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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2025007233
(43)【公開日】2025-01-17
(54)【発明の名称】基板処理方法および基板処理装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20250109BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 643A
H01L21/304 643Z
【審査請求】未請求
【請求項の数】12
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023108501
(22)【出願日】2023-06-30
(71)【出願人】
【識別番号】000207551
【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス
(74)【代理人】
【識別番号】100088672
【弁理士】
【氏名又は名称】吉竹 英俊
(74)【代理人】
【識別番号】100088845
【弁理士】
【氏名又は名称】有田 貴弘
(72)【発明者】
【氏名】張 松
(72)【発明者】
【氏名】樋口 鮎美
(72)【発明者】
【氏名】岩▲崎▼ 晃久
(72)【発明者】
【氏名】況 晨
【テーマコード（参考）】
5F157
【Ｆターム（参考）】
5F157AA62
5F157AA73
5F157AA79
5F157AB02
5F157AB14
5F157AB33
5F157AB49
5F157AB90
5F157BB23
5F157BB33
5F157BB42
5F157BG13
5F157BG85
5F157CB02
5F157CB13
5F157CB15
5F157CC11
5F157CF02
5F157CF14
5F157CF32
5F157CF92
(57)【要約】
【課題】基板の上面の異物を取り込む保持層を形成するための処理液に含まれていた溶質が、基板へ供給される処理液とは別途に基板へ到達する事象を低減する。
【解決手段】基板処理方法は、第１の工程、第２の工程、第３の工程を備える。第１の工程は固化または硬化によって保持層を形成する処理液を、第１の基板の上面である第１の上面に供給する工程と、第１の上面に供給された処理液の一部を、第１の基板を回転させて第１の上面から外方へ飛散させる工程と、第１の上面に残置する処理液の固化または硬化によって、第１の上面に保持層を形成する工程とを有する。第２の工程は、第１の上面の保持層を除去する。第３の工程は、ガードの面を洗浄する洗浄液を、第２の基板の上面である第２の上面に供給する工程と、第２の基板を回転させて洗浄液を第２の上面からガードの面へ飛散させる工程とを有する。
【選択図】図４
【解決手段】基板処理方法は、第１の工程、第２の工程、第３の工程を備える。第１の工程は固化または硬化によって保持層を形成する処理液を、第１の基板の上面である第１の上面に供給する工程と、第１の上面に供給された処理液の一部を、第１の基板を回転させて第１の上面から外方へ飛散させる工程と、第１の上面に残置する処理液の固化または硬化によって、第１の上面に保持層を形成する工程とを有する。第２の工程は、第１の上面の保持層を除去する。第３の工程は、ガードの面を洗浄する洗浄液を、第２の基板の上面である第２の上面に供給する工程と、第２の基板を回転させて洗浄液を第２の上面からガードの面へ飛散させる工程とを有する。
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
鉛直な回転軸線を中心として、上面を有する基板を回転させる回転装置と、
前記回転軸線に沿って見て前記回転装置を囲み、前記回転装置側に面を有する第１のガードと
を備える基板処理装置において、
前記基板の前記上面の上の異物を取り込む保持層を前記上面に形成し、前記保持層と共に前記異物を除去する処理を行う方法であって、
溶質と溶媒とを含み、固化または硬化によって前記保持層を形成する処理液を、第１の前記基板の前記上面である第１の前記上面に供給する工程と、
前記第１の前記上面に供給された前記処理液の一部を、前記第１の前記基板を回転させて前記第１の前記上面から外方へ飛散させる工程と、
前記第１の前記上面に残置する前記処理液の前記固化または前記硬化によって、前記第１の前記上面に前記保持層を形成する工程と
を有する第１の工程と、
前記第１の前記上面の前記保持層を除去する第２の工程と、
前記面を洗浄する洗浄液を、第２の前記基板の前記上面である第２の前記上面に供給する工程と、
前記第２の前記基板を回転させて前記洗浄液を前記第２の前記上面から前記面へ飛散させる工程と
を有する第３の工程と
を備える、基板処理方法。
前記回転軸線に沿って見て前記回転装置を囲み、前記回転装置側に面を有する第１のガードと
を備える基板処理装置において、
前記基板の前記上面の上の異物を取り込む保持層を前記上面に形成し、前記保持層と共に前記異物を除去する処理を行う方法であって、
溶質と溶媒とを含み、固化または硬化によって前記保持層を形成する処理液を、第１の前記基板の前記上面である第１の前記上面に供給する工程と、
前記第１の前記上面に供給された前記処理液の一部を、前記第１の前記基板を回転させて前記第１の前記上面から外方へ飛散させる工程と、
前記第１の前記上面に残置する前記処理液の前記固化または前記硬化によって、前記第１の前記上面に前記保持層を形成する工程と
を有する第１の工程と、
前記第１の前記上面の前記保持層を除去する第２の工程と、
前記面を洗浄する洗浄液を、第２の前記基板の前記上面である第２の前記上面に供給する工程と、
前記第２の前記基板を回転させて前記洗浄液を前記第２の前記上面から前記面へ飛散させる工程と
を有する第３の工程と
を備える、基板処理方法。
【請求項2】
前記基板処理装置は
前記回転軸線に沿って見て前記第１のガードを囲む第２のガード
を更に備え、
前記第１のガードは、上位置と、前記上位置よりも下方の下位置とのいずれにも配置され得て、
前記第１のガードが前記上位置に配置されるときには、前記回転装置が前記基板を保持する保持位置から前記回転軸線に対して垂直な方向に沿って見て、前記保持位置と前記第２のガードとの間に前記第１のガードがあり、
前記第１のガードが前記下位置に配置されるときには、前記方向に沿って見て、前記保持位置と前記第２のガードとの間に前記第１のガードがなく、
前記第１の工程が実行されるときには前記第１のガードが前記上位置に配置され、前記第２の工程が実行されるときには前記第１のガードが前記下位置に配置され、前記第３の工程が実行されるときには前記第１のガードが前記上位置に配置される、請求項１に記載の基板処理方法。
前記回転軸線に沿って見て前記第１のガードを囲む第２のガード
を更に備え、
前記第１のガードは、上位置と、前記上位置よりも下方の下位置とのいずれにも配置され得て、
前記第１のガードが前記上位置に配置されるときには、前記回転装置が前記基板を保持する保持位置から前記回転軸線に対して垂直な方向に沿って見て、前記保持位置と前記第２のガードとの間に前記第１のガードがあり、
前記第１のガードが前記下位置に配置されるときには、前記方向に沿って見て、前記保持位置と前記第２のガードとの間に前記第１のガードがなく、
前記第１の工程が実行されるときには前記第１のガードが前記上位置に配置され、前記第２の工程が実行されるときには前記第１のガードが前記下位置に配置され、前記第３の工程が実行されるときには前記第１のガードが前記上位置に配置される、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項3】
前記第３の工程は前記第１の工程と前記第２の工程の後に実行され、
前記第２の前記基板は前記第１の前記基板である、請求項１または請求項２に記載の基板処理方法。
前記第２の前記基板は前記第１の前記基板である、請求項１または請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項4】
前記第３の工程は前記第１の工程と前記第２の工程の前に実行され、
前記第２の前記基板と前記第１の前記基板とは異なる、請求項１または請求項２に記載の基板処理方法。
前記第２の前記基板と前記第１の前記基板とは異なる、請求項１または請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項5】
前記第２の工程は、
前記第１の前記上面の前記保持層を剥離液を用いて剥離する工程と、
前記保持層が剥離された後の前記第１の前記上面における残渣を残渣除去液を用いて除去する工程と
を有し、
前記洗浄液には前記残渣除去液が用いられる、請求項１に記載の基板処理方法。
前記第１の前記上面の前記保持層を剥離液を用いて剥離する工程と、
前記保持層が剥離された後の前記第１の前記上面における残渣を残渣除去液を用いて除去する工程と
を有し、
前記洗浄液には前記残渣除去液が用いられる、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項6】
前記第３の工程において、前記第２の前記基板を回転させて前記洗浄液を前記第２の前記上面から前記面へ飛散させる際、もしくは飛散させた後に、前記第２の前記上面の前記洗浄液を乾燥させる、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項7】
鉛直な回転軸線を中心として、上面を有する基板を回転させる回転装置と、
前記回転軸線に沿って見て前記回転装置を囲み、前記回転装置側に面を有する第１のガードと、
前記回転軸線に沿って見て前記第１のガードを囲む第２のガードと、
前記回転装置の上方に配置され、処理液を下方へ吐出する処理液吐出ノズルと、
前記回転装置の上方に配置され、剥離液を下方へ吐出する剥離液吐出ノズルと、
前記回転装置の上方に配置され、洗浄液を下方へ吐出する洗浄液吐出ノズルと、
を備え、
前記剥離液は、第１の基板の前記上面である第１の前記上面に形成された保持層を剥離し、
前記保持層は、前記第１の前記上面において前記処理液が固化または硬化して前記第１の前記上面に形成され、前記第１の前記上面の上の異物を取り込み、
前記処理液は溶質と溶媒とを含み、
前記処理液吐出ノズルが前記処理液を吐出して前記第１の前記上面に供給し、前記第１の前記上面から前記処理液が飛散する速度で前記回転装置が前記第１の前記基板を回転させるときには、前記第１のガードは上位置に位置し、
前記剥離液吐出ノズルが前記剥離液を吐出して前記第１の前記上面に供給し、前記第１の前記上面から前記剥離液が飛散する速度で前記回転装置が前記第１の前記基板を回転させるときには、前記第１のガードは前記上位置よりも下方の下位置に位置し、
前記洗浄液吐出ノズルが前記洗浄液を吐出して第２の前記基板の前記上面である第２の前記上面に供給し、前記第２の前記上面から前記洗浄液が飛散する速度で前記回転装置が前記第２の前記基板を回転させるときには、前記第１のガードは前記上位置に位置し、
前記第１のガードが前記上位置に位置するときには、前記回転装置が前記基板を保持する保持位置から前記回転軸線に対して垂直な方向に沿って見て、前記保持位置と前記第２のガードとの間に前記第１のガードがあり、
前記第１のガードが前記下位置に位置するときには、前記方向に沿って見て、前記保持位置と前記第２のガードとの間に前記第１のガードがなく、
前記洗浄液は、前記第１のガードの前記回転装置側の面に付着した前記溶質を除去する成分を有する、基板処理装置。
前記回転軸線に沿って見て前記回転装置を囲み、前記回転装置側に面を有する第１のガードと、
前記回転軸線に沿って見て前記第１のガードを囲む第２のガードと、
前記回転装置の上方に配置され、処理液を下方へ吐出する処理液吐出ノズルと、
前記回転装置の上方に配置され、剥離液を下方へ吐出する剥離液吐出ノズルと、
前記回転装置の上方に配置され、洗浄液を下方へ吐出する洗浄液吐出ノズルと、
を備え、
前記剥離液は、第１の基板の前記上面である第１の前記上面に形成された保持層を剥離し、
前記保持層は、前記第１の前記上面において前記処理液が固化または硬化して前記第１の前記上面に形成され、前記第１の前記上面の上の異物を取り込み、
前記処理液は溶質と溶媒とを含み、
前記処理液吐出ノズルが前記処理液を吐出して前記第１の前記上面に供給し、前記第１の前記上面から前記処理液が飛散する速度で前記回転装置が前記第１の前記基板を回転させるときには、前記第１のガードは上位置に位置し、
