特開 2025-69045 プリント回路基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025069045

(43)【公開日】2025-04-30

(54)【発明の名称】プリント回路基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20250422BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 Q

H05K3/46 N

H05K3/46 T

H05K3/46 B

【審査請求】未請求

【請求項の数】19

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024091624

(22)【出願日】2024-06-05

(31)【優先権主張番号】10-2023-0138229

(32)【優先日】2023-10-17

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

【公序良俗違反の表示】

（特許庁注：以下のものは登録商標）

１．ＢＬＵＥＴＯＯＴＨ

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】100108453

【弁理士】

【氏名又は名称】村山 靖彦

(74)【代理人】

【識別番号】100110364

【弁理士】

【氏名又は名称】実広 信哉

(72)【発明者】

【氏名】李 承恩

(72)【発明者】

【氏名】孔 正▲哲▼

(72)【発明者】

【氏名】金 起煥

【テーマコード（参考）】

5E316

【Ｆターム（参考）】

5E316AA12

5E316AA32

5E316AA38

5E316AA43

5E316BB02

5E316BB03

5E316BB04

5E316BB06

5E316CC04

5E316CC05

5E316CC08

5E316CC09

5E316CC10

5E316CC17

5E316CC18

5E316CC19

5E316CC31

5E316CC32

5E316CC33

5E316CC34

5E316CC37

5E316CC38

5E316CC39

5E316DD17

5E316DD23

5E316DD24

5E316EE31

5E316FF05

5E316FF07

5E316FF08

5E316FF09

5E316FF10

5E316GG15

5E316GG17

5E316GG28

5E316HH02

5E316HH22

5E316HH24

5E316JJ02

5E316JJ03

5E316JJ13

(57)【要約】

【課題】本発明のいくつかの目的のうち一つは、電圧降下（ＩＲ Ｄｒｏｐ）及びパワー損失（Ｐｏｗｅｒ Ｌｏｓｓ）を減少させることができるプリント回路基板を提供することである。
【解決手段】本発明は、第１貫通部を有する基板（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）と、上記第１貫通部内に少なくとも一部が配置され、第２貫通部を有する磁性体層と、前記第２貫通部内に少なくとも一部が配置された電子部品と、上記磁性体層の上面上に配置された第１配線パターンと、上記磁性体層の下面上に配置された第２配線パターンと、少なくとも一部が前記磁性体層で囲まれ、前記第１及び第２配線パターンを互いに連結する第１ビアパターンを含む第１貫通ビアと、を含む、プリント回路基板に関する。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１貫通部を有する基板と、
前記第１貫通部内に少なくとも一部が配置され、第２貫通部を有する磁性体層と、
前記第２貫通部内に少なくとも一部が配置された電子部品と、
前記磁性体層の上面上に配置された第１配線パターンと、
前記磁性体層の下面上に配置された第２配線パターンと、
少なくとも一部が前記磁性体層で囲まれ、前記第１配線パターン及び前記第２配線パターンを互いに連結する第１ビアパターンを含む第１貫通ビアと、を含む、プリント回路基板。

【請求項2】

前記電子部品は電圧レギュレータを含む、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項3】

前記基板、前記磁性体層及び前記電子部品のそれぞれの少なくとも一部を覆い、前記第２貫通部の少なくとも一部を充填する第１絶縁層をさらに含む、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項4】

前記磁性体層は第１貫通孔をさらに有し、
前記第１絶縁層は前記第１貫通孔の少なくとも一部を充填し、
前記第１絶縁層は前記第１貫通孔内で第２貫通孔を有し、
前記第１貫通ビアは前記第２貫通孔内に少なくとも一部が配置され、
前記第１貫通ビアは前記磁性体層と離隔した、請求項３に記載のプリント回路基板。

【請求項5】

前記第１ビアパターンは前記第２貫通孔の壁面上に配置され、
前記第１貫通ビアは、前記第２貫通孔内の前記第１ビアパターン間の空間の少なくとも一部を充填する第１充填材をさらに含む、請求項４に記載のプリント回路基板。

【請求項6】

前記第１絶縁層の上面上に配置される第１配線層と、
前記第１絶縁層の下面上に配置される第２配線層と、をさらに含み、
前記第１配線パターン及び前記第２配線パターンと前記磁性体層の上面及び下面との間にはそれぞれ前記第１絶縁層が配置され、
前記第１配線層及び前記第２配線層はそれぞれ前記第１配線パターン及び前記第２配線パターンを含む、請求項３に記載のプリント回路基板。

【請求項7】

少なくとも一部が前記基板で囲まれ、前記第１配線層及び前記第２配線層のそれぞれの少なくとも一部を互いに連結する第２ビアパターンを含む第２貫通ビアをさらに含む、請求項６に記載のプリント回路基板。

【請求項8】

前記基板は第３貫通孔をさらに有し、
前記第１絶縁層は前記第３貫通孔の少なくとも一部を充填し、
前記第１絶縁層は前記第３貫通孔内に第４貫通孔を有し、
前記第２貫通ビアは前記第４貫通孔内に少なくとも一部が配置され、
前記第２貫通ビアは前記基板と離隔した、請求項７に記載のプリント回路基板。

【請求項9】

前記第２ビアパターンは前記第４貫通孔の壁面上に配置され、
前記第２貫通ビアは、前記第４貫通孔内の前記第２ビアパターン間の空間の少なくとも一部を充填する第２充填材をさらに含む、請求項８に記載のプリント回路基板。

【請求項10】

前記第１絶縁層の上側を貫通し、前記第１配線層と前記電子部品とを互いに連結する第１接続ビアを含む第１ビア層をさらに含み、
前記電子部品と前記第１ビアパターンとは、前記第１接続ビア及び前記第１配線層を経由する経路を介して互いに連結される、請求項６に記載のプリント回路基板。

【請求項11】

前記第１絶縁層の下側を貫通し、前記第２配線層と前記電子部品とを互いに連結する第２接続ビアを含む第２ビア層をさらに含み、
前記第２接続ビアは前記電子部品のバック面と連結され、
前記第１接続ビア及び前記第２接続ビアは互いに反対方向のテーパ形状を有する、請求項１０に記載のプリント回路基板。

【請求項12】

前記第１絶縁層の上面上に配置された第２絶縁層と、
前記第１絶縁層の下面上に配置された第３絶縁層と、
前記第２絶縁層の上面上に配置された第３配線層と、
前記第３絶縁層の下面上に配置された第４配線層と、
前記第２絶縁層を貫通し、前記第１配線層及び前記第３配線層を互いに連結する第３接続ビアを含む第３ビア層と、
前記第３絶縁層を貫通し、前記第２配線層及び前記第４配線層を互いに連結する第４接続ビアを含む第４ビア層と、をさらに含み、
前記第３接続ビア及び前記第４接続ビアは互いに反対方向のテーパ形状を有する、請求項６に記載のプリント回路基板。

【請求項13】

前記第２絶縁層の上面上に配置され、前記第３配線層の少なくとも一部を露出させる第１開口を有する第１レジスト層と、
前記第３絶縁層の下面上に配置され、前記第４配線層の少なくとも一部を露出させる第２開口を有する第２レジスト層と、をさらに含む、請求項１２に記載のプリント回路基板。

