知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
▶ サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド．の特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2025096145
(43)【公開日】2025-06-26
(54)【発明の名称】プリント回路基板及びその製造方法
(51)【国際特許分類】
H05K 1/02 20060101AFI20250619BHJP
H05K 3/46 20060101ALI20250619BHJP
【ＦＩ】
H05K1/02 A
H05K3/46 B
【審査請求】未請求
【請求項の数】16
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024173214
(22)【出願日】2024-10-02
(31)【優先権主張番号】10-2023-0181532
(32)【優先日】2023-12-14
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
【公序良俗違反の表示】
（特許庁注：以下のものは登録商標）
１．ＢＬＵＥＴＯＯＴＨ
(71)【出願人】
【識別番号】594023722
【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．
(74)【代理人】
【識別番号】100108453
【弁理士】
【氏名又は名称】村山 靖彦
(74)【代理人】
【識別番号】100110364
【弁理士】
【氏名又は名称】実広 信哉
(72)【発明者】
【氏名】尹 湘基
(72)【発明者】
【氏名】金 龍石
(72)【発明者】
【氏名】金 光洙
(72)【発明者】
【氏名】金 正訓
(72)【発明者】
【氏名】李 泰京
(72)【発明者】
【氏名】李 珍旭
【テーマコード（参考）】
5E316
5E338
【Ｆターム（参考）】
5E316AA02
5E316AA12
5E316AA32
5E316AA43
5E316CC04
5E316CC09
5E316CC10
5E316CC16
5E316CC31
5E316CC32
5E316CC33
5E316CC34
5E316CC37
5E316CC38
5E316CC39
5E316CC54
5E316DD17
5E316DD24
5E316DD32
5E316DD33
5E316EE33
5E316FF05
5E316FF07
5E316FF08
5E316FF09
5E316FF10
5E316FF14
5E316GG15
5E316GG17
5E316GG22
5E316HH40
5E338AA16
5E338AA18
5E338BB19
5E338BB63
5E338EE60
(57)【要約】
【課題】アンダーカットなどの副作用なしに必要な領域に微細回路パターンを形成することができ、絶縁層間の密着力を改善することができるプリント回路基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本開示は、第１絶縁層と、上記第１絶縁層上に配置された複数の第１金属パターンと、を含み、上記第１絶縁層は少なくとも１つのリセス部を有し、上記リセス部は、上記複数の第１金属パターン間に配置され、上記複数の第１金属パターンのそれぞれは、上記第１絶縁層上に配置された第１シード金属層、上記第１シード金属層上に配置された第２シード金属層、及び上記第２シード金属層上に配置されたパターン金属層を含む、プリント回路基板及びその製造方法に関するものである。
【選択図】図３
【解決手段】本開示は、第１絶縁層と、上記第１絶縁層上に配置された複数の第１金属パターンと、を含み、上記第１絶縁層は少なくとも１つのリセス部を有し、上記リセス部は、上記複数の第１金属パターン間に配置され、上記複数の第１金属パターンのそれぞれは、上記第１絶縁層上に配置された第１シード金属層、上記第１シード金属層上に配置された第２シード金属層、及び上記第２シード金属層上に配置されたパターン金属層を含む、プリント回路基板及びその製造方法に関するものである。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に配置された複数の第１金属パターンと、を含み、
前記第１絶縁層は、少なくとも１つのリセス部を有し、
前記リセス部は、前記複数の第１金属パターンの間に配置され、
前記複数の第１金属パターンのそれぞれは、前記第１絶縁層上に配置された第１シード金属層、前記第１シード金属層上に配置された第２シード金属層、及び前記第２シード金属層上に配置されたパターン金属層を含む、プリント回路基板。
前記第１絶縁層上に配置された複数の第１金属パターンと、を含み、
前記第１絶縁層は、少なくとも１つのリセス部を有し、
前記リセス部は、前記複数の第１金属パターンの間に配置され、
前記複数の第１金属パターンのそれぞれは、前記第１絶縁層上に配置された第１シード金属層、前記第１シード金属層上に配置された第２シード金属層、及び前記第２シード金属層上に配置されたパターン金属層を含む、プリント回路基板。
【請求項2】
前記第１シード金属層はチタン（Ｔｉ）を含み、
前記第２シード金属層は銅（Ｃｕ）を含み、
前記パターン金属層は銅（Ｃｕ）を含む、請求項１に記載のプリント回路基板。
前記第２シード金属層は銅（Ｃｕ）を含み、
前記パターン金属層は銅（Ｃｕ）を含む、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項3】
前記複数の第１金属パターンは、前記第１絶縁層の上面上に配置され、
前記第１絶縁層の上面上で、
前記パターン金属層は前記第１シード金属層及び前記第２シード金属層のそれぞれよりも厚い、請求項１に記載のプリント回路基板。
前記第１絶縁層の上面上で、
前記パターン金属層は前記第１シード金属層及び前記第２シード金属層のそれぞれよりも厚い、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項4】
前記複数の第１金属パターンが配置された領域の前記第１絶縁層の上面と、前記リセス部が配置された領域の前記第１絶縁層の上面とが、互いに段差を有する、請求項３に記載のプリント回路基板。
【請求項5】
前記リセス部が配置された領域の前記第１絶縁層の上面は、前記複数の第１金属パターンが配置された領域の前記第１絶縁層の上面よりも表面粗さがさらに大きい、請求項３に記載のプリント回路基板。
【請求項6】
前記リセス部は、前記複数の第１金属パターンの間で前記第１絶縁層の上面から厚さ方向に前記第１絶縁層の一部を貫通する、請求項３に記載のプリント回路基板。
【請求項7】
前記第１絶縁層の下側に配置された複数の第２金属パターンと、
前記複数の第１金属パターン及び第２金属パターンのそれぞれの少なくとも一部の間で前記第１絶縁層の上面及び下面間を貫通する少なくとも１つのビアホールを満たす少なくとも１つのビアパターンと、をさらに含み、
前記ビアパターンは、前記ビアホールの壁面と前記複数の第２金属パターンの少なくとも一部上に配置された前記第１シード金属層、前記第１シード金属層上に配置された前記第２シード金属層、及び前記第２シード金属層上に配置されて、前記ビアホールの少なくとも一部を満たす前記パターン金属層を含む、請求項３に記載のプリント回路基板。
