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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2025096222
(43)【公開日】2025-06-26
(54)【発明の名称】有機化合物、および発光デバイス
(51)【国際特許分類】
C07D 491/048 20060101AFI20250619BHJP
H10K 85/60 20230101ALI20250619BHJP
H10K 50/12 20230101ALI20250619BHJP
C09K 11/06 20060101ALI20250619BHJP
C07F 7/10 20060101ALI20250619BHJP
H10K 101/30 20230101ALN20250619BHJP
H10K 101/10 20230101ALN20250619BHJP
【ＦＩ】
C07D491/048 CSP
H10K85/60
H10K50/12
C09K11/06 690
C07F7/10 V
H10K101:30
H10K101:10
【審査請求】未請求
【請求項の数】11
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024217209
(22)【出願日】2024-12-12
(31)【優先権主張番号】P 2023212446
(32)【優先日】2023-12-15
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000153878
【氏名又は名称】株式会社半導体エネルギー研究所
(72)【発明者】
【氏名】竹田 恭子
(72)【発明者】
【氏名】吉安 唯
(72)【発明者】
【氏名】木戸 裕允
(72)【発明者】
【氏名】大澤 信晴
(72)【発明者】
【氏名】山内 諒
【テーマコード（参考）】
3K107
4H049
【Ｆターム（参考）】
3K107AA01
3K107BB01
3K107BB02
3K107BB06
3K107BB07
3K107CC04
3K107CC07
3K107CC14
3K107CC21
3K107CC35
3K107DD53
3K107DD59
3K107DD67
3K107DD68
3K107DD69
3K107FF13
3K107FF19
3K107FF20
4H049VN01
4H049VP01
4H049VQ72
4H049VR24
4H049VW01
(57)【要約】
【課題】新規の有機化合物および当該有機化合物を用いた発光デバイスを提供する。
【解決手段】ベンゾフロピリミジン骨格またはベンゾチエノピリミジン骨格と、第１の置換基と、第２の置換基と、を有し、第１の置換基は、カルバゾール骨格を表し、第２の置換基は、カルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、テトラフェニルシラン骨格、またはトリフェニレン骨格のいずれかを表し、第１の置換基は、ベンゾフロピリミジン骨格またはベンゾチエノピリミジン骨格のピリミジン環と結合し、第２の置換基は、ベンゾフロピリミジン骨格またはベンゾチエノピリミジン骨格のベンゼン環と結合する有機化合物である。
【選択図】図１
【解決手段】ベンゾフロピリミジン骨格またはベンゾチエノピリミジン骨格と、第１の置換基と、第２の置換基と、を有し、第１の置換基は、カルバゾール骨格を表し、第２の置換基は、カルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、テトラフェニルシラン骨格、またはトリフェニレン骨格のいずれかを表し、第１の置換基は、ベンゾフロピリミジン骨格またはベンゾチエノピリミジン骨格のピリミジン環と結合し、第２の置換基は、ベンゾフロピリミジン骨格またはベンゾチエノピリミジン骨格のベンゼン環と結合する有機化合物である。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格またはベンゾチエノ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格と、第１の置換基と、第２の置換基と、を有し、
前記第１の置換基は、カルバゾール骨格を表し、
前記第２の置換基は、カルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、テトラフェニルシラン骨格、またはトリフェニレン骨格のいずれかを表し、
前記第１の置換基は、前記ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格の４位または前記ベンゾチエノ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格の４位と結合し、
前記第２の置換基は、前記ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格の８位または前記ベンゾチエノ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格の８位と結合する有機化合物。
前記第１の置換基は、カルバゾール骨格を表し、
前記第２の置換基は、カルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、テトラフェニルシラン骨格、またはトリフェニレン骨格のいずれかを表し、
前記第１の置換基は、前記ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格の４位または前記ベンゾチエノ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格の４位と結合し、
前記第２の置換基は、前記ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格の８位または前記ベンゾチエノ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格の８位と結合する有機化合物。
【請求項2】
一般式（Ｇ１）で表される有機化合物。
（式中、Ｒ１乃至Ｒ８は、それぞれ独立に水素（重水素を含む）、炭素数１乃至６のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３乃至６のシクロアルキル基を表し、Ｒ９乃至Ｒ１１は、それぞれ独立に水素（重水素を含む）、炭素数１乃至６のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３乃至６のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６乃至３０のアリール基、または置換もしくは無置換の炭素数１乃至３０のヘテロアリール基を表し、Ｘは酸素原子または硫黄原子を表し、Ａ１は下記一般式（Ａ－１）乃至一般式（Ａ－５）で表される置換基のいずれかを表す。）
（式中、Ｒ１２乃至Ｒ５７は、それぞれ独立に水素（重水素を含む）、炭素数１乃至６のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３乃至６のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６乃至３０のアリール基、または置換もしくは無置換の炭素数１乃至３０のヘテロアリール基を表す。）
【化1】
（式中、Ｒ１乃至Ｒ８は、それぞれ独立に水素（重水素を含む）、炭素数１乃至６のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３乃至６のシクロアルキル基を表し、Ｒ９乃至Ｒ１１は、それぞれ独立に水素（重水素を含む）、炭素数１乃至６のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３乃至６のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６乃至３０のアリール基、または置換もしくは無置換の炭素数１乃至３０のヘテロアリール基を表し、Ｘは酸素原子または硫黄原子を表し、Ａ１は下記一般式（Ａ－１）乃至一般式（Ａ－５）で表される置換基のいずれかを表す。）
【化2】
（式中、Ｒ１２乃至Ｒ５７は、それぞれ独立に水素（重水素を含む）、炭素数１乃至６のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３乃至６のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６乃至３０のアリール基、または置換もしくは無置換の炭素数１乃至３０のヘテロアリール基を表す。）
【請求項3】
請求項１または請求項２において、
最低三重項励起エネルギー（Ｔ１）準位が２．９５ｅＶ以下２．７５ｅＶ以上である有機化合物。
最低三重項励起エネルギー（Ｔ１）準位が２．９５ｅＶ以下２．７５ｅＶ以上である有機化合物。
【請求項4】
構造式（１００）、構造式（１０１）、構造式（１０２）、または構造式（１０３）で表される有機化合物。
【化3】
【請求項5】
第１の電極、第２の電極、および前記第１の電極と前記第２の電極の間に発光層を有し、
前記発光層は、第１の有機化合物、第２の有機化合物、および青色を呈する発光物質を有し、
前記第２の有機化合物は、ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格またはベンゾチエノ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格と、第１の置換基と、第２の置換基と、を有し、
前記第１の置換基は、カルバゾール骨格を表し、
前記第２の置換基は、カルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、テトラフェニルシラン骨格、またはトリフェニレン骨格のいずれかを表し、
前記第１の置換基は、前記ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格の４位またはベンゾチエノ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格の４位と結合し、
前記第２の置換基は、前記ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格の８位またはベンゾチエノ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格の８位と結合している有機化合物であり、
前記第１の有機化合物のＨＯＭＯ準位と前記第２の有機化合物のＬＵＭＯ準位との差の絶対値は、２．７８ｅＶ以上２．８５ｅＶ以下である発光デバイス。
前記発光層は、第１の有機化合物、第２の有機化合物、および青色を呈する発光物質を有し、
前記第２の有機化合物は、ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格またはベンゾチエノ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格と、第１の置換基と、第２の置換基と、を有し、
前記第１の置換基は、カルバゾール骨格を表し、
前記第２の置換基は、カルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、テトラフェニルシラン骨格、またはトリフェニレン骨格のいずれかを表し、
前記第１の置換基は、前記ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格の４位またはベンゾチエノ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格の４位と結合し、
前記第２の置換基は、前記ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格の８位またはベンゾチエノ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格の８位と結合している有機化合物であり、
前記第１の有機化合物のＨＯＭＯ準位と前記第２の有機化合物のＬＵＭＯ準位との差の絶対値は、２．７８ｅＶ以上２．８５ｅＶ以下である発光デバイス。
【請求項6】
第１の電極、第２の電極、および前記第１の電極と前記第２の電極の間に発光層を有し、
前記発光層は、第１の有機化合物、一般式（Ｇ１）で表される第２の有機化合物、および青色を呈する発光物質を有し、
前記第１の有機化合物のＨＯＭＯ準位と前記第２の有機化合物のＬＵＭＯ準位との差の絶対値は、２．７８ｅＶ以上２．８５ｅＶ以下である発光デバイス。
（式中、Ｒ１乃至Ｒ８は、それぞれ独立に水素（重水素を含む）、炭素数１乃至６のアルキル基、炭素数３乃至６の置換もしくは無置換のシクロアルキル基を表し、Ｘは酸素原子または硫黄原子を表し、Ａ１は下記一般式（Ａ－１）乃至一般式（Ａ－５）で表される置換基のいずれかを表す。）
（式中、Ｒ１２乃至Ｒ５７は、それぞれ独立に水素（重水素を含む）、炭素数１乃至６のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３乃至６のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６乃至３０のアリール基、または置換もしくは無置換の炭素数１乃至３０のヘテロアリール基を表す。）
前記発光層は、第１の有機化合物、一般式（Ｇ１）で表される第２の有機化合物、および青色を呈する発光物質を有し、
前記第１の有機化合物のＨＯＭＯ準位と前記第２の有機化合物のＬＵＭＯ準位との差の絶対値は、２．７８ｅＶ以上２．８５ｅＶ以下である発光デバイス。
【化4】
（式中、Ｒ１乃至Ｒ８は、それぞれ独立に水素（重水素を含む）、炭素数１乃至６のアルキル基、炭素数３乃至６の置換もしくは無置換のシクロアルキル基を表し、Ｘは酸素原子または硫黄原子を表し、Ａ１は下記一般式（Ａ－１）乃至一般式（Ａ－５）で表される置換基のいずれかを表す。）
【化5】
（式中、Ｒ１２乃至Ｒ５７は、それぞれ独立に水素（重水素を含む）、炭素数１乃至６のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３乃至６のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６乃至３０のアリール基、または置換もしくは無置換の炭素数１乃至３０のヘテロアリール基を表す。）
【請求項7】
構造式（１００）、構造式（１０１）、構造式（１０２）、または構造式（１０３）で表される有機化合物を有する発光デバイス。
【化6】
【請求項8】
請求項６または請求項７において、前記第１の有機化合物と、前記第２の有機化合物は、励起錯体を生じる組み合わせである発光デバイス。
【請求項9】
請求項６または請求項７において、前記発光物質の発光スペクトルは、４００ｎｍ以上４９０ｎｍ未満である発光デバイス。
【請求項10】
請求項６または請求項７において、前記発光物質は燐光発光材料である発光デバイス。
【請求項11】
請求項６または請求項７において、前記発光層は蛍光増感材料を有する発光デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の一態様は、有機化合物、有機半導体素子、発光デバイス、フォトダイオードセンサ、ディスプレイモジュール、照明モジュール、表示装置、電子機器、照明装置および電子デバイスに関する。なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、照明装置、蓄電装置、記憶装置、撮像装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
【背景技術】
【0002】
一対の電極間に発光物質である有機化合物を有する発光デバイス（有機ＥＬ素子ともいう）は、薄型軽量・高速応答・低電圧駆動などの特性を有することから、これを適用したディスプレイに関する開発が進められている。この発光デバイスは、電圧が印加されると電極から注入された電子およびホールが再結合し、それによって発光物質が励起状態となり、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。なお、励起状態の種類としては、一重項励起状態（Ｓ＊）と三重項励起状態（Ｔ＊）とがあり、一重項励起状態からの発光が蛍光、三重項励起状態からの発光が燐光と呼ばれている。また、発光デバイスにおけるそれらの統計的な生成比率は、Ｓ＊：Ｔ＊＝１：３であると考えられている。
【0003】
また、上記発光物質のうち、一重項励起状態におけるエネルギーを発光に変換することが可能な化合物は蛍光性化合物（蛍光材料）と呼ばれ、三重項励起状態におけるエネルギーを発光に変換することが可能な化合物は燐光性化合物（燐光材料）と呼ばれる。
【0004】
従って、上記の生成比率を根拠にした時、上記各発光物質を用いた発光デバイスにおける内部量子効率（注入したキャリアに対して発生するフォトンの割合）の理論的限界は、蛍光材料を用いた場合は２５％、燐光材料を用いた場合は７５％となる。
【0005】
また、これらの発光デバイスは発光層を二次元に連続して形成することが可能であるため、面状に発光を得ることができる。これは、白熱電球、およびＬＥＤに代表される点光源、あるいは蛍光灯に代表される線光源では得難い特色であるため、照明等に応用できる面光源としての利用価値も高い。
【0006】
このような発光デバイスに関しては、その素子特性を向上させるために、物質開発、素子構造の改良等が行われている。例えば、特許文献１では、発光効率の高い発光素子を形成するために新規なアントラセン誘導体をホスト材料として用いた発光デバイス等が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0007】
【特許文献1】特開２０１４－７６９９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
本発明の一態様は、新規の有機化合物を提供することを課題とする。また、本発明の一態様は、発光デバイスに用いることのできる有機化合物を提供することを課題とする。また、本発明の一態様では、発光効率の高い発光デバイスを提供することを目的とする。または、本発明の一態様では、色純度の高い発光デバイスを提供することを目的とする。または、本発明の一態様では、信頼性の良好な発光デバイスを提供することを目的とする。または、消費電力の小さい表示装置、電子機器および照明装置のいずれかを提供することを目的とする。または、信頼性の高い表示装置、電子機器および照明装置のいずれかを提供することを目的とする。または、色純度の高い表示装置、電子機器および照明装置のいずれかを提供することを目的とする。
【0009】
本発明は上述の課題のうちいずれか一を解決すればよいものとする。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本発明の一態様は、ベンゾフロピリミジン骨格またはベンゾチエノピリミジン骨格と、第１の置換基と、第２の置換基と、を有し、第１の置換基は、カルバゾール骨格を表し、第２の置換基は、カルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、テトラフェニルシラン骨格、またはトリフェニレン骨格のいずれかを表し、第１の置換基は、ベンゾフロピリミジン骨格またはベンゾチエノピリミジン骨格のピリミジン環と結合し、第２の置換基は、ベンゾフロピリミジン骨格またはベンゾチエノピリミジン骨格のベンゼン環と結合する有機化合物である。
【0011】
また、本発明の一態様は、ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格またはベンゾチエノ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格と、第１の置換基と、第２の置換基と、を有し、第１の置換基は、カルバゾール骨格を表し、第２の置換基は、カルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、テトラフェニルシラン骨格、またはトリフェニレン骨格のいずれかを表し、第１の置換基は、ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格の４位またはベンゾチエノ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格の４位と結合し、第２の置換基は、ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格の８位またはベンゾチエノ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格の８位と結合する有機化合物である。
【0012】
また、本発明の一態様は、一般式（Ｇ１）で表される有機化合物である。
【0013】
【化1】
【0014】
上記式中、Ｒ１乃至Ｒ８は、それぞれ独立に水素（重水素を含む）、炭素数１乃至６のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３乃至６のシクロアルキル基を表し、Ｒ９乃至Ｒ１１は、それぞれ独立に水素（重水素を含む）、炭素数１乃至６のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３乃至６のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６乃至３０のアリール基、または置換もしくは無置換の炭素数１乃至３０のヘテロアリール基を表し、Ｘは酸素原子または硫黄原子を表し、Ａ１は下記一般式（Ａ－１）乃至一般式（Ａ－５）で表される置換基のいずれかを表す。
【0015】
【化2】
【0016】
上記式中、Ｒ１２乃至Ｒ５７は、それぞれ独立に水素（重水素を含む）、炭素数１乃至６のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３乃至６のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６乃至３０のアリール基、または置換もしくは無置換の炭素数１乃至３０のヘテロアリール基を表す。
【0017】
上記有機化合物において、最低三重項励起エネルギー（Ｔ１）準位が２．９５ｅＶ以下２．７５ｅＶ以上である。
【0018】
また、本発明の一態様は、構造式（１００）、構造式（１０１）、構造式（１０２）、または構造式（１０３）で表される有機化合物である。
【0019】
【化3】
【0020】
また、本発明の一態様は、第１の電極、第２の電極、および第１の電極と第２の電極の間に発光層を有し、発光層は、第１の有機化合物、第２の有機化合物、および青色を呈する発光物質を有し、第２の有機化合物は、ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格またはベンゾチエノ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格と、第１の置換基と、第２の置換基と、を有し、第１の置換基は、カルバゾール骨格を表し、第２の置換基は、カルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、テトラフェニルシラン骨格、またはトリフェニレン骨格のいずれかを表し、第１の置換基は、ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格の４位またはベンゾチエノ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格の４位と結合し、第２の置換基は、ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格の８位またはベンゾチエノ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格の８位と結合している有機化合物であり、第１の有機化合物のＨＯＭＯ準位と第２の有機化合物のＬＵＭＯ準位との差の絶対値は、２．７８ｅＶ以上２．８５ｅＶ以下である発光デバイスである。
【0021】
また、本発明の一態様は、第１の電極、第２の電極、および第１の電極と第２の電極の間に発光層を有し、発光層は、第１の有機化合物、一般式（Ｇ１）で表される第２の有機化合物、および青色を呈する発光物質を有し、第１の有機化合物のＨＯＭＯ準位と第２の有機化合物のＬＵＭＯ準位との差の絶対値は、２．７８ｅＶ以上２．８５ｅＶ以下である発光デバイスである。
【0022】
【化4】
【0023】
上記式中、Ｒ１乃至Ｒ８は、それぞれ独立に水素（重水素を含む）、炭素数１乃至６のアルキル基、炭素数３乃至６の置換もしくは無置換のシクロアルキル基を表し、Ｘは酸素原子または硫黄原子を表し、Ａ１は下記一般式（Ａ－１）乃至一般式（Ａ－５）で表される置換基のいずれかを表す。
【0024】
【化5】
【0025】
上記式中、Ｒ１２乃至Ｒ５７は、それぞれ独立に水素（重水素を含む）、炭素数１乃至６のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３乃至６のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６乃至３０のアリール基、または置換もしくは無置換の炭素数１乃至３０のヘテロアリール基を表す。
【0026】
また、本発明の一態様は、構造式（１００）、構造式（１０１）、構造式（１０２）、または構造式（１０３）で表される有機化合物を有する発光デバイスである。
【0027】
【化6】
【0028】
上記発光デバイスにおいて、第１の有機化合物と、第２の有機化合物は、励起錯体を生じることができる組み合わせである。
【0029】
上記発光デバイスにおいて、発光物質の発光スペクトルは、４００ｎｍ以上４９０ｎｍ未満である発光デバイスである。
【0030】
上記発光デバイスにおいて、発光物質は燐光発光を得ることができる発光デバイスである。
【0031】
上記発光デバイスにおいて、発光層は蛍光増感材料を有する発光デバイスである。
【0032】
または、本発明の他の一態様は、上記いずれかに記載の発光デバイスを備えた表示装置である。
【0033】
または、本発明の他の一態様は、上記発光デバイスと、センサ、操作ボタン、スピーカ、または、マイクと、を有する電子機器である。
【0034】
または、本発明の他の一態様は、上記発光デバイスと、筐体と、を有する照明装置である。
【発明の効果】
【0035】
本発明の一態様により、新規の有機化合物を提供することができる。また、本発明の一態様により、発光デバイスに用いることのできる有機化合物を提供することができる。また、本発明の一態様では、発光効率の高い発光デバイスを提供することができる。または、本発明の一態様では、色純度の高い発光デバイスを提供することができる。または、本発明の一態様では、信頼性の良好な発光デバイスを提供することができる。または、消費電力の小さい表示装置、電子機器および照明装置のいずれかを提供することができる。または、信頼性の高い表示装置、電子機器および照明装置のいずれかを提供することができる。または、色純度の高い表示装置、電子機器および照明装置のいずれかを提供することができる。
【0036】
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【0037】
【発明を実施するための形態】
【0038】
以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【0039】
なお、本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭ（ファインメタルマスク、高精細なメタルマスク）を用いて作製されるデバイスをＭＭ（メタルマスク）構造のデバイスと呼称する場合がある。また、本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭを用いることなく作製されるデバイスをＭＭＬ（メタルマスクレス）構造のデバイスと呼称する場合がある。
【0040】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様である有機化合物について説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様である有機化合物について説明する。
【0041】
＜有機化合物の例＞
本発明の一態様である有機化合物は、ベンゾフロピリミジン骨格またはベンゾチエノピリミジン骨格と、第１の置換基と、第２の置換基と、を有し、第１の置換基は、カルバゾール骨格を表し、第２の置換基は、カルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、テトラフェニルシラン骨格、またはトリフェニレン骨格のいずれかを表し、第１の置換基は、ベンゾフロピリミジン骨格またはベンゾチエノピリミジン骨格のピリミジン環と結合し、第２の置換基は、ベンゾフロピリミジン骨格またはベンゾチエノピリミジン骨格のベンゼン環と結合する有機化合物である。
本発明の一態様である有機化合物は、ベンゾフロピリミジン骨格またはベンゾチエノピリミジン骨格と、第１の置換基と、第２の置換基と、を有し、第１の置換基は、カルバゾール骨格を表し、第２の置換基は、カルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、テトラフェニルシラン骨格、またはトリフェニレン骨格のいずれかを表し、第１の置換基は、ベンゾフロピリミジン骨格またはベンゾチエノピリミジン骨格のピリミジン環と結合し、第２の置換基は、ベンゾフロピリミジン骨格またはベンゾチエノピリミジン骨格のベンゼン環と結合する有機化合物である。
【0042】
特に、ベンゾフロピリミジン骨格またはベンゾチエノピリミジン骨格は、ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格またはベンゾチエノ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格であることが好ましい。当該骨格は、高い三重項励起エネルギー準位（Ｔ１準位）を持つ骨格であり、また電子輸送性が高い骨格であるため青色領域の発光デバイスに使用する材料として最適である。
【0043】
したがって、本発明の他の一態様である有機化合物は、ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格またはベンゾチエノ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格と、第１の置換基と、第２の置換基と、を有し、第１の置換基は、カルバゾール骨格を表し、第２の置換基は、カルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、テトラフェニルシラン骨格、またはトリフェニレン骨格のいずれかを表し、第１の置換基は、ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格またはベンゾチエノ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格の４位と結合し、第２の置換基は、ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格またはベンゾチエノ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格の８位と結合する有機化合物である。
【0044】
なお、ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格またはベンゾチエノ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格の４位に、カルバゾール骨格を有することで、共役の広がりを抑えることができ、適切なＬＵＭＯ（Ｌｏｗｅｓｔ Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ、最低空軌道ともいう）準位を保つことができる。また、高い三重項励起エネルギー準位（Ｔ１準位）を維持しつつ、熱物性が向上し分子の安定性を良くすることができる。
【0045】
また、ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格またはベンゾチエノ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格の８位に、置換基を有することで、高い三重項励起エネルギー準位（Ｔ１準位）を維持しつつ、熱物性が向上し分子の安定性を良くすることができる。
【0046】
また、本発明の一態様の有機化合物は、最低三重項励起エネルギー（Ｔ１）準位が２．９５ｅＶ以下２．７５ｅＶ以上である。
【0047】
なお、有機化合物の最低三重項励起エネルギー（Ｔ１）に関しては、燐光スペクトルにおけるピークの短波長側の傾きが最大となる値において接線を引き、その接線と横軸（波長）あるいはベースラインとの交点のエネルギーをＴ１準位とすればよい（例えば、Ｄａｉｓａｋｕ ＴＡＮＡＫＡ他，「Ｕｌｔｒａ Ｈｉｇｈ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ Ｇｒｅｅｎ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ－Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｅｖｉｃｅｓ」，Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌ．４６，Ｎｏ．１，２００７，ｐｐ．Ｌ１０－Ｌ１２参照）。また、他の方法として、燐光スペクトルにおいて基底状態と励起状態の振動準位間におけるν＝０→ν＝０遷移（０→０帯）が明確に観測される場合、当該０→０帯を用いてＴ１準位を算出することもできる。（Ｎｉｃｈｏｌａｓ Ｊ． Ｔｕｒｒｏ，Ｖ．Ｒａｍａｍｕｒｔｈｙ，Ｊ．Ｃ． Ｓｃａｉａｎｏ著，「ＭＯＤＥＲＮ ＭＯＬＥＣＵＬＡＲ ＰＨＯＴＯＣＨＥＭＩＳＴＲＹ ＯＦ ＯＲＧＡＮＩＣ ＭＯＬＥＣＵＬＥＳ」，ＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹ ＳＣＩＥＮＣＥ ＢＯＯＫＳ，２０１０年２月１０日発行，ｐｐ．２０４－２０８）。また、準位同士の比較を行う場合は、同じ方法で算出した準位での比較を行うものとする。
【0048】
なお、本明細書において、最低三重項励起エネルギー準位（Ｔ１準位）は、石英基板上に試料を５０ｎｍ成膜した薄膜を用い、測定温度１０Ｋにて発光スペクトル（燐光スペクトル）を測定することで算出すればよい。測定は、顕微ＰＬ装置 ＬａｂＲＡＭ ＨＲ－ＰＬ （（株）堀場製作所）を用い、励起光としてＨｅ－Ｃｄレーザ（３２５ｎｍ）を用いるとよい。なお、発光端は、発光スペクトル（燐光スペクトル）の最も短波長に観測されるピーク（またはショルダーピーク）の短波長側の傾きが最大となる値において接線を引き、その接線と横軸（波長）あるいはベースラインとの交点から算出すればよい。
【0049】
≪有機化合物の例１≫
本発明の一態様は、一般式（Ｇ１）で表される有機化合物である。
本発明の一態様は、一般式（Ｇ１）で表される有機化合物である。
【0050】
【化7】
【0051】
ただし、Ｒ１乃至Ｒ８は、それぞれ独立に水素（重水素を含む）、炭素数１乃至６のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３乃至６のシクロアルキル基を表し、Ｒ９乃至Ｒ１１は、それぞれ独立に水素（重水素を含む）、炭素数１乃至６のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３乃至６のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６乃至３０のアリール基、または置換もしくは無置換の炭素数１乃至３０のヘテロアリール基を表し、Ｘは酸素原子または硫黄原子を表し、Ａ１は下記一般式（Ａ－１）乃至一般式（Ａ－５）で表される置換基のいずれかを表す。
【0052】
【化8】
【0053】
ただし、Ｒ１２乃至Ｒ５７は、それぞれ独立に水素（重水素を含む）、炭素数１乃至６のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３乃至６のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６乃至３０のアリール基、または置換もしくは無置換の炭素数１乃至３０のヘテロアリール基を表す。
【0054】
炭素数１乃至６のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ｓｅｃ－ペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、３－メチルペンチル基、２－メチルペンチル基、２－エチルブチル基、１，２－ジメチルブチル基、２，３－ジメチルブチル基等を挙げることができる。
【0055】
炭素数３乃至６のシクロアルキル基の具体例としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基、シクロノナニル基、シクロデシル基、シクロドデシル基を、また、架橋構造を有する炭素数４乃至１０のシクロアルキル基としては、ビシクロブチル基、ノルアダマンチル基、アダマンチル基、ノルボルナニル基、テトラヒドロジシクロペンタジエニル基を挙げることができる。
【0056】
炭素数６乃至３０のアリール基の具体例としては、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ビフェニル基、インデニル基、ナフチル基、フルオレニル基、スピロフルオレニル基、フェナントレニル基、トリフェニレニル基を挙げることができる。
【0057】
炭素数１乃至３０のヘテロアリール基の具体例としては、例えば、トリアジン環、ピリミジン環、ピリジン環、フェナントロリン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ベンゾナフトフラン環、ベンゾナフトチオフェン環、インドロカルバゾール環、ベンゾフロカルバゾール環、ベンゾチエノカルバゾール環、インデノカルバゾール環、およびジベンゾカルバゾール環を有する基を挙げることができる。
【0058】
なお、一般式（Ｇ１）、および一般式（Ａ－１）乃至一般式（Ａ－５）において、水素は適宜、重水素に置き換えてもよい。
【0059】
＜具体例＞
次に、上記一般式（Ｇ１）で表される構成を有する、本発明の一態様である有機化合物の具体的な例を以下に示す。
次に、上記一般式（Ｇ１）で表される構成を有する、本発明の一態様である有機化合物の具体的な例を以下に示す。
【0060】
【化9】
【0061】
【化10】
【0062】
上記構造式（１００）乃至（１１４）、および上記構造式（２００）乃至（２１４）で表される有機化合物は、上記一般式（Ｇ１）で表される有機化合物の一例であるが、本発明の一態様の有機化合物は、これに限られない。
【0063】
＜有機化合物の合成方法＞
以下では、一般式（Ｇ１）で表される有機化合物の合成方法について説明する。該有機化合物の合成方法としては、種々の反応を適用することができる。
以下では、一般式（Ｇ１）で表される有機化合物の合成方法について説明する。該有機化合物の合成方法としては、種々の反応を適用することができる。
【0064】
【化11】
【0065】
なお、上記一般式（Ｇ１）で表される有機化合物は、下記合成スキーム（Ｓ－１）のように、ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格またはベンゾチエノ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格を含むジハロゲン化合物（Ｂ１）と、カルバゾール化合物（Ｂ２）とを、反応させ、中間体（Ｂ３）とＡ１のボロン酸化合物（Ｂ４）を反応させることにより、一般式（Ｇ１）で表される有機化合物を得ることができる。
【0066】
【化12】
【0067】
上記一般式（Ｂ１）において、Ｘは酸素原子または硫黄原子を表し、Ｙ１及びＹ２はハロゲンを表す。また、Ｒ１乃至Ｒ８は、それぞれ独立に水素（重水素を含む）、炭素数１乃至６のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３乃至６のシクロアルキル基を表し、Ｒ９乃至Ｒ１１は、それぞれ独立に水素（重水素を含む）、炭素数１乃至６のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３乃至６のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６乃至３０のアリール基、または置換もしくは無置換の炭素数１乃至３０のヘテロアリール基を表し、Ａ１は一般式（Ａ－１）乃至一般式（Ａ－５）で表される置換基のいずれかを表す。また、Ｑはボロン酸またはボロン酸エステルまたは環状トリオールボレート塩等を表す。また、環状トリオールボレート塩はリチウム塩の他に、カリウム塩、ナトリウム塩を用いても良い。
【0068】
【化13】
【0069】
上記合成スキーム（Ｓ－１）で表されるカップリング反応において用いることができるパラジウム触媒としては、酢酸パラジウム（ＩＩ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロライド、アリルパラジウム（ＩＩ）クロリド（ダイマー）等が挙げられる。
【0070】
上記パラジウム触媒の配位子としては、ジ（１－アダマンチル）－ｎ－ブチルホスフィン、（±）－２，２’－ビス（ジフェニルホスフィノ）－１，１’－ビナフチル、トリ（オルト－トリル）ホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、ジ－ｔｅｒｔ－ブチル（２，２－ジフェニル－１－メチル－１－シクロプロピル）ホスフィン等が挙げられる。
【0071】
