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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2025083266
(43)【公開日】2025-05-30
(54)【発明の名称】プリント回路基板
(51)【国際特許分類】
H01F 27/06 20060101AFI20250523BHJP
H05K 1/16 20060101ALI20250523BHJP
【ＦＩ】
H01F27/06 103
H05K1/16
【審査請求】未請求
【請求項の数】18
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024069772
(22)【出願日】2024-04-23
(31)【優先権主張番号】10-2023-0161051
(32)【優先日】2023-11-20
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．ＢＬＵＥＴＯＯＴＨ
(71)【出願人】
【識別番号】594023722
【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．
(74)【代理人】
【識別番号】100108453
【弁理士】
【氏名又は名称】村山 靖彦
(74)【代理人】
【識別番号】100110364
【弁理士】
【氏名又は名称】実広 信哉
(72)【発明者】
【氏名】金 癸洙
【テーマコード（参考）】
4E351
5E070
【Ｆターム（参考）】
4E351AA03
4E351AA04
4E351BB11
4E351BB31
4E351CC11
4E351GG06
5E070AA01
5E070AA19
5E070AB04
5E070CB17
5E070DB02
(57)【要約】
【課題】インダクタンスを向上させることができるプリント回路基板を提供する。
【解決手段】本発明は、貫通部を有する基板（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）と、上記貫通部内に少なくとも一部が配置され、第１貫通孔を有する磁性体層と、上記第１貫通孔内に配置された第１貫通ビア層と、上記磁性体層の上面上に配置され、上記第１貫通ビア層の上端部の少なくとも一部を覆う第１パターン層と、上記磁性体層の下面上に配置され、上記第１貫通ビア層の下端部の少なくとも一部を覆う第２パターン層と、を含み、上記第１貫通ビア層は上記第１貫通孔の壁面と接触し、上記第１パターン層の少なくとも一部は上記磁性体層の上面と接触し、上記第２パターン層の少なくとも一部は上記磁性体層の下面と接触する、プリント回路基板に関する。
【選択図】図３
【解決手段】本発明は、貫通部を有する基板（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）と、上記貫通部内に少なくとも一部が配置され、第１貫通孔を有する磁性体層と、上記第１貫通孔内に配置された第１貫通ビア層と、上記磁性体層の上面上に配置され、上記第１貫通ビア層の上端部の少なくとも一部を覆う第１パターン層と、上記磁性体層の下面上に配置され、上記第１貫通ビア層の下端部の少なくとも一部を覆う第２パターン層と、を含み、上記第１貫通ビア層は上記第１貫通孔の壁面と接触し、上記第１パターン層の少なくとも一部は上記磁性体層の上面と接触し、上記第２パターン層の少なくとも一部は上記磁性体層の下面と接触する、プリント回路基板に関する。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
貫通部を有する基板（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）と、
前記貫通部内に少なくとも一部が配置され、第１貫通孔を有する磁性体層と、
前記第１貫通孔内に配置された第１貫通ビア層と、
前記磁性体層の上面上に配置され、前記第１貫通ビア層の上端部の少なくとも一部を覆う第１パターン層と、
前記磁性体層の下面上に配置され、前記第１貫通ビア層の下端部の少なくとも一部を覆う第２パターン層と、
を含み、
前記第１貫通ビア層は前記第１貫通孔の壁面と接触し、
前記第１パターン層の少なくとも一部は前記磁性体層の上面と接触し、
前記第２パターン層の少なくとも一部は前記磁性体層の下面と接触する、プリント回路基板。
前記貫通部内に少なくとも一部が配置され、第１貫通孔を有する磁性体層と、
前記第１貫通孔内に配置された第１貫通ビア層と、
前記磁性体層の上面上に配置され、前記第１貫通ビア層の上端部の少なくとも一部を覆う第１パターン層と、
前記磁性体層の下面上に配置され、前記第１貫通ビア層の下端部の少なくとも一部を覆う第２パターン層と、
を含み、
前記第１貫通ビア層は前記第１貫通孔の壁面と接触し、
前記第１パターン層の少なくとも一部は前記磁性体層の上面と接触し、
前記第２パターン層の少なくとも一部は前記磁性体層の下面と接触する、プリント回路基板。
【請求項2】
前記基板は第２貫通孔を有し、
前記第２貫通孔内に配置された第２貫通ビア層と、
前記基板の上面上に配置され、前記第２貫通ビア層の上端部の少なくとも一部を覆う第３パターン層と、
前記基板の下面上に配置され、前記第２貫通ビア層の下端部の少なくとも一部を覆う第４パターン層と、
をさらに含み、
前記第２貫通ビア層は前記第２貫通孔の壁面と接触し、
前記第３パターン層の少なくとも一部は前記基板の上面と接触し、
前記第４パターン層の少なくとも一部は前記基板の下面と接触する、請求項１に記載のプリント回路基板。
前記第２貫通孔内に配置された第２貫通ビア層と、
前記基板の上面上に配置され、前記第２貫通ビア層の上端部の少なくとも一部を覆う第３パターン層と、
前記基板の下面上に配置され、前記第２貫通ビア層の下端部の少なくとも一部を覆う第４パターン層と、
をさらに含み、
前記第２貫通ビア層は前記第２貫通孔の壁面と接触し、
前記第３パターン層の少なくとも一部は前記基板の上面と接触し、
前記第４パターン層の少なくとも一部は前記基板の下面と接触する、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項3】
前記第１貫通ビア層は、前記第１貫通孔の壁面上に配置された第１－１金属層と、前記第１－１金属層上に配置された第１－２金属層と、前記第１－２金属層の間の空間の少なくとも一部を充填する第１充填材とを含み、
前記第２貫通ビア層は、前記第２貫通孔の壁面上に配置された第２－１金属層と、前記第２－１金属層上に配置された第２－２金属層と、前記第２－２金属層の間の空間の少なくとも一部を充填する第２充填材とを含む、請求項２に記載のプリント回路基板。
前記第２貫通ビア層は、前記第２貫通孔の壁面上に配置された第２－１金属層と、前記第２－１金属層上に配置された第２－２金属層と、前記第２－２金属層の間の空間の少なくとも一部を充填する第２充填材とを含む、請求項２に記載のプリント回路基板。
【請求項4】
前記第１及び第２貫通孔の壁面は、それぞれ前記磁性体層、並びに前記基板のそれぞれの上面及び下面のうち少なくとも一つを基準として実質的に垂直である、請求項３に記載のプリント回路基板。
【請求項5】
前記第１パターン層は、前記磁性体層の上面上に配置された前記第１－１金属層と、前記第１－１金属層上に配置された前記第１－２金属層と、前記第１－２金属層の間の空間の少なくとも一部を充填する前記第１充填材と、前記第１－２金属層及び前記第１充填材のそれぞれの上面上に配置された第１－３金属層とを含み、
前記第２パターン層は、前記磁性体層の下面上に配置された前記第１－１金属層と、前記第１－１金属層上に配置された前記第１－２金属層と、前記第１－２金属層の間の空間の少なくとも一部を充填する前記第１充填材と、前記第１－２金属層及び前記第１充填材のそれぞれの下面上に配置された第１－４金属層とを含み、
前記第３パターン層は、前記基板の上面上に配置された前記第２－１金属層と、前記第２－１金属層上に配置された前記第２－２金属層と、前記第２－２金属層の間の空間の少なくとも一部を充填する前記第２充填材と、前記第２－２金属層及び前記第２充填材のそれぞれの上面上に配置された前記第２－３金属層とを含み、
前記第４パターン層は、前記基板の下面上に配置された前記第２－１金属層と、前記第２－１金属層上に配置された前記第２－２金属層と、前記第２－２金属層の間の空間の少なくとも一部を充填する前記第２充填材と、前記第２－２金属層及び前記第２充填材のそれぞれの下面上に配置された前記第２－４金属層とを含む、請求項３に記載のプリント回路基板。
前記第２パターン層は、前記磁性体層の下面上に配置された前記第１－１金属層と、前記第１－１金属層上に配置された前記第１－２金属層と、前記第１－２金属層の間の空間の少なくとも一部を充填する前記第１充填材と、前記第１－２金属層及び前記第１充填材のそれぞれの下面上に配置された第１－４金属層とを含み、
前記第３パターン層は、前記基板の上面上に配置された前記第２－１金属層と、前記第２－１金属層上に配置された前記第２－２金属層と、前記第２－２金属層の間の空間の少なくとも一部を充填する前記第２充填材と、前記第２－２金属層及び前記第２充填材のそれぞれの上面上に配置された前記第２－３金属層とを含み、
