特開 2025-82271 積層型電子部品

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025082271

(43)【公開日】2025-05-28

(54)【発明の名称】積層型電子部品

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/30 20060101AFI20250521BHJP

   H01C 1/142 20060101ALI20250521BHJP

   H01F 27/29 20060101ALI20250521BHJP

【ＦＩ】

H01G4/30 201G

H01G4/30 516

H01C1/142

H01F27/29 123

【審査請求】未請求

【請求項の数】20

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024181516

(22)【出願日】2024-10-17

(31)【優先権主張番号】10-2023-0158725

(32)【優先日】2023-11-16

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】110000877

【氏名又は名称】弁理士法人ＲＹＵＫＡ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】カン、ウー セオク

(72)【発明者】

【氏名】リー、ダエ ヒー

(72)【発明者】

【氏名】リー、ジャン ヨル

(72)【発明者】

【氏名】キム、ジョン リョン

【テーマコード（参考）】

5E001

5E028

5E070

5E082

【Ｆターム（参考）】

5E001AB03

5E001AF06

5E001AH01

5E001AJ03

5E028BB08

5E028BB11

5E028CA02

5E070AA01

5E070EA01

5E070EB04

5E082AA01

5E082AB03

5E082BC19

5E082BC38

5E082EE04

5E082EE24

5E082EE35

5E082FF05

5E082FG04

5E082FG26

5E082FG46

5E082GG10

5E082GG12

5E082GG26

5E082GG28

(57)【要約】      （修正有）

【課題】外部電極の熱処理温度を低下し、外部電極のガラス溶出現象を防止すると共に、めっき液の浸透を防止して耐湿信頼性を向上させる積層型電子部品を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る積層型電子部品は、誘電体層１１１及び内部電極を含む本体と、本体上に配置される外部電極と、を含み、前記外部電極は導電性金属、セラミック物質及びガラスを含み、前記ガラスは、ケイ素（Ｓｉ）、ホウ素（Ｂ）、ナトリウム（Ｎａ）及びアルミニウム（Ａｌ）を含む。
【選択図】図５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

誘電体層及び内部電極を含む本体と、
前記本体上に配置される外部電極と、を含み、
前記外部電極は、導電性金属、セラミック物質及びガラスを含み、
前記ガラスは、ケイ素（Ｓｉ）、ホウ素（Ｂ）、ナトリウム（Ｎａ）、及びアルミニウム（Ａｌ）を含む、積層型電子部品。

【請求項2】

前記ガラスは、ホウケイ酸ガラス（ｂｏｒｏｓｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ）を含む、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項3】

前記ガラスは、銅（Ｃｕ）、ビスマス（Ｂｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、リチウム（Ｌｉ）、チタン（Ｔｉ）、カルシウム（Ｃａ）、及び鉛（Ｐｂ）のうち少なくとも一つを含む、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項4】

前記セラミック物質は、ＢａＴｉＯ_３、Ｋ_０．５Ｎａ_０．５ＮｂＯ_３、Ｂｉ_０．５Ｎａ_０．５ＴｉＯ_３、及びＰｂ（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ_３のうち少なくとも一つを含む、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項5】

前記セラミック物質は、リチウム（Ｌｉ）、バリウム（Ｂａ）、カルシウム（Ｃａ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、及びチタン（Ｔｉ）のうち少なくとも一つを含む、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項6】

前記外部電極に含まれたセラミック物質の含量（ｗｔ％）をＣＥ、前記外部電極に含まれたガラスの含量（ｗｔ％）をＧＬとするとき、前記外部電極はＧＬ＜ＣＥを満たす、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項7】

前記ＣＥ及びＧＬは、０．１×ＣＥ≦ＧＬ≦０．２×ＣＥを満たす、請求項６に記載の積層型電子部品。

【請求項8】

前記導電性金属は、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）及びこれらの合金のうち少なくとも一つを含む、請求項１から７のいずれか一項に記載の積層型電子部品。

【請求項9】

前記ガラスはＳｉＯ_２、Ｂ_２Ｏ_３、Ｎａ_２Ｏ及びＡｌ_２Ｏを含む、請求項１から７のいずれか一項に記載の積層型電子部品。

【請求項10】

前記ガラスは、ＣｕＯ、Ｂｉ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＺｒＯ、Ｌｉ_２Ｏ、ＴｉＯ_２、ＣａＣＯ_３、ＮａＨＣＯ_３、及びＰｂＯのうち少なくとも一つを含む、請求項１から７のいずれか一項に記載の積層型電子部品。

【請求項11】

誘電体層及び内部電極を含む本体と、
前記本体上に配置される外部電極と、を含み、
前記外部電極は、導電性金属、セラミック物質及びガラスを含み、
前記セラミック物質は、ＢａＴｉＯ_３、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ_１－ｙＣａ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）、Ｋ_０．５Ｎａ_０．５ＮｂＯ_３、Ｂｉ_０．５Ｎａ_０．５ＴｉＯ_３、及びＰｂ（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ_３のうち少なくとも一つを含む、積層型電子部品。

【請求項12】

前記ガラスは、ホウケイ酸ガラス（ｂｏｒｏｓｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ）を含む、請求項１１に記載の積層型電子部品。

【請求項13】

前記ガラスは、ケイ素（Ｓｉ）、ホウ素（Ｂ）、ナトリウム（Ｎａ）、及びアルミニウム（Ａｌ）を含む、請求項１１に記載の積層型電子部品。

【請求項14】

前記ガラスは、銅（Ｃｕ）、ビスマス（Ｂｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、リチウム（Ｌｉ）、チタン（Ｔｉ）、カルシウム（Ｃａ）、及び鉛（Ｐｂ）のうち少なくとも一つを含む、請求項１１に記載の積層型電子部品。

