特開 2025-73957 キャパシタおよびその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025073957

(43)【公開日】2025-05-13

(54)【発明の名称】キャパシタおよびその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/33 20060101AFI20250502BHJP

   H01G 4/30 20060101ALI20250502BHJP

【ＦＩ】

H01G4/33 102

H01G4/30 541

H01G4/30 547

【審査請求】未請求

【請求項の数】15

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024022833

(22)【出願日】2024-02-19

(31)【優先権主張番号】10-2023-0145382

(32)【優先日】2023-10-27

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】100108453

【弁理士】

【氏名又は名称】村山 靖彦

(74)【代理人】

【識別番号】100110364

【弁理士】

【氏名又は名称】実広 信哉

(72)【発明者】

【氏名】李 文▲チョル▼

(72)【発明者】

【氏名】趙 成▲ミン▼

(72)【発明者】

【氏名】朴 世訓

(72)【発明者】

【氏名】朴 泰俊

(72)【発明者】

【氏名】韓 昇勳

(72)【発明者】

【氏名】金 政民

【テーマコード（参考）】

5E001

5E082

【Ｆターム（参考）】

5E001AB03

5E001AC09

5E001AF06

5E082AB03

5E082EE05

5E082EE23

5E082EE37

5E082FF05

5E082FG03

5E082FG27

5E082FG42

5E082GG10

5E082JJ03

(57)【要約】

【課題】高容量を有するキャパシタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】一側面によるキャパシタは、上面から第１深さを有するボディー収容溝が形成されている基板；および誘電層を間において積層される第１内部電極および第２内部電極を含み、前記ボディー収容溝に位置するボディーを含み、前記ボディー収容溝が有する幅は、前記ボディー収容溝の前記第１深さ対比１以上であり、前記ボディー収容溝が有する長さは、前記ボディー収容溝の前記第１深さ対比１以上である。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

上面から第１深さを有するボディー収容溝が形成されている基板と、
誘電層を間において積層される第１内部電極および第２内部電極を含み、前記ボディー収容溝に位置するボディーと、を含み、
前記ボディー収容溝の幅は、前記ボディー収容溝の前記第１深さ対比１以上であり、前記ボディー収容溝の長さは、前記ボディー収容溝の前記第１深さ対比１以上である、キャパシタ。

【請求項2】

前記ボディーの前記長さ方向の一側端部の上面上に位置する第１外部電極、および
前記ボディーの前記長さ方向の他側端部の上面上に位置する第２外部電極をさらに含む、請求項１に記載のキャパシタ。

【請求項3】

前記ボディーは、前記第１外部電極と前記第２内部電極との間に位置する第１電極分離層をさらに含む、請求項２に記載のキャパシタ。

【請求項4】

前記ボディーの前記長さ方向の一側端部において、前記第２内部電極の一側端部は前記ボディー収容溝の内側に入った構造を有し、前記第１電極分離層は、前記誘電層のうち、互いに隣接する２つの間に形成された空間に位置する、請求項３に記載のキャパシタ。

【請求項5】

前記ボディーは、前記第２外部電極と前記第１内部電極との間に位置する第２電極分離層をさらに含む、請求項２に記載のキャパシタ。

【請求項6】

前記ボディーの前記長さ方向の他側端部において、前記第１内部電極の一側端部は、前記ボディー収容溝の内側に入った構造を有し、前記第２電極分離層は、前記誘電層のうち、互いに隣接する２つの間に形成された空間に位置する、請求項５に記載のキャパシタ。

【請求項7】

前記ボディー収容溝と前記ボディーとの間に位置する下部絶縁層をさらに含む、請求項１に記載のキャパシタ。

【請求項8】

前記ボディーの上面上で前記第１内部電極に接続される第１外部電極と、
前記ボディーの上面上で前記第２内部電極に接続される第２外部電極と、
前記ボディーの上面の外周において、前記第１外部電極および前記第２外部電極が位置する部分以外の部分上に位置する絶縁層とをさらに含む、請求項１に記載のキャパシタ。

【請求項9】

前記ボディー収容溝は、前記幅方向の一側が前記基板の側面方向に開放された構造を有し、前記ボディーの幅方向一側面は、前記基板の側面上に位置する、請求項１に記載のキャパシタ。

【請求項10】

前記基板には、前記ボディー収容溝の底面から上側に向かって突出し、前記ボディー収容溝の幅方向の側面と離隔して位置する縦方向隆起部が形成される、請求項１に記載のキャパシタ。

【請求項11】

前記基板には、前記ボディー収容溝の底面から上側に向かって突出し、前記ボディー収容溝の長さ方向の側面と離隔して位置する横方向隆起部が形成される、請求項１に記載のキャパシタ。

【請求項12】

前記ボディーの上面上で前記第１内部電極に接続される第１外部電極と、
前記ボディーの上面上で前記第２内部電極に接続される第２外部電極とをさらに含み、
前記第１外部電極および前記第２外部電極の下側領域において、前記ボディーと前記基板との境界は、上下方向に直交する水平方向に対して傾斜している、請求項１に記載のキャパシタ。

【請求項13】

前記ボディー収容溝の幅は、前記ボディー収容溝の深さ対比１以上４４以下であり、前記ボディー収容溝の長さは、前記ボディー収容溝の深さ対比１以上５４以下である、請求項１に記載のキャパシタ。

【請求項14】

前記ボディー収容溝の深さは、１００μｍ以下である、請求項１に記載のキャパシタ。

【請求項15】

基板の上面上に下面方向に入ったボディー収容溝を形成するステップと、
前記基板上に内部電極層および誘電層を形成するステップと、
前記内部電極層および前記誘電層のうち、前記ボディー収容溝の外部に位置する領域を除去して、前記内部電極層を通して形成された内部電極および前記誘電層を含むボディーを形成するステップと、
前記ボディー上に前記内部電極と接続される外部電極を形成するステップと、を含む、キャパシタの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、キャパシタおよびその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

電子機器に使用される電子部品として、キャパシタ、インダクタ、圧電素子、バリスタまたはサーミスタなどがある。このようなセラミック電子部品のうち、積層型キャパシタは、小型であり高容量が保証され、実装が容易であるという長所により、様々な電子装置に使用することができる。

【0003】

例えば、積層型キャパシタは、液晶表示装置（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙａｙ、ＬＣＤ）、プラズマ表示装置パネル（ｐｌａｓｍａ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ、ＰＤＰ）、有機発光ダイオード（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ）などの映像機器、コンピュータ、個人携帯用端末器およびスマートフォンなどの様々な電子製品の基板に装着され、電気を充電させたり放電させる役割を果たすチップ状のコンデンサに使用することができる。

