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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2025067811
(43)【公開日】2025-04-24
(54)【発明の名称】印刷回路基板及びその製造方法
(51)【国際特許分類】
   H05K 3/00 20060101AFI20250417BHJP
   H05K 1/02 20060101ALI20250417BHJP
   H05K 3/46 20060101ALI20250417BHJP
   H05K 1/18 20060101ALN20250417BHJP
【FI】
H05K3/00 K
H05K1/02 C
H05K3/46 B
H05K1/18 Q
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】OL
(21)【出願番号】P 2024151428
(22)【出願日】2024-09-03
(31)【優先権主張番号】10-2023-0137104
(32)【優先日】2023-10-13
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】594023722
【氏名又は名称】サムソン エレクトロ-メカニックス カンパニーリミテッド.
(74)【代理人】
【識別番号】110000051
【氏名又は名称】弁理士法人共生国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】高 永 国
(72)【発明者】
【氏名】金 相 勳
(72)【発明者】
【氏名】尹 智 湖
(72)【発明者】
【氏名】金 圭 默
(72)【発明者】
【氏名】金 台 勳
(72)【発明者】
【氏名】金 海 星
【テーマコード(参考)】
5E316
5E336
5E338
【Fターム(参考)】
5E316AA12
5E316AA15
5E316AA32
5E316AA43
5E316EE31
5E316GG22
5E316HH21
5E316HH31
5E336AA04
5E336AA08
5E336BB03
5E336BC26
5E336CC31
5E336CC51
5E336GG30
5E338AA03
5E338BB19
5E338BB63
5E338EE31
5E338EE60
(57)【要約】
【課題】キャビティ周辺の回路パターンの損傷がなく、所望の深さを有して実装の正確度を高めることができるキャビティを形成する印刷回路基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の印刷回路基板は、第1絶縁層と、第1絶縁層に埋め込まれた第1配線層と、第1絶縁層に形成された第1ビアホール内に位置する第1ビアと、第1絶縁層の下に位置する第2絶縁層と、第2絶縁層に埋め込まれた第2配線層と、第1絶縁層の上に位置する第1ソルダレジスト層と、高さ方向に沿って第1ソルダレジスト層を貫通して第1絶縁層の一部分を貫通して形成されたキャビティと、を備え、キャビティは、それぞれ異なる幅を有する第1部分、第2部分、及び第3部分を含み、第1部分は、高さ方向に沿って第2部分の上に位置し、第3部分は、高さ方向に沿って第1部分の上に位置し、第1ビアは、キャビティの第2部分を通じて露出する。
【選択図】図1
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第1絶縁層と、
前記第1絶縁層に埋め込まれた第1配線層と、
前記第1絶縁層に形成された第1ビアホール内に位置する第1ビアと、
前記第1絶縁層の下に位置する第2絶縁層と、
前記第2絶縁層に埋め込まれた第2配線層と、
前記第1絶縁層の上に位置する第1ソルダレジスト層と、
高さ方向に沿って前記第1ソルダレジスト層を貫通して前記第1絶縁層の一部を貫通して形成されたキャビティと、を備え、
前記キャビティは、それぞれ異なる幅を有する第1部分、第2部分、及び第3部分を含み、
前記第1部分は、前記高さ方向に沿って前記第2部分の上に位置し、
前記第3部分は、前記高さ方向に沿って前記第1部分の上に位置し、
前記第1ビアは、前記キャビティの第2部分を通じて露出することを特徴とする印刷回路基板。
【請求項2】
前記キャビティの第2部分は、複数個であり、
前記キャビティの間の前記第1絶縁層の表面は、前記第1部分に向かって突出した複数の突出部を有することを特徴とする請求項1に記載の印刷回路基板。
【請求項3】
前記第1ビアホール及び前記第1ビアは、複数個であり、
前記複数個の前記第2部分は、前記高さ方向に沿って前記複数個の前記第1ビアに重畳することを特徴とする請求項2に記載の印刷回路基板。
【請求項4】
前記第1部分の第1幅、前記第2部分の第2幅、及び前記第3部分の第3幅は、それぞれ異なることを特徴とする請求項1に記載の印刷回路基板。
