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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2025007792
(43)【公開日】2025-01-17
(54)【発明の名称】配線基板
(51)【国際特許分類】
H05K 3/46 20060101AFI20250109BHJP
【ＦＩ】
H05K3/46 L
H05K3/46 B
【審査請求】未請求
【請求項の数】13
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023109421
(22)【出願日】2023-07-03
(71)【出願人】
【識別番号】000000158
【氏名又は名称】イビデン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001896
【氏名又は名称】弁理士法人朝日奈特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】桑原 雅
【テーマコード（参考）】
5E316
【Ｆターム（参考）】
5E316AA02
5E316AA22
5E316AA35
5E316AA43
5E316CC04
5E316CC05
5E316CC08
5E316CC09
5E316CC12
5E316CC13
5E316CC14
5E316CC32
5E316CC37
5E316DD17
5E316DD23
5E316DD24
5E316EE33
5E316FF07
5E316FF13
5E316FF14
5E316GG17
5E316HH11
(57)【要約】
【課題】配線基板の信頼性向上。
【解決手段】実施形態の配線基板１は、第１面１Ｆを有し、第１ビルドアップ部１０及び第２ビルドアップ部２０を含む。第１ビルドアップ部１０は、第２ビルドアップ部２０の第１面１Ｆ側に積層されていて平面視で第２ビルドアップ部２０よりも小さく、その絶縁層２１ａ内に埋め込まれている。第１ビルドアップ部１０内の導体層１２と第２ビルドアップ部２０内の導体層２２とが互いに接続されていて、第２ビルドアップ部２０は、第１ビルドアップ部１０と重なる領域とその外側の領域とに渡って形成されている配線２２ｗを含む。第１ビルドアップ部１０内の配線１２ｆの最小配線幅は第２ビルドアップ部２０内の配線２２ａの最小配線幅よりも小さく且つ３μｍ以下であり、配線１２ｆ同士の最小間隔は配線２２ａ同士の最小間隔よりも小さく且つ３μｍ以下であり、配線１２ｆのアスペクト比は２．０以上、４．０以下である。
【選択図】図１
【解決手段】実施形態の配線基板１は、第１面１Ｆを有し、第１ビルドアップ部１０及び第２ビルドアップ部２０を含む。第１ビルドアップ部１０は、第２ビルドアップ部２０の第１面１Ｆ側に積層されていて平面視で第２ビルドアップ部２０よりも小さく、その絶縁層２１ａ内に埋め込まれている。第１ビルドアップ部１０内の導体層１２と第２ビルドアップ部２０内の導体層２２とが互いに接続されていて、第２ビルドアップ部２０は、第１ビルドアップ部１０と重なる領域とその外側の領域とに渡って形成されている配線２２ｗを含む。第１ビルドアップ部１０内の配線１２ｆの最小配線幅は第２ビルドアップ部２０内の配線２２ａの最小配線幅よりも小さく且つ３μｍ以下であり、配線１２ｆ同士の最小間隔は配線２２ａ同士の最小間隔よりも小さく且つ３μｍ以下であり、配線１２ｆのアスペクト比は２．０以上、４．０以下である。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１面及び前記第１面と反対側の第２面を有し、
交互に積層されている絶縁層及び導体層を含む第１ビルドアップ部と、
交互に積層されている絶縁層及び導体層とビア導体とを含む第２ビルドアップ部と、
を含む配線基板であって、
前記第１ビルドアップ部は前記第２ビルドアップ部の前記第１面側に積層されており、
前記第１ビルドアップ部は、平面視で前記第２ビルドアップ部よりも小さく、且つ、前記第２ビルドアップ部の絶縁層内に埋め込まれており、
前記第１ビルドアップ部内の導体層と前記第２ビルドアップ部内の導体層とが前記ビア導体で互いに接続されており、
前記第２ビルドアップ部は、前記第１ビルドアップ部と重なる領域と前記領域の外側の領域とに渡って形成されていて前記ビア導体と接続されている配線を含み、
前記第１ビルドアップ部の前記第１面側の表面は、前記第１面に露出していて、前記配線基板の使用時に搭載部品に覆われる１以上の部品領域を含み、
前記第１ビルドアップ部に含まれる配線の最小の配線幅は、前記第２ビルドアップ部に含まれる配線の最小の配線幅よりも小さく、且つ３μｍ以下であり、
前記第１ビルドアップ部に含まれる配線同士の最小の間隔は、前記第２ビルドアップ部に含まれる配線同士の最小の間隔よりも小さく、且つ３μｍ以下であり、
前記第１ビルドアップ部に含まれる配線のアスペクト比は２．０以上、４．０以下である。
交互に積層されている絶縁層及び導体層を含む第１ビルドアップ部と、
交互に積層されている絶縁層及び導体層とビア導体とを含む第２ビルドアップ部と、
を含む配線基板であって、
前記第１ビルドアップ部は前記第２ビルドアップ部の前記第１面側に積層されており、
前記第１ビルドアップ部は、平面視で前記第２ビルドアップ部よりも小さく、且つ、前記第２ビルドアップ部の絶縁層内に埋め込まれており、
前記第１ビルドアップ部内の導体層と前記第２ビルドアップ部内の導体層とが前記ビア導体で互いに接続されており、
前記第２ビルドアップ部は、前記第１ビルドアップ部と重なる領域と前記領域の外側の領域とに渡って形成されていて前記ビア導体と接続されている配線を含み、
前記第１ビルドアップ部の前記第１面側の表面は、前記第１面に露出していて、前記配線基板の使用時に搭載部品に覆われる１以上の部品領域を含み、
前記第１ビルドアップ部に含まれる配線の最小の配線幅は、前記第２ビルドアップ部に含まれる配線の最小の配線幅よりも小さく、且つ３μｍ以下であり、
前記第１ビルドアップ部に含まれる配線同士の最小の間隔は、前記第２ビルドアップ部に含まれる配線同士の最小の間隔よりも小さく、且つ３μｍ以下であり、
前記第１ビルドアップ部に含まれる配線のアスペクト比は２．０以上、４．０以下である。
【請求項2】
請求項１記載の配線基板であって、前記第１ビルドアップ部に含まれる導体層の前記第２面側の表面は研磨面である。
【請求項3】
請求項１記載の配線基板であって、さらに、前記第２ビルドアップ部の前記第２面側に、絶縁層及び導体層を含む第３ビルドアップ部を含んでおり、
前記第３ビルドアップ部は、前記第３ビルドアップ部に含まれる導体層と前記第２ビルドアップ部に含まれる導体層とを接続するビア導体を含んでいる。
前記第３ビルドアップ部は、前記第３ビルドアップ部に含まれる導体層と前記第２ビルドアップ部に含まれる導体層とを接続するビア導体を含んでいる。
【請求項4】
請求項３記載の配線基板であって、前記第３ビルドアップ部に含まれる絶縁層が芯材を含んでいる。
【請求項5】
請求項４記載の配線基板であって、前記芯材がガラス繊維である。
【請求項6】
請求項１記載の配線基板であって、前記第１ビルドアップ部に含まれる配線の厚さは７μｍ以下であり、前記第２ビルドアップ部に含まれる配線の厚さは１０μｍ以上である。
【請求項7】
請求項１記載の配線基板であって、
前記第１ビルドアップ部は、前記第１ビルドアップ部の前記絶縁層を貫通するビア導体を含み、
前記第１ビルドアップ部に含まれる前記ビア導体及び前記第２ビルドアップ部に含まれる前記ビア導体は、それぞれ、前記第２面から前記第１面に向かって縮径する形状を有している。
前記第１ビルドアップ部は、前記第１ビルドアップ部の前記絶縁層を貫通するビア導体を含み、
前記第１ビルドアップ部に含まれる前記ビア導体及び前記第２ビルドアップ部に含まれる前記ビア導体は、それぞれ、前記第２面から前記第１面に向かって縮径する形状を有している。
【請求項8】
請求項１記載の配線基板であって、前記第１ビルドアップ部に含まれる前記ビア導体のアスペクト比は、０．５以上、１．０以下である。
【請求項9】
請求項１記載の配線基板であって、
前記第１ビルドアップ部に含まれる導体層、及び前記第２ビルドアップ部に含まれる導体層は、第１金属膜、及び前記第１金属膜における前記第２面側に形成されている第２金属膜を含んでおり、
前記第１ビルドアップ部に含まれる前記第１金属膜はスパッタリング膜であり、
前記第２ビルドアップ部に含まれる前記第１金属膜は無電解めっき膜である。
前記第１ビルドアップ部に含まれる導体層、及び前記第２ビルドアップ部に含まれる導体層は、第１金属膜、及び前記第１金属膜における前記第２面側に形成されている第２金属膜を含んでおり、
前記第１ビルドアップ部に含まれる前記第１金属膜はスパッタリング膜であり、
前記第２ビルドアップ部に含まれる前記第１金属膜は無電解めっき膜である。
