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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2025006094
(43)【公開日】2025-01-17
(54)【発明の名称】基板処理方法および基板処理装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20250109BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 651B
H01L21/304 643A
【審査請求】未請求
【請求項の数】12
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023106666
(22)【出願日】2023-06-29
(71)【出願人】
【識別番号】000207551
【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス
(74)【代理人】
【識別番号】100088672
【弁理士】
【氏名又は名称】吉竹 英俊
(74)【代理人】
【識別番号】100088845
【弁理士】
【氏名又は名称】有田 貴弘
(72)【発明者】
【氏名】竹松 佑介
(72)【発明者】
【氏名】加藤 雅彦
(72)【発明者】
【氏名】石津 岳明
(72)【発明者】
【氏名】仲野 彰義
(72)【発明者】
【氏名】水上 大乗
(72)【発明者】
【氏名】岩川 裕
(72)【発明者】
【氏名】白尾 高
【テーマコード（参考）】
5F157
【Ｆターム（参考）】
5F157AA03
5F157AA09
5F157AB02
5F157AB14
5F157AB16
5F157AB33
5F157AB49
5F157AB90
5F157AC26
5F157BB14
5F157BB23
5F157BB24
5F157BB32
5F157BB43
5F157BG13
5F157BG14
5F157BG76
5F157BG86
5F157BH18
5F157CB15
5F157CB22
5F157CB23
5F157CF02
5F157CF14
5F157CF32
5F157CF34
5F157CF60
5F157CF70
5F157CF74
5F157CF92
5F157DA21
(57)【要約】
【課題】基板の周縁部のパターンの倒壊率を低減させることができる技術を提供する。
【解決手段】基板処理方法は、保持工程と、液処理工程と、乾燥工程とを備える。保持工程では、基板を保持する。液処理工程では、基板Ｗの第１主面Ｗａに処理液を供給する。乾燥液供給工程では、液処理工程の後に、基板Ｗを回転させ、かつ、基板Ｗの第２主面Ｗｂを加熱しつつ、処理液よりも表面張力の低い乾燥液を基板Ｗの第１主面Ｗａに供給する。乾燥液供給工程の少なくとも一部の時間において、吐出部３の第１吐出口３ｉａから乾燥液を吐出させて基板Ｗの第１主面Ｗの中央部に着液させつつ、吐出部３の第２吐出口３ｉｂから乾燥液を吐出させて基板Ｗの第１主面Ｗａの周縁部に着液させる。乾燥工程では、乾燥液供給工程の後に、基板Ｗの第１主面Ｗａ上の乾燥液を蒸発させて基板Ｗを乾燥させる。
【選択図】図３
【解決手段】基板処理方法は、保持工程と、液処理工程と、乾燥工程とを備える。保持工程では、基板を保持する。液処理工程では、基板Ｗの第１主面Ｗａに処理液を供給する。乾燥液供給工程では、液処理工程の後に、基板Ｗを回転させ、かつ、基板Ｗの第２主面Ｗｂを加熱しつつ、処理液よりも表面張力の低い乾燥液を基板Ｗの第１主面Ｗａに供給する。乾燥液供給工程の少なくとも一部の時間において、吐出部３の第１吐出口３ｉａから乾燥液を吐出させて基板Ｗの第１主面Ｗの中央部に着液させつつ、吐出部３の第２吐出口３ｉｂから乾燥液を吐出させて基板Ｗの第１主面Ｗａの周縁部に着液させる。乾燥工程では、乾燥液供給工程の後に、基板Ｗの第１主面Ｗａ上の乾燥液を蒸発させて基板Ｗを乾燥させる。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
パターンが形成された第１主面と、前記第１主面とは逆側の第２主面とを有する基板を保持する保持工程と、
前記基板の前記第１主面に処理液を供給する液処理工程と、
前記液処理工程の後に、前記基板を回転させ、かつ、前記基板の前記第２主面を加熱しつつ、前記処理液よりも表面張力の低い乾燥液を前記基板の前記第１主面に供給する乾燥液供給工程と、
前記乾燥液供給工程の後に、前記基板の前記第１主面上の前記乾燥液を蒸発させて前記基板を乾燥させる乾燥工程と
を備え、
前記乾燥液供給工程の少なくとも一部の時間において、吐出部の第１吐出口から前記乾燥液を吐出させて前記基板の前記第１主面の中央部に着液させつつ、前記吐出部の第２吐出口から前記乾燥液を吐出させて前記基板の前記第１主面の周縁部に着液させる、基板処理方法。
前記基板の前記第１主面に処理液を供給する液処理工程と、
前記液処理工程の後に、前記基板を回転させ、かつ、前記基板の前記第２主面を加熱しつつ、前記処理液よりも表面張力の低い乾燥液を前記基板の前記第１主面に供給する乾燥液供給工程と、
前記乾燥液供給工程の後に、前記基板の前記第１主面上の前記乾燥液を蒸発させて前記基板を乾燥させる乾燥工程と
を備え、
前記乾燥液供給工程の少なくとも一部の時間において、吐出部の第１吐出口から前記乾燥液を吐出させて前記基板の前記第１主面の中央部に着液させつつ、前記吐出部の第２吐出口から前記乾燥液を吐出させて前記基板の前記第１主面の周縁部に着液させる、基板処理方法。
【請求項2】
請求項１に記載の基板処理方法であって、
前記乾燥工程において、前記基板の前記第１主面のうち前記中央部と前記周縁部との間に位置するミドル領域が前記中央部よりも先に乾燥する、基板処理方法。
前記乾燥工程において、前記基板の前記第１主面のうち前記中央部と前記周縁部との間に位置するミドル領域が前記中央部よりも先に乾燥する、基板処理方法。
【請求項3】
請求項１または請求項２に記載の基板処理方法であって、
前記乾燥液供給工程において、加熱された前記乾燥液を前記第１吐出口および前記第２吐出口から吐出させる、基板処理方法。
前記乾燥液供給工程において、加熱された前記乾燥液を前記第１吐出口および前記第２吐出口から吐出させる、基板処理方法。
【請求項4】
請求項１または請求項２に記載の基板処理方法であって、
前記乾燥液供給工程において、前記乾燥液が前記基板の前記第１主面に供給される乾燥液供給時間のうちの少なくとも後時間において、前記第１吐出口から吐出される前記乾燥液の中央流量は前記第２吐出口から吐出される前記乾燥液の周縁流量よりも小さい、基板処理方法。
前記乾燥液供給工程において、前記乾燥液が前記基板の前記第１主面に供給される乾燥液供給時間のうちの少なくとも後時間において、前記第１吐出口から吐出される前記乾燥液の中央流量は前記第２吐出口から吐出される前記乾燥液の周縁流量よりも小さい、基板処理方法。
【請求項5】
請求項１または請求項２に記載の基板処理方法であって、
前記乾燥液供給工程において、前記乾燥液が前記基板の前記第１主面に供給される乾燥液供給時間のうちの前時間において、前記第１吐出口からの前記乾燥液の中央流量は前記第２吐出口からの前記乾燥液の周縁流量よりも大きく、前記前時間よりも後の後時間における前記周縁流量は、前記前時間における前記周縁流量よりも大きい、基板処理方法。
前記乾燥液供給工程において、前記乾燥液が前記基板の前記第１主面に供給される乾燥液供給時間のうちの前時間において、前記第１吐出口からの前記乾燥液の中央流量は前記第２吐出口からの前記乾燥液の周縁流量よりも大きく、前記前時間よりも後の後時間における前記周縁流量は、前記前時間における前記周縁流量よりも大きい、基板処理方法。
【請求項6】
請求項５に記載の基板処理方法であって、
前記後時間における前記中央流量は、前記前時間における前記中央流量よりも小さい、基板処理方法。
前記後時間における前記中央流量は、前記前時間における前記中央流量よりも小さい、基板処理方法。
【請求項7】
請求項５に記載の基板処理方法であって、
前記後時間は前記前時間よりも短い、基板処理方法。
前記後時間は前記前時間よりも短い、基板処理方法。
【請求項8】
請求項１または請求項２に記載の基板処理方法であって、
前記乾燥液供給工程において、前記基板の前記第２主面の中央部に熱媒体を供給して、前記基板を加熱する、基板処理方法。
前記乾燥液供給工程において、前記基板の前記第２主面の中央部に熱媒体を供給して、前記基板を加熱する、基板処理方法。
【請求項9】
請求項１または請求項２に記載の基板処理方法であって、
前記乾燥工程において、加熱された不活性ガスを前記基板の前記第１主面の中央部に供給する、基板処理方法。
前記乾燥工程において、加熱された不活性ガスを前記基板の前記第１主面の中央部に供給する、基板処理方法。
【請求項10】
請求項１または請求項２に記載の基板処理方法であって、
前記乾燥液供給工程において、前記基板の前記第２主面の少なくとも一部の温度が前記乾燥液の沸点以上となるように前記基板の前記第２主面を加熱しつつ、前記基板の前記第１主面の温度が前記沸点未満となる流量で前記乾燥液を前記基板の前記第１主面に供給する、基板処理方法。
前記乾燥液供給工程において、前記基板の前記第２主面の少なくとも一部の温度が前記乾燥液の沸点以上となるように前記基板の前記第２主面を加熱しつつ、前記基板の前記第１主面の温度が前記沸点未満となる流量で前記乾燥液を前記基板の前記第１主面に供給する、基板処理方法。
【請求項11】
請求項１または請求項２に記載の基板処理方法であって、
前記乾燥液供給工程において、前記乾燥液を供給する乾燥液供給時間のうちの後時間のみにおいて、前記基板の前記第２主面を加熱する、基板処理方法。
前記乾燥液供給工程において、前記乾燥液を供給する乾燥液供給時間のうちの後時間のみにおいて、前記基板の前記第２主面を加熱する、基板処理方法。
【請求項12】
パターンが形成された第１主面と、前記第１主面とは逆側の第２主面とを有する基板を保持しつつ、前記基板を回転させる基板保持部と、
前記基板保持部によって保持された前記基板の前記第１主面に処理液を吐出する吐出部と、
前記基板保持部によって保持された前記基板の前記第２主面を加熱する基板加熱部と
を備え、
前記吐出部は、前記基板保持部によって保持された前記基板の前記第１主面の中央部に向かって乾燥液を吐出させる第１吐出口と、前記基板保持部によって保持された前記基板の前記第１主面の周縁部に向かって前記乾燥液を吐出させる第２吐出口とを有する、基板処理装置。
前記基板保持部によって保持された前記基板の前記第１主面に処理液を吐出する吐出部と、
前記基板保持部によって保持された前記基板の前記第２主面を加熱する基板加熱部と
を備え、
前記吐出部は、前記基板保持部によって保持された前記基板の前記第１主面の中央部に向かって乾燥液を吐出させる第１吐出口と、前記基板保持部によって保持された前記基板の前記第１主面の周縁部に向かって前記乾燥液を吐出させる第２吐出口とを有する、基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、基板処理方法および基板処理装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来から、基板を処理する枚葉式の基板処理装置が開示されている（例えば特許文献１）。特許文献１では、基板処理装置は、基板にリンス液を供給した後に、リンス液よりも表面張力が低いイソプロピルアルコールを基板に供給し、その後、基板を乾燥させる。これにより、乾燥時における基板のパターンの倒壊を抑制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１５－２３１８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、特許文献１の技術では、基板の周縁部のパターンの倒壊率は、なお高かった。
