特開 2025-6567 積層セラミックコンデンサ及び積層セラミックコンデンサの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025006567

(43)【公開日】2025-01-17

(54)【発明の名称】積層セラミックコンデンサ及び積層セラミックコンデンサの製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/30 20060101AFI20250109BHJP

【ＦＩ】

H01G4/30 513

H01G4/30 512

H01G4/30 517

H01G4/30 201C

H01G4/30 201K

H01G4/30 311Z

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023107446

(22)【出願日】2023-06-29

(71)【出願人】

【識別番号】000204284

【氏名又は名称】太陽誘電株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100126572

【弁理士】

【氏名又は名称】村越 智史

(72)【発明者】

【氏名】松岡 亜友美

【テーマコード（参考）】

5E001

5E082

【Ｆターム（参考）】

5E001AB03

5E001AC05

5E001AD00

5E001AE03

5E001AH09

5E001AJ01

5E001AJ02

5E082AA01

5E082AB03

5E082BC40

5E082EE04

5E082FF05

5E082FG04

5E082FG26

5E082FG54

5E082PP03

5E082PP09

(57)【要約】      （修正有）

【課題】焼結助剤による静電容量の低下が抑制された積層セラミックコンデンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサは、２つの内部電極層及びそれらの間に配置されたセラミック層１１を有する本体を備える。セラミック層は、焼結助剤が添加されたセラミック材料から形成される。第１内部電極層２１は、主成分金属元素の焼結体である第１電極部２１ａ及び第１電極部の間に介在している第１非電極部２１ｂを有する。第２内部電極層２２は、主成分金属元素の焼結体である第２電極部２２ａ及び第２電極部の間に介在している第２非電極部２２ｂを有する。第１非電極部及び第２非電極部は夫々、焼結助剤元素を含有する偏析部５１ａ～ｆ、５２ａ～ｄを有する。積層方向に沿って本体を切断した断面における第１内部電極層の面積と第２内部電極層の面積との合計を表す第１面積に対する偏析部の面積を表す第２面積の比は、３５％以下である。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

主成分金属元素を含有する第１内部電極層、第２内部電極層、積層方向において前記第１内部電極層と前記第２内部電極層との間に配置されており、焼結助剤元素を主成分とする焼結助剤が添加されたセラミック材料から形成されたセラミック層と、を有する本体と、
前記本体に、前記第１内部電極層と電気的に接続するように設けられた第１外部電極と、
前記本体に、前記第２内部電極層と電気的に接続するように設けられた第２外部電極と、
を備え、
前記第１内部電極層は、主成分金属元素の焼結体である第１電極部と、前記第１電極部に囲まれている第１非電極部と、を有し、
前記第２内部電極層は、主成分金属元素の焼結体である第２電極部と、前記第２電極部に囲まれている第２非電極部と、を有し、
前記第１非電極部及び前記第２非電極部はそれぞれ、前記焼結助剤元素を含有する偏析部を有し、
前記積層方向に沿って前記本体を切断した断面における前記第１内部電極層の面積と前記第２内部電極層の面積との合計を表す第１面積に対する前記偏析部の面積を表す第２面積の比は、３５％以下である、
積層セラミックコンデンサ。

【請求項2】

前記第１面積に対する前記第２面積の比は、５％以上である、
請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。

【請求項3】

前記偏析部における前記焼結助剤元素の濃度は、２０ａｔ％以上である、
請求項１又は２に記載の積層セラミックコンデンサ。

【請求項4】

前記第１内部電極層は、副元素をさらに含有し、
前記副元素は、Ａｌ、Ｚｎ、Ｂ、及びＳｉから成る群より選択される少なくとも一つの元素である、
請求項１又は２に記載の積層セラミックコンデンサ。

【請求項5】

前記偏析部は、前記副元素を含有する、
請求項４に記載の積層セラミックコンデンサ。

【請求項6】

前記偏析部における前記副元素の濃度は、５ａｔ％以上である、
請求項５に記載の積層セラミックコンデンサ。

【請求項7】

前記セラミック層は、前記セラミック材料の焼結体である複数の結晶粒を含み、
前記セラミック層において、前記第１内部電極層と前記第２内部電極層との間に介在する前記結晶粒の数は、３以下である、
請求項１又は２に記載の積層セラミックコンデンサ。

【請求項8】

請求項１に記載の積層セラミックコンデンサを備える回路モジュール。

【請求項9】

請求項８に記載の回路モジュールを含む、電子機器。

【請求項10】

焼結助剤を含むセラミックグリーンシートと、前記セラミックグリーンシートの第１面及び第２面に設けられており主成分金属元素を含有する内部電極パターンと、を含むグリーン積層体を準備する準備工程と、
前記焼結助剤の軟化点よりも高く前記主成分金属元素の焼結が起こるキープ温度で前記グリーン積層体を第１保持時間だけ加熱する第１加熱工程と、
前記第１加熱工程の後に、前記キープ温度よりも高い焼成トップ温度で、前記グリーン積層体を加熱する第２加熱工程と、
を備える積層セラミックコンデンサの製造方法。

【請求項11】

前記内部電極パターンは、副元素（ただし、前記副元素は、Ａｌ、Ｚｎ、Ｂ、及びＳｉから成る群より選択される少なくとも一つの元素である。）を含有する、
請求項１０に記載の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本明細書の開示は、主に、積層セラミックコンデンサ及び当該積層セラミックコンデンサの製造方法に関する。本明細書の開示は、また、積層セラミックコンデンサを備える回路モジュール、及び回路モジュールを備える電子機器に関する。

【背景技術】

【0002】

様々な電子機器において積層セラミックコンデンサが用いられている。積層セラミックコンデンサは、セラミック粉末を含有するセラミックグリーンシートの表面に内部電極パターンが形成された積層ユニットを積層してグリーン積層体を形成し、このグリーン積層体を焼成することで作製される。セラミックグリーンシートに焼結助剤を添加することで、低温での焼成処理によりセラミック粉末の焼結を促進できることが知られている。焼結助剤としては、焼成処理時に液相となるＳｉ（ケイ素）などが知られている。焼結助剤が添加されたセラミックグリーンシートを用いて作製される従来の積層セラミックコンデンサは、特開２００９－０８４１１１号公報に記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００９－０８４１１１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

焼結助剤は、セラミックグリーンシートの主相酸化物（例えば、チタン酸バリウム）と比べて比誘電率が低いので、焼結助剤の添加量が多くなると積層セラミックコンデンサの静電容量が低下するという問題がある。他方、焼結助剤の添加量が少ないと、グリーン積層体を低温で焼結したときにセラミック層が十分に緻密化しないという問題がある。

【0005】

本明細書において開示される発明の目的は、上述した問題の少なくとも一部を解決または緩和することである。本明細書において開示される発明のより具体的な目的の一つは、焼結助剤による静電容量の低下が抑制された積層セラミックコンデンサを提供することである。

【0006】

本発明の前記以外の目的は、明細書全体の記載を通じて明らかにされる。本明細書に開示される発明は、「発明を解決しようとする課題」の欄の記載以外から把握される課題を解決するものであってもよい。本明細書に、実施形態の作用効果が記載されている場合には、その作用効果から当該実施形態に対応する発明の課題を把握することができる。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本明細書において開示される様々な発明は、単に「本発明」と呼ばれることがある。本発明の一態様における積層セラミックコンデンサは、第１内部電極層、第２内部電極層、及び第１内部電極層と第２内部電極層との間に配置されたセラミック層と、を有する本体を備える。セラミック層は、焼結助剤元素を主成分とする焼結助剤が添加されたセラミック材料から形成される。本体には、第１内部電極層と電気的に接続するように第１外部電極が設けられる。また、本体には、第２内部電極層と電気的に接続するように第２外部電極が設けられる。第１内部電極層は、主成分金属元素の焼結体である第１電極部と、第１電極部に囲まれている第１非電極部と、を有する。第２内部電極層は、主成分金属元素の焼結体である第２電極部と、第２電極部に囲まれている第２非電極部と、を有する。第１非電極部及び第２非電極部はそれぞれ、焼結助剤元素を含有する偏析部を有する。積層方向に沿って本体を切断した断面における第１内部電極層の面積と第２内部電極層の面積との合計を表す第１面積に対する、偏析部の面積を表す第２面積の比は、３５％以下である。

【発明の効果】

【0008】

本明細書に開示されている発明の一実施形態によれば、焼結助剤による静電容量の低下が抑制された積層セラミックコンデンサを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサを模式的に示す斜視図である。

【図2】図１のコンデンサをＩ－Ｉ線で切断した断面を模式的に示す断面図である。

【図3】図２の断面の一部（領域Ａ）を拡大して示す拡大断面図である。

【図4】図２の断面の一部（領域Ｂ）を拡大して示す拡大断面図である。

【図5】本発明の一実施形態に従った積層セラミックコンデンサの製造方法の流れを示すフロー図である。

【図6a】積層セラミックコンデンサの作製工程を説明する模式図である。

【図6b】積層セラミックコンデンサの作製工程を説明する模式図である。

【図7】非電極部にセラミック層が侵入している従来の積層セラミックコンデンサの断面を模式的に示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下、適宜図面を参照し、本発明の様々な実施形態を説明する。複数の図面において共通する構成要素には当該複数の図面を通じて同一又は類似の参照符号が付されている。各図面は、説明の便宜上、必ずしも正確な縮尺で記載されているとは限らない点に留意されたい。以下で説明される実施形態は、必ずしも特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。以下の実施形態で説明されている諸要素が発明の解決手段に必須であるとは限らない。

