特開 2025-6268 表示装置および表示装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025006268

(43)【公開日】2025-01-17

(54)【発明の名称】表示装置および表示装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H10K 50/813 20230101AFI20250109BHJP

   H10K 59/80 20230101ALI20250109BHJP

   H10K 50/856 20230101ALI20250109BHJP

   H10K 50/816 20230101ALI20250109BHJP

   H10K 50/818 20230101ALI20250109BHJP

   H10K 59/122 20230101ALI20250109BHJP

   H10K 71/20 20230101ALI20250109BHJP

   H10K 71/60 20230101ALI20250109BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20250109BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20250109BHJP

【ＦＩ】

H10K50/813

H10K59/80

H10K50/856

H10K50/816

H10K50/818

H10K59/122

H10K71/20

H10K71/60

G09F9/30 365

G09F9/30 349D

G09F9/00 342

G09F9/30 349Z

G09F9/30 330

【審査請求】未請求

【請求項の数】20

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023106953

(22)【出願日】2023-06-29

(71)【出願人】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110001737

【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】福田 加一

【テーマコード（参考）】

3K107

5C094

5G435

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107CC05

3K107CC35

3K107CC36

3K107CC45

3K107DD24

3K107DD44X

3K107DD45X

3K107DD46X

3K107DD89

3K107EE33

3K107FF15

3K107GG12

3K107GG13

3K107GG28

5C094AA05

5C094AA07

5C094AA42

5C094BA03

5C094BA27

5C094CA19

5C094DA13

5C094EA05

5C094EA06

5C094ED11

5C094FA01

5C094FA02

5C094FB01

5C094FB02

5C094FB04

5C094FB05

5C094FB12

5C094HA05

5C094HA08

5C094HA10

5C094JA08

5G435AA03

5G435AA17

5G435BB05

5G435CC09

5G435FF03

5G435HH02

5G435HH12

5G435HH14

5G435KK05

5G435LL04

5G435LL07

5G435LL08

5G435LL17

(57)【要約】

【課題】 改善された電極構造を有する表示装置および表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 一実施形態に係る表示装置は、第１反射層を含む下地電極と、第２反射層を含み、前記下地電極の上に配置された下電極と、前記下地電極の縁部を覆い、前記下電極と重なる画素開口を有するリブと、を備えている。さらに、前記下地電極の幅は、前記下電極の幅よりも大きい。
【選択図】 図５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１反射層を含む下地電極と、
第２反射層を含み、前記下地電極の上に配置された下電極と、
前記下地電極の縁部を覆い、前記下電極と重なる画素開口を有するリブと、
を備え、
前記下地電極の幅は、前記下電極の幅よりも大きい、
表示装置。

【請求項2】

前記第１反射層は、アルミニウムまたはアルミニウム合金により形成されている、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項3】

前記下地電極は、前記第１反射層の上面を覆う第１金属層、および、前記第１反射層の下面を覆う第２金属層の少なくとも一方をさらに含む、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項4】

前記第１金属層は、窒化チタンにより形成され、
前記第２金属層は、チタンにより形成されている、
請求項３に記載の表示装置。

【請求項5】

前記第２反射層は、銀により形成されている、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項6】

前記下電極は、前記第２反射層の上面を覆う第１透明酸化物層、および、前記第２反射層の下面を覆う第２透明酸化物層の少なくとも一方をさらに含む、
請求項１に記載の表示装置。

【請求項7】

前記第１透明酸化物層および前記第２透明酸化物層は、ＩＴＯまたはＩＺＯにより形成されている、
請求項６に記載の表示装置。

【請求項8】

前記画素開口を囲う隔壁をさらに備え、
前記隔壁は、
前記リブの上に配置された導電性の下部と、
前記下部の側面から突出する端部を有する上部と、
を含む、
請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の表示装置。

【請求項9】

前記下地電極の縁部は、平面視において前記下部と重なっている、
請求項８に記載の表示装置。

【請求項10】

前記下電極の縁部は、平面視において前記下部と重なっていない、
請求項８に記載の表示装置。

【請求項11】

前記画素開口を通じて前記下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する有機層と、
前記有機層を覆い、前記下部に接触した上電極と、
をさらに備える、
請求項８に記載の表示装置。

【請求項12】

第１反射層を含む第１層を形成し、
第２反射層を含む第２層を前記第１層の上に形成し、
前記第２層に第１エッチングを施すことで下電極を形成し、
前記第１層に第２エッチングを施すことで前記下電極よりも幅が大きい下地電極を形成し、
前記下地電極の縁部を覆い、前記下電極と重なる画素開口を有するリブを形成する、
ことを含む表示装置の製造方法。

【請求項13】

前記第２層の上に第１レジストを配置することをさらに含み、
前記第１エッチングにおいては、前記第２層のうち前記第１レジストから露出した部分を除去することにより、前記第１レジストの下方に前記下電極が形成される、
請求項１２に記載の表示装置の製造方法。

【請求項14】

前記第２エッチングにおいては、前記第１層のうち前記第１レジストから露出した部分を除去することにより、前記第１レジストの下方に前記下地電極が形成される、
請求項１３に記載の表示装置の製造方法。

【請求項15】

前記第１エッチングの後に前記第１レジストを除去し、
前記第１レジストを除去した後、前記下電極と、前記下電極の周囲の前記第１層とを覆う第２レジストを配置する、
ことをさらに含み、
前記第２エッチングにおいては、前記第１層のうち前記第２レジストから露出した部分を除去することにより、前記第２レジストの下方に前記下地電極が形成される、
請求項１３に記載の表示装置の製造方法。

【請求項16】

前記第１エッチングは、前記第２反射層に対するウェットエッチングを含み、
前記第２エッチングは、前記第１反射層に対するドライエッチングを含む、
請求項１２に記載の表示装置の製造方法。

【請求項17】

前記第１層は、前記第１反射層の上面を覆う第１金属層、および、前記第１反射層の下面を覆う第２金属層の少なくとも一方をさらに含む、
請求項１２に記載の表示装置の製造方法。

【請求項18】

前記第２層は、前記第２反射層の上面を覆う第１透明酸化物層、および、前記第２反射層の下面を覆う第２透明酸化物層の少なくとも一方をさらに含む、
請求項１２に記載の表示装置の製造方法。

【請求項19】

前記リブの上に配置された導電性の下部と、前記下部の側面から突出する端部を有する上部とを含み、前記画素開口を囲う隔壁を形成することをさらに含む、
請求項１２に記載の表示装置の製造方法。

【請求項20】

前記画素開口を通じて前記下電極を覆い、電圧の印加に応じて発光する有機層を形成し、
前記有機層を覆い、前記下部に接触した上電極を形成する、
ことをさらに含む、
請求項１９に記載の表示装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、表示装置および表示装置の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）などの種々のタイプの表示素子を適用した表示装置が実用化されている。例えば、ＯＬＥＤの表示素子は、下電極と、下電極を覆う有機層と、有機層を覆う上電極とを備えている。有機層は、下電極および上電極の間の電圧に応じて発光する。有機層が発した光は、上電極を透過して表示面から出射する。下電極には、有機層が発した光を反射する良好な反射率が求められる。

【0003】

表示素子の高開口率化、高精細化、反射率の向上、あるいは歩留まりの改善などの観点から、下電極の構造には検討の余地がある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０００－１９５６７７号公報

【特許文献2】特開２００４－２０７２１７号公報

【特許文献3】特開２００８－１３５３２５号公報

【特許文献4】特開２００９－３２６７３号公報

【特許文献5】特開２０１０－１１８１９１号公報

【特許文献6】国際公開第２０１８／１７９３０８号

【特許文献7】米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明は、改善された電極構造を有する表示装置および表示装置の製造方法を提供することを目的の一つとする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

一実施形態に係る表示装置は、第１反射層を含む下地電極と、第２反射層を含み、前記下地電極の上に配置された下電極と、前記下地電極の縁部を覆い、前記下電極と重なる画素開口を有するリブと、を備えている。さらに、前記下地電極の幅は、前記下電極の幅よりも大きい。

