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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2025081221
(43)【公開日】2025-05-27
(54)【発明の名称】積層型電子部品
(51)【国際特許分類】
H01G 4/30 20060101AFI20250520BHJP
H01F 27/29 20060101ALN20250520BHJP
【ＦＩ】
H01G4/30 201N
H01G4/30 201M
H01G4/30 201L
H01G4/30 515
H01F27/29 123
【審査請求】未請求
【請求項の数】13
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024157202
(22)【出願日】2024-09-11
(31)【優先権主張番号】10-2023-0158445
(32)【優先日】2023-11-15
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】594023722
【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．
(74)【代理人】
【識別番号】110000877
【氏名又は名称】弁理士法人ＲＹＵＫＡ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】シム、ダエ ジン
(72)【発明者】
【氏名】パク、ジュン ジン
(72)【発明者】
【氏名】チョイ、ヒョ スン
(72)【発明者】
【氏名】チョイ、ホ サム
(72)【発明者】
【氏名】リー、セウン ヨン
(72)【発明者】
【氏名】リー、ヨン フワ
(72)【発明者】
【氏名】キム、ヒョ スブ
(72)【発明者】
【氏名】リー、ジョン ホ
【テーマコード（参考）】
5E001
5E070
5E082
【Ｆターム（参考）】
5E001AB03
5E001AC09
5E001AE02
5E001AE03
5E001AE05
5E001AF06
5E070EA01
5E070EB04
5E082AA01
5E082AB03
5E082BC19
5E082BC31
5E082EE04
5E082EE23
5E082EE35
5E082FF05
5E082FG04
5E082FG26
5E082GG10
5E082GG11
5E082JJ03
5E082JJ12
(57)【要約】 （修正有）
【課題】耐湿信頼性及び機械的特性が向上した積層型電子部品を提供する。
【解決手段】積層型電子部品は、誘電体層１１１及び誘電体層と第１方向に交互に配置される内部電極１２１、１２２を含む容量形成部Ａｃ並びに容量形成部の第１方向の両端面に配置されるカバー部１１２、１１３を含む本体１１０と、本体上に配置される外部電極と、本体の第３方向の両端面に配置されるサイドマージン部１１４、１１５と、を含み、カバー部及びサイドマージン部はチタン（Ｔｉ）及びガリウム（Ｇａ）を含み、カバー部１１２、１１３に含まれるチタン（Ｔｉ）１００モル対ガリウム（Ｇａ）のモル数（Ａ）に対する、サイドマージン部に含まれるチタン（Ｔｉ）１００モル対ガリウム（Ｇａ）のモル数（Ｂ）の比率（Ｂ／Ａ）は１．５≦Ｂ／Ａを満たす。
【選択図】図６
【解決手段】積層型電子部品は、誘電体層１１１及び誘電体層と第１方向に交互に配置される内部電極１２１、１２２を含む容量形成部Ａｃ並びに容量形成部の第１方向の両端面に配置されるカバー部１１２、１１３を含む本体１１０と、本体上に配置される外部電極と、本体の第３方向の両端面に配置されるサイドマージン部１１４、１１５と、を含み、カバー部及びサイドマージン部はチタン（Ｔｉ）及びガリウム（Ｇａ）を含み、カバー部１１２、１１３に含まれるチタン（Ｔｉ）１００モル対ガリウム（Ｇａ）のモル数（Ａ）に対する、サイドマージン部に含まれるチタン（Ｔｉ）１００モル対ガリウム（Ｇａ）のモル数（Ｂ）の比率（Ｂ／Ａ）は１．５≦Ｂ／Ａを満たす。
【選択図】図６
【特許請求の範囲】
【請求項1】
誘電体層及び前記誘電体層と第１方向に交互に配置される内部電極を含む容量形成部、並びに前記容量形成部の前記第１方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）に配置されるカバー部を含み、前記第１方向に互いに対向する第１面及び第２面、前記第１面及び前記第２面と連結され、第２方向に互いに対向する第３面及び第４面、前記第１面、前記第２面、前記第３面及び前記第４面と連結され、第３方向に互いに対向する第５面及び第６面を含む本体と、
前記第３面及び前記第４面に配置される外部電極と、
前記第５面及び前記第６面に配置されるサイドマージン部と、を含み、
前記カバー部及び前記サイドマージン部は、チタン（Ｔｉ）及びガリウム（Ｇａ）を含み、
前記カバー部に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モル対ガリウム（Ｇａ）のモル数（Ａ）に対する、前記サイドマージン部に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モル対ガリウム（Ｇａ）のモル数（Ｂ）の比率（Ｂ／Ａ）は１．５≦Ｂ／Ａを満たす、積層型電子部品。
前記第３面及び前記第４面に配置される外部電極と、
前記第５面及び前記第６面に配置されるサイドマージン部と、を含み、
前記カバー部及び前記サイドマージン部は、チタン（Ｔｉ）及びガリウム（Ｇａ）を含み、
前記カバー部に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モル対ガリウム（Ｇａ）のモル数（Ａ）に対する、前記サイドマージン部に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モル対ガリウム（Ｇａ）のモル数（Ｂ）の比率（Ｂ／Ａ）は１．５≦Ｂ／Ａを満たす、積層型電子部品。
【請求項2】
０モル＜Ｂ≦１．０モルを満たす、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項3】
０モル＜Ａ≦１．０モルを満たす、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項4】
前記誘電体層はガリウム（Ｇａ）を含まない、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項5】
前記容量形成部の誘電体層を第１誘電体層とするとき、前記カバー部は第２誘電体層を含み、前記サイドマージン部は第３誘電体層を含み、
前記第１誘電体層の組成は、前記第２誘電体層及び第３誘電体層のうち少なくとも一つの組成とは異なる、請求項１に記載の積層型電子部品。
前記第１誘電体層の組成は、前記第２誘電体層及び第３誘電体層のうち少なくとも一つの組成とは異なる、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項6】
前記カバー部及び前記サイドマージン部のうち少なくとも一つは、ガリウム（Ｇａ）を含む二次相（ｓｅｃｏｎｄａｒｙ－ｐｈａｓｅ）を含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項7】
前記カバー部、及び前記サイドマージン部のうち少なくとも一つは、
複数の結晶粒、隣接する前記複数の結晶粒の間に配置される結晶粒界、及び前記結晶粒界が３つ以上接する地点に配置される三重点を含み、
前記少なくとも一つの三重点に前記二次相が配置される、請求項６に記載の積層型電子部品。
複数の結晶粒、隣接する前記複数の結晶粒の間に配置される結晶粒界、及び前記結晶粒界が３つ以上接する地点に配置される三重点を含み、
前記少なくとも一つの三重点に前記二次相が配置される、請求項６に記載の積層型電子部品。
【請求項8】
前記二次相はケイ素（Ｓｉ）をさらに含む、請求項６に記載の積層型電子部品。
【請求項9】
前記カバー部、及び前記サイドマージン部のうち少なくとも一つは、複数の結晶粒、及び隣接する結晶粒の間に配置される結晶粒界を含み、
前記結晶粒界はガリウム（Ｇａ）を含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
前記結晶粒界はガリウム（Ｇａ）を含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項10】
前記結晶粒界は、ガリウム（Ｇａ）の原子百分率（ａｔ％）が２．０ａｔ％以上である領域を含む、請求項９に記載の積層型電子部品。
【請求項11】
前記結晶粒界は、ガリウム（Ｇａ）の平均原子百分率（ａｔ％）が０．５ａｔ％以上２．０ａｔ％以下である、請求項９に記載の積層型電子部品。
【請求項12】
前記カバー部の前記第１方向及び前記第３方向の断面を基準に、１μｍ２に含まれた気孔の数は０．３０個以下である、請求項１から１１のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
【請求項13】
前記サイドマージン部の前記第１方向及び前記第３方向の断面を基準に、１μｍ２に含まれた気孔の数は０．２２個以下である、請求項１から１１のいずれか一項に記載の積層型電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、積層型電子部品に関する。
【背景技術】
【0002】
積層型電子部品の一つである積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマ表示装置パネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）などの映像機器、コンピュータ、スマートフォン、及び携帯電話などの様々な電子製品の印刷回路基板に装着され、電気を充電又は放電させる役割を果たすチップ型のコンデンサである。
【0003】
このような積層セラミックキャパシタは、小型でありながらも高容量が保障され、実装が容易であるという利点により、様々な電子装置の部品として使用されることができる。コンピュータ、モバイル機器など、各種の電子機器が小型化及び高出力化されるにつれて、積層セラミックキャパシタに対する小型化及び高容量化への要求が増大している。
【0004】
小型化及び高容量化が進むにつれて、容量を形成する領域を保護する必要性が高まっているが、これについては、容量を形成する領域を囲むマージン領域を追加してこれを改善している。但し、小型化及び高容量化を達成するために構造的な設計を持続的に変更することにより、容量を形成する領域は大きくなり、容量を形成する領域を保護するマージン領域が減少することで、積層セラミックキャパシタの耐湿信頼性及び強度が脆弱になるという問題が発生するおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２０２２－０６８５２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明が解決しようとするいくつかの課題の一つは、耐湿信頼性が向上した積層型電子部品を提供することである。
