特開 2025-84077 積層型電子部品

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025084077

(43)【公開日】2025-06-02

(54)【発明の名称】積層型電子部品

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/30 20060101AFI20250526BHJP

   H01C 7/02 20060101ALI20250526BHJP

   H01C 7/108 20060101ALN20250526BHJP

【ＦＩ】

H01G4/30 201L

H01G4/30 201K

H01G4/30 201C

H01G4/30 515

H01G4/30 512

H01G4/30 513

H01C7/02

H01C7/108

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024190327

(22)【出願日】2024-10-30

(31)【優先権主張番号】10-2023-0162208

(32)【優先日】2023-11-21

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】110000877

【氏名又は名称】弁理士法人ＲＹＵＫＡ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】パク、ジェオン ユン

(72)【発明者】

【氏名】パク、イル ジェオン

(72)【発明者】

【氏名】ジン、ヒェ ジン

(72)【発明者】

【氏名】キム、ヒョウン ウク

(72)【発明者】

【氏名】クォン、ヒュン ソーン

【テーマコード（参考）】

5E001

5E034

5E082

【Ｆターム（参考）】

5E001AB03

5E001AE02

5E001AE03

5E001AE04

5E001AH01

5E001AJ02

5E034AC07

5E034CC12

5E034DA07

5E082AA01

5E082AB03

5E082BC35

5E082EE04

5E082EE23

5E082EE35

5E082FF05

5E082FG04

5E082FG26

5E082FG46

5E082GG10

5E082GG26

5E082GG28

(57)【要約】      （修正有）

【課題】Ｘ５Ｒ特性（ＴＣＣ特性）を満たす積層型電子部品を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る積層型電子部品は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２を含む本体１１０と、本体上に配置される外部電極１３１、１３２と、を含み、誘電体層は、バナジウム（Ｖ）を含むアクセプタ元素、希土類元素を含むドナー元素及びチタン（Ｔｉ）を含み、チタン（Ｔｉ）１００モルに対するアクセプタ元素のモル数をＡｍ、チタン（Ｔｉ）１００モルに対するドナー元素のモル数をＤｍ、チタン（Ｔｉ）１００モルに対するバナジウム（Ｖ）のモル数をＶｍとするとき、１．２≦Ｄｍ／Ａｍ≦１．４及び０．２≦Ｖｍ／Ｄｍを満たす。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

誘電体層及び内部電極を含む本体と、
前記本体上に配置される外部電極と、を含み、
前記誘電体層は、バナジウム（Ｖ）を含むアクセプタ元素、希土類元素を含むドナー元素、及びチタン（Ｔｉ）を含み、
前記チタン（Ｔｉ）１００モルに対する前記アクセプタ元素のモル数をＡｍ、前記チタン（Ｔｉ）１００モルに対する前記ドナー元素のモル数をＤｍ、前記チタン（Ｔｉ）１００モルに対する前記バナジウム（Ｖ）のモル数をＶｍとするとき、
１．２≦Ｄｍ／Ａｍ≦１．４及び０．２≦Ｖｍ／Ｄｍを満たす、積層型電子部品。

【請求項2】

前記Ｖｍは０モル＜Ｖｍ≦１．０モルを満たす、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項3】

前記希土類元素は、ジスプロシウム（Ｄｙ）、テルビウム（Ｔｂ）、イットリウム（Ｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、セリウム（Ｃｅ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）及びツリウム（Ｔｍ）のうち少なくとも一つを含む、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項4】

前記希土類元素は、ジスプロシウム（Ｄｙ）及びテルビウム（Ｔｂ）のうち少なくとも一つである、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項5】

前記アクセプタ元素は、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、マンガン（Ｍｎ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）及び亜鉛（Ｚｎ）のうち少なくとも一つをさらに含む、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項6】

前記誘電体層はコア－シェル構造の誘電体結晶粒を含み、
前記コア－シェル構造の誘電体結晶粒の面積に対する前記コアの面積分率は６０％以上である、請求項１に記載の積層型電子部品。

【請求項7】

前記コア－シェル構造の誘電体結晶粒は希土類元素を含み、前記シェルの希土類元素の原子百分率は０ａｔ％超過０．５ａｔ％以下である、請求項６に記載の積層型電子部品。

【請求項8】

前記誘電体層は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系誘電体物質を含む、請求項１から７のいずれか一項に記載の積層型電子部品。

【請求項9】

前記本体は複数の誘電体層を含み、前記複数の誘電体層のうち少なくとも一つの平均厚さは１．０μｍ以下である、請求項１から７のいずれか一項に記載の積層型電子部品。

【請求項10】

前記本体は複数の内部電極を含み、前記複数の内部電極のうち少なくとも一つの平均厚さは０．６μｍ以下である、請求項１から７のいずれか一項に記載の積層型電子部品。

【請求項11】

前記積層型電子部品の平均長さは１．０ｍｍ以下であり、平均幅は０．５ｍｍ以下である、請求項１から７のいずれか一項に記載の積層型電子部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、積層型電子部品に関する。

【背景技術】

【0002】

積層型電子部品の一つである積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマ表示装置パネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）などの映像機器、コンピュータ、スマートフォン、及び携帯電話などの様々な電子製品の印刷回路基板に装着され、電気を充電又は放電させる役割を果たすチップ型のコンデンサである。

【0003】

このような積層セラミックキャパシタは、小型でありながらも高容量が保障され、実装が容易であるという利点により、様々な電子装置の部品として使用されることができる。コンピュータ、モバイル機器など、各種の電子機器が小型化及び高出力化されるにつれて、積層セラミックキャパシタに対する小型化及び高容量化への要求が増大している。

【0004】

積層セラミックキャパシタの過速信頼性に直結する「劣化（ｄｅｔｅｒｉｏｒａｔｉｏｎ）」メカニズムは、酸素空孔（ｏｘｙｇｅｎ ｖａｃａｎｃｙ）の移動に影響を受けるが、このような劣化を抑制するために酸素空孔の濃度自体を減らして高温環境下での絶縁抵抗の低下（ｉｎｓｕｌａｔｉｏｎ ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ ｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎ）を防止する方向への研究が盛んに行われている。絶縁抵抗の低下を最小化させるために、希土類元素（ｒａｒｅ ｅａｒｔｈ ｅｌｅｍｅｎｔｓ）を一定比率以上含むコア－シェル（ｃｏｒｅ－ｓｈｅｌｌ）構造結晶粒のような微細構造を実現し、積層セラミックキャパシタの信頼特性を向上させることができる。但し、希土類元素を過剰に添加する場合、積層セラミックキャパシタの温度特性（ＴＣＣ特性）を低下させるおそれがあり、適正含量の希土類元素の添加が必要である。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】韓国公開特許公報第１０－２０２２－００９６９５１号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

