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特開2025-97258遷移金属化合物、オレフィン系重合用触媒およびオレフィン系重合体の製造方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2025097258
(43)【公開日】2025-06-30
(54)【発明の名称】遷移金属化合物、オレフィン系重合用触媒およびオレフィン系重合体の製造方法
(51)【国際特許分類】
C07F 7/00 20060101AFI20250623BHJP
C07F 7/08 20060101ALI20250623BHJP
C07F 7/10 20060101ALI20250623BHJP
C08F 10/00 20060101ALI20250623BHJP
C08F 4/6592 20060101ALI20250623BHJP
【ＦＩ】
C07F7/00 A
C07F7/00 Z
C07F7/08 C
C07F7/10 M
C08F10/00 510
C08F4/6592
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024098246
(22)【出願日】2024-06-18
(31)【優先権主張番号】P 2023213153
(32)【優先日】2023-12-18
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000005887
【氏名又は名称】三井化学株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001070
【氏名又は名称】弁理士法人エスエス国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】岩澤 孝
(72)【発明者】
【氏名】田村 直也
【テーマコード（参考）】
4H049
4J128
【Ｆターム（参考）】
4H049VN01
4H049VN06
4H049VP01
4H049VQ08
4H049VQ77
4H049VR22
4H049VR24
4H049VR32
4H049VS08
4H049VU14
4H049VW02
4J128AA01
4J128AB00
4J128AC28
4J128AD08
4J128AD11
4J128AD13
4J128BA01A
4J128BA01B
4J128BB01A
4J128BB01B
4J128BC15B
4J128BC25A
4J128CA28A
4J128EA01
4J128EB02
4J128EB09
4J128EC02
4J128FA02
4J128GA01
4J128GA05
4J128GA06
4J128GA08
4J128GB01
(57)【要約】 （修正有）
【課題】分子量が高く、分子量分布が狭いオレフィン系重合体を製造可能な遷移金属化合物、該化合物を含む重合用触媒、および該触媒を用いた重合体製造方法を提供する。
【解決手段】特定の置換基が２－インデニル環に導入された、下記一般式［１］で表される遷移金属化合物［Ａ］。
【選択図】なし
【解決手段】特定の置換基が２－インデニル環に導入された、下記一般式［１］で表される遷移金属化合物［Ａ］。
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
下記一般式［１］で表される遷移金属化合物［Ａ］。
（一般式［１］中、Ｍは、周期表第４族遷移金属原子であり、
ｎは、遷移金属化合物［Ａ］が電気的に中性となるように選択される１～４の整数であり、
Ｘは、水素原子、ハロゲン原子、炭化水素基、アニオン配位子または孤立電子対で配位可能な中性配位子であり、前記アニオン配位子は、ハロゲン含有基、ケイ素含有基、酸素含有基、硫黄含有基、窒素含有基、リン含有基、ホウ素含有基、アルミニウム含有基または共役ジエン系誘導体基であり、ｎが２以上の場合は、複数存在するＸで示される基は互いに同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環を形成してもよく、
Ｑは、周期表第１４族原子であり、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～４０の炭化水素基、ハロゲン含有基、ケイ素含有基、酸素含有基、窒素含有基または硫黄含有基であり、
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5の少なくとも一つは、炭素数１～４０の炭化水素基、ハロゲン含有基、ケイ素含有基、酸素含有基、窒素含有基または硫黄含有基であり、
Ｒ2～Ｒ5のうちの隣接した置換基同士は、互いに結合して置換基を有していてもよい環を形成してもよく、
Ｒ7およびＲ8は、互いに結合してＱを含む環を形成してもよく、この環は置換基を有していてもよい。）
【化1】
ｎは、遷移金属化合物［Ａ］が電気的に中性となるように選択される１～４の整数であり、
Ｘは、水素原子、ハロゲン原子、炭化水素基、アニオン配位子または孤立電子対で配位可能な中性配位子であり、前記アニオン配位子は、ハロゲン含有基、ケイ素含有基、酸素含有基、硫黄含有基、窒素含有基、リン含有基、ホウ素含有基、アルミニウム含有基または共役ジエン系誘導体基であり、ｎが２以上の場合は、複数存在するＸで示される基は互いに同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環を形成してもよく、
Ｑは、周期表第１４族原子であり、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～４０の炭化水素基、ハロゲン含有基、ケイ素含有基、酸素含有基、窒素含有基または硫黄含有基であり、
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5の少なくとも一つは、炭素数１～４０の炭化水素基、ハロゲン含有基、ケイ素含有基、酸素含有基、窒素含有基または硫黄含有基であり、
Ｒ2～Ｒ5のうちの隣接した置換基同士は、互いに結合して置換基を有していてもよい環を形成してもよく、
Ｒ7およびＲ8は、互いに結合してＱを含む環を形成してもよく、この環は置換基を有していてもよい。）
【請求項2】
前記一般式［１］において、
Ｍが、ジルコニウム原子またはハフニウム原子であり、
Ｘが、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１～２０の炭化水素基、ケイ素含有基または酸素含有基であり、
Ｑが、炭素原子またはケイ素原子であり、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8が、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～２０の炭化水素基、炭素数１～２０のケイ素含有基、炭素数１～２０の酸素含有基、炭素数１～２０の窒素含有基または炭素数１～２０の硫黄含有基である、請求項１に記載の遷移金属化合物［Ａ］。
Ｍが、ジルコニウム原子またはハフニウム原子であり、
Ｘが、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１～２０の炭化水素基、ケイ素含有基または酸素含有基であり、
Ｑが、炭素原子またはケイ素原子であり、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8が、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～２０の炭化水素基、炭素数１～２０のケイ素含有基、炭素数１～２０の酸素含有基、炭素数１～２０の窒素含有基または炭素数１～２０の硫黄含有基である、請求項１に記載の遷移金属化合物［Ａ］。
【請求項3】
前記一般式［１］において、
Ｑが、ケイ素原子であり、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8が、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～２０の炭化水素基、炭素数１～２０のケイ素含有基、炭素数１～２０の酸素含有基または炭素数１～２０の窒素含有基である、請求項２に記載の遷移金属化合物［Ａ］。
Ｑが、ケイ素原子であり、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8が、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～２０の炭化水素基、炭素数１～２０のケイ素含有基、炭素数１～２０の酸素含有基または炭素数１～２０の窒素含有基である、請求項２に記載の遷移金属化合物［Ａ］。
【請求項4】
前記一般式［１］において、
Ｒ1およびＲ6が、水素原子である請求項３に記載の遷移金属化合物［Ａ］。
Ｒ1およびＲ6が、水素原子である請求項３に記載の遷移金属化合物［Ａ］。
【請求項5】
前記一般式［１］において、
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5が、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～２０の炭化水素基または炭素数１～２０のアルコキシ基である、請求項４に記載の遷移金属化合物［Ａ］。
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5が、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～２０の炭化水素基または炭素数１～２０のアルコキシ基である、請求項４に記載の遷移金属化合物［Ａ］。
【請求項6】
前記一般式［１］において、
Ｒ3およびＲ4が、互いに結合して置換基を有していてもよい環を形成する、請求項５に記載の遷移金属化合物［Ａ］。
Ｒ3およびＲ4が、互いに結合して置換基を有していてもよい環を形成する、請求項５に記載の遷移金属化合物［Ａ］。
【請求項7】
請求項１～６のいずれか一項に記載の遷移金属化合物［Ａ］を含むオレフィン系重合用触媒。
【請求項8】
［Ｂ－１］有機金属化合物、
［Ｂ－２］有機アルミニウムオキシ化合物、および
［Ｂ－３］遷移金属化合物［Ａ］と反応してイオン対を形成する化合物
からなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物［Ｂ］をさらに含む、請求項７に記載のオレフィン系重合用触媒。
［Ｂ－２］有機アルミニウムオキシ化合物、および
［Ｂ－３］遷移金属化合物［Ａ］と反応してイオン対を形成する化合物
からなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物［Ｂ］をさらに含む、請求項７に記載のオレフィン系重合用触媒。
【請求項9】
請求項７に記載のオレフィン系重合用触媒の存在下でオレフィンを重合させる工程を含むオレフィン系重合体の製造方法。
【請求項10】
前記オレフィンを重合させる工程が、エチレンを単独重合させる工程またはエチレンと炭素数３以上２０以下のα－オレフィンとを共重合させる工程である、請求項９に記載のオレフィン系重合体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、遷移金属化合物、該遷移金属化合物を含むオレフィン系重合用触媒および該オレフィン系重合用触媒を用いたオレフィン系重合体の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
オレフィン系重合体は、様々な成形方法により成形され、多方面の用途に使用されている。例えば、食料品、液体物または日用雑貨等の包装に用いられるフィルムまたはシートには、エチレン系重合体の押出成形体が用いられている。成形方法または用途に応じて、オレフィン系重合体に要求される特性は異なってくるが、例えば、Ｔダイ成形を行う際、高速においても安定的に成形が可能（高速成膜加工性）、ネックインが小さい等の加工性能を有することが求められている。
【0003】
高圧法ラジカル重合により製造される低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）は、複雑な長鎖分岐構造を有しているため溶融張力が大きく、そのためにネックインが小さい等成形加工性が良いため、さまざまな用途に供されている。しかしながら、成形体の引張強度、引裂強度または耐衝撃強度等の機械的強度は低く、またＴダイ成形における高速成膜加工性に劣るといった問題点も残されている。
【0004】
一方、チーグラー触媒またはメタロセン触媒を使用して製造されるエチレン系重合体は、ＬＤＰＥとは対照的に、その分子構造に由来して、引張強度、引裂強度または耐衝撃強度が高く、そのため機械的強度が必要とされる用途に供されているが、溶融張力が小さく成形加工性に劣るといった問題点がある。
【0005】
これらの問題を解決するために、２種の遷移金属化合物と固体状担体とからなる固体触媒成分の存在下で長鎖分岐を有するエチレン系重合体を製造する方法（特許文献１、２）が提案されている。
また、１種の遷移金属化合物と固体状担体とからなる固体触媒成分の存在下で長鎖分岐を有するエチレン系重合体を製造する方法として、遷移金属化合物として架橋ビス（１－インデニル）型化合物を用いる方法（特許文献３）、架橋シクロペンタジエニル（１－インデニル）型化合物を用いる方法（特許文献４、５）が報告されている。
一方、特許文献６では、後述するような２－インデニル基を有する遷移金属化合物を使用したオレフィン系重合が報告されている。
また、１種の遷移金属化合物と固体状担体とからなる固体触媒成分の存在下で長鎖分岐を有するエチレン系重合体を製造する方法として、遷移金属化合物として架橋ビス（１－インデニル）型化合物を用いる方法（特許文献３）、架橋シクロペンタジエニル（１－インデニル）型化合物を用いる方法（特許文献４、５）が報告されている。
一方、特許文献６では、後述するような２－インデニル基を有する遷移金属化合物を使用したオレフィン系重合が報告されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開２００６－２３３２０８号公報
【特許文献2】特開２００９－１４４１４８号公報
【特許文献3】特開２０１９－０５９９３３号公報
【特許文献4】特開２０１９－０５９７２３号公報
【特許文献5】特開２０１９－０５９７２４号公報
【特許文献6】特開２０２０－０５０６１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
ところで、製造時に用いるオレフィン系重合用触媒には、製造効率の観点から高い触媒活性を有していることが望ましい。また、エチレン系重合体に代表されるオレフィン系重合体を、パイプ等の高い強度が求められる用途に使用する場合、オレフィン系重合体は、高い分子量かつ狭い分子量分布を備えていることが望まれる。しかしながら、特許文献３～６に報告されている技術には、製造されるオレフィン系重合体の分子量や分子量分布について改良の余地がある等の課題があった。
【0008】
そこで本発明は、分子量が高く、かつ、分子量分布が狭いオレフィン系重合体を製造することができる遷移金属化合物、該遷移金属化合物を含むオレフィン系重合用触媒、および該オレフィン系重合用触媒を用いたオレフィン系重合体の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意研究したところ、シリル架橋（２－インデニル）（２,３,４,５－テトラメチルシクロペンタジエニル）型錯体の、２－インデニル環に特定の置換基を導入することによって、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させた。
【0010】
本発明の要旨は以下のとおりである。
［１］下記一般式［１］で表される遷移金属化合物［Ａ］。
（一般式［１］中、Ｍは、周期表第４族遷移金属原子であり、
ｎは、遷移金属化合物［Ａ］が電気的に中性となるように選択される１～４の整数であり、
Ｘは、水素原子、ハロゲン原子、炭化水素基、アニオン配位子または孤立電子対で配位可能な中性配位子であり、前記アニオン配位子は、ハロゲン含有基、ケイ素含有基、酸素含有基、硫黄含有基、窒素含有基、リン含有基、ホウ素含有基、アルミニウム含有基または共役ジエン系誘導体基であり、ｎが２以上の場合は、複数存在するＸで示される基は互いに同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環を形成してもよく、
Ｑは、周期表第１４族原子であり、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～４０の炭化水素基、ハロゲン含有基、ケイ素含有基、酸素含有基、窒素含有基または硫黄含有基であり、
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5の少なくとも一つは、炭素数１～４０の炭化水素基、ハロゲン含有基、ケイ素含有基、酸素含有基、窒素含有基または硫黄含有基であり、
Ｒ2～Ｒ5のうちの隣接した置換基同士は、互いに結合して置換基を有していてもよい環を形成してもよく、
Ｒ7およびＲ8は、互いに結合してＱを含む環を形成してもよく、この環は置換基を有していてもよい。）
［１］下記一般式［１］で表される遷移金属化合物［Ａ］。
【化1】
ｎは、遷移金属化合物［Ａ］が電気的に中性となるように選択される１～４の整数であり、
Ｘは、水素原子、ハロゲン原子、炭化水素基、アニオン配位子または孤立電子対で配位可能な中性配位子であり、前記アニオン配位子は、ハロゲン含有基、ケイ素含有基、酸素含有基、硫黄含有基、窒素含有基、リン含有基、ホウ素含有基、アルミニウム含有基または共役ジエン系誘導体基であり、ｎが２以上の場合は、複数存在するＸで示される基は互いに同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環を形成してもよく、
Ｑは、周期表第１４族原子であり、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～４０の炭化水素基、ハロゲン含有基、ケイ素含有基、酸素含有基、窒素含有基または硫黄含有基であり、
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5の少なくとも一つは、炭素数１～４０の炭化水素基、ハロゲン含有基、ケイ素含有基、酸素含有基、窒素含有基または硫黄含有基であり、
Ｒ2～Ｒ5のうちの隣接した置換基同士は、互いに結合して置換基を有していてもよい環を形成してもよく、
Ｒ7およびＲ8は、互いに結合してＱを含む環を形成してもよく、この環は置換基を有していてもよい。）
【0011】
［２］前記一般式［１］において、
Ｍが、ジルコニウム原子またはハフニウム原子であり、
Ｘが、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１～２０の炭化水素基、ケイ素含有基または酸素含有基であり、
Ｑが、炭素原子またはケイ素原子であり、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8が、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～２０の炭化水素基、炭素数１～２０のケイ素含有基、炭素数１～２０の酸素含有基、炭素数１～２０の窒素含有基または炭素数１～２０の硫黄含有基である、項［１］に記載の遷移金属化合物［Ａ］。
Ｍが、ジルコニウム原子またはハフニウム原子であり、
Ｘが、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１～２０の炭化水素基、ケイ素含有基または酸素含有基であり、
Ｑが、炭素原子またはケイ素原子であり、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8が、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～２０の炭化水素基、炭素数１～２０のケイ素含有基、炭素数１～２０の酸素含有基、炭素数１～２０の窒素含有基または炭素数１～２０の硫黄含有基である、項［１］に記載の遷移金属化合物［Ａ］。
【0012】
［３］前記一般式［１］において、
Ｑが、ケイ素原子であり、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8が、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～２０の炭化水素基、炭素数１～２０のケイ素含有基、炭素数１～２０の酸素含有基または炭素数１～２０の窒素含有基である、項［１］または［２］に記載の遷移金属化合物［Ａ］。
Ｑが、ケイ素原子であり、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8が、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～２０の炭化水素基、炭素数１～２０のケイ素含有基、炭素数１～２０の酸素含有基または炭素数１～２０の窒素含有基である、項［１］または［２］に記載の遷移金属化合物［Ａ］。
【0013】
［４］前記一般式［１］において、
Ｒ1およびＲ6が、水素原子である項［１］～［３］のいずれか１項に記載の遷移金属化合物［Ａ］。
Ｒ1およびＲ6が、水素原子である項［１］～［３］のいずれか１項に記載の遷移金属化合物［Ａ］。
【0014】
［５］前記一般式［１］において、
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5が、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～２０の炭化水素基または炭素数１～２０のアルコキシ基である、項［１］～［４］のいずれか１項に記載の遷移金属化合物［Ａ］。
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5が、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～２０の炭化水素基または炭素数１～２０のアルコキシ基である、項［１］～［４］のいずれか１項に記載の遷移金属化合物［Ａ］。
【0015】
［６］前記一般式［１］において、
Ｒ3およびＲ4が、互いに結合して置換基を有していてもよい環を形成する、項［１］～［５］のいずれか１項に記載の遷移金属化合物［Ａ］。
Ｒ3およびＲ4が、互いに結合して置換基を有していてもよい環を形成する、項［１］～［５］のいずれか１項に記載の遷移金属化合物［Ａ］。
【0016】
［７］項［１］～［６］のいずれか一項に記載の遷移金属化合物［Ａ］を含むオレフィン系重合用触媒。
【0017】
［８］［Ｂ－１］有機金属化合物、
［Ｂ－２］有機アルミニウムオキシ化合物、および
［Ｂ－３］遷移金属化合物［Ａ］と反応してイオン対を形成する化合物
からなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物［Ｂ］をさらに含む、項［７］に記載のオレフィン系重合用触媒。
［Ｂ－２］有機アルミニウムオキシ化合物、および
［Ｂ－３］遷移金属化合物［Ａ］と反応してイオン対を形成する化合物
からなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物［Ｂ］をさらに含む、項［７］に記載のオレフィン系重合用触媒。
【0018】
［９］項［７］または［８］に記載のオレフィン系重合用触媒の存在下でオレフィンを重合させる工程を含むオレフィン系重合体の製造方法。
【0019】
［１０］前記オレフィンを重合させる工程が、エチレンを単独重合させる工程またはエチレンと炭素数３以上２０以下のα－オレフィンとを共重合させる工程である、項［９］に記載のオレフィン系重合体の製造方法。
【発明の効果】
【0020】
本発明に係る遷移金属化合物、該遷移金属化合物を含むオレフィン系重合用触媒および該オレフィン系重合用触媒を用いたオレフィン系重合体の製造方法によれば、分子量が高く、かつ、分子量分布が狭いオレフィン系重合体を製造することができる。
【発明を実施するための形態】
【0021】
以下、本発明に係る遷移金属化合物等をさらに詳細に説明する。
［遷移金属化合物［Ａ］］
本発明に係る遷移金属化合物［Ａ］（以下、「成分（Ａ）」ともいう。）は、下記一般式［１］で表される。
［遷移金属化合物［Ａ］］
本発明に係る遷移金属化合物［Ａ］（以下、「成分（Ａ）」ともいう。）は、下記一般式［１］で表される。
【0022】
【化2】
【0023】
《Ｍ、ｎ、Ｘ》
一般式［１］において、Ｍは、周期表第４族遷移金属原子であり、好ましくはジルコニウム原子またはハフニウム原子であり、さらに好ましくはジルコニウム原子である。
ｎは、遷移金属化合物［Ａ］が電気的に中性となるように選択される１～４の整数であり、好ましくは１または２である。
一般式［１］において、Ｍは、周期表第４族遷移金属原子であり、好ましくはジルコニウム原子またはハフニウム原子であり、さらに好ましくはジルコニウム原子である。
ｎは、遷移金属化合物［Ａ］が電気的に中性となるように選択される１～４の整数であり、好ましくは１または２である。
【0024】
Ｘは、水素原子、ハロゲン原子、炭化水素基、アニオン配位子または孤立電子対で配位可能な中性配位子であり、前記アニオン配位子は、ハロゲン含有基、ケイ素含有基、酸素含有基、硫黄含有基、窒素含有基、リン含有基、ホウ素含有基、アルミニウム含有基または共役ジエン系誘導体基である。Ｘは、好ましくは水素原子、ハロゲン原子、炭素数１～２０の炭化水素基、ケイ素含有基または酸素含有基である。
【0025】
