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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2025069060
(43)【公開日】2025-04-30
(54)【発明の名称】プリント回路基板
(51)【国際特許分類】
H05K 3/28 20060101AFI20250422BHJP
H05K 1/09 20060101ALI20250422BHJP
【ＦＩ】
H05K3/28 A
H05K3/28 B
H05K1/09 C
【審査請求】未請求
【請求項の数】16
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024164123
(22)【出願日】2024-09-20
(31)【優先権主張番号】10-2023-0138232
(32)【優先日】2023-10-17
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．ＢＬＵＥＴＯＯＴＨ
(71)【出願人】
【識別番号】594023722
【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．
(74)【代理人】
【識別番号】100108453
【弁理士】
【氏名又は名称】村山 靖彦
(74)【代理人】
【識別番号】100110364
【弁理士】
【氏名又は名称】実広 信哉
(72)【発明者】
【氏名】韓 相願
(72)【発明者】
【氏名】鄭 相鎬
(72)【発明者】
【氏名】朴 昌華
(72)【発明者】
【氏名】李 鉉秀
(72)【発明者】
【氏名】趙 ▲徳▼▲ホン▼
(72)【発明者】
【氏名】朴 鍾殷
【テーマコード（参考）】
4E351
5E314
【Ｆターム（参考）】
4E351AA02
4E351AA03
4E351AA07
4E351AA13
4E351BB01
4E351BB35
4E351CC06
4E351CC07
4E351DD04
4E351GG20
5E314AA02
5E314AA03
5E314AA04
5E314AA32
5E314AA36
5E314AA41
5E314AA42
5E314BB02
5E314BB06
5E314CC11
5E314FF02
5E314FF03
5E314FF05
5E314FF17
5E314GG17
(57)【要約】
【課題】微細回路の形成時に、例えば、エッチング工程におけるアンダーカットの発生を防止することができるプリント回路基板を提供することである。
【解決手段】本発明は、絶縁層と、上記絶縁層上又は内に配置された配線パターンと、を含み、上記配線パターンは、第１金属層、上記第１金属層の上面上に配置された第２金属層、及び上記第２金属層の側面上に配置された無機酸化膜と、を含む、プリント回路基板に関する。
【選択図】図３
【解決手段】本発明は、絶縁層と、上記絶縁層上又は内に配置された配線パターンと、を含み、上記配線パターンは、第１金属層、上記第１金属層の上面上に配置された第２金属層、及び上記第２金属層の側面上に配置された無機酸化膜と、を含む、プリント回路基板に関する。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
絶縁層と、
前記絶縁層上又は内に配置された配線パターンと、を含み、
前記配線パターンは、第１金属層、前記第１金属層の上面上に配置された第２金属層、及び前記第２金属層の側面上に配置された無機酸化膜と、を含む、プリント回路基板。
前記絶縁層上又は内に配置された配線パターンと、を含み、
前記配線パターンは、第１金属層、前記第１金属層の上面上に配置された第２金属層、及び前記第２金属層の側面上に配置された無機酸化膜と、を含む、プリント回路基板。
【請求項2】
前記第２金属層は前記第１金属層より厚く、
前記第１金属層は前記無機酸化膜より厚い、請求項１に記載のプリント回路基板。
前記第１金属層は前記無機酸化膜より厚い、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項3】
前記無機酸化膜は厚さが１００ｎｍ未満である、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項4】
前記無機酸化膜は、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、ＺｎＯ２、ＺｒＯ２、ＳｎＯ、ＳｎＯ２、ＨｆＯ２及びＳｉＯ２のうち少なくとも一つを含む、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項5】
前記第１金属層の側面の少なくとも一部は、前記無機酸化膜から露出した、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項6】
