特開 2025-6360 基板処理方法および基板処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025006360

(43)【公開日】2025-01-17

(54)【発明の名称】基板処理方法および基板処理装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20250109BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 644C

H01L21/304 601M

H01L21/304 621B

H01L21/304 622Q

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023107104

(22)【出願日】2023-06-29

(71)【出願人】

【識別番号】000207551

【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス

(74)【代理人】

【識別番号】100088672

【弁理士】

【氏名又は名称】吉竹 英俊

(74)【代理人】

【識別番号】100088845

【弁理士】

【氏名又は名称】有田 貴弘

(72)【発明者】

【氏名】田中 克典

(72)【発明者】

【氏名】帆角 良平

(72)【発明者】

【氏名】淺野 光

(72)【発明者】

【氏名】篠原 敬

【テーマコード（参考）】

5F057

5F157

【Ｆターム（参考）】

5F057AA01

5F057AA21

5F057AA24

5F057AA25

5F057AA41

5F057BA11

5F057BA15

5F057BB11

5F057CA11

5F057CA25

5F057DA07

5F057DA08

5F057DA10

5F057DA39

5F057EB10

5F057FA13

5F057FA17

5F057FA32

5F057FA34

5F057GA23

5F057GB02

5F057GB17

5F157AA03

5F157AA09

5F157AA73

5F157AA76

5F157AB02

5F157AB14

5F157AB16

5F157AB33

5F157AB49

5F157AB90

5F157BA03

5F157BA07

5F157BA13

5F157BA31

5F157BB11

5F157CB13

5F157CD27

5F157CD29

5F157CD32

5F157CD42

5F157CE32

5F157CE42

5F157CF02

5F157CF14

5F157CF40

5F157CF42

5F157CF60

5F157DC88

(57)【要約】

【課題】ブラシの摩耗を抑制することができる技術を提供する。
【解決手段】基板処理方法は、保持工程Ｓ１と、除去工程Ｓ２とを備える。保持工程Ｓ１では、凹凸欠陥が存在する主面を有する基板を保持する。除去工程Ｓ２では、基板の主面に処理液を供給しつつ、基板の主面のうち凹凸欠陥を含まない非処理領域を避けて、主面のうち凹凸欠陥を含む処理領域に対して第１ブラシを摺動させて、凹凸欠陥の少なくとも一部を除去する。
【選択図】図７

【特許請求の範囲】

【請求項1】

凹凸欠陥が存在する主面を有する基板を保持する保持工程と、
前記基板の前記主面に処理液を供給しつつ、前記基板の前記主面のうち前記凹凸欠陥を含まない非処理領域を避けて、前記主面のうち前記凹凸欠陥を含む処理領域に対して第１ブラシを摺動させて、前記凹凸欠陥の少なくとも一部を除去する除去工程と
を備える、基板処理方法。

【請求項2】

請求項１に記載の基板処理方法であって、
前記凹凸欠陥は、前記保持工程の前において前記基板を支持または保持する部材と、前記基板との接触に起因して前記主面に固着した付着物を含み、
前記除去工程において、研磨材を含む前記第１ブラシが前記処理領域を研磨して、前記付着物の少なくとも一部を除去する、基板処理方法。

【請求項3】

請求項２に記載の基板処理方法であって、
前記除去工程の後に、前記基板の前記主面に前記処理液を供給しつつ、研磨材を含まない第２ブラシを前記基板の前記処理領域および前記非処理領域に対して摺動させて、前記除去工程によって生じた前記処理領域および前記非処理領域上のパーティクルの少なくとも一部を除去するスクラバ工程をさらに備える、基板処理方法。

【請求項4】

請求項２または請求項３に記載の基板処理方法であって、
前記除去工程は、
前記基板の前記主面に前記処理液を供給しつつ、前記第１ブラシである、研磨材を含む第１研磨ブラシを、前記非処理領域を避けて前記処理領域に対して摺動させる粗研磨工程と、
前記粗研磨工程の後に、前記基板の前記主面に前記処理液を供給しつつ、前記第１研磨ブラシの前記研磨材よりも細かい研磨材を含む第２研磨ブラシを、前記非処理領域を避けて前記処理領域に摺動させる細研磨工程と
を含む、基板処理方法。

【請求項5】

請求項１から請求項３のいずれか一つに記載の基板処理方法であって、
前記除去工程の前に、前記基板の前記主面上の前記凹凸欠陥の位置に関する位置関連情報に基づいて、前記処理領域を設定する設定工程をさらに備える、基板処理方法。

【請求項6】

請求項５に記載の基板処理方法であって、
外部から前記位置関連情報を受け取る、基板処理方法。

【請求項7】

請求項５に記載の基板処理方法であって、
センサが前記凹凸欠陥を検出して前記位置関連情報を生成する、基板処理方法。

【請求項8】

凹凸欠陥が存在する主面を有する基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部によって保持された前記基板の前記主面に向かって処理液を吐出するノズルを含む吐出部と、
第１ブラシと、
前記第１ブラシを移動させる第１ブラシ移動駆動部と、
前記基板保持部、前記吐出部および前記第１ブラシ移動駆動部を制御して、前記基板の前記主面に前記処理液を供給しつつ、前記基板の前記主面のうち前記凹凸欠陥を含まない非処理領域を避けて、前記主面のうち前記凹凸欠陥を含む処理領域に対して前記第１ブラシを摺動させて、前記凹凸欠陥の少なくとも一部を除去させる制御部と
を備える、基板処理装置。

【請求項9】

請求項８に記載の基板処理装置であって、
第２ブラシと、
前記第２ブラシを移動させる第２ブラシ移動駆動部と
をさらに備え、
前記第１ブラシは、研磨材を含む研磨ブラシであり、
前記第２ブラシは、研磨材を含まない非研磨ブラシである、基板処理装置。

【請求項10】

請求項９に記載の基板処理装置であって、
前記第１ブラシは、研磨材を含む第１研磨ブラシであり、
前記基板処理装置は、
前記第１研磨ブラシの前記研磨材よりも細かい研磨材を含む第２研磨ブラシと、
前記第２研磨ブラシを移動させる研磨ブラシ移動駆動部と
をさらに備える、基板処理装置。

【請求項11】

請求項８から請求項１０のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
前記基板の前記主面上の前記凹凸欠陥を検出するセンサをさらに備える、基板処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、基板処理方法および基板処理装置に関する。

【背景技術】

【0002】

従来から、基板に対して物理洗浄を行う基板処理装置が開示されている（例えば特許文献１）。特許文献１では、基板処理装置は、スピンチャックと、洗浄液供給ノズルと、洗浄ブラシとを含んでいる。スピンチャックは基板を水平姿勢で保持しつつ基板を回転させる。洗浄液供給ノズルは基板の主面に向かって洗浄液を吐出する。洗浄ブラシは移動可能に設けられており、基板の主面に当接した状態で基板の主面に対して相対的に移動する。これにより、洗浄ブラシが基板の主面を擦って洗浄することができる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００３－０５９８８５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

洗浄ブラシが基板の主面のうちの中心から基板の端まで移動すれば、基板の主面の全面を洗浄することができる。しかしながら、基板の主面上の除去対象物は、必ずしも基板の主面の全面に存在しているとは限らず、主面のうちの一部のみの領域に存在している場合もあり得る。このような場合には、洗浄ブラシが基板の主面の全面を洗浄すると、洗浄ブラシの不要な摩耗を招き得る。

【0005】

そこで、本開示は、ブラシの摩耗を抑制することができる技術を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

第１の態様は、基板処理方法であって、凹凸欠陥が存在する主面を有する基板を保持する保持工程と、前記基板の前記主面に処理液を供給しつつ、前記基板の前記主面のうち前記凹凸欠陥を含まない非処理領域を避けて、前記主面のうち前記凹凸欠陥を含む処理領域に対して第１ブラシを摺動させて、前記凹凸欠陥の少なくとも一部を除去する除去工程とを備える。

【0007】

第２の態様は、第１の態様にかかる基板処理方法であって、前記凹凸欠陥は、前記保持工程の前において前記基板を支持または保持する部材と、前記基板との接触に起因して前記主面に固着した付着物を含み、前記除去工程において、研磨材を含む前記第１ブラシが前記処理領域を研磨して、前記付着物の少なくとも一部を除去する。

【0008】

第３の態様は、第２の態様にかかる基板処理方法であって、前記除去工程の後に、前記基板の前記主面に前記処理液を供給しつつ、研磨材を含まない第２ブラシを前記基板の前記処理領域および前記非処理領域に対して摺動させて、前記除去工程によって生じた前記処理領域および前記非処理領域上のパーティクルの少なくとも一部を除去するスクラバ工程をさらに備える。

【0009】

第４の態様は、第２または第３の態様にかかる基板処理方法であって、前記除去工程は、前記基板の前記主面に前記処理液を供給しつつ、前記第１ブラシである、研磨材を含む第１研磨ブラシを、前記非処理領域を避けて前記処理領域に対して摺動させる粗研磨工程と、前記粗研磨工程の後に、前記基板の前記主面に前記処理液を供給しつつ、前記第１研磨ブラシの前記研磨材よりも細かい研磨材を含む第２研磨ブラシを、前記非処理領域を避けて前記処理領域に摺動させる細研磨工程とを含む。

【0010】

第５の態様は、第１から第４のいずれか一つの態様にかかる基板処理方法であって、前記除去工程の前に、前記基板の前記主面上の前記凹凸欠陥の位置に関する位置関連情報に基づいて、前記処理領域を設定する設定工程をさらに備える。

【0011】

第６の態様は、第５の態様にかかる基板処理方法であって、外部から前記位置関連情報を受け取る。

【0012】

第７の態様は、第５の態様にかかる基板処理方法であって、センサが前記凹凸欠陥を検出して前記位置関連情報を生成する。

【0013】

第８の態様は、基板処理装置であって、凹凸欠陥が存在する主面を有する基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部によって保持された前記基板の前記主面に向かって処理液を吐出するノズルを含む吐出部と、第１ブラシと、前記第１ブラシを移動させる第１ブラシ移動駆動部と、前記基板保持部、前記吐出部および前記第１ブラシ移動駆動部を制御して、前記基板の前記主面に前記処理液を供給しつつ、前記基板の前記主面のうち前記凹凸欠陥を含まない非処理領域を避けて、前記主面のうち前記凹凸欠陥を含む処理領域に対して前記第１ブラシを摺動させて、前記凹凸欠陥の少なくとも一部を除去させる制御部とを備える。

【0014】

第９の態様は、第８の態様にかかる基板処理装置であって、第２ブラシと、前記第２ブラシを移動させる第２ブラシ移動駆動部とをさらに備え、前記第１ブラシは、研磨材を含む研磨ブラシであり、前記第２ブラシは、研磨材を含まない非研磨ブラシである。

【0015】

第１０の態様は、第９の態様にかかる基板処理装置であって、前記第１ブラシは、研磨材を含む第１研磨ブラシであり、前記基板処理装置は、前記第１研磨ブラシの前記研磨材よりも細かい研磨材を含む第２研磨ブラシと、前記第２研磨ブラシを移動させる研磨ブラシ移動駆動部とをさらに備える。

【0016】

第１１の態様は、第８から第１０のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記基板の前記主面上の前記凹凸欠陥を検出するセンサをさらに備える。

【発明の効果】

【0017】

第１および第８の態様によれば、非処理領域に第１ブラシを当接させないので、第１ブラシの摩耗を抑制することができる。

【0018】

第２の態様によれば、基板の主面に付着物が固着していても、付着物を適切に除去することができる。しかも、第１ブラシは非処理領域を研磨しないので、パーティクルの発生も抑制できる。