ｎが２以上の場合は、複数存在するＸで示される基は互いに同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環を形成してもよい。また、前記環が複数存在する場合には、前記環は互いに同一であっても異なっていてもよい。
【0026】
前記ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる、好ましくは塩素または臭素であり、より好ましくは塩素である。
【0027】
前記炭化水素基としては、例えば、
メチル基、エチル基、１－プロピル基、１－ブチル基、１－ペンチル基、１－ヘキシル基、１－ヘプチル基、１－オクチル基、ｉｓｏ－プロピル基、ｓｅｃ－ブチル基（ブタン－２－イル基）、ｔｅｒｔ－ブチル基（２－メチルプロパン－２－イル基）、ｉｓｏ－ブチル基（２－メチルプロピル基）、ペンタン－２－イル基、２－メチルブチル基、ｉｓｏ－ペンチル基（３－メチルブチル基）、ネオペンチル基（２，２－ジメチルプロピル基）、シアミル基（１，２－ジメチルプロピル基）、ｉｓｏ－ヘキシル基（４－メチルペンチル基）、２，２－ジメチルブチル基、２，３－ジメチルブチル基、３，３－ジメチルブチル基、テキシル基（２，３－ジメチルブタ－２－イル基）、４，４－ジメチルペンチル基等の直鎖状または分岐状のアルキル基；
ビニル基、アリル基、プロペニル基（プロパ－１－エン－１－イル基）、ｉｓｏ－プロペニル基（プロパ－１－エン－２－イル基）、アレニル基（プロパ－１，２－ジエン－１－イル基）、ブタ－３－エン－１－イル基、クロチル基（ブタ－２－エン－１－イル基）、ブタ－３－エン－２－イル基、メタリル基（２－メチルアリル基）、ブタ－１，３－ジエニル基、ペンタ－４－エン－１－イル基、ペンタ－３－エン－１－イル基、ペンタ－２－エン－１－イル基、ｉｓｏ－ペンテニル基（３－メチルブタ－３－エン－１－イル基）、２－メチルブタ－３－エン－１－イル基、ペンタ－４－エン－２－イル基、プレニル基（３－メチルブタ－２－エン－１－イル基）等の直鎖状または分岐状のアルケニル基もしくは不飽和二重結合含有基；
エチニル基、プロパ－２－イン－１－イル基、プロパルギル基（プロパ－１－イン－１－イル基）等の直鎖状または分岐状のアルキニル基もしくは不飽和三重結合含有基；
ベンジル基、２－メチルベンジル基、４－メチルベンジル基、２，４，６－トリメチルベンジル基、３，５－ジメチルベンジル基、クミニル基（４－ｉｓｏ－プロピルベンジル基）、２，４，６－トリ－ｉｓｏ－プロピルベンジル基、４－ｔｅｒｔ－ブチルベンジル基、３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルベンジル基、１－フェニルエチル基、ベンズヒドリル基（ジフェニルメチル基）等の芳香族含有直鎖状または分岐状のアルキル基および不飽和二重結合含有基；
シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロヘプタトリエニル基、ノルボルニル基、ノルボルネニル基、１－アダマンチル基、２－アダマンチル基等の環状飽和炭化水素基；
フェニル基、トリル基（メチルフェニル基）、キシリル基（ジメチルフェニル基）、メシチル基（２，４，６－トリメチルフェニル基）、クメニル基（ｉｓｏ－プロピルフェニル基）、ジュリル基（２，３，５，６－テトラメチルフェニル基）、２，６－ジ－ｉｓｏ－プロピルフェニル基、２，４，６－トリ－ｉｓｏ－プロピルフェニル基、４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル基、３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ｔｅｒフェニル基、ビナフチル基、アセナフタレニル基、フェナントリル基、アントラセニル基、ピレニル基、フェロセニル基等の芳香族置換基が挙げられる。
前記炭化水素基の中でも、メチル基、ｉｓｏ－ブチル基、ネオペンチル基、シアミル基、ベンジル基、フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、クメニル基が好ましい。
メチル基、エチル基、１－プロピル基、１－ブチル基、１－ペンチル基、１－ヘキシル基、１－ヘプチル基、１－オクチル基、ｉｓｏ－プロピル基、ｓｅｃ－ブチル基（ブタン－２－イル基）、ｔｅｒｔ－ブチル基（２－メチルプロパン－２－イル基）、ｉｓｏ－ブチル基（２－メチルプロピル基）、ペンタン－２－イル基、２－メチルブチル基、ｉｓｏ－ペンチル基（３－メチルブチル基）、ネオペンチル基（２，２－ジメチルプロピル基）、シアミル基（１，２－ジメチルプロピル基）、ｉｓｏ－ヘキシル基（４－メチルペンチル基）、２，２－ジメチルブチル基、２，３－ジメチルブチル基、３，３－ジメチルブチル基、テキシル基（２，３－ジメチルブタ－２－イル基）、４，４－ジメチルペンチル基等の直鎖状または分岐状のアルキル基；
ビニル基、アリル基、プロペニル基（プロパ－１－エン－１－イル基）、ｉｓｏ－プロペニル基（プロパ－１－エン－２－イル基）、アレニル基（プロパ－１，２－ジエン－１－イル基）、ブタ－３－エン－１－イル基、クロチル基（ブタ－２－エン－１－イル基）、ブタ－３－エン－２－イル基、メタリル基（２－メチルアリル基）、ブタ－１，３－ジエニル基、ペンタ－４－エン－１－イル基、ペンタ－３－エン－１－イル基、ペンタ－２－エン－１－イル基、ｉｓｏ－ペンテニル基（３－メチルブタ－３－エン－１－イル基）、２－メチルブタ－３－エン－１－イル基、ペンタ－４－エン－２－イル基、プレニル基（３－メチルブタ－２－エン－１－イル基）等の直鎖状または分岐状のアルケニル基もしくは不飽和二重結合含有基；
エチニル基、プロパ－２－イン－１－イル基、プロパルギル基（プロパ－１－イン－１－イル基）等の直鎖状または分岐状のアルキニル基もしくは不飽和三重結合含有基；
ベンジル基、２－メチルベンジル基、４－メチルベンジル基、２，４，６－トリメチルベンジル基、３，５－ジメチルベンジル基、クミニル基（４－ｉｓｏ－プロピルベンジル基）、２，４，６－トリ－ｉｓｏ－プロピルベンジル基、４－ｔｅｒｔ－ブチルベンジル基、３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルベンジル基、１－フェニルエチル基、ベンズヒドリル基（ジフェニルメチル基）等の芳香族含有直鎖状または分岐状のアルキル基および不飽和二重結合含有基；
シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロヘプタトリエニル基、ノルボルニル基、ノルボルネニル基、１－アダマンチル基、２－アダマンチル基等の環状飽和炭化水素基；
フェニル基、トリル基（メチルフェニル基）、キシリル基（ジメチルフェニル基）、メシチル基（２，４，６－トリメチルフェニル基）、クメニル基（ｉｓｏ－プロピルフェニル基）、ジュリル基（２，３，５，６－テトラメチルフェニル基）、２，６－ジ－ｉｓｏ－プロピルフェニル基、２，４，６－トリ－ｉｓｏ－プロピルフェニル基、４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル基、３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ｔｅｒフェニル基、ビナフチル基、アセナフタレニル基、フェナントリル基、アントラセニル基、ピレニル基、フェロセニル基等の芳香族置換基が挙げられる。
前記炭化水素基の中でも、メチル基、ｉｓｏ－ブチル基、ネオペンチル基、シアミル基、ベンジル基、フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、クメニル基が好ましい。
【0028】
前記ハロゲン含有基としては、例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、トリクロロメチル基、ペンタフルオロエチル基、２，２，２－トリフルオロエチル基、フルオロフェニル基、ジフルオロフェニル基、トリフルオロフェニル基、テトラフルオロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、トリフルオロメチルフェニル基、ビストリフルオロメチルフェニル基、ヘキサクロロアンチモン酸アニオンが挙げられる。
前記ハロゲン含有基の中でも、ペンタフルオロフェニル基が好ましい。
前記ハロゲン含有基の中でも、ペンタフルオロフェニル基が好ましい。
【0029】
前記ケイ素含有基としては、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリ－ｉｓｏ－プロピルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔｅｒｔ－ブチルジメチルシリル基、ｔｅｒｔ－ブチルジフェニルシリル基、トリフェニルシリル基、トリス（トリメチルシリル）シリル基、トリメチルシリルメチル基が挙げられる。
前記ケイ素含有基の中でも、トリメチルシリルメチル基が好ましい。
前記ケイ素含有基の中でも、トリメチルシリルメチル基が好ましい。
【0030】
前記酸素含有基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｉｓｏ－プロポキシ基、アリルオキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基、ｉｓｏ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、ベンジルオキシ基、メトキシメトキシ基、フェノキシ基、２，６－ジメチルフェノキシ基、２，６－ジ－ｉｓｏ－プロピルフェノキシ基、２，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェノキシ基、２，４，６－トリメチルフェノキシ基、２，４，６－トリ－ｉｓｏ－プロピルフェノキシ基、アセトキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセトキシ基、過塩素酸アニオン、過ヨウ素酸アニオンが挙げられる。
前記酸素含有基の中でも、メトキシ基、エトキシ基、ｉｓｏ－プロポキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基が好ましい。
前記酸素含有基の中でも、メトキシ基、エトキシ基、ｉｓｏ－プロポキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基が好ましい。
【0031】
前記硫黄含有基としては、例えば、メシル基（メタンスルフォニル基）、フェニルスルホニル基、トシル基（ｐ－トルエンスルホニル基）、トリフリル基（トリフルオロメタンスルホニル基）、ノナフリル基（ノナフルオロブタンスルホニル基）、メシラート基（メタンスルホナート基）、トシラート基（ｐ－トルエンスルホナート基）、トリフラート基（トリフルオロメタンスルホナート基）、ノナフラート基（ノナフルオロブタンスルホナート基）が挙げられる。
前記硫黄含有基の中でも、トリフラート基（トリフルオロメタンスルホナート基）が好ましい。
前記硫黄含有基の中でも、トリフラート基（トリフルオロメタンスルホナート基）が好ましい。
【0032】
前記窒素含有基としては、例えば、アミノ基、シアノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、アリルアミノ基、ジアリルアミノ基、ベンジルアミノ基、ジベンジルアミノ基、ピロリジニル基、ピペリジニル基、モルホリル基、ピロリル基、ビストリフリルイミド基が挙げられる。
前記窒素含有基の中でも、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ピロリジニル基、ピロリル基、ビストリフリルイミド基が好ましい。
前記窒素含有基の中でも、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ピロリジニル基、ピロリル基、ビストリフリルイミド基が好ましい。
【0033】
前記リン含有基としては、例えば、ヘキサフルオロリン酸アニオンが挙げられる。
【0034】
前記ホウ素含有基としては、例えば、テトラフルオロホウ酸アニオン、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸アニオン、（メチル）（トリス（ペンタフルオロフェニル））ホウ酸アニオン、（ベンジル）（トリス（ペンタフルオロフェニル））ホウ酸アニオン、テトラキス（（３，５－ビストリフルオロメチル）フェニル）ホウ酸アニオン、ＢＲ4（Ｒはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、置換基を有してもよいアリール基、またはハロゲン原子等を示す。）で表される基が挙げられる。
【0035】
前記アルミニウム含有基としては、例えば、
【0036】
【化3】
【0037】
前記共役ジエン系誘導体基としては、例えば、１，３－ブタジエニル基、イソプレニル基（２－メチル－１，３－ブタジエニル基）、ピペリレニル基（１，３－ペンタジエニル基）、２，４－ヘキサジエニル基、１，４－ジフェニル－１，３－ペンタジエニル基、シクロペンタジエニル基等、メタロシクロペンテン基が挙げられる。
【0038】
前記孤立電子対で配位可能な中性配位子としては、例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、１，２－ジメトキシエタン等のエーテル類、トリエチルアミン、ジエチルアミン等のアミン類、ピリジン、ピコリン、ルチジン、オキサゾリン、オキサゾール、チアゾール、イミダゾール、チオフェン等の複素環式化合物、トリフェニルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリ－ｔｅｒｔ－ブチルホスフィン等の有機リン化合物が挙げられる。
【0039】
《Ｑ》
前記一般式［１］において、Ｑは、周期表第１４族原子であり、たとえば炭素原子、ケイ素原子、ゲルマニウム原子またはスズ原子であり、好ましくは炭素原子またはケイ素原子であり、より好ましくはケイ素原子である。
前記一般式［１］において、Ｑは、周期表第１４族原子であり、たとえば炭素原子、ケイ素原子、ゲルマニウム原子またはスズ原子であり、好ましくは炭素原子またはケイ素原子であり、より好ましくはケイ素原子である。
【0040】
《Ｒ
1
～Ｒ
8
》
前記一般式［１］において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～４０の炭化水素基、ハロゲン含有基、ケイ素含有基、酸素含有基、窒素含有基または硫黄含有基であり、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5の少なくとも一つは、炭素数１～４０の炭化水素基、ハロゲン含有基、ケイ素含有基、酸素含有基、窒素含有基または硫黄含有基である。Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5の少なくとも一つは、炭素数１～４０の炭化水素基、ハロゲン含有基、ケイ素含有基、酸素含有基、窒素含有基または硫黄含有基である遷移金属化合物［Ａ］を用いることで、製造されるオレフィン系重合体の分子量が増大し、分子量分布が狭くなる。
前記一般式［１］において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～４０の炭化水素基、ハロゲン含有基、ケイ素含有基、酸素含有基、窒素含有基または硫黄含有基であり、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5の少なくとも一つは、炭素数１～４０の炭化水素基、ハロゲン含有基、ケイ素含有基、酸素含有基、窒素含有基または硫黄含有基である。Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5の少なくとも一つは、炭素数１～４０の炭化水素基、ハロゲン含有基、ケイ素含有基、酸素含有基、窒素含有基または硫黄含有基である遷移金属化合物［Ａ］を用いることで、製造されるオレフィン系重合体の分子量が増大し、分子量分布が狭くなる。
【0041】
前記炭素数１～４０の炭化水素基は、好ましくは芳香族炭化水素基を除く炭素数１～２０の炭化水素基または炭素数６～４０の芳香族炭化水素基、より好ましくは炭素数１～２０の炭化水素基、さらに好ましくは炭素数１～２０の脂肪族または脂環式の炭化水素基である。前記炭素数１～２０の炭化水素基には、アリールアルキル基の様な芳香族構造を有する置換基も含まれる。
【0042】
前記炭素数１～４０の炭化水素基としては、例えば、
メチル基、エチル基、１－プロピル基、１－ブチル基、１－ペンチル基、１－ヘキシル基、１－ヘプチル基、１－オクチル基、１－ノニル基、１－デカニル基、１－ウンデカニル基、１－ドデカニル基、１－エイコサニル基、ｉｓｏ－プロピル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｉｓｏ－ブチル基、ペンタン－２－イル基、２－メチルブチル基、ｉｓｏ－ペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基（１，１－ジメチルプロピル基）、シアミル基、ペンタン－３－イル基、２－メチルペンチル基、３－メチルペンチル基、ｉｓｏ－ヘキシル基、１，１－ジメチルブチル基（２－メチルペンタン－２－イル基）、３－メチルペンタン－２－イル基、４－メチルペンタン－２－イル基、２，２－ジメチルブチル基、２，３－ジメチルブチル基、３，３－ジメチルブチル基、テキシル基、３－メチルペンタン－３－イル基、３，３－ジメチルブタ－２－イル基、ヘキサン－３－イル基、２－メチルペンタン－３－イル基、ヘプタン－４－イル基、２，４－ジメチルペンタン－２－イル基、３－エチルペンタン－３－イル基、４，４－ジメチルペンチル基、４－メチルヘプタン－４－イル基、４－プロピルヘプタン－４－イル基、２，３，３－トリメチルブタン－２－イル基、２，４，４－トリメチルペンタン－２－イル基等の炭素数が１～４０の直鎖状または分岐状のアルキル基；
ビニル基、アリル基、プロペニル基、ｉｓｏ－プロペニル基、アレニル基、ブタ－３－エン－１－イル基、クロチル基、ブタ－３－エン－２－イル基、メタリル基、ブタ－１，３－ジエニル基、ペンタ－４－エン－１－イル基、ペンタ－３－エン－１－イル基、ペンタ－２－エン－１－イル基、ｉｓｏ－ペンテニル基、２－メチルブタ－３－エン－１－イル基、ペンタ－４－エン－２－イル基、プレニル基、２－メチル－ブタ－２－エン－１－イル基、ペンタ－３－エン－２－イル基、２－メチル－ブタ－３－エン－２－イル基、ペンタ－１－エン－３－イル基、ペンタ－２，４－ジエン－１－イル基、ペンタ－１，３－ジエン－１－イル基、ペンタ－１，４－ジエン－３－イル基、ｉｓｏ－プレニル基（２－メチル－ブタ－１，３－ジエン－１－イル基）、ペンタ－２，４－ジエン－２－イル基、ヘキサ－５－エン－１－イル基、ヘキサ－４－エン－１－イル基、ヘキサ－３－エン－１－イル基、ヘキサ－２－エン－１－イル基、４－メチル－ペンタ－４－エン－１－イル基、３－メチル－ペンタ－４－エン－１－イル基、２－メチル－ペンタ－４－エン－１－イル基、ヘキサ－５－エン－２－イル基、４－メチル－ペンタ－３－エン－１－イル基、３－メチル－ペンタ－３－エン－１－イル基、２，３－ジメチル－ブタ－２－エン－１－イル基、２－メチルペンタ－４－エン－２－イル基、３－エチルペンタ－１－エン－３－イル基、ヘキサ－３，５－ジエン－１－イル基、ヘキサ－２，４－ジエン－１－イル基、４－メチルペンタ－１，３－ジエン－１－イル基、２，３－ジメチル－ブタ－１，３－ジエン－１－イル基、ヘキサ－１，３，５－トリエン－１－イル基、２－（シクロペンタジエニル）プロパン－２－イル基、２－（シクロペンタジエニル）エチル基等の炭素数が２～４０の直鎖状または分岐状のアルケニル基もしくは不飽和二重結合含有基；
エチニル基、プロパ－２－イン－１－イル基、プロパルギル基、ブタ－１－イン－１－イル基、ブタ－２－イン－１－イル基、ブタ－３－イン－１－イル基、ペンタ－１－イン－１－イル基、ペンタ－２－イン－１－イル基、ペンタ－３－イン－１－イル基、ペンタ－４－イン－１－イル基、３－メチル－ブタ－１－イン－１－イル基、ペンタ－３－イン－２－イル基、２－メチル－ブタ－３－イン－１－イル基、ペンタ－４－イン－２－イル基、ヘキサ－１－イン－１－イル基、３，３－ジメチル－ブタ－１－イン－１－イル基、２－メチル－ペンタ－３－イン－２－イル基、２，２－ジメチル－ブタ－３－イン－１－イル基、ヘキサ－４－イン－１－イル基、ヘキサ－５－イン－１－イル基等の炭素数が２～４０の直鎖状または分岐状のアルキニル基もしくは不飽和三重結合含有基；
ベンジル基、２－メチルベンジル基、４－メチルベンジル基、２，４，６－トリメチルベンジル基、３，５－ジメチルベンジル基、クミニル基、２，４，６－トリ－ｉｓｏ－プロピルベンジル基、４－ｔｅｒｔ－ブチルベンジル基、３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルベンジル基、１－フェニルエチル基、ベンズヒドリル基、クミル基（２－フェニルプロパン－２－イル基）、２－（４－メチルフェニル）プロパン－２－イル基、２－（３，５－ジメチルフェニル）プロパン－２－イル基、２－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）プロパン－２－イル基、２－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）プロパン－２－イル基、３－フェニルペンタン－３－イル基、４－フェニルヘプタ－１，６－ジエン－４－イル基、１，２，３－トリフェニルプロパン－２－イル基、１，１－ジフェニルエチル基、１，１－ジフェニルプロピル基、１，１－ジフェニル－ブタ－３－エン－１－イル基、１，１，２－トリフェニルエチル基、トリチル基（トリフェニルメチル基）、トリ－（４－メチルフェニル）メチル基、２－フェニルエチル基、スチリル基（２－フェニルビニル基）、２－（２－メチルフェニル）エチル基、２－（４－メチルフェニル）エチル基、２－（２，４，６－トリメチルフェニル）エチル基、２－（３，５－ジメチルフェニル）エチル基、２－（２，４，６－トリ－ｉｓｏ－プロピルフェニル）エチル基、２－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）エチル基、２－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）エチル基、２－メチル－１－フェニルプロパン－２－イル基、３－フェニルプロピル基、シンナミル基（３－フェニルアリル基）、ネオフィル基（２－メチル－２－フェニルプロピル基）、３－メチル－３－フェニルブチル基、２－メチル－４－フェニルブタン－２－イル基、シクロペンタジエニルジフェニルメチル基、２－（１－インデニル）プロパン－２－イル基、（１－インデニル）ジフェニルメチル基、２－（１－インデニル）エチル基、２－（テトラヒドロ－１－インダセニル）プロパン－２－イル基、（テトラヒドロ－１－インダセニル）ジフェニルメチル基、２－（テトラヒドロ－１－インダセニル）エチル基、２－（１－ベンゾインデニル）プロパン－２－イル基、（１－ベンゾインデニル）ジフェニルメチル基、２－（１－ベンゾインデニル）エチル基、２－（９－フルオレニル）プロパン－２－イル基、（９－フルオレニル）ジフェニルメチル基、２－（９－フルオレニル）エチル基、２－（１－アズレニル）プロパン－２－イル基、（１－アズレニル）ジフェニルメチル基、２－（１－アズレニル）エチル基等の炭素数が７～４０の芳香族含有直鎖状または分岐状のアルキル基および不飽和二重結合含有基；
シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロペンテニル基、シクロペンタジエニル基、ジメチルシクロペンタジエニル基、ｎ－ブチルシクロペンタジエニル基、ｎ－ブチル－メチルシクロペンタジエニル基、テトラメチルシクロペンタジエニル基、１－メチルシクロペンチル基、１－アリルシクロペンチル基、１－ベンジルシクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキセニル基、シクロヘキサジエニル基、１－メチルシクロヘキシル基、１－アリルシクロヘキシル基、１－ベンジルシクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロヘプテニル基、シクロヘプタトリエニル基、１－メチルシクロヘプチル基、１－アリルシクロヘプチル基、１－ベンジルシクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロオクテニル基、シクロオクタジエニル基、シクロオクタトリエニル基、１－メチルシクロオクチル基、１－アリルシクロオクチル基、１－ベンジルシクロオクチル基、４－シクロヘキシル－ｔｅｒｔ－ブチル基、ノルボルニル基、ノルボルネニル基、ノルボルナジエニル基、２－メチルビシクロ［２．２．１］ヘプタン－２－イル基、７－メチルビシクロ［２．２．１］ヘプタン－７－イル基、ビシクロ［２．２．２］オクタン－１－イル基、ビシクロ［２．２．２］オクタン－２－イル基、１－アダマンチル基、２－アダマンチル基、１－（２－メチルアダマンチル）、１－（３－メチルアダマンチル）、１－（４－メチルアダマンチル）、１－（２－フェニルアダマンチル）、１－（３－フェニルアダマンチル）、１－（４－フェニルアダマンチル）、１－（３，５－ジメチルアダマンチル）、１－（３，５，７－トリメチルアダマンチル）、１－（３，５，７－トリフェニルアダマンチル）、ペンタレニル基、インデニル基、フルオレニル基、インダセニル基、テトラヒドロインダセニル基、ベンゾインデニル基、アズレニル基等の炭素数が３～４０の環状飽和および不飽和炭化水素基；
フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、クメニル基、ジュリル基、２，６－ジ－ｉｓｏ－プロピルフェニル基、２，４，６－トリ－ｉｓｏ－プロピルフェニル基、４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル基、３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル基、アリルフェニル基、（ブタ－３－エン－１－イル）フェニル基、（ブタ－２－エン－１－イル）フェニル基、メタリルフェニル基、プレニルフェニル基、４－アダマンチルフェニル基、３，５－ジ－アダマンチルフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ｔｅｒフェニル基、ビナフチル基、アセナフタレニル基、フェナントリル基、アントラセニル基、ピレニル基、フェロセニル基等の炭素数が６～４０の芳香族置換基が挙げられる。
メチル基、エチル基、１－プロピル基、１－ブチル基、１－ペンチル基、１－ヘキシル基、１－ヘプチル基、１－オクチル基、１－ノニル基、１－デカニル基、１－ウンデカニル基、１－ドデカニル基、１－エイコサニル基、ｉｓｏ－プロピル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｉｓｏ－ブチル基、ペンタン－２－イル基、２－メチルブチル基、ｉｓｏ－ペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基（１，１－ジメチルプロピル基）、シアミル基、ペンタン－３－イル基、２－メチルペンチル基、３－メチルペンチル基、ｉｓｏ－ヘキシル基、１，１－ジメチルブチル基（２－メチルペンタン－２－イル基）、３－メチルペンタン－２－イル基、４－メチルペンタン－２－イル基、２，２－ジメチルブチル基、２，３－ジメチルブチル基、３，３－ジメチルブチル基、テキシル基、３－メチルペンタン－３－イル基、３，３－ジメチルブタ－２－イル基、ヘキサン－３－イル基、２－メチルペンタン－３－イル基、ヘプタン－４－イル基、２，４－ジメチルペンタン－２－イル基、３－エチルペンタン－３－イル基、４，４－ジメチルペンチル基、４－メチルヘプタン－４－イル基、４－プロピルヘプタン－４－イル基、２，３，３－トリメチルブタン－２－イル基、２，４，４－トリメチルペンタン－２－イル基等の炭素数が１～４０の直鎖状または分岐状のアルキル基；
ビニル基、アリル基、プロペニル基、ｉｓｏ－プロペニル基、アレニル基、ブタ－３－エン－１－イル基、クロチル基、ブタ－３－エン－２－イル基、メタリル基、ブタ－１，３－ジエニル基、ペンタ－４－エン－１－イル基、ペンタ－３－エン－１－イル基、ペンタ－２－エン－１－イル基、ｉｓｏ－ペンテニル基、２－メチルブタ－３－エン－１－イル基、ペンタ－４－エン－２－イル基、プレニル基、２－メチル－ブタ－２－エン－１－イル基、ペンタ－３－エン－２－イル基、２－メチル－ブタ－３－エン－２－イル基、ペンタ－１－エン－３－イル基、ペンタ－２，４－ジエン－１－イル基、ペンタ－１，３－ジエン－１－イル基、ペンタ－１，４－ジエン－３－イル基、ｉｓｏ－プレニル基（２－メチル－ブタ－１，３－ジエン－１－イル基）、ペンタ－２，４－ジエン－２－イル基、ヘキサ－５－エン－１－イル基、ヘキサ－４－エン－１－イル基、ヘキサ－３－エン－１－イル基、ヘキサ－２－エン－１－イル基、４－メチル－ペンタ－４－エン－１－イル基、３－メチル－ペンタ－４－エン－１－イル基、２－メチル－ペンタ－４－エン－１－イル基、ヘキサ－５－エン－２－イル基、４－メチル－ペンタ－３－エン－１－イル基、３－メチル－ペンタ－３－エン－１－イル基、２，３－ジメチル－ブタ－２－エン－１－イル基、２－メチルペンタ－４－エン－２－イル基、３－エチルペンタ－１－エン－３－イル基、ヘキサ－３，５－ジエン－１－イル基、ヘキサ－２，４－ジエン－１－イル基、４－メチルペンタ－１，３－ジエン－１－イル基、２，３－ジメチル－ブタ－１，３－ジエン－１－イル基、ヘキサ－１，３，５－トリエン－１－イル基、２－（シクロペンタジエニル）プロパン－２－イル基、２－（シクロペンタジエニル）エチル基等の炭素数が２～４０の直鎖状または分岐状のアルケニル基もしくは不飽和二重結合含有基；
エチニル基、プロパ－２－イン－１－イル基、プロパルギル基、ブタ－１－イン－１－イル基、ブタ－２－イン－１－イル基、ブタ－３－イン－１－イル基、ペンタ－１－イン－１－イル基、ペンタ－２－イン－１－イル基、ペンタ－３－イン－１－イル基、ペンタ－４－イン－１－イル基、３－メチル－ブタ－１－イン－１－イル基、ペンタ－３－イン－２－イル基、２－メチル－ブタ－３－イン－１－イル基、ペンタ－４－イン－２－イル基、ヘキサ－１－イン－１－イル基、３，３－ジメチル－ブタ－１－イン－１－イル基、２－メチル－ペンタ－３－イン－２－イル基、２，２－ジメチル－ブタ－３－イン－１－イル基、ヘキサ－４－イン－１－イル基、ヘキサ－５－イン－１－イル基等の炭素数が２～４０の直鎖状または分岐状のアルキニル基もしくは不飽和三重結合含有基；
ベンジル基、２－メチルベンジル基、４－メチルベンジル基、２，４，６－トリメチルベンジル基、３，５－ジメチルベンジル基、クミニル基、２，４，６－トリ－ｉｓｏ－プロピルベンジル基、４－ｔｅｒｔ－ブチルベンジル基、３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルベンジル基、１－フェニルエチル基、ベンズヒドリル基、クミル基（２－フェニルプロパン－２－イル基）、２－（４－メチルフェニル）プロパン－２－イル基、２－（３，５－ジメチルフェニル）プロパン－２－イル基、２－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）プロパン－２－イル基、２－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）プロパン－２－イル基、３－フェニルペンタン－３－イル基、４－フェニルヘプタ－１，６－ジエン－４－イル基、１，２，３－トリフェニルプロパン－２－イル基、１，１－ジフェニルエチル基、１，１－ジフェニルプロピル基、１，１－ジフェニル－ブタ－３－エン－１－イル基、１，１，２－トリフェニルエチル基、トリチル基（トリフェニルメチル基）、トリ－（４－メチルフェニル）メチル基、２－フェニルエチル基、スチリル基（２－フェニルビニル基）、２－（２－メチルフェニル）エチル基、２－（４－メチルフェニル）エチル基、２－（２，４，６－トリメチルフェニル）エチル基、２－（３，５－ジメチルフェニル）エチル基、２－（２，４，６－トリ－ｉｓｏ－プロピルフェニル）エチル基、２－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）エチル基、２－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）エチル基、２－メチル－１－フェニルプロパン－２－イル基、３－フェニルプロピル基、シンナミル基（３－フェニルアリル基）、ネオフィル基（２－メチル－２－フェニルプロピル基）、３－メチル－３－フェニルブチル基、２－メチル－４－フェニルブタン－２－イル基、シクロペンタジエニルジフェニルメチル基、２－（１－インデニル）プロパン－２－イル基、（１－インデニル）ジフェニルメチル基、２－（１－インデニル）エチル基、２－（テトラヒドロ－１－インダセニル）プロパン－２－イル基、（テトラヒドロ－１－インダセニル）ジフェニルメチル基、２－（テトラヒドロ－１－インダセニル）エチル基、２－（１－ベンゾインデニル）プロパン－２－イル基、（１－ベンゾインデニル）ジフェニルメチル基、２－（１－ベンゾインデニル）エチル基、２－（９－フルオレニル）プロパン－２－イル基、（９－フルオレニル）ジフェニルメチル基、２－（９－フルオレニル）エチル基、２－（１－アズレニル）プロパン－２－イル基、（１－アズレニル）ジフェニルメチル基、２－（１－アズレニル）エチル基等の炭素数が７～４０の芳香族含有直鎖状または分岐状のアルキル基および不飽和二重結合含有基；
シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロペンテニル基、シクロペンタジエニル基、ジメチルシクロペンタジエニル基、ｎ－ブチルシクロペンタジエニル基、ｎ－ブチル－メチルシクロペンタジエニル基、テトラメチルシクロペンタジエニル基、１－メチルシクロペンチル基、１－アリルシクロペンチル基、１－ベンジルシクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキセニル基、シクロヘキサジエニル基、１－メチルシクロヘキシル基、１－アリルシクロヘキシル基、１－ベンジルシクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロヘプテニル基、シクロヘプタトリエニル基、１－メチルシクロヘプチル基、１－アリルシクロヘプチル基、１－ベンジルシクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロオクテニル基、シクロオクタジエニル基、シクロオクタトリエニル基、１－メチルシクロオクチル基、１－アリルシクロオクチル基、１－ベンジルシクロオクチル基、４－シクロヘキシル－ｔｅｒｔ－ブチル基、ノルボルニル基、ノルボルネニル基、ノルボルナジエニル基、２－メチルビシクロ［２．２．１］ヘプタン－２－イル基、７－メチルビシクロ［２．２．１］ヘプタン－７－イル基、ビシクロ［２．２．２］オクタン－１－イル基、ビシクロ［２．２．２］オクタン－２－イル基、１－アダマンチル基、２－アダマンチル基、１－（２－メチルアダマンチル）、１－（３－メチルアダマンチル）、１－（４－メチルアダマンチル）、１－（２－フェニルアダマンチル）、１－（３－フェニルアダマンチル）、１－（４－フェニルアダマンチル）、１－（３，５－ジメチルアダマンチル）、１－（３，５，７－トリメチルアダマンチル）、１－（３，５，７－トリフェニルアダマンチル）、ペンタレニル基、インデニル基、フルオレニル基、インダセニル基、テトラヒドロインダセニル基、ベンゾインデニル基、アズレニル基等の炭素数が３～４０の環状飽和および不飽和炭化水素基；
フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、クメニル基、ジュリル基、２，６－ジ－ｉｓｏ－プロピルフェニル基、２，４，６－トリ－ｉｓｏ－プロピルフェニル基、４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル基、３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル基、アリルフェニル基、（ブタ－３－エン－１－イル）フェニル基、（ブタ－２－エン－１－イル）フェニル基、メタリルフェニル基、プレニルフェニル基、４－アダマンチルフェニル基、３，５－ジ－アダマンチルフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ｔｅｒフェニル基、ビナフチル基、アセナフタレニル基、フェナントリル基、アントラセニル基、ピレニル基、フェロセニル基等の炭素数が６～４０の芳香族置換基が挙げられる。
【0043】
前記炭素数が１～４０の直鎖状または分岐状のアルキル基の中でも、メチル基、エチル基、１－プロピル基、１－ブチル基、１－ペンチル基、１－ヘキシル基、１－ヘプチル基、１－オクチル基、ｉｓｏ－プロピル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｉｓｏ－ブチル基、ｉｓｏ－ペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、ペンタン－３－イル基、ｉｓｏ－ヘキシル基、１，１－ジメチルブチル基、３，３－ジメチルブチル基、テキシル基、３－メチルペンタン－３－イル基、ヘプタン－４－イル基、２，４－ジメチルペンタン－２－イル基、３－エチルペンタン－３－イル基、４，４－ジメチルペンチル基、４－メチルヘプタン－４－イル基、４－プロピルヘプタン－４－イル基、２，４，４－トリメチルペンタン－２－イル基が好ましく、メチル基、エチル基、１－プロピル基、１－ブチル基、１－ペンチル基、１－ヘキシル基、ｉｓｏ－プロピル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ネオペンチル基、２，４－ジメチルペンタン－２－イル基、２，４，４－トリメチルペンタン－２－イル基がより好ましい。
【0044】
前記炭素数が２～４０の直鎖状または分岐状のアルケニル基もしくは不飽和二重結合含有基の中でも、ビニル基、アリル基、ブタ－３－エン－１－イル基、クロチル基、メタリル基、ペンタ－４－エン－１－イル基、プレニル基、ペンタ－１，４－ジエン－３－イル基、ヘキサ－５－エン－１－イル基、２－メチルペンタ－４－エン－２－イル基、２－（シクロペンタジエニル）プロパン－２－イル基、２－（シクロペンタジエニル）エチル基が好ましく、ビニル基、アリル基、ブタ－３－エン－１－イル基、ペンタ－４－エン－１－イル基、プレニル基、ヘキサ－５－エン－１－イル基がより好ましい。
【0045】
前記炭素数が２～４０の直鎖状または分岐状のアルキニル基もしくは不飽和三重結合含有基の中でも、エチニル基、プロパ－２－イン－１－イル基、プロパルギル基、ブタ－２－イン－１－イル基、ブタ－３－イン－１－イル基、ペンタ－３－イン－１－イル基、ペンタ－４－イン－１－イル基、３－メチル－ブタ－１－イン－１－イル基、３，３－ジメチル－ブタ－１－イン－１－イル基、ヘキサ－４－イン－１－イル基、ヘキサ－５－イン－１－イル基が好ましく、プロパ－２－イン－１－イル基、プロパルギル基、ブタ－２－イン－１－イル基、ブタ－３－イン－１－イル基がより好ましい。
【0046】
前記炭素数が７～４０の芳香族含有直鎖状または分岐状のアルキル基および不飽和二重結合含有基の中でも、ベンジル基、２－メチルベンジル基、４－メチルベンジル基、２，４，６－トリメチルベンジル基、３，５－ジメチルベンジル基、クミニル基、２，４，６－トリ－ｉｓｏ－プロピルベンジル基、４－ｔｅｒｔ－ブチルベンジル基、３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルベンジル基、ベンズヒドリル基、クミル基、１，１－ジフェニルエチル基、トリチル基、２－フェニルエチル基、２－（４－メチルフェニル）エチル基、２－（２，４，６－トリメチルフェニル）エチル基、２－（３，５－ジメチルフェニル）エチル基、２－（２，４，６－トリ－ｉｓｏ－プロピルフェニル）エチル基、２－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）エチル基、２－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）エチル基、スチリル基、２－メチル－１－フェニルプロパン－２－イル基、３－フェニルプロピル基、シンナミル基、ネオフィル基、シクロペンタジエニルジフェニルメチル基、２－（１－インデニル）プロパン－２－イル基、（１－インデニル）ジフェニルメチル基、２－（１－インデニル）エチル基、２－（９－フルオレニル）プロパン－２－イル基、（９－フルオレニル）ジフェニルメチル基、２－（９－フルオレニル）エチル基が好ましく、ベンジル基、ベンズヒドリル基、クミル基、１，１－ジフェニルエチル基、トリチル基、２－フェニルエチル基、３－フェニルプロピル基、シンナミル基がより好ましい。
【0047】
前記炭素数が３～４０の環状飽和および不飽和炭化水素基の中でも、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロペンテニル基、シクロペンタジエニル基、１－メチルシクロペンチル基、１－アリルシクロペンチル基、１－ベンジルシクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキセニル基、１－メチルシクロヘキシル基、１－アリルシクロヘキシル基、１－ベンジルシクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロヘプテニル基、シクロヘプタトリエニル基、１－メチルシクロヘプチル基、１－アリルシクロヘプチル基、１－ベンジルシクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロオクテニル基、シクロオクタジエニル基、４－シクロヘキシル－ｔｅｒｔ－ブチル基、ノルボルニル基、２－メチルビシクロ［２．２．１］ヘプタン－２－イル基、ビシクロ［２．２．２］オクタン－１－イル基、１－アダマンチル基、２－アダマンチル基、ペンタレニル基、インデニル基、フルオレニル基が好ましく、シクロペンチル基、シクロペンテニル基、１－メチルシクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキセニル基、１－メチルシクロヘキシル基、１－アダマンチル基がより好ましい。
【0048】
前記炭素数が６～４０の芳香族置換基の中でも、フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、クメニル基、２，６－ジ－ｉｓｏ－プロピルフェニル基、２，４，６－トリ－ｉｓｏ－プロピルフェニル基、４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル基、３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル基、アリルフェニル基、プレニルフェニル基、４－アダマンチルフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ｔｅｒフェニル基、ビナフチル基、フェナントリル基、アントラセニル基、フェロセニル基が好ましく、フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、クメニル基、２，６－ジ－ｉｓｏ－プロピルフェニル基、２，４，６－トリ－ｉｓｏ－プロピルフェニル基、４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル基、３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル基、アリルフェニル基、４－アダマンチルフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、アントラセニル基がより好ましい。
【0049】
前記ハロゲン含有基としては、例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、トリクロロメチル基、ペンタフルオロエチル基、２，２，２－トリフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基、３，３，３－トリフルオロプロピル基、ノナフルオロブチル基、４，４，４－トリフルオロブチル基、ドデカフルオロヘキシル基、６，６，６－トリフルオロヘキシル基、クロロフェニル基、フルオロフェニル基、ジフルオロフェニル基、トリフルオロフェニル基、テトラフルオロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－フルオロフェニル基、トリフルオロメチルフェニル基、ビストリフルオロメチルフェニル基、トリフルオロメトキシフェニル基、ビストリフルオロメトキシフェニル基、トリフルオロメチルチオフェニル基、ビストリフルオロメチルチオフェニル基、フルオロビフェニル基、ジフルオロビフェニル基、トリフルオロビフェニル基、テトラフルオロビフェニル基、ペンタフルオロビフェニル基、ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－フルオロビフェニル基、トリフルオロメチルビフェニル基、ビストリフルオロメチルビフェニル基、トリフルオロメトキシビフェニル基、ビストリフルオロメトキシビフェニル基、トリフルオロメチルジメチルシリル基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、フルオロフェノキシ基、ジフルオロフェノキシ基、トリフルオロフェノキシ基、ペンタフルオロフェノキシ基、ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－フルオロフェノキシ基、トリフルオロメチルフェノキシ基、ビストリフルオロメチルフェノキシ基、トリフルオロメトキシフェノキシ基、ビストリフルオロメトキシフェノキシ基、ジフルオロメチレンジオキシフェニル基、ビストリフルオロメチルフェニルイミノメチル基、トリフルオロメチルチオ基が挙げられる。
【0050】
前記ハロゲン含有基の中でも、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、２，２，２－トリフルオロエチル基、３，３，３－トリフルオロプロピル基、４，４，４－トリフルオロブチル基、フルオロフェニル基、ジフルオロフェニル基、トリフルオロフェニル基、テトラフルオロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、トリフルオロメチルフェニル基、ビストリフルオロメチルフェニル基、トリフルオロメトキシフェニル基、ペンタフルオロビフェニル基、トリフルオロメチルビフェニル基、ビストリフルオロメチルビフェニル基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロフェノキシ基、ビストリフルオロメチルフェノキシ基、ビストリフルオロメチルフェノキシ基、ジフルオロメチレンジオキシフェニル基、トリフルオロメチルチオ基が好ましく、トリフルオロメチル基、フルオロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、トリフルオロメチルフェニル基、ビストリフルオロメチルフェニル基、ペンタフルオロビフェニル基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロフェノキシ基がより好ましい。
【0051】
前記ケイ素含有基としては、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリ－ｉｓｏ－プロピルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔｅｒｔ－ブチルジメチルシリル基、ｔｅｒｔ－ブチルジフェニルシリル基、トリフェニルシリル基、トリス（トリメチルシリル）シリル基、シクロペンタジエニルジメチルシリル基、ジ－ｎ－ブチル（シクロペンタジエニル）シリル基、シクロペンタジエニルジフェニルシリル基、インデニルジメチルシリル基、ジ－ｎ－ブチル（インデニル）シリル基、インデニルジフェニルシリル基、フルオレニルジメチルシリル基、ジ－ｎ－ブチル（フルオレニル）シリル基、フルオレニルジフェニルシリル基、４－トリメチルシリルフェニル基、４－トリエチルシリルフェニル基、４－トリ－ｉｓｏ－プロピルシリルフェニル基、４－ｔｅｒｔ－ブチルジフェニルシリルフェニル基、４－トリフェニルシリルフェニル基、４－トリス（トリメチルシリル）シリルフェニル基、３，５－ビス（トリメチルシリル）フェニル基が挙げられる。
【0052】
前記ケイ素含有基の中でも、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリ－ｉｓｏ－プロピルシリル基、ｔｅｒｔ－ブチルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、シクロペンタジエニルジメチルシリル基、シクロペンタジエニルジフェニルシリル基、インデニルジメチルシリル基、インデニルジフェニルシリル基、フルオレニルジメチルシリル基、フルオレニルジフェニルシリル基、４－トリメチルシリルフェニル基、４－トリエチルシリルフェニル基、４－トリ－ｉｓｏ－プロピルシリルフェニル基、４－トリフェニルシリルフェニル基、３，５－ビス（トリメチルシリル）フェニル基が好ましく、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔｅｒｔ－ブチルジメチルシリル基、４－トリメチルシリルフェニル基、４－トリエチルシリルフェニル基、４－トリ－ｉｓｏ－プロピルシリルフェニル基、３，５－ビス（トリメチルシリル）フェニル基がより好ましい。
【0053】
前記酸素含有基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｉｓｏ－プロポキシ基、アリルオキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基、ｉｓｏ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、メタリルオキシ基、プレニルオキシ基、ベンジルオキシ基、メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基、フェノキシ基、ナフトキシ基、トルイルオキシ基、ｉｓｏ－プロピルフェノキシ基、アリルフェノキシ基、ｔｅｒｔ－ブチルフェノキシ基、メトキシフェノキシ基、ｉｓｏ－プロポキシフェノキシ基、アリルオキシフェノキシ基、ビフェニルオキシ基、ビナフチルオキシ基、メトキシメチル基、アリルオキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、フェノキシメチル基、メトキシエチル基、アリルオキシエチル基、ベンジルオキシエチル基、フェノキシエチル基、メトキシプロピル基、アリルオキシプロピル基、ベンジルオキシプロピル基、フェノキシプロピル基、メトキシビニル基、アリルオキシビニル基、ベンジルオキシビニル基、フェノキシビニル基、メトキシアリル基、アリルオキシアリル基、ベンジルオキシアリル基、フェノキシアリル基、ジメトキシメチル基、ジ－ｉｓｏ－プロポキシメチル基、ジオキソラニル基、テトラメチルジオキソラニル基、ジオキサニル基、メトキシフェニル基、ｉｓｏ－プロポキシフェニル基、アリルオキシフェニル基、フェノキシフェニル基、メチレンジオキシフェニル基、３，５－ジメチル－４－メトキシフェニル基、３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－メトキシフェニル基、フリル基、メチルフリル基、テトラヒドロフリル基、ピラニル基、テトラヒドロピラニル基、フロフリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基が挙げられる。