前記複数の第１金属パターン及び第２金属パターンのそれぞれの少なくとも一部の間で前記第１絶縁層の上面及び下面間を貫通する少なくとも１つのビアホールを満たす少なくとも１つのビアパターンと、をさらに含み、
前記ビアパターンは、前記ビアホールの壁面と前記複数の第２金属パターンの少なくとも一部上に配置された前記第１シード金属層、前記第１シード金属層上に配置された前記第２シード金属層、及び前記第２シード金属層上に配置されて、前記ビアホールの少なくとも一部を満たす前記パターン金属層を含む、請求項３に記載のプリント回路基板。
【請求項8】
前記第１絶縁層の上面上に配置され、前記複数の第１金属パターンのそれぞれの少なくとも一部を覆う第２絶縁層と、
前記第２絶縁層の上面上に配置された複数の第３金属パターンと、をさらに含む、請求項３に記載のプリント回路基板。
前記第２絶縁層の上面上に配置された複数の第３金属パターンと、をさらに含む、請求項３に記載のプリント回路基板。
【請求項9】
前記リセス部は、底面と壁面が互いに実質的に角を成す、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項10】
前記リセス部は、実質的に一定の深さを有する、請求項９に記載のプリント回路基板。
【請求項11】
前記複数の第１金属パターンは、Ｌ（Ｌｉｎｅ）／Ｓ（Ｓｐａｃｅ）が５μｍ／５μｍ以下である複数の微細回路パターンを含む、請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項12】
絶縁層上に第１シード金属層を形成する段階と、
前記第１シード金属層上に第２シード金属層を形成する段階と、
前記第２シード金属層上にパターン金属層を形成する段階と、
前記パターン金属層から露出する前記第２シード金属層の少なくとも一部を除去する段階と、
前記パターン金属層及び前記第２シード金属層から露出する前記第１シード金属層の少なくとも一部を除去する段階と、を含み、
前記第１シード金属層の少なくとも一部を除去する段階において、
前記絶縁層の少なくとも一部が除去されて、少なくとも１つのリセス部が形成される、プリント回路基板の製造方法。
前記第１シード金属層上に第２シード金属層を形成する段階と、
前記第２シード金属層上にパターン金属層を形成する段階と、
前記パターン金属層から露出する前記第２シード金属層の少なくとも一部を除去する段階と、
前記パターン金属層及び前記第２シード金属層から露出する前記第１シード金属層の少なくとも一部を除去する段階と、を含み、
前記第１シード金属層の少なくとも一部を除去する段階において、
前記絶縁層の少なくとも一部が除去されて、少なくとも１つのリセス部が形成される、プリント回路基板の製造方法。
【請求項13】
前記第１シード金属層を形成する段階において、
前記第１シード金属層はチタン（Ｔｉ）を堆積して形成し、
前記第２シード金属層を形成する段階において、
前記第２シード金属層は銅（Ｃｕ）を堆積して形成し、
前記パターン金属層を形成する段階において、
前記パターン金属層は前記第２シード金属層上に複数の開口を有するレジスト層を形成し、次にめっきにより前記複数の開口を銅（Ｃｕ）で満たし、次に前記レジスト層を除去して形成する、請求項１２に記載のプリント回路基板の製造方法。
前記第１シード金属層はチタン（Ｔｉ）を堆積して形成し、
前記第２シード金属層を形成する段階において、
前記第２シード金属層は銅（Ｃｕ）を堆積して形成し、
前記パターン金属層を形成する段階において、
前記パターン金属層は前記第２シード金属層上に複数の開口を有するレジスト層を形成し、次にめっきにより前記複数の開口を銅（Ｃｕ）で満たし、次に前記レジスト層を除去して形成する、請求項１２に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項14】
前記第２シード金属層の少なくとも一部を除去する段階において、
前記第２シード金属層の少なくとも一部をウェットエッチングで除去し、
前記第１シード金属層の少なくとも一部を除去する段階において、
前記第１シード金属層の少なくとも一部をドライエッチングで除去し、
前記ドライエッチングによって前記リセス部が形成される、請求項１２に記載のプリント回路基板の製造方法。
前記第２シード金属層の少なくとも一部をウェットエッチングで除去し、
前記第１シード金属層の少なくとも一部を除去する段階において、
前記第１シード金属層の少なくとも一部をドライエッチングで除去し、
前記ドライエッチングによって前記リセス部が形成される、請求項１２に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項15】
前記第１シード金属層の少なくとも一部を除去する段階において、
前記リセス部が形成された領域の前記絶縁層の表面は、前記パターン金属層が形成された領域の前記絶縁層の表面よりも表面粗さがさらに大きくなる、請求項１２に記載のプリント回路基板の製造方法。
前記リセス部が形成された領域の前記絶縁層の表面は、前記パターン金属層が形成された領域の前記絶縁層の表面よりも表面粗さがさらに大きくなる、請求項１２に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項16】
前記第１シード金属層を形成する段階の前に、
前記絶縁層を貫通するビアホールを形成する段階と、をさらに含み、
前記第１シード金属層を形成する段階と、前記第２シード金属層を形成する段階と、前記パターン金属層を形成する段階において、
前記第１シード金属層の少なくとも一部と、前記第２シード金属層の少なくとも一部と、前記パターン金属層の少なくとも一部がそれぞれ前記ビアホール内に形成される、請求項１２に記載のプリント回路基板の製造方法。
前記絶縁層を貫通するビアホールを形成する段階と、をさらに含み、
前記第１シード金属層を形成する段階と、前記第２シード金属層を形成する段階と、前記パターン金属層を形成する段階において、
前記第１シード金属層の少なくとも一部と、前記第２シード金属層の少なくとも一部と、前記パターン金属層の少なくとも一部がそれぞれ前記ビアホール内に形成される、請求項１２に記載のプリント回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、プリント回路基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
現在、半導体産業の開発方向の一つは、単一パッケージ内に複数のチップを密接に配置して駆動速度を増加させることである。これに関して、有機物を基板として製造されたパッケージの微細配線の限界を克服するために、無機物を基板として製造されたインターポーザをチップ間連結のための再配線層として利用する技術が開発されている。但し、このような無機物を基板として製造されたインターポーザの場合、インターコネクションに必要な部分以外にも他の部分も形成しなければならないため、工程が多少複雑になり、不要な面積拡大などによって費用が上昇する可能性がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0003】
本開示の様々な目的の一つは、アンダーカットなどの副作用なしに必要な領域に微細回路パターンを形成することができるプリント回路基板及びその製造方法を提供することである。
【0004】