【0005】
そこで、本開示は、基板の周縁部のパターンの倒壊率を低減させることができる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
第１の態様は、基板処理方法であって、パターンが形成された第１主面と、前記第１主面とは逆側の第２主面とを有する基板を保持する保持工程と、前記基板の前記第１主面に処理液を供給する液処理工程と、前記液処理工程の後に、前記基板を回転させ、かつ、前記基板の前記第２主面を加熱しつつ、前記処理液よりも表面張力の低い乾燥液を前記基板の前記第１主面に供給する乾燥液供給工程と、前記乾燥液供給工程の後に、前記基板の前記第１主面上の前記乾燥液を蒸発させて前記基板を乾燥させる乾燥工程とを備え、前記乾燥液供給工程の少なくとも一部の時間において、吐出部の第１吐出口から前記乾燥液を吐出させて前記基板の前記第１主面の中央部に着液させつつ、前記吐出部の第２吐出口から前記乾燥液を吐出させて前記基板の前記第１主面の周縁部に着液させる。
【0007】
第２の態様は、第１の態様にかかる基板処理方法であって、前記乾燥工程において、前記基板の前記第１主面のうち前記中央部と前記周縁部との間に位置するミドル領域が前記中央部よりも先に乾燥する。
【0008】
第３の態様は、第１または第２の態様にかかる基板処理方法であって、前記乾燥液供給工程において、加熱された前記乾燥液を前記第１吐出口および前記第２吐出口から吐出させる。
【0009】
第４の態様は、第１から第３のいずれか一つの態様にかかる基板処理方法であって、前記乾燥液供給工程において、前記乾燥液が前記基板の前記第１主面に供給される乾燥液供給時間のうちの少なくとも後時間において、前記第１吐出口から吐出される前記乾燥液の中央流量は前記第２吐出口から吐出される前記乾燥液の周縁流量よりも小さい。
【0010】
第５の態様は、第１から第４のいずれか一つの態様にかかる基板処理方法であって、前記乾燥液供給工程において、前記乾燥液が前記基板の前記第１主面に供給される乾燥液供給時間のうちの前時間において、前記第１吐出口からの前記乾燥液の中央流量は前記第２吐出口からの前記乾燥液の周縁流量よりも大きく、前記前時間よりも後の後時間における前記周縁流量は、前記前時間における前記周縁流量よりも大きい。
【0011】
第６の態様は、第５の態様にかかる基板処理方法であって、前記後時間における前記中央流量は、前記前時間における前記中央流量よりも小さい。
【0012】
第７の態様は、第５または第６の態様にかかる基板処理方法であって、前記後時間は前記前時間よりも短い。
【0013】
第８の態様は、第１から第７のいずれか一つの態様にかかる基板処理方法であって、前記乾燥液供給工程において、前記基板の前記第２主面の中央部に熱媒体を供給して、前記基板を加熱する。
【0014】
第９の態様は、第１から第８のいずれか一つの態様にかかる基板処理方法であって、前記乾燥工程において、加熱された不活性ガスを前記基板の前記第１主面の中央部に供給する。
【0015】
第１０の態様は、第１から第９のいずれか一つの態様にかかる基板処理方法であって、前記乾燥液供給工程において、前記基板の前記第２主面の少なくとも一部の温度が前記乾燥液の沸点以上となるように前記基板の前記第２主面を加熱しつつ、前記基板の前記第１主面の温度が前記沸点未満となる流量で前記乾燥液を前記基板の前記第１主面に供給する。
【0016】
第１１の態様は、第１から第１０のいずれか一つの態様にかかる基板処理方法であって、前記乾燥液供給工程において、前記乾燥液を供給する乾燥液供給時間のうちの後時間のみにおいて、前記基板の前記第２主面を加熱する。
【0017】
第１２の態様は、基板処理装置であって、パターンが形成された第１主面と、前記第１主面とは逆側の第２主面とを有する基板を保持しつつ、前記基板を回転させる基板保持部と、前記基板保持部によって保持された前記基板の前記第１主面に処理液を吐出する吐出部と、前記基板保持部によって保持された前記基板の前記第２主面を加熱する基板加熱部とを備え、前記吐出部は、前記基板保持部によって保持された前記基板の前記第１主面の中央部に向かって乾燥液を吐出させる第１吐出口と、前記基板保持部によって保持された前記基板の前記第１主面の周縁部に向かって前記乾燥液を吐出させる第２吐出口とを有する。
【発明の効果】
【0018】
第１および第１２の態様によれば、基板の周縁部におけるパターンの倒壊率を低減させることができる。
【0019】
第２の態様によれば、乾燥工程においてミドル領域が中央部よりも先に乾燥する。このため、ミドル領域の乾燥後には、中央部側の乾燥液中に残留した処理液は周縁部にあまり移動できない、と考えられる。つまり、表面張力の低い処理液が周縁部に集まりにくい、と考えられる。したがって、周縁部におけるパターンの倒壊率を低減させることができる。
【0020】
第３の態様によれば、乾燥液供給工程において、温度が高い乾燥液を基板の第１主面に供給することができる。このため、次の乾燥工程においても、乾燥液の温度を高めることができ、表面張力を低減させつつ乾燥液の蒸発をさらに促進させることができる。したがって、パターンの倒壊率をさらに低減させることができる。
【0021】
第４の態様によれば、基板の周縁部のパターンの倒壊率をさらに低減させることができる。
【0022】
第５の態様によれば、前時間において、乾燥液についての基板の主面のカバレッジを向上させることができる。このため、基板の第１主面へのパーティクルの付着を抑制することができる。また、後工程における周縁流量が大きいので、基板の周縁部におけるパターンの倒壊率を低減させることができる。
【0023】
第６の態様によれば、乾燥液の総流量を低減させることができる。
【0024】
第７の態様によれば、基板の第１主面へのパーティクルの付着をさらに抑制することができる。
【0025】
第８の態様によれば、簡易な構成で基板を加熱することができる。
【0026】
第９の態様によれば、基板の第１主面のうち、最後に乾燥液が蒸発する中央部に、加熱された不活性ガスを供給する。このため、乾燥時間の終了時点を効果的に早めることができる。つまり、乾燥時間を効果的に短縮することができる。
【0027】
第１０の態様によれば、乾燥液供給工程において、基板の第１主面の温度を乾燥液の沸点のより近い温度に上昇させることができる。
【0028】
第１１の態様によれば、消費電力を低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【0029】
【図1】基板処理装置の構成の一例を概略的に示す平面図である。
【図2】制御部の内部構成の一例を概略的に示すブロック図である。
【図3】第１実施形態にかかる処理ユニットの構成の一例を概略的に示す縦断面図である。
【図4】処理ユニットの動作の一例を示すフローチャートである。
【図5】乾燥液供給工程における処理ユニットの様子の一例を概略的に示す図である。
【図6】乾燥工程における処理ユニットの様子の一例を概略的に示す図である。
【図7】基板の第１主面上の乾燥液が蒸発する順番を説明するための図である。
【図8】実験結果としてのパターンの倒壊率を示すグラフである。
【図9】第１実施形態にかかる処理ユニットの一部の他の一例を概略的に示す図である。
【図10】第２実施形態にかかる処理ユニットのタイミングチャートおよび乾燥液の流量の時間変化の一例を示す図である。
【図11】第３実施形態にかかる処理ユニットのタイミングチャートの一例を模式的に示す図である。
【図12】第４実施形態にかかる処理ユニットのタイミングチャート、熱媒体の流量、熱媒体の温度および基板の第１主面の温度の時間変化の一例を模式的に示す図である。
【図13】第５実施形態にかかる処理ユニットの動作の第１例を示すフローチャートである。
【図14】第５実施形態にかかる処理ユニットの動作の第２例を示すフローチャートである。
【図15】第６実施形態にかかる処理ユニットの構成の第１例を概略的に示す図である。
【図16】第６実施形態にかかる処理ユニットの構成の第２例を概略的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0030】
以下、図面を参照しつつ実施形態について詳細に説明する。なお図面においては、理解容易の目的で、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。また同様な構成及び機能を有する部分については同じ符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。
【0031】
また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。
【0032】
また、以下に記載される説明において、「第１」または「第２」などの序数が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、これらの序数によって生じ得る順序に限定されるものではない。
【0033】
相対的または絶対的な位置関係を示す表現（例えば「一方向に」「一方向に沿って」「平行」「直交」「中心」「同心」「同軸」など）が用いられる場合、該表現は、特に断らない限り、その位置関係を厳密に表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる範囲で相対的に角度または距離に関して変位された状態も表すものとする。等しい状態であることを示す表現（例えば「同一」「等しい」「均質」など）が用いられる場合、該表現は、特に断らない限り、定量的に厳密に等しい状態を表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる差が存在する状態も表すものとする。形状を示す表現（例えば、「四角形状」または「円筒形状」など）が用いられる場合、該表現は、特に断らない限り、幾何学的に厳密にその形状を表すのみならず、同程度の効果が得られる範囲で、例えば凹凸や面取りなどを有する形状も表すものとする。一の構成要素を「備える」「具える」「具備する」「含む」または「有する」という表現が用いられる場合、該表現は、他の構成要素の存在を除外する排他的表現ではない。「Ａ，ＢおよびＣの少なくともいずれか一つ」という表現が用いられる場合、該表現は、Ａのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、Ａ，ＢおよびＣのうち任意の２つ、ならびに、Ａ，ＢおよびＣの全てを含む。
【0034】
【0035】
基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機ＥＬ(Electroluminescence)用基板、ＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板である。基板Ｗは、第１主面Ｗａおよび第２主面Ｗｂを有する、薄い平板形状を有する。第２主面Ｗｂは第１主面Ｗａと逆側の面である。以下では、基板Ｗが半導体ウエハであるものとする。基板Ｗは例えば円板形状を有している。基板Ｗの直径は例えば３００ｍｍ程度であり、基板Ｗの厚さは例えば０．５ｍｍ程度以上かつ３ｍｍ程度以下である。基板Ｗの主面にはパターンが形成されている。ここでいうパターンは、例えば、配線パターン、電極パターン、半導体パターンおよび絶縁パターンの少なくとも一つを含む。パターンにおけるアスペクト比は、例えば、５以上かつ５００以下である。パターン幅は、例えば、３ｎｍ以上かつ５０ｎｍ以下である。このような高アスペクト比のパターンは倒壊しやすい。
