい。また、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14及びＲ15において、炭化水素基はヘテロ原子を含んでいなくても良い。
【0037】
式（１－２）中、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14及びＲ15がヘテロ原子を含まない炭化水素基の場合、炭素数として好ましくは１～１２であり、より好ましくは１～８、さらに好ましくは１～３である。Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14及びＲ15がヘテロ原子を含む炭化水素基である場合、炭素数として好ましくは２～１２であり、より好ましくは２～８、さらに好ましくは２～４である。
【0038】
式（１－２）中、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14及びＲ15がヘテロ原子を含む場合、ヘテロ原子の数として好ましくは１～５個であり、より好ましくは１～２個である。炭化水素基の炭素数は２以上となり、好ましくは２～１２であり、より好ましくは２～８、さらに好ましくは２～４である。
【0039】
式（１－２）中、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14及びＲ15がヘテロ原子を含む炭化水素基である場合、「ヘテロ原子」としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等が挙げられる。また、ヘテロ原子の数として好ましくは１～５個であり、より好ましくは１～２個である。
【0040】
式（１－２）中、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14及びＲ15において、「ヘテロ原子を含む炭化水素基」は、ヘテロ原子を含まない炭化水素基の（ｉ）隣接する２個の炭素原子間の結合、及び／又は、（ｉｉ）１つの－ＣＨ2－（メチレン基）の水素原子と、他のーＣＨ2－（メチレン基）の水素原子が、－Ｏ－、－Ｎ＜、－ＮＨ－、－Ｓ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－、＝Ｎ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｎ＜、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｎ＜、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｎ［－Ｃ（＝Ｏ）－］－、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－Ｃ（＝Ｏ）－、＞Ｎ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｎ＜、＞Ｎ－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－、－ＨＮ－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－、－Ｓ（＝Ｏ）－、－Ｓ（＝Ｏ）2－、－Ｓ（＝Ｏ）2－Ｏ－、－Ｏ－Ｓ（＝Ｏ）2－Ｏ－、＞Ｎ－Ｃ（＝Ｓ）－Ｎ＜、＞Ｎ－Ｃ（＝Ｓ）－ＮＨ－、－ＨＮ－Ｃ（＝Ｓ）－ＮＨ－、－Ｃ（＝Ｎ－）－、－Ｃ（＝ＮＨ）－等の構造により置換されたものであり、これらの構造による置換の数や組み合わせは、特に限定されないが、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14及びＲ15中のヘテロ原子が１～５個が好ましく、１～２個となるものがより好ましい。
【0041】
好ましくは炭化水素基の（ｉ）隣接する２個の炭素原子間の結合、及び／又は、（ｉｉ）１つの－ＣＨ2－（メチレン基）の水素原子と、他の－ＣＨ2－（メチレン基）の水素原子が、－Ｏ－又は－Ｓ－の構造により置換されているものであり、より好ましくは－Ｏ－の構造により置換されているものである。
【0042】
本発明において、炭化水素基の（ｉ）隣接する２個の炭素原子間の結合、及び／又は、（ｉｉ）１つの－ＣＨ2－（メチレン基）の水素原子と、他の－ＣＨ2－（メチレン基）の水素原子が、－Ｏ－又は－Ｓ－の構造により置換されている構造としては、エーテル構造、チオエーテル構造といった構造以外にも、たとえば、エポキシ基やチオエポキシ基、グリシジルエーテル基、エポキシシクロヘキシル基等のエポキシ構造もしくはチオエポキシ構造を形成していても良い。この場合において、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14及びＲ15がエポキシ基やチオエポキシ基等となっても良い。
【0043】
Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14及びＲ15において、－Ｏ－及び／又は－Ｓ－の構造を２個以上含む場合、－Ｏ－及び／又は－Ｓ－の構造間の炭素数は２以上であることが望ましい。
【0044】
式（１－２）中、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14及びＲ15において「ヘテロ原子を含んでいても良い炭化水素基」としては、ヘテロ原子を含んでいても良い直鎖又は分岐を有するアルキル基、ヘテロ原子を含んでいても良い直鎖又は分岐を有するアルケニル基、ヘテロ原子を含んでいても良い直鎖又は分岐を有するアルキニル基、ヘテロ原子を含んでいても良く分岐を有していても良いシクロアルキル基、ヘテロ原子を含んでいても良く分岐を有していても良いシクロアルケニル基、ヘテロ原子を含んでいても良く分岐を有していても良いアリール基、ヘテロ原子を含んでいても良く分岐を有していても良いアラルキル基等が挙げられる。好ましくはヘテロ原子を含んでいても良い直鎖又は分岐を有するアルキル基、ヘテロ原子を含んでいても良い直鎖又は分岐を有するアルケニル基、ヘテロ原子を含んでいても良く分岐を有していても良いシクロアルキル基である。
【0045】
「ヘテロ原子を含んでいても良い直鎖又は分岐を有するアルキル基」として好ましくは、ヘテロ原子を１～５個含んでいても良い炭素数1～１２の直鎖又は分岐を有するアルキル基である。別の様態として好ましくはヘテロ原子を１～２個含んでいても良い炭素数１～１２の直鎖又は分岐を有するアルキル基、より好ましくはヘテロ原子を１～２個含んでいても良い炭素数１～８の直鎖又は分岐を有するアルキル基、さらに好ましくはヘテロ原子を１～２個含んでいても良い炭素数１～４の直鎖又は分岐を有するアルキル基である。さらに別の様態として、好ましくは炭素数１～１２の直鎖又は分岐を有するアルキル基、より好ましくは炭素数１～８の直鎖又は分岐を有するアルキル基、さらに好ましくは炭素数１～３の直鎖又は分岐を有するアルキル基である。
【0046】
「ヘテロ原子を含んでいても良い直鎖又は分岐を有するアルケニル基」として好ましくは、ヘテロ原子を１～５個含んでいても良い炭素数２～１２の直鎖又は分岐を有するアルケニル基である。別の様態として好ましくはヘテロ原子を１～２個含んでいても良い炭素数２～１２の直鎖又は分岐を有するアルケニル基、より好ましくはヘテロ原子を１～２個含んでいても良い炭素数２～８の直鎖又は分岐を有するアルケニル基、さらに好ましくはヘテロ原子を１～２個含んでいても良い炭素数２～４の直鎖又は分岐を有するアルケニル基である。さらに別の様態として、好ましくは炭素数２～１２の直鎖又は分岐を有するアルケニル基、より好ましくは炭素数２～８の直鎖又は分岐を有するアルケニル基、さらに好ましくは炭素数２～３の直鎖又は分岐を有するアルケニル基である。
【0047】
「ヘテロ原子を含んでいても良く分岐を有していても良いシクロアルキル基」として好ましくは、ヘテロ原子を１～５個含んでいても良い炭素数３～１２の分岐を有していても良いシクロアルキル基である。別の様態として好ましくはヘテロ原子を１～２個含んでいても良い炭素数３～１２の分岐を有していても良いシクロアルキル基、より好ましくはヘテロ原子を１～２個含んでいても良い炭素数３～８の分岐を有していても良いシクロアルキル基、さらに好ましくはヘテロ原子を１～２個含んでいても良い炭素数３～４の分岐を有していても良いシクロアルキル基である。さらに別の様態として、好ましくは炭素数３～１２の分岐を有していても良いシクロアルキル基、より好ましくは炭素数３～８の分岐を有していても良いシクロアルキル基、さらに好ましくは炭素数３のシクロアルキル基である。
【0048】
式（１－２）中、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14及びＲ15において、「ヘテロ原子を含まない炭化水素基」としては、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、２－エチルヘキシル基、デシル基、ドデシル基、ビニル基、エチニル基、プロぺニル基、イソプロぺニル基、アリル基、プロパルギル基、ブテニル基、クロチル基、ブタジエニル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基、フェニル基、ベンジル基、トリル基、スチリル基、２，４，６－トリメチルフェニル基等が挙げられ、好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ－ブチル基である。
【0049】
式（１－２）中、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14及びＲ15において「ヘテロ原子を含む炭化水素基」としては、好ましくは３－インドリル基、ｐ－メトキシフェニル基、７－オキサビシクロ［２，２，１］ヘプタ－５－エン－２－イル基、１，２－エポキシエチル基、１－メチル－２－メトキシビニル基、２－フリル基、２－ピリジル基、４－イミダゾリル基、ベンジルオキシメチル基であり、より好ましくは１－メチル－２－メトキシビニル基、２－フリル基であるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0050】
式（１－２）中、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14及びＲ15として、好ましくは水素原子又はメチル基であり、より好ましくは水素原子である。
【0051】
式（１－２）において、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14及びＲ15の一部又は全てが、それらが結合している窒素原子や炭素原子と一緒になって相互に結合して環構造を形成してもよい。環構造とは、具体的にはＲ12及びＲ13、Ｒ13及びＲ14、Ｒ14及びＲ15、又はＲ12及びＲ15が結合しヘテロ原子を２～１０個含む炭素数２～２４の炭化水素によって架橋されたことにより環状となった構造が挙げられるが、特に限定されない。
【0052】
式（１－２）で表されるアンモニウムとしては、具体的には、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラプロピルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、テトラペンチルアンモニウム、テトラヘキシルアンモニウム、テトラヘプチルアンモニウム、テトラオクチルアンモニウム、テトラノニルアンモニウム、テトラ（デシル）アンモニウム、Ｎ－エチル－Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリメチルアンモニウム、Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリメチル－Ｎ－プロピルアンモニウム、Ｎ－ブチル－Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリメチルアンモニウム、Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリエチル－Ｎ－デシルアンモニウム、Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリエチル－Ｎ－エイコシルアンモニウム、Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリブチル－Ｎ－ペンチルアンモニウム、Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリブチル－Ｎ－ヘキシルアンモニウム、Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリブチル－Ｎ－ヘプチルアンモニウム、Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリブチル－Ｎ－オクチルアンモニウム、Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリブチル－Ｎ－ノニルアンモニウム、Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリブチル－Ｎ－デシルアンモニウム、Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリブチル－Ｎ－エイコシルアンモニウム、Ｎ，Ｎ－ジエチル－Ｎ－メチル－Ｎ－プロピルアンモニウム、Ｎ－ブチル－Ｎ，Ｎ－ジエチル－Ｎ－メチルアンモニウム、Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリメチル－Ｎ－（２－メトキシエチル）アンモニウム、Ｎ，Ｎ－ジエチル－Ｎ－（２－メトキシエチル）－Ｎ－メチルアンモニウム、Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリエチル－Ｎ－（２－エトキシエチル）アンモニウム、Ｎ，Ｎ－ジエチル－Ｎ－プロピル－Ｎ－（２－エトキシエチル）アンモニウム、Ｎ－エチル－Ｎ－［２－（２－メトキシエトキシ）エチル］－Ｎ，Ｎ－ジメチルアンモニウム、Ｎ，Ｎ－ジエチル－Ｎ－［２－（２－メトキシエトキシ）エチル］－Ｎ－メチルアンモニウム、Ｎ，Ｎ－ジ（２－メトキシエチル）－Ｎ，Ｎ－ジメチルアンモニウム、Ｎ，Ｎ－ジ（２－エトキシエチル）－Ｎ，Ｎ－ジメチルアンモニウム、Ｎ－［２－（２－メトキシエトキシ）エチル］－Ｎ－（２－メトキシエチル）－Ｎ，Ｎ－ジメチルアンモニウム、Ｎ－（２－エトキシエチル）－Ｎ－［２－（２－メトキシエトキシ）エチル］－Ｎ，Ｎ－ジメチルアンモニウム等が挙げられる。
