特開 2025-74045 積層型電子部品

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025074045

(43)【公開日】2025-05-13

(54)【発明の名称】積層型電子部品

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/30 20060101AFI20250502BHJP

   H01C 7/18 20060101ALI20250502BHJP

【ＦＩ】

H01G4/30 201G

H01G4/30 513

H01G4/30 516

H01C7/18

H01G4/30 201F

H01G4/30 201D

【審査請求】未請求

【請求項の数】25

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024186967

(22)【出願日】2024-10-23

(31)【優先権主張番号】10-2023-0144625

(32)【優先日】2023-10-26

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(31)【優先権主張番号】10-2023-0197417

(32)【優先日】2023-12-29

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】110000877

【氏名又は名称】弁理士法人ＲＹＵＫＡ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】キム、ヨン ミン

(72)【発明者】

【氏名】カン、バム スク

(72)【発明者】

【氏名】グ、ヒュン ヒー

(72)【発明者】

【氏名】リー、カン ハ

(72)【発明者】

【氏名】リー、チュン エウン

【テーマコード（参考）】

5E001

5E082

【Ｆターム（参考）】

5E001AB03

5E001AC03

5E001AC09

5E001AE03

5E001AF02

5E001AF03

5E001AF06

5E082AA01

5E082AB03

5E082BC40

5E082EE23

5E082FF05

5E082FG04

5E082FG26

5E082GG10

5E082GG11

5E082PP03

(57)【要約】      （修正有）

【課題】信頼性に優れた積層型電子部品を提供し、内部電極と外部電極との間の連結性を向上させる。
【解決手段】積層型電子部品は、誘電体層１１１、内部電極１２１を含む本体と、本体上に配置されて内部電極と連結される外部電極と、を含む。外部電極の内部電極界面付近の領域１４１はＮｉ、Ａｌ、Ｃｕを含み、内部電極はＮｉを含み、外部電極はＡｌ及びＣｕを含む。界面付近の領域１４１はさらに、第１領域Ｐ１及び２領域Ｐ２に細分化され成分が規定される。外部電極の下地電極層は、Ａｌ（Ｍ２）、Ｃｕ（Ｍ１）及びガラス（Ｇ）を含む。
【選択図】図６

【特許請求の範囲】

【請求項1】

誘電体層、及び前記誘電体層と交互に配置される内部電極を含む本体と、
前記本体上に配置されて、前記内部電極と連結される外部電極と、を含み、
Ｎｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域を含み、
前記内部電極はＮｉを含み、
前記外部電極はＡｌ及びＣｕを含む、積層型電子部品。

【請求項2】

前記Ｎｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域のうち、前記内部電極に隣接する領域を第１領域、前記外部電極に隣接する領域を第２領域とするとき、
前記第１領域にはＡｌ－Ｎｉ合金が配置され、前記第２領域にはＡｌ－Ｃｕ合金が配置される、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項3】

前記Ｎｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域は、Ａｌ－Ｎｉ合金及びＡｌ－Ｃｕ合金からなる、請求項２に記載の積層型電子部品。

【請求項4】

前記第１領域は、前記内部電極から外部電極方向に向かうほどＮｉ含有量が減少し、前記第２領域は、前記外部電極から内部電極方向に向かうほどＣｕ含有量が減少する、請求項２に記載の積層型電子部品。

【請求項5】

前記第１領域は、前記内部電極から外部電極方向に向かうほどＡｌ含有量が増加し、前記第２領域は、前記外部電極から内部電極方向に向かうほどＡｌ含有量が増加する、請求項２に記載の積層型電子部品。

【請求項6】

前記第１領域は、前記本体の内部に配置され、前記第２領域の少なくとも一部は前記本体の外部に配置される、請求項２に記載の積層型電子部品。

【請求項7】

前記第１領域と第２領域との間を中間領域とするとき、前記中間領域に含まれたＡｌの原子百分率は、前記第１領域及び前記第２領域に含まれたＡｌの原子百分率よりも高い、請求項２に記載の積層型電子部品。

【請求項8】

前記中間領域はＮｉ及びＣｕを含まない、請求項７に記載の積層型電子部品。

【請求項9】

前記中間領域はＡｌ含有量が９９ａｔ％以上であり、前記中間領域の少なくとも一部はＡｌ含有量が１００ａｔ％である、請求項７に記載の積層型電子部品。

【請求項10】

前記第１領域は、前記内部電極から外部電極方向に向かうほどＮｉ含有量が減少し、Ａｌ含有量が増加し、前記第２領域は、前記外部電極から内部電極方向に向かうほどＣｕ含有量が減少し、Ａｌ含有量が増加する、請求項７に記載の積層型電子部品。

【請求項11】

前記第１領域は、前記本体の内部に配置され、前記第２領域の少なくとも一部は前記本体の外部に配置される、請求項７に記載の積層型電子部品。

【請求項12】

前記中間領域は前記本体の内部に配置される、請求項７に記載の積層型電子部品。

【請求項13】

前記Ｎｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域は、実質的にＮｉ－Ａｌ－Ｃｕ合金からなる、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項14】

前記Ｎｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域は、前記内部電極から外部電極方向に向かうほどＮｉ含有量が減少し、Ｃｕ含有量が増加する、請求項１３に記載の積層型電子部品。

【請求項15】

前記Ｎｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域は、中央領域でＡｌ含有量が最も高く、前記中央領域から内部電極方向に向かうほどＡｌ含有量が減少し、前記中央領域から外部電極方向に向かうほどＡｌ含有量が減少する、請求項１３に記載の積層型電子部品。

【請求項16】

前記Ｎｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域のうち、前記内部電極に隣接する領域を第１領域、前記外部電極に隣接する領域を第２領域、前記第１領域と第２領域との間を中間領域とするとき、
前記第１領域にはＡｌ－Ｎｉ合金が配置され、前記第２領域にはＡｌ－Ｃｕ合金が配置され、前記中間領域にはＮｉ－Ａｌ－Ｃｕ合金が配置される、請求項１から１５のいずれか一項に記載の積層型電子部品。

【請求項17】

前記Ｎｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域は、前記内部電極と外部電極との間に配置される、請求項１から１５のいずれか一項に記載の積層型電子部品。