本開示の様々な目的のまた一つは、絶縁層間の密着力を改善することができるプリント回路基板及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示を介して提案する様々な解決手段のうち１つは、絶縁層上に第１及び第２シード金属層を形成し、これに基づいてパターン金属層を形成し、この後、パターン間に残存する第２シード金属層は、ウェットエッチングで除去し、第１シード金属層はドライエッチングで除去して、微細回路パターンを形成することである。一方、このようなドライエッチングにより、絶縁層のパターン間の領域にリセス部が形成されることができ、リセス部の底面には、必要に応じて表面粗さが形成されることができる。
【0006】
例えば、一例によるプリント回路基板は、第１絶縁層と、上記第１絶縁層上に配置された複数の第１金属パターンと、を含み、上記第１絶縁層は少なくとも１つのリセス部を有し、上記リセス部は上記複数の第１金属パターンの間に配置され、上記複数の第１金属パターンのそれぞれは、上記第１絶縁層上に配置された第１シード金属層、上記第１シード金属層上に配置された第２シード金属層、及び上記第２シード金属層上に配置されたパターン金属層を含むものであることができる。
【0007】
例えば、一例によるプリント回路基板の製造方法は、絶縁層上に第１シード金属層を形成する段階と、上記第１シード金属層上に第２シード金属層を形成する段階と、上記第２シード金属層上にパターン金属層を形成する段階と、上記パターン金属層から露出する上記第２シード金属層の少なくとも一部を除去する段階と、上記パターン金属層及び上記第２シード金属層から露出する上記第１シード金属層の少なくとも一部を除去する段階と、を含み、上記第１シード金属層の少なくとも一部を除去する段階で、上記絶縁層の少なくとも一部が除去されて少なくとも１つのリセス部が形成されるものであることができる。
【発明の効果】
【0008】
本開示の様々な効果のうち一効果として、アンダーカットなどの副作用なしに必要な領域に微細回路パターンを形成することができるプリント回路基板及びその製造方法を提供することができる。
【0009】
本開示の様々な効果のうち他の一効果として、絶縁層間の密着力を改善することができるプリント回路基板及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】電子機器システムの例を概略的に示すブロック図である。
【図2】電子機器の一例を概略的に示した斜視図である。
【図3】プリント回路基板の一例を概略的に示した断面図である。
【図5a】第１シード金属層のドライエッチングの過程を概略的に示した電子顕微鏡による断面イメージである。
【図5b】第１シード金属層のドライエッチングの過程を概略的に示した電子顕微鏡による各断面イメージのトップビューイメージである。
【図6a】第１シード金属層のドライエッチングの過程を概略的に示した電子顕微鏡による断面イメージである。
【図6b】第１シード金属層のドライエッチングの過程を概略的に示した電子顕微鏡による各断面イメージのトップビューイメージである。
【図7a】第１シード金属層のドライエッチングの過程を概略的に示した電子顕微鏡による断面イメージである。
【図7b】第１シード金属層のドライエッチングの過程を概略的に示した電子顕微鏡による各断面イメージのトップビューイメージである。
【図8a】第１シード金属層のドライエッチングの過程を概略的に示した電子顕微鏡による断面イメージである。
【図8b】第１シード金属層のドライエッチングの過程を概略的に示した電子顕微鏡による各断面イメージのトップビューイメージである。
【図9】第１シード金属層のドライエッチング後の配線形状と絶縁層に形成されたリセス部の形状を概略的に示した電子顕微鏡によるイメージである。
【図10】プリント回路基板の他の一例を概略的に示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0011】
以下、添付の図面を参照して本開示について説明する。図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために拡大縮小表示（または強調表示や簡略化表示）がされることがある。
【0012】
電子機器
図１は、電子機器システムの例を概略的に示したブロック図である。
図１は、電子機器システムの例を概略的に示したブロック図である。
【0013】
図面を参照すると、電子機器１０００はメインボード１０１０を収容する。メインボード１０１０には、チップ関連部品１０２０、ネットワーク関連部品１０３０、及びその他の部品１０４０などが物理的及び／または電気的に連結されている。これらは後述する他の電子部品とも組み合わせて様々な信号ライン１０９０を形成する。
【0014】
チップ関連部品１０２０としては、揮発性メモリ（例えば、ＤＲＡＭ）、不揮発性メモリ（例えば、ＲＯＭ）、フラッシュメモリなどのメモリチップと、セントラルプロセッサ（例えば、ＣＰＵ）、グラフィックプロセッサ（例えば、ＧＰＵ）、デジタル信号プロセッサ、暗号化プロセッサ、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラなどのアプリケーションプロセッサチップと、アナログ－デジタルコンバータ、ＡＳＩＣ（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ－ｓｐｅｃｉｆｉｃ ＩＣ）などのロジックチップなどが含まれるが、これに限定されず、これ以外にもその他の形態のチップ関連電子部品も含まれ得る。さらに、これらのチップ関連部品１０２０を互いに組み合わせることもできる。チップ関連部品１０２０は、上述したチップまたは電子部品を含むパッケージ形態であることもできる。
【0015】
ネットワーク関連部品１０３０としては、Ｗｉ－Ｆｉ（ＩＥＥＥ ８０２．１１ファミリなど）、ＷｉＭＡＸ（ＩＥＥＥ ８０２．１６ファミリなど）、ＩＥＥＥ ８０２．２０、ＬＴＥ（ｌｏｎｇ ｔｅｒｍ ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）、Ｅｖ－ＤＯ、ＨＳＰＡ＋、ＨＳＤＰＡ＋、ＨＳＵＰＡ＋、ＥＤＧＥ、ＧＳＭ、ＧＰＳ、ＧＰＲＳ、ＣＤＭＡ、ＴＤＭＡ、ＤＥＣＴ、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ、３Ｇ、４Ｇ、５Ｇ、及びそれ以降のものとして指定された任意の他の無線及び有線プロトコルが含まれるが、これらに限定されず、これ以外にもその他の多数の無線または有線標準やプロトコルのいずれかが含まれ得る。また、ネットワーク関連部品１０３０がチップ関連部品１０２０とともに互いに組み合わされることもできる。
【0016】
その他の部品１０４０としては、高周波インダクタ、フェライトインダクタ、パワーインダクタ、フェライトビーズ、ＬＴＣＣ（ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ－Ｆｉｒｉｎｇ Ｃｅｒａｍｉｃｓ）、ＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）ｆｉｌｔｅｒ、ＭＬＣＣ（Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃｏｎｄｅｎｓｅｒ）などが含まれる。但し、これらに限定されるものではなく、これ以外にもその他の様々な用途のために用いられるチップ部品の形態の受動素子などが含まれ得る。また、その他の部品１０４０をチップ関連部品１０２０及び／又はネットワーク関連部品１０３０と互いに組み合わせることもできる。