【0007】

また、一実施形態に係る表示装置の製造方法は、第１反射層を含む第１層を形成し、第２反射層を含む第２層を前記第１層の上に形成し、前記第２層に第１エッチングを施すことで下電極を形成し、前記第１層に第２エッチングを施すことで前記下電極よりも幅が大きい下地電極を形成し、前記下地電極の縁部を覆い、前記下電極と重なる画素開口を有するリブを形成する、ことを含む。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１は、第１実施形態に係る表示装置の構成例を示す図である。

【図2】図２は、第１実施形態に係る副画素のレイアウトの一例を示す概略的な平面図である。

【図3】図３は、図２中のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う表示装置の概略的な断面図である。

【図4】図４は、第１実施形態に係る下地電極、下電極および隔壁の軸層の概略的な平面図である。

【図5】図５は、図４におけるＶ－Ｖ線に沿う表示装置の概略的な断面図である。

【図6】図６は、第１実施形態に係る下地電極および下電極に適用し得る層構成の概略的な断面図である。

【図7】図７は、下地電極および下電極に適用し得る他の層構成の概略的な断面図である。

【図8】図８は、下地電極および下電極に適用し得るさらに他の層構成の概略的な断面図である。

【図9】図９は、下地電極および下電極に適用し得るさらに他の層構成の概略的な断面図である。

【図10】図１０は、第１実施形態に係る表示装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。

【図11A】図１１Ａは、下地電極および下電極を形成する工程の一例を示す概略的な断面図である。

【図11B】図１１Ｂは、図１１Ａに続く工程の概略的な断面図である。

【図11C】図１１Ｃは、図１１Ｂに続く工程の概略的な断面図である。

【図11D】図１１Ｄは、図１１Ｃに続く工程の概略的な断面図である。

【図11E】図１１Ｅは、図１１Ｄに続く工程の概略的な断面図である。

【図11F】図１１Ｆは、図１１Ｅに続く工程の概略的な断面図である。

【図11G】図１１Ｇは、図１１Ｆに続く工程の概略的な断面図である。

【図12A】図１２Ａは、表示素子を形成する工程の一例を示す概略的な断面図である。

【図12B】図１２Ｂは、図１２Ａに続く工程の概略的な断面図である。

【図12C】図１２Ｃは、図１２Ｂに続く工程の概略的な断面図である。

【図12D】図１２Ｄは、図１２Ｃに続く工程の概略的な断面図である。

【図12E】図１２Ｅは、図１２Ｄに続く工程の概略的な断面図である。

【図13】図１３は、アノードの反射率と波長の関係をシミュレーションした結果を示すグラフである。

【図14】図１４は、アルミニウム層の上に銀層を配置した積層体において、銀層の厚さと反射率の関係をシミュレーションした結果を示すグラフである。

【図15】図１５は、アルミニウム層、ＩＴＯ層および銀層を順に配置した積層体において、ＩＴＯ層の厚さと反射率の関係をシミュレーションした結果を示すグラフである。

【図16】図１６は、アルミニウム層、窒化チタン層、ＩＴＯ層および銀層を順に配置した積層体において、窒化チタン層の厚さと反射率の関係をシミュレーションした結果を示すグラフである。

【図17】図１７は、アルミニウム層、窒化チタン層、ＩＴＯ層および銀層を順に配置した積層体において、銀層の厚さと反射率の関係をシミュレーションした結果を示すグラフである。

【図18A】図１８Ａは、第２実施形態に係る第２エッチングの工程を示す概略的な断面図である。

【図18B】図１８Ｂは、図１８Ａに続く工程の概略的な断面図である。

【図19】図１９は、変形例に係る表示装置の概略的な断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

いくつかの実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

【0010】

なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向をＸ方向と称し、Ｙ軸に沿った方向をＹ方向と称し、Ｚ軸に沿った方向をＺ方向と称する。Ｚ方向は、Ｘ方向とＹ方向を含む平面の法線方向である。また、Ｚ方向と平行に各種要素を見ることを平面視という。

【0011】

各実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、テレビ、パーソナルコンピュータ、車載機器、タブレット端末、スマートフォン、携帯電話端末、ウェアラブル端末等の各種の電子機器に搭載され得る。

【0012】

［第１実施形態］
図１は、第１実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基板１０を備えている。基板１０は、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周辺の周辺領域ＳＡとを有している。基板１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。

【0013】

本実施形態においては、平面視における基板１０の形状が長方形状である。ただし、基板１０の平面視における形状は長方形状に限られず、正方形状、円形状あるいは楕円形状などの他の形状であってもよい。

【0014】

表示領域ＤＡは、Ｘ方向およびＹ方向にマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、異なる色を表示する複数の副画素ＳＰを含む。本実施形態においては、画素ＰＸが青色の副画素ＳＰ１と、緑色の副画素ＳＰ２と、赤色の副画素ＳＰ３とを含む場合を想定する。ただし、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３とともに、あるいは副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のいずれかに代えて、白色などの他の色の副画素ＳＰを含んでもよい。

【0015】

副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子ＤＥとを備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４とを備えている。画素スイッチ２および駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。

【0016】

表示領域ＤＡには、各副画素ＳＰの画素回路１に走査信号を供給する複数の走査線Ｇと、各副画素ＳＰの画素回路１に映像信号を供給する複数の信号線Ｓと、複数の電源線ＰＬとが配置されている。図１の例においては、走査線Ｇおよび電源線ＰＬがＸ方向に延び、信号線ＳがＹ方向に延びている。

【0017】

画素スイッチ２のゲート電極は、走査線Ｇに接続されている。画素スイッチ２のソース電極およびドレイン電極の一方は信号線Ｓに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極およびキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極およびドレイン電極の一方は電源線ＰＬおよびキャパシタ４に接続され、他方は表示素子ＤＥに接続されている。

【0018】

なお、画素回路１の構成は図示した例に限られない。例えば、画素回路１は、より多くの薄膜トランジスタおよびキャパシタを備えてもよい。

【0019】

図２は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトの一例を示す概略的な平面図である。図２の例においては、副画素ＳＰ２，ＳＰ３がそれぞれ副画素ＳＰ１とＸ方向に並んでいる。さらに、副画素ＳＰ２と副画素ＳＰ３がＹ方向に並んでいる。

【0020】

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３がこのようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ２，ＳＰ３がＹ方向に交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ１がＹ方向に繰り返し配置された列とが形成される。これらの列は、Ｘ方向に交互に並ぶ。なお、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のレイアウトは図２の例に限られず、その他にも種々のレイアウトを適用できる。

【0021】

表示領域ＤＡには、リブ５が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を有している。図２の例においては、画素開口ＡＰ１が画素開口ＡＰ２よりも大きく、画素開口ＡＰ２が画素開口ＡＰ３よりも大きい。すなわち、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３のうちで副画素ＳＰ１の開口率が最も高く、副画素ＳＰ３の開口率が最も低い。

【0022】

副画素ＳＰ１は、画素開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、画素開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、画素開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３を備えている。

【0023】

下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１のうち画素開口ＡＰ１と重なる部分は、副画素ＳＰ１の表示素子ＤＥ１を構成する。下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２および有機層ＯＲ２のうち画素開口ＡＰ２と重なる部分は、副画素ＳＰ２の表示素子ＤＥ２を構成する。下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３および有機層ＯＲ３のうち画素開口ＡＰ３と重なる部分は、副画素ＳＰ３の表示素子ＤＥ３を構成する。表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３は、後述するキャップ層や下地電極をさらに含んでもよい。リブ５は、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の各々を囲っている。

【0024】

リブ５の上には、導電性の隔壁６が配置されている。隔壁６は、全体的にリブ５と重なっており、リブ５と同様の平面形状を有している。すなわち、隔壁６は、副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３においてそれぞれ開口を有している。他の観点からいうと、リブ５および隔壁６は、平面視において格子状であり、画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３のそれぞれを囲っている。隔壁６は、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３に共通電圧を供給する配線としての役割を有している。

