特開 2025-8930 マイクロＬＥＤの製造方法と発光素子および表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025008930

(43)【公開日】2025-01-20

(54)【発明の名称】マイクロＬＥＤの製造方法と発光素子および表示装置

(51)【国際特許分類】

   H10H 20/813 20250101AFI20250109BHJP

   H10H 20/824 20250101ALI20250109BHJP

   H10H 20/825 20250101ALI20250109BHJP

   G09F 9/00 20060101ALI20250109BHJP

   G09F 9/33 20060101ALI20250109BHJP

【ＦＩ】

H01L33/08

H01L33/30

H01L33/32

G09F9/00 338

G09F9/33

【審査請求】未請求

【請求項の数】13

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023111573

(22)【出願日】2023-07-06

(71)【出願人】

【識別番号】508081064

【氏名又は名称】株式会社ナノマテリアル研究所

(71)【出願人】

【識別番号】518251033

【氏名又は名称】エーオーイーティー コーポレーション

【住所又は居所原語表記】６０３， Ｙｏｎｓｅｉ Ｓａｒａｎｇ Ｂｌｄｇ．， ９３ Ｓｏｇｏｎｇ Ｒｏ Ｊｕｎｇ－ｇｕ， Ｓｅｏｕｌ ０４５３１ Ｋｏｒｅａ ＡＯＥＴ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ

(71)【出願人】

【識別番号】518251044

【氏名又は名称】イ ヤン‐ジュ

【氏名又は名称原語表記】Ｙｏｕｎｇ－ｊｕ， Ｌｅｅ

【住所又は居所原語表記】２０２ Ｇｒｅｅｎ Ｈｏｕｓｅ ２５， Ｄａｅｙａｎｇ－ｒｏ ２８５ｂｅｏｎ－ｇｉｌ， Ｄｅｏｇｙａｎｇ－ｇｕ， Ｇｏｙａｎｇ－ｓｉ， Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ， １０２７３， ＫＯＲＥＡ

(74)【代理人】

【識別番号】505384793

【氏名又は名称】塩谷 喜美

(72)【発明者】

【氏名】塩谷 喜美

(72)【発明者】

【氏名】オー，サング‐ムク

【テーマコード（参考）】

5C094

5F241

5G435

【Ｆターム（参考）】

5C094AA05

5C094BA25

5C094DA13

5C094EB05

5C094GB10

5F241AA03

5F241AA04

5F241CA05

5F241CA37

5F241CA40

5F241CA65

5F241CA67

5F241CA74

5F241CB29

5F241FF06

5G435BB04

5G435HH13

5G435KK05

(57)【要約】      （修正有）

【課題】Ｓｉ基板上に３色のマイクロＬＥＤを形成する際に、青色、赤色、および緑色マイクロＬＥＤの面積比を小さくし、３色のマイクロＬＥＤからなる発光素子の密度を向上させる。
【解決手段】本発明では、３色のマイクロＬＥＤとして全てＩｎＧａＮ量子井戸層を使用した青色、赤色、および緑色マイクロＬＥＤではなく、ＩｎＧａＮ量子井戸を使用した青色マイクロＬＥＤ２１と、ＡｌＩｎＧａＰ、またはＩｎＧａＰＮ量子井戸層を使用した赤色マイクロＬＥＤ２２，およびＩｎＧａＮ、またはＡｌＩｎＰ量子井戸層を使用した緑色マイクロＬＥＤ２３を形成することによって、またそれぞれの多重量子井戸数の量子井戸層数を調整することによって、赤色、および緑色マイクロＬＥＤの発光量を青色マイクロＬＥＤと同一にするために必要な、青色マイクロＬＥＤに対するそれらの面積比を小さくする。
【選択図】図１６

【特許請求の範囲】

【請求項1】

Ｓｉ（１１１）面上に３Ｃ－ＳｉＣ層を形成し、その上にＧａＮバッファ層を形成し、さらにｎ型ＧａＮクラッド層を形成し、青色マイクロＬＥＤ領域において、前記ｎ型ＧａＮクラッド層上にＧａＮ障壁層およびＩｎＧａＮ量子井戸層からなる青色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成し、次に、赤色マイクロＬＥＤ領域において、前記ｎ型ＧａＮクラッド層上に前記ＧａＮ障壁層およびＡｌｘＩｎＧａ（１－ｘ）Ｐ（０≦ｘ≦０．７）量子井戸層からなる赤色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成し、その後、緑色マイクロＬＥＤ領域において、前記ｎ型ＧａＮ層上に前記ＧａＮ障壁層およびＩｎＧａＮ量子井戸層からなる緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成し、そして前記青色マイクロLＥＤ領域、前記赤色マイクロＬＥＤ領域、および前記緑色マイクロLＥＤ領域にｐ型ＧａＮクラッド層を形成する工程を備えた、青色マイクロＬＥＤ、赤色マイクロＬＥＤ、および緑色マイクロＬＥＤを一組とする発光素子を多数形成するための製造方法。

【請求項2】

Ｓｉ（１１１）面上に３Ｃ－ＳｉＣ層を形成し、その上にＧａＮバッファ層を形成し、さらにｎ型ＧａＮクラッド層を形成し、青色マイクロＬＥＤ領域において、前記ｎ型ＧａＮクラッド層上にＧａＮ障壁層およびＩｎＧａＮ量子井戸層からなる青色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成し、次に、赤色マイクロＬＥＤ領域において、前記ｎ型ＧａＮクラッド層上に前記ＧａＮ障壁層およびＡｌｘＩｎＧａ（１－ｘ）Ｐ（０≦ｘ≦０．７）量子井戸層からなる赤色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成し、その後、緑色マイクロＬＥＤ領域において、前記ｎ型ＧａＮ層上に前記ＧａＮ障壁層およびＡｌＩｎＰ量子井戸層からなる緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成し、そして前記青色マイクロLＥＤ領域、前記赤色マイクロＬＥＤ領域、および前記緑色マイクロLＥＤ領域にｐ型ＧａＮクラッド層を形成する工程を備えた、青色マイクロＬＥＤ、赤色マイクロＬＥＤ、および緑色マイクロＬＥＤを一組とする発光素子を多数形成するための製造方法。

【請求項3】

前記記載の赤色マイクロＬＥＤ領域において、前記ｎ型ＧａＮクラッド層上に前記ＧａＮ障壁層およびＩｎＧａＰＮの量子井戸層からなる前記赤色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成する工程を備えた、請求項1～２に記載の前記青色マイクロＬＥＤ、前記赤色マイクロＬＥＤ、および前記緑色マイクロＬＥＤを一組とする前記発光素子を多数形成するための製造方法。

【請求項4】

前記記載の前記障壁層をＧａＮからＡｌＧａＮとした請求項1～３に記載の前記青色マイクロＬＥＤ、前記赤色マイクロＬＥＤ、および前記緑色マイクロＬＥＤを一組とする前記発光素子を多数形成するための製造方法。

【請求項5】

Ｓｉ（１００）面上に３Ｃ－ＳｉＣ層を形成し、その上に前記ＧａＮバッファ層を形成し、さらにｎ型ＧａＮクラッド層を形成し、青色マイクロＬＥＤ領域において、前記ｎ型ＧａＮクラッド層上にＧａＮ障壁層およびＩｎＧａＮ量子井戸層からなる青色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成し、次に赤色マイクロＬＥＤ領域において、前記ｎ型ＧａＮクラッド層上に前記ＧａＮ障壁層およびＡｌｘＩｎＧａ（１－ｘ）Ｐ（０≦ｘ≦０．７）の量子井戸層からなる赤色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成し、その後、緑色マイクロＬＥＤ領域において、前記ｎ型ＧａＮクラッド層上に前記ＧａＮ障壁層およびＩｎＧａＮ量子井戸層からなる緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成し、そして前記青色マイクロLＥＤ領域、前記赤色マイクロＬＥＤ領域、および前記緑色マイクロLＥＤ領域にｐ型ＧａＮクラッド層を形成する工程を備えた、前記青色マイクロＬＥＤ、前記赤色マイクロＬＥＤ、および前記緑色マイクロＬＥＤを一組とする発光素子を多数形成するための製造方法。

【請求項6】

前記記載の赤色マイクロＬＥＤ領域において、前記ｎ型ＧａＮクラッド層上に前記ＧａＮ障壁層およびＩｎＧａＰＮ量子井戸層からなる前記赤色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成する工程を備えた、請求項５に記載の前記青色マイクロＬＥＤ、前記赤色マイクロＬＥＤ、および前記緑色マイクロＬＥＤを一組とする前記発光素子を多数形成するための製造方法。

【請求項7】

前記記載の青色マイクロＬＥＤ、赤色マイクロＬＥＤ、および緑色マイクロＬＥＤ領域において、前記ｎ型ＧａＮバッファ層上に前記３Ｃ－ＳｉＣ層を形成する工程を備えた、請求項１～６に記載のいずれか一項の前記青色マイクロＬＥＤ、前記赤色マイクロＬＥＤ、および前記緑色マイクロＬＥＤを一組とする前記発光素子を多数形成するための製造方法。

【請求項8】

前記記載の青色マイクロＬＥＤ、赤色マイクロＬＥＤ、および緑色マイクロＬＥＤ領域において、前記青色マイクロＬＥＤ用多重井戸層の量子井戸層数を前記赤色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層の量子井戸層数、および前記緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸数の量子井戸層数より、少なくする工程を備えた、請求項１～７に記載のいずれか一項の前記青色マイクロＬＥＤ、前記赤色マイクロＬＥＤ、および前記緑色マイクロＬＥＤを一組とする前記発光素子を多数形成するための製造方法。

【請求項9】

請求項１～４に記載のいずれか一項の前記製造方法により製造した前記青色マイクロＬＥＤ、前記赤色マイクロＬＥＤ、および前記緑色マイクロＬＥＤを一組とする前記多数の発光素子。

【請求項10】

請求項５～６に記載のいずれか一項の前記製造方法により製造した前記青色マイクロＬＥＤ、前記赤色マイクロＬＥＤ、および前記緑色マイクロＬＥＤを一組とする前記多数の発光素子。

【請求項11】

請求項７に記載の前記製造方法により製造した前記青色マイクロＬＥＤ、前記赤色マイクロＬＥＤ、および前記緑色マイクロＬＥＤを一組とする前記多数の発光素子。

【請求項12】

請求項８に記載の前記製造方法により製造した前記青色マイクロＬＥＤ、前記赤色マイクロＬＥＤ、および前記緑色マイクロＬＥＤを一組とする前記多数の発光素子。

【請求項13】

請求項１～８に記載のいずれか一項の前記製造方法により製造した前記青色マイクロＬＥＤ、前記赤色マイクロＬＥＤ、および前記緑色マイクロＬＥＤを一組とする前記多数の発光素子を備えた表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、Ｓｉ基板上に青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤを一組として多数形成する表示用マイクロＬＥＤの製造方法と、発光素子、および表示装置に関するものである。

【背景技術】

【0002】

現在、表示装置として液晶や有機発光ダイオードが使用されている。

【0003】

そして発光ダイオード（ＬＥＤ）は、現在照明分野に広く使用されているが、近年、マイクロＬＥＤが開発され、消費電力の少ない表示装置としてとして、利用され始めている（特許文献１,２,３,４）。

【0004】

この表示装置には、個別の３色のマイクロＬＥＤを１組とした発光素子が使用されている。ここで、自然色を表示するためには３色のＬＥＤ、つまり青色マイクロＬＥＤ、緑色マイクロＬＥＤ、および赤色マイクロＬＥＤが必要であり、現在まで、六方晶系のサファイヤ基板上で六方晶系のＩｎＧａＮ多重量子井戸を使用した青色マイクロＬＥＤ、緑色マイクロＬＥＤ、そして立方晶系のＧａＡｓ基板上で混晶系のＡｌＩｎＧａＰを使用した赤色マイクロＬＥＤが使用されている（非特許文献１，２）。

