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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2025009153
(43)【公開日】2025-01-20
(54)【発明の名称】ＳｉＣ基板の加工方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20250110BHJP
B24B 1/00 20060101ALI20250110BHJP
B24B 7/04 20060101ALI20250110BHJP
B24B 37/00 20120101ALI20250110BHJP
B24B 37/12 20120101ALI20250110BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 622Q
B24B1/00 A
B24B7/04 A
B24B37/00 H
B24B37/12 D
【審査請求】未請求
【請求項の数】4
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023111961
(22)【出願日】2023-07-07
(71)【出願人】
【識別番号】000134051
【氏名又は名称】株式会社ディスコ
(74)【代理人】
【識別番号】100075384
【弁理士】
【氏名又は名称】松本 昂
(74)【代理人】
【識別番号】100172281
【弁理士】
【氏名又は名称】岡本 知広
(74)【代理人】
【識別番号】100206553
【弁理士】
【氏名又は名称】笠原 崇廣
(74)【代理人】
【識別番号】100189773
【弁理士】
【氏名又は名称】岡本 英哲
(74)【代理人】
【識別番号】100184055
【弁理士】
【氏名又は名称】岡野 貴之
(74)【代理人】
【識別番号】100185959
【弁理士】
【氏名又は名称】今藤 敏和
(72)【発明者】
【氏名】酒井 歩
(72)【発明者】
【氏名】鈴木 孝雅
【テーマコード（参考）】
3C043
3C049
3C158
5F057
【Ｆターム（参考）】
3C043BA03
3C043BA09
3C043BA16
3C043CC04
3C043DD05
3C043DD06
3C049AA02
3C049AA07
3C049AB04
3C049CA01
3C049CA05
3C049CB02
3C158AA07
3C158AB04
3C158AC04
3C158CB02
3C158DA02
3C158DA12
3C158DA17
3C158EA12
3C158EB01
3C158EB09
3C158EB29
3C158ED08
3C158ED09
3C158ED10
3C158ED11
3C158ED12
3C158ED23
5F057AA06
5F057AA21
5F057BA12
5F057BB09
5F057CA11
5F057DA03
5F057DA38
5F057EC30
5F057FA36
(57)【要約】
【課題】過マンガン酸イオンを含む研磨液を用いたＳｉＣ基板の研磨工程を含むＳｉＣ基板の加工方法において、ＳｉＣ基板の一面に高品質なエピタキシャル成長層を形成可能なＳｉＣ基板の加工方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板の一面に過マンガン酸塩が溶解した水溶液を含む酸性の研磨液を供給しながらＳｉＣ基板を研磨する研磨工程と、研磨工程後、ＳｉＣ基板の一面を洗浄する洗浄工程と、を備え、洗浄工程は、ＳｉＣ基板の他面をスピンナテーブルで保持した状態でスピンナテーブルを回転させながら、金属酸化物の金属と過マンガン酸塩のマンガン酸イオンとを還元可能な還元洗浄液をＳｉＣ基板の一面に供給する還元洗浄工程と、還元洗浄工程の後、還元洗浄液の供給を停止した上で、ＳｉＣ基板の他面を保持したスピンナテーブルを回転させながら、純水をＳｉＣ基板の該一面に供給する純水洗浄工程と、を有するＳｉＣ基板の加工方法を提供する。
【選択図】図１
【解決手段】ＳｉＣ基板の一面に過マンガン酸塩が溶解した水溶液を含む酸性の研磨液を供給しながらＳｉＣ基板を研磨する研磨工程と、研磨工程後、ＳｉＣ基板の一面を洗浄する洗浄工程と、を備え、洗浄工程は、ＳｉＣ基板の他面をスピンナテーブルで保持した状態でスピンナテーブルを回転させながら、金属酸化物の金属と過マンガン酸塩のマンガン酸イオンとを還元可能な還元洗浄液をＳｉＣ基板の一面に供給する還元洗浄工程と、還元洗浄工程の後、還元洗浄液の供給を停止した上で、ＳｉＣ基板の他面を保持したスピンナテーブルを回転させながら、純水をＳｉＣ基板の該一面に供給する純水洗浄工程と、を有するＳｉＣ基板の加工方法を提供する。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ＳｉＣ基板の加工方法であって、
該ＳｉＣ基板の一面が露出する様に、該ＳｉＣ基板の他面をチャックテーブルで保持し、且つ、該ＳｉＣ基板の該一面に研磨パッドを接触させた状態で、該ＳｉＣ基板の該一面に過マンガン酸塩が溶解した水溶液を含む酸性の研磨液を供給しながら、該ＳｉＣ基板を研磨する研磨工程と、
該研磨工程後、該ＳｉＣ基板の該一面を洗浄する洗浄工程と、
を備え、
該研磨工程の後且つ該洗浄工程の前の該一面にはパーティクルが残留し、該パーティクルは金属酸化物と該過マンガン酸塩との一方又は両方を含んでおり、
該洗浄工程は、
該ＳｉＣ基板の該他面をスピンナテーブルで保持した状態で該スピンナテーブルを回転させながら、該金属酸化物の金属と該過マンガン酸塩のマンガン酸イオンとを還元可能な還元洗浄液を該ＳｉＣ基板の該一面に供給する還元洗浄工程と、
