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特開2025-69907積層セラミックキャパシタおよびその製造方法

書誌要約請求の範囲詳細な説明課題実施例実施するための形態図面の説明

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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025069907

(43)【公開日】2025-05-01

(54)【発明の名称】積層セラミックキャパシタおよびその製造方法

(51)【国際特許分類】

H01G 4/30 20060101AFI20250423BHJP

【ＦＩ】

H01G4/30 515

H01G4/30 517

H01G4/30 201L

H01G4/30 311Z

【審査請求】未請求

【請求項の数】15

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024046563

(22)【出願日】2024-03-22

(31)【優先権主張番号】10-2023-0139604

(32)【優先日】2023-10-18

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソンエレクトロ－メカニックスカンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】100108453

【弁理士】

【氏名又は名称】村山靖彦

(74)【代理人】

【識別番号】100110364

【弁理士】

【氏名又は名称】実広信哉

(72)【発明者】

【氏名】李明佑

(72)【発明者】

【氏名】韓宰旻

(72)【発明者】

【氏名】金珍成

(72)【発明者】

【氏名】柳龍周

(72)【発明者】

【氏名】全炯俊

【テーマコード（参考）】

5E001

5E082

【Ｆターム（参考）】

5E001AB03

5E001AE04

5E001AF06

5E001AH09

5E001AJ02

5E082AA01

5E082AB03

5E082BC19

5E082EE04

5E082FF05

5E082FG04

5E082FG26

5E082FG54

5E082GG10

5E082PP03

5E082PP06

5E082PP09

(57)【要約】

【課題】特に、自動車の電子制御技術の発展により車両用にもＭＬＣＣの需要が増加しており、電子機器の小型化および高機能化が進められるに伴い、電装ＭＬＣＣに対する高容量および高温耐湿特性が要求されている。
【解決手段】誘電体層と内部電極層とを含むキャパシタボディと、前記キャパシタボディの外側に配置される外部電極とを含み、前記誘電体層は、チタン酸バリウム系の主成分およびリン（Ｐ）元素を含み、前記リン（Ｐ）元素は、前記チタン酸バリウム系の主成分１００モル部に対して０．００６モル部～０．２３モル部含まれる積層セラミックキャパシタおよびその製造方法を提供する。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

誘電体層と内部電極層とを含むキャパシタボディと、
前記キャパシタボディの外側に配置される外部電極とを含み、
前記誘電体層は、チタン酸バリウム系の主成分およびリン（Ｐ）元素を含み、
前記リン（Ｐ）元素は、前記チタン酸バリウム系の主成分１００モル部に対して０．００６モル部～０．２３モル部含まれる、積層セラミックキャパシタ。

【請求項2】

前記誘電体層は、複数の誘電体結晶粒（ｇｒａｉｎ）を含み、
前記誘電体結晶粒は、前記チタン酸バリウム系の主成分および前記リン（Ｐ）元素を含む、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項3】

前記誘電体結晶粒の大きさ（Ｄ１０）は１００ｎｍ～１４０ｎｍである、請求項２に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項4】

前記誘電体結晶粒の大きさ（Ｄ５０）は１５０ｎｍ～２５０ｎｍである、請求項２に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項5】

前記誘電体結晶粒の大きさ（Ｄ９０）は３００ｎｍ～４２０ｎｍである、請求項２に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項6】

下記数式１によって得られる前記誘電体結晶粒の大きさ変動係数は３０％～４５％である、請求項２に記載の積層セラミックキャパシタ。
［数式１］
大きさ変動係数（％）＝｛大きさの標準偏差（σ）／平均｝×１００
（前記数式１中、大きさの標準偏差（σ）は、偏差の二乗の平均の平方根である。）

【請求項7】

前記誘電体層は、副成分をさらに含み、
前記副成分は、ジスプロシウム（Ｄｙ）、テルビウム（Ｔｂ）、マンガン（Ｍｎ）、バナジウム（Ｖ）、バリウム（Ｂａ）、ケイ素（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、カルシウム（Ｃａ）、またはこれらの組み合わせを含む、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項8】

前記チタン酸バリウム系の主成分１００モル部に対して、
前記ジスプロシウム（Ｄｙ）は０．１モル部～１．０モル部含まれ、
前記テルビウム（Ｔｂ）は０．１モル部～１．０モル部含まれ、
前記マンガン（Ｍｎ）は０．０１モル部～０．５モル部含まれ、
前記バナジウム（Ｖ）は０．０１モル部～０．５モル部含まれ、
前記バリウム（Ｂａ）は０．５モル部～３．０モル部含まれ、
前記ケイ素（Ｓｉ）は０．５モル部～４．０モル部含まれ、
前記アルミニウム（Ａｌ）は０．１モル部～１．０モル部含まれ、
前記カルシウム（Ｃａ）は０．０１モル部～１．０モル部含まれる、請求項７に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項9】

バリウム（Ｂａ）前駆体およびチタン（Ｔｉ）前駆体を含むチタン酸バリウム系の主成分粉末と、リン（Ｐ）含有化合物と、を混合して誘電体粉末を製造する段階；
前記誘電体粉末を含む誘電体スラリーを用いて誘電体グリーンシートを製造し、前記誘電体グリーンシートの表面に導電性ペースト層を形成する段階；
前記導電性ペースト層が形成された誘電体グリーンシートを積層して誘電体グリーンシート積層体を製造する段階；
前記誘電体グリーンシート積層体を焼成して誘電体層と内部電極層とを含むキャパシタボディを製造する段階；および
前記キャパシタボディの一面に外部電極を形成する段階を含み、
前記リン（Ｐ）含有化合物は、前記チタン酸バリウム系の主成分粉末１００モル部に対して０．００６モル部～０．２３モル部混合され、
前記誘電体層は、チタン酸バリウム系の主成分およびリン（Ｐ）元素を含む、積層セラミックキャパシタの製造方法。

【請求項10】

前記リン（Ｐ）含有化合物は、五酸化二リン（Ｐ_２Ｏ_５）、リン酸（Ｈ_３ＰＯ_４）、塩化ホスホリル（ＰＯＣｌ_３）、リン含有炭化水素化合物、またはこれらの組み合わせを含む、請求項９に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。

【請求項11】

前記リン含有炭化水素化合物は、ホスフェート（ｐｈｏｓｐｈａｔｅ）化合物、ホスファイト（ｐｈｏｓｐｈｉｔｅ）化合物、ホスホネート（ｐｈｏｓｐｈｏｎａｔｅ）化合物、ホスフィネート（ｐｈｏｓｐｈｉｎａｔｅ）化合物、またはこれらの組み合わせを含む、請求項１０に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。

【請求項12】

前記誘電体粉末を製造する段階は、
前記チタン酸バリウム系の主成分粉末と前記リン（Ｐ）含有化合物とを混合する段階の後、
前記混合して得られた混合物を乾燥および乾式粉砕する段階と、
前記乾式粉砕して得られた粉砕物をか焼（ｃａｌｃｉｎａｔｉｏｎ）する段階と、
選択的に、前記か焼して得られたか焼物を湿式粉砕する段階と、
選択的に、前記湿式粉砕して得られた粉砕物を乾燥および乾式粉砕する段階とをさらに含む、請求項９に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。

【請求項13】

前記か焼は、８００℃～１０００℃の温度で行われる、請求項１２に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。

【請求項14】

前記誘電体スラリーは、副成分粉末をさらに含み、
前記副成分粉末は、酸化ジスプロシウム（Ｄｙ_２Ｏ_３）、酸化テルビウム（Ｔｂ_２Ｏ_３）、酸化マンガン（ＭｎＯ_２）、酸化バナジウム（Ｖ_２Ｏ_５）、炭酸バリウム（ＢａＣＯ_３）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ_３）、またはこれらの組み合わせを含む、請求項９に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。

【請求項15】

前記チタン酸バリウム系の主成分粉末１００モル部に対して、
前記酸化ジスプロシウム（Ｄｙ_２Ｏ_３）は０．１モル部～１．０モル部含まれ、
前記酸化テルビウム（Ｔｂ_２Ｏ_３）は０．１モル部～１．０モル部含まれ、
前記酸化マンガン（ＭｎＯ_２）は０．０１モル部～０．５モル部含まれ、
前記酸化バナジウム（Ｖ_２Ｏ_５）は０．０１モル部～０．５モル部含まれ、
前記炭酸バリウム（ＢａＣＯ_３）は０．５モル部～３．０モル部含まれ、
前記二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）は０．５モル部～４．０モル部含まれ、
前記酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）は０．１モル部～１．０モル部含まれ、
前記炭酸カルシウム（ＣａＣＯ_３）は０．０１モル部～１．０モル部含まれる、請求項１４に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、積層セラミックキャパシタおよびその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

セラミック材料を用いる電子部品として、キャパシタ、インダクタ、圧電素子、バリスタまたはサーミスタなどがある。このようなセラミック電子部品のうち、積層セラミックキャパシタ（ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒｃｅｒａｍｉｃｃａｐａｃｉｔｏｒ、ＭＬＣＣ）は、小型でかつ高容量が保障され、実装が容易であるというメリットによって、多様な電子装置に使用可能である。

