特開 2025-84068 積層型電子部品

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025084068

(43)【公開日】2025-06-02

(54)【発明の名称】積層型電子部品

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/30 20060101AFI20250526BHJP

   H01C 7/18 20060101ALI20250526BHJP

【ＦＩ】

H01G4/30 201L

H01G4/30 515

H01C7/18

【審査請求】未請求

【請求項の数】14

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024178570

(22)【出願日】2024-10-11

(31)【優先権主張番号】10-2023-0161893

(32)【優先日】2023-11-21

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】110000877

【氏名又は名称】弁理士法人ＲＹＵＫＡ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】クォン、ヒュン ソーン

(72)【発明者】

【氏名】キム、ヒョウン ウク

(72)【発明者】

【氏名】ジン、へ ジン

(72)【発明者】

【氏名】コー、ボン ヒェオン

【テーマコード（参考）】

5E001

5E082

【Ｆターム（参考）】

5E001AB03

5E001AE00

5E001AE01

5E001AE03

5E001AE04

5E001AF06

5E082AA01

5E082AB03

5E082BC40

5E082EE04

5E082FF05

5E082FG04

5E082FG26

5E082GG10

5E082PP03

5E082PP10

(57)【要約】      （修正有）

【課題】等価直列抵抗を最小化しながら高いＱ値を有するＣ０Ｇ特性を満たす積層型電子部品を提供する。
【解決手段】積層型電子部品は、誘電体層１１１及び内部電極１２１を含む本体１１０と、本体上に配置される外部電極１３１、１３２と、を含む。誘電体層は、（Ｃａ_ｘ、Ｓｒ_１－ｘ）（Ｚｒ_ｙ、Ｔｉ_１－ｙ）Ｏ_３を主成分として含み、イットリウム（Ｙ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）及びテルビウム（Ｔｂ）のうち少なくとも一つを含む希土類元素を含む第１副成分、ケイ素（Ｓｉ）を含む第２副成分並びに原子価可変アクセプタ元素を含む第３副成分を含み、第１副成分の希土類元素含量は、主成分１００モルに対して１．０モル以上２．０モル以下である。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

誘電体層及び内部電極を含む本体と、
前記本体上に配置される外部電極と、を含み、
前記誘電体層は、（Ｃａ_ｘ、Ｓｒ_１－ｘ）（Ｚｒ_ｙ、Ｔｉ_１－ｙ）Ｏ_３を主成分として含み、イットリウム（Ｙ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、及びテルビウム（Ｔｂ）のうち少なくとも一つを含む希土類元素を含む第１副成分、ケイ素（Ｓｉ）を含む第２副成分、及び原子価可変アクセプタ元素を含む第３副成分を含み、
前記第１副成分の希土類元素含量は、前記主成分の１００モルに対して１．０モル以上２．０モル以下である、積層型電子部品。

【請求項2】

前記ｘは０．５≦ｘ＜１．０を満たし、前記ｙは０．９５０≦ｙ＜１．００を満たす、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項3】

前記第２副成分のケイ素（Ｓｉ）含量は、前記主成分の１００モルに対して０．９５モル以上である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項4】

前記第２副成分のケイ素（Ｓｉ）含量は、前記主成分の１００モルに対して０．９５モル以上１．３５モル以下である、請求項３に記載の積層型電子部品。

【請求項5】

前記原子価可変アクセプタ元素は、マンガン（Ｍｎ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、及び亜鉛（Ｚｎ）のうち少なくとも一つを含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の積層型電子部品。

【請求項6】

前記第３副成分の原子価可変アクセプタ元素含量は、前記主成分の１００モルに対して１．０モル以上３．０モル以下である、請求項１から４のいずれか一項に記載の積層型電子部品。

【請求項7】

前記誘電体層の平均焼結密度は４．６６ｇ／ｃｍ^３以上である、請求項１から４のいずれか一項に記載の積層型電子部品。

【請求項8】

誘電体層及び内部電極を含む本体と、
前記本体上に配置される外部電極と、を含み、
前記誘電体層は、ＡＢＯ_３で表されるペロブスカイト構造の主成分、及び副成分を含み、
前記ペロブスカイト構造のＡサイトはカルシウム（Ｃａ）及びストロンチウム（Ｓｒ）を含み、前記ペロブスカイト構造のＢサイトはジルコニウム（Ｚｒ）及びチタン（Ｔｉ）を含み、
前記副成分は、イットリウム（Ｙ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、及びテルビウム（Ｔｂ）のうち少なくとも一つを含む希土類元素を含む第１副成分、ケイ素（Ｓｉ）を含む第２副成分、及び原子価可変アクセプタ元素を含む第３副成分を含み、
前記第１副成分の希土類元素含量は、前記ペロブスカイト構造のＢサイト１００モルに対して１．０モル以上２．０モル以下である、積層型電子部品。

【請求項9】

前記ペロブスカイト構造のＡサイト中のカルシウム（Ｃａ）の割合をｘ、ストロンチウム（Ｓｒ）の割合を１－ｘ、前記ペロブスカイト構造のＢサイト中のジルコニウム（Ｚｒ）の割合をｙ、チタン（Ｔｉ）の割合を１－ｙとするとき、
前記ｘは０．５≦ｘ＜１．０を満たし、前記ｙは０．９５０≦ｙ＜１．００を満たす、請求項８に記載の積層型電子部品。

【請求項10】

前記第２副成分のケイ素（Ｓｉ）含量は、前記ペロブスカイト構造のＢサイト１００モルに対して０．９５モル以上である、請求項８に記載の積層型電子部品。

【請求項11】

前記第２副成分のケイ素（Ｓｉ）含量は、前記ペロブスカイト構造のＢサイト１００モルに対して０．９５モル以上１．３５モル以下である、請求項１０に記載の積層型電子部品。

【請求項12】

前記原子価可変アクセプタ元素は、マンガン（Ｍｎ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、及び亜鉛（Ｚｎ）のうち少なくとも一つを含む、請求項８から１１のいずれか一項に記載の積層型電子部品。

【請求項13】

前記第３副成分の原子価可変アクセプタ元素含量は、前記ペロブスカイト構造のＢサイト１００モルに対して１．０モル以上３．０モル以下である、請求項８から１１のいずれか一項に記載の積層型電子部品。

【請求項14】

前記誘電体層の平均焼結密度は４．６６ｇ／ｃｍ^３以上である、請求項８から１１のいずれか一項に記載の積層型電子部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、積層型電子部品に関する。

【背景技術】

【0002】

積層型電子部品の一つである積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマ表示装置パネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）などの映像機器、コンピュータ、スマートフォン、及び携帯電話などの様々な電子製品の印刷回路基板に装着され、電気を充電又は放電させる役割を果たすチップ型のコンデンサである。

【0003】

このような積層セラミックキャパシタは、小型でありながらも高容量が保障され、実装が容易であるという利点により、様々な電子装置の部品として使用されることができる。コンピュータ、モバイル機器など、各種の電子機器が小型化及び高出力化されるにつれて、積層セラミックキャパシタに対する小型化及び高容量化への要求が増大している。