【請求項10】
請求項１記載の配線基板であって、前記第１ビルドアップ部において各導体層は前記第１面側の絶縁層内に埋め込まれている。
【請求項11】
請求項１記載の配線基板であって、前記第１ビルドアップ部は、前記表面を構成する絶縁層に埋め込まれて一面を前記表面に露出する部品搭載パッドを含んでいる。
【請求項12】
請求項１記載の配線基板であって、さらに、前記第２ビルドアップ部に含まれる絶縁層よりも剛性の高い材料で形成されていて平面視で前記第１ビルドアップ部の外側に配置されている固形部材を備えている。
【請求項13】
請求項１記載の配線基板であって、
前記第１ビルドアップ部に含まれる絶縁層、及び前記第２ビルドアップ部に含まれる絶縁層は、それぞれ無機フィラーを含んでおり、
前記第１ビルドアップ部に含まれる無機フィラーの最大粒径は、前記第２ビルドアップ部に含まれる無機フィラーの最大粒径よりも小さい。
前記第１ビルドアップ部に含まれる絶縁層、及び前記第２ビルドアップ部に含まれる絶縁層は、それぞれ無機フィラーを含んでおり、
前記第１ビルドアップ部に含まれる無機フィラーの最大粒径は、前記第２ビルドアップ部に含まれる無機フィラーの最大粒径よりも小さい。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は配線基板に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、ビルドアップ配線層からなる第二配線基板と、第二配線基板に形成される配線パターンよりも微細な配線パターンを含んでいて第二配線基板に接合された第一配線基板とを備える配線基板が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２０－４９２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献１に開示の配線基板では、第一配線基板と第二配線基板とは、はんだバンプを介して接続されている。温度変化による熱応力によってはんだバンプにクラックなどが生じて配線基板の十分な接続信頼性が得られないことがある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明の配線基板は、第１面及び前記第１面と反対側の第２面を有し、交互に積層されている絶縁層及び導体層を含む第１ビルドアップ部と、交互に積層されている絶縁層及び導体層とビア導体とを含む第２ビルドアップ部と、を含んでいる。そして、前記第１ビルドアップ部は前記第２ビルドアップ部の前記第１面側に積層されており、前記第１ビルドアップ部は、平面視で前記第２ビルドアップ部よりも小さく、且つ、前記第２ビルドアップ部の絶縁層内に埋め込まれており、前記第１ビルドアップ部内の導体層と前記第２ビルドアップ部内の導体層とが前記ビア導体で互いに接続されており、前記第２ビルドアップ部は、前記第１ビルドアップ部と重なる領域と前記領域の外側の領域とに渡って形成されていて前記ビア導体と接続されている配線を含み、前記第１ビルドアップ部の前記第１面側の表面は、前記第１面に露出していて、前記配線基板の使用時に搭載部品に覆われる１以上の部品領域を含み、前記第１ビルドアップ部に含まれる配線の最小の配線幅は、前記第２ビルドアップ部に含まれる配線の最小の配線幅よりも小さく、且つ３μｍ以下であり、前記第１ビルドアップ部に含まれる配線同士の最小の間隔は、前記第２ビルドアップ部に含まれる配線同士の最小の間隔よりも小さく、且つ３μｍ以下であり、前記第１ビルドアップ部に含まれる配線のアスペクト比は２．０以上、４．０以下である。
【0006】
本発明の実施形態によれば、配線密度の異なる複数の導体層を含む配線基板の信頼性を高め得ることがある。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。
【図6A】実施形態の配線基板の製造中の状態の一例を示す断面図。
【図6B】実施形態の配線基板の製造中の状態の一例を示す断面図。
【図6C】実施形態の配線基板の製造中の状態の一例を拡大して示す断面図。
【図6D】実施形態の配線基板の製造中の状態の一例を拡大して示す断面図。
【図6E】実施形態の配線基板の製造中の状態の一例を拡大して示す断面図。
【図6F】実施形態の配線基板の製造中の状態の一例を示す断面図。
【図6G】実施形態の配線基板の製造中の状態の一例を示す断面図。
【図7】実施形態の配線基板の製造中の状態の一例を示す平面図。
【図8A】実施形態の配線基板の製造中の状態の一例を示す断面図。
【図8B】実施形態の配線基板の製造中の状態の一例を示す断面図。
【図8C】実施形態の配線基板の製造中の状態の一例を示す断面図。
【図8D】実施形態の配線基板の製造中の状態の一例を示す断面図。
【図8E】実施形態の配線基板の製造中の状態の一例を示す断面図。
【図8F】実施形態の配線基板の製造中の状態の一例を示す断面図。
【図9】実施形態の配線基板の製造中の状態の一例を示す平面図。
【図10A】実施形態の配線基板の製造中の状態の他の例を拡大して示す断面図。
【図10B】実施形態の配線基板の製造中の状態の他の例を拡大して示す断面図。
【図10C】実施形態の配線基板の製造中の状態の他の例を拡大して示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【0008】
＜実施形態の配線基板の構造＞
一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１には、一実施形態の配線基板の一例である配線基板１の断面図が示されている。図２には、図１の配線基板１の平面図として、配線基板１の平面視における外観の一例が示されている。図１は、図２のＩ－Ｉ線を通る切断線による断面図である。さらに、図３には図１のIII部の拡大図が示されている。「平面視」は、配線基板１の厚さ方向に沿う視線で対象物を見ることを意味している。なお、配線基板１は本実施形態の配線基板の一例に過ぎない。本実施形態の配線基板における導体層及び絶縁層それぞれの数や厚さ、並びに各導体層に含まれる導体パターンは、図１の配線基板１に含まれる導体層及び絶縁層それぞれの数や厚さ、並びに導体パターンに限定されない。また、以下の説明で参照される各図面では、開示される実施形態が理解され易いように特定の部分が拡大して描かれていることがあり、大きさや長さに関して、各構成要素が互いの間の正確な比率で描かれていない場合がある。
一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１には、一実施形態の配線基板の一例である配線基板１の断面図が示されている。図２には、図１の配線基板１の平面図として、配線基板１の平面視における外観の一例が示されている。図１は、図２のＩ－Ｉ線を通る切断線による断面図である。さらに、図３には図１のIII部の拡大図が示されている。「平面視」は、配線基板１の厚さ方向に沿う視線で対象物を見ることを意味している。なお、配線基板１は本実施形態の配線基板の一例に過ぎない。本実施形態の配線基板における導体層及び絶縁層それぞれの数や厚さ、並びに各導体層に含まれる導体パターンは、図１の配線基板１に含まれる導体層及び絶縁層それぞれの数や厚さ、並びに導体パターンに限定されない。また、以下の説明で参照される各図面では、開示される実施形態が理解され易いように特定の部分が拡大して描かれていることがあり、大きさや長さに関して、各構成要素が互いの間の正確な比率で描かれていない場合がある。
【0009】
図１及び図２に示されるように、配線基板１は、積層されている第１ビルドアップ部１０及び第２ビルドアップ部２０を含んでいる。配線基板１は、配線基板１の厚さ方向と直交する２つの表面（第１面１Ｆ及び第１面１Ｆと反対側の第２面１Ｂ）を有している。第１ビルドアップ部１０は、平面視で全体的に第２ビルドアップ部２０と重なっている。第２ビルドアップ部２０は、平面視で部分的に第１ビルドアップ部１０と重なっている。第１ビルドアップ部１０は、平面視で第２ビルドアップ部２０よりも小さい。第１ビルドアップ部１０は、第２ビルドアップ部２０のうちの第１ビルドアップ部１０と重なっている部分よりも配線基板１の第１面１Ｆ側に位置している。すなわち、第１ビルドアップ部１０は第２ビルドアップ部２０の第１面１Ｆ側に積層されている。図１の配線基板１は、さらに、第２ビルドアップ部２０における配線基板１の第２面１Ｂ側に積層されている第３ビルドアップ部３０と、第３ビルドアップ部３０の表面を覆うソルダーレジスト４０と、を含んでいる。本実施形態の配線基板は、好ましくは、図１の配線基板１のように、コア層を含まないコアレス配線基板である。
【0010】
なお、本実施形態の配線基板１の説明において、配線基板１の第１面１Ｆ側は、「上」、又は「上側」とも称され、配線基板１の第２面１Ｂ側は、「下」、又は「下側」とも称される。また、各構成要素において配線基板１の第１面１Ｆ側を向く表面は「上面」とも称され、配線基板１の第２面１Ｂ側を向く表面は「下面」とも称される。