【0053】
イミダゾリウムとしては、下記式（１－３）で表されるイミダゾリウムが挙げられる。式（１－３）：
（式（１－３）中、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18、Ｒ19及びＲ20は同一又は異なって、水素原子、又はヘテロ原子を含んでも良い炭化水素基を示す。Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18、Ｒ19及びＲ20は分岐や環構造、二重結合を含んでいてもよく、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18、Ｒ19及びＲ20の一部又は全てが、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18、Ｒ19及びＲ20が結合している窒素原子及び炭素原子と一緒になって相互に結合して環構造を形成してもよい。）
【化15】
【0054】
式（１－３）中、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18、Ｒ19及びＲ20は、水素原子又はヘテロ原子を含んでいても良い炭化水素基を示す。「ヘテロ原子を含んでいても良い炭化水素基」は直鎖であってもよく、分岐や環構造、二重結合を含んでいてもよい。また、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18、Ｒ19及びＲ20において、炭化水素基はヘテロ原子を含んでいなくても良い。
【0055】
式（１－３）中、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18、Ｒ19及びＲ20がヘテロ原子を含まない炭化水素基の場合、炭素数として好ましくは１～１２であり、より好ましくは１～８、さらに好ましくは１～３である。Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18、Ｒ19及びＲ20がヘテロ原子を含む炭化水素基である場合、炭素数として好ましくは２～１２であり、より好ましくは２～８、さらに好ましくは２～４である。
【0056】
式（１－３）中、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18、Ｒ19及びＲ20がヘテロ原子を含む場合、ヘテロ原子の数として好ましくは１～５個であり、より好ましくは１～２個である。炭化水素基の炭素数は２以上となり、好ましくは２～１２であり、より好ましくは２～８、さらに好ましくは２～４である。
【0057】
式（１－３）中、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18、Ｒ19及びＲ20がヘテロ原子を含む炭化水素基である場合、「ヘテロ原子」としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等が挙げられる。また、ヘテロ原子の数として好ましくは１～５個であり、より好ましくは１～２個である。
【0058】
式（１－３）中、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18、Ｒ19及びＲ20において、「ヘテロ原子を含む炭化水素基」は、ヘテロ原子を含まない炭化水素基の（ｉ）隣接する２個の炭素原子間の結合、及び／又は、（ｉｉ）１つの－ＣＨ2－（メチレン基）の水素原子と、他のーＣＨ2－（メチレン基）の水素原子が、－Ｏ－、－Ｎ＜、－ＮＨ－、－Ｓ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－、＝Ｎ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｎ＜、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｎ＜、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｎ［－Ｃ（＝Ｏ）－］－、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－Ｃ（＝Ｏ）－、＞Ｎ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｎ＜、＞Ｎ－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－、－ＨＮ－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－、－Ｓ（＝Ｏ）－、－Ｓ（＝Ｏ）2－、－Ｓ（＝Ｏ）2－Ｏ－、－Ｏ－Ｓ（＝Ｏ）2－Ｏ－、＞Ｎ－Ｃ（＝Ｓ）－Ｎ＜、＞Ｎ－Ｃ（＝Ｓ）－ＮＨ－、－ＨＮ－Ｃ（＝Ｓ）－ＮＨ－、－Ｃ（＝Ｎ－）－、－Ｃ（＝ＮＨ）－等の構造により置換されたものであり、これらの構造による置換の数や組み合わせは、特に限定されないが、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18、Ｒ19及びＲ20中のヘテロ原子が１～５個が好ましく、１～２個となるものがより好ましい。
【0059】
好ましくは炭化水素基の（ｉ）隣接する２個の炭素原子間の結合、及び／又は、（ｉｉ）１つの－ＣＨ2－（メチレン基）の水素原子と、他のーＣＨ2－（メチレン基）の水素原子が、－Ｏ－又は－Ｓ－の構造により置換されているものであり、より好ましくは－Ｏ－の構造により置換されているものである。
【0060】
本発明において、炭化水素基の（ｉ）隣接する２個の炭素原子間の結合、及び／又は、（ｉｉ）１つの－ＣＨ2－（メチレン基）の水素原子と、他の－ＣＨ2－（メチレン基）の水素原子が、－Ｏ－又は－Ｓ－の構造により置換されている構造としては、エーテル構造、チオエーテル構造といった構造以外にも、たとえば、エポキシ基やチオエポキシ基、グリシジルエーテル基、エポキシシクロヘキシル基等のエポキシ構造もしくはチオエポキシ構造を形成していても良い。この場合において、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18、Ｒ19及びＲ20がエポキシ基やチオエポキシ基等となっても良い。
【0061】
Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18、Ｒ19及びＲ20において、－Ｏ－及び／又は－Ｓ－の構造を２個以上含む場合、－Ｏ－及び／又は－Ｓ－の構造間の炭素数は２以上であることが望ましい。
【0062】
式（１－３）中、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18、Ｒ19及びＲ20において「ヘテロ原子を含んでいても良い炭化水素基」としては、ヘテロ原子を含んでいても良い直鎖又は分岐を有するアルキル基、ヘテロ原子を含んでいても良い直鎖又は分岐を有するアルケニル基、ヘテロ原子を含んでいても良い直鎖又は分岐を有するアルキニル基、ヘテロ原子を含んでいても良く分岐を有していても良いシクロアルキル基、ヘテロ原子を含んでいても良く分岐を有していても良いシクロアルケニル基、ヘテロ原子を含んでいても良く分岐を有していても良いアリール基、ヘテロ原子を含んでいても良く分岐を有していても良いアラルキル基等が挙げられる。好ましくはヘテロ原子を含んでいても良い直鎖又は分岐を有するアルキル基、ヘテロ原子を含んでいても良い直鎖又は分岐を有するアルケニル基、ヘテロ原子を含んでいても良く分岐を有していても良いシクロアルキル基である。
【0063】
「ヘテロ原子を含んでいても良い直鎖又は分岐を有するアルキル基」として好ましくは、ヘテロ原子を１～５個含んでいても良い炭素数1～１２の直鎖又は分岐を有するアルキル基である。別の様態として好ましくはヘテロ原子を１～２個含んでいても良い炭素数１～１２の直鎖又は分岐を有するアルキル基、より好ましくはヘテロ原子を１～２個含んでいても良い炭素数１～８の直鎖又は分岐を有するアルキル基、さらに好ましくはヘテロ原子を１～２個含んでいても良い炭素数１～４の直鎖又は分岐を有するアルキル基である。さらに別の様態として、好ましくは炭素数１～１２の直鎖又は分岐を有するアルキル基、より好ましくは炭素数１～８の直鎖又は分岐を有するアルキル基、さらに好ましくは炭素数１～３の直鎖又は分岐を有するアルキル基である。
【0064】
「ヘテロ原子を含んでいても良い直鎖又は分岐を有するアルケニル基」として好ましくは、ヘテロ原子を１～５個含んでいても良い炭素数２～１２の直鎖又は分岐を有するアルケニル基である。別の様態として好ましくはヘテロ原子を１～２個含んでいても良い炭素数２～１２の直鎖又は分岐を有するアルケニル基、より好ましくはヘテロ原子を１～２個含んでいても良い炭素数２～８の直鎖又は分岐を有するアルケニル基、さらに好ましくはヘテロ原子を１～２個含んでいても良い炭素数２～４の直鎖又は分岐を有するアルケニル基である。さらに別の様態として、好ましくは炭素数２～１２の直鎖又は分岐を有するアルケニル基、より好ましくは炭素数２～８の直鎖又は分岐を有するアルケニル基、さらに好ましくは炭素数２～３の直鎖又は分岐を有するアルケニル基である。
【0065】
「ヘテロ原子を含んでいても良く分岐を有していても良いシクロアルキル基」として好ましくは、ヘテロ原子を１～５個含んでいても良い炭素数３～１２の分岐を有していても良いシクロアルキル基である。別の様態として好ましくはヘテロ原子を１～２個含んでいても良い炭素数３～１２の分岐を有していても良いシクロアルキル基、より好ましくはヘテロ原子を１～２個含んでいても良い炭素数３～８の分岐を有していても良いシクロアルキル基、さらに好ましくはヘテロ原子を１～２個含んでいても良い炭素数３～４の分岐を有していても良いシクロアルキル基である。さらに別の様態として、好ましくは炭素数３～１２の分岐を有していても良いシクロアルキル基、より好ましくは炭素数３～８の分岐を有していても良いシクロアルキル基、さらに好ましくは炭素数３のシクロアルキル基である。
【0066】
式（１－３）中、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18、Ｒ19及びＲ20において、「ヘテロ原子を含まない炭化水素基」としては、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、２－エチルヘキシル基、デシル基、ドデシル基、ビニル基、エチニル基、プロぺニル基、イソプロぺニル基、アリル基、プロパルギル基、ブテニル基、クロチル基、ブタジエニル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基、フェニル基、ベンジル基、トリル基、スチリル基、２，４，６－トリメチルフェニル基等が挙げられ、好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ－ブチル基である。
【0067】
式（１－３）中、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18、Ｒ19及びＲ20において「ヘテロ原子を含む炭化水素基」としては、好ましくは３－インドリル基、ｐ－メトキシフェニル基、７－オキサビシクロ［２，２，１］ヘプタ－５－エン－２－イル基、１，２－エポキシエチル基、１－メチル－２－メトキシビニル基、２－フリル基、２－ピリジル基、４－イミダゾリル基、ベンジルオキシメチル基であり、より好ましくは１－メチル－２－メトキシビニル基、２－フリル基であるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0068】
式（１－３）中、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18、Ｒ19及びＲ20として、好ましくは水素原子又はメチル基であり、より好ましくは水素原子である。
【0069】
式（１－３）において、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18、Ｒ19及びＲ20の一部又は全てが、それらが結合している窒素原子や炭素原子と一緒になって相互に結合して環構造を形成してもよい。環構造とは、具体的にはＲ16及びＲ17、Ｒ17及びＲ18、Ｒ18及びＲ19、Ｒ19及びＲ20、又はＲ16及びＲ20が結合しヘテロ原子を２～１０個含む炭素数２～２４の炭化水素によって架橋されたことにより環状となった構造が挙げられるが、特に限定されない。
【0070】
式（１－３）で表され、ヘテロ原子を含まない炭化水素基を有するイミダゾリウムとしては、具体的には、１，３－ジメチルイミダゾリウム、１－エチル－３－メチルイミダゾリウム、１－メチル－３－プロピルイミダゾリウム、１－ブチル－３－メチルイミダゾリウム、１－メチル－３－ペンチルイミダゾリウム、１－ヘキシル－３－メチルイミダゾリウム、１－ヘプチル－３－メチルイミダゾリウム、１－メチル－３－オクチルイミダゾリウム、１－メチル－３－ノニルイミダゾリウム、１－デシル－３－メチルイミダゾリウム、１－アリル－３－メチルイミダゾリウム、１－アリル－３－エチルイミダゾリウム、１,３－ビスアリルイミダゾリウム等が挙げられ、好ましくは、１－エチル－３－メチルイミダゾリウム、１－ブチル－３－メチルイミダゾリウムであるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0071】