前記無機酸化膜は前記第１金属層の側面と離隔し、
前記無機酸化膜は前記第２金属層の上面と離隔した、請求項５に記載のプリント回路基板。
前記無機酸化膜は前記第２金属層の上面と離隔した、請求項５に記載のプリント回路基板。
【請求項7】
前記第１金属層の側面は前記第２金属層の側面より突出し、
前記無機酸化膜は前記第１金属層の突出した領域上に延びて配置された、請求項１に記載のプリント回路基板。
前記無機酸化膜は前記第１金属層の突出した領域上に延びて配置された、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項8】
前記第１及び第２金属層はグレインの平均サイズが異なる、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項9】
前記第１金属層は化学銅を含み、
前記第２金属層は電気銅を含む、請求項８に記載のプリント回路基板。
前記第２金属層は電気銅を含む、請求項８に記載のプリント回路基板。
【請求項10】
前記配線パターンを複数個配置し、
前記複数の配線パターンは、ライン（Ｌ）／スペース（Ｓ）が１０μｍ／１０μｍ未満である、請求項１に記載のプリント回路基板。
前記複数の配線パターンは、ライン（Ｌ）／スペース（Ｓ）が１０μｍ／１０μｍ未満である、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項11】
前記絶縁層は第１及び第２絶縁層を含み、
前記配線パターンは前記第１絶縁層の上面上に配置され、
前記第２絶縁層は前記第１絶縁層の上面上に配置され、
前記第２絶縁層は前記配線パターンの少なくとも一部を覆う、請求項１に記載のプリント回路基板。
前記配線パターンは前記第１絶縁層の上面上に配置され、
前記第２絶縁層は前記第１絶縁層の上面上に配置され、
前記第２絶縁層は前記配線パターンの少なくとも一部を覆う、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項12】
基板（Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）と、
前記基板上に配置された第１金属層と、
前記第１金属層上に配置された第２金属層と、
前記第２金属層を囲むように配置され、下端部に積層方向と垂直な方向に少なくとも一部が突出した突出部を有するバリア層と、を含む、プリント回路基板。
前記基板上に配置された第１金属層と、
前記第１金属層上に配置された第２金属層と、
前記第２金属層を囲むように配置され、下端部に積層方向と垂直な方向に少なくとも一部が突出した突出部を有するバリア層と、を含む、プリント回路基板。
【請求項13】
前記第１金属層は、前記第２金属層より断面上における幅が広く、
前記突出部は、前記第１金属層の上面の一部を覆い、且つ側面とは離隔した、請求項１２に記載のプリント回路基板。
前記突出部は、前記第１金属層の上面の一部を覆い、且つ側面とは離隔した、請求項１２に記載のプリント回路基板。
【請求項14】
前記第２金属層は前記第１金属層より厚く、
前記第１金属層は前記バリア層より厚い、請求項１２に記載のプリント回路基板。
前記第１金属層は前記バリア層より厚い、請求項１２に記載のプリント回路基板。
【請求項15】
前記バリア層は、厚さ１００ｎｍ未満の無機酸化膜を含む、請求項１２に記載のプリント回路基板。
【請求項16】
前記無機酸化膜は、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、ＺｎＯ２、ＺｒＯ２、ＳｎＯ、ＳｎＯ２、ＨｆＯ２及びＳｉＯ２のうち少なくとも一つを含む、請求項１５に記載のプリント回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明はプリント回路基板に関する。
【背景技術】
【0002】
高性能化されたプリント回路基板の作製が求められることにより、微細回路の実現がますます重要となっている。微細回路を実現するためには、均一でありながらも微細なライン（Ｌ：Ｌｉｎｅ）及びスペース（Ｓ：Ｓｐａｃｅ）の確保が必要である。例えば、２．ｎＤのようなハイエンド製品群の場合、Ｌ／Ｓはそれぞれ数マイクロ程度まで要求されることがある。但し、従来の微細回路形成工程の場合、シード層のエッチング時に微細回路パターンの下部にアンダーカットが発生する可能性があり、これは回路信頼性の不良につながる恐れがある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0003】
本発明のいくつかの目的の一つは、微細回路の形成時に、例えば、エッチング工程におけるアンダーカットの発生を防止することができるプリント回路基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0004】