【0011】
第１ビルドアップ部１０は、配線基板１の第１面１Ｆ側の表面である第１面１０Ｆ及び第１面１０Ｆと反対側の表面である第２面１０Ｂと、を有している。第１ビルドアップ部１０は、交互に積層されている導体層１２及び絶縁層１１、並びに各絶縁層１１を貫通するビア導体１３を含んでいる。第１ビルドアップ部１０は、さらに、第１ビルドアップ部１０における最も配線基板１の第１面１Ｆ側の導体層である導体層１２ａを含んでいる。各導体層１２及び導体層１２ａは、それぞれ、任意の導体パターンを含んでいる。導体層１２ａは、第１ビルドアップ部１０における最も配線基板１の第１面１Ｆ側の絶縁層１１に埋め込まれて上面を第１面１０Ｆに露出している。露出している導体層１２ａの上面と、第１ビルドアップ部１０における最も配線基板１の第１面１Ｆ側の絶縁層１１の上面とによって、第１ビルドアップ部１０の第１面１０Ｆが構成されている。
【0012】
各導体層１２は、それぞれの上側に隣接する絶縁層１１の下面に形成されている。また、各絶縁層１１は、それぞれの上側に隣接する絶縁層１１の下面のうち導体層１２に覆われていない部分を覆うと共に、その下面を覆っている導体層１２の各導体パターンの下面及び側面を覆っている。各ビア導体１３は、各ビア導体１３を含む絶縁層１１それぞれの下側の導体層１２と、上側の導体層１２又は導体層１２ａとを接続している。各ビア導体１３は、それぞれ、配線基板１の第２面１Ｂ側において接している導体層１２と一体的に形成されている。
【0013】
第２ビルドアップ部２０は、配線基板１の第１面１Ｆ側の表面である第１面２０Ｆ及び第１面２０Ｆと反対側の表面である第２面２０Ｂを有している。第２ビルドアップ部２０は、交互に積層されている導体層２２及び絶縁層２１、並びに各絶縁層２１を貫通するビア導体２３を含んでいる。第２ビルドアップ部２０は、さらに、第２ビルドアップ部２０の最も第１面２０Ｆ側の絶縁層である絶縁層２１ａ、及び絶縁層２１ａを貫通するビア導体２３ａを含んでいる。各導体層２２は、それぞれの上側に隣接する絶縁層２１又は絶縁層２１ａの下面に形成されている。また、各絶縁層２１は、それぞれの上側に隣接する絶縁層２１又は絶縁層２１ａの下面のうち導体層２２に覆われていない部分を覆うと共に、その下面を覆っている導体層２２の各導体パターンの下面及び側面を覆っている。
【0014】
第２ビルドアップ部２０の各導体層２２は任意の導体パターンを含んでいる。図１及び図２の例において、第２ビルドアップ部２０内の最も第１ビルドアップ部１０側の導体層２２は、配線２２ｗを含んでいる。配線２２ｗは、平面視で第１ビルドアップ部１０と重なる領域とその外側の領域（すなわち第１ビルドアップ部１０の外側の領域）とに渡って形成されている。配線２２ｗは、ビア導体２３ａを介して第１ビルドアップ部１０の各導体層１２及び導体層１２ａと接続されている。
【0015】
各ビア導体２３は、各ビア導体２３が含まれる絶縁層２１それぞれの下側の導体層２２と、上側の導体層２２とを接続している。ビア導体２３ａは、後述されるように導体層１２と導体層２２とを接続している。各ビア導体２３、及びビア導体２３ａは、それぞれ、配線基板１の第２面１Ｂ側において接している導体層２２と一体的に形成されている。絶縁層２１ａにおける配線基板１の第１面１Ｆ側の表面によって、第２ビルドアップ部２０の第１面２０Ｆが構成されている。一方、第２ビルドアップ部２０の第２面２０Ｂは、第２ビルドアップ部２０における最も配線基板１の第２面１Ｂ側の絶縁層２１及び導体層２２それぞれの下面によって構成されている。第２ビルドアップ部２０の第２面２０Ｂは、第３ビルドアップ部３０における配線基板１の第１面１Ｆ側の表面（上面）と対向している。
【0016】
第１ビルドアップ部１０は、第２ビルドアップ部２０の絶縁層２１ａ内に埋め込まれて、第１面１０Ｆを配線基板１の第１面１Ｆに露出している。第１ビルドアップ部１０は、平面視において、第２ビルドアップ部２０に（具体的には絶縁層２１ａに）、その周囲を囲まれている。第１ビルドアップ部１０の第１面１０Ｆと第２ビルドアップ部２０の第１面２０Ｆとによって配線基板１の第１面１Ｆが構成されている。第１ビルドアップ部１０の第１面１０Ｆは、配線基板１の使用時に搭載部品（図１の例において部品Ｅ１及び部品Ｅ２）に覆われる１以上の部品領域（図１の例において部品領域Ｅａ１及び部品領域Ｅａ２）を含んでいる。すなわち、配線基板１の第１面１Ｆは、配線基板１の部品搭載面である。
【0017】
そのため、第１ビルドアップ部１０は、導体層１２ａに、導体パッドからなる部品搭載パッド１２ｐを含んでいる。部品搭載パッド１２ｐは、第１ビルドアップ部１０の第１面１０Ｆを構成する絶縁層１１に埋め込まれて一面を第１面１０Ｆに露出している。部品搭載パッド１２ｐの露出面は、例えば、はんだなどの導電性の接合材（図示せず）によって搭載部品の電極と接続され得る。部品搭載パッド１２ｐの露出面には、例えばニッケル、パラジウム、及び金などを含むめっき層などからなる表面処理層（図示せず）が形成されていてもよい。第１ビルドアップ部１０内の導体層１２には、隣り合う部品領域Ｅａ１と部品領域Ｅａ２とを接続する配線１２ｗのような導体パターンが形成されていてもよい。実施形態の配線基板の使用時に、図１の部品Ｅ１、Ｅ２のような搭載部品同士が短い経路で電気的に接続されると考えられる。
【0018】
配線基板１に搭載され得る部品Ｅ１、Ｅ２としては、例えば、半導体集積回路装置やトランジスタなどの能動部品のような電子部品が例示される。幾つかの例として、部品Ｅ１、Ｅ２は、ロジックチップなどの集積回路装置、又は、ＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ Ｕｎｉｔ）などのような処理装置や、ＨＢＭ（Ｈｉｇｈ Ｂａｎｄｗｉｄｔｈ Ｍｅｍｏｒｙ）のようなメモリ装置などであり得る。
【0019】
一方、第１ビルドアップ部１０の第２面１０Ｂ及び側面は、第２ビルドアップ部２０の絶縁層２１ａに覆われている。第１ビルドアップ部１０内の最も第２ビルドアップ部２０側（すなわち、最も配線基板１の第２面１Ｂ側）の導体層１２と第２ビルドアップ部２０内の最も第１ビルドアップ部１０側の導体層２２とが、第２ビルドアップ部２０内のビア導体２３ａで互いに接続されている。第１ビルドアップ部１０の第２面１０Ｂは、ビア導体２３ａの上面と対向している。
【0020】
第３ビルドアップ部３０は、積層されている絶縁層３１、導体層３２、及びビア導体３３を含んでいる。導体層３２は、導体パッド３２ｐのような、任意の導体パターンを含んでいる。ビア導体３３は、導体層３２と第２ビルドアップ部２０に含まれる導体層２２のうちの最も第２面２０Ｂ側の導体層２２とを接続している。ビア導体３３は、導体層３２と一体的に形成されている。
【0021】
ソルダーレジスト４０は、絶縁層３１及び導体層３２それぞれにおける配線基板１の第２面１Ｂ側の表面上に形成されている。ソルダーレジスト４０には開口４１が形成され、開口４１からは第３ビルドアップ部３０が有する導体パッド３２ｐが露出している。ソルダーレジスト４０は、例えば、感光性のポリイミド樹脂やエポキシ樹脂を用いて形成されている。
【0022】
図１の例では、配線基板１の第２面１Ｂは、ソルダーレジスト４０における配線基板１の第２面側１Ｂ側の表面及びソルダーレジスト４０から露出する導体層３２の露出面からなる。本実施形態の配線基板は、必ずしも第３ビルドアップ部３０及び／又はソルダーレジスト４０を含まない。第３ビルドアップ部３０を含まない実施形態の配線基板の第２面１Ｂは、第２ビルドアップ部２０の第２面２０Ｂ、又は、ソルダーレジスト４０及び第２ビルドアップ部２０の第２面２０Ｂにおけるソルダーレジスト４０からの露出部からなる。
【0023】
配線基板１の第２面１Ｂは、外部の配線基板（例えば任意の電気機器のマザーボード）などの外部要素に配線基板１自体が実装される場合に、外部要素に接続される接続面であり得る。図１の例において第３ビルドアップ部３０の導体パッド３２ｐは、任意の基板、電気部品、又は機構部品などと接続され得る。
【0024】
第１ビルドアップ部１０の絶縁層１１、第２ビルドアップ部２０の絶縁層２１、２１ａ、及び第３ビルドアップ部３０の絶縁層３１は、例えば、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、及びフェノール樹脂などの熱硬化性の絶縁性樹脂を用いて形成され得る。絶縁層１１、２１、２１ａ、３１は、フッ素樹脂、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、フッ化エチレン樹脂（ＰＴＦＥ）、ポリエステル樹脂（ＰＥ）、又は、変性ポリイミド樹脂（ＭＰＩ）などの熱可塑性の絶縁性樹脂を用いて形成されていてもよい。絶縁層１１、２１、２１ａ、３１は、互いに同じ絶縁性樹脂を含んでいてもよく、互いに異なる絶縁性樹脂を含んでいてもよい。また、第１ビルドアップ部１０及び第２ビルドアップ部２０が、それぞれの内部に、互いに異なる絶縁性樹脂を含む絶縁層を含んでいてもよい。
