特開 2025-92380 回路基板および回路基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025092380

(43)【公開日】2025-06-19

(54)【発明の名称】回路基板および回路基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/02 20060101AFI20250612BHJP

   H05K 3/18 20060101ALI20250612BHJP

   H05K 3/46 20060101ALI20250612BHJP

【ＦＩ】

H05K1/02 J

H05K3/18

H05K3/46 N

【審査請求】未請求

【請求項の数】19

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024108932

(22)【出願日】2024-07-05

(31)【優先権主張番号】10-2023-0177107

(32)【優先日】2023-12-07

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】100108453

【弁理士】

【氏名又は名称】村山 靖彦

(74)【代理人】

【識別番号】100110364

【弁理士】

【氏名又は名称】実広 信哉

(72)【発明者】

【氏名】趙 泳雄

(72)【発明者】

【氏名】徐 欣永

【テーマコード（参考）】

5E316

5E338

5E343

【Ｆターム（参考）】

5E316AA32

5E316AA35

5E316AA43

5E316BB16

5E316CC09

5E316CC10

5E316CC32

5E316CC37

5E316CC38

5E316CC57

5E316DD23

5E316DD24

5E316DD33

5E316DD47

5E316EE31

5E316FF03

5E316FF04

5E316FF07

5E316FF09

5E316FF10

5E316FF13

5E316FF14

5E316GG15

5E316GG17

5E316GG22

5E316GG23

5E316GG28

5E316HH31

5E338AA03

5E338AA16

5E338BB13

5E338BB14

5E338BB19

5E338BB25

5E338EE31

5E343AA17

5E343AA18

5E343BB23

5E343BB24

5E343BB44

5E343DD33

5E343DD43

5E343ER11

5E343FF16

5E343GG20

(57)【要約】      （修正有）

【課題】ワイヤーボンディングチップの実装のためのボンディングパッドを微細ピッチのパターンで実現しながらボンディングワイヤーが接続されるボンディングパッドの幅を確保することができる回路基板および回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】開示された回路基板１００は、互いに対向する第１面１１０ａと第２面１１０ｂとを有する絶縁層１１０、前記絶縁層１１０に埋め込まれ前記第１面１１０ａで前記絶縁層１１０から少なくとも一部分露出される第１部分１２１ａと前記第１部分１２１ａより前記第２面１１０ｂにさらに近い第２部分１２１ｂとを有する第１接続パッド１２１を含み、前記第１面１１０ａに平行な方向に沿った幅において、前記第１部分１２１ａの第１幅ｗ１と前記第２部分の第２幅ｗ２は互いに異なる。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

互いに対向する第１面と第２面とを有する絶縁層；および
前記絶縁層に埋め込まれ前記第１面で前記絶縁層から少なくとも一部分露出される第１部分と、前記第１部分より前記第２面にさらに近い第２部分とを有する第１接続パッド
を含み、
前記第１面に平行な方向に沿った幅において、前記第１部分の第１幅と前記第２部分の第２幅が互いに異なる、回路基板。

【請求項2】

前記第１幅が前記第２幅より大きい、請求項１に記載の回路基板。

【請求項3】

前記第１部分と前記第２部分は段差を有するように構成される、請求項１に記載の回路基板。

【請求項4】

前記絶縁層の前記第１面に配置され前記第１接続パッドを露出させるように開口された保護層をさらに含む、請求項１に記載の回路基板。

【請求項5】

前記絶縁層に埋め込まれ前記保護層で覆われる第１回路配線をさらに含み、
前記第１面に垂直な方向による厚さにおいて、前記第１回路配線の厚さは前記第１接続パッドの前記第１部分の厚さより厚い、請求項４に記載の回路基板。