【0004】

このような積層セラミックキャパシタは、高い安定度及び低損失のキャパシタとして高い信頼性や安定性が要求される回路に使用される製品群であるＣｌａｓｓ Ｉと、少ない体積で高い効率を有するキャパシタとしてバイパス（ｂｙｐａｓｓ）やカップリング（ｃｏｕｐｌｉｎｇ）などの用途に使用される製品群であるＣｌａｓｓ ＩＩとに区分することができる。

【0005】

最近、Ｃｌａｓｓ Ｉのうち消費電力を最小化するために等価直列抵抗（Ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ Ｓｅｒｉｅｓ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ、ＥＳＲ）を最小化しながら、高いＱ（Ｑｕａｌｉｔｙ ｆａｃｔｏｒ）値を有するＣ０Ｇ特性を満たす製品の需要が増大している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】特開２０２１－０７７６７８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

本発明が解決しようとするいくつかの課題の一つは、等価直列抵抗（ＥＳＲ）の低い積層型電子部品を提供することである。

【0008】

本発明が解決しようとするいくつかの課題の一つは、高いＱ値を有する積層型電子部品を提供することである。

【0009】

本発明が解決しようとするいくつかの課題の一つは、Ｃ０Ｇ特性を満たす積層型電子部品を提供することである。

【0010】

但し、本発明が解決しようとするいくつかの課題は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。

【課題を解決するための手段】

【0011】

本発明の一実施形態に係る積層型電子部品は、誘電体層及び内部電極を含む本体と、上記本体上に配置される外部電極と、を含み、上記誘電体層は、（Ｃａ_ｘ、Ｓｒ_１－ｘ）（Ｚｒ_ｙ、Ｔｉ_１－ｙ）Ｏ_３を主成分として含み、イットリウム（Ｙ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、及びテルビウム（Ｔｂ）のうち少なくとも一つを含む希土類元素を含む第１副成分、ケイ素（Ｓｉ）を含む第２副成分、及び原子価可変アクセプタ元素を含む第３副成分を含み、上記第１副成分の希土類元素含量は、上記主成分１００モルに対して１．０モル以上２．０モル以下であることができる。

【0012】

本発明の他の一実施形態に係る積層型電子部品は、誘電体層及び内部電極を含む本体と、上記本体上に配置される外部電極と、を含み、上記誘電体層は、ＡＢＯ_３で表されるペロブスカイト構造の主成分、及び副成分を含み、上記ペロブスカイト構造のＡサイトはカルシウム（Ｃａ）及びストロンチウム（Ｓｒ）を含み、上記ペロブスカイト構造のＢサイトはジルコニウム（Ｚｒ）及びチタン（Ｔｉ）を含み、上記副成分はイットリウム（Ｙ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、及びテルビウム（Ｔｂ）のうち少なくとも一つを含む希土類元素を含む第１副成分、ケイ素（Ｓｉ）を含む第２副成分、及び原子価可変アクセプタ元素を含む第３副成分を含み、上記第１副成分の希土類元素含量は、上記ペロブスカイト構造のＢサイト１００モルに対して１．０モル以上２．０モル以下であることができる。

【発明の効果】

【0013】

本発明のいくつかの効果の一つは、積層型電子部品が低い等価直列抵抗（ＥＳＲ）を有することである。

【0014】

本発明のいくつかの効果の一つは、積層型電子部品が高いＱ値を有することである。

【0015】

本発明のいくつかの効果の一つは、積層型電子部品がＣ０Ｇ特性を満たすことである。

【0016】

但し、本発明の多様かつ有益な利点及び効果は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。

【図面の簡単な説明】

【0017】

【図1】本発明の一実施形態に係る積層型電子部品の斜視図を概略的に示すものである。

【図2】内部電極の積層構造を示す分離斜視図を概略的に示すものである。

【図3】図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図を概略的に示すものである。

【図4】図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図を概略的に示すものである。

【図5】（ａ）～（ｃ）は試験例のＳＴＥＰ－ＩＲグラフである。

【図6】（ａ）～（ｃ）は試験例のＳＴＥＰ－ＩＲグラフである。

【発明を実施するための形態】

【0018】

以下、具体的な実施形態及び添付の図面を参照して本発明の実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形することができ、本発明の範囲が以下で説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、通常の技術者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさ等は、より明確な説明のために誇張することができ、図面上の同じ符号で示される要素は同じ要素である。

【0019】

そして、図面において本発明を明確に説明するために、説明と関係のない部分は省略し、図面に示した各構成の大きさ及び厚さは説明の便宜上、任意に示しているため、本発明は必ずしも図示したものに限定されない。なお、同一思想の範囲内の機能が同一である構成要素に対しては、同一の参照符号を用いて説明する。さらに、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」と言うとき、これは特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含み得ることを意味する。

【0020】

図において、第１方向は積層方向又は厚さＴ方向、第２方向は長さＬ方向、第３方向は幅Ｗ方向と定義することができる。

【0021】

積層型電子部品
図１は、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品の斜視図を概略的に示すものであり、図２は、内部電極の積層構造を示す分離斜視図を概略的に示すものであり、図３は、図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図を概略的に示すものであり、図４は、図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図を概略的に示すものである。

【0022】

以下、図１～図４を参照して、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品について詳細に説明する。但し、積層型電子部品の一例として積層セラミックキャパシタについて説明するが、本発明は、誘電体組成物を利用する様々な電子製品、例えば、インダクタ、圧電体素子、バリスタ、又はサーミスタなどにも適用することができる。

【0023】

本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２を含む本体１１０と、上記本体１１０上に配置される外部電極１３１、１３２と、を含み、上記誘電体層１１１は（Ｃａ_ｘ、Ｓｒ_１－ｘ）（Ｚｒ_ｙ、Ｔｉ_１－ｙ）Ｏ_３を主成分として含み、イットリウム（Ｙ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、及びテルビウム（Ｔｂ）のうち少なくとも一つを含む希土類元素（ｒａｒｅ ｅａｒｔｈ ｅｌｅｍｅｎｔｓ）を含む第１副成分、ケイ素（Ｓｉ）を含む第２副成分、及び原子価可変アクセプタ元素（ｖａｒｉａｂｌｅ ｖａｌｅｎｃｅ ａｃｃｅｐｔｏｒ ｅｌｅｍｅｎｔｓ）を含む第３副成分を含むことができる。

【0024】

あるいは、本発明の他の一実施形態に係る積層型電子部品１００は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２を含む本体１１０と、上記本体１１０上に配置される外部電極１３１、１３２と、を含み、誘電体層１１１は、ＡＢＯ_３で表されるペロブスカイト構造の主成分、及び副成分を含み、ペロブスカイト構造のＡサイトはカルシウム（Ｃａ）及びストロンチウム（Ｓｒ）を含み、ペロブスカイト構造のＢサイトはジルコニウム（Ｚｒ）及びチタン（Ｔｉ）を含み、副成分はイットリウム（Ｙ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、及びテルビウム（Ｔｂ）のうち少なくとも一つを含む希土類元素を含む第１副成分、ケイ素（Ｓｉ）を含む第２副成分、及び原子価可変アクセプタ元素を含む第３副成分を含むことができる。