【0007】
本発明が解決しようとするいくつかの課題の一つは、機械的特性が向上した積層型電子部品を提供することである。
【0008】
但し、本発明が解決しようとするいくつかの課題は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明の一実施形態に係る積層型電子部品は、誘電体層及び上記誘電体層と第１方向に交互に配置される内部電極を含む容量形成部、並びに上記容量形成部の上記第１方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）に配置されるカバー部を含み、上記第１方向に互いに対向する第１面及び第２面、上記第１面及び第２面と連結され、第２方向に互いに対向する第３面及び第４面、上記第１面、第２面、第３面及び第４面と連結され、第３方向に互いに対向する第５面及び第６面を含む本体と、上記第３面及び第４面に配置される外部電極と、上記第５面及び第６面に配置されるサイドマージン部と、を含み、上記カバー部及びサイドマージン部は、チタン（Ｔｉ）及びガリウム（Ｇａ）を含み、上記カバー部に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モル対ガリウム（Ｇａ）のモル数（Ａ）に対する、上記サイドマージン部に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モル対ガリウム（Ｇａ）のモル数（Ｂ）の比率（Ｂ／Ａ）は、１．５≦Ｂ／Ａを満たすことができる。
【発明の効果】
【0010】
本発明のいくつかの効果の一つは、積層型電子部品の耐湿信頼性が向上したことである。
【0011】
本発明のいくつかの効果の一つは、積層型電子部品の機械的特性が向上したことである。
【0012】
但し、本発明の多様かつ有益な利点及び効果は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。
【図面の簡単な説明】
【0013】
【図1】本発明の一実施形態に係る積層型電子部品の斜視図を概略的に示すものである。
【図4】内部電極の積層構造を示す分離斜視図を概略的に示すものである。
【図7】（ａ）及び（ｂ）は、比較例において図６のＭ１及びＭ２領域を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影したイメージであり、（ｃ）及び（ｄ）は、実施例において図６のＭ１及びＭ２領域を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影したイメージである。
【図8】（ａ）は、比較例のカバー部の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）のＨＡＡＤＦモードで撮影したイメージであり、（ｂ）は、（ａ）の領域においてＥＤＳ分析を行ってアルミニウム（Ａｌ）元素をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）したイメージであり、（ｃ）は、（ａ）の領域においてＥＤＳ分析を行ってケイ素（Ｓｉ）元素をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）したイメージである。
【図9】（ａ）は、実施例のカバー部の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）のＨＡＡＤＦモードで撮影したイメージであり、（ｂ）は、（ａ）の領域においてＥＤＳ分析を行ってアルミニウム（Ａｌ）元素をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）したイメージであり、（ｃ）は、（ａ）の領域においてＥＤＳ分析を行ってケイ素（Ｓｉ）元素をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）したイメージであり、（ｄ）は、（ａ）の領域においてＥＤＳ分析を行ってガリウム（Ｇａ）元素をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）したイメージである。
【図10】（ａ）は、比較例のサイドマージン部の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）のＨＡＡＤＦモードで撮影したイメージであり、（ｂ）は、（ａ）の領域においてＥＤＳ分析を行ってアルミニウム（Ａｌ）元素をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）したイメージであり、（ｃ）は、（ａ）の領域においてＥＤＳ分析を行ってケイ素（Ｓｉ）元素をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）したイメージである。
【図11】（ａ）は、実施例のサイドマージン部の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）のＨＡＡＤＦモードで撮影したイメージであり、（ｂ）は、（ａ）の領域においてＥＤＳ分析を行ってアルミニウム（Ａｌ）元素をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）したイメージであり、（ｃ）は、（ａ）の領域においてＥＤＳ分析を行ってケイ素（Ｓｉ）元素をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）したイメージであり、（ｄ）は、（ａ）の領域においてＥＤＳ分析を行ってガリウム（Ｇａ）元素をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）したイメージである。
【図12】（ａ）及び（ｂ）は比較例の耐湿信頼性評価グラフであり、（ｃ）及び（ｄ）は実施例の耐湿信頼性評価グラフである。
【図13】（ａ）は比較例の結晶粒微細構造のサイズに関するグラフであり、（ｂ）は実施例の結晶粒微細構造のサイズに関するグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0014】
以下、具体的な実施形態及び添付の図面を参照して本発明の実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形することができ、本発明の範囲が以下で説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、通常の技術者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさ等は、より明確な説明のために誇張することができ、図面上の同じ符号で示される要素は同じ要素である。
【0015】
そして、図面において本発明を明確に説明するために、説明と関係のない部分は省略し、図面に示した各構成の大きさ及び厚さは説明の便宜上、任意に示しているため、本発明は必ずしも図示したものに限定されない。なお、同一思想の範囲内の機能が同一である構成要素に対しては、同一の参照符号を用いて説明する。さらに、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」と言うとき、これは特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含み得ることを意味する。
【0016】
図において、第１方向は積層方向又は厚さＴ方向、第２方向は長さＬ方向、第３方向は幅Ｗ方向と定義されることができる。
【0017】
積層型電子部品
図１は、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品の斜視図を概略的に示すものであり、図２は、図１の積層型電子部品において外部電極を除いた斜視図を概略的に示すものであり、図３は、図１の積層型電子部品において外部電極及びサイドマージン部を除いた斜視図を概略的に示すものであり、図４は、内部電極の積層構造を示す分離斜視図を概略的に示すものであり、図５は、図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図を概略的に示すものであり、図６は、図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図を概略的に示すものである。
図１は、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品の斜視図を概略的に示すものであり、図２は、図１の積層型電子部品において外部電極を除いた斜視図を概略的に示すものであり、図３は、図１の積層型電子部品において外部電極及びサイドマージン部を除いた斜視図を概略的に示すものであり、図４は、内部電極の積層構造を示す分離斜視図を概略的に示すものであり、図５は、図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図を概略的に示すものであり、図６は、図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図を概略的に示すものである。
【0018】
以下、図１～図６を参照して、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品について詳細に説明する。但し、積層型電子部品の一例として積層セラミックキャパシタについて説明するが、本発明は、誘電体組成物を利用する様々な電子製品、例えば、インダクタ、圧電体素子、バリスタ、又はサーミスタなどにも適用することができる。
【0019】