【0003】

例えば、積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ）は、液晶表示装置（ｌｉｑｕｉｄｃｒｙｓｔａｌｄｉｓｐｌａｙ、ＬＣＤ）、プラズマディスプレイパネル（ｐｌａｓｍａｄｉｓｐｌａｙｐａｎｅｌ、ＰＤＰ）、有機発光ダイオード（ｏｒｇａｎｉｃｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ）などの映像機器、コンピュータ、個人携帯用端末およびスマートフォンのような様々な電子製品の基板に装着されて、電気を充電させたり放電させる役割を果たすチップ状のコンデンサに使用できる。

【0004】

特に、自動車の電子制御技術の発展により車両用にもＭＬＣＣの需要が増加しており、電子機器の小型化および高機能化が進められるに伴い、電装ＭＬＣＣに対する高容量および高温耐湿特性が要求されている。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

一実施形態は、高温耐湿特性のような信頼性および耐電圧特性に優れた積層セラミックキャパシタを提供する。

【0006】

他の実施形態は、前記積層セラミックキャパシタの製造方法を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0007】

一実施形態は、誘電体層と内部電極層とを含むキャパシタボディと、前記キャパシタボディの外側に配置される外部電極とを含み、前記誘電体層は、チタン酸バリウム系の主成分およびリン（Ｐ）元素を含み、前記リン（Ｐ）元素は、前記チタン酸バリウム系の主成分１００モル部に対して０．００６モル部～０．２３モル部含まれる積層セラミックキャパシタを提供する。

【0008】

前記誘電体層は、複数の誘電体結晶粒（ｇｒａｉｎ）を含むことができ、前記誘電体結晶粒は、前記チタン酸バリウム系の主成分および前記リン（Ｐ）元素を含むことができる。

【0009】

前記誘電体結晶粒の大きさ（Ｄ１０）は１００ｎｍ～１４０ｎｍであってもよい。

【0010】

前記誘電体結晶粒の大きさ（Ｄ５０）は１５０ｎｍ～２５０ｎｍであってもよい。

【0011】

前記誘電体結晶粒の大きさ（Ｄ９０）は３００ｎｍ～４２０ｎｍであってもよい。

【0012】

下記数式１によって得られる前記誘電体結晶粒の大きさ変動係数は３０％～４５％であってもよい。

【0013】

［数式１］
大きさ変動係数（％）＝｛大きさの標準偏差（σ）／平均｝×１００
（前記数式１中、大きさの標準偏差（σ）は、偏差の二乗の平均の平方根である。）

【0014】

前記誘電体層は、副成分をさらに含むことができ、前記副成分は、ジスプロシウム（Ｄｙ）、テルビウム（Ｔｂ）、マンガン（Ｍｎ）、バナジウム（Ｖ）、バリウム（Ｂａ）、ケイ素（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、カルシウム（Ｃａ）、またはこれらの組み合わせを含むことができる。

【0015】

前記チタン酸バリウム系の主成分１００モル部に対して、前記ジスプロシウム（Ｄｙ）は０．１モル部～１．０モル部含まれ、前記テルビウム（Ｔｂ）は０．１モル部～１．０モル部含まれ、前記マンガン（Ｍｎ）は０．０１モル部～０．５モル部含まれ、前記バナジウム（Ｖ）は０．０１モル部～０．５モル部含まれ、前記バリウム（Ｂａ）は０．５モル部～３．０モル部含まれ、前記ケイ素（Ｓｉ）は０．５モル部～４．０モル部含まれ、前記アルミニウム（Ａｌ）は０．１モル部～１．０モル部含まれ、前記カルシウム（Ｃａ）は０．０１モル部～１．０モル部含まれる。

【0016】

他の実施形態は、バリウム（Ｂａ）前駆体およびチタン（Ｔｉ）前駆体を含むチタン酸バリウム系の主成分粉末とリン（Ｐ）含有化合物とを混合して誘電体粉末を製造する段階；前記誘電体粉末を含む誘電体スラリーを用いて誘電体グリーンシートを製造し、前記誘電体グリーンシートの表面に導電性ペースト層を形成する段階；前記導電性ペースト層が形成された誘電体グリーンシートを積層して誘電体グリーンシート積層体を製造する段階；前記誘電体グリーンシート積層体を焼成して誘電体層と内部電極層とを含むキャパシタボディを製造する段階；および前記キャパシタボディの一面に外部電極を形成する段階を含み、前記リン（Ｐ）含有化合物は、前記チタン酸バリウム系の主成分粉末１００モル部に対して０．００６モル部～０．２３モル部混合され、前記誘電体層は、チタン酸バリウム系の主成分およびリン（Ｐ）元素を含む積層セラミックキャパシタの製造方法を提供する。

【0017】

前記リン（Ｐ）含有化合物は、五酸化二リン（Ｐ_２Ｏ_５）、リン酸（Ｈ_３ＰＯ_４）、塩化ホスホリル（ＰＯＣｌ_３）、リン含有炭化水素化合物、またはこれらの組み合わせを含むことができる。

【0018】

前記リン含有炭化水素化合物は、ホスフェート（ｐｈｏｓｐｈａｔｅ）化合物、ホスファイト（ｐｈｏｓｐｈｉｔｅ）化合物、ホスホネート（ｐｈｏｓｐｈｏｎａｔｅ）化合物、ホスフィネート（ｐｈｏｓｐｈｉｎａｔｅ）化合物、またはこれらの組み合わせを含むことができる。

【0019】

前記誘電体粉末を製造する段階は、前記チタン酸バリウム系の主成分粉末と前記リン（Ｐ）含有化合物とを混合する段階の後、選択的に、前記混合して得られた混合物を乾燥および乾式粉砕する段階と、前記乾式粉砕して得られた粉砕物をか焼（ｃａｌｃｉｎａｔｉｏｎ）する段階と、選択的に、前記か焼して得られたか焼物を湿式粉砕する段階と、選択的に、前記湿式粉砕して得られた粉砕物を乾燥および乾式粉砕する段階とをさらに含むことができる。

【0020】

前記か焼は、８００℃～１０００℃の温度で行われる。

【0021】

前記誘電体スラリーは、副成分粉末をさらに含むことができ、前記副成分粉末は、酸化ジスプロシウム（Ｄｙ_２Ｏ_３）、酸化テルビウム（Ｔｂ_２Ｏ_３）、酸化マンガン（ＭｎＯ_２）、酸化バナジウム（Ｖ_２Ｏ_５）、炭酸バリウム（ＢａＣＯ_３）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ_３）、またはこれらの組み合わせを含むことができる。

【0022】

前記チタン酸バリウム系の主成分粉末１００モル部に対して、前記酸化ジスプロシウム（Ｄｙ_２Ｏ_３）は０．１モル部～１．０モル部含まれ、前記酸化テルビウム（Ｔｂ_２Ｏ_３）は０．１モル部～１．０モル部含まれ、前記酸化マンガン（ＭｎＯ_２）は０．０１モル部～０．５モル部含まれ、前記酸化バナジウム（Ｖ_２Ｏ_５）は０．０１モル部～０．５モル部含まれ、前記炭酸バリウム（ＢａＣＯ_３）は０．５モル部～３．０モル部含まれ、前記二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）は０．５モル部～４．０モル部含まれ、前記酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）は０．１モル部～１．０モル部含まれ、前記炭酸カルシウム（ＣａＣＯ_３）は０．０１モル部～１．０モル部含まれる。

【発明の効果】

【0023】

一実施形態による積層セラミックキャパシタは、粒子サイズが均一な誘電体層を有することによって、高温耐湿特性などの信頼性および耐電圧特性に優れている。

【図面の簡単な説明】

【0024】

【図1】一実施形態による積層セラミックキャパシタを示す斜視図である。

【図2】図１のＩ－Ｉ’線に沿った積層セラミックキャパシタの断面図である。

【図3】図１のＩＩ－ＩＩ’線に沿った積層セラミックキャパシタの断面図である。

【図4】一実施形態による誘電体層の誘電体結晶粒（ｇｒａｉｎ）を示す概略図である。

【図5】一実施形態による積層セラミックキャパシタの製造方法を示す工程フローチャートである。

【図6】一実施形態による積層セラミックキャパシタの製造方法のうち誘電体粉末の製造段階を示す工程フローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0025】

以下、添付した図面を参照して、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように本発明の実施例を詳細に説明する。図面において本発明を明確に説明するために説明上不必要な部分は省略し、明細書全体にわたって同一または類似の構成要素については同一の参照符号を付した。また、添付図面において一部の構成要素は誇張されたり省略されたりまたは概略的に示され、各構成要素の大きさは実際の大きさを完全に反映するものではない。

【0026】

添付した図面は本明細書に開示された実施例を容易に理解できるようにするためのものに過ぎず、添付した図面によって本明細書に開示された技術的思想が制限されず、本発明の思想および技術範囲に含まれるすべての変更、均等物あるいは代替物を含むことが理解されなければならない。

【0027】

第１、第２などのような序数を含む用語は多様な構成要素を説明するのに使用できるが、前記構成要素は前記用語によって限定されない。前記用語は１つの構成要素を他の構成要素から区別する目的でのみ使用される。

