特開 2025-81242 積層型電子部品

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025081242

(43)【公開日】2025-05-27

(54)【発明の名称】積層型電子部品

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/30 20060101AFI20250520BHJP

   H01C 7/18 20060101ALI20250520BHJP

   H01F 17/04 20060101ALI20250520BHJP

【ＦＩ】

H01G4/30 201M

H01G4/30 515

H01G4/30 512

H01G4/30 201K

H01G4/30 201L

H01C7/18

H01F17/04 F

【審査請求】未請求

【請求項の数】19

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024188755

(22)【出願日】2024-10-28

(31)【優先権主張番号】10-2023-0158382

(32)【優先日】2023-11-15

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】110000877

【氏名又は名称】弁理士法人ＲＹＵＫＡ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】パク、ジュン ジン

(72)【発明者】

【氏名】チョイ、ホ サム

(72)【発明者】

【氏名】シム、ダエ ジン

(72)【発明者】

【氏名】チョイ、ヒョ スン

(72)【発明者】

【氏名】リー、セウン ヨン

(72)【発明者】

【氏名】リー、ヨン ファ

(72)【発明者】

【氏名】シン、ジン ボク

(72)【発明者】

【氏名】キム、ヒョ スブ

(72)【発明者】

【氏名】ジュン、ドン ジュン

(72)【発明者】

【氏名】リー、ジョン ホ

【テーマコード（参考）】

5E001

5E070

5E082

【Ｆターム（参考）】

5E001AB03

5E001AD02

5E001AD03

5E001AE03

5E001AE04

5E001AF06

5E070AA01

5E070AB01

5E070BA12

5E070BB01

5E070CB13

5E070EA01

5E082AA01

5E082AB03

5E082BC19

5E082BC35

5E082EE04

5E082FF05

5E082FG04

5E082FG26

5E082GG10

5E082PP03

(57)【要約】      （修正有）

【課題】カバー部の緻密度を改善し、積層型電子部品の高温、耐湿環境下での耐劣化性を向上させる。
【解決手段】電子部品は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２を含む容量形成部と、外部電極１３１、１３２と、第１方向の上／下端面に配置されるカバー部１１２を有する本体１１０と、を含む。カバー部１１２は、チタン（Ｔｉ）、ガリウム（Ｇａ）及びリン（Ｐ）を含み、そのチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数は０．３モル以上６．０モル以下である。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

誘電体層及び前記誘電体層と第１方向に交互に配置される内部電極を含む容量形成部、並びに前記容量形成部の前記第１方向の両端面に配置されるカバー部を含む本体と、
前記本体上に配置される外部電極と、を含み、
前記カバー部は、チタン（Ｔｉ）、ガリウム（Ｇａ）及びリン（Ｐ）を含み、
前記カバー部に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数は０．３モル以上６．０モル以下である、積層型電子部品。

【請求項2】

前記カバー部に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するリン（Ｐ）のモル数は０モル超過５．０モル以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項3】

前記容量形成部の誘電体層を第１誘電体層とするとき、前記カバー部は第２誘電体層を含み、
前記第１誘電体層の組成は、前記第２誘電体層の組成とは異なる、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項4】

前記第２誘電体層に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数は、前記第１誘電体層に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数より多い、請求項３に記載の積層型電子部品。

【請求項5】

前記第２誘電体層に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するリン（Ｐ）のモル数は、前記第１誘電体層に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するリン（Ｐ）のモル数より多い、請求項３に記載の積層型電子部品。

【請求項6】

前記カバー部は、コア－シェル構造の結晶粒を含む複数の結晶粒、隣接する前記結晶粒の間に配置される結晶粒界、前記結晶粒界が３つ以上接する地点に配置される三重点、及び二次相（ｓｅｃｏｎｄａｒｙ－ｐｈａｓｅ）を含み、
前記カバー部に含まれたコア－シェル結晶粒のシェル部、結晶粒界、三重点、二次相のうち少なくとも一つは、リン（Ｐ）の含量が０．１ａｔ％未満である領域を含む、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項7】

前記カバー部はバリウム（Ｂａ）をさらに含み、
前記カバー部に含まれたチタン（Ｔｉ）のモル数（Ｂ）に対するバリウム（Ｂａ）のモル数（Ａ）の比率（Ａ／Ｂ）は、０．９９≦Ａ／Ｂ≦１．０５を満たす、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項8】

前記本体は、前記第１方向に互いに対向する第１面及び第２面、前記第１面及び前記第２面と連結され、第２方向に互いに対向する第３面及び第４面、前記第１面、前記第２面、前記第３面及び前記第４面と連結され、第３方向に互いに対向する第５面及び第６面を含み、
前記積層型電子部品は、前記第５面及び前記第６面に配置されるサイドマージン部をさらに含み、
前記カバー部は第２誘電体層を含み、前記サイドマージン部は第３誘電体層を含み、
前記第２誘電体層の組成は、前記第３誘電体層の組成とは異なる、請求項１から７のいずれか一項に記載の積層型電子部品。

【請求項9】

前記第２誘電体層に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数は、前記第３誘電体層に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数より多い、請求項８に記載の積層型電子部品。

【請求項10】

前記第２誘電体層に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するリン（Ｐ）のモル数は、前記第３誘電体層に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するリン（Ｐ）のモル数より多い、請求項８に記載の積層型電子部品。

【請求項11】

誘電体層及び前記誘電体層と第１方向に交互に配置される内部電極を含む容量形成部、並びに前記容量形成部の前記第１方向の両端面に配置されるカバー部を含む本体と、
前記本体上に配置される外部電極と、を含み、
前記カバー部は、チタン（Ｔｉ）、ガリウム（Ｇａ）及びリン（Ｐ）を含み、
前記カバー部に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するリン（Ｐ）のモル数は０モル超過５．０モル以下である、積層型電子部品。

【請求項12】

前記容量形成部の誘電体層を第１誘電体層とするとき、前記カバー部は第２誘電体層を含み、
前記第１誘電体層の組成は、前記第２誘電体層の組成とは異なる、請求項１１に記載の積層型電子部品。

【請求項13】

前記第２誘電体層に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数は、前記第１誘電体層に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数より多い、請求項１２に記載の積層型電子部品。

【請求項14】

前記第２誘電体層に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するリン（Ｐ）のモル数は、前記第１誘電体層に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するリン（Ｐ）のモル数より多い、請求項１２に記載の積層型電子部品。

【請求項15】

前記カバー部は、コア－シェル構造の結晶粒を含む複数の結晶粒、隣接する前記結晶粒の間に配置される結晶粒界、前記結晶粒界が３つ以上接する地点に配置される三重点、及び二次相（ｓｅｃｏｎｄａｒｙ－ｐｈａｓｅ）を含み、
前記カバー部に含まれたコア－シェル結晶粒のシェル部、結晶粒界、三重点、二次相のうち少なくとも一つは、リン（Ｐ）の含量が０．１ａｔ％未満である領域を含む、請求項１１に記載の積層型電子部品。

【請求項16】

前記カバー部はバリウム（Ｂａ）をさらに含み、
前記カバー部に含まれたチタン（Ｔｉ）のモル数（Ｂ）に対するバリウム（Ｂａ）のモル数（Ａ）の比率（Ａ／Ｂ）は、０．９９≦Ａ／Ｂ≦１．０５を満たす、請求項１１に記載の積層型電子部品。

【請求項17】

前記本体は、前記第１方向に互いに対向する第１面及び第２面、前記第１面及び前記第２面と連結され、第２方向に互いに対向する第３面及び第４面、前記第１面、前記第２面、前記第３面及び前記第４面と連結され、第３方向に互いに対向する第５面及び第６面を含み、
前記積層型電子部品は、前記第５面及び前記第６面に配置されるサイドマージン部をさらに含み、
前記カバー部は第２誘電体層を含み、前記サイドマージン部は第３誘電体層を含み、
前記第２誘電体層の組成は、前記第３誘電体層の組成とは異なる、請求項１１から１６のいずれか一項に記載の積層型電子部品。