【0019】

第３の態様によれば、スクラバ工程において、除去工程によって生じたパーティクルの少なくとも一部を除去する。このため、基板の主面に残留するパーティクルの数をさらに低減させることができる。

【0020】

第４の態様によれば、粗研磨工程においては、粗い研磨材を含む第１研磨ブラシが処理領域を研磨する。このため、凹凸欠陥を効果的に除去することができる。その一方で、基板の主面により深いスクラッチが形成され得る。深いスクラッチの輪郭部では、基板の主面が盛り上がるため、当該輪郭部に凸部が形成され得る。

【0021】

細研磨工程においては、細かい研磨材を含む第２研磨ブラシが処理領域を研磨する。このため、粗研磨工程で生じた凸部の少なくとも一部を除去して、基板の主面をより平坦にすることができる。

【0022】

第５および第６の態様によれば、ユーザビリティを向上させることができる。

【0023】

第７の態様によれば、基板の主面の凹凸欠陥の位置を高い精度で得ることができる。

【0024】

第９の態様によれば、第１ブラシを用いた研磨によって基板の主面上に生じたパーティクルの少なくとも一部を、第２ブラシを用いて除去することができる。

【0025】

第１０の態様によれば、粗い第１研磨ブラシを用いた研磨によって基板の主面の凹凸欠陥の少なくとも一部を効果的に除去することができる。その一方で、基板の主面にはより深いスクラッチが生じる。深いスクラッチの輪郭部では、基板の主面が盛り上がるので、輪郭部に凸部が形成される。この凸部の少なくとも一部を細かい第２研磨ブラシを用いて除去することができるので、基板の主面をさらに平坦にすることができる。

【0026】

第１１の態様によれば、凹凸欠陥の位置を高い精度で取得することができる。

【図面の簡単な説明】

【0027】

【図1】第１実施形態にかかる基板処理装置に属する処理ユニットの構成の一例を概略的に示す縦断面図である。

【図2】第１実施形態にかかる処理ユニットの構成の一例を概略的に示す平面図である。

【図3】基板の一部の構成の一例を示す断面図である。

【図4】基板の第２主面の一例を概略的に示す平面図である。

【図5】処理領域および非処理領域の一例を概略的に示す図である。

【図6】制御部の構成の一例を概略的に示すブロック図である。

【図7】第１実施形態にかかる処理ユニットの動作の一例を示すフローチャートである。

【図8】除去処理における処理ユニットの様子の一例を概略的に示す図である。

【図9】第２実施形態にかかる処理ユニットの構成の一例を概略的に示す縦断面図である。

【図10】第２実施形態にかかる処理ユニットの構成の一例を概略的に示す平面図である。

【図11】第２実施形態にかかる処理ユニットの動作の一例を示すフローチャートである。

【図12】スクラバ処理における処理ユニットの様子の時間変化の一例を概略的に示す図である。

【図13】第３実施形態にかかる処理ユニットの構成の一例を概略的に示す縦断面図である。

【図14】第３実施形態にかかる除去処理の具体的な一例を示すフローチャートである。

【図15】基板の一部の構成の一例を示す断面図である。

【図16】処理領域を設定する動作の一例を示すフローチャートである。

【図17】第５実施形態にかかる処理ユニットの構成の一例を概略的に示す縦断面図である。

【図18】基板処理システムの構成の一例を概略的に示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0028】

以下、図面を参照しつつ実施の形態について詳細に説明する。なお図面においては、理解容易の目的で、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。また同様な構成および機能を有する部分については同じ符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。

【0029】

また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。

【0030】

また、以下に記載される説明において、「第１」または「第２」などの序数が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、これらの序数によって生じ得る順序に限定されるものではない。

【0031】

相対的または絶対的な位置関係を示す表現（例えば「一方向に」「一方向に沿って」「平行」「直交」「中心」「同心」「同軸」など）が用いられる場合、該表現は、特に断らない限り、その位置関係を厳密に表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる範囲で相対的に角度または距離に関して変位された状態も表すものとする。等しい状態であることを示す表現（例えば「同一」「等しい」「均質」など）が用いられる場合、該表現は、特に断らない限り、定量的に厳密に等しい状態を表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる差が存在する状態も表すものとする。形状を示す表現（例えば、「四角形状」または「円筒形状」など）が用いられる場合、該表現は、特に断らない限り、幾何学的に厳密にその形状を表すのみならず、同程度の効果が得られる範囲で、例えば凹凸や面取りなどを有する形状も表すものとする。一の構成要素を「備える」「具える」「具備する」「含む」または「有する」という表現が用いられる場合、該表現は、他の構成要素の存在を除外する排他的表現ではない。「Ａ，ＢおよびＣの少なくともいずれか一つ」という表現が用いられる場合、該表現は、Ａのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、Ａ，ＢおよびＣのうち任意の２つ、ならびに、Ａ，ＢおよびＣの全てを含む。

【0032】

＜第１実施形態＞
図１は、第１実施形態にかかる基板処理装置に属する処理ユニット１の構成の一例を概略的に示す縦断面図である。図２は、第１実施形態にかかる処理ユニット１の構成の一例を概略的に示す平面図である。なお、基板処理装置は一つの処理ユニット１のみを含む必要はなく、例えば、複数の処理ユニット１と、複数の処理ユニット１の各々に対して基板Ｗの搬出入を行う搬送ロボットとを含んでいてもよい。

【0033】

処理ユニット１は、基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の処理装置である。基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機ＥＬ(Electroluminescence)用基板、ＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板である。基板Ｗは、第１主面Ｗａおよび第２主面Ｗｂを有する、薄い平板形状を有する。第２主面Ｗｂは第１主面Ｗａと逆側の面である。以下では、基板Ｗが半導体ウエハであるものとする。基板Ｗは例えば円板形状を有している。基板Ｗの直径は例えば３００ｍｍ程度であり、基板Ｗの厚さは例えば０．５ｍｍ程度以上かつ３ｍｍ程度以下である。

【0034】

基板Ｗの第１主面Ｗａには、半導体デバイスの製造途中のパターンが形成され得る。図１の例では、後に詳述するように、基板Ｗは、第１主面Ｗａが鉛直下方を向いた姿勢で保持される。基板Ｗは、処理ユニット１への搬入前において、半導体デバイスを製造するための製造工程のうちのいくつかの処理を受ける。つまり、基板Ｗは処理ユニット１の搬入前に、不図示の搬送ロボットによって不図示の種々の前処理装置に搬送される。各前処理装置は基板Ｗの第１主面Ｗａが鉛直上方を向く姿勢で基板Ｗを支持または保持しつつ、基板Ｗの第１主面Ｗａに対して種々の処理を行う。例えば前処理装置は基板Ｗの第１主面Ｗａに種々の薄膜（例えばレジスト膜）を形成する。

【0035】

一方で、このような処理によって、基板Ｗの第２主面Ｗｂには種々の付着物が付着し得る。図３は、基板Ｗの一部の構成の一例を示す断面図であり、図４は、基板Ｗの第２主面Ｗｂの一例を概略的に示す平面図である。図３の例では、基板Ｗの第２主面Ｗｂには付着物Ａｄが付着している。付着物Ａｄは異物Ａｄ１および膜Ａｄ２を含み得る。異物Ａｄ１は、例えば、パーティクルを含み得る。膜Ａｄ２は、基板Ｗの第１主面Ｗａへの成膜処理において、第２主面Ｗｂにも形成され得る。図３の例では、膜Ａｄ２は異物Ａｄ１の少なくとも一部を覆って基板Ｗの第２主面Ｗｂに形成される。このため、付着物Ａｄは、基板Ｗの第２主面Ｗｂに固着した固着物であるともいえる。付着物Ａｄが基板Ｗの第２主面Ｗｂに固着することで、基板Ｗの第２主面Ｗｂは凹凸形状を有する。基板Ｗの第２主面Ｗｂの付着物Ａｄに起因する凸部の高さの最大値は、例えばｎｍオーダーであり得る。

【0036】

付着物Ａｄは、図４（ａ）に示されるように、基板Ｗの周縁部に付着し得る。図４（ａ）の例では、基板Ｗの周縁部のうちの３か所にそれぞれ付着物Ａｄが形成されている。これらの付着物Ａｄは、例えば、前処理装置において、基板Ｗの周縁部の当該３か所が支持部材に接触することに起因して生じ得る。例えば、当該前処理装置は、複数枚の基板Ｗを一括して処理するバッチ式の装置であり、当該支持部材は、複数の基板Ｗを鉛直方向に並べた状態で支持する部材であってもよい。

【0037】

あるいは、付着物Ａｄは、図４（ｂ）に示されるように、基板Ｗの第２主面Ｗｂのうちの仮想円ＶＣ上で等間隔となる３か所に形成されることもある。仮想円ＶＣは基板Ｗと同心状であり、仮想円ＶＣの直径は、例えば、基板Ｗの直径の半分程度である。これらの付着物Ａｄは、例えば、前処理装置において、基板Ｗの仮想円ＶＣ上の３か所が支持部材に接触することに起因して生じ得る。例えば、当該前処理装置は、基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置であり、当該支持部材は、基板Ｗの第２主面Ｗｂに当接する３つの支持ピンであってもよい。

【0038】

あるいは、付着物Ａｄは、図４（ｃ）に示されるように、基板Ｗの第２主面Ｗｂの全面において、分散して固着し得る。図４（ｃ）の例では、付着物Ａｄはマトリックス状に形成される。これらの付着物Ａｄは、例えば、前処理装置において、基板Ｗの第２主面Ｗｂのうちのマトリックス状の複数個所が保持部材に接触することに起因して生じ得る。例えば、当該前処理装置は、基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の装置であり、当該保持部材は、基板Ｗの第２主面Ｗｂを静電式または吸引式により吸着するチャック部材であってもよい。

【0039】

以上のように、付着物Ａｄは、前処理装置において、基板Ｗを支持または保持する部材との接触に起因して生じ得る。そして、付着物Ａｄに起因して基板Ｗの第２主面Ｗｂに凹凸形状が形成されると、露光装置において、焦点ずれが生じ得る。具体的には、露光装置において、例えば、基板Ｗは、第１主面Ｗａが鉛直上方を向く姿勢で、静電チャックまたは吸引チャック等のチャック部材により保持される。つまり、チャック部材は、基板Ｗの第２主面Ｗｂに当接する。このため、基板Ｗの第２主面Ｗｂの凹凸によって基板Ｗに撓みが生じ、基板Ｗの第１主面Ｗａにも凹凸形状が形成される。したがって、基板Ｗの第１主面Ｗａにおいて許容できない程度の焦点ずれが生じ得る。

【0040】

なお、基板Ｗの第２主面Ｗｂの凹凸形状は必ずしも付着物Ａｄによって形成される必要はない。凹凸形状は、例えば、前処理装置における基板Ｗの第２主面Ｗｂと部材との接触に起因して生じる傷（スクラッチ）によっても生じ得る。つまり、基板Ｗの第２主面Ｗｂに傷が生じると、第２主面Ｗｂに凹みが生じるとともに、その凹みの輪郭が盛り上がり得る。このため、基板Ｗの第２主面Ｗｂに凹凸が形成され得る。以下では、基板Ｗの第２主面Ｗｂに凹凸形状を生じさせる原因となる欠陥を凹凸欠陥とも呼ぶ。凹凸欠陥は例えば付着物Ａｄおよび傷の少なくともいずれか一方を含む。また、凹凸欠陥は、Ｂｏａｔ痕と呼ばれる、基板Ｗを支持または保持する部材と、基板Ｗとの接触個所に生じる欠陥も含み得る。