【請求項14】

前記磁性体層は前記第１貫通部の壁面と接触する、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項15】

前記基板は、有機コア層、ガラスコア層、メタルコア層、シリコンコア層、又はセラミックコア層を含む、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項16】

前記第１配線パターン及び前記第２配線パターンと前記第１ビアパターンとが前記磁性体層の少なくとも一部を囲む形態で互いに連結され、前記基板にインダクタが配置される、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項17】

第１貫通部を有する基板と、
前記第１貫通部内に少なくとも一部が配置されて前記基板と接触し、第２貫通部及び複数の貫通孔を有する磁性体層と、
前記第２貫通部内に少なくとも一部が配置された電圧レギュレータと、
前記基板、前記磁性体層及び前記電圧レギュレータのそれぞれの少なくとも一部を覆い、前記第２貫通部及び前記複数の貫通孔のそれぞれの少なくとも一部を充填する絶縁層と、
前記絶縁層の上面上に配置される第１配線パターン層と、
前記絶縁層の下面上に配置される第２配線パターン層と、
前記複数の貫通孔内で前記絶縁層をそれぞれ貫通する複数のビアパターンと、を含む、プリント回路基板。

【請求項18】

前記第１配線パターン層は複数の第１配線パターンを含み、
前記第２配線パターン層は複数の第２配線パターンを含み、
前記複数の第１配線パターン及び前記複数の第２配線パターンと前記複数のビアパターンとが互いに交互に連結された一つ以上のコイル部をさらに含む、請求項１７に記載のプリント回路基板。

【請求項19】

前記一つ以上のコイル部は、平面上において前記電圧レギュレータの周囲を囲む、請求項１８に記載のプリント回路基板。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明はプリント回路基板に関する。

【背景技術】

【0002】

最近、半導体チップのスリム化及び電力効率の増大のために、パッケージ基板の内部にキャパシタ、インダクタなどの様々な受動素子を内蔵することが求められている。一方、インダクタの場合、材料及び構造の変更によって、既存のチップ部品に比べてインダクタンスを向上させることが求められている。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0003】

本発明のいくつかの目的のうち一つは、電圧降下（ＩＲ Ｄｒｏｐ）及びパワー損失（Ｐｏｗｅｒ Ｌｏｓｓ）を減少させることができるプリント回路基板を提供することである。

【0004】

本発明のいくつかの目的のうち他の一つは、インダクタンスを向上させることができるプリント回路基板を提供することである。

【0005】

本発明のいくつかの目的のうちさらに他の一つは、スリム化及び集積化を実現することができるプリント回路基板を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明を通じて提供するいくつかの解決手段のうち一つは、基板（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）の第１貫通部に磁性体層を配置し、磁性体層にＭＣＩ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ Ｉｎｄｕｃｔｏｒ）などのインダクタを形成し、磁性体層の第２貫通部にインダクタと共にＶＲ（Ｖｏｌｔａｇｅ Ｒｅｇｕｌａｔｏｒ）などの電子部品を配置して埋め込むことである。

【0007】

例えば、一例に係るプリント回路基板は、第１貫通部を有する基板と、上記第１貫通部内に少なくとも一部が配置され、第２貫通部を有する磁性体層と、上記第２貫通部内に少なくとも一部が配置された電子部品と、上記磁性体層の上面上に配置された第１配線パターンと、上記磁性体層の下面上に配置された第２配線パターンと、少なくとも一部が上記磁性体層で囲まれ、上記第１及び第２配線パターンを互いに連結する第１ビアパターンを含む第１貫通ビアと、を含むものであってもよい。

【0008】

例えば、一例に係るプリント回路基板は、第１貫通部を有する基板と、上記第１貫通部内に少なくとも一部が配置されて上記基板と接触し、第２貫通部及び複数の貫通孔を有する磁性体層と、上記第２貫通部内に少なくとも一部が配置された電圧レギュレータ（Ｖｏｌｔａｇｅ Ｒｅｇｕｌａｔｏｒ）と、上記基板と上記磁性体層と上記電圧レギュレータのそれぞれの少なくとも一部を覆い、上記第２貫通部及び上記複数の貫通孔のそれぞれの少なくとも一部を充填する絶縁層と、上記絶縁層の上面上に配置される第１配線パターン層と、上記絶縁層の下面上に配置される第２配線パターン層と、上記複数の貫通孔内で上記絶縁層をそれぞれ貫通する複数のビアパターンと、を含むものであってもよい。

【発明の効果】

【0009】

本発明の様々な効果のうち一効果として、電圧降下及びパワー損失を減少させることができるプリント回路基板を提供することができる。

【0010】

本発明の様々な効果のうち、他の一効果として、インダクタンスを向上させることができるプリント回路基板を提供することができる。

【0011】

本発明の様々な効果のうち、さらに他の一効果として、スリム化及び集積化を実現することができるプリント回路基板を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】電子機器システムの例を概略的に示すブロック図である。

【図2】電子機器の一例を概略的に示す斜視図である。

【図3】プリント回路基板の一例を概略的に示す断面図である。

【図4】図３のＩ－Ｉ’線に沿った切断断面を概略的に示す平面図である。

【図5】図３のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程断面図である。

【図6】図３のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程断面図である。

【図7】図３のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程断面図である。

【図8】図３のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程断面図である。

【図9】図３のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程断面図である。

【図10】図３のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程断面図である。

【図11】図３のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程断面図である。

【図12】図３のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程断面図である。

【図13】プリント回路基板の他の一例を概略的に示す断面図である。

【図14】コイル部の一例を概略的に示す断面図である。

【図15】コイル部の様々な例を概略的に示す平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

以下、添付の図面を参照して本発明について説明する。図面における要素の形状及びサイズなどは、より明確な説明のために誇張又は縮小することができる。

【0014】

電子機器
図１は、電子機器システムの例を概略的に示すブロック図である。

【0015】

図面を参照すると、電子機器１０００はメインボード１０１０を収容する。メインボード１０１０には、チップ関連部品１０２０、ネットワーク関連部品１０３０、及びその他の部品１０４０などが物理的及び／又は電気的に連結されている。これらは後述する他の電子部品とも結合して様々な信号ライン１０９０を形成する。

【0016】

チップ関連部品１０２０としては、揮発性メモリ（例えば、ＤＲＡＭ）、不揮発性メモリ（例えば、ＲＯＭ）、フラッシュメモリなどのメモリチップ；セントラルプロセッサ（例えば、ＣＰＵ）、グラフィックプロセッサ（例えば、ＧＰＵ）、デジタル信号プロセッサ、暗号化プロセッサ、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラなどのアプリケーションプロセッサチップ；アナログ－デジタルコンバータ、ＡＳＩＣ（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ－ｓｐｅｃｉｆｉｃ ＩＣ）などのロジックチップなどが含まれるが、これらに限定されるものではなく、これら以外にもその他の異なる形態のチップ関連電子部品が含まれてもよいことは言うまでもない。また、これらのチップ関連部品１０２０を互いに組み合わせてもよいことは勿論である。チップ関連部品１０２０は、上述したチップや電子部品を含むパッケージ形態であってもよい。