本発明が解決しようとするいくつかの課題の一つは、Ｘ５Ｒ特性（ＴＣＣ特性）を満たす積層型電子部品を提供することである。

【0007】

本発明が解決しようとするいくつかの課題の一つは、信頼性が向上した積層型電子部品を提供することである。

【0008】

但し、本発明が解決しようとするいくつかの課題は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。

【課題を解決するための手段】

【0009】

本発明の一実施形態に係る積層型電子部品は、誘電体層及び内部電極を含む本体と、上記本体上に配置される外部電極と、を含み、上記誘電体層は、バナジウム（Ｖ）を含むアクセプタ元素、希土類元素を含むドナー元素、及びチタン（Ｔｉ）を含み、上記チタン（Ｔｉ）１００モルに対する上記アクセプタ元素のモル数をＡｍ、上記チタン（Ｔｉ）１００モルに対する上記ドナー元素のモル数をＤｍ、上記チタン（Ｔｉ）１００モルに対する上記バナジウム（Ｖ）のモル数をＶｍとするとき、１．２≦Ｄｍ／Ａｍ≦１．４及び０．２≦Ｖｍ／Ｄｍを満たすことができる。

【発明の効果】

【0010】

本発明のいくつかの効果の一つは、積層型電子部品のＸ５Ｒ特性（ＴＣＣ特性）を満たすことである。

【0011】

本発明のいくつかの効果の一つは、積層型電子部品の信頼性を向上させることである。

【0012】

但し、本発明の多様かつ有益な利点及び効果は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】本発明の一実施形態に係る積層型電子部品の斜視図を概略的に示すものである。

【図2】内部電極の積層構造を示す分離斜視図を概略的に示すものである。

【図3】図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図を概略的に示すものである。

【図4】図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図を概略的に示すものである。

【図5】図３のＰ領域の拡大図を概略的に示すものである。

【図6】（ａ）は実施例の過速信頼性評価（ＨＡＬＴ）グラフであり、（ｂ）は比較例の過速信頼性評価（ＨＡＬＴ）グラフであり、（ｃ）は実施例及び比較例の容量温度変化（ＴＣＣ）特性グラフである。

【図7】（ａ）は、比較例の誘電体層の断面についてＴＥＭ－ＥＤＳを用いてジスプロシウム（Ｄｙ）を観察したイメージであり、（ｂ）は、他の比較例の誘電体層の断面についてＴＥＭ－ＥＤＳを用いてジスプロシウム（Ｄｙ）を観察したイメージであり、（ｃ）は、実施例の誘電体層の断面についてＴＥＭ－ＥＤＳを用いてジスプロシウム（Ｄｙ）を観察したイメージである。

【発明を実施するための形態】

【0014】

以下、具体的な実施形態及び添付の図面を参照して本発明の実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形することができ、本発明の範囲が以下で説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、通常の技術者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさ等は、より明確な説明のために誇張することができ、図面上の同じ符号で示される要素は同じ要素である。

【0015】

そして、図面において本発明を明確に説明するために、説明と関係のない部分は省略し、図面に示した各構成の大きさ及び厚さは説明の便宜上、任意に示しているため、本発明は必ずしも図示したものに限定されない。なお、同一思想の範囲内の機能が同一である構成要素に対しては、同一の参照符号を用いて説明する。さらに、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」と言うとき、これは特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含み得ることを意味する。

【0016】

図において、第１方向は積層方向又は厚さＴ方向、第２方向は長さＬ方向、第３方向は幅Ｗ方向と定義することができる。

【0017】

積層型電子部品
図１は、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品の斜視図を概略的に示すものであり、図２は、内部電極の積層構造を示す分離斜視図を概略的に示すものであり、図３は、図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図を概略的に示すものであり、図４は、図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図を概略的に示すものであり、図５は、図３のＰ領域の拡大図を概略的に示すものである。

【0018】

以下、図１～図５を参照して、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品について詳細に説明する。但し、積層型電子部品の一例として、積層セラミックキャパシタについて説明するが、本発明は誘電体組成物を利用する様々な電子製品、例えば、インダクタ、圧電体素子、バリスタ、又はサーミスタなどにも適用することができる。

【0019】

本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２を含む本体１１０と、上記本体１１０上に配置される外部電極１３１、１３２と、を含み、上記誘電体層１１１は、バナジウム（Ｖ）を含むアクセプタ元素、希土類元素を含むドナー元素、及びチタン（Ｔｉ）を含み、上記チタン（Ｔｉ）１００モルに対する上記アクセプタ元素のモル数をＡｍ、上記チタン（Ｔｉ）１００モルに対する上記ドナー元素のモル数をＤｍ、上記チタン（Ｔｉ）１００モルに対する上記バナジウム（Ｖ）のモル数をＶｍとするとき、１．２≦Ｄｍ／Ａｍ≦１．４及び０．２≦Ｖｍ／Ｄｍを満たすことができる。

【0020】

本体１１０は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２が交互に積層されていてもよい。

【0021】

より具体的に、本体１１０は、本体１１０の内部に配置され、誘電体層１１１を挟んで互いに対向するように交互に配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含んで容量を形成する容量形成部Ａｃを含むことができる。

【0022】

本体１１０の具体的な形状に特に制限はないが、図示のように、本体１１０は六面体形状又はこれと類似の形状からなることができる。焼成過程で本体１１０に含まれたセラミック粒子の収縮により、本体１１０は完全な直線を有する六面体形状ではないが、実質的に六面体形状を有することができる。

【0023】

本体１１０は、第１方向に互いに対向する第１面１及び第２面２、第１面１及び第２面２と連結され、第２方向に互いに対向する第３面３及び第４面４、第１面１、第２面２、第３面３及び第４面４と連結され、第３方向に互いに対向する第５面５及び第６面６を有することができる。

【0024】

本体１１０を形成する複数の誘電体層１１１は焼成された状態であって、隣接する誘電体層１１１間の境界は走査電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＳＥＭ）を利用せずには確認しにくいほど一体化することができる。

