特開 2025-92391 プリント回路基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025092391

(43)【公開日】2025-06-19

(54)【発明の名称】プリント回路基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20250612BHJP

   H01L 23/12 20060101ALI20250612BHJP

   H01L 23/15 20060101ALI20250612BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 Q

H05K3/46 B

H05K3/46 T

H05K3/46 N

H01L23/12 F

H01L23/14 C

【審査請求】未請求

【請求項の数】17

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024137721

(22)【出願日】2024-08-19

(31)【優先権主張番号】10-2023-0176390

(32)【優先日】2023-12-07

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

【公序良俗違反の表示】

（特許庁注：以下のものは登録商標）

１．ＢＬＵＥＴＯＯＴＨ

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】100108453

【弁理士】

【氏名又は名称】村山 靖彦

(74)【代理人】

【識別番号】100110364

【弁理士】

【氏名又は名称】実広 信哉

(72)【発明者】

【氏名】▲黄▼ 美善

(72)【発明者】

【氏名】全 美貞

(72)【発明者】

【氏名】柳 泰熙

(72)【発明者】

【氏名】趙 英旭

【テーマコード（参考）】

5E316

【Ｆターム（参考）】

5E316AA12

5E316AA32

5E316AA38

5E316AA43

5E316CC18

5E316CC31

5E316CC32

5E316CC33

5E316CC34

5E316CC37

5E316CC38

5E316DD17

5E316DD23

5E316DD24

5E316EE31

5E316FF13

5E316FF14

5E316GG14

5E316GG15

5E316GG17

5E316GG28

5E316HH07

5E316HH11

5E316HH33

5E316JJ12

(57)【要約】

【課題】ガラス層を含むプリント回路基板を提供する。また、反り特性が向上したプリント回路基板を提供する。さらに、信頼性を向上させることができるプリント回路基板を提供する
【解決手段】本発明は、キャビティを有するガラス層、ガラス層を貫通する貫通部、及びガラス層上に突出した突出部を有する貫通ビア、キャビティ内に配置される電子部品、キャビティの少なくとも一部を充填し、電子部品の少なくとも一部を覆う第１絶縁層を含むプリント回路基板に関する。
【選択図】図３ａ

【特許請求の範囲】

【請求項1】

キャビティを有するガラス層と、
前記ガラス層を貫通する貫通部、及び前記ガラス層上に突出した突出部を有する貫通ビアと、
前記キャビティ内に配置される電子部品と、
前記キャビティの少なくとも一部を充填し、前記電子部品の少なくとも一部を覆う第１絶縁層と、を含む、プリント回路基板。

【請求項2】

前記貫通部及び前記突出部は一体になっている、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項3】

前記第１絶縁層は、前記ガラス層の下面上に延長されるように配置される
請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項4】

前記第１絶縁層上に配置される第１配線層と、
少なくとも一部が前記貫通ビアと接し、前記第１配線層と前記貫通ビアとを互いに連結するように、前記第１絶縁層の少なくとも一部を貫通する第１ビア層と、をさらに含む、請求項３に記載のプリント回路基板。

【請求項5】

前記第１絶縁層上に配置される第２絶縁層と、
前記第２絶縁層上に配置される第２配線層と、
前記第２配線層と前記第１配線層とを互いに連結するか、又は前記第２配線層を互いに連結するように、前記第２絶縁層の少なくとも一部を貫通する第２ビア層と、をさらに含む、請求項４に記載のプリント回路基板。

【請求項6】

前記電子部品は金属ピラーを含み、
前記金属ピラーは前記第１絶縁層の上側に突出する、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項7】

前記金属ピラーの上面は、前記貫通ビアの前記貫通部の上面と実質的に共面をなす、請求項６に記載のプリント回路基板。

【請求項8】

前記金属ピラーは、前記電子部品の上側及び下側にそれぞれ配置される、請求項７に記載のプリント回路基板。

【請求項9】

前記貫通ビアの下面は、前記ガラス層の下面と実質的に共面をなす、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項10】

前記第１絶縁層の上面は、前記ガラス層の上面と実質的に共面をなす、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項11】

前記第１絶縁層の下面は、前記ガラス層の下面と実質的に共面をなす、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項12】

少なくとも一部が前記ガラス層の下面に配置される第１配線層をさらに含み、
前記第１配線層の少なくとも一部は前記貫通ビアと接する、請求項１１に記載のプリント回路基板。

【請求項13】

ガラス層と、
前記ガラス層を貫通する貫通部、及び前記ガラス層上に突出した突出部を有する貫通ビアと、を含み、
断面上において、前記貫通部の最上側での幅は、前記突出部の最下側での幅と実質的に同じである、プリント回路基板。

【請求項14】

前記貫通部及び前記突出部は一体になっている、請求項１３に記載のプリント回路基板。

【請求項15】

前記貫通部の下面は前記ガラス層の下面と実質的に共面をなし、
前記突出部の上面は前記ガラス層の上面より突出した、請求項１３に記載のプリント回路基板。

【請求項16】

前記貫通ビアは、実質的に上向きのテーパ形状を有する、請求項１３に記載のプリント回路基板。

【請求項17】

前記ガラス層の少なくとも一部を貫通するキャビティをさらに含み、
前記キャビティと前記貫通ビアは、実質的に同じ方向にテーパ形状を有する、請求項１３に記載のプリント回路基板。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明はプリント回路基板に関する。

【背景技術】

【0002】

最近、人工知能（Ａｒｔｉｆｉｃｉａｌ Ｉｎｔｅｌｌｉｇｅｎｃｅ、ＡＩ）技術などの発達により、幾何級数的に増加したデータ処理のためのＨＢＭ（Ｈｉｇｈ Ｂａｎｄｗｉｄｔｈ Ｍｅｍｏｒｙ）などのメモリチップ及びＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、ＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ）などのプロセッサチップなどを含むマルチチップパッケージが使用されている。そのため、大面積構造を有する基板に対する需要があり、平坦度及び反り（ｗａｒｐａｇｅ）の制御に関する問題を克服するための努力が続けられている。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0003】

本発明のいくつかの目的のうちの一つは、ガラス層を含むプリント回路基板を提供することである。

【0004】

本発明のいくつかの目的のうち他の一つは、反り特性が向上したプリント回路基板を提供することである。

【0005】

本発明のいくつかの目的のうち他の一つは、信頼性を向上させることができるプリント回路基板を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明を通じて提案するいくつかの解決手段のうちの一つは、キャビティを有するガラス層、ガラス層を貫通する貫通部、及びガラス層上に突出した突出部を有する貫通ビア、キャビティ内に配置される電子部品、キャビティの少なくとも一部を充填し、電子部品の少なくとも一部を覆う第１絶縁層を含むプリント回路基板を提供することである。

【0007】

本発明を通じて提案するいくつかの解決手段のうちの他の一つは、ガラス層、ガラス層を貫通する貫通部、及びガラス層上に突出した突出部を有する貫通ビアを含み、断面上において、貫通部の最上側での幅は突出部の最下側での幅と実質的に同じプリント回路基板を提供することである。

【発明の効果】

【0008】

本発明の様々な効果のうち一つの効果として、ガラス層を含むプリント回路基板を提供することができる。

【0009】

本発明の様々な効果のうち他の一つの効果として、反り特性が向上したプリント回路基板を提供することができる。

【0010】

本発明の様々な効果のうち他の一つの効果として、信頼性を向上させることができるプリント回路基板を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】電子機器システムの例を概略的に示すブロック図である。

【図2】電子機器の一例を概略的に示す斜視図である。

【図3a】一例に係るプリント回路基板を概略的に示す断面図である。

【図3b】一例に係るプリント回路基板を概略的に示す断面図である。

【図4a】他の一例に係るプリント回路基板を概略的に示す断面図である。

【図4b】他の一例に係るプリント回路基板を概略的に示す断面図である。

【図5a】さらに他の一例に係るプリント回路基板を概略的に示す断面図である。

【図5b】さらに他の一例に係るプリント回路基板を概略的に示す断面図である。

【図6a】一例に係るプリント回路基板の製造方法を概略的に示す断面図である。

【図6b】一例に係るプリント回路基板の製造方法を概略的に示す断面図である。

【図6c】一例に係るプリント回路基板の製造方法を概略的に示す断面図である。

【図6d】一例に係るプリント回路基板の製造方法を概略的に示す断面図である。

【図6e】一例に係るプリント回路基板の製造方法を概略的に示す断面図である。

【図6f】一例に係るプリント回路基板の製造方法を概略的に示す断面図である。

【図6g】一例に係るプリント回路基板の製造方法を概略的に示す断面図である。

【図6h】一例に係るプリント回路基板の製造方法を概略的に示す断面図である。

【図6i】一例に係るプリント回路基板の製造方法を概略的に示す断面図である。

【図6j】一例に係るプリント回路基板の製造方法を概略的に示す断面図である。

【図6k】一例に係るプリント回路基板の製造方法を概略的に示す断面図である。

【図7a】さらに他の一例に係るプリント回路基板の製造方法の一部分を概略的に示す断面図である。

【図7b】さらに他の一例に係るプリント回路基板の製造方法の一部分を概略的に示す断面図である。

【図7c】さらに他の一例に係るプリント回路基板の製造方法の一部分を概略的に示す断面図である。

【図7d】さらに他の一例に係るプリント回路基板の製造方法の一部分を概略的に示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下、添付の図面を参照して本発明について説明する。図面における要素の形状及びサイズなどは、より明確な説明のために誇張又は縮小することができる。

