特開 2025-82250 積層型電子部品

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025082250

(43)【公開日】2025-05-28

(54)【発明の名称】積層型電子部品

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/30 20060101AFI20250521BHJP

【ＦＩ】

H01G4/30 201M

H01G4/30 201L

H01G4/30 515

H01G4/30 512

【審査請求】未請求

【請求項の数】14

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024134553

(22)【出願日】2024-08-09

(31)【優先権主張番号】10-2023-0158979

(32)【優先日】2023-11-16

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】110000877

【氏名又は名称】弁理士法人ＲＹＵＫＡ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】チョイ、ヒョ スン

(72)【発明者】

【氏名】パク、ジュン ジン

(72)【発明者】

【氏名】チョイ、ホ サム

(72)【発明者】

【氏名】シム、ダエ ジン

(72)【発明者】

【氏名】リー、セウン ヨン

(72)【発明者】

【氏名】リー、ヨン フワ

(72)【発明者】

【氏名】リー、ジョン ホ

【テーマコード（参考）】

5E001

5E082

【Ｆターム（参考）】

5E001AB03

5E001AC09

5E001AD02

5E001AE01

5E001AE02

5E001AE03

5E001AF06

5E082AA01

5E082BC19

5E082EE04

5E082EE23

5E082EE35

5E082FF05

5E082FG04

5E082FG26

5E082GG10

5E082GG11

5E082JJ03

5E082JJ12

(57)【要約】

【課題】耐湿信頼性、電気的特性及び信頼性が向上した積層型電子部品を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態による積層型電子部品は、誘電体層及び上記誘電体層と第１方向に交互に配置される内部電極を含む容量形成部、並びに上記容量形成部の上記第１方向の両端面に配置されるカバー部を含む本体と、上記本体上に配置される外部電極と、を含み、上記カバー部は、バリウム（Ｂａ）、ガリウム（Ｇａ）及びスズ（Ｓｎ）を含み、上記カバー部に含まれるバリウム（Ｂａ）１００モルに対するスズ（Ｓｎ）のモル数（Ｂ）と、上記カバー部に含まれるバリウム（Ｂａ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数（Ａ）との比（Ａ／Ｂ）は、０．２≦Ａ／Ｂ≦４．０を満たすことができる。
【選択図】図５ａ

【特許請求の範囲】

【請求項1】

誘電体層及び前記誘電体層と第１方向に交互に配置される内部電極を含む容量形成部、並びに前記容量形成部の前記第１方向の両端面に配置されるカバー部を含む本体と、
前記本体上に配置される外部電極と、を含み、
前記カバー部は、バリウム（Ｂａ）、ガリウム（Ｇａ）及びスズ（Ｓｎ）を含み、
前記カバー部に含まれるバリウム（Ｂａ）１００モルに対するスズ（Ｓｎ）のモル数（Ｂ）と、前記カバー部に含まれるバリウム（Ｂａ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数（Ａ）との比（Ａ／Ｂ）は、
０．２≦Ａ／Ｂ≦４．０を満たす、積層型電子部品。

【請求項2】

前記カバー部に含まれるバリウム（Ｂａ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数（Ａ）は、０．３モル以上６．０モル以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項3】

前記カバー部に含まれるバリウム（Ｂａ）１００モルに対するスズ（Ｓｎ）のモル数（Ｂ）は、０．１モル以上３．０モル以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項4】

前記誘電体層はガリウム（Ｇａ）を含まない、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項5】

前記容量形成部の誘電体層を第１誘電体層とするとき、前記カバー部は第２誘電体層を含み、
前記第１誘電体層の組成は、前記第２誘電体層の組成と異なる、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項6】

前記カバー部は複数の結晶粒を含み、前記カバー部に含まれる複数の結晶粒の平均大きさは１７０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である、請求項１から５のいずれか一項に記載の積層型電子部品。

【請求項7】

前記カバー部に含まれる複数の結晶粒の平均大きさ（ＡＶＧ）と、前記カバー部に含まれる複数の結晶粒の大きさの標準偏差（ＳＴＤ）との比（ＳＴＤ／ＡＶＧ）を大きさ変動係数（ＣＶ）とするとき、
大きさ変動係数（ＣＶ）の分率は５０％以上６０％以下である、請求項６に記載の積層型電子部品。

【請求項8】

誘電体層及び前記誘電体層と第１方向に交互に配置される内部電極を含む容量形成部、並びに前記容量形成部の前記第１方向の両端面に配置されるカバー部を含む本体と、
前記本体上に配置される外部電極と、を含み、
前記カバー部は、チタン（Ｔｉ）、ガリウム（Ｇａ）及びスズ（Ｓｎ）を含み、
前記カバー部に含まれるチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数（Ａ）は、０．３モル以上６．０モル以下である、積層型電子部品。

【請求項9】

前記カバー部に含まれるチタン（Ｔｉ）１００モルに対するスズ（Ｓｎ）のモル数（Ｂ）は、０．１モル以上３．０モル以下である、請求項８に記載の積層型電子部品。

【請求項10】

前記カバー部に含まれるチタン（Ｔｉ）１００モルに対するスズ（Ｓｎ）のモル数（Ｂ）と、前記カバー部に含まれるチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数（Ａ）との比（Ａ／Ｂ）は、
０．２≦Ａ／Ｂ≦４．０を満たす、請求項８に記載の積層型電子部品。

【請求項11】

前記誘電体層はガリウム（Ｇａ）を含まない、請求項８に記載の積層型電子部品。

【請求項12】

前記容量形成部の誘電体層を第１誘電体層とするとき、前記カバー部は第２誘電体層を含み、
前記第１誘電体層の組成は、前記第２誘電体層の組成と異なる、請求項８に記載の積層型電子部品。

【請求項13】

前記カバー部は複数の結晶粒を含み、前記カバー部に含まれる複数の結晶粒の平均大きさは１７０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である、請求項８から１２のいずれか一項に記載の積層型電子部品。

【請求項14】

前記カバー部に含まれる複数の結晶粒の平均大きさ（ＡＶＧ）と、前記カバー部に含まれる複数の結晶粒の大きさの標準偏差（ＳＴＤ）との比（ＳＴＤ／ＡＶＧ）を大きさ変動係数（ＣＶ）とするとき、
大きさ変動係数（ＣＶ）の分率は５０％以上６０％以下である、請求項１３に記載の積層型電子部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、積層型電子部品に関するものである。

【背景技術】

【0002】

積層型電子部品の一つである積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマ表示装置パネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）などの映像機器、コンピュータ、スマートフォン及び携帯電話などの様々な電子製品のプリント回路基板に装着されて電気を充電または放電させる役割を果たすチップ型のコンデンサである。

【0003】

このような積層セラミックキャパシタは、小型でありながらも高容量が保障され、実装が容易であるという利点により、様々な電子装置の部品として用いられることができる。コンピュータ、モバイル機器など、各種の電子機器が小型化、高出力化されるにつれて、積層セラミックキャパシタに対する小型化及び高容量化の要求が増大している。

【0004】

積層セラミックキャパシタの小型化及び高容量化に伴い、高い電気的特性を実現すべく、電界集中現象を緩和するために微細構造である誘電体結晶粒の大きさを減少させる研究が進められてきた。誘電体結晶粒の大きさを減少させることにより、電界集中現象は改善されているものの、微細構造内の気孔が過度に生成することで、むしろ耐湿信頼性が劣化する問題点が発生しており、電気的特性及び耐湿信頼性を共に解決する研究が進められている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２０２２－０６８５２５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

本発明の解決しようとする様々な課題の一つは、耐湿信頼性が向上した積層型電子部品を提供することである。

【0007】

本発明の解決しようとする様々な課題の一つは、電気的特性が向上した積層型電子部品を提供することである。

【0008】

本発明の解決しようとする様々な課題の一つは、信頼性が向上した積層型電子部品を提供することである。

【0009】

但し、本発明の解決しようとする様々な課題は上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解されることができる。