本発明を通じて提案するいくつかの解決手段のうち一つは、シードエッチング前の回路にＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＭＶＤ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などの薄膜蒸着工法を用いてバリア層、例えば、無機酸化膜を形成し、回路の下端部におけるエッチングの影響を最小限に抑え、アンダーカットの発生を防止することである。
【0005】
例えば、一例に係るプリント回路基板は、絶縁層と、上記絶縁層上又は内に配置された配線パターンと、を含み、上記配線パターンは、第１金属層、上記第１金属層の上面上に配置された第２金属層、及び上記第２金属層の側面上に配置された無機酸化膜と、を含むものであってもよい。
【0006】
例えば、一例に係るプリント回路基板は、基板（Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）と、上記基板上に配置された第１金属層と、上記第１金属層上に配置された第２金属層と、上記第２金属層を囲むように配置され、下端部に積層方向と垂直な方向に少なくとも一部が突出した突出部を有するバリア層と、を含むものであってもよい。
【発明の効果】
【0007】
本発明の様々な効果のうち一効果として、微細回路の形成時に、例えば、エッチング工程におけるアンダーカットの発生を防止することができるプリント回路基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】電子機器システムの例を概略的に示すブロック図である。
【図2】電子機器の一例を概略的に示す斜視図である。
【図3】プリント回路基板の一例を概略的に示す断面図である。
【図5】プリント回路基板の他の一例を概略的に示す断面図である。
【図7】無機酸化膜の有無によるエッチングの影響を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、添付の図面を参照して本発明について説明する。図面における要素の形状及びサイズなどは、より明確な説明のために誇張又は縮小することができる。
【0010】
電子機器
図１は、電子機器システムの例を概略的に示すブロック図である。
図１は、電子機器システムの例を概略的に示すブロック図である。
【0011】
図面を参照すると、電子機器１０００はメインボード１０１０を収容する。メインボード１０１０には、チップ関連部品１０２０、ネットワーク関連部品１０３０、及びその他の部品１０４０などが物理的及び／又は電気的に連結されている。これらは後述する他の電子部品とも結合して様々な信号ライン１０９０を形成する。
【0012】
チップ関連部品１０２０としては、揮発性メモリ（例えば、ＤＲＡＭ）、不揮発性メモリ（例えば、ＲＯＭ）、フラッシュメモリなどのメモリチップ；セントラルプロセッサ（例えば、ＣＰＵ）、グラフィックプロセッサ（例えば、ＧＰＵ）、デジタル信号プロセッサ、暗号化プロセッサ、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラなどのアプリケーションプロセッサチップ；アナログ－デジタルコンバータ、ＡＳＩＣ（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ－ｓｐｅｃｉｆｉｃ ＩＣ）などのロジックチップなどが含まれるが、これらに限定されるものではなく、これら以外にもその他の異なる形態のチップ関連電子部品が含まれてもよいことは言うまでもない。また、これらのチップ関連部品１０２０を互いに組み合わせてもよいことは勿論である。チップ関連部品１０２０は、上述したチップや電子部品を含むパッケージ形態であってもよい。
【0013】
ネットワーク関連部品１０３０としては、Ｗｉ－Ｆｉ（ＩＥＥＥ ８０２．１１ファミリなど）、ＷｉＭＡＸ（ＩＥＥＥ ８０２．１６ファミリなど）、ＩＥＥＥ ８０２．２０、ＬＴＥ（ｌｏｎｇ ｔｅｒｍ ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）、Ｅｖ－ＤＯ、ＨＳＰＡ＋、ＨＳＤＰＡ＋、ＨＳＵＰＡ＋、ＥＤＧＥ、ＧＳＭ、ＧＰＳ、ＧＰＲＳ、ＣＤＭＡ、ＴＤＭＡ、ＤＥＣＴ、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ、３Ｇ、４Ｇ、５Ｇ、及びそれ以降のものとして指定された任意の他の無線及び有線プロトコルが含まれるが、これらに限定されるものではなく、これら以外にも、その他の異なる多数の無線又は有線標準やプロトコルのうち任意のものが含まれてもよい。また、ネットワーク関連部品１０３０をチップ関連部品１０２０と併せて互いに組み合わせてもよいことは言うまでもない。
【0014】