【0041】

本実施の形態では、処理ユニット１は、基板Ｗの第２主面Ｗｂの凹凸欠陥を少なくとも一部（例えば大部分）を除去して、基板Ｗの第２主面Ｗｂをより平坦にする除去処理を行う。以下では、主として、基板Ｗの第２主面Ｗｂに付着物Ａｄが固着している場合について説明する。ここで、付着物Ａｄのうちの除去対象部分は、露光装置において許容できない焦点ずれの原因となる程度の高さを有する凸部である。

【0042】

図１および図２に示されるように、処理ユニット１は、基板保持部２と、吐出部３と、第１ブラシ４１と、第１ブラシ移動駆動部６１と、制御部９とを含んでいる。

【0043】

基板保持部２は基板Ｗを水平姿勢で保持しつつ、基板Ｗを回転軸線Ｑ１のまわりで回転させる。ここでいう水平姿勢とは、基板Ｗの厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢である。ここでは、基板保持部２は、第１主面Ｗａが鉛直下方を向く姿勢（つまり、第２主面Ｗｂが鉛直上方を向く姿勢）で基板Ｗを保持する。回転軸線Ｑ１は、基板Ｗの中心を通り、かつ、鉛直方向に沿う軸である。基板保持部２はスピンチャックとも呼ばれ得る。

【0044】

図１の例では、基板保持部２は、スピンベース２１と、チャックピン２２と、回転駆動部２３とを含んでいる。スピンベース２１は板状の形状（例えば円板形状）を有し、その厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢で設けられる。スピンベース２１の上面には複数のチャックピン２２が設けられている。複数のチャックピン２２は、回転軸線Ｑ１についての周方向に沿って等間隔に設けられる。複数のチャックピン２２は、次に説明する保持位置と解除位置との間で変位可能に設けられている。保持位置とは、チャックピン２２が基板Ｗの周縁に当接する位置である。複数のチャックピン２２がそれぞれの保持位置で停止することにより、複数のチャックピン２２が基板Ｗを保持する。図１および図２では、保持位置で停止したチャックピン２２が示されている。解除位置とは、各チャックピン２２が基板Ｗから離れた位置である。複数のチャックピン２２がそれぞれの解除位置で停止することにより、複数のチャックピン２２による基板Ｗの保持が解除される。基板保持部２は、チャックピン２２を変位させるピン駆動部（不図示）も含む。ピン駆動部は、例えば、モータおよびエアシリンダ等の駆動源を含み、制御部９によって制御される。

【0045】

回転駆動部２３はシャフト２３１とモータ２３２とを含んでいる。シャフト２３１の上端はスピンベース２１の下面に接続されており、シャフト２３１はスピンベース２１の下面から回転軸線Ｑ１に沿って延びている。モータ２３２は制御部９によって制御され、シャフト２３１を回転軸線Ｑ１のまわりで回転させる。これにより、スピンベース２１、チャックピン２２および基板Ｗが回転軸線Ｑ１のまわりで一体に回転する。

【0046】

なお、基板保持部２は必ずしもチャックピン２２を有している必要はない。例えば、基板保持部２は、真空チャック、静電チャックおよびベルヌーイチャック等のチャック方式により、基板Ｗを保持してもよい。

【0047】

吐出部３は、基板保持部２によって保持された基板Ｗの第２主面Ｗｂに向かって処理液を吐出する。処理液は、基板Ｗに対する処理に用いられる液体であり、具体的な一例は後に述べる。吐出部３はノズル３１を含んでいる。ノズル３１は、基板保持部２によって保持された基板Ｗよりも鉛直上方に設けられている。また、図１および図２の例では、ノズル３１は、基板保持部２によって保持された基板Ｗよりも径方向外側に設けられている。ノズル３１はその先端に吐出口３ａを有しており、吐出口３ａから処理液を吐出する。図１に示されるように、ノズル３１は、回転軸線Ｑ１側かつ鉛直下方の斜め方向に向かって処理液を吐出してもよい。ノズル３１から吐出された処理液は基板Ｗの第２主面Ｗｂに着液し得る。基板Ｗの第２主面Ｗｂに着液した処理液は基板Ｗの回転に伴う遠心力を受けて径方向外側に流れ、基板Ｗの周縁から外側に飛散する。

【0048】

図１および図２の例では、ノズル３１は処理液としての薬液およびリンス液に兼用される。薬液は、後述の除去処理に用いられる液体であり、リンス液は、薬液を基板Ｗの第２主面Ｗｂ上から押し流すための液体である。薬液およびリンス液の具体的な一例は後に述べる。

【0049】

図１および図２の例では、吐出部３は、供給管３２と、供給管３２ａと、供給管３２ｂと、供給弁３３ａと、供給弁３３ｂとをさらに含む。ノズル３１は供給管３２の下流端に接続され、供給管３２の上流端は供給管３２ａの下流端および供給管３２ｂの下流端に接続されている。供給管３２ａの上流端は薬液供給源に接続される。薬液供給源は、薬液を貯留するタンク（不図示）を有し、供給管３２ａの上流端に薬液を供給する。薬液としては、例えば、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、アンモニア水および過酸化水素水のうちの少なくとも１つを含む液を適用することができる。具体的には、薬液として、アンモニアと過酸化水素水との混合液（ＳＣ１）、ＴＭＡＨ（テトラ・メチル・アンモニウム・ハイドロオキサイド：水酸化テトラメチルアンモニウム）を用いることができる。

【0050】

供給管３２ａには供給弁３３ａ、流量調整弁３４ａおよび流量計３５ａが設けられている。供給弁３３ａは供給管３２ａの開閉を切り換える。流量調整弁３４ａは、供給管３２ａを流れる薬液の流量を調整する。供給弁３３ａおよび流量調整弁３４ａは制御部９によって制御される。流量計３５ａは、供給管３２ａを流れる薬液の流量を測定し、その測定結果を示す電気信号を制御部９に出力する。流量計３５ａは例えば超音波流量計である。制御部９は、流量計３５ａによって測定された流量に基づいて、流量調整弁３４ａを制御してもよい。

【0051】

供給管３２ｂの上流端はリンス液供給源に接続される。リンス液供給源は、リンス液を貯留するタンク（不図示）を有し、供給管３２ｂの上流端にリンス液を供給する。リンス液としては、純水、炭酸水、電解イオン水、水素水、磁気水または希釈濃度（例えば１ｐｐｍ程度）のアンモニア水を適用することができる。

【0052】

供給管３２ｂには供給弁３３ｂ、流量調整弁３４ｂおよび流量計３５ｂが設けられている。供給弁３３ｂは供給管３２ｂの開閉を切り換える。流量調整弁３４ｂは、供給管３２ｂを流れるリンス液の流量を調整する。供給弁３３ｂおよび流量調整弁３４ｂは制御部９によって制御される。流量計３５ｂは、供給管３２ｂを流れるリンス液の流量を測定し、その測定結果を示す電気信号を制御部９に出力する。流量計３５ｂは例えば超音波流量計である。制御部９は、流量計３５ｂによって測定された流量に基づいて、流量調整弁３４ｂを制御してもよい。

【0053】

第１ブラシ４１は、後述の除去処理に用いられる。具体的には、第１ブラシ４１は、基板Ｗの第２主面Ｗｂに処理液の一例である薬液が供給され、かつ、第１ブラシ４１が基板Ｗの第２主面Ｗｂに当接した状態で、基板Ｗの第２主面Ｗｂに対して相対的に移動する。つまり、第１ブラシ４１が基板Ｗの第２主面Ｗｂに対して摺動する。これにより、第１ブラシ４１が基板Ｗの第２主面Ｗｂを擦って洗浄することができる。

【0054】

第１ブラシ４１は、例えば、ポリビニルアルコール等の樹脂製のスポンジ状基体と、当該基体に含まれた研磨材とを有する研磨ブラシである。研磨材は複数の砥粒を含む。砥粒の材料は特に制限されず、基板Ｗの第２主面Ｗｂを研磨可能な程度の硬度を有する材料を適用することができる。

【0055】

第１ブラシ４１は、例えば、鉛直方向に沿う中心軸を有する円柱形状を有する。第１ブラシ４１の少なくとも下面４１ａには研磨材が含まれ、当該研磨材が少なくとも下面４１ａにおいて露出する。第１ブラシ４１の下面４１ａは例えば水平面に平行な略平坦面であり、平面視において円形状を有する。ここでいう平面視とは、視線が鉛直方向に沿う状態で見ることをいう。第１ブラシ４１の下面４１ａの直径は基板Ｗの半径よりも小さい。下面４１ａの直径は、例えば、基板Ｗの直径の４分の１以下でもよく、５分の１以下でもよく、１０分の１以下でもよい。

【0056】

図１の例では、処理ユニット１には第１ブラシ保持部５１が設けられている。第１ブラシ保持部５１は第１ブラシ４１を保持する。第１ブラシ保持部５１は第１ブラシ４１の下面４１ａよりも鉛直上方に設けられ、第１ブラシ４１の上端部分を保持し得る。第１ブラシ保持部５１は例えば円柱状の側面を有し、図１の例では、当該側面の直径は第１ブラシ４１の直径よりも大きい。

【0057】

図１および図２の例では、処理ユニット１にはアーム７１が設けられている。アーム７１は水平方向に延びている。アーム７１の内部には第１ブラシ駆動部７１１が設けられる。第１ブラシ駆動部７１１は制御部９によって制御される。第１ブラシ駆動部７１１は、第１ブラシ４１を回転軸線Ｑ２１のまわりで回転させる回転駆動部を含んでもよい。回転軸線Ｑ２１は、例えば、第１ブラシ４１の中心を通り、かつ、鉛直方向に沿う軸である。第１ブラシ駆動部７１１は、シャフト７１２と、不図示のモータとを含む。シャフト７１２は回転軸線Ｑ２１に沿って延びており、アーム７１の下面から鉛直下方に突出する。シャフト７１２の下端は第１ブラシ保持部５１の上面に接続されている。モータはシャフト７１２を回転軸線Ｑ２１のまわりで回転させる。これにより、シャフト７１２に接続された第１ブラシ保持部５１と、第１ブラシ保持部５１によって保持された第１ブラシ４１が回転軸線Ｑ２１のまわりで一体に回転する。

【0058】

なお、第１ブラシ駆動部７１１には、シャフト７１２の回転を止める制動駆動部（不図示）が設けられてもよいし、第１ブラシ４１を可制御の押圧力で基板Ｗの第２主面Ｗｂに押圧する押圧駆動部（不図示）が設けられてもよい。

【0059】

第１ブラシ移動駆動部６１は第１ブラシ４１を移動させる。図１および図２の例では、第１ブラシ移動駆動部６１はアーム７１、第１ブラシ保持部５１および第１ブラシ４１を一体に移動させる。第１ブラシ移動駆動部６１は制御部９によって制御される。

【0060】

第１ブラシ移動駆動部６１は例えば鉛直方向および水平方向の各々に沿って第１ブラシ４１を移動させる。図１の例では、第１ブラシ移動駆動部６１は、鉛直駆動部６１１と、水平駆動部６１２とを含んでいる。鉛直駆動部６１１は第１ブラシ４１を鉛直方向に沿って移動させる。鉛直駆動部６１１は昇降駆動部である、ともいえる。鉛直駆動部６１１は、例えば、モータ等の駆動源（不図示）と、駆動源からの回転力を鉛直方向の力に変換する動力伝達部（不図示）とを含む。水平駆動部６１２は第１ブラシ４１を水平方向に沿って移動させる。水平駆動部６１２は、例えば、モータ等の駆動源（不図示）と、駆動源からの回転力を水平方向の力に変換する動力伝達部（不図示）とを含む。これらの動力伝達部は例えばボールねじ機構またはカム機構を含む。