【0017】
電子機器１０００の種類に応じて、電子機器１０００は、メインボード１０１０に物理的及び／又は電気的に連結されるか、または連結されない他の電子部品を含むことができる。他の電子部品の例を挙げると、カメラモジュール１０５０、アンテナモジュール１０６０、ディスプレイ１０７０、バッテリー１０８０などがある。但し、これらに限定されるものではなく、オーディオコーデック、ビデオコーデック、電力増幅器、羅針盤、加速度計、ジャイロスコープ、スピーカー、大容量記憶装置（例えば、ハードディスクドライブ）、ＣＤ（ｃｏｍｐａｃｔ ｄｉｓｋ）、ＤＶＤ（ｄｉｇｉｔａｌ ｖｅｒｓａｔｉｌｅ ｄｉｓｋ）なども挙げられる。これ以外にも、電子機器１０００の種類に応じて様々な用途のために用いられるその他の電子部品などが含まれることもできる。
【0018】
電子機器１０００は、スマートフォン（ｓｍａｒｔ ｐｈｏｎｅ）、個人用情報端末機（ｐｅｒｓｏｎａｌ ｄｉｇｉｔａｌ ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、デジタルビデオカメラ（ｄｉｇｉｔａｌ ｖｉｄｅｏ ｃａｍｅｒａ）、デジタルスチルカメラ（ｄｉｇｉｔａｌ ｓｔｉｌｌ ｃａｍｅｒａ）、ネットワークシステム（ｎｅｔｗｏｒｋ ｓｙｓｔｅｍ）、コンピュータ（ｃｏｍｐｕｔｅｒ）、モニター（ｍｏｎｉｔｏｒ）、タブレット（ｔａｂｌｅｔ）、ラップトップ（ｌａｐｔｏｐ）、ネットブック（ｎｅｔｂｏｏｋ）、テレビジョン（ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ）、ビデオゲーム（ｖｉｄｅｏ ｇａｍｅ）、スマートウォッチ（ｓｍａｒｔ ｗａｔｃｈ）、オートモーティブ（Ａｕｔｏｍｏｔｉｖｅ）などであることができる。但し、これらに限定されず、これ以外にもデータを処理する任意の他の電子機器であることもできる。
【0019】
図２は、電子機器の一例を概略的に示した斜視図である。
【0020】
図面を参照すると、電子機器は例えば、スマートフォン１１００であることができる。スマートフォン１１００の内部には、マザーボード１１１０が収容されており、このようなマザーボード１１１０には様々な部品１１２０が物理的及び／又は電気的に連結されている。さらに、カメラモジュール１１３０及び／又はスピーカー１１４０のように、マザーボード１１１０に物理的及び／又は電気的に連結されるか、または連結されない他の部品が内部に収容されている。部品１１２０の一部は、上述したチップ関連部品であることができ、例えば、部品パッケージ１１２１であることができるが、これに限定されるものではない。部品パッケージ１１２１は、能動部品及び／又は受動部品を含む電子部品が表面に実装配置されたプリント回路基板の形態であることができる。または、部品パッケージ１１２１は、能動部品及び／又は受動部品が内蔵されたプリント回路基板の形態であることもできる。一方、電子機器は必ずスマートフォン１１００に限定されるものではなく、上述したように他の電子機器であることもできる。
【0021】
プリント回路基板
図３は、プリント回路基板の一例を概略的に示した断面図である。
図３は、プリント回路基板の一例を概略的に示した断面図である。
【0022】
図面を参照すると、一例によるプリント回路基板５００Ａは、絶縁層１１０と、絶縁層１１０の上面上に配置された複数の金属パターン１２０を含むことができる。絶縁層１１０は、少なくとも１つのリセス部Ｒを有することができる。リセス部Ｒは、複数の金属パターン１２０の間に配置されることができる。複数の金属パターン１２０のそれぞれは、絶縁層１１０上に配置された第１シード金属層１２１と第１シード金属層１２１上に配置された第２シード金属層１２２と第２シード金属層１２２上に配置されたパターン金属層１２３を含むことができる。絶縁層１１０の上面上において、パターン金属層１２３は第１シード金属層１２１及び第２シード金属層１２２のそれぞれよりも厚さが厚いことができる。
【0023】
一方、微細回路基板の製作過程中に多層の微細回路パターンを形成するための工程は、以下のような手順を有することができる。まず、シード金属層でチタン（Ｔｉ）と銅（Ｃｕ）を絶縁層上に順次堆積することができる。次に、フォトレジストを用いて銅（Ｃｕ）めっきを行うことができる。次に、フォトレジストを除去することができ、この後、順次不要な位置のシード金属層を除去することができる。このような工程を繰り返して、多層の微細回路パターンを形成することができる。この時、シード金属層のうち一つであるチタン（Ｔｉ）層をエッチングする方法でウェットエッチングを用いることができるが、ウェットエッチングの等方性特性上の縦方向へのエッチングだけでなく、アンダーカットと通称される横方向へのエッチングが同時に発生して、配線内のチタン（Ｔｉ）層の幅が狭くなることができる。設計上、配線の幅が広い場合には、このようなアンダーカットが大きく問題にならない場合があるが、微細回路パターンの場合、配線の線幅が非常に狭いため、アンダーカットが発生する場合、配線の幅の１／２以下まで狭くなる可能性があるため、チタン（Ｔｉ）層が消失するか、または非常に小さく残留することによって剥離が起こり得る。
【0024】
一方、一例に係るプリント回路基板５００Ａは、後述する工程のように、第２シード金属層１２２のウェットエッチングの後に、第１シード金属層１２１をドライエッチングで除去することができる。ドライエッチングの場合には、ウェットエッチングに比べて異方性特性を有することができ、したがって第１シード金属層１２１にアンダーカットが発生することを防止することができる。例えば、複数の金属パターン１２０がＬ（Ｌｉｎｅ）／Ｓ（Ｓｐａｃｅ）が５μｍ／５μｍ以下、または２μｍ／２μｍ以下の複数の微細回路パターンを含む場合にも、上述した問題点が発生しないことができる。これによって、微細配線の剥離不良を未然に防止して、配線剥離によって引き起こされるショート、オープン、信号ノイズなどの品質不良を改善することができる。また、面積を最小化した微細回路基板を提供することができ、よって大面積インターポーザを代替することができる。したがって、費用削減も可能である。
【0025】
一方、このようなドライエッチングを行う場合、第１シード金属層１２１が除去された領域で、絶縁層１１０にリセス部Ｒが形成されることができる。例えば、リセス部Ｒは、複数の金属パターン１２０の間で絶縁層１１０の上面から厚さ方向に第１絶縁層１１０の一部を貫通することができる。したがって、複数の金属パターン１２０が配置された領域の絶縁層１１０の上面とリセス部Ｒが配置された領域の絶縁層１１０の上面が互いに段差を有することができる。必要に応じては、このようなドライエッチングによって、リセス部Ｒが配置された領域の絶縁層１１０の上面に粗さが形成されることができる。例えば、リセス部Ｒが配置された領域の絶縁層１１０の上面は、複数の金属パターン１２０が配置された領域の絶縁層１１０の上面よりも表面粗さがさらに大きいことができる。この場合、プリント回路基板５００Ａが多層基板に適用されて、絶縁層１１０上にさらに絶縁層が形成される場合において、絶縁層間の接触面積を増加させて、密着力を改善することができる。
【0026】
以下では、図面を参照して一例に係るプリント回路基板５００Ａの構成要素についてより詳細に説明する。
