ホーム > 特許ランキング > 日本特殊陶業株式会社
知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2025009134
(43)【公開日】2025-01-20
(54)【発明の名称】メタルマスクおよび印刷方法
(51)【国際特許分類】
B41N 1/24 20060101AFI20250110BHJP
B41M 1/12 20060101ALI20250110BHJP
【ＦＩ】
B41N1/24
B41M1/12
【審査請求】未請求
【請求項の数】6
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023111928
(22)【出願日】2023-07-07
(71)【出願人】
【識別番号】000004547
【氏名又は名称】日本特殊陶業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100160691
【弁理士】
【氏名又は名称】田邊 淳也
(74)【代理人】
【識別番号】100182718
【弁理士】
【氏名又は名称】木崎 誠司
(72)【発明者】
【氏名】柴谷 健伍
(72)【発明者】
【氏名】倉橋 元信
(72)【発明者】
【氏名】今西 豊
(72)【発明者】
【氏名】菊地 真史
【テーマコード（参考）】
2H113
2H114
【Ｆターム（参考）】
2H113BA10
2H113BB22
2H113BC12
2H114AB11
2H114AB15
2H114EA02
(57)【要約】
【課題】印刷版の版強度の低下を抑制した上で、にじみを抑制した良好な印刷を行う。
【解決手段】メタルマスクは、一対の主面と、一対の主面を貫通する複数の開口とを有する第１マスク層と、複数の開口が形成され、第１マスク層の一方の主面に積層される第２マスク層と、を備え、第１マスク層と第２マスク層の積層方向からみたときに、第２マスク層に形成された複数の開口は、第１マスク層に形成された開口と少なくとも一部が重なる第１開口と、第１マスク層に形成された開口と重ならず、第１マスク層の一方の主面のうち開口が形成されていない領域と重なる第２開口と、を含んでいる。
【選択図】図１
【解決手段】メタルマスクは、一対の主面と、一対の主面を貫通する複数の開口とを有する第１マスク層と、複数の開口が形成され、第１マスク層の一方の主面に積層される第２マスク層と、を備え、第１マスク層と第２マスク層の積層方向からみたときに、第２マスク層に形成された複数の開口は、第１マスク層に形成された開口と少なくとも一部が重なる第１開口と、第１マスク層に形成された開口と重ならず、第１マスク層の一方の主面のうち開口が形成されていない領域と重なる第２開口と、を含んでいる。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
メタルマスクであって、
一対の主面と、前記一対の主面を貫通する複数の開口とを有する第１マスク層と、
複数の開口が形成され、前記第１マスク層の一方の主面に積層される第２マスク層と、
を備え、
前記第１マスク層と前記第２マスク層の積層方向からみたときに、前記第２マスク層に形成された前記複数の開口は、
前記第１マスク層に形成された開口と少なくとも一部が重なる第１開口と、
前記第１マスク層に形成された開口と重ならず、前記第１マスク層の前記一方の主面のうち開口が形成されていない領域と重なる第２開口と、
を含んでいる、
ことを特徴とするメタルマスク。
一対の主面と、前記一対の主面を貫通する複数の開口とを有する第１マスク層と、
複数の開口が形成され、前記第１マスク層の一方の主面に積層される第２マスク層と、
を備え、
前記第１マスク層と前記第２マスク層の積層方向からみたときに、前記第２マスク層に形成された前記複数の開口は、
前記第１マスク層に形成された開口と少なくとも一部が重なる第１開口と、
前記第１マスク層に形成された開口と重ならず、前記第１マスク層の前記一方の主面のうち開口が形成されていない領域と重なる第２開口と、
を含んでいる、
ことを特徴とするメタルマスク。
【請求項2】
請求項１に記載のメタルマスクであって、
前記第１マスク層は、前記複数の開口が所定のパターン状に形成されたパターン形成領域を有しており、
前記積層方向からみたときに、
前記第２マスク層の前記第１開口は、前記第１マスク層の前記パターン形成領域に重なる位置に形成され、
前記第２マスク層の前記第２開口は、前記第１マスク層の前記パターン形成領域の外側を囲むように形成されている、
ことを特徴とするメタルマスク。
前記第１マスク層は、前記複数の開口が所定のパターン状に形成されたパターン形成領域を有しており、
前記積層方向からみたときに、
前記第２マスク層の前記第１開口は、前記第１マスク層の前記パターン形成領域に重なる位置に形成され、
前記第２マスク層の前記第２開口は、前記第１マスク層の前記パターン形成領域の外側を囲むように形成されている、
ことを特徴とするメタルマスク。
【請求項3】
請求項１に記載のメタルマスクであって、
前記第１マスク層は、
前記複数の開口が所定のパターン状に形成された第１パターン形成領域と、
前記複数の開口が所定のパターン状に形成された前記第１パターン形成領域とは異なる第２パターン形成領域と、
前記第１パターン形成領域と前記第２パターン形成領域の間に形成された線状の領域であって、開口が形成されていない線状の領域と、
を有しており、
前記積層方向からみたときに、前記第２マスク層の前記第２開口は、前記第１マスク層の前記線状の領域と重なり、前記線状の領域の中心線を含むように前記中心線に沿って形成されている、
ことを特徴とするメタルマスク。
前記第１マスク層は、
前記複数の開口が所定のパターン状に形成された第１パターン形成領域と、
前記複数の開口が所定のパターン状に形成された前記第１パターン形成領域とは異なる第２パターン形成領域と、
前記第１パターン形成領域と前記第２パターン形成領域の間に形成された線状の領域であって、開口が形成されていない線状の領域と、
を有しており、
前記積層方向からみたときに、前記第２マスク層の前記第２開口は、前記第１マスク層の前記線状の領域と重なり、前記線状の領域の中心線を含むように前記中心線に沿って形成されている、
ことを特徴とするメタルマスク。
【請求項4】
請求項３に記載のメタルマスクであって、
前記積層方向からみたとき、前記線状の領域は、自身の幅方向において９０％以上が前記第２開口と重なっている、
ことを特徴とするメタルマスク。
前記積層方向からみたとき、前記線状の領域は、自身の幅方向において９０％以上が前記第２開口と重なっている、
ことを特徴とするメタルマスク。
【請求項5】
請求項１に記載のメタルマスクであって、
前記第１マスク層において開口が形成されていない領域を、印刷時のスキージ方向に沿って上流側領域と下流側領域に均等に分けた場合、前記積層方向からみたときに、前記上流側領域において前記第２マスク層の前記第２開口が重なる領域の面積の合計は、前記下流側領域において前記第２マスク層の前記第２開口が重なる領域の面積の合計よりも大きい、
ことを特徴とするメタルマスク。
前記第１マスク層において開口が形成されていない領域を、印刷時のスキージ方向に沿って上流側領域と下流側領域に均等に分けた場合、前記積層方向からみたときに、前記上流側領域において前記第２マスク層の前記第２開口が重なる領域の面積の合計は、前記下流側領域において前記第２マスク層の前記第２開口が重なる領域の面積の合計よりも大きい、
ことを特徴とするメタルマスク。
【請求項6】
印刷方法であって、
一対の主面と、前記一対の主面を貫通する複数の開口とを有する第１マスク層と、複数の開口が形成され、前記第１マスク層の一方の主面に積層される第２マスク層と、を備えるメタルマスクを準備する工程と、
前記第２マスク層の一対の主面のうち、前記第１マスク層が積層されていない一方の主面に基板を配置する工程と、