【0004】

近年、電子製品の小型化および薄膜化傾向により、従来の積層型キャパシタより高容量のキャパシタに対する需要が増加している。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

実施例のうち少なくとも一つの実施例は、高容量を有するキャパシタおよびその製造方法を提供するものである。

【0006】

しかし、本発明の実施例が解決しようとする課題は、上述した課題に限定されず、本発明に含まれている技術的な思想の範囲で様々に拡張される。

【課題を解決するための手段】

【0007】

一側面によるキャパシタは、上面から第１深さを有するボディー収容溝が形成されている基板と、誘電層を間において積層される第１内部電極および第２内部電極を含み、前記ボディー収容溝に位置するボディーと、を含み、前記ボディー収容溝の幅は、前記ボディー収容溝の前記第１深さ対比１以上であり、前記ボディー収容溝の長さは、前記ボディー収容溝の前記第１深さ対比１以上であってもよい。

【0008】

前記ボディーの前記長さ方向一側端部の上面上に位置する第１外部電極、および前記ボディーの前記長さ方向の他側端部の上面上に位置する第２外部電極をさらに含むことができる。

【0009】

前記ボディーは、前記第１外部電極と前記第２内部電極との間に位置する第１電極分離層をさらに含むことができる。

【0010】

前記ボディーの前記長さ方向の一側端部において、前記第２内部電極の一側端部は、前記ボディー収容溝の内側に入った構造を有し、前記第１電極分離層は、前記誘電層のうち、互いに隣接する２つの間に形成された空間に位置することができる。

【0011】

前記ボディーは、前記第２外部電極と前記第１内部電極との間に位置する第２電極分離層をさらに含むことができる。

【0012】

前記ボディーの前記長さ方向の他側端部において、前記第１内部電極の一側端部は、前記ボディー収容溝の内側に入った構造を有し、前記第２電極分離層は、前記誘電層のうち、互いに隣接する２つの間に形成された空間に位置することができる。

【0013】

前記ボディー収容溝と前記ボディーとの間に位置する下部絶縁層をさらに含むことができる。

【0014】

前記ボディーの上面上で前記第１内部電極に接続される第１外部電極と、前記ボディーの上面上で前記第２内部電極に接続される第２外部電極と、前記ボディーの上面の外周において、前記第１外部電極および前記第２外部電極が位置する部分以外の部分上に位置する絶縁層とをさらに含むことができる。

【0015】

前記ボディー収容溝は、前記幅方向の一側が前記基板の側面方向に開放された構造を有し、前記ボディーの幅方向の一側面は、前記基板の側面上に位置することができる。

【0016】

前記基板には、前記ボディー収容溝の底面から上側に向かって突出し、前記ボディー収容溝の幅方向の側面と離隔して位置する縦方向隆起部が形成されることができる。

【0017】

前記基板には、前記ボディー収容溝の底面から上側に向かって突出し、前記ボディー収容溝の長さ方向の側面と離隔して位置する横方向隆起部が形成されることができる。

【0018】

前記ボディーの上面上において前記第１内部電極に接続する第１外部電極と、前記ボディーの上面上において前記第２内部電極に接続する第２外部電極とをさらに含み、前記第１外部電極および前記第２外部電極の下側領域において、前記ボディーと前記基板との境界は、上下方向に直交する水平方向に対して傾斜することができる。

【0019】

前記ボディー収容溝の幅は、前記ボディー収容溝の深さ対比１以上４４以下であり、前記ボディー収容溝の長さは、前記ボディー収容溝の深さ対比１以上５４以下であることができる。

【0020】

前記ボディー収容溝の深さは、１００μｍ以下であることができる。

【0021】

他側面によるキャパシタの製造方法は、基板の上面上に下面方向に入ったボディー収容溝を形成するステップと、前記基板上に内部電極層および誘電層を形成するステップと、前記内部電極層および前記誘電層のうち、前記ボディー収容溝の外部に位置する領域を除去し、前記内部電極層を介して形成された内部電極および前記誘電層を含むボディーを形成するステップと、前記ボディー上に前記内部電極と接続する外部電極を形成するステップとを含むことができる。

【発明の効果】

【0022】

実施例のうち少なくとも一つの実施例によれば、高容量を有するキャパシタおよびその製造方法が提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0023】

【図1】一実施例によるキャパシタを示す図面である。

【図2】図１のキャパシタの幅方向による縦断面図である。

【図3】図１のキャパシタの長さ方向による縦断面図である。

【図4】一実施例によるキャパシタの製造方法を示す図面である。

【図5】一実施例によるキャパシタの製造方法を示す図面である。

【図6】一実施例によるキャパシタの製造方法を示す図面である。

【図7】一実施例によるキャパシタの製造方法を示す図面である。

【図8】一実施例によるキャパシタの製造方法を示す図面である。

【図9】一実施例によるキャパシタの製造方法を示す図面である。

【図10】一実施例によるキャパシタの製造方法を示す図面である。

【図11】一実施例によるキャパシタの製造方法を示す図面である。

【図12】他の実施例によるキャパシタの幅方向に沿った縦断面図である。

【図13】また他の実施例によるキャパシタの長さ方向に沿った縦断面図である。

【図14】他の実施例によるキャパシタの製造方法におけるダイシングのためのダイシングラインを示した平面図である。

【図15】図１４による製造方法で作られたキャパシタの幅方向に沿った縦断面図の一側端部を示す図面である。

【図16】また他の実施例によるキャパシタの製造方法におけるダイシングのためのダイシングラインを示した平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0024】

以下、添付の図面を参照して、本発明の様々な実施例について、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。本発明は、いくつかの異なる形態で実施することができ、ここで説明する実施例に限定されない。

【0025】

本発明を明確に説明するために説明と関係ない部分は省略し、明細書全体を通じて同一または類似の構成要素については同一の参照符号を付す。

【0026】

また、図面で示された各構成の大きさ及び厚さは説明の便宜のために任意に示したものであり、本発明は必ずしも図示されたものに限定されない。図面において、複数の層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示した。そして、図面において、説明の便宜上、一部の層及び領域の厚さを誇張して示した。

