特開 2025-84036 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025084036

(43)【公開日】2025-06-02

(54)【発明の名称】積層セラミックキャパシタ及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/30 20060101AFI20250526BHJP

【ＦＩ】

H01G4/30 512

H01G4/30 515

H01G4/30 517

H01G4/30 201K

H01G4/30 201L

H01G4/30 311Z

【審査請求】未請求

【請求項の数】15

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024077305

(22)【出願日】2024-05-10

(31)【優先権主張番号】10-2023-0161948

(32)【優先日】2023-11-21

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】100108453

【弁理士】

【氏名又は名称】村山 靖彦

(74)【代理人】

【識別番号】100110364

【弁理士】

【氏名又は名称】実広 信哉

(72)【発明者】

【氏名】金 兌炯

(72)【発明者】

【氏名】金 南▲ウン▼

(72)【発明者】

【氏名】李 孝柱

(72)【発明者】

【氏名】李 相▲ヒョン▼

【テーマコード（参考）】

5E001

5E082

【Ｆターム（参考）】

5E001AB03

5E001AE02

5E001AE03

5E001AE04

5E001AH01

5E001AH09

5E001AJ02

5E082AA01

5E082AB03

5E082BC39

5E082EE04

5E082EE23

5E082EE35

5E082FF05

5E082FG04

5E082FG26

5E082FG46

5E082GG10

5E082GG26

5E082GG28

5E082LL01

5E082PP03

5E082PP09

(57)【要約】

【課題】薄層での信頼性に優れた積層セラミックキャパシタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】一実施形態による積層セラミックキャパシタは誘電体層と、内部電極層と、を含むキャパシタボディー、及び前記キャパシタボディーの外側に配置される外部電極を含み、前記誘電体層は複数の誘電体結晶粒を含み、前記誘電体結晶粒のうちの少なくとも一つはコア部及び前記コア部の少なくとも一部を囲むシェル部を含み、前記シェル部はバリウム（Ｂａ）及びチタン（Ｔｉ）を含むチタン酸バリウム系主成分と、スズ（Ｓｎ）を含む副成分と、を含み、前記シェル部はスズ（Ｓｎ）を含むＳｎ濃縮領域と、前記Ｓｎ濃縮領域より低い原子％のスズ（Ｓｎ）を含むＳｎ非濃縮領域と、を含み、前記Ｓｎ非濃縮領域に含まれているスズ（Ｓｎ）に対する前記Ｓｎ濃縮領域に含まれているスズ（Ｓｎ）の原子比は２．０以上６．０以下である。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

誘電体層と、内部電極層と、を含むキャパシタボディー、及び
前記キャパシタボディーの外側に配置される外部電極を含み、
前記誘電体層は複数の誘電体結晶粒を含み、
前記誘電体結晶粒のうちの少なくとも一つはコア部及び前記コア部の少なくとも一部を囲むシェル部を含み、
前記シェル部はバリウム（Ｂａ）及びチタン（Ｔｉ）を含むチタン酸バリウム系主成分と、スズ（Ｓｎ）を含む副成分と、を含み、
前記シェル部はスズ（Ｓｎ）を含むＳｎ濃縮領域と、前記Ｓｎ濃縮領域より低い原子％のスズ（Ｓｎ）を含むＳｎ非濃縮領域と、を含み、
前記Ｓｎ非濃縮領域に含まれているスズ（Ｓｎ）に対する前記Ｓｎ濃縮領域に含まれているスズ（Ｓｎ）の原子比は２．０以上６．０以下である、積層セラミックキャパシタ。

【請求項2】

前記シェル部は、前記誘電体結晶粒の最外郭から内部に１５ｎｍ以上２５ｎｍ以下の深さまでの領域である、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項3】

前記誘電体結晶粒の最外郭の一地点から中心を横切って他の最外郭の地点までの直線区間に対してＴＥＭ－ＥＤＳ（透過電子顕微鏡－エネルギー分散型分光法）ライン分析時、前記Ｓｎ濃縮領域はスズ（Ｓｎ）の原子％のピークが最も高く現れる、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項4】

前記Ｓｎ非濃縮領域は、スズ（Ｓｎ）を前記シェル部に含まれる全元素の原子の総量に対して０．８原子％以下で含む、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項5】

前記Ｓｎ濃縮領域の長さは、前記誘電体結晶粒の長軸長さの４０％以上１００％以下である、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項6】

３０個以上５０個以下の誘電体結晶粒を含む誘電体層内で、前記Ｓｎ濃縮領域は前記誘電体結晶粒の個数の３０％以上１００％以下で含まれる、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項7】

前記誘電体結晶粒の平均粒径は８０ｎｍ以上１６０ｎｍ以下である、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項8】

前記コア部は、バリウム（Ｂａ）及びチタン（Ｔｉ）を含むチタン酸バリウム系主成分を含む、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項9】

スズ（Ｓｎ）が、前記シェル部内で前記チタン酸バリウム系主成分１００モル部に対して０．０１モル部以上５モル部以下で含まれる、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項10】

前記副成分は、ジスプロシウム（Ｄｙ）、テルビウム（Ｔｂ）、マンガン（Ｍｎ）、バナジウム（Ｖ）、バリウム（Ｂａ）、ケイ素（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、カルシウム（Ｃａ）、又はこれらの組み合わせをさらに含む、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項11】

前記チタン酸バリウム系主成分１００モル部に対して、
前記ジスプロシウム（Ｄｙ）は０．０１モル部以上５モル部以下で含まれ、
前記テルビウム（Ｔｂ）は０．０１モル部以上５モル部以下で含まれ、
前記マンガン（Ｍｎ）は０．０１モル部以上５モル部以下で含まれ、
前記バナジウム（Ｖ）は０．０１モル部以上５モル部以下で含まれ、
前記バリウム（Ｂａ）は０．０１モル部以上５モル部以下で含まれ、
前記ケイ素（Ｓｉ）は０．０１モル部以上５モル部以下で含まれ、
前記アルミニウム（Ａｌ）は０．０１モル部以上５モル部以下で含まれ、
前記カルシウム（Ｃａ）は０．０１モル部以上５モル部以下で含まれる、請求項１０に記載の積層セラミックキャパシタ。

【請求項12】

チタン酸バリウム系主成分粉末、及びスズ（Ｓｎ）含有化合物を含む副成分粉末を混合して誘電体スラリーを製造する段階；
前記誘電体スラリーを用いて誘電体グリーンシートを製造し、前記誘電体グリーンシート表面に導電性ペースト層を形成する段階；
前記導電性ペースト層が形成された誘電体グリーンシートを積層して誘電体グリーンシート積層体を製造する段階；
前記誘電体グリーンシート積層体を焼成して誘電体層と内部電極層を含むキャパシタボディーを製造する段階；及び
前記キャパシタボディーの一面に外部電極を形成する段階を含み、
前記誘電体層は複数の誘電体結晶粒を含み、前記誘電体結晶粒のうちの少なくとも一つはコア部及び前記コア部の少なくとも一部を囲むシェル部を含み、
前記シェル部はスズ（Ｓｎ）を含むＳｎ濃縮領域、及び前記Ｓｎ濃縮領域より低い原子％のスズ（Ｓｎ）を含むＳｎ非濃縮領域を含み、
前記Ｓｎ非濃縮領域に含まれているスズ（Ｓｎ）に対する前記Ｓｎ濃縮領域に含まれているスズ（Ｓｎ）の原子比は２．０以上６．０以下である、積層セラミックキャパシタの製造方法。

【請求項13】

前記スズ（Ｓｎ）含有化合物は、前記チタン酸バリウム系主成分粉末１００モル部に対して０．０１モル部以上５モル部以下で混合される、請求項１２に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。

【請求項14】

前記副成分粉末は、ジスプロシウム（Ｄｙ）含有化合物、テルビウム（Ｔｂ）含有化合物、マンガン（Ｍｎ）含有化合物、バナジウム（Ｖ）含有化合物、バリウム（Ｂａ）含有化合物、ケイ素（Ｓｉ）含有化合物、アルミニウム（Ａｌ）含有化合物、カルシウム（Ｃａ）含有化合物、又はこれらの組み合わせをさらに含む、請求項１２に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。

【請求項15】

前記チタン酸バリウム系主成分粉末１００モル部に対して、
前記ジスプロシウム（Ｄｙ）含有化合物は０．０１モル部以上５モル部以下で含まれ、
前記テルビウム（Ｔｂ）含有化合物は０．０１モル部以上５モル部以下で含まれ、
前記マンガン（Ｍｎ）含有化合物は０．０１モル部以上５モル部以下で含まれ、
前記バナジウム（Ｖ）含有化合物は０．０１モル部以上５モル部以下で含まれ、
前記バリウム（Ｂａ）含有化合物は０．０１モル部以上５モル部以下で含まれ、
前記ケイ素（Ｓｉ）含有化合物は０．０１モル部以上５モル部以下で含まれ、
前記アルミニウム（Ａｌ）含有化合物は０．０１モル部以上５モル部以下で含まれ、
前記カルシウム（Ｃａ）含有化合物は０．０１モル部以上５モル部以下で含まれる、請求項１４に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、積層セラミックキャパシタ及びその製造方法に関するものである。