【0054】
前記酸素含有基の中でも、炭素数１～２０のアルコキシ基が好ましく、炭素数１～１０のアルコキシ基がより好ましい。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｉｓｏ－プロポキシ基、アリルオキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、プレニルオキシ基、ベンジルオキシ基、フェノキシ基、ナフトキシ基、トルイルオキシ基、ｉｓｏ－プロピルフェノキシ基、アリルフェノキシ基、ｔｅｒｔ－ブチルフェノキシ基、メトキシフェノキシ基、ビフェニルオキシ基、ビナフチルオキシ基、アリルオキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、フェノキシメチル基、メトキシエチル基、メトキシアリル基、ベンジルオキシアリル基、フェノキシアリル基、ジメトキシメチル基、ジオキソラニル基、テトラメチルジオキソラニル基、ジオキサニル基、ジメチルジオキサニル基、メトキシフェニル基、ｉｓｏ－プロポキシフェニル基、アリルオキシフェニル基、フェノキシフェニル基、メチレンジオキシフェニル基、３，５－ジメチル－４－メトキシフェニル基、３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－メトキシフェニル基、フリル基、メチルフリル基、テトラヒドロピラニル基、フロフリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基が好ましく、メトキシ基、ｉｓｏ－プロポキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、アリルオキシ基、フェノキシ基、ジメトキシメチル基、ジオキソラニル基、メトキシフェニル基、ｉｓｏ－プロポキシフェニル基、アリルオキシフェニル基、フェノキシフェニル基、３，５－ジメチル－４－メトキシフェニル基、３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－メトキシフェニル基、フリル基、メチルフリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基がより好ましい。
【0055】
前記窒素含有基としては、例えば、アミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、アリルアミノ基、ジアリルアミノ基、ジデシルアミノ基、ベンジルアミノ基、ジベンジルアミノ基、ピロリジニル基、ピペリジニル基、モリホリル基、アゼピニル基、ジメチルアミノメチル基、ジベンジルアミノメチル基、ピロリジニルメチル基、ジメチルアミノエチル基、ベンジルアミノメチル基、ベンジルアミノエチル基、ピロリジニルエチル基、ジメチルアミノビニル基、ベンジルアミノビニル基、ピロリジニルビニル基、ジメチルアミノプロピル基、ベンジルアミノプロピル基、ピロリジニルプロピル基、ジメチルアミノアリル基、ベンジルアミノアリル基、ピロリジニルアリル基、アミノフェニル基、ジメチルアミノフェニル基、３，５－ジメチル－４－ジメチルアミノフェニル基、３，５－ジ－ｉｓｏ－プロピル－４－ジメチルアミノフェニル基、ジュロリジニル基、テトラメチルジュロリジニル基、ピロリジニルフェニル基、ピロリルフェニル基、ピリジルフェニル基、キノリルフェニル基、イソキノリルフェニル基、インドリニルフェニル基、インドリルフェニル基、カルバゾリルフェニル基、ジ－ｔｅｒｔ－ブチルカルバゾリルフェニル基、ピロリル基、メチルピロリル基、フェニルピロリル基、ピリジル基、キノリル基、テトラヒドロキノリル基、ｉｓｏ－キノリル基、テトラヒドロ－ｉｓｏ－キノリル基、インドリル基、インドリニル基、カルバゾリル基、ジ－ｔｅｒｔ－ブチルカルバゾリル基、イミダゾリル基、ジメチルイミダゾリジニル基、ベンゾイミダソリル基、オキサゾリル基、オキサゾリジニル基、ベンゾオキサゾリル基が挙げられる。
【0056】
前記窒素含有基の中でも、炭素数１～２０のアミノ基が好ましく、炭素数１～１０のアミノ基がより好ましい。具体的にはアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、アリルアミノ基、ベンジルアミノ基、ジベンジルアミノ基、ピロリジニル基、ピペリジニル基、モルホリル基、ジメチルアミノメチル基、ベンジルアミノメチル基、ピロリジニルメチル基、ジメチルアミノエチル基、ピロリジニルエチル基、ジメチルアミノプロピル基、ピロリジニルプロピル基、ジメチルアミノアリル基、ピロリジニルアリル基、アミノフェニル基、ジメチルアミノフェニル基、３，５－ジメチル－４－ジメチルアミノフェニル基、３，５－ジ－ｉｓｏ－プロピル－４－ジメチルアミノフェニル基、ジュロリジニル基、テトラメチルジュロリジニル基、ピロリジニルフェニル基、ピロリルフェニル基、カルバゾリルフェニル基、ジ－ｔｅｒｔ－ブチルカルバゾリルフェニル基、ピロリル基、ピリジル基、キノリル基、テトラヒドロキノリル基、ｉｓｏ－キノリル基、テトラヒドロ－ｉｓｏ－キノリル基、インドリル基、インドリニル基、カルバゾリル基、ジ－ｔｅｒｔ－ブチルカルバゾリル基、イミダゾリル基、ジメチルイミダゾリジニル基、ベンゾイミダソリル基、オキサゾリル基、オキサゾリジニル基、ベンゾオキサゾリル基が好ましく、アミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ピロリジニル基、ジメチルアミノフェニル基、３，５－ジメチル－４－ジメチルアミノフェニル基、３，５－ジ－ｉｓｏ－プロピル－４－ジメチルアミノフェニル基、ジュロリジニル基、テトラメチルジュロリジニル基、ピロリジニルフェニル基、ピロリル基、ピリジル基、カルバゾリル基、イミダゾリル基がより好ましい。
【0057】
前記硫黄含有基としては、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、ベンジルチオ基、フェニルチオ基、ナフチルチオ基、メチルチオメチル基、ベンジルチオメチル基、フェニルチオメチル基、ナフチルチオメチル基、メチルチオエチル基、ベンジルチオエチル基、フェニルチオエチル基、ナフチルチオエチル基、メチルチオビニル基、ベンジルチオビニル基、フェニルチオビニル基、ナフチルチオビニル基、メチルチオプロピル基、ベンジルチオプロピル基、フェニルチオプロピル基、ナフチルチオプロピル基、メチルチオアリル基、ベンジルチオアリル基、フェニルチオアリル基、ナフチルチオアリル基、メルカプトフェニル基、メチルチオフェニル基、チエニルフェニル基、メチルチエニルフェニル基、ベンゾチエニルフェニル基、ジベンゾチエニルフェニル基、ベンゾジチエニルフェニル基、チエニル基、テトラヒドロチエニル基、メチルチエニル基、チエノフリル基、チエノチエニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、チエノベンゾフリル基、ベンゾジチエニル基、ジチオラニル基、ジチアニル基、オキサチオラニル基、オキサチアニル基、チアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、チアゾリジニル基が挙げられる。
【0058】
前記硫黄含有基の中でも、チエニル基、メチルチエニル基、チエノフリル基、チエノチエニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、チエノベンゾフリル基、ベンゾジチエニル基、チアゾリル基、ベンゾチアゾリル基が好ましい。
【0059】
Ｒ2～Ｒ5のうちの隣接した置換基同士（例：Ｒ2とＲ3、Ｒ3とＲ4、Ｒ4とＲ5）は、互いに結合して、置換基を有していてもよい環を形成してもよい。この場合に形成される環としては、インデニル環部分に縮環する、置換基を有していてもよい、飽和炭化水素（前記インデニル環部分の炭化水素を除く。）または不飽和炭化水素からなる５～８員環が好ましい。なお、環が複数存在する場合には、これらは互いに同一でも異なっていてもよい。本発明の効果を奏する限り特に限定されないが、前記環はより好ましくは５又は６員環であり、この場合、前記環と母核のインデニル環部分とを併せた構造としては、例えば、置換ベンゾインデニル環、無置換テトラヒドロインダセン環、置換テトラヒドロインダセン環、置換シクロペンタテトラヒドロナフタレンが挙げられ、置換ベンゾインデニル環、無置換テトラヒドロインダセン環、置換テトラヒドロインダセン環が好ましい。
【0060】
Ｒ7およびＲ8は、互いに結合してＱを含む環を形成してもよい。この場合に形成される環としては、置換基を有していてもよく、飽和または不飽和の３～８員環が好ましい。本発明の効果を奏する限り特に限定されないが、前記環は好ましくは４～６員環であり、この場合、Ｒ7およびＲ8とＱとを併せた構造として、例えば、置換シクロブタン環、置換シクロペンタン環、置換フルオレン環、置換シラシクロブタン（シレタン）環、置換シラシクロペンタン（シロラン）環、置換シラシクロヘキサン（シリナン）環、置換シラフルオレン環が挙げられ、置換シクロペンタン環、置換シラシクロブタン環、置換シラシクロペンタン環が好ましい。
【0061】
Ｒ1およびＲ6は、それぞれ独立に、好ましくは水素原子、炭素数１～２０の炭化水素基、ケイ素含有基、酸素含有基、窒素含有基または硫黄含有基であり、より好ましくは水素原子、炭素数１～２０の炭化水素基、炭素数１～２０のケイ素含有基、炭素数１～２０の酸素含有基、炭素数１～２０の窒素含有基または炭素数１～２０の硫黄含有基であり、さらに好ましくは水素原子、炭素数１～２０の炭化水素基、炭素数１～２０のケイ素含有基、炭素数１～２０の酸素含有基または炭素数１～２０の窒素含有基であり、特に好ましくは水素原子である。
【0062】
Ｒ7およびＲ8は、それぞれ独立に、好ましくは水素原子、炭素数１～２０の炭化水素基、ケイ素含有基、酸素含有基、窒素含有基または硫黄含有基であり、より好ましくは水素原子、炭素数１～２０の炭化水素基、炭素数１～２０のケイ素含有基、炭素数１～２０の酸素含有基、炭素数１～２０の窒素含有基または炭素数１～２０の硫黄含有基であり、さらに好ましくは水素原子、炭素数１～２０の炭化水素基、炭素数１～２０のケイ素含有基、炭素数１～２０の酸素含有基または炭素数１～２０の窒素含有基であり、特に好ましくはメチル基である。
【0063】
Ｒ2～Ｒ5は、それぞれ独立に、好ましくは水素原子、炭素数１～２０の炭化水素基、ケイ素含有基、酸素含有基、窒素含有基または硫黄含有基であり、より好ましくは水素原子、炭素数１～２０の炭化水素基、炭素数１～２０のケイ素含有基、炭素数１～２０の酸素含有基、炭素数１～２０の窒素含有基または炭素数１～２０の硫黄含有基であり、さらに好ましくは水素原子、炭素数１～２０の炭化水素基、炭素数１～２０のケイ素含有基、炭素数１～２０の酸素含有基または炭素数１～２０の窒素含有基であり、特に好ましくは水素原子または炭素数１～２０の炭化水素基である。
ただし、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5の少なくとも一つは、炭素数１～４０の炭化水素基、ハロゲン含有基、ケイ素含有基、酸素含有基、窒素含有基または硫黄含有基である。Ｒ2～Ｒ5のうちの隣接した置換基同士（例：Ｒ2とＲ3、Ｒ3とＲ4、Ｒ4とＲ5）が、いずれも互いに結合していない場合は、好ましくは炭素数１～２０の炭化水素基、炭素数１～２０のケイ素含有基、炭素数１～２０の酸素含有基、炭素数１～２０の窒素含有基または炭素数１～２０の硫黄含有基であり、より好ましくは炭素数１～２０の炭化水素基、炭素数１～２０のケイ素含有基、炭素数１～２０の酸素含有基または炭素数１～２０の窒素含有基であり、さらに好ましくは炭素数１～２０の炭化水素基または炭素数１～２０のアルコキシ基であり、特に好ましくはメチル基またはフェニル基である。
ただし、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5の少なくとも一つは、炭素数１～４０の炭化水素基、ハロゲン含有基、ケイ素含有基、酸素含有基、窒素含有基または硫黄含有基である。Ｒ2～Ｒ5のうちの隣接した置換基同士（例：Ｒ2とＲ3、Ｒ3とＲ4、Ｒ4とＲ5）が、いずれも互いに結合していない場合は、好ましくは炭素数１～２０の炭化水素基、炭素数１～２０のケイ素含有基、炭素数１～２０の酸素含有基、炭素数１～２０の窒素含有基または炭素数１～２０の硫黄含有基であり、より好ましくは炭素数１～２０の炭化水素基、炭素数１～２０のケイ素含有基、炭素数１～２０の酸素含有基または炭素数１～２０の窒素含有基であり、さらに好ましくは炭素数１～２０の炭化水素基または炭素数１～２０のアルコキシ基であり、特に好ましくはメチル基またはフェニル基である。
【0064】
《遷移金属化合物［Ａ］の好ましい態様》
前記遷移金属化合物［Ａ］の好ましい態様としては、
前記一般式［１］において、
Ｍが、ジルコニウム原子またはハフニウム原子であり、
Ｘが、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１～２０の炭化水素基、ケイ素含有基または酸素含有基であり、
Ｑが、炭素原子またはケイ素原子であり、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8が、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～２０の炭化水素基、炭素数１～２０のケイ素含有基、炭素数１～２０の酸素含有基、炭素数１～２０の窒素含有基または炭素数１～２０の硫黄含有基であり、
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5の少なくとも一つが、炭素数１～２０の炭化水素基、炭素数１～２０のケイ素含有基、炭素数１～２０の酸素含有基、炭素数１～２０の窒素含有基または炭素数１～２０の硫黄含有基である遷移金属化合物［Ａ－１］が挙げられ、より好ましい態様としては、
前記一般式［１］において、
Ｑが、ケイ素原子であり、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8が、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～２０の炭化水素基、炭素数１～２０のケイ素含有基、炭素数１～２０の酸素含有基または炭素数１～２０の窒素含有基であり、
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5の少なくとも一つが、炭素数１～２０の炭化水素基、炭素数１～２０のケイ素含有基、炭素数１～２０の酸素含有基または炭素数１～２０の窒素含有基である遷移金属化合物［Ａ－２］が挙げられる。
前記遷移金属化合物［Ａ－２］のさらに好ましい態様としては、前記一般式［１］においてＲ1およびＲ6が水素原子であり、
Ｒ2～Ｒ5の少なくとも一つが、炭素数１～２０の炭化水素基であり、残りが水素原子である遷移金属化合物［Ａ－３］が挙げられる。
前記遷移金属化合物［Ａ－３］のさらに好ましい態様としては、前記一般式［１］においてＲ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5が、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～２０の炭化水素基または炭素数１～２０のアルコキシ基である遷移金属化合物［Ａ－４］が挙げられる。
前記遷移金属化合物［Ａ－４］のさらに好ましい態様としては、前記一般式［１］においてＲ3およびＲ4が、互いに結合して置換基を有していてもよい環を形成する遷移金属化合物［Ａ－５］が挙げられる。
前記遷移金属化合物［Ａ］の好ましい態様としては、
前記一般式［１］において、
Ｍが、ジルコニウム原子またはハフニウム原子であり、
Ｘが、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１～２０の炭化水素基、ケイ素含有基または酸素含有基であり、
Ｑが、炭素原子またはケイ素原子であり、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8が、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～２０の炭化水素基、炭素数１～２０のケイ素含有基、炭素数１～２０の酸素含有基、炭素数１～２０の窒素含有基または炭素数１～２０の硫黄含有基であり、
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5の少なくとも一つが、炭素数１～２０の炭化水素基、炭素数１～２０のケイ素含有基、炭素数１～２０の酸素含有基、炭素数１～２０の窒素含有基または炭素数１～２０の硫黄含有基である遷移金属化合物［Ａ－１］が挙げられ、より好ましい態様としては、
前記一般式［１］において、
Ｑが、ケイ素原子であり、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8が、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～２０の炭化水素基、炭素数１～２０のケイ素含有基、炭素数１～２０の酸素含有基または炭素数１～２０の窒素含有基であり、
Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5の少なくとも一つが、炭素数１～２０の炭化水素基、炭素数１～２０のケイ素含有基、炭素数１～２０の酸素含有基または炭素数１～２０の窒素含有基である遷移金属化合物［Ａ－２］が挙げられる。
前記遷移金属化合物［Ａ－２］のさらに好ましい態様としては、前記一般式［１］においてＲ1およびＲ6が水素原子であり、
Ｒ2～Ｒ5の少なくとも一つが、炭素数１～２０の炭化水素基であり、残りが水素原子である遷移金属化合物［Ａ－３］が挙げられる。
前記遷移金属化合物［Ａ－３］のさらに好ましい態様としては、前記一般式［１］においてＲ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5が、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１～２０の炭化水素基または炭素数１～２０のアルコキシ基である遷移金属化合物［Ａ－４］が挙げられる。
前記遷移金属化合物［Ａ－４］のさらに好ましい態様としては、前記一般式［１］においてＲ3およびＲ4が、互いに結合して置換基を有していてもよい環を形成する遷移金属化合物［Ａ－５］が挙げられる。
【0065】
《遷移金属化合物［Ａ］の例示》
以下に前記遷移金属化合物［Ａ］の具体例を示すが、特にこれによって本発明の範囲が限定されるものではない。ただし、［表３］中のＲ2およびＲ5置換基がいずれも水素であり、かつ、［表４］中のＲ3およびＲ4置換基がいずれも水素である組合せは含まれない。
以下に前記遷移金属化合物［Ａ］の具体例を示すが、特にこれによって本発明の範囲が限定されるものではない。ただし、［表３］中のＲ2およびＲ5置換基がいずれも水素であり、かつ、［表４］中のＲ3およびＲ4置換基がいずれも水素である組合せは含まれない。
【0066】
便宜上、前記遷移金属化合物［Ａ］のＭＸｎ（金属部分）で表される部分を除いたリガンド構造を、２－インデニル環部分、２－インデニル環部分Ｒ1およびＲ6置換基、２－インデニル環部分Ｒ2およびＲ5置換基、２－インデニル環部分Ｒ3およびＲ4置換基、架橋部分の構造の５つに分ける。２－インデニル環部分の略称をα、２－インデニル環部分Ｒ1およびＲ6置換基の略称をβ、２－インデニル環部分Ｒ2およびＲ5置換基の略称をγ、２－インデニル環部分Ｒ3およびＲ4置換基の略称をδ、架橋部分の構造の略称をεとし、各置換基の略称を［表１］～［表５］に示す。
【0067】
【表1】
【0068】
【表2】
【0069】
【表3】
【0070】
【表4】
【0071】
【表5】
【0072】
金属部分ＭＸｎの具体的な例示としては、ＴｉＦ2、ＴｉＣｌ2、ＴｉＢｒ2、ＴｉＩ2、Ｔｉ（Ｍｅ）2、Ｔｉ（Ｂｎ）2、Ｔｉ（Ａｌｌｙｌ）2、Ｔｉ（ＣＨ2－ｔＢｕ）2、Ｔｉ（１，３－ブタジエニル）、Ｔｉ（１，３－ペンタジエニル）、Ｔｉ（２，４－ヘキサジエニル）、Ｔｉ（１，４－ジフェニル－１，３－ペンタジエニル）、Ｔｉ（ＣＨ2－Ｓｉ（Ｍｅ）3）2、Ｔｉ（ОＭｅ）2、Ｔｉ（ОｉＰｒ）2、Ｔｉ（ＮＭｅ2）2、Ｔｉ（ОＭｓ）2、Ｔｉ（ОＴｓ）2、Ｔｉ（ОＴｆ）2、ＺｒＦ2、ＺｒＣｌ2、ＺｒＢｒ2、ＺｒＩ2、Ｚｒ（Ｍｅ）2、Ｚｒ（Ｂｎ）2、Ｚｒ（Ａｌｌｙｌ）2、Ｚｒ（ＣＨ2－ｔＢｕ）2、Ｚｒ（１，３－ブタジエニル）、Ｚｒ（１，３－ペンタジエニル）、Ｚｒ（２，４－ヘキサジエニル）、Ｚｒ（１，４－ジフェニル－１，３－ペンタジエニル）、Ｚｒ（ＣＨ2－Ｓｉ（Ｍｅ）3）2、Ｚｒ（ОＭｅ）2、Ｚｒ（ОｉＰｒ）2、Ｚｒ（ＮＭｅ2）2、Ｚｒ（ОＭｓ）2、Ｚｒ（ОＴｓ）2、Ｚｒ（ОＴｆ）2、ＨｆＦ2、ＨｆＣｌ2、ＨｆＢｒ2、ＨｆＩ2、Ｈｆ（Ｍｅ）2、Ｈｆ（Ｂｎ）2、Ｈｆ（Ａｌｌｙｌ）2、Ｈｆ（ＣＨ2－ｔＢｕ）2、Ｈｆ（１，３－ブタジエニル）、Ｈｆ（１，３－ペンタジエニル）、Ｈｆ（２，４－ヘキサジエニル）、Ｈｆ（１，４－ジフェニル－１，３－ペンタジエニル）、Ｈｆ（ＣＨ2－Ｓｉ（Ｍｅ）3）2、Ｈｆ（ОＭｅ）2、Ｈｆ（ОｉＰｒ）2、Ｈｆ（ＮＭｅ2）2、Ｈｆ（ОＭｓ）2、Ｈｆ（ОＴｓ）2、Ｈｆ（ОＴｆ）2が挙げられる。Ｍｅはメチル基、Ｂｎはベンジル基、ｔＢｕはｔｅｒｔ－ブチル基、Ｓｉ（Ｍｅ）3はトリメチルシリル基、ОＭｅはメトキシ基、ОｉＰｒはｉｓｏ－プロポキシ基、ＮＭｅ2はジメチルアミノ基、ОＭｓはメタンスルホナート基、ОＴｓはｐ－トルエンスルホナート基、ОＴｆはトリフルオロメタンスルホナート基である。
【0073】
上記の表記に従えば、２－インデニル環部分が［表１］中のα－１、２－インデニル環部分Ｒ1およびＲ6置換基が［表２］中のβ－１、２－インデニル環部分Ｒ2およびＲ5置換基がいずれも［表３］中のγ－２、２－インデニル環部分Ｒ3およびＲ4置換基がいずれもいずれも［表４］中のδ－１、架橋部分が［表５］中のε－３４の組み合わせで構成され、金属部分のＭＸｎがＺｒＣｌ2の場合は、下記式［５］で表される化合物を例示している。
【0074】
【化4】
【0075】
また、２－インデニル環部分が［表１］中のα－３、２－インデニル環部分Ｒ1およびＲ6置換基が［表２］中のβ－２、２－インデニル環部分Ｒ2およびＲ5置換基がいずれも［表３］中のγ－１、架橋部分が［表５］中のε－３１の組み合わせで構成され、金属部分のＭＸｎがＨｆＭｅ2の場合は、下記式［６］で表される化合物を例示している。
【0076】
【化5】
【0077】
また、２－インデニル環部分が［表１］中のα－１、２－インデニル環部分Ｒ1およびＲ6置換基が［表２］中のβ－１、２－インデニル環部分Ｒ2置換基が［表３］中のγ－７、２－インデニル環部分Ｒ3およびＲ4置換基がいずれもいずれも［表４］中のδ－１、２－インデニル環部分Ｒ5置換基が［表３］中のγ－２、架橋部分が［表５］中のε－６の組み合わせで構成され、金属部分のＭＸｎがＴｉ（１，３－ペンタジエニル）の場合は、下記式［７］で表される化合物を例示している。
【0078】
【化6】
【0079】
また、前記遷移金属化合物［Ａ］は、２－インデニル環部分に対称面が存在せず、架橋部分の置換基Ｒ13とＲ14が同一でない場合、一例として下記一般式［８ａ］あるいは［８ｂ］で示される２種類の構造異性体が存在する。
【0080】
【化7】
【0081】
これら構造異性体混合物の精製、分取、あるいは構造異性体の選択的な製造は、公知の方法によって可能であり、特に製造法が限定されるわけではない。公知の製造方法としては、前記遷移金属化合物［Ａ］の製造方法として挙げたものの他に、特開平１０－１０９９９６号公報、「Оｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ １９９９，１８，５３４７．」、「Оｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ ２０１２，３１，４３４０．」、特表２０１１－５０２１９２号公報等に開示された製造方法が挙げられる。
【0082】
なお、前記遷移金属化合物［Ａ］の範囲内で、遷移金属化合物を１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよく、構造異性体混合物を用いてもよく、構造異性体を１種単独で用いてもよく、２種以上の構造異性体混合物を用いてもよい。上述のとおり本発明によれば、オレフィン系重合用触媒を構成する遷移金属化合物として前記遷移金属化合物［Ａ］のみを使用して分子量の高いオレフィン系重合体を狭い分子量分布で製造することができるが、この効果が損なわれない範囲で、前記遷移金属化合物として前記遷移金属化合物［Ａ］とは別の１種以上の遷移金属化合物を併用してもよい。この際、遷移金属化合物［Ａ］は上記のいずれの態様であってもよい。
【0083】
《遷移金属化合物［Ａ］の製造方法》
前記遷移金属化合物［Ａ］は、従来公知の方法を利用して製造することができ、代表的な合成経路の例を以下に示すが、特に製造法が限定されるわけではない。なお、以下の［式１］および［式４］において、Ｒ1～Ｒ8、Ｑ、Ｍ、Ｘおよびｎは、上記一般式［１］に記載されたものと同義である。
前記遷移金属化合物［Ａ］は、従来公知の方法を利用して製造することができ、代表的な合成経路の例を以下に示すが、特に製造法が限定されるわけではない。なお、以下の［式１］および［式４］において、Ｒ1～Ｒ8、Ｑ、Ｍ、Ｘおよびｎは、上記一般式［１］に記載されたものと同義である。