【0011】

各図には、説明の便宜のため、互いに直交するＬ軸、Ｗ軸、及びＴ軸が記載されていることがある。本明細書において、積層セラミックコンデンサ１の各構成部材の寸法、配置、形状、及びこれら以外の特徴は、Ｌ軸、Ｗ軸、及びＴ軸を基準に説明されることがある。

【0012】

１ 積層セラミックコンデンサ１
１－１ 積層セラミックコンデンサ１の基本構造
図１及び図２を参照して、第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１の基本構造について説明する。図１は、第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１の斜視図である。図２は、積層セラミックコンデンサ１をＩ－Ｉ線で切断した断面を模式的に示す断面図である。

【0013】

積層セラミックコンデンサ１は、本体１０と、本体１０に設けられた第１外部電極３１と、第２外部電極３２と、を備える。第１外部電極３１は、第２外部電極３２から離間して配置されている。図２に示されている例では、第１外部電極３１は、Ｌ軸方向において第２外部電極３２から離間して配置されている。

【0014】

本体１０は、複数のセラミック層１１と、複数の第１内部電極層２１と、複数の第２内部電極層２２と、を含む。第１内部電極層２１と、この第１内部電極層２１に隣接する第２内部電極層２２との間には、セラミック層１１が配置されている。本明細書において、第１内部電極層２１と第２内部電極層２２とを互いから区別する必要がない場合には、第１内部電極層２１及び第２内部電極層２２を総称して「内部電極層」と呼ぶことがある。

【0015】

本体１０は、上面１０ａ、下面１０ｂ、第１端面１０ｃ、第２端面１０ｄ、第１側面１０ｅ、及び第２側面１０ｆを有する。本体１０は、上面１０ａ、下面１０ｂ、第１端面１０ｃ、第２端面１０ｄ、第１側面１０ｅ、及び第２側面１０ｆによって、その外表面が画定される。

【0016】

上面１０ａ及び下面１０ｂはそれぞれ本体１０の高さ方向（Ｔ軸方向）両端の面を成す。言い換えると、上面１０ａ及び下面１０ｂは、Ｔ軸方向において相対している。第１端面１０ｃ及び第２端面１０ｄはそれぞれ本体１０の長さ方向（Ｌ軸方向）両端の面を成す。言い換えると、第１端面１０ｃ及び第２端面１０ｄは、Ｌ軸方向において相対している。第１側面１０ｅ及び第２側面１０ｆはそれぞれ本体１０の幅方向（Ｗ軸方向）両端の面を成している。言い換えると、第１側面１０ｅ及び第２側面１０ｆは、Ｗ軸方向において相対している。上面１０ａと下面１０ｂとの間は本体１０の高さ寸法だけ離間しており、第１端面１０ｃと第２端面１０ｄとの間は本体１０の長さ寸法だけ離間しており、第１側面１０ｅと第２側面１０ｆとの間は本体１０の幅寸法だけ離間している。

【0017】

本体１０は、セラミック層１１、第１内部電極層２１、及び第２内部電極層２２を積層方向に沿って積層することで構成される。図示の実施形態では、セラミック層１１、第１内部電極層２１、及び第２内部電極層２２がＴ軸方向に沿って積層されている。積層方向は、図示のようにＴ軸に沿う方向であってもよいし、Ｌ軸又はＷ軸に沿う方向であってもよい。積層方向の両端に配置されているセラミック層１１は、カバー層と呼ばれることがある。

【0018】

図示の実施形態において、本体１０は、セラミック層１１、第１内部電極層２１、及び第２内部電極層２２をＴ軸方向に沿って積層することで構成されている。このため、Ｔ軸方向は、積層方向と呼ばれてもよい。この積層体の上面には、上側カバー層が設けられても良い。この積層体の下面には、下側カバー層が設けられてもよい。上側カバー層及び下側カバー層は、セラミック層１１と同じ材料から構成されてもよい。上側カバー層及び下側カバー層は、本体１０の一部であってもよい。

【0019】

第１内部電極層２１は、その一端が本体１０の外部に向かって引き出される。第１内部電極層２１は、本体１０の表面に設けられた第１外部電極３１と接続される。第２内部電極層２２は、その一端が本体１０の外部に向かって引きだされる。第２内部電極層２２は、本体１０の表面に設けられた、第２外部電極３２と接続される。図示の実施形態においては、第１内部電極層２１は、Ｌ軸方向の一端から本体１０の外部に向かって引き出されている。第１内部電極層２１は、本体１０のＬ軸方向の一端において、第１外部電極３１と接続されている。第２内部電極層２２は、Ｌ軸方向の他端から本体１０の外部に向かって引き出されている。第２内部電極層２２は、本体１０のＬ軸方向の他端において、第２外部電極３２と接続されている。図２に示されている例では、第１内部電極層２１及び第２内部電極層２２は、相対する第１端面１０ｃ及び第２端面１０ｄにそれぞれ引き出されているが、第１内部電極層２１及び第２内部電極層２２は、第１外部電極３１及び第２外部電極３２の配置及び形状に応じて、本体１０の様々な面から引き出され得る。例えば、第１外部電極３１及び第２外部電極３２がいずれも下面１０ｂに配置されている場合には、第１外部電極３１及び第２外部電極３２はいずれも下面から引き出される。第１外部電極３１及び第２外部電極３２は、互いから離間している限り、本体１０のいずれの表面に設けられてもよい。

【0020】

第１外部電極３１と第２外部電極３２との間に電圧が印加されると、第１内部電極層２１と第２内部電極層２２との間に静電容量が生じる。

【0021】

図２においては、図示の簡略化のために、第１内部電極層２１及び第２内部電極層２２がそれぞれ５層ずつ示されているが、積層セラミックコンデンサ１は、任意の積層数を設定することができる。例えば、３００～１０００層の第１内部電極層２１及び第２内部電極層２２を備えることができる。言い換えると、積層セラミックコンデンサ１における積層数は、３００～１０００層とすることができる。

【0022】

積層セラミックコンデンサ１は、電子回路基板（不図示）に実装され得る。積層セラミックコンデンサ１が搭載された電子回路基板は、回路モジュールと呼ばれることがある。回路モジュールには、積層セラミックコンデンサ１以外の様々な電子部品も実装され得る。この回路モジュールは、様々な電子機器に搭載され得る。回路モジュールが搭載され得る電子機器には、スマートフォン、タブレット、ゲームコンソール、自動車の電装品、サーバ及びこれら以外の様々な電子機器が含まれる。

【0023】

一態様において、本体１０は、直方体形状を有するように構成されてもよい。本明細書において「直方体」または「直方体形状」という場合には、数学的に厳密な意味での「直方体」のみを意味するものではない。後述するように、本体１０の角及び／または辺は、湾曲していてもよい。本体１０の寸法及び形状は、本明細書で明示されるものには限定されない。

【0024】

一態様において、積層セラミックコンデンサ１のＬ軸方向における寸法（長さ寸法）は、０．２ｍｍ～２．５ｍｍの範囲にあり、Ｗ軸方向における寸法（幅寸法）は０．１ｍｍ～３．５ｍｍの範囲にあり、Ｔ軸方向における寸法（高さ寸法）は０．１ｍｍ～３．０ｍｍの範囲にある。一態様において、積層セラミックコンデンサ１の長さ寸法は、幅寸法よりも大きくてもよい。一態様において、積層セラミックコンデンサ１の高さ寸法は、幅寸法よりも大きくてもよい。一態様において、積層セラミックコンデンサ１の幅寸法は、長さ寸法よりも大きくてもよい。

【0025】

１－２ 第１内部電極層２１及び第２内部電極層２２
１－２－１ 第１内部電極層２１及び第２内部電極層２２の組成
一態様において、第１内部電極層２１は、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｕ（銅）、Ｓｎ（スズ）等の卑金属を主成分として含む。第１内部電極層２１の全質量を基準にして、第１内部電極層２１に５０ｗｔ％以上含まれている成分を、第１内部電極層２１の主成分とすることができる。第１内部電極層２１は、主成分である卑金属を、６０ｗｔ％以上、７０ｗｔ％以上、８０ｗｔ％、又は９０ｗｔ％以上含有することが望ましい。

【0026】

第１内部電極層２１は、主成分金属元素に加え、副元素を含むことができる。第１内部電極層２１は、セラミック層１１の原料に添加される焼結助剤（後述する。）に含まれる焼結助剤元素と化合物を形成しやすい元素である。第１内部電極層２１に含まれ得る副元素は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｂ（ホウ素）、及びＳｉ（ケイ素）から成る群より選択される一の元素又は二以上の元素である。

【0027】

一態様において、内部電極層は、主成分金属元素１００ａｔ％に対して、０．０１ａｔ％以上５ａｔ％以下の副元素を含有することができる。内部電極層が副元素として２種類以上の元素を含有する場合には、この２種類以上の副元素の合計の濃度が０．０１ａｔ％以上５ａｔ％とされる。

【0028】

第１内部電極層２１の成分に関する説明は、第２内部電極層２２の成分にも当てはまる。

【0029】

一態様において、第１内部電極層２１の膜厚（Ｔ軸方向における寸法）は、０．１μｍ以上２μｍ以下とされる。一態様において、第１内部電極層２１の膜厚は、０．４μｍ以下であることが望ましい。第１内部電極層２１の膜厚に関する説明は、第２内部電極層２２にも当てはまる。

【0030】

１－２－２ 電極部及び非電極部
図３を参照して、内部電極層についてさらに説明する。図３は、図２に示されている本体１０の断面の領域Ａを拡大して示す拡大断面図である。領域Ａは、Ｌ軸方向の寸法Ｌ０が５０μｍ程度の領域である。図３に示されているように、第１内部電極層２１は、主成分金属元素を含む第１電極部２１ａと、第１電極部２１ａ間に囲まれている第１非電極部２１ｂと、を含む。第１内部電極層２１は、複数の第１非電極部２１ｂを含むことができる。第１電極部２１ａは、主成分金属元素の焼結体を含む。したがって、第１電極部２１ａは、高い導電性を有する。図３に示されているように、第１内部電極層２１の第１電極部２１ａは、積層方向（図３では、Ｔ軸方向）に沿って切断された断面においては、第１非電極部２１ｂによって分離された複数の部位に分離して配置されているように観察される。