上記合成スキーム（Ｓ－１）で表されるカップリング反応において用いることができる塩基としては、カリウム－ｔｅｒｔ－ブトキシド等の有機塩基、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、リン酸三カリウム等の無機塩基等が挙げられる。
【0072】
上記合成スキーム（Ｓ－１）で表されるカップリング反応において、用いることができる溶媒としては、トルエン、キシレン、メシチレン、ベンゼン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチレングリコールジメチルエーテル等が挙げられる。ただし、用いることができる溶媒はこれらに限られるものでは無い。
【0073】
また、上記合成スキーム（Ｓ－１）において行う反応は、鈴木・宮浦反応または、ブッフバルト・ハートウィッグ反応に限られるものではなく、有機錫化合物を用いた右田・小杉・スティルカップリング反応、グリニヤール試薬を用いたカップリング反応、銅、又は銅化合物を用いたウルマン反応、求核置換反応等を用いることができる。
【0074】
また、上述の化合物（Ｂ１）と化合物（Ｂ２）と化合物（Ｂ４）は、様々な種類があり、合成可能である。
【0075】
本発明の一態様の有機化合物は以上のように合成することが可能であるが、本発明はこれに限定されることはなく、他の合成方法によって合成してもよい。
【0076】
本実施の形態は、他の実施の形態、および実施例と任意に組み合わせて用いることが可能である。
【0077】
（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１で示した有機化合物を用いた発光デバイスの構成について説明する。
本実施の形態では、実施の形態１で示した有機化合物を用いた発光デバイスの構成について説明する。
【0078】
有機ＥＬ素子（以下発光デバイスともいう）を表示素子として用いたディスプレイ（有機ＥＬディスプレイ）が実用化されて久しい。当該ディスプレイには、フルカラー表示を実現するために、通常、赤、緑、青の少なくとも３つの色の光を呈する画素が備えられている。
【0079】
当該画素には、それぞれの発光色毎に発光デバイスが設けられ、Ｓｉｄｅ ｂｙ Ｓｉｄｅ方式、いわゆる塗分け方式のディスプレイにおいては、各発光デバイスは、対応する画素の発光色に応じて異なる発光物質を有している。
【0080】
ここで、電流励起の有機ＥＬデバイスにおいては、一重項励起状態と三重項励起状態の生成確率が１：３であり、一重項励起状態しか発光に用いることができない蛍光材料を用いた発光デバイスの内部量子効率の理論限界は２５％であることが知られている。一方で、燐光材料は、項間交差により一重項励起状態を三重項励起状態に変換することができることから理論上１００％の内部量子効率を示す発光デバイスを実現でき、蛍光材料と比較して発光効率の高い発光デバイスを得ることができる。
【0081】
また、発光層に発光物質を分散するための有機化合物（ホスト材料ともいう）を用いる場合、当該ホスト材料は、発光物質（ゲスト材料ともいう）の三重項励起エネルギー準位、および一重項励起エネルギー準位よりも高いエネルギーレベルの三重項励起エネルギー準位、および一重項励起エネルギー準位を各々有する物質である必要がある。一方で、青色の発光エネルギーは赤色または緑色よりも高いため、青色の発光物質を分散させるためのホスト材料は、三重項励起エネルギー準位、および一重項励起エネルギー準位が赤色または緑色のデバイスよりも高いことが求められる。従って、材料の選択の幅が狭く、良好な性能を有する材料を得ることが難しい。
【0082】
本発明の一態様は、発光物質として燐光材料を用い、ホスト材料として実施の形態１で説明した有機化合物を用いた発光デバイスを提供する。以下に本発明の一態様の発光デバイスの構成について説明する。
【0083】
＜発光デバイスの構成例＞
図１（Ａ）は、本発明の一態様の発光デバイス１０の断面模式図である。発光デバイス１０は、一対の電極（第１の電極１０１及び第２の電極１０２）を有し、該一対の電極間に設けられた有機化合物層１０３を有する。有機化合物層１０３は、少なくとも発光層１１３を有する。
図１（Ａ）は、本発明の一態様の発光デバイス１０の断面模式図である。発光デバイス１０は、一対の電極（第１の電極１０１及び第２の電極１０２）を有し、該一対の電極間に設けられた有機化合物層１０３を有する。有機化合物層１０３は、少なくとも発光層１１３を有する。
【0084】
また、図１（Ａ）に示す有機化合物層１０３は、発光層１１３の他に、正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、電子輸送層１１４、及び電子注入層１１５等の機能層を有する。
【0085】
なお、本実施の形態においては、一対の電極のうち、第１の電極１０１を陽極として、第２の電極１０２を陰極として説明するが、発光デバイス１０の構成としては、その限りではない。つまり、第１の電極１０１を陰極とし、第２の電極１０２を陽極とし、当該電極間の各層の積層を、逆の順番にしてもよい。すなわち、陽極側から、正孔注入層１１１と、正孔輸送層１１２と、発光層１１３と、電子輸送層１１４と、電子注入層１１５と、が積層する順番とすればよい。
【0086】
なお、有機化合物層１０３の構成は、図１（Ａ）に示す構成に限定されず、正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、電子輸送層１１４、及び電子注入層１１５の中から選ばれた少なくとも一つを有する構成とすればよい。あるいは、有機化合物層１０３は、正孔または電子の注入障壁を低減する、正孔または電子の輸送性を向上する、正孔または電子の輸送性を阻害する、または電極による消光現象を抑制する、ことができる等の機能を有する機能層を有する構成としてもよい。なお、機能層はそれぞれ単層であっても、複数の層が積層された構成であってもよい。
【0087】
図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示す発光層１１３の一例を示す断面模式図である。図１（Ｂ）に示す発光層１１３は、ホスト材料１１８（有機化合物１１８＿１および有機化合物１１８＿２）と、ゲスト材料１１９（発光物質）と、を有する。
【0088】
ゲスト材料１１９としては、発光性の有機化合物を用いればよく、該発光性の有機化合物としては、燐光を発することができる物質（以下、燐光性化合物ともいう）であると好適である。
【0089】
また、発光層１１３において、ホスト材料１１８が重量比で最も多く存在し、ゲスト材料１１９は、ホスト材料１１８中に分散される。前述の通り、発光層１１３のホスト材料１１８（有機化合物１１８＿１及び有機化合物１１８＿２）の最低三重項励起エネルギー準位（Ｔ１準位）は、発光層１１３のゲスト材料１１９のＴ１準位よりも高いことが好ましい。
【0090】
具体的には、例えば青色を呈する燐光性化合物をゲスト材料１１９に用いる場合、少なくとも有機化合物１１８＿１の最低三重項励起エネルギー準位（Ｔ１準位）は、２．７５ｅＶ以上２．９５ｅＶ以下であるとよい。
【0091】
また、発光層１１３におけるホスト材料１１８（有機化合物１１８＿１および有機化合物１１８＿２）は、励起錯体（エキサイプレックス、エキシプレックスまたはＥｘｃｉｐｌｅｘともいう）を形成することが好ましい。なお、励起錯体は、２種以上の物質からなる励起状態であり、光励起の場合、励起状態となった一方の物質が基底状態である他方の物質と相互作用することによって形成される。
【0092】
具体的には、例えば青色を呈する燐光性化合物をゲスト材料１１９に用いた場合、有機化合物１１８＿１のＬＵＭＯ準位と、有機化合物１１８＿２のＨＯＭＯ準位との差の絶対値が２．７０ｅＶ以下では、発光スペクトル（ＰＬスペクトル）がゲスト材料１１９の吸収スペクトルと重畳する励起錯体を形成することは難しい。また、有機化合物１１８＿１のＬＵＭＯ準位が低すぎる場合、ゲスト材料１１９のＨＯＭＯ準位と、有機化合物１１８＿１のＬＵＭＯ準位との間でエネルギーの小さい励起錯体が形成され、発光スペクトルがブロード化してしまう場合がある。
【0093】
そこで、有機化合物１１８＿１とゲスト材料１１９との分子間相互作用を小さくすることで、シャープな発光スペクトルを得ることができる。
【0094】
したがって、有機化合物１１８＿１の最低三重項励起エネルギー準位（Ｔ１準位）は、２．７５ｅＶ以上２．９５ｅＶ以下であり、また、有機化合物１１８＿１のＬＵＭＯ準位と、有機化合物１１８＿２のＨＯＭＯ準位との差の絶対値が、２．７５ｅＶ以上２．８５ｅＶ以下、好ましくは２．７８ｅＶ以上２．８５ｅＶ以下となるような発光デバイスの構成とすることで、良好な青色を呈する発光デバイスを提供することができる。
【0095】
実施の形態１で説明した本発明の一態様である、ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格またはベンゾチエノ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格と、第１の置換基と、第２の置換基と、を有し、第１の置換基は、カルバゾール骨格を表し、第２の置換基は、カルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、テトラフェニルシラン骨格、またはトリフェニレン骨格のいずれかを表し、第１の置換基は、ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格またはベンゾチエノ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格の４位と結合し、第２の置換基は、ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格またはベンゾチエノ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格の８位と結合する有機化合物は、有機化合物１１８＿１として用いることができる。
【0096】
特に、一般式（Ｇ１）で表す有機化合物において、ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格またはベンゾチエノ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格の第２位を水素とすることで、有機化合物がかさ高くなることを抑制することができる。そのため、有機化合物１１８＿２と相互作用しやすくなるため、励起錯体の形成が容易になる。
【0097】
また、一般式（Ｇ１）で表す有機化合物において、ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格またはベンゾチエノ［３，２－ｄ］ピリミジン骨格の８位に、置換基を有することで、高い三重項励起エネルギー準位（Ｔ１準位）を維持しつつ、熱物性が向上し分子の安定性を良くすることができるため、発光デバイスの信頼性を高めることができる。
【0098】
＜発光デバイスの基本的な構造＞
以下では、より詳細な発光デバイスの基本的な構造について、図２（Ａ）乃至図２（Ｅ）を用いて説明する。図２（Ａ）には、一対の電極間に発光層を含む有機化合物層（ＥＬ層ともいう）を有する構造（シングル構造）の発光デバイスを示す。具体的には、第１の電極１０１と第２の電極１０２との間に有機化合物層１０３が挟まれた構造を有する。
以下では、より詳細な発光デバイスの基本的な構造について、図２（Ａ）乃至図２（Ｅ）を用いて説明する。図２（Ａ）には、一対の電極間に発光層を含む有機化合物層（ＥＬ層ともいう）を有する構造（シングル構造）の発光デバイスを示す。具体的には、第１の電極１０１と第２の電極１０２との間に有機化合物層１０３が挟まれた構造を有する。
【0099】
また、図２（Ｂ）には、一対の電極間に複数（図２（Ｂ）では、２層）の有機化合物層（１０３ａ、１０３ｂ）を有し、有機化合物層の間に電荷発生層１０６を有する積層構造（タンデム構造）の発光デバイスを示す。タンデム構造の発光デバイスは、電流量を変えることなく高効率な発光装置を実現することができる。
【0100】
電荷発生層１０６は、第１の電極１０１と第２の電極１０２の間に電位差を生じさせたときに、一方の有機化合物層（１０３ａまたは１０３ｂ）に電子を注入し、他方の有機化合物層（１０３ｂまたは１０３ａ）に正孔を注入する機能を有する。従って、図２（Ｂ）において、第１の電極１０１に、第２の電極１０２よりも電位が高くなるように電圧を印加すると、電荷発生層１０６から有機化合物層１０３ａに電子が注入され、有機化合物層１０３ｂに正孔が注入されることとなる。
【0101】
なお、電荷発生層１０６は、光の取り出し効率の点から、可視光に対して透光性を有する（具体的には、電荷発生層１０６に対する可視光の透過率が、４０％以上）ことが好ましい。また、電荷発生層１０６は、第１の電極１０１および第２の電極１０２よりも低い導電率であっても機能する。
【0102】
また、図２（Ｃ）には、本発明の一態様である発光デバイスの有機化合物層１０３の積層構造を示す。但し、この場合、第１の電極１０１は陽極として、第２の電極１０２は陰極として機能するものとする。有機化合物層１０３は、第１の電極１０１上に、正孔（ホール）注入層１１１、正孔（ホール）輸送層１１２、発光層１１３、電子輸送層１１４、電子注入層１１５が順次積層された構造を有する。なお、発光層１１３は、発光色の異なる発光層を複数積層した構成であっても良い。例えば、赤色を呈する発光物質を含む発光層と、緑色を呈する発光物質を含む発光層と、青色を呈する発光物質を含む発光層とが積層、またはキャリア輸送性材料を有する層を介して積層された構造であっても良い。または、黄色を呈する発光する発光物質を含む発光層と、青色を呈する発光物質を含む発光層との組み合わせであっても良い。ただし、発光層１１３の積層構造は上記に限定されない。例えば、発光層１１３は、発光色の同じ発光層を複数積層した構成であっても良い。例えば、青色を呈する発光物質を含む第１の発光層と、青色を呈する発光物質を含む第２の発光層とが積層、またはキャリア輸送性材料を有する層を介して積層された構造であっても良い。発光色の同じ発光層を複数積層した構成の場合、単層の構成よりも信頼性を高めることができる場合がある。また、図２（Ｂ）に示すタンデム構造のように複数の発光層を有する場合であっても、各発光層が、陽極側から上記のように順次積層される構造とする。また、第１の電極１０１が陰極で、第２の電極１０２が陽極の場合は、有機化合物層１０３の積層順は逆になる。具体的には、陰極である第１の電極１０１上の１１１が、電子注入層、１１２が電子輸送層、１１３が発光層、１１４が正孔（ホール）輸送層、１１５が正孔（ホール）注入層、という構成を有する。
【0103】
有機化合物層（１０３、１０３ａ、１０３ｂ）に含まれる発光層１１３は、それぞれ発光物質、および複数の物質を適宜組み合わせて有しており、所望の発光色を呈する蛍光発光、または燐光発光が得られる構成とすることができる。また、発光層１１３を発光色の異なる積層構造としてもよい。なお、この場合、積層された各発光層に用いる発光物質およびその他の物質は、それぞれ異なる材料を用いればよい。また、図２（Ｂ）に示す複数の有機化合物層（１０３ａ、１０３ｂ）から、それぞれ異なる発光色が得られる構成としても良い。この場合も各発光層に用いる発光物質およびその他の物質を異なる材料とすればよい。
【0104】
また、本発明の一態様である発光デバイスにおいて、例えば、図２（Ｃ）に示す第１の電極１０１を反射電極とし、第２の電極１０２を半透過・半反射電極とし、微小光共振器（マイクロキャビティ）構造とすることにより、有機化合物層１０３に含まれる発光層１１３から得られる発光を両電極間で共振させ、第２の電極１０２から射出される発光を強めることができる。従って、高精細化を実現することが容易である。また、特定波長の正面方向の発光強度を強めることが可能となるため、低消費電力化を図ることができる。
【0105】
なお、発光デバイスの第１の電極１０１が、反射性を有する導電性材料と透光性を有する導電性材料（透明導電膜）との積層構造からなる反射電極である場合、透明導電膜の膜厚を制御することにより光学調整を行うことができる。具体的には、発光層１１３から得られる光の波長λに対して、第１の電極１０１と、第２の電極１０２との電極間の光学距離（膜厚と屈折率の積）がｍλ／２（ただし、ｍは１以上の整数）またはその近傍となるように調整することが好ましい。
【0106】
また、発光層１１３から得られる所望の光（波長：λ）を増幅させるために、第１の電極１０１から発光層１１３の所望の光が得られる領域（発光領域）までの光学距離と、第２の電極１０２から発光層１１３の所望の光が得られる領域（発光領域）までの光学距離と、をそれぞれ（２ｍ’＋１）λ／４（ただし、ｍ’は１以上の整数）またはその近傍となるように調節するのが好ましい。なお、ここでいう発光領域とは、発光層１１３における正孔（ホール）と電子との再結合領域を示す。
【0107】
このような光学調整を行うことにより、発光層１１３から得られる特定の単色光のスペクトルを狭線化させ、色純度の良い発光を得ることができる。
【0108】
但し、上記の場合、第１の電極１０１と第２の電極１０２との光学距離は、厳密には第１の電極１０１における反射領域から第２の電極１０２における反射領域までの総厚ということができる。しかし、第１の電極１０１および第２の電極１０２における反射領域を厳密に決定することは困難であるため、第１の電極１０１と第２の電極１０２の任意の位置を反射領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。また、第１の電極１０１と、所望の光が得られる発光層との光学距離は、厳密には第１の電極１０１における反射領域と、所望の光が得られる発光層における発光領域との光学距離であるということができる。しかし、第１の電極１０１における反射領域、および所望の光が得られる発光層における発光領域を厳密に決定することは困難であるため、第１の電極１０１の任意の位置を反射領域、所望の光が得られる発光層の任意の位置を発光領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。
【0109】
図２（Ｄ）に示す発光デバイスは、タンデム構造を有する発光デバイスである。タンデム構造とすることで、高輝度発光が可能な発光デバイスとすることができる。また、タンデム構造は、シングル構造と比べて、同じ輝度を得るために必要な電流を低減できるため、信頼性を高めることができる。また、消費電力を低減することができる。
【0110】
図２（Ｅ）に示す発光デバイスは、図２（Ｂ）に示したタンデム構造の発光デバイスの一例であり、図に示すように、３つの有機化合物層（１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃ）が電荷発生層（１０６ａ、１０６ｂ）を挟んで積層される構造を有する。なお、３つの有機化合物層（１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃ）は、それぞれに発光層（１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ）を有しており、各発光層の発光色は、自由に組み合わせることができる。例えば、発光層１１３ａを青色、発光層１１３ｂを赤色、緑色、または黄色のいずれか、発光層１１３ｃを青色とすることができるが、発光層１１３ａを赤色、発光層１１３ｂを青色、緑色、または黄色のいずれか、発光層１１３ｃを赤色とすることもできる。
【0111】
なお、上述した本発明の一態様である発光デバイスにおいて、第１の電極１０１と第２の電極１０２の少なくとも一方は、透光性を有する電極（透明電極、半透過・半反射電極など）とする。透光性を有する電極が透明電極の場合、透明電極の可視光の透過率は、４０％以上とする。また、半透過・半反射電極の場合、半透過・半反射電極の可視光の反射率は、２０％以上８０％以下、好ましくは４０％以上７０％以下とする。また、これらの電極は、抵抗率が１×１０－２Ωｃｍ以下とするのが好ましい。
【0112】
また、上述した本発明の一態様である発光デバイスにおいて、第１の電極１０１と第２の電極１０２の一方が、反射性を有する電極（反射電極）である場合、反射性を有する電極の可視光の反射率は、４０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下とする。また、この電極は、抵抗率が１×１０－２Ωｃｍ以下とするのが好ましい。
【0113】
＜発光デバイスの具体的な構造＞
次に、本発明の一態様である発光デバイスの具体的な構造について説明する。また、ここでは、タンデム構造を有する図２（Ｄ）を用いて説明する。なお、図２（Ａ）および図２（Ｃ）に示すシングル構造の発光デバイスについても有機化合物層の構成については同様とする。また、図２（Ｄ）に示す発光デバイスがマイクロキャビティ構造を有する場合は、第１の電極１０１を反射電極として形成し、第２の電極１０２を半透過・半反射電極として形成する。従って、所望の電極材料を単数または複数用い、単層または積層して形成することができる。なお、第２の電極１０２は、有機化合物層１０３ｂを形成した後、適宜材料を選択して形成する。
次に、本発明の一態様である発光デバイスの具体的な構造について説明する。また、ここでは、タンデム構造を有する図２（Ｄ）を用いて説明する。なお、図２（Ａ）および図２（Ｃ）に示すシングル構造の発光デバイスについても有機化合物層の構成については同様とする。また、図２（Ｄ）に示す発光デバイスがマイクロキャビティ構造を有する場合は、第１の電極１０１を反射電極として形成し、第２の電極１０２を半透過・半反射電極として形成する。従って、所望の電極材料を単数または複数用い、単層または積層して形成することができる。なお、第２の電極１０２は、有機化合物層１０３ｂを形成した後、適宜材料を選択して形成する。
【0114】
＜発光デバイスの材料＞
≪発光層≫
発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ）は、発光物質を含む層である。なお、発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ）に用いることができる発光物質としては、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、赤色などの発光色を呈する物質を適宜用いることができる。また、発光層を複数有する場合には、各発光層に異なる発光物質を用いることにより異なる発光色を呈する構成（例えば、補色の関係にある発光色を組み合わせて得られる白色発光）とすることができる。さらに、一つの発光層が異なる発光物質を有する積層構造としてもよい。
≪発光層≫
発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ）は、発光物質を含む層である。なお、発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ）に用いることができる発光物質としては、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、赤色などの発光色を呈する物質を適宜用いることができる。また、発光層を複数有する場合には、各発光層に異なる発光物質を用いることにより異なる発光色を呈する構成（例えば、補色の関係にある発光色を組み合わせて得られる白色発光）とすることができる。さらに、一つの発光層が異なる発光物質を有する積層構造としてもよい。
【0115】
また、発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ）は、発光物質（ゲスト材料）に加えて、１種または複数種の有機化合物（ホスト材料等）を有していても良い。
【0116】
具体的に、発光層１１３として、実施の形態１の図１（Ｂ）を用いて説明した構造を用いることができる。発光層１１３中では、ホスト材料１１８が重量比で最も多く存在し、ゲスト材料１１９（燐光性化合物）は、ホスト材料１１８中に分散される。発光層１１３のホスト材料１１８（有機化合物１１８＿１及び有機化合物１１８＿２）のＴ１準位は、発光層１１３のゲスト材料（ゲスト材料１１９）のＴ１準位よりも高いことが好ましい。
【0117】
有機化合物１１８＿１としては、正孔よりも電子の輸送性の高い材料を用いることができ、１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する材料であることが好ましい。電子を受け取りやすい材料（電子輸送性を有する材料）としては、含窒素複素芳香族化合物のようなπ電子不足型複素芳香環骨格を有する化合物、及び亜鉛、またはアルミニウム系金属錯体などを用いることができる。π電子不足型複素芳香環骨格を有する化合物の例としては、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、フェナントロリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体などの化合物が挙げられる。亜鉛またはアルミニウム系金属錯体の例としては、キノリン配位子、ベンゾキノリン配位子、オキサゾール配位子、あるいはチアゾール配位子を有する金属錯体が挙げられる。
【0118】
具体的には、例えば、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４－メチル－８－キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２－メチル－８－キノリノラト）（４－フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８－キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等が挙げられる。また、この他ビス［２－（２－ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２－（２－ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などのオキサゾール系、またはチアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、２－（４－ビフェニリル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３－ビス［５－（ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ－７）、９－［４－（５－フェニル－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣＯ１１）、３－（４－ビフェニリル）－４－フェニル－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、９－［４－（４，５－ジフェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾール－３－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣｚＴＡＺ１）、２，２’，２’’－（１，３，５－ベンゼントリイル）トリス（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、２－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］－１－フェニル－１Ｈ－ベンゾイミダゾール（略称：ｍＤＢＴＢＩｍ－ＩＩ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）などの複素環化合物、２－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）、２－［３’－（ジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル－３－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ）、２－［３’－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）ビフェニル－３－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＣｚＢＰＤＢｑ）、２－［４－（３，６－ジフェニル－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ－ＩＩＩ）、７－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：７ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）、及び、６－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）、２－［３－（３，９’－ビ－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＣｚＣｚＰＤＢｑ）、４，６－ビス［３－（フェナントレン－９－イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＰｎＰ２Ｐｍ）、４，６－ビス［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＤＢＴＰ２Ｐｍ－ＩＩ）、４，６－ビス［３－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＣｚＰ２Ｐｍ）などのジアジン骨格を有する複素環化合物、２－｛４－［３－（Ｎ－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾール－９－イル］フェニル｝－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）などのトリアジン骨格を有する複素環化合物、３，５－ビス［３－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ピリジン（略称：３５ＤＣｚＰＰｙ）、１，３，５－トリ［３－（３－ピリジル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴｍＰｙＰＢ）などのピリジン骨格を有する複素環化合物、４，４’－ビス（５－メチルベンゾオキサゾール－２－イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）などの複素芳香族化合物も用いることができる。上述した複素環化合物の中でも、トリアジン骨格、ジアジン（ピリミジン、ピラジン、ピリダジン）骨格、またはピリジン骨格を有する複素環化合物は、安定で信頼性が良好であり好ましい。また、当該骨格を有する複素環化合物は、電子輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与する。また、ポリ（２，５－ピリジンジイル）（略称：ＰＰｙ）、ポリ［（９，９－ジヘキシルフルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（ピリジン－３，５－ジイル）］（略称：ＰＦ－Ｐｙ）、ポリ［（９，９－ジオクチルフルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（２，２’－ビピリジン－６，６’－ジイル）］（略称：ＰＦ－ＢＰｙ）のような高分子化合物を用いることもできる。ここに述べた物質は、主に１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を用いても構わない。
【0119】
例えば、有機化合物１１８＿１として、下記構造式（４００）乃至構造式（４１５）で表される有機化合物を用いることができる。
【0120】
【化14】
【0121】
【化15】
【0122】
有機化合物１１８＿２としては、有機化合物１１８＿１と励起錯体を形成できる組み合わせが好ましい。具体的には、π電子過剰型複素芳香環骨格、または芳香族アミン骨格のようなドナー性の高い骨格を有することが好ましい。π電子過剰型複素芳香環骨格を有する化合物としては、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、カルバゾール誘導体などの複素芳香族化合物が挙げられる。この場合、有機化合物１１８＿１と有機化合物１１８＿２とで形成される励起錯体の発光ピークが、ゲスト材料１１９（燐光性化合物）の三重項ＭＬＣＴ（Ｍｅｔａｌ ｔｏ Ｌｉｇａｎｄ Ｃｈａｒｇｅ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）遷移の吸収帯、より具体的には、最も長波長に位置する吸収帯と重なるように、有機化合物１１８＿１、有機化合物１１８＿２、およびゲスト材料１１９（燐光性化合物）を選択することが好ましい。これにより、発光効率が飛躍的に向上した発光デバイスとすることができる。ただし、燐光性化合物に替えて熱活性化遅延蛍光材料を用いる場合においては、最も長波長に位置する吸収帯は一重項の吸収帯であることが好ましい。
【0123】
また、有機化合物１１８＿２としては、以下の正孔輸送性材料を用いることができる。
【0124】
正孔輸送性材料としては、電子よりも正孔の輸送性の高い材料を用いることができ、１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する材料であることが好ましい。具体的には、芳香族アミン、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、スチルベン誘導体などを用いることができる。また、該正孔輸送性材料は高分子化合物であっても良い。
【0125】
これら正孔輸送性の高い材料として、具体的には、芳香族アミン化合物としては、Ｎ，Ｎ’－ジ（ｐ－トリル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－ｐ－フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ，Ｎ’－ビス［４－ビス（３－メチルフェニル）アミノフェニル］－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－４，４’－ジアミノビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５－トリス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）等を挙げることができる。
【0126】
また、カルバゾール誘導体としては、具体的には、３－［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ１）、３，６－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ２）、３，６－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－（１－ナフチル）アミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＴＰＮ２）、３－［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６－ビス［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３－［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）アミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等を挙げることができる。
【0127】
また、カルバゾール誘導体としては、他に、４，４’－ジ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５－トリス［４－（Ｎ－カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９－［４－（１０－フェニル－９－アントラセニル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、１，４－ビス［４－（Ｎ－カルバゾリル）フェニル］－２，３，５，６－テトラフェニルベンゼン等を用いることができる。
【0128】
また、芳香族炭化水素としては、例えば、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（略称：ｔ－ＢｕＤＮＡ）、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ジ（１－ナフチル）アントラセン、９，１０－ビス（３，５－ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ビス（４－フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ－ＢｕＤＢＡ）、９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０－ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２－ｔｅｒｔ－ブチルアントラセン（略称：ｔ－ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０－ビス（４－メチル－１－ナフチル）アントラセン（略称：ＤＭＮＡ）、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ビス［２－（１－ナフチル）フェニル］アントラセン、９，１０－ビス［２－（１－ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７－テトラメチル－９，１０－ジ（１－ナフチル）アントラセン、２，３，６，７－テトラメチル－９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン、９，９’－ビアントリル、１０，１０’－ジフェニル－９，９’－ビアントリル、１０，１０’－ビス（２－フェニルフェニル）－９，９’－ビアントリル、１０，１０’－ビス［（２，３，４，５，６－ペンタフェニル）フェニル］－９，９’－ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１－テトラ（ｔｅｒｔ－ブチル）ペリレン等が挙げられる。また、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有し、炭素数１４以上炭素数４２以下である芳香族炭化水素を用いることがより好ましい。
【0129】
なお、芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよい。ビニル骨格を有している芳香族炭化水素としては、例えば、４，４’－ビス（２，２－ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０－ビス［４－（２，２－ジフェニルビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等が挙げられる。
【0130】
また、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４－ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ－（４－｛Ｎ’－［４－（４－ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル－Ｎ’－フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、またはポリ［Ｎ，Ｎ’－ビス（４－ブチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ）等の高分子化合物を用いることもできる。
【0131】
