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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2025007044
(43)【公開日】2025-01-17
(54)【発明の名称】基板処理装置、及び基板処理方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20250109BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 643A
【審査請求】未請求
【請求項の数】25
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023108182
(22)【出願日】2023-06-30
(71)【出願人】
【識別番号】000207551
【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス
(74)【代理人】
【識別番号】110002310
【氏名又は名称】弁理士法人あい特許事務所
(74)【代理人】
【識別番号】100168583
【弁理士】
【氏名又は名称】前井 宏之
(72)【発明者】
【氏名】西出 基
(72)【発明者】
【氏名】平田 哲也
(72)【発明者】
【氏名】竹松 佑介
【テーマコード（参考）】
5F157
【Ｆターム（参考）】
5F157AB33
5F157AB48
5F157AB90
5F157AC41
5F157BB11
5F157CE82
5F157CF04
5F157CF14
5F157CF34
5F157CF60
5F157CF74
5F157CF90
5F157CF99
5F157DB51
(57)【要約】
【課題】処理液の循環再開時に基板に付着する異物が増加することを抑制できる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、処理液貯留部１１と、流入配管１３と、少なくとも１つの循環配管１５、１９と、ポンプ２１と、フィルタ部２７と、圧力調整弁５５と、制御部１１１とを備える。流入配管１３に、処理液貯留部１１から処理液が流入する。少なくとも１つの循環配管１５、１９は、上流端が流入配管１３に接続されるとともに、下流端が処理液貯留部１１に接続されて、処理液を循環させる。ポンプ２１及びフィルタ部２７は、流入配管１３に配置される。圧力調整弁５５は、ポンプ２１が処理液を吐出する圧力を示す吐出圧力を調整する。制御部１１１は、ポンプ２１の駆動開始時に圧力調整弁５５を制御して昇圧処理を実行する。昇圧処理は、ポンプ２１の吐出圧力を目標圧力まで徐々に増加させる処理を含む。
【選択図】図３
【解決手段】基板処理装置１００は、処理液貯留部１１と、流入配管１３と、少なくとも１つの循環配管１５、１９と、ポンプ２１と、フィルタ部２７と、圧力調整弁５５と、制御部１１１とを備える。流入配管１３に、処理液貯留部１１から処理液が流入する。少なくとも１つの循環配管１５、１９は、上流端が流入配管１３に接続されるとともに、下流端が処理液貯留部１１に接続されて、処理液を循環させる。ポンプ２１及びフィルタ部２７は、流入配管１３に配置される。圧力調整弁５５は、ポンプ２１が処理液を吐出する圧力を示す吐出圧力を調整する。制御部１１１は、ポンプ２１の駆動開始時に圧力調整弁５５を制御して昇圧処理を実行する。昇圧処理は、ポンプ２１の吐出圧力を目標圧力まで徐々に増加させる処理を含む。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
処理液を用いて基板を処理する基板処理装置であって、
前記処理液を貯留する処理液貯留部と、
前記処理液貯留部から前記処理液が流入する流入配管と、
上流端が前記流入配管に接続されるとともに、下流端が前記処理液貯留部に接続されて、前記処理液を循環させる少なくとも１つの循環配管と、
前記流入配管に配置され、気体の圧力により駆動して前記処理液を流通させるポンプと、
前記流入配管に配置され、前記処理液から異物を除去するフィルタ部と、
前記ポンプに供給する前記気体の圧力を調整して、前記ポンプが前記処理液を吐出する圧力を示す吐出圧力を調整する圧力調整弁と、
前記ポンプの駆動開始時に前記圧力調整弁を制御して昇圧処理を実行する制御部と
を備え、
前記昇圧処理は、前記ポンプに供給する前記気体の圧力を徐々に増加させて、前記吐出圧力を目標圧力まで徐々に増加させる処理を含む、基板処理装置。
前記処理液を貯留する処理液貯留部と、
前記処理液貯留部から前記処理液が流入する流入配管と、
上流端が前記流入配管に接続されるとともに、下流端が前記処理液貯留部に接続されて、前記処理液を循環させる少なくとも１つの循環配管と、
前記流入配管に配置され、気体の圧力により駆動して前記処理液を流通させるポンプと、
前記流入配管に配置され、前記処理液から異物を除去するフィルタ部と、
前記ポンプに供給する前記気体の圧力を調整して、前記ポンプが前記処理液を吐出する圧力を示す吐出圧力を調整する圧力調整弁と、
前記ポンプの駆動開始時に前記圧力調整弁を制御して昇圧処理を実行する制御部と
を備え、
前記昇圧処理は、前記ポンプに供給する前記気体の圧力を徐々に増加させて、前記吐出圧力を目標圧力まで徐々に増加させる処理を含む、基板処理装置。
【請求項2】
前記フィルタ部の使用履歴に関する情報を示す履歴情報を記憶する記憶部を更に備え、
前記制御部は、前記履歴情報に基づいて、前記昇圧処理により前記吐出圧力を徐々に増加させる期間を調整する、請求項１に記載の基板処理装置。
前記制御部は、前記履歴情報に基づいて、前記昇圧処理により前記吐出圧力を徐々に増加させる期間を調整する、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記制御部は、前記履歴情報に基づいて、前記昇圧処理の開始時に前記ポンプに供給する前記気体の圧力を調整することにより、前記昇圧処理により前記吐出圧力を徐々に増加させる期間を調整する、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記少なくとも１つの循環配管は、第１循環配管と、前記第１循環配管よりも短い第２循環配管とを含み、
前記基板処理装置は、前記第１循環配管を介した前記処理液の循環と、前記第２循環配管を介した前記処理液の循環とを制御する循環制御機構を更に備え、
前記制御部は、前記ポンプの駆動開始時に前記循環制御機構を制御して、前記第２循環配管を介した前記処理液の循環を開始させ、
前記制御部は、前記昇圧処理により前記吐出圧力を徐々に増加させている途中で前記循環制御機構を制御して、前記第１循環配管を介した前記処理液の循環を開始させるとともに、前記第２循環配管を介した前記処理液の循環を停止させる、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
前記基板処理装置は、前記第１循環配管を介した前記処理液の循環と、前記第２循環配管を介した前記処理液の循環とを制御する循環制御機構を更に備え、
前記制御部は、前記ポンプの駆動開始時に前記循環制御機構を制御して、前記第２循環配管を介した前記処理液の循環を開始させ、
前記制御部は、前記昇圧処理により前記吐出圧力を徐々に増加させている途中で前記循環制御機構を制御して、前記第１循環配管を介した前記処理液の循環を開始させるとともに、前記第２循環配管を介した前記処理液の循環を停止させる、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記ポンプは、
前記気体が流入する第１気体室及び第２気体室と、
前記処理液が流入する第１液室及び第２液室と
を有し、
前記第１気体室及び前記第２気体室はそれぞれ容積が可変であり、
前記第１液室及び前記第２液室はそれぞれ容積が可変であり、
前記第１気体室に前記気体が流入することにより前記第１液室から前記流入配管に前記処理液が送出され、
前記第２気体室に前記気体が流入することにより前記第２液室から前記流入配管に前記処理液が送出される、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
前記気体が流入する第１気体室及び第２気体室と、
前記処理液が流入する第１液室及び第２液室と
を有し、
前記第１気体室及び前記第２気体室はそれぞれ容積が可変であり、
前記第１液室及び前記第２液室はそれぞれ容積が可変であり、
前記第１気体室に前記気体が流入することにより前記第１液室から前記流入配管に前記処理液が送出され、
前記第２気体室に前記気体が流入することにより前記第２液室から前記流入配管に前記処理液が送出される、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項6】
処理液を用いて基板を処理する基板処理装置であって、
前記処理液を貯留する処理液貯留部と、
前記処理液貯留部から前記処理液が流入する流入配管と、
上流端が前記流入配管に接続されるとともに、下流端が前記処理液貯留部に接続されて、前記処理液を循環させる少なくとも１つの循環配管と、
前記少なくとも１つの循環配管を介した前記処理液の循環を制御する循環制御機構と、
前記流入配管に配置されて、前記処理液を流通させるポンプと、
前記流入配管に配置されて、前記処理液から異物を除去するフィルタ部と、
前記処理液を排出する排液配管と、
前記排液配管に配置されて、前記排液配管における前記処理液の流通を制御する排液バルブと、
前記循環制御機構と、前記ポンプが前記処理液を吐出する圧力を示す吐出圧力と、前記排液バルブとを制御して、排液処理、循環開始処理、及び昇圧処理を実行する制御部と
を備え、
前記フィルタ部は、前記処理液に含まれる前記異物を捕捉するフィルタ膜を有し、
前記排液配管は、前記フィルタ膜を通過した前記処理液を排出し、
前記排液処理は、前記ポンプの駆動開始時に、前記吐出圧力を第１圧力まで増加させるとともに、前記排液バルブを制御して、前記排液配管から前記処理液を排出させる処理を含み、
前記制御部は、前記排液配管から前記処理液を排出させたことに応じて、前記吐出圧力を前記第１圧力よりも低い第２圧力まで低下させ、
前記制御部は、前記吐出圧力を前記第１圧力から前記第２圧力まで低下させたことに応じて、前記循環開始処理及び前記昇圧処理を実行し、
前記循環開始処理は、前記循環制御機構及び前記排液バルブを制御して、前記排液配管からの前記処理液の排出を停止させるとともに、前記少なくとも１つの循環配管のうちの１つを介した前記処理液の循環を開始させる処理を含み、
前記昇圧処理は、前記吐出圧力を前記第２圧力よりも大きい第３圧力まで段階的に増加させるか、あるいは前記吐出圧力を前記第２圧力よりも大きい第３圧力まで徐々に増加させる処理を含む、基板処理装置。
前記処理液を貯留する処理液貯留部と、
前記処理液貯留部から前記処理液が流入する流入配管と、
上流端が前記流入配管に接続されるとともに、下流端が前記処理液貯留部に接続されて、前記処理液を循環させる少なくとも１つの循環配管と、
前記少なくとも１つの循環配管を介した前記処理液の循環を制御する循環制御機構と、
前記流入配管に配置されて、前記処理液を流通させるポンプと、
前記流入配管に配置されて、前記処理液から異物を除去するフィルタ部と、
前記処理液を排出する排液配管と、
前記排液配管に配置されて、前記排液配管における前記処理液の流通を制御する排液バルブと、
前記循環制御機構と、前記ポンプが前記処理液を吐出する圧力を示す吐出圧力と、前記排液バルブとを制御して、排液処理、循環開始処理、及び昇圧処理を実行する制御部と
を備え、
前記フィルタ部は、前記処理液に含まれる前記異物を捕捉するフィルタ膜を有し、
前記排液配管は、前記フィルタ膜を通過した前記処理液を排出し、
前記排液処理は、前記ポンプの駆動開始時に、前記吐出圧力を第１圧力まで増加させるとともに、前記排液バルブを制御して、前記排液配管から前記処理液を排出させる処理を含み、
前記制御部は、前記排液配管から前記処理液を排出させたことに応じて、前記吐出圧力を前記第１圧力よりも低い第２圧力まで低下させ、
前記制御部は、前記吐出圧力を前記第１圧力から前記第２圧力まで低下させたことに応じて、前記循環開始処理及び前記昇圧処理を実行し、
前記循環開始処理は、前記循環制御機構及び前記排液バルブを制御して、前記排液配管からの前記処理液の排出を停止させるとともに、前記少なくとも１つの循環配管のうちの１つを介した前記処理液の循環を開始させる処理を含み、
前記昇圧処理は、前記吐出圧力を前記第２圧力よりも大きい第３圧力まで段階的に増加させるか、あるいは前記吐出圧力を前記第２圧力よりも大きい第３圧力まで徐々に増加させる処理を含む、基板処理装置。
【請求項7】
前記排液配管は、前記フィルタ部又は前記流入配管に接続する、請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記排液配管は、前記少なくとも１つの循環配管のそれぞれと前記流入配管との接続箇所よりも上流側において前記流入配管に接続する、請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項9】
前記フィルタ部の使用履歴に関する情報を示す履歴情報を記憶する記憶部を更に備え、
前記制御部は、前記履歴情報に基づいて、前記昇圧処理により前記吐出圧力を段階的又は徐々に増加させる期間を調整する、請求項６から請求項８のいずれか１項に記載の基板処理装置。
前記制御部は、前記履歴情報に基づいて、前記昇圧処理により前記吐出圧力を段階的又は徐々に増加させる期間を調整する、請求項６から請求項８のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項10】
前記制御部は、前記履歴情報に基づいて、前記昇圧処理の開始時に前記ポンプに供給する気体の圧力を調整することにより、前記昇圧処理により前記吐出圧力を徐々に増加させる期間を調整する、請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項11】
前記少なくとも１つの循環配管は、第１循環配管と、前記第１循環配管よりも短い第２循環配管とを含み、
前記循環制御機構は、前記第１循環配管を介した前記処理液の循環と、前記第２循環配管を介した前記処理液の循環とを制御し、
前記循環開始処理は、前記循環制御機構を制御して、前記第２循環配管を介した前記処理液の循環を開始させる処理を含み、
前記制御部は、前記昇圧処理により前記吐出圧力を段階的又は徐々に増加させている途中で前記循環制御機構を制御して、前記第１循環配管を介した前記処理液の循環を開始させるとともに、前記第２循環配管を介した前記処理液の循環を停止させる、請求項６から請求項８のいずれか１項に記載の基板処理装置。
前記循環制御機構は、前記第１循環配管を介した前記処理液の循環と、前記第２循環配管を介した前記処理液の循環とを制御し、
前記循環開始処理は、前記循環制御機構を制御して、前記第２循環配管を介した前記処理液の循環を開始させる処理を含み、
前記制御部は、前記昇圧処理により前記吐出圧力を段階的又は徐々に増加させている途中で前記循環制御機構を制御して、前記第１循環配管を介した前記処理液の循環を開始させるとともに、前記第２循環配管を介した前記処理液の循環を停止させる、請求項６から請求項８のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項12】
前記ポンプは、気体の圧力により駆動する、請求項６から請求項８のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項13】
前記ポンプは、
前記気体が流入する第１気体室及び第２気体室と、
前記処理液が流入する第１液室及び第２液室と
を有し、
前記第１気体室及び前記第２気体室はそれぞれ容積が可変であり、
前記第１液室及び前記第２液室はそれぞれ容積が可変であり、
前記第１気体室に前記気体が流入することにより前記第１液室から前記流入配管に前記処理液が送出され、