【課題を解決するための手段】

【0010】

本発明の一実施形態による積層型電子部品は、誘電体層及び上記誘電体層と第１方向に交互に配置される内部電極を含む容量形成部、並びに上記容量形成部の上記第１方向の両端面に配置されるカバー部を含む本体と、上記本体上に配置される外部電極と、を含み、上記カバー部は、バリウム（Ｂａ）、ガリウム（Ｇａ）及びスズ（Ｓｎ）を含み、上記カバー部に含まれるバリウム（Ｂａ）１００モルに対するスズ（Ｓｎ）のモル数（Ｂ）と、上記カバー部に含まれるバリウム（Ｂａ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数（Ａ）との比（Ａ／Ｂ）は、０．２≦Ａ／Ｂ≦４．０を満たすことができる。

【0011】

本発明の他の一実施形態による積層型電子部品は、誘電体層及び上記誘電体層と第１方向に交互に配置される内部電極を含む容量形成部、並びに上記容量形成部の上記第１方向の両端面に配置されるカバー部を含む本体と、上記本体上に配置される外部電極と、を含み、上記カバー部は、チタン（Ｔｉ）、ガリウム（Ｇａ）及びスズ（Ｓｎ）を含み、上記カバー部に含まれるチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数は、０．３モル以上６．０モル以下であることができる。

【発明の効果】

【0012】

本発明の様々な効果の一つとして、積層型電子部品の耐湿信頼性を向上させることができる。

【0013】

本発明の様々な効果の一つとして、積層型電子部品の電気的特性を向上させることができる。

【0014】

本発明の様々な効果の一つとして、積層型電子部品の信頼性を向上させることができる。

【0015】

但し、本発明の多様かつ有益な利点及び効果は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解されることができる。

【図面の簡単な説明】

【0016】

【図1】本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図を概略的に示したものである。

【図2】内部電極の積層構造を示した分離斜視図を概略的に示したものである。

【図3】図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図を概略的に示したものである。

【図4】図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図を概略的に示したものである。

【図5a】カバー部の断面を透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）のＥＤＳ分析モードでスズ（Ｓｎ）元素をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）したイメージである。

【図5b】カバー部の断面を透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）のＥＤＳ分析モードでガリウム（Ｇａ）元素をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）したイメージである。

【図6a】比較例のカバー部の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影した後、プログラムを通じて結晶粒を観察したイメージである。

【図6b】実施例のカバー部の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影した後、プログラムを通じて結晶粒を観察したイメージである。

【図6c】図６ａ及び図６ｂで観察された結晶粒の平均大きさを示した棒グラフである。

【図7a】（）は、比較例のカバー部の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影した後、気孔Ｐを観察したイメージである。

【図7b】実施例のカバー部の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影した後、気孔Ｐを観察したイメージである。

【図7c】図７ａ及び図７ｂで観察された気孔率（ｐｏｒｏｓｉｔｙ）を示した棒グラフである。

【図8a】比較例のＭＴＴＦグラフである。

【図8b】実施例のＭＴＴＦグラフである。

【図9a】比較例の耐湿信頼性の評価グラフである。

【図9b】実施例の耐湿信頼性の評価グラフである。

【発明を実施するための形態】

【0017】

以下、具体的な実施形態及び添付の図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。しかし、本発明の実施形態は、いくつかの他の形態に変形することができ、本発明の範囲が以下説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、通常の技術者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために拡大縮小表示（又は強調表示や簡略化表示）がされることがあり、図面上に同一符号で示される要素は同一要素である。

【0018】

尚、図面において本発明を明確に説明するために説明と関係ない部分は省略し、図示した各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜のために任意で示したものであるため、本発明は必ずしも図示により限定されない。また、同一の思想の範囲内の機能が同一である構成要素は、同一の参照符号を用いて説明することができる。さらに、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」というのは、特に反対される記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。

【0019】

図面において、第１方向は積層方向または厚さ（Ｔ）方向、第２方向は長さ（Ｌ）方向、第３方向は幅（Ｗ）方向と定義することができる。

【0020】

積層型電子部品
図１は、本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図を概略的に示したものであり、図２は、内部電極の積層構造を示した分離斜視図を概略的に示したものであり、図３は、図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図を概略的に示したものであり、図４は、図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図を概略的に示したものである。

【0021】

以下、図１～図４を参照して、本発明の一実施形態による積層型電子部品について詳細に説明する。但し、積層型電子部品の一例として、積層セラミックキャパシタについて説明するが、本発明は、誘電体組成物を用いる様々な電子製品、例えば、インダクタ、圧電体素子、バリスタ、またはサーミスタなどにも適用されることができる。

【0022】

本発明の一実施形態による積層型電子部品１００は、誘電体層１１１及び上記誘電体層１１１と第１方向に交互に配置される内部電極１２１、１２２を含む容量形成部Ａｃ、並びに上記容量形成部Ａｃの上記第１方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）に配置されるカバー部１１２、１１３を含む本体１１０と、上記本体１１０上に配置される外部電極１３１、１３２と、を含み、上記カバー部１１２、１１３は、バリウム（Ｂａ）、ガリウム（Ｇａ）及びスズ（Ｓｎ）を含み、上記カバー部１１２、１１３に含まれるバリウム（Ｂａ）１００モルに対するスズ（Ｓｎ）のモル数（Ｂ）と、上記カバー部１１２、１１３に含まれるバリウム（Ｂａ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数（Ａ）との比（Ａ／Ｂ）は、０．２≦Ａ／Ｂ≦４．０を満たすことができる。

【0023】

本体１１０は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２が交互に積層されていてもよい。

【0024】

より具体的に、本体１１０は、本体１１０の内部に配置され、誘電体層１１１を挟んで互いに対向するように交互に配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含んで容量を形成する容量形成部Ａｃを含むことができる。

【0025】

本体１１０の具体的な形状に特に制限はないが、図示のように、本体１１０は六面体形状やこれと類似の形状からなることができる。焼成過程で本体１１０に含まれるセラミック粒子の収縮により、本体１１０は完全な直線を有する六面体形状ではないものの、実質的に六面体形状を有することができる。

【0026】

本体１１０は、第１方向に互いに対向する第１面１及び第２面２、第１面１及び第２面２と連結され、第２方向に互いに対向する第３面３及び第４面４、第１面１、第２面２、第３面３及び第４面４と連結され、第３方向に互いに対向する第５面５及び第６面６を有することができる。

【0027】

本体１１０を形成する複数の誘電体層１１１は、焼成された状態であり、隣接する誘電体層１１１の間の境界は、走査電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＳＥＭ）を利用せずには確認しにくいほど一体化されることができる。

【0028】

誘電体層１１１を形成する原料は、十分な静電容量が得られる限り制限されない。一般的にペロブスカイト（ＡＢＯ_３）系材料を使用することができ、例えば、チタン酸バリウム系材料、鉛複合ペロブスカイト系材料、又はチタン酸ストロンチウム系材料などを使用することができる。チタン酸バリウム系材料は、ＢａＴｉＯ_３系セラミック粒子を含むことができ、セラミック粒子の例として、ＢａＴｉＯ_３、ＢａＴｉＯ_３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）などが一部固溶された（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ_１－ｙＣａ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）、又はＢａ（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）などが挙げられる。

【0029】

また、誘電体層１１１を形成する原料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）などの粒子に、本発明の目的に応じて様々なセラミック添加剤、有機溶剤、結合剤、分散剤などが添加されることができる。

