2025-7740 配線基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025007740

(43)【公開日】2025-01-17

(54)【発明の名称】配線基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/28 20060101AFI20250109BHJP

   H05K 1/02 20060101ALI20250109BHJP

【ＦＩ】

H05K3/28 B

H05K1/02 A

【審査請求】未請求

【請求項の数】6

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023109341

(22)【出願日】2023-07-03

(71)【出願人】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001896

【氏名又は名称】弁理士法人朝日奈特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】高橋 陽太

(72)【発明者】

【氏名】小林 知広

(72)【発明者】

【氏名】鈴木 裕次郎

【テーマコード（参考）】

5E314

5E338

【Ｆターム（参考）】

5E314AA27

5E314AA32

5E314AA36

5E314AA42

5E314BB02

5E314CC01

5E314CC03

5E314CC15

5E314FF05

5E314GG09

5E338AA03

5E338AA16

5E338BB63

5E338EE21

(57)【要約】

【課題】クラックの発生が抑制される配線基板の提供。
【解決手段】実施形態の配線基板１は、絶縁層１１３と、導体パッドＰ１を含む導体層１２３と、ソルダーレジスト層１１４と、を含んでいる。ソルダーレジスト層１１４が、導体パッドＰ１における絶縁層１１３と反対側を向く表面及び導体パッドＰ１の側面の全体を露出させる開口１１４ａを有し、開口１１４ａの内側面は、絶縁層１１３との境界ａ１を含む第１部分１１４ａ１と、第１部分１１４ａ１の絶縁層１１３と反対側の第２部分１１４ａ２と、を含み、第２部分１１４ａ２は、開口１１４ａの最も内側に位置する部分を含み、第１部分１１４ａ１の絶縁層１１３との境界ａ１は、開口１１４ａの最も内側に位置する部分から、絶縁層１１３の表面に沿う方向において導体パッドＰ１から離間する方向に、５μｍ以上、且つ、２５μｍ以下の距離だけ離間している。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

絶縁層と、
前記絶縁層の表面上に形成され、導体パッドを含む導体層と、
前記絶縁層の表面上に形成されているソルダーレジスト層と、
を含む配線基板であって、
前記ソルダーレジスト層が、前記導体パッドにおける前記絶縁層と反対側を向く表面及び前記導体パッドの側面の全体を露出させる開口を有し、
前記開口の内側面は、前記絶縁層との境界を含む第１部分と、前記第１部分の前記絶縁層と反対側の第２部分と、を含み、
前記第２部分は、前記開口の最も内側に位置する部分を含み、
前記第１部分の前記絶縁層との境界は、前記開口の最も内側に位置する部分から、前記絶縁層の表面に沿う方向において前記導体パッドから離間する方向に、５μｍ以上、且つ、２５μｍ以下の距離だけ離間している。

【請求項2】

請求項１記載の配線基板であって、前記第１部分が前記絶縁層の表面に対して接する角度は、前記第２部分における前記開口の最も内側に位置する部分の前記絶縁層の表面に対する角度よりも小さい。

【請求項3】

請求項２記載の配線基板であって、前記第１部分が前記絶縁層の表面に対して接する角度は、３０°以上、７５°以下である。

【請求項4】

請求項２記載の配線基板であって、前記第２部分における前記開口の最も内側に位置する部分の前記絶縁層の表面に対する角度は、略９０°である。

【請求項5】

請求項１記載の配線基板であって、前記第１部分と前記第２部分における前記開口の最も内側の部分とは、曲面を介して接続されている。

【請求項6】

請求項１記載の配線基板であって、前記配線基板が、第１面及び前記第１面の反対面である第２面を有し、前記第２面は部品が実装される部品実装面であり、前記導体層は前記第１面側に形成されている。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、配線基板に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、ソルダーレジスト層が、絶縁層上に形成されている導体パッドの表面及び側面全体を露出させる開口を有する配線基板が開示されている。開口の内側面は、絶縁層と反対側に向かって拡がるように形成されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００４－２２７１３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に開示の配線基板では、配線基板に加わる応力が、ソルダーレジストの内側面と接触する絶縁層の接触部の近傍に集中することがある。この集中した応力により、接触部の近傍の絶縁層にクラックが発生することがある。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の配線基板は、絶縁層と、前記絶縁層の表面上に形成され、導体パッドを含む導体層と、前記絶縁層の表面上に形成されているソルダーレジスト層と、を含んでいる。前記ソルダーレジスト層が、前記導体パッドにおける前記絶縁層と反対側を向く表面及び前記導体パッドの側面の全体を露出させる開口を有し、前記開口の内側面は、前記絶縁層との境界を含む第１部分と、前記第１部分の前記絶縁層と反対側の第２部分と、を含み、前記第２部分は、前記開口の最も内側に位置する部分を含み、前記第１部分の前記絶縁層との境界は、前記開口の最も内側に位置する部分から、前記絶縁層の表面に沿う方向において前記導体パッドから離間する方向に、５μｍ以上、且つ、２５μｍ以下の距離だけ離間している。

