特開 2025-73994 積層型電子部品

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025073994

(43)【公開日】2025-05-13

(54)【発明の名称】積層型電子部品

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/30 20060101AFI20250502BHJP

【ＦＩ】

H01G4/30 201M

H01G4/30 201N

H01G4/30 201L

H01G4/30 515

【審査請求】未請求

【請求項の数】17

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024146194

(22)【出願日】2024-08-28

(31)【優先権主張番号】10-2023-0144773

(32)【優先日】2023-10-26

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】110000877

【氏名又は名称】弁理士法人ＲＹＵＫＡ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】ヤン、チャン ホ

(72)【発明者】

【氏名】チョ、セオン ヒェオン

(72)【発明者】

【氏名】カン、スン ミン

(72)【発明者】

【氏名】リー、ダエ ヒー

【テーマコード（参考）】

5E001

5E082

【Ｆターム（参考）】

5E001AB03

5E001AC09

5E001AE01

5E001AE02

5E001AE03

5E001AF06

5E082AA01

5E082AB03

5E082EE04

5E082EE23

5E082EE35

5E082FF05

5E082FG04

5E082FG26

5E082GG10

5E082GG11

5E082GG28

5E082JJ03

5E082JJ12

5E082JJ23

(57)【要約】      （修正有）

【課題】積層型電子部品及びそのカバー部に加わるアコースティックノイズを相殺させて信頼性及び寿命を向上させる。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る積層型電子部品は、誘電体層１１１及び上記誘電体層と第１方向に交互に配置される内部電極１２１、１２２を含む容量形成部Ａｃ及び上記容量形成部の上記第１方向の両端面に配置されるカバー部１１２、１１３を含む本体１１０と、上記本体上に配置される外部電極と、を含み、上記カバー部は、主成分としてチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系物質を含み、副成分として上記チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系物質を除く圧電セラミック物質を含む。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

誘電体層及び前記誘電体層と第１方向に交互に配置される内部電極を含む容量形成部、及び前記容量形成部の前記第１方向の両端面に配置されるカバー部を含む本体と、
前記本体上に配置される外部電極と、を含み、
前記カバー部は、主成分としてチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系物質を含み、副成分として前記チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系物質を除く圧電セラミック物質を含む、積層型電子部品。

【請求項2】

前記カバー部は、複数の誘電体結晶粒を含み、
前記カバー部に含まれた複数の誘電体結晶粒は、前記チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系物質を含む第１誘電体結晶粒、及び前記圧電セラミック物質を含む第２誘電体結晶粒を含む、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項3】

前記カバー部に含まれた前記第１誘電体結晶粒の数をＡ、前記カバー部に含まれた前記第２誘電体結晶粒の数をＢとするとき、Ｂ≦Ａを満たす、請求項２に記載の積層型電子部品。

【請求項4】

前記カバー部に含まれた複数の誘電体結晶粒のうち、前記第１誘電体結晶粒の個数比率は５０％以上である、請求項２に記載の積層型電子部品。

【請求項5】

前記カバー部に含まれた複数の誘電体結晶粒のうち、前記第２誘電体結晶粒の個数比率は５０％以下である、請求項２に記載の積層型電子部品。

【請求項6】

前記圧電セラミック物質は、単結晶（ｓｉｎｇｌｅ ｃｒｙｓｔａｌｓ）、延性ピエゾセラミック（ｓｏｆｔ ｐｉｅｚｏｃｅｒａｍｉｃｓ）、硬質ピエゾセラミック（ｈａｒｄ ｐｉｅｚｏｃｅｒａｍｉｃｓ）、及び高温セラミック（ｈｉｇｈ－ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｅｒａｍｉｃｓ）のうち少なくとも一つを含む、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項7】

前記単結晶（ｓｉｎｇｌｅ ｃｒｙｓｔａｌｓ）は、０．６７ＰＭＮ－０．３３ＰＴ、０．７１ＰＭＮ－０．２９ＰＴ、０．９３ＰＺＮ－０．０７ＰＴ、０．９１ＰＺＮ－０．０７ＰＴ、０．６６ＰＩＮ－０．３４ＰＴ、ＫＮＮＴ、ＬｉＮｂＯ_３及びα－Ｑｕａｒｔｚのうち少なくとも一つを含む、請求項６に記載の積層型電子部品。

【請求項8】

前記延性ピエゾセラミック（ｓｏｆｔ ｐｉｅｚｏｃｅｒａｍｉｃｓ）は、ＰＺＴ－５Ａ、２．５Ｓｍ－ＰＭＮ－２９ＰＴ、ｔｅｘｔｕｒｅｄ ＰＭＮ－ＰＴ、０．３ＰＺＮ－０．７ＰＺＴ、０．５５ＰＮＮ－０．１３５ＰＺ－０．３１５ＰＴ、Ｔｅｘｔｕｒｅｄ（ＫＮＬ）（ＮＴＳ）Ｏ_３、ＢＮＴ、及びＮＫＮ－ＢＺ－ＢＬＴのうち少なくとも一つを含む、請求項６に記載の積層型電子部品。

【請求項9】

前記硬質ピエゾセラミック（ｈａｒｄ ｐｉｅｚｏｃｅｒａｍｉｃｓ）は、ＫＮＮ－ＫＣＮ、ＰＺＴ－４、ＰＺＴ－８、ＰＭＭｎＮ－ＰＺＴ、ＰＭＭｎＮ－ＰＺＴ＋０．２ｗｔ％ ＣｕＯ、０．０１５ＰＳＮ－０．３ＰＮＮ－０．６８５ＰＺＴ、ＰＭＳ－ＰＺＴ、ＰＭＳ－ＰＮＮ－ＰＺＴ、ＰＮＷ－ＰＭＳ－ＰＺＴ、及びＰＳＮ－ＰＺＮ－ＰＺＴ－Ｍｎのうち少なくとも一つを含む、請求項６に記載の積層型電子部品。

【請求項10】

前記高温セラミック（ｈｉｇｈ－ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｅｒａｍｉｃｓ）は、０．３６ＢｉＳｃＯ_３－０．６４ＰｂＴｉＯ_３、０．４Ｂｉ（Ｇａ_１／４Ｓｃ_３／４）Ｏ_３－０．６ＰｂＴｉＯ_３、０．３４ＢＳ－０．６６ＰＴ－Ｍｎ、０．４５Ｂｉ（Ｆｅ_１／２Ｓｃ_１／２）Ｏ_３－０．５５ＰｂＴｉＯ_３、０．９８（０．３６ＢｉＳｃＯ_３－０．６４ＰｂＴｉＯ_３）－０．０２ＬｉＮｂＯ_３、０．６３Ｂｉ（Ｍｇ_１／２Ｔｉ_１／２）Ｏ_３－０．３７ＰｂＴｉＯ_３、０．４６［ＢｉＳｃＯ_３＋Ｂｉ（Ｎｉ_１／２Ｔｉ_１／２）Ｏ_３］－０．５４ＰｂＴｉＯ_３、及び０．３５ＢｉＳｃＯ_３－０．２５Ｂｉ（Ｚｒ_０．５Ｚｎ_０．５）Ｏ_３－０．６２５ＰｂＴｉＯ_３のうち少なくとも一つを含む、請求項６に記載の積層型電子部品。

【請求項11】

前記容量形成部のうち、前記カバー部との界面から前記容量形成部の中央部方向に１０μｍ以内の領域は、前記圧電セラミック物質を含む、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項12】

前記容量形成部のうち、前記カバー部との界面から前記容量形成部の中央部方向に１０μｍ以外の領域は、前記圧電セラミック物質を含まない、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項13】

前記容量形成部は、前記圧電セラミック物質を含まない、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項14】

前記カバー部は、前記容量形成部の第１方向の一面に配置される第１カバー部、及び前記容量形成部の第１方向の他面に配置される第２カバー部を含み、前記第１カバー部及び前記第２カバー部の前記第１方向の平均サイズはそれぞれ１００μｍ以下である、請求項１から１３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。