式（１－３）で表され、ヘテロ原子を含む炭化水素基を有するイミダゾリウムとしては、具体的には、１，３－ビス（２－メトキシエチル）イミダゾリウム、１，３－ビス（２－エトキシエチル）イミダゾリウム、１，３－ビス（２－プロポキシエチル）イミダゾリウム、１，３－ビス（２－イソプロポキシエチル）イミダゾリウム、１，３－ビス（２－フェノキシエチル）イミダゾリウム、１，３－ビス（２－ベンジルオキシエチル）イミダゾリウム、１，３－ビス［２－（p-メトキシベンジルオキシ）エチル］イミダゾリウム、１，３－ビス［２－（２－メトキシエトキシメトキシ）エチル］イミダゾリウム、１，３－ビス［2－（２－ベンジルオキシエトキシ）エチル］イミダゾリウム、１，３－ビス（３－メトキシプロピル）イミダゾリウム、１，３－ビス（３－エトキシプロピル）イミダゾリウム、１，３－ビス（３－プロポキシプロピル）イミダゾリウム、１，３－ビス（３－イソプロポキシプロピル）イミダゾリウム、１，３－ビス（３－アリルオキシプロピル）イミダゾリウム、１，３－ビス（３－ブトキシプロピル）イミダゾリウム、１，３－ビス［３－（１－メチルプロポキシ）プロピル］イミダゾリウム、１，３－ビス［３－（２－メチルプロポキシ）プロピル］イミダゾリウム、１，３－ビス［３－（１，１－ジメチルエトキシ）プロピル］イミダゾリウム、１，３－ビス［（オキソラン－２－イル）メチル］イミダゾリウム、１，３－ビス（３－ペンチルオキシプロピル）イミダゾリウム、１，３－ビス（３－ネオペンチルオキシプロピル）イミダゾリウム、１，３－ビス（３－ヘキシルオキシプロピル）イミダゾリウム、１，３－ビス（３－シクロヘキシルオキシプロピル）イミダゾリウム、１，３－ビス（３－ヘプチルオキシプロピル）イミダゾリウム、１，３－ビス（３－オクチルオキシプロピル）イミダゾリウム、１，３－ビス（３－ノニルオキシプロピル）イミダゾリウム、１，３－ビス｛３－［（２－エチルヘキサン－１－イル）オキシ］プロピル｝イミダゾリウム、１，３－ビス［３－（２，４，６－トリメチルフェノキシ）プロピル］イミダゾリウム、１，３－ビス［３－（２－メトキシエトキシ）プロピル］イミダゾリウム、１，３－ビス［２－（ジメチルアミノ）エチル］イミダゾリウム、１，３－ビス［３－（ジメチルアミノ）プロピル］イミダゾリウム、１，３－ビス（２－メチルチオエチル）イミダゾリウム、１，３－ビス｛２－［（フラン－２－イル）メチルチオ］エチル］イミダゾリウム、１，３－ビス［２－（フラン－２－イル）メチル］イミダゾリウム、１，３－ビス［１－（メトキシメチル）プロピル］イミダゾリウム、１，３－ビス（４－メトキシブチル）イミダゾリウム、１，３－ビス（４－エトキシブチル）イミダゾリウム、１，３－ビス（４－プロポキシブチル）イミダゾリウム、１，３－ビス（４－イソプロポキシブチル）イミダゾリウム、１，３－ビス（４－アリルオキシブチル）イミダゾリウム、１，３－ビス（４－ブトキシブチル）イミダゾリウム、１，３－ビス［４－（１－メチルプロポキシ）ブチル］イミダゾリウム、１，３－ビス［４－（２－メチルプロポキシ）ブチル］イミダゾリウム、１，３－ビス［４－（１，１－ジメチルエトキシ）ブチル］イミダゾリウム、１，３－ビス（４－ペンチルオキシブチル）イミダゾリウム、１，３－ビス（４－ネオペンチルオキシブチル）イミダゾリウム、１，３－ビス（４－ヘキシルオキシブチル）イミダゾリウム、１，３－ビス（４－シクロヘキシルオキシブチル）イミダゾリウム、１，３－ビス（４－ヘプチルオキシブチル）イミダゾリウム、１，３－ビス（４－オクチルオキシブチル）イミダゾリウム、１，３－ビス｛４－［（２－エチルヘキサン－１－イル）オキシ］ブチル｝イミダゾリウム、１，３－ビス（５－メトキシペンチル）イミダゾリウム、１，３－ビス（５－エトキシペンチル）イミダゾリウム、１，３－ビス（５－プロポキシペンチル）イミダゾリウム、１，３－ビス（５－イソプロポキシペンチル）イミダゾリウム、１，３－ビス（５－アリルオキシペンチル）イミダゾリウム、１，３－ビス（５－ブトキシペンチル）イミダゾリウム、１，３－ビス［５－（１－メチルプロポキシ）ペンチル］イミダゾリウム、１，３－ビス［５－（２－メチルプロポキシ）ペンチル］イミダゾリウム、１，３－ビス［５－（１，１－ジメチルエトキシ）ペンチル］イミダゾリウム、１，３－ビス（５－ペンチルオキシペンチル）イミダゾリウム、１，３－ビス（５－ネオペンチルオキシペンチル）イミダゾリウム、１，３－ビス（５－ヘキシルオキシペンチル）イミダゾリウム、１，３－ビス（５－シクロヘキシルオキシペンチル）イミダゾリウム、１，３－ビス（５－ヘプチルオキシペンチル）イミダゾリウム、１，３－ビス（６－メトキシヘキシル）イミダゾリウム、１，３－ビス（６－エトキシヘキシル）イミダゾリウム、１，３－ビス（６－プロポキシヘキシル）イミダゾリウム、１，３－ビス（６－イソプロポキシヘキシル）イミダゾリウム、１，３－ビス（６－アリルオキシヘキシル）イミダゾリウム、１，３－ビス（６－ブトキシヘキシル）イミダゾリウム、１，３－ビス［６－（１－メチルプロポキシ）ヘキシル］イミダゾリウム、１，３－ビス［６－（２－メチルプロポキシ）ヘキシル］イミダゾリウム、１，３－ビス［６－（１，１－ジメチルエトキシ）ヘキシル］イミダゾリウム、１，３－ビス（６－ペンチルオキシヘキシル）イミダゾリウム、１，３－ビス（６－ネオペンチルオキシヘキシル）イミダゾリウム、１，３－ビス（６－ヘキシルオキシヘキシル）イミダゾリウム、１，３－ビス（６－シクロヘキシルオキシヘキシル）イミダゾリウム、１，３－ビス［（２－メトキシシクロヘキサン－１－イル）メチル］イミダゾリウム、１，３－ビス［（２－エトキシシクロヘキサン－１－イル）メチル］イミダゾリウム、１，３－ビス［（２－プロポキシシクロヘキサン－１－イル）メチル］イミダゾリウム、１，３－ビス［（２－イソプロポキシシクロヘキサン－１－イル）メチル］イミダゾリウム、１，３－ビス［（２－ブトキシシクロヘキサン－１－イル）メチル］イミダゾリウム、１，３－ビス｛［２－（１－メチルプロポキシ）シクロヘキサン－１－イル］メチル｝イミダゾリウム、１，３－ビス｛［２－（２－メチルプロポキシ）シクロヘキサン－１－イル］メチル｝イミダゾリウム、１，３－ビス｛［２－（１，１－ジメチルエトキシ）シクロヘキサン－１－イル］メチル｝イミダゾリウム、１，３－ビス［（２－ペンチルオキシシクロヘキサン－１－イル）メチル］イミダゾリウム、１，３－ビス［（２－ネオペンチルオキシシクロヘキサン－１－イル）メチル］イミダゾリウム、１，３－ビス（３－メチルチオプロピル）イミダゾリウム、１，３－ビス［２－（メチルスルホニル）エチル］イミダゾリウム、１，３－ビス［（チオフェン－２－イル）メチル］イミダゾリウム、１，３－ビス（ｐ－メトキシフェニル）イミダゾリウム、１，３－ビス（ｐ－エトキシフェニル）イミダゾリウム、１，３－ビス（３，４－メチレンジオキシフェニル）イミダゾリウム、１，３－ビス（３，４－メチレンジオキシベンジル）イミダゾリウム、１，３－ビス｛（７－オキサビシクロ［２，２，１］ヘプタン－２－イル）メチル｝イミダゾリウム、１－メトキシプロピル－３－メチルチオプロピルイミダゾリウム、１，３－ビス（３－メトキシプロピル）－２－メチルイミダゾリウム、１，３－ビス（２－メトキシエチル）－２－メチルイミダゾリウム等が挙げられ、好ましくは１，３－ビス（３－メトキシプロピル）イミダゾリウム、１，３－ビス（３－エトキシプロピル）イミダゾリウム、１，３－ビス（３－プロポキシプロピル）イミダゾリウム、１，３－ビス（３－イソプロポキシプロピル）イミダゾリウム、１，３－ビス（３－アリルオキシプロピル）イミダゾリウム、１，３－ビス（３－ブトキシプロピル）イミダゾリウム、１，３－ビス［３－（１－メチルプロポキシ）プロピル］イミダゾリウム、１，３－ビス［３－（２－メチルプロポキシ）プロピル］イミダゾリウム、１，３－ビス［３－（１，１－ジメチルエトキシ）プロピル］イミダゾリウム、１，３－ビス［（オキソラン－２－イル）メチル］イミダゾリウム、１，３－ビス［３－（２－メトキシエトキシ）プロピル］イミダゾリウム、１，３－ビス（３－メチルチオプロピル）イミダゾリウム、１－メトキシプロピル－３－メチルチオプロピルイミダゾリウム、１，３－ビス（３－メトキシプロピル）－２－メチルイミダゾリウム、１，３－ビス（２－メトキシエチル）－２－メチルイミダゾリウムであり、より好ましくは１，３－ビス（３－メトキシプロピル）イミダゾリウム、１，３－ビス（３－エトキシプロピル）イミダゾリウム、１－メトキシプロピル－３－メチルチオプロピルイミダゾリウム、１，３－ビス［３－（２－メトキシエトキシ）プロピル］イミダゾリウム、１，３－ビス（２－メトキシエチル）－２－メチルイミダゾリウム、１，３－ビス（３－メトキシプロピル）－２－メチルイミダゾリウムであるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0072】
式（１）中、Ｘ-は、下記式（２）で表されるカルボン酸アニオンである。
式（２）：
（式（２）中、Ｒ1は炭素数１～１２の炭化水素基を表し、ヘテロ原子及び／又は二重結合を含んでも良い。）
式（２）：
【化16】
【0073】
式（２）中、Ｒ1はヘテロ原子を含んでいても良い炭化水素基を示す。「ヘテロ原子を含んでいても良い炭化水素基」は直鎖であってもよく、分岐や環構造、二重結合を含んでいてもよい。また、Ｒ1において、炭化水素基はヘテロ原子を含んでいなくても良い。
【0074】
式（２）中、Ｒ1がヘテロ原子を含まない炭化水素基の場合、炭素数として好ましくは１～１２であり、より好ましくは１～８、さらに好ましくは１～３である。Ｒ1がヘテロ原子を含む炭化水素基である場合、炭素数として好ましくは２～１２であり、より好ましくは２～８、さらに好ましくは２～４である。
【0075】
式（２）中、Ｒ1がヘテロ原子を含む場合、ヘテロ原子の数として好ましくは１～５個であり、より好ましくは１～２個である。炭化水素基の炭素数は２以上となり、好ましくは２～１２であり、より好ましくは２～８、さらに好ましくは２～４である。
【0076】
式（２）中、Ｒ1がヘテロ原子を含む炭化水素基である場合、「ヘテロ原子」としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等が挙げられる。また、ヘテロ原子の数として好ましくは１～５個であり、より好ましくは１～２個である。
【0077】
式（２）中、Ｒ1において、「ヘテロ原子を含む炭化水素基」は、ヘテロ原子を含まない炭化水素基の（ｉ）隣接する２個の炭素原子間の結合、及び／又は、（ｉｉ）１つの－ＣＨ2－（メチレン基）の水素原子と、他のーＣＨ2－（メチレン基）の水素原子が、－Ｏ－、－Ｎ＜、－ＮＨ－、－Ｓ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－、＝Ｎ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｎ＜、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｎ＜、－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｎ［－Ｃ（＝Ｏ）－］－、－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－Ｃ（＝Ｏ）－、＞Ｎ－Ｃ（＝Ｏ）－Ｎ＜、＞Ｎ－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－、－ＨＮ－Ｃ（＝Ｏ）－ＮＨ－、－Ｓ（＝Ｏ）－、－Ｓ（＝Ｏ）2－、－Ｓ（＝Ｏ）2－Ｏ－、－Ｏ－Ｓ（＝Ｏ）2－Ｏ－、＞Ｎ－Ｃ（＝Ｓ）－Ｎ＜、＞Ｎ－Ｃ（＝Ｓ）－ＮＨ－、－ＨＮ－Ｃ（＝Ｓ）－ＮＨ－、－Ｃ（＝Ｎ－）－、－Ｃ（＝ＮＨ）－等の構造により置換されたものであり、これらの構造による置換の数や組み合わせは、特に限定されないが、Ｒ1中のヘテロ原子が１～５個が好ましく、１～２個となるものがより好ましい。
【0078】
好ましくは炭化水素基の（ｉ）隣接する２個の炭素原子間の結合、及び／又は、（ｉｉ）１つの－ＣＨ2－（メチレン基）の水素原子と、他のーＣＨ2－（メチレン基）の水素原子が、－Ｏ－又は－Ｓ－の構造により置換されているものであり、より好ましくは－Ｏ－の構造により置換されているものである。
【0079】
本発明において、炭化水素基の（ｉ）隣接する２個の炭素原子間の結合、及び／又は、（ｉｉ）１つの－ＣＨ2－（メチレン基）の水素原子と、他の－ＣＨ2－（メチレン基）の水素原子が、－Ｏ－又は－Ｓ－の構造により置換されている構造としては、エーテル構造、チオエーテル構造といった構造以外にも、たとえば、エポキシ基やチオエポキシ基、グリシジルエーテル基、エポキシシクロヘキシル基等のエポキシ構造もしくはチオエポキシ構造を形成していても良い。この場合において、Ｒ1がエポキシ基やチオエポキシ基等となっても良い。
【0080】
Ｒ1において、－Ｏ－及び／又は－Ｓ－の構造を２個以上含む場合、－Ｏ－及び／又は－Ｓ－の構造間の炭素数は２以上であることが望ましい。
【0081】
式（２）中、Ｒ1において「ヘテロ原子を含んでいても良い炭化水素基」としては、ヘテロ原子を含んでいても良い直鎖又は分岐を有するアルキル基、ヘテロ原子を含んでいても良い直鎖又は分岐を有するアルケニル基、ヘテロ原子を含んでいても良い直鎖又は分岐を有するアルキニル基、ヘテロ原子を含んでいても良く分岐を有していても良いシクロアルキル基、ヘテロ原子を含んでいても良く分岐を有していても良いシクロアルケニル基、ヘテロ原子を含んでいても良く分岐を有していても良いアリール基、ヘテロ原子を含んでいても良く分岐を有していても良いアラルキル基等が挙げられる。好ましくはヘテロ原子を含んでいても良い直鎖又は分岐を有するアルキル基、ヘテロ原子を含んでいても良い直鎖又は分岐を有するアルケニル基、ヘテロ原子を含んでいても良く分岐を有していても良いシクロアルキル基である。
【0082】
「ヘテロ原子を含んでいても良い直鎖又は分岐を有するアルキル基」として好ましくは、ヘテロ原子を１～５個含んでいても良い炭素数1～１２の直鎖又は分岐を有するアルキル基である。別の様態として好ましくはヘテロ原子を１～２個含んでいても良い炭素数１～１２の直鎖又は分岐を有するアルキル基、より好ましくはヘテロ原子を１～２個含んでいても良い炭素数１～８の直鎖又は分岐を有するアルキル基、さらに好ましくはヘテロ原子を１～２個含んでいても良い炭素数１～４の直鎖又は分岐を有するアルキル基である。さらに別の様態として、好ましくは炭素数１～１２の直鎖又は分岐を有するアルキル基、より好ましくは炭素数１～８の直鎖又は分岐を有するアルキル基、さらに好ましくは炭素数１～３の直鎖又は分岐を有するアルキル基である。
【0083】