前記第１マスク層の他方の主面からインクをスキージ方向に沿って押し出す工程と、
を備え、
前記第１マスク層と前記第２マスク層の積層方向からみたときに、前記第２マスク層に形成された前記複数の開口は、
前記第１マスク層に形成された開口と少なくとも一部が重なる第１開口と、
前記第１マスク層に形成された開口と重ならず、前記第１マスク層の前記一方の主面のうち開口が形成されていない領域と重なる第２開口と、
を含み、
前記第１マスク層において開口が形成されていない領域を、前記スキージ方向に沿って上流側領域と下流側領域に均等に分けた場合、前記積層方向からみたときに、前記上流側領域において前記第２マスク層の前記第２開口が重なる領域の面積の合計は、前記下流側領域において前記第２マスク層の前記第２開口が重なる領域の面積の合計よりも大きい、
ことを特徴とする印刷方法。
一対の主面と、前記一対の主面を貫通する複数の開口とを有する第１マスク層と、複数の開口が形成され、前記第１マスク層の一方の主面に積層される第２マスク層と、を備えるメタルマスクを準備する工程と、
前記第２マスク層の一対の主面のうち、前記第１マスク層が積層されていない一方の主面に基板を配置する工程と、
前記第１マスク層の他方の主面からインクをスキージ方向に沿って押し出す工程と、
を備え、
前記第１マスク層と前記第２マスク層の積層方向からみたときに、前記第２マスク層に形成された前記複数の開口は、
前記第１マスク層に形成された開口と少なくとも一部が重なる第１開口と、
前記第１マスク層に形成された開口と重ならず、前記第１マスク層の前記一方の主面のうち開口が形成されていない領域と重なる第２開口と、
を含み、
前記第１マスク層において開口が形成されていない領域を、前記スキージ方向に沿って上流側領域と下流側領域に均等に分けた場合、前記積層方向からみたときに、前記上流側領域において前記第２マスク層の前記第２開口が重なる領域の面積の合計は、前記下流側領域において前記第２マスク層の前記第２開口が重なる領域の面積の合計よりも大きい、
ことを特徴とする印刷方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、メタルマスクおよび印刷方法に関する。
【背景技術】
【0002】
印刷版を用いてペースト吐出によりパターンを形成するスクリーン印刷のうち、メタルマスクを用いた印刷方法が知られている（例えば、特許文献１～３参照）。特許文献１には、平面上の複数のポストが全面にわたって配置されているメタルマスクが記載されている。特許文献２には、片面に複数のリブが配置されたメタルマスクが記載されている。特許文献３には、エッチング加工が施されたメタルマスクが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００７－２３０２２３号公報
【特許文献2】特開平９－３００５７３号公報
【特許文献3】特開平１１－３２１１４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
メタルマスクを用いた印刷では、印刷スキージの進行方向に位置するパターン部分において、印刷版離れが悪く、パターンににじみが発生しやすいおそれがある。特許文献１，２に記載されたメタルマスクを用いることにより、にじみの発生を抑制できる。しかしながら、特許文献１，２に記載されたメタルマスクでは、複数のポストまたは複数のリブが全面に配置されているため、版強度が弱くなってしまう。特許文献３に記載されたメタルマスクはエッチング加工されているため、メタルマスクに対する微細加工のような自由な設計が困難である。
【0005】
本発明は、上述した課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、印刷版の版強度の低下を抑制した上で、にじみを抑制した良好な印刷を行うことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明は、上述した課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現できる。
【0007】
（１）本発明の一形態によれば、メタルマスクが提供される。このメタルマスクは、一対の主面と、前記一対の主面を貫通する複数の開口とを有する第１マスク層と、複数の開口が形成され、前記第１マスク層の一方の主面に積層される第２マスク層と、を備え、前記第１マスク層と前記第２マスク層の積層方向からみたときに、前記第２マスク層に形成された前記複数の開口は、前記第１マスク層に形成された開口と少なくとも一部が重なる第１開口と、前記第１マスク層に形成された開口と重ならず、前記第１マスク層の前記一方の主面のうち開口が形成されていない領域と重なる第２開口と、を含んでいる。
【0008】
この構成によれば、開口が形成される形状や位置が異なる第１マスク層と第２マスク層とが積層されてメタルマスクが形成されている。印刷時に、第２マスク層に形成された複数の開口のうち、第１マスク層に形成された開口に少なくとも一部が重なる第１開口に対応したパターンが、印刷対象に形成される。一方で、第２マスク層に形成された複数の開口のうち、第１マスク層に形成された開口の領域と重ならない第２開口では、ペーストが印刷対象に吐出されないため、パターンが形成されない。本構成と異なり、第２開口が存在しない第２マスク層は、印刷時に、第２開口が存在しない部分で印刷対象に密着する。それに対し、本構成では、印刷時に、第２開口の領域で印刷対象に密着しないため、印刷版離れが良くなり、印刷対象に形成されるパターンに発生するにじみが抑制される。第２開口は、パターンににじみが発生しやすい領域に対応する第２マスク層に形成されればよく、その他の場所に必要以上に形成されなくてもよい。この結果、本構成では、印刷版の版強度の低下を抑制した上で、印刷対象に対するにじみの発生を抑制した良好な印刷を行うことができる。
【0009】
（２）上記形態のメタルマスクにおいて、前記第１マスク層は、前記複数の開口が所定のパターン状に形成されたパターン形成領域を有しており、前記積層方向からみたときに、前記第２マスク層の前記第１開口は、前記第１マスク層の前記パターン形成領域に重なる位置に形成され、前記第２マスク層の前記第２開口は、前記第１マスク層の前記パターン形成領域の外側を囲むように形成されていてもよい。
この構成によれば、パターン形成領域と重なる位置に形成された第１開口により、印刷対象に対して所定のパターンを形成できる。印刷対象でにじみが発生する領域は、ペーストが吐出された近傍である。そのため、第２開口がパターン形成領域の外側を囲むように形成されることにより、パターン形成領域に吐出されたペーストが、その他の領域へとにじむことが抑制される。
この構成によれば、パターン形成領域と重なる位置に形成された第１開口により、印刷対象に対して所定のパターンを形成できる。印刷対象でにじみが発生する領域は、ペーストが吐出された近傍である。そのため、第２開口がパターン形成領域の外側を囲むように形成されることにより、パターン形成領域に吐出されたペーストが、その他の領域へとにじむことが抑制される。
【0010】
（３）上記形態のメタルマスクにおいて、前記第１マスク層は、前記複数の開口が所定のパターン状に形成された第１パターン形成領域と、前記複数の開口が所定のパターン状に形成された前記第１パターン形成領域とは異なる第２パターン形成領域と、前記第１パターン形成領域と前記第２パターン形成領域の間に形成された線状の領域であって、開口が形成されていない線状の領域と、を有しており、前記積層方向からみたときに、前記第２マスク層の前記第２開口は、前記第１マスク層の前記線状の領域と重なり、前記線状の領域の中心線を含むように前記中心線に沿って形成されていてもよい。
