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特開2025-68587積層型キャパシタ

書誌要約請求の範囲詳細な説明課題実施例実施するための形態図面の説明

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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025068587

(43)【公開日】2025-04-28

(54)【発明の名称】積層型キャパシタ

(51)【国際特許分類】

H01G 4/30 20060101AFI20250421BHJP

【ＦＩ】

H01G4/30 516

H01G4/30 513

H01G4/30 515

H01G4/30 201D

H01G4/30 201C

H01G4/30 201K

H01G4/30 201L

H01G4/30 512

【審査請求】未請求

【請求項の数】17

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024158274

(22)【出願日】2024-09-12

(31)【優先権主張番号】10-2023-0137511

(32)【優先日】2023-10-16

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソンエレクトロ－メカニックスカンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】100108453

【弁理士】

【氏名又は名称】村山靖彦

(74)【代理人】

【識別番号】100110364

【弁理士】

【氏名又は名称】実広信哉

(72)【発明者】

【氏名】呉由弘

(72)【発明者】

【氏名】崔源美

(72)【発明者】

【氏名】辛修▲ミン▼

(72)【発明者】

【氏名】李成煥

(72)【発明者】

【氏名】金 ▲ビュン▼建

(72)【発明者】

【氏名】安智慧

(72)【発明者】

【氏名】金度傳

【テーマコード（参考）】

5E001

5E082

【Ｆターム（参考）】

5E001AB03

5E001AC09

5E001AE02

5E001AE03

5E001AE04

5E001AF06

5E082AA01

5E082AB03

5E082BC39

5E082BC40

5E082EE04

5E082EE23

5E082FF05

5E082FG04

5E082FG26

5E082GG10

5E082PP03

5E082PP09

(57)【要約】

【課題】内部電極の平滑度および接続性を改善して信頼性が向上し、高容量が実現された積層型キャパシタを提供する。
【解決手段】本開示による積層型キャパシタは、誘電体層および内部電極を含むキャパシタボディ、ならびに前記キャパシタボディの外側に配置される外部電極を含み、
前記内部電極は、Ｎｉ－Ｇｅ合金を含み、
内部電極中心部におけるＮｉ対比Ｇｅの平均含有量（重量％）をＸとし、前記内部電極と前記誘電体層の間に配置された界面から前記内部電極の中心部に向かって２０ｎｍ離隔した地点におけるＮｉ対比Ｇｅの平均含有量（重量％）をＹとする時、ＸとＹの関係が式１を満足する。
式１は明細書に記載されたものと同じである。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

誘電体層および内部電極を含むキャパシタボディ、ならびに
前記キャパシタボディの外側に配置される外部電極を含み、
前記内部電極はＮｉ－Ｇｅ合金を含み、
内部電極中心部におけるＮｉ対比Ｇｅの平均含有量（重量％）をＸとし、前記内部電極と前記誘電体層の間に配置された界面から前記内部電極の中心部に向かって２０ｎｍ離隔した地点におけるＮｉ対比Ｇｅの平均含有量（重量％）をＹとする時、ＸとＹの関係が下記式１を満たす、積層型キャパシタ：
［式１］

【数1】

【請求項2】

前記内部電極全体におけるＮｉ対比Ｇｅの平均含有量（重量％）が０．１重量％～１０重量％である、請求項１に記載の積層型キャパシタ。

【請求項3】

前記Ｘ値は、０．９０重量％～１．８０重量％である、請求項１に記載の積層型キャパシタ。

【請求項4】

前記Ｙ値は、１．００重量％～１．５０重量％である、請求項１に記載の積層型キャパシタ。

【請求項5】

前記内部電極の平均厚さは、０．０５μｍ～１μｍである、請求項１に記載の積層型キャパシタ。

【請求項6】

前記誘電体層の平均厚さは、０．０５μｍ～２．５μｍである、請求項１に記載の積層型キャパシタ。

【請求項7】

前記誘電体層は、主成分および副成分を含む誘電体を含む、請求項１に記載の積層型キャパシタ。

【請求項8】

前記主成分は、Ｂａ_ｍＴｉＯ_３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０）、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）_ｍ（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０、０≦ｘ≦０．１０、０＜ｙ≦０．２０）、Ｂａ_ｍ（Ｔｉ_１－ｘＺｒ_ｘ）Ｏ_３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０、ｘ≦０．１０）、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）_ｍ（Ｔｉ_１－ｙＳｎ_ｙ）Ｏ_３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０、０≦ｘ≦０．１０、０＜ｙ≦０．２０）、またはこれらの組み合わせを含む、請求項７に記載の積層型キャパシタ。

【請求項9】

前記副成分は、ジスプロシウム（Ｄｙ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、クロム（Ｃｒ）、シリコン（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、スズ（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、バリウム（Ｂａ）、ランタン（Ｌａ）、イットリウム（Ｙ）、アクチニウム（Ａｃ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジミウム（Ｐｒ）、ネオジウム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）、ハフニウム（Ｈｆ）、またはこれらの組み合わせを含む、請求項７に記載の積層型キャパシタ。