【0031】

第１非電極部２１ｂは、Ｌ軸方向において隣接する第１電極部２１ａ間に介在しており、第１電極部２１ａと比べて高い絶縁性を有する。従来の積層セラミックコンデンサも、内部電極層内に絶縁性の高い高絶縁領域を含む。従来の積層セラミックコンデンサの内部電極において絶縁性が高い領域の大部分は、セラミック層の一部および／又は空隙（ボイド）によって占められている。これに対して、本発明における第１非電極部２１ｂは、後述するように、積層セラミックコンデンサ１の製造過程において、第１電極部２１ａ間に流れ込んだ液相の焼結助剤が固化することで形成された二次相を含む。よって、第１非電極部２１ｂは、焼結助剤に含有される焼結助剤元素が含有される。第１非電極部２１ｂの一部は、副元素の酸化物、セラミック層１１の一部、及び／又は空隙（ボイド）によって占められていてもよい。

【0032】

詳しくは後述するように、第１内部電極層２１は、主成分金属元素を含む内部電極パターンを焼成することで形成される。この焼成処理において主成分金属元素の焼結が進むと、主成分金属元素の焼結体の形状は、球形状に近づく。焼成処理において、主成分金属元素の焼結体が球形状化することにより、隣接する主成分金属元素の焼結体の間に空隙が生じる。従来の積層セラミックコンデンサにおいては、主成分金属元素の焼結体の間に空隙が生じた後にセラミック層の焼結が進行することで、焼結したセラミック層の一部が主成分金属元素の焼結体の間の空隙（ボイド）に入り込む。このため、従来の積層セラミックコンデンサにおいては、内部電極層内の主成分金属元素の焼結体の間に高絶縁領域を含み、この高絶縁領域の大部分は、セラミック層の一部および／又は空隙（ボイド）によって占められる。これに対して、本明細書で説明される積層セラミックコンデンサ１においては、製造時の焼成過程において、主成分金属元素の焼結体の間に形成される空隙（ボイド）に、焼結したセラミック層が侵入する前に、軟化した液相の焼結助剤が、主成分金属元素の焼結体の間の空隙に侵入することができる。

【0033】

一態様において、積層セラミックコンデンサ１における内部電極層の連続率は、７５％以上であることが望ましい。連続率は、８０％以上であることが望ましく、９０％以上であることがさらに望ましい。第１内部電極層２１の連続率は、以下のようにして算出することができる。まず、積層セラミックコンデンサ１をＬＴ面が観察面となるように研磨する。次に、この観察面に含まれる領域ＡをＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で観察し、このＳＥＭ像においてコントラスト差により明るく見える領域を第１電極部２１ａとして特定する。そして、この第１電極部２１ａの長さ（図示の例では、Ｌ軸方向に沿う長さ）を測長し、側長された長さＬ１，Ｌ２，・・・，Ｌｎを合計する。この領域Ａにおける第１電極部２１ａの長さの合計を、測長領域の長さＬ０で除した値（すなわち、（Ｌ１＋Ｌ２＋・・Ｌｎ）／Ｌ０）を、一つの第１内部電極層２１の連続率と定義することができる。本体１０には、の第１内部電極層２１が含まれており、連続率は、この複数の第１内部電極層２１のうちどの層に着目するかで変わり得る。そこで、異なる１０本の第１内部電極層２１を選択し、この選択された第１内部電極層２１の各々について算出した連続率の平均を、積層セラミックコンデンサ１における第１内部電極層２１の連続率と定義することができる。

【0034】

第１内部電極層２１と同様に、第２内部電極層２２も、主成分金属元素を含む電極部と、電極部に囲まれている非電極部と、を備えることができる。具体的には、図３に示されているように、第２内部電極層２２は、主成分金属元素を含む第２電極部２２ａと、第２電極部２２ａに囲まれている第２非電極部２２ｂと、を含む。第２内部電極層２２は、複数の第２非電極部２２ｂを含むことができる。第１非電極部２１ｂは、積層セラミックコンデンサ１の製造過程において、第１電極部２１ａ間に流れ込んだ液相の焼結助剤が固化することで形成された二次相を含んでもよい。第２内部電極層２２の連続率は、第１内部電極層２１の連続率と同様に定義される。また、第１内部電極層２１の連続率と第２内部電極層２２の連続率との平均を、積層セラミックコンデンサ１における内部電極層の連続率とすることができる。

【0035】

積層セラミックコンデンサ１においては、第１内部電極層２１の第１電極部２１ａと第２内部電極層２２の第２電極部２２ａとが積層方向、すなわち図示の実施形態においてはＴ軸方向において相対している領域において容量が発生する。逆に、第１非電極部２１ｂ及び第２非電極部２２ｂは、容量を発生させない。よって、積層セラミックコンデンサ１を高容量とするために、内部電極層の連続率は、高い方が望ましい。一態様において、内部電極層の連続率は、７５％以上である。内部電極層の連続率は、８０％以上であることが望ましく、９０％以上であることがさらに望ましい。内部電極層の連続率を高くすることにより、積層セラミックコンデンサ１の静電容量を向上させることができる。

【0036】

第１非電極部２１ｂは、内部電極層の断面の長さ方向、すなわち図示の実施形態においてはＬ軸方向において、積層セラミックコンデンサ１において容量を発生させる第１電極部２１ａの間に介在している。同様に、第２非電極部２２ｂは、内部電極層の断面の長さ方向、すなわち図示の実施形態においてはＬ軸方向において、積層セラミックコンデンサ１において容量を発生させる第２電極部２２ａの間に介在している。このような第１電極部２１ａに対する第１非電極部２１ｂの配置及び第２電極部２２ａに対する第２非電極部２２ｂの配置に着目して、本願明細書では、第１非電極部２１ｂ及び／又は第２非電極部２２ｂを「内部電極間」又は「内部電極間領域」と呼ぶことがある。

【0037】

１－３ セラミック層１１
１－３－１ セラミック層１１の組成
セラミック層１１は、化学式ＡＢＯ₃で表されるセラミック材料の結晶を主成分として含む。つまり、セラミック層１１は、化学式ＡＢＯ₃で表される酸化物の結晶を主相として含む。この酸化物は、ペロブスカイト構造を有していてもよい。セラミック層１１の全質量を基準にして、セラミック層１１に５０ｗｔ％以上含まれている成分を、セラミック層１１の主成分とすることができる。化学式ＡＢＯ₃で表される酸化物がセラミック層１１に５０ｗｔ％以上含まれている場合に、セラミック層１１は、化学式ＡＢＯ₃で表される酸化物を主成分として含むということができる。セラミック層１１は、化学式ＡＢＯ₃で表される酸化物を６０ｗｔ％以上、７０ｗｔ％以上、８０ｗｔ％、又は９０ｗｔ％以上含有することが望ましい。

【0038】

化学式ＡＢＯ₃において、「Ａ」は、Ｂａ（バリウム）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｃａ（カルシウム）、及びＭｇ（マグネシウム）からなる群から選択される少なくとも１つの元素である。化学式ＡＢＯ₃において、「Ｂ」は、Ｔｉ（チタン）、Ｚｒ（ジルコニウム）、及びＨｆ（ハフニウム）からなる群から選択される少なくとも１つの元素である。化学式ＡＢＯ₃で表される酸化物がペロブスカイト構造を有する場合には、元素「Ａ」及び「Ｂ」はそれぞれ、ペロブスカイト構造のＡサイト及びＢサイトに位置する。セラミック層１１に主成分として含まれる酸化物の例には、ＢａＴｉＯ₃（チタン酸バリウム）、ＣａＺｒＯ₃（ジルコン酸カルシウム）、ＣａＴｉＯ₃（チタン酸カルシウム）、ＳｒＴｉＯ₃（チタン酸ストロンチウム）、及びＭｇＴｉＯ₃（チタン酸マグネシウム）が含まれる。

【0039】

セラミック層１１に主成分として含まれる酸化物は、化学式Ｂａ_1-x-yＣａ_xＳｒ_yＴｉ_1-zＺｒ_zＯ₃(０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１)で表される酸化物であってもよい。この種の酸化物の例には、チタン酸バリウムストロンチウム、チタン酸バリウムカルシウム、ジルコン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸カルシウム、及びチタン酸ジルコン酸バリウムカルシウムが含まれる。

【0040】

セラミック層１１は、主成分の酸化物以外に、添加物元素を含むことができる。一態様において、セラミック層１１に含まれる添加物元素は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｎｂ（ニオブ）、Ｔａ（タンタル）、Ｗ、Ｍｇ、Ｍｎ（マンガン）、Ｖ（バナジウム）、及びＣｒから成る群より選択される少なくとも一つの元素である。セラミック層１１は、上記の添加物元素を、２種類以上含有してもよい。

【0041】

セラミック層１１は、主成分の酸化物以外に希土類元素の酸化物を含んでもよい。セラミック層１１に含まれる希土類元素の酸化物は、Ｙ（イットリウム）、Ｓｍ（サマリウム）、Ｅｕ（ユーロピウム）、Ｇｄ（ガドリニウム）、Ｔｂ（テルビウム）、Ｄｙ（ジスプロシウム）、Ｈｏ（ホルミウム）、Ｅｒ（エルビウム)、Ｔｍ（ツリウム）、およびＹｂ（イッテルビウム）から成る群より選択される少なくとも一つの希土類元素の酸化物であってもよい。セラミック層１１は、希土類元素の酸化物を、２種類以上含有してもよい。