【請求項5】
前記第2部分の第2幅は、前記第1部分の第1幅及び前記第3部分の第3幅よりも小さいことを特徴とする請求項4に記載の印刷回路基板。
【請求項6】
前記第1部分の第1深さは、前記第1配線層の第1厚さと同じであり、
前記第2部分の第2深さは、前記第1ビアの第2厚さよりも小さいことを特徴とする請求項1に記載の印刷回路基板。
【請求項7】
前記第3部分の第3深さは、前記第1ソルダレジスト層の第3厚さと同じであることを特徴とする請求項6に記載の印刷回路基板。
【請求項8】
前記第2絶縁層に形成された第2ビアホール内に位置する第2ビアと、
前記第2絶縁層の下に位置する第3絶縁層と、
前記第3絶縁層に形成された第3ビアホール内に位置する第3ビアと、を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の印刷回路基板。
【請求項9】
前記第1ソルダレジスト層によって埋め込まれた第1パッド層と、
前記第1ソルダレジスト層の切開部内に位置して前記第1パッド層に接触する第1追加パッド層と、
前記第1追加パッド層の上に位置する第2追加パッド層と、を更に含むことを特徴とする請求項8に記載の印刷回路基板。
【請求項10】
前記キャビティは、前記第2追加パッド層の側面に定義される第4部分を更に含むことを特徴とする請求項9に記載の印刷回路基板。
【請求項11】
前記第4部分の幅は、前記第1部分の第1幅、前記第2部分の第2幅、及び前記第3部分の第3幅とは異なることを特徴とする請求項10に記載の印刷回路基板。
【請求項12】
第1配線層及び第1犠牲層を形成する段階と、
前記第1犠牲層の上に複数のダミーパターンを形成する段階と、
前記第1配線層、前記第1犠牲層、及び前記複数のダミーパターンを埋め込む第1絶縁層を積層する段階と、
前記第1配線層に重畳する第1ビアホール及び前記複数のダミーパターンに重畳する複数の第2ビアホールを前記第1絶縁層に形成する段階と、
前記第1絶縁層の前記第1ビアホール及び前記複数の第2ビアホールに第1ビア及び複数の第2ビアを形成する段階と、
前記第1犠牲層の上に第2犠牲層を形成する段階と、
前記第1犠牲層及び前記第2犠牲層をエッチングしてキャビティの第1部分を形成する段階と、
前記複数のダミーパターンを除去して前記複数の第2ビアを露出するように前記キャビティの第2部分を形成する段階と、を有することを特徴とする印刷回路基板の製造方法。
【請求項13】
前記第1犠牲層は、前記第1配線層と同じ層を含んで前記第1配線層と同じ厚さを有するように形成され、
前記複数のダミーパターンは、前記第1ビアとは異なる層を含んで前記第1ビアの厚さよりも小さい厚さを有するように形成されることを特徴とする請求項12に記載の印刷回路基板の製造方法。
【請求項14】
前記第2犠牲層と同じ層として前記第1配線層の上にパッド層を形成する段階と、
前記パッド層を覆って前記第2犠牲層を露出して前記キャビティの第3部分を有する第1ソルダレジスト層を形成する段階と、を更に含むことを特徴とする請求項13に記載の印刷回路基板の製造方法。
【請求項15】
前記第2絶縁層の下に位置する第3絶縁層を形成する段階と、
前記第3絶縁層に形成された第3ビアホール内に位置する第3ビアを形成する段階と、を更に含むことを特徴とする請求項14に記載の印刷回路基板の製造方法。
【請求項16】
前記第1ソルダレジスト層の切開部内に位置して前記第1パッド層に接触する第1追加パッド層を形成する段階と、
前記第1追加パッド層の上に位置する第2追加パッド層を形成する段階と、を更に含むことを特徴とする請求項15に記載の印刷回路基板の製造方法。
【請求項17】
前記キャビティは、前記第2追加パッド層の側面で定義される第4部分を更に含むように形成されることを特徴とする請求項16に記載の印刷回路基板の製造方法。
【請求項18】
前記第1部分の第1幅、前記第2部分の第2幅、及び前記第3部分の第3幅は、それぞれ異なることを特徴とする請求項17に記載の印刷回路基板の製造方法。
【請求項19】
前記第2部分の第2幅は、前記第1部分の第1幅及び前記第3部分の第3幅よりも小さいことを特徴とする請求項18に記載の印刷回路基板の製造方法。
【請求項20】
前記第4部分の幅は、前記第1部分の第1幅、前記第2部分の第2幅、及び前記第3部分の第3幅とは異なるように形成されることを特徴とする請求項19に記載の印刷回路基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、印刷回路基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
印刷回路基板は、絶縁材に銅のような伝導性材料で回路パターンを形成したものであり、携帯電話機をはじめとするIT分野の電子機器が小型化されるにつれて印刷回路基板にキャビティを形成し、キャビティ内にIC、能動素子、又は受動素子などの電子部品を実装する方法が提案された。
