知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
▶ サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド．の特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2025080218
(43)【公開日】2025-05-23
(54)【発明の名称】回路基板及びその製造方法
(51)【国際特許分類】
H05K 1/02 20060101AFI20250516BHJP
H05K 3/34 20060101ALI20250516BHJP
H05K 3/46 20060101ALI20250516BHJP
【ＦＩ】
H05K1/02 C
H05K3/34 502D
H05K3/46 B
【審査請求】未請求
【請求項の数】18
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024160201
(22)【出願日】2024-09-17
(31)【優先権主張番号】10-2023-0156719
(32)【優先日】2023-11-13
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】594023722
【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．
(74)【代理人】
【識別番号】110000051
【氏名又は名称】弁理士法人共生国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】趙 泳 雄
【テーマコード（参考）】
5E316
5E319
5E338
【Ｆターム（参考）】
5E316AA32
5E316CC04
5E316CC09
5E316CC10
5E316CC32
5E316DD02
5E316DD22
5E316DD32
5E316DD33
5E316EE33
5E316FF07
5E316FF12
5E316GG15
5E316GG17
5E316GG18
5E316GG22
5E316GG23
5E316HH40
5E319AA03
5E319AC13
5E319BB04
5E319GG20
5E338AA02
5E338BB19
5E338BB63
5E338EE60
(57)【要約】
【課題】パッケージ間の連結を提供するソルダーボール接合部をアンダーフィル材のブリーディングから保護するように基板構造を改善してパッケージング組立性を確保した回路基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による回路基板は、互いに向き合う第１面と第２面とを有し、第１面から凹むように陥没したトレンチ部を有する絶縁層と、絶縁層内に埋め込まれ、第１面で、絶縁層から露出した第１接続パッドと、第１面で、絶縁層を覆い、第１接続パッドとトレンチ部を露出させるように開口される第１保護層と、を有する。
【選択図】図１
【解決手段】本発明による回路基板は、互いに向き合う第１面と第２面とを有し、第１面から凹むように陥没したトレンチ部を有する絶縁層と、絶縁層内に埋め込まれ、第１面で、絶縁層から露出した第１接続パッドと、第１面で、絶縁層を覆い、第１接続パッドとトレンチ部を露出させるように開口される第１保護層と、を有する。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
互いに向き合う第１面と第２面とを有し、前記第１面から凹むように陥没したトレンチ部を有する絶縁層と、
前記絶縁層内に埋め込まれ、前記第１面で、前記絶縁層から露出した第１接続パッドと、
前記第１面で、前記絶縁層を覆い、前記第１接続パッドと前記トレンチ部を露出させるように開口される第１保護層と、を有することを特徴とする回路基板。
前記絶縁層内に埋め込まれ、前記第１面で、前記絶縁層から露出した第１接続パッドと、
前記第１面で、前記絶縁層を覆い、前記第１接続パッドと前記トレンチ部を露出させるように開口される第１保護層と、を有することを特徴とする回路基板。
【請求項2】
前記第１保護層は、前記第１接続パッドを露出させる第１開口部と、前記トレンチ部を露出させる第２開口部と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項3】
前記第１面に平行な第１方向に沿う幅において、前記第２開口部の幅は、前記トレンチ部の幅より大きいことを特徴とする請求項２に記載の回路基板。
【請求項4】
前記第１面に平行な第１方向に沿う幅において、前記第１開口部の幅は、前記第１接続パッドの幅より小さいことを特徴とする請求項２に記載の回路基板。
【請求項5】
前記トレンチ部の底面は、前記第１接続パッドの前記露出した面よりさらに後退した位置に位置することを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項6】
前記トレンチ部の陥没した深さは、前記第１面に垂直な第２方向に沿う前記第１接続パッドの厚さより大きいことを特徴とする請求項５に記載の回路基板。
【請求項7】
前記トレンチ部の陥没した深さは、前記第１面に垂直な第２方向に沿う前記絶縁層の厚さより小さいことを特徴とする請求項５に記載の回路基板。
【請求項8】
前記トレンチ部は、前記第１接続パッドと隣接して配置されることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項9】
前記第１接続パッドは、複数の第１接続パッドを含み、