【0036】
図１の例では、基板処理装置１００は、インデクサブロック１１０と、処理ブロック１２０と、制御部９０とを含んでいる。処理ブロック１２０は、主として基板Ｗの処理を行う部分であり、インデクサブロック１１０は、主として、基板処理装置１００の外部と処理ブロック１２０との間での基板Ｗの搬送を行う部分である。
【0037】
インデクサブロック１１０は、ロードポート１１１と、第１搬送部１１２とを含む。ロードポート１１１には、外部から搬入された基板収容器（以下、キャリアと呼ぶ）Ｃが載置される。キャリアＣには、複数の基板Ｗが、例えば鉛直方向において互いに間隔を空けて並んだ状態で、収容される。図１の例では、複数のロードポート１１１が配列される。
【0038】
第１搬送部１１２は搬送ロボットであって、各ロードポート１１１に載置されたキャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出すことができる。第１搬送部１１２はインデクサロボットとも呼ばれ得る。第１搬送部１１２は、キャリアＣから取り出した未処理の基板Ｗを処理ブロック１２０に搬送する。処理ブロック１２０は該未処理の基板Ｗに処理を行うことができる。また、第１搬送部１１２は、処理済みの基板Ｗを処理ブロック１２０から受け取り、処理済みの基板Ｗをロードポート１１１のキャリアＣに搬送することができる。
【0039】
図１の例では、処理ブロック１２０は、複数の処理ユニット１と、第２搬送部１２２とを含んでいる。第２搬送部１２２は搬送ロボットであって、第１搬送部１１２と複数の処理ユニット１との間で基板Ｗを搬送することができる。図１の例では、処理ブロック１２０は載置部１２３も含んでいる。載置部１２３は、例えば、複数の基板Ｗを鉛直方向に並べた状態で載置することができる棚である。第１搬送部１１２は未処理の基板Ｗを載置部１２３に載置する。第２搬送部１２２は載置部１２３から未処理の基板Ｗを取り出し、該基板Ｗを処理ユニット１に搬送する。処理ユニット１は基板Ｗを処理する。処理ユニット１の構成については後に述べる。第２搬送部１２２は処理済みの基板Ｗを処理ユニット１から取り出し、該基板Ｗを載置部１２３に搬送する。第１搬送部１１２は載置部１２３から該基板Ｗを取り出し、該基板Ｗをロードポート１１１のキャリアＣに搬送する。
【0040】
図１の例では、複数（例えば４つ）の処理ユニット１は平面視において第２搬送部１２２の周りを囲むように設けられている。この第２搬送部１２２はセンターロボットとも呼ばれ得る。平面視上の各位置において、複数の処理ユニット１が鉛直方向に積層されていてもよい。つまり、鉛直方向に積層された複数の処理ユニット１によって構成されるタワーＴＷの複数（図では４つ）が、第２搬送部１２２を囲むように設けられてもよい。
【0041】
制御部９０は、基板処理装置１００を統括的に制御する。具体的には、制御部９０は第１搬送部１１２、第２搬送部１２２および処理ユニット１を制御する。図２は、制御部９０の内部構成の一例を概略的に示すブロック図である。制御部９０は電子回路であって、例えばデータ処理部９１および記憶部９２を有している。図２の具体例では、データ処理部９１と記憶部９２とはバス９３を介して相互に接続されている。データ処理部９１は例えばＣＰＵ（Central Processor Unit）などの演算処理装置であってもよい。記憶部９２は非一時的な記憶部（例えばＲＯＭ（Read Only Memory））９２１および一時的な記憶部（例えばＲＡＭ（Random Access Memory））９２２を有していてもよい。非一時的な記憶部９２１には、例えば制御部９０が実行する処理を規定するプログラムが記憶されていてもよい。データ処理部９１がこのプログラムを実行することにより、制御部９０が、プログラムに規定された処理を実行することができる。もちろん、制御部９０が実行する処理の一部または全部が専用の論理回路などのハードウェアによって実行されてもよい。
【0042】
＜処理ユニットの概要＞
図３は、第１実施形態にかかる処理ユニット１の構成の一例を概略的に示す縦断面図である。なお、基板処理装置１００に属する全ての処理ユニット１が、図３に例示された構成を有している必要はない。基板処理装置１００の少なくとも一つの処理ユニット１が、図３に例示された構成を有していればよい。
図３は、第１実施形態にかかる処理ユニット１の構成の一例を概略的に示す縦断面図である。なお、基板処理装置１００に属する全ての処理ユニット１が、図３に例示された構成を有している必要はない。基板処理装置１００の少なくとも一つの処理ユニット１が、図３に例示された構成を有していればよい。
【0043】
処理ユニット１は、基板保持部２と、吐出部３と、基板加熱部４とを含んでいる。
【0044】
図３の例では、処理ユニット１にはチャンバ１０も設けられている。チャンバ１０は箱形の形状を有し、その内部空間は、基板Ｗを処理する処理空間に相当する。チャンバ１０には、開閉可能な搬出入口（不図示）が設けられる。第２搬送部１２２は搬出入口を通じて未処理の基板Ｗをチャンバ１０内に搬入し、また、搬出入口を通じて処理済みの基板Ｗをチャンバ１０から搬出する。
【0045】
図３の例では、チャンバ１０の天井部にはファンフィルタユニット１１が設けられている。ファンフィルタユニット１１は、チャンバ１０の外部の空気を取り込んで清浄化し、その清浄化後の空気をチャンバ１０の内部に送風する。ファンフィルタユニット１１の作動により、チャンバ１０内には清浄な空気によるダウンフローが形成される。図３の例では、チャンバ１０の側壁の下部には、排気管１３の上流端が接続されている。チャンバ１０内のガスは排気管１３を通じて外部に排出される。
【0046】
基板保持部２はチャンバ１０内に設けられており、基板Ｗを水平姿勢で保持しつつ、基板Ｗを回転軸線Ｑ１のまわりで回転させる。ここでいう水平姿勢とは、基板Ｗの厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢である。回転軸線Ｑ１は、基板Ｗの中心を通り、かつ、鉛直方向に沿う軸である。このような基板保持部２はスピンチャックとも呼ばれ得る。
【0047】
ここでは、パターンが形成された基板Ｗの第１主面Ｗａが鉛直上方を向いている。つまり、図３の例では、基板保持部２によって保持された基板Ｗの第１主面Ｗａが上面に相当する。パターンは、例えば、配線パターン、絶縁パターンおよび半導体パターンの少なくともいずれかを含む。
【0048】
図３の例では、基板保持部２は、スピンベース２１と、チャックピン２２と、回転駆動部２３とを含んでいる。スピンベース２１は板状の形状（例えば円板形状）を有し、その厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢で設けられる。スピンベース２１の上面には複数のチャックピン２２が設けられている。複数のチャックピン２２は、回転軸線Ｑ１についての周方向に沿って等間隔に設けられる。複数のチャックピン２２は、次に説明する保持位置と解除位置との間で変位可能に設けられている。保持位置とは、チャックピン２２が基板Ｗの周縁に当接する位置である。複数のチャックピン２２がそれぞれの保持位置で停止することにより、複数のチャックピン２２が基板Ｗを保持する。図３では、保持位置で停止したチャックピン２２が示されている。解除位置とは、各チャックピン２２が基板Ｗから離れた位置である。複数のチャックピン２２がそれぞれの解除位置で停止することにより、複数のチャックピン２２による基板Ｗの保持が解除される。基板保持部２は、チャックピン２２を変位させるピン駆動部（不図示）も含む。ピン駆動部は、例えば、モータおよびエアシリンダ等の駆動源を含み、制御部９０によって制御される。
【0049】
回転駆動部２３はシャフト２３１とモータ２３２とを含んでいる。シャフト２３１の上端はスピンベース２１の下面に接続されており、シャフト２３１はスピンベース２１の下面から回転軸線Ｑ１に沿って延びている。モータ２３２は制御部９０によって制御され、シャフト２３１を回転軸線Ｑ１のまわりで回転させる。これにより、スピンベース２１、チャックピン２２および基板Ｗが回転軸線Ｑ１のまわりで一体に回転する。
【0050】
なお、基板保持部２は必ずしもチャックピン２２を有している必要はない。例えば、基板保持部２は、真空チャック、静電チャックおよびベルヌーイチャック等のチャック方式により、基板Ｗを保持してもよい。
【0051】
吐出部３は、基板保持部２によって保持された基板Ｗの第１主面Ｗａに向かって処理液を吐出する。図３に示されるように、吐出部３は少なくとも一つのノズル３０を含む。ノズル３０は、基板保持部２によって保持された基板Ｗの第１主面Ｗａに向かって、処理液を吐出する。ここでは、第１主面Ｗａは基板Ｗの上面に相当するので、ノズル３０は、基板保持部２によって保持された基板Ｗよりも鉛直上方に設けられる。ノズル３０は、例えば連続流の状態で処理液を吐出するストレートノズルである。
【0052】
図３の例では、ノズル３０として、ノズル３０ｃ、ノズル３０ｗ、ノズル３０ｉａおよびノズル３０ｉｂが示されている。図３の例では、ノズル３０ｃ、ノズル３０ｗおよびノズル３０ｉａは鉛直方向に沿って延びている。図３の例では、ノズル３０ｃの下面には吐出口３ｃが形成され、ノズル３０ｗの下面には吐出口３ｗが形成され、ノズル３０ｉａの下面には吐出口３ｉａ（第１吐出口に相当）が形成される。ノズル３０ｃは吐出口３ｃから薬液を吐出し、ノズル３０ｗは吐出口３ｗからリンス液を吐出し、ノズル３０ｉａは吐出口３ｉａから乾燥液を吐出する。薬液、リンス液および乾燥液はいずれも処理液の一例であり、その具体例は後に述べる。
【0053】
ノズル３０ｃ、ノズル３０ｗおよびノズル３０ｉａは、基板保持部２によって保持された基板Ｗの第１主面Ｗａの中央部に向かって、処理液を吐出する。図３の例では、ノズル３０ｃ、ノズル３０ｗおよびノズル３０ｉａは水平方向において互いに隣り合っており、互いに固定されている。図３の例では、ノズル３０ｃ、ノズル３０ｗおよびノズル３０ｉａは対向部材６０の内部に設けられている。対向部材６０は例えば円柱状の形状を有している。対向部材６０は中空形状を有しており、その中空部の下端口は対向部材６０の下面において開口している。ノズル３０ｃ、ノズル３０ｗおよびノズル３０ｉａは対向部材６０の中空部内に設けられており、各ノズル３０から吐出された処理液は、対向部材６０の下端口から流出する。図３の例では、対向部材６０は、基板保持部２によって保持された基板Ｗの中央部と鉛直方向において対向する位置に設けられている。
【0054】
ノズル３０ｉｂは吐出口３ｉｂ（第２吐出口に相当）を有しており、基板保持部２によって保持された基板Ｗの第１主面Ｗａの周縁部に向かって、吐出口３ｉｂから乾燥液を吐出する。このため、ノズル３０ｉｂから吐出された乾燥液の第１主面Ｗａ上の着液位置（以下、周縁着液位置と呼ぶ）は、ノズル３０ｉａから吐出された乾燥液の第１主面Ｗａ上の着液位置（以下、中央着液位置と呼ぶ）よりも、基板Ｗの周縁に近い。周縁着液位置は、例えば、次に説明する仮想的な円環領域内にあってもよい。該円環領域の仮想的な中心は回転軸線Ｑ１と一致する。該円環領域の仮想的な外径は、例えば、基板Ｗの直径の９０％であってもよく、８０％であってもよく、７０％であってもよい。該円環領域の仮想的な内径は、例えば、基板Ｗの直径の１０％であってもよく、２０％であってもよく、３０％であってもよく、４０％であってもよい。