【0006】

本発明の実施形態によれば、ソルダーレジスト層への応力集中が緩和されると共に絶縁層にかかる応力が緩和され得る。ソルダーレジスト層及び絶縁層でのクラックの発生が抑制され得る。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。

【図2】図１中の部分IIの拡大図。

【図3】本発明の一実施形態の配線基板の他の一例を示す拡大断面図。

【図4A】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図4B】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【図4C】本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

【発明を実施するための形態】

【0008】

本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１は、一実施形態の配線基板の一例である配線基板１の断面図を示しており、図２は、図１に示される配線基板１の一点鎖線で囲われる部分IIを上下逆にして拡大図で示している。なお、以下、参照される図面においては、各構成要素の正確な比率を示すことは意図されておらず、実施形態の特徴が理解され易いように描かれている。図示される配線基板１は、本実施形態の配線基板の一例に過ぎない。実施形態の配線基板の積層構造、並びに、導体層及び絶縁層それぞれの数は、図示される配線基板１の積層構造、並びに配線基板１に含まれる導体層及び絶縁層それぞれの数に限定されない。

【0009】

図１に示されるように、配線基板１は、第１主面１Ｆ及び第２主面１Ｓを有しており、第１主面１Ｆ及び第２主面１Ｓのうちの少なくとも一方側（図１の例では、第１主面１Ｆ側）に、第１導体パッドＰ１（単に「導体パッドＰ１」とも称される）を有する導体層１２３と、開口１１４ａを有するソルダーレジスト層１１４とを含んでいる。本実施形態の配線基板１では、ソルダーレジスト層１１４の開口１１４ａが、所定の形状を有し、第１導体パッドＰ１における表面（上面）及び側面全体を露出させている。図１の例では、配線基板１は、所謂、多層配線基板である。しかし、実施形態の配線基板は、所謂、両面配線基板であってもよい。

【0010】

図１の例では、配線基板１は、コア基板１００と、コア基板１００の一方の主面（第１面１００Ｆ）上に形成されている第１配線構造１０と、コア基板１００の他方の主面（第２面１００Ｓ）上に形成されている第２配線構造２０と、を含んでいる。

【0011】

なお、本実施形態の配線基板の説明においては、コア基板１００から遠い側を、「上」、「上側」、「外側」、又は「外」と称し、コア基板１００に近い側を、「下」、「下側」、「内側」、又は「内」と称する。また、各構成要素において、コア基板１００と反対側を向く表面は「上面」とも称され、コア基板１００側を向く表面は「下面」とも称される。

【0012】

図１の例では、コア基板１００は、絶縁層（コア絶縁層）１０１と、コア絶縁層１０１の両面に形成された導体層（コア導体層）１０２と、を含んでいる。コア導体層１０２は、所定の導体パターンを有するようにパターニングされている。コア基板１００のコア絶縁層１０１には、コア基板１００における第１面１００Ｆを構成する導体層１０２の導体パターンと、第２面１００Ｓを構成する導体層１０２の導体パターンと、を接続するスルーホール導体１０３が形成されている。筒状のスルーホール導体１０３の内部は、例えば、エポキシ樹脂などの任意の樹脂を含む樹脂体１０４で充填されている。

【0013】

図１の例では、第１配線構造１０は、コア基板１００の第１面１００Ｆ上に交互に積層されている絶縁層及び導体層を含んでいる。具体的には、第１配線構造１０は、コア基板１００の第１面１００Ｆ側から順に、絶縁層１１１、導体層１２１、絶縁層１１２、導体層１２２、絶縁層１１３、導体層１２３、ソルダーレジスト層１１４が積層された多層配線構造を有している。絶縁層１１１、１１２、１１３はそれぞれビア導体１３を含んでいる。第１配線構造１０の導体層１２１、１２２、１２３のそれぞれは、ビア導体１３によって接続されている。第１配線構造１０の最外の導体層１２３、絶縁層１１３、及び、ソルダーレジスト層１１４の露出面によって、配線基板１の第１主面１Ｆが構成されている。