【0025】

本体１１０は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２が交互に積層されていてもよい。

【0026】

より具体的に、本体１１０は、本体１１０の内部に配置され、誘電体層１１１を挟んで互いに対向するように交互に配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含んで容量を形成する容量形成部Ａｃを含むことができる。

【0027】

本体１１０の具体的な形状に特に制限はないが、図示のように、本体１１０は六面体形状又はこれと類似の形状からなることができる。焼成過程で本体１１０に含まれたセラミック粒子の収縮により、本体１１０は完全な直線を有する六面体形状ではないが、実質的に六面体形状を有することができる。

【0028】

本体１１０は、第１方向に互いに対向する第１面１及び第２面２、第１面１及び第２面２と連結され、第２方向に互いに対向する第３面３及び第４面４、第１面１、第２面２、第３面３及び第４面４と連結され、第３方向に互いに対向する第５面５及び第６面６を有することができる。

【0029】

本体１１０を形成する複数の誘電体層１１１は焼成された状態であって、隣接する誘電体層１１１間の境界は走査電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＳＥＭ）を利用せずには確認しにくいほど一体化することができる。

【0030】

最近、等価直列抵抗（Ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ Ｓｅｒｉｅｓ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ、ＥＳＲ）を最小化しながらも、高いＱ（Ｑｕａｌｉｔｙ ｆａｃｔｏｒ）値を有するＣ０Ｇ特性を満たす製品の需要が増大するにつれて、最適な組成比率を設計することが必要な実情である。

【0031】

ここで、Ｑ値はＱ＝１／ＤＦ＝（１／ＥＳＲ）＊（１／ωＣ）（但し、ω＝２πｆ）で表すことができ、誘電損失（Ｄｉｓｓｉｐａｔｉｏｎ Ｆａｃｔｏｒ、ＤＦ）の逆数に相当する。一方、誘電損失は誘電正接（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｌｏｓｓ）とも呼ばれ、損失タンジェント（ｔａｎδ）で表すこともできる。誘電損失の定義は、経時的に変化する電場を印加したとき、誘電体の内部で電気エネルギーが熱に変換される時間率を意味する。

【0032】

Ｃ０Ｇ特性は、ＥＩＡ規格で定義するＣ０Ｇ特性を意味するものであることができ、温度範囲－５５℃～１２５℃内において、静電容量変化率である温度係数α（１０^－６／Ｋ）が０であり、温度係数の乗数が－１であり、温度係数の許容誤差が±３０ｐｐｍに相当することを意味することができる。言い換えれば、Ｃ０Ｇ特性は、温度範囲－５５℃～１２５℃において０±３０ｐｐｍ／℃を満たすことを意味することができる。

【0033】

誘電体層１１１を形成する原料は、十分な静電容量が得られる限り限定されず、一般にペロブスカイト（ＡＢＯ_３）系材料を使用することができるが、Ｃ０Ｇ特性を満たすために、誘電体層１１１は（Ｃａ_ｘ、Ｓｒ_１－ｘ）（Ｚｒ_ｙ、Ｔｉ_１－ｙ）Ｏ_３（ＣＳＺＴ）を主成分として含み、副成分として希土類元素を含む第１副成分、ケイ素（Ｓｉ）を含む第２副成分、及び原子価可変アクセプタ元素を含む第３副成分を含むことができる。

【0034】

また、Ｃ０Ｇ特性を満たすために、誘電体層１１１は、ペロブスカイト構造のＡサイト中のカルシウム（Ｃａ）の割合をｘ、ストロンチウム（Ｓｒ）の割合を１－ｘ、上記ペロブスカイト構造のＢサイト中のジルコニウム（Ｚｒ）の割合をｙ、チタン（Ｔｉ）の割合を１－ｙと定義するとき、副成分として希土類元素を含む第１副成分、ケイ素（Ｓｉ）を含む第２副成分、及び原子価可変アクセプタ元素を含む第３副成分を含むことができる。

【0035】

誘電体層１１１を形成する原料は、ＣＳＺＴの主成分に本発明の目的に応じて様々なセラミック添加剤、有機溶剤、結合剤、分散剤などを添加することができる。

【0036】

本発明において、積層型電子部品１００の各構成に含まれた元素の含量を測定するより具体的な方法の一例として、破壊工法の場合、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）のＥＤＳモード、透過電子顕微鏡（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＴＥＭ）のＥＤＳモード、又は走査透過電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＳＴＥＭ）のＥＤＳモードを用いて成分を分析することができる。まず、焼結済みの誘電体物質の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）のうち、誘電体結晶粒などの誘電体微細構造を含む領域において集束イオンビーム（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ、ＦＩＢ）装備を用いて薄片化された分析試料を準備する。そして、薄片化された試料をキセノン（Ｘｅ）又はアルゴン（Ａｒ）イオンミリングを用いて表面のダメージ層を除去し、その後、ＳＥＭ－ＥＤＳ、ＴＥＭ－ＥＤＳ、又はＳＴＥＭ－ＥＤＳを用いて得られたイメージにおいて、測定しようとする各成分をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）して定性／定量分析を行う。この場合、各成分の定性／定量分析グラフは、各元素の質量百分率（ｗｔ％）、原子百分率（ａｔ％）、又はモル百分率（ｍｏｌ％）に換算して表すこともできる。このとき、特定成分のモル数に対する他の特定成分のモル数を換算して表すことができる。

【0037】

さらに別の方法としては、チップを粉砕して誘電体微細構造が含まれた領域を選別し、このように選別された誘電体微細構造が含まれた部分を誘導結合プラズマ分光分析器（ＩＣＰ－ＯＥＳ）、誘導結合プラズマ質量分析器（ＩＣＰ －ＭＳ）などの装置を用いて、誘電体微細構造が含まれた領域の成分を分析することができる。

【0038】

ここで、ｘは０．５≦ｘ＜１．０を満たしてもよく、ｙは０．９５０≦ｙ＜１．００を満たしてもよく、好ましくは、ｘは０．６≦ｘ≦０．８を満たしてもよく、ｙは０．９６０≦ｙ≦０．９８０を満たしてもよく、より好ましくは、ｘは０．７であってもよく、ｙは０．９７であってもよい。

【0039】

ここで、ｘが０．５≦ｘ＜１．０を満たし、ｙが０．９５０≦ｙ＜１．００を満たすことにより、Ｃ０Ｇ特性を満たすことができる。

【0040】

副成分は、希土類元素（ｒａｒｅ ｅａｒｔｈ ｅｌｅｍｅｎｔｓ）を含む第１副成分を含むことができる。

【0041】

ＣＳＺＴを含むＣ０Ｇ材料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系誘電体物質とは異なり、双極子（ｄｉｐｏｌｅ）分極ではなく、イオン（ｉｏｎ）分極により誘電率が実現される。したがって、Ｃ０Ｇ誘電体物質に希土類元素を添加する場合、希土類元素が界面抵抗を増加させ、信頼性の面では改善されることができるが、格子内に一部が置換・固溶される場合、イオン分極を妨げる欠陥（ｄｅｆｅｃｔ）として作用するため、イオン分極の面では逆効果となり、誘電率の実現に必要なエネルギー消耗が増加するため、誘電損失が増加し、それに伴ってＱ値も減少する可能性がある。