【0042】

セラミック層１１には、さらに別の種類の酸化物が含まれてもよい。セラミック層１１は、例えば、Ｃｏ、Ｎｉ（ニッケル）、Ｎａ（ナトリウム）、及びＫ（カリウム）から成る群より選択される少なくとも一つの元素の酸化物を含んでもよい。セラミック層１１は、これらの元素の酸化物を、２種類以上含有してもよい。

【0043】

一態様において、セラミック層１１の膜厚（Ｔ軸方向における寸法）は、０．２～１０μｍとされる。

【0044】

１－３－２ 結晶粒
セラミック層１１は、セラミック材料の結晶粒（セラミックグレイン）を複数含んでいる。つまり、セラミック層１１は、複数の結晶粒４０を含有する多結晶体である。複数の結晶粒のうち少なくとも一部は、コアシェル構造を有する。図４をさらに参照して、セラミック層１１に含まれる結晶粒について説明する。図４は、図２に示されている本体１０の断面の領域Ａを拡大して示す拡大断面図であり、図４は、一つの結晶粒の断面を模式的に示す。領域Ａは、第１内部電極層２１からセラミック層１１を通り第２内部電極層２２まで延在している。

【0045】

図３に示されているように、セラミック層１１には、複数の結晶粒４０が含まれる。

【0046】

図示の実施形態において、結晶粒４０は、コア部４１と、シェル部４２と、を有する。セラミック層１１に添加されている元素（例えば、希土類元素）は、コア部４１より、シェル部４２に多く固溶する。コア部４１とシェル部４２とは、例えば、ＳＴＥＭ－ＥＤＳにより得られたマッピング像におけるコントラスト差により識別される。上記のとおり、セラミック層１１に含有される添加元素は、コア部４１と比べてシェル部４２に多く固溶するため、観察視野のうち、これらの添加元素が多く検出された領域をシェル部４２と特定することができる。

【0047】

隣接する結晶粒４０同士は、粒界４５により隔てられている。原子が規則正しく並んでいる複数の結晶粒４０と、この複数の結晶粒４０のうち隣接するもの同士の間に介在する粒界４５と、を有する。第１内部電極層２１と、当該第１内部電極層２１に隣接する第２内部電極層２２との間に介在する結晶粒４０の数は、図示されているように、３以下であってもよい。第１内部電極層２１と第２内部電極層２２との間に介在する結晶粒４０の数を少なくすることで、高い静電容量を得ることができる。複数の結晶粒４０のうち第１内部電極層２１に隣接しているものと第１内部電極層２１との間には、第１界面層４７が設けられている。また、複数の結晶粒４０のうち第２内部電極層２２に隣接しているものと第２内部電極層２２との間には、第２界面層４８が設けられている。

【0048】

積層セラミックコンデンサ１の製造時には、セラミック層１１の前駆体であるセラミックグリーンシートに焼結助剤が添加され、このセラミックグリーンシートと、当該セラミックグリーンシートの表面に形成されたＮｉ等の主成分金属元素を含む内部電極パターンと、を有する積層ユニットを所定枚数だけ積層してグリーン積層体を形成し、このグリーン積層体を焼成することで積層セラミックコンデンサ１が作製される。グリーン積層体を焼成することにより、セラミックグリーンシートがセラミック層１１となり、内部電極パターンが第１内部電極層２１及び第２内部電極層２２となる。焼成時には、焼結助剤が液相となり、この液相にセラミックグリーンシートに含まれる原料粉の元素が溶出し、この溶出した元素が結晶上に析出することで、結晶粒４０の成長が促進される。また、液相中で結晶粒４０の再配列が促進されることにより、セラミック層１１が緻密化する。焼結助剤としては、低融点ガラスを用いることができる。焼結助剤として用いられる低融点ガラスは、例えば、ＳｉＯ₂、Ｂ₂Ｏ₃及びこれらの混合物を含有することができる。焼結助剤としては、様々な低融点ガラスを用いることができる。焼結助剤として用いることができる低融点ガラスの例として、ホウシリケートガラス及びリン酸ガラスが挙げられる。Ｂ₂Ｏ₃もしくはＰ₂Ｏ₅の粉末またはこれらの混合物粉末を焼結助剤として用いても良い。本明細書においては、焼結助剤に含まれる酸素以外の元素を「焼結助剤元素」と呼ぶことがある。例えば、焼結助剤としてＳｉＯ₂を含有する低融点ガラスが用いられる場合には、Ｓｉが焼結助剤元素となる。Ｓｉ、Ｂ、及びＰが焼結助剤元素の例として挙げられる。

【0049】

セラミックグリーンシートに十分な量の焼結助剤を添加することにより、低温（例えば、１１００℃以下）で焼成した時でも、セラミックグリーンシートに含まれている原料粉の焼結が促進され、また、結晶粒４０の緻密化が促進される。

【0050】

粒界４５、第１界面層４７、及び第２界面層４８には、焼成時に液相になった焼結助剤が固化することで形成された二次相、及び、セラミック層１１を構成する主相酸化物（主成分酸化物）に含まれる元素の酸化物が含まれる。例えば、セラミック層１１の主成分酸化物がチタン酸バリウムである場合には、粒界４５、第１界面層４７、及び第２界面層４８には、二次相、チタンの酸化物（ＴｉＯ₂）、及びバリウムの酸化物（ＢａＯ）が含有される。

【0051】

１－４ 偏析部
第１非電極部２１ｂ及び第２非電極部２２ｂには、偏析部が析出しても良い。図３に示されている例では、第１非電極部２１ｂに、偏析部５１ａ、５１ｂ、５１ｃ、５１ｄ、５１ｅ、５１ｆ、５１ｇが析出しており、第２非電極部２２ｂには、偏析部５２ａ、５２ｂ、５２ｃ、５２ｄが析出している。偏析部５１ａ、５１ｂ、５１ｃ、５１ｄ、５１ｅ、５１ｆ、５１ｇ及び偏析部５２ａ、５２ｂ、５２ｃ、５２ｄはいずれも、積層セラミックコンデンサ１の製造過程において、第１非電極部２１ｂ又は第２非電極部２２ｂに流れ込んだ液相の焼結助剤が固化することで形成される。本明細書においては、偏析部５１ａ、５１ｂ、５１ｃ、５１ｄ、５１ｅ、５１ｆ、５１ｇ及び偏析部５２ａ、５２ｂ、５２ｃ、５２ｄを互いから区別する必要がない場合には、これらをまとめて「偏析部」と呼ぶ。

【0052】

上述のとおり、第１内部電極層２１及び第２内部電極層２２（及びこれらの前駆体である内部電極パターン）は、セラミック層１１の原料に添加される焼結助剤の主成分と化合物を形成しやすい副元素（例えば、Ａｌ）を含有しているため、液相の焼結助剤は、セラミック層１１の前駆体であるセラミックグリーンシートから第１非電極部２１ｂに流れ込みやすい。このため、積層セラミックコンデンサ１においては、第１非電極部２１ｂ及び第２非電極部２２ｂに、従来の積層セラミックコンデンサでは見られなかった焼結助剤元素を含有する偏析部が析出する。

【0053】

上記のとおり、偏析部は、液相の焼結助剤が固化することで形成されるため、焼結助剤元素を含有している。一態様において、偏析部における焼結助剤元素の濃度は、２０ａｔ％以上である。本明細書においては、別段の説明がない限り又は文脈上別に解釈すべき場合を除き、焼結助剤元素の濃度は、観察領域において、セラミック層１１の主相のＢサイトに入る元素（例えば、Ｔｉ元素）を１００ａｔ％としたときの焼結助剤元素の原子数比率（ａｔ％）を意味する。よって、偏析部の濃度は、偏析部を含む観察領域において、偏析部に存在するＢサイト元素及び焼結助剤元素を定量し、この定量されたＢサイト元素１００ａｔ％に対する焼結助剤元素の原子数比率で表される。例えば、セラミック層１１の主成分酸化物としてチタン酸バリウムが用いられ、焼結助剤としてＳｉＯ₂を含有する低融点ガラスが用いられる場合には、偏析部に含有されるＴｉ元素１００ａｔ％に対するＳｉ元素の原子数比率が、偏析部における焼結助剤元素の濃度とされる。偏析部内の１０箇所において定量された濃度の平均値を、本体１０に含まれる偏析部の濃度としてもよい。

【0054】

偏析部は、第１内部電極層２１及び第２内部電極層２２に含有される副元素を含有してもよい。上記のとおり、第１内部電極層２１及び第２内部電極層２２には、焼結助剤の主成分と化合物を形成しやすい元素が副元素として含有されているため、第１非電極部２１ｂ及び第２非電極部２２ｂに流れ込んだ液相において、第１内部電極層２１及び第２内部電極層２２から副元素が溶出し、この液相に溶出した副元素と焼結助剤元素とが化合物を形成しやすい。このような化合物は、例えば、３Ａｌ₂Ｏ₃・２ＳｉＯ₂やＺｎ₂ＳｉＯ₄である。

【0055】

一態様において、偏析部における副元素の濃度は、５ａｔ％以上である。偏析部において、副元素は、焼結助剤元素との化合物の形態で存在していてもよい。偏析部は、副元素の酸化物を含有してもよい。偏析部における副元素の濃度は、セラミック層１１の主相のＢサイトに入る元素（例えば、Ｔｉ元素）を１００ａｔ％としたときの副元素の原子数比率（ａｔ％）を意味する。

