特開 2025-83293 積層型電子部品

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025083293

(43)【公開日】2025-05-30

(54)【発明の名称】積層型電子部品

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/30 20060101AFI20250523BHJP

【ＦＩ】

H01G4/30 201G

H01G4/30 201F

H01G4/30 201C

H01G4/30 201D

H01G4/30 513

H01G4/30 516

【審査請求】未請求

【請求項の数】16

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024169932

(22)【出願日】2024-09-30

(31)【優先権主張番号】10-2023-0161318

(32)【優先日】2023-11-20

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】110000877

【氏名又は名称】弁理士法人ＲＹＵＫＡ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】カン、ドン ハ

(72)【発明者】

【氏名】バン、へ ミン

(72)【発明者】

【氏名】チョイ、へ ヨウン

(72)【発明者】

【氏名】カン、バム スク

(72)【発明者】

【氏名】グ、ヒュン ヒー

(72)【発明者】

【氏名】ジェオン、 ビュン ジュン

(72)【発明者】

【氏名】キム、ホン セオク

【テーマコード（参考）】

5E001

5E082

【Ｆターム（参考）】

5E001AB03

5E001AC03

5E001AC09

5E001AE02

5E001AE03

5E001AF06

5E082AA01

5E082AB03

5E082EE04

5E082EE23

5E082EE35

5E082FF05

5E082FG04

5E082FG26

5E082FG46

5E082GG10

5E082GG12

5E082JJ06

5E082JJ13

(57)【要約】

【課題】信頼性に優れ、内部電極と外部電極との間の電気的連結性を向上させ、積層型電子部品の単位体積当たりの容量を向上させる。
【解決手段】
本発明の一実施形態による積層型電子部品は、誘電体層、及び上記誘電体層と交互に配置される内部電極を含む本体と、上記内部電極の端部に配置され、Ｂ及びＰのうち１つ以上とＮｉを含む界面めっき層と、上記界面めっき層を覆うように配置され、Ｓｉ及びＡｌが含まれたガラスと導電性金属を含む電極層を含む外部電極と、を含み、上記電極層は、上記界面めっき層に隣接した内側領域及び上記内側領域上に配置された外側領域を含み、上記内側領域に含まれたガラスの面積分率は、上記外側領域に含まれたガラスの面積分率よりも高いことができる。
【選択図】図６

【特許請求の範囲】

【請求項1】

誘電体層、及び前記誘電体層と交互に配置される内部電極を含む本体と、
前記内部電極の端部に配置される界面めっき層と、
前記界面めっき層を覆うように配置され、Ｓｉ及びＡｌが含まれたガラスと導電性金属を含む電極層を含む外部電極と、を含み、
前記電極層は、前記界面めっき層に隣接した内側領域及び前記内側領域上に配置された外側領域を含み、前記内側領域に含まれたガラスの面積分率は、前記外側領域に含まれたガラスの面積分率よりも高い、積層型電子部品。

【請求項2】

前記内側領域に含まれたガラスの面積分率は、前記外側領域に含まれたガラスの分率の３倍以上である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項3】

前記内側領域に含まれたガラスの面積分率は８０％以上であり、前記外側領域に含まれたガラスの面積分率は３０％以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項4】

前記内側領域は、前記界面めっき層との界面から１μｍ以内の領域でガラスの面積分率が８０％以上である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項5】

前記内側領域の平均厚さは、１μｍ以上であり、５μｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項6】

前記ガラスはＦｅをさらに含む、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項7】

前記ガラスはＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３及びＦｅ_２Ｏ_３を含む、請求項６に記載の積層型電子部品。

【請求項8】

前記ガラスは、アルカリ酸化物をさらに含む、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項9】

前記アルカリ酸化物は、Ｌｉ_２Ｏ_３及びＮａ_２Ｏ_３のうち１つ以上を含む、請求項８に記載の積層型電子部品。

【請求項10】

前記界面めっき層は、非晶質構造を有する、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項11】

前記界面めっき層は、Ｐ及びＢのうち１つ以上とＮｉを含む、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項12】

前記界面めっき層はＮｉ及びＰを含み、前記界面めっき層に含まれたＮｉ含有量に対するＰ含有量の質量比は、８％以上１５％以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項13】

前記界面めっき層はＮｉ及びＢを含み、前記界面めっき層に含まれたＮｉ含有量に対するＢ含有量の質量比は、２．５％以上１０％以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項14】

前記本体は、前記内部電極の端部が前記本体の一面から離隔した溝部を含み、
前記界面めっき層は、前記溝部に配置された第１領域及び前記本体の一面上に突出した第２領域を含む、請求項１から１３のいずれか一項に記載の積層型電子部品。

【請求項15】

前記内部電極は、前記誘電体層と第１方向に交互に配置され、前記本体は前記第１方向に向かい合う第１面及び第２面、前記第１面及び前記第２面と連結され、第２方向に向かい合う第３面及び第４面、前記第１面、前記第２面、前記第３面及び前記第４面と連結され、第３方向に向かい合う第５面及び第６面を含み、
前記積層型電子部品の第１方向及び第２方向の断面における前記第２領域は、半円形状を有する、請求項１４に記載の積層型電子部品。

【請求項16】

前記内部電極は、前記誘電体層と第１方向に交互に配置され、前記本体は前記第１方向に向かい合う第１面及び第２面、前記第１面及び前記第２面と連結され、第２方向に向かい合う第３面及び第４面、前記第１面、前記第２面、前記第３面～及び前記第４面と連結され、第３方向に向かい合う第５面及び第６面を含み、
前記積層型電子部品の第１方向及び第２方向の断面における前記第２領域は、層状を有する、請求項１４に記載の積層型電子部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、積層型電子部品に関するものである。