【請求項18】

誘電体層、及び前記誘電体層と交互に配置される内部電極を含む本体と、
前記本体上に配置され、前記内部電極と連結される下地電極層を含む外部電極と、を含み、
前記下地電極層は、Ａｌ、Ｃｕ及びガラスを含む、積層型電子部品。

【請求項19】

前記下地電極層は、前記内部電極間に配置された誘電体層の端部の少なくとも一部と接する、請求項１８に記載の積層型電子部品。

【請求項20】

前記下地電極層に含まれたＡｌ、Ｃｕ及びガラスのうち１つ以上は、前記内部電極間に配置された誘電体層の端部の少なくとも一部と接する、請求項１８に記載の積層型電子部品。

【請求項21】

前記下地電極層に含まれたＡｌの少なくとも一部はＣｕと合金を成す、請求項１８に記載の積層型電子部品。

【請求項22】

前記外部電極は、前記下地電極層上に配置されるＮｉめっき層をさらに含み、
前記下地電極層と前記Ｎｉめっき層との界面領域の少なくとも一部には、Ａｌ及びＡｌ－Ｎｉ合金が配置される、請求項１８に記載の積層型電子部品。

【請求項23】

前記外部電極は、前記下地電極層上に配置され、導電性粒子及び樹脂を含む導電性樹脂層をさらに含む、請求項１８に記載の積層型電子部品。

【請求項24】

前記導電性樹脂層に含まれた導電性粒子はＣｕ粒子であり、
前記下地電極層と前記導電性樹脂層の界面領域の少なくとも一部には、Ａｌ及びＡｌ－Ｃｕ合金が配置される、請求項２３に記載の積層型電子部品。

【請求項25】

前記内部電極の端部から前記下地電極層に延びるＮｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域をさらに含み、
前記Ｎｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域の全体領域にＡｌが存在し、前記Ｎｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域に含まれたＡｌの少なくとも一部はＮｉ及びＣｕのうち１つ以上と合金を成す、請求項１８から２４のいずれか一項に記載の積層型電子部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、積層型電子部品に関するものである。

【背景技術】

【0002】

積層型電子部品の一つである積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマ表示装置パネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）などの映像機器、コンピュータ、スマートフォン及び携帯電話などの様々な電子製品のプリント回路基板に装着されて電気を充電または放電させる役割を果たすチップ形態のコンデンサである。

【0003】

積層セラミックキャパシタは、小型でありながらも高容量が保障され、実装が容易であるという利点により、様々な電子装置の部品として用いられることができる。

【0004】

最近では、電子機器の小型化及び高性能化に伴い、積層セラミックキャパシタも小型化及び高容量化する傾向にあり、このような流れによって積層セラミックキャパシタの高信頼性を確保する重要度が高まっている。

【0005】

また、モバイル機器の高圧充電が普遍化しながら、小型でありながらも高電圧での信頼性に優れることが求められている。

【0006】

内部電極と外部電極との間の接触性の低下時に、内部電極と外部電極との間の電気的連結性が低下して、等価直列抵抗（ＥＳＲ）が増加する可能性があり、高電圧の印加時にアークバーン（Ａｒｃ ｂｕｒｎt）などの不良が発生する可能性がある。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

本発明の様々な目的の一つは、信頼性に優れた積層型電子部品を提供することである。

【0008】

本発明の様々な目的の一つは、内部電極と外部電極との間の連結性を向上させることである。

【0009】

但し、本発明の目的は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。

【課題を解決するための手段】

【0010】

本発明の一実施形態に係る積層型電子部品は、誘電体層、及び上記誘電体層と交互に配置される内部電極を含む本体と、上記本体上に配置されて上記内部電極と連結される外部電極と、を含み、Ｎｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域を含み、上記内部電極はＮｉを含み、上記外部電極はＡｌ及びＣｕを含むことができる。

【0011】

本発明の一実施形態に係る積層型電子部品は、誘電体層、及び上記誘電体層と交互に配置される内部電極を含む本体と、上記本体上に配置され、上記内部電極と連結される下地電極層を含む外部電極と、を含み、上記下地電極層は、Ａｌ、Ｃｕ及びガラスを含むことができる。

【発明の効果】

【0012】

本発明の様々な効果の一つとして、積層型電子部品の信頼性を向上させることができる。

【0013】

本発明の様々な効果の一つとして、内部電極と外部電極との間の接触性を向上させることができる。

【0014】

但し、本発明の多様でありながらも有意義な利点及び効果は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程で、より容易に理解することができる。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】本発明の一実施形態に係る積層型電子部品の斜視図を概略的に示したものである。

【図2】図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図を概略的に示したものである。

【図3】図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図を概略的に示したものである。

【図4】本体を分解して概略的に示したものである。

【図5】図２の本体の一部を概略的に示したものである。

【図6】図２のＫ１領域を拡大して示した拡大図である。

【図7】本発明の一実施形態に係る図６に対応する図面である。

【図8】本発明の一実施形態に係る図６に対応する図面である。

【図9】図２のＫ２領域を拡大して示した拡大図である。

【図10】本発明の一実施形態に係る図２に対応する図面である。

【図11】図１０のＫ３領域を拡大して示した拡大図である。

【発明を実施するための形態】

【0016】

以下、具体的な実施形態及び添付の図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。しかし、本発明の実施形態は、いくつかの他の形態に変形することができ、本発明の範囲が以下説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、通常の技術者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために拡大縮小表示（または強調表示や簡略化表示）がされることがあり、図面上に同一符号で示される要素は同一要素である。

【0017】

尚、図面において本発明を明確に説明するために説明と関係ない部分は省略し、図示した各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜のために任意で示したものであるため、本発明は必ずしも図示により限定されない。また、同一の思想の範囲内の機能が同一である構成要素は、同一の参照符号を用いて説明する。さらに、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」というのは、特に反対される記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。

【0018】

図面において、第１方向は積層方向または厚さ（Ｔ）方向、第２方向は長さ（Ｌ）方向、第３方向は幅（Ｗ）方向と定義することができる。

【0019】

積層型電子部品
図１は、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品の斜視図を概略的に示したものであり、図２は、図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図を概略的に示したものであり、図３は、図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図を概略的に示したものであり、図４は、本体を分解して概略的に示したものであり、図５は、図２の本体の一部を概略的に示したものであり、図６は、図２のＫ１領域を拡大して示した拡大図であり、図７は、本発明の一実施形態に係る図６に対応する図面である。