さらに、正孔輸送性の高い材料としては、例えば、４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα－ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－４，４’－ジアミノビフェニル（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’－トリス（カルバゾール－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）、４，４’，４’’－トリス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：１’－ＴＮＡＴＡ）、４，４’，４’’－トリス（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’－トリス［Ｎ－（３－メチルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ｍ－ＭＴＤＡＴＡ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－４，４’－ジアミノビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）、４－フェニル－４’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４－フェニル－３’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、Ｎ－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－Ｎ－｛９，９－ジメチル－２－［Ｎ’－フェニル－Ｎ’－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）アミノ］－９Ｈ－フルオレン－７－イル｝フェニルアミン（略称：ＤＦＬＡＤＦＬ）、Ｎ－（９，９－ジメチル－２－ジフェニルアミノ－９Ｈ－フルオレン－７－イル）ジフェニルアミン（略称：ＤＰＮＦ）、Ｎ－（９，９－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２－イル）－Ｎ，Ｎ’Ｎ’－トリフェニル－１，４－フェニレンジアミン（略称：ＤＰＡＳＦ）、４－フェニル－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４－（１－ナフチル）－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４，４’－ジ（１－ナフチル）－４’’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、４－フェニルジフェニル－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）アミン（略称：ＰＣＡ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルベンゼン－１，３－ジアミン（略称：ＰＣＡ２Ｂ）、Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’－トリフェニル－Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’－トリス（９－フェニルカルバゾール－３－イル）ベンゼン－１，３，５－トリアミン（略称：ＰＣＡ３Ｂ）、Ｎ－（９，９－ジフェニル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－Ｎ，９－ジフェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：ＰＣＡＦＬＰ（２））、Ｎ－（９，９－ジフェニル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－Ｎ，９－ジフェニル－９Ｈ－カルバゾール－２－アミン（略称：ＰＣＡＦＬＰ（２）－０２）、Ｎ－（ビフェニル－４－イル）－Ｎ－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：ＰＣＢｉＦ）、Ｎ－（ビフェニル－４－イル）－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）、９，９－ジメチル－Ｎ－フェニル－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］フルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＡＦ）、Ｎ－フェニル－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２－アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）、Ｎ－（９，９－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２－イル）－Ｎ，９－ジフェニルカルバゾール－３－アミン（略称：ＰＣＡＳＦ）、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス（４－ジフェニルアミノフェニル）スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２，７－ジアミン（略称：ＤＰＡ２ＳＦ）、Ｎ－［４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－Ｎ－（４－フェニル）フェニルアニリン（略称：ＹＧＡ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（カルバゾール－９－イル）フェニル］－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－９，９－ジメチルフルオレン－２，７－ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｆ）などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。また、３－［４－（１－ナフチル）フェニル］－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣＰＮ）、９－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］フェナントレン（略称：ＰＣＰＰｎ）、３，３’－ビス（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール）（略称：ＰＣＣＰ）、１，３－ビス（Ｎ－カルバゾリル）ベンゼン（略称：ｍＣＰ）、３，６－ビス（３，５－ジフェニルフェニル）－９－フェニルカルバゾール（略称：ＣｚＴＰ）、９’－フェニル－９’Ｈ－９，３’：６’，９’’－ターカルバゾール（略称：ＰｈＣｚＧＩ）、２，８－ジ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）ジベンゾチオフェン（略称：Ｃｚ２ＤＢＴ）、４－｛３－［３－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］フェニル｝ジベンゾフラン（略称：ｍｍＤＢＦＦＬＢｉ－ＩＩ）、４，４’，４’’－（ベンゼン－１，３，５－トリイル）トリ（ジベンゾフラン）（略称：ＤＢＦ３Ｐ－ＩＩ）、４，４’，４’’－（ベンゼン－１，３，５－トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ－ＩＩ）、２，８－ジフェニル－４－［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ－ＩＩＩ）、４－［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］－６－フェニルジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ－ＩＶ）、４－［３－（トリフェニレン－２－イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ｍＤＢＴＰＴｐ－ＩＩ）等のアミン化合物、カルバゾール化合物、チオフェン化合物、フラン化合物、フルオレン化合物、トリフェニレン化合物、フェナントレン化合物等を用いることができる。上述した化合物の中でも、ピロール骨格、フラン骨格、チオフェン骨格、芳香族アミン骨格を有する化合物は、安定で信頼性が良好であり好ましい。また、当該骨格を有する化合物は、正孔輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与する。
【0132】
ゲスト材料１１９（燐光性化合物）としては、イリジウム、ロジウム、または白金系の有機金属錯体、あるいは金属錯体が挙げられ、中でも金属錯体としては、白金錯体が好ましい。また、含窒素ヘテロ環カルベンを有する白金錯体なども挙げられる。また、有機イリジウム錯体、例えばイリジウム系オルトメタル錯体を用いてもよい。オルトメタル化する配位子としては４Ｈ－トリアゾール配位子、１Ｈ－トリアゾール配位子、イミダゾール配位子、ピリジン配位子、ピリミジン配位子、ピラジン配位子、あるいはイソキノリン配位子などが挙げられる。
【0133】
また、ゲスト材料１１９（燐光性化合物）としては、有機化合物１１８＿１のＬＵＭＯ（Ｌｏｗｅｓｔ Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ）準位より高いＬＵＭＯ準位を有し、有機化合物１１８＿２のＨＯＭＯ（Ｈｉｇｈｅｓｔ Ｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ）準位より低いＨＯＭＯ準位を有するよう、有機化合物１１８＿１、有機化合物１１８＿２、およびゲスト材料１１９（燐光性化合物）を選択することが好ましい。これにより、発光効率が高く、低い電圧で駆動する発光デバイスとすることができる。
【0134】
また、ゲスト材料１１９（燐光性化合物）としては、有機化合物１１８＿１のＬＵＭＯ準位より高いＬＵＭＯ準位を有し、有機化合物１１８＿２のＨＯＭＯ準位より高いＨＯＭＯ準位を有するよう、有機化合物１１８＿１、有機化合物１１８＿２、およびゲスト材料１１９（燐光性化合物）を選択することが好ましい。これにより、発光効率が高く、低い電圧で駆動する発光デバイスとすることができる。
【0135】
また、ゲスト材料１１９（燐光性化合物）としては、有機化合物１１８＿１のＬＵＭＯ準位と、ゲスト材料１１９（燐光性化合物）のＨＯＭＯ準位と、のエネルギー差が、ゲスト材料１１９（燐光性化合物）の吸収スペクトルにおける吸収端のうち最も長波長に位置する吸収端から算出されるエネルギー以上であるよう、有機化合物１１８＿１、およびゲスト材料１１９（燐光性化合物）を選択することが好ましい。これにより、発光効率が高く、低い電圧で駆動する発光デバイスとすることができる。
【0136】
なお、吸収スペクトルにおける最も長波長に位置する吸収端は、薄膜状態またはマトリクス材料中に対象の物質をドーピングした薄膜における対象物質の吸収スペクトルを測定し、直接遷移を仮定したＴａｕｃプロットから求めることができる。あるいは、対象物質の溶液の吸収スペクトルを測定し、吸収スペクトルの最も長波長に観測されるピークもしくはショルダーピークの長波長側の半値において接線を引き、その接線と横軸（波長）あるいはベースラインとの交点から吸収端を算出してもよい。溶液の溶媒としては、特に制限はないが、トルエンおよびクロロホルムなど、比較的極性の小さい溶媒が好ましい。
【0137】
なお、本明細書中で用いる、ＨＯＭＯ準位およびＬＵＭＯ準位の値は、電気化学測定によって求めることができる。電気化学測定の代表例としては、サイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）測定、微分パルスボルタンメトリー（ＤＰＶ）測定等が挙げられる。
【0138】
サイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）測定において、ＨＯＭＯ準位およびＬＵＭＯ準位の値（Ｅ）は、参照電極に対する作用電極の電位を変化させることで得られる酸化ピーク電位（Ｅｐａ）、および還元ピーク電位（Ｅｐｃ）を元に、算出することができる。測定において、正方向の電位走査からＨＯＭＯ準位を求め、負方向の電位走査からＬＵＭＯ準位を求める。また、測定におけるスキャン速度は、０．１Ｖ／ｓとする。
【0139】
具体的なＨＯＭＯ準位およびＬＵＭＯ準位の算出手順を説明する。材料のサイクリックボルタモグラムより得られる、酸化ピーク電位（Ｅｐａ）、および還元ピーク電位（Ｅｐｃ）から、標準酸化還元電位（Ｅｏ）（＝（Ｅｐａ＋Ｅｐｃ）／２）を求め、参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギー（Ｅｘ）から減算することにより、ＨＯＭＯ準位およびＬＵＭＯ準位の値（Ｅ）（＝Ｅｘ－Ｅｏ）をそれぞれ求めることができる。
【0140】
なお、上記は可逆な酸化還元波が得られる場合を示すが、不可逆な酸化還元波が得られる場合は、ＨＯＭＯ準位の算出には、酸化ピーク電位（Ｅｐａ）から一定の値（０．１ｅＶ）を減算した値を還元ピーク電位（Ｅｐｃ）と仮定し、標準酸化還元電位（Ｅｏ）を小数点以下１桁まで求める。また、ＬＵＭＯ準位の算出には、還元ピーク電位（Ｅｐｃ）に一定の値（０．１ｅＶ）を加算した値を酸化ピーク電位（Ｅｐａ）と仮定し、標準酸化還元電位（Ｅｏ）を小数点以下１桁まで求める。
【0141】
青色または緑色の波長領域に発光ピークを有する物質としては、例えば、トリス｛２－［５－（２－メチルフェニル）－４－（２，６－ジメチルフェニル）－４Ｈ－１，２，４－トリアゾール－３－イル－κＮ２］フェニル－κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ－ｄｍｐ）３）、トリス（５－メチル－３，４－ジフェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｍｐｔｚ）３）、トリス［４－（３－ビフェニル）－５－イソプロピル－３－フェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒｐｔｚ－３ｂ）３）、トリス［３－（５－ビフェニル）－５－イソプロピル－４－フェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒ５ｂｔｚ）３）、のような４Ｈ－トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体、トリス［３－メチル－１－（２－メチルフェニル）－５－フェニル－１Ｈ－１，２，４－トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１－ｍｐ）３）、トリス（１－メチル－５－フェニル－３－プロピル－１Ｈ－１，２，４－トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｐｒｐｔｚ１－Ｍｅ）３）のような１Ｈ－トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体、ｆａｃ－トリス［１－（２，６－ジイソプロピルフェニル）－２－フェニル－１Ｈ－イミダゾール］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒｐｉｍ）３）、トリス［３－（２，６－ジメチルフェニル）－７－メチルイミダゾ［１，２－ｆ］フェナントリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｍｐｉｍｐｔ－Ｍｅ）３）のようなイミダゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１－ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス｛２－［３’，５’－ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒ（ａｃａｃ））のような電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属イリジウム錯体、（２－｛３－［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ベンゾイミダゾール－１－イル－２－イリデン－κＣ２］フェノキシ－κＣ２｝－９－（４－ｔｅｒｔ－ブチル－２－ピリジニル－κＮ）カルバゾール－２，１－ジイル－κＣ１）白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＮ－ＴＢＢＩ）などの有機白金錯体等が挙げられる。上述した中でも、４Ｈ－トリアゾール骨格、１Ｈ－トリアゾール骨格およびイミダゾール骨格のような含窒素五員複素環骨格を有する有機金属イリジウム錯体または有機白金錯体は、高い三重項励起エネルギーを有し、信頼性、または発光効率に優れるため、特に好ましい。
【0142】
また、緑色または黄色の波長領域に発光ピークを有する物質としては、例えば、トリス（４－メチル－６－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｍ）３）、トリス（４－ｔ－ブチル－６－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）３）、（アセチルアセトナト）ビス（６－メチル－４－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（６－ｔｅｒｔ－ブチル－４－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［４－（２－ノルボルニル）－６－フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｎｂｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［５－メチル－６－（２－メチルフェニル）－４－フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス｛４，６－ジメチル－２－［６－（２，６－ジメチルフェニル）－４－ピリミジニル－κＮ３］フェニル－κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｍｐｐｍ－ｄｍｐ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（４，６－ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ））のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、（アセチルアセトナト）ビス（３，５－ジメチル－２－フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ－Ｍｅ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（５－イソプロピル－３－メチル－２－フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ－ｉＰｒ）２（ａｃａｃ））のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、トリス（２－フェニルピリジナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２－フェニルピリジナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）３）、トリス（２－フェニルキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｑ）３）、ビス（２－フェニルキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｑ）２（ａｃａｃ））のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、ビス（２，４－ジフェニル－１，３－オキサゾラト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）２（ａｃａｃ））、ビス｛２－［４’－（パーフルオロフェニル）フェニル］ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ－ＰＦ－ｐｈ）２（ａｃａｃ））、ビス（２－フェニルベンゾチアゾラト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）２（ａｃａｃ））など有機金属イリジウム錯体の他、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ））のような希土類金属錯体が挙げられる。上述した中でも、ピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、信頼性、または発光効率に際だって優れるため、特に好ましい。
【0143】
また、黄色または赤色の波長領域に発光ピークを有する物質としては、例えば、（ジイソブチリルメタナト）ビス［４，６－ビス（３－メチルフェニル）ピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）２（ｄｉｂｍ））、ビス［４，６－ビス（３－メチルフェニル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）２（ｄｐｍ））、ビス［４，６－ジ（ナフタレン－１－イル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄ１ｎｐｍ）２（ｄｐｍ））のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５－トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ））、ビス（２，３，５－トリフェニルピラジナト）（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３－ビス（４－フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ））のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、トリス（１－フェニルイソキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）３）、ビス（１－フェニルイソキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体の他、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８－オクタエチル－２１Ｈ，２３Ｈ－ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）のような白金錯体、トリス（１，３－ジフェニル－１，３－プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１－（２－テノイル）－３，３，３－トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ））のような希土類金属錯体が挙げられる。上述した中でも、ピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、信頼性、または発光効率に際だって優れるため、特に好ましい。また、ピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、色度の良い赤色発光が得られる。
【0144】
発光層１１３に含まれる発光物質としては、三重項励起エネルギーを発光に変換できる材料であればよい。該三重項励起エネルギーを発光に変換できる材料としては、燐光性化合物の他に、熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ ａｃｔｉｖａｔｅｄ ｄｅｌａｙｅｄ ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料が挙げられる。したがって、燐光性化合物と記載した部分に関しては、熱活性化遅延蛍光材料と読み替えても構わない。なお、熱活性化遅延蛍光材料とは、三重項励起エネルギー準位と一重項励起エネルギー準位との差が小さく、逆項間交差によって三重項励起状態から一重項励起状態へエネルギーを変換する機能を有する材料である。そのため、三重項励起状態をわずかな熱エネルギーによって一重項励起状態にアップコンバート（逆項間交差）が可能で、一重項励起状態からの発光（蛍光）を効率よく呈することができる。また、熱活性化遅延蛍光が効率良く得られる条件としては、三重項励起エネルギー準位と一重項励起エネルギー準位のエネルギー差が好ましくは０ｅＶより大きく０．２ｅＶ以下、さらに好ましくは０ｅＶより大きく０．１ｅＶ以下であることが挙げられる。
【0145】
熱活性化遅延蛍光材料が、一種類の材料から構成される場合、例えば以下の材料を用いることができる。
【0146】
まず、フラーレンなどの誘導体、プロフラビン等のアクリジン誘導体、エオシン等が挙げられる。また、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、白金（Ｐｔ）、インジウム（Ｉｎ）、もしくはパラジウム（Ｐｄ）等を含む金属含有ポルフィリンが挙げられる。該金属含有ポルフィリンとしては、例えば、プロトポルフィリン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｐｒｏｔｏ ＩＸ））、メソポルフィリン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｍｅｓｏ ＩＸ））、ヘマトポルフィリン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｈｅｍａｔｏ ＩＸ））、コプロポルフィリンテトラメチルエステル－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｃｏｐｒｏ ＩＩＩ－４Ｍｅ））、オクタエチルポルフィリン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（ＯＥＰ））、エチオポルフィリン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｅｔｉｏ Ｉ））、オクタエチルポルフィリン－塩化白金錯体（ＰｔＣｌ２ＯＥＰ）等が挙げられる。
【0147】
また、一種の材料から構成される熱活性化遅延蛍光材料としては、π電子過剰型複素芳香環及びπ電子不足型複素芳香環を有する複素環化合物も用いることができる。具体的には、２－（ビフェニル－４－イル）－４，６－ビス（１２－フェニルインドロ［２，３－ａ］カルバゾール－１１－イル）－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＩＣ－ＴＲＺ）、２－｛４－［３－（Ｎ－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾール－９－イル］フェニル｝－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、２－［４－（１０Ｈ－フェノキサジン－１０－イル）フェニル］－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＸＺ－ＴＲＺ）、３－［４－（５－フェニル－５，１０－ジヒドロフェナジン－１０－イル）フェニル］－４，５－ジフェニル－１，２，４－トリアゾール（略称：ＰＰＺ－３ＴＰＴ）、３－（９，９－ジメチル－９Ｈ－アクリジン－１０－イル）－９Ｈ－キサンテン－９－オン（略称：ＡＣＲＸＴＮ）、ビス［４－（９，９－ジメチル－９，１０－ジヒドロアクリジン）フェニル］スルホン（略称：ＤＭＡＣ－ＤＰＳ）、１０－フェニル－１０Ｈ，１０’Ｈ－スピロ［アクリジン－９，９’－アントラセン］－１０’－オン（略称：ＡＣＲＳＡ）等が挙げられる。該複素環化合物は、π電子過剰型複素芳香環及びπ電子不足型複素芳香環を有するため、電子輸送性及び正孔輸送性が高く、好ましい。中でも、π電子不足型複素芳香環を有する骨格のうち、ジアジン骨格（ピリミジン骨格、ピラジン骨格、ピリダジン骨格）、またはトリアジン骨格は、安定で信頼性が良好なため、好ましい。また、π電子過剰型複素芳香環を有する骨格の中でも、アクリジン骨格、フェノキサジン骨格、チオフェン骨格、フラン骨格、及びピロール骨格は、安定で信頼性が良好なため、当該骨格の中から選ばれるいずれか一つまたは複数を有することが、好ましい。なお、ピロール骨格としては、インドール骨格、カルバゾール骨格、及び３－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾール骨格、が特に好ましい。なお、π電子過剰型複素芳香環とπ電子不足型複素芳香環とが直接結合した物質は、π電子過剰型複素芳香環のドナー性とπ電子不足型複素芳香環のアクセプター性が共に強く、一重項励起エネルギー準位と三重項励起エネルギー準位の差が小さくなるため、特に好ましい。
【0148】
例えば、発光物質として、下記構造式（５００）乃至構造式（５１１）で表される有機化合物を用いることができる。
【0149】
【化16】
【0150】
なお、発光層１１３は２層以上の複数層でもって構成することもできる。例えば、第１の発光層と第２の発光層を正孔輸送層側から順に積層して発光層１１３とする場合、第１の発光層のホスト材料として正孔輸送性を有する物質を用い、第２の発光層のホスト材料として電子輸送性を有する物質を用いる構成などがある。また、第１の発光層と第２の発光層とが有する発光物質は、同じ材料であっても異なる材料であってもよく、同じ色の発光を呈する機能を有する材料であっても、異なる発光色を呈する機能を有する材料であってもよい。２層の発光層に、互いに異なる発光色を呈する機能を有する発光物質をそれぞれ用いることで、複数の発光を同時に得ることができる。特に、２層の発光層が呈する発光により、白色になるよう、各発光層に用いる発光物質を選択すると好ましい。
【0151】
また、発光層１１３において、ホスト材料１１８およびゲスト材料１１９以外の材料を有していても良い。
【0152】
例えば、発光層にはさらに蛍光発光を呈する物質（蛍光発光物質）を用いることができる。この場合、発光層において燐光発光物質の励起エネルギーが蛍光発光物質に移動することで発光に至る。蛍光発光物質は、一重項励起状態から一重項基底状態への遷移が許容であるため励起寿命（発光寿命）が燐光発光物質より短い。そのため、発光層に蛍光発光物質をさらに用いることで、安定で信頼性の良好は発光デバイスを作製することができる。
【0153】
蛍光発光物質としては、例えば、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、フェナントレン誘導体、ナフタレン誘導体などが挙げられる。一重項励起エネルギー準位および三重項励起エネルギー準位が、燐光発光物質の三重項励起エネルギー準位より低い蛍光発光物質を用いることができる。
【0154】
具体例としては、５，６－ビス［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－２，２’－ビピリジン（略称：ＰＡＰ２ＢＰｙ）、５，６－ビス［４’－（１０－フェニル－９－アントリル）ビフェニル－４－イル］－２，２’－ビピリジン（略称：ＰＡＰＰ２ＢＰｙ）、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］ピレン－１，６－ジアミン（略称：１，６ＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス［３－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］ピレン－１，６－ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルスチルベン－４，４’－ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－４’－（１０－フェニル－９－アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－４’－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９－ジフェニル－Ｎ－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、ペリレン、２，５，８，１１－テトラ－ｔｅｒｔ－ブチルペリレン（略称：ＴＢＰ）、４－（１０－フェニル－９－アントリル）－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、Ｎ，Ｎ’’－（２－ｔｅｒｔ－ブチルアントラセン－９，１０－ジイルジ－４，１－フェニレン）ビス（Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－トリフェニル－１，４－フェニレンジアミン）（略称：ＤＰＡＢＰＡ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’－オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン－２，７，１０，１５－テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、クマリン３０、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－（１，６－ピレン－ジイル）ビス［（６－フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン）－８－アミン］（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ－０３）、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－２－イル）ナフト［２，３－ｂ；６，７－ｂ’］ビスベンゾフラン－３，１０－ジアミン（略称：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）－０２）、３，１０－ビス［Ｎ－（ジベンゾフラン－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］ナフト［２，３－ｂ；６，７－ｂ’］ビスベンゾフラン（略称：３，１０ＦｒＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）－０２）などが挙げられる。
【0155】
また、５，９－ジフェニル－５，９－ジアザ－１３ｂ－ボラナフト［３，２，１－ｄｅ］アントラセン（略称：ＤＡＢＮＡ１）、９－［（１，１’－ジフェニル）－３－イル］－Ｎ，Ｎ，５，１１－テトラフェニル－５，９－ジヒドロ－５，９－ジアザ－１３ｂ－ボラナフト（３，２，１－ｄｅ）アントラセン－３－アミン（略称：ＤＡＢＮＡ２）、２，１２－ジ（ｔｅｒｔ－ブチル）－５，９－ジ（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－Ｎ，Ｎ－ジフェニル－５Ｈ，９Ｈ－［１，４］ベンズアザボリノ［２，３，４－ｋｌ］フェナザボリン－７－アミン（略称：ＤＰｈＡ－ｔＢｕ４ＤＡＢＮＡ）、２，１２－ジ（ｔｅｒｔ－ブチル）－Ｎ，Ｎ，５，９－テトラ（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－５Ｈ，９Ｈ－［１，４］ベンズアザボリノ［２，３，４－ｋｌ］フェナザボリン－７－アミン（略称：ｔＢｕＤＰｈＡ－ｔＢｕ４ＤＡＢＮＡ）、２，１２－ジ（ｔｅｒｔ－ブチル）－５，９－ジ（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－７－メチル－５Ｈ，９Ｈ－［１，４］ベンズアザボリノ［２，３，４－ｋｌ］フェナザボリン（略称：Ｍｅ－ｔＢｕ４ＤＡＢＮＡ）、Ｎ７，Ｎ７，Ｎ１３，Ｎ１３，５，９，１１，１５－オクタフェニル－５Ｈ，９Ｈ，１１Ｈ，１５Ｈ－［１，４］ベンズアザボリノ［２，３，４－ｋｌ］［１，４］ベンズアザボリノ［４’，３’，２’：４，５］［１，４］ベンズアザボリノ［３，２－ｂ］フェナザボリン－７，１３－ジアミン（略称：ν－ＤＡＢＮＡ）、２－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ベンズ［５，６］インドロ［３，２，１－ｊｋ］ベンゾ［ｂ］カルバゾール（略称：ｔＢｕＰＢｉｂｃ）などの窒素とホウ素を含む縮合複素芳香族化合物、特にジアザ－ボラナフト－アントラセン骨格を有する化合物が発光スペクトルの幅が狭く、色純度の良好な青色発光を得られるため好適に用いることができる。
【0156】
また、これらの他、９，１０，１１－トリス［３，６－ビス（１，１－ジメチルエチル）－９Ｈ－カルバゾール－９－イル］－２，５，１５，１８－テトラキス（１，１－ジメチルエチル）インドロ［３，２，１－ｄｅ］インドロ［３’，２’，１’：８，１］［１，４］ベンズアザボリノ［２，３，４－ｋｌ］フェナザボリン（略称：ＢＢＣｚ－Ｇ）、９，１１－ビス［３，６－ビス（１，１－ジメチルエチル）－９Ｈ－カルバゾール－９－イル］－２，５，１５，１８－テトラキス（１，１－ジメチルエチル）インドロ［３，２，１－ｄｅ］インドロ［３’，２’，１’：８，１］［１，４］ベンズアザボリノ［２，３，４－ｋｌ］フェナザボリン（略称：ＢＢＣｚ－Ｙ）などを好適に用いる事ができる。
【0157】
また、発光層に含まれる発光材料としては、熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ ａｃｔｉｖａｔｅｄ ｄｅｌａｙｅｄ ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料を用いることができる。熱活性化遅延蛍光材料としては、π電子過剰型複素芳香環及びπ電子不足型複素芳香環を有する複素環化合物を用いることができる。具体例としては、２－（ビフェニル－４－イル）－４，６－ビス（１２－フェニルインドロ［２，３－ａ］カルバゾール－１１－イル）－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＩＣ－ＴＲＺ）、２－｛４－［３－（Ｎ－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾール－９－イル］フェニル｝－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、２－［４－（１０Ｈ－フェノキサジン－１０－イル）フェニル］－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＸＺ－ＴＲＺ）、３－［４－（５－フェニル－５，１０－ジヒドロフェナジン－１０－イル）フェニル］－４，５－ジフェニル－１，２，４－トリアゾール（略称：ＰＰＺ－３ＴＰＴ）、３－（９，９－ジメチル－９Ｈ－アクリジン－１０－イル）－９Ｈ－キサンテン－９－オン（略称：ＡＣＲＸＴＮ）、ビス［４－（９，９－ジメチル－９，１０－ジヒドロアクリジン）フェニル］スルホン（略称：ＤＭＡＣ－ＤＰＳ）、１０－フェニル－１０Ｈ，１０’Ｈ－スピロ［アクリジン－９，９’－アントラセン］－１０’－オン（略称：ＡＣＲＳＡ）等が挙げられる。該複素環化合物は、π電子過剰型複素芳香環及びπ電子不足型複素芳香環を有するため、電子輸送性及び正孔輸送性が高く、好ましい。中でも、π電子不足型複素芳香環を有する骨格のうち、ジアジン骨格（ピリミジン骨格、ピラジン骨格、ピリダジン骨格）、またはトリアジン骨格は、安定で信頼性が良好なため、好ましい。また、π電子過剰型複素芳香環を有する骨格の中でも、アクリジン骨格、フェノキサジン骨格、チオフェン骨格、フラン骨格、及びピロール骨格は、安定で信頼性が良好なため、当該骨格の中から選ばれるいずれか一つまたは複数を有することが、好ましい。なお、ピロール骨格としては、インドール骨格、カルバゾール骨格、及び３－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾール骨格、が特に好ましい。なお、π電子過剰型複素芳香環とπ電子不足型複素芳香環とが直接結合した物質は、π電子過剰型複素芳香環のドナー性とπ電子不足型複素芳香環のアクセプタ性が共に強く、一重項励起エネルギー準位と三重項励起エネルギー準位の差が小さくなるため、特に好ましい。また、上述のジアザ－ボラナフト－アントラセン骨格を有する化合物は熱活性化遅延蛍光材料としての機能も有し、色純度の良好な青色発光を得られるため好適である。
【0158】
また、燐光発光物質に換えて、熱活性化遅延蛍光材料を用いても良い。熱活性化遅延蛍光材料は、三重項励起エネルギー準位と一重項励起エネルギー準位との差が小さく、逆項間交差によって三重項励起状態から一重項励起状態へエネルギーを変換する機能を有する材料である。そのため、三重項励起状態をわずかな熱エネルギーによって一重項励起状態にアップコンバート（逆項間交差）が可能で、一重項励起状態からの発光（蛍光）を効率よく呈することができる。また、熱活性化遅延蛍光が効率良く得られる条件としては、三重項励起エネルギー準位と一重項励起エネルギー準位のエネルギー差が好ましくは０ｅＶより大きく０．２ｅＶ以下、さらに好ましくは０ｅＶより大きく０．１ｅＶ以下であることが挙げられる。
【0159】
なお、発光層１１３は、蒸着法（真空蒸着法を含む）、インクジェット法、塗布法、グラビア印刷等の方法で形成することができる。また、上述した材料の他、量子ドットなどの無機化合物または高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を有してもよい。
【0160】
≪正孔注入層≫
正孔注入層（１１１、１１１ａ、１１１ｂ）は、陽極である第１の電極１０１および電荷発生層（１０６、１０６ａ、１０６ｂ）から有機化合物層（１０３、１０３ａ、１０３ｂ）に正孔（ホール）を注入する層であり、有機アクセプタ材料および正孔注入性の高い材料を含む層である。
正孔注入層（１１１、１１１ａ、１１１ｂ）は、陽極である第１の電極１０１および電荷発生層（１０６、１０６ａ、１０６ｂ）から有機化合物層（１０３、１０３ａ、１０３ｂ）に正孔（ホール）を注入する層であり、有機アクセプタ材料および正孔注入性の高い材料を含む層である。
【0161】
正孔注入層（１１１、１１１ａ、１１１ｂ）は、一対の電極の一方（第１の電極１０１または第２の電極１０２）からのホール注入障壁を低減することでホール注入を促進する機能を有し、例えば遷移金属酸化物、フタロシアニン誘導体、あるいは芳香族アミンなどによって形成される。遷移金属酸化物としては、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物などが挙げられる。フタロシアニン誘導体としては、フタロシアニン、または金属フタロシアニンなどが挙げられる。芳香族アミンとしてはベンジジン誘導体、またはフェニレンジアミン誘導体などが挙げられる。ポリチオフェン、またはポリアニリンなどの高分子化合物を用いることもでき、例えば自己ドープされたポリチオフェンであるポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸などがその代表例である。
【0162】