【0028】

また、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上」にあるとする時、これは、他の部分の「直上」にある場合のみならず、その中間に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の「直上」にあるとする時には、中間に他の部分がないことを意味する。さらに、基準となる部分の「上」にあるというのは、基準となる部分の上または下に位置することであり、必ずしも重力の反対方向の「上」に位置することを意味するのではない。

【0029】

明細書全体において、「含む」または「有する」などの用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとするものであって、１つまたはそれ以上の他の特徴や、数字、段階、動作、構成要素、部品、またはこれらを組み合わせたものの存在または付加の可能性を予め排除しないことが理解されなければならない。したがって、ある部分がある構成要素を「含む」とする時、これは、特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに包含できることを意味する。

【0030】

また、明細書全体において、「平面上」とする時、これは対象部分を上から見た時を意味し、「断面上」とする時、これは対象部分を垂直に切断した断面を横から見た時を意味する。

【0031】

さらに、明細書全体において、「連結される」とする時、これは２以上の構成要素が直接的に連結されることだけを意味するのではなく、２以上の構成要素が他の構成要素を介して間接的に連結されること、物理的に連結されることだけでなく電気的に連結されること、または位置や機能により異なる名称で称されたものの一切を意味することができる。

【0032】

以下、一実施形態による積層セラミックキャパシタについて、図１～３を参照して説明する。

【0033】

図１は、一実施形態による積層セラミックキャパシタを示す斜視図であり、図２は、図１のＩ－Ｉ’線に沿った積層セラミックキャパシタの断面図であり、図３は、図１のＩＩ－ＩＩ’線に沿った積層セラミックキャパシタの断面図である。

【0034】

図１～３に表示されたＬ軸、Ｗ軸およびＴ軸はそれぞれ、キャパシタボディ１１０の長手方向、幅方向および厚さ方向を示す。ここで、厚さ方向（Ｔ軸方向）は、シート形状の構成要素の広い面（主面）に垂直な方向であってもよく、一例として、誘電体層１１１が積層される積層方向と同じ概念で使用できる。長手方向（Ｌ軸方向）は、シート形状の構成要素の広い面（主面）に並んで延びる方向で厚さ方向（Ｔ軸方向）と略垂直な方向になり、一例として、両側に第１外部電極１３１および第２外部電極１３２が位置する方向であってもよい。幅方向（Ｗ軸方向）は、シート形状の構成要素の広い面（主面）に並んで延びる方向で厚さ方向（Ｔ軸方向）および長手方向（Ｌ軸方向）と略垂直な方向であってもよく、シート形状の構成要素の長手方向（Ｌ軸方向）の長さは、幅方向（Ｗ軸方向）の長さよりも長い。

【0035】

図１～３を参照すれば、一実施形態による積層セラミックキャパシタ１００は、キャパシタボディ１１０と、キャパシタボディ１１０の外側に配置される外部電極１３１、１３２とを含む。外部電極１３１、１３２は、キャパシタボディ１１０の長手方向（Ｌ軸方向）に対向する両端に配置される第１外部電極１３１および第２外部電極１３２を含むことができる。

【0036】

キャパシタボディ１１０は、一例として、略六面体形状であってもよい。

【0037】

一実施形態に関する説明の便宜のために、キャパシタボディ１１０において厚さ方向（Ｔ軸方向）に互いに対向する両面を第１面および第２面、第１面および第２面に連結され、長手方向（Ｌ軸方向）に互いに対向する両面を第３面および第４面、第１面および第２面に連結され、第３面および第４面に連結され、幅方向（Ｗ軸方向）に互いに対向する両面を第５面および第６面と定義する。

【0038】

一例として、下面の第１面が実装方向に向かう面になる。また、第１面～第６面は平らであってもよいが、一実施形態がこれに限定されるものではない。例えば、第１面～第６面は、中央部が凸の曲面であってもよく、各面の堺界である角部はラウンド（ｒｏｕｎｄ）になっていてもよい。

【0039】

キャパシタボディ１１０の形状、寸法および誘電体層１１１の積層数が本実施形態の図示に限定されるものではない。

【0040】

キャパシタボディ１１０は、複数の誘電体層１１１と、内部電極層１２１、１２２とを含む。具体的には、キャパシタボディ１１０は、複数の誘電体層１１１と、誘電体層１１１を挟んで厚さ方向（Ｔ軸方向）に交互に配置される第１内部電極１２１および第２内部電極１２２とを含む。

【0041】

この時、キャパシタボディ１１０の互いに隣接するそれぞれの誘電体層１１１間の境界は、走査電子顕微鏡（ｓｃａｎｎｉｎｇｅｌｅｃｔｒｏｎｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＳＥＭ）を用いずには確認しにくいほど一体化されている。

【0042】

キャパシタボディ１１０は、アクティブ部を有することができる。アクティブ部は、誘電体層１１１と内部電極層１２１、１２２とが互いに交互に配置された領域であって、積層セラミックキャパシタ１００の容量形成に寄与する部分である。具体的には、アクティブ部は、厚さ方向（Ｔ軸方向）に沿って積層される第１内部電極１２１または第２内部電極１２２が重畳（ｏｖｅｒｌａｐ）した領域であってもよい。

【0043】

また、キャパシタボディ１１０は、カバー部およびサイドマージン部をさらに含むことができる。

【0044】

カバー部は、厚さ方向のマージン部であって、厚さ方向（Ｔ軸方向）にアクティブ部の第１面および第２面側にそれぞれ位置することができる。このようなカバー部は、単一誘電体層１１１または２つ以上の誘電体層１１１がアクティブ部の上面および下面にそれぞれ積層されたものであってもよい。

【0045】

サイドマージン部は、側面カバー部と見なすことができ、幅方向（Ｗ軸方向）にアクティブ部の互いに対向する両側端部、つまり、第５面および第６面側にそれぞれ位置することができる。前記サイドマージン部は、誘電体グリーンシートの表面に内部電極層用導電性ペースト層を塗布する時、誘電体グリーンシート表面の一部領域にのみ導電性ペースト層を塗布し、誘電体グリーンシート表面の両側側面には導電性ペースト層を塗布しない誘電体グリーンシートを積層した後、焼成することによって形成されるが、このような形成方法に限定されるものではない。

【0046】

カバー部およびサイドマージン部は、物理的または化学的ストレスによる第１内部電極１２１および第２内部電極１２２の損傷を防止する役割を果たす。

【0047】

一実施形態による誘電体層１１１は、チタン酸バリウム系の主成分およびリン（Ｐ）元素を含む。

【0048】

チタン酸バリウム系の主成分は、誘電体母材であって、高い誘電率を有し、積層セラミックキャパシタ１００の誘電率の形成に寄与する。

【0049】

チタン酸バリウム系の主成分は、例えば、ＢａＴｉＯ_３、Ｂａ（Ｔｉ、Ｚｒ）Ｏ_３、Ｂａ（Ｔｉ、Ｓｎ）Ｏ_３、（Ｂａ、Ｃａ）ＴｉＯ_３、（Ｂａ、Ｃａ）（Ｔｉ、Ｚｒ）Ｏ_３、（Ｂａ、Ｃａ）（Ｔｉ、Ｓｎ）Ｏ_３、（Ｂａ、Ｓｒ）ＴｉＯ_３、（Ｂａ、Ｓｒ）（Ｔｉ、Ｚｒ）Ｏ_３、（Ｂａ、Ｓｒ）（Ｔｉ、Ｓｎ）Ｏ_３、またはこれらの組み合わせを含むことができる。

【0050】

リン（Ｐ）元素は、誘電体母材に添加されるリン（Ｐ）含有化合物に由来する成分であってもよい。

【0051】

リン（Ｐ）元素は、前記チタン酸バリウム系の主成分１００モル部に対して０．００６モル部～０．２３モル部含まれ、例えば、０．０１モル部～０．１５モル部含まれる。リン（Ｐ）元素が誘電体層１１１内で前記含有量の範囲内に含まれる場合、リン（Ｐ）元素のイオン半径の差によって誘電体結晶粒（ｇｒａｉｎ）の異常粒成長を抑制し、これによって誘電体層内に均一な大きさの誘電体結晶粒を確保できる。これによって、積層セラミックキャパシタの高温耐湿特性などの信頼性と耐電圧特性が改善できる。

【0052】

前記誘電体層１１１内のリン（Ｐ）元素の含有量は誘導結合プラズマ（ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙｃｏｕｐｌｅｄｐｌａｓｍａ、ＩＣＰ）分析によって測定できる。具体的には、積層セラミックキャパシタの誘電体層サンプルに対して、Ｑｕａｒｔｚチャンバで、ＩＣＰ－ＯＥＳ（ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙｃｏｕｐｌｅｄｐｌａｓｍａ－ｏｐｔｉｃａｌｅｍｉｓｓｉｏｎｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）のＡＶＩＯ５００（ＰｅｒｋｉｎＥｌｍｅｒ）の装置を用いて、例えば、プラズマガスフロー（ｐｌａｓｍａｇａｓｆｌｏｗ）１２Ｌ／ｍｉｎ、補助ガスフロー（ａｕｘｉｌｉａｒｙｇａｓｆｌｏｗ）０．２Ｌ／ｍｉｎ、ネブライザーフロー（ｎｅｂｕｌｉｚｅｒｆｌｏｗ）０．５Ｌ／ｍｉｎ、プラズマＲＦパワー（ｐｏｗｅｒ）１４００Ｗ、プラズマモードＡｘｉａｌの条件で測定できる。