該還元洗浄工程の後、該還元洗浄液の供給を停止した上で、該ＳｉＣ基板の該他面を保持した該スピンナテーブルを回転させながら、純水を該ＳｉＣ基板の該一面に供給する純水洗浄工程と、を有することを特徴とするＳｉＣ基板の加工方法。
該ＳｉＣ基板の一面が露出する様に、該ＳｉＣ基板の他面をチャックテーブルで保持し、且つ、該ＳｉＣ基板の該一面に研磨パッドを接触させた状態で、該ＳｉＣ基板の該一面に過マンガン酸塩が溶解した水溶液を含む酸性の研磨液を供給しながら、該ＳｉＣ基板を研磨する研磨工程と、
該研磨工程後、該ＳｉＣ基板の該一面を洗浄する洗浄工程と、
を備え、
該研磨工程の後且つ該洗浄工程の前の該一面にはパーティクルが残留し、該パーティクルは金属酸化物と該過マンガン酸塩との一方又は両方を含んでおり、
該洗浄工程は、
該ＳｉＣ基板の該他面をスピンナテーブルで保持した状態で該スピンナテーブルを回転させながら、該金属酸化物の金属と該過マンガン酸塩のマンガン酸イオンとを還元可能な還元洗浄液を該ＳｉＣ基板の該一面に供給する還元洗浄工程と、
該還元洗浄工程の後、該還元洗浄液の供給を停止した上で、該ＳｉＣ基板の該他面を保持した該スピンナテーブルを回転させながら、純水を該ＳｉＣ基板の該一面に供給する純水洗浄工程と、を有することを特徴とするＳｉＣ基板の加工方法。
【請求項2】
該還元洗浄液は、硫酸ヒドロキシルアミンが水に溶解した水溶液を含むことを特徴とする請求項１に記載のＳｉＣ基板の加工方法。
【請求項3】
該還元洗浄液は、酸及び過酸化水素が水に溶解した水溶液を含むことを特徴とする請求項１記載のＳｉＣ基板の加工方法。
【請求項4】
該研磨工程の前に、該ＳｉＣ基板の該一面を研削ホイールで研削して、該ＳｉＣ基板を所定の厚さまで薄化する研削工程を更に備えることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のＳｉＣ基板の加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ＳｉＣ基板の加工方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、電力の変換、制御等を行う半導体デバイスとして、高耐圧であり大電流を制御可能なパワーデバイスが注目されている。パワーデバイスは、例えば、シリコン（Ｓｉ）の単結晶基板に比べてバンドギャップが大きく且つ絶縁破壊電界強度が高い炭化ケイ素（ＳｉＣ）の単結晶基板の一面側に形成される。
【0003】
一般的に、パワーデバイスは、ＳｉＣ単結晶で構成された基板（以下、ＳｉＣ基板）の一面上に結晶欠陥が低減された高品質なＳｉＣエピタキシャル成長層を形成した後、このＳｉＣエピタキシャル成長層側に形成される。
【0004】
ＳｉＣ基板の一面上にＳｉＣエピタキシャル成長層を形成する前には、ＳｉＣ基板の一面を平坦化するために当該一面に対して化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）を行う必要がある。
【0005】
従来、ＳｉＣ基板に対する化学機械研磨として、過マンガン酸塩、酸化力を有する無機塩類及び水を含有する研磨液を用いることが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【0006】
過マンガン酸塩は、研磨液中で電離して過マンガン酸イオン（ＭｎＯ４
－）となる。過マンガン酸イオンは、ＳｉＣ基板の研磨時に、ＳｉＣ基板の被研磨面を酸化する酸化剤として機能する。
【0007】
ところで、最近、過マンガン酸イオンを含む研磨液を用いてＳｉＣ基板の一面側を研磨すると、エピタキシャル成長層に格子欠陥、転位等が発生し、高品質なエピタキシャル成長層が形成できない場合があることが確認された。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0008】
【特許文献1】特開２０１６－９２２４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
本発明は係る問題点に鑑みてなされたものであり、過マンガン酸イオンを含む研磨液を用いたＳｉＣ基板の研磨工程を含むＳｉＣ基板の加工方法において、ＳｉＣ基板の一面に高品質なエピタキシャル成長層を形成可能なＳｉＣ基板の加工方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本発明の一態様によれば、ＳｉＣ基板の加工方法であって、該ＳｉＣ基板の一面が露出する様に、該ＳｉＣ基板の他面をチャックテーブルで保持し、且つ、該ＳｉＣ基板の該一面に研磨パッドを接触させた状態で、該ＳｉＣ基板の該一面に過マンガン酸塩が溶解した水溶液を含む酸性の研磨液を供給しながら、該ＳｉＣ基板を研磨する研磨工程と、該研磨工程後、該ＳｉＣ基板の該一面を洗浄する洗浄工程と、を備え、該研磨工程の後且つ該洗浄工程の前の該一面にはパーティクルが残留し、該パーティクルは金属酸化物と該過マンガン酸塩との一方又は両方を含んでおり、該洗浄工程は、該ＳｉＣ基板の該他面をスピンナテーブルで保持した状態で該スピンナテーブルを回転させながら、該金属酸化物の金属と該過マンガン酸塩のマンガン酸イオンとを還元可能な還元洗浄液を該ＳｉＣ基板の該一面に供給する還元洗浄工程と、該還元洗浄工程の後、該還元洗浄液の供給を停止した上で、該ＳｉＣ基板の該他面を保持した該スピンナテーブルを回転させながら、純水を該ＳｉＣ基板の該一面に供給する純水洗浄工程と、を有するＳｉＣ基板の加工方法が提供される。
【0011】
好ましくは、該還元洗浄液は、硫酸ヒドロキシルアミンが水に溶解した水溶液を含む。