この構成によれば、積層方向からみたときに、第１パターン形成領域と第２パターン形成領域との間に、印刷対象にパターンが形成されない線状の領域が存在する。第２開口は、線状の領域の中心線を含むように形成される。すなわち、第２開口は、線状の領域において、中心線に沿って中央部分に形成されている。そのため、印刷時に、第１パターン形成領域と第２パターン形成領域との一方に近い位置に偏って形成されていないため、印刷版離れが良くなり、印刷対象に発生するにじみが抑制される。
この構成によれば、積層方向からみたときに、第１パターン形成領域と第２パターン形成領域との間に、印刷対象にパターンが形成されない線状の領域が存在する。第２開口は、線状の領域の中心線を含むように形成される。すなわち、第２開口は、線状の領域において、中心線に沿って中央部分に形成されている。そのため、印刷時に、第１パターン形成領域と第２パターン形成領域との一方に近い位置に偏って形成されていないため、印刷版離れが良くなり、印刷対象に発生するにじみが抑制される。
【0011】
（４）上記形態のメタルマスクにおいて、前記積層方向からみたとき、前記線状の領域は、自身の幅方向において９０％以上が前記第２開口と重なっていてもよい。
この構成によれば、線状の領域の幅方向における９０％以上は、第２開口と重なっている。線状の領域のうち、より多くの領域が第２開口と重なることにより、印刷版離れがさらに良くなり、印刷対象に発生するにじみがさらに抑制される。
この構成によれば、線状の領域の幅方向における９０％以上は、第２開口と重なっている。線状の領域のうち、より多くの領域が第２開口と重なることにより、印刷版離れがさらに良くなり、印刷対象に発生するにじみがさらに抑制される。
【0012】
（５）上記形態のメタルマスクにおいて、前記第１マスク層において開口が形成されていない領域を、印刷時のスキージ方向に沿って上流側領域と下流側領域に均等に分けた場合、前記積層方向からみたときに、前記上流側領域において前記第２マスク層の前記第２開口が重なる領域の面積の合計は、前記下流側領域において前記第２マスク層の前記第２開口が重なる領域の面積の合計よりも大きくてもよい。
この構成によれば、積層方向からみたときに、印刷対象にパターンが形成されない領域において、スキージ方向に沿った上流側領域と第２開口とが重なる領域の面積の合計が、下流側領域と第２開口とが重なる領域の面積の合計より大きい。すなわち、第２開口は、パターンが形成されない領域のうち、スキージ方向に沿った上流側に偏って形成される。パターンが形成される領域では、版離れが遅れることで、パターンの元となるペーストのにじみが進行してしまう。特に、にじみが発生しやすい場所は、スキージ進行方向に対して、第１開口から開口されていない領域へとスキージングされる場所、すなわち、パターンが形成されない領域における上流側の境界である。本構成では、パターンが形成されない領域のうち、スキージ方向に沿った上流側に第２開口が偏って形成される。これにより、第２開口の形成領域を少なくして版強度の低下が抑制された上で、印刷版離れが良好になる。
この構成によれば、積層方向からみたときに、印刷対象にパターンが形成されない領域において、スキージ方向に沿った上流側領域と第２開口とが重なる領域の面積の合計が、下流側領域と第２開口とが重なる領域の面積の合計より大きい。すなわち、第２開口は、パターンが形成されない領域のうち、スキージ方向に沿った上流側に偏って形成される。パターンが形成される領域では、版離れが遅れることで、パターンの元となるペーストのにじみが進行してしまう。特に、にじみが発生しやすい場所は、スキージ進行方向に対して、第１開口から開口されていない領域へとスキージングされる場所、すなわち、パターンが形成されない領域における上流側の境界である。本構成では、パターンが形成されない領域のうち、スキージ方向に沿った上流側に第２開口が偏って形成される。これにより、第２開口の形成領域を少なくして版強度の低下が抑制された上で、印刷版離れが良好になる。
【0013】
なお、本発明は、種々の態様で実現することが可能であり、例えば、メタルマスク、印刷版、およびこれらを備えるシステム等、印刷方法およびこれらを備えるシステム等の形態で実現できる。
【図面の簡単な説明】
【0014】
【図1】本発明の一実施形態としてのメタルマスクを用いた基板へのパターン形成の説明図である。
【図2】積層方向からみた場合のメタルマスクの概略上面図である。
【図4】メタルマスクを用いた印刷方法のフローチャートである。
【図5】第１実施形態の第１変形例のメタルマスクの概略上面図である。
【図6】第１実施形態の第２変形例のメタルマスクの概略上面図である。
【図7】第２実施形態のメタルマスクの一部の概略上面図である。
【図8】第２実施形態の第１変形例のメタルマスクの一部の概略上面図である。
【図9】第２実施形態の第２変形例のメタルマスクの一部の概略上面図である。
【図10】第２実施形態の第３変形例のメタルマスクの一部の概略上面図である。
【図11】第３実施形態のメタルマスクの概略上面図である。
【図12】第３実施形態のメタルマスクの概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0015】
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の一実施形態としてのメタルマスク１を用いた基板ＢＤへのパターン形成の説明図である。図１に示されるメタルマスク１は、電子部品、ＩＣパッケージ、センサーデバイス、および半導体製造装置等の回路形成に用いられる。図１には、パターン形成時のメタルマスク１および基板ＢＤの概略断面図が示されている。パターン形成時に、基板ＢＤ上に配置されたメタルマスク１の上面である主面１１から、スキージＳＱによりスキージ方向に沿ってハンダペーストＰＳが流し込まれる。メタルマスク１の開口１３，２３Ａに吐出されたハンダペーストが基板ＢＤ上のパターンとして形成される。
図１は、本発明の一実施形態としてのメタルマスク１を用いた基板ＢＤへのパターン形成の説明図である。図１に示されるメタルマスク１は、電子部品、ＩＣパッケージ、センサーデバイス、および半導体製造装置等の回路形成に用いられる。図１には、パターン形成時のメタルマスク１および基板ＢＤの概略断面図が示されている。パターン形成時に、基板ＢＤ上に配置されたメタルマスク１の上面である主面１１から、スキージＳＱによりスキージ方向に沿ってハンダペーストＰＳが流し込まれる。メタルマスク１の開口１３，２３Ａに吐出されたハンダペーストが基板ＢＤ上のパターンとして形成される。
【0016】
図１に示されるメタルマスク１は、平板状の第１マスク層１０と、第１マスク層１０の一方の主面１２に積層された平板状の第２マスク層２０とを備えている。第１マスク層１０は、一対の主面１１，１２と、一対の主面１１，１２を貫通する複数の開口１３とを有している。第２マスク層２０は、一対の主面２１，２２と、一対の主面２１，２２を貫通する複数の開口２３とを有している。複数の開口２３は、第１開口２３Ａと、第２開口２３Ｂとから構成されている。第１開口２３Ａは、第１マスク層１０と第２マスク層２０の積層方向（Ｚ軸方向）からみたときに、第１マスク層１０に形成された開口１３と少なくとも一部が重なっている。一方で、第２開口２３Ｂは、積層方向からみたときに、第１マスク層１０に形成された開口１３と重ならず、第１マスク層１０の一方の主面１２のうち開口１３が形成されていない領域と重なっている。そのため、図２に示されるパターン形成時には、積層方向からみたときに、第２マスク層２０の第１開口２３Ａの領域に対応する基板ＢＤ上にスキージＳＱによるハンダペーストＰＳが流し込まれたパターンが形成される。一方で、第２マスク層２０の第２開口２３Ｂの領域に対応する基板ＢＤ上にはパターンが形成されない。なお、図１に示される直交座標系ＣＳは、スキージ方向に平行なＹ軸と、積層方向に平行なＺ軸と、Ｙ軸およびＺ軸に直交するＸ軸とによって構成されている。図１に示される直交座標系ＣＳと、図２以降に示される直交座標系ＣＳとは対応している。