【請求項6】

前記第１接続パッドの上に配置された導電層をさらに含む、請求項１に記載の回路基板。

【請求項7】

前記導電層は、前記第１接続パッドの露出された部分に配置される、請求項６に記載の回路基板。

【請求項8】

前記導電層は、前記絶縁層の前記第１面から突出した、請求項６に記載の回路基板。

【請求項9】

前記第１面に平行な方向による前記導電層の幅は、前記第１接続パッドの前記第２部分の前記第２幅よりさらに大きい、請求項６に記載の回路基板。

【請求項10】

前記導電層は、金（Ａｕ）メッキ層を含む、請求項６に記載の回路基板。

【請求項11】

前記第１接続パッドは銅（Ｃｕ）を含む、請求項１に記載の回路基板。

【請求項12】

前記第１接続パッドは、ボンドフィンガー（ｂｏｎｄ ｆｉｎｇｅｒ）領域に配置される、請求項１に記載の回路基板。

【請求項13】

前記絶縁層の前記第２面上に配置される第２接続パッドをさらに含む、請求項１に記載の回路基板。

【請求項14】

前記絶縁層は複数の絶縁層を含み、
前記複数の絶縁層は複数の回路層を含む、請求項１に記載の回路基板。

【請求項15】

シード層の上に第１金属で第１接続パッドの第１部分を形成し、
前記第１部分を覆ったメッキレジストをパターニングし前記第１金属をメッキして前記第１部分の上に前記第１部分と幅が異なる前記第１接続パッドの第２部分を形成し、そして
前記第１部分と前記第２部分とを覆うように絶縁層を形成する
ことを含む、回路基板の製造方法。

【請求項16】

前記第１部分の第１幅は、前記第２部分の第２幅より大きく形成される、請求項１５に記載の回路基板の製造方法。

【請求項17】

前記第１部分の少なくとも一部が前記絶縁層から露出されるように前記シード層を除去することをさらに含む、請求項１５に記載の回路基板の製造方法。

【請求項18】

前記絶縁層から露出された前記第１部分の上に導電層を形成することをさらに含む、請求項１５に記載の回路基板の製造方法。

【請求項19】

前記導電層が露出されるように前記絶縁層の上に保護層を形成することをさらに含む、請求項１８に記載の回路基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は回路基板および回路基板の製造方法に関するものである。

【背景技術】

【0002】

リードフレーム（Ｌｅａｄ Ｆｒａｍｅ）を用いた半導体パッケージ製造工程において、半導体チップをリードフレームに実装するチップ付着（ｃｈｉｐ ａｔｔａｃｈ）工程以後に、金属細線で半導体チップとリードフレームを電気的に連結するワイヤーボンディング（Ｗｉｒｅ Ｂｏｎｄｉｎｇ）工程を行う。ワイヤーボンディング工程は、例えば超音波（Ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃ）を用いて金属ワイヤーを半導体チップのメタルパッド（Ｍｅｔａｌ ｐａｄ）層に局部的な溶融現象を起こして接合する方式で行われる。

【0003】

電子産業が発達して電子機器の小型化および高機能化が加速されるにつれて半導体パッケージの大きさも共に小さくなる傾向である。パッケージ製品での小型化に対応するためにワイヤーボンディングのための印刷回路基板（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ、ＰＣＢ）のボンディングパッドの大きさも減少している。反面、ワイヤーボンディング工程時、ボンディング不良率を減らすために印刷回路基板の製造時にボンディングパッド幅の拡大が要求されるのが実情である。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

実施形態の一側面は、ワイヤーボンディングチップの実装のためのボンディングパッドを微細ピッチのパターンで実現しながらボンディングワイヤーが接続されるボンディングパッドの幅を確保することができる回路基板および回路基板の製造方法を提供しようとする。

【0005】

しかし、本発明の実施形態が解決しようとする課題は上述の課題に限定されず、本発明に含まれている技術的な思想の範囲で多様に拡張できる。

【課題を解決するための手段】

【0006】

一実施形態による回路基板は、互いに対向する第１面と第２面とを有する絶縁層、および前記絶縁層に埋め込まれ前記第１面で前記絶縁層から少なくとも一部分露出される第１部分と前記第１部分より前記第２面にさらに近い第２部分とを有する第１接続パッドを含み、前記第１面に平行な方向に沿った幅において、前記第１部分の第１幅と前記第２部分の第２幅は互いに異なる。

【0007】

前記第１幅が前記第２幅よりさらに大きくてもよい。

【0008】

前記第１部分と前記第２部分は段差を有するように構成することができる。

【0009】

前記回路基板は、前記絶縁層の前記第１面に配置され前記第１接続パッドを露出させるように開口された保護層をさらに含むことができる。

【0010】

前記絶縁層に埋め込まれ前記保護層で覆われる第１回路配線をさらに含み、前記第１面に垂直な方向による厚さにおいて、前記第１回路配線の厚さは前記第１接続パッドの前記第１部分の厚さよりさらに厚くてもよい。