【0017】

ネットワーク関連部品１０３０としては、Ｗｉ－Ｆｉ（ＩＥＥＥ ８０２．１１ファミリなど）、ＷｉＭＡＸ（ＩＥＥＥ ８０２．１６ファミリなど）、ＩＥＥＥ ８０２．２０、ＬＴＥ（ｌｏｎｇ ｔｅｒｍ ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）、Ｅｖ－ＤＯ、ＨＳＰＡ＋、ＨＳＤＰＡ＋、ＨＳＵＰＡ＋、ＥＤＧＥ、ＧＳＭ、ＧＰＳ、ＧＰＲＳ、ＣＤＭＡ、ＴＤＭＡ、ＤＥＣＴ、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ、３Ｇ、４Ｇ、５Ｇ、及びそれ以降のものとして指定された任意の他の無線及び有線プロトコルが含まれるが、これらに限定されるものではなく、これら以外にも、その他の異なる多数の無線又は有線標準やプロトコルのうち任意のものが含まれてもよい。また、ネットワーク関連部品１０３０をチップ関連部品１０２０と併せて互いに組み合わせてもよいことは言うまでもない。

【0018】

その他の部品１０４０としては、高周波インダクタ、フェライトインダクタ、パワーインダクタ、フェライトビーズ、ＬＴＣＣ（ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ－Ｆｉｒｉｎｇ Ｃｅｒａｍｉｃｓ）、ＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）フィルタ、ＭＬＣＣ（Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃｏｎｄｅｎｓｅｒ）などが含まれる。但し、これらに限定されるものではなく、これら以外にも、その他の異なる様々な用途のために使用されるチップ部品形態の受動素子などが含まれてもよい。また、その他の部品１０４０をチップ関連部品１０２０及び／又はネットワーク関連部品１０３０と互いに組み合わせてもよいことは言うまでもない。

【0019】

電子機器１０００の種類に応じて、電子機器１０００は、メインボード１０１０に物理的及び／又は電気的に連結されているか又はされていない他の電子部品を含むことができる。他の電子部品の例としては、カメラモジュール１０５０、アンテナモジュール１０６０、ディスプレイ１０７０、バッテリ１０８０などがある。但し、これらに限定されるものではなく、オーディオコーデック、ビデオコーデック、電力増幅器、羅針盤、加速度計、ジャイロスコープ、スピーカ、大容量記憶装置（例えば、ハードディスクドライブ）、ＣＤ（ｃｏｍｐａｃｔ ｄｉｓｋ）、ＤＶＤ（ｄｉｇｉｔａｌ ｖｅｒｓａｔｉｌｅ ｄｉｓｋ）などであってもよい。これら以外にも、電子機器１０００の種類に応じて様々な用途のために使用されるその他の電子部品などが含まれてもよいことは言うまでもない。

【0020】

電子機器１０００は、スマートフォン（ｓｍａｒｔ ｐｈｏｎｅ）、個人用情報端末機（ｐｅｒｓｏｎａｌ ｄｉｇｉｔａｌ ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、デジタルビデオカメラ（ｄｉｇｉｔａｌ ｖｉｄｅｏ ｃａｍｅｒａ）、デジタルスチルカメラ（ｄｉｇｉｔａｌ ｓｔｉｌｌ ｃａｍｅｒａ）、ネットワークシステム（ｎｅｔｗｏｒｋ ｓｙｓｔｅｍ）、コンピュータ（ｃｏｍｐｕｔｅｒ）、モニタ（ｍｏｎｉｔｏｒ）、タブレット（ｔａｂｌｅｔ）、ラップトップ（ｌａｐｔｏｐ）、ネットブック（ｎｅｔｂｏｏｋ）、テレビ（ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ）、ビデオゲーム（ｖｉｄｅｏ ｇａｍｅ）、スマートウォッチ（ｓｍａｒｔ ｗａｔｃｈ）、オートモーティブ（Ａｕｔｏｍｏｔｉｖｅ）などであってもよい。但し、これらに限定されるものではなく、これら以外にも、データを処理する任意の他の電子機器であってもよいことは言うまでもない。

【0021】

図２は、電子機器の一例を概略的に示す斜視図である。

【0022】

図面を参照すると、電子機器は、例えば、スマートフォン１１００であってもよい。スマートフォン１１００の内部には、マザーボード１１１０が収容されており、このようなマザーボード１１１０には、様々な部品１１２０が物理的及び／又は電気的に連結されている。また、カメラモジュール１１３０及び／又はスピーカ１１４０のようにマザーボード１１１０に物理的及び／又は電気的に連結されているか又はされていない他の部品が内部に収容されている。部品１１２０の一部は、上述したチップ関連部品であってもよく、例えば、部品パッケージ１１２１であってもよいが、これに限定されるものではない。部品パッケージ１１２１は、能動部品及び／又は受動部品を含む電子部品が表面実装配置されたプリント回路基板の形態であってもよい。あるいは、部品パッケージ１１２１は、能動部品及び／又は受動部品が内蔵されたプリント回路基板の形態であってもよい。一方、電子機器は必ずしもスマートフォン１１００に限定されるものではなく、上述したように他の電子機器であってもよいことは言うまでもない。

【0023】

プリント回路基板
図３は、プリント回路基板の一例を概略的に示す断面図であり、図４は、図３のＩ－Ｉ’線に沿った切断断面を概略的に示す平面図である。

【0024】

図面を参照すると、一例に係るプリント回路基板１００Ａは、基板１１１、基板１１１の上面及び下面の間を貫通する第１貫通部Ｈ１、第１貫通部Ｈ１に配置される磁性体層１５０、磁性体層１５０の上面及び下面の間を貫通する第２貫通部Ｈ２、第２貫通部Ｈ２内に少なくとも一部が配置される電子部品１４０、磁性体層１５０の上面及び下面の間を貫通する第１貫通孔ｈ１、基板１１１上に配置されて磁性体層１５０と電子部品１４０を覆い、第２貫通部Ｈ２と第１貫通孔ｈ１のそれぞれの少なくとも一部を充填する第１絶縁層１１２、第１貫通孔ｈ１内で第１絶縁層１１２の上面及び下面の間を貫通する第２貫通孔ｈ２、磁性体層１５０の上面上に配置される第１配線パターンＢ１、磁性体層１５０の下面上に配置される第２配線パターンＢ２、及び第２貫通孔ｈ２内に少なくとも一部が配置されて少なくとも一部が磁性体層１５０で囲まれ、第１及び第２配線パターンＢ１、Ｂ２を互いに連結する第１ビアパターンＭ１を含む第１貫通ビア１３１を含むことができる。磁性体層１５０、並びに磁性体層１５０の少なくとも一部を囲む形態で互いに連結された第１及び第２配線パターンＢ１、Ｂ２と第１ビアパターンＭ１とを含む第１貫通ビア１３１を介して、基板１１１にインダクタが配置されることができる。第１及び第２配線パターンＢ１、Ｂ２と磁性体層１５０の上面及び下面の間にはそれぞれ第１絶縁層１１２が配置されることができる。第１ビアパターンＭ１は第２貫通孔ｈ２の壁面上に配置されることができ、第１貫通ビア１３１は第２貫通孔ｈ２内の第１ビアパターンＭ１間の空間の少なくとも一部を充填する第１充填材Ｒ１を含むことができる。第２貫通孔ｈ２は、第１充填材Ｒ１なしに第１ビアパターンＭ１で充填されてもよい。