【背景技術】

【0002】

積層型電子部品の一つである積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマ表示装置パネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）などの映像機器、コンピュータ、スマートフォン及び携帯電話などの様々な電子製品のプリント回路基板に装着されて電気を充電または放電させる役割を果たすチップ形態のコンデンサである。

【0003】

積層セラミックキャパシタは、小型でありながらも高容量が保障され、実装が容易であるという利点により、様々な電子装置の部品として用いられることができる。

【0004】

最近では、電子機器の小型化及び高性能化に伴い、積層セラミックキャパシタも小型化及び高容量化する傾向にあり、このような流れにより積層セラミックキャパシタの高信頼性を確保する重要度が高まっている。

【0005】

かかる積層セラミックキャパシタの小型化のために、外部電極の厚さを薄く薄型化する傾向にあり、外部電極の厚さが減少したとしても高温多湿な環境で信頼性を確保することができる方案が必要である。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

本発明の様々な目的の一つは、信頼性に優れた積層型電子部品を提供することである。

【0007】

本発明の様々な目的の一つは、内部電極と外部電極との間の電気的連結性を向上させることである。

【0008】

本発明の様々な目的の一つは、積層型電子部品の単位体積当たりの容量を向上させることである。

【0009】

但し、本発明の目的は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。

【課題を解決するための手段】

【0010】

本発明の一実施形態に係る積層型電子部品は、誘電体層、及び上記誘電体層と交互に配置される内部電極を含む本体と、上記内部電極の端部に配置される界面めっき層と、上記界面めっき層を覆うように配置され、Ｓｉ及びＡｌが含まれたガラスと導電性金属を含む電極層を含む外部電極と、を含み、上記電極層は、上記界面めっき層に隣接した内側領域及び上記内側領域上に配置された外側領域を含み、上記内側領域に含まれたガラスの面積分率は、上記外側領域に含まれたガラスの面積分率よりも高い場合がある。

【発明の効果】

【0011】

本発明の様々な効果の一効果として、電極層にＳｉ及びＡｌが含まれたガラスを含ませ、内部電極の端部に界面めっき層を配置することにより、積層型電子部品の信頼性を向上させることができる。

【0012】

本発明の様々な効果の一効果として、内部電極と外部電極との間の電気的連結性を向上させることができる。

【0013】

本発明の様々な効果の一効果として、積層型電子部品の単位体積当たりの容量を向上させることができる。

【0014】

但し、本発明の多様でありながらも有意義な利点及び効果は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程で、より容易に理解することができる。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図を概略的に示したものである。

【図2】図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図を概略的に示したものである。

【図3】図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図を概略的に示したものである。

【図4】本体を分解して概略的に示したものである。

【図5】図２の本体の一部を概略的に示したものである。

【図6】図２のＫ１領域を拡大して示した拡大図である。

【図7】本発明の一変形例による図２に対応する図面である。

【図8】図７のＫ２領域を拡大して示した拡大図である。

【図9】本発明の他の一変形例による図２に対応する図面である。

【図10】本発明の他の一変形例による図２に対応する図面である。

【図11】本発明の一実施例による積層型電子部品の第１方向及び第２方向の断面を走査電子顕微鏡でスキャンしたイメージである。

【図12】本発明の一変形例による積層型電子部品の第１方向及び第２方向の断面を走査電子顕微鏡でスキャンしたイメージである。

【発明を実施するための形態】

【0016】

以下、具体的な実施形態及び添付の図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。しかし、本発明の実施形態は、いくつかの他の形態に変形することができ、本発明の範囲が以下説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、通常の技術者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために拡大縮小表示（または強調表示や簡略化表示）がされることがあり、図面上に同一符号で示される要素は同一要素である。

【0017】

尚、図面において本発明を明確に説明するために説明と関係ない部分は省略し、図示した各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜のために任意で示したものであるため、本発明は必ずしも図示により限定されない。また、同一の思想の範囲内の機能が同一である構成要素は、同一の参照符号を用いて説明することができる。さらに、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」というのは、特に反対される記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。

【0018】

図面において、第１方向は積層方向または厚さ（Ｔ）方向、第２方向は長さ（Ｌ）方向、第３方向は幅（Ｗ）方向と定義することができる。

【0019】

積層型電子部品
図１は、本発明の一実施形態による積層型電子部品の斜視図を概略的に示したものであり、図２は、図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図を概略的に示したものであり、図３は、図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図を概略的に示したものであり、図４は、本体を分解して概略的に示したものであり、図５は、図２の本体の一部を概略的に示したものであり、図６は、図２のＫ１領域を拡大して示した拡大図である。

【0020】

以下、図１～図６を参照して、本発明の一実施形態による積層型電子部品１００について詳細に説明する。また、積層型電子部品の一例として積層セラミックキャパシタ（Ｍｕｌｔｉ－ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ、以下「ＭＬＣＣ」という）について説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、セラミック材料を用いる多様な積層型電子部品、例えば、インダクタ、圧電体素子、バリスタ、またはサーミスタなどにも適用されることができる。

【0021】

本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００は、誘電体層１１１、及び上記誘電体層と交互に配置される内部電極１２１、１２２を含む本体１１０と、上記内部電極の端部に配置される界面めっき層１４１、１４２と、上記界面めっき層を覆うように配置され、Ｓｉ及びＡｌが含まれたガラスＧＬ１、ＧＬ２と導電性金属Ｍ１、Ｍ２を含む電極層１３１ａ、１３２ａを含む外部電極１３１、１３２と、を含み、上記電極層は、上記界面めっき層に隣接した内側領域１３１ａ１及び上記内側領域上に配置された外側領域１３１ａ２を含み、上記内側領域に含まれたガラスＧＬ１の面積分率は、上記外側領域に含まれたガラスＧＬ２の面積分率よりも高いことができる。