【0027】

また、層、膜、領域、プレートなどの部分が他の部分の「上」または「の上」にあると言うとき、これは他の部分の「直上」にある場合だけでなく、その途中に別の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の「直上」にあると言うときは、真ん中に他の部分がないことを意味する。また、基準となる部分の「上」または「の上」にあるというのは、基準となる部分の上または下に位置することであり、必ずしも重力反対方向に向かって「上」または「の上」に位置することを意味するものではない。

【0028】

また、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」という場合、これは、特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。

【0029】

また、明細書全体において、「平面上」とは、対象部分を上から見たときのことを意味し、「断面上」とは、対象部分を垂直に切った断面を横から見たときのことを意味する。

【0030】

図１は、一実施例によるキャパシタ１を示す図面であり、図２は、図１のキャパシタ１の幅方向（Ｗ）に沿った縦断面図であり、図３は、図１のキャパシタ１の長さ方向（Ｌ）に沿った縦断面図である。

【0031】

図１～図３を参照すると、一実施例によるキャパシタ１は、基板１０、ボディー２０および外部電極３０を含むことができる。

【0032】

基板１０は、予め設定された面積を有する。基板１０は、絶縁性材料で提供される。一例として、基板１０は、シリコン基板などであってもよい。基板１０は、互いに対向する上面および下面を有する。基板１０は、上面と下面が離隔される上下方向（Ｔ）に予め設定された厚さを有する。

【0033】

基板１０の厚さは、１００μｍより厚くてよい。基板１０は、上下方向（Ｔ）に交差する幅方向（Ｗ）に予め設定された幅を有することができる。幅方向（Ｗ）は、上下方向（Ｔ）に対して直交することができる。基板１０は、上下方向（Ｔ）および幅方向（Ｗ）に対して交差する長さ方向（Ｌ）に予め設定された長さを有することができる。長さ方向（Ｌ）は、上下方向（Ｔ）および幅方向（Ｗ）に対して直交することができる。基板１０の長さは、基板１０の幅より大きいことができる。一例として、基板１０の長さは、基板１０の幅対比１．５以上２．５以下であってもよい。基板１０は、概略的な形状が六面体であってもよい。

【0034】

基板１０の上面上には、ボディー収容溝１００が形成される。

【0035】

ボディー収容溝１００は、基板１０の上面から下面に向かって予め設定された深さ方向に入った構造を有する。ボディー収容溝１００は、上下方向（Ｔ）に第１深さ（Ｄ１）を有することができる。ボディー収容溝１００の第１深さ（Ｄ１）は、ボディー収容溝１００において基板１０の下面と最も隣接する地点と基板１０の上面との間の距離であることができる。

【0036】

ボディー収容溝１００は、幅方向（Ｗ）に予め設定された幅を有することができる。ボディー収容溝１００の幅（Ｗ１）は、幅方向（Ｗ）に沿って離隔された距離が最も大きい両端の間の距離であってもよい。ボディー収容溝１００の幅（Ｗ１）は、ボディー収容溝１００の上端から測定することができる。

【0037】

ボディー収容溝１００の幅方向（Ｗ）側面は、水平方向に対して第１角度（α）だけ傾斜することができる。第１角度（α）は、ボディー収容溝１００の幅方向（Ｗ）側面の上端と下端を接続する直線の傾きであることができる。第１角度（α）は、９０°以下の値を有することができる。

【0038】

ボディー収容溝１００の幅（Ｗ１）は、ボディー収容溝１００の第１深さ（Ｄ１）対比１以上に提供される。一例として、ボディー収容溝１００の幅（Ｗ１）は、ボディー収容溝１００の第１深さ（Ｄ１）対比、１以上４４以下であることができる。ボディー収容溝１００の第１深さ（Ｄ１）は、１００μｍ以下であることができる。そして、ボディー収容溝１００の幅（Ｗ１）は、１００μｍ以上であることができる。ボディー収容溝１００の幅（Ｗ１）は、１００μｍ以上１３００μｍ以下であることができる。

【0039】

ボディー収容溝１００は、長さ方向（Ｌ）に予め設定された長さを有することができる。ボディー収容溝１００の長さ（Ｌ１）は、長さ方向（Ｌ）に沿って離隔された距離が最も大きい両端の間の距離であってもよい。ボディー収容溝１００の長さ（Ｌ１）は、ボディー収容溝１００の上端から測定することができる。

【0040】

ボディー収容溝１００の長さ方向（Ｌ）側面は、水平方向に対して第２角度（β）だけ傾斜することができる。第２角度（β）は、ボディー収容溝１００の長さ方向（Ｌ）側面の上端と下端を接続する直線の傾きであることができる。第２角度（β）は、９０°以下の値を有することができる。

【0041】

ボディー収容溝１００の長さ（Ｌ１）は、ボディー収容溝１００の第１深さ（Ｄ１）対比１以上に提供される。一例として、ボディー収容溝１００の長さ（Ｌ１）は、ボディー収容溝１００の第１深さ（Ｄ１）対比、１以上５４以下であることができる。ボディー収容溝１００の第１深さ（Ｄ１）は、１００μｍ以下であることができる。そして、ボディー収容溝１００の長さ（Ｌ１）は、１００μｍ以上であることができる。ボディー収容溝１００の長さ（Ｌ１）は、１００μｍ以上１６００μｍ以下であることができる。ボディー収容溝１００の長さ（Ｌ１）は、ボディー収容溝１００の幅（Ｗ１）より大きいことができる。

【0042】

ボディー２０は、ボディー収容溝１００の内側に位置する。ボディー２０は、内部電極２１０および誘電層２２０を含む。

【0043】

内部電極２１０は、ボディー収容溝１００の内側に積層されて位置する。内部電極２１０は、導電性材料で提供される。内部電極２１０は、金属性材料であることができる。内部電極２１０の幅方向（Ｗ）端部は、ボディー収容溝１００の幅方向（Ｗ）側面に対応して、外側に行くほど上側に向かって傾斜することができる。内部電極２１０の長さ方向（Ｌ）端部は、ボディー収容溝１００の長さ方向（Ｌ）側面に対応して、外側に行くほど上側に向かって傾斜することができる。

【0044】

誘電層２２０は、上下方向（Ｔ）に互いに隣接する内部電極２１０の間に位置する。また、誘電層２２０は、最も上側に位置する内部電極２１０上に位置することができる。誘電層２２０は、Ａｌ_２Ｏ_３ＺｒＯ_２、ＨｆＯ_２、ＡｌＮなどの酸化金属のいずれかで形成することができる。また、誘電層２２０は、Ａｌ_２Ｏ_３ＺｒＯ_２、ＨｆＯ_２、ＡｌＮなどの酸化金属の組み合わせで形成することができる。また、誘電層２２０は、ＺｒＯ_２－Ａｌ_２Ｏ_３－ＺｒＯ_２複合層のＺＡＺで形成することができる。