【請求項15】

前記セラミック物質は、リチウム（Ｌｉ）、バリウム（Ｂａ）、カルシウム（Ｃａ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、及びチタン（Ｔｉ）のうち少なくとも一つを含む、請求項１１に記載の積層型電子部品。

【請求項16】

前記外部電極に含まれたセラミック物質の含量（ｗｔ％）をＣＥ、前記外部電極に含まれたガラスの含量（ｗｔ％）をＧＬとするとき、前記外部電極はＧＬ＜ＣＥを満たす、請求項１１に記載の積層型電子部品。

【請求項17】

前記ＣＥ及びＧＬは、０．１×ＣＥ≦ＧＬ≦０．２×ＣＥを満たす、請求項１６に記載の積層型電子部品。

【請求項18】

前記導電性金属は、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）及びこれらの合金のうち少なくとも一つを含む、請求項１１から１７のいずれか一項に記載の積層型電子部品。

【請求項19】

前記ガラスはＳｉＯ_２、Ｂ_２Ｏ_３、Ｎａ_２Ｏ、及びＡｌ_２Ｏを含む、請求項１１から１７のいずれか一項に記載の積層型電子部品。

【請求項20】

前記ガラスは、ＣｕＯ、Ｂｉ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＺｒＯ、Ｌｉ_２Ｏ、ＴｉＯ_２、ＣａＣＯ_３、ＮａＨＣＯ_３、及びＰｂＯのうち少なくとも一つを含む、請求項１１から１７のいずれか一項に記載の積層型電子部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、積層型電子部品に関する。

【背景技術】

【0002】

積層型電子部品の一つである積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマ表示装置パネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）などの映像機器、コンピュータ、スマートフォン、及び携帯電話などの様々な電子製品の印刷回路基板に装着され、電気を充電又は放電させる役割を果たすチップ型のコンデンサである。

【0003】

このような積層セラミックキャパシタは、小型でありながらも高容量が保障され、実装が容易であるという利点により、様々な電子装置の部品として使用されることができる。コンピュータ、モバイル機器など、各種の電子機器が小型化及び高出力化されるにつれて、積層セラミックキャパシタに対する小型化及び高容量化への要求が増大している。

【0004】

積層セラミックキャパシタが小型化するにつれて、外部電極の厚さも減少しているが、耐湿信頼性が低下するという問題点が伴うことが一般的である。そこで、外部電極にガラス（ｇｌａｓｓ）やセラミック物質を添加して耐湿信頼性を補完しているが、焼成温度が高い場合、ガラスが外部電極の表面に溶出することにより電気的特性を弱める可能性があり、あるいはセラミック本体の再焼成を誘発して積層セラミックキャパシタの特性を劣化させるなどの問題点が発生することがあるため、これを解決するための研究が必要な実情である。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】韓国公開特許公報第１０－２０１５－０１２５４５４号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

本発明が解決しようとするいくつかの課題の一つは、外部電極の熱処理温度を低下させることである。

【0007】

本発明が解決しようとするいくつかの課題の一つは、外部電極のガラス溶出現象を防止することである。

【0008】

本発明が解決しようとするいくつかの課題の一つは、めっき液に対する耐食性が強化された外部電極を適用することにより、めっき液の浸透を防止して積層型電子部品の耐湿信頼性を向上させることである。

【0009】

但し、本発明が解決しようとするいくつかの課題は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。

【課題を解決するための手段】

【0010】

本発明の一実施形態に係る積層型電子部品は、誘電体層及び内部電極を含む本体と、上記本体上に配置される外部電極と、を含み、上記外部電極は導電性金属、セラミック物質及びガラスを含み、上記ガラスはケイ素（Ｓｉ）、ホウ素（Ｂ）、ナトリウム（Ｎａ）、及びアルミニウム（Ａｌ）を含むことができる。

【0011】

本発明の他の一実施形態に係る積層型電子部品は、誘電体層及び内部電極を含む本体と、上記本体上に配置される外部電極と、を含み、上記外部電極は導電性金属、セラミック物質及びガラスを含み、上記セラミック物質はＢａＴｉＯ_３、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ_１－ｙＣａ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）、Ｋ_０．５Ｎａ_０．５ＮｂＯ_３、Ｂｉ_０．５Ｎａ_０．５ＴｉＯ_３、及びＰｂ（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ_３のうち少なくとも一つを含むことができる。

【発明の効果】

【0012】

本発明のいくつかの効果の一つは、外部電極の熱処理温度を低下させることである。

【0013】

本発明のいくつかの効果の一つは、外部電極のガラス溶出現象を抑制することである。

【0014】

本発明のいくつかの効果の一つは、めっき液に対する耐食性の強い外部電極を提供することにより、めっき液の浸透を防止し、積層型電子部品の耐湿信頼性が向上したことである。

【0015】

但し、本発明の多様かつ有益な利点及び効果は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。

【図面の簡単な説明】

【0016】

【図1】本発明の一実施形態に係る積層型電子部品の斜視図を概略的に示すものである。

【図2】内部電極の積層構造を示す分離斜視図を概略的に示すものである。

【図3】図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図を概略的に示すものである。

【図4】図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図を概略的に示すものである。

【図5】図３のＰ領域の拡大図を概略的に示すものである。

【発明を実施するための形態】

【0017】

以下、具体的な実施形態及び添付の図面を参照して本発明の実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形することができ、本発明の範囲が以下で説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、通常の技術者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさ等は、より明確な説明のために誇張することができ、図面上の同じ符号で示される要素は同じ要素である。

【0018】

そして、図面において本発明を明確に説明するために、説明と関係のない部分は省略し、図面に示した各構成の大きさ及び厚さは説明の便宜上、任意に示しているため、本発明は必ずしも図示したものに限定されない。なお、同一思想の範囲内の機能が同一である構成要素に対しては、同一の参照符号を用いて説明する。さらに、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」と言うとき、これは特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含み得ることを意味する。