【0003】
電子部品が実装される印刷回路基板のキャビティの深さによって、電子部品中の印刷回路基板内に実装される部分の高さも変化する。
【0004】
印刷回路基板のキャビティの深さが深いほど、電子部品の多くの部分がキャビティ内に実装可能であり、電子部品及び印刷回路基板をパッケージングした製品の全体の厚さが減少する。
【0005】
しかし、印刷回路基板にキャビティを形成する場合、キャビティの深さを調節しにくく、キャビティの深さを深く形成するために周辺の回路パターンが損傷することがある。
【0006】
また、キャビティ内に実装される電子部品と基板との間の実装用接続部の大きさが小さくなる場合、電子部品を基板に正確に実装しにくいことがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0007】
【特許文献1】特開2020-145482号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、実装の正確度を高めることができるキャビティを形成する印刷回路基板及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0009】
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による印刷回路基板は、第1絶縁層と、前記第1絶縁層に埋め込まれた第1配線層と、前記第1絶縁層に形成された第1ビアホール内に位置する第1ビアと、前記第1絶縁層の下に位置する第2絶縁層と、前記第2絶縁層に埋め込まれた第2配線層と、前記第1絶縁層の上に位置する第1ソルダレジスト層と、高さ方向に沿って前記第1ソルダレジスト層を貫通して前記第1絶縁層の一部分を貫通して形成されたキャビティと、を備え、前記キャビティは、それぞれ異なる幅を有する第1部分、第2部分、及び第3部分を含み、前記第1部分は、前記高さ方向に沿って前記第2部分の上に位置し、前記第3部分は、前記高さ方向に沿って前記第1部分の上に位置し、前記第1ビアは、前記キャビティの第2部分を通じて露出する。
【0010】
前記キャビティの第2部分は、複数個であり、前記キャビティの間の前記第1絶縁層の表面は、前記第1部分に向かって突出した複数の突出部を有し得る。
前記第1ビアホール及び前記第1ビアは、複数個であり、前記複数個の前記第2部分は、前記高さ方向に沿って前記複数個の前記第1ビアに重畳してもよい。
前記第1部分の第1幅、前記第2部分の第2幅、及び前記第3部分の第3幅は、それぞれ異なってもよい。
前記第2部分の第2幅は、前記第1部分の第1幅及び前記第3部分の第3幅よりも小さくてもよい。
前記第1部分の第1深さは、前記第1配線層の第1厚さと同じであり、前記第2部分の第2深さは、前記第1ビアの第2厚さよりも小さくてもよい。
前記第3部分の第3深さは、前記第1ソルダレジスト層の第3厚さと同じであってもよい。
前記印刷回路基板は、前記第2絶縁層に形成された第2ビアホール内に位置する第2ビアと、前記第2絶縁層の下に位置する第3絶縁層と、前記第3絶縁層に形成された第3ビアホール内に位置する第3ビアと、を更に含み得る。
前記印刷回路基板は、前記第1ソルダレジスト層によって埋め込まれた第1パッド層と、前記第1ソルダレジスト層の切開部内に位置して前記第1パッド層に接触する第1追加パッド層と、前記第1追加パッド層の上に位置する第2追加パッド層と、を更に含み得る。
前記キャビティは、前記第2追加パッド層の側面に定義される第4部分を更に含み得る。
前記第4部分の幅は、前記第1部分の第1幅、前記第2部分の第2幅、及び前記第3部分の第3幅はと異なってもよい。
【0011】
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による印刷回路基板の製造方法は、第1配線層及び第1犠牲層を形成する段階と、前記第1犠牲層の上に複数のダミーパターンを形成する段階と、前記第1配線層、前記第1犠牲層、及び前記複数のダミーパターンを埋め込む第1絶縁層を積層する段階と、前記第1配線層に重畳する第1ビアホール及び前記複数のダミーパターンに重畳する複数の第2ビアホールを前記第1絶縁層に形成する段階と、前記第1絶縁層の前記第1ビアホール及び前記複数の第2ビアホールに第1ビア及び複数の第2ビアを形成する段階と、前記第1犠牲層の上に第2犠牲層を形成する段階と、前記第1犠牲層及び前記第2犠牲層をエッチングしてキャビティの第1部分を形成する段階と、前記複数のダミーパターンを除去して前記複数の第2ビアを露出するように前記キャビティの第2部分を形成する段階と、を有する。
【0012】
前記第1犠牲層は、前記第1配線層の側面に位置して前記第1配線層と同じ厚さを有するように形成され、前記複数のダミーパターンは、前記第1ビアの側面に位置して前記第1ビアの厚さよりも小さい厚さを有するように形成され得る。