【0053】

一実施形態による誘電体層１１１は、複数の誘電体結晶粒（ｇｒａｉｎ）を含むことができる。この時、誘電体結晶粒は、前述したチタン酸バリウム系の主成分およびリン（Ｐ）元素を含むことができる。

【0054】

前記誘電体結晶粒の大きさ（Ｄ１０）は１００ｎｍ～１４０ｎｍであってもよく、例えば、１１０ｎｍ～１３０ｎｍであってもよい。また、誘電体結晶粒の大きさ（Ｄ５０）は１５０ｎｍ～２５０ｎｍであってもよく、例えば、１８０ｎｍ～２２０ｎｍであってもよく、例えば、１９０ｎｍ～２１０ｎｍであってもよい。また、誘電体結晶粒の大きさ（Ｄ９０）は３００ｎｍ～４２０ｎｍであってもよく、例えば、３１０ｎｍ～３５０ｎｍであってもよく、例えば、３２０ｎｍ～３４０ｎｍであってもよい。それぞれの誘電体結晶粒の大きさ、つまり、Ｄ１０、Ｄ５０およびＤ９０が前記範囲内の場合、均一な誘電体結晶粒を有する誘電体層を確保することによって、高い信頼性と優れた耐電圧特性を有することができる。

【0055】

前記誘電体結晶粒の大きさは次のような方法で測定できる。

【0056】

まず、積層セラミックキャパシタ１００をエポキシ混合液に入れて硬化させた後、キャパシタボディ１１０のＷ軸およびＴ軸方向面（ＷＴ面）をＬ軸方向に１／２地点まで研磨（ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）し、固定後、真空雰囲気チャンバー内維持して、誘電体層１１１と内部電極層１２１、１２２との交差するアクティブ部を観察できるように断面サンプルを得ることができる。次に、断面サンプルのアクティブ部をイオンミリングして走査電子顕微鏡（ｓｃａｎｎｉｎｇｅｌｅｃｔｒｏｎｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＳＥＭ）で測定できる。走査電子顕微鏡は、例えば、ｔｈｅｒｍｏｆｉｓｈｅｒｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社のＶｅｒｉｏｓＧ４製品を用い、測定条件は１０ｋＶ、０．２ｎＡであり、分析倍率は１００倍であってもよく、少なくとも１層以上、３層以上、５層以上、または１０層以上の誘電体層１１１が出られるように測定できる。誘電体結晶粒の大きさは、前記断面サンプルの走査電子顕微鏡イメージにおいて、少なくとも１００個の誘電体結晶粒（ｇｒａｉｎ）の最大長軸を測定してサイズ分布累積曲線を作成し、Ｄ１０、Ｄ５０およびＤ９０をそれぞれ計算する。この時、Ｄ１０、Ｄ５０およびＤ９０は、サイズ分布累積曲線においてそれぞれ１０％、５０％および９０％となる地点での大きさを意味する。

【0057】

また、前記誘電体結晶粒の大きさ変動係数は３０％～４５％であってもよく、例えば、３０％～４３％であってもよい。誘電体結晶粒の大きさ変動係数が前記範囲内の場合、誘電体結晶粒の大きさに対するばらつき特性に優れていることによって、高温耐湿特性のような信頼性および耐電圧特性に優れた積層セラミックキャパシタを確保できる。

【0058】

前記誘電体結晶粒の大きさ変動係数は下記数式１によって得られる。

【0059】

［数式１］
大きさ変動係数（％）＝｛大きさの標準偏差（σ）／平均｝×１００

【0060】

前記数式１中、大きさの標準偏差（σ）は、偏差を二乗して合計した後、測定回数で割ってその平方根を求めたもの、つまり、下記数式２のように、偏差の二乗の平均の平方根を意味する。

【0061】

【数1】

【0062】

図４は、一実施形態による誘電体層の誘電体結晶粒（ｇｒａｉｎ）を示す概略図である。

【0063】

図４を参照すれば、一実施形態による誘電体層１１１は、誘電体結晶粒１０と、隣接した誘電体結晶粒１０の間に位置する結晶粒界（ｇｒａｉｎｂｏｕｎｄａｒｙ）２０とを含むことができる。複数の誘電体結晶粒１０の少なくとも１つは、コア１０ａと、コア１０ａを囲むシェル１０ｂとを含むコア－シェル構造を有することができる。一実施形態による誘電体層１１１、つまり、リン（Ｐ）元素がチタン酸バリウム系の主成分１００モル部に対して０．００６モル部～０．２３モル部含まれている誘電体層１１１は、図４のように、誘電体結晶粒１０が均一に存在することができる。

【0064】

一実施形態による誘電体層１１１は、ジスプロシウム（Ｄｙ）、テルビウム（Ｔｂ）、マンガン（Ｍｎ）、バナジウム（Ｖ）、バリウム（Ｂａ）、ケイ素（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、カルシウム（Ｃａ）、またはこれらの組み合わせを含む副成分をさらに含むことができる。

【0065】

前記副成分は、誘電体母材に副成分として添加される金属酸化物に由来できる。

【0066】

ジスプロシウム（Ｄｙ）は、チタン酸バリウム系の主成分１００モル部に対して０．１モル部～１．０モル部含まれ、テルビウム（Ｔｂ）は、チタン酸バリウム系の主成分１００モル部に対して０．１モル部～１．０モル部含まれ、マンガン（Ｍｎ）は、チタン酸バリウム系の主成分１００モル部に対して０．０１モル部～０．５モル部含まれ、バナジウム（Ｖ）は、チタン酸バリウム系の主成分１００モル部に対して０．０１モル部～０．５モル部含まれ、バリウム（Ｂａ）は、チタン酸バリウム系の主成分１００モル部に対して０．５モル部～３．０モル部含まれ、ケイ素（Ｓｉ）は、チタン酸バリウム系の主成分１００モル部に対して０．５モル部～４．０モル部含まれ、アルミニウム（Ａｌ）は、チタン酸バリウム系の主成分１００モル部に対して０．１モル部～１．０モル部含まれ、カルシウム（Ｃａ）は、チタン酸バリウム系の主成分１００モル部に対して０．０１モル部～１．０モル部含まれる。前記副成分がそれぞれ前記含有量の範囲内に含まれる場合、高容量を有し、高い信頼性と優れた耐電圧特性を有する積層セラミックキャパシタを確保できる。

【0067】

誘電体層１１１の平均厚さ（Ｔ軸方向の平均長さ）は２．０μｍ～８．０μｍであってもよく、例えば、２．４μｍ～７．８μｍであってもよい。誘電体層１１１の平均厚さが前記範囲内の場合、積層セラミックキャパシタの信頼性に優れている。

【0068】

誘電体層１１１の平均厚さは、積層セラミックキャパシタ１００をエポキシ混合液に入れて硬化させた後、研磨（ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）した後、イオンミリングして走査電子顕微鏡（ｓｃａｎｎｉｎｇｅｌｅｃｔｒｏｎｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＳＥＭ）分析によって測定される。走査電子顕微鏡は、例えば、ｔｈｅｒｍｏｆｉｓｈｅｒｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社のＶｅｒｉｏｓＧ４製品を用い、測定条件は１０ｋＶ、０．２ｎＡであり、分析倍率は１００倍であってもよく、少なくとも１層以上、３層以上、５層以上、または１０層以上の誘電体層１１１が出られるように測定できる。走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）イメージにおいて、誘電体層１１１の長手方向（Ｌ軸方向）または幅方向（Ｗ軸方向）の中央地点を基準点とし、基準点から所定の間隔で離れた１０個の地点における、誘電体層１１１の厚さの算術平均値であってもよい。１０個の地点の間隔は、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）イメージのスケール（ｓｃａｌｅ）により調節可能であり、例えば、１μｍ～１００μｍ、１μｍ～５０μｍ、または１μｍ～１０μｍの間隔であってもよい。この時、１０個の地点はすべて誘電体層１１１内に位置しなければならず、１０個の地点がすべて誘電体層１１１内に位置しない場合、基準点の位置を変更するか、１０個の地点間の間隔を調節することができる。

【0069】

第１内部電極１２１と第２内部電極１２２は、互いに異なる極性を有する電極であって、誘電体層１１１を挟んでＴ軸方向に沿って互いに対向するように交互に配置され、一端がキャパシタボディ１１０の第３および第４面を介してそれぞれ露出できる。

【0070】

第１内部電極１２１と第２内部電極１２２は、中間に配置された誘電体層１１１によって互いに電気的に絶縁可能である。

【0071】

キャパシタボディ１１０の第３および第４面を介して交互に露出する第１内部電極１２１および第２内部電極１２２の端部は、第１外部電極１３１および第２外部電極１３２にそれぞれ接続されて電気的に連結可能である。