【0030】

また、誘電体層１１１は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）のような誘電体物質を用いて形成することができるため、焼成後に誘電体微細構造を含むことができる。誘電体微細構造は、複数の結晶粒、上記隣接した結晶粒の間に配置される結晶粒界、及び上記結晶粒界が３つ以上接する地点に配置される三重点を含むことができ、それぞれ複数個を含むことができる。

【0031】

本発明では、後述するカバー部１１２、１１３に含まれる誘電体層と区分するために、容量形成部Ａｃに含まれる誘電体層１１１は第１誘電体層１１１と定義することができ、カバー部１１２、１１３に含まれる誘電体層は第２誘電体層と定義することができる。

【0032】

本発明において、積層型電子部品１００の各構成に含まれる元素の含有量を測定するより具体的な方法の一例として、破壊工法の場合、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）のエネルギー分散Ｘ線分光法（Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ－ｒａｙ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ、ＥＤＳ）モード、透過電子顕微鏡（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＴＥＭ）のＥＤＳモード、又は走査透過電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＳＴＥＭ）のＥＤＳモードを用いて成分を分析することができる。まず、焼結が完了した本体又はサイドマージン部の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）のうち誘電体微細構造を含む領域において、集束イオンビーム（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ、ＦＩＢ）装備を用いて薄片化された分析試料を準備する。そして、薄片化された試料をキセノン（Ｘｅ）又はアルゴン（Ａｒ）イオンミリング（ｉｏｎ ｍｉｌｌｉｎｇ）を用いて表面のダメージ層を除去し、その後、ＳＥＭ－ＥＤＳ、ＴＥＭ－ＥＤＳ、又はＳＴＥＭ－ＥＤＳを用いて得られたイメージにおいて、測定しようとする各成分をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）して定性／定量分析を進める。この場合、各成分の定性／定量分析グラフは、各元素の質量百分率（ｗｔ％）、原子百分率（ａｔ％）、又はモル百分率（ｍｏｌ％）に換算して表すこともできる。このとき、特定成分のモル数に対する他の特定成分のモル数を換算して表すことができる。

【0033】

他の方法としては、チップを粉砕して誘電体微細構造が含まれた領域を選別し、このように選別された誘電体微細構造が含まれた部分を誘導結合プラズマ分光分析器（ＩＣＰ－ＯＥＳ）、誘導結合プラズマ質量分析器（ＩＣＰ－ＭＳ）などの装置を用いて、誘電体微細構造が含まれた領域の成分を分析することができる。

【0034】

本発明の一実施形態において、容量形成部Ａｃの第１誘電体層１１１はガリウム（Ｇａ）を含まなくてよい。

【0035】

ここで、容量形成部Ａｃの第１誘電体層１１１がガリウム（Ｇａ）を含まないとは、第１誘電体層１１１を焼成する前、第1誘電体層１１１になる誘電体スラリー（ｓｌｕｒｒｙ）又は誘電体グリーンシートの状態がガリウム（Ｇａ）を含まないことを意味することができ、容量形成部Ａｃの中央部領域に位置する第１誘電体層１１１はガリウム（Ｇａ）を含まないことを意味することができる。

【0036】

すなわち、後述するカバー部１１２、１１３に含まれるガリウム（Ｇａ）が、高温熱処理などの焼成過程が進められるにつれて、容量形成部Ａｃのうちカバー部１１２、１１３と隣接した容量形成部Ａｃの第１誘電体層１１１の領域にガリウム（Ｇａ）が拡散することもあるが、容量形成部Ａｃの中央部領域に位置する第１誘電体層１１１はガリウム（Ｇａ）を含まないことを意味することができる。

【0037】

例えば、第１誘電体層１１１を含む本体１１０の第３方向の中心における第１方向及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準として、第１方向及び第２方向の中心部に位置する１０μｍ×１０μｍの領域を透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）のエネルギー分散Ｘ線分光法（Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ－ｒａｙ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ、ＥＤＳ）モードで観察したとき、ガリウム（Ｇａ）が検出されないか、ガリウム（Ｇａ）が０．１ａｔ％未満で検出されることを意味することができる。

【0038】

第１誘電体層１１１の厚さｔｄは、特に限定する必要はない。

【0039】

ただし、積層型電子部品の高容量化を達成するために、第１誘電体層１１１の厚さは３．０μｍ以下であることができ、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、第１誘電体層１１１の厚さは１．０μｍ以下であることができ、好ましくは０．６μｍ以下であることができ、より好ましくは０．４μｍ以下であることができる。

【0040】

ここで、第１誘電体層１１１の厚さｔｄは、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２の間に配置される第１誘電体層１１１の厚さｔｄを意味することができる。

【0041】

一方、第１誘電体層１１１の厚さｔｄは、第１誘電体層１１１の第１方向の大きさを意味することができる。また、第１誘電体層１１１の厚さｔｄは、第１誘電体層１１１の平均厚さｔｄを意味することができ、第１誘電体層１１１の第１方向の平均大きさを意味することができる。

【0042】

第１誘電体層１１１の第１方向の平均大きさは、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、１つの第１誘電体層１１１の第１方向の平均大きさは、スキャンされたイメージにおいて、１つの第１誘電体層１１１を第２方向に等間隔の３０個の地点で第１方向の大きさを測定して計算した平均値を意味することができる。上記等間隔の３０個の地点は容量形成部Ａｃで指定されることができる。また、このような平均値の測定を１０つの第１誘電体層１１１に拡張して平均値を測定すると、第１誘電体層１１１の第１方向の平均大きさをさらに一般化することができる。

【0043】

内部電極１２１、１２２は、第１誘電体層１１１と交互に積層されることができる。

【0044】

内部電極１２１、１２２は、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含むことができ、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は、本体１１０を構成する第１誘電体層１１１を挟んで互いに対向するように交互に配置され、本体１１０の第３面３及び第４面４にそれぞれ露出されることができる。

【0045】

より具体的に、第１内部電極１２１は、第４面４と離隔され、第３面３を介して露出されることができ、第２内部電極１２２は、第３面３と離隔され、第４面４を介して露出されることができる。本体１１０の第３面３には第１外部電極１３１が配置されて第１内部電極１２１と連結され、本体１１０の第４面４には第２外部電極１３２が配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。

【0046】

すなわち、第１内部電極１２１は、第２外部電極１３２とは連結されずに第１外部電極１３１と連結され、第２内部電極１２２は、第１外部電極１３１とは連結されずに第２外部電極１３２と連結されることができる。このとき、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は、中間に配置された第１誘電体層１１１によって互いに電気的に分離されることができる。

【0047】

一方、本体１１０は、第１内部電極１２１が印刷されたセラミックグリーンシートと第２内部電極１２２が印刷されたセラミックグリーンシートとを交互に積層した後、焼成して形成されることができる。

【0048】

内部電極１２１、１２２を形成する材料は、特に制限されず、電気伝導性に優れた材料を使用することができる。例えば、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、及びこれらの合金のうち１つ以上を含むことができる。

【0049】

また、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、及びこれらの合金のうち１つ以上を含む内部電極用導電性ペーストをセラミックグリーンシートに印刷して形成することができる。上記内部電極用導電性ペーストの印刷方法は、スクリーン印刷法又はグラビア印刷法などを用いることができ、本発明がこれに限定されるものではない。

【0050】

一方、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは、特に限定する必要はない。

【0051】

但し、積層型電子部品の高容量化を達成するために、内部電極１２１、１２２の厚さは１．０μｍ以下であることができ、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、内部電極１２１、１２２の厚さは０．６μｍ以下であることができ、より好ましくは０．４μｍ以下であることができる。

【0052】

ここで、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の第１方向の大きさを意味することができる。また、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅを意味することができ、内部電極１２１、１２２の第１方向の平均大きさを意味することができる。