【0005】

しかしながら、現在Ｓｉ基板上に六方晶系のＩｎＧａＮ多重量子井戸層を使用して、３色のマイクロＬＥＤを形成する方法も提案されている（特許文献５，６，７，８）。これら３色を得るためには量子井戸層をＩｎＧａＮとし、青色から緑色、そして赤色を発光させるためには、緑色量子井戸層は青色量子井戸層に比べIｎ濃度を多くし、また赤色を発光させるためには緑色量子井戸層のIn濃度をさらに多くしなければならない。
その際、青色マイクロLＥＤ、緑色マイクロＬＥＤ、および赤色マイクロＬＥＤの電力効率、内部量子効率、および外部量子効率からなるパワー効率、さらに視感度を考慮してマイクロＬＥＤの面積を調整する必要がある。個別のマイクロＬＥＤを使用した場合の面積比は、青色マイクロＬＥＤ（六方晶系ＩｎＧａＮ多重量子井戸層）：緑色マイクロＬＥＤ（六方晶系ＩｎＧａＮ多重量子井戸層）：赤色マイクロＬＥＤ（混晶系ＡｌＩｎＧａＰ多重量子井戸層）＝１：７：３といわれている。ここでＩｎＧａＮ多重量子井戸層を使用する緑色マイクロＬＥＤのパワー効率は、多重井戸層数を同一とした場合、青色マイクロＬＥＤに比べ１５～４０％と小さくなり、赤色マイクロＬＥＤのパワー効率は４％程度と非常に小さく、青色マイクロＬＥＤと同一の発光量を得るためは、青色マイクロＬＥＤに比べ、それぞれ面積比が、２．５～７倍および２５倍必要となる（特許文献７、９および非特許文献３）。
したがって、この場合の視感度（非特許文献１）を考慮した同一の効率を得るための面積比は、青色マイクロＬＥＤ：緑色マイクロＬＥＤ：赤色マイクロＬＥＤ＝１：７：５４程度となり、青色マイクロＬＥＤに比べ非常に大きな面積の赤色マイクロＬＥＤが必要になる。ここでは、視感度を考慮に入れた緑色マイクロＬＥＤの面積比は、パワー効率から算出した２．５～７倍の中間値４．７を採用し、この値について、視感度を考慮し、実際の値７に合わせてある。
なお、ＬＥＤの発光量は、多重量子井戸層の量子井戸層数にも依存することが知られている（非特許文献４）。このため、青色マイクロＬＥＤと緑色マイクロＬＥＤ、および赤色マイクロＬＥＤの面積比を設計する際は、多重量子井戸層の結晶系を選択するだけでなく、量子井戸層数も考慮しなければならない。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】特開２０１８－１０３０９号公報

【特許文献2】特開２０１９－２０４８４２号公報

【特許文献3】特開２０２２－１５５４７１号公報

【特許文献4】特開２０２２－５２５８５１号公報

【特許文献5】特開２０２０－１３８０９号公報

【特許文献6】特開２０２０－１３８１１号公報

【特許文献7】特開２０２３－００９２０２号公報

【特許文献8】特開２０２３－００９２０３号公報

【特許文献9】特開２０２１－１１８３６０号公報

【非特許文献】

【0007】

【非特許文献1】応用物理 ６８巻，２号，ｐ.１３９－１４５（１９９９）．

【非特許文献2】シャープ技報 ８４号，ｐ．６３－６６（２００２）．

【非特許文献3】ＣＯＭＰＯＵＮＤ ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲ ｖｏｌ．２６，ｉｓｓｕｅ７，ｐ．４２（２０２０）

【非特許文献4】Ｊｏｕｒｎａｌ of Ｏｐｔｉｃｓ ｖｏｌ. ５０（１），ｐ．８３－８９（２０２１）

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

このため、六方晶系のＧａＮを使用したマイクロＬＥＤでは、青色マイクロＬＥＤを除いて、In濃度の多い、緑色マイクロＬＥＤおよび赤色マイクロＬＥＤは発光強度が弱く、必要な発光量を得るためには青色マイクロLＥＤに比べ大きな面積が必要であり、その改善が求められている。特に、同一のＳｉ基板上に青色マイクロLＥＤ、緑色マイクロＬＥＤ、および赤色マイクロLＥＤを形成する場合には、赤色マイクロＬＥＤ、または緑色マイクロＬＥＤおよび赤色マイクロＬＥＤの発光効率を青色マイクロLＥＤに比べ高めることが必要不可欠である。

【0009】

従って、高密度の微細な発光素子を得るためには、同一Ｓｉ基板上の緑色マイクロＬＥＤおよび赤色マイクロＬＥＤの発光効率を青色マイクロLＥＤに比べ相対的に向上させ、緑色マイクロＬＥＤおよび赤色マイクロＬＥＤの面積を少なくする必要がある。

【0010】

本発明は、上記技術に鑑みてなされたものであって、本発明が解決しようとする課題は、同一Ｓｉ基板上に六方晶系のＧａＮ多重量子井戸を有する青色マイクロＬＥＤと緑色マイクロＬＥＤ、および他の結晶系多重量子井戸層を有する赤色マイクロＬＥＤ、または立方晶系のＧａＮ多重井戸層を有する青色マイクロＬＥＤと緑色マイクロＬＥＤ、ならびに他の立方晶系の多重量子井戸層を有する緑色マイクロＬＥＤと赤色マイクロＬＥＤを実現し、発光効率の向上を図ること、または青色マイクロＬＥＤの多重井戸層の量子井戸層数を、緑色マイクロＬＥＤの多重井戸層の量子井戸層数、および赤色マイクロＬＥＤの多重井戸層の量子井戸層数より少なくし、発光強度を減少させ、相対的に緑色マイクロＬＥＤおよび赤色マイクロＬＥＤの発光強度を増加させることにより、赤色マイクロＬＥＤ、または緑色マイクロＬＥＤおよび赤色マイクロＬＥＤの面積を減少させることである。そして高密度の発光素子を実現し、その発光素子を使用した表示装置を完成させることである。

【0011】

ここで、本願中で、マイクロＬＥＤとは、ｎ型、およびｐ型クラッド層と、それらの間に積層した多重井戸層を組み合わせた構造を指すものとする。

【課題を解決するための手段】

【0012】

本願請求項1に記載の製造方法は、Ｓｉ（１１１）面上に３Ｃ－ＳｉＣ層を形成し、その上にＧａＮバッファ層を形成し、さらにｎ型ＧａＮクラッド層を形成し、青色マイクロＬＥＤ領域において、前記ｎ型ＧａＮクラッド層上にＧａＮ障壁層およびＩｎＧａＮ量子井戸層からなる青色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成し、次に、赤色マイクロＬＥＤ領域において、前記ｎ型ＧａＮクラッド層上に前記ＧａＮ障壁層およびＡｌｘＩｎＧａ（１－ｘ）Ｐ（０≦ｘ≦０．７）量子井戸層からなる赤色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成し、その後、緑色マイクロＬＥＤ領域において、前記ｎ型ＧａＮ層上に前記ＧａＮ障壁層およびＩｎＧａＮ量子井戸層からなる緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成し、そして前記青色マイクロLＥＤ領域、前記赤色マイクロＬＥＤ領域、および前記緑色マイクロLＥＤ領域にｐ型ＧａＮクラッド層を形成する工程を備えた、青色マイクロＬＥＤ、赤色マイクロＬＥＤ、および緑色マイクロＬＥＤを一組とする発光素子を多数形成するための製造方法を提供することで、上記課題を解決している。

【0013】

本願請求項１に記載の製造方法は、Ｓｉ（１１１）面上に３Ｃ－ＳｉＣ層を形成することで、ｎ型ＧａＮクラッド層、ＧａＮ障壁層、青色ＩｎＧａＮ量子井戸層、緑色ＩｎＧａＮ量子井戸層、およびｎ型クラッド層を六方晶系とし、さらに赤色マイクロＬＥＤ領域において、混晶系赤色ＡｌｘＩｎＧａ（１－ｘ）Ｐ（０≦ｘ≦０．７）量子井戸層を形成し、赤色発光強度を高め、青色マイクロＬＥＤ（六方晶系ＩｎＧａＮ多重量子井戸層）面積：緑色マイクロＬＥＤ（六方晶系ＩｎＧａＮ多重量子井戸層）面積：赤色マイクロＬＥＤ（混晶系ＡｌＩｎＧａＰ多重量子井戸層）面積＝１：７：３の面積比とすることができる。

【0014】

本願請求項２に記載の製造方法は、Ｓｉ（１１１）面上に３Ｃ－ＳｉＣ層を形成し、その上にＧａＮバッファ層を形成し、さらにｎ型ＧａＮクラッド層を形成し、青色マイクロＬＥＤ領域において、前記ｎ型ＧａＮクラッド層上にＧａＮ障壁層およびＩｎＧａＮ量子井戸層からなる青色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成し、次に、赤色マイクロＬＥＤ領域において、前記ｎ型ＧａＮクラッド層上に前記ＧａＮ障壁層およびＡｌｘＩｎＧａ（１－ｘ）Ｐ（０≦ｘ≦０．７）量子井戸層からなる赤色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成し、その後、緑色マイクロＬＥＤ領域において、前記ｎ型ＧａＮ層上に前記ＧａＮ障壁層およびＡｌＩｎＰ量子井戸層からなる緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成し、そして前記青色マイクロLＥＤ領域、前記赤色マイクロＬＥＤ領域、および前記緑色マイクロLＥＤ領域にｐ型ＧａＮクラッド層を形成する工程を備えた、青色マイクロＬＥＤ、赤色マイクロＬＥＤ、および緑色マイクロＬＥＤを一組とする発光素子を多数形成するための製造方法を提供することで、上記課題を解決している。

【0015】

本願請求項２に記載の製造方法は、Ｓｉ（１１１）面上に３Ｃ－ＳｉＣ層を形成することで、ｎ型ＧａＮクラッド層、六方晶系ＧａＮ障壁層、六方晶系青色ＩｎＧａＮ量子井戸層を形成し、次に、赤色マイクロＬＥＤ領域において、六方晶系ＧａＮ障壁層、および混晶系ＡｌｘＩｎＧａ（１－ｘ）Ｐ（０≦ｘ≦０．７）多重量子井戸層を形成し、その後、緑色マイクロＬＥＤ領域において、ｎ型ＧａＮ層上に六方晶系ＧａＮ障壁層、およびＡｌＩｎＰ量子井戸層からなる緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成し、ＡｌＩｎＰ多重量子井戸層を有する緑色発光強度をＩｎＧａＮ量子井戸層と同程度以上とし、赤色発光強度を高め、青色マイクロＬＥＤ（六方晶系ＩｎＧａＮ多重量子井戸層）面積：緑色マイクロＬＥＤ（六方晶系ＩｎＧａＮ多重量子井戸層）面積：赤色マイクロＬＥＤ（混晶系ＡｌＩｎＧａＰ多重量子井戸層）面積＝１：７：３の面積比に比べ、緑色マイクロＬＥＤの面積比を７以下とし、また赤色マイクロＬＥＤの面積比を３とすることができる。

【0016】

本願請求項３に記載の製造方法は、前記記載の赤色マイクロＬＥＤ領域において、前記ｎ型ＧａＮクラッド層上に前記ＧａＮ障壁層およびＩｎＧａＰＮ量子井戸層からなる前記赤色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成する工程を備えた、請求項1～２に記載の前記青色マイクロＬＥＤ、前記緑色マイクロＬＥＤ、および前記赤色マイクロＬＥＤを一組とする前記発光素子を多数形成するための製造方法を提供することで、上記課題を解決している。

【0017】

本願請求項３に記載の製造方法は、赤色マイクロＬＥＤ領域において、ｎ型ＧａＮクラッド層上に前記ＧａＮ障壁層および混晶系ＩｎＧａＰＮの量子井戸層からなる赤色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成することで、赤色発光強度を高め、青色マイクロＬＥＤ（六方晶系ＩｎＧａＮ多重量子井戸層）面積：緑色マイクロＬＥＤ（六方晶系ＩｎＧａＮ多重量子井戸層）面積：赤色マイクロＬＥＤ（混晶系ＡｌＩｎＧａＰ多重量子井戸層）面積＝１：７：３の面積比に比べ、緑色マイクロＬＥＤの面積比を７以下とし、赤色マイクロＬＥＤの面積比を３とすることができる。