【0017】
図２は、積層方向からみた場合のメタルマスク１の概略上面図である。図２には、基板ＢＤ上に形成されるパターンの領域にハッチングが施されている。換言すると、ハッチングが施された領域は、第２マスク層２０の第１開口２３Ａが形成された領域である。一方で、ハッチングが施されていない領域は、第１開口２３Ａが形成されていない領域であり、第２開口２３Ｂが形成された領域ＲＧ１，ＲＧ２を含んでいる。図２では、第２マスク層２０の第２開口２３Ｂの領域ＲＧ１，ＲＧ２が、破線で囲まれて示されている。なお、図１に示される概略断面は、図２におけるＡ－Ａ断面に対応している。
【0018】
図３は、図２における領域ＲＧ１の拡大図である。図３に示されるように、積層方向からみたときに、第２マスク層２０の第２開口２３Ｂの領域ＲＧ１は、基板ＢＤ上にパターンが形成されない領域のうち、スキージ方向の上流側に偏って配置されている。換言すると、第２マスク層２０において第１開口２３Ａが形成されていない領域を、スキージ方向に沿って中間線ＯＬｒにより上流側領域ＲＧ１ｕと下流側領域ＲＧ１ｄに均等に分けた場合に、領域ＲＧ１のうち、第２開口２３Ｂが重なる上流側領域ＲＧ１ｕの面積の合計は、第２開口２３Ｂが重なる下流側領域ＲＧ１ｄの面積の合計よりも大きい。なお、図３では、図２と異なり、パターンが形成されない領域のうち、上流側領域ＲＧ１ｕと、下流側領域ＲＧ１ｄとを区別するために、ハッチングが施されている。
【0019】
図２に示される第２開口２３Ｂの領域ＲＧ２は、領域ＲＧ１と同じように、基板ＢＤ上にパターンが形成されない領域のうち、スキージ方向の上流側に偏って配置されている。すなわち、第２マスク層２０において第１開口２３Ａが形成されていない領域を、スキージ方向に沿って上流側領域と下流側領域に均等に分けた場合に、上流側領域において第２開口２３Ｂが重なる領域の面積の合計は、下流側領域において第２開口２３Ｂが重なる領域の面積の合計よりも大きい。
【0020】
図４は、メタルマスク１を用いた印刷方法のフローチャートである。図４に示される印刷フローでは、初めに、メタルマスク１を準備する（ステップＳ１）。次に、メタルマスク１における第２マスク層２０の一対の主面２１，２２（図１）のうち、第１マスク層１０が積層されていない一方の主面２２に基板ＢＤを配置する（ステップＳ２）。第１マスク層１０の一対の主面１１，１２のうち、第２マスク層２０に対向していない主面１１からハンダペーストＰＳをスキージ方向にそって吐出されるスキージングを行い（ステップＳ３）、印刷フローが終了する。
【0021】
以上のように、本実施形態のメタルマスク１は、第１マスク層１０と、第１マスク層１０に積層された第２マスク層２０とを備えている。第１マスク層１０は、一対の主面１１，１２と、一対の主面１１，１２を貫通する複数の開口１３とを有している。第２マスク層２０は、一対の主面２１，２２を貫通する複数の開口２３を有している。複数の開口２３は、第１開口２３Ａと、第２開口２３Ｂとから構成されている。第１開口２３Ａは、第１マスク層１０と第２マスク層２０の積層方向からみたときに、第１マスク層１０に形成された開口１３と少なくとも一部が重なっている。一方で、第２開口２３Ｂは、積層方向からみたときに、第１マスク層１０に形成された開口１３と重ならず、第１マスク層１０の一方の主面１２のうち開口１３が形成されていない領域と重なっている。本実施形態では、開口が形成される形状や位置が異なる第１マスク層１０と第２マスク層２０とが積層されてメタルマスク１が形成されている。パターン形成時に、第２マスク層２０に形成された複数の開口２３のうち、第１マスク層１０に形成された開口１３に少なくとも一部が重なる第１開口２３Ａに対応したパターンが基板ＢＤに形成される。一方で、第２マスク層２０に形成された複数の開口２３のうち、第１マスク層１０に形成された開口１３の領域と重ならない第２開口２３Ｂでは、ペーストが吐出されないため、基板ＢＤにパターンが形成されない。本実施形態と異なり、第２開口２３Ｂが存在しない第２マスク層は、パターン形成時に、第２開口２３Ｂが存在しない部分で基板ＢＤに密着する。それに対し、本実施形態では、第２開口２３Ｂの領域で基板ＢＤに密着しないため、印刷版離れが良くなり、基板ＢＤに形成されるパターンに発生するにじみが抑制される。本実施形態の第２開口２３Ｂは、パターンににじみが発生しやすい領域に対応する第２マスク層２０に形成されればよく、その他の場所に必要以上に形成されなくてもよい。この結果、本実施形態では、メタルマスク１の版強度の低下が抑制された上で、基板ＢＤに対するにじみの発生が抑制された良好な印刷が行われる。
【0022】
また、本実施形態では、第２マスク層２０において第１開口２３Ａが形成されていない領域を、スキージ方向に沿って上流側領域ＲＧ１ｕと下流側領域ＲＧ１ｄに均等に分けた場合に、第２開口２３Ｂが重なる上流側領域ＲＧ１ｕの面積の合計は、第２開口２３Ｂが重なる下流側領域ＲＧ１ｄの面積の合計よりも大きい。本実施形態では、第２マスク層２０に形成された第２開口２３Ｂは、積層方向からみたときに、基板ＢＤにパターンが形成されない領域のうち、スキージ方向に沿った上流側に偏って形成される。基板ＢＤにパターンが形成される領域では、版離れが遅れることで、ハンダペーストＰＳのにじみが進行してしまう。特に、にじみが発生しやすい場所は、スキージの進行方向に対して、第１開口２３Ａから開口されていない領域へとスキージングされる場所、すなわち、パターンが形成されない領域における上流側の境界である。本実施形態では、パターンが形成されない領域のうち、スキージ方向に沿った上流側に第２開口２３Ｂが偏って形成される。これにより、第２開口２３Ｂの形成領域を少なくして版強度の低下が抑制された上で、印刷版離れが良好になる。
【0023】
＜第１実施形態の第１変形例＞
図５は、第１実施形態の第１変形例のメタルマスク１ａの概略上面図である。図５に示されるメタルマスク１ａが基板ＢＤに形成するパターンは、図１，２に示されるメタルマスク１が基板ＢＤに形成するパターンと異なる。すなわち、メタルマスク１ａが備える第１マスク層と第２マスク層とのそれぞれには、メタルマスク１が備える第１マスク層１０と第２マスク層２０に形成された開口１３，２３とは異なる開口が形成されている。
図５は、第１実施形態の第１変形例のメタルマスク１ａの概略上面図である。図５に示されるメタルマスク１ａが基板ＢＤに形成するパターンは、図１，２に示されるメタルマスク１が基板ＢＤに形成するパターンと異なる。すなわち、メタルマスク１ａが備える第１マスク層と第２マスク層とのそれぞれには、メタルマスク１が備える第１マスク層１０と第２マスク層２０に形成された開口１３，２３とは異なる開口が形成されている。
【0024】
図５では、図２と同じように、積層方向からみたときに、第２マスク層に形成された第１開口２３Ａａに対応して、基板ＢＤ上に形成されるパターンにハッチングが施されている。図５に示されるように、第１開口２３Ａａは、第２マスク層の積層方向に直交する面方向において、中心Ｏから半径Ｒ１の円の内側と、中心Ｏから半径Ｒ２（＞Ｒ１）の円の外側とに形成されている。一方で、図５において破線で示される第２開口２３Ｂａは、第２マスク層の面方向において、中心Ｏから半径Ｒ３（Ｒ１＜Ｒ３＜Ｒ２）の円弧の外側と、中心Ｏから半径Ｒ４（Ｒ３＜Ｒ４＜Ｒ２）の円弧の内側と、中間線ＯＬｒａとによって囲まれる領域ＲＧ１ａ内に形成されている。中間線ＯＬｒａは、第２マスク層において第１開口２３Ａａが形成されていない領域を、スキージ方向に沿って上流側領域と下流側領域とに均等に分けた場合の境界線である。すなわち、第２マスク層において第１開口２３Ａａが形成されていない領域を、スキージ方向に沿って中間線ＯＬｒａを基準として上流側領域と下流側領域に均等に分けた場合に、第２開口２３Ｂａが形成された上流側の領域ＲＧ１ａの面積の合計は、第２開口２３Ｂａが形成されていない下流側の面積の合計よりも大きい。