正孔注入層（１１１、１１１ａ、１１１ｂ）として、正孔輸送性材料と、これに対して電子受容性を示す材料の複合材料を有する層を用いることもできる。あるいは、電子受容性を示す材料を含む層と正孔輸送性材料を含む層の積層を用いても良い。これらの材料間では定常状態、あるいは電界存在下において電荷の授受が可能である。電子受容性を示す材料としては、キノジメタン誘導体、クロラニル誘導体、またはヘキサアザトリフェニレン誘導体などの有機アクセプタを挙げることができる。具体的には、７，７，８，８－テトラシアノ－２，３，５，６－テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４－ＴＣＮＱ）、クロラニル、２，３，６，７，１０，１１－ヘキサシアノ－１，４，５，８，９，１２－ヘキサアザトリフェニレン（略称：ＨＡＴ－ＣＮ）等の電子吸引基（ハロゲン基、またはシアノ基）を有する化合物である。また、遷移金属酸化物、例えば第４族から第８族金属の酸化物を用いることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムなどである。中でも酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。
【0163】
正孔輸送性材料としては、電子よりも正孔の輸送性の高い材料を用いることができ、１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する材料であることが好ましい。具体的には、発光層１１３に用いることができる正孔輸送性材料として挙げた芳香族アミン、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、スチルベン誘導体などを用いることができる。また、該正孔輸送性材料は高分子化合物であっても良い。
【0164】
≪正孔輸送層≫
正孔輸送層（１１２、１１２ａ、１１２ｂ）は正孔輸送性材料を含む層であり、正孔注入層（１１１、１１１ａ、１１１ｂ）の材料として例示した正孔輸送性材料を使用することができる。正孔輸送層（１１２、１１２ａ、１１２ｂ）は正孔注入層（１１１、１１１ａ、１１１ｂ）に注入された正孔を発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ）へ輸送する機能を有するため、正孔注入層（１１１、１１１ａ、１１１ｂ）のＨＯＭＯ準位と同じ、あるいは近いＨＯＭＯ準位を有することが好ましい。
正孔輸送層（１１２、１１２ａ、１１２ｂ）は正孔輸送性材料を含む層であり、正孔注入層（１１１、１１１ａ、１１１ｂ）の材料として例示した正孔輸送性材料を使用することができる。正孔輸送層（１１２、１１２ａ、１１２ｂ）は正孔注入層（１１１、１１１ａ、１１１ｂ）に注入された正孔を発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ）へ輸送する機能を有するため、正孔注入層（１１１、１１１ａ、１１１ｂ）のＨＯＭＯ準位と同じ、あるいは近いＨＯＭＯ準位を有することが好ましい。
【0165】
また、１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外の物質を用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層だけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層してもよい。
【0166】
≪電子輸送層≫
電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）は、電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）を経て一対の電極の他方（第１の電極１０１または第２の電極１０２）から注入された電子を発光層１１３へ輸送する機能を有する。電子輸送性材料としては、正孔よりも電子の輸送性の高い材料を用いることができ、１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する材料であることが好ましい。電子を受け取りやすい化合物（電子輸送性を有する材料）としては、含窒素複素芳香族化合物のようなπ電子不足型複素芳香環骨格を有する化合物、または金属錯体などを用いることができる。具体的には、発光層１１３に用いることができる電子輸送性材料として挙げたキノリン配位子、ベンゾキノリン配位子、オキサゾール配位子、あるいはチアゾール配位子を有する金属錯体が挙げられる。また、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、フェナントロリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体などが挙げられる。また、１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質であることが好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いても構わない。また、電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）は、単層だけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層してもよい。
電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）は、電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）を経て一対の電極の他方（第１の電極１０１または第２の電極１０２）から注入された電子を発光層１１３へ輸送する機能を有する。電子輸送性材料としては、正孔よりも電子の輸送性の高い材料を用いることができ、１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する材料であることが好ましい。電子を受け取りやすい化合物（電子輸送性を有する材料）としては、含窒素複素芳香族化合物のようなπ電子不足型複素芳香環骨格を有する化合物、または金属錯体などを用いることができる。具体的には、発光層１１３に用いることができる電子輸送性材料として挙げたキノリン配位子、ベンゾキノリン配位子、オキサゾール配位子、あるいはチアゾール配位子を有する金属錯体が挙げられる。また、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、フェナントロリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体などが挙げられる。また、１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質であることが好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いても構わない。また、電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）は、単層だけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層してもよい。
【0167】
また、電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）と発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ）との間に電子キャリアの移動を制御する層を設けても良い。これは上述したような電子輸送性の高い材料に、電子トラップ性の高い物質を少量添加した層であって、電子キャリアの移動を抑制することによって、キャリアバランスを調節することが可能となる。このような構成は、発光層を電子が突き抜けてしまうことにより発生する問題（例えば素子寿命の低下）の抑制に大きな効果を発揮する。
【0168】
≪電子注入層≫
電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）は第２の電極１０２からの電子注入障壁を低減することで電子注入を促進する機能を有し、例えば第１族金属、第２族金属、あるいはこれらの酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩などを用いることができる。また、先に示す電子輸送性材料と、これに対して電子供与性を示す材料の複合材料を用いることもできる。電子供与性を示す材料としては、第１族金属、第２族金属、あるいはこれらの酸化物などを挙げることができる。具体的には、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウム（ＥｒＦ３）のような希土類金属化合物を用いることができる。また、電子注入層１１５にエレクトライドを用いてもよい。該エレクトライドとしては、例えば、カルシウムとアルミニウムの混合酸化物に電子を高濃度添加した物質等が挙げられる。また、電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）に、電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）で用いることができる物質を用いても良い。
電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）は第２の電極１０２からの電子注入障壁を低減することで電子注入を促進する機能を有し、例えば第１族金属、第２族金属、あるいはこれらの酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩などを用いることができる。また、先に示す電子輸送性材料と、これに対して電子供与性を示す材料の複合材料を用いることもできる。電子供与性を示す材料としては、第１族金属、第２族金属、あるいはこれらの酸化物などを挙げることができる。具体的には、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウム（ＥｒＦ３）のような希土類金属化合物を用いることができる。また、電子注入層１１５にエレクトライドを用いてもよい。該エレクトライドとしては、例えば、カルシウムとアルミニウムの混合酸化物に電子を高濃度添加した物質等が挙げられる。また、電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）に、電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）で用いることができる物質を用いても良い。
【0169】
また、電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層１１４を構成する物質（金属錯体、または複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、または希土類金属が好ましく、リチウム、ナトリウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物、またはアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。
【0170】
なお、上述した、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、及び電子注入層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、インクジェット法、塗布法、グラビア印刷等の方法で形成することができる。また、上述した、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、及び電子注入層には、上述した材料の他、量子ドットなどの無機化合物、または高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を用いてもよい。
【0171】
なお、量子ドットとしては、コロイド状量子ドット、合金型量子ドット、コア・シェル型量子ドット、コア型量子ドット、などを用いてもよい。また、２族と１６族、１３族と１５族、１３族と１７族、１１族と１７族、または１４族と１５族の元素グループを含む量子ドットを用いてもよい。または、カドミウム（Ｃｄ）、セレン（Ｓｅ）、亜鉛（Ｚｎ）、硫黄（Ｓ）、リン（Ｐ）、インジウム（Ｉｎ）、テルル（Ｔｅ）、鉛（Ｐｂ）、ガリウム（Ｇａ）、ヒ素（Ａｓ）、アルミニウム（Ａｌ）、等の元素を有する量子ドットを用いてもよい。
【0172】
≪一対の電極≫
第１の電極１０１及び第２の電極１０２は、発光デバイスの陽極または陰極としての機能を有する。第１の電極１０１及び第２の電極１０２は、金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物、または積層体などを用いて形成することができる。
第１の電極１０１及び第２の電極１０２は、発光デバイスの陽極または陰極としての機能を有する。第１の電極１０１及び第２の電極１０２は、金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物、または積層体などを用いて形成することができる。
【0173】
第１の電極１０１または第２の電極１０２の一方は、光を反射する機能を有する導電性材料により形成されると好ましい。該導電性材料としては、アルミニウム（Ａｌ）またはＡｌを含む合金等が挙げられる。Ａｌを含む合金としては、ＡｌとＬ（Ｌは、チタン（Ｔｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、及びランタン（Ｌａ）の一つまたは複数を表す）とを含む合金等が挙げられ、例えばＡｌとＴｉ、またはＡｌとＮｉとＬａを含む合金等である。アルミニウムは、抵抗値が低く、光の反射率が高い。また、アルミニウムは、地殻における存在量が多く、安価であるため、アルミニウムを用いることによる発光デバイスの作製コストを低減することができる。また、銀（Ａｇ）、またはＡｇとＮ（Ｎは、イットリウム（Ｙ）、Ｎｄ、マグネシウム（Ｍｇ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、Ａｌ、Ｔｉ、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、タングステン（Ｗ）、マンガン（Ｍｎ）、スズ（Ｓｎ）、鉄（Ｆｅ）、Ｎｉ、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、または金（Ａｕ）の一つまたは複数を表す）とを含む合金等を用いても良い。銀を含む合金としては、例えば、銀とパラジウムと銅を含む合金、銀と銅を含む合金、銀とマグネシウムを含む合金、銀とニッケルを含む合金、銀と金を含む合金、銀とイッテルビウムを含む合金等が挙げられる。その他、タングステン、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅、チタンなどの遷移金属を用いることができる。
【0174】
また、発光層から得られる発光は、第１の電極１０１及び第２の電極１０２の一方または双方を通して取り出される。したがって、第１の電極１０１及び第２の電極１０２の少なくとも一方は、光を透過する機能を有する導電性材料により形成されると好ましい。該導電性材料としては、可視光の透過率が４０％以上１００％以下、好ましくは６０％以上１００％以下であり、かつその抵抗率が１×１０－２Ω・ｃｍ以下の導電性材料が挙げられる。
【0175】
また、第１の電極１０１及び第２の電極１０２は、光を透過する機能と、光を反射する機能と、を有する導電性材料により形成されても良い。該導電性材料としては、可視光の反射率が２０％以上８０％以下、好ましくは４０％以上７０％以下であり、かつその抵抗率が１×１０－２Ω・ｃｍ以下の導電性材料が挙げられる。例えば、導電性を有する金属、合金、導電性化合物などを１種又は複数種用いて形成することができる。具体的には、例えば、インジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ、以下ＩＴＯ）、珪素または酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（略称：ＩＴＳＯ）、酸化インジウム－酸化亜鉛（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、チタンを含有した酸化インジウム－錫酸化物、インジウム－チタン酸化物、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムなどの金属酸化物を用いることができる。また、光を透過する程度（好ましくは、１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の厚さ）の金属薄膜を用いることができる。金属としては、例えば、Ａｇを用いることができる。また、合金としては、ＡｇとＡｌ、ＡｇとＭｇ、ＡｇとＡｕ、ＡｇとＹｂなどの合金等を用いることができる。
【0176】
なお、本明細書等において、光を透過する機能を有する材料は、可視光を透過する機能を有し、且つ導電性を有する材料であればよく、例えば上記のようなＩＴＯに代表される酸化物導電体に加えて、酸化物半導体、または有機物を含む有機導電体を含む。有機物を含む有機導電体としては、例えば、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料、有機化合物と電子受容体（アクセプター）とを混合してなる複合材料等が挙げられる。また、グラフェンなどの無機炭素系材料を用いても良い。また、当該材料の抵抗率としては、好ましくは１×１０５Ω・ｃｍ以下、さらに好ましくは１×１０４Ω・ｃｍ以下である。
【0177】
また、上記の材料の複数を積層することによって第１の電極１０１及び第２の電極１０２の一方または双方を形成してもよい。
【0178】
また、光取り出し効率を向上させるため、光を透過する機能を有する電極と接して、該電極より屈折率の高い材料を形成してもよい。このような材料としては、可視光を透過する機能を有する材料であればよく、導電性を有する材料であっても有さない材料であってもよい。例えば、上記のような酸化物導電体に加えて、酸化物半導体、有機物が挙げられる。有機物としては、例えば、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、または電子注入層に例示した材料が挙げられる。また、無機炭素系材料、または光が透過する程度の金属薄膜も用いることができ、数ｎｍ乃至数十ｎｍの層を複数積層させてもよい。
【0179】
第１の電極１０１または第２の電極１０２が陰極としての機能を有する場合には、仕事関数が小さい（３．８ｅＶ以下）材料を有することが好ましい。例えば、元素周期表の第１族又は第２族に属する元素（リチウム、ナトリウム、セシウム等のアルカリ金属、カルシウム、ストロンチウム等のアルカリ土類金属、マグネシウム等）、これら元素を含む合金（例えば、ＡｇとＭｇ、ＡｌとＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、Ｙｂ等の希土類金属、これら希土類金属を含む合金、アルミニウム、銀を含む合金等を用いることができる。
【0180】
また、第１の電極１０１または第２の電極１０２を陽極として用いる場合、仕事関数の大きい（４．０ｅＶ以上）材料を用いることが好ましい。
【0181】
また、第１の電極１０１及び第２の電極１０２は、光を反射する機能を有する導電性材料と、光を透過する機能を有する導電性材料との積層としてもよい。その場合、第１の電極１０１及び第２の電極１０２は、各発光層からの所望の光を共振させ、その波長の光を強めることができるように、光学距離を調整する機能を有することができるため好ましい。
【0182】
第１の電極１０１及び第２の電極１０２の成膜方法は、スパッタリング法、蒸着法、印刷法、塗布法、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法、ＣＶＤ法、パルスレーザ堆積法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を適宜用いることができる。
【0183】
≪電荷発生層≫
電荷発生層１０６は、第１の電極（陽極）１０１と第２の電極（陰極）１０２との間に電圧を印加したときに、有機化合物層１０３ａに電子を注入し、有機化合物層１０３ｂに正孔を注入する機能を有する。なお、電荷発生層１０６は、正孔輸送性材料に電子受容体（アクセプタ）が添加された構成（Ｐ型層ともいう）であっても、電子輸送性材料に電子供与体（ドナー）が添加された構成（電子注入バッファ層ともいう）であってもよい。また、これらの両方の構成が積層されていても良い。さらに、Ｐ型層と電子注入バッファ層との間に電子リレー層が設けられていても良い。なお、上述した材料を用いて電荷発生層１０６を形成することにより、発光層を含む有機化合物層が積層された場合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。
電荷発生層１０６は、第１の電極（陽極）１０１と第２の電極（陰極）１０２との間に電圧を印加したときに、有機化合物層１０３ａに電子を注入し、有機化合物層１０３ｂに正孔を注入する機能を有する。なお、電荷発生層１０６は、正孔輸送性材料に電子受容体（アクセプタ）が添加された構成（Ｐ型層ともいう）であっても、電子輸送性材料に電子供与体（ドナー）が添加された構成（電子注入バッファ層ともいう）であってもよい。また、これらの両方の構成が積層されていても良い。さらに、Ｐ型層と電子注入バッファ層との間に電子リレー層が設けられていても良い。なお、上述した材料を用いて電荷発生層１０６を形成することにより、発光層を含む有機化合物層が積層された場合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。
【0184】
電荷発生層１０６において、有機化合物である正孔輸送性材料に、電子受容体が添加された構成（Ｐ型層）とする場合、正孔輸送性材料としては、本実施の形態で示した材料を用いることができる。また、電子受容体としては、７，７，８，８－テトラシアノ－２，３，５，６－テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４－ＴＣＮＱ）、クロラニル等を挙げることができる。また元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムなどが挙げられる。なお、上述したアクセプタ材料を用いても良い。また、Ｐ型層を構成する材料を混合してなる混合膜として用いても、それぞれの材料を含む単膜を積層しても良い。
【0185】
また、電荷発生層１０６において、電子輸送性材料に電子供与体が添加された構成（電子注入バッファ層）とする場合、電子輸送性材料としては、本実施の形態で示した材料を用いることができる。また、電子供与体としては、アルカリ金属またはアルカリ土類金属または希土類金属または元素周期表における第２族、第１３族に属する金属およびその酸化物、炭酸塩を用いることができる。具体的には、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、インジウム（Ｉｎ）、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）、炭酸セシウムなどを用いることが好ましい。また、テトラチアナフタセンのような有機化合物を電子供与体として用いてもよい。
【0186】
電荷発生層１０６において、Ｐ型層と電子注入バッファ層との間に電子リレー層を設ける場合、電子リレー層は少なくとも電子輸送性を有する物質を含み、電子注入バッファ層とＰ型層との相互作用を防いで電子をスムーズに受け渡す機能を有する。電子リレー層に含まれる電子輸送性を有する物質のＬＵＭＯ準位は、Ｐ型層におけるアクセプタ性物質のＬＵＭＯ準位と、電荷発生層１０６に接する電子輸送層に含まれる電子輸送性を有する物質のＬＵＭＯ準位との間であることが好ましい。電子リレー層に用いられる電子輸送性を有する物質におけるＬＵＭＯ準位の具体的なエネルギー準位は－５．０ｅＶ以上、好ましくは－５．０ｅＶ以上－３．０ｅＶ以下とするとよい。なお、電子リレー層に用いられる電子輸送性を有する物質としてはフタロシアニン系の材料又は金属－酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。
【0187】
なお、図２（Ｄ）では、有機化合物層１０３が２層積層された構成を示したが、異なる発光層の間に電荷発生層を設けることにより３層以上の発光層を含む有機化合物層の積層構造としてもよい。
【0188】
≪キャップ層≫
なお、図２（Ａ）乃至図２（Ｅ）では図示しないが、発光デバイスの第２の電極１０２上にキャップ層を設けてもよい。キャップ層には、例えば、屈折率の高い材料を用いることができる。キャップ層を第２の電極１０２上に設けることによって、第２の電極１０２から射出される光の取り出し効率を向上させることができる。
なお、図２（Ａ）乃至図２（Ｅ）では図示しないが、発光デバイスの第２の電極１０２上にキャップ層を設けてもよい。キャップ層には、例えば、屈折率の高い材料を用いることができる。キャップ層を第２の電極１０２上に設けることによって、第２の電極１０２から射出される光の取り出し効率を向上させることができる。
【0189】
キャップ層に用いることのできる材料の具体例として、５，５’－ジフェニル－２，２’－ジ－５Ｈ－［１］ベンゾチエノ［３，２－ｃ］カルバゾール（略称：ＢｉｓＢＴｃ）、４，４’，４’’－（ベンゼン－１，３，５－トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ－ＩＩ）等が挙げられる。また、実施の形態１で説明した有機化合物を用いることができる。
【0190】
≪基板≫
また、本発明の一態様に係る発光デバイスは、ガラス、プラスチックなどからなる基板上に作製すればよい。基板上に作製する順番としては、第１の電極１０１側から順に積層しても、第２の電極１０２側から順に積層しても良い。
また、本発明の一態様に係る発光デバイスは、ガラス、プラスチックなどからなる基板上に作製すればよい。基板上に作製する順番としては、第１の電極１０１側から順に積層しても、第２の電極１０２側から順に積層しても良い。
【0191】
なお、本発明の一態様に係る発光デバイスを形成できる基板としては、例えばガラス、石英、又はプラスチックなどを用いることができる。また可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、曲げることができる（フレキシブル）基板のことであり、例えば、ポリカーボネート、またはポリアリレート、からなるプラスチック基板等が挙げられる。また、フィルム、無機蒸着フィルムなどを用いることもできる。なお、発光デバイス、及び光学素子の作製工程において支持体として機能するものであれば、これら以外のものでもよい。あるいは、発光デバイス、及び光学素子を保護する機能を有するものであればよい。
【0192】
例えば、本明細書等においては、様々な基板を用いて発光デバイスを形成することができる。基板の種類は、特に限定されることはない。その基板の一例としては、半導体基板（例えばシリコン基板などの単結晶基板）、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、金属基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板、タングステン基板、タングステン・ホイルを有する基板、可撓性基板、貼り合わせフィルム、繊維状の材料を含むセルロースナノファイバ（ＣＮＦ）、紙、又は基材フィルムなどがある。ガラス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又はソーダライムガラスなどがある。可撓性基板、貼り合わせフィルム、基材フィルムなどの一例としては、以下が挙げられる。例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）に代表されるプラスチックがある。または、一例としては、アクリル樹脂などがある。または、一例としては、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、又はポリ塩化ビニルなどがある。または、一例としては、ポリアミド、ポリイミド、アラミド、またはエポキシなどの樹脂、無機蒸着フィルム、又は紙類などがある。
【0193】
また、基板として、可撓性基板を用い、可撓性基板上に直接、発光デバイスを形成してもよい。または、基板と発光デバイスとの間に剥離層を設けてもよい。剥離層は、その上に発光デバイスを一部あるいは全部完成させた後、基板より分離し、他の基板に転載するために用いることができる。その際、耐熱性の劣る基板、または可撓性の基板にも発光デバイスを転載できる。なお、上述の剥離層には、例えば、タングステン膜と酸化シリコン膜との無機膜の積層構造の構成、および基板上にポリイミド等の樹脂膜が形成された構成等を用いることができる。
【0194】
つまり、ある基板を用いて発光デバイスを形成し、その後、別の基板に発光デバイスを転置し、別の基板上に発光デバイスを配置してもよい。発光デバイスが転置される基板の一例としては、上述した基板に加え、セロファン基板、石材基板、木材基板、布基板（天然繊維（絹、綿、麻）、合成繊維（ナイロン、ポリウレタン、ポリエステル）若しくは再生繊維（アセテート、キュプラ、レーヨン、再生ポリエステル）などを含む）、皮革基板、又はゴム基板などがある。これらの基板を用いることにより、壊れにくい発光デバイス、耐熱性の高い発光デバイス、軽量化された発光デバイス、または薄型化された発光デバイスとすることができる。
【0195】
また、上述した基板上に、例えば電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を形成し、ＦＥＴと電気的に接続された電極上に発光デバイスを作製してもよい。これにより、ＦＥＴによって発光デバイスの駆動を制御するアクティブマトリクス型の表示装置を作製できる。
【0196】
なお、本実施の形態において、本発明の一態様について述べた。または、他の実施の形態において、本発明の一態様について述べる。ただし、本発明の一態様は、これらに限定されない。つまり、本実施の形態および他の実施の形態では、様々な発明の態様が記載されているため、本発明の一態様は、特定の態様に限定されない。例えば、本発明の一態様として、発光デバイスに適用した場合の例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。例えば、場合によっては、または、状況に応じて、本発明の一態様は、発光デバイスに適用しなくてもよい。または、例えば、本発明の一態様では、第１の有機化合物と、第２の有機化合物と、三重項励起エネルギーを発光に変換することができる機能を有するゲスト材料と、を有し、第１の有機化合物のＬＵＭＯ準位は、第２の有機化合物のＬＵＭＯ準位より低く、第１の有機化合物のＨＯＭＯ準位は、第２の有機化合物のＨＯＭＯ準位より低い場合の例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。場合によっては、または、状況に応じて、本発明の一態様では、例えば、第１の有機化合物のＬＵＭＯ準位は、第２の有機化合物のＬＵＭＯ準位より低くなくてもよい。あるいは、第１の有機化合物のＨＯＭＯ準位は、第２の有機化合物のＨＯＭＯ準位より低くなくてもよい。または、例えば、本発明の一態様では、第１の有機化合物と第２の有機化合物とが、励起錯体を形成する場合の例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。場合によっては、または、状況に応じて、本発明の一態様では、例えば、第１の有機化合物と第２の有機化合物とが、励起錯体を形成しなくてもよい。または、例えば、本発明の一態様では、ゲスト材料のＬＵＭＯ準位は、第１の有機化合物のＬＵＭＯ準位より高く、ゲスト材料のＨＯＭＯ準位は、第２の有機化合物のＨＯＭＯ準位より低い場合の例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。場合によっては、または、状況に応じて、本発明の一態様では、例えば、ゲスト材料のＬＵＭＯ準位は、第１の有機化合物のＬＵＭＯ準位より高くなくても良い。あるいは、ゲスト材料のＨＯＭＯ準位は、第２の有機化合物のＨＯＭＯ準位より低くなくてもよい。
【0197】
以上、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【0198】
【0199】
表示装置１００は、複数の画素１７８がマトリクス状に配列された画素部１７７を有する。画素１７８は、副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０Ｂを有する。
【0200】
本明細書等において、例えば副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０Ｂに共通する事項を説明する場合には、副画素１１０と呼称して説明する場合がある。アルファベットで区別する他の構成要素についても、これらに共通する事項を説明する場合には、アルファベットを省略した符号を用いて説明する場合がある。
【0201】
副画素１１０Ｒは赤色の光を呈し、副画素１１０Ｇは緑色の光を呈し、副画素１１０Ｂは青色の光を呈する。これにより、画素部１７７に画像を表示することができる。なお、本実施の形態では、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色の副画素を例に挙げて説明するが、その他の色の副画素の組み合わせを用いてもよい。また、副画素は３つに限られず、４つ以上としてもよい。４つの副画素としては、例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂ、白色（Ｗ）の４色の副画素、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙの４色の副画素、及び、Ｒ、Ｇ、Ｂ、赤外光（ＩＲ）の４つの副画素、等が挙げられる。
【0202】
本明細書等において、行方向をＸ方向、列方向をＹ方向という場合がある。Ｘ方向とＹ方向は交差し、例えば垂直に交差する。
【0203】
図３（Ａ）では、異なる色の副画素がＸ方向に並べて配置されており、同じ色の副画素が、Ｙ方向に並べて配置されている例を示す。なお、異なる色の副画素がＹ方向に並べて配置され、同じ色の副画素が、Ｘ方向に並べて配置されていてもよい。
【0204】
画素部１７７の外側には、接続部１４０が設けられ、領域１４１が設けられていてもよい。領域１４１は画素部１７７と接続部１４０の間に設けられる。領域１４１には、有機化合物層１０３が設けられる。また、接続部１４０には、導電層１５１Ｃが設けられる。
【0205】
図３（Ａ）では、領域１４１、及び接続部１４０が画素部１７７の右側に位置する例を示すが、領域１４１、及び接続部１４０の位置は特に限定されない。また、領域１４１、及び接続部１４０は、単数であっても複数であってもよい。
【0206】
図３（Ｂ）は、図３（Ａ）における一点鎖線Ａ１－Ａ２間の断面図の例である。図３（Ａ）に示すように、表示装置１００は、絶縁層１７１と、絶縁層１７１上の導電層１７２と、絶縁層１７１上、及び導電層１７２上の絶縁層１７３と、絶縁層１７３上の絶縁層１７４と、絶縁層１７４上の絶縁層１７５と、を有する。絶縁層１７１は、基板（図示せず）上に設けられる。絶縁層１７５、絶縁層１７４、及び絶縁層１７３には、導電層１７２に達する開口が設けられ、当該開口を埋め込むようにプラグ１７６が設けられている。
【0207】
画素部１７７において、絶縁層１７５及びプラグ１７６上に、発光デバイス１３０が設けられる。また、発光デバイス１３０を覆うように、保護層１３１が設けられている。保護層１３１上には、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされている。また、隣り合う発光デバイス１３０の間には、無機絶縁層１２５と、無機絶縁層１２５上の絶縁層１２７と、が設けられていることが好ましい。
【0208】
図３（Ｂ）では、無機絶縁層１２５及び絶縁層１２７の断面が複数示されているが、表示装置１００を上面から見た場合、無機絶縁層１２５及び絶縁層１２７は、それぞれ１つに繋がっていることが好ましい。つまり、絶縁層１２７は、第１の電極上に開口部を有する絶縁層であることが好ましい。
【0209】
図３（Ｂ）では、発光デバイス１３０として、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂを示している。発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、及び発光デバイス１３０Ｂは、互いに異なる発光色を呈するものとする。例えば、発光デバイス１３０Ｒは赤色の光を発することができ、発光デバイス１３０Ｇは緑色の光を発することができ、発光デバイス１３０Ｂは青色の光を発することができる。また、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、又は発光デバイス１３０Ｂは、他の可視光又は赤外光を発してもよい。
【0210】
本発明の一態様の表示装置は、例えば発光デバイスが形成されている基板とは反対方向に光を射出する上面射出型（トップエミッション型）とすることができる。なお、本発明の一態様の表示装置は、下面射出型（ボトムエミッション型）であってもよい。
【0211】
発光デバイス１３０が有する発光物質としては、例えば、蛍光を発する物質（蛍光材料）、燐光を発する物質（燐光材料）、及び、熱活性化遅延蛍光を示す物質（熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ ａｃｔｉｖａｔｅｄ ｄｅｌａｙｅｄ ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料）などの有機化合物または有機金属錯体が挙げられる。また、量子ドットなどの無機化合物であってもよい。
【0212】
発光デバイス１３０Ｒは、実施の形態１に示したような構成を有する。導電層１５１Ｒと導電層１５２Ｒとからなる第１の電極（画素電極）と、第１の電極上の有機化合物層１０３Ｒと、有機化合物層１０３Ｒ上の共通層１０４と、共通層上の第２の電極（共通電極）１０２と、を有する。なお、共通層１０４は、設けられていても設けられていなくても構わないが、設けられていることが加工時の有機化合物層１０３Ｒへのダメージを低減できることから好ましい。共通層１０４が設けられている場合、共通層１０４は、電子注入層であることが好ましい。また、共通層１０４が設けられている場合、有機化合物層１０３Ｒと共通層１０４との積層構造が、実施の形態２における有機化合物層１０３に相当する。
【0213】
発光デバイス１３０Ｇは、実施の形態１に示したような構成を有する。導電層１５１Ｇと導電層１５２Ｇとからなる第１の電極（画素電極）と、第１の電極上の有機化合物層１０３Ｇと、有機化合物層１０３Ｇ上の共通層１０４と、共通層上の第２の電極（共通電極）１０２と、を有する。なお、共通層１０４は、設けられていても設けられていなくても構わないが、設けられていることが加工時の有機化合物層１０３Ｇへのダメージを低減できることから好ましい。共通層１０４が設けられている場合、共通層１０４は、電子注入層であることが好ましい。また、共通層１０４が設けられている場合、有機化合物層１０３Ｇと共通層１０４との積層構造が、実施の形態２における有機化合物層１０３に相当する。
【0214】
発光デバイス１３０Ｂは、実施の形態１に示したような構成を有する。導電層１５１Ｂと導電層１５２Ｂとからなる第１の電極（画素電極）と、第１の電極上の有機化合物層１０３Ｂと、有機化合物層１０３Ｂ上の共通層１０４と、共通層上の第２の電極（共通電極）１０２と、を有する。なお、共通層１０４は、設けられていても設けられていなくても構わないが、設けられていることが加工時の有機化合物層１０３Ｂへのダメージを低減できることから好ましい。共通層１０４が設けられている場合、共通層１０４は、電子注入層であることが好ましい。また、共通層１０４が設けられている場合、有機化合物層１０３Ｂと共通層１０４との積層構造が、実施の形態２における有機化合物層１０３に相当する。
【0215】
発光デバイスが有する画素電極と共通電極のうち、一方は陽極として機能し、他方は陰極として機能する。以下では、特に断りが無い場合は、画素電極が陽極として機能し、共通電極が陰極として機能するものとして説明する。
【0216】
有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂは、副画素または、発光色毎に島状に独立している。有機化合物層１０３を発光デバイス１３０ごとに島状に設けることで、高精細な表示装置においても隣接する発光デバイス１３０間のリーク電流を抑制できる。これにより、クロストークを防ぐことができ、コントラストの極めて高い表示装置を実現できる。特に、低輝度における電流効率の高い表示装置を実現できる。
【0217】
島状の有機化合物層１０３は、ＥＬ膜を成膜し、当該ＥＬ膜をリソグラフィ法を用いて加工することにより形成する。
【0218】
また、本発明の一態様の表示装置では、発光デバイスの第１の電極（画素電極）を、積層構成とすることが好ましい。例えば、図３（Ｂ）に示す例では、発光デバイス１３０の第１の電極を、導電層１５１と、導電層１５２と、の積層構成としている。例えば、表示装置１００をトップエミッション型とし、発光デバイス１３０の画素電極が陽極として機能する場合、導電層１５１は可視光に対する反射率が高い層とし、導電層１５２は例えば可視光の透過性を有し、且つ仕事関数が大きい層とすることが好ましい。表示装置１００がトップエミッション型である場合、画素電極の可視光に対する反射率が高いほど、有機化合物層１０３が発する光の取り出し効率を高くすることができる。また、画素電極が陽極として機能する場合、画素電極の仕事関数が大きいほど、有機化合物層１０３への正孔の注入が容易となる。以上より、発光デバイス１３０の画素電極を、可視光に対する反射率が高い導電層１５１と、仕事関数が大きい導電層１５２と、の積層構成とすることにより、発光デバイス１３０を、光取り出し効率が高く、且つ駆動電圧の低い発光デバイスとすることができる。
【0219】