【0013】

電子機器
図１は、電子機器システムの例を概略的に示すブロック図である。

【0014】

図面を参照すると、電子機器１０００はメインボード１０１０を収容する。メインボード１０１０には、チップ関連部品１０２０、ネットワーク関連部品１０３０、及びその他の部品１０４０などが物理的及び／又は電気的に連結されている。これらは後述する他の電子部品とも結合して様々な信号ライン１０９０を形成する。

【0015】

チップ関連部品１０２０としては、揮発性メモリ（例えば、ＤＲＡＭ）、不揮発性メモリ（例えば、ＲＯＭ）、フラッシュメモリなどのメモリチップ；セントラルプロセッサ（例えば、ＣＰＵ）、グラフィックプロセッサ（例えば、ＧＰＵ）、デジタル信号プロセッサ、暗号化プロセッサ、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラなどのアプリケーションプロセッサチップ；アナログ－デジタルコンバータ、ＡＳＩＣ（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ－ｓｐｅｃｉｆｉｃ ＩＣ）などのロジックチップなどが含まれるが、これらに限定されるものではなく、これら以外にもその他の異なる形態のチップ関連電子部品が含まれてもよいことは言うまでもない。また、これらのチップ関連部品１０２０を互いに組み合わせてもよいことは勿論である。チップ関連部品１０２０は、上述したチップや電子部品を含むパッケージ形態であってもよい。

【0016】

ネットワーク関連部品１０３０としては、Ｗｉ－Ｆｉ（ＩＥＥＥ ８０２．１１ファミリなど）、ＷｉＭＡＸ（ＩＥＥＥ ８０２．１６ファミリなど）、ＩＥＥＥ ８０２．２０、ＬＴＥ（ｌｏｎｇ ｔｅｒｍ ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）、Ｅｖ－ＤＯ、ＨＳＰＡ＋、ＨＳＤＰＡ＋、ＨＳＵＰＡ＋、ＥＤＧＥ、ＧＳＭ、ＧＰＳ、ＧＰＲＳ、ＣＤＭＡ、ＴＤＭＡ、ＤＥＣＴ、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ、３Ｇ、４Ｇ、５Ｇ、及びそれ以降のものとして指定された任意の他の無線及び有線プロトコルが含まれるが、これらに限定されるものではなく、これら以外にも、その他の異なる多数の無線又は有線標準やプロトコルのうち任意のものが含まれてもよい。また、ネットワーク関連部品１０３０をチップ関連部品１０２０と併せて互いに組み合わせてもよいことは言うまでもない。

【0017】

その他の部品１０４０としては、高周波インダクタ、フェライトインダクタ、パワーインダクタ、フェライトビーズ、ＬＴＣＣ（ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ－Ｆｉｒｉｎｇ Ｃｅｒａｍｉｃｓ）、ＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）フィルタ、ＭＬＣＣ（Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃｏｎｄｅｎｓｅｒ）などが含まれる。但し、これらに限定されるものではなく、これら以外にも、その他の異なる様々な用途のために使用されるチップ部品形態の受動素子などが含まれてもよい。また、その他の部品１０４０をチップ関連部品１０２０及び／又はネットワーク関連部品１０３０と互いに組み合わせてもよいことは言うまでもない。

【0018】

電子機器１０００の種類に応じて、電子機器１０００は、メインボード１０１０に物理的及び／又は電気的に連結されているか又はされていない他の電子部品を含むことができる。他の電子部品の例としては、カメラモジュール１０５０、アンテナモジュール１０６０、ディスプレイ１０７０、バッテリ１０８０などがある。但し、これらに限定されるものではなく、オーディオコーデック、ビデオコーデック、電力増幅器、羅針盤、加速度計、ジャイロスコープ、スピーカ、大容量記憶装置（例えば、ハードディスクドライブ）、ＣＤ（ｃｏｍｐａｃｔ ｄｉｓｋ）、ＤＶＤ（ｄｉｇｉｔａｌ ｖｅｒｓａｔｉｌｅ ｄｉｓｋ）などであってもよい。これら以外にも、電子機器１０００の種類に応じて様々な用途のために使用されるその他の電子部品などが含まれてもよいことは言うまでもない。

【0019】

電子機器１０００は、スマートフォン（ｓｍａｒｔ ｐｈｏｎｅ）、個人用情報端末機（ｐｅｒｓｏｎａｌ ｄｉｇｉｔａｌ ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、デジタルビデオカメラ（ｄｉｇｉｔａｌ ｖｉｄｅｏ ｃａｍｅｒａ）、デジタルスチルカメラ（ｄｉｇｉｔａｌ ｓｔｉｌｌ ｃａｍｅｒａ）、ネットワークシステム（ｎｅｔｗｏｒｋ ｓｙｓｔｅｍ）、コンピュータ（ｃｏｍｐｕｔｅｒ）、モニタ（ｍｏｎｉｔｏｒ）、タブレット（ｔａｂｌｅｔ）、ラップトップ（ｌａｐｔｏｐ）、ネットブック（ｎｅｔｂｏｏｋ）、テレビ（ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ）、ビデオゲーム（ｖｉｄｅｏ ｇａｍｅ）、スマートウォッチ（ｓｍａｒｔ ｗａｔｃｈ）、オートモーティブ（Ａｕｔｏｍｏｔｉｖｅ）などであってもよい。但し、これらに限定されるものではなく、これら以外にも、データを処理する任意の他の電子機器であってもよいことは言うまでもない。

【0020】

図２は、電子機器の一例を概略的に示す斜視図である。

【0021】

図面を参照すると、電子機器は、例えば、スマートフォン１１００であってもよい。スマートフォン１１００の内部には、マザーボード１１１０が収容されており、このようなマザーボード１１１０には、様々な部品１１２０が物理的及び／又は電気的に連結されている。また、カメラモジュール１１３０及び／又はスピーカ１１４０のようにマザーボード１１１０に物理的及び／又は電気的に連結されているか又はされていない他の部品が内部に収容されている。部品１１２０の一部は、上述したチップ関連部品であってもよく、例えば、部品パッケージ１１２１であってもよいが、これに限定されるものではない。部品パッケージ１１２１は、能動部品及び／又は受動部品を含む電子部品が表面実装配置されたプリント回路基板の形態であってもよい。あるいは、部品パッケージ１１２１は、能動部品及び／又は受動部品が内蔵されたプリント回路基板の形態であってもよい。一方、電子機器は必ずしもスマートフォン１１００に限定されるものではなく、上述したように他の電子機器であってもよいことは言うまでもない。

【0022】

プリント回路基板
図３ａ及び図３ｂは、一例に係るプリント回路基板を概略的に示す断面図である。

【0023】

図３ａ及び図３ｂを参照すると、一例に係るプリント回路基板は、キャビティＣＡを有するガラス層１１０、ガラス層１１０を貫通する貫通ビア１３０、キャビティＣＡを充填する第１絶縁層１１１、及びキャビティＣＡ内に配置される電子部品２０１、２０２を含むことができる。貫通ビア１３０は、ガラス層１１０の少なくとも一部を貫通してもよく、ガラス層１１０の一部に突出してもよい。すなわち、貫通ビア１３０は、ガラス層１１０を貫通する貫通部と、ガラス層１１０上に突出する突出部とを有することができる。貫通ビア１３０の貫通部及び突出部は一体になっていてもよい。

【0024】

一例に係るプリント回路基板はガラス層１１０を含むため、基本的に優れた平坦度を有することができ、さらに、低い熱膨張係数（ＣＴＥ）などにより反り（ｗａｒｐａｇｅ）制御に有利であり得る。特に、一例に係るプリント回路基板は、ガラス層１１０をコアとして有することができるため、他の絶縁層を積層する段階でも反り制御に有利であり得る。また、ガラス層１１０の誘電特性、例えば、Ｄｋ２．５～１１の可変性質を有するガラス（Ｇｌａｓｓ）の特徴によりプリント回路基板の層数を減少させることができ、デザイン自由度をより増加させることができる。

【0025】

ガラス層１１０は、プリント回路基板の最外側に配置されることができる。一例に係るプリント回路基板は、ガラス層１１０の下側に第１絶縁層１１１及び／又は第２絶縁層１１２がビルドアップされる、いわゆるコアレス（ｃｏｒｅｌｅｓｓ）タイプの基板であってもよい。一例に係るプリント回路基板は、ガラス層１１０が最外側に配置されることで、コアレスタイプの基板を製造しても、反り（ｗａｒｐａｇｅ）特性を制御する上で有利であり得る。特に、大面積のコアレスタイプ基板の場合、反りによる不良が発生する可能性が高く、微細回路を実現するか、又は多層の基板を製造する場合、若干の反りにもかかわらず、基板の不良を引き起こす可能性がある。但し、一例に係るプリント回路基板は、最外側にガラス層１１０を配置し、ガラス層１１０がプリント回路基板の上側に露出するため、反り特性を制御する上で有利となり得る。但し、これに限定されず、完成した基板上にガラス層１１０を保護するための他の手段をさらに含むことができるが、この場合にもガラス層１１０はビルドアップ層の中で最上側に配置されることができる。