前記剥離液吐出ノズルが前記剥離液を吐出して前記第１の前記上面に供給し、前記第１の前記上面から前記剥離液が飛散する速度で前記回転装置が前記第１の前記基板を回転させるときには、前記第１のガードは前記上位置よりも下方の下位置に位置し、
前記洗浄液吐出ノズルが前記洗浄液を吐出して第２の前記基板の前記上面である第２の前記上面に供給し、前記第２の前記上面から前記洗浄液が飛散する速度で前記回転装置が前記第２の前記基板を回転させるときには、前記第１のガードは前記上位置に位置し、
前記第１のガードが前記上位置に位置するときには、前記回転装置が前記基板を保持する保持位置から前記回転軸線に対して垂直な方向に沿って見て、前記保持位置と前記第２のガードとの間に前記第１のガードがあり、
前記第１のガードが前記下位置に位置するときには、前記方向に沿って見て、前記保持位置と前記第２のガードとの間に前記第１のガードがなく、
前記洗浄液は、前記第１のガードの前記回転装置側の面に付着した前記溶質を除去する成分を有する、基板処理装置。
【請求項8】
前記回転装置による前記基板の回転と、前記第１のガードの位置と、前記第２のガードの位置と、前記処理液吐出ノズルからの前記処理液の吐出と、前記剥離液吐出ノズルからの前記剥離液の吐出と、前記洗浄液吐出ノズルからの前記洗浄液の吐出と、を制御する制御装置を更に備える、請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項9】
前記第２の前記基板は前記第１の前記基板である、請求項７または請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項10】
前記第２の前記基板と前記第１の前記基板とは異なる、請求項７または請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項11】
前記第１の前記上面に形成された前記保持層が剥離された後に前記第１の前記上面における残渣を除去する残渣除去液を下方へ吐出する残渣除去液吐出ノズル
を備える、請求項７に記載の基板処理装置。
を備える、請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項12】
前記洗浄液には前記残渣除去液が用いられ、前記残渣除去液吐出ノズルは前記洗浄液吐出ノズルと兼用される、請求項１１に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示にかかる方法および装置のいずれも、基板を処理の対象とする技術に関する。当該基板として、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、有機ＥＬ（electroluminescence）表示装置に利用されるflat panel display（ＦＰＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用ガラス基板、セラミック基板、電界放出ディスプレイ（field emission display（ＦＥＤ））用基板、太陽電池用基板が例示される。
【背景技術】
【0002】
基板に対して種々の処理を適切に行うために、当該処理の前に当該基板が洗浄される。当該洗浄として、当該処理の前に実行された他の処理で使用された薬液の除去、当該薬液の除去の対象となる有機物の残渣の除去、パーティクルと通称される異物の除去が例示される。
【0003】
基板に形成されるパターンの微細化および複雑化が進むほど、除去の対象となるパーティクルの下限も小さくなる。このように微小なパーティクルを除去する手法として、基板の上面にパーティクルを保持する層（以下「保持層」と仮称される）を一旦形成し、パーティクルと共に保持層を剥離する方法が提案されている。
【0004】
例えば特許文献１には、保持層と類似する機能を有する処理膜を形成し、当該処理膜を剥離し、更に、残渣物を除去する工程が例示される。例えば当該処理膜は、基板を回転させつつ基板へ処理液を供給し、遠心力によって当該処理液が基板に広げて液膜を形成し、基板上の液膜が固化または硬化されることによって形成される。処理膜は、剥離液によって基板から剥離される。剥離液によって処理膜が排除された後に基板に残る処理膜の残渣は、有機溶剤によって溶解されて除去される。
【0005】
特許文献１は、基板から外方へ飛散する液体を受ける第１のガードと第２のガードとを開示する。これらのガードはそれぞれの上位置と下位置との間で別々に昇降する。第１のガードは基板を回転させるスピンベースを囲み、第２のガードに囲まれる。特許文献１においては、基板へ処理液が供給されるときについても、剥離液が供給されるときについても、有機溶剤が供給されるときについても、これらのガードの位置については特定されていない。
【0006】
特許文献２は、特許文献１において先行技術文献として開示された。特許文献２において、保持層と類似する機能を有するパーティクル保持層を開示する。パーティクル保持層は、処理液の固化または硬化によって基板の上面に形成される。パーティクル保持層は剥離液によって剥離され、パーティクル保持層が除去された後に基板に残る残渣は残渣除去によって除去される。
【0007】
特許文献２も特許文献１と同様の第１のガードと第２のガードとを開示する。基板へ処理液が供給されるとき、剥離液が供給されるとき、残渣除去液が供給されるとき、のいずれにおいても、これらのガードのいずれもが、それぞれの上位置に配置される。この配置においては、基板から外方へ飛散する処理液、剥離液、残渣除去液のいずれもが、第１のガードによって受け止められる。
【0008】
特許文献３には、実施の形態の変形において説明される技術に関する開示がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0009】
【特許文献1】特開２０２１－１５３１３９号公報
【特許文献2】特開２０１９－６２１７１号公報
【特許文献3】特開２０１５－３５４７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
特許文献２においては、第１のガードが下位置へと移動し、基板へ気体が供給されてスピンドライが行われる場合が例示される。残渣除去液はスピンドライの際に、第２のガードに受け止められるかもしれない。
【0011】
しかし、処理液、剥離液、残渣除去液のいずれもが、第１のガードによって受け止められるので、第１のガードには処理液に含まれ、あるいはパーティクル保持層に残存していた溶質が付着する。パーティクル保持層によってパーティクルを除去する処理（以下「パーティクル除去処理」とも仮称される）は複数回行われることが想定される。先行するパーティクル除去処理において第１のガードに付着した溶質は、後行するパーティクル除去処理において基板に処理液を供給する際に、剥離して基板へ到達する事象の発生が想定される。
【0012】
当該事象は、特許文献１にいう処理膜、特許文献２にいうパーティクル保持層が、パーティクルを基板から除去する能力を低下させる懸念がある。例えば第１のガードから剥離した溶質が付着した基板に対して処理液が供給されると、処理液から形成される保持層と基板との密着性が阻害される可能性が高まると考えられるからである。
【0013】
当該可能性が高まる原因の一つとして、例えば、基板に供給される処理液は。それ自身にもともと溶解していた溶質（以下「溶解済み溶質」とも仮称される：但し本明細書では分散していた溶質も含む）に加え、第１のガードから剥離して基板に付着した溶質（以下「剥離溶質」とも仮称される）をも含んで、固化または硬化して保持層となることが推察される。剥離溶質は処理液に溶解も分散もしていなかったので、溶解済み溶質と比較して大きな粒径を有する。よって溶解済み溶質のみならず剥離溶質をも含んだ処理液から得られる保持層は、剥離溶質を含まない場合に得られる保持層と比較して、特に基板と接触する側において平坦性が悪い。基板と接触する側において保持層の平坦性が悪いことは、保持層と基板との密着性も悪いことを招き、保持層が基板上のパーティクルを保持して基板から除去する能力を損ないやすい。
【0014】
特許文献２は処理液の加熱を例示し、特許文献１は処理液の加熱が不要である場合を例示する。しかし上記事象は、処理液に対する加熱の有無に依らずに発生すると推察される。
【0015】
本開示にかかる技術は、上記事象の発生の想定に鑑みてなされたものであり、保持層を形成するための処理液に含まれていた溶質が、基板へ供給される処理液とは別途に基板へ到達する事象を低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0016】
本開示にかかる基板処理方法は、鉛直な回転軸線を中心として、上面を有する基板を回転させる回転装置と、前記回転軸線に沿って見て前記回転装置を囲み、前記回転装置側に面を有する第１のガードとを備える基板処理装置において、前記基板の前記上面の上の異物を取り込む保持層を前記上面に形成し、前記保持層と共に前記異物を除去する処理を行う方法である。
【0017】
本開示にかかる基板処理方法の第１の態様は、第１の工程と、第２の工程と、第３の工程とを備える。前記第１の工程は：溶質と溶媒とを含み、固化または硬化によって前記保持層を形成する処理液を、第１の前記基板の前記上面である第１の前記上面に供給する工程と；前記第１の前記上面に供給された前記処理液の一部を、前記第１の前記基板を回転させて前記第１の前記上面から外方へ飛散させる工程と；前記第１の前記上面に残置する前記処理液の前記固化または前記硬化によって、前記第１の前記上面に前記保持層を形成する工程とを有する。前記第２の工程は、前記第１の前記上面の前記保持層を除去する工程である。前記第３の工程は：前記面を洗浄する洗浄液を、第２の前記基板の前記上面である第２の前記上面に供給する工程と；前記第２の前記基板を回転させて前記洗浄液を前記第２の前記上面から前記面へ飛散させる工程とを有する。
【0018】
本開示にかかる基板処理方法の第２の態様は、その第１の態様であって、前記基板処理装置は前記回転軸線に沿って見て前記第１のガードを囲む第２のガードを更に備える。前記第１のガードは、上位置と、前記上位置よりも下方の下位置とのいずれにも配置され得る。前記第１のガードが前記上位置に配置されるときには、前記回転装置が前記基板を保持する保持位置から前記回転軸線に対して垂直な方向に沿って見て、前記保持位置と前記第２のガードとの間に前記第１のガードがある。前記第１のガードが前記下位置に配置されるときには、前記方向に沿って見て、前記保持位置と前記第２のガードとの間に前記第１のガードがない。前記第１の工程が実行されるときには前記第１のガードが前記上位置に配置される。前記第２の工程が実行されるときには前記第１のガードが前記下位置に配置される。前記第３の工程が実行されるときには前記第１のガードが前記上位置に配置される。
【0019】
本開示にかかる基板処理方法の第３の態様は、その第１の態様または第２の態様であって、前記第３の工程は前記第１の工程と前記第２の工程の後に実行され、前記第２の前記基板は前記第１の前記基板である。
【0020】
本開示にかかる基板処理方法の第４の態様は、その第１の態様または第２の態様であって、前記第３の工程は前記第１の工程と前記第２の工程の前に実行され、前記第２の前記基板と前記第１の前記基板とは異なる。
【0021】
本開示にかかる基板処理方法の第５の態様は、その第１の態様から第４の態様のいずれかであって、前記第２の工程は：前記第１の前記上面の前記保持層を剥離液を用いて剥離する工程と；前記保持層が剥離された後の前記第１の前記上面における残渣を残渣除去液を用いて除去する工程とを有する。前記洗浄液には前記残渣除去液が用いられる。
【0022】
本開示にかかる基板処理方法の第６の態様は、その第１の態様から第５の態様のいずれかであって、前記第３の工程において、前記第２の前記基板を回転させて前記洗浄液を前記第２の前記上面から前記面へ飛散させる際、もしくは飛散させた後に、前記第２の前記上面の前記洗浄液を乾燥させる。
【0023】
本開示にかかる基板処理装置は、鉛直な回転軸線を中心として、上面を有する基板を回転させる回転装置と、前記回転軸線に沿って見て前記回転装置を囲み、前記回転装置側に面を有する第１のガードと、前記回転軸線に沿って見て前記第１のガードを囲む第２のガードと、前記回転装置の上方に配置され、処理液を下方へ吐出する処理液吐出ノズルと、前記回転装置の上方に配置され、剥離液を下方へ吐出する剥離液吐出ノズルと、前記回転装置の上方に配置され、洗浄液を下方へ吐出する洗浄液吐出ノズルとを備える。