【0084】
出発物質である置換インデン化合物は、公知の方法によって製造可能であり、特に製造法が限定されるわけではない。公知の製造方法として例えば、「Оｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ １９９４，１３，９５４．」、「Оｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ ２００６，２５，１２１７．」、特表２００６－５０９０５９号公報、「Ｂｉｏｏｒｇ．Ｍｅｄ．Ｃｈｅｍ． ２００８，１６，７３９９．」、ＷО２００９/０８０２１６号公報、「Оｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ ２０１１，３０，５７４４．」、特表２０１１－５００８００号公報、「Оｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ ２０１２，３１，４９６２．」、「Ｃｈｅｍ．Ｅｕｒ．Ｊ． ２０１２，１８，４１７４．」、特開２０１２－０１２３０７号公報、特開２０１２－１２１８８２号公報、特開２０１４－１９６３１９号公報、特表２０１４－５１３７３５号公報、特開２０１５－０６３４９５号公報、特開２０１６－５０１９５２号公報等に開示された製造方法が挙げられる。
【0085】
前記置換インデン化合物のうち、２位無置換のものに関しては、以下の様な公知の方法によって２位を臭素化可能であり、特に製造法が限定されるわけではない。
【0086】
前記置換インデン化合物のうち、４位置換インデン化合物は、以下の様なパラジウム触媒による鈴木－宮浦カップリング反応等の公知の方法によって、対応するカップリング生成物を製造可能であり、特に製造法が限定されるわけではない。
【0087】
【化8】
【0088】
前記同様に、インデン化合物５員環部分二重結合位置異性体が存在するが、それら異性体の混合物を用いてもよい。
なお、ボロン酸の代わりに各種ボロン酸エステルやボロキシン等、他のホウ素化合物を用いてもよく、ハロゲン化合物と金属試薬、次いでホウ素化合物との反応混合物を単離精製せずに用いてもよく、パラジウム触媒の代わりにニッケル触媒または鉄触媒を用いてもよい。公知の製造方法として例えば、前記で示したものの他に、特開２０１４－１９６２７４号公報等が挙げられる。
なお、ボロン酸の代わりに各種ボロン酸エステルやボロキシン等、他のホウ素化合物を用いてもよく、ハロゲン化合物と金属試薬、次いでホウ素化合物との反応混合物を単離精製せずに用いてもよく、パラジウム触媒の代わりにニッケル触媒または鉄触媒を用いてもよい。公知の製造方法として例えば、前記で示したものの他に、特開２０１４－１９６２７４号公報等が挙げられる。
【0089】
また、カップリング生成物の製造には、ホウ素化合物による鈴木－宮浦カップリングの代わりに、有機亜鉛試薬との根岸カップリング、アルケン化合物との溝呂木－Ｈｅｃｋ反応、有機ケイ素化合物との檜山カップリング、末端アルキン化合物との薗頭－萩原カップリング、有機スズ化合物との右田－小杉－Ｓｔｉｌｌｅカップリング、有機マグネシウム化合物との熊田－玉尾－Ｃｏｒｒｉｕカップリング、Ｂｕｃｈｗａｌｄ－Ｈａｒｔｗｉｇカップリング、Ｇｏｌｄｂｅｒｇアミノ化反応またはＵｌｌｍａｎｎエーテル合成反応を用いてもよい。公知の製造方法として例えば、前記で示したものの他に、特開平８－１８３８１４号公報、特表２００５－５２９８６５号公報、特表２００６－５０９０４６号公報等が挙げられる。
【0090】
遷移金属化合物［Ａ］および前駆体化合物（配位子）は、前記手法等で製造した各種置換インデン化合物を用いて公知の方法によって製造できる。Ｑがケイ素原子、ゲルマニウム原子またはスズ原子の場合、以下の様な方法によって製造可能であり、特に製造法が限定されるわけではない。
【0091】
【化9】
【0092】
前記［式４］中、前駆体化合物（配位子）合成において、２－臭素化置換インデン化合物より調整される有機マグネシウム試薬、および１,２,３,４－テトラメチル－１,３－シクロペンタジエンより調整される有機リチウム試薬は、段階的にＱを含む塩化物と反応することが好ましく、その順序はいずれでもよい。一段階目の有機金属試薬との反応の後、不活性雰囲気下で副生無機化合物を除去してもよく、反応生成物を蒸留、晶析または洗浄等の操作で単離してから使用してもよい。二段階目の有機金属試薬との反応の際、ＤＭＩ（１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン）、ＤＭＰＵ（Ｎ，Ｎ’－ジメチルプロピレン尿素）またはＨＭＰＡ（ヘキサメチルリン酸トリアミド）等を、有機金属試薬に対して０．１～５．０当量添加することが好ましく、より好ましくはＤＭＩであり、１．０～２．０当量である。なお、置換インデン化合物および前駆体化合物（配位子）には、インデン化合物５員環部分二重結合位置異性体が存在するが、それら異性体の混合物を用いてもよい。
【0093】
遷移金属化合物［Ａ］および前駆体化合物（配位子）の公知の製造方法として例えば、前記で示したものの他に、ＷＯ２０１８－１８５１７６が挙げられる。
【0094】
［オレフィン系重合用触媒］
本発明のオレフィン系重合用触媒は、本発明の遷移金属化合物［Ａ］を含む。
本発明のオレフィン系重合用触媒としては、代表的にはエチレン系重合用触媒が挙げられる。
本発明のオレフィン系重合用触媒は、本発明の遷移金属化合物［Ａ］を含む。
本発明のオレフィン系重合用触媒としては、代表的にはエチレン系重合用触媒が挙げられる。
【0095】
（化合物［Ｂ］）
本発明のオレフィン系重合用触媒は、
［Ｂ－１］有機金属化合物（以下、「成分（Ｂ－１）」ともいう。）、
［Ｂ－２］有機アルミニウムオキシ化合物（以下、「成分（Ｂ－２）」ともいう。）、および
［Ｂ－３］遷移金属化合物［Ａ］と反応してイオン対を形成する化合物（以下、「成分（Ｂ－３）」ともいう。）
からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物［Ｂ］（以下、「成分（Ｂ）」ともいう。）を含むことが好ましい。
本発明のオレフィン系重合用触媒は、
［Ｂ－１］有機金属化合物（以下、「成分（Ｂ－１）」ともいう。）、
［Ｂ－２］有機アルミニウムオキシ化合物（以下、「成分（Ｂ－２）」ともいう。）、および
［Ｂ－３］遷移金属化合物［Ａ］と反応してイオン対を形成する化合物（以下、「成分（Ｂ－３）」ともいう。）
からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物［Ｂ］（以下、「成分（Ｂ）」ともいう。）を含むことが好ましい。
【0096】
前記［Ｂ－１］有機金属化合物としては、下記一般式（Ｂ－１ａ）、（Ｂ－１ｂ）または(Ｂ－１ｃ)で表される有機金属化合物を挙げることができる。
Ｒa mＡｌ（ＯＲb)n Ｈp Ｘq …（Ｂ－１ａ）
〔一般式（Ｂ－１ａ）中、ＲaおよびＲbは、炭素数が１～１５の炭化水素基を示し、互いに同一でも異なっていてもよく、Ｘはハロゲン原子を示し、ｍは０＜ｍ≦３、ｎは０≦ｎ＜３、ｐは０≦ｐ＜３、ｑは０≦ｑ＜３の数であり、かつｍ＋ｎ＋ｐ＋ｑ＝３である。〕
Ｍa ＡｌＲa 4 …（Ｂ－１ｂ）
〔一般式（Ｂ－１ｂ）中、Ｍa はＬｉ、ＮａまたはＫを示し、Ｒa は炭素数が１～１５の炭化水素基を示す。〕
Ｒa rＭbＲb s Ｘt…(Ｂ－１ｃ)
〔一般式(Ｂ－１ｃ)中、Ｒa およびＲb は、炭素数が１～１５の炭化水素基を示し、互いに同一でも異なっていてもよく、Ｍb は、Ｍｇ、ＺｎおよびＣｄから選ばれ、Ｘはハロゲン原子を示し、ｒは０＜ｒ≦２、ｓは０≦ｓ≦１、ｔは０≦ｔ≦１であり、かつｒ＋ｓ＋ｔ＝２である。〕
Ｒa mＡｌ（ＯＲb)n Ｈp Ｘq …（Ｂ－１ａ）
〔一般式（Ｂ－１ａ）中、ＲaおよびＲbは、炭素数が１～１５の炭化水素基を示し、互いに同一でも異なっていてもよく、Ｘはハロゲン原子を示し、ｍは０＜ｍ≦３、ｎは０≦ｎ＜３、ｐは０≦ｐ＜３、ｑは０≦ｑ＜３の数であり、かつｍ＋ｎ＋ｐ＋ｑ＝３である。〕
Ｍa ＡｌＲa 4 …（Ｂ－１ｂ）
〔一般式（Ｂ－１ｂ）中、Ｍa はＬｉ、ＮａまたはＫを示し、Ｒa は炭素数が１～１５の炭化水素基を示す。〕
Ｒa rＭbＲb s Ｘt…(Ｂ－１ｃ)
〔一般式(Ｂ－１ｃ)中、Ｒa およびＲb は、炭素数が１～１５の炭化水素基を示し、互いに同一でも異なっていてもよく、Ｍb は、Ｍｇ、ＺｎおよびＣｄから選ばれ、Ｘはハロゲン原子を示し、ｒは０＜ｒ≦２、ｓは０≦ｓ≦１、ｔは０≦ｔ≦１であり、かつｒ＋ｓ＋ｔ＝２である。〕
【0097】
前記有機金属化合物［Ｂ－１］としては、本出願人による特開平１１－３１５１０９号公報やＥＰ０８７４００５Ａ中に開示された化合物を制限無く使用することができる。
【0098】
前記有機金属化合物［Ｂ－１］としては、一般式（Ｂ－１ａ）で示されるものが好ましく、具体的には、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリイソプロピルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、トリヘキシルアルミニウム、トリオクチルアルミニウム、トリ２－エチルヘキシルアルミニウム等のトリアルキルアルミニウム、ジメチルアルミニウムクロリド、ジエチルアルミニウムクロリド、ジイソプロピルアルミニウムクロリド、ジイソブチルアルミニウムクロリド、ジメチルアルミニウムブロミド等のジアルキルアルミニウムハライド、メチルアルミニウムセスキクロリド、エチルアルミニウムセスキクロリド、イソプロピルアルミニウムセスキクロリド、ブチルアルミニウムセスキクロリド、エチルアルミニウムセスキブロミド等のアルキルアルミニウムセスキハライド、メチルアルミニウムジクロリド、エチルアルミニウムジクロリド、イソプロピルアルミニウムジクロリド、エチルアルミニウムジブロミド等のアルキルアルミニウムジハライド、ジメチルアルミニウムハイドライド、ジエチルアルミニウムハイドライド、ジヒドロフェニルアルミニウムハイドライド、ジイソプロピルアルミニウムハイドライド、ジ-ｎ-ブチルアルミニウムハイドライド、ジイソブチルアルミニウムハイドライド、ジイソヘキシルアルミニウムハイドライド、ジフェニルアルミニウムハイドライド、ジシクロヘキシルアルミニウムハイドライド、ジ－ｓｅｃ－ヘプチルアルミニウムハイドライド、ジ－ｓｅｃ－ノニルアルミニウムハイドライド等のアルキルアルミニウムハイドライド、ジメチルアルミニウムエトキサイド、ジエチルアルミニウムエトキサイド、ジイソプロピルアルミニウムメトキサイド、ジイソブチルアルミニウムエトキサイド等のジアルキルアルミニウムアルコキサイド等が挙げられる。
これらは、１種単独でまたは２種以上を組み合わせて用いられる。
これらは、１種単独でまたは２種以上を組み合わせて用いられる。
【0099】
前記有機アルミニウムオキシ化合物［Ｂ－２］としては、トリアルキルアルミニウム、トリシクロアルキルアルミニウムから調製されたアルミノキサンが好ましく、トリメチルアルミニウムまたはトリイソブチルアルミニウムから調製された有機アルミニウムオキシ化合物が特に好ましい。このような有機アルミニウムオキシ化合物は、１種単独でまたは２種以上を組み合わせて用いられる。
【0100】
前記遷移金属化合物［Ａ］と反応してイオン対を形成する化合物［Ｂ－３］としては、特表平１－５０１９５０号公報、特表平１－５０２０３６号公報、特開平３－１７９００５号公報、特開平３－１７９００６号公報、特開平３－２０７７０３号公報、特開平３－２０７７０４号公報、米国特許第５３２１１０６号明細書等に記載されたルイス酸、イオン性化合物、ボラン化合物およびカルボラン化合物や、さらにはヘテロポリ化合物およびイソポリ化合物を制限無く使用することができる。
【0101】
本発明に係るオレフィン系重合用触媒では、助触媒成分としてメチルアルミノキサン等の有機アルミニウムオキシ化合物［Ｂ－２］を併用すると、エチレン等のオレフィンに対して非常に高い触媒活性を示すだけでなく、固体状担体中の活性水素と反応し助触媒成分を含有した固体担体成分を容易に調製出来るため、前記有機アルミニウムオキシ化合物［Ｂ－２］を前記成分（Ｂ）として用いることが好適である。
【0102】
（固体状担体［Ｓ］）
本発明のオレフィン系重合用触媒は、好ましくは固体状担体［Ｓ］（以下、「担体［Ｓ］」または「成分（Ｓ）」ともいう。）を含む。
前記固体状担体［Ｓ］は、無機化合物または有機化合物であって、顆粒状または微粒子状の固体である。
前記無機化合物としては、多孔質酸化物、固体状アルミノキサン化合物、無機ハロゲン化物、粘土、粘土鉱物またはイオン交換性層状化合物が好ましい。
本発明のオレフィン系重合用触媒は、好ましくは固体状担体［Ｓ］（以下、「担体［Ｓ］」または「成分（Ｓ）」ともいう。）を含む。
前記固体状担体［Ｓ］は、無機化合物または有機化合物であって、顆粒状または微粒子状の固体である。
前記無機化合物としては、多孔質酸化物、固体状アルミノキサン化合物、無機ハロゲン化物、粘土、粘土鉱物またはイオン交換性層状化合物が好ましい。
【0103】
前記多孔質酸化物として、具体的にはＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＺｒＯ、ＴｉＯ2、Ｂ2Ｏ3、ＣａＯ、ＺｎＯ、ＢａＯ、ＴｈＯ2等、またはこれらを含む複合物または混合物を使用することができ、さらに、例えば天然または合成ゼオライト、ＳｉＯ2－ＭｇＯ、ＳｉＯ2－Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2－ＴｉＯ2、ＳｉＯ2－Ｖ2Ｏ5、ＳｉＯ2－Ｃｒ2Ｏ3、ＳｉＯ2－ＴｉＯ2－ＭｇＯ等を使用することができる。これらのうち多孔質酸化物としては、ＳｉＯ2および／またはＡｌ2Ｏ3を主成分とするものが好ましい。
前記多孔質酸化物は、少量のＮａ2ＣＯ3、Ｋ2ＣＯ3、ＣａＣＯ3、ＭｇＣＯ3、Ｎａ2ＳＯ4、Ａｌ2（ＳＯ4）3、ＢａＳＯ4、ＫＮＯ3、Ｍｇ（ＮＯ3）2、Ａｌ（ＮＯ3）3、Ｎａ2Ｏ、Ｋ2Ｏ、Ｌｉ2Ｏ等の炭酸塩、硫酸塩、硝酸塩、酸化物成分を含有していても差し支えない。
前記多孔質酸化物は、少量のＮａ2ＣＯ3、Ｋ2ＣＯ3、ＣａＣＯ3、ＭｇＣＯ3、Ｎａ2ＳＯ4、Ａｌ2（ＳＯ4）3、ＢａＳＯ4、ＫＮＯ3、Ｍｇ（ＮＯ3）2、Ａｌ（ＮＯ3）3、Ｎａ2Ｏ、Ｋ2Ｏ、Ｌｉ2Ｏ等の炭酸塩、硫酸塩、硝酸塩、酸化物成分を含有していても差し支えない。
【0104】
種類および製法により前記多孔質酸化物の性状は異なるが、本発明に用いられる多孔質酸化物は、レーザー光回折散乱法の体積分布の累積５０％粒径が通常１０～３００μｍ、好ましくは２０～２００μｍ、より好ましくは４０～１５０μｍ、さらに好ましくは５０～１００μｍ、特に好ましくは６０～８０μｍであって、比表面積が通常５０～１０００ｍ2／ｇ、好ましくは１００～７００ｍ2／ｇ、より好ましくは２００～６００ｍ2／ｇ、さらに好ましくは２５０～５００ｍ2／ｇ、特に好ましくは３００～４００ｍ2／ｇの範囲にあり、細孔容積が通常０．３～３．０ｃｍ3／ｇ、好ましくは０．５～２．５ｃｍ3／ｇ、より好ましくは０．８～２．０ｃｍ3／ｇ、さらに好ましくは１．０～１．７ｃｍ3／ｇ、特に好ましくは１．２～１．４ｃｍ3／ｇの範囲にある。このような多孔質酸化物は、必要に応じて１００～１０００℃、好ましくは１５０～７００℃、より好ましくは２００～５００℃、さらに好ましくは２２０～３００℃で焼成して使用される。
【0105】
前記固体状アルミノキサン化合物としては、下記一般式（Ｓ－ａ）または（Ｓ－ｂ）で表される構造のアルミノキサン、および下記一般式（Ｓ－ｃ）で表される繰り返し単位と下記一般式（Ｓ－ｄ）で表される繰り返し単位とを構造として有するアルミノキサンの少なくとも１種から選ばれるアルミノキサンが挙げられる。
【0106】
【化10】
【0107】
一般式（Ｓ－ａ）～（Ｓ－ｄ）において、Ｒeは、それぞれ独立に、炭素数１～１０、好ましくは１～４の炭化水素基であり、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、イソプロペニル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基、エイコシル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、フェニル基、トリル基、エチルフェニル基等の炭化水素基を例示することができ、メチル基、エチル基、イソブチル基が好ましく、特にメチル基が好ましい。また、Ｒeの一部が塩素、臭素等のハロゲン原子で置換され、かつハロゲン含有率がＲeを基準として４０重量％以下であってもよい。（Ｓ－ｃ）および（Ｓ－ｄ）中の、片方が原子と繋がっていない直線は、図示していない別の原子との結合を示す。
【0108】
前記一般式（Ｓ－ａ）および（Ｓ－ｂ）中、ｒは２～５００の整数を示し、好ましくは６～３００、特に好ましくは１０～１００の範囲にある。前記一般式（Ｓ－ｃ）および（Ｓ－ｄ）中、ｓ、ｔはそれぞれ１以上の整数を示す。ｒ、ｓおよびｔは、前記アルミノキサンが、用いられる反応環境下において実質的に固体状態を維持できるように、選択される。
【0109】
前記固体状アルミノキサン化合物は、従来公知のオレフィン系重合触媒用担体と異なり、シリカやアルミナ等の無機固体成分やポリエチレン、ポリスチレン等の有機系ポリマー成分を含まず、アルキルアルミニウム化合物を主たる成分として固体化したものである。「固体状」とは、アルミノキサン成分が、用いられる反応環境下において、実質的に固体状態を維持することである。より具体的には、後述のように前記遷移金属化合物［Ａ］とアルミノキサン成分とを接触させてオレフィン系重合用触媒（例：エチレン系重合用触媒）を調製する際、および調製されたオレフィン系重合用触媒を用いてオレフィン（例：エチレン）の重合（たとえば懸濁重合）を行う場合に、アルミノキサン成分が実質的に固体状態を維持することである。
【0110】
前記アルミノキサン成分が固体状態であるかどうかは、目視による確認が最も簡便な方法であるが、例えば重合時等は目視による確認が困難である場合が多い。その場合は、例えば重合後に得られた重合体パウダーの性状や反応器への付着状態等から判断することが可能である。逆に、重合体パウダーの性状が良好で、反応器への付着が少なければ、重合環境下において前記アルミノキサン成分の一部が多少溶出したとしても本発明の趣旨を逸脱することはない。重合体パウダーの性状を判断する指標としては、嵩密度、粒子形状、表面形状、不定形ポリマーの存在度合い等が挙げられるが、定量性の観点からポリマー嵩密度が好ましい。前記嵩密度は通常０．０１～０．９であり、好ましくは０．０５～０．６、より好ましくは０．１～０．５の範囲内である。
【0111】
前記固体状アルミノキサン化合物の、２５℃の温度に保持されたｎ－ヘキサンに対する溶解割合は、通常０～４０モル％、好ましくは０～２０モル％、特に好ましくは０～１０モル％の範囲にある。
【0112】
前記溶解割合は、２５℃に保持された５０ｍｌのｎ－ヘキサンに固体状アルミノキサン化合物担体２ｇを加えた後２時間の攪拌を行ない、次いでＧ－４グラス製フイルターを用いて溶液部を分離して、この濾液中のアルミニウム濃度を測定することにより求められる。従って、溶解割合は用いたアルミノキサン２ｇに相当するアルミニウム原子の量に対する前記濾液中に存在するアルミニウム原子の割合として決定される。
【0113】
前記固体状アルミノキサン化合物としては、公知の固体状アルミノキサンを際限なく用いることができ、たとえば国際公開第２０１４／１２３２１２号に記載された固体状ポリアルミノキサン組成物を用いることもできる。公知の製造方法として例えば、特公平７－４２３０１号公報、特開平６－２２０１２６号公報、特開平６－２２０１２８号公報、特開平１１－１４０１１３号公報、特開平１１－３１０６０７号公報、特開２０００－３８４１０号公報、特開２０００－９５８１０号公報、国際公開第２０１０／５５６５２号等に記載された製造方法が挙げられる。
【0114】
前記固体状アルミノキサン化合物の平均粒子径は、一般に０．０１～５００００μｍ、好ましくは１～１０００μｍ、特に好ましくは１～２００μｍの範囲にある。固体状アルミノキサン化合物の平均粒子径は、走査型電子顕微鏡により粒子を観察し、１００個以上の粒子の粒径を測定し、重量平均化することにより求められる。まず、各粒子の粒径は、粒子像を水平方向、垂直方向それぞれに２本の平行線ではさんで長さを測り、下式により求められる。
粒径＝（（水平方向長さ）2＋（垂直方向長さ）2）0.5
次に、固体状アルミノキサン化合物の重量平均粒子径は、上記で求めた粒径を用いて下式により求められる。
平均粒子径＝Σｎｄ4／Σｎｄ3
（ｎ；粒子個数、ｄ；粒径）
粒径＝（（水平方向長さ）2＋（垂直方向長さ）2）0.5
次に、固体状アルミノキサン化合物の重量平均粒子径は、上記で求めた粒径を用いて下式により求められる。
平均粒子径＝Σｎｄ4／Σｎｄ3
（ｎ；粒子個数、ｄ；粒径）
【0115】
前記固体状アルミノキサン化合物は、比表面積が５０～１０００ｍ2／ｇ、好ましくは１００～８００ｍ2／ｇであり、細孔容積が０．１～２．５ｃｍ3／ｇであることが望ましい。
【0116】
前記無機ハロゲン化物としては、ＭｇＣｌ2、ＭｇＢｒ2、ＭｎＣｌ2、ＭｎＢｒ2等が用いられる。無機ハロゲン化物は、入手したものをそのまま用いてもよいし、ボールミル、振動ミルにより粉砕した後に用いてもよい。また、アルコール等の溶媒に無機ハロゲン化物を溶解させた後、析出剤によって微粒子状に析出させたものを用いることもできる。
【0117】
前記粘土は、通常粘土鉱物を主成分として構成される。また、前記イオン交換性層状化合物は、イオン結合等によって構成される面が互いに弱い結合力で平行に積み重なった結晶構造を有する化合物であり、含有するイオンが交換可能なものである。大部分の粘土鉱物はイオン交換性層状化合物である。また、これらの粘土、粘土鉱物、イオン交換性層状化合物としては、天然産のものに限らず、人工合成物を使用することもできる。
【0118】
また、粘土、粘土鉱物またはイオン交換性層状化合物として、六方細密パッキング型、アンチモン型、ＣｄＣｌ2型、ＣｄＩ2型等の層状の結晶構造を有するイオン結晶性化合物等を例示することができる。
さらに、粘土、粘土鉱物としては、カオリン、ベントナイト、木節粘土、ガイロメ粘土、アロフェン、ヒシンゲル石、パイロフィライト、ウンモ群、モンモリロナイト群、バーミキュライト、リョクデイ石群、パリゴルスカイト、カオリナイト、ナクライト、ディッカイト、ハロイサイト等が挙げられる。
さらに、粘土、粘土鉱物としては、カオリン、ベントナイト、木節粘土、ガイロメ粘土、アロフェン、ヒシンゲル石、パイロフィライト、ウンモ群、モンモリロナイト群、バーミキュライト、リョクデイ石群、パリゴルスカイト、カオリナイト、ナクライト、ディッカイト、ハロイサイト等が挙げられる。
【0119】
イオン交換性層状化合物としては、α－Ｚｒ（ＨＡｓＯ4）2・Ｈ2Ｏ、α－Ｚｒ（ＨＰＯ4）2、α－Ｚｒ（ＫＰＯ4）2・３Ｈ2Ｏ、α－Ｔｉ（ＨＰＯ4）2、α－Ｔｉ（ＨＡｓＯ4）2・Ｈ2Ｏ、α－Ｓｎ（ＨＰＯ4）2・Ｈ2Ｏ、γ－Ｚｒ（ＨＰＯ4）2、γ－Ｔｉ（ＨＰＯ4）2、γ－Ｔｉ（ＮＨ4ＰＯ4）2・Ｈ2Ｏ等の多価金属の結晶性酸性塩等が挙げられる。
【0120】
このような粘土、粘土鉱物またはイオン交換性層状化合物は、水銀圧入法で測定した半径２０Å以上の細孔容積が０．１ｃｃ／ｇ以上であることが好ましく、０．３～５ｃｃ／ｇであることが特に好ましい。ここで、細孔容積は、水銀ポロシメーターを用いた水銀圧入法により、細孔半径２０～３００００Åの範囲について測定される。
半径２０Å以上の細孔容積が０．１ｃｃ／ｇより小さいものを担体として用いた場合には、高い重合活性が得られにくい傾向がある。
半径２０Å以上の細孔容積が０．１ｃｃ／ｇより小さいものを担体として用いた場合には、高い重合活性が得られにくい傾向がある。
【0121】
前記粘土および粘土鉱物には、化学処理を施すことも好ましい。化学処理としては、表面に付着している不純物を除去する表面処理、粘土の結晶構造に影響を与える処理等、何れも使用できる。化学処理として具体的には、酸処理、アルカリ処理、塩類処理、有機物処理等が挙げられる。酸処理は、表面の不純物を取り除くほか、結晶構造中のＡｌ、Ｆｅ、Ｍｇ等の陽イオンを溶出させることによって表面積を増大させる。アルカリ処理では粘土の結晶構造が破壊され、粘土の構造の変化をもたらす。また、塩類処理、有機物処理では、イオン複合体、分子複合体、有機誘導体等を形成し、表面積や層間距離を変えることができる。
【0122】
前記イオン交換性層状化合物は、イオン交換性を利用し、層間の交換性イオンを別の大きな嵩高いイオンと交換することにより、層間が拡大した状態の層状化合物であってもよい。このような嵩高いイオンは、層状構造を支える支柱的な役割を担っており、通常、ピラーと呼ばれる。また、このように層状化合物の層間に別の物質を導入することをインターカレーションという。インターカレーションするゲスト化合物としては、ＴｉＣｌ4、ＺｒＣｌ4等の陽イオン性無機化合物、Ｔｉ（ＯＲ）4、Ｚｒ（ＯＲ）4、ＰＯ（ＯＲ）3、Ｂ（ＯＲ）3等の金属アルコキシド（Ｒは炭化水素基等）、［Ａｌ13Ｏ4（ＯＨ）24］7+、［Ｚｒ4（ＯＨ）14］2+、［Ｆｅ3Ｏ（ＯＣＯＣＨ3）6］+等の金属水酸化物イオン等が挙げられる。これらの化合物は単独でまたは２種以上組み合わせて用いられる。また、これらの化合物をインターカレーションする際に、Ｓｉ（ＯＲ）4、Ａｌ（ＯＲ）3、Ｇｅ（ＯＲ）4等の金属アルコキシド（Ｒは炭化水素基等を示す）等を加水分解して得た重合物、ＳｉＯ2等のコロイド状無機化合物等を共存させることもできる。また、ピラーとしては、上記金属水酸化物イオンを層間にインターカレーションした後に加熱脱水することにより生成する酸化物等も挙げられる。
【0123】