【0018】

本願請求項４に記載の製造方法は、前記記載の前記障壁層をＧａＮからＡｌＧａＮとした請求項１～３に記載の前記青色マイクロＬＥＤ、前記緑色マイクロＬＥＤ、および前記赤色マイクロＬＥＤを一組とする前記発光素子を多数形成するための製造方法を提供することで、上記課題を解決している。

【0019】

本願請求項４に記載の製造方法は、請求項１～３において、六方晶系ＧａＮ障壁層をバンドギャップのより大きい六方晶系ＡｌＧａＮとすることによって請求項１～３に記載の青色マイクロＬＥＤ（六方晶系ＩｎＧａＮ多重量子井戸層）面積：緑色マイクロＬＥＤ（六方晶系ＩｎＧａＮ多重量子井戸層）面積：赤色マイクロＬＥＤ（混晶系ＡｌＩｎＧａＰ多重量子井戸層）面積＝１：７：３と同等の面積比を得ることができる。

【0020】

本願請求項５に記載の製造方法は、Ｓｉ（１００）面上に３Ｃ－ＳｉＣ層を形成し、その上に前記ＧａＮバッファ層を形成し、さらにｎ型ＧａＮクラッド層を形成し、青色マイクロＬＥＤ領域において、前記ｎ型ＧａＮクラッド層上にＧａＮ障壁層およびＩｎＧａＮ量子井戸層からなる青色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成し、次に赤色マイクロＬＥＤ領域において、前記ｎ型ＧａＮクラッド層上に前記ＧａＮ障壁層およびＡｌｘＩｎＧａ（１－ｘ）Ｐ（０≦ｘ≦０．７）の量子井戸層からなる赤色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成し、その後、緑色マイクロＬＥＤ領域において、前記ｎ型ＧａＮクラッド層上に前記ＧａＮ障壁層およびＩｎＧａＮ量子井戸層からなる緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成し、そして前記青色マイクロLＥＤ領域、前記赤色マイクロＬＥＤ領域、および前記緑色マイクロLＥＤ領域にｐ型ＧａＮクラッド層を形成する工程を備えた、前記青色マイクロＬＥＤ、前記赤色マイクロＬＥＤ、および前記緑色マイクロＬＥＤを一組とする発光素子を多数形成するための製造方法を提供することで、上記課題を解決している。

【0021】

本願請求項５に記載の製造方法は、Ｓｉ（１００）面上に前記３Ｃ－ＳｉＣ層を形成することで、ｎ型ＧａＮクラッド層、ＧａＮ障壁層、青色ＩｎＧａＮ量子井戸層、緑色ＩｎＧａＮ量子井戸層、およびｐ型クラッド層を立方晶系、またはそれに近い結晶系とし、さらに赤色マイクロＬＥＤ量子井戸層をＩｎＧａＮ量子井戸層とは別の材料である、混晶系ＡｌｘＩｎＧａ（１－ｘ）Ｐ（０≦ｘ≦０．７）量子井戸層とすることで、青色マイクロＬＥＤ（六方晶系ＩｎＧａＮ多重量子井戸層）面積：緑色マイクロＬＥＤ（六方晶系ＩｎＧａＮ多重量子井戸層）：赤色マイクロＬＥＤ（混晶系ＡｌＩｎＧａＰ多重量子井戸層）面積＝１：７：３の面積比に比べ、緑色マイクロＬＥＤの面積比を７以下とし、また赤色マイクロＬＥＤの面積比を３とすることができる。

【0022】

本願請求項６に記載の製造方法は、前記ｎ型ＧａＮクラッド層上に前記ＧａＮ障壁層およびＩｎＧａＰＮ量子井戸層からなる前記赤色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成する工程を備えた、請求項５に記載の前記青色マイクロＬＥＤ、前記緑色マイクロＬＥＤ、および前記赤色マイクロＬＥＤを一組とする前記発光素子を多数形成するための製造方法を提供することで、上記課題を解決している。

【0023】

本願請求項６に記載の製造方法は、赤色マイクロＬＥＤ領域の量子井戸層を請求項５の赤色マイクロＬＥＤ量子井戸層から混晶系ＩｎＧａＰＮ量子井戸層に変えることで、請求項５の赤色マイクロＬＥＤと同等の発光強度を得ることができ、結果として、青色マイクロＬＥＤ（六方晶系ＩｎＧａＮ多重量子井戸層）面積：緑色マイクロＬＥＤ（六方晶系ＩｎＧａＮ多重量子井戸層）面積：赤色マイクロＬＥＤ（混晶系ＡｌＩｎＧａＰ多重量子井戸層）面積＝１：７：３の面積比に比べ、緑色マイクロＬＥＤの面積比を７以下とし、また赤色マイクロＬＥＤの面積比を３とすることができる。

【0024】

本願請求項７に記載の製造方法は、前記記載の青色マイクロＬＥＤ、赤色マイクロＬＥＤ、および緑色マイクロＬＥＤ領域において、前記ｎ型ＧａＮバッファ層上に前記３Ｃ－ＳｉＣ層を形成する工程を備えた、請求項１～６に記載のいずれか一項の前記青色マイクロＬＥＤ、前記赤色マイクロＬＥＤ、および前記緑色マイクロＬＥＤを一組とする前記発光素子を多数形成するための製造方法を提供することで、上記課題を解決している。

【0025】

本願請求項７に記載の製造方法は、ｎ型ＧａＮバッファ層上に３Ｃ－ＳｉＣ層を形成することで、六方晶系、および立方晶系のｎ型ＧａＮクラッド層、ＧａＮ障壁層、六方晶系ＡｌＧａＮ障壁層、ｐ型ＧａＮクラッド層、および混晶系赤色マイクロＬＥＤＡｌｘＩｎＧａ（１－ｘ）Ｐ（０≦ｘ≦０．７）量子井戸層、ならびにＩｎＧａＰＮ量子井戸層の結晶性を高め、また六方晶系緑色マイクロＬＥＤＡｌＩｎＰ量子井戸層の結晶性を高め、赤色、および緑色発光強度を高めることができる。結果として、青色マイクロＬＥＤ（六方晶系ＩｎＧａＮ多重量子井戸層）面積：緑色マイクロＬＥＤ（六方晶系ＩｎＧａＮ多重量子井戸層）面積：赤色マイクロＬＥＤ（混晶系ＡｌＩｎＧａＰ多重量子井戸層）面積＝１：７：３の面積比に比べと緑色マイクロＬＥＤの面積比を７以下、赤色マイクロＬＥＤの面積比を３以下の面積比を得ることができる。

【0026】

本願請求項８に記載の製造方法は、前記記載の青色マイクロＬＥＤ、赤色マイクロＬＥＤ、および緑色マイクロＬＥＤ領域において、前記青色マイクロＬＥＤ用多重井戸層の量子井戸層数を前記赤色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層の量子井戸層数、および前記緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸数の量子井戸層数より、少なくする工程を備えた、請求項１～７に記載のいずれか一項の前記青色マイクロＬＥＤ、前記赤色マイクロＬＥＤ、および前記緑色マイクロＬＥＤを一組とする前記発光素子を多数形成するための製造方法を提供することで、上記課題を解決している。

【0027】

本願請求項８に記載の製造方法は、青色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層の量子井戸層数を赤色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層の量子井戸層数、および緑色マイクロＬＥＤ用多重井戸数の量子井戸層数より少なくすることで、青色マイクロＬＥＤの発光強度を赤色マイクロＬＥＤ，および緑色マイクロＬＥＤの発光強度より、相対的に減少させることにより、発光強度を均一にするために必要な青色マイクロＬＥＤの面積に対する赤色マイクロＬＥＤ、および緑色マイクロＬＥＤの面積比を低減させ、青色マイクロＬＥＤ、赤色マイクロＬＥＤ、および緑色マイクロＬＥＤを一組とする発光素子密度を向上させるものである。結果として、青色マイクロＬＥＤ（六方晶系ＩｎＧａＮ多重量子井戸層）面積：緑色マイクロＬＥＤ（六方晶系ＩｎＧａＮ多重量子井戸層）面積：赤色マイクロＬＥＤ（混晶系ＡｌＩｎＧａＰ多重量子井戸層）面積＝１：７：３の面積比に比べと緑色マイクロＬＥＤの面積比を７未満、赤色マイクロＬＥＤの面積比を３未満の面積比を得ることができる。

【0028】

本願請求項９に記載の発光素子は、請求項１～４に記載のいずれか一項の前記製造方法により製造した前記青色マイクロＬＥＤ、前記赤色マイクロＬＥＤ、および前記緑色マイクロＬＥＤを一組とする前記多数の発光素子を提供することで、上記課題を解決している。

【0029】

本願請求項９に記載の発光素子は、六方晶系ｎ型ＧａＮクラッド層上に六方晶系のＧａＮ障壁層、ＡｌＧａＮ障壁層、六方晶系青色マイクロＬＥＤＩｎＧａＮ量子井戸層、六方晶系緑色マイクロＬＥＤＡｌＩｎＰ量子井戸層、および混晶系赤色マイクロＬＥＤＡｌＩｎＧａＰＮ量子井戸層を形成することで、発光強度が向上した赤色マイクロＬＥＤを実現し、結果として、青色マイクロＬＥＤ（六方晶系ＩｎＧａＮ多重量子井戸層）：緑色マイクロＬＥＤ（六方晶系ＩｎＧａＮ多重量子井戸層）：赤色マイクロＬＥＤ（混晶系ＡｌＩｎＧａＰ多重量子井戸層）＝１：７：３の面積比に比べ、緑色マイクロＬＥＤの面積比が７以下、赤色マイクロＬＥＤの面積比が３の緑色マイクロＬＥＤ、および赤色マイクロＬＥＤを得ることができる。

【0030】

本願請求項１０に記載の発光素子は、請求項５～６に記載のいずれか一項の前記製造方法により製造した前記青色マイクロＬＥＤ、前記赤色マイクロＬＥＤ、および前記緑マイクロＬＥＤを一組とする前記多数の発光素子を提供することで、上記課題を解決している。

【0031】

本願請求項１０に記載の発光素子は、立方晶系ｎ型ＧａＮクラッド層上に立方晶系青色マイクロＬＥＤＩｎＧａＮ量子井戸層、立方晶系緑色マイクロＬＥＤＩｎＧａＮ量子井戸層、混晶系赤色マイクロＬＥＤＡｌＩｎＧａＰ層、ＩｎＧａＰＮ量子井戸層を形成することで、発光強度が向上した緑色マイクロＬＥＤ、および赤色マイクロＬＥＤを実現し、結果として、青色マイクロＬＥＤ（六方晶系ＩｎＧａＮ多重量子井戸層）面積：緑色マイクロＬＥＤ（六方晶系ＩｎＧａＮ多重量子井戸層）面積：赤色マイクロＬＥＤ（混晶系ＡｌＩｎＧａＰ多重量子井戸層）面積＝１：７：３の面積比に比べ、緑色マイクロＬＥＤの面積比が７以下、赤色マイクロＬＥＤの面積比が３の緑色マイクロＬＥＤ、および赤色マイクロＬＥＤを得ることができる。

【0032】

本願請求項１１に記載の発光素子は、請求項７に記載の前記製造方法により製造した前記青色発光マイクロＬＥＤ、前記赤色発光マイクロＬＥＤ、および前記緑色マイクロＬＥＤを一組とする前記多数の発光素子を提供することで、上記課題を解決している。