【0024】
前記剥離液は、第１の基板の前記上面である第１の前記上面に形成された保持層を剥離する。前記保持層は、前記第１の前記上面において前記処理液が固化または硬化して前記第１の前記上面に形成され、前記第１の前記上面の上の異物を取り込む。前記処理液は溶質と溶媒とを含む。
【0025】
本開示にかかる基板処理装置の第１の態様では、前記処理液吐出ノズルが前記処理液を吐出して前記第１の前記上面に供給し、前記第１の前記上面から前記処理液が飛散する速度で前記回転装置が前記第１の前記基板を回転させるときには、前記第１のガードは上位置に位置する。前記剥離液吐出ノズルが前記剥離液を吐出して前記第１の前記上面に供給し、前記第１の前記上面から前記剥離液が飛散する速度で前記回転装置が前記第１の前記基板を回転させるときには、前記第１のガードは、前記上位置よりも下方の下位置に位置する。前記洗浄液吐出ノズルが前記洗浄液を吐出して第２の前記基板の前記上面である第２の前記上面に供給し、前記第２の前記上面から前記洗浄液が飛散する速度で前記回転装置が前記第２の前記基板を回転させるときには、前記第１のガードは前記上位置に位置する。
【0026】
前記第１のガードが前記上位置に位置するときには、前記回転装置が前記基板を保持する保持位置から前記回転軸線に対して垂直な方向に沿って見て、前記保持位置と前記第２のガードとの間に前記第１のガードがある。前記第１のガードが前記下位置に位置するときには、前記方向に沿って見て、前記保持位置と前記第２のガードとの間に前記第１のガードがない。前記洗浄液は、前記第１のガードの前記回転装置側の面に付着した前記溶質を除去する成分を有する。
【0027】
本開示にかかる基板処理装置の第２の態様は、その第１の態様であって、前記回転装置による前記基板の回転と、前記第１のガードの位置と、前記第２のガードの位置と、前記処理液吐出ノズルからの前記処理液の吐出と、前記剥離液吐出ノズルからの前記剥離液の吐出と、前記洗浄液吐出ノズルからの前記洗浄液の吐出と、を制御する制御装置を更に備える。
【0028】
本開示にかかる基板処理装置の第３の態様は、その第１の態様または第２の態様であって、前記第２の前記基板は前記第１の前記基板である。
【0029】
本開示にかかる基板処理装置の第４の態様は、その第１の態様または第２の態様であって、前記第２の前記基板と前記第１の前記基板とは異なる。
【0030】
本開示にかかる基板処理装置の第５の態様は、その第１の態様から第４の態様のいずれかであって、前記第１の前記上面に形成された前記保持層が剥離された後に前記第１の前記上面における残渣を除去する残渣除去液を下方へ吐出する残渣除去液吐出ノズルを備える。
【0031】
本開示にかかる基板処理装置の第６の態様は、その第５の態様であって、前記洗浄液には前記残渣除去液が用いられ、前記残渣除去液吐出ノズルは前記洗浄液吐出ノズルと兼用される。
【発明の効果】
【0032】
本開示にかかる基板処理方法の第１の態様、第３の態様、第４の態様のいずれによっても、保持層を形成するための処理液に含まれていた溶質が、基板へ供給される処理液とは別途に基板へ到達する事象を低減する。
【0033】
本開示にかかる基板処理方法の第２の態様によれば、第１の工程において、第２のガードの付着物に由来する上面の汚染が抑制され、保持層が異物を取り込む能力の低減が抑制される。
【0034】
本開示にかかる基板処理方法の第５の態様によれば、洗浄液を吐出するノズルを残渣除去液吐出ノズルとは別個に設ける必要がなく、基板処理装置を製造するコストが低減される。
【0035】
本開示にかかる基板処理方法の第６の態様は、上面の清浄に資する。
【0036】
本開示にかかる基板処理装置の第１の態様、第３の態様、第４の態様のいずれによっても、保持層を形成するための処理液に含まれていた溶質が、基板へ供給される処理液とは別途に基板へ到達する事象を低減する。
【0037】
本開示にかかる基板処理装置の第２の態様は、基板の回転と、第１のガードおよび第２のガードの配置と、処理液の吐出と、剥離液の吐出と、洗浄液の吐出との協働に資する。
【0038】
本開示にかかる基板処理方法の第５の態様によれば、上面に形成された保持層が剥離された後に上面における残渣が除去される。
【0039】
本開示にかかる基板処理方法の第６の態様によれば、洗浄液を吐出するノズルを残渣除去液吐出ノズルとは別個に設ける必要がなく、基板処理装置を製造するコストが低減される。
【図面の簡単な説明】
【0040】
【図1】基板処理装置の構成の一例を概略的に示す平面図である。
【図2】チャンバーの構成を模式的に例示する側面図である。
【図3】基板処理装置の主要な制御系統を例示するブロック図である。
【図4】チャンバーにおいて基板を洗浄する工程を例示するフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【0041】
以下、添付の図面を参照しながら、本開示の各実施形態が説明される。各実施形態に記載されている構成要素はあくまでも例示であり、本開示の範囲が例示のみに限定される趣旨ではない。図面は、あくまでも模式的に示されたものである。図面においては、容易に理解が可能となるように、必要に応じて各部の寸法および数が誇張または簡略化されて図示されている場合がある。図面においては、同様な構成および機能を有する部分に対して同じ符号が付されており、重複した説明が適宜省略されている。
【0042】
本明細書では、相対的または絶対的な位置関係を示す表現（例えば「平行」「直交」「中心」）は、特に断らない限り、その位置関係を厳密に表すのみならず、公差も含む状態を表すとともに、同程度の機能が得られる範囲で相対的に角度または距離に関して変位された状態も表す。２つ以上のものが等しい状態であることを示す表現（例えば「同一」「等しい」「均質」）は、特に断らない限り、定量的に厳密に等しい状態を表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる差が存在する状態も表す。
【0043】
形状を示す表現（例えば「四角形状」または「円筒形状」等）は、特に断らない限り、幾何学的に厳密に形状を表すのみならず、同程度の効果が得られる範囲で、例えば凹凸または面取り等を有する形状も表すものとする。
【0044】
１つの構成要素を「備える」「具える」「具備する」「含む」または「有する」という表現は、他の構成要素の存在を除外する排他的表現ではない。
【0045】
「連結」という表現は、特に断らない限り、２つの要素が接している状態のほか、２つの要素が他の要素を挟んで離れている状態も含む表現である。
【0046】
図１は、基板処理装置１の構成の一例を概略的に示す平面図である。基板処理装置１は、処理対象である基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の処理装置である。例えば基板Ｗは略円板状の半導体基板である。
【0047】
基板Ｗは必ずしも半導体基板に限らない。例えば、基板Ｗには、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板および光磁気ディスク用基板などの各種基板が適用可能である。また基板の形状も円板形状に限らず、例えば矩形の板状形状など種々の形状を採用できる。
【0048】
＜１．基板処理装置１の構成＞
基板処理装置１は、ロードポート１０５と、インデクサセクション１０３と、処理セクション１０２と、受け渡しセクション１０４と、搬送セクション１０６と、制御装置１０７とを備える。制御装置１０７は、制御装置１０７の外の基板処理装置１の構成要素の動作を統合的に制御する。
基板処理装置１は、ロードポート１０５と、インデクサセクション１０３と、処理セクション１０２と、受け渡しセクション１０４と、搬送セクション１０６と、制御装置１０７とを備える。制御装置１０７は、制御装置１０７の外の基板処理装置１の構成要素の動作を統合的に制御する。
【0049】
処理セクション１０２は複数の、例えば４個のタワー２０を有する。平面視上、４個のタワー２０は搬送セクション１０６の周囲に配置される。タワー２０の各々は、平面視に対して垂直に積層された複数の、例えば３個のチャンバー２を有する。チャンバー２は基板Ｗに対して処理を行う処理室として機能する。
【0050】
ロードポート１０５には、複数の、例えば４個のキャリアＣが搬入される。キャリアＣとしては、基板Ｗを密閉空間に収納するＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッド、または、基板Ｗを外気にさらすＯＣ（Open Cassette）が採用されてもよい。
【0051】
基板処理装置１は、インデクサロボット１０９を備える。インデクサロボット１０９はインデクサセクション１０３において主としてキャリアＣが並ぶ方向に沿って移動する（図１の矢印Ｆ１参照）。インデクサロボット１０９はインデクサセクション１０３と受け渡しセクション１０４との間を移動する（図１の矢印Ｆ２参照）。インデクサロボット１０９は基板Ｗを保持する機能を有する。インデクサロボット１０９はインデクサセクション１０３においてキャリアＣとの間で基板Ｗを搬送する。
【0052】
基板処理装置１は、搬送ロボット１０８を備える。搬送ロボット１０８は基板Ｗを保持する機能を有する。搬送ロボット１０８は受け渡しセクション１０４と搬送セクション１０６との間を移動する（図１の矢印Ｆ３参照）。
【0053】
搬送ロボット１０８は受け渡しセクション１０４においてインデクサロボット１０９との間で基板Ｗを搬送する。インデクサロボット１０９は受け渡しセクション１０４において搬送ロボット１０８との間で基板Ｗを搬送する。
【0054】
搬送ロボット１０８は搬送セクション１０６とチャンバー２の各々との間で移動する（図１の矢印Ｆ４参照）。搬送ロボット１０８はチャンバー２の各々との間で基板Ｗを授受する。
【0055】
搬送ロボット１０８は、インデクサロボット１０９から基板Ｗを受け取り、いずれかのチャンバー２内に搬入する。搬送ロボット１０８は、チャンバー２から処理済みの基板Ｗを搬出してインデクサロボット１０９に渡す。
【0056】
＜２．チャンバー２の構成＞
図２は、チャンバー２の構成を模式的に例示する側面図である。チャンバー２は、スピンチャック４と、処理液吐出ノズル５と、剥離液吐出ノズル６と、処理カップ４０と、対向部材５０と、気体吐出ノズル６０と、リンス液吐出ノズル６５と、残渣除去液吐出ノズル７とを有する。
図２は、チャンバー２の構成を模式的に例示する側面図である。チャンバー２は、スピンチャック４と、処理液吐出ノズル５と、剥離液吐出ノズル６と、処理カップ４０と、対向部材５０と、気体吐出ノズル６０と、リンス液吐出ノズル６５と、残渣除去液吐出ノズル７とを有する。
【0057】
スピンチャック４は、処理の対象となる一枚の基板Ｗを水平な姿勢で保持する機能と、鉛直な回転軸線Ａ１まわりに回転する機能とを有する。スピンチャック４に保持された基板Ｗは、スピンチャック４の回転により、回転軸線Ａ１を中心として回転する。例えば基板Ｗは、その中心が回転軸線Ａ１上に位置する状態で、スピンチャック４によって水平に保持される。スピンチャック４は、処理対象である基板Ｗを回転軸線Ａ１を中心として回転させる回転装置として機能する。
【0058】
スピンチャック４は、チャックピン８と、スピンベース９と、回転軸１０と、スピンモータ１１とを含む。スピンモータ１１は回転軸１０を回転軸線Ａ１を中心として回転させる機能を有する。回転軸１０は、回転軸線Ａ１に沿って鉛直方向に延び、例えば中空の軸である。回転軸１０の上端は、スピンベース９の下面の中央に結合されている。
【0059】
スピンベース９は、水平方向に沿う円盤形状を有している。チャックピン８は、スピンベース９の上面９ａの周縁部に、周方向に間隔を空けて複数個が配置されている。チャックピン８は、スピンベース９の上方に基板Ｗを把持したり、基板Ｗの把持を解除したりする。
【0060】
チャックピン８はスピンベース９の上方に固定され、スピンベース９の上方で基板Ｗを保持する、スピンチャック４の端部として機能する。チャックピン８の上端の位置８ａは、スピンチャック４が基板Ｗを保持する保持位置の例と考えられ得る。
【0061】
チャックピン８が基板Ｗを把持し、スピンモータ１１が回転軸１０に回転力を与え、スピンベース９が回転することによって、当該基板Ｗは回転軸線Ａ１を中心として回転する。
【0062】