【0025】
以上のように、図５に示される第１実施形態の第１変形例のメタルマスク１ａでは、第２マスク層に形成された第２開口２３Ｂａが、積層方向からみたときに、基板ＢＤにパターンが形成されない領域のうち、スキージ方向に沿った上流側に偏って形成される。基板ＢＤにおいて、にじみが発生しやすい場所は、スキージの進行方向に対して、第１開口２３Ａａから開口されていない領域へとスキージングされる場所、すなわち、図５における半径Ｒ２のＹ軸負方向側の円弧近傍である。この第１変形例では、パターンが形成されない領域のうち、第２開口２３Ｂａが形成された領域ＲＧ１ａがスキージ方向に沿った上流側に偏って形成される。これにより、第２開口２３Ｂａの形成領域を少なくして版強度の低下が抑制された上で、印刷版離れが良好になる。
【0026】
＜第１実施形態の第２変形例＞
図６は、第１実施形態の第２変形例のメタルマスク１ｂの概略上面図である。図６に示されるメタルマスク１ｂでは、図５に示されるメタルマスク１ａに対して、第２マスク層に形成される第２開口２３Ｂｂが異なる。そのため、第２変形例では、第２開口２３Ｂｂについて説明し、第１変形例と形状が同じ第１開口２３Ａａ等の説明を省略する。
図６は、第１実施形態の第２変形例のメタルマスク１ｂの概略上面図である。図６に示されるメタルマスク１ｂでは、図５に示されるメタルマスク１ａに対して、第２マスク層に形成される第２開口２３Ｂｂが異なる。そのため、第２変形例では、第２開口２３Ｂｂについて説明し、第１変形例と形状が同じ第１開口２３Ａａ等の説明を省略する。
【0027】
図６に示されるように、積層方向からみたときに、第２開口２３Ｂｂは、第２マスク層において、中心Ｏから半径Ｒ３の外側と、中心Ｏから半径Ｒ４の内側とで囲まれる領域ＲＧｂに形成されている。第２開口２３Ｂｂが形成されている領域ＲＧｂは、第２マスク層において第１開口２３Ａａが形成されていない領域のうち、中間線ＯＬｒａを基準として、スキージ方向に沿った上流側領域の面積の合計と、下流側領域の面積との合計は同じである。このように、第２開口２３Ｂｂが形成される領域ＲＧｂは、スキージ方向に沿って上流側に偏って配置されていなくてもよい。
【0028】
＜第２実施形態＞
図７は、第２実施形態のメタルマスク１ｃの一部の概略上面図である。第２実施形態のメタルマスク１ｃが基板ＢＤに形成するパターンは、第１実施形態と異なり、図７でハッチングが施されたパターン形成領域ＲＰＴである。なお、図７には、メタルマスク１ｃの一部が示されており、第２実施形態のメタルマスク１ｃの全体では、図７に示される複数のパターン形成領域ＲＰＴが形成されている。複数のパターン形成領域ＲＰＴは、積層方向からみたときに、第２実施形態の第２マスク層に形成される第１開口２３Ａｃと同じ領域である。図７に示される１つのパターン形成領域ＲＰＴは、重心がＧであり、ＸＹ軸に平行な長さＬｘ０と、Ｘ軸に平行な長さＬｙ０とを有する長方形状の内側の領域である。また、第２実施形態では、積層方向からみたときに、第１マスク層において開口１３ｃが形成された領域は、第２マスク層において第１開口２３Ａｃが形成されたパターン形成領域ＲＰＴに重なる位置、すなわち同じ領域である。
図７は、第２実施形態のメタルマスク１ｃの一部の概略上面図である。第２実施形態のメタルマスク１ｃが基板ＢＤに形成するパターンは、第１実施形態と異なり、図７でハッチングが施されたパターン形成領域ＲＰＴである。なお、図７には、メタルマスク１ｃの一部が示されており、第２実施形態のメタルマスク１ｃの全体では、図７に示される複数のパターン形成領域ＲＰＴが形成されている。複数のパターン形成領域ＲＰＴは、積層方向からみたときに、第２実施形態の第２マスク層に形成される第１開口２３Ａｃと同じ領域である。図７に示される１つのパターン形成領域ＲＰＴは、重心がＧであり、ＸＹ軸に平行な長さＬｘ０と、Ｘ軸に平行な長さＬｙ０とを有する長方形状の内側の領域である。また、第２実施形態では、積層方向からみたときに、第１マスク層において開口１３ｃが形成された領域は、第２マスク層において第１開口２３Ａｃが形成されたパターン形成領域ＲＰＴに重なる位置、すなわち同じ領域である。
【0029】
第２実施形態の第２マスク層に形成された第２開口２３Ｂｃは、積層方向からみたときに、互いに重ならない大きさの異なる２つの矩形ＢＸ１，ＢＸ２のうち、一方の小さい方の矩形ＢＸ１の外側、かつ、他方の矩形ＢＸ２の内側の領域ＲＧｃである。図７に示されるように、領域ＲＧｃを形成する一方の矩形ＢＸ１の形状は、重心がＧであり、Ｘ軸に平行な長さＬｘ１（＞Ｌｘ０）と、Ｙ軸に平行な長さＬｙ１（＞Ｌｙ０）とを有する長方形である。他方の矩形ＢＸ２の形状は、矩形ＢＸ１よりも大きく、重心がＧであり、Ｘ軸に平行な長さＬｘ２（＞Ｌｘ１）と、Ｙ軸に平行な長さＬｙ２（＞Ｌｙ１）とを有する長方形である。そのため、第２実施形態では、第２マスク層に形成された第２開口２３Ｂｃは、積層方向からみたときに、第１マスク層の開口１３ｃの領域であるパターン形成領域ＲＰＴ、および、第２マスク層の第１開口２３Ａｃの領域であるパターン形成領域ＲＰＴの外側を囲むように形成されている。
【0030】
以上のように、第２実施形態の第１マスク層には、開口１３ｃとして、複数のパターン形成領域ＲＰＴが形成されている。積層方向からみたときに、第２マスク層に形成された第１開口２３Ａｃは、第１マスク層の開口１３ｃと重なる同じ位置に形成されている。一方で、第２マスク層に形成された第２開口２３Ｂｃは、パターン形成領域ＲＰＴを囲むように形成されている。そのため、第２実施形態では、パターン形成領域ＲＰＴと重なる位置に形成された第１開口２３Ａｃにより、基板ＢＤに対してパターンを形成できる。基板ＢＤ上でにじみが発生する領域は、ハンダペーストが吐出された近傍である。そのため、第２開口２３Ｂｃがパターン形成領域ＲＰＴの外側を囲むように形成されることにより、パターン形成領域ＲＰＴに吐出されたハンダペーストが、その他の領域へとにじむことが抑制される。
【0031】
＜第２実施形態の第１変形例＞
図８は、第２実施形態の第１変形例のメタルマスク１ｄの一部の概略上面図である。図８に示されるメタルマスク１ｄでは、図７に示される第２実施形態のメタルマスク１ｃに対して、第２マスク層に形成された第２開口２３Ｂｄが異なる。具体的には、第１変形例の第２開口２３Ｂｄは、積層方向からみたときに、図７の領域ＲＧｃ内において、互いに離間した複数の矩形ΔＢＸにより構成されている。複数の矩形ΔＢＸは、図８に示されるように、パターン形成領域ＲＰＴを取り囲むように、Ｘ軸とＹ軸とのそれぞれに沿って並んで配置されている。そのため、第１変形例のメタルマスク１ｄに形成された第２開口２３Ｂｄは、第２実施形態のメタルマスク１ｃの領域ＲＧｃから、隣接する矩形ΔＢＸを離間させている開口が形成されていない領域を差し引いた領域である。図７に示されるように、矩形ΔＢＸの各形状は、Ｘ軸に平行な長さΔＬｘ（＝（Ｌｘ２－Ｌｘ１）／２）と、Ｙ軸に平行な長さΔＬｙ（＝（Ｌｙ２－Ｌｙ１）／２）とを有する長方形である。このように、パターン形成領域ＲＰＴを取り囲む第２開口２３Ｂｄの形状については変形可能である。
図８は、第２実施形態の第１変形例のメタルマスク１ｄの一部の概略上面図である。図８に示されるメタルマスク１ｄでは、図７に示される第２実施形態のメタルマスク１ｃに対して、第２マスク層に形成された第２開口２３Ｂｄが異なる。具体的には、第１変形例の第２開口２３Ｂｄは、積層方向からみたときに、図７の領域ＲＧｃ内において、互いに離間した複数の矩形ΔＢＸにより構成されている。複数の矩形ΔＢＸは、図８に示されるように、パターン形成領域ＲＰＴを取り囲むように、Ｘ軸とＹ軸とのそれぞれに沿って並んで配置されている。そのため、第１変形例のメタルマスク１ｄに形成された第２開口２３Ｂｄは、第２実施形態のメタルマスク１ｃの領域ＲＧｃから、隣接する矩形ΔＢＸを離間させている開口が形成されていない領域を差し引いた領域である。図７に示されるように、矩形ΔＢＸの各形状は、Ｘ軸に平行な長さΔＬｘ（＝（Ｌｘ２－Ｌｘ１）／２）と、Ｙ軸に平行な長さΔＬｙ（＝（Ｌｙ２－Ｌｙ１）／２）とを有する長方形である。このように、パターン形成領域ＲＰＴを取り囲む第２開口２３Ｂｄの形状については変形可能である。
