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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2025008000
(43)【公開日】2025-01-20
(54)【発明の名称】放射線検出器
(51)【国際特許分類】
   G01T 7/00 20060101AFI20250109BHJP
【FI】
G01T7/00 A
【審査請求】未請求
【請求項の数】6
【出願形態】OL
(21)【出願番号】P 2023109805
(22)【出願日】2023-07-04
(71)【出願人】
【識別番号】000001270
【氏名又は名称】コニカミノルタ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001254
【氏名又は名称】弁理士法人光陽国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】八野 悠里
【テーマコード(参考)】
2G188
【Fターム(参考)】
2G188AA03
2G188BB02
2G188CC22
2G188CC32
2G188DD14
2G188DD47
2G188EE05
2G188EE06
2G188EE31
2G188FF13
(57)【要約】
【課題】外乱による放射線照射の誤検出を容易に低減する。
【解決手段】本実施形態に係る放射線検出器1は、X線の照射を検出するX線センサ41を搭載したX線センサ基板40と、X線センサ基板40を配設するGND接続された金属基台30と、を備える。金属基台30は、底部31と、当該底部31の周縁に起立されたリブ32と、を備える。X線センサ基板40は、X線センサ41が金属基台30の底部31及びリブ32により覆われ、且つ、当該金属基台30から離間した状態で当該金属基台30に配設される。
【選択図】図2
【特許請求の範囲】
【請求項1】
X線の照射を検出するX線センサを搭載した基板と、
前記基板を配設するGND接続された金属基台と、
を備え、
前記金属基台は、
底部と、当該底部の周縁に起立されたリブと、を備え、
前記基板は、
前記X線センサが前記金属基台の底部及びリブにより覆われ、且つ、当該金属基台から離間した状態で当該金属基台に配設される、
ことを特徴とする放射線検出器。
【請求項2】
前記X線センサを電磁波から保護する電磁波シールドが配設されていない、
ことを特徴とする請求項1に記載の放射線検出器。
【請求項3】
前記リブは、前記基板を保持する台座部を備え、
前記台座部は、前記基板が保持された際の前記X線センサと前記底部との自器の厚み方向における距離が、前記基板に前記電磁波シールドが配設された際の前記X線センサと前記電磁波シールドとの自器の厚み方向における距離よりも大きくなるように形成されている、
ことを特徴とする請求項2に記載の放射線検出器。
【請求項4】
前記基板及び前記リブは、前記基板が前記台座部に保持された際に、当該基板が当該リブの台座部以外の部分とは接触しないように形成されている、
ことを特徴とする請求項3に記載の放射線検出器。
【請求項5】
前記底部は、前記X線センサと対向する部分の厚みが他の部分の厚みよりも薄くなるように形成されている、
ことを特徴とする請求項1に記載の放射線検出器。
【請求項6】
前記底部は、前記X線センサと対向する部分が穿設されている、
ことを特徴とする請求項1に記載の放射線検出器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、放射線検出器に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、放射線(以下、X線とも称す)画像の撮影にフラットパネルディテクター(FPD)と称される軽量薄型の放射線検出器が利用されている。この放射線検出器に関して、放射線照射状態を判定するための信号に重畳してしまった振動ノイズ値を加速度センサ等の出力から算出した補正値で相殺することで外乱による放射線照射の誤検出を低減する技術が開示されている(特許文献1参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開2014-173902号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、上記特許文献1に開示されている技術では、加速度センサを使用しているため、部品点数が増加するといった問題がある。また、放射線照射の誤検出を低減するにあたり、加速度センサ等の出力から補正値を算出し、振動ノイズ値を当該補正値で相殺する処理を要するため、制御系が複雑になってしまうといった問題がある。
【0005】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたもので、外乱による放射線照射の誤検出を容易に低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上記課題を解決するため、本発明に係る放射線検出器は、
X線の照射を検出するX線センサを搭載した基板と、
前記基板を配設するGND接続された金属基台と、