処理液吐出ノズル５はスピンチャック４の上方に配置される。処理液吐出ノズル５は処理液を下方へ吐出する機能を有する。基板Ｗがスピンチャック４によって保持され、かつ後述されるように処理液吐出ノズル５が基板Ｗと対向する位置にある場合には、当該機能によって、処理液吐出ノズル５は基板Ｗの上面Ｗａに処理液を供給する機能を有するといえる。当該処理液は、後に詳述されるが、溶質および揮発性を有する溶媒を含み、固化または硬化して保持層となる。
【0063】
剥離液吐出ノズル６はスピンチャック４の上方に配置される。剥離液吐出ノズル６は剥離液を下方へ吐出する機能を有する。基板Ｗがスピンチャック４によって保持され、かつ後述されるように剥離液吐出ノズル６が基板Ｗの上面Ｗａと対向する位置にある場合には、当該機能によって、剥離液吐出ノズル６は上面Ｗａに剥離液を供給する機能を有するといえる。当該剥離液は、後に詳述されるが、保持層を基板Ｗから剥離する。
【0064】
処理液吐出ノズル５はノズル移動機構１２によって移動される。ノズル移動機構１２は処理液吐出ノズル５を、例えば中央位置と退避位置との間で水平方向、例えば回転軸線Ａ１に垂直な方向に沿って移動させる。ノズル移動機構１２は、たとえばチャンバー２に備えられる。
【0065】
処理液吐出ノズル５についての中央位置は、例えば平面視上で回転軸線Ａ１と一致する。処理液吐出ノズル５が中央位置にあり、かつ基板Ｗがスピンチャック４に保持されて回転するとき、処理液吐出ノズル５は例えば上面Ｗａについての回転中心に対向する。
【0066】
退避位置にある処理液吐出ノズル５は、基板Ｗがスピンチャック４に保持されるときに、上面Ｗａとは対向しない。例えば退避位置は、平面視上でスピンベース９の外方にある。
【0067】
処理液吐出ノズル５には処理液供給管１３が接続されている。処理液供給管１３にはバルブ１４が設けられる。処理液供給管１３にはバルブ１４に関して処理液吐出ノズル５とは反対側から、不図示の機構によって処理液が供給される。バルブ１４は、処理液供給管１３を流れる処理液の流量の調節を行い、典型的には処理液供給管１３の流路を開閉する。バルブ１４は、たとえばチャンバー２に備えられる。
【0068】
剥離液吐出ノズル６はノズル移動機構１５によって移動される。ノズル移動機構１５は剥離液吐出ノズル６を、例えば中央位置と退避位置との間で水平方向、例えば回転軸線Ａ１に垂直な方向に沿って移動させる。ノズル移動機構１５は、たとえばチャンバー２に備えられる。
【0069】
剥離液吐出ノズル６についての中央位置は、例えば平面視上で回転軸線Ａ１と一致する。剥離液吐出ノズル６が中央位置にあり、かつ基板Ｗがスピンチャック４に保持されて回転するとき、剥離液吐出ノズル６は例えば上面Ｗａについての回転中心に対向する。
【0070】
退避位置にある剥離液吐出ノズル６は、基板Ｗがスピンチャック４に保持されるときに、上面Ｗａとは対向しない。例えば剥離液吐出ノズル６の退避位置は、平面視上でスピンベース９の外方にあり、かつ処理液吐出ノズル５の退避位置とは異なる。
【0071】
剥離液吐出ノズル６には剥離液供給管１６が接続されている。剥離液供給管１６にはバルブ１７が設けられる。剥離液供給管１６にはバルブ１７に関して剥離液吐出ノズル６とは反対側から、不図示の機構によって剥離液が供給される。バルブ１７は、剥離液供給管１６を流れる処理液の流量の調節を行い、典型的には剥離液供給管１６の流路を開閉する。バルブ１７は、たとえばチャンバー２に備えられる。
【0072】
処理カップ４０は、ガード４１，４２と、カップ４５，４６と、外壁部材４３とを含む。ガード４１，４２は、スピンチャック４に保持された基板Ｗ（より具体的には上面Ｗａ）から外方に飛散する液体を受け止める機能を有する。カップ４５は、ガード４１によって下方に案内された液体を受ける。カップ４６は、ガード４２によって下方に案内された液体を受ける。カップ４５，４６が受けた液体は、例えば、公知の回収機構（不図示）によって回収され、再利用に供せられてもよい。かかる再利用は処理液、剥離液の他、後述される残渣除去液、リンス液の使用量を低減することに寄与する。かかる使用量の低減は、低コスト化に寄与する。
【0073】
ガード４１はスピンチャック４の外方を囲み、例えば筒状を呈する。ガード４１は回転軸線Ａ１に沿って見て、スピンチャック４を囲む。ガード４２はガード４１の外方を囲み、例えば筒状を呈する。ガード４２は回転軸線Ａ１に沿って見て、ガード４１を囲む。
【0074】
カップ４５はガード４１よりもスピンチャック４側においてスピンチャック４の外方を囲み、上向きに開放する溝状を呈する。カップ４６はガード４１よりもスピンチャック４とは反対側においてガード４１の外方を囲み、ガード４２の下方において上向きに開放する溝状を呈する。例えばカップ４５，４６はガード４１と連結される。
【0075】
ガード４１，４２はガード昇降機構４４によって、それぞれ別々に昇降される。ガード昇降機構４４は、ガード４１を上位置と、当該上位置よりも下方の下位置との間で昇降させる。ガード４１はその上位置および下位置のいずれにも配置され得る。ガード昇降機構４４は、ガード４２を上位置と、当該上位置よりも下方の下位置との間で昇降させる。ガード４２はその上位置および下位置のいずれにも配置され得る。ガード昇降機構４４は、例えばチャンバー２に備えられる。
【0076】
ガード４２がその下位置にあるとき、ガード４１もその下位置にあり、かつガード４１，４２のそれぞれの上端は、保持位置たる位置８ａよりも下方にある。このようなガード４１，４２の下位置の設定は、基板Ｗのスピンチャック４からの着脱に資する。
【0077】
ガード４２がその上位置にあるとき、ガード４１はその上位置から下位置のいずれにも位置し得る。例えばガード４１，４２がそれぞれの上位置にあって、スピンチャック４に保持された基板Ｗの上面Ｗａから外方へ液体が飛散するとき、飛散した液体は主としてガード４１によって受け止められる。例えばガード４２がその上位置にあって、ガード４１がその下位置にあって、スピンチャック４に保持された基板Ｗの上面Ｗａから外方へ液体が飛散するとき、飛散した液体は主としてガード４２によって受け止められる。
【0078】
ガード昇降機構４４は、例えば、ガード４１に取り付けられたボールねじ機構およびこれに駆動力を与えるモータ（いずれも不図示）と、ガード４２に取り付けられたボールねじ機構およびこれに駆動力を与えるモータと（いずれも不図示）とを用いて実現される。
【0079】
外壁部材４３は、ガード４１，４２、カップ４５，４６をそれらの外方から囲み、例えば円筒状を呈する。
【0080】
対向部材５０はスピンチャック４の上方に設けられる。対向部材５０は、スピンベース９、より具体的には上面９ａと対向する対向面５０ａを含む。対向面５０ａはほぼ水平に位置する。対向面５０ａは、例えばスピンチャック４に保持される基板Ｗと対向し、当該基板Ｗとほぼ同径または当該基板Ｗよりも大きな径を有する円板状を呈する。
【0081】
対向部材５０において対向面５０ａとは反対側には、中空軸５１が固定されている。対向部材５０には連通孔５０ｂが形成されている。連通孔５０ｂは対向部材５０を上下に貫通し、中空軸５１の内部空間と連通する。例えば平面視上で、連通孔５０ｂと中空軸５１とは、回転軸線Ａ１と重なる。
【0082】
対向部材５０は対向部材昇降機構５２によって昇降される。対向部材昇降機構５２は、上位置と下位置との間の任意の位置（高さ）に対向部材５０を配置する機能を有する。対向部材昇降機構５２は、例えばチャンバー２に備えられる。
【0083】
対向部材５０の下位置とは、対向部材５０の可動範囲において、対向面５０ａが上面９ａに最も近接する位置である。対向部材５０がその下位置にあって、基板Ｗがスピンチャック４に保持されるとき、上面Ｗａよりも対向面５０ａが上方にある。
【0084】
対向部材５０の上位置とは、対向部材５０の可動範囲において対向面５０ａが上面９ａから最も離間する位置である。対向部材５０の上位置は、対向部材５０の退避位置であると見ることもできる。対向部材５０が上位置にあって、基板Ｗがスピンチャック４に保持されるとき、対向面５０ａと上面Ｗａとの間の距離は、処理液吐出ノズル５および剥離液吐出ノズル６のいずれもが上面Ｗａの上方で水平方向に移動することを許す。
【0085】
対向部材昇降機構５２は、たとえば、中空軸５１を支持する支持部材（不図示）と、当該支持部材に取り付けられたボールねじ機構（不図示）と、当該ボールねじ機構に駆動力を与える電動モータ（図示せず）とを用いて実現される。
【0086】
残渣除去液吐出ノズル７、気体吐出ノズル６０およびリンス液吐出ノズル６５のいずれも、スピンチャック４の上方に配置される。具体的には残渣除去液吐出ノズル７、気体吐出ノズル６０およびリンス液吐出ノズル６５のいずれも、ノズル収容部材５３に収容されている。ノズル収容部材５３は、中空軸５１に挿入されている。
【0087】
残渣除去液吐出ノズル７、気体吐出ノズル６０およびリンス液吐出ノズル６５のそれぞれの吐出口は、ノズル収容部材５３の下端部から下方へ露出している。ノズル収容部材５３の下端部は、平面視上で、上面９ａの中央に対向する。たとえはスピンチャック４に基板Ｗが保持されるとき、残渣除去液吐出ノズル７、気体吐出ノズル６０およびリンス液吐出ノズル６５のそれぞれの吐出口は、上面Ｗａの中央にほぼ対向する。
【0088】
残渣除去液吐出ノズル７は残渣除去液を下方へ吐出する機能を有する。基板Ｗがスピンチャック４によって保持される場合には、当該機能によって、残渣除去液吐出ノズル７は基板Ｗの上面Ｗａに残渣除去液を供給する機能を有するといえる。当該残渣除去液は、後に詳述されるが、保持層が剥離された後の上面Ｗａにおける残渣を除去する。
【0089】
気体吐出ノズル６０は気体を下方へ吐出する機能を有する。基板Ｗがスピンチャック４によって保持される場合には、当該機能によって、気体吐出ノズル６０は基板Ｗの上面Ｗａに気体を供給する機能を有するといえる。当該気体は、後に詳述されるが、処理液の固化または硬化に利用されたり、残渣が除去された後の上面Ｗａの乾燥に利用されたりする。
【0090】
リンス液吐出ノズル６５はリンス液を下方へ吐出する機能を有する。基板Ｗがスピンチャック４によって保持される場合には、当該機能によって、リンス液吐出ノズル６５は基板Ｗの上面Ｗａにリンス液を供給する機能を有するといえる。当該リンス液は、後に詳述されるが、保持層が剥離された後であって、かつ、上面Ｗａにおける残渣の除去の前の、上面Ｗａの洗浄に利用される。
【0091】
残渣除去液吐出ノズル７には、残渣除去液供給管２２が接続されている。残渣除去液供給管２２にはバルブ２３が設けられる。残渣除去液供給管２２にはバルブ２３に関して残渣除去液吐出ノズル７とは反対側から、不図示の機構によって残渣除去液が供給される。バルブ２３は、残渣除去液吐出ノズル７を流れる残渣除去液の流量の調節を行い、典型的には残渣除去液供給管２２の流路を開閉する。バルブ２３は、たとえばチャンバー２に備えられる。
【0092】
気体吐出ノズル６０には、気体供給管６１が接続されている。気体供給管６１にはバルブ６２が設けられる。気体供給管６１にはバルブ６２に関して気体吐出ノズル６０とは反対側から、不図示の機構によって気体が供給される。バルブ６２は、気体吐出ノズル６０を流れる気体の流量の調節を行い、典型的には気体供給管６１の流路を開閉する。バルブ６２は、たとえばチャンバー２に備えられる。
【0093】
リンス液吐出ノズル６５には、リンス液供給管６６が接続されている。リンス液供給管６６にはバルブ６７が設けられる。リンス液供給管６６にはバルブ６７に関してリンス液吐出ノズル６５とは反対側から、不図示の機構によってリンス液が供給される。バルブ６７は、リンス液吐出ノズル６５を流れるリンス液の流量の調節を行い、典型的にはリンス液供給管６６の流路を開閉する。バルブ６７は、たとえばチャンバー２に備えられる。
【0094】
＜３．基板処理装置１の制御系統＞
図３は、基板処理装置１の主要な制御系統を例示するブロック図である。制御装置１０７は、プロセッサ３Ａと、メモリ３Ｂとを含む。メモリ３Ｂは制御プログラムを格納する。当該制御プログラムがプロセッサ３Ａによって実行されることによって、基板処理装置１の動作が制御される。例えばプロセッサ３Ａとメモリ３Ｂとはマイクロコンピュータによって実現される。
図３は、基板処理装置１の主要な制御系統を例示するブロック図である。制御装置１０７は、プロセッサ３Ａと、メモリ３Ｂとを含む。メモリ３Ｂは制御プログラムを格納する。当該制御プログラムがプロセッサ３Ａによって実行されることによって、基板処理装置１の動作が制御される。例えばプロセッサ３Ａとメモリ３Ｂとはマイクロコンピュータによって実現される。
【0095】