【0019】

図において、第１方向は積層方向又は厚さＴ方向、第２方向は長さＬ方向、第３方向は幅Ｗ方向と定義することができる。

【0020】

積層型電子部品
図１は、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品の斜視図を概略的に示すものであり、図２は、内部電極の積層構造を示す分離斜視図を概略的に示すものであり、図３は、図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図を概略的に示すものであり、図４は、図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図を概略的に示すものであり、図５は、図３のＰ領域の拡大図を概略的に示すものである。

【0021】

以下、図１～図５を参照して、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品について詳細に説明する。但し、積層型電子部品の一例として積層セラミックキャパシタについて説明するが、本発明は、誘電体組成物を利用する様々な電子製品、例えば、インダクタ、圧電体素子、バリスタ、又はサーミスタなどにも適用することができる。

【0022】

本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２を含む本体１１０と、上記本体１１０上に配置される外部電極１３１、１３２と、を含み、上記外部電極１３１、１３２は導電性金属１０ａ、セラミック物質１０ｂ、及びガラス１０ｃを含み、上記ガラス１０ｃはケイ素（Ｓｉ）、ホウ素（Ｂ）、ナトリウム（Ｎａ）及びアルミニウム（Ａｌ）を含むことができる。

【0023】

また、本発明の他の一実施形態に係る積層型電子部品１００は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２を含む本体１１０と、上記本体１１０上に配置される外部電極１３１、１３２と、を含み、上記外部電極１３１、１３２は導電性金属１０ａ、セラミック物質１０ｂ及びガラス１０ｃを含み、上記セラミック物質１０ｂは、ＢａＴｉＯ_３、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ_１－ｙＣａ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）、Ｋ_０．５Ｎａ_０．５ＮｂＯ_３、Ｂｉ_０．５Ｎａ_０．５ＴｉＯ_３、及びＰｂ（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ_３のうち少なくとも一つを含むことができる。

【0024】

本体１１０は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２が交互に積層されていてもよい。

【0025】

より具体的に、本体１１０は、本体１１０の内部に配置され、誘電体層１１１を挟んで互いに対向するように交互に配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含んで容量を形成する容量形成部Ａｃを含むことができる。

【0026】

本体１１０の具体的な形状に特に制限はないが、図示のように、本体１１０は六面体形状又はこれと類似の形状からなることができる。焼成過程で本体１１０に含まれたセラミック粒子の収縮により、本体１１０は完全な直線を有する六面体形状ではないが、実質的に六面体形状を有することができる。

【0027】

本体１１０は、第１方向に互いに対向する第１面１及び第２面２、第１面１及び第２面２と連結され、第２方向に互いに対向する第３面３及び第４面４、第１面１、第２面２、第３面３及び第４面４と連結され、第３方向に互いに対向する第５面５及び第６面６を有することができる。

【0028】

本体１１０を形成する複数の誘電体層１１１は焼成された状態であって、隣接する誘電体層１１１間の境界は走査電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＳＥＭ）を利用せずには確認しにくいほど一体化することができる。

【0029】

誘電体層１１１を形成する原料は、十分な静電容量が得られる限り限定されない。一般に、ペロブスカイト（ＡＢＯ_３）系材料を使用することができ、例えば、チタン酸バリウム系材料、鉛複合ペロブスカイト系材料又はチタン酸ストロンチウム系材料などを使用することができる。チタン酸バリウム系材料は、ＢａＴｉＯ_３系セラミック粒子を含むことができ、セラミック粒子の例示として、ＢａＴｉＯ_３、ＢａＴｉＯ_３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）等が一部固溶した（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ_１－ｙＣａ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）又はＢａ（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）などが挙げられる。

【0030】

また、誘電体層１１１を形成する原料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）などの粒子に、本発明の目的に応じて様々なセラミック添加剤、有機溶剤、結合剤、分散剤などを添加することができる。

【0031】

誘電体層１１１の厚さｔｄは特に限定する必要はない。

【0032】

積層型電子部品１００の高電圧環境下での信頼性を確保するために、誘電体層１１１の厚さは１０．０μｍ以下とすることができる。また、積層型電子部品１００の小型化及び高容量化を達成するために、誘電体層１１１の厚さは３．０μｍ以下であってもよく、超小型化及び高容量化をより容易に達成するために、誘電体層１１１の厚さは１．０μｍ以下であってもよく、好ましくは０．６μｍ以下であってもよく、より好ましくは０．４μｍ以下であってもよい。

【0033】

ここで、誘電体層１１１の厚さｔｄは、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２の間に配置される誘電体層１１１の厚さｔｄを意味することができる。

【0034】

一方、誘電体層１１１の厚さｔｄは、誘電体層１１１の第１方向のサイズを意味することができる。また、誘電体層１１１の厚さｔｄは、誘電体層１１１の平均厚さｔｄを意味することができ、誘電体層１１１の第１方向の平均サイズを意味することができる。

【0035】

誘電体層１１１の第１方向の平均サイズは、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、一つの誘電体層１１１の第１方向の平均サイズは、スキャンされたイメージにおいて、一つの誘電体層１１１を第２方向に等間隔である１０個の地点で第１方向のサイズを測定して計算した平均値を意味することができる。上記等間隔である１０個の地点は容量形成部Ａｃで指定することができる。また、このような平均値の測定を１０個の誘電体層１１１に拡張して平均値を測定すると、誘電体層１１１の第１方向の平均サイズをさらに一般化することができる。

【0036】

内部電極１２１、１２２は誘電体層１１１と交互に積層されてもよい。

【0037】

内部電極１２１、１２２は第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含むことができ、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は本体１１０を構成する誘電体層１１１を挟んで互いに対向するように交互に配置され、本体１１０の第３面３及び第４面４にそれぞれ露出することができる。

