特開 2025-8982 表示装置及び表示装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025008982

(43)【公開日】2025-01-20

(54)【発明の名称】表示装置及び表示装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/30 20060101AFI20250109BHJP

   H10K 59/122 20230101ALI20250109BHJP

   H10K 50/818 20230101ALI20250109BHJP

   H10K 50/828 20230101ALI20250109BHJP

   H10K 59/65 20230101ALI20250109BHJP

   H10K 50/844 20230101ALI20250109BHJP

   H10K 59/121 20230101ALI20250109BHJP

   H10K 102/10 20230101ALN20250109BHJP

   H10K 102/20 20230101ALN20250109BHJP

【ＦＩ】

G09F9/30 339

G09F9/30 308Z

G09F9/30 365

G09F9/30 349Z

G09F9/30 309

H10K59/122

H10K50/818

H10K50/828

H10K59/65

H10K50/844

H10K59/121

H10K102:10

H10K102:20

【審査請求】未請求

【請求項の数】14

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023111655

(22)【出願日】2023-07-06

(71)【出願人】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110001737

【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】田畠 弘志

(72)【発明者】

【氏名】木村 裕之

【テーマコード（参考）】

3K107

5C094

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107CC23

3K107CC43

3K107DD23

3K107DD27

3K107DD89

3K107EE06

3K107EE07

3K107EE48

3K107EE68

3K107FF15

5C094BA14

5C094BA27

5C094CA20

5C094DA07

5C094DA13

5C094DA20

5C094EA04

5C094EA05

5C094EA07

5C094EC04

(57)【要約】

【課題】光透過率を向上させることが可能な表示装置及び表示装置の製造方法を提供することにある。
【解決手段】実施形態に係る表示装置は、基材と、基材の上に配置された下電極と、下電極と重畳する開口を有するリブと、リブの上に配置された隔壁と、開口を通じて下電極と接触する有機層と、有機層の上に配置された上電極とを具備する。下電極は、第１領域に配置された複数の第１下電極と、第２領域に配置された複数の第２下電極とを含む。開口は、複数の第１下電極と重畳する複数の第１開口と、複数の第２下電極と重畳する複数の第２開口とを含む。隔壁は、複数の第１開口を区画する第１隔壁と、複数の第２開口の各々を区画する複数の第２隔壁とを含む。第２開口は、第１開口よりも小さい。第２隔壁の各々は、リブの上に配置された透明導電層によって接続される。
【選択図】図１０

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基材と、
前記基材の上に配置された下電極と、
前記下電極と重畳する開口を有するリブと、
前記リブの上に配置された下部と当該下部の側面から突出した上部とを有する隔壁と、
前記開口を通じて前記下電極と接触する有機層と、
前記有機層の上に配置された上電極と
を具備し、
前記下電極は、前記基材上の第１領域に配置された複数の第１下電極と、前記第１領域とは異なる第２領域に配置された複数の第２下電極とを含み、
前記開口は、前記複数の第１下電極と重畳する複数の第１開口と、前記複数の第２下電極と重畳する複数の第２開口とを含み、
前記隔壁は、前記複数の第１開口を区画する第１隔壁と、前記複数の第２開口の各々を区画する複数の第２隔壁とを含み、
前記複数の第２開口の各々の面積は、前記複数の第１開口の各々の面積よりも小さく、
前記複数の第２隔壁の各々は、他の第２隔壁と間隙を有するように配置されており、前記リブの上に配置された透明導電層によって当該他の第２隔壁と接続される
表示装置。

【請求項2】

前記第２領域は、前記表示装置を介して受光する受光素子と重畳する位置に配置される請求項１記載の表示装置。

【請求項3】

前記第２領域における単位面積あたりの前記第２開口の数は、前記第１領域における単位面積あたりの前記第１開口の数と同一である請求項１記載の表示装置。

【請求項4】

前記第２領域における単位面積あたりの前記第２開口の数は、前記第１領域における単位面積あたりの前記第１開口の数よりも少ない請求項１記載の表示装置。

【請求項5】

前記第２開口の形状は、前記第１開口の形状と異なる請求項１記載の表示装置。

【請求項6】

前記第１開口の形状は、矩形形状であり、
前記第２開口の形状は、円形形状である
請求項５記載の表示装置。

【請求項7】

前記複数の第２隔壁の各々は、前記透明導電層の一部を覆うように配置されている請求項１記載の表示装置。

【請求項8】

前記上電極の上に配置されたキャップ層と、
前記キャップ層の上に配置された封止層と
を具備し、
前記キャップ層及び前記封止層は、前記透明導電層の上には配置されない
請求項１記載の表示装置。

【請求項9】

基材と、
前記基材の上に配置された下電極と、
前記下電極と重畳する開口を有するリブと、
前記リブの上に配置された下部と当該下部の側面から突出した上部とを有する隔壁と、
前記開口を通じて前記下電極と接触する有機層と、
前記有機層の上に配置された上電極と
を具備し、
前記下電極は、前記基材上の第１領域に配置された複数の第１下電極と、前記第１領域とは異なる第２領域に配置された複数の第２下電極とを含み、
前記開口は、前記複数の第１下電極と重畳する複数の矩形形状の第１開口と、前記複数の第２下電極と重畳する複数の円形形状の第２開口とを含み、
前記隔壁は、前記複数の第１開口を区画する第１隔壁と、前記複数の第２開口の各々を区画する複数の第２隔壁とを含み、
前記複数の第２隔壁の各々は、他の第２隔壁と間隙を有するように配置されており、前記リブの上に配置された透明導電層によって当該他の第２隔壁と接続され、
前記第２領域は、受光する受光素子と重畳する位置に配置される、表示装置。

【請求項10】

前記第２領域における単位面積あたりの前記第２開口の数は、前記第１領域における単位面積あたりの前記第１開口の数と同一である請求項９記載の表示装置。

【請求項11】

前記第２領域における単位面積あたりの前記第２開口の数は、前記第１領域における単位面積あたりの前記第１開口の数よりも少ない請求項９記載の表示装置。

【請求項12】

前記複数の第２隔壁の各々は、前記透明導電層の一部を覆うように配置されている請求項９記載の表示装置。

【請求項13】

前記上電極の上に配置されたキャップ層と、
前記キャップ層の上に配置された封止層と
を具備し、
前記キャップ層及び前記封止層は、前記透明導電層の上には配置されない
請求項９記載の表示装置。