【0025】

誘電体層１１１を形成する原料は、十分な静電容量が得られる限り限定されない。一般に、ペロブスカイト（ＡＢＯ_３）系材料を使用することができ、例えば、チタン酸バリウム系材料、鉛複合ペロブスカイト系材料又はチタン酸ストロンチウム系材料などを使用することができる。チタン酸バリウム系材料は、ＢａＴｉＯ_３系セラミック粒子を含むことができ、セラミック粒子の例示として、ＢａＴｉＯ_３、ＢａＴｉＯ_３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）等が一部固溶した（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ_１－ｙＣａ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）又はＢａ（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）などが挙げられる。

【0026】

また、誘電体層１１１を形成する原料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）などの粒子に、本発明の目的に応じて様々なセラミック添加剤、有機溶剤、結合剤、分散剤などを添加することができる。

【0027】

現在のＸ５Ｒ、Ｘ７Ｒ、Ｘ８Ｒ、Ｙ５Ｖなどの高容量ＢＭＥ ＭＬＣＣの誘電体は、ＢａＴｉＯ_３母材、あるいはＣａ、Ｚｒなどが一部固溶して修正された（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）（Ｔｉ_１－ｙＣａ_ｙ）Ｏ_３、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）（Ｔｉ_{１－ ｙ}Ｚｒ_ｙ）Ｏ_３、Ｂａ（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３などの母材に、Ｍｇ、Ａｌなどのような原子価固定アクセプタ（ｆｉｘｅｄ ｖａｌｅｎｃｅ ａｃｃｅｐｔｏｒ）元素と、Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒなどのようなドナー（ｄｏｎｏｒ）としての役割を果たす希土類元素を共にドーピング（ｃｏ－ｄｏｐｉｎｇ）し、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒのような原子価可変アクセプタ（ｖａｒｉａｂｌｅ ｖａｌｅｎｃｅ ａｃｃｅｐｔｏｒ）元素、及び余分なＢａ、並びにＳｉＯ_２あるいはこれを含む焼結助剤等をさらに添加して焼結された材料に基づいている。還元雰囲気で焼成する場合、高容量ＭＬＣＣの正常な容量及び絶縁特性を実現するためには、粒成長の抑制及び耐還元性が実現されなければならず、Ｍｇのような原子価固定アクセプタ元素を適正量添加することで、この２つの効果が実現されると知られている。しかし、Ｍｇのような原子価固定アクセプタ元素のみが添加された場合には、誘電体の耐電圧特性と信頼性が良くないことがあり、Ｍｎ及びＶのような原子価可変アクセプタ元素である遷移金属元素及び希土類元素を共に添加することで、耐電圧及び信頼性の向上効果が得られる。これらの元素はほとんど共にドーピング（ｃｏ－ｄｏｐｉｎｇ）されており、ＢａＴｉＯ_３母材結晶粒のシェル（ｓｈｅｌｌ）領域に固溶してコア－シェル（ｃｏｒｅ－ｓｈｅｌｌ）構造を形成し、積層型電子部品の温度による安定した容量特性と信頼性を実現する。

【0028】

本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００において、誘電体層１１１は、バナジウム（Ｖ）を含むアクセプタ元素、希土類元素を含むドナー元素、及びチタン（Ｔｉ）を含むことができ、上記チタン（Ｔｉ）１００モルに対する上記アクセプタ元素のモル数をＡｍ、上記チタン（Ｔｉ）１００モルに対する上記ドナー元素のモル数をＤｍ、上記チタン（Ｔｉ）１００モルに対する上記バナジウム（Ｖ）のモル数をＶｍとするとき、１．２≦Ｄｍ／Ａｍ≦１．４及び０．２≦Ｖｍ／Ｄｍを満たすことができる。

【0029】

ここで、ドナー元素の役割を果たす希土類元素は、ジスプロシウム（Ｄｙ）、テルビウム（Ｔｂ）、イットリウム（Ｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、セリウム（Ｃｅ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）及びツリウム（Ｔｍ）のうち少なくとも一つを含むことができ、好ましくは、ジスプロシウム（Ｄｙ）及びテルビウム（Ｔｂ）のうち少なくとも一つを含むことができ、より好ましくは、ジスプロシウム（Ｄｙ）及びテルビウム（Ｔｂ）のうち少なくとも一つであることができる。

【0030】

希土類元素は酸素空孔の移動を抑制する役割を果たすことができ、酸素空孔の移動を抑制することにより、絶縁抵抗の劣化を抑制して信頼性を向上させることができる。

【0031】

また、アクセプタ元素はバナジウム（Ｖ）を含み、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、マンガン（Ｍｎ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）及び亜鉛（Ｚｎ）のうち少なくとも一つをさらに含むことができ、好ましくは、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、及びマンガン（Ｍｎ）のうち少なくとも一つをさらに含むことができ、より好ましくは、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、及びマンガン（Ｍｎ）のうち少なくとも一つであることができる。

【0032】

アクセプタ元素は耐還元性を付与する役割を果たすことができ、アクセプタ元素のうちバナジウム（Ｖ）はＸ５Ｒ特性を効果的に満たすことができる役割を果たすことができる。

【0033】

誘電体層１１１に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するドナー元素のモル数（Ｄｍ）、アクセプタ元素のモル数（Ａｍ）、及びバナジウム（Ｖ）のモル数（Ｖｍ）が１．２≦Ｄｍ／Ａｍ≦１．４及び０．２≦Ｖｍ／Ｄｍを満たすことにより、Ｘ５Ｒ特性（－５５℃～８５℃の温度範囲での静電容量は２５℃での静電容量に対して－１５％以上＋１５％以下）を満たすことができ、又は積層型電子部品の信頼性を向上させることができる。

【0034】

Ｄｍ／Ａｍの比率が１．２未満の場合（Ｄｍ／Ａｍ＜１．２）、信頼性が低下するおそれがあり、Ｄｍ／Ａｍの比率が１．４超過の場合（１．４＜Ｄｍ／Ａｍ）Ｘ５Ｒ特性を満たさないおそれがある。

【0035】

また、Ｖｍ／Ｄｍの比率が０．２未満の場合、信頼性が低下するおそれがある。Ｖｍ／Ｄｍの上限は信頼性又はＸ５Ｒ特性を満たすためであれば特に限定されないが、誘電体層１１１に含まれたチタン（Ｔｉ）１００モルに対するバナジウム（Ｖ）のモル数（Ｖｍ）は０モル超過１．０モル以下、すなわち、０モル＜Ｖｍ≦１．０モルを満たすことができる。