【0025】

このように、一例に係るプリント回路基板１００Ａは、コア層に相当する基板１１１の第１貫通部Ｈ１に磁性体層１５０を配置し、磁性体層１５０に第１貫通ビア１３１を形成して、磁性体層１５０を囲む形態のインダクタを形成することができる。また、磁性体層１５０の第２貫通部Ｈ２に電子部品１４０を配置し、このようなインダクタと共に電子部品１４０を埋め込んだ構造を有することができる。この場合、電子部品１４０とインダクタとの間の距離を最小化することができ、基板１１１内の空間配置を効率化することができる。また、電圧降下及びパワー損失を減少させることができ、インダクタンスを向上させることができる。また、スリム化及び集積化を実現することができる。一方、第１及び第２貫通孔ｈ１、ｈ２は複数個形成されてもよいため、第１貫通ビア１３１は複数個であることができる。例えば、インダクタは、複数の第１ビアパターンＭ１と、複数の第１及び第２配線パターンＢ１、Ｂ２とを含むことができる。例えば、インダクタは、複数の第１及び第２配線パターンＢ１、Ｂ２と複数の第１ビアパターンＭ１とが互いに交互に連結された一つ以上のコイル部を含むことができる。このとき、コイル部は、平面上において電子部品１４０の周囲を囲むように配置されることができる。したがって、上述した効果をより効果的に実現することができる。さらに、磁性体層１５０が基板１１１の第１貫通部Ｈ１に配置されて第１絶縁層１１２で覆われ、磁性体層１５０に含まれた金属酸化物が表面に現れないため、磁性体層１５０が酸溶液に溶出することを防止することができる。

【0026】

一方、一例に係るプリント回路基板１００Ａは、基板１１１の上面及び下面の間を貫通し、第１絶縁層１１２で少なくとも一部が充填される第３貫通孔ｈ３、第３貫通孔ｈ３内で第１絶縁層１１２の上面及び下面の間を貫通する第４貫通孔ｈ４、第１絶縁層１１２の上面上に配置され、第１配線パターンＢ１を含む第１配線層１２１、第１絶縁層１１２の下面上に配置され、第２配線パターンＢ２を含む第２配線層１２２、及び第４貫通孔ｈ４内に少なくとも一部が配置されて少なくとも一部が基板１１１で囲まれ、第１及び第２配線層１２１、１２２を互いに連結する第２ビアパターンＭ２を含む第２貫通ビア１３２をさらに含むことができる。第２ビアパターンＭ２は第４貫通孔ｈ４の壁面上に配置されることができ、貫通ビア１３２は第４貫通孔ｈ４内の第２ビアパターンＭ２間の空間の少なくとも一部を充填する第２充填材Ｒ２を含むことができる。必要に応じて、第３貫通孔ｈ３は省略されてもよく、第４貫通孔ｈ４が第３貫通孔ｈ３なしに基板１１１を直接貫通してもよい。必要に応じて、第４貫通孔ｈ４は、第２充填材Ｒ２なしに第２ビアパターンＭ２で充填されてもよい。このように、第１絶縁層１１２の上面及び下面上に第１及び第２配線層１２１、１２２が配置され、様々な配線設計が可能となり得る。また、第１貫通ビア１３１を形成する際に第２貫通ビア１３２を共に形成して工程をより単純化することができ、コストや時間などを短縮させることができる。

【0027】

また、一例に係るプリント回路基板１００Ａは、第１絶縁層１１２の上側を貫通し、第１配線層１２１を電子部品１４０の第１接続パッドＰ１と連結する第１接続ビアを含む第１ビア層１３３、及び第１絶縁層１１２の下側を貫通し、第２配線層１２２を電子部品１４０のバック面、例えば、電子部品１４０のバック面に配置された第２接続パッドＰ２と連結する第２接続ビアを含む第２ビア層１３４を含むことができる。このように、電子部品１４０は、第１ビア層１３３及び第１配線層１２１を介して、上述したインダクタと電気的に連結されることができる。また、電子部品１４０は、第２ビア層１３４及び第２配線層１２２を介して、優れた放熱効果を有することができる。

【0028】

一方、一例に係るプリント回路基板１００Ａは、第１絶縁層１１２の上面上に配置される第２絶縁層１１３、第１絶縁層１１２の下面上に配置される第３絶縁層１１４、第２絶縁層１１３の上面上に配置される第３配線層１２３、第３絶縁層１１４の下面上に配置される第４配線層１２４、第２絶縁層１１３を貫通し、第１及び第３配線層１２１、１２３を互いに連結する第３接続ビアを含む第３ビア層１３５、第３絶縁層１１４を貫通し、第２及び第４配線層１２２、１２４を互いに連結する第４接続ビアを含む第４ビア層１３６、第２絶縁層１１３の上面上に配置され、第３配線層１２３の少なくとも一部を露出させる第１開口１１５ｈを有する第１レジスト層１１５、及び第３絶縁層１１４の下面上に配置され、第４配線層１２４の少なくとも一部を露出させる第２開口１１６ｈを有する第２レジスト層１１６をさらに含むことができる。このように、ビルドアップ工程によって実現される多層パッケージ基板の形態を有することもできる。

【0029】

以下では、図面を参照して、一例に係るプリント回路基板１００Ａの構成要素についてより詳細に説明する。

【0030】

基板１１１はコア層であってもよい。例えば、有機コア層、ガラスコア層、メタルコア層、シリコンコア層、又はセラミックコア層を含むことができる。有機コア層は有機絶縁材を含むことができる。有機絶縁材は、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、ポリイミドのような熱可塑性樹脂、又は樹脂と共に無機フィラー、有機フィラー及び／又はガラス繊維（Ｇｌａｓｓ Ｆｉｂｅｒ、Ｇｌａｓｓ Ｃｌｏｔｈ、Ｇｌａｓｓ Ｆａｂｒｉｃ）を含む材料を含むことができる。例えば、有機絶縁材は、ＣＣＬ（Ｃｏｐｐｅｒ Ｃｌａｄ Ｌａｍｉｎａｔｅ）、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ－ｕｐ Ｆｉｌｍ）、ＰＰＧ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）等の非感光性絶縁材であってもよいが、これに限定されるものではなく、それら以外にも他の高分子素材が用いられてもよい。ガラスコア層はガラス（ｇｌａｓｓ）を含むことができる。ガラスは、例えば、純粋な二酸化ケイ素（約１００％のＳｉＯ_２）、ソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、アルミノケイ酸塩ガラス（ａｌｕｍｉｎｏ－ｓｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ）などを含むことができる。但し、これに限定されるものではなく、代替のガラス材料である、例えば、フッ素ガラス、リン酸ガラス、カルコゲンガラスなどもガラス層の材料として使用することができる。また、特定の物理的特性を有するガラスを形成するために、その他の添加剤をさらに含むこともできる。このような添加剤は、炭酸カルシウム（例えば、石灰）及び炭酸ナトリウム（例えば、ソーダ）だけでなく、マグネシウム、カルシウム、マンガン、アルミニウム、鉛、ホウ素、鉄、クロム、カリウム、硫黄及びアンチモンと、このような元素、並びに他の元素の炭酸塩及び／又は酸化物を含むことができる。ガラスは、上述のガラス繊維とは区別されることができる。メタルコア層は金属を含むことができる。金属は、例えば、銅（Ｃｕ）、インバー（Ｉｎｖａｒ）などを含むことができるが、これに限定されるものではない。シリコンコア層は純粋なシリコン（Ｓｉ）を含むことができる。必要に応じて、シリコンコア層は、シリコン（Ｓｉ）上に形成された酸化層を含むこともできる。また、酸化層上に形成された窒化層を含んでもよい。酸化層はシリコン酸化膜を含むことができ、窒化層はシリコン窒化膜を含むことができるが、これに限定されるものではない。セラミックコア層はセラミック材料を含むことができる。セラミック材料は、例えば、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）などを含むことができるが、これに限定されるものではない。