【請求項14】

基材の上に下電極を形成する工程と、
前記下電極を覆う無機材料の絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の上に透明導電層を形成する工程と、
前記絶縁層の上に配置された下部と当該下部の側面から突出した上部とを有する隔壁を形成する工程と、
前記絶縁層に前記下電極と重畳する開口を形成する工程と、
前記開口を通じて前記下電極と接触する有機層を形成する工程と、
前記有機層の上に上電極を形成する工程と
を具備し、
前記下電極は、前記基材上の第１領域に配置された複数の第１下電極と、前記第１領域とは異なる第２領域に配置された複数の第２下電極とを含み、
前記透明導電層は、前記複数の第２下電極と重畳しない前記第２領域に形成され、
前記開口は、前記複数の第１下電極と重畳する複数の第１開口と、前記複数の第２下電極と重畳する複数の第２開口とを含み、
前記隔壁は、前記複数の第１開口を区画する第１隔壁と、前記複数の第２開口の各々を区画する複数の第２隔壁とを含み、
前記複数の第２開口の各々の面積は、前記複数の第１開口の各々の面積よりも小さく、
前記複数の第２隔壁の各々は、他の第２隔壁と間隙を有するように形成され、前記透明導電層によって当該他の第２隔壁と接続される
表示装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、表示装置及び表示装置の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年では、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を適用した表示装置が実用化されており、例えばスマートフォンのような電子機器が当該表示装置を備えることが知られている。

【0003】

このような電子機器においては、表示装置（表示領域）の背面にカメラを配置する構成を採用することによって、当該カメラと重畳する領域まで表示領域を拡大することができる。

【0004】

しかしながら、このような構成の場合には表示装置を介してカメラ（が有する撮像素子）に光が入射する必要があるため、当該表示装置（表示領域のうちのカメラと重畳する領域）において十分な光透過率を確保する必要がある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２０００－１９５６７７号公報

【特許文献2】特開２００４－２０７２１７号公報

【特許文献3】特開２００８－１３５３２５号公報

【特許文献4】特開２００９－３２６７３号公報

【特許文献5】特開２０１０－１１８１９１号公報

【特許文献6】国際公開第２０１８／１７９３０８号

【特許文献7】米国特許出願公開第２０２２／００７７２５１号明細書

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

本発明の目的は、光透過率を向上させることが可能な表示装置及び表示装置の製造方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0007】

実施形態に係る表示装置は、基材と、前記基材の上に配置された下電極と、前記下電極と重畳する開口を有するリブと、前記リブの上に配置された下部と当該下部の側面から突出した上部とを有する隔壁と、前記開口を通じて前記下電極と接触する有機層と、前記有機層の上に配置された上電極とを具備する。前記下電極は、前記基材上の第１領域に配置された複数の第１下電極と、前記第１領域とは異なる第２領域に配置された複数の第２下電極とを含む。前記開口は、前記複数の第１下電極と重畳する複数の第１開口と、前記複数の第２下電極と重畳する複数の第２開口とを含む。前記隔壁は、前記複数の第１開口を区画する第１隔壁と、前記複数の第２開口の各々を区画する複数の第２隔壁とを含む。前記複数の第２開口の各々の面積は、前記複数の第１開口の各々の面積よりも小さい。前記複数の第２隔壁の各々は、他の第２隔壁と間隙を有するように配置されており、前記リブの上に配置された透明導電層によって当該他の第２隔壁と接続される。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１は、実施形態に係る表示装置の構成例を示す図である。

【図2】図２は、副画素のレイアウトの一例を示す図である。

【図3】図３は、図２中のＡ－Ａ線に沿う表示装置の概略的な断面図である。

【図4】図４は、隔壁の概略的な断面図である。

【図5】図５は、隔壁を利用して形成される表示素子について説明するための概略的な断面図である。

【図6】図６は、隔壁を利用して形成される表示素子について説明するための概略的な断面図である。

【図7】図７は、隔壁を利用して形成される表示素子について説明するための概略的な断面図である。

【図8】図８は、表示装置が組み込まれた電子機器の一部を示す平面図である。

【図9】図９は、第１表示領域に形成されているリブが有する開口の配置の一例を模式的に示す図である。

【図10】図１０は、第２表示領域に形成されているリブが有する開口の一例を模式的に示す図である。

【図11】図１１は、図１０中のＢ－Ｂ線に沿う表示装置の概略的な断面図である。

【図12】図１２は、第２表示領域におけるリブ、隔壁及び透明導電層を形成するための工程の一例を説明するための図である。

【図13】図１３は、第２表示領域におけるリブ、隔壁及び透明導電層を形成するための工程の一例を説明するための図である。

【図14】図１４は、第２表示領域におけるリブ、隔壁及び透明導電層を形成するための工程の一例を説明するための図である。

【図15】図１５は、第２表示領域に形成されているリブが有する開口の他の例を模式的に示す図である。

【図16】図１６は、第２表示領域に形成されているリブが有する開口の更に別の例を模式的に示す図である。

【図17】図１７は、第２表示領域に形成されているリブが有する開口の更に別の例を模式的に示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

一実施形態について図面を参照しながら説明する。
開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

【0010】

なお、図面には、必要に応じて理解を容易にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を記載する。Ｘ軸に沿った方向を第１方向Ｘと称し、Ｙ軸に沿った方向を第２方向Ｙと称し、Ｚ軸に沿った方向を第３方向Ｚと称する。第３方向Ｚと平行に各種要素を見ることを平面視という。

【0011】

本実施形態に係る表示装置は、表示素子として有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であり、例えばスマートフォンのような電子機器に搭載され得る。なお、本実施形態に係る表示装置が搭載される電子機器は、スマートフォン以外（例えば、タブレット端末等）であってもよい。

【0012】

図１は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、絶縁性の基材１０の上に、画像を表示する表示領域ＤＡと、当該表示領域ＤＡの周辺の非表示領域ＮＤＡとを有している。基材１０は、ガラスであってもよいし、可撓性を有する樹脂フィルムであってもよい。

【0013】

本実施形態においては、平面視における基材１０の形状が長方形である。ただし、基材１０の平面視における形状は長方形に限らず、正方形、円形または楕円形等の他の形状であってもよい。

【0014】

表示領域ＤＡは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配列（配置）された複数の画素ＰＸを備えている。画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを含む。一例では、画素ＰＸは、赤色の副画素ＳＰ１、緑色の副画素ＳＰ２及び青色の副画素ＳＰ３を含む。なお、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３とともに白色等の他の色の副画素ＳＰを含んでいてもよい。また、画素ＰＸは、副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３のいずれかに代えて他の色の副画素ＳＰを含んでいてもよい。

【0015】

副画素ＳＰは、画素回路１と、画素回路１によって駆動される表示素子２０とを備えている。画素回路１は、画素スイッチ２と、駆動トランジスタ３と、キャパシタ４とを備えている。画素スイッチ２及び駆動トランジスタ３は、例えば薄膜トランジスタにより構成されたスイッチング素子である。

【0016】

画素スイッチ２のゲート電極は、走査線ＧＬに接続されている。画素スイッチ２のソース電極及びドレイン電極の一方は信号線ＳＬに接続され、他方は駆動トランジスタ３のゲート電極及びキャパシタ４に接続されている。駆動トランジスタ３において、ソース電極及びドレイン電極の一方は電源線ＰＬ及びキャパシタ４に接続され、他方は表示素子２０に接続されている。

【0017】

なお、画素回路１の構成は、図１に示す例に限られない。画素回路１は、例えばより多くの薄膜トランジスタ及びキャパシタを備えていてもよい。

【0018】

表示素子２０は、発光素子としての有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）である。例えば、副画素ＳＰ１は赤色の波長域の光を放つ表示素子２０を備え、副画素ＳＰ２は緑色の波長域の光を放つ表示素子２０を備え、副画素ＳＰ３は青色の波長域の光を放つ表示素子２０を備えている。