【0055】
図３の例では、ノズル３０ｉｂは、基板保持部２によって保持された基板Ｗの周縁よりも径方向外側に設けられている。ノズル３０ｉｂは、回転軸線Ｑ１側かつ鉛直下方の斜め方向に向かって、乾燥液を吐出する。この場合、ノズル３０ｉｂから吐出されて基板Ｗの第１主面Ｗａ上に着液した乾燥液は、一旦、回転軸線Ｑ１側（つまり径方向内側）に流れ得る。そして、乾燥液は基板Ｗの回転に伴う遠心力を受けて、径方向外側に流れる。
【0056】
乾燥液を吐出する機能に着目すると、吐出部３は、基板Ｗの第１主面Ｗａの中央部に向かって乾燥液を吐出する吐出口３ｉａと、基板Ｗの第１主面Ｗａの周縁部に向かって乾燥液を吐出する吐出口３ｉｂとを有している、といえる。
【0057】
ノズル３０は供給管３１の下流端に接続され、供給管３１の上流端は処理液供給源に接続される。図３の例では、供給管３１として、供給管３１ｃ、供給管３１ｗ、供給管３１ｉａおよび供給管３１ｉｂが示されている。
【0058】
供給管３１ｃの下流端はノズル３０ｃに接続され、供給管３１ｃの上流端は薬液供給源に接続される。薬液供給源は、薬液を貯留するタンク（不図示）を有し、供給管３１ｃの上流端に薬液を供給する。薬液としては、例えば、フッ酸と硝酸と水とを混合して得られるフッ硝酸、フッ酸と過酸化水素と水とを混合して得られるフッ酸過酸化水素水溶液（ＦＰＭ）、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、硫酸と過酸化水素水との混合液（ＳＰＭ）、アンモニア水、アンモニアと過酸化水素と水との混合液（ＳＣ－１）、および、塩化水素と過酸化水素と水との混合液（ＳＣ－２）等の液体を適用できる。なお、薬液は混合液ではなく、単液でもよい。例えば、フッ酸（ＨＦ）、過酸化水素水および硫酸等の単液を薬液として適用できる。
【0059】
供給管３１ｗの下流端はノズル３０ｗに接続され、供給管３１ｗの上流端はリンス液供給源に接続される。リンス液供給源は、リンス液を貯留するタンク（不図示）を有し、供給管３１ｗの上流端にリンス液を供給する。リンス液としては、例えば、純水、二酸化炭素水またはオゾン水を適用することができる。
【0060】
供給管３１ｉａの下流端はノズル３０ｉａに接続され、供給管３１ｉａの上流端は乾燥液供給源に接続される。供給管３１ｉｂの下流端はノズル３０ｉｂに接続され、供給管３１ｉｂの上流端は乾燥液供給源に接続される。乾燥液供給源は、乾燥液を貯留するタンク（不図示）を有し、供給管３１ｉａおよび供給管３１ｉｂの上流端に乾燥液を供給する。乾燥液としては、例えば、イソプロピルアルコール等の有機溶剤を適用することができる。乾燥液の表面張力は他の処理液の表面張力（例えば薬液の表面張力およびリンス液の表面張力の両方）よりも低い。また、乾燥液の揮発性は他の処理液の揮発性（例えば薬液の揮発性およびリンス液の揮発性の両方）よりも高い。
【0061】
供給管３１には供給弁３２および流量調整弁３３が介挿されている。図３の例では、供給管３１ｃには供給弁３２ｃおよび流量調整弁３３ｃが介挿され、供給管３１ｗには供給弁３２ｗおよび流量調整弁３３ｗが介挿され、供給管３１ｉａには供給弁３２ｉａおよび流量調整弁３３ｉａが介挿され、供給管３１ｉｂには供給弁３２ｉｂおよび流量調整弁３３ｉｂが介挿される。供給弁３２は供給管３１の開閉を切り換える。流量調整弁３３は、供給管３１を流れる処理液の流量を調整する。流量調整弁３３はマスフローコントローラであってもよい。供給弁３２および流量調整弁３３は制御部９０によって制御される。
【0062】
吐出部３は各種の処理液を後述の順序で基板Ｗの第１主面Ｗａに向かって吐出する。これにより、処理ユニット１は、処理液の種類に応じた各種の処理を基板Ｗの第１主面Ｗａに対して順次に行うことができる。具体的な処理については後に述べる。
【0063】
図３の例では、対向部材６０は、基板保持部２によって保持された基板Ｗの第１主面Ｗａに向かってガスを吐出可能に構成されている。図３の例では、対向部材６０の中空部のうちノズル３０以外の空間がガス流路３０ｇとして機能する。対向部材６０の下面の下端口はガス流路３０ｇの吐出口に相当する。
【0064】
図３の例では、対向部材６０の上部は供給管３１ｇの下流端に接続されている。つまり、供給管３１ｇの下流端はガス流路３０ｇにつながっている。供給管３１ｇの上流端はガス供給源に接続される。ガス供給源は、不活性ガスを貯留する貯留部（不図示）を有しており、不活性ガスを供給管３１ｇの上流端に供給する。不活性ガスは、例えば、窒素ガスおよび希ガスの少なくともいずれか一方を含む。希ガスは例えばアルゴンガスを含む。
【0065】
供給管３１ｇには供給弁３２ｇ、流量調整弁３３ｇおよびヒータ３４ｇが設けられている。供給弁３２ｇは供給管３１ｇの開閉を切り換える。流量調整弁３３ｇは、供給管３１ｇを流れる不活性ガスの流量を調整する。ヒータ３４ｇは、供給管３１ｇを流れる不活性ガスを加熱する。ヒータ３４ｇは、例えば、電熱線を有する電気抵抗式のヒータであってもよい。供給弁３２ｇ、流量調整弁３３ｇおよびヒータ３４ｇは制御部９０によって制御される。
【0066】
供給弁３２ｇが開き、かつ、ヒータ３４ｇが作動すると、対向部材６０の下面の中央部（つまり、ガス流路３０ｇの下端口）から高温の不活性ガスが、基板Ｗの第１主面Ｗａの中央部に向かって吐出される。これにより、基板Ｗの乾燥を促進させることができる。
【0067】
図３の例では、処理ユニット１には移動駆動部３５が設けられている。移動駆動部３５は、ノズル３０ｃ、ノズル３０ｗ、ノズル３０ｉａおよび対向部材６０を含む吐出ヘッドを一体に移動させる。具体的には、移動駆動部３５は吐出ヘッドを、次に説明する処理位置と待機位置との間で移動させる。処理位置とは、ノズル３０ｃ、ノズル３０ｗおよびノズル３０ｉａが処理液を基板Ｗの第１主面Ｗａに向かって吐出する位置であり、例えば、基板Ｗの第１主面Ｗａの中央部と鉛直方向において対向する位置である。処理位置は、対向部材６０が基板Ｗの第１主面Ｗａに向かって不活性ガスを吐出する位置でもある。図３の例では、処理位置で停止した吐出ヘッドが示されている。待機位置とは、ノズル３０ｃ、ノズル３０ｗおよびノズル３０ｉａが処理液を基板Ｗの第１主面Ｗａに向かって吐出しない位置であり、例えば、基板保持部２よりも径方向外側の位置である。待機位置は、対向部材６０が基板Ｗの第１主面Ｗａに向かって不活性ガスを吐出しない位置でもある。
【0068】
図３では、移動駆動部３５の具体的な構成の一例が示されている。図３の例では、移動駆動部３５は、アーム３５１と、支持柱３５２と、駆動源３５３とを含んでいる。支持柱３５２は、後述のガード７よりも径方向外側に設けられており、鉛直方向に沿って延びている。アーム３５１は水平方向に沿って延びており、その先端が吐出ヘッドに接続され、その基端が支持柱３５２に接続されている。駆動源３５３は制御部９０によって制御され、支持柱３５２をその中心軸線Ｑ２のまわりで所定の角度範囲で正逆方向に回転させる。駆動源３５３は例えばモータを含む。支持柱３５２が中心軸線Ｑ２のまわりで所定の角度範囲で正逆方向に回転すると、吐出ヘッドは、中心軸線Ｑ２についての周方向に沿って往復移動する。支持柱３５２は、吐出ヘッドの移動軌跡上に処理位置および待機位置が位置するように、設置される。なお、移動駆動部３５は必ずしも図３の態様に限らず、例えばリニアモータ等の直動機構を含んでいてもよい。
【0069】
基板加熱部４は、基板保持部２によって保持された基板Ｗの第２主面Ｗｂを加熱する。図３の例では、基板加熱部４は、基板Ｗの第２主面Ｗｂと鉛直方向において対向する位置に設けられている。図３の例では、基板Ｗの第２主面Ｗｂは下面に相当するので、基板加熱部４は基板Ｗの直下に設けられている。
【0070】
図３の例では、基板加熱部４はノズル４０を含んでいる。ノズル４０は基板Ｗの第２主面Ｗｂに向かって熱媒体を吐出する。図３の例では、基板Ｗの第２主面Ｗｂは下面に相当するので、ノズル４０は下面ノズルとも呼ばれ得る。図３の例では、基板保持部２のスピンベース２１の中央部には貫通穴が形成されており、シャフト２３１は中空シャフトである。スピンベース２１の貫通穴およびシャフト２３１の中空部は鉛直方向においてつながっている。ノズル４０の一部は当該貫通穴に配置されている。ノズル４０の上面には吐出口が形成されており、ノズル４０の吐出口は基板Ｗの第２主面Ｗｂの中央部と鉛直方向において対向している。ノズル４０は熱媒体を基板Ｗの第２主面Ｗｂの中央部に向かって吐出する。
【0071】
ノズル４０には供給管４１の下流端が接続される。供給管４１はシャフト２３１の内部において延びており、シャフト２３１を貫通している。供給管４１の上流端は熱媒体供給源に接続される。熱媒体は流体（気体または液体）であり、より具体的な一例として水等の液体である。熱媒体供給源は、例えば熱媒体を貯留するタンク（不図示）を有し、熱媒体を供給管４１の上流端に供給する。
【0072】
図３の例では、供給管４１には供給弁４２、流量調整弁４３およびヒータ４４が設けられている。供給弁４２は供給管４１の開閉を切り換える。流量調整弁４３は、供給管４１を流れる熱媒体の流量を調整する。流量調整弁４３はマスフローコントローラであってもよい。ヒータ４４は、供給管４１を流れる熱媒体を加熱する。ヒータ４４は、例えば、電熱線を有する電気抵抗式のヒータであってもよい。供給弁４２、流量調整弁４３およびヒータ４４は制御部９０によって制御される。
【0073】
供給弁４２が開き、かつ、ヒータ４４が作動すると、ノズル４０から基板Ｗの第２主面Ｗｂの中央部に高温の熱媒体が吐出される。基板Ｗの第２主面Ｗｂの中央部に着液した熱媒体は基板Ｗの回転に伴う遠心力を受けて、第２主面Ｗｂに沿って径方向外側に流れ、基板Ｗの周縁から外側に飛散する。高温の熱媒体が基板Ｗの第２主面Ｗｂに沿って流れる際に、熱媒体から基板Ｗに熱が移動し、基板Ｗが加熱される。
【0074】
図３の例では、処理ユニット１にはガード７およびガード昇降駆動部７１が設けられている。ガード７は、回転軸線Ｑ１を中心軸とした筒状の形状を有しており、基板保持部２を囲む。ガード７は、基板Ｗの周縁から飛散する処理液および熱媒体を受け止めることができる。ガード昇降駆動部７１はガード７を、次に説明する上位置と下位置との間で昇降させる。上位置とは、ガード７の上端が、基板保持部２によって保持された基板Ｗよりも鉛直上方となる位置である。ガード７は、上位置に位置する状態で、基板Ｗの周縁から飛散した処理液および熱媒体を受け止めることができる。下位置は、上位置よりも低い位置であり、例えば、ガード７の上端がスピンベース２１の上面よりも鉛直下方となる位置である。
【0075】
図３の例では、複数のガード７が設けられている。複数のガード７は同心状に配置される。複数のガード７は処理液の種類に応じて使い分けられてもよい。図３の例では、各ガード７に対応したカップ７２が設けられている。カップ７２は、回転軸線Ｑ１を囲む環状（例えば円環状）の凹部（溝）を有する。各カップ７２は、対応するガード７の内周面を流下した処理液を受け止める。各カップ７２の例えば底部には、排出管１２の上流端が接続されている。各カップ７２で受け止められた処理液は排出管１２を通じて処理ユニット１の外部に排出される。
【0076】
＜基板処理装置の動作の一例＞
次に、処理ユニット１の動作の一例について説明する。図４は、処理ユニット１の動作の一例を示すフローチャートである。制御部９０は、予め設定された処理手順（レシピ）にしたがって、ステップＳ１からステップＳ７の処理を処理ユニット１に実行させる。図５は、後述の乾燥液供給工程における処理ユニット１の様子の一例を概略的に示す図であり、図６は、後述の乾燥工程における処理ユニット１の様子の一例を概略的に示す図である。