【0020】

以下、図１～図７を参照して、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００について詳細に説明する。また、積層型電子部品の一例として積層セラミックキャパシタ（Ｍｕｌｔｉ－ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ、以下「ＭＬＣＣ」という）について説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、セラミック材料を用いる多様な積層型電子部品、例えば、インダクタ、圧電体素子、バリスタ、またはサーミスタなどにも適用され得る。

【0021】

本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００は、誘電体層１１１、及び上記誘電体層と交互に配置される内部電極１２１、１２２を含む本体１１０と、上記本体上に配置されて上記内部電極と連結される外部電極１３１、１３２と、を含み、Ｎｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域１４１、１４２を含み、上記内部電極はＮｉを含み、上記外部電極はＡｌ及びＣｕを含むことができる。

【0022】

外部電極と内部電極との間の連結性は、積層型電子部品の信頼性に大きな影響を与える。内部電極と外部電極との間の接触性の低下時に内部電極と外部電極との間の電気的連結性が低下して、等価直列抵抗（ＥＳＲ）が増加する可能性があり、高電圧の印加時にアークバーン（Ａｒｃ ｂｕｒｎ）などの不良が発生する可能性がある。

【0023】

本発明の一実施形態に係ると、Ｎｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域１４１、１４２を含むことにより、内部電極と外部電極との間の連結性を向上させて、積層型電子部品の信頼性を向上させることができる。

【0024】

以下、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００に含まれる各構成について説明する。

【0025】

本体１１０は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２が交互に積層されていることができる。

【0026】

本体１１０の具体的な形状に特に制限はないが、図示のように本体１１０は六面体状やこれと類似した形状からなることができる。焼成過程で本体１１０に含まれたセラミック粉末の収縮により、本体１１０は完全な直線を有する六面体状ではないが、実質的に六面体状を有することができる。

【0027】

本体１１０は、第１方向に向かい合う第１面１及び第２面２、上記第１面１及び第２面２と連結され、第２方向に向かい合う第３面３及び第４面４、第１面１及び第２面２と連結され、第３面３及び第４面４と連結され、第３方向に向かい合う第５面５及び第６面６を有することができる。

【0028】

誘電体層１１１上に内部電極１２１、１２２が配置されていないマージン領域が重なることによって、内部電極１２１、１２２の厚さによる段差が発生して、第１面と第３面、第４面及び第５面を連結するコーナー及び／または第２面と第３面、第４面及び第５面を連結するコーナーは、第１面または第２面を基準として見るとき、本体１１０の第１方向の中央側に収縮した形態を有することができる。または、本体の焼結過程での収縮挙動によって第１面１と第３面３、第４面４、第５面５及び第６６を連結するコーナー及び／または第２面２と第３面３、第４面４、第５面５及び第６面６を連結するコーナーは、第１面または第２面を基準として見るとき、本体１１０の第１方向の中央側に収縮した形態を有することができる。または、チッピング不良などを防止するために本体１１０の各面を連結する角を別途の工程を行ってラウンド処理することで第１面と第３面、第４面、第５面及び第６面を連結するコーナー及び／または第２面と第３面、第４面、第５面及び第６面を連結するコーナーは、ラウンド形態を有することができる。

【0029】

一方、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後に内部電極が本体の第５面５及び第６面６に露出するように切断した後、単一誘電体層または２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの両側面に第３方向（幅方向）に積層してマージン部１１４、１１５を形成する場合には、第１面と第５面及び第６面を連結する部分並びに第２面と第５面及び第６面を連結する部分が収縮した形態を有さないことができる。

【0030】

本体１１０を形成する複数の誘電体層１１１は焼成された状態であり、隣接する誘電体層１１１間の境界は走査電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を利用せずには確認しにくいほど一体化することができる。誘電体層の積層数は特に制限する必要はなく、積層型電子部品のサイズを考慮して決定することができる。例えば、誘電体層を４００層以上積層して本体を形成することができる。

【0031】

誘電体層１１１は、セラミック粉末、有機溶剤及びバインダーを含むセラミックスラリーを製造し、上記スラリーをキャリアフィルム（ｃａｒｒｉｅｒ ｆｉｌｍ）上に塗布及び乾燥してセラミックグリーンシートを設けた後、上記セラミックグリーンシートを焼成することで形成することができる。セラミック粉末は、十分な静電容量が得られる限り、特に制限されないが、例えば、セラミック粉末としてチタン酸バリウム系（ＢａＴｉＯ_３）系粉末などを用いることができる。より具体的な例を挙げると、セラミック粉末は、ＢａＴｉＯ_３、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ_１－ｙＣａ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）及びＢａ（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）のうち一つ以上であることができる。

【0032】

誘電体層１１１の平均厚さｔｄは特に限定する必要はないが、例えば、０．０１μｍ～１０μｍであることができる。また、誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、所望の特性や用途に応じて任意に設定することができ、例えば、小型ＩＴ用電子部品の場合、小型化及び高容量化を達成するために複数の誘電体層１１１の少なくとも１つの平均厚さｔｄは１．５μｍ以下であり得る。

【0033】

ここで、誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、内部電極１２１、１２２の間に配置される誘電体層１１１の第１方向の大きさを意味することができる。誘電体層１１１の平均厚さは、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でスキャンして測定することができる。より具体的には、１つの誘電体層１１１の多数の地点、例えば第２方向に等間隔の３０個の地点でその厚さを測定して平均値を測定することができる。上記等間隔の３０個の地点は、後述する容量形成部Ａｃで指定されることができる。また、このような平均値測定を１０個の誘電体層１１１に拡張して平均値を測定すると、誘電体層１１１の平均厚さをさらに一般化することができる。

【0034】

本体１１０は本体１１０の内部に配置され、誘電体層１１１を挟んで互いに対向するように配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含んで容量が形成される容量形成部Ａｃと上記容量形成部Ａｃの第１方向の上部及び下部に形成されたカバー部１１２、１１３を含むことができる。

【0035】

また、上記容量形成部Ａｃは、キャパシタの容量形成に寄与する部分であり、誘電体層１１１を挟んで複数の第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を繰り返し積層して形成されることができる。