【0014】

図１の例では、第２配線構造２０は、コア基板１００の第２面１００Ｓ上に交互に積層されている絶縁層及び導体層を含んでいる。具体的には、第２配線構造２０は、コア基板１００の第２面１００Ｓ側から順に、絶縁層２１１、導体層２２１、絶縁層２１２、導体層２２２、絶縁層２１３、導体層２２３、ソルダーレジスト層２１４が積層された多層配線構造を有している。絶縁層２１１、２１２、２１３はそれぞれビア導体２３を含んでいる。第２配線構造２０の導体層２２１、２２２、２２３のそれぞれは、ビア導体２３によって接続されている。第２配線構造２０の最外の導体層２２３及びソルダーレジスト層２１４の露出面によって、配線基板１の第２主面１Ｓが構成されている。

【0015】

導体層１２１、１２２、１２３、２２１、２２２、２２３、１０２、ビア導体１３、２３、スルーホール導体１０３は、銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成され、例えば、銅箔などの金属箔、及び／又は、めっきもしくはスパッタリングなどで形成される金属膜によって構成され得る。導体層１２１、１２２、１２３、２２１、２２２、２２３、１０２、ビア導体１３、２３、スルーホール導体１０３は、図１では単層構造で示されているが、２つ以上の金属層を有する多層構造を有し得る。例えば、絶縁層１０１の表面上に形成されている導体層１０２は、金属箔（好ましくは銅箔）、無電解めっき膜（好ましくは無電解銅めっき膜）、及び電解めっき膜（好ましくは電解銅めっき膜）を含み得る。また、導体層１２１、１２２、１２３、２２１、２２２、２２３、ビア導体１３、２３、スルーホール導体１０３は、例えば、無電解めっき膜及び電解めっき膜を含み得る。

【0016】

第１配線構造１０が有する各導体層１２１、１２２、１２３は、所定の導体パターンを有するようにパターニングされている。特に、第１配線構造１０における最外の導体層１２３は、第１導体パッドＰ１を有している。第１導体パッドＰ１は、配線基板１が使用されるときに、配線基板１と接続され得る外部の要素（外部要素）Ｅ１の接続パッドＥ１ｐと電気的に接続され得る。また、図１の例では、第２配線構造２０における最外の導体層２２３は、第２導体パッドＰ２を有している。第２導体パッドＰ２は、外部要素Ｅ２の接続パッドＥ２ｐと接続され得る。

【0017】

第１導体パッドＰ１は、例えば、はんだなどの接合材によって外部要素Ｅ１の接続パッドＥ１ｐに電気的及び機械的に接続され得る。外部要素Ｅ１は、特に限定されることはないが、例えば、マザーボード、又は、配線基板１よりも大きいサイズを有する任意の電子部品であり得る。すなわち、この場合、第１面１Ｆは、外部要素Ｅ１に接続される接続面である。第２導体パッドＰ２もまた、例えば、はんだなどの接合材によって外部要素Ｅ２の接続パッドＥ２ｐに電気的及び機械的に接続され得る。外部要素Ｅ２は、特に限定されることはないが、半導体素子、又は、配線基板１よりも小さいサイズを有する任意の電子部品であり得る。すなわち、この場合、第２面１Ｓは、部品が実装される部品実装面である。図１の例では、第１導体パッドＰ１は、第２導体パッドＰ２のいずれよりも大きい。外部要素Ｅ２よりも大きな外部要素Ｅ１と配線基板１とが、より大きな面積で強固に接続される場合がある。

【0018】

図１の例では、第１導体パッドＰ１は、平面視において重複する位置に配置されている複数のビア導体１３を介して、コア導体層１０２の導体パターンと接続されている。ここで、「平面視」は、配線基板１の第１主面１Ｆ又は第２主面１Ｓに垂直な方向と平行な視線で、対象物を見ることを意味している。換言すれば、図１の例では、平面視において重複する位置に配置されている複数のビア導体１３は、所謂、スタックビア導体の形態を有している。この場合、導体層１０２、１２１、１２２、１２３の導体パターン同士が比較的短い経路で接続され得る。しかし、第１導体パッドＰ１は、平面視において異なる位置に配置されている複数のビア導体１３を介して、コア導体層１０２の導体パターンと接続されていてもよい。また、図１の例では、第２導体パッドＰ２は、ビア導体２３を介して、コア導体層１０２の導体パターンと接続されている。