「ヘテロ原子を含んでいても良い直鎖又は分岐を有するアルケニル基」として好ましくは、ヘテロ原子を１～５個含んでいても良い炭素数２～１２の直鎖又は分岐を有するアルケニル基である。別の様態として好ましくはヘテロ原子を１～２個含んでいても良い炭素数２～１２の直鎖又は分岐を有するアルケニル基、より好ましくはヘテロ原子を１～２個含んでいても良い炭素数２～８の直鎖又は分岐を有するアルケニル基、さらに好ましくはヘテロ原子を１～２個含んでいても良い炭素数２～４の直鎖又は分岐を有するアルケニル基である。さらに別の様態として、好ましくは炭素数２～１２の直鎖又は分岐を有するアルケニル基、より好ましくは炭素数２～８の直鎖又は分岐を有するアルケニル基、さらに好ましくは炭素数２～３の直鎖又は分岐を有するアルケニル基である。
【0084】
「ヘテロ原子を含んでいても良く分岐を有していても良いシクロアルキル基」として好ましくは、ヘテロ原子を１～５個含んでいても良い炭素数３～１２の分岐を有していても良いシクロアルキル基である。別の様態として好ましくはヘテロ原子を１～２個含んでいても良い炭素数３～１２の分岐を有していても良いシクロアルキル基、より好ましくはヘテロ原子を１～２個含んでいても良い炭素数３～８の分岐を有していても良いシクロアルキル基、さらに好ましくはヘテロ原子を１～２個含んでいても良い炭素数３～４の分岐を有していても良いシクロアルキル基である。さらに別の様態として、好ましくは炭素数３～１２の分岐を有していても良いシクロアルキル基、より好ましくは炭素数３～８の分岐を有していても良いシクロアルキル基、さらに好ましくは炭素数３のシクロアルキル基である。
【0085】
式（２）中、Ｒ1において、「ヘテロ原子を含まない炭化水素基」としては、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、２－エチルヘキシル基、デシル基、ドデシル基、ビニル基、エチニル基、プロぺニル基、イソプロぺニル基、アリル基、プロパルギル基、ブテニル基、クロチル基、ブタジエニル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基、フェニル基、ベンジル基、トリル基、スチリル基、２，４，６－トリメチルフェニル基等が挙げられ、好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ－ブチル基である。
【0086】
式（２）中、Ｒ1において「ヘテロ原子を含む炭化水素基」としては、好ましくは３－インドリル基、ｐ－メトキシフェニル基、７－オキサビシクロ［２，２，１］ヘプタ－５－エン－２－イル基、１，２－エポキシエチル基、１－メチル－２－メトキシビニル基、２－フリル基、２－ピリジル基、４－イミダゾリル基、ベンジルオキシメチル基であり、より好ましくは１－メチル－２－メトキシビニル基、２－フリル基であるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0087】
式（２）中、Ｒ1として、好ましくはメチル基、エチル基、メトキシメチル基、メトキシエチル基である。
【0088】
式（２）で表されるカルボン酸アニオンとしては、具体的には、酢酸イオン、プロピオン酸イオン、アクリル酸イオン、プロパルギル酸イオン、酪酸イオン、イソ酪酸イオン、メタクリル酸イオン、クロトン酸イオン、テトロル酸イオン、シクロプロパンカルボン酸イオン、吉草酸イオン、イソ吉草酸イオン、ピバル酸イオン、アンゲリカ酸イオン、チグリン酸イオン、シクロブタンカルボン酸イオン、カプロン酸イオン、シクロペンタンカルボン酸イオン、エナント酸イオン、ソルビン酸イオン、シクロヘキサンカルボン酸イオン、安息香酸イオン、カプリル酸イオン、２－エチルへキシルカルボン酸イオン、トルイル酸イオン、２－ノルボルナンカルボン酸イオン、ペラルゴン酸イオン、桂皮酸イオン、カプリン酸イオン、アダマンタンカルボン酸イオン、ゲラン酸イオン、ウンデシル酸イオン、ラウリン酸イオン、ナフタレンカルボン酸イオン、等が挙げられ、好ましくは酢酸イオン、プロピオン酸イオン、アクリル酸イオン、プロパルギル酸イオン、酪酸イオン、イソ酪酸イオン、メタクリル酸イオン、クロトン酸イオン、テトロル酸イオン、吉草酸イオン、イソ吉草酸イオン、ピバル酸イオン、メトキシ酢酸イオン、エトキシ酢酸イオン、プロポキシ酢酸イオン、（２－メトキシエトキシ）酢酸イオン、（２－エトキシエトキシ）酢酸イオン、（２－プロポキシエトキシ）酢酸イオン、３－（２－メトキシエトキシ）プロパン酸イオン、３－（２－エトキシエトキシ）プロパン酸イオン、３－（２－プロポキシエトキシ）プロパン酸イオン、３－（３－メトキシプロポキシ）プロパン酸イオン、３－（３－エトキシプロポキシ）プロパン酸イオン、３－（３－プロポキシプロポキシ）プロパン酸イオン、３－［２－（２－メトキシエトキシ）エトキシ］プロパン酸イオン、３－［２－（２－エトキシエトキシ）エトキシ］プロパン酸イオン、４，７，１０，１３－テトラオキサテトラデカン酸イオン、４，７，１０，１３－テトラオキサペンタデカン酸イオン、４，７，１０，１３、１６－ペンタオキサヘプタデカン酸イオン、４，７，１０，１３、１６－ペンタオキサオクタデカン酸イオン、（メチルチオ）酢酸イオン、（エチルチオ）酢酸イオン、３－（メチルチオ）プロパン酸イオン、３－［（２－メトキシエチル）チオ］プロパン酸イオン、３－［（２－エトキシエチル）チオ］プロパン酸イオン等が挙げられ、好ましくはメトキシ酢酸イオン、３－（２－メトキシエトキシ）プロパン酸イオン、３－（２－エトキシエトキシ）プロパン酸イオン、３－［２－（２－メトキシエトキシ）エトキシ］プロパン酸イオン、３－［２－（２－エトキシエトキシ）エトキシ］プロパン酸イオン、４，７，１０，１３－テトラオキサテトラデカン酸イオンであり、特に好ましくはメトキシ酢酸イオン、３－（２－メトキシエトキシ）プロパン酸イオン、３－（２－エトキシエトキシ）プロパン酸イオン、３－（メチルチオ）プロパン酸イオンであり、特に好ましくは酢酸イオン、メトキシ酢酸イオン、アクリル酸イオン又はメタクリル酸イオンであるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0089】
本発明で用いられるカルボン酸は、式（３）で表されるカルボン酸である。
式（３）：
（式（３）中、Ｒ1は前記に定義されるとおりである。）
式（３）：
【化17】
【0090】
式（３）中のＲ1は、式（２）中のＲ1と同じである。
【0091】
式（３）で表されるカルボン酸としては、具体的には、酢酸、プロピオン酸、アクリル酸、プロパルギル酸、酪酸、イソ酪酸、メタクリル酸、クロトン酸、テトロル酸、シクロプロパンカルボン酸、吉草酸、イソ吉草酸、ピバル酸、アンゲリカ酸、チグリン酸、シクロブタンカルボン酸、カプロン酸、シクロペンタンカルボン酸、エナント酸、ソルビン酸、シクロヘキサンカルボン酸、安息香酸、カプリル酸、２－エチルへキシルカルボン酸、トルイル酸、２－ノルボルナンカルボン酸、ペラルゴン酸、桂皮酸、カプリン酸、アダマンタンカルボン酸、ゲラン酸、ウンデシル酸、ラウリン酸、ナフタレンカルボン酸等が挙げられ、好ましくは酢酸、プロピオン酸、アクリル酸、プロパルギル酸、酪酸、イソ酪酸、メタクリル酸、クロトン酸、テトロル酸、吉草酸、イソ吉草酸、ピバル酸、メトキシ酢酸、エトキシ酢酸、プロポキシ酢酸、（２－メトキシエトキシ）酢酸、（２－エトキシエトキシ）酢酸、（２－プロポキシエトキシ）酢酸、３－（２－メトキシエトキシ）プロパン酸、３－（２－エトキシエトキシ）プロパン酸、３－（２－プロポキシエトキシ）プロパン酸、３－（３－メトキシプロポキシ）プロパン酸、３－（３－エトキシプロポキシ）プロパン酸、３－（３－プロポキシプロポキシ）プロパン酸、３－［２－（２－メトキシエトキシ）エトキシ］プロパン酸、３－［２－（２－エトキシエトキシ）エトキシ］プロパン酸、４，７，１０，１３－テトラオキサテトラデカン酸、４，７，１０，１３－テトラオキサペンタデカン酸、４，７，１０，１３、１６－ペンタオキサヘプタデカン酸、４，７，１０，１３、１６－ペンタオキサオクタデカン酸、（メチルチオ）酢酸、（エチルチオ）酢酸、３－（メチルチオ）プロパン酸、３－［（２－メトキシエチル）チオ］プロパン酸、３－［（２－エトキシエチル）チオ］プロパン酸等が挙げられ、好ましくはメトキシ酢酸、３－（２－メトキシエトキシ）プロパン酸、３－（２－エトキシエトキシ）プロパン酸、３－［２－（２－メトキシエトキシ）エトキシ］プロパン酸、３－［２－（２－エトキシエトキシ）エトキシ］プロパン酸、４，７，１０，１３－テトラオキサテトラデカン酸であり、特に好ましくはメトキシ酢酸、３－（２－メトキシエトキシ）プロパン酸、３－（２－エトキシエトキシ）プロパン酸、３－（メチルチオ）プロパン酸であり、特に好ましくは酢酸、メトキシ酢酸、アクリル酸又はメタクリル酸であるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0092】
式（１）で表されるピリジニウム塩として好ましくは、Ｎ－メチルピリジニウム、Ｎ－メチル－２，６－ジメチルピリジニウム、Ｎ－メチル－３，５－ジメチルピリジニウム、Ｎ－メチル－４－メチルピリジニウム、Ｎ－メチル－２，６－メトキシメチルピリジニウム、Ｎ－メチル－２，６－メトキシメトキシメチルピリジニウム、Ｎ－メチル－２，６－メトキシエトキシメチルピリジニウム、Ｎ－メチル－２，６－メトキシエチルピリジニウム、Ｎ－メチル－２，６－メトキシメトキシエチルピリジニウム、Ｎ－メチル－２，６－メトキシエトキシエチルピリジニウム、Ｎ－エチルピリジニウム、Ｎ－エチル－２，６－ジメチルピリジニウム、Ｎ－エチル－３，５－ジメチルピリジニウム、Ｎ－エチル－４－メチルピリジニウム、Ｎ－エチル－２，６－メトキシメチルピリジニウム、Ｎ－エチル－２，６－メトキシメトキシメチルピリジニウム、Ｎ－エチル－２，６－メトキシエトキシメチルピリジニウム、Ｎ－エチル－２，６－メトキシエチルピリジニウム、Ｎ－エチル－２，６－メトキシメトキシエチルピリジニウム、Ｎ－エチル－２，６－メトキシエトキシエチルピリジニウム、Ｎ－（２－メトキシエチル）ピリジニウム、Ｎ－（２－メトキシエチル）ピリジニウムからなる群より選択される１つのカチオンと、酢酸イオン、メトキシ酢酸イオン、アクリル酸イオン、メタクリル酸イオンからなる群より選択される１つのアニオンとの組み合わせから構成されるピリジニウム塩である。
【0093】
式（１）で表されるピリジニウム塩として、より具体的には、Ｎ－メチルピリジニウムアセテート、Ｎ－メチル－２，６－ジメチルピリジニウムアセテート、Ｎ－メチル－３，５－ジメチルピリジニウムアセテート、Ｎ－メチル－４－メチルピリジニウムアセテート、Ｎ－（２－メトキシエチル）ピリジニウム、Ｎ－（２－メトキシエチル）ピリジニウム等が挙げられ、好ましくはＮ－（２－メトキシエチル）ピリジニウムアセテート、Ｎ－（２－メトキシエチル）ピリジニウムアセテートであるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0094】
式（１）で表されるアンモニウム塩として好ましくは、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラプロピルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、テトラペンチルアンモニウム、テトラヘキシルアンモニウム、テトラヘプチルアンモニウム、テトラオクチルアンモニウム、テトラノニルアンモニウム、テトラ（デシル）アンモニウム、Ｎ－エチル－Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリメチルアンモニウム、Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリメチル－Ｎ－プロピルアンモニウム、Ｎ－ブチル－Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリメチルアンモニウム、Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリエチル－Ｎ－デシルアンモニウム、Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリエチル－Ｎ－エイコシルアンモニウム、Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリブチル－Ｎ－ペンチルアンモニウム、Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリブチル－Ｎ－ヘキシルアンモニウム、Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリブチル－Ｎ－ヘプチルアンモニウム、Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリブチル－Ｎ－オクチルアンモニウム、Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリブチル－Ｎ－ノニルアンモニウム、Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリブチル－Ｎ－デシルアンモニウム、Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリブチル－Ｎ－エイコシルアンモニウム、Ｎ，Ｎ－ジエチル－Ｎ－メチル－Ｎ－プロピルアンモニウム、Ｎ－ブチル－Ｎ，Ｎ－ジエチル－Ｎ－メチルアンモニウム、Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリメチル－Ｎ－（２－メトキシエチル）アンモニウム、Ｎ，Ｎ－ジエチル－Ｎ－（２－メトキシエチル）－Ｎ－メチルアンモニウム、Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリエチル－Ｎ－（２－エトキシエチル）アンモニウム、Ｎ，Ｎ－ジエチル－Ｎ－プロピル－Ｎ－（２－エトキシエチル）アンモニウム、Ｎ－エチル－Ｎ－［２－（２－メトキシエトキシ）エチル］－Ｎ，Ｎ－ジメチルアンモニウム、Ｎ，Ｎ－ジエチル－Ｎ－［２－（２－メトキシエトキシ）エチル］－Ｎ－メチルアンモニウム、Ｎ，Ｎ－ジ（２－メトキシエチル）－Ｎ，Ｎ－ジメチルアンモニウム、Ｎ，Ｎ－ジ（２－エトキシエチル）－Ｎ，Ｎ－ジメチルアンモニウム、Ｎ－［２－（２－メトキシエトキシ）エチル］－Ｎ－（２－メトキシエチル）－Ｎ，Ｎ－ジメチルアンモニウム、Ｎ－（２－エトキシエチル）－Ｎ－［２－（２－メトキシエトキシ）エチル］－Ｎ，Ｎ－ジメチルアンモニウム、からなる群より選択される１つのカチオンと、酢酸イオン、メトキシ酢酸イオン、アクリル酸イオン、メタクリル酸イオンからなる群より選択される１つのアニオンとの組み合わせから構成されるアンモニウム塩である。