前記印刷回路基板の製造方法は、前記第2犠牲層と同じ層として前記第1配線層の上にパッド層を形成する段階と、前記パッド層を覆って前記第2犠牲層を露出して前記キャビティの第3部分を有する第1ソルダレジスト層を形成する段階と、を更に含み得る。
前記印刷回路基板の製造方法は、前記第2絶縁層の下に位置する第3絶縁層を形成する段階と、前記第3絶縁層に形成された第3ビアホール内に位置する第3ビアを形成する段階と、を更に含み得る。
前記印刷回路基板の製造方法は、前記第1ソルダレジスト層の切開部内に位置して前記第1パッド層に接触する第1追加パッド層を形成する段階と、前記第1追加パッド層の上に位置する第2追加パッド層を形成する段階と、を更に含み得る。
前記キャビティは、前記第2追加パッド層の側面で定義される第4部分を更に含むように形成され得る。
前記第1部分の第1幅、前記第2部分の第2幅、及び前記第3部分の第3幅は、それぞれ異なるように形成され得る。
前記第2部分の第2幅は、前記第1部分の第1幅及び前記第3部分の第3幅よりも小さく形成され得る。
前記第4部分の幅は、前記第1部分の第1幅、前記第2部分の第2幅、及び前記第3部分の第3幅とは異なるように形成され得る。
【発明の効果】
【0013】
本発明の印刷回路基板及びその製造方法によれば、キャビティ周辺の回路パターンが損傷なく、所望の深さを有して実装の正確度を高めることができるキャビティを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【0014】
図1】一実施形態による印刷回路基板の断面図である。
図2】一実施形態による印刷回路基板の製造方法を示した断面図である。
図3】一実施形態による印刷回路基板の製造方法を示した断面図である。
図4】一実施形態による印刷回路基板の製造方法を示した断面図である。
図5】一実施形態による印刷回路基板の製造方法を示した断面図である。
図6】一実施形態による印刷回路基板の製造方法を示した断面図である。
図7】一実施形態による印刷回路基板の製造方法を示した断面図である。
図8】一実施形態による印刷回路基板の製造方法を示した断面図である。
図9】一実施形態による印刷回路基板の製造方法を示した断面図である。
図10】一実施形態による印刷回路基板の製造方法を示した断面図である。
図11】他の実施形態による印刷回路基板の断面図である。
図12】更に他の実施形態による印刷回路基板の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0015】
以下、本発明を実施するための形態の具体例を、図面を参照しながら詳細に説明する。
【0016】
本発明は、様々な異なる形態に実現することができ、ここで説明する実施形態に限定されない。
【0017】
本発明を明確に説明するために説明上不必要な部分は省略し、明細書全体に亘って同一又は類似の構成要素については同一の参照符号を付けるようにする。
【0018】
また、図面は本明細書に開示した実施形態を容易に理解することができるようにするためのものに過ぎず、図面によって本明細書に開示した技術的思想は制限されず、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全ての変更、均等物、又は代替物を含むものとして理解されなければならない。
【0019】
また、図面に示した各構成の大きさ及び厚さは説明の便宜のために任意に示したものであって、本発明は必ずしも図示したものに限定されない。図面において様々な層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。そして図面において、説明の便宜のために、一部の層及び領域の厚さを誇張して示した。
【0020】
また、層、膜、領域、板などの部分が他の部分「の上に」又は「上に」あるという場合、これは他の部分「の直上に」ある場合だけでなく、その中間にまた他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分「の直上に」あるという場合には中間に他の部分がないことを意味する。また、基準になる部分「の上に」又は「上に」あるということは基準になる部分の上又は下に位置することであり、必ずしも重力の反対方向に向かって「の上に」又は「上に」位置することを意味するものではない。
【0021】
また、明細書全体で、ある部分がある構成要素を「含む」という場合、これは特に反対になる記載がない限り他の構成要素を除くのではなく他の構成要素を更に含むことができることを意味する。
【0022】
また、明細書全体で、「平面上」という場合、これは対象部分を上から見た場合を意味し、「断面上」という場合、これは対象部分を垂直に切断した断面を横から見た場合を意味する。
【0023】
また、明細書全体で、「連結される」という場合、これは二つ以上の構成要素が直接的に連結されることのみを意味するのではなく、二つ以上の構成要素が他の構成要素を通じて間接的に連結されること、物理的に連結されることだけでなく電気的に連結されること、又は位置や機能によって異なる名称で称するが、一体であることを意味する。
