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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2025097282
(43)【公開日】2025-06-30
(54)【発明の名称】積層型電子部品
(51)【国際特許分類】
H01G 4/30 20060101AFI20250623BHJP
【ＦＩ】
H01G4/30 201K
H01G4/30 201L
H01G4/30 512
H01G4/30 515
【審査請求】未請求
【請求項の数】14
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024194674
(22)【出願日】2024-11-06
(31)【優先権主張番号】10-2023-0185093
(32)【優先日】2023-12-18
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】594023722
【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．
(74)【代理人】
【識別番号】110000877
【氏名又は名称】弁理士法人ＲＹＵＫＡ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】キム、ゲオン ホイ
(72)【発明者】
【氏名】ヨーン、セオク ヒュン
(72)【発明者】
【氏名】クウォン、ヒュン ソーン
(72)【発明者】
【氏名】ユン、ビュン キル
(72)【発明者】
【氏名】コー、ボン ヒェオン
(72)【発明者】
【氏名】リー、ビュン ホ
(72)【発明者】
【氏名】キム、セ ヨン
(72)【発明者】
【氏名】ジャン、ミン ジュン
【テーマコード（参考）】
5E001
5E082
【Ｆターム（参考）】
5E001AB03
5E001AD00
5E001AE00
5E082AB03
5E082PP01
(57)【要約】 （修正有）
【課題】信頼性が向上した積層型電子部品を提供することである。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る積層型電子部品は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２を含む本体と、前記本体上に配置される外部電極と、を含み、前記誘電体層の平均厚さをｔｄμｍとするとき、前記誘電体層は、ｔｄμｍ×ｔｄμｍの領域内に、断面積が０．０１μｍ２以上でありＳｉを含む二次相１４１ａを５個以上含む。本発明の一実施形態に係る積層型電子部品において、上記誘電体層は、１μｍ×１μｍの領域内に、断面積が０．０１μｍ２未満でありＳｉを含む二次相を５個以下含んでよい。本発明の一実施形態に係る積層型電子部品において、上記Ｓｉを含む二次相のＳｉの平均原子百分率は５ａｔ％以上２０ａｔ％以下であってよい。
【選択図】図５
【解決手段】本発明の一実施形態に係る積層型電子部品は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２を含む本体と、前記本体上に配置される外部電極と、を含み、前記誘電体層の平均厚さをｔｄμｍとするとき、前記誘電体層は、ｔｄμｍ×ｔｄμｍの領域内に、断面積が０．０１μｍ２以上でありＳｉを含む二次相１４１ａを５個以上含む。本発明の一実施形態に係る積層型電子部品において、上記誘電体層は、１μｍ×１μｍの領域内に、断面積が０．０１μｍ２未満でありＳｉを含む二次相を５個以下含んでよい。本発明の一実施形態に係る積層型電子部品において、上記Ｓｉを含む二次相のＳｉの平均原子百分率は５ａｔ％以上２０ａｔ％以下であってよい。
【選択図】図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
誘電体層及び内部電極を含む本体と、
前記本体上に配置される外部電極と、を含み、
前記誘電体層の平均厚さをｔｄμｍとするとき、
前記誘電体層は、ｔｄμｍ×ｔｄμｍの領域内に、断面積が０．０１μｍ２以上でありＳｉを含む二次相を５個以上含む、積層型電子部品。
前記本体上に配置される外部電極と、を含み、
前記誘電体層の平均厚さをｔｄμｍとするとき、
前記誘電体層は、ｔｄμｍ×ｔｄμｍの領域内に、断面積が０．０１μｍ２以上でありＳｉを含む二次相を５個以上含む、積層型電子部品。
【請求項2】
前記誘電体層は、１μｍ×１μｍの領域内に、断面積が０．０１μｍ２未満でありＳｉを含む二次相を５個以下含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項3】
前記Ｓｉを含む二次相のＳｉの平均原子百分率は５ａｔ％以上２０ａｔ％以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項4】
前記誘電体層は、コア、及び前記コアの少なくとも一部を囲むシェル構造のコア－シェル誘電体結晶粒を含み、
前記Ｓｉを含む二次相のＳｉの平均原子百分率は、前記シェルのＳｉの平均原子百分率より高い、請求項１に記載の積層型電子部品。
前記Ｓｉを含む二次相のＳｉの平均原子百分率は、前記シェルのＳｉの平均原子百分率より高い、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項5】
前記誘電体層に含まれた複数の誘電体結晶粒の平均直径は１５０ｎｍ以上２２０ｎｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項6】