前記本発明で用いられる粘土、粘土鉱物、イオン交換性層状化合物は、入手したものをそのまま用いてもよく、またボールミル、ふるい分け等の処理を行った後に用いてもよい。また、新たに水を添加吸着させ、あるいは加熱脱水処理した後に用いてもよい。さらに、１種単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
これらのうち、好ましいものは粘土または粘土鉱物であり、特に好ましいものはモンモリロナイト、バーミキュライト、ペクトライト、テニオライトおよび合成雲母である。
これらのうち、好ましいものは粘土または粘土鉱物であり、特に好ましいものはモンモリロナイト、バーミキュライト、ペクトライト、テニオライトおよび合成雲母である。
【0124】
前記担体［Ｓ］として用いることのできる有機化合物としては、粒径が１～３００μｍの範囲にある顆粒状ないしは微粒子状固体を挙げることができる。具体的には、エチレン、プロピレン、１－ブテン、４－メチル－１－ペンテン等の炭素数が２～１４のα－オレフィンを主成分として生成される重合体またはビニルシクロヘキサン、スチレンを主成分として生成される重合体、およびそれらの変成体を例示することができる。
【0125】
＜各成分の使用法および添加順序＞
本発明に係るオレフィン系重合用触媒は、成分（Ａ）、任意に成分（Ｓ）、および任意に成分（Ｂ）を不活性炭化水素中で混合し接触させることにより、調製することができる。
各成分を接触させる方法としては、接触の順序に着目すると、例えば、
（i）成分（Ａ）に成分（Ｂ）を接触させる方法、
（ii）成分（Ｓ）に成分（Ａ）を接触させる方法、
（iii）成分（Ｓ）に成分（Ｂ）を接触させ、次いで成分（Ａ）を接触させる方法、
（iv）成分（Ａ）に成分（Ｂ）を接触させ、次いで成分（Ｓ）を接触させる方法、
（v）成分（Ｓ）に成分（Ｂ）を接触させ、次いで成分（Ａ）と成分（Ｂ）との混合物を接触させる方法、
（vi）成分（Ｓ）に成分（Ｂ）を接触させ、さらに成分（Ｂ）を接触させ、次いで成分（Ａ）と成分（Ｂ）との混合物を接触させる方法
等が挙げられる。成分（Ｂ）が複数種用いられる場合は、その成分（Ｂ）同士が同一であっても異なっていてもよい。上記の方法のうち（i）、（ii）、（iii）および（iv）が好ましい。
本発明に係るオレフィン系重合用触媒は、成分（Ａ）、任意に成分（Ｓ）、および任意に成分（Ｂ）を不活性炭化水素中で混合し接触させることにより、調製することができる。
各成分を接触させる方法としては、接触の順序に着目すると、例えば、
（i）成分（Ａ）に成分（Ｂ）を接触させる方法、
（ii）成分（Ｓ）に成分（Ａ）を接触させる方法、
（iii）成分（Ｓ）に成分（Ｂ）を接触させ、次いで成分（Ａ）を接触させる方法、
（iv）成分（Ａ）に成分（Ｂ）を接触させ、次いで成分（Ｓ）を接触させる方法、
（v）成分（Ｓ）に成分（Ｂ）を接触させ、次いで成分（Ａ）と成分（Ｂ）との混合物を接触させる方法、
（vi）成分（Ｓ）に成分（Ｂ）を接触させ、さらに成分（Ｂ）を接触させ、次いで成分（Ａ）と成分（Ｂ）との混合物を接触させる方法
等が挙げられる。成分（Ｂ）が複数種用いられる場合は、その成分（Ｂ）同士が同一であっても異なっていてもよい。上記の方法のうち（i）、（ii）、（iii）および（iv）が好ましい。
【0126】
上記接触順序形態を示した各方法において、成分（Ｓ）と成分（Ｂ）との接触を含む工程、および成分（Ｓ）と成分（Ａ）との接触を含む工程においては、成分（Ｇ）を共存させることにより、重合反応中のファウリングが抑制されたり、生成重合体の粒子性状が改善されたりする。成分（Ｇ）としては、極性官能基を有する化合物を用いることができ、非イオン性（ノニオン）界面活性剤が好ましく、ポリアルキレンオキサイドブロック、高級脂肪族アミド、ポリアルキレンオキサイド、ポリアルキレンオキサイドアルキルエーテル、アルキルジエタノールアミン、ポリオキシアルキレンアルキルアミン、グリセリン脂肪酸エステル、Ｎ－アシルアミノ酸がより好ましい。これらは１種を用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【0127】
本発明に係るオレフィン系重合用触媒の調製に用いる溶媒としては、不活性炭化水素溶媒が挙げられ、具体的には、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、ドデカン、灯油等の脂肪族炭化水素、シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロペンタン等の脂環式炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、エチレンクロリド、クロルベンゼン、ジクロロメタン等のハロゲン化炭化水素またはこれらの混合物等を挙げることができ、重合されるオレフィンの種類によってはオレフィン自身を溶媒として用いることもできる。
【0128】
成分（Ｂ）と成分（Ｓ）との接触においては、成分（Ｂ）中の反応部位と成分（Ｓ）中の反応部位との反応により化学的に結合され、成分（Ｂ）と成分（Ｓ）との接触物が形成される。成分（Ｂ）と成分（Ｓ）との接触時間は、通常１分～２０時間、好ましくは３０分～１０時間であり、接触温度は、通常－５０～２００℃、好ましくは－２０～１２０℃で行われる。成分（Ｂ）と成分（Ｓ）との初期接触を急激に行うと、その反応発熱や反応エネルギーにより成分（Ｓ）が崩壊し、得られる固体触媒成分のモルフォロジーが悪化し、これを重合に用いた場合ポリマーモルフォロジー不良により連続運転が困難になることが多い。そのため、成分（Ｂ）と成分（Ｓ）との接触初期は、反応発熱を抑制する目的で、より低温で接触させる、または、反応発熱を制御し、初期接触温度を維持可能な速度で反応させることが好ましい。また、成分（Ｂ）と成分（Ｓ）を接触させ、さらに成分（Ｂ）を接触させる場合においても同様である。成分（Ｂ）と成分（Ｓ）との接触重量比（成分（Ｂ）の重量／成分（Ｓ）の重量）は、任意に選択できるが、接触重量比が高いほうが、より多くの成分（Ａ）を接触させることができ、固体触媒成分の重量当たりの触媒活性を向上させることができる。
【0129】
成分（Ｂ）と成分（Ｓ）の接触重量比［＝成分（Ｂ）の重量／成分（Ｓ）の重量］は、好ましくは０．０５～３．０、特に好ましくは、０．１～２．０である。
成分（Ｂ）と成分（Ｓ）との接触物と、成分（Ａ）とを接触させる際には、接触時間は、通常１分～２０時間、好ましくは１分～１０時間であり、接触温度は、通常－５０～２００℃、好ましくは－５０～１００℃の範囲内である。
成分（Ｂ）と成分（Ｓ）との接触物と、成分（Ａ）とを接触させる際には、接触時間は、通常１分～２０時間、好ましくは１分～１０時間であり、接触温度は、通常－５０～２００℃、好ましくは－５０～１００℃の範囲内である。
【0130】
成分（Ｂ－１）は、成分（Ｂ－１）と成分（Ａ）中の全遷移金属原子（Ｍ）とのモル比［（Ｂ－１）／Ｍ］が、通常０．０１～１００，０００、好ましくは０．０５～５０，０００となるような量で用いられる。
成分（Ｂ－２）は、成分（Ｂ－２）(アルミニウム原子換算)と成分（Ａ）中の全遷移金属原子（Ｍ）とのモル比［（Ｂ－２）／Ｍ］が、通常１０～５００，０００、好ましくは２０～１００，０００となるような量で用いられる。
成分（Ｂ－３）は、成分（Ｂ－３）と成分（Ａ）中の全遷移金属原子（Ｍ）とのモル比［（Ｂ－３）／Ｍ］が、通常１～１０、好ましくは１～５となるような量で用いられる。なお、成分（Ｂ）と成分（Ａ）中の全遷移金属原子（Ｍ）との比は、誘導結合プラズマ発光分析法（ＩＣＰ分析法）により求めることができる。
成分（Ｂ－２）は、成分（Ｂ－２）(アルミニウム原子換算)と成分（Ａ）中の全遷移金属原子（Ｍ）とのモル比［（Ｂ－２）／Ｍ］が、通常１０～５００，０００、好ましくは２０～１００，０００となるような量で用いられる。
成分（Ｂ－３）は、成分（Ｂ－３）と成分（Ａ）中の全遷移金属原子（Ｍ）とのモル比［（Ｂ－３）／Ｍ］が、通常１～１０、好ましくは１～５となるような量で用いられる。なお、成分（Ｂ）と成分（Ａ）中の全遷移金属原子（Ｍ）との比は、誘導結合プラズマ発光分析法（ＩＣＰ分析法）により求めることができる。
【0131】
オレフィン系重合には、本発明に係るオレフィン系重合用触媒をそのまま用いることができるが、このオレフィン系重合用触媒にオレフィンを予備重合させて予備重合固体触媒成分を形成してから用いることもできる。
予備重合固体触媒成分は、本発明に係るオレフィン系重合用触媒の存在下、通常、不活性炭化水素溶媒中、オレフィン（例：エチレン）等を予備重合させることにより調製することができ、回分式、半連続式、連続式のいずれの方法においても実施することができ、また減圧、常圧あるいは加圧下、いずれでも行うことができる。さらに、予備重合によって、固体状触媒成分１ｇ当り０．０１～１０００ｇ、好ましくは０．１～８００ｇ、さらに好ましくは０．２～５００ｇの量で予備重合固体触媒成分が生成することが望ましい。
予備重合固体触媒成分は、本発明に係るオレフィン系重合用触媒の存在下、通常、不活性炭化水素溶媒中、オレフィン（例：エチレン）等を予備重合させることにより調製することができ、回分式、半連続式、連続式のいずれの方法においても実施することができ、また減圧、常圧あるいは加圧下、いずれでも行うことができる。さらに、予備重合によって、固体状触媒成分１ｇ当り０．０１～１０００ｇ、好ましくは０．１～８００ｇ、さらに好ましくは０．２～５００ｇの量で予備重合固体触媒成分が生成することが望ましい。
【0132】
不活性炭化水素溶媒中で生成した予備重合固体触媒成分を懸濁液から分離した後、再び不活性炭化水素中に懸濁させ、得られた懸濁液中にオレフィン（例：エチレン）を導入してもよく、また、乾燥させた後オレフィン（例：エチレン）を導入してもよい。
予備重合温度は、－２０～８０℃、好ましくは０～６０℃であり、また予備重合時間は、０．５～１００時間、好ましくは１～５０時間程度である。予備重合には、好ましくはエチレンを主成分とするオレフィンが用いられる。
予備重合温度は、－２０～８０℃、好ましくは０～６０℃であり、また予備重合時間は、０．５～１００時間、好ましくは１～５０時間程度である。予備重合には、好ましくはエチレンを主成分とするオレフィンが用いられる。
【0133】
予備重合に使用する固体触媒成分の形態としては、既に述べたものを制限無く利用できる。また、必要に応じて成分（Ｂ）が用いられ、特に一般式（Ｂ－１ａ）で示される有機アルミニウム化合物［Ｂ－１ａ］が好ましく使用される。成分（Ｂ）が用いられる場合は、成分（Ｂ）は、成分（Ｂ）中のアルミニウム原子（Ａｌ）と遷移金属化合物［Ａ］中の遷移金属原子（Ｍ）とのモル比（Ａｌ／Ｍ）が、０．１～１００００、好ましくは０．５～５０００となる量で用いられる。
【0134】
予備重合系における本発明に係るオレフィン系重合用触媒の濃度は、オレフィン系重合用触媒／重合容積比で、通常１～１０００ｇ／Ｌ、さらには１０～５００ｇ／Ｌであることが望ましい。予備重合時には、ファウリング抑制あるいは粒子性状改善を目的として、前記の成分（Ｇ）を共存させてもよい。
また、予備重合固体触媒成分の流動性改善や重合時のヒートスポット・シーティングやポリマー塊の発生抑制を目的に、予備重合によって一旦生成させた予備重合固体触媒成分に成分（Ｇ）を接触させてもよい。
また、予備重合固体触媒成分の流動性改善や重合時のヒートスポット・シーティングやポリマー塊の発生抑制を目的に、予備重合によって一旦生成させた予備重合固体触媒成分に成分（Ｇ）を接触させてもよい。
【0135】
上記成分（Ｇ）を接触させる際の温度は、通常－５０～５０℃、好ましくは－２０～５０℃であり、接触時間は、通常１分～２０時間、好ましくは５分～１０時間である。
本発明に係るオレフィン系重合用触媒と成分（Ｇ）とを接触させるに際して、成分（Ｇ）は、本発明に係るオレフィン系重合用触媒１００重量部に対して、０．１～２０重量部、好ましくは０．３～１０重量部、より好ましくは０．４～５重量部の量で用いられる。
本発明に係るオレフィン系重合用触媒と成分（Ｇ）とを接触させるに際して、成分（Ｇ）は、本発明に係るオレフィン系重合用触媒１００重量部に対して、０．１～２０重量部、好ましくは０．３～１０重量部、より好ましくは０．４～５重量部の量で用いられる。
【0136】
本発明に係るオレフィン系重合用触媒と成分（Ｇ）との混合接触は、不活性炭化水素溶媒中で行うことができ、不活性炭化水素溶媒としては、前記と同様のものが挙げられる。
本発明に係るオレフィン系重合体の製造方法において、オレフィン系重合用触媒として、予備重合固体触媒成分を乾燥させたもの（以下、「乾燥予備重合触媒」ともいう。）を用いることができる。予備重合固体触媒成分の乾燥は、通常、得られた予備重合触媒の懸濁液から濾過等により分散媒である炭化水素を除去した後に行われる。
本発明に係るオレフィン系重合体の製造方法において、オレフィン系重合用触媒として、予備重合固体触媒成分を乾燥させたもの（以下、「乾燥予備重合触媒」ともいう。）を用いることができる。予備重合固体触媒成分の乾燥は、通常、得られた予備重合触媒の懸濁液から濾過等により分散媒である炭化水素を除去した後に行われる。
【0137】
予備重合固体触媒成分の乾燥は、予備重合固体触媒成分を不活性ガスの流通下、７０℃以下、好ましくは２０～５０℃の範囲の温度に保持することにより行われる。得られた乾燥予備重合触媒の揮発成分量は２．０重量％以下、好ましくは１．０重量％以下であることが望ましい。乾燥予備重合触媒の揮発成分量は、少ないほどよく、特に下限はないが、実用的には０．００１重量％である。乾燥時間は、乾燥温度にもよるが通常１～４８時間である。
【0138】
前記乾燥予備重合触媒は、流動性に優れているので、重合反応器へ安定的に供給することができる。また、前記乾燥予備重合触媒を使用すると、気相重合系内に懸濁に用いた溶媒を同伴させずに済むため安定的に重合を行うことができる。
【0139】
［オレフィン系重合体の製造方法］
本発明のオレフィン系重合体の製造方法は、本発明のオレフィン系重合用触媒の存在下でオレフィンを重合させる工程を含むことを特徴とする。
前記オレフィンを重合させる工程は、エチレンを単独重合させる工程またはエチレンと炭素数３以上２０以下のオレフィンとを共重合させる工程であることが好ましい。
本発明のオレフィン系重合体の製造方法は、本発明のオレフィン系重合用触媒の存在下でオレフィンを重合させる工程を含むことを特徴とする。
前記オレフィンを重合させる工程は、エチレンを単独重合させる工程またはエチレンと炭素数３以上２０以下のオレフィンとを共重合させる工程であることが好ましい。
【0140】
本発明のオレフィン系重合体の製造方法がエチレン系重合体の製造方法である場合、エチレン系重合体中のエチレン含量は好ましくは７０モル％以上（モノマー単位の合計を１００モル％とする。）である。
【0141】
重合方法としては、溶液重合、懸濁重合等の液相重合法および気相重合法が挙げられ、懸濁重合法および気相重合法が好ましい。
液相重合法において用いられる不活性炭化水素媒体として具体的には、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、ドデカン、灯油等の脂肪族炭化水素；シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロペンタン等の脂環式炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素；エチレンクロリド、クロルベンゼン、ジクロロメタン等のハロゲン化炭化水素またはこれらの混合物等を挙げることができる。
液相重合法において用いられる不活性炭化水素媒体として具体的には、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、ドデカン、灯油等の脂肪族炭化水素；シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロペンタン等の脂環式炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素；エチレンクロリド、クロルベンゼン、ジクロロメタン等のハロゲン化炭化水素またはこれらの混合物等を挙げることができる。
【0142】
本発明に係るオレフィン系重合用触媒を用いてオレフィン（例：エチレン）の重合を行うに際して、成分（Ａ）は、反応容積１Ｌ当たり、通常１×１０-12～１×１０-1モル、好ましくは１×１０-8～１×１０-2モルになるような量で用いられる。また、成分（Ｂ）が用いられ、好ましくは一般式（Ｂ－１ａ）で示される化合物、または成分（Ｂ－２）が用いられる。
【0143】
オレフィン（例：エチレン）を重合するに際して、重合温度は、下限が通常０℃、好ましくは４０℃、より好ましくは６０℃である。温度が高い方が工業スケールでの生産において除熱等の面で有利である。上限が通常２００℃、好ましくは１７０℃であり、重合圧力は、通常、常圧～１００ｋｇｆ／ｃｍ2、好ましくは常圧～５０ｋｇｆ／ｃｍ2である。
重合反応は、回分式、半連続式、連続式のいずれの方法においても行うことができる。さらに重合を反応条件の異なる２段以上に分けて行うことも可能である。
重合反応は、回分式、半連続式、連続式のいずれの方法においても行うことができる。さらに重合を反応条件の異なる２段以上に分けて行うことも可能である。
【0144】
本発明に係るオレフィン系重合体の製造方法により得られるオレフィン系重合体の分子量は、重合系に水素を存在させるか、または重合温度を変化させることによって調節することができる。重合時には、ファウリング抑制あるいは粒子性状改善を目的として、前記の成分（Ｇ）を共存させることができる。
【0145】
本発明のオレフィン系重合体の製造方法がエチレン系重合体の製造方法である場合、重合反応に供給されるモノマーは、エチレン単独であるか、エチレンおよび炭素数３以上２０以下のオレフィンであることが好ましい。炭素数３以上２０以下のオレフィンの具体例としては、プロピレン、１－ブテン、１－ペンテン、１－ヘキセン、４－メチル－１－ペンテン、１－オクテン、１－デセン、１－ドデセン、１－テトラデセン、１－ヘキサデセン、１－オクタデセン、１－エイコセン等のα－オレフィンや、シクロペンテン、シクロヘプテン、ノルボルネン、５－メチル－２－ノルボルネン、テトラシクロドデセン、２－メチル－１，４，５，８－ジメタノ－１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ－オクタヒドロナフタレン等の環状オレフィンを挙げることができる。
【0146】
さらに、本発明の効果を損なわない範囲で少量のスチレン、ビニルシクロヘキサン、ジエンやアクリル酸、メタクリル酸、フマル酸、無水マレイン酸等；アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸等の極性モノマー等を供給してもよい。
【0147】
また、本発明に係るオレフィン系重合体の製造方法によれば、分子量の高いオレフィン系重合体を、狭い分子量分布で製造することができる。遷移金属化合物［Ａ］中の２－インデニル環上のＲ2～Ｒ5置換基による立体障害で、生長ポリマー鎖の連鎖移動反応が抑制されたため、ポリマーが高分子量化したと考えられる。また、遷移金属化合物［Ａ］はテトラメチルシクロペンタジエンが対称な構造であり、シリル架橋（２－インデニル）（１－インデニル）型化合物に比べると異性体が少ない。つまり、触媒の活性種が少ないため、得られるポリマーの分子量分布が狭くなると考えられる。
【0148】
［オレフィン系重合体］
本発明に係るオレフィン系重合体の製造方法によって製造されるオレフィン系重合体（例：エチレン系重合体）は、好ましくは下記要件（１）～（７）を満たす。
（１）１９０℃における２．１６ｋｇ荷重でのメルトフローレート（ＭＦＲ）が通常０．０１ｇ／１０分以上３０ｇ／１０分以下、好ましくは０．０１ｇ／１０分以上１０ｇ／１０分以下、より好ましくは０．０１ｇ／１０分以上５ｇ／１０分以下、さらに好ましくは０．０１ｇ／１０分以上１ｇ／１０分以下、特に好ましくは０．０２ｇ／１０分以上０．５ｇ／１０分以下である。
（２）密度が通常８７５ｋｇ／ｍ3以上９６５ｋｇ／ｍ3以下、好ましくは８８５ｋｇ／ｍ3以上９４５ｋｇ／ｍ3以下、より好ましくは９００ｋｇ／ｍ3以上９４５ｋｇ／ｍ3以下、さらに好ましくは９１５ｋｇ／ｍ3以上９４５ｋｇ／ｍ3以下、特に好ましくは９３０ｋｇ／ｍ3以上９４０ｋｇ／ｍ3以下である。
（３）Ｍｎが通常１００００以上４００００以下、好ましくは１２０００以上３６０００以下、より好ましくは１４０００以上３３０００以下、さらに好ましくは１６０００以上３２０００以下、特に好ましくは１８０００以上３００００以下である。
（４）Ｍｗが通常５００００～１５００００、好ましくは６００００～１４００００、より好ましくは７００００～１３５０００、さらに好ましくは７５０００～１３００００、特に好ましくは８００００～１２５０００である。
（５）Ｍｚが通常２０００００～４０００００、好ましくは２１００００～３９００００、より好ましくは２２００００～３８００００、さらに好ましくは２２５０００～３７５０００、特に２３００００～３７００００である。
（６）Ｍｗ／Ｍｎが通常５．０以下、好ましくは４．８以下、より好ましくは４．７以下、さらに好ましくは４．６以下、特に好ましくは４．５以下である。
（７）Ｍｚ／Ｍｗが通常４．０以下、好ましくは３．８以下、より好ましくは３．６以下、さらに好ましくは３．４以下である。
本発明に係るオレフィン系重合体の製造方法によって製造されるオレフィン系重合体（例：エチレン系重合体）は、好ましくは下記要件（１）～（７）を満たす。
（１）１９０℃における２．１６ｋｇ荷重でのメルトフローレート（ＭＦＲ）が通常０．０１ｇ／１０分以上３０ｇ／１０分以下、好ましくは０．０１ｇ／１０分以上１０ｇ／１０分以下、より好ましくは０．０１ｇ／１０分以上５ｇ／１０分以下、さらに好ましくは０．０１ｇ／１０分以上１ｇ／１０分以下、特に好ましくは０．０２ｇ／１０分以上０．５ｇ／１０分以下である。
（２）密度が通常８７５ｋｇ／ｍ3以上９６５ｋｇ／ｍ3以下、好ましくは８８５ｋｇ／ｍ3以上９４５ｋｇ／ｍ3以下、より好ましくは９００ｋｇ／ｍ3以上９４５ｋｇ／ｍ3以下、さらに好ましくは９１５ｋｇ／ｍ3以上９４５ｋｇ／ｍ3以下、特に好ましくは９３０ｋｇ／ｍ3以上９４０ｋｇ／ｍ3以下である。
（３）Ｍｎが通常１００００以上４００００以下、好ましくは１２０００以上３６０００以下、より好ましくは１４０００以上３３０００以下、さらに好ましくは１６０００以上３２０００以下、特に好ましくは１８０００以上３００００以下である。
（４）Ｍｗが通常５００００～１５００００、好ましくは６００００～１４００００、より好ましくは７００００～１３５０００、さらに好ましくは７５０００～１３００００、特に好ましくは８００００～１２５０００である。
（５）Ｍｚが通常２０００００～４０００００、好ましくは２１００００～３９００００、より好ましくは２２００００～３８００００、さらに好ましくは２２５０００～３７５０００、特に２３００００～３７００００である。
（６）Ｍｗ／Ｍｎが通常５．０以下、好ましくは４．８以下、より好ましくは４．７以下、さらに好ましくは４．６以下、特に好ましくは４．５以下である。
（７）Ｍｚ／Ｍｗが通常４．０以下、好ましくは３．８以下、より好ましくは３．６以下、さらに好ましくは３．４以下である。
【0149】
前記メルトフローレート（ＭＦＲ）の値は、分子量に強く依存しており、メルトフローレート（ＭＦＲ）が小さいほど分子量は大きく、メルトフローレート（ＭＦＲ）が大きいほど分子量は小さくなる。また、例えばエチレン系重合体の分子量は、重合系内における水素とエチレンとの組成比（水素／エチレン）により決定されることが知られている（例えば、曽我和雄他編、「Ｃａｔａｌｙｔｉｃ Ｏｌｅｆｉｎ Ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ」、講談社サイエンティフィク、１９９０年、ｐ．３７６）。このため、水素／エチレンを増減させることで、エチレン系重合体のメルトフローレート（ＭＦＲ）を増減させることが可能である。
【0150】
前記密度の値は、エチレン系重合体のα－オレフィン含量に依存しており、α－オレフィン含量が少ないほど密度は高く、α－オレフィン含量が多いほど密度は低くなる。また、例えばエチレン系重合体中のα－オレフィン含量は、重合系内におけるα－オレフィンとエチレンとの組成比（α－オレフィン／エチレン）により決定されることが知られている（例えば、Ｗａｌｔｅｒ Ｋａｍｉｎｓｋｙ， Ｍａｋｒｏｍｏｌ． Ｃｈｅｍ．１９３，ｐ．６０６（１９９２））。このため、α－オレフィン／エチレンを増減させることで、上記範囲の密度を有するエチレン系重合体を製造することができる。
【0151】
ＭｎはＧＰＣ－粘度検出器法（ＧＰＣ－ＶＩＳＣＯ）により測定された数平均分子量、ＭｗはＧＰＣ－ＶＩＳＣＯにより測定された重量平均分子量、ＭｚはＧＰＣ－ＶＩＳＣＯにより測定されたＺ平均分子量を示す。
【0152】
本発明により製造されるオレフィン系重合体（例：エチレン系重合体）は、ペレット化されてもよい。
【0153】
本発明により製造されるオレフィン系重合体（例：エチレン系重合体）には、本発明の目的を損なわない範囲で、耐候性安定剤、耐熱安定剤、帯電防止剤、スリップ防止剤、アンチブロッキング剤、防曇剤、滑剤、顔料、染料、核剤、可塑剤、老化防止剤、塩酸吸収剤、酸化防止剤等の添加剤を必要に応じて配合してもよい。
【0154】
本発明により製造されるオレフィン系重合体（例：エチレン系重合体）は、一般のフィルム成形やブロー成形、インジェクション成形及び押出成形により加工することができる。
本発明により製造されるオレフィン系重合体（例：エチレン系重合体）を加工することにより得られる成形体としては、フィルム、ブロー輸液バック、ブローボトル、ガソリンタンク、押出成形によるチューブ、パイプ、引きちぎりキャップ、日用雑貨品等射出成形物、繊維、回転成形による大型成形品等が挙げられる。