【0031】

第１～第３絶縁層１１２、１１３、１１４は有機絶縁材を含むことができる。有機絶縁材は、上述したように、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、ポリイミドのような熱可塑性樹脂、又は樹脂と共に無機フィラー、有機フィラー及び／又はガラス繊維（Ｇｌａｓｓ Ｆｉｂｅｒ、Ｇｌａｓｓ Ｃｌｏｔｈ、Ｇｌａｓｓ Ｆａｂｒｉｃ）を含む材料を含むことができる。例えば、有機絶縁材は、ＣＣＬ（Ｃｏｐｐｅｒ Ｃｌａｄ Ｌａｍｉｎａｔｅ）、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ－ｕｐ Ｆｉｌｍ）、ＰＰＧ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）等の非感光性絶縁材であってもよいが、これに限定されるものではなく、それ以外にも他の高分子素材が用いられてもよい。第１～第３絶縁層１１２、１１３、１１４は、互いに同一又は異なる有機絶縁材を含むことができる。第１～第３絶縁層１１２、１１３、１１４は、それぞれ必要に応じて複数の層で構成されてもよい。

【0032】

第１及び第２レジスト層１１５、１１６は、液状又はフィルム型の半田レジスト（Ｓｏｌｄｅｒ Ｒｅｓｉｓｔ）を含むことができるが、これに限定されるものではなく、ＡＢＦなどの他の有機絶縁材を含むこともできる。第１及び第２レジスト層１１５、１１６はそれぞれ第１及び第２開口１１５ｈ、１１６ｈを有することができる。第１及び第２開口１１５ｈ、１１６ｈはそれぞれ複数個であってもよい。第１及び第２開口１１５ｈ、１１６ｈは、ＳＭＤ（Ｓｏｌｄｅｒ Ｍａｓｋ Ｄｅｆｉｎｅｄ）及び／又はＮＳＭＤ（Ｎｏｎ Ｓｏｌｄｅｒ Ｍａｓｋ Ｄｅｆｉｎｅｄ）で形成されることができる。第１及び第２開口１１５ｈ、１１６ｈはそれぞれ第３及び第４配線層１２３、１２４を露出させることができ、露出したパターンの表面には表面処理層が配置されることができる。表面処理層は、電解金めっき、無電解金めっき、ＯＳＰ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｏｌｄｅｒａｂｉｌｉｔｙ Ｐｒｅｓｅｒｖａｔｉｖｅ）又は無電解錫めっき、無電解銀めっき、無電解ニッケルめっき／置換金めっき、ＤＩＧ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ Ｇｏｌｄ）めっき、ＨＡＳＬ（Ｈｏｔ Ａｉｒ Ｓｏｌｄｅｒ Ｌｅｖｅｌｉｎｇ）などによって形成されてもよいが、これに限定されるものではない。

【0033】

第１～第４配線層１２１、１２２、１２３、１２４はそれぞれ金属物質を含むことができる。金属物質は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／又はこれらの合金などを含むことができる。好ましくは、銅（Ｃｕ）を含むことができるが、これに限定されるものではない。第１～第４配線層１２１、１２２、１２３、１２４は、それぞれ設計デザインに応じて様々な機能を行うことができる。例えば、信号パターン、パワーパターン、グランドパターンなどを含むことができる。これらのパターンはそれぞれライン、プレーン、パッドなど様々な形態を有することができる。第１～第４配線層１２１、１２２、１２３、１２４は、シード層とシード層上に形成されためっき層とを含むことができる。シード層は無電解めっき層（又は化学銅）及び／又はスパッタリング層であってもよく、めっき層は電解めっき層（又は電気銅）であってもよいが、これに限定されるものではない。

【0034】

第１及び第２配線パターンＢ１、Ｂ２と第１及び第２ビアパターンＭ１、Ｍ２は金属物質を含むことができる。金属物質は、上述したように、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／又はこれらの合金などを含むことができる。好ましくは、銅（Ｃｕ）を含むことができるが、これに限定されるものではない。第２ビアパターンＭ２は、設計デザインに応じて様々な機能を行うことができる。例えば、信号ビアパターン、パワービアパターン、グランドビアパターンなどを含むことができる。第１及び第２配線パターンＢ１、Ｂ２と第１及び第２ビアパターンＭ１、Ｍ２は、それぞれシード層及びシード層上に形成されためっき層を含むことができる。シード層は無電解めっき層（又は化学銅）及び／又はスパッタリング層であってもよく、めっき層は電解めっき層（又は電気銅）であってもよいが、これに限定されるものではない。

【0035】

第１及び第２充填材Ｒ１、Ｒ２は、プラッギング材を含むことができる。プラッギング材は、エポキシなどの絶縁樹脂を含む絶縁インクを含むことができる。但し、これに限定されるものではなく、必要に応じて伝導性インクを含んでもよい。第１及び第２充填材Ｒ１、Ｒ２は、互いに同じ工程を介して形成することができるため、互いに同じ材料を含むことができるが、これに限定されるものではない。

【0036】

第１及び第２貫通孔ｈ１、ｈ２はそれぞれ複数個形成されてもよい。例えば、平面上において、それぞれの第１貫通孔ｈ１内に、これよりも直径の小さいそれぞれの第２貫通孔ｈ２が形成されてもよい。したがって、第１貫通ビア１３１は複数個であることができる。例えば、インダクタは複数の第１ビアパターンＭ１を含むことができる。複数の第１ビアパターンＭ１と連結される第１配線パターンＢ１及び第２配線パターンＢ２もそれぞれ複数個であってもよい。複数の第１及び第２配線パターンＢ１、Ｂ２は、それぞれ第１及び第２配線パターン層に含まれることができる。第１及び第２配線パターン層は、それぞれ第１及び第２配線層１２１、１２２に含まれることができる。第３及び第４貫通孔ｈ３、ｈ４もそれぞれ複数個形成されてもよい。例えば、平面上において、それぞれの第３貫通孔ｈ３内に、これよりも直径の小さいそれぞれの第４貫通孔ｈ４が形成されてもよい。したがって、第２貫通ビア１３２も複数個であることができる。必要に応じて、第３貫通孔ｈ３が省略され、第４貫通孔ｈ４のみが形成されてもよい。