【背景技術】

【0002】

セラミック材料を使用する電子部品としてキャパシタ、インダクタ、圧電素子、バリスタ又はサーミスタなどがある。このようなセラミック電子部品のうちの積層セラミックキャパシタ（ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ ｃｅｒａｍｉｃ ｃａｐａｃｉｔｏｒ、ＭＬＣＣ）は小型でありながら高容量が保障され実装が容易であるという長所によって多様な電子装置に使用できる。

【0003】

例えば、積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ）は、液晶表示装置（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ、ＬＣＤ）、プラズマ表示装置パネル（ｐｌａｓｍａ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ、ＰＤＰ）、有機発光ダイオード（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ）などの映像機器、コンピュータ、個人携帯用端末器及びスマートフォンのような様々の電子製品の基板に装着されて電気を充電又は放電させる役割を果たすチップ形態のコンデンサに使用できる。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特に、ＩＴ向け超小型高容量のＭＬＣＣ需要が増加するにつれて、超薄層設計下で高い信頼性が要求されている。

【0005】

一実施形態は、薄層での信頼性に優れた積層セラミックキャパシタを提供する。

【0006】

他の一実施形態は、前記積層セラミックキャパシタの製造方法を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0007】

一実施形態は、誘電体層と内部電極層を含むキャパシタボディー、及び前記キャパシタボディーの外側に配置される外部電極を含み、前記誘電体層は複数の誘電体結晶粒（ｇｒａｉｎ）を含み、前記誘電体結晶粒のうちの少なくとも一つはコア部及び前記コア部の少なくとも一部を囲むシェル部を含み、前記シェル部はバリウム（Ｂａ）及びチタン（Ｔｉ）を含むチタン酸バリウム系主成分と、スズ（Ｓｎ）を含む副成分とを有し、前記シェル部はスズ（Ｓｎ）を含むＳｎ濃縮領域と、前記Ｓｎ濃縮領域より低い原子％のスズ（Ｓｎ）を含むＳｎ非濃縮領域と、を含み、前記Ｓｎ非濃縮領域に含まれているスズ（Ｓｎ）に対する前記Ｓｎ濃縮領域に含まれているスズ（Ｓｎ）の原子比は２．０以上６．０以下である、積層セラミックキャパシタを提供する。

【0008】

前記シェル部は、前記誘電体結晶粒の最外郭から内部に１５ｎｍ以上２５ｎｍ以下の深さまでの領域であってもよい。

【0009】

前記誘電体結晶粒の最外郭の一地点から中心を横切って他の最外郭の地点までの直線区間に対してＴＥＭ－ＥＤＳ（透過電子顕微鏡－エネルギー分散型分光法）ライン分析時、前記Ｓｎ濃縮領域はスズ（Ｓｎ）の原子％のピークが最も高く現れることができる。

【0010】

前記Ｓｎ非濃縮領域は、スズ（Ｓｎ）を前記シェル部に含まれる全元素の原子の総量に対して０．８原子％以下で含むことができる。

【0011】

前記Ｓｎ濃縮領域の長さは、前記誘電体結晶粒の長軸長さの４０％以上１００％以下であってもよい。

【0012】

３０個以上５０個以下の誘電体結晶粒を含む誘電体層内で、前記Ｓｎ濃縮領域は前記誘電体結晶粒の個数の３０％以上１００％以下で含まれてもよい。

【0013】

前記誘電体結晶粒の平均粒径は８０ｎｍ以上１６０ｎｍ以下であってもよい。

【0014】

前記コア部は、バリウム（Ｂａ）及びチタン（Ｔｉ）を含むチタン酸バリウム系主成分を含むことができる。

【0015】

スズ（Ｓｎ）は、前記シェル部内で前記チタン酸バリウム系主成分１００モル部に対して０．０１モル部以上５モル部以下で含まれてもよい。

【0016】

前記副成分は、ジスプロシウム（Ｄｙ）、テルビウム（Ｔｂ）、マンガン（Ｍｎ）、バナジウム（Ｖ）、バリウム（Ｂａ）、ケイ素（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、カルシウム（Ｃａ）、又はこれらの組み合わせをさらに含むことができる。

【0017】

前記チタン酸バリウム系主成分１００モル部に対して、前記ジスプロシウム（Ｄｙ）は０．０１モル部以上５モル部以下で含まれてもよく、前記テルビウム（Ｔｂ）は０．０１モル部以上５モル部以下で含まれてもよく、前記マンガン（Ｍｎ）は０．０１モル部以上５モル部以下で含まれてもよく、前記バナジウム（Ｖ）は０．０１モル部以上５モル部以下で含まれてもよく、前記バリウム（Ｂａ）は０．０１モル部以上５モル部以下で含まれてもよく、前記ケイ素（Ｓｉ）は０．０１モル部以上５モル部以下で含まれ、前記アルミニウム（Ａｌ）は０．０１モル部以上５モル部以下で含まれてもよく、前記カルシウム（Ｃａ）は０．０１モル部以上５モル部以下で含まれてもよい。

【0018】

他の一実施形態は、チタン酸バリウム系主成分粉末、及びスズ（Ｓｎ）含有化合物を含む副成分粉末を混合して誘電体スラリーを製造する段階；前記誘電体スラリーを用いて誘電体グリーンシートを製造し、前記誘電体グリーンシート表面に導電性ペースト層を形成する段階；前記導電性ペースト層が形成された誘電体グリーンシートを積層して誘電体グリーンシート積層体を製造する段階；前記誘電体グリーンシート積層体を焼成して誘電体層と内部電極層を含むキャパシタボディーを製造する段階；及び前記キャパシタボディーの一面に外部電極を形成する段階を含み、前記誘電体層は複数の誘電体結晶粒を含み、前記誘電体結晶粒のうちの少なくとも一つはコア部及び前記コア部の少なくとも一部を囲むシェル部を含み、前記シェル部はスズ（Ｓｎ）を含むＳｎ濃縮領域、及び前記Ｓｎ濃縮領域より低い原子％のスズ（Ｓｎ）を含むＳｎ非濃縮領域を含み、前記Ｓｎ非濃縮領域に含まれているスズ（Ｓｎ）に対する前記Ｓｎ濃縮領域に含まれているスズ（Ｓｎ）の原子比は２．０以上６．０以下である、積層セラミックキャパシタの製造方法を提供する。

【0019】

前記スズ（Ｓｎ）含有化合物は、前記チタン酸バリウム系主成分粉末１００モル部に対して０．０１モル部以上５モル部以下で混合できる。

【0020】

前記副成分粉末は、ジスプロシウム（Ｄｙ）含有化合物、テルビウム（Ｔｂ）含有化合物、マンガン（Ｍｎ）含有化合物、バナジウム（Ｖ）含有化合物、バリウム（Ｂａ）含有化合物、ケイ素（Ｓｉ）含有化合物、アルミニウム（Ａｌ）含有化合物、カルシウム（Ｃａ）含有化合物、又はこれらの組み合わせをさらに含むことができる。

【0021】

前記チタン酸バリウム系主成分粉末１００モル部に対して、前記ジスプロシウム（Ｄｙ）含有化合物は０．０１モル部以上５モル部以下で含まれてもよく、前記テルビウム（Ｔｂ）含有化合物は０．０１モル部以上５モル部以下で含まれてもよく、前記マンガン（Ｍｎ）含有化合物は０．０１モル部以上５モル部以下で含まれてもよく、前記バナジウム（Ｖ）含有化合物は０．０１モル部以上５モル部以下で含まれてもよく、前記バリウム（Ｂａ）含有化合物は０．０１モル部以上５モル部以下で含まれてもよく、前記ケイ素（Ｓｉ）含有化合物は０．０１モル部以上５モル部以下で含まれてもよく、前記アルミニウム（Ａｌ）含有化合物は０．０１モル部以上５モル部以下で含まれてもよく、前記カルシウム（Ｃａ）含有化合物は０．０１モル部以上５モル部以下で含まれてもよい。

【発明の効果】

【0022】

一実施形態による積層セラミックキャパシタは、誘電体結晶粒の粒成長を抑制させ粒界の抵抗を向上させることによって、薄層での信頼性を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0023】

【図1】一実施形態による積層セラミックキャパシタを示す斜視図である。

【図2】図１のＩ－Ｉ’線に沿って切断した積層セラミックキャパシタの断面図である。

【図3】図１のＩＩ－ＩＩ’線に沿って切断した積層セラミックキャパシタの断面図である。

【図4】一実施形態による誘電体層内の一つの誘電体結晶粒の構造を示す概略図である。

【図5】実施例１による誘電体層のＴＥＭイメージである。

【図6a】実施例１による誘電体層内誘電体結晶粒を示すＴＥＭイメージである。

【図6b】図６ａの誘電体結晶粒に対するＥＤＳ－ライン分析グラフである。

【図7】実施例１による誘電体層のＳＥＭイメージである。

【図8】比較例１による誘電体層のＳＥＭイメージである。

【図9】実施例１による積層セラミックキャパシタの加速寿命を評価したグラフである。

【図10】比較例１による積層セラミックキャパシタの加速寿命を評価したグラフである。

【発明を実施するための形態】

【0024】

以下、添付した図面を参照して本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように本発明の実施形態を詳しく説明する。図面で本発明を明確に説明するために説明上不必要な部分は省略し、明細書全体にわたって同一又は類似の構成要素については同一の参照符号を付した。また、添付図面において一部構成要素は誇張されるか省略されるか又は概略的に図示され、各構成要素の大きさは実際の大きさを完全に反映するものではない。