前記第４パターン層は、前記基板の下面上に配置された前記第２－１金属層と、前記第２－１金属層上に配置された前記第２－２金属層と、前記第２－２金属層の間の空間の少なくとも一部を充填する前記第２充填材と、前記第２－２金属層及び前記第２充填材のそれぞれの下面上に配置された前記第２－４金属層とを含む、請求項３に記載のプリント回路基板。
【請求項6】
前記第１貫通ビア層は、前記第１貫通孔の壁面上に配置された第１－１金属層と、前記第１－１金属層上に配置され、充填材なしに前記第１貫通孔の少なくとも一部を充填する第１－２金属層とを含み、
前記第２貫通ビア層は、前記第２貫通孔の壁面上に配置された第２－１金属層と、前記第２－１金属層上に配置され、充填材なしに前記第２貫通孔の少なくとも一部を充填する第２－２金属層とを含む、請求項２に記載のプリント回路基板。
前記第２貫通ビア層は、前記第２貫通孔の壁面上に配置された第２－１金属層と、前記第２－１金属層上に配置され、充填材なしに前記第２貫通孔の少なくとも一部を充填する第２－２金属層とを含む、請求項２に記載のプリント回路基板。
【請求項7】
前記第１及び第２貫通孔の壁面は、それぞれ前記磁性体層及び前記基板のそれぞれの上面及び下面のうち少なくとも一つを基準として傾斜を有する傾斜面を複数個有する、請求項６に記載のプリント回路基板。
【請求項8】
前記第１パターン層は、前記磁性体層の上面上に配置された前記第１－１金属層と、前記第１－１金属層の上面上に配置された前記第１－２金属層とを含み、
前記第２パターン層は、前記磁性体層の下面上に配置された前記第１－１金属層と、前記第１－１金属層の下面上に配置された前記第１－２金属層とを含み、
前記第３パターン層は、前記基板の上面上に配置された前記第２－１金属層と、前記第２－１金属層の上面上に配置された前記第２－２金属層とを含み、
前記第４パターン層は、前記基板の下面上に配置された前記第２－１金属層と、前記第２－１金属層の下面上に配置された前記第２－２金属層とを含む、請求項６に記載のプリント回路基板。
前記第２パターン層は、前記磁性体層の下面上に配置された前記第１－１金属層と、前記第１－１金属層の下面上に配置された前記第１－２金属層とを含み、
前記第３パターン層は、前記基板の上面上に配置された前記第２－１金属層と、前記第２－１金属層の上面上に配置された前記第２－２金属層とを含み、
前記第４パターン層は、前記基板の下面上に配置された前記第２－１金属層と、前記第２－１金属層の下面上に配置された前記第２－２金属層とを含む、請求項６に記載のプリント回路基板。
【請求項9】
前記基板及び前記磁性体層のそれぞれの上面上に配置され、前記第１及び第３パターン層のそれぞれの少なくとも一部を覆う第１絶縁層と、
前記基板及び前記磁性体層のそれぞれの下面上に配置され、前記第２及び第４パターン層のそれぞれの少なくとも一部を覆う第２絶縁層と、
前記第１絶縁層の上面上に配置された第１配線層と、
前記第２絶縁層の下面上に配置された第２配線層と、
前記第１絶縁層の少なくとも一部を貫通し、前記第１及び第３パターン層のうち少なくとも一つの少なくとも一部を前記第１配線層の少なくとも一部と連結する第１ビア層と、
前記第２絶縁層の少なくとも一部を貫通し、前記第２及び第４パターン層のうち少なくとも一つの少なくとも一部を前記第２配線層の少なくとも一部と連結する第２ビア層と、
をさらに含む、請求項２に記載のプリント回路基板。
前記基板及び前記磁性体層のそれぞれの下面上に配置され、前記第２及び第４パターン層のそれぞれの少なくとも一部を覆う第２絶縁層と、
前記第１絶縁層の上面上に配置された第１配線層と、
前記第２絶縁層の下面上に配置された第２配線層と、
前記第１絶縁層の少なくとも一部を貫通し、前記第１及び第３パターン層のうち少なくとも一つの少なくとも一部を前記第１配線層の少なくとも一部と連結する第１ビア層と、
前記第２絶縁層の少なくとも一部を貫通し、前記第２及び第４パターン層のうち少なくとも一つの少なくとも一部を前記第２配線層の少なくとも一部と連結する第２ビア層と、
をさらに含む、請求項２に記載のプリント回路基板。
【請求項10】
前記第１絶縁層の上面上に配置され、前記第１配線層の少なくとも一部をそれぞれ露出させる複数の第１開口を有する第１レジスト層と、
前記第２絶縁層の下面上に配置され、前記第２配線層の少なくとも一部をそれぞれ露出させる複数の第２開口を有する第２レジスト層と、
をさらに含む、請求項９に記載のプリント回路基板。
前記第２絶縁層の下面上に配置され、前記第２配線層の少なくとも一部をそれぞれ露出させる複数の第２開口を有する第２レジスト層と、
をさらに含む、請求項９に記載のプリント回路基板。
【請求項11】
前記基板は前記貫通部を複数個含み、
複数の前記貫通部のそれぞれには前記磁性体層がそれぞれ配置され、
複数の前記磁性体層のそれぞれは前記第１貫通孔を有し、
複数の前記第１貫通孔のそれぞれには前記第１貫通ビア層が配置され、
複数の前記第１貫通ビア層は、前記第１及び第２パターン層のうち少なくとも一つを介して互いに連結され、前記複数の磁性体層のそれぞれの少なくとも一部を囲む形態で配置された一つ以上のコイル部を形成する、請求項９に記載のプリント回路基板。
複数の前記貫通部のそれぞれには前記磁性体層がそれぞれ配置され、
複数の前記磁性体層のそれぞれは前記第１貫通孔を有し、
複数の前記第１貫通孔のそれぞれには前記第１貫通ビア層が配置され、
複数の前記第１貫通ビア層は、前記第１及び第２パターン層のうち少なくとも一つを介して互いに連結され、前記複数の磁性体層のそれぞれの少なくとも一部を囲む形態で配置された一つ以上のコイル部を形成する、請求項９に記載のプリント回路基板。
【請求項12】
前記磁性体層は前記貫通部の壁面と接触する、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項13】
前記磁性体層の上面は、前記基板の上面と実質的に共面をなし、
前記磁性体層の下面は、前記基板の下面と実質的に共面をなす、請求項１に記載のプリント回路基板。
前記磁性体層の下面は、前記基板の下面と実質的に共面をなす、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項14】
前記基板は、有機コア層、ガラスコア層、メタルコア層、シリコンコア層、又はセラミックコア層を含む、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項15】
貫通部を有する基板と、
前記貫通部内に少なくとも一部が配置され、貫通孔を有する磁性体層と、
前記貫通孔の壁面上に配置され、前記磁性体層の上面及び下面上に延びて配置された第１金属層と、
前記第１金属層上に配置され、前記貫通孔の少なくとも一部を充填する第２金属層と、
を含み、
前記第１金属層は、前記貫通孔の壁面、前記磁性体層の上面、及び前記磁性体層の下面のそれぞれと接触する、プリント回路基板。
前記貫通部内に少なくとも一部が配置され、貫通孔を有する磁性体層と、
前記貫通孔の壁面上に配置され、前記磁性体層の上面及び下面上に延びて配置された第１金属層と、
前記第１金属層上に配置され、前記貫通孔の少なくとも一部を充填する第２金属層と、
を含み、
前記第１金属層は、前記貫通孔の壁面、前記磁性体層の上面、及び前記磁性体層の下面のそれぞれと接触する、プリント回路基板。
【請求項16】
前記第２金属層の間に配置され、前記貫通孔の他の少なくとも一部を充填し、前記磁性体層の上面及び下面上にそれぞれ一部が突出した充填材と、
前記第２金属層及び前記充填材のそれぞれの上面上に配置された第３金属層と、
前記第２金属層及び前記充填材のそれぞれの下面上に配置された第４金属層と、
をさらに含む、請求項１５に記載のプリント回路基板。
前記第２金属層及び前記充填材のそれぞれの上面上に配置された第３金属層と、
前記第２金属層及び前記充填材のそれぞれの下面上に配置された第４金属層と、
をさらに含む、請求項１５に記載のプリント回路基板。
【請求項17】
前記第２金属層は、充填材なしに前記貫通孔の少なくとも一部を充填し、
前記第２金属層の上面及び下面のそれぞれの少なくとも一部は絶縁材と接触する、請求項１５に記載のプリント回路基板。
前記第２金属層の上面及び下面のそれぞれの少なくとも一部は絶縁材と接触する、請求項１５に記載のプリント回路基板。
【請求項18】
前記磁性体層と前記貫通孔と前記第１及び第２金属層とを含むＭＣＩ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ Ｉｎｄｕｃｔｏｒ）をさらに含む、請求項１５に記載のプリント回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明はプリント回路基板に関する。
【背景技術】
【0002】
最近、半導体チップのスリム化及び電力効率の増大のために、パッケージ基板の内部にキャパシタ、インダクタなどの様々な受動素子を内蔵することが求められている。一方、インダクタの場合、材料及び構造の変更を通じてインダクタンスを既存のチップ部品に比べて向上させることが求められている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0003】
本発明のいくつかの目的の一つは、インダクタンスを向上させることができるプリント回路基板を提供することである。
【0004】