【請求項10】

誘電体層および内部電極を含むキャパシタボディ、ならびに
前記キャパシタボディの外側に配置される外部電極を含み、
前記内部電極は、Ｎｉ－Ｇｅ合金を含み、
前記内部電極全体におけるＮｉ対比Ｇｅの平均含有量（重量％）が０．１重量％～１０重量％であり、
内部電極中心部におけるＮｉ対比Ｇｅの平均含有量（重量％）をＸとし、前記内部電極と前記誘電体層の間に配置された界面から前記内部電極の中心部に向かって２０ｎｍ離隔した地点におけるＮｉ対比Ｇｅの平均含有量（重量％）をＹとする時、ＸとＹの関係が下記式１を満たす、積層型キャパシタ：
［式１］

【数2】

【請求項11】

前記Ｘ値は、０．９０重量％～１．８０重量％である、請求項１０に記載の積層型キャパシタ。

【請求項12】

前記Ｙ値は、１．００重量％～１．５０重量％である、請求項１０に記載の積層型キャパシタ。

【請求項13】

前記内部電極の平均厚さは、０．０５μｍ～１μｍである、請求項１０に記載の積層型キャパシタ。

【請求項14】

前記誘電体層の平均厚さは、０．０５μｍ～２．５μｍである、請求項１０に記載の積層型キャパシタ。

【請求項15】

前記誘電体層は、主成分および副成分を含む誘電体を含む、請求項１０に記載の積層型キャパシタ。

【請求項16】

【請求項17】

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、積層型キャパシタに関する。

【背景技術】

【0002】

近年、電子機器の多機能化および小型化が急速に進むにつれて、電子部品の小型化と性能向上も速い速度に進んでいる。また、自動車またはネットワーク装備などに使用される電気装置、および産業用に使用される電子部品の高信頼性に対する要求も大きく増加している。

【0003】

このような市場要求に応えるために、インダクタ（Ｉｎｄｕｃｔｏｒ）、キャパシタ（Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）、またはレジスター（Ｒｅｓｉｓｔｏｒ）のような受動部品の技術開発競争が加速化している。特に、受動部品としてその用途と使用量が持続的に増加している積層型キャパシタ（ＭｕｌｔｉｌａｙｅｒＣｅｒａｍｉｃＣａｐａｃｉｔｏｒ、ＭＬＣＣ）の様々な製品開発で市場を先取りするための多くの努力が求められている。

【0004】

また、積層型キャパシタは誘電体層と内部電極を重ねた形で製造されたキャパシタとして、携帯電話機、ノートパソコン、ＬＣＤＴＶなど各種電子機器に使用されている。

【0005】

近年、技術の発展に伴い、積層型キャパシタは、小型化、高容量化が要求されており、そのためには内部電極と誘電体層の厚さの減少が必要である。誘電体層の厚さが減少すると、１層当りに加わる電界強度が相対的に強くなり、これによりキャパシタの信頼性の低下が発生することになり、電極接続性の劣化により静電容量も減少するという問題がある。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

実施例の一側面は、内部電極の平滑度および接続性を改善して信頼性が向上し、高容量が実現された積層型キャパシタを提供する。

【0007】

しかし、実施例が解決しようとする課題は、上述した課題に限定されず、実施例に含まれている技術的な思想の範囲で様々に拡張することができる。

【課題を解決するための手段】

【0008】

一実施例による積層型キャパシタは、誘電体層および内部電極を含むキャパシタボディ、ならびに前記キャパシタボディの外側に配置される外部電極を含み、
前記内部電極は、Ｎｉ－Ｇｅ合金を含み、
内部電極中心部におけるＮｉ対比Ｇｅの平均含有量（重量％）をＸとし、前記内部電極と前記誘電体層との間に配置された界面から前記内部電極の中心部に向かって２０ｎｍ離隔した地点におけるＮｉ対比Ｇｅの平均含有量（重量％）をＹとする時、ＸとＹの関係が下記式１を満足する。
［式１］

