特開 2025-76979 積層セラミックキャパシタ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025076979

(43)【公開日】2025-05-16

(54)【発明の名称】積層セラミックキャパシタ

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/30 20060101AFI20250509BHJP

【ＦＩ】

H01G4/30 201F

H01G4/30 201G

H01G4/30 513

H01G4/30 514

【審査請求】未請求

【請求項の数】14

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024085538

(22)【出願日】2024-05-27

(31)【優先権主張番号】10-2023-0149958

(32)【優先日】2023-11-02

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】100108453

【弁理士】

【氏名又は名称】村山 靖彦

(74)【代理人】

【識別番号】100110364

【弁理士】

【氏名又は名称】実広 信哉

(72)【発明者】

【氏名】康 崙盛

(72)【発明者】

【氏名】金 善花

(72)【発明者】

【氏名】羅 元竣

(72)【発明者】

【氏名】朴 賢秀

(72)【発明者】

【氏名】朴 柄圭

(72)【発明者】

【氏名】兪 明漢

(72)【発明者】

【氏名】朴 成▲ジュン▼

【テーマコード（参考）】

5E001

5E082

【Ｆターム（参考）】

5E001AB03

5E001AH07

5E082AB03

5E082GG01

(57)【要約】

【課題】体積が減少した外部電極を含む積層セラミックキャパシタを提供する。
【解決手段】本開示の積層セラミックキャパシタは、第１方向に対向する第１面と第２面、第２方向に対向し第１面と第２面を連結する第３面と第４面、第３方向に対向し第１面と第２面を連結する第５面と第６面を含むセラミック本体、セラミック本体の内部に配置される複数の第１内部電極と複数の第２内部電極、セラミック本体の外部に配置される第１外部電極およびセラミック本体の外部に配置される第２外部電極を含み、第１外部電極は、セラミック本体の第１面と第６面上に配置され第１面で複数の第１内部電極に電気的に連結される第１金属層および第１金属層上に配置される第１メッキ層を含み、第２外部電極は、セラミック本体の第２面と第６面上に配置され第２面で複数の第２内部電極に電気的に連結される第２金属層および第２金属層上に配置される第２メッキ層を含むことができる。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１方向に対向する第１面と第２面、第２方向に対向し前記第１面と前記第２面を連結する第３面と第４面、第３方向に対向し前記第１面と前記第２面を連結する第５面と第６面を含むセラミック本体、
前記セラミック本体の内部に配置される複数の第１内部電極と複数の第２内部電極、
前記セラミック本体の外部に配置される第１外部電極、および
前記セラミック本体の外部に配置される第２外部電極
を含み、
前記第１外部電極は、前記セラミック本体の前記第１面上と前記第６面上に配置され前記第１面で前記複数の第１内部電極に電気的に連結される第１金属層、および前記第１金属層上に配置される第１メッキ層を含み、
前記第２外部電極は、前記セラミック本体の前記第２面上と前記第６面上に配置され前記第２面で前記複数の第２内部電極に電気的に連結される第２金属層、および前記第２金属層上に配置される第２メッキ層を含む、積層セラミックキャパシタ。

【請求項2】

前記セラミック本体の前記第６面上の前記第１外部電極の一部分および前記第２外部電極の一部分を覆う絶縁膜
をさらに含む、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項3】

前記絶縁膜は、前記セラミック本体の前記第６面に対向する前記第１外部電極の外面の一部分を露出し前記第１外部電極の残り部分を覆い、前記セラミック本体の前記第６面に対向する前記第２外部電極の外面の一部分を露出し前記第２外部電極の残り部分を覆う、請求項２に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項4】

前記絶縁膜によって露出された前記第１外部電極の外面は、四つの縁が前記絶縁膜によって囲まれた長方形形状である、請求項３に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項5】

前記絶縁膜によって露出された前記第２外部電極の外面は、四つの縁が前記絶縁膜によって囲まれた長方形形状である、請求項４に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項6】

前記絶縁膜は、前記第１外部電極と前記第２外部電極の間で前記セラミック本体の前記第６面を覆う、請求項３に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項7】

前記絶縁膜は、前記セラミック本体の前記第１面上の前記第１外部電極を覆い、前記セラミック本体の前記第２面上の前記第２外部電極を覆う、請求項２に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項8】

前記第１メッキ層は、
前記第１金属層を覆う第１層、
前記第１層を覆う第２層、および
前記第２層を覆う第３層
を含む、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項9】

前記第１層はニッケル（Ｎｉ）を含み、
前記第２層は銅（Ｃｕ）を含み、
前記第３層はスズ（Ｓｎ）を含む、請求項８に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項10】

前記第２メッキ層は、
前記第２金属層を覆う第１層、
前記第１層を覆う第２層、および
前記第２層を覆う第３層
を含む、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項11】

前記第１層はニッケル（Ｎｉ）を含み、
前記第２層は銅（Ｃｕ）を含み、
前記第３層はスズ（Ｓｎ）を含む、請求項１０に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項12】

前記第１金属層および前記第２金属層はそれぞれ、ニッケル（Ｎｉ）層、チタン／銅（Ｔｉ／Ｃｕ）層、またはチタン／クロム（Ｔｉ／Ｃｒ）層を含む、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項13】

前記第１メッキ層および前記第２メッキ層はそれぞれ、ニッケル／スズ（Ｎｉ／Ｓｎ）層、スズ／ニッケル／スズ（Ｓｎ／Ｎｉ／Ｓｎ）層、またはニッケル／銅／スズ（Ｎｉ／Ｃｕ／Ｓｎ）層を含む、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項14】