前記トレンチ部は、互いに隣接する前記第１接続パッドの間に配置されることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
前記トレンチ部は、互いに隣接する前記第１接続パッドの間に配置されることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項10】
前記第１接続パッドの前記露出した面は、前記第１面と同一面上に位置することを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項11】
前記第２面で、前記絶縁層から突出するように配置される第２接続パッドをさらに有することを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項12】
前記第２面で、前記絶縁層と前記第２接続パッドを少なくとも部分的に覆う第２保護層をさらに有することを特徴とする請求項１１に記載の回路基板。
【請求項13】
前記絶縁層は、プレプレグ（ｐｒｅｐｒｅｇ：ＰＰＧ）を含むことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項14】
前記保護層は、ソルダーレジスト（ｓｏｌｄｅｒ ｒｅｇｉｓｔ：ＳＲ）を含むことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項15】
第１金属を含むシード層上に、第２金属を含む導電層を形成する段階と、
前記導電層を覆う第１メッキレジストをパターニングし、前記第２金属をメッキして前記導電層上に突出パターン層を形成する段階と、
前記導電層と前記突出パターン層を覆う第２メッキレジストをパターニングし、前記第１金属をメッキして前記導電層上に接続パッドを形成する段階と、
前記突出パターン層と前記接続パターンとを覆うように絶縁層を形成する段階と、
前記突出パターン層をエッチングして除去し、前記絶縁層の一面に凹むように陥没したトレンチ部を形成する段階と、を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
前記導電層を覆う第１メッキレジストをパターニングし、前記第２金属をメッキして前記導電層上に突出パターン層を形成する段階と、
前記導電層と前記突出パターン層を覆う第２メッキレジストをパターニングし、前記第１金属をメッキして前記導電層上に接続パッドを形成する段階と、
前記突出パターン層と前記接続パターンとを覆うように絶縁層を形成する段階と、
前記突出パターン層をエッチングして除去し、前記絶縁層の一面に凹むように陥没したトレンチ部を形成する段階と、を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項16】
前記絶縁層の一面に、前記接続パッドと前記トレンチ部が露出するように開口される保護層を形成する段階をさらに有することを特徴とする請求項１５に記載の回路基板の製造方法。
【請求項17】
前記第１金属は、銅（Ｃｕ）を含み、前記第２金属は、錫（Ｓｎ）を含むことを特徴とする請求項１５に記載の回路基板の製造方法。
【請求項18】
前記トレンチ部は、前記突出パターン層に対応する部分に形成されることを特徴とする請求項１５に記載の回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、回路基板及びその製造方法に関し、特に、基板構造を改善してパッケージング組立性を確保した回路基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
電子製品は、増々小型化し、多機能化する傾向があり、そのためにパッケージング技術も進歩している。
特に、Ｐａｃｋａｇｅ－ｏｎ－Ｐａｃｋａｇｅ（ＰＯＰ）構造は、電子製品の性能と機能を向上させるために重要な役割を果たしている。
ＰＯＰ構造は、多様な機能を統合して小型化を可能にし、多層パッケージで構成され、上位パッケージと下位パッケージ間の連結を行う。
この連結は、主にソルダーボールを用いて行われ、ソルダーボールは、パッケージ間の電気的及び機械的連結を提供するとともに、各パッケージの導電性を維持する。
特に、Ｐａｃｋａｇｅ－ｏｎ－Ｐａｃｋａｇｅ（ＰＯＰ）構造は、電子製品の性能と機能を向上させるために重要な役割を果たしている。
ＰＯＰ構造は、多様な機能を統合して小型化を可能にし、多層パッケージで構成され、上位パッケージと下位パッケージ間の連結を行う。
この連結は、主にソルダーボールを用いて行われ、ソルダーボールは、パッケージ間の電気的及び機械的連結を提供するとともに、各パッケージの導電性を維持する。
【0003】
しかし、ＰＯＰ構造で、インターポーザ基板とメモリ基板などを上下に搭載してソルダーボールを用いた連結を行うとき、特定の問題が発生している。
下位パッケージで、ソルダーボールで上位パッケージと連結した後、アンダーフィルを注入するとき、アンダーフィル成分がソルダーボール接合部までブリーディングする現象が発見されている。
このようなブリーディング現象は、パッケージ間の信頼性を低下させ、電子製品の性能に影響を及ぼす可能性があるので、このような問題を解決するための改善されたパッケージング技術の必要性が高まっている。
下位パッケージで、ソルダーボールで上位パッケージと連結した後、アンダーフィルを注入するとき、アンダーフィル成分がソルダーボール接合部までブリーディングする現象が発見されている。