【0022】

積層セラミックキャパシタの小型化のために外部電極の厚さを薄く薄型化する傾向にあり、外部電極の厚さが減少しても高温多湿な環境で信頼性を確保することができる方案が必要である。

【0023】

そこで、電極層に含まれるガラス成分をめっき液及び水分浸透を防止して、信頼性向上に効果的な耐めっき液性ガラスであるＳｉ及びＡｌが含まれたガラスに変更する方案を考慮した。

【0024】

しかし、電極層にＳｉ及びＡｌが含まれたガラスを適用する場合、めっき液、水分等の浸透による信頼性低下を防止することはできるが、電極層焼成時のＳｉ及びＡｌが含まれたガラスが本体との界面に移動し、内部電極の端部の酸化を誘導して内部電極と外部電極との間の連結性が低下するという問題点が発生することがあった。

【0025】

本発明の一実施形態によると、電極層にＳｉ及びＡｌが含まれたガラスを含ませ、内部電極の端部に界面めっき層を配置して内部電極の端部の酸化を抑制して信頼性を向上させながらも内部電極と外部電極との間の連結性を向上させることができる。

【0026】

以下、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００に含まれる各構成について説明する。

【0027】

本体１１０は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２が交互に積層されていることができる。

【0028】

本体１１０の具体的な形状に特に制限はないが、図示のように本体１１０は六面体状やこれと類似した形状からなることができる。焼成過程で本体１１０に含まれたセラミック粉末の収縮により、本体１１０は完全な直線を有する六面体状ではないが、実質的に六面体状を有することができる。

【0029】

本体１１０は、第１方向に向かい合う第１面１及び第２面２、上記第１面１及び第２面２と連結され、第２方向に向かい合う第３面３及び第４面４、第１面１及び第２面２と連結され、第３面３及び第４面４と連結され、第３方向に向かい合う第５面５及び第６面６を有することができる。

【0030】

誘電体層１１１上に内部電極１２１、１２２が配置されていないマージン領域が重なることによって、内部電極１２１、１２２の厚さによる段差が発生して、第１面と第３面、第４面及び第５面を連結するコーナー及び／または第２面と第３面、第４面及び第５面を連結するコーナーは、第１面または第２面を基準として見るとき、本体１１０の第１方向の中央側に収縮した形態を有することができる。または、本体の焼結過程での収縮挙動によって第１面１と第３面３、第４面４、第５面５及び第６６を連結するコーナー及び／または第２面２と第３面３、第４面４、第５面５及び第６面６を連結するコーナーは、第１面または第２面を基準として見るとき、本体１１０の第１方向の中央側に収縮した形態を有することができる。または、チッピング不良などを防止するために本体１１０の各面を連結する角を別途の工程を行ってラウンド処理することで第１面と第３面、第４面、第５面及び第６面を連結するコーナー及び／または第２面と第３面、第４面、第５面及び第６面を連結するコーナーは、ラウンド形態を有することができる。

【0031】

一方、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後に内部電極が本体の第５面５及び第６面６に露出するように切断した後、単一誘電体層又は２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの両側面に第３方向（幅方向）に積層してマージン部１１４、１１５を形成する場合には、第１面と第５面及び第６面を連結する部分及び第２面と第５面及び第６面を連結する部分が収縮した形態を有さないことができる。

【0032】

本体１１０を形成する複数の誘電体層１１１は焼成された状態であり、隣接する誘電体層１１１間の境界は走査電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を利用せずには確認しにくいほど一体化することができる。誘電体層の積層数は特に制限する必要はなく、積層型電子部品のサイズを考慮して決定することができる。例えば、誘電体層を４００層以上積層して本体を形成することができる。

【0033】

誘電体層１１１は、セラミック粉末、有機溶剤及びバインダーを含むセラミックスラリーを製造し、上記スラリーをキャリアフィルム（ｃａｒｒｉｅｒ ｆｉｌｍ）上に塗布及び乾燥してセラミックグリーンシートを設けた後、上記セラミックグリーンシートを焼成することで形成することができる。セラミック粉末は、十分な静電容量が得られる限り、特に制限されないが、例えば、セラミック粉末としてチタン酸バリウム系（ＢａＴｉＯ_３）粉末を用いることができる。より具体的な例を挙げると、セラミック粉末は、ＢａＴｉＯ_３、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ_１－ｙＣａ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）及びＢａ（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）のうち一つ以上であることができる。

【0034】

誘電体層１１１の平均厚さｔｄは特に限定する必要はないが、例えば０．０１μｍ～１０μｍであることができる。また、誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、所望の特性や用途に応じて任意に設定することができ、例えば小型ＩＴ用電子部品の場合、小型化及び高容量化を達成するために、複数の誘電体層１１１の少なくとも１つの平均厚さｔｄは０．４μｍ以下であることができる。

【0035】

ここで、誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、内部電極１２１、１２２の間に配置される誘電体層１１１の第１方向の大きさを意味することができる。誘電体層１１１の平均厚さは、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でスキャンして測定することができる。より具体的には、１つの誘電体層１１１の多数の地点、例えば第２方向に等間隔の３０個の地点でその厚さを測定して平均値を測定することができる。上記等間隔の３０個の地点は、後述する容量形成部Ａｃで指定されることができる。また、このような平均値測定を１０個の誘電体層１１１に拡張して平均値を測定すると、誘電体層１１１の平均厚さをさらに一般化することができる。

【0036】

本体１１０は本体１１０の内部に配置され、誘電体層１１１を挟んで互いに向かい合うように配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含んで容量が形成される容量形成部Ａｃと上記容量形成部Ａｃの第１方向の上部及び下部に形成されたカバー部１１２、１１３を含むことができる。