【0026】

一例に係るプリント回路基板は、ガラス層１１０が基板の構成として含まれ、ビルドアップ層の一部を構成することができる。これは、キャビティＣＡを有するガラス層１１０が別途製造されて半田等で連結されるガラスインターポーザとは明確に異なるものであり、一例に係るプリント回路基板は、ガラス層１１０と第１絶縁層１１１が接するように位置することができ、ガラス層１１０上に形成された第１ビア層１３１が貫通ビア１３０と直接接することができる。その他にも、一例に係るプリント回路基板におけるガラス層１１０と第１絶縁層１１１、第１配線層１２１、第１ビア層１３１の配置関係に関する詳細については後述する。

【0027】

ガラス層１１０は、非結晶質固体であるガラス（ｇｌａｓｓ）を含むことができる。ガラスは、例えば、純粋な二酸化ケイ素（約１００％のＳｉＯ_２）、ソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、アルミノケイ酸塩ガラス（ａｌｕｍｉｎｏ－ｓｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ）などを含むことができる。但し、これに限定されるものではなく、代替的なガラス材料である、例えば、フッ素ガラス、リン酸ガラス、カルコゲンガラスなどもガラス層１１０の材料として使用されることができる。また、特定の物理的特性を有するガラスを形成するために、その他の添加剤をさらに含むこともできる。このような添加剤は、炭酸カルシウム（例えば、石灰）及び炭酸ナトリウム（例えば、ソーダ）だけでなく、マグネシウム、カルシウム、マンガン、アルミニウム、鉛、ホウ素、鉄、クロム、カリウム、硫黄及びアンチモンと、これらの元素、並びに他の元素の炭酸塩及び／又は酸化物を含むことができる。ガラス層１１０は、ガラス繊維（Ｇｌａｓｓ Ｆｉｂｅｒ、Ｇｌａｓｓ Ｃｌｏｔｈ、Ｇｌａｓｓ Ｆａｂｒｉｃ）などを含む材料、例えば、ＣＣＬ（Ｃｏｐｐｅｒ Ｃｌａｄ Ｌａｍｉｎａｔｅ）、ＰＰＧ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）などとは区別される層であり、例えば、板ガラス等と理解することができる。

【0028】

ガラス層１１０はキャビティＣＡを有することができる。キャビティＣＡは、ガラス層１１０の上下面を貫通することができ、上向きのテーパ形状を有することができる。すなわち、キャビティＣＡは、ガラス層１１０の上面での幅が下面での幅より狭くなるようにテーパ形状を有することができ、これは、ガラス層１１０の下側から上側にキャビティＣＡが形成された結果であり得る。一方、必ずしもこれに限定されるものではなく、キャビティＣＡは、ガラス層１１０の下面での幅が上面での幅より狭くなるようにテーパ形状を有してもよく、ガラス層１１０の中心部での幅が上面及び下面での幅よりそれぞれ狭くなるように形成され、中心部での幅が最も狭くなるように形成されてもよい。これは、ガラス層１１０にキャビティＣＡを形成した後、キャリアに付着して基板を製造した結果であり得る。キャビティＣＡ内には、第１電子部品２０１及び／又は第２電子部品２０２が実装されることができる。第１電子部品２０１及び第２電子部品２０２は、プリント回路基板の最外側に配置され、第１半導体チップ３０１及び／又は第２半導体チップ３０２のような他の電子部品と連結されることができる。このとき、第１電子部品２０１及び第２電子部品２０２はキャビティＣＡ内に配置され、第１絶縁層１１１によって埋め込まれて最外側に突出することができる。

【0029】

一例に係るプリント回路基板は、ガラス層１１０を貫通する貫通ビア１３０を含むことができる。貫通ビア１３０はガラス層１１０の上下面を貫通してもよく、貫通ビア１３０の一部はガラス層１１０の上側に突出してもよい。すなわち、貫通ビア１３０は、ガラス層１１０を貫通する貫通部と、ガラス層１１０から突出した突出部とを有することができる。このとき、貫通部と突出部は一体に形成されてもよい。

【0030】

貫通ビア１３０は金属を含むことができる。金属は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／又はこれらの合金などを含むことができる。好ましくは、銅（Ｃｕ）を含むことができるが、これに限定されるものではない。貫通ビア１３０は電解めっき層（又は電気銅）を含むことができる。しかし、これに限定されず、貫通ビアは、貫通孔の内壁に沿って配置される無電解めっき層（又は化学銅）をさらに含むこともできる。無電解めっき層（又は化学銅）の代わりにスパッタリング層を含んでもよく、必要に応じて両方を含んでもよい。一方、これに限定されず、貫通ビア１３０は焼結層及び／又は焼成層を含んでもよい。好ましくは、貫通ビア１３０は、キャリアシードを用いて電解めっきにより形成されてもよいが、ビアホールに無電解めっき及び／又はスパッタリングを行った後に電解めっきで形成されてもよく、金属物質を含むペーストを充填した後、焼結、焼成する方法で形成されてもよい。

【0031】

貫通ビア１３０は、ガラス層１１０の上面から突出してもよく、ガラス層１１０の下面には突出しなくてもよい。すなわち、貫通ビア１３０の上面はガラス層１１０の上面より高く位置し、貫通ビア１３０の貫通部はガラス層１１０の上側に突出することができる。また、貫通ビア１３０の下面はガラス層１１０の下面と実質的に共面をなすことができる。したがって、一例に係るプリント回路基板は、貫通ビア１３０が上側にはガラス層１１０より突出しており、下側にはガラス層１１０と実質的に共面をなすことができる。

【0032】

これは、貫通ビア１３０を形成するための段階において、レジスト上に貫通孔が形成されたガラス層１１０を付着し、貫通孔に対応するレジストの一部をさらに除去した後、貫通ビアを形成してからレジストを除去した結果であり得る。したがって、レジストが形成された側では貫通ビア１３０が突出することができ、レジストが形成された側の反対側では貫通ビア１３０がガラス層１１０と実質的に共面をなす面を有することができる。これは、ガラス層１１０及び貫通ビア１３０の製造方法において発生し得る構造的な差であって、両側がガラス層より突出する貫通ビア構造とは異なるものであり、両側がいずれもガラス層と共面をなす貫通ビアの構造とも異なるものである。

【0033】

一例に係るプリント回路基板の貫通ビア１３０は、ガラス層１１０の上側に突出した突出部を有するため、貫通ビア１３０は他の電子部品と連結されることができ、特にガラス層１１０より突出した構造を有するため、ポストの機能を行うこともできる。すなわち、貫通ビア１３０の上側がガラス層１１０より突出しており、半導体チップなどの電子部品との結合が容易となり得る。一方、貫通ビア１３０の下面はガラス層１１０の下面と実質的に共面をなすため、第１絶縁層１１１及び／又は第２絶縁層１１２が積層されてビルドアップ層を形成する段階で屈曲又は凹凸が発生しないことができるため、ビルドアップ段階でアンジュレーション（ｕｎｄｕｌａｔｉｏｎ）が発生することを防止でき、平坦度を向上させることができる。

【0034】

一方、一例に係るプリント回路基板の貫通ビア１３０は、断面上において、貫通部の最上側での幅が突出部の最下側での幅と実質的に同じであり得る。貫通部の最上側での幅と突出部の最下側での幅は、ビアの中心軸を通るように、プリント回路基板の積層方向への切断断面を走査顕微鏡等で撮影して測定することができる。貫通部の最上側での幅と突出部の最下側での幅が実質的に同じであり得るとは、貫通部と突出部が連続的に形成されたことを意味することができる。これは、第１貫通孔が形成されたガラス層１１０がレジスト上に配置された後、レジストを貫通する第２貫通孔を形成し、第１貫通孔及び第２貫通孔を同時に充填するように貫通ビア１３０を形成した結果であり得る。このとき、レジストに第１貫通孔が形成されたガラス層１１０を形成した後、第１貫通孔に対応するように第２貫通孔を形成するため、第１貫通孔と第２貫通孔との境界における第１貫通孔の幅と第２貫通孔の幅は実質的に同じであることができる。したがって、貫通ビア１３０の突出部と貫通部との境界での幅が互いに実質的に同じであることができ、貫通部と突出部とが一体をなすことができる。これは、ガラス層１１０に貫通ビア１３０を形成する段階で、ランド部が形成されるものとは異なるものであり、一例に係るプリント回路基板の貫通ビア１３０はガラス層１１０の上面に接するように延長されなくてもよい。但し、これは、ガラス層１１０の上面にランド部が形成されるものとは異なることを意味し、プリント回路基板の製造段階でレジストに形成される第２貫通孔が、ガラス層１１０に形成された第１貫通孔より広い幅を有することで発生する製造段階での誤差等による配置は含まれなくてもよい。

【0035】

貫通ビア１３０の貫通部及び突出部は一体に形成されてもよい。すなわち、貫通ビア１３０は、ガラス層１１０を貫通する貫通部を形成した後、別途の工程でガラス層１１０上に突出する突出部を形成するものではなく、レジスト及びガラス層に形成されたそれぞれの貫通孔を同時に充填するように貫通ビア１３０を形成した後、レジストを除去するため、貫通ビア１３０の突出部及び貫通部は一体に形成されたものとなり得る。すなわち、貫通ビア１３０の貫通部及び突出部は、それぞれの位置がガラス層１１０の内側であるか外側であるかによる便宜上の区別に過ぎず、貫通部及び突出部の間には境界が見えない場合もある。