【0027】
絶縁層１１０は絶縁材を含むことができる。絶縁材は、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリイミドなどの熱可塑性樹脂、または樹脂と共に無機フィラー、有機フィラー及び／またはガラス繊維（Ｇｌａｓｓ Ｆｉｂｅｒ、Ｇｌａｓｓ Ｃｌｏｔｈ、Ｇｌａｓｓ Ｆａｂｒｉｃ）を含む有機材料を含むことができる。例えば、絶縁材は、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ－ｕｐ Ｆｉｌｍ）、ＰＰＧ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）などの非感光性絶縁材またはＰＩＤ（Ｐｈｏｔｏ Ｉｍａｇａｂｌｅ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ)などの感光性絶縁材であることができるが、これに限定されるものではない。必要に応じて、絶縁材は、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４などを含む無機材料を含むこともできる。
【0028】
金属パターン１２０は、金属を含むことができる。金属は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／またはこれらの合金などを含むことができる。金属パターン１２０は、設計デザインに応じて様々な機能を実行することができる。例えば、信号パターン、パワーパターン、グランドパターンなどを含むことができる。好ましくは、信号パターンを含むことができるが、これに限定されない。これらのパターンはそれぞれライン、プレーン、パッドなどの様々な形態を有することができる。
【0029】
第１シード金属層１２１は、絶縁層１１０と金属パターン１２０との間の密着力を高めることができる。第１シード金属層１２１は、チタン（Ｔｉ）を含むことができる。例えば、純チタン（ｐｕｒｅ Ｔｉ）を含むことができる。純チタン（ｐｕｒｅ Ｔｉ）は、これを含む合金や酸化物などではなく、純粋にチタン（Ｔｉ）を含むものであり得る。例えば、第１シード金属層１２１はスパッタなどの堆積工程で形成されることができ、したがって、その材料でチタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）などを用いることができるが、ドライエッチングを考慮したとき、チタン（Ｔｉ）が最も好ましいことができる。但し、これに限定されるものではなく、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／またはこれらの合金などを含むこともできる。
【0030】
第２シード金属層１２２は、電気めっき（または電解めっき）のための導電性領域を提供することができる。第２シード金属層１２２は、スパッタ等の堆積工程で形成されることができ、パターン金属層１２３との密着力、導電性、費用等を考慮するとき、銅（Ｃｕ）、例えば、純銅（ｐｕｒｅ Ｃｕ）を含むことができる。純銅（ｐｕｒｅ Ｃｕ）は、これを含む合金や酸化物などではなく、純粋に銅（Ｃｕ）を含むものであることができる。但し、これに限定されるものではなく、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／またはこれらの合金などを含むこともできる。第２シード金属層１２２は、第１シード金属層１２１よりも厚さが厚いことができる。
【0031】
パターン金属層１２３は、実質的に金属パターン１２０の機能を提供することができる。パターン金属層１２３は、電気めっき（電解めっき）などのめっき工程で形成されることができ、導電性、費用などを考慮するとき、銅（Ｃｕ）、例えば、純銅（ｐｕｒｅ Ｃｕ）を含むことができる。一方、純銅（ｐｕｒｅ Ｃｕ）は、これを含む合金や酸化物などではなく、純粋に銅（Ｃｕ）を含むことができる。但し、これに限定されるものではなく、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／またはこれらの合金などを含むこともできる。パターン金属層１２３は、第１及び第２シード金属層１２１、１２２のそれぞれよりも厚さが厚いことができる。
【0032】
リセス部Ｒは、底面と壁面が実質的に角を成すことができる。例えば、リセス部Ｒは実質的に一定の深さを有することができる。例えば、リセス部Ｒの底面と壁面は、表面粗さを考慮しない場合、それぞれ実質的に平坦であることができる。例えば、リセス部Ｒの壁面は、底面に対して略垂直または垂直に近い傾斜を有することができる。例えば、リセス部Ｒは、チタン（Ｔｉ）などの純金属層をドライエッチングで除去する過程で形成されることができるため、ラウンド形状などではなく略垂直形状を有することができる。したがって、より広い面積を有することができるため、上述した絶縁層間の密着力改善により効果的であることができる。リセス部Ｒの深さは、第１シード金属層１２１の厚さよりも大きいことができる。
【0033】
【0034】
図４ａを参照すると、絶縁層１１０を用意することができる。絶縁層１１０は、上述したように有機材料または無機材料を含むことができる。
【0035】
図４ｂを参照すると、絶縁層１１０上に第１シード金属層１２１を形成することができる。第１シード金属層１２１は、上述したように、チタン（Ｔｉ）等を材料としてスパッタ等の堆積工程で形成することができる。
【0036】
図４ｃを参照すると、第１シード金属層１２１上に第２シード金属層１２２を形成することができる。第２シード金属層１２２は、上述したように銅（Ｃｕ）等を材料としてスパッタ等の堆積工程で形成することができる。
【0037】
図４ｄを参照すると、第２シード金属層１２２上に複数の開口ｈを有するレジスト層１５０を形成することができる。レジスト層１５０は、感光性絶縁材を含むことができる。複数の開口ｈは、フォトリソグラフィ工程で形成することができる。複数の開口ｈは、それぞれ第２シード金属層１２２の少なくとも一部を露出させることができる。
【0038】
図４ｅを参照すると、複数の開口ｈにそれぞれパターン金属層１２３を形成することができる。例えば、電気めっき（または電解めっき）などのめっき工程で、複数の開口ｈのそれぞれの少なくとも一部を銅（Ｃｕ）で満たすことができる。
【0039】
図４ｆを参照すると、レジスト層１５０を除去することができる。レジスト層１５０は、物理的方法または化学的方法で除去することができる。例えば、剥離液などを用いることができるが、これに限定されるものではない。
【0040】
図４ｇを参照すると、パターン金属層１２３から露出する第２シード金属層１２２の少なくとも一部を除去することができる。例えば、露出した第２シード金属層１２２の少なくとも一部をウェットエッチングで除去することができる。露出した第２シード金属層１２２がそれぞれ除去されて、第１シード金属層１２１の少なくとも一部がそれぞれ第２シード金属層１２２及びパターン金属層１２３から露出することができる。
【0041】