本発明のいくつかの目的の他の一つは、スリム化及び集積化を高めることができ、工程コストを削減することができるプリント回路基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明を通じて提供するいくつかの解決手段の一つは、ガラスなどの無機絶縁材を含む基板の貫通部に磁性体層を配置し、磁性体層に貫通孔を形成し、ＭＣＩ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ Ｉｎｄｕｃｔｏｒ）などのインダクタを直接形成することである。
【0006】
例えば、一例によるプリント回路基板は、貫通部を有する基板（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）と、上記貫通部内に少なくとも一部が配置され、第１貫通孔を有する磁性体層と、上記第１貫通孔内に配置された第１貫通ビア層と、上記磁性体層の上面上に配置され、上記第１貫通ビア層の上端部の少なくとも一部を覆う第１パターン層と、上記磁性体層の下面上に配置され、上記第１貫通ビア層の下端部の少なくとも一部を覆う第２パターン層と、を含み、上記第１貫通ビア層は上記第１貫通孔の壁面と接触し、上記第１パターン層の少なくとも一部は上記磁性体層の上面と接触し、上記第２パターン層の少なくとも一部は上記磁性体層の下面と接触するものであってもよい。
【0007】
例えば、一例によるプリント回路基板は、貫通部を有する基板と、上記貫通部内に少なくとも一部が配置され、貫通孔を有する磁性体層と、上記貫通孔の壁面上に配置され、上記磁性体層の上面及び下面上に延びて配置された第１金属層と、上記第１金属層上に配置され、上記貫通孔の少なくとも一部を充填する第２金属層と、を含み、上記第１金属層は上記貫通孔の壁面、上記磁性体層の上面、及び上記磁性体層の下面のそれぞれと接触するものであってもよい。
【発明の効果】
【0008】
本発明の様々な効果のうち一効果として、インダクタンスを向上させることができるプリント回路基板を提供することができる。
【0009】
本発明の様々な効果のうち他の一効果として、スリム化及び集積化を高めることができ、工程コストを削減することができるプリント回路基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】電子機器システムの例を概略的に示すブロック図である。
【図2】電子機器の一例を概略的に示す斜視図である。
【図3】プリント回路基板の一例を概略的に示す断面図である。
【図5】プリント回路基板の他の一例を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0011】
以下、添付の図面を参照して本発明について説明する。図面における要素の形状及びサイズなどは、より明確な説明のために誇張又は縮小することができる。
【0012】
電子機器
図１は、電子機器システムの例を概略的に示すブロック図である。
図１は、電子機器システムの例を概略的に示すブロック図である。
【0013】
図面を参照すると、電子機器１０００はメインボード１０１０を収容する。メインボード１０１０には、チップ関連部品１０２０、ネットワーク関連部品１０３０、及びその他の部品１０４０などが物理的及び／又は電気的に連結されている。これらは後述する他の電子部品とも結合して様々な信号ライン１０９０を形成する。
【0014】
チップ関連部品１０２０としては、揮発性メモリ（例えば、ＤＲＡＭ）、不揮発性メモリ（例えば、ＲＯＭ）、フラッシュメモリなどのメモリチップ；セントラルプロセッサ（例えば、ＣＰＵ）、グラフィックプロセッサ（例えば、ＧＰＵ）、デジタル信号プロセッサ、暗号化プロセッサ、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラなどのアプリケーションプロセッサチップ；アナログ－デジタルコンバータ、ＡＳＩＣ（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ－ｓｐｅｃｉｆｉｃ ＩＣ）などのロジックチップなどが含まれるが、これらに限定されるものではなく、これら以外にもその他の異なる形態のチップ関連電子部品が含まれてもよいことは言うまでもない。また、これらのチップ関連部品１０２０を互いに組み合わせてもよいことは勿論である。チップ関連部品１０２０は、上述したチップや電子部品を含むパッケージ形態であってもよい。
【0015】
ネットワーク関連部品１０３０としては、Ｗｉ－Ｆｉ（ＩＥＥＥ ８０２．１１ファミリなど）、ＷｉＭＡＸ（ＩＥＥＥ ８０２．１６ファミリなど）、ＩＥＥＥ ８０２．２０、ＬＴＥ（ｌｏｎｇ ｔｅｒｍ ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）、Ｅｖ－ＤＯ、ＨＳＰＡ＋、ＨＳＤＰＡ＋、ＨＳＵＰＡ＋、ＥＤＧＥ、ＧＳＭ、ＧＰＳ、ＧＰＲＳ、ＣＤＭＡ、ＴＤＭＡ、ＤＥＣＴ、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ、３Ｇ、４Ｇ、５Ｇ、及びそれ以降のものとして指定された任意の他の無線及び有線プロトコルが含まれるが、これらに限定されるものではなく、これら以外にも、その他の異なる多数の無線又は有線標準やプロトコルのうち任意のものが含まれてもよい。また、ネットワーク関連部品１０３０をチップ関連部品１０２０と併せて互いに組み合わせてもよいことは言うまでもない。
【0016】
その他の部品１０４０としては、高周波インダクタ、フェライトインダクタ、パワーインダクタ、フェライトビーズ、ＬＴＣＣ（ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ－Ｆｉｒｉｎｇ Ｃｅｒａｍｉｃｓ）、ＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）フィルタ、ＭＬＣＣ（Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃｏｎｄｅｎｓｅｒ）などが含まれる。但し、これらに限定されるものではなく、これら以外にも、その他の異なる様々な用途のために使用されるチップ部品形態の受動素子などが含まれてもよい。また、その他の部品１０４０をチップ関連部品１０２０及び／又はネットワーク関連部品１０３０と互いに組み合わせてもよいことは言うまでもない。
【0017】
電子機器１０００の種類に応じて、電子機器１０００は、メインボード１０１０に物理的及び／又は電気的に連結されているか又はされていない他の電子部品を含むことができる。他の電子部品の例としては、カメラモジュール１０５０、アンテナモジュール１０６０、ディスプレイ１０７０、バッテリ１０８０などがある。但し、これらに限定されるものではなく、オーディオコーデック、ビデオコーデック、電力増幅器、羅針盤、加速度計、ジャイロスコープ、スピーカ、大容量記憶装置（例えば、ハードディスクドライブ）、ＣＤ（ｃｏｍｐａｃｔ ｄｉｓｋ）、ＤＶＤ（ｄｉｇｉｔａｌ ｖｅｒｓａｔｉｌｅ ｄｉｓｋ）などであってもよい。これら以外にも、電子機器１０００の種類に応じて様々な用途のために使用されるその他の電子部品などが含まれてもよいことは言うまでもない。
【0018】
電子機器１０００は、スマートフォン（ｓｍａｒｔ ｐｈｏｎｅ）、個人用情報端末機（ｐｅｒｓｏｎａｌ ｄｉｇｉｔａｌ ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、デジタルビデオカメラ（ｄｉｇｉｔａｌ ｖｉｄｅｏ ｃａｍｅｒａ）、デジタルスチルカメラ（ｄｉｇｉｔａｌ ｓｔｉｌｌ ｃａｍｅｒａ）、ネットワークシステム（ｎｅｔｗｏｒｋ ｓｙｓｔｅｍ）、コンピュータ（ｃｏｍｐｕｔｅｒ）、モニタ（ｍｏｎｉｔｏｒ）、タブレット（ｔａｂｌｅｔ）、ラップトップ（ｌａｐｔｏｐ）、ネットブック（ｎｅｔｂｏｏｋ）、テレビ（ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ）、ビデオゲーム（ｖｉｄｅｏ ｇａｍｅ）、スマートウォッチ（ｓｍａｒｔ ｗａｔｃｈ）、オートモーティブ（Ａｕｔｏｍｏｔｉｖｅ）などであってもよい。但し、これらに限定されるものではなく、これら以外にも、データを処理する任意の他の電子機器であってもよいことは言うまでもない。
【0019】
図２は、電子機器の一例を概略的に示す斜視図である。
【0020】
図面を参照すると、電子機器は、例えば、スマートフォン１１００であってもよい。スマートフォン１１００の内部には、マザーボード１１１０が収容されており、このようなマザーボード１１１０には、様々な部品１１２０が物理的及び／又は電気的に連結されている。また、カメラモジュール１１３０及び／又はスピーカ１１４０のようにマザーボード１１１０に物理的及び／又は電気的に連結されているか又はされていない他の部品が内部に収容されている。部品１１２０の一部は、上述したチップ関連部品であってもよく、例えば、部品パッケージ１１２１であってもよいが、これに限定されるものではない。部品パッケージ１１２１は、能動部品及び／又は受動部品を含む電子部品が表面実装配置されたプリント回路基板の形態であってもよい。あるいは、部品パッケージ１１２１は、能動部品及び／又は受動部品が内蔵されたプリント回路基板の形態であってもよい。一方、電子機器は必ずしもスマートフォン１１００に限定されるものではなく、上述したように他の電子機器であってもよいことは言うまでもない。
【0021】
プリント回路基板
図３は、プリント回路基板の一例を概略的に示す断面図である。