【0025】

図３は、図２中のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。上述の基板１０の上に回路層１１が配置されている。回路層１１は、図１に示した画素回路１、走査線Ｇ、信号線Ｓおよび電源線ＰＬなどの各種回路や配線を含む。回路層１１は、有機絶縁層１２により覆われている。有機絶縁層１２は、回路層１１により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。

【0026】

本実施形態においては、有機絶縁層１２の上に下地電極ＢＥ１，ＢＥ２，ＢＥ３が配置されている。下電極ＬＥ１は下地電極ＢＥ１の上に配置され、下電極ＬＥ２は下地電極ＢＥ２の上に配置され、下電極ＬＥ３は下地電極ＢＥ３の上に配置されている。図３の例においては、下地電極ＢＥ１，ＢＥ２，ＢＥ３の縁部がそれぞれ下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３からはみ出している。

【0027】

リブ５は、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の縁部を覆っている。リブ５は、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３からはみ出した下地電極ＢＥ１，ＢＥ２，ＢＥ３の縁部も覆っている。さらに、リブ５は、下地電極ＢＥ１，ＢＥ２，ＢＥ３の間において有機絶縁層１２を覆っている。図３の断面には表れていないが、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３および下地電極ＢＥ１，ＢＥ２，ＢＥ３は、それぞれ有機絶縁層１２に設けられたコンタクトホールを通じて回路層１１の画素回路１に接続されている。

【0028】

隔壁６は、リブ５の上に配置された導電性を有する下部６１と、下部６１の上に配置された上部６２とを含む。上部６２は、下部６１よりも大きい幅を有している。これにより、上部６２の両端部が下部６１の側面よりも突出している。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状と呼ばれる。

【0029】

図３の例において、下部６１は、リブ５の上に配置されたボトム層６３と、ボトム層６３の上に配置された軸層６４とを有している。例えば、ボトム層６３は、軸層６４よりも薄く形成されている。また、図３の例においては、ボトム層６３の両端部が軸層６４の側面から突出している。ただし、ボトム層６３の両端部が軸層６４の側面と揃っていてもよい。なお、下部６１は、ボトム層６３を有していなくてもよい。また、下部６１は、３層以上の多層構造を有してもよい。

【0030】

有機層ＯＲ１は、画素開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１を覆っている。上電極ＵＥ１は、有機層ＯＲ１を覆い、下電極ＬＥ１と対向している。有機層ＯＲ２は、画素開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２を覆っている。上電極ＵＥ２は、有機層ＯＲ２を覆い、下電極ＬＥ２と対向している。有機層ＯＲ３は、画素開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３を覆っている。上電極ＵＥ３は、有機層ＯＲ３を覆い、下電極ＬＥ３と対向している。上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、隔壁６の下部６１に接触している。

【0031】

表示素子ＤＥ１は、上電極ＵＥ１の上に配置されたキャップ層ＣＰ１を含む。表示素子ＤＥ２は、上電極ＵＥ２の上に配置されたキャップ層ＣＰ２を含む。表示素子ＤＥ３は、上電極ＵＥ３の上に配置されたキャップ層ＣＰ３を含む。キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、それぞれ有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３が発する光の取り出し効率を向上させる光学調整層としての役割を有している。

【0032】

以下の説明においては、有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１を含む多層体を積層膜ＦＬ１と呼び、有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２を含む多層体を積層膜ＦＬ２と呼び、有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３を含む多層体を積層膜ＦＬ３と呼ぶ。

【0033】

積層膜ＦＬ１の一部は、上部６２の上に位置している。当該一部は、積層膜ＦＬ１のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ１を構成する部分）と離間している。同様に、積層膜ＦＬ２の一部は上部６２の上に位置し、当該一部は積層膜ＦＬ２のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ２を構成する部分）と離間している。さらに、積層膜ＦＬ３の一部は上部６２の上に位置し、当該一部は積層膜ＦＬ３のうち隔壁６の下に位置する部分（表示素子ＤＥ３を構成する部分）と離間している。

【0034】

副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３には、それぞれ封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３が配置されている。封止層ＳＥ１は、キャップ層ＣＰ１や副画素ＳＰ１の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。封止層ＳＥ２は、キャップ層ＣＰ２や副画素ＳＰ２の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。封止層ＳＥ３は、キャップ層ＣＰ３や副画素ＳＰ３の周囲の隔壁６を連続的に覆っている。

【0035】

図３の例においては、副画素ＳＰ１，ＳＰ２の間の隔壁６上の積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が、当該隔壁６上の積層膜ＦＬ２および封止層ＳＥ２と離間している。また、副画素ＳＰ１，ＳＰ３の間の隔壁６上の積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が、当該隔壁６上の積層膜ＦＬ３および封止層ＳＥ３と離間している。

【0036】

封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、樹脂層１３により覆われている。樹脂層１３は、封止層１４により覆われている。封止層１４は、樹脂層１５により覆われている。樹脂層１３，１５および封止層１４は、少なくとも表示領域ＤＡの全体に連続的に設けられ、その一部が周辺領域ＳＡにも及んでいる。

【0037】

偏光板、タッチパネル、保護フィルムまたはカバーガラスなどのカバー部材が樹脂層１５の上方にさらに配置されてもよい。このようなカバー部材は、例えばＯＣＡ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｌｅａｒ Ａｄｈｅｓｉｖｅ）などの接着層を介して樹脂層１５に接着されてもよい。

【0038】

有機絶縁層１２は、ポリイミドなどの有機絶縁材料で形成されている。リブ５および封止層１４，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３は、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）または酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）などの無機絶縁材料で形成されている。一例では、リブ５がシリコン酸化物またはシリコン酸窒化物で形成され、封止層１４，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３がシリコン窒化物で形成されている。樹脂層１３，１５は、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などの樹脂材料（有機絶縁材料）で形成されている。

【0039】

上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３は、例えばマグネシウムと銀の合金（ＭｇＡｇ）などの金属材料で形成されている。例えば、下地電極ＢＥ１，ＢＥ２，ＢＥ３および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の積層体はアノードに相当し、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３はカソードに相当する。

【0040】

有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、発光層を含む複数の薄膜によって構成されている。一例では、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層および電子注入層をＺ方向に順に積層した構造を有している。ただし、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、複数の発光層を含むいわゆるタンデム構造などの他の構造を有してもよい。

【0041】

キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３は、例えば複数の透明層が重ねられた積層構造を有している。これら透明層は、無機材料によって形成された層および有機材料によって形成された層を含み得る。また、これら透明層は、互いに異なる屈折率を有している。例えば、これら透明層の屈折率は、上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３の屈折率および封止層ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３の屈折率と異なる。なお、キャップ層ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３の少なくとも１つが省略されてもよい。

【0042】

隔壁６のボトム層６３および軸層６４は、金属材料によって形成されている。ボトム層６３の金属材料としては、例えば、モリブデン、チタン、窒化チタン（ＴｉＮ）、モリブデン－タングステン合金（ＭｏＷ）またはモリブデン－ニオブ合金（ＭｏＮｂ）を用いることができる。軸層６４の金属材料としては、例えばアルミニウム、アルミニウム－ネオジム合金（ＡｌＮｄ）、アルミニウム－イットリウム合金（ＡｌＹ）またはアルミニウム－シリコン合金（ＡｌＳｉ）を用いることができる。なお、軸層６４が絶縁性の材料で形成されてもよい。

【0043】

例えば、隔壁６の上部６２は、金属材料で形成された下層と、透明酸化物で形成された上層との積層構造を有している。下層を形成する金属材料としては、例えばチタン、窒化チタン、モリブデン、タングステン、モリブデン－タングステン合金またはモリブデン－ニオブ合金を用いることができる。上層を形成する透明酸化物としては、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）を用いることができる。なお、上部６２は、金属材料の単層構造を有してもよい。さらに、上部６２は、絶縁材料で形成された層を含んでもよい。