【請求項18】

前記第２誘電体層に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数は、前記第３誘電体層に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数より多い、請求項１７に記載の積層型電子部品。

【請求項19】

前記第２誘電体層に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するリン（Ｐ）のモル数は、前記第３誘電体層に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するリン（Ｐ）のモル数より多い、請求項１７に記載の積層型電子部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、積層型電子部品に関する。

【背景技術】

【0002】

積層型電子部品の一つである積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマ表示装置パネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）などの映像機器、コンピュータ、スマートフォン、及び携帯電話などの様々な電子製品の印刷回路基板に装着され、電気を充電又は放電させる役割を果たすチップ型のコンデンサである。

【0003】

このような積層セラミックキャパシタは、小型でありながらも高容量が保障され、実装が容易であるという利点により、様々な電子装置の部品として使用されることができる。コンピュータ、モバイル機器など、各種の電子機器が小型化及び高出力化されるにつれて、積層セラミックキャパシタに対する小型化及び高容量化への要求が増大している。

【0004】

小型化及び高容量化が進むにつれて、容量を形成する領域を保護する必要性が高まっているが、これについては、容量を形成する領域を囲むマージン領域を追加してこれを改善している。但し、小型化及び高容量化を達成するために構造的な設計を持続的に変更することにより、容量を形成する領域は大きくなり、容量を形成する領域を保護するマージン領域が減少することで、積層セラミックキャパシタの耐湿信頼性及び強度が脆弱になるという問題が発生するおそれがある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】韓国公開特許公報第１０－２０１７－０１１２３８１号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

本発明が解決しようとするいくつかの課題の一つは、カバー部の緻密度を改善させ、高温、耐湿環境下での耐劣化性に優れた積層型電子部品を提供することである。

【0007】

本発明が解決しようとするいくつかの課題の一つは、耐湿信頼性が向上した積層型電子部品を提供することである。

【0008】

但し、本発明が解決しようとするいくつかの課題は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。

【課題を解決するための手段】

【0009】

本発明の一実施形態に係る積層型電子部品は、誘電体層及び上記誘電体層と第１方向に交互に配置される内部電極を含む容量形成部、並びに上記容量形成部の上記第１方向の両端面に配置されるカバー部を含む本体と、上記本体上に配置される外部電極と、を含み、上記カバー部はチタン（Ｔｉ）、ガリウム（Ｇａ）及びリン（Ｐ）を含み、上記カバー部に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数は０．３モル以上６．０モル以下であることができる。

【0010】

本発明の他の一実施形態に係る積層型電子部品は、誘電体層及び上記誘電体層と第１方向に交互に配置される内部電極を含む容量形成部、並びに上記容量形成部の上記第１方向の両端面に配置されるカバーを含む本体と、上記本体上に配置された外部電極と、を含み、上記カバー部は、チタン（Ｔｉ）、ガリウム（Ｇａ）及びリン（Ｐ）を含み、上記カバー部に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するリン（Ｐ）のモル数は０モル超過５．０モル以下であることができる。

【発明の効果】

【0011】

本発明のいくつかの効果の一つは、カバー部の緻密度が改善され、積層型電子部品の高温、耐湿環境下での耐劣化性を向上させることである。

【0012】

本発明のいくつかの効果の一つは、積層型電子部品の耐湿信頼性を向上させることである。

【0013】

但し、本発明の多様かつ有益な利点及び効果は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。

【図面の簡単な説明】

【0014】

【図1】本発明の一実施形態に係る積層型電子部品の斜視図を概略的に示すものである。

【図2】内部電極の積層構造を示す分離斜視図を概略的に示すものである。

【図3】図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図を概略的に示すものである。

【図4】図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図を概略的に示すものである。

【図5】（ａ）は、比較例のカバー部の断面を透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）のＨＡＡＤＦモードで撮影したイメージであり、（ｂ）は、（ａ）の領域においてＥＤＳ分析を行ってアルミニウム（Ａｌ）元素をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）したイメージであり、（ｃ）は、（ａ）の領域においてＥＤＳ分析を行ってケイ素（Ｓｉ）元素をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）したイメージである。

【図6】（ａ）は、実施例のカバー部の断面を透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）のＨＡＡＤＦモードで撮影したイメージであり、（ｂ）は、（ａ）の領域においてＥＤＳ分析を行ってアルミニウム（Ａｌ）元素をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）したイメージであり、（ｃ）は、（ａ）の領域においてＥＤＳ分析を行ってケイ素（Ｓｉ）元素をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）したイメージであり、（ｄ）は、（ａ）の領域においてＥＤＳ分析を行ってガリウム（Ｇａ）元素をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）したイメージである。

【図7】実施例のカバー部の断面を透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）で撮影した後、ＥＤＳ分析を行ってリン（Ｐ）元素をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）したイメージである。

【図8】（ａ）は比較例の耐湿信頼性評価グラフであり、（ｂ）は実施例の耐湿信頼性評価グラフである。

【図9】（ａ）は比較例の過酷条件下での信頼性（ＭＴＴＦ）評価グラフであり、（ｂ）は実施例の過酷条件下での信頼性（ＭＴＴＦ）評価グラフである。

【発明を実施するための形態】

【0015】

以下、具体的な実施形態及び添付の図面を参照して本発明の実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形することができ、本発明の範囲が以下で説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、通常の技術者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさ等は、より明確な説明のために誇張することができ、図面上の同じ符号で示される要素は同じ要素である。

【0016】

そして、図面において本発明を明確に説明するために、説明と関係のない部分は省略し、図面に示した各構成の大きさ及び厚さは説明の便宜上、任意に示しているため、本発明は必ずしも図示したものに限定されない。なお、同一思想の範囲内の機能が同一である構成要素に対しては、同一の参照符号を用いて説明する。さらに、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」と言うとき、これは特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含み得ることを意味する。

【0017】

図において、第１方向は積層方向又は厚さＴ方向、第２方向は長さＬ方向、第３方向は幅Ｗ方向と定義することができる。

【0018】

積層型電子部品
図１は、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品の斜視図を概略的に示すものであり、図２は、内部電極の積層構造を示す分離斜視図を概略的に示すものであり、図３は、図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図を概略的に示すものであり、図４は、図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図を概略的に示すものである。

【0019】

以下、図１～図４を参照して、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品について詳細に説明する。但し、積層型電子部品の一例として積層セラミックキャパシタについて説明するが、本発明は誘電体組成物を利用する様々な電子製品、例えば、インダクタ、圧電体素子、バリスタ、又はサーミスタなどにも適用することができる。

【0020】

本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００は、誘電体層１１１及び上記誘電体層１１１と第１方向に交互に配置される内部電極１２１、１２２を含む容量形成部Ａｃ、並びに上記容量形成部Ａｃの上記第１方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）に配置されるカバー部１１２、１１３を含む本体１１０と、上記本体１１０上に配置される外部電極１３１、１３２と、を含み、上記カバー部１１２、１１３はチタン（Ｔｉ）、ガリウム（Ｇａ）及びリン（Ｐ）を含み、上記カバー部１１２、１１３に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数は０．３モル以上６．０モル以下であることができる。

【0021】

本発明の他の一実施形態に係る積層型電子部品１００は、誘電体層１１１及び上記誘電体層１１１と第１方向に交互に配置される内部電極１２１、１２２を含む容量形成部Ａｃ、並びに上記容量形成部Ａｃの上記第１方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）に配置されるカバー部１１２、１１３を含む本体１１０と、上記本体１１０上に配置される外部電極１３１、１３２と、を含み、上記カバー部１１２、１１３はチタン（Ｔｉ）、ガリウム（Ｇａ）及びリン（Ｐ）を含み、上記カバー部１１２、１１３に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するリン（Ｐ）のモル数は０モル超過５．０モル以下であることができる。

【0022】

以下では、本発明の様々な一実施形態についてより具体的に説明する。

【0023】

本体１１０は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２が交互に積層されていてもよい。

【0024】

より具体的に、本体１１０は、本体１１０の内部に配置され、誘電体層１１１を挟んで互いに対向するように交互に配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含んで容量を形成する容量形成部Ａｃを含むことができる。