【0024】
以下では、図面を参照して多様な実施形態及びその変形例を詳細に説明する。
【0025】
図1は、一実施形態による印刷回路基板の断面図である。図1を参照して、一実施形態による印刷回路基板について説明する。
【0026】
図1を参照すると、本実施形態による印刷回路基板100は、積層された複数の絶縁層IL、複数の絶縁層IL内に埋め込まれた複数の配線層ML及び複数の絶縁層ILに形成された複数のビアホールVA内に位置する複数のビアMV、複数のパッド層MP、ソルダレジスト層PL、そして複数の絶縁層ILの一部分に形成されたキャビティCVを含む。
【0027】
複数の絶縁層ILは、第1絶縁層IL1、及び高さ方向DRHに沿って第1絶縁層IL1の上に位置する第2絶縁層IL2を含む。
【0028】
複数の配線層MLは、第1絶縁層IL1によって埋め込まれる第1配線層ML1、そして第2絶縁層IL2によって埋め込まれる第2配線層ML2及び第3配線層ML22を含む。
【0029】
複数のビアMVは、第1絶縁層IL1に形成された第1ビアホールVA1内に位置する第1ビアMV1、第1絶縁層IL1に形成された第2ビアホールVA11内に位置する第2ビアMV11、第2絶縁層IL2に形成された第3ビアホールVA2内に位置する第3ビアMV2、そして第2絶縁層IL2に形成された第4ビアホールVA22内に位置する第4ビアMV22を含む。
【0030】
複数のパッド層MPは、第1絶縁層IL1の上に位置する第1パッド層MP1と、第2絶縁層IL2の下に位置する第2パッド層MP2及び第3パッド層MP22とを含む。
【0031】
第1ビアMV1を通じて第1配線層ML1の一部と第2配線層ML2の一部とが連結され、第2ビアMV11は第3配線層ML22の一部に連結され、第3ビアMV2を通じて第2配線層ML2の一部と第2パッド層MP2とが連結され、第1パッド層MP1は第1配線層ML1に連結され、第4ビアMV22を通じて第3配線層ML22の一部に第3パッド層MP22がそれぞれ連結される。
【0032】
ソルダレジスト層PLは、第1絶縁層IL1の上に位置して第2開口部OP2を通じて第1パッド層MP1の一部を露出する第1ソルダレジスト層PL1、そして第2絶縁層IL2の下に位置して第3及び第4開口部(OP3A、OP3B)を通じて第2パッド層MP2及び第3パッド層MP22の一部を露出する第2ソルダレジスト層PL2を含む。
【0033】
キャビティCVは、第1絶縁層IL1に形成されてそれぞれ異なる幅及び高さを有する第1部分CV1及び第2部分CV2、そして第1ソルダレジスト層PL1に形成された第3部分CV3を含む。
【0034】
キャビティCVの第1部分CV1は第1配線層ML1の側面に位置し、キャビティCVの第2部分CV2は第1ビアMV1の側面に位置して第2ビアMV11に重畳し、キャビティCVの第3部分CV3は第1ソルダレジスト層PL1の側面に位置する。
【0035】
高さ方向DRHに沿って、キャビティCVの第2部分CV2の上にキャビティCVの第1部分CV1が配置され、キャビティCVの第1部分CV1の上にキャビティCVの第3部分CV3が配置される。
【0036】
キャビティCV内で、第2ビアMV11はキャビティCVの第2部分CV2を通じて露出する。高さ方向DRHに沿って、キャビティCVの第2部分CV2の下部面と第2ビアMV11の上部面とは実質的に同じ高さを有する。
【0037】
高さ方向DRHに垂直を成す平面方向DRWに沿って、第1絶縁層IL1に形成されたキャビティCVの第1部分CV1は第1幅W1を有し、第1絶縁層IL1に形成されたキャビティCVの第2部分CV2は第2幅W2を有し、第1ソルダレジスト層PL1の一部分に形成されたキャビティCVの第3部分CV3は第3幅W3を有する。
【0038】
キャビティCVの第1部分CV1の第1幅W1とキャビティCVの第2部分CV2の第2幅W2とは互いに異なる。
【0039】
キャビティCVの第2部分CV2は、複数個であり、複数の第2ビアMV11に重畳する。キャビティCVの第2部分CV2の第2幅W2は第2ビアMV11の幅よりも広い。
【0040】
高さ方向DRHに沿って、キャビティCVの第2部分CV2は、キャビティCVの第1部分CV1に重畳する。
【0041】
キャビティCVの第3部分CV3の第3幅W3は、キャビティCVの第1部分CV1の第1幅W1よりも大きい。
【0042】
高さ方向DRHに沿って、キャビティCVの側壁は、一列に配置されずに段差を有する。
【0043】
高さ方向DRHに沿って、キャビティCVの第1部分CV1の第1深さH1は第1絶縁層IL1によって埋め込まれる第1配線層ML1の第1厚さD1と実質的に同じであり、キャビティCVの第2部分CV2の第2深さH2は第1絶縁層IL1に形成された第1ビアホールVA1内に位置する第1ビアMV1の第2厚さD2よりも小さく、キャビティCVの第3部分CV3の第3深さH3は第1ソルダレジスト層PL1の第3厚さD3と実質的に同じである。