導電層１５１を、可視光に対する反射率が高い層とする場合、導電層１５１の可視光に対する反射率は、例えば４０％以上１００％以下、７０％以上１００％以下とすることが好ましい。また、導電層１５２は、可視光の透過性を有する電極とする場合、可視光に対する透過率を例えば４０％以上とすることが好ましい。
【0220】
ここで、画素電極を複数の層からなる積層構成とする場合、例えば当該複数の層間の反応により、画素電極が変質してしまう場合がある。例えば、画素電極の形成後に形成した膜を、ウェットエッチング法により除去する場合、薬液が画素電極と接触することにより、ガルバニック腐食が発生することがある。
【0221】
そこで、本実施の形態の表示装置１００では、導電層１５１および導電層１５２の側面に絶縁層１５６を形成する。これにより、例えば導電層１５１と、導電層１５２と、を有する画素電極の形成後に形成した膜を、ウェットエッチング法により除去する場合であっても、薬液が導電層１５１に接触することを抑制できる。従って、例えば画素電極へのガルバニック腐食の発生を抑制できる。よって、表示装置１００は、歩留まりが高い方法で作製できるため、低価格の表示装置とすることができる。また、表示装置１００に不良が発生することを抑制できるため、表示装置１００は信頼性が高い表示装置とすることができる。
【0222】
導電層１５１として、例えば金属材料を用いることができる。具体的には、例えばアルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、イットリウム（Ｙ）、ネオジム（Ｎｄ）等の金属、及びこれらを適宜組み合わせて含む合金を用いることもできる。
【0223】
導電層１５２として、インジウム、錫、亜鉛、ガリウム、チタン、アルミニウム、及びシリコンの中から選ばれるいずれか一又は複数を有する酸化物を用いることができる。例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛、酸化チタン、ガリウムを含むインジウム亜鉛酸化物、アルミニウムを含むインジウム亜鉛酸化物、シリコンを含むインジウム錫酸化物、及びシリコンを含むインジウム亜鉛酸化物等のいずれか一又は複数を含む導電性酸化物を用いることが好ましい。特に、シリコンを含むインジウム錫酸化物は仕事関数が大きい、例えば仕事関数が４．０ｅＶ以上であるため、導電層１５２として好適に用いることができる。
【0224】
導電層１５１は、異なる材料を有する複数の層の積層構成であってもよく、導電層１５２は、異なる材料を有する複数の層の積層構成であってもよい。この場合、導電層１５１が、導電性酸化物等の導電層１５２に用いることができる材料を用いた層を有してもよく、また、導電層１５２が、金属材料等の導電層１５１に用いることができる材料を用いた層を有してもよい。例えば、導電層１５１が２層以上の積層構成である場合は、導電層１５２と接する層は、導電層１５２に用いることができる材料を用いた層とすることができる。
【0225】
なお、絶縁層１５６の端部は、テーパ形状を有していてもよい。具体的には、絶縁層１５６の端部がテーパ角９０°未満のテーパ形状を有することで、絶縁層１５６の側面に沿って設けられる構造物の被覆性を高めることができる。
【0226】
図４（Ａ）においては、導電層１５１が異なる材料を含む複数の層の積層構造である場合の図を示している。図４（Ａ）に示すように、導電層１５１は、導電層１５１ａと、導電層１５１ａ上の導電層１５１ｂと、導電層１５１ｂ上の導電層１５１ｃと、を有する構成である。つまり、図４（Ａ）に示す導電層１５１は、３層積層構成である。このように、導電層１５１が複数の層の積層構成である場合は、導電層１５１を構成する層のうち少なくとも１つの層の可視光に対する反射率を、導電層１５２の可視光に対する反射率より高くすればよい。
【0227】
図４（Ａ）に示す例では、導電層１５１ｂが、導電層１５１ａと導電層１５１ｃにより挟まれる構成である。導電層１５１ａ、及び導電層１５１ｃには、導電層１５１ｂより変質しにくい材料を用いることが好ましい。例えば、導電層１５１ａには、絶縁層１７５と接することによるマイグレーションの発生が、導電層１５１ｂより起こりにくい材料を用いることができる。また、導電層１５１ｃには、導電層１５１ｂより酸化しにくく、さらに酸化物の電気抵抗率が、導電層１５１ｂに用いる材料の酸化物より低い材料を用いることができる。
【0228】
以上より、導電層１５１ｂを、導電層１５１ａと導電層１５１ｃで挟む構成とすることで、導電層１５１ｂの材料選択の幅を広げることができる。これにより、例えば導電層１５１ｂを、導電層１５１ａ及び導電層１５１ｃのうち少なくとも一方より、可視光に対する反射率が高い層とすることができる。例えば、導電層１５１ｂとしてアルミニウムを用いることができる。なお、導電層１５１ｂには、アルミニウムを含む合金を用いてもよい。また、導電層１５１ａとして、可視光に対する反射率がアルミニウムと比較すると低いが、絶縁層１７５と接してもアルミニウムよりマイグレーションが発生しにくい材料であるチタンを用いることができる。さらに、導電層１５１ｃとして、可視光に対する反射率がアルミニウムと比較すると低いが、アルミニウムより酸化しにくく、また酸化物の電気抵抗率が酸化アルミニウムの電気抵抗率より低い材料であるチタンを用いることができる。
【0229】
また、導電層１５１ｃとして、銀、又は銀を含む合金を用いてもよい。銀は、可視光に対する反射率がチタンより高いという特性を有する。さらに、銀は、アルミニウムより酸化しにくく、また酸化銀の電気抵抗率は酸化アルミニウムの電気抵抗率より低いという特性を有する。以上により、導電層１５１ｃとして銀、又は銀を含む合金を用いると、導電層１５１の可視光に対する反射率を好適に高くしつつ、導電層１５１ｂの酸化による画素電極の電気抵抗の上昇を抑制できる。ここで、銀を含む合金として、例えば銀とパラジウムと銅の合金（Ａｇ－Ｐｄ－Ｃｕ、ＡＰＣとも記す）を適用できる。なお、導電層１５１ｃとして銀、又は銀を含む合金を用い、導電層１５１ｂとしてアルミニウムを用いると、導電層１５１ｃの可視光に対する反射率を、導電層１５１ｂの可視光に対する反射率より高くすることができる。ここで、導電層１５１ｂとして銀、又は銀を含む合金を用いてもよい。また、導電層１５１ａに銀、又は銀を含む合金を用いてもよい。
【0230】
一方、チタンを用いた膜は、銀を用いた膜よりエッチングによる加工性に優れる。よって、導電層１５１ｃとしてチタンを用いることにより、導電層１５１ｃを容易に形成できる。なお、アルミニウムを用いた膜も、銀を用いた膜よりエッチングによる加工性に優れる。
【0231】
以上のように、導電層１５１を複数の層の積層構造とすることにより、表示装置の特性を向上させることができる。例えば、表示装置１００を、光取り出し効率が高く、且つ信頼性が高い表示装置とすることができる。
【0232】
ここで、発光デバイス１３０にマイクロキャビティ構造が適用されている場合は、導電層１５１ｃとして、可視光に対する反射率が高い材料である銀、又は銀を含む合金を用いると、表示装置１００の光取り出し効率を好適に高めることができる。
【0233】
前述のように、導電層１５１の側面は、テーパ形状を有することが好ましい。具体的には、導電層１５１の側面は、テーパ角９０°未満のテーパ形状を有することが好ましい。例えば、図４（Ａ）に示す構成の導電層１５１では、導電層１５１ａ、導電層１５１ｂ、及び導電層１５１ｃのうち少なくとも１つの側面がテーパ形状を有することが好ましい。
【0234】
図４（Ａ）に示す導電層１５１は、リソグラフィ法を用いて形成できる。具体的には、まず、導電層１５１ａとなる導電膜と、導電層１５１ｂとなる導電膜と、導電層１５１ｃとなる導電膜と、を順に成膜する。次に、導電層１５１ｃとなる導電膜上にレジストマスクを形成する。その後、レジストマスクと重ならない領域の導電膜を、例えばエッチング法を用いて除去する。ここで、側面がテーパ形状を有さないように、つまり側面が垂直となるように導電層１５１を形成する場合と比較して、レジストマスクが後退（縮小）しやすい条件で導電膜を加工することにより、導電層１５１の側面をテーパ形状とすることができる。
【0235】
ここで、レジストマスクが後退（縮小）しやすい条件で導電膜を加工すると、導電膜が水平方向に加工されやすくなる場合がある。つまり、側面が垂直となるように導電層１５１を形成する場合より、エッチングの等方性が高くなる場合がある。
【0236】
また、導電層１５１を異なる材料からなる複数の層の積層構成とした場合、当該複数の層間で水平方向の加工のされやすさが異なる場合がある。例えば、導電層１５１ａと、導電層１５１ｂと、導電層１５１ｃと、の間で水平方向の加工のされやすさが異なることがある。
【0237】
この場合、導電膜を加工後図４（Ａ）に示すように、導電層１５１ｂの側面が、導電層１５１ａ、及び導電層１５１ｃの側面より内側に位置し、突出部を形成する場合がある。これにより、導電層１５２の導電層１５１に対する被覆性が低下し、導電層１５２の段切れが発生する恐れがある。
【0238】
そこで、図４（Ａ）のように絶縁層１５６を設けることが好ましい。図４（Ａ）では、導電層１５１ｂの側面と重なる領域を有するように、導電層１５１ａ上に絶縁層１５６が設けられる例を示している。これにより、突出部に起因した導電層１５２の段切れまたは薄膜化の発生を抑制できるため、接続不良または駆動電圧の上昇を抑制することができる。
【0239】
なお、図４（Ａ）においては、導電層１５１ｂの側面が絶縁層１５６に全て覆われる構造を図示したが、導電層１５１ｂの側面の一部が絶縁層１５６に覆われなくてもよい。以降に示す構成の画素電極においても、同様に導電層１５１ｂの側面の一部が絶縁層１５６に覆われなくてもよい。
【0240】
導電層１５１が図４（Ａ）に示す構成である場合、導電層１５２は、導電層１５１ａ、導電層１５１ｂ、導電層１５１ｃ、及び絶縁層１５６を覆い、且つ導電層１５１ａ、導電層１５１ｂ、及び導電層１５１ｃと電気的に接続されるように設けられる。これにより、例えば導電層１５２の形成後に成膜した膜をウェットエッチング法により除去する場合であっても、薬液が導電層１５１ａ、導電層１５１ｂ、及び導電層１５１ｃのいずれにも接触しないようにすることができる。よって、導電層１５１ａ、導電層１５１ｂ、及び導電層１５１ｃのいずれにおいても、腐食の発生を抑制できる。よって、表示装置１００は、歩留まりが高い方法で作製できる。また、不良の発生を抑制し、表示装置１００は信頼性が高い表示装置とすることができる。
【0241】
ここで、図４（Ａ）に示すように、絶縁層１５６は、湾曲面を有することが好ましい。これにより、例えば絶縁層１５６の側面が垂直（Ｚ方向に平行）である場合より、絶縁層１５６を覆う導電層１５２における段切れの発生を抑制できる。また、絶縁層１５６が、側面にテーパ形状、具体的にはテーパ角が９０°未満のテーパ形状を有する場合であっても、例えば絶縁層１５６の側面が垂直である場合より、絶縁層１５６を覆う導電層１５２における段切れの発生を抑制できる。以上より、表示装置１００を、歩留まりが高い方法で作製できる。また、不良の発生を抑制し、表示装置１００は信頼性が高い表示装置とすることができる。
【0242】
なお、図４（Ａ）では、導電層１５１ｂの側面が、導電層１５１ａの側面、及び導電層１５１ｃの側面より内側に位置する構成を示しているが、本発明の一態様はこれに限らない。例えば、導電層１５１ｂの側面が、導電層１５１ａの側面より外側に位置してもよい。また、導電層１５１ｂの側面が、導電層１５１ｃの側面より外側に位置してもよい。
【0243】
図４（Ｂ）乃至図４（Ｄ）は第１の電極１０１のその他の構成を示している。図４（Ｂ）は、図４（Ａ）の第１の電極１０１において、絶縁層１５６が導電層１５１ｂの側面だけでなく、導電層１５１ａ、導電層１５１ｂおよび導電層１５１ｃの側面を覆っている構成である。
【0244】
【0245】
【0246】
導電層１５２ａは、導電層１５２ｂに対する密着性が、例えば絶縁層１７５より高い層とする。導電層１５２ａとして、例えばインジウム、スズ、亜鉛、ガリウム、チタン、アルミニウム、及びシリコンの中から選ばれるいずれか一又は複数を有する酸化物を用いることができる。例えば、酸化インジウム、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛、酸化チタン、インジウムチタン酸化物、チタン酸亜鉛、アルミニウム亜鉛酸化物、ガリウムを含むインジウム亜鉛酸化物、アルミニウムを含むインジウム亜鉛酸化物、シリコンを含むインジウムスズ酸化物、及びシリコンを含むインジウム亜鉛酸化物等のいずれか一又は複数を含む導電性酸化物を用いることが好ましい。以上により、導電層１５２ｂの膜剥がれを抑制することができる。また、導電層１５２ｂを絶縁層１７５と接しない構成とすることができる。
【0247】
導電層１５２ｂは、可視光に対する反射率（例えば４００ｎｍ以上７５０ｎｍ未満の範囲内の所定の波長の光に対する反射率）が、導電層１５１、導電層１５２ａ、及び導電層１５２ｃより高い層とする。導電層１５２ｂの可視光に対する反射率は、例えば７０％以上１００％以下とすることができ、好ましくは８０％以上１００％以下であり、より好ましくは９０％以上１００％以下である。また、導電層１５２ｂとして、例えばアルミニウムより可視光に対する反射率が高い材料を用いることができる。具体的には、導電層１５２ｂとして、例えば銀、又は銀を含む合金を用いることができる。銀を含む合金として、例えば銀、パラジウム、及び銅の合金（ＡＰＣ）が挙げられる。以上により、表示装置１００を、光取り出し効率が高い表示装置とすることができる。なお、導電層１５２ｂとして、銀以外の金属を用いてもよい。
【0248】
導電層１５２ｃは、導電層１５１及び導電層１５２を陽極として機能させる場合、仕事関数が大きい層とすることが好ましい。導電層１５２ｃは、例えば、導電層１５２ｂより仕事関数が大きい層とする。導電層１５２ｃとして、例えば導電層１５２ａに用いることができる材料と同様の材料を用いることができる。例えば、導電層１５２ａと導電層１５２ｃに同一種の材料を用いる構成とすることができる。例えば、導電層１５２ａにインジウムスズ酸化物を用いる場合は、導電層１５２ｃにもインジウムスズ酸化物を用いることができる。
【0249】
なお、導電層１５１及び導電層１５２を陰極として機能させる場合、導電層１５２ｃは仕事関数が小さい層とすることが好ましい。導電層１５２ｃは、例えば、導電層１５２ｂより仕事関数が小さい層とする。
【0250】
また、導電層１５２ｃは、可視光に対する透過率（例えば４００ｎｍ以上７５０ｎｍ未満の範囲内の所定の波長の光に対する透過率）が高い層とすることが好ましい。例えば、導電層１５２ｃの可視光に対する透過率は、導電層１５１、及び導電層１５２ｂの可視光に対する透過率より高いことが好ましい。例えば、導電層１５２ｃの可視光に対する透過率は、６０％以上１００％以下とすることができ、好ましくは７０％以上１００％以下であり、より好ましくは８０％以上１００％以下である。以上により、有機化合物層１０３が発する光のうち、導電層１５２ｃに吸収される光を少なくすることができる。また、前述のように、導電層１５２ｃ下の導電層１５２ｂは、可視光に対する反射率が高い層とすることができる。よって、表示装置１００を、光取り出し効率が高い表示装置とすることができる。
【0251】
続いて図３（Ａ）に示す構成を有する表示装置１００の作製方法例を図５乃至図１０を用いて説明する。表示装置１００の有する発光デバイスは、有機層が、水を用いた処理を含む作製工程によって形成される。本発明の一態様の表示装置の有する発光デバイスの有機層に、本発明の一態様の有機化合物を用いることで、水を用いた処理を含む作製方法によって作製した場合であっても、当該有機化合物を含む層が溶解する、当該有機化合物を用いた層へ薬液が浸透するなどの問題を防ぎ、良好な特性の発光デバイスを提供することができる。
【0252】
［作製方法例］
表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜等）は、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、又はＡＬＤ法等を用いて形成できる。ＣＶＤ法としては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ ＣＶＤ）法、及び、熱ＣＶＤ法等がある。また、熱ＣＶＤ法のひとつに、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ ＣＶＤ）法がある。
表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜等）は、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、又はＡＬＤ法等を用いて形成できる。ＣＶＤ法としては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ ＣＶＤ）法、及び、熱ＣＶＤ法等がある。また、熱ＣＶＤ法のひとつに、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ ＣＶＤ）法がある。
【0253】
また、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜等）は、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ法、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、又はナイフコート等の湿式の成膜方法により形成できる。
【0254】
特に、発光デバイスの作製には、蒸着法等の真空プロセス、及び、スピンコート法、インクジェット法等の溶液プロセスを用いることができる。蒸着法としては、スパッタ法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法、分子線蒸着法、真空蒸着法等の物理蒸着法（ＰＶＤ法）、及び、化学蒸着法（ＣＶＤ法）等が挙げられる。特に有機化合物層に含まれる機能層（正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、発光層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層等）については、蒸着法（真空蒸着法等）、塗布法（ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、スピンコート法、スプレーコート法等）、印刷法（インクジェット法、スクリーン（孔版印刷）法、オフセット（平版印刷）法、フレキソ（凸版印刷）法、グラビア法、又は、マイクロコンタクト法等）等の方法により形成できる。
【0255】
また、表示装置を構成する薄膜を加工する際には、例えばリソグラフィ法を用いて加工できる。又は、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオフ法等により薄膜を加工してもよい。また、メタルマスク等の遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を直接形成してもよい。
【0256】
リソグラフィ法としては、例えばフォトリソグラフィ法を用いることができる。フォトリソグラフィ法としては、代表的には以下の２つの方法がある。１つは、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して、例えばエッチングにより当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法である。もう１つは、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法である。
【0257】
フォトリソグラフィ法において、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、又はこれらを混合させた光を用いることができる。そのほか、紫外線、ＫｒＦレーザ光、又はＡｒＦレーザ光等を用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用いる光として、極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ－ｖｉｏｌｅｔ）光、又はＸ線を用いてもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外光、Ｘ線又は電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。なお、電子ビーム等のビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクは不要である。
【0258】
薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、又はサンドブラスト法等を用いることができる。
【0259】
まず、図５（Ａ）に示すように、基板（図示せず）上に絶縁層１７１を形成する。続いて、絶縁層１７１上に導電層１７２、及び導電層１７９を形成し、導電層１７２、及び導電層１７９を覆うように絶縁層１７１上に絶縁層１７３を形成する。続いて、絶縁層１７３上に絶縁層１７４を形成し、絶縁層１７４上に絶縁層１７５を形成する。
【0260】
基板としては、少なくとも後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する基板を用いることができる。基板として、絶縁性基板を用いる場合には、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、又は有機樹脂基板等を用いることができる。また、シリコン又は炭化シリコン等を材料とした単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等の半導体基板を用いることができる。
【0261】
続いて、図５（Ａ）に示すように、絶縁層１７５、絶縁層１７４、及び絶縁層１７３に、導電層１７２に達する開口を形成する。続いて、当該開口を埋め込むように、プラグ１７６を形成する。
【0262】
続いて、図５（Ａ）に示すように、プラグ１７６上、及び絶縁層１７５上に、後に導電層１５１Ｒ、導電層１５１Ｇ、導電層１５１Ｂ、及び導電層１５１Ｃとなる導電膜１５１ｆを形成する。導電膜１５１ｆの形成には、例えば、スパッタリング法又は真空蒸着法を用いることができる。また、導電膜１５１ｆとして、例えば金属材料を用いることができる。
【0263】
続いて、図５（Ａ）に示すように、導電膜１５１ｆ上に、後に導電層１５２Ｒ、導電層１５２Ｇ、導電層１５２Ｂ、及び導電層１５２Ｃとなる導電膜１５２ｆを形成する。導電膜１５２ｆの形成には、例えば、スパッタリング法又は真空蒸着法を用いることができる。また、導電膜１５２ｆとして、例えば導電性酸化物を用いることができる。又は、導電膜１５２ｆとして、金属材料を用いる膜と、当該膜上の導電性酸化物を用いる膜と、の積層構成を適用できる。例えば、導電膜１５２ｆとして、チタン、銀、又は銀を含む合金を用いる膜と、当該膜上の導電性酸化物を用いる膜と、の積層構成を適用できる。
【0264】
また、導電膜１５２ｆの形成には、ＡＬＤ法を用いることができる。この場合、導電膜１５２ｆとして、インジウム、錫、亜鉛、ガリウム、チタン、アルミニウム、及びシリコンの中から選ばれるいずれか一又は複数を有する酸化物を用いることができる。この場合、プリカーサ（一般的には、前駆体、又は金属プリカーサ等と呼ばれる場合がある）の導入、当該プリカーサのパージ、酸化剤（一般的には、反応剤、リアクタント、又は非金属プリカーサ等と呼ばれる場合がある）の導入、及び当該酸化剤のパージを１サイクルとして、当該サイクルを繰り返し行うことにより導電膜１５２ｆを形成できる。ここで、インジウム錫酸化物等、複数種の金属が含まれる酸化物膜を導電膜１５２ｆとして形成する場合、プリカーサの種類ごとにサイクル数を異ならせることにより、金属の組成を制御できる。
【0265】
例えば、導電膜１５２ｆとしてインジウム錫酸化物膜を成膜する場合、インジウムを含むプリカーサの導入後、当該プリカーサをパージし酸化剤を導入してＩｎ－Ｏ膜を形成し、次に錫を含むプリカーサの導入後、当該プリカーサをパージし酸化剤を導入してＳｎ－Ｏ膜を形成する。ここで、Ｉｎ－Ｏ膜形成のサイクル数を、Ｓｎ－Ｏ膜形成のサイクル数より多くすることにより、導電膜１５２ｆに含まれるＩｎの原子数を、Ｓｎの原子数より多くすることができる。
【0266】
また、例えば導電膜１５２ｆとして酸化亜鉛膜を成膜する場合、Ｚｎ－Ｏ膜を上記の手順で形成する。また、例えば導電膜１５２ｆとしてアルミニウム亜鉛酸化物膜を成膜する場合、Ｚｎ－Ｏ膜、及びＡｌ－Ｏ膜をそれぞれ上記の手順で形成する。また、例えば導電膜１５２ｆとして酸化チタン膜を成膜する場合、Ｔｉ－Ｏ膜を上記の手順で形成する。また、例えば導電膜１５２ｆとしてシリコンを含むインジウム錫酸化物膜を成膜する場合、Ｉｎ－Ｏ膜、Ｓｎ－Ｏ膜、及びＳｉ－Ｏ膜を上記の手順で形成する。また、例えばガリウムを含む酸化亜鉛膜を成膜する場合、Ｇａ－Ｏ膜、及びＺｎ－Ｏ膜を上記の手順で形成する。
【0267】
インジウムを含むプリカーサとして、例えばトリエチルインジウム、トリメチルインジウム、又は［１，１，１－トリメチル－Ｎ－（トリメチルシリル）アミド］－インジウムを用いることができる。錫を含むプリカーサとして、例えば塩化錫、又はテトラキス（ジメチルアミド）錫を用いることができる。亜鉛を含むプリカーサとして、例えばジエチル亜鉛、又はジメチル亜鉛を用いることができる。ガリウムを含むプリカーサとして、例えばトリエチルガリウムを用いることができる。チタンを含むプリカーサとして、例えば塩化チタン、テトラキス（ジメチルアミド）チタン、又はチタン酸テトライソプロピルを用いることができる。アルミニウムを含むプリカーサとして、例えば塩化アルミニウム、又はトリメチルアルミニウムを用いることができる。シリコンを含むプリカーサとして、トリシリルアミン、ビス（ジエチルアミノ）シラン、トリス（ジメチルアミノ）シラン、ビス（ｔｅｒｔ－ブチルアミノ）シラン、又はビス（エチルメチルアミノ）シランを用いることができる。また、酸化剤として、水蒸気、酸素プラズマ、又はオゾンガスを用いることができる。
【0268】
続いて、図５（Ａ）に示すように、導電膜１５１ｆおよび導電膜１５２ｆ上にレジストマスク１９１を形成する。レジストマスク１９１は、感光性材料（フォトレジスト）を塗布し、露光及び現像を行うことで形成できる。
【0269】
続いて、図５（Ｂ）に示すように、例えばレジストマスク１９１と重ならない領域の導電膜１５１ｆおよび導電膜１５２ｆを、例えばエッチング法、具体的には例えばドライエッチング法を用いて除去し、導電層１５１と、導電層１５２と、を有する画素電極を形成する。なお、導電膜１５１ｆが、例えばインジウム錫酸化物等の導電性酸化物を用いた層を含む場合は、当該層はウェットエッチング法を用いて除去してもよい。これにより、導電層１５１および導電層１５２が形成される。なお、例えば導電膜１５１ｆの一部をドライエッチング法により除去する場合、絶縁層１７５の導電層１５１と重ならない領域に凹部が形成される場合がある。
【0270】
なお、リソグラフィ法を用いて導電膜１５２ｆを加工し、導電層１５２Ｒ、導電層１５２Ｇ、導電層１５２Ｂ、及び導電層１５２Ｃを形成したあと、導電層１５２Ｒ、導電層１５２Ｇ、導電層１５２Ｂ、及び導電層１５２Ｃをマスクとして、導電膜１５１ｆを加工してもよい。具体的には、例えばレジストマスクの形成後、エッチング法により導電膜１５２ｆの一部を除去する。導電膜１５２ｆは、例えばウェットエッチング法により除去できる。なお、導電膜１５２ｆを、ドライエッチング法により除去してもよい。その後、導電膜１５１ｆを、ウェットエッチング法により除去するとよい。
【0271】
ここで、導電層１５２の疎水化処理を行うことが好ましい。疎水化処理では、処理対象となる表面を親水性から疎水性にすること、又は、処理対象となる表面の疎水性を高めることができる。導電層１５２の疎水化処理を行うことで、導電層１５２と、後の工程で形成される有機化合物層１０３と、の密着性を高め、膜剥がれを抑制できる。なお、疎水化処理は行わなくてもよい。
【0272】
続いて、図５（Ｃ）に示すように、レジストマスク１９１を除去する。レジストマスク１９１は、例えば、酸素プラズマを用いたアッシングにより除去できる。又は、酸素ガスと、ＣＦ４、Ｃ４Ｆ８、ＳＦ６、ＣＨＦ３、Ｃｌ２、Ｈ２Ｏ、ＢＣｌ３、又はＨｅ等の第１８族元素と、を用いてもよい。又は、ウェットエッチングにより、レジストマスク１９１を除去してもよい。
【0273】
続いて、図５（Ｄ）に示すように、導電層１５１Ｒおよび導電層１５２Ｒ上、導電層１５１Ｇおよび導電層１５２Ｇ上、導電層１５１Ｂおよび導電層１５２Ｂ上、導電層１５１Ｃおよび導電層１５２Ｃ上、及び絶縁層１７５上に、後に絶縁層１５６Ｒ、絶縁層１５６Ｇ、絶縁層１５６Ｂ、及び絶縁層１５６Ｃとなる絶縁膜１５６ｆを形成する。絶縁膜１５６ｆの形成には、例えばＣＶＤ法、ＡＬＤ法、スパッタリング法、又は真空蒸着法を用いることができる。
【0274】
絶縁膜１５６ｆには、無機材料を用いることができる。絶縁膜１５６ｆには、例えば、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、又は窒化酸化絶縁膜等の無機絶縁膜を用いることができる。例えば、絶縁膜１５６ｆとして、シリコンを含む酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、又は窒化酸化絶縁膜等を用いることができる。例えば、絶縁膜１５６ｆとして、酸化窒化シリコンを用いることができる。
【0275】
続いて、図５（Ｅ）に示すように、絶縁膜１５６ｆを加工することにより、絶縁層１５６Ｒ、絶縁層１５６Ｇ、絶縁層１５６Ｂ、及び絶縁層１５６Ｃを形成する。例えば、絶縁膜１５６ｆの上面に対し、略均一にエッチングを施すことにより、絶縁層１５６を形成できる。このように均一にエッチングして平坦化することをエッチバック処理ともいう。なお、絶縁層１５６を、リソグラフィ法を用いて形成してもよい。
【0276】
続いて、図６（Ａ）に示すように、後に有機化合物層１０３Ｒとなる有機化合物膜１０３Ｒｆを、導電層１５２Ｒ上、導電層１５２Ｇ上、導電層１５２Ｂ上、絶縁層１５６Ｒ上、絶縁層１５６Ｇ上、絶縁層１５６Ｂ上、及び絶縁層１７５上に形成する。
【0277】
図６（Ａ）に示すように、導電層１５２Ｃ上には、有機化合物膜１０３Ｒｆを形成していない。例えば、成膜エリアを規定するためのマスク（ファインメタルマスクと区別して、エリアマスク、又はラフメタルマスク等ともいう）を用いることで、有機化合物膜１０３Ｒｆを所望の領域にのみ成膜できる。エリアマスクを用いた成膜工程と、レジストマスクを用いた加工工程と、を採用することで、比較的簡単なプロセスにて発光デバイスを作製できる。
【0278】
有機化合物膜１０３Ｒｆは、例えば、蒸着法、具体的には真空蒸着法により形成できる。また、有機化合物膜１０３Ｒｆは、転写法、印刷法、インクジェット法、又は塗布法等の方法で形成してもよい。
【0279】
続いて、図６（Ａ）に示すように、有機化合物膜１０３Ｒｆ上、導電層１５２Ｃ上、及び絶縁層１７５上に、後に犠牲層１５８Ｒとなる犠牲膜１５８Ｒｆと、後にマスク層１５９Ｒとなるマスク膜１５９Ｒｆと、を順に形成する。
【0280】
なお、本実施の形態では、犠牲膜１５８Ｒｆとマスク膜１５９Ｒｆの２層構造でマスク膜を形成する例を示すが、マスク膜は単層構造であってもよく、３層以上の積層構造であってもよい。
【0281】
有機化合物膜１０３Ｒｆ上に犠牲層を設けることで、表示装置の作製工程中に有機化合物膜１０３Ｒｆが受けるダメージを低減し、発光デバイスの信頼性を高めることができる。
【0282】
犠牲膜１５８Ｒｆには、有機化合物膜１０３Ｒｆの加工条件に対する耐性の高い膜、具体的には、有機化合物膜１０３Ｒｆとのエッチングの選択比が大きい膜を用いる。マスク膜１５９Ｒｆには、犠牲膜１５８Ｒｆとのエッチングの選択比が大きい膜を用いる。
【0283】
また、犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆは、有機化合物膜１０３Ｒｆの耐熱温度よりも低い温度で形成する。犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆを形成する際の基板温度としては、それぞれ、代表的には、２００℃以下、好ましくは１５０℃以下、より好ましくは１２０℃以下、より好ましくは１００℃以下、さらに好ましくは８０℃以下である。
【0284】
犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆには、ウェットエッチング法により除去できる膜を用いることが好ましい。ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆの加工時に、有機化合物膜１０３Ｒｆに加わるダメージを低減できる。
【0285】
犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆの形成には、例えば、スパッタリング法、ＡＬＤ法（熱ＡＬＤ法、ＰＥＡＬＤ法）、ＣＶＤ法、真空蒸着法を用いることができる。また、前述の湿式の成膜方法を用いて形成してもよい。
【0286】
なお、有機化合物膜１０３Ｒｆ上に接して形成される犠牲膜１５８Ｒｆは、マスク膜１５９Ｒｆよりも、有機化合物膜１０３Ｒｆへのダメージが少ない形成方法を用いて形成されることが好ましい。例えば、スパッタリング法よりも、ＡＬＤ法又は真空蒸着法を用いて、犠牲膜１５８Ｒｆを形成することが好ましい。
【0287】
犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆとしては、それぞれ、例えば、金属膜、合金膜、金属酸化物膜、半導体膜、有機絶縁膜、及び、無機絶縁膜等のうち一種又は複数種を用いることができる。
【0288】
犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆには、それぞれ、例えば、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、チタン、アルミニウム、イットリウム、ジルコニウム、及びタンタル等の金属材料、又は該金属材料を含む合金材料を用いることができる。特に、アルミニウム又は銀等の低融点材料を用いることが好ましい。犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆの一方又は双方に紫外線を遮蔽することが可能な金属材料を用いることで、有機化合物膜１０３Ｒｆに紫外線が照射されることを抑制でき、有機化合物膜１０３Ｒｆの劣化を抑制できるため、好ましい。
【0289】
また、犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆには、それぞれ、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物、酸化インジウム、Ｉｎ－Ｚｎ酸化物、Ｉｎ－Ｓｎ酸化物、インジウムチタン酸化物（Ｉｎ－Ｔｉ酸化物）、インジウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ－Ｓｎ－Ｚｎ酸化物）、インジウムチタン亜鉛酸化物（Ｉｎ－Ｔｉ－Ｚｎ酸化物）、インジウムガリウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ－Ｇａ－Ｓｎ－Ｚｎ酸化物）、シリコンを含むインジウムスズ酸化物等の金属酸化物を用いることができる。
【0290】
なお、上記ガリウムに代えて元素Ｍ（Ｍは、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、又はマグネシウムから選ばれた一種又は複数種）を用いてもよい。
【0291】
また、犠牲膜およびマスク膜として、光、特に紫外線に対して遮光性を有する材料を含む膜を用いることが好ましい。遮光性を有する材料としては、紫外線に対して遮光性のある金属、絶縁体、半導体、及び半金属等、様々な材料を用いることができるが、当該犠牲膜およびマスク膜の一部又は全部は、後の工程で除去するため、エッチングによる加工が可能である膜であることが好ましく、特に加工性が良好であることが好ましい。
【0292】
犠牲膜およびマスク膜としては、例えば、シリコン又はゲルマニウム等の半導体材料は、半導体の製造プロセスと親和性が高いため好ましい。又は、上記半導体材料の酸化物又は窒化物を用いることができる。又は、炭素等の非金属材料、又はその化合物を用いることができる。又は、チタン、タンタル、タングステン、クロム、アルミニウム等の金属、又はこれらの一以上を含む合金が挙げられる。又は、酸化チタンもしくは酸化クロム等の上記金属を含む酸化物、又は窒化チタン、窒化クロム、もしくは窒化タンタル等の窒化物を用いることができる。
【0293】
犠牲膜およびマスク膜に、紫外線に対して遮光性を有する材料を含む膜を用いることで、例えば露光工程で有機化合物層に紫外線が照射されることを抑制できる。有機化合物層が紫外線によってダメージを受けることを抑制することで、発光デバイスの信頼性を高めることができる。
【0294】
なお、紫外線に対して遮光性を有する材料を含む膜は、後述する無機絶縁膜１２５ｆの材料として用いても、同様の効果を奏する。
【0295】
また、犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆとしては、それぞれ、各種無機絶縁膜を用いることができる。特に、酸化絶縁膜は、窒化絶縁膜に比べて有機化合物膜１０３Ｒｆとの密着性が高く好ましい。例えば、犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆには、それぞれ、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化シリコン等の無機絶縁材料を用いることができる。犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆとして、例えば、ＡＬＤ法を用いて、酸化アルミニウム膜を形成できる。ＡＬＤ法を用いることで、下地（特に有機化合物層）へのダメージを低減できるため好ましい。
【0296】
例えば、犠牲膜１５８Ｒｆとして、ＡＬＤ法を用いて形成した無機絶縁膜（例えば、酸化アルミニウム膜）を用い、マスク膜１５９Ｒｆとして、スパッタリング法を用いて形成した無機膜（例えば、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物膜、アルミニウム膜、又はタングステン膜）を用いることができる。
【0297】
なお、犠牲膜１５８Ｒｆと、後に形成する無機絶縁層１２５との双方に、同じ無機絶縁膜を用いることができる。例えば、犠牲膜１５８Ｒｆと無機絶縁層１２５との双方に、ＡＬＤ法を用いて形成した酸化アルミニウム膜を用いることができる。ここで、犠牲膜１５８Ｒｆと、無機絶縁層１２５とで、同じ成膜条件を適用してもよく、互いに異なる成膜条件を適用してもよい。例えば、犠牲膜１５８Ｒｆを、無機絶縁層１２５と同様の条件で成膜することで、犠牲膜１５８Ｒｆを、水及び酸素の少なくとも一方に対するバリア性の高い絶縁層とすることができる。一方で、犠牲膜１５８Ｒｆは後の工程で大部分又は全部を除去する層であるため、加工が容易であることが好ましい。このため、犠牲膜１５８Ｒｆは、無機絶縁層１２５と比べて、成膜時の基板温度が低い条件で成膜することが好ましい。
【0298】
犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆの一方又は双方に、有機材料を用いてもよい。例えば、有機材料として、少なくとも有機化合物膜１０３Ｒｆの最上部に位置する膜に対して化学的に安定な溶媒に、溶解しうる材料を用いてもよい。特に、水又はアルコールに溶解する材料を好適に用いることができる。このような材料の成膜の際には、水又はアルコール等の溶媒に溶解させた状態で、湿式の成膜方法で塗布した後に、溶媒を蒸発させるための加熱処理を行うことが好ましい。このとき、減圧雰囲気下での加熱処理を行うことで、低温且つ短時間で溶媒を除去できるため、有機化合物膜１０３Ｒｆへの熱的なダメージを低減でき、好ましい。
【0299】
犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆには、それぞれ、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラール、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、アルコール可溶性のポリアミド樹脂、又は、パーフルオロポリマー等のフッ素樹脂等の有機樹脂を用いてもよい。
【0300】
例えば、犠牲膜１５８Ｒｆとして、蒸着法又は上記湿式の成膜方法のいずれかを用いて形成した有機膜（例えば、ＰＶＡ膜）を用い、マスク膜１５９Ｒｆとして、スパッタリング法を用いて形成した無機膜（例えば、窒化シリコン膜）を用いることができる。
【0301】
続いて、図６（Ａ）に示すように、マスク膜１５９Ｒｆ上にレジストマスク１９０Ｒを形成する。レジストマスク１９０Ｒは、感光性材料（フォトレジスト）を塗布し、露光及び現像を行うことで形成できる。
【0302】
レジストマスク１９０Ｒは、ポジ型のレジスト材料及びネガ型のレジスト材料のどちらを用いて作製してもよい。
【0303】
レジストマスク１９０Ｒは、導電層１５２Ｒと重なる位置に設ける。レジストマスク１９０Ｒは、導電層１５２Ｃと重なる位置にも設けることが好ましい。これにより、導電層１５２Ｃが表示装置の作製工程中にダメージを受けることを抑制できる。なお、導電層１５２Ｃ上にレジストマスク１９０Ｒを設けなくてもよい。また、レジストマスク１９０Ｒは、図６（Ａ）のＢ１－Ｂ２間の断面図に示すように、有機化合物膜１０３Ｒｆの端部から導電層１５２Ｃの端部（有機化合物膜１０３Ｒｆ側の端部）までを覆うように設けることが好ましい。
【0304】
続いて、図６（Ｂ）に示すように、レジストマスク１９０Ｒを用いて、マスク膜１５９Ｒｆの一部を除去し、マスク層１５９Ｒを形成する。マスク層１５９Ｒは、導電層１５２Ｒ上と、導電層１５２Ｃ上と、に残存する。その後、レジストマスク１９０Ｒを除去する。続いて、マスク層１５９Ｒをマスク（ハードマスクともいう）に用いて、犠牲膜１５８Ｒｆの一部を除去し、犠牲層１５８Ｒを形成する。