【0037】

また、上記容量形成部Ａｃは、キャパシタの容量形成に寄与する部分であり、誘電体層１１１を挟んで複数の第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を繰り返し積層して形成されることができる。

【0038】

カバー部１１２、１１３は、上記容量形成部Ａｃの第１方向の上部に配置される上部カバー部１１２及び上記容量形成部Ａｃの第１方向の下部に配置される下部カバー部１１３を含むことができる。

【0039】

上記上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、単一誘電体層又は２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの上下面にそれぞれ厚さ方向に積層して形成することができ、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極の損傷を防止する役割を果たすことができる。

【0040】

上記上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は内部電極を含まず、誘電体層１１１と同じ材料を含むことができる。

【0041】

すなわち、上記上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３はセラミック材料を含むことができ、例えばチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系セラミック材料を含むことができる。

【0042】

一方、カバー部１１２、１１３の厚さは特に限定する必要はない。但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは、１５μｍ以下であることができる。

【0043】

カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃは、第１方向の大きさを意味することができ、容量形成部Ａｃの上部または下部で等間隔の５個の地点で測定したカバー部１１２、１１３の第１方向の大きさを平均した値であることができる。

【0044】

また、上記容量形成部Ａｃの側面にはマージン部１１４、１１５が配置されることができる。

【0045】

マージン部１１４、１１５は、本体１１０の第５面５に配置された第１マージン部１１４と第６面６に配置された第２マージン部１１５を含むことができる。すなわち、マージン部１１４、１１５は、上記セラミック本体１１０の幅方向の両端面（ｅｎｄ ｓｕｒｆａｃｅｓ）に配置されることができる。

【0046】

マージン部１１４、１１５は、図３に示されたように、上記本体１１０を幅－厚さ（Ｗ－Ｔ）方向に切断した断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）で第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２の両端と本体１１０の境界面との間の領域を意味することができる。

【0047】

マージン部１１４、１１５は、基本的に物理的または化学的ストレスによる内部電極の損傷を防止する役割を果たすことができる。

【0048】

マージン部１１４、１１５は、セラミックグリーンシート上にマージン部が形成されるところを除き、導電性ペーストを塗布して内部電極を形成することで形成されたものであることができる。

【0049】

また、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後、内部電極が本体の第５面５及び第６面６に露出するように切断した後、単一誘電体層又は２つ以上の誘電体層を容量形成部Ａｃの両側面に第３方向（幅方向）に積層してマージン部１１４、１１５を形成することもできる。

【0050】

一方、マージン部１１４、１１５の幅は特に限定する必要はない。但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、マージン部１１４、１１５の平均幅は、１５μｍ以下であることができる。

【0051】

マージン部１１４、１１５の平均幅は、内部電極が第５面と離隔した領域の第３方向の平均大きさ及び内部電極が第６面と離隔した領域の第３方向の平均大きさを意味することができ、容量形成部Ａｃの側面で等間隔の５個の地点で測定したマージン部１１４、１１５の第３方向の大きさを平均した値であることができる。

【0052】

したがって、一実施例において、内部電極１２１、１２２が第５面及び第６面と離隔した領域の第３方向の平均大きさは、それぞれ１５μｍ以下であることができる。

【0053】

一方、本体１１０に誘電体物質の代わりに磁性体物質を適用する場合、積層型電子部品はインダクタとして機能することができる。磁性体物質は例えば、フェライト及び／または金属磁性粒子であることができる。積層型電子部品がインダクタとして機能する場合、内部電極はコイル状導体であることができる。

【0054】

また、本体１１０に誘電体物質の代わりに圧電体物質を適用する場合、積層型電子部品は圧電体素子として機能することができる。圧電体物質は例えば、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）であることができる。

【0055】

また、本体１１０に誘電体物質の代わりにＺｎＯ系またはＳｉＣ系物質を適用する場合、積層型電子部品はバリスタとして機能することができ、本体１１０に誘電体物質の代わりにスピネル系物質を適用する場合、積層型電子部品はサーミスタとして機能することができる。

【0056】

すなわち、本発明の一実施例による積層型電子部品１００は、本体１１０の材料や構造を適宜変更することにより、積層セラミックキャパシタだけでなく、インダクタ、圧電体素子、バリスタまたはサーミスタとして機能することができる。

【0057】

内部電極１２１、１２２は、誘電体層１１１と交互に配置されることができ、例えば、互いに異なる極性を有する一対の電極である第１内部電極１２１と第２内部電極１２２が誘電体層１１１を挟んで互いに対向するように配置されることができる。第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は、その間に配置された誘電体層１１１によって互いに電気的に分離することができる。このとき、内部電極１２１、１２２は、誘電体層１１１と第１方向に交互に配置されることができる。

【0058】

第１内部電極１２１は第４面４から離隔し、第３面３に向かって延びることができる。第２内部電極１２２は第３面３から離隔し、第４面４に向かって延びることができる。第１内部電極１２１は第３面３側で第１外部電極１３１と電気的に連結されることができ、第２内部電極１２２は第４面４側で第２外部電極１３２と電気的に連結されることができる。

【0059】

内部電極１２１、１２２に含まれる導電性金属は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｗ、Ｔｉ及びこれらの合金のうち１つ以上であることができ、より好ましくはＮｉを含むことができるが、本発明はこれに限定されない。

【0060】

内部電極１２１、１２２を形成する方法は、特に制限しない。例えば、内部電極１２１、１２２は、セラミックグリーンシート上に導電性金属を含む内部電極用導電性ペーストを塗布して焼成することで形成されることができる。内部電極用導電性ペーストの塗布方法は、スクリーン印刷法やグラビア印刷法などを用いることができるが、本発明がこれに限定されるものではない。