【0025】

本体１１０の具体的な形状に特に制限はないが、図示のように、本体１１０は六面体形状又はこれと類似の形状からなることができる。焼成過程で本体１１０に含まれたセラミック粒子の収縮により、本体１１０は完全な直線を有する六面体形状ではないが、実質的に六面体形状を有することができる。

【0026】

本体１１０は、第１方向に互いに対向する第１面１及び第２面２、第１面１及び第２面２と連結され、第２方向に互いに対向する第３面３及び第４面４、第１面１、第２面２、第３面３及び第４面４と連結され、第３方向に互いに対向する第５面５及び第６面６を有することができる。

【0027】

本体１１０を形成する複数の誘電体層１１１は焼成された状態であって、隣接する誘電体層１１１間の境界は走査電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＳＥＭ）を利用せずには確認しにくいほど一体化することができる。

【0028】

誘電体層１１１を形成する原料は、十分な静電容量が得られる限り限定されない。一般に、ペロブスカイト（ＡＢＯ_３）系材料を使用することができ、例えば、チタン酸バリウム系材料、鉛複合ペロブスカイト系材料又はチタン酸ストロンチウム系材料などを使用することができる。チタン酸バリウム系材料は、ＢａＴｉＯ_３系セラミック粒子を含むことができ、セラミック粒子の例示として、ＢａＴｉＯ_３、ＢａＴｉＯ_３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）等が一部固溶した（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ_１－ｙＣａ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）又はＢａ（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）などが挙げられる。

【0029】

また、誘電体層１１１を形成する原料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）などの粒子に、本発明の目的に応じて様々なセラミック添加剤、有機溶剤、結合剤、分散剤などを添加することができる。

【0030】

なお、誘電体層１１１は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）のような誘電体物質を用いて形成することができるため、焼成後に誘電体微細構造を含むことができる。誘電体微細構造は、複数の結晶粒、上記隣接する結晶粒の間に配置される結晶粒界、及び上記結晶粒界が３つ以上接する地点に配置される三重点を含むことができ、それぞれ複数個を含むことができる。

【0031】

本発明では、後述するカバー部１１２、１１３及びサイドマージン部１１４、１１５に含まれる誘電体層と区分するために、容量形成部Ａｃに含まれた誘電体層１１１を第１誘電体層１１１と定義することができ、カバー部１１２、１１３に含まれた誘電体層を第２誘電体層と定義することができ、サイドマージン部１１４、１１５に含まれる誘電体層を第３誘電体層と定義することができる。

【0032】

本発明において、積層型電子部品１００の各構成に含まれた元素の含量を測定するより具体的な方法の一例として、破壊工法の場合、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）のエネルギー分散Ｘ線分光法（Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ－ｒａｙ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ、ＥＤＳ）モード、透過電子顕微鏡（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＴＥＭ）のＥＤＳモード、又は走査透過電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＳＴＥＭ）のＥＤＳモードを用いて成分を分析することができる。まず、焼結済みの本体又はサイドマージン部の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）のうち誘電体微細構造を含む領域において集束イオンビーム（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ、ＦＩＢ）装備を用いて薄片化された分析試料を準備する。そして、薄片化された試料に対してキセノン（Ｘｅ）又はアルゴン（Ａｒ）イオンミリング（ｉｏｎ ｍｉｌｌｉｎｇ）を用いて表面のダメージ層を除去し、その後ＳＥＭ－ＥＤＳ、ＴＥＭ－ＥＤＳ、又はＳＴＥＭ－ＥＤＳを用いて得られたイメージにおいて測定しようとする各成分をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）して定性／定量分析を行う。この場合、各成分の定性／定量分析グラフは、各元素の質量百分率（ｗｔ％）、原子百分率（ａｔ％）、又はモル百分率（ｍｏｌ％）に換算して表すこともできる。このとき、特定成分のモル数に対する他の特定成分のモル数を換算して表すことができる。

【0033】

さらに他の方法としては、チップを粉砕して誘電体微細構造が含まれた領域を選別し、このように選別された誘電体微細構造が含まれた部分を誘導結合プラズマ分光分析器（ＩＣＰ－ＯＥＳ）、誘導結合プラズマ質量分析器（ＩＣＰ－ＭＳ）などの装置を用いて、誘電体微細構造が含まれた領域の成分を分析することができる。

【0034】

本発明の一実施形態において、容量形成部Ａｃの第１誘電体層１１１はガリウム（Ｇａ）又はリン（Ｐ）を含まなくてもよい。

【0035】

ここで、容量形成部Ａｃの第１誘電体層１１１がガリウム（Ｇａ）又はリン（Ｐ）を含まないとは、第１誘電体層１１１を焼成する前、誘電体スラリー（ｓｌｕｒｒｙ）又は誘電体グリーンシートの状態でガリウム（Ｇａ）又はリン（Ｐ）を含まないことを意味することができ、又は容量形成部Ａｃの中央部領域に位置する第１誘電体層１１１がガリウム（Ｇａ）又はリン（Ｐ）を含まないことを意味することができる。

【0036】

すなわち、後述するカバー部１１２、１１３の第２誘電体層に含まれたガリウム（Ｇａ）又はリン（Ｐ）が高温熱処理などの焼成過程が進むにつれて、容量形成部Ａｃのうちカバー部１１２、１１３に隣接する容量形成部Ａｃの第１誘電体層１１１の領域にガリウム（Ｇａ）又はリン（Ｐ）が拡散する場合もできるが、容量形成部Ａｃの中央部領域に位置する第１誘電体層１１１では、ガリウム（Ｇａ）又はリン（Ｐ）が検出されない場合があることを意味することができる。

【0037】

例えば、本体１１０の第３方向の中心において第１方向及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準として、第１方向及び第２方向の中心部に位置する１０μｍ×１０μｍ領域を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）又は透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）のＥＤＳモードで観察したとき、当該領域においてガリウム（Ｇａ）又はリン（Ｐ）が検出されないか、又はガリウム（Ｇａ）が０．５ａｔ％未満、リン（Ｐ）が０．１ａｔ％未満で検出されることを意味することができる。

【0038】

第１誘電体層１１１の厚さｔｄは特に限定する必要はない。

【0039】

積層型電子部品１００の高電圧環境下での信頼性を確保するために、第１誘電体層１１１の厚さは１０．０μｍ以下とすることができる。また、積層型電子部品１００の小型化及び高容量化を達成するために、第１誘電体層１１１の厚さは３．０μｍ以下であってもよく、超小型化及び高容量化をより容易に達成するために、第１誘電体層１１１の厚さは１．０μｍ以下であってもよく、好ましくは０．６μｍ以下であってもよく、より好ましくは０．４μｍ以下であってもよい。

【0040】

ここで、第１誘電体層１１１の厚さｔｄは、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２の間に配置される第１誘電体層１１１の厚さｔｄを意味することができる。

【0041】

一方、第１誘電体層１１１の厚さｔｄは、第１誘電体層１１１の第１方向のサイズを意味することができる。また、第１誘電体層１１１の厚さｔｄは、第１誘電体層１１１の平均厚さｔｄを意味することができ、第１誘電体層１１１の第１方向の平均サイズを意味することができる。

【0042】

第１誘電体層１１１の第１方向の平均サイズは、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、一つの第１誘電体層１１１の第１方向の平均サイズは、スキャンされたイメージにおいて、一つの第１誘電体層１１１を第２方向に等間隔である１０個の地点で第１方向のサイズを測定して計算した平均値を意味することができる。上記等間隔である１０個の地点は容量形成部Ａｃで指定することができる。また、このような平均値の測定を１０個の第１誘電体層１１１に拡張して平均値を測定すると、第１誘電体層１１１の第１方向の平均サイズをさらに一般化することができる。

【0043】

内部電極１２１、１２２は第１誘電体層１１１と交互に積層されてもよい。

【0044】

内部電極１２１、１２２は第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含むことができ、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は本体１１０を構成する第１誘電体層１１１を挟んで互いに対向するように交互に配置され、本体１１０の第３面３及び第４面４にそれぞれ露出することができる。