【0044】

隔壁６には、共通電圧が供給されている。この共通電圧は、下部６１の側面に接触した上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３にそれぞれ供給される。下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３および下地電極ＢＥ１，ＢＥ２，ＢＥ３には、それぞれ副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３の画素回路１を通じて信号線Ｓの映像信号に応じた画素電圧が供給される。

【0045】

有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３は、電圧の印加に応じて発光する。具体的には、下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ１の発光層が青色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ２の発光層が緑色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３の間に電位差が形成されると、有機層ＯＲ３の発光層が赤色の波長域の光を放つ。

【0046】

他の例として、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の発光層が同一色（例えば白色）の光を放ってもよい。この場合において、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光を副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に対応する色の光に変換するカラーフィルタを備えてもよい。また、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光により励起して副画素ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３に応じた色の光を生成する量子ドットを含んだ層を備えてもよい。

【0047】

図４は、下地電極ＢＥ１、下電極ＬＥ１および隔壁６の軸層６４の概略的な平面図である。この図においては、軸層６４に斜線模様を付すとともに、下地電極ＢＥ１の外形を破線で示している。

【0048】

図４の例においては、下地電極ＢＥ１が平面視において矩形状の縁部Ｅ１を有し、下電極ＬＥ１が平面視において矩形状の縁部Ｅ２を有している。ただし、縁部Ｅ１，Ｅ２の形状は矩形状に限られない。

【0049】

下地電極ＢＥ１は、Ｘ方向において幅Ｗｘ１を有し、Ｙ方向において幅Ｗｙ１を有している。下電極ＬＥ１は、Ｘ方向において幅Ｗｘ２を有し、Ｙ方向において幅Ｗｙ２を有している。本実施形態においては、幅Ｗｘ１が幅Ｗｘ２よりも大きい（Ｗｘ１＞Ｗｘ２）。また、幅Ｗｙ１が幅Ｗｙ２よりも大きい（Ｗｙ１＞Ｗｙ２）。これにより、下地電極ＢＥ１の縁部Ｅ１付近が下電極ＬＥ１からはみ出している。

【0050】

図４の例においては、下地電極ＢＥ１の縁部Ｅ１が全体的に軸層６４と重なっている。一方で、下電極ＬＥ１の縁部Ｅ２は軸層６４と重なっていない。他の例として、縁部Ｅ１の少なくとも一部が軸層６４と重なっていなくてもよい。また、縁部Ｅ２の少なくとも一部が軸層６４と重なっていてもよい。

【0051】

図５は、図４におけるＶ－Ｖ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。この図においては、基板１０、回路層１１、樹脂層１３、封止層１４および樹脂層１５を省略している。

【0052】

図中の２つの隔壁６は、いずれもＹ方向に隣り合う副画素ＳＰ１の間に位置している。図５の例においては、これら隔壁６の上部６２が全体的に積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１によって覆われている。他の例として、これら隔壁６の上部６２の上で積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が分断されていてもよい。

【0053】

下地電極ＢＥ１の縁部Ｅ１および下電極ＬＥ１の縁部Ｅ２は、リブ５により覆われている。無機材料からなるリブ５は、有機絶縁層１２などに比べて薄く形成されている。そのため、リブ５の表面には、縁部Ｅ１，Ｅ２に応じた段差が形成される。図５の例においては、縁部Ｅ１が軸層６４の下方に位置している。そのため、縁部Ｅ１に起因した段差は、ボトム層６３および軸層６４によって覆われる。

【0054】

隣り合う下地電極ＢＥ１は、距離Ｄ１を空けて離れている。隣り合う下電極ＬＥ１は、距離Ｄ２を空けて離れている。距離Ｄ１は、距離Ｄ２よりも小さい（Ｄ１＜Ｄ２）。一例として、距離Ｄ２は５μｍ以上であり、距離Ｄ１は３μｍ以下である。

【0055】

なお、下地電極ＢＥ２および下電極ＬＥ２の構成や、下地電極ＢＥ３および下電極ＬＥ３の構成には、図４および図５に示した下地電極ＢＥ１および下電極ＬＥ１と同様の構成を適用することができる。例えば、下地電極ＢＥ１，ＢＥ２，ＢＥ３のうち隣り合う２つは、上記の距離Ｄ１を空けて離れている。また、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３のうち隣り合う２つは、上記の距離Ｄ２を空けて離れている。ただし、下地電極ＢＥ１，ＢＥ２，ＢＥ３のうち隣り合う２つの間の距離は、必ずしも全ての箇所で同一でなくてもよい。また、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３のうち隣り合う２つの間の距離は、必ずしも全ての箇所で同一でなくてもよい。

【0056】

図６乃至図９は、下地電極ＢＥ１および下電極ＬＥ１に適用し得る層構成の概略的な断面図である。これらの図に示す層構成は、下地電極ＢＥ２，ＢＥ３および下電極ＬＥ２，ＬＥ３にも適用できる。

【0057】

図６乃至図９のいずれにおいても、下地電極ＢＥ１は第１反射層ＲＦ１を含み、下電極ＬＥ１は第２反射層ＲＦ２を含む。これら反射層ＲＦ１，ＲＦ２は、可視光の反射率に優れた金属材料によって形成されている。有機層ＯＲ１が発する光の一部は、第２反射層ＲＦ２で反射される。さらに、第２反射層ＲＦ２を透過した光の少なくとも一部は、第１反射層ＲＦ１で反射される。

【0058】

本実施形態においては、第１反射層ＲＦ１がアルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム合金によって形成され、第２反射層ＲＦ２が銀（Ａｇ）によって形成されている場合を想定する。ただし、反射層ＲＦ１，ＲＦ２に他の金属または金属合金が用いられてもよい。

【0059】

図６の例においては、下地電極ＢＥ１が第１反射層ＲＦ１の単層構造である。一方で、下電極ＬＥ１は、第２反射層ＲＦ２と、第２反射層ＲＦ２の上面を覆う第１透明酸化物層ＣＬ１とを含む。第２反射層ＲＦ２の下面は、第１反射層ＲＦ１の上面に接触している。

【0060】

第１透明酸化物層ＣＬ１は、例えばＩＴＯまたはＩＺＯによって形成され、有機層ＯＲ１の正孔注入層への正孔注入電極として機能する。第１透明酸化物層ＣＬ１は、例えば第２反射層ＲＦ２よりも薄い。

【0061】

図７の例において、下電極ＬＥ１は、第２反射層ＲＦ２の下面を覆う第２透明酸化物層ＣＬ２をさらに含む。第２透明酸化物層ＣＬ２は、第１反射層ＲＦ１の上面に接触している。第２透明酸化物層ＣＬ２は、例えばＩＴＯまたはＩＺＯによって形成されている。

【0062】

銀である第２反射層ＲＦ２は、アルミニウムまたはアルミニウム合金である第１反射層ＲＦ１に対して十分な密着性を発揮しない可能性がある。これに対し、反射層ＲＦ１，ＲＦ２の間に第２透明酸化物層ＣＬ２を配置することで、反射層ＲＦ１，ＲＦ２の密着性が改善する。

【0063】

詳しくは図１５の説明にて後述するが、第２透明酸化物層ＣＬ２が薄いほど、下地電極ＢＥ１と下電極ＬＥ１を積層したアノードの反射率が向上する。そこで、第２透明酸化物層ＣＬ２は、反射層ＲＦ１，ＲＦ２のそれぞれよりも薄く形成されることが好ましい。一例として、第２透明酸化物層ＣＬ２の厚さは５～１０ｎｍである。

【0064】

なお、例えば第１反射層ＲＦ１がアルミニウム（純アルミニウム）で形成され、第２透明酸化物層ＣＬ２がＩＴＯで形成されている場合、第１反射層ＲＦ１と第２透明酸化物層ＣＬ２の間に高い接続抵抗が生じ得る。この接続抵抗を低減する観点からは、第１反射層ＲＦ１がアルミニウム－ニッケル合金（ＡｌＮｉ）などのアルミニウム合金で形成されていることが好ましい。