図３は、プリント回路基板の一例を概略的に示す断面図である。
【0022】
図面を参照すると、一例によるプリント回路基板１００Ａは、基板１１１、基板１１１の上面及び下面の間を貫通する貫通部Ｃ、貫通部Ｃ内に少なくとも一部が配置された磁性体層１４０、並びに磁性体層１４０の上面及び下面の間を貫通する第１貫通孔Ｈ１、第１貫通孔Ｈ１内に配置された第１貫通ビア層１５１ａと磁性体層１４０の上面上に配置され、第１貫通ビア層１５１ａの上端部の少なくとも一部を覆う第１パターン層１５２ａと磁性体層１４０の下面上に配置され、第１貫通ビア層１５１ａの下端部の少なくとも一部を覆う第２パターン層１５３ａを含む第１貫通ビア１５０Ａを含むことができる。このとき、第１貫通ビア層１５１ａは、第１貫通孔Ｈ１の壁面と接触することができる。また、第１パターン層１５２ａの少なくとも一部は磁性体層１４０の上面と接触することができる。また、第２パターン層１５３ａの少なくとも一部は磁性体層１４０の下面と接触することができる。例えば、第１貫通ビア１５０Ａは磁性体層１４０に直接形成されてもよい。
【0023】
例えば、一例によるプリント回路基板１００Ａは、コア層に該当する基板１１１の貫通部Ｃに磁性体層１４０を配置し、磁性体層１４０に第１貫通ビア１５０Ａを直接形成して、磁性体層１４０を囲む形態のインダクタを形成することができる。したがって、インダクタの電気特性を向上させることができる。例えば、プリント回路基板１００Ａ内でインダクタのインダクタンスを向上させることができる。また、プリント回路基板１００Ａのスリム化及び集積化を高めることができる。また、埋め込み工程を省略することができるため、別途の絶縁材でインダクタを固定する必要がないことから、工程コストの削減が可能であり、全厚さを十分に減少させることができる。一方、貫通部Ｃは複数個であってもよく、それぞれの貫通部Ｃには磁性体層１４０が配置されてもよく、磁性体層１４０のそれぞれは第１貫通孔Ｈ１を有してもよい。したがって、磁性体層１４０のそれぞれには、上述した第１貫通ビア１５０Ａを形成することができる。例えば、プリント回路基板１００Ａには複数の第１貫通ビア１５０Ａが形成されてもよい。このとき、複数の第１貫通ビア１５０Ａは、第１及び／又は第２パターン層１５２ａ、１５３ａを介して互いに連結されるか、あるいは後述する第１及び／又は第２配線層１２１、１２２と第１及び／又は第２ビア層１３１、１３２を介して互いに連結されて、一つ以上のコイル部を形成することができる。したがって、インダクタのインダクタンスをより効果的に向上させることができ、電気特性をより効果的に向上させることができる。
【0024】
一方、一例によるプリント回路基板１００Ａは、基板１１１の上面及び下面の間を貫通する第２貫通孔Ｈ２、並びに第２貫通孔Ｈ２内に配置された第２貫通ビア層１６１ａと基板１１１の上面上に配置され、第２貫通ビア層１６１ａの上端部の少なくとも一部を覆う第３パターン層１６２ａと基板１１１の下面上に配置され、第２貫通ビア層１６１ａの下端部の少なくとも一部を覆う第４パターン層１６３ａを含む第２貫通ビア１６０をさらに含むことができる。このとき、第２貫通ビア層１６０Ａは、第２貫通孔Ｈ２の壁面と接触することができる。また、第３パターン層１６２ａの少なくとも一部は基板１１１の上面と接触することができる。また、第４パターン層１６３ａの少なくとも一部は基板１１１の下面と接触することができる。例えば、第２貫通ビア１６０Ａは基板１１１に直接形成されてもよい。
【0025】
例えば、一例によるプリント回路基板１００Ａは、コア層に該当する基板１１１に第２貫通ビア１６０Ａを直接形成することができる。これにより、基板１１１に配線の電気的連結経路を形成することができる。したがって、プリント回路基板１００Ａの設計自由度を高めることができる。また、プリント回路基板１００Ａのスリム化及び集積化を高めることができる。また、第１貫通ビア１５０Ａと同時に形成することができるため、工程コストの削減が可能であり、上述したように全厚さを十分に減少させることができる。一方、必要に応じて、基板１１１に第２貫通孔Ｈ２が複数個形成されてもよく、例えば、第２貫通ビア１６０Ａが複数個形成されてもよい。このとき、複数の第２貫通ビア１６０Ａは、第３及び／又は第４パターン層１６２ａ、１６３ａを介して互いに連結されるか、あるいは後述する第１及び／又は第２ビア層１３１、１３２を介して第１及び／又は第２配線層１２１、１２２とそれぞれ設計に合わせて連結されることができる。したがって、配線の電気的連結経路をより多様に形成することができ、設計自由度をより向上させることができる。
【0026】
一方、一例によるプリント回路基板１００Ａは、基板１１１及び磁性体層１４０のそれぞれの上面上に配置され、第１及び第３パターン層１５２ａ、１６２ａのそれぞれの少なくとも一部を覆う第１絶縁層１１２、基板１１１及び磁性体層１４０のそれぞれの下面上に配置され、第２及び第４パターン層１５２ｂ、１６２ｂのそれぞれの少なくとも一部を覆う第２絶縁層１１３、第１絶縁層１１２の上面上に配置された第１配線層１２１、第２絶縁層１１３の下面上に配置された第２配線層１２２、第１絶縁層１１２の少なくとも一部を貫通し、第１及び第３パターン層１５２ａ、１６２ａのうち少なくとも一つを第１配線層１２１の少なくとも一部と連結する第１ビア層１３１、並びに第２絶縁層１１３の少なくとも一部を貫通し、第２及び第４パターン層１５３ａ、１６３ａのうち少なくとも一つを第２配線層１２２の少なくとも一部と連結する第２ビア層１３２をさらに含むことができる。必要に応じて、第１絶縁層１１２の上面上に配置され、第１配線層１２１の少なくとも一部をそれぞれ露出させる複数の第１開口ｏ１を有する第１レジスト層１７１、及び第２絶縁層１１３の下面上に配置され、第２配線層１２２の少なくとも一部をそれぞれ露出させる複数の第２開口ｏ２を有する第２レジスト層１７２をさらに含むことができる。
【0027】
例えば、一例によるプリント回路基板１００Ａは、ビルドアップ工程によって実現される多層パッケージ基板の形態を有することができる。これにより、より多様な配線設計が可能になり得る。また、上述したように、複数の第１貫通ビア１５０Ａが第１及び／又は第２配線層１２１、１２２と第１及び／又は第２ビア層１３１、１３２を介して互いに連結され、一つ以上のコイル部を形成することができる。また、上述したように、第１及び第２配線層１２１、１２２、並びに第１及び第２ビア層１３１、１３２が第２貫通ビア１６０Ａ、例えば、複数の第２貫通ビア１６０Ａを介して互いに連結されてもよい。したがって、上側構成と下側構成との間に様々な電気的連結経路が提供されることができる。
【0028】
一方、第１貫通ビア層１５１ａは、第１貫通孔Ｈ１の壁面上に配置された第１－１金属層ｍ１と、第１－１金属層ｍ１上に配置された第２金属層ｍ２と、第１－２金属層ｍ２の間の空間の少なくとも一部を充填する第１充填材ｐを含むことができる。また、第１パターン層１５２ａは、磁性体層１４０の上面上に配置された第１－１金属層ｍ１と、第１－１金属層ｍ１上に配置された第１－２金属層ｍ２と、第１－２金属層ｍ２の間の空間の少なくとも一部を充填する第１充填材ｐと、第１－２金属層ｍ２及び第１充填材ｐのそれぞれの上面上に配置された第１－３金属層ｍ３を含むことができる。また、第１－２パターン層１５３ａは、磁性体層１４０の下面上に配置された第１－１金属層ｍ１と、第１－１金属層ｍ１上に配置された第１－２金属層ｍ２と、第１－２金属層ｍ２の間の空間の少なくとも一部を充填する第１充填材ｐと、第１－２金属層ｍ２及び第１充填材ｐのそれぞれの下面上に配置された第１－４金属層ｍ４を含むことができる。
【0029】
また、第２貫通ビア層１６１ａは、第２貫通孔Ｈ２の壁面上に配置された第２－１金属層ｍ１と、第２－１金属層ｍ１上に配置された第２－２金属層ｍ２と、第２～２金属層ｍ２の間の空間の少なくとも一部を充填する第２充填材ｐを含むことができる。また、第３パターン層１６２ａは、基板１１１の上面上に配置された第２－１金属層ｍ１と、第２－１金属層ｍ１上に配置された第２－２金属層ｍ２と、第２－２金属層ｍ２の間の空間の少なくとも一部を充填する第２充填材ｐと、第２－２金属層ｍ２及び第２充填材ｐのそれぞれの上面上に配置された第２－３金属層ｍ３を含むことができる。また、第４パターン層１６３ａは、基板１１１の下面上に配置された第２－１金属層ｍ１と、第２－１金属層ｍ１上に配置された第２－２金属層ｍ２と、第２－２金属層ｍ２の間の空間の少なくとも一部を充填する第２充填材ｐと、第２－２金属層ｍ２及び第２充填材ｐのそれぞれの下面上に配置された第２－４金属層ｍ４を含むことができる。
【0030】
また、第２－１金属層ｍ１は、第１－１金属層ｍ１と実質的に同じ金属層であってもよい。例えば、それぞれ第１金属層ｍ１であってもよく、説明の便宜上、第１－１及び第１－２金属層ｍ１に区分してもよい。第２－２金属層ｍ２は、第１－２金属層ｍ２と実質的に同じ金属層であってもよく、例えば、それぞれ第２金属層ｍ２であってもよく、説明の便宜上、第１－２及び第２－２金属層ｍ２に区分してもよい。第２－３金属層ｍ３は、第１－３金属層ｍ３と実質的に同じ金属層であってもよく、例えば、それぞれ第３金属層ｍ３であってもよく、説明の便宜上、第１－３及び第２－３金属層ｍ３に区分してもよい。第２－４金属層ｍ４は、第１－４金属層ｍ４と実質的に同じ金属層であってもよく、例えば、それぞれ第４金属層ｍ４であってもよく、説明の便宜上、第１－４及び第２－４金属層ｍ４に区分してもよい。また、第２充填材ｐは、第１充填材ｐと実質的に同じ充填材であってもよい。例えば、それぞれ充填材ｐであってもよく、説明の便宜上、第１及び第２充填材ｐに区分してもよい。