【0042】

よって、第１副成分を添加することにより、誘電体結晶粒（ｇｒａｉｎ）の粒成長の制御及びサイズ分布を均一にすることで信頼性を向上させることができる。

【0043】

ここで、希土類元素は、イットリウム（Ｙ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、及びテルビウム（Ｔｂ）のうち少なくとも一つを含むことができる。

【0044】

このとき、第１副成分の希土類元素含量は、ＣＳＺＴ主成分１００モルに対して１．０モル以上２．０モル以下であってもよく、又はペロブスカイト構造のＢサイト１００モルに対して１．０モル以上２．０モル以下であってもよい。

【0045】

以下では、説明の便宜上、副成分のモル数による効果をＣＳＺＴ主成分のモル数基準として説明するが、副成分のモル数はペロブスカイト構造のＢサイトのモル数に対する説明にも同様に適用できることは通常の技術者に自明なものである。

【0046】

第１副成分の希土類元素含量がＣＳＺＴ主成分１００モルに対して１．０モル以上２．０モル以下を満たすことにより、積層型電子部品の信頼性を向上させることができる。

【0047】

第１副成分の希土類元素含量がＣＳＺＴ主成分１００モルに対して１．０モル未満である場合、信頼性が十分でないおそれがあり、第１副成分の含量がＣＳＺＴ主成分１００モルに対して２．０モルを超える場合はＱ値が低下するおそれがある。

【0048】

次に、副成分は、ケイ素（Ｓｉ）を含む第２副成分を含むことができる。

【0049】

第２副成分は焼結助剤の役割を果たすものであって、焼結温度を低下させ、主成分又は他の副成分と反応して焼結性を促進させる役割を果たすことができる。

【0050】

第２副成分のケイ素（Ｓｉ）含量は、ＣＳＺＴ主成分１００モルに対して０．９５モル以上であってもよく、又はペロブスカイト構造のＢサイト１００モルに対して０．９５モル以上であってもよい。

【0051】

第２副成分のケイ素（Ｓｉ）含量がＣＳＺＴ主成分１００モルに対して０．９５モル以上を満たすことにより、誘電体層の焼結密度を十分に実現することができ、例えば、誘電体層の平均焼結密度を４．６６ｇ／ｃｍ^３以上に実現することができる。

【0052】

第２副成分のケイ素（Ｓｉ）含量の上限値は、誘電体層の焼結密度を十分に実現するために特に限定されないが、例えば、１．３５モル以下であってもよい。

【0053】

ここで、焼結密度とは、真密度、見掛け密度、及びバルク密度のうちバルク密度を意味することができるが、特にこれに限定されるものではなく、真密度又は見掛け密度を意味することができる。密度の種類間には実質的に密度値の差はほとんどない可能性がある。

【0054】

焼結密度を測定する方法は、例えば、浮力方式のアルキメデス法を用いて測定することができる。より具体的に、アルキメデスの原理を用いた比重計兼用の電子ミラーを用いて密度を測定することができ、水の密度を１と仮定したとき、焼結密度の一つであるバルク密度を計算して求めることができる。ここで、バルク密度は｛乾燥重量／（飽水重量－水中重量）｝で表すことができ、乾燥重量は水を含まない状態でのサンプルの重量であり、水中重量は水中でサンプルを吊り下げて測定した重量であり、飽水重量は水中に浸したサンプルの表面のみを拭き取って測定した重量に相当する。

【0055】

さらに別の方式としては、サンプルの重量（ｇ）を測定し、サンプルの第１方向のサイズ、第２方向のサイズ、第３方向のサイズを測定し、体積を求めて密度を計算する方式を用いることができるが、特に前述の方法に限定されるものではない。

【0056】

次に、副成分は、原子価可変アクセプタ元素（ｖａｒｉａｂｌｅ ｖａｌｅｎｃｅ ａｃｃｅｐｔｏｒ ｅｌｅｍｅｎｔｓ）を含む第３副成分を含むことができる。

【0057】

ここで、原子価可変アクセプタ元素は、マンガン（Ｍｎ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、及び亜鉛（Ｚｎ）のうち少なくとも一つを含むことができ、好ましくは、マンガン（Ｍｎ）を含むことができるが、特にこれに限定されるものではない。

【0058】

このとき、第３副成分の原子価可変アクセプタ元素含量は、上記主成分１００モルに対して１．０モル以上３．０モル以下であってもよく、又はペロブスカイト構造のＢサイト１００モルに対して１．０モル以上３．０モル以下であってもよい。

【0059】

第３副成分は、耐還元性を付与し、誘電体微細構造の緻密化を向上させ、安定的な高温加速寿命を維持させる役割を果たすことができる。

【0060】

第３副成分の原子価可変アクセプタ元素含量がＣＳＺＴ主成分１００モルに対して１．０モル以上３．０モル以下を満たすことにより、積層型電子部品の信頼性を向上させることができる。

【0061】

第３副成分の原子価可変アクセプタ元素含量がＣＳＺＴ主成分１００モルに対して１．０モル未満の場合、緻密度が低下して信頼性が十分でないおそれがあり、第３副成分の含量がＣＳＺＴ主成分１００モルに対して３．０モルを超える場合、高温加速寿命に劣るおそれがある。

【0062】

一方、積層型電子部品の誘電体層１１１の微細構造は、誘電体結晶粒と隣接する誘電体結晶粒との間に配置される誘電体結晶粒界を含むことができる。

【0063】

Ｃ０Ｇ特性の誘電体材料の信頼性を向上させるためには、誘電体結晶粒界（ｇｒａｉｎ ｂｏｕｎｄａｒｙ）の分率を増加させ、相対的に多くの誘電体結晶粒界を確保することにより、絶縁抵抗の低下を防止する必要がある。

【0064】

誘電体微細構造の内部における抵抗を比較してみると、相対的に結晶粒内の抵抗値に比べて結晶粒界の抵抗値がより大きいことが知られている。

【0065】

このように、結晶粒界の抵抗値が結晶粒内の抵抗値より大きい理由は、界面（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）領域におけるショットキー障壁（ｓｃｈｏｔｔｋｙ ｂａｒｒｉｅｒ）モデルで説明することができる。一般に、結晶粒界の隣接付近では、イオン（ｉｏｎ）又は電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）の濃度が高い空間電荷層（ｓｐａｃｅ ｃｈａｒｇｅ ｌａｙｅｒ）、すなわち、欠乏層（ｄｅｐｌｅｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）が形成されるが、特定元素を結晶粒界に高濃度で分布させると、フェルミレベル（ｆｅｒｍｉ ｌｅｖｅｌ）が上昇し、これによりショットキー障壁の高さ（ｓｃｈｏｔｔｋｙ ｂａｒｒｉｅｒ ｈｅｉｇｈｔ）が増加し、欠乏層が大きくなり得る。