その他の部品１０４０としては、高周波インダクタ、フェライトインダクタ、パワーインダクタ、フェライトビーズ、ＬＴＣＣ（ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ－Ｆｉｒｉｎｇ Ｃｅｒａｍｉｃｓ）、ＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）フィルタ、ＭＬＣＣ（Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃｏｎｄｅｎｓｅｒ）などが含まれる。但し、これらに限定されるものではなく、これら以外にも、その他の異なる様々な用途のために使用されるチップ部品形態の受動素子などが含まれてもよい。また、その他の部品１０４０をチップ関連部品１０２０及び／又はネットワーク関連部品１０３０と互いに組み合わせてもよいことは言うまでもない。
【0015】
電子機器１０００の種類に応じて、電子機器１０００は、メインボード１０１０に物理的及び／又は電気的に連結されているか又はされていない他の電子部品を含むことができる。他の電子部品の例としては、カメラ１０５０、アンテナ１０６０、ディスプレイ１０７０、バッテリー１０８０などがある。但し、これらに限定されるものではなく、オーディオコーデック、ビデオコーデック、電力増幅器、羅針盤、加速度計、ジャイロスコープ、スピーカ、大容量記憶装置（例えば、ハードディスクドライブ）、ＣＤ（ｃｏｍｐａｃｔ ｄｉｓｋ）、ＤＶＤ（ｄｉｇｉｔａｌ ｖｅｒｓａｔｉｌｅ ｄｉｓｋ）などであってもよい。これら以外にも、電子機器１０００の種類に応じて様々な用途のために使用されるその他の電子部品などが含まれてもよいことは言うまでもない。
【0016】
電子機器１０００は、スマートフォン（ｓｍａｒｔ ｐｈｏｎｅ）、個人用情報端末機（ｐｅｒｓｏｎａｌ ｄｉｇｉｔａｌ ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、デジタルビデオカメラ（ｄｉｇｉｔａｌ ｖｉｄｅｏ ｃａｍｅｒａ）、デジタルスチルカメラ（ｄｉｇｉｔａｌ ｓｔｉｌｌ ｃａｍｅｒａ）、ネットワークシステム（ｎｅｔｗｏｒｋ ｓｙｓｔｅｍ）、コンピュータ（ｃｏｍｐｕｔｅｒ）、モニタ（ｍｏｎｉｔｏｒ）、タブレット（ｔａｂｌｅｔ）、ラップトップ（ｌａｐｔｏｐ）、ネットブック（ｎｅｔｂｏｏｋ）、テレビ（ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ）、ビデオゲーム（ｖｉｄｅｏ ｇａｍｅ）、スマートウォッチ（ｓｍａｒｔ ｗａｔｃｈ）、オートモーティブ（Ａｕｔｏｍｏｔｉｖｅ）などであってもよい。但し、これらに限定されるものではなく、これら以外にも、データを処理する任意の他の電子機器であってもよいことは言うまでもない。
【0017】
図２は、電子機器の一例を概略的に示す斜視図である。
【0018】
図面を参照すると、電子機器は、例えば、スマートフォン１１００であってもよい。スマートフォン１１００の内部には、マザーボード１１１０が収容されており、このようなマザーボード１１１０には、様々な部品１１２０が物理的及び／又は電気的に連結されている。また、カメラモジュール１１３０及び／又はスピーカ１１４０のようにマザーボード１１１０に物理的及び／又は電気的に連結されているか又はされていない他の部品が内部に収容されている。部品１１２０の一部は、上述したチップ関連部品であってもよく、例えば、部品パッケージ１１２１であってもよいが、これに限定されるものではない。部品パッケージ１１２１は、能動部品及び／又は受動部品を含む電子部品が表面実装配置されたプリント回路基板の形態であってもよい。あるいは、部品パッケージ１１２１は、能動部品及び／又は受動部品が内蔵されたプリント回路基板の形態であってもよい。一方、電子機器は必ずしもスマートフォン１１００に限定されるものではなく、上述したように他の電子機器であってもよいことは言うまでもない。
【0019】
プリント回路基板
図３は、プリント回路基板の一例を概略的に示す断面図である。
図３は、プリント回路基板の一例を概略的に示す断面図である。
【0020】
図面を参照すると、一例に係るプリント回路基板１００Ａは、第１絶縁層１１１、第１絶縁層１１１の上面上に配置された第１配線パターン１２１、及び第１絶縁層１１１の上面上に配置され、上記第１配線パターン１２１の少なくとも一部を覆う第２絶縁層１１２を含むことができる。第１配線パターン１２１は、第１絶縁層１１１上に配置されることができ、第２絶縁層１１２内に配置されることができる。第１配線パターン１２１は、第１金属層Ｍ１、第１金属層Ｍ１の上面上に配置された第２金属層Ｍ２、及び第２金属層Ｍ２の側面上に配置された無機酸化膜Ａを含むことができる。第１配線パターン１２１は複数個であってもよく、複数の第１配線パターン１２１は、ライン（Ｌ）／スペース（Ｓ）が１０μｍ／１０μｍ未満、例えば、５μｍ／５μｍ以内、又は２μｍ／２μｍ以内の微細回路であってもよい。無機酸化膜Ａは、厚さが１００ｎｍ未満の薄膜であってもよい。このように、微細回路である第１配線パターン１２１を形成する際に、薄膜の無機酸化膜Ａを配置することにより、後述するようにアンダーカットの発生を防止することができる。したがって、回路密着力及び回路安定性の確保が容易になり得る。また、ファインパターンの実現がより容易になり得る。