【0056】

図３の例では、第１内部電極層２１の全ての第１非電極部２１ｂ及び第２内部電極層２２の全ての第２非電極部２２ｂに偏析部が析出しているが、第１非電極部２１ｂのうちの一部及び／又は第２非電極部２２ｂのうちの一部には偏析部が析出しなくてもよい。析出部は、ある第１非電極部２１ｂ又は第２非電極部２２ｂの全体を閉塞するよう析出してもよいし、その一部のみを占めるように析出してもよい。

【0057】

偏析部の析出量が多いと、第１内部電極層２１及び第２内部電極層２２のうち容量の発生に寄与する部位（つまり、第１電極部２１ａ及び第２電極部２２ａ）の面積が減少するため、積層セラミックコンデンサ１の静電容量が劣化してしまう。そこで、積層セラミックコンデンサ１の静電容量を確保するために、偏析部の析出量には、上限が定められることが望ましい。偏析部の析出量は、積層セラミックコンデンサ１をＬＴ面が観察面となるように研磨して、この観察面における第１内部電極層２１、第２内部電極層２２、及び偏析部の面積をそれぞれ測定し、第１内部電極層２１の面積と第２内部電極層２２の面積との合計の面積を表す第１面積に対する、偏析部の合計の面積を表す第２面積の比で表すことができる。つまり、第１面積に対する第２面積の比（第２面積／第１面積）が大きいほど、偏析部の析出量が多いとみなすことができる。一態様において、第１面積に対する第２面積の比は、３５％以下とされる。

【0058】

他方、セラミック層１１の前駆体であるセラミックグリーンシートに焼結助剤を添加したにもかかわらず偏析部の第２面積が小さい場合には、セラミック層１１内に焼結助剤が残留していることを意味する。焼結助剤元素やその化合物は、セラミックグリーンシートの主相酸化物（例えば、チタン酸バリウム）と比べて比誘電率が小さいため、偏析部の第２面積が小さくなると、セラミック層１１内に残留する焼結助剤の量が多くなるため、積層セラミックコンデンサの静電容量が低下してしまう。そこで、偏析部の析出量には、下限が定められることが望ましい。この観点から、一態様において、第１面積に対する第２面積の比は、５％以上とされる。

【0059】

１－５ 第１外部電極３１及び第２外部電極３２
一態様において、第１外部電極３１及び第２外部電極３２は、本体１０に導電性ペーストを塗布し、この導電性ペーストを加熱することで形成される。導電性ペーストは、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｗ、Ｔｉ、及びこれらの合金から成る群のうち少なくとも１つの物質を含むことができる。

【0060】

２ 積層セラミックコンデンサ１の製造方法
続いて、図５、図６ａ、及び図６ｂを参照して、積層セラミックコンデンサ１の製造方法の一例について説明する。図５は、本発明の一実施形態に従った積層セラミックコンデンサの製造方法の流れを示すフロー図である。

【0061】

図５に示されている製造方法を簡潔に説明すると、ステップＳ１において、本体１０の前駆体であるグリーン積層体が形成される。このグリーン積層体は、セラミック層１１の前駆体であるセラミックグリーンシート、及び、第１内部電極層２１及び第２内部電極層２２の各々の前駆体である内部導体パターンを含む。内部導体パターンは、Ｎｉ等の主成分金属元素を含有する。グリーン積層体は、第１内部電極層２１の前駆体である内部導体パターンが表面に設けられたセラミックグリーンシートと、第２内部電極層２２の前駆体である内部導体パターンが表面に設けられたセラミックグリーンシートと、を交互に積層することで形成されてもよい。セラミックグリーンシートには、焼結助剤が含まれる。内部導体パターンには、主成分金属元素の他にＡｌ、Ｚｎ、Ｂ、及びＳｉ等の副元素が含まれる。内部導体パターンには上記以外の元素、例えばＡｕやＦｅ等の第３の元素が含まれていても良い。次に、ステップＳ２において、ステップＳ１で形成されたグリーン積層体を焼成炉に投入し、焼成炉の温度を焼結助剤の軟化点よりも高く、また、内部電極パターン内の主成分金属元素の焼結が進行するキープ温度まで昇温し、このキープ温度でグリーン積層体を第１保持時間だけ加熱する。次に、ステップＳ３において、焼成炉内の温度を焼成トップ温度まで昇温することで、セラミックグリーンシート内のセラミック材料を焼結させる。最後に、ステップＳ４において焼成炉内を冷却することで積層セラミックコンデンサ１が得られる。

【0062】

以下では、図５に示されている各工程についてより詳細に説明する。まず、ステップＳ１では、セラミック粉末に、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）樹脂等のバインダーと、エタノール、トルエン等の有機溶剤と、可塑剤と、焼結助剤と、を加えて湿式混合し、スラリーを得る。焼結助剤としては、例えば、ＳｉＯ₂、Ｂ₂Ｏ₃及びこれらの混合物を含有する低融点ガラスを用いることができる。低融点ガラスの例として、ホウシリケートガラス及びリン酸ガラスが挙げられる。Ｂ₂Ｏ₃粉末やＰ₂Ｏ₅粉末を焼結助剤として用いても良い。そして、このスラリーを、例えばダイコータ法やドクターブレード法により基材フィルム上に塗工し、基材フィルム上に塗工されたスラリーを乾燥させることで、セラミックグリーンシートを得る。セラミックグリーンシートは、セラミック層１１の前駆体である。

【0063】

セラミックグリーンシートの原料粉であるセラミック粉末は、例えば、チタン酸バリウム粉末である。チタン酸バリウム粉末は、二酸化チタンなどのチタン原料と炭酸バリウムなどのバリウム原料とを、固相法、ゾル－ゲル法、水熱法等の公知の方法で反応させることで合成される。

【0064】

次に、上記のようにして形成された複数のセラミックグリーンシート上に、内部電極パターンをそれぞれ形成する。内部電極パターンは、例えば、セラミックグリーンシート上に内部電極用ペーストをスクリーン印刷等の公知の印刷方法により印刷することで形成される。内部電極パターンをスクリーン印刷により形成する場合には、内部電極用ペーストは、金属粉末、バインダー樹脂、及び溶剤をスリーロールミルによって混練することで製造される。つまり、内部電極用ペーストは、バインダー樹脂中に金属粉末を分散させたものである。内部電極用ペーストに含まれる金属粉末は、第１内部電極層２１及び第２内部電極層２２の主成分となるＮｉ、Ｃｕ、Ｓｎ等の主成分金属元素の粉末と、副元素を含有する粉末とを混合した混合粉末であってもよい。この混合粉末には、Ａｕ、Ｆｅなど第３の元素の粉末を添加することもできる。混合粉末は、主成分金属元素１００ａｔ％に対する副元素の含有比率が０．０１～５ａｔ％の範囲となるように、主成分金属粉末に副元素粉末を混合することで生成される。内部電極用ペースト用の有機バインダーとしては、エチルセルロース等のセルロース系樹脂やブチルメタクリレート等のアクリル系樹脂を用いることができる。一部のセラミックグリーンシート上に形成された内部電極パターンは、第１内部電極層２１の前駆体であり、別のセラミックグリーンシート上に形成された内部電極パターンは、第２内部電極層２２の前駆体である。

【0065】

内部電極パターンは、スパッタリング法によりセラミックグリーンシート上に形成されてもよい。内部電極パターンの形成方法は、本明細書で具体的に説明される方法には限られない。内部電極パターンは、公知の様々な手法、例えば、真空蒸着法、ＰＬＤ（パルスレーザー蒸着法）、ＭＯ－ＣＶＤ（有機金属化学気相成長法）、ＭＯＤ（有機金属分解法、又はＣＳＤ（化学溶液堆積法）により形成されてもよい。

【0066】

以上のようにして、セラミックグリーンシートと、当該セラミックグリーンシートの表面に形成された内部電極パターンと、を有する積層ユニットを得る。この積層ユニットを所定枚数だけ積層して熱圧着することでグリーン積層体を得る。グリーン積層体の最上層及び最下層には、内部電極パターンが形成されていないグリーンシートを積層してもよい。

【0067】

次に、このグリーン積層体を個片化することで、本体１０の前駆体となるチップ状のグリーン積層体が得られる。このチップ状のグリーン積層体に対して、脱脂処理を行ってもよい。脱脂処理は、Ｎ２雰囲気において行われてもよい。また、脱脂処理がなされたグリーン積層体に対して、第１外部電極３１及び第２外部電極３２の下地電極層となる金属ペーストをディップ法で塗布してもよい。

【0068】

図６ａに、チップ状のグリーン積層体を積層方向に沿って切断した断面を拡大して模式的に示す。図６ａに示されているように、グリーン積層体１１０においては、セラミックグリーンシート１１１の積層方向における一方の面に第１内部電極層２１の前駆体である内部電極パターン１２１が設けられており、当該セラミックグリーンシート１１１の積層方向における他方の面に第２内部電極層２２の前駆体である内部電極パターン１２２が設けられている。セラミックグリーンシート１１１は、セラミック粉末６１と、焼結助剤粉末６２と、を含んでいる。セラミック粉末６１は、例えば、チタン酸バリウム粉末である。焼結助剤粉末６２は、例えば、ＳｉＯ₂を含む低融点ガラス粉末である。内部電極パターン１２１、１２２は、主成分金属元素粉末７１と、副元素粉末７２と、を含んでいる。主成分金属元素粉末７１は、例えば、Ｎｉ粉末である。副元素粉末７２は、例えば、Ａｌ粉末である。

【0069】

次に、ステップＳ１で作製されたチップ状のグリーン積層体１１０を焼成炉に投入し、この焼成炉内で所定の温度プロファイルに従ってグリーン積層体１１０を焼成する。この焼成処理により、グリーン積層体１１０中のセラミックグリーンシート１１１が焼成されてセラミック層１１となり、内部電極パターン１２１が焼成されて第１内部電極層２１となり、内部電極パターン１２２が焼成されて第２内部電極層２２となる。