【0065】

図８の例において、下地電極ＢＥ１は、第１反射層ＲＦ１の上面を覆う第１金属層ＭＬ１をさらに含む。第１金属層ＭＬ１は、第２透明酸化物層ＣＬ２に接触している。第１金属層ＭＬ１は、例えば窒化チタン（ＴｉＮ）によって形成されている。このような第１金属層ＭＬ１を配置することで、第１反射層ＲＦ１がアルミニウムで形成されている場合でも、上述の接続抵抗が改善される。

【0066】

詳しくは図１６の説明にて後述するが、第１金属層ＭＬ１が薄いほど、下地電極ＢＥ１と下電極ＬＥ１を積層したアノードの反射率が向上する。そこで、第１金属層ＭＬ１は、反射層ＲＦ１，ＲＦ２のそれぞれよりも薄く形成されることが好ましい。一例として、第１金属層ＭＬ１の厚さは５～１０ｎｍである。

【0067】

図９の例において、下地電極ＢＥ１は、第１反射層ＲＦ１の下面を覆う第２金属層ＭＬ２をさらに含む。第２金属層ＭＬ２は、例えばチタン（Ｔｉ）によって形成され、図５に示した有機絶縁層１２と接触する。このような第２金属層ＭＬ２を設けることで、第１反射層ＲＦ１と有機絶縁層１２の密着性が改善される。

【0068】

なお、第２金属層ＭＬ２は、下地電極ＢＥ１と下電極ＬＥ１を積層したアノードの光学特性や電気特性にはあまり影響を与えない。そのため、第２金属層ＭＬ２は、第１金属層ＭＬ１より厚く形成されてもよい。一例として、第２金属層ＭＬ２の厚さは１０～１００ｎｍである。

【0069】

反射層ＲＦ１，ＲＦ２、金属層ＭＬ１，ＭＬ２および透明酸化物層ＣＬ１，ＣＬ２の厚さは、反射率や各層の総厚などを考慮して適宜に定め得る。一例を挙げると、反射層ＲＦ１，ＲＦ２はいずれも３０ｎｍであり、第１金属層ＭＬ１は５ｎｍであり、第２金属層ＭＬ２は１０ｎｍであり、第１透明酸化物層ＣＬ１は２５ｎｍであり、第２透明酸化物層ＣＬ２は７ｎｍである。

【0070】

図１０は、表示装置ＤＳＰの製造方法の一例を示すフローチャートである。表示装置ＤＳＰの製造にあたっては、先ず基板１０の上に回路層１１および有機絶縁層１２が形成される（工程ＰＲ１）。続いて、有機絶縁層１２の上に下地電極ＢＥ１，ＢＥ２，ＢＥ３および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３が形成される（工程ＰＲ２）。

【0071】

図１１Ａ乃至図１１Ｇは、下地電極ＢＥ１，ＢＥ２，ＢＥ３および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３を形成する工程の一例を示す概略的な断面図である。ここでは、下地電極ＢＥ１，ＢＥ２，ＢＥ３および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３が図９に示す構造を有する場合を想定する。図１１Ａ乃至図１１Ｇにおいては、基板１０および回路層１１を省略している。

【0072】

工程ＰＲ２においては、先ず図１１Ａに示すように、下地電極ＢＥ１，ＢＥ２，ＢＥ３に加工するための第１層Ｌ１と、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３に加工するための第２層Ｌ２とが有機絶縁層１２の上に形成される。

【0073】

第１層Ｌ１は、第１反射層Ｌ１０と、第１反射層Ｌ１０の上面を覆う第１金属層Ｌ１１と、第１反射層Ｌ１０の下面を覆う第２金属層Ｌ１２とを含む。これら第１反射層Ｌ１０、第１金属層Ｌ１１および第２金属層Ｌ１２の材料は、第１反射層ＲＦ１、第１金属層ＭＬ１および第２金属層ＭＬ２の材料として上述したものと同様である。第１反射層Ｌ１０、第１金属層Ｌ１１および第２金属層Ｌ１２の形成には、例えばスパッタリングが用いられる。

【0074】

第２層Ｌ２は、第２反射層Ｌ２０と、第２反射層Ｌ２０の上面を覆う第１透明酸化物層Ｌ２１と、第２反射層Ｌ２０の下面を覆う第２透明酸化物層Ｌ２２とを含む。これら第２反射層Ｌ２０、第１透明酸化物層Ｌ２１および第２透明酸化物層Ｌ２２の材料は、第２反射層ＲＦ２、第１透明酸化物層ＣＬ１および第２透明酸化物層ＣＬ２の材料として上述したものと同様である。第２反射層Ｌ２０、第１透明酸化物層Ｌ２１および第２透明酸化物層Ｌ２２の形成には、例えばスパッタリングが用いられる。

【0075】

第１層Ｌ１および第２層Ｌ２の形成後、図１１Ｂに示すように、レジストＲ１が第２層Ｌ２の上に配置される。レジストＲ１は、例えば下地電極ＢＥ１，ＢＥ２，ＢＥ３の形状にパターニングされている。

【0076】

レジストＲ１の形成後、第２層Ｌ２のうちレジストＲ１から露出した部分を除去するための第１エッチングが実施される。第１エッチングは、第１透明酸化物層Ｌ２１に対するウェットエッチング（図１１Ｃ）と、第２反射層Ｌ２０に対するウェットエッチング（図１１Ｄ）と、第２透明酸化物層Ｌ２２に対するウェットエッチング（図１１Ｅ）とを含む。

【0077】

第１透明酸化物層Ｌ２１に対するウェットエッチングにおいては、図１１Ｃに示すように、第１透明酸化物層Ｌ２１のうちレジストＲ１から露出した部分が除去される。これにより、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の第１透明酸化物層ＣＬ１が形成される。図１１Ｃの例においては、第１透明酸化物層ＣＬ１の幅がレジストＲ１の幅よりも僅かに低減されている。

【0078】

第２反射層Ｌ２０に対するウェットエッチングにおいては、図１１Ｄに示すように、第２反射層Ｌ２０のうちレジストＲ１から露出した部分が除去される。これにより、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の第２反射層ＲＦ２が形成される。図１１Ｄの例においては、第２反射層ＲＦ２の幅が第１透明酸化物層ＣＬ１の幅よりも僅かに低減されている。

【0079】

なお、第２反射層Ｌ２０に対するウェットエッチングにおいては、下方の第１反射層Ｌ１０の損傷を抑制するために、第１反射層Ｌ１０が溶解しにくいエッチング液を用いることが好ましい。例えば、第１反射層Ｌ１０がアルミニウムまたはアルミニウム合金で形成されている場合、このエッチング液としては、硝酸濃度が２０％以上の溶液を用い得る。これにより、仮に第２透明酸化物層Ｌ２２および第１金属層Ｌ１１がこれまでのウェットエッチングで損傷していたり、２透明酸化物層Ｌ２２および第１金属層Ｌ１１にピンホールが形成されていたりした場合でも、第１反射層Ｌ１０の溶解を抑制することが可能である。

【0080】

第２透明酸化物層Ｌ２２に対するウェットエッチングにおいては、図１１Ｅに示すように、第２透明酸化物層Ｌ２２のうちレジストＲ１から露出した部分が除去される。これにより、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の第２透明酸化物層ＣＬ２が形成される。

【0081】

図１１Ｅの例においては、第２透明酸化物層ＣＬ２の幅が第２反射層ＲＦ２の幅よりも僅かに低減されている。また、当該ウェットエッチングにおいては、第１透明酸化物層ＣＬ１の端部も侵食され得る。これにより、図１１Ｅの例においては、第１透明酸化物層ＣＬ１の幅が第２反射層ＲＦ２の幅よりも僅かに低減されている。

【0082】

このように、図１１Ｃ乃至図１１Ｅに示した第１エッチングにより、第２層Ｌ２が下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の形状にパターニングされる。第１エッチングの後、第１層Ｌ１に対する第２エッチングが実施される。