【0031】
例えば、第１金属層ｍ１は、第１及び第２貫通ビア層１５１ａ、１６１と第１～第４パターン層１５２ａ、１５３ａ、１６２ａ、１６３ａを形成するためのシード層であってもよく、薄い厚さで実質的に一定にコンフォーマルに形成されてもよい。一方、第１金属層ｍ１は複数の層で構成されてもよく、例えば、チタン（Ｔｉ）層、銅（Ｃｕ）層などを含んでもよいが、これに限定されるものではない。また、第２金属層ｍ２は、第１及び第２貫通ビア層１５１ａ、１６１と第１～第４パターン層１５２ａ、１５３ａ、１６２ａ、１６３ａを形成するためのめっき層であってもよく、第１金属層ｍ１よりも厚い厚さで実質的に一定にコンフォーマルに形成されてもよい。一方、第２金属層ｍ２は一つの層で構成されてもよく、例えば、銅（Ｃｕ）層を含んでもよいが、これに限定されるものではない。また、第３及び第４金属層ｍ３、ｍ４は、第１～第４パターン層１５２ａ、１５３ａ、１６２ａ、１６３ａを形成するためのキャップめっき層であってもよく、それぞれ第１金属層ｍ１よりも厚い厚さで実質的に一定にコンフォーマルに形成されてもよい。一方、第３及び第４金属層ｍ３、ｍ４はそれぞれ一つの層で構成されてもよく、例えば、それぞれ銅（Ｃｕ）層を含んでもよいが、これに限定されるものではない。
【0032】
また、第１貫通孔Ｈ１の壁面は、磁性体層１４０の上面及び下面のうち少なくとも一つを基準として実質的に垂直であってもよい。また、第２貫通孔Ｈ２の壁面は、基板１１１の上面及び下面のうち少なくとも一つを基準として実質的に垂直であってもよい。
【0033】
例えば、第１及び第２貫通孔Ｈ１、Ｈ２は、それぞれ断面上において実質的に側面が垂直な柱形状を有することができ、平面上において円形状、楕円形状、四角形状など様々な形状を有することができる。
【0034】
一方、磁性体層１４０は、基板１１１の貫通部Ｃの壁面と接触することができる。例えば、磁性体層１４０は、磁性体樹脂で基板１１１の貫通部Ｃを充填して形成することができる。磁性体樹脂で基板１１１の貫通部Ｃを充填した後には、平坦化工程、例えば、研磨工程を行うことができる。
【0035】
例えば、磁性体層１４０の上面及び下面は、基板１１１の上面及び下面とそれぞれ実質的に共面をなすことができる。この場合、基板１１１と磁性体層１４０から提供される上部面と下部面が平坦な面であってもよい。したがって、微細回路パターンをより容易に形成することができる。例えば、第１～第４パターン層１５２ａ、１５３ａ、１６２ａ、１６３ａをよりファインピッチで形成することができる。また、その上にビルドアップ工程を行う際に、アンジュレーション等を最小化して、工程効率等を高めることができる。
【0036】
一方、基板１１１は、有機コア層、ガラスコア層、メタルコア層、シリコンコア層、又はセラミックコア層であってもよい。好ましくは、基板１１１は、ガラスコア層、シリコンコア層、セラミックコア層などの無機コア層であってもよく、より好ましくは、ガラスコア層であってもよいが、必ずしもこれに限定されるものではない。
【0037】
例えば、ガラスコア層を適用すると、コスト及び性能の面でより有利になり得る。例えば、ガラスはそれ自体が絶縁体であるため、別途の絶縁膜が不要であり、さらに、パネルとしての生産が可能であるため、低コストで工程の進行が可能であり得る。また、ガラスは平滑性と絶縁特性上、伝送ロスが少ない材料であるため、高周波の高速信号伝送用材料として容易に用いられることができる。例えば、ガラスは、誘電正接（１ＭＨｚ）が０．０００５～０．０００８程度で有機絶縁材の０．００２～０．０１００より低い。また、導体損失は配線抵抗、表皮効果、表面粗さが要因となることがあり、表皮効果は交流電流を流したとき、周波数が高いほど配線表面にのみ電流が流れて実抵抗が高くなる現象であり、１０ＧＨｚで０．７μｍ、１００ＧＨｚで０．２μｍと非常に薄い表皮粗さを有することができる。さらに、導体表面に凹凸があると、電流がその凹凸に沿って流れるため、電流が流れる距離が長くなり抵抗が増加することがあるが、ガラスは表面の粗さがほとんどないため、損失が少なくなり得る。したがって、このようなガラスコア層にインダクタ、例えば、ＭＣＩ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ Ｉｎｄｕｃｔｏｒ）などを直接形成する場合、上述した複合的な効果を全て有することができる。
【0038】
以下では、図面を参照して一例によるプリント回路基板１００Ａの構成要素についてより詳細に説明する。
【0039】
基板１１１はコア層であってもよい。例えば、有機コア層、ガラスコア層、メタルコア層、シリコンコア層、又はセラミックコア層を含むことができる。有機コア層は有機絶縁材を含むことができる。有機絶縁材は、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、ポリイミドのような熱可塑性樹脂、又は樹脂と共に無機フィラー、有機フィラー及び／又はガラス繊維（Ｇｌａｓｓ Ｆｉｂｅｒ、Ｇｌａｓｓ Ｃｌｏｔｈ、Ｇｌａｓｓ Ｆａｂｒｉｃ）を含む材料を含むことができる。例えば、有機絶縁材は、ＣＣＬ（Ｃｏｐｐｅｒ Ｃｌａｄ Ｌａｍｉｎａｔｅ）、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ－ｕｐ Ｆｉｌｍ）、ＰＰＧ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）などの非感光性絶縁材であってもよいが、これらに限定されるものではなく、それら以外にも他の高分子素材が用いられてもよい。ガラスコア層はガラス（ｇｌａｓｓ）を含むことができる。ガラスは、例えば、純粋な二酸化ケイ素（約１００％のＳｉＯ２）、ソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、アルミノケイ酸塩ガラス（ａｌｕｍｉｎｏ－ｓｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ）などを含むことができる。但し、これらに限定されるものではなく、代替的なガラス材料である、例えば、フッ素ガラス、リン酸ガラス、カルコゲンガラスなどもガラス層の材料として使用されてもよい。また、特定の物理的特性を有するガラスを形成するために、その他の添加剤をさらに含むこともできる。このような添加剤は、炭酸カルシウム（例えば、石灰）及び炭酸ナトリウム（例えば、ソーダ）だけでなく、マグネシウム、カルシウム、マンガン、アルミニウム、鉛、ホウ素、鉄、クロム、カリウム、硫黄及びアンチモンと、このような元素、並びに他の元素の炭酸塩及び／又は酸化物を含むことができる。ガラスは上述のガラス繊維とは区別されることができる。メタルコア層は金属を含むことができる。金属は、例えば、銅（Ｃｕ）、インバー（Ｉｎｖａｒ）などを含むことができるが、これに限定されるものではない。メタルコア層は、金属の上に形成された絶縁膜を含むこともできる。絶縁膜は、有機絶縁材又は無機絶縁材を含むことができる。シリコンコア層は純粋なシリコン（Ｓｉ）を含むことができる。必要に応じて、シリコンコア層は、シリコン（Ｓｉ）の上に形成された酸化層を含むこともできる。また、酸化層の上に形成された窒化層を含むこともできる。酸化層はシリコン酸化膜を含んでもよく、窒化層はシリコン窒化膜を含んでもよいが、これに限定されるものではない。セラミックコア層はセラミック材料を含むことができる。セラミック材料は、例えば、アルミナ（Ａｌ２０３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）などを含むことができるが、これらに限定されるものではない。
【0040】
第１及び第２絶縁層１１２、１１３は有機絶縁材を含むことができる。有機絶縁材は、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、ポリイミドのような熱可塑性樹脂、又は樹脂と共に無機フィラー、有機フィラー及び／又はガラス繊維（Ｇｌａｓｓ Ｆｉｂｅｒ、Ｇｌａｓｓ Ｃｌｏｔｈ、Ｇｌａｓｓ Ｆａｂｒｉｃ）を含む材料を含むことができる。例えば、有機絶縁材は、ＣＣＬ（Ｃｏｐｐｅｒ Ｃｌａｄ Ｌａｍｉｎａｔｅ）、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ－ｕｐ Ｆｉｌｍ）、ＰＰＧ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）などの非感光性絶縁材であってもよいが、これらに限定されるものではなく、それら以外にも他の高分子素材が用いられてもよい。第１及び第２絶縁層１１２、１１３は、互いに同一又は異なる有機絶縁材を含むことができる。第１及び第２絶縁層１１２、１１３は、それぞれ必要に応じて、複数の層で構成されてもよい。
【0041】