【0036】

このとき、バナジウム（Ｖ）のモル数（Ｖｍ）が１．０モルを超える場合、信頼性が低下するおそれがある。

【0037】

一方、本発明の一実施形態に係る誘電体層１１１は、コア－シェル構造の誘電体結晶粒１０を含み、コア－シェル構造の誘電体結晶粒１０の面積に対するコア１１の面積分率は６０％以上であることができる。

【0038】

信頼性向上のためであれば、コア１１の面積分率の上限値は特に限定されないが、９５％以下、９０％以下、又は８５％以下であってもよく、より優れた容量特性を達成するために、コア１１の面積分率の上限値は８０％以下であってもよい。

【0039】

本発明において、誘電体層１１１は複数の誘電体結晶粒を含むことができ、複数の誘電体結晶粒はコア－シェル構造の誘電体結晶粒１０とコア－シェル構造を有さない誘電体結晶粒２０とを含む概念であることができる。

【0040】

また、コア－シェル構造の誘電体結晶粒１０は、内側のコア１１及びコア１１を囲むシェル１２を含む構造であることができ、ここで、コア１１は希土類元素が検出されない領域を意味することができ、例えば、希土類元素の原子百分率が０ａｔ％である領域を意味することができる。そして、シェル１２は、希土類元素の原子百分率が、例えば、０ａｔ％超過０．５ａｔ％以下である領域を意味することができる。

【0041】

誘電体層１１１又は誘電体結晶粒に含まれた各元素の含量を測定するより具体的な方法の一例として、破壊工法の場合、ＳＥＭ－ＥＤＳ、ＴＥＭ－ＥＤＳ又はＳＴＥＭ－ＥＤＳなどの測定装備を用いてチップの中央部で誘電体層の成分を分析することができる。まず、焼結済みの本体の断面のうち誘電体層を含む領域において集束イオンビーム（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ、ＦＩＢ）装備を用いて薄片化された分析試料を準備する。そして、薄片化された試料をキセノン（Ｘｅ）イオン又はアルゴン（Ａｒ）イオンミリング（ｉｏｎ ｍｉｌｌｉｎｇ）を用いて表面のダメージ層を除去し、その後、ＳＥＭ、ＴＥＭ又はＳＴＥＭを用いて得られたイメージにおいてＥＤＳモードを適用し、測定しようとする元素の成分をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）して定性／定量分析を行うこの場合、各成分の定性／定量分析グラフは、各元素の質量分率（ｗｔ％）、原子百分率（ａｔ％）、又はモル分率（ｍｏｌ％）に換算して表すこともできる。

【0042】

さらに別の方法としては、チップを粉砕し内部電極を除去した後、誘電体層部分を選別し、このように選別された誘電体層を誘導結合プラズマ分光分析器（ＩＣＰ－ＯＥＳ）、誘導結合プラズマ質量分析器（ＩＣＰ－ＭＳ）などの装置を用いて誘電体層の成分を分析することができる。

【0043】

コア－シェル構造の誘電体結晶粒１０の面積に対するコア１１の面積分率が６０％以上を満たすことにより、目標とする誘電特性を満たすことができ、Ｘ５Ｒ特性を満たすことができ、又は積層型電子部品の信頼性を向上させることができる。

【0044】

コア－シェル構造の誘電体結晶粒１０の面積に対するコア１１の面積分率が６０％未満である場合、目標とする誘電特性の実現が困難であるか、又はＸ５Ｒ特性を満たしにくくなる可能性がある。

【0045】

コア－シェル構造の誘電体結晶粒１０の面積に対するコア１１の面積分率を計算する方法は特に限定されるものではないが、以下のようにすることができる。例えば、誘電体層の断面をＳＥＭ、ＴＥＭ又はＳＴＥＭ測定装備を用いてイメージを得た後、ＥＤＳモードで各成分を観察する。このとき、全ピクセル（ｐｉｘｅｌ）の数が１０万個以上となるように各成分を観察した後、希土類元素の含量が０ａｔ％であるピクセルをコアと定義し、希土類元素の含量が０ａｔ％超過０．５ａｔ％以下であるピクセルをシェルと定義したとき、全ピクセル数に対する希土類元素の含量が０ａｔ％であるピクセルの数を計算して出た値を、コア－シェル構造の誘電体結晶粒の面積に対するコアの面積分率と定義することができる。

【0046】

コア以外の領域における希土類元素の含量が０ａｔ％であるピクセルの数は無視できる程度であり得るが、コア以外の領域における希土類元素の含量が０ａｔ％であるピクセルの数が多くなる場合、コア以外の領域において希土類元素の含量が０ａｔ％であるピクセルのうち、コア－シェル構造の結晶粒の内部又はコア－シェル構造の結晶粒の中央部に位置するピクセルのみを選択してコアの分率を求めることもできる。

【0047】

誘電体層１１１の厚さｔｄは特に限定する必要はない。

【0048】

積層型電子部品１００の高電圧環境下での信頼性を確保するために、誘電体層１１１の厚さは１０．０μｍ以下であってもよい。また、積層型電子部品１００の小型化及び高容量化を達成するために、誘電体層１１１の厚さは３．０μｍ以下であってもよく、超小型化及び高容量化をより容易に達成するために、誘電体層１１１の厚さは１．０μｍ以下であってもよく、好ましくは０．６μｍ以下であってもよく、より好ましくは０．４μｍ以下であってもよい。

【0049】

ここで、誘電体層１１１の厚さｔｄは、複数の誘電体層１１１のうち少なくとも一つの厚さｔｄを意味することができる。

【0050】

なお、誘電体層１１１の厚さｔｄは、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２の間に配置される誘電体層１１１の厚さｔｄを意味することができる。

【0051】

一方、誘電体層１１１の厚さｔｄは、誘電体層１１１の第１方向のサイズを意味することができる。また、誘電体層１１１の厚さｔｄは、誘電体層１１１の平均厚さｔｄを意味することができ、誘電体層１１１の第１方向の平均サイズを意味することができる。

【0052】

誘電体層１１１の第１方向の平均サイズは、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、一つの誘電体層１１１の第１方向の平均サイズは、スキャンされたイメージにおいて一つの誘電体層１１１を第２方向に等間隔である１０個の地点で第１方向のサイズを測定して算出した平均値を意味することができる。上記等間隔である１０個の地点は容量形成部Ａｃで指定することができる。また、このような平均値の測定を１０個の誘電体層１１１に拡張して平均値を測定すると、誘電体層１１１の第１方向の平均サイズをさらに一般化することができる。