【0045】

内部電極２１０は、第１内部電極２１１および第２内部電極２１２を含むことができる。
第１内部電極２１１および第２内部電極２１２は、ボディー収容溝１００の内側に積層されて位置する。第１内部電極２１１および第２内部電極２１２は、交互に積層されることができる。第１内部電極２１１と第２内部電極２１２との間には、誘電層２２０が位置することができる。第１内部電極２１１および第２内部電極２１２は、導電性材料で提供される。第１内部電極２１１は、金属性材料であってもよい。第２内部電極２１２は、金属性材料であってもよい。第１内部電極２１１と第２内部電極２１２は、互いに異なる材料であってもよい。これにより、第１内部電極２１１と第２内部電極２１２は、選択的エッチングが行われることができる。一例として、第１内部電極２１１は、モリブデンを含み、第２内部電極２１２は、チタニウムを含むことができる。

【0046】

ボディー収容溝１００とボディー２０との間には、下部絶縁層２０１が位置することができる。即ち、ボディー収容溝１００上には下部絶縁層２０１が位置し、下部絶縁層２０１上にはボディー２０が位置することができる。下部絶縁層２０１上には、第１内部電極２１１または第２内部電極２１２が位置することができる。下部絶縁層２０１は、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）などであってもよい。

【0047】

外部電極３０は、ボディー２０の内部電極２１０に接続される。外部電極３０は、ボディー２０上に位置することができる。また、外部電極３０の一部領域は、基板１０上に位置することができる。この時、外部電極３０と基板１０との間には、上部絶縁層３５が位置することができる。上部絶縁層３５は、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）などであることができる。

【0048】

外部電極３０の下側領域において、ボディー２０と基板１０との境界は、上下方向（Ｔ）に直交する水平方向に対して傾斜することができる。また、外部電極３０の下側領域において、ボディー２０と基板１０との境界は、上下方向（Ｔ）および水平方向に対して傾斜することができる。

【0049】

外部電極３０は、第１外部電極３１および第２外部電極３２を含む。
第１外部電極３１は、ボディー２０の上面上に位置する。第１外部電極３１は、ボディー２０の長さ方向（Ｌ）一側端部の上面上に位置することができる。第１外部電極３１の下側領域において、ボディー２０と基板１０との境界は、上下方向（Ｔ）に直交する水平方向に対して傾斜することができる。また、第１外部電極３１の一部は、基板１０の上面上に位置することができる。第１外部電極３１は、第１内部電極２１１に接続される。即ち、第１外部電極３１は、ボディー２０の上面上に位置し、ボディー２０の上面に露出した第１内部電極２１１に接続される。即ち、第１外部電極３１は、ボディー２０の上面に露出した第１内部電極２１１の一側端に直接接続することができる。

【0050】

ボディー２０の長さ方向（Ｌ）一側端部において、第２内部電極２１２の一端外側に第１電極分離層２３１が位置する。即ち、ボディー２０の長さ方向（Ｌ）一側端部において、第２内部電極２１２の一側端部は、ボディー収容溝１００の内側に入った構造を有することができる。そして、第２内部電極２１２がボディー収容溝１００の内側に入った構造を有することにより、互いに隣接する２つの誘電層２２０の間に形成された空間には、第１電極分離層２３１が位置することができる。第１電極分離層２３１は、絶縁性材料で提供される。一例として、第１電極分離層２３１は、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化シリコンなどで提供することができる。これにより、第１外部電極３１と第２内部電極２１２との間には、第１電極分離層２３１が位置する。第１電極分離層２３１によって、第１外部電極３１は、第２内部電極２１２と電気的に分離される。

【0051】

第２外部電極３２は、ボディー２０の上面上に位置する。第２外部電極３２は、ボディー２０の長さ方向（Ｌ）の他側端部の上面上に位置することができる。第２外部電極３２の下側領域において、ボディー２０と基板１０との境界は、上下方向（Ｔ）に直交する水平方向に対して傾斜することができる。また、第２外部電極３２の一部は、基板１０の上面上に位置することができる。第２外部電極３２は、第２内部電極２１２に接続される。即ち、第２外部電極３２は、ボディー２０の上面上に位置し、ボディー２０の上面上に露出した第２内部電極２１２に接続することができる。即ち、第２外部電極３２は、ボディー２０の上面に露出した第２内部電極２１２の一側端に直接接続することができる。

【0052】

ボディー２０の長さ方向（Ｌ）他側端部において、第１内部電極２１１の一端外側に第２電極分離層２３２が位置される。即ち、ボディー２０の長さ方向（Ｌ）他側端部において、第１内部電極２１１の一側端部は、ボディー収容溝１００の内側に入った構造を有することができる。そして、第１内部電極２１１がボディー収容溝１００の内側に入った構造を有することにより、互いに隣接する２つの誘電層２２０の間に形成された空間には、第２電極分離層２３２が位置することができる。第１電極分離層２３１と第２電極分離層２３２は、ボディー２０の中心領域を間において互いに反対方向に位置することができる。第２電極分離層２３２は、絶縁性材料で提供される。一例として、第２電極分離層２３２は、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化シリコンなどで提供することができる。これにより、第２外部電極３２と第１内部電極２１１との間には第２電極分離層２３２が位置する。第２電極分離層２３２によって、第２外部電極３２は、第１内部電極２１１と電気的に分離される。

【0053】

ボディー２０の上面の外周において、外部電極３０が位置する部分以外の部分上には、絶縁層４０が位置することができる。即ち、絶縁層４０は、ボディー２０の上面において、内部電極２１０の端部が露出した領域のうち、外部電極３０が位置する部分以外の部分に位置し、内部電極２１０が外部と絶縁されるようにする。一例として、絶縁層４０は、ボディー２０の上面から外部電極３０が位置する部分以外の部分を覆うように形成することができる。また、絶縁層４０は、基板１０の上面上に位置することができる。図１には、ボディー２０の上面から外部電極３０が位置する部分以外の部分、及び基板１０の上面上に絶縁層４０が位置する場合が例示されている。絶縁層４０は、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化シリコンなどで提供することができる。