【0038】

より具体的に、第１内部電極１２１は第４面４と離隔し、第３面３を介して露出することができ、第２内部電極１２２は第３面３と離隔し、第４面４を介して露出することができる。本体１１０の第３面３には第１外部電極１３１が配置されて第１内部電極１２１と連結され、本体１１０の第４面４には第２外部電極１３２が配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。

【0039】

すなわち、第１内部電極１２１は第２外部電極１３２とは連結されず第１外部電極１３１と連結され、第２内部電極１２２は第１外部電極１３１とは連結されず第２外部電極１３２と連結されることができる。このとき、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は、中間に配置された誘電体層１１１によって互いに電気的に分離することができる。

【0040】

一方、本体１１０は、第１内部電極１２１が印刷されたセラミックグリーンシートと、第２内部電極１２２が印刷されたセラミックグリーンシートとを交互に積層した後、焼成して形成することができる。

【0041】

内部電極１２１、１２２を形成する材料は特に限定されず、電気伝導性に優れた材料を使用することができる。例えば、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含むことができる。

【0042】

また、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含む内部電極用導電性ペーストをセラミックグリーンシートに印刷して形成することができる。上記内部電極用導電性ペーストの印刷方法としては、スクリーン印刷法又はグラビア印刷法などを使用することができるが、本発明はこれに限定されるものではない。

【0043】

一方、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは特に限定する必要はない。

【0044】

積層型電子部品１００の高電圧環境下での信頼性を確保するために、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは３．０μｍ以下とすることができる。また、積層型電子部品１００の小型化及び高容量化を達成するために、内部電極１２１、１２２の厚さは１．０μｍ以下であってもよく、超小型化及び高容量化をより容易に達成するために、内部電極１２１、１２２の厚さは０．６μｍ以下であってもよく、より好ましくは０．４μｍ以下であってもよい。

【0045】

ここで、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の第１方向のサイズを意味することができる。また、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅを意味することができ、内部電極１２１、１２２の第１方向の平均サイズを意味することができる。

【0046】

内部電極１２１、１２２の第１方向の平均サイズは、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、一つの内部電極の第１方向の平均サイズは、スキャンされたイメージにおいて、一つの内部電極を第２方向に等間隔である１０個の地点で第１方向のサイズを測定して計算した平均値であることができる。上記等間隔である１０個の地点は容量形成部Ａｃで指定することができる。また、このような平均値の測定を１０個の内部電極に拡張して平均値を測定すると、内部電極の第１方向の平均サイズをさらに一般化することができる。

【0047】

一方、本発明の一実施形態において、複数の誘電体層１１１のうち少なくとも一つの平均厚さｔｄ、及び複数の内部電極１２１、１２２のうち少なくとも一つの平均厚さｔｅは、２×ｔｅ＜ｔｄを満たすことができる。

【0048】

言い換えれば、誘電体層１１１の一つの平均厚さｔｄは、内部電極１２１、１２２の一つの平均厚さｔｅの２倍よりさらに大きくてもよい。好ましくは、複数の誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、複数の内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅの２倍よりさらに大きくてもよい。

【0049】

一般に、高電圧電装用電子部品は、高電圧環境下で絶縁破壊電圧（Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ Ｖｏｌｔａｇｅ、ＢＤＶ）の低下による信頼性の問題が主なイシューである。

【0050】

したがって、高電圧環境下で絶縁破壊電圧の低下を防止するために、誘電体層１１１の平均厚さｔｄを内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅの２倍よりも大きくすることにより、内部電極間の距離である誘電体層の厚さを増加させることができ、絶縁破壊電圧特性を向上させることができる。

【0051】

誘電体層１１１の平均厚さｔｄが内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅの２倍以下である場合には、内部電極間の距離である誘電体層の平均厚さが薄くなり、絶縁破壊電圧が低下することがあり、内部電極間の短絡が発生する可能性がある。

【0052】

一方、本体１１０は、容量形成部Ａｃの第１方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）上に配置されるカバー部１１２、１１３を含むことができる。

【0053】

具体的に、容量形成部Ａｃの第１方向の一面に配置される第１カバー部１１２、及び容量形成部Ａｃの第１方向の他面に配置される第２カバー部１１３を含むことができる。より具体的には、容量形成部Ａｃの第１方向の上部に配置される上部カバー部１１２、及び容量形成部Ａｃの第１方向の下部に配置される下部カバー部１１３を含むことができる。

【0054】

上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、単一の誘電体層１１１又は２つ以上の誘電体層１１１を容量形成部Ａｃの上下面にそれぞれ第１方向に積層して形成することができ、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。

【0055】

上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、内部電極１２１、１２２を含まず、誘電体層１１１と同じ材料を含むことができる。すなわち、上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３はセラミック材料を含むことができ、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系セラミック材料を含むことができる。

【0056】

一方、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは特に限定する必要はない。

【0057】

但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは１００μｍ以下であってもよく、好ましくは３０μｍ以下であってもよく、超小型製品では、より好ましくは２０μｍ以下であってもよい。

【0058】

ここで、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは、カバー部１１２、１１３の第１方向のサイズを意味することができる。また、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは、カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃを意味し、カバー部１１２、１１３の第１方向の平均サイズを意味することができる。

【0059】

カバー部１１２、１１３の第１方向の平均サイズは、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、一つのカバー部をスキャンしたイメージにおいて、第２方向に等間隔である１０個の地点で第１方向のサイズを測定して計算した平均値を意味することができる。

【0060】

なお、上述した方法で測定したカバー部の第１方向の平均サイズは、本体１１０の第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）において、カバー部の第１方向の平均サイズと実質的に同じサイズを有することができる。