【0025】
絶縁層１１、２１、２１ａ、３１は、ガラス繊維などからなる芯材（補強材）を含んでいてもよい。図１の例では、絶縁層３１は芯材３１ａを含んでいる。芯材３１ａによって配線基板１に適度な剛性を付与し得ることがある。芯材３１ａは、例えば、ガラス繊維又はアラミド繊維であり得る。一方、ガラス繊維のような芯材を含まない各絶縁層は、その表面への微細な配線の形成を容易にしたり、導体層との密着性を高めたりすることがある。図１の例において、第１ビルドアップ部１０又は第２ビルドアップ部２０の絶縁層１１、２１、２１ａは芯材を含んでいない。
【0026】
図１では省略されているが、絶縁層１１、２１、２１ａ、３１は、さらに、シリカ（ＳｉＯ2）、アルミナ、又はムライトなどの微粒子からなる無機フィラーを含み得る。図３に示されるように、配線基板１において、第１ビルドアップ部１０に含まれる絶縁層１１は無機フィラー１１ｆを含み、第２ビルドアップ部２０に含まれる絶縁層２１、２１ａは、いずれも、無機フィラー２１ｆを含んでいる。図３の例において第１ビルドアップ部１０に含まれる無機フィラー１１ｆの最大粒径は、第２ビルドアップ部２０に含まれる無機フィラー２１ｆの最大粒径よりも小さい。なお、無機フィラー１１ｆ、２１ｆそれぞれの「粒径」は、各無機フィラーの表面上の２点間の最長距離である。例えば、絶縁層１１は、１μｍ以下の最大粒径を有する複数の無機フィラー１１ｆを含み得る。
【0027】
各絶縁層に含まれる無機フィラーの粒径が小さいと、各絶縁層に接する導体層において、微細な間隔で並ぶ配線同士の間であっても、無機フィラーに沿ったリーク経路などによる短絡不良が生じ難いことがある。また、ビア導体１３のような微小なビア導体の形成が容易なことがある。より粒径の小さい無機フィラー１１ｆを含む第１ビルドアップ部１０は、配線間の絶縁性に関する良好な信頼性を有し、且つ微細なピッチで並ぶ配線を含み得る。
【0028】
第１ビルドアップ部１０の導体層１２、１２ａ及びビア導体１３、第２ビルドアップ部２０の導体層２２及びビア導体２３、２３ａ、並びに、第３ビルドアップ部３０の導体層３２及びビア導体３３は、適切な導電性を有する、例えば銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成され得る。図１では、これら各導体層及び各ビア導体は単層で描かれているが、各導体層及び各ビア導体は、図３に示される導体層１２、導体層２２、及びビア導体１３のように、それぞれ、多層構造を有し得る。
【0029】
図３の例では、導体層１２、１２ａ、及びビア導体１３は、配線基板１の第１面１Ｆ側に位置する第１金属膜１２α、及び第１金属膜１２αにおける配線基板１の第２面１Ｂ側（図１参照）に形成されていて第１金属膜１２αに積層されている第２金属膜１２βを含んでいる。同様に導体層２２（及び、図３には示されていないビア導体２３、２３ａ）は、第１金属膜２２α、及び第１金属膜２２αにおける配線基板１の第２面１Ｂ側に形成されている第２金属膜２２βを含んでいる。第１金属膜１２α、２２αは、例えば、スパッタリング膜又は無電解めっき膜からなり、第２金属膜１２β、２２βは、一例として電解めっき膜からなる。第１金属膜１２α、２２αがスパッタリング膜からなる場合、図示されていないが、第１金属膜１２α、２２αは、それぞれ、一例として、第１面１Ｆ側の銅合金からなる第１膜と、第２面１Ｂ側の略銅からなる第２膜とを含み得る。
【0030】
一例として、第１ビルドアップ部１０に含まれる第１金属膜１２αがスパッタリング膜であり、第２ビルドアップ部２０に含まれる第１金属膜２２αが無電解めっき膜であってもよい。第１ビルドアップ部１０において絶縁層１１と導体層１２との密着強度が十分に高いことがある。また、第２ビルドアップ部２０の形成において導体層２２の形成が容易なことがある。
【0031】
一方、図３の例において導体層１２ａは、単一の層のみを有しており、例えば電解めっき膜であり得る。図３には示されていないが、導体層３２及びビア導体３３は、それぞれ、導体層２２の第１金属膜２２αと同様の材料からなる層と、第２金属膜２２βと同様の材料からなる層とを有し得る。導体層３２は、さらに、これら２つの層よりも絶縁層３１側に位置する金属箔からなる層を含んでいてもよい。
【0032】
ビア導体１３、２３、２３ａ、３３は、これら各ビア導体が形成される絶縁層それぞれを貫く貫通孔を導電体で埋めることによって形成されている。ビア導体１３、２３、２３ａ、３３は、いずれも、配線基板１の第２面１Ｂから第１面１Ｆに向かって縮径するテーパー形状を有している。ビア導体１３、２３、２３ａ、３３が、このようなテーパー形状を有しているので、部品搭載面であり得る第１面１Ｆ側の導体層ほど、微細なピッチで並ぶ配線を含み得ることがある。なお、便宜上、「縮径」という文言が用いられているが、ビア導体１３、２３、２３ａ、３３それぞれにおける配線基板１の積層方向と直交する断面（水平断面）の形状は、必ずしも円形に限定されない。「縮径」は、単に、各ビア導体の水平断面における外周上の最長の２点間の距離（以下では、この距離は各ビア導体の「幅」とも称される）が小さくなることを意味している。
【0033】
第１ビルドアップ部１０に含まれるビア導体１３は、一例として、０．５以上、１．０以下のアスペクト比（ビア導体１３が接続する下側の導体層１２の上面と、上側の導体層１２又は導体層１２ａの下面との間の距離／下側の導体層１２の上面におけるビア導体１３の幅）を有する。第１ビルドアップ部１０が、微細なピッチで並ぶ配線を含むと共に、断線し難く低い導体抵抗を有するビア導体１３を含み得ることがある。ビア導体１３におけるそれぞれの下側の導体層１２の上面での幅は、一例として１０μｍ程度である。
【0034】
図３に示されるように、配線基板１の第１ビルドアップ部１０は、導体層１２に、配線基板１に含まれる配線のうちで比較的微細なピッチで並ぶ配線１２ｆを含んでいる。配線１２ｆは、配線基板１に含まれる配線のうちで比較的高い密度で配置されている。一方、第２ビルドアップ部２０は、導体層２２に配線２２ａを含んでいる。
【0035】
配線基板１では、第１ビルドアップ部１０に含まれる配線１２ｆの配線幅Ｗ１のうちの最小の配線幅は、第２ビルドアップ部２０に含まれる配線２２ａの配線幅Ｗ２のうちの最小の配線幅よりも小さい。配線１２ｆの最小の配線幅は、１μｍ以上、３μｍ以下程度である。また、第１ビルドアップ部１０に含まれる配線１２ｆ同士の間隔Ｇ１のうちの最小の間隔は、第２ビルドアップ部２０に含まれる配線２２ａ同士の間隔Ｇ２のうちの最小の間隔よりも小さい。配線１２ｆ同士の最小の間隔は、１μｍ以上、３μｍ以下程度である。
【0036】
第１ビルドアップ部１０がこのような微細なピッチで並ぶ配線１２ｆを有しているので、第１ビルドアップ部１０内の配線によって搬送される電気信号に対応した、より適切な特性を有する配線が提供されることがある。また、第１ビルドアップ部１０内における配線の密度が高く、よって小型の配線基板１が得られることがある。
【0037】
さらに、本実施形態の配線基板１において、第１ビルドアップ部１０に含まれる配線１２ｆのアスペクト比は２．０以上、４．０以下である。このようなアスペクト比を有する配線１２ｆは、小さな配線幅の割に低い導体抵抗を有し得るので、挿入損失の低い信号伝送路となり得る。例えば配線基板１に搭載される部品同士の間で少ない伝送損失で信号を伝播させ得ることがある。また、所望の特性インピーダンスが得られ易く、よって、さらに挿入損失を低減し得ることがある。
【0038】
第１ビルドアップ部１０の導体層１２が含む配線１２ｆは、配線基板１に含まれる配線のうちで最も小さい配線幅を有していてもよく、隣り合う配線１２ｆ同士は、配線基板１において隣り合っている配線同士のうちで最も小さい間隔で並んでいてもよい。第１ビルドアップ部１０を構成する導体層１２のうち１以上の任意の数の導体層が、配線基板１において最も小さい配線幅を有していて最も小さい間隔で並ぶ一組以上の配線を含み得る。
【0039】
本実施形態の配線基板１は、このように最小配線幅及び最小配線間隔が互いに異なる導体層、すなわち、互いに異なる配線ルールで設計された導体層によってそれぞれが構成されている第１ビルドアップ部１０と第２ビルドアップ部２０とを含んでいる。そして、前述したように、第１ビルドアップ部１０と第２ビルドアップ部２０とは、ビア導体２３ａで互いに接続されている。ビア導体２３ａは、前述したように第２ビルドアップ部２０内の導体層２２と一体的に形成されている。さらに、ビア導体２３ａは、第１ビルドアップ部１０の導体層１２と、例えば銅のような同種の金属で形成され得る。そのため、前述した特許文献１の第一配線基板と第二配線基板との間の接続信頼性に比べて第１ビルドアップ部１０と第２ビルドアップ部２０との接続信頼性は高いと考えられる。従って、実施形態によれば、配線密度の異なる複数の導体層を含む配線基板の信頼性を高め得ることがある。