【0032】
＜第２実施形態の第２変形例＞
図９は、第２実施形態の第２変形例のメタルマスク１ｅの一部の概略上面図である。図９に示されるメタルマスク１ｅでは、積層方向からみたときに、図８に示される第１変形例の第２マスク層において、複数の矩形ΔＢＸに相当する領域に開口が形成されていない。その代わりに、メタルマスク１ｅの第２マスク層では、積層方向からみたときに、矩形ＢＸ３よりも外側であるとともに矩形ＢＸ４よりも内側である領域から、複数の矩形ΔＢＸを差し引いた領域に、第２開口２３Ｂｅが形成された領域ＲＧｅが形成されている。なお、図９では、開口が形成されない複数の矩形ΔＢＸ内に、パターン形成領域ＲＰＴに施されたハッチングよりも細かいハッチングが施されて表されている。
図９は、第２実施形態の第２変形例のメタルマスク１ｅの一部の概略上面図である。図９に示されるメタルマスク１ｅでは、積層方向からみたときに、図８に示される第１変形例の第２マスク層において、複数の矩形ΔＢＸに相当する領域に開口が形成されていない。その代わりに、メタルマスク１ｅの第２マスク層では、積層方向からみたときに、矩形ＢＸ３よりも外側であるとともに矩形ＢＸ４よりも内側である領域から、複数の矩形ΔＢＸを差し引いた領域に、第２開口２３Ｂｅが形成された領域ＲＧｅが形成されている。なお、図９では、開口が形成されない複数の矩形ΔＢＸ内に、パターン形成領域ＲＰＴに施されたハッチングよりも細かいハッチングが施されて表されている。
【0033】
図９に示されるように、矩形ＢＸ３の形状は、重心がＧであり、Ｘ軸に平行な長さＬｘ３（Ｌｘ０＜Ｌｘ３＜Ｌｘ１）と、Ｙ軸に平行な長さＬｙ３（Ｌｙ０＜Ｌｙ３＜Ｌｙ１）とを有する長方形である。矩形ＢＸ３は、図７に示される矩形ＢＸ１よりも小さい。図９に示されるように、矩形ＢＸ３よりも大きい矩形ＢＸ４の形状は、重心がＧであり、Ｘ軸に平行な長さＬｘ４（＞Ｌｘ２）と、Ｙ軸に平行な長さＬｙ４（＞Ｌｙ２）とを有する長方形である。矩形ＢＸ４は、図７に示される矩形ＢＸ２よりも大きい。このように、パターン形成領域ＲＰＴを取り囲む第２開口２３Ｂｅの形状については変形可能である。
【0034】
＜第２実施形態の第３変形例＞
図１０は、第２実施形態の第３変形例のメタルマスク１ｆの一部の概略上面図である。図９に示されるメタルマスク１ｆでは、積層方向からみたときに、図９に示される第２変形例の矩形ＢＸ４がより大きな矩形ＢＸ４ｆに変化している。さらに、図１０の第３変形例のメタルマスク１ｆでは、矩形ＢＸ４ｆが大きくなることにより、矩形ＢＸ３の外側かつ矩形ＢＸ４ｆの内側に開口として形成されていない矩形ΔＢＸの配置数が増加している。図１０では、図９と同じように、開口が形成されない複数の矩形ΔＢＸ内に、パターン形成領域ＲＰＴに施されたハッチングよりも細かいハッチングが施されて表されている。
図１０は、第２実施形態の第３変形例のメタルマスク１ｆの一部の概略上面図である。図９に示されるメタルマスク１ｆでは、積層方向からみたときに、図９に示される第２変形例の矩形ＢＸ４がより大きな矩形ＢＸ４ｆに変化している。さらに、図１０の第３変形例のメタルマスク１ｆでは、矩形ＢＸ４ｆが大きくなることにより、矩形ＢＸ３の外側かつ矩形ＢＸ４ｆの内側に開口として形成されていない矩形ΔＢＸの配置数が増加している。図１０では、図９と同じように、開口が形成されない複数の矩形ΔＢＸ内に、パターン形成領域ＲＰＴに施されたハッチングよりも細かいハッチングが施されて表されている。
【0035】
図１０に示されるように、矩形ＢＸ４ｆの形状は、積層方向からみたときに、重心がＧであり、Ｘ軸に平行な長さＬｘ４ｆ（＞Ｌｘ４）と、Ｙ軸に平行な長さＬｙ４ｆ（＞Ｌｙ４）とを有する長方形である。矩形ＢＸ３の外側かつ矩形ＢＸ４ｆの内側に配置された複数の矩形ΔＢＸは、図９に示されるよりも多く、Ｘ軸とＹ軸とのそれぞれに沿って並んで配置されている。そのため、メタルマスク１ｆの第２マスク層では、積層方向からみたときに、矩形ＢＸ３よりも外側であるとともに矩形ＢＸ４ｆよりも内側である領域から、複数の矩形ΔＢＸを差し引いた領域に、第２開口２３Ｂｆが形成された領域ＲＧｆが形成されている。このように、パターン形成領域ＲＰＴを取り囲む第２開口２３Ｂｆの形状については変形可能である。
【0036】
＜第３実施形態＞
図１１は、第３実施形態のメタルマスク１ｇの概略上面図である。図１２は、第３実施形態のメタルマスク１ｇの概略断面図である。第３実施形態のメタルマスク１ｇでは、図１２に示されるように、パターン形成を形成する第１マスク層１０ｇの開口１３ｇは、第２マスク層２０ｇの第１開口２３Ａｇと一部が重なっている。そのため、図１１でハッチングにより示されているように、積層方向からみたときに、第１パターン形成領域ＲＰＴ１と、第１パターン形成領域ＲＰＴ１とは異なる第２パターン形成領域ＲＰＴ２とに重なる基板ＢＤ状にパターンが形成される。図１１に示されるように、第１パターン形成領域ＲＰＴ１と第２パターン形成領域ＲＰＴ２との間には、積層方向からみたときに、折れ線の中心線ＯＬｇに沿って、基板ＢＤにパターンが形成されない領域が形成されている。このパターンが形成されない領域に重複する第２マスク層２０ｇの一部に、第２開口２３Ｂｇが形成されている。
図１１は、第３実施形態のメタルマスク１ｇの概略上面図である。図１２は、第３実施形態のメタルマスク１ｇの概略断面図である。第３実施形態のメタルマスク１ｇでは、図１２に示されるように、パターン形成を形成する第１マスク層１０ｇの開口１３ｇは、第２マスク層２０ｇの第１開口２３Ａｇと一部が重なっている。そのため、図１１でハッチングにより示されているように、積層方向からみたときに、第１パターン形成領域ＲＰＴ１と、第１パターン形成領域ＲＰＴ１とは異なる第２パターン形成領域ＲＰＴ２とに重なる基板ＢＤ状にパターンが形成される。図１１に示されるように、第１パターン形成領域ＲＰＴ１と第２パターン形成領域ＲＰＴ２との間には、積層方向からみたときに、折れ線の中心線ＯＬｇに沿って、基板ＢＤにパターンが形成されない領域が形成されている。このパターンが形成されない領域に重複する第２マスク層２０ｇの一部に、第２開口２３Ｂｇが形成されている。
【0037】
図１２には、図１１における領域ＡＲが拡大された断面図が示されている。図１２に示されるように、積層方向からみたときに、第２マスク層２０ｇにおいて、基板ＢＤに第１パターン形成領域ＲＰＴ１と第２パターン形成領域ＲＰＴ２が形成される領域には、第１開口２３Ａｇが形成されている。
【0038】
第２マスク層２０ｇにおいて、図１１，１２に示されるように、第１パターン形成領域ＲＰＴ１に重なる第１開口２３Ａｇと、第２パターン形成領域ＲＰＴ２に重なる第１開口２３Ａｇとの間には、中心線ＯＬｇを中心として長さＬｎＰＴの幅を有するパターンが形成されない折れ線状の領域ＲＢＬが形成されている。積層方向からみたときに、第２マスク層２０ｇの第２開口２３Ｂｇは、折れ線状の領域ＲＢＬの一部と重なり、折れ線状の領域ＲＢＬの中心線ＯＬｇを含むように、中心線ＯＬｇに沿って形成されている。第２開口２３Ｂｇは、中心線ＯＬｇに沿って長さＬ２３Ｂの幅で形成されている。なお、第２開口２３Ｂｇの中心線は、折れ線状の領域ＲＢＬの中心線ＯＬｇと重複している。第２開口２３Ｂｇにおける中心線ＯＬｇを中心とする幅の長さＬ２３Ｂは、折れ線状の領域ＲＢＬの幅の長さＬｎＰＴの９０％である。換言すると、折れ線状の領域ＲＢＬは、積層方向からみたときに、自身の幅方向において９０％が第２開口２３Ｂｇと重なっている。
【0039】