【0036】

カバー部１１２、１１３は、上記容量形成部Ａｃの第１方向の上部に配置される上部カバー部１１２及び上記容量形成部Ａｃの第１方向の下部に配置される下部カバー部１１３を含むことができる。

【0037】

上記上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、単一誘電体層または２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの上下面にそれぞれ厚さ方向に積層して形成することができ、基本的に物理的または化学的ストレスによる内部電極の損傷を防止する役割を果たすことができる。

【0038】

上記上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は内部電極を含まず、誘電体層１１１と同じ材料を含むことができる。

【0039】

すなわち、上記上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３はセラミック材料を含むことができ、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系セラミック材料を含むことができる。

【0040】

一方、カバー部１１２、１１３の厚さは特に限定する必要はない。但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは６０μｍ以下であることができる。

【0041】

カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃは第１方向の大きさを意味することができ、容量形成部Ａｃの上部または下部で等間隔の５個の地点で測定したカバー部１１２、１１３の第１方向の大きさを平均した値であることができる。

【0042】

また、上記容量形成部Ａｃの側面には、マージン部１１４、１１５が配置されることができる。

【0043】

マージン部１１４、１１５は、本体１１０の第５面５に配置された第１マージン部１１４と第６面６に配置された第２マージン部１１５を含むことができる。すなわち、マージン部１１４、１１５は、上記セラミック本体１１０の幅方向の両端面（ｅｎｄ ｓｕｒｆａｃｅｓ）に配置されることができる。

【0044】

マージン部１１４、１１５は、図３に示されたように、上記本体１１０を幅－厚さ（Ｗ－Ｔ）方向に切断した断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）において、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２の両端と本体１１０の境界面との間の領域を意味することができる。

【0045】

マージン部１１４、１１５は、基本的に物理的または化学的ストレスによる内部電極の損傷を防止する役割を果たすことができる。

【0046】

マージン部１１４、１１５は、セラミックグリーンシート上にマージン部が形成されるところを除いて導電性ペーストを塗布して内部電極を形成することにより形成されたものであることができる。

【0047】

また、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後の内部電極が本体の第５面５及び第６面６に露出するように切断した後、単一誘電体層または２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの両側面に第３方向（幅方向）に積層してマージン部１１４、１１５を形成することもできる。

【0048】

一方、マージン部１１４、１１５の幅は特に限定する必要はない。但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、マージン部１１４、１１５の平均幅は４５μｍ以下であることができる。

【0049】

マージン部１１４、１１５の平均幅は、内部電極が第５面から離隔した領域の第３方向の平均大きさ及び内部電極が第６面から離隔した領域の第３方向の平均大きさを意味することができ、容量形成部Ａｃの側面で等間隔の５個の地点で測定したマージン部１１４、１１５の第３方向の大きさを平均した値であることができる。

【0050】

したがって、一実施形態において、内部電極１２１、１２２が第５面及び第６面から離隔した領域の第３方向の平均大きさは、それぞれ４５μｍ以下であり得る。

【0051】

一方、本体１１０に誘電体物質の代わりに磁性体物質を適用する場合、積層型電子部品はインダクタとして機能することができる。磁性体物質は、例えばフェライト及び／または金属磁性粒子であり得る。積層型電子部品がインダクタとして機能する場合、内部電極はコイル状導体であり得る。

【0052】

また、本体１１０に誘電体物質の代わりに圧電体物質を適用する場合、積層型電子部品は圧電体素子として機能することができる。圧電体物質は、例えば、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）であり得る。

【0053】

また、本体１１０に誘電体物質の代わりにＺｎＯ系またはＳｉＣ系物質を適用する場合、積層型電子部品はバリスタとして機能することができ、本体１１０に誘電体物質の代わりにスピネル系物質を適用する場合、積層型電子部品はサーミスタとして機能することができる。

【0054】

すなわち、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００は、本体１１０の材料や構造を適宜変更することで、積層セラミックキャパシタだけでなく、インダクタ、圧電体素子、バリスタまたはサーミスタとして機能することができる。

【0055】

内部電極１２１、１２２は、誘電体層１１１と交互に配置されることができ、例えば、互いに異なる極性を有する一対の電極である第１内部電極１２１と第２内部電極１２２が誘電体層１１１を挟んで互いに対向するように配置されることができる。第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は、その間に配置された誘電体層１１１によって互いに電気的に分離されることができる。このとき、内部電極１２１、１２２は、誘電体層１１１と第１方向に交互に配置されることができる。

【0056】

第１内部電極１２１は第４面４から離隔し、第３面３に向かって延びることができる。第２内部電極１２２は第３面３から離隔し、第４面４に向かって延びることができる。第１内部電極１２１は第３面３側で第１外部電極１３１と電気的に連結されることができ、第２内部電極１２２は第４面４側で第２外部電極１３２と電気的に連結されることができる。

【0057】

内部電極１２１、１２２に含まれる導電性金属は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｗ、Ｔｉ及びこれらの合金のうち１つ以上であることができる。

【0058】

一実施形態において、内部電極１２１、１２２はＮｉを含むことができる。内部電極１２１、１２２がＮｉを含むことにより、下地電極層１３１ａ、１３２ａの形成時にＮｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域１４１、１４２にＡｌ及びＮｉ合金が容易に形成されることができる。また、内部電極１２１、１２２は、Ｎｉを主成分として含むことができ、ここで主成分として含むということは、内部電極の断面をＳＥＭ－ＥＤＳで分析する際に、内部電極の全体面積に対してＮｉが占める面積割合が９０％以上であることを意味することができる。

【0059】

内部電極１２１、１２２を形成する方法は、特に制限されない。例えば、内部電極１２１、１２２は、セラミックグリーンシート上に導電性金属を含む内部電極用導電性ペーストを塗布して焼成することで形成されることができる。内部電極用導電性ペーストの塗布方法は、スクリーン印刷法またはグラビア印刷法などを用いることができるが、本発明はこれに限定されるものではない。

【0060】

内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは特に限定する必要はないが、例えば０．０１μｍ～３μｍであることができる。また、内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは、所望の特性や用途に応じて任意に設定することができ、例えば、小型ＩＴ用電子部品の場合、小型化及び高容量化を達成するために複数の内部電極１２１、１２２の少なくとも１つの平均厚さｔｅは、０．８μｍ以下であり得る。