【0012】
また、好ましくは、該還元洗浄液は、酸及び過酸化水素が水に溶解した水溶液を含む。
【0013】
また、好ましくは、ＳｉＣ基板の加工方法は、該研磨工程の前に、該ＳｉＣ基板の該一面を研削ホイールで研削して、該ＳｉＣ基板を所定の厚さまで薄化する研削工程を更に備える。
【発明の効果】
【0014】
本発明の一態様に係るＳｉＣ基板の加工方法では、過マンガン酸塩が溶解した水溶液を含む酸性の研磨液を供給しながらＳｉＣ基板を研磨する（研磨工程）。研磨工程後には、金属酸化物及び過マンガン酸塩の一方又は両方を含むパーティクルがＳｉＣ基板の一面に残留する。
【0015】
例えば、過マンガン酸塩に含まれるマンガンに起因するマンガン酸化物及び過マンガン酸塩の一方又は両方を含むパーティクルがＳｉＣ基板の一面に残留する。このパーティクルは、エピタキシャル成長層の高品質化を妨げる原因となり得る。
【0016】
そこで、研磨工程後の洗浄工程では、金属酸化物の金属と過マンガン酸塩のマンガン酸イオンとを還元可能な還元洗浄液でＳｉＣ基板の一面を洗浄する還元洗浄工程と、還元洗浄工程の後、純水でＳｉＣ基板の一面を洗浄する純水洗浄工程と、を行う。
【0017】
これにより、ＳｉＣ基板の一面に残留する金属酸化物及び／又は過マンガン酸塩を含むパーティクルの数を低減できるので、ＳｉＣ基板の一面にエピタキシャル成長層を形成する際に、ＳｉＣ基板の単位面積当たりにおける格子欠陥、転位等の発生を低減できる。即ち、高品質なエピタキシャル成長層を形成可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0018】
【図1】第１の実施形態におけるＳｉＣ基板の加工方法のフロー図である。
【図2】研磨工程を示す一部断面側面図である。
【図3】洗浄工程における還元洗浄工程を示す側面図である。
【図4】洗浄工程における純水洗浄工程を示す側面図である。
【図5】洗浄工程における乾燥工程を示す側面図である。
【図6】還元洗浄工程、純水洗浄工程及び乾燥工程を経たＳｉＣ基板の一面におけるパーティクルの数及び位置を示す画像である。
【図7】純水洗浄工程及び乾燥工程を経たＳｉＣ基板の一面におけるパーティクルの数及び位置を示す比較例の画像である。
【図8】第２の実施形態におけるＳｉＣ基板の加工方法のフロー図である。
【図9】研削工程を示す一部断面側面図である。
【発明を実施するための形態】
【0019】
（第１の実施形態）添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。図１は、第１の実施形態におけるＳｉＣ基板１１（図２参照）の加工方法のフロー図である。本実施形態では、研磨工程Ｓ１０及び洗浄工程Ｓ２０の順に各工程を行う。
【0020】
まず、図２を参照し、研磨工程Ｓ１０で使用する研磨装置２について説明する。図２に示すＺ軸方向は、研磨装置２の高さ方向であり、例えば、鉛直方向と略平行である。＋Ｚ方向及び－Ｚ方向は、共にＺ軸方向と平行であるが、互いに逆向きの方向である。なお、本明細書では、＋Ｚ方向を上と称し、－Ｚ方向を下と称する場合がある。
【0021】
研磨装置２は、チャックテーブル４を有する。チャックテーブル４は、円盤状の枠体を有する。枠体は、例えば、非多孔質のセラミックス（例えば、非多孔質のアルミナ）で形成されている。枠体の中央部には枠体の径よりも小径の円盤状の凹部（不図示）が形成されている。
【0022】
この凹部には、多孔質のセラミックス（例えば、多孔質のアルミナ）で形成された円盤状の多孔質板が固定されていている。枠体には、所定の流路が形成されており、所定の流路には、管部（不図示）等を介して真空ポンプ等の吸引源（不図示）が接続されている。
【0023】
吸引源で生じた負圧が多孔質板に伝達されると、多孔質板の上面には負圧が生じる。枠体の環状の上面と、多孔質板の円形の上面とは、略面一且つ略平坦となっており、ＳｉＣ基板１１等の被加工物を吸引保持するための保持面４ａとして機能する。保持面４ａは、ＸＹ平面と略平行に配置されている。
【0024】
チャックテーブル４の下部、且つ、チャックテーブル４の径方向の中心部には、チャックテーブル４の回転軸４ｂが設けられている。回転軸４ｂは、Ｚ軸方向に沿って配置されており、チャックテーブル４は、回転軸４ｂの周りに回転可能である。
【0025】
回転軸４ｂには、サーボモータ等の回転駆動機構（不図示）から動力が伝達される。回転駆動機構が動作することにより、チャックテーブル４は回転軸４ｂの周りを回転する。保持面４ａの上方には、研磨ユニット６が配置されている。
【0026】
研磨ユニット６は、円筒状のスピンドルハウジング（不図示）を有する。スピンドルハウジングの長手方向は、Ｚ軸方向に沿って配置されている。スピンドルハウジングには、ボールねじ式のＺ軸方向移動機構（不図示）が取り付けられている。
【0027】
Ｚ軸方向移動機構は、スピンドルハウジングをＺ軸方向に沿って移動させる。後述する研磨工具１２の被研磨物への押圧力は、Ｚ軸方向移動機構によって調節される。スピンドルハウジングには、円柱状のスピンドル８の一部が回転可能に収容されている。
【0028】
スピンドル８の長手方向は、Ｚ軸方向に沿って配置されている。スピンドル８の上端部近傍には、サーボモータ等の回転駆動源（不図示）が設けられている。回転駆動源を動作させると、スピンドル８が回転する。
【0029】
スピンドル８の下端部は、スピンドルハウジングよりも下方に突出している。スピンドル８の下端部には、円盤状のマウント１０の上面の中央部が固定されている。マウント１０の下面には、円盤状の研磨工具１２が装着されている。スピンドル８を回転させれば、マウント１０及び研磨工具１２が一体的に回転する。