【0070】

焼成処理においては、まず、焼成炉内の温度を、室温から中間温度まで２００～３００℃／ｈで昇温する。中間温度は、主成分金属元素の焼結温度よりもやや低い温度に設定される。主成分金属元素がＮｉの場合は、中間温度は、約５００～７００℃に設定される。中間温度の一例は、６００℃である。

【0071】

次に、ステップＳ２において、焼成炉の温度を中間温度からキープ温度まで昇温する。焼成炉内の温度は、第１保持時間だけキープ温度に保持される。つまり、ステップＳ２においては、キープ温度で第１保持時間だけグリーン積層体が加熱される（第１加熱工程）。キープ温度は、焼結助剤の軟化点よりも高く、また、内部電極パターン内の主成分金属元素の焼結が進行する温度である。キープ温度は、焼結助剤の種類や主成分金属元素の種類によって変わり得る。焼結助剤として、ＳｉＯ₂を主成分とする低融点ガラスを用い、主成分金属元素としてＮｉを用いる場合には、キープ温度を１０００℃とすることができる。グリーン積層体をキープ温度に維持することにより、焼結助剤が軟化して液相になるなるとともに、内部電極パターンにおいて主成分金属元素の焼結が始まる。このステップＳ２において、主成分金属元素の一部は、焼結の進行によって球形状化し、内部電極パターンの一部が不連続となる。この内部電極パターンが不連続となっている部位が、完成品の積層セラミックコンデンサ１においては、第１非電極部２１ｂ及び第２非電極部２２ｂとなる。ステップＳ２において、液相の焼結助剤は、内部電極パターンの不連続部に流れこむ。第１保持時間は、液相となった焼結助剤が内部電極パターンの不連続部に流れ込むために十分な時間とされ、例えば、１０分～６０分の間の時間とされる。第１保持時間は、例えば、３０分である。

【0072】

ステップＳ２の第１加熱工程においては、内部電極パターンに含まれている副元素が熱拡散により内部電極パターンの表面まで移動し、内部電極パターンの不連続部に流入している液相の焼結助剤に溶出する。液相の焼結助剤内では、焼結助剤の主成分と焼結助剤に溶出した副元素とが化合物を形成する。

【0073】

ステップＳ２で第１保持時間だけ加熱を行った後、ステップＳ３において、焼成炉内の温度を焼成トップ温度まで昇温する。焼成路内の温度は、第２保持時間だけ焼成トップ温度に保持される。つまり、ステップＳ３においては、焼成トップ温度で第２保持時間だけグリーン積層体が加熱される（第２加熱工程）。焼成トップ温度は、例えば、１１００～１２００℃である。焼成トップ温度に保持される第２保持時間は、内部電極層において主成分金属元素の過剰な焼結を防ぐために、１０分以内とする。焼成トップ温度への到達後にただちに冷却を始めてもよい。

【0074】

上記の第２加熱工程において、グリーン積層体１１０を焼成トップ温度まで加熱することにより、グリーン積層体１１０が焼成されて本体１０となる。図６ｂは、グリーン積層体１１０を焼成トップ温度まで加熱し、この焼成トップ温度で第２保持時間だけ保持することで得られた本体１０の積層方向に沿った断面を拡大して模式的に示す。図６ｂは、焼成トップ温度へ昇温された後に冷却される前の本体１０を示している。

【0075】

図６ｂに示されている本体１０では、ステップＳ２での焼成処理により、グリーン積層体１１０中のセラミック粉末６１が焼結されて、コア部４１及びシェル部４２を有する結晶粒４０が形成されている。セラミック粉末６１に希土類元素等の添加元素が含まれている場合には、焼成処理において、添加元素がシェル部４２に拡散する。このため、セラミック粉末６１中の添加元素は、コア部４１よりもシェル部４２に高い濃度で含有される。セラミック層１１においては、結晶粒４０が緻密に配置されている。隣接する結晶粒４０同士は、粒界４５により隔てられている。焼成処理の間、セラミックグリーンシート１１１中の焼結助剤粉末６２は、液相の液相成分８０として存在している。

【0076】

第２加熱工程において焼結助剤粉末が溶融することで形成された液相成分８０は、セラミック粉末６１の表面に濡れ広がることで、セラミック粉末６１の焼結を促進する。この液相成分８０は、本体１０では、セラミック粉末６１が焼結することで形成された結晶粒の表面に濡れ広がるため、図６ｂに示されているように、本体１０の粒界４５は、液相成分８０により充填されている。液相成分８０には、セラミック粉末６１に含有されている元素（セラミック粉末がチタン酸バリウム粉末の場合には、ＢａやＴｉ）が溶出している。焼成工程においては、液相成分８０に溶出した元素が結晶表面に析出することで結晶粒４０の成長が進行する。また、液相成分８０内で結晶粒４０の再配置が進行することにより、結晶粒４０の緻密化が進行する。

【0077】

液相成分８０は、粒界４５から第１界面層４７を介して、内部電極間（図示の例では、第１内部電極層２１の第１非電極部２１ｂ内）まで濡れ広がる。第１非電極部２１ｂは、その全部が液相成分８０によって充填されてもよいし、その一部のみが液相成分８０によって充填されていてもよい。第２内部電極層２２に第２非電極部２２ｂが形成されている場合には、液相成分８０は、第２界面層４８を介して第２非電極部２２ｂまで濡れ広がってもよい。第１内部電極層２１及び第２内部電極層２２には、液相成分に含まれる焼結助剤元素と化合物を形成しやすい副元素が含まれているため、液相成分８０は、粒界４５、第１界面層４７及び第２界面層４８に滞留せず、第１非電極部２１ｂ及び第２非電極部２２ｂに向かって移動する。

【0078】

ステップＳ３での第２加熱工程では、内部電極パターン１２１、１２２中の主成分金属元素の焼結もさらに進行する。主成分金属元素の一部は、焼結の進行によって球形状化し、第１内部電極層２１及び第２内部電極層２２は、その一部が不連続となる。図６ｂには、第１内部電極層２１の一部の主成分金属元素の球形状化が進行して形成された第１非電極部２１ｂが示されている。主成分金属元素の焼結が進行すると、主成分金属元素の焼結体は、第１非電極部２１ｂに向かって凸に湾曲するように成長する。このとき、第１非電極部２１ｂに充填される液相成分８０は、流動性が高いため、主成分金属元素の焼結体の成長に従って本体１０内で流動する。このように、第２加熱工程において、第１非電極部２１ｂが液相成分８０で充填されているため、第１内部電極層２１の主成分金属元素は、第１非電極部２１ｂに向かって凸の湾曲面を有するように成長することができる。

【0079】

図７に従来の積層セラミックコンデンサ３０１の拡大断面図を示す。従来の積層セラミックコンデンサ３０１は、第１内部電極層３２１と、第２内部電極層３２２と、この間に配置されたセラミック層３１１と、を有する。図７においては、図示の簡略化のために、セラミック層３１１に含まれる結晶粒の図示を省略している。第１内部電極層３２１は、電極部３２１ａと、非電極部３２１ｂと、を有する。従来の積層セラミックコンデンサ３０１においては、その製造過程において、液相成分が非電極部３２１ｂに流れ込まないので、主成分金属元素の焼結が進行すると、非電極部３２１ｂは、当初空隙として存在する。そして、焼成温度がさらに高温となってセラミック粒子の焼結が進行すると、セラミック粒子の焼結体が、空隙である非電極部３２１ｂ内においても成長する。このため、図７に示されているように、非電極部３２１ｂは、セラミック層３１１と同様に流動性の低いセラミック粒子の焼結体で充填されるため、主成分金属元素の焼結体は、非電極部３２１ｂに向かって凸な形状を取ることができなくなる。このため、図７に示されているように、電極部３２１ａと非電極部３２１ｂとの界面は平坦な形状を取ることになる。このため、第１内部電極層３２１と第２内部電極層３２２との間に電圧を印加した際に、電極部３２１ａと非電極部３２１ｂとの界面と電極部３２１ａとセラミック層３１１の界面とが交差する頂点Ｐ１に、電界が集中しやすくなる。この電界の集中は、積層セラミックコンデンサの寿命を低下させる原因となる。

【0080】

これに対して、本発明の実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１においては、図４及び図６ｂに示されているように、主成分金属元素が焼結する際に、第１非電極部２１ｂが流動性の高い液相成分８０で充填されているため、主成分金属元素の焼結体が第１非電極部２１ｂに向かって凸に湾曲するように成長することができる。このため、第１電極部２１ａと第１非電極部２１ｂとの界面は、第１非電極部２１ｂに向かって凸に湾曲した形状を有する。よって、本発明の実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１においては、図７に示されている従来の積層セラミックコンデンサにおいて起こる電界の集中が緩和され、より長い寿命を有する積層セラミックコンデンサ１が得られる。

【0081】

ステップＳ３で積層体をキープ温度で第２保持時間だけ保持した後、ステップＳ４において焼成炉を室温まで冷却することで、積層セラミックコンデンサ１が得られる。ステップＳ４において冷却されることにより、本体１０内の液相成分８０は固化して二次相が形成される。二次相には、焼結助剤元素が含まれる。また、液相成分８０が冷却されることにより、液相成分８０に溶出していた主相成分の元素（例えば、ＢａやＴｉ）は、例えば、酸化物（ＢａＯやＴｉＯ₂）として、内部電極間、第１界面層４７、第２界面層４８、及び粒界４５に析出する。