前記第２気体室に前記気体が流入することにより前記第２液室から前記流入配管に前記処理液が送出される、請求項１２に記載の基板処理装置。
前記気体が流入する第１気体室及び第２気体室と、
前記処理液が流入する第１液室及び第２液室と
を有し、
前記第１気体室及び前記第２気体室はそれぞれ容積が可変であり、
前記第１液室及び前記第２液室はそれぞれ容積が可変であり、
前記第１気体室に前記気体が流入することにより前記第１液室から前記流入配管に前記処理液が送出され、
前記第２気体室に前記気体が流入することにより前記第２液室から前記流入配管に前記処理液が送出される、請求項１２に記載の基板処理装置。
【請求項14】
前記第１圧力は、前記第３圧力よりも大きい、請求項６から請求項８のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項15】
前記第２圧力は、前記ポンプの駆動が停止している状態での圧力を含む、請求項６から請求項８のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項16】
基板の処理に用いられる処理液を貯留する処理液貯留部と、
前記処理液貯留部から前記処理液が流入する流入配管と、
上流端が前記流入配管に接続されるとともに、下流端が前記処理液貯留部に接続されて、前記処理液を循環させる少なくとも１つの循環配管と、
前記流入配管に配置され、気体の圧力により駆動して前記処理液を流通させるポンプと、
前記流入配管に配置され、前記処理液から異物を除去するフィルタ部と
を備える基板処理装置により前記基板を処理する基板処理方法であって、
前記ポンプの駆動を開始させて、前記処理液の循環を開始させる循環開始工程を含み、
前記循環開始工程は、前記ポンプの駆動開始時に昇圧処理を実行する工程を含み、
前記昇圧処理は、前記ポンプに供給する前記気体の圧力を徐々に増加させて、前記ポンプが前記処理液を吐出する圧力を示す吐出圧力を徐々に増加させる処理を含む、基板処理方法。
前記処理液貯留部から前記処理液が流入する流入配管と、
上流端が前記流入配管に接続されるとともに、下流端が前記処理液貯留部に接続されて、前記処理液を循環させる少なくとも１つの循環配管と、
前記流入配管に配置され、気体の圧力により駆動して前記処理液を流通させるポンプと、
前記流入配管に配置され、前記処理液から異物を除去するフィルタ部と
を備える基板処理装置により前記基板を処理する基板処理方法であって、
前記ポンプの駆動を開始させて、前記処理液の循環を開始させる循環開始工程を含み、
前記循環開始工程は、前記ポンプの駆動開始時に昇圧処理を実行する工程を含み、
前記昇圧処理は、前記ポンプに供給する前記気体の圧力を徐々に増加させて、前記ポンプが前記処理液を吐出する圧力を示す吐出圧力を徐々に増加させる処理を含む、基板処理方法。
【請求項17】
前記フィルタ部の使用履歴に関する情報を示す履歴情報に基づいて、前記昇圧処理により前記吐出圧力を徐々に増加させる期間を調整する工程を更に含む、請求項１６に記載の基板処理方法。
【請求項18】
前記フィルタ部の使用履歴に関する情報を示す履歴情報に基づいて、前記昇圧処理の開始時に前記ポンプに供給する前記気体の圧力を調整することにより、前記昇圧処理により前記吐出圧力を徐々に増加させる期間を調整する工程を更に含む、請求項１６に記載の基板処理方法。
【請求項19】
前記少なくとも１つの循環配管は、第１循環配管と、前記第１循環配管より短い第２循環配管とを含み、
前記循環開始工程は、
前記ポンプの駆動開始時に、前記第２循環配管を介した前記処理液の循環を開始させる工程と、
前記昇圧処理により前記吐出圧力を徐々に増加させている途中で、前記第１循環配管を介した前記処理液の循環を開始させるとともに、前記第２循環配管を介した前記処理液の循環を停止させる工程と
を含む、請求項１６から請求項１８のいずれか１項に記載の基板処理方法。
前記循環開始工程は、
前記ポンプの駆動開始時に、前記第２循環配管を介した前記処理液の循環を開始させる工程と、
前記昇圧処理により前記吐出圧力を徐々に増加させている途中で、前記第１循環配管を介した前記処理液の循環を開始させるとともに、前記第２循環配管を介した前記処理液の循環を停止させる工程と
を含む、請求項１６から請求項１８のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項20】
基板の処理に用いられる処理液を貯留する処理液貯留部と、
前記処理液貯留部から前記処理液が流入する流入配管と、
上流端が前記流入配管に接続されるとともに、下流端が前記処理液貯留部に接続されて、前記処理液を循環させる少なくとも１つの循環配管と、
前記流入配管に配置されて、前記処理液を流通させるポンプと、
前記流入配管に配置されて、前記処理液から異物を除去するフィルタ部と、
前記処理液を排出する排液配管と
を備える基板処理装置により前記基板を処理する基板処理方法であって、
前記フィルタ部は、前記処理液に含まれる前記異物を捕捉するフィルタ膜を有し、
前記排液配管は、前記フィルタ膜を通過した前記処理液を排出し、
前記基板処理方法は、
前記ポンプの駆動開始時に、前記ポンプが前記処理液を吐出する圧力を示す吐出圧力を第１圧力まで増加させるとともに、前記排液配管から前記処理液を排出させる工程と、
前記排液配管から前記処理液を排出させたことに応じて、前記吐出圧力を前記第１圧力よりも低い第２圧力まで低下させる工程と、
前記吐出圧力を前記第１圧力から前記第２圧力まで低下させたことに応じて、循環開始処理及び昇圧処理を実行する工程と
を含み、
前記循環開始処理は、前記少なくとも１つの循環配管のうちの１つを介した前記処理液の循環を開始させるとともに、前記排液配管からの前記処理液の排出を停止させる処理を含み、
前記昇圧処理は、前記吐出圧力を前記第２圧力よりも大きい第３圧力まで段階的に増加させるか、あるいは前記吐出圧力を前記第２圧力よりも大きい第３圧力まで徐々に増加させる処理を含む、基板処理方法。
前記処理液貯留部から前記処理液が流入する流入配管と、
上流端が前記流入配管に接続されるとともに、下流端が前記処理液貯留部に接続されて、前記処理液を循環させる少なくとも１つの循環配管と、
前記流入配管に配置されて、前記処理液を流通させるポンプと、
前記流入配管に配置されて、前記処理液から異物を除去するフィルタ部と、
前記処理液を排出する排液配管と
を備える基板処理装置により前記基板を処理する基板処理方法であって、
前記フィルタ部は、前記処理液に含まれる前記異物を捕捉するフィルタ膜を有し、
前記排液配管は、前記フィルタ膜を通過した前記処理液を排出し、
前記基板処理方法は、
前記ポンプの駆動開始時に、前記ポンプが前記処理液を吐出する圧力を示す吐出圧力を第１圧力まで増加させるとともに、前記排液配管から前記処理液を排出させる工程と、
前記排液配管から前記処理液を排出させたことに応じて、前記吐出圧力を前記第１圧力よりも低い第２圧力まで低下させる工程と、
前記吐出圧力を前記第１圧力から前記第２圧力まで低下させたことに応じて、循環開始処理及び昇圧処理を実行する工程と
を含み、
前記循環開始処理は、前記少なくとも１つの循環配管のうちの１つを介した前記処理液の循環を開始させるとともに、前記排液配管からの前記処理液の排出を停止させる処理を含み、
前記昇圧処理は、前記吐出圧力を前記第２圧力よりも大きい第３圧力まで段階的に増加させるか、あるいは前記吐出圧力を前記第２圧力よりも大きい第３圧力まで徐々に増加させる処理を含む、基板処理方法。
【請求項21】
前記フィルタ部の使用履歴に関する情報を示す履歴情報に基づいて、前記昇圧処理により前記吐出圧力を段階的又は徐々に増加させる期間を調整する工程を更に含む、請求項２０に記載の基板処理方法。
【請求項22】
前記フィルタ部の使用履歴に関する情報を示す履歴情報に基づいて、前記昇圧処理の開始時に前記ポンプに供給する気体の圧力を調整することにより、前記昇圧処理により前記吐出圧力を徐々に増加させる期間を調整する工程を更に含む、請求項２０に記載の基板処理方法。
【請求項23】
前記少なくとも１つの循環配管は、第１循環配管と、前記第１循環配管よりも短い第２循環配管とを含み、
前記循環開始処理は、前記第２循環配管を介した前記処理液の循環を開始させる処理を含み、
前記基板処理方法は、前記昇圧処理により前記吐出圧力を段階的又は徐々に増加させている途中で、前記第１循環配管を介した前記処理液の循環を開始させるとともに、前記第２循環配管を介した前記処理液の循環を停止させる工程を更に含む、請求項２０から請求項２２のいずれか１項に記載の基板処理方法。
前記循環開始処理は、前記第２循環配管を介した前記処理液の循環を開始させる処理を含み、
前記基板処理方法は、前記昇圧処理により前記吐出圧力を段階的又は徐々に増加させている途中で、前記第１循環配管を介した前記処理液の循環を開始させるとともに、前記第２循環配管を介した前記処理液の循環を停止させる工程を更に含む、請求項２０から請求項２２のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項24】
前記第１圧力は、前記第３圧力よりも大きい、請求項２０から請求項２２のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項25】
前記吐出圧力を前記第１圧力よりも低い前記第２圧力まで低下させる工程は、前記ポンプの駆動を停止させる工程を含む、請求項２０から請求項２２のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板処理装置、及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【0002】
循環ラインを備える基板処理装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。循環ラインには、ポンプと、フィルタとが設けられる。ポンプは、処理液が循環ラインを循環するように処理液を送液する。フィルタは、循環ラインを循環する処理液から異物を除去する。
【0003】
基板処理装置は、処理液の交換作業やトラブルからの復帰作業等が行われる際に動作を停止することがある。基板処理装置の動作が停止すると、循環ラインにおける処理液の循環も停止する。処理液の交換作業やトラブルからの復帰作業等が終了した後、基板処理装置の動作が再開されると、循環ラインを介した処理液の循環も再開する。
【0004】
しかしながら、処理液の循環を再開させた際に、ポンプの吐出圧力に起因して、フィルタに捕捉されていた異物がフィルタから放出され、基板に付着する異物の数が増加することがある。この問題は、ポンプの吐出圧力に応じた大きな圧力がフィルタに一気に加わることに起因する。
【0005】
このような問題に対し、特許文献１には、処理液の循環再開時に、循環ラインに設けられた背圧弁及びポンプを制御して、フィルタから異物が放出されることを抑制する技術が記載されている。
【0006】
具体的には、まず、制御部により背圧弁が制御されて、背圧弁の弁開度が最大の弁開度で保持される。その後、制御部は、ポンプの吐出圧力が第１圧力となるようにレギュレータを調整して、ポンプを駆動させる。この結果、処理液の循環が再開される。その後、制御部により背圧弁が制御されて、フィルタの上流側における圧力が所定の一定値に制御される。制御部は、フィルタの上流側における圧力を所定の一定値に制御した後、背圧弁の弁開度が小さくなるように背圧弁を制御する。その後、制御部は、ポンプの駆動開始から所定時間が経過したことに応じて、ポンプの吐出圧力が第２圧力となるようにレギュレータを調整する。ここで、第２圧力はポンプの最大吐出圧力を示し、第１圧力は第２圧力（ポンプの最大吐出圧力）より低い圧力を示す。また、ポンプの駆動開始からの所定時間は、フィルタの上流側と下流側との間の差圧が安定するまでに要する時間に調整される。
【0007】
特許文献１に記載の技術によれば、処理液の循環再開時に、フィルタの上流側と下流側との間の差圧がフィルタの耐差圧より大きくなることが抑制される。この結果、異物がフィルタをすり抜けて循環ラインが汚染されることが抑制される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0008】
【特許文献1】特開２０１９－４１０３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
本願の発明者は、特許文献１に記載された技術と異なる手段によって、処理液の循環再開時に基板に付着する異物が増加することを抑制する技術について、鋭意研究を行った。
【0010】
本発明の目的は、処理液の循環再開時に基板に付着する異物が増加することを抑制できる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本発明の一局面によれば、基板処理装置は、処理液を用いて基板を処理する装置である。当該基板処理装置は、処理液貯留部と、流入配管と、少なくとも１つの循環配管と、ポンプと、フィルタ部と、圧力調整弁と、制御部とを備える。前記処理液貯留部は、前記処理液を貯留する。前記流入配管には、前記処理液貯留部から前記処理液が流入する。前記少なくとも１つの循環配管は、上流端が前記流入配管に接続されるとともに、下流端が前記処理液貯留部に接続されて、前記処理液を循環させる。前記ポンプは、前記流入配管に配置される。前記ポンプは、気体の圧力により駆動して前記処理液を流通させる。前記フィルタ部は、前記流入配管に配置される。前記フィルタ部は、前記処理液から異物を除去する。前記圧力調整弁は、前記ポンプに供給する前記気体の圧力を調整して、前記ポンプが前記処理液を吐出する圧力を示す吐出圧力を調整する。前記制御部は、前記ポンプの駆動開始時に前記圧力調整弁を制御して昇圧処理を実行する。前記昇圧処理は、前記ポンプに供給する前記気体の圧力を徐々に増加させて、前記吐出圧力を目標圧力まで徐々に増加させる処理を含む。
【0012】
ある実施形態において、上記の基板処理装置は、記憶部を更に備える。前記記憶部は、前記フィルタ部の使用履歴に関する情報を示す履歴情報を記憶する。前記制御部は、前記履歴情報に基づいて、前記昇圧処理により前記吐出圧力を徐々に増加させる期間を調整する。
【0013】
ある実施形態において、前記制御部は、前記履歴情報に基づいて、前記昇圧処理の開始時に前記ポンプに供給する前記気体の圧力を調整することにより、前記昇圧処理により前記吐出圧力を徐々に増加させる期間を調整する。
【0014】
ある実施形態において、前記少なくとも１つの循環配管は、第１循環配管と、前記第１循環配管よりも短い第２循環配管とを含む。上記の基板処理装置は、循環制御機構を更に備える。前記循環制御機構は、前記第１循環配管を介した前記処理液の循環と、前記第２循環配管を介した前記処理液の循環とを制御する。前記制御部は、前記ポンプの駆動開始時に前記循環制御機構を制御して、前記第２循環配管を介した前記処理液の循環を開始させる。前記制御部は、前記昇圧処理により前記吐出圧力を徐々に増加させている途中で前記循環制御機構を制御して、前記第１循環配管を介した前記処理液の循環を開始させるとともに、前記第２循環配管を介した前記処理液の循環を停止させる。
【0015】
ある実施形態において、前記ポンプは、第１気体室と、第２気体室と、第１液室と、第２液室とを有する。前記第１気体室及び前記第２気体室には、前記気体が流入する。前記第１液室及び前記第２液室には、前記処理液が流入する。前記第１気体室及び前記第２気体室はそれぞれ容積が可変である。前記第１液室及び前記第２液室はそれぞれ容積が可変である。前記第１気体室に前記気体が流入することにより前記第１液室から前記流入配管に前記処理液が送出される。前記第２気体室に前記気体が流入することにより前記第２液室から前記流入配管に前記処理液が送出される。
【0016】