【0021】
一方、第１及び第２金属層Ｍ１、Ｍ２は、互いに別途形成された区別される層であってもよく、例えば、グレインの平均サイズが異なっていてもよい。このとき、第２金属層Ｍ２の厚さｔ２は、第１金属層Ｍ１の厚さｔ１より厚くてもよい。また、第１金属層Ｍ１の厚さｔ１は、無機酸化膜Ａの厚さｔ３より厚くてもよい。例えば、第１金属層Ｍ１は、無電解めっきなどで形成されるシード層であってもよく、例えば、化学銅を含んでもよい。また、第２金属層Ｍ２は、電解めっき等で形成されるめっき層であってもよく、例えば、電気銅を含んでもよい。したがって、第２金属層Ｍ２の厚さｔ２は、第１金属層Ｍ１の厚さｔ１より厚くなる得る。また、無機酸化膜Ａは薄膜蒸着工法で非常に薄く形成されることができる。したがって、無機酸化膜Ａの厚さｔ３は、第１金属層Ｍ１の厚さｔ１よりも薄くなり得る。このような無機酸化膜Ａは、ＡＬＤやＭＶＤなどの適用が可能な材料、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、ＺｎＯ２、ＺｒＯ２、ＳｎＯ、ＳｎＯ２、ＨｆＯ２及びＳｉＯ２のうち少なくとも一つを含むことができるが、これに限定されるものではない。一方、ＡＬＤやＭＶＤなどの薄膜蒸着工法で無機酸化膜Ａを形成する場合、プラズマ蒸着などにより他の材料で保護膜を形成する場合に比べて、均一性（ｕｎｔｉｆｏｒｍｉｔｙ）やステップカバレッジ（ｓｔｅｐ ｃｏｖｅｒａｇｅ）などにおいてより優れることができる。
【0022】
一方、第１金属層Ｍ１の側面の少なくとも一部は無機酸化膜Ａから露出することができる。例えば、無機酸化膜Ａは、第１金属層Ｍ１の側面と離隔することができる。また、無機酸化膜Ａは、第２金属層Ｍ２の上面とも離隔することができる。例えば、無機酸化膜Ａは、第２金属層Ｍ２の側面上にのみ配置されてもよく、第２金属層Ｍ２を囲むように配置されてもよい。無機酸化膜Ａは、第２金属層Ｍ２の側面上に実質的に一定の厚さにコンフォーマル（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ）に形成することができる。このような配置により、エッチングにおけるアンダーカットの発生を効果的に防止することができる。
【0023】
以下では、図面を参照して一例に係るプリント回路基板１００Ａの構成要素についてより詳細に説明する。
【0024】
第１及び第２絶縁層１１１、１１２はそれぞれ絶縁物質を含むことができる。絶縁物質は、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、ポリイミドのような熱可塑性樹脂、又は樹脂と共に無機フィラー、有機フィラー、及び／又はガラス繊維（Ｇｌａｓｓ Ｆｉｂｅｒ、Ｇｌａｓｓ Ｃｌｏｔｈ、Ｇｌａｓｓ Ｆａｂｒｉｃ）を含む材料を含むことができる。例えば、絶縁物質は、ＣＣＬ（Ｃｏｐｐｅｒ Ｃｌａｄ Ｌａｍｉｎａｔｅ）、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ－ｕｐ Ｆｉｌｍ）、ＰＰＧ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）などの非感光性絶縁材であってもよいが、これに限定されるものではなく、それ以外にも他の高分子素材が用いられてもよい。また、絶縁物質は、ＰＩＤ（Ｐｈｏｔｏ Ｉｍａｇｅａｂｌｅ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）などの感光性絶縁材であってもよい。第１及び第２絶縁層１１１、１１２が同じ材料を含む場合、互いに一体化して一つの絶縁層を構成することができるが、これに限定されるものではなく、第１及び第２絶縁層１１１、１１２は互いに区分される層であることもできる。第１絶縁層１１１は、より広い意味では基板（Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）であることができ、基板は、上述した有機基板の他にも、ガラス基板、シリコン基板、セラミック基板など様々な材質を有することができる。
【0025】
