特開2025-95871半導体装置及び半導体装置の作製方法

発明の名称　半導体装置及び半導体装置の作製方法

出願人　ルネサスエレクトロニクス株式会社　（識別番号 302062931）

　　　　特許公開件数ランキング 155 位（71件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 275 位（36件）（共同出願を含む）

公報番号　特開-2025-95871

公報発行日　2025年6月26

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_A1-2025-95871

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