【0036】

貫通ビア１３０は、上向きのテーパ形状を有することができる。一方、図３ａ及び図３ｂでは、貫通ビア１３０が実質的に上向きのテーパ形状を有するものとして示しているが、必ずしもこれに限定されるものではなく、貫通ビア１３０はキャビティＣＡと実質的に同じ形状を有することができる。ここで、実質的に同じ形状とは、プリント回路基板の研磨又は切断断面を基準に走査顕微鏡又は光学顕微鏡を介して観察したとき、ほぼテーパの方向が一致することを意味することができ、上側、中心側、下側での幅の大小関係が類似していることを意味することができる。これは、貫通ビア１３０を形成するためにガラス層１１０に貫通孔を形成する段階において、ガラス層１１０にキャビティＣＡを形成するための段階が同時に行われた結果であり得る。このとき、貫通ビア１３０の貫通部と突出部は同じ段階で一体に形成できるため、貫通ビア１３０の貫通部と突出部は実質的に一定の方向及び程度をもってテーパ形状を有することができる。これは、貫通部と突出部がガラス層の上面を基準として実質的に同じ傾斜と傾きを有するようにテーパ形状を有してもよいことを意味する。

【0037】

一方、一例に係るプリント回路基板は、ガラス層１１０の上面の一部を除去する方法により貫通ビア１３０の突出部を形成するものではないため、ガラス層１１０の上面及び下面は実質的に同じ表面粗さを有することができる。しかし、必ずしもこれに限定されるものではなく、ガラス層１１０の下面は貫通ビア１３０の下面と実質的に共面をなすように加工されてもよいため、互いに異なる表面粗さを有することもできる。但し、この場合にも、ガラス層１１０の上面が加工されて表面粗さが形成されるものではない。

【0038】

ガラス層１１０のキャビティＣＡ内には、第１電子部品２０１及び／又は第２電子部品２０２が実装されることができる。第１電子部品２０１及び第２電子部品２０２は、それぞれ様々な種類の電子部品であってもよく、能動部品及び／又は受動部品などであってもよい。能動部品の場合には、数百～数百万個以上の回路が一つのチップ内に集積化された様々な種類の集積回路（ＩＣ：ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）ダイであってもよい。受動部品は、シリコンキャパシタ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）などのＭＬＣＣ（Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）のようなチップ型のキャパシタであってもよく、ＰＩ（Ｐｏｗｅｒ Ｉｎｄｕｃｔｏｒ）のようなチップ型のインダクタなどであってもよい。但し、これに限定されるものではなく、これ以外にも他の種類の能動部品及び／又は受動部品が配置されてもよい。また、第１電子部品２０１及び／又は第２電子部品２０２は、ダイツーダイ（ｄｉｅ ｔｏ ｄｉｅ）連結（ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）のためのブリッジであってもよい。ブリッジはシリコンブリッジであってもよく、シリコンウェハ上に微細回路が実現された半導体チップのような形態であってもよい。一方、これに限定されず、第１電子部品２０１及び／又は第２電子部品２０２は、有機絶縁材料を含むいわゆる有機ブリッジであってもよい。このように、第１電子部品２０１及び第２電子部品２０２に関する内容には制限がなく、プリント回路基板上に実装されるか、又はプリント回路基板内に埋め込まれるなど、プリント回路基板と連結されて機能を行うことができる部品又は素子であれば、制限なく用いることができる。第１電子部品２０１は、第２電子部品２０２がそれぞれ互いに異なる半導体チップを連結することができるか、或いは一つの半導体チップと連結されて電力又は信号を送受信することができる。

【0039】

第１電子部品２０１及び第２電子部品２０２はそれぞれ金属ピラー２０３を含むことができる。金属ピラー２０３は金属を含むことができる。金属としては、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／又はこれらの合金などを含むことができる。好ましくは、銅（Ｃｕ）を含むことができるが、これに限定されるものではない。

【0040】

金属ピラー２０３は、貫通ビア１３０と同様に、少なくとも一部がプリント回路基板から突出することができる。すなわち、金属ピラー２０３は、金属ピラー２０３を埋め込む構成である第１絶縁層１１１から突出して他の構成と電気的に連結されるための経路として機能することができる。すなわち、金属ピラー２０３は、第１絶縁層１１１よりも突出した構造を有することができ、金属ピラー２０３の上面は、第１絶縁層１１１の上面及びガラス層１１０の上面より高く位置して突出した構造を有することができる。また、金属ピラー２０３の上面は貫通ビア１３０の上面と実質的に共面をなすことができる。すなわち、貫通ビア１３０及び金属ピラー２０３は、それぞれプリント回路基板において、半導体チップと連結されるための手段として機能することができるため、貫通ビア１３０と金属ピラー２０３とが互いに同じ高さの突出面を有することが、半導体チップなどの他の構成との連結において有利であり得る。一例に係るプリント回路基板は、レジスト上にキャビティＣＡが形成されたガラス層が形成された後、第１電子部品２０１及び第２電子部品２０２が実装された後に貫通ビア１３０を形成し、キャリア基板のシードを除去する段階で貫通ビア１３０の一部が除去されたリセスが形成されることができ、レジストを除去する段階で貫通ビア１３０の上面及び金属ピラー２０３の上面が実質的に共面をなすことができるように、グラインディング又はポリシング過程を行った結果であり得る。これについては、プリント回路基板の製造方法においてより具体的に後述する。

【0041】

一方、図３ａ及び図３ｂでは、第１電子部品２０１及び第２電子部品２０２について、それぞれ上側には金属ピラー２０３を含み、下側には第１ビア層１３１と連結されるものとして示し、上面及び下面がいずれも活性面であると示しているが、これに限定されるものではなく、第１電子部品２０１及び第２電子部品２０２はそれぞれ上側が活性面で、下側は非活性面であってもよい。この場合には、電子部品の非活性面である下面は、第１ビア層１３１と連結されず、上側に位置する金属ピラー２０３を介して外部と連結されることができる。なお、これに限定されず、第１電子部品２０１及び第２電子部品２０２は、下面のみを活性面として有することもできる。このとき、電子部品は金属ピラー２０３を含まなくてもよい。この場合には、電子部品は外部と直接連結されず、プリント回路基板の他の配線を介して連結されることができる。

【0042】

第１絶縁層１１１はキャビティＣＡを充填することができ、ガラス層１１０の下面に延長されるように配置され、ガラス層１１０上に配置されることができる。すなわち、第１絶縁層１１１は、ガラス層１１０上に配置されるビルドアップ層であって、キャビティＣＡを充填するように形成されてキャビティＣＡ内に配置される第１電子部品２０１及び第２電子部品２０２の少なくとも一部をカバーすることができ、ガラス層１１０の下面上に配置されることもできる。

【0043】

第１絶縁層１１１は有機絶縁物質を含むことができる。有機絶縁物質は、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、ポリイミドのような熱可塑性樹脂、又は樹脂と共に無機フィラー、有機フィラー及び／又はガラス繊維（Ｇｌａｓｓ Ｆｉｂｅｒ、Ｇｌａｓｓ Ｃｌｏｔｈ、Ｇｌａｓｓ Ｆａｂｒｉｃ）を含む材料を含むことができる。例えば、絶縁物質はＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ－ｕｐ Ｆｉｌｍ）、ＰＰＧ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）などの非感光性絶縁材であってもよいが、これに限定されるものではなく、それ以外にも他の高分子材料が用いられてもよい。また、絶縁物質は、ＰＩＤ（Ｐｈｏｔｏ Ｉｍａｇｅａｂｌｅ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）などの感光性絶縁材であってもよい。また、絶縁物質は、ＢＳ（Ｂｏｎｄｉｎｇ Ｓｈｅｅｔ）などの接着シートを含んでもよい。

【0044】

第１絶縁層１１１の上面とガラス層１１０の上面は互いに実質的に共面をなすことができる。図３ａ及び図３ｂを参照すると、第１絶縁層１１１の上面は、ガラス層１１０のキャビティＣＡを充填する第１絶縁層１１１部分における上面を意味することができ、ガラス層１１０の上面に隣接して外部に露出する部分の第１絶縁層１１１の上面を意味することができる。プリント回路基板の製造方法において、キャリア基板上にレジストを形成した後、キャビティＣＡが形成されたガラス層１１０を形成し、その後、キャビティＣＡを充填するように第１絶縁層１１１を形成するため、第１絶縁層１１１の上面はキャビティＣＡによって露出したレジスト以上に形成されることができないことから、第１絶縁層１１１の上面はガラス層１１０の上面と実質的に共面をなすことができる。

【0045】

一方、一例に係るプリント回路基板は、第１絶縁層１１１の上面の一部を除去する方法により貫通ビア１３０の突出部を形成するものではないため、第１絶縁層１１１の上面はキャビティＣＡの内壁に配置された第１絶縁層１１１の側面又は第１絶縁層１１１の下面と実質的に同じ表面粗さを有することができる。しかし、必ずしもこれに限定されるものではなく、第１絶縁層１１１の下面は貫通ビア１３０の下面と実質的に共面をなすように加工されてもよいため、互いに異なる表面粗さを有することもできる。但し、この場合にも、第１絶縁層１１１の上面が加工されて表面粗さが形成されるものではない。