【0040】
また、本実施形態の配線基板１において微細なピッチで並ぶ配線１２ｆを含む第１ビルドアップ部１０は、前述したように、搭載部品に覆われる部品領域（図１において部品Ｅ１、Ｅ２にそれぞれ覆われる部品領域Ｅａ１、Ｅａ２）を含み、且つ、平面視で第２ビルドアップ部２０よりも小さい。すなわち、微細な配線を含む導体層を、配線基板１の全面ではなく、微細な配線を必要とし易い部品領域に限定的に備えている。製造の難易度が高い微細な配線を含む導体層が、配線基板１の全面ではなく限定的な領域だけに設けられているので、必要な微細配線を含みながら良好な製造歩留まりが得られると推察される。さらに、使用開始後のマイグレーションなどによる不具合の発生も限定的になり、よってその信頼性及び市場品質も高いと推察される。
【0041】
また、図１及び図２の例の配線基板１では、複数の部品搭載パッド１２ｐの一部は、ビア導体１３及びビア導体２３ａを介して第２ビルドアップ部２０の配線２２ｗと接続されている。さらに配線２２ｗは、ビア導体２３及びビア導体３３を介して導体パッド３２ｐに接続されている。すなわち、部品搭載パッド１２ｐと導通している導体パターンが、平面視で第１ビルドアップ部１０の外側の領域に引き出されて、部品搭載面である第１面１Ｆの反対面である第２面１Ｂ上のパッドに接続されている。
【0042】
平面視で第１ビルドアップ部１０よりも大きい第２ビルドアップ部２０及び第３ビルドアップ部３０には、第１ビルドアップ部１０の部品搭載パッド１２ｐよりも大きなピッチで、導体パッド３２ｐのような導体パッドを設けることができる。従って、第１ビルドアップ部１０内の部品搭載パッド１２ｐに繋がる導電路を、配線２２ｗなどによって、第２ビルドアップ部２０及び第３ビルドアップ部３０までファンアウトすることができる。このように、図１及び図２の例の配線基板１では、限定的な領域（第１ビルドアップ部１０）だけに特に微細な配線を含みながら、その他の領域（少なくとも第２ビルドアップ部２０）を用いて、微細なピッチで並ぶ部品搭載パッド１２ｐをファンアウトすることができる。配線基板１の第２面１Ｂと接続されるマザーボードなどとして、ラフな配線ルールで設計された、安価で製造の容易な配線基板の採用が可能になることがある。
【0043】
配線基板１において配線１２ｆのような、第１ビルドアップ部１０に含まれる配線の厚さは、例えば４μｍ以上であって、７μｍ以下であり得る。製造時のエッチング残り等が生じ難く、よって微細な間隔で並ぶ配線１２ｆなどの配置に有利なことがある。一方、第１ビルドアップ部１０に含まれる絶縁層１１の厚さは、例えば７．５～１０μｍ程度であり得る。
【0044】
第１ビルドアップ部１０の導体層１２における配線基板１の第２面１Ｂ側の表面は、研磨で仕上げられた状態を有する研磨面であり得る。図１の例では、３つの導体層１２の全てにおいて第２面１Ｂ側の表面は研磨面である。研磨面は、例えば、金属の析出によって形成されたままのめっき膜の面粗度よりも低い面粗度を有し得る。そのため、研磨面を有する各導体層１２に含まれる配線１２ｆにおいて、高周波信号の伝送時の表皮効果による実質的な導体抵抗の増大に伴う信号伝送特性の低下や電圧降下の増大が生じ難いと考えられる。例えば、各導体層１２が第２面１Ｂ側の表面として有する研磨面は、０．３μｍ以下の算術平均粗さを有し得る。そのような面粗度が得られていると、伝送特性に関する上記のような好ましい効果が得られることがある。
【0045】
前述したように、第２ビルドアップ部２０の導体層２２に含まれる配線の配線幅Ｗ２及び配線間隔Ｇ２それぞれの最小値は、それぞれ、第１ビルドアップ部１０の導体層１２に含まれる配線の配線幅Ｗ１及び配線間隔Ｇ１よりも大きい。例えば、第２ビルドアップ部２０に含まれる配線の配線幅Ｗ２の最小値は４μｍ程度であり、配線間の間隔Ｇ２の最小値は６μｍ程度である。第２ビルドアップ部２０内のビア導体２３、２３ａのビア径（各ビア導体が接続する下側の導体層２２の上面における各ビア導体の幅）は、約５０μｍ程度である。さらに、導体層２２の厚さは、導体層１２の厚さよりも厚くてもよく、例えば第２ビルドアップ部２０に含まれる配線２２ａの厚さは１０μｍ以上であり得る。
【0046】
図１の配線基板１において第３ビルドアップ部３０に含まれる導体層３２の配線の配線幅は、第２ビルドアップ部２０に含まれる配線の配線幅よりも大きく、導体層３２の配線の配線間隔は、第２ビルドアップ部２０に含まれる配線の配線間隔よりも大きい。また、第３ビルドアップ部３０内の絶縁層３１及び導体層３２は共に、第２ビルドアップ部２０内の絶縁層２１及び導体層２２と比較して厚く形成されている。例えば、絶縁層３１の厚さは、１００μｍ以上、２５０μｍ以下程度である。また、導体層３２の厚さは、２０μｍ程度である。絶縁層３１に形成されているビア導体３３の幅（導体層３２の上面における幅）は、約１００μｍ程度である。
【0047】
＜実施形態の配線基板の変形例＞
図４には、実施形態の配線基板の変形例である配線基板１ａの断面図が示されている。配線基板１ａは、図１の配線基板１が含む構成要素に加えて、固形部材５を備えている。固形部材５は、平面視で第１ビルドアップ部１０の外側に配置されている。固形部材５は。第２ビルドアップ部２０の絶縁層２１ａ内に埋め込まれている。固形部材５における配線基板１ａの第１面１Ｆ側の表面は第１面１Ｆに露出している。固形部材５は、第２ビルドアップ部２０に含まれる絶縁層２１よりも剛性の高い材料で形成されている。そのため、固形部材５が備わっている配線基板１ａでは、配線基板１ａの機械的強度が強化される。配線基板１ａの反りが抑制されると考えられる。
図４には、実施形態の配線基板の変形例である配線基板１ａの断面図が示されている。配線基板１ａは、図１の配線基板１が含む構成要素に加えて、固形部材５を備えている。固形部材５は、平面視で第１ビルドアップ部１０の外側に配置されている。固形部材５は。第２ビルドアップ部２０の絶縁層２１ａ内に埋め込まれている。固形部材５における配線基板１ａの第１面１Ｆ側の表面は第１面１Ｆに露出している。固形部材５は、第２ビルドアップ部２０に含まれる絶縁層２１よりも剛性の高い材料で形成されている。そのため、固形部材５が備わっている配線基板１ａでは、配線基板１ａの機械的強度が強化される。配線基板１ａの反りが抑制されると考えられる。
【0048】
固形部材５の材料としては、銅などの金属が例示される。しかし固形部材５の材料は銅に限定されず、金属にも限定されない。図４の例において固形部材５の厚さは、第１ビルドアップ部１０の厚さと略同じであるが、固形部材５は、第１ビルドアップ部１０よりも厚くてもよい（固形部材５の下面が第１ビルドアップ部１０の第２面１０Ｂよりも、配線基板１ａの第２面１Ｂ側に位置していてもよい）。固形部材５は、第１ビルドアップ部１０の外側の全周に渡って配置されていてもよく、従って、固形部材５は平面視で枠状の形状を有していてもよい。また、複数の固形部材５が、第１ビルドアップ部１０の周囲全周に不連続に配置されていてもよい。さらに固形部材５は、第１ビルドアップ部１０の周囲の一部（例えば、対向する２辺や任意の一辺）だけに配置されていてもよい。
【0049】
図４の配線基板１ａは、固形部材５を備えている点で図１の配線基板１と異なっている。図４の配線基板１ａにおいて図１の配線基板１と同様の構成要素には、図１に付されている符号と同じ符号が付されるか適宜省略され、それら同様の構成要素についての重複的な説明は省略される。
【0050】
＜第１ビルドアップ部の変形例＞
図５には、図１の配線基板１の第１ビルドアップ部１０の変形例である第１ビルドアップ部１０ａの一部が示されている。図５は、第１ビルドアップ部１０ａにおける図１に示されるIII部に相当する部分の拡大図である。
図５には、図１の配線基板１の第１ビルドアップ部１０の変形例である第１ビルドアップ部１０ａの一部が示されている。図５は、第１ビルドアップ部１０ａにおける図１に示されるIII部に相当する部分の拡大図である。
【0051】
図５に示されるように、本変形例の第１ビルドアップ部１０ａにおいて各導体層１２は、第１ビルドアップ部１０の第１面１０Ｆ側、すなわち配線基板１の第１面１Ｆ側（図１参照）で接している絶縁層１１内に埋め込まれている。導体層１２は、絶縁層１１における第２ビルドアップ部２０側の表面１１ａ付近に埋め込まれていて表面１１ａに導体層１２の下面（第２ビルドアップ部２０側の表面）を露出させている。
【0052】