次に、処理ユニット１の動作の一例について説明する。図４は、処理ユニット１の動作の一例を示すフローチャートである。制御部９０は、予め設定された処理手順（レシピ）にしたがって、ステップＳ１からステップＳ７の処理を処理ユニット１に実行させる。図５は、後述の乾燥液供給工程における処理ユニット１の様子の一例を概略的に示す図であり、図６は、後述の乾燥工程における処理ユニット１の様子の一例を概略的に示す図である。
【0077】
まず、第２搬送部１２２が基板Ｗを処理ユニット１に搬送する。そして、基板保持部２が、第２搬送部１２２から受け取った基板Ｗを保持する（ステップＳ１：保持工程）。具体的な一例として、基板保持部２は複数のチャックピン２２をそれぞれの解除位置から保持位置に変位させる。これにより、複数のチャックピン２２が基板Ｗを保持する。基板保持部２は、基板Ｗに対する処理の終了まで基板Ｗを保持し続ける。
【0078】
次に、基板保持部２は基板Ｗの回転を開始させる（ステップＳ２：回転開始工程）。基板保持部２は、基板Ｗの処理が完了するまで基板Ｗに対する回転を継続してもよい。
【0079】
次に、処理ユニット１は基板Ｗの第１主面Ｗａに薬液を供給する（ステップＳ３：薬液工程）。まず、移動駆動部３５が吐出ヘッドを処理位置に移動させる。また、ガード昇降駆動部７１が薬液用のガード７を上位置に上昇させる。そして、制御部９０は供給弁３２ｃを開く。つまり、制御部９０は供給弁３２ｃを閉状態から開状態に切り替える。これにより、ノズル３０ｃから回転中の基板Ｗの第１主面Ｗａに向かって薬液が吐出される。基板Ｗの第１主面Ｗａに着液した薬液は基板Ｗの回転に伴う遠心力を受けて径方向外側に流れ、基板Ｗの周縁から飛散する。このとき、薬液が基板Ｗの第１主面Ｗａに作用することにより、薬液の種類に応じた薬液処理が基板Ｗの第１主面Ｗａに対して行われる。例えば処理ユニット１は、基板Ｗの第１主面Ｗａ上の不純物を洗浄除去する洗浄処理、あるいは、基板Ｗの第１主面Ｗａの所定膜をエッチングするエッチング処理を行う。基板Ｗの周縁から飛散した薬液はガード７で受け止められ、排出管１２を通じてチャンバ１０の外部に排出される。
【0080】
基板Ｗに対する処理が十分に行われると、制御部９０は供給弁３２ｃを閉じる。具体的な一例として、制御部９０は薬液の吐出開始からの経過時間を測定し、当該経過時間が所定の薬液時間以上であるか否かを判定する。薬液時間は、薬液処理が十分に行われる程度の時間に予め設定される。経過時間の測定は、例えば制御部９０に属するタイマ回路（不図示）によって行われる。制御部９０は当該経過時間が薬液時間以上であるときに、供給弁３２ｃを開状態から閉状態に切り替える。
【0081】
次に、処理ユニット１は基板Ｗの第１主面Ｗａにリンス液を供給する（ステップＳ４：リンス工程）。リンス液用のガード７が薬液用のガード７と相違する場合には、ガード昇降駆動部７１がガード７を適宜に昇降させて、リンス液用のガード７を上位置に位置させる。そして、制御部９０は供給弁３２ｗを開く。つまり、制御部９０は供給弁３２ｗを閉状態から開状態に切り替える。これにより、ノズル３０ｗから回転中の基板Ｗの第１主面Ｗａに向かってリンス液が吐出される。基板Ｗの第１主面Ｗａに着液したリンス液は、基板Ｗの回転に伴う遠心力を受けて径方向外側に流れ、基板Ｗの周縁から飛散する。このとき、リンス液が基板Ｗの第１主面Ｗａ上の薬液を径方向外側に押し流す。これにより、基板Ｗの第１主面Ｗａ上の処理液が薬液からリンス液に置換される。基板Ｗの周縁から飛散した処理液はガード７で受け止められ、排出管１２を通じてチャンバ１０の外部に排出される。
【0082】
薬液からリンス液への置換が十分に行われると、制御部９０は供給弁３２ｗを閉じる。具体的な一例として、制御部９０はリンス液の吐出開始からの経過時間を測定し、当該経過時間が所定のリンス時間以上となったときに、供給弁３２ｗを開状態から閉状態に切り替える。リンス時間は、薬液からリンス液の置換が十分に行われる程度の時間に予め設定される。
【0083】
次に、処理ユニット１は基板Ｗの第１主面Ｗａに乾燥液を供給する（ステップＳ５：乾燥液供給工程）。乾燥液用のガード７がリンス液用のガード７と相違する場合には、ガード昇降駆動部７１がガード７を適宜に昇降させて、乾燥液用のガード７を上位置に上昇させる。そして、制御部９０は供給弁３２ｉａおよび供給弁３２ｉｂを開く。つまり、制御部９０は供給弁３２ｉａおよび供給弁３２ｉｂを閉状態から開状態に切り替える。
【0084】
供給弁３２ｉａおよび供給弁３２ｉｂが開くと、図５に示されるように、ノズル３０ｉａの吐出口３ｉａおよびノズル３０ｉｂの吐出口３ｉｂから回転中の基板Ｗの第１主面Ｗａに向かって乾燥液が吐出される。乾燥液の温度は例えば常温（例えば摂氏２５度程度）であってもよい。ここでいう乾燥液の温度とは、例えば、吐出口３ｉａおよび吐出口３ｉｂの各々における乾燥液の温度である。また、ここでいう常温とは、例えば、吐出口３ｉａおよび吐出口３ｉｂよりも上流側において、乾燥液を加熱するヒータが設けられていない、あるいは、当該ヒータが作動していないときの乾燥液の温度を含む。つまり、常温は、加熱されていない乾燥液の温度を含む。
【0085】
ノズル３０ｉａからの乾燥液は基板Ｗの第１主面Ｗａの中央部に着液し、ノズル３０ｉｂからの乾燥液は基板Ｗの第１主面Ｗａの周縁部に着液する。第１主面Ｗａ上に着液した乾燥液は、基板Ｗの回転に伴う遠心力を受けて径方向外側に流れ、基板Ｗの周縁から飛散する。このとき、乾燥液が基板Ｗの第１主面Ｗａ上のリンス液を押し流すことにより、基板Ｗの第１主面Ｗａ上の処理液がリンス液から乾燥液に置換される。基板Ｗの周縁から飛散した処理液はガード７で受け止められ、排出管１２を通じてチャンバ１０の外部に排出される。
【0086】
ノズル３０ｉａおよびノズル３０ｉｂから吐出される乾燥液の総流量は、例えば１００ｍＬ（ミリリットル）／ｍｉｎ以上に設定されてもよく、具体的な一例として、例えば２５０ｍＬ／ｍｉｎに設定され得る。乾燥液供給工程における基板Ｗの回転速度は、例えば１５０ｒｐｍ以上かつ６００ｒｐｍ以下に設定されてもよく、２００ｒｐｍ以上かつ４００ｒｐｍ以下に設定されてもよい。より具体的な一例として、回転速度は３００ｒｐｍに設定され得る。
【0087】
また、処理ユニット１は乾燥液の供給時に基板Ｗの第２主面Ｗｂを加熱する。つまり、基板加熱部４は基板Ｗの第２主面Ｗｂを加熱する。より具体的な一例として、制御部９０は供給弁４２を開き、かつ、ヒータ４４を作動させる。これによれば、図５に示されるように、ノズル４０から回転中の基板Ｗの第２主面Ｗｂの中央部に向かって高温の熱媒体（例えば温水）が吐出される。基板Ｗの第２主面Ｗｂの中央部に着液した熱媒体は、基板Ｗの回転に伴う遠心力を受けて径方向外側に流れ、基板Ｗの周縁から飛散する。高温の熱媒体が基板Ｗの第２主面Ｗｂに沿って流れる際に、熱媒体から基板Ｗに熱が伝達され、基板Ｗが加熱される。基板Ｗの熱は第１主面Ｗａ上の乾燥液に伝達される。このため、基板Ｗの第１主面Ｗａ上の乾燥液も加熱され、昇温する。
【0088】
ヒータ４４は熱媒体を例えば摂氏６０度以上にしてもよく、摂氏７０度以上に加熱してもよく、摂氏８０度以上に加熱してもよい。また、ヒータ４４は熱媒体の温度を、例えば乾燥液の沸点未満に調整してもよい。ここでいう熱媒体の温度とは、例えば、ノズル４０の吐出口における熱媒体の温度である。流量調整弁４３は熱媒体の流量を、例えば、乾燥液の流量よりも大きな値に調整してもよい。より具体的には、流量調整弁４３は熱媒体の流量を１０００ｍＬ／ｍｉｎ以上に調整してもよく、１５００ｍＬ／ｍｉｎ以上に調整してもよい。
【0089】
以上のように、処理ユニット１は乾燥液供給工程において、基板Ｗを回転させ、かつ、基板Ｗの第２主面Ｗｂを加熱しつつ、乾燥液を基板Ｗの第１主面Ｗａに供給する。しかも、処理ユニット１は吐出口３ｉａおよび吐出口３ｉｂから乾燥液を吐出させて、基板Ｗの第１主面Ｗａの中央着液位置および周縁着液位置に乾燥液を着液させる。
【0090】
リンス液から乾燥液への置換が十分に行われると、処理ユニット１は基板Ｗを乾燥させる（ステップＳ６：乾燥工程）。具体的には、処理ユニット１は乾燥液の吐出開始からの経過時間を測定し、当該経過時間が所定の乾燥液供給時間以上であるか否かを判定する。乾燥液供給時間は、リンス液から乾燥液への置換が十分に行われる程度の時間に予め設定される。乾燥液供給時間は例えば数十秒程度以上に設定され、具体的な一例として４０秒程度に設定され得る。そして、当該経過時間が乾燥液供給時間以上であるときに、処理ユニット１は基板Ｗを乾燥させる。具体的には、制御部９０は供給弁３２ｉａおよび供給弁３２ｉｂを閉じる。制御部９０は供給弁３２ｉａおよび供給弁３２ｉｂをほぼ同時に開状態から閉状態に切り替えてもよい。ここでいう「ほぼ同時」とは、例えば、１秒以下の時間差を含む。また、基板加熱部４は基板Ｗの第２主面Ｗｂの加熱を停止する。具体的には、制御部９０は供給弁４２を閉じる。供給弁４２を閉じるタイミングは、供給弁３２ｉａおよび供給弁３２ｉｂを閉じるタイミングとほぼ同時であってもよい。
【0091】
さらに制御部９０は基板保持部２に基板Ｗの回転速度を増加させる。例えば、基板保持部２は例えば８００ｒｐｍ以上かつ２５００ｒｐｍ以下の回転速度で基板Ｗを回転させてもよく、８００ｒｐｍ以上かつ１５００ｒｐｍ以下の回転速度で基板Ｗを回転させてもよい。また、基板保持部２は基板Ｗの回転速度を徐々に（例えば段階的に）増加させてもよい。基板Ｗの回転速度の上昇を開始するタイミングは、供給弁３２ｉａおよび供給弁３２ｉｂを閉じるタイミングとほぼ同時であってもよい。
【0092】
処理ユニット１は基板Ｗの第１主面Ｗａの中央部に向かって不活性ガスを供給してもよい。具体的には、制御部９０は供給弁３２ｇを開き、かつ、ヒータ３４ｇを作動させてもよい。これにより、図６に示されるように、対向部材６０の下面の中央部のガス吐出口（つまり、ガス流路３０ｇの下端口）から、高温の不活性ガスが基板Ｗの第１主面Ｗａの中央部に向かって吐出される。図６では、不活性ガスの流れる方向が、対向部材６０の直下の矢印で模式的に示されている。基板Ｗの第１主面Ｗａの中央部にあたった不活性ガスは第１主面Ｗａに沿って径方向外側に流れる。ヒータ３４ｇは不活性ガスを例えば摂氏６０度以上に加熱してもよく、摂氏７０度以上に加熱してもよく、摂氏８０度以上に加熱してもよい。不活性ガスの温度は、例えば、ガス流路３０ｇのガス吐出口における不活性ガスの温度であってもよい。流量調整弁３３ｇは不活性ガスの流量を、例えば、１０Ｌ（リットル）／ｍｉｎ以上かつ３００Ｌ／ｍｉｎ以下に調整してもよい。
【0093】
乾燥液が十分に蒸発すると、処理ユニット１は不活性ガスの吐出を停止させつつ、基板Ｗの回転を停止させる。具体的な一例として、制御部９０は、乾燥液の吐出停止からの経過時間を測定し、当該測定時間が所定の乾燥時間以上であるか否かを判定する。乾燥時間は、基板Ｗが十分に乾燥する程度の時間に予め設定される。当該経過時間が乾燥時間以上であるときに、制御部９０は供給弁３２ｇを開状態から閉状態に切り替えるとともに、基板保持部２に基板Ｗの回転を停止させる。また、移動駆動部３５が吐出ヘッドを待機位置に移動させ、ガード昇降駆動部７１がガード７を下位置に下降させる。
【0094】
次に、基板保持部２が基板Ｗに対する保持を解除する（ステップＳ７：保持解除工程）。そして、第２搬送部１２２が処理済みの基板Ｗを処理ユニット１から搬出する。
【0095】