以上のように、第３実施形態では、第１パターン形成領域ＲＰＴ１と、第２パターン形成領域ＲＰＴ２との間には、中心線ＯＬｇを中心として長さＬｎＰＴの幅を有するパターンが形成されない折れ線状の領域ＲＢＬが形成されている。第２マスク層２０ｇの第２開口２３Ｂｇは、積層方向からみたときに、折れ線状の領域ＲＢＬと重なり、折れ線状の領域ＲＢＬの中心線ＯＬｇを含むように、中心線ＯＬｇに沿って形成されている。第３実施形態では、第２開口２３Ｂｇは、折れ線状の領域ＲＢＬにおいて、中心線ＯＬｇに沿って中央部分に形成されている。そのため、基板ＢＤへのパターン形成時に、第１パターン形成領域ＲＰＴ１と第２パターン形成領域ＲＰＴ２との一方に近い位置に偏って形成されていないため、基板ＢＤからメタルマスク１ｇの印刷版離れが良くなり、基板ＢＤに発生するにじみが抑制される。
【0040】
また、第３実施形態の折れ線状の領域ＲＢＬは、図１２に示されるように、積層方向からみたときに、自身の幅方向において９０％が第２開口２３Ｂｇと重なっている。すなわち、折れ線状の領域ＲＢＬの幅方向における９０％は、第２開口２３Ｂｇと重なっている。折れ線状の領域ＲＢＬのうち、より多くの領域が第２開口２３Ｂｇと重なることにより、基板ＢＤからメタルマスク１ｇの印刷版離れがさらに良くなり、基板ＢＤに発生するにじみがさらに抑制される。
【0041】
＜実施形態の変形例＞
本発明は上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。
本発明は上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。
【0042】
上記第１実施形態ないし第３実施形態のメタルマスクは、一例であって、第１マスク層１０に形成された開口１３と一部が重なる第１開口２３Ａと、第１マスク層１０の開口１３に重ならない第２開口２３Ｂとを備える範囲で変形可能である。上記第１実施形態のメタルマスク１では、図３に示されるように、第２マスク層２０において、積層方向からみたときに、第１開口２３Ａが形成されていない領域を、上流側領域ＲＧ１ｕと下流側領域ＲＧ１ｄに均等に分けた場合に、上流側領域ＲＧ１ｕの面積の合計は、下流側領域ＲＧ１ｄの面積の合計よりも大きい。しかし、上流側領域ＲＧ１ｕの面積の合計は、下流側領域ＲＧ１ｄの面積の合計以下であってもよい。
【0043】
上記第２実施形態のメタルマスク１ｃは、図７に示されるように、積層方向からみたときに、第２マスク層では、基板ＢＤにパターンが形成されるパターン形成領域ＲＰＴの外側を囲むように第２開口２３Ｂｃが形成された。しかし、第２開口２３Ｂｃは、パターン形成領域ＲＰＴの外側を囲むように、第２マスク層に形成されなくてもよい。例えば、第２開口２３Ｂｃは、パターン形成領域ＲＰＴの外側のうち、積層方向からみて、スキージ方向に沿った上流側の一部の第２マスク層に形成されてもよい。第２実施形態では、積層方向からみたときに、第１マスク層に形成された開口１３ｃと、第２マスク層に形成された第１開口２３Ａｃとが同じ領域であったが、異なっていてもよい。例えば、図１に示される第１実施形態のように、第２マスク層２０の第１開口２３Ａは、積層方向からみたときに、第１マスク層１０の第１開口２３Ａよりも広い面積を有していてもよい。一方で、他の実施形態では、第２マスク層に形成された第１マスク層の開口と一部が重なる第１開口は、積層方向からみたときに、第１マスク層の第１開口よりも狭い面積を有していてもよい。積層方向に沿った第１マスク層の厚さと第２マスク層の厚さとについても変形可能である。図１に示される第１実施形態のように、第２マスク層２０の厚さが、第１マスク層１０の厚さよりも大きくてもよい。第２マスク層の厚さは、第１マスク層の厚さ以下であってもよい。
【0044】
上記第３実施形態のメタルマスク１ｇは、図１２に示されるように、第１パターン形成領域ＲＰＴ１と、第２パターン形成領域ＲＰＴ２との間に形成された折れ線状の領域ＲＢＬは、積層方向からみたときに、自身の幅方向において９０％が第２開口２３Ｂｇと重なっていた。しかし、折れ線状の領域ＲＢＬは、積層方向からみたときに、自身の幅方向において９０％を超える範囲で第２開口２３Ｂｇと重なっていてもよいし、９０％未満の範囲で第２開口２３Ｂｇと重なっていてもよい。特に、折れ線状の領域ＲＢＬが、自身の幅方向において９０％以上の範囲で第２開口２３Ｂｇと重なっていることが好ましい。第２マスク層２０ｇの第２開口２３Ｂｇは、積層方向からみたときに、折れ線状の領域ＲＢＬの中心線ＯＬｇを含むように、中心線ＯＬｇに沿って形成されていた。しかし、第２開口２３Ｂｇは、中心線ＯＬｇを含まないように形成されていてもよい。例えば、第２開口２３Ｂｇは、中心線ＯＬｇがＸ軸に平行に延びる領域において、積層方向からみたときに、中心線ＯＬｇに重ならずに、スキージ方向に沿って中心線ＯＬｇよりも上流側の第２マスク層２０ｇに形成されてもよい。第３実施形態では、パターンが形成されない線状の領域が折れ線状の領域ＲＢＬであったが、線状の領域として、曲線状の領域であってもよい。また、線状の中心線に沿って形成される領域は、中心線に沿った位置によって幅方向の長さが異なっていてもよい。
【0045】
上記第１実施形態ないし第３実施形態では、例えば、図２に示されるように、メタルマスク１に対してスキージ方向が合わせて図示されたが、メタルマスク１からペースト形成時のスキージ方向を推定できる。パターン形成時に、版離れの遅れによってハンダペーストＰＳのにじみが発生しやすい場所は、スキージの進行方向に対して、第１開口２３Ａから開口されていない領域へとスキージングされる場所である。そのため、メタルマスク１をみたときに、第２マスク層２０においてパターンが形成されない第１開口２３Ａが形成されていない領域において、第２開口２３Ｂの位置によってスキージ方向を推定できる。具体的には、第１開口２３Ａが形成されていない領域において、第２開口２３Ｂが特定の方向（図２では、Ｙ軸負方向）に偏っている場合に、偏っている方向と反対の方向をスキージ方向として推定できる。
【0046】
以上、実施形態、変形例に基づき本態様について説明してきたが、上記した態様の実施の形態は、本態様の理解を容易にするためのものであり、本態様を限定するものではない。本態様は、その趣旨並びに特許請求の範囲を逸脱することなく、変更、改良され得ると共に、本態様にはその等価物が含まれる。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することができる。
【0047】
本発明は、以下の形態としても実現することが可能である。
［適用例１］
メタルマスクであって、
一対の主面と、前記一対の主面を貫通する複数の開口とを有する第１マスク層と、
複数の開口が形成され、前記第１マスク層の一方の主面に積層される第２マスク層と、
を備え、
前記第１マスク層と前記第２マスク層の積層方向からみたときに、前記第２マスク層に形成された前記複数の開口は、
前記第１マスク層に形成された開口と少なくとも一部が重なる第１開口と、
前記第１マスク層に形成された開口と重ならず、前記第１マスク層の前記一方の主面のうち開口が形成されていない領域と重なる第２開口と、
を含んでいる、
ことを特徴とするメタルマスク。
［適用例２］
適用例１に記載のメタルマスクであって、
前記第１マスク層は、前記複数の開口が所定のパターン状に形成されたパターン形成領域を有しており、
前記積層方向からみたときに、
前記第２マスク層の前記第１開口は、前記第１マスク層の前記パターン形成領域に重なる位置に形成され、
前記第２マスク層の前記第２開口は、前記第１マスク層の前記パターン形成領域の外側を囲むように形成されている、
ことを特徴とするメタルマスク。
［適用例３］
適用例１または適用例２に記載のメタルマスクであって、
前記第１マスク層は、
前記複数の開口が所定のパターン状に形成された第１パターン形成領域と、
前記複数の開口が所定のパターン状に形成された前記第１パターン形成領域とは異なる第２パターン形成領域と、