【0061】

一方、積層型電子部品１００は、本体１１０の第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）上に配置されるサイドマージン部１１４、１１５を含むことができる。

【0062】

より具体的に、サイドマージン部１１４、１１５は、本体１１０の第５面５に配置された第１サイドマージン部１１４及び本体１１０の第６面６に配置された第２サイドマージン部１１５を含むことができる。

【0063】

サイドマージン部１１４、１１５は、図示のように、本体１１０の第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準として、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２の第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）と本体１１０の境界面との間の領域を意味することができる。

【0064】

サイドマージン部１１４、１１５は、容量形成部Ａｃに適用されるセラミックグリーンシート上にサイドマージン部１１４、１１５が形成される箇所を除いて、導電性ペーストを塗布して内部電極１２１、１２２を形成し、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後の内部電極１２１、１２２が本体１１０の第５面５及び第６面６に露出するように切断した後、単一の誘電体層１１１又は２つ以上の誘電体層１１１を容量形成部Ａｃの第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）上に第３方向に積層して形成することもできる。

【0065】

サイドマージン部１１４、１１５は、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。

【0066】

第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５は、内部電極１２１、１２２を含まず、誘電体層１１１と同じ材料を含むことができる。すなわち、第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５はセラミック材料を含むことができ、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系セラミック材料を含むことができる。

【0067】

一方、第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５の幅ｗｍは特に限定する必要はない。

【0068】

但し、積層型電子部品１００の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは１００μｍ以下であってもよく、好ましくは３０μｍ以下であってもよく、超小型製品では、より好ましくは２０μｍ以下であってもよい。

【0069】

ここで、サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは、サイドマージン部１１４、１１５の第３方向のサイズを意味することができる。また、サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは、サイドマージン部１１４、１１５の平均幅ｗｍを意味し、サイドマージン部１１４、１１５の第３方向の平均サイズを意味することができる。

【0070】

サイドマージン部１１４、１１５の第３方向の平均サイズは、本体１１０の第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、一つのサイドマージン部をスキャンしたイメージにおいて、第１方向に等間隔である１０個の地点で第３方向のサイズを測定して計算した平均値を意味することができる。

【0071】

本発明の一実施形態では、積層型電子部品１００が２つの外部電極１３１、１３２を有する構造について説明しているが、外部電極１３１、１３２の個数や形状などは内部電極１２１、１２２の形態やその他の目的に応じて変更することができる。

【0072】

外部電極１３１、１３２は本体１１０上に配置され、内部電極１２１、１２２と連結されることができる。

【0073】

より具体的に、外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３面３及び第４面４にそれぞれ配置され、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２とそれぞれ連結される第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２を含むことができる。すなわち、第１外部電極１３１は本体の第３面３に配置されて第１内部電極１２１と連結されることができ、第２外部電極１３２は本体の第４面４に配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。

【0074】

また、外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第１面１及び第２面２上の一部に延びて配置されることができ、又は本体１１０の第５面５及び第６面６上の一部に延びて配置されることができる。すなわち、第１外部電極１３１は、本体１１０の第１面１、第２面２、第５面５及び第６面６上の一部、及び本体１１０の第３面３上に配置されることができ、第２外部電極１３２は、本体１１０の第１面１、第２面２、第５面５及び第６面６上の一部、及び本体１１０の第３面３上に配置されることができる。

【0075】

本発明の一実施形態において、外部電極１３１、１３２は、導電性金属１０ａ、セラミック物質１０ｂ、及びガラス１０ｃを含むことができる。

【0076】

外部電極１３１、１３２に含まれる導電性金属１０ａとして電気伝導性に優れた材料を使用することができ、例えば、導電性金属１０ａはニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群から選択された一つ以上を含むことができるが、特にこれに限定されない。

【0077】

外部電極１３１、１３２に含まれるセラミック物質１０ｂは、ペロブスカイト（ＡＢＯ_３）系セラミック物質、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系物質、Ｋ_０．５Ｎａ_０．５ＮｂＯ_３、Ｂｉ_０．５Ｎａ_０．５ＴｉＯ_３、及びＰｂ（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ_３のうち少なくとも一つを含むことができる。

【0078】

より具体的に、外部電極１３１、１３２に含まれるセラミック物質１０ｂは、ＢａＴｉＯ_３、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ_１－ｙＣａ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）、Ｋ_０．５Ｎａ_０．５ＮｂＯ_３、Ｂｉ_０．５Ｎａ_０．５ＴｉＯ_３、及びＰｂ（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ_３のうち少なくとも一つを含むことができる。

【0079】

但し、特にこれに限定されるものではなく、上述したセラミック物質を含むペロブスカイト（ＡＢＯ_３）構造において、Ａサイト又はＢサイトがリチウム（Ｌｉ）、バリウム（Ｂａ）、カルシウム（Ｃａ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、及びチタン（Ｔｉ）のうち少なくとも一つが置換又は固溶したセラミック物質を含むことができる。

【0080】

外部電極１３１、１３２に含まれるセラミック物質１０ｂは、焼成工程のうち外部電極を形成する過程で外部電極用ペーストの焼結進行を遅延させる役割を果たすことができる。

【0081】

外部電極用ペーストの焼結が過度に速く進行する場合、外部電極の緻密化が低下するおそれがあり、又は外部電極が本体から浮く現象、又は剥離（ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）が発生するおそれがある。

【0082】

一般に、セラミック物質１０ｂは、導電性金属１０ａ又はガラス１０ｃに比べて高い融点を有するため、外部電極用ペーストがセラミック物質１０ｂを含むことにより、外部電極の焼結進行速度を減少させることができる。