【0037】

第１～第４ビア層１３３、１３４、１３５、１３６はそれぞれ金属物質を含むことができる。金属物質は、上述したように、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／又はこれらの合金などを含むことができる。好ましくは、銅（Ｃｕ）を含むことができるが、これに限定されるものではない。第１～第４ビア層１３３、１３４、１３５、１３６は、それぞれビアホールを充填するフィルドビア（ｆｉｌｌｅｄ ＶＩＡ）を含むことができるが、ビアホールの壁面に沿って配置されるコンフォーマルビア（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ ＶＩＡ）を含むこともできる。第１～第４ビア層１３３、１３４、１３５、１３６は、設計デザインに応じて様々な機能を行うことができる。例えば、グランドビア、パワービア、信号ビアなどを含むことができる。第１及び第２ビア層１３３、１３４は、それぞれ互いに反対方向のテーパ形状を有する第１及び第２接続ビアを含むことができる。第３及び第４ビア層１３５、１３６は、それぞれ互いに反対方向のテーパ形状を有する第３及び第４接続ビアを含むことができる。第１～第４ビア層１３３、１３４、１３５、１３６はそれぞれ、無電解めっき層（又は化学銅）及び電解めっき層（又は電気銅）を含むことができる。無電解めっき層（又は化学銅）の代わりにスパッタリング層を含んでもよく、両方を含んでもよい。

【0038】

電子部品１４０はチップ型の電子部品であってもよい。例えば、電子部品１４０は半導体チップの形態であってもよく、より具体的には、数百～数百万個以上の素子が一つのチップ内に集積化された集積回路（ＩＣ：Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）ダイ（Ｄｉｅ）であってもよい。集積回路ダイはアクティブウエハに基づいて形成されたものであってもよく、この場合、各本体をなす母材としては、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）などが使用されることができる。本体には、様々な回路が形成されていてもよい。本体のフロント面には、外部の回路、例えば、信号、電気、グランドなどと連結されるための第１接続パッドＰ１が形成されることができ、第１接続パッドＰ１は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）などの導電性物質を含むことができる。必要に応じて、本体のバック面にもグランドやパワーと連結される導電性材質の第２接続パッドＰ２が形成されてもよい。そのような電子部品１４０は電圧を調整する回路を含むことができる。例えば、電子部品１４０は電圧レギュレータを含むことができる。必要に応じて、電子部品１４０は複数個であってもよく、複数の電子部品１４０は第２貫通部Ｈ２に共に配置されるか、又は第２貫通部Ｈ２が複数個形成され、それらにそれぞれ配置されることができる。

【0039】

磁性体層１５０は磁性物質を含むことができる。磁性物質は、例えば、フェライト（ｆｅｒｒｉｔｅ）系物質、パーマロイ（ｐｅｒｍａｌｌｏｙ）系物質等を含むことができる。例えば、Ｎｉ系フェライト、Ｎｉ－Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ－Ｚｎ－Ｃｕ系フェライト、Ｆｅ－Ｓｉ－Ａｌ（Ｓｅｎｄｕｓｔ）、Ｎｉ－Ｍｏ－Ｆｅ（ＭＰＰ：Ｍｏｌｙｐｅｒｍａｌｌｏｙ Ｐｏｗｄｅｒ Ｃｏｒｅ）、Ｎｉ－Ｆｅ（Ｈｉｇｈ Ｆｌｕｘ Ｃｏｒｅ）等を含むことができるが、これに限定されるものではなく、それ以外にも他の公知のフェライト系物質やパーマロイ系物質等を含むことができる。また、それ以外にも他の磁性粉末を含む様々な種類の磁性物質が用いられてもよい。このような磁性物質はペーストや組成物タイプで第１貫通部Ｈ１を充填することができ、その後、硬化して磁性体層１５０となり得る。したがって、磁性体層１５０は第１貫通部Ｈ１の壁面と接触することができる。例えば、磁性体層１５０は基板１１１と接触することができる。

【0040】

図５～図１２は、図３のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程断面図である。

【0041】

図５を参照すると、基板１１１に第１貫通部Ｈ１を形成する。また、基板１１１に第３貫通孔ｈ３を形成する。第１貫通部Ｈ１と第３貫通孔ｈ３は、基板１１１の材料に応じてレーザドリル、機械的ドリル、化学的エッチング、ブラスト工程など様々な方法で形成することができる。一方、必要に応じて、第３貫通孔ｈ３は省略することができる。例えば、第３貫通孔ｈ３は形成しなくてもよい。

【0042】

図６を参照すると、磁性体ペースト又は磁性体組成物を用いて第１貫通部Ｈ１を充填し、これを硬化させて磁性体層１５０を形成する。

【0043】

図７を参照すると、磁性体層１５０に第２貫通部Ｈ２を形成する。また、磁性体層１５０に第１貫通孔ｈ１を形成する。第２貫通部Ｈ２と第１貫通孔ｈ１は、機械的ドリル等で形成することができる。

【0044】

図８を参照すると、第２貫通部Ｈ２に電子部品１４０を配置する。電子部品１４０の配置にはテープ２１０を用いることができる。

【0045】

図９を参照すると、第１絶縁層１１２を形成する。例えば、ＰＰＧやＡＢＦなどのラミネーション工程で第１絶縁層１１２を積層して、基板１１１と磁性体層１５０と電子部品１４０のそれぞれの少なくとも一部を覆うことができ、第２貫通部Ｈ２と第１及び第３貫通孔ｈ１、ｈ３のそれぞれの少なくとも一部を充填することができる。その後、必要に応じてトリミング工程で積層体を単位サイズに切断することができる。

【0046】

図１０を参照すると、第１及び第３貫通孔ｈ１、ｈ３内にそれぞれ第２及び第４貫通孔ｈ２、ｈ４を形成する。第２及び第４貫通孔ｈ２、ｈ４は、機械的ドリル等により形成することができる。また、レーザ加工等により第１絶縁層１１２に第１及び第２ビア層１３３、１３４を形成するための第１及び第２ビアホール１３３Ｖ、１３４Ｖを形成する。一方、必要に応じて、第３貫通孔ｈ３なしに第４貫通孔ｈ４を形成することもできる。例えば、第４貫通孔ｈ４は、第３貫通孔ｈ３なしに基板１１１を直接貫通してもよい。

【0047】

図１１を参照すると、めっき工程及びプラッギング加工等により、第１及び第２ビアパターンＭ１、Ｍ２と、第１及び第２充填材Ｒ１、Ｒ２と、第１及び第２配線パターンＢ１、Ｂ２と、第１及び第２配線層１２１、１２２と、第１及び第２ビア層１３３、１３４とを形成する。例えば、第１絶縁層１１２の上面及び下面と第２及び第４貫通孔ｈ２、ｈ４の壁面上にめっき工程でめっき層を形成し、次に、第２及び第４貫通孔ｈ２、ｈ４にプラッギング工程でプラッギング材を充填し、次に、平坦化工程で第１絶縁層１１２の上面及び下面上のめっき層とプラッギング材を除去し、次に、第１絶縁層１１２の上面及び下面上に再びめっき工程でめっき層を形成して、第１及び第２貫通ビア１３１、１３２と、第１及び第２配線層１２１、１２２と、第１及び第２ビア層１３３、１３４とを形成することができる。一方、めっき工程において、ドライフィルムの露光及び現像工程を用いて設計デザインに合わせてパターン化されためっき層を形成することができる。また、平坦化工程によって第１絶縁層１１２の上面及び下面が実質的に共面をなすことができ、めっき層の間に大まかな層間境界が生じることができる。