【請求項15】

前記本体は、前記第１方向に互いに対向する第１面及び第２面、前記第１面及び前記第２面と連結され、第２方向に互いに対向する第３面及び第４面、前記第１面、前記第２面、前記第３面及び前記第４面と連結され、第３方向に互いに対向する第５面及び第６面を含み、
前記本体の前記第５面及び前記第６面に配置されるサイドマージン部を含み、
前記サイドマージン部は、主成分として前記チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系物質を含み、副成分として前記圧電セラミック物質を含む、請求項１から１３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。

【請求項16】

前記誘電体層は、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ_１－ｙＣａ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）及びＢａ（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）のうち少なくとも一つを含む、請求項１から１３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。

【請求項17】

前記カバー部のチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系物質は、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ_１－ｙＣａ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）及びＢａ（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）のうち少なくとも一つを含む、請求項１から１３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、積層型電子部品に関する。

【背景技術】

【0002】

積層型電子部品の一つである積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマ表示装置パネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）などの映像機器、コンピュータ、スマートフォン、及び携帯電話などの様々な電子製品の印刷回路基板に装着され、電気を充電又は放電させる役割を果たすチップ型のコンデンサである。

【0003】

このような積層セラミックキャパシタは、小型でありながらも高容量が保障され、実装が容易であるという利点により、様々な電子装置の部品として使用されることができる。コンピュータ、モバイル機器など、各種の電子機器が小型化、高出力化するにつれて、積層セラミックキャパシタに対する小型化及び高容量化への要求が増大している。

【0004】

より具体的には、小型化、集積化しているＩＴ電子機器に対する需要が増加するにつれて、これらの装置に搭載されるアコースティックノイズ（ａｃｏｕｓｔｉｃ ｎｏｉｓｅ）関連条件も厳しくなっており、結果的に、アコースティックノイズ特性の向上した製品が必要な実情である。

【0005】

既存のＭＬＣＣは、高周波が印加され作動するときに発生するアコースティックノイズに持続的に曝される場合、隣接する回路や装置に副影響を及ぼす可能性があり、又は電気的信号伝達を不安定にする可能性がある。また、持続的なアコースティックノイズの発生は、ＭＬＣＣ自体を変形させて信頼性及び耐久性を低下させる可能性があり、そのため、当該ＭＬＣＣが含まれた機器を使用するユーザに騒音問題を引き起こすおそれがある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】特開２０２０－１４１０９１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

本発明が解決しようとするいくつかの課題の一つは、積層型電子部品に加わるアコースティックノイズを相殺させることである。

【0008】

本発明が解決しようとするいくつかの課題の一つは、カバー部に加わるアコースティックノイズを相殺させることである。

【0009】

本発明が解決しようとするいくつかの課題の一つは、積層型電子部品の信頼性及び寿命を向上させることである。

【0010】

但し、本発明が解決しようとするいくつかの課題は上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。

【課題を解決するための手段】

【0011】

本発明の一実施形態に係る積層型電子部品は、誘電体層及び上記誘電体層と第１方向に交互に配置される内部電極を含む容量形成部、及び上記容量形成部の上記第１方向の両端面に配置されるカバー部を含む本体と、上記本体上に配置される外部電極と、を含み、上記カバー部は、主成分としてチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系物質を含み、副成分として上記チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系物質を除く圧電セラミック物質を含むことができる。

【発明の効果】

【0012】

本発明の様々な効果のうち一つは、積層型電子部品のアコースティックノイズを相殺させることである。

【0013】

本発明の様々な効果のうち一つは、カバー部のアコースティックノイズを相殺させることである。

【0014】

本発明の様々な効果のうち一つは、積層型電子部品の信頼性及び寿命を向上させることである。

【0015】

但し、本発明の多様かつ有益な利点及び効果は上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。

【図面の簡単な説明】

【0016】

【図1】本発明の一実施形態に係る積層型電子部品の斜視図を概略的に示すものである。

【図2】図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図を概略的に示すものである。

【図3】図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図を概略的に示すものである。

【図4】図２のＰ領域拡大図の微細構造を概略的に示すものである。

【発明を実施するための形態】

【0017】

以下、具体的な実施形態及び添付の図面を参照して本発明の実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形することができ、本発明の範囲が以下に説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、通常の技術者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさ等は、より明確な説明のために誇張することができ、図面上の同じ符号で示される要素は同じ要素である。

【0018】

そして、図面において本発明を明確に説明するために、説明と関係のない部分は省略し、図面に示した各構成の大きさ及び厚さは説明の便宜上、任意に示しているため、本発明は必ずしも図示したものに限定されない。なお、同一思想の範囲内の機能が同一である構成要素については、同一の参照符号を用いて説明する。さらに、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」と言うとき、これは特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含み得ることを意味する。

【0019】

図面において、第１方向は積層方向又は厚さＴ方向、第２方向は長さＬ方向、第３方向は幅Ｗ方向と定義することができる。

【0020】

積層型電子部品
図１は、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品の斜視図を概略的に示すものであり、図２は、図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図を概略的に示すものであり、図３は、図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図を概略的に示すものであり、図４は、図２のＰ領域拡大図の微細構造を概略的に示すものである。

【0021】

以下、図１～図４を参照して、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品について詳細に説明する。但し、積層型電子部品の一例として積層セラミックキャパシタについて説明するが、本発明は誘電体組成物を利用する様々な電子製品、例えば、インダクタ、圧電体素子、バリスタ、又はサーミスタなどにも適用することができる。

【0022】

本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００は、誘電体層１１１及び上記誘電体層１１１と第１方向に交互に配置される内部電極１２１、１２２を含む容量形成部Ａｃ、及び上記容量形成部Ａｃの上記第１方向の両端面に配置されるカバー部１１２、１１３を含む本体１１０と、上記本体１１０上に配置される外部電極１３１、１３２と、を含み、上記カバー部１１２、１１３は、主成分としてチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系物質を含み、副成分として上記チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系物質を除く圧電セラミック物質を含むことができる。

【0023】

本体１１０は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２が交互に積層されていてもよい。

【0024】

より具体的に、本体１１０は、本体１１０の内部に配置され、誘電体層１１１を挟んで互いに対向するように交互に配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含んで容量を形成する容量形成部Ａｃを含むことができる。

【0025】

本体１１０の具体的な形状に特に制限はないが、図示のように、本体１１０は六面体形状又はこれと類似の形状からなることができる。焼成過程において本体１１０に含まれたセラミック粒子の収縮により、本体１１０は完全な直線を有する六面体形状ではないが、実質的に六面体形状を有することができる。

【0026】

本体１１０は、第１方向に互いに対向する第１面１及び第２面２、第１面１及び第２面２と連結され、第２方向に互いに対向する第３面３及び第４面４、第１面１、第２面２、第３面３及び第４４と連結され、第３方向に互いに対向する第５面５及び第６面６を有することができる。

【0027】

本体１１０を形成する複数の誘電体層１１１は焼成された状態であって、隣接する誘電体層１１１間の境界は走査電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＳＥＭ）を利用せずには確認しにくいほど一体化することができる。

【0028】

誘電体層１１１を形成する原料は、十分な静電容量が得られる限り限定されない。一般に、ペロブスカイト（ＡＢＯ_３）系材料を用いることができ、例えば、チタン酸バリウム系材料、鉛複合ペロブスカイト系材料又はチタン酸ストロンチウム系材料などを用いることができる。チタン酸バリウム系材料は、ＢａＴｉＯ_３系セラミック粒子を含むことができ、セラミック粒子の例示として、ＢａＴｉＯ_３、ＢａＴｉＯ_３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）等が一部固溶した（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ_１－ｙＣａ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）又はＢａ（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）等が挙げられる。

【0029】

また、誘電体層１１１を形成する原料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）などの粒子に本発明の目的に応じて様々なセラミック添加剤、有機溶剤、結合剤、分散剤などを添加することができる。

【0030】

但し、容量形成部Ａｃに含まれる誘電体層１１１は、後述するチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系物質を除く圧電セラミック物質を含まないことがあり、又は圧電セラミック物質が焼成されて形成される圧電セラミック物質を含む誘電体結晶粒を含まないことがある。