各絶縁層１１は、表面１１ａに凹部１１１を有している。ビア導体１３は、各絶縁層を貫いて凹部１１１と連通する貫通孔１３ａ内に形成されている。一方、各導体層１２は、各絶縁層１１が有する凹部１１１内を充填する導電体によって構成されている。すなわち、各導体層１２は、各絶縁層１１の凹部１１１内に形成されている。このような構造を有する各導体層では、配線１２ｆのような各導体パターン間に導電体の残渣が存在し難く、そのため短絡不良が生じ難いと考えられる。そして、一層微細なピッチで並ぶ配線の実現が可能なことがある。
【0053】
図１～図３の配線基板１と同様に、導体層１２及びビア導体１３は、例えばスパッタリング膜である第１金属膜１２αと、第１金属膜１２αにおける第２ビルドアップ部２０側に形成されている第２金属膜１２βとによって構成されている。そして本変形例の第１ビルドアップ部１０ａにおいて第１金属膜１２αは、凹部１１１の底面及び壁面に沿って形成されている。すなわち配線１２ｆのような導体パターンにおいて第１金属膜１２αは第２金属膜１２βの上面及び側面を覆っている。
【0054】
本変形例においても、各導体層１２の下面は研磨面であり得る。各絶縁層１１の表面１１ａも研磨面であってもよい。また、各導体層１２の下面は、各絶縁層１１の表面１１ａと略面一である。このように、各導体層１２において絶得層１１の表面１１ａに露出する下面（研磨面）が絶縁層１１の表面１１ａと面一なので、第１ビルドアップ部１０の第２面１０Ｂにおいて高い平坦性が得られると考えられる。従って、配線基板１の第２面１Ｂ（図１参照）においても良好な平坦性が得られることがある。
【0055】
本変形例において各絶縁層１１は、図５に示されるようにバリア層１１２を含むことがある。バリア層１１２における第１ビルドアップ部１０の第２面１０Ｂ側の表面は凹部１１１の底面、すなわち、各導体層１２における第１面１０Ｆ側の表面に接している。図５の例の各絶縁層１１は、バリア層１１２と、バリア層１１２よりも上側及び下側の部分を構成する本体層１１３とによって構成されている。本体層１１３は、図１の配線基板１の各絶縁層の材料として例示されたエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂や各種の熱可塑性樹脂によって形成されている。
【0056】
一方、バリア層１１２は、各絶縁層への凹部１１１の形成に用いられる加工手段への耐性が本体層１１３の構成材料よりも高い材料で形成される。例えばエキシマレーザー光が照射されるレーザー加工で凹部１１１が形成される場合、バリア層１１２は、シリコン酸化物、又は、シリコン窒化物で形成され得る。そのようなバリア層１１２を各絶縁層１１が含んでいると、所望の深さを有する凹部１１１の形成が容易なことがある。なお、本変形例において各絶縁層１１は必ずしもバリア層１１２を含まない。例えば、凹部１１１の形成における加工条件、例えばレーザー光のパワーなどを調整することによって、所望の深さの凹部１１１が形成され得る。
【0057】
バリア層１１２を含む絶縁層１１が形成される場合は、後述される絶縁層１１の形成工程においてフィルム状の樹脂の積層及び熱圧着が２回行われ、その間にバリア層１１２が形成される。すなわち、１回目のフィルム状樹脂の積層及び熱圧着によって、絶縁層１１におけるバリア層１１２よりも第１ビルドアップ部１０の第１面１０Ｆ側の本体層１１３が形成される。その後、その本体層１１３上に、例えばスパッタリングによって、バリア層１１２としてシリコン酸化膜やシリコン窒化膜が形成される。そのバリア層１１２上に２回目のフィルム状樹脂の積層及び熱圧着を行うことによって、バリア層１１２よりも第２面１０Ｂ側の本体層１１３が形成される。
【0058】
つぎに、図６Ａ～図６Ｇ、図７、図８Ａ～図８Ｆ、及び図９を参照して、図１に例示の配線基板１が製造される場合を例に、本実施形態の配線基板を製造する方法の一例が説明される。なお、先に為された配線基板１の各構成要素の材料の説明と異なる説明がない限り、各構成要素は、各構成要素について先に説明された材料のいずれかを用いて形成され得る。また、以下の実施形態の配線基板を製造する方法の説明においては、支持基板Ｓ１又は支持基板Ｓ２に近い側は「下」又は「下側」とも称され、支持基板Ｓ１又は支持基板Ｓ２から遠い側は「上」又は「上側」とも称される。従って、製造される配線基板の各構成要素における支持基板Ｓ１側又は支持基板Ｓ２側を向く面は「下面」とも称され、支持基板Ｓ１と反対側又は支持基板Ｓ２と反対側と向く面は「上面」とも称される。
【0059】
図６Ａに示されるように、例えばガラス基板である支持基板Ｓ１が用意される。支持基板Ｓ１の表面には、例えば光可塑性のアゾベンゼン系高分子接着剤を含む接着層ＡＬ１が、塗布や積層などによって形成される。そして、接着層ＡＬ１上に導体層１２ａが形成される。図６Ａの例では、導体層１２ａは、支持基板Ｓ１の一方の表面Ｓ１ａ上にのみ形成されている。しかし図６Ａにおいて表面Ｓ１ａと反対側の表面Ｓ１ｂにおいても、導体層１２ａが形成されてもよい。そして、図６Ｂ～図６Ｇを参照して説明される処理や各構成要素の形成が表面Ｓ１ｂにおいて行われてもよいが、図６Ｂ～図６Ｇでは、表面Ｓ１ｂ側の図示は省略される。
【0060】
導体層１２ａの形成では、先ず、接着層ＡＬ１上に、無電解めっき又はスパッタリングなどによって、又は、接着層ＡＬ１を用いた金属箔の貼着によって、例えば銅やニッケルなどからなる金属膜層が形成される。その金属膜層上に、導体層１２ａに含まれるべき導体パターンの形成領域に応じた開口を有するめっきレジスト（図示せず）が、ドライフィルムのラミネート並びに露光及び現像によって形成される。そして、金属膜層を給電層として用いる電解めっきによって導体層１２ａが形成される。その後、めっきレジストが除去される。図６Ａに示される状態の導体層１２ａが得られる。
【0061】
図６Ｂに示されるように、導体層１２ａを覆う絶縁層１１が形成される。絶縁層１１は、例えば、フィルム状のエポキシ樹脂を導体層１２ａ上に積層して熱圧着することによって形成される。前述したように、絶縁層１１（並びに後工程で形成される絶縁層２１、２１ａ、及び絶縁層３１（図８Ｃ～図８Ｅ参照））は、エポキシ樹脂以外にも、ＢＴ樹脂やフェノール樹脂などの熱硬化性樹脂、又はフッ素樹脂やＬＣＰなどの熱可塑性樹脂を用いて形成され得る。
【0062】
絶縁層１１には、ビア導体１３（図１参照）の形成位置に、炭酸ガスレーザー光などの照射によって貫通孔１３ａが形成される。図示されていないが、炭酸ガスレーザー光などの照射による貫通孔１３ａの形成は、絶縁層１１の表面をポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム等の保護膜で保護しながら行われてもよい。その場合、保護膜及び絶縁層１１を貫く貫通孔１３ａが形成されてもよい。
【0063】
貫通孔１３ａの形成後、好ましくは、貫通孔１３ａ内に残る樹脂屑（スミア）を除去するデスミア処理が行われる。デスミア処理は、過マンガン酸塩溶液などの薬液への浸漬を含むウェット処理であってもよいが、例えば、アルゴン、四フッ化メタン、四フッ化メタンと酸素との混合気、又は、六フッ化硫黄などのプラズマガスを用いるプラズマ処理のようなドライ処理であってもよい。例えばプラズマ処理によるデスミア処理では、ウェット処理と比べて絶縁層１１の表面の浸食が抑制されることがある。デスミア処理もまた、絶縁層１１の表面がＰＥＴフィルムなどの保護膜で保護された状態で行われてもよい。
【0064】
そして、貫通孔１３ａ内及び絶縁層１１の表面の全面に、スパッタリングや無電解めっきによって、例えば銅やニッケルなどからなる金属膜１２１が形成される。スパッタリングで金属膜１２１が形成されると、絶縁層１１との間で高い密着性を示す金属膜１２１が形成されることがある。金属膜１２１の一部は、絶縁層１１上に形成される導体層１２を構成する第１金属膜１２α（図３参照）となり得る。なお、貫通孔１３ａの形成時及び／又はデスミア処理時において絶縁層１１の表面に保護膜が設けられている場合、保護膜は、金属膜１２１の形成前に、剥離により除去される。
【0065】
図６Ｃに示されるように、金属膜１２１上に、開口Ｒ１１を有するめっきレジストＲ１が設けられる。図６Ｃ、並びに以下で参照される図６Ｄ及び図６Ｅは、図６Ｂに示されるVIＣ部に相当する部分における各工程後の状態を拡大して示している。導体層１２ａは、電解めっきによる導体層１２ａの形成時の給電層である金属膜ＭＦ上に形成されている。めっきレジストＲ１は、例えば金属膜１２１上へのドライフィルムのラミネートにより形成され、開口Ｒ１１は、例えばフォトリソグラフィ技術により形成される。開口Ｒ１１は、絶縁層１１上に形成される導体層１２（図６Ｆ参照）が含むべき導体パターンに対応するパターンで形成される。
【0066】
導体層１２に含まれる配線１２ｆ（図３参照）などの各導体パターンは、前述したように、３μｍ以下の配線幅を有することがある。各開口Ｒ１１は、各開口Ｒ１１内に形成される配線１２ｆなどの各導体パターンが有するべき配線幅に応じた開口幅で形成される。また、前述したように、導体層１２の配線１２ｆは、２．０以上、４．０以下のアスペクト比を有することがある。従って、図６Ｃに例示の方法では、好ましくは、形成される配線が有するべきアスペクト比を満たす配線の厚さ（高さ）以上の厚さ（高さ）を有するめっきレジストＲ１が形成される。