プロセッサ３Ａは、例えば、１つ以上の中央演算ユニット（Central Processing Unit：ＣＰＵ）等で構成される。メモリ３Ｂは、例えば、ＲＡＭ（Random Access Memory）等の揮発性の記憶媒体と、例えばハードディスクドライブ（Hard Disk Drive：ＨＤＤ）またはソリッドステートドライブ（Solid State Drive：ＳＳＤ）等の不揮発性の記憶媒体とで構成される。不揮発性の記憶媒体には、例えば、上述の制御プログラムの他、各種の情報を記憶することができる。プロセッサ３Ａが制御プログラムを実行するとき、ＲＡＭは、例えば、ワークスペースとして使用され、一時的に生成もしくは取得される情報を記憶する。制御装置１０７で実現される機能の少なくとも一部は、例えば、専用の電子回路等のハードウェアで実現されてもよい。
【0096】
基板処理装置１の主要な制御系統において、制御装置１０７は、スピンモータ１１、ノズル移動機構１２，１５、対向部材昇降機構５２、ガード昇降機構４４、バルブ１４，１７，２３，６２，６７を制御する。かかる制御は図３において実線の矢印で表現される。
【0097】
スピンベース９はスピンモータ１１によって駆動されて回転する。処理液吐出ノズル５はノズル移動機構１２によって移動する。剥離液吐出ノズル６はノズル移動機構１５によって移動する。対向部材５０は対向部材昇降機構５２によって昇降する。ガード４１，４２はガード昇降機構４４によって昇降する。これらの機構的な連携は、図１および図３において破線の矢印で表現される。
【0098】
制御装置１０７は、基板処理装置１に備えられずに、基板処理装置１の外部に備えられてもよい。プロセッサ３Ａが基板処理装置１に設けられ、メモリ３Ｂが基板処理装置１の外部に設けられてもよい。メモリ３Ｂが基板処理装置１に設けられ、プロセッサ３Ａが基板処理装置１の外部に設けられてもよい。これらの場合にも図３で例示された制御系統が実現され得ることは明白である。
【0099】
＜４．パーティクル除去処理＞
図４は、チャンバー２において基板Ｗを洗浄する工程を例示するフローチャートである。具体的には図４では、上面Ｗａ上のパーティクル（異物）を除去する処理が例示されており、当該フローチャートには「パーティクル除去処理」との標題が標記されている。パーティクル除去処理が開始される時点では、洗浄の対象となる基板Ｗは既にスピンチャック４に保持されている。
図４は、チャンバー２において基板Ｗを洗浄する工程を例示するフローチャートである。具体的には図４では、上面Ｗａ上のパーティクル（異物）を除去する処理が例示されており、当該フローチャートには「パーティクル除去処理」との標題が標記されている。パーティクル除去処理が開始される時点では、洗浄の対象となる基板Ｗは既にスピンチャック４に保持されている。
【0100】
【0101】
パーティクル除去処理は大別して、この順に実行される３つのステップＳ１０，Ｓ２０，Ｓ３０を備える。ステップＳ１０は上面Ｗａに保持層を形成する工程である。ステップＳ２０はパーティクルと共に保持層を除去する工程である。ステップＳ３０はガード４２に付着した溶質を除去する工程である。
【0102】
＜４－１．保持層の形成＞
ステップＳ１０はこの順に実行されるステップＳ１１，Ｓ１２、Ｓ１３を有する。ステップＳ１１は処理液を上面Ｗａへ供給する工程である。ステップＳ１２はスピンオフと通称される工程であり、処理液の一部を上面Ｗａから外方へ飛散させて、適量の処理液を上面Ｗａに残置する工程である。ステップＳ１３は、処理液の固化または硬化（図４において「固化／硬化」と表記される）によって保持層を形成する工程である。
ステップＳ１０はこの順に実行されるステップＳ１１，Ｓ１２、Ｓ１３を有する。ステップＳ１１は処理液を上面Ｗａへ供給する工程である。ステップＳ１２はスピンオフと通称される工程であり、処理液の一部を上面Ｗａから外方へ飛散させて、適量の処理液を上面Ｗａに残置する工程である。ステップＳ１３は、処理液の固化または硬化（図４において「固化／硬化」と表記される）によって保持層を形成する工程である。
【0103】
図５は、ステップＳ１１が実行されるときのチャンバー２内の状況を模式的に例示する。ステップＳ１１が実行されるとき、ガード昇降機構４４によってガード４１，４２のいずれもが、それぞれの上位置Ｕ１，Ｕ２に配置される（ガード４１，４２のいずれもが、それぞれの上位置Ｕ１，Ｕ２に位置する）。図５から図１３において、ガード４１の上位置Ｕ１は、ガード４１の上端の鉛直方向における位置として示される。図５から図１３において、ガード４２の上位置Ｕ２は、ガード４２の上端の鉛直方向における位置として示される。
【0104】
図５ではガード４１，４２のいずれも、それぞれの上部がスピンチャック４側へと屈曲している態様が例示されているが、かかる屈曲は必ずしも要求されない。例えばガード４２が、鉛直方向において径を維持する筒状を呈するとき、上位置Ｕ２が上位置Ｕ１よりも上方にあることは必ずしも要求されない。
【0105】
ガード４１の上端のステップＳ１１が実行されるとき、スピンモータ１１によってスピンベース９が、ひいては基板Ｗが回転する。当該回転の速度は、たとえば１０ｒｐｍ～数１０ｒｐｍである。ステップＳ１１が実行されるとき、対向部材昇降機構５２によって対向部材５０が、その上位置Ｕ５に配置される（対向部材５０が上位置Ｕ５に位置する）。図５から図１３において、対向部材５０の上位置Ｕ５は、対向面５０ａの鉛直方向における位置として示される。
【0106】
対向部材５０が、その上位置Ｕ５に配置された後、ノズル移動機構１２によって処理液吐出ノズル５がその中央位置に配置される（処理液吐出ノズル５がその中央位置に位置する）。基板Ｗが上述の速度で回転している状態で、バルブ１４が開き、処理液吐出ノズル５から処理液２７が吐出されて、上面Ｗａに供給される。上面Ｗａに供給された処理液２７は、遠心力によって上面Ｗａの略全面に行きわたる。
【0107】
処理液２７が所定の時間に亘って上面Ｗａに供給された後、バルブ１４が閉じてステップＳ１１が修了する。ステップＳ１１が修了した後にステップＳ１２が実行される。
【0108】
図６は、ステップＳ１２が実行されるときのチャンバー２内の状況を模式的に例示する。ステップＳ１２が実行されるときも、ガード４１，４２のいずれもが、それぞれの上位置Ｕ１，Ｕ２に位置したままである。ステップＳ１２が実行されるとき、スピンモータ１１によってスピンベース９が、ひいては基板Ｗが回転する。当該回転の速度は、たとえば３００ｒｐｍ～１５００ｒｐｍである。かかる速度の回転により、処理液２７は上面Ｗａから飛散する。ステップＳ１２が実行されるときも、対向部材５０は、その上位置Ｕ５に位置したままである。ステップＳ１２が実行されるとき、ノズル移動機構１２によって処理液吐出ノズル５がその退避位置に配置される（処理液吐出ノズル５がその退避位置に位置する：不図示）。
【0109】
ステップＳ１１における処理液２７の供給量と、ステップＳ１２において基板Ｗが回転する速度および回転する時間とを調整することにより、保持層２９の形成に適切な量の処理液２７を上面Ｗａに残しつつ、過剰な処理液２７を上面Ｗａの周縁から外方へ飛散させて排除する。
【0110】
チャックピン８の上端の位置８ａから、水平方向（これは鉛直な回転軸線Ａ１に対して垂直な方向でもある）に沿って見て、上位置Ｕ１に位置するガード４１は、位置８ａとガード４２との間にある。上面Ｗａから飛散した処理液２７はガード４１、具体的にはガード４１のスピンチャック４側の面４１ａに受け止められ、ガード４２への処理液２７の付着は抑制される。このとき、処理液２７に含まれる揮発性の成分、例えば溶剤の揮発が進行し得る。
【0111】
ステップＳ１２において基板Ｗが回転して所定の時間が経過してステップＳ１２が修了する。ステップＳ１２が修了した後にステップＳ１３が実行される。
【0112】
図７は、ステップＳ１３が実行されるときのチャンバー２内の状況を模式的に例示する。ステップＳ１３が実行されるときも、ガード４１，４２のいずれもが、それぞれの上位置Ｕ１，Ｕ２に位置したままである。ステップＳ１３が実行されるとき、スピンモータ１１によってスピンベース９が、ひいては基板Ｗが回転する。当該回転の速度は、たとえば１００ｒｐｍ～１０００ｒｐｍである。ステップＳ１３が実行されるとき、対向部材５０は、その下位置Ｄ５に位置する。図５から図１３において、対向部材５０の下位置Ｄ５は、対向面５０ａの鉛直方向における位置として示される。
【0113】
ステップＳ１３においてバルブ６２が開き、気体吐出ノズル６０から気体が吐出されて、対向面５０ａと上面Ｗａとの間に供給される。当該気体には例えば窒素ガスが採用される。ステップＳ１３において、上記の揮発性の成分、例えば溶剤の揮発が進行し、処理液２７が固化または硬化する。この固化または硬化により、溶質を主成分とする固体状の保持層２９が上面Ｗａ上に形成される。保持層２９が形成される際に、上面Ｗａに付着していたパーティクル（不図示）は上面Ｗａから離れて、保持層２９中に保持される。
【0114】
ここで「固化」とは、たとえば、溶媒の揮発に伴い、分子間や原子間に作用する力等によって溶質が固まることを指す。「硬化」とは、たとえば、重合や架橋等の化学的な変化によって、溶質が固まることを指す。したがって、「固化または硬化」とは、様々な要因によって溶質が「固まる」ことを表している。なお、処理液２７は、パーティクルを保持できる程度に固化または硬化すればよく、溶媒が完全に揮発する必要はない。
【0115】
処理液２７が含む溶質および溶媒は、例えば基板Ｗの材質を考慮して種々の物質が採用され得る。例えば特許文献２では、溶質の例として、アクリル樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、ポリウレタン、ポリイミド、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、アクリロニトリルブタジエンスチレン樹脂、アクリロニトリルスチレン樹脂、ポリアミド、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリビニルアルコール、変性ポリフェニレンエーテル、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアミドイミドが挙げられている。これらの例示から、本実施の形態における溶質が選択され得る。溶質は、樹脂以外の有機化合物や、有機化合物と他の混合物を用いてもよい。あるいは、有機化合物以外の化合物であってもよい。
【0116】
ステップＳ１３において気体の供給が行われてから（具体的にはバルブ６２が開いてから）所定の時間が経過して気体の供給が停止して（具体的にはバルブ６２が閉じて）ステップＳ１３が修了する。ステップＳ１３が修了した後にステップＳ２０が実行される。
【0117】
＜４－２．保持層２９の除去＞
ステップＳ２０はこの順に実行されるステップＳ２１，Ｓ２２、Ｓ２３，Ｓ２４を有する。ステップＳ２１は剥離液を用いて保持層２９を剥離する工程である。ステップＳ２２は剥離液と、剥離された保持層２９を上面Ｗａから洗い流す工程である。ステップＳ２３は、ステップＳ２２によって上面Ｗａに残る残渣を除去する工程である。ステップＳ２４はスピンドライを行う工程である。
ステップＳ２０はこの順に実行されるステップＳ２１，Ｓ２２、Ｓ２３，Ｓ２４を有する。ステップＳ２１は剥離液を用いて保持層２９を剥離する工程である。ステップＳ２２は剥離液と、剥離された保持層２９を上面Ｗａから洗い流す工程である。ステップＳ２３は、ステップＳ２２によって上面Ｗａに残る残渣を除去する工程である。ステップＳ２４はスピンドライを行う工程である。
【0118】
図８は、ステップＳ２１が実行されるときのチャンバー２内の状況を模式的に例示する。ステップＳ２１が実行されるとき、ガード昇降機構４４によって、ガード４２がその上位置Ｕ２に位置したままガード４１がその下位置Ｄ１に位置する。下位置Ｄ１は上位置Ｕ１よりも下方にある。図５から図１３において、ガード４１の下位置Ｄ１は、ガード４１の上端の鉛直方向における位置として示される。
【0119】
ステップＳ２１が実行されるとき、スピンモータ１１によってスピンベース９が、ひいては基板Ｗが回転する。当該回転の速度は、たとえば５００ｒｐｍ～８００ｒｐｍである。ステップＳ２１が実行されるとき、対向部材昇降機構５２によって、対向部材５０はその上位置Ｕ５に配置される（対向部材５０は上位置Ｕ５に位置する）。
【0120】