【0046】

一例に係るプリント回路基板は、第１絶縁層１１１上に配置される第１配線層１２１を含むことができ、第１絶縁層１１１の少なくとも一部を貫通する第１ビア層１３１を含むことができる。第１ビア層１３１は、第１配線層１２１と貫通ビア１３０とを互いに連結するための構成であることができ、第１ビア層１３１の少なくとも一部は貫通ビア１３０と接することができる。すなわち、第１ビア層１３１はガラス層１１０の下面上に配置されて貫通ビア１３０と互いに区別されることができ、第１ビア層１３１は貫通ビア１３０と互いに境界面を有することができる。

【0047】

第１配線層１２１は金属を含むことができる。金属としては、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／又はこれらの合金などを含むことができる。好ましくは、銅（Ｃｕ）を含むことができるが、これに限定されるものではない。第１配線層１２１は、それぞれ設計デザインに応じて様々な機能を行うことができる。例えば、信号パターン、パワーパターン、グランドパターンなどを含むことができる。これらのパターンはそれぞれライン、プレーン、パッドなど様々な形態を有することができる。第１配線層１２１及び第２配線層１２２は、それぞれ無電解めっき層（又は化学銅）及び電解めっき層（又は電気銅）を含むことができる。あるいは、金属箔（又は銅箔）及び電解めっき層（又は電気銅）を含むことができる。あるいは、金属箔（又は銅箔）、無電解めっき層（又は化学銅）及び電解めっき層（又は電気銅）を含むことができる。無電解めっき層（又は化学銅）の代わりにスパッタリング層を含んでもよく、必要に応じて両方を含んでもよい。

【0048】

第１配線層１２１は、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、ＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、ＴＴ（Ｔｅｎｔｉｎｇ）、又はサブトラクティブ工法のうちいずれか一つで形成されてもよいが、これに限定されるものではなく、プリント回路基板において回路を構成できる工法であれば、制限なく利用可能である。また、第１配線層１２１は、用途及び設計等に応じて、互いに異なる工法で形成されてもよい。

【0049】

第１ビア層１３１は金属を含むことができる。金属としては、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／又はこれらの合金などを含むことができる。好ましくは、銅（Ｃｕ）を含むことができるが、これに限定されるものではない。第１ビア層１３１は、それぞれビアホールを充填するフィルドビア（ｆｉｌｌｅｄ ｖｉａ）を含むことができるが、ビアホールの壁面に沿って配置されるコンフォーマルビア（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ ｖｉａ）を含むこともできる。第１ビア層１３１は、設計デザインに応じて様々な機能を行うことができる。例えば、グランドビア、パワービア、信号ビアなどを含むことができる。

【0050】

第１ビア層１３１の少なくとも一部は貫通ビア１３０と第１配線層１２１とを互いに連結することができ、第１ビア層１３１の一部は第１電子部品２０１又は第２電子部品２０２と第１配線層１２１とを互いに連結することもできる。このとき、第１電子部品２０１又は第２電子部品２０２は、上側及び下側にそれぞれ連結されることができ、上面及び下面がそれぞれ活性面であることができる。但し、必ずしもこれに限定されるものではなく、第１ビア層１３１は、第１電子部品２０１又は第２電子部品２０２と連結されなくてもよい。この場合、第１電子部品２０１又は第２電子部品２０２は、上側が活性面となってもよく、この場合には、第１電子部品２０１又は第２電子部品２０２が上側に半導体チップなどの素子と直接連結されてもよい。第１電子部品２０１又は第２電子部品２０２と連結される第１ビア層１３１及び第１配線層の一部は、貫通ビア１３０と連結される第１ビア層１３１及び第１配線層の他の一部よりも微細な構造を有することができるが、必ずしもこれに限定されるものではない。

【0051】

一方、一例に係るプリント回路基板は、第１絶縁層１１１上に配置される第２絶縁層１１２、第２絶縁層１１２上に配置される第２配線層１２２、第２配線層１２２と第１配線層１２１とを互いに連結するか、又は第２配線層１２２を互いに連結するように第２絶縁層１１２の少なくとも一部を貫通する第２ビア層１３２をさらに含むことができる。

【0052】

第２絶縁層１１２は有機絶縁物質を含むことができる。有機絶縁物質は、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、ポリイミドのような熱可塑性樹脂、又はこれらの樹脂と共に、無機フィラー、有機フィラー及び／又はガラス繊維（Ｇｌａｓｓ Ｆｉｂｅｒ、Ｇｌａｓｓ Ｃｌｏｔｈ、Ｇｌａｓｓ Ｆａｂｒｉｃ）を含む材料を含むことができる。例えば、絶縁材は、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ－ｕｐ Ｆｉｌｍ）、ＰＰＧ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）などの非感光性絶縁材であってもよいが、これに限定されるものではなく、それ以外にも他の高分子材料が用いられてもよい。また、絶縁物質は、ＰＩＤ（Ｐｈｏｔｏ Ｉｍａｇｅａｂｌｅ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）などの感光性絶縁材であってもよい。また、絶縁物質は、ＢＳ（Ｂｏｎｄｉｎｇ Ｓｈｅｅｔ）などの接着シートを含んでもよい。第２絶縁層１１２は、第１絶縁層１１１と互いに実質的に同じ絶縁物質を含むことができ、第１絶縁層１１１及び第２絶縁層１１２はそれぞれビルドアップのためのビルドアップ絶縁層として配置されることができる。但し、これに限定されるものではなく、第１絶縁層１１１と第２絶縁層１１２は互いに異なる絶縁材料を含むことができる。

【0053】

第２配線層１２２は金属を含むことができる。金属としては、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／又はこれらの合金などを含むことができる。好ましくは、銅（Ｃｕ）を含むことができるが、これに限定されるものではない。第２配線層１２２は、設計デザインに応じて様々な機能を行うことができる。例えば、信号パターン、パワーパターン、グランドパターンなどを含むことができる。これらのパターンはそれぞれライン、プレーン、パッドなど様々な形態を有することができる。第２配線層１２２は、無電解めっき層（又は化学銅）及び電解めっき層（又は電気銅）を含むことができる。あるいは、金属箔（又は銅箔）及び電解めっき層（又は電気銅）を含むことができる。あるいは、金属箔（又は銅箔）、無電解めっき層（又は化学銅）及び電解めっき層（又は電気銅）を含むことができる。無電解めっき層（又は化学銅）の代わりにスパッタリング層を含んでもよく、必要に応じて両方を含んでもよい。

【0054】

第２ビア層１３２は金属を含むことができる。金属としては、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／又はこれらの合金などを含むことができる。好ましくは、銅（Ｃｕ）を含むことができるが、これに限定されるものではない。第２ビア層１３２は、ビアホールを充填するフィルドビア（ｆｉｌｌｅｄ ｖｉａ）を含むことができるが、ビアホールの壁面に沿って配置されるコンフォーマルビア（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ ｖｉａ）を含むこともできる。第２ビア層１３２は、設計デザインに応じて様々な機能を行うことができる。例えば、グランドビア、パワービア、信号ビアなどを含むことができる。第２ビア層１３２は、それぞれ無電解めっき層（又は化学銅）及び電解めっき層（又は電気銅）を含むことができる。無電解めっき層（又は化学銅）の代わりにスパッタリング層を含んでもよく、必要に応じて両方を含んでもよい。

【0055】

第２配線層１２２及び第２ビア層１３２のそれぞれは、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、ＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、ＴＴ（Ｔｅｎｔｉｎｇ）、又はサブトラクティブ工法のうちいずれか一つで形成されてもよいが、これに限定されるものではなく、プリント回路基板において回路及びビアを構成できる工法であれば、制限なく利用可能である。

【0056】

一方、一例に係るプリント回路基板は、第２絶縁層１１２上に半田レジスト層１４０をさらに含むことができる。半田レジスト層１４０は、プリント回路基板の最外側に配置され、外部からプリント回路基板を保護することができる。半田レジスト層１４０は公知の半田レジストを用いることができ、半田レジスト層１４０は液状又はフィルムタイプの半田レジスト（Ｓｏｌｄｅｒ Ｒｅｓｉｓｔ）を含むことができるが、これに限定されるものではなく、他の種類の絶縁材が使用されてもよく、熱硬化性樹脂と熱硬化性樹脂に分散した無機フィラーを含んでよいが、ガラス繊維は含まなくてもよい。絶縁樹脂は感光性絶縁樹脂であってもよく、フィラーは無機フィラー及び／又は有機フィラーであってもよいが、これに限定されるものではなく、必要に応じて、それ以外に他の高分子材料が用いられてもよい。半田レジスト層１４０は開口を有することができ、開口を介して第２配線層１２２の少なくとも一部が露出することができる。開口を介して露出した第２配線層１２２は、半導体チップなどの素子と連結されることができ、マザーボード、メインボード又は他のプリント回路基板とも連結されることができる。開口を介して露出する配線層はパッドとして機能し、パッド上には、必要に応じて表面処理層がさらに形成されてもよい。

【0057】

一例に係るプリント回路基板は、第２絶縁層１１２及び第２配線層１２２がそれぞれ４つの層で構成されるものとして示したが、第２絶縁層１１２及び第２配線層１２２の層数は様々であり得る。