【0011】

前記回路基板は、前記第１接続パッドの上に配置された導電層をさらに含むことができる。

【0012】

前記導電層は、前記第１接続パッドの前記露出された部分に配置することができる。

【0013】

前記導電層は、前記絶縁層の前記第１面から突出していてもよい。

【0014】

前記第１面に平行な方向による前記導電層の幅は、前記第１接続パッドの前記第２部分の第２幅よりさらに大きくてもよい。

【0015】

前記導電層は、金（Ａｕ）メッキ層を含むことができる。

【0016】

前記第１接続パッドは銅（Ｃｕ）を含むことができる。

【0017】

前記第１接続パッドは、ボンドフィンガー（ｂｏｎｄ ｆｉｎｇｅｒ）領域に配置することができる。

【0018】

前記回路基板は、前記絶縁層の前記第２面上に配置される第２接続パッドをさらに含むことができる。

【0019】

前記絶縁層は複数の絶縁層を含み、前記複数の絶縁層は複数の回路層を含むことができる。

【0020】

他の実施形態による回路基板の製造方法は、シード層の上に第１金属で第１接続パッドの第１部分を形成し、前記第１部分を覆ったメッキレジストをパターニングし前記第１金属をメッキして前記第１部分の上に前記第１部分と幅が異なる前記第１接続パッドの第２部分を形成し、そして前記第１部分と前記第２部分を覆うように絶縁層を形成することを含む。

【0021】

前記第１部分の第１幅は、前記第２部分の第２幅よりさらに大きく形成することができる。

【0022】

前記製造方法は、前記第１部分の少なくとも一部が前記絶縁層から露出されるように前記シード層を除去することをさらに含むことができる。

【0023】

前記製造方法は、前記絶縁層から露出された前記第１部分の上に導電層を形成することをさらに含むことができる。

【0024】

前記製造方法は、前記導電層が露出されるように前記絶縁層の上に保護層を形成することをさらに含むことができる。

【発明の効果】

【0025】

実施形態による回路基板によれば、ワイヤーボンディングチップの実装のためのボンディングパッドを微細ピッチのパターンで実現しながらボンディングワイヤーが接続されるボンディングパッドの幅を広く確保することができる。ボンディングパッドの幅確保を通じてパッケージング進行時のボンディングパッドミス（ｍｉｓｓ）不良を改善することができる。同時に絶縁層内部に埋め込まれるパッドの幅は相対的に狭く設計してデザイン自由度を高め、パッケージ小型化による微細ピッチのボンドフィンガーに対応できる。

【0026】

実施形態による回路基板の製造方法によれば、ＥＴＳ（Ｅｍｂｅｄｄｅｄ Ｔｒａｃｅ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）工法で製作してボンディングパッドを微細ピッチパターンで維持しながらボンディングワイヤー接続面幅を確保することができる。

【図面の簡単な説明】

【0027】

【図1】一実施形態による回路基板を示した断面図である。

【図2】図１に示した回路基板を製造する方法を示した工程断面図である。

【図3】図１に示した回路基板を製造する方法を示した工程断面図である。

【図4】図１に示した回路基板を製造する方法を示した工程断面図である。

【図5】図１に示した回路基板を製造する方法を示した工程断面図である。

【図6】図１に示した回路基板を製造する方法を示した工程断面図である。

【図7】図１に示した回路基板を製造する方法を示した工程断面図である。

【図8】図１に示した回路基板を製造する方法を示した工程断面図である。

【図9】図１に示した回路基板を製造する方法を示した工程断面図である。

【図10】図１に示した回路基板を製造する方法を示した工程断面図である。

【図11】図１に示した回路基板を製造する方法を示した工程断面図である。

【図12】図１に示した回路基板を製造する方法を示した工程断面図である。

【図13】図１に示した回路基板を製造する方法を示した工程断面図である。

【図14】図１に示した回路基板を製造する方法を示した工程断面図である。

【図15】図１に示した回路基板を製造する方法を示した工程断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0028】

以下、添付した図面を参照して本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように本発明の実施形態を詳しく説明する。図面で本発明を明確に説明するために説明上不必要な部分は省略し、明細書全体にわたって同一または類似の構成要素については同一な参照符号を付けた。また、添付図面において一部構成要素は誇張されるか、または省略されるか、または概略的に図示され、各構成要素の大きさは実際の大きさを完全に反映するものではない。