【数1】

前記内部電極全体におけるＮｉ対比Ｇｅの平均含有量（重量％）が０．１重量％～１０重量％であることができる。

【0009】

前記Ｘ値は、０．９０重量％～１．８０重量％であることができる。

【0010】

前記Ｙ値は、１．００重量％～１．５０重量％であることができる。

【0011】

前記内部電極の平均厚さは、０．０５μｍ～１μｍであることができる。

【0012】

前記誘電体層の平均厚さは、０．０５μｍ～２．５μｍであることができる。

【0013】

前記誘電体層は、主成分および副成分を含む誘電体を含むことができる。

【0014】

【0015】

【0016】

他の実施例による積層型キャパシタは、誘電体層および内部電極を含むキャパシタボディ、ならびに前記キャパシタボディの外側に配置される外部電極を含み、
前記内部電極は、Ｎｉ－Ｇｅ合金を含み、
前記内部電極全体におけるＮｉ対比Ｇｅの平均含有量（重量％）が０．１重量％～１０重量％であり、内部電極中心部でのＮｉ対比Ｇｅの平均含有量（重量％）をＸとし、前記内部電極と前記誘電体層との間に配置された界面から前記内部電極の中心部に向かって２０ｎｍ離隔した地点におけるＮｉ対比Ｇｅの平均含有量（重量％）をＹとする時、ＸとＹの関係が下記式１を満足する。
［式１］

【数2】

前記Ｘ値は、０．９０重量％～１．８０重量％であることができる。

【0017】

前記Ｙ値は、１．００重量％～１．５０重量％であることができる。

【0018】

前記内部電極の平均厚さは、０．０５μｍ～１μｍであることができる。

【0019】

前記誘電体層の平均厚さは、０．０５μｍ～２．５μｍであることができる。

【0020】

前記誘電体層は、主成分および副成分を含む誘電体を含むことができる。

【0021】

【0022】

【発明の効果】

【0023】

一実施例による積層型キャパシタによれば、内部電極の平滑度および接続性を改善して信頼性が向上し、高容量が実現された積層型キャパシタを提供することができる。

【0024】

但し、本発明の多様かつ有益な長所と効果は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実現例を説明する過程でより容易に理解できるだろう。

【図面の簡単な説明】

【0025】

【図1】一実現例による積層型キャパシタを示す斜視図である。

【図2】図１のＩ－Ｉ’線に沿って切断した積層型キャパシタの断面図である。

【図3】図１のキャパシタボディから内部電極層の積層構造を示した分離斜視図である。

【図4】一実現例による積層型キャパシタに含まれる内部電極の成分分析結果を示すＴＥＭイメージである。

【図5】ＮｉのＥＤＳマッピングである。

【図6】ＧｅのＥＤＳマッピングである。

【発明を実施するための形態】

【0026】

以下、添付図面を参照して、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施できるように本発明の実施例を詳しく説明する。図面で本発明を明確に説明するために説明上不要な部分は省略し、明細書全体にわたって同一または類似の構成要素については、同じ参照符号を付けた。また、添付図面は、本明細書に開示された実施例を容易に理解できるようにするためのものであって、添付図面によって本明細書に開示された技術的な思想が限定されるものではなく、本発明の思想および技術範囲に含まれる全ての変更、均等物乃至代替物を含むものと理解しなければならない。

【0027】

第１、第２などのように序数を含む用語は、様々な構成要素を説明するために使用することができるが、前記構成要素は、前記用語によって限定されない。前記用語は、一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的にだけ使用される。

【0028】

ある構成要素が他の構成要素「接続して」または「接続されて」と記載されている場合、その他の構成要素に直接的に接続していたり、接続されていたり、または対向していることもできるが、中間に他の構成要素が存在することもできると理解されるべきである。一方、ある構成要素が他の構成要素に「直接接続して」または「直接接続されて」いると記載されている場合は、中間に他の構成要素が存在しないものと理解しなければならない。

【0029】

明細書全体において、「含む」または「有する」等の用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定するものであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものの存在または付加可能性を予め排除しないものと理解しなければならない。従って、ある部分が他の構成要素を「含む」とする場合、これは特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。

【0030】

図１は、一実現例による積層型キャパシタ１００を示す斜視図であり、図２は、図１のＩ－Ｉ’線に沿って切断した積層型キャパシタ１００の断面図であり、図３は、図１のキャパシタボディ１１０における内部電極の積層構造を示した分離斜視図である。

【0031】

本実施例を明確に説明するために方向を定義すると、図面に表示されたＬ軸、Ｗ軸およびＴ軸は、それぞれキャパシタボディ１１０の長さ方向、幅方向および厚さ方向を示す。ここで、厚さ方向（Ｔ軸方向）は、シート形状の構成要素の広い面（主面）に垂直な方向であり、一例として、誘電体層１１１が積層される積層方向と同じ概念で使用することができる。長さ方向（Ｌ軸方向）は、シート形状の構成要素の広い面（主面）に平行に延びる方向で、厚さ方向（Ｔ軸方向）と略垂直な方向とすることができ、一例として、両側に第１外部電極１３１および第２外部電極１３２が位置する方向であることができる。幅方向（Ｗ軸方向）は、シート形状の構成要素の広い面（主面）に平行に延びる方向に厚さ方向（Ｔ軸方向）および長さ方向（Ｌ軸方向）と略垂直な方向とすることができ、シート形状の構成要素の長さ方向（Ｌ軸方向）の長さは、幅方向（Ｗ軸方向）の長さよりも長いことができる。