【0031】

ここで、容量形成部Ａｃが圧電セラミック物質を含まないというのは、誘電体層１１１のセラミックシートとなる誘電体スラリー（ｓｌｕｒｒｙ）に圧電セラミック物質を添加しないことを意味するものであり得る。一方、焼成過程において、カバー部１１２、１１３となるカバー部用誘電体シートから容量形成部Ａｃの中央部方向に圧電セラミック物質が拡散して容量形成部Ａｃのうちカバー部１１２、１１３との界面付近の領域で圧電セラミック物質が検出されることがあるが、これは、カバー部用誘電体シートから圧電セラミック物質が拡散したことによるものであり得る。

【0032】

ここで、容量形成部Ａｃのうちカバー部１１２、１１３との界面付近の領域は、例えば、容量形成部Ａｃとカバー部１１２、１１３との界面から容量形成部Ａｃの中央部方向に１０μｍ以内の領域を意味することができる。すなわち、圧電セラミック物質は、容量形成部Ａｃとカバー部１１２、１１３のそれぞれの界面から容量形成部Ａｃの中央部方向に１０μｍ以内の領域に含まれることができ、当該領域における圧電セラミック物質の原子百分率（ａｔ％）は５ａｔ％以下、又は当該領域における圧電セラミック物質を含む誘電体結晶粒の個数比率は５％以下であることができる。

【0033】

但し、容量形成部Ａｃのうち、カバー部１１２、１１３との界面以外の領域、例えば、容量形成部Ａｃとカバー部１１２、１１３との界面から容量形成部Ａｃの中央部方向に１０μｍ以外の領域では、圧電セラミック物質を含まないことがあり、又は圧電セラミック物質を含む誘電体結晶粒を含まないことがある。

【0034】

また、これに関する説明は、積層型電子部品１００がサイドマージン部１１４、１１５を含む場合にも同様に適用することができる。

【0035】

すなわち、容量形成部Ａｃのうちサイドマージン部１１４、１１５との界面付近の領域で圧電セラミック物質が検出されることがあるが、これは、サイドマージン部用誘電体シートから圧電セラミック物質が拡散したことによるものであり得る。

【0036】

容量形成部Ａｃのうちサイドマージン部１１４、１１５との界面付近の領域は、例えば、容量形成部Ａｃとサイドマージン部１１４、１１５との界面から容量形成部Ａｃの中央部方向に１０μｍ以内の領域を意味することができる。すなわち、圧電セラミック物質は、容量形成部Ａｃとサイドマージン部１１４、１１５のそれぞれの界面から容量形成部Ａｃの中央部方向に１０μｍ以内の領域に含まれることができ、当該領域における圧電セラミック物質の原子百分率（ａｔ％）は５ａｔ％以下、又は当該領域における圧電セラミック物質を含む誘電体結晶粒の個数比率は５％以下であることができる。

【0037】

但し、容量形成部Ａｃのうちサイド部１１４、１１５との界面以外の領域、例えば、容量形成部Ａｃとサイドマージン部１１４、１１５との界面から容量形成部Ａｃの中央部方向に１０μｍ以外の領域では、圧電セラミック物質を含まないことがあり、又は圧電セラミック物質を含む誘電体結晶粒を含まないことがある。

【0038】

誘電体層１１１の厚さｔｄは特に限定する必要はない。

【0039】

但し、積層型電子部品の高容量化を達成するために誘電体層１１１の厚さは３．０μｍ以下であってもよく、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、誘電体層１１１の厚さは１．０μｍ以下であってもよく、好ましくは０．６μｍ以下であってもよく、より好ましくは０．４μｍ以下であってもよい。

【0040】

ここで、誘電体層１１１の厚さｔｄは、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２の間に配置される誘電体層１１１の厚さｔｄを意味することができる。

【0041】

一方、誘電体層１１１の厚さｔｄは、誘電体層１１１の第１方向のサイズを意味することができる。また、誘電体層１１１の厚さｔｄは、誘電体層１１１の平均厚さｔｄを意味することができ、誘電体層１１１の第１方向の平均サイズを意味することができる。

【0042】

誘電体層１１１の第１方向の平均サイズは、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、一つの誘電体層１１１の第１方向の平均サイズは、スキャンされたイメージにおいて、一つの誘電体層１１１を第２方向に等間隔である３０個の地点で第１方向のサイズを測定して計算した平均値を意味することができる。上記等間隔である３０個の地点は容量形成部Ａｃで指定することができる。また、このような平均値の測定を１０個の誘電体層１１１に拡張して平均値を測定すると、誘電体層１１１の第１方向の平均サイズをさらに一般化することができる。

【0043】

内部電極１２１、１２２は誘電体層１１１と交互に積層されることができる。

【0044】

内部電極１２１、１２２は第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含むことができ、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は本体１１０を構成する誘電体層１１１を挟んで互いに対向するように交互に配置され、本体１１０の第３面３及び第４面４にそれぞれ露出することができる。

【0045】

より具体的に、第１内部電極１２１は第４面４と離隔し、第３面３を介して露出することができ、第２内部電極１２２は第３面３と離隔し、第４面４を介して露出することができる。本体１１０の第３面３には第１外部電極１３１が配置されて第１内部電極１２１と連結され、本体１１０の第４面４には第２外部電極１３２が配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。

【0046】

すなわち、第１内部電極１２１は第２外部電極１３２とは連結されず、第１外部電極１３１と連結され、第２内部電極１２２は第１外部電極１３１とは連結されず、第２外部電極１３２と連結されることができる。このとき、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は、中間に配置された誘電体層１１１によって互いに電気的に分離することができる。

【0047】

一方、本体１１０は、第１内部電極１２１が印刷されたセラミックグリーンシートと、第２内部電極１２２が印刷されたセラミックグリーンシートとを交互に積層した後、焼成して形成することができる。

【0048】

内部電極１２１、１２２を形成する材料は特に限定されず、電気伝導性に優れた材料を使用することができる。例えば、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含むことができる。

【0049】

また、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含む内部電極用導電性ペーストをセラミックグリーンシートに印刷して形成することができる。上記内部電極用導電性ペーストの印刷方法としては、スクリーン印刷法又はグラビア印刷法などを使用することができるが、本発明はこれに限定されるものではない。

【0050】

一方、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは特に限定する必要はない。

【0051】

但し、積層型電子部品の高容量化を達成するために内部電極１２１、１２２の厚さは１．０μｍ以下であってもよく、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、内部電極１２１、１２２の厚さは０．６μｍ以下であってもよく、より好ましくは０．４μｍ以下であってもよい。

【0052】

ここで、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の第１方向のサイズを意味することができる。また、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅを意味することができ、内部電極１２１、１２２の第１方向の平均サイズを意味することができる。

【0053】

内部電極１２１、１２２の第１方向の平均サイズは、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、一つの内部電極の第１方向の平均サイズは、スキャンされたイメージにおいて、一つの内部電極を第２方向に等間隔である３０個の地点で第１方向のサイズを測定して計算した平均値であることができる。上記等間隔である３０個の地点は容量形成部Ａｃで指定することができる。また、このような平均値の測定を１０個の内部電極に拡張して平均値を測定すると、内部電極の第１方向の平均サイズをさらに一般化することができる。

【0054】

一方、本体１１０は、容量形成部Ａｃの第１方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）上に配置されるカバー部１１２、１１３を含むことができる。

【0055】

より具体的に、カバー部１１２、１１３は、容量形成部Ａｃの第１方向の一面に配置される第１カバー部１１２、及び容量形成部Ａｃの第１方向の他面に配置される第２カバー部１１３を含むことができる。

【0056】

ここで、第１カバー部１１２は容量形成部Ａｃの第１方向の上部に配置される上部カバー部１１２とすることができ、第２カバー部１１３は容量形成部Ａｃの第２方向の下部に配置される下部カバー部１１３とすることができる。

【0057】

上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、単一の誘電体層１１１又は２つ以上の誘電体層１１１を容量形成部Ａｃの上下面にそれぞれ第１方向に積層して形成することができ、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。

【0058】

上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、内部電極１２１、１２２を含まず、誘電体層１１１と同じ材料を含むことができる。すなわち、上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、セラミック材料を含むことができ、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系セラミック材料を含むことができ、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系物質を除く圧電セラミック物質をさらに含むことができる。