【0061】

内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは特に限定する必要はないが、例えば０．０１μｍ～３μｍ以下であることができる。また、内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは、所望の特性や用途に応じて任意に設定することができ、例えば小型ＩＴ用電子部品の場合、小型化及び高容量化を達成するために複数の内部電極１２１、１２２の少なくとも１つの平均厚さｔｅは、０．４μｍ以下であることができる。

【0062】

ここで、内部電極の平均厚さｔｅは、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でスキャンして測定することができる。より具体的には、１つの内部電極１２１、１２２の多数の地点、例えば第２方向に等間隔の３０個の地点でその厚さを測定して平均値を測定することができる。上記等間隔の３０個の地点は容量形成部Ａｃで指定されることができる。また、このような平均値測定を１０個の内部電極１２１、１２２に拡張して平均値を測定すると、内部電極１２１、１２２の平均厚さをさらに一般化することができる。

【0063】

外部電極１３１、１３２は、界面めっき層１４１、１４２を覆うように配置され、Ｓｉ及びＡｌが含まれたガラスＧＬ１、ＧＬ２と導電性金属Ｍ１、Ｍ２を含む電極層１３１ａ、１３２ａを含むことができる。

【0064】

図２に示されたように、外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３面３及び第４面４にそれぞれ配置されて、界面めっき層１４１、１４２を介して第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２とそれぞれ連結された第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２を含むことができる。第１外部電極１３１は第１電極層１３１ａを含み、第２外部電極１３２は第２電極層１３２ａを含むことができる。

【0065】

本実施形態では、積層型電子部品１００が２つの外部電極１３１、１３２を有する構造について説明しているが、外部電極１３１、１３２の個数や形状などは内部電極１２１、１２２の形態やその他の目的に応じて変更することができる。

【0066】

図６は、図２のＫ１領域を拡大して示した拡大図である。

【0067】

上記Ｋ１領域は、第１外部電極１３１が配置された部分の一部を拡大して示したが、第１外部電極１３１は第３面に配置され、第２外部電極１３２は第４面に配置される差があるだけで、第１外部電極１３１と第２外部電極１３２の構成は類似するため、以下では第１外部電極１３１を基準に説明するが、これは第２外部電極１３２に関する説明を含むものとみなす。また、電極層１３１ａ、１３２ａも第１電極層１３１ａを基準に説明するが、これは第２電極層１３２ａに関する説明を含むものと見なす。また、界面電極層１４１、１４２も第１界面電極層１４１を基準に説明するが、これは第２界面電極層１４２に関する説明を含むものと見なす。

【0068】

従来には、電極層に含まれるガラスとして、Ｂａ及びＺｎを含むＢａ－Ｚｎ系ガラスを用いた。しかし、Ｂａ－Ｚｎ系ガラスはめっき液に溶けやすいため、Ｂａ－Ｚｎ系ガラスを用いる場合、めっき液、水分等が内部電極に浸透するおそれがあり、電極層の厚さを薄くする場合、めっき液、水分等が内部電極に浸透する可能性が増加するという問題点があった。

【0069】

そこで、本発明では、電極層１３１ａ、１３２ａに、Ｂａ－Ｚｎ系ガラスに対して耐めっき液性に優れたＳｉ及びＡｌが含まれたガラスＧＬ１、ＧＬ２を含ませて、耐湿信頼性を向上しようとした。ここで、Ｓｉ及びＡｌが含まれたガラスＧＬ１、ＧＬ２は、Ａｌｕｍｉｎｏ Ｓｉｌｉｃａｔｅ系ガラスを意味することができる。

【0070】

Ｓｉ及びＡｌが含まれたガラスＧＬ１、ＧＬ２の場合、耐めっき液性に優れるが、焼成工程時に内部電極との界面に移動して内部電極の端部に酸化物形成を促進することで内部電極の端部の酸化を誘導するおそれがあった。したがって、電極層に含まれたガラスをＢａ－Ｚｎ系ガラスからＳｉ及びＡｌが含まれたガラスＧＬ１、ＧＬ２に変更する場合、外部電極と内部電極との間の連結性を低下させるという問題点が発生する可能性がある。

【0071】

図６を参照すると、第１電極層１３１ａは、第１界面めっき層１４１に隣接した内側領域１３１ａ１及び上記内側領域上に配置された外側領域１３１ａ２を含み、内側領域１３１ａ１に含まれたガラスＧＬ１の面積分率は、外側領域１３１ａ２に含まれたガラスＧＬ２の面積分率よりも高い。これは、Ｓｉ及びＡｌが含まれたガラスＧＬ１、ＧＬ２が本体１１０との濡れ性に優れ、焼成工程時に本体側に移動することによるものと考えられる。このように、内側領域１３１ａ１に含まれたガラスＧＬ１の面積分率が外側領域１３１ａ２に含まれたガラスＧＬ２の面積分率よりも高い場合、内部電極の端部に酸化物形成を促進することで内部電極の端部の酸化を誘導することができるが、本発明によると、界面めっき層１４１、１４２が内部電極１２１、１２２の端部に配置されて内部電極の端部の酸化を防止することができる。

【0072】

すなわち、本発明の一実施例によると、内部電極１２１、１２２の端部に界面めっき層１４１、１４２を配置して内部電極１２１、１２２の端部の酸化を抑制して信頼性を向上させながらも内部電極と外部電極との間の連結性を向上させることができる。また、外部電極１３１、１３２を薄く形成しても耐湿信頼性を確保することができるため、単位体積当たりの容量を向上させることができる。