【0095】
式（１）で表されるアンモニウム塩として、より具体的には、Ｎ，Ｎ－ジエチル－Ｎ－（２－メトキシエチル）－Ｎ－メチルアンモニウム、Ｎ－エチル－Ｎ－［２－（２－メトキシエトキシ）エチル］－Ｎ，Ｎ－ジメチルアンモニウムが挙げられ、好ましくはＮ－エチル－Ｎ－［２－（２－メトキシエトキシ）エチル］－Ｎ，Ｎ－ジメチルアンモニウムメトキシアセテートであるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0096】
式（１）で表されるイミダゾリウム塩として好ましくは、１，３－ビス（２－メトキシエチル）イミダゾリウム、１，３－ビス（３－メトキシプロピル）イミダゾリウム、１，３－ビス（３－エトキシプロピル）イミダゾリウム、１，３－ビス（３－メチルチオプロピル）イミダゾリウム、１，３－ビス［３－（２－メトキシエトキシ）プロピル］イミダゾリウム、１－メトキシプロピル－３－メチルチオプロピルイミダゾリウム、１，３－ビス（２－メトキシエチル）－２－メチルイミダゾリウム、１，３－ビス（３－メトキシプロピル）－２－メチルイミダゾリウムからなる群より選択される１つのカチオンと、酢酸イオン、メトキシ酢酸イオン、アクリル酸イオン、メタクリル酸イオンからなる群より選択される１つのアニオンとの組み合わせから構成されるオニウム塩である。
【0097】
式（１）で表されるオニウム塩として、より具体的には、１，３－ビス（２－メトキシエチル）イミダゾリウムアセテート、１，３－ビス（３－メトキシプロピル）イミダゾリウムアセテート、１，３－ビス（３－メトキシプロピル）イミダゾリウムアクリレート、１，３－ビス（３－メトキシプロピル）イミダゾリウムメタクリレート、１，３－ビス（３－エトキシプロピル）イミダゾリウムアセテート、１－メトキシプロピル－３－メチルチオプロピルイミダゾリウムアセテート、１，３－ビス（３－メチルチオプロピル）イミダゾリウムアセテート、１，３－ビス（２－メトキシエチル）－２－メチルイミダゾリウムアセテート、１，３－ビス（２－メトキシエチル）－２－メチルイミダゾリウムアクリレート、１，３－ビス（２－メトキシエチル）－２－メチルイミダゾリウムメタクリレート、１，３－ビス（３－メトキシプロピル）－２－メチルイミダゾリウムアセテート、１，３－ビス（３－メトキシプロピル）－２－メチルイミダゾリウムアクリレート、１，３－ビス（３－メトキシプロピル）－２－メチルイミダゾリウムメタクリレート、１，３－ビス［３－（２－メトキシエトキシ）プロピル］イミダゾリウムアセテート、１，３－ビス［３－（２－メトキシエトキシ）プロピル］イミダゾリウムアクリレート、１，３－ビス［３－（２－メトキシエトキシ）プロピル］イミダゾリウムメタクリレート等が挙げられ、好ましくは１，３－ビス（３－メトキシプロピル）イミダゾリウムアセテート、１，３－ビス（３－メトキシプロピル）イミダゾリウムアクリレート、１，３－ビス（３－メトキシプロピル）イミダゾリウムメタクリレートであるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0098】
式（１）で表されるオニウム塩と式（３）のカルボン酸の混合物は、例えば、下記の反応式（１）でオニウム塩を製造する場合に、オニウム塩とカルボン酸を含む混合物が得られ、下記の反応式において、カルボン酸が残存する。
下記の反応式（１）でオニウム塩を製造することについて説明する。なお、当該反応式（１）中、Ａ+は前述と同じピリジニウム、アンモニウム又はイミダゾリウムのいずれかを表し、Ｙ-はハロゲンイオン、ＯＨ-はヒドロキシイオン、Ｒ1は前記に定義されるとおりであり、Ｒ1－Ｃ（＝Ｏ）ＯＨはカルボン酸であり、Ｒ1－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-はカルボン酸アニオンである。
下記の反応式（１）でオニウム塩を製造することについて説明する。なお、当該反応式（１）中、Ａ+は前述と同じピリジニウム、アンモニウム又はイミダゾリウムのいずれかを表し、Ｙ-はハロゲンイオン、ＯＨ-はヒドロキシイオン、Ｒ1は前記に定義されるとおりであり、Ｒ1－Ｃ（＝Ｏ）ＯＨはカルボン酸であり、Ｒ1－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ-はカルボン酸アニオンである。
【0099】
反応式１：
【化18】
【0100】
本発明の式（１）で表されるオニウム塩は、通常、Ａ+Ｙ-で表されるオニウムハライド塩をイオン交換樹脂、酸化銀、アルカリ金属塩等を用いてイオン交換すること（第１イオン交換と称する）によりオニウムヒドロキシド塩とした後、得られたヒドロキシド塩のヒドロキシドイオンとカルボン酸のカルボン酸アニオンをイオン交換させること（第２イオン交換と称する）によりオニウムカルボン酸塩とすることができる。
【0101】
上記の反応式において用いられるオニウムハライド塩としては、前述のＡ+であるピリジニウム、アンモニウム又はイミダゾリウムにＹ-で表されるクロロイオン、ブロモイオン、ヨードイオン等のハロゲンイオンを組み合わせた化合物が挙げられる。
【0102】
第１イオン交換に用いられるイオン交換樹脂としては、例えば、水処理用又は触媒用として市販されている強塩基性イオン交換樹脂が使用できる。当該イオン交換樹脂の使用量は、ハライド塩１当量に対して、通常、２０当量以下、好ましくは１～１０当量であり、特に好ましくは２～５当量である。
【0103】
第１イオン交換に用いられる酸化銀の使用量は、ハライド塩１当量に対して、通常、１０当量以下、好ましくは０．５～２当量であり、特に好ましくは０．５～０．７当量である。
【0104】
第１イオン交換に用いられるアルカリ金属塩としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等が挙げられる。当該アルカリ金属塩の使用量は、ハライド塩１当量に対して、通常、３当量以下である。
【0105】
第１イオン交換は、通常、溶媒中で行われる。溶媒としては、アセトン、メタノール、エタノール、２－プロパノール等のアルコール類、アセトニトリル、酢酸エチル、水等が挙げられる。溶媒の使用量は特に制限はないが、ハライド塩１重量部に対して、通常、１０重量部以下、好ましくは１～１０重量部であり、特に好ましくは２～６重量部である。
【0106】
第１イオン交換の反応温度は、通常、１０℃以上、好ましくは１０～６０℃、特に好ましくは１０～３０℃である。
【0107】
第１イオン交換で得られる反応混合物は、通常、そのままヒドロキシドイオンとカルボン酸アニオンとの第２イオン交換に用いるか、又は不溶物をろ過により除去した後に第２イオン交換に用いる。
【0108】
第１イオン交換で得られるヒドロキシ塩としては、前述のＡ+であるピリジニウム、アンモニウム又はイミダゾリウムにＯＨ-を組み合わせた化合物が挙げられる。
【0109】
次に第２イオン交換について説明する。第２イオン交換で用いられるカルボン酸の使用量は、ヒドロキシド塩１当量に対して、通常、１当量以上、好ましくは１～２当量、特に好ましくは１．１～１．５当量である。
【0110】
第２イオン交換は、通常、溶媒中で行われる。溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、メタノール、エタノール、２－プロパノール等のアルコール類、アセトニトリル、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアルデヒド、水等が挙げられる。溶媒の使用量は特に制限はないが、ヒドロキシド塩１重量部に対して、通常、１０重量部以下、好ましくは１～１０重量部であり、特に好ましくは１～６重量部である。
【0111】
第２イオン交換の反応温度は、通常、１０℃以上、好ましくは１０～６０℃、特に好ましくは１０～３０℃である。
【0112】
第２イオン交換により、オニウム塩と第２イオン交換に使用したカルボン酸を含む混合物が得られ、当該混合物にはカルボン酸が残存する。
第２イオン交換により、得られた反応混合物を加熱及び／又は減圧して濃縮することにより、第２イオン交換に使用したカルボン酸を留去することができるが、留去し切れないカルボン酸が混合物に残存する。
また、第２イオン交換により、得られたオニウム塩が結晶化するものである場合は、再結晶により精製することができるが、得られたオニウム塩の結晶にカルボン酸が残存することがある。
第２イオン交換により、得られた反応混合物を加熱及び／又は減圧して濃縮することにより、第２イオン交換に使用したカルボン酸を留去することができるが、留去し切れないカルボン酸が混合物に残存する。
また、第２イオン交換により、得られたオニウム塩が結晶化するものである場合は、再結晶により精製することができるが、得られたオニウム塩の結晶にカルボン酸が残存することがある。
【0113】
また、式（１）で表されるアンモニウム塩とカルボン酸の混合物は、例えば、特許文献３に記載の方法でアンモニウム塩を製造する場合に、アンモニウム塩とカルボン酸を含む混合物が得られ、カルボン酸が残存する。
【0114】
特許文献３に記載のアンモニウム塩の製造方法について説明する。特許文献３に記載のアンモニウム塩の製造方法は、まず、炭酸ジアルキルと第３級アミンから第４級アンモニウムアルキル炭酸塩を製造し、次に、第４級アンモニウムアルキル炭酸塩から第４級アンモニウムカルボン酸塩を製造する方法である。
【0115】
炭酸ジアルキルと第３級アミンから第４級アンモニウムアルキル炭酸塩を製造する方法について説明する。
炭酸ジアルキルとして、具体的には、炭酸ジメチル、炭酸ジエチル、炭酸ジプロピル、炭酸ジブチル、炭酸ジペンチル、炭酸ジヘキシル等が挙げられ、好ましくは炭酸ジメチル及び炭酸ジエチルである。
炭酸ジアルキルとして、具体的には、炭酸ジメチル、炭酸ジエチル、炭酸ジプロピル、炭酸ジブチル、炭酸ジペンチル、炭酸ジヘキシル等が挙げられ、好ましくは炭酸ジメチル及び炭酸ジエチルである。
【0116】
第３級アミンとして、具体的には、トリメチルアミン、トリエチルアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチル－Ｎ－（メトキシメチル）アミン、Ｎ－（２－メトキシエチル）－Ｎ，Ｎ－ジメチルアミン、Ｎ，Ｎ－ジエチル－Ｎ－（メトキシメチル）アミン、Ｎ，Ｎ－ジエチル－Ｎ－（２－メトキシエチル）アミンが挙げられ、好ましくはＮ，Ｎ－ジエチル－Ｎ－（２－メトキシエチル）アミンである。
【0117】
第４級アンモニウムアルキル炭酸塩として、具体的には、テトラメチルアンモニウムメチルカーボネート、トリエチルメチルアンモニウムメチルカーボネート、Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリメチル－Ｎ－（メトキシメチル）アンモニウムメチルカーボネート、Ｎ－（２－メトキシエチル）－Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリメチルアンモニウムメチルカーボネート、Ｎ，Ｎ－ジエチル－Ｎ－（メトキシメチル）－Ｎ－メチルアンモニウムメチルカーボネート、Ｎ，Ｎ－ジエチル－Ｎ－（２－メトキシエチル）－Ｎ－メチルアンモニウムメチルカーボネート等が挙げられ、好ましくはＮ，Ｎ－ジエチル－Ｎ－（２－メトキシエチル）－Ｎ－メチルアンモニウムメチルカーボネートである。
【0118】
炭酸ジアルキルの使用量は、第３級アミン１当量に対して、通常、０．５当量以上、好ましくは１．０～６．０当量である。
【0119】
第４級アンモニウムアルキル炭酸塩を製造する反応では、溶媒を使用してもしなくてもよい。溶媒を使用する場合、使用する溶媒は反応に影響を与えないものであれば特に制限されない。溶媒の具体例としては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール等が挙げられ、好ましくは、メタノールおよびエタノールである。
溶媒の使用量は、第３級アミン１重量部に対して、通常、５０重量部以下、好ましくは１０重量部以下である。
溶媒の使用量は、第３級アミン１重量部に対して、通常、５０重量部以下、好ましくは１０重量部以下である。
【0120】
第４級アンモニウムアルキル炭酸塩を製造する反応における反応温度は、使用する原料、溶媒等によって最適な温度が異なるが、通常、室温以上であり、好ましくは２０～２００℃である。
【0121】
第４級アンモニウムアルキル炭酸塩を製造する反応における反応圧力は、第４級アンモニウムアルキル炭酸塩中に多量の副生成物を残存させないという観点から、通常、１ＭＰａ以上であり、好ましくは１～５ＭＰａ、より好ましくは１～２ＭＰａである。
【0122】
第４級アンモニウムアルキル炭酸塩を製造する反応において、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウム等の反応に影響を与えない不活性ガス雰囲気下で反応させてもよい。
【0123】
第４級アンモニウムアルキル炭酸塩を製造する反応において、反応終了後は、反応液を濃縮して、溶媒、炭酸ジアルキル、第３級アミン等を留去して、第４級アンモニウムアルキル炭酸塩を単離することができる。また、第４級アンモニウムアルキル炭酸塩を単離せずに、当該反応液をそのまま第４級アンモニウムカルボン酸塩の製造に用いることもできる。
【0124】
第４級アンモニウムアルキル炭酸塩から第４級アンモニウムカルボン酸塩を製造する方法について説明する。
第４級アンモニウムカルボン酸塩は、第４級アンモニウムアルキル炭酸塩とカルボン酸を反応させて、第４級アンモニウムアルキル炭酸塩のアルキル炭酸アニオンとカルボン酸のカルボン酸アニオンをアニオン交換して製造される。
カルボン酸として、具体的には、酢酸、メトキシ酢酸、エトキシ酢酸、プロピオン酸、３－（２－メトキシエトキシ）プロピオン酸、３－（２－エトキシエトキシ）プロピオン酸等が挙げられ、好ましくは酢酸、メトキシ酢酸、プロピオン酸、３－（２－メトキシエトキシ）プロピオン酸である。