前記第１内部電極の厚さと前記第２内部電極の厚さは１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下である、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は積層セラミックキャパシタに関するものである。

【背景技術】

【0002】

セラミック材料を使用する電子部品としてキャパシタ、インダクタ、圧電素子、バリスタ、またはサーミスタなどがある。このようなセラミック電子部品のうちの積層セラミックキャパシタ（Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ、ＭＬＣＣ）は小型でありながら高容量が保障され実装が容易であるという長所によって多様な電子装置に使用できる。

【0003】

例えば、積層セラミックキャパシタは、液晶表示装置（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ、ＬＣＤ）、プラズマ表示装置パネル（ｐｌａｓｍａ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ、ＰＤＰ）、有機発光ダイオード（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ）などの映像機器、コンピュータ、個人携帯用端末器、およびスマートフォンのような様々の電子製品の基板に装着されて電気を充電または放電させる役割を果たすチップ形態のコンデンサに使用できる。

【0004】

積層セラミックキャパシタは、セラミック本体の内部に配置される内部電極と、セラミック本体の外部に配置され内部電極に連結される外部電極を含むことができる。外部電極は、外部電極形成用ペーストにセラミック本体をディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）しブロッティング（ｂｌｏｔｔｉｎｇ）して形成できる。この場合、外部電極の厚さが数十μｍであって相対的に厚く外部電極が占める体積を減らしにくい問題がある。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

実施形態の一側面は、体積が減少した外部電極を含む積層セラミックキャパシタを提供しようとする。

【0006】

しかし、本発明の実施形態が解決しようとする課題は上述の課題に限定されず、本発明に含まれている技術的思想の範囲で多様に拡張できる。

【課題を解決するための手段】

【0007】

一実施形態による積層セラミックキャパシタは、第１方向に対向する第１面と第２面、第２方向に対向し前記第１面と前記第２面を連結する第３面と第４面、第３方向に対向し前記第１面と前記第２面を連結する第５面と第６面を含むセラミック本体、前記セラミック本体の内部に配置される複数の第１内部電極と複数の第２内部電極、前記セラミック本体の外部に配置される第１外部電極、および前記セラミック本体の外部に配置される第２外部電極を含み、前記第１外部電極は、前記セラミック本体の前記第１面上と前記第６面上に配置され前記第１面で前記複数の第１内部電極に電気的に連結される第１金属層、および前記第１金属層上に配置される第１メッキ層を含み、前記第２外部電極は、前記セラミック本体の前記第２面上と前記第６面上に配置され前記第２面で前記複数の第２内部電極に電気的に連結される第２金属層、および前記第２金属層上に配置される第２メッキ層を含むことができる。

【0008】

また、前記積層セラミックキャパシタは、前記セラミック本体の前記第６面上の前記第１外部電極の一部分および前記第２外部電極の一部分を覆う絶縁膜をさらに含むことができる。

【0009】

また、前記絶縁膜は、前記セラミック本体の前記第６面に対向する前記第１外部電極の外面の一部分を露出し前記第１外部電極の残り部分を覆い、前記セラミック本体の前記第６面に対向する前記第２外部電極の外面の一部分を露出し前記第２外部電極の残り部分を覆うことができる。

【0010】

また、前記絶縁膜によって露出された前記第１外部電極の外面は、四つの縁が前記絶縁膜によって囲まれた長方形形状であってもよい。

【0011】

また、前記絶縁膜によって露出された前記第２外部電極の外面は、四つの縁が前記絶縁膜によって囲まれた長方形形状であってもよい。

【0012】

また、前記絶縁膜は、前記第１外部電極と前記第２外部電極の間で前記セラミック本体の前記第６面を覆うことができる。

【0013】

また、前記絶縁膜は、前記セラミック本体の前記第１面上の第１外部電極を覆い、前記セラミック本体の前記第２面上の前記第２外部電極を覆うことができる。

【0014】

また、前記第１メッキ層は、前記第１金属層を覆う第１層、前記第１層を覆う第２層、および前記第２層を覆う第３層を含むことができる。

【0015】

また、前記第１層はニッケル（Ｎｉ）を含み、前記第２層は銅（Ｃｕ）を含み、前記第３層はスズ（Ｓｎ）を含むことができる。

【0016】

また、前記第２メッキ層は、前記第２金属層を覆う第１層、前記第１層を覆う第２層、および前記第２層を覆う第３層を含むことができる。

【0017】

また、前記第１層はニッケル（Ｎｉ）を含み、前記第２層は銅（Ｃｕ）を含み、前記第３層はスズ（Ｓｎ）を含むことができる。

【0018】

また、前記第１金属層および前記第２金属層はそれぞれ、ニッケル（Ｎｉ）層、チタン／銅（Ｔｉ／Ｃｕ）層、またはチタン／クロム（Ｔｉ／Ｃｒ）層を含むことができる。

【0019】

また、前記第１メッキ層および前記第２メッキ層はそれぞれ、ニッケル／スズ（Ｎｉ／Ｓｎ）層、スズ／ニッケル／スズ（Ｓｎ／Ｎｉ／Ｓｎ）層、またはニッケル／銅／スズ（Ｎｉ／Ｃｕ／Ｓｎ）層を含むことができる。

【0020】

また、前記第１内部電極の厚さと前記第２内部電極の厚さは１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下であってもよい。