【0030】
研磨工具１２は、円盤状のベース１４を含む。ベース１４の上面１４ａには、マウント１０の下面が接しており、ベース１４の下面１４ｂには、ベース１４と略同径であり円盤状の研磨パッド１６が固定されている。研磨パッド１６は、発泡硬質ポリウレタンで形成された基材を有し、基材中には、シリカ（酸化シリコン、ＳｉＯ２）等の砥粒が固定されている。
【0031】
なお、砥粒の材料は、シリカに限定されない。砥粒は、ＧＣ（グリーンカーボン）、ダイヤモンド、アルミナ（酸化アルミニウム、Ａｌ２Ｏ３）、セリア（酸化セリウム、ＣｅＯ２）、ｃＢＮ（cubic boron nitride）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）で形成されてもよい。
【0032】
また、研磨パッド１６の基材も、発泡硬質ポリウレタンに限定されず、他の発泡硬質材料で形成されていてもよく、ウレタンが含浸された不織布で形成されていてもよい。
【0033】
上述の様に、本実施形態の研磨パッド１６には砥粒が固定されているが、研磨パッド１６には砥粒が固定されていなくてもよい。研磨パッド１６に砥粒が固定されていない場合、砥粒は、後述する研磨液１８ａに遊離砥粒として含まれる。
【0034】
スピンドル８、マウント１０、及び、研磨工具１２は、略同心状に配置されている。スピンドル８、マウント１０、及び、研磨工具１２の各径方向の中心部には、研磨液１８ａの流路となる貫通孔８ａ，１０ａ，１４ｃ，１６ａが形成されている。
【0035】
スピンドル８の貫通孔８ａには、研磨液供給源１８が接続されている。研磨液供給源１８は、研磨液１８ａが貯留された貯留槽（不図示）と、貯留槽から研磨液１８ａを供給するためのポンプ（不図示）と、を含む。
【0036】
研磨時には、各貫通孔８ａ，１０ａ，１４ｃ，１６ａを介して、研磨パッド１６及び被研磨物に研磨液１８ａが供給される。本実施形態の研磨液１８ａは、砥粒を含まない酸性の水溶液であり、特に、酸化剤と、ｐＨ調整剤とが、純水（溶媒）に溶解した水溶液である。
【0037】
水溶液中で酸化剤として機能する材料としては、過マンガン酸ナトリウム（ＮａＭｎＯ４）、過マンガン酸カリウム（ＫＭｎＯ４）等の過マンガン酸塩が用いられるが、過マンガン酸カリウムに比べて溶解度の高い過マンガン酸ナトリウムを用いる方が好ましい。なお、研磨液１８ａに過マンガン酸ナトリウムを用いる場合、研磨液１８ａは淡赤色を呈する。
【0038】
ｐＨ調整剤としては、硝酸ランタン（Ｌａ（ＮＯ３）３）又は硝酸セリウム（Ｃｅ（ＮＯ３）３）が用いられる。なお、本明細書の硝酸セリウムは、三価のセリウムイオン（即ち、Ｃｅ３＋）と、硝酸イオン（即ち、ＮＯ３－）と、のイオン化合物である。
【0039】
硝酸ランタン、硝酸セリウム等のｐＨ調整剤で研磨液１８ａを強酸性（例えば、ｐＨが３未満の所定値）とすることにより、過マンガン酸の酸化能力を十分に発揮させることができる。過マンガン酸の酸化能力が十分に発揮されると、単位時間あたりに研磨により除去されるＳｉＣ基板１１の厚さ（即ち、研磨レート）を高くできる。
【0040】
但し、硝酸ランタン及び硝酸セリウムに代えて、硝酸イットリウム（Ｙ（ＮＯ３）３）、硝酸ジルコニル（オキシ硝酸ジルコニウムとも呼ばれる）（ＺｒＯ（ＮＯ３）２）等の硝酸系の水溶性化合物を用いてもよい。
【0041】
上述の硝酸系の水溶性化合物に代えて、塩化ランタン（ＬａＣｌ３）、塩化セリウム（ＣｅＣｌ３）、塩化イットリウム（ＹＣｌ３）、塩化ジルコニル（酸化塩化ジルコニウム又はジルコニウムオキシクロリドとも呼ばれる）（ＺｒＯＣｌ２）等の塩酸系の水溶性化合物を用いてもよい。
【0042】
また、上述の硝酸系及び塩酸系の水溶性化合物に代えて、硫酸ランタン（Ｌａ２（ＳＯ４）３）、硫酸セリウム（Ｃｅ（ＳＯ４）２）、硫酸イットリウム（Ｙ２（ＳＯ４）３）、硫酸ジルコニル（硫酸ジルコニウムとも呼ばれる）（ＺｒＯＳＯ４）等の硫酸系の水溶性化合物を用いてもよい。
【0043】
ＳｉＣ基板１１の研磨では、一面１１ａの酸化と、酸化により形成された酸化シリコン層の除去と、が交互に繰り返される。具体的には、まず、ＳｉＣ基板１１の一面１１ａに研磨液１８ａが供給されると、過マンガン酸の酸化作用により一面１１ａ側のＳｉ原子が酸化されて、酸化シリコン（例えば、ＳｉＯ２）層が形成される。
【0044】
なお、ＳｉＣ基板１１のＣ原子は、カルボキシル基、二酸化炭素等に変化する。カルボキシル基は、金属イオン（例えば、Ｌａ３＋、Ｃｅ３＋）、砥粒等に配位してＳｉＣ基板１１から引き抜かれる。また、二酸化炭素は、炭酸イオンとして研磨液１８ａに溶解したり、気体となり研磨液１８ａから外に排出されたりする。
【0045】
一面１１ａ側に形成された酸化シリコン層は、ＳｉＣの結晶に比べて柔らかい。酸化シリコン層が砥粒により物理的に削り取られることで、新たなＳｉＣの結晶面が露出する。以降、同様に、酸化による酸化シリコン層の形成と、砥粒による酸化シリコン層の物理的な削り取りとが、交互に繰り返される。
【0046】
ＳｉＣ基板１１は、円盤状であり、厚さ方向において互いに反対側に位置するそれぞれ円形の一面１１ａ及び他面１１ｂを有する。一面１１ａ及び他面１１ｂのうち一方が、Ｓｉ面である場合、他方はＣ面である。
【0047】
図２は、研磨工程Ｓ１０を示す一部断面側面図である。研磨工程Ｓ１０では、まず、ＳｉＣ基板１１の一面１１ａが露出する様に、他面１１ｂを保持面４ａで吸引保持する。次いで、チャックテーブル４を研磨ユニット６の直下に配置する。
【0048】