を備え、
前記金属基台は、
底部と、当該底部の周囲に起立されたリブと、を備え、
前記基板は、
前記X線センサが前記金属基台の底部及びリブにより覆われ、且つ、当該金属基台から離間した状態で当該金属基台に配設される、
ことを特徴とする。
【発明の効果】
【0007】
本発明によれば、外乱による放射線照射の誤検出を容易に低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
図1】本実施形態に係る放射線検出器の外観を示す斜視図である。
図2図1に示す放射線検出器に内蔵されたX線センサを横切る断面図である。
図3】TFT基板の構成を示す平面図である。
図4】放射線検出器の等価回路を示すブロック図である。
図5】変形例の放射線検出器に内蔵されたX線センサを横切る断面図である。
図6】変形例の放射線検出器に内蔵されたX線センサを横切る断面図である。
図7】変形例の放射線検出器に内蔵されたX線センサを横切る断面図である。
図8】従来の放射線検出器に内蔵されたX線センサを横切る断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。ただし、本発明の技術的範囲は、以下の実施形態及び図示例に限定されるものではない。
【0010】
[放射線検出器の構成]
まず、本実施形態に係る放射線検出器1の構成について説明する。
【0011】
図1は、本実施形態に係る放射線検出器1の外観を示す斜視図である。
図1に示すように、放射線検出器1の筐体2の一方の側面には、電源スイッチ51や切替スイッチ52、コネクター53、インジケーター54等が配置されている。図示を省略するが、筐体2の反対側の側面には、外部と無線方式で通信を行うためのアンテナ55(図4参照)が設けられている。放射線検出器1には、X線照射装置(図示省略)から放射線検出器1に照射されるX線を検出するX線センサ41が内蔵されている。X線センサ41は、X線エネルギーを電荷に変換するセンサ素子(例えば、フォトダイオード)等で構成されている。
【0012】
図2は、図1に示す放射線検出器1に内蔵されたX線センサ41を横切る断面図である。図2は、X線センサ41を含むその周囲を局所的に表し、それ以外の部分を省略した概略断面図となっている。
【0013】
図2に示すように、放射線検出器1には、図中の上(X線の照射面側)から下へ順番に、筐体2を構成する上カバー2a、TFTアッシー3、鉛シートLS、金属基台30、X線センサ基板40、及び筐体2を構成する下カバー2bが設けられている。上カバー2aとTFTアッシー3との間には粘着剤Adが介在している。また、下カバー2bと金属基台30との間には、PETシートPSが介在している。
【0014】
TFTアッシー3は、TFT基板4やシンチレーター基板(図示省略)等で構成されている。TFTアッシー3は、TFT基板4の上方に、シンチレーター基板に形成されたシンチレーターとTFT基板4のX線検出素子7等とが対向する状態でシンチレーターやシンチレーター基板が配置されている。
【0015】
図3は、TFT基板4の構成を示す平面図である。
図3に示すように、TFT基板4の上面(すなわちシンチレーターに対向する面)4a上には、複数の走査線5と複数の信号線6とが互いに交差するように配設されている。複数の走査線5と複数の信号線6により区画された各領域rには、X線検出素子7がそれぞれ設けられている。本実施形態では、このように、各X線検出素子7が二次元状(マトリクス状)に配列されている。
【0016】
また、本実施形態では、複数のバイアス線9が各信号線6に平行に配設されており、各バイアス線9は結線10に接続されている。そして、TFT基板4の周縁部に、複数の入出力端子11が設けられており、各入出力端子11はそれぞれ各走査線5や各信号線6、結線10と接続されている。各入出力端子11は、後述する読み出しIC16等のチップがフィルム上に組み込まれたフレキシブル回路基板と接続され、フレキシブル回路基板がTFT基板4の裏面側に引き回されて、電子部品等が配設されたPCB基板(図示省略)等に接続されるようになっている。
【0017】
ここで、放射線検出器1の回路構成について説明する。図4は本実施形態に係る放射線検出器1の等価回路を表すブロック図である。各X線検出素子7では、図示しない被写体を介して照射されたX線の線量(或いはシンチレーターで変換された電磁波の光量)に応じた電荷が各X線検出素子7内でそれぞれ発生するようになっている。なお、以下では、X線検出素子7がフォトダイオードで構成されている場合について説明するが、X線検出素子7を例えばフォトトランジスターやCCD(Charge Coupled Device)等を用いることも可能である。
【0018】
各X線検出素子7の一方の電極7aには、バイアス線9が接続されており、バイアス線9や結線10を介してバイアス電源14から各X線検出素子7に逆バイアス電圧が印加されるようになっている。各X線検出素子7の他方の電極7bには、スイッチ素子としてTFT8が接続されており、TFT8は信号線6に接続されている。
【0019】