第４級アンモニウムカルボン酸塩は、第４級アンモニウムアルキル炭酸塩とカルボン酸を反応させて、第４級アンモニウムアルキル炭酸塩のアルキル炭酸アニオンとカルボン酸のカルボン酸アニオンをアニオン交換して製造される。
カルボン酸として、具体的には、酢酸、メトキシ酢酸、エトキシ酢酸、プロピオン酸、３－（２－メトキシエトキシ）プロピオン酸、３－（２－エトキシエトキシ）プロピオン酸等が挙げられ、好ましくは酢酸、メトキシ酢酸、プロピオン酸、３－（２－メトキシエトキシ）プロピオン酸である。
【0125】
第４級アンモニウムカルボン酸塩として、具体的には、テトラメチルアンモニウムアセテート、テトラメチルアンモニウムプロピオネート、テトラメチルアンモニウムメトキシアセテート、トリエチルメチルアンモニウムアセテート、トリエチルメチルアンモニウムプロピオネート、トリエチルメチルアンモニウムメトキシアセテート、Ｎ，Ｎ－ジエチル－Ｎ－（メトキシメチル）－Ｎ－メチルアンモニウムアセテート、Ｎ，Ｎ－ジエチル－Ｎ－（メトキシメチル）－Ｎ－メチルアンモニウムプロピオネート、Ｎ，Ｎ－ジエチル－Ｎ－（メトキシメチル）－Ｎ－メチルアンモニウムメトキシアセテート、Ｎ，Ｎ－ジエチル－Ｎ－（２－メトキシエチル）－Ｎ－メチルアンモニウムアセテート、Ｎ，Ｎ－ジエチル－Ｎ－（２－メトキシエチル）－Ｎ－メチルアンモニウムプロピオネート、Ｎ，Ｎ－ジエチル－Ｎ－（２－メトキシエチル）－Ｎ－メチルアンモニウムメトキシアセテート等が挙げられ、好ましくは、Ｎ，Ｎ－ジエチル－Ｎ－（２－メトキシエチル）－Ｎ－メチルアンモニウムアセテートである。
【0126】
第４級アンモニウムアルキル炭酸塩とカルボン酸のアニオン交換反応では、溶媒を使用してもしなくてもよい。溶媒を使用する場合、使用する溶媒は反応に影響を与えないものであれば特に制限されない。溶媒の具体例としては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、アセトニトリル等が挙げられ、好ましくはメタノールおよびエタノールである。これらは、２種以上を混合して使用してもよい。溶媒の使用量は、第４級アンモニウムアルキル炭酸塩１重量部に対して、通常、５０重量部以下、好ましくは１０重量部以下である。
【0127】
第４級アンモニウムアルキル炭酸塩とカルボン酸のアニオン交換反応の反応温度は、特に制限されないが、通常、１０℃以上、好ましくは１０～６０℃、特に好ましくは１０～４０℃である。
【0128】
第４級アンモニウムアルキル炭酸塩とカルボン酸のアニオン交換反応により、第４級アンモニウムカルボン酸塩とアニオン交換に使用したカルボン酸を含む混合物が得られ、当該混合物にはカルボン酸が残存する。
当該アニオン交換により、得られた反応混合物を加熱及び／又は減圧して濃縮することにより、アニオン交換に使用したカルボン酸を留去することができるが、留去し切れないカルボン酸が混合物に残存する。
また、アニオン交換により、得られた第４級アンモニウムカルボン酸塩が結晶化するものである場合は、再結晶により精製することができるが、得られた第４級アンモニウムカルボン酸塩の結晶にカルボン酸が残存することがある。
当該アニオン交換により、得られた反応混合物を加熱及び／又は減圧して濃縮することにより、アニオン交換に使用したカルボン酸を留去することができるが、留去し切れないカルボン酸が混合物に残存する。
また、アニオン交換により、得られた第４級アンモニウムカルボン酸塩が結晶化するものである場合は、再結晶により精製することができるが、得られた第４級アンモニウムカルボン酸塩の結晶にカルボン酸が残存することがある。
【0129】
本発明は、式（１）で表されるオニウム塩と式（３）のカルボン酸を含む混合物から式（１）で表されるオニウム塩を得る方法であって、下記工程（１）及び工程（２）を有する、式（１）で表されるオニウム塩の製造方法である。
工程（１）：
式（１）で表されるオニウム塩と式（３）のカルボン酸を含む混合物に、アミンを添加して、該アミンと式（３）のカルボン酸とからなるアミンーカルボン酸塩を生成させる工程。
工程（２）：
式（１）で表されるオニウム塩と、工程（１）で生成したアミンーカルボン酸塩を分離し、式（１）で表されるオニウム塩を得る工程。
工程（１）：
式（１）で表されるオニウム塩と式（３）のカルボン酸を含む混合物に、アミンを添加して、該アミンと式（３）のカルボン酸とからなるアミンーカルボン酸塩を生成させる工程。
工程（２）：
式（１）で表されるオニウム塩と、工程（１）で生成したアミンーカルボン酸塩を分離し、式（１）で表されるオニウム塩を得る工程。
【0130】
工程（１）で用いる式（１）で表されるオニウム塩と式（３）のカルボン酸を含む混合物は、式（３）のカルボン酸を用いて式（１）で表されるオニウム塩を製造して得られる、式（１）で表されるオニウム塩に式（３）のカルボン酸が残存する混合物である。
残存する式（３）のカルボン酸は、式（１）で表されるオニウム塩１当量に対して、通常、１．５当量以下である。
残存する式（３）のカルボン酸は、式（１）で表されるオニウム塩１当量に対して、通常、１．５当量以下である。
【0131】
工程（１）で添加するアミンとしては、好ましくは、下記式（４）で表されるアミンである。
式（４）：
（式（４）中、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5は、同一でも異なっても良く、水素原子又は炭素数１～１８の炭化水素基であり、前記炭化水素基は二重結合を含んでも良く、分岐構造及び又は環構造を含んでも良い。また、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5のそれぞれに含まれる炭素数の合計は８以上である。）
式（４）：
【化19】
【0132】
式（４）中、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5において、炭化水素基の炭素数として１～１８、より好ましくは１～１２、さらに好ましくは１～８である。
Ｒ3、Ｒ4及びＲ5のそれぞれに含まれる炭素数の合計は８以上であり、好ましくは１２以上２４以下である。
Ｒ3、Ｒ4及びＲ5のそれぞれに含まれる炭素数の合計は８以上であり、好ましくは１２以上２４以下である。
【0133】
Ｒ3、Ｒ4及びＲ5において、炭化水素基として、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、２－エチルヘキシル基、デシル基、ドデシル基、オクタデシル基等が挙げられる。また、イソプロピル基、ｓｅｃ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ネオペンチル基、２－エチルヘキシル基は分岐構造を含む。
【0134】
Ｒ3、Ｒ4及びＲ5において、二重結合を含む炭化水素基として、具体的には、ビニル基、エチニル基、プロぺニル基、イソプロぺニル基、アリル基、プロパルギル基、ブテニル基、クロチル基、ブタジエニル基、オレイル基が挙げられる。
【0135】
Ｒ3、Ｒ4及びＲ5において、環構造を含む炭化水素基としては、具体的には、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基、フェニル基、ベンジル基、トリル基、スチリル基、２，４，６－トリメチルフェニル基等が挙げられる。また、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基は分岐構造を含む。
【0136】
Ｒ3、Ｒ4及びＲ5として、好ましくは水素原子、メチル基、オレイル基、２－エチルヘキシル基、シクロヘキシル基、オクタデシル基、オクチル基である。
【0137】
式（４）で表されるアミンとして、具体的には、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、オレイルアミン、ジ－２－エチルヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、メチルオクタデシルアミン、ジメチルオクタデシルアミン、トリオクチルアミン等が挙げられる。
【0138】
式（１）で表されるオニウム塩と式（３）のカルボン酸を含む混合物に、添加するアミンの量は、カルボン酸１当量に対して、アミン１当量以上であり、通常、１当量～５当量、好ましくは１当量～３当量、より好ましくは１当量～１．５当量である。添加したアミンと式（３）のカルボン酸とからなるアミンーカルボン酸塩が生成し、式（１）で表されるオニウム塩とアミンーカルボン酸塩と残存するアミンの混合物が得られる。
【0139】
添加するアミンは、溶媒で希釈されたアミン溶液として添加してもよい。溶媒としては、ヘキサン、ヘプタン、トルエン、クロロホルム、ジクロロメタン、２－エチルヘキサノール、シクロヘキサノール、１－オクタノール、酢酸エチル等が挙げられ、好ましくはクロロホルム、２－エチルヘキサノール、シクロヘキサノール、１－オクタノールである。 アミン溶液の濃度は、通常、０．０１ｇ／Ｌ～１０.０ｇ／Ｌであり、好ましくは０．１ｇ／Ｌ～５.００ｇ／Ｌである。
【0140】
式（１）で表されるオニウム塩と式（３）のカルボン酸を含む混合物にアミンを添加して、アミンーカルボン酸塩を生成させる反応条件としては、温度は０℃～１００℃、好ましくは２５℃～８０℃であり、反応時間はアミンの添加終了後、０．５時間～３時間攪拌することが好ましく、より好ましくは１時間～２時間である。
本発明の好ましい１つの実施形態において、工程１の混合物は、さらに水と溶媒を含む。溶媒は添加されるアミンを希釈するための溶媒であってもよく、アミンの希釈に用いることなく単独で工程１の混合物に添加してもよい。混合物に含まれる溶媒は、水と相分離する溶媒が好ましい。水と相分離する溶媒としては、ヘキサン、ヘプタン、トルエン、クロロホルム、ジクロロメタン、２－エチルヘキサノール、シクロヘキサノール、１－オクタノール、酢酸エチル等が挙げられ、好ましくはクロロホルム、２－エチルヘキサノール、シクロヘキサノール、１－オクタノールが挙げられる。
工程１の混合物が水と前記溶媒を含む場合、添加されたアミンは、アミン-カルボン酸塩を形成し、主として溶媒層に抽出される。一方、式（１）で表されるオニウム塩は水層に存在するため、溶媒層を分離することで、アミン-カルボン酸塩が分離され、式（３）で表されるカルボン酸の量が低減されるかほぼ完全に除去された式（１）で表されるオニウム塩を含む水層が得られる。式（１）で表されるオニウム塩と共存する式（３）のカルボン酸は蒸発により除去することは困難であるが、式（１）で表されるオニウム塩を含む水層の水は蒸発させることにより容易に除去することができ、式（１）で表されるオニウム塩を得ることができる。本発明の製造方法もしくは精製方法を行う前の式（１）で表されるオニウム塩と式（３）で表されるカルボン酸を含む混合物は、式（３）で表されるカルボン酸の存在によりセルロースの溶解度が大きく低下するが、本発明の製造方法もしくは精製方法を実施することによりセルロースの溶解度を大きく向上させることができる。例えば式（１）で表されるオニウム塩と式（３）で表されるカルボン酸を含む混合物において、式（３）で表されるカルボン酸の量を50％以上、60％以上、65％以上、70％以上、75％以上、80％以上、85％以上、90％以上、95％以上、もしくは100％除去することで、セルロースの溶解度を大きく向上させることができる。
本発明の好ましい１つの実施形態において、工程１の混合物は、さらに水と溶媒を含む。溶媒は添加されるアミンを希釈するための溶媒であってもよく、アミンの希釈に用いることなく単独で工程１の混合物に添加してもよい。混合物に含まれる溶媒は、水と相分離する溶媒が好ましい。水と相分離する溶媒としては、ヘキサン、ヘプタン、トルエン、クロロホルム、ジクロロメタン、２－エチルヘキサノール、シクロヘキサノール、１－オクタノール、酢酸エチル等が挙げられ、好ましくはクロロホルム、２－エチルヘキサノール、シクロヘキサノール、１－オクタノールが挙げられる。
工程１の混合物が水と前記溶媒を含む場合、添加されたアミンは、アミン-カルボン酸塩を形成し、主として溶媒層に抽出される。一方、式（１）で表されるオニウム塩は水層に存在するため、溶媒層を分離することで、アミン-カルボン酸塩が分離され、式（３）で表されるカルボン酸の量が低減されるかほぼ完全に除去された式（１）で表されるオニウム塩を含む水層が得られる。式（１）で表されるオニウム塩と共存する式（３）のカルボン酸は蒸発により除去することは困難であるが、式（１）で表されるオニウム塩を含む水層の水は蒸発させることにより容易に除去することができ、式（１）で表されるオニウム塩を得ることができる。本発明の製造方法もしくは精製方法を行う前の式（１）で表されるオニウム塩と式（３）で表されるカルボン酸を含む混合物は、式（３）で表されるカルボン酸の存在によりセルロースの溶解度が大きく低下するが、本発明の製造方法もしくは精製方法を実施することによりセルロースの溶解度を大きく向上させることができる。例えば式（１）で表されるオニウム塩と式（３）で表されるカルボン酸を含む混合物において、式（３）で表されるカルボン酸の量を50％以上、60％以上、65％以上、70％以上、75％以上、80％以上、85％以上、90％以上、95％以上、もしくは100％除去することで、セルロースの溶解度を大きく向上させることができる。
【0141】
工程（２）は、式（１）で表されるオニウム塩と、工程（１）で生成したアミンーカルボン酸塩を分離する工程であり、分離する方法としては、分液（水と溶媒の相分離を利用したもの）、晶析（アミン－カルボン酸塩が析出する場合）等が挙げられる。
【0142】
工程（２）の分離によって、式（１）で表されるオニウム塩を含む分離液が得られる。得られた分離液に残留したアミンが含まれる場合、得られた分離液を加熱及び／又は減圧することによって残留するアミンを留去できる。
また、アミンを溶媒で希釈されたアミン溶液として添加し、工程（２）で分離された式（１）で表されるオニウム塩を含む分離液に溶媒が含まれる場合、得られた分離液を加熱及び／又は減圧することによって溶媒を留去できる。
また、アミンを溶媒で希釈されたアミン溶液として添加し、工程（２）で分離された式（１）で表されるオニウム塩を含む分離液に溶媒が含まれる場合、得られた分離液を加熱及び／又は減圧することによって溶媒を留去できる。