本発明により製造されるオレフィン系重合体（例：エチレン系重合体）を加工することにより得られる成形体としては、フィルム、ブロー輸液バック、ブローボトル、ガソリンタンク、押出成形によるチューブ、パイプ、引きちぎりキャップ、日用雑貨品等射出成形物、繊維、回転成形による大型成形品等が挙げられる。
【0155】
本発明により製造されるオレフィン系重合体（例：エチレン系重合体）を加工することにより得られるフィルムは、水物包装袋、液体スープ包袋、液体紙器、ラミ原反、特殊形状液体包装袋（スタンディングパウチ等）、規格袋、重袋、ラップフィルム、砂糖袋、油物包装袋、食品包装用等の各種包装用フィルム、プロテクトフィルム、輸液バック、農業用資材等に好適であり、また、ナイロン、ポリエステル等の基材と貼り合わせて、多層フィルムとして用いることもできる。
【実施例0156】
以下、実施例に基づいて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。
【0157】
［各種物性の測定］
オレフィン系重合体の物性測定方法を以下に示す。
＜メルトフローレート（ＭＦＲ）＞
メルトフローレートは、１９０℃、２．１６ｋｇ荷重の条件で測定した。
オレフィン系重合体の物性測定方法を以下に示す。
＜メルトフローレート（ＭＦＲ）＞
メルトフローレートは、１９０℃、２．１６ｋｇ荷重の条件で測定した。
【0158】
＜密度（Ｄ）＞
ＭＦＲ測定時に得られるストランドを１００℃で３０分間熱処理し、更に室温で１時間放置した後に密度勾配管法で測定した。
ＭＦＲ測定時に得られるストランドを１００℃で３０分間熱処理し、更に室温で１時間放置した後に密度勾配管法で測定した。
【0159】
＜数平均分子量（Ｍｎ）、重量平均分子量（Ｍｗ）、Ｚ平均分子量（Ｍｚ）、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ、Ｍｚ／Ｍｗ）＞
Ａｇｉｌｅｎｔ社製ＧＰＣ－粘度検出器（ＧＰＣ－ＶＩＳＣＯ）ＰＬ－ＧＰＣ２２０を用い、以下のように測定した。
分析カラムにはＡｇｉｌｅｎｔ ＰＬｇｅｌ Ｏｌｅｘｉｓを２本用い、検出器には示差屈折計および３キャピラリー粘度計を用い、カラム温度は１４５℃とし、移動相としてはｏ－ジクロロベンゼンを用い、流速を１．０ｍｌ／分とし、試料濃度は０．１重量％とした。標準ポリスチレンには、東ソー社製のものを用いた。分子量計算は、粘度計および屈折計から実測粘度を計算し、実測ユニバーサルキャリブレーションより数平均分子量（Ｍｎ）、重量平均分子量（Ｍｗ）、Ｚ平均分子量（Ｍｚ）、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ、Ｍｚ／Ｍｗ）を求めた。
Ａｇｉｌｅｎｔ社製ＧＰＣ－粘度検出器（ＧＰＣ－ＶＩＳＣＯ）ＰＬ－ＧＰＣ２２０を用い、以下のように測定した。
分析カラムにはＡｇｉｌｅｎｔ ＰＬｇｅｌ Ｏｌｅｘｉｓを２本用い、検出器には示差屈折計および３キャピラリー粘度計を用い、カラム温度は１４５℃とし、移動相としてはｏ－ジクロロベンゼンを用い、流速を１．０ｍｌ／分とし、試料濃度は０．１重量％とした。標準ポリスチレンには、東ソー社製のものを用いた。分子量計算は、粘度計および屈折計から実測粘度を計算し、実測ユニバーサルキャリブレーションより数平均分子量（Ｍｎ）、重量平均分子量（Ｍｗ）、Ｚ平均分子量（Ｍｚ）、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ、Ｍｚ／Ｍｗ）を求めた。
【0160】
＜遷移金属化合物［Ａ］の合成＞
〔合成例１－１〕
充分に乾燥、アルゴン置換した２００ｍＬの反応器に、「特表２０１９－５１５９９７」に記載の方法で得られた７－フェニル１－Ｈインデン１５．２ｇ（７８．８ｍｍｏｌ）、ジメチルスルホキシド１３０ｍＬ、水３．１３ｇを加えて０℃に冷却し、Ｎ－ブロモサクシンイミドを徐々に加え、室温で１時間攪拌した。その後０℃に冷却し、水を加えて酢酸エチルで可溶分を抽出し、得られた分画を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。硫酸マグネシウムをろ過した後、ろ液を留去して得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製すると、下記式（Ａ－１ａ）で示した目的物（以下、「化合物（Ａ－１ａ）」という。）が９．１２ｇ（収率４３％）で得られた。
1Ｈ ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ ７．４９－７．１９（８Ｈ，ｍ，Ａｒ－Ｈ），７．１０－６．９８（１Ｈ，ｄ，Ｃ＝ＣＨ－Ｃ），３．６８（２Ｈ，ｓ，Ｃ－ＣＨ2－Ｃ）ｐｐｍ
〔合成例１－１〕
充分に乾燥、アルゴン置換した２００ｍＬの反応器に、「特表２０１９－５１５９９７」に記載の方法で得られた７－フェニル１－Ｈインデン１５．２ｇ（７８．８ｍｍｏｌ）、ジメチルスルホキシド１３０ｍＬ、水３．１３ｇを加えて０℃に冷却し、Ｎ－ブロモサクシンイミドを徐々に加え、室温で１時間攪拌した。その後０℃に冷却し、水を加えて酢酸エチルで可溶分を抽出し、得られた分画を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。硫酸マグネシウムをろ過した後、ろ液を留去して得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製すると、下記式（Ａ－１ａ）で示した目的物（以下、「化合物（Ａ－１ａ）」という。）が９．１２ｇ（収率４３％）で得られた。
1Ｈ ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ ７．４９－７．１９（８Ｈ，ｍ，Ａｒ－Ｈ），７．１０－６．９８（１Ｈ，ｄ，Ｃ＝ＣＨ－Ｃ），３．６８（２Ｈ，ｓ，Ｃ－ＣＨ2－Ｃ）ｐｐｍ
【0161】
【化11】
【0162】
〔合成例１－２〕
充分に乾燥、アルゴン置換した２００ｍＬの反応器に、マグネシウム片０．７６ｇ（３１．１ｍｍｏｌ）を仕込み、減圧下加熱しながら３０分激しく攪拌した。室温まで冷却した後、還流冷却管を装着し、ヨウ素一片とテトラヒドロフラン１５ｍＬを仕込み攪拌した。合成例１－１で得られた化合物（Ａ－１ａ）４．２１ｇ（１５．５ｍｍｏｌ）、のテトラヒドロフラン２０ｍＬ希釈溶液を滴下（１．０ｍＬ添加後、ドライヤーにてヨウ素の色が消失するまで加熱還流、反応開始後は残液滴下）し、滴下終了後８０℃にて１時間加熱還流した。この反応液を、ジメチルシリルジクロリド９．３２ｍＬ（７７．６ｍｍｏｌ）のｎ－ヘキサン１５ｍＬ希釈溶液に、－７８℃冷却下ゆっくりと加え、室温まで戻しながら１８時間攪拌を続けた。反応液の溶媒および未反応のジメチルシリルジクロリドを留去した後、残渣にテトラヒドロフラン１５ｍＬ、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン２．０１ｍＬ（１８．６ｍｍｏｌ）を加え、溶液１ａを得た。
充分に乾燥、アルゴン置換した１００ｍＬの反応器に、１,２,３,４－テトラメチル－１,３－シクロペンタジエン２．３３ｇ（１９．１ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン１５ｍＬを仕込み、ｎ－ブチルリチウム溶液１２．８ｍＬ（ヘキサン溶液、１．５６Ｍ、２０．０ｍｍｏｌ）を加え、室温で２時間攪拌し、溶液１ｂを得た。
この溶液１ｂを、－７８℃に冷却した溶液１ａに滴下し、ゆっくりと室温まで戻しながら１５時間攪拌を続けた。飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、酢酸エチルで可溶分を抽出し、得られた分画を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。硫酸マグネシウムをろ過した後、ろ液を留去して得られた残渣を逆相シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製すると、下記式（Ａ－１Ｌ）で示した目的物（以下、「化合物（Ａ－１Ｌ）」という。）が１．３５ｇ（収率２３％）の異性体混合物として得られた。
1Ｈ ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ ７．５６－７．１１（９Ｈ，ｍ，Ａｒ－Ｈ），３．５３－３．４５（２Ｈ，ｍ，Ｃ－ＣＨ2－Ｃ），３．０１（１Ｈ，ｓ，Ｓｉ－ＣＨ），１．８５（６Ｈ，ｓ，Ｃ－ＣＨ３），１．７８（６Ｈ，ｓ，Ｃ－ＣＨ３），０．１５－０．１４（６Ｈ，ｄ，Ｓｉ－ＣＨ3）ｐｐｍ
充分に乾燥、アルゴン置換した２００ｍＬの反応器に、マグネシウム片０．７６ｇ（３１．１ｍｍｏｌ）を仕込み、減圧下加熱しながら３０分激しく攪拌した。室温まで冷却した後、還流冷却管を装着し、ヨウ素一片とテトラヒドロフラン１５ｍＬを仕込み攪拌した。合成例１－１で得られた化合物（Ａ－１ａ）４．２１ｇ（１５．５ｍｍｏｌ）、のテトラヒドロフラン２０ｍＬ希釈溶液を滴下（１．０ｍＬ添加後、ドライヤーにてヨウ素の色が消失するまで加熱還流、反応開始後は残液滴下）し、滴下終了後８０℃にて１時間加熱還流した。この反応液を、ジメチルシリルジクロリド９．３２ｍＬ（７７．６ｍｍｏｌ）のｎ－ヘキサン１５ｍＬ希釈溶液に、－７８℃冷却下ゆっくりと加え、室温まで戻しながら１８時間攪拌を続けた。反応液の溶媒および未反応のジメチルシリルジクロリドを留去した後、残渣にテトラヒドロフラン１５ｍＬ、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン２．０１ｍＬ（１８．６ｍｍｏｌ）を加え、溶液１ａを得た。
充分に乾燥、アルゴン置換した１００ｍＬの反応器に、１,２,３,４－テトラメチル－１,３－シクロペンタジエン２．３３ｇ（１９．１ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン１５ｍＬを仕込み、ｎ－ブチルリチウム溶液１２．８ｍＬ（ヘキサン溶液、１．５６Ｍ、２０．０ｍｍｏｌ）を加え、室温で２時間攪拌し、溶液１ｂを得た。
この溶液１ｂを、－７８℃に冷却した溶液１ａに滴下し、ゆっくりと室温まで戻しながら１５時間攪拌を続けた。飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、酢酸エチルで可溶分を抽出し、得られた分画を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。硫酸マグネシウムをろ過した後、ろ液を留去して得られた残渣を逆相シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製すると、下記式（Ａ－１Ｌ）で示した目的物（以下、「化合物（Ａ－１Ｌ）」という。）が１．３５ｇ（収率２３％）の異性体混合物として得られた。
1Ｈ ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ ７．５６－７．１１（９Ｈ，ｍ，Ａｒ－Ｈ），３．５３－３．４５（２Ｈ，ｍ，Ｃ－ＣＨ2－Ｃ），３．０１（１Ｈ，ｓ，Ｓｉ－ＣＨ），１．８５（６Ｈ，ｓ，Ｃ－ＣＨ３），１．７８（６Ｈ，ｓ，Ｃ－ＣＨ３），０．１５－０．１４（６Ｈ，ｄ，Ｓｉ－ＣＨ3）ｐｐｍ
【0163】
【化12】
【0164】
［実施例１Ａ］
充分に乾燥、アルゴン置換した１００ｍＬの反応器に、合成例１－２で得られた化合物（Ａ－１Ｌ）１．３８ｇ（３．７ｍｍｏｌ）、トルエン３７ｍＬ、テトラヒドロフラン０．６０ｍＬを仕込み攪拌した。この溶液へ、ｎ－ブチルリチウム溶液４．６７ｍＬ（ヘキサン溶液、１．５９Ｍ、７．４ｍｍｏｌ）を室温下加えた後、４０℃のオイルバス中で３時間攪拌を続けた。この溶液を０℃に冷却し、四塩化ジルコニウム０．８７ｇ（３．７ｍｍｏｌ）を加え、室温にて１９時間攪拌を続けた。反応液の溶媒を留去した後、得られた固体にジクロロメタンを加え懸濁液を調整し、不溶物をガラスフィルター上のセライトで除去した。得られた溶液を減圧化濃縮した後、ｎ－ヘキサンを加えることで懸濁液を調整し、不溶物をガラスフィルターで濾別し、減圧乾燥することにより、下記式（Ａ－１）で示される黄色粉末状の化合物（以下、「化合物（Ａ－１）」という。）を０．５３ｇ（収率２７％）得た。
1Ｈ ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ ７．７３－７．７１（１Ｈ，ｍ，Ａｒ－Ｈ），７．６２－７．６０（２Ｈ，ｍ，Ａｒ－Ｈ），７．４６－７．２６（５Ｈ，ｍ，Ａｒ－Ｈ），６．０９－６．０４（２Ｈ，ｄｄ，Ｃｐ－Ｈ），２．０３－１．９５（１２Ｈ，ｍ，Ｃ－ＣＨ3），０．９１（３Ｈ，ｓ，Ｓｉ－ＣＨ3），０．９０（３Ｈ，ｓ，Ｓｉ－ＣＨ3）ｐｐｍ
ＦＤ－質量分析（Ｍ+）：５３０
充分に乾燥、アルゴン置換した１００ｍＬの反応器に、合成例１－２で得られた化合物（Ａ－１Ｌ）１．３８ｇ（３．７ｍｍｏｌ）、トルエン３７ｍＬ、テトラヒドロフラン０．６０ｍＬを仕込み攪拌した。この溶液へ、ｎ－ブチルリチウム溶液４．６７ｍＬ（ヘキサン溶液、１．５９Ｍ、７．４ｍｍｏｌ）を室温下加えた後、４０℃のオイルバス中で３時間攪拌を続けた。この溶液を０℃に冷却し、四塩化ジルコニウム０．８７ｇ（３．７ｍｍｏｌ）を加え、室温にて１９時間攪拌を続けた。反応液の溶媒を留去した後、得られた固体にジクロロメタンを加え懸濁液を調整し、不溶物をガラスフィルター上のセライトで除去した。得られた溶液を減圧化濃縮した後、ｎ－ヘキサンを加えることで懸濁液を調整し、不溶物をガラスフィルターで濾別し、減圧乾燥することにより、下記式（Ａ－１）で示される黄色粉末状の化合物（以下、「化合物（Ａ－１）」という。）を０．５３ｇ（収率２７％）得た。
1Ｈ ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ ７．７３－７．７１（１Ｈ，ｍ，Ａｒ－Ｈ），７．６２－７．６０（２Ｈ，ｍ，Ａｒ－Ｈ），７．４６－７．２６（５Ｈ，ｍ，Ａｒ－Ｈ），６．０９－６．０４（２Ｈ，ｄｄ，Ｃｐ－Ｈ），２．０３－１．９５（１２Ｈ，ｍ，Ｃ－ＣＨ3），０．９１（３Ｈ，ｓ，Ｓｉ－ＣＨ3），０．９０（３Ｈ，ｓ，Ｓｉ－ＣＨ3）ｐｐｍ
ＦＤ－質量分析（Ｍ+）：５３０
【0165】
【化13】
【0166】
〔合成例２－１〕
充分に乾燥、アルゴン置換した２００ｍＬの反応器に、３－（２－メチルフェニル）プロピオン酸１９．３５ｇ（０．１２ｍｏｌ）、トリフルオロメタンスルホン酸１０１．７６ｇ（０．６８ｍｏｌ）を仕込み、室温で２．５時間攪拌した。この反応液を０℃に冷却し、水１００ｍＬを加え、塩化メチレンで可溶分を抽出し、得られた分画を硫酸ナトリウムで乾燥した。硫酸ナトリウムをろ過した後、ろ液を留去して得られた残渣を塩化メチレンとヘキサンの系で再結晶し、析出した結晶をろ過して回収した。ろ液についてはシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、結晶部と合わせて、下記式（Ａ－２ａ）で示した目的物（以下、「化合物（Ａ－２ａ）」という。）が１５．３４ｇ（収率８８％）得られた。
1Ｈ ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ ７．６２－７．３０（３Ｈ，ｍ，Ａｒ－Ｈ），３．０４－３．０２（２Ｈ，ｍ，Ｏ＝Ｃ－ＣＨ２－Ｃ），２．７２－２．６９（２Ｈ，ｍ，Ｃ－ＣＨ２－Ｃ），２．３７（３Ｈ，ｓ，－ＣＨ３）ｐｐｍ
充分に乾燥、アルゴン置換した２００ｍＬの反応器に、３－（２－メチルフェニル）プロピオン酸１９．３５ｇ（０．１２ｍｏｌ）、トリフルオロメタンスルホン酸１０１．７６ｇ（０．６８ｍｏｌ）を仕込み、室温で２．５時間攪拌した。この反応液を０℃に冷却し、水１００ｍＬを加え、塩化メチレンで可溶分を抽出し、得られた分画を硫酸ナトリウムで乾燥した。硫酸ナトリウムをろ過した後、ろ液を留去して得られた残渣を塩化メチレンとヘキサンの系で再結晶し、析出した結晶をろ過して回収した。ろ液についてはシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、結晶部と合わせて、下記式（Ａ－２ａ）で示した目的物（以下、「化合物（Ａ－２ａ）」という。）が１５．３４ｇ（収率８８％）得られた。
1Ｈ ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ ７．６２－７．３０（３Ｈ，ｍ，Ａｒ－Ｈ），３．０４－３．０２（２Ｈ，ｍ，Ｏ＝Ｃ－ＣＨ２－Ｃ），２．７２－２．６９（２Ｈ，ｍ，Ｃ－ＣＨ２－Ｃ），２．３７（３Ｈ，ｓ，－ＣＨ３）ｐｐｍ
【0167】
【化14】
【0168】
〔合成例２－２〕
Ｃｈｅｍ．Ｅｕｒ．Ｊ．２０１７，２３，１３０３７－１３０４１に記載の方法にて、下記式（Ａ－２ｂ）で示した目的物（以下、「化合物（Ａ－２ｂ）」という。）を合成した。
1Ｈ ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ ７．２７－７．００（３Ｈ，ｍ，Ａｒ－Ｈ），６．９０－６．８８（１Ｈ，ｍ，Ｃ＝ＣＨ－Ｃ），６．５８－６．５５（１Ｈ，ｍ，Ｃ＝ＣＨ－Ｃ），３．３０－３．２９（２Ｈ，ｍ，Ｃ－ＣＨ２－Ｃ），２．３８（３Ｈ，ｓ，－ＣＨ３）ｐｐｍ
Ｃｈｅｍ．Ｅｕｒ．Ｊ．２０１７，２３，１３０３７－１３０４１に記載の方法にて、下記式（Ａ－２ｂ）で示した目的物（以下、「化合物（Ａ－２ｂ）」という。）を合成した。
1Ｈ ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ ７．２７－７．００（３Ｈ，ｍ，Ａｒ－Ｈ），６．９０－６．８８（１Ｈ，ｍ，Ｃ＝ＣＨ－Ｃ），６．５８－６．５５（１Ｈ，ｍ，Ｃ＝ＣＨ－Ｃ），３．３０－３．２９（２Ｈ，ｍ，Ｃ－ＣＨ２－Ｃ），２．３８（３Ｈ，ｓ，－ＣＨ３）ｐｐｍ
【0169】
【化15】
【0170】
〔合成例２－３〕
充分に乾燥、アルゴン置換した５００ｍＬの反応器に、合成例２－２で得られた化合物（Ａ－２ｂ）を９．１０ｇ（６９．９ｍｍｏｌ）、ジメチルスルホキシド１１５ｍＬ、蒸留水２．８０ｍＬを加え、０℃に冷却したのち、Ｎ－ブロモスクシンイミド１４．９５ｇ（８４．０ｍｍｏｌ）を少量ずつ添加し、室温まで昇温してから２時間攪拌した。反応溶液を０℃に冷却したのち、蒸留水を加え、酢酸エチルで可溶分を抽出し、得られた分画を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液および飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。硫酸ナトリウムをろ過した後、ろ液を留去して残渣を得た。充分に乾燥、アルゴン置換した５００ｍＬの反応器に、得られた残渣、ｐ－トルエンスルホン酸一水和物２．６５ｇ（１３．９ｍｍｏｌ）、トルエン１６５ｍＬを加え、１３０℃で４時間加熱還流した。反応溶液に蒸留水を加え、酢酸エチルで可溶分を抽出し、得られた分画を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液および飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。硫酸ナトリウムをろ過した後、ろ液を留去して得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製すると、下記式（Ａ－２ｃ）で示した目的物（以下、「化合物（Ａ－２ｃ）」という。）が９．７ｇ（収率６６％）得られた。
1Ｈ ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ ７．１９－６．９３（４Ｈ，ｍ，Ａｒ－Ｈ），３．５０（２Ｈ，ｓ，Ｃ－ＣＨ２－Ｃ），２．３３（３Ｈ，ｓ，－ＣＨ３）ｐｐｍ
充分に乾燥、アルゴン置換した５００ｍＬの反応器に、合成例２－２で得られた化合物（Ａ－２ｂ）を９．１０ｇ（６９．９ｍｍｏｌ）、ジメチルスルホキシド１１５ｍＬ、蒸留水２．８０ｍＬを加え、０℃に冷却したのち、Ｎ－ブロモスクシンイミド１４．９５ｇ（８４．０ｍｍｏｌ）を少量ずつ添加し、室温まで昇温してから２時間攪拌した。反応溶液を０℃に冷却したのち、蒸留水を加え、酢酸エチルで可溶分を抽出し、得られた分画を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液および飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。硫酸ナトリウムをろ過した後、ろ液を留去して残渣を得た。充分に乾燥、アルゴン置換した５００ｍＬの反応器に、得られた残渣、ｐ－トルエンスルホン酸一水和物２．６５ｇ（１３．９ｍｍｏｌ）、トルエン１６５ｍＬを加え、１３０℃で４時間加熱還流した。反応溶液に蒸留水を加え、酢酸エチルで可溶分を抽出し、得られた分画を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液および飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。硫酸ナトリウムをろ過した後、ろ液を留去して得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製すると、下記式（Ａ－２ｃ）で示した目的物（以下、「化合物（Ａ－２ｃ）」という。）が９．７ｇ（収率６６％）得られた。
1Ｈ ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ ７．１９－６．９３（４Ｈ，ｍ，Ａｒ－Ｈ），３．５０（２Ｈ，ｓ，Ｃ－ＣＨ２－Ｃ），２．３３（３Ｈ，ｓ，－ＣＨ３）ｐｐｍ
【0171】
【化16】
【0172】
〔合成例２－４〕
充分に乾燥、アルゴン置換した２００ｍＬの反応器に、マグネシウム片０．７４ｇ（３０．３ｍｍｏｌ）を仕込み、減圧下加熱しながら３０分激しく攪拌した。室温まで冷却した後、還流冷却管を装着し、ヨウ素一片とテトラヒドロフラン１５ｍＬを仕込み攪拌した。合成例２－３で得られた化合物（Ａ－２ｃ）３．１３ｇ（１５．０ｍｍｏｌ）、のテトラヒドロフラン１５ｍＬ希釈溶液を滴下（１．０ｍＬ添加後、ドライヤーにてヨウ素の色が消失するまで加熱還流、反応開始後は残液滴下）し、滴下終了後８０℃にて１時間加熱還流した。この反応液を、ジメチルシリルジクロリド９．００ｍＬ（７５．３ｍｍｏｌ）のｎ－ヘキサン１５ｍＬ希釈溶液に、－７８℃冷却下ゆっくりと加え、室温まで戻しながら１８時間攪拌を続けた。反応液の溶媒および未反応のジメチルシリルジクロリドを留去した後、残渣にテトラヒドロフラン１５ｍＬ、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン３．９０ｍＬ（３６．２ｍｍｏｌ）を加え、溶液２ａを得た。
充分に乾燥、アルゴン置換した１００ｍＬの反応器に、１,２,３,４－テトラメチル－１,３－シクロペンタジエン２．２２ｇ（１８．２ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン１５ｍＬを仕込み、ｎ－ブチルリチウム溶液１２．５ｍＬ（ヘキサン溶液、１．５６Ｍ、１９．５ｍｍｏｌ）を加え、室温で２時間攪拌し、溶液２ｂを得た。
この溶液２ｂを、－７８℃に冷却した溶液２ａに滴下し、ゆっくりと室温まで戻しながら１５時間攪拌を続けた。飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、酢酸エチルで可溶分を抽出し、得られた分画を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。硫酸マグネシウムをろ過した後、ろ液を留去して得られた残渣を逆相シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製すると、下記式（Ａ－２Ｌ）で示した目的物（以下、「化合物（Ａ－２Ｌ）」という。）が１．８９ｇ（収率４１％）の異性体混合物として得られた。
1Ｈ ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ ７．４１－６．９９（４Ｈ，ｍ，Ａｒ－Ｈ），３．４８－３．２９（２Ｈ，ｍ，Ｃ－ＣＨ２－Ｃ），３．０４（１Ｈ，ｓ，Ｓｉ－ＣＨ），２．４７－２．３６（３Ｈ，ｍ，Ｉｎｄ－ＣＨ３），１．８５－１．７９（１２Ｈ，ｄ，－ＣＨ３），０．４７－-０．４５（６Ｈ，ｍ，Ｓｉ－ＣＨ３）ｐｐｍ
充分に乾燥、アルゴン置換した２００ｍＬの反応器に、マグネシウム片０．７４ｇ（３０．３ｍｍｏｌ）を仕込み、減圧下加熱しながら３０分激しく攪拌した。室温まで冷却した後、還流冷却管を装着し、ヨウ素一片とテトラヒドロフラン１５ｍＬを仕込み攪拌した。合成例２－３で得られた化合物（Ａ－２ｃ）３．１３ｇ（１５．０ｍｍｏｌ）、のテトラヒドロフラン１５ｍＬ希釈溶液を滴下（１．０ｍＬ添加後、ドライヤーにてヨウ素の色が消失するまで加熱還流、反応開始後は残液滴下）し、滴下終了後８０℃にて１時間加熱還流した。この反応液を、ジメチルシリルジクロリド９．００ｍＬ（７５．３ｍｍｏｌ）のｎ－ヘキサン１５ｍＬ希釈溶液に、－７８℃冷却下ゆっくりと加え、室温まで戻しながら１８時間攪拌を続けた。反応液の溶媒および未反応のジメチルシリルジクロリドを留去した後、残渣にテトラヒドロフラン１５ｍＬ、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン３．９０ｍＬ（３６．２ｍｍｏｌ）を加え、溶液２ａを得た。
充分に乾燥、アルゴン置換した１００ｍＬの反応器に、１,２,３,４－テトラメチル－１,３－シクロペンタジエン２．２２ｇ（１８．２ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン１５ｍＬを仕込み、ｎ－ブチルリチウム溶液１２．５ｍＬ（ヘキサン溶液、１．５６Ｍ、１９．５ｍｍｏｌ）を加え、室温で２時間攪拌し、溶液２ｂを得た。
この溶液２ｂを、－７８℃に冷却した溶液２ａに滴下し、ゆっくりと室温まで戻しながら１５時間攪拌を続けた。飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、酢酸エチルで可溶分を抽出し、得られた分画を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。硫酸マグネシウムをろ過した後、ろ液を留去して得られた残渣を逆相シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製すると、下記式（Ａ－２Ｌ）で示した目的物（以下、「化合物（Ａ－２Ｌ）」という。）が１．８９ｇ（収率４１％）の異性体混合物として得られた。