【0054】

一実施例によるキャパシタ１によれば、キャパシタンスを形成するボディー２０が基板１０に形成されたボディー収容溝１００に収容された構造を有する。これにより、基板１０およびボディー２０が安全な結合構造を有する。

【0055】

また、一実施例によるキャパシタ１によれば、ボディー２０が基板１０に形成されたボディー収容溝１００に収容された構造を有することによって、キャパシタ１の厚さを薄くしながら高容量を有することができる。

【0056】

図４～図１１は、一実施例によるキャパシタの製造方法を示す図面である。
以下、図４～図１１を参照して、一実施例によるキャパシタ１の製造方法を説明する。

【0057】

図４を参照すると、基板（Ｓ）が提供される。基板（Ｓ）は、シリコン基板などであってもよい。基板（Ｓ）は、２つのボディー収容溝１００が有する面積より大きい面積を有するものを提供することができる。これにより、１つの基板（Ｓ）上に複数のボディー収容溝１００が形成されることができる。図４には、図示の便宜上、基板（Ｓ）に１つのボディー収容溝１００が形成される領域を示した。

【0058】

図５を参照すると、基板（Ｓ）の上面上に下面方向に入ったボディー収容溝１００が形成される。ボディー収容溝１００は、エッチングプロセスを通して形成することができる。エッチングプロセスは、ケミカルを利用した湿式エッチング、プラズマを利用した乾式エッチングプロセスなどが利用できる。エッチングプロセスが湿式エッチングを介して行われる場合、ボディー収容溝１００の側壁の傾斜は、５４°以上５５°以下の傾斜を有することができる。エッチングプロセスが乾式エッチングを介して行われる場合、ボディー収容溝１００の側壁の傾斜は、５４°以上、または５４°以下の傾斜を有するように傾斜値が調節されることができる。

【0059】

図６を参照すると、基板（Ｓ）上にボディー２０形成のための内部電極層（ＩＥ１、ＩＥ２）、誘電層（ＤＬ）が形成される。内部電極層（ＩＥ１、ＩＥ２）、誘電層（ＤＬ）は、交互に形成することができる。ボディー２０形成のために内部電極層（ＩＥ１、ＩＥ２）が先に形成され、この後、誘電層（ＤＬ）と内部電極層（ＩＥ１、ＩＥ２）が交互に形成されることができる。ボディー２０形成のための内部電極層（ＩＥ１、ＩＥ２）、誘電層（ＤＬ）において、最後には誘電層（ＤＬ）の形成が行われることができる。これにより、最も上側に位置する内部電極層（ＩＥ１、ＩＥ２）上には、誘電層（ＤＬ）が位置することができる。

【0060】

内部電極層（ＩＥ１、ＩＥ２）、誘電層（ＤＬ）は、蒸着プロセスを通じて形成することができる。内部電極層（ＩＥ１、ＩＥ２）の形成には、化学気相蒸着（ＣＶＤ、ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、原子層蒸着（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＡＬＤ）などが使用できる。誘電層（ＤＬ）の形成には、化学気相蒸着（ＣＶＤ、ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、原子層蒸着（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＡＬＤ）などが使用できる。

【0061】

内部電極層（ＩＥ１、ＩＥ２）は、第１内部電極層（ＩＥ１）および第２内部電極層（ＩＥ２）を含むことができる。第１内部電極層（ＩＥ１）および第２内部電極層（ＩＥ２）は、交互に形成することができる。第１内部電極層（ＩＥ１）形成と第２内部電極層（ＩＥ２）の形成では、異なる材料を使用することができる。一例として、第１内部電極層（ＩＥ１）は、モリブデンを使用して形成され、第２内部電極２１２層は、チタニウムを使用して形成することができる。

【0062】

また、内部電極層（ＩＥ１、ＩＥ２）および誘電層（ＤＬ）の形成に先立って、基板（Ｓ）上には下部絶縁層（Ｉ）が形成されることができる。その後、下部絶縁層（Ｉ）上にボディー２０形成のための内部電極層（ＩＥ１、ＩＥ２）および誘電層（ＤＬ）が形成されることができる。下部絶縁層（Ｉ）形成には、化学気相蒸着（ＣＶＤ、ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、原子層蒸着（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＡＬＤ）などが使用できる。また、下部絶縁層（Ｉ）は、基板（Ｓ）に対するイオン注入によって形成することができる。一例として、下部絶縁層（Ｉ）は、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）などであることができる。

【0063】

図７を参照すると、内部電極層（ＩＥ１、ＩＥ２）および誘電層（ＤＬ）のうち、ボディー収容溝１００の外部に形成された領域が除去される。ボディー収容溝１００の外部に形成された領域は、基板（Ｓ）の上面より高い領域に形成された部分として理解することができる。内部電極層（ＩＥ１、ＩＥ２）および誘電層（ＤＬ）の除去は、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）プロセスを通して行うことができる。

【0064】

図８および図９を参照すると、ボディー収容溝１００の長さ方向（Ｌ）の両側端部でそれぞれ第１内部電極層（ＩＥ１）、第２内部電極層（ＩＥ２）をエッチングし、第２分離ギャップ（Ｇ２）および第１分離ギャップ（Ｇ１）を形成する。即ち、ボディー収容溝１００の長さ方向（Ｌ）の他側端部から第１内部電極層（ＩＥ１）の一側端部をエッチングして、一側端部が第２分離ギャップ（Ｇ２）分だけボディー収容溝１００の内側に入った構造の第１内部電極２１１を形成する。そして、ボディー収容溝１００の長さ方向（Ｌ）の一側端部から第２内部電極層（ＩＥ２）の一側端部をエッチングして、一側端部が第１分離ギャップ（Ｇ１）分だけボディー収容溝１００の内側に入った構造の第２内部電極２１２を形成する。第１内部電極層（ＩＥ１）、第２内部電極層（ＩＥ２）は、異なる材料で提供されるため、第１内部電極層（ＩＥ１）および第２内部電極層（ＩＥ２）を、選択的にエッチングすることができる。第１内部電極層（ＩＥ１）のエッチングには、プラズマを利用した乾式エッチング、ケミカルを利用した湿式エッチングなどが使用することができる。第２内部電極層（ＩＥ２）のエッチングには、プラズマを利用した乾式エッチング、ケミカルを利用した湿式エッチングなどを使用することができる。第１内部電極層（ＩＥ１）がエッチングされた後、第２内部電極層（ＩＥ２）がエッチングされることができる。また、第２内部電極層（ＩＥ２）がエッチングされた後、第１内部電極層（ＩＥ１）がエッチングされることができる。