このようなブリーディング現象は、パッケージ間の信頼性を低下させ、電子製品の性能に影響を及ぼす可能性があるので、このような問題を解決するための改善されたパッケージング技術の必要性が高まっている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明は上記従来の回路基板における問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、パッケージング工程で、パッケージ間の連結を提供するソルダーボール接合部をアンダーフィル材のブリーディングから保護するように、基板構造を改善してパッケージング組立性を確保した回路基板とその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
上記目的を達成するためになされた本発明による回路基板は、互いに向き合う第１面と第２面とを有し、前記第１面から凹むように陥没したトレンチ部を有する絶縁層と、前記絶縁層内に埋め込まれ、前記第１面で、前記絶縁層から露出した第１接続パッドと、前記第１面で、前記絶縁層を覆い、前記第１接続パッドと前記トレンチ部を露出させるように開口される第１保護層と、を有することを特徴とする。
【0006】
前記第１保護層は、前記第１接続パッドを露出させる第１開口部と、前記トレンチ部を露出させる第２開口部と、を含むことが好ましい。
前記第１面に平行な第１方向に沿う幅において、前記第２開口部の幅は、前記トレンチ部の幅より大きいことが好ましい。
前記第１面に平行な第１方向に沿う幅において、前記第１開口部の幅は、前記第１接続パッドの幅より小さいことが好ましい。
前記トレンチ部の底面は、前記第１接続パッドの前記露出した面よりさらに後退した位置に位置することが好ましい。
前記トレンチ部の陥没した深さは、前記第１面に垂直な第２方向に沿う前記第１接続パッドの厚さより大きいことが好ましい。
前記トレンチ部の陥没した深さは、前記第１面に垂直な第２方向に沿う前記絶縁層の厚さより小さいことが好ましい。
前記トレンチ部は、前記第１接続パッドと隣接して配置されることが好ましい。
前記第１接続パッドは、複数の第１接続パッドを含み、前記トレンチ部は、互いに隣接する前記第１接続パッドの間に配置されることが好ましい。
前記第１接続パッドの前記露出した面は、前記第１面と同一面上に位置することが好ましい。
前記第２面で、前記絶縁層から突出するように配置される第２接続パッドをさらに有することが好ましい。
前記第２面で、前記絶縁層と前記第２接続パッドを少なくとも部分的に覆う第２保護層をさら有することが好ましい。
前記絶縁層は、プレプレグ（ｐｒｅｐｒｅｇ：ＰＰＧ）を含むことが好ましい。
前記保護層は、ソルダーレジスト（ｓｏｌｄｅｒ ｒｅｇｉｓｔ：ＳＲ）を含むことが好ましい。
前記第１面に平行な第１方向に沿う幅において、前記第２開口部の幅は、前記トレンチ部の幅より大きいことが好ましい。
前記第１面に平行な第１方向に沿う幅において、前記第１開口部の幅は、前記第１接続パッドの幅より小さいことが好ましい。
前記トレンチ部の底面は、前記第１接続パッドの前記露出した面よりさらに後退した位置に位置することが好ましい。
前記トレンチ部の陥没した深さは、前記第１面に垂直な第２方向に沿う前記第１接続パッドの厚さより大きいことが好ましい。
前記トレンチ部の陥没した深さは、前記第１面に垂直な第２方向に沿う前記絶縁層の厚さより小さいことが好ましい。
前記トレンチ部は、前記第１接続パッドと隣接して配置されることが好ましい。
前記第１接続パッドは、複数の第１接続パッドを含み、前記トレンチ部は、互いに隣接する前記第１接続パッドの間に配置されることが好ましい。
前記第１接続パッドの前記露出した面は、前記第１面と同一面上に位置することが好ましい。
前記第２面で、前記絶縁層から突出するように配置される第２接続パッドをさらに有することが好ましい。
前記第２面で、前記絶縁層と前記第２接続パッドを少なくとも部分的に覆う第２保護層をさら有することが好ましい。
前記絶縁層は、プレプレグ（ｐｒｅｐｒｅｇ：ＰＰＧ）を含むことが好ましい。
前記保護層は、ソルダーレジスト（ｓｏｌｄｅｒ ｒｅｇｉｓｔ：ＳＲ）を含むことが好ましい。
【0007】
上記目的を達成するためになされた本発明による回路基板の製造方法は、第１金属を含むシード層上に、第２金属を含む導電層を形成する段階と、前記導電層を覆う第１メッキレジストをパターニングし、前記第２金属をメッキして前記導電層上に突出パターン層を形成する段階と、前記導電層と前記突出パターン層を覆う第２メッキレジストをパターニングし、前記第１金属をメッキして前記導電層上に接続パッドを形成する段階と、前記突出パターン層と前記接続パターンとを覆うように絶縁層を形成する段階と、前記突出パターン層をエッチングして除去し、前記絶縁層の一面に凹むように陥没したトレンチ部を形成する段階と、を有することを特徴とする。
【0008】
前記絶縁層の一面に、前記接続パッドと前記トレンチ部が露出するように開口される保護層を形成する段階をさらに有することが好ましい。
前記第１金属は、銅（Ｃｕ）を含み、前記第２金属は、錫（Ｓｎ）を含むことが好ましい。
前記トレンチ部は、前記突出パターン層に対応する部分に形成されることが好ましい。
前記第１金属は、銅（Ｃｕ）を含み、前記第２金属は、錫（Ｓｎ）を含むことが好ましい。
前記トレンチ部は、前記突出パターン層に対応する部分に形成されることが好ましい。
【発明の効果】
【0009】
本発明に係る回路基板及びその製造方法によれば、パッケージング工程でパッケージ間の連結を提供するソルダーボール接合部をアンダーフィル材のブリーディングから保護するように基板構造を改善してパッケージング組立性を確保することができる。