【0019】

図２は、副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３のレイアウトの一例を示す。図２に示す例においては、副画素ＳＰ１とＳＰ２とが第２方向Ｙに並んでいる。更に、副画素ＳＰ１及びＳＰ２は、それぞれ副画素ＳＰ３と第１方向Ｘに並んでいる。

【0020】

副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３が図２に示すようなレイアウトである場合、表示領域ＤＡには、副画素ＳＰ１及びＳＰ２が第２方向Ｙに交互に配置された列と、複数の副画素ＳＰ３が第２方向Ｙに繰り返し配置された列とが形成される。これらの列は、第１方向Ｘに交互に並ぶ。

【0021】

なお、副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３のレイアウトは、図２に示す例に限られない。他の一例として、各画素ＰＸにおける副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３は、第１方向Ｘに順に並んでいてもよい。

【0022】

表示領域ＤＡには、リブ５及び隔壁６が配置されている。リブ５は、副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３においてそれぞれ開口ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３を有している。図２に示す例においては、開口ＡＰ２の面積が開口ＡＰ１の面積よりも大きく、開口ＡＰ３の面積が開口ＡＰ２の面積よりも大きい。隔壁６は、隣り合う副画素ＳＰの境界に配置され、平面視においてリブ５と重なっている。

【0023】

隔壁６は、第１方向Ｘに延びる隔壁６ｘと、第２方向Ｙに延びる隔壁６ｙとを有している。隔壁６ｘは、第２方向Ｙに隣り合う開口ＡＰ１とＡＰ２との間、及び第２方向Ｙに隣り合う２つの開口ＡＰ３の間に配置されている。隔壁６ｙは、第１方向Ｘに隣り合う開口ＡＰ１とＡＰ３との間、及び、第１方向Ｘに隣り合う開口ＡＰ２とＡＰ３との間にそれぞれ配置されている。

【0024】

図２に示す例においては、隔壁６ｘ及び６ｙが互いに接続されている。これにより、隔壁６は全体として開口ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３を囲う格子状である。隔壁６は、リブ５と同様に副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３において開口を有するということもできる。

【0025】

すなわち、本実施形態において、リブ５及び隔壁６は、副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３（開口ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３）を区画するように配置されている。

【0026】

副画素ＳＰ１は、開口ＡＰ１とそれぞれ重なる下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１及び有機層ＯＲ１を備えている。副画素ＳＰ２は、開口ＡＰ２とそれぞれ重なる下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２及び有機層ＯＲ２を備えている。副画素ＳＰ３は、開口ＡＰ３とそれぞれ重なる下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３及び有機層ＯＲ３を備えている。図２に示す例においては、上電極ＵＥ１及び有機層ＯＲ１の外形が一致し、上電極ＵＥ２及び有機層ＯＲ２の外形が一致し、上電極ＵＥ３及び有機層ＯＲ３の外形が一致している。

【0027】

下電極ＬＥ１、上電極ＵＥ１及び有機層ＯＲ１は、副画素ＳＰ１の表示素子２０を構成する。下電極ＬＥ２、上電極ＵＥ２及び有機層ＯＲ２は、副画素ＳＰ２の表示素子２０を構成する。下電極ＬＥ３、上電極ＵＥ３及び有機層ＯＲ３は、副画素ＳＰ３の表示素子２０を構成する。

【0028】

下電極ＬＥ１は、コンタクトホールＣＨ１を通じて副画素ＳＰ１（の表示素子２０）を駆動する画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ２は、コンタクトホールＣＨ２を通じて副画素ＳＰ２（の表示素子２０）を駆動する画素回路１に接続されている。下電極ＬＥ３は、コンタクトホールＣＨ３を通じて副画素ＳＰ３（の表示素子２０）を駆動する画素回路１に接続されている。

【0029】

図２に示す例において、コンタクトホールＣＨ１及びＣＨ２は、第２方向Ｙに隣り合う開口ＡＰ１とＡＰ２との間の隔壁６ｘと全体的に重なっている。コンタクトホールＣＨ３は、第２方向Ｙと隣り合う２つの開口ＡＰ３の間の隔壁６ｘと全体的に重なっている。他の例として、コンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２及びＣＨ３の少なくとも一部が隔壁６ｘと重なっていなくてもよい。

【0030】

図２に示す例において、下電極ＬＥ１及びＬＥ２は、突部ＰＲ１及びＰＲ２をそれぞれ有している。突部ＰＲ１は、下電極ＬＥ１の本体（開口ＡＰ１と重なる部分）からコンタクトホールＣＨ１に向けて突出している。突部ＰＲ２は、下電極ＬＥ２の本体（開口ＡＰ２と重なる部分）からコンタクトホールＣＨ２に向けて突出している。コンタクトホールＣＨ１及びＣＨ２は、突部ＰＲ１及びＰＲ２とそれぞれ重なっている。

【0031】

図３は、図２中のＡ－Ａ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。表示装置ＤＳＰにおいては、上記したガラスのような光透過性を有する基材１０の上（表示素子２０等が配置される側の面上）にアンダーコート層と称される絶縁層１１が配置されている。

【0032】

絶縁層１１は、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）、シリコン酸化膜（ＳｉＯ）を有する三層積層構造を有する。なお、絶縁層１１は、三層積層構造に限られない。絶縁層１１は、三層よりも多い積層構造を有していいてもよいし、単層構造または二層積層構造を有していてもよい。

【0033】

絶縁層１１の上には、回路層１２が配置されている。回路層１２は、図１に示す画素回路１、走査線ＧＬ、信号線ＳＬ及び電源線ＰＬ等の副画素ＳＰ（ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３）を駆動する各種回路及び配線を有する。回路層１２は、絶縁層１３により覆われている。

【0034】

絶縁層１３は、回路層１２により生じる凹凸を平坦化する平坦化膜として機能する。図３には示されていないが、上記したコンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２及びＣＨ３は、絶縁層１３に設けられている。

【0035】

下電極ＬＥ（ＬＥ１、ＬＥ２及びＬＥ３）は、絶縁層１３の上に配置されている。リブ５は、絶縁層１３と下電極ＬＥとの上に配置されている。下電極ＬＥの端部（一部）は、リブ５により覆われている。

【0036】

隔壁６は、リブ５の上に配置された下部６１と、下部６１の上面を覆う上部６２とを有する。上部６２は、下部６１よりも第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに大きい幅を有している。これにより、隔壁６は、上部６２の両端部が下部６１の側面よりも突出した形状を有する。このような隔壁６の形状は、オーバーハング状ということができる。