以上のように、処理ユニット１は基板Ｗに対する処理を行うことができる。しかも、本実施形態では、薬液工程およびリンス工程を含む液処理工程の後の乾燥液供給工程において、吐出部３は、基板Ｗの第１主面Ｗａのうちの中央着液位置および周縁着液位置に向かってそれぞれ乾燥液を吐出する（図５参照）。上述の例では、ノズル３０ｉａが乾燥液を中央着液位置に向かって吐出し、ノズル３０ｉｂが乾燥液を周縁着液位置に向かって吐出する。このため、基板Ｗの第１主面Ｗａのうちの中央着液位置および周縁着液位置の各々に乾燥液が着液する。
【0096】
しかも、本実施の形態では、乾燥液供給工程において、基板加熱部４が基板Ｗの第２主面Ｗｂを加熱する。上述の例では、ノズル４０が高温の熱媒体を基板Ｗの第２主面Ｗｂの中央部に向かって吐出する。このため、基板Ｗおよび基板Ｗの第１主面Ｗａ上の乾燥液が熱媒体によって加熱される。
【0097】
このような乾燥液供給工程が行われることにより、次の乾燥工程において、基板Ｗの第１主面Ｗａ上の乾燥液を以下に説明する順番で蒸発させることができる。図７は、基板Ｗの第１主面Ｗａ上の乾燥液が蒸発する順番を説明するための図である。図７では、基板Ｗの第１主面Ｗａが時系列に模式的に示されている。図７では、基板Ｗの第１主面Ｗａのうち乾燥液が存在している領域には、斜線のハッチングが付与される。図７に示されるように、初期的には、基板Ｗの第１主面Ｗａの全面に乾燥液が存在している。時間の経過によって、基板Ｗの第１主面Ｗａのうち、まず、ミドル領域Ｗａ２上の乾燥液が蒸発してミドル領域Ｗａ２が露出（あるいは乾燥、以下同様）する。ミドル領域Ｗａ２とは、基板Ｗと同心状かつ円環状の領域であり、基板Ｗの中央部と周縁部との間に位置する領域である。そして、その乾燥領域が時間の経過とともに径方向に広がって、第１主面Ｗａのうちの周縁領域Ｗａ３が露出する。周縁領域Ｗａ３とはミドル領域Ｗａ２よりも径方向外側かつ基板Ｗと同心状の円環領域である。そして、最後に第１主面Ｗａのうちの中央領域Ｗａ１が露出する。
【0098】
なお、上述の蒸発順序は、少なくとも基板Ｗの第１主面Ｗａのパターンよりも上側において生じることが、発明者によって確認されている。蒸発は主として乾燥液の上面から生じることに鑑みれば、パターンの内部でも、上述の蒸発順序で乾燥液が蒸発していると考えられる。
【0099】
このような蒸発順序で乾燥液が蒸発する理由は必ずしも定かではないが、その一つとして次の理由が考えられる。すなわち、乾燥液供給工程において、中央着液位置のみならず周縁着液位置にも乾燥液が着液することにより、基板Ｗの第１主面Ｗａ上の乾燥液の膜厚がミドル領域Ｗａ２上で薄くなっている、と考えられる。しかも、乾燥液供給工程において、基板Ｗの第１主面Ｗａ上の乾燥液が加熱されるので、乾燥液は蒸発しやすい状態にある。このため、乾燥工程において、基板Ｗが高速回転することにより、ミドル領域Ｗａ２上の乾燥液の蒸発が他の領域に先立って完了し、ミドル領域Ｗａ２が最初に露出する、と考えられる。
【0100】
以上のように、本実施の形態では、乾燥液供給工程において、乾燥液を中央着液位置および周縁着液位置に着液させつつ、基板Ｗの第２主面Ｗｂを加熱することにより、乾燥工程において、ミドル領域Ｗａ２、周縁領域Ｗａ３および中央領域Ｗａ１の順に乾燥液の蒸発を完了させ得る。つまり、ミドル領域Ｗａ２が中央領域Ｗａ１よりも先に乾燥する。
【0101】
比較のために、乾燥液供給工程において、中央着液位置のみに乾燥液を着液させる場合について説明する。この場合、乾燥工程では、第１主面Ｗａのうち中央領域Ｗａ１が最初に露出し、その乾燥領域が時間とともに径方向外側に広がっていく。つまり、比較例のように、周縁着液位置に着液する乾燥液の流量がゼロである場合には、第１主面Ｗａはその中央領域Ｗａ１から露出していく。
【0102】
逆に言えば、本実施形態では、乾燥工程においてミドル領域Ｗａ２が中央領域Ｗａ１よりも先に露出するように、乾燥液供給工程において中央着液位置に着液する乾燥液の流量（以下、中央流量Ｆａと呼ぶ）および周縁着液位置に着液する乾燥液の流量（以下、周縁流量Ｆｂと呼ぶ）が設定され得る。より具体的には、乾燥工程において、ミドル領域Ｗａ２、周縁領域Ｗａ３および中央領域Ｗａ１の順で第１主面Ｗａが露出するように、中央流量Ｆａおよび周縁流量Ｆｂが設定され得る。
【0103】
次に、パターンの倒壊率について説明する。図８は、実験結果としてのパターンの倒壊率を示すグラフである。図８は、比較例にかかる倒壊率および本実施形態にかかる倒壊率を示している。図８の左側の２つの棒グラフは比較例にかかる倒壊率を示し、中央の２つの棒グラフおよび右側の２つの棒グラフは本実施形態にかかる倒壊率を示している。中央の２つの棒グラフは、周縁流量Ｆｂが中央流量Ｆａよりも大きいときの倒壊率を示し、右側の２つの棒グラフは、周縁流量Ｆｂが中央流量Ｆａよりも小さいときの倒壊率を示している。左側、中央および右側の各々において、２つの棒グラフはそれぞれ基板Ｗの第１主面Ｗａの中央部および周縁部おける倒壊率を示している。
【0104】
図８に示されるように、比較例では、周縁部におけるパターンの倒壊率が高くなる。より具体的には、比較例では、中央部におけるパターンの倒壊率は低いものの、中央部のパターンの倒壊率が高くなる。この理由は必ずしも定かではないが、次のように考えられ得る。まず、乾燥液供給工程の終了時点において、第１主面Ｗａ上の乾燥液の液膜中にはわずかなリンス液（例えば純水）が残留していると考えられる。比較例では、乾燥工程において、基板Ｗの第１主面Ｗａは中央部から露出し始め、その乾燥領域が時間の経過とともに外側に広がる。残留したリンス液は乾燥液の液膜中を移動するので、基板Ｗの周縁側に移動し、基板Ｗの周縁部にはリンス液が集まると考えられる。このようにリンス液が基板Ｗの周縁部に集まってから蒸発することにより、基板Ｗの周縁部におけるパターンの倒壊率が高くなると考えられる。
【0105】
また、当該理由として次のように考えることも可能である。すなわち、乾燥液供給工程において、乾燥液が基板Ｗの周縁部のパターン内部に十分に侵入できず、パターン内部からリンス液を十分に排出できていない可能性もある。この場合、周縁部のパターン内部でのリンス液の残留量が大きくなり、乾燥工程において、周縁部におけるパターンの倒壊率が高くなる。
【0106】
これに対して、本実施形態では、周縁部におけるパターンの倒壊率を低減させることができる。具体的には、図８に示されるように、中央部におけるパターンの倒壊率はやや高くなるものの、周縁部におけるパターンの倒壊率を低減させることができる。この理由は次のように考えられる。すなわち、乾燥工程において、ミドル領域Ｗａ２が最初に露出（あるいは乾燥）するので、中央領域Ｗａ１上の乾燥液の液膜中のリンス液は、周縁領域Ｗａ３にはあまり移動できない。このため、基板Ｗの周縁部にリンス液があまり集まらず、周縁部におけるパターンの倒壊率が改善されている、と考えられる。なお、この考察は、図８に示されるように、中央部におけるパターンの倒壊率が高くなっていることからも、ある程度の妥当性を有していると考えられる。
【0107】
あるいは、乾燥液供給工程において、乾燥液が周縁着液位置にも着液することで、周縁部においても乾燥液がパターン内部に侵入し、リンス液を周縁部のパターン内部から十分に排出させることができている可能性もある。
【0108】
このように、本実施形態によれば、周縁部におけるパターンの倒壊率を低減させることができる。また、図８から理解できるように、本実施形態では、中央部における倒壊率と周縁部における倒壊率との差を低減させることもできる。つまり、第１主面Ｗａ上のパターンの倒壊率をより均一にすることが可能である。
【0109】
また、乾燥液供給工程において、基板加熱部４は基板Ｗの第２主面Ｗｂを加熱しているので、基板Ｗの第１主面Ｗａ上の乾燥液の温度を高めることができる。このため、次の乾燥工程においても、乾燥液の温度を高くすることができる。したがって、乾燥液の表面張力を低減させつつ、乾燥液の蒸発を促進させることができる。より短時間で乾燥液を蒸発させることができれば、蒸発時において乾燥液の表面張力によるパターンへの力積を低減させることができる。このため、パターンの倒壊率をさらに低減させることができる。
【0110】
また、基板加熱部４は基板Ｗの第２主面の中央部に向かって熱媒体をノズル４０から吐出させて、基板Ｗを加熱する。これによれば、簡易な構成で基板Ｗを加熱することができる。
【0111】
また、図８の中央の棒グラフと右側の棒グラフとの比較から理解できるように、乾燥液供給工程において、周縁流量Ｆｂが中央流量Ｆａよりも大きい場合には、周縁部におけるパターンの倒壊率をさらに低減させることができる。ひいては、中央部におけるパターンの倒壊率および周縁部におけるパターンの倒壊率の差をさらに低減させることができる。
【0112】
また、上述の例では、乾燥工程において、対向部材６０は高温の不活性ガスを基板Ｗの第１主面Ｗａに向かって吐出する。高温の不活性ガスは、基板Ｗの第１主面Ｗａ上の乾燥液の蒸発を促進させることができるので、さらに短時間で乾燥液を蒸発させることができる。
【0113】
また、対向部材６０は高温の不活性ガスを基板Ｗの中央部に向かって吐出する。この場合には、高温の不活性ガスが基板Ｗの第１主面Ｗａの中央部にあたり、続けて第１主面Ｗａに沿って径方向外側に流れる。これによれば、特に基板Ｗの中央部上の乾燥液の蒸発を促進させることができる。上述の例では、最後に中央部上の乾燥液が蒸発している。つまり、最後に蒸発する領域上の乾燥液に対して高温の不活性ガスを集中的に供給することができる。このため、基板Ｗの第１主面Ｗａの乾燥に要する乾燥時間をより効果的に短縮することができる。
【0114】
なお、吐出部３は高温の乾燥液を吐出してもよい。図９は、第１実施形態にかかる処理ユニット１の一部の他の一例を概略的に示す図である。図９の例では、吐出部３はヒータ３４ｉａおよびヒータ３４ｉｂをさらに含んでいる。ヒータ３４ｉａは供給管３１ｉａに設けられており、供給管３１ｉａを流れる乾燥液を加熱する。ヒータ３４ｉｂは供給管３１ｉｂに設けられており、供給管３１ｉｂを流れる乾燥液を加熱する。ヒータ３４ｉａおよびヒータ３４ｉｂは制御部９０によって制御される。ヒータ３４ｉａおよびヒータ３４ｉｂの各々は、乾燥液の温度が常温よりも大きく、かつ、乾燥液の沸点未満となるように、乾燥液を加熱する。例えばヒータ３４ｉａおよびヒータ３４ｉｂの各々は乾燥液の温度を摂氏６０度以上に上昇させてもよく、具体的な一例として摂氏７０度程度に上昇させてもよい。
【0115】
図９の処理ユニット１の動作の一例も図４と同様であるが、乾燥液供給工程（ステップＳ５）において、吐出部３は、加熱された乾燥液を吐出口３ｉａおよび吐出口３ｉｂから吐出させる。このため、基板Ｗの第１主面Ｗａ上の乾燥液の温度をさらに高めることができる。したがって、次の乾燥工程（ステップＳ６）における乾燥液の表面張力をさらに低減させつつ、乾燥液の蒸発をさらに促進させることができる。
【0116】
また、上述の例では、ノズル３０ｃおよびノズル３０ｗが対向部材６０の内部に設けられているものの、これらの少なくとも一方が対向部材６０の外部に設けられてもよい。この場合、ノズル３０ｃおよびノズル３０ｗの少なくとも一方を処理位置と待機位置との間で移動させる、移動駆動部３５と同様の移動駆動部が別途に設けられ得る。
【0117】
＜第２実施形態＞
第１実施形態では、中央着液位置のみならず、周縁着液位置にも乾燥液を着液させる。このため、乾燥液の総流量（つまり、中央流量Ｆａと周縁流量Ｆｂとの和）の増加を招きやすい。この増加を回避するためには、中央流量Ｆａおよび周縁流量Ｆｂの各々を小さく設定する必要がある。もしも中央流量Ｆａが小さくなると、第１主面Ｗａ上の乾燥液の液膜が薄くなり、乾燥液による基板Ｗの第１主面Ｗａのカバレッジが低下する。ひいては、基板Ｗの第１主面Ｗａに多くのパーティクルが付着し得る。