【0065】

図１０を参照すると、第１分離ギャップ（Ｇ１）、第２分離ギャップ（Ｇ２）に絶縁物質を充填して、第１電極分離層２３１、第２電極分離層２３２を形成する。絶縁物質の充填には、化学気相蒸着（ＣＶＤ、ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、原子層蒸着（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＡＬＤ）などが使用できる。

【0066】

図１１を参照すると、内部電極２１０、第１電極分離層２３１および第２電極分離層２３２が形成されたボディー２０上に外部電極３０を形成する。ボディー２０で第１電極分離層２３１が形成された部分上に第１外部電極３１を形成する。これにより、第１外部電極３１は、ボディー２０の一側端部において第１内部電極２１１に接続し、第２内部電極２１２と電気的に分離される。

【0067】

ボディー２０において、第２電極分離層２３２が形成された部分上に第２外部電極３２を形成する。これにより、第２外部電極３２は、ボディー２０の他側端部において第２内部電極２１２に接続し、第１内部電極２１１と電気的に分離される。

【0068】

また、第１外部電極３１の一部領域、第２外部電極３２の一部領域は、基板（Ｓ）上に形成することができる。この時、第１外部電極３１、第２外部電極３２の形成に先立って、基板（Ｓ）上には、第１外部電極３１、第２外部電極３２が形成される領域に上部絶縁層３５を形成することができる。上部絶縁層３５は、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）などで形成することができる。

【0069】

また、ボディー２０の上面で外部電極３０が位置する以外の領域に絶縁層４０が形成されることができる。この時、絶縁層４０は、外部電極３０が形成された後に形成することができる。また、絶縁層４０は、外部電極３０の形成に先立って形成することができる。この時、絶縁層４０は、外部電極３０の形成に先立って、上部絶縁層３５と共に形成することができる。また、絶縁層４０は、外部電極３０の形成に先立って、第１分離ギャップ（Ｇ１）および第２分離ギャップ（Ｇ２）に絶縁物質を充填する時に一緒に形成することができる。

【0070】

その後、基板（Ｓ）上に複数のボディー２０が形成された場合、基板（Ｓ）のボディー２０が形成された領域ごとにそれぞれダイシング（Ｄｉｃｉｎｇ）することができる。

【0071】

図１２は、他の実施例によるキャパシタ２の幅方向（Ｗ）に沿った縦断面図である。
図１２を参照すると、基板１０ａの上面上にはボディー収容溝１００ａが形成される。ボディー収容溝１００ａは、上下方向（Ｔ）に予め設定された深さを有することができる。ボディー収容溝１００ａの第１深さ（Ｄ２）は、基板１０ａの上面と、ボディー収容溝１００ａから基板１０ａの下面と最も隣接する地点との間の距離とすることができる。

【0072】

ボディー収容溝１００ａの幅方向（Ｗ）側面は、水平方向に対して第１角度（α２）だけ傾斜することができる。第１角度（α２）は、ボディー収容溝１００ａの幅方向（Ｗ）側面の上端と下端を接続する直線の傾きであることができる。第１角度（α２）は、９０°以下の値を有することができる。

【0073】

ボディー収容溝１００ａは、第１縦区画部（Ｗ２ａ）および第２縦区画部（Ｗ２ｂ）を含むことができる。

【0074】

第１縦区画部（Ｗ２ａ）および第２縦区画部（Ｗ２ｂ）は、キャパシタ２（ボディー収容溝１００ａおよびボディー２０ａ）の幅方向（Ｗ）に互いに隣接して位置する。基板１０ａにおいて、第１縦区画部（Ｗ２ａ）と第２縦区画部（Ｗ２ｂ）が互いに隣接する領域には縦方向隆起部１１０ａが位置する。縦方向隆起部１１０ａは、ボディー収容溝１００ａの底面から上側に向かって予め設定された長さだけ突出するように位置する。縦方向隆起部１１０ａの上端は、基板１０ａの上面より下側に位置する。縦方向隆起部１１０ａの上端から基板１０ａの上面までの上下方向（Ｔ）距離は、ボディー収容溝１００ａの第１深さ（Ｄ２）より小さい。縦方向隆起部１１０ａは、ボディー収容溝１００ａの幅方向（Ｗ）側面と離隔して位置する。縦方向隆起部１１０ａは、長さ方向（Ｌ）に沿って予め設定された長さを有することができる。

【0075】

第１縦区画部（Ｗ２ａ）は、幅方向（Ｗ）に第１幅を有することができる。第２縦区画部（Ｗ２ｂ）は、幅方向（Ｗ）に第２幅を有することができる。第１幅は、ボディー収容溝１００ａの一端から縦方向隆起部１１０ａの幅方向（Ｗ）中心までの幅方向（Ｗ）距離であってもよい。第２幅は、ボディー収容溝１００ａの他端から縦方向隆起部１１０ａの幅方向（Ｗ）中心までの幅方向（Ｗ）距離であってもよい。

【0076】

第１幅は、ボディー収容溝１００ａの第１深さ（Ｄ２）対比１以上に提供することができる。第２幅は、ボディー収容溝１００ａの第１深さ（Ｄ２）対比１以上に提供することができる。

【0077】

ボディー２０ａは、ボディー収容溝１００ａの内側に位置する。ボディー２０ａは、第１内部電極２１１ａ、第２内部電極２１２ａおよび誘電層２２０ａを含む。ボディー２０ａは、ボディー収容溝１００ａの形状に対応して、縦方向隆起部１１０ａ上に位置する領域の上下方向サイズが厚さ（Ｄ２）より小さい。

【0078】

ボディー収容溝１００ａとボディー２０ａとの間には下部絶縁層２０１ａが位置することができる。

【0079】

ボディー２０ａ上には絶縁層４０ａが位置することができる。また、絶縁層４０ａは、基板１０ａ上に位置することができる。キャパシタ２において、基板１０ａに縦方向隆起部１１０ａが位置し、側壁以外の領域で幅方向（Ｗ）に沿って上下方向（Ｔ）へのボディー収容溝１００ａのサイズおよびボディー２０ａのサイズが小さくなる領域がある点以外は、図１～図３のキャパシタ１と同一または類似するので、繰り返しの説明は省略する。