第１及び第２配線層１２１、１２２はそれぞれ金属物質を含むことができる。金属物質は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／又はこれらの合金などを含むことができる。好ましくは、銅（Ｃｕ）を含むことができるが、これに限定されるものではない。第１及び第２配線層１２１、１２２は、それぞれ設計デザインに応じて様々な機能を行うことができる。例えば、信号パターン、パワーパターン、グランドパターンなどを含むことができる。これらのパターンはそれぞれライン、プレーン、パッドなど様々な形態を有することができる。第１及び第２配線層１２１、１２２は、シード層とシード層上に形成されためっき層を含むことができる。シード層は無電解めっき層（又は化学銅）及び／又はスパッタリング層であってもよく、めっき層は電解めっき層（又は電気銅）であってもよいが、これに限定されるものではない。
【0042】
第１及び第２ビア層１３１、１３２はそれぞれ金属物質を含むことができる。金属物質は、上述したように、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／又はこれらの合金などを含むことができる。好ましくは、銅（Ｃｕ）を含むことができるが、これに限定されるものではない。第１及び第２ビア層１３１、１３２は、それぞれビアホールを充填するフィルドビア（ｆｉｌｌｅｄ ＶＩＡ）を含むことができるが、ビアホールの壁面に沿って配置されたコンフォーマルビア（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ ＶＩＡ）を含むこともできる。第１及び第２ビア層１３１、１３２は、設計デザインに応じて様々な機能を行うことができる。例えば、グランドビア、パワービア、信号ビアなどを含むことができる。第１及び第２ビア層１３１、１３２は、それぞれ互いに反対方向にテーパ形状の第１及び第２接続ビアを含むことができる。第１及び第２ビア層１３１、１３２はそれぞれ、無電解めっき層（又は化学銅）及び電解めっき層（又は電気銅）を含むことができる。無電解めっき層（又は化学銅）の代わりにスパッタリング層を含んでもよく、両方を含んでもよい。
【0043】
磁性体層１４０は磁性物質を含むことができる。磁性物質は、例えば、フェライト（ｆｅｒｒｉｔｅ）系物質、パーマロイ（ｐｅｒｍａｌｌｏｙ）系物質等を含むことができる。例えば、Ｎｉ系フェライト、Ｎｉ－Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ－Ｚｎ－Ｃｕ系フェライト、Ｆｅ－Ｓｉ－Ａｌ（Ｓｅｎｄｕｓｔ）、Ｎｉ－Ｍｏ－Ｆｅ（ＭＰＰ：Ｍｏｌｙｐｅｒｍａｌｌｏｙ Ｐｏｗｄｅｒ Ｃｏｒｅ）、Ｎｉ－Ｆｅ（Ｈｉｇｈ Ｆｌｕｘ Ｃｏｒｅ）等を含むことができるが、これらに限定されるものではなく、それら以外にも他の公知のフェライト系物質やパーマロイ系物質等を含むことができる。また、それら以外にも他の磁性粉末及び／又は磁性粒子を含む様々な種類の磁性物質が用いられてもよい。このような磁性物質はペーストや組成物タイプで貫通部Ｃを充填することができ、以後、硬化して磁性体層１４０となり得る。したがって、磁性体層１４０は貫通部Ｃの壁面と接触することができる。例えば、磁性体層１４０が基板１１１と接触してもよい。
【0044】
第１貫通ビア１５０Ａは、第１貫通ビア層１５１ａと、第１及び第２パターン層１５２ａ、１５３ａとを含むことができる。第１貫通ビア層１５１ａは、上述したように、第１及び第２金属層ｍ１、ｍ２と充填材ｐとを含むことができる。第１及び第２パターン層１５２ａ、１５３ａは、上述したように、第１～第４金属層ｍ１、ｍ２、ｍ３、ｍ４と充填材ｐとを含むことができる。第１金属層ｍ１は、スパッタリングで形成される第１層と無電解めっきで形成される第２層とを含むことができ、第１層はチタン（Ｔｉ）層と銅（Ｃｕ）層とを含むことができ、第２層は銅（Ｃｕ）層を含むことができるが、これに限定されるものではない。第２～第４金属層ｍ２、ｍ３、ｍ４はそれぞれ電解めっきで形成することができ、それぞれ銅（Ｃｕ）層を含むことができるが、これに限定されるものではない。充填材ｐはプラッギング材を含むことができる。プラッギング材は、エポキシなどの絶縁樹脂を含む絶縁インクを含むことができる。但し、これに限定されるものではなく、伝導性インクを含んでもよい。第１パターン層１５２ａ及び／又は第２パターン層１５３ａは基板１１１上に延びることができる。例えば、複数の第１貫通ビア１５０Ａのそれぞれの第１パターン層１５２ａ及び／又は第２パターン層１５３ａが互いに連結されてもよい。第１及び第２パターン層１５２ａ、１５３ａは、ラインパターン、パッドパターンを含むことができるが、これに限定されるものではない。一方、パッドのみが充填材ｐを含んでもよく、ラインは充填材ｐを含まなくてもよい。
【0045】
第２貫通ビア１６０Ａは、第２貫通ビア層１６１ａと、第３及び第４パターン層１６２ａ、１６３ａとを含むことができる。第２貫通ビア層１６１ａは、上述したように、第１及び第２金属層ｍ１、ｍ２と充填材ｐとを含むことができる。第３及び第４パターン層１６２ａ、１６３ａは、上述したように、第１～第４金属層ｍ１、ｍ２、ｍ３、ｍ４及び充填材ｐを含むことができる。第１～第４金属層ｍ１、ｍ２、ｍ３、ｍ４及び充填材ｐは、第１貫通ビア１５０Ａ等で説明したものと実質的に同一であり得る。第３及び第４パターン層１６２ａ、１６３ａは、それぞれ設計デザインに応じて様々な機能を行うことができる。例えば、信号パターン、パワーパターン、グランドパターンなどを含むことができる。これらのパターンはそれぞれライン、プレーン、パッドなど様々な形態を有することができる。一方、パッドのみが充填材ｐを含んでもよく、ライン、プレーンなどは充填材ｐを含まなくてもよい。
【0046】
第１及び第２レジスト層１７１、１７２は、液状又はフィルムタイプの半田レジスト（Ｓｏｌｄｅｒ Ｒｅｓｉｓｔ）を含むことができるが、これに限定されるものではなく、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ－ｕｐ Ｆｉｌｍ）等の他の有機絶縁材を含むこともできる。第１及び第２レジスト層１７１、１７２は、それぞれ第１及び第２開口ｏ１、ｏ２を有することができる。第１及び第２開口ｏ１、ｏ２はそれぞれ複数個であってもよい。第１及び第２開口ｏ１、ｏ２は、それぞれＳＭＤ（Ｓｏｌｄｅｒ Ｍａｓｋ Ｄｅｆｉｎｅｄ）及び／又はＮＳＭＤ（Ｎｏｎ Ｓｏｌｄｅｒ Ｍａｓｋ Ｄｅｆｉｎｅｄ）で形成されてもよい。第１及び第２開口ｏ１、ｏ２は、それぞれ第１及び第２配線層１２１、１２２の少なくとも一部を露出させることができ、露出したパターンの表面には表面処理層が配置されることができる。表面処理層は、電解金めっき、無電解金めっき、ＯＳＰ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｏｌｄｅｒａｂｉｌｉｔｙ Ｐｒｅｓｅｒｖａｔｉｖｅ）又は無電解錫めっき、無電解銀めっき、無電解ニッケルめっき／置換金めっき、ＤＩＧ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ Ｇｏｌｄ）めっき、ＨＡＳＬ（Ｈｏｔ Ａｉｒ Ｓｏｌｄｅｒ Ｌｅｖｅｌｉｎｇ）などによって形成されてもよい。
【0047】
必要に応じて、第１レジスト層１７１上には半導体チップが配置されてもよい。半導体チップは第１貫通ビア１５０Ａと電気的に連結されることができる。半導体チップは、例えば、数百～数百万個以上の素子が一つのチップ内に集積化された集積回路（ＩＣ：Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）ダイ（Ｄｉｅ）であってもよい。集積回路ダイはアクティブウエハをベースにして形成されたものであってもよく、この場合、それぞれの本体をなす母材としては、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）などが使用されてもよい。本体には様々な回路が形成されていてもよい。本体のフロント面には、外部の回路、例えば、信号、電気、グランドなどと連結されるための接続パッドが形成されてもよく、接続パッドはアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）などの導電性物質を含んでもよい。
【0048】
【0049】
図４ａを参照すると、基板１１１を準備することができる。基板１１１は、有機コア層、ガラスコア層、メタルコア層、シリコンコア層、又はセラミックコア層を含むことができ、より好ましくは、ガラスコア層を含むことができる。基板１１１がガラスコア層を含む場合には、ガラス板（ｇｌａｓｓ ｐｌａｔｅ）等を準備してもよい。
【0050】
図４ｂを参照すると、基板１１１に複数のホールｈ１、ｈ２を形成することができる。複数のホールｈ１、ｈ２は、後述する貫通部Ｃや第２貫通孔Ｈ２を形成する際に用いられることができる。複数のホールｈ１、ｈ２はレーザ加工などにより形成することができる。
【0051】
図４ｃを参照すると、基板１１１に貫通部Ｃ及び第２貫通孔Ｈ２を形成することができる。貫通部Ｃ及び第２貫通孔Ｈ２は、基板１１１に予め形成された複数のホールｈ１、ｈ２を拡張する方法で形成することができる。例えば、化学的エッチングにより複数のホールｈ１、ｈ２を拡張して貫通部Ｃ及び第２貫通孔Ｈ２を形成することができる。必要に応じて、貫通部Ｃは複数個形成してもよい。
【0052】
図４ｄを参照すると、貫通部Ｃに磁性体層１４０を形成することができる。例えば、磁性体ペースト又は磁性体組成物を用いて貫通部Ｃを充填し、これを硬化させて磁性体層１４０を形成することができる。貫通部Ｃが複数個ある場合、それぞれの貫通部Ｃに磁性体層１４０を形成することができる。