そして、研磨ユニット６を下方に移動させることで研磨パッド１６を所定の圧力で一面１１ａに押圧しながら、チャックテーブル４と、スピンドル８（即ち、スピンドル８に装着されている研磨工具１２）と、をそれぞれ所定の回転速度で回転させると共に、研磨液供給源１８から一面１１ａに所定の流量で研磨液１８ａを供給する。
【0049】
この様に、一面１１ａに研磨パッド１６を接触させた状態で研磨液１８ａを一面１１ａに供給しながら、一面１１ａを研磨する。研磨工程Ｓ１０では、例えば、６インチ（約１５０ｍｍ）の径を有するＳｉＣ基板１１のＳｉ面を研磨する。研磨条件の一例を下記に示す。
【0050】
スピンドルの回転数 ：７５０ｒｐｍ
チャックテーブルの回転数：７４５ｒｐｍ
押圧力 ：３９．２ｋＰａ
供給される研磨液の流量 ：２００ｍｌ／ｍｉｎ
研磨時間 ：６２０ｓ
チャックテーブルの回転数：７４５ｒｐｍ
押圧力 ：３９．２ｋＰａ
供給される研磨液の流量 ：２００ｍｌ／ｍｉｎ
研磨時間 ：６２０ｓ
【0051】
研磨工程Ｓ１０において上述の研磨液１８ａを供給しながらＳｉＣ基板１１を研磨すると、研磨工程Ｓ１０の後（且つ洗浄工程Ｓ２０の前）には、金属酸化物と過マンガン酸塩との一方又は両方を含むパーティクル１３（図３参照）が一面１１ａに残留する。なお、図３では、パーティクル１３を誇張して大きく示している。
【0052】
出願人が鋭意探求したところ、過マンガン酸塩に含まれるマンガンに起因するマンガン酸化物（ＭｎＯ２、ＭｎＯ３等）及び／又は過マンガン酸塩（ＮａＭｎＯ４等）を含むパーティクル１３がＳｉＣ基板１１の一面１１ａに残留しており、このパーティクル１３が、一面１１ａに形成されるエピタキシャル成長層の高品質化を妨げる原因であろうとの結論に達した。
【0053】
そこで、研磨工程Ｓ１０後の洗浄工程Ｓ２０では、金属酸化物の金属と過マンガン酸塩の過マンガン酸イオインとを還元可能な還元洗浄液２１をＳｉＣ基板１１の一面１１ａに供給して一面１１ａを洗浄する還元洗浄工程Ｓ２２（図３参照）と、還元洗浄工程Ｓ２２の後、純水２３を一面１１ａに供給して一面１１ａを洗浄する純水洗浄工程Ｓ２４（図４参照）と、一面１１ａを乾燥させる乾燥工程Ｓ２６（図５参照）と、を順次行う。
【0054】
まず、図３を参照し、洗浄工程Ｓ２０で使用するスピンナ洗浄装置２０について説明する。スピンナ洗浄装置２０は、円盤状のスピンナテーブル２２を有する。スピンナテーブル２２の構造は、研磨装置２のチャックテーブル４と略同じである。
【0055】
スピンナテーブル２２は、負圧によりＳｉＣ基板１１の他面１１ｂを吸引保持可能な保持面２２ａを有する。スピンナテーブル２２は、所定の回転軸２２ｂの周りで高速回転可能である。
【0056】
但し、保持面２２ａの径は、ＳｉＣ基板１１の他面１１ｂの径よりも小さい。スピンナテーブル２２でＳｉＣ基板１１を保持する際には、ＳｉＣ基板１１の他面１１ｂの中央部を保持面２２ａで吸引保持する。
【0057】
スピンナテーブル２２の径方向の外側には、Ｚ軸方向に直交するＸＹ平面内で第１アーム２４を回転移動させる第１回転移動機構２６が設けられている。
【0058】
第１回転移動機構２６は、還元洗浄工程Ｓ２２において、第１アーム２４の先端部に設けられている第１ノズル２８の軌跡が保持面２２ａの中心を通る所定長さの円弧となる様に、第１アーム２４を回転移動させる。
【0059】
還元洗浄工程Ｓ２２において、第１ノズル２８には、第１アーム２４の内部に形成されている流路（不図示）を介して、還元洗浄液供給源３０から還元洗浄液２１が供給される。還元洗浄液供給源３０は、還元洗浄液２１が貯留された貯留槽（不図示）と、貯留槽から還元洗浄液２１を供給するためのポンプ（不図示）と、を含む。
【0060】
第１ノズル２８は、還元洗浄液２１のみを噴射してもよく、還元洗浄液２１とは別系統の流路から供給されるエア等の気体（不図示）と、還元洗浄液２１と、が混合された二流体を噴射してもよい。
【0061】
還元洗浄液２１は、例えば、硫酸ヒドロキシルアミン（示性式：（ＮＨ２ＯＨ）２・Ｈ２ＳＯ４）が純水に溶解した水溶液である。例えば、還元洗浄液２１は、１質量部以上２０質量部以下（例えば、５質量部）の硫酸ヒドロキシルアミンを、純水に溶解させることで形成される。
【0062】
還元洗浄液２１は、硫酸ヒドロキシルアミンに代えて、クエン酸（即ち、酸）及び過酸化水素が純水に溶解した水溶液、又は、アスコルビン酸（即ち、ビタミンＣ）が純水に溶解した水溶液であってもよい。
【0063】
いずれの水溶液であっても、パーティクル１３を構成するマンガン酸化物のマンガン（即ち、金属）と、過マンガン酸塩の過マンガン酸イオンと、を還元可能である。
【0064】
クエン酸及び過酸化水素を用いる場合、還元洗浄液２１は、例えば、１質量部以上５９質量部以下（例えば、１質量部）のクエン酸と、１質量部以上３５質量部以下（例えば、５質量部）の過酸化水素とを、純水に溶解させることで形成される。なお、クエン酸が、還元洗浄液２１におけるｐＨ調整剤として機能し、過酸化水素が還元剤として機能する。
【0065】
回転軸２２ｂを間に挟んで第１回転移動機構２６と反対側には、第２回転移動機構３２が設けられている。第２回転移動機構３２は、Ｚ軸方向に直交するＸＹ平面内で第２アーム３４を回転移動させる。
【0066】
純水洗浄工程Ｓ２４において、第２回転移動機構３２は、第２アーム３４の先端部に設けられている第２ノズル３６の軌跡が保持面２２ａの中心を通る所定長の円弧となる様に、第２アーム３４を回転移動させる。
【0067】
第２ノズル３６には、第２アーム３４の内部に形成されている流路（不図示）を介して、純水供給源３８から純水２３が供給される。純水供給源３８は、純水２３が貯留された貯留槽（不図示）と、貯留槽から純水２３を供給するためのポンプ（不図示）と、を含む。
【0068】