【0061】

ここで、内部電極の平均厚さｔｅは、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でスキャンして測定することができる。より具体的には、１つの内部電極１２１、１２２の多数の地点、例えば、第２方向に等間隔の３０個の地点でその厚さを測定して平均値を測定することができる。上記等間隔の３０個の地点は容量形成部Ａｃで指定されることができる。また、このような平均値測定を１０個の内部電極１２１、１２２に拡張して平均値を測定すると、内部電極１２１、１２２の平均厚さをさらに一般化することができる。

【0062】

一実施形態において、Ｎｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域１４１、１４２は、内部電極１２１、１２２と外部電極１３１、１３２との間に配置されることができる。Ｎｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域１４１、１４２は、第１内部電極１２１と第１外部電極１３１との間に配置される第１Ｎｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域１４１及び第２内部電極１２２と第２外部電極１３２との間に配置される第２Ｎｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域１４２を含むことができる。

【0063】

さらに、Ｎｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域１４１、１４２は、内部電極１２１、１２２の端部で下地電極層１３１ａ、１３２ａに延びることができる。また、Ｎｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域１４１、１４２の全体領域にＡｌが存在し、Ｎｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域１４１、１４２に含まれたＡｌの少なくとも一部はＮｉ及びＣｕのうち１つ以上と合金を成すことができる。Ｎｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域１４１、１４２に含まれたＡｌは、Ａｌ、Ａｌ－Ｃｕ合金、Ａｌ－Ｎｉ合金、Ａｌ－Ｃｕ－Ｎｉ合金などの形態で存在することができる。これにより、内部電極１２１、１２２と外部電極１３１、１３２との間の連結性を向上させることができる。

【0064】

Ａｌは、Ｎｉ及びＣｕと安定して合金を形成することができる。また、Ａｌの融点は約６６０℃で一般的な焼成電極の焼成温度よりも低いため、外部電極１３１、１３２を形成する際に、外部電極１３１、１３２と内部電極１２１、１２２との間の連結性を向上させることが容易である。

【0065】

一実施形態において、Ｎｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域１４１、１４２は、Ｎｉ含有量が内部電極１２１、１２２の端部から離れるほど減少する区間、及びＣｕ含有量が下地電極層１３１ａ、１３２ａから離れるほど減少する区間を含むことができる。このようなＮｉ含有量及びＣｕ含有量の濃度勾配は、内部電極１２１、１２２に含まれていたＮｉがＮｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域１４１、１４２に拡散し、外部電極１３１、１３２に含まれていたＣｕがＮｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域１４１、１４２に拡散することによるものであり得る。

【0066】

図６は、図２のＫ１領域を拡大して示した拡大図であり、図７は、本発明の一実施形態に係る図６に対応する図面であり、図８は、本発明の一実施形態に係る図６に対応する図面である。

【0067】

上記Ｋ１領域は、第１外部電極１３１の一部、第１Ｎｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域１４１及び第１内部電極１２１の一部を拡大して示したが、第１外部電極１３１は第３面に配置され、第２外部電極１３２は第４面に配置されるという差異があるだけで、第１外部電極１３１と第２外部電極１３２の構成は類似するため、以下では、第１外部電極１３１を基準に説明するが、これは第２外部電極１３２に関する説明を含むものと見なす。また、Ｎｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域１４１、１４２及び内部電極１２１、１２２も第１Ｎｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域１４１及び第１内部電極１２１を基準として説明するが、これは、第２Ｎｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域１４２及び第２内部電極１２２に関する説明を含むものと見なす。

【0068】

一実施形態において、Ｎｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域１４１のうち、内部電極１２１に隣接する領域を第１領域Ｐ１、外部電極１３１に隣接する領域を第２領域Ｐ２とするとき、第１領域Ｐ１にはＡｌ－Ｎｉ合金が配置され、第２領域Ｐ２にはＡｌ－Ｃｕ合金が配置されることができる。

【0069】

一実施形態において、Ｎｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域１４１は、Ａｌ－Ｎｉ合金及びＡｌ－Ｃｕ合金からなることができる。図６を参照すると、Ｎｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域１４１は、Ａｌ－Ｎｉ合金から構成された第１領域Ｐ１及びＡｌ－Ｃｕ合金から構成された第２領域Ｐ２を含む２層からなることができる。

【0070】

また、第１領域Ｐ１は内部電極１２１から外部電極１３１方向に向かうほどＮｉ含有量が減少し、第２領域Ｐ２は外部電極１３１から内部電極１２１方向に向かうほどＣｕ含有量が減少する可能性がある。

【0071】

また、第１領域Ｐ１は、内部電極１２１から外部電極１３１方向に向かうほどＡｌ含有量が増加し、第２領域Ｐ２は、外部電極１３１から内部電極１２１方向に向かうほどＡｌ含有量が増加することができる。したがって、第１領域Ｐ１と第２領域Ｐ２の境界において、Ａｌ含有量は最大値を有することができる。

【0072】

一実施形態において、第１領域Ｐ１は本体１１０の内部に配置され、第２領域Ｐ２の少なくとも一部は本体１１０の外部に配置されることができる。第１領域Ｐ１は、本体１１０の内部で内部電極１２１の端部と接するように配置されることができ、第２領域Ｐ２は、本体１１０の外部で下地電極層１３１ａと接するように配置されることができる。

【0073】

図５を参照すると、本体１１０は、内部電極１２１、１２２の端部が本体１１０の一面から離隔した溝部Ｇ１、Ｇ２を含むことができる。溝部Ｇ１、Ｇ２は、本体１１０の焼成過程で内部電極１２１、１２２と誘電体層１１１との間の収縮挙動の差異によって形成されることができる。内部電極１２１、１２２の焼成収縮率が誘電体層１１１よりも大きい場合、溝部Ｇ１、Ｇ２によって内部電極１２１、１２２と外部電極１３１、１３２との間の連結性が低下するという問題点が発生する可能性がある。従来には、このような問題点を解決するために、サンドブラスト法などを用いて突出した誘電体層を除去する工程を追加して、このような問題点を解決しようとした。一方、本発明の一実施形態に係ると、溝部Ｇ１、Ｇ２にＮｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域１４１、１４２の少なくとも一部が配置されることによって、別途の研磨過程なしで内部電極１２１、１２２と外部電極１３１、１３２との間の連結性を向上させることができる。このとき、第１領域Ｐ１は、溝部Ｇ１、Ｇ２内で内部電極１２１の端部と接するように配置され、第２領域Ｐ２の少なくとも一部は溝部Ｇ１、Ｇ２内に配置され、第２領域Ｐ２の残りの領域は、本体１１０の外部に配置されることができる。