【0044】
図1で、平面方向DRWに平行な方向に表示した仮想の第1線L1を参照すると、キャビティCVの複数の第2部分CV2の間の第1絶縁層IL1は上に突出し、突出部の上部面の高さと第1配線層ML1の下部面の高さとは実質的に同じである。
【0045】
本実施形態による印刷回路基板によると、第1絶縁層IL1の一部分及び第2ソルダレジスト層PL2に形成されたキャビティCVの全体の深さHTは、第1絶縁層IL1によって埋め込まれる第1配線層ML1の第1厚さD1、第1絶縁層IL1に形成された第1ビアホールVA1内の第1ビアMV1の一部分の厚さ、そして第2ソルダレジスト層PL2の厚さの合計と実質的に同じである。キャビティCV内の第2部分CV2の間の第1絶縁層IL1の表面が突出した複数の絶縁層IL内に埋め込まれた複数の配線層MLがキャビティCVによって露出しないため、キャビティCV周辺の回路パターンは損傷しない。
【0046】
また、キャビティCVの第2部分CV2の側面に位置する第1絶縁層IL1の表面が第2部分CV2よりも突出してキャビティCVの下部面の表面に複数の突出部PRが位置し、突出部PRはスペーサの役割を果たす。このように、キャビティCV内に複数の突出部PRを含むことによって、キャビティCV内に電子部品を実装した場合、電子部品周辺に空間が発生するため、電子部品などによって発生した熱はこの空間を通じて拡散される。
【0047】
また、キャビティCVの複数の第2部分CV2は複数の第2ビアMV11に重畳し、キャビティCV内に実装される電子部品と印刷回路基板100との間の接続のための接続部が複数の第2部分CV2内に配置されるため、接続部の大きさが小さくなっても各接続部は複数の第2部分CV2のそれぞれの内に配置されて、電子部品と印刷回路基板100との間の接続を安全に維持することができる。
【0048】
実装基板(図示せず)に電子部品を実装する時に、電子部品が印刷回路基板のキャビティCV内に配置されることによって、キャビティCVの深さが深くなるほど電子部品パッケージの全体の厚さが低くなる。
【0049】
本実施形態による印刷回路基板によると、キャビティCV周辺の回路パターンが損傷することなく所望の深さを有するキャビティCVを形成することができ、不良の発生がなく電子部品パッケージの全体の厚さを減らすことができる。
【0050】
図2図10は、一実施形態による印刷回路基板の製造方法を示した断面図である。以下、図1と共に図2図10を参照して、一実施形態による印刷回路基板の製造方法について説明する。
【0051】
図2を参照すると、コア部CLとコア部CLの両側に積層された薄膜金属層MSとを含むキャリア基板CSの上に第1銅箔層TC1及び第1配線層ML1を形成する。この時、キャビティCVが形成される位置に配置される第1犠牲層SF1を共に形成する。第1犠牲層SF1は、第1配線層ML1と共に形成されるため、第1配線層ML1と同じ物質からなり、第1配線層ML1の第1厚さD1と同じ厚さを有する。
【0052】
図3に示したように、第1犠牲層SF1の上に複数のダミーパターンDPを形成する。ダミーパターンDPは、配線層ML及びビアMVとは異なる層を含む。例えば、ダミーパターンDPはニッケルを含むが、実施形態はこれに限定されない。
【0053】
図4に示したように、第1配線層ML1、第1犠牲層SF1、及び複数のダミーパターンDPの上に第1絶縁層IL1を形成して埋め込み、第1絶縁層IL1に、第1配線層ML1に重畳する第1ビアホールVA1及び複数のダミーパターンDPに重畳する第2ビアホールVA11を形成し、第1ビアホールVA1内に位置する第1ビアMV1及び第2ビアホールVA11内に位置する第2ビアMV11を形成し、第1ビアMV1に重畳する第2配線層ML2及び第2ビアMV11に重畳する第3配線層ML22を形成する。
【0054】
図5を参照すると、第2配線層ML2及び第3配線層ML22の上に第2絶縁層IL2及び第2銅箔層TC2を形成して、第2配線層ML2及び第3配線層ML22を第2絶縁層IL2で埋め込む。
【0055】
その次に、図6に示したように、キャリア基板CSの両側から基板部SUBを剥離する。
【0056】
以下では、キャリア基板CSから剥離された一つの基板部SUBについて説明する。
【0057】
図7に示したように、基板部SUBから第1銅箔層TC1を除去し、第1犠牲層SF1の上に第2犠牲層SF2を形成し、第1配線層ML1の上に第1パッド層MP1を形成する。また、第2絶縁層IL2に、第2配線層ML2に重畳する第3ビアホールVA2及び第3配線層ML22に重畳する第4ビアホールVA22を形成し、第3ビアホールVA2内に第3ビアMV2と第4ビアホールVA22内に第4ビアMV22とを形成し、第3ビアMV2に重畳する第2パッド層MP2と第4ビアMV22に重畳する第3配線層ML22とを形成する。