第１配線パターン１２１は金属物質を含むことができる。例えば、第１及び第２金属層Ｍ１、Ｍ２は、それぞれ銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／又はこれらの合金などを含むことができる。好ましくは、第１及び第２金属層Ｍ１、Ｍ２はそれぞれ銅（Ｃｕ）を含むことができるが、これに限定されるものではない。第１配線パターン１２１は信号パターンであってもよく、必要に応じて、第１配線パターン１２１と同じ層にパワーパターン又はグランドパターンがさらに配置されてもよい。第１配線パターン１２１はラインパターンであってもよく、必要に応じて、第１配線パターン１２１と同じ層にプレーンパターンやパッドパターンがさらに配置されてもよい。第１配線パターン１２１は、多層の金属層で構成することができ、例えば、無電解めっき層（又は化学銅）である第１金属層Ｍ１及び電解めっき層（又は電気銅）である第２金属層Ｍ２を含むことができる。
【0026】
無機酸化膜Ａは、上述したように、厚さ１００ｎｍ未満、例えば、厚さ１ｎｍ～１０ｎｍ程度の薄膜であってもよい。また、無機酸化膜Ａは、ＡＬＤやＭＶＤなどの適用が可能な材料、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、ＺｎＯ２、ＺｒＯ２、ＳｎＯ、ＳｎＯ２、ＨｆＯ２及びＳｉＯ２のうち少なくとも一つ、好ましくはＡｌ２Ｏ３を含むことができるが、これに限定されるものではない。無機酸化膜Ａは、エッチングによるアンダーカットを防止するためのバリア層として用いられることができ、第２絶縁層１１２との密着力を改善するための接着層としても用いられることができる。
【0027】
【0028】
図４ａを参照すると、第１絶縁層１１１上に無電解めっき等により第１金属層Ｍ１を形成する。第１絶縁層１１１は、有機基板、ガラス基板、シリコン基板、セラミック基板など様々な種類の基板であってもよい。第１金属層Ｍ１は化学銅を含むことができる。第１金属層Ｍ１はシード層であり得る。
【0029】
図４ｂを参照すると、第１金属層Ｍ１上にレジスト層２１０を形成し、フォトリソグラフィ工程でレジスト層２１０を露光及び現像して第１金属層Ｍ１の上面を露出させるパターニングされた開口Ｈを形成する。
【0030】
図４ｃを参照すると、第１金属層Ｍ１上に電解めっき等で第２金属層Ｍ２を形成して、パターニングされた開口Ｈの少なくとも一部を充填する。第２金属層Ｍ２は、実質的に微細回路となるめっき層であり得る。
【0031】
図４ｄを参照すると、レジスト層２１０を除去する。レジスト層２１０は、剥離液を用いて化学的に剥離するか、又は物理的に剥離することもできる。
【0032】
図４ｅを参照すると、第１及び第２金属層Ｍ１、Ｍ２上にそれらを覆う無機酸化膜Ａを形成する。無機酸化膜Ａは、ＡＬＤ、ＭＶＤなどの薄膜蒸着工法を用いて薄い厚さで形成することができる。
【0033】
図４ｆを参照すると、エッチングを用いて第１及び第２金属層Ｍ１、Ｍ２のそれぞれの上面上に配置された無機酸化膜Ａを除去する。例えば、無機酸化膜Ａは、第２金属層Ｍ２の側面上にのみ残存することができる。エッチングとしては、プラズマエッチングのようなドライエッチングを用いることができるが、これに限定されるものではない。
【0034】
図４ｇを参照すると、エッチングを用いて第２金属層Ｍ２が形成された領域以外の他の領域における不要な第１金属層Ｍ１を除去する。例えば、第１金属層Ｍ１は、第２金属層Ｍ２の下側にのみ残存することができる。エッチングとしてはフラッシュエッチングのような湿式エッチングを用いることができるが、これに限定されるものではない。エッチング過程において無機酸化膜Ａは、第２金属層Ｍ２の側面の下端部にアンダーカットが発生することを防止することができる。一連の過程を通じて、微細回路である第１配線パターン１２１を形成することができる。
【0035】
図４ｈを参照すると、第１絶縁層１１１上に第２絶縁層１１２を形成する。第２絶縁層１１２はラミネーション工程で形成することができる。第２絶縁層１１２は、第１配線パターン１２１を埋め込むことができる。一連の過程を通じて上述した一例に係るプリント回路基板１００Ａを製造することができ、その他の重複説明は省略する。
【0036】
図５は、プリント回路基板の他の一例を概略的に示す断面図である。
【0037】
図面を参照すると、他の一例に係るプリント回路基板１００Ｂは、上述した一例に係るプリント回路基板１００Ａにおいて、第１配線パターン１２１の代わりに第２配線パターン１２２が配置されることができる。第２配線パターン１２２は、断面上において第１金属層Ｍ１の幅ｗ１が第２金属層Ｍ２の幅ｗ２より広くてもよい。例えば、第２配線パターン１２２は、第１金属層Ｍ１の側面が第２金属層Ｍ２の側面よりも突出していてもよい。このとき、第２配線パターン１２２は、無機酸化膜Ａが下端部に積層方向と垂直な方向に少なくとも一部が突出した突出部ＡＰを有することができ、突出部ＡＰは第１金属層Ｍ１の上面の一部を覆い、且つ側面とは離隔することができる。例えば、第２配線パターン１２２の無機酸化膜Ａは、第１金属層Ｍ１の突出した領域上に延びて配置されてもよい。この場合にも、上述したような技術的効果、例えば、微細回路である第２配線パターン１２２を形成する際に、薄膜の無機酸化膜Ａを配置することにより、アンダーカットの発生を防止することができる。したがって、回路密着力及び回路安定性の確保がより容易になり得る。また、ファインパターンの実現がより容易になり得る。その他の内容は、上述した一例に係るプリント回路基板で説明したものと実質的に同一であるため、重複説明は省略する。