【0072】

第１内部電極１２１および第２内部電極１２２は、導電性金属を含み、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなどの金属、またはこれらの合金、例えば、Ａｇ－Ｐｄ合金を含むことができる。

【0073】

また、第１内部電極１２１および第２内部電極１２２は、誘電体層１１１に含まれるセラミック材料と同じ組成系の誘電体粒子を含んでもよい。

【0074】

第１内部電極１２１および第２内部電極１２２は、導電性金属を含む導電性ペーストを用いて形成される。導電性ペーストの印刷方法は、スクリーン印刷法またはグラビア印刷法を用いることができる。

【0075】

第１内部電極１２１および第２内部電極１２２の平均厚さは０．１μｍ～２μｍであってもよい。第１内部電極１２１および第２内部電極１２２の平均厚さは、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）分析によって測定される。ここで、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）分析は、前述した誘電体層１１１の平均厚さ測定時の方法と同一であるので、その説明を省略する。

【0076】

キャパシタボディ１１０は、複数の誘電体層１１１と内部電極層１２１、１２２とが積層された積層体を焼成して形成される。

【0077】

第１外部電極１３１および第２外部電極１３２は、互いに異なる極性の電圧が提供され、第１内部電極１２１および第２内部電極１２２の露出する部分にそれぞれ接続されて電気的に連結可能である。

【0078】

このような構成により、第１外部電極１３１および第２外部電極１３２に所定の電圧を印加すれば、互いに対向する第１内部電極１２１および第２内部電極１２２の間に電荷が蓄積される。この時、積層セラミックキャパシタ１００の静電容量は、アクティブ部においてＴ軸方向に沿って互いに重畳する第１内部電極１２１および第２内部電極１２２のオーバーラップされた面積に比例する。

【0079】

第１外部電極１３１および第２外部電極１３２は、キャパシタボディ１１０の第３および第４面にそれぞれ配置されて第１内部電極１２１および第２内部電極１２２に接続される第１および第２接続部と、キャパシタボディ１１０の第３および第４面と、第１および第２面または第５および第６面との出会う角部に配置される第１および第２バンド部とをそれぞれ含むことができる。

【0080】

第１および第２バンド部は、第１および第２接続部からキャパシタボディ１１０の第１および第２面または第５および第６面の一部までそれぞれ延びることができる。第１および第２バンド部は、第１外部電極１３１および第２外部電極１３２の固着強度を向上させる役割を果たすことができる。

【0081】

第１外部電極１３１および第２外部電極１３２はそれぞれ、キャパシタボディ１１０と接触する焼結金属層と、焼結金属層を覆うように配置される伝導性樹脂層と、伝導性樹脂層を覆うように配置されるメッキ層とを含むことができる。

【0082】

焼結金属層は、導電性金属およびガラスを含むことができる。

【0083】

導電性金属は、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、鉛（Ｐｂ）、これらの合金、またはこれらの組み合わせを含むことができ、例えば、銅（Ｃｕ）は、銅（Ｃｕ）合金を含むことができる。導電性金属が銅を含む場合、銅以外の金属は、銅１００モル部に対して５モル部以下で含まれる。

【0084】

ガラスは、酸化物が混合された組成を含むことができ、例えば、ケイ素酸化物、ホウ素酸化物、アルミニウム酸化物、遷移金属酸化物、アルカリ金属酸化物およびアルカリ土類金属酸化物からなる群より選択された１つ以上であってもよい。遷移金属は、亜鉛（Ｚｎ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）およびニッケル（Ｎｉ）からなる群より選択され、アルカリ金属は、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）およびカリウム（Ｋ）からなる群より選択され、アルカリ土類金属は、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）およびバリウム（Ｂａ）からなる群より選択された１つ以上であってもよい。

【0085】

選択的に、伝導性樹脂層は、焼結金属層上に形成され、例えば、焼結金属層を完全に覆う形態に形成される。一方、第１外部電極１３１および第２外部電極１３２は、焼結金属層を含まなくてもよいし、この場合、伝導性樹脂層がキャパシタボディ１１０と直接接触できる。

【0086】

伝導性樹脂層は、キャパシタボディ１１０の第１および第２面または第５および第６面に延び、伝導性樹脂層がキャパシタボディ１１０の第１および第２面または第５および第６面に延びて配置された領域（つまり、バンド部）の長さは、焼結金属層がキャパシタボディ１１０の第１面および第２面または第５および第６面に延びて配置された領域（つまり、バンド部）の長さより長い。つまり、伝導性樹脂層は、焼結金属層上に形成され、焼結金属層を完全に覆う形態に形成される。

【0087】

伝導性樹脂層は、樹脂および導電性金属を含む。

【0088】

伝導性樹脂層に含まれる樹脂は、接合性および衝撃吸収性を有し、導電性金属粉末と混合してペーストを作れるものであれば特に制限されず、例えば、フェノール樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、またはポリイミド樹脂を含むことができる。

【0089】

伝導性樹脂層に含まれる導電性金属は、第１内部電極１２１および第２内部電極１２２または焼結金属層と電気的に連結されるようにする役割を果たす。

【0090】

伝導性樹脂層に含まれる導電性金属は、球状、フレーク状、またはこれらの組み合わせの形態を有することができる。つまり、導電性金属は、フレーク状のみからなるか、球状のみからなってもよく、フレーク状と球状とが混合された形態であってもよい。

【0091】

ここで、球状は、完全な球状ではない形態も含むことができ、例えば、長軸と短軸との長さ比率（長軸／短軸）が１．４５以下の形態を含むことができる。フレーク状粉末は平らでかつ細長い形態を有する粉末を意味し、特に制限されるわけではないが、例えば、長軸と短軸との長さ比率（長軸／短軸）が１．９５以上であってもよい。

【0092】

第１外部電極１３１および第２外部電極１３２は、伝導性樹脂層の外側に配置されるメッキ層をさらに含むことができる。

【0093】

メッキ層は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、スズ（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）または鉛（Ｐｂ）の単独またはこれらの合金を含むことができる。例えば、メッキ層は、ニッケル（Ｎｉ）メッキ層またはスズ（Ｓｎ）メッキ層であってもよく、ニッケル（Ｎｉ）メッキ層およびスズ（Ｓｎ）メッキ層が順次に積層された形態であってもよく、スズ（Ｓｎ）メッキ層、ニッケル（Ｎｉ）メッキ層およびスズ（Ｓｎ）メッキ層が順次に積層された形態であってもよい。また、メッキ層は、複数のニッケル（Ｎｉ）メッキ層および／または複数のスズ（Ｓｎ）メッキ層を含んでもよい。

【0094】

メッキ層は、積層型キャパシタ１００の基板との実装性、構造的信頼性、外部に対する耐久度、耐熱性および等価直列抵抗値（ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔｓｅｒｉｅｓｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ、ＥＳＲ）を改善することができる。

【0095】

以下、一実施形態による積層セラミックキャパシタ１００の製造方法について、図５および６を参照して説明する。

【0096】

図５は、一実施形態による積層セラミックキャパシタの製造方法を示す工程フローチャートであり、図６は、一実施形態による積層セラミックキャパシタの製造方法のうち誘電体粉末の製造段階を示す工程フローチャートである。

【0097】

図５を参照すれば、バリウム（Ｂａ）前駆体およびチタン（Ｔｉ）前駆体を含むチタン酸バリウム系の主成分粉末とリン（Ｐ）含有化合物とを混合して誘電体粉末を製造する段階Ｓ１０；前記誘電体粉末を含む誘電体スラリーを用いて誘電体グリーンシートを製造し、前記誘電体グリーンシートの表面に導電性ペースト層を形成する段階Ｓ２０；前記導電性ペースト層が形成された誘電体グリーンシートを積層して誘電体グリーンシート積層体を製造する段階Ｓ３０；前記誘電体グリーンシート積層体を焼成して誘電体層と内部電極層とを含むキャパシタボディを製造する段階Ｓ４０；および前記キャパシタボディの一面に外部電極を形成する段階Ｓ５０を含んで製造できる。

【0098】

まず、誘電体粉末を製造する段階Ｓ１０について説明する。

【0099】

誘電体粉末は、チタン酸バリウム系の主成分粉末とリン（Ｐ）含有化合物とを混合して製造できる。チタン酸バリウム系の主成分粉末は、バリウム（Ｂａ）前駆体およびチタン（Ｔｉ）前駆体を含むことができる。

【0100】

バリウム（Ｂａ）前駆体は、ＢａＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＢａＣＯ_３、ＢａＯ、またはこれらの組み合わせを含むことができる。

【0101】

チタン（Ｔｉ）前駆体は、チタンの酸化物、塩（ｓａｌｔ）、アルコキシドなどであってもよく、例えば、二酸化チタン、チタンジイソプロポキシドジアセチルアセトナート（ＴＰＡ）、チタンアルコキシド、またはこれらの組み合わせを含むことができる。