本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００は、誘電体層１１１及び上記誘電体層１１１と第１方向に交互に配置される内部電極１２１、１２２を含む容量形成部Ａｃ、並びに上記容量形成部Ａｃの上記第１方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）に配置されるカバー部１１２、１１３を含み、上記第１方向に互いに対向する第１面１及び第２面２、上記第１面１及び第２面２と連結され、第２方向に互いに対向する第３面３及び第４面４、上記第１面１、第２面２、第３面３及び第４面４と連結され、第３方向に互いに対向する第５面５及び第６面６を含む本体１１０と、上記第３面３及び第４面４に配置された外部電極と、上記第５面５及び第６面６に配置されるサイドマージン部１１４、１１５と、を含み、上記カバー部１１２、１１３及びサイドマージン部１１４、１１５はチタン（Ｔｉ）及びガリウム（Ｇａ）を含み、上記カバー部１１２、１１３に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モル対ガリウム（Ｇａ）のモル数（Ａ）に対する、サイドマージン部１１４、１１５に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モル対ガリウム（Ｇａ）のモル数（Ｂ）の比率（Ｂ／Ａ）は１．５≦Ｂ／Ａを満たすことができる。
【0020】
本体１１０は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２が交互に積層されていてもよい。
【0021】
より具体的に、本体１１０は、本体１１０の内部に配置され、誘電体層１１１を挟んで互いに対向するように交互に配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含んで容量を形成する容量形成部Ａｃを含むことができる。
【0022】
本体１１０の具体的な形状に特に制限はないが、図示のように、本体１１０は六面体形状又はこれと類似の形状からなることができる。焼成過程で本体１１０に含まれたセラミック粒子の収縮により、本体１１０は完全な直線を有する六面体形状ではないが、実質的に六面体形状を有することができる。
【0023】
本体１１０は、第１方向に互いに対向する第１面１及び第２面２、第１面１及び第２面２と連結され、第２方向に互いに対向する第３面３及び第４面４、第１面１、第２面２、第３面３及び第４面４と連結され、第３方向に互いに対向する第５面５及び第６面６を有することができる。
【0024】
本体１１０を形成する複数の誘電体層１１１は焼成された状態であって、隣接する誘電体層１１１間の境界は走査電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＳＥＭ）を利用せずには確認しにくいほど一体化することができる。
【0025】
誘電体層１１１を形成する原料は、十分な静電容量が得られる限り限定されない。一般に、ペロブスカイト（ＡＢＯ３）系材料を使用することができ、例えば、チタン酸バリウム系材料、鉛複合ペロブスカイト系材料又はチタン酸ストロンチウム系材料などを使用することができる。チタン酸バリウム系材料は、ＢａＴｉＯ３系セラミック粒子を含むことができ、セラミック粒子の例示として、ＢａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）等が一部固溶した（Ｂａ１－ｘＣａｘ）ＴｉＯ３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ１－ｙＣａｙ）Ｏ３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ１－ｘＣａｘ）（Ｔｉ１－ｙＺｒｙ）Ｏ３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）又はＢａ（Ｔｉ１－ｙＺｒｙ）Ｏ３（０＜ｙ＜１）などが挙げられる。
【0026】
また、誘電体層１１１を形成する原料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）などの粒子に、本発明の目的に応じて様々なセラミック添加剤、有機溶剤、結合剤、分散剤などを添加することができる。
【0027】
なお、誘電体層１１１は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）のような誘電体物質を用いて形成することができるため、焼成後に誘電体微細構造を含むことができる。誘電体微細構造は、複数の結晶粒、上記隣接する結晶粒の間に配置される結晶粒界、及び上記結晶粒界が３つ以上接する地点に配置される三重点を含むことができ、それぞれ複数個を含むことができる。
【0028】
本発明では、後述するカバー部１１２、１１３及びサイドマージン部１１４、１１５に含まれる誘電体層と区分するために、容量形成部Ａｃに含まれた誘電体層１１１を第１誘電体層１１１と定義することができ、カバー部１１２、１１３に含まれた誘電体層を第２誘電体層と定義することができ、サイドマージン部１１４、１１５に含まれる誘電体層を第３誘電体層と定義することができる。
【0029】
本発明の一実施形態において、容量形成部Ａｃの第１誘電体層１１１はガリウム（Ｇａ）を含まなくてもよい。
【0030】
ここで、容量形成部Ａｃの第１誘電体層１１１がガリウムＧａを含まないとは、第１誘電体層１１１を焼成する前、誘電体スラリー（ｓｌｕｒｒｙ）又は誘電体グリーンシート状態がガリウム（Ｇａ）含まないことを意味することができ、容量形成部Ａｃの中央部領域に位置する第１誘電体層１１１がガリウム（Ｇａ）を含まないことを意味することができる。
【0031】
すなわち、後述するカバー部１１２、１１３又はサイドマージン部１１４、１１５に含まれたガリウム（Ｇａ）は高温熱処理などの焼成過程が進行するにつれて、容量形成部Ａｃのうちカバー部１１２、１１３又はサイドマージン部１１４、１１５に隣接する容量形成部Ａｃの第１誘電体層１１１の領域にガリウム（Ｇａ）が拡散することもできるが、容量形成部Ａｃの中央部領域に位置する第１誘電体層１１１はガリウム（Ｇａ）を含まないことを意味することができる。
【0032】
例えば、第１誘電体層１１１を含む本体１１０の第３方向の中心において第１方向及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準に、第１方向及び第２方向の中心部に位置する１０μｍ×１０μｍ領域を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）のエネルギー分散Ｘ線分光法（Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ－Ｒａｙ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ、ＥＤＳ）モードで観察したとき、ガリウム（Ｇａ）が検出されないか、又はガリウム（Ｇａ）が０．１ａｔ％未満検出されることを意味することができる。
【0033】
第１誘電体層１１１の厚さｔｄは特に限定する必要はない。
【0034】
但し、積層型電子部品の高容量化を達成するために第１誘電体層１１１の厚さは３．０μｍ以下であってもよく、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、第１誘電体層１１１の厚さは１．０μｍ以下であってもよく、好ましくは０．６μｍ以下であってもよく、より好ましくは０．４μｍ以下であってもよい。
【0035】
ここで、第１誘電体層１１１の厚さｔｄは、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２の間に配置される第１誘電体層１１１の厚さｔｄを意味することができる。
【0036】
一方、第１誘電体層１１１の厚さｔｄは、第１誘電体層１１１の第１方向のサイズを意味することができる。また、第１誘電体層１１１の厚さｔｄは、第１誘電体層１１１の平均厚さｔｄを意味することができ、第１誘電体層１１１の第１方向の平均サイズを意味することができる。
【0037】
第１誘電体層１１１の第１方向の平均サイズは、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、一つの第１誘電体層１１１の第１方向の平均サイズは、スキャンされたイメージにおいて、一つの第１誘電体層１１１を第２方向に等間隔である３０個の地点で第１方向のサイズを測定して計算した平均値を意味することができる。上記等間隔である３０個の地点は容量形成部Ａｃで指定することができる。また、このような平均値の測定を１０個の第１誘電体層１１１に拡張して平均値を測定すると、第１誘電体層１１１の第１方向の平均サイズをさらに一般化することができる。
【0038】
内部電極１２１、１２２は第１誘電体層１１１と交互に積層されてもよい。
【0039】
内部電極１２１、１２２は第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含むことができ、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は本体１１０を構成する誘電体層１１１を挟んで互いに対向するように交互に配置され、本体１１０の第３面３及び第４面４にそれぞれ露出することができる。
【0040】
より具体的に、第１内部電極１２１は第４面４と離隔し、第３面３を介して露出することができ、第２内部電極１２２は第３面３と離隔し、第４面４を介して露出することができる。本体１１０の第３面３には第１外部電極１３１が配置されて第１内部電極１２１と連結され、本体１１０の第４面４には第２外部電極１３２が配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。
【0041】
すなわち、第１内部電極１２１は第２外部電極１３２とは連結されず第１外部電極１３１と連結され、第２内部電極１２２は第１外部電極１３１とは連結されず第２外部電極１３２と連結されることができる。このとき、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は、中間に配置された第１誘電体層１１１によって互いに電気的に分離することができる。
【0042】
一方、本体１１０は、第１内部電極１２１が印刷されたセラミックグリーンシートと、第２内部電極１２２が印刷されたセラミックグリーンシートとを交互に積層した後、焼成して形成することができる。
【0043】
内部電極１２１、１２２を形成する材料は特に限定されず、電気伝導性に優れた材料を使用することができる。例えば、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含むことができる。
【0044】
また、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含む内部電極用導電性ペーストをセラミックグリーンシートに印刷して形成することができる。上記内部電極用導電性ペーストの印刷方法としては、スクリーン印刷法又はグラビア印刷法などを使用することができるが、本発明はこれに限定されるものではない。
【0045】
一方、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは特に限定する必要はない。
【0046】