【0038】
【0039】
図６ａを参照すると、第１絶縁層１１１上に無電解めっき等により第１金属層Ｍ１を形成する。第１絶縁層１１１は、有機基板、ガラス基板、シリコン基板、セラミック基板など様々な種類の基板であってもよい。第１金属層Ｍ１は化学銅を含むことができる。第１金属層Ｍ１はシード層であり得る。
【0040】
図６ｂを参照すると、第１金属層Ｍ１上にレジスト層２１０を形成し、フォトリソグラフィ工程でレジスト層２１０を露光及び現像して第１金属層Ｍ１の上面を露出させるパターニングされた開口Ｈを形成する。
【0041】
図６ｃを参照すると、第１金属層Ｍ１上に電解めっき等で第２金属層Ｍ２を形成して、パターニングされた開口Ｈの少なくとも一部を充填する。第２金属層Ｍ２は、実質的に微細回路となるめっき層であり得る。
【0042】
図６ｄを参照すると、ソフト剥離によってレジスト層２１０の一部を除去する。ソフト剥離には剥離液が用いられることができる。ソフト剥離によって第２金属層Ｍ２とレジスト層２１０との間に空間Ｇを形成することができる。
【0043】
図６ｅを参照すると、第１及び第２金属層Ｍ１、Ｍ２とレジスト層２１０上に、それらを覆う無機酸化膜Ａを形成する。無機酸化膜Ａは、第２金属層Ｍ２とレジスト層２１０との間の空間Ｇの壁面上にも形成されることができる。無機酸化膜Ａは、ＡＬＤ、ＭＶＤなどの薄膜蒸着工法を用いて薄い厚さで形成することができる。
【0044】
図６ｆを参照すると、エッチングを用いて第２金属層Ｍ２及びレジスト層２１０のそれぞれの上面上に配置された無機酸化膜Ａを除去する。例えば、無機酸化膜Ａは、第２金属層Ｍ２の側面上、第２金属層Ｍ２とレジスト層２１０との間の空間Ｇの壁面上、及び第１金属層Ｍ１の上面上にのみ残存することができる。エッチングとしては、プラズマエッチングのようなドライエッチングを用いることができるが、これに限定されるものではない。
【0045】
図６ｇを参照すると、レジスト層２１０を除去する。レジスト層２１０は、剥離液を用いて化学的に剥離するか、又は物理的に剥離することもできる。レジスト層２１０の剥離後に、無機酸化膜Ａの下端部に第１金属層Ｍ１の上面の一部を覆う突出部ＡＰが残存することができる。
【0046】
図６ｈを参照すると、エッチングを用いて第２金属層Ｍ２及び無機酸化膜Ａが形成された領域以外の他の領域における不要な第１金属層Ｍ１を除去する。例えば、第１金属層Ｍ１は、第２金属層Ｍ２及び無機酸化膜Ａの下側にのみ残存することができる。エッチングとしてはフラッシュエッチングのような湿式エッチングを用いることができるが、これに限定されるものではない。エッチング工程において無機酸化膜Ａは、第２金属層Ｍ２の側面の下端部にアンダーカットが発生することを防止することができる。一連の過程を通じて、微細回路である第２配線パターン１２２を形成することができる。
【0047】
図６ｉを参照すると、第１絶縁層１１１上に第２絶縁層１１２を形成する。第２絶縁層１１２はラミネーション工程で形成することができる。第２絶縁層１１２は、第２配線パターン１２２を埋め込むことができる。一連の過程を通じて、上述した他の一例に係るプリント回路基板１００Ｂを製造することができ、その他の重複説明は省略する。
【0048】
図７は、無機酸化膜の有無によるエッチングの影響を示す断面図である。
【0049】
図面を参照すると、（Ａ）のように酸化膜Ａがない場合には、第１金属層Ｍ１を除去するためのエッチング過程において第２金属層Ｍ２の下端部にアンダーカットが発生することがある。一方、（Ｂ）のように無機酸化膜Ａを形成する場合には、第１金属層Ｍ１を除去するためのエッチング過程において無機酸化膜Ａは、第２金属層Ｍ２の下端部にアンダーカットが発生することを防止することができる。したがって、回路密着力及び回路安定性の確保がより容易になり得る。また、ファインパターンの実現がより容易になり得る。
【0050】
本発明において、「覆う」という表現は、全体的に覆う場合だけでなく、少なくとも一部を覆う場合を含むことができ、また直接覆う場合だけでなく間接的に覆う場合も含むことができる。また、「充填する」という表現は、完全に充填する場合だけでなく、少なくとも一部を充填する場合を含むことができ、また概ね充填する場合を含むこともできる。例えば、一部の空隙やボイドなどが存在する場合を含むことができる。また、「囲む」という表現は、完全に囲む場合だけでなく、一部を囲む場合及び概ね囲む場合を含むことができる。また、「露出させる」とは、完全に露出させる場合だけでなく、一部を露出させる場合も含むことができ、「露出」は、当該構成を埋め込むことから露出することを意味することができる。例えば、「開口がパッドを露出させる」とは、レジスト層からパッドを露出させることであることができ、露出したパッド上には表面処理層などがさらに配置されることができる。