【0066】

よって、熱イオン活性化（ｔｈｅｒｍｉｏｎｉｃ ａｃｔｉｖａｔｉｏｎ）による電荷キャリア（ｃｈａｒｇｅ ｃａｒｒｉｅｒ）のトンネリング（ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ）現象が抑制されるため、信頼性が向上するという効果を期待することができる。

【0067】

本発明では、誘電体物質である主成分及び第１～第３副成分の組成と含量を提示するにあたり、ＣＳＺＴ内の固溶、あるいは粒界偏析（ｓｅｇｒｅｇａｔｉｏｎ）時の電荷密度を下げる又は結晶粒界の分率を高めることで、信頼性の改善を期待することができる。

【0068】

誘電体層１１１の厚さｔｄは特に限定する必要はない。

【0069】

積層型電子部品１００の高電圧環境下での信頼性を確保するために、誘電体層１１１の厚さは１０．０μｍ以下とすることができる。また、積層型電子部品１００の小型化及び高容量化を達成するために、誘電体層１１１の厚さは３．０μｍ以下であってもよく、超小型化及び高容量化をより容易に達成するために、誘電体層１１１の厚さは１．０μｍ以下であってもよく、好ましくは０．６μｍ以下であってもよく、より好ましくは０．４μｍ以下であってもよい。

【0070】

ここで、誘電体層１１１の厚さｔｄは、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２の間に配置される誘電体層１１１の厚さｔｄを意味することができる。

【0071】

一方、誘電体層１１１の厚さｔｄは、誘電体層１１１の第１方向のサイズを意味することができる。また、誘電体層１１１の厚さｔｄは、誘電体層１１１の平均厚さｔｄを意味することができ、誘電体層１１１の第１方向の平均サイズを意味することができる。

【0072】

誘電体層１１１の第１方向の平均サイズは、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、一つの誘電体層１１１の第１方向の平均サイズは、スキャンされたイメージにおいて、一つの誘電体層１１１を第２方向に等間隔である１０個の地点で第１方向のサイズを測定して計算した平均値を意味することができる。上記等間隔である１０個の地点は容量形成部Ａｃで指定することができる。また、このような平均値の測定を１０個の誘電体層１１１に拡張して平均値を測定すると、誘電体層１１１の第１方向の平均サイズをさらに一般化することができる。

【0073】

内部電極１２１、１２２は誘電体層１１１と交互に積層されてもよい。

【0074】

内部電極１２１、１２２は第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含むことができ、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は本体１１０を構成する誘電体層１１１を挟んで互いに対向するように交互に配置され、本体１１０の第３面３及び第４面４にそれぞれ露出することができる。

【0075】

より具体的に、第１内部電極１２１は第４面４と離隔し、第３面３を介して露出することができ、第２内部電極１２２は第３面３と離隔し、第４面４を介して露出することができる。本体１１０の第３面３には第１外部電極１３１が配置されて第１内部電極１２１と連結され、本体１１０の第４面４には第２外部電極１３２が配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。

【0076】

すなわち、第１内部電極１２１は第２外部電極１３２とは連結されずに第１外部電極１３１と連結され、第２内部電極１２２は第１外部電極１３１とは連結されずに第２外部電極１３２と連結されることができる。このとき、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は、中間に配置された誘電体層１１１によって互いに電気的に分離することができる。

【0077】

一方、本体１１０は、第１内部電極１２１が印刷されたセラミックグリーンシートと、第２内部電極１２２が印刷されたセラミックグリーンシートとを交互に積層した後、焼成して形成することができる。

【0078】

内部電極１２１、１２２を形成する材料は特に限定されず、電気伝導性に優れた材料を使用することができる。例えば、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含むことができる。

【0079】

また、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含む内部電極用導電性ペーストをセラミックグリーンシートに印刷して形成することができる。上記内部電極用導電性ペーストの印刷方法としては、スクリーン印刷法又はグラビア印刷法などを使用することができるが、本発明はこれに限定されるものではない。

【0080】

一方、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは特に限定する必要はない。

【0081】

積層型電子部品１００の高電圧環境下での信頼性を確保するために、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは３．０μｍ以下とすることができる。また、積層型電子部品１００の小型化及び高容量化を達成するために内部電極１２１、１２２の厚さは１．０μｍ以下であってもよく、超小型化及び高容量化をより容易に達成するために、内部電極１２１、１２２の厚さは０．６μｍ以下であってもよく、より好ましくは０．４μｍ以下であってもよい。

【0082】

ここで、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の第１方向のサイズを意味することができる。また、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅを意味することができ、内部電極１２１、１２２の第１方向の平均サイズを意味することができる。

【0083】

内部電極１２１、１２２の第１方向の平均サイズは、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、一つの内部電極の第１方向の平均サイズは、スキャンされたイメージにおいて、一つの内部電極を第２方向に等間隔である１０個の地点で第１方向のサイズを測定して計算した平均値であることができる。上記等間隔である１０個の地点は容量形成部Ａｃで指定することができる。また、このような平均値の測定を１０個の内部電極に拡張して平均値を測定すると、内部電極の第１方向の平均サイズをさらに一般化することができる。

【0084】

一方、本発明の一実施形態において、複数の誘電体層１１１のうち少なくとも一つの平均厚さｔｄ、及び複数の内部電極１２１、１２２のうち少なくとも一つの平均厚さｔｅは、２×ｔｅ＜ｔｄを満たすことができる。

【0085】

言い換えれば、誘電体層１１１の一つの平均厚さｔｄは、内部電極１２１、１２２の一つの平均厚さｔｅの２倍よりさらに大きくてもよい。好ましくは、複数の誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、複数の内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅの２倍よりさらに大きくてもよい。

【0086】

一般に、高電圧電装用電子部品は、高電圧環境下で絶縁破壊電圧（Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ Ｖｏｌｔａｇｅ、ＢＤＶ）の低下による信頼性の問題が主なイシューである。

【0087】

したがって、高電圧環境下で絶縁破壊電圧の低下を防止するために、誘電体層１１１の平均厚さｔｄを内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅの２倍よりも大きくすることにより、内部電極間の距離である誘電体層の厚さを増加させることができ、絶縁破壊電圧特性を向上させることができる。

【0088】

誘電体層１１１の平均厚さｔｄが内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅの２倍以下である場合には、内部電極間の距離である誘電体層の平均厚さが薄くなり、絶縁破壊電圧が低下することがあり、内部電極間の短絡が発生する可能性がある。

【0089】

一方、本体１１０は、容量形成部Ａｃの第１方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）上に配置されるカバー部１１２、１１３を含むことができる。

【0090】

具体的に、容量形成部Ａｃの第１方向の一面に配置される第１カバー部１１２、及び容量形成部Ａｃの第１方向の他面に配置される第２カバー部１１３を含むことができる。より具体的には、容量形成部Ａｃの第１方向の上部に配置される上部カバー部１１２、及び容量形成部Ａｃの第１方向の下部に配置される下部カバー部１１３を含むことができる。

【0091】

上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、単一の誘電体層１１１又は２つ以上の誘電体層１１１を容量形成部Ａｃの上下面にそれぞれ第１方向に積層して形成することができ、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。