【0083】

例えば、第２エッチングは、第１反射層Ｌ１０、第１金属層Ｌ１１および第２金属層Ｌ１２を一括して加工するドライエッチングである。他の例として、第２エッチングは、第１反射層Ｌ１０、第１金属層Ｌ１１および第２金属層Ｌ１２を個別に加工する複数回のドライエッチングを含んでもよい。

【0084】

第２エッチングにおいては、図１１Ｆに示すように、第１層Ｌ１のうちレジストＲ１から露出した部分が除去される。これにより、第１層Ｌ１が下地電極ＢＥ１，ＢＥ２，ＢＥ３の形状にパターニングされる。第２エッチングの後、図１１Ｇに示すようにレジストＲ１が除去される。

【0085】

なお、第２エッチングは、異方性の高いドライエッチングであることが好ましい。これにより、第１層Ｌ１のうちレジストＲ１の下方に位置する部分が侵食されにくい。したがって、下地電極ＢＥ１，ＢＥ２，ＢＥ３を精度良く形成することが可能となる。

【0086】

以上のように下地電極ＢＥ１，ＢＥ２，ＢＥ３および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３が形成された後、リブ５および隔壁６が形成される（図１０の工程ＰＲ３）。この工程においては、先ずリブ５に加工するための無機絶縁層が形成され、その上に隔壁６が形成される。その後、無機絶縁層に画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を設けることで、リブ５が形成される。他の例として、無機絶縁層に画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を設けた後に隔壁６が形成されてもよい。

【0087】

リブ５および隔壁６の形成後、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３を形成するための工程が実施される（図１０の工程ＰＲ４～ＰＲ９）。本実施形態においては、表示素子ＤＥ１が最初に形成され、表示素子ＤＥ２が次に形成され、表示素子ＤＥ３が最後に形成される場合を想定する。ただし、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の形成順はこの例に限られない。

【0088】

図１２Ａ乃至図１２Ｅは、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３を形成する工程の一例を示す概略的な断面図である。これらの図においては、基板１０および回路層１１を省略している。

【0089】

表示素子ＤＥ１の形成にあたっては、先ず図１２Ａに示すように、積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１が形成される（工程ＰＲ４）。積層膜ＦＬ１は、図３に示したように、画素開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１に接触する有機層ＯＲ１、有機層ＯＲ１を覆う上電極ＵＥ１、および、上電極ＵＥ１を覆うキャップ層ＣＰ１を含む。有機層ＯＲ１、上電極ＵＥ１およびキャップ層ＣＰ１は、蒸着によって形成される。また、封止層ＳＥ１は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって形成される。積層膜ＦＬ１は、オーバーハング状の隔壁６によって複数の部分に分断される。封止層ＳＥ１は、積層膜ＦＬ１の分断された各部分および隔壁６を連続的に覆う。

【0090】

工程ＰＲ４の後、積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１がパターニングされる（工程ＰＲ５）。このパターニングにおいては、図１２Ｂに示すように、封止層ＳＥ１の上にレジストＲｓが配置される。レジストＲｓは、副画素ＳＰ１とその周囲の隔壁６の一部を覆っている。

【0091】

その後、レジストＲｓをマスクとしたエッチングにより、図１２Ｃに示すように積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１のうちレジストＲｓから露出した部分が除去される。言い換えると、積層膜ＦＬ１および封止層ＳＥ１のうち、下電極ＬＥ１と重なる部分が残され、他の部分が除去される。これにより、副画素ＳＰ１に表示素子ＤＥ１が形成される。例えば、当該エッチングは、封止層ＳＥ１、キャップ層ＣＰ１、上電極ＵＥ１および有機層ＯＲ１に対して順に実施されるウェットエッチングやドライエッチングを含む。これらのエッチングの後、レジストＲｓが除去される。

【0092】

表示素子ＤＥ２は、表示素子ＤＥ１と同様の手順で形成される。すなわち、表示素子ＤＥ２の形成にあたっては、積層膜ＦＬ２および封止層ＳＥ２が表示領域ＤＡの全体に形成される（工程ＰＲ６）。積層膜ＦＬ２は、図３に示したように、画素開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２に接触する有機層ＯＲ２、有機層ＯＲ２を覆う上電極ＵＥ２、および、上電極ＵＥ２を覆うキャップ層ＣＰ２を含む。

【0093】

有機層ＯＲ２、上電極ＵＥ２およびキャップ層ＣＰ２は、蒸着によって形成される。また、封止層ＳＥ２は、ＣＶＤによって形成される。積層膜ＦＬ２は、オーバーハング状の隔壁６によって複数の部分に分断される。封止層ＳＥ２は、積層膜ＦＬ２の分断された各部分および隔壁６を連続的に覆う。

【0094】

工程ＰＲ６の後、積層膜ＦＬ２および封止層ＳＥ２がパターニングされる（工程ＰＲ７）。これにより、図１２Ｄに示すように、副画素ＳＰ２に表示素子ＤＥ２が形成される。

【0095】

表示素子ＤＥ３は、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２と同様の手順で形成される。すなわち、表示素子ＤＥ３の形成にあたっては、積層膜ＦＬ３および封止層ＳＥ３が表示領域ＤＡの全体に形成される（工程ＰＲ８）。積層膜ＦＬ３は、図３に示したように、画素開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３に接触する有機層ＯＲ３、有機層ＯＲ３を覆う上電極ＵＥ３、および、上電極ＵＥ３を覆うキャップ層ＣＰ３を含む。

【0096】

有機層ＯＲ３、上電極ＵＥ３およびキャップ層ＣＰ３は、蒸着によって形成される。また、封止層ＳＥ３は、ＣＶＤによって形成される。積層膜ＦＬ３は、オーバーハング状の隔壁６によって複数の部分に分断される。封止層ＳＥ３は、積層膜ＦＬ３の分断された各部分および隔壁６を連続的に覆う。

【0097】

工程ＰＲ８の後、積層膜ＦＬ３および封止層ＳＥ３がパターニングされる（工程ＰＲ９）。これにより、図１２Ｅに示すように、副画素ＳＰ３に表示素子ＤＥ３が形成される。

【0098】

表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３が形成された後、図３に示した樹脂層１３、封止層１４および樹脂層１５が順に形成される（工程ＰＲ１０）。このような工程を経て表示装置ＤＳＰが完成する。

【0099】

次に、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰおよびその製造方法が奏する効果について説明する。なお、ここで例示する効果は一例にすぎず、その他にも本実施形態に係る表示装置ＤＳＰおよびその製造方法は種々の効果を奏し得る。

【0100】

本実施形態においては、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の下方に下地電極ＢＥ１，ＢＥ２，ＢＥ３が配置されている。仮に下地電極ＢＥ１，ＢＥ２，ＢＥ３が無い場合、有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３が発する光を主に下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の第２反射層ＲＦ２によって反射しなければならない。この場合、十分な反射率を得るためには、例えば第２反射層ＲＦ２を１００ｎｍ程度に厚くする必要がある。第２反射層ＲＦ２が例えば５０ｎｍ程度であると、光の一部が第２反射層ＲＦ２を透過し、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の発光効率が低下し得る。

【0101】

一方で、第２反射層ＲＦ２を厚くすると、その端部を覆うリブ５の上面に大きな段差が生じる。この段差により上電極ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３が途切れ、隔壁６との導通不良を生じる可能性がある。また、厚い下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の縁部の近傍でリブ５にクラックが生じる可能性もある。

【0102】

これに対し、本実施形態においては、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の下にそれぞれ第１反射層ＲＦ１を含む下地電極ＢＥ１，ＢＥ２，ＢＥ３が配置されている。このような構成であれば、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３と下地電極ＢＥ１，ＢＥ２，ＢＥ３で有機層ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３の光を反射することになる。したがって、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３と下地電極ＢＥ１，ＢＥ２，ＢＥ３を薄く形成した場合であっても十分な反射率を得ることができる。