【0051】
本発明において、実質的には製造工程上で発生する工程誤差や位置偏差、測定時の誤差などを含めて判断することができる。例えば、「実質的に垂直である」とは、完全に垂直な場合だけでなく、ほぼ垂直な場合も含むことができる。また、「実質的に共面をなす」とは、完全に同一平面上に存在する場合だけでなく、ほぼ同一平面上に存在する場合も含むことができる。
【0052】
本発明において、「同じ絶縁材」とは、完全に同一の絶縁材である場合だけでなく、同じタイプの絶縁材を含む意味であることができる。したがって、絶縁材の組成は実質的に同じであるものの、これらの具体的な組成比は少しずつ異なる場合がある。
【0053】
本発明において、断面上における意味は、対象物を垂直に切断したときの断面形状、又は対象物をサイドビューで見たときの断面形状を意味することができる。また、平面上における意味は、対象物を水平に切断したときの平面形状、又は対象物をトップビュー又はボトムビューで見たときの平面形状を意味することができる。
【0054】
本発明において、「下側、下部、下面」などは、便宜上、図面の断面を基準として下方向を意味するものとして使用し、「上側、上部、上面」などは、その反対方向を意味するものとして使用している。但し、これは説明の便宜上、方向を定義したものであり、特許請求の範囲の権利範囲がこのような方向に対する記載によって特に限定されるものではないことは勿論であり、上／下の概念はいつでも変更することができる。
【0055】
本発明において、「連結される」とは、直接連結されることだけでなく、接着剤層などを介して間接的に連結されることを含む概念である。また、「電気的に連結される」とは、物理的に連結される場合及び連結されていない場合の両方を含む概念である。さらに、「第１、第２」などの表現は、ある構成要素と他の構成要素とを区分するために使用されるものであって、当該構成要素の順序及び／又は重要度などを限定しない。場合によっては、権利範囲を逸脱しない範囲内で、第１構成要素は第２構成要素と命名されてもよく、同様に、第２構成要素は第１構成要素と命名されてもよい。
【0056】
本発明で使用される「一例」という表現は、互いに同じ実施形態を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかし、上記提示された一例は、他の一例の特徴と結合して実現されることを排除しない。例えば、特定の一例で説明された事項が、他の一例に説明されていなくても、他の一例において、その事項と反対又は矛盾する説明がない限り、他の一例に関連する説明として理解することができる。
【0057】
本発明で使用される用語は、単に一例を説明するために使用されたものであり、本発明を限定しようとする意図ではない。このとき、単数の表現は、文脈上明らかに異なる意味ではない限り、複数の表現を含む。
【符号の説明】
【0058】
１０００：電子機器
１０１０：メインボード
１０２０：チップ関連部品
１０３０：ネットワーク関連部品
１０４０：その他の部品
１０５０：カメラ
１０６０：アンテナ
１０７０：ディスプレイ
１０８０：バッテリー
１０９０：信号ライン
１１００：スマートフォン
１１１０：マザーボード
１１２０：部品
１１２１：部品パッケージ
１１３０：カメラモジュール
１１４０：スピーカ
１００Ａ、１００Ｂ：プリント回路基板
１１１、１１２：絶縁層
１２１、１２２：配線パターン
Ｍ１、Ｍ２：金属層
Ａ：無機酸化膜
ＡＰ：突出部
２１０：レジスト層
Ｈ：開口
Ｇ：空間
１０１０：メインボード
１０２０：チップ関連部品
１０３０：ネットワーク関連部品
１０４０：その他の部品
１０５０：カメラ
１０６０：アンテナ
１０７０：ディスプレイ
１０８０：バッテリー
１０９０：信号ライン
１１００：スマートフォン
１１１０：マザーボード
１１２０：部品
１１２１：部品パッケージ
１１３０：カメラモジュール
１１４０：スピーカ
１００Ａ、１００Ｂ：プリント回路基板
１１１、１１２：絶縁層
１２１、１２２：配線パターン
Ｍ１、Ｍ２：金属層
Ａ：無機酸化膜
ＡＰ：突出部
２１０：レジスト層
Ｈ：開口
Ｇ：空間
【図1】
【図2】
【図3】
【図4a】
【図4b】
【図4c】
【図4d】
【図4e】
【図4f】
【図4g】
【図4h】
【図5】
【図6a】
【図6b】
【図6c】
【図6d】
【図6e】
【図6f】
【図6g】
【図6h】
【図6i】
【図7】