【0032】

図１乃至図３を参照すると、一実施例による積層型キャパシタ１００は、キャパシタボディ１１０、ならびにキャパシタボディ１１０の長さ方向（Ｌ軸方向）に対向する両端に配置される第１外部電極１３１および第２外部電極１３２を含むことができる。

【0033】

キャパシタボディ１１０は、一例として、概略六面体形状であることができる。

【0034】

本実施例では、説明の便宜上、キャパシタボディ１１０で厚さ方向（Ｔ軸方向）に互いに対向する両面を第１面および第２面と、第１面および第２面と接続され長さ方向（Ｌ軸方向）に互いに対向する両面を第３面および第４面と、第１面および第２面と接続され第３面および第４面と接続され幅方向（Ｗ軸方向）に互いに対向する両面を第５面および第６面と定義することができる。

【0035】

一例として、下面の第１面が実装方向を向く面とすることができる。また、第１面～第６面は平坦であることができるが、本実現例がこれに限定されるものではなく、例えば、第１面～第６面は、中央部が凸状の曲面であってもよく、各面の境界である角部はラウンド（ｒｏｕｎｄ）であることができる。

【0036】

キャパシタボディ１１０の形状、サイズおよび誘電体層１１１の積層数が本実施例の図面に示されたものに限定されるものではない。

【0037】

キャパシタボディ１１０は、複数の誘電体層１１１を厚さ方向（Ｔ軸方向）に積層した後、焼成したものであり、複数の誘電体層１１１と誘電体層１１１を間において厚さ方向（Ｔ軸方向）に交互に配置される第１内部電極層１２１および第２内部電極層１２２を含む。

【0038】

この時、キャパシタボディ１１０の互いに隣接するそれぞれの誘電体層１１１の間の境界は、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ：ＳｃａｎｎｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎＭｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を利用せずに確認が困難なほど一体化されることがある。

【0039】

また、キャパシタボディ１１０は、アクティブ領域とカバー領域１１２、１１３を含むことができる。

【0040】

アクティブ領域は、積層型キャパシタ１００の容量形成に寄与する部分である。一例として、アクティブ領域は、厚さ方向（Ｔ軸方向）に沿って積層される第１内部電極層１２１または第２内部電極層１２２が重畳（ｏｖｅｒｌａｐ）された領域であることができる。

【0041】

カバー領域１１２、１１３は、厚さ方向マージン部として、厚さ方向（Ｔ軸方向）にアクティブ領域の第１面および第２面側にそれぞれ位置することができる。このようなカバー領域１１２、１１３は、単一の誘電体層１１１または二つ以上の誘電体層１１１がアクティブ領域の上面および下面にそれぞれ積層されたものであることができる。

【0042】

また、キャパシタボディ１１０は、側面カバー領域をさらに含むことができる。側面カバー領域は、幅方向マージン部として、幅方向（Ｗ軸方向）にアクティブ領域の第５面および第６面側にそれぞれ位置することができる。このような側面カバー領域は、誘電体グリーンシート表面に内部電極層形成用導電性ペースト層を塗布する時、誘電体グリーンシート表面の一部領域にだけ導電性ペースト層を塗布し、誘電体グリーンシート表面の両側の側面には導電性ペースト層を塗布しない誘電体グリーンシートを積層した後、焼成することによって形成することができる。

【0043】

カバー領域１１２、１１３と側面カバー領域は、物理的または化学的ストレスによる第１内部電極層１２１および第２内部電極層１２２の損傷を防止する役割を果たす。

【0044】

一実施例による積層型キャパシタ１００は、誘電体層１１１および内部電極１２１、１２２を含むキャパシタボディ１１０、ならびに前記キャパシタボディ１１０の外側に配置される外部電極１３１、１３２を含み、前記内部電極１２１、１２２はＮｉ－Ｇｅ合金を含む。

【0045】

Ｇｅ（Ｇｅｒｍａｎｉｕｍ、ゲルマニウム）は、酸化傾向がＳｎ（Ｔｉｎ、スズ）と非常に類似した元素である。このようなＧｅを、内部電極を製造する時に添加して還元雰囲気でＮｉと一緒に焼成すると、内部電極に全体的に均一にＮｉ－Ｇｅ合金が形成される。

【0046】

前記Ｎｉ－Ｇｅ合金は、Ｎｉの粒子境界エネルギー（ｇｒａｉｎｂｏｕｎｄａｒｙｅｎｅｒｇｙ）および表面張力を減少させ、内部電極の平滑度と接続性を改善することができる。内部電極１２１、１２２の平滑度が改善されると、誘電体層１１１の厚さが減少しても、誘電体層１層当り加わる電界の強度を分散させることができる。