TFT8は、後述する走査駆動手段15から走査線5を介してオン電圧が印加されるとオン状態となり、X線検出素子7内に蓄積されている電荷を信号線6に放出させる。また、走査線5を介してオフ電圧が印加されるとオフ状態となり、X線検出素子7から信号線6への電荷の放出を停止して、X線検出素子7内に電荷を蓄積させるようになっている。
【0020】
各走査線5は、それぞれ走査駆動手段15のゲートドライバー15bに接続されている。走査駆動手段15では、配線15cを介して電源回路15aからゲートドライバー15bにオン電圧とオフ電圧が供給されるようになっている。また、走査駆動手段15では、ゲートドライバー15bで走査線5の各ラインL1~Lxに印加する電圧をオン電圧とオフ電圧との間で切り替えるようになっている。
【0021】
各信号線6は、それぞれ読み出しIC16内に内蔵された各読み出し回路17に接続されている。本実施形態では、読み出し回路17は、積分回路18と相関二重サンプリング回路19等で構成されている。読み出しIC16内には、さらに、アナログマルチプレクサー21と、A/D変換器20とが設けられている。なお、図4では、相関二重サンプリング回路19はCDSと表記されている。
【0022】
撮影時に、スイッチ素子である各TFT8がオフ状態とされた状態で図示しないX線照射装置から放射線検出器1にX線が照射されると、X線の照射により各X線検出素子7内で発生した電荷がX線検出素子7内に蓄積される。そして、各X線検出素子7からの画像データdの読み出し処理の際には、走査駆動手段15のゲートドライバー15bから走査線5の各ラインL1~Lxにオン電圧が順次印加されて、各X線検出素子7内から信号線6に電荷がそれぞれ放出される。
【0023】
そして、その電荷が、各読み出し回路17の積分回路18に流れ込んで蓄積され、蓄積された電荷量に応じた電圧値が出力される。相関二重サンプリング回路19は、各X線検出素子7から電荷が流れ込む前と後にそれぞれ積分回路18から出力された出力値の差分をアナログ値の画像データdとして出力する。
【0024】
そして、出力された各画像データdがアナログマルチプレクサー21を介してA/D変換器20に順次送信され、A/D変換器20でデジタル値の画像データdに順次変換されて記憶手段23に出力されて順次保存される。このようにして画像データdの読み出し処理が行われるようになっている。
【0025】
制御手段22は、図示しないCPU(Central Processing Unit)やROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)、入出力インターフェース等がバスに接続されたコンピューターや、FPGA(Field Programmable Gate Array)等で構成されている。専用の制御回路で構成されていてもよい。
【0026】
制御手段22には、SRAMやSDRAM、NAND型フラッシュメモリー等で構成される記憶手段23や、リチウムイオンキャパシター等で構成される内蔵電源24、X線センサ基板40に搭載されているX線センサ41等が接続されている。また、制御手段22には、前述したアンテナ55やコネクター53を介して外部と無線方式や有線方式で通信を行うための通信部56が接続されている。
【0027】
制御手段22は、X線センサ41の出力に基づいてX線の照射開始を検知するようになっている。X線の照射開始を検知した場合には、走査駆動手段15のゲートドライバー15bから走査線5の各ラインL1~Lxにオフ電圧を印加する。そして、制御手段22は、各TFT8をオフ状態として、X線の照射によりX線検出素子7内で発生する電荷を各X線検出素子7内に蓄積させる電荷蓄積状態に移行させる。
【0028】
制御手段22は、電荷蓄積状態に移行してから所定時間が経過すると、ゲートドライバー15bから走査線5の各ラインL1~Lxにオン電圧を順次印加させる。そして、制御手段22は、各読み出し回路17に読み出し動作をさせて、前述したようにして各X線検出素子7からの画像データdの読み出し処理を行わせる。
【0029】
[X線センサを含むその周囲の構造]
次に、X線センサ41を含むその周囲の構造について、図2を参照して説明する。
図2に示すように、X線センサ41を搭載したX線センサ基板40は、粘着剤Adを介して金属基台30に取り付けられている。
【0030】
詳しくは、金属基台30は、略矩形状の底部31と、この底部31の周縁に起立されたリブ32とで構成されている。リブ32は、その内周側に段差部33が形成されている。段差部33は、リブ32の端部32aより図中の上側に所定の距離下がった位置に形成されている。段差部33には、前述した粘着剤Adが設けられており、この粘着剤Adを介して、X線センサ41が底部31と対向するようにX線センサ基板40が取り付けられている。つまり、X線センサ基板40は、X線センサ41が金属基台30の底部31及びリブ32により覆われ、且つ、金属基台30から離間した状態で当該金属基台30に配設されている。段差部33は、X線センサ基板40を配設する台座部として機能している。ここで、金属基台30は、例えば、金属材料であるマグネシウムにより形成されており、筐体2の内部のGND(図示省略)に接続されている。したがって、金属基台30は、X線センサ41を電磁波から保護する電磁波シールドとして機能している。