【0025】

添付された図面は本明細書に開示された実施形態を容易に理解することができるようにするためのものに過ぎず、添付された図面によって本明細書に開示された技術的思想が制限されず、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全ての変更、均等物乃至代替物を含むと理解されなければならない。

【0026】

第１、第２などのように序数を含む用語は多様な構成要素を説明するのに使用できるが、前記構成要素は前記用語によって限定されない。前記用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的にのみ使用される。

【0027】

また、層、膜、領域、板などの部分が他の部分「の上に」又は「上に」あるという時、これは他の部分「の直上に」ある場合だけでなく、その中間にまた他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分「の直上に」あるという時には中間に他の部分がないことを意味する。また、基準となる部分「の上に」又は「上に」あるというのは基準となる部分の上又は下に位置することであり、必ずしも重力反対方向側に「の上に」又は「上に」位置することを意味するのではない。

【0028】

明細書全体で、「含む」又は「有する」などの用語は明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品又はこれらを組み合わせたものが存在するのを指定しようとするものであり、一つ又はそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品又はこれらを組み合わせたものの存在又は付加可能性を予め排除しないと理解されなければならない。したがって、ある部分がある構成要素を「含む」という時、これは特に反対になる記載がない限り他の構成要素を除くのではなく他の構成要素をさらに含むことができるのを意味する。

【0029】

また、明細書全体で、「平面上」という時、これは対象部分を上から見た時を意味し、「断面上」という時、これは対象部分を垂直に切断した断面を横から見た時を意味する。

【0030】

また、明細書全体で、「連結される」という時、これは二つ以上の構成要素が直接的に連結されることのみを意味するのではなく、二つ以上の構成要素が他の構成要素を通じて間接的に連結されること、物理的に連結されることだけでなく電気的に連結されること、又は位置や機能によって異なる名称で称されたが、一体であるのを意味することができる。

【0031】

以下、一実施形態による積層セラミックキャパシタについて図１～図３を参照して説明する。

【0032】

図１は一実施形態による積層セラミックキャパシタを示す斜視図であり、図２は図１のＩ－Ｉ’線に沿って切断した積層セラミックキャパシタの断面図であり、図３は図１のＩＩ－ＩＩ’線に沿って切断した積層セラミックキャパシタの断面図である。

【0033】

図１～図３に表示されたＬ軸、Ｗ軸、及びＴ軸はそれぞれキャパシタボディー１１０の長さ方向、幅方向、及び厚さ方向を示す。ここで、厚さ方向（Ｔ軸方向）はシート形状の構成要素の広い面（主面）に垂直な方向であってもよく、一例として誘電体層１１１が積層される積層方向と同一な概念として使用できる。長さ方向（Ｌ軸方向）はシート形状の構成要素の広い面（主面）に平行に延長される方向で厚さ方向（Ｔ軸方向）と略垂直な方向であってもよく、一例として両側に第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２が位置する方向であってもよい。幅方向（Ｗ軸方向）はシート形状の構成要素の広い面（主面）に平行に延長される方向で厚さ方向（Ｔ軸方向）及び長さ方向（Ｌ軸方向）と略垂直な方向であってもよく、シート形状の構成要素の長さ方向（Ｌ軸方向）の長さは幅方向（Ｗ軸方向）の長さよりさらに長くてもよい。

【0034】

図１～図３を参照すれば、本実施形態による積層セラミックキャパシタ１００は、キャパシタボディー１１０、及びキャパシタボディー１１０の外側に配置される外部電極１３１、１３２を含む。外部電極１３１、１３２は、キャパシタボディー１１０の長さ方向（Ｌ軸方向）に対向する両端に配置される第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２を含むことができる。

【0035】

キャパシタボディー１１０は一例として、略六面体形状であってもよい。

【0036】

一実施形態に関する説明の便宜のために、キャパシタボディー１１０で厚さ方向（Ｔ軸方向）に互いに対向する両面を第１面及び第２面と、第１面及び第２面と連結され長さ方向（Ｌ軸方向）に互いに対向する両面を第３面及び第４面と、第１面及び第２面と連結され第３面及び第４面と連結され幅方向（Ｗ軸方向）に互いに対向する両面を第５面及び第６面と定義する。

【0037】

一例として、下面である第１面が実装方向に向かう面になり得る。また、第１面～第６面は平らであってもよいが、一実施形態がこれに限定されるのではない。例えば、第１面～第６面は中央部が凸の曲面であってもよく、各面の境界である角は丸い形状を有することができる。

【0038】

キャパシタボディー１１０の形状、寸法、及び誘電体層１１１の積層数が本実施形態の図面に示されたものに限定されるのではない。

【0039】

キャパシタボディー１１０は、複数の誘電体層１１１及び内部電極層１２１、１２２を含む。具体的に、キャパシタボディー１１０は、複数の誘電体層１１１と誘電体層１１１を挟んで厚さ方向（Ｔ軸方向）に交互に配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含む。

【0040】

この時、キャパシタボディー１１０の互いに隣接するそれぞれの誘電体層１１１の間の境界は、走査電子顕微鏡（ｓｃａｎｎｉｎｇ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＳＥＭ）を使用しなければ確認しにくい程度に一体化されてもよい。

【0041】

キャパシタボディー１１０は、アクティブ領域を有することができる。アクティブ領域は誘電体層１１１と内部電極層１２１、１２２が互いに交互に配置された領域であって、積層セラミックキャパシタ１００の容量形成に寄与する部分である。具体的に、アクティブ領域は厚さ方向（Ｔ軸方向）に沿って積層される第１内部電極１２１又は第２内部電極１２２が重畳（ｏｖｅｒｌａｐ）した領域であってもよい。

【0042】

また、キャパシタボディー１１０は、カバー部及びサイドマージン部をさらに含むことができる。

【0043】

カバー部は厚さ方向マージン部であって厚さ方向（Ｔ軸方向）にアクティブ領域の第１面及び第２面側にそれぞれ配置することができる。このようなカバー部は、単一誘電体層１１１又は二つ以上の誘電体層１１１がアクティブ領域の上面及び下面にそれぞれ積層されたものであってもよい。

【0044】

サイドマージン部は側面カバー部と見ることができ、幅方向（Ｗ軸方向）にアクティブ領域の互いに対向した両側端部、即ち、第５面及び第６面側にそれぞれ配置することができる。前記サイドマージン部は誘電体グリーンシート表面に内部電極層用導電性ペースト層を塗布する時、誘電体グリーンシート表面の一部領域にのみ導電性ペースト層を塗布し、誘電体グリーンシート表面の両側面には導電性ペースト層を塗布していない誘電体グリーンシートを積層した後、焼成することによって形成できるが、このような形成方法に限定されるのではない。

【0045】

カバー部及びサイドマージン部は、物理的又は化学的ストレスによる第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２の損傷を防止する役割を果たす。

【0046】

誘電体層１１１は複数の誘電体結晶粒を含む。

【0047】

一実施形態による誘電体結晶粒は図４を参照して説明する。

【0048】

図４は、一実施形態による誘電体層内の一つの誘電体結晶粒の構造を示す概略図である。

【0049】

図４を参照すれば、複数の誘電体結晶粒のうちの少なくとも一つはコア部１０及びコア部１０の少なくとも一部を囲むシェル部２０を含む。

【0050】

コア部１０は、バリウム（Ｂａ）及びチタン（Ｔｉ）を含むチタン酸バリウム系主成分を含むことができる。

【0051】

シェル部２０は、バリウム（Ｂａ）及びチタン（Ｔｉ）を含むチタン酸バリウム系主成分と、スズ（Ｓｎ）を含む副成分とを含むことができる。

【0052】

コア部１０及びシェル部２０に含まれるチタン酸バリウム系主成分は誘電体母材であって、高い誘電率を有し、積層セラミックキャパシタ１００の誘電率形成に寄与する。

【0053】

チタン酸バリウム系主成分は例えば、ＢａＴｉＯ_３、Ｂａ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ_３、Ｂａ（Ｔｉ，Ｓｎ）Ｏ_３、（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ_３、（Ｂａ，Ｃａ）（Ｔｉ，Ｃａ）Ｏ_３、（Ｂａ，Ｃａ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ_３、（Ｂａ，Ｃａ）（Ｔｉ，Ｓｎ）Ｏ_３、（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ_３、（Ｂａ，Ｓｒ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ_３、（Ｂａ，Ｓｒ）（Ｔｉ，Ｓｎ）Ｏ_３、又はこれらの組み合わせを含むことができる。

【0054】

シェル部２０は、Ｓｎ濃縮領域Ａ及びＳｎ非濃縮領域Ｂを含む。Ｓｎ濃縮領域Ａは、スズ（Ｓｎ）を含みスズ（Ｓｎ）の濃度が相対的に高い領域である。Ｓｎ非濃縮領域Ｂは、スズ（Ｓｎ）を含まないか又はスズ（Ｓｎ）の濃度が相対的に低い領域である。