【0073】

内側領域１３１ａ及び外側領域１３２ａに含まれたガラスの面積分率間の関係及び各数値を特に限定する必要はない。

【0074】

好ましい一例として、内側領域１３１ａ１に含まれたガラスＧＬ１の面積分率は、上記外側領域１３１ａ２に含まれたガラスＧＬ２の面積分率の３倍以上であることができる。

【0075】

また、内側領域１３１ａ１に含まれたガラスＧＬ１の面積分率は８０％以上であり、外側領域１３１ａ２に含まれたガラスＧＬ２の面積分率は３０％以下であることができる。

【0076】

内側領域１３１ａ及び外側領域１３２ａに含まれたガラスの面積分率は、積層型電子部品１００を本体１１０の第３方向の中央で切断した第１方向及び第２方向の断面で電極層１３１ａ、１３２ａは、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて１５００倍以上の倍率でスキャンしたイメージで測定することができる。図１１及び図１２を参照すると、ガラスと導電性金属は、ＳＥＭでスキャンしたイメージにおいて明暗差が大きいため、視覚的に明確に区分することができ、イメージ分析プログラムを用いて面積分率を求めることができる。また、界面めっき層１４１と電極層１３１ａ、１３２ａの金属は、ＳＥＭ－ＥＤＳを用いて元素分析を進行して区分することができる。

【0077】

具体的には、界面めっき層１４１が半円形状を有する場合には、本体１１０から第２方向に５μｍ以内の領域から１０μｍ×２．５μｍ（第１方向の大きさ×第２方向の大きさ）領域を選定してＳＥＭ－ＥＤＳを用いてスキャンした後、イメージ分析プログラムを用いてガラス面積（ＧＬＳ１、単位：μｍ^２）及び界面めっき層の面積（ＰＳ、単位：μｍ^２）を測定してＧＬＳ１／（２５μｍ^２－ＰＳ）×１００（％）を内側領域１３１ａ１のガラス面積分率とすることができる。一方、本発明の一変形例によって界面めっき層１４１'が層状を有する場合、界面めっき層１４１'から第２方向に５μｍ以内の領域で１０μｍ×２．５μｍ（第１方向の大きさ×第２方向の大きさ）領域を選定することができる。但し、内側領域１３１ａ１の平均厚さが２．５μｍ未満の場合には、測定領域を４μｍ×１μｍ（第１方向の大きさ×第２方向の大きさ）とすることができる。

【0078】

また、外側領域１３１ａ２のガラス面積分率は、電極層１３１ａの外表面から第２方向に１０μｍ以内の領域から１０μｍ×２．５μｍ（第１方向の大きさ×第２方向の大きさ）領域を選定してＳＥＭ－ＥＤＳを用いてスキャンした後、イメージ分析プログラムを用いてガラス面積（ＧＬＳ２、単位：μｍ^２）を測定した後、ＧＬＳ２／２５μｍ^２×１００（％）を外側領域１３１ａ２のガラス面積分率とすることができる。

【0079】

一方、内側領域１３１ａ１に含まれた導電性金属Ｍ１の面積分率は、上記外側領域１３１ａ２に含まれた導電性金属Ｍ２の面積分率よりも低いことができる。

【0080】

内側領域１３１ａ１の平均厚さは、焼成条件、界面めっき層の形態及び種類等に応じて変わり得るが、一般的な焼成条件を適用する場合、内側領域１３１ａ１の平均厚さは１μｍ以上５μｍ以下であることができる。内側領域１３１ａ１の平均厚さは、上記ＳＥＭでスキャンしたイメージにおいて第１方向に等間隔の１０個の地点で測定した値の平均値であることができる。

【0081】

一般的な焼成条件を適用する場合、内側領域１３１ａ１の平均厚さは１μｍ以上であるため、内側領域は上記界面めっき層との界面から１μｍ以内の領域でガラスの面積分率が８０％以上であることができる。

【0082】

一実施例において、ガラスＧＬ１、ＧＬ２はＦｅをさらに含むことができる。ガラスＧＬ１、ＧＬ２がＦｅをさらに含み、界面めっき層１４１、１４２が存在しない場合、ガラスＧＬ１、ＧＬ２に含まれたＦｅが内部電極１２１、１２２の端部に移動してＮｉ－Ｆｅ－Ｏを形成することができ、Ｎｉ－Ｆｅ－Ｏは内部電極１２１、１２２の端部の酸化をさらに促進することができる。したがって、ガラスＧＬ１、ＧＬ２がＦｅをさらに含む場合、本発明の界面めっき層１４１、１４２の配置による内部電極１２１、１２２の端部の酸化抑制効果がより顕著になることができる。

【0083】

一実施例において、ガラスＧＬ１、ＧＬ２は、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、及びＦｅ_２Ｏ_３を含むことができる。また、ガラスＧＬ１、ＧＬ２に含まれるＳｉ、Ａｌ及びＦｅは、ＳｉＯ_２－Ａｌ_２Ｏ_３－Ｆｅ_２Ｏ_３の形態で含まれることができる。

【0084】

一実施例において、ガラスＧＬ１、ＧＬ２はアルカリ酸化物（Ａｌｋａｌｉ ｏｘｉｄｅ）をさらに含むことができる。アルカリ酸化物（Ａｌｋａｌｉ ｏｘｉｄｅ）は、ガラスＧＬ１、ＧＬ２内の酸素架橋（ｏｘｙｇｅｎ ｂｒｉｄｇｅ）の形成を制御して軟化点を下げることができ、これにより電極層の緻密度を改善することができる。ここで、電極層の緻密度とは、電極焼成工程中に導電性金属の焼結時に発生する空隙をガラス軟化挙動で満たさない場合、表面に空隙（ｐｏｒｅ）が発生する程度を意味する。電極の表面緻密度が劣化する場合、空隙（ｐｏｒｅ）がｃｈｉｐ内部においてめっき液の浸透経路になる可能性があるため、耐湿信頼性と関連が深い。