但し、積層型電子部品の高容量化を達成するために、内部電極１２１、１２２の厚さは１．０μｍ以下であってもよく、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、内部電極１２１、１２２の厚さは０．６μｍ以下であってもよく、より好ましくは０．４μｍ以下であってもよい。
【0047】
ここで、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の第１方向のサイズを意味することができる。また、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅを意味することができ、内部電極１２１、１２２の第１方向の平均サイズを意味することができる。
【0048】
内部電極１２１、１２２の第１方向の平均サイズは、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、一つの内部電極の第１方向の平均サイズは、スキャンされたイメージにおいて、一つの内部電極を第２方向に等間隔である３０個の地点で第１方向のサイズを測定して計算した平均値であることができる。上記等間隔である３０個の地点は容量形成部Ａｃで指定することができる。また、このような平均値の測定を１０個の内部電極１２１、１２２に拡張して平均値を測定すると、内部電極１２１、１２２の第１方向の平均サイズをさらに一般化することができる。
【0049】
一方、本発明の一実施形態において、複数の第１誘電体層１１１のうち少なくとも一つの平均厚さｔｄと複数の内部電極１２１、１２２のうち少なくとも一つの平均厚さｔｅは、２×ｔｅ＜ｔｄを満たすことができる。
【0050】
言い換えれば、第１誘電体層１１１の一つの平均厚さｔｄは、内部電極１２１、１２２の一つの平均厚さｔｅの２倍よりさらに大きくてもよい。好ましくは、複数の第１誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、複数の内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅの２倍よりさらに大きくてもよい。
【0051】
一般に、高電圧電装用電子部品は、高電圧環境下で絶縁破壊電圧（Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ Ｖｏｌｔａｇｅ、ＢＤＶ）の低下による信頼性の問題が主なイシューである。
【0052】
したがって、高電圧環境下で絶縁破壊電圧の低下を防止するために、第１誘電体層１１１の平均厚さｔｄを内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅの２倍よりも大きくすることにより、内部電極間の距離である誘電体層の厚さを増加させることができ、絶縁破壊電圧特性を向上させることができる。
【0053】
第１誘電体層１１１の平均厚さｔｄが内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅの２倍以下である場合には、内部電極間の距離である誘電体層の平均厚さが薄くなり、絶縁破壊電圧が低下することがあり、内部電極間の短絡が発生する可能性がある。
【0054】
高電圧電子部品において、内部電極の平均厚さｔｅは１μｍ以下であってもよく、誘電体層の平均厚さｔｄは３．０μｍ以下であってもよいが、必ずしもこれに限定されるものではない。
【0055】
一方、本体１１０は、容量形成部Ａｃの第１方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）上に配置されるカバー部１１２、１１３を含むことができる。
【0056】
具体的に、容量形成部Ａｃの第１方向の一面に配置される第１カバー部１１２、及び容量形成部Ａｃの第１方向の他面に配置される第２カバー部１１３を含むことができる。より具体的には、容量形成部Ａｃの第１方向の上部に配置される上部カバー部１１２、及び容量形成部Ａｃの第１方向の下部に配置される下部カバー部１１３を含むことができる。
【0057】
上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、単一の第２誘電体層又は２つ以上の第２誘電体層を容量形成部Ａｃの上下面にそれぞれ第１方向に積層して形成することができ、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。
【0058】
上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、内部電極１２１、１２２を含まず、第１誘電体層１１１と同じ誘電体物質を含むことができる。すなわち、上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３の第２誘電体層はセラミック材料を含むことができ、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系セラミック材料を含むことができる。
【0059】
但し、第２誘電体層の組成は、第１誘電体層１１１の組成と異なる場合があり、例えば、第２誘電体層はガリウム（Ｇａ）を含むことができる。
【0060】
すなわち、カバー部１１２、１１３はガリウム（Ｇａ）を含むことができる。
【0061】
カバー部１１２、１１３がガリウム（Ｇａ）を含むことにより、焼成温度を低下させて気孔Ｐの数を減少させることができ、これにより、カバー部１１２、１１３の緻密度が向上し、耐湿信頼性が向上できる。また、外部からの衝撃を受けてもクラック（ｃｒａｃｋ）の生成を抑制することができ、機械的特性が向上できる。
【0062】
また、第２誘電体層は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）のような誘電体物質を用いて形成することができるため、焼成後に誘電体微細構造を含むことができる。誘電体微細構造は、複数の結晶粒、上記隣接する結晶粒の間に配置される結晶粒界、及び上記結晶粒界が３つ以上接する地点に配置される三重点を含むことができ、それぞれ複数個を含むことができる。
【0063】
一方、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは特に限定する必要はない。
【0064】
但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは１００μｍ以下であってもよく、好ましくは３０μｍ以下であってもよく、超小型製品では、より好ましくは２０μｍ以下であってもよい。
【0065】
ここで、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは、カバー部１１２、１１３の第１方向のサイズを意味することができる。また、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは、カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃを意味し、カバー部１１２、１１３の第１方向の平均サイズを意味することができる。
【0066】
カバー部１１２、１１３の第１方向の平均サイズは、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、一つのカバー部をスキャンしたイメージにおいて、第２方向に等間隔である３０個の地点で第１方向のサイズを測定して計算した平均値であることができる。
【0067】
なお、上述した方法で測定したカバー部の第１方向の平均サイズは、本体１１０の第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）において、カバー部の第１方向の平均サイズと実質的に同じサイズを有することができる。
【0068】
一方、積層型電子部品１００は、本体１１０の第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）上に配置されるサイドマージン部１１４、１１５を含むことができる。
【0069】
より具体的に、サイドマージン部１１４、１１５は、本体１１０の第５面５に配置された第１サイドマージン部１１４及び第６面６に配置された第２サイドマージン部１１５を含むことができる。すなわち、サイドマージン部１１４、１１５は、本体１１０の第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）に配置されてもよい。
【0070】
サイドマージン部１１４、１１５は、図示のように、本体１１０の第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準に、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２の第３方向の両端と本体１１０の境界面との間の領域を意味することができる。
【0071】
サイドマージン部１１４、１１５は、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。
【0072】
サイドマージン部１１４、１１５は、第1誘電体層１１１になるセラミックグリーンシート上にサイドマージン部１１４、１１５が形成される箇所を除いて、内部電極用導電性ペーストを塗布して内部電極１２１、１２２を形成し、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後の内部電極１２１、１２２が本体１１０の第５面５及び第６面６に露出するように切断した後、単一の第３誘電体層又は２つ以上の第３誘電体層を容量形成部Ａｃの第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）に第３方向に積層して形成することもできる。
【0073】
第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５は内部電極１２１、１２２を含まず、第１誘電体層１１１と同じ誘電体物質を含むことができる。すなわち、第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５の第３誘電体層はセラミック材料を含むことができ、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系セラミック材料を含むことができる。
【0074】
但し、第３誘電体層の組成は、第１誘電体層１１１の組成と異なる場合があり、例えば、第３誘電体層はガリウム（Ｇａ）を含むことができる。
【0075】
すなわち、サイドマージン部１１４、１１５はガリウム（Ｇａ）を含むことができる。
【0076】