【0029】

添付された図面は本明細書に開示された実施形態を容易に理解することができるようにするためのものに過ぎず、添付された図面によって本明細書に開示された技術的思想が制限されず、本発明の思想および技術範囲に含まれる全ての変更、均等物乃至代替物を含むと理解されなければならない。

【0030】

第１、第２などのように序数を含む用語は多様な構成要素を説明するのに使用することができるが、前記構成要素は前記用語によって限定されない。前記用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的にのみ使用される。

【0031】

また、層、膜、領域、板などの部分が他の部分「の上に」または「上に」あるという時、これは他の部分「の直上に」ある場合だけでなく、その中間にまた他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分「の直上に」あるという時には中間に他の部分がないことを意味する。また、基準となる部分「の上に」または「上に」あるというのは基準となる部分の上または下に位置することであり、必ずしも重力反対方向に向かって「の上に」または「上に」位置することを意味するのではない。

【0032】

明細書全体で、「含む」または「有する」などの用語は明細書中に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとするものであり、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品、またはこれらを組み合わせたものの存在または付加可能性を予め排除しないものと理解されなければならない。したがって、ある部分がある構成要素を「含む」という時、これは特に反対になる記載がない限り他の構成要素を除くのではなく他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。

【0033】

また、明細書全体で、「平面上」という時、これは対象部分を上から見た時を意味し、「断面上」という時、これは対象部分を垂直に切断した断面を横から見た時を意味する。

【0034】

また、明細書全体で、「連結される」という時、これは二つ以上の構成要素が直接的に連結されることのみを意味するのではなく、二つ以上の構成要素が他の構成要素を通じて間接的に連結されること、物理的に連結されることだけでなく電気的に連結されること、または位置や機能によって異なる名称で称されたが、一体であることを意味することができる。

【0035】

図１は、一実施形態による回路基板を示した断面図である。

【0036】

図１を参照すれば、本実施形態による回路基板１００は、絶縁層１１０と、この絶縁層１１０に埋め込まれた第１接続パッド１２１および第１回路配線１２２とを含む。絶縁層１１０と第１接続パッド１２１および第１回路配線１２２は埋め込みパターン基板を構成することができる。回路基板１００は印刷回路基板として半導体パッケージ用に使用することができる。

【0037】

絶縁層１１０は互いに対向する第１面１１０ａと第２面１１０ｂを有し、樹脂絶縁層を含むことができる。絶縁層１１０はエポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、ポリイミドのような熱可塑性樹脂、またはこれらにガラス繊維または無機フィラーのような補強材が含浸された樹脂、例えば、プリプレグ（ｐｒｅｐｒｅｇ）を使用することができ、また熱硬化性樹脂および／または光硬化性樹脂などを含むことができるが、これに限定されない。

【0038】

第１接続パッド１２１は絶縁層１１０に埋め込まれ、上段部と下段部の幅が互いに異なる形態を有することができる。絶縁層１１０に埋め込まれた第１接続パッド１２１は、絶縁層１１０の第１面１１０ａに近い第１部分１２１ａと、第２面１１０ｂに近い第２部分１２１ｂを含むことができる。第１部分１２１ａは第１面１１０ａで絶縁層１１０から少なくとも一部分露出され、第２部分１２１ｂは第１部分１２１ａより第２面１１０ｂにさらに近く配置されてもよい。

【0039】

絶縁層１１０の第１面１１０ａに平行な方向に沿って測定された幅を基準にする時、第１部分１２１ａの第１幅ｗ１は第２部分１２１ｂの第２幅ｗ２よりさらに大きくてもよい。絶縁層１１０から露出された第１部分１２１ａの第１幅ｗ１は、第２部分１２１ｂの第２幅ｗ２よりさらに大きくてもよい。この時、第１接続パッド１２１の第１部分１２１ａと第２部分１２１ｂは互いに段差を有する構造からなり得る。これにより、絶縁層１１０に埋め込まれた第１接続パッド１２１は微細ピッチでボンディングパッド（ｂｏｎｄｉｎｇ ｐａｄ）を実現しながらもワイヤーボンディングが行われる表面の幅を広く確保してボンディング（ｂｏｎｄｉｎｇ）エラーを減らすことができるようになる。