【0019】

図１においては図示を省略されているが、第１導体パッドＰ１及び第２導体パッドＰ２は、その表面に表面処理層を含み得る。第１導体パッドＰ１及び第２導体パッドＰ２の表面に形成され得る表面処理層は、それぞれ、例えば、第１導体パッドＰ１及び第２導体パッドＰ２の露出部分の防食処理及び／又は防錆処理によって形成される被膜である。表面処理層によって、導体パッドＰ１、Ｐ２のコア部分の腐食や酸化などが防がれ得る。表面処理層は、例えば、導体パッドＰ１、Ｐ２のコア部分とは異なる金属を含む金属被膜や、イミダゾール化合物などの有機物を含む有機被膜である。導体パッドＰ１、Ｐ２のコア部分が銅で形成されている場合、表面処理層は、ニッケル、パラジウム、銀、金、もしくはこれらの合金、又ははんだなどによって形成され得る。第１導体パッドＰ１の表面には、図２に示されるように、表面処理層Ｐ１１が形成され得る。

【0020】

配線基板１を構成する絶縁層１０１、１１１、１１２、１１３、２１１、２１２、２１３はそれぞれ、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）又はフェノール樹脂などの絶縁性樹脂を用いて形成され得る。各絶縁層１０１、１１１、１１２、１１３、２１１、２１２、２１３は、ガラス繊維などの補強材（芯材）、及び／又は、シリカ、アルミナなどの無機フィラーを含み得る。ソルダーレジスト層１１４、２１４は、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを用いて形成され得る。

【0021】

実施形態の配線基板１では、第１配線構造１０におけるソルダーレジスト層１１４は、第１導体パッドＰ１を露出させる開口１１４ａを有している。具体的には、開口１１４ａは、第１導体パッドＰ１における絶縁層１１３と反対側を向く表面（上面）及び第１導体パッドＰ１の側面全体を露出させている。すなわち、第１導体パッドＰ１は、その上面及び側面の全体が開口１１４ａ内に露出している。他方、図１の例では、第２配線構造２０におけるソルダーレジスト層２１４は、第２導体パッドＰ２の周縁部を覆っており、開口２１４ａは、第２導体パッドＰ２の周縁部以外の部分（上面の一部）のみを露出させている。しかし、第２配線構造２０におけるソルダーレジスト層２１４の開口２１４ａもまた、第１配線構造１０におけるソルダーレジスト層１１４の開口１１４ａと同様に、第２導体パッドＰ２における絶縁層２１３と反対側を向く表面（上面）及び第２導体パッドＰ２の側面全体を露出させてもよい。

【0022】

図２に示されるように、実施形態の配線基板１では、開口１１４ａの内側面は、絶縁層１１３の近傍において、開口１１４ａの内側から外側へ向かって開口１１４ａを拡張させる方向に延在する部分を有している。具体的には、開口１１４ａの内側面の絶縁層１１３との境界ａ１は、開口１１４ａの内側面における開口１１４ａの最も内側に位置する部分から、絶縁層１１３の表面（上面）に沿う方向において導体パッドＰ１から離間する方向に、離間距離Ｄ１だけ離間している。離間距離Ｄ１は、５μｍ以上、且つ、２５μｍ以下である。

【0023】

開口１１４ａの内側面における、絶縁層１１３との境界ａ１を含む部分（例えば、図示される、内側面の絶縁層１１３に近い側の部分１１４ａ１）は、第１部分１１４ａ１と称される。第１部分１１４ａ１は、例えば、上述の開口１１４ａの内側から外側へ向かって開口１１４ａを拡張させる方向に延在する部分である。開口１１４ａの内側面における、第１部分１１４ａ１よりも絶縁層１１３から遠い部分（第１部分１１４ａ１の絶縁層１１３と反対側の部分）であって、開口１１４ａの最も内側に位置する部分を含む部分（例えば、図示される、内側面における絶縁層１１３から遠い側の部分１１４ａ２）は、第２部分１１４ａ２と称される。