【0037】

有機層ＯＲ（ＯＲ１、ＯＲ２及びＯＲ３）及び上電極ＵＥ（ＵＥ１、ＵＥ２及びＵＥ３）は上記した下電極ＬＥ（ＬＥ１、ＬＥ２及びＬＥ３）とともに表示素子２０を構成するが、図３に示すように、有機層ＯＲ１は、互いに離間した第１有機層ＯＲ１ａ及び第２有機層ＯＲ１ｂを含む。上電極ＵＥ１は、互いに離間した第１上電極ＵＥ１ａ及び第２上電極ＵＥ１ｂを含む。第１有機層ＯＲ１ａは、開口ＡＰ１を通じて下電極ＬＥ１に接触するとともに、リブ５の一部を覆っている。第２有機層ＯＲ１ｂは、上部６２の上に位置している。第１上電極ＵＥ１ａは、下電極ＬＥ１と対向するとともに、第１有機層ＯＲ１ａを覆っている。更に、第１上電極ＵＥ１ａは、下部６１の側面に接触している。第２上電極ＵＥ１ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２有機層ＯＲ１ｂを覆っている。

【0038】

また、図３に示すように、有機層ＯＲ２は、互いに離間した第１有機層ＯＲ２ａ及び第２有機層ＯＲ２ｂを含む。上電極ＵＥ２は、互いに離間した第１上電極ＵＥ２ａ及び第２上電極ＵＥ２ｂを含む。第１有機層ＯＲ２ａは、開口ＡＰ２を通じて下電極ＬＥ２に接触するとともに、リブ５の一部を覆っている。第２有機層ＯＲ２ｂは、上部６２の上に位置している。第１上電極ＵＥ２ａは、下電極ＬＥ２と対向するとともに、第１有機層ＯＲ２ａを覆っている。更に、第１上電極ＵＥ２ａは、下部６１の側面に接触している。第２上電極ＵＥ２ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２有機層ＯＲ２ｂを覆っている。

【0039】

また、図３に示すように、有機層ＯＲ３は、互いに離間した第１有機層ＯＲ３ａ及び第２有機層ＯＲ３ｂを含む。上電極ＵＥ３は、互いに離間した第１上電極ＵＥ３ａ及び第２上電極ＵＥ３ｂを含む。第１有機層ＯＲ３ａは、開口ＡＰ３を通じて下電極ＬＥ３に接触するとともに、リブ５の一部を覆っている。第２有機層ＯＲ３ｂは、上部６２の上に位置している。第１上電極ＵＥ３ａは、下電極ＬＥ３と対向するとともに、第１有機層ＯＲ３ａを覆っている。更に、第１上電極ＵＥ３ａは、下部６１の側面に接触している。第２上電極ＵＥ３ｂは、隔壁６の上方に位置し、第３有機層ＯＲ３ｂを覆っている。

【0040】

図３に示す例において、副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３は、有機層ＯＲ１、ＯＲ２及びＯＲ３の発光層が発する光の光学特性を調整するためのキャップ層ＣＰ１、ＣＰ２及びＣＰ３（光路調整層）を含む。

【0041】

キャップ層ＣＰ１は、互いに離間した第１キャップ層ＣＰ１ａ及び第２キャップ層ＣＰ１ｂを含む。第１キャップ層ＣＰ１ａは、開口ＡＰ１に位置し、第１上電極ＵＥ１ａの上に配置されている。第２キャップ層ＣＰ１ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２上電極ＵＥ１ｂの上に配置されている。

【0042】

キャップ層ＣＰ２は、互いに離間した第１キャップ層ＣＰ２ａ及び第２キャップ層ＣＰ２ｂを含む。第１キャップ層ＣＰ２ａは、開口ＡＰ２に位置し、第１上電極ＵＥ２ａの上に配置されている。第２キャップ層ＣＰ２ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２上電極ＵＥ２ｂの上に配置されている。

【0043】

キャップ層ＣＰ３は、互いに離間した第１キャップ層ＣＰ３ａ及び第２キャップ層ＣＰ３ｂを含む。第１キャップ層ＣＰ３ａは、開口ＡＰ３に位置し、第１上電極ＵＥ３ａの上に配置されている。第２キャップ層ＣＰ３ｂは、隔壁６の上方に位置し、第２上電極ＵＥ３ｂの上に配置されている。

【0044】

副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３には、封止層ＳＥ１、ＳＥ２及びＳＥ３がそれぞれ配置されている。封止層ＳＥ１は、第１キャップ層ＣＰ１ａ、隔壁６及び第２キャップ層ＣＰ１ｂを含む副画素ＳＰ１の各部材を連続的に覆っている。封止層ＳＥ２は、第１キャップ層ＣＰ２ａ、隔壁６及び第２キャップ層ＣＰ２ｂを含む副画素ＳＰ２の各部材を連続的に覆っている。封止層ＳＥ３は、第１キャップ層ＣＰ３ａ、隔壁６及び第２キャップ層ＣＰ３ｂを含む副画素ＳＰ３の各部材を連続的に覆っている。

【0045】

図３に示す例においては、副画素ＳＰ１とＳＰ３との間の隔壁６上の第２有機層ＯＲ１ｂ、第２上電極ＵＥ１ｂ、第２キャップ層ＣＰ１ｂ及び封止層ＳＥ１と、当該隔壁６上の第２有機層ＯＲ３ｂ、第２上電極ＵＥ３ｂ、第２キャップ層ＣＰ３ｂ及び封止層ＳＥ３とが離間している。また、副画素ＳＰ２とＳＰ３との間の隔壁６上の第２有機層ＯＲ２ｂ、第２上電極ＵＥ２ｂ、第２キャップ層ＣＰ２ｂ及び封止層ＳＥ２と、当該隔壁６上の第２有機層ＯＲ３ｂ、第２上電極ＵＥ３ｂ、第２キャップ層ＣＰ３ｂ及び封止層ＳＥ３とが離間している。

【0046】

封止層ＳＥ１、ＳＥ２及びＳＥ３は、樹脂層１４（平坦化膜）により覆われている。樹脂層１４は、封止層１５により覆われている。更に、封止層１５は、樹脂層１６により覆われている。

【0047】

絶縁層１３と樹脂層１４及び１６とは、有機材料で形成されている。リブ５と封止層１５及びＳＥ（ＳＥ１、ＳＥ２及びＳＥ３）とは、例えばシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）等の無機材料で形成されている。

【0048】

隔壁６が有する下部６１は、導電性を有している。隔壁６が有する上部６２も同様に導電性を有していてもよい。下電極ＬＥは、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明な導電性酸化物で形成されてもよいし、銀（Ａｇ）等の金属材料と導電性酸化物との積層構造を有していてもよい。上電極ＵＥは、ＩＴＯ等の導電性酸化物で形成されてもよい。

【0049】

下電極ＬＥの電位が上電極ＵＥの電位よりも相対的に高い場合、下電極ＬＥがアノードに相当し、上電極ＵＥがカソードに相当する。また、上電極ＵＥの電位が下電極ＬＥの電位よりも相対的に高い場合、上電極ＵＥがアノードに相当し、下電極ＬＥがカソードに相当する。

【0050】

有機層ＯＲは、一対の機能層と、これら機能層の間に配置された発光層とを含む。一例として、有機層ＯＲは、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層及び電子注入層を順に積層した構造を有している。