本発明の他の局面によれば、基板処理装置は、処理液を用いて基板を処理する装置である。当該基板処理装置は、処理液貯留部と、流入配管と、少なくとも１つの循環配管と、循環制御機構と、ポンプと、フィルタ部と、排液配管と、排液バルブと、制御部とを備える。前記処理液貯留部は、前記処理液を貯留する。前記流入配管には、前記処理液貯留部から前記処理液が流入する。前記少なくとも１つの循環配管は、上流端が前記流入配管に接続されるとともに、下流端が前記処理液貯留部に接続されて、前記処理液を循環させる。前記循環制御機構は、前記少なくとも１つの循環配管を介した前記処理液の循環を制御する。前記ポンプは、前記流入配管に配置される。前記ポンプは、前記処理液を流通させる。前記フィルタ部は、前記流入配管に配置される。前記フィルタ部は、前記処理液から異物を除去する。前記排液配管は、前記処理液を排出する。前記排液バルブは、前記排液配管に配置される。前記排液バルブは、前記排液配管における前記処理液の流通を制御する。前記制御部は、前記循環制御機構と、前記ポンプが前記処理液を吐出する圧力を示す吐出圧力と、前記排液バルブとを制御して、排液処理、循環開始処理、及び昇圧処理を実行する。前記フィルタ部は、フィルタ膜を有する。前記フィルタ膜は、前記処理液に含まれる前記異物を捕捉する。前記排液配管は、前記フィルタ膜を通過した前記処理液を排出する。前記排液処理は、前記ポンプの駆動開始時に、前記吐出圧力を第１圧力まで増加させるとともに、前記排液バルブを制御して、前記排液配管から前記処理液を排出させる処理を含む。前記制御部は、前記排液配管から前記処理液を排出させたことに応じて、前記吐出圧力を前記第１圧力よりも低い第２圧力まで低下させる。前記制御部は、前記吐出圧力を前記第１圧力から前記第２圧力まで低下させたことに応じて、前記循環開始処理及び前記昇圧処理を実行する。前記循環開始処理は、前記循環制御機構及び前記排液バルブを制御して、前記排液配管からの前記処理液の排出を停止させるとともに、前記少なくとも１つの循環配管のうちの１つを介した前記処理液の循環を開始させる処理を含む。前記昇圧処理は、前記吐出圧力を前記第２圧力よりも大きい第３圧力まで段階的に増加させるか、あるいは前記吐出圧力を前記第２圧力よりも大きい第３圧力まで徐々に増加させる処理を含む。
【0017】
ある実施形態において、前記排液配管は、前記フィルタ部又は前記流入配管に接続する。
【0018】
ある実施形態において、前記排液配管は、前記少なくとも１つの循環配管のそれぞれと前記流入配管との接続箇所よりも上流側において前記流入配管に接続する。
【0019】
ある実施形態において、上記の基板処理装置は、記憶部を更に備える。前記記憶部は、前記フィルタ部の使用履歴に関する情報を示す履歴情報を記憶する。前記制御部は、前記履歴情報に基づいて、前記昇圧処理により前記吐出圧力を段階的又は徐々に増加させる期間を調整する。
【0020】
ある実施形態において、前記制御部は、前記履歴情報に基づいて、前記昇圧処理の開始時に前記ポンプに供給する気体の圧力を調整することにより、前記昇圧処理により前記吐出圧力を徐々に増加させる期間を調整する。
【0021】
ある実施形態において、前記少なくとも１つの循環配管は、第１循環配管と、前記第１循環配管よりも短い第２循環配管とを含む。前記循環制御機構は、前記第１循環配管を介した前記処理液の循環と、前記第２循環配管を介した前記処理液の循環とを制御する。前記循環開始処理は、前記循環制御機構を制御して、前記第２循環配管を介した前記処理液の循環を開始させる処理を含む。前記制御部は、前記昇圧処理により前記吐出圧力を段階的又は徐々に増加させている途中で前記循環制御機構を制御して、前記第１循環配管を介した前記処理液の循環を開始させるとともに、前記第２循環配管を介した前記処理液の循環を停止させる。
【0022】
ある実施形態において、前記ポンプは、気体の圧力により駆動する。
【0023】
ある実施形態において、前記ポンプは、第１気体室と、第２気体室と、第１液室と、第２液室とを有する。前記第１気体室及び前記第２気体室には、前記気体が流入する。前記第１液室及び前記第２液室には、前記処理液が流入する。前記第１気体室及び前記第２気体室はそれぞれ容積が可変である。前記第１液室及び前記第２液室はそれぞれ容積が可変である。前記第１気体室に前記気体が流入することにより前記第１液室から前記流入配管に前記処理液が送出される。前記第２気体室に前記気体が流入することにより前記第２液室から前記流入配管に前記処理液が送出される。
【0024】
ある実施形態において、前記第１圧力は、前記第３圧力よりも大きい。
【0025】
ある実施形態において、前記第２圧力は、前記ポンプの駆動が停止している状態での圧力を含む。
【0026】
本発明の更に他の局面によれば、基板処理方法は、基板処理装置により基板を処理する方法である。前記基板処理装置は、処理液貯留部と、流入配管と、少なくとも１つの循環配管と、ポンプと、フィルタ部とを備える。前記処理液貯留部は、前記基板の処理に用いられる処理液を貯留する。前記流入配管には、前記処理液貯留部から前記処理液が流入する。前記少なくとも１つの循環配管は、上流端が前記流入配管に接続されるとともに、下流端が前記処理液貯留部に接続されて、前記処理液を循環させる。前記ポンプは、前記流入配管に配置される。前記ポンプは、気体の圧力により駆動して前記処理液を流通させる。前記フィルタ部は、前記流入配管に配置される。前記フィルタ部は、前記処理液から異物を除去する。当該基板処理方法は、前記ポンプの駆動を開始させて、前記処理液の循環を開始させる循環開始工程を含む。前記循環開始工程は、前記ポンプの駆動開始時に昇圧処理を実行する工程を含む。前記昇圧処理は、前記ポンプに供給する前記気体の圧力を徐々に増加させて、前記ポンプが前記処理液を吐出する圧力を示す吐出圧力を徐々に増加させる処理を含む。
【0027】
ある実施形態において、上記の基板処理方法は、前記フィルタ部の使用履歴に関する情報を示す履歴情報に基づいて、前記昇圧処理により前記吐出圧力を徐々に増加させる期間を調整する工程を更に含む。
【0028】
ある実施形態において、上記の基板処理方法は、前記フィルタ部の使用履歴に関する情報を示す履歴情報に基づいて、前記昇圧処理の開始時に前記ポンプに供給する前記気体の圧力を調整することにより、前記昇圧処理により前記吐出圧力を徐々に増加させる期間を調整する工程を更に含む。
【0029】
ある実施形態において、前記少なくとも１つの循環配管は、第１循環配管と、前記第１循環配管より短い第２循環配管とを含む。前記循環開始工程は、前記ポンプの駆動開始時に、前記第２循環配管を介した前記処理液の循環を開始させる工程と、前記昇圧処理により前記吐出圧力を徐々に増加させている途中で、前記第１循環配管を介した前記処理液の循環を開始させるとともに、前記第２循環配管を介した前記処理液の循環を停止させる工程とを含む。
【0030】
本発明の更に他の局面によれば、基板処理方法は、基板処理装置により基板を処理する方法である。前記基板処理装置は、処理液貯留部と、流入配管と、少なくとも１つの循環配管と、ポンプと、フィルタ部と、排液配管とを備える。前記処理液貯留部は、前記基板の処理に用いられる処理液を貯留する。前記流入配管には、前記処理液貯留部から前記処理液が流入する。前記少なくとも１つの循環配管は、上流端が前記流入配管に接続されるとともに、下流端が前記処理液貯留部に接続されて、前記処理液を循環させる。前記ポンプは、前記流入配管に配置される。前記ポンプは、前記処理液を流通させる。前記フィルタ部は、前記流入配管に配置される。前記フィルタ部は、前記処理液から異物を除去する。前記排液配管は、前記処理液を排出する。前記フィルタ部は、フィルタ膜を有する。前記フィルタ膜は、前記処理液に含まれる前記異物を捕捉する。前記排液配管は、前記フィルタ膜を通過した前記処理液を排出する。当該基板処理方法は、前記ポンプの駆動開始時に、前記ポンプが前記処理液を吐出する圧力を示す吐出圧力を第１圧力まで増加させるとともに、前記排液配管から前記処理液を排出させる工程と、前記排液配管から前記処理液を排出させたことに応じて、前記吐出圧力を前記第１圧力よりも低い第２圧力まで低下させる工程と、前記吐出圧力を前記第１圧力から前記第２圧力まで低下させたことに応じて、循環開始処理及び昇圧処理を実行する工程とを含む。前記循環開始処理は、前記少なくとも１つの循環配管のうちの１つを介した前記処理液の循環を開始させるとともに、前記排液配管からの前記処理液の排出を停止させる処理を含む。前記昇圧処理は、前記吐出圧力を前記第２圧力よりも大きい第３圧力まで段階的に増加させるか、あるいは前記吐出圧力を前記第２圧力よりも大きい第３圧力まで徐々に増加させる処理を含む。
【0031】
ある実施形態において、上記の基板処理方法は、前記フィルタ部の使用履歴に関する情報を示す履歴情報に基づいて、前記昇圧処理により前記吐出圧力を段階的又は徐々に増加させる期間を調整する工程を更に含む。
【0032】
ある実施形態において、上記の基板処理方法は、前記フィルタ部の使用履歴に関する情報を示す履歴情報に基づいて、前記昇圧処理の開始時に前記ポンプに供給する気体の圧力を調整することにより、前記昇圧処理により前記吐出圧力を徐々に増加させる期間を調整する工程を更に含む。
【0033】
ある実施形態において、前記少なくとも１つの循環配管は、第１循環配管と、前記第１循環配管よりも短い第２循環配管とを含む。前記循環開始処理は、前記第２循環配管を介した前記処理液の循環を開始させる処理を含む。上記の基板処理方法は、前記昇圧処理により前記吐出圧力を段階的又は徐々に増加させている途中で、前記第１循環配管を介した前記処理液の循環を開始させるとともに、前記第２循環配管を介した前記処理液の循環を停止させる工程を更に含む。
【0034】
ある実施形態において、前記第１圧力は、前記第３圧力よりも大きい。
【0035】
ある実施形態において、前記吐出圧力を前記第１圧力よりも低い前記第２圧力まで低下させる工程は、前記ポンプの駆動を停止させる工程を含む。
【発明の効果】
【0036】
本発明に係る基板処理装置及び基板処理方法によれば、処理液の循環再開時に基板に付着する異物が増加することを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【0037】
【図1】本発明の実施形態１に係る基板処理装置の模式的な平面図である。
【図2】本発明の実施形態１に係る基板処理装置に含まれる基板処理部、流体ボックス及び流体キャビネットの構成を示す図である。
【図3】本発明の実施形態１に係る基板処理装置に含まれる流体キャビネットの構成を示す図である。
【図4】循環ポンプの構成の一例を示す図である。
【図5】本発明の実施形態１に係る基板処理方法の流れを示す図である。
【図6】（ａ）は、基板処理装置の動作の再開時における内循環バルブの動作を示すタイミングチャートである。（ｂ）は、基板処理装置の動作の再開時における各外循環バルブの動作を示すタイミングチャートである。（ｃ）は、基板処理装置の動作の再開時におけるポンプ吐出圧力を示すタイミングチャートである。（ｄ）は、基板処理装置の動作の再開時における気体供給圧力を示すタイミングチャートである。
【図7】（ａ）は、基板処理装置の動作の再開時における各外循環バルブの動作の他例を示すタイミングチャートである。（ｂ）は、基板処理装置の動作の再開時におけるポンプ吐出圧力の他例を示すタイミングチャートである。（ｃ）は、基板処理装置の動作の再開時における気体供給圧力の他例を示すタイミングチャートである。
【図8】（ａ）は、基板処理装置の動作の再開時における内循環バルブの動作を示すタイミングチャートである。（ｂ）は、基板処理装置の動作の再開時における各外循環バルブの動作を示すタイミングチャートである。（ｃ）は、基板処理装置の動作の再開時におけるポンプ吐出圧力を示すタイミングチャートである。（ｄ）は、基板処理装置の動作の再開時における気体供給圧力を示すタイミングチャートである。
【図9】本発明の実施形態３に係る基板処理方法の流れを示す図である。
【図10】（ａ）は、基板処理装置の動作の再開時における内循環バルブの動作を示すタイミングチャートである。（ｂ）は、基板処理装置の動作の再開時における各外循環バルブの動作を示すタイミングチャートである。（ｃ）は、基板処理装置の動作の再開時におけるポンプ吐出圧力を示すタイミングチャートである。（ｄ）は、基板処理装置の動作の再開時における気体供給圧力を示すタイミングチャートである。
【図11】本発明の実施形態４に係る基板処理装置に含まれる流体キャビネットの構成を示す図である。
【図12】本発明の実施形態４に係る基板処理方法の流れを示す図である。
【図13】（ａ）は、基板処理装置の動作の再開時における排液バルブの動作を示すタイミングチャートである。（ｂ）は、基板処理装置の動作の再開時における内循環バルブの動作を示すタイミングチャートである。（ｃ）は、基板処理装置の動作の再開時における各外循環バルブの動作を示すタイミングチャートである。（ｄ）は、基板処理装置の動作の再開時におけるポンプ吐出圧力を示すタイミングチャートである。
【図14】（ａ）は、基板処理装置の動作の再開時における排液バルブの動作の他例（他例１）を示すタイミングチャートである。（ｂ）は、基板処理装置の動作の再開時における内循環バルブの動作の他例（他例１）を示すタイミングチャートである。（ｃ）は、基板処理装置の動作の再開時における各外循環バルブの動作の他例（他例１）を示すタイミングチャートである。（ｄ）は、基板処理装置の動作の再開時におけるポンプ吐出圧力の他例（他例１）を示すタイミングチャートである。
【図15】本発明の実施形態４に係る基板処理装置に含まれる流体キャビネットの構成の他例（他例２）を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0038】
以下、図面（図１～図１５）を参照して本発明の基板処理装置及び基板処理方法に係る実施形態を説明する。但し、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である。なお、説明が重複する箇所については、適宜説明を省略する場合がある。また、図中、同一又は相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。
【0039】
本発明に係る基板処理装置及び基板処理方法において基板処理の対象となる「基板」には、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、及び光磁気ディスク用基板などの各種の基板を適用可能である。以下では主として、円盤状の半導体ウエハを基板処理の対象とする場合を例に本発明の実施形態を説明するが、本発明に係る基板処理装置及び基板処理方法は、上記した半導体ウエハ以外の各種の基板に対しても同様に適用可能である。また、基板の形状についても、円盤状に限定されず、本発明に係る基板処理装置及び基板処理方法は、各種の形状の基板に対して適用可能である。
【0040】
［実施形態１］
まず、図１～図５、図６（ａ）～図６（ｄ）及び図７（ａ）～図７（ｃ）を参照して、本発明の実施形態１を説明する。図１は、本実施形態の基板処理装置１００の模式的な平面図である。基板処理装置１００は、処理液を用いて基板Ｗを処理する。より具体的には、基板処理装置１００は、枚葉式の装置であり、１枚ずつ基板Ｗを処理する。以下、処理液による基板Ｗの処理を「基板処理」と記載する場合がある。なお、基板処理装置１００は、基板Ｗを処理する装置である限り、特に限定されない。例えば、基板処理装置１００は、洗浄装置、エッチング装置、塗布装置、現像装置、又は成膜装置であってもよい。
まず、図１～図５、図６（ａ）～図６（ｄ）及び図７（ａ）～図７（ｃ）を参照して、本発明の実施形態１を説明する。図１は、本実施形態の基板処理装置１００の模式的な平面図である。基板処理装置１００は、処理液を用いて基板Ｗを処理する。より具体的には、基板処理装置１００は、枚葉式の装置であり、１枚ずつ基板Ｗを処理する。以下、処理液による基板Ｗの処理を「基板処理」と記載する場合がある。なお、基板処理装置１００は、基板Ｗを処理する装置である限り、特に限定されない。例えば、基板処理装置１００は、洗浄装置、エッチング装置、塗布装置、現像装置、又は成膜装置であってもよい。
【0041】