【0024】

ソルダーレジスト層１１４が第１導体パッドＰ１の上面及び側面を露出させる開口１１４ａを有する場合、絶縁層１１３には、例えば、絶縁層１１３とソルダーレジスト層１１４との間の熱膨張率の相違や、第１導体パッドＰ１及びソルダーレジスト層１１４にかかる外力などによって応力が生じ得る。このような場合に、応力が、絶縁層１１３の表面上におけるソルダーレジスト層１１４の開口１１４ａの内側面との接触点に集中する場合がある。集中する応力に耐え切れずに、絶縁層１１３の開口１１４ａの内側面との接触点にクラックが生じる場合がある。実施形態の配線基板では、上述のように、絶縁層１１３との境界ａ１が、第２部分１１４ａ２における開口１１４ａの最も内側に位置する部分から、第１導体パッドＰ１から離間する方向に所定の距離だけ離間している。換言すると、開口１１４ａの内側面は、絶縁層１１３近傍の第１部分１１４ａ１において、開口が広がる方向に拡張している。この構成により、絶縁層１１３の表面上における、ソルダーレジスト層１１４の開口１１４ａの内側面との接触部に集中し得る応力が緩和される場合がある。従って、絶縁層１１３におけるクラックの発生が抑制される場合がある。

【0025】

さらには、絶縁層１１３との境界ａ１の、第２部分１１４ａ２における開口１１４ａの最も内側に位置する部分から、絶縁層１１３の上面に沿う方向において離間する距離Ｄ１が、５μｍ以上、且つ、２５μｍ以下であることによって、ソルダーレジスト層１１４への応力集中も緩和され得る。すなわち、本実施形態の配線基板では、絶縁層１１３及び絶縁層１１３上のソルダーレジスト層１１４におけるクラックの発生が抑制され得る。

【0026】

絶縁層１１３との境界ａ１を含む内側面の第１部分１１４ａ１は、絶縁層１１３の開口１１４ａ内に露出する表面（開口１１４ａの底面）に対して、第１角度θ１で接している。第１角度θ１は、具体的には、開口１１４ａの内側において絶縁層１１３の上面と内側面とがなす角度である。また、内側面の第２部分１１４ａ２は、絶縁層１１３の上面となす角が第２角度θ２となる、開口１１４ａの最も内側の部分を含んでいる。具体的には、図示の例では、絶縁層１１３の上面に対して第２角度θ２を有しているのは、開口１１４ａの内側面のうち、開口１１４ａの最も内側の部分である。この開口１１４ａの最も内側の部分は、ソルダーレジスト層１１４の上面近傍において、ソルダーレジスト層１１４の厚さ方向に直線的に延在している。第１角度θ１は第２角度θ２よりも小さい。この構成により、上述された、絶縁層１１３及びソルダーレジスト層１１４に係る応力の緩和が効果的に実現され、絶縁層１１３、及び、ソルダーレジスト層１１４におけるクラックの発生が効果的に抑制され得る。

【0027】

第１角度θ１は、例えば、３０°以上、７５°以下の値を有し得る。また、例えば、第１角度θ１は、３５°以上、７０°以下であることがより好ましく、４５°以上、７０°以下であることがさらに好ましい。第２角度θ２は、例えば、略９０°である。第２角度θ２が略９０°である場合、配線基板１の第１導体パッドＰ１と外部要素Ｅ１の接続パッドＥ１ｐ（図１参照）との接続が容易になる場合があると考えられる。開口１１４ａの内側面における、離間距離Ｄ１、第１角度θ１、及び、第２角度θ２は、後述されるように、例えば、ソルダーレジスト層１１４に開口１１４ａを形成するフォトリソグラフィ工程における露光、現像の条件などによって調整され得る。

【0028】

なお、図２の例では、第１導体パッドＰ１は、導体層１２３を導体層１２２（図１参照）に接続するビア導体１３に接続されている。換言すれば、図２の例では、第１導体パッドＰ１は、所謂、ビアパッドである。第１導体パッドＰ１がビアパッドであることで、第１導体パッドＰ１に係り得る外力がビア導体１３に分散され、これにより、絶縁層１１３におけるクラックの発生がさらに抑制されることがある。しかし、第１導体パッドＰ１は、導体層１２２とビア導体１３を介して接続されていなくてもよく、第１導体パッドＰ１は、所謂独立パッドであってもよい。