【0305】
犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆは、それぞれ、ウェットエッチング法又はドライエッチング法により加工できる。犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆの加工は、等方性エッチングにより行うことが好ましい。
【0306】
ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆの加工時に、有機化合物膜１０３Ｒｆに加わるダメージを低減できる。ウェットエッチング法を用いる場合、例えば、現像液、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液（ＴＭＡＨ）、希フッ酸、シュウ酸、リン酸、酢酸、硝酸、又はこれらの混合液体を用いた薬液等を用いることが好ましい。
【0307】
マスク膜１５９Ｒｆの加工においては、有機化合物膜１０３Ｒｆが露出しないため、犠牲膜１５８Ｒｆの加工よりも、加工方法の選択の幅は広い。具体的には、マスク膜１５９Ｒｆの加工の際に、エッチングガスに酸素を含むガスを用いた場合でも、有機化合物膜１０３Ｒｆの劣化をより抑制できる。
【0308】
また、犠牲膜１５８Ｒｆの加工においてドライエッチング法を用いる場合は、エッチングガスに酸素を含むガスを用いないことで、有機化合物膜１０３Ｒｆの劣化を抑制できる。ドライエッチング法を用いる場合、例えば、ＣＦ４、Ｃ４Ｆ８、ＳＦ６、ＣＨＦ３、Ｃｌ２、Ｈ２Ｏ、ＢＣｌ３、又はＨｅ等の第１８族元素を含むガスをエッチングガスに用いることが好ましい。
【0309】
例えば、犠牲膜１５８Ｒｆとして、ＡＬＤ法を用いて形成した酸化アルミニウム膜を用いる場合、ＣＨＦ３とＨｅ、又は、ＣＨＦ３とＨｅとＣＨ４を用いて、ドライエッチング法により犠牲膜１５８Ｒｆの一部を除去できる。また、マスク膜１５９Ｒｆとして、スパッタリング法を用いて形成したＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物膜を用いる場合、希釈リン酸を用いて、ウェットエッチング法によりマスク膜１５９Ｒｆの一部を除去できる。又は、ＣＨ４とＡｒを用いて、ドライエッチング法によりマスク膜１５９Ｒｆの一部を除去してもよい。又は、希釈リン酸を用いて、ウェットエッチング法によりマスク膜１５９Ｒｆの一部を除去できる。また、マスク膜１５９Ｒｆとして、スパッタリング法を用いて形成したタングステン膜を用いる場合、ＳＦ６、ＣＦ４とＯ２、又はＣＦ４とＣｌ２とＯ２を用いて、ドライエッチング法によりマスク膜１５９Ｒｆの一部を除去できる。
【0310】
レジストマスク１９０Ｒは、レジストマスク１９１と同様の方法で除去できる。例えば、酸素プラズマを用いたアッシングにより除去できる。又は、酸素ガスと、ＣＦ４、Ｃ４Ｆ８、ＳＦ６、ＣＨＦ３、Ｃｌ２、Ｈ２Ｏ、ＢＣｌ３、又はＨｅ等の第１８族元素と、を用いてもよい。又は、ウェットエッチングにより、レジストマスク１９０Ｒを除去してもよい。このとき、犠牲膜１５８Ｒｆが最表面に位置し、有機化合物膜１０３Ｒｆは露出していないため、レジストマスク１９０Ｒの除去工程において、有機化合物膜１０３Ｒｆにダメージが入ることを抑制できる。また、レジストマスク１９０Ｒの除去方法の選択の幅を広げることができる。
【0311】
続いて、図６（Ｂ）に示すように、有機化合物膜１０３Ｒｆを加工して、有機化合物層１０３Ｒを形成する。例えば、マスク層１５９Ｒ及び犠牲層１５８Ｒをハードマスクに用いて、有機化合物膜１０３Ｒｆの一部を除去し、有機化合物層１０３Ｒを形成する。
【0312】
これにより、図６（Ｂ）に示すように、導電層１５２Ｒ上に、有機化合物層１０３Ｒ、犠牲層１５８Ｒ、及び、マスク層１５９Ｒの積層構造が残存する。また、導電層１５２Ｇ及び導電層１５２Ｂは露出する。
【0313】
図６（Ｂ）では、有機化合物層１０３Ｒの端部が、導電層１５２Ｒの端部よりも内側に位置する例を示す。当該構成とすることで、画素の微細化が可能となり、高精細なディスプレイを作成することができる。なお、図６（Ｂ）では図示していないが、上記エッチング処理によって、絶縁層１７５の有機化合物層１０３Ｒと重畳しない領域に凹部が形成される場合がある。
【0314】
前述のように、レジストマスク１９０Ｒは、一点鎖線Ｂ１－Ｂ２間において、有機化合物層１０３Ｒの端部から導電層１５２Ｃの端部（有機化合物層１０３Ｒ側の端部）までを覆うように設けることが好ましい。これにより、図６（Ｂ）に示すように、犠牲層１５８Ｒ、及びマスク層１５９Ｒが、一点鎖線Ｂ１－Ｂ２間において、有機化合物層１０３Ｒの端部から導電層１５２Ｃの端部（有機化合物層１０３Ｒ側の端部）までを覆うように設けられる。よって、例えば一点鎖線Ｂ１－Ｂ２間において、絶縁層１７５が露出することを抑制できる。これにより、絶縁層１７５、絶縁層１７４、及び絶縁層１７３の一部がエッチング等により除去され、導電層１７９が露出することを防ぐことができる。このため、導電層１７９が、意図せず、他の導電層と電気的に接続されることを抑制できる。例えば、導電層１７９と、後の工程で形成する共通電極１５５との間のショートを抑制できる。
【0315】
有機化合物膜１０３Ｒｆの加工は、異方性エッチングにより行うことが好ましい。特に、異方性のドライエッチングが好ましい。又は、ウェットエッチングを用いてもよい。
【0316】
ドライエッチング法を用いる場合は、エッチングガスに酸素を含むガスを用いないことで、有機化合物膜１０３Ｒｆの劣化を抑制できる。
【0317】
また、エッチングガスに酸素を含むガスを用いてもよい。エッチングガスが酸素を含むことで、エッチングの速度を速めることができる。したがって、エッチング速度を十分な速さに維持しつつ、低パワーの条件でエッチングを行うことができる。このため、有機化合物膜１０３Ｒｆに与えるダメージを抑制できる。さらに、エッチング時に生じる反応生成物の付着等の不具合を抑制できる。
【0318】
ドライエッチング法を用いる場合、例えば、Ｈ２、ＣＦ４、Ｃ４Ｆ８、ＳＦ６、ＣＨＦ３、Ｃｌ２、Ｈ２Ｏ、ＢＣｌ３、又はＨｅ、Ａｒ等の第１８族元素のうち、一種以上を含むガスをエッチングガスに用いることが好ましい。又は、これらの一種以上と、酸素を含むガスをエッチングガスに用いることが好ましい。又は、酸素ガスをエッチングガスに用いてもよい。具体的には、例えば、Ｈ２とＡｒを含むガス、又は、ＣＦ４とＨｅを含むガスをエッチングガスに用いることができる。また、例えば、ＣＦ４、Ｈｅ、及び酸素を含むガスをエッチングガスに用いることができる。また、例えば、Ｈ２とＡｒを含むガス、及び酸素を含むガスをエッチングガスに用いることができる。
【0319】
以上のように、本発明の一態様では、マスク膜１５９Ｒｆ上にレジストマスク１９０Ｒを形成し、レジストマスク１９０Ｒを用いて、マスク膜１５９Ｒｆの一部を除去することにより、マスク層１５９Ｒを形成する。その後、マスク層１５９Ｒをハードマスクに用いて、有機化合物膜１０３Ｒｆの一部を除去することにより、有機化合物層１０３Ｒを形成する。よって、リソグラフィ法を用いて有機化合物膜１０３Ｒｆを加工することにより、有機化合物層１０３Ｒが形成されるということができる。なお、レジストマスク１９０Ｒを用いて、有機化合物膜１０３Ｒｆの一部を除去してもよい。その後、レジストマスク１９０Ｒを除去してもよい。
【0320】
次に、例えば導電層１５２Ｇの疎水化処理を行うことが好ましい。有機化合物膜１０３Ｒｆの加工時に、例えば導電層１５２Ｇの表面状態が親水性に変化する場合がある。例えば導電層１５２Ｇの疎水化処理を行うことで、例えば導電層１５２Ｇと後の工程で形成される層（ここでは有機化合物層１０３Ｇ）との密着性を高め、膜剥がれを抑制できる。なお、疎水化処理は行わなくてもよい。
【0321】
続いて、図７（Ａ）に示すように、後に有機化合物層１０３Ｇとなる有機化合物膜１０３Ｇｆを、導電層１５２Ｇ上、導電層１５２Ｂ上、絶縁層１５６Ｒ上、絶縁層１５６Ｇ上、絶縁層１５６Ｂ上、マスク層１５９Ｒ上、及び絶縁層１７５上に形成する。
【0322】
有機化合物膜１０３Ｇｆは、有機化合物膜１０３Ｒｆの形成に用いることができる方法と同様の方法で形成できる。また、有機化合物膜１０３Ｇｆは、有機化合物膜１０３Ｒｆと同様の構成とすることができる。
【0323】
続いて、図７（Ａ）に示すように、有機化合物膜１０３Ｇｆ上、及びマスク層１５９Ｒ上に、後に犠牲層１５８Ｇとなる犠牲膜１５８Ｇｆと、後にマスク層１５９Ｇとなるマスク膜１５９Ｇｆと、を順に形成する。その後、レジストマスク１９０Ｇを形成する。犠牲膜１５８Ｇｆ及びマスク膜１５９Ｇｆの材料及び形成方法は、犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆに適用できる条件と同様である。レジストマスク１９０Ｇの材料及び形成方法は、レジストマスク１９０Ｒに適用できる条件と同様である。
【0324】
レジストマスク１９０Ｇは、導電層１５２Ｇと重なる位置に設ける。
【0325】
続いて、図７（Ｂ）に示すように、レジストマスク１９０Ｇを用いて、マスク膜１５９Ｇｆの一部を除去し、マスク層１５９Ｇを形成する。マスク層１５９Ｇは、導電層１５２Ｇ上に残存する。その後、レジストマスク１９０Ｇを除去する。続いて、マスク層１５９Ｇをマスクに用いて、犠牲膜１５８Ｇｆの一部を除去し、犠牲層１５８Ｇを形成する。続いて、有機化合物膜１０３Ｇｆを加工して、有機化合物層１０３Ｇを形成する。例えば、マスク層１５９Ｇ及び犠牲層１５８Ｇをハードマスクに用いて、有機化合物膜１０３Ｇｆの一部を除去し、有機化合物層１０３Ｇを形成する。
【0326】
これにより、図７（Ｂ）に示すように、導電層１５２Ｇ上に、有機化合物層１０３Ｇ、犠牲層１５８Ｇ、及び、マスク層１５９Ｇの積層構造が残存する。また、マスク層１５９Ｒ及び導電層１５２Ｂは露出する。
【0327】
次に、例えば導電層１５２Ｂの疎水化処理を行うことが好ましい。有機化合物膜１０３Ｇｆの加工時に、例えば導電層１５２Ｂの表面状態が親水性に変化する場合がある。例えば導電層１５２Ｂの疎水化処理を行うことで、例えば導電層１５２Ｂと後の工程で形成される層（ここでは有機化合物層１０３Ｂ）との密着性を高め、膜剥がれを抑制できる。なお、疎水化処理は行わなくてもよい。
【0328】
続いて、図７（Ｃ）に示すように、後に有機化合物層１０３Ｂとなる有機化合物膜１０３Ｂｆを、導電層１５２Ｂ上、マスク層１５９Ｒ上、絶縁層１５６Ｒ上、絶縁層１５６Ｇ上、絶縁層１５６Ｂ上、マスク層１５９Ｇ上、及び絶縁層１７５上に形成する。
【0329】
有機化合物膜１０３Ｂｆは、有機化合物膜１０３Ｒｆの形成に用いることができる方法と同様の方法で形成できる。また、有機化合物膜１０３Ｂｆは、有機化合物膜１０３Ｒｆと同様の構成とすることができる。
【0330】
続いて、図７（Ｃ）に示すように、有機化合物膜１０３Ｂｆ上、及びマスク層１５９Ｒ上に、後に犠牲層１５８Ｂとなる犠牲膜１５８Ｂｆと、後にマスク層１５９Ｂとなるマスク膜１５９Ｂｆと、を順に形成する。その後、レジストマスク１９０Ｂを形成する。犠牲膜１５８Ｂｆ及びマスク膜１５９Ｂｆの材料及び形成方法は、犠牲膜１５８Ｒｆ及びマスク膜１５９Ｒｆに適用できる条件と同様である。レジストマスク１９０Ｂの材料及び形成方法は、レジストマスク１９０Ｒに適用できる条件と同様である。
【0331】
レジストマスク１９０Ｂは、導電層１５２Ｂと重なる位置に設ける。
【0332】
続いて、図７（Ｄ）に示すように、レジストマスク１９０Ｂを用いて、マスク膜１５９Ｂｆの一部を除去し、マスク層１５９Ｂを形成する。マスク層１５９Ｂは、導電層１５２Ｂ上に残存する。その後、レジストマスク１９０Ｂを除去する。続いて、マスク層１５９Ｂをマスクに用いて、犠牲膜１５８Ｂｆの一部を除去し、犠牲層１５８Ｂを形成する。続いて、有機化合物膜１０３Ｂｆを加工して、有機化合物層１０３Ｂを形成する。例えば、マスク層１５９Ｂ及び犠牲層１５８Ｂをハードマスクに用いて、有機化合物膜１０３Ｂｆの一部を除去し、有機化合物層１０３Ｂを形成する。
【0333】
これにより、図７（Ｄ）に示すように、導電層１５２Ｂ上に、有機化合物層１０３Ｂ、犠牲層１５８Ｂ、及び、マスク層１５９Ｂの積層構造が残存する。また、マスク層１５９Ｒ、及びマスク層１５９Ｇは露出する。
【0334】
なお、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、有機化合物層１０３Ｂの側面は、それぞれ、被形成面に対して垂直又は概略垂直であることが好ましい。例えば、被形成面と、これらの側面との成す角度を、６０度以上９０度以下とすることが好ましい。
【0335】
上記のように、リソグラフィ法を用いて形成した有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂのうち隣接する２つの間の距離は、８μｍ以下、５μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ以下、又は、１μｍ以下にまで狭めることができる。ここで、当該距離とは、例えば、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂのうち、隣接する２つの対向する端部の間の距離で規定できる。このように、島状の有機化合物層の間の距離を狭めることで、高い精細度と、大きな開口率を有する表示装置を提供できる。また、隣り合う発光デバイス間における第１の電極同士の距離も、狭めることができ、例えば１０μｍ以下、８μｍ以下、５μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ以下とすることができる。なお、隣り合う発光デバイス間における第１の電極同士の距離は２μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。
【0336】
続いて、図８（Ａ）に示すように、マスク層１５９Ｒ、マスク層１５９Ｇ、及びマスク層１５９Ｂを除去することが好ましい。後の工程によっては、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、犠牲層１５８Ｂ、マスク層１５９Ｒ、マスク層１５９Ｇ、及びマスク層１５９Ｂが表示装置に残存する場合がある。この段階でマスク層１５９Ｒ、マスク層１５９Ｇ、及びマスク層１５９Ｂを除去することで、マスク層１５９Ｒ、マスク層１５９Ｇ、及びマスク層１５９Ｂが表示装置に残存することを抑制できる。例えば、マスク層１５９Ｒ、マスク層１５９Ｇ、及びマスク層１５９Ｂに導電材料を用いる場合、マスク層１５９Ｒ、マスク層１５９Ｇ、及びマスク層１５９Ｂを事前に除去しておくことで、残存したマスク層１５９Ｒ、マスク層１５９Ｇ、及びマスク層１５９Ｂによるリーク電流の発生、及び、容量の形成等を抑制できる。
【0337】
なお、本実施の形態では、マスク層１５９Ｒ、マスク層１５９Ｇ、及びマスク層１５９Ｂを除去する場合を例に挙げて説明するが、マスク層１５９Ｒ、マスク層１５９Ｇ、及びマスク層１５９Ｂは除去しなくてもよい。例えば、マスク層１５９Ｒ、マスク層１５９Ｇ、及びマスク層１５９Ｂが、前述の、紫外線に対して遮光性を有する材料を含む場合は、除去せずに次の工程に進むことで、有機化合物層を紫外線から保護でき、好ましい。
【0338】
マスク層の除去工程には、マスク膜の加工工程と同様の方法を用いることができる。特に、ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、マスク層を除去する際に、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂに加わるダメージを低減できる。
【0339】
また、マスク層を、水又はアルコール等の溶媒に溶解させることで除去してもよい。アルコールとしては、エチルアルコール、メチルアルコール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、又はグリセリン等が挙げられる。
【0340】
マスク層を除去した後に、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂに含まれる水、並びに有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂ表面に吸着する水を除去するため、乾燥処理を行ってもよい。例えば、不活性ガス雰囲気又は減圧雰囲気下における加熱処理を行うことができる。加熱処理は、基板温度として５０℃以上２００℃以下、好ましくは６０℃以上１５０℃以下、より好ましくは７０℃以上１２０℃以下の温度で行うことができる。減圧雰囲気とすることで、より低温で乾燥が可能であるため好ましい。
【0341】
続いて、図８（Ｂ）に示すように、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、有機化合物層１０３Ｂ、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂを覆うように、後に無機絶縁層１２５となる無機絶縁膜１２５ｆを形成する。
【0342】
後述するように、無機絶縁膜１２５ｆの上面に接して、後に絶縁層１２７となる絶縁膜１２７ｆが形成される。このため、無機絶縁膜１２５ｆの上面は、当該絶縁膜に用いる材料（例えば、アクリル樹脂を含む感光性の樹脂組成物）に対して親和性が高いことが好ましい。当該親和性を向上させるため、表面処理を行って無機絶縁膜１２５ｆの上面を疎水化すること（又は疎水性を高めること）が好ましい。例えば、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）等のシリル化剤を用いて処理を行うことが好ましい。このように無機絶縁膜１２５ｆの上面を疎水化することにより、絶縁膜１２７ｆを密着性良く形成できる。なお、表面処理としては、前述の疎水化処理を行ってもよい。
【0343】
続いて、図８（Ｃ）に示すように、無機絶縁膜１２５ｆ上に、後に絶縁層１２７となる絶縁膜１２７ｆを形成する。
【0344】
無機絶縁膜１２５ｆ及び絶縁膜１２７ｆは、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂへのダメージが少ない形成方法で成膜されることが好ましい。特に、無機絶縁膜１２５ｆは、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂの側面に接して形成されるため、絶縁膜１２７ｆよりも、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂへのダメージが少ない形成方法で成膜されることが好ましい。
【0345】
また、無機絶縁膜１２５ｆ及び絶縁膜１２７ｆは、それぞれ、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂの耐熱温度よりも低い温度で形成する。また、無機絶縁膜１２５ｆは成膜する際の基板温度を高くすることで、膜厚が薄くても、不純物濃度が低く、水及び酸素の少なくとも一方に対するバリア性の高い膜とすることができる。
【0346】
無機絶縁膜１２５ｆ及び絶縁膜１２７ｆを形成する際の基板温度としては、それぞれ、６０℃以上、８０℃以上、１００℃以上、又は、１２０℃以上、かつ、２００℃以下、１８０℃以下、１６０℃以下、１５０℃以下、又は１４０℃以下であることが好ましい。
【0347】
無機絶縁膜１２５ｆとしては、上記の基板温度の範囲で、３ｎｍ以上、５ｎｍ以上、又は、１０ｎｍ以上、かつ、２００ｎｍ以下、１５０ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、又は、５０ｎｍ以下の厚さの絶縁膜を形成することが好ましい。
【0348】
無機絶縁膜１２５ｆは、例えば、ＡＬＤ法を用いて形成することが好ましい。ＡＬＤ法を用いることで、成膜ダメージを小さくすることができ、また、被覆性の高い膜を成膜可能なため好ましい。無機絶縁膜１２５ｆとしては、例えば、ＡＬＤ法を用いて、酸化アルミニウム膜を形成することが好ましい。
【0349】
そのほか、無機絶縁膜１２５ｆは、ＡＬＤ法よりも成膜速度が速いスパッタリング法、ＣＶＤ法、又は、ＰＥＣＶＤ法を用いて形成してもよい。これにより、信頼性の高い表示装置を生産性高く作製できる。
【0350】
絶縁膜１２７ｆは、前述の湿式の成膜方法を用いて形成することが好ましい。絶縁膜１２７ｆは、例えば、スピンコートにより、感光性材料を用いて形成することが好ましく、より具体的には、アクリル樹脂を含む感光性の樹脂組成物を用いて形成することが好ましい。
【0351】
絶縁膜１２７ｆは、例えば、重合体、酸発生剤、及び溶媒を有する樹脂組成物を用いて形成することが好ましい。重合体は、１種又は複数種の単量体を用いて形成され、１種又は複数種の構造単位（構成単位ともいう）が規則的又は不規則に繰り返された構造を有する。酸発生剤としては、光の照射により酸を発生する化合物、及び、加熱により酸を発生する化合物の一方又は双方を用いることができる。樹脂組成物は、さらに、感光剤、増感剤、触媒、接着助剤、界面活性剤、酸化防止剤のうち一つ又は複数を有していてもよい。
【0352】
また、絶縁膜１２７ｆの形成後に加熱処理（プリベークともいう）を行うことが好ましい。当該加熱処理は、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び、有機化合物層１０３Ｂの耐熱温度よりも低い温度で行う。加熱処理の際の基板温度としては、５０℃以上２００℃以下が好ましく、６０℃以上１５０℃以下がより好ましく、７０℃以上１２０℃以下がさらに好ましい。これにより、絶縁膜１２７ｆ中に含まれる溶媒を除去できる。
【0353】
続いて、露光を行って、絶縁膜１２７ｆの一部に、可視光線又は紫外線を感光させる。ここで、絶縁膜１２７ｆにアクリル樹脂を含むポジ型の感光性の樹脂組成物を用いる場合、後の工程で絶縁層１２７を形成しない領域に可視光線又は紫外線を照射する。絶縁層１２７は、導電層１５２Ｒ、導電層１５２Ｇ、及び導電層１５２Ｂのいずれか２つに挟まれる領域、及び、導電層１５２Ｃの周囲に形成される。このため、導電層１５２Ｒ上、導電層１５２Ｇ上、導電層１５２Ｂ上、及び、導電層１５２Ｃ上に、可視光線又は紫外線を照射する。なお、絶縁膜１２７ｆにネガ型の感光性材料を用いる場合、絶縁層１２７が形成される領域に可視光線又は紫外線を照射する。
【0354】
絶縁膜１２７ｆへの露光領域によって、後に形成する絶縁層１２７の幅を制御できる。本実施の形態では、絶縁層１２７が導電層１５１の上面と重なる部分を有するように加工する。
【0355】
露光に用いる光は、ｉ線（波長３６５ｎｍ）を含むことが好ましい。また、露光に用いる光は、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、及びｈ線（波長４０５ｎｍ）の少なくとも一方を含んでいてもよい。
【0356】
ここで、犠牲層１５８（犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂ）、及び無機絶縁膜１２５ｆの一方又は双方として、酸素に対するバリア絶縁層（例えば、酸化アルミニウム膜等）を設けることで、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂに酸素が拡散することを低減できる。有機化合物層は、光（可視光線又は紫外線）が照射されると、当該有機化合物層に含まれる有機化合物が励起状態となり、雰囲気中に含まれる酸素との反応が促進される場合がある。より具体的には、酸素を有する雰囲気下において、光（可視光線又は紫外線）が有機化合物層に照射されると当該有機化合物層が有する有機化合物に酸素が結合する可能性がある。犠牲層１５８及び無機絶縁膜１２５ｆを島状の有機化合物層上に設けることによって、当該有機化合物層に含まれる有機化合物に雰囲気中の酸素が結合することを低減できる。
【0357】
続いて、図９（Ａ）に示すように、現像を行って、絶縁膜１２７ｆの露光させた領域を除去し、絶縁層１２７ａを形成する。絶縁層１２７ａは、導電層１５２Ｒ、導電層１５２Ｇ、及び導電層１５２Ｂのいずれか２つに挟まれる領域と、導電層１５２Ｃを囲う領域に形成される。ここで、絶縁膜１２７ｆにアクリル樹脂を用いる場合、現像液として、アルカリ性の溶液を用いることができ、例えば、ＴＭＡＨを用いることができる。
【0358】
続いて、現像時の残渣（いわゆるスカム）を除去してもよい。例えば、酸素プラズマを用いたアッシングを行うことで、残渣を除去できる。
【0359】
なお、絶縁層１２７ａの表面の高さを調整するために、エッチングを行ってもよい。絶縁層１２７ａは、例えば、酸素プラズマを用いたアッシングにより加工してもよい。また、絶縁膜１２７ｆとして非感光性の材料を用いる場合においても、例えば当該アッシングにより、絶縁膜１２７ｆの表面の高さを調整できる。
【0360】
続いて、図９（Ｂ）に示すように、絶縁層１２７ａをマスクとして、エッチング処理を行って、無機絶縁膜１２５ｆの一部を除去し、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂの一部の膜厚を薄くする。これにより、絶縁層１２７ａの下に、無機絶縁層１２５が形成される。また、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂの膜厚が薄い部分の表面が露出する。なお、以下では、絶縁層１２７ａをマスクに用いたエッチング処理を、第１のエッチング処理ということがある。
【0361】
第１のエッチング処理は、ドライエッチング又はウェットエッチングによって行うことができる。なお、無機絶縁膜１２５ｆを、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂと同様の材料を用いて成膜していた場合、第１のエッチング処理を一括で行うことができるため、好ましい。
【0362】
側面がテーパ形状である絶縁層１２７ａをマスクとしてエッチングを行うことで、無機絶縁層１２５の側面、及び犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂの側面上端部を比較的容易にテーパ形状にすることができる。
【0363】
ドライエッチングを行う場合、塩素系のガスを用いることが好ましい。塩素系ガスとしては、Ｃｌ２、ＢＣｌ３、ＳｉＣｌ４、及びＣＣｌ４等を、単独又は２以上のガスを混合して用いることができる。また、上記塩素系ガスに、酸素ガス、水素ガス、ヘリウムガス、及びアルゴンガス等を、単独又は２以上のガスを混合して、適宜添加できる。ドライエッチングを用いることにより、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂの膜厚が薄い領域を、良好な面内均一性で形成できる。
【0364】
ドライエッチング装置としては、高密度プラズマ源を有するドライエッチング装置を用いることができる。高密度プラズマ源を有するドライエッチング装置は、例えば、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）エッチング装置を用いることができる。又は、平行平板型電極を有する容量結合型プラズマ（ＣＣＰ：Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）エッチング装置を用いることができる。平行平板型電極を有する容量結合型プラズマエッチング装置は、平行平板型電極の一方の電極に高周波電圧を印加する構成でもよい。又は平行平板型電極の一方の電極に複数の異なった高周波電圧を印加する構成でもよい。又は平行平板型電極それぞれに同じ周波数の高周波電圧を印加する構成でもよい。又は平行平板型電極それぞれに周波数の異なる高周波電圧を印加する構成でもよい。
【0365】
また、ドライエッチングを行う場合、ドライエッチングで生じた副生成物等が、絶縁層１２７ａの上面及び側面等に堆積する場合がある。このため、エッチングガスに含まれる成分、無機絶縁膜１２５ｆに含まれる成分、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂに含まれる成分等が、表示装置完成後の絶縁層１２７に含まれる場合がある。
【0366】
また、第１のエッチング処理をウェットエッチングで行うことが好ましい。ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂに加わるダメージを低減できる。例えば、ウェットエッチングは、アルカリ溶液を用いて行うことができる。例えば、酸化アルミニウム膜のウェットエッチングには、アルカリ溶液であるＴＭＡＨを用いることができる。この場合、パドル方式でウェットエッチングを行うことができる。なお、無機絶縁膜１２５ｆを、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂと同様の材料を用いて成膜していた場合、上記エッチング処理を一括で行うことができるため、好ましい。
【0367】
第１のエッチング処理では、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂを完全に除去せず、膜厚が薄くなった状態でエッチング処理を停止する。このように、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂ上に、対応する犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂを残存させておくことで、後の工程の処理で、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂが損傷することを防ぐことができる。
【0368】
続いて、基板全体に露光を行い、可視光線又は紫外線を絶縁層１２７ａに照射することが好ましい。当該露光のエネルギー密度は、０ｍＪ／ｃｍ２より大きく、８００ｍＪ／ｃｍ２以下とすることが好ましく、０ｍＪ／ｃｍ２より大きく、５００ｍＪ／ｃｍ２以下とすることがより好ましい。現像後にこのような露光を行うことで、絶縁層１２７ａの透明度を向上させることができる場合がある。また、後の工程における、絶縁層１２７ａをテーパ形状に変形させる加熱処理に必要とされる基板温度を低下させることができる場合がある。
【0369】
ここで、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂとして、酸素に対するバリア絶縁層（例えば、酸化アルミニウム膜等）が存在することで、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂに酸素が拡散することを低減できる。有機化合物層は、光（可視光線又は紫外線）が照射されると、当該有機化合物層に含まれる有機化合物が励起状態となり、雰囲気中に含まれる酸素との反応が促進される場合がある。より具体的には、酸素を有する雰囲気下において、光（可視光線又は紫外線）が有機化合物層に照射されると当該有機化合物層が有する有機化合物に酸素が結合する可能性がある。犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂを島状の有機化合物層上に設けることによって、当該有機化合物層に含まれる有機化合物に雰囲気中の酸素が結合することを低減できる。
【0370】
続いて、加熱処理（ポストベークともいう）を行う。加熱処理を行うことで、絶縁層１２７ａを、側面にテーパ形状を有する絶縁層１２７に変形させることができる（図９（Ｃ））。当該加熱処理は、有機化合物層の耐熱温度よりも低い温度で行う。加熱処理は、基板温度として５０℃以上２００℃以下、好ましくは６０℃以上１５０℃以下、より好ましくは７０℃以上１３０℃以下の温度で行うことができる。加熱雰囲気は、大気雰囲気であってもよく、不活性ガス雰囲気であってもよい。また、加熱雰囲気は、大気圧雰囲気であってもよく、減圧雰囲気であってもよい。本工程の加熱処理は、絶縁膜１２７ｆの形成後の加熱処理（プリベーク）よりも、基板温度を高くすることが好ましい。これにより、絶縁層１２７と無機絶縁層１２５との密着性を向上させ、絶縁層１２７の耐食性も向上させることができる。
【0371】
第１のエッチング処理にて、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂを完全に除去せず、膜厚が薄くなった状態の犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂを残存させておくことで、当該加熱処理において、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂがダメージを受けて劣化することを防ぐことができる。したがって、発光デバイスの信頼性を高めることができる。
【0372】
なお、絶縁層１２７の材料、並びに、ポストベークの温度、時間、及び雰囲気によっては、絶縁層１２７の側面に凹曲面形状が形成される場合がある。例えば、ポストベークの条件で、温度が高い、又は、時間が長いほど、絶縁層１２７の形状が変化しやすく、凹曲面形状が形成される場合がある。
【0373】
続いて、図１０（Ａ）に示すように、絶縁層１２７をマスクとして、エッチング処理を行って、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂの一部を除去する。なお、無機絶縁層１２５の一部も除去される場合がある。これにより、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂそれぞれに開口が形成され、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、有機化合物層１０３Ｂ、及び導電層１５２Ｃの上面が露出する。なお、以下では、絶縁層１２７をマスクに用いたエッチング処理を、第２のエッチング処理ということがある。
【0374】
無機絶縁層１２５の端部は絶縁層１２７で覆われている。また、図１０（Ａ）では、犠牲層１５８Ｇの端部の一部（具体的には、第１のエッチング処理により形成されたテーパ形状の部分）を絶縁層１２７が覆い、第２のエッチング処理により形成されたテーパ形状の部分は露出している例を示す。
【0375】
第１のエッチング処理を行わず、ポストベーク後に、一括で無機絶縁層１２５とマスク層のエッチング処理を行うと、サイドエッチングにより、絶縁層１２７の端部の下の無機絶縁層１２５及びマスク層が消失し、空洞が形成される場合がある。当該空洞によって、共通電極１５５を形成する面に凹凸が生じ、共通電極１５５に段切れが生じやすくなる。第１のエッチング処理で無機絶縁層１２５及びマスク層がサイドエッチングされて空洞が生じても、その後にポストベークを行うことで、絶縁層１２７が当該空洞を埋めることができる。その後、第２のエッチング処理ではより厚さが薄くなったマスク層をエッチングするため、サイドエッチングされる量が少なく、空洞が形成されにくくなり、空洞が形成されるとしても極めて小さくできる。このため、共通電極１５５を形成する面をより平坦にできる。
【0376】
なお、絶縁層１２７は、犠牲層１５８Ｇの端部全体を覆っていてもよい。例えば、絶縁層１２７の端部が垂れて、犠牲層１５８Ｇの端部を覆う場合がある。また、例えば、絶縁層１２７の端部が、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂの少なくとも一つの上面に接する場合がある。前述の通り、現像後の絶縁層１２７ａに露光を行わない場合には、絶縁層１２７の形状が変化しやすいことがある。
【0377】
第２のエッチング処理はウェットエッチングで行う。ウェットエッチング法を用いることで、ドライエッチング法を用いる場合に比べて、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂに加わるダメージを低減できる。ウェットエッチングは、例えばＴＭＡＨ等のアルカリ溶液を用いて行うことができる。
【0378】
一方、ウェットエッチング法を用いて第２のエッチング処理を行う場合、例えば有機化合物層１０３と他の層との密着性の問題により、有機化合物層１０３と犠牲層１５８の間、有機化合物層１０３と無機絶縁層１２５の間、及び有機化合物層１０３と絶縁層１７５の界面に隙間が空いていると、第２のエッチング処理で用いる薬液が当該隙間に侵入し、薬液が画素電極と接触する場合がある。ここで、導電層１５１と導電層１５２の両方に薬液が接触すると、導電層１５１と導電層１５２のうち、自然電位が低い導電層がガルバニック腐食により腐食する場合がある。例えば、導電層１５１としてアルミニウムを用い、導電層１５２としてインジウム錫酸化物を用いると、導電層１５２が腐食する場合がある。以上より、表示装置の歩留まりが低下する場合がある。また、表示装置の信頼性が低下する場合がある。
【0379】
前述のように、導電層１５１の側面と重なる領域を有するように絶縁層１５６を形成し、導電層１５１の側面、および導電層１５２の側面を覆うように絶縁層１５６を形成することで、無機絶縁層１２５の段切れを防ぐことができるため、例えば第２のエッチング処理において薬液が導電層１５１などの下層構造に接触することを防ぐことができる。これにより、画素電極の腐食を防ぐことができる。
【0380】
上記のように、絶縁層１２７、無機絶縁層１２５、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び、犠牲層１５８Ｂを設けることにより、各発光デバイス間において、共通電極１５５に、分断された箇所に起因する接続不良、及び局所的に膜厚が薄い箇所に起因する電気抵抗の上昇が発生することを抑制できる。これにより、本発明の一態様の表示装置は、表示品位を向上させることができる。
【0381】
また、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂの一部を露出した後、さらに加熱処理を行う。当該加熱処理により、各有機化合物層に含まれる水、各有機化合物層表面に吸着する水等を除去することができる。また、当該加熱処理により、絶縁層１２７の形状が変化することがある。具体的には、絶縁層１２７が、無機絶縁層１２５の端部、犠牲層１５８Ｒ、犠牲層１５８Ｇ、及び犠牲層１５８Ｂの端部、及び、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂの上面のうち、少なくとも一つを覆うように広がることがある。
【0382】
当該加熱処理の温度が低すぎると、各有機化合物層に含まれる水、各有機化合物層表面に吸着する水等を十分に除去することができない。また、当該加熱処理の温度が高すぎると、有機化合物層１０３の劣化、および、絶縁層１２７の形状の過剰な変化が起きる可能性がある。従って、加熱処理は、有機化合物層１０３から水が脱離する温度より高く、有機化合物層１０３に含まれる有機化合物のガラス転移温度より低い温度が好ましく、有機化合物層１０３の上面に含まれる有機化合物のガラス転移温度より低い温度が好ましい。具体的には、基板温度として８０℃以上１３０℃以下、好ましくは９０℃以上１２０℃以下、より好ましくは１００℃以上１２０℃以下、さらに好ましくは１００℃以上１１０℃以下の温度で行うことが好ましい。加熱雰囲気は、大気雰囲気であってもよく、不活性ガス雰囲気であってもよい。また、加熱雰囲気は、大気圧雰囲気であってもよく、減圧雰囲気であってもよいが、有機化合物層１０３から脱離した水が再吸着しないためには減圧雰囲気が好ましい。
【0383】
当該加熱処理により、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び有機化合物層１０３Ｂの劣化、および、絶縁層１２７の形状の過剰な変化を起こすことなく、各有機化合物層に含まれる水、各有機化合物層表面に吸着する水等を十分除去することができる。これによって、発光デバイスの特性の低下を防ぐことができる。
【0384】
続いて、図１０（Ｂ）に示すように、有機化合物層１０３Ｒ上、有機化合物層１０３Ｇ上、有機化合物層１０３Ｂ上、導電層１５２Ｃ上、及び絶縁層１２７上に共通層１０４および共通電極１５５を形成する。共通層１０４および共通電極１５５は、スパッタリング法、又は真空蒸着法等の方法で形成できる。蒸着法により共通層１０４を形成し、スパッタリング法により共通電極１５５を形成してもよい。
【0385】
続いて、図１０（Ｃ）に示すように、共通電極１５５上に保護層１３１を形成する。保護層１３１は、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、又はＡＬＤ法等の方法で形成できる。
【0386】
続いて、樹脂層１２２を用いて、保護層１３１上に、基板１２０を貼り合わせることで、表示装置を作製できる。前述のように、本発明の一態様の表示装置の作製方法では、導電層１５１の側面と導電層１５２の側面とに絶縁層１５６を設ける。これにより、表示装置の歩留まりを高め、また不良の発生を抑制できる。
【0387】
以上のように、本発明の一態様の表示装置の作製方法では、島状の有機化合物層１０３Ｒ、島状の有機化合物層１０３Ｇ、及び島状の有機化合物層１０３Ｂは、ファインメタルマスクを用いて形成されるのではなく、膜を一面に成膜した後に加工することで形成されるため、島状の層を均一の厚さで形成できる。そして、高精細な表示装置又は高開口率の表示装置を実現できる。また、精細度又は開口率が高く、副画素間の距離が極めて短くても、隣接する副画素において、有機化合物層１０３Ｒ、有機化合物層１０３Ｇ、及び、有機化合物層１０３Ｂが互いに接することを抑制できる。したがって、副画素間にリーク電流が発生することを抑制できる。これにより、クロストークを防ぐことができ、コントラストの極めて高い表示装置を実現できる。また、リソグラフィ法を用いて作製されたタンデム型の発光デバイスを有する表示装置であっても、良好な特性の表示装置を提供することができる。
【0388】
本実施の形態の構成は、他の実施の形態の構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【0389】
【0390】
［画素のレイアウト］
本実施の形態では、主に、図３（Ａ）とは異なる画素レイアウトについて説明する。副画素の配列に特に限定はなく、様々な方法を適用できる。副画素の配列としては、例えば、ストライプ配列、Ｓストライプ配列、マトリクス配列、デルタ配列、ベイヤー配列、及びペンタイル配列が挙げられる。