1Ｈ ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ ７．４１－６．９９（４Ｈ，ｍ，Ａｒ－Ｈ），３．４８－３．２９（２Ｈ，ｍ，Ｃ－ＣＨ２－Ｃ），３．０４（１Ｈ，ｓ，Ｓｉ－ＣＨ），２．４７－２．３６（３Ｈ，ｍ，Ｉｎｄ－ＣＨ３），１．８５－１．７９（１２Ｈ，ｄ，－ＣＨ３），０．４７－-０．４５（６Ｈ，ｍ，Ｓｉ－ＣＨ３）ｐｐｍ
【0173】
【化17】
【0174】
［実施例２Ａ］
充分に乾燥、アルゴン置換した１００ｍＬの反応器に、合成例２－４で得られた化合物（Ａ－２Ｌ）１．０２ｇ（３．３ｍｍｏｌ）、トルエン３３ｍＬ、テトラヒドロフラン０．５３ｍＬを仕込み攪拌した。この溶液へ、ｎ－ブチルリチウム溶液４．２０ｍＬ（ヘキサン溶液、１．５９Ｍ、６．７ｍｍｏｌ）を室温下加えた後、４０℃のオイルバス中で３時間攪拌を続けた。この溶液を０℃に冷却し、四塩化ジルコニウム０．７９ｇ（３．４ｍｍｏｌ）を加え、室温にて１９時間攪拌を続けた。反応液の溶媒を留去した後、得られた固体にジクロロメタンを加え懸濁液を調整し、不溶物をガラスフィルター上のセライトで除去した。得られた溶液を減圧化濃縮した後、ｎ－ヘキサンを加えることで懸濁液を調整し、不溶物をガラスフィルターで濾別し、残渣を減圧乾燥することにより、下記式（Ａ－２）で示される黄色粉末状の化合物（以下、「化合物（Ａ－２）」という。）を０．４２ｇ（収率２７％）得た。
1Ｈ ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ ７．５３－７．５１（１Ｈ，ｄ，Ａｒ－Ｈ），７．２３－７．１９（１Ｈ，ｍ，Ａｒ－Ｈ），７．０７－７．０５（１Ｈ，ｄ，Ａｒ－Ｈ），５．９４－５．８９（２Ｈ，ｍ，Ｉｎｄ－Ｈ），２．４７（３Ｈ，ｓ，Ａｒ－ＣＨ３），２．０６－２．００（１２Ｈ，ｍ，Ｃｐ－ＣＨ３），０．９４（３Ｈ，ｓ，Ｓｉ－ＣＨ３），０．９１（３Ｈ，ｓ，Ｓｉ－ＣＨ３）ｐｐｍ
ＦＤ－質量分析（Ｍ+）：４６８
充分に乾燥、アルゴン置換した１００ｍＬの反応器に、合成例２－４で得られた化合物（Ａ－２Ｌ）１．０２ｇ（３．３ｍｍｏｌ）、トルエン３３ｍＬ、テトラヒドロフラン０．５３ｍＬを仕込み攪拌した。この溶液へ、ｎ－ブチルリチウム溶液４．２０ｍＬ（ヘキサン溶液、１．５９Ｍ、６．７ｍｍｏｌ）を室温下加えた後、４０℃のオイルバス中で３時間攪拌を続けた。この溶液を０℃に冷却し、四塩化ジルコニウム０．７９ｇ（３．４ｍｍｏｌ）を加え、室温にて１９時間攪拌を続けた。反応液の溶媒を留去した後、得られた固体にジクロロメタンを加え懸濁液を調整し、不溶物をガラスフィルター上のセライトで除去した。得られた溶液を減圧化濃縮した後、ｎ－ヘキサンを加えることで懸濁液を調整し、不溶物をガラスフィルターで濾別し、残渣を減圧乾燥することにより、下記式（Ａ－２）で示される黄色粉末状の化合物（以下、「化合物（Ａ－２）」という。）を０．４２ｇ（収率２７％）得た。
1Ｈ ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ ７．５３－７．５１（１Ｈ，ｄ，Ａｒ－Ｈ），７．２３－７．１９（１Ｈ，ｍ，Ａｒ－Ｈ），７．０７－７．０５（１Ｈ，ｄ，Ａｒ－Ｈ），５．９４－５．８９（２Ｈ，ｍ，Ｉｎｄ－Ｈ），２．４７（３Ｈ，ｓ，Ａｒ－ＣＨ３），２．０６－２．００（１２Ｈ，ｍ，Ｃｐ－ＣＨ３），０．９４（３Ｈ，ｓ，Ｓｉ－ＣＨ３），０．９１（３Ｈ，ｓ，Ｓｉ－ＣＨ３）ｐｐｍ
ＦＤ－質量分析（Ｍ+）：４６８
【0175】
【化18】
【0176】
［比較例１Ａ］
ＷＯ２０１８－１８５１７６に記載の方法によって、下記式（Ａ’－１）で示される黄色粉末状の化合物（以下、「化合物（Ａ’－１）」という。）を合成した。
ＷＯ２０１８－１８５１７６に記載の方法によって、下記式（Ａ’－１）で示される黄色粉末状の化合物（以下、「化合物（Ａ’－１）」という。）を合成した。
【0177】
【化19】
【0178】
［比較例２Ａ］
特開２０２０－０５０６１４に記載の方法によって、下記式（Ａ’－２）で示される黄色粉末状の化合物（以下、「化合物（Ａ’－２）」という。）を合成した。
特開２０２０－０５０６１４に記載の方法によって、下記式（Ａ’－２）で示される黄色粉末状の化合物（以下、「化合物（Ａ’－２）」という。）を合成した。
【0179】
【化20】
【0180】
〔合成例３－１〕
充分に乾燥、アルゴン置換した２００ｍＬの反応器に、マグネシウム片０．７４ｇ（３０．３ｍｍｏｌ）を仕込み、減圧下加熱しながら３０分激しく攪拌した。室温まで冷却した後、還流冷却管を装着し、ヨウ素一片とテトラヒドロフラン１５ｍＬを仕込み攪拌した。特開２００１－２５３８９５号公報の実施例５の方法によって合成した６－ブロモ－１，２，３，５－テトラヒドロ－ｓ－インダセン３．５３ｇ（１５．０ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン２０ｍＬ希釈溶液を滴下（１．０ｍＬ添加後、ドライヤーにてヨウ素の色が消失するまで加熱還流、反応開始後は残液滴下）し、滴下終了後室温にて２時間攪拌した。この反応液を、ジメチルシリルジクロリド９．００ｍＬ（７５．３ｍｍｏｌ）のｎ－ヘキサン１５ｍＬ希釈溶液に、－７８℃冷却下ゆっくりと加え、室温まで戻しながら１９時間攪拌を続けた。反応液の溶媒および未反応のジメチルシリルジクロリドを留去した後、残渣にテトラヒドロフラン１０ｍＬ、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン１．６２ｍＬ（１５．０ｍｍｏｌ）を加え、溶液３ａを得た。
充分に乾燥、アルゴン置換した１００ｍＬの反応器に、１,２,３,４－テトラメチル－１,３－シクロペンタジエン２．２２ｇ（１８．２ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン１５ｍＬを仕込み、ｎ－ブチルリチウム溶液１２．５ｍＬ（ヘキサン溶液、１．５６Ｍ、１９．５ｍｍｏｌ）を加え、室温で２時間攪拌し、溶液３ｂを得た。
この溶液３ｂを、－７８℃に冷却した溶液３ａに滴下し、ゆっくりと室温まで戻しながら１５時間攪拌を続けた。飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、酢酸エチルで可溶分を抽出し、得られた分画を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。硫酸マグネシウムをろ過した後、ろ液を留去して得られた残渣をアルミナカラムクロマトグラフィーで精製、更に蒸留により不純物を除去すると、下記式（Ａ－３Ｌ）で示した目的物（以下、「化合物（Ａ－３Ｌ）」という。）が１．３４ｇ（収率２７％）の異性体混合物として得られた。
1Ｈ ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ ７．３３－７．００（３Ｈ，ｍ，Ａｒ－Ｈ），３．３５－３．３４（２Ｈ，ｍ，Ｃ－ＣＨ２－Ｃ），３．０１（１Ｈ，ｓ，Ｓｉ－ＣＨ），２．９４－２．９０（４Ｈ，ｔ，Ａｒ－ＣＨ２－ＣＨ２），２．１４－２．０７（２Ｈ，ｍ，ＣＨ２－ＣＨ２－ＣＨ２），１．９２－１．７８（１２Ｈ，ｄ，－ＣＨ３），０．１３－０．１２（６Ｈ，ｓ，Ｓｉ－ＣＨ３）ｐｐｍ
充分に乾燥、アルゴン置換した２００ｍＬの反応器に、マグネシウム片０．７４ｇ（３０．３ｍｍｏｌ）を仕込み、減圧下加熱しながら３０分激しく攪拌した。室温まで冷却した後、還流冷却管を装着し、ヨウ素一片とテトラヒドロフラン１５ｍＬを仕込み攪拌した。特開２００１－２５３８９５号公報の実施例５の方法によって合成した６－ブロモ－１，２，３，５－テトラヒドロ－ｓ－インダセン３．５３ｇ（１５．０ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン２０ｍＬ希釈溶液を滴下（１．０ｍＬ添加後、ドライヤーにてヨウ素の色が消失するまで加熱還流、反応開始後は残液滴下）し、滴下終了後室温にて２時間攪拌した。この反応液を、ジメチルシリルジクロリド９．００ｍＬ（７５．３ｍｍｏｌ）のｎ－ヘキサン１５ｍＬ希釈溶液に、－７８℃冷却下ゆっくりと加え、室温まで戻しながら１９時間攪拌を続けた。反応液の溶媒および未反応のジメチルシリルジクロリドを留去した後、残渣にテトラヒドロフラン１０ｍＬ、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン１．６２ｍＬ（１５．０ｍｍｏｌ）を加え、溶液３ａを得た。
充分に乾燥、アルゴン置換した１００ｍＬの反応器に、１,２,３,４－テトラメチル－１,３－シクロペンタジエン２．２２ｇ（１８．２ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン１５ｍＬを仕込み、ｎ－ブチルリチウム溶液１２．５ｍＬ（ヘキサン溶液、１．５６Ｍ、１９．５ｍｍｏｌ）を加え、室温で２時間攪拌し、溶液３ｂを得た。
この溶液３ｂを、－７８℃に冷却した溶液３ａに滴下し、ゆっくりと室温まで戻しながら１５時間攪拌を続けた。飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、酢酸エチルで可溶分を抽出し、得られた分画を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。硫酸マグネシウムをろ過した後、ろ液を留去して得られた残渣をアルミナカラムクロマトグラフィーで精製、更に蒸留により不純物を除去すると、下記式（Ａ－３Ｌ）で示した目的物（以下、「化合物（Ａ－３Ｌ）」という。）が１．３４ｇ（収率２７％）の異性体混合物として得られた。
1Ｈ ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ ７．３３－７．００（３Ｈ，ｍ，Ａｒ－Ｈ），３．３５－３．３４（２Ｈ，ｍ，Ｃ－ＣＨ２－Ｃ），３．０１（１Ｈ，ｓ，Ｓｉ－ＣＨ），２．９４－２．９０（４Ｈ，ｔ，Ａｒ－ＣＨ２－ＣＨ２），２．１４－２．０７（２Ｈ，ｍ，ＣＨ２－ＣＨ２－ＣＨ２），１．９２－１．７８（１２Ｈ，ｄ，－ＣＨ３），０．１３－０．１２（６Ｈ，ｓ，Ｓｉ－ＣＨ３）ｐｐｍ
【0181】
【化21】
【0182】
［実施例３Ａ］
充分に乾燥、アルゴン置換した１００ｍＬの反応器に、合成例３－１で得られた化合物（Ａ－３Ｌ）１．３４ｇ（３．３ｍｍｏｌ）、トルエン３３ｍＬ、テトラヒドロフラン０．５３ｍＬを仕込み攪拌した。この溶液へ、ｎ－ブチルリチウム溶液４．２０ｍＬ（ヘキサン溶液、１．５９Ｍ、６．７ｍｍｏｌ）を室温下加えた後、４０℃のオイルバス中で３時間攪拌を続けた。この溶液を０℃に冷却し、四塩化ジルコニウム０．７９ｇ（３．４ｍｍｏｌ）を加え、室温にて１９時間攪拌を続けた。反応液の溶媒を留去した後、得られた固体にジクロロメタンを加え懸濁液を調整し、不溶物をガラスフィルター上のセライトで除去した。得られた溶液を減圧化濃縮した後、ｎ－ヘキサンを加えることで懸濁液を調整し、不溶物をガラスフィルターで濾別し、残渣を減圧乾燥することにより、下記式（Ａ－３）で示される黄色粉末状の化合物（以下、「化合物（Ａ－３）」という。）を０．７０ｇ（収率７０％）得た。
1Ｈ ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ ７．４２（２Ｈ，ｓ，Ａｒ－Ｈ），５．８２（２Ｈ，ｓ，Ｉｎｄ－Ｈ），３．０７－２．８８（４Ｈ，ｍ，Ａｒ－ＣＨ２－ＣＨ２），２．１３－２．０１（２Ｈ，ｍ，ＣＨ２－ＣＨ２－ＣＨ２），２．０４（６Ｈ，ｓ，Ｃｐ－ＣＨ３），１．９８（６Ｈ，ｓ，Ｃｐ－ＣＨ３），０．８７（６Ｈ，ｓ，Ｓｉ－ＣＨ３）ｐｐｍ
ＦＤ－質量分析（Ｍ+）：４９４
充分に乾燥、アルゴン置換した１００ｍＬの反応器に、合成例３－１で得られた化合物（Ａ－３Ｌ）１．３４ｇ（３．３ｍｍｏｌ）、トルエン３３ｍＬ、テトラヒドロフラン０．５３ｍＬを仕込み攪拌した。この溶液へ、ｎ－ブチルリチウム溶液４．２０ｍＬ（ヘキサン溶液、１．５９Ｍ、６．７ｍｍｏｌ）を室温下加えた後、４０℃のオイルバス中で３時間攪拌を続けた。この溶液を０℃に冷却し、四塩化ジルコニウム０．７９ｇ（３．４ｍｍｏｌ）を加え、室温にて１９時間攪拌を続けた。反応液の溶媒を留去した後、得られた固体にジクロロメタンを加え懸濁液を調整し、不溶物をガラスフィルター上のセライトで除去した。得られた溶液を減圧化濃縮した後、ｎ－ヘキサンを加えることで懸濁液を調整し、不溶物をガラスフィルターで濾別し、残渣を減圧乾燥することにより、下記式（Ａ－３）で示される黄色粉末状の化合物（以下、「化合物（Ａ－３）」という。）を０．７０ｇ（収率７０％）得た。
1Ｈ ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ ７．４２（２Ｈ，ｓ，Ａｒ－Ｈ），５．８２（２Ｈ，ｓ，Ｉｎｄ－Ｈ），３．０７－２．８８（４Ｈ，ｍ，Ａｒ－ＣＨ２－ＣＨ２），２．１３－２．０１（２Ｈ，ｍ，ＣＨ２－ＣＨ２－ＣＨ２），２．０４（６Ｈ，ｓ，Ｃｐ－ＣＨ３），１．９８（６Ｈ，ｓ，Ｃｐ－ＣＨ３），０．８７（６Ｈ，ｓ，Ｓｉ－ＣＨ３）ｐｐｍ
ＦＤ－質量分析（Ｍ+）：４９４
【0183】
【化22】
【0184】
［実施例１］
＜固体触媒成分（Ｘ－１）の調製＞
内容積２７０Ｌの攪拌機付き反応器を用い、窒素雰囲気下、固体状担体［Ｓ］として、シリカゲル（富士シリシア化学株式会社製、レーザー光回折散乱法の体積分布の累積５０％粒径：７０μｍ、比表面積：３４０ｍ2／ｇ、細孔容積：１．３ｃｍ3／ｇ、２５０℃で１０時間乾燥、以下、固体状担体［Ｓ－１］という。）１０ｋｇを７７Ｌのトルエンに懸濁させた後、０～５℃に冷却した。この懸濁液に成分（Ｂ）としてメチルアルミノキサンのトルエン溶液（Ａｌ原子換算で３．５ｍｏｌ／Ｌ）１９．４Ｌを３０分間かけて滴下した。この際、系内温度を０～５℃に保った。次いで、これらを０～５℃で３０分間接触させた後、１．５時間かけて系内温度を９５℃まで昇温して、引き続き９５℃で４時間接触させた。その後、常温まで降温して、上澄み液をデカンテーションにより除去し、さらにトルエンで２回洗浄することで、全量１１５Ｌのトルエンスラリーを調製した。得られたスラリーの一部を採取し分析したところ、固体分濃度は１２２．６ｇ／Ｌ、Ａｌ濃度は０．６１２ｍｏｌ／Ｌであった。
次に充分に窒素置換した内容積２００ｍＬの攪拌機付き反応器に、窒素雰囲気下、トルエン３０ｍＬ、並びに前記で得られたスラリー１．６３ｍＬ（固体分重量０．２ｇ）を装入した。次いで、実施例１Ａで得られた化合物（Ａ－１）のトルエン溶液をＺｒとして５．０μｍｏｌ加え、系内温度２０～２５℃で１時間これらを接触させた後、上澄み液をデカンテーションにより除去し、さらにヘキサンを用いて２回洗浄した。これにより、全量４０ｍＬの固体触媒成分（Ｘ－１）のスラリーを調製した。
＜固体触媒成分（Ｘ－１）の調製＞
内容積２７０Ｌの攪拌機付き反応器を用い、窒素雰囲気下、固体状担体［Ｓ］として、シリカゲル（富士シリシア化学株式会社製、レーザー光回折散乱法の体積分布の累積５０％粒径：７０μｍ、比表面積：３４０ｍ2／ｇ、細孔容積：１．３ｃｍ3／ｇ、２５０℃で１０時間乾燥、以下、固体状担体［Ｓ－１］という。）１０ｋｇを７７Ｌのトルエンに懸濁させた後、０～５℃に冷却した。この懸濁液に成分（Ｂ）としてメチルアルミノキサンのトルエン溶液（Ａｌ原子換算で３．５ｍｏｌ／Ｌ）１９．４Ｌを３０分間かけて滴下した。この際、系内温度を０～５℃に保った。次いで、これらを０～５℃で３０分間接触させた後、１．５時間かけて系内温度を９５℃まで昇温して、引き続き９５℃で４時間接触させた。その後、常温まで降温して、上澄み液をデカンテーションにより除去し、さらにトルエンで２回洗浄することで、全量１１５Ｌのトルエンスラリーを調製した。得られたスラリーの一部を採取し分析したところ、固体分濃度は１２２．６ｇ／Ｌ、Ａｌ濃度は０．６１２ｍｏｌ／Ｌであった。
次に充分に窒素置換した内容積２００ｍＬの攪拌機付き反応器に、窒素雰囲気下、トルエン３０ｍＬ、並びに前記で得られたスラリー１．６３ｍＬ（固体分重量０．２ｇ）を装入した。次いで、実施例１Ａで得られた化合物（Ａ－１）のトルエン溶液をＺｒとして５．０μｍｏｌ加え、系内温度２０～２５℃で１時間これらを接触させた後、上澄み液をデカンテーションにより除去し、さらにヘキサンを用いて２回洗浄した。これにより、全量４０ｍＬの固体触媒成分（Ｘ－１）のスラリーを調製した。
【0185】
＜オレフィン系重合体の製造＞
充分に窒素置換した内容積１ＬのＳＵＳ製オートクレーブに、窒素雰囲気下、ヘプタン５００ｍＬを添加した後、エチレンを流通させ反応器内をエチレンで飽和させた。次に、１－ヘキセンを１０ｍＬ、トリイソブチルアルミニウムを０．３７５ｍｍｏｌ、およびスラリーの状態の前記固体触媒成分（Ｘ－１）を固体分として３０．０ｍｇ装入した後、エチレンにて８０℃、０．８ＭＰａＧに昇温、昇圧し、９０分間重合反応を行った。得られたポリマーをろ過後、８０℃で１０時間真空乾燥することで、エチレン系重合体１４７．６ｇを得た。触媒活性は４，９２０ｇ－ＰＥ／ｇ－固体触媒成分であった。得られたエチレン系重合体の物性を表６に示す。
充分に窒素置換した内容積１ＬのＳＵＳ製オートクレーブに、窒素雰囲気下、ヘプタン５００ｍＬを添加した後、エチレンを流通させ反応器内をエチレンで飽和させた。次に、１－ヘキセンを１０ｍＬ、トリイソブチルアルミニウムを０．３７５ｍｍｏｌ、およびスラリーの状態の前記固体触媒成分（Ｘ－１）を固体分として３０．０ｍｇ装入した後、エチレンにて８０℃、０．８ＭＰａＧに昇温、昇圧し、９０分間重合反応を行った。得られたポリマーをろ過後、８０℃で１０時間真空乾燥することで、エチレン系重合体１４７．６ｇを得た。触媒活性は４，９２０ｇ－ＰＥ／ｇ－固体触媒成分であった。得られたエチレン系重合体の物性を表６に示す。
【0186】
［実施例２］
＜固体触媒成分（Ｘ－２）の調製＞
実施例１において、化合物（Ａ－１）の代わりに実施例２Ａで得られた化合物（Ａ－２）を用いたこと以外は実施例１と同様の方法にて、固体触媒成分（Ｘ－２）のスラリーを調製した。
＜固体触媒成分（Ｘ－２）の調製＞
実施例１において、化合物（Ａ－１）の代わりに実施例２Ａで得られた化合物（Ａ－２）を用いたこと以外は実施例１と同様の方法にて、固体触媒成分（Ｘ－２）のスラリーを調製した。
【0187】
＜オレフィン系重合体の製造＞
充分に窒素置換した内容積１ＬのＳＵＳ製オートクレーブに、窒素雰囲気下、ヘプタン５００ｍＬを添加した後、エチレンを流通させ反応器内をエチレンで飽和させた。次に、１－ヘキセンを１０ｍＬ、トリイソブチルアルミニウムを０．３７５ｍｍｏｌ、およびスラリーの状態の前記固体触媒成分（Ｘ－２）を固体分として３０．０ｍｇ装入した後、エチレンにて８０℃、０．８ＭＰａＧに昇温、昇圧し、９０分間重合反応を行った。得られたポリマーをろ過後、８０℃で１０時間真空乾燥することで、エチレン系重合体１９９．４ｇを得た。触媒活性は６，６５０ｇ－ＰＥ／ｇ－固体触媒成分であった。得られたエチレン系重合体の物性を表６に示す。
充分に窒素置換した内容積１ＬのＳＵＳ製オートクレーブに、窒素雰囲気下、ヘプタン５００ｍＬを添加した後、エチレンを流通させ反応器内をエチレンで飽和させた。次に、１－ヘキセンを１０ｍＬ、トリイソブチルアルミニウムを０．３７５ｍｍｏｌ、およびスラリーの状態の前記固体触媒成分（Ｘ－２）を固体分として３０．０ｍｇ装入した後、エチレンにて８０℃、０．８ＭＰａＧに昇温、昇圧し、９０分間重合反応を行った。得られたポリマーをろ過後、８０℃で１０時間真空乾燥することで、エチレン系重合体１９９．４ｇを得た。触媒活性は６，６５０ｇ－ＰＥ／ｇ－固体触媒成分であった。得られたエチレン系重合体の物性を表６に示す。
【0188】
［比較例１］
＜固体触媒成分（Ｘ－３）の調製＞
実施例１において、化合物（Ａ－１）の代わりに比較例１Ａで得られた化合物（Ａ’－１）を用いたこと以外は実施例１と同様の方法にて、固体触媒成分（Ｘ－３）のスラリーを調製した。
＜固体触媒成分（Ｘ－３）の調製＞
実施例１において、化合物（Ａ－１）の代わりに比較例１Ａで得られた化合物（Ａ’－１）を用いたこと以外は実施例１と同様の方法にて、固体触媒成分（Ｘ－３）のスラリーを調製した。
【0189】
＜オレフィン系重合体の製造＞
充分に窒素置換した内容積１ＬのＳＵＳ製オートクレーブに、窒素雰囲気下、ヘプタン５００ｍＬを添加した後、エチレンを流通させ反応器内をエチレンで飽和させた。次に、１－ヘキセンを１０ｍＬ、トリイソブチルアルミニウムを０．３７５ｍｍｏｌ、およびスラリーの状態の前記固体触媒成分（Ｘ－３）を固体分として３０．０ｍｇ装入した後、エチレンにて８０℃、０．８ＭＰａＧに昇温、昇圧し、９０分間重合反応を行った。得られたポリマーをろ過後、８０℃で１０時間真空乾燥することで、エチレン系重合体２０８．４ｇを得た。触媒活性は６，９５０ｇ－ＰＥ／ｇ－固体触媒成分であった。得られたエチレン系重合体の物性を表６に示す。
充分に窒素置換した内容積１ＬのＳＵＳ製オートクレーブに、窒素雰囲気下、ヘプタン５００ｍＬを添加した後、エチレンを流通させ反応器内をエチレンで飽和させた。次に、１－ヘキセンを１０ｍＬ、トリイソブチルアルミニウムを０．３７５ｍｍｏｌ、およびスラリーの状態の前記固体触媒成分（Ｘ－３）を固体分として３０．０ｍｇ装入した後、エチレンにて８０℃、０．８ＭＰａＧに昇温、昇圧し、９０分間重合反応を行った。得られたポリマーをろ過後、８０℃で１０時間真空乾燥することで、エチレン系重合体２０８．４ｇを得た。触媒活性は６，９５０ｇ－ＰＥ／ｇ－固体触媒成分であった。得られたエチレン系重合体の物性を表６に示す。
【0190】
［比較例２］
＜固体触媒成分（Ｘ－４）の調製＞
実施例１において、化合物（Ａ－１）の代わりに比較例１Ａで得られた化合物（Ａ’－２）を用いたこと以外は実施例１と同様の方法にて、固体触媒成分（Ｘ－４）のスラリーを調製した。
＜固体触媒成分（Ｘ－４）の調製＞
実施例１において、化合物（Ａ－１）の代わりに比較例１Ａで得られた化合物（Ａ’－２）を用いたこと以外は実施例１と同様の方法にて、固体触媒成分（Ｘ－４）のスラリーを調製した。
【0191】
＜オレフィン系重合体の製造＞
充分に窒素置換した内容積１ＬのＳＵＳ製オートクレーブに、窒素雰囲気下、ヘプタン５００ｍＬを添加した後、エチレンを流通させ反応器内をエチレンで飽和させた。次に、１－ヘキセンを１０ｍＬ、トリイソブチルアルミニウムを０．３７５ｍｍｏｌ、およびスラリーの状態の前記固体触媒成分（Ｘ－４）を固体分として３０．０ｍｇ装入した後、エチレンにて８０℃、０．８ＭＰａＧに昇温、昇圧し、９０分間重合反応を行った。得られたポリマーをろ過後、８０℃で１０時間真空乾燥することで、エチレン系重合体８０．０ｇを得た。触媒活性は２，６７０ｇ－ＰＥ／ｇ－固体触媒成分であった。得られたエチレン系重合体の物性を表６に示す。
充分に窒素置換した内容積１ＬのＳＵＳ製オートクレーブに、窒素雰囲気下、ヘプタン５００ｍＬを添加した後、エチレンを流通させ反応器内をエチレンで飽和させた。次に、１－ヘキセンを１０ｍＬ、トリイソブチルアルミニウムを０．３７５ｍｍｏｌ、およびスラリーの状態の前記固体触媒成分（Ｘ－４）を固体分として３０．０ｍｇ装入した後、エチレンにて８０℃、０．８ＭＰａＧに昇温、昇圧し、９０分間重合反応を行った。得られたポリマーをろ過後、８０℃で１０時間真空乾燥することで、エチレン系重合体８０．０ｇを得た。触媒活性は２，６７０ｇ－ＰＥ／ｇ－固体触媒成分であった。得られたエチレン系重合体の物性を表６に示す。
【0192】
［実施例３］
＜固体触媒成分（Ｘ－５）の調製＞
実施例１において、化合物（Ａ－１）の代わりに実施例３Ａで得られた化合物（Ａ－３）を用いたこと以外は実施例１と同様の方法にて、固体触媒成分（Ｘ－５）のスラリーを調製した。
＜固体触媒成分（Ｘ－５）の調製＞
実施例１において、化合物（Ａ－１）の代わりに実施例３Ａで得られた化合物（Ａ－３）を用いたこと以外は実施例１と同様の方法にて、固体触媒成分（Ｘ－５）のスラリーを調製した。
【0193】
＜オレフィン系重合体の製造＞
充分に窒素置換した内容積１ＬのＳＵＳ製オートクレーブに、窒素雰囲気下、ヘプタン５００ｍＬを添加した後、エチレンを流通させ反応器内をエチレンで飽和させた。次に、１－ヘキセンを１０ｍＬ、トリイソブチルアルミニウムを０．３７５ｍｍｏｌ、およびスラリーの状態の前記固体触媒成分（Ｘ－５）を固体分として３０．０ｍｇ装入した後、エチレンにて８０℃、０．８ＭＰａＧに昇温、昇圧し、９０分間重合反応を行った。得られたポリマーをろ過後、８０℃で１０時間真空乾燥することで、エチレン系重合体７６．５ｇを得た。触媒活性は７，６５０ｇ－ＰＥ／ｇ－固体触媒成分であった。得られたエチレン系重合体の物性を表６に示す。
充分に窒素置換した内容積１ＬのＳＵＳ製オートクレーブに、窒素雰囲気下、ヘプタン５００ｍＬを添加した後、エチレンを流通させ反応器内をエチレンで飽和させた。次に、１－ヘキセンを１０ｍＬ、トリイソブチルアルミニウムを０．３７５ｍｍｏｌ、およびスラリーの状態の前記固体触媒成分（Ｘ－５）を固体分として３０．０ｍｇ装入した後、エチレンにて８０℃、０．８ＭＰａＧに昇温、昇圧し、９０分間重合反応を行った。得られたポリマーをろ過後、８０℃で１０時間真空乾燥することで、エチレン系重合体７６．５ｇを得た。触媒活性は７，６５０ｇ－ＰＥ／ｇ－固体触媒成分であった。得られたエチレン系重合体の物性を表６に示す。
【0194】
【表6】
【0195】
本発明の遷移金属化合物［Ａ］（２－インデニル環に特定の置換基を有するシリル架橋（２－インデニル）（２,３,４,５－テトラメチルシクロペンタジエニル）型化合物）を用いた実施例１および実施例２は、前記置換基を有さないシリル架橋（２－インデニル）（２,３,４,５－テトラメチルシクロペンタジエニル）型化合物を用いた比較例１およびシリル架橋（２－インデニル）（１－インデニル）型化合物を用いた比較例２に比べ、得られるポリマーの数平均分子量Ｍｎが増加し、分子量分布が狭くなった。