【0103】

さらに、図４および図５に示したように、下地電極ＢＥ１の幅が下電極ＬＥ１の幅よりも大きい。これにより、下地電極ＢＥ１の縁部Ｅ１と下電極ＬＥ１の縁部Ｅ２とがずれている。このような構成であれば、リブ５の上面に生じる段差も縁部Ｅ１の上方と縁部Ｅ２の上方に分散されるため、大きな段差が生じにくい。しかも、本実施形態においては、縁部Ｅ１が隔壁６の軸層６４の下方に位置している。これにより、縁部Ｅ１に起因したリブ５の段差は軸層６４により覆われる。以上のことから、本実施形態においては上電極ＵＥ１の途切れやリブ５のクラックの発生を抑制し、歩留まりを向上させることができる。なお、下電極ＬＥ２，ＬＥ３および下地電極ＢＥ２，ＢＥ３についても同様の効果を生じる。

【0104】

また、例えば第２反射層ＲＦ２が銀で形成されている場合、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３をドライエッチングで加工することが困難である。一方で、ウェットエッチングにて下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３を加工すると、マスクとして使用するレジストよりも幅が小さくなるように下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の端面が侵食され得る。そのため、隣接する下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の間隔を十分に小さくすることが困難であり、５μｍ程度が現実的な最小間隔となる。これにより、表示装置ＤＳＰの高精細化が制約され得る。

【0105】

一方、本実施形態においては、下地電極ＢＥ１，ＢＥ２，ＢＥ３がドライエッチングにより加工される。この場合には、下地電極ＢＥ１，ＢＥ２，ＢＥ３の外形を精度良く形成することができる。一例では、下地電極ＢＥ１，ＢＥ２，ＢＥ３の間隔を３μｍ以下にすることが可能である。これにより、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３のアノード（下地電極および下電極）を狭ピッチで配列し、高精細な表示装置ＤＳＰを実現することができる。

【0106】

リブ５の画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３において有機絶縁層１２が下地電極ＢＥ１，ＢＥ２，ＢＥ３および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３から露出していると、表示素子ＤＥ１，ＤＥ２，ＤＥ３の形成時のエッチング等で有機絶縁層１２が侵食され得る。そのため、画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３は全体的に下地電極ＢＥ１，ＢＥ２，ＢＥ３または下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３と重なることが好ましい。

【0107】

仮に下地電極ＢＥ１，ＢＥ２，ＢＥ３が無い場合、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３が画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３と確実に重なる必要がある。このとき、画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３と下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の位置ずれを考慮して、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の縁部Ｅ２と画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３との間に十分なマージンを確保しなければならない。これにより、画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３の大きさが制約され、結果として開口率の向上が困難となる。

【0108】

これに対し、本実施形態においては、上述のとおり下地電極ＢＥ１，ＢＥ２，ＢＥ３を狭ピッチで配列することができる。また、上記マージンは、下地電極ＢＥ１，ＢＥ２，ＢＥ３の縁部Ｅ１を基準に定めればよい。そのため、下地電極ＢＥ１，ＢＥ２，ＢＥ３が無い場合に比べ、画素開口ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３を大きくし、開口率を高めることが可能である。

【0109】

なお、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の縁部Ｅ２は、必ずしも図５に示したようにリブ５で覆われている必要はない。他の例として、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の縁部Ｅ２の少なくとも一部がリブ５で覆われていなくてもよい。

【0110】

ここで、下地電極および下電極を積層したアノードの反射率について検証した結果について説明する。
図１３は、アノードの反射率と波長の関係をシミュレーションした結果を示すグラフである。このシミュレーションにおいては、シリコン酸化物で形成されたリブ５の上に、サンプルＡ１～Ａ５の５種類の積層体を配置した場合のそれぞれについて反射率を求めた。

【0111】

サンプルＡ１は、１００ｎｍの銀層（Ａｇ）によって構成されている。サンプルＡ２は、５０ｎｍの銀層によって構成されている。サンプルＡ３は、３０ｎｍのアルミニウム層（Ａｌ）の上に５０ｎｍの銀層を配置した積層体である。サンプルＡ４は、３０ｎｍのアルミニウム層の上に７ｎｍのＩＴＯ層と５０ｎｍの銀層を順に配置した積層体である。サンプルＡ５は、３０ｎｍのアルミニウム層の上に５ｎｍの窒化チタン層（ＴｉＮ）、７ｎｍのＩＴＯ層および３０ｎｍの銀層を順に配置した積層体である。図中のＲ、Ｇ、Ｂは、それぞれ赤色、緑色および青色の波長域を示す。

【0112】

サンプルＡ１，Ａ２を比較すると、銀層が厚いほど赤色、緑色および青色のいずれの波長域においても反射率が高いことが分かる。アルミニウム層を含むサンプルＡ３，Ａ４，Ａ５においては、銀層がサンプルＡ２と同等かそれ以下である。しかしながら、サンプルＡ３，Ａ４，Ａ５の反射率は、赤色、緑色および青色のいずれの波長域においてもサンプルＡ１と遜色ないレベルに向上している。すなわち、下地電極ＢＥ１，ＢＥ２，ＢＥ３がアルミニウムの第１反射層ＲＦ１を含み、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３が銀の第２反射層ＲＦ２を含む場合には、第２反射層ＲＦ２が薄くても良好な反射率を得ることができる。

【0113】

図１４は、３０ｎｍのアルミニウム層の上に銀層を配置した積層体において、銀層の厚さと反射率の関係をシミュレーションした結果を示すグラフである。このシミュレーションは、赤色の波長（Ｒ：６２０ｎｍ）、緑色の波長（Ｇ：５３０ｎｍ）および青色の波長（Ｂ：４６０ｎｍ）のそれぞれについて行った。グラフ中には、５０ｎｍのアルミニウム層のみの場合の反射率、および、１００ｎｍの銀層のみの場合の反射率もプロットしている。

【0114】

赤色の波長の反射率は、銀層の厚さが５０ｎｍ程度に達するまでは徐々に増加するが、この厚さをさらに増しても殆ど変化していない。また、緑色の波長の反射率は、銀層の厚さが４０ｎｍ程度に達するまでは徐々に増加するが、この厚さをさらに増しても殆ど変化していない。青色の波長の反射率は、銀層の厚さが２０ｎｍ程度に達するまでは徐々に増加し、この厚さをさらに増すと徐々に低下している。

【0115】

このシミュレーション結果に基づけば、銀で形成される第２反射層ＲＦ２の厚さは、例えば２０～５０ｎｍの範囲であることが好ましい。このような範囲であれば、各色の波長において良好な反射率を実現することができる。

【0116】

図１５は、３０ｎｍのアルミニウム層、ＩＴＯ層および３０ｎｍの銀層を下から順に配置した積層体において、ＩＴＯ層の厚さと反射率の関係をシミュレーションした結果を示すグラフである。このシミュレーションは、赤色の波長（Ｒ：６２０ｎｍ）、緑色の波長（Ｇ：５３０ｎｍ）および青色の波長（Ｂ：４６０ｎｍ）のそれぞれについて行った。

【0117】

赤色、緑色および青色のいずれの波長においても、ＩＴＯ層の厚さを増すほど反射率が低下している。このことから、ＩＴＯで形成される第２透明酸化物層ＣＬ２は、できるだけ薄いことが好ましい。

【0118】

図１６は、３０ｎｍのアルミニウム層、窒化チタン層、７ｎｍのＩＴＯ層および３０ｎｍの銀層を下から順に配置した積層体において、窒化チタン層の厚さと反射率の関係をシミュレーションした結果を示すグラフである。このシミュレーションは、赤色の波長（Ｒ：６２０ｎｍ）、緑色の波長（Ｇ：５３０ｎｍ）および青色の波長（Ｂ：４６０ｎｍ）のそれぞれについて行った。

【0119】

赤色、緑色および青色のいずれの波長においても、窒化チタン層の厚さを増すほど反射率が低下している。このことから、窒化チタンで形成される第１金属層ＭＬ１は、できるだけ薄いことが好ましい。