【0061】

第１ブラシ移動駆動部６１は、第１ブラシ４１が基板Ｗの第２主面Ｗｂに当接する処理位置と、第１待機位置との間で第１ブラシ４１を移動させる。第１待機位置は、例えば、基板保持部２によって保持された基板Ｗよりも径方向外側の位置である。図２の例では、第１待機位置に位置する第１ブラシ４１が示されている。また、第１ブラシ移動駆動部６１は、第１ブラシ４１が基板Ｗの第２主面Ｗｂに当接した状態で、第１ブラシ４１を基板Ｗの第２主面Ｗｂに沿って移動させることもできる。

【0062】

第１ブラシ移動駆動部６１は、ノズル３１が回転中の基板Ｗの第２主面Ｗｂに薬液を供給した状態で、第１ブラシ４１を処理位置に移動させる。これにより、第１ブラシ４１の下面４１ａが基板Ｗの第２主面Ｗｂの少なくとも一部に対して摺動することができる。ここでは第１ブラシ４１が研磨ブラシであるので、基板Ｗの第２主面Ｗｂの少なくとも一部を研磨して付着物Ａｄの少なくとも一部を除去する。

【0063】

基板Ｗの第２主面Ｗｂにおける付着物Ａｄの位置は、上述のように、処理ユニット１への搬入前の基板Ｗに対する各前処理装置に依存する。具体的には、付着物Ａｄの位置は、各前処理装置おいて基板Ｗを支持または保持する部材と、基板Ｗとの接触位置に依存する。このため、前処理装置の構造が分かっていれば、付着物Ａｄの位置は事前に把握され得る。なお、基板Ｗは処理ユニット１への搬入前に複数の前処理装置を経由し得る。この場合、各前処理装置での付着物Ａｄが基板Ｗの第２主面Ｗｂに積み重なって付着し得る。この場合であっても、複数の前処理装置の構造が分かっていれば、付着物Ａｄの位置は事前に把握され得る。

【0064】

そこで、本実施の形態では、第１ブラシ移動駆動部６１は、基板Ｗの第２主面Ｗｂのうち付着物Ａｄを含む処理領域Ｒ１に第１ブラシ４１を当接させる。その一方で、第１ブラシ移動駆動部６１は処理領域Ｒ１以外の、付着物Ａｄを含まない非処理領域Ｒ２には第１ブラシ４１を当接させない。この処理領域Ｒ１は事前に設定され得る。

【0065】

図５は、処理領域Ｒ１および非処理領域Ｒ２の一例を概略的に示す図である。図５に示されるように、基板Ｗの第２主面Ｗｂは処理領域Ｒ１および非処理領域Ｒ２の２つの領域に区分される。図５では、処理領域Ｒ１には斜線のハッチングが付与されている。

【0066】

図５（ａ）の例では、付着物Ａｄは基板Ｗの周縁部に位置しており、処理領域Ｒ１は、基板Ｗの周縁部を含み、かつ、基板Ｗと同心状の円環領域である。処理領域Ｒ１の外径は基板Ｗの直径と同じであってもよい。処理領域Ｒ１の内径は、処理領域Ｒ１が複数の付着物Ａｄの全てを含むように設定される。また、図５（ａ）の例では、非処理領域Ｒ２は、処理領域Ｒ１よりも内側の円領域である。

【0067】

図５（ｂ）の例では、付着物Ａｄは基板Ｗの仮想円ＶＣ上に位置しており、処理領域Ｒ１は、仮想円ＶＣを含み、かつ、基板Ｗと同心状の円環領域である。処理領域Ｒ１の外径および内径は基板Ｗの直径よりも小さい。処理領域Ｒ１の外径および内径は、処理領域Ｒ１が複数の付着物Ａｄの全てを含むように設定される。また、図５（ｂ）の例では、非処理領域Ｒ２は、処理領域Ｒ１よりも外側の円環領域と、処理領域Ｒ１よりも内側の円領域とを含む。

【0068】

図５（ｃ）の例では、付着物Ａｄは基板Ｗの第２主面Ｗｂの大部分に分散して位置しているので、処理領域Ｒ１は、基板Ｗと同心状の円領域である。処理領域Ｒ１の直径は基板Ｗの直径よりもわずかに小さくてもよい。図５（ｃ）の例では、処理領域Ｒ１は基板Ｗの直径よりもわずかに小さい。処理領域Ｒ１の直径は、処理領域Ｒ１が複数の付着物Ａｄの全てを含むように設定される。図５（ｃ）の例では、非処理領域Ｒ２は処理領域Ｒ１よりも外側の円環領域である。なお、図５（ｃ）の例では、付着物Ａｄは基板Ｗの第２主面Ｗｂの大部分に分散しているので、処理領域Ｒ１は基板Ｗの第２主面Ｗｂの全面に設定されてもよい。つまり、処理領域Ｒ１の直径は基板Ｗの直径と同じであってもよい。

【0069】

制御部９は、処理ユニット１の上述の各種構成を制御する。図６は、制御部９の構成の一例を概略的に示すブロック図である。制御部９は電子回路であって、例えばデータ処理部９１および記憶部９２を有している。図６の具体例では、データ処理部９１と記憶部９２とはバスを介して相互に接続されている。データ処理部９１は例えばＣＰＵ（Central Processor Unit）等の演算処理装置であってもよい。記憶部９２は非一時的な記憶部（例えばＲＯＭ（Read Only Memory））９２１および一時的な記憶部（例えばＲＡＭ（Random Access Memory））９２２を有していてもよい。非一時的な記憶部９２１には、例えば制御部９が実行する処理を規定するプログラムが記憶されていてもよい。データ処理部９１がこのプログラムを実行することにより、制御部９が、プログラムに規定された処理を実行することができる。もちろん、制御部９が実行する処理の一部または全部が専用の論理回路などのハードウェアによって実行されてもよい。

【0070】

図６に示されるように、制御部９はユーザインターフェース９６に電気的に接続されていてもよい。ユーザインターフェース９６は、例えば、液晶ディスプレイ等のディスプレイ（不図示）と、キーボードおよびマウス等の入力デバイス（不図示）とを含む。ユーザはディスプレイに表示された内容を確認することができ、また、入力デバイスに各種の情報を入力することができる。

【0071】

図６に示されるように、制御部９は通信回路９８に電気的に接続されていてもよい。通信回路９８はいわゆる通信インターフェースであり、有線または無線により、外部装置と通信する。外部装置は、例えば、前処理装置であってもよいし、複数の処理装置を集中的に管理する管理装置であってもよい。制御部９は通信回路９８を通じて外部装置と情報の送受信を行うことができる。

【0072】

図６に示されるように、制御部９は記憶部９７に電気的に接続されていてもよい。記憶部９７は非一時的な記憶部であり、例えばメモリまたはハードディスクであってもよい。図６の例では、記憶部９７にはデータＤ１が記憶されている。データＤ１は、基板Ｗの第２主面Ｗｂのうちの処理領域Ｒ１を示すデータを含んでいる。また、例えば、データＤ１は、基板Ｗの処理手順を示すレシピを含み、当該レシピは、除去処理における第１ブラシ４１の基板Ｗの第２主面Ｗｂ上の移動範囲を示すデータを含む。後の説明から明らかなように、この移動範囲は処理領域Ｒ１に相当する。このようなレシピは、ユーザによるユーザインターフェース９６への入力によって生成されてもよい。制御部９は、記憶部９７からデータＤ１（レシピ）を読み出し、当該データＤ１に基づいて処理ユニット１を制御する。これにより、処理ユニット１は後述の基板処理を行うことができる。

【0073】

＜基板処理の一例＞
次に、処理ユニット１による基板Ｗに対する処理の一例について説明する。図７は、第１実施形態にかかる処理ユニット１の動作の一例を示すフローチャートである。制御部９は、予め設定された処理手順（レシピ）にしたがって、ステップＳ１からステップＳ５の処理を処理ユニット１に実行させる。

【0074】

まず、搬送ロボットが基板Ｗを処理ユニット１に搬送する。そして、基板保持部２が、搬送ロボットから受け取った基板Ｗを保持する（ステップＳ１：保持工程）。具体的な一例として、基板保持部２は複数のチャックピン２２をそれぞれの解除位置から保持位置に変位させる。これにより、複数のチャックピン２２が基板Ｗを保持する。基板保持部２は、基板Ｗに対する処理の終了まで基板Ｗを保持し続ける。

【0075】

次に、処理ユニット１は基板Ｗに対して除去処理を行う（ステップＳ２：除去工程）。すなわち、処理ユニット１は薬液を基板Ｗの第２主面Ｗｂに供給しつつ、非処理領域Ｒ２を避けて第１ブラシ４１を処理領域Ｒ１に対して摺動させる。具体的には、基板保持部２が基板Ｗを回転軸線Ｑ１のまわりで回転させ、制御部９が供給弁３３ａを開き、第１ブラシ移動駆動部６１が第１ブラシ４１を基板Ｗの処理領域Ｒ１に当接させる。処理領域Ｒ１を示す情報はデータＤ１に含まれている。

【0076】

図８は、除去処理における処理ユニット１の様子の一例を概略的に示す図である。図８の例では、基板Ｗの第２主面Ｗｂに向かって吐出された薬液が砂地の部分で模式的に示されている。薬液は基板Ｗの第２主面Ｗｂに着液する。基板Ｗの第２主面Ｗｂに着液した薬液は着液位置のまわりに広がりつつ、基板Ｗの回転に伴う遠心力を受けて径方向外側に流れ、基板Ｗの周縁から外側に飛散する。これにより、薬液が基板Ｗの第２主面Ｗｂの全面に供給される。なお、図８では、基板Ｗの第２主面Ｗｂ上の薬液の図示を省略している。

【0077】

図８（ａ）は、基板Ｗの第２主面Ｗｂの周縁部に付着物Ａｄが固着しているときの一例を示しており、図８（ｂ）は、基板Ｗの第２主面Ｗｂの仮想円ＶＣ上に付着物Ａｄが固着しているときの一例を示しており、図８（ｃ）は、基板Ｗの第２主面Ｗｂの全体に分散して付着物Ａｄが固着しているときの一例を示している。

【0078】

図８（ａ）の例では、第１ブラシ移動駆動部６１は第１ブラシ４１を当接位置Ｐｂ１１で基板Ｗの第２主面Ｗｂに当接させる。図８（ａ）の例では、当接位置Ｐｂ１１に位置する第１ブラシ４１の下面４１ａが処理領域Ｒ１の径方向の全体に当接している。第１ブラシ移動駆動部６１は所定の除去処理時間にわたって第１ブラシ４１を当接位置Ｐｂ１１で停止させる。除去処理では、基板Ｗが回転軸線Ｑ１のまわりで回転するので、第１ブラシ４１は相対的に回転軸線Ｑ１のまわりで処理領域Ｒ１を周回することができる。このため、処理ユニット１は除去処理において処理領域Ｒ１の全面に第１ブラシ４１に対して摺動させることができる。

【0079】

一方、図８（ａ）の例とは異なるものの、処理領域Ｒ１の径方向の幅が第１ブラシ４１の下面４１ａの直径よりも広い場合もある。この場合、第１ブラシ移動駆動部６１は除去処理において第１ブラシ４１を径方向に沿って移動させる。第１ブラシ４１の移動方向は例えば径方向内側から径方向外側に向かう方向である。第１ブラシ４１の移動速度は、第１ブラシ４１が処理領域Ｒ１の全体に当接可能な程度の速度に予め設定される。これにより、処理ユニット１は除去処理において処理領域Ｒ１の全体に対して第１ブラシ４１を摺動させることができる。