前記第１パターン形成領域と前記第２パターン形成領域の間に形成された線状の領域であって、開口が形成されていない線状の領域と、
を有しており、
前記積層方向からみたときに、前記第２マスク層の前記第２開口は、前記第１マスク層の前記線状の領域と重なり、前記線状の領域の中心線を含むように前記中心線に沿って形成されている、
ことを特徴とするメタルマスク。
［適用例４］
適用例１から適用例３までのいずれか一項に記載のメタルマスクであって、
前記積層方向からみたとき、前記線状の領域は、自身の幅方向において９０％以上が前記第２開口と重なっている、
ことを特徴とするメタルマスク。
［適用例５］
適用例１から適用例４までのいずれか一項に記載のメタルマスクであって、
前記第１マスク層において開口が形成されていない領域を、印刷時のスキージ方向に沿って上流側領域と下流側領域に均等に分けた場合、前記積層方向からみたときに、前記上流側領域において前記第２マスク層の前記第２開口が重なる領域の面積の合計は、前記下流側領域において前記第２マスク層の前記第２開口が重なる領域の面積の合計よりも大きい、
ことを特徴とするメタルマスク。
［適用例６］
印刷方法であって、
一対の主面と、前記一対の主面を貫通する複数の開口とを有する第１マスク層と、複数の開口が形成され、前記第１マスク層の一方の主面に積層される第２マスク層と、を備えるメタルマスクを準備する工程と、
前記第２マスク層の一対の主面のうち、前記第１マスク層が積層されていない一方の主面に基板を配置する工程と、
前記第１マスク層の他方の主面からインクをスキージ方向に沿って押し出す工程と、
を備え、
前記第１マスク層と前記第２マスク層の積層方向からみたときに、前記第２マスク層に形成された前記複数の開口は、
前記第１マスク層に形成された開口と少なくとも一部が重なる第１開口と、
前記第１マスク層に形成された開口と重ならず、前記第１マスク層の前記一方の主面のうち開口が形成されていない領域と重なる第２開口と、
を含み、
前記第１マスク層において開口が形成されていない領域を、前記スキージ方向に沿って上流側領域と下流側領域に均等に分けた場合、前記積層方向からみたときに、前記上流側領域において前記第２マスク層の前記第２開口が重なる領域の面積の合計は、前記下流側領域において前記第２マスク層の前記第２開口が重なる領域の面積の合計よりも大きい、
ことを特徴とする印刷方法。
［適用例１］
メタルマスクであって、
一対の主面と、前記一対の主面を貫通する複数の開口とを有する第１マスク層と、
複数の開口が形成され、前記第１マスク層の一方の主面に積層される第２マスク層と、
を備え、
前記第１マスク層と前記第２マスク層の積層方向からみたときに、前記第２マスク層に形成された前記複数の開口は、
前記第１マスク層に形成された開口と少なくとも一部が重なる第１開口と、
前記第１マスク層に形成された開口と重ならず、前記第１マスク層の前記一方の主面のうち開口が形成されていない領域と重なる第２開口と、
を含んでいる、
ことを特徴とするメタルマスク。
［適用例２］
適用例１に記載のメタルマスクであって、
前記第１マスク層は、前記複数の開口が所定のパターン状に形成されたパターン形成領域を有しており、
前記積層方向からみたときに、
前記第２マスク層の前記第１開口は、前記第１マスク層の前記パターン形成領域に重なる位置に形成され、
前記第２マスク層の前記第２開口は、前記第１マスク層の前記パターン形成領域の外側を囲むように形成されている、
ことを特徴とするメタルマスク。
［適用例３］
適用例１または適用例２に記載のメタルマスクであって、
前記第１マスク層は、
前記複数の開口が所定のパターン状に形成された第１パターン形成領域と、
前記複数の開口が所定のパターン状に形成された前記第１パターン形成領域とは異なる第２パターン形成領域と、
前記第１パターン形成領域と前記第２パターン形成領域の間に形成された線状の領域であって、開口が形成されていない線状の領域と、
を有しており、
前記積層方向からみたときに、前記第２マスク層の前記第２開口は、前記第１マスク層の前記線状の領域と重なり、前記線状の領域の中心線を含むように前記中心線に沿って形成されている、
ことを特徴とするメタルマスク。
［適用例４］
適用例１から適用例３までのいずれか一項に記載のメタルマスクであって、
前記積層方向からみたとき、前記線状の領域は、自身の幅方向において９０％以上が前記第２開口と重なっている、
ことを特徴とするメタルマスク。
［適用例５］
適用例１から適用例４までのいずれか一項に記載のメタルマスクであって、
前記第１マスク層において開口が形成されていない領域を、印刷時のスキージ方向に沿って上流側領域と下流側領域に均等に分けた場合、前記積層方向からみたときに、前記上流側領域において前記第２マスク層の前記第２開口が重なる領域の面積の合計は、前記下流側領域において前記第２マスク層の前記第２開口が重なる領域の面積の合計よりも大きい、
ことを特徴とするメタルマスク。
［適用例６］
印刷方法であって、
一対の主面と、前記一対の主面を貫通する複数の開口とを有する第１マスク層と、複数の開口が形成され、前記第１マスク層の一方の主面に積層される第２マスク層と、を備えるメタルマスクを準備する工程と、
前記第２マスク層の一対の主面のうち、前記第１マスク層が積層されていない一方の主面に基板を配置する工程と、
前記第１マスク層の他方の主面からインクをスキージ方向に沿って押し出す工程と、
を備え、
前記第１マスク層と前記第２マスク層の積層方向からみたときに、前記第２マスク層に形成された前記複数の開口は、
前記第１マスク層に形成された開口と少なくとも一部が重なる第１開口と、
前記第１マスク層に形成された開口と重ならず、前記第１マスク層の前記一方の主面のうち開口が形成されていない領域と重なる第２開口と、
を含み、
前記第１マスク層において開口が形成されていない領域を、前記スキージ方向に沿って上流側領域と下流側領域に均等に分けた場合、前記積層方向からみたときに、前記上流側領域において前記第２マスク層の前記第２開口が重なる領域の面積の合計は、前記下流側領域において前記第２マスク層の前記第２開口が重なる領域の面積の合計よりも大きい、
ことを特徴とする印刷方法。
【符号の説明】
【0048】
１，１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ，１ｇ…メタルマスク
１０…第１マスク層
１１，１２…第１マスク層の主面
１３，１３ｃ…第１マスク層の開口
２０，２０ｇ…第２マスク層
２１，２２…第２マスク層の主面
２３Ａ，２３Ａａ，２３Ａｃ，２３Ａｇ…第１開口
２３Ｂ，２３Ｂａ，２３Ｂｂ，２３Ｂｃ，２３Ｂｄ，２３Ｂｅ，２３Ｂｆ，２３Ｂｇ…第２開口
ＢＤ…基板
Ｏ…中心
ＯＬｇ…中心線
ＯＬｒ，ＯＬｒａ…中間線
ＰＳ…ハンダペースト
ＲＢＬ…折れ線状の領域
ＲＧ１，ＲＧ２，ＲＧ１ａ，ＲＧｂ，ＲＧｃ，ＲＧｅ，ＲＧｆ…領域
ＲＧ１ｄ…下流側領域
ＲＧ１ｕ…上流側領域
ＲＰＴ…パターン形成領域
ＲＰＴ１…第１パターン形成領域
ＲＰＴ２…第２パターン形成領域
１０…第１マスク層
１１，１２…第１マスク層の主面
１３，１３ｃ…第１マスク層の開口
２０，２０ｇ…第２マスク層
２１，２２…第２マスク層の主面
２３Ａ，２３Ａａ，２３Ａｃ，２３Ａｇ…第１開口
２３Ｂ，２３Ｂａ，２３Ｂｂ，２３Ｂｃ，２３Ｂｄ，２３Ｂｅ，２３Ｂｆ，２３Ｂｇ…第２開口
ＢＤ…基板
Ｏ…中心
ＯＬｇ…中心線
ＯＬｒ，ＯＬｒａ…中間線
ＰＳ…ハンダペースト
ＲＢＬ…折れ線状の領域
ＲＧ１，ＲＧ２，ＲＧ１ａ，ＲＧｂ，ＲＧｃ，ＲＧｅ，ＲＧｆ…領域
ＲＧ１ｄ…下流側領域
ＲＧ１ｕ…上流側領域
ＲＰＴ…パターン形成領域
ＲＰＴ１…第１パターン形成領域
ＲＰＴ２…第２パターン形成領域
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】