【発明の効果】

【0021】

本発明による積層セラミックキャパシタによれば、外部電極の体積を減らすことによって静電容量に寄与する部分をさらに大きくすることができる。

【図面の簡単な説明】

【0022】

【図1】一実施形態による積層セラミックキャパシタを概略的に示した斜視図である。

【図2】図１のＩＩ－ＩＩ’線に沿って切断した断面図である。

【図3】図１の積層セラミックキャパシタで内部電極の積層構造を示した分離斜視図である。

【図4】他の実施形態による積層セラミックキャパシタを概略的に示した斜視図である。

【図5】図４のＶ－Ｖ’線に沿って切断した断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0023】

以下、添付した図面を参照して本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように本発明の実施形態を詳しく説明する。図面において本発明を明確に説明するために説明上不必要な部分は省略し、明細書全体にわたって同一または類似の構成要素については同一の参照符号を付した。また、添付図面において一部構成要素は誇張または省略されるかまたは概略的に図示され、各構成要素の大きさは実際大きさを完全に反映するものではない。

【0024】

添付された図面は本明細書に開示された実施形態を容易に理解することができるようにするためのものに過ぎず、添付された図面によって本明細書に開示された技術的思想が制限されず、本発明の思想および技術範囲に含まれる全ての変更、均等物乃至代替物を含むと理解されなければならない。

【0025】

第１、第２などのように序数を含む用語は多様な構成要素を説明するのに使用できるが、前記構成要素は前記用語によって限定されない。前記用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的にのみ使用される。

【0026】

また、層、膜、領域、板などの部分が他の部分「の上に」または「上に」あるという時、これは他の部分「の直上に」ある場合だけでなく、その中間にまた他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分「の直上に」あるという時には中間に他の部分がないことを意味する。また、基準となる部分「の上に」または「上に」あるというのは基準となる部分の上または下に位置することであり、必ずしも重力反対方向側に「の上に」または「上に」位置することを意味するのではない。

【0027】

明細書全体で、「含む」または「有する」などの用語は明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、またはこれらを組み合わせたものが存在するのを指定しようとするものであり、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品、またはこれらを組み合わせたものの存在または付加可能性を予め排除しないと理解されなければならない。したがって、ある部分がある構成要素を「含む」という時、これは特に反対になる記載がない限り他の構成要素を除くのではなく他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。

【0028】

また、明細書全体で、「平面上」という時、これは対象部分を上から見た時を意味し、「断面上」という時、これは対象部分を垂直に切断した断面を横から見た時を意味する。

【0029】

また、明細書全体で、「連結される」という時、これは二つ以上の構成要素が直接的に連結されることのみを意味するのではなく、二つ以上の構成要素が他の構成要素を通じて間接的に連結されること、物理的に連結されることだけでなく電気的に連結されること、または位置や機能によって異なる名称で称されたが、一体であるのを意味することができる。

【0030】

図１は一実施形態による積層セラミックキャパシタを概略的に示した斜視図であり、図２は図１のＩＩ－ＩＩ’線に沿って切断した断面図であり、図３は図１の積層セラミックキャパシタで内部電極の積層構造を示した分離斜視図である。

【0031】

図１、図２、および図３を参照すれば、本実施形態による積層セラミックキャパシタ１０００は、セラミック本体１１０、第１外部電極１２０、第２外部電極１３０、複数の第１内部電極１５０および複数の第２内部電極１６０を含む。

【0032】

まず、本実施形態を明確に説明するために方向を定義すれば、図面に表示されたＬ軸、Ｗ軸、およびＴ軸はそれぞれ、積層セラミックキャパシタ１０００の長さ方向、幅方向、および厚さ方向を示す軸を指す。

【0033】

厚さ方向（Ｔ軸方向）は、シート（ｓｈｅｅｔ）形状を有する構成要素の広い面（主面）に垂直な方向であってもよい。例えば、厚さ方向（Ｔ軸方向）は誘電体層１４０が積層される方向と同一の概念として使用できる。

【0034】

長さ方向（Ｌ軸方向）は、シート形状を有する構成要素の広い面（主面）に平行な方向であって厚さ方向（Ｔ軸方向）と交差（または直交）する方向であってもよい。例えば、長さ方向（Ｌ軸方向）は、第１外部電極１２０と第２外部電極１３０が互いに対向する方向であってもよい。

【0035】

幅方向（Ｗ軸方向）は、シート形状を有する構成要素の広い面（主面）に平行な方向であって厚さ方向（Ｔ軸方向）および長さ方向（Ｌ軸方向）と同時に交差（または直交）する方向であってもよい。

【0036】

セラミック本体１１０は大略六面体形状であってもよいが、本実施形態がこれに限定されるのではない。焼成（ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ）時の収縮によって、セラミック本体１１０は完全な六面体形状ではないが、実質的に六面体形状を有することができる。例えば、セラミック本体１１０は大略直六面体形状であるが、角や頂点に該当する部分が丸い形状を有することができる。

【0037】

本実施形態では、説明の便宜のために、長さ方向（Ｌ軸方向）で互いに対向する面を第１面Ｓ１および第２面Ｓ２と定義し、幅方向（Ｗ軸方向）で互いに対向して第１面Ｓ１と第２面Ｓ２を連結する面を第３面Ｓ３および第４面Ｓ４と定義し、厚さ方向（Ｔ軸方向）で互いに対向して第１面Ｓ１と第２面Ｓ２を連結する面を第５面Ｓ５および第６面Ｓ６と定義することにする。