【0083】

本発明において、積層型電子部品１００の各構成に含まれた元素の含量を測定するより具体的な方法の一例として、破壊工法の場合、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）のエネルギー分散Ｘ線分光法（Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ－ｒａｙ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ、ＥＤＳ）モード、透過電子顕微鏡（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＴＥＭ）のＥＤＳモード、又は走査透過電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＳＴＥＭ）のＥＤＳモードを用いて成分を分析することができる。まず、焼結が完了した積層型電子部品１００のうち観察しようとする領域を集束イオンビーム（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ、ＦＩＢ）装備を用いて薄片化された分析試料を準備する。そして、薄片化された試料に対してキセノン（Ｘｅ）又はアルゴン（Ａｒ）イオンミリング（ｉｏｎ ｍｉｌｌｉｎｇ）を用いて表面のダメージ層を除去し、その後、ＳＥＭ－ＥＤＳ、ＴＥＭ－ＥＤＳ、又はＳＴＥＭ－ＥＤＳを用いて得られたイメージにおいて測定しようとする各成分をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）して定性／定量分析を行う。この場合、各成分の定性／定量分析グラフは、各元素の質量百分率（ｗｔ％）、原子百分率（ａｔ％）、又はモル百分率（ｍｏｌ％）に換算して表すこともできる。このとき、特定成分のモル数に対する他の特定成分のモル数を換算して表すことができる。

【0084】

さらに他の方法としては、チップを粉砕して観察しようとする領域を選別し、このように選別された領域を誘導結合プラズマ分光分析器（ＩＣＰ－ＯＥＳ）、誘導結合プラズマ質量分析器（ＩＣＰ－ＭＳ）などの装置を用いて成分を分析することができる。

【0085】

本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００において、外部電極１３１、１３２は、セラミック物質１０ｂを３ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下含むことができる。

【0086】

外部電極１３１、１３２がセラミック物質１０ｂを３ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下含むことにより、外部電極１３１、１３２の緻密度を向上させることができ、内部電極１２１、１２２と、外部電極１３１、１３２との間の接触抵抗の増加を抑制することができる。

【0087】

外部電極１３１、１３２がセラミック物質１０ｂを３ｗｔ％未満含む場合、外部電極の焼結遅延効果が僅かであるため、外部電極の浮き現象又は剥離が発生する可能性があり、外部電極１３１、１３２がセラミック物質１０ｂを２０ｗｔ％超含む場合、内部電極１２１、１２２と外部電極１３１、１３２との間の接触を妨げ、電気的連結性を低下させるか、又は等価直列抵抗（Ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ Ｓｅｒｉｅｓ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ、ＥＳＲ）が増加するという問題が発生する可能性がある。

【0088】

外部電極１３１、１３２に含まれるガラス１０ｃは、ケイ素（Ｓｉ）、ホウ素（Ｂ）、ナトリウム（Ｎａ）、及びアルミニウム（Ａｌ）を含むことができ、ガラス１０ｃの組成としてＳｉＯ_２、Ｂ_２Ｏ_３、Ｎａ_２Ｏ、及びＡｌ_２Ｏを含むことができる。例えば、ガラス１０ｃは、低融点ガラスの一種であるホウケイ酸ガラス（ｂｏｒｏｓｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ）を含むことができる。

【0089】

但し、特にこれに限定されるものではなく、ガラス１０ｃは銅（Ｃｕ）、ビスマス（Ｂｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、リチウム（Ｌｉ）、チタン（Ｔｉ）、カルシウム（Ｃａ）、及び鉛（Ｐｂ）のうち少なくとも一つをさらに含むことができ、ガラス１０ｃの組成として、ＣｕＯ、Ｂｉ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＺｒＯ、Ｌｉ_２Ｏ、ＴｉＯ_２、ＣａＣＯ_３、ＮａＨＣＯ_３、及びＰｂＯのうち少なくとも一つをさらに含むことができる。

【0090】

外部電極１３１、１３２に含まれるガラス１０ｃは、焼成工程のうち外部電極を形成する過程で、外部電極用ペーストの焼結温度を下げる役割を果たすことができる。

【0091】

ガラス１０ｃの低温焼結を誘導することにより、外部電極１３１、１３２の表面にガラスが溶出するプーリング（ｐｏｏｌｉｎｇ）現象を防止し、電気的特性の低下を抑制することができ、外部電極１３１、１３２の熱処理温度を下げることにより、本体１１０の再焼成を防止して積層型電子部品の特性が劣化するという問題点を防止することができる。

【0092】

特に、低融点ガラスを含むことで、めっき液に対する耐食性を増加させ、積層型電子部品１００の信頼性を向上させることができる。

【0093】

外部電極１３１、１３２に含まれるガラス１０ｃの含量は特に限定されるものではないが、外部電極１３１、１３２に含まれるセラミック物質１０ｂの含量より少なくてもよい。

【0094】

言い換えれば、外部電極１３１、１３２に含まれたセラミック物質１０ｂの含量（ｗｔ％）をＣＥ、外部電極１３１、１３２に含まれたガラス１０ｃの含量（ｗｔ％）をＧＬとするとき、外部電極１３１、１３２はＧＬ＜ＣＥを満たすことができ、外部電極を形成するための外部電極用ペーストはＧＬ＜ＣＥを満たすことができる。

【0095】

外部電極１３１、１３２がＧＬ＜ＣＥを満たすことにより、外部電極１３１、１３２の低温焼結を円滑に進行することができ、セラミック物質１０ｂによる熱処理温度の上昇を抑制して本体が再焼成されることを防止することができる。

【0096】

外部電極１３１、１３２に含まれたガラス１０ｃの含量ＧＬがセラミック物質１０ｂの含量ＣＥより多い場合（ＣＥ＜ＧＬ）、過度なガラス１０ｃの添加により、外部電極１３１、１３２の焼成が十分に行われないおそれがあり、又は外部電極１３１、１３２の表面にガラスが溶出するおそれがある。