【0067】
図６Ｄに示されるように、金属膜１２１を給電層として用いる電解めっきによって、例えば銅やニッケルなどからなる金属膜１２２がめっきレジストＲ１の開口Ｒ１１内に形成される。金属膜１２２の一部は、絶縁層１１上に形成される導体層１２を構成する第２金属膜１２β（図３参照）となり得る。絶縁層１１の貫通孔１３ａ内にはビア導体１３が形成される。金属膜１２２は、図６Ｄの例のように、開口Ｒ１１内を全て充填し、さらにめっきレジストＲ１の上面よりも上側に向かって突出する湾曲した上面を有するように形成されてもよい。所望の厚さ及びアスペクト比を有する配線をより確実に形成し得ることがある。
【0068】
図６Ｅに示されるように、金属膜１２２の上面側の一部が研磨によって除去される。少なくともめっきレジストＲ１の上面からの金属膜１２２の突出部分は除去される。金属膜１２２は、金属膜１２１との合計の厚さが、絶縁層１１上に形成される導体層１２（図６Ｆ参照）に求められる厚さに達するまで、例えば、７μｍ以下となるように研磨される。図６Ｅの例のように、めっきレジストＲ１の上面側の一部も金属膜１２２の一部と共に除去されてもよい。金属膜１２２の研磨は、例えば化学機械研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）などの任意の方法により行われる。研磨の結果、金属膜１２２の上面（絶縁層１１側と反対側の表面）は、０．３μｍ以下の算術平均粗さを有し得る。
【0069】
金属膜１２２の研磨後、めっきレジストＲ１が除去される。さらに、金属膜１２１のうちの金属膜１２２に覆われていない部分が、例えばクイックエッチングなどによって除去される。
【0070】
図６Ｆに示されるように、配線１２ｆなどの互いに分離された所定の導体パターンを含む導体層１２が得られる。図６Ｆでは、図１と同様に、導体層１２が１つの層だけを有するように示されているが、導体層１２は、図６Ｅに示される金属膜１２２、及び、前述されたように図６Ｅの状態から一部が除去された後の金属膜１２１によって構成されている。
【0071】
図６Ｆに示されるように、図６Ｅまでの工程で形成されている絶縁層１１及び導体層１２の上に、さらに、２組の絶縁層１１及び導体層１２、並びにビア導体１３が、図６Ｂから図６Ｅを参照して説明された方法と同様の方法で形成される。
【0072】
図６Ｇに示されるように、支持基板Ｓ１が除去される。例えばレーザー光が接着層ＡＬ１に照射され、接着層ＡＬ１が軟化した後、支持基板Ｓ１が導体層１２ａ及び絶縁層１１から剥離される。具体的には、接着層ＡＬ１と金属膜ＭＦ（図６Ｃ参照）とが分離され、露出する金属膜層ＭＦがエッチングなどで除去される。導体層１２ａの下面及び絶縁層１１の下面が露出する。導体層１２ａ内の部品搭載パッド１２ｐなどの個々の導体パターン同士が互いに分離される。第１ビルドアップ部１０が完成する。
【0073】
支持基板Ｓ１の除去後、第１ビルドアップ部１０内の導体層１２及び導体層１２ａ、並びにビア導体１３に関する、オープン・ショートチェックが行われてもよい。後述される後工程でさらに各材料や工数が費やされる前に不良品を除去することができる。
【0074】
なお、図７に示されるように、第１ビルドアップ部１０の形成では、平面視で個々の第１ビルドアップ部１０の大きさの２倍以上の大きさの支持基板Ｓ１上で、複数の第１ビルドアップ部１０が同時に形成されてもよい。そして、支持基板Ｓ１と共に、連結状態の第１ビルドアップ部１０がルーターなどを用いて切断線Ｃ１で切断されて個片化されてもよい。
【0075】
図８Ａ～図８Ｆに示されるように、第２ビルドアップ部２０（図８Ｄ参照）及び第３ビルドアップ部３０（図８Ｅ参照）が形成される。図８Ａに示されるように、支持基板Ｓ２が用意される。支持基板Ｓ２の表面に接着材が積層又は塗布されて接着層ＡＬ２が形成される。図８Ａの例において、支持基板Ｓ２は、一例としてエポキシ樹脂などで形成されている基材Ｓ２１と、基材Ｓ２１の両面それぞれに圧着されている例えば銅箔からなる金属層Ｓ２２とによって構成されている両面銅張積層板である。しかし、支持基板Ｓ２は、図６Ａの支持基板Ｓ１の材料として例示されたガラス板であってもよく、任意の材料で構成され得る。接着層ＡＬ２は、後工程で支持基板Ｓ２の剥離が可能なように、例えば、熱可塑性や光可塑性の接着剤で形成され得る。
【0076】
そして、図６Ａ～図６Ｇに例示の工程を経て形成された第１ビルドアップ部１０が、接着層ＡＬ２上に搭載され、接着層ＡＬ２の粘着力で保持される。第１ビルドアップ部１０は、導体層１２ａが形成されている側の表面（第１面１０Ｆ）を支持基板Ｓ２に向けて搭載される。なお、図８Ａ～図８Ｅには、支持基板Ｓ２の両面それぞれに第２ビルドアップ部２０及び第３ビルドアップ部３０が形成される例が示されているが、第２ビルドアップ部２０及び第３ビルドアップ部３０は、支持基板Ｓ２の片面だけに形成されてもよい。図８Ｂ～図８Ｅにおいて、支持基板Ｓ２の上面側に示される各構成要素についての符号は省略される。
【0077】
図８Ｂ及び図８Ｃに示されるように、第１ビルドアップ部１０を覆う絶縁層２１ａが形成される。絶縁層２１ａは、図８Ｂに示されるように、フィルム状樹脂２１ａａを第１ビルドアップ部１０、及び接着層ＡＬ２の上に積層し、熱圧着することによって形成される。フィルム状樹脂２１ａａは、絶縁層２１ａなどの材料として前述したように、エポキシ樹脂、ＢＴ樹脂、及びフェノール樹脂などの熱硬化性樹脂、又はフッ素樹脂やＬＣＰなどの熱可塑性樹脂であり得る。
【0078】
フィルム状樹脂２１ａａは、支持基板Ｓ２上に搭載された第１ビルドアップ部１０を覆うので、熱圧着後の絶縁層２１ａは、図８Ｃに二点鎖線Ｌ１で示されるように表面に隆起部２１１を有することがある。従って、フィルム状樹脂２１ａａの熱圧着後、必要に応じて、絶縁層２１ａの表面が、ＣＭＰなどの任意の方法で研磨されてもよい。研磨によって、図８Ｃに示されるような良好な平坦性を有する表面２１２が得られると考えられる。
【0079】
また、熱圧着後の絶縁層２１ａの表面の研磨は、第１ビルドアップ部１０における第１面１０Ｆと反対側の表面（第２面１０Ｂ）を構成する導体層１２が露出するまで行われてもよい。すなわち、図８Ｃに二点鎖線Ｌ２で示されるような、導体層１２における第２面１０Ｂ側の表面と絶縁層２１ａの表面とが面一になる位置まで、絶得層２１ａの表面が研磨されてもよい。研磨量（研磨終了位置）の制御が容易なことがある。また、導体層１２の表面の面粗度を一層低下させて、導体層１２の高周波信号の伝送特性を一層向上させ得ることがある。このように導体層１２が露出するまで絶縁層２１ａが研磨される場合、研磨後に、再度、図８Ｂに示されるフィルム状樹脂２１ａａのようなフィルム状樹脂、好ましくは、フィルム状樹脂２１ａａよりも薄いフィルム状樹脂が、積層されて熱圧着されてもよい。その結果、図８Ｃに示されるような状態の絶縁層２１ａが形成されてもよい。
【0080】
図８Ｄに示されるように、絶縁層２１ａ上に導体層２２が形成されると共に、絶縁層２１ａ内にビア導体２３ａが形成される。導体層２２及びビア導体２３ａは、導体層及びビア導体の任意の形成方法を用いて形成される。例えば、セミアディティブ法を用いて、導体層２２及びビア導体２３ａが形成される。
【0081】
そして、絶縁層２１が、絶縁層２１ａと同様にフィルム状樹脂の熱圧着によって形成され、その絶縁層２１の内部及び表面にビア導体２３及び導体層２２が、セミアディティブ法などによって形成される。さらに、絶縁層２１、ビア導体２３、及び導体層２２の形成が、必要な回数だけ繰り返され、図８Ｄに示される第２ビルドアップ部２０が完成する。
【0082】
図８Ｅに示されるように、第２ビルドアップ部２０における支持基板Ｓ２側と反対側の表面（第２面２０Ｂ）上に、第３ビルドアップ部３０の絶縁層３１、導体層３２及び絶縁層３１を貫通するビア導体３３が形成される。図８Ｅの絶縁層３１は、ガラス繊維などからなる芯材３１ａに含侵されたエポキシ樹脂などの絶縁性樹脂を含むプリプレグを積層及び熱圧着することによって形成されている。絶縁層３１は、絶縁層２１ａと同様に、フィルム状樹脂の熱圧着によって形成されてもよい。導体層３２及びビア導体３３は、導体層２２及びビア導体２３の形成方法と同様に、例えばセミアディティブ法を用いて形成されてもよく、サブトラクティブ法などの他の任意の導体層の形成方法で形成されてもよい。第３ビルドアップ部３０の形成が完了する。
【0083】
さらに、ソルダーレジスト４０が、絶縁層３１及び導体層３２の表面上への感光性のエポキシ樹脂やポリイミド樹脂層の形成によって形成される。そして、フォトリソグラフィ技術により、導体パッド３２ｐを画定する開口４１が形成される。
【0084】