【0038】

したがって、第１面Ｓ１と第２面Ｓ２が対向する方向である第１方向は長さ方向（Ｌ軸方向）であってもよく、第１方向に垂直であり互いに垂直な第２方向および第３方向はそれぞれ厚さ方向（Ｔ軸方向）および幅方向（Ｗ軸方向）または幅方向（Ｗ軸方向）および厚さ方向（Ｔ軸方向）であってもよい。

【0039】

セラミック本体１１０の長さは、セラミック本体１１０の幅方向（Ｗ軸方向）中央部での長さ方向（Ｌ軸方向）－厚さ方向（Ｔ軸方向）断面（ｃｒｏｓｓ ｓｅｃｔｉｏｎ）に対する光学顕微鏡または走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真を基準にして、前述の断面写真に示されたセラミック本体１１０の長さ方向（Ｌ軸方向）に対向する２つの最外側境界線をそれぞれ連結し長さ方向（Ｌ軸方向）と平行な複数の線分の長さのうちの最大値を意味することができる。一方、セラミック本体１１０の長さは、前述の断面写真に示されたセラミック本体１１０の長さ方向（Ｌ軸方向）に対向する２つの最外側境界線をそれぞれ連結し長さ方向（Ｌ軸方向）と平行な複数の線分の長さのうちの最小値を意味することができる。他方、セラミック本体１１０の長さは、前述の断面写真に示されたセラミック本体１１０の長さ方向（Ｌ軸方向）に対向する２つの最外側境界線をそれぞれ連結し長さ方向（Ｌ軸方向）と平行な複数の線分のうちの少なくとも２つの線分の長さの算術平均値を意味することができる。

【0040】

セラミック本体１１０の厚さは、セラミック本体１１０の幅方向（Ｗ軸方向）中央部での長さ方向（Ｌ軸方向）－厚さ方向（Ｔ軸方向）断面（ｃｒｏｓｓ ｓｅｃｔｉｏｎ）に対する光学顕微鏡または走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真を基準にして、前述の断面写真に示されたセラミック本体１１０の厚さ方向（Ｔ軸方向）に対向する２つの最外側境界線をそれぞれ連結し厚さ方向（Ｔ軸方向）と平行な複数の線分の長さのうちの最大値を意味することができる。一方、セラミック本体１１０の厚さは、前述の断面写真に示されたセラミック本体１１０の厚さ方向（Ｔ軸方向）に対向する２つの最外側境界線をそれぞれ連結し厚さ方向（Ｔ軸方向）と平行な複数の線分の長さのうちの最小値を意味することができる。他方、セラミック本体１１０の厚さは、前述の断面写真に示されたセラミック本体１１０の厚さ方向（Ｔ軸方向）に対向する２つの最外側境界線をそれぞれ連結し厚さ方向（Ｔ軸方向）と平行な複数の線分のうちの少なくとも２つの線分の長さの算術平均値を意味することができる。

【0041】

セラミック本体１１０の幅は、セラミック本体１１０の厚さ方向（Ｔ軸方向）中央部での長さ方向（Ｌ軸方向）－幅方向（Ｗ軸方向）断面（ｃｒｏｓｓ ｓｅｃｔｉｏｎ）に対する光学顕微鏡または走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真を基準にして、前述の断面写真に示されたセラミック本体１１０の幅方向（Ｗ軸方向）に対向する２つの最外側境界線をそれぞれ連結し幅方向（Ｗ軸方向）と平行な複数の線分の長さのうちの最大値を意味することができる。一方、セラミック本体１１０の幅は、前述の断面写真に示されたセラミック本体１１０の幅方向（Ｗ軸方向）に対向する２つの最外側境界線をそれぞれ連結し幅方向（Ｗ軸方向）と平行な複数の線分の長さのうちの最小値を意味することができる。他方、セラミック本体１１０の幅は、前述の断面写真に示されたセラミック本体１１０の幅方向（Ｗ軸方向）に対向する２つの最外側境界線をそれぞれ連結し幅方向（Ｗ軸方向）と平行な複数の線分のうちの少なくとも２つの線分の長さの算術平均値を意味することができる。

【0042】

セラミック本体１１０は、厚さ方向（Ｔ軸方向）に積層された複数の誘電体層１４０を含むことができる。誘電体層１４０の間の境界は不明確であってもよい。例えば、誘電体層１４０の間の境界は走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を使用しなければ確認しにくい程度であり、複数の誘電体層１４０は一体型構造体と見えることもある。

【0043】

第１内部電極１５０と第２内部電極１６０は誘電体層１４０を挟んで交互に積層できる。このような積層構造はセラミック本体１１０内で繰り返されてもよく、セラミック本体１１０の第５面Ｓ５に最も近い内部電極は第１内部電極１５０または第２内部電極１６０であってもよく、第６面Ｓ６に最も近い内部電極は第１内部電極１５０または第２内部電極１６０であってもよい。

【0044】

第１内部電極１５０と第２内部電極１６０は互いに異なる極性を有し、その間に配置された誘電体層１４０によって互いに電気的に絶縁される。

【0045】

第１内部電極１５０および第２内部電極１６０は、誘電体層１４０を挟んで互いに長さ方向（Ｌ軸方向）にずれるように配置できる。第１内部電極１５０の一側端部はセラミック本体１１０の第１面Ｓ１を通じて露出され、第２内部電極１６０の一側端部はセラミック本体１１０の第２面Ｓ２を通じて露出される。セラミック本体１１０の第１面Ｓ１から露出された第１内部電極１５０の端部は第１外部電極１２０に接続できる。セラミック本体１１０の第２面Ｓ２から露出された第２内部電極１６０の端部は第２外部電極１３０に接続できる。