【0085】

具体的な例を挙げると、アルカリ酸化物（Ａｌｋａｌｉ ｏｘｉｄｅ）は、Ｌｉ_２Ｏ_３及びＮａ_２Ｏ_３のうち１つ以上を含むことができる。

【0086】

界面めっき層１４１、１４２は、内部電極１２１、１２２の端部に配置されて、内部電極１２１、１２２と外部電極１３１、１３２との間の電気的連結性を向上させる役割を果たすことができる。また、電極層１３１ａ、１３２ａに含まれたガラスによる内部電極１２１、１２２の端部の酸化を抑制して、内部電極と外部電極との間の連結性を向上させる役割を果たすことができる。また、電極層１３１ａ、１３２ａの金属成分が内部電極１２１、１２２に拡散することを防止して、内部電極の体積膨張による放射クラックを抑制する役割を果たすことができる。

【0087】

界面めっき層１４１、１４２は、第１内部電極１２１の端部に配置される第１界面めっき層１４１と第２内部電極１２２の端部に配置される第２界面めっき層１４２を含むことができる。

【0088】

一実施例において、本体１１０は、内部電極１２１、１２２の端部が本体１１０の一面から離隔した溝部Ｇ１、Ｇ２を含み、界面めっき層１４１、１４２は溝部Ｇ１、Ｇ２に配置された第１領域及び上記本体の一面上に突出した第２領域を含むことができる。

【0089】

溝部Ｇ１、Ｇ２は、本体１１０の焼成過程で内部電極１２１、１２２と誘電体層１１１との間の収縮挙動の差によって形成されることができる。内部電極１２１、１２２の焼成収縮率が誘電体層１１１よりも大きい場合、溝部Ｇ１、Ｇ２によって内部電極１２１、１２２と外部電極１３１、１３２との間の連結性が低下するという問題点が発生する可能性がある。従来には、このような問題点を解決するために、サンドブラスト法などを用いて突出した誘電体層を除去する工程を追加して、このような問題点を解決しようとした。一方、本発明の一実施例によると、界面めっき層１４１、１４２が溝部Ｇ１、Ｇ２に配置された第１領域及び上記本体の一面上に突出した第２領域を含むため、別途の研磨過程なしに内部電極１２１、１２２と外部電極１３１、１３２との間の連結性を向上させることができる。

【0090】

一実施例において、積層型電子部品１００の第１方向及び第２方向の断面において、上記第２領域は半円形状を有することができる。この場合、界面めっき層１４１、１４２を最小に配置しながらも、本発明の内部電極１２１、１２２と外部電極１３１、１３２との間の連結性の向上効果を確保することができる。

【0091】

このとき、上記内部電極の平均厚さをｔｅ、上記誘電体層の平均厚さをｔｄ、上記半円形状の半径をｔｒとするとき、ｔｅ／２≦ｔｒ≦（ｔｅ＋ｔｄ）／２を満たすことができる。半円形状の半径ｔｒがｔｅ／２未満の場合には外部電極と内部電極との間の連結性の向上効果が不十分であり、（ｔｅ＋ｔｄ）／２超過である場合には、界面めっき層１４１、１４２同士が連結されて一つの層（ｌａｙｅｒ）状になり得る。

【0092】

上記半円形状の半径ｔｒは、具体的な数値は特に限定する必要はなく、例えば０．０５～４μｍであることができる。

【0093】

半円形状の半径ｔｒは、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でスキャンして測定することができる。また、任意の５つの界面電極層１４１、１４２において半円形状の半径ｔｒを測定して、その平均値を半円形状の半径ｔｒとすることができる。

【0094】

但し、界面めっき層１４１、１４２の第２領域を半円形状に限定する必要はなく、図７及び図８に示したように、本発明の一変形例による積層型電子部品１００の第１方向及び第２方向の断面における界面めっき層１４１'、１４２'の第２領域は層（ｌａｙｅｒ）状を有することができる。このように界面めっき層１４１'、１４２'の第２領域が層（ｌａｙｅｒ）状である場合、内部電極が露出した部分をより確実に覆うことができるため、本発明の内部電極１２１、１２２と外部電極１３１、１３２との間の連結性の向上効果をより確実に確保することができる。このとき、界面めっき層１４１'、１４２'は、第１面の延長線Ｅ１と第２面の延長線Ｅ２との間の全てに配置されることができる。

【0095】

このとき、層（ｌａｙｅｒ）状を有する界面めっき層１４１'、１４２'の平均厚さｔｏは特に限定する必要はなく、例えば１～１０μｍであることができ、より好ましくは１～４μｍであることができる。

【0096】

ここで、層（ｌａｙｅｒ）状を有する界面めっき層１４１'、１４２'の平均厚さｔｏは、本体の内部に配置された第１領域を除いた第２領域の平均厚さを意味することができる。

【0097】

また、図９を参照すると、第１界面めっき層１４１''は第３面３の一部を覆い、第２界面めっき層１４２''は第４面４の一部を覆うことができる。すなわち、このとき、界面めっき層１４１'、１４２'は、第１面の延長線Ｅ１と第２面の延長線Ｅ２との間の一部に配置されることができる。この場合、界面めっき層１４１''、１４２''を効率的に配置して、内部電極１２１、１２２と外部電極１３１、１３２との間の連結性の向上効果を確保することができる。

【0098】

また、図１０を参照すると、第１界面めっき層１４１'''は第３面３を覆い、第２界面めっき層１４２'''は第４面４を覆い、第１界面めっき層１４１'''及び第２界面めっき層１４２'''は、第１面１及び第２面２の一部上に延びて配置されることができる。この場合、界面めっき層１４１'''、１４２'''が第１面１及び第２面２の一部上に延びることによって本体の角を覆って、本体の角における外部電極の厚さを十分に確保しやすくて、耐湿信頼性が向上することができる。