【0059】

すなわち、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００において、上部及び下部カバー部１１２、１１３は、主成分としてチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系物質を含むことができ、副成分として上記チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系物質を除く圧電セラミック物質を含むことができる。

【0060】

上述したように、小型化、集積化しているＩＴ電子機器に対する需要が増加するにつれて、これらの装置に搭載されるアコースティックノイズ（ａｃｏｕｓｔｉｃ ｎｏｉｓｅ）関連条件も厳しくなっており、結果的に、アコースティックノイズ特性の向上した製品が必要な実情である。

【0061】

既存のＭＬＣＣは、高周波が印加され動作するときに発生するアコースティックノイズに持続的に曝される場合、隣接する回路や装置に副影響を及ぼす可能性があり、又は電気的信号伝達を不安定にする可能性がある。また、持続的なアコースティックノイズの発生は、ＭＬＣＣ自体を変形させて信頼性及び耐久性を低下させる可能性があり、そのため、当該ＭＬＣＣが含まれた機器を使用するユーザに騒音問題を引き起こすおそれがある。

【0062】

このような問題点を解決するために、アコースティックノイズの低いチップを設計する研究が行われているが、本発明は、アコースティックノイズの低いチップを設計するのではなく、交流電圧が印加されて積層型電子部品に発生する振動とは反対の振動を発生させ、振動によるノイズを相殺させることができる効果があり得る。

【0063】

一般に、圧電素材（ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ｍａｔｅｒｉａｌ）は、圧電効果を用いて電気エネルギーを運動エネルギーに変換するか、又は逆圧電効果を用いて運動エネルギーを電気エネルギーに変換する性質を有する素材である。圧電効果は正圧電効果と逆圧電効果とに分けられるが、正圧電効果は、圧電素子を変形すると電気エネルギーが発生する効果であり、逆圧電効果は、圧電素子に電気エネルギーを加えると変位が発生する効果である。このうち、逆圧電効果は様々な分野で応用され、圧電センサ（ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ｓｅｎｓｏｒ）、アクチュエータ（ａｃｔｕａｔｏｒ）、モータ（ｍｏｔｏｒ）などに適用している。

【0064】

そこで、本発明は、圧電効果又は逆圧電効果を利用し、積層型電子部品に加わる電歪応力を相殺して部品の信頼性を向上させることができる効果を奏することができる。

【0065】

本発明で説明する圧電セラミック物質とは、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系物質を除く圧電セラミック物質を意味することができる。

【0066】

そして、本発明において「主成分」とは、他の成分に比べて相対的に多い原子百分率を占める成分を意味することができ、全組成物又は全誘電体層の原子の総数を基準として５０ａｔ％以上の成分を意味することができる。「副成分」とは、他の成分に比べて、相対的に少ない原子百分率を占める成分を意味することができ、全組成物又は全誘電体層の原子の総数を基準として５０ａｔ％未満の成分を意味することができる。

【0067】

圧電セラミック物質は、単結晶（ｓｉｎｇｌｅ ｃｒｙｓｔａｌｓ）、延性ピエゾセラミック（ｓｏｆｔ ｐｉｅｚｏｃｅｒａｍｉｃｓ）、硬質ピエゾセラミック（ｈａｒｄ ｐｉｅｚｏｃｅｒａｍｉｃｓ）、及び高温セラミック（ｈｉｇｈ－ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｅｒａｍｉｃｓ）のうち少なくとも一つを含むことができる。

【0068】

より具体的に、単結晶（ｓｉｎｇｌｅ ｃｒｙｓｔａｌｓ）は、０．６７ＰＭＮ－０．３３ＰＴ（０．６７Ｐｂ（Ｍｇ_１／３Ｎｂ_２／３）Ｏ_３－０．３３ＰｂＴｉＯ_３）、０．７１ＰＭＮ－０．２９ＰＴ（０．７１Ｐｂ（Ｍｇ_１／３Ｎｂ_２／３）Ｏ３－０．２９ＰｂＴｉＯ_３）、０．９３ＰＺＮ－０．０７ＰＴ（０．９３Ｐｂ（Ｚｎ_１／３Ｎｂ_２／３）Ｏ_３－０．０７ＰｂＴｉＯ_３）、０．９１ＰＺＮ－０．０７ＰＴ（０．９１Ｐｂ（Ｚｎ_１／３Ｎｂ_２／３）Ｏ_３－０．０７ＰｂＴｉＯ_３）、０．６６ＰＩＮ－０．３４ＰＴ（０．６６Ｐｂ（Ｉｎ_１／２Ｎｂ_１／２）Ｏ_３－０．３４ＰｂＴｉＯ_３）、ＫＮＮＴ（Ｐｏｔａｓｓｉｕｍ Ｓｏｄｉｕｍ Ｎｉｏｂａｔｅ Ｔａｎｔａｌａｔｅ）、ＬｉＮｂＯ_３（Ｌｉｔｈｉｕｍ Ｎｉｏｂａｔｅ）及びα－Ｑｕａｒｔｚ（Ａｌｐｈａ Ｑｕａｒｔｚ、ＳｉＯ_２）のうち少なくとも一つを含むことができる。

【0069】

単結晶形態の圧電セラミック物質は、焼成過程で結晶形態を維持することができ、焼成後にもカバー部１１２、１１３において単結晶形態であることができる。

【0070】

単結晶の有無又は単結晶物質を確認する方法としては、例えば、Ｘ線回折法（Ｘ－ｒａｙ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ、ＸＲＤ）を用いて測定したとき、測定されるピーク（ｐｅａｋ）を介して検出される結晶格子の構造を確認して単結晶の有無を確認することができ、あるいは検出されるピークから具体的な単結晶物質を確認することができるが、特にこれに限定されるものではない。

【0071】

延性ピエゾセラミック（ｓｏｆｔ ｐｉｅｚｏｃｅｒａｍｉｃｓ）は、ＰＺＴ－５Ａ（Ｌｅａｄ Ｚｉｒｃｏｎａｔｅ Ｔｉｔａｎａｔｅ－５Ａ）、２．５Ｓｍ－ＰＭＮ－２９ＰＴ（２．５％ Ｓａｍａｒｉｕｍ－ｄｏｐｅｄ Ｌｅａｄ Ｍａｇｎｅｓｉｕｍ Ｎｉｏｂａｔｅ－２９Ｌｅａｄ Ｔｉｔａｎａｔｅ）、ｔｅｘｔｕｒｅｄ ＰＭＮ－ＰＴ（Ｔｅｘｔｕｒｅｄ Ｌｅａｄ Ｍａｇｎｅｓｉｕｍ Ｎｉｏｂａｔｅ－Ｌｅａｄ Ｔｉｔａｎａｔｅ）、０．３ＰＺＮ－０．７ＰＺＴ（Ｌｅａｄ Ｚｉｒｃｏｎａｔｅ Ｔｉｔａｎａｔｅ－Ｌｅａｄ Ｚｉｒｃｏｎａｔｅ Ｔｉｔａｎａｔｅ）、０．５５ＰＮＮ－０．１３５ＰＺ－０．３１５ＰＴ（Ｌｅａｄ Ｎｉｏｂａｔｅ－Ｌｅａｄ Ｚｉｒｃｏｎａｔｅ－Ｌｅａｄ Ｔｉｔａｎａｔｅ）、Ｔｅｘｔｕｒｅｄ（ＫＮＬ）（ＮＴＳ）Ｏ_３（Ｔｅｘｔｕｒｅｄ Ｐｏｔａｓｓｉｕｍ Ｓｏｄｉｕｍ Ｎｉｏｂａｔｅ Ｔａｎｔａｌａｔｅ）、ＢＮＴ（Ｂｉｓｍｕｔｈ Ｓｏｄｉｕｍ Ｔｉｔａｎａｔｅ）、及びＮＫＮ－ＢＺ－ＢＬＴ（ＮａＮｂＯ_３－ＢａＺｒＯ_３－ＢｉＬａ_４Ｔｉ_３Ｏ_１２）のうち少なくとも一つを含むことができる。