【0053】

内部電極１２１、１２２は誘電体層１１１と交互に積層されてもよい。

【0054】

内部電極１２１、１２２は第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含むことができ、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は本体１１０を構成する誘電体層１１１を挟んで互いに対向するように交互に配置され、本体１１０の第３面３及び第４面４にそれぞれ露出することができる。

【0055】

より具体的に、第１内部電極１２１は第４面４と離隔し、第３面３を介して露出することができ、第２内部電極１２２は第３面３と離隔し、第４面４を介して露出することができる。本体１１０の第３面３には第１外部電極１３１が配置されて第１内部電極１２１と連結され、本体１１０の第４面４には第２外部電極１３２が配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。

【0056】

すなわち、第１内部電極１２１は第２外部電極１３２とは連結されずに第１外部電極１３１と連結され、第２内部電極１２２は第１外部電極１３１とは連結されずに第２外部電極１３２と連結されることができる。このとき、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２は、中間に配置された誘電体層１１１によって互いに電気的に分離することができる。

【0057】

一方、本体１１０は、第１内部電極１２１が印刷されたセラミックグリーンシートと、第２内部電極１２２が印刷されたセラミックグリーンシートとを交互に積層した後、焼成して形成することができる。

【0058】

内部電極１２１、１２２を形成する材料は特に限定されず、電気伝導性に優れた材料を使用することができる。例えば、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含むことができる。

【0059】

また、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含む内部電極用導電性ペーストをセラミックグリーンシートに印刷して形成することができる。上記内部電極用導電性ペーストの印刷方法としては、スクリーン印刷法又はグラビア印刷法などを使用することができるが、本発明はこれに限定されるものではない。

【0060】

一方、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは特に限定する必要はない。

【0061】

積層型電子部品１００の高電圧環境下での信頼性を確保するために、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは３．０μｍ以下であってもよい。また、積層型電子部品１００の小型化及び高容量化を達成するために、内部電極１２１、１２２の厚さは１．０μｍ以下であってもよく、超小型化及び高容量化をより容易に達成するために、内部電極１２１、１２２の厚さは０．６μｍ以下であってもよく、より好ましくは０．４μｍ以下であってもよい。

【0062】

ここで、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは、複数の内部電極１２１、１２２のうち少なくとも一つの厚さｔｅを意味することができる。

【0063】

また、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の第１方向のサイズを意味することができる。また、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅを意味し、内部電極１２１、１２２の第１方向の平均サイズを意味することができる。

【0064】

内部電極１２１、１２２の第１方向の平均サイズは、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、一つの内部電極の第１方向の平均サイズは、スキャンされたイメージにおいて、一つの内部電極を第２方向に等間隔である１０個の地点で第１方向のサイズを測定して計算した平均値であることができる。上記等間隔である１０個の地点は容量形成部Ａｃで指定することができる。また、このような平均値の測定を１０個の内部電極に拡張して平均値を測定すると、内部電極の第１方向の平均サイズをさらに一般化することができる。

【0065】

一方、本発明の一実施形態において、複数の誘電体層１１１のうち少なくとも一つの平均厚さｔｄ、及び複数の内部電極１２１、１２２のうち少なくとも一つの平均厚さｔｅは、２×ｔｅ＜ｔｄを満たすことができる。

【0066】

言い換えれば、誘電体層１１１の一つの平均厚さｔｄは、内部電極１２１、１２２の一つの平均厚さｔｅの２倍よりさらに大きくてもよい。好ましくは、複数の誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、複数の内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅの２倍よりさらに大きくてもよい。

【0067】

一般に、高電圧電装用電子部品は、高電圧環境下で絶縁破壊電圧（Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ Ｖｏｌｔａｇｅ、ＢＤＶ）の低下による信頼性の問題が主なイシューである。

【0068】

したがって、高電圧環境下で絶縁破壊電圧の低下を防止するために、誘電体層１１１の平均厚さｔｄを内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅの２倍よりも大きくすることにより、内部電極間の距離である誘電体層の厚さを増加させることができ、絶縁破壊電圧特性を向上させることができる。

【0069】

誘電体層１１１の平均厚さｔｄが内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅの２倍以下である場合には、内部電極間の距離である誘電体層の平均厚さが薄くなり、絶縁破壊電圧が低下することがあり、内部電極間の短絡が発生する可能性がある。

【0070】

一方、本体１１０は、容量形成部Ａｃの第１方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）上に配置されるカバー部１１２、１１３を含むことができる。

【0071】

具体的に、容量形成部Ａｃの第１方向の一面に配置される第１カバー部１１２、及び容量形成部Ａｃの第１方向の他面に配置される第２カバー部１１３を含むことができる。より具体的には、容量形成部Ａｃの第１方向の上部に配置される上部カバー部１１２、及び容量形成部Ａｃの第１方向の下部に配置される下部カバー部１１３を含むことができる。

【0072】

上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、単一の誘電体層１１１又は２つ以上の誘電体層１１１を容量形成部Ａｃの上下面にそれぞれ第１方向に積層して形成することができ、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。

【0073】

上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、内部電極１２１、１２２を含まず、誘電体層１１１と同じ材料を含むことができる。すなわち、上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３はセラミック材料を含むことができ、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系セラミック材料を含むことができる。

【0074】

一方、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは特に限定する必要はない。

【0075】

但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは１００μｍ以下であってもよく、好ましくは３０μｍ以下であってもよく、超小型製品では、より好ましくは２０μｍ以下であってもよい。

【0076】

ここで、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは、カバー部１１２、１１３の第１方向のサイズを意味することができる。なお、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは、カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃを意味し、カバー部１１２、１１３の第１方向の平均サイズを意味することができる。

【0077】

カバー部１１２、１１３の第１方向の平均サイズは、本体１１０の第１方向及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、一つのカバー部をスキャンしたイメージにおいて、第２方向に等間隔である１０個の地点で第１方向のサイズを測定して計算した平均値を意味することができる。

【0078】

なお、上述した方法で測定したカバー部の第１方向の平均サイズは、本体１１０の第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）において、カバー部の第１方向の平均サイズと実質的に同じサイズを有することができる。

【0079】

一方、積層型電子部品１００は、本体１１０の第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）上に配置されるサイドマージン部１１４、１１５を含むことができる。