【0046】

第１内部電極１５０および第２内部電極１６０は、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、真空蒸着法、および化学気相蒸着法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＣＶＤ）のような薄膜蒸着法を用いて形成できる。薄膜蒸着法を用いれば、厚さが薄くて均一な内部電極が形成できる。

【0047】

セラミック本体の大きさが一定である場合、内部電極の厚さが薄いほど誘電体層をさらに多く積層することによって積層セラミックキャパシタの容量を増加させることができる。また、内部電極の減少した厚さだけ誘電体層の厚さを増加させることができるので、誘電体層の厚さを増加させることによって降伏電圧（ｂｒｅａｋｄｏｗｎ ｖｏｌｔａｇｅ）と高温信頼性を改善することができる。

【0048】

例えば、薄膜蒸着法で形成した第１内部電極１５０および第２内部電極１６０の厚さは１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下であってもよい。内部電極の厚さが１００ｎｍ未満であれば、厚さが薄いだけに抵抗が増加するので等価直列抵抗（ＥＳＲ、Ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ Ｓｅｒｉａｌ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）が増加することがあり、３００ｎｍを超過すれば、相対的に誘電体層の厚さ増加に限界があるため信頼性増加の効果が低下することがある。

【0049】

ここで、内部電極の厚さは、二つの誘電体層の間に配置される一つの内部電極の平均厚さを意味することができる。内部電極の平均厚さは、セラミック本体１１０の幅方向（Ｗ軸方向）中央部での長さ方向（Ｌ軸方向）－厚さ方向（Ｔ軸方向）断面（ｃｒｏｓｓ ｓｅｃｔｉｏｎ）に対する１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真を基準にして、前述の断面写真に示された一つの内部電極の厚さを、長さ方向（Ｌ軸方向）に均等な間隔を有する３０個の地点で測定した値の算術平均値であってもよい。前述の３０個の地点は後述のアクティブ（ａｃｔｉｖｅ）領域で指定できる。このような方式で１０個の内部電極で平均厚さをそれぞれ測定した後、測定値の算術平均値を導出すれば、内部電極の平均厚さをさらに一般化することができる。

【0050】

一方、導電性金属を含む導電性ペーストを誘電体層１４０表面に印刷して内部電極を形成することもできる。例えば、ニッケル（Ｎｉ）またはニッケル（Ｎｉ）合金を含む導電性ペーストをスクリーン印刷法（ｓｃｒｅｅｎ ｐｒｉｎｔｉｎｇ）やグラビア印刷法（ｇｒａｖｕｒｅ ｐｒｉｎｔｉｎｇ）で誘電体層表面に印刷して内部電極を形成することができる。しかし、この場合は前述の薄膜蒸着法で内部電極を形成する場合とは異なり、厚さが薄くて均一な内部電極を形成しにくい問題がある。

【0051】

第１外部電極１２０および第２外部電極１３０に電圧を印加すると、互いに対向する第１内部電極１５０および第２内部電極１６０の間に電荷が蓄積される。即ち、第１外部電極１２０に電気的に連結された第１内部電極１５０と第２外部電極１３０に電気的に連結された第２内部電極１６０の間で静電容量を得ることができる。積層セラミックキャパシタ１０００の静電容量は、厚さ方向（Ｔ軸方向）に沿って互いに重畳する第１内部電極１５０と第２内部電極１６０の重畳した面積に比例する。

【0052】

言い換えれば、積層セラミックキャパシタ１０００は、アクティブ（ａｃｔｉｖｅ）領域とマージン（ｍａｒｇｉｎ）領域を含むことができる。アクティブ領域は第１内部電極１５０と第２内部電極１６０が厚さ方向（Ｔ軸方向）に沿って重畳する領域を称することができ、マージン領域はアクティブ領域とセラミック本体１１０の第１面Ｓ１の間の領域およびアクティブ領域とセラミック本体１１０の第２面Ｓ２の間の領域を称することができる。

【0053】

積層セラミックキャパシタ１０００はその長さと幅を基準にして分類される。したがって同一な長さまたは幅を有する積層セラミックキャパシタでも外部電極の厚さによってセラミック本体の大きさが変わり得る。即ち、さらに薄い外部電極を有する積層セラミックキャパシタはさらに厚い外部電極を有する積層セラミックキャパシタに比べてさらに大きなセラミック本体を有することができる。セラミック本体がさらに大きいということは、前述のアクティブ領域がさらに大きいということを意味し、ひいては静電容量がさらに大きいということを意味することができる。結局、積層セラミックキャパシタの外部電極が薄くなるほど静電容量が大きくなり得る。本実施形態では積層セラミックキャパシタの外部電極を形成する時、金属層をメッキ成長用シード層として用いることによって外部電極の厚さを薄くすることができて、それによる有利な効果を得ることができる。これについては、以下でさらに詳しく説明する。

【0054】

アクティブ領域の厚さ方向（Ｔ軸方向）外側には第１カバー層１４３および第２カバー層１４５が配置できる。

【0055】

第１カバー層１４３は、セラミック本体１１０の第６面Ｓ６とそれに最も近い内部電極との間に配置される。第２カバー層１４５は、セラミック本体１１０の第５面Ｓ５とそれに最も近い内部電極との間に配置される。

【0056】

即ち、セラミック本体１１０内で最上部にある内部電極の上部に第１カバー層１４３が配置され、最下部にある内部電極の下部に第２カバー層１４５が配置できる。第１カバー層１４３および第２カバー層１４５は、誘電体層１４０と同一の組成を有することができる。最上側内部電極の外表面と最下側内部電極の外表面に誘電体層をそれぞれ１つ以上積層して第１カバー層１４３および第２カバー層１４５を形成することができる。