図１に示すように、基板処理装置１００は、複数の基板処理部２と、流体キャビネット１０１と、複数の流体ボックス１０２と、複数のロードポートＬＰと、インデクサーロボットＩＲと、センターロボットＣＲと、制御装置１１０とを備える。
【0042】
ロードポートＬＰの各々は、複数枚の基板Ｗを積層して収容する。インデクサーロボットＩＲは、ロードポートＬＰとセンターロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。センターロボットＣＲは、インデクサーロボットＩＲと基板処理部２との間で基板Ｗを搬送する。なお、インデクサーロボットＩＲとセンターロボットＣＲとの間に、基板Ｗを一時的に載置する載置台（パス）を設けて、インデクサーロボットＩＲとセンターロボットＣＲとの間で載置台を介して間接的に基板Ｗを受け渡しする装置構成としてもよい。
【0043】
複数の基板処理部２は、複数のタワーＴＷ（図１では４つのタワーＴＷ）を形成している。複数のタワーＴＷは、平面視においてセンターロボットＣＲを取り囲むように配置される。各タワーＴＷは、上下に積層された複数の基板処理部２（図１では３つの基板処理部２）によって形成される。
【0044】
流体キャビネット１０１は、処理液を収容する。流体ボックス１０２はそれぞれ、複数のタワーＴＷのうちの１つに対応している。流体キャビネット１０１内の処理液は、いずれかの流体ボックス１０２を介して、流体ボックス１０２に対応するタワーＴＷに含まれる全ての基板処理部２に供給される。基板処理部２の各々は、処理液を基板Ｗの上面に供給する。この結果、処理液により基板Ｗが処理される。
【0045】
処理液は、基板Ｗに接触する液体である限り、特に限定されない。処理液は、例えば、薬液を含む。薬液は、例えば、希フッ酸（ＤＨＦ）、フッ酸（ＨＦ）、フッ硝酸（フッ酸と硝酸（ＨＮＯ3）との混合液）、バファードフッ酸（ＢＨＦ）、フッ化アンモニウム、ＨＦＥＧ（フッ酸とエチレングリコールとの混合液）、燐酸（Ｈ3ＰＯ4）、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（例えば、クエン酸、シュウ酸）、有機アルカリ（例えば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）、硫酸過酸化水素水混合液（ＳＰＭ）、アンモニア過酸化水素水混合液（ＳＣ１）、塩酸過酸化水素水混合液（ＳＣ２）、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、界面活性剤、又は、腐食防止剤を含む。
【0046】
あるいは、薬液は、ＩＰＡ等の有機溶剤であってもよい。具体的には、有機溶剤は、ＩＰＡ等のアルコール類、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等のエチレングリコールモノアルキルエーテル類、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコールモノエチルエーテル（ＰＧＥＥ）等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、乳酸メチル、乳酸エチル（ＥＬ）等の乳酸エステル類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、メチルエチルケトン、２－ヘプタノン、シクロヘキサノン等のケトン類、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルピロリドン等のアミド類、γ－ブチロラクトン等のラクトン類等を含有する。これらの有機溶剤は、単独で、又は２種以上を混合して使用することができる。
【0047】
制御装置１１０は、基板処理装置１００の各部の動作を制御する。例えば、制御装置１１０は、流体キャビネット１０１、流体ボックス１０２、ロードポートＬＰ、インデクサーロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、及び基板処理部２を制御する。制御装置１１０は、制御部１１１と、記憶部１１２とを含む。
【0048】
制御部１１１は、記憶部１１２に記憶されている各種情報に基づいて基板処理装置１００の各部の動作を制御する。制御部１１１は、例えば、プロセッサを有する。制御部１１１は、プロセッサとして、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、又は、ＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）を有してもよい。あるいは、制御部１１１は、汎用演算機又は専用演算器を有してもよい。
【0049】
記憶部１１２は、基板処理装置１００の動作を制御するための各種情報を記憶する。例えば、記憶部１１２は、データ及びコンピュータプログラムを記憶する。コンピュータプログラムには、基板処理装置１００の動作が停止した後に、基板処理装置１００の動作を再開させる際の処理の手順を規定するコンピュータプログラムが含まれる。データには、種々のレシピデータが含まれる。レシピデータは、例えば、プロセスレシピを含む。プロセスレシピは、基板処理の手順を規定する。
【0050】
記憶部１１２は、主記憶装置を有する。記憶部１１２は、主記憶装置として、例えば、半導体メモリを有してもよい。記憶部１１２は、補助記憶装置を更に有してもよい。記憶部１１２は、補助記憶装置として、例えば、半導体メモリ及びハードディスクドライブの少なくも一方を有してもよい。記憶部１１２はリムーバルブメディアを含んでもよい。
【0051】
続いて、図１及び図２を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図２は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる基板処理部２、流体キャビネット１０１及び流体ボックス１０２の構成を示す図である。
【0052】
図２に示すように、基板処理部２はそれぞれ、チャンバー４と、スピンチャック６と、吐出ノズル８とを有する。チャンバー４は、スピンチャック６及び吐出ノズル８を収容する。
【0053】
スピンチャック６は、基板Ｗを保持する。詳しくは、基板Ｗは、スピンチャック６によって水平な姿勢で保持される。また、スピンチャック６は、保持している基板Ｗを回転させる。詳しくは、スピンチャック６は、基板Ｗの中心を回転中心として基板Ｗを回転させる。
【0054】
吐出ノズル８は、基板Ｗに処理液を供給する。詳しくは、吐出ノズル８は、回転している基板Ｗに向けて処理液を吐出する。吐出ノズル８は、基板Ｗの中心に対向する位置から基板Ｗに向けて処理液を吐出してもよいし、基板Ｗの上方を移動しながら、基板Ｗに向けて処理液を吐出してもよい。
【0055】
図２に示すように、基板処理装置１００は、基板処理部２ごとに、個別供給配管１７と、個別バルブ３１とを備える。個別バルブ３１は、流体ボックス１０２に収容される。
【0056】
個別供給配管１７のそれぞれの下流端は、対応する吐出ノズル８に接続する。個別供給配管１７は、処理液が流通する管状の部材であり、対応する吐出ノズル８まで処理液を流通させる。個別バルブ３１は、個別供給配管１７に設けられて、吐出ノズル８に対する処理液の供給開始及び供給停止を制御する。詳しくは、個別バルブ３１は開閉可能な開閉弁である。個別バルブ３１が開くことにより、処理液の供給が開始される。個別バルブ３１が閉じることにより、処理液の供給が停止する。個別バルブ３１の開閉動作は、制御装置１１０（制御部１１１）によって制御される。
【0057】
基板処理装置１００は、処理液タンク１１と、流入配管１３と、複数の外循環配管１５とを更に備える。処理液タンク１１及び流入配管１３は、流体キャビネット１０１に収容される。処理液タンク１１は、処理液を貯留する。処理液タンク１１は、「処理液貯留部」の一例である。
【0058】
外循環配管１５はそれぞれ、複数のタワーＴＷのうちの１つに対応している。換言すると、外循環配管１５はそれぞれ、複数の流体ボックス１０２のうちの１つに対応している。
【0059】
流入配管１３には、処理液タンク１１から処理液が流入する。流入配管１３は、処理液が流通する管状の部材である。詳しくは、流入配管１３の上流端が処理液タンク１１に接続しており、流入配管１３の上流端から流入配管１３に処理液が流入する。
【0060】
外循環配管１５はそれぞれ、処理液が流通する管状の部材である。外循環配管１５のそれぞれの上流端は、流入配管１３に接続する。本実施形態では、外循環配管１５のそれぞれの上流端が、流入配管１３の下流端に接続する。外循環配管１５のそれぞれの下流端は、処理液タンク１１に接続する。外循環配管１５はそれぞれ処理液を循環させる。詳しくは、外循環配管１５のそれぞれの上流端に流入配管１３から処理液が流入して、処理液が各外循環配管１５を流通する。その結果、各外循環配管１５の下流端から処理液が流出して、処理液が処理液タンク１１に戻る。外循環配管１５は、「循環配管」及び「第１循環配管」の一例である。
【0061】
各流体ボックス１０２内において、対応する複数の個別供給配管１７の上流端が、対応する外循環配管１５に接続する。個別バルブ３１が開くと、外循環配管１５を流通している処理液の一部が、対応する個別供給配管１７に流入する。その結果、個別供給配管１７から吐出ノズル８に処理液が供給されて、吐出ノズル８から基板Ｗに向けて処理液が吐出される。
【0062】
図２に示すように、基板処理装置１００は、内循環配管１９と、循環ポンプ２１と、パルスダンパー２３と、温調器２５と、フィルタ部２７と、循環制御機構２８とを更に備える。
【0063】
内循環配管１９の上流端は、流入配管１３に接続する。より具体的には、内循環配管１９の上流端は、流入配管１３と各外循環配管１５との接続箇所Ｐ１よりも上流側の位置で流入配管１３に接続する。したがって、流入配管１３と各外循環配管１５との接続箇所Ｐ１は、流入配管１３と内循環配管１９との接続箇所Ｐ２よりも下流側に位置する。以下、流入配管１３と各外循環配管１５との接続箇所Ｐ１を、「第１接続箇所Ｐ１」と記載する場合がある。同様に、流入配管１３と内循環配管１９との接続箇所Ｐ２を、「第２接続箇所Ｐ２」と記載する場合がある。
【0064】
内循環配管１９は、処理液が流通する管状の部材である。内循環配管１９の下流端は、処理液タンク１１に接続する。内循環配管１９は処理液を循環させる。詳しくは、内循環配管１９の上流端に流入配管１３から処理液が流入して、処理液が内循環配管１９を流通する。その結果、内循環配管１９の下流端から処理液が流出して、処理液が処理液タンク１１に戻る。内循環配管１９は、「第２循環配管」の一例である。
【0065】
内循環配管１９の配管長さは、各外循環配管１５の配管長より短い。内循環配管１９は、流体キャビネット１０１に収容される。内循環配管１９は、流体キャビネット１０１内で処理液を循環させる。
【0066】
循環ポンプ２１は、流入配管１３に設けられる。循環ポンプ２１は処理液を流通させる。具体的には、循環ポンプ２１が駆動することにより、循環ポンプ２１から処理液が送液される。この結果、処理液が流通する。本実施形態では、循環ポンプ２１は気体の圧力により駆動する。循環ポンプ２１は、制御装置１１０（制御部１１１）によって制御される。
【0067】
パルスダンパー２３は、流入配管１３に設けられる。具体的には、パルスダンパー２３は、循環ポンプ２１の下流側に設けられる。パルスダンパー２３は、循環ポンプ２１から送り出される処理液の脈動を抑制する。
【0068】
温調器２５は、流入配管１３に設けられる。具体的には、温調器２５は、循環ポンプ２１の下流側に設けられる。本実施形態では、温調器２５は、パルスダンパー２３の下流側に設けられる。温調器２５は、流入配管１３を流通する処理液を加熱する。したがって、外循環配管１５はそれぞれ、温調器２５によって加熱された処理液を流通させる。同様に、内循環配管１９は、温調器２５によって加熱された処理液を流通させる。温調器２５は、例えば、加熱ヒータを含む。
【0069】
フィルタ部２７は、流入配管１３に設けられて、流入配管１３を流通する処理液から異物を除去する。具体的には、フィルタ部２７は、循環ポンプ２１の下流側に設けられて、循環ポンプ２１から送り出された処理液から異物を除去する。本実施形態では、フィルタ部２７は、温調器２５と第１接続箇所Ｐ１との間に設けられる。詳しくは、フィルタ部２７は、第２接続箇所Ｐ２よりも上流側に設けられる。この結果、異物が除去された清浄な処理液が、内循環配管１９と、各外循環配管１５とに流入する。
【0070】
循環制御機構２８は、各外循環配管１５を介した処理液の循環と、内循環配管１９を介した処理液の循環とを制御する。具体的には、循環制御機構２８は、各外循環配管１５を介した処理液の循環の開始及び循環の停止を制御する。また、循環制御機構２８は、内循環配管１９を介した処理液の循環の開始及び循環の停止を制御する。循環制御機構２８は、制御装置１１０（制御部１１１）によって制御される。本実施形態において、循環制御機構２８は、複数の外循環バルブ２９と、内循環バルブ３３とを含む。
【0071】
外循環バルブ２９はそれぞれ、複数の外循環配管１５のうちの１つに対応している。外循環バルブ２９はそれぞれ、対応する外循環配管１５に設けられる。外循環バルブ２９はそれぞれ、対応する外循環配管１５における処理液の流通の開始及び停止を制御する。外循環バルブ２９は、「循環バルブ」及び「第１循環バルブ」の一例である、詳しくは、外循環バルブ２９は開閉可能な開閉弁である。外循環バルブ２９が開くと、対応する外循環配管１５を処理液が流通する。外循環バルブ２９が閉じると、対応する外循環配管１５における処理液の流通が停止する。外循環バルブ２９の開閉動作は、制御装置１１０（制御部１１１）によって制御される。複数の外循環バルブ２９は、流体キャビネット１０１に収容される。
【0072】
内循環バルブ３３は、内循環配管１９に設けられる。内循環バルブ３３は、内循環配管１９における処理液の流通の開始及び停止を制御する。内循環バルブ３３は、「第２循環バルブ」の一例である、詳しくは、内循環バルブ３３は開閉可能な開閉弁である。内循環バルブ３３が開くと、内循環配管１９を処理液が流通する。内循環バルブ３３が閉じると、内循環配管１９における処理液の流通が停止する。内循環バルブ３３の開閉動作は、制御装置１１０（制御部１１１）によって制御される。内循環バルブ３３は、流体キャビネット１０１に収容される。
【0073】
制御装置１１０（制御部１１１）は、複数の外循環配管１５を介して処理液を循環させる際に、複数の外循環バルブ２９を開状態にする。また、制御装置１１０（制御部１１１）は、内循環配管１９を介して処理液を循環させる際に、内循環バルブ３３を開状態にする。詳しくは、制御装置１１０（制御部１１１）は、複数の外循環配管１５を介して処理液を循環させる際に、複数の外循環バルブ２９を開状態にし、内循環バルブ３３を閉状態にする。制御装置１１０（制御部１１１）は、内循環配管１９を介して処理液を循環させる際に、複数の外循環バルブ２９を閉状態にし、内循環バルブ３３を開状態にする。
【0074】
続いて、図１～図３を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図３は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる流体キャビネット１０１の構成を示す図である。図３に示すように、基板処理装置１００は、ポンプ駆動機構５を更に備える。ポンプ駆動機構５は、流体キャビネット１０１に収容される。
【0075】
ポンプ駆動機構５は、循環ポンプ２１に気体を供給して循環ポンプ２１を駆動させる。ポンプ駆動機構５は、制御装置１１０（制御部１１１）によって制御される。具体的には、ポンプ駆動機構５は、第１配管５１と、第２配管５２と、第３配管５３と、第４配管５４と、圧力調整弁５５と、切替弁５６とを有する。第１配管５１～第４配管５４はそれぞれ、気体が流通する管状の部材である。気体は、第１配管５１～第４配管５４を介して循環ポンプ２１に供給される。
【0076】