【0074】

図７を参照すると、一実施形態において、Ｎｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域１４１'は、第１領域Ｐ１'と第２領域Ｐ２'との間に配置された中間領域Ｐｃ'を含むことができる。Ｎｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域１４１'は、Ａｌ－Ｎｉ合金から構成された第１領域Ｐ１'、Ａｌ－Ｃｕ合金から構成された第２領域Ｐ２'、及び第１領域Ｐ１'と第２領域Ｐ２'との間に配置された中間領域Ｐｃ'を含む３層からなることができる。

【0075】

一実施形態において、中間領域Ｐｃ'のＡｌ含有量は、第１領域Ｐ１'及び第２領域Ｐ２'のＡｌ含有量よりも高いことができる。

【0076】

一実施形態において、中間領域Ｐｃ'はＮｉ及びＣｕを含まないことができ、実質的にＡｌからなることができる。

【0077】

また、中間領域Ｐｃ'は、Ａｌ含有量が９９ａｔ％以上であり、中間領域Ｐｃ'の少なくとも一部は、Ａｌ含有量が１００ａｔ％以上であることができる。

【0078】

このとき、第１領域Ｐ１'は内部電極から外部電極方向に向かうほどＮｉ含有量が減少し、Ａｌ含有量が増加し、第２領域Ｐ２'は外部電極から内部電極方向に向かうほどＣｕ含有量が減少し、Ａｌ含有量が増加することができる。また、Ａｌ含有量は、中間領域Ｐｃ'においては比較的一定の含有量を維持することができる。

【0079】

但し、中間領域Ｐｃ'が必ずしもＡｌからなる必要はなく、一実施形態における中間領域Ｐｃ'にはＮｉ－Ａｌ－Ｃｕ合金が配置されることができる。このとき、中間領域Ｐｃ'の中央部で第１領域Ｐ１'及び第２領域Ｐ２'に近づくほど、Ａｌ含有量は減少することができ、第１領域Ｐ１'と中間領域Ｐｃ'の境界から第２領域Ｐ２'と中間領域Ｐｃ'の境界に向かうほどＮｉ含有量は減少し、Ｃｕ含有量は増加することができる。

【0080】

一実施形態において、第１領域Ｐ１'は本体１１０の内部に配置され、第２領域Ｐ２'の少なくとも一部は本体１１０の外部に配置されることができる。このとき、中間領域Ｐｃ'は本体１１０の内部に配置されることができる。

【0081】

一実施形態において、Ｎｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域１４１''は、Ｎｉ－Ａｌ－Ｃｕ合金からなることができる。図８を参照すると、Ｎｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域は、Ｎｉ－Ａｌ－Ｃｕ合金からなる１つの層に配置されることができる。但し、内部電極に隣接する領域と外部電極に隣接する領域のＮｉ、Ａｌ及びＣｕの含有量が同じである必要はなく、Ｎｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域１４１''は、内部電極の端部で外部電極方向にＮｉ含有量が減少し、Ｃｕ含有量は増加する濃度勾配を有することができ、Ｎｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域１４１''の第２方向の中央部でＡｌ含有量が最も高いことができる。

【0082】

一方、Ｎｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域１４１、１４２に含まれた元素の分析は、本体１１０の第３方向の中央を通る第１方向及び第２方向の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）及び分散型分光分析法（ＥＤＳ）を利用して測定することができる。

【0083】

また、図７を参照すると、内部電極１２１の端部から下地電極層の内部までのラインＬ１に沿ってラインプロファイルを行い、Ａｌ、Ｎｉ及びＣｕの含有量の変化を分析することができる。

【0084】

具体的な例を挙げると、積層型電子部品１００を第３方向の中央から第１方向及び第２方向に切断した断面を２万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でスキャンしてイメージを得た後、Ａｌ、Ｎｉ及びＣｕに対するラインプロファイルを実行することができる。このとき、得られたラインプロファイルグラフにおいて、Ｌ１に沿ってＮｉ含有量がほぼ一定してから減少し始める部分を内部電極１２１、１２２とＮｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域１４１、１４２の境界とすることができ、Ｃｕ含有量が増加してからほぼ一定に収束し始める部分をＮｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域１４１、１４２と下地電極層１３１ａ、１３２ａの境界とすることができる。また、Ｌ１に沿ってＡｌ含有量が増加し始める部分からＡｌ含有量の最高点を経てＡｌ含有量が減少してから収束する部分までをＮｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域１４１、１４２と見なすことができる。

【0085】

外部電極１３１、１３２は本体１１０上に配置されることができる。

【0086】

図２に示されたように、外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３面３及び第４面４上にそれぞれ配置されて、Ｎｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域１４１、１４２を介して第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２とそれぞれ連結された第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２を含むことができる。

【0087】

外部電極１３１、１３２は、Ａｌ及びＣｕを含むことができる。外部電極１３１、１３２がＡｌ及びＣｕを含むことにより、外部電極１３１、１３２の形成時にＮｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域１４１、１４２を容易に形成することができる。

【0088】

本実施形態では、積層型電子部品１００が２つの外部電極１３１、１３２を有する構造を説明しているが、外部電極１３１、１３２の個数や形状などは内部電極１２１、１２２の形態やその他の目的に応じて変更することができる。

【0089】

外部電極１３１、１３２は、本体１１０上に配置される下地電極層１３１ａ、１３２ａを含むことができる。

【0090】

図６を参照すると、一実施形態において、下地電極層１３１ａ、１３２ａは、Ａｌ（Ｍ２）、Ｃｕ（Ｍ１）、及びガラス（Ｇ）を含むことができる。すなわち、下地電極層１３１ａ、１３２ａは、Ａｌ、Ｃｕ及びガラスを含むペーストを塗布した後、熱処理によって形成される焼成型電極であることができる。