【0057】

第１カバー層１４３および第２カバー層１４５は、物理的または化学的ストレスによる第１内部電極１５０および第２内部電極１６０の損傷を防止する役割を果たすことができる。

【0058】

誘電体層１４０は高誘電率のセラミック材料を含むことができる。例えば、セラミック材料は、ＢａＴｉＯ_３、ＣａＴｉＯ_３、ＳｒＴｉＯ_３、またはＣａＺｒＯ_３などの成分を含む誘電体セラミックを含むことができる。また、これら成分にマンガン（Ｍｎ）化合物、鉄（Ｆｅ）化合物、クロム（Ｃｒ）化合物、コバルト（Ｃｏ）化合物、ニッケル（Ｎｉ）化合物などの補助成分をさらに含むことができる。例えば、誘電体層にはＢａＴｉＯ_３にカルシウム（Ｃａ）、ジルコニウム（Ｚｒ）などが一部固溶された（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３、Ｂａ（Ｔｉ_１－ｙＣａ_ｙ）Ｏ_３、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３またはＢａ（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３などがあるが、本発明がこれに限定されるのではない。

【0059】

また、誘電体層１４０にはセラミック添加剤、有機溶剤、可塑剤、結合剤、および分散剤のうちの一つ以上がさらに含まれてもよい。セラミック添加剤は、例えば遷移金属酸化物または炭化物、希土類元素、マグネシウム（Ｍｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）などであってもよい。

【0060】

一例として、誘電体層１４０の平均厚さは０．１μｍ～１０μｍであってもよいが、本実施形態がこれに限定されるのではない。

【0061】

第１外部電極１２０および第２外部電極１３０はセラミック本体１１０の外部に配置される。

【0062】

第１外部電極１２０は、セラミック本体１１０の第１面Ｓ１と第６面Ｓ６に配置できる。第２外部電極１３０はセラミック本体１１０の第２面Ｓ２と第６面Ｓ６に配置できる。

【0063】

第１外部電極１２０は、第１接続部１２１、第１バンド部１２３と第１角部１２５を含む。

【0064】

第１接続部１２１はセラミック本体１１０の第１面Ｓ１を覆い、複数の第１内部電極１５０の露出された端部と接続されて電気的に連結される部分である。

【0065】

第１バンド部１２３は第１接続部１２１から延長してセラミック本体１１０の第６面Ｓ６の一部を覆う。第１バンド部１２３は第１外部電極１２０がセラミック本体１１０にさらに強く固着されるようにすることができる。

【0066】

第１角部１２５は第１接続部１２１と第１バンド部１２３を連結する部分であり得る。

【0067】

第２外部電極１３０は第２接続部１３１、第２バンド部１３３と第２角部１３５をそれぞれ含む。

【0068】

第２接続部１３１はセラミック本体１１０の第２面Ｓ２を覆い、複数の第２内部電極１６０の露出された端部と接続されて電気的に連結される部分である。

【0069】

第２バンド部１３３は第２接続部１３１から延長してセラミック本体１１０の第６面Ｓ６の一部を覆う。第２バンド部１３３は第２外部電極１３０がセラミック本体１１０にさらに強く固着されるようにすることができる。

【0070】

第２角部１３５は、第２接続部１３１と第２バンド部１３３を連結する部分であり得る。

【0071】

積層セラミックキャパシタ１０００の幅方向（Ｗ）中央部での長さ方向（Ｌ）－厚さ方向（Ｔ）断面（ｃｒｏｓｓ ｓｅｃｔｉｏｎ）に対する光学顕微鏡または走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真を基準にして、前述の断面写真に示された積層セラミックキャパシタ１０００で、第１接続部１２１および第２接続部１３１は厚さ方向（Ｔ軸方向）に概ね平行な形状を有することができ、第１バンド部１２３および第２バンド部１３３は長さ方向（Ｌ軸方向）に概ね平行な形状を有することができ、第１角部１２５および第２角部１３５は曲線形状を有することができる。前述の曲線形状は、厚さ方向（Ｔ軸方向）に平行な方向から長さ方向（Ｌ軸方向）に平行な方向に（またはその反対方向に）傾きが変わる接線（ｔａｎｇｅｎｔ）を有する曲線形状であってもよい。

【0072】

第１外部電極１２０は第１金属層１７１および第１メッキ層１８０を含み、第２外部電極１３０は第２金属層１７３および第２メッキ層１９０を含むことができる。

【0073】

第１外部電極１２０は、第１金属層１７１と、第１金属層１７１上に配置される第１メッキ層１８０を含むことができる。

【0074】

第１金属層１７１はセラミック本体１１０に直接接触する。例えば、第１金属層１７１はセラミック本体１１０の第１面Ｓ１と第６面Ｓ６の少なくとも一部を覆うことができる。

【0075】

第１金属層１７１は導電性金属を含むことができる。導電性金属はニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）などの単独またはこれらの合金を含むことができるが、本実施形態がこれに限定されるのではない。例えば、第１金属層１７１は、ニッケル（Ｎｉ）層、チタン／銅（Ｔｉ／Ｃｕ）層、またはチタン／クロム（Ｔｉ／Ｃｒ）層を含むことができる。

【0076】

第１金属層１７１の形成方法は特に制限されない。例えば、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、Ｅ－ビーム蒸着法（Ｅ－ｂｅａｍ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）、原子層蒸着法（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＡＬＤ）、化学気相蒸着法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＣＶＤ）などで第１金属層１７１を薄膜として形成することができる。