図４ｈを参照すると、パターン金属層１２３と第２シード金属層１２２から露出する第１シード金属層１２１の少なくとも一部を除去することができる。例えば、露出した第１シード金属層１２１の少なくとも一部をドライエッチングで除去することができる。露出した第１シード金属層１２１がそれぞれ除去されて、絶縁層１１０の少なくとも一部がそれぞれ第１及び第２シード金属層１２１、１２２とパターン金属層１２３から露出することができる。一方、ドライエッチング過程で露出した絶縁層１１０の少なくとも一部が除去されて少なくとも１つのリセス部Ｒが形成されることができる。必要に応じて、リセス部Ｒが形成された絶縁層１１０の表面に粗さが形成されることができる。
【0042】
一連の過程を介して、一例に係るプリント回路基板５００Ａが製造されることができる。その他の説明は、上述した一例に係るプリント回路基板５００Ａで説明したものと実質的に同一であることができ、これに対する重複する説明は省略する。
【0043】
図５ａ、図６ａ、図７ａ及び図８ａは、第１シード金属層のドライエッチング過程を概略的に示した電子顕微鏡による断面イメージであり、図５ｂ、図６ｂ、図７ｂ及び図８ｂは、各断面イメージのトップビューイメージである。
【0044】
図面を参照すると、約５０ｎｍ厚さのチタン（Ｔｉ）層のドライエッチングにおいて、エッチング後の約３０秒、６０秒のときまでは、例えば図５ａ、図５ｂ、図６ａ及び図６ｂでは、チタン（Ｔｉ）層の下部の絶縁層がその形状を維持することができることが確認できる。一方、エッチング時間が約９０秒、１２０秒と経過するにつれて、例えば図７ａ、図７ｂ、図８ａ及び図８ｂでは、絶縁層も一部エッチングされて、段差、例えばリセス部が形成されることを確認することができる。例えば、有機物基板の絶縁層が物理的な反応用エッチングガス、例えばアルゴンガスの他にも、これに化学的な反応用エッチングガスであるフルオリン系ガス（ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＳＦ６など）やクロリン系ガス（Ｃｌ２、ＢＣｌ３など）を混合した混合ガスによってエッチングされてエッチング段差が発生することがあり、これは無機物基板の絶縁層の場合も同様であることができる。例えば、特定物質を除去するエッチング工程では、エッチング液の変動によるエッチング率の変動や基板内に発生する空間散布などに対応するために、必要なエッチング時間に追加的なエッチング時間を有することができ、このとき、ドライエッチングの場合、異方性方向性によって下方向にエッチングが行われる特徴があるため、上述したリセス部、例えばリセス段差が形成されることができる。
【0045】
図９は、第１シード金属層のドライエッチング後の配線形状と絶縁層に形成されたリセス部の形状を概略的に示した電子顕微鏡によるイメージである。
【0046】
図面を参照すると、ドライエッチングによるシード金属層であるチタン（Ｔｉ）層を除去する場合、チタン（Ｔｉ）層にアンダーカットが発生しないことが分かり、また絶縁層にリセス部が形成されることが分かる。また、必要に応じて、リセス部が形成された絶縁層の表面に粗さが形成され得ることが分かる。したがって、配線の下部に十分な幅を確保することができ、それによる上述した技術的効果を有することができることも分かる。また、絶縁層間の密着力改善も可能であることが分かる。
【0047】
図１０は、プリント回路基板の他の一例を概略的に示した断面図である。
【0048】
図面を参照すると、他の一例によるプリント回路基板５００Ｂは、第１絶縁層１１０、第１絶縁層１１０の上面上に配置された複数の第１金属パターン１２０、第１絶縁層１１０の下側に配置された複数の第２金属パターン２２０、複数の第１及び第２金属パターン１２０、２２０のそれぞれの少なくとも一部間で第１絶縁層１１０の上面及び下面間を貫通する少なくとも１つのビアホールＶを満たす少なくとも１つの第１ビアパターン１３０、第１絶縁層１１０の上面上に配置され、複数の第１金属パターン１２０のそれぞれの少なくとも一部を覆う第２絶縁層２１０、第２絶縁層２１０の上面上に配置された複数の第３金属パターン３２０、及び複数の第１及び第３金属パターン１２０、３２０のそれぞれの少なくとも一部間で第２絶縁層２１０の上面及び下面間を貫通する少なくとも１つの第２ビアパターン３３０を含むことができる。
【0049】
一方、複数の第１金属パターン１２０のそれぞれは、第１絶縁層１１０上に配置された第１シード金属層１２１と第１シード金属層１２１上に配置された第２シード金属層１２２と第２シード金属層１２２上に配置された第１パターン金属層１２３を含むことができる。第１ビアパターン１３０は、ビアホールＶの壁面と複数の第２金属パターン２２０の少なくとも一部上に配置された第３シード金属層１３１と第３シード金属層１３１上に配置された第４シード金属層１３２と第４シード金属層１３２上に配置されて、ビアホールＶの少なくとも一部を満たす第２パターン金属層１３３を含むことができる。第１及び第３シード金属層１２１、１３１は、堆積工程等で一緒に形成された同じ層であることができ、第２及び第４シード金属層１２２、１３２は、堆積工程等で一緒に形成された同じ層であることができ、第１及び第２パターン金属層１２３、１３３は、めっき工程等で一緒に形成された同じ層であることができる。例えば、同じ層は同じ金属を含むことができ、互いに境界なしに一体化することができる。
【0050】
このように、他の一例に係るプリント回路基板５００Ｂは、多層回路基板であることができ、このとき、内層として上述した一例に係るプリント回路基板１００Ａの絶縁層１１０と複数の金属パターン１２０とリセス部Ｒを含むことができる。例えば、上述した一例に係るプリント回路基板５００Ａの構造は、他の一例に係るプリント回路基板５００Ｂのような多層回路基板の内層として適用されることができる。但し、これに限定されるものではなく、多層回路基板の外層として適用されるか、または内層及び外層の全てに適用されることもできる。一方、他の一例によるプリント回路基板５００Ｂは、より多層に形成されることができ、例えば、より多い数の絶縁層と金属パターン層とビアパターン層を含むことができる。また、上述した一例に係るプリント回路基板１００Ａの構造は、設計デザインに応じて内層、外層に自由に適用されることができる。また、必要に応じて、配線連結が必要な部分のみに部分的に上述した一例に係るプリント回路基板１００Ａの構造を導入することもできる。このような多層回路基板構造の他の一例によるプリント回路基板５００Ｂは、ＦＣＢ（Ｆｉｌｐ－Ｃｈｉｐ Ｂｏａｒｄ）、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）、インターポーザ基板、パッケージ基板、インターコネクトブリッジ基板などとして用いられることができる。但し、これに限定されるものではなく、その他にも様々な形態の基板に適用されることができる。
【0051】
以下では、図面を参照して他の一例に係るプリント回路基板５００Ｂの構成要素についてより詳細に説明する。
【0052】