【0055】

具体的に、シェル部２０は、スズ（Ｓｎ）の濃度が高い、即ち、スズ（Ｓｎ）の原子％含量が高いＳｎ濃縮領域Ａと、スズ（Ｓｎ）の濃度が相対的に低い、即ち、スズ（Ｓｎ）の原子％含量がＳｎ濃縮領域Ａより低いＳｎ非濃縮領域Ｂとを含むことができる。

【0056】

一般に、積層セラミックキャパシタの信頼性向上のためには誘電体結晶粒の大きさが小さく、かつ誘電体層の層当り結晶粒個数が多くなければならない。しかし、薄層では誘電体層の厚さが薄いため粒成長された誘電体結晶粒によって層当り１つ～２つ程度の誘電体結晶粒のみ存在する場合が発生することがあり、これによって信頼性が劣化することがある。一実施形態によれば、チタン酸バリウム系主成分にスズ（Ｓｎ）のドーピングによって誘電体結晶粒の粒成長を抑制することができる。また、スズ（Ｓｎ）のバンドギャップエネルギーがチタン酸バリウム系主成分より大きいため、スズ（Ｓｎ）が濃縮されて誘電体結晶粒内のシェル部２０にＳｎ濃縮領域Ａが存在する場合、粒界抵抗を増加させることができる。

【0057】

言い換えれば、誘電体結晶粒内のシェル部２０にスズ（Ｓｎ）の濃度が高いＳｎ濃縮領域Ａと、スズ（Ｓｎ）の濃度が相対的に低いＳｎ非濃縮領域Ｂとが存在する場合、誘電体結晶粒の粒成長を抑制させ粒界の抵抗を増加させることによって、薄層での信頼性を改善することができる。

【0058】

具体的に、Ｓｎ非濃縮領域Ｂに含まれているスズ（Ｓｎ）に対するＳｎ濃縮領域Ａに含まれているスズ（Ｓｎ）の原子比は２．０以上６．０以下であってもよく、例えば２．１以上５．５以下、２．２以上５．０以下であってもよい。前記範囲内の原子比を有する場合、誘電体結晶粒の粒成長を抑制させ粒界の抵抗を増加させることによって、薄層での信頼性を向上させることができる。

【0059】

シェル部２０は、誘電体結晶粒の最外郭から内部に１５ｎｍ以上２５ｎｍ以下、例えば１７ｎｍ以上２３ｎｍ以下の深さまでの領域であってもよい。即ち、シェル部２０の厚さｔが１５ｎｍ以上２５ｎｍ以下、例えば１７ｎｍ以上２３ｎｍ以下であってもよい。

【0060】

前述した、シェル部２０の厚さｔ、シェル部２０に存在するＳｎ濃縮領域Ａ及びＳｎ非濃縮領域Ｂ、Ｓｎ濃縮領域Ａ及びＳｎ非濃縮領域Ｂ間のスズ（Ｓｎ）の原子比は全てＴＥＭ－ＥＤＳ（透過電子顕微鏡－エネルギー分散型分光法）ライン分析を通じて確認することができる。

【0061】

ＴＥＭ－ＥＤＳ（透過電子顕微鏡－エネルギー分散型分光法）ライン分析は次のような方法で行うことができる。積層セラミックキャパシタ１００をエポキシ混合液に入れて硬化させた後、キャパシタボディー１１０のＷ軸及びＴ軸方向面（ＷＴ面）をＬ軸方向に１／２深さまで研磨（ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）し、固定後、真空雰囲気チャンバー内に維持して、誘電体層１１１と内部電極層１２１、１２２が交差するアクティブ領域を観察することができるように断面サンプルを得ることができる。次いで、断面サンプルのアクティブ領域に対して誘電体層１１１が少なくとも１層、例えば１層以上５層以下が見えるように透過電子顕微鏡（ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＴＥＭ）で測定することができる。例えば、ＴＥＭは誘電体層１１１内の約３００ｎｍ×３００ｎｍ領域でＸｅ－ＦＩＢ（ｆｏｃｕｓｅｄ ｉｏｎ ｂｅａｍ）を使用して加速電圧２００ｋＶの条件で測定することができる。次いで、測定された断面サンプルのＴＥＭイメージで、誘電体結晶粒の最外郭の一地点から中心を横切って他の最外郭の地点までの直線区間に対して、ＥＤＳ－ライン分析を行った。ＥＤＳ－ライン分析を通じて、コア－シェル構造、Ｓｎ濃縮領域Ａ及びＳｎ非濃縮領域Ｂ間のスズ（Ｓｎ）の原子比などを確認することができる。

【0062】

前述の方法で行われたＴＥＭ－ＥＤＳ（透過電子顕微鏡－エネルギー分散型分光法）ライン分析で、Ｓｎ濃縮領域Ａはスズ（Ｓｎ）の原子％のピークが最も高く現れる区間であってもよい。

【0063】

Ｓｎ濃縮領域Ａではスズ（Ｓｎ）がシェル部２０の総量に対して０．１原子％以上３原子％以下で含まれてもよく、例えば０．５原子％以上２．８原子％以下で含まれてもよい。また、Ｓｎ非濃縮領域Ｂではスズ（Ｓｎ）がシェル部２０の総量に対して０．８原子％以下で含まれてもよく、例えば０．０１原子％以上０．８原子％以下、０．１原子％以上０．６原子％以下で含まれてもよい。それぞれのＳｎ濃縮領域Ａ及びＳｎ非濃縮領域Ｂでのスズ（Ｓｎ）が前記含量範囲内に含まれている場合、誘電体結晶粒の粒成長が抑制され粒界の抵抗が増加して薄層での高い信頼性を確保することができる。

【0064】

Ｓｎ濃縮領域Ａは、所定の長さｌと厚さを有する形態で存在し得る。

【0065】

Ｓｎ濃縮領域Ａの長さｌは誘電体結晶粒の長軸長さの４０％以上１００％以下であってもよく、例えば５０％以上１００％以下、６０％以上１００％以下であってもよい。Ｓｎ濃縮領域Ａの長さが前記範囲内である場合、粒界の抵抗特性が向上できる。

【0066】

Ｓｎ濃縮領域Ａは一つの誘電体結晶粒内に、具体的には一つの誘電体結晶粒のシェル部２０内に、１つ以上４つ以下、例えば２つ以上３つ以下存在し得る。

【0067】

また、一つの誘電体層１１１内に誘電体結晶粒が３０個以上５０個以下存在するＴＥＭイメージ上で、Ｓｎ濃縮領域Ａは前記誘電体結晶粒の個数の３０％以上１００％以下に該当する個数で存在し得る。Ｓｎ濃縮領域Ａが誘電体層１１１内に前記個数範囲で存在する場合、誘電体結晶粒の粒成長が抑制されるだけでなく、粒界の抵抗が増加して薄層での信頼性が向上できる。ここでのＴＥＭイメージは誘電体層１１１が見える約１．３μｍ×１．３μｍ領域でＸｅ－ＦＩＢを使用して加速電圧２００ｋＶの条件で測定できる。

【0068】

一実施形態による誘電体結晶粒の平均粒径は８０ｎｍ以上１６０ｎｍ以下であってもよく、例えば９０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であってもよい。誘電体結晶粒の平均粒径が前記範囲内である場合、誘電体結晶粒の粒成長が抑制されて薄層での信頼性が向上できる。

【0069】

誘電体結晶粒の平均粒径はＳＥＭ（走査電子顕微鏡）分析によって得ることができる。具体的に、積層セラミックキャパシタをエポキシ混合液に入れて硬化させた後、キャパシタボディーのＷ軸及びＴ軸方向面（ＷＴ面）をＬ軸方向に１／２地点まで研磨（ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）し、固定後、真空雰囲気チャンバー内で維持して、誘電体層と内部電極層が交差するアクティブ部を観察することができるように断面サンプルを得ることができる。次いで、断面サンプルのアクティブ部で誘電体層が少なくとも２層出るように、走査電子顕微鏡（ｓｃａｎｎｉｎｇ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＳＥＭ）で測定することができる。例えば、ＳＥＭはｔｈｅｒｍｏｆｉｓｈｅｒ ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社のＶｅｒｉｏｓ Ｇ４製品を使用し、２つの誘電体層が見える約２．２μｍ×２．２μｍ領域でＸｅ－ＦＩＢを使用して加速電圧２００ｋＶの条件で測定することができる。

【0070】

前記断面サンプルのＳＥＭイメージで少なくとも１００個の誘電体結晶粒の最大長軸の直径を測定して平均値を算出することができる。

【0071】

スズ（Ｓｎ）はシェル部２０内でチタン酸バリウム系主成分１００モル部に対して０．０１モル部以上５モル部以下で含まれてもよく、例えば０．１モル部以上４モル部以下で含まれてもよい。スズ（Ｓｎ）がシェル部２０内に前記含量範囲内に含まれる場合、誘電体結晶粒の粒成長が抑制されることによって、薄層でも誘電体層の層当り誘電体結晶粒の個数が多くなり得るので信頼性が向上できる。

【0072】

シェル部２０に含まれる副成分はスズ（Ｓｎ）外にも、ジスプロシウム（Ｄｙ）、テルビウム（Ｔｂ）、マンガン（Ｍｎ）、バナジウム（Ｖ）、バリウム（Ｂａ）、ケイ素（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、カルシウム（Ｃａ）、又はこれらの組み合わせをさらに含むことができる。