前記誘電体層は、コア、及び前記コアの少なくとも一部を囲むシェル構造のコア－シェル誘電体結晶粒を含み、
前記コアの直径は９０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
前記コアの直径は９０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項7】
前記誘電体層はチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系主成分を含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項8】
前記誘電体層は第１副成分元素をさらに含み、
前記第１副成分元素は、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｏ、及びＺｎのうち一つ以上であり、
前記誘電体層に含まれたＴｉ１００モルに対する前記第１副成分元素のモル数は０．４モル以上０．８モル以下である、請求項７に記載の積層型電子部品。
前記第１副成分元素は、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｏ、及びＺｎのうち一つ以上であり、
前記誘電体層に含まれたＴｉ１００モルに対する前記第１副成分元素のモル数は０．４モル以上０．８モル以下である、請求項７に記載の積層型電子部品。
【請求項9】
前記誘電体層は第２副成分元素をさらに含み、
前記第２副成分元素はＭｇであり、
前記誘電体層に含まれたＴｉ１００モルに対する前記第２副成分元素のモル数は０モル超過１モル以下である、請求項７に記載の積層型電子部品。
前記第２副成分元素はＭｇであり、
前記誘電体層に含まれたＴｉ１００モルに対する前記第２副成分元素のモル数は０モル超過１モル以下である、請求項７に記載の積層型電子部品。
【請求項10】
前記誘電体層は第３副成分元素をさらに含み、
前記第３副成分元素は希土類元素であり、
前記誘電体層に含まれたＴｉ１００モルに対する前記第３副成分元素のモル数は２．５モル以上３．５モル以下である、請求項７に記載の積層型電子部品。
前記第３副成分元素は希土類元素であり、
前記誘電体層に含まれたＴｉ１００モルに対する前記第３副成分元素のモル数は２．５モル以上３．５モル以下である、請求項７に記載の積層型電子部品。
【請求項11】
前記誘電体層は第４副成分元素をさらに含み、
前記第４副成分元素はＳｉであり、
前記誘電体層に含まれたＴｉ１００モルに対する前記第４副成分元素のモル数は０．８モル以上２．０モル以下である、請求項７に記載の積層型電子部品。
前記第４副成分元素はＳｉであり、
前記誘電体層に含まれたＴｉ１００モルに対する前記第４副成分元素のモル数は０．８モル以上２．０モル以下である、請求項７に記載の積層型電子部品。
【請求項12】
前記ｔｄμｍは１０．０μｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項13】
前記積層型電子部品は、１５０℃の温度条件と１０Ｖ／μｍの電界条件での平均故障時間（ＭＴＴＦ）が１００時間以上である特性を満たす、請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項14】
前記積層型電子部品は、常温誘電率が２２００以上である特性、誘電損失が１０％以下である特性、１５０℃での絶縁抵抗が１．０Ｅ＋６Ω以上である特性、２５℃での静電容量を基準として－５５℃～１２５℃での静電容量変化率が１５％以下である特性、１０Ｖ／μｍの電界条件でのＤＣ－ｂｉａｓ変化率が７０％以下である特性、及び１５０℃の温度条件と１０Ｖ／μｍの電界条件での平均故障時間（ＭＴＴＦ）が１００時間以上である特性のうち、少なくとも一つの特性を満たす、請求項１に記載の積層型電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、積層型電子部品に関する。
【背景技術】
【0002】
積層型電子部品の一つである積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマ表示装置パネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）などの映像機器、コンピュータ、スマートフォン、及び携帯電話などの様々な電子製品の印刷回路基板に装着され、電気を充電又は放電させる役割を果たすチップ型のコンデンサである。
【0003】
このような積層セラミックキャパシタは、小型でありながらも高容量が保障され、実装が容易であるという利点により、様々な電子装置の部品として使用されることができる。コンピュータ、モバイル機器など、各種の電子機器が小型化及び高出力化されるにつれて、積層セラミックキャパシタに対する小型化及び高容量化への要求が増大している。
【0004】