【0051】

キャップ層ＣＰ（ＣＰ１、ＣＰ２及びＣＰ３）は、例えば透明な複数の薄膜の多層体によって形成されている。多層体は、複数の薄膜として、無機材料によって形成された薄膜及び有機材料によって形成された薄膜を含んでもよい。また、これらの複数の薄膜は、互いに異なる屈折率を有している。多層体を構成する薄膜の材料は、上電極ＵＥの材料とは異なり、また、封止層ＳＥの材料とも異なる。なお、キャップ層ＣＰは省略されてもよい。

【0052】

隔壁６には、共通電圧が供給されている。この共通電圧は、下部６１の側面に接触した上電極ＵＥ（第１上電極ＵＥ１ａ、ＵＥ２ａ及びＵＥ３ａ）にそれぞれ供給される。下電極ＬＥ（ＬＥ１、ＬＥ２及びＬＥ３）には、副画素ＳＰ（ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３）がそれぞれ有する画素回路１を通じて画素電圧が供給される。

【0053】

下電極ＬＥ１と上電極ＵＥ１との間に電位差が形成されると、第１有機層ＯＲ１ａの発光層が赤色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ２と上電極ＵＥ２との間に電位差が形成されると、第１有機層ＯＲ２ａの発光層が緑色の波長域の光を放つ。下電極ＬＥ３と上電極ＵＥ３との間に電位差が形成されると、第１有機層ＯＲ３ａの発光層が青色の波長域の光を放つ。

【0054】

他の例として、有機層ＯＲ１、ＯＲ２及びＯＲ３の発光層が同一色（例えば、白色）の光を放ってもよい。この場合において、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光を副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３に対応する色の光に変換するカラーフィルタを備えてもよい。また、表示装置ＤＳＰは、発光層が放つ光により励起して副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３に応じた色の光を生成する量子ドットを含んだ層を備えてもよい。

【0055】

図４は、隔壁６の概略的な拡大断面図である。図４においては、リブ５、隔壁６、絶縁層１３及び一対の下電極ＬＥ以外の要素を省略している。一対の下電極ＬＥは、上記した下電極ＬＥ１、ＬＥ２及びＬＥ３のいずれかに相当する。また、上記した隔壁６ｘ及び６ｙは、図４に示す隔壁６と同様の構造を有している。

【0056】

図４に示す例において、隔壁６が有する下部６１は、リブ５の上に配置されたバリア層（ボトム部）６１１と、当該バリア層６１１の上に配置された金属層（軸部）６１２とを含む。バリア層６１１は、金属層６１２とは異なる材料で形成されており、例えばモリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）及び窒化チタン（ＴｉＮ）等の金属材料によって形成されている。金属層６１２は、バリア層６１１よりも厚く形成されている。金属層６１２は、単層構造であってもよいし、異なる金属材料の積層構造であってもよい。一例として、金属層６１２は例えばアルミニウム（Ａｌ）により形成される。

【0057】

上部（トップ部）６２は、下部６１よりも薄い。図４に示す例において、上部６２は、金属層６１２の上に配置された第１層６２１と、当該第１層６２１の上に配置された第２層６２２とを含む。一例としては、第１層６２１は例えばチタン（Ｔｉ）により形成され、第２層６２２は例えばＩＴＯにより形成される。

【0058】

図４に示す例においては、下部６１の幅が上部６２に近づくにつれて小さくなる。すなわち、下部６１の側面６１ａ及び６１ｂは、第３方向Ｚに対して傾斜している。なお、上部６２は、側面６１ａから突出した端部６２ａと、側面６１ｂから突出した端部６２ｂとを有している。

【0059】

側面６１ａ及び６１ｂからの端部６２ａ及び６２ｂの突出量Ｄ（以下、隔壁６の突出量Ｄと表記）は、例えば２．０μｍ以下である。本実施形態における隔壁６の突出量Ｄは、側面６１ａ及び６１ｂの下端（バリア層６１１）と端部６２ａ及び６２ｂとの間の、隔壁６の第３方向Ｚと直交する幅方向（第１方向Ｘまたは第２方向Ｙ）における距離に相当する。

【0060】

なお、図４に示す例においては、バリア層６１１の側面と金属層６１２の側面とが揃っており、段差のない平面を形成しているが、例えばバリア層６１１の側面は、金属層６１２の側面に対してわずかに後退していてもよいし、当該金属層６１２の側面に対して突出していてもよい。また、図４においてはバリア層６１１及び金属層６１２の側面（つまり、下部６１の側面６１ａ及び６１ｂ）が第３方向Ｚに対して傾斜しているが、当該側面は第３方向Ｚと平行であってもよい。

【0061】

隔壁６の構造及び当該隔壁６の各部の材料は、例えば隔壁６を形成する手法等を考慮して、適宜、選定することができる。

【0062】

ここで、本実施形態において、隔壁６は、平面視において副画素ＳＰを区画するように形成されている。上記した有機層ＯＲは例えば異方性あるいは指向性のある真空蒸着法によって形成されるが、隔壁６が配置された状態で当該有機層ＯＲを形成するための有機材料を基材１０全体に蒸着した場合、隔壁６は図３及び図４に示すような形状を有しているため、当該隔壁６の側面には有機層ＯＲは殆ど形成されない。これによれば、隔壁６によって副画素ＳＰ毎に分断されるような有機層ＯＲ（表示素子２０）を形成することができる。

【0063】

図５～図７は、隔壁６を利用して形成される表示素子２０について説明するための概略的な断面図である。なお、図５～図７においては、基材１０、絶縁層１１及び回路層１２が省略されている。また、図５～図７に示す副画素ＳＰα、ＳＰβ及びＳＰγは、副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３のいずれかに相当する。

【0064】

まず、上記したように隔壁６が配置された状態で図５に示すように基材１０全体に対して有機層ＯＲ、上電極ＵＥ、キャップ層ＣＰ及び封止層ＳＥが順に蒸着によって形成される。有機層ＯＲは、副画素ＳＰαに対応する色の光を放つ発光層を含む。オーバーハング状の隔壁６によって、有機層ＯＲは開口ＡＰを通じて下電極ＬＥと接触する第１有機層ＯＲａと隔壁６上の第２有機層ＯＲｂに分断され、上電極ＵＥは第１有機層ＯＲａを覆う第１上電極ＵＥａと第２有機層ＯＲｂを覆う第２上電極ＵＥｂとに分断され、キャップ層ＣＰは第１上電極ＵＥａを覆う第１キャップ層ＣＰａと第２上電極ＵＥｂを覆う第２キャップ層ＣＰｂとに分断される。第１上電極ＵＥａは、隔壁６の下部６１に接触している。封止層ＳＥは、第１キャップ層ＣＰａ、第２キャップ層ＣＰｂ及び隔壁６を連続的に覆っている。

【0065】

次に、図６に示すように、封止層ＳＥの上にレジストＲが形成される。レジストＲは、副画素ＳＰαを覆っている。すなわち、レジストＲは、副画素ＳＰαに位置する第１有機層ＯＲａ、第１上電極ＵＥａ及び第１キャップ層ＣＰａの直上に配置されている。レジストＲは、副画素ＳＰαと副画素ＳＰβとの間の隔壁６上の第２有機層ＯＲｂ、第２上電極ＵＥｂ及び第２キャップ層ＣＰｂのうち、副画素ＳＰα寄りの部分の直上にも位置している。すなわち、隔壁６の少なくとも一部は、レジストＲから露出している。