【0080】

図８（ｂ）の例では、第１ブラシ移動駆動部６１は、第１ブラシ４１を当接位置Ｐｂ１２で基板Ｗの第２主面Ｗｂに当接させる。当接位置Ｐｂ１２は例えば仮想円ＶＣ上の位置である。図８（ｂ）の例では、当接位置Ｐｂ１２に位置する第１ブラシ４１の下面４１ａが処理領域Ｒ１の径方向の全体に当接しているので、除去処理において、第１ブラシ移動駆動部６１は所定の除去処理時間にわたって第１ブラシ４１を当接位置Ｐｂ１２で停止させる。基板Ｗは回転軸線Ｑ１のまわりで回転するので、第１ブラシ４１は処理領域Ｒ１の全体に対して摺動することができる。

【0081】

一方、処理領域Ｒ１の径方向の幅が第１ブラシ４１の下面４１ａの直径よりも広い場合には、第１ブラシ移動駆動部６１は第１ブラシ４１を径方向に沿って移動させて、処理領域Ｒ１の全体に対して第１ブラシ４１を摺動させる。

【0082】

図８（ｃ）の例では、第１ブラシ移動駆動部６１は第１ブラシ４１が基板Ｗの第２主面Ｗｂに当接した状態で、中央位置Ｐｂ１３から周縁位置Ｐｂ１４に基板Ｗの第２主面Ｗｂに沿って移動させる。中央位置Ｐｂ１３は例えば第１ブラシ４１の下面４１ａの中心が基板Ｗの中心と向かい合う位置である。周縁位置Ｐｂ１４は中央位置Ｐｂ１３よりも径方向外側の位置であり、より具体的な一例として、第１ブラシ４１の下面４１ａの径方向外側の端が基板Ｗの周縁と一致、または、基板Ｗの周縁よりも径方向外側となる位置である。図８（ｃ）の例では、処理領域Ｒ１は基板Ｗの第２主面Ｗｂの全面に設定されており、基板Ｗの回転中に第１ブラシ４１が中央位置Ｐｂ１３から周縁位置Ｐｂ１４へ移動することにより、第１ブラシ４１が処理領域Ｒ１の全体に対して摺動する。

【0083】

以上のように、基板Ｗの第２主面Ｗｂに薬液が供給された状態で、第１ブラシ４１の下面４１ａが回転中の基板Ｗの第２主面Ｗｂのうちの処理領域Ｒ１に当接する。これにより、第１ブラシ４１の下面４１ａの処理領域Ｒ１を擦ることができる。ここでは第１ブラシ４１は研磨ブラシであるので、処理領域Ｒ１を研磨することができる。この場合、ステップＳ２は研磨工程であるともいえる。これにより、処理領域Ｒ１内の付着物Ａｄが基板Ｗに固着していても、処理ユニット１は付着物Ａｄを研磨し、その少なくとも一部を基板Ｗの第２主面Ｗｂから除去することができる。つまり、処理ユニット１は凹凸欠陥の少なくとも一部を除去して、基板Ｗの第２主面Ｗｂをより平坦にする。言い換えれば、処理ユニット１は基板Ｗの第２主面Ｗｂの凸部の高さを低減させる。

【0084】

基板Ｗの処理領域Ｒ１に対する研磨が十分に行われると、第１ブラシ移動駆動部６１は第１ブラシ４１を上昇させ、第１ブラシ４１を第１待機位置へ移動させつつ、制御部９は供給弁３３ａを閉じる。除去処理時間は、処理領域Ｒ１の研磨が十分に行われる程度の時間に予め設定される。なお、第１ブラシ移動駆動部６１が第１ブラシ４１を径方向に沿って移動させる場合、第１ブラシ移動駆動部６１は除去処理時間で第１ブラシ４１を移動させてもよい。図８（ｃ）に即して説明すると、第１ブラシ移動駆動部６１は除去処理時間で第１ブラシ４１を中央位置Ｐｂ１３から周縁位置Ｐｂ１４に移動させてもよい。

【0085】

次に、処理ユニット１は基板Ｗの第２主面Ｗｂにリンス液を供給する（ステップＳ３：リンス工程）。具体的には、制御部９が供給弁３３ｂを開く。これにより、ノズル３１から回転中の基板Ｗの第２主面Ｗｂに向かってリンス液が吐出される。基板Ｗの第２主面Ｗｂの中央部に着液したリンス液は、基板Ｗの回転に伴う遠心力を受けて径方向外側に流れ、基板Ｗの周縁から飛散する。このとき、リンス液が基板Ｗの第２主面Ｗｂ上の薬液を径方向外側に押し流す。これにより、基板Ｗの第２主面Ｗｂ上の処理液が薬液からリンス液に置換される。

【0086】

薬液からリンス液への置換が十分に行われると、制御部９は供給弁３３ｂを閉じる。具体的な一例として、制御部９はリンス液の吐出開始からの経過時間を測定し、当該経過時間が所定のリンス時間以上となったときに、供給弁３３ｂを開状態から閉状態に切り替える。リンス時間は、薬液からリンス液の置換が十分に行われる程度の時間に予め設定される。

【0087】

次に、処理ユニット１は基板Ｗを乾燥させる（ステップＳ４：乾燥工程）。より具体的には、基板保持部２は基板Ｗの回転速度を増加させる（いわゆるスピンドライ）。基板Ｗが十分に乾燥すると、基板保持部２は基板Ｗの回転を停止させる。具体的な一例として、制御部９は、リンス液の吐出停止からの経過時間を測定し、当該測定時間が所定の乾燥時間以上であるか否かを判定する。乾燥時間は、基板Ｗが十分に乾燥する程度の時間に予め設定される。当該経過時間が乾燥時間以上であるときに、基板保持部２は基板Ｗの回転を停止させる。

【0088】

次に、基板保持部２が基板Ｗに対する保持を解除する（ステップＳ５：保持解除工程）。そして、搬送ロボットが処理済みの基板Ｗを処理ユニット１から搬出する。

【0089】

以上のように、処理ユニット１は基板Ｗの第２主面Ｗｂの付着物Ａｄの少なくとも一部を除去することができ、基板Ｗの第２主面Ｗｂをより平坦にすることができる。しかも上述の例では、第１ブラシ４１は処理領域Ｒ１に当接しつつも、非処理領域Ｒ２には当接しない。このため、第１ブラシ４１の不要な摩耗を抑制することができ、第１ブラシ４１の寿命を長くすることができる。また、処理ユニット１の消費電力も低減させることができる。さらに、第１ブラシ４１が非処理領域Ｒ２を処理する時間も不要となるので、除去処理時間を短縮することもできる。

【0090】

また、上述の例では、第１ブラシ４１が研磨ブラシであるので、付着物Ａｄが基板Ｗに固着していても、研磨により、付着物Ａｄの少なくとも一部を除去することができる。このため、処理ユニット１は基板Ｗの第２主面Ｗｂを適切に平坦化させることができる。その一方で、第１ブラシ４１による研磨によって、基板Ｗの第２主面Ｗｂから除去された付着物Ａｄはパーティクルとして薬液とともに基板Ｗの第２主面Ｗｂ上を流れる。つまり、第１ブラシ４１によって研磨される処理領域Ｒ１が、パーティクル発生源として機能し得る。パーティクルの発生量が大きくなると、パーティクルが基板Ｗの第２主面Ｗｂに再付着する可能性が高くなる。しかるに、本実施形態では、第１ブラシ４１は処理領域Ｒ１に当接するものの、非処理領域Ｒ２には当接しない。このため、第１ブラシ４１が基板Ｗの第２主面Ｗｂの全面に当接する場合に比して、パーティクルの発生量を低減させることができる。したがって、基板Ｗの第２主面Ｗｂにパーティクルが残留する可能性を低減させることができる。

【0091】

＜薬液＞
薬液として、ＳＣ１等のアルカリ性の薬液を適用すれば、基板Ｗの第２主面Ｗｂのゼータ電位を負にすることができる。また、基板Ｗの第２主面Ｗｂから除去された付着物Ａｄ（パーティクル）のゼータ電位も負にすることができる。このため、一旦、第２主面Ｗｂから離れたパーティクルは基板Ｗの第２主面Ｗｂと電気的に反発する。したがって、パーティクルが基板Ｗの第２主面Ｗｂに再付着する可能性を低減させることができる。

【0092】

＜第２実施形態＞
図９は、第２実施形態にかかる処理ユニット１Ａの構成の一例を概略的に示す縦断面図であり、図１０は、第２実施形態にかかる処理ユニット１Ａの構成の一例を概略的に示す平面図である。処理ユニット１Ａは第２ブラシ４２および第２ブラシ移動駆動部６２の有無という点で処理ユニット１と相違している。また、第２実施形態では、第１ブラシ４１は研磨ブラシである。

【0093】

第２ブラシ４２は第１ブラシ４１よりも柔らかいブラシであり、研磨材を含まない非研磨ブラシである。例えば、第２ブラシ４２はポリビニルアルコール等の樹脂製のスポンジ状のブラシである。第２ブラシ４２は、例えば、鉛直方向に沿う中心軸を有する円柱形状を有する。第２ブラシ４２の下面４２ａは水平面に平行な略平坦面であり、平面視において円形状を有する。第２ブラシ４２の下面４２ａの直径は基板Ｗの半径よりも小さい。下面４２ａの直径は、例えば、基板Ｗの直径の４分の１以下でもよく、５分の１以下でもよく、１０分の１以下でもよい。第２ブラシ４２の下面４２ａは後述のように、基板Ｗの第２主面Ｗｂに当接する。

【0094】

図９の例では、処理ユニット１Ａには第２ブラシ保持部５２が設けられている。第２ブラシ保持部５２は第２ブラシ４２を保持する。第２ブラシ保持部５２の構成の一例は第１ブラシ保持部５１と同様である。

【0095】

図９および図１０の例では、処理ユニット１Ａにはアーム７２が設けられている。アーム７２は水平方向に延びている。アーム７２の内部には第２ブラシ駆動部７２１が設けられている。第２ブラシ駆動部７２１は制御部９によって制御される。第２ブラシ駆動部７２１は、第２ブラシ４２を回転軸線Ｑ２２のまわりで回転させる回転駆動部を含んでもよい。回転軸線Ｑ２２は、例えば、第２ブラシ４２の中心を通り、かつ、鉛直方向に沿う軸である。第２ブラシ駆動部７２１は、シャフト７２２と、不図示のモータとを含む。シャフト７２２は回転軸線Ｑ２２に沿って延びており、アーム７２の下面から鉛直下方に突出する。シャフト７２２の下端は第２ブラシ保持部５２の上面に接続されている。モータはシャフト７２２を回転軸線Ｑ２２まわりで回転させる。これにより、シャフト７２２に接続された第２ブラシ保持部５２と、第２ブラシ保持部５２によって保持された第２ブラシ４２が回転軸線Ｑ２２のまわりで一体に回転する。

【0096】

なお、第２ブラシ駆動部７２１には、シャフト７２２の回転を止める制動駆動部（不図示）が設けられてもよいし、第２ブラシ４２を可制御の押圧力で基板Ｗの第２主面Ｗｂに押圧する押圧駆動部（不図示）が設けられてもよい。