【0077】

第２外部電極１３０は、第２金属層１７３と、第２金属層１７３上に配置される第２メッキ層１９０を含むことができる。

【0078】

第２金属層１７３はセラミック本体１１０に直接接触する。第２金属層１７３はセラミック本体１１０の第２面Ｓ２と第６面Ｓ６の少なくとも一部を覆うことができる。

【0079】

第２金属層１７３は導電性金属を含むことができる。導電性金属はニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）などの単独またはこれらの合金を含むことができるが、本実施形態がこれに限定されるのではない。例えば、第２金属層１７３はニッケル（Ｎｉ）層、チタン／銅（Ｔｉ／Ｃｕ）層、またはチタン／クロム（Ｔｉ／Ｃｒ）層を含むことができる。

【0080】

第２金属層１７３の形成方法は特に制限されない。例えば、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、Ｅ－ビーム蒸着法（Ｅ－ｂｅａｍ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）、原子層蒸着法（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＡＬＤ）、化学気相蒸着法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＣＶＤ）などで第２金属層１７３を薄膜として形成することができる。

【0081】

第１メッキ層１８０は第１金属層１７１上に配置され、第２メッキ層１９０は第２金属層１７３上に配置される。即ち、第１メッキ層１８０は第１金属層１７１を覆い、第２メッキ層１９０は第２金属層１７３を覆うことができる。

【0082】

第１メッキ層１８０は導電性金属を第１金属層１７１に直接メッキして形成できる。即ち、第１金属層１７１はメッキ用シード（ｓｅｅｄ）層としての役割を果たすことができる。また、第２メッキ層１９０は導電性金属を第２金属層１７３に直接メッキして形成できる。即ち、第２金属層１７３はメッキ用シード層としての役割を果たすことができる。ここで、導電性金属はニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、スズ（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）または鉛（Ｐｂ）などの単独またはこれらの合金を含むことができるが、本実施形態がこれに限定されるのではない。

【0083】

第１メッキ層１８０と第２メッキ層１９０は全て複数の層からなり得る。例えば、第１メッキ層１８０は、第１金属層１７１を覆う第１層１８１、第１層１８１を覆う第２層１８３、および第２層１８３を覆う第３層１８５を含むことができる。第１層１８１は銅（Ｃｕ）を含むことができ、第２層１８３はニッケル（Ｎｉ）を含むことができ、第３層１８５はスズ（Ｓｎ）を含むことができるが、本実施形態がこれに限定されるのではない。

【0084】

また、第２メッキ層１９０は、第２金属層１７３を覆う第１層１９１、第１層１９１を覆う第２層１９３、および第２層１９３を覆う第３層１９５を含むことができる。第１層１９１は銅（Ｃｕ）を含むことができ、第２層１９３はニッケル（Ｎｉ）を含むことができ、第３層１９５はスズ（Ｓｎ）を含むことができるが、本実施形態がこれに限定されるのではない。

【0085】

他の例として、第１メッキ層１８０はニッケル／スズ（Ｎｉ／Ｓｎ）層、スズ／ニッケル／スズ（Ｓｎ／Ｎｉ／Ｓｎ）層、またはニッケル／銅／スズ（Ｎｉ／Ｃｕ／Ｓｎ）層を含むことができ、第２メッキ層１９０はニッケル／スズ（Ｎｉ／Ｓｎ）層、スズ／ニッケル／スズ（Ｓｎ／Ｎｉ／Ｓｎ）層、またはニッケル／銅／スズ（Ｎｉ／Ｃｕ／Ｓｎ）層を含むことができる。

【0086】

本実施形態のように、金属層をメッキ成長用シード層として使用してメッキ層を形成すれば、外部電極が薄い厚さで形成できる。この場合、外部電極が占める体積が相対的に減少するので、静電容量に寄与する部分を相対的にさらに大きくすることができる。したがって、本実施形態によれば、積層セラミックキャパシタの性能を向上させることができる。

【0087】

本実施形態と異なり、外部電極形成用ペーストにセラミック本体をディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）しブロッティング（ｂｌｏｔｔｉｎｇ）して外部電極を形成する場合、外部電極の厚さが相対的に厚くなるので、静電容量に寄与する部分の大きさが相対的に減って積層セラミックキャパシタの性能が低下する問題が発生することがある。

【0088】

図４は他の実施形態による積層セラミックキャパシタを概略的に示した斜視図であり、図５は図４のＶ－Ｖ’線に沿って切断した断面図である。

【0089】

図４および図５を参照すれば、積層セラミックキャパシタ２０００は、セラミック本体１１０、第１外部電極１２０、第２外部電極１３０、複数の第１内部電極１５０、複数の第２内部電極１６０、および絶縁膜２００を含む。積層セラミックキャパシタ２０００が絶縁膜２００を含む点を除いた残りの構成要素は図１の積層セラミックキャパシタ１０００の構成要素と同一であるか、またはそれに対応するので、それに関する重複する説明は省略する。

【0090】

絶縁膜２００は、第１外部電極１２０の一部分、第２外部電極１３０の一部分、およびセラミック本体１１０の一部分を覆う。

【0091】

絶縁膜２００は、ポリスチレン系、酢酸ビニル系、ポリエステル系、ポリエチレン系、ポリプロピレン系、ポリアミド系、ゴム系、アクリル系などの熱可塑性樹脂、フェノール系、エポキシ系、ウレタン系、メラミン系、アルキド系などの熱硬化性樹脂、感光性樹脂、パリレン、ＳｉＯｘまたはＳｉＮｘを含むことができる。