【0080】

より具体的に、サイドマージン部１１４、１１５は、本体１１０の第５面５に配置された第１サイドマージン部１１４及び本体１１０の第６面６に配置された第２サイドマージン部１１５を含むことができる。

【0081】

サイドマージン部１１４、１１５は、図示のように、本体１１０の第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準として、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２の第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）と本体１１０の境界面との間の領域を意味することができる。

【0082】

あるいは、サイドマージン部１１４、１１５は、容量形成部Ａｃに適用されるセラミックグリーンシート上にサイドマージン部１１４、１１５が形成される箇所を除いて、導電性ペーストを塗布して内部電極１２１、１２２を形成し、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後の内部電極１２１、１２２が本体１１０の第５面５及び第６面６に露出するように切断した後、単一の誘電体層１１１又は２つ以上の誘電体層１１１を容量形成部Ａｃの第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）上に第３方向に積層して形成することもできる。

【0083】

サイドマージン部１１４、１１５は、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。

【0084】

第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５は、内部電極１２１、１２２を含まず、誘電体層１１１と同じ材料を含むことができる。すなわち、第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５はセラミック材料を含むことができ、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系セラミック材料を含むことができる。

【0085】

一方、第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５の幅ｗｍは特に限定する必要はない。

【0086】

但し、積層型電子部品１００の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは１００μｍ以下であってもよく、好ましくは３０μｍ以下であってもよく、超小型製品では、より好ましくは２０μｍ以下であってもよい。

【0087】

ここで、サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは、サイドマージン部１１４、１１５の第３方向のサイズを意味することができる。また、サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは、サイドマージン部１１４、１１５の平均幅ｗｍを意味することができ、サイドマージン部１１４、１１５の第３方向の平均サイズを意味することができる。

【0088】

サイドマージン部１１４、１１５の第３方向の平均サイズは、本体１１０の第１方向及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、一つのサイドマージン部をスキャンしたイメージにおいて、第１方向に等間隔である１０個の地点で第３方向のサイズを測定して計算した平均値を意味することができる。

【0089】

本発明の一実施形態では、積層型電子部品１００が２つの外部電極１３１、１３２を有する構造について説明しているが、外部電極１３１、１３２の個数や形状などは内部電極１２１、１２２の形態やその他の目的に応じて変更することができる。

【0090】

外部電極１３１、１３２は本体１１０上に配置され、内部電極１２１、１２２と連結されることができる。

【0091】

より具体的に、外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３面３及び第４面４にそれぞれ配置され、第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２とそれぞれ連結される第１外部電極１３１及び第２外部電極１３２を含むことができる。すなわち、第１外部電極１３１は本体の第３面３に配置されて第１内部電極１２１と連結されることができ、第２外部電極１３２は本体の第４面４に配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。

【0092】

また、外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第１面１及び第２面２上の一部に延びて配置されることができ、又は本体１１０の第５面５及び第６面６上の一部に延びて配置されることができる。すなわち、第１外部電極１３１は、本体１１０の第１面１、第２面２、第５面５及び第６面６上の一部、及び本体１１０の第３面３上に配置されることができ、第２外部電極１３２は、本体１１０の第１面１、第２面２、第５面５及び第６面６上の一部、及び本体１１０の第３面３上に配置されることができる。

【0093】

一方、外部電極１３１、１３２は、金属などのように電気伝導性を有するものであれば、如何なる物質を使用して形成されてもよく、電気的特性、構造的安定性などを考慮して具体的な物質が決定されてもよく、さらに多層構造を有してもよい。

【0094】

例えば、外部電極１３１、１３２は、本体１１０に配置される電極層及び電極層上に配置されるめっき層を含むことができる。

【0095】

電極層に対するより具体的な例として、電極層は、導電性金属及びガラスを含む焼成電極である第１電極層１３１ａ、１３２ａを含むか、又は導電性金属及び樹脂を含む樹脂系電極である第２電極層１３１ｂ、１３２ｂを含むことができる。

【0096】

ここで、第１電極層１３１ａ、１３２ａに含まれた導電性金属を第１導電性金属と呼び、第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれた導電性金属を第２導電性金属と呼ぶことができる。このとき、第１導電性金属及び第２導電性金属は互いに同一又は異なってもよく、複数の導電性金属を含む場合、一部のみが同じ導電性金属を含んでもよいが、特にこれに限定されるものではない。

【0097】

なお、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂは、本体１１０上に焼成電極及び樹脂系電極が順次形成された形態であってもよい。

【0098】

また、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂは、本体上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されるか、又は焼成電極上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されたものであってもよい。

【0099】

電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂに含まれる導電性金属として、電気伝導性に優れた材料を使用することができ、例えば、導電性金属はニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群から選択された一つ以上を含むことができるが、特にこれに限定されない。

【0100】

本発明の一実施形態において、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂは、第１電極層１３１ａ、１３２ａ及び第２電極層１３１ｂ、１３２ｂを含む２層の構造を有することができ、これにより、外部電極１３１、１３２は、第１導電性金属及びガラス（ｇｌａｓｓ）を含む第１電極層１３１ａ、１３２ａ及び上記第１電極層１３１ａ、１３２ａ上に配置され、第２導電性金属及び樹脂を含む第２電極層１３１ｂ、１３２ｂを含むことができる。

【0101】

第１電極層１３１ａ、１３２ａは、ガラスを含むことにより本体１１０との接合性を向上させる役割を果たし、第２電極層１３１ｂ、１３２ｂは樹脂を含むことにより、曲げ強度を向上させる役割を果たすことができる。

【0102】

第１電極層１３１ａ、１３２ａに含まれる第１導電性金属は、静電容量の形成のために上記内部電極１２１、１２２と電気的に連結できる材質であれば特に限定されず、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群から選択された一つ以上を含むことができる。

【0103】

第１電極層１３１ａ、１３２ａは、第１導電性金属粒子にガラスフリット（ｇｌａｓｓ ｆｒｉｔ）を添加して設けられた導電性ペーストを塗布した後、焼成することにより形成することができる。

【0104】

第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる第２導電性金属は、第１電極層１３１ａ、１３２ａと電気的に連結されるようにする役割を果たすことができる。

【0105】

第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる第２導電性金属は、電極層１３１ａ、１３２ａと電気的に連結できる材質であれば特に限定されず、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群から選択された一つ以上を含むことができる。