【0091】

従来には、一般的にＣｕ及びガラスを含むペーストを用いて焼成型電極を形成し、ペーストに含まれるガラスは５８０℃～６３０℃の融点を有している。本体にＣｕ及びガラスを含むペーストを塗布し、６５０～９００℃の熱処理工程である焼成工程を行うと、焼成工程中にＣｕ粒子のネッキング（ｎｅｃｋｉｎｇ）が先に起こり、ガラスは溶融して空隙を満たすようになる。しかし、ガラスは非導電体であり、Ｃｕ粒子のみでは内部電極と外部電極との間の空隙を十分に埋めにくくて、内部電極と外部電極との間の接触性が低下するという問題点があった。ここで、Ｃｕ粒子のネッキング（ｎｅｃｋｉｎｇ）とは、Ｃｕ粒子とＣｕ粒子が接触部の拡散によって１つの粒子で連結される現象を意味することができる。

【0092】

一方、本発明の一実施形態に係ると、下地電極層１３１ａ、１３２ａがＣｕ及びガラスの他にＡｌをさらに含むことができる。Ａｌの融点は、約６６０℃で一般的な焼成電極の焼成温度よりも低く、ガラスと類似した融点を有しているため、焼成工程中にＡｌ粒子は溶融して内部電極と外部電極との間の空隙を容易に満たすことができる。また、ＡｌはＮｉ及びＣｕと安定して合金を形成することができるため、内部電極と下地電極層との間の導電性物質の濡れ性（ｗｅｔｔａｂｉｌｉｔｙ）を向上させて、下地電極層１３１ａ、１３２ａを形成する際に下地電極層１３１ａ、１３２ａと内部電極１２１、１２２との間の連結性を向上させることが容易である。また、下地電極層１３１ａ、１３２ａがＣｕ及びガラスの他にＡｌをさらに含むことにより、Ａｌが焼成工程中のガラスの役割を一部代替することができるため、ガラス含有量を下げることができ、これにより等価直列抵抗（ＥＳＲ）を下げることができる。

【0093】

下地電極層形成用ペーストに含まれたＡｌは、パウダー（ｐｏｗｄｅｒ）形態で含まれることができ、焼成工程中に約６６０℃以上でＡｌ及びガラスが溶融し、溶融したＡｌの一部は、界面エネルギーを減らすために内部電極が凹んだ溝部Ｇ１、Ｇ２に浸透して入り、Ｎｉと合金を形成することで強固な金属性結合を有したＮｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域１４１、１４２を形成することができる。さらに、溶融したＡｌの一部はネッキング（ｎｅｃｋｉｎｇ）されたＣｕ粒子間の空隙に浸透することができ、Ｃｕと接する部分はＣｕと合金を形成して、下地電極層が高い緻密度を有するようにすることができる。

【0094】

下地電極層形成用ペーストに含まれたＡｌ及びＣｕの具体的な例を挙げると、Ａｌは粒径が５０～３００００ｎｍのＡｌパウダーを用いることができ、Ｃｕは粒径が５０～３００００ｎｍのＣｕパウダーを用いることができる。

【0095】

一実施形態において、下地電極層１３１ａ、１３２ａは、内部電極１２１、１２２の間に配置された誘電体層１１１の端部の少なくとも一部と接するように配置されることができる。さらに、下地電極層１３１ａ、１３２ａに含まれたＡｌ、Ｃｕ及びガラスのうち１つ以上は、内部電極１２１、１２２の間に配置された誘電体層１１１の端部の少なくとも一部と接するように配置されることができる。また、下地電極層１３１ａ、１３２ａは、Ｎｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域１４１、１４２を覆うように配置されることができる。

【0096】

一実施形態において、下地電極層１３１ａ、１３２ａに含まれたＡｌの少なくとも一部は、Ｃｕと合金を成してＡｌ－Ｃｕ合金で配置されることができる。図６を参照すると、Ａｌ－Ｃｕ合金（Ｍ３）は、下地電極層１３１ａに含まれたＡｌ（Ｍ２）の少なくとも一部を囲む形態で配置されることができる。また、Ｃｕ（Ｍ１）は、Ａｌ－Ｃｕ合金（Ｍ３）の少なくとも一部を囲む形態で配置されることができる。このとき、Ａｌ－Ｃｕ合金（Ｍ３）は、Ａｌ（Ｍ２）に隣接する領域からＣｕ（Ｍ１）に隣接する領域に向かうほどＡｌ含有量は少なくなり、Ｃｕ含有量は高くなる濃度勾配を有することができる。

【0097】

図２を参照すると、外部電極１３１、１３２は、下地電極層１３１ａ、１３２ａ上に配置されためっき層１３１ｂ、１３２ｂを含むことができる。

【0098】

めっき層１３１ｂ、１３２ｂは実装特性を向上させる役割を果たすことができる。めっき層１３１ｂ、１３２ｂの種類は特に限定されず、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｄ及びこれらの合金のうち１つ以上を含むめっき層であることができ、複数の層で形成されることができる。

【0099】

めっき層１３１ｂ、１３２ｂに対するより具体的な例を挙げると、めっき層１３１ｂ、１３２ｂは、Ｎｉめっき層またはＳｎめっき層であることができ、電極層１３１ａ、１３２ａ上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層が順次形成された形態であることができ、Ｓｎめっき層、Ｎｉめっき層、及びＳｎめっき層が順次形成された形態であることができる。また、めっき層１３１ｂ、１３２ｂは、複数のＮｉめっき層及び／または複数のＳｎめっき層を含むこともできる。

【0100】

外部電極１３１、１３２は、下地電極層１３１ａ、１３２ａ上に配置されるＮｉめっき層１３１ｂ１、１３１ｂ２を含み、上記下地電極層１３１ａ、１３２ａと上記Ｎｉめっき層１３１ｂ１、１３１ｂ２の界面領域の少なくとも一部にはＡｌ及びＡｌ－Ｎｉ合金が配置されることができる。図９を参照すると、下地電極層１３１ａとＮｉめっき層１３１ｂ１の界面領域に配置されたＡｌ（Ｍｚ）は、下地電極層１３１ａの一部及びＮｉめっき層１３１ｂ１の一部にわたって配置されることができる。また、下地電極層１３１ａとＮｉめっき層１３１ｂ１の界面領域に配置されたＡｌ（Ｍｚ）のうち、下地電極層１３１ａ側に配置された部分は、Ｃｕ（Ｍ１）と接する部分にＡｌ－Ｃｕ合金（Ｍ３ａ）が配置されることができ、下地電極層１３１ａとＮｉめっき層１３１ｂ１の界面領域に配置されたＡｌ（Ｍｚ）のうち、Ｎｉめっき層１３１ｂ１側に配置された部分は、Ｎｉめっき層１３１ｂ１と接する部分にＡｌ－Ｎｉ合金（Ｍ３ｂ）が配置されることができる。したがって、Ａｌ（Ｍｚ）は、Ａｌ－Ｃｕ合金（Ｍ３ａ）及びＡｌ－Ｎｉ合金（Ｍ３ｂ）を含む層Ｍ３'によって少なくとも一部が覆われるように配置されることができる。