【0072】

硬質ピエゾセラミック（ｈａｒｄ ｐｉｅｚｏｃｅｒａｍｉｃｓ）は、ＫＮＮ－ＫＣＮ（Ｐｏｔａｓｓｉｕｍ Ｓｏｄｉｕｍ Ｎｉｏｂａｔｅ－Ｐｏｔａｓｓｉｕｍ Ｃａｌｃｉｕｍ Ｎｉｏｂａｔｅ）、ＰＺＴ－４（Ｌｅａｄ Ｚｉｒｃｏｎａｔｅ Ｔｉｔａｎａｔｅ－４）、ＰＺＴ－８（Ｌｅａｄ Ｚｉｒｃｏｎａｔｅ Ｔｉｔａｎａｔｅ－８）、ＰＭＭｎＮ－ＰＺＴ（Ｌｅａｄ Ｍａｇｎｅｓｉｕｍ Ｍａｎｇａｎｅｓｅ Ｎｉｏｂａｔｅ－Ｌｅａｄ Ｚｉｒｃｏｎａｔｅ Ｔｉｔａｎａｔｅ）、ＰＭＭｎＮ－ＰＺＴ＋０．２ｗｔ％ ＣｕＯ（Ｌｅａｄ Ｍａｇｎｅｓｉｕｍ Ｍａｎｇａｎｅｓｅ Ｎｉｏｂａｔｅ－Ｌｅａｄ Ｚｉｒｃｏｎａｔｅ Ｔｉｔａｎａｔｅ ｗｉｔｈ ０．２％ Ｃｏｐｐｅｒ Ｏｘｉｄｅ）、０．０１５ＰＳＮ－０．３ＰＮＮ－０．６８５ＰＺＴ（Ｌｅａｄ Ｓｔｒｏｎｔｉｕｍ Ｎｉｏｂａｔｅ－Ｌｅａｄ Ｎｉｃｋｅｌ Ｎｉｏｂａｔｅ－Ｌｅａｄ Ｚｉｒｃｏｎａｔｅ Ｔｉｔａｎａｔｅ）、ＰＭＳ－ＰＺＴ（Ｌｅａｄ Ｍａｇｎｅｓｉｕｍ Ｓｔｒｏｎｔｉｕｍ－Ｎｉｏｂａｔｅ－Ｌｅａｄ Ｚｉｒｃｏｎａｔｅ Ｔｉｔａｎａｔｅ）、ＰＭＳ－ＰＮＮ－ＰＺＴ（Ｌｅａｄ Ｍａｇｎｅｓｉｕｍ Ｓｔｒｏｎｔｉｕｍ－Ｎｉｏｂａｔｅ－Ｌｅａｄ Ｎｉｃｋｅｌ Ｎｉｏｂａｔｅ－Ｌｅａｄ Ｚｉｒｃｏｎａｔｅ Ｔｉｔａｎａｔｅ）、ＰＮＷ－ＰＭＳ－ＰＺＴ（Ｌｅａｄ Ｎｉｏｂａｔｅ－Ｌｅａｄ Ｍａｇｎｅｓｉｕｍ Ｓｔｒｏｎｔｉｕｍ－Ｎｉｏｂａｔｅ－Ｌｅａｄ Ｚｉｒｃｏｎａｔｅ Ｔｉｔａｎａｔｅ）、及びＰＳＮ－ＰＺＮ－ＰＺＴ－Ｍｎ（Ｌｅａｄ Ｓｔｒｏｎｔｉｕｍ Ｎｉｏｂａｔｅ－Ｌｅａｄ Ｚｉｎｃ Ｎｉｏｂａｔｅ－Ｌｅａｄ Ｚｉｒｃｏｎａｔｅ Ｔｉｔａｎａｔｅ ｗｉｔｈ Ｍａｎｇａｎｅｓｅ）のうち少なくとも一つを含むことができる。

【0073】

高温セラミック（ｈｉｇｈ－ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｅｒａｍｉｃｓ）は、０．３６ＢｉＳｃＯ_３－０．６４ＰｂＴｉＯ_３（Ｂｉｓｍｕｔｈ Ｓｃａｎｄｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ－Ｌｅａｄ Ｔｉｔａｎｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ）、０．４Ｂｉ（Ｇａ_１／４Ｓｃ_３／４）Ｏ_３－０．６ＰｂＴｉＯ_３（Ｂｉｓｍｕｔｈ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｓｃａｎｄｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ－Ｌｅａｄ Ｔｉｔａｎｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ）、０．３４ＢＳ－０．６６ＰＴ－Ｍｎ（Ｂｉｓｍｕｔｈ Ｓｃａｎｄｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ－Ｌｅａｄ Ｔｉｔａｎｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ ｗｉｔｈ Ｍａｎｇａｎｅｓｅ）、０．４５Ｂｉ（Ｆｅ_１／２Ｓｃ_１／２）Ｏ_３－０．５５ＰｂＴｉＯ_３（Ｂｉｓｍｕｔｈ Ｉｒｏｎ Ｓｃａｎｄｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ－Ｌｅａｄ Ｔｉｔａｎｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ）、０．９８（０．３６ＢｉＳｃＯ_３－０．６４ＰｂＴｉＯ_３）－０．０２ＬｉＮｂＯ_３（Ｂｉｓｍｕｔｈ Ｓｃａｎｄｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ－Ｌｅａｄ Ｔｉｔａｎｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ ｗｉｔｈ Ｌｉｔｈｉｕｍ Ｎｉｏｂａｔｅ）、０．６３Ｂｉ（Ｍｇ_１／２Ｔｉ_１／２）Ｏ_３－０．３７ＰｂＴｉＯ_３、０．４６［ＢｉＳｃＯ_３＋Ｂｉ（Ｎｉ_１／２Ｔｉ_１／２）Ｏ_３］－０．５４ＰｂＴｉＯ_３（Ｂｉｓｍｕｔｈ Ｍａｇｎｅｓｉｕｍ Ｔｉｔａｎｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ－Ｌｅａｄ Ｔｉｔａｎｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ）、及び０．３５ＢｉＳｃＯ_３－０．２５Ｂｉ（Ｚｒ_０．５Ｚｎ_０．５）Ｏ_３－０．６２５ＰｂＴｉＯ_３（Ｂｉｓｍｕｔｈ Ｓｃａｎｄｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ－Ｂｉｓｍｕｔｈ Ｎｉｃｋｅｌ Ｔｉｔａｎｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ－Ｌｅａｄ Ｔｉｔａｎｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ）のうち少なくとも一つを含むことができる。

【0074】

本発明の一実施形態において、カバー部１１２、１１３は複数の誘電体結晶粒を含み、複数の誘電体結晶粒はチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系物質を含む第１誘電体結晶粒１０、及び上述の圧電セラミック物質を含む第２誘電体結晶粒２０を含むことができる。

【0075】

カバー部１１２、１１３が圧電セラミック物質を含む第２誘電体結晶粒２０を含むことにより、圧電効果又は逆圧電効果を効果的に実現することができ、積層型電子部品１００に加わるアコースティックノイズを相殺させて、電歪応力を減少させることで、積層型電子部品１００の信頼性及び寿命を向上させることができる。

【0076】

誘電体結晶粒を測定する方法としては、例えば、カバー部の第１方向及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）又は第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）又は透過電子顕微鏡（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＴＥＭ）を用いて測定することができ、エネルギー分散Ｘ線分光法（Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ－ｒａｙ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ、ＥＤＳ）モードでバリウム（Ｂａ）、チタン（Ｔｉ）、及び酸素（Ｏ）元素を同時に含む誘電体結晶粒を第１誘電体結晶粒１０と解釈することができ、圧電セラミック物質に含まれた元素を含む誘電体結晶粒を第２誘電体結晶粒２０と解釈することができる。

【0077】

また、カバー部１１２、１１３が第２誘電体結晶粒２０を含む場合、第１誘電体結晶粒１０のみが含まれた場合と比較して、ＬＣＲ ｍｅｔｅｒ、Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ ａｎａｌｙｚｅｒ、ｄ３３ ｍｅｔｅｒなどの装備を用いて誘電定数、誘電損失、周波数特性などを測定したとき、互いに異なることがあり、又は製品によっては圧電特性などが改善されることもできる。このような圧電物質測定装備を介して第２誘電体結晶粒２０を含むか否かを測定することができるが、特にこれに限定されるものではない。