【0048】

図１２を参照すると、ビルドアップ工程等により、第２及び第３絶縁層１１３、１１４と、第３及び第４配線層１２３、１２４と、第３及び第４ビア層１３５、１３６とを必要な層数だけ形成し、その後、第１及び第２レジスト層１１５、１１６を形成する。また、第１及び第２レジスト層１１５、１１６にそれぞれ第１及び第２開口１１５ｈ、１１６ｈを形成する。一方、第２及び第３絶縁層１１３、１１４は、上述したラミネーション工程を用いることができ、第３及び第４配線層１２３、１２４と第３及び第４ビア層１３５、１３６は、上述しためっき工程を用いることができ、第１及び第２レジスト層１１５、１１６は、ラミネーション工程又は液状材料のコーティング工程等により形成することができる。

【0049】

一連の過程を通じて上述した他の一例に係るプリント回路基板１００Ａを製造することができ、その他の説明は上述したものと実質的に同一であり得る。

【0050】

図１３は、プリント回路基板の他の一例を概略的に示す断面図である。

【0051】

図面を参照すると、他の一例に係るプリント回路基板１００Ｂは、上述した一例に係るプリント回路基板１００Ａにおいて、第１レジスト層１１５上に配置される半導体チップ１６０をさらに含むことができる。また、第２レジスト層１１６上に配置された複数の電気連結金属１７０をさらに含むことができる。半導体チップ１６０は、連結部材１６５などを介して実装されることができる。例えば、半導体チップ１６０は、連結部材１６５などを介して第３配線層１２３と連結されることができる。半導体チップ１６０は、第１～第４配線層１２１、１２２、１２３、１２４、第１及び第２貫通ビア１３１、１３２、並びに第１～第４ビア層１３３、１３４、１３５、１３６のそれぞれの少なくとも一部と電気的に連結されることができ、これによりインダクタ及び電子部品１４０と電気的に連結されることができる。

【0052】

半導体チップ１６０は、数百～数百万個以上の素子が一つのチップ内に集積化された集積回路（ＩＣ：Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）ダイ（Ｄｉｅ）を含むことができる。このとき、集積回路は、例えば、セントラルプロセッサ（例えば、ＣＰＵ）、グラフィックプロセッサ（例えば、ＧＰＵ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、デジタル信号プロセッサ、暗号化プロセッサ、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、アプリケーションプロセッサ（例えば、ＡＰ）、アナログ－デジタルコンバータ、ＡＳＩＣ（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ－ｓｐｅｃｉｆｉｃ ＩＣ）などのロジックチップであってもよいが、これに限定されるものではなく、揮発性メモリ（例えば、ＤＲＡＭ）、不揮発性メモリ（例えば、ＲＯＭ）、フラッシュメモリ、ＨＢＭ（Ｈｉｇｈ Ｂａｎｄｗｉｄｔｈ Ｍｅｍｏｒｙ）などのメモリチップ、又はＰＭＩＣ（Ｐｏｗｅｒ Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ ＩＣ）のような他の種類であってもよいことは言うまでもない。半導体チップ１６０は、アクティブウエハに基づいて形成されたものであってもよく、この場合、各本体をなす母材としては、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）などが用いられてもよい。本体には様々な回路が形成されていてもよい。本体には接続パッドが形成されることができ、接続パッドはアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）などの導電性物質を含むことができる。半導体チップ１６０はベアダイ（ｂａｒｅ ｄｉｅ）であってもよく、この場合、接続パッド上には金属バンプが配置されてもよい。半導体チップ１６０は、パッケージ化されたダイ（ｐａｃｋａｇｅｄ ｄｉｅ）であってもよく、この場合、接続パッド上にさらに再配線層が形成され、再配線層上に金属バンプが配置されてもよい。

【0053】

連結部材１６５は、半導体チップ１６０をパッケージ基板等に実装させることができる。連結部材１６５は、低融点金属、例えば、錫（Ｓｎ）－アルミニウム（Ａｌ）－銅（Ｃｕ）等の半田などで形成されてもよいが、これは一例に過ぎず、材質が特にこれに限定されるものではない。連結部材１６５はボール、ピンなどであってもよい。連結部材１６５は、多重層又は単一層で形成されてもよい。多重層で形成される場合には銅柱及び半田を含むことができ、単一層で形成される場合には、錫－銀半田などを含むことができるが、やはりこれに限定されるものではない。連結部材１６５は複数個であってもよく、その数は特に限定されない。

【0054】

電気連結金属１７０は、プリント回路基板１００Ｂを電子機器のメインボードや他の基板などに連結させることができる。電気連結金属１７０も低融点金属、例えば、半田などで形成されてもよいが、これは一例に過ぎず、材質は特にこれに限定されるものではない。電気連結金属１７０もボール、ピンなどであってもよい。電気連結金属１７０も多重層又は単一層で形成されてもよい。多重層で形成される場合は銅柱及び半田を含むことができ、単一層で形成される場合には、錫－銀半田や銅を含むことができるが、やはりこれに限定されるものではない。電気連結金属１７０も複数個であってもよく、その数は特に限定されない。

【0055】

その他の説明は、上述した一例に係るプリント回路基板１００Ａで説明したものと実質的に同一であり得る。一方、他の一例に係るプリント回路基板１００Ｂは、上述した一例に係るプリント回路基板１００Ａの製造工程において、上側に連結部材１６５を用いて半導体チップ１６０をさらに実装し、下側に電気連結金属１７０をさらに形成して製造することができるが、これに対する具体的な説明は省略する。

【0056】

図１４は、コイル部の一例を概略的に示す断面図である。

【0057】

図面を参照すると、上述したプリント回路基板１００Ａ、１００Ｂに含まれるインダクタは、一つ以上のコイル部Ｃを含むことができ、コイル部Ｃは本体１８０に形成された複数の第１及び第２配線パターンＢ１、Ｂ２と複数の第１ビアパターンＭ１とが互いに交互に連結された形態を有することができる。例えば、コイル部Ｃは、断面上において、第２配線パターンＢ２、第１ビアパターンＭ１、第１配線パターンＢ１、第１ビアパターンＭ１、第２配線パターンＢ２、第１ビアパターンＭ１、第１配線パターンＢ１、第１ビアパターンＭ１など必要な数だけ連結され、上下に交互に繰り返されるコイル構造を有することができる。一方、本体１８０は、上述した磁性体層１５０と第１絶縁層１１２とを含むことができる。また、第１ビアパターンＭ１が形成されたそれぞれの貫通孔には、第１充填材Ｒ１が充填されることができる。このように、コイル部Ｃは、磁性体層１５０を囲むコイルの数が極大化された構造、例えば、インダクタンスを極大化できるデイジーチェーン（ｄａｉｓｙ ｃｈａｉｎ）形状を有することができる。その他の説明は、上述したプリント回路基板１００Ａ、１００Ｂで説明したものと実質的に同一であり得るため、重複説明は省略する。