対向部材５０が、その上位置Ｕ５に位置した後、ノズル移動機構１５によって、剥離液吐出ノズル６がその中央位置に配置される（剥離液吐出ノズル６がその中央位置に位置する）。基板Ｗが上述の速度で回転している状態で、バルブ１７が開き、剥離液吐出ノズル６から剥離液３２が吐出して保持層２９に供給される。保持層２９に供給された剥離液３２は、遠心力の働きによって、保持層２９の上側の略全面に行き渡る。保持層２９は、剥離液３２が供給されて上面Ｗａから剥離する。上述された速度（たとえば５００ｒｐｍ～８００ｒｐｍ）の回転により、剥離液３２は上面Ｗａから飛散する。剥離された保持層２９は、剥離液３２と共に上面Ｗａの周縁から外方へ飛散する。
【0121】
チャックピン８の上端の位置８ａから、水平方向に沿って見て、下位置Ｄ１に位置するガード４１は、位置８ａとガード４２との間にはない。上面Ｗａから飛散した保持層２９および剥離液３２は、ガード４１の上方を越えてガード４２に受け止められる。保持層２９、より具体的には処理液２７が有していた溶質が、ガード４１の面４１ａに付着することは抑制される。
【0122】
剥離液３２は溶媒との相溶性を有し、かつ溶質は剥離液３２に対して難溶性または不溶性である。剥離液３２は、保持層２９中に残留する溶媒との相互作用によって保持層２９中に浸透し、上面Ｗａに達する。剥離液３２は、保持層２９の主成分である溶質を溶解させにくい。保持層２９に取り込まれたパーティクルは、保持層２９と共に上面Ｗａから剥離され、上面Ｗａから除去される。
【0123】
剥離液３２は、溶質と溶媒とを考慮して種々の物質が採用され得る。剥離液３２については例えば特許文献２において、溶媒としてＰＧＥＥ（プロピレングリコールモノエチルエーテル）が採用され、本件実施の形態にいう剥離液３２に相当するものとしてＳＣ１（水酸化アンモニウムと過酸化水素水とを含む混酸）が採用される例の他、多数の例が紹介されている。
【0124】
ステップＳ２１において剥離液３２の供給が行われてから（具体的にはバルブ１７が開いてから）所定の時間が経過して剥離液３２の供給が停止して（具体的にはバルブ１７が閉じて）ステップＳ２１が修了する。ステップＳ２１が修了した後にステップＳ２２が実行される。
【0125】
図９は、ステップＳ２２が実行されるときのチャンバー２内の状況を模式的に例示する。ステップＳ２２が実行されるとき、ガード４２はその上位置Ｕ２に位置したままであり、ガード４１がその下位置Ｄ１に位置したままである。ステップＳ２２が実行されるとき、スピンモータ１１によってスピンベース９が、ひいては基板Ｗが回転する。当該回転の速度は、たとえば１００ｒｐｍ～１０００ｒｐｍである。ステップＳ２２が実行されるとき、ノズル移動機構１５によって剥離液吐出ノズル６がその退避位置に配置される（剥離液吐出ノズル６が退避位置に位置する：不図示）。剥離液吐出ノズル６がその退避位置に位置した後、対向部材昇降機構５２によって、対向部材５０が下降して中位置Ｍ５に位置する。対向部材５０の中位置Ｍ５は、対向部材５０の上位置Ｕ５よりも下方であって、かつ対向部材５０の下位置Ｄ５よりも上方の位置である。図５から図１３において中位置Ｍ５は、対向面５０ａの鉛直方向における位置として示される。
【0126】
ステップＳ２２において、剥離液吐出ノズル６がその退避位置に位置した後、基板Ｗが上述の速度で回転している状態でバルブ６７が開き、リンス液吐出ノズル６５からリンス液３１が吐出して、上面Ｗａに供給される。
【0127】
リンス液吐出ノズル６５からのリンス液３１の吐出は、たとえば、対向部材５０が中位置Ｍ５にある状態で開始される。あるいは当該吐出は、対向部材５０がその上位置Ｕ５にある時点から開始されてもよいし、対向部材５０がその上位置Ｕ５から中位置Ｍ５に移動している途中から開始されてもよい。
【0128】
上面Ｗａに供給されたリンス液３１は、遠心力の働きによって、上面Ｗａの略全面に行き渡り、更には上面Ｗａの周縁から外方へ飛散する。リンス液３１は、上面Ｗａに残留した剥離液３２を、あるいは更に、剥離されたものの上面Ｗａに残留した保持層２９を、上面Ｗａから洗い流す。飛散したリンス液３１、剥離液３２、あるいは更に保持層２９は、ガード４２に受け止められる。保持層２９、より具体的には処理液２７が有していた溶質が、ガード４１の面４１ａに付着することが抑制される。
【0129】
リンス液３１の例として、ＤＩＷ、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、および希釈濃度（例えば、１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度）の塩酸水。が挙げられる。
【0130】
ステップＳ２２においてリンス液３１の供給が行われてから（具体的にはバルブ６７が開いてから）所定の時間が経過してリンス液３１の供給が停止して（具体的にはバルブ６７が閉じて）ステップＳ２１が修了する。ステップＳ２１が修了した後にステップＳ２３が実行される。
【0131】
図１０は、ステップＳ２３が実行されるときのチャンバー２内の状況を模式的に例示する。ステップＳ２３が実行されるとき、ガード４２はその上位置Ｕ２に位置したままであり、ガード４１がその下位置Ｄ１に位置したままである。ステップＳ２３が実行されるとき、スピンモータ１１によってスピンベース９が、ひいては基板Ｗが回転する。当該回転の速度は、たとえば数１０ｒｐｍ～３００ｒｐｍである。ステップＳ２３が実行されるとき、対向部材５０は中位置Ｍ５に位置したままである。
【0132】
ステップＳ２３において、基板Ｗが上述の速度で回転している状態でバルブ２３が開き、残渣除去液吐出ノズル７から残渣除去液３３が吐出して、上面Ｗａに供給される。上面Ｗａに供給された残渣除去液３３は、遠心力によって上面Ｗａの略全面に行きわたる。上面Ｗａに残留するリンス液３１は残渣除去液３３に置換される。残渣除去液３３は上面Ｗａに残る保持層２９の残渣を溶解する。上述された速度（たとえば５００ｒｐｍ～８００ｒｐｍ）の回転により、剥離液３２は上面Ｗａの周縁から外方へ飛散する。飛散した残渣除去液３３および残渣は、ガード４２に受け止められる。保持層２９、より具体的には処理液２７が有していた溶質が、ガード４１の面４１ａに付着することが抑制される。
【0133】
残渣除去液３３には、溶質に対する溶解性を有する溶媒が用いられる。例えば溶媒としては、たとえば、特許文献２では、本実施の形態の残渣除去液３３に相当するものの例として、シンナー、トルエン、酢酸エステル類、アルコール類、グリコール類が挙げられている。これらの例示から、本実施の形態における残渣除去液３３が選択され得る。例えば残渣除去液３３にはＩＰＡ（イソプロピルアルコール）が採用される。例えば残渣除去液３３には、ＰＧＭＥ（プロピレングリコールメチルエーテルアセタート）が採用される。
【0134】
残渣除去液３３にＩＰＡが採用されることは、溶解性の他、リンス液３１にＤＩＷが採用されているときにはリンス液３１を容易に置換し、後に実行されるステップＳ２４におけるスピンドライを容易とする揮発性の観点で有利である。
【0135】
ステップＳ２３において残渣除去液３３の供給が行われてから（具体的にはバルブ２３が開いてから）所定の時間が経過して残渣除去液３３の供給が停止して（具体的にはバルブ２３が閉じて）ステップＳ２３が修了する。ステップＳ２３が修了した後にステップＳ２４が実行される。
【0136】
図１１は、ステップＳ２４が実行されるときのチャンバー２内の状況を模式的に例示する。ステップＳ２４が実行されるときも、ガード４２はその上位置Ｕ２に位置したままであり、ガード４１がその下位置Ｄ１に位置したままである。ステップＳ２４が実行されるとき、スピンモータ１１によってスピンベース９が、ひいては基板Ｗが回転する。当該回転の速度は、たとえば５００ｒｐｍ～１５００ｒｐｍである。ステップＳ２４が実行されるとき、対向部材昇降機構５２によって、対向部材５０がその下位置Ｄ５に配置される（対向部材５０が下位置Ｄ５に位置する）。
【0137】
ステップＳ２４においてバルブ６２が開き、気体吐出ノズル６０から気体が吐出されて、対向面５０ａと上面Ｗａとの間に供給される。基板Ｗが回転することによって残渣除去液３３に遠心力が作用し、残渣除去液３３は基板Ｗの上面Ｗａの周縁から排出される。気体の供給によって残渣除去液３３の揮発が進行する。ステップＳ２４は残渣除去液３３を乾燥させるスピンドライを行う。
【0138】
気体の吐出の開始と、ステップＳ２３からステップＳ２４への移行による基板Ｗが回転する速度の変更との間で、前後は不問である。例えば当該吐出の開始と、当該速度の変更とは同時に実行される。
【0139】
ステップＳ２４においてスピンドライが行われてから（具体的にはバルブ６２が開いてから、または基板Ｗの回転の速度が変更されてから）所定の時間が経過して気体の供給が停止して（具体的にはバルブ６２が閉じて）ステップＳ２４が修了する。ステップＳ２４が修了した後にステップＳ３０が実行される。
【0140】
ステップＳ１０においては、ガード４１，４２のいずれもがそれぞれの上位置Ｕ１，Ｕ２に位置する。上面Ｗａから飛散する処理液２７は、ガード４１によって受け止められ、処理液２７に含まれていた溶質はガード４２には殆ど付着しない。
【0141】
ステップＳ２０においては、ガード４１がその下位置Ｄ１に位置し、ガード４２がその上位置Ｕ２に位置する。上面Ｗａから飛散する剥離液３２、リンス液３１、残渣除去液３３、ガード４２によって受け止められ、処理液２７に含まれていた溶質はガード４１には殆ど付着しない。ガード４１の面４１ａに付着する物質は溶質が殆どであり、ガード４１への剥離液３２、リンス液３１、残渣除去液３３の汚染は抑制される。
【0142】
ステップＳ２０においてガード４１が下位置Ｄ１にあることは、ガード４１への剥離液３２およびリンス液３１の付着を抑制する観点で望ましい。
【0143】
既に実行されたステップＳ１０，Ｓ２０によってガード４１，４２に付着物が存在し、他の基板ＷについてのステップＳ１０が後行して実行されても、ガード４１はガード４２の付着物に由来する上面Ｗａの汚染を抑制する。ステップＳ１０における上面Ｗａの汚染の抑制は、処理液２７の汚染を抑制し、ひいては保持層２９が異物を取り込む能力の低減を抑制する。
【0144】
しかし先行するステップＳ１０におけるガード４１への付着物が、上面Ｗａへ付着する剥離溶質となり得る。上面Ｗａにおける剥離溶質を排除する観点から、ステップＳ３０が実行されることが望ましい。
【0145】
＜４－３．ガード４１の洗浄＞
ステップＳ３０は、この順に実行されるステップＳ３１，Ｓ３２を有する。ステップＳ３１は、上面Ｗａに残渣除去液３３を吐出し、上面Ｗａから残渣除去液３３を飛散させてガード４１に残渣除去液３３を供給する工程である。ステップＳ３２は残渣除去液３３を乾燥させるスピンドライを行う工程である。当該スピンドライは、上面Ｗａの清浄、たとえばいわゆるウォーターマークを抑制する。
ステップＳ３０は、この順に実行されるステップＳ３１，Ｓ３２を有する。ステップＳ３１は、上面Ｗａに残渣除去液３３を吐出し、上面Ｗａから残渣除去液３３を飛散させてガード４１に残渣除去液３３を供給する工程である。ステップＳ３２は残渣除去液３３を乾燥させるスピンドライを行う工程である。当該スピンドライは、上面Ｗａの清浄、たとえばいわゆるウォーターマークを抑制する。
【0146】
図１２はステップＳ３１が実行されるときのチャンバー２内の状況を模式的に例示する。ステップＳ３１が実行されるとき、ガード昇降機構４４によって、ガード４２がその上位置Ｕ２に位置したままガード４１がその上位置Ｕ１に位置する。後述される変形において説明されるように、ステップＳ３１においてガード４１はその上位置Ｕ１よりも下方にも位置し得る。
【0147】
ステップＳ３１が実行されるとき、スピンモータ１１によってスピンベース９が、ひいては基板Ｗが回転する。当該回転の速度は、たとえば１００ｒｐｍ～１０００ｒｐｍである。この速度は、後述される変形において説明されるように、ステップＳ３１において変化し得る。
【0148】
ステップＳ３１が実行されるとき、対向部材昇降機構５２によって、対向部材５０はその中位置Ｍ５に配置される（対向部材５０は中位置Ｍ５に位置する）。
【0149】
ステップＳ３１において、基板Ｗが上述の速度で回転している状態でバルブ２３が開き、残渣除去液吐出ノズル７から残渣除去液３３が吐出して、上面Ｗａに供給される。上面Ｗａに供給された残渣除去液３３は、上述された速度の回転に伴った遠心力によって上面Ｗａの略全面に行きわたり、更に上面Ｗａの周縁から外方へ飛散する。飛散した残渣除去液３３は、ガード４１に受け止められる。ガード４１によって受け止められた残渣除去液３３は、ガード４１の面４１ａを洗い流す。
【0150】