【0102】

バリウム（Ｂａ）前駆体は、チタン（Ｔｉ）前駆体１モルに対して０．９９０モル～１．０００モル含まれる。

【0103】

リン（Ｐ）含有化合物は、チタン酸バリウム系の主成分粉末１００モル部に対して０．００６モル部～０．２３モル部混合され、例えば、０．０１モル部～０．１５モル部混合される。誘電体粉末の製造時、リン（Ｐ）含有化合物が前記含有量の範囲内に混合される場合、均一なチタン酸バリウム系粉末を得ることができ、これによって誘電体層内に均一な大きさの誘電体結晶粒を確保できる。これによって、高温耐湿特性などの信頼性と耐電圧特性に優れた積層セラミックキャパシタを得ることができる。

【0104】

リン（Ｐ）含有化合物は、一例として、五酸化二リン（Ｐ_２Ｏ_５）、リン酸（Ｈ_３ＰＯ_４）、塩化ホスホリル（ＰＯＣｌ_３）、リン含有炭化水素化合物、またはこれらの組み合わせを含むことができるが、これに限定されない。

【0105】

【0106】

図６を参照すれば、前記誘電体粉末を製造する段階Ｓ１０は、バリウム（Ｂａ）前駆体およびチタン（Ｔｉ）前駆体を含むチタン酸バリウム系の主成分粉末とリン（Ｐ）含有化合物とを混合する段階Ｓ１１と、選択的に、前記混合して得られた混合物を乾燥および乾式粉砕する段階Ｓ１２と、乾式粉砕して得られた粉砕物をか焼（ｃａｌｃｉｎａｔｉｏｎ）する段階Ｓ１３と、選択的に、前記か焼して得られたか焼物を湿式粉砕する段階Ｓ１４と、選択的に、前記湿式粉砕して得られた粉砕物を乾燥および乾式粉砕する段階Ｓ１５とを含むことができる。

【0107】

前記混合する段階Ｓ１１において、混合は、湿式混合で行われる。具体的には、湿式混合は、例えば、ビーズミル、ボールミルなどの分散機を用いるか、高圧分散処理を行って溶媒と共に湿式で分散させることができる。一例として、ビーズミルを用いて分散させる場合、直径０．０３ｍｍ～０．１ｍｍのビーズを用いて５ｍ／ｓ～１５ｍ／ｓの周速で５パス～３０パスで分散処理することができる。

【0108】

湿式混合に使用される溶媒としては、例えば、イオン交換水、純水、超純水、蒸留水などの水系溶媒を使用するか、アルコール系溶媒、アンモニア、有機アミンなどのアミン系溶媒を水と共に使用することができる。

【0109】

選択的に、前記混合する段階Ｓ１１で分散剤をさらに添加することができ、分散剤は、例えば、ポリビニルブチル系分散剤、ポリビニルアセタール系分散剤、ポリカルボン酸系分散剤、マレイン酸系分散剤、ポリエチレングリコール系分散剤、アリルエーテルコポリマー系分散剤などであってもよい。

【0110】

次に、選択的な段階として、前記混合して得られた混合物を乾燥および乾式粉砕することができる（Ｓ１２）。

【0111】

次に、前記乾式粉砕して得られた粉砕物をか焼（ｃａｌｃｉｎａｔｉｏｎ）する過程を進行させる（Ｓ１３）。

【0112】

前記か焼は、８００℃～１０００℃の温度で、例えば、８４０℃～９００℃の温度で行われる。また、か焼は、１時間～８時間、例えば、２時間～６時間行われる。また、か焼は、真空雰囲気または常圧雰囲気下、例えば、１０，０００Ｐａ～１，０００，０００Ｐａの雰囲気で行われる。真空雰囲気は、例えば、２０，０００Ｐａ以下、または１００Ｐａ以下の雰囲気で行われる。か焼が前記温度範囲を含む条件下で行われる場合、未反応およびばらつき問題なしに均一な誘電体粉末を得ることができる。

【0113】

次に、選択的な段階として、前記か焼して得られたか焼物を湿式粉砕（Ｓ１４）した後、湿式粉砕して得られた粉砕物を乾燥および乾式粉砕（Ｓ１５）して誘電体粉末を得ることができる。

【0114】

得られた誘電体粉末を含む誘電体スラリーを用いて誘電体グリーンシートおよび導電性ペースト層を形成する（Ｓ２０）。

【0115】

誘電体スラリーは、副成分粉末をさらに含むことができる。副成分粉末は、有機溶媒に分散したゾル形態で使用されてもよい。

【0116】

副成分粉末は、酸化ジスプロシウム（Ｄｙ_２Ｏ_３）、酸化テルビウム（Ｔｂ_２Ｏ_３）、酸化マンガン（ＭｎＯ_２）、酸化バナジウム（Ｖ_２Ｏ_５）、炭酸バリウム（ＢａＣＯ_３）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ_３）、またはこれらの組み合わせが挙げられる。副成分粉末は、有機溶媒に分散したゾル形態で使用されてもよい。

【0117】

酸化ジスプロシウム（Ｄｙ_２Ｏ_３）は、チタン酸バリウム系の主成分粉末１００モル部に対して０．１モル部～１．０モル部含まれ、酸化テルビウム（Ｔｂ_２Ｏ_３）は、チタン酸バリウム系の主成分粉末１００モル部に対して０．１モル部～１．０モル部含まれ、酸化マンガン（ＭｎＯ_２）は、チタン酸バリウム系の主成分粉末１００モル部に対して０．０１モル部～０．５モル部含まれ、酸化バナジウム（Ｖ_２Ｏ_５）は、チタン酸バリウム系の主成分粉末１００モル部に対して０．０１モル部～０．５モル部含まれ、炭酸バリウム（ＢａＣＯ_３）は、チタン酸バリウム系の主成分粉末１００モル部に対して０．５モル部～３．０モル部含まれ、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）は、チタン酸バリウム系の主成分粉末１００モル部に対して０．５モル部～４．０モル部含まれ、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）は、チタン酸バリウム系の主成分粉末モル部に対して０．１モル部～１．０モル部含まれ、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ_３）は、チタン酸バリウム系の主成分粉末１００モル部に対して０．０１モル部～１．０モル部含まれる。副成分粉末がそれぞれ前記含有量の範囲内に含まれる場合、高容量を有し、高い信頼性と優れた耐電圧特性を有する積層セラミックキャパシタを得ることができる。

【0118】

また、誘電体スラリーは、分散剤、バインダー、可塑剤、潤滑剤、帯電防止剤などの添加剤と溶媒とを追加的に混合して製造できる。

【0119】

分散剤は、例えば、リン酸エステル系分散剤、ポリカルボン酸系分散剤、またはこれらの組み合わせを含むことができる。分散剤は、前記誘電体粉末１００重量部に対して０．１重量部～５重量部混合され、例えば、０．３重量部～３重量部混合される。分散剤が前記含有量の範囲内に混合される場合、誘電体スラリーの分散性に優れ、製造された誘電体層内に含まれる不純物の量を減少させることができる。

【0120】

バインダーは、例えば、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、エチルセルロース樹脂などであってもよい。バインダーは、前記誘電体粉末１００重量部に対して０．１重量部～５０重量部添加され、例えば、３重量部～３０重量部添加される。バインダーが前記含有量の範囲内に混合される場合、誘電体スラリーの分散性に優れ、製造された誘電体層内に含まれる不純物の量を減少させることができる。

【0121】

可塑剤は、例えば、フタル酸ジオクチル、フタル酸ベンジルブチル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジヘキシル、フタル酸ジ（２－エチルヘキシル）、フタル酸ジ（２－エチルブチル）などのフタル酸系化合物；アジピン酸ジヘキシル、アジピン酸ジ（２－エチルヘキシル）などのアジピン酸系化合物；エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコールなどのグリコール系化合物；トリエチレングリコールジブチレート、トリエチレングリコールジ（２－エチルブチレート）、トリエチレングリコールジ（２－エチルヘキサノエート）などのグリコールエステル系化合物などであってもよい。可塑剤は、前記誘電体粉末１００重量部に対して０．１重量部～２０重量部添加され、例えば、１重量部～１０重量部添加される。可塑剤が前記含有量の範囲内に混合される場合、誘電体スラリーの分散性に優れ、製造された誘電体層内に含まれる不純物の量を減少させることができる。

【0122】

溶媒は、水などの水系溶媒；エタノール、メタノール、ベンジルアルコール、メトキシエタノールなどのアルコール系溶媒；エチレングリコール、ジエチレングリコールなどのグリコール系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒；酢酸ブチル、酢酸エチル、カルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテートなどのエステル系溶媒；メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルエーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族系溶媒などであってもよい。溶媒は、例えば、誘電体スラリーに含まれる各種添加剤の溶解性や分散性を考慮して、アルコール系溶媒または芳香族系溶媒を使用することができる。溶媒は、前記誘電体粉末１００重量部に対して５０重量部～１０００重量部混合され、例えば、１００重量部～５００重量部混合される。溶媒が前記含有量の範囲内に混合される場合、誘電体スラリー成分が十分に混合され、以後、溶媒の除去も容易である。

【0123】

誘電体粉末と副成分粉末との混合は、湿式ボールミルまたは撹拌ミルを用いることができる。湿式ボールミルでジルコニアボールを用いる場合、直径０．１ｍｍ～１０ｍｍの複数のジルコニアボールを用いて８時間～４８時間、または１０時間または２４時間湿式混合することができる。