また、ＥＴＳ（Ｅｍｂｅｄｄｅｄ Ｔｒａｃｅ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）工法で製作された回路基板で接続パッドを形成し、埋め込まれた（ｅｍｂｅｄｄｅｄ）銅パターンとＰＰＧ絶縁層の表面間に段差のない基板構造を製作し、パッケージング組立歩留まりを向上させることができる。
また、ＥＴＳ（Ｅｍｂｅｄｄｅｄ Ｔｒａｃｅ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）工法で製作された回路基板で接続パッドを形成し、埋め込まれた（ｅｍｂｅｄｄｅｄ）銅パターンとＰＰＧ絶縁層の表面間に段差のない基板構造を製作し、パッケージング組立歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】本発明の実施形態による回路基板の概略構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0011】
次に、本発明に係る回路基板及びその製造方法を実施するための形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
【0012】
図面で本発明を明確に説明するために説明上不必要な部分は省略し、明細書全体にわたって同一又は類似の構成要素については同一の参照符号を付する。
また、添付の図面において、一部の構成要素は誇張又は省略されるか、又は概略的に示されており、各構成要素の大きさは、実際の大きさを完全に反映するものではない。
添付の図面は、本明細書に開示した実施形態を容易に理解できるようにするためのものであるだけで、添付の図面によって本明細書に開示した技術的な思想が制限されず、本発明の思想及び技術範囲に含まれるあらゆる変更、均等物ないし代替物を含むものと理解されるべきである。
また、添付の図面において、一部の構成要素は誇張又は省略されるか、又は概略的に示されており、各構成要素の大きさは、実際の大きさを完全に反映するものではない。
添付の図面は、本明細書に開示した実施形態を容易に理解できるようにするためのものであるだけで、添付の図面によって本明細書に開示した技術的な思想が制限されず、本発明の思想及び技術範囲に含まれるあらゆる変更、均等物ないし代替物を含むものと理解されるべきである。
【0013】
第１、第２などのように序数を含む用語は、多様な構成要素を説明するために使用されることがあるが、構成要素は、用語によって限定されない。
用語は、一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的にだけ使用される。
また、層、膜、領域、板などの部分が他の部分「の上に」又は「上に」あるというとき、これは他の部分の「直上に」ある場合だけでなく、その中間にまた他の部分がある場合も含む。
逆に、ある部分が他の部分の「直上に」あるというときには中間に他の部分がないことを意味する。
また、基準となる部分「の上に」又は「上に」あるというのは、基準となる部分の上又は下に位置するのであり、必ず重力反対方向の方に「の上に」又は「上に」位置することを意味するのではない。
用語は、一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的にだけ使用される。
また、層、膜、領域、板などの部分が他の部分「の上に」又は「上に」あるというとき、これは他の部分の「直上に」ある場合だけでなく、その中間にまた他の部分がある場合も含む。
逆に、ある部分が他の部分の「直上に」あるというときには中間に他の部分がないことを意味する。
また、基準となる部分「の上に」又は「上に」あるというのは、基準となる部分の上又は下に位置するのであり、必ず重力反対方向の方に「の上に」又は「上に」位置することを意味するのではない。
【0014】
明細書全体で、「含む」又は「有する」等の用語は、明細書上に記載された特徴、数字、ステップ、動作、構成要素、部品又はこれらを組み合わせたのが存在することを指定しようとするものであって、一つ又はそれ以上の他の特徴や数字、ステップ、動作、構成要素、部品又はこれらを組み合わせたものの存在又は付加可能性を予め排除しないと理解されるべきである。
したがって、ある部分がある構成要素を「含む」というとき、これは特に反対になる記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく他の構成要素をさらに包含できるのを意味する。
また、明細書全体で、「平面上」とするとき、これは対象の部分を上から見たときを意味し、「断面上」とするとき、これは対象の部分を垂直に切断した断面を側から見たときを意味する。
また、明細書全体で、「連結される」というとき、これは二つ以上の構成要素が直接に連結することだけを意味するのではなく、二つ以上の構成要素が他の構成要素を介して間接に連結すること、物理的に連結することだけでなく電気的に連結すること、又は位置や機能によって異なる名称と称されているが一体であることを意味することもある。
したがって、ある部分がある構成要素を「含む」というとき、これは特に反対になる記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく他の構成要素をさらに包含できるのを意味する。
また、明細書全体で、「平面上」とするとき、これは対象の部分を上から見たときを意味し、「断面上」とするとき、これは対象の部分を垂直に切断した断面を側から見たときを意味する。
また、明細書全体で、「連結される」というとき、これは二つ以上の構成要素が直接に連結することだけを意味するのではなく、二つ以上の構成要素が他の構成要素を介して間接に連結すること、物理的に連結することだけでなく電気的に連結すること、又は位置や機能によって異なる名称と称されているが一体であることを意味することもある。