【0033】

本願請求項１１に記載の発光素子は、ＧａＮバッファ層上に３Ｃ－ＳｉＣ層を形成することで、Ｓｉ（１１１）上では、３Ｃ－ＳｉＣ（１１１）面を形成することで、六方晶系を形成しやすくし、六方晶系ｎ型ＧａＮクラッド層、青色マイクロＬＥＤＩｎＧａＮ量子井戸層、緑色マイクロＬＥＤＩｎＧａＮ量子井戸層、ＡｌＩｎＰ量子井戸層、および混晶系赤色マイクロＬＥＤＡｌＩｎＧａＰ層、ＩｎＧａＰＮ量子井戸層、ならびに六方晶系ｐ型ＧａＮクラッド層の結晶性を高め、またＳｉ（１００）上では、３Ｃ－ＳｉＣ（１００）面を形成し、格子定数の近い立方晶系を形成しやすくし、立方晶系ｎ型ＧａＮクラッド層、青色マイクロＬＥＤＩｎＧａＮ量子井戸層、緑色マイクロＬＥＤＩｎＧａＮ量子井戸層、混晶系赤色マイクロＬＥＤＡｌｘＩｎＧａ（１－ｘ）Ｐ（０≦ｘ≦０．７）層、ＩｎＧａＰＮ量子井戸層、および立方晶系ｐ型ＧａＮクラッド層の結晶性を高めることで、結果として、青色マイクロＬＥＤ（六方晶系ＩｎＧａＮ多重量子井戸層）面積：緑色マイクロＬＥＤ（六方晶系ＩｎＧａＮ多重量子井戸層）面積：赤色マイクロＬＥＤ（混晶系ＡｌＩｎＧａＰ多重量子井戸層）面積＝１：７：３の面積比に比べ、緑色マイクロＬＥＤの面積比が７以下、赤色マイクロＬＥＤの面積比が３の緑色マイクロＬＥＤ、および赤色マイクロＬＥＤを得ることができる。また３Ｃ－ＳｉＣ層は、ＧａＮバッファ層をエッチングする際に、エッチングストッパー層として働き、下部のｎ型ＧａＮクラッド層を保護することができる。

【0034】

本願請求項１２に記載の発光素子は、請求項８に記載の前記製造方法により製造した前記青色マイクロＬＥＤ、前記赤色マイクロＬＥＤ、および前記緑色マイクロＬＥＤを一組とする前記多数の発光素子を提供することで、上記課題を解決している。

【0035】

本願請求項１２に記載の発光素子は、請求項８に記載の製造方法により、青色マイクロＬＥＤの発光強度を赤色マイクロＬＥＤ，および緑色マイクロＬＥＤの発光強度より、相対的に減少させることにより、発光強度を均一にするために必要な青色マイクロＬＥＤの面積に対する赤色マイクロＬＥＤ、および緑色マイクロＬＥＤの面積比を低減させ、青色マイクロＬＥＤ、赤色マイクロＬＥＤ、および緑色マイクロＬＥＤを一組とする発光素子の高密度化を実現するものである。

【0036】

本願請求項１３に記載の表示装置は、請求項１～７に記載のいずれか一項の前記製造方法により製造した前記青色マイクロＬＥＤ、前記緑色マイクロＬＥＤ、および前記赤色マイクロＬＥＤを一組とする前記多数の発光素子を備えることで、上記課題を解決している。

【0037】

本願請求項１３に記載の表示装置は、現状の個別の３色のマイクロＬＥＤを一組とした発光素子と同等以上の発光強度を有する発光素子を実現でき、高密度な画像の表示素子を実現できる。

【発明の効果】

【0038】

従来のＳｉウェハ上の青色マイクロＬＥＤ、緑色マイクロＬＥＤ、および赤色マイクロＬＥＤを一組とする発光素子の構造において、視感度を考慮して同一の発光量を得るためには、ＩＮＧａＮ多重量子井戸層を有する青色マイクロＬＥＤ，緑色マイクロＬＥＤ、および赤色マイクロＬＥＤの面積比は１：７：５４程度となる。

【0039】

本発明では、赤色マイクロＬＥＤの量子井戸層、または緑色マイクロＬＥＤおよび赤色マイクロＬＥＤの量子井戸層をＩｎＧａＮ以外の他の組成の層に変えることで、またＩｎＧａＮ多重量子井戸を有する青色マイクロＬＥＤ，および緑色マイクロＬＥＤの多重量子井戸を六方晶系から立方晶系に変えることで、緑色の発光強度を六方晶ＩＮＧａＮ量子井戸層と同等以上とし、また赤色マイクロＬＥＤの発光強度を大幅に高め、その結果、青色マイクロＬＥＤ、緑色マイクロＬＥＤ、および赤色マイクロＬＥＤの面積比を約１：７：３以下にすることができる。

【0040】

Ｓｉウェハ上に形成した青色、緑色、および赤色マイクロＬＥＤを一組とする発光素子において、青色マイクロＬＥＤに対する緑色マイクロＬＥＤの面積比を低減し、さらに赤色マイクロＬＥＤ面積比を大幅に低減することによって、微細な発光素子を有する発光装置を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【0041】

【図1】半導体基板を準備する工程を示す。

【図2a】青色、緑色、および青色マイクロＬＥＤからなる発光素子を形成するために、Ｓｉ基板の両面に３Ｃ－ＳｉＣ層とＧａＮバッファ層を形成する工程後の状態を示す。

【図2b】青色、緑色、および青色マイクロＬＥＤからなる発光素子を形成するために、Ｓｉ基板の両面に３Ｃ－ＳｉＣ層とＧａＮバッファ層、および３Ｃ－ＳｉＣ層を形成する工程後の状態を示す。

【図3】Ｓｉ基板の両面にｎ型ＧａＮエピタキシャル層（ｎ型クラッド層）を形成する工程後の状態を示す。

【図4】Ｓｉ基板の両面に絶縁層を生成する工程後の状態を示す。

【図5】Ｓｉ基板の両面に絶縁層を堆積し、青色マイクロＬＥＤの形成領域の絶縁膜をエッチングする工程後の状態を示す。

【図6】Ｓｉ基板の両面に青色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を堆積し、エッチング領域に青色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成し、絶縁層上の多重量子井戸層を除去する工程後の状態を示す。

【図7】Ｓｉ基板の両面に絶縁層を堆積する工程後の状態を示す。

【図8】緑色マイクロＬＥＤの形成領域の絶縁層をエッチングする工程後の状態を示す。

【図9】Ｓｉ基板の両面に赤色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を堆積し、エッチング領域に赤色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成する工程後の状態を示す。

【図10】Ｓｉ基板の両面に絶縁層を堆積する工程後の状態を示す。

【図11】赤色マイクロＬＥＤの形成領域の絶縁膜をエッチングする工程後の状態を示す。

【図12】Ｓｉ基板の両面に緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を堆積し、エッチング領域に緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成する工程後の状態を示す。

【図13】青色、および赤色マイクロＬＥＤの形成領域の絶縁層をエッチングする工程後の状態を示す。

【図14】青色、赤色、および緑色マイクロＬＥＤの形成領域にｐ型ＧａＮエピタキシャル層（p型クラッド層）を形成する工程後の状態を示す。

【図15】半導体基板表面のｐ型ＧａＮエピタキシャル層（ｐ型クラッド層）上に電極層を形成し、それらを分離する工程後の状態を示す。点線は発光素子を形成する領域を示す。

【図16】半導体基板表面の青色、赤色、および緑色マイクロＬＥＤ間に絶縁層（ＳＯＧ）を形成する工程後の状態を示す。

【図17】裏面のｐ型ＧａＮエピタキシャル層、多重量子井戸層、ｎ型ＧａＮエピタキシャル層、ＧａＮバッファ層、３－ＳｉＣ層、およびＳｉ基板を研削する工程を示す。点線で囲んだ領域が研削する領域である。

【図18】裏面のｐ型ＧａＮエピタキシャル層、多重量子井戸層、ｎ型ＧａＮエピタキシャル層、ＧａＮバッファ層、３－ＳｉＣ層、およびＳｉを研削する工程後の状態を示す。

【図19】Ｓｉウェハから発光素子ブロックを切り出す工程後の状態を示す。ここでは、矩形の発光素子ブロックを一つ切り出す様子を示すが、大きさ、および数は任意とする。

【図20】発光素子ブロックを切り出し後、横方向配線位置、および縦方向配線位置に相当する発光素子ブロックの端および側面に、配線用基板との位置合わせを行うためのアライメントマークを付ける工程後の状態を示す。

【図21】発光素子を形成した発光素子ブロックを配線用基板に転写するために反転させる工程を示す。

【図22a】発光素子ブロックを転写するための配線用基板の平面図を示す。基板の角を丸くし、基板裏面に表面配線と接続したアライメント兼コンタクト用配線を、縦方向および横方向に形成する。

【図22b】配線用基板の横断面図を示す。基板の角を丸くし、基板裏面に表面配線と接続したアライメント兼コンタクト用配線を、横方向に形成する。

【図22c】配線用基板の縦断面図を示す。基板の角を丸くし、基板裏面に表面配線と接続したアライメント兼コンタクト用配線を、縦方向に形成する。

【図23a】発光素子ブロックを転写するためのスルービアホールを備えた配線用基板の平面図を示す。基板裏面に、表面配線と接続したアライメント兼コンタクト用配線を、縦方向および横方向に形成する。

【図23b】スルービアホールを備えた配線用基板の横断面図を示す。基板裏面に、表面配線と接続したアライメント兼コンタクト用配線を、横方向に形成する。

【図23c】スルービアホールを備えた配線用基板の縦断面図を示す。基板裏面に上部配線と接続したアライメント兼コンタクト用配線を、縦方向に形成する。

【図24】発光素子ブロックと、これを転写するための配線用基板との転写部分の位置関係を示す。

【図25】発光素子ブロックと配線用基板とを転写する工程後の状態を示す。

【図26】発光素子ブロックの裏面以外にレジスト膜等を形成する工程後の状態を示す。

【図27】発光素子ブロックと配線用基板を転写した後に、半導体基板をエッチングし、さらにＳｉＣ層とＧａＮバッファ層をエッチングする工程後の状態を示す。

【図28a】レジストを除去し、絶縁膜を塗布し、最外周の一部をエッチングし、上部配線を形成する工程後の横断面図を示す。

【図28b】レジストを除去し、絶縁膜を塗布し、最外周の一部をエッチングし、上部配線を形成する工程後の縦断面図を示す。

【図29】表示用基板を示す。配線間隔は異なっている。下部配線の上部には絶縁層を挟んで、上部配線との接続を行う縦方向のアライメント兼コンタクト配線がある。

【図30】表示用基板に複数の発光素子搭載配線用基板を転写する工程後の状態を示す。配線間隔は異なっており、下部配線が点線で、上部配線が実線で示してある。

【発明を実施するための形態】

【0042】

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。図は、図の構造を実現するための具体的な製造工程を示す。各図において同一部分には、同一の符号を付している。
（実施形態１）

【0043】

本実施形態は、請求項１の青色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、赤色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、および緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成するためのものである。

【0044】

本実施形態は、図１に示すようにＳｉウェハ（１１１）面１を準備し、図２ａに示すように、半導体基板１の両面に有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）（図示せず）により、ＳｉＨ４、ＣＨ４、およびＨ２ガスを使用し、９００℃、４０Ｐａで５０～１００ｎｍのＳｉＣバッファ層（２ａに含まれる）を形成した後、１０００℃、４０ＰａでＳｉウェハ（１１１）面１の両面に５０～３００ｎｍの３Ｃ-ＳｉＣ層２ａを形成し、次にＳｉウェハ（１１１）面１の両面にＭＯＣＶＤ法、またはリモートプラズマを使用したＭＯＣＶＤ法により、６００～８００℃、４０ＰａでＧａ（ＣＨ３）３、Ｉｎ（ＣＨ３）３、ＮＨ３、およびＨ２ガスを使用し、３～３０μｍのＧａＮバファ層３を形成し、そして図３に示すように、Ｓｉウェハ（１１１）面１の両面にＭＯＣＶＤ法（２７Ｐａ）により、１０００℃でＧａ（ＣＨ３）３、Ｉｎ（ＣＨ３）３、ＮＨ３、Ｈ２ガス、およびＳｉＨ４を使用し、０．３～２μｍのｎ型ＧａＮクラッド層４を形成し、図４に示すように、Ｓｉウェハ（１１１）面１の両面に低圧ＣＶＤ法（図示せず）により、６２５℃、３０ＰａでＳｉＨ４、およびＯ２ガスを使用し、絶縁層５を５０ｎｍ形成する。