【0097】

このとき、外部電極１３１、１３２に含まれたガラス１０ｃの含量ＣＥは、外部電極１３１、１３２に含まれたセラミック物質１０ｂの含量ＧＬの０．１倍以上０．２倍以下であってもよい。すなわち、０．１×ＣＥ≦ＧＬ≦０．２×ＣＥを満たすことができる。

【0098】

外部電極１３１、１３２が０．１×ＣＥ≦ＧＬ≦０．２×ＣＥを満たすことにより、外部電極１３１、１３２の低温焼結を円滑に行うことができ、セラミック物質１０ｂによる熱処理温度の上昇を抑制し、本体が再焼成されることを防止することができる。

【0099】

外部電極１３１、１３２がＧＬ＜０．１×ＣＥの場合、焼結温度が十分に低下せず、セラミック物質１０ｂによる熱処理温度の上昇により本体が再焼成されるおそれがあり、外部電極１３１、１３２が０．２×ＣＥ＜ＧＬの場合、過度なガラス１０ｃの添加により、外部電極１３１、１３２の焼成が十分に行われないおそれがあり、又は外部電極１３１、１３２の表面にガラスが溶出するおそれがある。

【0100】

また、外部電極１３１、１３２に含まれたガラス１０ｃの含量ＣＥは、外部電極１３１、１３２に含まれた導電性金属１０ａの含量の０倍超０．２倍以下であってもよい。

【0101】

外部電極１３１、１３２に含まれたガラス１０ｃの含量ＣＥが、外部電極１３１、１３２に含まれた導電性金属１０ａの含量の０倍超０．２倍以下を満たすことにより、外部電極１３１、１３２の低温焼結を円滑に行うことができ、外部電極１３１、１３２と内部電極１２１、１２２との間の電気的連結性を低下させず、且つ内部電極１２１、１２２の劣化が発生することを防止することができる。

【0102】

外部電極１３１、１３２に含まれたガラス１０ｃの含量ＣＥが外部電極１３１、１３２に含まれた導電性金属１０ａの含量の０．２倍を超える場合、過度なガラス１０ｃの添加により外部電極１３１、１３２の焼成が十分に行われないおそれがあり、外部電極１３１、１３２と内部電極１２１、１２２との間の電気的連結性が低下するおそれがあり、又は外部電極１３１、１３２の表面にガラスが溶出するおそれがある。

【0103】

上述した外部電極１３１、１３２に関する説明は、後述する焼成電極に対する説明であることができ、例えば、外部電極１３１、１３２が多層構造を有する場合、電極層に対する説明であることができ、より具体的には、第１電極層に対する説明であることができる。

【0104】

上述したように、外部電極１３１、１３２は、金属などのように、電気伝導性を有するものであれば、如何なる物質を用いて形成されてもよく、電気的特性、構造的安定性などを考慮して具体的な物質が決定されてもよく、さらに多層構造を有してもよい。

【0105】

例えば、外部電極１３１、１３２は、本体１１０に配置される電極層及び電極層上に配置されるめっき層を含むことができる。

【0106】

電極層に対するより具体的な例として、電極層は、第１導電性金属及びガラスを含む焼成電極である第１電極層を含むか、又は第２導電性金属及び樹脂を含む樹脂系電極である第２電極層を含むことができる。

【0107】

ここで、第１電極層１３１ａ、１３２ａに含まれた導電性金属を第１導電性金属ということができ、第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれた導電性金属を第２導電性金属ということができる。このとき、第１導電性金属及び第２導電性金属は互いに同一又は異なることができ、複数の導電性金属を含む場合、一部のみが同じ導電性金属を含むこともできるが、特にこれに限定されるものではない。

【0108】

また、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂは、本体上に焼成電極及び樹脂系電極が順次形成された形態であってもよい。

【0109】

また、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂは、本体上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されるか、又は焼成電極上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されたものであってもよい。

【0110】

電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂに含まれる導電性金属として、電気伝導性に優れた材料を使用することができ、例えば、導電性金属はニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群から選択された一つ以上を含むことができるが、特にこれに限定されるものではない。

【0111】

本発明の一実施形態において、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂは、第１電極層１３１ａ、１３２ａ及び第２電極層１３１ｂ、１３２ｂを含む２層の構造を有することができ、これにより、外部電極１３１、１３２は、導電性金属及びガラスを含む第１電極層１３１ａ、１３２ａ、並びに上記第１電極層１３１ａ、１３２ａ上に配置され、導電性金属及び樹脂を含む第２電極層１３１ｂ、１３２ｂを含むことができる。

【0112】

第１電極層１３１ａ、１３２ａはガラスを含むことにより、本体１１０との接合性を向上させる役割を果たし、第２電極層１３１ｂ、１３２ｂは樹脂を含むことにより、曲げ強度を向上させる役割を果たすことができる。

【0113】

第１電極層１３１ａ、１３２ａに含まれる第１導電性金属は、静電容量形成のために上記内部電極１２１、１２２と電気的に連結できる材質であれば特に限定されず、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群から選択された一つ以上を含むことができる。

【0114】

第１電極層１３１ａ、１３２ａは、第１導電性金属粒子にガラスフリット（ｇｌａｓｓ ｆｒｉｔ）を添加して設けられた導電性ペーストを塗布した後、焼成することにより形成することができる。

【0115】

第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる第２導電性金属は、第１電極層１３１ａ、１３２ａと電気的に連結されるようにする役割を果たすことができる。

【0116】

第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる導電性金属は、第１電極層１３１ａ、１３２ａと電気的に連結できる材質であれば特に限定されず、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群から選択された一つ以上を含むことができる。