【0015】
図１は、本発明の実施形態による回路基板の概略構成を示す断面図である。
図１を参照すると、本発明の実施形態による回路基板１００は、絶縁層１１０と、この絶縁層１１０に埋め込まれた回路配線と、絶縁層１１０の少なくとも一面を覆う保護層（１３１、１３５）と、を含む。
図１を参照すると、本発明の実施形態による回路基板１００は、絶縁層１１０と、この絶縁層１１０に埋め込まれた回路配線と、絶縁層１１０の少なくとも一面を覆う保護層（１３１、１３５）と、を含む。
【0016】
絶縁層１１０と回路配線とは、ＥＴＳ（Ｅｍｂｅｄｄｅｄ Ｔｒａｃｅ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）構造からなる。
回路基板１００は、印刷回路基板であって、半導体パッケージ用に用いられ得る。
絶縁層１１０は、互いに向き合う第１面１１０ａと第２面１１０ｂとを有し、樹脂絶縁層を含む。
絶縁層１１０は、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、ポリイミドのような熱可塑性樹脂、又はこれらにガラス繊維又は無機フィラーのような補強剤が含浸された樹脂、例えば、プレプレグ（ｐｒｅｐｒｅｇ）が用いられ得る。
また絶縁層１１０は、熱硬化性樹脂及び／又は光硬化性樹脂などを含み得るが、これに限定されない。
回路基板１００は、印刷回路基板であって、半導体パッケージ用に用いられ得る。
絶縁層１１０は、互いに向き合う第１面１１０ａと第２面１１０ｂとを有し、樹脂絶縁層を含む。
絶縁層１１０は、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、ポリイミドのような熱可塑性樹脂、又はこれらにガラス繊維又は無機フィラーのような補強剤が含浸された樹脂、例えば、プレプレグ（ｐｒｅｐｒｅｇ）が用いられ得る。
また絶縁層１１０は、熱硬化性樹脂及び／又は光硬化性樹脂などを含み得るが、これに限定されない。
【0017】
回路配線は、絶縁層１１０内に埋め込まれ、第１面１１０ａで絶縁層１１０から露出する第１接続パッド１２１と、絶縁層１１０の第２面１１０ｂから突出する第２接続パッド１２５を含む。
回路配線は、絶縁層１１０内で絶縁層１１０を貫通じて第１接続パッド１２１と第２接続パッド１２５とを互いに連結するビア１２３を含み、絶縁層１１０内で露出されず、延長される配線を含む。
回路配線は、銅（Ｃｕ）を含み得、絶縁層１１０から露出した第１接続パッド１２１と絶縁層１１０から突出した第２接続パッド１２５を通じて外部回路部品の端子と接続する。
このとき、第１接続パッド１２１の露出した面は、第１面１１０ａと同一面上に位置して段差がない。
つまり、ＥＴＳ構造からなっても絶縁層１１０に埋め込まれた第１接続パッド１２１の露出表面が絶縁層１１０の表面から陥没していない。
回路配線は、絶縁層１１０内で絶縁層１１０を貫通じて第１接続パッド１２１と第２接続パッド１２５とを互いに連結するビア１２３を含み、絶縁層１１０内で露出されず、延長される配線を含む。
回路配線は、銅（Ｃｕ）を含み得、絶縁層１１０から露出した第１接続パッド１２１と絶縁層１１０から突出した第２接続パッド１２５を通じて外部回路部品の端子と接続する。
このとき、第１接続パッド１２１の露出した面は、第１面１１０ａと同一面上に位置して段差がない。
つまり、ＥＴＳ構造からなっても絶縁層１１０に埋め込まれた第１接続パッド１２１の露出表面が絶縁層１１０の表面から陥没していない。
【0018】
保護層（１３１、１３５）は、絶縁層１１０の第１面１１０ａを覆う第１保護層１３１と、第２面１１０ｂを覆う第２保護層１３５とを含む。
第１保護層１３１は、第１面１１０ａで第１接続パッド１２１を露出させるように開口される。
第２保護層１３５は、第２面１１０ｂで絶縁層１１０とともに第２接続パッド１２５を覆い、また、第２接続パッド１２５の一部を露出させるように開口される。
保護層（１３１、１３５）は、ソルダーレジスト層を含み得る。
第１保護層１３１は、第１面１１０ａで第１接続パッド１２１を露出させるように開口される。
第２保護層１３５は、第２面１１０ｂで絶縁層１１０とともに第２接続パッド１２５を覆い、また、第２接続パッド１２５の一部を露出させるように開口される。
保護層（１３１、１３５）は、ソルダーレジスト層を含み得る。
【0019】
絶縁層１１０は、第１面１１０ａから凹むように陥没したトレンチ部１１５を有する。
絶縁層１１０を覆う第１保護層１３１は、トレンチ部１１５を露出させるように開口される。
したがって、第１保護層１３１は、第１接続パッド１２１を露出させる第１開口部１３１ａと、トレンチ部１１５を露出させる第２開口部１３１ｂを有する。
絶縁層１１０の第１面１１０ａに平行な第１方向に沿う幅において、第２開口部１３１ｂの幅は、トレンチ部１１５の幅より大きく形成される。
また、第１方向に沿う幅において、第１開口部１３１ａの幅は、第１接続パッド１２１の幅より小さく形成される。
絶縁層１１０を覆う第１保護層１３１は、トレンチ部１１５を露出させるように開口される。
したがって、第１保護層１３１は、第１接続パッド１２１を露出させる第１開口部１３１ａと、トレンチ部１１５を露出させる第２開口部１３１ｂを有する。
絶縁層１１０の第１面１１０ａに平行な第１方向に沿う幅において、第２開口部１３１ｂの幅は、トレンチ部１１５の幅より大きく形成される。
また、第１方向に沿う幅において、第１開口部１３１ａの幅は、第１接続パッド１２１の幅より小さく形成される。
【0020】
トレンチ部１１５の底面は、第１接続パッド１２１の露出した面より絶縁層１１０の表面からさらに後退して位置する。