ステップＳ３１において残渣除去液３３は、上面Ｗａから面４１ａへ飛散して面４１ａを洗浄し、面４１ａに付着した溶質を除去する洗浄液とみることができる。洗浄液は面４１ａに付着した溶質を面４１ａから除去する成分、例えば溶質を溶解する成分を有する。この観点からは、洗浄液には残渣除去液３３が用いられる、ということができる。また、残渣除去液吐出ノズル７は当該洗浄液を吐出する洗浄液吐出ノズルとみることができ、洗浄液吐出ノズルは残渣除去液吐出ノズル７と兼用される、ということができる。
【0151】
ステップＳ３１において残渣除去液３３の供給が行われてから（具体的にはバルブ２３が開いてから）所定の時間が経過して残渣除去液３３の供給が停止して（具体的にはバルブ２３が閉じて）ステップＳ３１が修了する。ステップＳ３１が修了した後にステップＳ３２が実行される。
【0152】
図１３はステップＳ３２が実行されるときのチャンバー２内の状況を模式的に例示する。ステップＳ３２が実行されるときも、ガード４１，４２はそれぞれの上位置Ｕ１，Ｕ２に位置したままである。ステップＳ３２が実行されるとき、スピンモータ１１によってスピンベース９が、ひいては基板Ｗが回転する。当該回転の速度は、たとえば５００ｒｐｍ～１５００ｒｐｍである。ステップＳ３２が実行されるとき、対向部材昇降機構５２によって、対向部材５０がその下位置Ｄ５に配置される（対向部材５０が下位置Ｄ５に位置する）。
【0153】
ステップＳ３２においてバルブ６２が開き、気体吐出ノズル６０から気体が吐出されて、対向面５０ａと上面Ｗａとの間に供給される。基板Ｗが回転することによって残渣除去液３３に遠心力が作用し、残渣除去液３３は基板Ｗの上面Ｗａの周縁から排出される。気体の供給によって残渣除去液３３の揮発が進行する。ステップＳ３２は残渣除去液３３を乾燥させるスピンドライを行う。
【0154】
気体の吐出の開始と、ステップＳ３１からステップＳ３２への移行による基板Ｗが回転する速度の変更との間で、前後は不問である。例えば当該吐出の開始と、当該速度の変更とは同時に実行される。
【0155】
ステップＳ３２においてスピンドライが行われてから（具体的にはバルブ６２が開いてから、または基板Ｗの回転の速度が変更されてから）所定の時間が経過して気体の供給が停止して（具体的にはバルブ６２が閉じる）、ステップＳ３２が修了する。
【0156】
ステップＳ３２の修了により、ステップＳ３０が修了し、パーティクル除去処理は終了する。この後、基板Ｗのスピンチャック４からの取り出しの準備が行われる。具体的には対向部材昇降機構５２によって対向部材５０がその上位置Ｕ５に配置され（対向部材５０が上位置Ｕ５に位置し）、ガード昇降機構４４によってガード４１がその下位置Ｄ１に配置され（ガード４１が下位置Ｄ１に位置し）、ガード４２がその下位置（不図示）に配置され（ガード４２がその下位置に位置し）、チャックピン８による基板Ｗの把持が解除される。
【0157】
ステップＳ３０は、ガード４１の洗浄を行って上面Ｗａに剥離溶質が存在する可能性を低減する。具体的には、保持層２９を形成するための処理液２７に含まれていた溶質が、基板Ｗへ供給される処理液２７とは別途に基板Ｗへ到達する事象を低減する。かかる事象の低減は、後行して形成される保持層２９がパーティクルを基板Ｗから除去する能力の劣化を低減する。
【0158】
＜４－４．ステップＳ１０，Ｓ２０とステップＳ３０との実行順序＞
異なる基板Ｗのそれぞれにおいてパーティクル除去処理が実行される場合を想定する。第１の基板Ｗに対するステップＳ１０の実行によってガード４１に付着した溶質が、その後に第２の基板Ｗに対して実行されるステップＳ１０において剥離溶質となって上面Ｗａに到達する事象が低減されることにより、第２の基板Ｗに形成される保持層２９の性能の劣化が低減される。
異なる基板Ｗのそれぞれにおいてパーティクル除去処理が実行される場合を想定する。第１の基板Ｗに対するステップＳ１０の実行によってガード４１に付着した溶質が、その後に第２の基板Ｗに対して実行されるステップＳ１０において剥離溶質となって上面Ｗａに到達する事象が低減されることにより、第２の基板Ｗに形成される保持層２９の性能の劣化が低減される。
【0159】
この観点に鑑みれば、第１の基板Ｗに対してステップＳ１０が実行されてから、第２の基板Ｗに対してステップＳ１０が実行される前に、第１の基板Ｗおよび第２の基板Ｗのいずれに対してステップＳ３０が実行されてもよい。
【0160】
上述の実施の形態では第１の基板Ｗに対してステップＳ１０，Ｓ２０，Ｓ３０がこの順に実行されてから、第２の基板Ｗに対してステップＳ１０が実行される。この場合、第１の基板Ｗに対して行われたステップＳ３０が、第２の基板Ｗに形成される保持層２９の性能の劣化の低減に寄与する。
【0161】
例えばパーティクル除去処理は、まずステップＳ３０が実行されてから、ステップＳ１０，Ｓ２０がこの順に実行されてもよい。この場合、第１の基板Ｗに対してステップＳ１０，Ｓ２０が実行されてから、第２の基板Ｗに対してステップＳ３０，Ｓ１０がこの順に実行される。この場合、第２の基板Ｗに対して行われたステップＳ３０が、第２の基板Ｗに形成される保持層２９の性能の劣化の低減に寄与する。
【0162】
＜４－５．実施の形態の総括的な観点＞
＜４－５－１．基板処理方法としての観点＞
上述された実施の形態で開示された技術は、パーティクル除去処理で例示される基板処理方法の観点からは、下記の様に総括的に説明され得る。当該基板処理方法は、基板Ｗの上面Ｗａ上の異物を取り込む保持層２９を上面Ｗａに形成し、保持層２９と共に異物を除去する処理を行う方法である。当該基板処理方法は、基板処理装置１において行われる。当該基板処理装置１は、スピンチャック４と、ガード４１とを備える。スピンチャック４は、基板Ｗを鉛直な回転軸線Ａ１を中心として回転させる。ガード４１は、回転軸線Ａ１に沿って見てスピンチャック４を囲む。ガード４１は、スピンチャック４側に面４１ａを有する。
＜４－５－１．基板処理方法としての観点＞
上述された実施の形態で開示された技術は、パーティクル除去処理で例示される基板処理方法の観点からは、下記の様に総括的に説明され得る。当該基板処理方法は、基板Ｗの上面Ｗａ上の異物を取り込む保持層２９を上面Ｗａに形成し、保持層２９と共に異物を除去する処理を行う方法である。当該基板処理方法は、基板処理装置１において行われる。当該基板処理装置１は、スピンチャック４と、ガード４１とを備える。スピンチャック４は、基板Ｗを鉛直な回転軸線Ａ１を中心として回転させる。ガード４１は、回転軸線Ａ１に沿って見てスピンチャック４を囲む。ガード４１は、スピンチャック４側に面４１ａを有する。
【0163】
当該基板処理方法は、ステップＳ１０，Ｓ２０，Ｓ３０を備える。ステップＳ１０は、ステップＳ１１，Ｓ１２，Ｓ１３を有する。ステップＳ１１は、基板Ｗの上面Ｗａに処理液２７を供給する工程である。処理液２７は溶質と溶媒とを含み、固化または硬化によって保持層２９を形成する。ステップＳ１２は、上面Ｗａに供給された処理液２７の一部を、基板Ｗを回転させて、上面Ｗａから外方へ飛散させる工程である。ステップＳ１３は、上面Ｗａに残置する処理液２７の固化または硬化によって、上面Ｗａに保持層２９を形成する工程である。ステップＳ２０は、上面Ｗａの保持層２９を除去する工程である。
【0164】
ステップＳ３０は、ステップＳ３１，Ｓ３２を有する。ステップＳ３１は、面４１ａを洗浄する洗浄液を、上面Ｗａに供給する工程である。ステップＳ３２は、基板Ｗを回転させて洗浄液を上面Ｗａから面４１ａへ飛散させる工程である。
【0165】
ステップＳ１０，Ｓ２０の処理対象となる基板Ｗと、ステップＳ３０の処理対象となる基板Ｗとは同じであってもよいし、異なっていてもよい。例えば上述された基板処理方法が繰り返して実行されるとき、先行する基板処理方法において既にステップＳ３０が処理した基板Ｗと、後行する基板処理方法におけるステップＳ１０，Ｓ２０の処理対象となる基板Ｗとが異なってもよい。
【0166】
洗浄液として残渣除去液３３が採用される場合が例示されたが、必ずしも残渣除去液３３と洗浄液とは兼用されない。例えば残渣除去液３３にＩＰＡが、洗浄液としてＰＧＭＥが、それぞれ採用され得る。洗浄液が溶質を溶解する成分を有することは、面４１ａの洗浄に資する。
【0167】
かかる基板処理方法は、保持層２９を形成するための処理液２７に含まれていた溶質が、基板Ｗへ供給される処理液２７とは別途に基板Ｗへ到達する事象を低減する。
【0168】
基板処理装置１は、ガード４２を更に備えてもよい。ガード４２は、回転軸線Ａ１に沿って見てガード４１を囲む。ガード４１は、上位置Ｕ１と下位置Ｄ１とのいずれにも位置し得る。下位置Ｄ１は上位置Ｕ１よりも下方である。
【0169】
ガード４１が上位置Ｕ１に位置するときには、スピンチャック４が基板Ｗを保持する保持位置、例えばチャックピン８の上端の位置８ａから、回転軸線Ａ１に対して垂直な方向、たとえば水平方向に沿って見て、保持位置とガード４２との間にガード４１がある。ガード４１が下位置Ｄ１に位置するときには、上述の方向に沿って見て、保持位置とガード４２との間にガード４１はない。
【0170】
ステップＳ１０が実行されるときにはガード４１が上位置Ｕ１に位置し、ステップＳ２０が実行されるときにはガード４１が下位置Ｄ１に位置し、ステップＳ３０が実行されるときにはガード４１が上位置Ｕ１に位置する。
【0171】
このようなガード４１の配置により、ステップＳ１０において、ガード４２の付着物に由来する上面Ｗａの汚染が抑制され、保持層２９が異物を取り込む能力の低減を抑制する。
【0172】
ステップＳ２０が、ステップＳ２１，Ｓ２３を有してもよい。ステップＳ２１は、上面Ｗａの保持層２９を剥離液３２を用いて剥離する工程である。ステップＳ２２は、保持層２９が剥離された後の上面Ｗａにおける残渣を、残渣除去液３３を用いて除去する工程である。例えば残渣除去液３３が、上述の洗浄液として用いられる。
【0173】
このような兼用により、洗浄液を吐出するノズルを残渣除去液吐出ノズル７とは別個に設ける必要がなく、基板処理装置１を製造するコストを低減する。
【0174】
ステップＳ３２において、基板Ｗを回転させて洗浄液を上面Ｗａから面４１ａへ飛散させる際、もしくは飛散させた後に、上面Ｗａの洗浄液を乾燥させてもよい。当該乾燥は図１３を用いて説明された、残渣除去液３３をスピンドライで乾燥させる処理に相当する。洗浄液をスピンドライで乾燥させることは、上面Ｗａの清浄に資する。
【0175】
なお、ステップＳ３０の有無によらず、ステップＳ１０が実行されるときにはガード４１が上位置Ｕ１に位置し、ステップＳ２０が実行されるときにはガード４１が下位置Ｄ１に位置することは、ステップＳ１０において、ガード４２の付着物に由来する上面Ｗａの汚染が抑制され、保持層２９が異物を取り込む能力の低減を抑制する。
【0176】
この観点からは、ステップＳ３０の存在を前提としない、下記の基板処理方法も想定され得る。当該基板処理方法は、基板Ｗの上面Ｗａ上の異物を取り込む保持層２９を上面Ｗａに形成し、保持層２９と共に異物を除去する処理を行う方法である。当該基板処理方法は、基板処理装置１において行われる。当該基板処理装置１は、スピンチャック４と、ガード４１，４２とを備える。スピンチャック４は、基板Ｗを鉛直な回転軸線Ａ１を中心として回転させる。ガード４１は、回転軸線Ａ１に沿って見てスピンチャック４を囲む。ガード４１は、スピンチャック４側に面４１ａを有する。ガード４２は、回転軸線Ａ１に沿って見てガード４１を囲む。ガード４１は、上位置Ｕ１と下位置Ｄ１とのいずれにも位置し得る。下位置Ｄ１は上位置Ｕ１よりも下方である。
【0177】
当該基板処理方法は、ステップＳ１０，Ｓ２０を備える。ステップＳ１０は、ステップＳ１１，Ｓ１２，Ｓ１３を有する。ステップＳ１１は、基板Ｗの上面Ｗａに処理液２７を供給する工程である。処理液２７は溶質と溶媒とを含み、固化または硬化によって保持層２９を形成する。ステップＳ１２は、上面Ｗａに供給された処理液２７の一部を、基板Ｗを回転させて、上面Ｗａから外方へ飛散させる工程である。ステップＳ１３は、上面Ｗａに残置する処理液２７の固化または硬化によって、上面Ｗａに保持層２９を形成する工程である。ステップＳ２０は、上面Ｗａの保持層２９を除去する工程である。
【0178】
ガード４１が上位置Ｕ１に位置するときには、スピンチャック４が基板Ｗを保持する保持位置、例えばチャックピン８の上端の位置８ａから、回転軸線Ａ１に対して垂直な方向、たとえば水平方向に沿って見て、保持位置とガード４２との間にガード４１がある。ガード４１が下位置Ｄ１に位置するときには、上述の方向に沿って見て、保持位置とガード４２との間にガード４１はない。ステップＳ１０が実行されるときにはガード４１が上位置Ｕ１に位置し、ステップＳ２０が実行されるときにはガード４１が下位置Ｄ１に位置する。