【0058】

図３ｂを参照すると、貫通ビア１３０は、第１半導体チップ３０１及び第２半導体チップ３０２と連結部材４００を介して連結されることができ、第１半導体チップ３０１及び第２半導体チップ３０２は、貫通ビア１３０の貫通部及び金属ピラー２０３と直接連結されることができる。このとき、第１半導体チップ３０１は、一部が貫通ビア１３０と連結されてもよく、他の一部は金属ピラー２０３を介して第１電子部品２０１と連結されてもよい。また、第２半導体チップ３０２は、一部が貫通ビア１３０と連結されてもよく、他の一部は金属ピラー２０３を介して第１電子部品２０１と連結されてもよく、また他の一部は、金属ピラー２０３を介して第２電子部品２０２と連結されてもよい。すなわち、第１半導体チップ３０１と第２半導体チップ３０２とは、第１電子部品２０１を介して互いに電気的に連結されることができ、このとき、第１電子部品２０１は、第１半導体チップ３０１と第２半導体チップ３０２を相互連結するブリッジとして機能することができ、第２電子部品２０２は、第２半導体チップ３０２と連結されて第２半導体チップ３０２に電力を供給する機能として利用されることができる。

【0059】

第１半導体チップ３０１及び第２半導体チップ３０２はそれぞれ、数百～数百万個以上の素子が一つのチップ内に集積化された集積回路（ＩＣ：ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）ダイ（Ｄｉｅ）を含むことができる。このとき、集積回路は、例えば、セントラルプロセッサ（例えば、ＣＰＵ）、グラフィックプロセッサ（例えば、ＧＰＵ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、デジタル信号プロセッサ、暗号化プロセッサ、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、アプリケーションプロセッサ（例えば、ＡＰ）、アナログ－デジタルコンバータ、ＡＳＩＣ（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ－ｓｐｅｃｉｆｉｃ ＩＣ）などのロジックチップであってもよいが、これに限定されるものではなく、揮発性メモリ（例えば、ＤＲＡＭ）、不揮発性メモリ（例えば、ＲＯＭ）、フラッシュメモリ、ＨＢＭ（Ｈｉｇｈ Ｂａｎｄｗｉｄｔｈ Ｍｅｍｏｒｙ）などのメモリチップ、又はＰＭＩＣ（Ｐｏｗｅｒ Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ ＩＣ）などであってもよいことは勿論である。例えば、第１半導体チップ３０１はＧＰＵなどのロジックチップを含むことができ、第２半導体チップ３０２はＨＢＭなどのメモリチップを含むことができる。あるいは、第１半導体チップ３０１及び第２半導体チップ３０２は、ダイスプリットによって分割されて互いに異なるコアを有する分割されたロジックチップであってもよい。

【0060】

第１半導体チップ３０１及び第２半導体チップ３０２は、それぞれアクティブウエハに基づいて形成されたものであってもよく、この場合、それぞれの本体をなす母材としては、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）などが使用されてもよい。本体には様々な回路が形成されていてもよい。それぞれの本体には接続パッドを形成することができ、接続パッドはアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）などの導電性物質を含むことができる。第１半導体チップ３０１及び第２半導体チップ３０２は、ベアダイ（ｂａｒｅ ｄｉｅ）であってもよく、この場合、接続パッド上には金属バンプが配置されてもよい。あるいは、第１半導体チップ３０１及び第２半導体チップ３０２は、パッケージ化されたダイ（ｐａｃｋａｇｅｄ ｄｉｅ）であってもよく、この場合、接続パッド上にさらに再配線層が形成され、再配線層上に金属バンプが配置されることができる。

【0061】

第１半導体チップ３０１及び第２半導体チップ３０２は、連結部材４００を介して貫通ビア１３０及び／又は金属ピラー２０３と連結されることができる。連結部材４００は、低融点金属、例えば、錫（Ｓｎ）－アルミニウム（Ａｌ）－銅（Ｃｕ）などの半田などで形成されてもよいが、これに限定されるものではない。連結部材４００は、多重層又は単一層で形成されてもよい。多重層で形成される場合には半導体チップ上に形成された銅ピラー（ｐｉｌｌａｒ）及び半田を含むことができ、単一層で形成される場合には錫－銀半田や銅を含むことができるが、これに限定されるものではない。これ以外にも、半導体チップ又は電子部品などがプリント回路基板に実装され、電気的に連結されるように媒介の役割を果たすことができる手段であれば、制限なく用いることができる。図３ｂでは、２つの半導体チップが実装されたものとして表現したが、これに限定されるものではなく、より多くの半導体チップが実装されてもよく、より多くの半導体チップが第１電子部品２０１によってダイツーダイ連結されてもよい。

【0062】

一方、一例に係るプリント回路基板は、図３ａ及び図３ｂに示す構成に限定されるものではなく、それ以外にも、プリント回路基板の一般的な構成をさらに含むことができる。すなわち、当該技術分野において通常の知識を有する者であれば利用できる構成をさらに含むことができる。例えば、最上側に配置されたガラス層を保護するための手段をさらに含んでもよく、又は貫通ビア１３０の突出部及び金属ピラー２０３の突出部における表面処理により半導体チップとの結合力を向上させるなどの構成がさらに追加されてもよい。

【0063】

図４ａ及び図４ｂは、他の一例に係るプリント回路基板を概略的に示す断面図である。

【0064】

図４ａ及び図４ｂを参照すると、他の一例に係るプリント回路基板の第１電子部品２０１及び／又は第２電子部品２０２がそれぞれ上側及び下側に金属ピラー２０３を含むことができる。すなわち、他の一例に係るプリント回路基板の第１電子部品２０１及び／又は第２電子部品２０２は、両面が活性面となり、第１電子部品２０１及び／又は第２電子部品２０２の下側に配置された金属ピラー２０３は、第１ビア層１３１を介して第１配線層１２１と連結されることができる。このとき、第１電子部品２０１及び／又は第２電子部品２０２をキャビティＣＡに実装し、第１絶縁層１１１に埋め込んだ後、第１ビア層１３１及び第１配線層１２１を形成することで第１配線層１２１と連結するため、第１電子部品２０１及び／又は第２電子部品２０２の下側に配置された金属ピラー２０３は、第１ビア層１３１と接するように配置されることができ、金属ピラー２０３と第１ビア層１３１が直接連結されることができる。

【0065】

一方、図４ａ及び図４ｂの他の一例に係るプリント回路基板において、第１電子部品２０１及び第２電子部品２０２に関する内容以外の説明については、一例に係るプリント回路基板の説明と同様に適用することができるため、重複説明は省略する。

【0066】

図５ａ及び図５ｂは、さらに他の一例に係るプリント回路基板を概略的に示す断面図である。

【0067】

図５ａ及び図５ｂを参照すると、さらに他の一例に係るプリント回路基板は、第１ビア層１３１が省略され、貫通ビア１３０及び金属ピラー２０３が第１配線層１２１と直接連結されることができる。すなわち、貫通ビア１３０及び金属ピラー２０３が第１配線層１２１と接するように配置されることができる。

【0068】

これは、第１電子部品２０１及び第２電子部品２０２をキャビティＣＡ内に実装して第１絶縁層１１１に埋め込んだ後、第１絶縁層１１１及びガラス層１１０を平坦化した結果であり得る。ガラス層１１０上に配置される第１絶縁層１１１の一部を除去することにより、第１絶縁層１１１を平坦化する場合、貫通ビア１３０及び金属ピラー２０３上に直接第１配線層１２１が形成されることができる。すなわち、第１絶縁層１１１は、キャビティＣＡの内部を充填するように形成されるが、ガラス層１１０の下面上には延長されなくてもよく、第１絶縁層１１１の下面がガラス層１１０の下面と実質的に共面をなしてもよい。さらに他の一例に係るプリント回路基板は、第１配線層が省略されることで、プリント回路基板の全厚さが低減され、より薄いプリント回路基板を実現することができる。このとき、プリント回路基板はガラス層１１０を含むため、第１絶縁層１１１を平坦化する段階でガラス層１１０により平坦度が確保され、加工安定性を有することができる。

【0069】

一方、図５ａ及び図５ｂの他の一例に係るプリント回路基板において、第１絶縁層１１１、第１配線層１２１に関する内容以外の説明については、一例に係るプリント回路基板及び他の一例に係るプリント回路基板の説明と同様に適用することができるため、重複説明は省略する。

【0070】

プリント回路基板の製造方法
図６ａ～図６ｋは、一例に係るプリント回路基板の製造方法を概略的に示す断面図である。

【0071】

図６ａを参照すると、プリント回路基板の製造方法は、ガラス層１１０に第１貫通孔ｈ１及びキャビティＣＡを形成する段階を含むことができる。

【0072】

第１貫通孔ｈ１は、以後、貫通ビア１３０の貫通部が形成される位置であり、キャビティは、第１電子部品２０１及び第２電子部品２０２が実装される領域であることができる。このとき、図６ａでは、第１貫通孔ｈ１及びキャビティＣＡが上向きのテーパ形状を有するように示し、第１貫通孔ｈ１及びキャビティＣＡが下側から上側に形成されたものとして表現したが、これに限定されず、下向きのテーパ形状を有してもよく、又は両側において中心部方向にテーパ形状を有してもよいことは、上述した通りである。第１貫通孔ｈ１及びキャビティＣＡを形成する方法は、ガラス層１１０を加工して第１貫通孔ｈ１及びキャビティＣＡを形成する方法であれば、制限なく利用することができ、例えば、ＴＧＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｇｌａｓｓ Ｖｉａ）を形成するための加工方法であれば、制限なく用いることができる。