【0045】

より具体的に、第１内部電極１２１は第４面４と離隔し、第３面３を介して露出することができ、第２内部電極１２２は第３面３と離隔し、第４面４を介して露出することができる。本体１１０の第３面３には第１外部電極１３１が配置されて第１内部電極１２１と連結され、本体１１０の第４面４には第２外部電極１３２が配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。

【0046】

すなわち、第１内部電極１２１は第２外部電極１３２とは連結されず第１外部電極１３１と連結され、第２内部電極１２２は第１外部電極１３１とは連結されず第２外部電極１３２と連結されることができる。このとき、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は、中間に配置された第１誘電体層１１１によって互いに電気的に分離することができる。

【0047】

一方、本体１１０は、第１内部電極１２１が印刷されたセラミックグリーンシートと、第２内部電極１２２が印刷されたセラミックグリーンシートとを交互に積層した後、焼成して形成することができる。

【0048】

内部電極１２１、１２２を形成する材料は特に限定されず、電気伝導性に優れた材料を使用することができる。例えば、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含むことができる。

【0049】

また、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含む内部電極用導電性ペーストをセラミックグリーンシートに印刷して形成することができる。上記内部電極用導電性ペーストの印刷方法としては、スクリーン印刷法又はグラビア印刷法などを使用することができるが、本発明はこれに限定されるものではない。

【0050】

一方、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは特に限定する必要はない。

【0051】

積層型電子部品１００の高電圧環境下での信頼性を確保するために、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは３．０μｍ以下とすることができる。また、積層型電子部品１００の小型化及び高容量化を達成するために、内部電極１２１、１２２の厚さは１．０μｍ以下であってもよく、超小型化及び高容量化をより容易に達成するために、内部電極１２１、１２２の厚さは０．６μｍ以下であってもよく、より好ましくは０．４μｍ以下であってもよい。

【0052】

ここで、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の第１方向のサイズを意味することができる。また、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅを意味することができ、内部電極１２１、１２２の第１方向の平均サイズを意味することができる。

【0053】

内部電極１２１、１２２の第１方向の平均サイズは、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、一つの内部電極の第１方向の平均サイズは、スキャンされたイメージにおいて、一つの内部電極を第２方向に等間隔である１０個の地点で第１方向のサイズを測定して計算した平均値であることができる。上記等間隔である１０個の地点は容量形成部Ａｃで指定することができる。また、このような平均値の測定を１０個の内部電極に拡張して平均値を測定すると、内部電極の第１方向の平均サイズをさらに一般化することができる。

【0054】

一方、本発明の一実施形態において、複数の第１誘電体層１１１のうち少なくとも一つの平均厚さｔｄ、及び複数の内部電極１２１、１２２のうち少なくとも一つの平均厚さｔｅは、２×ｔｅ＜ｔｄを満たすことができる。

【0055】

言い換えれば、第１誘電体層１１１の一つの平均厚さｔｄは、内部電極１２１、１２２の一つの平均厚さｔｅの２倍よりさらに大きくてもよい。好ましくは、複数の第１誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、複数の内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅの２倍よりさらに大きくてもよい。

【0056】

一般に、高電圧電装用電子部品は、高電圧環境下で絶縁破壊電圧（Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ Ｖｏｌｔａｇｅ、ＢＤＶ）の低下による信頼性の問題が主なイシューである。

【0057】

したがって、高電圧環境下で絶縁破壊電圧の低下を防止するために、第１誘電体層１１１の平均厚さｔｄを内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅの２倍よりも大きくすることにより、内部電極間の距離である誘電体層の厚さを増加させることができ、絶縁破壊電圧特性を向上させることができる。

【0058】

第１誘電体層１１１の平均厚さｔｄが内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅの２倍以下である場合には、内部電極間の距離である誘電体層の平均厚さが薄くなり、絶縁破壊電圧が低下することがあり、内部電極間の短絡が発生する可能性がある。

【0059】

一方、本体１１０は、容量形成部Ａｃの第１方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）上に配置されるカバー部１１２、１１３を含むことができる。

【0060】

具体的に、容量形成部Ａｃの第１方向の一面に配置される第１カバー部１１２、及び容量形成部Ａｃの第１方向の他面に配置される第２カバー部１１３を含むことができる。より具体的には、容量形成部Ａｃの第１方向の上部に配置される上部カバー部１１２、及び容量形成部Ａｃの第１方向の下部に配置される下部カバー部１１３を含むことができる。

【0061】

上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、単一の第２誘電体層又は２つ以上の第２誘電体層を容量形成部Ａｃの上下面にそれぞれ第１方向に積層して形成することができる。

【0062】

上述したように、本発明においてカバー部１１２、１１３に含まれた誘電体層を第２誘電体層と定義することができる。

【0063】

カバー部１１２、１１３は、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。

【0064】

上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、内部電極１２１、１２２を含まず、第１誘電体層１１１と同じセラミック材料を含むことができる。

【0065】

すなわち、上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は誘電体物質を含むことができ、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系誘電体物質を含むことができる。また、第２誘電体層を形成する原料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）などの粒子に本発明の目的に応じて様々なセラミック添加剤、有機溶剤、結合剤、分散剤などを添加することができる。

【0066】

そして、カバー部１１２、１１３に含まれた第２誘電体層は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）のような誘電体物質を用いて形成することができるため、焼成後に誘電体微細構造を含むことができる。誘電体微細構造は、複数の結晶粒、上記隣接する結晶粒の間に配置される結晶粒界、及び上記結晶粒界が３つ以上接する地点に配置される三重点を含むことができ、それぞれ複数個を含むことができる。また、第２誘電体層は、結晶粒に固溶していない二次相（ｓｅｃｏｎｄａｒｙ－ｐｈａｓｅ）を含むことができる。

【0067】

一方、カバー部１１２、１１３はガリウム（Ｇａ）を含むことができる。

【0068】

より具体的に、カバー部１１２、１１３に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数は、０．３モル以上６．０モル以下であることができる。

【0069】

カバー部１１２、１１３がガリウム（Ｇａ）を含むことにより、焼成温度を低下させて気孔（ｐｏｒｅ）数が減少でき、これによりカバー部１１２、１１３の緻密度が向上し、耐湿信頼性を改善することができる。また、外部からの衝撃を受けても、クラック（ｃｒａｃｋ）の生成を抑制することができ、機械的特性が向上できる。

【0070】

カバー部１１２、１１３に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数が０．３モル以上６．０モル以下を満たすことにより、カバー部１１２、１１３の焼成温度を低下させて気孔（ｐｏｒｅ）数を減少させることができ、これにより、カバー部１１２、１１３の緻密度が向上し、耐湿信頼性が向上できる。また、外部からの衝撃を受けても、クラック（ｃｒａｃｋ）の生成を抑制することができ、機械的特性が向上できる。

【0071】

カバー部１１２、１１３に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数が０．３モル未満の場合、結晶粒の粒成長により粒界抵抗が劣化し、信頼性が低下するおそれがあり、さらに、気孔の除去が十分でないため、耐湿信頼性が低下するおそれがある。

【0072】

カバー部１１２、１１３に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数が６．０モルを超える場合、ガリウム（Ｇａ）の過剰添加により誘電体スラリー（ｓｌｕｒｒｙ）の状態での分散性が低下して凝集物が発生することがあり、これにより、絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）が低下したり、結晶粒の粒成長が過度に抑制され、緻密度が低下する可能性があり、これにより耐湿信頼性が低下するという負の効果が発生するおそれがある。

【0073】

また、カバー部１１２、１１３はリン（Ｐ）を含むことができる。

【0074】

より具体的に、カバー部１１２、１１３に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するリン（Ｐ）のモル数は０モル超過５．０モル以下であってもよく、好ましい上限値は３．０モル以下、又は１．０モル以下であってもよく、より好ましくは０．５モル以下であってもよい。

【0075】

カバー部１１２、１１３がリンＰを含むことにより、気孔の数が減少でき、これによりカバー部１１２、１１３の緻密度が向上し、耐湿信頼性が改善されることができる。また、外部からの衝撃を受けてもクラック（ｃｒａｃｋ）の生成を抑制することができ、機械的特性が向上できる。