本実施の形態では、主に、図３（Ａ）とは異なる画素レイアウトについて説明する。副画素の配列に特に限定はなく、様々な方法を適用できる。副画素の配列としては、例えば、ストライプ配列、Ｓストライプ配列、マトリクス配列、デルタ配列、ベイヤー配列、及びペンタイル配列が挙げられる。
【0391】
本実施の形態で図に示す副画素の上面形状は、発光領域の上面形状に相当する。
【0392】
なお、副画素の上面形状としては、例えば、三角形、四角形（長方形、正方形を含む）、五角形等の多角形、これら多角形の角が丸い形状、楕円形、又は円形等が挙げられる。
【0393】
また、副画素を構成する回路レイアウトは、図に示す副画素の範囲に限定されず、その外側に配置されていてもよい。
【0394】
【0395】
図１１（Ｂ）に示す画素１７８は、角が丸い略台形または略三角形を有する副画素１１０Ｒと、角が丸い略台形または略三角形を有する副画素１１０Ｇと、角が丸い略四角形又は略六角形の上面形状を有する副画素１１０Ｂと、を有する。また、副画素１１０Ｒは、副画素１１０Ｇよりも発光面積が広い。このように、各副画素の形状及びサイズはそれぞれ独立に決定できる。例えば、信頼性の高い発光デバイスを有する副画素ほど、サイズを小さくすることができる。
【0396】
図１１（Ｃ）に示す画素１２４ａ、及び画素１２４ｂには、ペンタイル配列が適用されている。図１１（Ｃ）では、副画素１１０Ｒ及び副画素１１０Ｇを有する画素１２４ａと、副画素１１０Ｇ及び副画素１１０Ｂを有する画素１２４ｂと、が交互に配置されている例を示す。
【0397】
図１１（Ｄ）乃至図１１（Ｆ）に示す画素１２４ａ、及び画素１２４ｂは、デルタ配列が適用されている。画素１２４ａは上の行（１行目）に、２つの副画素（副画素１１０Ｒ、及び副画素１１０Ｇ）を有し、下の行（２行目）に、１つの副画素（副画素１１０Ｂ）を有する。画素１２４ｂは上の行（１行目）に、１つの副画素（副画素１１０Ｂ）を有し、下の行（２行目）に、２つの副画素（副画素１１０Ｒ、及び副画素１１０Ｇ）を有する。
【0398】
図１１（Ｄ）は、各副画素が、角が丸い略四角形の上面形状を有する例であり、図１１（Ｅ）は、各副画素が、円形の上面形状を有する例であり、図１１（Ｆ）は、各副画素が、角が丸い略六角形の上面形状を有する例である。
【0399】
図１１（Ｆ）では、各副画素が、密に配列した六角形の領域の内側に配置されている。各副画素は、その１つの副画素に着目したとき、６つの副画素に囲まれるように、配置されている。また、同じ色の光を呈する副画素が隣り合わないように設けられている。例えば、副画素１１０Ｒに着目したとき、これを囲むように３つの副画素１１０Ｇと３つの副画素１１０Ｂが、交互に配置されるように、それぞれの副画素が設けられている。
【0400】
図１１（Ｇ）は、各色の副画素がジグザグに配置されている例である。具体的には、上面視において、行方向に並ぶ２つの副画素（例えば、副画素１１０Ｒと副画素１１０Ｇ、又は、副画素１１０Ｇと副画素１１０Ｂ）の上辺の位置がずれている。
【0401】
図１１（Ａ）乃至図１１（Ｇ）に示す各画素において、例えば、副画素１１０Ｒを赤色の光を呈する副画素Ｒとし、副画素１１０Ｇを緑色の光を呈する副画素Ｇとし、副画素１１０Ｂを青色の光を呈する副画素Ｂとすることが好ましい。なお、副画素の構成はこれに限定されず、副画素が呈する色とその並び順は適宜決定できる。例えば、副画素１１０Ｇを赤色の光を呈する副画素Ｒとし、副画素１１０Ｒを緑色の光を呈する副画素Ｇとしてもよい。
【0402】
フォトリソグラフィ法では、加工するパターンが微細になるほど、光の回折の影響を無視できなくなるため、露光によりフォトマスクのパターンを転写する際に忠実性が損なわれ、レジストマスクを所望の形状に加工することが困難になる。そのため、フォトマスクのパターンが矩形であっても、角が丸まったパターンが形成されやすい。したがって、副画素の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、又は円形等になることがある。
【0403】
さらに、本発明の一態様の発光装置の作製方法では、レジストマスクを用いて有機化合物層を島状に加工する。有機化合物層上に形成したレジスト膜は、有機化合物層の耐熱温度よりも低い温度で硬化する必要がある。そのため、有機化合物層の材料の耐熱温度及びレジスト材料の硬化温度によっては、レジスト膜の硬化が不十分になる場合がある。硬化が不十分なレジスト膜は、加工時に所望の形状から離れた形状をとることがある。その結果、有機化合物層の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、又は円形等になることがある。例えば、上面形状が正方形のレジストマスクを形成しようとした場合に、円形の上面形状のレジストマスクが形成され、有機化合物層の上面形状が円形になることがある。
【0404】
なお、有機化合物層の上面形状を所望の形状とするために、設計パターンと、転写パターンとが、一致するように、あらかじめマスクパターンを補正する技術（ＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ：光近接効果補正）技術）を用いてもよい。具体的には、ＯＰＣ技術では、例えばマスクパターン上の図形コーナー部に補正用のパターンを追加する。
【0405】
【0406】
【0407】
図１２（Ａ）は、各副画素が、長方形の上面形状を有する例であり、図１２（Ｂ）は、各副画素が、２つの半円と長方形をつなげた上面形状を有する例であり、図１２（Ｃ）は、各副画素が、楕円形の上面形状を有する例である。
【0408】
【0409】
【0410】
【0411】
図１２（Ｇ）に示す画素１７８は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０Ｂ）を有し、下の行（２行目）に、１つの副画素（副画素１１０Ｗ）を有する。言い換えると、画素１７８は、左の列（１列目）に、副画素１１０Ｒを有し、中央の列（２列目）に副画素１１０Ｇを有し、右の列（３列目）に副画素１１０Ｂを有し、さらに、この３列にわたって、副画素１１０Ｗを有する。
【0412】
図１２（Ｈ）に示す画素１７８は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０Ｂ）を有し、下の行（２行目）に、３つの副画素１１０Ｗを有する。言い換えると、画素１７８は、左の列（１列目）に、副画素１１０Ｒ及び副画素１１０Ｗを有し、中央の列（２列目）に副画素１１０Ｇ及び副画素１１０Ｗを有し、右の列（３列目）に副画素１１０Ｂ及び副画素１１０Ｗを有する。図１２（Ｈ）に示すように、上の行と下の行との副画素の配置を揃える構成とすることで、例えば製造プロセスで生じうるゴミを効率よく除去することが可能となる。したがって、表示品位の高い発光装置を提供できる。
【0413】
【0414】
図１２（Ｉ）では、１つの画素１７８が、３行２列で構成されている例を示す。
【0415】
図１２（Ｉ）に示す画素１７８は、上の行（１行目）に、副画素１１０Ｒを有し、中央の行（２行目）に、副画素１１０Ｇを有し、１行目から２行目にわたって副画素１１０Ｂを有し、下の行（３行目）に、１つの副画素（副画素１１０Ｗ）を有する。言い換えると、画素１７８は、左の列（１列目）に、副画素１１０Ｒ、及び副画素１１０Ｇを有し、右の列（２列目）に副画素１１０Ｂを有し、さらに、この２列にわたって、副画素１１０Ｗを有する。
【0416】
図１２（Ｉ）に示す画素１７８では、副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、及び副画素１１０ＢのレイアウトがいわゆるＳストライプ配列となるため、表示品位を高めることができる。
【0417】
図１２（Ａ）乃至図１２（Ｉ）に示す画素１７８は、副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、副画素１１０Ｂ、及び副画素１１０Ｗの、４つの副画素から構成される。例えば、副画素１１０Ｒを赤色の光を呈する副画素とし、副画素１１０Ｇを緑色の光を呈する副画素とし、副画素１１０Ｂを青色の光を呈する副画素とし、副画素１１０Ｗを白色の光を呈する副画素とすることができる。なお、副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、副画素１１０Ｂ、及び副画素１１０Ｗのうち少なくとも１つを、シアンの光を呈する副画素、マゼンタの光を呈する副画素、黄色の光を呈する副画素、又は近赤外光を呈する副画素としてもよい。
【0418】
以上のように、本発明の一態様の発光装置は、発光デバイスを有する副画素からなる構成の画素について、様々なレイアウトを適用できる。
【0419】
本実施の形態は、他の実施の形態、又は実施例と適宜組み合わせることができる。また、本明細書において、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、構成例を適宜組み合わせることが可能である。
【0420】
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について説明する。
【0421】
本実施の形態の表示装置は、高精細な表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、腕時計型、および、ブレスレット型等の情報端末機（ウェアラブル機器）の表示部、並びに、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）等のＶＲ向け機器、および、メガネ型のＡＲ向け機器等の頭部に装着可能なウェアラブル機器の表示部に用いることができる。
【0422】
また、本実施の形態の表示装置は、高解像度の表示装置又は大型な表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用等のモニタ、デジタルサイネージ、および、パチンコ機等の大型ゲーム機等の比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、および、音響再生装置の表示部に用いることができる。
【0423】
［表示モジュール］
図１３（Ａ）に、表示モジュール２８０の斜視図を示す。表示モジュール２８０は、表示装置１００Ａと、ＦＰＣ２９０と、を有する。なお、表示モジュール２８０が有する表示装置は表示装置１００Ａに限られず、後述する表示装置１００Ｂ乃至表示装置１００Ｅのいずれかであってもよい。
図１３（Ａ）に、表示モジュール２８０の斜視図を示す。表示モジュール２８０は、表示装置１００Ａと、ＦＰＣ２９０と、を有する。なお、表示モジュール２８０が有する表示装置は表示装置１００Ａに限られず、後述する表示装置１００Ｂ乃至表示装置１００Ｅのいずれかであってもよい。
【0424】
表示モジュール２８０は、基板２９１および基板２９２を有する。表示モジュール２８０は、表示部２８１を有する。表示部２８１は、表示モジュール２８０における画像を表示する領域であり、後述する画素部２８４に設けられる各画素からの光を視認できる領域である。
【0425】
図１３（Ｂ）に、基板２９１側の構成を模式的に示した斜視図を示している。基板２９１上には、回路部２８２と、回路部２８２上の画素回路部２８３と、画素回路部２８３上の画素部２８４と、が積層されている。また、基板２９１上の画素部２８４と重ならない部分に、ＦＰＣ２９０と接続するための端子部２８５が設けられている。端子部２８５と回路部２８２とは、複数の配線により構成される配線部２８６により電気的に接続されている。
【0426】
画素部２８４は、周期的に配列した複数の画素２８４ａを有する。図１３（Ｂ）の右側に、１つの画素２８４ａの拡大図を示している。画素２８４ａには、先の実施の形態で説明した各種構成を適用できる。
【0427】
画素回路部２８３は、周期的に配列した複数の画素回路２８３ａを有する。
【0428】
１つの画素回路２８３ａは、１つの画素２８４ａが有する複数の素子の駆動を制御する回路である。
【0429】
回路部２８２は、画素回路部２８３の各画素回路２８３ａを駆動する回路を有する。例えば、ゲート線駆動回路、および、ソース線駆動回路の一方又は双方を有することが好ましい。このほか、演算回路、メモリ回路、および電源回路等の少なくとも一つを有していてもよい。
【0430】
ＦＰＣ２９０は、外部から回路部２８２にビデオ信号又は電源電位等を供給するための配線として機能する。また、ＦＰＣ２９０上にＩＣが実装されていてもよい。
【0431】
表示モジュール２８０は、画素部２８４の下側に画素回路部２８３および回路部２８２の一方又は双方が積層された構成とすることができるため、表示部２８１の開口率（有効表示面積比）を極めて高くすることができる。
【0432】
このような表示モジュール２８０は、極めて高精細であることから、ＨＭＤ等のＶＲ向け機器又はメガネ型のＡＲ向け機器に好適に用いることができる。例えば、レンズを通して表示モジュール２８０の表示部を視認する構成の場合であっても、表示モジュール２８０は極めて高精細な表示部２８１を有するためにレンズで表示部を拡大しても画素が視認されず、没入感の高い表示を行うことができる。また、表示モジュール２８０はこれに限られず、比較的小型の表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。
【0433】
［表示装置１００Ａ］
図１４（Ａ）に示す表示装置１００Ａは、基板３０１、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、発光デバイス１３０Ｂ、容量２４０、および、トランジスタ３１０を有する。
図１４（Ａ）に示す表示装置１００Ａは、基板３０１、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、発光デバイス１３０Ｂ、容量２４０、および、トランジスタ３１０を有する。
【0434】
基板３０１は、図１３（Ａ）および図１３（Ｂ）における基板２９１に相当する。トランジスタ３１０は、基板３０１にチャネル形成領域を有するトランジスタである。基板３０１としては、例えば単結晶シリコン基板等の半導体基板を用いることができる。トランジスタ３１０は、基板３０１の一部、導電層３１１、低抵抗領域３１２、絶縁層３１３、および、絶縁層３１４を有する。導電層３１１は、ゲート電極として機能する。絶縁層３１３は、基板３０１と導電層３１１の間に位置し、ゲート絶縁層として機能する。低抵抗領域３１２は、基板３０１に不純物がドープされた領域であり、ソース又はドレインとして機能する。絶縁層３１４は、導電層３１１の側面を覆って設けられる。
【0435】
また、基板３０１に埋め込まれるように、隣接する２つのトランジスタ３１０の間に素子分離層３１５が設けられている。
【0436】
また、トランジスタ３１０を覆って絶縁層２６１が設けられ、絶縁層２６１上に容量２４０が設けられている。
【0437】
容量２４０は、導電層２４１と、導電層２４５と、これらの間に位置する絶縁層２４３を有する。導電層２４１は、容量２４０の一方の電極として機能し、導電層２４５は、容量２４０の他方の電極として機能し、絶縁層２４３は、容量２４０の誘電体として機能する。
【0438】
導電層２４１は絶縁層２６１上に設けられ、絶縁層２５４に埋め込まれている。導電層２４１は、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソース又はドレインの一方と電気的に接続されている。絶縁層２４３は導電層２４１を覆って設けられる。導電層２４５は、絶縁層２４３を介して導電層２４１と重なる領域に設けられている。
【0439】
容量２４０を覆って、絶縁層２５５が設けられ、絶縁層２５５上に絶縁層１７４が設けられ、絶縁層１７４上に絶縁層１７５が設けられている。絶縁層１７５上に発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、および、発光デバイス１３０Ｂが設けられている。隣り合う発光デバイスの間の領域には、絶縁物が設けられる。
【0440】
導電層１５１Ｒの側面と重なる領域を有するように絶縁層１５６Ｒが設けられ、導電層１５１Ｇの側面と重なる領域を有するように絶縁層１５６Ｇが設けられ、導電層１５１Ｂの側面と重なる領域を有するように絶縁層１５６Ｂが設けられる。また、導電層１５１Ｒおよび絶縁層１５６Ｒを覆うように導電層１５２Ｒが設けられ、導電層１５１Ｇおよび絶縁層１５６Ｇを覆うように導電層１５２Ｇが設けられ、導電層１５１Ｂおよび絶縁層１５６Ｂを覆うように導電層１５２Ｂが設けられる。有機化合物層１０３Ｒ上には、犠牲層１５８Ｒが位置し、有機化合物層１０３Ｇ上には、犠牲層１５８Ｇが位置し、有機化合物層１０３Ｂ上には、犠牲層１５８Ｂが位置する。
【0441】
導電層１５１Ｒ、導電層１５１Ｇ、および導電層１５１Ｂは、絶縁層２４３、絶縁層２５５、絶縁層１７４、および絶縁層１７５に埋め込まれたプラグ２５６、絶縁層２５４に埋め込まれた導電層２４１、および、絶縁層２６１に埋め込まれたプラグ２７１によってトランジスタ３１０のソース又はドレインの一方と電気的に接続されている。プラグには各種導電材料を用いることができる。
【0442】
また、発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、および、発光デバイス１３０Ｂ上には保護層１３１が設けられている。保護層１３１上には、樹脂層１２２によって基板１２０が貼り合わされている。発光デバイス１３０から基板１２０までの構成要素についての詳細は、実施の形態４を参照できる。基板１２０は、図１３（Ａ）における基板２９２に相当する。
【0443】
図１４（Ｂ）は、図１４（Ａ）に示す表示装置１００Ａの変形例である。図１４（Ｂ）に示す表示装置は、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、および着色層１３２Ｂを有し、発光デバイス１３０が着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、および着色層１３２Ｂのうち一つと重なる領域を有する。図１４（Ｂ）に示す表示装置において、発光デバイス１３０は、例えば白色光を発することができる。また、例えば着色層１３２Ｒは赤色の光を透過し、着色層１３２Ｇは緑色の光を透過し、着色層１３２Ｂは青色の光を透過できる。
【0444】
【0445】
表示装置１００Ｂは、基板３５２と基板３５１とが貼り合わされた構成を有する。図１５では、基板３５２を破線で示している。
【0446】
表示装置１００Ｂは、画素部１７７、接続部１４０、回路３５６、および配線３５５等を有する。図１５では表示装置１００ＢにＩＣ３５４およびＦＰＣ３５３が実装されている例を示している。このため、図１５に示す構成は、表示装置１００Ｂと、ＩＣ（集積回路）と、ＦＰＣと、を有する表示モジュールということもできる。ここで、表示装置の基板に、ＦＰＣ等のコネクタが取り付けられたもの、又は当該基板にＩＣが実装されたものを、表示モジュールと呼ぶ。
【0447】
接続部１４０は、画素部１７７の外側に設けられる。接続部１４０は、単数であっても複数であってもよい。接続部１４０は、発光デバイスの共通電極と、導電層とが電気的に接続されており、共通電極に電位を供給できる。
【0448】
回路３５６としては、例えば走査線駆動回路を用いることができる。
【0449】
配線３５５は、画素部１７７および回路３５６に信号および電力を供給する機能を有する。当該信号および電力は、ＦＰＣ３５３を介して外部から、又はＩＣ３５４から配線３５５に入力される。
【0450】
図１５では、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式又はＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ）方式等により、基板３５１にＩＣ３５４が設けられている例を示す。ＩＣ３５４は、例えば走査線駆動回路又は信号線駆動回路等を有するＩＣを適用できる。なお、表示装置１００Ｂおよび表示モジュールは、ＩＣを設けない構成としてもよい。また、ＩＣを、例えばＣＯＦ方式により、ＦＰＣに実装してもよい。
【0451】
図１６に、図１５における表示装置１００Ｂの、ＦＰＣ３５３を含む領域の一部、回路３５６の一部、画素部１７７の一部、接続部１４０の一部、および、端部を含む領域の一部をそれぞれ切断したときの断面の一例を表示装置１００Ｃとして示す。
【0452】
［表示装置１００Ｃ］
図１６に示す表示装置１００Ｃは、基板３５１と基板３５２の間に、トランジスタ２０１、トランジスタ２０５、赤色の光を発する発光デバイス１３０Ｒ、緑色の光を発する発光デバイス１３０Ｇ、および、青色の光を発する発光デバイス１３０Ｂ等を有する。
図１６に示す表示装置１００Ｃは、基板３５１と基板３５２の間に、トランジスタ２０１、トランジスタ２０５、赤色の光を発する発光デバイス１３０Ｒ、緑色の光を発する発光デバイス１３０Ｇ、および、青色の光を発する発光デバイス１３０Ｂ等を有する。
【0453】
発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、および発光デバイス１３０Ｂの詳細は実施の形態４を参照できる。
【0454】
発光デバイス１３０Ｒは、導電層２２４Ｒと、導電層２２４Ｒ上の導電層１５１Ｒと、導電層１５１Ｒ上の導電層１５２Ｒと、を有する。発光デバイス１３０Ｇは、導電層２２４Ｇと、導電層２２４Ｇ上の導電層１５１Ｇと、導電層１５１Ｇ上の導電層１５２Ｇと、を有する。発光デバイス１３０Ｂは、導電層２２４Ｂと、導電層２２４Ｂ上の導電層１５１Ｂと、導電層１５１Ｂ上の導電層１５２Ｂと、を有する。
【0455】
導電層２２４Ｒは、絶縁層２１４に設けられた開口を介して、トランジスタ２０５が有する導電層２２２ｂと接続されている。導電層２２４Ｒの端部よりも外側に導電層１５１Ｒの端部が位置している。導電層１５１Ｒの側面と接する領域を有するように絶縁層１５６Ｒが設けられ、導電層１５１Ｒおよび絶縁層１５６Ｒを覆うように導電層１５２Ｒが設けられる。
【0456】
発光デバイス１３０Ｇにおける導電層２２４Ｇ、導電層１５１Ｇ、導電層１５２Ｇ、絶縁層１５６Ｇ、および発光デバイス１３０Ｂにおける導電層２２４Ｂ、導電層１５１Ｂ、導電層１５２Ｂ、絶縁層１５６Ｂについては、発光デバイス１３０Ｒにおける導電層２２４Ｒ、導電層１５１Ｒ、導電層１５２Ｒ、絶縁層１５６Ｒと同様であるため詳細な説明は省略する。
【0457】
導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、および導電層２２４Ｂには、絶縁層２１４に設けられた開口を覆うように凹部が形成される。当該凹部には、層１２８が埋め込まれている。
【0458】
層１２８は、導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、および導電層２２４Ｂの凹部を埋め、平坦化する機能を有する。導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、および導電層２２４Ｂおよび層１２８上には、導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、および導電層２２４Ｂと電気的に接続される導電層１５１Ｒ、導電層１５１Ｇ、および導電層１５１Ｂが設けられている。したがって、導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、および導電層２２４Ｂの凹部と重なる領域も発光領域として使用でき、画素の開口率を高めることができる。
【0459】
層１２８は、絶縁層であってもよく、導電層であってもよい。層１２８には、各種無機絶縁材料、有機絶縁材料、および導電材料を適宜用いることができる。特に、層１２８は、絶縁材料を用いて形成されることが好ましく、有機絶縁材料を用いて形成されることが特に好ましい。層１２８には、例えば前述の絶縁層１２７に用いることができる有機絶縁材料を適用できる。
【0460】
発光デバイス１３０Ｒ、発光デバイス１３０Ｇ、および発光デバイス１３０Ｂ上には保護層１３１が設けられている。保護層１３１と基板３５２は接着層１４２を介して接着されている。基板３５２には、遮光層１５７が設けられている。発光デバイス１３０の封止には、固体封止構造又は中空封止構造等が適用できる。図１６では、基板３５２と基板３５１との間の空間が、接着層１４２で充填されており、固体封止構造が適用されている。又は、当該空間を不活性ガス（窒素又はアルゴン等）で充填し、中空封止構造を適用してもよい。このとき、接着層１４２は、発光デバイスと重ならないように設けられていてもよい。また、当該空間を、枠状に設けられた接着層１４２とは異なる樹脂で充填してもよい。
【0461】
図１６では、接続部１４０が、導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、および導電層２２４Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電層２２４Ｃと、導電層１５１Ｒ、導電層１５１Ｇ、および導電層１５１Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電層１５１Ｃと、導電層１５２Ｒ、導電層１５２Ｇ、および導電層１５２Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電層１５２Ｃと、を有する例を示している。また、図１６では、導電層１５１Ｃの側面と重なる領域を有するように絶縁層１５６Ｃが設けられる例を示している。
【0462】
表示装置１００Ｃは、トップエミッション型である。発光デバイスが発する光は、基板３５２側に射出される。基板３５２には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。画素電極は可視光を反射する材料を含み、対向電極（共通電極１５５）は可視光を透過する材料を含む。
【0463】
基板３５１上には、絶縁層２１１、絶縁層２１３、絶縁層２１５、および絶縁層２１４がこの順で設けられている。絶縁層２１１は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１３は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１５は、トランジスタを覆って設けられる。絶縁層２１４は、トランジスタを覆って設けられ、平坦化層としての機能を有する。なお、ゲート絶縁層の数およびトランジスタを覆う絶縁層の数は限定されず、それぞれ単層であっても２層以上であってもよい。
【0464】
絶縁層２１１、絶縁層２１３、および絶縁層２１５としては、それぞれ、無機絶縁膜を用いることが好ましい。
【0465】
平坦化層として機能する絶縁層２１４には、有機絶縁層が好適である。
【0466】
トランジスタ２０１およびトランジスタ２０５は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、ソースおよびドレインとして機能する導電層２２２ａおよび導電層２２２ｂ、半導体層２３１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１３、並びに、ゲートとして機能する導電層２２３を有する。
【0467】
基板３５１の、基板３５２が重ならない領域には、接続部２０４が設けられている。接続部２０４では、トランジスタ２０１のソース電極またはドレイン電極が導電層１６６および接続層２４２を介してＦＰＣ３５３と電気的に接続されている。導電層１６６は、導電層２２４Ｒ、導電層２２４Ｇ、および導電層２２４Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１５１Ｒ、導電層１５１Ｇ、および導電層１５１Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１５２Ｒ、導電層１５２Ｇ、および導電層１５２Ｂと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、の積層構造である例を示す。接続部２０４の上面では、導電層１６６が露出している。これにより、接続部２０４とＦＰＣ３５３とを接続層２４２を介して電気的に接続できる。
【0468】
基板３５２の基板３５１側の面には、遮光層１５７を設けることが好ましい。遮光層１５７は、隣り合う発光デバイスの間、接続部１４０、および、回路３５６等に設けることができる。また、基板３５２の外側には各種光学部材を配置できる。
【0469】
基板３５１および基板３５２としては、それぞれ、基板１２０に用いることができる材料を適用できる。
【0470】
接着層１４２としては、樹脂層１２２に用いることができる材料を適用できる。
【0471】
接続層２４２としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）、又は異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）等を用いることができる。
【0472】
【0473】
発光デバイスが発する光は、基板３５１側に射出される。基板３５１には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。一方、基板３５２に用いる材料の透光性は問わない。
【0474】
基板３５１とトランジスタ２０１との間、基板３５１とトランジスタ２０５との間には、遮光層３１７を形成することが好ましい。図１７では、基板３５１上に遮光層３１７が設けられ、遮光層３１７上に絶縁層１５３が設けられ、絶縁層１５３上にトランジスタ２０１、２０５などが設けられている例を示す。
【0475】
発光デバイス１３０Ｒは、導電層１１２Ｒと、導電層１１２Ｒ上の導電層１２６Ｒと、導電層１２６Ｒ上の導電層１２９Ｒと、を有する。
【0476】
発光デバイス１３０Ｂは、導電層１１２Ｂと、導電層１１２Ｂ上の導電層１２６Ｂと、導電層１２６Ｂ上の導電層１２９Ｂと、を有する。
【0477】
導電層１１２Ｒ、１１２Ｂ、１２６Ｒ、１２６Ｂ、１２９Ｒ、１２９Ｂには、それぞれ、可視光に対する透過性が高い材料を用いる。第２の電極１０２には可視光を反射する材料を用いることが好ましい。
【0478】
なお、図１７では、発光デバイス１３０Ｇを図示していないが、発光デバイス１３０Ｇも設けられている。
【0479】
また、図１７などでは、層１２８の上面が平坦部を有する例を示すが、層１２８の形状は、特に限定されない。
【0480】
［表示装置１００Ｄ２］
図１８（Ａ）に示す表示装置１００Ｄ２は、図１７に示す表示装置１００Ｄとは異なるボトムエミッション型の表示装置の一例である。表示装置１００Ｄ２は、有機樹脂層１８０を有する点で、表示装置１００Ｄと相違する。なお、図中、図１７と同じ構成要素の符号は省略している場合があり、その詳細は図１７の記載を参酌するとよい。
図１８（Ａ）に示す表示装置１００Ｄ２は、図１７に示す表示装置１００Ｄとは異なるボトムエミッション型の表示装置の一例である。表示装置１００Ｄ２は、有機樹脂層１８０を有する点で、表示装置１００Ｄと相違する。なお、図中、図１７と同じ構成要素の符号は省略している場合があり、その詳細は図１７の記載を参酌するとよい。
【0481】
また、図１８（Ｂ）は、副画素１１０（副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、副画素１１０Ｂ、副画素１１０Ｗ）を有する画素１７８（画素１７８ａ、および画素１７８ｂ）の上面レイアウトを、図１８（Ｃ）は、画素１７８が有する副画素１１０Ｒおよび副画素１１０Ｇが形成される領域における有機樹脂層１８０の上面図を示す。なお、遮光層３１７と遮光層３１７との間は、副画素１１０Ｒの発光領域における幅１１０Ｒｗである。
【0482】
図１８（Ａ）に示すように、有機樹脂層１８０は、絶縁層２１４上に設けられる。図１８（Ａ）の一点鎖線で囲む領域、および図１８（Ｃ）に示すように、有機樹脂層１８０は、少なくとも副画素が形成される領域に、曲面を有する凹部１８１（凹部１８１ａ、凹部１８１ｂ）を有する。なお、凹部１８１は凹部１８１ｃのように発光領域外に設けられていてもよい。凹部１８１ｃを設けることで、遮光層３１７と重畳する領域で生じた発光または遮光層３１７と重畳する領域に進行した光が屈折し、発光領域から取り出すことができるため、発光効率を向上させることができる。
【0483】
凹部１８１はマトリクス状に複数形成されていてもよい。凹部１８１ａと凹部１８１ｂは接して設けられていても、間に平面を有していてもよい。
【0484】
また、図１８では、当該凹部の上面形状を六角形（図１８（Ｃ））、断面形状を半円形（図１８（Ａ））として示したが、必要に応じて他の形状としてもよい。例えば、当該凹部の上面形状を、三角形、四角形（長方形、正方形を含む）、五角形等の多角形、これら多角形の角が丸い形状、楕円形、又は円形等の形状としてもよい。
【0485】
有機樹脂層１８０としては、有機材料を有する絶縁層を用いることができる。例えば、有機樹脂層１８０として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シリコーン樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、およびこれら樹脂の前駆体等を適用することができる。また、有機樹脂層１８０として、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラール、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、またはアルコール可溶性のポリアミド樹脂などの有機材料を用いてもよい。
【0486】
また、有機樹脂層１８０として、感光性の樹脂を用いることができる。感光性の樹脂としてはフォトレジストを用いてもよい。感光性の樹脂は、ポジ型の材料、またはネガ型の材料を用いることができる。
【0487】
有機樹脂層１８０は、可視光を吸収する材料を含んでいてもよい。例えば、有機樹脂層１８０自体が可視光を吸収する材料により構成されていてもよいし、有機樹脂層１８０が、可視光を吸収する顔料を含んでいてもよい。有機樹脂層１８０としては、例えば、赤色、青色、または緑色の光を透過し、他の光を吸収するカラーフィルタとして用いることのできる樹脂、またはカーボンブラックを顔料として含み、ブラックマトリクスとして機能する樹脂などを用いることができる。
【0488】
また、有機樹脂層１８０上に、第１の電極１０１（第１の電極１０１Ｒおよび第１の電極１０１Ｗ）、第１の電極１０１上に有機化合物層１０３を有する。第１の電極１０１、および有機化合物層１０３の端部は絶縁層１２７で覆われていてもよい。
【0489】
また、有機樹脂層１８０上に形成される、第１の電極１０１は、有機樹脂層１８０の凹部に沿って凹部を有する。さらに、第１の電極１０１上に形成された有機化合物層１０３は、第１の電極１０１の凹部に沿って凹部を有する。さらに、有機化合物層１０３上に形成された共通層１０４は、有機化合物層１０３の凹部に沿って凹部を有する。さらに、共通層１０４上に形成された第２の電極１０２は、共通層１０４の凹部に沿って凹部を有する。すなわち、有機樹脂層１８０、第１の電極１０１、有機化合物層１０３、共通層１０４、および第２の電極１０２の凹部は互いに重なる構造を有する。
【0490】
また、有機化合物層１０３および絶縁層１２７上に共通層１０４、共通層１０４上に第２の電極１０２を有する。第２の電極１０２上に保護層１３１を設け、接着層１４２を介して基板３５２と貼り合わせた構造とする。
【0491】
なお、図１８（Ａ）では、発光デバイス１３０Ｇおよび発光デバイス１３０Ｂを図示していないが、発光デバイス１３０Ｇおよび発光デバイス１３０Ｂも設けられている。
【0492】
以上のような有機樹脂層１８０を有する本発明の一態様の発光装置は、実施の形態１で説明したように有機化合物層１０３に一般式（Ｇ１）として示した有機化合物を含むことから、有機樹脂層１８０の効果と本願の有機化合物を用いた有機半導体デバイスの一体不可分の効果により、高い発光効率の有機半導体デバイスを提供できるため、信頼性が良好で、駆動電圧が低く、低消費電力な有機半導体デバイスを提供することができる。
【0493】
【0494】
表示装置１００Ｅにおいて、発光デバイス１３０は、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、および着色層１３２Ｂのうち一つと重なる領域を有する。着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、および着色層１３２Ｂは、基板３５２の基板３５１側の面に設けることができる。着色層１３２Ｒの端部、着色層１３２Ｇの端部、および着色層１３２Ｂの端部は、遮光層１５７と重ねることができる。
【0495】
表示装置１００Ｅにおいて、発光デバイス１３０は、例えば白色光を発することができる。また、例えば着色層１３２Ｒは赤色の光を透過し、着色層１３２Ｇは緑色の光を透過し、着色層１３２Ｂは青色の光を透過できる。なお、表示装置１００Ｅは、保護層１３１と接着層１４２の間に着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、および着色層１３２Ｂを設ける構成としてもよい。
【0496】
［表示装置１００Ｅ２］
図２０（Ａ）に示す表示装置１００Ｅ２は、図１９に示す表示装置１００Ｅの変形例であり、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、および着色層１３２Ｂ上に、マイクロレンズ１８２を有する。なお、図中、図１９と同じ構成要素の符号は省略している場合があり、その詳細は図１９の記載を参酌するとよい。
図２０（Ａ）に示す表示装置１００Ｅ２は、図１９に示す表示装置１００Ｅの変形例であり、着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、および着色層１３２Ｂ上に、マイクロレンズ１８２を有する。なお、図中、図１９と同じ構成要素の符号は省略している場合があり、その詳細は図１９の記載を参酌するとよい。
【0497】
また、図２０（Ｂ）は、副画素１１０（副画素１１０Ｒ、副画素１１０Ｇ、副画素１１０Ｂ）を有する画素１７８（画素１７８ａ、および画素１７８ｂ）の上面レイアウトを、図２０（Ｃ）は、画素１７８が有する副画素１１０Ｒおよび副画素１１０Ｇが形成される領域におけるマイクロレンズ１８２の上面図を示す。なお、共通電極１５５と有機化合物層１０３が接する領域は、副画素１１０Ｇの発光領域における幅１１０Ｇｗである。
【0498】
図２０（Ａ）に示す表示装置１００Ｅ２は、保護層１３１上に平坦化膜１４３を設け、平坦化膜１４３上に着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、および着色層１３２Ｂを設ける。着色層１３２Ｒ、着色層１３２Ｇ、および着色層１３２Ｂを覆うように、平坦化膜１４４を設ける。平坦化膜１４４上に、マイクロレンズ１８２を設ける。
【0499】
なお、マイクロレンズ１８２は、図２０（Ｃ）に示すように、副画素が形成される領域に、副画素毎に設けるとよい。
【0500】
なお、図２０（Ｃ）では、マイクロレンズ１８２の上面形状を六角形で示したが、必要に応じて他の形状としてもよい。例えば、マイクロレンズ１８２の上面形状を、三角形、四角形（長方形、正方形を含む）、五角形等の多角形、これら多角形の角が丸い形状、楕円形、又は円形等が挙げられる。
【0501】
マイクロレンズ１８２は、有機樹脂層１８０と同様の材料を用いて形成することができる。
【0502】
以上のようなマイクロレンズ１８２を有する本発明の一態様の発光装置は、実施の形態１で説明したように有機化合物層１０３に一般式（Ｇ１）として示した有機化合物を含むことから、マイクロレンズ１８２の効果と本願の有機化合物を用いた有機半導体デバイスの一体不可分の効果により、高い発光効率の有機半導体デバイスを提供できるため、信頼性が良好で、駆動電圧が低く、低消費電力なモバイル用途のディスプレイに最適な有機半導体デバイスを提供することができる。
【0503】
本実施の形態は、他の実施の形態、又は実施例と適宜組み合わせることができる。また、本明細書において、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、構成例を適宜組み合わせることが可能である。
【0504】
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について説明する。
【0505】
本実施の形態の電子機器は、表示部に本発明の一態様の発光装置を有する。本発明の一態様の発光装置は信頼性が高く、また高精細化及び高解像度化が容易である。したがって、様々な電子機器の表示部に用いることができる。
【0506】
電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用等のモニタ、デジタルサイネージ、パチンコ機等の大型ゲーム機等の比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、等が挙げられる。
【0507】
特に、本発明の一態様の発光装置は、精細度を高めることが可能なため、比較的小さな表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。このような電子機器としては、例えば、腕時計型及びブレスレット型の情報端末機（ウェアラブル機器）、並びに、ヘッドマウントディスプレイ等のＶＲ向け機器、メガネ型のＡＲ向け機器、及び、ＭＲ（Ｍｉｘｅｄ Ｒｅａｌｉｔｙ）向け機器等、頭部に装着可能なウェアラブル機器等が挙げられる。
【0508】
本発明の一態様の発光装置は、ＨＤ（画素数１２８０×７２０）、ＦＨＤ（画素数１９２０×１０８０）、ＷＱＨＤ（画素数２５６０×１４４０）、ＷＱＸＧＡ（画素数２５６０×１６００）、４Ｋ（画素数３８４０×２１６０）、８Ｋ（画素数７６８０×４３２０）といった極めて高い解像度を有していることが好ましい。特に４Ｋ、８Ｋ、又はそれ以上の解像度とすることが好ましい。また、本発明の一態様の発光装置における画素密度（精細度）は、１００ｐｐｉ以上が好ましく、３００ｐｐｉ以上が好ましく、５００ｐｐｉ以上がより好ましく、１０００ｐｐｉ以上がより好ましく、２０００ｐｐｉ以上がより好ましく、３０００ｐｐｉ以上がより好ましく、５０００ｐｐｉ以上がより好ましく、７０００ｐｐｉ以上がさらに好ましい。このように高い解像度及び高い精細度の一方又は双方を有する発光装置を用いることで、臨場感及び奥行き感等をより高めることが可能となる。また、本発明の一態様の発光装置の画面比率（アスペクト比）については、特に限定はない。例えば、発光装置は、１：１（正方形）、４：３、１６：９、及び１６：１０等様々な画面比率に対応できる。