【0124】

製造された誘電体スラリーは、焼成後に誘電体層に形成される。

【0125】

次に、誘電体スラリーを用いて誘電体グリーンシートを製造し、前記誘電体グリーンシートの表面に導電性ペースト層を形成する（Ｓ２０）。

【0126】

製造された誘電体スラリーをシート形状に成形する方法としては、ドクターブレード法、カレンダーロール法などのテープ成形法など、例えば、ヘッド吐出方式のオンロール（ｏｎｒｏｌｌ）成形コーター（ｃｏａｔｅｒ）を用いることができ、以後、成形体を乾燥することによって、誘電体グリーンシートを得ることができる。

【0127】

焼成後、内部電極層になる導電性ペースト層を形成するために、導電性金属またはその合金からなる導電性粉末、バインダーおよび溶媒を混合して導電性ペーストを製造することができる。また、必要に応じて、共材としてチタン酸バリウム粉末が共に混合される。共材は、焼成過程で導電性粉末の焼結を抑制する作用を行うことができる。誘電体グリーンシートの表面にスクリーン印刷などの各種印刷法や転写法によって導電性ペーストを所定のパターンに塗布して導電性ペースト層を形成する。

【0128】

次に、内部電極パターンを形成した誘電体グリーンシートを複数層にわたって積層した後、積層方向にプレスすることによって、誘電体グリーンシート積層体を製造する（Ｓ３０）。この時、誘電体グリーンシート積層体の積層方向の上面および下面には誘電体グリーンシートが位置するように誘電体グリーンシートと内部電極パターンとを積層できる。

【0129】

製造された誘電体グリーンシート積層体をダイシングなどによって所定の寸法に切断する段階を選択的に進行させることができる。

【0130】

また、誘電体グリーンシート積層体は、必要に応じて、可塑剤などを除去するために固化乾燥することができ、固化乾燥後に、水平遠心バレル機などを用いてバレル研磨することができる。バレル研磨では、誘電体グリーンシート積層体をメディアおよび研磨液と共にバレル容器内に投入し、そのバレル容器に対して回転運動や振動などを付与することによって、切断時に発生したバリ（ｂｕｒｒ）などの不要部分を研磨することができる。また、バレル研磨後、誘電体グリーンシート積層体は、水などの洗浄液で洗浄して乾燥できる。

【0131】

次に、誘電体グリーンシート積層体を脱バインダー処理および焼成してキャパシタボディを製造する（Ｓ４０）。

【0132】

脱バインダー処理条件は、誘電体層の成分や内部電極層の成分により適切に調節可能である。例えば、脱バインダー処理時の昇温速度は５℃／時間～３００℃／時間、支持温度は１８０℃～４００℃、温度維持時間は０．５時間～２４時間であってもよい。脱バインダー処理時の雰囲気は、空気または還元性雰囲気であってもよい。

【0133】

焼成処理の条件は、誘電体層の主成分の組成や内部電極の主成分の組成により適切に調節可能である。例えば、焼成は、１１００℃～１４００℃の温度で行われ、例えば、１２００℃～１３５０℃の温度で行われる。また、焼成は、０．５時間～８時間、例えば、１時間～３時間行われる。さらに、焼成は、還元性雰囲気、例えば、窒素および水素の混合ガスを加湿した雰囲気で行われる。内部電極がニッケル（Ｎｉ）またはニッケル（Ｎｉ）合金を含む場合、焼成雰囲気中の酸素分圧は、１．０×１０^－１４ＭＰａ～１．０×１０^－１０ＭＰａであってもよい。

【0134】

焼成処理後、必要に応じてアニーリングを進行させることができる。アニーリングは、誘電体層を再酸化させるための処理であり、還元性雰囲気で焼成処理した場合、アニーリングを進行させることができる。アニーリング処理の条件も、誘電体層の成分により適切に調節可能である。例えば、アニーリング時の温度は、９５０℃～１１５０℃であってもよく、時間は、０時間～２０時間であってもよく、昇温速度は、５０℃／時間～５００℃／時間であってもよい。アニーリング雰囲気は、加湿した窒素ガス（Ｎ_２）雰囲気であってもよく、酸素分圧は、１．０×１０^－９ＭＰａ～１．０×１０^－５ＭＰａであってもよい。

【0135】

脱バインダー処理、焼成処理またはアニーリング処理において、窒素ガスや混合ガスなどを加湿するためには、例えば、ウェッター（ｗｅｔｔｅｒ）などを使用することができ、この場合、水温は、５℃～７５℃であってもよい。脱バインダー処理、焼成処理およびアニーリング処理は、連続して行ってもよく、独立して行ってもよい。

【0136】

選択的に、製造されたキャパシタボディ１１０の第３面および第４面に対して、サンドブラスト処理、レーザ照射、バレル研磨などの表面処理を行うことができる。このような表面処理を行うことによって、第３面および第４面の最表面に第１内部電極および第２内部電極の端部が露出し、これによって第１外部電極および第２外部電極と第１内部電極および第２内部電極との電気的接合が良好になり、合金部が形成されやすくなる。

【0137】

次に、製造されたキャパシタボディ１１０の一面に外部電極を形成する（Ｓ５０）。

【0138】

一例として、外部電極に焼結金属層形成用ペーストを塗布した後、焼結させて焼結金属層を形成することができる。

【0139】

焼結金属層形成用ペーストは、導電性金属とガラスとを含むことができる。導電性金属とガラスに関する説明は上述した通りであるので、繰り返しの説明は省略する。また、焼結金属層形成用ペーストは、選択的に、バインダー、溶媒、分散剤、可塑剤、酸化物粉末などを含むことができる。バインダーは、例えば、エチルセルロース、アクリル、ブチラール（ｂｕｔｙｒａｌ）などを使用することができ、溶媒は、例えば、テルピネオール、ブチルカルビトール、アルコール、メチルエチルケトン、アセトン、トルエンなどの有機溶媒や水系溶媒を使用することができる。

【0140】

焼結金属層形成用ペーストをキャパシタボディ１１０の外面に塗布する方法としては、ディップ法、スクリーン印刷などの各種印刷法、ディスペンサなどを用いた塗布法、スプレーを用いた噴霧法などを使用することができる。焼結金属層形成用ペーストは、少なくともキャパシタボディ１１０の第３面および第４面に塗布され、選択的に第１外部電極および第２外部電極のバンド部が形成される第１面、第２面、第５面または第６面の一部にも塗布される。

【0141】

以後、焼結金属層形成用ペーストが塗布されたキャパシタボディ１１０を乾燥させ、７００℃～１０００℃の温度で０．１時間～３時間焼結させて焼結金属層を形成する。

【0142】

選択的に、得られたキャパシタボディ１１０の外面に、伝導性樹脂層形成用ペーストを塗布した後、硬化させて伝導性樹脂層を形成することができる。

【0143】

伝導性樹脂層形成用ペーストは、樹脂、および選択的に導電性金属または非伝導性フィラーを含むことができる。導電性金属と樹脂に関する説明は上述した通りであるので、繰り返しの説明は省略する。また、伝導性樹脂層形成用ペーストは、選択的に、バインダー、溶媒、分散剤、可塑剤、酸化物粉末などを含むことができる。バインダーは、例えば、エチルセルロース、アクリル、ブチラール（ｂｕｔｙｒａｌ）などを使用することができ、溶媒は、テルピネオール、ブチルカルビトール、アルコール、メチルエチルケトン、アセトン、トルエンなどの有機溶媒や水系溶媒を使用することができる。

【0144】

一例として、伝導性樹脂層の形成方法は、伝導性樹脂層形成用ペーストにキャパシタボディ１１０をディッピングして形成した後、硬化させるか、伝導性樹脂層形成用ペーストをキャパシタボディ１１０の表面にスクリーン印刷法またはグラビア印刷法などで印刷するか、伝導性樹脂層形成用ペーストをキャパシタボディ１１０の表面に塗布した後、硬化させて形成することができる。

【0145】

次に、伝導性樹脂層の外側にメッキ層を形成する。

【0146】

一例として、メッキ層は、メッキ法によって形成され、スパッタまたは電解メッキ（ｅｌｅｃｔｒｉｃｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって形成されてもよい。

【0147】

以下、実施例を通じて上述した実施形態をより詳細に説明する。ただし、下記の実施例は単に説明の目的のためのものであり、権利範囲を制限するものではない。

【0148】

（積層セラミックキャパシタの製造）
実施例１～７および比較例１～６
ＢａＣＯ_３粉末およびＴｉＯ_２粉末を混合（ＴｉＯ_２１モル対比ＢａＣＯ_３０．９９５モル）してチタン酸バリウムの主成分粉末を準備し、チタン酸バリウムの主成分粉末と五酸化二リン（Ｐ_２Ｏ_５）を共に混合した。この時、五酸化二リン（Ｐ_２Ｏ_５）は前記チタン酸バリウムの主成分粉末１００モル部に対して下記表１の含有量で混合した。混合は、ビーズミルを用いて水と共に湿式混合した。次に、混合して得られた混合物を乾燥させ、凝集した混合物を乾式粉砕した。次に、乾式粉砕して得られた粉砕物を常圧下で９５０℃で３時間か焼（ｃａｌｃｉｎａｔｉｏｎ）した。次に、か焼して得られたか焼物を湿式粉砕した後、得られた粉砕物を乾燥させ、乾式粉砕して誘電体粉末を製造した。