サイドマージン部１１４、１１５がガリウム（Ｇａ）を含むことにより、焼成温度を低下させて気孔Ｐの数を減少させることができ、これにより、サイドマージン部１１４、１１５の緻密度が向上し、耐湿信頼性が向上できる。また、外部からの衝撃を受けてもクラック（ｃｒａｃｋ）の生成を抑制することができ、機械的特性が向上できる。
【0077】
また、第３誘電体層は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）のような誘電体物質を用いて形成することができるため、焼成後に誘電体微細構造を含むことができる。誘電体微細構造は、複数の結晶粒、上記隣接する結晶粒の間に配置される結晶粒界、及び上記結晶粒界が３つ以上接する地点に配置される三重点を含むことができ、それぞれ複数個を含むことができる。
【0078】
一方、第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５の幅ｗｍは特に限定する必要はない。
【0079】
但し、積層型電子部品１００の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５の幅ｗｍは１００μｍ以下であってもよく、好ましくは３０μｍ以下であってもよく、超小型製品では、より好ましくは２０μｍ以下であってもよい。
【0080】
ここで、サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは、サイドマージン部１１４、１１５のそれぞれの第３方向のサイズを意味することができる。また、サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは、サイドマージン部１１４、１１５の平均幅ｗｍを意味することができ、サイドマージン部１１４、１１５の第３方向の平均サイズを意味することができる。
【0081】
サイドマージン部１１４、１１５の第３方向の平均サイズは、本体１１０の第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、一つのサイドマージン部をスキャンしたイメージにおいて、第１方向に等間隔である１０個の地点で第３方向のサイズを測定して計算した平均値を意味することができる。
【0082】
以下では、本発明の一実施形態についてより具体的に説明する。
【0083】
本発明の一実施形態において、カバー部１１２、１１３に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モル対ガリウム（Ｇａ）のモル数（Ａ）に対する、サイドマージン部１１４、１１５に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モル対ガリウム（Ｇａ）のモル数（Ｂ）の比率（Ｂ／Ａ）は、１．５≦Ｂ／Ａを満たすことができる。
【0084】
カバー部１１２、１１３とサイドマージン部１１４、１１５に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数に関する比率（Ｂ／Ａ）が１．５≦Ｂ／Ａを満たすことにより、カバー部１１２、１１３及びサイドマージン部１１４、１１５の焼成温度を低下させて気孔Ｐの数を減少させることができ、これにより、カバー部１１２、１１３及びサイドマージン部１１４、１１５の緻密度が向上し、耐湿信頼性が向上できる。また、外部からの衝撃を受けてもクラック（ｃｒａｃｋ）の生成を抑制することができ、機械的特性が向上できる。
【0085】
また、ガリウム（Ｇａ）は低温焼成を可能にするため、結晶粒の異常な粒成長を抑制し、結晶粒のサイズを小さくし、均一な成長を可能にして、結晶粒サイズの分布度を改善させることができる。これにより、気孔Ｐの数が減少でき、電界集中現象による絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）を改善させることができる。
【0086】
一方、気孔Ｐの数を制御するためであれば、カバー部１１２、１１３及びサイドマージン部１１４、１１５に含まれたガリウム（Ｇａ）の比率（Ｂ／Ａ）の上限値は特に限定されないが、１０．０以下であることができ、言い換えれば、Ｂ／Ａ≦１０．０を満たすことができる。
【0087】
カバー部１１２、１１３とサイドマージン部１１４、１１５に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数に関する比率（Ｂ／Ａ）がＢ／Ａ＜１．５である場合、目標とする気孔Ｐの数が多くなり、耐湿信頼性が劣化するおそれがあり、機械的強度が低下して容量を形成する内部電極１２１、１２２を十分に保護できないおそれがある。
【0088】
このとき、カバー部１１２、１１３に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数（Ａ）は、０モル超過１．０モル以下であってもよい。言い換えれば、０モル＜Ａ≦１．０モルを満たすことができる。
【0089】
カバー部１１２、１１３に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数（Ａ）が０モル＜Ａ≦１．０モルを満たすことにより、カバー部１１２、１１３の焼成温度を低下させて気孔Ｐの数を減少させることができ、これにより、カバー部１１２、１１３の緻密度が向上して耐湿信頼性が向上できる。また、外部からの衝撃を受けてもクラック（ｃｒａｃｋ）の生成を抑制することができ、機械的特性が向上できる。
【0090】
一方、カバー部１１２、１１３に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数（Ａ）が１．０モル超過（１．０モル＜Ａ）である場合、ガリウム（Ｇａ）の過剰添加により凝集物が発生して絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）が低下したり、結晶粒の成長が過度に抑制されて緻密度が低下し、機械的強度が低下するという負の効果が発生するおそれがある。
【0091】
なお、サイドマージン部１１４、１１５に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数（Ｂ）は、０モル超過１．０モル以下であってもよい。言い換えれば、０モル＜Ｂ≦１．０モルを満たすことができる。
【0092】
サイドマージン部１１４、１１５に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数（Ｂ）が０モル＜Ｂ≦１．０モルを満たすことにより、サイドマージン部１１４、１１５の焼成温度を低下させて気孔Ｐの数を減少させることができ、これにより、サイドマージン部１１４、１１５の緻密度が向上し、耐湿信頼性が向上できる。また、外部からの衝撃を受けてもクラック（ｃｒａｃｋ）の生成を抑制することができ、機械的特性が向上できる。
【0093】
一方、サイドマージン部１１４、１１５に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数（Ｂ）が１．０モル超過（１．０モル＜Ｂ）である場合、ガリウム（Ｇａ）の過剰添加により凝集物が発生して絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）が低下したり、結晶粒の成長が過度に抑制されて緻密度が低下し、機械的強度が低下するという負の効果が発生するおそれがある。
【0094】
本発明の一実施形態において、カバー部１１２、１１３はガリウム（Ｇａ）を含む二次相（ｓｅｃｏｎｄａｒｙ－ｐｈａｓｅ）を含むことができ、このとき、二次相はカバー部１１２、１１３の三重点に配置されることができる。
【0095】
カバー部１１２、１１３に含まれた二次相がガリウム（Ｇａ）を含むことにより、カバー部１１２、１１３の気孔Ｐの数が減少し、緻密度が向上して耐湿信頼性が向上でき、外部からの衝撃を受けてもクラック（ｃｒａｃｋ）の生成を抑制することができ、機械的特性が向上できる。
【0096】
また、サイドマージン部１１４、１１５は、ガリウム（Ｇａ）を含む二次相（ｓｅｃｏｎｄａｒｙ－ｐｈａｓｅ）を含むことができ、このとき、二次相はサイドマージン部１１４、１１５の三重点に配置されることができる。
【0097】
サイドマージン部１１４、１１５に含まれた二次相がガリウム（Ｇａ）を含むことにより、サイドマージン部１１４、１１５の気孔Ｐの数が減少し、緻密度が向上して耐湿信頼性を向上でき、外部からの衝撃を受けてもクラック（ｃｒａｃｋ）の生成を抑制することができ、機械的特性が向上できる。
【0098】
本発明において「二次相（ｓｅｃｏｎｄａｒｙ－ｐｈａｓｅ）」とは、ペロブスカイト系（ＡＢＯ３）誘電体粒子とは異なる組成を有する粒子又は偏析（ｓｅｇｒｅｇａｔｉｏｎ）を意味することができる。具体的に、二次相粒子中のバリウム（Ｂａ）の原子百分率（ａｔ％）は０ａｔ％超過３０．０ａｔ％以下、二次相粒子中のチタン（Ｔｉ）の原子百分率（ａｔ％）は０ａｔ％超過３０．０ａｔ％以下、二次相粒子中のケイ素（Ｓｉ）の原子百分率（ａｔ％）は０ａｔ％超過１５．０ａｔ％以下、二次粒子中のアルミニウム（Ａｌ）の原子百分率（ａｔ％）は０ａｔ％超過１５．０ａｔ％以下であることができ、上記バリウム（Ｂａ）、チタン（Ｔｉ）、ケイ素（Ｓｉ）及びアルミニウム（Ａｌ）の原子百分率（ａｔ％）条件を全て満たす粒子を意味することができる。
【0099】
本発明において、積層型電子部品１００の各構成に含まれた元素の含量を測定するより具体的な方法の一例として、破壊工法の場合、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）のＥＤＳモード、透過電子顕微鏡（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＴＥＭ）のＥＤＳモード、又は走査透過電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＳＴＥＭ）のＥＤＳモードを用いて成分を分析することができる。まず、焼結済みの本体又はサイドマージン部の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）のうち誘電体微細構造を含む領域において集束イオンビーム（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ、ＦＩＢ）装備を用いて薄片化された分析試料を準備する。そして、薄片化された試料に対してキセノン（Ｘｅ）又はアルゴン（Ａｒ）イオンミリングを用いて表面のダメージ層を除去し、その後、ＳＥＭ－ＥＤＳ、ＴＥＭ－ＥＤＳ、又はＳＴＥＭ－ＥＤＳを用いて得られたイメージにおいて測定しようとする各成分をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）して定性／定量分析を行う。この場合、各成分の定性／定量分析グラフは、各元素の質量百分率（ｗｔ％）、原子百分率（ａｔ％）、又はモル百分率（ｍｏｌ％）に換算して表すこともできる。