【0053】

内部電極１２１、１２２の第１方向の平均大きさは、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、１つの内部電極の第１方向の平均大きさは、スキャンされたイメージにおいて、１つの内部電極を第２方向に等間隔の３０個の地点で第１方向の大きさを測定して計算した平均値であることができる。上記等間隔の３０個の地点は容量形成部Ａｃで指定されることができる。また、このような平均値の測定を１０つの内部電極に拡張して平均値を測定すると、内部電極の第１方向の平均大きさをさらに一般化することができる。

【0054】

一方、本発明の一実施形態において、複数の第１誘電体層１１１のうち少なくとも１つの平均厚さｔｄと、複数の内部電極１２１、１２２のうち少なくとも１つの平均厚さｔｅは、２×ｔｅ＜ｔｄを満たすことができる。

【0055】

言い換えると、第１誘電体層１１１の１つの平均厚さｔｄは、内部電極１２１、１２２の１つの平均厚さｔｅの２倍よりもさらに大きくてよい。好ましくは、複数の第１誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、複数の内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅの２倍よりもさらに大きくてよい。

【0056】

一般的に高電圧電場用電子部品は、高電圧環境下での絶縁破壊電圧（Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ Ｖｏｌｔａｇｅ、ＢＤＶ）の低下による信頼性問題が主なイシューである。

【0057】

そこで、高電圧環境下での絶縁破壊電圧の低下を防ぐために、第１誘電体層１１１の平均厚さｔｄを内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅの２倍よりもさらに大きくすることにより、内部電極間の距離である誘電体層の厚さを増加させることができ、絶縁破壊電圧特性を向上させることができる。

【0058】

第１誘電体層１１１の平均厚さｔｄが内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅの２倍以下である場合は、内部電極間の距離である誘電体層の平均厚さが薄くて絶縁破壊電圧が低下することがあり、内部電極間の短絡が発生する可能性がある。

【0059】

一方、本体１１０は、容量形成部Ａｃの第１方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）上に配置されるカバー部１１２、１１３を含むことができる。

【0060】

具体的に、容量形成部Ａｃの第１方向の一面に配置される第１カバー部１１２及び容量形成部Ａｃの第１方向の他面に配置される第２カバー部１１３を含むことができ、より具体的に、容量形成部Ａｃの第１方向の上部に配置される上部カバー部１１２及び容量形成部Ａｃの第１方向の下部に配置される下部カバー部１１３を含むことができる。

【0061】

上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、単一の第２誘電体層又は２つ以上の第２誘電体層を容量形成部Ａｃの上下面にそれぞれ第１方向に積層して形成することができ、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。

【0062】

上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は内部電極１２１、１２２を含まず、第１誘電体層１１１と同一の誘電体物質を母材主成分として含むことができる。すなわち、上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３の第２誘電体層は、セラミック材料を含むことができ、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系セラミック材料を母材主成分として含むことができる。

【0063】

第２誘電体層は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）のような誘電体物質を用いて形成することができるため、焼成後に誘電体微細構造を含むことができる。誘電体微細構造は、複数の結晶粒、上記隣接した結晶粒の間に配置される結晶粒界、及び上記結晶粒界が３つ以上接する地点に配置される三重点を含むことができ、それぞれ複数個を含むことができる。

【0064】

ただし、第２誘電体層の組成は、第１誘電体層１１１の組成と異なっていてもよく、例えば、第２誘電体層はガリウム（Ｇａ）を含むことができる。

【0065】

言い換えると、カバー部１１２、１１３はガリウム（Ｇａ）を含むことができる。

【0066】

カバー部１１２、１１３がガリウム（Ｇａ）を含むことにより、低温焼成を可能とし、結晶粒の過度な粒成長を抑制し、均一な大きさの粒成長を誘導して結晶粒大きさの分布度を改善させることができる。これにより、気孔Ｐの数が減少することができ、これに伴い、カバー部１１２、１１３の緻密性が向上して耐湿信頼性が向上されることができる。また、外部からの衝撃を受けてもクラック（ｃｒａｃｋ）の生成を抑制することができるため、機械的特性が向上されることができる。

【0067】

また、カバー部１１２、１１３は、スズ（Ｓｎ）を含むことができる。

【0068】

カバー部１１２、１１３がスズ（Ｓｎ）を含むことにより、セラミック材料の結晶粒の大きさ（ｇｒａｉｎ ｓｉｚｅ）を減少させることができ、適切な結晶粒の大きさに制御することで、電界集中が緩和され電気的特性を改善させることができる。

【0069】

本発明において、カバー部１１２、１１３に含まれるガリウム（Ｇａ）及びスズ（Ｓｎ）のモル数は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系母材主成分１００モルを基準として添加された含有量であることができ、又は、カバー部１１２、１１３に含まれるガリウム（Ｇａ）及びスズ（Ｓｎ）のモル数は、バリウム（Ｂａ）１００モルを基準として添加されたモル数であるか、カバー部１１２、１１３に含まれるガリウム（Ｇａ）及びスズ（Ｓｎ）のモル数は、チタン（Ｔｉ）１００モルを基準として添加されたモル数であることができるが、特にこれに制限されるものではない。例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系母材主成分のバリウム（Ｂａ）イオンの位置であるＡ－ｓｉｔｅにバリウム（Ｂａ）以外の他の物質が置換・固溶された場合、Ａ－ｓｉｔｅ １００モルと表現するか、チタン（Ｔｉ）１００モルと表現することができる。または、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系母材主成分のチタン（Ｔｉ）イオンの位置であるＢ－ｓｉｔｅにチタン（Ｔｉ）以外の他の物質が置換・固溶された場合、Ｂ－ｓｉｔｅ １００モルと表現するか、バリウム（Ｂａ）１００モルと表現することができる。同様に、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系母材主成分のバリウム（Ｂａ）イオンの位置であるＡ－ｓｉｔｅにバリウム（Ｂａ）以外の他の物質が置換・固溶された場合、及びチタン（Ｔｉ）イオンの位置であるＢ－ｓｉｔｅにチタン（Ｔｉ）以外の他の物質が置換・固溶された場合、Ａ－ｓｉｔｅ １００モル又はＢ－ｓｉｔｅ １００モルと表現することができる。

【0070】

本発明の一実施形態において、カバー部１１２、１１３に含まれる母材主成分１００モルに対するスズ（Ｓｎ）のモル数（Ｂ）と、カバー部１１２、１１３に含まれる母材主成分１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数（Ａ）との比（Ａ／Ｂ）は、０．２≦Ａ／Ｂ≦４．０を満たすことができる。

【0071】

言い換えると、カバー部１１２、１１３に含まれるバリウム（Ｂａ）１００モルに対するスズ（Ｓｎ）のモル数と、カバー部１１２、１１３に含まれるバリウム（Ｂａ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数との比率は、０．２以上４．０以下を満たすことができる。

【0072】

または、カバー部１１２、１１３に含まれるチタン（Ｔｉ）１００モルに対するスズ（Ｓｎ）のモル数と、カバー部１１２、１１３に含まれるチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数との比率は、０．２以上４．０以下を満たすことができる。

【0073】

以下において、母材主成分１００モルを基準として、他の成分のモル数や含有量、比率などについて説明することができるが、これは、バリウム（Ｂａ）１００モル又はチタン（Ｔｉ）１００モルを基準とした他の成分のモル数や含有量、比率などに該当することができる。

【0074】

カバー部１１２、１１３に含まれる母材主成分１００モルに対するスズ（Ｓｎ）のモル数（Ｂ）と、カバー部１１２、１１３に含まれる母材主成分１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数（Ａ）との比（Ａ／Ｂ）が、０．２≦Ａ／Ｂ≦４．０を満たすことにより、誘電体スラリー（ｓｌｕｒｒｙ）の状態で誘電体の母材主成分又は副成分が凝集せず、結晶粒の大きさを制御し結晶粒の大きさを均一に粒成長させて、平均故障時間（Ｍｅａｎ Ｔｉｍｅ Ｔｏ Ｆａｉｌｕｒｅ、ＭＴＴＦ）を改善することができ、気孔Ｐの数を減少させて耐湿信頼性を向上させることができる。

