特開 2025-63824 回路基板および電子素子パッケージ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025063824

(43)【公開日】2025-04-16

(54)【発明の名称】回路基板および電子素子パッケージ

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/02 20060101AFI20250409BHJP

   H05K 3/46 20060101ALI20250409BHJP

   H05K 1/18 20060101ALI20250409BHJP

【ＦＩ】

H05K1/02 E

H05K3/46 Q

H05K3/46 Z

H05K1/18 R

【審査請求】未請求

【請求項の数】18

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024114595

(22)【出願日】2024-07-18

(31)【優先権主張番号】10-2023-0131800

(32)【優先日】2023-10-04

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】110000051

【氏名又は名称】弁理士法人共生国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】趙 泳 雄

【テーマコード（参考）】

5E316

5E336

5E338

【Ｆターム（参考）】

5E316AA32

5E316AA38

5E316AA43

5E316BB20

5E316CC04

5E316CC06

5E316CC09

5E316CC10

5E316CC32

5E316DD24

5E316EE31

5E316FF01

5E316FF14

5E316GG14

5E316GG15

5E316GG17

5E316GG28

5E316HH11

5E316HH33

5E316JJ12

5E316JJ13

5E336AA04

5E336AA08

5E336BB03

5E336BB15

5E336BC02

5E336BC16

5E336CC31

5E336CC52

5E336CC53

5E336CC55

5E336CC58

5E336CC60

5E336EE01

5E336GG14

5E338AA03

5E338AA16

5E338BB03

5E338BB19

5E338BB75

5E338CD02

5E338CD25

5E338EE28

(57)【要約】

【課題】プリント回路基板のキャビティの縁のレジン領域のクラックを抑制できる回路基板を提供する。
【解決手段】本発明の回路基板は、互いに対向する第１面と第２面を有し、前記第１面と前記第２面との間に配置された絶縁層を含み、前記第１面に垂直な方向に貫通したキャビティを有する基板、前記第１面で前記絶縁層に埋込まれて信号伝達が可能に構成される第１配線パターン、前記第１面で前記絶縁層に埋め込まれ、前記キャビティの周りに前記キャビティの縁から離隔して配置され、前記第１配線パターンから分離されて構成される第１補強パターンを含む。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

互いに対向する第１面と第２面を有し、前記第１面と前記第２面との間に配置された絶縁層を含み、前記第１面に垂直な方向に貫通したキャビティを有する基板と、
前記第１面で前記絶縁層に埋込まれて信号伝達が可能に構成された第１配線パターンと、
前記第１面で前記絶縁層に埋め込まれ、前記キャビティの周りに前記キャビティの縁から離隔して配置され、前記第１配線パターンから分離されて構成された第１補強パターンと、を含むことを特徴とする回路基板。

【請求項2】

前記第１補強パターンは金属を含むことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。

【請求項3】

前記第１補強パターンは電気的に孤立していることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。

【請求項4】

前記第１補強パターンは、前記キャビティ内に露出しないように前記絶縁層で覆われていることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。

【請求項5】

前記第１補強パターンは、前記第１配線パターンと同じ高さを有することを特徴とする請求項１に記載の回路基板。

【請求項6】

前記第１配線パターンは、前記キャビティから遠くなる方向に前記第１補強パターンから離隔していることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。

【請求項7】

前記第２面で前記絶縁層上に配置されて信号伝達が可能に構成された第２配線パターンと、
前記第２面で前記絶縁層上に配置され、前記キャビティの周りに前記キャビティの縁から離隔して配置され、前記第２配線パターンから分離されて構成された第２補強パターンと、
前記絶縁層に埋め込まれ、前記第１配線パターンと前記第２配線パターンを互いに接続するビアをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。

【請求項8】

前記第２補強パターンは、前記第２配線パターンと同じ高さを有するように前記第２面の上に突出していることを特徴とする請求項７に記載の回路基板。

【請求項9】

前記第２配線パターンは、前記キャビティから遠くなる方向に前記第２補強パターンから離隔していることを特徴とする請求項７に記載の回路基板。

【請求項10】

前記第１補強パターンと前記第２補強パターンは、前記第１面に垂直な方向に沿って少なくとも一部分が互いに重なるように配置されることを特徴とする請求項７に記載の回路基板。