【0100】
さらにの他の方法としては、チップを粉砕して誘電体微細構造が含まれた領域を選別し、このように選別された誘電体微細構造が含まれた部分を誘導結合プラズマ分光分析器（ＩＣＰ－ＯＥＳ）、誘導結合プラズマ質量分析器（ＩＣＰ－ＭＳ）などの装置を用いて、誘電体微細構造が含まれた領域の成分を分析することができる。
【0101】
そして、本発明の一実施形態において、カバー部１１２、１１３に含まれた二次相は、ガラス（ｇｌａｓｓ）を含むことができ、例えば、ケイ素（Ｓｉ）系ガラス（ｇｌａｓｓ）を含むことができ、又はアルミニウム（Ａｌ）－ケイ素（Ｓｉ）系ガラスを含むことができる。
【0102】
カバー部１１２、１１３に含まれた二次相がガラスを含むことにより、ガラスによる二次相の形成がより容易になり、ガリウム（Ｇａ）以外の元素、例えば、ケイ素（Ｓｉ）をさらに含むか、又はアルミニウム（Ａｌ）をさらに含むことができ、ガリウム（Ｇａ）以外の元素、例えば、ジスプロシウム（Ｄｙ）のような希土類元素や、マグネシウム（Ｍｇ）、錫（Ｓｎ）元素などのような副成分がチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系誘電体物質に固溶せず、二次相に含まれることができる。
【0103】
また、サイドマージン部１１４、１１５に含まれた二次相は、ガラス（ｇｌａｓｓ）を含むことができ、例えば、ケイ素（Ｓｉ）系ガラス（ｇｌａｓｓ）を含むことができ、又はアルミニウム（Ａｌ）－ケイ素（Ｓｉ）系ガラスを含むことができる。
【0104】
サイドマージン部１１４、１１５に含まれた二次相がガラスを含むことにより、ガラスによる二次相の形成がより容易になり、ガリウム（Ｇａ）以外の元素、例えば、ケイ素（Ｓｉ）をさらに含むか、又はアルミニウム（Ａｌ）をさらに含むことができ、ガリウム（Ｇａ）以外の元素、例えば、ジスプロシウム（Ｄｙ）のような希土類元素や、錫（Ｓｎ）元素などがチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系誘電体物質に固溶せず、二次相に含まれることができる。
【0105】
本発明の一実施形態において、カバー部１１２、１１３に含まれた結晶粒界はガリウム（Ｇａ）を含むことができる。
【0106】
カバー部１１２、１１３の結晶粒界がガリウム（Ｇａ）を含むことにより、焼成温度を低下させて気孔Ｐの数を減少させることができ、これにより、カバー部１１２、１１３の緻密度が向上して耐湿信頼性が向上できる。また、外部からの衝撃を受けてもクラック（ｃｒａｃｋ）の生成を抑制することができ、機械的特性が向上できる。
【0107】
このとき、カバー部１１２、１１３の結晶粒界は、ガリウム（Ｇａ）の原子百分率（ａｔ％）が２．０ａｔ％以上である領域を含むことができ、上限値は特に限定されるものではないが、例えば、４．０ａｔ％以下であることができる。
【0108】
カバー部１１２、１１３の結晶粒界が、ガリウム（Ｇａ）の原子百分率（ａｔ％）が２．０ａｔ％以上である領域を含むことにより、焼成温度を低下させて気孔Ｐの数を減少させることができ、これにより、カバー部１１２、１１３の緻密度が向上して耐湿信頼性が向上できる。また、外部からの衝撃を受けてもクラック（ｃｒａｃｋ）の生成を抑制することができ、機械的特性が向上できる。
【0109】
また、カバー部１１２、１１３の結晶粒界に含まれたガリウム（Ｇａ）の平均原子百分率（ａｔ％）は０．５ａｔ％以上２．０ａｔ％以下であってもよい。
【0110】
カバー部１１２、１１３の結晶粒界に含まれたガリウム（Ｇａ）の平均原子百分率（ａｔ％）が０．５ａｔ％以上２．０ａｔ％以下を満たすことにより、焼成温度を低下させて気孔Ｐの数を減少させることができ、これにより、カバー部１１２、１１３の緻密度が向上して耐湿信頼性が向上できる。また、外部からの衝撃を受けてもクラック（ｃｒａｃｋ）の生成を抑制することができ、機械的特性が向上できる。
【0111】
ここで、カバー部１１２、１１３の結晶粒界に含まれたガリウム（Ｇａ）の原子百分率（ａｔ％）を測定する方法は、特に限定されるものではないが、上述したようにＥＤＳ分析方法を用いることができる。ＥＤＳ分析位置は、結晶粒界の地点（ｐｏｉｎｔｓ）を測定して確認するか、又は結晶粒界に垂直な方向にラインプロファイル（ｌｉｎｅ－ｐｒｏｆｉｌｅ）を用いて求めることができ、測定されたラインプロファイルでガリウム（Ｇａ）の原子百分率（ａｔ％）を確認することができる。
【0112】
同様に、本発明の一実施形態において、サイドマージン部１１４、１１５に含まれた結晶粒界はガリウム（Ｇａ）を含むことができる。
【0113】
サイドマージン部１１４、１１５の結晶粒界がガリウム（Ｇａ）を含むことにより、焼成温度を低下させて気孔Ｐの数を減少させることができ、これにより、サイドマージン部１１４、１１５の緻密度が向上して耐湿信頼性が向上できる。また、外部からの衝撃を受けてもクラック（ｃｒａｃｋ）の生成を抑制することができ、機械的特性が向上できる。
【0114】
このとき、サイドマージン部１１４、１１５の結晶粒界は、ガリウム（Ｇａ）の原子百分率（ａｔ％）が２．０ａｔ％以上である領域を含むことができ、上限値は特に限定されるものではないが、例えば、４．０ａｔ％以下であることができる。
【0115】
サイドマージン部１１４、１１５の結晶粒界が、ガリウム（Ｇａ）の原子百分率（ａｔ％）が２．０ａｔ％以上である領域を含むことにより、焼成温度を低下させて気孔Ｐの数を減少させることができ、これにより、サイドマージン部１１４、１１５の緻密度が向上して耐湿信頼性が向上できる。また、外部からの衝撃を受けてもクラック（ｃｒａｃｋ）の生成を抑制することができ、機械的特性が向上できる。
【0116】
また、サイドマージン部１１４、１１５の結晶粒界に含まれたガリウム（Ｇａ）の平均原子百分率（ａｔ％）が０．５ａｔ％以上２．０ａｔ％以下であってもよい。
【0117】
サイドマージン部１１４、１１５の結晶粒界に含まれたガリウム（Ｇａ）の平均原子百分率（ａｔ％）が０．５ａｔ％以上２．０ａｔ％以下を満たすことにより、焼成温度を低下させて気孔Ｐの数を減少させることができ、これにより、サイドマージン部１１４、１１５の緻密度が向上して耐湿信頼性が向上できる。また、外部からの衝撃を受けてもクラック（ｃｒａｃｋ）の生成を抑制することができ、機械的特性が向上できる。
【0118】
ここで、サイドマージン部１１４、１１５の結晶粒界に含まれたガリウム（Ｇａ）の原子百分率（ａｔ％）を測定する方法は、特に限定されるものではないが、上述したようにＥＤＳ分析方法を用いることができる。ＥＤＳ分析位置は、結晶粒界の地点（ｐｏｉｎｔｓ）を測定して確認するか、又は結晶粒界に垂直な方向にラインプロファイル（ｌｉｎｅ－ｐｒｏｆｉｌｅ）を測定することで求めることができ、測定されたラインプロファイルの元素のうちガリウム（Ｇａ）の原子百分率（ａｔ％）を確認することができる。
【0119】
本発明の一実施形態において、カバー部１１２、１１３は、断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準に、１μｍ２に含まれた気孔Ｐの数が０．３０個以下であってもよく、好ましくは１μｍ２に含まれた気孔Ｐの数が０．２５個以下であってもよく、より好ましくは１μｍ２に含まれた気孔Ｐの数が０．２１個以下であってもよい。
【0120】
気孔Ｐの数を測定する方法は特に限定されるものではないが、図６を例として説明すると、積層型電子部品１００の第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準に、第１カバー部１１２の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を含むＭ１領域を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を介してイメージを撮影した後、気孔Ｐを測定できるプログラムによって気孔Ｐの数を測定することができる。
【0121】
そして、本発明の一実施形態において、サイドマージン部１１４、１１５は、断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準に、１μｍ２に含まれた気孔Ｐの数が０．２２個以下であってもよく、好ましくは１μｍ２に含まれた気孔Ｐの数が０．２１個以下であってもよい。
【0122】
気孔Ｐの数を測定する方法は特に限定されるものではないが、図６を例として説明すると、積層型電子部品１００の第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準に、第２サイドマージン部１１５の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を含むＭ２領域を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を介してイメージを撮影した後、気孔Ｐを測定できるプログラムによって気孔Ｐの数を測定することができる。
【0123】
本発明の一実施形態では、セラミック電子部品１００が２つの外部電極１３１、１３２を有する構造について説明しているが、外部電極１３１、１３２の個数や形状などは内部電極１２１、１２２の形態やその他の目的に応じて変更することができる。
【0124】
外部電極１３１、１３２は本体１１０上に配置され、内部電極１２１、１２２と連結されることができる。
【0125】
より具体的に、外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３面３及び第４面４にそれぞれ配置され、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２とそれぞれ連結される第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２を含むことができる。すなわち、第１外部電極１３１は本体の第３面３に配置されて第１内部電極１２１と連結されることができ、第２外部電極１３２は本体の第４面４に配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。
【0126】
また、外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第１面１及び第２面２上の一部に延びて配置されることができ、又は本体１１０の第５面５及び第６面６上の一部に延びて配置されることができる。すなわち、第１外部電極１３１は、本体１１０の第１面１、第２面２、第５面５及び第６面６上の一部、及び本体１１０の第３面３上に配置されることができ、第２外部電極１３２は、本体１１０の第１面１、第２面２、第５面５及び第６面６上の一部、及び本体１１０の第３面３上に配置されることができる。