【0045】

次に、図５に示すように青色マイクロＬＥＤ形成のための絶縁層エッチング領域６の絶縁層５をエッチングし、図６に示すように、エッチングした領域６に、ＭＯＣＶＤ法（２７Ｐａ）により、１０００℃でそれぞれＧａ（ＣＨ３）３、Ｉｎ（ＣＨ３）３、ＮＨ３、およびＨ２ガス、ならびにＧａ（ＣＨ３）３、Ｉｎ（ＣＨ３）３、ＮＨ３、およびＨ２ガスを使用して、ＧａＮ障壁層、およびＩｎＧａＮ量子井戸層からなる青色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層７を２～６層、１０～１００ｎｍ形成する。

【0046】

次に、図７に示すようにＳｉウェハ（１１１）面１の両面に、前述の方法で絶縁層８を５０ｎｍ形成する。そして図８に示すように、赤色マイクロＬＥＤ形成のための絶縁層エッチング領域９の絶縁膜８、５をエッチングし、図９に示すようにエッチングした領域に、ＭＯＣＶＤ法（２７Ｐａ）により、１０００℃でそれぞれＧａ（ＣＨ３）３、ＮＨ３、およびＨ２ガス、ならびにＧａ（ＣＨ３）３、Ｉｎ（ＣＨ３）３、ＰＨ３、およびＨ２ガスを使用し、ＧａＮ障壁層、およびＡｌｘＩｎＧａ（１－ｘ）Ｐ量子井戸層からなる赤色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層１３を２～６層、１０～１００ｎｍ形成する。

【0047】

次に、図１０に示すようにＳｉウェハ（１１１）面１の両面に、前述の方法で絶縁層１１を５０ｎｍ形成する。そして図１１に示すように、緑色マイクロＬＥＤ形成のための絶縁層エッチング領域１２の絶縁膜１１、８、５をエッチングし、図１２に示すようにエッチングした領域に、ＭＯＣＶＤ法（２７Ｐａ）により、それぞれＧａ（ＣＨ３）３、ＮＨ３、およびＨ２ガス、ならびにＧａ（ＣＨ３）３、Ｉｎ（ＣＨ３）３、ＮＨ３、およびＨ２ガスを使用し、１０００℃でＧａＮ障壁層、およびＩｎＧａＮ量子井戸層からなる緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層１３を２～６層、１０～１００ｎｍ形成する。

【0048】

次に、図１３に示すように青色マイクロＬＥＤ形成のための絶縁層エッチング領域６、および赤色マイクロＬＥＤ形成のための絶縁層エッチング領域９の絶縁層１１、８をエッチングする。それらの領域をそれぞれ１４ａ、および１４ｂとする。緑色マイクロＬＥＤ形成のための絶縁層エッチング領域は１２である。

【0049】

次に、図１４に示すように青色マイクロＬＥＤ領域１４ａ、赤色マイクロＬＥＤ領域１４ｂ、および緑色マイクロＬＥＤ領域１２にＭＯＣＶＤ法（２７Ｐａ）により、Ｇａ（ＣＨ３）３、ＮＨ３、ビス（シクロペンタジエニル）マグネシウム）（Ｃｐ２Ｍｇ）およびＨ２ガスを使用し、１０００℃で０．３～２μｍのＭｇドープＧａＮエピタキシャル層を形成し、ＭｇをＯ２含有Ｎ２中で活性化し、ｐ型ＧａＮクラッド層１５を形成する。

【0050】

次に、図１５に示すように青色マイクロＬＥＤ領域１４ａ、赤色マイクロＬＥＤ領域１４ｂ、および緑色マイクロＬＥＤ領域１２のｐ型ＧａＮクラッド層１５上に電極層１６を形成し、その後各マイクロＬＥＤ間をエッチングにより分離する。

【0051】

次に、図１６に示すように各マイクロＬＥＤ間のエッチングした領域に絶縁層１７を埋め込む。以上に示す製造方法により、Ｓｉウェハ（１１１）面１上に青色マイクロＬＥＤ２１、赤色マイクロＬＥＤ２２、および緑色マイクロＬＥＤ２３を一組とする発光素子２７を多数形成する。

【0052】

なお、Ｓｉウェハ（１１１）面１の両面にＣＶＤ膜を形成するのは、マイクロＬＥＤの結晶欠陥の原因となるＳｉウェハの反りを防止するためである。ただし、ｎ型ＧａＮクラッド層４、青色、赤色、および緑色多重井戸層７、１０、および１３、ならびにｐ型ＧａＮクラッド層１５は、３Ｃ－ＳｉＣ層２、ＧａＮバファ層３に比べ、ストレスの影響が小さいためＳｉウェハ（１１１）面１の表面のみに形成してもよい。なほ、ここでは、ｎ型ＧａＮクラッド層より上にｐ型ＧａＮクラッド層を配置しているが、逆にｐ型ＧａＮクラッド層より上にｎ型ＧａＮクラッド層を配置してもよい。
（実施形態２）

【0053】

本実施形態は、請求項１の青色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、赤色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、および緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成するためのものである。

【0054】

本実施形態は、実施形態１とは異なり、多重量子井戸層を形成する際に、ＭＯＣＶＤ法（２７Ｐａ）の代わりに、ＡＬＤ法を使用して、６５０～７５０℃で、実施形態１と同一のガスを使用して、青色マイクロLＥＤ用多重量子井戸層７、赤色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層１０、および緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層１３を形成し、その他の製造方法は実施形態１と同一とし、青色マイクロＬＥＤ２１、赤色マイクロＬＥＤ２２、および緑色マイクロＬＥＤ２３を一組とする発光素子２７を多数形成する。
（実施形態３）

【0055】

本実施形態は、請求項１の青色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、赤色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、および緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成するための実施形態である。

【0056】

本実施形態は、実施形態１とは異なり、青色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、赤色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、および緑色マイクロＬＥＤ用多重井戸層を、リモートプラズマを使用したＭＯＣＶＤ法（２７Ｐａ）により、形成するものである。

【0057】

本実施形態は、実施形態１に記載の方法と同様に、多重量子井戸層を形成する際に、リモートプラズマを使用したＭＯＣＶＤ法（２７Ｐａ）により、８００～１０００℃でそれぞれＧａ（ＣＨ３）３、ＮＨ３、およびＮ２ガス、ならびにＧａ（ＣＨ３）３、Ｉｎ（ＣＨ３）３、ＮＨ３、およびＮ２ガスを使用し、ＧａＮ障壁層、およびＩｎＧａＮ量子井戸層からなる青色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層１３を２～６層、１０～１００ｎｍ形成し、また８００～１０００℃でそれぞれＧａ（ＣＨ３）３、ＮＨ３、およびＮ２ガス、ならびにＡｌ（ＣＨ３）３、Ｇａ（ＣＨ３）３、Ｉｎ（ＣＨ３）３、ＰＨ３、およびＨｅガスを使用し、ＧａＮ障壁層、およびＡｌｘＩｎＧａ（１－ｘ）Ｐ量子井戸層からなる赤色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層１３を２～６層、１０～１００ｎｍ形成し、さらにまた８００～１０００℃でそれぞれＧａ（ＣＨ３）３、ＮＨ３、およびＮ２ガス、ならびにＧａ（ＣＨ３）３、Ｉｎ（ＣＨ３）、ＮＨ３、およびＮ２ガスを使用し、ＧａＮ障壁層、およびＩｎＧａＮ量子井戸層からなる緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層１３を２～６層、１０～１００ｎｍ形成する。その他の製造方法は実施形態１と同一とし、青色マイクロＬＥＤ２１、赤色マイクロＬＥＤ２２、および緑色マイクロＬＥＤ２３を一組とする発光素子２７を多数形成する。
（実施形態４）

【0058】

本実施形態は、請求項１の青色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、赤色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、および緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成するための実施形態である。

【0059】

本実施形態は、実施形態３とは異なり、多重量子井戸層を形成する際に、リモートプラズマを使用したＭＯＣＶＤ法（２７Ｐａ）の代わりに、リモートプラズマを使用したＡＬＤ法を使用して、５００～７５０℃で、実施形態３と同一のガスを使用して、青色マイクロLＥＤ用多重量子井戸層７、赤色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層１０、および緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層１３を形成し、その他の製造方法は実施形態１と同一とし、青色マイクロＬＥＤ２１、赤色マイクロＬＥＤ２２、および緑色マイクロＬＥＤ２３を一組とする発光素子２７を多数形成する。
（実施形態５）

【0060】

本実施形態は、請求項２の青色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、赤色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、および緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成するためのものである。

【0061】

本実施形態は、実施形態１に記載の方法と同様に、Ｓｉ（１１１）面１上に、青色マイクロＬＥＤ２１を形成し、次に、赤色マイクロＬＥＤ形成のための絶縁層エッチング領域９にＭＯＣＶＤ法（２７Ｐａ）により、１０００℃でそれぞれＧａ（ＣＨ３）３、ＮＨ３、Ｈ２ガスを使用し、ＧａＮ障壁層、およびＡｌ（ＣＨ３）３、Ｇａ（ＣＨ３）３、Ｉｎ（ＣＨ３）３、ＰＨ３，およびＨ２ガスを使用し、ＡｌｘＩｎＧａ（１－ｘ）Ｐ量子井戸層を形成し、赤色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層１０とし、これらを２～６層、１０～１００ｎｍ形成し、その後、緑色マイクロＬＥＤ形成のための絶縁層エッチング領域１２にＭＯＣＶＤ法（２７Ｐａ）により、Ｇａ（ＣＨ３）３、ＮＨ３、およびＨ２ガス、ならびにＡｌ（ＣＨ３）３、Ｉｎ（ＣＨ３）３、ＰＨ３，およびＨ２ガスを使用し、１０００℃でＧａＮ障壁層、およびＡｌＩｎＰ量子井戸層を形成し、緑色マイクロＬＥＤ用ＡｌＩｎＰ多重量子井戸層１３とし、これを２～６層積層し、その上部にＭＯＣＶＤ法（２７Ｐａ）により、１０００℃でＧａ（ＣＨ３）３、ＮＨ３、Ｃｐ２ＭｇおよびＨ２ガスを使用し、１０００℃で０．３～２μｍのＭｇドープＧａＮエピタキシャル層を形成し、ＭｇをＯ２含有Ｎ２中で活性化し、ｐ型ＧａＮクラッド層１５を形成する。
その他の製造方法は実施形態１と同一とし、青色マイクロＬＥＤ２１、赤色マイクロＬＥＤ２２，および緑色マイクロＬＥＤ２３を一組とする発光素子２７を多数形成する。
（実施形態６）

【0062】

本実施形態は、請求項２の青色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、赤色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、および緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成するためのものである。

【0063】

本実施形態は、実施形態５とは異なり、多重量子井戸層を形成する際に、ＭＯＣＶＤ法（２７Ｐａ）の代わりに、ＡＬＤ法を使用して、６５０～７５０℃で、実施形態５と同一のガスを使用して、青色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層７、赤色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層１０、および緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層１３を形成し、その他の製造方法は実施形態１と同一とし、青色マイクロＬＥＤ２１、赤色マイクロＬＥＤ２２、および緑色マイクロＬＥＤ２３を一組とする発光素子２７を多数形成する。
（実施形態７）

【0064】

本実施形態は、請求項２の青色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、赤色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、および緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成するためのものである。

【0065】

本実施形態は、実施形態５とは異なり、青色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、赤色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、および緑色マイクロＬＥＤ用多重井戸層を、リモートプラズマを使用したＭＯＣＶＤによって形成するものである。