【0097】

第２ブラシ移動駆動部６２は第２ブラシ４２を移動させる。図９および図１０の例では、第２ブラシ移動駆動部６２はアーム７２、第２ブラシ保持部５２および第２ブラシ４２を一体に移動させる。第２ブラシ移動駆動部６２は例えば鉛直方向および水平方向の各々に沿って第２ブラシ４２を移動させる。第２ブラシ移動駆動部６２の構成の一例は第１ブラシ移動駆動部６１と同様である。

【0098】

第２ブラシ移動駆動部６２は、第２ブラシ４２が基板Ｗの第２主面Ｗｂに当接する処理位置と、第２待機位置との間で第２ブラシ４２を移動させる。第２待機位置は、例えば、基板保持部２によって保持された基板Ｗよりも径方向外側の位置である。図１０の例では、第２待機位置に位置する第２ブラシ４２が示されている。図１０の例では、第２待機位置は、平面視において、基板Ｗの中心に対して第１ブラシ４１の第１待機位置とは逆側の位置である。言い換えれば、基板保持部２は平面視において第１待機位置と第２待機位置との間に設けられている。また、第２ブラシ移動駆動部６２は、第２ブラシ４２が基板Ｗの第２主面Ｗｂに当接した状態で、第２ブラシ４２を基板Ｗの第２主面Ｗｂに沿って移動させることもできる。

【0099】

次に、処理ユニット１Ａによる基板Ｗに対する処理の一例について説明する。図１１は、第２実施形態にかかる処理ユニット１Ａの動作の一例を示すフローチャートである。制御部９は、予め設定された処理手順（レシピ）にしたがって、ステップＳ１１からステップＳ１６の処理を処理ユニット１Ａに実行させる。

【0100】

まず、搬送ロボットが基板Ｗを処理ユニット１に搬送する。そして、ステップＳ１と同様に、基板保持部２が、搬送ロボットから受け取った基板Ｗを保持する（ステップＳ１１：保持工程）。次に、処理ユニット１Ａは、ステップＳ２と同様に、基板Ｗに対して除去処理を行う（ステップＳ１２：除去工程）。これにより、第１ブラシ４１が非処理領域Ｒ２を避けて処理領域Ｒ１を研磨する。

【0101】

次に、処理ユニット１Ａは基板Ｗに対してスクラバ処理を行う（ステップＳ１３：スクラバ工程）。すなわち、処理ユニット１Ａは、基板Ｗの第２主面Ｗｂに薬液を供給しつつ、第２ブラシ４２を基板Ｗの処理領域Ｒ１および非処理領域Ｒ２に対して摺動させる。具体的には、基板保持部２が基板Ｗを回転軸線Ｑ１のまわりで回転させ、かつ、ノズル３１が薬液を基板Ｗの第２主面Ｗｂに向かって吐出しつつ、第２ブラシ移動駆動部６２が第２ブラシ４２を処理位置に移動させる。

【0102】

図１２は、スクラバ処理における処理ユニット１Ａの様子の時間変化の一例を概略的に示す図である。図１２の例では、まず、第２ブラシ移動駆動部６２は第２ブラシ４２を基板Ｗの中央位置Ｐｂ２１の直上から下降させ、第２ブラシ４２の下面４２ａを基板Ｗの第２主面Ｗｂに当接させる。中央位置Ｐｂ２１は例えば予め設定されており、より具体的な一例として、第２ブラシ４２の下面４２ａの中心が基板Ｗの中心と向かい合う位置である。中央位置Ｐｂ２１も例えばデータＤ１（レシピ）に含まれている。

【0103】

そして、第２ブラシ移動駆動部６２は、第２ブラシ４２が回転中の基板Ｗの第２主面Ｗｂに当接した状態で、第２ブラシ４２を中央位置Ｐｂ２１から周縁位置Ｐｂ２２に基板Ｗの第２主面Ｗｂに沿って移動させる。周縁位置Ｐｂ２２は例えば予め設定されており、中央位置Ｐｂ２１よりも径方向外側の位置である。より具体的な一例として、周縁位置Ｐｂ２２は第２ブラシ４２の下面４２ａの径方向外側の端が基板Ｗの周縁と一致、または、基板Ｗの周縁よりも径方向外側となる位置であってもよい。周縁位置Ｐｂ２２も例えばデータＤ１（レシピ）に含まれている。

【0104】

第２ブラシ移動駆動部６２は、予め設定された所定のスクラバ処理時間で第２ブラシ４２を中央位置Ｐｂ２１から周縁位置Ｐｂ２２に移動させる。このスクラバ処理時間もデータＤ１（レシピ）に含まれている。

【0105】

第２ブラシ駆動部７２１は、少なくとも中央位置Ｐｂ２１から周縁位置Ｐｂ２２への第２ブラシ４２の移動中において、第２ブラシ４２を回転軸線Ｑ２２のまわりで回転させてもよい。また、第２ブラシ駆動部７２１は、予め設定された押圧力で第２ブラシ４２を基板Ｗの第２主面Ｗｂに向かって押圧してもよい。当該押圧力の値もデータＤ１（レシピ）に含まれている。

【0106】

第２ブラシ４２が周縁位置Ｐｂ２２に到達すると、第２ブラシ駆動部７２１は第２ブラシ４２の回転を停止させ、第２ブラシ移動駆動部６２は第２ブラシ４２を上昇させる。そして、第２ブラシ移動駆動部６２は第２ブラシ４２を第２待機位置に移動させる。また、制御部９は供給弁３３ａを閉じてノズル３１からの薬液の吐出を停止させる。

【0107】

以上のように、基板Ｗの第２主面Ｗｂに薬液が供給された状態で、第２ブラシ４２の下面４２ａが回転中の基板Ｗの第２主面Ｗｂに当接する。これにより、第２ブラシ４２の下面４２ａが基板Ｗの第２主面Ｗｂを擦ることができる。第２ブラシ４２は基板Ｗの第２主面Ｗｂの全面に当接するので、基板Ｗの第２主面Ｗｂの全面を洗浄することができる。このため、基板Ｗの第２主面Ｗｂ上のパーティクルの少なくとも一部を除去することができる。ここでいうパーティクルは、基板Ｗの第２主面Ｗｂに固着しておらず、第２主面Ｗｂに付着した付着物Ａｄを含む。つまり、ここでいうパーティクルは、第１ブラシ４１による研磨によって基板Ｗの第２主面Ｗｂから分離された付着物Ａｄを含む。

【0108】

次に、処理ユニット１Ａは、ステップＳ３と同様に、基板Ｗの第２主面Ｗｂにリンス液を供給し（ステップＳ１４：リンス工程）、その後、ステップＳ４と同様に、基板Ｗを乾燥させる（ステップＳ１５：乾燥工程）。次に、ステップＳ５と同様に、基板保持部２が基板Ｗに対する保持を解除する（ステップＳ１６：保持解除工程）。そして、搬送ロボットが処理済みの基板Ｗを処理ユニット１Ａから搬出する。

【0109】

以上のように、第２実施形態でも、処理ユニット１Ａは除去処理を行うので、処理領域Ｒ１に固着した付着物Ａｄの少なくとも一部を除去することができる。その一方で、基板Ｗの第２主面Ｗｂから離れた付着物Ａｄはパーティクルとして、基板Ｗの第２主面Ｗｂ上を薬液とともに流れる。このため、パーティクルが基板Ｗの第２主面Ｗｂに再付着する可能性も若干ある。当該パーティクルは処理領域Ｒ１のみならず、非処理領域Ｒ２にも再付着し得る。

【0110】

第２実施形態では、処理ユニット１Ａは除去処理の後に、第２ブラシ４２を用いたスクラバ処理を行う。第２ブラシ４２は非研磨ブラシであるので、基板Ｗの第２主面Ｗｂは研磨されず、研磨に伴うパーティクルは生じない。そして、第２ブラシ４２が基板Ｗの第２主面Ｗｂの全面を擦って洗浄する。このため、除去処理で生じたパーティクルが基板Ｗの第２主面Ｗｂのうちの処理領域Ｒ１および非処理領域Ｒ２に再付着したとしても、スクラバ処理において、当該パーティクルの少なくとも一部（例えば大部分）を除去することができる。このため、基板Ｗの第２主面Ｗｂに残留するパーティクルの数をさらに低減させることができる。

【0111】

＜第３実施形態＞
図１３は、第３実施形態にかかる処理ユニット１Ｂの構成の一例を概略的に示す縦断面図である。処理ユニット１Ｂは第２研磨ブラシ４１Ｂおよび研磨ブラシ移動駆動部６１Ｂの有無という点で処理ユニット１と相違している。第３実施形態では、第１ブラシ４１は研磨ブラシである。このため、第３実施形態では、第１ブラシ４１を第１研磨ブラシ４１Ａとも呼ぶ。また、以下では、第１研磨ブラシ４１Ａに関連する各構成要素の符号に「Ａ」を付けることがある。例えば、第１ブラシ移動駆動部６１を第１ブラシ移動駆動部６１Ａとも呼ぶ。

【0112】

第２研磨ブラシ４１Ｂは、例えば、ポリビニルアルコール等の樹脂製のスポンジ状基体と、当該基体に含まれた研磨材とを有する研磨ブラシである。研磨材は複数の砥粒を含む。砥粒の材料は特に制限されず、基板Ｗの第２主面Ｗｂを研磨可能な程度の硬度を有する材料を適用することができる。第２研磨ブラシ４１Ｂの砥粒番手は第１研磨ブラシ４１Ａの砥粒番手よりも高い。言い換えれば、第２研磨ブラシ４１Ｂに含まれる研磨材の粒径（例えば平均粒径）は、第１研磨ブラシ４１Ａに含まれる研磨材の粒径（例えば平均粒径）よりも小さい。さらに言い換えれば、第２研磨ブラシ４１Ｂは、第１研磨ブラシ４１Ａの研磨材よりも細かい研磨材を含む。

【0113】

第２研磨ブラシ４１Ｂは、例えば、鉛直方向に沿う中心軸を有する円柱形状を有する。第２研磨ブラシ４１Ｂの下面４１Ｂａは水平面に平行な略平坦面であり、平面視において円形状を有する。第２研磨ブラシ４１Ｂの少なくとも下面４１Ｂａには研磨材が含まれ、当該研磨材が少なくとも下面４１Ｂａにおいて露出する。第２研磨ブラシ４１Ｂの下面４１Ｂａは後述のように基板Ｗの第２主面Ｗｂに当接する。

【0114】

図１３の例では、処理ユニット１Ｂには第２研磨ブラシ保持部５１Ｂが設けられる。第２研磨ブラシ保持部５１Ｂは第２研磨ブラシ４１Ｂを保持する。第２研磨ブラシ保持部５１Ｂの構成の一例は第１ブラシ保持部５１Ａと同様である。

【0115】

図１３の例では、処理ユニット１Ｂにはアーム７１Ｂが設けられる。アーム７１Ｂは水平方向に延びている。アーム７１Ｂの内部には第２研磨ブラシ駆動部７１１Ｂが設けられている。第２研磨ブラシ駆動部７１１Ｂは制御部９によって制御される。第２研磨ブラシ駆動部７１１Ｂは、第２研磨ブラシ４１Ｂを回転軸線Ｑ２１Ｂのまわりで回転させる回転駆動部を含んでもよい。回転軸線Ｑ２１Ｂは、例えば、第２研磨ブラシ４１Ｂの中心を通り、かつ、鉛直方向に沿う軸である。第２研磨ブラシ駆動部７１１Ｂは、シャフト７１２Ｂと、不図示のモータとを含む。シャフト７１２Ｂは回転軸線Ｑ２１Ｂに沿って延びており、アーム７１Ｂの下面から鉛直下方に突出する。シャフト７１２Ｂの下端は第２研磨ブラシ保持部５１Ｂの上面に接続されている。モータはシャフト７１２Ｂを回転軸線Ｑ２１Ｂまわりで回転させる。これにより、シャフト７１２Ｂに接続された第２研磨ブラシ保持部５１Ｂと、第２研磨ブラシ保持部５１Ｂによって保持された第２研磨ブラシ４１Ｂが回転軸線Ｑ２１Ｂのまわりで一体に回転する。