【0120】

図１７は、３０ｎｍのアルミニウム層、５ｎｍの窒化チタン層、７ｎｍのＩＴＯ層および銀層を下から順に配置した積層体において、銀層の厚さと反射率の関係をシミュレーションした結果を示すグラフである。このシミュレーションは、赤色の波長（Ｒ：６２０ｎｍ）、緑色の波長（Ｇ：５３０ｎｍ）および青色の波長（Ｂ：４６０ｎｍ）のそれぞれについて行った。グラフ中には、５０ｎｍのアルミニウム層のみの場合の反射率、および、１００ｎｍの銀層のみの場合の反射率もプロットしている。

【0121】

赤色、緑色および青色のいずれの波長においても、銀層の厚さがを増すほど反射率が向上している。ただし、銀層の厚さが５０ｎｍを超えると反射率の変化は小さくなる。例えば、図１４を参照して上述した２０～５０ｎｍの銀層の厚さであれば、各波長の反射率は１００ｎｍの銀層の単層に比べても同等とみなせる範囲である。

【0122】

以上の図１３乃至図１７に示したシミュレーションの結果に基づけば、図６の例のようにアルミニウムの第１反射層ＲＦ１と銀の第２反射層ＲＦ２を重ねた構成、図７のように反射層ＲＦ１，ＲＦ２の間にＩＴＯの第２透明酸化物層ＣＬ２を配置した構成、図８および図９のように反射層ＲＦ１，ＲＦ２の間にＩＴＯの第２透明酸化物層ＣＬ２と窒化チタンの第１金属層ＭＬ１を配置した構成のそれぞれにおいて、良好な反射率を実現し得ることが分かる。

【0123】

［第２実施形態］
第２実施形態について説明する。本実施形態においては、下地電極ＢＥ１，ＢＥ２，ＢＥ３および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３を形成する工程（図１０の工程ＰＲ２）の他の例を開示する。表示装置ＤＳＰの構成や、工程ＰＲ２以外の製造工程は第１実施形態と同様である。

【0124】

図１１Ａ乃至図１１Ｇの例と同じく、本実施形態においても下地電極ＢＥ１，ＢＥ２，ＢＥ３および下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３が図９に示す構造を有する場合を想定する。本実施形態における工程ＰＲ２においては、先ず図１１Ａと同様に第１層Ｌ１および第２層Ｌ２が有機絶縁層１２の上に形成される。さらに、図１１Ｂと同様にレジストＲ１が第２層Ｌ２の上に配置される。その後、図１１Ｃ乃至図１１Ｅと同様の第１エッチングにより、第２層Ｌ２が下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の形状にパターニングされる。本実施形態においては、第１エッチングの後、第２エッチングの実施前にレジストＲ１が除去される。

【0125】

図１８Ａおよび図１８Ｂは、本実施形態に係る第２エッチングの工程を示す概略的な断面図である。レジストＲ１（第１レジスト）の除去後、図１８Ａに示すように、レジストＲ２（第２レジスト）が配置される。レジストＲ２は、下地電極ＢＥ１，ＢＥ２，ＢＥ３の形状にパターニングされている。

【0126】

レジストＲ２は、第１エッチングにより形成された下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３を全体的に覆っている。さらに、レジストＲ２は、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３の周囲の第１層Ｌ１も覆っている。

【0127】

第２エッチングは、このようなレジストＲ２をマスクとして実施される。すなわち、図１８Ｂに示すように、第１層Ｌ１のうちレジストＲ２から露出した部分が除去される。これにより、第１層Ｌ１が下地電極ＢＥ１，ＢＥ２，ＢＥ３の形状にパターニングされる。第２エッチングの後、レジストＲ２が除去される。

【0128】

第１実施形態のように、レジストＲ１を用いて第１層Ｌ１および第２層Ｌ２の双方を加工する場合、第１エッチングにおいてレジストＲ１が侵食され、第２エッチングにおいて下地電極ＢＥ１，ＢＥ２，ＢＥ３を設計通りの外形に形成できないことがあり得る。これに対し、本実施形態のように第１エッチングの後にレジストＲ１を除去し、別のレジストＲ２を形成すれば、下地電極ＢＥ１，ＢＥ２，ＢＥ３を精度よく形成することが可能となる。

【0129】

なお、本実施形態においては、第１エッチングと第２エッチングで異なるレジストを用いるために、下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３と下地電極ＢＥ１，ＢＥ２，ＢＥ３の相対的な位置関係にずれが生じる可能性がある。また、第１実施形態に比べ、レジストＲ２を形成および除去するための工程が増える。これらを抑制する観点からは、第１実施形態の製造工程が有利である。

【0130】

なお、本実施形態に係る製造工程を用いれば、下地電極ＢＥ１，ＢＥ２，ＢＥ３と下電極ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３を意図的にずらすこともできる。この変形例につき、以下に説明する。

【0131】

図１９は、当該変形例を説明するための図であり、図５と同じくＹ方向に並ぶ複数の副画素ＳＰ１の概略的な断面を示している。ここで、下地電極ＢＥ１の図中右方の縁部を第１縁部Ｅ１ａと呼び、図中左方の縁部を第２縁部Ｅ１ｂと呼ぶ。また、下電極ＬＥ１の図中右方の縁部を第１縁部Ｅ２ａと呼び、図中左方の縁部を第２縁部Ｅ２ｂと呼ぶ。さらに、図中右方の隔壁６を第１隔壁６ａと呼び、図中左方の隔壁６を第２隔壁６ｂと呼ぶ。

【0132】

図１９の例においては、上電極ＵＥ１が第１隔壁６ａのボトム層６３に接触しているが、第２隔壁６ｂのボトム層６３には接触していない。このような上電極ＵＥ１は、上電極ＵＥ１の材料を放出する蒸着源をＺ方向に対して傾けることで形成可能である。このような構成であれば、上電極ＵＥ１を少なくとも第１隔壁６ａと良好に導通させることができる。

【0133】

なお、上電極ＵＥ１は、第２隔壁６ｂの下部６１と僅かに接触していてもよい。この場合において、上電極ＵＥ１と第１隔壁６ａとの接触面積が、上電極ＵＥ１と第２隔壁６ｂの下部６１との接触面積より大きくてもよい。

【0134】

図１９の例においては、第１縁部Ｅ１ａ，Ｅ２ａが揃っている。これら第１縁部Ｅ１ａ，Ｅ２ａは、第１隔壁６ａの下方に位置している。これにより、第１隔壁６ａの近傍において、リブ５の上面に第１縁部Ｅ１ａ，Ｅ２ａに起因した段差が生じにくい。すなわち、第１隔壁６ａの近傍においてはリブ５の上面が平坦であり、上電極ＵＥ１が上記段差により途切れることを抑制できる。したがって、上電極ＵＥ１と第１隔壁６ａの一層良好な導通を確保できる。

【0135】

一方、図１９の例においては、第２縁部Ｅ１ｂ，Ｅ２ｂが図５の例と同様にずれている。第２隔壁６ｂと上電極ＵＥ１は、必ずしも導通する必要はない。したがって、第２縁部Ｅ２ｂに起因した段差がリブ５の上面に生じても、上電極ＵＥ１への給電の観点からは特段の問題が生じない。

【0136】

図１９に示した構成は、副画素ＳＰ２，ＳＰ３にも適用できる。また、図１９においてはＹ方向に下地電極ＢＥ１と下電極ＬＥ１がずれた構成を示したが、下地電極ＢＥ１と下電極ＬＥ１がＸ方向にずれてもよい。

【0137】

以上、本発明の実施形態として説明した表示装置およびその製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置およびその製造方法も、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に属する。

【0138】

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

【0139】

また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

【符号の説明】

【0140】

ＤＳＰ…表示装置、ＤＡ…表示領域、ＳＡ…周辺領域、ＰＸ…画素、ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素、ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極、ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層、ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極、ＢＥ１，ＢＥ２，ＢＥ３…下地電極、ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３…封止層、５…リブ、６…隔壁、６１…下部、６２…上部、６３…ボトム層、６４…軸層。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11A】

【図11B】

【図11C】

【図11D】

【図11E】

【図11F】

【図11G】

【図12A】

【図12B】

【図12C】

【図12D】

【図12E】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18A】

【図18B】

【図19】