【0066】

本実施形態は、実施形態５に記載の方法による、多重量子井戸層を形成する際に、青色マイクロＬＥＤ形成のための絶縁層エッチング領域６に、リモートプラズマを使用したＭＯＣＶＤ法（２７Ｐａ）により、８００～１０００℃でそれぞれＧａ（ＣＨ３）３、ＮＨ３、およびＮ２ガス、ならびにＧａ（ＣＨ３）、Ｉｎ（ＣＨ３）３、ＮＨ３、およびＮ２ガスを使用し、ＧａＮ障壁層、およびＧａＩｎＮ量子井戸層からなる青色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層７を２～６層、１０～１００ｎｍ形成し、また赤色マイクロＬＥＤ形成のための絶縁層エッチング領域９に、それぞれＧａ（ＣＨ３）３、ＮＨ３、およびＮ２ガス、ならびにＡｌ（ＣＨ３）３、Ｇａ（ＣＨ３）３、Ｉｎ（ＣＨ３）３、ＰＨ３、およびＨｅガスを使用し、８００～１０００℃でＧａＮ障壁層、およびＡｌｘＩｎＧａ（１－ｘ）Ｐ量子井戸層からなる赤色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層１０を２～６層、１０～１００ｎｍ形成し、さらにまた緑色マイクロＬＥＤ形成のための絶縁層エッチング領域１２に、それぞれＧａ（ＣＨ３）３、ＮＨ３、およびＮ２ガス、およびＡｌ（ＣＨ３）３、Ｉｎ（ＣＨ３）３、ＰＨ３、およびＨｅガスを使用し、ＧａＮ障壁層、およびＡｌＩｎＰ量子井戸層からなる緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層１３を２～６層、１０～１００ｎｍ形成する。その他の製造方法は実施形態１と同一とし、青色マイクロＬＥＤ２１、赤色マイクロＬＥＤ２２、および緑色マイクロＬＥＤ２３を一組とする発光素子２７を多数形成する。
（実施形態８）

【0067】

本実施形態は、請求項２の青色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、赤色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、および緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成するためのものである。

【0068】

本実施形態は、実施形態７とは異なり、多重量子井戸層を形成する際に、リモートプラズマを使用したＭＯＣＶＤ法（２７Ｐａ）の代わりに、リモートプラズマを使用したＡＬＤ法を使用して、５００～７５０℃で、実施形態７と同一のガスを使用して、青色マイクロLＥＤ用多重量子井戸層７、赤色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層１０、および緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層１３を形成し、その他の製造方法は実施形態１と同一とし、青色マイクロＬＥＤ２１、赤色マイクロＬＥＤ２２、および緑色マイクロＬＥＤ２３を一組とする発光素子２７を多数形成する。
（実施形態９）

【0069】

本実施形態は、請求項３の青色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、赤色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、および緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成するためのものである。

【0070】

本実施形態は、実施形態１および５に記載の方法と同様に、Ｓｉ（１１１）面１上に、青色マイクロＬＥＤ２１、および緑色マイクロＬＥＤ２３（ＧａＮ障壁層、ＡｌＩｎＰ、およびＩｎＧａＮ量子井戸層）を形成するが、赤色マイクロＬＥＤ形成のための絶縁層エッチング領域９において、赤色多重量子井戸層１０としてＧａＮ障壁層、およびＩｎＧａＰＮ量子井戸層を使用するものである。ＧａＮ障壁層、およびＩｎＧａＰＮ量子井戸層の形成は、ＭＯＣＶＤ法（２７Ｐａ）により、１０００℃でそれぞれＧａ（ＣＨ３）３、ＮＨ３、およびＨ２ガス、およびＩｎ（ＣＨ３）３、Ｇａ（ＣＨ３）３、ＰＨ３，ＮＨ３、およびＨ２ガスを使用して形成する。その他の製造方法は実施形態１と同一とし、Ｓｉウェハ（１１１）面１上に青色マイクロＬＥＤ２１、赤色マイクロＬＥＤ２２，および緑色マイクロＬＥＤ２３を一組とする発光素子を多数形成する。
（実施形態１０）

【0071】

本実施形態は、請求項３の青色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、赤色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、および緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成するためのものである。

【0072】

本実施形態は、実施形態９とは異なり、多重量子井戸層を形成する際に、ＭＯＣＶＤ法（２７Ｐａ）の代わりに、ＡＬＤ法を使用して、６５０～７５０℃で、実施形態９と同一のガスを使用して、青色マイクロLＥＤ用多重量子井戸層７、赤色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層１０、および緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層１３を形成し、その他の製造方法は実施形態１と同一とし、青色マイクロＬＥＤ２１、赤色マイクロＬＥＤ２２、および緑色マイクロＬＥＤ２３を一組とする発光素子２７を多数形成する。
（実施形態１１）

【0073】

本実施形態は、請求項３の青色マイクロＬＥＤ用多重井戸層７、赤色マイクロＬＥＤ用多重井戸層１０、および緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層１３を形成するためのものである。

【0074】

本実施形態は、実施形態９と異なり、多重量子井戸層を形成する際に、青色マイクロＬＥＤ形成のための絶縁層エッチング領域６に、リモートプラズマを使用したＭＯＣＶＤ法（２７Ｐａ）により、８００～１０００℃でそれぞれＧａ（ＣＨ３）３、ＮＨ３、およびＮ２ガス、ならびにＧａ（ＣＨ３）、Ｉｎ（ＣＨ３）３、ＮＨ３、およびＮ２ガスを使用し、ＧａＮ障壁層、およびＩｎＧａＰＮ量子井戸層からなる青色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層７を２～６層、１０～１００ｎｍ形成し、また赤色マイクロＬＥＤ形成のための絶縁層エッチング領域９に、Ｇａ（ＣＨ３）３、ＮＨ３、およびＮ２ガス、ならびにＧａ（ＣＨ３）３、Ｉｎ（ＣＨ３）３、ＰＨ３、ＨＮ３、およびＨ２ガスを使用し、ＧａＮ障壁層、およびＩｎＧａＰＮ量子井戸層からなる赤色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層１０を２～６層、１０～１００ｎｍ形成し、さらにまた緑色マイクロＬＥＤ形成のための絶縁層エッチング領域１２に、Ｇａ（ＣＨ３）３、ＮＨ３、およびＮ２ガス、ならびにＡｌ（ＣＨ３）３、Ｉｎ（ＣＨ３）３、ＰＨ３、およびＨｅガス、またはＧａ（ＣＨ３）３、Ｉｎ（ＣＨ３）３、ＮＨ３、およびＮ２ガスを使用し、ＧａＮ障壁層、およびＡｌＩｎＰ量子井戸層、またはＩｎＧａＮ量子井戸層からなる緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層１３を２～６層、１０～１００ｎｍ形成する。その他の製造方法は実施形態１と同一とし、青色マイクロＬＥＤ２１、赤色マイクロＬＥＤ２２，および緑色マイクロＬＥＤ２３を一組とする発光素子を多数形成する。
（実施形態１２）

【0075】

本実施形態は、請求項３の青色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、赤色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、および緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成するためのものである。

【0076】

本実施形態は、実施形態１１とは異なり、多重量子井戸層を形成する際に、リモートプラズマを使用したＭＯＣＶＤ法（２７Ｐａ）の代わりに、リモートプラズマを使用したＡＬＤ法を使用して、５００～７５０℃で、実施形態１１と同一のガスを使用して、青色マイクロLＥＤ用多重量子井戸層７、赤色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層１０、および緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層１３を形成し、その他の製造方法は実施形態１と同一とし、青色マイクロＬＥＤ２１、赤色マイクロＬＥＤ２２、および緑色マイクロＬＥＤ２３を一組とする発光素子２７を多数形成する。
（実施形態１３）

【0077】

本実施形態は、請求項４の青色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、赤色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、および緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成するためのものである。

【0078】

本実施形態は、実施形態１～１２に記載の方法と同様に、Ｓｉ（１１１）面１上に、青色マイクロＬＥＤ２１、赤色マイクロＬＥＤ２２、および緑色マイクロＬＥＤ２３を形成するが、青色、赤色、および緑色マイクロＬＥＤ用多重井戸層７、１０、および１３に使用される障壁層をＧａＮ層からＡｌＧａＮ層に変更するものである。ＡｌＧａＮ障壁層は、ＭＯＣＶＤ法（２７Ｐａ）により、１０００℃でＡｌ（ＣＨ３）３、Ｇａ（ＣＨ３）３、ＮＨ３およびＨ２ガスを使用して形成する。以上に示す製造方法により、青色マイクロＬＥＤ２１、赤色マイクロＬＥＤ２２，および緑色マイクロＬＥＤ２３を一組とする発光素子２７を多数形成する。
（実施形態１４）

【0079】

本実施形態は、請求項４の青色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、赤色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、および緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成するためのものである。

【0080】

本実施形態は、実施形態１～１２に記載の方法と同様に、青色マイクロＬＥＤ２１、赤色マイクロＬＥＤ２２、および緑色マイクロＬＥＤ２３を形成するが、青色、赤色、および緑色マイクロＬＥＤ用多重井戸層７、１０、および１３に使用される障壁層をＧａＮ層からＡｌＧａＮ層に変更するものである。ＡｌＧａＮ障壁層は、ＡＬＤ法により、６５０～７５０℃でＡｌ（ＣＨ３）３、Ｇａ（ＣＨ３）３、ＮＨ３およびＨ２ガスを使用して形成する。以上に示す製造方法により、青色マイクロＬＥＤ２１、赤色マイクロＬＥＤ２２，および緑色マイクロＬＥＤ２３を一組とする発光素子２７を多数形成する。
（実施形態１５）

【0081】

本実施形態は、請求項４の青色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、赤色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、および緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成するためのものである。

【0082】

本実施形態は、実施形態１～１２に記載の方法と同様に、青色マイクロＬＥＤ２１、赤色マイクロＬＥＤ２２、および緑色マイクロＬＥＤ２３を形成するが、青色、赤色、および緑色マイクロＬＥＤ用多重井戸層７、１０、および１３に使用される障壁層をＧａＮ層からＡｌＧａＮ層に変更するものである。ＡｌＧａＮ障壁層は、リモートプラズマを使用したＭＯＣＶＤ法（２７Ｐａ）により、８００～１０００℃でＡｌ（ＣＨ３）３、Ｇａ（ＣＨ３）３、ＮＨ３およびＮ２ガスを使用して形成する。以上に示す製造方法により、青色マイクロＬＥＤ２１、赤色マイクロＬＥＤ２２，および緑色マイクロＬＥＤ２３を一組とする発光素子２７を多数形成する。
（実施形態１６）

【0083】

本実施形態は、請求項４の青色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、赤色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、および緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成するためのものである。

【0084】

本実施形態は、実施形態１５とは異なり、ＡｌＧａＮ障壁層は、リモートプラズマを使用したＭＯＣＶＤ法（２７Ｐａ）に代わりに、リモートプラズマを使用したＡＬＤ法を使用し、５００～７５０℃でＡｌ（ＣＨ３）３、Ｇａ（ＣＨ３）３、ＮＨ３およびＮ２ガスを使用して形成する。以上に示す製造方法により、青色マイクロＬＥＤ２１、赤色マイクロＬＥＤ２２，および緑色マイクロＬＥＤ２３を一組とする発光素子２７を多数形成す
（実施形態１７）

【0085】

本実施形態は、請求項５の青色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、赤色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、および緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成するためのものである。

【0086】

本実施形態は、図１に示すようにＳｉウェハ（１００）面１を準備し、図２ａに示すように、半導体基板１の両面にＭＯＣＶＤ法（図示せず）により、ＳｉＨ４、ＣＨ４、およびＨ２ガスを使用し、９００℃、４０Ｐａで５０～１００ｎｍのＳｉＣバッファ層（２ａに含まれる）を形成した後、１０００℃、４０Ｐａで半導体基板１の両面に５０～３００ｎｍの３Ｃ-ＳｉＣ層２ａを形成し、次にＳｉウェハ（１００）面１の両面にＭＯＣＶＤ法、またはリモートプラズマを使用したＭＯＣＶＤ法により、６００～８００℃、４０ＰａでＧａ（ＣＨ３）３、Ｉｎ（ＣＨ３）３、ＮＨ３、およびＨ２ガスを使用し、３～３０μｍのＧａＮバファ層３を形成し、そして図３に示すように、Ｓｉウェハ（１００）面１の両面にＡＬＤ法（図示せず）、またはＭＯＣＶＤ法（２７Ｐａ）により、Ｇａ（ＣＨ３）３、Ｉｎ（ＣＨ３）３、ＮＨ３、Ｈ２ガス、およびＳｉＨ４を使用し、１０００℃で０．３～２μｍのｎ型ＧａＮクラッド層４を堆積し、図４に示すように、Ｓｉウェハ（１００）面１の両面に低圧ＣＶＤ法（図示せず）により、ＳｉＨ４、およびＯ２ガスを使用し、６２５℃、３０Ｐａで絶縁層５を５０ｎｍ形成する。