【0117】

第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる第２導電性金属は、球状粒子及びフレーク状粒子のうち１以上を含むことができる。すなわち、導電性金属はフレーク状粒子のみからなるか、又は球状粒子のみからなることができ、フレーク状粒子と球状粒子とが混合された形態であることもできる。ここで、球状粒子は、完全な球状ではない形態も含むことができ、例えば、長軸と短軸の長さ比率（長軸／短軸）が１．４５以下の形態を含むことができる。フレーク状粒子とは、平たいかつ細長い形態を有する粒子を意味し、特に限定されるものではないが、例えば、長軸と短軸の長さ比率（長軸／短軸）が１．９５以上であってもよい。上記球状粒子及びフレーク状粒子の長軸と短軸の長さは、積層型電子部品の第３方向の中央部で切断した第１方向及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でスキャンして得られたイメージから測定することができる。

【0118】

第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる樹脂は、接合性の確保及び衝撃吸収の役割を果たすことができる。第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる樹脂は接合性及び衝撃吸収性を有し、第２導電性金属粒子と混合してペーストを作製できるものであれば特に限定されず、例えば、エポキシ系樹脂を含むことができる。

【0119】

また、第２電極層１３１ｂ、１３２ｂは、複数の金属粒子、金属間化合物（ｉｎｔｅｒｍｅｔａｌｌｉｃ ｃｏｍｐｏｕｎｄ）及び樹脂を含むことができる。金属間化合物を含むことにより、第１電極層１３１ａ、１３２ａとの電気的連結性をより向上させることができる。金属間化合物は、複数の金属粒子を連結して電気的連結性を向上させる役割を果たし、複数の金属粒子を囲んで互いに連結する役割を果たすことができる。

【0120】

このとき、金属間化合物は、樹脂の硬化温度より低い融点を有する金属を含むことができる。すなわち、金属間化合物が樹脂の硬化温度より低い融点を有する金属を含むため、樹脂の硬化温度より低い融点を有する金属が乾燥及び硬化工程を経る過程で溶融し、金属粒子の一部と金属間化合物を形成して金属粒子を囲むようになる。このとき、金属間化合物は、好ましくは３００℃以下の低融点金属を含むことができる。

【0121】

例えば、２１３～２２０℃の融点を有するＳｎを含むことができる。乾燥及び硬化工程を経る過程でＳｎが溶融し、溶融したＳｎがＡｇ、Ｎｉ又はＣｕのような高融点の金属粒子を毛細管現象により湿らせ、Ａｇ、Ｎｉ又はＣｕ金属粒子の一部と反応してＡｇ_３Ｓｎ、Ｎｉ_３Ｓｎ_４、Ｃｕ_６Ｓｎ_５、Ｃｕ_３Ｓｎなどの金属間化合物を形成するようになる。反応に関与しなかったＡｇ、Ｎｉ又はＣｕは金属粒子の形態で残る。

【0122】

したがって、上記複数の金属粒子は、Ａｇ、Ｎｉ及びＣｕのうち一つ以上を含み、上記金属間化合物は、Ａｇ_３Ｓｎ、Ｎｉ_３Ｓｎ_４、Ｃｕ_６Ｓｎ_５及びＣｕ_３Ｓｎのうち一つ以上を含むことができる。

【0123】

めっき層１３１ｃ、１３２ｃは、実装特性を向上させる役割を果たすことができる。

【0124】

めっき層１３１ｃ、１３２ｃの種類は特に限定されず、ニッケル（Ｎｉ）、錫（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含む単一層のめっき層１３１ｃ、１３２ｃであってもよく、複数の層で形成されてもよい。

【0125】

めっき層１３１ｃ、１３２ｃに対するより具体的な例として、めっき層１３１ｃ、１３２ｃは、Ｎｉめっき層又はＳｎめっき層であってもよく、電極層上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層が順次形成された形態であってもよく、Ｓｎめっき層、Ｎｉめっき層及びＳｎめっき層が順次形成された形態であってもよい。また、めっき層１３１ｃ、１３２ｃは、複数のＮｉめっき層及び／又は複数のＳｎめっき層を含んでもよい。

【0126】

積層型電子部品１００のサイズは特に限定する必要はない。

【0127】

但し、小型化及び高容量化を同時に達成するためには、誘電体層及び内部電極の厚さを薄くして積層数を増加させなければならないため、３２１６（長さ×幅：３．２ｍｍ×１．６ｍｍ）サイズ以下の積層型電子部品１００において本発明による効果がより顕著になり得る。

【0128】

ここで、３２１６サイズ以下の積層型電子部品１００とは、積層型電子部品の平均長さ（第２方向の平均サイズ）が３．２ｍｍ以下で、平均幅（第３方向の平均サイズ）が１．６ｍｍ以下であるものを意味することができるが、正確にこれを満たすものを意味するのではなく、１０％程度の誤差を含む概念であることができる。

【0129】

以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は、上述した実施形態及び添付の図面によって限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲によって限定されるものとする。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で、当技術分野における通常の知識を有する者により様々な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属するといえる。

【0130】

また、本発明において使用される「一実施形態」という表現は、互いに同じ実施形態を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかし、上記提示された一実施形態は、他の一実施形態の特徴と結合して実現されることを排除しない。例えば、特定の一実施形態において説明された事項が他の一実施形態に説明されていなくても、他の一実施形態においてその事項と反対又は矛盾する説明がない限り、他の一実施形態に関連する説明として理解することができる。

【0131】

本発明において使用される用語は、単に一実施形態を説明するために使用されたものであり、本発明を限定しようとする意図ではない。このとき、単数の表現は、文脈上明らかに異なる意味を示さない限り、複数の表現を含む。

【符号の説明】

【0132】

１０ａ：導電性金属
１０ｂ：セラミック物質
１０ｃ：ガラス
１００：積層型電子部品
１１０：本体
１１１：誘電体層
１１２、１１３：カバー部
１１４、１１５：サイドマージン部
１２１、１２２：内部電極
１３１、１３２：外部電極

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】