図３を参照し、還元洗浄工程Ｓ２２について説明する。図３は、洗浄工程Ｓ２０における還元洗浄工程Ｓ２２を示す側面図である。還元洗浄工程Ｓ２２では、まず、研磨後の一面１１ａが露出する様に、ＳｉＣ基板１１の他面１１ｂを保持面２２ａで吸引保持する。
【0069】
次いで、他面１１ｂを吸引保持した状態で、スピンナテーブル２２を高速で回転させると共に一面１１ａ上において第１ノズル２８を比較的ゆっくりと回転移動させながら、第１ノズル２８から一面１１ａに還元洗浄液２１を供給する。
【0070】
これにより、パーティクル１３に含まれるマンガン酸化物のマンガン及び／又は過マンガン酸塩の過マンガン酸イオンは、還元洗浄液２１により２価のマンガンイオン（Ｍｎ２＋）へと還元された後、還元洗浄液２１に含まれる２価のマンガンイオンは、遠心力により一面１１ａ外に除去される。なお、研磨工程Ｓ１０後に淡赤色を呈していた一面１１ａは、還元洗浄工程Ｓ２２を経ると略無色透明に変わる。
【0071】
還元洗浄工程Ｓ２２では、一定数のパーティクル１３は一面１１ａから完全に除去されるが、残りのパーティクル１３については、パーティクル１３に含まれる一部のマンガン酸化物及び／又は過マンガン酸塩が除去される。つまり、還元洗浄工程Ｓ２２では、全てのパーティクル１３が除去されるわけではない。
【0072】
還元洗浄工程Ｓ２２では、例えば、スピンナテーブル２２の回転数を５００ｒｐｍとし、還元洗浄液２１の流量を２０ｍｌ／ｍｉｎ以上８００ｍｌ／ｍｉｎ以下（例えば、３００ｍｌ／ｍｉｎ）とし、且つ、ＳｉＣ基板１１の一面１１ａの中心から外周縁まで１５ｓかけて第１ノズル２８が移動することを２回繰り返す。
【0073】
なお、還元洗浄液２１の流量は、エア等の気体と混合されていない一流体の場合、１００ｍｌ／ｍｉｎ以上８００ｍｌ／ｍｉｎ以下としてよく、気体と混合された二流体の場合、２０ｍｌ／ｍｉｎ以上２００ｍｌ／ｍｉｎ以下としてよい。
【0074】
還元洗浄工程Ｓ２２の後、純水洗浄工程Ｓ２４を行う。図４は、洗浄工程Ｓ２０における純水洗浄工程Ｓ２４を示す側面図である。純水洗浄工程Ｓ２４では、還元洗浄液２１の供給を停止した上で、第１ノズル２８がＳｉＣ基板１１の径方向においてＳｉＣ基板１１の外側に位置する様に第１アーム２４を回転移動させる。
【0075】
加えて、ＳｉＣ基板１１を吸引保持した状態のスピンナテーブル２２の回転を継続すると共に一面１１ａ上において第２ノズル３６を移動させながら、第２ノズル３６から一面１１ａに純水２３を供給する。これにより、一面１１ａに残留する一部のパーティクル１３と還元洗浄液２１とを除去する。
【0076】
純水洗浄工程Ｓ２４では、例えば、スピンナテーブル２２の回転数を５００ｒｐｍとし、純水２３の流量を２０ｍｌ／ｍｉｎ以上８００ｍｌ／ｍｉｎ以下（例えば、３００ｍｌ／ｍｉｎ）とし、且つ、ＳｉＣ基板１１の一面１１ａの中心から外周縁まで３０ｓかけて第２ノズル３６を１回だけ移動させる。
【0077】
なお、純水２３の流量は、エア等の気体と混合されていない純水２３のみの場合、１００ｍｌ／ｍｉｎ以上８００ｍｌ／ｍｉｎ以下としてよく、気体と混合された二流体の場合、２０ｍｌ／ｍｉｎ以上２００ｍｌ／ｍｉｎ以下としてよい。
【0078】
純水洗浄工程Ｓ２４の後、乾燥工程Ｓ２６を行う。図５は、洗浄工程Ｓ２０における乾燥工程Ｓ２６を示す側面図である。乾燥工程Ｓ２６では、純水２３の供給を停止した上で、第２ノズル３６がＳｉＣ基板１１の径方向の外側に位置する様に第２アーム３４を回転移動させる。
【0079】
加えて、ＳｉＣ基板１１を吸引保持した状態のスピンナテーブル２２の回転を継続する。乾燥工程Ｓ２６では、例えば、スピンナテーブル２２の回転数を２０００ｒｐｍとし、回転継続時間を６０ｓとする。
【0080】
本実施形態では、洗浄工程Ｓ２０により、一面１１ａに残留するパーティクル１３の数を低減できるので、一面１１ａにエピタキシャル成長層を形成する際に、ＳｉＣ基板１１の単位面積当たりにおける格子欠陥、転位等の発生を低減できる。即ち、高品質なエピタキシャル成長層を形成可能となる。
【0081】
（実験例）次に、図６及び図７を参照し、実験例について説明する。なお、ＳｉＣ基板１１としては、ＳｉＣの単結晶で形成されオリエンテーションフラット（Orientation Flat）を有する６インチ（約１５０ｍｍ）の径のミラーウェーハを用いた。
【0082】
図６は、上述の第１の実施形態の加工方法に対応しており、研磨工程Ｓ１０と、還元洗浄工程Ｓ２２、純水洗浄工程Ｓ２４及び乾燥工程Ｓ２６を含む洗浄工程Ｓ２０と、を経た一面１１ａにおけるパーティクル１３の数及び位置を示す画像である。
【0083】
より具体的には、図６の画像を得た実験では、第１の実施形態と同様に、第１ノズル２８から還元洗浄液２１を噴射しながら、ＳｉＣ基板１１の一面１１ａの中心から外周縁まで１５ｓかけて第１ノズル２８を移動させることを２回繰り返した後、第２ノズル３６から純水２３を噴射しながら、ＳｉＣ基板１１の一面１１ａの中心から外周縁まで３０ｓかけて第２ノズル３６を１回だけ移動させた。その後、乾燥工程Ｓ２６を行った。
【0084】
これに対して、図７は、研磨工程Ｓ１０の後、還元洗浄工程Ｓ２２を経ることなく、純水洗浄工程Ｓ２４及び乾燥工程Ｓ２６を経た一面１１ａにおけるパーティクル１３の数及び位置を示す比較例の画像である。
【0085】
【0086】
具体的には、図７に示す比較例の純水洗浄工程Ｓ２４では、第２ノズル３６から純水２３を噴射しながら、ＳｉＣ基板１１の一面１１ａの中心から外周縁まで１５ｓかけて第２ノズル３６を移動させることを２回繰り返した後、第２ノズル３６から純水２３を噴射しながら、ＳｉＣ基板１１の一面１１ａの中心から外周縁まで３０ｓかけて第２ノズル３６を１回だけ移動させた。