【0040】

第１導電層１４１は、第１接続パッド１２１の上に積層されて配置されてもよい。第１導電層１４１は、絶縁層１１０から露出された第１接続パッド１２１の第１部分１２１ａに配置されてもよい。第１接続パッド１２１の露出された第１部分１２１ａは、絶縁層１１０の第１面１１０ａと同一平面を成すか、または絶縁層１１０の第１面１１０ａから若干陥没して形成されてもよい。第１接続パッド１２１の上に積層された第１導電層１４１は、絶縁層１１０の第１面１１０ａから少なくとも部分的に突出していてもよい。

【0041】

第１接続パッド１２１と第１回路配線１２２は銅（Ｃｕ）層を含むことができる。第１導電層１４１は、ニッケル（Ｎｉ）メッキ層と金（Ａｕ）メッキ層を含むことができる。第１導電層１４１は、第１接続パッド１２１上にニッケルメッキ層がメッキされ、ニッケルメッキ層上に金メッキ層がメッキされて形成されることができる。

【0042】

本実施形態で、第１導電層１４１は電解金メッキ方法で形成することができる。即ち、銅を含む第１接続パッド１２１に電流を印加してニッケル／金金属被膜を形成させる方法でニッケルメッキ層と金メッキ層を形成することができる。他の例として、第１導電層１４１は無電解金メッキ方法で形成することもできる。

【0043】

回路基板１００を厚さ方向に切断した断面上から見る時、第１導電層１４１の幅は第１接続パッド１２１の幅と実質的に同一であるか、またはこれよりさらに大きくてもよい。第１導電層１４１が第１接続パッド１２１と接する部分で第１導電層１４１の幅が第１接続パッド１２１の幅と同一であるか、またはこれよりさらに大きくてもよい。

【0044】

第１接続パッド１２１はボンドフィンガー領域に配置されるボンドフィンガー（ｂｏｎｄ ｆｉｎｇｅｒ）になり得る。また、複数の第１接続パッド１２１は複数のボンドフィンガーを構成することができる。即ち、第１接続パッド１２１はワイヤーボンディングパッド用ボンドフィンガーから構成されて、半導体チップのワイヤーボンディング時、導電性ワイヤーがこれに接合されてもよい。

【0045】

絶縁層１１０の第１面１１０ａには、第１保護層１３１が配置されてもよい。第１保護層１３１は、第１接続パッド１２１を露出させるように開口されてもよい。また、第１保護層１３１は、絶縁層１１０内部に位置した第１回路配線１２２と重畳してこれを覆うことができる。第１保護層１３１は、ソルダーレジスト層からなり得る。

【0046】

絶縁層１１０の第１面１１０ａに垂直な方向に沿った厚さにおいて、第１回路配線１２２の厚さは第１接続パッド１２１の第１部分１２１ａの厚さよりさらに厚くてもよい。また、第１部分１２１ａと第２部分１２１ｂを含む第１接続パッド１２１全体の厚さは第１回路配線１２２の厚さと同一であってもよい。

【0047】

絶縁層１１０の第２面１１０ｂ上には、第２接続パッド１２５と第２回路配線１２６がさらに形成されてもよい。第２接続パッド１２５と第２回路配線１２６は絶縁層１１０の第２面１１０ｂから突出していてもよく、ビア１２３を通じて第１回路配線１２２と連結できる。絶縁層１１０の第２面１１０ｂで第２接続パッド１２５の周囲に第２保護層１３５を形成できる。第２保護層１３５は第２回路配線１２６と重畳してこれを覆うことができ、ソルダーレジスト層からなり得る。

【0048】

第２接続パッド１２５と第２回路配線１２６は銅（Ｃｕ）層を含むことができ、第２接続パッド１２５上には第２導電層１４５を形成できる。第２導電層１４５は、ニッケル（Ｎｉ）メッキ層と金（Ａｕ）メッキ層を含むことができる。ニッケルメッキ層は第２接続パッド１２５上に形成され、金メッキ層はニッケルメッキ層上に形成されてもよい。

【0049】

一方、図１に示した回路基板１００は絶縁層１１０の両面に接続パッド１２１、１２５を有する構造を示したものであるが、絶縁層１１０の第２面１１０ｂに配置された第２接続パッド１２５は省略することができ、これも本開示の範囲に属するものである。さらには、絶縁層１１０は複数の絶縁層を含み、前記複数の絶縁層はそれぞれ回路層を含むことができる。したがって、３層以上の絶縁層それぞれに回路層が形成され、これら回路層を連結するように前記絶縁層の厚さ方向にビアが延長されてもよい。