【0076】

カバー部１１２、１１３に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するリン（Ｐ）のモル数が０モル超過５．０モル以下を満たすことにより、気孔の数を減少させることができ、これによりカバー部１１２、１１３の緻密度が向上し、耐湿信頼性が向上できる。

【0077】

カバー部１１２、１１３に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するリン（Ｐ）のモル数が５．０モル以上である場合、結晶粒の粒成長が過度に抑制され、絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）等の電気的特性が低下するおそれがある。

【0078】

また、上述したように、カバー部１１２、１１３は、コア－シェル構造の結晶粒を含む複数の結晶粒、上記隣接する結晶粒の間に配置される結晶粒界、上記結晶粒界が３つ以上接する地点に配置される三重点、及び二次相（ｓｅｃｏｎｄａｒｙ－ｐｈａｓｅ）を含むことができ、カバー部１１２、１１３に含まれたコア－シェル結晶粒のシェル部、結晶粒界、三重点、二次相のうち少なくとも一つはリン（Ｐ）の含量が０．１ａｔ％未満である領域を含むことができる。

【0079】

これは、リン（Ｐ）が凝集せず均一に分散したことを意味することができる。

【0080】

本発明の一実施形態において、カバー部１１２、１１３は、ガリウム（Ｇａ）及びリン（Ｐ）の両方を含むことが好ましい。このとき、カバー部１１２、１１３に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数は０．３モル以上６．０モル以下であり、カバー部１１２、１１３に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するリン（Ｐ）のモル数は０モル超過５．０モル以下であることが好ましいと言えるが、特にこれに限定されるものではない。

【0081】

また、カバー部１１２、１１３に含まれたチタン（Ｔｉ）のモル数（Ｂ）に対するバリウム（Ｂａ）のモル数（Ａ）の比率（Ａ／Ｂ）は、０．９９≦Ａ／Ｂ≦１．０５を満たすことができる。

【0082】

カバー部１１２、１１３に含まれたチタン（Ｔｉ）のモル数（Ｂ）に対するバリウム（Ｂａ）のモル数（Ａ）の比率（Ａ／Ｂ）が、０．９９≦Ａ／Ｂ≦１．０５を満たすことにより、結晶粒の均一な粒成長を誘導し、誘電体微細構造の緻密度が改善され、耐湿信頼性を含む信頼性が向上できる。

【0083】

カバー部１１２、１１３に含まれたチタン（Ｔｉ）のモル数（Ｂ）に対するバリウム（Ｂａ）のモル数（Ａ）の比率（Ａ／Ｂ）が０．９９未満の場合（Ａ／Ｂ＜０．９９）、結晶粒の不均一な粒成長が発生して絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）等の電気的特性が低下するおそれがあり、カバー部１１２、１１３に含まれたチタン（Ｔｉ）のモル数（Ｂ）に対するバリウム（Ｂａ）のモル数（Ａ）の比率（Ａ／Ｂ）が１．０５超過の場合（１．０５＜Ａ／Ｂ）、誘電体微細構造の緻密度及び結晶粒の粒成長を阻害して絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）等の電気的特性が低下するおそれがある。

【0084】

一方、カバー部１１２、１１３がガリウム（Ｇａ）及びリン（Ｐ）のうち少なくとも一つを含むことにより、カバー部１１２、１１３に含まれた第２誘電体層の組成は容量形成部Ａｃに含まれた第１誘電体層の組成とは異なることができる。

【0085】

言い換えれば、第２誘電体層に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数は、第１誘電体層に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数より多くてもよい。

【0086】

また、第２誘電体層に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するリン（Ｐ）のモル数は、第１誘電体層に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するリン（Ｐ）のモル数より多くてもよい。

【0087】

本発明の一実施形態において、カバー部１１２、１１３の結晶粒界は、ガリウム（Ｇａ）の原子百分率（ａｔ％）が２．０ａｔ％以上である領域を含むことができ、上限値は特に限定されるものではないが、例えば、４．０ａｔ％以下であることができる。

【0088】

カバー部１１２、１１３の結晶粒界は、ガリウム（Ｇａ）の原子百分率（ａｔ％）が２．０ａｔ％以上である領域を含むことにより、焼成温度を低下させて気孔（ｐｏｒｅ）数を減少させることができ、これによりカバー部１１２、１１３の緻密度が向上して耐湿信頼性が向上できる。また、外部からの衝撃を受けてもクラック（ｃｒａｃｋ）の生成を抑制することができ、機械的特性が向上できる。

【0089】

また、カバー部１１２、１１３の結晶粒界に含まれたガリウム（Ｇａ）の平均原子百分率（ａｔ％）は、０．５ａｔ％以上２．０ａｔ％以下であることができる。

【0090】

カバー部１１２、１１３の結晶粒界に含まれたガリウム（Ｇａ）の平均原子百分率（ａｔ％）が０．５ａｔ％以上２．０ａｔ％以下を満たすことにより、焼成温度を低下させて気孔（ｐｏｒｅ）数を減少させることができ、これにより、カバー部１１２、１１３の緻密度が向上し、耐湿信頼性が向上できる。また、外部からの衝撃を受けてもクラック（ｃｒａｃｋ）の生成を抑制することができ、機械的特性が向上できる。

【0091】

ここで、カバー部１１２、１１３の結晶粒界に含まれたガリウム（Ｇａ）の原子百分率（ａｔ％）を測定する方法は、特に限定されるものではないが、上述したようにＥＤＳ分析方法を用いることができる。ＥＤＳ分析位置は、結晶粒界の地点（ｐｏｉｎｔｓ）を測定して確認するか、又は隣接する結晶粒の間に配置される結晶粒界の実質的な線形状に対して垂直な方向に引いた線の成分を分析する方法であるラインプロファイル（ｌｉｎｅ－ｐｒｏｆｉｌｅ）を用いて求めることができ、測定されたラインプロファイルでガリウム（Ｇａ）の原子百分率（ａｔ％）を確認することができる。

【0092】

一方、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは特に限定する必要はない。

【0093】

但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは１００μｍ以下であってもよく、好ましくは３０μｍ以下であってもよく、超小型製品では、より好ましくは２０μｍ以下であってもよい。

【0094】

ここで、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは、カバー部１１２、１１３の第１方向のサイズを意味することができる。また、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは、カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃを意味し、カバー部１１２、１１３の第１方向の平均サイズを意味することができる。

【0095】

カバー部１１２、１１３の第１方向の平均サイズは、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、一つのカバー部をスキャンしたイメージにおいて、第２方向に等間隔である１０個の地点で第１方向のサイズを測定して計算した平均値を意味することができる。

【0096】

なお、上述した方法で測定したカバー部の第１方向の平均サイズは、本体１１０の第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）において、カバー部の第１方向の平均サイズと実質的に同じサイズを有することができる。

【0097】

一方、積層型電子部品１００は、本体１１０の第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）上に配置されるサイドマージン部１１４、１１５を含むことができる。

【0098】

より具体的に、サイドマージン部１１４、１１５は、本体１１０の第５面５に配置された第１サイドマージン部１１４及び本体１１０の第６面６に配置された第２サイドマージン部１１５を含むことができる。

【0099】

サイドマージン部１１４、１１５は、図示のように、本体１１０の第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準として、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２の第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）と本体１１０の境界面との間の領域を意味することができる。

【0100】

より詳細には、サイドマージン部１１４、１１５は、容量形成部Ａｃに適用されるセラミックグリーンシート上にサイドマージン部１１４、１１５が形成される箇所を除いて、導電性ペーストを塗布して内部電極１２１、１２２を形成し、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後の内部電極１２１、１２２が本体１１０の第５面５及び第６面６に露出するように切断した後、単一の第３誘電体層又は２つ以上の第３誘電体層を容量形成部Ａｃの第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）上に第３方向に積層して形成することもできる。

【0101】

上述したように、本発明においてサイドマージン部１１４、１１５に含まれた誘電体層を第３誘電体層と定義することができる。

【0102】

サイドマージン部１１４、１１５は、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。

【0103】

第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５は、内部電極１２１、１２２を含まず、第１誘電体層１１１と同じセラミック材料を含むことができる。