【0047】

また半金属であるＧｅをＮｉと合金化させることにより、誘電体層１１１と内部電極１２１、１２２との間の界面の絶縁性が向上し、信頼性を向上させることができる。またＧｅとの合金化過程でＮｉは焼結速度が遅れるため、これにより電極接続性がさらに改善され、より高い容量を有するキャパシタを実現することができる。

【0048】

前記Ｎｉ－Ｇｅ合金を含む内部電極１２１、１２２は、内部電極層形成用導電性ペーストにＧｅまたはＧｅＯ_２ナノ粒子を添加し、酸素分圧を１０^－９～１０^－１０に制御して１０分～２０分間焼成して製造することができる。

【0049】

前記内部電極１２１、１２２は、上述したＮｉ－Ｇｅ合金以外にも導電性金属をさらに含むことができる。前記導電性金属は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ、これらの合金、またはこれらの組み合わせを含むことができる。

【0050】

一実施例では、前記内部電極１２１、１２２全体におけるＮｉ対比Ｇｅの平均含有量は、０．１重量％～１０重量％であってもよく、例えば、０．５重量％～１０重量％、０．５重量％～８重量％、または１重量％～８重量％であってもよい。

【0051】

前記内部電極１２１、１２２全体におけるＮｉ対比Ｇｅの平均重量％は、０．１重量％未満の場合、キャパシタの信頼性の向上および高容量の実現が難しい場合がある。

【0052】

前記内部電極１２１、１２２全体におけるＮｉ対比Ｇｅの平均重量％は、１０重量％超過の場合、Ｎｉ－Ｇｅ合金の融点が低くなりすぎて、内部電極の平滑度および接続性が劣化することがある。

【0053】

一実施例の積層型キャパシタ１００によれば、内部電極１２１、１２２の中心部におけるＮｉ対比Ｇｅの平均含有量（重量％）をＸとし、前記内部電極１２１、１２２と前記誘電体層１１１の間に配置された界面から前記内部電極の中心部に向かって２０ｎｍ離隔した地点におけるＮｉ対比Ｇｅの平均含有量（重量％）をＹとすると、ＸとＹの関係が下記式１を満足する。
［式１］

【数3】

前記式１で

【数4】

が０．２を超えると、内部電極内でＧｅがＮｉと均一に合金を形成せず、内部電極の平滑度と接続性を改善しにくい場合がある。

【0054】

内部電極１２１、１２２の中心部は、キャパシタボディ１１０のＷ軸方向の中心からＬ軸方向およびＴ軸方向に切断した断面において、いずれか一つの内部電極の一側表面の一地点と前記地点から最短距離に位置する内部電極の他の一側表面の一地点の間の中間地点を意味することができる。また前記中間地点だけでなく、前記中間地点を基準としてＴ軸方向に±３０％以内である領域までを意味することができる。

【0055】

前記内部電極１２１、１２２中心部におけるＮｉ対比Ｇｅの平均含有量（重量％）をＸとする時、前記Ｘ値は、０．９０重量％～１．８０重量％であることができ、例えば、０．９５重量％～１．８０重量％、０．９５重量％～１．６０重量％、または０．９５重量％～１．５５重量％であることができる。

【0056】

内部電極１２１、１２２の表層部は、前記内部電極の中心部以外の領域で、内部電極１２１、１２２と前記誘電体層１１１の間に配置された界面から前記内部電極の中心部に向かってＴ軸方向に２０ｎｍ離隔した地点を意味することができる。また前記地点だけでなく、前記地点を基準にＴ軸方向に±３０％以内の領域までを意味することができる。

【0057】

前記内部電極１２１、１２２の表層部におけるＮｉ対比Ｇｅの平均含有量（重量％）をＹとする時、前記Ｙ値は、１．００重量％～１．５０重量％であることができ、例えば、１．１０重量％～１．５０重量％、または１．１０重量％～１．３０重量％であることができる。

【0058】

図４は、一実現例による積層型キャパシタ１００に含まれる内部電極１２１、１２２の成分分析結果を示すＴＥＭイメージであり、図５は、ＮｉのＥＤＳマッピングであり、図６は、ＧｅのＥＤＳマッピングである。

【0059】

図４乃至図６を参照すると、前記のように内部電極１２１、１２２に含まれるＮｉ対比Ｇｅの平均重量％は、ＴＥＭ（ＴｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎＥｌｅｃｔｒｏｎＭｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）－ＥＤＳ（ＥｎｅｒｇｙＤｉｓｐｅｒｓｅＸ－ＲａｙＳｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）定量分析を通して測定することができる。

【0060】

一例として、前記内部電極１２１、１２２全体におけるＮｉ対比Ｇｅの平均重量％は、任意の内部電極を５つ以上選択した後、内部電極内部の任意の１０点を選択してＴＥＭ－ＥＤＳを通してＮｉおよびＧｅを定量分析し、測定した値の算術平均値を計算して求めることができる。