【0066】

更に、レジストＲをマスクとしたエッチングにより、図７に示すように有機層ＯＲ、上電極ＵＥ、キャップ層ＣＰ及び封止層ＳＥのうちレジストＲから露出した部分が除去される。これにより、副画素ＳＰαには下電極ＬＥ、第１有機層ＯＲａ、第１上電極ＵＥａ及び第１キャップ層ＣＰａを含む表示素子２０が形成される。一方で、副画素ＳＰβ及びＳＰγにおいては下電極ＬＥが露出する。なお、上記したエッチングは、例えば封止層ＳＥのドライエッチング、キャップ層ＣＰのウェットエッチング及びドライエッチング、上電極ＵＥのウェットエッチング、有機層ＯＲのドライエッチングを含む。

【0067】

上記したように副画素ＳＰαの表示素子２０が形成されると、レジストＲが除去され、副画素ＳＰβ及びＳＰγの表示素子２０が、副画素ＳＰαと同様に、順に形成される。

【0068】

以上の副画素ＳＰα、ＳＰβ及びＳＰγについて例示したように副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３の表示素子２０を形成し、更に樹脂層１４、封止層１５及び樹脂層１６を形成することにより、図３に示した表示装置ＤＳＰの構造が実現される。

【0069】

ここで、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰが例えばカメラとともにスマートフォン等の電子機器に組み込まれて使用される場合を想定する。

【0070】

図８は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰ（表示パネル）が組み込まれた電子機器の一部を示す平面図である。上記したように表示装置ＤＳＰにおいて表示領域ＤＡは第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸ（副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３）を備えているが、当該表示装置ＤＳＰは表示領域ＤＡを有する表示面及び当該表示面に対向する背面（以下、表示装置ＤＳＰの背面と表記）を有する。本実施形態に係る表示装置ＤＳＰが組み込まれた電子機器においては、当該表示装置ＤＳＰの背面側に例えば画像を撮像するためのカメラ１００が配置されるものとする。

【0071】

この場合、図８に示すように、電子機器（表示装置ＤＳＰ）における表示領域ＤＡを拡大する（当該表示領域ＤＡの範囲を広げる）ために、カメラ１００を当該表示領域ＤＡ（つまり、複数の画素ＰＸ）と重畳する位置に配置することが考えられる。

【0072】

しかしながら、平面視において表示領域ＤＡと重畳する位置にカメラ１００が配置された場合、当該カメラ１００と重畳する画素ＰＸの各々が備える画素回路１及び下電極ＬＥ等の影響により当該カメラ１００と重畳する領域（つまり、当該画素ＰＸを含む領域）の光透過率が低下し、表示装置ＤＳＰを介してカメラ１００（が有する撮像素子）に十分な光が入射しない可能性がある。

【0073】

この場合、例えばカメラ１００と重畳する領域において画素ＰＸを間引く構成が考えられるが、単に画素ＰＸを間引く構成によれば、当該カメラ１００と重畳する領域の解像度が低下し、かつ、当該領域からカメラ１００が視認されやすくなるため、表示装置ＤＳＰの表示品位が低下する可能性がある。

【0074】

そこで、本実施形態においては、表示領域ＤＡのうちのカメラ１００と重畳しない領域（以下、第１表示領域ＤＡ１と表記）においてリブ５が有する開口の平面視における面積（サイズ）に対して、当該表示領域ＤＡのうちのカメラ１００と重畳する領域（以下、第２表示領域ＤＡ２と表記）においてリブ５が有する開口の平面視における面積（サイズ）を小さくする構成を採用する。

【0075】

図９は、第１表示領域ＤＡ１に形成されているリブ５が有する開口ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３の配置の一例を模式的に示している。一方、図１０は、第２表示領域ＤＡ２に形成されているリブ５が有する開口ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３の配置を模式的に示している。

【0076】

なお、図９及び図１０においては、４つ分の画素ＰＸ（副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３）においてリブ５が有する複数の開口ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３が示されている。すなわち、本実施形態において、第１表示領域ＤＡ１における単位面積あたりの開口ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３の数と、第２表示領域ＤＡ２における単位面積あたりの開口ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３の数とは同一である。

【0077】

ここで、図９及び図１０を参照すると、第１表示領域ＤＡ１における開口ＡＰ１の面積よりも第２表示領域ＤＡ２における開口ＡＰ１の面積は小さい。同様に、第１表示領域ＤＡ１における開口ＡＰ２の面積よりも第２表示領域ＤＡ２における開口ＡＰ２の面積は小さく、第１表示領域ＤＡ１における開口ＡＰ３の面積よりも第２表示領域ＤＡ２における開口ＡＰ３の面積は小さい。

【0078】

なお、図９及び図１０に示す例では、第１表示領域ＤＡ１における開口ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３の面積の比率と、第２表示領域ＤＡ２における開口ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３の面積の比率とは、概ね同一である。

【0079】

また、図９及び図１０に示す例では、第１表示領域ＤＡ１における開口ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３は矩形形状を有しているのに対し、第２表示領域ＤＡ２における開口ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３は円形形状を有している。

【0080】

更に、図９に示すように第１表示領域ＤＡ１においては複数の開口ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３が一体として形成されている隔壁６によって区画されているのに対し、図１０に示すように第２表示領域ＤＡ２においては複数の開口ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３の各々が独立した島パターンとして（つまり、島状に）形成され、開口ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３のそれぞれを独立して囲む複数の隔壁６によって区画されている。

【0081】

ところで、上記した図３は第１表示領域ＤＡ１における表示装置ＤＳＰの概略的な断面図であるが、当該図３において説明したように、当該第１表示領域ＤＡ１において形成されている隔壁６に共通電圧が供給されることにより、当該隔壁６を介して当該隔壁６（下部６１）の側面に接触している上電極ＵＥ（開口ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３と重畳する上電極ＵＥ１、ＵＥ２及びＵＥ３）に当該共通電圧を供給することができる。

【0082】

一方、第２表示領域ＤＡ２において形成されている複数の隔壁６の各々は上記したように独立した島パターンとして形成されている（つまり、他の隔壁６と間隙を有するように配置されている）ため、当該複数の隔壁６に対して上記した共通電圧を供給する仕組みが必要である。

【0083】

この場合、本実施形態においては、第２表示領域ＤＡ２において形成されている複数の隔壁６の各々を電気的に接続するための透明導電層７を配置する。なお、この透明導電層７は、例えばＩＴＯまたはＩＺＯのような透明な導電性酸化物によって形成される。このような構成によれば、第２表示領域ＤＡ２において形成されている複数の隔壁６に共通電圧を供給することができるとともに、透明導電層７が配置された領域において高い透過率を実現することができる。