【0104】

すなわち、第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５は誘電体物質を含むことができ、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系誘電体物質を含むことができる。また、第３誘電体層を形成する原料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）などの粒子に本発明の目的に応じて様々なセラミック添加剤、有機溶剤、結合剤、分散剤などを添加することができる。

【0105】

そして、サイドマージン部１１４、１１５に含まれた第３誘電体層は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）のような誘電体物質を用いて形成することができるため、焼成後に誘電体微細構造を含むことができる。誘電体微細構造は、複数の結晶粒、上記隣接する結晶粒の間に配置される結晶粒界、及び上記結晶粒界が３つ以上接する地点に配置される三重点を含むことができ、それぞれ複数個を含むことができる。

【0106】

但し、第３誘電体層の組成は第２誘電体層組成と異なってもよく、例えば、サイドマージン部１１４、１１５に含まれた第３誘電体層はガリウム（Ｇａ）又はリン（Ｐ）を含まなくてもよい。

【0107】

したがって、カバー部１１２、１１３に含まれた第２誘電体層の組成は、サイドマージン部１１４、１１５に含まれた第３誘電体層の組成と異なることができる。

【0108】

言い換えれば、第２誘電体層に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数は、第３誘電体層に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数より多くてもよい。

【0109】

また、第２誘電体層に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するリン（Ｐ）のモル数は、第３誘電体層に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するリン（Ｐ）のモル数より多くてもよい。

【0110】

ここで、サイドマージン部１１４、１１５の第３誘電体層がガリウム（Ｇａ）又はリン（Ｐ）を含まないとは、第３誘電体層を焼成する前、誘電体スラリー（ｓｌｕｒｒｙ）又は誘電体グリーンシートの状態でガリウム（Ｇａ）又はリン（Ｐ）を含まないことを意味することができ、又はサイドマージン部１１４、１１５の中央部領域に位置する第３誘電体層がガリウム（Ｇａ）又はリン（Ｐ）を含まないことを意味することができる。

【0111】

すなわち、上述したカバー部１１２、１１３の第２誘電体層に含まれたガリウム（Ｇａ）又はリン（Ｐ）は、高温熱処理などの焼成過程が進むにつれて、サイドマージン部１１４、１１５のうちカバー部１１２、１１３に隣接するサイドマージン部１１４、１１５の第３誘電体層の領域にガリウム（Ｇａ）又はリン（Ｐ）が拡散することもできるが、サイドマージン部１１４、１１５の中央部領域に位置する第３誘電体層では、ガリウム（Ｇａ）又はリン（Ｐ）が検出されない場合があることを意味することができる。

【0112】

例えば、積層型電子部品１００の第２方向の中心において第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準として、サイドマージン部１１４、１１５の第１方向及び第３方向の中心部に位置する５μｍ×５μｍ領域を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）又は透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）のエネルギー分散Ｘ線分光法（ＥＤＳ）モードで観察したとき、当該領域からガリウム（Ｇａ）又はリン（Ｐ）が検出されないか、又はガリウム（Ｇａ）が０．５ａｔ％未満、リン（Ｐ）が０．１ａｔ％未満で検出されることを意味することができる。

【0113】

一方、第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５の幅ｗｍは特に限定する必要はない。

【0114】

但し、積層型電子部品１００の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは１００μｍ以下であってもよく、好ましくは３０μｍ以下であってもよく、超小型製品では、より好ましくは２０μｍ以下であってもよい。

【0115】

ここで、サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは、サイドマージン部１１４、１１５の第３方向のサイズを意味することができる。また、サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは、サイドマージン部１１４、１１５の平均幅ｗｍを意味し、サイドマージン部１１４、１１５の第３方向の平均サイズを意味することができる。

【0116】

サイドマージン部１１４、１１５の第３方向の平均サイズは、本体１１０の第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、一つのサイドマージン部をスキャンしたイメージにおいて、第１方向に等間隔である１０個の地点で第３方向のサイズを測定して計算した平均値を意味することができる。

【0117】

本発明の一実施形態では、積層型電子部品１００が２つの外部電極１３１、１３２を有する構造について説明しているが、外部電極１３１、１３２の個数や形状などは内部電極１２１、１２２の形態やその他の目的に応じて変更することができる。

【0118】

外部電極１３１、１３２は本体１１０上に配置され、内部電極１２１、１２２と連結されることができる。

【0119】

より具体的に、外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３面３及び第４面４にそれぞれ配置され、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２とそれぞれ連結される第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２を含むことができる。すなわち、第１外部電極１３１は本体の第３面３に配置されて第１内部電極１２１と連結されることができ、第２外部電極１３２は本体の第４面４に配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。

【0120】

また、外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第１面１及び第２面２上の一部に延びて配置されることができ、又は本体１１０の第５面５及び第６面６上の一部に延びて配置されることができる。すなわち、第１外部電極１３１は、本体１１０の第１面１、第２面２、第５面５及び第６面６上の一部、及び本体１１０の第３面３上に配置されることができ、第２外部電極１３２は、本体１１０の第１面１、第２面２、第５面５及び第６面６上の一部、及び本体１１０の第３面３上に配置されることができる。

【0121】

一方、外部電極１３１、１３２は、金属などのように、電気伝導性を有するものであれば、如何なる物質を用いて形成されてもよく、電気的特性、構造的安定性などを考慮して具体的な物質が決定されてもよく、さらに多層構造を有してもよい。

【0122】

例えば、外部電極１３１、１３２は、本体１１０に配置される電極層及び電極層上に配置されるめっき層を含むことができる。

【0123】

電極層に対するより具体的な例として、電極層は、第１導電性金属及びガラスを含む焼成電極である第１電極層１３１ａ、１３２ａを含むか、又は第２導電性金属及び樹脂を含む樹脂系電極である第２電極層１３１ｂ、１３２ｂを含むことができる。

【0124】

ここで、第１電極層１３１ａ、１３２ａに含まれた導電性金属を第１導電性金属ということができ、第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれた導電性金属を第２導電性金属ということができる。このとき、第１導電性金属及び第２導電性金属は互いに同一又は異なることができ、複数の導電性金属を含む場合、一部のみが同じ導電性金属を含むこともできるが、特にこれに限定されるものではない。

【0125】

また、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂは、本体１１０上に焼成電極及び樹脂系電極が順次形成された形態であってもよい。

【0126】

また、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂは、本体上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されるか、又は焼成電極上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されたものであってもよい。

【0127】

電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂに含まれる導電性金属として、電気伝導性に優れた材料を使用することができ、例えば、導電性金属はニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群から選択された一つ以上を含むことができるが、特にこれに限定されない。

【0128】

本発明の一実施形態において、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂは、第１電極層１３１ａ、１３２ａ及び第２電極層１３１ｂ、１３２ｂを含む２層の構造を有することができ、これにより、外部電極１３１、１３２は、第１導電性金属及びガラスを含む第１電極層１３１ａ、１３２ａ、並びに上記第１電極層１３１ａ、１３２ａ上に配置され、第２導電性金属及び樹脂を含む第２電極層１３１ｂ、１３２ｂを含むことができる。

【0129】

第１電極層１３１ａ、１３２ａはガラスを含むことにより、本体１１０との接合性を向上させる役割を果たし、第２電極層１３１ｂ、１３２ｂは樹脂を含むことにより、曲げ強度を向上させる役割を果たすことができる。

【0130】

第１電極層１３１ａ、１３２ａに含まれる第１導電性金属は、静電容量形成のために上記内部電極１２１、１２２と電気的に連結できる材質であれば特に限定されず、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群から選択された一つ以上を含むことができる。

【0131】

第１電極層１３１ａ、１３２ａは、第１導電性金属粒子にガラスフリット（ｇｌａｓｓ ｆｒｉｔ）を添加して設けられた導電性ペーストを塗布した後、焼成することにより形成することができる。

【0132】

第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる第２導電性金属は、第１電極層１３１ａ、１３２ａと電気的に連結されるようにする役割を果たすことができる。