【0078】

本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００において、カバー部１１２、１１３に含まれた第１誘電体結晶粒１０の数をＡ、カバー部１１２、１１３に含まれた第２誘電体結晶粒２０の数をＢとするとき、カバー部１１２、１１３はＢ≦Ａを満たすことができる。すなわち、カバー部１１２、１１３に含まれた複数の誘電体結晶粒のうち、第２誘電体結晶粒２０よりも第１誘電体結晶粒１０がさらに多くてもよい。ここで、カバー部１１２、１１３がＢ≦Ａを満たすとは、上部カバー部１１２がＢ≦Ａを満たすか、又は下部カバー部１１３がＢ≦Ａを満たすことを意味することができ、あるいは、上部及び下部カバー部１１２、１１３がＢ≦Ａを満たすことを意味することができる。

【0079】

例えば、図２及び図４を参照して説明すると、上述したカバー部の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準として１０μｍ×１０μｍ領域に含まれる第１誘電体結晶粒１０の数をＡ、第２誘電体結晶粒２０の数をＢと定義することができ、当該領域がＢ≦Ａを満たすことを意味することができるが、特にこれに限定されるものではない。

【0080】

カバー部１１２、１１３に含まれた第１誘電体結晶粒の数（Ａ）及び第２誘電体結晶粒の数（Ｂ）がＢ≦Ａを満たすことにより、カバー部１１２、１１３に加わるアコースティックノイズによる電歪応力を効果的に減少させるとともに、カバー部１１２、１１３の強度を維持し、内部電極１２１、１２２を十分に保護することができる。

【0081】

カバー部１１２、１１３に含まれた第１誘電体結晶粒の数（Ａ）及び第２誘電体結晶粒の数（Ｂ）がＡ＜Ｂの場合、カバー部１１２、１１３に加わるアコースティックノイズによる電歪応力をより効果的に減少させることができるが、カバー部１１２、１１３の強度が低下するため、内部電極１２１、１２２を十分に保護できないという問題が生じるおそれがある。

【0082】

あるいは、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００において、カバー部１１２、１１３に含まれた複数の誘電体結晶粒のうち第１誘電体結晶粒１０の個数比率は５０％以上であることができ、又はカバー部１１２、１１３に含まれた複数の誘電体結晶粒のうち第２誘電体結晶粒２０の個数比率は５０％以下であることができる。ここで、「カバー部１１２、１１３に含まれた複数の誘電体結晶粒のうち第１誘電体結晶粒１０の個数比率は５０％以上であることができ、又はカバー部１１２、１１３に含まれた複数の誘電体結晶粒のうち第２誘電体結晶粒２０の個数比率は５０％以下であることができる」とは、上部カバー部１１２又は下部カバー部１１３のうち少なくとも一つに含まれた複数の誘電体結晶粒のうち、第１誘電体結晶粒１０の個数比率が５０％以上であり得ること、又はカバー部１１２、１１３に含まれた複数の誘電体結晶粒のうち、第２誘電体結晶粒２０の個数比率が５０％以下であり得ることを意味することができる。例えば、上述したカバー部の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準として１０μｍ×１０μｍ領域に含まれた複数の誘電体結晶粒のうち、第１誘電体結晶粒１０の個数比率が５０％以上であることができ、又は複数の誘電体結晶粒のうち第２誘電体結晶粒２０の個数比率が５０％以下を満たすことを意味することができるが、特にこれに限定されるものではない。

【0083】

カバー部１１２、１１３に含まれた複数の誘電体結晶粒のうち第１誘電体結晶粒の個数比率が５０％以上であるか、又はカバー部１１２、１１３に含まれた複数の誘電体結晶粒のうち第２誘電体結晶粒の個数比率が５０％以下を満たすことにより、カバー部１１２、１１３に加わるアコースティックノイズによる電歪応力を効果的に減少させるとともに、カバー部１１２、１１３の強度を維持し、内部電極１２１、１２２を十分に保護することができる。

【0084】

カバー部１１２、１１３に含まれた複数の誘電体結晶粒のうち第１誘電体結晶粒の個数比率が５０％未満であるか、又はカバー部１１２、１１３に含まれる複数の誘電体結晶粒のうち第２誘電体結晶粒の個数比率が５０％を超える場合、カバー部１１２、１１３に加わるアコースティックノイズによる電歪応力をより効果的に減少させることができるが、カバー部１１２、１１３の強度が低下するため、内部電極１２１、１２２を十分に保護できないという問題が生じるおそれがある。

【0085】

一方、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは特に限定する必要はない。

【0086】

但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは１００μｍ以下であってもよく、好ましくは３０μｍ以下であってもよく、超小型製品においては、より好ましくは２０μｍ以下であってもよい。

【0087】

ここで、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは、カバー部１１２、１１３の第１方向のサイズを意味することができる。また、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは、カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃを意味することができ、カバー部１１２、１１３の第１方向の平均サイズを意味することができる。

【0088】

カバー部１１２、１１３の第１方向の平均サイズは、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、一つのカバー部をスキャンしたイメージにおいて、第２方向に等間隔である３０個の地点で第１方向のサイズを測定して計算した平均値を意味することができる。

【0089】

また、上述した方法で測定したカバー部の第１方向の平均サイズは、本体１１０の第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）において、カバー部の第１方向の平均サイズと実質的に同じサイズを有することができる。

【0090】

一方、積層型電子部品１００は、本体１１０の第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）上に配置されるサイドマージン部１１４、１１５を含むことができる。

【0091】

より具体的に、サイドマージン部１１４、１１５は、本体１１０の第５面５に配置された第１サイドマージン部１１４、及び本体１１０の第６面６に配置された第２サイドマージン部１１５を含むことができる。

【0092】

サイドマージン部１１４、１１５は、図示のように、本体１１０の第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準として、第１方向及び第２内部電極１２１、１２２の第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）と本体１１０の境界面との間の領域を意味することができる。

【0093】

サイドマージン部１１４、１１５は、容量形成部Ａｃに適用されるセラミックグリーンシート上にサイドマージン部１１４、１１５が形成される箇所を除いて、導電性ペーストを塗布して内部電極１２１、１２２を形成し、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後の内部電極１２１、１２２が本体１１０の第５面５及び第６面６に露出するように切断した後、単一の誘電体層１１１又は２つ以上の誘電体層１１１を容量形成部Ａｃの第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）上に第３方向に積層して形成することもできる。

【0094】

サイドマージン部１１４、１１５は、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。

【0095】

第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５は、内部電極１２１、１２２を含まず、誘電体層１１１と同じ材料を含むことができる。すなわち、第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５はセラミック材料を含むことができ、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系セラミック材料を含むことができ、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系物質を除く圧電セラミック物質をさらに含むことができる。

【0096】

すなわち、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００において、第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５は、主成分としてチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系物質を含むことができ、副成分としてチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系物質を除く圧電セラミック物質を含むことができる。

【0097】

以下において、サイドマージン部１１４、１１５に関連する圧電セラミック物質に対する説明は、カバー部１１２、１１３に関連する圧電セラミック物質に対する説明と同一であり得るため、重複内容は省略することができる。

【0098】

但し、サイドマージン部１１４、１１５に含まれた圧電セラミック物質は、カバー部１１２、１１３に含まれた圧電セラミック物質と同じ圧電セラミック物質を必ずしも含む必要はなく、異なる圧電セラミック物質を含んでもよく、複数の圧電セラミック物質を含む場合、複数の圧電セラミック物質の全てが異なってもよく、又は少なくとも一つの圧電セラミック物質が同一であってもよい。

【0099】

すなわち、カバー部１１２、１１３に含まれた圧電セラミック物質を第１圧電セラミック物質と定義することができ、サイドマージン部１１４、１１５に含まれた圧電セラミック物質を第２圧電セラミック物質と定義することができ、第１圧電セラミック物質及び第２圧電セラミック物質は、同一又は異なることができ、あるいは一部の同じ圧電セラミック物質を互いに含むことができる。