【0087】

次に、図５に示すように青色マイクロＬＥＤ形成のための絶縁層エッチング領域６の絶縁層５をエッチングし、図６に示すように、エッチングした領域６に、ＡＬＤ法、またはＭＯＣＶＤ法（２７Ｐａ）により、それぞれＧａ（ＣＨ３）３、ＮＨ３、およびＨ２ガス、ならびにＧａ（ＣＨ３）３、Ｉｎ（ＣＨ３）３、ＮＨ３、およびＨ２ガスを使用し、１０００℃でＧａＮ障壁層、およびＩｎＧａＮ量子井戸層からなる多重量子井戸層７を２～６層、１０～１００ｎｍ形成する。

【0088】

次に、図７に示すようにＳｉウェハ（１００）面１の両面に、前述の方法で絶縁層８を５０ｎｍ形成する。そして図８に示すように、赤色マイクロＬＥＤ形成のための絶縁層エッチング領域９の絶縁膜８、５をエッチングし、図９に示すようにエッチングした領域に、ＡＬＤ法、またはＭＯＣＶＤ法（２７Ｐａ）により、それぞれＧａ（ＣＨ３）３、ＮＨ３、およびＨ２ガス、ならびにＡｌ（ＣＨ３）３、Ｉｎ（ＣＨ３）３、Ｇａ（ＣＨ３）３、ＰＨ３、およびＨ２ガスを使用し、１０００℃でＧａＮ障壁層、ＡｌｘＩｎＧａ（１－ｘ）Ｐ量子井戸層からなる赤色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層１３を２～６層、１０～１００ｎｍ形成する。

【0089】

次に、図１０に示すようにＳｉウェハ（１００）面１の両面に、前述の方法で絶縁層１１を５０ｎｍ形成する。その後、図１１に示すように、緑色マイクロＬＥＤ形成のための絶縁層エッチング領域１２の絶縁膜１１、８、５をエッチングし、図１２に示すようにエッチングした領域に、リモートプラズマを使用した、ＡＬＤ法、またはＭＯＣＶＤ法（２７Ｐａ）により、それぞれＧａ（ＣＨ３）３、ＮＨ３、およびＮ２ガス、ならびにＧａ（ＣＨ３）３、Ｉｎ（ＣＨ３）３、ＮＨ３、およびＮ２ガスを使用し、７００℃でＧａＮ障壁層、およびＩｎＧａＮ量子井戸層からなる緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層１３を２～６層、１０～１００ｎｍ形成する。

【0090】

次に、図１３に示すように青色マイクロＬＥＤ形成のための絶縁層エッチング領域６、および赤色マイクロＬＥＤ形成のための絶縁層エッチング領域９の絶縁層１１、８をエッチングする。それらの領域をそれぞれ１４ａ、および１４ｂとする。緑色マイクロＬＥＤ形成のための絶縁層エッチング領域は１２である。

【0091】

次に、図１４に示すように青色マイクロＬＥＤ領域１４ａ、赤色マイクロＬＥＤ領域１４ｂ、および緑色マイクロＬＥＤ領域１２にＭＯＣＶＤ法（２７Ｐａ）により、Ｇａ（ＣＨ３）３、ＮＨ３、およびＨ２ガスを使用し、１０００℃でＧａ（ＣＨ３）３、ＮＨ３、Ｃｐ２ＭｇおよびＨ２ガスを使用し、１０００℃で０．３～２μｍのＭｇドープＧａＮエピタキシャル層を形成し、ＭｇをＯ２含有Ｎ２中で活性化し、ｐ型ＧａＮクラッド層１５を形成する。

【0092】

次に、図１５に示すように青色マイクロＬＥＤ領域１４ａ、赤色マイクロＬＥＤ領域１４ｂ、および緑色マイクロＬＥＤ領域１２のｐ型ＧａＮクラッド層１５上に電極層１６を形成し、その後各マイクロＬＥＤ間をエッチングにより分離する。

【0093】

次に、図１６に示すように各マイクロＬＥＤ間のエッチングした領域に絶縁層１７を埋め込む。以上に示す製造方法により、Ｓｉウェハ（１００）面１上に青色マイクロＬＥＤ２１、赤色マイクロＬＥＤ２２，および緑色マイクロＬＥＤ２３を一組とする発光素子２７を多数形成する。

【0094】

なお、Ｓｉウェハ（１００）面の両面にＣＶＤ膜を形成するのは、マイクロＬＥＤの結晶欠陥の原因となるＳｉウェハの反りを防止するためである。ただし、ｎ型ＧａＮ層、多重井戸層、およびｐ型ＧａＮ層は、３Ｃ－ＳｉＣ層、ＧａＮバファ層に比べ、ストレスの影響が小さいためＳｉウェハの表面のみに形成してもよい。
（実施形態１８）

【0095】

本実施形態は、請求項５の青色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、赤色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、および緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成するためのものである。

【0096】

本実施形態は、実施形態１７とは異なり、多重量子井戸層を形成する際に、ＭＯＣＶＤ法（２７Ｐａ）の代わりに、ＡＬＤ法を使用して、６５０～７５０℃で、実施形態１７と同一のガスを使用して、青色マイクロLＥＤ用多重量子井戸層７、赤色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層１０、および緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層１３を形成し、その他の製造方法は実施形態１７と同一とし、青色マイクロＬＥＤ２１、赤色マイクロＬＥＤ２２、および緑色マイクロＬＥＤ２３を一組とする発光素子２７を多数形成する。
（実施形態１９）

【0097】

本実施形態は、請求項５の青色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、赤色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、および緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成するためのものである。

【0098】

本実施形態は、実施形態１７とは異なり、多重量子井戸層を形成する際に、リモートプラズマを使用したＭＯＣＶＤ法（２７Ｐａ）により、８００～１０００℃でそれぞれＧａ（ＣＨ３）３、ＮＨ3、およびＮ２ガス、ならびにＧａ（ＣＨ３）３、Ｉｎ（ＣＨ３）３、ＮＨ３、およびＮ２ガスを使用し、ＧａＮ障壁層、およびＩｎＧａＮ量子井戸層からなる青色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層７を２～６層、１０～１００ｎｍ形成し、また８００～１０００℃でそれぞれＧａ（ＣＨ３）３、ＮＨ３、およびＮ２ガス、ならびにＡｌ（ＣＨ３）３、Ｇａ（ＣＨ３）３、Ｉｎ（ＣＨ３）３、ＰＨ３、およびＨｅガスを使用し、ＧａＮ障壁層、およびＡｌｘＩｎＧａ（１－ｘ）Ｐ量子井戸層からなる赤色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層１０を２～６層、１０～１００ｎｍ形成し、さらにまた８００～１０００℃でそれぞれＧａ（ＣＨ３）３、ＮＨ３、およびＮ２ガス、ならびにＧａ（ＣＨ３）３、Ｉｎ（ＣＨ３）、ＮＨ３、およびＮ２ガスを使用し、ＧａＮ障壁層、およびＩｎＧａＮ量子井戸層からなる緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層１３を２～６層、１０～１００ｎｍ形成する。その他の製造方法は実施形態１７と同一とし、青色マイクロＬＥＤ２１、赤色マイクロＬＥＤ２２、および緑色マイクロＬＥＤ２３を一組とする発光素子２７を多数形成する。
（実施形態２０）

【0099】

本実施形態は、請求項５の青色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、赤色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、および緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成するためのものである。

【0100】

本実施形態は、実施形態１９とは異なり、多重量子井戸層を形成する際に、リモートプラズマを使用したＭＯＣＶＤ法（２７Ｐａ）の代わりに、リモートプラズマを使用したＡＬＤ法により、５００～７５０℃で、実施形態１９と同一のガスを使用して、青色マイクロLＥＤ用多重量子井戸層７、赤色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層１０、および緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層１３を形成し、その他の製造方法は実施形態１７と同一とし、青色マイクロＬＥＤ２１、赤色マイクロＬＥＤ２２、および緑色マイクロＬＥＤ２３を一組とする発光素子２７を多数形成する。
（実施形態２１）

【0101】

本実施形態は、請求項６の青色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、赤色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、および緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成するためのものである。

【0102】

本実施形態は、Ｓｉウェハ（１００）面１上に、実施形態１７に記載の方法と同様に、青色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層７を形成し、赤色マイクロＬＥＤ形成のための絶縁層エッチング領域９に、ＭＯＣＶＤ法により、１０００℃でそれぞれＧａ（ＣＨ３）３、ＮＨ３、およびＨ２ガス、ならびにＧａ（ＣＨ３）３、Ｉｎ（ＣＨ３）３、ＰＨ３、ＮＨ３、およびＨ２ガスを使用し、ＧａＮ障壁層、およびＩｎＧａＰＮ量子井戸層を形成し、これらを２～６層、１０～１００ｎｍ積層し、赤色マイクロＬＥＤ用多重井戸層１０とし、その後、実施形態１７に記載の方法と同様に緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層１３を形成し、その上部にＭＯＣＶＤ法を使用して、１０００℃でＧａ（ＣＨ３）３、ＮＨ３、Ｃｐ２ＭｇおよびＨ２ガスを使用し、１０００℃で０．３～２μｍのＭｇドープＧａＮエピタキシャル層を形成し、ＭｇをＯ２含有Ｎ２中で活性化し、ｐ型ＧａＮクラッド層１５を形成する。以上に示す製造方法により、青色マイクロＬＥＤ２１、赤色マイクロＬＥＤ２２，および緑色マイクロＬＥＤ２３を一組とする発光素子２７を多数形成する。
（実施形態２２）

【0103】

本実施形態は、請求項６の青色マイクロＬＥＤ用多重井戸層７、赤色マイクロＬＥＤ用多重井戸層１０、および緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層１３を形成するためのものである。

【0104】

本実施形態は、実施形態２１と異なり、多重量子井戸層を形成する際に、ＡＬＤ法により、６５０～７５０℃で実施形態２１と同一のガスを使用して、その他の製造方法は実施形態１７と同一とし、青色マイクロLＥＤ用多重量子井戸層７、赤色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層１０、および緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層１３を形成するものである。
（実施形態２３）

【0105】

本実施形態は、請求項６の青色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、赤色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、および緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成するためのものである。

【0106】

本実施形態は、実施形態２１と異なり、多重量子井戸層を形成する際に、青色マイクロＬＥＤ形成のための絶縁層エッチング領域６に、リモートプラズマを使用したＭＯＣＶＤ法により、８００～１０００℃でそれぞれＧａ（ＣＨ３）３、ＮＨ３、およびＮ２ガス、ならびにＧａ（ＣＨ３）３、Ｉｎ（ＣＨ３）３、ＮＨ３、およびＮ２ガスを使用し、ＧａＮ障壁層、およびＩｎＧａＮ量子井戸層を形成し、これらを２～６層、１０～１００ｎｍ積層し、青色マイクロＬＥＤ用多重井戸層７とし、また赤色マイクロＬＥＤ形成のための絶縁層エッチング領域９に、それぞれＧａ（ＣＨ３）３、ＮＨ３、およびＮ２ガス、ならびにＧａ（ＣＨ３）３、Ｉｎ（ＣＨ３）３、ＰＨ３、ＮＨ３、およびＮ２ガスを使用し、ＧａＮ障壁層、およびＩｎＧａＰＮ量子井戸層を形成し、これらを２～６層、１０～１００ｎｍ積層し、赤色マイクロＬＥＤ用多重井戸層１０とし、さらにまた緑色マイクロＬＥＤ形成のための絶縁層エッチング領域１２に、それぞれＧａ（ＣＨ３）３、ＮＨ３、およびＮ２ガス、ならびにＧａ（ＣＨ３）３、Ｉｎ（ＣＨ３）３、ＮＨ３、およびＮ２ガスを使用し、ＧａＮ障壁層、およびＩｎＧａＮ量子井戸層を形成し、これらを２～６層、１０～１００ｎｍ積層し、緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層１３を形成する。その他の製造方法は実施形態１７と同一とし、青色マイクロＬＥＤ２１、赤色マイクロＬＥＤ２２，および緑色マイクロＬＥＤ２３を一組とする発光素子２７を多数形成する。
（実施形態２４）