【0092】

上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、内部電極１２１、１２２を含まず、誘電体層１１１と同じ材料を含むことができる。すなわち、上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３はセラミック材料を含むことができ、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系セラミック材料を含むことができる。

【0093】

一方、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは特に限定する必要はない。

【0094】

但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは１００μｍ以下であってもよく、好ましくは３０μｍ以下であってもよく、超小型製品では、より好ましくは２０μｍ以下であってもよい。

【0095】

ここで、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは、カバー部１１２、１１３の第１方向のサイズを意味することができる。なお、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは、カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃを意味し、カバー部１１２、１１３の第１方向の平均サイズを意味することができる。

【0096】

カバー部１１２、１１３の第１方向の平均サイズは、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、一つのカバー部をスキャンしたイメージにおいて、第２方向に等間隔である１０個の地点で第１方向のサイズを測定して計算した平均値を意味することができる。

【0097】

なお、上述した方法で測定したカバー部の第１方向の平均サイズは、本体１１０の第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）において、カバー部の第１方向の平均サイズと実質的に同じサイズを有することができる。

【0098】

一方、積層型電子部品１００は、本体１１０の第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）上に配置されるサイドマージン部１１４、１１５を含むことができる。

【0099】

より具体的に、サイドマージン部１１４、１１５は、本体１１０の第５面５に配置された第１サイドマージン部１１４及び本体１１０の第６面６に配置された第２サイドマージン部１１５を含むことができる。

【0100】

サイドマージン部１１４、１１５は、図示のように、本体１１０の第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準として、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２の第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）と本体１１０の境界面との間の領域を意味することができる。

【0101】

サイドマージン部１１４、１１５は、容量形成部Ａｃに適用されるセラミックグリーンシート上にサイドマージン部１１４、１１５が形成される箇所を除き、導電性ペーストを塗布して内部電極１２１、１２２を形成し、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後の内部電極１２１、１２２が本体１１０の第５面５及び第６面６に露出するように切断した後、単一の誘電体層１１１又は２つ以上の誘電体層１１１を容量形成部Ａｃの第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）上に第３方向に積層して形成することもできる。

【0102】

サイドマージン部１１４、１１５は、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。

【0103】

第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５は、内部電極１２１、１２２を含まず、誘電体層１１１と同じ材料を含むことができる。すなわち、第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５はセラミック材料を含むことができ、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系セラミック材料を含むことができる。

【0104】

一方、第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５の幅ｗｍは特に限定する必要はない。

【0105】

但し、積層型電子部品１００の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは１００μｍ以下であってもよく、好ましくは３０μｍ以下であってもよく、超小型製品では、より好ましくは２０μｍ以下であってもよい。

【0106】

ここで、サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは、サイドマージン部１１４、１１５の第３方向のサイズを意味することができる。また、サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは、サイドマージン部１１４、１１５の平均幅ｗｍを意味することができ、サイドマージン部１１４、１１５の第３方向の平均サイズを意味することができる。

【0107】

サイドマージン部１１４、１１５の第３方向の平均サイズは、本体１１０の第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、一つのサイドマージン部をスキャンしたイメージにおいて、第１方向に等間隔である１０個の地点で第３方向のサイズを測定して計算した平均値を意味することができる。

【0108】

本発明の一実施形態では、積層型電子部品１００が２つの外部電極１３１、１３２を有する構造について説明しているが、外部電極１３１、１３２の個数や形状などは内部電極１２１、１２２の形態やその他の目的に応じて変更することができる。

【0109】

外部電極１３１、１３２は本体１１０上に配置され、内部電極１２１、１２２と連結されることができる。

【0110】

より具体的に、外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３面３及び第４面４にそれぞれ配置され、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２とそれぞれ連結される第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２を含むことができる。すなわち、第１外部電極１３１は本体の第３面３に配置されて第１内部電極１２１と連結されることができ、第２外部電極１３２は本体の第４面４に配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。

【0111】

また、外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第１面１及び第２面２上の一部に延びて配置されることができ、又は本体１１０の第５面５及び第６面６上の一部に延びて配置されることができる。すなわち、第１外部電極１３１は、本体１１０の第１面１、第２面２、第５面５及び第６面６上の一部、及び本体１１０の第３面３上に配置されることができ、第２外部電極１３２は、本体１１０の第１面１、第２面２、第５面５及び第６面６上の一部、及び本体１１０の第３面３上に配置されることができる。

【0112】

一方、外部電極１３１、１３２は、金属などのように電気伝導性を有するものであれば、如何なる物質を使用して形成されてもよく、電気的特性、構造的安定性などを考慮して具体的な物質が決定されてもよく、さらに多層構造を有してもよい。

【0113】

例えば、外部電極１３１、１３２は、本体１１０に配置される電極層及び電極層上に配置されるめっき層を含むことができる。

【0114】

電極層に対するより具体的な例として、電極層は、第１導電性金属及びガラスを含む焼成電極である第１電極層１３１ａ、１３２ａを含むか、又は第２導電性金属及び樹脂を含む樹脂系電極である第２電極層１３１ｂ、１３２ｂを含むことができる。

【0115】

ここで、第１電極層１３１ａ、１３２ａに含まれた導電性金属を第１導電性金属と呼び、第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれた導電性金属を第２導電性金属と呼ぶことができる。このとき、第１導電性金属及び第２導電性金属は互いに同一又は異なってもよく、複数の導電性金属を含む場合、一部のみが同じ導電性金属を含んでもよいが、特にこれに限定されるものではない。

【0116】

なお、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂは、本体１１０上に焼成電極及び樹脂系電極が順次形成された形態であってもよい。

【0117】

また、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂは、本体上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されるか、又は焼成電極上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されたものであってもよい。

【0118】

電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂに含まれる導電性金属として、電気伝導性に優れた材料を使用することができ、例えば、導電性金属はニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群から選択された一つ以上を含むことができるが、特にこれに限定されない。

【0119】

本発明の一実施形態において、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂは、第１電極層１３１ａ、１３２ａ及び第２電極層１３１ｂ、１３２ｂを含む２層の構造を有することができ、これにより、外部電極１３１、１３２は、第１導電性金属及びガラスを含む第１電極層１３１ａ、１３２ａ及び上記第１電極層１３１ａ、１３２ａ上に配置され、第２導電性金属及び樹脂を含む第２電極層１３１ｂ、１３２ｂを含むことができる。

【0120】

第１電極層１３１ａ、１３２ａは、ガラスを含むことにより本体１１０との接合性を向上させる役割を果たし、第２電極層１３１ｂ、１３２ｂは樹脂を含むことにより曲げ強度を向上させる役割を果たすことができる。

【0121】

第１電極層１３１ａ、１３２ａに含まれる第１導電性金属は、静電容量の形成のために上記内部電極１２１、１２２と電気的に連結できる材質であれば特に限定されず、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群から選択された一つ以上を含むことができる。

【0122】

第１電極層１３１ａ、１３２ａは、第１導電性金属粒子にガラスフリット（ｇｌａｓｓ ｆｒｉｔ）を添加して設けられた導電性ペーストを塗布した後、焼成することにより形成することができる。