その後、支持基板Ｓ２が取り外される。例えば、接着層ＡＬ２が、加熱、又はレーザー光の照射などによって軟化され、その状態で、支持基板Ｓ２が第１ビルドアップ部１０及び絶縁層２１ａから剥離される。接着層ＡＬ２が残存する場合は、適切な溶剤を用いて、残存する接着層ＡＬ２が除去される。
【0085】
支持基板Ｓ２の除去によって、図８Ｆに示されるように、部品搭載パッド１２ｐの表面などを含む第１ビルドアップ部１０の第１面１０Ｆ及び第２ビルドアップ部２０の第１面２０Ｆが露出する。すなわち、配線基板１の第１面１Ｆが露出する。図１に示される配線基板１が完成する。
【0086】
配線基板１の製造工程では、図９に示されるように、平面視で個々の配線基板１の大きさの２倍以上の大きさの支持基板Ｓ２上に複数の第１ビルドアップ部１０が搭載されてもよい。そして、それぞれが各第１ビルドアップ部１０及び第２ビルドアップ部２０を含む複数の配線基板１が、支持基板Ｓ２上で同時に製造されてもよい。そして、支持基板Ｓ２と共に、連結状態の配線基板１がルーターなどを用いて切断線Ｃ２で切断されて個片化されてもよい。
【0087】
なお、先に参照した図４に例示の配線基板１ａが製造される場合は、図８Ａを参照して説明された工程において、第１ビルドアップ部１０と共に、第１ビルドアップ部１０の外側に、固形部材５が搭載される。固形部材５は、接着層ＡＬ２上に載置され、接着層ＡＬの粘着力で保持される。そして、図８Ｂ及び図８Ｃを参照して説明された工程で、第１ビルドアップ部１０と共に、絶縁層２１ａ内に埋め込まれる。
【0088】
図１０Ａ～図１０Ｃを参照して、先に参照した図５に示される変形例の第１ビルドアップ部１０ａの形成方法が説明される。なお、図１０Ａ～図１０Ｃは、形成途上の第１ビルドアップ部１０ａにおける、図６Ｃ～図６Ｅに示される部分に相当する部分の各工程後の状態を示している。
【0089】
図１０Ａに示されるように、先に参照された図６Ａに示される状態から、絶縁層１１と貫通孔１３ａが順に形成され、さらに凹部１１１が形成される。図１０Ａに示される段階では、絶縁層１１は、配線基板１（図１参照）の完成時に絶縁層１１が有すべき厚さよりも厚く形成されていてもよい。なお、絶縁層１１の形成において、前述されたような方法でバリア層１１２が形成されていてもよい。図１０Ａ～図１０Ｃでは、バリア層１１２は、二点鎖線で示されている。貫通孔１３ａは、例えば炭酸ガスレーザー光の照射などによってビア導体１３（図５参照）の形成位置に形成される。貫通孔１３ａは、バリア層１１２が形成されている場合には、バリア層１１２を貫いて導体層１２ａに達するように形成される。
【0090】
貫通孔１３ａの形成後、導体層１２（図５参照）の各導体パターンの形成位置に凹部１１１が形成される。例えばエキシマレーザー光の照射によって、所定の深さの凹部１１１が形成される。バリア層１１２が形成されている場合は、バリア層１１２でレーザー光の透過が防がれるため、容易に、所望の深さの凹部１１１を形成し得ることがある。バリア層１１２が形成されていなくても、例えばエキシマレーザー光の条件の調整などにより、所望の深さの凹部１１１を形成することができる。凹部１１１の形成後、好ましくはプラズマ処理などによるデスミア処理が行われる。
【0091】
金属膜１２１が、貫通孔１３ａ及び凹部１１１の内部を含む絶縁層１１の露出する表面の全面に形成される。バリア層１１２が形成されている場合は、バリア層１１２の露出面上にも金属膜１２１が形成される。金属膜１２１は、例えばスパッタリングや無電解めっきによって形成される。
【0092】
図１０Ｂに示されるように、貫通孔１３ａの内部、凹部１１１の内部、及び絶縁層１１における導体層１２ａと反対側の表面の全面の金属膜１２１上に、金属膜１２２が形成される。金属膜１２２は、好ましくは、絶縁層１１の表面における凹部１１１が形成されていない領域の上に所望の厚みを有するように形成される。金属膜１２２は、例えば、金属膜１２１を給電層として用いる電解めっきによって形成される。凹部１１１が金属膜１２２で充填される。貫通孔１３ａ内も金属膜１２２で充填されてビア導体１３が形成される。
【0093】
図１０Ｃに示されるように、絶縁層１１の表面において凹部１１１が形成されていない領域上の金属膜１２２及び金属膜１２１が、例えばＣＭＰなどの任意の方法を用いる研磨によって除去される。金属膜１２２は、凹部１１１の底面上の金属膜１２１との合計の厚さが、導体層１２に求められる厚さに達するまで研磨される。金属膜１２２の研磨の際、絶縁層１１の表面付近も金属膜１２２と共に研磨によって除去されてもよい。導体層１２の表面と面一な絶縁層１１の表面１１ａが得られる。
【0094】
絶縁層１１の表面上の金属膜１２２及び金属膜１２１の除去により、導体層１２の各導体パターン同士が分離される。図５の第１ビルドアップ部１０ａの他の導体層１２も、図１０Ｃに示される導体層１２について説明された方法と同様の方法で形成される。図１０Ａ～図１０Ｃを参照して説明された方法では、導体層１２に含まれる各導体パターンの間に形成されていた金属膜１２１のような導電体は、エッチングなどではなく研磨によってより確実に除去される。そのため、導体パターン間での短絡不良が生じ難いと考えられる。また、そのように短絡不良が生じ難いので、配線同士が一層微細なピッチで配置され得ることがある。
【0095】
実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、ならびに、本明細書において例示される構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。実施形態の配線基板に含まれる各ビルドアップ部は、上述のように、任意の数の絶縁層及び導体層を有し得る。また、各絶縁層は、図３に示されるような無機フィラーを含んでいなくてもよい。実施形態の配線基板の部品搭載面と反対側の最外層の絶縁層及び導体層が、第２ビルドアップ部内の絶縁層及び導体層よりも厚く形成されなくてもよいし、配線基板の部品搭載面と反対側の最外層の絶縁層が芯材を含んでいなくてもよい。
【符号の説明】
【0096】
１、１ａ 配線基板
１Ｆ 配線基板の第１面
１Ｂ 配線基板の第２面
１０、１０ａ 第１ビルドアップ部
１０Ｆ 第１ビルドアップ部の表面（第１面）
１１ 第１ビルドアップ部の絶縁層
１１ｆ 第１ビルドアップ部の無機フィラー
１２、１２ａ 第１ビルドアップ部の導体層
１２ｆ 第１ビルドアップ部の配線
１２ｐ 部品搭載パッド
１２α 第１金属膜
１２β 第２金属膜
１３ 第１ビルドアップ部のビア導体
２０ 第２ビルドアップ部
２１、２１ａ 第２ビルドアップ部の絶縁層
２１ｆ 第２ビルドアップ部の無機フィラー
２２ 第２ビルドアップ部の導体層
２２ａ、２２ｗ 第２ビルドアップ部の配線
２２α 第２ビルドアップ部の第１金属膜
２２β 第２ビルドアップ部の第２金属膜
２３、２３ａ 第２ビルドアップ部のビア導体
３０ 第３ビルドアップ部
３１ 第３ビルドアップ部の絶縁層
３１ａ 芯材
３２ 第３ビルドアップ部の導体層
３３ 第３ビルドアップ部のビア導体
５ 固形部材
Ｅ１、Ｅ２ 部品（搭載部品）
Ｅａ１、Ｅａ２ 部品領域
Ｗ１ 第１ビルドアップ部の配線の配線幅
Ｇ１ 第１ビルドアップ部の配線同士の間隔
Ｗ２ 第２ビルドアップ部の配線の配線幅
Ｇ２ 第２ビルドアップ部の配線同士の間隔
１Ｆ 配線基板の第１面
１Ｂ 配線基板の第２面
１０、１０ａ 第１ビルドアップ部
１０Ｆ 第１ビルドアップ部の表面（第１面）
１１ 第１ビルドアップ部の絶縁層
１１ｆ 第１ビルドアップ部の無機フィラー
１２、１２ａ 第１ビルドアップ部の導体層
１２ｆ 第１ビルドアップ部の配線
１２ｐ 部品搭載パッド
１２α 第１金属膜
１２β 第２金属膜
１３ 第１ビルドアップ部のビア導体
２０ 第２ビルドアップ部
２１、２１ａ 第２ビルドアップ部の絶縁層
２１ｆ 第２ビルドアップ部の無機フィラー
２２ 第２ビルドアップ部の導体層
２２ａ、２２ｗ 第２ビルドアップ部の配線
２２α 第２ビルドアップ部の第１金属膜
２２β 第２ビルドアップ部の第２金属膜
２３、２３ａ 第２ビルドアップ部のビア導体
３０ 第３ビルドアップ部
３１ 第３ビルドアップ部の絶縁層
３１ａ 芯材
３２ 第３ビルドアップ部の導体層
３３ 第３ビルドアップ部のビア導体
５ 固形部材
Ｅ１、Ｅ２ 部品（搭載部品）
Ｅａ１、Ｅａ２ 部品領域
Ｗ１ 第１ビルドアップ部の配線の配線幅
Ｇ１ 第１ビルドアップ部の配線同士の間隔
Ｗ２ 第２ビルドアップ部の配線の配線幅
Ｇ２ 第２ビルドアップ部の配線同士の間隔
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6A】
【図6B】
【図6C】
【図6D】
【図6E】
【図6F】
【図6G】
【図7】
【図8A】
【図8B】
【図8C】
【図8D】
【図8E】
【図8F】
【図9】
【図10A】
【図10B】
【図10C】