【0107】

本実施形態は、請求項６の青色マイクロＬＥＤ用多重井戸層７、赤色マイクロＬＥＤ用多重井戸層１０、および緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層１３を形成するためのものである。

【0108】

本実施形態は、実施形態２３と異なり、多重量子井戸層を形成する際に、リモートプラズマを利用したＭＯＣＶＤ法に代わり、リモートプラズマを使用したＡＬＤ法により、５００～７５０℃で実施形態２３と同様のガスを使用して、その他の製造方法は実施形態１７と同一とし、青色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層７、赤色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層１０、および緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層１３を２～６層、１０～１００ｎｍ形成する。
（実施形態２５）

【0109】

本実施形態は、請求項７の青色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、赤色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、および緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成するためのものである。

【0110】

本実施形態は、実施形態１～２４に記載の方法と同様に、青色マイクロＬＥＤ２１、赤色マイクロＬＥＤ２２、および緑色マイクロＬＥＤ２３を形成するが、図２ｂに示すように、ＧａＮバッファ層３上にＡＬＤ法、またはＭＯＣＶＤ法（２７Ｐａ）により、１０００℃で３Ｃ－ＳｉＣ層２ｂを１～１０層、０．５～５ｎｍ形成する。これは六方晶系、および立方晶系ＧａＮ障壁層の結晶性を高めるためと、ＧａＮバッファ層３をエッチングする際のストッパーの役目を果たし、下層のｎ型ＧａＮ層４を保護するためである。以上に示す製造方法により、Ｓｉウェハ（１１１）、および（１００）面上に青色マイクロＬＥＤ２１、赤色マイクロＬＥＤ２２，および緑色マイクロＬＥＤ２３を一組とする発光素子２７を多数形成する。
（実施形態２６）

【0111】

本実施形態は、請求項８の青色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、赤色マイクロＬＥＤ用多重井戸層、および緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層を形成するためのものである。

【0112】

本実施形態は、実施形態１～２５において、青色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層７の量子井戸層数を３とし、赤色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層１０の量子井戸層数を６とし、また緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層１３の量子井戸層数を６とし、青色マイクロＬＥＤ（六方晶系ＩｎＧａＮ多重量子井戸層）面積：緑色マイクロＬＥＤ（六方晶系ＩｎＧａＮ多重量子井戸層）面積：赤色マイクロＬＥＤ（混晶系ＡｌＩｎＧａＰ多重量子井戸層）面積＝１：７：３の面積比に比べ、緑色マイクロＬＥＤの面積比を４以下、赤色マイクロＬＥＤの面積比を２以下の面積比とするためのものである。
（実施形態２７）

【0113】

本実施形態は、請求項９の青色マイクロＬＥＤ、赤色マイクロＬＥＤ、および緑色マイクロＬＥＤを一組とする多数の発光素子を形成するためのものである。

【0114】

本実施形態は、実施形態１～１６に記載の方法で製造した青色マイクロＬＥＤ２１、赤色マイクロＬＥＤ２２、および赤色マイクロＬＥＤ２３を一組とする多数の発光素子２７を表示用に使用する発光素子とする。
（実施形態２８）

【0115】

本実施形態は、請求項１０の青色マイクロＬＥＤ、赤色マイクロＬＥＤ、および緑色マイクロＬＥＤを一組とする多数の発光素子を形成するためのものである。

【0116】

本実施形態は、実施形態１７～２４に記載の方法で製造した青色マイクロＬＥＤ２１、赤色マイクロＬＥＤ２２，および緑色マイクロＬＥＤ２３を一組とする多数の発光素子２７を表示用に使用する発光素子２７とする。
（実施形態２９）

【0117】

本実施形態は、請求項１１の青色マイクロＬＥＤ、赤色マイクロＬＥＤ、および緑色マイクロＬＥＤを一組とする多数の発光素子を形成するためのものである。

【0118】

本実施形態は、実施形態２５に記載の方法で製造した青色マイクロＬＥＤ２１、赤色マイクロＬＥＤ２２，および緑色マイクロＬＥＤ２３を一組とする多数の発光素子２７を表示用に使用する発光素子とする。
（実施形態３０）

【0119】

本実施形態は、請求項１２の青色マイクロＬＥＤ、赤色マイクロＬＥＤ、および緑色マイクロＬＥＤを一組とする多数の発光素子を形成するためのものである。

【0120】

本実施形態は、実施形態２６に記載の方法で製造した青色マイクロＬＥＤ２１、赤色マイクロＬＥＤ２２，および緑色マイクロＬＥＤ２３を一組とする多数の発光素子２７を表示用に使用する発光素子とする。
（実施形態３１）

【0121】

本実施形態は、請求項１３の青色マイクロＬＥＤ、赤色マイクロＬＥＤ、および緑色マイクロＬＥＤを一組とする多数の発光素子を備えた表示装置を形成するためのものである。

【0122】

本実施形態は、実施形態１～２５に記載の方法で製造した青色マイクロＬＥＤ２１、赤色マイクロＬＥＤ２２，および緑色マイクロＬＥＤ２３を一組とする多数の発光素子２７を使用し、表示装置１００を完成させる。

【0123】

図１６に示す青色マイクロＬＥＤ２１、赤色マイクロＬＥＤ２２、および緑色マイクロＬＥＤ２３を一組とする発光素子２７が多数形成されたＳｉウェハ(１１１)面、または（１００）面１を準備する。

【0124】

次に、Ｓｉウェハ（１１１）面、または（１００）面１の裏面を研削する。図１７には検索する部分を点線で示す。図１８は研削後の状態を示す。

【0125】

次に、図１９に示すようにＳｉウェハ（１１１）面、または（１００）面１から発光素子ブロック３０を切り出す。そして図２０に示すように発光素子ブロック３０を配線用基板４０に転写する際に使用するアライメントマーク１８を発光素子ブロック３０の側面につける。

【0126】

次に、図２１に示すように発光素子ブロック３０を反転させ、図２２ａ、ｂ、およびｃに示す配線用基板４０に転写する。図２３ａ、ｂ、およびｃにはスルービアホールを使用した別の配線用基板４０を示すが、以下の工程は図２２ａ、ｂ、およびｃに示す配線用基板４０と同様である。図２４は、発光素子ブロック３０と配線用基板４０のアライメント状況を示す。図２５は、発光素子ブロックを配線用基板４０に転写する工程後の状態を示す。

【0127】

次に、図２６に示すようにＳｉウェハ１を除去するために、Ｓｉウェハ（１１１）面またはＳｉウェハ（１００）面１以外をレジスト６０で覆い、ウェットエッチング液でエッチングする。Ｓｉウェハ（１１１）面またはＳｉウェハ（１００）面１を除去する工程後の状態を図２７に示す。

【0128】

次に、発光素子ブロック３０の端の絶縁層６１の一部をエッチングし、青色マイクロＬＥＤ２１、赤色マイクロＬＥＤ２２、および緑色マイクロＬＥＤ２３上に上部透明電極４０ａ、４０ｂ、および４０ｃを形成する。この工程後の状態を図２８ａ、ｂに示す。発光素子ブロック３０の上部透明配線４０ａ、ｂ、およびｃは、それぞれ配線用基板４０の５０ａ、ｂ、およびｃに接続される。

【0129】

次に、発光素子搭載配線用基板４０を表示用基板８０に転写する。図２９は表示用基板８０を示す。表示用基板８０には下部配線９０Ａ、Ｂ、Ｃおよび駆動用アライメント兼上部配線９０ａ、ｂ、およびｃがある。発光素子搭載配線用基板４０を表示用基板８０に複数転写する工程後の状態を図３０に示す。以上の製造方法により発光素子を完成させる。そして下部配線９０Ａ、Ｂ、Ｃおよび駆動用アライメント兼上部配線９０ａ、ｂ、およびｃに電圧をかけ、各発光素子２７内の青色マイクロＬＥＤ２１、赤色マイクロＬＥＤ２２，および緑色マイクロＬＥＤ２３を発光させ、表示装置１００を機能させる。

【符号の説明】

【0130】

１ Ｓｉウェハ（（１１１）面または（１００）面等）
２ａ ３Ｃ－ＳｉＣ層
２ｂ ３Ｃ－ＳｉＣ層
３ ＧａＮバッファ層（ノンドープまたはｎ型ＧａＮ）
４ ｎ型ＧａＮクラッド層
５ 絶縁層
６ 青色マイクロＬＥＤ形成のための絶縁層エッチング領域
７ 青色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層
８ 絶縁層
９ 赤色マイクロＬＥＤ形成のための絶縁層エッチング領域
１０ 赤色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層
１１ 絶縁層
１２ 緑色マイクロＬＥＤ形成のための絶縁層エッチング領域
１３ 緑色マイクロＬＥＤ用多重量子井戸層
１４ａ 青色マイクロＬＥＤ形成のための絶縁層エッチング領域
１４ｂ 赤色マイクロＬＥＤ形成のための絶縁層エッチング領域
１５ ｐ型ＧａＮクラッド層
１６ 電極層
１７ 絶縁層（ＳＯＧ層）
１８ 配線用基板とのアライメントマーク
２１ 青色マイクロＬＥＤ
２２ 赤色マイクロＬＥＤ
２３ 緑色マイクロＬＥＤ
２７ 発光素子
３０ 発光素子ブロック
４０ 配線用基板（Ｓｉウェハ、または石英ガラス、ガラス、サファイヤ、およびプラスチック等を矩形に切り出した基板）
４０Ａ 下部配線
（横方向；青色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
４０Ｂ 下部配線
（横方向；赤色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
４０Ｃ 下部配線
（横方向；緑色マイクロＬＥＤ用で金属配線、また透明導電性配線）
４０ａ 上部配線
（縦方向；青色マイクロＬＥＤ用透明導電性配線）
４０ｂ 上部配線
（縦方向；赤色マイクロＬＥＤ用透明導電性配線）
４０ｃ 上部配線
（縦方向；緑色マイクロＬＥＤ用透明導電性配線）
４１ スルービアホール（導体充填）
５０Ａ 横方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線
（青色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
５０Ｂ 横方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線
（赤色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
５０Ｃ 横方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線
（緑色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
５０ａ 縦方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線
（青色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
５０ｂ 縦方向駆動配線へのアライメント兼コンタクト用配線
（赤色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
５０ｃ 縦方向駆動配線へのコンタクト用配線
（緑色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
５１ 下部配線コンタクト領域
（青色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
５２ 下部配線コンタクト領域
（赤色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
５３ 下部配線コンタクト領域
（緑色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
６０ レジスト（または有機物、または絶縁層）
６１ 絶縁層（ＳＯＧ）
７０ 発光素子搭載配線用基板（発光素子ブロック搭載済み配線用基板）
８０ 表示用基板
（石英ガラス、ガラス、プラスチック基板、Ｓｉ、およびサファイヤ等）
８１ 横方向駆動回路構成領域
８２ 縦方向駆動回路構成領域
９０Ａ 駆動用下部配線
（横方向；青色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
９０Ｂ 駆動用下部配線
（横方向；赤色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
９０Ｃ 駆動用下部配線
（横方向；緑色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
９０ａ 駆動用アライメント兼上部配線
（縦方向；青色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
９０ｂ 駆動用アライメント兼上部配線
（縦方向；赤色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
９０ｃ 駆動用アライメント兼上部配線
（縦方向；緑色マイクロＬＥＤ用で金属配線、または透明導電性配線）
１００ 表示装置

【図1】

【図2a】

【図2b】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22a】

【図22b】

【図22c】

【図23a】

【図23b】

【図23c】

【図24】

【図25】

【図26】

【図27】

【図28a】

【図28b】

【図29】

【図30】