【0073】

ジスプロシウム（Ｄｙ）はチタン酸バリウム系主成分１００モル部に対して０．０１モル部以上５モル部以下で含まれてもよく、例えば０．１モル部以上４モル部以下で含まれてもよい。テルビウム（Ｔｂ）はチタン酸バリウム系主成分１００モル部に対して０．０１モル部以上５モル部以下で含まれてもよく、例えば０．１モル部以上４モル部以下で含まれてもよい。マンガン（Ｍｎ）はチタン酸バリウム系主成分１００モル部に対して０．０１モル部以上５モル部以下で含まれてもよく、例えば０．１モル部以上４モル部以下で含まれてもよい。バナジウム（Ｖ）はチタン酸バリウム系主成分１００モル部に対して０．０１モル部以上５モル部以下で含まれてもよく、例えば０．１モル部以上４モル部以下で含まれてもよい。バリウム（Ｂａ）はチタン酸バリウム系主成分１００モル部に対して０．０１モル部以上５モル部以下で含まれてもよく、例えば０．１モル部以上４モル部以下で含まれてもよい。ケイ素（Ｓｉ）はチタン酸バリウム系主成分１００モル部に対して０．０１モル部以上５モル部以下で含まれてもよく、例えば０．１モル部以上４モル部以下で含まれてもよい。アルミニウム（Ａｌ）はチタン酸バリウム系主成分１００モル部に対して０．０１モル部以上５モル部以下で含まれてもよく、例えば０．１モル部以上４モル部以下で含まれてもよい。カルシウム（Ｃａ）はチタン酸バリウム系主成分１００モル部に対して０．０１モル部以上５モル部以下で含まれてもよく、例えば０．１モル部以上４モル部以下で含まれてもよい。それぞれの副成分が前記含量範囲内で含まれる場合、薄層での信頼性が向上できる。

【0074】

誘電体層１１１の平均厚さは０．１μｍ以上８．０μｍ以下であってもよく、例えば０．３μｍ以上３．０μｍ以下であってもよい。誘電体層１１１の平均厚さが前記範囲内である場合、信頼性の高い薄層の積層セラミックキャパシタを確保することができる。

【0075】

誘電体層１１１の平均厚さは、積層セラミックキャパシタ１００をエポキシ混合液に入れて硬化させた後にポリシング（ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）した後、イオンミリングして走査電子顕微鏡（ｓｃａｎｎｉｎｇ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＳＥＭ）分析によって測定できる。走査電子顕微鏡は例えば、ｔｈｅｒｍｏｆｉｓｈｅｒ ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社のＶｅｒｉｏｓ Ｇ４製品を使用し、測定条件は１０ｋＶ、０．２ｎＡであり、分析倍率は１００倍であってもよく、少なくとも１層以上、３層以上、５層以上、又は１０層以上の誘電体層１１１が出るように測定することができる。走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）イメージで、誘電体層１１１の長さ方向（Ｌ軸方向）又は幅方向（Ｗ軸方向）中央地点を基準点とし、基準点から所定間隔で離れた１０地点での、誘電体層１１１厚さの算術平均値であってもよい。１０地点の間隔は走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）イメージのスケール（ｓｃａｌｅ）によって調節することができ、例えば１μｍ以上１００μｍ以下、１μｍ以上５０μｍ以下、又は１μｍ以上１０μｍ以下の間隔であってもよい。この時、１０地点は全て誘電体層１１１内に位置しなければならず、１０地点が全て誘電体層１１１内に位置しない場合、基準点の位置を変更するか、又は１０地点の間隔を調節することができる。

【0076】

第１内部電極１２１と第２内部電極１２２は互いに異なる極性を有する電極であって、誘電体層１１１を挟んでＴ軸方向に沿って互いに対向するように交互に配置され、一端がキャパシタボディー１１０の第３面及び第４面を通じてそれぞれ露出される。

【0077】

第１内部電極１２１と第２内部電極１２２は中間に配置された誘電体層１１１によって互いに電気的に絶縁される。

【0078】

キャパシタボディー１１０の第３面及び第４面を通じて交互に露出される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２の端部は、第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２とそれぞれ接続されて電気的に連結される。

【0079】

第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は導電性金属を含み、例えばＮｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなどの金属、又はこれらの合金、例えばＡｇ－Ｐｄ合金を含むことができる。

【0080】

また、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は、誘電体層１１１に含まれるセラミック材料と同一組成系の誘電体粒子を含むこともできる。

【0081】

第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は、導電性金属を含む導電性ペーストを使用して形成できる。導電性ペーストの印刷方法はスクリーン印刷法又はグラビア印刷法を用いることができる。

【0082】

第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２の平均厚さは０．１μｍ以上２μｍ以下であってもよい。第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２の平均厚さは走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）分析によって測定できる。ここで、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）分析は前述の誘電体層１１１の平均厚さ測定時の方法と同一なので、その説明を省略する。

【0083】

キャパシタボディー１１０は、複数の誘電体層１１１と内部電極層１２１、１２２が積層された積層体を焼成して形成できる。

【0084】

第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２は互いに異なる極性の電圧が提供され、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２の露出される部分とそれぞれ接続されて電気的に連結される。

【0085】

前記のような構成により、第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２に所定の電圧を印加すれば、互いに対向する第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２の間に電荷が蓄積される。この時、積層セラミックキャパシタ１００の静電容量はアクティブ領域でＴ軸方向に沿って互いに重畳する第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２の重畳する部分の面積と比例するようになる。

【0086】

第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２は、キャパシタボディー１１０の第３面及び第４面にそれぞれ配置されて第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２と接続される第１接続部及び第２接続部と、キャパシタボディー１１０の第３面及び第４面と、第１面及び第２面又は第５面及び第６面が接する角に配置される第１バンド部及び第２バンド部をそれぞれ含むことができる。

【0087】

第１バンド部及び第２バンド部は第１接続部及び第２接続部からキャパシタボディー１１０の第１面及び第２面又は第５面及び第６面の一部までそれぞれ延長される。第１バンド部及び第２バンド部は第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２の固着強度を向上させる役割を果たすことができる。

【0088】

第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２はそれぞれキャパシタボディー１１０と接触する焼結金属層、焼結金属層を覆うように配置される伝導性樹脂層、及び伝導性樹脂層を覆うように配置されるメッキ層を含むことができる。

【0089】

焼結金属層は、導電性金属及びガラスを含むことができる。

【0090】

導電性金属は銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、鉛（Ｐｂ）、これらの合金、又はこれらの組み合わせを含むことができ、例えば銅（Ｃｕ）は銅（Ｃｕ）合金を含むことができる。導電性金属が銅を含む場合、銅以外の金属は銅１００モル部に対して５モル部以下で含まれてもよい。

【0091】

ガラスは酸化物が混合された組成を含むことができ、例えばケイ素酸化物、ホウ素酸化物、アルミニウム酸化物、遷移金属酸化物、アルカリ金属酸化物、及びアルカリ土類金属酸化物からなる群より選択された一つ以上であってもよい。遷移金属は亜鉛（Ｚｎ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、及びニッケル（Ｎｉ）からなる群より選択され、アルカリ金属はリチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、及びカリウム（Ｋ）からなる群より選択され、アルカリ土類金属はマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、及びバリウム（Ｂａ）からなる群より選択された一つ以上であってもよい。

【0092】

選択的に、伝導性樹脂層は焼結金属層の上に形成され、例えば焼結金属層を完全に覆う形態に形成できる。一方、第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２は焼結金属層を含まなくてもよく、この場合、伝導性樹脂層がキャパシタボディー１１０と直接接触することになる。

【0093】

伝導性樹脂層はキャパシタボディー１１０の第１面及び第２面又は第５面及び第６面に延長され、伝導性樹脂層がキャパシタボディー１１０の第１面及び第２面又は第５面及び第６面に延長して配置された領域（即ち、バンド部）の長さは焼結金属層がキャパシタボディー１１０の第１面及び第２面又は第５面及び第６面に延長して配置された領域（即ち、バンド部）の長さより長くてもよい。即ち、伝導性樹脂層は焼結金属層の上に形成され、焼結金属層を完全に覆う形態に形成できる。

【0094】

伝導性樹脂層は、樹脂及び導電性金属を含む。

【0095】

伝導性樹脂層に含まれる樹脂は接合性及び衝撃吸収性を有し、導電性金属粉末と混合してペーストを作ることができるものであれば特に制限されず、例えばフェノール樹脂、アクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂、又はポリイミド樹脂を含むことができる。

【0096】

伝導性樹脂層に含まれる導電性金属は、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２又は焼結金属層と電気的に連結されるようにする役割を果たす。

【0097】

伝導性樹脂層に含まれる導電性金属は、球形、フレーク形、又はこれらの組み合わせの形態を有することができる。即ち、導電性金属はフレーク形のみからなるか、又は球形のみからなってもよく、フレーク形と球形が混合された形態であってもよい。

【0098】

ここで、球形は完全な球形でない形態も含むことができ、例えば、長軸と短軸の長さ比率（長軸／短軸）が１．４５以下である形態を含むことができる。フレーク形粉末は平たくて細長い形態を有する粉末を意味し、特に制限されるわけではないが、例えば、長軸と短軸の長さ比率（長軸／短軸）が１．９５以上であってもよい。