第１及び第２絶縁層１１０、２１０はそれぞれ絶縁材を含むことができる。絶縁材は、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリイミドなどの熱可塑性樹脂、または樹脂と共に無機フィラー、有機フィラー及び／またはガラス繊維（Ｇｌａｓｓ Ｆｉｂｅｒ、Ｇｌａｓｓ Ｃｌｏｔｈ、Ｇｌａｓｓ Ｆａｂｒｉｃ）を含む有機材料を含むことができる。例えば、絶縁材は、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ－ｕｐ Ｆｉｌｍ）、ＰＰＧ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）などの非感光性絶縁材またはＰＩＤ（Ｐｈｏｔｏ Ｉｍａｇａｂｌｅ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ)などの感光性絶縁材であることができるが、これに限定されるものではない。必要に応じて、絶縁材は、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４などを含む無機材料を含むこともできる。第１及び第２絶縁層１１０、２１０は、互いに同一の絶縁材を含むことができ、必要に応じて境界なしに互いに一体化することができる。但し、これに限定されるものではなく、互いに異なる絶縁材を含むことができ、互いに境界が区別されることができる。
【0053】
第１～第３金属パターン１２０、２２０、３２０はそれぞれ金属を含むことができる。金属は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／またはこれらの合金などを含むことができる。第１～第３金属パターン１２０、２２０、３２０は、それぞれ設計デザインに応じて様々な機能を実行することができる。例えば、信号パターン、パワーパターン、グランドパターンなどを含むことができる。これらのパターンはそれぞれライン、プレーン、パッドなどの様々な形態を有することができる。第２及び第３金属パターン２２０、３２０は、それぞれＳＡＰ（Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、ＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ ＳＡＰ）、ＴＴ（Ｔｅｎｔｉｎｇ）等を用いるめっき工程で形成されることができ、例えば無電解めっき層と電解めっき層を含むことができるが、これに限定されるものではない。必要に応じて、無電解めっき層の代わりにスパッタ層を含むこともでき、両方を全て含むこともできる。
【0054】
複数の第１金属パターン１２０は、複数の第２及び第３金属パターン２２０、２３０のそれぞれよりも微細回路パターンであり得る。例えば、複数の第１金属パターン１２０のうちラインパターンの線幅、間隔などは、複数の第２金属パターン２２０のうちラインパターンの線幅、間隔などよりも、そして複数の第３金属パターン２３０のうちラインパターンの線幅、間隔などよりもさらに小さいことができる。また、複数の第１金属パターン１２０のうちパッドパターンのピッチ等は、複数の第２金属パターン２２０のうちパッドパターンのピッチ等よりも、そして複数の第３金属パターン２３０のうちパッドパターンのピッチ等よりもさらに小さいことができる。例えば、複数の第１金属パターン１２０は、複数の第２及び第３金属パターン２２０、２３０のそれぞれよりも高密度パターンを含むことができる。
【0055】
第１及び第２ビアパターン１３０、３３０はそれぞれ金属を含むことができる。金属は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／またはこれらの合金などを含むことができる。第１及び第２ビアパターン１３０、３３０は、それぞれビアホールを満たすフィルドビア（ｆｉｌｌｅｄ ＶＩＡ）を含むことができるが、ビアホールの壁面に沿って配置されるコンフォーマルビア（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ ＶＩＡ）を含むこともできる。第１及び第２ビアパターン１３０、３３０は、それぞれ設計デザインに応じて様々な機能を実行することができる。例えば、グランドビア、パワービア、信号ビアなどを含むことができる。第１及び第２ビアパターン１３０、３３０は、それぞれが断面上で互いに同じ方向にテーパされた形状を有することができる。例えば、各断面上において、上端部が下端部よりも幅がさらに大きいことができる。第２ビアパターン３３０は、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、ＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ ＳＡＰ）、ＴＴ（Ｔｅｎｔｉｎｇ）などを利用するめっき工程で形成されることができ、例えば、無電解めっき層と電解めっき層を含むことができるが、これに限定されず、無電解めっき層の代わりにスパッタ層を含むこともでき、両方を全て含むこともできる。
【0056】
第１及び第３シード金属層１２１、１３１は、それぞれ第１絶縁層１１０と第１金属パターン１２０との間、及び第１絶縁層１１０と第１ビアパターン１３０との間の密着力を高めることができる。第１及び第３シード金属層１２１、１３１は、互いに同じ金属、例えばチタン（Ｔｉ）を含むことができる。例えば、純チタン（ｐｕｒｅ Ｔｉ）を含むことができる。純チタン（ｐｕｒｅ Ｔｉ）は、これを含む合金や酸化物などではなく、純粋にチタン（Ｔｉ）を含むものであり得る。例えば、第１及び第３シード金属層１２１、１３１はスパッタ等の堆積工程で一緒に形成されることができ、その材料としてチタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）などを用いることができるが、ドライエッチングを考慮したとき、チタン（Ｔｉ）が最も好ましいことができる。但し、これに限定されるものではなく、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／またはこれらの合金などを含むこともできる。
【0057】
第２及び第４シード金属層１２２、１３２は、電気めっき（または電解めっき）のための導電性領域を提供することができる。第２及び第４シード金属層１２２、１３２は、スパッタ等の堆積工程で一緒に形成されることができ、互いに同じ金属、例えば第１及び第２パターン金属層１２３、１３３との密着力、導電性、費用等を考慮するとき、銅（Ｃｕ）、例えば、純銅（ｐｕｒｅ Ｃｕ）を含むことができる。純銅（ｐｕｒｅ Ｃｕ）は、これを含む合金や酸化物などではなく、純粋に銅（Ｃｕ）を含むものであることができる。但し、これに限定されるものではなく、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／またはこれらの合金などを含むこともできる。第２シード金属層１２２の厚さは、第１シード金属層１２１の厚さよりも厚いことができる。
【0058】
第１及び第２パターン金属層１２３、１３３は、実質的に第１金属パターン１２０及び第１ビアパターン１３０の機能を提供することができる。第１及び第２パターン金属層１２３、１３３は、電気めっき（電解めっき）などのめっき工程で一緒に形成されることができ、互いに同じ金属、例えば導電性、費用などを考慮するとき、銅（Ｃｕ）を含むことができ、例えば、純銅（ｐｕｒｅ Ｃｕ）を含むことができる。一方、純銅（ｐｕｒｅ Ｃｕ）は、これを含む合金や酸化物などではなく、純粋に銅（Ｃｕ）を含むことができる。但し、これに限定されるものではなく、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／またはこれらの合金などを含むこともできる。第１パターン金属層１２３の厚さは、第１及び第２シード金属層１２１、１２２のそれぞれの厚さよりも厚いことができる。
【0059】