【0084】

図１１は、図１０中のＢ－Ｂ線に沿う表示装置ＤＳＰの概略的な断面図である。ここでは、図３と同一の部分には同一参照符号を付してその詳しい説明を省略する。

【0085】

図１１に示すように、第２表示領域ＤＡ２においては、開口ＡＰ１を区画するように隔壁６が配置されており、当該開口ＡＰ１と重畳する位置に表示素子２０（下電極ＬＥ１、第１有機層ＯＲ１ａ、第１上電極ＵＥ１ａ及び第１キャップ層ＣＰ１ａ）が形成されている。

【0086】

なお、この表示素子２０は、図５～図７において説明したように形成されるため、隔壁６の上の開口ＡＰ１側には、第２有機層ＯＲ１ｂ、第２上電極ＵＥ１ｂ及び第２キャップ層ＣＰ１ｂが配置されている。

【0087】

一方、開口ＡＰ１（つまり、下電極ＬＥ１）と重畳しない第２表示領域ＤＡ２（つまり、図１１に示す開口ＡＰ１を区画する隔壁６と他の開口を区画する隔壁６との間の領域）においては、リブ５の上に透明導電層７（例えば、ＩＴＯ層）が配置される。

【0088】

この場合、透明導電層７の一部が隔壁６（下部６１）によって覆われていることにより、当該隔壁６（開口ＡＰ１を区画する隔壁６）は、他の開口を区画する隔壁６と電気的に接続される。換言すれば、第２表示領域ＤＡ２において形成されている複数の隔壁６の各々には、透明導電層７を介して共通電圧が供給される。

【0089】

ここで、図１２～図１４を参照して、第２表示領域ＤＡ２におけるリブ５、隔壁６及び透明導電層７を形成するための工程の一例について説明する。なお、図１２～図１４においては、基材１０、絶縁層１１及び回路層１２が省略されている。また、図１２～図１４に示す副画素ＳＰαは、副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３のいずれかに相当する。

【0090】

まず、図１２に示すように、絶縁層１３の上に下電極ＬＥが形成されているものとすると、当該絶縁層１３及び下電極ＬＥを覆うように、リブ５に加工するための無機材料の絶縁層５ａが形成され、絶縁層５ａの上に透明導電層７が形成される。

【0091】

なお、絶縁層５ａは、例えば化学蒸着法によって形成される。また、透明導電層７は、例えばスパッタリング法によって少なくとも第２表示領域ＤＡ２全体に透明導電層（導電性酸化物層）が形成された後に、当該透明導電層の上に配置されたレジスト（図示せず）から露出した部分をウェットエッチングにより除去することによって形成される。

【0092】

続いて、図１３に示すように、透明導電層７の一部が下部６１によって覆われるように隔壁６が形成される。なお、隔壁６は、下部６１に加工するための第１層及び上部６２に加工するための第２層がスパッタリング法によって形成された後に、第２層及び第１層の上に配置されたレジスト（図示せず）から露出した部分をウェットエッチング及びドライエッチング等により除去することによって形成される。

【0093】

更に、リブ５の平面形状にパターニングされたレジストが配置され、絶縁層５ａのうち当該レジストから露出した部分がドライエッチングにより除去される。これにより、図１４に示すような開口ＡＰ（ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３）を有するリブ５が形成される。

【0094】

ここでは第２表示領域ＤＡ２においてリブ５、隔壁６及び透明導電層７が形成されるものとして説明したが、リブ５及び隔壁６は、第２表示領域ＤＡ２におけるリブ５及び隔壁６と同じ工程で、第１表示領域ＤＡ１にも形成される。

【0095】

このように第１表示領域ＤＡ１においてリブ５及び隔壁６が形成され、第２表示領域ＤＡ２においてリブ５、隔壁６及び透明導電層７が形成された場合、図５～図７において説明したように各開口ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３において表示素子２０が形成され、更に樹脂層１４、封止層１５及び樹脂層１６が形成される。これによって、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの構造が実現される。

【0096】

なお、ここでは図１２～図１４において説明したようにリブ５、隔壁６及び透明導電層７が形成されるものとして説明したが、図１４に示す構造が実現されるのであれば、当該リブ５、隔壁６及び透明導電層７が形成される順序は変更されてもよい。具体的には、例えば絶縁層１３及び下電極ＬＥを覆うように形成された当該絶縁層５ａをリブ５に加工した後に、透明導電層７及び隔壁６を形成するようにしてもよい。換言すれば、透明導電層７及び隔壁６を形成するよりも前に開口ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３を形成してもよい。

【0097】

上記したように本実施形態に係る表示装置ＤＳＰは、基材１０と、当該基材１０の上に配置される下電極ＬＥと、当該下電極と重畳する開口ＡＰを有するリブ５と、当該リブ５の上に配置された下部６１と当該下部６１の側面から突出した上部６２とを有する隔壁６と、当該開口ＡＰを通じて当該下電極ＬＥと接触する有機層ＯＲと、当該有機層ＯＲの上に配置された上電極ＵＥと、上電極ＵＥ及び隔壁６を覆う封止層ＳＥとを備える。また、本実施形態において、下電極ＬＥは、基材１０上の第１表示領域ＤＡ（第１領域）に配置された複数の下電極ＬＥ（第１下電極）と、第１表示領域ＤＡ１とは異なる第２表示領域ＤＡ２に配置された複数の下電極ＬＥ（第２下電極）とを含み、開口ＡＰは、第１表示領域ＤＡ１に配置された複数の下電極ＬＥと重畳する複数の開口ＡＰ（第１開口）と、第２表示領域ＤＡ２に配置された複数の下電極ＬＥと重畳する複数の開口ＡＰ（第２開口）とを含む。

【0098】

この場合、本実施形態において、隔壁６は、第１表示領域ＤＡ１における複数の開口ＡＰを区画する隔壁６（第１隔壁）と、第２表示領域ＤＡ２における複数の開口ＡＰの各々を区画する複数の隔壁６とを含み、当該第２表示領域ＤＡ２における複数の開口ＡＰの各々の面積は、第１表示領域ＤＡ１における複数の開口ＡＰの各々の面積よりも小さい。更に、第２表示領域ＤＡ２における複数の隔壁６の各々は、他の隔壁６と間隙を有するように配置されており、リブ部５の上に配置された透明導電層７によって当該他の隔壁６と電気的に接続される。このように第１表示領域ＤＡ１と同様に第２表示領域ＤＡ２においても有機層ＯＲを下電極ＬＥ、リブ部５、隔壁６と封止層ＳＥによって封止し各画素が独立して形成されているため、たとえ水分侵入等により１つの画素が滅点になったとしても、他の画素に水分が拡がることがなく画素の滅点の拡がりを抑制することができる。なお、本実施形態において、第２表示領域ＤＡ２は、例えば表示装置ＤＳＰを介して光が入射されるカメラ１００（撮像素子）と重畳する位置に配置される。

【0099】

本実施形態においては、上記した構成により、カメラ１００に入射させるための光を第２表示領域ＤＡ２に形成された透明導電層７を介して透過させることができるため、当該第２表示領域ＤＡ２における光透過率を向上させることができる。また、本実施形態においては、上記した図１１に示すように、透明導電層７と重畳する位置には上電極ＵＥや封止層ＳＥを配置する必要もないため、当該透明導電層７が配置されている領域においては高い光透過率を実現することができる。