【0061】

一例として、前記内部電極１２１、１２２中心部におけるＮｉ対比Ｇｅの平均重量％は、任意の内部電極を５つ以上選択した後、内部電極の中心部に該当する等間隔の５点を選択してＴＥＭ－ＥＤＳを通してＮｉおよびＧｅを定量分析し、測定した値の算術平均値を計算して求めることができる。

【0062】

一例として、前記内部電極１２１、１２２表層部におけるＮｉ対比Ｇｅの平均重量％は、任意の内部電極を５つ以上選択した後、内部電極と誘電体層間に配置された界面から内部電極の中心方向に約２０ｎｍ離隔した地点に該当する等間隔の５点を選択してＴＥＭ－ＥＤＳを通してＮｉおよびＧｅを定量分析し、測定した値の算術平均値を計算して求めることができる。

【0063】

第１内部電極１２１と第２内部電極１２２は、互いに異なる極性を有する電極であり、誘電体層１１１を間においてＴ軸方向に沿って互いに対向されるように交互に配置され、一端がキャパシタボディ１１０の第３および第４面を通してそれぞれ露出することができる。

【0064】

第１内部電極１２１と第２内部電極１２２は、中間に配置された誘電体層１１１によって互いに電気的に絶縁することができる。

【0065】

キャパシタボディ１１０の第３および第４面を通して交互に露出する第１内部電極１２１および第２内部電極１２２の端部は、第１外部電極１３１および第２外部電極１３２とそれぞれ接続されて電気的に接続されることができる。

【0066】

また、第１内部電極１２１および第２内部電極１２２は、誘電体層１１１に含まれるセラミック材料と同一組成系の誘電体粒子を含むこともできる。

【0067】

第１内部電極１２１および第２内部電極１２２は、導電性金属を含む導電性ペーストを使用して形成することができる。導電性ペーストのプリント方法は、スクリーンプリント法またはグラビアプリント法などを利用することができる。

【0068】

一例として、第１内部電極１２１および第２内部電極１２２の平均厚さは、０．０５μｍ以上、０．１μｍ以上、０．２μｍ、または０．２５μｍ以上であることができ、１μｍ以下、０．５μｍ以下、０．４μｍ以下、または０．３μｍ以下であることができる。

【0069】

第１内部電極１２１または第２内部電極１２２の平均厚さは、次のような方法で測定できる。

【0070】

まず、積層型キャパシタ１００をエポキシ混合液に入れて硬化した後、キャパシタボディ１１０のＬ軸方向およびＴ軸方向の側面をＷ軸方向に１／２地点まで研磨（Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）し、固定後、真空雰囲気チャンバー内に維持して、キャパシタボディ１１０のＷ軸方向の中央からＬ軸方向およびＴ軸方向に切断した断面サンプル（以下、「断面サンプル」という）を準備する。

【0071】

その後、前記断面サンプルを走査電子顕微鏡（ＳｃａｎｎｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎＭｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＳＥＭ）で観察して得られた走査電子顕微鏡イメージを準備する。

【0072】

前記断面サンプルの走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）イメージから、第１内部電極１２１または第２内部電極１２２の長さ方向（Ｌ軸方向）または幅方向（Ｗ軸方向）中央地点を基準点として、基準点から所定間隔で離れた１０個地点における第１内部電極１２１または第２内部電極１２２厚さの算術平均値を求めることにより、内部電極の平均厚さを求めることができる。

【0073】

１０個地点の間隔は、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）イメージのスケール（ｓｃａｌｅ）に応じて調節することができ、例えば、１μｍ～１００μｍ、１μｍ～５０μｍ、または１μｍ～１０μｍの間隔とすることができる。

【0074】

この時、１０個地点は、全て第１内部電極１２１または第２内部電極１２２内に位置しなければならず、１０個地点が全て第１内部電極１２１または第２内部電極１２２内に位置しない場合、基準点の位置を変更したり、１０個地点の間の間隔を調節することができる。

【0075】

誘電体層１１１は、誘電体を含み、前記誘電体は主成分と副成分を含むことができる。

【0076】

主成分は、誘電体の母材であり、高い誘電率を有し、積層型キャパシタ１００の誘電率を形成に寄与する。

【0077】

一例として、前記主成分は、Ｂａ_ｍＴｉＯ_３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０）、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）_ｍ（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０、０≦ｘ≦０．１０、０＜ｙ≦０．２０）、Ｂａ_ｍ（Ｔｉ_１－ｘＺｒ_ｘ）Ｏ_３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０、ｘ≦０．１０）、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）_ｍ（Ｔｉ_１－ｙＳｎ_ｙ）Ｏ_３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０、０≦ｘ≦０．１０、０＜ｙ≦０．２０）、またはこれらの組み合わせを含む誘電材料であることができる。