【0082】

積層セラミックコンデンサ１を製造するためには、図５のフロー図に示されていない処理が行われてもよい。例えば、ステップＳ３における第２加熱処理で得られた積層セラミックコンデンサ１に対して、Ｎ２ガス雰囲気中において６００℃～１０００℃で再酸化処理が行われてもよい。また、第１外部電極３１及び第２外部電極３２の表面に、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｓｎ等のめっき層が設けられてもよい。このめっき層は、電解めっき法又は無電解めっき法により形成され得る。

【0083】

積層セラミックコンデンサ１を製造するためには、図５のフロー図に示されている工程の一部を省略することができる。例えば、ステップＳ２の第１加熱工程は省略可能である。第１加熱工程を省略する場合には、中間温度から焼成トップ温度まで、所定の昇温速度で昇温される。ステップＳ２の第１加熱工程を省略しても、第１内部電極層２１及び第２内部電極層２２の前駆体である内部電極パターンに焼結助剤元素と化合物を形成しやすい副元素を含有させておくことにより、液相成分８０を第１非電極部２１ｂ及び第２非電極部２２ｂに排出することができる。ただし、内部電極パターンがかかる副元素を含有しない場合には、内部電極パターンに含まれる主成分金属元素の焼結を進行させ、液相の焼結助剤を内部電極パターンの不連続部に濡れ広がらせるために、第１加熱工程が行われる。

【0084】

３ 実施例
以下、実施例に基づいて本発明をさらに具体的に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。

【0085】

３－１ 試料の作製
まず、図５に記載されている製造方法に従って、以下のようにして１７種類の試料を作製した。具体的には、まず、チタン酸バリウムの粉末にポリビニルブチラール（ＰＶＢ）樹脂と、溶剤と、可塑剤と、焼結助剤粉末を加えて湿式混合してスラリーを得た。焼結助剤粉末は、Ｔｉ１００ａｔ％に対する焼結助剤粉末の主成分（焼結助剤元素）の含有比率が表１の「焼結助剤添加量」に記載されている量となるように秤量され、この秤量された副元素粉末がチタン酸バリウム粉末と混合された。例えば、試料１を作製する際には、チタン酸バリウム粉末に含有されるＴｉ１００ａｔ％に対して、Ｓｉが０．１ａｔ％となるようにＳｉＯ₂を主成分とする低融点ガラス粉末を秤量し、この秤量したＳｉＯ₂を主成分とする低融点ガラス粉末をチタン酸バリウム粉末と混合した。試料９を作製する際には、チタン酸バリウム粉末をＢ₂Ｏ₃粉末と混合した。試料１０を作製する際には、チタン酸バリウム粉末をＰ₂Ｏ₅粉末と混合した。

【0086】

このようにして形成されたスラリーを基材フィルム上に塗工し、基材フィルム上に塗工されたスラリーを乾燥させてセラミックグリーンシートを得た。次に、主成分金属元素であるＮｉ粉末に、表１に記載されている副元素を含有する副元素粉末を混合し、混合粉を調製した。ただし、試料１２、１３の作製時には副元素を混合しなかった。副元素粉末は、Ｎｉ１００ａｔ％に対する副元素の含有比率が表１の「副元素添加量」に記載されている量となるように秤量され、この秤量された副元素粉末がＮｉ粉末と混合された。次に、この混合粉末に、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）樹脂と、溶剤と、可塑剤とを加えて湿式混合し内部電極用スラリーを得た。そして、セラミックグリーンシートの表面の一部の領域に、内部電極用スラリーを印刷して、セラミックグリーンシートの各々に内部電極パターンを形成することで、積層ユニットを形成した。この積層ユニットは、セラミックグリーンシートと、当該セラミックグリーンシートの表面に形成された内部電極パターンと、を有する。

【0087】

【表1】

【0088】

次に、積層ユニットを５００枚積層して積層体を形成し、この積層体を個片化することでチップ状のグリーン積層体（チップ積層体）を得た。チップ積層体は、１００５形状（長さ寸法：１．０ｍｍ、幅寸法：０．５ｍｍ、高さ寸法：０．５ｍｍ）とした。次に、このチップ積層体に対して、Ｎ₂雰囲気において脱脂処理を行った。次に、脱脂処理後の成形体に対して金属ペーストをディップ法で塗布することで、各チップ積層体に外部電極の下地層を形成した。

【0089】

次に、上記のようにして得られた各試料の前駆体であるチップ積層体を焼成炉に投入して、所定の温度プロファイルに従って、所定の焼成条件において、チップ積層体を焼成した。試料１～試料１１、試料１３～試料１５、及び試料１７の焼成時には、焼成炉内を酸素分圧が１０^-10Ｍｐａの低酸素雰囲気に保ち、焼成炉内の温度を室温から６００℃まで３００℃／ｈで昇温し、６００℃から１２００℃まで１０００℃／ｈの昇温速度で昇温し、１２００℃の焼成トップ温度を５分間（第２保持時間）保持した。
試料１２の焼成時には、焼成炉内の温度を中間温度から１０００℃（キープ温度）まで昇温させ、このキープ温度で３０分間（第１保持時間）だけチップ積層体を加熱し、この第１保持時間の経過後に、焼成炉内の温度を焼成トップ温度である１２００℃まで昇温した。焼成トップ温度に５分間保持した後、焼成炉内を冷却した。

【0090】

以上のようにして、積層セラミックコンデンサのサンプルである試料１～試料１７を作製した。試料１～試料１７においては、セラミックグリーンシートが焼成されてセラミック層となっており、内部電極パターンが焼成されて内部電極層となっている。

【0091】

試料１～１７の各試料を樹脂に包埋し、樹脂に包埋された各試料を、積層方向に平行な面（例えば、図２のＬＴ面）に沿って研磨することで、積層方向に平行な断面を露出させて、この露出させた断面を電界放射型走査型二次電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）にて２００００倍の倍率で観察した。この観察により、試料１～試料１６のいずれにおいても、結晶粒が緻密化していることが確認できた。このように、試料１～試料１６は、１２００℃という低温の緻密化温度で焼結された。試料１７については、結晶粒が緻密化していなかった。

【0092】

３－２ 偏析部の確認及び面積比
次に、試料１～試料１６の各々について、研磨により露出した観察面を、エネルギー分散型Ｘ線分光器（ＥＤＳ）が搭載された電界放射型走査型二次電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）により観察し、このＳＥＭ像においてコントラスト差により明るく見える領域を内部電極層の電極部（第１電極部２１ａ又は第２電極部２２ａ）として特定した。また、上記観察面において、内部電極層が５本入るように５０μｍ四方の大きさに観察領域を設定し、この観察領域においてＥＤＳマッピングを行って、Ｎｉ、Ｂａ、Ｔｉ、焼結助剤元素、及び副元素の分布を調べた。電界放射型走査型二次電子顕微鏡として、日立ハイテク製のＦＥ－ＳＥＭ（ＳＵ７０００）を用いた。ＥＤＳ検出器として、ＢＲＵＫＥＲ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ製のＱｕａｎｔａｘを用いた。

【0093】

このようにして得られたマッピングデータにおいて、内部電極間において、焼結助剤元素の濃度が２０ａｔ％以上である領域を偏析部として特定した。また、定量元素のうち、Ｎｉ元素の濃度が最も高い領域を第１電極部２１ａ又は第２電極部２２ａとして特定した。次に、マッピングデータに画像処理ソフトＩｍａｇｅＪを用いて画像処理を行って、第１内部電極層２１の面積と第２内部電極層２２の面積の合計を表す第１面積、及び、偏析部の面積を表す第２面積をそれぞれ算出し、この第１面積に対する第２面積の比を算出した。このようにして算出した第１面積に対する第２面積の比を、以下の表２の「面積比」の列に記載した。

【0094】

３－３ 連続率
また、以下のようにして、各試料における内部電極層の連続率を算出した。上記の観察領域の各々に含まれる内部電極層の各々について、コントラスト差に基づいて電極部（第１電極部２１ａ又は第２電極部２２ａ）を特定し、この電極部の各々の厚さ方向（Ｔ軸方向）の中心における長さを測長した。そして、この測長した各電極部の長さに基づいて、内部電極層ごとの連続率を算出した。このようにして算出した内部電極層の連続率を表２の「連続率」の列に記載した。偏析部は、第１非電極部２１ｂの各々の全体ではなく一部だけを占めることがあり、同様に、第２非電極部２２ｂの各々の全体ではなく一部だけを占めることがあるため、連続率が増加しても、ただちに面積比が増加するとは限らない。

【0095】

３－４ 静電容量
試料１～１６の各々について、静電容量を測定した。静電容量は、各試料を１５０℃に１時間放置した後に、標準状態に２４時間放置した後、ＬＣＲメーターを使用し、室温、測定電圧０．５Ｖ、周波数１ｋＨｚの条件下で測定した。試料１～１６の各々について１００個のサンプルを選択し、この１００個のサンプルの各々について静電容量を求めた。試料ごとに１００個のサンプルについて測定された静電容量の平均値を算出し、この算出された平均値を当該試料の静電容量とした。このようにして算出した静電容量を表２の「初期容量」の列に記載した。

【0096】

３－５ ＨＡＬＴ
試料１～試料１６の各々について、１００個ずつサンプルを選択し、この選択したサンプルの各々について加速寿命試験（ＨＡＬＴ）を行った。加速寿命試験では、試料１～試料１６ごとに選択された１００個のサンプルの各々について８５℃下で６．３Ｖ／μｍの電圧を１０００時間印加した。また、試料１～試料１６ごとに選択された別の１００個のサンプルの各々について、同条件下で電圧を２０００時間印加した。これらのサンプルについて、電圧印加後に室温に２４時間放置した後、絶縁抵抗を測定した。この測定において、絶縁抵抗値が１０ＭΩ未満のサンプルを故障と判定した。電圧を２０００時間印加しても１個も故障が発生しなかった試料については、寿命が非常に良好と判断し、表２の「寿命」の列に「◎」を記入した。電圧を１０００時間印加しても１個も故障が発生しなかったが２０００時間印加後には故障したサンプルが見つかった試料については、寿命が良好と判断し、表２の「寿命」の列に「○」を記入した。