【0133】

第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる導電性金属は、電極層１３１ａ、１３２ａと電気的に連結できる材質であれば特に限定されず、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群から選択された一つ以上を含むことができる。

【0134】

第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる第２導電性金属は、球状粒子及びフレーク状粒子のうち１以上を含むことができる。すなわち、第２導電性金属はフレーク状粒子のみからなるか、又は球状粒子のみからなることができ、フレーク状粒子と球状粒子とが混合された形態であることもできる。ここで、球状粒子は、完全な球状ではない形態も含むことができ、例えば、長軸と短軸の長さ比率（長軸／短軸）が１．４５以下の形態を含むことができる。フレーク状粒子とは、平たくかつ細長い形態を有する粒子を意味し、特に限定されるものではないが、例えば、長軸と短軸の長さ比率（長軸／短軸）が１．９５以上であってもよい。上記球状粒子及びフレーク状粒子の長軸と短軸の長さは、積層型電子部品の第３方向の中央部で切断した第１方向及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でスキャンして得られたイメージから測定することができる。

【0135】

第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる樹脂は、接合性の確保及び衝撃吸収の役割を果たすことができる。第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる樹脂は接合性及び衝撃吸収性を有し、第２導電性金属粒子と混合してペーストを作製できるものであれば特に限定されず、例えば、エポキシ系樹脂を含むことができる。

【0136】

また、第２電極層１３１ｂ、１３２ｂは、複数の第２導電性金属粒子、金属間化合物（ｉｎｔｅｒｍｅｔａｌｌｉｃ ｃｏｍｐｏｕｎｄ）及び樹脂を含むことができる。金属間化合物を含むことにより、第１電極層１３１ａ、１３２ａとの電気的連結性をより向上させることができる。金属間化合物は、複数の金属粒子を連結して電気的連結性を向上させる役割を果たし、複数の金属粒子を囲んで互いに連結する役割を果たすことができる。

【0137】

このとき、金属間化合物は、樹脂の硬化温度より低い融点を有する金属を含むことができる。すなわち、金属間化合物が樹脂の硬化温度より低い融点を有する金属を含むため、樹脂の硬化温度より低い融点を有する金属が乾燥及び硬化工程を経る過程で溶融し、金属粒子の一部と金属間化合物を形成して金属粒子を囲むようになる。このとき、金属間化合物は、好ましくは３００℃以下の低融点金属を含むことができる。

【0138】

例えば、２１３～２２０℃の融点を有するＳｎを金属間化合物として含むことができる。乾燥及び硬化工程を経る過程でＳｎが溶融し、溶融したＳｎがＡｇ、Ｎｉ又はＣｕのような高融点の金属粒子を毛細管現象により湿らせ、Ａｇ、Ｎｉ又はＣｕ金属粒子の一部と反応してＡｇ_３Ｓｎ、Ｎｉ_３Ｓｎ_４、Ｃｕ_６Ｓｎ_５、Ｃｕ_３Ｓｎなどの金属間化合物を形成するようになる。反応に関与しなかったＡｇ、Ｎｉ又はＣｕは金属粒子の形態で残る。

【0139】

したがって、上記複数の第２導電性金属粒子は、Ａｇ、Ｎｉ及びＣｕのうち一つ以上を含み、上記金属間化合物は、Ａｇ_３Ｓｎ、Ｎｉ_３Ｓｎ_４、Ｃｕ_６Ｓｎ_５及びＣｕ_３Ｓｎのうち一つ以上を含むことができる。

【0140】

めっき層１３１ｃ、１３２ｃは、実装特性を向上させる役割を果たすことができる。

【0141】

めっき層１３１ｃ、１３２ｃの種類は特に限定されず、ニッケル（Ｎｉ）、錫（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含む単一層のめっき層１３１ｃ、１３２ｃであってもよく、複数の層で形成されてもよい。

【0142】

めっき層１３１ｃ、１３２ｃに対するより具体的な例として、めっき層１３１ｃ、１３２ｃは、Ｎｉめっき層又はＳｎめっき層であってもよく、電極層上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層が順次形成された形態であってもよく、Ｓｎめっき層、Ｎｉめっき層及びＳｎめっき層が順次形成された形態であってもよい。また、めっき層１３１ｃ、１３２ｃは、複数のＮｉめっき層及び／又は複数のＳｎめっき層を含んでもよい。

【0143】

積層型電子部品１００のサイズは特に限定する必要はない。

【0144】

但し、小型化及び高容量化を同時に達成するためには、誘電体層及び内部電極の厚さを薄くして積層数を増加させなければならないため、３２１６（長さ×幅：３．２ｍｍ×１．６ｍｍ）サイズ以下の積層型電子部品１００において本発明による効果がより顕著になり得る。

【0145】

以下、実施例を挙げて本発明についてさらに詳細に説明するが、これは本発明の具体的な理解を助けるためのものであり、本発明の範囲が実施例によって限定されるものではない。

【0146】

（試験例）
比較例１は、カバー部及びサイドマージン部を含む積層型電子部品として作製し、カバー部及びサイドマージン部にガリウム（Ｇａ）及びリン（Ｐ）が添加されていない積層型電子部品として作製し、チップ（ｃｈｉｐ）を設けた。

【0147】

実施例１は、カバー部にチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数を０．３モル以上６．０モル以下にして添加し、チタン（Ｔｉ）１００モルに対するリン（Ｐ）のモル数は、０モル超過５．０モル以下にして添加した積層型電子部品として作製してチップ（ｃｈｉｐ）を設けた。これを除いては、比較例１と同様の方法でチップ（ｃｈｉｐ）を作製した。

【0148】

図５の（ａ）は、比較例１の上部カバー部の第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）の高角環状暗視野（Ｈｉｇｈ－Ａｎｇｌｅ Ａｎｎｕｌａｒ Ｄａｒｋ－Ｆｉｅｌｄ、ＨＡＡＤＦ）モードで撮影したイメージであり、図５の（ｂ）は、図５の（ａ）の領域においてＥＤＳ分析を行ってアルミニウム（Ａｌ）元素をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）したイメージであり、図５の（ｃ）は、図５の（ａ）の領域においてＥＤＳ分析を行ってケイ素（Ｓｉ）元素をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）したイメージである。

【0149】

図６の（ａ）は、実施例１の上部カバー部の第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）のＨＡＡＤＦモードで撮影したイメージであり、図６の（ｂ）は、図６の（ａ）の領域においてＥＤＳ分析を行ってアルミニウム（Ａｌ）元素をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）したイメージであり、図６の（ｃ）は、図６の（ａ）の領域においてＥＤＳ分析を行ってケイ素（Ｓｉ）元素をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）したイメージであり、図６の（ｄ）は、図６の（ａ）の領域においてＥＤＳ分析を行ってガリウム（Ｇａ）元素をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）したイメージである。

【0150】

図７は、図６の（ａ）とは異なる領域に相当し、実施例１の上部カバー部の第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）で撮影した後、ＥＤＳ分析を行ってリン（Ｐ）元素をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）したイメージである。

【0151】

比較例１及び実施例１から、カバー部にガリウム（Ｇａ）が含まれた場合、コア－シェル結晶粒のシェル部、結晶粒の内部、結晶粒界及び三重点にガリウム（Ｇａ）が配置されることが確認でき、ケイ素（Ｓｉ）及びアルミニウム（Ａｌ）が検出される領域にガリウム（Ｇａ）が共に検出されることから、ケイ素（Ｓｉ）及びアルミニウム（Ａｌ）を含む二次相（ｓｅｃｏｎｄａｒｙ－ｐｈａｓｅ）にガリウム（Ｇａ）が配置されることが分かる。

【0152】

また、カバー部１１２、１１３にリン（Ｐ）が含まれた場合、コア－シェル結晶粒のシェル部、結晶粒の内部、結晶粒界、及び三重点にリン（Ｐ）が配置されることができ、二次相（ｓｅｃｏｎｄａｒｙ－ｐｈａｓｅ）と予測されるリン（Ｐ）が一定の領域を有する凝集体として観察されたことからみて、二次相（ｓｅｃｏｎｄａｒｙ－ｐｈａｓｅ）にリン（Ｐ）が配置されることが分かる。