【0078】

一例として、前記主成分は、ＢａＴｉＯ_３、Ｂａ（Ｔｉ、Ｚｒ）Ｏ_３、Ｂａ（Ｔｉ、Ｓｎ）Ｏ_３、（Ｂａ、Ｃａ）ＴｉＯ_３、（Ｂａ、Ｃａ）（Ｔｉ、Ｚｒ）Ｏ_３、（Ｂａ、Ｃａ）（Ｔｉ、Ｓｎ）Ｏ_３、（Ｂａ、Ｓｒ）ＴｉＯ_３、（Ｂａ、Ｓｒ）（Ｔｉ、Ｚｒ）Ｏ_３、（Ｂａ、Ｓｒ）（Ｔｉ、Ｓｎ）Ｏ_３、またはこれらの組み合わせを含むことができる。

【0079】

一例として、副成分は、ジスプロシウム（Ｄｙ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、クロム（Ｃｒ）、シリコン（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、スズ（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、バリウム（Ｂａ）、ランタン（Ｌａ）、イットリウム（Ｙ）、アクチニウム（Ａｃ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジミウム（Ｐｒ）、ネオジウム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）、ハフニウム（Ｈｆ）、またはこれらの組み合わせを含むことができる。

【0080】

前記誘電体は、セラミック添加剤、有機溶剤、結合剤、分散剤、またはこれらの組み合わせをさらに含むことができる。

【0081】

一例として、誘電体層１１１の平均厚さは、０．０５μｍ以上、０．１μｍ以上、または０．２μｍ以上であることができ、２．５μｍ以下、１．５μｍ以下、０．５μｍ以下、または０．４μｍ以下であることができる。

【0082】

誘電体層１１１の平均厚さが０．０５μｍ未満の場合、信頼性改善の確認が難しい場合がある。誘電体層１１１の平均厚さは、前記断面サンプルの走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）イメージにおいて、誘電体層１１１の長さ方向（Ｌ軸方向）または幅方向（Ｗ軸方向）中央地点を基準点として、基準点から所定間隔で離れた１０個地点における誘電体層１１１厚さの算術平均値であることができる。

【0083】

１０個地点の間隔は、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）イメージのスケール（ｓｃａｌｅ）に応じて調節することができ、例えば、１μｍ～１００μｍ、１μｍ～５０μｍ、または１μｍ～１０μｍの間隔であることができる。

【0084】

この時、１０個地点は、全て誘電体層１１１内に位置しなければならず、１０個地点が全て誘電体層１１１内に位置しない場合、基準点の位置を変更したり、１０個地点の間の間隔を調節することができる。

【0085】

第１外部電極１３１および第２外部電極１３２は、互いに異なる極性の電圧が提供され、第１内部電極１２１および第２内部電極１２２の露出した部分とそれぞれ接続されて電気的に接続される。

【0086】

前記のような構成により、第１外部電極１３１および第２外部電極１３２に所定の電圧を印加すると、互いに対向する第１内部電極１２１および第２内部電極１２２の間に電荷が蓄積される。この時、積層型キャパシタ１００の静電容量は、アクティブ領域でＴ軸方向に沿って互いに重なる第１内部電極１２１および第２内部電極１２２のオーバーラップされた面積と比例する。

【0087】

第１外部電極１３１および第２外部電極１３２は、キャパシタボディ１１０の第３および第４面にそれぞれ配置され、第１内部電極１２１および第２内部電極１２２と接続する第１および第２接続部と、キャパシタボディ１１０の第３および第４面と、第１および第２面または第５および第６面が接する角部に配置される第１および第２バンド部をそれぞれ含むことができる。

【0088】

第１および第２バンド部は、第１および第２接続部からキャパシタボディ１１０の第１および第２面または第５および第６面の一部までそれぞれ延びることができる。第１および第２バンド部は、第１外部電極１３１および第２外部電極１３２の固着強度を向上させる役割を果たすことができる。

【0089】

一例として、第１外部電極１３１および第２外部電極１３２は、それぞれキャパシタボディ１１０と接触する焼結金属層、焼結金属層を覆うように配置される導電性樹脂層、および導電性樹脂層を覆うように配置されるメッキ層を含むことができる。

【0090】

焼結金属層は、導電性金属およびガラスを含むことができる。

【0091】

一例として、焼結金属層は、導電性金属として、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタニウム（Ｔｉ）、鉛（Ｐｂ）、これらの合金、またはこれらの組み合わせを含むことができ、例えば、銅（Ｃｕ）は、銅（Ｃｕ）合金を含むことができる。導電性金属が銅を含む場合、銅以外の金属は、銅１００モル部に対して５モル部以下含まれることができる。