このとき、トレンチ部１１５の陥没した深さは、絶縁層１１０の第１面１１０ａに垂直な第２方向に沿う第１接続パッド１２１の厚さより大きく形成される。
また、トレンチ部１１５の陥没した深さは、絶縁層１１０の第２方向に沿う厚さより小さく形成される。
第１接続パッド１２１は、複数個からなり、トレンチ部１１５は、第１接続パッド１２１と隣接して配置される。
また、トレンチ部１１５は、互いに隣接する第１接続パッド１２１間に配置される。
このとき、トレンチ部１１５の陥没した深さは、絶縁層１１０の第１面１１０ａに垂直な第２方向に沿う第１接続パッド１２１の厚さより大きく形成される。
また、トレンチ部１１５の陥没した深さは、絶縁層１１０の第２方向に沿う厚さより小さく形成される。
第１接続パッド１２１は、複数個からなり、トレンチ部１１５は、第１接続パッド１２１と隣接して配置される。
また、トレンチ部１１５は、互いに隣接する第１接続パッド１２１間に配置される。
【0021】
パッケージング工程で、電子素子（図示せず）は、第１接続パッド１２１に配置されるソルダーボール（図示せず）を通じて回路基板１００に実装される。
このとき、電子素子と回路基板１００との間にアンダーフィル（ｕｎｄｅｒ ｆｉｌｌ）材を注入する。
注入されたアンダーフィル材は、第１接続パッド１２１を露出した第１保護層１３１の第１開口部１３１ａからあふれて周辺に流れるアンダーフィルブリーディング（ｕｎｄｅｒｆｉｌｌ ｂｌｅｅｄｉｎｇ）が発生する可能性がある。
第１接続パッド１２１に隣接したトレンチ部１１５は、このようにあふれるアンダーフィル材を収容することによって周辺の他の第１接続パッド１２１に流れて汚染することを防止できる。
このとき、電子素子と回路基板１００との間にアンダーフィル（ｕｎｄｅｒ ｆｉｌｌ）材を注入する。
注入されたアンダーフィル材は、第１接続パッド１２１を露出した第１保護層１３１の第１開口部１３１ａからあふれて周辺に流れるアンダーフィルブリーディング（ｕｎｄｅｒｆｉｌｌ ｂｌｅｅｄｉｎｇ）が発生する可能性がある。
第１接続パッド１２１に隣接したトレンチ部１１５は、このようにあふれるアンダーフィル材を収容することによって周辺の他の第１接続パッド１２１に流れて汚染することを防止できる。
【0022】
図１に示した実施形態では、一つの絶縁層１１０と二つの接続パッド（１２１、１２５）及びこれを連結するビア１２３を含むものとして示したが、本発明はこれに限定されず、より多く数のビルドアップ（ｂｕｉｌｄ－ｕｐ）絶縁層とより多くのビルドアップ回路配線層を含んでもよく、これも本発明の範囲に属するものである。
【0023】
図２～図１７は、図１に示す回路基板を製造する方法を説明するための工程断面図である。
図２～図５を参照すると、少なくとも一面に第１シード層７１と導電層７５とが配置されたキャリア基板６０を準備し、突出パターン形成工程を通じて導電層７５の上に突出パターン層７８を形成する。
キャリア基板６０は、絶縁材６１の両面に銅箔層６２が積層された基板であり、第１シード層７１と銅箔層６２とは互いに分離される。
絶縁材６１は、ＤＣＦ（Ｄｕａｌ ｄｅｔａｃｈ ｃｏｒｅ）層であり得る。
図２～図５を参照すると、少なくとも一面に第１シード層７１と導電層７５とが配置されたキャリア基板６０を準備し、突出パターン形成工程を通じて導電層７５の上に突出パターン層７８を形成する。
キャリア基板６０は、絶縁材６１の両面に銅箔層６２が積層された基板であり、第１シード層７１と銅箔層６２とは互いに分離される。
絶縁材６１は、ＤＣＦ（Ｄｕａｌ ｄｅｔａｃｈ ｃｏｒｅ）層であり得る。
【0024】
第１シード層７１の上には導電層７５をメッキして形成する（図２参照）。
導電層７５は、第１金属を含み、第１シード層７１は、第２金属を含む。
第１金属は、第２金属と互いに異なる金属であり、エッチング条件が互いに異なる。
例えば、第１金属は、錫（Ｓｎ）を含み、第２金属は、銅（Ｃｕ）を含む。
キャリア基板６０上に、突出パターン層７８が形成される部分だけ露光及び現像を通じて除去して第１メッキレジストパターン８３を形成する（図３参照）。
導電層７５は、第１金属を含み、第１シード層７１は、第２金属を含む。
第１金属は、第２金属と互いに異なる金属であり、エッチング条件が互いに異なる。
例えば、第１金属は、錫（Ｓｎ）を含み、第２金属は、銅（Ｃｕ）を含む。
キャリア基板６０上に、突出パターン層７８が形成される部分だけ露光及び現像を通じて除去して第１メッキレジストパターン８３を形成する（図３参照）。
【0025】
突出パターン層７８は、パターニングされた第１メッキレジストパターン８３の開口を通じて露出した導電層７５の部分に導電性の第１金属がメッキされた突出部を有するように形成する（図４参照）。
突出パターン層７８の形成後、第１メッキレジストパターン８３を除去する（図５参照）。
本実施形態では、キャリア基板６０の両面上に突出パターン層７８を形成することを示したが、キャリア基板６０の一面上にだけ突出パターン層７８を形成することも可能であり、これも本発明の範囲に属するものである。
突出パターン層７８の形成後、第１メッキレジストパターン８３を除去する（図５参照）。
本実施形態では、キャリア基板６０の両面上に突出パターン層７８を形成することを示したが、キャリア基板６０の一面上にだけ突出パターン層７８を形成することも可能であり、これも本発明の範囲に属するものである。
【0026】
図６～図８を参照すると、回路形成工程を通じて、導電層７５の上に第１接続パッド１２１を形成する。
導電層７５上に第１接続パッド１２１が形成される部分だけ露光及び現像を通じて除去された第２メッキレジストパターン８５を形成する（図６参照）。