第１配管５１は、圧力調整弁５５まで気体を流通させる。換言すると、第１配管５１は、圧力調整弁５５に気体を供給する。気体の種類は、特に限定されない。気体は、例えば、空気、又は、窒素ガス等の不活性ガスであってもよい。
【0077】
圧力調整弁５５は、循環ポンプ２１に供給する気体の圧力を調整して、循環ポンプ２１が処理液を吐出する圧力を示す吐出圧力を調整する。以下、循環ポンプ２１に供給する気体の圧力を、「気体供給圧力」と記載する場合がある。また、吐出圧力を、「ポンプ吐出圧力」と記載する場合がある。ポンプ吐出圧力の大きさ（圧力値）は、気体供給圧力の大きさ（圧力値）に応じた大きさになる。したがって、気体供給圧力が変化するとポンプ吐出圧力も変化する。
【0078】
圧力調整弁５５は、制御装置１１０（制御部１１１）によって制御される。圧力調整弁５５は、例えば、比例制御弁を含む。この場合、制御装置１１０（制御部１１１）は、圧力調整弁５５に電流信号又は電圧信号を送信する。圧力調整弁５５は、気体供給圧力を、電流信号の電流値又は電圧信号の電圧値に比例させて増減させる。この結果、ポンプ吐出圧力が、電流信号の電流値又は電圧信号の電圧値に比例して増減する。
【0079】
本実施形態では、圧力調整弁５５は、比例制御弁と、圧力計と、制御回路とを含む。圧力計は、気体供給圧力を計測する。具体的には、圧力計は、圧力調整弁５５から送出される気体の圧力を計測する。制御回路は、制御装置１１０（制御部１１１）から出力された電流信号又は電圧信号に基づいて比例制御弁を制御して、気体供給圧力を、電流信号の電流値又は電圧信号の電圧値に比例させて増減させる。
【0080】
更に、制御回路は、圧力計の計測結果に基づいて、比例制御弁をフィードバック制御する。具体的には、制御回路は、圧力計の計測結果が電流信号の電流値又は電圧信号の電圧値に追従するように比例制御弁を制御する。なお、圧力調整弁５５の制御回路は、圧力計の計測結果を制御装置１１０（制御部１１１）へ送信してもよい。換言すると、制御装置１１０（制御部１１１）は、圧力調整弁５５から気体供給圧力を取得してもよい。
【0081】
第２配管５２は、圧力調整弁５５から送出された気体を切替弁５６まで流通させる。換言すると、第２配管５２は、切替弁５６に気体を供給する。切替弁５６は、制御装置１１０（制御部１１１）によって制御されて、気体の送出先を第３配管５３と第４配管５４との間で周期的に切り替える。切替弁５６は、例えば、ソレノイドバルブを含んでもよい。
【0082】
第３配管５３は、図４を参照して後述する第１気体室６８まで気体を流通させる。換言すると、第３配管５３は、図４を参照して後述する第１気体室６８に気体を供給する。第４配管５４は、図４を参照して後述する第２気体室７０まで気体を流通させる。換言すると、第４配管５４は、図４を参照して後述する第２気体室７０に気体を供給する。
【0083】
続いて、図３を参照して、フィルタ部２７を説明する。図３に示すように、フィルタ部２７は、フィルタ膜２７ａを有する。フィルタ膜２７ａは、処理液に含まれる異物を捕捉する。換言すると、フィルタ膜２７ａは、処理液を濾過する。
【0084】
続いて、図３を参照して、制御装置１１０を説明する。図３に示すように、制御装置１１０は入力部１１３を更に含む。入力部１１３は、作業者が操作するユーザーインターフェース装置である。入力部１１３は、作業者の操作に応じた指示（制御信号）を制御部１１１に入力する。また、入力部１１３は、作業者の操作に応じたデータを制御部１１１に入力する。入力部１１３は、例えば、キーボード及びマウスを有してもよい。また、入力部１１３は、タッチセンサーを有してもよい。タッチセンサーは、作業者によるタッチ操作を示す信号を制御部１１１に入力する。タッチセンサーは、表示装置の表示面に重畳されてもよい。この場合、タッチセンサーと表示装置とによりグラフィカルユーザーインターフェースが構成されてもよい。
【0085】
本実施形態において、制御装置１１０（制御部１１１）は、循環ポンプ２１の駆動開始時に圧力調整弁５５を制御して昇圧処理を実行する。ここで、昇圧処理は、循環ポンプ２１に供給する気体の圧力（気体供給圧力）を徐々に増加させて、ポンプ吐出圧力を目標圧力ＴＴＰまで徐々に増加させる処理を含む。換言すると、制御装置１１０（制御部１１１）は、循環ポンプ２１の駆動開始時に圧力調整弁５５を制御して、気体供給圧力を時間の経過に合わせて連続的に増加させる。この結果、ポンプ吐出圧力が時間の経過に合わせて連続的に増加する。
【0086】
例えば、制御装置１１０（制御部１１１）は、圧力調整弁５５に送信する電流信号の電流値又は電圧信号の電圧値を徐々に増加させる。すなわち、制御装置１１０（制御部１１１）は、圧力調整弁５５に送信する電流信号の電流値又は電圧信号の電圧値を時間の経過に合わせて連続的に増加させる。この結果、ポンプ吐出圧力が目標圧力ＴＴＰまで徐々に増加する。なお、目標圧力ＴＴＰは、基板Ｗを処理する際に循環ポンプ２１が処理液を吐出する圧力を示す。以下、目標圧力ＴＴＰを、「目標吐出圧力ＴＴＰ」と記載する場合がある。
【0087】
詳しくは、制御装置１１０（制御部１１１）は、基板処理装置１００の動作が再開される際に昇圧処理を実行する。昇圧処理が実行されることにより、内循環配管１９を介した処理液の循環と、各外循環配管１５を介した処理液の循環とが再開する。具体的には、制御装置１１０（制御部１１１）は、内循環配管１９を介した処理液の循環を再開させた後に、各外循環配管１５を介した処理液の循環を再開させる。
【0088】
例えば、基板処理装置１００は、処理液の交換作業やトラブルからの復帰作業等が行われる際に動作を停止する。基板処理装置１００の動作が停止すると、内循環配管１９を介した処理液の循環と、各外循環配管１５を介した処理液の循環とが停止する。基板処理装置１００の動作は、処理液の交換作業やトラブルからの復帰作業等が終了した後に再開される。制御装置１１０（制御部１１１）は、基板処理装置１００の動作再開時に昇圧処理を実行して、内循環配管１９を介した処理液の循環と、各外循環配管１５を介した処理液の循環とを再開させる。例えば、制御装置１１０（制御部１１１）は、処理液の交換作業やトラブルからの復帰作業等が終了したことを検知したことに応じて昇圧処理を実行してもよい。あるいは、制御装置１１０（制御部１１１）は、作業者が入力部１１３を操作して基板処理装置１００の動作の再開を指示したことに応じて昇圧処理を実行してもよい。
【0089】
続いて、図４を参照して、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる循環ポンプ２１を説明する。循環ポンプ２１は、例えば、ベローズポンプを含む。図４は、循環ポンプ２１の構成の一例を示す図である。詳しくは、図４は、ベローズポンプの構成の一例を示す。
【0090】
図４に示すように、循環ポンプ２１は、第１ポンプ室６４と、第２ポンプ室６５とを有する。第１ポンプ室６４は、第１気体室６８と、第１液室６９とを有する。第２ポンプ室６５は、第２気体室７０と、第２液室７１とを有する。第１気体室６８及び第２気体室７０には気体が流入する。詳しくは、第１気体室６８には、図３を参照して説明した第３配管５３を介して気体が流入する。第２気体室７０には、図３を参照して説明した第４配管５４を介して気体が流入する。図３を参照して説明したように、切替弁５６は、気体の送出先を第３配管５３と第４配管５４との間で周期的に切り替える。したがって、気体は、第１気体室６８と第２気体室７０とに交互に流入する。
【0091】
第１液室６９及び第２液室７１には、処理液が流入する。具体的には、第１気体室６８及び第２気体室７０はそれぞれ容積が可変である。また、第１液室６９及び第２液室７１はそれぞれ容積が可変である。第１気体室６８に気体が流入することにより、第１液室６９から流入配管１３に処理液が送出されるともに、第２液室７１に処理液が流入する。詳しくは、第１気体室６８に気体が流入して第１気体室６８の容積が拡大すると、第１液室６９の容積が縮小して、第１液室６９から流入配管１３に処理液が送出される。また、第１気体室６８の容積が拡大すると、第２液室７１の容積が拡大して、第２液室７１に処理液が吸い込まれる。同様に、第２気体室７０に気体が流入すると、第２液室７１から流入配管１３に処理液が送出されるともに、第１液室６９に処理液が流入する。
【0092】
詳しくは、図４に示すように、循環ポンプ２１は、第１ポンプ室６４と、第２ポンプ室６５とに加えて、第１シリンダヘッド６１ａと、第２シリンダヘッド６１ｂと、ポンプヘッド６２と、第１シリンダ６３ａと、第２シリンダ６３ｂと、第１移動部材６６ａと、第２移動部材６６ｂと、第１ベローズ６７ａと、第２ベローズ６７ｂと、第１液導入ポート７２と、第２液導入ポート７３と、液導出ポート７４とを更に有する。
【0093】
第１ポンプ室６４は、第１シリンダヘッド６１ａと、ポンプヘッド６２と、第１シリンダ６３ａとにより区画される。第１シリンダ６３ａは、第１シリンダヘッド６１ａとポンプヘッド６２との間に配置される。同様に、第２ポンプ室６５は、第２シリンダヘッド６１ｂと、ポンプヘッド６２と、第２シリンダ６３ｂとにより区画される。第２シリンダ６３ｂは、第２シリンダヘッド６１ｂとポンプヘッド６２との間に配置される。
【0094】
第１移動部材６６ａ及び第１ベローズ６７ａは、第１ポンプ室６４内に配置される。第２移動部材６６ｂ及び第２ベローズ６７ｂは、第２ポンプ室６５内に配置される。第１移動部材６６ａ及び第２移動部材６６ｂは、略円板状である。第１ベローズ６７ａ及び第２ベローズ６７ｂは、伸縮自在である。例えば、第１ベローズ６７ａ及び第２ベローズ６７ｂは樹脂製である。
【0095】
第１ベローズ６７ａの一端は、第１移動部材６６ａに接続されており、第１ベローズ６７ａの他端は、ポンプヘッド６２に固定されている。同様に、第２ベローズ６７ｂの一端は、第２移動部材６６ｂに接続されており、第２ベローズ６７ｂの他端は、ポンプヘッド６２に固定されている。
【0096】
第１ベローズ６７ａは、第１ポンプ室６４内において第１気体室６８と第１液室６９とを区画する。具体的には、第１ポンプ室６４内において、第１ベローズ６７ａの外側の空間が第１気体室６８となる。第１ポンプ室６４内において、第１ベローズ６７ａの内側の空間が第１液室６９となる。同様に、第２ベローズ６７ｂは、第２ポンプ室６５内において第２気体室７０と第２液室７１とを区画する。
【0097】
ポンプヘッド６２は筐体であり、ポンプヘッド６２内に、第１液導入ポート７２、第２液導入ポート７３、及び液導出ポート７４が収容される。第１液導入ポート７２は、第１液室６９に処理液を導入する。第２液導入ポート７３は、第２液室７１に処理液を導入する。詳しくは、処理液タンク１１から流入配管１３に流入した処理液が、第１液導入ポート７２及び第２液導入ポート７３を介して第１液室６９及び第２液室７１に導入される。液導出ポート７４は、第１液室６９及び第２液室７１から処理液を導出させる。第１液室６９及び第２液室７１から導出された処理液は、液導出ポート７４を介して流入配管１３に送出される。
【0098】
第２気体室７０に気体が供給されて、第２気体室７０内の圧力が高まると、その圧力により、第２ポンプ室６５内の第２移動部材６６ｂがポンプヘッド６２側へ移動する。この結果、第２気体室７０の容積が拡大する一方で、第２液室７１の容積が縮小し、第２液室７１内の処理液が液導出ポート７４から送出される。これと連動して、第１ポンプ室６４内の第１移動部材６６ａが第１シリンダヘッド６１ａ側へ移動する。この結果、第１気体室６８の容積が縮小する一方で、第１液室６９の容積が拡大し、第１液導入ポート７２から第１液室６９に処理液が吸い込まれる。
【0099】
同様に、第１気体室６８に気体が供給されて、第１気体室６８内の圧力が高まると、その圧力により、第１ポンプ室６４内の第１移動部材６６ａがポンプヘッド６２側へ移動する。この結果、第１気体室６８の容積が拡大する一方で、第１液室６９の容積が縮小し、第１液室６９内の処理液が液導出ポート７４から送出される。これと連動して、第２ポンプ室６５内の第２移動部材６６ｂが第２シリンダヘッド６１ｂ側へ移動する。この結果、第２気体室７０の容積が縮小する一方で、第２液室７１の容積が拡大し、第２液導入ポート７３から第２液室７１に処理液が吸い込まれる。
【0100】
以上、図４を参照して説明したように、第１移動部材６６ａは、第１気体室６８に流入する気体により移動して、第１気体室６８の容積及び第１液室６９の容積を変化させる。同様に、第２移動部材６６ｂは、第２気体室７０に流入する気体により移動して、第２気体室７０の容積及び第２液室７１の容積を変化させる。詳しくは、第１気体室６８及び第２気体室７０に交互に気体が供給されることにより、第１移動部材６６ａ及び第２移動部材６６ｂが往復運動して、第１気体室６８の容積及び第２気体室７０の容積が交互に拡大及び縮小し、第１液室６９の容積及び第２液室７１の容積が交互に拡大及び縮小する。この結果、第１液室６９及び第２液室７１に交互に処理液が流入し、第１液室６９及び第２液室７１から交互に処理液が送出される。第１液室６９及び第２液室７１から送出された処理液は、液導出ポート７４を介して流入配管１３に送出される。
【0101】
なお、循環ポンプ２１は、ベローズポンプに限定されない。循環ポンプ２１は、気体が供給されることにより駆動するポンプであればよい。例えば、循環ポンプ２１は、ダイヤフラムポンプであってもよい。
【0102】
続いて、図１～図５を参照して、本実施形態の基板処理装置１００及び基板処理方法を説明する。本実施形態の基板処理方法は、図１～図４を参照して説明した基板処理装置１００により実行される。図５は、本実施形態の基板処理方法の流れを示す図である。詳しくは、図５は、制御装置１１０（制御部１１１）が実行する処理の流れを示す。具体的には、図５は、処理液の循環を再開させる処理（循環再開工程）を示す。図５に示す処理（循環再開工程）は、基板処理装置１００の動作が再開されることにより開始する。
【0103】
図５に示すように、基板処理装置１００の動作が再開されると、制御装置１１０（制御部１１１）は、第１バルブ制御を実行する（ステップＳ１）。本実施形態において、第１バルブ制御は、循環制御機構２８（内循環バルブ３３及び複数の外循環バルブ２９）を制御して、循環ポンプ２１が駆動を開始した時に処理液を内循環配管１９に流通させる処理を含む。具体的には、基板処理装置１００の動作が再開される前は、内循環バルブ３３及び複数の外循環バルブ２９は閉状態であり、制御装置１１０（制御部１１１）は、基板処理装置１００の動作再開時に第１バルブ制御を実行して、内循環バルブ３３を閉状態から開状態へ遷移させる。
【0104】
制御装置１１０（制御部１１１）は、第１バルブ制御の実行後、循環ポンプ２１の駆動を開始させて、処理液の循環を再開させる（ステップＳ２）。この時、複数の外循環バルブ２９は閉状態を維持し、内循環バルブ３３は開状態となっている。したがって、循環ポンプ２１の駆動開始時に、処理液は内循環配管１９を流通する。また、制御装置１１０（制御部１１１）は、図３を参照して説明した昇圧処理を実行して、循環ポンプ２１の駆動を開始させる。具体的には、制御装置１１０（制御部１１１）は、圧力調整弁５５を制御して、循環ポンプ２１に供給する気体の圧力（ポンプ供給圧力）を徐々に増加させて、ポンプ吐出圧力を目標吐出圧力ＴＴＰまで徐々に増加させる。
【0105】
制御装置１１０（制御部１１１）は、昇圧処理を開始した後、処理液が流通（循環）する経路を内循環配管１９から外循環配管１５へ切り替えるか否かを決定する（ステップＳ３）。以下、処理液が流通する経路を、「循環経路」と記載する場合がある。
【0106】
例えば、制御装置１１０（制御部１１１）は、ポンプ吐出圧力が目標吐出圧力ＴＴＰ以上であるか否かに基づいて、循環経路を内循環配管１９から外循環配管１５へ切り替えるか否かを決定してもよい。詳しくは、制御装置１１０（制御部１１１）は、気体供給圧力が、目標吐出圧力ＴＴＰに対応する圧力ＴＡＰ以上であるか否かに基づいて、循環経路を内循環配管１９から外循環配管１５へ切り替えるか否かを決定してもよい。以下、圧力ＴＡＰを、「目標供給圧力ＴＡＰ」と記載する場合がある。
【0107】