【0092】

一例として、焼結金属層は、ガラスに酸化物が混合された組成を含むことができ、例えば、ケイ素酸化物、ホウ素酸化物、アルミニウム酸化物、遷移金属酸化物、アルカリ金属酸化物およびアルカリ土類金属酸化物で構成される群から選択された一つ以上であることができる。遷移金属は、亜鉛（Ｚｎ）、チタニウム（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）およびニッケル（Ｎｉ）で構成される群から選択され、アルカリ金属は、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）およびカリウム（Ｋ）からなる群から選択され、アルカリ土類金属は、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）およびバリウム（Ｂａ）からなる群から選択される一つ以上であることができる。

【0093】

選択的に、導電性樹脂層は、焼結金属層上に形成され、例えば、焼結金属層を完全に覆う形態に形成することができる。一方、第１外部電極１３１および第２外部電極１３２は、焼結金属層を含まない場合があり、この場合、導電性樹脂層がキャパシタボディ１１０と直接接触することができる。

【0094】

導電性樹脂層は、キャパシタボディ１１０の第１および第２面または第５および第６面に延び、導電性樹脂層がキャパシタボディ１１０の第１および第２面または第５および第６面に延びて配置された領域（即ち、バンド部）の長さは、焼結金属層がキャパシタボディ１１０の第１面および第２面または第５および第６面に延びて配置された領域（即ち、バンド部）の長さより長いことができる。即ち、導電性樹脂層は、焼結金属層上に形成され、焼結金属層を完全に覆う形態に形成することができる。

【0095】

導電性樹脂層は、樹脂および導電性金属を含む。

【0096】

導電性樹脂層に含まれる樹脂は、接合性および衝撃吸水性を有し、導電性金属粉末と混合してペーストを作ることができるものであれば特に限定されず、例えば、フェノール樹脂、アクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂、またはポリイミド樹脂を含むことができる。

【0097】

導電性樹脂層に含まれる導電性金属は、第１内部電極１２１および第２内部電極１２２または焼結金属層と電気的に接続されるようにする役割を果たす。

【0098】

導電性樹脂層に含まれる導電性金属は、球形、フレーク型、またはこれらの組み合わせの形態を有することができる。即ち、導電性金属はフレーク型のみであったり、球形のみであったり、フレーク型と球形が混合された形態であってもよい。

【0099】

ここで、球形は完全な球形でない形態も含むことができ、例えば、長軸と短軸の長さ比率（長軸／短縮）が１．４５以下である形態を含むことができる。フレーク型粉末は、平坦でありながら細長い形態を有する粉末を意味し、特に限定されないが、例えば、長軸と短軸の長さ比率（長軸／短縮）が１．９５以上であることができる。

【0100】

第１外部電極１３１および第２外部電極１３２は、導電性樹脂層外側に配置されるメッキ層をさらに含むことができる。

【0101】

メッキ層は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、スズ（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、タングステン（Ｗ）、チタニウム（Ｔｉ）または鉛（Ｐｂ）等の単独またはこれらの合金を含むことができる。一例として、メッキ層は、ニッケル（Ｎｉ）メッキ層またはスズ（Ｓｎ）メッキ層であることもでき、ニッケル（Ｎｉ）メッキ層およびスズ（Ｓｎ）メッキ層が順次に積層された形態であることもでき、スズ（Ｓｎ）メッキ層、ニッケル（Ｎｉ）メッキ層およびスズ（Ｓｎ）メッキ層が順次に積層された形態であることもできる。また、メッキ層は、複数がニッケル（Ｎｉ）メッキ層および／または複数のスズ（Ｓｎ）メッキ層を含むこともできる。

【0102】

メッキ層は、積層型キャパシタ１００の基板との実装性、構造的信頼性、外部に対する耐久度、耐熱性および等価直列抵抗値（ＥｑｕｉｖａｌｅｎｔＳｅｒｉｅｓＲｅｓｉｓｔａｎｃｅ、ＥＳＲ）を改善することができる。

【0103】

以下、発明の具体的な実施例を提示する。但し、下記に記載された実施例は、発明を具体的に例示したり説明するためのものに過ぎず、これによって発明の範囲が制限されることはない。

【0104】

実施例
内部電極用ペーストに含まれているＮｉおよびＧｅの含有量を調節し、酸素分圧条件を調節して、積層型キャパシタを製造する。前記積層型キャパシタ製造時、約１０^－９～１０^－１０程度に酸素分圧条件を制御し、約１０分間焼成する。前記製造された積層型キャパシタにおいて内部電極の平均厚さは０．２５μｍであり、誘電体層の平均厚さは１．０μｍである。

【0105】

具体的に、内部電極全体において、Ｎｉ対比Ｇｅの平均含有量（ｗｔ％）が下記表２のような、実施例１～７、および比較例１～３の積層型キャパシタを製造する。

【0106】

また内部電極全体におけるＮｉ対比Ｇｅの平均含有量（ｗｔ％）が３．５ｗｔ％であり、

【数5】

値が下記表３のような、実施例４－１～４－４、比較例４－１～４－２の積層型キャパシタを製造する。