【0099】

第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２は、伝導性樹脂層外側に配置されるメッキ層をさらに含むことができる。

【0100】

メッキ層は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、スズ（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）又は鉛（Ｐｂ）の単独又はこれらの合金を含むことができる。例えば、メッキ層はニッケル（Ｎｉ）メッキ層又はスズ（Ｓｎ）メッキ層であってもよく、ニッケル（Ｎｉ）メッキ層及びスズ（Ｓｎ）メッキ層が順次に積層された形態であってもよく、スズ（Ｓｎ）メッキ層、ニッケル（Ｎｉ）メッキ層及びスズ（Ｓｎ）メッキ層が順次に積層された形態であってもよい。また、メッキ層は複数のニッケル（Ｎｉ）メッキ層及び／又は複数のスズ（Ｓｎ）メッキ層を含むこともできる。

【0101】

メッキ層は、積層型キャパシタ１００の基板との実装性、構造的信頼性、外部に対する耐久度、耐熱性及び等価直列抵抗値（ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ ｓｅｒｉｅｓ ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ、ＥＳＲ）を改善することができる。

【0102】

以下では、一実施形態による積層セラミックキャパシタ１００の製造方法について説明する。

【0103】

一実施形態による積層セラミックキャパシタ１００は、チタン酸バリウム系主成分粉末、及びスズ（Ｓｎ）含有化合物を含む副成分粉末を混合して誘電体スラリーを製造する段階；前記誘電体スラリーを用いて誘電体グリーンシートを製造し、前記誘電体グリーンシート表面に導電性ペースト層を形成する段階；前記導電性ペースト層が形成された誘電体グリーンシートを積層して誘電体グリーンシート積層体を製造する段階；前記誘電体グリーンシート積層体を焼成して誘電体層と内部電極層を含むキャパシタボディーを製造する段階；及び前記キャパシタボディーの一面に外部電極を形成する段階を経て製造できる。

【0104】

まず、チタン酸バリウム系主成分粉末、及びスズ（Ｓｎ）含有化合物を含む副成分粉末を混合して誘電体スラリーを製造する。

【0105】

チタン酸バリウム系主成分粉末は、チタン（Ｔｉ）前駆体及びバリウム（Ｂａ）前駆体の混合で製造できる。

【0106】

チタン（Ｔｉ）前駆体はチタンの酸化物、塩（ｓａｌｔ）、アルコキシドなどであってもよく、例えば、二酸化チタン、チタンジイソプロポキシドジアセチルアセトネート（ＴＰＡ）、チタンアルコキシド、又はこれらの組み合わせを含むことができる。

【0107】

バリウム（Ｂａ）前駆体は、ＢａＯ_２、ＢａＴｉＯ_３、ＢａＣＯ_３、ＢａＯ、又はこれらの組み合わせを含むことができる。

【0108】

バリウム（Ｂａ）前駆体は、チタン（Ｔｉ）前駆体１モルに対して０．９モル以上１．１モル以下で含まれてもよい。

【0109】

副成分粉末であるスズ（Ｓｎ）含有化合物は酸化物、窒化物、又は塩化合物であってもよく、又は有機溶媒に分散したゾル形態で使用することもできる。

【0110】

スズ（Ｓｎ）含有化合物はチタン酸バリウム系主成分粉末１００モル部に対して０．０１モル部以上５モル部以下で混合されてもよく、例えば０．１モル部以上３モル部以下で混合されてもよい。スズ（Ｓｎ）含有化合物が前記含量範囲内で混合される場合、誘電体結晶粒の粒成長を抑制させることによって薄層での信頼性を向上させることができる。

【0111】

副成分粉末は、ジスプロシウム（Ｄｙ）含有化合物、テルビウム（Ｔｂ）含有化合物、マンガン（Ｍｎ）含有化合物、バナジウム（Ｖ）含有化合物、バリウム（Ｂａ）含有化合物、ケイ素（Ｓｉ）含有化合物、アルミニウム（Ａｌ）含有化合物、カルシウム（Ｃａ）含有化合物、又はこれらの組み合わせをさらに含むことができる。

【0112】

ジスプロシウム（Ｄｙ）含有化合物はチタン酸バリウム系主成分粉末１００モル部に対して０．０１モル部以上５モル部以下で含まれてもよく、例えば０．１モル部以上４モル部以下で含まれてもよい。テルビウム（Ｔｂ）含有化合物はチタン酸バリウム系主成分粉末１００モル部に対して０．０１モル部以上５モル部以下で含まれてもよく、例えば０．１モル部以上４モル部以下で含まれてもよい。マンガン（Ｍｎ）はチタン酸バリウム系主成分粉末１００モル部に対して０．０１モル部以上５モル部以下で含まれてもよく、例えば０．１モル部以上４モル部以下で含まれてもよい。バナジウム（Ｖ）はチタン酸バリウム系主成分粉末１００モル部に対して０．０１モル部以上５モル部以下で含まれてもよく、例えば０．１モル部以上４モル部以下で含まれてもよい。バリウム（Ｂａ）はチタン酸バリウム系主成分粉末１００モル部に対して０．０１モル部以上５モル部以下で含まれてもよく、例えば０．１モル部以上４モル部以下で含まれてもよい。ケイ素（Ｓｉ）はチタン酸バリウム系主成分粉末１００モル部に対して０．０１モル部以上５モル部以下で含まれてもよく、例えば０．１モル部以上４モル部以下で含まれてもよい。アルミニウム（Ａｌ）はチタン酸バリウム系主成分粉末１００モル部に対して０．０１モル部以上５モル部以下で含まれてもよく、例えば０．１モル部以上４モル部以下で含まれてもよい。カルシウム（Ｃａ）はチタン酸バリウム系主成分粉末１００モル部に対して０．０１モル部以上５モル部以下で含まれてもよく、例えば０．１モル部以上４モル部以下で含まれてもよい。それぞれの副成分粉末が前記含量範囲内で含まれる場合、薄層での信頼性が向上できる。

【0113】

誘電体スラリーは、分散剤、バインダー、可塑剤、潤滑剤、帯電防止剤などの添加剤と溶媒を追加的に混合して製造できる。

【0114】

分散剤は例えば、リン酸エステル系分散剤、ポリカルボン酸系分散剤、又はこれらの組み合わせを含むことができる。分散剤はチタン酸バリウム系主成分粉末１００重量部に対して０．１重量部以上５重量部以下で混合されてもよく、例えば０．３重量部以上３重量部以下で混合されてもよい。分散剤が前記含量範囲内で混合される場合、誘電体スラリーの分散性に優れ、製造された誘電体層内に含まれる不純物の量を減らすことができる。

【0115】

バインダーは例えば、アクリル樹脂、ポリビニルブチル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、エチルセルロース樹脂などであってもよい。バインダーはチタン酸バリウム系主成分粉末１００重量部に対して０．１重量部以上５０重量部以下で添加されてもよく、例えば３重量部以上３０重量部以下で添加されてもよい。バインダーが前記含量範囲内で混合される場合、誘電体スラリーの分散性に優れ、製造された誘電体層内に含まれる不純物の量を減らすことができる。

【0116】

可塑剤は例えば、フタル酸ジオクチル、フタル酸ベンジルブチル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジヘキシル、フタル酸ジ（２－エチルヘキシル）、フタル酸ジ（２－エチルブチル）などのフタル酸系化合物；アジピン酸ジヘキシル、アジピン酸ジ（２－エチルヘキシル）などのアジピン酸系化合物；エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコールなどのグリコール系化合物；トリエチレングリコールジブチレート、トリエチレングリコールジ（２－エチルブチレート）、トリエチレングリコールジ（２－エチルヘキサノエート）などのグリコールエステル系化合物などであってもよい。可塑剤はチタン酸バリウム系主成分粉末１００重量部に対して０．１重量部以上２０重量部以下で添加されてもよく、例えば１重量部以上１０重量部以下で添加されてもよい。可塑剤が前記含量範囲内で混合される場合、誘電体スラリーの分散性に優れ、製造された誘電体層内に含まれる不純物の量を減らすことができる。

【0117】

溶媒は、水などの水系溶媒；エタノール、メタノール、ベンジルアルコール、メトキシエタノールなどのアルコール系溶媒；エチレングリコール、ジエチレングリコールなどのグリコール系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒；酢酸ブチル、酢酸エチル、カルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテートなどのエステル系溶媒；メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルエーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族系溶媒などであってもよい。溶媒は例えば、誘電体スラリーに含まれる各種添加剤の溶解性や分散性を考慮して、アルコール系溶媒又は芳香族系溶媒を使用することができる。溶媒はチタン酸バリウム系主成分粉末１００重量部に対して５０重量部以上１０００重量部以下で混合されてもよく、例えば１００重量部以上５００重量部以下で混合されてもよい。溶媒が前記含量範囲内で混合される場合、誘電体スラリー成分が十分に混合され、以後溶媒の除去も容易である。

【0118】

チタン酸バリウム系主成分粉末及び副成分粉末の混合は湿式ボールミル又は攪拌ミルを用いることができる。湿式ボールミルでジルコニアボールを用いる場合、直径０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の多数のジルコニアボールを用いて８時間以上４８時間以下、又は１０時間以上２４時間以下湿式混合することができる。