【0073】

図６ｂを参照すると、プリント回路基板の製造方法は、キャリア基板Ｃ上にレジストＰＲを形成した後、ガラス層１１０を結合する段階を含むことができる。

【0074】

キャリア基板Ｃは、絶縁層及び配線層などを形成する際に、これを支持するためのものであって、絶縁材質又は金属材質で形成されることができる。図６ｂにおいて、キャリア基板Ｃは、絶縁材Ｃ０と絶縁材Ｃ０の下側に配置されたシードＣ１を含むものとして示したが、必ずしもこれに限定されるものではなく、絶縁材Ｃ０の上下側にそれぞれシードＣ１が含まれてもよい。すなわち、キャリア基板Ｃは一つの場合を例示したものであり、キャリア基板Ｃは当該技術分野において通常の知識を有する者であれば利用することができ、支持基板として使用され、後ほどデタッチ（ｄｅｔａｃｈ）又は除去できるものであれば、本発明において特に制限なく使用可能である。

【0075】

レジストＰＲは、公知のドライフィルムを用いることができ、感光性絶縁材料を含んで、以後の段階で露光及び現像過程を経て一部が除去された第２貫通孔を形成できる材料であれば、制限なく用いることができる。レジストＰＲは、ポジ型（ｐｏｓｉｔｉｖｅ ｔｙｐｅ）の感光性絶縁材料を含むことが好ましい。ポジ型（ｐｏｓｉｔｉｖｅ ｔｙｐｅ）の感光性絶縁材料を含む場合には、露光された部分の光重合体ポリマー結合が切れる可能性があり、以後の現像工程で光重合体ポリマー結合が切れた部分が除去されるため、第１貫通孔ｈ１が形成された領域に対応する領域への第２貫通孔ｈ２の形成においてより好適であり得る。レジストＰＲは、ラミネーティング（ｌａｍｉｎａｔｉｎｇ）によってキャリア基板Ｃの下面に形成することができ、レジストＰＲが硬化する前にガラス層１１０を付着して結合することができるが、必ずしもこれに限定されるものではなく、レジストＰＲとガラス層１１０との間に接着手段をさらに含んでガラス層１１０とレジストＰＲとが結合することもできる。

【0076】

図６ｃを参照すると、プリント回路基板の製造方法は、キャビティＣＡ内に第１電子部品２０１及び第２電子部品２０２を配置する段階を含むことができる。キャビティＣＡ内に位置するレジストＰＲ上に第１電子部品２０１及び第２電子部品２０２を実装することができ、このとき、レジストＰＲは硬化する前であり得るため、第１電子部品２０１及び第２電子部品２０２を実装すると、実装面であるキャビティＣＡの上面よりも金属ピラー２０３が突出することができる。すなわち、レジストＰＲの少なくとも一部を貫通するかのように、レジストＰＲの少なくとも一部が凹むように配置されることができる。その後、レジストＰＲを硬化する段階を行うことができ、電子部品及びガラス層１１０がレジストＰＲ上に配置されて固定されることができる。

【0077】

図６ｄを参照すると、プリント回路基板の製造方法は、レジストＰＲを露光する段階を含むことができる。

【0078】

このとき、レジストＰＲを選択的に露光するためにマスクＭを用いることができ、レジストＰＲがポジ型（ｐｏｓｉｔｉｖｅ ｔｙｐｅ）の感光性絶縁材料を含むため、第２貫通孔ｈ２を加工する領域を開放して当該領域を露光することができる。すなわち、第１電子部品２０１及び第２電子部品２０２が配置された領域は、マスクＭによって光が遮断されることができ、第１貫通孔ｈ１領域に対応するように第２貫通孔ｈ２が形成できるよう露光することができる。一方、図６ｄでは、キャビティＣＡ領域にのみマスクＭが配置されたものとして示したが、必ずしもこれに限定されるものではなく、ガラス層１１０の透明度を考慮して、第１貫通孔ｈ１が形成された領域のみが開放され、残りのガラス層１１０の領域はすべてマスクＭにより遮断されることもできる。

【0079】

図６ｅを参照すると、プリント回路基板の製造方法は、レジストＰＲを現像する段階を含むことができる。

【0080】

このとき、露光された領域のレジストＰＲが除去されて第２貫通孔ｈ２が形成されることができる。第２貫通孔ｈ２は、第１貫通孔ｈ１に対応するように形成されてもよく、レジストＰＲの上下を貫通するように形成されてもよい。第２貫通孔ｈ２がレジストＰＲの上下を貫通することで、第１貫通孔ｈ１及び第２貫通孔ｈ２によってシードＣ１が露出することができる。

【0081】

図６ｆを参照すると、プリント回路基板の製造方法は貫通ビア１３０を形成する段階を含むことができる。

【0082】

貫通ビア１３０は、キャリア基板ＣのシードＣ１をめっきシードとして電解めっきを行うことで形成することができる。レジストＰＲがめっきレジストとして機能することができるため、電解めっきは第２貫通孔ｈ２でのみ行われることができ、第２貫通孔ｈ２及び第１貫通孔ｈ１を充填するように貫通ビア１３０が形成されることができる。一方、第１電子部品２０１及び第２電子部品２０２の金属ピラー２０３はレジストＰＲを完全に貫通しないため、金属ピラー２０３はシードＣ１と接しないことができ、シードＣ１を用いて貫通ビア１３０を形成する段階においても、金属ピラー２０３はレジストＰＲによって電気的に連結されていない状態を維持することができる。一方、貫通ビア１３０を形成する方法はこれに限定されず、第１貫通孔ｈ１及び第２貫通孔ｈ２の内壁に別途のシードを無電解めっき又はスパッタリングにより形成した後、電解めっきを行ってもよく、金属物質を含むペースト（ｐａｓｔｅ）を充填した後、焼成して形成してもよいなど、貫通ビアを形成する方法であれば、制限なく用いることができる。

【0083】

図６ｇを参照すると、プリント回路基板の製造方法は、第１絶縁層１１１を形成する段階、第１配線層１２１及び第１ビア層１３１を形成する段階を含むことができる。

【0084】

第１絶縁層１１１は、第１電子部品２０１及び第２電子部品２０２をカバーしてキャビティＣＡを充填することができる。このとき、第１絶縁層１１１は、ガラス層１１０の下面の少なくとも一部を共にカバーするようにガラス層１１０上にも配置されることができる。第１絶縁層１１１を形成する方法としては、絶縁層を積層する公知の方法を用いることができる。

【0085】

第１絶縁層１１１を形成した後、第１配線層１２１及び第１ビア層１３１を形成することができる。第１ビア層１３１の一部は貫通ビア１３０と接することができ、第１ビア層１３１の他の一部は第１電子部品２０１及び第２電子部品２０２と接することができる。第１配線層１２１及び第１ビア層１３１を形成する方法としては、層間連結及び配線パターンを形成する公知の方法を用いることができる。

【0086】

図６ｈを参照すると、プリント回路基板の製造方法は、第２絶縁層１１２、第２配線層１２２、及び第２ビア層１３２を形成する段階を含むことができ、第２絶縁層１１２の下側に半田レジスト層１４０を形成する段階を含むことができる。

【0087】

第２絶縁層１１２、第２配線層１２２、及び第２ビア層１３２は、プリント回路基板の公知のビルドアップ層積層方法を用いることができ、半田レジスト層１４０を形成する方法も公知の方法を用いることができる。

【0088】

図６ｉ及び図６ｊを参照すると、プリント回路基板の製造方法は、キャリア基板Ｃを除去する段階を含むことができる。キャリア基板Ｃを除去する段階は、絶縁材Ｃ０を除去する段階及びシードＣ１を除去する段階が段階的にそれぞれ行われてもよく、同時に行われてもよい。

【0089】

図６ｉを参照すると、キャリア基板Ｃの絶縁材Ｃ０が除去されることができる。キャリア基板Ｃの絶縁材Ｃ０を除去する方法としては、公知の絶縁層除去方法を用いることができ、公知のキャリア基板Ｃのデタッチ（ｄｅｔａｃｈ）方法を用いることができる。

【0090】

図６ｊを参照すると、キャリア基板ＣのシードＣ１が除去されることができる。シードＣ１を除去する方法としては、公知の金属層又は金属箔を除去する方法を用いることができる。このとき、シードＣ１を除去する段階において、エッチング溶液等によって貫通ビア１３０の一部が共に除去されることができる。しかし、レジストＰＲはシードＣ１を除去する段階では反応しない可能性があるため、貫通ビア１３０の一部が除去された領域にリセスＲが形成され得る。このとき、リセスＲの深さは、金属ピラー２０３とレジストＰＲの上面との間の距離と実質的に同じであってもよく、貫通ビア１３０の上面が金属ピラー２０３の上面と実質的に共面をなしてもよいが、必ずしもこれに限定されるものではない。

【0091】

図６ｋを参照すると、プリント回路基板の製造方法は、レジストＰＲを除去する段階を含むことができる。

【0092】

レジストＰＲを除去する段階は、レジストＰＲの全面を露光及び現像して行うことができるが、必ずしもこれに限定されるものではなく、公知のレジスト除去方法であれば、制限なく用いることができる。

【0093】

レジストＰＲを除去した後、貫通ビア１３０及び金属ピラー２０３の突出部を平坦化する段階をさらに含むことができ、これにより、貫通ビア１３０及び金属ピラー２０３が実質的に共面をなすことができる。

【0094】

一方、図６ａ～図６ｋでは、キャリア基板Ｃを基準として下側にのみプリント回路基板を製造する段階を示したが、キャリア基板Ｃの絶縁材Ｃ０の上側にもシードＣ１が配置され、プリント回路基板がキャリア基板Ｃの両面に形成されることもできる。この場合には、プリント回路基板の製造方法は、キャリア基板Ｃを基準に対称な基板をさらに製造することができる。