【0127】
一方、外部電極１３１、１３２は、金属などのように電気伝導性を有するものであれば、如何なる物質を用いても形成されてもよく、電気的特性、構造的安定性などを考慮して具体的な物質が決定されてもよく、さらに多層構造を有してもよい。
【0128】
例えば、外部電極１３１、１３２は、本体１１０に配置される電極層及び電極層上に配置されるめっき層を含むことができる。
【0129】
電極層に対するより具体的な例として、電極層は、第１導電性金属及びガラスを含む焼成電極層である第１電極層１３１ａ、１３２ａを含むことができ、第２導電性金属及び樹脂を含む樹脂系電極である第２電極層１３１ｂ、１３２ｂを含むことができる。
【0130】
ここで、第１導電性金属は第１電極層１３１ａ、１３２ａに含まれた導電性金属を意味することができ、第２導電性金属は第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれた導電性金属を意味することができる。このとき、第１導電性金属及び第２導電性金属は同一又は異なってもよく、複数の金属物質を含む場合、少なくとも一つの金属物質が同一であってもよいが、特にこれに限定されるものではない。
【0131】
また、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂは、本体上に第１電極層１３１ａ、１３２ａ及び第２電極層１３１ｂ、１３２ｂが順次形成された形態であってもよく、本体上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されてもよく、又は焼成電極上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されたものであってもよい。
【0132】
電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂに含まれる第１導電性金属及び第２導電性金属として電気伝導性に優れた材料を使用することができ、例えば、第１導電性金属及び第２導電性金属は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群から選択された一つ以上を含むことができるが、特にこれに限定されない。
【0133】
本発明の一実施形態において、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂは、第１電極層１３１ａ、１３２ａ及び第２電極層１３１ｂ、１３２ｂを含む２層の構造を有することができる。これにより、外部電極１３１、１３２は、導電性金属及びガラスを含む第１電極層１３１ａ、１３２ａ及び上記第１電極層１３１ａ、１３２ａ上に配置され、導電性金属及び樹脂を含む第２電極層１３１ｂ、１３２ｂを含むことができる。
【0134】
第１電極層１３１ａ、１３２ａはガラスを含むことにより、本体１１０との接合性を向上させる役割を果たすことができ、第２電極層１３１ｂ、１３２ｂは樹脂を含むことにより、曲げ強度を向上させる役割を果たすことができる。
【0135】
第１電極層１３１ａ、１３２ａに用いられる導電性金属は、静電容量の形成のために上記内部電極１２１、１２２と電気的に連結できる材質であれば特に限定されず、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群から選択された一つ以上を含むことができる。第１電極層１３１ａ、１３２ａは、上記導電性金属粒子にガラスフリットを添加して設けられた導電性ペーストを塗布した後、焼成することにより形成することができる。
【0136】
第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる導電性金属は、第１電極層１３１ａ、１３２ａと電気的に連結されるようにする役割を果たすことができる。
【0137】
第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる導電性金属は、電極層１３１ａ、１３２ａと電気的に連結できる材質であれば特に限定されず、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群から選択された一つ以上を含むことができる。
【0138】
第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる導電性金属は、球状粒子及びフレーク状粒子のうち１以上を含むことができる。すなわち、導電性金属はフレーク状粒子のみからなるか、又は球状粒子のみからなることができ、フレーク状粒子と球状粒子とが混合された形態であることもできる。ここで、球状粒子は、完全な球状ではない形態も含むことができ、例えば、長軸と短軸の長さ比率（長軸／短軸）が１．４５以下の形態を含むことができる。フレーク状粒子とは、平たくかつ細長い形態を有する粒子を意味し、特に限定されるものではないが、例えば、長軸と短軸の長さ比率（長軸／短軸）が１．９５以上であってもよい。上記球状粒子及びフレーク状粒子の長軸と短軸の長さは、積層型電子部品の第３方向の中央部で切断した第１方向及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でスキャンして得られたイメージから測定することができる。
【0139】
第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる樹脂は、接合性の確保及び衝撃吸収の役割を果たすことができる。第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる樹脂は、接合性及び衝撃吸収性を有し、導電性金属粒子と混合してペーストを作製できるものであれば特に限定されず、例えば、エポキシ系樹脂を含むことができる。
【0140】
また、第２電極層１３１ｂ、１３２ｂは、複数の金属粒子、金属間化合物及び樹脂を含むことができる。上記金属間化合物を含むことにより、第１電極層１３１ａ、１３２ａとの電気的連結性をより向上させることができる。上記金属間化合物は、複数の金属粒子を連結して電気的連結性を向上させる役割を果たし、複数の金属粒子を囲んで互いに連結する役割を果たすことができる。
【0141】
このとき、上記金属間化合物は、樹脂の硬化温度より低い融点を有する金属を含むことができる。すなわち、上記金属間化合物が樹脂の硬化温度より低い融点を有する金属を含むため、樹脂の硬化温度より低い融点を有する金属が乾燥及び硬化工程を経る過程で溶融し、金属粒子の一部と金属間化合物を形成して金属粒子を囲むようになる。このとき、金属間化合物は、好ましくは３００℃以下の低融点金属を含むことができる。
【0142】
例えば、２１３～２２０℃の融点を有するＳｎを金属間化合物として含むことができる。乾燥及び硬化工程を経る過程でＳｎが溶融し、溶融したＳｎがＡｇ、Ｎｉ又はＣｕのような高融点の金属粒子を毛細管現象により湿らせ、Ａｇ、Ｎｉ又はＣｕ金属粒子の一部と反応してＡｇ３Ｓｎ、Ｎｉ３Ｓｎ４、Ｃｕ６Ｓｎ５、Ｃｕ３Ｓｎなどの金属間化合物を形成する。反応に関与しなかったＡｇ、Ｎｉ又はＣｕは金属粒子の形態で残る。
【0143】
したがって、上記複数の金属粒子は、Ａｇ、Ｎｉ及びＣｕのうち一つ以上を含み、上記金属間化合物は、Ａｇ３Ｓｎ、Ｎｉ３Ｓｎ４、Ｃｕ６Ｓｎ５及びＣｕ３Ｓｎのうち一つ以上を含むことができる。
【0144】
めっき層１３１ｃ、１３２ｃは、実装特性を向上させる役割を果たすことができる。
【0145】
めっき層１３１ｃ、１３２ｃの種類は特に限定されず、図面では、単一層のめっき層１３１ｃ、１３２ｃのみを示しているが、これに限定されるものではなく、ニッケル（Ｎｉ）、錫（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含む単一層のめっき層１３１ｃ、１３２ｃであってもよく、複数の層で形成されてもよい。
【0146】
めっき層１３１ｃ、１３２ｃに対するより具体的な例として、めっき層１３１ｃ、１３２ｃは、Ｎｉめっき層又はＳｎめっき層であってもよく、電極層上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層が順次形成された形態であってもよく、Ｓｎめっき層、Ｎｉめっき層及びＳｎめっき層が順次形成された形態であってもよい。また、めっき層１３１ｃ、１３２ｃは、複数のＮｉめっき層及び／又は複数のＳｎめっき層を含むこともできる。
【0147】
積層型電子部品１００のサイズは特に限定する必要はない。
【0148】
但し、小型化及び高容量化を同時に達成するためには、誘電体層及び内部電極の厚さを薄くして積層数を増加させなければならないため、１００５（長さ×幅：１．０ｍｍ×０．５ｍｍ）以下のサイズを有する積層型電子部品１００において本発明による効果がより顕著になり得る。
【0149】
以下、実施例を挙げて本発明についてさらに詳細に説明するが、これは本発明の具体的な理解を助けるためのものであり、本発明の範囲が実施例によって限定されるものではない。
【0150】
（実施例）
比較例は、カバー部及びサイドマージン部を含む積層型電子部品として作製し、カバー部及びサイドマージン部にガリウム（Ｇａ）を添加していない積層型電子部品として作製した。
比較例は、カバー部及びサイドマージン部を含む積層型電子部品として作製し、カバー部及びサイドマージン部にガリウム（Ｇａ）を添加していない積層型電子部品として作製した。
【0151】
実施例は、カバー部及びサイドマージン部にガリウム（Ｇａ）をそれぞれ１モル以下にして添加した以外は、比較例と同様の方法で積層型電子部品を作製した。このとき、カバー部に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対ガリウム（Ｇａ）のモル数（Ａ）に対する、サイドマージン部に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対ガリウム（Ｇａ）のモル数（Ｂ）の比率（Ｂ／Ａ）は、１．５≦Ｂ／Ａを満たすように作製した。
【0152】
以下の様々な比較例及び実施例は、一つの積層型電子部品に対する説明ではないが、上述した製造方法を満たす比較例及び実施例に相当する。
【0153】
図７の（ａ）及び（ｂ）は、比較例１において図６のＭ１及びＭ２領域を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影したイメージであり、図７の（ｃ）及び（ｄ）は、実施例１において図６のＭ１及びＭ２領域を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影したイメージである。