【0116】

なお、第２研磨ブラシ駆動部７１１Ｂには、シャフト７１２Ｂの回転を止める制動駆動部（不図示）が設けられてもよいし、第２研磨ブラシ４１Ｂを可制御の押圧力で基板Ｗの第２主面Ｗｂに押圧する押圧駆動部（不図示）が設けられてもよい。

【0117】

研磨ブラシ移動駆動部６１Ｂは第２研磨ブラシ４１Ｂを移動させる。図１３の例では、研磨ブラシ移動駆動部６１Ｂはアーム７１Ｂ、第２研磨ブラシ保持部５１Ｂおよび第２研磨ブラシ４１Ｂを一体に移動させる。研磨ブラシ移動駆動部６１Ｂは例えば鉛直方向および水平方向の各々に沿って第２研磨ブラシ４１Ｂを移動させる。研磨ブラシ移動駆動部６１Ｂの構成の一例は第１ブラシ移動駆動部６１Ａと同様である。

【0118】

研磨ブラシ移動駆動部６１Ｂは、第２研磨ブラシ４１Ｂが基板Ｗの第２主面Ｗｂに当接する処理位置と、第３待機位置との間で第２研磨ブラシ４１Ｂを移動させる。第３待機位置は、例えば、基板保持部２によって保持された基板Ｗよりも径方向外側の位置である。図１３の例では、第３待機位置に位置する第２研磨ブラシ４１Ｂが示されている。

【0119】

次に、処理ユニット１Ｂによる基板Ｗに対する処理の一例について説明する。処理ユニット１Ｂによる処理の一例は、図７に示されたフローチャートと同様である。ただし、除去処理（ステップＳ２）の具体的な動作の一例が相違する。図１４は、第３実施形態にかかる除去処理の具体的な一例を示すフローチャートである。図１４の例では、処理ユニット１Ｂは第１研磨ブラシ４１Ａを用いて基板Ｗの第２主面Ｗｂに対して研磨処理を行う（ステップＳ２１：粗研磨工程）。すなわち、処理ユニット１Ｂは、基板Ｗの第２主面Ｗｂに薬液を供給しつつ、第１研磨ブラシ４１Ａを、非処理領域Ｒ２を避けて処理領域Ｒ１に対して摺動させる。具体的には、基板保持部２が基板Ｗを回転軸線Ｑ１のまわりで回転させ、かつ、ノズル３１が薬液を基板Ｗの第２主面Ｗｂに向かって吐出しつつ、第１ブラシ移動駆動部６１が第１研磨ブラシ４１Ａを処理位置に移動させる。薬液の吐出は、制御部９が供給弁３３ａを開くことによって行われる。第１ブラシ移動駆動部６１Ａは第１研磨ブラシ４１Ａを処理領域Ｒ１に当接させ、非処理領域Ｒ２には当接させない。つまり、ステップＳ２１は、第１実施形態のステップＳ２と実質的に同一である。

【0120】

第１研磨ブラシ４１Ａの研磨材の粒径は大きいので、処理ユニット１Ｂは基板Ｗの処理領域Ｒ１をより大きな研磨量で研磨することができる。このため、処理ユニット１Ｂは大きな付着物Ａｄをより効率的に除去することができる。その一方で、第１研磨ブラシ４１Ａによる研磨によって、基板Ｗの処理領域Ｒ１には比較的に深い擦り傷（以下、スクラッチと呼ぶ）が生じる。図１５は、基板Ｗの一部の構成の一例を示す断面図である。図１５では、基板Ｗの第２主面ＷｂにスクラッチＳＣが生じている。スクラッチＳＣでは、第２主面Ｗｂに凹みが生じるとともに、その凹みの輪郭部において第２主面Ｗｂが盛り上がる。つまり、基板Ｗの第２主面Ｗｂには、当該スクラッチＳＣの輪郭部において凸部が形成される。当該凸部の高さは、付着物Ａｄの高さの最大値よりも小さいものの、当該凸部が露光装置の焦点ずれの原因ともなる可能性もある。

【0121】

そこで、第３実施形態では、ステップＳ２１の次に、処理ユニット１Ｂは第２研磨ブラシ４１Ｂを用いて基板Ｗの第２主面Ｗｂに対して研磨処理を行う（ステップＳ２２：細研磨工程）。すなわち、処理ユニット１Ｂは、基板Ｗの第２主面Ｗｂに薬液を供給しつつ、第２研磨ブラシ４１Ｂを、非処理領域Ｒ２を避けて処理領域Ｒ１に対して摺動させる。具体的には、基板保持部２が基板Ｗを回転軸線Ｑ１のまわりで回転させ、かつ、ノズル３１が薬液を基板Ｗの第２主面Ｗｂに向かって吐出しつつ、研磨ブラシ移動駆動部６１Ｂが第２研磨ブラシ４１Ｂを処理位置に移動させる。研磨ブラシ移動駆動部６１Ｂは第２研磨ブラシ４１Ｂを処理領域Ｒ１に当接させる。また、ここでは、研磨ブラシ移動駆動部６１Ｂは第２研磨ブラシ４１Ｂを非処理領域Ｒ２には当接させない。

【0122】

第２研磨ブラシ４１Ｂの研磨材の粒径は第１研磨ブラシ４１Ａの研磨材の粒径よりも小さいので、第２研磨ブラシ４１Ｂは基板Ｗの処理領域Ｒ１をより小さな研磨量で研磨することができる。このため、処理ユニット１ＢはステップＳ２１で生じたスクラッチＳＣの輪郭部の凸部の少なくとも一部を除去して、基板Ｗの第２主面Ｗｂをより平坦にすることができる。

【0123】

＜第４実施形態＞
第４実施形態にかかる処理ユニット１の構成の一例は、第１実施形態から第３実施形態のいずれかと同様である。第４実施形態では、処理領域Ｒ１を示すデータＤ１について説明する。表１は、第４実施形態にかかるデータＤ１の構成の一例を概略的に示している。

【0124】

【表1】

【0125】

表１に示されるように、データＤ１は、位置関連情報ＰＤと処理領域Ｒ１との対応関係を示すデータである。位置関連情報ＰＤは、基板Ｗの第２主面Ｗｂにおける凹凸欠陥（例えば付着物Ａｄ）の位置に関するデータである。位置関連情報ＰＤは、基板Ｗの第２主面Ｗｂ上の凹凸欠陥の位置を示す座標データであってもよい。表１では、位置関連情報ＰＤがデータＰｄａであるときの処理領域Ｒ１には、領域Ｒ１ａが対応付けられている。例えば、データＰｄａは、図４（ａ）の付着物Ａｄの位置を示すデータであり、領域Ｒ１ａは、図５（ａ）の処理領域Ｒ１を示すデータである。同様に、図４（ｂ）の付着物Ａｄの位置を示すデータＰｄｂに対応する処理領域Ｒ１には、図５（ｂ）の処理領域Ｒ１である領域Ｒ１ｂが対応付けられ、図４（ｃ）の付着物Ａｄの位置を示すデータＰｄｃに対応する処理領域Ｒ１には、図５（ｃ）の処理領域Ｒ１である領域Ｒ１ｃが対応付けられる。

【0126】

なお、凹凸欠陥の位置は上述のように前処理装置に依存するので、位置関連情報ＰＤは前処理装置の識別情報であってもよい。基板Ｗが複数の前処理装置を経由する場合には、位置関連情報ＰＤは複数の識別情報を含み得る。あるいは、各前処理装置の処理内容が前処理装置に固有である場合、位置関連情報ＰＤは前処理装置における処理内容を示す情報であってもよい。基板Ｗが複数の前処理装置を経由する場合には、位置関連情報ＰＤは複数の処理内容を含み得る。

【0127】

図１６は、処理領域Ｒ１を設定する動作の一例を示すフローチャートである。この動作は、少なくとも除去処理（ステップＳ２またはステップＳ１２）の前に実行される。制御部９は基板Ｗについての位置関連情報ＰＤを、例えば前処理装置または管理装置から通信回路９８を通じて受け取る（ステップＳ３１：位置関連情報取得工程）。

【0128】

次に、制御部９は位置関連情報ＰＤに基づいて処理領域Ｒ１を設定する（ステップＳ３２：設定工程）。具体的には、制御部９は記憶部９７からデータＤ１を読み出し、ステップＳ３１で取得した位置関連情報ＰＤに対応する領域をデータＤ１に基づいて特定し、該領域を処理領域Ｒ１に設定する。

【0129】

そして、制御部９は除去処理において、ステップＳ３２にて設定した処理領域Ｒ１に第１ブラシ４１を当接させる。

【0130】

以上のように、第４実施形態では、処理ユニット１に搬入される基板Ｗの付着物Ａｄの位置が変化しても、その位置を示す位置関連情報ＰＤが制御部９に入力される。このため、制御部９は位置関連情報ＰＤに基づいて処理領域Ｒ１を適切に決定することができ、処理ユニット１は、除去処理において、付着物Ａｄを含む処理領域Ｒ１に第１ブラシ４１を適切に当接させることができる。したがって、処理ユニット１は適切に付着物Ａｄの少なくとも一部を除去することができる。しかも、制御部９が位置関連情報ＰＤに基づいて自動的に処理領域Ｒ１を設定する。このため、ユーザは基板Ｗごとに処理領域Ｒ１を設定する必要がなく、処理ユニット１のユーザビリティを向上させることができる。

【0131】

＜第５実施形態＞
図１７は、第５実施形態にかかる処理ユニット１Ｃの構成の一例を概略的に示す縦断面図である。処理ユニット１Ｃはセンサ８の有無という点で処理ユニット１と相違する。

【0132】

センサ８は基板Ｗの第２主面Ｗｂ上の凹凸欠陥（例えば付着物Ａｄ）を検出して、凹凸欠陥の位置を測定する。図１７の例では、センサ８は光源８１と受光部８２とを含んでいる。図１７の例では、光源８１は、回転軸線Ｑ１についての径方向に沿って延びた長尺状の形状を有する。光源８１は測定光を基板Ｗの第２主面Ｗｂに向かって出射する。なお、図１７の例では、センサ８と基板Ｗとの間にアーム７１、第１ブラシ保持部５１および第１ブラシ４１が位置しているものの、センサ８による測定時には、これらは基板Ｗの直上の領域とは別の位置（例えば第１待機位置）に移動している。このため、測定光は、基板保持部２によって保持された基板Ｗの第２主面Ｗｂに照射される。具体的には、測定光は、径方向に延びる帯状の領域で基板Ｗの第２主面Ｗｂに照射される。当該領域は基板Ｗの中心から基板Ｗの周縁までの領域を含み得る。

【0133】

図１７の例では、受光部８２は、基板Ｗの径方向に沿って延びた長尺状の形状を有する。つまり、図１７の例では、センサ８はいわゆるラインセンサである。受光部８２は、基板Ｗの第２主面Ｗｂで反射した光を受光し、その反射光の強度に応じた信号を例えば制御部９に出力する。基板Ｗの第２主面Ｗｂで反射した反射光の強度は、基板Ｗの第２主面Ｗｂ上の付着物Ａｄに依存して変化する。例えば、光は付着物Ａｄによって散乱するので、反射光の強度分布は、基板Ｗの第２主面Ｗｂ上の付着物Ａｄの分布に応じた分布をとる。そこで、制御部９は、受光部８２からの信号（反射光の強度分布）に基づいて、各付着物Ａｄの位置を検出する。この場合、制御部９の一部の機能は、センサ８に属しているともいえる。具体的な一例として、センサ８（制御部９）は、基板Ｗの第２主面Ｗｂ上の各付着物Ａｄの位置を求める。