【0106】

第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる第２導電性金属は、球状粒子及びフレーク状粒子のうち１以上を含むことができる。すなわち、導電性金属はフレーク状粒子のみからなるか、又は球状粒子のみからなることができ、フレーク状粒子と球状粒子とが混合された形態であってもよい。ここで、球状粒子は、完全な球状ではない形態も含むことができ、例えば、長軸と短軸の長さ比率（長軸／短軸）が１．４５以下の形態を含むことができる。フレーク状粒子とは、平たくかつ細長い形態を有する粒子を意味し、特に限定されるものではないが、例えば、長軸と短軸の長さ比率（長軸／短軸）が１．９５以上であってもよい。上記球状粒子及びフレーク状粒子の長軸と短軸の長さは、積層型電子部品の第３方向の中央部で切断した第１方向及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でスキャンして得られたイメージから測定することができる。

【0107】

第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる樹脂は、接合性の確保及び衝撃吸収の役割を果たすことができる。第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる樹脂は接合性及び衝撃吸収性を有し、第２導電性金属粒子と混合してペーストを作製できるものであれば特に限定されず、例えば、エポキシ系樹脂を含むことができる。

【0108】

また、第２電極層１３１ｂ、１３２ｂは、複数の金属粒子、金属間化合物（ｉｎｔｅｒｍｅｔａｌｌｉｃ ｃｏｍｐｏｕｎｄ）及び樹脂を含むことができる。金属間化合物を含むことにより、第１電極層１３１ａ、１３２ａとの電気的連結性をより向上させることができる。金属間化合物は、複数の金属粒子を連結して電気的連結性を向上させる役割を果たし、複数の金属粒子を囲んで互いに連結する役割を果たすことができる。

【0109】

このとき、金属間化合物は、樹脂の硬化温度より低い融点を有する金属を含むことができる。すなわち、金属間化合物が樹脂の硬化温度より低い融点を有する金属を含むため、樹脂の硬化温度より低い融点を有する金属が乾燥及び硬化工程を経る過程で溶融し、金属粒子の一部と金属間化合物を形成して金属粒子を囲むようになる。このとき、金属間化合物は、好ましくは３００℃以下の低融点金属を含むことができる。

【0110】

例えば、２１３～２２０℃の融点を有するＳｎを含むことができる。乾燥及び硬化工程を経る過程でＳｎが溶融し、溶融したＳｎがＡｇ、Ｎｉ又はＣｕのような高融点の金属粒子を毛細管現象により湿らし、Ａｇ、Ｎｉ又はＣｕ金属粒子の一部と反応してＡｇ_３Ｓｎ、Ｎｉ_３Ｓｎ_４、Ｃｕ_６Ｓｎ_５、Ｃｕ_３Ｓｎなどの金属間化合物を形成するようになる。反応に関与しなかったＡｇ、Ｎｉ又はＣｕは金属粒子の形態で残る。

【0111】

したがって、上記複数の金属粒子は、Ａｇ、Ｎｉ及びＣｕのうち一つ以上を含み、上記金属間化合物は、Ａｇ_３Ｓｎ、Ｎｉ_３Ｓｎ_４、Ｃｕ_６Ｓｎ_５及びＣｕ_３Ｓｎのうち一つ以上を含むことができる。

【0112】

めっき層１３１ｃ、１３２ｃは、実装特性を向上させる役割を果たすことができる。

【0113】

めっき層１３１ｃ、１３２ｃの種類は特に限定されず、ニッケル（Ｎｉ）、錫（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含む単一層のめっき層１３１ｃ、１３２ｃであってもよく、複数の層で形成されてもよい。

【0114】

めっき層１３１ｃ、１３２ｃに対するより具体的な例として、めっき層１３１ｃ、１３２ｃは、Ｎｉめっき層又はＳｎめっき層であってもよく、電極層上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層が順次形成された形態であってもよく、Ｓｎめっき層、Ｎｉめっき層及びＳｎめっき層が順次形成された形態であってもよい。また、めっき層１３１ｃ、１３２ｃは、複数のＮｉめっき層及び／又は複数のＳｎめっき層を含むこともできる。

【0115】

積層型電子部品１００のサイズは特に限定する必要はない。

【0116】

但し、小型化及び高容量化を同時に達成するためには、誘電体層及び内部電極の厚さを薄くして積層数を増加させなければならないため、１００５（長さ×幅：１．０ｍｍ×０．５ｍｍ）サイズ以下の積層型電子部品１００において本発明による効果がより顕著になり得る。

【0117】

ここで、１００５サイズ以下の積層型電子部品１００は、積層型電子部品の平均長さは１．０ｍｍ以下であり、平均幅は０．５ｍｍ以下を意味することができるが、正確にこれを満たすことを意味するものではなく、５％程度の誤差を含む概念であることができる。

【0118】

（試験例）
実施例１は、約１００ｎｍ以上３００ｎｍサイズのチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）粉末を含む誘電体原料粉末に、ジスプロシウム（Ｄｙ）、テルビウム（Ｔｂ）などの希土類元素を含むドナー元素とバナジウム（Ｖ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）等のアクセプタ元素を含む添加剤、エタノール、トルエン、分散剤等を投入し混合して誘電体スラリー（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｓｌｕｒｒｙ）を設けた後、誘電体スラリーをキャリアフィルム（ｃａｒｒｉｅｒ ｆｉｌｍ）上に塗布及び乾燥してセラミックグリーンシートを設けた。

【0119】

このとき、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）１００モルを基準として、アクセプタ元素のモル数（Ａｍ）に対するドナー元素のモル数（Ｄｍ）の比率（Ｄｍ／Ａｍ）は１．２となるように秤量して投入し、ドナー元素のモル数（Ｄｍ）に対するバナジウム（Ｖ）元素のモル数（Ｖｍ）の比率（Ｖｍ／Ｄｍ）は０．２７となるように秤量して投入した。

【0120】

そして、セラミックグリーンシート上に内部電極用導電性ペーストを塗布して内部電極パターンを形成し、これを繰り返し積層して積層体を形成した後、積層体を圧着及び切断した。その後、切断された積層体を加熱してバインダーを除去した後、高温の還元雰囲気で焼成してセラミック本体を形成した。

【0121】

焼成過程は還元雰囲気（０．１％のＨ_２／９９．９％のＮ_２、Ｈ_２Ｏ／Ｈ_２／Ｎ_２雰囲気）で１１００℃～１２００℃の温度で約１時間焼成した後、０．０３％のＨ_２雰囲気で再酸化を１２時間行って熱処理した。