【0149】

製造された誘電体粉末、そして副成分粉末として酸化ジスプロシウム（Ｄｙ_２Ｏ_３）、酸化テルビウム（Ｔｂ_２Ｏ_３）、酸化マンガン（ＭｎＯ_２）、酸化バナジウム（Ｖ_２Ｏ_５）、炭酸バリウム（ＢａＣＯ_３）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）および炭酸カルシウム（ＣａＣＯ_３）を下記表１の組成で混合して誘電体スラリーを製造した。この時、各副成分粉末は、前記チタン酸バリウムの主成分粉末１００モル部に対する含有量で混合された。この時、混合は、ジルコニウムボール（ＺｒＯ－_２ｂａｌｌ）を分散媒として用いて、エタノール／トルエンと湿潤分散剤（ｗｅｔｔｉｎｇｄｉｓｐｅｒｓａｎｔ）およびバインダーとしてポリビニルブチラール（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌｂｕｔｙｒａｌ、ＰＶＢ）樹脂を共に投入した後、機械的ミリング（ｍｉｌｌｉｎｇ）して行われた。

【0150】

製造された誘電体スラリーをヘッド吐出方式のオンロール（ｏｎｒｏｌｌ）成形コーター（ｃｏａｔｅｒ）を用いて誘電体グリーンシートを製造した。

【0151】

誘電体グリーンシートの表面にニッケル（Ｎｉ）を含む導電性ペースト層を印刷し、導電性ペースト層が形成された誘電体グリーンシート（横×縦×高さ＝３．２ｍｍ×２．５ｍｍ×２．５ｍｍ）を積層および圧着して誘電体グリーンシート積層体を製造した。

【0152】

誘電体グリーンシート積層体を４００℃以下、窒素雰囲気で可塑工程を経て、焼成温度１３００℃以下、水素濃度１．０％Ｈ_２以下の条件で焼成した。

【0153】

次に、外部電極、メッキなどの工程を経て、積層セラミックキャパシタを製造した。

【0154】

【表1】

【0155】

評価１：ＩＣＰ分析
実施例１～７および比較例１～６で製造された積層セラミックキャパシタの誘電体層に対してＩＣＰ（誘導結合プラズマ）分析を行って、誘電体層内のリン（Ｐ）元素の含有量を確認して、その結果を下記表２に示した。

【0156】

ＩＣＰ分析は、実施例１～７および比較例１～６で製造された積層セラミックキャパシタをそれぞれ１０個ずつ準備し、準備された積層セラミックキャパシタの誘電体層に対して、Ｑｕａｒｔｚチャンバで、ＩＣＰ－ＯＥＳ（ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙｃｏｕｐｌｅｄｐｌａｓｍａ－ｏｐｔｉｃａｌｅｍｉｓｓｉｏｎｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）のＡＶＩＯ５００（ＰｅｒｋｉｎＥｌｍｅｒ）の装置を用いて、例えば、プラズマガスフロー（ｐｌａｓｍａｇａｓｆｌｏｗ）１２Ｌ／ｍｉｎ、補助ガスフロー（ａｕｘｉｌｉａｒｙｇａｓｆｌｏｗ）０．２Ｌ／ｍｉｎ、ネブライザーフロー（ｎｅｂｕｌｉｚｅｒｆｌｏｗ）０．５Ｌ／ｍｉｎ、プラズマＲＦパワー（ｐｏｗｅｒ）１４００Ｗ、プラズマモードＡｘｉａｌの条件で測定した。

【0157】

下記表２中、リン（Ｐ）元素の含有量は、誘電体層内のチタン酸バリウム系の主成分１００モル部を基準として示し、最大値および最小値とこれらの平均値で示した。

【0158】

【表2】

【0159】

表２を参照すれば、一実施形態による積層セラミックキャパシタは、誘電体層内にリン（Ｐ）元素がチタン酸バリウム系の主成分１００モル部に対して０．００６モル部～０．２３モル部含まれることを確認できる。

【0160】

評価２：ＳＥＭ分析
実施例１～７および比較例１～６で製造された積層セラミックキャパシタに対してＳＥＭ（走査電子顕微鏡）分析を行って、これから誘電体層内の誘電体結晶粒（ｇｒａｉｎ）の大きさおよびばらつきを確認して、その結果を下記表３に示した。

【0161】

ＳＥＭ分析は次のように行われた。積層セラミックキャパシタ１００をエポキシ混合液に入れて硬化させた後、キャパシタボディ１１０のＷ軸およびＴ軸方向面（ＷＴ面）をＬ軸方向に１／２地点まで研磨（ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）し、固定後、真空雰囲気チャンバー内維持して、誘電体層１１１と内部電極層１２１、１２２との交差するアクティブ部を観察できるように断面サンプルを得た。次に、断面サンプルのアクティブ部をイオンミリングしてＳＥＭで測定した。ＳＥＭはｔｈｅｒｍｏｆｉｓｈｅｒｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社のＶｅｒｉｏｓＧ４製品を用い、測定条件は１０ｋＶ、０．２Ｎａ、分析倍率１００倍である。

【0162】

測定された断面サンプルのＳＥＭイメージにおいて、１００個の誘電体結晶粒（ｇｒａｉｎ）の最大長軸を測定してサイズ分布累積曲線を作成し、誘電体結晶粒の大きさＤ１０、Ｄ５０およびＤ９０をそれぞれ計算した。この時、Ｄ１０、Ｄ５０およびＤ９０は、サイズ分布累積曲線においてそれぞれ１０％、５０％および９０％となる地点での大きさを意味する。

【0163】

下記表３中、誘電体結晶粒の大きさ変動係数（ＣＶ）は下記数式１によって計算された。

【0164】

【0165】

【表3】

【0166】

表３を通して、一実施形態により誘電体層内にリン（Ｐ）元素が０．００６モル部～０．２３モル部含まれている実施例１～７の場合、誘電体結晶粒の大きさ変動係数が比較例１～６に比べて低いことが分かる。これから、一実施形態による積層セラミックキャパシタは、誘電体層内に誘電体結晶粒が均一に存在することが分かる。

【0167】

評価３：耐電圧特性
実施例１～７および比較例１～６で製造された積層セラミックキャパシタに対して絶縁破壊電圧（ＢｒｅａｋｄｏｗｎＶｏｌｔａｇｅ、ＢＤＶ）を測定して、その結果を下記表４に示した。

【0168】

絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）は、実施例１～７および比較例１～６で製造された積層セラミックキャパシタをそれぞれ５０個ずつ準備し、ｋｅｉｔｈｅｌｙ測定器２４１０モデルを用いて、０Ｖから１．０００００Ｖずつ１１００Ｖまでスイープ（ｓｗｅｅｐ）方式で電圧を印加し、電流値が２０ｍＡとなる瞬間の電圧値を絶縁破壊電圧値として測定した。絶縁破壊電圧はシリコーンオイルバス（ｂａｔｈ）内で測定した。

【0169】

下記表４中、測定されたＢＤＶの最小値および平均値、そしてＢＤＶばらつきを示した。ＢＤＶばらつきは下記数式２によって計算された。

【0170】

［数式２］
ばらつき（％）＝｛標準偏差／平均｝Ｘ１００
（前記数式２中、標準偏差は、偏差の二乗の平均の平方根である。）

【0171】

【表4】

【0172】

表４を通して、一実施形態により誘電体層内にリン（Ｐ）元素が０．００６モル部～０．２３モル部含まれている実施例１～７の場合、絶縁破壊電圧が高く、ばらつきが低くて耐電圧特性に優れていることが分かる。これに対し、比較例１および２の場合、実施例１～７の場合より絶縁破壊電圧が低く、ばらつきも高くなり、比較例６の場合、絶縁破壊電圧が低いことが分かる。一方、比較例３～５の場合、耐電圧特性には優れているが、後述する評価４に示すように、高温苛酷信頼性および耐湿信頼性が低下することが分かる。

【0173】

評価４：信頼性
実施例１～７および比較例１～６で製造された積層セラミックキャパシタに対して高温苛酷信頼性（ＨＡＬＴ）および耐湿信頼性を測定して、その結果を下記表５に示した。

【0174】

具体的には、実施例１～７および比較例１～６で製造された積層セラミックキャパシタをそれぞれ４０個ずつ準備して測定基板に実装し、高温苛酷信頼性（ＨＡＬＴ）は、ＥＳＰＥＣ（ＰＶ－２２２、ＨＡＬＴ）装置を用いて１５０℃、１５０時間および１００Ｖの条件で測定し、耐湿信頼性は、ＥＳＰＥＣ（ＰＲ－３Ｊ、８５８５）装置を用いて８５℃、相対湿度（Ｒ．Ｈ．）８５％、３２Ｖおよび２４時間の条件で測定した。

【0175】

【表5】