【0097】

【表2】

【0098】

表２において、本発明に包含されない試料（つまり、比較例）については、試料番号にアスタリスク（＊）が付加されている。具体的には、試料１３から試料１７は、本願発明に包含されない比較例である。試料１７においては、１２００℃の焼成トップ温度において緻密化されたセラミック層が得られなかったため、面積比、連続率、初期容量、寿命の評価を行わなかった。

【0099】

以上の実験結果から、内部電極間に偏析部が析出している試料１～試料１２の静電容量は２１μＦ～２２μＦであるから、試料１～１２はいずれも、偏析部が析出していない試料１３及び試料１６（静電容量は、１５μＦ）と比べて、優れた静電容量が得られることが確認された。試料１３においては、内部電極層の前駆体である内部電極パターンに副元素が含有されておらず、また、製造過程においてキープ温度で保持する処理（第１加熱工程）が行われていないため、セラミックグリーンシートに含有されている焼結助剤の多くがセラミック層１１に残留したため、静電容量が低くなっていると考えられる。他方、試料１～試料１１においては、焼結助剤元素と化合物を形成しやすい副元素が内部電極パターンに０．１ａｔ％～１０ａｔ％の割合で添加されているから、試料を作製する過程で液相の焼結助剤が内部電極間に流れこみ、セラミック層１１において、誘電率が低い焼結助剤元素の含有量が低下することにより、静電容量が向上したと考えられる。試料１２においては、内部電極パターンに副元素が添加されていないが、製造過程においてキープ温度で保持する処理（第１加熱工程）が行われているため、この第１加熱工程において、液相の焼結助剤が内部電極間に流れこみ、静電容量の向上をもたらしたと考えられる。

【0100】

試料１～１２のいずれにおいても良好な寿命が得られている。他方、偏析部が析出していない試料１３及び試料１６においては、試料１～１２と比べて寿命が低下している。試料１３及び試料１６においては、その製造時に、液相の焼結助剤が内部電極間に流入していないため、内部電極層の一部に図７に示されているような頂点が形成されており、この頂点に電界が集中し、この電界の集中により寿命が低下したと考えられる。他方、試料１～１２においては、内部電極間における偏析部の析出が確認されているため、製造時に内部電極間に液相成分が流入していたと考えられる。このため、試料１～１２では、電極部（例えば、第１電極部２１ａ）と非電極部（例えば、第１非電極部２１ｂ）その界面が湾曲しており、内部電極層における電界の集中が緩和されていると考えられる。つまり、試料１～試料１２においては、電界の集中が緩和されたことにより、良好な寿命が得られたと考えられる。

【0101】

試料１４においては、内部電極パターンに副元素としてＡｌが高い含有比率（１０ａｔ％）で含まれているのに対して、Ｔｉ１００ａｔ％に対する焼結助剤元素の添加量が１ａｔ％程度であるため、非電極部に固相のＡｌ₂Ｏ₃が析出し、この固相のＡｌ₂Ｏ₃により連続率が低下したと考えられる。

【0102】

試料１５においては、焼結助剤の添加量が多く、また、内部電極パターンに１２ａｔ％という多量の副元素（Ａｌ）が添加されているため、内部電極間に流れ込んだ焼結助剤により内部電極パターン内のＮｉ元素の焼結が過剰に進行し、この結果、連続率が低下したと考えられる。そして、この連続率の低下により静電容量の低下が発生している。

【0103】

以上のように、面積比が３８以上の試料１４及び試料１５においては、静電容量が１５～１７μＦに低下している。このように、偏析部の過剰な析出は、静電容量の低下に繋がることが分かる。面積比が３５％以下となるように偏析部の析出量を調整することにより、優れた静電容量が得られると考えられる。

【0104】

実験結果の記載は省略するが、焼結助剤元素としてＳｉではなくＢやＰを用いた場合にも、面積比が３５％を超えると静電容量の低下が起こることが観察された。内部電極間に偏析部を析出させることにより、セラミック層１１に含有される焼結助剤を減少させることができ、そのために静電容量を増加させることができるが、面積比が３５％以上となる条件では、偏析部が過剰に析出してしまい、その結果、内部電極層の連続率の低下により静電容量の低下が起こってしまう。このため、内部電極間には、面積比が３５％以下となるように偏析部を析出させることが望ましい。

【0105】

４ 注記
前述の様々な実施形態で説明された各構成要素の寸法、材料及び配置は、それぞれ、各実施形態で明示的に説明されたものに限定されず、当該各構成要素は、本発明の範囲に含まれ得る任意の寸法、材料及び配置を有するように変形することができる。

【0106】

本明細書において明示的に説明していない構成要素を、上述の各実施形態に付加することもできるし、各実施形態において説明した構成要素の一部を省略することもできる。

【0107】

本明細書等における「第１」、「第２」、「第３」などの表記は、構成要素を識別するために付するものであり、必ずしも、数、順序、もしくはその内容を限定するものではない。また、構成要素の識別のための番号は文脈毎に用いられ、一つの文脈で用いた番号が、他の文脈で必ずしも同一の構成を示すとは限らない。また、ある番号で識別された構成要素が、他の番号で識別された構成要素の機能を兼ねることを妨げるものではない。

【0108】

本明細書において、ある構成要素を「含む」という場合は、本発明の内容と矛盾しない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。

【0109】

５ 付記
本明細書において開示される実施形態には、以下の事項も含まれる。
［付記１］
主成分金属元素を含有する第１内部電極層、第２内部電極層、積層方向において前記第１内部電極層と前記第２内部電極層との間に配置されており、焼結助剤元素を主成分とする焼結助剤が添加されたセラミック材料から形成されたセラミック層と、を有する本体と、
前記本体に、前記第１内部電極層と電気的に接続するように設けられた第１外部電極と、
前記本体に、前記第２内部電極層と電気的に接続するように設けられた第２外部電極と、
を備え、
前記第１内部電極層は、主成分金属元素の焼結体である第１電極部と、前記第１電極部に囲まれている第１非電極部と、を有し、
前記第２内部電極層は、主成分金属元素の焼結体である第２電極部と、前記第２電極部に囲まれている第２非電極部と、を有し、
前記第１非電極部及び前記第２非電極部はそれぞれ、前記焼結助剤元素を含有する偏析部を有し、
前記積層方向に沿って前記本体を切断した断面における前記第１内部電極層の面積と前記第２内部電極層の面積との合計を表す第１面積に対する前記偏析部の面積を表す第２面積の比は、３５％以下である、
積層セラミックコンデンサ。
［付記２］
前記第１面積に対する前記第２面積の比は、５％以上である、
付記１に記載の積層セラミックコンデンサ。
［付記３］
前記偏析部における前記焼結助剤元素の濃度は、２０ａｔ％以上である、
付記１又は付記２に記載の積層セラミックコンデンサ。
［付記４］
前記第１内部電極層は、副元素をさらに含有し、
前記副元素は、Ａｌ、Ｚｎ、Ｂ、及びＳｉから成る群より選択される少なくとも一つの元素である、
付記１から付記３のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
［付記５］
前記偏析部は、前記副元素を含有する、
付記４に記載の積層セラミックコンデンサ。
［付記６］
前記偏析部における前記副元素の濃度は、５ａｔ％以上である、
付記５に記載の積層セラミックコンデンサ。
［付記７］
前記セラミック層は、前記セラミック材料の焼結体である複数の結晶粒を含み、
前記セラミック層において、前記第１内部電極層と前記第２内部電極層との間に介在する前記結晶粒の数は、３以下である、
付記１から付記６のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
［付記８］
付記１から付記７のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサを備える回路モジュール。
［付記９］
付記８に記載の回路モジュールを含む、電子機器。
［付記１０］
焼結助剤を含むセラミックグリーンシートと、前記セラミックグリーンシートの第１面及び第２面に設けられており主成分金属元素を含有する内部電極パターンと、を含むグリーン積層体を準備する準備工程と、
前記焼結助剤の軟化点よりも高く前記主成分金属元素の焼結が起こるキープ温度で前記グリーン積層体を第１保持時間だけ加熱する第１加熱工程と、
前記第１加熱工程の後に、前記キープ温度よりも高い焼成トップ温度で、前記グリーン積層体を加熱する第２加熱工程と、
を備える積層セラミックコンデンサの製造方法。
［付記１１］
前記内部電極パターンは、副元素（ただし、前記副元素は、Ａｌ、Ｚｎ、Ｂ、及びＳｉから成る群より選択される少なくとも一つの元素である。）を含有する、
付記１に記載の製造方法。

【符号の説明】

【0110】

１ 積層セラミックコンデンサ
１０ 本体
１１ セラミック層
２１ 第１内部電極層
２２ 第２内部電極層
２１ａ 第１電極部
２１ｂ 第１非電極部
２２ａ 第２電極部
２２ｂ 第２非電極部
３１ 第１外部電極
３２ 第２外部電極
４０ 結晶粒
４５ 粒界
４７ 第１界面層
４８ 第２界面層
５１ａ、５１ｂ、５１ｃ、５１ｄ、５１ｅ、５１ｆ、５１ｇ、５２ａ、５２ｂ、５２ｃ、５２ｄ 偏析部
８０ 液相成分

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6a】

【図6b】

【図7】