第１接続パッド１２１は、パターニングされた第２メッキレジストパターン８５の開口を通じて露出した導電層７５の部分に、導電性の第２金属をメッキして形成する（図７参照）。
導電層７５の一部と突出パターン層７８とは、第２メッキレジストパターン８５で覆われ、第１接続パッド１２１の形成後、第２メッキレジストパターン８５は、除去する（図８参照）。
導電層７５上に第１接続パッド１２１が形成される部分だけ露光及び現像を通じて除去された第２メッキレジストパターン８５を形成する（図６参照）。
第１接続パッド１２１は、パターニングされた第２メッキレジストパターン８５の開口を通じて露出した導電層７５の部分に、導電性の第２金属をメッキして形成する（図７参照）。
導電層７５の一部と突出パターン層７８とは、第２メッキレジストパターン８５で覆われ、第１接続パッド１２１の形成後、第２メッキレジストパターン８５は、除去する（図８参照）。
【0027】
図９を参照すると、第１接続パッド１２１が埋め込まれるように絶縁層１１０Ａを積層し、絶縁層１１０Ａの上部面に第２シード層１２５Ａを形成する。
第２シード層１２５Ａは、第２接続パッド１２５を形成するために形成され、導電性金属であれば制限されることなく使用可能であるが、銅（Ｃｕ）を用いることが一般的である。
絶縁層１１０Ａは、樹脂絶縁層を含む。
絶縁層１１０Ａは、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、ポリイミドのような熱可塑性樹脂、又はこれらにガラス繊維又は無機フィラーのような補強剤が含浸された樹脂、例えば、プレプレグが用いられてもよく、また、絶縁層１１０Ａは、熱硬化性樹脂及び／又は光硬化性樹脂などを含んでもよいが、これに限定されない。
第２シード層１２５Ａは、第２接続パッド１２５を形成するために形成され、導電性金属であれば制限されることなく使用可能であるが、銅（Ｃｕ）を用いることが一般的である。
絶縁層１１０Ａは、樹脂絶縁層を含む。
絶縁層１１０Ａは、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、ポリイミドのような熱可塑性樹脂、又はこれらにガラス繊維又は無機フィラーのような補強剤が含浸された樹脂、例えば、プレプレグが用いられてもよく、また、絶縁層１１０Ａは、熱硬化性樹脂及び／又は光硬化性樹脂などを含んでもよいが、これに限定されない。
【0028】
図１０～図１３を参照すると、絶縁層１１０Ａの上に回路形成工程を通じて、第２接続パッド１２５を形成する。
第２接続パッド１２５は、第１接続パッド１２１を形成する方法と同様の方法で形成し、第２接続パッド１２５は、第１接続パッド１２１と同じ種類の物質を含み得る。
このとき、第１接続パッド１２１と第２接続パッド１２５とを互いに連結するビア１２３を形成するために絶縁層１１０Ａを部分的にエッチングして第１接続パッド１２１の一部を露出させ（図１０参照）、このように露出した第１接続パッド１２１の部分の上にメッキ工程を行う。
そして、第２シード層１２５Ａ上に、第２接続パッド１２５が形成される部分だけ露光及び現像を通じて除去された第３メッキレジストパターン８７を形成する（図１１参照）。
第２接続パッド１２５は、第１接続パッド１２１を形成する方法と同様の方法で形成し、第２接続パッド１２５は、第１接続パッド１２１と同じ種類の物質を含み得る。
このとき、第１接続パッド１２１と第２接続パッド１２５とを互いに連結するビア１２３を形成するために絶縁層１１０Ａを部分的にエッチングして第１接続パッド１２１の一部を露出させ（図１０参照）、このように露出した第１接続パッド１２１の部分の上にメッキ工程を行う。
そして、第２シード層１２５Ａ上に、第２接続パッド１２５が形成される部分だけ露光及び現像を通じて除去された第３メッキレジストパターン８７を形成する（図１１参照）。
【0029】
パターニングされた第３メッキレジストパターン８７の開口を通じて露出した第２シード層１２５Ａの部分に導電性の第２金属をメッキし、第２接続パッドパターン１２５Ｂを形成する（図１２参照）。
第２接続パッド１２５の形成後、第３メッキレジストパターン８７は、除去する（図１３参照）。
これによって、キャリア基板６０の両側に埋込パターン（Ｅｍｂｅｄｄｅｄ Ｐａｔｔｅｒｎ）基板部が完成する。
図に示した実施形態では、それぞれの埋込パターン基板部は、一つの絶縁層１１０と二つの金属層の第１接続パッド１２１及び第２接続パッド１２５を含むものとして示したが、これに限定されず、より多く数のビルドアップ（ｂｕｉｌｄ－ｕｐ）絶縁層とより多くのビルドアップ配線パターン層を含んでもよく、これも本発明の範囲に属するものである。
第２接続パッド１２５の形成後、第３メッキレジストパターン８７は、除去する（図１３参照）。
これによって、キャリア基板６０の両側に埋込パターン（Ｅｍｂｅｄｄｅｄ Ｐａｔｔｅｒｎ）基板部が完成する。
図に示した実施形態では、それぞれの埋込パターン基板部は、一つの絶縁層１１０と二つの金属層の第１接続パッド１２１及び第２接続パッド１２５を含むものとして示したが、これに限定されず、より多く数のビルドアップ（ｂｕｉｌｄ－ｕｐ）絶縁層とより多くのビルドアップ配線パターン層を含んでもよく、これも本発明の範囲に属するものである。
【0030】
図１４を参照すると、第１シード層７１とキャリア基板６０とを分離して埋込パターン基板を準備する。
キャリア基板６０の両面上に形成された第１シード層７１を銅箔層６２から分離して一対の埋込パターン基板を得て、一対の埋込パターン基板のそれぞれに対して個別に工程を適用する。
キャリア基板６０の両面上に形成された第１シード層７１を銅箔層６２から分離して一対の埋込パターン基板を得て、一対の埋込パターン基板のそれぞれに対して個別に工程を適用する。