【0053】
図４ｅを参照すると、磁性体層１４０を平坦化することができる。例えば、磁性体層１４０の上面及び下面がそれぞれ基板１１１の上面及び下面と実質的に共面をなすように研磨工程を行うことができる。磁性体層１４０が複数個ある場合、実質的に同様に、研磨工程により平坦化することができる。
【0054】
図４ｆを参照すると、磁性体層１４０に第１貫通孔Ｈ１を形成することができる。第１貫通孔Ｈ１は、機械的ドリル等により形成することができる。磁性体層１４０が複数個ある場合、それぞれの磁性体層１４０に第１貫通孔Ｈ１を形成することができる。
【0055】
図４ｇを参照すると、基板１１１と磁性体層１４０と第１及び第２貫通孔Ｈ１、Ｈ２に、第１及び第２金属層ｍ１、ｍ２を形成することができる。例えば、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）などを材料としてスパッタリングを行い、第１金属層ｍ１を形成することができる。必要に応じて、スパッタリング後に無電解めっきを行うことができる。例えば、第１金属層ｍ１は化学銅も含むことができる。次に、銅（Ｃｕ）などを材料として電解めっきを行い、第２金属層ｍ２を形成することができる。第１及び第２金属層ｍ１、ｍ２はコンフォーマルに形成することができる。第２金属層ｍ２は、第１金属層ｍ１よりも厚く形成されてもよい。
【0056】
図４ｈを参照すると、第１及び第２貫通孔Ｈ１、Ｈ２内の第２金属層ｍ２の間の空間を充填材ｐで充填することができる。充填材ｐは、第２金属層ｍ２の上面及び下面から外れるように突出することができる。充填材ｐは、プラッギング工程で形成することができる。
【0057】
図４ｉを参照すると、充填材ｐを平坦化することができる。例えば、充填材ｐの上面及び下面のそれぞれが第２金属層ｍ２の上面及び下面のそれぞれと実質的に共面をなすように研磨工程を行うことができる。
【0058】
図４ｊを参照すると、第２金属層ｍ２と充填材ｐの上側及び下側にそれぞれ、これらを覆う第３及び第４金属層ｍ３、ｍ４を形成することができる。第３及び第４金属層ｍ３、ｍ４は、それぞれ銅（Ｃｕ）等を材料として電解めっきで形成することができる。
【0059】
図４ｋを参照すると、第１及び第２貫通ビア１５０Ａ、１６０Ａを形成することができる。例えば、化学的エッチングにより第１～第４金属層ｍ１、ｍ２、ｍ３、ｍ４をパターニングして、第１～第４パターン層１５２ａ、１５３ａ、１６２ａ、１６３ａを形成することができる。これにより、上述した第１及び第２貫通ビア１５０Ａ、１６０Ａが形成できる。
【0060】
図４ｌを参照すると、ビルドアップ工程等で、第１及び第２絶縁層１１２、１１３と第１及び第２配線層１２１、１２２と第１及び第２ビア層１３１、１３２を、必要な層数だけ形成することができる。また、第１及び第２レジスト層１７１、１７２を形成することができる。また、第１及び第２レジスト層１７１、１７２にそれぞれ複数の第１及び第２開口ｏ１、ｏ２を形成することができる。一方、第１及び第２絶縁層１１２、１１３はラミネーション工程等で形成することができ、第１及び第２配線層１２１、１２２と第１及び第２ビア層１３１、１３２はビアホール加工後、めっき工程で形成することができ、第１及び第２レジスト層１７１、１７２は、ラミネーション工程又は液状材料のコーティング工程等で形成することができる。また、複数の第１及び第２開口ｏ１、ｏ２は、第１及び第２レジスト層１７１、１７２の材料に応じて、フォトリソグラフィ工程やレーザドリル等により形成することができる。
【0061】
一連の過程を通じて、上述した一例によるプリント回路基板１００Ａを製造することができ、その他の説明は、上述した一例によるプリント回路基板１００Ａで説明したものと実質的に同一であり得るため、重複説明は省略する。
【0062】
図５は、プリント回路基板の他の一例を概略的に示す断面図である。
【0063】
図面を参照すると、他の一例によるプリント回路基板１００Ｂは、上述した一例によるプリント回路基板１００Ａと比較して、第１及び第２貫通孔Ｈ１、Ｈ２と、これに形成される第１及び第２貫通ビア１５０Ｂ、１６０Ｂとが異なる形態を有することができる。例えば、第１及び第２貫通孔Ｈ１、Ｈ２のそれぞれの壁面は、磁性体層１４０及び基板１１１のそれぞれの上面及び／又は下面を基準として傾斜を有する傾斜面を複数個有してもよい。例えば、第１及び第２貫通孔Ｈ１、Ｈ２は、それぞれ断面上において砂時計形状を有してもよいが、これに限定されるものではない。また、第１及び第２貫通ビア１５０Ｂ、１６０Ｂの第１及び第２貫通ビア層１５１ｂ、１６１ｂは、それぞれ第１及び第２貫通孔Ｈ１、Ｈ２の壁面上に配置された第１金属層ｍ１及び第１金属層ｍ１上に配置され、充填材なしに第１及び第２貫通孔Ｈ１、Ｈ２のそれぞれの少なくとも一部を充填する第２金属層ｍ２を含むことができる。このとき、第１金属層ｍ１は、説明の便宜上、上述のように第１－１及び第１－２金属層ｍ１に区分してもよく、第２金属層ｍ２は、説明の便宜上、上述したように第１－２及び第２－２金属層ｍ２に区分してもよい。また、第１貫通ビア１５０Ｂの第１及び第２パターン層１５２ｂ、１５３ｂは、それぞれ磁性体層１４０の上面及び下面上に配置された第１金属層ｍ１と第１金属層ｍ１上に配置された第２金属層ｍ２とを含んでもよく、第２金属層ｍ２上には別途のキャップめっきが省略されてもよい。また、第２貫通ビア１６０Ｂの第３及び第４パターン層１６２ｂ、１６３ｂは、それぞれ基板１１１の上面及び下面上に配置された第１金属層ｍ１と第１金属層ｍ１上に配置された第２金属層ｍ２とを含んでもよく、第２金属層ｍ２上には別途のキャップめっきが省略されてもよい。
【0064】
例えば、他の一例によるプリント回路基板１００Ｂの場合、一例によるプリント回路基板１００Ａに比べてめっき時間が長くなる可能性があるが、第１～第４パターン層１５２ｂ、１５３ｂ、１６２ｂ、１６３ｂの厚さが薄くなることができる。したがって、微細回路の形成にはより有利になり得る。また、第１及び第２貫通ビア層１５１ｂ、１６１ｂ内の第２金属層ｍ２の厚さがより厚くなるため、インダクタ等の機能をより向上させることができる。
【0065】
その他の説明は、上述した一例によるプリント回路基板１００Ａで説明したものと実質的に同一であり得るため、重複説明は省略する。
【0066】
【0067】
図６ａを参照すると、基板１１１を準備することができる。基板１１１は、有機コア層、ガラスコア層、メタルコア層、シリコンコア層、又はセラミックコア層を含むことができ、より好ましくは、ガラスコア層を含むことができる。基板１１１がガラスコア層を含む場合には、ガラス板（ｇｌａｓｓ ｐｌａｔｅ）等を準備してもよい。
【0068】
図６ｂを参照すると、基板１１１に複数のホールｈ１、ｈ２を形成することができる。複数のホールｈ１、ｈ２は、後述する貫通部Ｃや第２貫通孔Ｈ４を形成する際に用いられることができる。複数のホールｈ１、ｈ２はレーザ加工などにより形成することができる。
【0069】
図６ｃを参照すると、基板１１１に貫通部Ｃ及び第２貫通孔Ｈ２を形成することができる。貫通部Ｃ及び第２貫通孔Ｈ２は、基板１１１に予め形成された複数のホールｈ１、ｈ２を拡張する方法で形成することができる。例えば、化学的エッチングにより複数のホールｈ１、ｈ２を拡張して貫通部Ｃ及び第２貫通孔Ｈ２を形成することができる。必要に応じて、貫通部Ｃは複数個形成してもよい。
【0070】
図６ｄを参照すると、貫通部Ｃに磁性体層１４０を形成することができる。例えば、磁性体ペースト又は磁性体組成物を用いて貫通部Ｃを充填し、これを硬化させて磁性体層１４０を形成することができる。貫通部Ｃが複数個ある場合、それぞれの貫通部Ｃに磁性体層１４０を形成することができる。
【0071】
図６ｅを参照すると、磁性体層１４０を平坦化することができる。例えば、磁性体層１４０の上面及び下面がそれぞれ基板１１１の上面及び下面と実質的に共面をなすように研磨工程を行うことができる。磁性体層１４０が複数個ある場合、実質的に同様に、研磨工程により平坦化することができる。
【0072】
図６ｆを参照すると、磁性体層１４０に第１貫通孔Ｈ１を形成することができる。第１貫通孔Ｈ１は、機械的ドリル等により形成することができる。磁性体層１４０が複数個ある場合、それぞれの磁性体層１４０に第１貫通孔Ｈ１を形成することができる。
【0073】
図６ｇを参照すると、基板１１１と磁性体層１４０と第１及び第２貫通孔Ｈ１、Ｈ２に、第１金属層ｍ１を形成することができる。例えば、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）などを材料としてスパッタリングを行い、第１金属層ｍ１を形成することができる。必要に応じて、スパッタリング後に無電解めっきを行うことができる。例えば、第１金属層ｍ１は化学銅も含むことができる。
【0074】
図６ｈを参照すると、銅（Ｃｕ）などを材料として電解めっきを行い、第２金属層ｍ２を形成することができる。第２金属層ｍ２はフィルめっきで行われることができる。
【0075】
図６ｉを参照すると、第１及び第２貫通ビア１５０Ｂ、１６０Ｂを形成することができる。例えば、化学的エッチングにより第１及び第２金属層ｍ１、ｍ２をパターニングして、第１～第４パターン層１５２ｂ、１５３ｂ、１６２ｂ、１６３ｂを形成することができる。これにより、上述した第１及び第２貫通ビア１５０Ｂ、１６０Ｂが形成できる。
【0076】