【0095】

なお、一例に係るプリント回路基板の製造方法は、図６ａ～６ｋに示す内容に限定されず、当該技術分野において通常の知識を有する者であれば、利用可能な構成を形成する方法をさらに含んでもよい。

【0096】

一方、他の一例に係るプリント回路基板の製造方法は、第１電子部品２０１及び第２電子部品２０２が上下側に金属ピラー２０３を有するか否かによる差に該当するため、他の一例に係るプリント回路基板の製造方法は、一例に係るプリント回路基板と同様に行うことができ、これに関する詳細な説明は省略する。

【0097】

図７ａ～図７ｄは、さらに他の一例に係るプリント回路基板の製造方法の一部分を概略的に示す断面図である。図７ａ～図７ｄは、一例に係るプリント回路基板の製造方法のうち、図６ｅ～図６ｈにそれぞれ対応することができる。第１電子部品２０１及び第２電子部品２０２において、金属ピラー２０３の包含の有無は異なることがあり、第１絶縁層１１１の配置が異なり、第１ビア層１３１が省略され、第１配線層１２１の配置が一例に係るプリント回路基板とは異なる場合がある。

【0098】

図７ａを参照すると、さらに他の一例に係るプリント回路基板は、第１電子部品２０１及び第２電子部品２０２が上側及び下側に金属ピラー２０３を含むことができる。第１電子部品２０１及び第２電子部品２０２をキャビティＣＡに配置し、第２貫通孔ｈ２を形成する方法については、一例に係るプリント回路基板の製造方法と同様の説明を適用することができる。

【0099】

図７ｂを参照すると、貫通ビア１３０を形成することができ、これについては、一例に係るプリント回路基板の製造方法と同様の説明を適用することができる。

【0100】

図７ｃを参照すると、さらに他の一例に係るプリント回路基板は、第１絶縁層１１１を形成する段階、ガラス層１１０の下面及び第１絶縁層１１１の下面に第１配線層１２１を形成する段階を含むことができる。

【0101】

第１絶縁層１１１を形成する段階は、第１絶縁層１１１を積層する段階の後、ガラス層１１０の下側に配置される第１絶縁層１１１の一部を除去する段階で行われることができる。すなわち、第１絶縁層１１１を積層した後、ガラス層１１０の下面に突出する部分を除去する方法で行われることができる。したがって、第１絶縁層１１１はキャビティＣＡを充填するように配置され、第１絶縁層１１１の下面はガラス層１１０の下面と実質的に共面をなすように形成されることができる。このとき、第１絶縁層１１１の一部を除去する方法は、グラインディング（ｇｒｉｎｄｉｎｇ）又はプラズマエッチング（ｐｌａｓｍａ ｅｔｃｈｉｎｇ）などのエッチング（ｅｔｃｈｉｎｇ）により行われることができるが、これに限定されるものではなく、研磨などの他の公知の方法を利用することもできる。

【0102】

第１配線層１２１を形成する段階は、ガラス層１１０の下面及び第１絶縁層１１１の下面上にそれぞれ配線層を形成する段階で行われることができる。第１絶縁層１１１の下面が平坦な面を有し、ガラス層１１０の下面も第１絶縁層１１１の下面と実質的に共面をなし、平坦な面を有することができるため、第１配線層１２１を形成することができる。このとき、ガラス層１１０の下面に形成される第１配線層１２１の一部は貫通ビア１３０と接するように形成されてもよく、第１絶縁層１１１の下面に形成される第１配線層１２１の一部は金属ピラー２０３と接するように形成されてもよい。すなわち、さらに他の一例に係るプリント回路基板の製造方法は、第１ビア層１３１を形成する段階を省略することができるため、第１絶縁層１１１にビアホールを形成する段階を省略して工程を簡素化することができ、第１絶縁層１１１がガラス層１１０の下面に延長されないため、プリント回路基板がより薄くなり得る。

【0103】

図７ｄを参照すると、ガラス層１１０の下面上及び第１絶縁層１１１の下面上に第２絶縁層１１２、第２配線層１２２及び第２ビア層１３２を形成する段階と、半田レジスト層１４０を形成する段階とを含むことができる。第１絶縁層１１１がガラス層１１０の下面に延長されないため、第２絶縁層１１２の一部はガラス層１１０の下面と接し、他の一部は第１絶縁層１１１と接することができる。第２絶縁層１１２、第２配線層１２２、及び第２ビア層１３２を形成する段階については、一例に係るプリント回路基板の製造方法と同様の説明を適用することができるため省略する。

【0104】

なお、さらに他の一例に係るプリント回路基板の製造方法のうち、上述した段階以外に、一例に係るプリント回路基板の製造方法と同様の段階は、さらに他の一例に係るプリント回路基板にも適用することができるため、これに関する重複説明は省略する。

【0105】

本発明において、「覆う」という表現及び「カバーする」という表現は、全体的に覆う場合だけでなく、少なくとも一部を覆う場合を含むことができ、また、直接覆う場合だけでなく、間接的に覆う場合も含むことができる。また、「充填する」という表現は、完全に充填する場合だけでなく、概ね充填する場合を含むことができ、例えば、一部の空隙やボイドなどが存在する場合を含むことができる。

【0106】

本発明において、実質的には製造工程上で発生する工程誤差や位置偏差、測定時の誤差などを含めて判断することができる。例えば、「実質的に垂直である」とは、完全に垂直な場合だけでなく、ほぼ垂直な場合も含むことができる。また、実質的に「共面をなす」とは、完全に同一平面上に存在する場合だけでなく、ほぼ同一平面上に存在する場合も含むことができる。

【0107】

本発明において、「同じ絶縁材料」とは、完全に同一の絶縁材料である場合だけでなく、同じタイプの絶縁材料を含むことを意味することができる。したがって、絶縁材料の組成は実質的に同一であるものの、それらの具体的な組成比は少しずつ異なる場合がある。

【0108】

本発明において、断面上における意味は、対象物を垂直に切断したときの断面形状、又は対象物をサイドビューで見たときの断面形状を意味することができる。また、平面上における意味は、対象物を水平に切断したときの平面形状、あるいは対象物をトップビュー又はボトムビューで見たときの平面形状を意味することができる。

【0109】

本発明において、「下側、下部、下面」などは、便宜上、図面の断面を基準として下方向を意味するものとして使用し、「上側、上部、上面」などは、その反対方向を意味するものとして使用している。但し、これは、説明の便宜上、方向を定義したものであり、特許請求の範囲の権利範囲はこのような方向に対する記載によって特に限定されるものではないことは勿論であり、上／下の概念はいつでも変更することができる。

【0110】

本発明において、「連結される」とは、直接連結されることだけでなく、接着剤層などを介して間接的に連結されることを含む概念である。また、「電気的に連結される」とは、物理的に連結された場合及び連結されていない場合の両方を含む概念である。さらに、「第１、第２」などの表現は、ある構成要素と他の構成要素とを区分するために使用されるものであって、当該構成要素の順序及び／又は重要度などを限定しない。場合によっては、権利範囲を逸脱しない範囲内で、第１構成要素は第２構成要素と命名されてもよく、同様に、第２構成要素は第１構成要素と命名されてもよい。

【0111】

本発明で使用された「一例」という表現は、互いに同じ実施形態を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかし、上記提示された一例は、他の一例の特徴と結合して実現されることを排除しない。例えば、特定の一例で説明された事項が、他の一例に説明されていなくても、他の一例において、その事項と反対又は矛盾する説明がない限り、他の一例に関連する説明と理解することができる。

【0112】

本発明で使用された用語は、単に一例を説明するために使用されたものであり、本発明を限定しようとする意図ではない。このとき、単数の表現は、文脈上明らかに異なる意味ではない限り、複数の表現を含む。

【符号の説明】

【0113】

１１０：ガラス層
ＣＡ：キャビティ
１１１：第１絶縁層
１１２：第２絶縁層
１２１：第１配線層
１２２：第２配線層
１３０：貫通ビア
１３１：第１ビア層
１３２：第２ビア層
１４０：半田レジスト層
２０１、２０２：第１、第２電子部品
２０３：金属ピラー
３０１、３０２：第１、第２半導体チップ
４００：連結部材
Ｃ：キャリア基板
Ｃ０：絶縁材
Ｃ１：シード
ＰＲ：レジスト
Ｍ：マスク
Ｒ：リセス
ｈ１：第１貫通孔
ｈ２：第２貫通孔
１０００：電子機器
１０１０：メインボード
１０２０：チップ関連部品
１０３０：ネットワーク関連部品
１０４０：その他の部品
１０５０：カメラ
１０６０：アンテナ
１０７０：ディスプレイ
１０８０：バッテリ
１０９０：信号ライン
１１００：スマートフォン
１１１０：マザーボード
１１２０：部品
１１２１：部品パッケージ
１１３０：カメラモジュール
１１４０：スピーカ

【図1】

【図2】

【図3a】

【図3b】

【図4a】

【図4b】

【図5a】

【図5b】

【図6a】

【図6b】

【図6c】

【図6d】

【図6e】

【図6f】

【図6g】

【図6h】

【図6i】

【図6j】

【図6k】

【図7a】

【図7b】

【図7c】

【図7d】