【0058】
本実施形態では、キャリア基板CSの両側から基板部SUBを剥離した後、第3ビアホールVA2及び第4ビアホールVA22、第3ビアMV2及び第4ビアMV22、そして第2パッド層MP2及び第3配線層ML22を形成することを示したが、実施形態はこれに限定されず、他の実施形態として、第3ビアホールVA2及び第4ビアホールVA22、第3ビアMV2及び第4ビアMV22、そして第2パッド層MP2及び第3配線層ML22を、キャリア基板CSの両側から基板部SUBを剥離する前に形成してもよい。
【0059】
図8を参照すると、第1絶縁層IL1の上に第1ソルダレジスト層PL1を形成し、第2絶縁層IL2の下に第2ソルダレジスト層PL2を形成する。
【0060】
第1ソルダレジスト層PL1は第2犠牲層SF2を全て露出する第1開口部OP1と第1パッド層MP1の少なくとも一部分に重畳する第2開口部OP2とを有し、第2ソルダレジスト層PL2は第2パッド層MP2に重畳する第3開口部OP3Aと第3配線層ML22に重畳する第4開口部OP3Bとを有する。
【0061】
図9に示したように、第1ソルダレジスト層PL1の上に第1ソルダレジスト層PL1の第2開口部OP2を覆い第1開口部OP1を露出する第1マスク層MSK1と、第2ソルダレジスト層PL2の下に第3開口部OP3A及び第4開口部OP3Bを覆うように第2マスク層MSK2とを配置する。キャビティCVが形成される領域を除いた部分は全て第1マスク層MSK1及び第2マスク層MSK2によって覆われる。
【0062】
第1マスク層MSK1及び第2マスク層MSK2をエッチングマスクにして、キャビティCVが形成される領域に位置する第1犠牲層SF1及び第2犠牲層SF2をエッチングETする。
【0063】
図10を参照すると、第1マスク層MSK1及び第2マスク層MSK2を除去して、第1絶縁層ML1の一部分にキャビティCVの第1部分CV1と第1ソルダレジスト層PL1にキャビティCVの第3部分CV3とを形成する。
【0064】
その後、第1絶縁層ML1に埋め込まれた複数のダミーパターンDPを除去してキャビティCVの第2部分CV2を形成して、図1の印刷回路基板100を形成する。
【0065】
第1絶縁層ML1に埋め込まれた複数のダミーパターンDPを除去することによって、キャビティCV内で、第2ビアMV11がキャビティCVの第2部分CV2を通じて露出する。高さ方向DRHに沿って、キャビティCVの第2部分CV2の下部面と第2ビアMV11の上部面とは実質的に同じ高さを有する。
【0066】
本実施形態による印刷回路基板の製造方法によると、第1絶縁層IL1に埋め込まれるように複数のダミーパターンDP及び第1犠牲層SF1を形成し、第1パッド層MP1と同じ層として第2犠牲層SF2を形成し、第1及び第2マスク層(MSK1、MSK2)をエッチングマスクにして、第2犠牲層SF2、第1犠牲層SF1、及び複数のダミーパターンDPをエッチングして印刷回路基板にキャビティCVを形成する。したがって、キャビティCVは第1ソルダレジスト層PL1及び第1絶縁層IL1の一部分に形成され、キャビティCVの深さHTは、第1絶縁層IL1によって埋め込まれる第1配線層ML1の第1厚さD1と第1ソルダレジスト層PL1の第3厚さD3との合計よりもキャビティCVの第2部分CV2の第2深さH2だけ大きい。
【0067】
キャビティCVの第3部分CV3及び第1部分CV1を形成する間、複数のダミーパターンDPで複数のビアMV11を覆って保護することによってキャビティCVの形成工程中にキャビティCVによって露出する複数のビアMV11が損傷することを防止することができ、これによってキャビティCV内に電子部品を実装する時に、実装の正確度を高めることができる。
【0068】
キャビティCV内に第1絶縁層IL1が残った複数の絶縁層IL内に埋め込まれた複数の配線層MLが第1絶縁層IL1によって保護されることによってキャビティCV周辺の回路パターンが損傷されず、第1絶縁層IL1によって埋め込まれる第1配線層ML1の厚さを調節することによってキャビティCVの全体の深さHTを調節することができ、キャビティCVの第2部分CV2の側面に位置する第1絶縁層IL1の表面を第2部分CV2よりも突出させてキャビティCVの下部面の表面に複数の突出部PRを形成し、複数の突出部PRがスペーサの役割を果たすことによって、キャビティCV内に電子部品を実装した場合に、電子部品周辺に空間が発生し、電子部品などによって発生した熱がこの空間を通じて拡散される。
【0069】
また、キャビティCVの複数の第2部分CV2が複数の第2ビアMV11に重畳し、キャビティCV内に実装される電子部品と印刷回路基板100との間の接続のための接続部が複数の第3部分CV3内に配置されるため、接続部の大きさが小さくなっても各接続部が複数の第3部分CV3のそれぞれの内に配置されることによって電子部品と印刷回路基板100との間の接続を安全に維持することができる。