図６ｊを参照すると、ビルドアップ工程等で、第１及び第２絶縁層１１２、１１３と第１及び第２配線層１２１、１２２と第１及び第２ビア層１３１、１３２を、必要な層数だけ形成することができる。また、第１及び第２レジスト層１７１、１７２を形成することができる。また、第１及び第２レジスト層１７１、１７２にそれぞれ複数の第１及び第２開口ｏ１、ｏ２を形成することができる。一方、第１及び第２絶縁層１１２、１１３はラミネーション工程等で形成することができ、第１及び第２配線層１２１、１２２と第１及び第２ビア層１３１、１３２はビアホール加工後、めっき工程で形成することができ、第１及び第２レジスト層１７１、１７２は、ラミネーション工程又は液状材料のコーティング工程等で形成することができる。また、複数の第１及び第２開口ｏ１、ｏ２は、第１及び第２レジスト層１７１、１７２の材料に応じて、フォトリソグラフィ工程やレーザドリル等により形成することができる。
【0077】
一連の過程を通じて、上述した他の一例によるプリント回路基板１００Ｂを製造することができ、その他の説明は、上述した一例によるプリント回路基板１００Ａと他の一例によるプリント回路基板１００Ｂで説明したものと実質的に同一であり得るため、重複説明は省略する。
【0078】
【0079】
図７ａを参照すると、コイル部ｃは、一列に平行に配列される複数のコイルｃ１、ｃ２を含むことができる。複数のコイルｃ１、ｃ２は互いに離隔して配置されることができる。複数のコイルｃ１、ｃ２の間には他の配線が配置されてもよい。
【0080】
図７ｂを参照すると、コイル部ｃは、一列に配列された後、右で曲げられて再び一列に配列されるコイルｃ３を含むこともできる。
【0081】
図７ｃを参照すると、コイル部ｃは、上下に繰り返して曲げられるように配列されるコイルｃ４を含むこともできる。
【0082】
図７ｄを参照すると、コイル部ｃは、一方向に傾斜した形態で繰り返して配列されるコイルｃ５を含むこともできる。
【0083】
図７ｅを参照すると、コイル部ｃは、一方向に傾斜した形態で繰り返して配列された後、右で曲げられ、再び反対方向に傾斜した形態で繰り返して配列されるコイルｃ６を含むこともできる。
【0084】
図７ｆを参照すると、コイル部ｃは、Ｘ字状に繰り返して配列されるコイルｃ７を含むこともできる。
【0085】
例えば、上述したプリント回路基板１００Ａ、１００Ｂには、様々な形態のコイルｃ１、ｃ２、ｃ３、ｃ４、ｃ５、ｃ６、ｃ７を含むコイル部ｃが適用されてもよい。但し、コイル部ｃの形態が上述した例に限定されるものではない。
【0086】
その他の説明は、上述した一例によるプリント回路基板１００Ａと他の一例によるプリント回路基板１００Ｂで説明したものと実質的に同一であり得るため、重複説明は省略する。
【0087】
本発明において、「覆う」という表現は、全体的に覆う場合だけでなく、少なくとも一部を覆う場合を含むことができ、さらに、直接覆う場合だけでなく、間接的に覆う場合も含むことができる。また、「充填する」という表現は、完全に充填する場合だけでなく、少なくとも一部を充填する場合を含むことができ、また概ね充填する場合を含むことができる。例えば、一部の空隙やボイドなどが存在する場合を含むことができる。また、「囲む」という表現は、完全に囲む場合だけでなく、一部を囲む場合及び概ね囲む場合を含むことができる。さらに、「露出させる」とは、完全に露出させる場合だけでなく一部を露出させる場合を含むことができ、「露出」は、当該構成を埋め込むことから露出することを意味することができる。例えば、開口がパッドを露出させることは、レジスト層からパッドを露出させることを意味するものであり、露出したパッド上には表面処理層などがさらに配置されることができる。
【0088】
本発明において、「貫通部又は貫通孔内に配置される」とは、対象物が完全に貫通部又は貫通孔内に配置される場合だけでなく、断面上において上側又は下側に一部突出する場合を含むことができる。例えば、平面上において貫通部又は貫通孔内に配置される場合であれば、より広い意味で判断することができる。
【0089】
本発明において、実質的には、製造工程上で発生する工程誤差や位置偏差、測定時の誤差などを含めて判断することができる。例えば、「実質的に垂直である」とは、完全に垂直な場合だけでなく、ほぼ垂直な場合を含むことができる。また、「実質的に共面をなす」とは、完全に同一平面に存在する場合だけでなく、ほぼ同一平面に存在する場合も含むことができる。
【0090】
本発明において、「同じ絶縁材」とは、完全に同一の絶縁材である場合だけでなく、同じタイプの絶縁材を含む意味であることができる。したがって、絶縁材の組成は実質的に同一であるものの、それらの具体的な組成比は少しずつ異なる場合がある。
【0091】
本発明において、断面上における意味は、対象物を垂直に切断したときの断面形状、又は対象物を垂直に切断したときの断面形状、又は対象物をサイドビューで見たときの断面形状を意味することができる。また、平面上における意味は、対象物を水平に切断したときの平面形状、又は対象物をトップビュー又はボトムビューで見たときの平面形状を意味することができる。
【0092】
本発明において、「下側、下部、下面」などは、便宜上、図面の断面を基準として下方の方向を意味するものとして使用し、「上側、上部、上面」などは、その反対方向を意味するものとして使用している。但し、これは説明の便宜上、方向を定義したものであり、特許請求の範囲の権利範囲がこのような方向に対する記載によって特に限定されるものではないことは勿論であり、上／下の概念はいつでも変更することができる。
【0093】
本発明において、「連結される」とは、直接連結されることだけでなく、接着剤層などを介して間接的に連結されることを含む概念である。また、「電気的に連結される」とは、物理的に連結された場合及び連結されていない場合の両方を含む概念である。さらに、「第１、第２」などの表現は、ある構成要素と他の構成要素とを区分するために使用されるものであって、当該構成要素の順序及び／又は重要度などを限定しない。場合によっては、権利範囲を逸脱しない範囲内で、第１構成要素は第２構成要素と命名されてもよく、同様に、第２構成要素は第１構成要素と命名されてもよい。
【0094】
本発明で使用される「一例」という表現は、互いに同じ実施形態を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかし、上記提示された一例は、他の一例の特徴と結合して実現されることを排除しない。例えば、特定の一例で説明された事項が、他の一例に説明されていなくても、他の一例において、その事項と反対又は矛盾する説明がない限り、他の一例に関連する説明として理解することができる。
【0095】
本発明で使用される用語は、単に一例を説明するために使用されたものであり、本発明を限定しようとする意図ではない。このとき、単数の表現は、文脈上明らかに異なる意味ではない限り、複数の表現を含む。
【符号の説明】
【0096】
１０００ 電子機器
１０１０ メインボード
１０２０ チップ関連部品
１０３０ ネットワーク関連部品
１０４０ その他の部品
１０５０ カメラ
１０６０ アンテナ
１０７０ ディスプレイ
１０８０ バッテリ
１０９０ 信号ライン
１１００ スマートフォン
１１１０ マザーボード
１１２０ 部品
１１２１ 部品パッケージ
１１３０ カメラモジュール
１１４０ スピーカ
１００Ａ、１００Ｂ プリント回路基板
１１１ 基板
１１２、１１３ 絶縁層
１２１、１２２ 配線層
１３１、１３２ ビア層
１４０ 磁性体層
１５０Ａ、１５０Ｂ、１６０Ａ、１６０Ｂ 貫通ビア
１５１ａ、１５１ｂ、１６１ａ、１６１ｂ ビア部
１５２ａ、１５２ｂ、１５３ａ、１５３ｂ、１６２ａ、１６２ｂ、１６３ａ、１６３ｂ パターン層
１７１、１７２ レジスト層
ｃ コイル部
ｃ１、ｃ２、ｃ３、ｃ４、ｃ５、ｃ６、ｃ７ コイル
Ｃ キャビティ
Ｈ１、Ｈ２ 貫通部
ｈ１、ｈ２ ホール
ｍ１、ｍ２、ｍ３、ｍ４ 金属層
ｐ 充填材
１０１０ メインボード
１０２０ チップ関連部品
１０３０ ネットワーク関連部品
１０４０ その他の部品
１０５０ カメラ
１０６０ アンテナ
１０７０ ディスプレイ
１０８０ バッテリ
１０９０ 信号ライン
１１００ スマートフォン
１１１０ マザーボード
１１２０ 部品
１１２１ 部品パッケージ
１１３０ カメラモジュール
１１４０ スピーカ
１００Ａ、１００Ｂ プリント回路基板
１１１ 基板
１１２、１１３ 絶縁層
１２１、１２２ 配線層
１３１、１３２ ビア層
１４０ 磁性体層
１５０Ａ、１５０Ｂ、１６０Ａ、１６０Ｂ 貫通ビア
１５１ａ、１５１ｂ、１６１ａ、１６１ｂ ビア部
１５２ａ、１５２ｂ、１５３ａ、１５３ｂ、１６２ａ、１６２ｂ、１６３ａ、１６３ｂ パターン層
１７１、１７２ レジスト層
ｃ コイル部
ｃ１、ｃ２、ｃ３、ｃ４、ｃ５、ｃ６、ｃ７ コイル
Ｃ キャビティ
Ｈ１、Ｈ２ 貫通部
ｈ１、ｈ２ ホール
ｍ１、ｍ２、ｍ３、ｍ４ 金属層
ｐ 充填材
【図1】
【図2】
【図3】
【図4a】
【図4b】
【図4c】
【図4d】
【図4e】
【図4f】
【図4g】
【図4h】
【図4i】
【図4j】
【図4k】
【図4l】
【図5】
【図6a】
【図6b】
【図6c】
【図6d】
【図6e】
【図6f】
【図6g】
【図6h】
【図6i】
【図6j】
【図7a】
【図7b】
【図7c】
【図7d】
【図7e】
【図7f】