気体供給圧力に基づいて循環経路を切り替えるか否かを決定する場合、制御装置１１０（制御部１１１）は、気体供給圧力が目標供給圧力ＴＡＰ以上でないと判定した場合、循環経路を内循環配管１９から外循環配管１５へ切り替えないことを決定する（ステップＳ３のＮｏ）。換言すると、制御装置１１０（制御部１１１）は、気体供給圧力が目標供給圧力ＴＡＰ未満であると判定した場合、循環経路を切り替えないことを決定する。また、制御装置１１０（制御部１１１）は、気体供給圧力が目標供給圧力ＴＡＰ以上であると判定した場合、循環経路を内循環配管１９から外循環配管１５へ切り替えることを決定する（ステップＳ３のＹｅａ）。
【0108】
制御装置１１０（制御部１１１）は、循環経路を内循環配管１９から外循環配管１５へ切り替えないことを決定した場合（ステップＳ３のＮｏ）、ステップＳ３の処理を繰り返す。例えば、制御装置１１０（制御部１１１）は、気体供給圧力が目標供給圧力ＴＡＰ以上になるまで、ステップＳ３の処理を繰り返す。
【0109】
制御装置１１０（制御部１１１）は、循環経路を内循環配管１９から外循環配管１５へ切り替えることを決定した場合（ステップＳ３のＹｅｓ）、第２バルブ制御を実行する（ステップＳ４）。この結果、図５に示す処理が終了する。ここで、第２バルブ制御は、循環制御機構２８（内循環バルブ３３及び複数の外循環バルブ２９）を制御して、循環経路を内循環配管１９から外循環配管１５へ切り替える処理を含む。具体的には、制御装置１１０（制御部１１１）は、内循環バルブ３３を開状態から閉状態へ遷移させるとともに、各外循環バルブ２９を閉状態から開状態へ遷移させる。この結果、内循環配管１９を介した処理液の循環が停止し、各外循環配管１５を介した処理液の循環が開始する。
【0110】
続いて、図１～図５及び図６（ａ）～図６（ｄ）を参照して、本実施形態の基板処理装置１００及び基板処理方法を説明する。図６（ａ）及び図６（ｂ）はそれぞれ、基板処理装置１００の動作の再開時における内循環バルブ３３及び各外循環バルブ２９の動作を示すタイミングチャートである。詳しくは、図６（ａ）及び図６（ｂ）はそれぞれ、処理液の循環を再開する際の内循環バルブ３３及び各外循環バルブ２９の動作を示すタイミングチャートである。図６（ｃ）及び図６（ｄ）はそれぞれ、基板処理装置１００の動作の再開時におけるポンプ吐出圧力及び気体供給圧力を示すタイミングチャートである。詳しくは、図６（ｃ）及び図６（ｄ）はそれぞれ、処理液の循環を再開する際のポンプ吐出圧力及び気体供給圧力を示すタイミングチャートである。なお、図６（ａ）～図６（ｄ）において、横軸は時刻ｔを示す。また、図６（ｃ）において、縦軸はポンプ吐出圧力を示す。図６（ｄ）において、縦軸は気体供給圧力を示す。
【0111】
図６（ａ）～図６（ｄ）に示すように、制御装置１１０（制御部１１１）は、基板処理装置１００の動作の再開時に、内循環バルブ３３を閉状態から開状態へ遷移させる（時刻ｔ１）。その後、制御装置１１０（制御部１１１）は、循環ポンプ２１の駆動を開始させる（時刻ｔ２）。
【0112】
具体的には、制御装置１１０（制御部１１１）は、圧力調整弁５５を制御して、循環ポンプ２１への気体の供給を開始させる（時刻ｔ２）。この結果、循環ポンプ２１による処理液の送液が開始されて（時刻ｔ２）、内循環配管１９を介した処理液の循環が開始される。
【0113】
詳しくは、制御装置１１０（制御部１１１）は、昇圧処理を開始して、気体供給圧力を徐々に増加させる（時刻ｔ２～時刻ｔ３）。その結果、ポンプ吐出圧力が徐々に増加する（時刻ｔ２～時刻ｔ３）。換言すると、昇圧処理により、気体供給圧力はスロープ状に増加する。その結果、ポンプ吐出圧力もスロープ状に増加する。
【0114】
なお、循環ポンプ２１への気体の供給を開始する際の気体供給圧力（圧力ＳＡＰ）は、予め定められている。換言すると、循環ポンプ２１への気体の供給を開始する際の圧力調整弁５５の開度は予め定められている。
【0115】
制御装置１１０（制御部１１１）は、ポンプ吐出圧力が目標吐出圧力ＴＴＰに到達すると（時刻ｔ３）、昇圧処理を終了する。例えば、制御装置１１０（制御部１１１）は、気体供給圧力が目標供給圧力ＴＡＰに到達すると、昇圧処理を終了する。
【0116】
ポンプ吐出圧力が目標吐出圧力ＴＴＰに到達した後、ポンプ吐出圧力は目標吐出圧力ＴＴＰで維持される（時刻ｔ３以降）。制御装置１１０（制御部１１１）は、昇圧処理を終了すると、各外循環バルブ２９を閉状態から開状態へ遷移させる（時刻ｔ３）。その後、制御装置１１０（制御部１１１）は、内循環バルブ３３を開状態から閉状態へ遷移させる（時刻ｔ４）。この結果、循環経路が、内循環配管１９を経由する経路から各外循環配管１５を経由する経路に切り替わる。
【0117】
続いて、図７（ａ）～図７（ｃ）を参照して、本実施形態の基板処理装置１００及び基板処理方法の他例を説明する。図１～図５及び図６（ａ）～図６（ｄ）を参照して説明した実施形態において、基板処理装置１００は、内循環配管１９及び内循環バルブ３３を備えたが、内循環配管１９及び内循環バルブ３３は省略されてもよい。この場合、循環制御機構２８は、複数の外循環バルブ２９と、内循環バルブ３３とのうち、複数の外循環バルブ２９のみを含んでよい。
【0118】
図７（ａ）は、基板処理装置１００の動作の再開時における各外循環バルブ２９の動作の他例を示すタイミングチャートである。詳しくは、図７（ａ）は、処理液の循環を再開する際の各外循環バルブ２９の動作の他例を示すタイミングチャートである。図７（ｂ）及び図７（ｃ）はそれぞれ、基板処理装置１００の動作の再開時におけるポンプ吐出圧力及び気体供給圧力の他例を示すタイミングチャートである。図７（ｂ）及び図７（ｃ）に示すポンプ吐出圧力及び気体供給圧力のタイミングチャートは、図６（ｃ）及び図６（ｄ）に示すタイミングチャートと略同様である。なお、図７（ａ）～図７（ｃ）において、横軸は時刻ｔを示す。
【0119】
図７（ａ）～図７（ｃ）に示すように、内循環配管１９及び内循環バルブ３３が省略された構成では、制御装置１１０（制御部１１１）は、基板処理装置１００の動作の再開時に、各外循環バルブ２９を閉状態から開状態へ遷移させる（時刻ｔ１）。その後、制御装置１１０（制御部１１１）は、循環ポンプ２１の駆動を開始させる（時刻ｔ２）。そして、制御装置１１０（制御部１１１）は、ポンプ吐出圧力が目標吐出圧力ＴＴＰに到達すると（時刻ｔ３）、昇圧処理を終了する。
【0120】
以上、図１～図５、図６（ａ）～図６（ｄ）、及び図７（ａ）～図７（ｃ）を参照して、本発明の実施形態１を説明した。実施形態１によれば、処理液の循環を再開させる際にポンプ吐出圧力が徐々に増加する。よって、処理液の循環を再開させる際にフィルタ部２７（フィルタ膜２７ａ）に加わる圧力が徐々に増加する。したがって、処理液の循環を再開させる際にフィルタ部２７（フィルタ膜２７ａ）に大きな圧力が一気に加わることを回避できる。その結果、処理液の循環を再開させる際に、フィルタ部２７（フィルタ膜２７ａ）に捕捉されていた異物がフィルタ部２７から放出され難くなる。よって、処理液の循環再開時に基板Ｗに付着する異物が増加することを抑制することができる。
【0121】
［実施形態２］
続いて図３、図５及び図８（ａ）～図８（ｄ）を参照して本発明の実施形態２について説明する。但し、実施形態１と異なる事項を説明し、実施形態１と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態２は、実施形態１と異なり、昇圧処理の実行中に循環経路が切り替わる。
続いて図３、図５及び図８（ａ）～図８（ｄ）を参照して本発明の実施形態２について説明する。但し、実施形態１と異なる事項を説明し、実施形態１と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態２は、実施形態１と異なり、昇圧処理の実行中に循環経路が切り替わる。
【0122】
【0123】
本実施形態では、制御装置１１０（制御部１１１）は、昇圧処理によりポンプ吐出圧力を徐々に増加させている途中で循環制御機構２８を制御して、内循環配管１９を介した処理液の循環を停止させるとともに、各外循環配管１５を介した処理液の循環を開始させる。具体的には、制御装置１１０（制御部１１１）は、昇圧処理によりポンプ吐出圧力を徐々に増加させている途中で各外循環バルブ２９及び内循環バルブ３３を制御して、内循環配管１９における処理液の流通を停止させるとともに、各外循環配管１５における処理液の流通を開始させる。
【0124】
詳しくは、図５に示すステップＳ３において、制御装置１１０（制御部１１１）は、ポンプ吐出圧力を徐々に増加させている途中で、循環経路を内循環配管１９から外循環配管１５へ切り替えることを決定する（ステップＳ３のＹｅｓ）。この結果、制御装置１１０（制御部１１１）は、昇圧処理の途中で、第２バルブ制御を実行する（ステップＳ４）。具体的には、制御装置１１０（制御部１１１）は、昇圧処理によりポンプ吐出圧力を徐々に増加させている途中で、内循環バルブ３３を開状態から閉状態へ遷移させるとともに、各外循環バルブ２９を閉状態から開状態へ遷移させる。
【0125】
例えば、制御装置１１０（制御部１１１）は、ポンプ吐出圧力が、圧力ＭＴＰ以上であるか否かに基づいて、循環経路を内循環配管１９から外循環配管１５へ切り替えるか否かを決定してもよい。ここで、圧力ＭＴＰは、目標吐出圧力ＴＴＰよりも低い圧力値を示す。以下、圧力ＭＴＰを、「中間吐出圧力ＭＴＰ」と記載する場合がある。
【0126】
詳しくは、制御装置１１０（制御部１１１）は、気体供給圧力が、中間吐出圧力ＭＴＰに対応する圧力ＭＡＰ以上であるか否かに基づいて、循環経路を内循環配管１９から外循環配管１５へ切り替えるか否かを決定してもよい。以下、圧力ＭＡＰを、「中間供給圧力ＭＡＰ」と記載する場合がある。
【0127】
続いて、図３、図５、及び図８（ａ）～図８（ｄ）を参照して、本実施形態の基板処理装置１００及び基板処理方法を説明する。図８（ａ）及び図８（ｂ）はそれぞれ、基板処理装置１００の動作の再開時における内循環バルブ３３及び各外循環バルブ２９の動作を示すタイミングチャートである。詳しくは、図８（ａ）及び図８（ｂ）はそれぞれ、処理液の循環を再開する際の内循環バルブ３３及び各外循環バルブ２９の動作を示すタイミングチャートである。図８（ｃ）及び図８（ｄ）はそれぞれ、基板処理装置１００の動作の再開時におけるポンプ吐出圧力及び気体供給圧力を示すタイミングチャートである。詳しくは、図８（ｃ）及び図８（ｄ）はそれぞれ、処理液の循環を再開する際のポンプ吐出圧力及び気体供給圧力を示すタイミングチャートである。なお、図８（ａ）～図８（ｄ）において、横軸は時刻ｔを示す。また、図８（ｃ）において、縦軸はポンプ吐出圧力を示す。図８（ｄ）において、縦軸は気体供給圧力を示す。
【0128】
図８（ａ）～図８（ｄ）に示すように、制御装置１１０（制御部１１１）は、基板処理装置１００の動作の再開時に、内循環バルブ３３を閉状態から開状態へ遷移させる（時刻ｔ１１）。その後、制御装置１１０（制御部１１１）は、循環ポンプ２１の駆動を開始させる（時刻ｔ１２）。
【0129】
具体的には、制御装置１１０（制御部１１１）は、圧力調整弁５５を制御して、循環ポンプ２１への気体の供給を開始させる（時刻ｔ１２）。この結果、循環ポンプ２１による処理液の送液が開始されて（時刻ｔ１２）、内循環配管１９を介した処理液の循環が開始される。
【0130】
制御装置１１０（制御部１１１）は、ポンプ吐出圧力が中間吐出圧力ＭＴＰに到達すると（時刻ｔ１３）、各外循環バルブ２９を閉状態から開状態へ遷移させる（時刻１ｔ３）。その後、制御装置１１０（制御部１１１）は、内循環バルブ３３を開状態から閉状態へ遷移させる（時刻ｔ１４）。この結果、ポンプ吐出圧力が徐々に増加している途中（昇圧処理の途中）で、循環経路が、内循環配管１９を経由する経路から各外循環配管１５を経由する経路に切り替わる。例えば、制御装置１１０（制御部１１１）は、気体供給圧力が中間供給圧力ＭＡＰに到達すると、第２バルブ制御を実行して循環経路を切り替える。
【0131】
制御装置１１０（制御部１１１）は、ポンプ吐出圧力が目標吐出圧力ＴＴＰに到達すると（時刻ｔ１５）、昇圧処理を終了する。ポンプ吐出圧力が目標吐出圧力ＴＴＰに到達した後、ポンプ吐出圧力は目標吐出圧力ＴＴＰで維持される（時刻ｔ１５以降）。
【0132】
以上、図３、図５及び図８（ａ）～図８（ｄ）を参照して本発明の実施形態２を説明した。実施形態２によれば、実施形態１と同様に、処理液の循環再開時に基板Ｗに付着する異物が増加することを抑制することができる。更に、実施形態２によれば、昇圧処理の終了前に、温調器２５により加熱された処理液が各外循環配管１５を流通する。したがって、昇圧処理の終了後に処理液が各外循環配管１５を流通する構成と比べて、各外循環配管１５の温度をより早期に目標温度まで昇温することができる。また、昇圧処理の終了後に処理液が各外循環配管１５を流通する構成と比べて、処理液による各外循環配管１５の昇温をより早期に開始することができる。したがって、熱エネルギーの消費量を抑制することができる。ひいては、環境負荷を軽減することができる。
【0133】
［実施形態３］
続いて図３、図９及び図１０（ａ）～図１０（ｄ）を参照して本発明の実施形態３について説明する。但し、実施形態１、２と異なる事項を説明し、実施形態１、２と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態３は、実施形態１、２と異なり、昇圧処理を開始してから昇圧処理を終了するまでの期間が可変である。つまり、昇圧処理によりポンプ吐出圧力を徐々に増加させる期間が可変である。以下、昇圧処理を開始してから昇圧処理を終了するまでの期間を、「昇圧期間」と記載する場合がある。
続いて図３、図９及び図１０（ａ）～図１０（ｄ）を参照して本発明の実施形態３について説明する。但し、実施形態１、２と異なる事項を説明し、実施形態１、２と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態３は、実施形態１、２と異なり、昇圧処理を開始してから昇圧処理を終了するまでの期間が可変である。つまり、昇圧処理によりポンプ吐出圧力を徐々に増加させる期間が可変である。以下、昇圧処理を開始してから昇圧処理を終了するまでの期間を、「昇圧期間」と記載する場合がある。
【0134】
まず、図３及び図９を参照して、本実施形態の基板処理装置１００及び基板処理方法を説明する。本実施形態において、記憶部１１２は、履歴情報を記憶する。履歴情報は、フィルタ部２７の使用履歴に関する情報を示す。
【0135】
例えば、記憶部１１２は、フィルタ部２７の使用履歴（履歴情報）として、フィルタ部２７の使用開始から現在までの間に基板処理装置１００が処理した基板Ｗの枚数を記憶してもよい。具体的には、制御部１１１が、ロードポートＬＰから基板処理装置１００の内部に搬入された基板Ｗの枚数を計数して、その計数値（計数の結果）を記憶部１１２に記憶させてもよい。以下、フィルタ部２７の使用開始から現在までの間に基板処理装置１００が処理した基板Ｗの枚数を、「基板処理枚数」と記載する場合がある。
【0136】
あるいは、記憶部１１２は、フィルタ部２７の使用履歴（履歴情報）として、フィルタ部２７の使用開始から現在までの間にフィルタ部２７を通過した処理液の流量を記憶してもよい。具体的には、基板処理装置１００は、流入配管１３に設けられた流量計を更に備えてもよい。例えば、流量計は積算流量を測定してもよい。制御部１１１は、流量計の計測結果（積算流量）を記憶部１１２に記憶させる。以下、フィルタ部２７の使用開始から現在までの間にフィルタ部２７を通過した処理液の流量を、「処理液の総流量」と記載する場合がある。
【0137】
制御部１１１は、記憶部１１２に記憶されている履歴情報に基づいて、昇圧期間を調整する。具体的には、制御部１１１は、基板処理装置１００の動作の再開時（処理液の循環再開時）に、履歴情報に基づいて、昇圧期間を調整する。例えば、制御部１１１は、基板処理枚数が多いほど、昇圧期間をより長くする。あるいは、制御部１１１は、処理液の総流量が大きいほど、昇圧期間をより長くする。
【0138】