【0100】

サイドマージン部１１４、１１５に含まれる圧電セラミック物質は、カバー部１１２、１１３に含まれる圧電セラミック物質と同様に、単結晶（ｓｉｎｇｌｅ ｃｒｙｓｔａｌｓ）、延性ピエゾセラミック（ｓｏｆｔ ｐｉｅｚｏｃｅｒａｍｉｃｓ）、硬質ピエゾセラミック（ｈａｒｄ ｐｉｅｚｏｃｅｒａｍｉｃｓ）、及び高温セラミック（ｈｉｇｈ－ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｅｒａｍｉｃｓ）のうち少なくとも一つを含むことができる。

【0101】

本発明の一実施形態において、サイドマージン部１１４、１１５は複数の誘電体結晶粒を含み、複数の誘電体結晶粒はチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系物質を含む第１誘電体結晶粒、及び上述した圧電セラミック物質を含む第２誘電体結晶粒を含むことができる。

【0102】

サイドマージン部１１４、１１５が圧電セラミック物質を含む第２誘電体結晶粒２０を含むことにより、圧電効果又は逆圧電効果を効果的に実現することができ、積層型電子部品１００に加わるアコースティックノイズを相殺させ、電歪応力を減少させることで、積層型電子部品１００の信頼性及び寿命を向上させることができる。

【0103】

誘電体結晶粒を測定する方法としては、例えば、サイドマージン部を含む積層型電子部品の第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）又は透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて測定することができ、エネルギー分散Ｘ線分光法（ＥＤＳ）モードでバリウム（Ｂａ）、チタン（Ｔｉ）、及び酸素（Ｏ）元素を同時に含む誘電体結晶粒を第１誘電体結晶粒と解釈することができ、圧電セラミック物質に含まれた元素を含む誘電体結晶粒を第２誘電体結晶粒と解釈することができる。

【0104】

本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００において、サイドマージン部１１４、１１５に含まれた第１誘電体結晶粒の数をＡ、第２誘電体結晶粒の数をＢとするとき、サイドマージン部１１４、１１５はＢ≦Ａを満たすことができる。すなわち、サイドマージン部１１４、１１５に含まれた複数の誘電体結晶粒のうち、第２誘電体結晶粒よりも第１誘電体結晶粒がさらに多くてもよい。

【0105】

ここで、サイドマージン部１１４、１１５に含まれた第１誘電体結晶粒の数をＡ、第２誘電体結晶粒の数をＢと定義するものの、これは、カバー部１１２、１１３に含まれた第１誘電体結晶粒の数（Ａ）、及び第２誘電体結晶粒の数（Ｂ）とは異なることがあり、通常の技術者であれば、カバー部とサイドマージン部に対する説明を区分して理解することができる。

【0106】

例えば、上述したサイドマージン部の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準として１０μｍ×１０μｍ領域に含まれた第１誘電体結晶粒１０の数をＡ、第２誘電体結晶粒２０の数をＢと定義することができ、当該領域がＢ≦Ａを満たすことを意味することができるが、特にこれに限定されるものではない。

【0107】

サイドマージン部１１４、１１５に含まれた第１誘電体結晶粒の数（Ａ）及び第２誘電体結晶粒の数（Ｂ）がＢ≦Ａを満たすことにより、サイドマージン部１１４、１１５に加わるアコースティックノイズによる電歪応力を効果的に減少させるとともに、サイドマージン部１１４、１１５の強度を維持し、内部電極１２１、１２２を十分に保護することができる。

【0108】

サイドマージン部１１４、１１５に含まれた第１誘電体結晶粒の数（Ａ）及び第２誘電体結晶粒の数（Ｂ）がＡ＜Ｂの場合、サイドマージン部１１４、１１５に加わるアコースティックノイズによる電歪応力をより効果的に減少させることができるが、サイドマージン部１１４、１１５の強度が低下するため、内部電極１２１、１２２を十分に保護できないという問題が生じるおそれがある。

【0109】

あるいは、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００において、サイドマージン部１１４、１１５に含まれた複数の誘電体結晶粒のうち第１誘電体結晶粒の個数比率は５０％以上であることができ、又はサイドマージン部１１４、１１５に含まれた複数の誘電体結晶粒のうち第２誘電体結晶粒の個数比率は５０％以下であることができる。

【0110】

例えば、上述したサイドマージン部の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準として１０μｍ×１０μｍ領域に含まれた複数の誘電体結晶粒のうち第１誘電体結晶粒の個数比率が５０％以上であることができ、又は複数の誘電体結晶粒のうち第２誘電体結晶粒の個数比率が５０％以下を満たすことを意味することができるが、特にこれに限定されるものではない。

【0111】

サイドマージン部１１４、１１５に含まれた複数の誘電体結晶粒のうち第１誘電体結晶粒の個数比率が５０％以上であるか、又はサイドマージン部１１４、１１５に含まれた複数の誘電体結晶粒のうち第２誘電体結晶粒の個数比率が５０％以下を満たすことにより、サイドマージン部１１４、１１５に加わるアコースティックノイズによる電歪応力を効果的に減少させるとともに、サイドマージン部１１４、１１５の強度を維持し、内部電極１２１、１２２を十分に保護することができる。

【0112】

サイドマージン部１１４、１１５に含まれた複数の誘電体結晶粒のうち第１誘電体結晶粒の個数比率が５０％未満であるか、又はサイドマージン部１１４、１１５に含まれた複数の誘電体結晶粒のうち第２誘電体結晶粒の個数比率が５０％を超える場合、サイドマージン部１１４、１１５に加わるアコースティックノイズによる電歪応力をより効果的に減少させることができるが、サイドマージン部１１４、１１５の強度が低下するため、内部電極１２１、１２２を十分に保護できないという問題が生じるおそれがある。

【0113】

一方、第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５の幅ｗｍは特に限定する必要はない。

【0114】

但し、積層型電子部品１００の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは１００μｍ以下であってもよく、好ましくは３０μｍ以下であってもよく、超小型製品においては、より好ましくは２０μｍ以下であってもよい。

【0115】

ここで、サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは、サイドマージン部１１４、１１５の第３方向のサイズを意味することができる。また、サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは、サイドマージン部１１４、１１５の平均幅ｗｍを意味することができ、サイドマージン部１１４、１１５の第３方向の平均サイズを意味することができる。

【0116】

サイドマージン部１１４、１１５の第３方向の平均サイズは、本体１１０の第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的には、一つのサイドマージン部をスキャンしたイメージにおいて、第１方向に等間隔である１０個の地点で第３方向のサイズを測定して計算した平均値を意味することができる。

【0117】

本発明の一実施形態では、セラミック電子部品１００が２つの外部電極１３１、１３２を有する構造について説明しているが、外部電極１３１、１３２の個数や形状などは内部電極１２１、１２２の形態やその他の目的に応じて変更することができる。

【0118】

外部電極１３１、１３２は本体１１０上に配置され、内部電極１２１、１２２と連結されることができる。

【0119】

より具体的に、外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３面３及び第４面４にそれぞれ配置され、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２とそれぞれ連結される第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２を含むことができる。すなわち、第１外部電極１３１は本体の第３面３に配置されて第１内部電極１２１と連結されることができ、第２外部電極１３２は本体の第４面４に配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。

【0120】

また、外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第１面１及び第２面２上の一部に延びて配置されることができ、又は本体１１０の第５面５及び第６面６上の一部に延びて配置されることができる。すなわち、第１外部電極１３１は、本体１１０の第１面１、第２面２、第５面５及び第６面６上の一部、及び本体１１０の第３面３上に配置されることができ、第２外部電極１３２は、本体１１０の第１面１、第２面２、第５面５及び第６面６上の一部、及び本体１１０の第３面３上に配置されることができる。

【0121】

一方、外部電極１３１、１３２は、金属などのように電気伝導性を有するものであれば、如何なる物質を使用して形成されてもよく、電気的特性、構造的安定性などを考慮して具体的な物質が決定されてもよく、さらに多層構造を有してもよい。