【0134】

センサ８の光源８１が測定光を出射した状態で、基板保持部２が基板Ｗを回転させることにより、センサ８の光源８１は基板Ｗの第２主面Ｗｂの全面に測定光を出射する。このため、センサ８は基板Ｗの第２主面Ｗｂの全面を走査することができる。したがって、制御部９は基板Ｗの第２主面Ｗｂの全面における付着物Ａｄの位置を求めることができる。

【0135】

図１７に示されるように、処理ユニット１Ｃには、センサ８を測定位置とセンサ待機位置との間で移動させるセンサ移動駆動部８３が設けられてもよい。測定位置は、センサ８が基板Ｗの第２主面Ｗｂ上の付着物Ａｄを検出するための位置であり、例えば、センサ８が、基板保持部２によって保持された基板Ｗの第２主面Ｗｂと鉛直方向において対向する位置である。測定位置は、例えば、センサ８の長手方向が径方向に沿う位置でもある。センサ待機位置は、センサ８が基板Ｗの第２主面Ｗｂ上の付着物Ａｄを検出しない位置であり、例えば、基板Ｗよりも径方向外側の位置である。センサ移動駆動部８３は、例えば、モータ等の駆動源と、ボールねじ機構等の動力伝達部とを含んでもよい。

【0136】

なお、センサ８は、必ずしも長尺状のラインセンサでなくてもよい。例えば、センサ８の光源８１および受光部８２の径方向の長さは、基板Ｗの半径よりも十分に小さくてもよい。言い換えれば、センサ８はポイントセンサであってもよい。この場合、センサ移動駆動部８３は、測定中に、センサ８を基板Ｗの中心と周縁との間で水平に往復移動させればよい。これにより、センサ８は基板Ｗの主面の全面を走査することができる。

【0137】

処理領域Ｒ１を設定する動作の一例は図１６と同様であるものの、ステップＳ３１およびステップＳ３２の具体例が第４実施形態と相違する。また、この動作は、第１実施形態のステップＳ１とステップＳ２との間、または、第２実施形態のステップＳ１１とステップＳ１２との間で行われる。つまり、この動作は、基板保持部２が基板Ｗを保持し、かつ、除去処理が行われる前に行われる。

【0138】

センサ８が付着物Ａｄの位置を測定する（ステップＳ３１：位置関連情報取得工程）。具体的には、まず、センサ移動駆動部８３はセンサ８を測定位置に移動させる。そして、基板保持部２が基板Ｗを回転軸線Ｑ１のまわりで回転させつつ、センサ８の光源８１が測定光を基板Ｗの第２主面Ｗｂに向かって出射する。センサ８の受光部８２が基板Ｗの第２主面Ｗｂで反射された測定光を受光することで、基板Ｗの第２主面Ｗｂの全面での反射光を得ることができる。センサ８（具体的には制御部９）は、反射光の強度分布に基づいて、基板Ｗの第２主面Ｗｂ上の付着物Ａｄの位置を算出する。センサ８は、付着物Ａｄの位置を示すデータを位置関連情報ＰＤとして生成する。そして、センサ移動駆動部８３はセンサ８を待機位置に移動させる。

【0139】

次に、制御部９は、センサ８によって測定された付着物Ａｄの位置（つまり、位置関連情報ＰＤ）に基づいて、処理領域Ｒ１を設定する（ステップＳ３２：設定工程）。例えば、制御部９は、全ての付着物Ａｄを含む円環状または円状の領域を処理領域Ｒ１に設定する。具体的な一例として、制御部９は、最も基板Ｗの中心に近い付着物Ａｄの最内周位置と、最も基板Ｗの中心から遠い付着物Ａｄの最外周位置とに基づいて、処理領域Ｒ１を設定してもよい。

【0140】

以上のように、第５実施形態では、センサ８が凹凸欠陥（例えば付着物Ａｄ）の位置を検出し、制御部９が当該位置に基づいて処理領域Ｒ１を設定する。このため、制御部９はより高い精度でより適切な処理領域Ｒ１を設定することができる。また、ユーザは基板Ｗごとに処理領域Ｒ１を設定する必要がなく、処理ユニット１のユーザビリティを向上させることができる。

【0141】

＜外部装置＞
センサ８は、基板処理装置の外部に設けられてもよい。図１８は、基板処理システム１０００の構成の一例を概略的に示す図である。図１８の例では、基板処理システム１０００は、基板処理装置１００と、キャリア搬送装置４００と、測定装置５００とを含む。

【0142】

基板処理装置１００は、ロードポート１１１と、第１搬送部１１２と、複数の処理ユニット１と、第２搬送部１２２とを含んでいる。ロードポート１１１には、複数の基板Ｗを収納したキャリアＣが搬入される。第１搬送部１１２および第２搬送部１２２は搬送ロボットである。第１搬送部１１２はロードポート１１１と第２搬送部１２２との間で基板Ｗを搬送する。第２搬送部１２２は第１搬送部１１２と処理ユニット１との間で基板Ｗを搬送する。なお、処理ユニット１に代えて、処理ユニット１Ａ、処理ユニット１Ｂまたは処理ユニット１Ｃが設けられてもよい。

【0143】

測定装置５００は、基板Ｗの第２主面Ｗｂ上の凹凸欠陥の位置を検出する装置である。図１８の例では、測定装置５００は、ロードポート５０１と、搬送部５０２と、測定部５０３と、制御部５０４とを含んでいる。ロードポート５０１はロードポート１１１と同様であり、複数の基板Ｗを収納したキャリアＣがロードポート５０１に載置される。搬送部５０２は搬送ロボットであって、ロードポート５０１に載置されたキャリアＣと、測定部５０３との間で基板Ｗを搬送する。

【0144】

測定部５０３は基板保持部２Ｃおよびセンサ８を含んでいる。基板保持部２Ｃは、搬送部５０２によって搬入された基板Ｗを水平姿勢で保持する。基板保持部２Ｃは基板Ｗを回転軸線Ｑ１のまわりで回転させてもよい。基板保持部２Ｃの構成の一例は基板保持部２と同様である。センサ８は、基板保持部２Ｃによって保持された基板Ｗの第２主面Ｗｂ上の凹凸欠陥の位置を検出する。

【0145】

制御部５０４は測定装置５００を制御する。具体的には、制御部５０４は、搬送部５０２、基板保持部２Ｃおよびセンサ８を制御する。制御部５０４は、センサ８によって検出された凹凸欠陥の位置をキャリアＣ内の基板Ｗに対応付けて測定結果データ（つまり、位置関連情報ＰＤ）を生成し、当該測定結果データを不図示の通信回路を通じて、制御部９に送信する。

【0146】

キャリア搬送装置４００はキャリアＣを測定装置５００に搬送するとともに、測定装置５００によって測定済みの複数の基板Ｗを収納したキャリアＣを測定装置５００から取り出し、該キャリアＣを基板処理装置１００に搬送する。

【0147】

制御部９は、外部（測定装置５００）から受け取った測定結果データ（つまり、位置関連情報ＰＤ）に基づいて、処理領域Ｒ１を基板Ｗごとに決定する。

【0148】

この例によれば、センサ８は、薬液が供給される処理ユニット１の外部に設けられる。このため、センサ８が薬液雰囲気に曝される可能性を低減させることができる。よって、薬液耐性が低いセンサ８を適用することができ、より安価なセンサ８を適用することができる。

【0149】

以上のように、基板処理装置１００および基板処理方法は詳細に説明されたが、上記した説明は、全ての局面において例示であって、この開示がそれに限定されるものではない。また、上述した各種変形例は、相互に矛盾しない限り組み合わせて適用可能である。そして、例示されていない多数の変形例が、この開示の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。

【0150】

上述の例では、処理ユニット１は研磨材を含む第１ブラシ４１を用いて基板Ｗの処理領域Ｒ１を研磨した。しかしながら、処理ユニット１は、研磨材を含む処理液を基板Ｗの第２主面Ｗｂに供給し、研磨材を含まない第１ブラシ４１を処理領域Ｒ１のみに当接させてもよい。この場合でも、処理ユニット１は処理領域Ｒ１を研磨することができる。また、第１ブラシ４１は非処理領域Ｒ２に当接しないので、第１ブラシ４１の摩耗も抑制することができる。ただし、この態様では、研磨材を含む処理液が基板Ｗの非処理領域Ｒ２にも供給されるので、パーティクルの発生量が増加するおそれがある。

【0151】

これに対して、処理ユニット１が研磨材を含まない処理液（例えば薬液）を基板Ｗの第２主面Ｗｂに供給しつつ、研磨材を含む第１ブラシ４１を処理領域Ｒ１に当接させれば、非処理領域Ｒ２におけるパーティクルの発生を回避することができる。このため、基板Ｗの第２主面Ｗｂに残留するパーティクルの数をより効果的に低減させることができる。

【0152】

また、上述の例では、付着物Ａｄ、傷およびＢｏａｔ痕等の凹凸欠陥が、第２主面Ｗｂのうちの処理領域Ｒ１内に形成されている。このため、処理ユニット１は処理領域Ｒ１を研磨した。しかしながら、必ずしもこれに限らない。例えば、基板Ｗの第２主面Ｗｂのうちの処理領域Ｒ１内においてパーティクルが付着し、非処理領域Ｒ２内においてパーティクルが付着していない場合、処理ユニット１は研磨材を含まない処理液および研磨材を含まない第１ブラシ４１を用いて処理領域Ｒ１のみを洗浄してもよい。これによっても、処理ユニット１は処理領域Ｒ１内のパーティクルの少なくとも一部を除去することができる。また、第１ブラシ４１の非処理領域Ｒ２への当接を回避するので、第１ブラシ４１の摩耗を抑制することができる。

【0153】

また、上述の例では、第１ブラシ４１（第１研磨ブラシ４１Ａ）、第２ブラシ４２および第２研磨ブラシ４１Ｂは、基板Ｗの第２主面Ｗｂに沿って径方向外側に向かって移動しているものの、複数回移動してもよい。例えば、第１ブラシ移動駆動部６１は第１ブラシ４１が径方向内側の第１位置から径方向外側の第２位置まで移動した後に、第１ブラシ４１を上昇させ、再び第１ブラシ４１を第１位置に移動させる。そして、第１ブラシ移動駆動部６１は第１ブラシ４１を再び第１位置から第２位置に移動させる。

【符号の説明】

【0154】

２ 基板保持部
３ 吐出部
３１ ノズル
４１ 第１ブラシ
４１Ａ 第１研磨ブラシ
４１Ｂ 第２研磨ブラシ
４２ 第２ブラシ
６１ 第１ブラシ移動駆動部
６１Ｂ 研磨ブラシ移動駆動部
６２ 第２ブラシ移動駆動部
８ センサ
９ 制御部
Ｓ１，Ｓ１１ 保持工程（ステップ）
Ｓ２，Ｓ１２ 除去工程（ステップ）
Ｓ１３ スクラバ工程（ステップ）
Ｓ３１ 粗研磨工程（ステップ）
Ｓ３２ 細研磨工程（ステップ）
Ｒ１ 処理領域
Ｒ２ 非処理領域
Ｗ 基板
Ｗｂ 主面（第２主面）

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】