【0070】
図11は、他の実施形態による印刷回路基板の断面図である。以下、図11を参照して、他の実施形態による印刷回路基板について説明する。
【0071】
図11を参照すると、本実施形態による印刷回路基板101は図1を参照して説明した実施形態による印刷回路基板100に類似する。同一の構成要素に関する具体的な説明は省略する。
【0072】
図11を参照すると、本実施形態による印刷回路基板は、図1に示した実施形態による印刷回路基板とは異なり、第2絶縁層IL2の下に位置する第3絶縁層IL3、第3絶縁層IL3によって埋め込まれる第4配線層ML3及び第5配線層ML33、そして第3絶縁層IL3の第5ビアホールVA3及び第6ビアホールVA33に位置する第5ビアMV3及び第6ビアMV33を更に含む。第2パッド層MP2は第5ビアMV3に連結され、第3パッド層MP22は第6ビアMV33に連結される。
【0073】
先に図1図10を参照して説明した実施形態による印刷回路基板100及び印刷回路基板の製造方法の多くの特徴は、本実施形態による印刷回路基板101に全て適用可能である。
【0074】
図12は、更に他の実施形態による印刷回路基板の断面図である。図12を参照して、更に他の実施形態による印刷回路基板について説明する。
【0075】
図12を参照すると、本実施形態による印刷回路基板102は先に説明した実施形態による印刷回路基板(100、101)に類似する。同一の構成要素に関する具体的な説明は省略する。
【0076】
図12を参照すると、本実施形態による印刷回路基板102は、図1に示した実施形態による印刷回路基板とは異なり、第2絶縁層IL2の下に位置する第3絶縁層IL3、第3絶縁層IL3によって埋め込まれる第4配線層ML3及び第5配線層ML33、そして第3絶縁層IL3の第5ビアホールVA3及び第6ビアホールVA33に位置する第5ビアMV3及び第6ビアMV33を更に含む。第2パッド層MP2は第5ビアMV3に連結され、第3パッド層MP22は第6ビアMV33に連結される。
【0077】
また、本実施形態による印刷回路基板102は、先に説明した実施形態による印刷回路基板(100、101)とは異なり、第1パッド層MP1の少なくとも一部分に重畳する第1ソルダレジスト層PL1の第2開口部OP2内に位置して第1パッド層MP1に接触する第1追加パッド層MP11と、第1ソルダレジスト層PL1の上に位置して第1追加パッド層MP11に接触する第2追加パッド層MP12とを更に含む。
【0078】
また、キャビティCVは、第2追加パッド層MP12で定義される第4部分CV4を更に含む。
【0079】
キャビティCVの第4部分CV4の第4幅W4は、第1絶縁層IL1に形成されたキャビティCVの第1部分CV1の第1幅W1及び第1ソルダレジスト層PL1の一部分に形成されたキャビティCVの第3部分CV3の第3幅W3とは異なる。
【0080】
キャビティCVの全体の深さHTは、第1絶縁層IL1によって埋め込まれる第1配線層ML1の第1厚さD1、第1絶縁層IL1に形成された第1ビアホールVA1内の第1ビアMV1の一部分の厚さ、第1ソルダレジスト層PL1の第3厚さD3、そして第2追加パッド層MP12の厚さの合計と実質的に同じである。
【0081】
このように、第1パッド層MP1に接触する第1追加パッド層MP11と第1追加パッド層MP11に接触する第2追加パッド層MP12とを更に含むことによって、キャビティCVの全体の深さHTを更に深く調節することができる。
【0082】
先に図1図10を参照して説明した実施形態による印刷回路基板100及び印刷回路基板の製造方法の多くの特徴は本実施形態による印刷回路基板101に全て適用可能である。
【0083】
以上、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【符号の説明】
【0084】
100、101、102 印刷回路基板
CL コア部
CS キャリア基板
CV キャビティ
CV1、CV2、CV3、CV4 第1~第4部分
DP ダミーパターン
ET エッチング
IL 絶縁層
IL1、IL2、IL3 第1~第3絶縁層
ML 配線層
ML1、ML2、ML22、ML3、ML33 第1~第5配線層
MP パッド層
MP1、MP2、MP22 第1~第3パッド層
MS 薄膜金属層
MSK1、MSK2 第1、第2マスク層
MV ビア
MV1、MV11、MV2、MV22、MV3、MV33 第1~第6ビア
OP1、OP2、OP3A、OP3B 第1~第4開口部
PL ソルダレジスト層
PL1、PL2 第1、第2ソルダレジスト層
SF1、SF2 第1、第2犠牲層
SUB 基板部
TC1、TC2 第1、第2銅箔層
VA ビアホール
VA1、VA11、VA2、VA22、VA3、VA33 第1~第6ビアホール

図1
図2
図3
図4
図5
図6
図7
図8
図9
図10
図11
図12