【0075】

カバー部１１２、１１３に含まれる母材主成分１００モルに対するスズ（Ｓｎ）のモル数（Ｂ）と、カバー部１１２、１１３に含まれる母材主成分１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数（Ａ）との比（Ａ／Ｂ）が、０．２未満である場合（Ａ／Ｂ＜０．２）、ガリウム（Ｇａ）の成分不足のためにガリウム（Ｇａ）の添加による効果を確認し難い可能性がある。

【0076】

カバー部１１２、１１３に含まれる母材主成分１００モルに対するスズ（Ｓｎ）のモル数（Ｂ）と、カバー部１１２、１１３に含まれる母材主成分１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数（Ａ）との比（Ａ／Ｂ）が、４．０超過である場合（４．０＜Ａ／Ｂ）、誘電体スラリー（ｓｌｕｒｒｙ）中で凝集が発生して分散性が低下し、電気的特性や平均故障時間（ＭＴＴＦ）などの信頼性が低下する可能性がある。

【0077】

本発明の一実施形態において、カバー部１１２、１１３に含まれる母材主成分１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数（Ａ）は、０．３モル以上６．０モル以下であることができる。言い換えると、０．３モル≦Ａ≦６．０モルを満たすことができる。

【0078】

または、カバー部１１２、１１３に含まれるバリウム（Ｂａ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数は、０．３モル以上６．０モル以下であることができる。

【0079】

あるいは、カバー部１１２、１１３に含まれるチタン（Ｔｉ）１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数は、０．３モル以上６．０モル以下であることができる。

【0080】

カバー部１１２、１１３に含まれる母材主成分１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数（Ａ）が、０．３モル≦Ａ≦６．０モルを満たすことで、カバー部１１２、１１３の焼成温度を低下させて気孔Ｐの数を減少させることができ、これにより、カバー部１１２、１１３の緻密度が向上して耐湿信頼性が向上されることができる。また、外部からの衝撃を受けてもクラック（ｃｒａｃｋ）の生成を抑制することができるため、機械的特性が向上されることができる。

【0081】

一方、カバー部１１２、１１３に含まれる母材主成分１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数（Ａ）が、０．３モル未満（Ａ＜０．３モル）である場合、気孔Ｐ数が十分に減少されず内湿信頼性が改善されない恐れがあり、カバー部１１２、１１３に含まれる母材主成分１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数（Ａ）が、６．０モル超過（６．０モル＜Ａ）である場合、ガリウム（Ｇａ）の過量添加により誘電体スラリー（ｓｌｕｒｒｙ）の分散性が低下し、絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）が低下するか、機械的強度が低下するなどの副効果が発生する恐れがある。

【0082】

一方、カバー部１１２、１１３に含まれる母材主成分１００モルに対するスズ（Ｓｎ）のモル数（Ｂ）は、０．１モル以上３．０モル以下であることができる。言い換えると、０．１モル≦Ｂ≦３．０モルを満たすことができる。

【0083】

または、カバー部１１２、１１３に含まれるバリウム（Ｂａ）１００モルに対するスズ（Ｓｎ）のモル数は、０．１モル以上３．０モル以下であることができる。

【0084】

あるいは、カバー部１１２、１１３に含まれるチタン（Ｔｉ）１００モルに対するスズ（Ｓｎ）のモル数は、０．１モル以上３．０モル以下であることができる。

【0085】

カバー部１１２、１１３に含まれる母材主成分１００モルに対するスズ（Ｓｎ）のモル数（Ｂ）が、０．１モル≦Ｂ≦３．０モルを満たすことで、カバー部１１２、１１３の結晶粒の粒成長を制御し、適切な大きさの結晶粒と共に結晶粒の大きさを均一に粒成長させ、絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）などの電気的特性や平均故障時間（ＭＴＴＦ）などの信頼性を向上させることができる。

【0086】

一方、カバー部１１２、１１３に含まれる母材主成分１００モルに対するスズ（Ｓｎ）のモル数（Ｂ）が、０．１モル未満（Ｂ＜０．１モル）である場合、スズ（Ｓｎ）の添加による効果を確認し難い可能性があり、カバー部１１２、１１３に含まれる母材主成分１００モルに対するスズ（Ｓｎ）のモル数（Ｂ）が３．０モル超過（３．０モル＜Ｂ）である場合、スズ（Ｓｎ）の過量添加により、結晶粒の過度な粒成長制御で電気的特性が実現されない恐れがある。

【0087】

本発明の一実施形態において、カバー部１１２、１１３に含まれる複数の結晶粒の平均大きさ（ＡＶＧ）は、１７０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることができる。

【0088】

複数の結晶粒の平均大きさ（ＡＶＧ）を測定する方法は、特に制限されるものではないが、例えば、第１カバー部の第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準として、１０μｍ×１０μｍの領域を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影してイメージを得た後、プログラムを通じて当該領域に含まれる結晶粒の大きさを測定し、これらの平均値を計算して求めることができる。

【0089】

このとき、カバー部１１２、１１３に含まれる複数の結晶粒の平均大きさ（ＡＶＧ）と、上記カバー部に含まれる複数の結晶粒の大きさの標準偏差（ｓｔａｎｄａｒｄ ｄｅｖｉａｔｉｏｎ、ＳＴＤ）との比（ＳＴＤ／ＡＶＧ）を大きさ変動係数（Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｖａｒｉａｔｉｏｎ、ＣＶ）とするとき、カバー部１１２、１１３の大きさ変動係数（ＣＶ）の分率は５０％以上６０％以下であることができる。すなわち、５０％≦ＣＶ≦６０％を満たすことができる。

【0090】

カバー部１１２、１１３の大きさ変動係数（ＣＶ）の分率が５０％以上６０％以下を満たすことにより、結晶粒の均一な粒成長を通じて絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）等の電気的特性が改善されることができ、平均故障時間（ＭＴＴＦ）などの信頼性が改善されることができる。

【0091】

カバー部１１２、１１３の大きさ変動係数（ＣＶ）の分率の下限値は、特に制限されるものではないが、結晶粒の粒成長を誘導しながら大きさ変動係数（ＣＶ）を５０％未満に制御することが容易でない可能性があるため、下限値を５０％に設定したものである。

【0092】

一方、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは、特に限定する必要はない。

【0093】

ただし、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは１００μｍ以下であることができ、好ましくは３０μｍ以下であることができ、超小型製品においては、より好ましくは２０μｍ以下であることができる。

【0094】

ここで、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは、カバー部１１２、１１３の第１方向の大きさを意味することができる。また、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは、カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃを意味することができ、カバー部１１２、１１３の第１方向の平均大きさを意味することができる。

【0095】

カバー部１１２、１１３の第１方向の平均大きさは、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、１つのカバー部をスキャンしたイメージにおいて、第２方向に等間隔の３０個の地点で第１方向の大きさを測定して計算した平均値を意味することができる。

【0096】

また、前述した方法で測定したカバー部の第１方向の平均大きさは、本体１１０の第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）において、カバー部の第１方向の平均大きさと実質的に同一の大きさを有することができる。

【0097】

一方、積層型電子部品１００は、容量形成部Ａｃの第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）に位置するサイドマージン部１１４、１１５を含むことができる。

【0098】

より具体的に、サイドマージン部１１４、１１５は、本体１１０の第５面５に位置する第１サイドマージン部１１４及び本体１１０の第６面６に位置する第２サイドマージン部１１５を含むことができる。

【0099】

サイドマージン部１１４、１１５は、図示のように、本体１１０の第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準として、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２の第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）と本体１１０の境界面の間の領域を意味することができる。