【請求項11】

前記第１補強パターンは、前記キャビティの縁に沿って互いに離隔して配置された複数の補強パッドを含むことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。

【請求項12】

前記第１補強パターンは、前記キャビティの縁に沿って連続的につながって前記キャビティを囲むように構成されることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。

【請求項13】

前記キャビティは４つの辺を含み、
前記第１補強パターンは、前記４つの辺にそれぞれ配置された補強パッドを含むことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。

【請求項14】

互いに対向する第１面と第２面を有し、前記第１面と前記第２面との間に配置された絶縁層を含み、前記第１面に垂直な方向に貫通したキャビティを有する基板と、
前記第１面で前記絶縁層に埋込まれて信号伝達が可能に構成された第１配線パターンと、
前記第１面で前記絶縁層に埋め込まれ、前記キャビティの周りに前記キャビティの縁から離隔して配置され、前記第１配線パターンから分離されて構成された第１補強パターンと、
前記キャビティ内に収容された電子素子と、
前記基板の前記第１面側に配置され、前記電子素子が接続される再配線層と、を含むことを特徴とする電子素子パッケージ。

【請求項15】

前記基板の前記第１面と前記再配線層との間で前記第１補強パターンを覆うように配置された絶縁保護層をさらに含むことを特徴とする請求項１４に記載の電子素子パッケージ。

【請求項16】

前記第１補強パターンは電気的に孤立していることを特徴とする請求項１４に記載の電子素子パッケージ。

【請求項17】

前記第１補強パターンは、前記キャビティ内に露出しないように前記絶縁層で覆われていることを特徴とする請求項１４に記載の電子素子パッケージ。

【請求項18】

前記第１配線パターンは、前記キャビティから遠くなる方向に前記第１補強パターンから離隔していることを特徴とする請求項１４に記載の電子素子パッケージ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、回路基板および電子素子パッケージに関する。

【背景技術】

【0002】

電子製品の小型化および多機能化傾向により、半導体パッケージング技術が高集積、高性能化されている。従来のインターポ－ザ（Ｉｎｔｅｒｐｏｓｅｒ）ＰＯＰパッケージング技術は、実装チップの厚さの制約により放熱効果に限界があった。これにより、チップ厚さ制約を緩和して放熱効果を改善したＰＬＰ（Ｐａｎｅｌ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ）パッケージング技術が注目されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１９－８００３０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

ＰＬＰパッケージングでは、プレプレグ（ＰＰＧ）タイプのプリント回路基板を使用する。ＰＰＧは、レジン（Ｒｅｓｉｎ）とガラス繊維（Ｇｌａｓｓ ｆａｂｒｉｃ）が共に積層されている。キャビティ（Ｃａｖｉｔｙ）加工後、スミア（Ｓｍｅａｒ）除去工程を行うと、ガラス繊維がエッチングされ、これにより、パッケージング工程で機械的／物理的荷重によってＰＰＧレジン部位にクラックが発生することがある。

【0005】

このようなクラックは、ＰＬＰパッケージング工程で感光性絶縁材塗布時に塗布不良を引き起し得る。したがって、チップ実装領域のプリント回路基板のキャビティ領域の品質確保のための回路基板の構造とその製造方法の改善が必要になった。

【0006】

本発明の目的は、プリント回路基板のキャビティの縁のレジン領域のクラックを抑制できる回路基板、電子素子パッケージおよび回路基板の製造方法を提供することにある。
しかし、本発明の実施例が解決しようとする課題は、上述した課題に限定されず本発明に含まれている技術的な思想の範囲で多様に拡張される。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による回路基板は、互いに対向する第１面と第２面を有し、前記第１面と前記第２面との間に配置された絶縁層を含み、前記第１面に垂直な方向に貫通したキャビティを有する基板と、前記第１面で前記絶縁層に埋込まれて信号伝達が可能に構成された第１配線パターンと、前記第１面で前記絶縁層に埋め込まれ、前記キャビティの周りに前記キャビティの縁から離隔して配置され、前記第１配線パターンから分離されて構成された第１補強パターンと、を含む。