【0058】

図１５は、コイル部の様々な例を概略的に示す平面図である。

【0059】

図面を参照すると、上述したコイル部Ｃは、平面上において、様々な形態を有することができる。例えば、Ａのように、一列に平行に配列される複数のコイルＣ１、Ｃ２を含むことができる。複数のコイルＣ１、Ｃ２は互いに離隔して配置されることができる。複数のコイルＣ１、Ｃ２の間には他の配線が配置されてもよい。あるいは、Ｂのように、一列に配列された後、右から曲げられて再び一列に配列されるコイルＣ３を含むこともできる。あるいは、Ｃのように、上下に繰り返して曲げられるように配列されるコイルＣ４を含むこともできる。あるいは、Ｄのように、一方向に傾斜した形態で繰り返し配列されるコイルＣ５を含むこともできる。あるいは、Ｅのように、一方向に傾斜した形態で繰り返されて配列された後、右から曲げられて再び反対方向に傾斜した形態で繰り返し配列されるコイルＣ６を含むこともできる。あるいは、Ｆのように、Ｘ字状に繰り返し配列されるコイルＣ７を含んでもよい。このように、上述したプリント回路基板１００Ａ、１００Ｂには、様々な形態のコイルＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７を含むコイル部Ｃが適用されることができ、例えば、上述した形態で電子部品１４０を囲むように繰り返して配置されることができる。但し、コイル部の形態が上述の例に限定されるものではない。その他の説明は、上述したプリント回路基板１００Ａ、１００Ｂとコイル部Ｃの断面形状で説明したものと実質的に同一であり得るため、重複説明は省略する。

【0060】

本発明において、「覆う」という表現は、全体的に覆う場合だけでなく、少なくとも一部を覆う場合を含むことができ、また直接覆う場合だけでなく間接的に覆う場合も含むことができる。また、「充填する」という表現は、完全に充填する場合だけでなく、少なくとも一部を充填する場合を含むことができ、また概ね充填する場合を含むこともできる。例えば、一部の空隙やボイドなどが存在する場合を含むことができる。また、「囲む」という表現は、完全に囲む場合だけでなく、一部を囲む場合及び概ね囲む場合を含むことができる。また、「露出させる」とは、完全に露出させる場合だけでなく、一部を露出させる場合も含むことができ、「露出」は、当該構成を埋め込むことから露出することを意味することができる。例えば、「開口がパッドを露出させる」とは、レジスト層からパッドを露出させることであることができ、露出したパッド上にはさらに表面処理層などを配置することができる。

【0061】

本発明において、「貫通部又は貫通孔内に配置される」とは、対象物が完全に貫通部又は貫通孔内に配置される場合だけでなく、断面上において上側又は下側に一部突出する場合を含むことができる。例えば、平面上において貫通部又は貫通孔内に配置される場合であれば、より広い意味で判断することができる。

【0062】

本発明において、「実質的に」は製造工程上で発生する工程誤差や位置偏差、測定時の誤差などを含めて判断することができる。例えば、「実質的に垂直である」とは、完全に垂直な場合だけでなく、ほぼ垂直な場合も含むことができる。また、「実質的に共面をなす」とは、完全に同一平面上に存在する場合だけでなく、ほぼ同一平面上に存在する場合も含むことができる。

【0063】

本発明において、「同じ絶縁材」とは、完全に同一の絶縁材である場合だけでなく、同じタイプの絶縁材を含む意味であることができる。したがって、絶縁材の組成は実質的に同じであるものの、これらの具体的な組成比は少しずつ異なる場合がある。

【0064】

本発明において、「断面上」の意味は、対象物を垂直に切断したときの断面形状、又は対象物をサイドビューで見たときの断面形状を意味することができる。また、「平面上」の意味は、対象物を水平に切断したときの平面形状、又は対象物をトップビュー又はボトムビューで見たときの平面形状を意味することができる。

【0065】

本発明において、「下側、下部、下面」などは、便宜上、図面の断面を基準として下方向を意味するものとして使用し、「上側、上部、上面」などは、その反対方向を意味するものとして使用している。但し、これは説明の便宜上、方向を定義したものであり、特許請求の範囲の権利範囲がこのような方向に対する記載によって特に限定されるものではないことは勿論であり、上／下の概念はいつでも変更することができる。

【0066】

本発明において、「連結される」とは、直接連結されることだけでなく、接着剤層などを介して間接的に連結されることを含む概念である。また、「電気的に連結される」とは、物理的に連結される場合及び連結されていない場合の両方を含む概念である。さらに、「第１、第２」などの表現は、ある構成要素と他の構成要素とを区分するために使用されるものであって、当該構成要素の順序及び／又は重要度などを限定しない。場合によっては、権利範囲を逸脱しない範囲内で、第１構成要素は第２構成要素と命名されてもよく、同様に、第２構成要素は第１構成要素と命名されてもよい。

【0067】

本発明で使用される「一例」という表現は、互いに同じ実施形態を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかし、上記提示された一例は、他の一例の特徴と結合して実現されることを排除しない。例えば、特定の一例で説明された事項が、他の一例に説明されていなくても、他の一例において、その事項と反対又は矛盾する説明がない限り、他の一例に関連する説明として理解することができる。

【0068】

本発明で使用される用語は、単に一例を説明するために使用されたものであり、本発明を限定しようとする意図ではない。このとき、単数の表現は、文脈上明らかに異なる意味ではない限り、複数の表現を含む。

【符号の説明】

【0069】

１０００：電子機器
１０１０：メインボード
１０２０：チップ関連部品
１０３０：ネットワーク関連部品
１０４０：その他の部品
１０５０：カメラ
１０６０：アンテナ
１０７０：ディスプレイ
１０８０：バッテリ
１０９０：信号ライン
１１００：スマートフォン
１１１０：マザーボード
１１２０：部品
１１２１：部品パッケージ
１１３０：カメラモジュール
１１４０：スピーカ
１００Ａ、１００Ｂ：プリント回路基板
１１１：基板
１１２、１１３、１１４：絶縁層
１１５、１１６：レジスト層
１２１、１２２、１２３、１２４：配線層
１３１、１３２：貫通ビア
１３３、１３４、１３５、１３６：ビア層
１３３Ｖ、１３４Ｖ：ビアホール
１４０：電子部品
１５０：磁性体層
１６０：半導体チップ
１６５：連結部材
１７０：電気連結金属
２１０：テープ
Ｃ：コイル部
ｃ１、ｃ２、ｃ３、ｃ４、ｃ５、ｃ６、ｃ７：コイル
Ｂ１、Ｂ２：配線パターン
Ｍ１、Ｍ２：ビアパターン
Ｒ１、Ｒ２：充填材
Ｈ１、Ｈ２：貫通部
ｈ１、ｈ２、ｈ３、ｈ４：貫通孔
Ｐ１、Ｐ２：接続パッド

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】