【0029】

なお、図３に示される例のように、第２部分１１４ａ２に含まれる、開口１１４ａの最も内側の部分が絶縁層１１３の上面に対して有する第２角度θ２は、９０°より小さい場合があり得る。

【0030】

また、絶縁層１１３に対して第１角度θ１で接する第１部分１１４ａと、第２部分１１４ａ２における開口１１４ａの最も内側の部分とは、図２及び図３に示されるように、曲面を介して接続され得る。この構成により、開口１１４ａの内側面は、応力の集中によるクラックが比較的発生し難い構造を有することになり、よって、さらに信頼性の高い配線基板が提供される場合がある。

【0031】

実施形態の配線基板は、任意の一般的な配線基板の製造方法によって製造され得る。図１及び図４Ａ～図４Ｃなどを参照して、図１及び図２に示される配線基板１が製造される場合を例に、実施形態の配線基板の製造方法が説明される。なお、図４Ａ～図４Ｃでは、図２と同様に、図１中の部分IIの範囲に対応する部分が、上下逆にして拡大図で示されている。

【0032】

先ず、図１に示されるようなコア基板１００が用意される。コア基板１００の用意では、例えば、コア絶縁層１０１の表面に金属箔が設けられた両面銅張積層板が用意される。両面銅張積層板に貫通孔１０１ｈが例えばドリル加工によって形成され、貫通孔１０１ｈの内壁及び金属箔の上面に、例えば無電解めっき膜が形成され、この無電解めっき膜の上に、この無電解めっき膜を給電層として用いて電解めっき膜が形成される。貫通孔１０１ｈの内壁にスルーホール導体１０３が形成される。

【0033】

貫通孔１０１ｈの内壁に形成されるスルーホール導体１０３の内側は、例えばエポキシ樹脂を注入することによって、樹脂体１０４で充填される。充填された樹脂体１０４が固化された後、樹脂体１０４及び電解めっき膜の上面に、さらに無電解めっき膜及び電解めっき膜が形成される。この結果、金属箔、無電解めっき膜、電解めっき膜、無電解めっき膜、及び電解めっき膜の５層構造を有する導体層１０２が、絶縁層１０１の両面に形成される。そして、サブトラクティブ法によって導体層１０２をパターニングすることで、所定の導体パターンを備えたコア基板１００が得られる。

【0034】

次いで、図１に示されるように、コア基板１００の第１面１００Ｆ上に、複数の絶縁層１１１、導体層１２１、絶縁層１１２、導体層１２２、絶縁層１１３、及び、導体層１２３が交互に積層される。第２面１００Ｓ上には、複数の絶縁層２１１、導体層２２１、絶縁層２１２、導体層２２２、絶縁層２１３、及び、導体層２２３が交互に積層される。例えば、コア基板１００の第１面１００Ｆ上にフィルム状の絶縁性樹脂を熱圧着することによって絶縁層１１１が形成され得る。例えば、コア基板１００の第２面１００Ｓ上にフィルム状の絶縁性樹脂を熱圧着することによって絶縁層２１１が形成され得る。

【0035】

導体層１２１、２２１は、それぞれ、セミアディティブ法などの任意の導体パターンの形成方法を用いて形成され得る。導体層１２１、２２１の形成と同時に、絶縁層１１１、２１１に例えばレーザー光によって形成され得る開口を充填するビア導体１３、２３が形成される。コア基板１００の第１面１００Ｆ側では、さらに、絶縁層１１１及び導体層１２１と同様の方法により、導体層１２１上に、絶縁層１１２、導体層１２２、絶縁層１１３が形成される。コア基板１００の第２面１００Ｓ側では、さらに、絶縁層２１１及び導体層２２１と同様の方法により、導体層２２１上に、絶縁層２１２、導体層２２２、絶縁層２１３が形成される。第１面１００Ｆ側の最外の絶縁層１１３、及び、第２面１００Ｓ側の最外の絶縁層２１３が積層された状態となる。

【0036】

次いで、コア基板１００の第１面１００Ｆ側では、最外の絶縁層１１３の表面上に、第１導体パッドＰ１を含む導体層（最外の導体層）１２３が形成される。また、コア基板１００の第２面１００Ｓ側では、最外の絶縁層２１３の表面上に、第２導体パッドＰ２を含む導体層（最外の導体層）２２３が形成される。