ＩＴ用ＭＬＣＣだけでなく、電装用ＭＬＣＣの市場が拡大するにつれて、同じ容量帯で定格電圧が高く信頼性に優れた製品の需要が増加している。一般に、結晶粒のサイズが小さく粒界が多いほど、誘電体の信頼性が向上することが知られている。ＭＬＣＣ誘電体組成の添加剤元素の中で、原子価固定アクセプタ、原子価可変アクセプタである遷移金属元素、そして、希土類元素が信頼性に与える影響は既知であり、一般に、これらを含む誘電体添加元素の組成比の最適化により良好な信頼性を有する条件を選定することになる。ＢＭＥ（Ｂａｓｅ Ｍｅｔａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）ＭＬＣＣが産業化されてから３０年以上が経過する間に、信頼性を向上させるための組成最適化作業が継続的に進められており、そのような事例は多くの特許として既に報告されている。最近、同じ誘電体組成であっても、微細構造、添加剤元素の分布及び固溶の程度、及び工程条件に応じて信頼性において大きな差があることが報告されており、これに対する研究が活発に進められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】韓国公開特許公報第１０－２００１－００２９８０９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明が解決しようとするいくつかの課題の一つは、信頼性が向上した積層型電子部品を提供することである。
【0007】
本発明が解決しようとするいくつかの課題の一つは、Ｘ７Ｒ又はＸ７Ｓ特性を満たす積層型電子部品を提供することである。
【0008】
本発明が解決しようとするいくつかの課題の一つは、高温・高圧での加速寿命が向上した積層型電子部品を提供することである。
【0009】
本発明が解決しようとするいくつかの課題の一つは、静電容量が向上した積層型電子部品を提供することである。
【0010】
但し、本発明が解決しようとするいくつかの課題は上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本発明の一実施形態に係る積層型電子部品は、誘電体層及び内部電極を含む本体と、上記本体上に配置される外部電極と、を含み、上記誘電体層の平均厚さをｔｄμｍとするとき、上記誘電体層は、ｔｄμｍ×ｔｄμｍの領域内に、断面積が０．０１μｍ２以上でありＳｉを含む二次相を５個以上含むことができる。
【発明の効果】
【0012】
本発明のいくつかの効果の一つは、積層型電子部品の信頼性を向上させることである。
【0013】
本発明のいくつかの効果の一つは、積層型電子部品のＸ７Ｒ又はＸ７Ｓ特性を満たすことである。
【0014】
本発明のいくつかの効果の一つは、積層型電子部品の高温・高圧での加速寿命を向上させることである。
【0015】
本発明のいくつかの効果の一つは、積層型電子部品の静電容量を向上させることである。
【0016】
但し、本発明の多様でありながらも有益な利点及び効果は上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。
【図面の簡単な説明】
【0017】
【図1】本発明の一実施形態に係る積層型電子部品の斜視図を概略的に示す。
【図2】内部電極の積層構造を示す分離斜視図を概略的に示す。
【図7】コア－シェル誘電体結晶粒の模式図を概略的に示す。
【図8】本発明の一実施形態の容量形成部の断面をＴＥＭを用いて撮影したイメージを得た後、ＥＤＳモードによりＳｉをマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）したイメージである。
【発明を実施するための形態】
【0018】
以下、具体的な実施形態及び添付の図面を参照して本発明の実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形することができ、本発明の範囲が以下で説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、通常の技術者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさ等は、より明確な説明のために誇張することができ、図面上の同じ符号で示される要素は同じ要素である。
【0019】
そして、図面において本発明を明確に説明するために、説明と関係のない部分は省略し、図面に示した各構成の大きさ及び厚さは説明の便宜上、任意に示しているため、本発明は必ずしも図示したものに限定されない。なお、同一思想の範囲内の機能が同一である構成要素に対しては、同一の参照符号を用いて説明する。さらに、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」と言うとき、これは特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含み得ることを意味する。
【0020】
図面において、第１方向は積層方向又は厚さＴ方向、第２方向は長さＬ方向、第３方向は幅Ｗ方向と定義されることができる。
【0021】
積層型電子部品
図１は、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品の斜視図を概略的に示すものであり、図２は、内部電極の積層構造を示す分離斜視図を概略的に示すものであり、図３は、図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図を概略的に示すものであり、図４は、図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図を概略的に示すものであり、図５は、図３のＰ領域の拡大図を概略的に示すものであり、図６は、図５のＰＭ領域の拡大図を概略的に示すものであり、図７は、コア－シェル誘電体結晶粒の模式図を概略的に示すものである。
図１は、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品の斜視図を概略的に示すものであり、図２は、内部電極の積層構造を示す分離斜視図を概略的に示すものであり、図３は、図１のＩ－Ｉ'線に沿った断面図を概略的に示すものであり、図４は、図１のＩＩ－ＩＩ'線に沿った断面図を概略的に示すものであり、図５は、図３のＰ領域の拡大図を概略的に示すものであり、図６は、図５のＰＭ領域の拡大図を概略的に示すものであり、図７は、コア－シェル誘電体結晶粒の模式図を概略的に示すものである。