【0154】
より具体的に、図７の（ａ）は、比較例１において、第１カバー部の第１方向及び第３方向の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影したイメージであり、第１カバー部の断面のうち５４７μｍ２に含まれた気孔Ｐの数は２２９個と測定された。図７の（ｂ）は、比較例１において、第２サイドマージン部の第１方向及び第３方向の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影したイメージであり、第２サイドマージン部の断面のうち１９０μｍ２に含まれた気孔Ｐの数は４５個と測定された。
【0155】
図７の（ｃ）は、実施例１において、第１カバー部の第１方向及び第３方向の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影したイメージであり、第１カバー部の断面のうち５４７μｍ２に含まれた気孔Ｐの数は１１０個と測定された。図７の（ｄ）は、実施例１において、第２サイドマージン部の第１方向及び第３方向の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影したイメージであり、第２サイドマージン部の断面のうち１９０μｍ２に含まれた気孔Ｐの数は３９個と測定された。
【0156】
これにより、カバー部に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モル対ガリウム（Ｇａ）のモル数（Ａ）に対する、サイドマージン部に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モル対ガリウム（Ｇａ）のモル数（Ｂ）の比率（Ｂ／Ａ）が１．５≦Ｂ／Ａを満たす場合、カバー部及びサイドマージン部に含まれた気孔Ｐの数が減少することが分かる。
【0157】
図８の（ａ）は、比較例２において、第１カバー部の第１方向及び第３方向の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）のＨＡＡＤＦモードで撮影したイメージであり、図８の（ｂ）は、図８の（ａ）の領域においてＥＤＳ分析を行ってアルミニウム（Ａｌ）元素をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）したイメージであり、図８の（ｃ）は、図８の（ａ）の領域においてＥＤＳ分析を行ってケイ素（Ｓｉ）元素をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）したイメージである。
【0158】
図９の（ａ）は、実施例２において、第１カバー部の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）のＨＡＡＤＦモードで撮影したイメージであり、図９の（ｂ）は、図９の（ａ）の領域においてＥＤＳ分析を行ってアルミニウム（Ａｌ）元素をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）したイメージであり、図９の（ｃ）は、図９の（ａ）の領域においてＥＤＳ分析を行ってケイ素（Ｓｉ）元素をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）したイメージであり、図９の（ｄ）は、図９の（ａ）の領域においてＥＤＳ分析を行ってガリウム（Ｇａ）元素をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）したイメージである。
【0159】
図１０の（ａ）は、比較例３のサイドマージン部の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）のＨＡＡＤＦモードで撮影したイメージであり、図１０の（ｂ）は、図１０の（ａ）の領域においてＥＤＳ分析を行ってアルミニウム（Ａｌ）元素をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）したイメージであり、図１０の（ｃ）は、図１０の（ａ）の領域においてＥＤＳ分析を行ってケイ素（Ｓｉ）元素をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）したイメージである。
【0160】
図１１の（ａ）は、実施例３のサイドマージン部の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）のＨＡＡＤＦモードで撮影したイメージであり、図１１の（ｂ）は、図１１の（ａ）の領域においてＥＤＳ分析を行ってアルミニウム（Ａｌ）元素をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）したイメージであり、図１１の（ｃ）は、図１１の（ａ）の領域においてＥＤＳ分析を行ってケイ素（Ｓｉ）元素をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）したイメージであり、図１１の（ｄ）は、図１１の（ａ）の領域においてＥＤＳ分析を行ってガリウム（Ｇａ）元素をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）したイメージである。
【0161】
比較例２及び比較例３と実施例２及び実施例３から、カバー部及びサイドマージン部にガリウム（Ｇａ）が含まれた場合、結晶粒界及び三重点にガリウム（Ｇａ）が配置されることが確認でき、ケイ素（Ｓｉ）及びアルミニウム（Ａｌ）が検出される領域にガリウム（Ｇａ）が共に配置されることから、ケイ素（Ｓｉ）及びアルミニウム（Ａｌ）を含む二次相（ｓｅｃｏｎｄａｒｙ－ｐｈａｓｅ）にガリウム（Ｇａ）が含まれることが分かる。
【0162】
次に、比較例４及び比較例５と、実施例４及び実施例５について、２０個のサンプルチップ（ｃｈｉｐ）が装着されたチャネル（ｃｈａｎｎｅｌ）をそれぞれ２０個ずつ作製し、耐湿信頼性評価を行った。
【0163】
図１２の（ａ）は比較例４の耐湿信頼性評価グラフであり、図１２の（ｂ）は比較例５の耐湿信頼性評価グラフである。そして、図１２の（ｃ）は実施例４の耐湿信頼性評価グラフであり、図１２の（ｄ）は実施例５の耐湿信頼性評価グラフである。
【0164】
耐湿信頼性評価は、温度条件８５℃、相対湿度条件８５％で、定格電圧１．０Ｖｒを８時間印加したとき、絶縁抵抗（ＩＲ）値が１０５Ω以下に低下したチャネルを不良と評価した。
【0165】
比較例４及び比較例５の場合、不良と判定されたチャネルがそれぞれ１個ずつ存在したのに対し、実施例４及び実施例５の場合、不良と判定されたチャネルがなく、初期絶縁抵抗（ＩＲ０）に対する絶縁抵抗（ＩＲ）が低下したチャネルも測定されなかった。
【0166】
これにより、カバー部に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モル対ガリウム（Ｇａ）のモル数（Ａ）に対する、サイドマージン部に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モル対ガリウム（Ｇａ）のモル数（Ｂ）の比率（Ｂ／Ａ）が１．５≦Ｂ／Ａを満たす場合、積層型電子部品の耐湿信頼性が向上することが分かる。
【0167】
【0168】
結晶粒微細構造とは、各試験例の第１カバー部の第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）の一部領域に含まれた結晶粒を意味する。図１３の（ａ）及び（ｂ）において、棒グラフは微細構造の平均サイズを意味し、「Ｉ」字状の直線グラフは結晶粒サイズの分布度を意味する。
【0169】
比較例６の一部領域に含まれた結晶粒の平均値は２００ｎｍであり、実施例７の一部領域に含まれた結晶粒の平均値は１７６ｎｍである。また、結晶粒のサイズ分布度は、比較例が実施例よりも広く測定された。
【0170】
これにより、カバー部に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モル対ガリウム（Ｇａ）のモル数（Ａ）に対する、サイドマージン部に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モル対ガリウム（Ｇａ）のモル数（Ｂ）の比率（Ｂ／Ａ）が１．５≦Ｂ／Ａを満たす場合、結晶粒のサイズが減少することが分かり、サイズ分布度も改善されることが分かる。これによって電界集中現象による絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）が改善されることを予測することができる。
【0171】
以上のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は、上述した実施形態及び添付の図面によって限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲によって限定されるものとする。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で、当技術分野における通常の知識を有する者により様々な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属するといえる。
【0172】
また、本明細書において使用される「一実施形態」という表現は、互いに同じ実施形態を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかし、上記提示された一実施形態は、他の一実施形態の特徴と結合して実現されることを排除しない。例えば、特定の一実施形態において説明された事項が他の一実施形態に説明されていなくても、他の一実施形態においてその事項と反対又は矛盾する説明がない限り、他の一実施形態に関連する説明として理解することができる。
【0173】
本明細書において使用される用語は、単に一実施形態を説明するために使用されたものであり、本発明を限定しようとする意図ではない。このとき、単数の表現は、文脈上明らかに異なる意味を示さない限り、複数の表現を含む。
【符号の説明】
【0174】
１００：積層型電子部品
１１０：本体
１１１：誘電体層
１１２、１１３：カバー部
１１４、１１５：サイドマージン部
１２１、１２２：内部電極
１３１、１３２：外部電極
Ｐ：気孔
１１０：本体
１１１：誘電体層
１１２、１１３：カバー部
１１４、１１５：サイドマージン部
１２１、１２２：内部電極
１３１、１３２：外部電極
Ｐ：気孔
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