【0153】

次に、比較例２及び比較例３は、比較例１と同じ条件でチップをそれぞれ２８個ずつ作製し、実施例２及び実施例３は、実施例１と同じ条件でチップを２８個ずつ作製した。

【0154】

比較例２及び実施例２については耐湿信頼性評価を行い、比較例３及び実施例３については過酷条件下での信頼性評価である高速寿命評価（Ｈｉｇｈｌｙ Ａｃｃｅｌｅｒａｔｅｄ Ｌｉｆｅ Ｔｅｓｔ、ＨＡＬＴ）を行った。

【0155】

図８の（ａ）は比較例２の耐湿信頼性評価グラフであり、図８の（ｂ）は実施例２の耐湿信頼性評価グラフである。

【0156】

耐湿信頼性評価は、温度条件８５℃、相対湿度条件８５％で、定格電圧１．５Ｖｒを２６時間印加したとき、短絡（ｓｈｏｒｔ）が発生したチップを不良と評価した。

【0157】

図９の（ａ）は比較例３の過酷条件下での信頼性評価グラフであり、図９の（ｂ）は実施例３の過酷条件下での信頼性評価グラフである。

【0158】

ＨＡＬＴ評価は、温度条件１２５℃で定格電圧１．５Ｖｒを３０時間印加したとき、短絡（ｓｈｏｒｔ）が発生したチップを不良と評価し、短絡（ｓｈｏｒｔ）が発生した時間を平均して平均故障時間（ＭＴＴＦ）を求めた。

【0159】

比較例２の場合、２８個の全てのチップに対して短絡（ｓｈｏｒｔ）が発生したのに対し、実施例２の場合、２８個のチップのうち８個のチップに対して短絡（ｓｈｏｒｔ）が発生した。

【0160】

次に、比較例３の場合、平均故障時間（ＭＴＴＦ）は１．６時間であったのに対し、実施例３の場合、平均故障時間（ＭＴＴＦ）は１６．６時間であり、比較例３に比べて約１０．４倍程度の寿命が増加した。

【0161】

これにより、カバー部に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数が０．３モル以上６．０モル以下であり、チタン（Ｔｉ）１００モルに対するリン（Ｐ）のモル数が０モル超過５．０モル以下である場合、耐湿信頼性及び平均故障時間（ＭＴＴＦ）が改善されることが分かる。

【0162】

次に、カバー部に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）及びリン（Ｐ）の含量を異ならせて下記の［表１］に記載し、各試験例に係るスラリー分散度、結晶粒サイズ、気孔率、耐湿信頼性、及びＨＡＬＴ評価時の平均故障時間（ＭＴＴＦ）を測定し、下記の［表２］に記載した。

【0163】

表１のＧａは、カバー部に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウムのモル数に相当し、Ｐは、カバー部に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するリンのモル数に相当する。スラリー分散度は、誘電体スラリー（ｓｌｕｒｒｙ）の状態で凝集体が発生した場合を「Ｘ」と記載し、凝集体が発生しなかった場合を「Ｏ」と記載した。

【0164】

表２の結晶粒サイズは、カバー部の第１方向及び第３方向の断面の１０μｍ×１０μｍ領域に含まれた結晶粒の平均サイズを記載したものである。気孔率（ｐｏｒｏｓｉｔｙ、％）は、カバー部の第１方向及び第３方向の断面の１５μｍ×１５μｍの面積に対する気孔の面積をプログラムにより算出した後、これを百分率（％）で表したものである。耐湿信頼性は、各試験例別に２８個のチップを作製した後、温度条件８５℃、相対湿度条件８５％で、定格電圧１．５Ｖｒを２６時間印加したとき、短絡（ｓｈｏｒｔ）が発生したチップの個数をカウントして記載したものである。ＭＴＴＦは、各試験例別に２８個のチップを作製した後、温度条件１２５℃で定格電圧１．５Ｖｒを３０時間印加するＨＡＬＴ評価を行ったものであり、このとき、短絡（ｓｈｏｒｔ）が発生したチップの時間を平均してＭＴＴＦを求め、これを記載したものである。

【0165】

【表1】

【0166】

【表2】

【0167】

カバー部に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）が０．３モル以上６．０モル以下を満たす場合、誘電体スラリーの凝集が発生せず、耐湿信頼性及び平均故障時間（ＭＴＴＦ）が改善されることが分かる。

【0168】

また、カバー部に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）が０．３モル以上６．０モル以下であり、カバー部に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するリン（Ｐ）が０モル超過５．０モル以下である場合、カバー部に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）が０．３モル以上６．０モル以下であり、リン（Ｐ）を含まない場合に比べて、概して気孔率（％）及び耐湿信頼性がさらに向上することがわかる。

【0169】

これにより、カバー部に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数が０．３モル以上６．０モル以下であり、チタン（Ｔｉ）１００モルに対するリン（Ｐ）のモル数が０モル超過５．０モル以下である場合、耐湿信頼性及び平均故障時間（ＭＴＴＦ）が改善されることが分かる。

【0170】

次に、カバー部に含まれたチタン（Ｔｉ）のモル数（Ｂ）に対するバリウム（Ｂａ）のモル数（Ａ）の比率（Ａ／Ｂ）を異ならせた場合において、誘電体微細構造の緻密度の程度を評価し、絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）を測定して、下記の［表３］に記載した。

【0171】

表３の試験例は、Ａ／Ｂの比率を異ならせたことを除いては、カバー部に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数が０．３モル以上６．０モル以下であり、チタン（Ｔｉ）１００モルに対するリン（Ｐ）のモル数が０モル超過５．０モル以下を満たすようにチップ（ｃｈｉｐ）を作製した。

【0172】

表３のＡ／Ｂは、カバー部に含まれたチタン（Ｔｉ）のモル数（Ｂ）に対するバリウム（Ｂａ）のモル数（Ａ）を意味する。

【0173】

緻密度は、チップ（ｃｈｉｐ）のカバー部を含む第１方向及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）において、カバー部の気孔率（％）を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察してイメージを撮影した後、気孔算出プログラムを用いて求めた。気孔率（％）が０．３０％以下の場合は良好と評価して「Ｏ」と記載し、気孔率（％）が０．３０％超過の場合は不良と評価して「Ｘ」と記載した。

【0174】

ＢＤＶはＫｅｉｔｈｌｅｙ社の装備で２０ｍＡの電流を０．１７秒間隔で１Ｖずつ上昇させながら電圧を上げたとき、短絡（ｓｈｏｒｔ）が発生する電圧（Ｖ）を測定したものである。

【0175】

【表3】

【0176】

試験例１６～試験例２２から、カバー部に含まれたチタン（Ｔｉ）のモル数（Ｂ）に対するバリウム（Ｂａ）のモル数（Ａ）の比率（Ａ／Ｂ）が０．９９以上１．０５以下を満たすことにより緻密度が改善され、絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）に優れることが分かる。

【0177】

以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は、上述した実施形態及び添付の図面によって限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲によって限定されるものとする。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で、当技術分野における通常の知識を有する者により様々な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属するといえる。

【0178】

また、本発明において使用される「一実施形態」という表現は、互いに同じ実施形態を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかし、上記提示された一実施形態は、他の一実施形態の特徴と結合して実現されることを排除しない。例えば、特定の一実施形態において説明された事項が他の一実施形態に説明されていなくても、他の一実施形態においてその事項と反対又は矛盾する説明がない限り、他の一実施形態に関連する説明として理解することができる。

【0179】

本発明において使用される用語は、単に一実施形態を説明するために使用されたものであり、本発明を限定しようとする意図ではない。このとき、単数の表現は、文脈上明らかに異なる意味を示さない限り、複数の表現を含む。

【符号の説明】

【0180】

１００：積層型電子部品
１１０：本体
１１１：誘電体層
１１２、１１３：カバー部
１１４、１１５：サイドマージン部
１２１、１２２：内部電極
１３１、１３２：外部電極

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】