詳しくは、基板処理枚数が多いほど、フィルタ部２７（フィルタ膜２７ａ）に捕捉されている異物の数がより多くなる。同様に、処理液の総流量が大きいほど、フィルタ部２７（フィルタ膜２７ａ）に捕捉されている異物の数がより多くなる。一方、フィルタ部２７（フィルタ膜２７ａ）に一気に加わる圧力は、昇圧期間が短いほど、より大きくなる。したがって、フィルタ部２７（フィルタ膜２７ａ）に捕捉されている異物の数が多い状態の下で、昇圧期間を短くした場合、フィルタ部２７（フィルタ膜２７ａ）から放出される異物の数が増える可能性が高くなる。これに対し、フィルタ部２７（フィルタ膜２７ａ）に捕捉されている異物の数が多い状態であっても、昇圧期間をより長くすることで、フィルタ部２７から異物が放出され難くなる。
【0139】
具体的には、制御部１１１は、履歴情報に基づいて、昇圧処理の開始時に循環ポンプ２１に供給する気体の圧力（圧力ＳＡＰ）を調整する。換言すると、制御部１１１は、循環ポンプ２１への気体の供給を再開する際の気体供給圧力（圧力ＳＡＰ）を調整する。以下、昇圧処理の開始時に循環ポンプ２１に供給する気体の圧力（圧力ＳＡＰ）を、「初動供給圧力ＳＡＰ」と記載する場合がある。昇圧期間は、初動供給圧力ＳＡＰが小さいほど、より長くなる。
【0140】
図９は、本実施形態の基板処理方法の流れを示す図である。詳しくは、図９は、制御装置１１０（制御部１１１）が実行する処理の流れを示す。具体的には、図９は、処理液の循環を再開させる処理（循環再開工程）を示す。図９に示す処理（循環再開工程）は、基板処理装置１００の動作が再開されることによって開始する。図９に示す処理は、ステップＳ１１～ステップＳ１６を含む。
【0141】
図９に示すように、基板処理装置１００の動作が再開されると、制御部１１１は、記憶部１１２に記憶されている履歴情報を参照する（ステップＳ１１）。そして、制御部１１１は、履歴情報に基づいて昇圧期間を調整する（ステップＳ１２）。具体的には、制御部１１１は、履歴情報に基づいて初動供給圧力ＳＡＰを調整する。例えば、制御部１１１は、基板処理枚数が多いほど、初動供給圧力ＳＡＰの圧力値をより小さくする。同様に、制御部１１１は、処理液の総流量が大きいほど、初動供給圧力ＳＡＰの圧力値をより小さくする。
【0142】
制御部１１１により昇圧期間が調整された後、ステップＳ１３～ステップＳ１６の各処理が実行されて、図９に示す処理が終了する。なお、ステップＳ１３～ステップＳ１６の各処理は、図５を参照して説明したステップＳ１～ステップＳ４の各処理と略同様であるため、それらの説明は割愛する。
【0143】
続いて図３、図９及び図１０（ａ）～図１０（ｄ）を参照して、本実施形態の基板処理装置１００及び基板処理方法を説明する。図１０（ａ）及び図１０（ｂ）はそれぞれ、基板処理装置１００の動作の再開時における内循環バルブ３３及び各外循環バルブ２９の動作を示すタイミングチャートである。詳しくは、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）はそれぞれ、処理液の循環を再開する際の内循環バルブ３３及び各外循環バルブ２９の動作を示すタイミングチャートである。図１０（ｃ）及び図１０（ｄ）はそれぞれ、基板処理装置１００の動作の再開時におけるポンプ吐出圧力及び気体供給圧力を示すタイミングチャートである。詳しくは、図１０（ｃ）及び図１０（ｄ）はそれぞれ、処理液の循環を再開する際のポンプ吐出圧力及び気体供給圧力を示すタイミングチャートである。なお、図１０（ａ）～図１０（ｄ）において、横軸は時刻ｔを示す。図１０（ｃ）において、縦軸はポンプ吐出圧力を示す。図１０（ｄ）において、縦軸は気体供給圧力を示す。
【0144】
図１０（ｄ）において、第１初動供給圧力ＳＡＰ１は、基板処理装置１００の１回目の動作再開時における初動供給圧力ＳＡＰを示す。第２初動供給圧力ＳＡＰ２は、基板処理装置１００の２回目の動作再開時における初動供給圧力ＳＡＰを示す。
【0145】
図１０（ａ）～図１０（ｄ）に示すように、制御装置１１０（制御部１１１）は、基板処理装置１００の動作の再開時に、内循環バルブ３３を閉状態から開状態へ遷移させる（時刻ｔ２１）。その後、制御装置１１０（制御部１１１）は、循環ポンプ２１の駆動を開始させる（時刻ｔ２２）。この結果、循環ポンプ２１による処理液の送液が開始されて（時刻ｔ２２）、内循環配管１９を介した処理液の循環が開始される。
【0146】
具体的には、制御装置１１０（制御部１１１）は、基板処理装置１００の１回目の動作再開時に、履歴情報に基づいて、初動供給圧力ＳＡＰを第１初動供給圧力ＳＡＰ１に調整して、循環ポンプ２１への気体の供給を開始させる（時刻ｔ２２）。
【0147】
制御装置１１０（制御部１１１）は、ポンプ吐出圧力が目標吐出圧力ＴＴＰに到達すると（時刻ｔ２３）、昇圧処理を終了する。制御装置１１０（制御部１１１）は、昇圧処理を終了すると、各外循環バルブ２９を閉状態から開状態へ遷移させる（時刻ｔ２３）。その後、制御装置１１０（制御部１１１）は、内循環バルブ３３を開状態から閉状態へ遷移させる（時刻ｔ２４）。この結果、循環経路が、内循環配管１９を経由する経路から各外循環配管１５を経由する経路に切り替わる。
【0148】
一方、制御装置１１０（制御部１１１）は、基板処理装置１００の２回目の動作再開時に、履歴情報に基づいて、初動供給圧力ＳＡＰを第２初動供給圧力ＳＡＰ２に調整して、循環ポンプ２１への気体の供給を開始させる（時刻ｔ２２）。第２初動供給圧力ＳＡＰ２は、第１初動供給圧力ＳＡＰ１よりも低い圧力値を示す。
【0149】
初動供給圧力ＳＡＰを第２初動供給圧力ＳＡＰ２に調整した結果、ポンプ吐出圧力が目標吐出圧力ＴＴＰに到達する時刻が、時刻ｔ２３から時刻ｔ２５に遅延する。したがって、基板処理装置１００の２回目の動作再開時における昇圧期間（時刻ｔ２１～時刻ｔ２５）は、基板処理装置１００の１回目の動作再開時における昇圧期間（時刻ｔ２１～時刻ｔ２３）よりも長くなる。
【0150】
制御装置１１０（制御部１１１）は、ポンプ吐出圧力が目標吐出圧力ＴＴＰに到達すると（時刻ｔ２５）、昇圧処理を終了する。制御装置１１０（制御部１１１）は、昇圧処理を終了すると、各外循環バルブ２９を閉状態から開状態へ遷移させる（時刻ｔ２５）。その後、制御装置１１０（制御部１１１）は、内循環バルブ３３を開状態から閉状態へ遷移させる（時刻ｔ２６）。
【0151】
以上、図３、図９及び図１０（ａ）～図１０（ｄ）を参照して本発明の実施形態３を説明した。実施形態３によれば、実施形態１、２と同様に、処理液の循環再開時に基板Ｗに付着する異物が増加することを抑制することができる。更に、実施形態３によれば、フィルタ部２７（フィルタ膜２７ａ）の使用履歴に応じて昇圧期間を調整することができる。したがって、処理液の循環再開時に基板Ｗに付着する異物が増加することをより抑制することができる。
【0152】
［実施形態４］
続いて図１１、図１２、図１３（ａ）～図１３（ｄ）、図１４（ａ）～図１４（ｄ）、及び図１５を参照して本発明の実施形態４について説明する。但し、実施形態１～３と異なる事項を説明し、実施形態１～３と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態４は、実施形態１～３と異なり、昇圧処理の実行前に排液処理が実行される。
続いて図１１、図１２、図１３（ａ）～図１３（ｄ）、図１４（ａ）～図１４（ｄ）、及び図１５を参照して本発明の実施形態４について説明する。但し、実施形態１～３と異なる事項を説明し、実施形態１～３と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態４は、実施形態１～３と異なり、昇圧処理の実行前に排液処理が実行される。
【0153】
図１１は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる流体キャビネット１０１の構成を示す図である。図１１に示すように、基板処理装置１００は、排液機構９と、循環規制バルブ８１とを更に備える。排液機構９は、流体キャビネット１０１に収容される。排液機構９は、流入配管１３から処理液を排出させる。具体的には、排液機構９は、排液配管９１と、排液タンク９２と、排液バルブ９３とを有する。
【0154】
排液配管９１は、処理液が流通する管状の部材である。排液配管９１は、処理液を排出する。本実施形態において、排液配管９１は、流入配管１３から処理液を排出する。具体的には、排液配管９１は、流入配管１３から排液タンク９２まで処理液を流通させる。換言すると、排液配管９１は、排液タンク９２に処理液を排出する。
【0155】
より詳しくは、排液配管９１は、フィルタ膜２７ａを通過した処理液を排出する。本実施形態では、排液配管９１の上流端はフィルタ部２７に接続し、排液配管９１の下流端は排液タンク９２に接続する。具体的には、排液配管９１の上流端はフィルタ部２７の二次側に接続する。ここで、フィルタ部２７の二次側は、フィルタ膜２７ａよりも下流側の部分を示す。なお、フィルタ部２７の一次側は、フィルタ膜２７ａよりも上流側の部分を示す。
【0156】
排液バルブ９３は、排液配管９１に配置されて、排液配管９１における処理液の流通開始と流通停止とを制御する。詳しくは、排液バルブ９３は開閉可能な開閉弁である。排液バルブ９３が開くと、排液配管９１を処理液が流通して、排液タンク９２に処理液が排出される。排液バルブ９３が閉じると、排液配管９１における処理液の流通が停止する。その結果、流入配管１３からの処理液の排出が停止する。排液バルブ９３の開閉動作は、制御装置１１０（制御部１１１）によって制御される。
【0157】
本実施形態において、循環制御機構２８は、複数の外循環バルブ２９と、内循環バルブ３３とに加えて、循環規制バルブ８１を更に含む。循環規制バルブ８１は、流入配管１３に設けられる。具体的には、循環規制バルブ８１は、フィルタ部２７と第２接続箇所Ｐ２との間に配置される。なお、本実施形態において、循環制御機構２８は、複数の外循環バルブ２９と、内循環バルブ３３と、循環規制バルブ８１とを含むが、循環制御機構２８は、実施形態１～３と同様に、複数の外循環バルブ２９と、内循環バルブ３３と、循環規制バルブ８１とのうち、複数の外循環バルブ２９、及び内循環バルブ３３のみを含んでもよい。
【0158】
循環規制バルブ８１は、複数の外循環配管１５への処理液の流入と、内循環配管１９への処理液の流入とを規制する。詳しくは、循環規制バルブ８１は開閉可能な開閉弁である。循環規制バルブ８１が閉じることにより、複数の外循環配管１５への処理液の流入と、内循環配管１９への処理液の流入とが規制される。循環規制バルブ８１が開くことにより、複数の外循環配管１５及び内循環配管１９への処理液の流入の規制が解除される。循環規制バルブ８１の開閉動作は、制御装置１１０（制御部１１１）によって制御される。
【0159】
制御装置１１０（制御部１１１）は、循環制御機構２８（複数の外循環バルブ２９、内循環バルブ３３、及び循環規制バルブ８１）と、ポンプ吐出圧力と、排液バルブ９３とを制御して、排液処理と、循環開始処理と、昇圧処理とを実行する。本実施形態では、制御装置１１０（制御部１１１）は、圧力調整弁５５を制御して、ポンプ吐出圧力を制御する。
【0160】
詳しくは、排液処理は、循環ポンプ２１の駆動開始時に、圧力調整弁５５を制御してポンプ吐出圧力を第１目標吐出圧力ＴＴＰ１（第１圧力）まで増加させるとともに、循環制御機構２８（複数の外循環バルブ２９、内循環バルブ３３、及び循環規制バルブ８１）と排液バルブ９３とのうちの少なくとも排液バルブ９３を制御して、排液配管９１から処理液を排出させる処理を含む。例えば、循環ポンプ２１の駆動開始時に循環規制バルブ８１が開状態である場合、制御装置１１０（制御部１１１）は、循環ポンプ２１の駆動開始時に、循環規制バルブ８１を開状態から閉状態へ遷移させるとともに、排液バルブ９３を閉状態から開状態へ遷移させる。この結果、排液配管９１を介して排液タンク９２に処理液が排出される。なお、排液処理では、ポンプ吐出圧力は第１目標吐出圧力ＴＴＰ１（第１圧力）まで一気に増加する。
【0161】
なお、第１目標吐出圧力ＴＴＰ１は、基板Ｗを処理する際に循環ポンプ２１が処理液を吐出する圧力より大きい圧力であってもよい。あるいは、第１目標吐出圧力ＴＴＰ１は、基板Ｗを処理する際に循環ポンプ２１が処理液を吐出する圧力と等しい圧力であってもよい。以下、基板Ｗを処理する際に循環ポンプ２１が処理液を吐出する圧力を、「通常使用圧力」と記載する場合がある。
【0162】
制御装置１１０（制御部１１１）は、排液配管９１から処理液を排出させたことに応じて、ポンプ吐出圧力を第１目標吐出圧力ＴＴＰ１（第１圧力）よりも低い圧力ＳＴＰ（第２圧力）まで低下させる。換言すると、制御装置１１０（制御部１１１）は、排出処理の実行後、圧力調整弁５５を制御してポンプ吐出圧力を圧力ＳＴＰ（第２圧力）まで低下させる。なお、圧力ＳＴＰ（第２圧力）は、処理液の循環再開時におけるポンプ吐出圧力を示す。以下、圧力ＳＴＰ（第２圧力）を、「循環開始圧力ＳＴＰ」と記載する場合がある。
【0163】
制御装置１１０（制御部１１１）は、ポンプ吐出圧力を第１目標吐出圧力ＴＴＰ１（第１圧力）から循環開始圧力ＳＴＰ（第２圧力）まで低下させたことに応じて、循環開始処理と昇圧処理とを実行する。本実施形態において、循環開始処理は、循環制御機構２８（複数の外循環バルブ２９、内循環バルブ３３、及び循環規制バルブ８１）と、排液バルブ９３とを制御して、排液配管９１からの処理液の排出を停止させるとともに、内循環配管１９を介した処理液の循環を開始させる処理を含む。
【0164】
具体的には、制御装置１１０（制御部１１１）は、循環規制バルブ８１を閉状態から開状態へ遷移させる。その後、制御装置１１０（制御部１１１）は、内循環バルブ３３を閉状態から開状態へ遷移させる。この結果、排液配管９１を介した処理液の排出が停止し、内循環配管１９を介した処理液の循環が開始する。
【0165】
昇圧処理は、実施形態１～３と同様に、ポンプ吐出圧力を循環開始圧力ＳＴＰ（第２圧力）より大きい第２目標吐出圧力ＴＴＰ２（第３圧力）まで徐々に増加させる処理を示す。ここで、第２目標吐出圧力ＴＴＰ２は、基板Ｗを処理する際に循環ポンプ２１が処理液を吐出する圧力（通常使用圧力）を示す。
【0166】
なお、第１目標吐出圧力ＴＴＰ１が通常使用圧力よりも大きい圧力である場合、第１目標吐出圧力ＴＴＰ１は、流入配管１３、各外循環配管１５、及び内循環配管１９に設けられる部材又は機器のうち最も耐圧値が低い部材又は機器の耐圧値以下の圧力値を示す。例えば、最も耐圧値が低い部材又は機器が温調器２５である場合、第１目標吐出圧力ＴＴＰ１は、通常使用圧力よりも大きく、且つ温調器２５の耐圧値以下の圧力値を示す。
【0167】
図１２は、本実施形態の基板処理方法の流れを示す図である。詳しくは、図１２は、制御装置１１０（制御部１１１）が実行する処理の流れを示す。具体的には、図１２は、処理液の循環を再開させる処理（循環再開工程）を示す。図１２に示す処理（循環再開工程）は、基板処理装置１００の動作が再開されることにより開始する。
【0168】
図１２に示すように、基板処理装置１００の動作が再開されると、制御装置１１０（制御部１１１）は、排液バルブ９３を閉状態から開状態へ遷移させる（ステップＳ２１）。その後、制御装置１１０（制御部１１１）は、循環制御機構２８を制御して、複数の外循環配管１５を介した処理液の循環と、内循環配管１９を介した処理液の循環とを規制する。本実施形態では、制御装置１１０（制御部１１１）は、循環規制バルブ８１を開状態から閉状態へ遷移させて、内循環配管１９への処理液の流入と、各外循環配管１５への処理液の流入とを規制する（ステップＳ２２）。
【0169】
制御装置１１０（制御部１１１）は、循環規制バルブ８１を開状態から閉状態へ遷移させた後、循環ポンプ２１の駆動を開始させる（ステップＳ２３）。具体的には、制御装置１１０（制御部１１１）は、圧力調整弁５５を制御して、循環ポンプ２１への気体の供給を開始して、ポンプ吐出圧力を第１目標吐出圧力ＴＴＰ１まで一気に増加させる。
【0170】