【0008】

前記第１補強パターンは金属を含み得る。
前記第１補強パターンは電気的に孤立し得る。
前記第１補強パターンは、前記キャビティ内に露出しないように前記絶縁層で覆われてもよい。
前記第１補強パターンは、前記第１配線パターンと同じ高さを有し得る。
前記第１配線パターンは、前記キャビティから遠くなる方向に前記第１補強パターンから離隔し得る。

【0009】

前記回路基板は、前記第２面で前記絶縁層上に配置されて信号伝達が可能に構成された第２配線パターンと、前記第２面で前記絶縁層上に配置され、前記キャビティの周りに前記キャビティの縁から離隔して配置され、前記第２配線パターンから分離されて構成された第２補強パターンと、前記絶縁層に埋め込まれ、前記第１配線パターンと前記第２配線パターンを互いに接続するビアをさらに含むことができる。
前記第２補強パターンは、前記第２配線パターンと同じ高さを有するように前記第２面の上に突出し得る。
前記第２配線パターンは、前記キャビティから遠くなる方向に前記第２補強パターンから離隔し得る。
前記第１補強パターンと前記第２補強パターンは、前記第１面に垂直な方向に沿って少なくとも一部分が互いに重なるように配置されてもよい。
前記第１補強パターンは、前記キャビティの縁に沿って互いに離隔して配置された複数の補強パッドを含み得る。
前記第１補強パターンは、前記キャビティの縁に沿って連続的につながって前記キャビティを囲むように構成され得る。
前記キャビティは、４つの辺を含み、前記第１補強パターンは、前記４つの辺にそれぞれ配置される補強パッドを含み得る。

【0010】

上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による電子素子パッケージは、互いに対向する第１面と第２面を有し、前記第１面と前記第２面との間に配置された絶縁層を含み、前記第１面に垂直な方向に貫通したキャビティを有する基板と、前記第１面で前記絶縁層に埋込まれて信号伝達が可能に構成された第１配線パターンと、前記第１面で前記絶縁層に埋め込まれ、前記キャビティの周りに前記キャビティの縁から離隔して配置され、前記第１配線パターンから分離されて構成された第１補強パターンと、前記キャビティ内に収容された電子素子と、前記基板の前記第１面側に配置され、前記電子素子が接続される再配線層と、を含む。

【0011】

前記基板の前記第１面と前記再配線層との間で前記第１補強パターンを覆うように配置された絶縁保護層をさらに含み得る。
前記第１補強パターンは電気的に孤立し得る。
前記第１補強パターンは、前記キャビティ内に露出しないように前記絶縁層で覆われてもよい。
前記第１配線パターンは、前記キャビティから遠くなる方向に前記第１補強パターンから離隔し得る。

【発明の効果】

【0012】

本発明による回路基板によれば、ＰＬＰ（Ｐａｎｅｌ ｌｅｖｅｌ ｐａｃｋａｇｅ）工程進行時キャビティの縁のレジン領域のクラック発生抑制により、パッケージング収率を確保することができる。
また、ＰＬＰ工程の感光性絶縁材（Ｐｈｏｔｏ－ｉｍａｇｅａｂｌｅ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ、ＰＩＤ）塗布時の塗布不良を改善することができる。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】一実施例による回路基板に電子素子が実装された状態を示す電子素子パッケージを示した断面図である。

【図2】一実施例による回路基板を製造する方法を示した工程断面図である。

【図3】一実施例による回路基板を製造する方法を示した工程断面図である。

【図4】一実施例による回路基板を製造する方法を示した工程断面図である。

【図5】一実施例による回路基板を製造する方法を示した工程断面図である。

【図6】一実施例による回路基板を製造する方法を示した工程断面図である。

【図7】一実施例による回路基板を製造する方法を示した工程断面図である。

【図8】一実施例による回路基板を製造する方法を示した工程断面図である。

【図9】一実施例による回路基板を製造する方法を示した工程断面図である。

【図10】一実施例による回路基板を製造する方法を示した工程断面図である。

【図11】一実施例による回路基板を製造する方法を示した工程断面図である。

【図12】一実施例による回路基板を製造する方法を示した工程断面図である。

【図13】一実施例による回路基板を製造する方法を示した工程断面図である。

【図14】一実施例による回路基板を製造する方法を示した工程断面図である。

【図15】一実施例による回路基板の底面図である。

【図16】他の実施例による回路基板の底面図である。

【図17】他の実施例による回路基板の底面図である。

【図18】他の実施例による回路基板の底面図である。

【発明を実施するための形態】

【0014】

以下、図面を参照して、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者が容易に実施できるように本発明の実施例を詳しく説明する。図面で本発明を明確に説明するために、説明上不要な部分は省略し、明細書全体を通じて同じまたは類似の構成要素については同じ参照符号を付けた。また、図面において、一部の構成要素は誇張されたり省略されたりまたは概略的に示されており、各構成要素の大きさは、実際の大きさを完全に反映するものではない。