【0122】

次に、焼成されたセラミック本体に銅（Ｃｕ）ペーストでターミネーション工程及び電極焼成を経て外部電極を完成し、チップ（ｃｈｉｐ）を作製した。

【0123】

このとき、誘電体層１１１の厚さは１．０μｍ以下となるように作製し、コア－シェル構造の誘電体結晶粒におけるコアの分率は６０％以上となるように作製した。

【0124】

比較例１は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）１００モルを基準として、アクセプタ元素のモル数（Ａｍ）に対するドナー元素のモル数（Ｄｍ）の比率（Ｄｍ／Ａｍ）が１．２未満となるように秤量して投入し、ドナー元素のモル数（Ｄｍ）に対するバナジウム（Ｖ）元素のモル数（Ｖｍ）の比率（Ｖｍ／Ｄｍ）は、０．２未満となるように秤量して投入した。添加剤の投入含量を除くその他の作製過程は、上述した実施例１と同様にチップ（ｃｈｉｐ）を作製した。

【0125】

実施例１及び比較例１について、過速信頼性評価（Ｈｉｇｈｌｙ Ａｃｃｅｌｅｒａｔｅｄ Ｌｉｆｅ Ｔｅｓｔ、ＨＡＬＴ）、容量の温度変化特性（Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ、ＴＣＣ）評価を行った。

【0126】

過速信頼性評価（ＨＡＬＴ）は、温度条件１０５℃、電圧条件１００Ｖを１００時間印加し、短絡（ｓｈｏｒｔ）が発生したチップ（ｃｈｉｐ）を不良と判定した。

【0127】

ＴＣＣ特性グラフは、２５℃での静電容量（ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）を基準として（０％基準）、－５５℃での静電容量変化率（％）及び８５℃での静電容量変化率（％）を測定して示した。

【0128】

図６の（ａ）は実施例１の過速信頼性評価（ＨＡＬＴ）グラフであり、図６の（ｂ）は比較例１の過速信頼性評価（ＨＡＬＴ）グラフであり、図６の（ｃ）は実施例１及び比較例１の容量温度変化（ＴＣＣ）特性グラフである。

【0129】

図６の（ａ）及び（ｂ）の比較から分かるように、比較例１の平均故障時間（Ｍｅａｎ Ｔｉｍｅ Ｔｏ Ｆａｉｌｕｒｅ、ＭＴＴＦ）より実施例１の平均故障時間がさらに長いことが分かり、これにより１．２≦Ｄｍ／Ａｍ≦１．４及び０．２≦Ｖｍ／Ｄｍの条件を満たす場合、信頼性が改善されることが分かる。

【0130】

また、図６の（ｃ）に示すように、比較例１は２５℃での静電容量を基準として、－５５℃での静電容量変化率は－１５．８３％、８５℃での静電容量変化率は－２０．２１％と測定され、Ｘ５Ｒ特性を満たしていないのに対し、実施例１は、２５℃での静電容量を基準として、－５５℃での静電容量変化率は－１４．８３％、８５℃での静電容量変化率は－１３．２９％と測定され、Ｘ５Ｒ特性を満たし、これにより１．２≦Ｄｍ／Ａｍ≦１．４及び０．２≦Ｖｍ／Ｄｍの条件を満たす場合、Ｘ５Ｒ特性を満たすことが分かる。

【0131】

次に、比較例２、比較例３、及び実施例２を作製し、これらの誘電体層の断面をＥＤＳで観察し、コアの分率によるＴＣＣ特性（Ｘ５Ｒ）を満たすか否かを測定した。

【0132】

より具体的に、図７の（ａ）は、比較例の誘電体層の断面についてＴＥＭ－ＥＤＳでジスプロシウム（Ｄｙ）を観察したイメージであり、図７の（ｂ）は、他の比較例の誘電体層の断面についてＴＥＭ－ＥＤＳでジスプロシウム（Ｄｙ）を観察したイメージであり、図７の（ｃ）は、実施例の誘電体層の断面についてＴＥＭ－ＥＤＳでジスプロシウム（Ｄｙ）を観察したイメージである。

【0133】

比較例２の全ピクセル数は１５６，２２８個であり、コアのピクセル数は５９，３０８個であり、コアの分率は約３８％に相当する。比較例３の全ピクセル数は１５４，１８６個であり、コアのピクセル数は６２，２４６個であり、コアの分率は約４０％に相当する。実施例２の全ピクセル数は１４８，０５０個であり、コアのピクセル数は９０，８１８個であり、コアの分率は約６１％に相当する。ここで、ジスプロシウム（Ｄｙ）の原子百分率が０ａｔ％であるピクセルをコアに該当する領域のピクセルと定義し、コアの面積分率を計算した。

【0134】

このとき、比較例２及び実施例２について、温度変化による容量変化率を測定した。比較例２は、２５℃での静電容量を基準として、－５５℃での静電容量変化率は－１５．８３％、８５℃での静電容量変化率は－１９．２１％と測定され、Ｘ５Ｒ特性を満たすことができなかった。実施例２は、２５℃での静電容量を基準として、－５５℃での静電容量変化率は－１４．８３％、８５℃での静電容量変化率は－１３．１９％と測定され、Ｘ５Ｒ特性を満たした。

【0135】

これにより、コア－シェル構造の誘電体結晶粒においてコアの分率が６０％以上を満たす場合、温度による静電容量変化率が改善され、Ｘ５Ｒ特性を満たすことが分かる。

【0136】

以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は、上述した実施形態及び添付の図面によって限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲によって限定されるものとする。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で、当技術分野における通常の知識を有する者により様々な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属するといえる。

【0137】

また、本発明において使用される「一実施形態」という表現は、互いに同じ実施形態を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかし、上記提示された一実施形態は、他の一実施形態の特徴と結合して実現されることを排除しない。例えば、特定の一実施形態において説明された事項が他の一実施形態に説明されていなくても、他の一実施形態においてその事項と反対又は矛盾する説明がない限り、他の一実施形態に関連する説明として理解することができる。

【0138】

本発明において使用される用語は、単に一実施形態を説明するために使用されたものであり、本発明を限定しようとする意図ではない。このとき、単数の表現は、文脈上明らかに異なる意味を示さない限り、複数の表現を含む。

【符号の説明】

【0139】

１００：積層型電子部品
１１０：本体
１１１：誘電体層
１１２、１１３：カバー部
１１４、１１５：サイドマージン部
１２１、１２２：内部電極
１３１、１３２：外部電極

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】