制御装置１１０（制御部１１１）は、循環ポンプ２１の駆動を開始させた後、循環ポンプ２１の駆動が開始してから所定時間（第１所定時間）が経過したか否かを判定する（ステップＳ２４）。ここで、所定時間は、予め定められた一定の期間（時間）を示す。第１所定時間は、例えば、３０秒又は６０秒である。
【0171】
制御装置１１０（制御部１１１）は、循環ポンプ２１の駆動が開始してから所定時間（第１所定時間）が経過していないと判定した場合（ステップＳ２４のＮｏ）、ステップＳ２４の処理を繰り返す。換言すると、制御装置１１０（制御部１１１）は、循環ポンプ２１の駆動が開始してから所定時間（第１所定時間）が経過するまで、ポンプ吐出圧力を第１目標吐出圧力ＴＴＰ１に保持させる。
【0172】
制御装置１１０（制御部１１１）は、循環ポンプ２１の駆動が開始してから所定時間（第１所定時間）が経過したと判定した場合（ステップＳ２４のＹｅｓ）、圧力調整弁５５を制御して、ポンプ吐出圧力を第１目標吐出圧力ＴＴＰ１から循環開始圧力ＳＴＰまで低下させる（ステップＳ２５）。
【0173】
制御装置１１０（制御部１１１）は、ポンプ吐出圧力を循環開始圧力ＳＴＰまで低下させた後、第１バルブ制御を実行する（ステップＳ２６）。本実施形態において、第１バルブ制御は、循環制御機構２８（複数の外循環バルブ２９、内循環バルブ３３、及び循環規制バルブ８１）と、排液バルブ９３とを制御して、内循環配管１９を介した処理液の循環を開始させる処理を含む。具体的には、制御装置１１０（制御部１１１）は、循環規制バルブ８１及び内循環バルブ３３を閉状態から開状態へ遷移させるとともに、排液バルブ９３を開状態から閉状態へ遷移させる。
【0174】
制御装置１１０（制御部１１１）は、第１バルブ制御の実行後、昇圧処理を実行する。具体的には、制御装置１１０（制御部１１１）は、圧力調整弁５５を制御して、ポンプ吐出圧力を循環開始圧力ＳＴＰから第２目標吐出圧力ＴＴＰ２まで徐々に増加させる（ステップＳ２７）。
【0175】
制御装置１１０（制御部１１１）は、昇圧処理を開始した後、循環経路を内循環配管１９から外循環配管１５へ切り替えるか否かを決定する（ステップＳ２８）。なお、ステップＳ２８の処理は、図５に示すステップＳ３の処理と略同様であるため、詳しい説明は割愛する。
【0176】
制御装置１１０（制御部１１１）は、循環経路を内循環配管１９から外循環配管１５へ切り替えることを決定した場合（ステップＳ２８のＹｅｓ）、第２バルブ制御を実行する（ステップＳ２９）。この結果、図１２に示す処理が終了する。なお、ステップＳ２９の処理は、図５に示すステップＳ４の処理と略同様であるため、詳しい説明は割愛する。
【0177】
図１３（ａ）～図１３（ｃ）はそれぞれ、基板処理装置１００の動作の再開時における排液バルブ９３、内循環バルブ３３、及び各外循環バルブ２９の動作を示すタイミングチャートである。詳しくは、図１３（ａ）～図１３（ｃ）はそれぞれ、処理液の循環を再開する際の排液バルブ９３、内循環バルブ３３、及び各外循環バルブ２９の動作を示すタイミングチャートである。図１３（ｄ）は、基板処理装置１００の動作の再開時におけるポンプ吐出圧力を示すタイミングチャートである。詳しくは、図１３（ｄ）は、処理液の循環を再開する際のポンプ吐出圧力を示すタイミングチャートである。なお、図１３（ａ）～図１３（ｄ）において、横軸は時刻ｔを示す。また、図１３（ｄ）において、縦軸はポンプ吐出圧力を示す。
【0178】
図１３（ａ）～図１３（ｄ）に示すように、制御装置１１０（制御部１１１）は、基板処理装置１００の動作の再開時に、排液処理を実行する。具体的には、制御装置１１０（制御部１１１）は、循環規制バルブ８１を開状態から閉状態へ遷移させるとともに、排液バルブ９３を閉状態から開状態へ遷移させる（時刻ｔ３１）。その後、制御装置１１０（制御部１１１）は、循環ポンプ２１の駆動を開始させる（時刻ｔ３２）。この結果、流入配管１３から排液配管９１を介して排液タンク９２に処理液が排出される。なお、排液処理の実行時に、制御装置１１０（制御部１１１）は、圧力調整弁５５を制御して、ポンプ吐出圧力を第１目標吐出圧力ＴＴＰ１まで一気に増加させる。
【0179】
制御装置１１０（制御部１１１）は、排液処理を開始してから所定時間（第１所定時間）が経過すると、圧力調整弁５５を制御して、ポンプ吐出圧力を第１目標吐出圧力ＴＴＰ１から循環開始圧力ＳＴＰまで低下させる（時刻ｔ３３）。
【0180】
制御装置１１０（制御部１１１）は、ポンプ吐出圧力を循環開始圧力ＳＴＰまで低下させた後、循環規制バルブ８１を閉状態から開状態へ遷移させるとともに、内循環バルブ３３を閉状態から開状態へ遷移させる（時刻ｔ３４）。その後、制御装置１１０（制御部１１１）は、排液バルブ９３を開状態から閉状態へ遷移させる（時刻ｔ３５）。この結果、排液配管９１を介した処理液の排出が停止し、内循環配管１９を介した処理液の循環が開始する。
【0181】
制御装置１１０（制御部１１１）は、排液バルブ９３を開状態から閉状態へ遷移させた後、昇圧処理を開始する（時刻ｔ３６）。その結果、ポンプ吐出圧力が徐々に増加する（時刻ｔ３６～時刻ｔ３７）。換言すると、昇圧処理により、ポンプ吐出圧力がスロープ状に増加する。
【0182】
制御装置１１０（制御部１１１）は、ポンプ吐出圧力が第２目標吐出圧力ＴＴＰ２に到達すると（時刻ｔ３７）、昇圧処理を終了する。ポンプ吐出圧力が第２目標吐出圧力ＴＴＰ２に到達した後、ポンプ吐出圧は第２目標吐出圧力ＴＴＰ２で維持される（時刻ｔ３７以降）。制御装置１１０（制御部１１１）は、昇圧処理を終了すると、各外循環バルブ２９を閉状態から開状態へ遷移させる（時刻ｔ３７）。その後、制御装置１１０（制御部１１１）は、内循環バルブ３３を開状態から閉状態へ遷移させる（時刻ｔ３８）。この結果、循環経路が、内循環配管１９を経由する経路から各外循環配管１５を経由する経路に切り替わる。
【0183】
なお、循環開始圧力ＳＴＰは、循環ポンプ２１の駆動が停止している状態での圧力を含む。つまり、制御装置１１０（制御部１１１）は、排出処理の実行後、圧力調整弁５５を制御して、循環ポンプ２１への気体の供給を停止させてもよい。この場合、循環開始圧力ＳＴＰの値は「０」であってもよい。
【0184】
図１１、図１２及び図１３（ａ）～図１３（ｄ）を参照して説明した実施形態によれば、循環ポンプ２１の駆動開始時に、通常使用圧力（基板Ｗを処理する際に循環ポンプ２１が処理液を吐出する圧力）以上の圧力（第１目標吐出圧力ＴＴＰ１）をフィルタ膜２７ａに加えつつ、フィルタ膜２７ａを通過した処理液を排液配管９１から排出することができる。よって、処理液の循環を再開する前にフィルタ膜２７ａから異物を放出させつつ、その放出された異物を処理液と共に排出することができる。したがって、処理液の循環を再開する前に、フィルタ膜２７ａに捕捉されている異物の数を減少させることができる。したがって、処理液の循環再開時に基板Ｗに付着する異物が増加することを抑制することができる。更に、図１１、図１２及び図１３（ａ）～図１３（ｄ）を参照して説明した実施形態によれば、排液処理の実行後、実施形態１～３と同様に、ポンプ吐出圧力を第２目標吐出圧力ＴＴＰ２まで徐々に増加させることができる。したがって、処理液の循環再開時に基板Ｗに付着する異物が増加することを更に抑制することができる。
【0185】
また、図１１、図１２及び図１３（ａ）～図１３（ｄ）を参照して説明した実施形態によれば、第１目標吐出圧力ＴＴＰ１を通常使用圧力よりも大きい圧力にすることができる。したがって、フィルタ膜２７ａから、より多くの異物を放出させることができる。
【0186】
なお、図１１、図１２、及び図１３（ａ）～図１３（ｄ）を参照して説明したように、処理液の循環を再開する前に、フィルタ膜２７ａに捕捉されている異物の数を減少させた場合、昇圧処理においてポンプ吐出圧力を第２目標吐出圧力ＴＴＰ２まで段階的に増加させても、処理液の循環再開時に基板Ｗに付着する異物が増加することを抑制することができる。
【0187】
続いて、図１４（ａ）～図１４（ｄ）を参照して本実施形態の基板処理装置１００及び基板処理方法の他例（他例１）を説明する。図１１、図１２及び図１３（ａ）～図１３（ｄ）を参照して説明した実施形態において、昇圧処理は、ポンプ吐出圧力を第２目標吐出圧力ＴＴＰ２まで徐々に（スロープ状に）増加させる処理であったが、昇圧処理は、ポンプ吐出圧力を第２目標吐出圧力ＴＴＰ２まで段階的に増加させる処理であってもよい。
【0188】
図１４（ａ）～図１４（ｃ）はそれぞれ、基板処理装置１００の動作の再開時における排液バルブ９３、内循環バルブ３３、及び各外循環バルブ２９の動作の他例（他例１）を示すタイミングチャートである。詳しくは、図１４（ａ）～図１４（ｃ）はそれぞれ、処理液の循環を再開する際の排液バルブ９３、内循環バルブ３３、及び各外循環バルブ２９の動作の他例（他例１）を示すタイミングチャートである。図１４（ｄ）は、基板処理装置１００の動作の再開時におけるポンプ吐出圧力の他例（他例１）を示すタイミングチャートである。詳しくは、図１４（ｄ）は、処理液の循環を再開する際のポンプ吐出圧力の他例（他例１）を示すタイミングチャートである。なお、図１４（ａ）～図１４（ｄ）において、横軸は時刻ｔを示す。また、図１４（ｄ）において、縦軸はポンプ吐出圧力を示す。
【0189】
図１４（ａ）～図１４（ｄ）において、時刻ｔ４１～時刻ｔ４５の各時刻における排液バルブ９３、内循環バルブ３３、及び各外循環バルブ２９の動作、ならびに循環ポンプ２１の動作（ポンプ吐出圧力）は、図１３（ａ）～図１３（ｄ）に示す時刻ｔ３１～時刻ｔ３５の各時刻における排液バルブ９３、内循環バルブ３３、及び各外循環バルブ２９の動作、ならびに循環ポンプ２１の動作（ポンプ吐出圧力）と略同様であるため、それらの説明は割愛する。
【0190】
【0191】
具体的には、制御装置１１０（制御部１１１）は、昇圧処理を開始すると、圧力調整弁５５を制御して、ポンプ吐出圧力を循環開始圧力ＳＴＰから圧力ＸＴＰまで一気に増加させる（時刻ｔ４６）。ここで、圧力ＸＴＰは、循環開始圧力ＳＴＰよりも大きく、且つ第２目標吐出圧力ＴＴＰ２よりも小さい圧力値を示す。
【0192】
制御装置１１０（制御部１１１）は、ポンプ吐出圧力を圧力ＸＴＰまで増加させてから所定時間（第２所定時間）が経過すると、圧力調整弁５５を制御して、ポンプ吐出圧力を圧力ＸＴＰから第２目標吐出圧力ＴＴＰ２まで一気に増加させる（時刻ｔ４７）。
【0193】
制御装置１１０（制御部１１１）は、ポンプ吐出圧力を第２目標吐出圧力ＴＴＰ２まで増加させてから所定時間（第３所定時間）が経過すると、各外循環バルブ２９を閉状態から開状態へ遷移させる（時刻ｔ４８）。その後、制御装置１１０（制御部１１１）は、内循環バルブ３３を開状態から閉状態へ遷移させる（時刻ｔ４９）。この結果、循環経路が、内循環配管１９を経由する経路から各外循環配管１５を経由する経路に切り替わる。
【0194】
なお、図１４（ａ）～図１４（ｄ）を参照して説明した実施形態では、昇圧処理時にポンプ吐出圧力が２段階で第２目標吐出圧力ＴＴＰ２まで昇圧されたが、ポンプ吐出圧力は、昇圧処理時に３段階以上で第２目標吐出圧力ＴＴＰ２まで昇圧されてもよい。
【0195】
図１４（ａ）～図１４（ｄ）を参照して説明した実施形態によれば、図１１、図１２及び図１３（ａ）～図１３（ｄ）を参照して説明した実施形態と同様に、処理液の循環を再開する前にフィルタ膜２７ａから異物を放出させつつ、その放出された異物を処理液と共に排出することができる。よって、処理液の循環を再開する前に、フィルタ膜２７ａに捕捉されている異物の数を減少させることができる。したがって、処理液の循環再開時に基板Ｗに付着する異物が増加することを抑制することができる。
【0196】
続いて、図１５を参照して、本実施形態の基板処理装置１００の他例２を説明する。図１５は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる流体キャビネット１０１の構成の他例（他例２）を示す図である。図１１を参照して説明した構成では、排液配管９１の上流端はフィルタ部２７に接続されたが、排液配管９１の上流端は、フィルタ膜２７ａを通過した処理液を排出でき位置であれば、流入配管１３に接続されてもよい。つまり、排液配管９１の上流端は、フィルタ部２７よりも下流側において流入配管１３に接続されてもよい。
【0197】
例えば、排液配管９１は、第１接続箇所Ｐ１よりも上流側において流入配管１３に接続されてもよいし、第２接続箇所Ｐ２よりも上流側において流入配管１３に接続されてもよい。あるいは、図１５に示すように、排液配管９１は、循環規制バルブ８１よりも上流側において流入配管１３に接続されてもよい。具体的には、排液配管９１は、フィルタ部２７と循環規制バルブ８１との間において流入配管１３に接続されてもよい。
【0198】
なお、図１１～図１５を参照して説明した実施形態では、昇圧処理の終了後に循環経路が内循環配管１９を経由する経路から各外循環配管１５を経由する経路に切り替わったが、図８（ａ）～図８（ｄ）を参照して説明したように、昇圧処理の途中で循環経路を切り替えてもよい。
【0199】
【0200】
また、図１１～図１５を参照して説明した実施形態では、循環ポンプ２１は、気体の圧力により駆動するポンプであったが、循環ポンプ２１は、気体の圧力により駆動するポンプに限定されない。例えば、循環ポンプ２１は、電流により駆動するポンプであってもよい。あるいは、循環ポンプ２１は、回転体を含むポンプであってもよい。具体的には、循環ポンプ２１は、レビトロポンプであってもよい。
【0201】
また、図１１～図１５を参照して説明した実施形態において、基板処理装置１００は、内循環配管１９及び内循環バルブ３３を備えたが、内循環配管１９及び内循環バルブ３３は省略されてもよい。内循環配管１９及び内循環バルブ３３が省略される場合、循環開始処理により外循環配管１５を介した処理液の循環が開始する。
【0202】
以上、図面（図１～図１５）を参照して本発明の実施形態について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、又は、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。
【0203】
図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。
【0204】
例えば、図１～図１５を参照して説明した実施形態において、基板処理装置１００はパルスダンパー２３を備えたが、循環ポンプ２１として処理液に脈動を発生させないポンプが使用される場合、パルスダンパー２３は省略されてもよい。
【0205】
【0206】
【産業上の利用可能性】
【0207】
本発明は、基板を処理する装置、及び基板を処理する方法に有用である。
【符号の説明】
【0208】
１１ ：処理液タンク（処理液貯留部）
１３ ：流入配管
１５ ：外循環配管
１９ ：内循環配管
２１ ：循環ポンプ
２７ ：フィルタ部
２７ａ ：フィルタ膜
２８ ：循環制御機構
５５ ：圧力調整弁
９１ ：排液配管
９３ ：排液バルブ
１００ ：基板処理装置
１１０ ：制御装置
１１１ ：制御部
１１２ ：記憶部
Ｐ１ ：第１接続箇所
Ｐ２ ：第２接続箇所
ＳＡＰ ：初動供給圧力
ＳＡＰ１ ：第１初動供給圧力
ＳＡＰ２ ：第２初動供給圧力
ＳＴＰ ：循環開始圧力
ＴＡＰ ：目標供給圧力
ＴＴＰ ：目標吐出圧力
ＴＴＰ１ ：第１目標吐出圧力
ＴＴＰ２ ：第２目標吐出圧力
Ｗ ：基板
１３ ：流入配管
１５ ：外循環配管
１９ ：内循環配管
２１ ：循環ポンプ
２７ ：フィルタ部
２７ａ ：フィルタ膜
２８ ：循環制御機構
５５ ：圧力調整弁
９１ ：排液配管
９３ ：排液バルブ
１００ ：基板処理装置
１１０ ：制御装置
１１１ ：制御部
１１２ ：記憶部
Ｐ１ ：第１接続箇所
Ｐ２ ：第２接続箇所
ＳＡＰ ：初動供給圧力
ＳＡＰ１ ：第１初動供給圧力
ＳＡＰ２ ：第２初動供給圧力
ＳＴＰ ：循環開始圧力
ＴＡＰ ：目標供給圧力
ＴＴＰ ：目標吐出圧力
ＴＴＰ１ ：第１目標吐出圧力
ＴＴＰ２ ：第２目標吐出圧力
Ｗ ：基板
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】