【0087】
図６及び図７に示す画像は、４０５ｎｍの波長を有するレーザービームを乾燥工程Ｓ２６後の一面１１ａの法線ベクトルに対して所定角度傾けた状態で照射し、光電子倍増管（ＰＭＴ：photomultiplier tube）を有する検出器を用いて一面１１ａからの散乱光を受光することで得られた。
【0088】
特に、レーザービームの集光点と、検出器と、の位置関係を固定した上で、他面１１ｂを吸引保持したステージ（不図示）を回転させると共に、当該ステージを水平面内の所定方向に移動させることで、一面１１ａ上において集光点を螺旋状に移動させた。この様にステージを移動させながら、一面１１ａからの散乱光を受光した。
【0089】
これにより、一面１１ａに残留するパーティクル１３を可視化した画像を作成した。パーティクル１３の可視化には、株式会社 山梨技術工房により製造及び販売されているウェーハ表面検査装置であるＹＰＩ－ＭＸ－ＳＭＩＦを用いた。
【0090】
当該装置を用いて可視化可能なパーティクル１３の径は、０．１μｍ以上であり、０．１μｍ以上の径を有するパーティクル１３の数を得られた画像に基づきカウントした。
【0091】
【0092】
ＳｉＣ基板１１の一面１１ａに残留するパーティクル１３の数が１２００個以下（より好ましくは１０００個以下）であれば、エピタキシャル成長層の品質に略問題がない。つまり、図６及び図７に示す実験を通じて、本実施形態の加工方法の優位性を確認できた。
【0093】
（第２の実施形態）次に、図８及び図９を参照し、第２の実施形態について説明する。図８は、第２の実施形態におけるＳｉＣ基板１１の加工方法のフロー図である。第２の実施形態のＳｉＣ基板１１は、ＳｉＣインゴット（不図示）から剥離されることで形成される。
【0094】
具体的には、ＳｉＣ基板１１は、ＳｉＣインゴット（不図示）の所定の深さに形成された脆弱領域（即ち、改質領域と、改質領域から進展するクラックと、を含む剥離層が形成された領域）を起点として、インゴットから剥離される。
【0095】
なお、改質領域とは、ＳｉＣ基板１１を透過する波長（例えば、１０６４ｎｍ）を有するパルス状のレーザービームの集光点近傍で生じる多光子吸収により形成され、レーザービームの非照射領域と比較して結晶性が変化した領域である。
【0096】
ＳｉＣインゴットの所定の深さに脆弱領域を形成するためには、まず、上述のレーザービームの集光点をＳｉＣインゴットの所定の深さ（ＳｉＣ基板１１の厚さに対応する）に配置した状態で、ＳｉＣインゴットの厚さ方向と直交する第１方向に沿って、レーザービームの集光点と、ＳｉＣインゴットとを、相対的に移動させる。
【0097】
第１方向に沿ってＳｉＣインゴットを横断する様に集光点を移動させた後、ＳｉＣインゴットの厚さ方向及び第１方向と直交する第２方向に沿って、集光点とＳｉＣインゴットとを相対的に所定距離だけ割り出し送りする。その後、同様に、レーザービームの集光点と、ＳｉＣインゴットとを、第１方向に沿って相対的に移動させる。
【0098】
この様にして、ＳｉＣインゴットの所定深さの全体に剥離層を形成する。次いで、ＳｉＣ基板１１をＳｉＣインゴットから剥離する。ＳｉＣ基板１１の一面１１ａは、ＳｉＣインゴットの剥離層に接していた被剥離面に対応する。
【0099】
剥離後の一面１１ａの凹凸は、比較的大きいので、研磨工程Ｓ１０の前に、一面１１ａを研削ホイール５０（図９参照）で研削して、ＳｉＣ基板１１を所定の厚さまで薄化する（研削工程Ｓ５）。
【0100】
図９を参照して、研削装置４０について説明する。研削装置４０は、円盤状のチャックテーブル４２を有する。チャックテーブル４２は、非多孔質の緻密なセラミックス等で形成された円盤状の枠体を有する。
【0101】
枠体の上面側には、円盤状の凹部が形成されている。凹部には多孔質のセラミックスで形成された円盤状の多孔質板が固定されている。多孔質板は、略平坦な底面と、外周から中央に向かうにつれて厚さが増加する上面と、を有する。
【0102】
つまり、多孔質板の上面は、外周部に比べて中央部が僅かに突出する円錐面である。但し、多孔質板の上面における中央部の突出量は、１０μｍから２０μｍ程度と微小であるので、図９では多孔質板の上面を略平坦に示す。
【0103】
枠体の凹部の底面には、流路が形成されている。真空ポンプ等の吸引源（不図示）で発生された負圧は、流路を介して多孔質板へ伝達される。枠体の上面と、多孔質板の上面とは、略面一となっており、ＳｉＣ基板１１の他面１１ｂを吸引保持する保持面４２ａとして機能する。
【0104】
チャックテーブル４２の下部、且つ、チャックテーブル４２の径方向の中心部には、チャックテーブル４２の回転軸４２ｂが設けられている。なお、図９では、チャックテーブル４２の回転軸４２ｂを簡略化し、一点破線で示す。
【0105】
チャックテーブル４２は、円盤状のテーブルベース（不図示）上にベアリング（不図示）を介して回転可能に連結されている。このテーブルベースは、チャックテーブル４２の回転軸４２ｂの傾きを調整する傾き調整機構（不図示）で支持されている。
【0106】
テーブルベースの傾きは、保持面４２ａの一部である円弧状の領域が、Ｚ軸方向と直交する所定平面（例えば、ＸＹ平面）と略平行になる様に、Ｚ軸方向に対して所定角度だけ傾けられている。
【0107】
テーブルベースの径方向の中心部には、貫通孔（不図示）が形成されており、貫通孔には、上述の回転軸４２ｂが配置されている。回転軸４２ｂには、サーボモータ等の回転駆動源（不図示）から、ベルト・プーリ機構（不図示）を介して動力が伝達される。
【0108】