【0100】

すなわち、第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５は、内部電極１２１、１２２を含まない領域を意味することができる。

【0101】

サイドマージン部１１４、１１５は、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。

【0102】

一方、第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５の幅ｗｍは、特に限定する必要はない。

【0103】

但し、積層型電子部品１００の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは１００μｍ以下であることができ、好ましくは３０μｍ以下であることができ、超小型製品においては、より好ましくは２０μｍ以下であることができる。

【0104】

ここで、サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは、サイドマージン部１１４、１１５の第３方向の大きさを意味することができる。また、サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは、サイドマージン部１１４、１１５の平均幅ｗｍを意味することができ、サイドマージン部１１４、１１５の第３方向の平均大きさを意味することができる。

【0105】

サイドマージン部１１４、１１５の第３方向の平均大きさは、本体１１０の第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、１つのサイドマージン部をスキャンしたイメージにおいて、第１方向に等間隔の１０個の地点で第３方向の大きさを測定して計算した平均値を意味することができる。

【0106】

本発明の一実施形態では、セラミック電子部品１００が２つの外部電極１３１、１３２を有する構造を説明しているが、外部電極１３１、１３２の個数や形状などは、内部電極１２１、１２２の形態やその他の目的に応じて変更されることができる。

【0107】

外部電極１３１、１３２は、本体１１０上に配置され、内部電極１２１、１２２と連結されることができる。

【0108】

より具体的に、外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３面３及び第４面４にそれぞれ配置され、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２とそれぞれ連結される第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２を含むことができる。すなわち、第１外部電極１３１は、本体の第３面３に配置されて第１内部電極１２１と連結されることができ、第２外部電極１３２は、本体の第４面４に配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。

【0109】

また、外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第１面１及び第２面２上の一部に延長して配置されることができ、又は本体１１０の第５面５及び第６面６上の一部に延長して配置されることができる。すなわち、第１外部電極１３１は、本体１１０の第１面１、第２面２、第５面５及び第６面６上の一部、及び本体１１０の第３面３上に配置されることができ、第２外部電極１３２は、本体１１０の第１面１、第２面２、第５面５及び第６面６上の一部、及び本体１１０の第３面３上に配置されることができる。

【0110】

一方、外部電極１３１、１３２は、金属などのように電気伝導性を有するものであれば、如何なる物質を使用しても形成されることができ、電気的特性、構造的安定性などを考慮して具体的な物質が決定されることができ、さらに多層構造を有することができる。

【0111】

例えば、外部電極１３１、１３２は、本体１１０に配置される電極層及び電極層上に配置されるめっき層を含むことができる。

【0112】

電極層についてより具体的な例を挙げると、電極層は、第１導電性金属及びガラスを含む焼成電極層である第１電極層１３１ａ、１３２ａを含むことができ、第２導電性金属及び樹脂を含む樹脂系電極である第２電極層１３１ｂ、１３２ｂを含むことができる。

【0113】

ここで、第１導電性金属は、第１電極層１３１ａ、１３２ａに含まれる導電性金属を意味することができ、第２導電性金属は、第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる導電性金属を意味することができる。このとき、第１導電性金属及び第２導電性金属は同一であっても異なっていてもよく、複数の金属物質を含む場合、少なくとも一つの金属物質が同一であることができるが、特にこれに制限されるものではない。

【0114】

また、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂは、本体上に第１電極層１３１ａ、１３２ａ及び第２電極層１３１ｂ、１３２ｂが順次形成された形態であってもよく、本体上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されるか、焼成電極上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されたものであってもよい。

【0115】

電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂに含まれる第１導電性金属及び第２導電性金属として、電気伝導性に優れた材料を用いることができ、例えば、第１導電性金属及び第２導電性金属は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群から選択される１つ以上を含むことができるが、特にこれに限定されない。

【0116】

本発明の一実施形態において、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂは、第１電極層１３１ａ、１３２ａ及び第２電極層１３１ｂ、１３２ｂを含む２層の構造を有することができ、これにより、外部電極１３１、１３２は、導電性金属及びガラスを含む第１電極層１３１ａ、１３２ａ、及び上記第１電極層１３１ａ、１３２ａ上に配置され、導電性金属及び樹脂を含む第２電極層１３１ｂ、１３２ｂを含むことができる。

【0117】

第１電極層１３１ａ、１３２ａは、ガラスを含むことによって、本体１１０との接合性を向上させる役割を果たすことができ、第２電極層１３１ｂ、１３２ｂは、樹脂を含むことによって、反り強度を向上させる役割を果たすことができる。

【0118】

第１電極層１３１ａ、１３２ａに使用される導電性金属は、静電容量を形成するために、上記内部電極１２１、１２２と電気的に連結されることができる材質であれば特に制限されず、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、及びこれらの合金からなる群から選択される１つ以上を含むことができる。第１電極層１３１ａ、１３２ａは、上記導電性金属粒子にガラスフリットを添加して設けられた導電性ペーストを塗布した後、焼成することにより形成されることができる。

【0119】

第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる導電性金属は、第１電極層１３１ａ、１３２ａと電気的に連結されるようにする役割を果たすことができる。

【0120】

第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる導電性金属は、電極層１３１ａ、１３２ａと電気的に連結されることができる材質であれば特に制限されず、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、及びこれらの合金からなる群から選択される１つ以上を含むことができる。

【0121】

第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる導電性金属は、球状粒子及びフレーク状粒子のうち１つ以上を含むことができる。すなわち、導電性金属は、フレーク状粒子のみからなるか、球状粒子のみからなることができ、フレーク状粒子と球状粒子とが混合された形態であることもできる。ここで、球状粒子は、完全な球状ではない形態も含むことができ、例えば、長軸と短軸の長さ比率（長軸／短軸）が１．４５以下の形態を含むことができる。フレーク状粒子は、平たくてかつ細長い形態を有する粒子を意味し、特に制限されるものではないが、例えば、長軸と短軸の長さ比率（長軸／短軸）が１．９５以上であることができる。上記球状粒子及びフレーク状粒子の長軸と短軸の長さは、積層型電子部品の第３方向の中央部で切断した第１方向及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でスキャンして得られたイメージから測定することができる。

【0122】

第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる樹脂は、接合性確保及び衝撃吸収の役割を果たすことができる。第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる樹脂は、接合性及び衝撃吸収性を有し、導電性金属粒子と混合してペーストを作製できるものであれば特に制限されず、例えば、エポキシ系樹脂を含むことができる。

【0123】

また、第２電極層１３１ｂ、１３２ｂは、複数の金属粒子、金属間化合物、及び樹脂を含むことができる。上記金属間化合物を含むことにより、第１電極層１３１ａ、１３２ａとの電気的連結性をより向上させることができる。上記金属間化合物は、複数の金属粒子を連結して電気的連結性を向上させる役割を果たし、複数の金属粒子を取り囲んで互いに連結する役割を果たすことができる。

【0124】

このとき、上記金属間化合物は、樹脂の硬化温度よりも低い融点を有する金属を含むことができる。すなわち、上記金属間化合物が樹脂の硬化温度よりも低い融点を有する金属を含むため、樹脂の硬化温度よりも低い融点を有する金属が乾燥及び硬化工程を経る過程で溶融され、金属粒子の一部と金属間化合物を形成して金属粒子を取り囲むようになる。このとき、金属間化合物は、好ましくは３００℃以下の低融点金属を含むことができる。