【0123】

第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる第２導電性金属は、第１電極層１３１ａ、１３２ａと電気的に連結されるようにする役割を果たすことができる。

【0124】

第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる導電性金属は、電極層１３１ａ、１３２ａと電気的に連結できる材質であれば特に限定されず、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群から選択された一つ以上を含むことができる。

【0125】

第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる第２導電性金属は、球状粒子及びフレーク状粒子のうち１以上を含むことができる。すなわち、導電性金属はフレーク状粒子のみからなるか、又は球状粒子のみからなることができ、フレーク状粒子と球状粒子とが混合された形態であってもよい。ここで、球状粒子は、完全な球状ではない形態も含むことができ、例えば、長軸と短軸の長さ比率（長軸／短軸）が１．４５以下の形態を含むことができる。フレーク状粒子とは、平たいかつ細長い形態を有する粒子を意味し、特に限定されるものではないが、例えば、長軸と短軸の長さ比率（長軸／短軸）が１．９５以上であってもよい。上記球状粒子及びフレーク状粒子の長軸と短軸の長さは、積層型電子部品の第３方向の中央部で切断した第１方向及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でスキャンして得られたイメージから測定することができる。

【0126】

第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる樹脂は、接合性の確保及び衝撃吸収の役割を果たすことができる。第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる樹脂は接合性及び衝撃吸収性を有し、第２導電性金属粒子と混合してペーストを作製できるものであれば特に限定されず、例えば、エポキシ系樹脂を含むことができる。

【0127】

また、第２電極層１３１ｂ、１３２ｂは、複数の金属粒子、金属間化合物（ｉｎｔｅｒｍｅｔａｌｌｉｃ ｃｏｍｐｏｕｎｄ）及び樹脂を含むことができる。金属間化合物を含むことにより、第１電極層１３１ａ、１３２ａとの電気的連結性をより向上させることができる。金属間化合物は、複数の金属粒子を連結して電気的連結性を向上させる役割を果たし、複数の金属粒子を囲んで互いに連結する役割を果たすことができる。

【0128】

このとき、金属間化合物は、樹脂の硬化温度より低い融点を有する金属を含むことができる。すなわち、金属間化合物が樹脂の硬化温度より低い融点を有する金属を含むため、樹脂の硬化温度より低い融点を有する金属が乾燥及び硬化工程を経る過程で溶融し、金属粒子の一部と金属間化合物を形成して金属粒子を囲むようになる。このとき、金属間化合物は、好ましくは３００℃以下の低融点金属を含むことができる。

【0129】

例えば、２１３～２２０℃の融点を有するＳｎを含むことができる。乾燥及び硬化工程を経る過程でＳｎが溶融し、溶融したＳｎがＡｇ、Ｎｉ又はＣｕのような高融点の金属粒子を毛細管現象により湿らせ、Ａｇ、Ｎｉ又はＣｕ金属粒子の一部と反応してＡｇ_３Ｓｎ、Ｎｉ_３Ｓｎ_４、Ｃｕ_６Ｓｎ_５、Ｃｕ_３Ｓｎなどの金属間化合物を形成するようになる。反応に関与しなかったＡｇ、Ｎｉ又はＣｕは金属粒子の形態で残る。

【0130】

したがって、上記複数の金属粒子は、Ａｇ、Ｎｉ及びＣｕのうち一つ以上を含み、上記金属間化合物は、Ａｇ_３Ｓｎ、Ｎｉ_３Ｓｎ_４、Ｃｕ_６Ｓｎ_５及びＣｕ_３Ｓｎのうち一つ以上を含むことができる。

【0131】

めっき層１３１ｃ、１３２ｃは、実装特性を向上させる役割を果たすことができる。

【0132】

めっき層１３１ｃ、１３２ｃの種類は特に限定されず、ニッケル（Ｎｉ）、錫（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含む単一層のめっき層１３１ｃ、１３２ｃであってもよく、複数の層で形成されてもよい。

【0133】

めっき層１３１ｃ、１３２ｃに対するより具体的な例として、めっき層１３１ｃ、１３２ｃは、Ｎｉめっき層又はＳｎめっき層であってもよく、電極層上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層が順次形成された形態であってもよく、Ｓｎめっき層、Ｎｉめっき層及びＳｎめっき層が順次形成された形態であってもよい。また、めっき層１３１ｃ、１３２ｃは、複数のＮｉめっき層及び／又は複数のＳｎめっき層を含んでもよい。

【0134】

積層型電子部品１００のサイズは特に限定する必要はない。

【0135】

但し、小型化及び高容量化を同時に達成するためには、誘電体層及び内部電極の厚さを薄くして積層数を増加させなければならないため、３２１６（長さ×幅：３．２ｍｍ×１．６ｍｍ）以下のサイズを有する積層型電子部品１００において本発明による効果はより顕著になり得る。

【0136】

以下、実施例を通じて本発明についてより詳細に説明するが、これは本発明の具体的な理解を助けるためのものであり、本発明の範囲が実施例によって限定されるものではない。

【0137】

（試験例）
以下の［表１］は、第１副成分である希土類元素の種類及び含量によるＱ値を測定したものである。

【0138】

各試験例は、第１副成分である希土類元素の種類及び含量を異ならせて適用したことを除いては、主成分及び他の副成分を同様に添加した。第１～第３副成分の含量は、主成分１００モルを基準として添加した。

【0139】

主成分は誘電体物質である（Ｃａ_ｘ、Ｓｒ_１－ｘ）（Ｚｒ_ｙ、Ｔｉ_１－ｙ）Ｏ_３（ＣＳＺＴ）を使用し（但し、ｘ＝０．７、ｙ＝０．９７）、第２副成分として、ケイ素（Ｓｉ）をＣＳＺＴ主成分１００モルに対して０．９５モル以上添加し、第３副成分として、マンガン（Ｍｎ）をＣＳＺＴ主成分１００モルに対して２．０モル添加した。

【0140】

試験例１－１～１－４は、それぞれＣＳＺＴ主成分１００モルに対してイットリウム（Ｙ）０．５モル、１．０モル、２．０モル、２．６モルを添加し、試験例２－１～２－４は、それぞれＣＳＺＴ主成分１００モルに対してジスプロシウム（Ｄｙ）０．５モル、１．０モル、２．０モル、２．６モルを添加し、試験例３－１～３－４は、それぞれＣＳＺＴ主成分１００モルに対してテルビウム０．５モル、１．０モル、２．０モル、２．６モルを添加した。

【0141】

作製したサンプルチップ（ｃｈｉｐ）についてＱ値を測定した後、Ｑ値が１０，０００以上の場合は良好と評価して「Ｏ」と記載し、Ｑ値が１０，０００未満の場合、不良と評価して「Ｘ」と記載した。Ｑ値は、ＬＣＲ ｍｅｔｅｒ測定装備であるＫｅｉｔｈｌｅｙ社の４２６８Ａを用いて測定した。