第１実施形態では、中央着液位置のみならず、周縁着液位置にも乾燥液を着液させる。このため、乾燥液の総流量（つまり、中央流量Ｆａと周縁流量Ｆｂとの和）の増加を招きやすい。この増加を回避するためには、中央流量Ｆａおよび周縁流量Ｆｂの各々を小さく設定する必要がある。もしも中央流量Ｆａが小さくなると、第１主面Ｗａ上の乾燥液の液膜が薄くなり、乾燥液による基板Ｗの第１主面Ｗａのカバレッジが低下する。ひいては、基板Ｗの第１主面Ｗａに多くのパーティクルが付着し得る。
【0118】
そこで、第２実施形態では、基板Ｗの周縁部におけるパターンの倒壊率を低減させつつも、第１主面Ｗａに付着するパーティクルの数を低減させることを企図する。
【0119】
第２実施形態にかかる基板処理装置１００の構成の一例は第１実施形態と同様である。また、処理ユニット１の動作の一例も、図４に示す通りである。ただし、乾燥液供給工程において、処理ユニット１は中央流量Ｆａおよび周縁流量Ｆｂを時間の経過ともに変化させる。
【0120】
図１０は、第２実施形態にかかる処理ユニット１のタイミングチャートおよび乾燥液の流量の時間変化の一例を示す図である。図１０では、中央流量Ｆａが実線で示され、周縁流量Ｆｂが破線で示されている。図１０の例では、時点ｔ１において制御部９０が供給弁３２ｉａを閉状態から開状態に切り替える。これにより、ノズル３０ｉａから基板Ｗの第１主面Ｗａの中央着液位置に向かって乾燥液が吐出され始める。この時点ｔ１において、実質的な乾燥液供給工程が始まる。一方で、図１０の例では、供給弁３２ｉｂは閉状態を維持している。このため、ノズル３０ｉｂからは乾燥液が未だ吐出されない。
【0121】
また、制御部９０は、例えば時点ｔ１において、供給弁４２を閉状態から開状態に切り替え、ヒータ４４を作動させる。これにより、ノズル４０から高温の熱媒体が基板Ｗの第２主面Ｗｂに向かって吐出され、基板Ｗが加熱される。
【0122】
そして、制御部９０は時点ｔ１よりも後の時点ｔ２において、供給弁３２ｉｂを閉状態から開状態に切り替える。これにより、ノズル３０ｉｂから乾燥液が基板Ｗの第１主面Ｗａの周縁着液位置に向かって吐出され始める。つまり、ノズル３０ｉａおよびノズル３０ｉｂの両方から乾燥液が吐出される。
【0123】
図１０の例では、時点ｔ２において、制御部９０は流量調整弁３３ｉａに中央流量Ｆａを低減させている。これにより、中央流量Ｆａと周縁流量Ｆｂとの和の増加を抑制することができる。
【0124】
そして、時点ｔ２の後の時点ｔ３において、制御部９０は供給弁３２ｉａ、供給弁３２ｉｂおよび供給弁４２を開状態から閉状態に切り替える。つまり、時点ｔ３において、実質的な乾燥液供給工程が終了する。
【0125】
以上のように、時点ｔ１から時点ｔ３までの乾燥液供給時間Ｔのうち、時点ｔ１から時点ｔ２までの所定の前時間Ｔ１において、中央流量Ｆａは周縁流量Ｆｂよりも大きい。例えば周縁流量Ｆｂは中央流量Ｆａの半分以下であってもよく、３分の１以下であってもよく、４分の１以下であってもよく、１０分の１以下であってもよい。上述の例では、周縁流量Ｆｂはゼロに設定されている。このため、より多くの乾燥液が中央着液位置に着液することができ、基板Ｗの第１主面Ｗａの全面をより高いカバレッジで覆うことができる。したがって、基板Ｗの第１主面Ｗａへのパーティクルの付着を抑制することができる。
【0126】
一方、乾燥液供給時間Ｔのうち前時間Ｔ１よりも後の後時間Ｔ２（図では時点ｔ２から時点ｔ３までの時間）における中央流量Ｆａは、前時間Ｔ１における中央流量Ｆａよりも小さく、後時間Ｔ２における周縁流量Ｆｂは前時間Ｔ１における周縁流量Ｆｂよりも大きい。このため、中央流量Ｆａと周縁流量Ｆｂの和である総流量の増加を抑制しつつ、つまり、乾燥液の使用量の増加を抑制しつつ、乾燥液を中央着液位置および周縁着液位置の各々に着液させることができる。
【0127】
後時間Ｔ２は前時間Ｔ１よりも短く設定されてもよい。後時間Ｔ２は乾燥液供給時間Ｔの半分以下に設定されてもよく、３分の１以下に設定されてもよく、４分の１以下に設定されてもよく、１０分の１以下に設定されてもよい。具体的な一例として、後時間Ｔ２は３秒以下に設定されてもよい。後時間Ｔ２が短いほど前時間Ｔ１を長く設定することができる。これによれば、処理ユニット１はパーティクルの付着をより確実に抑制しつつ、より効果的にリンス液から乾燥液への置換を促進することができる。
【0128】
図１０に示されるように、後時間Ｔ２の終了時点（時点ｔ３）は乾燥液供給時間Ｔの終了時点であってもよい。つまり、後時間Ｔ２が経過したときに、制御部９０は供給弁３２ｉａおよび供給弁３２ｉｂを閉じて、乾燥液の供給を停止してもよい。
【0129】
以上のように、第２実施形態では、前時間Ｔ１において、中央流量Ｆａが周縁流量Ｆｂよりも大きい。このため、乾燥液は高いカバレッジで基板Ｗの第１主面Ｗａの全体を覆うことができ、基板Ｗの第１主面Ｗａへのパーティクルの付着を適切に抑制することができる。
【0130】
しかも、後時間Ｔ２において、乾燥液がより大きな周縁流量Ｆｂで基板Ｗの第１主面Ｗａの周縁着液位置に着液する。また、第２実施形態においても、乾燥液供給工程において、基板加熱部４は基板Ｗの第２主面Ｗｂを加熱している。このため、次の乾燥工程において、基板Ｗのミドル領域Ｗａ２を中央領域Ｗａ１よりも先に乾燥させることができる。したがって、基板Ｗの周縁部におけるパターンの倒壊率を低減させることができる。
【0131】
また、図１０の例では、後時間Ｔ２において、周縁流量Ｆｂは中央流量Ｆａよりも大きく設定されている。これによれば、第１実施形態で説明されたように、基板Ｗの周縁部におけるパターンの倒壊率をさらに低減させることができる。
【0132】
＜第３実施形態＞
第１実施形態および第２実施形態では、基板加熱部４は、乾燥液供給工程（ステップＳ５）の乾燥液供給時間の全体において、基板Ｗの第２主面Ｗｂを加熱している。しかしながら、必ずしもこれに限らない。
第１実施形態および第２実施形態では、基板加熱部４は、乾燥液供給工程（ステップＳ５）の乾燥液供給時間の全体において、基板Ｗの第２主面Ｗｂを加熱している。しかしながら、必ずしもこれに限らない。
【0133】
図１１は、第３実施形態にかかる処理ユニット１のタイミングチャートの一例を模式的に示す図である。図１１の例では、時点ｔ１において、制御部９０は供給弁３２ｉａおよび供給弁３２ｉｂを閉状態から開状態に切り替える。これにより、ノズル３０ｉａおよびノズル３０ｉｂから基板Ｗの第１主面Ｗａに向かって乾燥液が吐出され始める。つまり、時点ｔ１において実質的な乾燥液供給工程が始まる。一方で、図１１の例では、制御部９０は時点ｔ１よりも後の時点ｔ１３において、供給弁４２を閉状態から開状態に切り替える。これにより、ノズル４０から高温の熱媒体が基板Ｗの第２主面Ｗｂに向かって吐出され始める。つまり、基板加熱部４は基板Ｗの第２主面Ｗｂを加熱し始める。そして、制御部９０は時点ｔ１３の後の時点ｔ３において、供給弁３２ｉａ、供給弁３２ｉｂおよび供給弁４２を開状態から閉状態に切り替える。つまり、時点ｔ３において、実質的な乾燥液供給工程が終了する。
【0134】
以上のように、第３実施形態では、基板加熱部４は時点ｔ１から時点ｔ３までの乾燥液供給時間Ｔのうち、時点ｔ１から時点ｔ１３までの所定の前時間Ｔ１１においては、基板Ｗの第２主面Ｗｂを加熱せず、時点ｔ１３から時点ｔ３までの所定の後時間Ｔ１２において、基板Ｗの第２主面Ｗｂを加熱する。後時間Ｔ１２は、時点ｔ３における基板Ｗの第１主面Ｗａの温度が乾燥液の沸点に十分近づく程度の時間に予め設定される。例えば、後時間Ｔ１２は、乾燥液供給時間Ｔの半分以下に設定されてもよく、乾燥液供給時間Ｔの３分の１以下に設定されてもよく、４分の１以下に設定されてもよく、１０分の１以下に設定されてもよい。
【0135】
以上のように、第３実施形態では、基板加熱部４は前時間Ｔ１１において基板Ｗを加熱せず、後時間Ｔ１２において基板Ｗの第２主面Ｗｂを加熱する。つまり、基板加熱部４は後時間Ｔ１２のみにおいて基板Ｗの第２主面Ｗｂを加熱する。このため、基板加熱部４の作動時間を短縮することができ、基板処理装置１００の消費電力を低減させることができる。また、基板加熱部４が基板Ｗの第２主面Ｗｂに高温の熱媒体を供給する場合には、熱媒体の使用量を低減させることができる。熱媒体が液体である場合には、省液化を実現することができる。
【0136】
なお、第３実施形態において、供給弁３２ｉｂを開くタイミングとして第２実施形態を適用する場合には、後時間Ｔ１２は後時間Ｔ２と同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【0137】
＜第４実施形態＞
第４実施形態にかかる基板処理装置１００の構成は第１実施形態と同様である。ただし、第４実施形態では、乾燥液供給工程（ステップＳ５）において、基板加熱部４は基板Ｗの第２主面Ｗｂの少なくとも一部（例えば中央部）の温度を乾燥液の沸点以上に上昇させる。具体的には、基板加熱部４は乾燥液の沸点以上の熱媒体を基板Ｗの第２主面Ｗｂの中央部に供給する。
第４実施形態にかかる基板処理装置１００の構成は第１実施形態と同様である。ただし、第４実施形態では、乾燥液供給工程（ステップＳ５）において、基板加熱部４は基板Ｗの第２主面Ｗｂの少なくとも一部（例えば中央部）の温度を乾燥液の沸点以上に上昇させる。具体的には、基板加熱部４は乾燥液の沸点以上の熱媒体を基板Ｗの第２主面Ｗｂの中央部に供給する。
【0138】
図１２は、第４実施形態にかかる処理ユニット１のタイミングチャート、熱媒体の流量、熱媒体の温度および基板Ｗの第１主面Ｗａの温度（以下、基板温度と呼ぶ）の時間変化の一例を模式的に示す図である。図１２の例では、乾燥液供給工程（ステップＳ５）において、ノズル４０から吐出される熱媒体の温度は乾燥液の沸点ｂｐよりも大きい。乾燥液がイソプロピルアルコールである場合、沸点ｂｐは摂氏８２．４度であり、熱媒体の温度は例えば摂氏８５度程度に設定される。ただし、熱媒体の温度は熱媒体の沸点未満に設定され得る。例えば熱媒体が水である場合、沸点（摂氏１００度）よりも１０度低い摂氏９０度未満に設定されてもよい。これによれば、ＳＥＭＩ規格を順守することができる。
【0139】
乾燥液供給工程においては、熱媒体よりも温度が低い乾燥液がノズル３０ｉａおよびノズル３０ｉｂから吐出される。このため、基板Ｗの第１主面Ｗａには低温の乾燥液が連続的に供給される。したがって、低温の乾燥液は基板Ｗの第１主面Ｗａを冷却することができる。この乾燥液の冷却能力は乾燥液の中央流量Ｆａおよび周縁流量Ｆｂが大きいほど高くなる。そこで、流量調整弁３３ｉａおよび流量調整弁３３ｉｂはそれぞれ乾燥液の中央流量Ｆａおよび周縁流量Ｆｂを、基板温度が沸点ｂｐ未満となる値に調整する。中央着液位置に着液する乾燥液は基板Ｗの第１主面Ｗａの全面を流れるので、中央流量Ｆａが特に重要である。例えば、乾燥液の中央流量Ｆａは、１００ｍＬ／ｍｉｎ程度以上に予め設定される。
【0140】
図１２の例では、基板Ｗの第１主面Ｗａの基板温度として、基板Ｗの第１主面Ｗａのうちの中央部の温度が示されている。高温の熱媒体は基板Ｗの第２主面Ｗｂのうちの中央部に着液するので、基板Ｗの基板温度は次に説明する温度分布を有する。すなわち、基板温度は、基板Ｗの中央部において高く、径方向外側に向かうにつれて低減する。このため、図１２の例では、基板Ｗの第１主面Ｗａの温度分布において最も高い値が基板温度として示されている。
【0141】