【0080】

図１３は、また他の実施例によるキャパシタ３の長さ方向（Ｌ）に沿った縦断面図である。
図１３を参照すると、基板１０ｂの上面上には、ボディー収容溝１００ｂが形成される。ボディー収容溝１００ｂは、上下方向（Ｔ）に予め設定された深さを有することができる。ボディー収容溝１００ｂの第１深さ（Ｄ３）は、基板１０ｂの上面と、ボディー収容溝１００ｂから基板１０ｂの下面と最も隣接する地点との間の距離であってもよい。

【0081】

ボディー収容溝１００ｂの長さ方向（Ｌ）側面は、水平方向に対して第２角度（β２）だけ傾斜することができる。第２角度（β２）は、ボディー収容溝１００ｂの長さ方向（Ｌ）側面の上端と下端を接続する直線の傾きであることができる。第２角度（β）は、９０°以下の値を有することができる。

【0082】

ボディー収容溝１００ｂは、第１横区画部（Ｌ２ａ）および第２横区画部（Ｌ２ｂ）を含むことができる。

【0083】

第１横区画部（Ｌ２ａ）および第２横区画部（Ｌ２ｂ）は、キャパシタ３（ボディー収容溝１００ｂおよびボディー２０ｂ）の長さ方向（Ｌ）に互いに隣接するように位置する。基板１０ｂにおいて、第１横区画部（Ｌ２ａ）と第２横区画部（Ｌ２ｂ）が互いに隣接する領域には、横方向隆起部１１０ｂが位置する。横方向隆起部１１０ｂは、ボディー収容溝１００ｂの底面から上側に向かって予め設定された長さだけ突出されるように位置する。横方向隆起部１１０ｂの上端は、基板１０ｂの上面より下側に位置する。横方向隆起部１１０ｂの上端から基板１０ｂの上面までの上下方向（Ｔ）距離は、ボディー収容溝１００ｂの第１深さ（Ｄ２）より小さい。横方向隆起部１１０ｂは、ボディー収容溝１００ｂの長さ方向（Ｌ）側面と離隔して位置する。横方向隆起部１１０ｂは、幅方向（Ｗ）に沿って予め設定された長さを有することができる。

【0084】

第１横区画部（Ｌ２ａ）は、長さ方向（Ｌ）に第１長さを有することができる。第２横区画部（Ｌ２ｂ）は、長さ方向（Ｌ）に第２長さを有することができる。第１長さは、ボディー収容溝１００ｂの一端から横方向隆起部１１０ｂの長さ方向（Ｌ）中心までの長さ方向（Ｌ）距離であってもよい。第２長さは、ボディー収容溝１００ｂの他端から横方向隆起部１１０ｂの長さ方向（Ｌ）中心までの長さ方向（Ｌ）距離であってもよい。

【0085】

第１長さは、ボディー収容溝１００ｂの第１深さ（Ｄ３）対比１以上に提供することができる。第２長さは、ボディー収容溝１００ｂの第１深さ（Ｄ３）対比１以上に提供することができる。

【0086】

ボディー２０ｂは、ボディー収容溝１００ｂの内側に位置する。ボディー２０ｂは、第１内部電極２１１ｂ、第２内部電極２１２ｂおよび誘電層２２０ｂを含む。ボディー２０ｂは、ボディー収容溝１００ｂの形状に対応して、横方向隆起部１１０ｂ上に位置する領域の上下方向サイズが厚さ（Ｄ３）より小さい。

【0087】

ボディー収容溝１００ｂとボディー２０ｂとの間には、下部絶縁層２０１ｂが位置することができる。

【0088】

ボディー２０ｂ上には、第１外部電極３１ｂ、第２外部電極３２ｂが位置する。第１外部電極３１ｂは、第１内部電極２１１ｂに接続される。第２外部電極３２ｂは、第１内部電極２１１ｂに接続される。

【0089】

ボディー２０ｂ上には絶縁層４０ｂが位置することができる。また、絶縁層４０ｂは、基板１０ｂ上に位置することができる。キャパシタ３において、基板１０ｂに横方向隆起部１１０ｂが位置し、側壁以外の領域で長さ方向（Ｌ）に沿って上下方向（Ｔ）へのボディー収容溝１００ｂのサイズおよびボディー２０ｂのサイズが小さくなる領域がある点以外は、図１～図３のキャパシタ１と同一または類似しているので、繰り返しの説明は省略する。

【0090】

図１４は、他の実施例によるキャパシタの製造方法におけるダイシングのためのダイシングラインを示した平面図であり、図１５は、図１４による製造方法で作られたキャパシタ４の幅方向（Ｗ）に沿った縦断面図の一側端部を示す図面である。

【0091】

図１４および図１５を参照すると、基板（Ｓ１）は、幅方向（Ｗ）に沿った第１ダイシングライン（ＤＩＣ１）、長さ方向（Ｌ）に沿った第２ダイシングライン（ＤＩＣ２）に沿ってダイシングすることができる。これにより、基板１０ｃは、第１ダイシングライン（ＤＩＣ１）、第２ダイシングライン（ＤＩＣ２）に沿って分離され、分離されたそれぞれの領域がキャパシタ４の基板１０ｃとなる。

【0092】

ダイシングに先立ち、基板（Ｓ１）上にボディー形成部（ＢＰ）が形成される。ボディー形成部（ＢＰ）上には第１外部電極形成部（ＩＥａ）、第２外部電極形成部（ＩＥｂ）が形成される。第１外部電極形成部（ＩＥａ）の一部は、基板（Ｓ１）上に形成することができる。第２外部電極形成部（ＩＥｂ）の一部は、基板（Ｓ１）上に形成することができる。ボディー形成部（ＢＰ）は、ダイシングが完了した後、キャパシタ４のボディー２０ｃとなる。第１外部電極形成部（ＩＥａ）は、ダイシングが完了した後、第１外部電極となる。第２外部電極形成部（ＩＥｂ）は、ダイシングが完了した後、第２外部電極となる。

【0093】

ボディー形成部（ＢＰ）、第１外部電極形成部（ＩＥａ）、第２外部電極形成部（ＩＥｂ）の製造方法において、図４～図１１で上述した方法と同一または類似の部分は省略し、以下、相違点について説明する。

【0094】

基板（Ｓ１）上には、ボディー収容溝１００ｃが形成される。この時、ボディー収容溝１００ｃは、幅方向（Ｗ）に沿って隣接する２つのボディー収容溝１００ｃが互いに接続するように形成される。これにより、それぞれのボディー収容溝１００ｃに形成されたボディー２０ｃは、幅方向（Ｗ）に沿って互いに接続され、一つのボディー形成部（ＢＰ）となる。