【0143】
本発明において、式（１）で表されるオニウム塩は１種でもよく、少なくとも２種の混合物でもよい。少なくとも２種の混合物としては、具体的には、１，３－ジメチルイミダゾリウムアセテートと１，３－ジエチルイミダゾリウムアセテートの混合物、１，３－ジメチルイミダゾリウムアセテートと１－エチル－３－メチルイミダゾリウムアセテートの混合物、１，３－ジエチルイミダゾリウムアセテートと１－エチル－３－メチルイミダゾリウムアセテートの混合物、１，３－ジメチルイミダゾリウムアセテートと１，３－ジエチルイミダゾリウムアセテートと１－エチル－３－メチルイミダゾリウムアセテートの混合物等が挙げられる。
【0144】
本発明において、式（１）で表されるオニウム塩と式（３）のカルボン酸を含む混合物は、さらに、水及び／又は親水性溶媒を含んでもよい。親水性溶媒としては、具体的には、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール等が挙げられる。
水及び／又は親水性溶媒の含有量は、式（１）で表されるオニウム塩と式（３）のカルボン酸をと水及び／又は親水性溶媒を含む混合物の全量を１００質量％として、水及び／又は親水性溶媒の含有量は０．１質量％～９０質量％、１質量％～７０質量％である。好ましくは５質量％～５０質量％である。
水及び／又は親水性溶媒の含有量は、式（１）で表されるオニウム塩と式（３）のカルボン酸をと水及び／又は親水性溶媒を含む混合物の全量を１００質量％として、水及び／又は親水性溶媒の含有量は０．１質量％～９０質量％、１質量％～７０質量％である。好ましくは５質量％～５０質量％である。
【0145】
本発明の一つの実施態様は、式（１）で表されるオニウム塩と式（３）のカルボン酸を含む混合物から式（３）のカルボン酸を除去する方法であって、下記工程（１）及び工程（２）を有する、式（１）で表されるオニウム塩の精製方法に係るものである。
工程（１）：
式（１）で表されるオニウム塩と式（３）のカルボン酸を含む混合物に、アミンを添加して、該アミンと式（３）のカルボン酸とからなるアミンーカルボン酸塩を生成させる工程。
工程（２）：
式（１）で表されるオニウム塩と、工程（１）で生成したアミンーカルボン酸塩を分離し、式（１）で表されるオニウム塩を得る工程。
工程（１）：
式（１）で表されるオニウム塩と式（３）のカルボン酸を含む混合物に、アミンを添加して、該アミンと式（３）のカルボン酸とからなるアミンーカルボン酸塩を生成させる工程。
工程（２）：
式（１）で表されるオニウム塩と、工程（１）で生成したアミンーカルボン酸塩を分離し、式（１）で表されるオニウム塩を得る工程。
【0146】
本発明のオニウム塩の精製方法において、式（１）で表されるオニウム塩は、前述のオニウム塩の製造方法における式（１）で表されるオニウム塩と同じである。また、本発明のオニウム塩の精製方法の式（１）で表されるオニウム塩において、式（２）で表されるカルボン酸アニオンは、前述のオニウム塩の製造方法における式（２）で表されるカルボン酸アニオンと同じである。
【0147】
本発明のオニウム塩の精製方法において、式（３）のカルボン酸は、前述のオニウム塩の製造方法における式（３）で表されるカルボン酸と同じである。
【0148】
本発明のオニウム塩の精製方法において、式（１）で表されるオニウム塩と式（３）のカルボン酸を含む混合物は、前述のオニウム塩の製造方法における式（１）で表されるオニウム塩と式（３）のカルボン酸を含む混合物と同じである。
【0149】
本発明のオニウム塩の精製方法において、式（１）で表されるオニウム塩と式（３）のカルボン酸を含む混合物は、式（３）のカルボン酸を用いて式（１）で表されるオニウム塩を製造して得られる、式（１）で表されるオニウム塩に式（３）のカルボン酸が残存する混合物である。残存する式（３）のカルボン酸は、式（１）で表されるオニウム塩１当量に対して、通常、１．５当量以下である。
【0150】
本発明のオニウム塩の精製方法において、工程（１）は、前述のオニウム塩の製造方法における工程（１）と同様の工程であり、式（１）で表されるオニウム塩と式（３）のカルボン酸を含む混合物に、アミンを添加して、該アミンと式（３）のカルボン酸とからなるアミンーカルボン酸塩を生成させる工程である。
【0151】
本発明のオニウム塩の精製方法の工程（１）で添加するアミンとしては、好ましくは、前述のオニウム塩の製造方法における式（４）で表されるアミンである。
【0152】
本発明のオニウム塩の精製方法の工程（１）で、式（１）で表されるオニウム塩と式（３）のカルボン酸を含む混合物に、添加するアミンの量及びその好ましい量は、前述のオニウム塩の製造方法におけるアミンの添加量と同様である。
また、本発明のオニウム塩の精製方法の工程（１）では、前述のオニウム塩の製造方法の工程（１）と同様に、添加したアミンと式（３）のカルボン酸とからなるアミンーカルボン酸塩が生成し、式（１）で表されるオニウム塩とアミンーカルボン酸塩と残存するアミンの混合物が得られる。
また、本発明のオニウム塩の精製方法の工程（１）では、前述のオニウム塩の製造方法の工程（１）と同様に、添加したアミンと式（３）のカルボン酸とからなるアミンーカルボン酸塩が生成し、式（１）で表されるオニウム塩とアミンーカルボン酸塩と残存するアミンの混合物が得られる。
【0153】
また、本発明のオニウム塩の精製方法の工程（１）で、添加するアミンは、前述のオニウム塩の製造方法の工程（１）で添加するアミンと同様に、溶媒で希釈されたアミン溶液として添加してもよい。また、溶媒としては、前述の製造方法の工程（１）で使用される溶媒と同様の溶媒が挙げられ、アミン溶液の濃度も前述の製造方法の工程（１）と同様の濃度が挙げられる。
【0154】
また、本発明のオニウム塩の精製方法の工程（１）において、式（１）で表されるオニウム塩と式（３）のカルボン酸を含む混合物にアミンを添加して、アミンーカルボン酸塩を生成させる反応条件としては、前述の製造方法の工程（１）における反応条件、例えば、温度条件や反応時間は、前述の製造方法の工程（１）における条件と同様である。
【0155】
本発明のオニウム塩の精製方法において、工程（２）は、前述のオニウム塩の製造方法における工程（２）と同様の工程であり、式（１）で表されるオニウム塩と、工程（１）で生成したアミンーカルボン酸塩を分離する工程である。分離する方法としては、前述のオニウム塩の製造方法における工程（２）で使用される分離方法と同様の方法である。
【0156】
本発明のオニウム塩の精製方法における工程（２）の分離によって、式（１）で表されるオニウム塩を含む分離液が得られる。得られた分離液に残留したアミンやアミン溶液の溶媒が含まれる場合、前述のオニウム塩の製造方法における工程（２）と同様に、得られた分離液を加熱及び／又は減圧することによって残留するアミンや溶媒を留去できる。
【0157】
本発明のオニウム塩の精製方法において、式（１）で表されるオニウム塩は１種でもよく、少なくとも２種の混合物でもよい。少なくとも２種の混合物としては、前述のオニウム塩の製造方法における式（１）で表されるオニウム塩の少なくとも２種の混合物と同様である。
【0158】
本発明のオニウム塩の精製方法において式（１）で表されるオニウム塩と式（３）のカルボン酸を含む混合物は、前述のオニウム塩の製造方法と同様に、さらに、水及び／又は親水性溶媒を含んでもよい。親水性溶媒としては、前述のオニウム塩の製造方法で使用される親水性溶媒と同様の溶媒が挙げられ、水及び／又は親水性溶媒の含有量も前述のオニウム塩の製造方法における含有量と同様である。
【0159】
本発明の方法で製造されたオニウム塩は例えばセルロースの溶解溶媒及び二酸化炭素吸収剤として使用することができる。
【実施例0160】
次に、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はなんらこれらに限定されるものではない。
【0161】
［実施例１］
１－エチル－３－メチルイミダゾリウム酢酸塩（２．００ｇ）（東京化成工業株式会社製）に１０％酢酸水溶液（オニウム塩に対して０．５当量）とイオン交換水（６．００ｇ）を添加して、１－エチル－３－メチルイミダゾリウム酢酸塩と酢酸の混合物を用意し、１Ｈ ＮＭＲで酢酸由来のピークの積分値を確認した。１Ｈ ＮＭＲ分析の結果、１．３８－１．４４ｐｐｍ（ｍ，３Ｈ）を基準とした酢酸イオン及び酢酸由来のメチル基を表すピークの積分値は４．６７であった。なお、酢酸は純正化学株式会社製の酢酸を用いた。
その後、２－エチルヘキサノール（４．００ｇ）（純正化学株式会社製）、表１の評価例１～６に示す各構造のアミン（１－エチル－３－メチルイミダゾリウム酢酸塩に対して１．５当量）を添加して攪拌・静置（８０℃、各１時間）した。酢酸、アミン及び２－エチルヘキサノールが含まれる上層と、１－エチル－３－メチルイミダゾリウム酢酸塩が含まれる下層に分離した。分液後、下層を1Ｈ ＮＭＲで分析して、１．３８－１．４４ｐｐｍ（ｍ，３Ｈ）を基準とした酢酸由来のピークの積分値を確認した。積分値から酢酸の除去率（％）を以下の式により算出した。
酢酸除去率（％）＝（１－（積分値－３．００）/（４．６７－３．００））×１００ なお、評価例３では、ジシクロヘキシルアミン由来のピークが酢酸由来のピークと被るため、アミン由来の２Ｈ分を除いてから除去率を算出した。
結果を表１に示す。評価例１～６のアミンを用いて得られたオニウム塩は、酢酸が除去されたものであることから、酢酸除去前のオニウム塩に比べて、いずれもセルロースの溶解度を向上させることができる。特に評価例１～５のアミンを用いて得られたオニウム塩は、セルロースの溶解度を向上させるオニウム塩として好ましい。
１－エチル－３－メチルイミダゾリウム酢酸塩（２．００ｇ）（東京化成工業株式会社製）に１０％酢酸水溶液（オニウム塩に対して０．５当量）とイオン交換水（６．００ｇ）を添加して、１－エチル－３－メチルイミダゾリウム酢酸塩と酢酸の混合物を用意し、１Ｈ ＮＭＲで酢酸由来のピークの積分値を確認した。１Ｈ ＮＭＲ分析の結果、１．３８－１．４４ｐｐｍ（ｍ，３Ｈ）を基準とした酢酸イオン及び酢酸由来のメチル基を表すピークの積分値は４．６７であった。なお、酢酸は純正化学株式会社製の酢酸を用いた。
その後、２－エチルヘキサノール（４．００ｇ）（純正化学株式会社製）、表１の評価例１～６に示す各構造のアミン（１－エチル－３－メチルイミダゾリウム酢酸塩に対して１．５当量）を添加して攪拌・静置（８０℃、各１時間）した。酢酸、アミン及び２－エチルヘキサノールが含まれる上層と、１－エチル－３－メチルイミダゾリウム酢酸塩が含まれる下層に分離した。分液後、下層を1Ｈ ＮＭＲで分析して、１．３８－１．４４ｐｐｍ（ｍ，３Ｈ）を基準とした酢酸由来のピークの積分値を確認した。積分値から酢酸の除去率（％）を以下の式により算出した。
酢酸除去率（％）＝（１－（積分値－３．００）/（４．６７－３．００））×１００ なお、評価例３では、ジシクロヘキシルアミン由来のピークが酢酸由来のピークと被るため、アミン由来の２Ｈ分を除いてから除去率を算出した。
結果を表１に示す。評価例１～６のアミンを用いて得られたオニウム塩は、酢酸が除去されたものであることから、酢酸除去前のオニウム塩に比べて、いずれもセルロースの溶解度を向上させることができる。特に評価例１～５のアミンを用いて得られたオニウム塩は、セルロースの溶解度を向上させるオニウム塩として好ましい。
【0162】
【表1】
【0163】
［実施例２］
１－エチル－３－メチルイミダゾリウム酢酸塩（２．００ｇ）（東京化成工業株式会社製）に１０％酢酸水溶液（オニウム塩に対して０．５当量）とエチレングリコール（６．００ｇ）（東京化成工業株式会社製）を添加して、１－エチル－３－メチルイミダゾリウム酢酸塩と酢酸の混合物を用意し、1Ｈ ＮＭＲで酢酸由来のピークの積分値を確認した。１Ｈ ＮＭＲ分析の結果、１．３８－１．４４ｐｐｍ（ｍ，３Ｈ）を基準とした酢酸イオン及び酢酸由来のメチル基を表すピークの積分値は４．６７であった。なお、酢酸は純正化学株式会社製の酢酸を用いた。
その後、２－エチルヘキサノール（４．００ｇ）（純正化学株式会社製）、表２の評価例７及び８に示す各構造のアミン（１－エチル－３－メチルイミダゾリウム酢酸塩に対して１．５当量）を添加して攪拌・静置（８０℃、各１時間）した。酢酸、アミン及び２－エチルヘキサノールが含まれる上層と、１－エチル－３－メチルイミダゾリウム酢酸塩が含まれる下層に分離した。分液後、下層を１Ｈ ＮＭＲで分析して、１．３８－１．４４ｐｐｍ（ｍ，３Ｈ）を基準とした酢酸由来のピークの積分値を確認した。積分値から酢酸の除去率（％）を以下の式により算出した。
酢酸除去率（％）＝（１－（積分値－３．００）/（４．６７－３．００））×１００
結果を表２に示す。評価例７～８のアミンを用いて得られたオニウム塩は、酢酸が除去されたものであることから、酢酸除去前のオニウム塩に比べて、セルロースの溶解度を向上させることができる。
１－エチル－３－メチルイミダゾリウム酢酸塩（２．００ｇ）（東京化成工業株式会社製）に１０％酢酸水溶液（オニウム塩に対して０．５当量）とエチレングリコール（６．００ｇ）（東京化成工業株式会社製）を添加して、１－エチル－３－メチルイミダゾリウム酢酸塩と酢酸の混合物を用意し、1Ｈ ＮＭＲで酢酸由来のピークの積分値を確認した。１Ｈ ＮＭＲ分析の結果、１．３８－１．４４ｐｐｍ（ｍ，３Ｈ）を基準とした酢酸イオン及び酢酸由来のメチル基を表すピークの積分値は４．６７であった。なお、酢酸は純正化学株式会社製の酢酸を用いた。
その後、２－エチルヘキサノール（４．００ｇ）（純正化学株式会社製）、表２の評価例７及び８に示す各構造のアミン（１－エチル－３－メチルイミダゾリウム酢酸塩に対して１．５当量）を添加して攪拌・静置（８０℃、各１時間）した。酢酸、アミン及び２－エチルヘキサノールが含まれる上層と、１－エチル－３－メチルイミダゾリウム酢酸塩が含まれる下層に分離した。分液後、下層を１Ｈ ＮＭＲで分析して、１．３８－１．４４ｐｐｍ（ｍ，３Ｈ）を基準とした酢酸由来のピークの積分値を確認した。積分値から酢酸の除去率（％）を以下の式により算出した。
酢酸除去率（％）＝（１－（積分値－３．００）/（４．６７－３．００））×１００