【0092】

絶縁膜２００は、液状の絶縁樹脂をセラミック本体１１０の表面に塗布するか、またはドライフィルム（ｄｒｙ ｆｉｌｍ）のような絶縁フィルムをセラミック本体１１０の表面に積層するか、または原子層蒸着法（ＡＬＤ）や気相蒸着などの薄膜工程を通じて形成できる。絶縁フィルムは、感光性絶縁樹脂を含まないＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ－ｕｐ Ｆｉｌｍ）またはポリイミドフィルムなどであってもよい。

【0093】

絶縁膜２００は、セラミック本体１１０の第１面Ｓ１、第３面Ｓ３、および第４面Ｓ４上で第１外部電極１２０を全部覆い、第６面Ｓ６上で第１外部電極１２０の一部分を露出することができる。

【0094】

絶縁膜２００は、セラミック本体１１０の第６面Ｓ６に対向する第１外部電極１２０の外面の一部分のみ露出し、第１外部電極１２０の残り部分を全部覆うことができる。

【0095】

第１外部電極１２０の第１バンド部１２３で第１メッキ層１８０の一部分が絶縁膜２００によって露出されて第１露出面１２７を成すことができる。即ち、第１露出面１２７は、第１外部電極１２０の第１メッキ層１８０の外面の一部分であり得る。第１露出面１２７は長方形形状であり四つの縁が絶縁膜２００によって囲まれた形状であってもよい。

【0096】

第１露出面１２７は例えば、次のような方式で形成できる。第１露出面１２７の形状に対応するフォトレジスト（ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ）パターンを第１外部電極１２０上に形成する。その次に、第１外部電極１２０とフォトレジストパターンを全て覆うように絶縁膜２００を蒸着する。その次に、第１露出面１２７が露出されるように絶縁膜２００の一部分とフォトレジストパターンを除去する。但し、本実施形態がこれに限定されるのではない。

【0097】

また、絶縁膜２００は、セラミック本体１１０の第２面Ｓ２、第３面Ｓ３、および第４面Ｓ４上で第２外部電極１３０を全部覆い、第６面Ｓ６上で第２外部電極１３０の一部分を露出することができる。

【0098】

絶縁膜２００は、セラミック本体１１０の第６面Ｓ６に対向する第２外部電極１３０の外面の一部分のみ露出し、第２外部電極１３０の残り部分を全部覆うことができる。

【0099】

第２外部電極１３０の第２バンド部１３３で第２メッキ層１９０の一部分が絶縁膜２００によって露出されて第２露出面１３７を成すことができる。即ち、第２露出面１３７は、第２外部電極１３０の第２メッキ層１９０の外面の一部分であり得る。第２露出面１３７は長方形形状であり四つの縁が絶縁膜２００によって囲まれた形状であってもよい。

【0100】

第２露出面１３７は例えば次のような方式で形成できる。第２露出面１３７の形状に対応するフォトレジスト（ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ）パターンを第２外部電極１３０上に形成する。その次に、第２外部電極１３０とフォトレジストパターンを全て覆うように絶縁膜２００を蒸着する。その次に、第２露出面１３７が露出されるように絶縁膜２００の一部分とフォトレジストパターンを除去する。但し、本実施形態がこれに限定されるのではない。

【0101】

積層セラミックキャパシタ２０００を基板に実装する時、第１外部電極１２０の第１露出面１２７と第２外部電極１３０の第２露出面１３７は基板の電極パッドにそれぞれ接続できる。

【0102】

一方、絶縁膜２００は、第１外部電極１２０と第２外部電極１３０の間でセラミック本体１１０の第６面Ｓ６を覆う。即ち、絶縁膜２００は、セラミック本体１１０の第６面Ｓ６上に配置されて第６面Ｓ６の中央部を覆い長さ方向（Ｌ軸方向）両側に延長して第１外部電極１２０と第２外部電極１３０の一部分を覆うことができる。

【0103】

また、絶縁膜２００は、セラミック本体１１０の第３面Ｓ３と第４面Ｓ４にも配置できる。

【0104】

一方、セラミック本体１１０の第５面Ｓ５には絶縁膜が配置されなくてもよい。

【0105】

以上のように、絶縁膜２００はセラミック本体１１０の第１面Ｓ１、第２面Ｓ２、第３面Ｓ３、第４面Ｓ４、および第６面Ｓ６のうちの少なくとも一部に配置されて積層セラミックキャパシタの外部電極と他の電子部品間の電気的短絡を防止することができる。

【0106】

以上を通じて本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されるのではなく、請求範囲と発明の説明および添付した図面の範囲内で多様に変形して実施することが可能であり、これも本発明の範囲に属するのは当然である。

【符号の説明】

【0107】

１０００、２０００：積層セラミックキャパシタ
１１０：セラミック本体
１２０：第１外部電極
１２１：第１接続部
１２３：第１バンド部
１２５：第１角部
１２７：第１露出面
１３０：第２外部電極
１３１：第２接続部
１３３：第２バンド部
１３５：第２角部
１３７：第２露出面
１４０：誘電体層
１４３：第１カバー層
１４５：第２カバー層
１５０：第１内部電極
１６０：第２内部電極
１７１：第１金属層
１７３：第２金属層
１８０：第１メッキ層
１９０：第２メッキ層
１８１、１９１：第１層
１８３、１９３：第２層
１８５、１９５：第３層
２００：絶縁膜

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】