【0122】

例えば、外部電極１３１、１３２は、本体１１０に配置される電極層及び電極層上に配置されるめっき層１３１ｃ、１３２ｃを含むことができる。

【0123】

電極層に対するより具体的な例を挙げると、電極層は、第１導電性金属及びガラスを含む焼成電極である第１電極層１３１ａ、１３２ａを含むか、又は第２導電性金属及び樹脂を含む樹脂系電極である第２電極層１３１ｂ、１３２ｂを含むことができる。

【0124】

ここで、第１導電性金属は第１電極層１３１ａ、１３２ａに含まれた導電性金属を意味することができ、第２導電性金属は第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれた導電性金属を意味することができる。このとき、第１導電性金属及び第２導電性金属は同一又は異なってもよく、同じ金属物質を含んでもよいが、特にこれに限定されるものではない。

【0125】

また、電極層は、本体上に焼成電極及び樹脂系電極が順次形成された形態であってもよい。

【0126】

また、電極層は、本体上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されてもよく、焼成電極上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されたものであってもよい。

【0127】

電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂに含まれる導電性金属として、電気伝導性に優れた材料を使用することができ、例えば、導電性金属はニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群から選択された一つ以上を含むことができるが、特にこれに限定されるものではない。

【0128】

本発明の一実施形態において、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂは、第１電極層１３１ａ、１３２ａ及び第２電極層１３１ｂ、１３２ｂを含む２層の構造を有することができ、これにより、外部電極１３１、１３２は、導電性金属及びガラスを含む第１電極層１３１ａ、１３２ａ及び上記第１電極層１３１ａ、１３２ａ上に配置され、導電性金属及び樹脂を含む第２電極層１３１ｂ、１３２ｂを含むことができる。

【0129】

第１電極層１３１ａ、１３２ａは、ガラスを含むことにより本体１１０との接合性を向上させる役割を果たし、第２電極層１３１ｂ、１３２ｂは樹脂を含むことにより曲げ強度を向上させる役割を果たすことができる。

【0130】

第１電極層１３１ａ、１３２ａに使用される導電性金属は、静電容量の形成のために上記内部電極１２１、１２２と電気的に連結できる材質であれば特に限定されず、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群から選択された一つ以上を含むことができる。第１電極層１３１ａ、１３２ａは、上記導電性金属粒子にガラスフリットを添加して設けられた導電性ペーストを塗布した後、焼成することにより形成することができる。

【0131】

第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる導電性金属は、第１電極層１３１ａ、１３２ａと電気的に連結されるようにする役割を果たすことができる。

【0132】

第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる導電性金属は、電極層１３１ａ、１３２ａと電気的に連結できる材質であれば特に限定されず、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群から選択される一つ以上を含むことができる。

【0133】

第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる導電性金属は、球状粒子及びフレーク状粒子のうち１以上を含むことができる。すなわち、導電性金属はフレーク状粒子のみからなるか、又は球状粒子のみからなることができ、フレーク状粒子と球状粒子とが混合された形態であることもできる。ここで、球状粒子は、完全な球状ではない形態も含むことができ、例えば、長軸と短軸の長さ比率（長軸／短軸）が１．４５以下の形態を含むことができる。フレーク状粒子とは、平たいかつ細長い形態を有する粒子を意味し、特に限定されるものではないが、例えば、長軸と短軸の長さ比率（長軸／短軸）は１．９５以上であってもよい。上記球状粒子及びフレーク状粒子の長軸と短軸の長さは、セラミック電子部品の第３方向の中央部で切断した第１方向及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でスキャンして得られたイメージから測定することができる。

【0134】

第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる樹脂は、接合性確保及び衝撃吸収の役割を果たすことができる。第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる樹脂は、接合性及び衝撃吸収性を有し、導電性金属粒子と混合してペーストを作製できるものであれば特に限定されず、例えば、エポキシ系樹脂を含むことができる。

【0135】

また、第２電極層１３１ｂ、１３２ｂは、複数の金属粒子、金属間化合物及び樹脂を含むことができる。上記金属間化合物を含むことにより、第１電極層１３１ａ、１３２ａとの電気的連結性をより向上させることができる。上記金属間化合物は、複数の金属粒子を連結して電気的連結性を向上させる役割を果たし、複数の金属粒子を囲んで互いに連結する役割を果たすことができる。

【0136】

このとき、上記金属間化合物は、樹脂の硬化温度より低い融点を有する金属を含むことができる。すなわち、上記金属間化合物が樹脂の硬化温度より低い融点を有する金属を含むため、樹脂の硬化温度より低い融点を有する金属が乾燥及び硬化工程を経る過程で溶融し、金属粒子の一部と金属間化合物を形成して金属粒子を囲むようになる。このとき、金属間化合物は、好ましくは３００℃以下の低融点金属を含むことができる。

【0137】

例えば、２１３℃～２２０℃の融点を有するＳｎを含むことができる。乾燥及び硬化工程を経る過程でＳｎが溶融し、溶融したＳｎがＡｇ、Ｎｉ又はＣｕのような高融点の金属粒子を毛細管現象により湿らし、Ａｇ、Ｎｉ又はＣｕ金属粒子の一部と反応してＡｇ_３Ｓｎ、Ｎｉ_３Ｓｎ_４、Ｃｕ_６Ｓｎ_５、Ｃｕ_３Ｓｎなどの金属間化合物を形成するようになる。反応に関与しなかったＡｇ、Ｎｉ又はＣｕは金属粒子の形態で残る。

【0138】

したがって、上記複数の金属粒子は、Ａｇ、Ｎｉ及びＣｕのうち一つ以上を含み、上記金属間化合物は、Ａｇ_３Ｓｎ、Ｎｉ_３Ｓｎ_４、Ｃｕ_６Ｓｎ_５及びＣｕ_３Ｓｎのうち一つ以上を含むことができる。

【0139】

めっき層１３１ｃ、１３２ｃは、実装特性を向上させる役割を果たすことができる。

【0140】

めっき層１３１ｃ、１３２ｃの種類は特に限定されず、ニッケル（Ｎｉ）、スズ（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含む単一層のめっき層１３１ｃ、１３２ｃであってもよく、複数の層で形成されてもよい。

【0141】

めっき層１３１ｃ、１３２ｃに対するより具体的な例を挙げると、めっき層１３１ｃ、１３２ｃはＮｉめっき層又はＳｎめっき層であってもよく、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂ上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層が順次形成された形態であってもよく、Ｓｎめっき層、Ｎｉめっき層及びＳｎめっき層が順次形成された形態であってもよい。また、めっき層１３１ｃ、１３２ｃは、複数のＮｉめっき層及び／又は複数のＳｎめっき層を含んでもよい。

【0142】

積層型電子部品１００のサイズは特に限定する必要はない。

【0143】

但し、小型化及び高容量化を同時に達成するためには、誘電体層及び内部電極の厚さを薄くして積層数を増加させなければならないため、３２１６（長さ×幅：３．２ｍｍ×１．６ｍｍ）サイズ以下の積層型電子部品１００において本発明に係る効果がより顕著になり得る。

【0144】

以上のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は、上述した実施形態及び添付の図面によって限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲によって限定されるものとする。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で、当技術分野における通常の知識を有する者により様々な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属すると言える。

【0145】

また、本発明において使用される「一実施形態」という表現は、互いに同じ実施形態を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかし、上記提示された一実施形態は、他の一実施形態の特徴と結合して実現されることを排除しない。例えば、特定の一実施形態において説明された事項が他の一実施形態に説明されていなくても、他の一実施形態においてその事項と反対又は矛盾する説明がない限り、他の一実施形態に関連する説明として理解されることができる。

【0146】

本発明において使用される用語は、単に一実施形態を説明するために使用されたものであり、本発明を限定しようとする意図ではない。このとき、単数の表現は、文脈上明らかに異なる意味ではない限り、複数の表現を含む。

【符号の説明】

【0147】

１０：第１誘電体結晶粒
２０：第２誘電体結晶粒
１００：積層型電子部品
１１０：本体
１１１：誘電体層
１１２、１１３：カバー部
１１４、１１５：サイドマージン部
１２１、１２２：内部電極
１３１、１３２：外部電極

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】