【0022】
以下、図１～図７を参照して、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品について詳細に説明する。但し、積層型電子部品の一例として積層セラミックキャパシタについて説明するが、本発明は、誘電体組成物を利用する様々な電子製品、例えば、インダクタ、圧電体素子、バリスタ、又はサーミスタなどにも適用することができる。
【0023】
本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２を含む本体１１０と、上記本体１１０上に配置される外部電極１３１、１３２と、を含み、上記誘電体層１１１の平均厚さをｔｄμｍとするとき、上記誘電体層１１１は、ｔｄμｍ×ｔｄμｍの領域内に、断面積が０．０１μｍ２以上でありＳｉを含む二次相１４１ａを５個以上含むことができる。
【0024】
本体１１０は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２が交互に積層されていてもよい。
【0025】
より具体的に、本体１１０は、本体１１０の内部に配置され、誘電体層１１１を挟んで互いに対向するように交互に配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含んで容量を形成する容量形成部Ａｃを含むことができる。
【0026】
本体１１０の具体的な形状に特に制限はないが、図示のように、本体１１０は六面体形状又はこれと類似の形状からなることができる。焼成過程で本体１１０に含まれたセラミック粒子の収縮により、本体１１０は完全な直線を有する六面体形状ではないが、実質的に六面体形状を有することができる。
【0027】
本体１１０は、第１方向に互いに対向する第１及び第２面１、２、第１及び第２面１、２と連結され、第２方向に互いに対向する第３及び第４面３、４、第１～第４面１、２、３、４と連結され、第３方向に互いに対向する第５及び第６面５、６を有することができる。
【0028】
本体１１０を形成する複数の誘電体層１１１は焼成された状態であって、隣接する誘電体層１１１間の境界は走査電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＳＥＭ）を利用せずには確認しにくいほど一体化することができる。
【0029】
誘電体層１１１を形成する原料は、十分な静電容量が得られる限り限定されない。一般に、ペロブスカイト（ＡＢＯ３）系材料を使用することができ、例えば、チタン酸バリウム系材料、鉛複合ペロブスカイト系材料又はチタン酸ストロンチウム系材料などを使用することができる。チタン酸バリウム系材料は、ＢａＴｉＯ３系セラミック粒子を含むことができ、セラミック粒子の例示として、ＢａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）等が一部固溶した（Ｂａ１－ｘＣａｘ）ＴｉＯ３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ１－ｙＣａｙ）Ｏ３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ１－ｘＣａｘ）（Ｔｉ１－ｙＺｒｙ）Ｏ３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）又はＢａ（Ｔｉ１－ｙＺｒｙ）Ｏ３（０＜ｙ＜１）などが挙げられる。
【0030】
また、誘電体層１１１を形成する原料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）などの粒子に、本発明の目的に応じて様々なセラミック添加剤、有機溶剤、結合剤、分散剤などを添加することができる。
【0031】
なお、誘電体層１１１は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）のような誘電体物質を用いて形成することができるため、焼成後に誘電体微細構造を含むことができる。誘電体微細構造は、複数の結晶粒、上記隣接する結晶粒の間に配置される結晶粒界、及び上記結晶粒界が３つ以上接する地点に配置される三重点を含むことができ、それぞれ複数個を含むことができる。
【0032】
また、複数の結晶粒のうち少なくとも一つは、コア１１及びコア１１の少なくとも一部を囲むシェル１２構造のコア－シェル誘電体結晶粒１０を含むことができ、コア－シェル構造ではない誘電体結晶粒を含むことができるが、特にこれに限定されるものではない。
【0033】
誘電体層１１１の厚さｔｄは特に限定する必要はない。
【0034】
積層型電子部品１００の高電圧環境下での信頼性を確保するために、誘電体層１１１の厚さは１０．０μｍ以下であってもよい。また、積層型電子部品１００の小型化及び高容量化を達成するためには、誘電体層１１１の厚さは３．０μｍ以下であってもよく、超小型化及び高容量化をより容易に達成するために、誘電体層１１１の厚さは１．０μｍ以下であってもよく、好ましくは０．６μｍ以下であってもよく、より好ましくは０．４μｍ以下であってもよい。
【0035】
ここで、誘電体層１１１の厚さｔｄは、第１及び第２内部電極１２１、１２２の間に配置される誘電体層１１１の厚さｔｄを意味することができる。
【0036】