【0125】

例えば、２１３～２２０℃の融点を有するＳｎを含むことができる。乾燥及び硬化工程を経る過程でＳｎが溶融され、溶融されたＳｎがＡｇ、Ｎｉ又はＣｕのような高融点の金属粒子を毛細管現象により濡らすようになり、Ａｇ、Ｎｉ又はＣｕ金属粒子の一部と反応して、Ａｇ_３Ｓｎ、Ｎｉ_３Ｓｎ_４、Ｃｕ_６Ｓｎ_５、Ｃｕ_３Ｓｎなどの金属間化合物を形成するようになる。反応に参加しなかったＡｇ、Ｎｉ又はＣｕは金属粒子の形態で残るようになる。

【0126】

従って、上記複数の金属粒子は、Ａｇ、Ｎｉ及びＣｕのうち１つ以上を含み、上記金属間化合物は、Ａｇ_３Ｓｎ、Ｎｉ_３Ｓｎ_４、Ｃｕ_６Ｓｎ_５及びＣｕ_３Ｓｎのうち１つ以上を含むことができる。

【0127】

めっき層１３１ｃ、１３２ｃは、実装特性を向上させる役割を果たすことができる。

【0128】

めっき層１３１ｃ、１３２ｃの種類は特に限定されず、図面においては、単一層のめっき層１３１ｃ、１３２ｃのみを示しているが、これに制限されるものではなく、ニッケル（Ｎｉ）、スズ（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）及びこれらの合金のうち１つ以上を含む単一層のめっき層１３１ｃ、１３２ｃであることができ、複数の層から形成されることもできる。

【0129】

めっき層１３１ｃ、１３２ｃについてより具体的な例を挙げると、めっき層１３１ｃ、１３２ｃは、Ｎｉめっき層又はＳｎめっき層であることができ、電極層上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層が順次形成された形態であることができ、Ｓｎめっき層、Ｎｉめっき層及びＳｎめっき層が順次形成された形態であることができる。また、めっき層１３１ｃ、１３２ｃは、複数のＮｉめっき層及び／又は複数のＳｎめっき層を含むこともできる。

【0130】

積層型電子部品１００のサイズは、特に限定する必要はない。

【0131】

ただし、小型化及び高容量化を同時に達成するためには、誘電体層及び内部電極の厚さを薄くして積層数を増加させなければならないため、１００５（長さ×幅：１．０ｍｍ×０．５ｍｍ）以下のサイズを有する積層型電子部品１００において本発明による効果がより顕著になり得る。

【0132】

以下、実施例を通じて本発明をさらに詳しく説明するが、これは発明の具体的な理解を助けるためのものであり、本発明の範囲が実施例によって限定されるものではない。

【0133】

（実施例）
以下では、カバー部に含まれる母材主成分１００モルに対するスズ（Ｓｎ）のモル数（Ｂ）と、カバー部に含まれる母材主成分１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数（Ａ）との比（Ａ／Ｂ）による誘電体スラリー（ｓｌｕｒｒｙ）の凝集有無、結晶粒の平均大きさ（ＡＶＧ）、結晶粒の大きさ変動係数（ＣＶ）、気孔率（％）、絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）、平均故障時間（ＭＴＴＦ）、及び耐湿信頼性を評価して表１に示した。

【0134】

誘電体スラリー（Ｓｌｕｒｒｙ）の凝集有無は、誘電体スラリー（ｓｌｕｒｒｙ）の状態でガリウム（Ｇａ）を含む凝集体が検出された場合を「〇」と評価し、ガリウム（Ｇａ）を含む凝集体が検出されなかった場合を「×」と評価した。

【0135】

結晶粒の平均大きさ及び結晶粒の大きさ変動係数（ＣＶ）は、第１カバー部の第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）の２３μｍ×２３μｍの領域に含まれる結晶粒の大きさを測定した後、これらの平均値及び標準偏差値を計算し、結晶粒の平均大きさ及び変動係数値を記載したものである。

【0136】

気孔率（％）は、第１カバー部の第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）の２３μｍ×２３μｍの領域に対する、細孔Ｐの面積分率（％）を示したものである。

【0137】

絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）は、それぞれの試験例当たり５０個のサンプルチップ（ｃｈｉｐ）において電圧（Ｖ）値を上げたとき、短絡（ｓｈｏｒｔ）が現れた電圧（Ｖ）値の平均値を計算して記載したものである。

【0138】

平均故障時間（ＭＴＴＦ）は、それぞれの試験例当たり４０個のサンプルチップ（ｃｈｉｐ）において１２５℃で９．４５Ｖの電圧を印加したとき、短絡（ｓｈｏｒｔ）が現れた時間の値を用いて平均無故障時間値（ＭＴＴＦ）を計算して記載したものである。

【0139】

耐湿信頼性評価は、それぞれの試験例当たり４０個のサンプルチップ（ｃｈｉｐ）において温度条件８５℃、相対湿度条件８５％で、９．４５Ｖの電圧を２４時間印加したとき、全サンプルチップのうち短絡（ｓｈｏｒｔ）が現れたサンプルチップの数を分率（不良率）で表したものである。

【0140】

【表1】

【0141】

試験例１は、スズ（Ｓｎ）を３．０モル以下で添加したが、ガリウム（Ｇａ）は添加しなかった。これにより、結晶粒の平均大きさが１６６ｎｍと小さい方であり、平均故障時間（ＭＴＴＦ）も１３時間であって信頼性に優れていないと評価される。そして、気孔率は０．４１５％と高い方であり、同様に耐湿信頼性の不良率が２３％であって優れていないと評価される。これは、ガリウム（Ｇａ）が添加されなかったことにより、十分な結晶粒成長が起こらなかったことから信頼性が良くないと予測され、気孔が多く生成して耐湿信頼性が良くないと予測される。試験例２～試験例６は、カバー部に含まれる母材主成分１００モルに対するスズ（Ｓｎ）のモル数（Ｂ）と、カバー部に含まれる母材主成分１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数（Ａ）との比（Ａ／Ｂ）が、０．２～４．０に該当する。適切な結晶粒成長により、絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）が５０Ｖ以上と優れている方であり、平均故障時間（ＭＴＴＦ）も試験例１に比べて高い方である。気孔率も０．２％以下と測定されており、これにより耐湿信頼性の不良率が試験例１に比べて改善されている。これは、スズ（Ｓｎ）とガリウム（Ｇａ）が適正含有量で添加されることで、十分な結晶粒成長が起こり信頼性が向上し、気孔生成が抑制されて耐湿信頼性が良いと評価される。

【0142】

試験例７及び試験例８は、カバー部に含まれる母材主成分１００モルに対するスズ（Ｓｎ）のモル数（Ｂ）と、カバー部に含まれる母材主成分１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数（Ａ）との比（Ａ／Ｂ）が、それぞれ４．６７及び６．０に該当する。スズ（Ｓｎ）の含有量に対するガリウム（Ｇａ）の含有量が多くなるにつれて、誘電体スラリー状態の分散性が良くないことからガリウム（Ｇａ）の凝集が観察されており、絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）もそれぞれ４１Ｖ及び４２Ｖと低下しており、平均故障時間（ＭＴＴＦ）もそれぞれ１６時間及び１５時間と徐々に低下する値を有することを確認した。これは、ガリウム（Ｇａ）がスズ（Ｓｎ）に比べて過剰添加されることで、気孔率は改善されて耐湿信頼性の面では優れているものの、過度な結晶粒成長により電気的特性及び信頼性の面では良くないと評価される。

【0143】

このように、スズ（Ｓｎ）のモル数（Ｂ）とガリウム（Ｇａ）のモル数（Ａ）との比（Ａ／Ｂ）が０．２～４．０となるように添加する場合、電気的特性、信頼性、及び耐湿信頼性がいずれも向上することが分かる。

【0144】

図５ａは、実施例のカバー部の第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）のうち１０μｍ×１０μｍの領域を透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）のＥＤＳ分析モードでスズ（Ｓｎ）元素をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）したイメージであり、図５ｂは、同一の領域において、カバー部の断面を透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）のＥＤＳ分析モードでガリウム（Ｇａ）元素をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）したイメージである。