【0050】

図２～図１５は、図１に示した回路基板を製造する方法を示した工程断面図である。以下、図２～図１５と図１を共に参照して回路基板を製造する方法を説明する。

【0051】

図２～図５を参照すれば、少なくとも一面に第１シード層７１が配置されたキャリア基板６０を準備し、回路形成工程を通じて第１シード層７１に第１接続パッド１２１の第１部分１２１ａを形成する。キャリア基板６０は絶縁基板６１の両面に銅箔層６２が積層されている基板であってもよく、第１シード層７１と銅箔層６２は互いに分離できる（図２参照）。キャリア基板６０上に形成されたメッキレジストを露光および現像して第１メッキレジストパターン８３を形成することができる。前記第１メッキレジストパターン８３は、前記第１接続パッド１２１の第１部分１２１ａが形成される部分のみを除去して形成することができる（図３参照）。第１接続パッド１２１の第１部分１２１ａは、パターニングされた第１メッキレジストパターン８３の開口を通じて露出された第１シード層７１の部分に導電性金属がメッキされて形成されることができる（図４参照）。第１接続パッド１２１の第１部分１２１ａの形成後、第１メッキレジストパターン８３は除去される（図５参照）。

【0052】

第１シード層７１は回路基板分野で回路用導電性金属として使用されるものであれば制限なく適用可能であり、銅（Ｃｕ）を使用することが一般的である。第１接続パッド１２１の第１部分１２１ａはキャリア基板６０の第１シード層７１と連結でき第１シード層７１と同じ種類の金属を含むことができる。例えば、第１シード層７１と第１接続パッド１２１の第１部分１２１ａは銅（Ｃｕ）を含むことができる。

【0053】

本実施形態ではキャリア基板６０の両面上に第１接続パッド１２１の第１部分１２１ａを形成することを示したが、キャリア基板６０の一面上のみに第１接続パッド１２１の第１部分１２１ａを形成することもまた可能であり、これも本開示の範囲に属するものである。

【0054】

図６および図７を参照すれば、第１接続パッド１２１の第１部分１２１ａが形成されたキャリア基板６０上に、第１接続パッド１２１の第２部分１２１ｂが形成される部分が露光および現像を通じて除去された第２メッキレジストパターン８５を形成することができる。第１接続パッド１２１の第２部分１２１ｂは、パターニングされた第２メッキレジストパターン８５の開口を通じて露出された第１接続パッド１２１の第１部分１２１ａの上に導電性金属がメッキされて形成されることができる（図６参照）。この時、第１接続パッド１２１の第１部分１２１ａが形成されていない第１シード層７１の一部分でも第２メッキレジストパターン８５が開口されてもよい。この部分では第１シード層７１の上に導電性金属がメッキされて第１回路配線１２２が形成されることができる。第１回路配線１２２と第１接続パッド１２１の第２部分１２１ｂの形成後、第２メッキレジストパターン８５は除去される（図７参照）。

【0055】

図８を参照すれば、第１接続パッド１２１が埋め込まれるように絶縁層１１０Ａを積層し、絶縁層１１０Ａの上部面に第２シード層７３を形成する。第２シード層７３は第２接続パッド１２５と第２回路配線１２６を形成するために設けられ、導電性金属であれば制限なく使用可能であるが、銅（Ｃｕ）を使用することが一般的である。

【0056】

絶縁層１１０Ａは、樹脂絶縁層を含むことができる。絶縁層１１０Ａはエポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、ポリイミドのような熱可塑性樹脂、またはこれらにガラス繊維または無機フィラーのような補強材が含浸された樹脂、例えば、プリプレグを使用することができ、また絶縁層１１０Ａは熱硬化性樹脂および／または光硬化性樹脂などを含むことができるが、これに限定されない。