【0101】

このとき、Ｎｉめっき層１３１ｂ１上にはＳｎめっき層１３１ｂ２がさらに配置されることができる。

【0102】

図１０を参照すると、一実施形態において、外部電極１３１'、１３２'は、下地電極層１３１ａ'、１３２ａ'上に配置され、導電性粒子及び樹脂を含む導電性樹脂層１３１ｃ'、１３２ｃ'を含むことができる。また、外部電極１３１'、１３２'は、上記導電性樹脂層１３１ｃ'、１３２ｃ'上に配置されるめっき層１３１ｂ'、１３２ｂ'をさらに含むことができる。

【0103】

導電性樹脂層１３１ｃ'、１３２ｃ'に含まれる導電性粒子Ｍｆは、特に限定する必要はなく、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｂ及び／又はこれを含む合金などを含むことができ、より好ましくはＣｕ、Ａｇ、Ｓｎ及びそれらの合金のうち１つ以上を含むことができる。

【0104】

導電性樹脂層１３１ｃ'、１３２ｃ'は、めっき層１３１ｂ'、１３２ｂ'と下地電極層１３１ａ'、１３２ａ'を電気的に連結させてくれる役割を果たし、電子部品を基板に実装する際の機械的または熱的環境で発生する引張ストレス（ｓｔｒｅｓｓ）を吸収してクラック（ｃｒａｃｋ）が発生することを防止し、基板の反り衝撃から積層型電子部品を保護する役割を果たすことができる。

【0105】

導電性樹脂層１３１ｃ'、１３２ｃ'に含まれた樹脂Ｒｓは、電気絶縁性を有する熱硬化性樹脂を含むことができる。

【0106】

このとき、上記熱硬化性樹脂は、例えばエポキシ樹脂であることができるが、本発明がこれに限定されるものではなく、例えばビスフェノールＡ樹脂、グリコールエポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂またはこれらの誘導体のうち分子量が小さくて、常温で液状である樹脂であることができる。

【0107】

一実施形態において、導電性樹脂層１３１ｃ'、１３２ｃ'に含まれた導電性粒子ＭｆはＣｕ粒子であり、下地電極層１３１ａ'、１３２ａ'と導電性樹脂層１３１ｃ'、１３２ｃ'との界面領域の少なくとも一部には、Ａｌ及びＡｌ－Ｃｕ合金が配置されることができる。

【0108】

図１１を参照すると、下地電極層１３１ａ'に含まれたＡｌが導電性樹脂層１３１ｃ'との界面領域に拡散し、拡散したＡｌの一部が導電性樹脂層１３１ｃ'に含まれたＣｕ粒子（Ｍｆ）とＡｌ－Ｃｕ合金（Ｍ３）を形成することができる。また、Ａｌ（Ｍ２）は、Ｃｕ粒子（Ｍｆ）及び樹脂ＲｓのうちＣｕ粒子（Ｍｆ）との濡れ性が良好であるため、Ｃｕ粒子（Ｍｆ）側に拡散する確率が高く、下地電極層１３１ａ'内に配置されたＡｌと類似した形態を有して区分が難しいことがある。また、導電性樹脂層１３１ｃ'に含まれたＣｕ粒子（Ｍｆ）と下地電極層１３１ａ'に含まれたＣｕ（Ｍ１）との境界も明確に区分し難いことがある。

【0109】

一方、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００は、誘電体層１１１、及び上記誘電体層と交互に配置される内部電極１２１、１２２を含む本体１１０と、上記本体１１０上に配置され、上記内部電極と連結される下地電極層１３１ａ、１３２ａを含む外部電極１３１、１３２と、を含み、上記下地電極層はＡｌ、Ｃｕ及びガラスを含むことができる。

【0110】

上述したように、下地電極層１３１ａ、１３２ａがＣｕ及びガラスの他にＡｌをさらに含むことにより、焼成工程中にＡｌは溶融して内部電極と外部電極との間の空隙を容易に満たすことができ、Ｎｉ及びＣｕと安定して合金を形成することができるため、下地電極層１３１ａ、１３２ａと内部電極１２１、１２２との間の連結性を向上させることができる。また、Ａｌが焼成工程中にガラスの役割を一部代替することができるため、ガラス含有量を下げることができ、これにより等価直列抵抗（ＥＳＲ）を下げることができる。

【0111】

以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は、上述の実施形態及び添付の図面によって限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲によって限定される。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で、当技術分野における通常の知識を有する者によって多様な形態の置換、変形、及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属するといえる。

【0112】

また、本開示において用いられた「一実施形態」という表現は、互いに同一の実施形態を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかしながら、上記提示された一実施形態は、他の一実施形態の特徴と組み合わせて実現されることを排除しない。例えば、特定の一実施形態において説明された事項が他の一実施形態に説明されていなくても、他の一実施形態においてその事項と反対または矛盾する説明がない限り、他の一実施形態に関連する説明として理解することができる。

【0113】

本開示で用いられた用語は、単に一実施形態を説明するために用いられたものであり、本開示を限定する意図ではない。このとき、単数の表現は、文脈上明らかに異なるものを意味しない限り、複数の表現を含む。

【符号の説明】

【0114】

１００ 積層型電子部品
１１０ 本体
１１１ 誘電体層
１１２、１１３ カバー部
１１４、１１５ マージン部
１２１、１２２ 内部電極
１３１、１３２ 外部電極
１３１ａ、１３２ａ 電極層
１３１ｂ、１３２ｂ めっき層
１３１ｃ、１３２ｃ 導電性樹脂層
１４１、１４２ Ｎｉ、Ａｌ及びＣｕを含む領域

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】