【0095】

その後、ボディー形成部（ＢＰ）は、ダイシングにより互いに分離され、それぞれボディー２０ｃを形成する。これにより、ダイシングが完了した後、ボディー収容溝１００ｃは、幅方向（Ｗ）一側が基板１０ｃの側面方向に開放された構造を有する。そして、第１内部電極２１１ｃの一端、第２内部電極２１２ｃの一端幅方向（Ｗ）に沿って、基板１０ｃの側面上に位置することができる。即ち、ボディー２０ｃの幅方向（Ｗ）一側面が基板１０ｃの側面上に位置することができる。これにより、第２ダイシングライン（ＤＩＣ２）に沿ってダイシングが行われたキャパシタ４の幅方向（Ｗ）側面は、内部電極２１０ｃの外部露出を防止するために側面絶縁層４２が形成されることができる。これにより、側面絶縁層４２は、基板１０ｃの側面上に位置するボディー２０ｃの幅方向（Ｗ）一側面上に位置する。側面絶縁層４２の形成は、ダイシングプロセスの後に行うことができる。

【0096】

ボディー収容溝１００ｃの幅方向（Ｗ）一側がキャパシタ４の幅方向（Ｗ）側に開放された構造を有する点以外に、キャパシタ４の構造は、図１のキャパシタ１と同一または類似しているので、これに対する説明は省略する。

【0097】

図１６は、また他の実施例によるキャパシタの製造方法におけるダイシングのためのダイシングラインを示した平面図である。

【0098】

図１６を参照すると、基板（Ｓ２）は、幅方向（Ｗ）に沿った第１ダイシングライン（ＤＩＣ１ａ）、長さ方向（Ｌ）に沿った第２ダイシングライン（ＤＩＣ２ａ）に沿ってダイシングすることができる。これにより、基板（Ｓ２）は、第１ダイシングライン（ＤＩＣ１ａ）、第２ダイシングライン（ＤＩＣ２ａ）に沿って分離され、分離されたそれぞれの領域がキャパシタ４となる。

【0099】

ダイシングに先立ち、基板（Ｓ２）上にボディー形成部（ＢＰａ）が形成される。ボディー形成部（ＢＰａ）上には第１外部電極形成部（ＩＥｃ）、ダイシング用外部電極形成部（ＩＥｄ）、第２外部電極形成部（ＩＥｅ）が形成することができる。第１外部電極形成部（ＩＥｃ）の一部は、基板（Ｓ２）上に形成することができる。ダイシング用外部電極形成部（ＩＥｄ）の一部は、基板（Ｓ２）上に形成することができる。ダイシング用外部電極形成部（ＩＥｄ）は、長さ方向（Ｌ）に互いに隣接する２つのボディー形成部（ＢＰａ）上にわたって形成することができる。これにより、第１ダイシングライン（ＤＩＣ１ａ）は、ダイシング用外部電極形成部（ＩＥｄ）を横切るように位置する。第２外部電極形成部（ＩＥｅ）の一部は、基板（Ｓ２）上に形成することができる。ボディー形成部（ＢＰａ）は、ダイシングが完了した後、キャパシタ４のボディー２０ｃとなる。第１外部電極形成部（ＩＥｃ）は、ダイシングが完了した後、第１外部電極となる。第２外部電極形成部（ＩＥｅ）は、ダイシングが完了した後、第２外部電極となる。ダイシング用外部電極形成部（ＩＥｄ）は、ダイシングにより分離され、一側は第１外部電極となり、他側は第２外部電極となる。

【0100】

ボディー形成部（ＢＰａ）、第１外部電極形成部（ＩＥｃ）、ダイシング用外部電極形成部（ＩＥｄ）、第２外部電極形成部（ＩＥｅ）の製造方法において、図４～図１１で上述した方法と同一または類似の部分は省略し、以下、相違点について説明する。

【0101】

基板（Ｓ２）上にはボディー収容溝１００ｃが形成される。この時、ボディー収容溝１００ｃは、幅方向（Ｗ）に沿って隣接する２つのボディー収容溝１００ｃが互いに接続するように形成される。これにより、それぞれのボディー収容溝１００ｃに形成されたボディー２０ｃは、幅方向（Ｗ）に沿って互いに接続し、一つのボディー形成部（ＢＰａ）となる。

【0102】

その後、ボディー形成部（ＢＰａ）は、ダイシングにより分離され、それぞれボディー２０ｃを形成する。これにより、ダイシングが完了した後、ボディー収容溝１００ｃは、幅方向（Ｗ）一側がキャパシタ４の幅方向（Ｗ）側面に開放された構造を有する。この時、ボディー形成部（ＢＰａ）のダイシングを通して作られるボディー２０ｃの構造は、図１５と同一または類似しているので、繰り返しの説明は省略する。

【0103】

また、ダイシング用外部電極形成部（ＩＥｄ）は、長さ方向（Ｌ）に沿って互いに隣接する２つのボディー形成部（ＢＰａ）にわたって形成される。これにより、ダイシング用外部電極形成部（ＩＥｄ）は、１つのボディー形成部（ＢＰａ）には第２内部電極（２１２ｃ）に接続され、他の１つのボディー形成部（ＢＰａ）には第１内部電極（２１１ｃ）に接続される。その後、ダイシング用外部電極形成部（ＩＥｄ）は、ダイシング過程で基板（Ｓ２）と共にダイシングされ、一側は１つのキャパシタ４から第２外部電極となり、他側は他の１つのキャパシタ４から第１外部電極となる。そして、ダイシング用外部電極形成部（ＩＥｄ）のダイシングにより、第１外部電極、第２外部電極のうち少なくとも一つにはダイシング過程で発生するダイシング模様が位置することができる。この時、ダイシング模様は、ブレードを通したダイシング過程で、ブレードとの摩擦によって発生する模様であることができる。また、ダイシング模様は、レーザを通したダイシング過程で発生するクラック模様であることができる。

【0104】

以上、本発明の実施例について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるものではなく、以下の特許請求の範囲に定義している本発明の基本概念を利用した当業者の様々な変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。

【符号の説明】

【0105】

１０ 基板
２０ ボディー
３０ 外部電極
３１ 第１外部電極
３２ 第２外部電極
４０ 絶縁層
１００ ボディー収容溝
２０１ 下部絶縁層
２１０ 内部電極
２１１ 第１内部電極
２１２ 第２内部電極
２２０ 誘電層
２３１ 第１電極分離層
２３２ 第２電極分離層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】