【0057】

図９～図１２を参照すれば、絶縁層１１０の上に回路形成工程を通じて第２接続パッド１２５と第２回路配線１２６を形成するための配線パターン層１２５Ａを形成することができる。配線パターン層１２５Ａは、第１回路配線１２２および第１接続パッド１２１と同じ種類の物質を含むことができる。この時、第１回路配線１２２と配線パターン層１２５Ａを互いに連結するビア１２３を形成するために絶縁層１１０を部分的にエッチングして第１回路配線１２２の一部を露出させることができる（図９参照）。そして、配線パターン層１２５Ａを形成するために第２シード層７３の上に第３メッキレジストパターン８７を形成することができる（図１０参照）。第３メッキレジストパターン８７は、配線パターン層１２５Ａが形成される部分が開口されて第２シード層７３が露出される。このように露出された第２シード層７３と第１回路配線１２２の部分の上にメッキ工程を行うことができる（図１１参照）。配線パターン層１２５Ａの形成後、第３メッキレジストパターン８７は除去されキャリア基板６０の両側に埋め込みパターン（Ｅｍｂｅｄｄｅｄ Ｐａｔｔｅｒｎ）基板部が完成される（図１２参照）。

【0058】

図示した実施形態によれば、それぞれの埋め込みパターン基板部は一つの絶縁層１１０と二つの金属層である第１回路配線１２２および第２回路配線１２６を含むものとして示したが、これに限定されず、さらに多くの数のビルドアップ（ｂｕｉｌｄ－ｕｐ）絶縁層とさらに多くのビルドアップ配線パターン層を含むことができ、これも本開示の範囲に属するものである。

【0059】

図１３を参照すれば、第１シード層７１とキャリア基板６０を分離して埋め込みパターン基板を準備する。キャリア基板６０の両面上に形成された第１シード層７１を銅箔層６２から分離して一対の埋め込みパターン基板を得ることができ、一対の埋め込みパターン基板それぞれに対して個別的に工程が適用できる。

【0060】

図１４を参照すれば、図１３で得られた埋め込みパターン基板をソフトエッチングして第１シード層７１と第２シード層７３を除去する。第１シード層７１と第２シード層７３を除去した後、絶縁層１１０に埋め込まれて第１面１１０ａに露出された第１接続パッド１２１と第１回路配線１２２が形成される。絶縁層１１０の第２面１１０ｂの上に配置された配線パターン層１２５Ａは互いに分離されて第２接続パッド１２５と第２回路配線１２６として形成される。第１シード層７１を除去することによって第１接続パッド１２１の第１部分１２１ａの一部は絶縁層１１０から露出される。第１シード層７１を除去する過程で絶縁層１１０から露出された第１接続パッド１２１と第１回路配線１２２の表面も部分的にエッチングされて絶縁層１１０の表面より陥没して形成されることができる。

【0061】

図１５を参照すれば、図１４で得られた埋め込みパターン基板の両面に絶縁層１１０と回路配線１２２、１２６を覆うように第１保護層１３１と第２保護層１３５を形成する。第１保護層１３１と第２保護層１３５はソルダーレジスト層を含むことができる。第１保護層１３１は、第１接続パッド１２１が露出された絶縁層１１０の第１面１１０ａで第１接続パッド１２１を露出させるようにパターニングされてもよい。第２保護層１３５は、第２接続パッド１２５が配置された絶縁層１１０の第２面１１０ｂで第２回路配線１２６を覆い第２接続パッド１２５を露出させるように開口されてもよい。

【0062】

再び図１を参照すれば、図１５で得られた埋め込みパターン基板で保護層１３１、１３５によって露出された第１接続パッド１２１と第２接続パッド１２５の上にそれぞれ第１導電層１４１と第２導電層１４５を形成することができる。第１導電層１４１と第２導電層１４５は、電解金メッキ方法で形成することができる。銅を含む第１接続パッド１２１または第２接続パッド１２５に電流を印加してニッケル／金金属被膜を形成させる方法でニッケルメッキ層と金メッキ層を形成できる。選択的に、第１導電層１４１と第２導電層１４５は無電解金メッキ方法で形成することもできる。

【0063】

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、特許請求の範囲と発明の説明および添付した図面の範囲内で多様に変形して実施することが可能であり、これも本発明の範囲に属することは当然である。

【符号の説明】

【0064】

１００：回路基板
１１０：絶縁層
１１０ａ：第１面
１１０ｂ：第２面
１２１：第１接続パッド
１２２：第１回路配線
１２５：第２接続パッド
１２６：第２回路配線
１３１：第１保護層
１３５：第２保護層
１４１：第１導電層
１４５：第２導電層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】