【0015】

図面は、本明細書に開示された実施例を容易に理解できるようにするためのものであり、図面によって本明細書に開示された技術的な思想が限定されるものではなく、本発明の思想および技術範囲に含まれる全ての変更、均等物乃至代替物を含むものと理解されるべきである。

【0016】

第１、第２などのように序数を含む用語は、様々な構成要素を説明するために使用するが、構成要素は、上記用語によって限定されない。上記用語は、１つの構成要素を他の構成要素から区別する目的にだけ使用される。

【0017】

また、層、膜、領域、板などの部分が他の部分「の上に」または「上に」あるということは、これは他の部分の「直上に」ある場合だけでなく、その中間にさらに他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の「直上に」あるというときは、中間に他の部分がないことを意味する。また、基準となる部分「の上に」または「上に」あるというのは、基準となる部分の上または下に位置することであり、必ずしも重力反対方向に向かって「の上に」または「上に」位置することを意味するものではない。

【0018】

明細書全体において、「含む」または「有する」などの用語は、明細書上に記載された特徴、数字、ステップ、動作、構成要素、部品、またはこれらを組み合わせが存在することを指定しようとするものであって、１つまたはそれ以上の他の特徴や数字、ステップ、動作、構成要素、部品、またはこれらを組み合わせの存在または付加の可能性を予め排除しないものと理解されるべきである。したがって、ある部分がある構成要素を「含む」というとき、これは特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。

【0019】

また、明細書全体において、「平面上」というとき、これは対象の部分を上から見たときを意味し、「断面上」というとき、これは対象の部分を垂直に切断した断面を横から見たときを意味する。

【0020】

また、明細書全体において、「接続される」というとき、これは２つ以上の構成要素が直接的に接続されることだけを意味するのではなく、２つ以上の構成要素が他の構成要素を介して間接的に接続されること、物理的に接続されることだけでなく、電気的に接続されること、または位置や機能に応じて異なる名称で呼ばれているが、一体であることを意味する。

【0021】

図１は、一実施例による回路基板に電子素子が実装された状態を示す電子素子パッケージを示した断面図である。

【0022】

図１を参照すると、電子素子パッケージ１００は、本実施例による回路基板１０１に電子素子７０が実装されて構成される。電子素子７０は、能動素子、受動素子、集積回路（ＩＣ）など様々な素子を含み、例えば、半導体チップであってもよい。回路基板１０１は、半導体パッケージ用に使用され、プリント回路基板（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）として構成される。

【0023】

回路基板１０１は、互いに対向する第１面１１０ａと第２面１１０ｂを有し、絶縁層１１２を含む基板１１０と、この基板１１０の内部または表面に配置された配線パターン１２１、１２２を含む。基板１１０は、第１面１１０ａに垂直方向に貫通したキャビティ１１９を有する。キャビティ１１９の周りの絶縁層１１２の内部または表面に補強パターン１３１、１３２が配置される。

【0024】

配線パターン１２１、１２２は、第１面１１０ａで絶縁層１１２に埋め込まれる第１配線パターン１２１と、第２面１１０ｂで絶縁層１１２の上に配置される第２配線パターン１２２を含む。第１配線パターン１２１と第２配線パターン１２２は、それぞれ信号伝達が可能に構成される。このような第１配線パターン１２１と第２配線パターン１２２は、絶縁層１１２に埋込まれたビア１２４を介して互いに接続される。

【0025】

補強パターン１３１、１３２は、第１面１１０ａで絶縁層１１２に埋め込まれる第１補強パターン１３１を含む。第１補強パターン１３１は、キャビティ１１９の周りにキャビティ１１９の縁（ｅｄｇｅ）から離隔して配置され、第１配線パターン１２１から分離されて構成される。すなわち、第１補強パターン１３１は、信号伝達に活用されないように物理的または電気的に孤立したパターンで構成されるか、接地パターンに接続される。第１補強パターン１３１は、金属を含み、具体的には銅（Ｃｕ）を含む。