【0031】
図１５を参照すると、図１４で得られた埋込パターン基板をアルカリエッチングして第１シード層７１と第２シード層１２５Ａを除去する。
第１シード層７１と第２シード層１２５Ａを除去すると、第１接続パッド１２１が埋め込まれた絶縁層１１０の一面には導電層７５と突出パターン層７８が位置し、この絶縁層１１０の他の一面には第２接続パッド１２５が突出する。
アルカリエッチングを行うとき、第１金属からなる第１シード層７１と第２シード層１２５Ａとはエッチングされて除去されるが、第２金属からなる導電層７５と突出パターン層７８とはエッチングされず、残っていることになる。
第１シード層７１と第２シード層１２５Ａを除去すると、第１接続パッド１２１が埋め込まれた絶縁層１１０の一面には導電層７５と突出パターン層７８が位置し、この絶縁層１１０の他の一面には第２接続パッド１２５が突出する。
アルカリエッチングを行うとき、第１金属からなる第１シード層７１と第２シード層１２５Ａとはエッチングされて除去されるが、第２金属からなる導電層７５と突出パターン層７８とはエッチングされず、残っていることになる。
【0032】
図１６を参照すると、図１５で得られた埋込パターン基板をエッチングして導電層７５と突出パターン層７８を除去する。
このために導電層７５と突出パターン層７８を構成する第１金属は、エッチングされながら、接続パッド（１２１、１２５）を構成する第２金属は、エッチングされないエッチング液を用いてエッチング工程を行う。
例えば、錫（Ｓｎ）剥離剤を用いることによって、錫（Ｓｎ）は、除去され、銅（Ｃｕ）は、除去されないようにエッチングすることができる。
埋込パターン基板から導電層７５と突出パターン層７８を除去すると、絶縁層１１０の一面から第１接続パッド１２１が露出し、絶縁層１１０にトレンチ部１１５が形成される。
トレンチ部１１５は、突出パターン層７８が除去されることによって、第１接続パッド１２１が露出した絶縁層１１０の一面から凹むように陥没して形成される。
第１金属からなる第１接続パッド１２１は、第２金属をエッチングするエッチング液によってエッチングされないので、第１接続パッド１２１の露出した面は、絶縁層１１０の一面と同一面上に位置する。
このために導電層７５と突出パターン層７８を構成する第１金属は、エッチングされながら、接続パッド（１２１、１２５）を構成する第２金属は、エッチングされないエッチング液を用いてエッチング工程を行う。
例えば、錫（Ｓｎ）剥離剤を用いることによって、錫（Ｓｎ）は、除去され、銅（Ｃｕ）は、除去されないようにエッチングすることができる。
埋込パターン基板から導電層７５と突出パターン層７８を除去すると、絶縁層１１０の一面から第１接続パッド１２１が露出し、絶縁層１１０にトレンチ部１１５が形成される。
トレンチ部１１５は、突出パターン層７８が除去されることによって、第１接続パッド１２１が露出した絶縁層１１０の一面から凹むように陥没して形成される。
第１金属からなる第１接続パッド１２１は、第２金属をエッチングするエッチング液によってエッチングされないので、第１接続パッド１２１の露出した面は、絶縁層１１０の一面と同一面上に位置する。
【0033】
図１７を参照すると、図１６で得られた埋込パターン基板の両面に絶縁層１１０と接続パッド（１２１、１２５）を覆うように第１及び第２保護層１３５を形成する。
第１及び第２保護層１３５は、ソルダーレジスト層を含む。
第１保護層１３１は、第１接続パッド１２１が露出した絶縁層１１０の一面で、第１接続パッド１２１を露出させるように開口された第１開口部１３１ａと、トレンチ部１１５を露出させるように開口された第２開口部１３１ｂとを有するようにパターニングする。
絶縁層１１０の一面に平行な第１方向に沿う幅において、第２開口部１３１ｂの幅は、トレンチ部１１５の幅より大きく形成する。
また、第１方向に沿う幅において、第１開口部１３１ａの幅は、第１接続パッド１２１の幅より小さく形成する。
第２保護層１３５は、第２接続パッド１２５が配置された絶縁層１１０の他の一面で、第２接続パッド１２５の少なくとも一部を露出させるように開口される。
第１及び第２保護層１３５は、ソルダーレジスト層を含む。
第１保護層１３１は、第１接続パッド１２１が露出した絶縁層１１０の一面で、第１接続パッド１２１を露出させるように開口された第１開口部１３１ａと、トレンチ部１１５を露出させるように開口された第２開口部１３１ｂとを有するようにパターニングする。
絶縁層１１０の一面に平行な第１方向に沿う幅において、第２開口部１３１ｂの幅は、トレンチ部１１５の幅より大きく形成する。
また、第１方向に沿う幅において、第１開口部１３１ａの幅は、第１接続パッド１２１の幅より小さく形成する。
第２保護層１３５は、第２接続パッド１２５が配置された絶縁層１１０の他の一面で、第２接続パッド１２５の少なくとも一部を露出させるように開口される。
【0034】
尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【符号の説明】
【0035】
１００ 回路基板
１１０ 絶縁層
１１５ トレンチ部
１２１ 第１接続パッド
１２３ ビア
１２５ 第２接続パッド
１３１ 第１保護層
１３１ａ 第１開口部
１３１ｂ 第２開口部
１３５ 第２保護層
１１０ 絶縁層
１１５ トレンチ部
１２１ 第１接続パッド
１２３ ビア
１２５ 第２接続パッド
１３１ 第１保護層
１３１ａ 第１開口部
１３１ｂ 第２開口部
１３５ 第２保護層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】