リセス部Ｒは、底面と壁面が実質的に角を成すことができる。例えば、リセス部Ｒは実質的に一定の深さを有することができる。例えば、リセス部Ｒの底面と壁面は、表面粗さを考慮しない場合、それぞれ実質的に平坦であることができる。例えば、リセス部Ｒの壁面は、底面に対して略垂直または垂直に近い傾斜を有することができる。例えば、リセス部Ｒは、チタン（Ｔｉ）などの純金属層をドライエッチングで除去する過程で形成されることができるため、ラウンド形状などではなく略垂直な形状を有することができ、したがってより広い面積を有することができるため、第１及び第２絶縁層１１０、２１０間の密着力改善に効果的であることができる。リセス部Ｒの深さは、第１シード金属層１２１の厚さよりも大きいことができる。
【0060】
ビアホールＶは、第１シード金属層１２１を形成する前に、第１絶縁層１１０に先に形成されることができる。例えば、第１絶縁層１１０の材料に応じて、機械的ドリル、レーザ加工、化学的エッチングなどの様々な方法でビアホールＶを形成することができる。ビアホールＶは、第１絶縁層１１０を貫通するように形成することができる。ビアホールＶを形成した後に、第１シード金属層１２１を形成するとき、ビアホールＶ内に第３シード金属層１３１が形成されることができる。また、第２シード金属層１２２を形成するとき、ビアホールＶ内に第４シード金属層１３２が形成されることができる。また、第１パターン金属層１２３を形成するとき、ビアホールＶ内に第２パターン金属層１３３が形成されることができる。
【0061】
その他の説明は、上述した一例に係るプリント回路基板５００Ａ及び一例に係るプリント回路基板５００Ａの製造一例で説明したものと実質的に同じであることができるため、これに対する重複する説明は省略する。
【0062】
本開示において、覆うという表現は、全体的に覆う場合だけでなく、少なくとも一部を覆う場合を含むことができ、また直接覆う場合だけでなく間接的に覆う場合も含むことができる。また、満たすという表現は、完全に満たす場合だけでなく、少なくとも一部を満たす場合を含むことができ、また、大略的に満たす場合を含むことができる。例えば、一部空隙やボイドなどが存在する場合を含むことができる。また、囲むという表現は、完全に囲む場合だけでなく、一部を囲む場合と大略的に囲む場合を含むことができる。さらに、隣接するという表現は、実質的に同じ層に隣接して配置される場合を意味するものとして、互いに当接する場合に限定されるものでない。また、露出させることは、完全に露出させる場合だけでなく、一部を露出させる場合を含むことができ、露出は、該当構成を埋め込むことから露出することを意味することができる。
【0063】
本開示において、実質的には製造工程上で発生する工程誤差や位置偏差、測定時の誤差などを含んで判断することができる。例えば、実質的に共面であるということは、完全に同一平面に存在する場合だけでなく、大略的に同一平面に存在する場合も含むことができる。
【0064】
本開示において、断面上の意味は、対象物を垂直に切断したときの断面形状、または対象物を垂直に切断したときの断面形状、または対象物をサイドビューで見たときの断面形状を意味することができる。また、平面上の意味は、対象物を水平に切断したときの平面形状、または対象物をトップビューまたはボトムビューで見たときの平面形状であることを意味することができる。
【0065】
本開示において、下側、下部、下面などは、便宜上図面の断面を基準に下方方向を意味するものとして用い、上側、上部、上面などはその逆方向を意味するものとして用いた。但し、これは説明の便宜上の方向を定義したものであって、特許請求の範囲の権利範囲がこのような方向に対する記載によって特に限定されるものではないことはもちろんであり、上／下の概念はいつでも変わることができる。
【0066】
本開示において、連結されるという意味は、直接連結された場合だけでなく、接着剤層などを介して間接的に連結された場合を含む概念である。また、電気的に連結されるという意味は、物理的に連結された場合と、連結されていない場合を全て含む概念である。さらに、第１、第２などの表現は、ある構成要素と他の構成要素を区分するために用いられるものであって、当該構成要素の順序及び／又は重要度などを限定しない。場合によっては、権利範囲から逸脱することなく、第１構成要素は第２構成要素と命名されることもでき、同様に第２構成要素は第１構成要素と命名されることもできる。
【0067】
本開示において、厚さ、幅、長さ、深さ、線幅、間隔、ピッチなどは、それぞれプリント回路基板を研磨または切断した断面を基準に走査顕微鏡や光学顕微鏡などで測定することができる。切断断面は、垂直断面または水平断面であることができ、必要な切断断面に基づいてそれぞれ数値を測定することができる。例えば、ビアの上端部及び／または下端部の幅は、ビアの中心軸を切断した断面上で測定することができる。この時、数値が一定でない場合には、任意の５地点で測定した値の平均値として数値を決定することができる。一方、最小数値は、該当層や該当領域などで最も小さい値に測定される数値で決定することができる。
【0068】
本開示で用いられた一例という表現は、互いに同一の実施形態を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかしながら、上記提示された一例は、他の一例の特徴と組み合わせて実現されることを排除しない。例えば、特定の一例で説明された事項が他の一例で説明されていなくても、他の一例でその事項と反対または矛盾する説明がない限り、他の一例に関連した説明であると理解することができる。
【0069】
本開示で用いられた用語は、単に一例を説明するために用いられたものであり、本開示を限定する意図ではない。このとき、単数の表現は、文脈上明らかに異なるものを意味しない限り、複数の表現を含む。
【符号の説明】
【0070】
１０００ 電子機器
１０１０ メインボード
１０２０ チップ関連部品
１０３０ ネットワーク関連部品
１０４０ その他の部品
１０５０ カメラ
１０６０ アンテナ
１０７０ ディスプレイ
１０８０ バッテリー
１０９０ 信号ライン
１１００ スマートフォン
１１１０ マザーボード
１１２０ 部品
１１２１ 部品パッケージ
１１３０ カメラモジュール
１１４０ スピーカー
５００Ａ、５００Ｂ プリント回路基板
１１０、２１０ 絶縁層
１２０、２２０、３２０ 金属パターン
１３０、３３０ ビアパターン
１２１、１２２、１３１、１３２ シード金属層
１２３、１３３ パターン金属層
１５０ レジスト層
Ｒ リセス部
Ｖ ビアホール
ｈ 開口
１０１０ メインボード
１０２０ チップ関連部品
１０３０ ネットワーク関連部品
１０４０ その他の部品
１０５０ カメラ
１０６０ アンテナ
１０７０ ディスプレイ
１０８０ バッテリー
１０９０ 信号ライン
１１００ スマートフォン
１１１０ マザーボード
１１２０ 部品
１１２１ 部品パッケージ
１１３０ カメラモジュール
１１４０ スピーカー
５００Ａ、５００Ｂ プリント回路基板
１１０、２１０ 絶縁層
１２０、２２０、３２０ 金属パターン
１３０、３３０ ビアパターン
１２１、１２２、１３１、１３２ シード金属層
１２３、１３３ パターン金属層
１５０ レジスト層
Ｒ リセス部
Ｖ ビアホール
ｈ 開口
【図1】
【図2】
【図3】
【図4a】
【図4b】
【図4c】
【図4d】
【図4e】
【図4f】
【図4g】
【図4h】
【図5a】
【図5b】
【図6a】
【図6b】
【図7a】
【図7b】
【図8a】
【図8b】
【図9】
【図10】