【0026】

第１面１１０ａに平行な方向を基準にするとき、第１補強パターン１３１は、キャビティ１１９内に露出しないように絶縁層１１２で覆われている。第１面１１０ａに垂直な方向に測定された高さにおいて、第１補強パターン１３１は、第１配線パターン１２１と同じ高さを有する。ここで「同じ高さ」とは、該当する技術分野において同じレベルと評価される高さのことであり、製造工程や測定方法の限界および／または誤差などによって高さが異なる場合も含む。第１配線パターン１２１は、キャビティ１１９から遠くなる方向に第１補強パターン１３１から離隔して配置される。

【0027】

補強パターン１３１、１３２は、第２面１１０ｂで絶縁層１１２の上に配置される第２補強パターン１３２を含む。第２補強パターン１３２は、キャビティ１１９の周りにキャビティ１１９の縁から離隔して配置され、第２配線パターン１２２から分離されて構成される。すなわち、第２補強パターン１３２は、信号伝達に活用されないように物理的または電気的に孤立したパターンで構成される。第２補強パターン１３２は、金属を含み、具体的には銅（Ｃｕ）を含む。

【0028】

第２補強パターン１３２は、第２配線パターン１２２と同じ高さを有するように第２面１１０ｂの上に突出する。ここで「同じ高さ」とは、該当する技術分野において同じレベルと評価される高さのことであり、製造工程や測定方法の限界および／または誤差などによって高さが異なる場合も含む。第２配線パターン１２２は、キャビティ１１９から遠くなる方向に第２補強パターン１３２から離隔して配置される。第２補強パターン１３２は、第１面１１０ａに垂直な方向に沿って少なくとも一部分が第１補強パターン１３１と重なるように配置される。

【0029】

絶縁性樹脂を含む基板１１０に、上記のようにキャビティ１１９の周囲に金属の補強パターン１３１、１３２を備えることによって、ＰＬＰ（Ｐａｎｅｌ ｌｅｖｅｌ ｐａｃｋａｇｅ）工程進行時にキャビティ１１９の縁のレジン領域のクラック発生を抑制することができる。

【0030】

電子素子パッケージ１００は、ファン－アウト半導体パッケージであってもよく、回路基板１０１のキャビティ１１９内に電子素子７０の接続端が、基板１１０の第１面１１０ａ側に位置するように配置される。基板１１０の第１面１１０ａ側には、再配線層１５０の一面が配置されて電子素子７０が接続され、回路基板１０１の第１配線パターン１２１も再配線層１５０に接続される。再配線層１５０の他の一面には、接続パッド１５１が配置され、この接続パッド１５１に接続端子１５４が接続される。

【0031】

電子素子７０の少なくとも一部と基板１１０の第２面１１０ｂは、密封材９２で覆われる。密封材９２は、第２面１１０ｂに配置された第２補強パターン１３２を覆い、第２配線パターン１２２の少なくとも一部を覆う。第２面１１０ｂの上に配置された第２配線パターン１２２は、密封材９２から一部露出されて接続パッドとして機能する。

【0032】

基板１１０の第１面１１０ａと再配線層１５０との間には、絶縁保護層１４１が配置される。絶縁保護層１４１は、電子素子７０と再配線層１５０との間で接続部を保護するように満たされるアンダーフィル（ｕｎｄｅｒｆｉｌｌ）樹脂であってもよい。絶縁保護層１４１は、基板１１０と再配線層１５０との間に感光性絶縁（Ｐｈｏｔｏ Ｉｍａｇｅａｂｌｅ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ、ＰＩＤ）樹脂が配置されて構成される。回路基板１０１の第１面１１０ａには、キャビティ１１９の縁の周りに金属の第１補強パターン１３１が備えられることにより、ＰＬＰ工程の感光性絶縁樹脂塗布時の塗布不良を改善することができる。