【0509】
本実施の形態の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）を有していてもよい。
【0510】
本実施の形態の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像等）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻等を表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出す機能等を有することができる。
【0511】
図２１（Ａ）乃至図２１（Ｄ）を用いて、頭部に装着可能なウェアラブル機器の一例を説明する。これらウェアラブル機器は、ＡＲのコンテンツを表示する機能、ＶＲのコンテンツを表示する機能、ＳＲ（Ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｉｏｎａｌ Ｒｅａｌｉｔｙ）のコンテンツを表示する機能、ＭＲのコンテンツを表示する機能のうち少なくとも一つを有する。電子機器が、ＡＲ、ＶＲ、ＳＲ、及びＭＲ等の少なくとも一つのコンテンツを表示する機能を有することで、使用者の没入感を高めることが可能となる。
【0512】
図２１（Ａ）に示す電子機器７００Ａ、及び、図２１（Ｂ）に示す電子機器７００Ｂは、それぞれ、一対の表示パネル７５１と、一対の筐体７２１と、通信部（図示しない）と、一対の装着部７２３と、制御部（図示しない）と、撮像部（図示しない）と、一対の光学部材７５３と、フレーム７５７と、一対の鼻パッド７５８と、を有する。
【0513】
表示パネル７５１には、本発明の一態様の発光装置を適用できる。したがって信頼性が高い電子機器とすることができる。
【0514】
電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、光学部材７５３の表示領域７５６に、表示パネル７５１で表示した画像を投影できる。光学部材７５３は透光性を有するため、使用者は光学部材７５３を通して視認される透過像に重ねて、表示領域に表示された画像を見ることができる。したがって、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、ＡＲ表示が可能な電子機器である。
【0515】
電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂには、撮像部として、前方を撮像することのできるカメラが設けられていてもよい。また、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂは、それぞれ、ジャイロセンサ等の加速度センサを備えることで、使用者の頭部の向きを検知して、その向きに応じた画像を表示領域７５６に表示することもできる。
【0516】
通信部は無線通信機を有し、当該無線通信機により例えば映像信号を供給できる。なお、無線通信機に代えて、又は無線通信機に加えて、映像信号及び電源電位が供給されるケーブルを接続可能なコネクタを備えていてもよい。
【0517】
また、電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂには、バッテリが設けられており、無線及び有線の一方又は双方によって充電できる。
【0518】
筐体７２１には、タッチセンサモジュールが設けられていてもよい。タッチセンサモジュールは、筐体７２１の外側の面がタッチされることを検出する機能を有する。タッチセンサモジュールにより、使用者のタップ操作又はスライド操作等を検出し、様々な処理を実行できる。例えば、タップ操作によって動画の一時停止又は再開等の処理を実行することが可能となり、スライド操作により、早送り又は早戻しの処理を実行すること等が可能となる。また、２つの筐体７２１のそれぞれにタッチセンサモジュールを設けることで、操作の幅を広げることができる。
【0519】
タッチセンサモジュールとしては、様々なタッチセンサを適用できる。例えば、静電容量方式、抵抗膜方式、赤外線方式、電磁誘導方式、表面弾性波方式、又は光学方式等、種々の方式を採用できる。特に、静電容量方式又は光学方式のセンサを、タッチセンサモジュールに適用することが好ましい。
【0520】
光学方式のタッチセンサを用いる場合には、受光素子として、光電変換デバイス（光電変換素子ともいう）を用いることができる。光電変換デバイスの活性層には、無機半導体及び有機半導体の一方又は双方を用いることができる。
【0521】
図２１（Ｃ）に示す電子機器８００Ａ、及び、図２１（Ｄ）に示す電子機器８００Ｂは、それぞれ、一対の表示部８２０と、筐体８２１と、通信部８２２と、一対の装着部８２３と、制御部８２４と、一対の撮像部８２５と、一対のレンズ８３２と、を有する。
【0522】
表示部８２０には、本発明の一態様の発光装置を適用できる。したがって信頼性が高い電子機器とすることができる。
【0523】
表示部８２０は、筐体８２１の内部の、レンズ８３２を通して視認できる位置に設けられる。また、一対の表示部８２０に異なる画像を表示させることで、視差を用いた３次元表示を行うこともできる。
【0524】
電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、ＶＲ向けの電子機器ということができる。電子機器８００Ａ又は電子機器８００Ｂを装着した使用者は、レンズ８３２を通して、表示部８２０に表示される画像を視認できる。
【0525】
電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、レンズ８３２及び表示部８２０が、使用者の目の位置に応じて最適な位置となるように、これらの左右の位置を調整可能な機構を有していることが好ましい。また、レンズ８３２と表示部８２０との距離を変えることで、ピントを調整する機構を有していることが好ましい。
【0526】
装着部８２３により、使用者は電子機器８００Ａ又は電子機器８００Ｂを頭部に装着できる。なお、例えば図２１（Ｃ）においては、メガネのつる（テンプル等ともいう）のような形状として例示しているがこれに限定されない。装着部８２３は、使用者が装着できればよく、例えば、ヘルメット型又はバンド型の形状としてもよい。
【0527】
撮像部８２５は、外部の情報を取得する機能を有する。撮像部８２５が取得したデータは、表示部８２０に出力できる。撮像部８２５には、イメージセンサを用いることができる。また、望遠、及び広角等の複数の画角に対応可能なように複数のカメラを設けてもよい。
【0528】
なお、ここでは撮像部８２５を有する例を示したが、対象物の距離を測定することのできる測距センサ（以下、検知部ともよぶ）を設ければよい。すなわち、撮像部８２５は、検知部の一態様である。検知部としては、例えばイメージセンサ、又は、ライダー（ＬＩＤＡＲ：Ｌｉｇｈｔ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ ａｎｄ Ｒａｎｇｉｎｇ）等の距離画像センサを用いることができる。カメラによって得られた画像と、距離画像センサによって得られた画像とを用いることにより、より多くの情報を取得し、より高精度なジェスチャー操作を可能とすることができる。
【0529】
電子機器８００Ａは、骨伝導イヤフォンとして機能する振動機構を有していてもよい。例えば、表示部８２０、筐体８２１、及び装着部８２３のいずれか一又は複数に、当該振動機構を有する構成を適用できる。これにより、別途、ヘッドフォン、イヤフォン、又はスピーカ等の音響機器を必要とせず、電子機器８００Ａを装着しただけで映像と音声を楽しむことができる。
【0530】
電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂは、それぞれ、入力端子を有していてもよい。入力端子には映像出力機器等からの映像信号、及び、電子機器内に設けられるバッテリを充電するための電力等を供給するケーブルを接続できる。
【0531】
本発明の一態様の電子機器は、イヤフォン７５０と無線通信を行う機能を有していてもよい。イヤフォン７５０は、通信部（図示しない）を有し、無線通信機能を有する。イヤフォン７５０は、無線通信機能により、電子機器から情報（例えば音声データ）を受信できる。例えば、図２１（Ａ）に示す電子機器７００Ａは、無線通信機能によって、イヤフォン７５０に情報を送信する機能を有する。また、例えば、図２１（Ｃ）に示す電子機器８００Ａは、無線通信機能によって、イヤフォン７５０に情報を送信する機能を有する。
【0532】
また、電子機器がイヤフォン部を有していてもよい。図２１（Ｂ）に示す電子機器７００Ｂは、イヤフォン部７２７を有する。例えば、イヤフォン部７２７と制御部とは、互いに有線接続されている構成とすることができる。イヤフォン部７２７と制御部とをつなぐ配線の一部は、筐体７２１又は装着部７２３の内部に配置されていてもよい。
【0533】
同様に、図２１（Ｄ）に示す電子機器８００Ｂは、イヤフォン部８２７を有する。例えば、イヤフォン部８２７と制御部８２４とは、互いに有線接続されている構成とすることができる。イヤフォン部８２７と制御部８２４とをつなぐ配線の一部は、筐体８２１又は装着部８２３の内部に配置されていてもよい。また、イヤフォン部８２７と装着部８２３とがマグネットを有していてもよい。これにより、イヤフォン部８２７を装着部８２３に磁力によって固定でき、収納が容易となり好ましい。
【0534】
なお、電子機器は、イヤフォン又はヘッドフォン等を接続できる音声出力端子を有していてもよい。また、電子機器は、音声入力端子及び音声入力機構の一方又は双方を有していてもよい。音声入力機構としては、例えば、マイク等の集音装置を用いることができる。電子機器が音声入力機構を有することで、電子機器に、いわゆるヘッドセットとしての機能を付与してもよい。
【0535】
このように、本発明の一態様の電子機器としては、メガネ型（電子機器７００Ａ、及び、電子機器７００Ｂ等）と、ゴーグル型（電子機器８００Ａ、及び、電子機器８００Ｂ等）と、のどちらも好適である。
【0536】
また、本発明の一態様の電子機器は、有線又は無線によって、イヤフォンに情報を送信できる。
【0537】
図２２（Ａ）に示す電子機器６５００は、スマートフォンとして用いることのできる携帯情報端末機である。
【0538】
電子機器６５００は、筐体６５０１、表示部６５０２、電源ボタン６５０３、ボタン６５０４、スピーカ６５０５、マイク６５０６、カメラ６５０７、及び光源６５０８等を有する。表示部６５０２はタッチパネル機能を備える。
【0539】
表示部６５０２に、本発明の一態様の発光装置を適用できる。したがって信頼性が高い電子機器とすることができる。
【0540】
図２２（Ｂ）は、筐体６５０１のマイク６５０６側の端部を含む断面概略図である。
【0541】
筐体６５０１の表示面側には透光性を有する保護部材６５１０が設けられ、筐体６５０１と保護部材６５１０に囲まれた空間内に、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、タッチセンサパネル６５１３、プリント基板６５１７、及びバッテリ６５１８等が配置されている。
【0542】
保護部材６５１０には、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、及びタッチセンサパネル６５１３が接着層（図示しない）により固定されている。
【0543】
表示部６５０２よりも外側の領域において、表示パネル６５１１の一部が折り返されており、当該折り返された部分にＦＰＣ６５１５が接続されている。ＦＰＣ６５１５には、ＩＣ６５１６が実装されている。ＦＰＣ６５１５は、プリント基板６５１７に設けられた端子に接続されている。
【0544】
表示パネル６５１１には本発明の一態様の発光装置を適用できる。このため、極めて軽量な電子機器を実現できる。また、表示パネル６５１１が極めて薄いため、電子機器の厚さを抑えつつ、大容量のバッテリ６５１８を搭載することもできる。また、表示パネル６５１１の一部を折り返して、画素部の裏側にＦＰＣ６５１５との接続部を配置することにより、狭額縁の電子機器を実現できる。
【0545】
図２２（Ｃ）にテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７１００は、筐体７１７１に表示部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７１７３により筐体７１７１を支持した構成を示している。
【0546】
表示部７０００に、本発明の一態様の発光装置を適用できる。したがって信頼性が高い電子機器とすることができる。
【0547】
図２２（Ｃ）に示すテレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１７１が備える操作スイッチ、及び、別体のリモコン操作機７１５１により行うことができる。又は、表示部７０００にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることでテレビジョン装置７１００を操作してもよい。リモコン操作機７１５１は、当該リモコン操作機７１５１から出力する情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７１５１が備える操作キー又はタッチパネルにより、チャンネル及び音量の操作を行うことができ、表示部７０００に表示される映像を操作できる。
【0548】
なお、テレビジョン装置７１００は、受信機及びモデム等を備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）又は双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者同士等）の情報通信を行うことも可能である。
【0549】
図２２（Ｄ）に、ノート型パーソナルコンピュータの一例を示す。ノート型パーソナルコンピュータ７２００は、筐体７２１１、キーボード７２１２、ポインティングデバイス７２１３、及び外部接続ポート７２１４等を有する。筐体７２１１に、表示部７０００が組み込まれている。
【0550】
表示部７０００に、本発明の一態様の発光装置を適用できる。したがって信頼性が高い電子機器とすることができる。
【0551】
【0552】
図２２（Ｅ）に示すデジタルサイネージ７３００は、筐体７３０１、表示部７０００、及びスピーカ７３０３等を有する。さらに、ＬＥＤランプ、操作キー（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子、各種センサ、マイクロフォン等を有することができる。
【0553】
図２２（Ｆ）は円柱状の柱７４０１に取り付けられたデジタルサイネージ７４００である。デジタルサイネージ７４００は、柱７４０１の曲面に沿って設けられた表示部７０００を有する。
【0554】
【0555】
表示部７０００が広いほど、一度に提供できる情報量を増やすことができる。また、表示部７０００が広いほど、人の目につきやすく、例えば、広告の宣伝効果を高めることができる。
【0556】
表示部７０００にタッチパネルを適用することで、表示部７０００に画像又は動画を表示するだけでなく、使用者が直感的に操作でき、好ましい。また、路線情報もしくは交通情報等の情報を提供するための用途に用いる場合には、直感的な操作によるユーザビリティを高めることができる。
【0557】
また、図２２（Ｅ）及び図２２（Ｆ）に示すように、デジタルサイネージ７３００又はデジタルサイネージ７４００は、使用者が所持するスマートフォン等の情報端末機７３１１又は情報端末機７４１１と無線通信により連携可能であることが好ましい。例えば、表示部７０００に表示される広告の情報を、情報端末機７３１１又は情報端末機７４１１の画面に表示させることができる。また、情報端末機７３１１又は情報端末機７４１１を操作することで、表示部７０００の表示を切り替えることができる。
【0558】
また、デジタルサイネージ７３００又はデジタルサイネージ７４００に、情報端末機７３１１又は情報端末機７４１１の画面を操作手段（コントローラ）としたゲームを実行させることもできる。これにより、不特定多数の使用者が同時にゲームに参加し、楽しむことができる。
【0559】
図２３（Ａ）乃至図２３（Ｇ）に示す電子機器は、筐体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９００８、等を有する。
【0560】
図２３（Ａ）乃至図２３（Ｇ）に示す電子機器は、様々な機能を有する。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像等）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻等を表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して処理する機能、等を有することができる。なお、電子機器の機能はこれらに限られず、様々な機能を有することができる。電子機器は、複数の表示部を有していてもよい。また、電子機器にカメラ等を設け、静止画又は動画を撮影し、記録媒体（外部又はカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有していてもよい。
【0561】
【0562】
図２３（Ａ）は、携帯情報端末９１７１を示す斜視図である。携帯情報端末９１７１は、例えばスマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１７１は、スピーカ９００３、接続端子９００６、又はセンサ９００７等を設けてもよい。また、携帯情報端末９１７１は、文字及び画像情報をその複数の面に表示できる。図２３（Ａ）では３つのアイコン９０５０を表示した例を示している。また、破線の矩形で示す情報９０５１を表示部９００１の他の面に表示することもできる。情報９０５１の一例としては、電子メール、ＳＮＳ、電話等の着信の通知、電子メール又はＳＮＳ等の題名、送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、電波強度等がある。又は、情報９０５１が表示されている位置にはアイコン９０５０等を表示してもよい。
【0563】
図２３（Ｂ）は、携帯情報端末９１７２を示す斜視図である。携帯情報端末９１７２は、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、情報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１７２を収納した状態で、携帯情報端末９１７２の上方から観察できる位置に表示された情報９０５３を確認することもできる。使用者は、携帯情報端末９１７２をポケットから取り出すことなく表示を確認し、例えば電話を受けるか否かを判断できる。
【0564】
図２３（Ｃ）は、タブレット端末９１７３を示す斜視図である。タブレット端末９１７３は、一例として、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲーム等の種々のアプリケーションの実行が可能である。タブレット端末９１７３は、筐体９０００の正面に表示部９００１、カメラ９００２、マイクロフォン９００８、スピーカ９００３を有し、筐体９０００の左側面には操作用のボタンとしての操作キー９００５、底面には接続端子９００６を有する。
【0565】
図２３（Ｄ）は、腕時計型の携帯情報端末９２００を示す斜視図である。携帯情報端末９２００は、例えばスマートウォッチ（登録商標）として用いることができる。また、表示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また、携帯情報端末９２００は、例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子９００６により、他の情報端末と相互にデータ伝送を行うこと、及び、充電を行うこともできる。なお、充電動作は無線給電により行ってもよい。
【0566】
図２３（Ｅ）乃至図２３（Ｇ）は、折り畳み可能な携帯情報端末９２０１を示す斜視図である。また、図２３（Ｅ）は携帯情報端末９２０１を展開した状態、図２３（Ｇ）は折り畳んだ状態、図２３（Ｆ）は図２３（Ｅ）と図２３（Ｇ）の一方から他方に変化する途中の状態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００に支持されている。例えば、表示部９００１は、曲率半径０．１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる。
【0567】
本実施の形態は、他の実施の形態、又は実施例と適宜組み合わせることができる。また、本明細書において、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、構成例を適宜組み合わせることが可能である。
【実施例0568】
［合成例１］
本合成例では、構造式（１００）で表される有機化合物である、４，８－ジ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－［１］ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン（略称：４，８Ｃｚ２Ｂｆｐｍ）の合成方法について具体的に説明する。
本合成例では、構造式（１００）で表される有機化合物である、４，８－ジ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－［１］ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン（略称：４，８Ｃｚ２Ｂｆｐｍ）の合成方法について具体的に説明する。
【0569】
【化17】
【0570】
＜ステップ１：４，８Ｃｚ２Ｂｆｐｍの合成＞
まず、２００ｍＬの三口フラスコに、４，８－ジクロロ［１］ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジンを２．４ｇ（１０ｍｍｏｌ）、９Ｈ－カルバゾールを３．７ｇ（２２ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ－ブトキシド（略称：ｔＢｕＯＮａ）を１．９ｇ（２０ｍｍｏｌ）、ジ－ｔｅｒｔ－ブチル（２，２－ジフェニル－１－メチル－１－シクロプロピル）ホスフィン（略称：ｃＢＲＩＤＰ）を０．１４ｇ（０．３４ｍｍｏｌ）入れた。この混合物へ、メシチレン１００ｍＬを加え、当該混合物を減圧しながら攪拌することで脱気した。続いて、当該混合物にアリルパラジウム（ＩＩ）クロリド（ダイマー）を６２ｍｇ（０．１７ｍｍｏｌ）加え、窒素気流下にて１４０℃で３１．５時間加熱撹拌した。撹拌後、この混合物にトルエンを加え、セライトを通して吸引ろ過し、濾液を得た。得られた濾液を濃縮して固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）で精製した。得られた固体を、トルエン／エタノールで再結晶し、淡黄色固体を２．８ｇ、収率５６％で得た。得られた固体２．７ｇをトレインサブリメーション法により昇華精製した。圧力３．３Ｐａ、アルゴン流量１５ｍＬ／ｍｉｎの条件で、２６０℃で加熱して行った。昇華精製後、淡黄色固体を２．５ｇ、回収率９１％で得た。ステップ１の合成スキームを下記（ａ－１）に示す。
まず、２００ｍＬの三口フラスコに、４，８－ジクロロ［１］ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジンを２．４ｇ（１０ｍｍｏｌ）、９Ｈ－カルバゾールを３．７ｇ（２２ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ－ブトキシド（略称：ｔＢｕＯＮａ）を１．９ｇ（２０ｍｍｏｌ）、ジ－ｔｅｒｔ－ブチル（２，２－ジフェニル－１－メチル－１－シクロプロピル）ホスフィン（略称：ｃＢＲＩＤＰ）を０．１４ｇ（０．３４ｍｍｏｌ）入れた。この混合物へ、メシチレン１００ｍＬを加え、当該混合物を減圧しながら攪拌することで脱気した。続いて、当該混合物にアリルパラジウム（ＩＩ）クロリド（ダイマー）を６２ｍｇ（０．１７ｍｍｏｌ）加え、窒素気流下にて１４０℃で３１．５時間加熱撹拌した。撹拌後、この混合物にトルエンを加え、セライトを通して吸引ろ過し、濾液を得た。得られた濾液を濃縮して固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）で精製した。得られた固体を、トルエン／エタノールで再結晶し、淡黄色固体を２．８ｇ、収率５６％で得た。得られた固体２．７ｇをトレインサブリメーション法により昇華精製した。圧力３．３Ｐａ、アルゴン流量１５ｍＬ／ｍｉｎの条件で、２６０℃で加熱して行った。昇華精製後、淡黄色固体を２．５ｇ、回収率９１％で得た。ステップ１の合成スキームを下記（ａ－１）に示す。
【0571】
【化18】
【0572】
＜有機化合物の特性＞
上記ステップ１で得られた淡黄色固体の重水素化クロロホルム（略称：ＣＤＣｌ３）溶液の核磁気共鳴分光法（１Ｈ ＮＭＲ）による分析結果を下記に示す。また、核磁気共鳴分光法（１Ｈ ＮＭＲ）のチャートを図２４に示す。この結果から、本合成例において、上述の構造式（１００）で表される本発明の一態様である４，８Ｃｚ２Ｂｆｐｍが得られたことがわかった。
上記ステップ１で得られた淡黄色固体の重水素化クロロホルム（略称：ＣＤＣｌ３）溶液の核磁気共鳴分光法（１Ｈ ＮＭＲ）による分析結果を下記に示す。また、核磁気共鳴分光法（１Ｈ ＮＭＲ）のチャートを図２４に示す。この結果から、本合成例において、上述の構造式（１００）で表される本発明の一態様である４，８Ｃｚ２Ｂｆｐｍが得られたことがわかった。
【0573】
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：δ＝７．３１－７．５５（ｍ，１０Ｈ），７．８６－７．９４（ｍ，４Ｈ），８．１７－８．２１（ｍ，４Ｈ），８．５６（ｄ，Ｊ１＝１．２Ｈｚ，１Ｈ），９．３１（ｓ，１Ｈ）．
【0574】
＜発光スペクトルおよび吸収スペクトル測定＞
次に、４，８Ｃｚ２Ｂｆｐｍのトルエン溶液の吸収スペクトルおよび発光スペクトルを測定した結果を図２５に示す。また、薄膜の吸収スペクトルおよび発光スペクトルを図２６に示す。なお、固体薄膜は石英基板上に真空蒸着法にて作製した。また、横軸は波長、縦軸は吸収強度および発光強度を表す。
次に、４，８Ｃｚ２Ｂｆｐｍのトルエン溶液の吸収スペクトルおよび発光スペクトルを測定した結果を図２５に示す。また、薄膜の吸収スペクトルおよび発光スペクトルを図２６に示す。なお、固体薄膜は石英基板上に真空蒸着法にて作製した。また、横軸は波長、縦軸は吸収強度および発光強度を表す。
【0575】
固体薄膜は石英基板上に真空蒸着法にて作製した。トルエン溶液の吸収スペクトルは、紫外可視分光光度計（（株）日本分光製 Ｖ－７７０ＤＳ）を用いて測定し、トルエンのみを石英セルに入れて測定したスペクトルを差し引いて示した。また、薄膜の吸収スペクトルは、分光光度計（（株）日立ハイテクノロジーズ製 分光光度計Ｕ４１００）を用いた。また、発光スペクトルの測定には、蛍光光度計（（株）日本分光製 ＦＰ－８６００）を用いた。
【0576】
【実施例0577】
［合成例２］
本合成例では、構造式（１０１）で表される有機化合物である、４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－８－［３－（トリフェニルシリル）フェニル］－［１］ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン（略称：８ＰＳｉ－４ＣｚＢｆｐｍ）の合成方法について具体的に説明する。
本合成例では、構造式（１０１）で表される有機化合物である、４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－８－［３－（トリフェニルシリル）フェニル］－［１］ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン（略称：８ＰＳｉ－４ＣｚＢｆｐｍ）の合成方法について具体的に説明する。
【0578】
【化19】
【0579】
＜ステップ１：４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－８－クロロ－［１］ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジンの合成＞
まず、４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－８－クロロ－［１］ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジンを、ステップ１にて合成した。ステップ１は以下の手順にて行った。
まず、４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－８－クロロ－［１］ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジンを、ステップ１にて合成した。ステップ１は以下の手順にて行った。
【0580】
３００ｍＬの三口フラスコに４，８－ジクロロ－［１］ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジンを６．４ｇ（２７ｍｍｏｌ）、９Ｈ－カルバゾールを４．５ｇ（２７ｍｍｏｌ）、りん酸三カリウムを５．７ｇ（２７ｍｍｏｌ）入れた。当該混合物へ、ジメチルスルホキシド（略称：ＤＭＳＯ）１３５ｍＬを加え、窒素気流下にて９０℃で６時間加熱撹拌した。撹拌後、この混合物に水を加え、吸引ろ過し、固体を回収した。得られた固体にトルエンを加え、加熱撹拌後、固体を回収し、淡茶色固体を７．５ｇ、収率７５％で得た。ステップ１の合成スキームを下記（ｂ－１）に示す。
【0581】
【化20】
【0582】
上記ステップ１で得られた淡茶色固体の重水素化クロロホルム（略称：ＣＤＣｌ３）溶液の核磁気共鳴分光法（１Ｈ ＮＭＲ）による分析結果を下記に示す。また、核磁気共鳴分光法（１Ｈ ＮＭＲ）のチャートを図２７に示す。この結果から、本合成例において、４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－８－クロロ－［１］ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジンが得られたことがわかった。
【0583】
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：δ＝７．３９－７．５２（ｍ，４Ｈ），７．５９（ｄ，Ｊ１＝８．７Ｈｚ，１Ｈ），７．６８（ｄｄ，Ｊ１＝８．７Ｈｚ，Ｊ２＝１．８Ｈｚ，１Ｈ），７．８１（ｄ，Ｊ１＝８．１Ｈｚ，２Ｈ），８．１５（ｄ，Ｊ１＝７．５Ｈｚ，２Ｈ），８．３１（ｄ，Ｊ１＝２．１Ｈｚ，１Ｈ），９．２８（ｓ，１Ｈ）．
【0584】
＜ステップ２：８ＰＳｉ－４ＣｚＢｆｐｍの合成＞
次に、ステップ１で得られた４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－８－クロロ－［１］ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジンを用いて、８ＰＳｉ－４ＣｚＢｆｐｍを合成した。ステップ２は以下の手順にて行った。
次に、ステップ１で得られた４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－８－クロロ－［１］ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジンを用いて、８ＰＳｉ－４ＣｚＢｆｐｍを合成した。ステップ２は以下の手順にて行った。
【0585】
２００ｍＬの三口フラスコに、ステップ１で得られた１．７ｇ（４．５ｍｍｏｌ）の４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－８－クロロ－［１］ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジンと、２．３ｇ（４．９ｍｍｏｌ）の２－［３－（トリフェニルシリル）フェニル］－４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン、９６ｍｇ（０．２７ｍｍｏｌ）のジ（１－アダマンチル）－ｎ－ブチルホスフィン、２．９ｇ（１３ｍｍｏｌ）のリン酸三カリウム、１．０ｇ（１３ｍｍｏｌ）のｔｅｒｔ－ブタノール（略称：ｔＢｕＯＨ）を入れた。この混合物に、４０ｍＬのジエチレングリコールジメチルエーテル（略称：Ｄｉｇｌｙｍｅ）を加えた。この混合物を減圧しながら攪拌することで脱気した。この混合物に３０ｍｇ（０．１３ｍｍｏｌ）の酢酸パラジウム（ＩＩ）を加え、窒素気流下、１２０℃で６時間攪拌した。撹拌後、この混合物に水を加え、吸引濾過し、固体を回収した。この固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン、次いでトルエン：酢酸エチル＝５０：１）で精製した。得られた固体を酢酸エチルで再結晶し、白色固体を２．３ｇ、収率７７％で得た。得られた固体２．３ｇをトレインサブリメーション法により昇華精製した。圧力３．６Ｐａ、アルゴン流量１５ｍＬ／ｍｉｎの条件で、２９０℃で加熱して行った。昇華精製後、白色固体を２．２ｇ、回収率９４％で得た。ステップ２の合成スキームを下記（ｂ－２）に示す。
【0586】
【化21】
【0587】
＜有機化合物の特性＞
上記ステップ２で得られた白色固体の重水素化クロロホルム（略称：ＣＤＣｌ３）溶液の核磁気共鳴分光法（１Ｈ ＮＭＲ）による分析結果を下記に示す。また、核磁気共鳴分光法（１Ｈ ＮＭＲ）のチャートを図２８に示す。この結果から、本合成例において、上述の構造式（１０１）で表される本発明の一態様である８ＰＳｉ－４ＣｚＢｆｐｍが得られたことがわかった。
上記ステップ２で得られた白色固体の重水素化クロロホルム（略称：ＣＤＣｌ３）溶液の核磁気共鳴分光法（１Ｈ ＮＭＲ）による分析結果を下記に示す。また、核磁気共鳴分光法（１Ｈ ＮＭＲ）のチャートを図２８に示す。この結果から、本合成例において、上述の構造式（１０１）で表される本発明の一態様である８ＰＳｉ－４ＣｚＢｆｐｍが得られたことがわかった。
【0588】
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：δ＝７．３９－７．６８（ｍ，２２Ｈ），７．７６－７．９０（ｍ，５Ｈ），８．１５（ｄ，Ｊ１＝７．５Ｈｚ，２Ｈ），８．４７（ｄ，Ｊ１＝１．５Ｈｚ，１Ｈ），９．２７（ｓ，１Ｈ）．
【0589】
＜発光スペクトルおよび吸収スペクトル測定＞
次に、８ＰＳｉ－４ＣｚＢｆｐｍのトルエン溶液の吸収スペクトルおよび発光スペクトルを測定した結果を図２９に示す。また、薄膜の吸収スペクトルおよび発光スペクトルを図３０に示す。なお、固体薄膜は石英基板上に真空蒸着法にて作製した。また、横軸は波長、縦軸は吸収強度および発光強度を表す。
次に、８ＰＳｉ－４ＣｚＢｆｐｍのトルエン溶液の吸収スペクトルおよび発光スペクトルを測定した結果を図２９に示す。また、薄膜の吸収スペクトルおよび発光スペクトルを図３０に示す。なお、固体薄膜は石英基板上に真空蒸着法にて作製した。また、横軸は波長、縦軸は吸収強度および発光強度を表す。
【0590】
トルエン溶液の吸収スペクトルは、紫外可視分光光度計（（株）日本分光製 Ｖ－７７０ＤＳ）を用いて測定し、トルエンのみを石英セルに入れて測定したスペクトルを差し引いて示した。また、薄膜の吸収スペクトルは、分光光度計（（株）日立ハイテクノロジーズ製 分光光度計Ｕ４１００）を用いた。また、発光スペクトルの測定には、蛍光光度計（（株）日本分光製 ＦＰ－８６００）を用いた。
【0591】
【実施例0592】
［合成例３］
本合成例では、構造式（１０２）で表される有機化合物である、４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－８－（ジベンゾフラン－２－イル）－［１］ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン（略称：８ＤＢｆ－４ＣｚＢｆｐｍ）の合成方法について具体的に説明する。
本合成例では、構造式（１０２）で表される有機化合物である、４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－８－（ジベンゾフラン－２－イル）－［１］ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン（略称：８ＤＢｆ－４ＣｚＢｆｐｍ）の合成方法について具体的に説明する。
【0593】
【化22】
【0594】
＜ステップ１：８ＤＢｆ－４ＣｚＢｆｐｍの合成＞
本ステップでは、合成例２のステップ１で得られた４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－８－クロロ－［１］ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジンを用いて、８ＤＢｆ－４ＣｚＢｆｐｍを合成した。ステップ１は以下の手順にて行った。
本ステップでは、合成例２のステップ１で得られた４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－８－クロロ－［１］ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジンを用いて、８ＤＢｆ－４ＣｚＢｆｐｍを合成した。ステップ１は以下の手順にて行った。
【0595】
２００ｍＬの三口フラスコに、合成例２のステップ１で得られた１．７ｇ（４．５ｍｍｏｌ）の４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－８－クロロ－［１］ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジンと、２．３ｇ（４．９ｍｍｏｌ）の２－［３－（トリフェニルシリル）フェニル］－４，４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン、９６ｍｇ（０．２７ｍｍｏｌ）のジ（１－アダマンチル）－ｎ－ブチルホスフィン、２．９ｇ（１３ｍｍｏｌ）のリン酸三カリウム、１．０ｇ（１３ｍｍｏｌ）のｔｅｒｔ－ブタノール（略称：ｔＢｕＯＨ）を入れた。この混合物に、４０ｍＬのジエチレングリコールジメチルエーテル（略称：Ｄｉｇｌｙｍｅ）を加えた。この混合物を減圧しながら攪拌することで脱気した。この混合物に３０ｍｇ（０．１３ｍｍｏｌ）の酢酸パラジウム（ＩＩ）を加え、窒素気流下、１２０℃で６時間攪拌した。撹拌後、この混合物に水を加え、吸引濾過し、固体を回収した。この固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン、次いでトルエン：酢酸エチル＝５０：１）で精製した。得られた固体を酢酸エチルで再結晶し、白色固体を２．３ｇ、収率７７％で得た。得られた固体２．３ｇをトレインサブリメーション法により昇華精製した。圧力３．６Ｐａ、アルゴン流量１５ｍＬ／ｍｉｎの条件で、２９０℃で加熱して行った。昇華精製後、白色固体を２．２ｇ、回収率９４％で得た。ステップ１の合成スキームを下記（ｃ－１）に示す。
【0596】
【化23】
【0597】
＜有機化合物の特性＞
上記ステップ２で得られた白色固体の重水素化クロロホルム（略称：ＣＤＣｌ３）溶液の核磁気共鳴分光法（１Ｈ ＮＭＲ）による分析結果を下記に示す。また、核磁気共鳴分光法（１Ｈ ＮＭＲ）のチャートを図３１に示す。この結果から、本合成例において、上述の構造式（１０２）で表される本発明の一態様である８ＤＢｆ－４ＣｚＢｆｐｍが得られたことがわかった。
上記ステップ２で得られた白色固体の重水素化クロロホルム（略称：ＣＤＣｌ３）溶液の核磁気共鳴分光法（１Ｈ ＮＭＲ）による分析結果を下記に示す。また、核磁気共鳴分光法（１Ｈ ＮＭＲ）のチャートを図３１に示す。この結果から、本合成例において、上述の構造式（１０２）で表される本発明の一態様である８ＤＢｆ－４ＣｚＢｆｐｍが得られたことがわかった。
【0598】
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：δ＝７．３８－７．５４（ｍ，６Ｈ），７．６２－７．８２（ｍ，４Ｈ），７．８６（ｄ，Ｊ１＝７．８Ｈｚ，２Ｈ），８．０３－８．０７（ｍ，２Ｈ），８．１７（ｄ，Ｊ１＝７．２Ｈｚ，２Ｈ），８．２８（ｄ，Ｊ１＝１．５Ｈｚ，１Ｈ），８．６３（ｄ，Ｊ１＝１．５Ｈｚ，１Ｈ），９．３１（ｓ，１Ｈ）．
【0599】
＜発光スペクトルおよび吸収スペクトル測定＞
次に、８ＤＢｆ－４ＣｚＢｆｐｍのトルエン溶液の吸収スペクトルおよび発光スペクトルを測定した結果を図３２に示す。また、薄膜の吸収スペクトルおよび発光スペクトルを図３３に示す。なお、固体薄膜は石英基板上に真空蒸着法にて作製した。また、横軸は波長、縦軸は吸収強度および発光強度を表す。
次に、８ＤＢｆ－４ＣｚＢｆｐｍのトルエン溶液の吸収スペクトルおよび発光スペクトルを測定した結果を図３２に示す。また、薄膜の吸収スペクトルおよび発光スペクトルを図３３に示す。なお、固体薄膜は石英基板上に真空蒸着法にて作製した。また、横軸は波長、縦軸は吸収強度および発光強度を表す。
【0600】
トルエン溶液の吸収スペクトルは、紫外可視分光光度計（（株）日本分光製 Ｖ－７７０ＤＳ）を用いて測定し、トルエンのみを石英セルに入れて測定したスペクトルを差し引いて示した。また、薄膜の吸収スペクトルは、分光光度計（（株）日立ハイテクノロジーズ製 分光光度計Ｕ４１００）を用いた。また、発光スペクトルの測定には、蛍光光度計（（株）日本分光製 ＦＰ－８６００）を用いた。
【0601】