【0142】

【表1】

【0143】

希土類元素の含量が２．０モルを超える２．６モルに相当する試験例１－４、２－４、３－４の場合、Ｑ値が１０，０００未満と測定され、誘電損失が大きいことが分かる。一方、希土類元素の含量が２．０モル以下に相当する試験例１－１～１－３、試験例２－１～２－３、試験例３－１～３－３の場合、Ｑ値が１０，０００以上と測定され、誘電損失が小さいことが分かる。

【0144】

これにより、希土類元素の含量がＣＳＺＴ主成分１００モルに対して２．０モル以下である場合、Ｑ値が低下せず、誘電損失が小さいことが分かる。

【0145】

次に、図５の（ａ）は試験例１－１のＳＴＥＰ－ＩＲグラフであり、図５の（ｂ）は試験例１－２のＳＴＥＰ－ＩＲグラフであり、図５の（ｃ）は試験例１－３のＳＴＥＰ－ＩＲグラフである。

【0146】

図６の（ａ）は試験例２－１のＳＴＥＰ－ＩＲグラフであり、図６の（ｂ）は試験例２－２のＳＴＥＰ－ＩＲグラフであり、図６の（ｃ）は試験例２－３のＳＴＥＰ－ＩＲグラフである。

【0147】

ＳＴＥＰ－ＩＲ評価は、温度条件１５０℃において、５分当たり１０Ｖずつ昇圧する過酷条件でチップ（ｃｈｉｐ）の短絡（ｓｈｏｒｔ）が発生するか否かを判別したものであり、平均故障時間（Ｍｅａｎ Ｔｉｍｅ Ｔｏ Ｆａｉｌｕｒｅ、ＭＴＴＦ）によって信頼性に優れる又は劣ることが分かる。

【0148】

希土類元素の含量が１．０モル未満である０．５モルに相当する試験例１－１及び２－１の場合、比較的早い時間内にチップ（ｃｈｉｐ）の短絡（ｓｈｏｒｔ）が発生した時間である平均故障時間（ＭＴＴＦ）が短いことから、過酷条件で信頼性に劣ることが分かる。一方、希土類元素の含量が１．０モル以上２．０モル以下に相当する試験例１－２、１－３、２－２、及び２－３の場合、試験例１－１及び２－１と比較して、チップ（ｃｈｉｐ）に短絡（ｓｈｏｒｔ）が発生した時間である平均故障時間（ＭＴＴＦ）が増加したことから、過酷条件でも信頼性に優れることが分かる。

【0149】

これにより、希土類元素の含量がＣＳＺＴ主成分１００モルに対して１．０モル以上２．０モル以下である場合、信頼性に優れることが分かる。

【0150】

試験例１－１～１－３、試験例２－１～２－３及び試験例３－１～３－３から、希土類元素の含量がＣＳＺＴ主成分１００モルに対して１．０モル以上２．０モル以下である場合、Ｑ値に優れながらも信頼性も改善されたことが分かり、これによりＣ０Ｇ材料において要求されるＨｉｇｈ－Ｑ特性及び信頼性の両方を確保できることが分かる。

【0151】

以下の［表２］は、第１副成分である希土類元素の含量及び第２副成分であるケイ素（Ｓｉ）の含量によるサンプルチップの焼結密度を測定したものである。

【0152】

各試験例は、第１副成分である希土類元素の含量と第２副成分であるケイ素（Ｓｉ）の含量を異ならせて適用したことを除いては、主成分及び第３副成分を同様に添加した。第１～第３副成分の含量は、主成分１００モルを基準として添加した。

【0153】

主成分は誘電体物質である（Ｃａ_ｘ、Ｓｒ_１－ｘ）（Ｚｒ_ｙ、Ｔｉ_１－ｙ）Ｏ_３（ＣＳＺＴ）を使用し（但し、ｘ＝０．７、ｙ＝０．９７）、第３副成分として、マンガン（Ｍｎ）をＣＳＺＴ主成分１００モルに対して２．０モル添加した。

【0154】

試験例４－１～４－４は、ＣＳＺＴ主成分１００モルに対してイットリウム（Ｙ）１．０モルを添加し、それぞれＣＳＺＴ主成分１００モルに対してケイ素（Ｓｉ）０．７５モル、０．９５モル、１．１５モル、１．３５モルを添加した。

【0155】

試験例５－１～５－４は、ＣＳＺＴ主成分１００モルに対してイットリウム（Ｙ）２．０モルを添加し、それぞれＣＳＺＴ主成分１００モルに対してケイ素（Ｓｉ）０．７５モル、０．９５モル、１．１５モル、１．３５モルを添加した。

【0156】

作製したサンプルチップ（ｃｈｉｐ）について平均焼結密度値（ｇ／ｃｍ^３）を測定した後、ＣＳＺＴ誘電体物質の理論密度である４．８ｇ／ｃｍ^３の９５％以上に相当する４．５６ｇ／ｃｍ^３以上を良好と評価して「Ｏ」と記載し、４．５６ｇ／ｃｍ^３未満の場合、不良と評価して「Ｘ」と記載した。

【0157】

【表2】

【0158】

希土類元素の含量が１．０モル以上２．０モル以下を満たす条件において、ケイ素（Ｓｉ）の含量が０．７５モルに相当する試験例４－１及び５－１の場合、平均焼結密度値がそれぞれ４．５３ｇ／ｃｍ^３、４．５２ｇ／ｃｍ^３と測定され、これにより焼結密度に優れておらず、誘電体微細構造の緻密度に劣り、誘電損失が大きいことが予測できる。一方、希土類元素の含量が１．０モル以上２．０モル以下を満たす条件において、ケイ素（Ｓｉ）の含量が０．９５モル以上である試験例４－２～４－４、試験例５－２～５－４の場合、平均焼結密度値が４．６６ｇ／ｃｍ^３と測定され、これにより焼結密度に優れ、誘電体微細構造の緻密度に優れ、誘電損失が小さいことを予測することができる。

【0159】

これにより、ケイ素（Ｓｉ）の含量がＣＳＺＴ主成分１００モルに対して０．９５モル以上の場合、平均焼結密度値に優れ、誘電損失が小さいことを予測することができ、これによってＣ０Ｇ材料において要求されるＨｉｇｈ－Ｑ特性が確保できることを予測することができる。

【0160】

以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は、上述した実施形態及び添付の図面によって限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲によって限定されるものとする。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で、当技術分野における通常の知識を有する者により様々な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属するといえる。

【0161】

また、本発明において使用される「一実施形態」という表現は、互いに同じ実施形態を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかし、上記提示された一実施形態は、他の一実施形態の特徴と結合して実現されることを排除しない。例えば、特定の一実施形態において説明された事項が他の一実施形態に説明されていなくても、他の一実施形態においてその事項と反対又は矛盾する説明がない限り、他の一実施形態に関連する説明として理解することができる。

【0162】

本発明において使用される用語は、単に一実施形態を説明するために使用されたものであり、本発明を限定しようとする意図ではない。このとき、単数の表現は、文脈上明らかに異なる意味を示さない限り、複数の表現を含む。

【符号の説明】

【0163】

１００：積層型電子部品
１１０：本体
１１１：誘電体層
１１２、１１３：カバー部
１１４、１１５：サイドマージン部
１２１、１２２：内部電極
１３１、１３２：外部電極

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】