【0033】

図２～図１４は、一実施例による回路基板を製造する方法を示した工程断面図である。

【0034】

図２～図５を参照すると、少なくとも一面に第１シード層８１が配置されたキャリア基板６０を準備し、回路形成工程を通じて第１シード層８１に第１配線パターン層１２１Ａと第１補強パターン層１３１Ａを形成する。キャリア基板６０は、絶縁材６１の両面に銅箔層６２が積層されている基板であり、第１シード層８１と銅箔層６２は、互いに分離される（図２参照）。キャリア基板６０上に、第１配線パターン層１２１Ａと第１補強パターン層１３１Ａが形成される部分だけが露光および現像により除去されたメッキレジストパターン８３を形成する（図３参照）。第１配線パターン層１２１Ａと第１補強パターン層１３１Ａは、パターニングされたメッキレジストパターン８３の開口を通して露出された第１シード層８１の部分に導電性金属がメッキされて形成される（図４参照）。第１配線パターン層１２１Ａと第１補強パターン層１３１Ａの形成後、メッキレジストパターンは除去される（図５参照）。

【0035】

第１シード層８１は、回路基板分野で回路用導電性金属として使用されるものであれば制限なしに適用可能であり、銅（Ｃｕ）を使用するのが一般的である。第１配線パターン層１２１Ａと第１補強パターン層１３１Ａは、キャリア基板６０の第１シード層８１に接続され、第１シード層８１と同じ種類の金属を含む。例えば、第１シード層８１と第１配線パターン層１２１Ａおよび第１補強パターン層１３１Ａは、銅（Ｃｕ）を含む。

【0036】

本実施例では、キャリア基板６０の両面上に第１配線パターン層１２１Ａと第１補強パターン層１３１Ａを形成することを示したが、キャリア基板６０の一面上にだけ第１配線パターン層１２１Ａと第１補強パターン層１３１Ａを形成することも可能であり、これも本発明の範囲に属する。

【0037】

図６を参照すると、第１配線パターン層１２１Ａと第１補強パターン層１３１Ａが埋込まれるように絶縁層１１２を積層して、絶縁層１１２の上部面に第２シード層８５を形成する。第２シード層８５は、第２配線パターン層１２２Ａと第２補強パターン層１３２Ａを形成するために形成され、導電性金属であれば制限なしに使用可能であるが、銅を使用することが一般的である。

【0038】

絶縁層１１２は、樹脂絶縁層を含む。絶縁層１１２は、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、ポリイミドのような熱可塑性樹脂、またはこれらにガラス繊維または無機フィラーのような補強材が含浸された樹脂、例えば、プレプレグが使用され、また絶縁層１１２は、熱硬化性樹脂および／または光硬化性樹脂などを含むことができるが、これに限定されない。

【0039】

図７～図１０を参照すると、絶縁層１１２の上に回路形成工程により、第２配線パターン層１２２Ａと第２補強パターン層１３２Ａを形成する。第２配線パターン層１２２Ａと第２補強パターン層１３２Ａは、第１配線パターン層１２１Ａと第１補強パターン層１３１Ａを形成する方法と類似した方法で形成する。この時、第１配線パターン層１２１Ａと第２配線パターン層１２２Ａを互いに接続するビア１２４を形成するために、絶縁層１１２を部分的にエッチングし、第１配線パターン層１２１Ａの一部を露出させ（図７参照）、このように露出した第１配線パターン層１２１Ａの部分の上にメッキ工程を行う。

【0040】

第２シード層８５上に第２配線パターン層１２２Ａと第２補強パターン層１３２Ａが形成される部分にだけ露光および現像によって除去されたメッキレジストパターン８７を形成する（図８参照）。第２配線パターン層１２２Ａと第２補強パターン層１３２Ａは、パターニングされたメッキレジストパターン８７の開口を通して露出した第２シード層８５の部分に導電性金属がメッキされて形成される（図９参照）。第２配線パターン層１２２Ａと第２補強パターン層１３２Ａの形成後、メッキレジストパターン８７は除去される（図１０参照）。これにより、キャリア基板６０の両側に埋め込みパターン（Ｅｍｂｅｄｄｅｄ Ｐａｔｔｅｒｎ）基板部を完成する。

【0041】

図示した実施例によれば、それぞれの埋め込みパターン基板部は、１つの絶縁層１１２とその両面に配置された金属層の第１配線パターン層１２１Ａおよび第２配線パターン層１２２Ａを含むものとして図示したが、これに限定されず、より多くの数のビルドアップ（ｂｕｉｌｄ－ｕｐ）絶縁層と、より多くのビルドアップ配線パターン層を含むことができ、これも本発明の範囲に属するものである。