【0119】

製造された誘電体スラリーは焼成後に誘電体層として形成される。

【0120】

製造された誘電体スラリーをシート形状に成形する方法としてはドクターブレード法、カレンダーロール法などのテープ成形法など、例えばヘッド吐出方式のオン－ロール（ｏｎ ｒｏｌｌ）成形コーター（ｃｏａｔｅｒ）を用いることができ、その後、成形体を乾燥することによって誘電体グリーンシートを得ることができる。

【0121】

焼成後に内部電極層になる導電性ペースト層を形成するために、導電性金属又はその合金からなる導電性粉末、バインダー及び溶媒を混合して導電性ペーストを製造することができる。また、必要によって共材としてチタン酸バリウム粉末が共に混合されてもよい。共材は焼成過程で導電性粉末の焼結を抑制する作用を果たすことができる。誘電体グリーンシート表面にスクリーン印刷などの各種印刷法や転写法によって導電性ペーストを所定のパターンで塗布して導電性ペースト層を形成する。

【0122】

前記導電性粉末は、ニッケル（Ｎｉ）又はニッケル（Ｎｉ）合金を含むことができる。

【0123】

次いで、内部電極パターンを形成した誘電体グリーンシートを複数層にわたって積層した後、積層方向にプレスすることによって誘電体グリーンシート積層体を製造する。この時、誘電体グリーンシート積層体の積層方向の上面及び下面には誘電体グリーンシートが位置するように誘電体グリーンシートと内部電極パターンを積層することができる。

【0124】

製造された誘電体グリーンシート積層体をダイシングなどによって所定の寸法に切断する段階を選択的に行うことができる。

【0125】

また、誘電体グリーンシート積層体は必要によって可塑剤などを除去するために固化乾燥することができ、固化乾燥後に水平遠心バレル研磨機などを用いてバレル研磨することができる。バレル研磨では、誘電体グリーンシート積層体をメディア及び研磨液と共にバレル容器内に投入し、そのバレル容器に対して回転運動や振動などを付与することによって、切断時に発生したバリ（ｂｕｒｒ）などの不必要部分を研磨することができる。また、バレル研磨後、誘電体グリーンシート積層体は水などの洗浄液で洗浄して乾燥することができる。

【0126】

次いで、誘電体グリーンシート積層体を脱バインダー処理及び焼成してキャパシタボディーを製造することができる。

【0127】

脱バインダー処理条件は、誘電体層の成分や内部電極層の成分によって適切に調節することができる。例えば、脱バインダー処理時の昇温速度は５℃／時間以上３００℃／時間以下、支持温度は１８０℃以上４００℃以下、温度維持時間は０．５時間以上２４時間以下であってもよい。脱バインダー処理時、雰囲気は空気又は還元性雰囲気であってもよい。

【0128】

焼成処理の条件は、誘電体層の主成分組成や内部電極の主成分組成によって適切に調節することができる。例えば、焼成は１１００℃以上１４００℃以下の温度で行うことができ、例えば１１５０℃以上１３００℃以下の温度で行うことができる。また、焼成は０．５時間以上８時間以下、例えば１時間以上３時間以下行うことができる。また、焼成は還元性雰囲気、例えば、窒素及び水素の混合ガスを加湿した雰囲気で行うことができる。内部電極がニッケル（Ｎｉ）又はニッケル（Ｎｉ）合金を含む場合、焼成雰囲気中の酸素分圧は１．０×１０^－１４ＭＰａ以上１．０×１０^－１０ＭＰａ以下であってもよい。

【0129】

焼成処理後、必要によってアニーリングを行うことができる。アニーリングは誘電体層を再酸化させるための処理であり、還元性雰囲気で焼成処理した場合、アニーリングを行うことができる。アニーリング処理の条件も誘電体層の成分によって適切に調節することができる。例えば、アニーリング時の温度は９５０℃以上１１５０℃以下であってもよく、時間は０時間以上２０時間以下であってもよく、昇温速度は５０℃／時間以上５００℃／時間以下であってもよい。アニーリング雰囲気は加湿した窒素ガス（Ｎ_２）雰囲気であってもよく、酸素分圧は１．０×１０^－９ＭＰａ以上１．０×１０^－５ＭＰａ以下であってもよい。

【0130】

脱バインダー処理、焼成処理、又はアニーリング処理で、窒素ガスや混合ガスなどを加湿するためには例えばウェッター（ｗｅｔｔｅｒ）などを使用することができ、この場合、水温は５℃以上７５℃以下であってもよい。脱バインダー処理、焼成処理、及びアニーリング処理は連続して行うことができ、独立的に行うこともできる。

【0131】

選択的に、製造されたキャパシタボディー１１０の第３面及び第４面に対して、サンドブラスティング処理、レーザー照射、バレル研磨などの表面処理を行うことができる。このような表面処理を行うことによって、第３面及び第４面の最表面に第１内部電極及び第２内部電極の端部が露出され、これにより第１外部電極及び第２外部電極と第１内部電極及び第２内部電極の電気的接合が良好になり、合金部が形成されやすくなり得る。

【0132】

次いで、製造されたキャパシタボディー１１０の一面に外部電極を形成する。

【0133】

一例として、外部電極として焼結金属層形成用ペーストを塗布した後に焼結させて焼結金属層を形成することができる。

【0134】

焼結金属層形成用ペーストは、導電性金属とガラスを含むことができる。導電性金属とガラスに関する説明は前述のものと同一なので、繰り返される説明は省略する。また、焼結金属層形成用ペーストは選択的にバインダー、溶媒、分散剤、可塑剤、酸化物粉末などを含むことができる。バインダーは例えばエチルセルロース、アクリル、ブチラール（ｂｕｔｙｒａｌ）などを使用することができ、溶媒は例えばテルピネオール、ブチルカルビトール、アルコール、メチルエチルケトン、アセトン、トルエンなどの有機溶媒や、水系溶媒を使用することができる。

【0135】

焼結金属層形成用ペーストをキャパシタボディー１１０の外面に塗布する方法としては、ディップ法、スクリーン印刷などの各種印刷法、ディスペンサーなどを用いた塗布法、スプレーを用いた噴霧法などを使用することができる。焼結金属層形成用ペーストは少なくともキャパシタボディー１１０の第３面及び第４面に塗布され、選択的に第１外部電極及び第２外部電極のバンド部が形成される第１面、第２面、第５面、又は第６面の一部にも塗布できる。

【0136】

その後、焼結金属層形成用ペーストが塗布されたキャパシタボディー１１０を乾燥させ、７００℃以上１０００℃以下の温度で０．１時間以上３時間以下焼結させて、焼結金属層を形成する。

【0137】

選択的に、得られたキャパシタボディー１１０の外面に、伝導性樹脂層形成用ペーストを塗布した後に硬化させて、伝導性樹脂層を形成することができる。

【0138】

伝導性樹脂層形成用ペーストは、樹脂、及び選択的に導電性金属又は非伝導性フィラーを含むことができる。導電性金属と樹脂に関する説明は前述のものと同一なので、繰り返される説明は省略する。また、伝導性樹脂層形成用ペーストは選択的にバインダー、溶媒、分散剤、可塑剤、酸化物粉末などを含むことができる。バインダーは例えばエチルセルロース、アクリル、ブチラール（ｂｕｔｙｒａｌ）などを使用することができ、溶媒はテルピネオール、ブチルカルビトール、アルコール、メチルエチルケトン、アセトン、トルエンなどの有機溶媒や、水系溶媒を使用することができる。

【0139】

一例として、伝導性樹脂層の形成方法は、伝導性樹脂層形成用ペーストにキャパシタボディー１１０をディッピングして形成した後に硬化させるか、又は伝導性樹脂層形成用ペーストをキャパシタボディー１１０の表面にスクリーン印刷法又はグラビア印刷法などで印刷するか、又は伝導性樹脂層形成用ペーストをキャパシタボディー１１０の表面に塗布した後に硬化させて形成することができる。

【0140】

その次に、伝導性樹脂層の外側にメッキ層を形成する。

【0141】

一例として、メッキ層はメッキ法によって形成することができ、スパッタ又は電解メッキ（ｅｌｅｃｔｒｉｃ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって形成することもできる。

【0142】

以下、実施例を通じて前述の実施形態をより詳細に説明する。但し、下記の実施例は単に説明の目的のためのものであり、権利範囲を制限するものではない。

【0143】

［実施例］
（積層セラミックキャパシタ製造）
実施例１～３及び比較例１～５
チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）主成分粉末、及び副成分粉末として酸化スズ（ＳｎＯ_２）及び酸化ジスプロシウム（Ｄｙ_２Ｏ_３）を混合して誘電体スラリーを製造した。この時、酸化スズ（ＳｎＯ_２）及び酸化ジスプロシウム（Ｄｙ_２Ｏ_３）はチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）主成分粉末１００モル部に対してそれぞれ１．５モル部で混合された。混合は、ジルコニウムボール（ＺｒＯ－_２ ｂａｌｌ）を分散媒として使用して、エタノール／トルエンと湿潤分散剤（ｗｅｔｔｉｎｇ ｄｉｓｐｅｒｓａｎｔ）及びバインダーとしてポリビニルブチラール（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ ｂｕｔｙｒａｌ、ＰＶＢ）樹脂を共に投入した後、機械的ミリング（ｍｉｌｌｉｎｇ）して行われた。