【0099】

一実施例において、界面めっき層１４１、１４２は非晶質構造を有することができる。結晶質構造は、３次元上の格子構造に長距離の周期性（ｌｏｎｇ－ｒａｎｇｅ ｐｅｒｉｏｄｉｃｉｔｙ）があって、並進（ｔｒａｎｓｌａｔｉｏｎ）、回転（ｒｏｔａｔｉｏｎ）、反映（ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）、反転（ｉｎｖｅｒｓｉｏｎ）などの対称要素（ｓｙｍｍｅｔｒｙ ｅｌｅｍｅｎｔ）を用いて格子構造を表現することができる構造を意味する。一方、非晶質構造は、長距離の周期性（ｌｏｎｇ－ｒａｎｇｅ ｐｅｒｉｏｄｉｃｉｔｙ）を有しないが、基本単位となる原子構造が連結されて、短距離単位（ｓｈｏｒｔ－ｒａｎｇｅ ｏｒｄｅｒ）では繰り返し構造を有することを意味することができる。

【0100】

界面めっき層１４１、１４２が非晶質構造を有することによって、外部電極１３１、１３２のガラス及び金属成分が内部電極１２１、１２２に拡散することをより効果的に抑制することができる。

【0101】

一実施例において、界面めっき層１４１、１４２はＮｉ及びＰを含むことができる。これにより、界面めっき層１４１、１４２が非晶質構造を有するように容易に制御することができ、外部電極のガラス及び金属成分が内部電極に拡散することを容易に抑制することができる。

【0102】

このとき、界面めっき層１４１、１４２に含まれたＮｉ含有量に対するＰ含有量の質量比は、８％以上１５％以下であることができる。界面めっき層１４１、１４２に含まれたＮｉ含有量に対するＰ含有量の質量比が１５％超過である場合には、内部電極と外部電極との間のＥＳＲ（ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ ｓｅｒｉｅｓ ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）が高くなるおそれがあり、８％未満の場合には界面めっき層１４１、１４２の熱膨張係数が高くなるにつれて、高温で本体との熱膨張係数の差が大きくなることがあり、これによって界面めっき層と本体との間の接合力が弱くなるおそれがある。

【0103】

一実施例において、界面めっき層１４１、１４２はＮｉ及びＢを含むことができる。これにより、界面めっき層１４１、１４２が非晶質構造を有するように容易に制御することができ、外部電極のガラス及び金属成分が内部電極に拡散することを容易に抑制することができる。

【0104】

このとき、界面めっき層１４１、１４２に含まれたＮｉ含有量に対するＢ含有量の質量比は、２．５％以上１０％以下であることができる。これにより、界面めっき層１４１、１４２の電荷伝達の抵抗を増加させて、外部からの湿気露出、水分浸透などによる耐食性を向上させることができる。

【0105】

一方、界面めっき層１４１、１４２に含まれた元素の分析は、本体１１０の第３方向の中央を通る第１方向及び第２方向の断面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）及び分散型分光分析法（ＥＤＳ）を利用して測定することができる。５個以上の界面めっき層１４１、１４２の中央部をＥＤＳを用いて各元素の含有量を測定して各元素の平均値を求めた後、上記平均値を用いてＮｉ含有量に対するＰ含有量の質量比又はＮｉ含有量に対するＢ含有量の質量比を求めることができる。

【0106】

外部電極１３１、１３２は、電極層１３１ａ、１３２ａ上に配置されるめっき層１３１ｂ、１３２ｂを含むことができる。

【0107】

めっき層１３１ｂ、１３２ｂは実装特性を向上させる役割を果たす。めっき層１３１ｂ、１３２ｂの種類は特に限定されず、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｄ及びこれらの合金のうち１つ以上を含むめっき層であることができ、複数の層で形成されることができる。

【0108】

めっき層１３１ｂ、１３２ｂに対するより具体的な例を挙げると、めっき層１３１ｂ、１３２ｂは、Ｎｉめっき層またはＳｎめっき層であることができ、電極層１３１ａ、１３２ａ上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層が順次形成された形態であることができ、Ｓｎめっき層、Ｎｉめっき層、及びＳｎめっき層が順次形成された形態であることができる。また、めっき層１３１ｂ、１３２ｂは、複数のＮｉめっき層及び／または複数のＳｎめっき層を含むこともできる。

【0109】

以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は、上述の実施形態及び添付の図面によって限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲によって限定される。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で、当技術分野における通常の知識を有する者によって多様な形態の置換、変形、及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属するといえる。

【0110】

また、本開示において用いられた「一実施例」という表現は、互いに同一の実施例を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかしながら、上記提示された一実施例は、他の一実施例の特徴と組み合わせて実現されることを排除しない。例えば、特定の一実施例において説明された事項が他の一実施例に説明されていなくても、他の一実施例においてその事項と反対または矛盾する説明がない限り、他の一実施例に関連する説明として理解することができる。

【0111】

本開示で用いられた用語は、単に一実施例を説明するために用いられたものであり、本開示を限定する意図ではない。このとき、単数の表現は、文脈上明らかに異なるものを意味しない限り、複数の表現を含む。

【符号の説明】

【0112】

１００ 積層型電子部品
１１０ 本体
１１１ 誘電体層
１１２、１１３ カバー部
１１４、１１５ マージン部
１２１、１２２ 内部電極
１３１、１３２ 外部電極
１３１ａ、１３２ａ 電極層
１３１ｂ、１３２ｂ めっき層
１４１、１４２ 界面めっき層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】