【0042】

図１１を参照すると、第１シード層８１とキャリア基板６０を分離して、埋め込みパターン基板を準備する。キャリア基板６０の両面上に形成された第１シード層８１を銅箔層６２から分離して一対の埋め込みパターン基板を得ることができ、一対の埋め込みパターン基板のそれぞれに対して個別に工程が適用される。

【0043】

図１２を参照すると、図１１で得られた埋め込みパターン基板をソフトエッチングして第１シード層８１と第２シード層８５を除去する。第１シード層８１と第２シード層８５を除去したら、絶縁層１１２に埋込まれた第１配線パターン層１２１Ａと第１補強パターン層１３１Ａは、それぞれ第１配線パターン１２１と第１補強パターン１３１を形成し、絶縁層１１２の一面上に配置された第２配線パターン層１２２Ａと第２補強パターン層１３２Ａは、それぞれ第２配線パターン１２２と第２補強パターン１３２を形成する。

【0044】

図１３および図１４を参照すると、図１２から得られた埋め込みパターン基板の中央をエッチングしてキャビティ１１９を形成する。キャビティ加工は、既知の様々な工程から選択して使用することができ、例えばレーザードリリング、機械的ドリリング、ルーター工程およびエッチングなどを活用することができる。キャビティ１１９内には電子素子７０が受容される（図１４参照）。

【0045】

図１５は、一実施例による回路基板の底面図である。図１５は、回路基板の埋め込みパターンが形成された第１面を示したものである。

【0046】

図１５を参照すると、本実施例による回路基板１０２は、基板１１０の第１面１１０ａで絶縁層１１２に埋込まれた第１補強パターン１３１２を含む。第１補強パターン１３１２は、キャビティ１１９の縁に沿って互いに離隔して配置された複数の補強パッドを含む。

【0047】

回路基板１０２の第１面１１０ａには、接地パターン１３８が配置され、接地パターン１３８は、キャビティ１１９を囲む形状を有する。この時、第１補強パターン１３１２の複数の補強パッドは、接地パターン１３８に接続される。すなわち、第１補強パターン１３１２は、キャビティ１１９を囲んだ接地パターン１３８の縁からキャビティ１１９に向かって第１面１１０ａに平行な方向に突出した形状で構成される。

【0048】

図１６～図１８は、他の実施例による回路基板の底面図である。

【0049】

図１６を参照すると、本実施例による回路基板１０３で第１面１１０ａに埋込まれた第１補強パターン１３１３は、キャビティ１１９の縁に沿って互いに離隔して配置された複数の補強パッドを含む。この時、第１補強パターン１３１の複数の補強パッドは、キャビティ１１９を囲む接地パターン１３８から離隔してそれぞれ孤立した形状を有する。

【0050】

図１７を参照すると、本実施例による回路基板１０４で第１面１１０ａに埋込まれた第１補強パターン１３１４は、４つの辺を含むキャビティ１１９の縁に沿って４つの辺にそれぞれ配置される補強パッドを含む。この時、第１補強パターン１３１４の複数の補強パッドは、キャビティ１１９を囲む接地パターン１３８から離隔してそれぞれ孤立した形状を有する。

【0051】

図１８を参照すると、本実施例による回路基板１０５で第１面１１０ａに埋込まれた第１補強パターン１３１５は、キャビティ１１９の縁に沿って連続的につながってキャビティ１１９を囲むように構成される。この時、第１補強パターン１３１５は、キャビティ１１９を囲む接地パターン１３８から離隔して孤立した形状を有する。

【0052】

以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、発明の説明および図面の範囲内で多様に変形して実施することが可能であり、これも本発明の範囲に属することは当然である。

【符号の説明】

【0053】

７０ 電子素子
９２ 密封材
１００ 電子素子パッケージ
１０１ 回路基板
１１２ 絶縁層
１１９ キャビティ
１２１、１２２ 第１、第２配線パターン
１２４ ビア
１３１、１３２ 第１、第２補強パターン
１３８ 接地パターン
１４１ 絶縁保護層
１５０ 再配線層
１５１ 接続パッド
１５４ 接続端子

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】