チャックテーブル４２の上方には、研削ユニット４４が設けられている。研削ユニット４４は、円柱状のスピンドルハウジング（不図示）を有する。スピンドルハウジング内には、Ｚ軸方向に略平行に配置された円柱状のスピンドル４６の一部が回転可能に保持されている。
【0109】
スピンドル４６の上端部近傍には、サーボモータ等の回転駆動源（不図示）が設けられている。スピンドル４６の下端部には、円盤状のホイールマウント４８を介して円環状の研削ホイール５０が装着されている。
【0110】
研削ホイール５０は、アルミニウム合金等の金属材料で形成された円環状の基台５２を有する。基台５２の一面５２ａは、ボルト等によりホイールマウント４８に固定されている。基台５２の他面５２ｂには、基台５２の周方向に沿って略等間隔に複数の研削砥石５４が配置されている。
【0111】
各研削砥石５４は、例えば、金属、セラミックス、熱硬化性樹脂等の結合材に、ダイヤモンド、ｃＢＮ（cubic boron nitride）等の砥粒を混錬した後、成型、焼成等を経て形成される。
【0112】
スピンドル４６の直下であって、Ｚ軸方向において研削ホイール５０と保持面４２ａとの間には、研削水供給ノズル（不図示）が設けられている。研削水供給ノズルは、ＳｉＣ基板１１を研削する際に、ＳｉＣ基板１１と、研削砥石５４と、の接触領域に純水等の研削水を供給する。
【0113】
図９は、研削工程Ｓ５を示す一部断面側面図である。研削工程Ｓ５では、まず、保持面４２ａの中心とＳｉＣ基板１１の径方向の中心とを略一致させた状態で、ＳｉＣ基板１１の他面１１ｂを吸引保持する。このとき、ＳｉＣ基板１１の一面１１ａが上方に露出する。
【0114】
次いで、チャックテーブル４２及び研削ホイール５０を回転させると共に、複数の研削砥石５４の移動の軌跡がＺ軸方向においてＳｉＣ基板１１と重なる領域（即ち、被研削領域）に研削水を供給しながら、研削ユニット４４を所定の速度で下方に研削送りする。
【0115】
この様なインフィード研削により、ＳｉＣ基板１１の一面１１ａの略全体を研削ホイール５０で研削する。これにより、ＳｉＣ基板１１を所定の厚さまで薄化する。研削条件の一例を下記に示す。
【0116】
スピンドルの回転数 ：２０００ｒｐｍ
チャックテーブルの回転数：２００ｒｐｍ
研削送り速度 ：０．１μｍ／ｓから１．０μｍ／ｓ
研削水の流量 ：５Ｌ／ｍｉｎから１０Ｌ／ｍｉｎ
チャックテーブルの回転数：２００ｒｐｍ
研削送り速度 ：０．１μｍ／ｓから１．０μｍ／ｓ
研削水の流量 ：５Ｌ／ｍｉｎから１０Ｌ／ｍｉｎ
【0117】
研削工程Ｓ５の後、上述の研磨工程Ｓ１０及び洗浄工程Ｓ２０を順次行う。上述の様に、洗浄工程Ｓ２０では一面１１ａに残留するパーティクル１３の数を低減できるので、一面１１ａにエピタキシャル成長層を形成する際に、ＳｉＣ基板１１の単位面積当たりにおける格子欠陥、転位等の発生を低減できる。
【0118】
その他、上述の実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。パーティクル１３を構成する金属酸化物は、マンガンの酸化物に限定されず、ｐＨ調整剤に含まれる金属等の他の金属の酸化物を含んでもよい。
【0119】
ＳｉＣ基板１１の他面１１ｂに樹脂製の保護部材を貼り付けた上で、一面１１ａに対して、研削工程Ｓ５、研磨工程Ｓ１０及び洗浄工程Ｓ２０を施してもよい。このとき、ＳｉＣ基板１１の他面１１ｂは、保護部材を介して保持面４ａ，２２ａ，４２ａで吸引保持される。
【符号の説明】
【0120】
２：研磨装置、４：チャックテーブル、４ａ：保持面、４ｂ：回転軸
６：研磨ユニット、８：スピンドル、８ａ：貫通孔
１０：マウント、１０ａ：貫通孔
１１：ＳｉＣ基板、１１ａ：一面、１１ｂ：他面、１３：パーティクル
１２：研磨工具、１４：ベース、１４ａ：上面、１４ｂ：下面、１４ｃ：貫通孔
１６：研磨パッド、１６ａ：貫通孔、１８：研磨液供給源、１８ａ：研磨液
２０：スピンナ洗浄装置
２１：還元洗浄液、２３：純水
２２：スピンナテーブル、２２ａ：保持面、２２ｂ：回転軸
２４：第１アーム、２６：第１回転移動機構、２８：第１ノズル
３０：還元洗浄液供給源
３２：第２回転移動機構、３４：第２アーム、３６：第２ノズル
３８：純水供給源
４０：研削装置、４２：チャックテーブル、４２ａ：保持面、４２ｂ：回転軸
４４：研削ユニット、４６：スピンドル、４８：ホイールマウント
５０：研削ホイール、５２：基台、５２ａ：一面、５２ｂ：他面、５４：研削砥石
Ｓ５：研削工程
Ｓ１０：研磨工程、Ｓ２０：洗浄工程
Ｓ２２：還元洗浄工程、Ｓ２４：純水洗浄工程、Ｓ２６：乾燥工程
６：研磨ユニット、８：スピンドル、８ａ：貫通孔
１０：マウント、１０ａ：貫通孔
１１：ＳｉＣ基板、１１ａ：一面、１１ｂ：他面、１３：パーティクル
１２：研磨工具、１４：ベース、１４ａ：上面、１４ｂ：下面、１４ｃ：貫通孔
１６：研磨パッド、１６ａ：貫通孔、１８：研磨液供給源、１８ａ：研磨液
２０：スピンナ洗浄装置
２１：還元洗浄液、２３：純水
２２：スピンナテーブル、２２ａ：保持面、２２ｂ：回転軸
２４：第１アーム、２６：第１回転移動機構、２８：第１ノズル
３０：還元洗浄液供給源
３２：第２回転移動機構、３４：第２アーム、３６：第２ノズル
３８：純水供給源
４０：研削装置、４２：チャックテーブル、４２ａ：保持面、４２ｂ：回転軸
４４：研削ユニット、４６：スピンドル、４８：ホイールマウント
５０：研削ホイール、５２：基台、５２ａ：一面、５２ｂ：他面、５４：研削砥石
Ｓ５：研削工程
Ｓ１０：研磨工程、Ｓ２０：洗浄工程
Ｓ２２：還元洗浄工程、Ｓ２４：純水洗浄工程、Ｓ２６：乾燥工程
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】