【0144】

製造された誘電体スラリーをヘッド吐出方式のオン－ロール（ｏｎ ｒｏｌｌ）成形コーター（ｃｏａｔｅｒ）を用いて誘電体グリーンシートを製造した。

【0145】

誘電体グリーンシートの表面にニッケル（Ｎｉ）を含む導電性ペースト層を印刷し、導電性ペースト層が形成された誘電体グリーンシート（横×縦×高さ＝３．２ｍｍ×２．５ｍｍ×２．５ｍｍ）を積層及び圧着して誘電体グリーンシート積層体を製造した。

【0146】

誘電体グリーンシート積層体を４００℃以下、窒素雰囲気で可塑工程を経て焼成温度１３００℃以下、水素濃度１．０％ Ｈ_２以下条件で焼成した。具体的に、比較例１～３の場合、１１４０℃以上１１６０℃以下の温度で、実施例１～３の場合、１１６０℃超過１２２０℃以下の温度で、比較例４及び５の場合、１２２０℃超過１２４０℃以下の温度でそれぞれ焼成した。

【0147】

次いで、外部電極、メッキなどの工程を経て積層セラミックキャパシタを製造した。

【0148】

評価１：ＴＥＭ分析
実施例１で製造された積層セラミックキャパシタに対してＴＥＭ（透過電子顕微鏡）分析を行って、その結果を図５に示した。

【0149】

具体的に、実施例１で製造された積層セラミックキャパシタ１００をエポキシ混合液に入れて硬化させた後、キャパシタボディー１１０のＷ軸及びＴ軸方向面（ＷＴ面）をＬ軸方向に１／２深さまで研磨（ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）し、固定後、真空雰囲気チャンバー内で維持して、誘電体層１１１と内部電極層１２１、１２２が交差するアクティブ領域を観察することができるように断面サンプルを得た。次いで、断面サンプルのアクティブ領域に対して誘電体層１１１が少なくとも１層見えるように透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）で測定した。ＴＥＭは誘電体層１１１が見える約１．３μｍ×１．３μｍ領域でＸｅ－ＦＩＢを使用して加速電圧２００ｋＶの条件で測定された。

【0150】

図５は実施例１による誘電体層に対するＴＥＭイメージである。

【0151】

図５を参照すれば、実施例１による誘電体層は複数の誘電体結晶粒を含み、これらのうちの少なくとも一つはコア－シェル構造でのシェル部にＳｎの濃度が高いＳｎ濃縮領域が存在するのを確認することができる。

【0152】

評価２：ＴＥＭ－ＥＤＳライン分析
実施例１～３及び比較例１～５で製造された積層セラミックキャパシタに対してＴＥＭ－ＥＤＳ（透過電子顕微鏡－エネルギー分散型分光法）ライン分析を行って、その結果を図６ａ及び図６ｂと下記表１に示した。

【0153】

具体的に、実施例１～３及び比較例１～５で製造された積層セラミックキャパシタを用いて評価１と同様な方法でそれぞれの断面サンプルを得た。次いで、断面サンプルのアクティブ領域に対して誘電体層１１１が少なくとも１層見えるように透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）で測定した。ＴＥＭは誘電体層１１１内の約３００ｎｍ×３００ｎｍ領域でＸｅ－ＦＩＢを使用して加速電圧２００ｋＶの条件で測定された。次いで、測定された断面サンプルのＴＥＭイメージで、図６ａでのように、誘電体結晶粒の最外郭の一地点から中心を横切って他の最外郭の地点までの直線区間に対して、ＥＤＳ－ライン分析を行った。

【0154】

図６ａは実施例１による誘電体層内誘電体結晶粒を示すＴＥＭイメージであり、図６ｂは図６ａの誘電体結晶粒に対するＥＤＳ－ライン分析グラフである。

【0155】

図６ａ及び図６ｂを参照すれば、実施例１の場合、一つの誘電体結晶粒はコア部及びシェル部を有し、シェル部は誘電体結晶粒の最外郭から内部に約２０ｎｍの深さまでの領域であるのを確認することができる。また、シェル部内にＥＤＳ－ライン分析グラフでスズ（Ｓｎ）の原子％のピークが最も高く現れる区間であるＳｎ濃縮領域を含み、また、Ｓｎ濃縮領域より低い原子％のスズ（Ｓｎ）を含む区間であるＳｎ非濃縮領域を含むのを確認することができる。

【0156】

前述のＴＥＭ－ＥＤＳライン分析を通じて、Ｓｎ濃縮領域Ａに含まれているスズ（Ｓｎ）とＳｎ非濃縮領域Ｂに含まれているスズ（Ｓｎ）の原子％含量比、即ち、原子比を求めて下記表１に示した。

【0157】

下記表１で、Ｓｎ濃縮領域Ａの長さは、誘電体結晶粒の長軸長さに対する百分率値である。

【0158】

【表1】

【0159】

評価３：ＳＥＭ分析
実施例１及び比較例１で製造された積層セラミックキャパシタに対してＳＥＭ（走査電子顕微鏡）分析を行って、誘電体結晶粒の平均粒径を測定してその結果を図７及び図８に示した。

【0160】

具体的に、実施例１及び比較例１で製造された積層セラミックキャパシタをエポキシ混合液に入れて硬化させた後、キャパシタボディーのＷ軸及びＴ軸方向面（ＷＴ面）をＬ軸方向に１／２地点まで研磨（ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）し、固定後、真空雰囲気チャンバー内で維持して、誘電体層と内部電極層が交差するアクティブ部を観察することができるように断面サンプルを得た。次いで、断面サンプルのアクティブ部で誘電体層が少なくとも２層出るように、走査電子顕微鏡（ｓｃａｎｎｉｎｇ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＳＥＭ）で測定した。ＳＥＭはｔｈｅｒｍｏｆｉｓｈｅｒ ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社のＶｅｒｉｏｓ Ｇ４製品を使用し、２つの誘電体層が見える約２．２μｍ×２．２μｍ領域でＸｅ－ＦＩＢを使用して加速電圧２００ｋＶの条件で測定した。前記断面サンプルのＳＥＭイメージで少なくとも１００個の誘電体結晶粒の最大長軸の直径を測定して平均値を算出することによって、誘電体結晶粒の平均粒径を求めた。

【0161】

図７は実施例１による誘電体層に対するＳＥＭイメージであり、図８は比較例１による誘電体層に対するＳＥＭイメージである。

【0162】

図７及び図８を参照すれば、誘電体結晶粒のシェル部内にＳｎ濃縮領域及びＳｎ非濃縮領域を含み、Ｓｎ非濃縮領域に対するＳｎ濃縮領域でのスズ（Ｓｎ）の原子比が２．０以上６．０以下の範囲内にある実施例１の場合、誘電体結晶粒の平均粒径が１２０ｎｍである反面、比較例１による誘電体結晶粒の平均粒径は１７０ｎｍであるのが分かる。これから、一実施形態による誘電体結晶粒は粒成長が抑制されて、薄層での信頼性が向上することが分かる。

【0163】

評価４：信頼性
実施例１～３及び比較例１～５で製造された積層セラミックキャパシタに対して加速寿命評価を行って、その結果を下記表２と図９及び図１０に示した。

【0164】

具体的に、４０個のサンプルチップを信頼性基板に実装した後、温度１２５℃及び電圧６Ｖの条件で、１０時間以内にチップの故障（ｆａｉｌ）が発生する故障率（ｆａｉｌ％）を求めた。また故障率が５％以下である場合は○と、故障率が５％超過２０％以下である場合は△と、故障率が２０％超過である場合はＸと判定した。

【0165】

【表2】

【0166】

図９は実施例１による積層セラミックキャパシタの加速寿命を評価したグラフであり、図１０は比較例１による積層セラミックキャパシタの加速寿命を評価したグラフである。

【0167】

前記表２と図９及び図１０を参照すれば、誘電体結晶粒のシェル部内にＳｎ濃縮領域及びＳｎ非濃縮領域を含み、Ｓｎ非濃縮領域に対するＳｎ濃縮領域でのスズ（Ｓｎ）の原子比が２．０以上６．０以下の範囲内にある実施例１の場合、比較例１に比べて加速寿命特性に優れているのが分かる。したがって、一実施形態による積層セラミックキャパシタは薄層での信頼性が優れていることを確認できる。

【0168】

以上を通じて本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されるのではなく、特許請求の範囲と発明の説明及び添付した図面の範囲内で多様に変形して実施することが可能であり、これも本発明の範囲に属するのは当然である。

【符号の説明】

【0169】

１００：積層セラミックキャパシタ
１１０：キャパシタボディー
１１１：誘電体層
１２１：第１内部電極
１２２：第２内部電極
１３１：第１外部電極
１３２：第２外部電極
１０：コア
２０：シェル
Ａ：Ｓｎ濃縮領域
Ｂ：Ｓｎ非濃縮領域
ｔ：シェル部２０の厚さ
ｌ：Ｓｎ濃縮領域Ａの長さ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6a】

【図6b】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】