結果を表２に示す。評価例７～８のアミンを用いて得られたオニウム塩は、酢酸が除去されたものであることから、酢酸除去前のオニウム塩に比べて、セルロースの溶解度を向上させることができる。
【0164】
【表2】
【0165】
［実施例３］
以下の合成例１～４に示す各構造のオニウム塩（２．００ｇ）に、表３の評価例９～１２に示す各カルボン酸の１０％カルボン酸水溶液（オニウム塩に対して０．５当量）とイオン交換水（６．００ｇ）を添加して、各構造のオニウム塩と各カルボン酸の混合物を用意し、１Ｈ ＮＭＲでカルボン酸由来のピークの積分値を確認した。評価例９～１１はイミダゾリウム環の４位と５位のピークを基準とし、評価例１２はジエチルの末端メチル基のピークを基準とする各カルボン酸イオン及びカルボン酸由来のメチル基を表すピークの積分値を「処理前の積分値」として表３に示す。
その後、２－エチルヘキサノール（４．００ｇ）（純正化学株式会社製）、オレイルアミン（オニウム塩に対して１．５当量）を添加して攪拌・静置（８０℃、各１時間）した。各カルボン酸、オレイルアミン及び２－エチルヘキサノールが含まれる上層と、各構造のオニウム塩が含まれる下層に分離した。分液後、下層を１Ｈ ＮＭＲで分析して、評価例９～１１はイミダゾリウム環の４位と５位のピークを基準とし、評価例１２はジエチルの末端メチル基のピークを基準とする各カルボン酸由来のピークの積分値を確認した。
積分値からカルボン酸の除去率（％）を以下の式により算出した。
カルボン酸除去率（％）＝（１－（積分値－３．００）/（処理前の積分値－３．００））×１００
結果を表３に示す。評価例９～１２のアミンを用いて得られたオニウム塩は、酢酸が除去されたものであることから、酢酸除去前のオニウム塩に比べて、セルロースの溶解度を向上させることができる。
以下の合成例１～４に示す各構造のオニウム塩（２．００ｇ）に、表３の評価例９～１２に示す各カルボン酸の１０％カルボン酸水溶液（オニウム塩に対して０．５当量）とイオン交換水（６．００ｇ）を添加して、各構造のオニウム塩と各カルボン酸の混合物を用意し、１Ｈ ＮＭＲでカルボン酸由来のピークの積分値を確認した。評価例９～１１はイミダゾリウム環の４位と５位のピークを基準とし、評価例１２はジエチルの末端メチル基のピークを基準とする各カルボン酸イオン及びカルボン酸由来のメチル基を表すピークの積分値を「処理前の積分値」として表３に示す。
その後、２－エチルヘキサノール（４．００ｇ）（純正化学株式会社製）、オレイルアミン（オニウム塩に対して１．５当量）を添加して攪拌・静置（８０℃、各１時間）した。各カルボン酸、オレイルアミン及び２－エチルヘキサノールが含まれる上層と、各構造のオニウム塩が含まれる下層に分離した。分液後、下層を１Ｈ ＮＭＲで分析して、評価例９～１１はイミダゾリウム環の４位と５位のピークを基準とし、評価例１２はジエチルの末端メチル基のピークを基準とする各カルボン酸由来のピークの積分値を確認した。
積分値からカルボン酸の除去率（％）を以下の式により算出した。
カルボン酸除去率（％）＝（１－（積分値－３．００）/（処理前の積分値－３．００））×１００
結果を表３に示す。評価例９～１２のアミンを用いて得られたオニウム塩は、酢酸が除去されたものであることから、酢酸除去前のオニウム塩に比べて、セルロースの溶解度を向上させることができる。
【0166】
【表3】
【0167】
［合成例１］
［１－エチル－３－メチルイミダゾリウムプロピオン酸塩の合成］
１－エチル－３－メチルイミダゾリウム酢酸塩（５．１１ｇ）（東京化成工業株式会社製）にイオン交換水（５０．１ｇ）を加えて水溶液化した。水溶液をイオン交換樹脂（和光純薬製、Ｎｏ．８（ＯＨ形））（２２．７ｇ）に通し、１－エチル－３－メチルイミダゾリウム水酸化物塩とした。中和滴定により、濃度を測定後、当量になるようにプロピオン酸（１．９７ｇ）（純正化学製）を添加した。濃縮乾燥後、１－エチル－３－メチルイミダゾリウムプロピオン酸塩を得た。
［１－エチル－３－メチルイミダゾリウムプロピオン酸塩の合成］
１－エチル－３－メチルイミダゾリウム酢酸塩（５．１１ｇ）（東京化成工業株式会社製）にイオン交換水（５０．１ｇ）を加えて水溶液化した。水溶液をイオン交換樹脂（和光純薬製、Ｎｏ．８（ＯＨ形））（２２．７ｇ）に通し、１－エチル－３－メチルイミダゾリウム水酸化物塩とした。中和滴定により、濃度を測定後、当量になるようにプロピオン酸（１．９７ｇ）（純正化学製）を添加した。濃縮乾燥後、１－エチル－３－メチルイミダゾリウムプロピオン酸塩を得た。
【0168】
［合成例２］
［１－エチル－３－メチルイミダゾリウムメトキシエトキシプロピオン酸塩の合成］
１－エチル－３－メチルイミダゾリウム酢酸塩（５．１０ｇ）（東京化成工業株式会社製）にイオン交換水（５０．５ｇ）を加えて水溶液化した。水溶液をイオン交換樹脂（和光純薬製、Ｎｏ．８（ＯＨ形））（２２．８ｇ）に通し、１－エチル－３－メチルイミダゾリウム水酸化物塩とした。中和滴定により、濃度を測定後、当量になるようにメトキシエトキシプロピオン酸（０．０３ｇ）を添加した。濃縮乾燥後、１－エチル－３－メチルイミダゾリウムメトキシエトキシプロピオン酸塩を得た。
［１－エチル－３－メチルイミダゾリウムメトキシエトキシプロピオン酸塩の合成］
１－エチル－３－メチルイミダゾリウム酢酸塩（５．１０ｇ）（東京化成工業株式会社製）にイオン交換水（５０．５ｇ）を加えて水溶液化した。水溶液をイオン交換樹脂（和光純薬製、Ｎｏ．８（ＯＨ形））（２２．８ｇ）に通し、１－エチル－３－メチルイミダゾリウム水酸化物塩とした。中和滴定により、濃度を測定後、当量になるようにメトキシエトキシプロピオン酸（０．０３ｇ）を添加した。濃縮乾燥後、１－エチル－３－メチルイミダゾリウムメトキシエトキシプロピオン酸塩を得た。
【0169】
［合成例３］
［１－メチル－３－メトキシエトキシエチルイミダゾリウム酢酸塩の合成］
１－メチルイミダゾール（２．５１ｇ、３０.４ｍｏｌ）にアセトニトリル（４．０１ｇ）、１－ブロモ－２－（２－メトキシエトキシ）エタン（５．９５ｇ、３０．４ｍｏｌ）を加えて２４時間８０℃で反応した。反応終了後、濃縮乾固を行い、１－メチル－３－メトキシエトキシエチルイミダゾリウムブロミドを得た。
得られた１－メチル－３－メトキシエトキシエチルイミダゾリウムブロミド（９．５２ｇ）（東京化成工業株式会社製）にイオン交換水（１１０ｇ）を加えて水溶液化した。水溶液をイオン交換樹脂（和光純薬製、Ｎｏ．８（ＯＨ形））（６２．０ｇ）に通し、１－メチル－３－メトキシエトキシエチルイミダゾリウム水酸化物塩とした。中和滴定により、濃度を測定後、当量になるように酢酸（２．０６ｇ）（純正化学製）を添加した。濃縮乾燥後、１－メチル－３－メトキシエトキシエチルイミダゾリウム酢酸塩を得た。
［１－メチル－３－メトキシエトキシエチルイミダゾリウム酢酸塩の合成］
１－メチルイミダゾール（２．５１ｇ、３０.４ｍｏｌ）にアセトニトリル（４．０１ｇ）、１－ブロモ－２－（２－メトキシエトキシ）エタン（５．９５ｇ、３０．４ｍｏｌ）を加えて２４時間８０℃で反応した。反応終了後、濃縮乾固を行い、１－メチル－３－メトキシエトキシエチルイミダゾリウムブロミドを得た。
得られた１－メチル－３－メトキシエトキシエチルイミダゾリウムブロミド（９．５２ｇ）（東京化成工業株式会社製）にイオン交換水（１１０ｇ）を加えて水溶液化した。水溶液をイオン交換樹脂（和光純薬製、Ｎｏ．８（ＯＨ形））（６２．０ｇ）に通し、１－メチル－３－メトキシエトキシエチルイミダゾリウム水酸化物塩とした。中和滴定により、濃度を測定後、当量になるように酢酸（２．０６ｇ）（純正化学製）を添加した。濃縮乾燥後、１－メチル－３－メトキシエトキシエチルイミダゾリウム酢酸塩を得た。
【0170】
［合成例４］
［Ｎ，Ｎ－ジエチル－Ｎ－メチル－Ｎ－メトキシエチルアンモニウムメトキシ酢酸塩の合成］
５００ｍＬオートクレーブに、Ｎ，Ｎ－ジエチル－Ｎ－（２－メトキシエチル）アミン４９．８ｇ（０．３８ｍｏｌ）、炭酸ジメチル１０２．８ｇ（１．１４ｍｏｌ）およびメタノール２４．２ｇを入れ、１３０℃でオートクレーブ内の圧力が０．３～０．４ＭＰａとなるようにオートクレーブ内のガスを抜くことにより圧力を調整しながら、３０時間反応させた。この反応液を室温まで冷却し、Ｎ，Ｎ－ジエチル－Ｎ－メチル－Ｎ－メトキシエチルアンモニウム炭酸メチル塩のメタノール溶液１１８．６ｇを得た。
Ｎ，Ｎ－ジエチル－Ｎ－メチル－Ｎ－メトキシエチルアンモニウム炭酸メチル塩のメタノール溶液１１８．６ｇにメトキシ酢酸３４．０ｇ（０．３８ｍｏｌ）を滴下し、室温で１時間反応させた。この反応液を濃縮乾燥し、Ｎ，Ｎ－ジエチル－Ｎ－メチル－Ｎ－メトキシエチルアンモニウムメトキシ酢酸塩（８９．０ｇ）を得た。
［Ｎ，Ｎ－ジエチル－Ｎ－メチル－Ｎ－メトキシエチルアンモニウムメトキシ酢酸塩の合成］
５００ｍＬオートクレーブに、Ｎ，Ｎ－ジエチル－Ｎ－（２－メトキシエチル）アミン４９．８ｇ（０．３８ｍｏｌ）、炭酸ジメチル１０２．８ｇ（１．１４ｍｏｌ）およびメタノール２４．２ｇを入れ、１３０℃でオートクレーブ内の圧力が０．３～０．４ＭＰａとなるようにオートクレーブ内のガスを抜くことにより圧力を調整しながら、３０時間反応させた。この反応液を室温まで冷却し、Ｎ，Ｎ－ジエチル－Ｎ－メチル－Ｎ－メトキシエチルアンモニウム炭酸メチル塩のメタノール溶液１１８．６ｇを得た。
Ｎ，Ｎ－ジエチル－Ｎ－メチル－Ｎ－メトキシエチルアンモニウム炭酸メチル塩のメタノール溶液１１８．６ｇにメトキシ酢酸３４．０ｇ（０．３８ｍｏｌ）を滴下し、室温で１時間反応させた。この反応液を濃縮乾燥し、Ｎ，Ｎ－ジエチル－Ｎ－メチル－Ｎ－メトキシエチルアンモニウムメトキシ酢酸塩（８９．０ｇ）を得た。
【0171】
［実施例４］
＜酢酸除去＞
１－エチル－３－メチルイミダゾリウム酢酸塩（４２．０２ｇ）（東京化成工業株式会社製）に１０％酢酸水溶液（オニウム塩に対して０．５当量）とイオン交換水（５９．３２ｇ）を添加した。以下、これを反応液とする。一部の反応液を濃縮し、１Ｈ ＮＭＲ分析で酢酸由来のピークの積分値の確認とセルロースの溶解テストを行った。１Ｈ ＮＭＲ分析の結果、１．３８－１．４４ｐｐｍ（ｍ，３Ｈ）のピークを基準とした酢酸イオン及び酢酸由来のメチル基を表すピークの積分値は３．７６であった。また、比較例には当該反応液を用いた。なお、酢酸は純正化学株式会社製の酢酸を用いた。
その後、反応液（２５．０６ｇ）に２－エチルヘキサノール（１２．００ｇ）（純正化学株式会社製）、表４に示す各構造のアミン（オニウム塩に対して１．５当量）を添加して攪拌・静置（８０℃、各１時間）した。分液後に下層を濃縮し、１Ｈ ＮＭＲ分析と溶解テストを行った。以下、これを評価例１３～１８とする。
1Ｈ ＮＭＲ分析では１．３８－１．４４ｐｐｍ（ｍ，３Ｈ）のピークを基準とした酢酸由来のピークの積分値を確認した。積分値から酢酸の除去率（％）を算出した。式は以下の通り。
酢酸除去率（％）＝（１－（積分値－３．００）/（３．７６－３．００））×１００
なお、評価例１５では、ジシクロヘキシルアミン由来のピークが酢酸由来のピークと被るため、アミン由来の２H分を除いてから除去率を算出した。結果を表５に示す。
＜溶解テスト＞
溶解テストでは２５℃下で微結晶セルロース（１５ｗｔ％ ｖｓ濃縮液）（Ａｖｉｃｅｌ（登録商標） ＰＨ－１０１、Ｓｉｇｍａ－Ａｌｄｒｉｃｈ Ｃｏ． ＬＬＣ製）の溶解可否を確認した。
反応液の濃縮液（比較例１）及び評価例１３～１８の濃縮液（１．０ｇ）をそれぞれ試験管に入れ、２５℃下で微結晶セルロース（１５ｗｔ％ ｖｓ濃縮液）を添加して攪拌し、２４時間後に微結晶セルロースの溶解可否を目視で確認した。結晶性セルロースが完溶したものを〇、完溶しなかったものを×とした。溶解可否の結果を表５に示す。
＜酢酸除去＞
１－エチル－３－メチルイミダゾリウム酢酸塩（４２．０２ｇ）（東京化成工業株式会社製）に１０％酢酸水溶液（オニウム塩に対して０．５当量）とイオン交換水（５９．３２ｇ）を添加した。以下、これを反応液とする。一部の反応液を濃縮し、１Ｈ ＮＭＲ分析で酢酸由来のピークの積分値の確認とセルロースの溶解テストを行った。１Ｈ ＮＭＲ分析の結果、１．３８－１．４４ｐｐｍ（ｍ，３Ｈ）のピークを基準とした酢酸イオン及び酢酸由来のメチル基を表すピークの積分値は３．７６であった。また、比較例には当該反応液を用いた。なお、酢酸は純正化学株式会社製の酢酸を用いた。
その後、反応液（２５．０６ｇ）に２－エチルヘキサノール（１２．００ｇ）（純正化学株式会社製）、表４に示す各構造のアミン（オニウム塩に対して１．５当量）を添加して攪拌・静置（８０℃、各１時間）した。分液後に下層を濃縮し、１Ｈ ＮＭＲ分析と溶解テストを行った。以下、これを評価例１３～１８とする。
1Ｈ ＮＭＲ分析では１．３８－１．４４ｐｐｍ（ｍ，３Ｈ）のピークを基準とした酢酸由来のピークの積分値を確認した。積分値から酢酸の除去率（％）を算出した。式は以下の通り。
酢酸除去率（％）＝（１－（積分値－３．００）/（３．７６－３．００））×１００
なお、評価例１５では、ジシクロヘキシルアミン由来のピークが酢酸由来のピークと被るため、アミン由来の２H分を除いてから除去率を算出した。結果を表５に示す。
＜溶解テスト＞
溶解テストでは２５℃下で微結晶セルロース（１５ｗｔ％ ｖｓ濃縮液）（Ａｖｉｃｅｌ（登録商標） ＰＨ－１０１、Ｓｉｇｍａ－Ａｌｄｒｉｃｈ Ｃｏ． ＬＬＣ製）の溶解可否を確認した。
反応液の濃縮液（比較例１）及び評価例１３～１８の濃縮液（１．０ｇ）をそれぞれ試験管に入れ、２５℃下で微結晶セルロース（１５ｗｔ％ ｖｓ濃縮液）を添加して攪拌し、２４時間後に微結晶セルロースの溶解可否を目視で確認した。結晶性セルロースが完溶したものを〇、完溶しなかったものを×とした。溶解可否の結果を表５に示す。
【0172】
【表4】
【0173】
【表5】
【産業上の利用可能性】
【0174】
本発明によれば、カルボン酸を含まないオニウム塩、または、オニウム塩に対するセルロースの充分な溶解度が得られる程度にカルボン酸の含有量が低減されたオニウム塩の製造方法を提供できる。
また、本発明によれば、オニウム塩に含まれるカルボン酸を除去する、または、オニウム塩に対するセルロースの充分な溶解度が得られる程度にカルボン酸の含有量を低減させるオニウム塩の精製方法を提供できる。
また、本発明によれば、オニウム塩に含まれるカルボン酸を除去する、または、オニウム塩に対するセルロースの充分な溶解度が得られる程度にカルボン酸の含有量を低減させるオニウム塩の精製方法を提供できる。