図１２に示されるように、乾燥液供給工程における基板温度は乾燥液の沸点ｂｐ未満である。乾燥液がイソプロピルアルコールである場合、基板Ｗの温度分布のうち最も高い基板温度は例えば摂氏８０度程度以下に調整され得る。このため、乾燥液供給工程における乾燥液の沸騰をより確実に抑制することができる。もしも、乾燥液の供給時に基板Ｗの第１主面Ｗａ上の乾燥液が沸騰すると、第１主面Ｗａへのパーティクルの付着を招く。本実施形態では、乾燥液の沸騰をより確実に抑制するので、基板Ｗの第１主面Ｗａへのパーティクルの付着をより確実に抑制することができる。
【0142】
しかも、第４実施形態では、乾燥液供給工程において吐出される熱媒体の温度は沸点ｂｐ以上である。このため、乾燥液供給工程において、基板Ｗの第１主面Ｗａの温度分布における最大値を沸点ｂｐにより近づけることができる。乾燥液供給工程における基板Ｗの第１主面Ｗａの温度分布における最小値（つまり、第１主面Ｗａの周縁部における基板温度）は例えば摂氏６０度以上である。つまり、基板Ｗの第１主面Ｗａの各位置の基板温度が、摂氏６０度以上かつ乾燥液の沸点ｂｐ未満となるように、乾燥液の流量が設定され得る。
【0143】
第４実施形態では、乾燥液供給工程において、基板Ｗ自体の温度を高くしつつ、基板Ｗの第１主面Ｗａ上の乾燥液の温度を沸点ｂｐにより近づけることができる。このため、乾燥液の供給を停止した直後の乾燥工程において、乾燥液の温度をより高くすることができる。このため、乾燥工程において、乾燥液の表面張力をより低減させることができつつ、乾燥液の蒸発速度をより増加させることができる。また、乾燥工程の開始直後のより早いタイミングで乾燥液を蒸発させることができるので、ミドル領域Ｗａ２上の乾燥液は薄い液膜のまま速やかに蒸発すると考えられる。このため、ミドル領域Ｗａ２をより確実に中央領域Ｗａ１よりも先に露出させることができる、と考えられる。
【0144】
＜第５実施形態＞
上述の例では、処理ユニット１は薬液工程（ステップＳ３）、リンス工程（ステップＳ４）、乾燥液供給工程（ステップＳ５）および乾燥工程（ステップＳ６）をこの順で行った。しかしながら、必ずしもこれに限らない。
上述の例では、処理ユニット１は薬液工程（ステップＳ３）、リンス工程（ステップＳ４）、乾燥液供給工程（ステップＳ５）および乾燥工程（ステップＳ６）をこの順で行った。しかしながら、必ずしもこれに限らない。
【0145】
図１３は、第５実施形態にかかる処理ユニット１の動作の第１例を示すフローチャートである。図１３の例では、制御部９０は、予め設定された処理手順（レシピ）にしたがって、ステップＳ１１からステップＳ１９の処理を処理ユニット１に実行させる。ステップＳ１１からステップＳ１５はそれぞれステップＳ１からステップＳ５と同様である。ただし、ステップＳ１５（乾燥液供給工程）において、基板加熱部４は基板Ｗを加熱しなくてもよい。
【0146】
次に、処理ユニット１は基板Ｗの第１主面Ｗａを疎水化させる（ステップＳ１６：疎水化工程：液供給工程に相当）。具体的には、処理ユニット１は、疎水化液を吐出するノズルを含んでおり、当該ノズルから回転中の基板Ｗの第１主面Ｗａに疎水化液を吐出させる。疎水化液は、例えば、シリコン系の疎水化液を含む。シリコン系の疎水化液は、シリコン（Ｓｉ）自体およびシリコンを含む化合物を疎水化させる疎水化液である。疎水化液は、例えば、液体状のシリル化剤（シランカップリング剤ともいう）を含むシリル化液である。処理ユニット１は、基板Ｗの第１主面Ｗａを十分に疎水化したときに、ノズルからの疎水化液の吐出を停止させる。
【0147】
次に、処理ユニット１はステップＳ１７からステップＳ１９を実行する。ステップＳ１７からステップＳ１９はステップＳ５からステップＳ７とそれぞれ同様である。
【0148】
以上のように、上述の第１例でも、第１実施形態から第４実施形態における乾燥液供給工程（ステップＳ５）と同様に乾燥液供給工程（ステップＳ１７）が実行される。このため、基板Ｗのパターンの倒壊率を低減させることができる。しかも、基板Ｗの第１主面Ｗａが疎水化されているので、第１主面Ｗａの接触角を低減させることができる。このため、パターンに作用する表面張力を低減させることができ、パターンの倒壊率をさらに低減させることができる。
【0149】
図１４は、第５実施形態にかかる処理ユニット１の動作の第２例を示すフローチャートである。図１４の例では、制御部９０は、予め設定された処理手順（レシピ）にしたがって、ステップＳ２１からステップＳ２６の処理を処理ユニット１に実行させる。ステップＳ２１からステップＳ２６はそれぞれステップＳ１からステップＳ３、ステップＳ５からステップＳ７と同様である。ただし、ステップＳ２３（薬液工程：液供給工程に相当）の終了時点において、基板Ｗの第１主面Ｗａには金属が露出している。第２例によれば、ステップＳ２３の後に、ステップＳ２４（乾燥液供給工程）が行われる。このため、基板Ｗの第１主面Ｗａには水が供給されない。したがって、金属と水との反応を避けることができ、当該反応による不具合を避けることができる。また、上述の第２例でも、第１実施形態から第４実施形態における乾燥液供給工程（ステップＳ５）と同様に乾燥液供給工程（ステップＳ２４）が実行される。このため、基板Ｗのパターンの倒壊率を低減させることができる。
【0150】
＜第６実施形態＞
図１５は、第６実施形態にかかる処理ユニット１の構成の第１例を概略的に示す図である。第１例にかかる処理ユニット１は、ノズル３０ｉｂという点で、第１実施形態にかかる処理ユニット１と相違している。
図１５は、第６実施形態にかかる処理ユニット１の構成の第１例を概略的に示す図である。第１例にかかる処理ユニット１は、ノズル３０ｉｂという点で、第１実施形態にかかる処理ユニット１と相違している。
【0151】
図１５の例では、ノズル３０ｉｂは、移動駆動部３５によって、吐出ヘッドと一体に移動可能に設けられている。具体的には、ノズル３０ｉｂは移動駆動部３５のアーム３５１に連結されている。ノズル３０ｉｂは、吐出ヘッドが処理位置に位置する状態で、基板保持部２によって保持された基板Ｗの第１主面Ｗａと鉛直方向において対向する。具体的には、ノズル３０ｉｂは第１主面Ｗａの周縁部と鉛直方向において対向する。ノズル３０ｉｂは鉛直方向に延びており、その下面に吐出口３ｉｂが形成されている。ノズル３０ｉｂは吐出口３ｉｂから例えば鉛直下方に沿って乾燥液を吐出する。
【0152】
第１例にかかる処理ユニット１の動作も図４のフローチャートと同様である。つまり、第１実施形態から第４実施形態と同様に、乾燥液供給工程（ステップＳ５）が行われる。このため、基板Ｗの周縁部におけるパターンの倒壊率を低減させることができる。
【0153】
図１６は、第６実施形態にかかる処理ユニット１の構成の第２例を概略的に示す図である。第２例にかかる処理ユニット１は、吐出部３および対向部材６０の構成という点で、第１実施形態にかかる処理ユニット１と相違している。図１６の例では、対向部材６０は遮断板６と中空軸６１とを含んでいる。遮断板６は、基板保持部２によって保持された基板Ｗの第１主面Ｗａと鉛直方向において対向する位置に設けられている。図１６の例では、基板Ｗの第１主面Ｗａは上面に相当するので、遮断板６は基板Ｗよりも鉛直上方に設けられている。遮断板６は例えば板状の形状を有しており、その厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢で設けられる。遮断板６の下面は、基板Ｗの第１主面Ｗａと対向する対向面である。遮断板６は平面視において、例えば円形状を有する。遮断板６の直径（つまり、対向面の直径）は例えば基板Ｗの直径の８割以上であってもよく、９割以上であってもよく、基板Ｗの直径以上であってもよい。
【0154】
図１６の例では、遮断板６の上面には、中空軸６１が設けられている。中空軸６１は中空部を有しており、遮断板６の中央部には、自身を鉛直方向に貫通する貫通穴が形成されている。当該中空部が遮断板６の貫通穴と鉛直方向においてつながっている。ノズル３０ｉａは中空軸６１の中空部および遮断板６の貫通穴に設けられている。ノズル３０ｉの外周面の直径は、中空軸６１および遮断板６の内周面の直径よりも小さい。ノズル３０ｉの外周面と、中空軸６１および遮断板６の内周面との間の空間は、ガス流路３０ｇとして機能する。
【0155】
図１６の例では、ノズル３０ｃおよびノズル３０ｗは対向部材６０の外部に設けられている。また、図１６の例では、移動駆動部３５として移動駆動部３５ｃおよび移動駆動部３５ｗが設けられている。移動駆動部３５ｃはノズル３０ｃを処理位置と待機位置との間で移動させ、移動駆動部３５ｗはノズル３０ｗを処理位置と待機位置との間で移動させる。
【0156】
図１６の例では、移動駆動部３５として移動駆動部３５ｉが設けられている。移動駆動部３５ｉはノズル３０ｉａおよび対向部材６０を一体に移動させる。移動駆動部３５ｉはノズル３０ｉａおよび対向部材６０を例えば鉛直方向に沿って一体に移動させる。この場合、移動駆動部３５ｉは昇降駆動部であるともいえる。移動駆動部３５ｉは、モータ等の駆動源と、駆動源からの動力をノズル３０ｉａおよび遮断板６に伝達する動力伝達部とを含む。動力伝達部は、例えば、カム機構またはボールねじ機構を含む。
【0157】
第２例にかかる処理ユニット１の動作も図４のフローチャートと同様である。ただし、移動駆動部３５ｉは、乾燥液供給工程および乾燥工程において、ノズル３０ｉａおよび対向部材６０を基板Ｗにより近い処理位置に下降させ、それ以外において、当該処理位置よりも高い待機位置に上昇させる。
【0158】
第６実施の形態の第２例においても、第１実施形態から第４実施形態における乾燥液供給工程（ステップＳ５）が実行される。このため、基板Ｗの周縁部におけるパターンの倒壊率を低減させることができる。
【0159】
以上のように、基板処理装置１００および基板処理方法は詳細に説明されたが、上記した説明は、全ての局面において例示であって、この開示がそれに限定されるものではない。また、上述した各種変形例は、相互に矛盾しない限り組み合わせて適用可能である。そして、例示されていない多数の変形例が、この開示の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。
【0160】
上述の例では、各流体に専用のノズルが設けられているものの、一つのノズルが、互いに異なる種類の流体で共用されてもよい。
【0161】
また上述の例では、基板加熱部４は、基板Ｗの第２主面Ｗｂに熱媒体を供給しているものの、必ずしもこれに限らない。基板加熱部４は、例えば、基板Ｗの第２主面Ｗｂと鉛直方向において向かい合う位置に設けられたヒータを含んでいてもよい。ヒータは例えば、電熱線を含む電気抵抗式のヒータであってもよく、加熱用の光を出力する光学式のヒータであってもよい。
【符号の説明】
【0162】
２ 基板保持部
３ 吐出部
３ｉａ 第１吐出口（吐出口）
３ｉｂ 第２吐出口（吐出口）
４ 基板加熱部
ｂｐ 沸点
Ｆａ 中央流量
Ｆｂ 周縁流量
Ｓ１ 保持工程（ステップ）
Ｓ４，Ｓ１６，Ｓ２３ 液処理工程（ステップ）
Ｓ５，Ｓ１７，Ｓ２４ 乾燥液供給工程（ステップ）
Ｓ６，Ｓ１８，Ｓ２５ 乾燥工程（ステップ）
Ｔ 乾燥液供給時間
Ｔ１，Ｔ１１ 前時間
Ｔ２，Ｔ１２ 後時間
Ｗ 基板
Ｗａ 第１主面
Ｗａ２ ミドル領域
Ｗｂ 第２主面
３ 吐出部
３ｉａ 第１吐出口（吐出口）
３ｉｂ 第２吐出口（吐出口）
４ 基板加熱部
ｂｐ 沸点
Ｆａ 中央流量
Ｆｂ 周縁流量
Ｓ１ 保持工程（ステップ）
Ｓ４，Ｓ１６，Ｓ２３ 液処理工程（ステップ）
Ｓ５，Ｓ１７，Ｓ２４ 乾燥液供給工程（ステップ）
Ｓ６，Ｓ１８，Ｓ２５ 乾燥工程（ステップ）
Ｔ 乾燥液供給時間
Ｔ１，Ｔ１１ 前時間
Ｔ２，Ｔ１２ 後時間
Ｗ 基板
Ｗａ 第１主面
Ｗａ２ ミドル領域
Ｗｂ 第２主面
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】