【0145】

図５ａ及び図５ｂの実施例は、カバー部に含まれる母材主成分１００モルに対するスズ（Ｓｎ）のモル数（Ｂ）と、上記カバー部に含まれる母材主成分１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数（Ａ）との比（Ａ／Ｂ）が、０．２≦Ａ／Ｂ≦４．０を満たす。

【0146】

このように、カバー部の断面において、スズ（Ｓｎ）及びガリウム（Ｇａ）が検出されることを確認することができ、凝集したスズ（Ｓｎ）やガリウム（Ｇａ）が観察されないことから、カバー部に含まれる母材主成分１００モルに対するスズ（Ｓｎ）のモル数（Ｂ）と、カバー部に含まれる母材主成分１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数（Ａ）との比（Ａ／Ｂ）が、０．２≦Ａ／Ｂ≦４．０を満たす場合、誘電体スラリー（ｓｌｕｒｒｙ）の分散性に優れるため、凝集しないことが分かる。

【0147】

図６ａは、比較例のカバー部の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影した後、プログラムを通じて結晶粒を観察したイメージであり、図６ｂは、実施例のカバー部の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影した後、プログラムを通じて結晶粒を観察したイメージであり、図６ｃは、図６ａ及び図６ｂで観察された結晶粒の平均大きさを示した棒グラフである。

【0148】

図６ａの比較例は、カバー部にスズ（Ｓｎ）のみを添加した場合であり、平均結晶粒の大きさは１６６ｎｍと測定された。

【0149】

図６ｂの実施例は、カバー部に図６ａの比較例で添加したスズ（Ｓｎ）と同一の含有量を添加すると同時にガリウム（Ｇａ）をさらに添加し、カバー部に含まれる母材主成分１００モルに対するスズ（Ｓｎ）のモル数（Ｂ）と、上記カバー部に含まれる母材主成分１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数（Ａ）との比（Ａ／Ｂ）が０．２≦Ａ／Ｂ≦４．０を満たすように作製した場合であり、平均結晶粒の大きさは１８８ｎｍと測定された。

【0150】

図６ｃから確認できるように、スズ（Ｓｎ）及びガリウム（Ｇａ）を一緒に添加した図６ｂの実施例の場合、スズ（Ｓｎ）のみを添加した図６ａの比較例よりも、結晶粒の大きさが約１３．２％大きいことからみて、スズ（Ｓｎ）及びガリウム（Ｇａ）を適正含有量で添加する場合、結晶粒の粒成長を誘導することができると判断される。

【0151】

図７ａは、比較例のカバー部の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影した後、気孔Ｐを観察したイメージであり、図７ｂは、実施例のカバー部の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影した後、気孔Ｐを観察したイメージであり、図７ｃは、図７ａ及び図７ｂで観察された気孔率（ｐｏｒｏｓｉｔｙ）を示した棒グラフである。

【0152】

図７ａの比較例は、カバー部にスズ（Ｓｎ）のみを添加した場合であり、気孔率は２．１％と測定された。

【0153】

図７ｂの実施例は、カバー部に図７ａの比較例で添加したスズ（Ｓｎ）と同一の含有量を添加すると同時にガリウム（Ｇａ）をさらに添加し、カバー部に含まれる母材主成分１００モルに対するスズ（Ｓｎ）のモル数（Ｂ）と、上記カバー部に含まれる母材主成分１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数（Ａ）との比（Ａ／Ｂ）が０．２≦Ａ／Ｂ≦４．０を満たすように作製した場合であり、気孔率は０．７％と測定された。

【0154】

図７ｃから確認できるように、適正含有量のスズ（Ｓｎ）及びガリウム（Ｇａ）が添加される場合、気孔の生成を抑制して気孔率が改善されることが分かる。

【0155】

図７ｃから確認できるように、スズ（Ｓｎ）及びガリウム（Ｇａ）を一緒に添加した図７ｂの実施例の場合、スズ（Ｓｎ）のみを添加した図７ａの比較例よりも、気孔率が約６５％減少したことからみて、スズ（Ｓｎ）及びガリウム（Ｇａ）を適正含有量で添加する場合、気孔の数を減少させることができると判断される。

【0156】

図８ａは、比較例のＭＴＴＦグラフであり、図８ｂは、実施例のＭＴＴＦグラフである。

【0157】

図８ａの比較例は、カバー部にスズ（Ｓｎ）のみを添加したサンプルチップ２０個に対して、温度条件１２５℃で９．４５Ｖの電圧を印加した場合であり、ＭＴＴＦは１３ｈｒｓと示された。

【0158】

図８ｂの実施例は、カバー部に図８ａの比較例で添加したスズ（Ｓｎ）と同一の含有量を添加すると同時にガリウム（Ｇａ）をさらに添加し、カバー部に含まれる母材主成分１００モルに対するスズ（Ｓｎ）のモル数（Ｂ）と、上記カバー部に含まれる母材主成分１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数（Ａ）との比（Ａ／Ｂ）が０．２≦Ａ／Ｂ≦４．０を満たすサンプルチップ２０個に対して、温度条件１２５℃で９．４５Ｖの電圧を印加した場合であり、ＭＴＴＦは２１ｈｒｓと示された。

【0159】

図９ａは、比較例の耐湿信頼性の評価グラフであり、図９ｂは、実施例の耐湿信頼性の評価グラフである。

【0160】

図９ａの比較例は、カバー部にスズ（Ｓｎ）のみを添加したサンプルチップ２０個に対して、温度条件８５℃、相対湿度条件８５％で９．４５Ｖの電圧を２４時間印加した場合であり、２０個のサンプルチップのうち短絡（ｓｈｏｒｔ）が発生したサンプルチップは１４個と示された。

【0161】

図９ｂの実施例は、カバー部に図９ａの比較例で添加したスズ（Ｓｎ）と同一の含有量を添加すると同時にガリウム（Ｇａ）をさらに添加し、カバー部に含まれる母材主成分１００モルに対するスズ（Ｓｎ）のモル数（Ｂ）と、上記カバー部に含まれる母材主成分１００モルに対するガリウム（Ｇａ）のモル数（Ａ）との比（Ａ／Ｂ）が０．２≦Ａ／Ｂ≦４．０を満たすサンプルチップ２０個に対して、温度条件８５℃、相対湿度条件８５％で９．４５Ｖの電圧を２４時間印加した場合であり、２０個のサンプルチップのうち短絡（ｓｈｏｒｔ）が発生したサンプルチップはなかった。

【0162】

以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は上述の実施形態及び添付の図面によって限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲によって限定される。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で、当技術分野における通常の知識を有する者によって多様な形態の置換、変形、及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属するといえる。

【0163】

また、本発明で用いられた「一実施形態」という表現は、互いに同一の実施形態を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかしながら、上記提示された一実施形態は、他の一実施形態の特徴と組み合わせて実現されることを排除しない。例えば、特定の一実施形態において説明された事項が他の一実施形態に説明されていなくても、他の一実施形態においてその事項と反対または矛盾する説明がない限り、他の一実施形態に関連する説明として理解することができる。

【0164】

本発明で用いられた用語は、単に一実施形態を説明するために用いられたものであり、本発明を限定する意図ではない。このとき、単数の表現は、文脈上明らかに異なるものを意味しない限り、複数の表現を含む。

【符号の説明】

【0165】

１００ 積層型電子部品
１１０ 本体
１１１ 誘電体層
１１２、１１３ カバー部
１１４、１１５ サイドマージン部
１２１、１２２ 内部電極
１３１、１３２ 外部電極
Ｐ 気孔

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5a】

【図5b】

【図6a】

【図6b】

【図6c】

【図7a】

【図7b】

【図7c】

【図8a】

【図8b】

【図9a】

【図9b】