【0037】

次いで、絶縁層１１３及び導体層１２３の表面上に、感光性膜によりソルダーレジスト層１１４が形成される。絶縁層２１３及び導体層２２３の表面上に、感光性膜によりソルダーレジスト層２１４が形成される。ソルダーレジスト層１１４、２１４は、例えば感光性のエポキシ樹脂から構成され、スプレーコーティング、カーテンコーティング、又はラミネーションなどによって形成され得る。図４Ｂに示されるように、絶縁層１１３及び導体層１２３上に形成されるソルダーレジスト層１１４によって第１導体パッドＰ１の上面及び側面が被覆された状態となる。

【0038】

次いで、ソルダーレジスト層１１４に、第１導体パッドＰ１を露出させる開口１１４ａが形成される。ソルダーレジスト層２１４には、第２導体パッドＰ２を露出させる開口２１４ａが形成される。図４Ｃに示されるように、コア基板１００の第１面１００Ｆ側においては、ソルダーレジスト層１１４の上方に、開口１１４ａ（図２参照）の形状に応じた所定のパターンを有するフィルム状のマスクＭが配置され、マスクＭを介して、ソルダーレジスト層１１４に露光光Ｌが照射される。

【0039】

ソルダーレジスト層１１４の露光では、露光光源により近い部分（ソルダーレジスト層１１４のうちの絶縁層１１３と反対側の部分）１１４Ｕと比較して、露光光源から遠い部分（ソルダーレジスト層１１４のうちの絶縁層１１３に近い部分）１１４Ｂは、露光による硬化が進行しにくい場合がある。この、ソルダーレジスト層１１４の部位による、露光における硬化の進行の相違によって、続く現像処理において、絶縁層１１３と反対側の部分１１４Ｕと比較して絶縁層１１３側の部分１１４Ｂを現像液によって多く除去させ得ることがある。露光の条件（例えば、露光光Ｌの強度、露光時間）、及び、現像における処理条件（例えば、現像液の濃度、現像処理温度）を適切に選択することで、絶縁層１１３側の部分１１４Ｂが比較的多く除去され得る。これにより、図２又は図３に示されるような形状を有する開口１１４ａを備えたソルダーレジスト層１１４が形成され得る。

【0040】

なお、図示しないが、コア基板１００の第２面１００Ｓ側のソルダーレジスト層２１４における開口２１４ａもまた、感光性膜の露光及び現像などの任意の一般的なの形成方法によって形成される。コア基板１００の第２面１００Ｓ側のソルダーレジスト層２１４がコア基板１００の第１面１００Ｆ側のソルダーレジスト層１１４と同様な形状を有する場合には、ソルダーレジスト層２１４は、上述のソルダーレジスト層１１４の形成方法と同様の方法によって形成され得る。

【0041】

第１導体パッドＰ１の表面及び側面には、表面処理層が形成され得る（表面処理層Ｐ１１、図４Ａ参照）。例えば、スプレーイングによって耐熱性の有機物を塗布することにより、イミダゾール化合物などの有機物を含む有機被膜が形成され得る。又は、例えば、無電解めっきなどによって、ニッケル、パラジウム、金などの金属を析出させることにより金属被膜が形成され得る。第２導体パッドＰ２の表面及び側面にも同様に、表面処理層が形成され得る。

【0042】

以上の製造工程を経て、図１に示される配線基板１が製造され得る。なお、ソルダーレジスト層１１４、２１４への開口１１４ａ、２１４ａの形成においては、マスクが用いられず露光光Ｌが直接ソルダーレジスト層１１４、２１４に照射される場合もあり得る。

【0043】

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示される構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。例えば、配線基板を構成する第１配線構造及び第２配線構造は任意の数の絶縁層及び導体層を有し得る。また、配線基板は、コア基板を有する態様に限定されず、コアレス基板であってよい。

【符号の説明】

【0044】

１ 配線基板
１００ コア基板
１０１ コア絶縁層
１０２ コア導体層
１０３ スルーホール導体
１１１～１１３ 絶縁層
１１４ ソルダーレジスト層
１１４ａ 開口
１１４ａ１ 第１部分
１１４ａ２ 第２部分
１２１～１２３ 導体層
１３ ビア導体
ａ１ 境界
Ｐ１ 導体パッド（第１導体パッド）
θ１ 第１角度
θ２ 第２角度

【図1】

【図2】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図4C】