【0100】

また、本実施形態においては、第２表示領域ＤＡ２における複数の隔壁６の各々が透明導電層７の一部を覆うように配置されており、当該複数の隔壁６は互いに透明導電層７を介して電気的に接続される。このため、第２表示領域ＤＡ２においても第１表示領域ＤＡ１と同様に、複数の隔壁６の各々を介して上電極ＵＥに共通電圧を適切に供給することができる。

【0101】

更に、本実施形態においては、第２表示領域ＤＡ２における単位面積あたりの開口ＡＰの数を、第１表示領域ＤＡ１における単位面積あたりの開口ＡＰの数と同一にする（つまり、第１表示領域ＤＡ１と第２表示領域ＤＡ２とで解像度を同一にする）ことが可能であるため、当該第１表示領域ＤＡ１と当該第２表示領域ＤＡ２とにおける表示品位の差異を低減することができる。また、第１表示領域ＤＡ１と当該第２表示領域ＤＡ２とにおける表示品位の差異を低減することにより、当該第１表示領域ＤＡ１と当該第２表示領域ＤＡ２との境界が視認されることを抑制する、または、表示装置ＤＳＰの背面に位置するカメラ１００を視認されにくくすることができると考えられる。

【0102】

ただし、第２表示領域ＤＡ２における開口ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３の面積は第１表示領域ＤＡ１における開口ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３の面積よりも小さいため、当該第２表示領域ＤＡ２に配置されている画素ＰＸ（副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３）の輝度は、第１表示領域ＤＡ１に配置されている画素ＰＸ（副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３）よりも低下する。このため、本実施形態においては、第２表示領域ＤＡ１に配置されている画素ＰＸ（副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３）に供給される電圧を調整することによって、当該第１表示領域ＤＡ１と当該第２表示領域ＤＡ２とに配置されている画素ＰＸ間の輝度の差異を低減するようにすることが好ましい。

【0103】

なお、本実施形態においては、例えば第１表示領域ＤＡ１における開口ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３の面積の比率と、第２表示領域ＤＡ２における開口ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３の面積の比率とが概ね同一であるものとして説明したが、当該比率は異なっていてもよい。具体的には、例えば第１表示領域ＤＡ１においては、開口ＡＰ２の面積が開口ＡＰ１の面積よりも大きく、開口ＡＰ３の面積が開口ＡＰ２の面積よりも大きいものとして説明したが、第２表示領域ＤＡ２における開口ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３の面積は同一であってもよい。

【0104】

また、上記した第２表示領域ＤＡ２における開口ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３の面積（開口比率）は、例えば表示装置ＤＳＰの背面に配置されるカメラ１００の性能（当該カメラ１００が要求する光量等）に基づいて設計されても構わない。

【0105】

更に、上記したカメラ１００の性能に応じてより高い透過率が必要であるような場合には、図１５に示すように、第２表示領域ＤＡ２に配置されている画素ＰＸを間引く（つまり、第２表示領域ＤＡ２における単位面積あたりの開口ＡＰの数を第１表示領域ＤＡ１における単位面積あたりの開口ＡＰの数よりも少なくし、第２表示領域ＤＡ２において透明導電層７が占める面積を増大させる）構成を採用してもよい。

【0106】

また、図１０に示す例では第２表示領域ＤＡ２における開口ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３がそれぞれ円形形状を有するものとして説明したが、当該第２表示領域ＤＡ２における開口ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３は、第１表示領域ＤＡ１における開口ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３よりも面積が小さいのであれば、他の形状を有していてもよい。具体的には、第２表示領域ＤＡ２における開口ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３は、図１６及び図１７に示すような矩形形状を有していてもよい。更に、第２表示領域ＤＡ２における開口ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３は、それぞれ異なる形状を有していてもよい。なお、図１６及び図１７に示す矩形形状や他の形状を有する開口ＡＰ１、ＡＰ２及びＡＰ３の場合であっても、上記した図１５において説明した画素ＰＸを間引く構成が適用されてもよい。

【0107】

なお、本実施形態においては複数の隔壁６の間に配置されている透明導電層７を光が透過してカメラ１００に入射することになるが、当該複数の隔壁６がスリットを形成するものとすると、このようなスリットを通過（透過）する光は回折し、当該スリットの下側に位置するカメラ１００（撮像素子の撮像面）において干渉縞が形成される可能性がある。この場合、隔壁６が直線状に形成されている場合と比較して、当該隔壁６を曲線状の形状を有するように形成した場合には、当該隔壁６によって形成されるスリットを通過する光が回折する方向（角度）を分散することができるため、カメラ１００によって撮像される画像に影響を与えるほどの干渉縞が撮像面において形成されないようにすることができる。すなわち、第２表示領域ＤＡ２における開口ＡＰ１、ＡＰ２、ＡＰ３及び隔壁６の形状は、カメラ１００によって撮像される画像に影響を与えないという観点から設計されることが好ましい。

【0108】

また、本実施形態においては表示装置ＤＳＰの背面にカメラ１００（が有する撮像素子）が配置される場合を想定しているが、本実施形態は、入射した光を電気信号に変換する受光素子等を含むセンサまたは当該センサを備えるデバイスが当該表示装置ＤＳＰの背面に配置されるような場合に適用可能である。すなわち、本実施形態に係るＤＳＰは表示領域ＤＡのうちの所定の領域における光透過率を向上させる構成であればよく、表示装置ＤＳＰの背面に配置されるものについては限定されない。

【0109】

なお、本実施形態においては、第２表示領域ＤＡ２における複数の開口ＡＰの各々の面積が第１表示領域ＤＡ１における複数の開口ＡＰの各々の面積よりも小さいものとして説明したが、本実施形態は、例えば第２表示領域ＤＡに配置される副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３の各々の面積が第１表示領域ＤＡ１に配置される副画素ＳＰ１、ＳＰ２及びＳＰ３の各々の面積よりも小さい構成であるということもできる。

【0110】

以上、本発明の実施形態として説明した表示装置及び表示装置の製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置及び表示装置の製造方法も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

【0111】

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、若しくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

【0112】

また、上述の実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

【符号の説明】

【0113】

ＤＳＰ…表示装置、ＤＡ…表示領域、ＤＡ１…第１表示領域、ＤＡ２…第２表示領域、ＮＤＡ…非表示領域、ＰＸ…画素、ＳＰ，ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３…副画素、ＡＰ，ＡＰ１，ＡＰ２，ＡＰ３…開口、ＬＥ，ＬＥ１，ＬＥ２，ＬＥ３…下電極、ＵＥ，ＵＥ１，ＵＥ２，ＵＥ３…上電極、ＯＲ，ＯＲ１，ＯＲ２，ＯＲ３…有機層、ＳＥ，ＳＥ１，ＳＥ２，ＳＥ３…封止層、１…画素回路、２…画素スイッチ、３…駆動トランジスタ、４…キャパシタ、５…リブ、６…隔壁、７…透明導電層、１０…基材、１１…絶縁層、１２…回路層、１３…絶縁層、１４…樹脂層、１５…封止層、１６…樹脂層、２０…表示素子、６１…下部、６２…上部。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】