このため、本実施形態では、図8に示すように、X線センサ41を電磁波から保護するために設けられていた従来の電磁波シールドSHが不要となる。また、本実施形態では、従来の放射線検出器101における電磁波シールドSHとX線センサ41との距離D2(図8参照)と比較して、金属基台30とX線センサ41との距離D1を大きくとることができる。この結果、金属基台30とX線センサ41との間の寄生容量Cを小さくすることができるので、振動等の外乱による寄生容量Cの変動に起因して発生する電磁波ノイズを抑制できる。よって、放射線検出器1によれば、部品点数を増やしたり制御系を複雑にしたりすることなく、外乱によるX線照射の誤検出を容易に低減することができる。なお、図8は、従来の放射線検出器101に内蔵されたX線センサ41を横切る断面図である。従来の放射線検出器101は、樹脂材料又は発泡材料を用いて形成された基台130を使用している他は、本実施形態の放射線検出器1と概ね同様の構造を有しているものとする。
【0031】
[効果]
以上説明してきたように、本実施形態に係る放射線検出器1は、X線の照射を検出するX線センサ41を搭載したX線センサ基板40と、X線センサ基板40を配設するGND接続された金属基台30と、を備える。金属基台30は、底部31と、当該底部31の周縁に起立されたリブ32と、を備える。X線センサ基板40は、X線センサ41が金属基台30の底部31及びリブ32により覆われ、且つ、当該金属基台30から離間した状態で当該金属基台30に配設される。これにより、金属基台30がX線センサ41を電磁波から保護する電磁波シールドとして機能することとなるので、制御系を複雑にすることなく、衝撃等の外乱による放射線照射の誤検出を容易に低減することができる。
【0032】
また、本実施形態に係る放射線検出器1は、X線センサ41を電磁波から保護する電磁波シールドが配設されていない。したがって、放射線検出器1によれば、部品点数を増やすことなく、衝撃等の外乱による放射線照射の誤検出を容易に低減することができる。
【0033】
また、金属基台30のリブ32は、X線センサ基板40を保持する段差部(台座部)33を備える。段差部33は、X線センサ41と底部31との距離D1が、X線センサ基板40に電磁波シールドSHが配設された際のX線センサ41と電磁波シールドSHとの距離D2よりも大きくなるように形成されている。これにより、従来の電磁波シールドSHとX線センサ41との距離D2と比較して、金属基台30とX線センサ41との距離D1を大きくとることができる。この結果、金属基台30とX線センサ41との間の寄生容量を小さくすることができるので、振動等の外乱による寄生容量Cの変動に起因して発生する電磁波ノイズを抑制できる。
【0034】
[その他]
なお、上記実施形態における記述は、本発明に係る放射線検出器の一例であり、これに限定されるものではない。
【0035】
例えば、図5に示すように、金属基台30の底部31のうちX線センサ41と対向する部分が穿設され、空間部31aが設けられるようにしてもよい。このとき、底部31の上部には鉛シートLSが配設されているため、空間部31aが設けられてもシールド効果が失われないようになっている。また、このとき、シールドとして機能する鉛シートLSとX線センサ41との距離を、上記実施形態よりも更に大きくとることができるので、寄生容量Cを更に小さくすることができる。この結果、振動等の外乱による寄生容量の変動に起因して発生する電磁波ノイズをより抑制できるので、X線センサ41によるX線の照射の誤検出を効果的に低減できる。
【0036】
また、図6に示すように、X線センサ基板40が段差部33に取り付けられた際に、X線センサ基板40とリブ32とが図中の左右方向において、振動が発生しても互いに接触しない程度の隙間OPが形成されるようにしてもよい。すなわち、X線センサ基板40がリブ32の段差部33以外の部分と接触しないように形成されるようにしてもよい。接触しないようにするには、金属基台30の段差部33の面積(領域)を広くとる、及び/又は、X線センサ基板40の周縁部の面積(領域)を狭くする。
【0037】
また、図7に示すように、金属基台30の底部31を湾曲した形状に形成し、当該底部31とX線センサ41との距離を極力とるようにしてもよい。これにより、上記実施形態よりも更に寄生容量Cを小さくすることができる。なお、金属基台30の底部31は、X線センサ41との距離を極力とることのできる形状であれば、湾曲した形状に限定されない。例えば、金属基台30の底部31のうちのX線センサ41の直上部分に、X線センサ41と対向する側に凹んだ凹部(図示省略)を形成するようにしてもよい。
【0038】
また、上記実施形態では、金属基台30は、マグネシウムにより形成されているものとして説明したが、これに限られない。金属基台30は、X線センサ41を電磁波から保護する電磁波シールドとしての効果を奏することができればよく、例えば、アルミニウム等により形成されるようにしてもよい。
【符号の説明】
【0039】
1 放射線検出器
30 金属基台
31 底部
32 リブ
33 段差部(台座部)
40 X線センサ基板
41 X線センサ
図1
図2
図3
図4
図5
図6
図7
図8