【0179】
＜４－５－２．基板処理装置１としての観点＞
上述された実施の形態で開示された技術は、パーティクル除去処理で例示される基板処理方法が実行される基板処理装置１の観点から、下記の様に総括的に説明され得る。当該基板処理装置１は、スピンチャック４と、ガード４１，４２と、処理液吐出ノズル５と、剥離液吐出ノズル６と、残渣除去液吐出ノズル７として例示された洗浄液吐出ノズルと、ガード昇降機構４４とを備える。
上述された実施の形態で開示された技術は、パーティクル除去処理で例示される基板処理方法が実行される基板処理装置１の観点から、下記の様に総括的に説明され得る。当該基板処理装置１は、スピンチャック４と、ガード４１，４２と、処理液吐出ノズル５と、剥離液吐出ノズル６と、残渣除去液吐出ノズル７として例示された洗浄液吐出ノズルと、ガード昇降機構４４とを備える。
【0180】
スピンチャック４は、鉛直な回転軸線Ａ１を中心として、上面Ｗａを有する基板Ｗを回転させる。ガード４１は、回転軸線Ａ１に沿って見てスピンチャック４を囲み、スピンチャック４側に面４１ａを有する。ガード４２は、回転軸線Ａ１に沿って見てガード４１を囲む。
【0181】
処理液吐出ノズル５はスピンチャック４の上方に配置される。処理液吐出ノズル５は処理液２７を下方へ吐出する。処理液２７は処理液吐出ノズル５から下方へ吐出される、ともいえる。
【0182】
剥離液吐出ノズル６はスピンチャック４の上方に配置される。剥離液吐出ノズル６は剥離液３２を下方へ吐出する。剥離液３２は剥離液吐出ノズル６から下方へ吐出される、ともいえる。
【0183】
洗浄液出ノズルはスピンチャック４の上方に配置される。洗浄液吐出ノズルは洗浄液を下方へ吐出する。洗浄液は洗浄液吐出ノズルから下方へ吐出される、ともいえる。
【0184】
剥離液３２は上面Ｗａに形成された保持層２９を剥離する。保持層２９は、上面Ｗａにおいて処理液２７が固化または硬化して上面Ｗａに形成され、上面Ｗａの上の異物を取り込む。処理液２７は溶質と溶媒とを含む。洗浄液は、ガード４１のスピンチャック４側の面４１ａに付着した溶質を除去する成分を有する。洗浄液が溶質を溶解する成分を有することは、面４１ａの洗浄に資する。
【0185】
ガード昇降機構４４はガード４１を昇降させる。処理液吐出ノズル５が処理液２７を吐出して上面Ｗａに供給し、上面Ｗａから処理液２７が飛散する速度（上述の例では３００ｒｐｍから１５００ｒｐｍ）でスピンチャック４が基板Ｗを回転させるときには、ガード昇降機構４４はガード４１を上位置Ｕ１に配置する。
【0186】
剥離液吐出ノズル６が剥離液３２を吐出して上面Ｗａに供給し、上面Ｗａから剥離液３２が飛散する速度（上述の例では５００ｒｐｍ～８００ｒｐｍ）でスピンチャック４が基板Ｗを回転させるときには、ガード昇降機構４４はガード４１を下位置Ｄ１に配置する。下位置Ｄ１は上位置Ｕ１よりも下方である。
【0187】
洗浄液吐出ノズルが洗浄液を吐出して上面Ｗａに供給し、上面Ｗａから洗浄液が飛散する速度（上述の例では１００ｒｐｍ～１０００ｒｐｍ）でスピンチャック４が基板Ｗを回転させるときには、ガード昇降機構４４はガード４１を上位置Ｕ１に配置する。
【0188】
ガード４１が上位置Ｕ１に位置するときには、スピンチャック４が基板Ｗを保持する保持位置、例えばチャックピン８の上端の位置８ａから、回転軸線Ａ１に対して垂直な方向、たとえば水平方向に沿って見て、保持位置とガード４２との間にガード４１がある。ガード４１が下位置Ｄ１に位置するときには、上述の方向に沿って見て、保持位置とガード４２との間にガード４１はない。
【0189】
例えば基板処理装置１は制御装置１０７を備える。制御装置１０７は、スピンチャック４による基板Ｗの回転と、ガード昇降機構４４によるガード４１，４２の配置と、処理液吐出ノズル５からの処理液２７の吐出と、剥離液吐出ノズル６からの剥離液３２の吐出と、洗浄液吐出ノズルからの洗浄液の吐出とを制御する。制御装置１０７は、基板Ｗの回転と、ガード４１，４２の配置と、処理液２７の吐出と、剥離液３２の吐出と、洗浄液の吐出との協働に資する。
【0190】
処理液２７および剥離液３２が供給される上面Ｗａを有する基板Ｗと、洗浄液が供給される上面Ｗａを有する基板Ｗとは同じであってもよいし、異なっていてもよい。例えば上述された処理液２７および剥離液３２の供給と洗浄液の供給とが繰り返して実行されるとき、既に洗浄液が供給された上面Ｗａを有する基板Ｗと、その後に処理液２７および剥離液３２が供給される上面Ｗａを有する基板Ｗとが異なってもよい。
【0191】
かかる基板処理装置１は、保持層２９を形成するための処理液２７に含まれていた溶質が、基板Ｗへ供給される処理液２７とは別途に基板Ｗへ到達する事象を低減する。
【0192】
基板処理装置１が残渣除去液吐出ノズル７を備えてもよい。残渣除去液吐出ノズル７は残渣除去液３３を吐出する。残渣除去液３３は残渣除去液吐出ノズル７から上面Ｗａへ吐出される。残渣除去液３３は、上面Ｗａに形成された保持層２９が剥離された後に上面Ｗａにおける残渣を除去する。
【0193】
洗浄液として残渣除去液３３が採用される場合が例示されたが、必ずしも残渣除去液３３と洗浄液とは兼用されない。例えば残渣除去液３３にＩＰＡが、洗浄液としてＰＧＭＥが、それぞれ採用され得る。
【0194】
残渣除去液３３と洗浄液とは兼用されない場合、洗浄液吐出ノズルとは別に、を残渣除去液吐出ノズル７が基板処理装置１に備えられてもよい。洗浄液に残渣除去液３３が用いられ、残渣除去液吐出ノズル７が洗浄液吐出ノズルと兼用されることは、基板処理装置１を製造するコストを低減する。
【0195】
＜５．変形＞
＜５－１．ノズルについての変形＞
上記実施形態において処理液吐出ノズル５が複数のノズル穴を有し、当該複数のノズル穴から処理液２７が吐出されてもよい。当該ノズル穴は例えば線状に配列される。
＜５－１．ノズルについての変形＞
上記実施形態において処理液吐出ノズル５が複数のノズル穴を有し、当該複数のノズル穴から処理液２７が吐出されてもよい。当該ノズル穴は例えば線状に配列される。
【0196】
上記実施形態において剥離液吐出ノズル６が複数のノズル穴を有し、当該複数のノズル穴から剥離液３２が吐出されてもよい。当該ノズル穴は例えば線状に配列される。
【0197】
上記実施形態において残渣除去液吐出ノズル７が複数のノズル穴を有し、当該複数のノズル穴から残渣除去液３３が吐出されてもよい。当該ノズル穴は例えば線状に配列される。
【0198】
上記実施形態においてリンス液吐出ノズル６５が複数のノズル穴を有し、当該複数のノズル穴からリンス液３１が吐出されてもよい。当該ノズル穴は例えば線状に配列される。
【0199】
＜５－２．ガード４１の位置＞
ステップＳ３１において下記の変形が可能である。上面Ｗａから残渣除去液３３が飛散するとき、ガード昇降機構４４によって、ガード４１がその上位置Ｕ１からその下位置Ｄ１の間のいずれか中間の位置に配置されても（ガード４１が当該中間の位置に位置しても）よいし、当該中間の位置と上位置Ｕ１との間で移動していてもよいし、上位置Ｕ１と下位置Ｄ１との間で移動していてもよい。これらの変形は、ガード４１における付着物質を洗い流す範囲を拡げる観点で望ましい。
ステップＳ３１において下記の変形が可能である。上面Ｗａから残渣除去液３３が飛散するとき、ガード昇降機構４４によって、ガード４１がその上位置Ｕ１からその下位置Ｄ１の間のいずれか中間の位置に配置されても（ガード４１が当該中間の位置に位置しても）よいし、当該中間の位置と上位置Ｕ１との間で移動していてもよいし、上位置Ｕ１と下位置Ｄ１との間で移動していてもよい。これらの変形は、ガード４１における付着物質を洗い流す範囲を拡げる観点で望ましい。
【0200】
＜５－３．基板Ｗが回転する速度＞
ステップＳ３１において下記の変形が可能である。上面Ｗａから残渣除去液３３が飛散するとき、スピンモータ１１によって、基板Ｗが回転する速度を変化させてもよい。当該速度が低いほど、上面Ｗａから飛散する残渣除去液３３はガード４１の下方へ到達しやすい。このように速度の変動によって飛散される液体が到達する位置を変動させる技術は、例えば特許文献３に例示される。
ステップＳ３１において下記の変形が可能である。上面Ｗａから残渣除去液３３が飛散するとき、スピンモータ１１によって、基板Ｗが回転する速度を変化させてもよい。当該速度が低いほど、上面Ｗａから飛散する残渣除去液３３はガード４１の下方へ到達しやすい。このように速度の変動によって飛散される液体が到達する位置を変動させる技術は、例えば特許文献３に例示される。
【0201】
「５－２．ガード４１の位置」において上述されたように、ガード４１の位置が変動するときには、基板Ｗが回転する速度の上限と下限とを、ガード４１の位置毎に異ならせてもよい。例えばガード４１がその上位置Ｕ１に位置しているときに基板Ｗが速度ｖ１以上かつ速度ｖ２以下で回転し、ガード４１がその中間の位置に位置しているときに基板Ｗが速度ｖ３以上かつ速度ｖ４以下で回転し、ｖ３＜ｖ１＜ｖ４＜ｖ２の関係があってもよい。
【0202】
＜５－４．対向部材５０の回転＞
対向部材５０が回転軸線Ａ１を中心として回転する機能が基板処理装置１に備えられていてもよい。例えば、基板Ｗが回転する速度と同程度、例えば等しい速度で対向部材５０が回転軸線Ａ１を中心として回転してもよい。対向部材５０がこのように回転することで、対向面５０ａと上面Ｗａとの間での乱流を低減し、処理液２７、剥離液３２、残渣除去液３３、リンス液３１のいずれについても、それぞれが上面Ｗａに均一に分布しやすくなる。
対向部材５０が回転軸線Ａ１を中心として回転する機能が基板処理装置１に備えられていてもよい。例えば、基板Ｗが回転する速度と同程度、例えば等しい速度で対向部材５０が回転軸線Ａ１を中心として回転してもよい。対向部材５０がこのように回転することで、対向面５０ａと上面Ｗａとの間での乱流を低減し、処理液２７、剥離液３２、残渣除去液３３、リンス液３１のいずれについても、それぞれが上面Ｗａに均一に分布しやすくなる。
【0203】
＜５－５．洗浄液吐出ノズルの追加＞
面４１ａを洗浄するための洗浄液が残渣除去液３３と別であってもよい。例えば残渣除去液３３としてＰＧＭＥを採用し、洗浄液としてＩＰＡを採用してもよい。当該洗浄液と残渣除去液３３とが異なる場合、洗浄液を吐出する洗浄液吐出ノズルを、残渣除去液吐出ノズル７とは別に、チャンバー２が備えてもよい。当該洗浄液と残渣除去液３３とに同じ液体が採用される場合であっても、洗浄液を吐出する洗浄液吐出ノズルを、残渣除去液吐出ノズル７とは別に、チャンバー２が備えてもよい。
面４１ａを洗浄するための洗浄液が残渣除去液３３と別であってもよい。例えば残渣除去液３３としてＰＧＭＥを採用し、洗浄液としてＩＰＡを採用してもよい。当該洗浄液と残渣除去液３３とが異なる場合、洗浄液を吐出する洗浄液吐出ノズルを、残渣除去液吐出ノズル７とは別に、チャンバー２が備えてもよい。当該洗浄液と残渣除去液３３とに同じ液体が採用される場合であっても、洗浄液を吐出する洗浄液吐出ノズルを、残渣除去液吐出ノズル７とは別に、チャンバー２が備えてもよい。
【0204】
なお、上記各実施形態および各種変形例をそれぞれ構成する全部または一部を、適宜、矛盾しない範囲で組み合わせ可能であることは、言うまでもない。
【符号の説明】
【0205】
１ 基板処理装置
４ スピンチャック（回転装置）
５ 処理液吐出ノズル
６ 剥離液吐出ノズル
７ 残渣除去液吐出ノズル（洗浄液吐出ノズル）
８ａ 位置（保持位置）
２７ 処理液
２９ 保持層
３２ 剥離液
３３ 残渣除去液
４１，４２ ガード
４１ａ 面
４４ ガード昇降機構
１０７ 制御装置
Ａ１ 回転軸線
Ｄ１ 下位置
Ｓ１０，Ｓ１１，Ｓ１２，Ｓ１３，Ｓ２０，Ｓ２１，Ｓ２２，Ｓ２３，Ｓ３０，Ｓ３１，Ｓ３２ ステップ（工程）
Ｕ１ 上位置
Ｗ 基板
Ｗａ 上面
４ スピンチャック（回転装置）
５ 処理液吐出ノズル
６ 剥離液吐出ノズル
７ 残渣除去液吐出ノズル（洗浄液吐出ノズル）
８ａ 位置（保持位置）
２７ 処理液
２９ 保持層
３２ 剥離液
３３ 残渣除去液
４１，４２ ガード
４１ａ 面
４４ ガード昇降機構
１０７ 制御装置
Ａ１ 回転軸線
Ｄ１ 下位置
Ｓ１０，Ｓ１１，Ｓ１２，Ｓ１３，Ｓ２０，Ｓ２１，Ｓ２２，Ｓ２３，Ｓ３０，Ｓ３１，Ｓ３２ ステップ（工程）
Ｕ１ 上位置
Ｗ 基板
Ｗａ 上面
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】