一方、誘電体層１１１の厚さｔｄは、誘電体層１１１の第１方向のサイズを意味することができる。また、誘電体層１１１の厚さｔｄは、誘電体層１１１の平均厚さｔｄを意味することができ、誘電体層１１１の第１方向の平均サイズを意味することができる。
【0037】
誘電体層１１１の第１方向の平均サイズは、本体１１０の第１及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を、１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、一つの誘電体層１１１の第１方向の平均サイズは、スキャンされたイメージにおいて、一つの誘電体層１１１を第２方向に等間隔である１０個の地点で第１方向のサイズを測定して計算した平均値を意味することができる。上記等間隔である１０個の地点は容量形成部Ａｃで指定することができる。また、このような平均値の測定を１０個の誘電体層１１１に拡張して平均値を測定すると、誘電体層１１１の第１方向の平均サイズをさらに一般化することができる。
【0038】
内部電極１２１、１２２は誘電体層１１１と交互に積層されてもよい。
【0039】
内部電極１２１、１２２は第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含むことができ、第１及び第２内部電極１２１、１２２は本体１１０を構成する誘電体層１１１を挟んで互いに対向するように交互に配置され、本体１１０の第３及び第４面３、４にそれぞれ露出することができる。
【0040】
より具体的に、第１内部電極１２１は第４面４と離隔し、第３面３を介して露出することができ、第２内部電極１２２は第３面３と離隔し、第４面４を介して露出することができる。本体１１０の第３面３には第１外部電極１３１が配置されて第１内部電極１２１と連結され、本体１１０の第４面４には第２外部電極１３２が配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。
【0041】
すなわち、第１内部電極１２１は第２外部電極１３２とは連結されず第１外部電極１３１と連結され、第２内部電極１２２は第１外部電極１３１とは連結されず第２外部電極１３２と連結されることができる。このとき、第１及び第２内部電極１２１、１２２は、中間に配置された誘電体層１１１によって互いに電気的に分離することができる。
【0042】
一方、本体１１０は、第１内部電極１２１が印刷されたセラミックグリーンシートと、第２内部電極１２２が印刷されたセラミックグリーンシートとを交互に積層した後、焼成して形成することができる。
【0043】
内部電極１２１、１２２を形成する材料は特に限定されず、電気伝導性に優れた材料を使用することができる。例えば、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含むことができる。
【0044】
また、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含む内部電極用導電性ペーストをセラミックグリーンシートに印刷して形成することができる。上記内部電極用導電性ペーストの印刷方法としては、スクリーン印刷法又はグラビア印刷法などを使用することができるが、本発明はこれに限定されるものではない。
【0045】
一方、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは特に限定する必要はない。
【0046】
積層型電子部品１００の高電圧環境下での信頼性を確保するために、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは３．０μｍ以下であってもよい。また、積層型電子部品１００の小型化及び高容量化を達成するために、内部電極１２１、１２２の厚さは１．０μｍ以下であってもよく、超小型化及び高容量化をより容易に達成するために、内部電極１２１、１２２の厚さは０．６μｍ以下であってもよく、より好ましくは０．４μｍ以下であってもよい。
【0047】
ここで、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の第１方向のサイズを意味することができる。また、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅを意味することができ、内部電極１２１、１２２の第１方向の平均サイズを意味することができる。
【0048】
内部電極１２１、１２２の第１方向の平均サイズは、本体１１０の第１及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を、１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、一つの内部電極の第１方向の平均サイズは、スキャンされたイメージにおいて、一つの内部電極を第２方向に等間隔である１０個の地点で第１方向のサイズを測定して計算した平均値であることができる。上記等間隔である１０個の地点は容量形成部Ａｃで指定することができる。また、このような平均値の測定を１０個の内部電極に拡張して平均値を測定すると、内部電極の第１方向の平均サイズをさらに一般化することができる。
【0049】
一方、本発明の一実施形態において、複数の誘電体層１１１のうち少なくとも一つの平均厚さｔｄと、複数の内部電極１２１、１２２のうち少なくとも一つの平均厚さｔｅは、２×ｔｅ＜ｔｄを満たすことができる。
【0050】
言い換えれば、誘電体層１１１の一つの平均厚さｔｄは、内部電極１２１、１２２の一つの平均厚さｔｅの２倍よりさらに大きくてもよい。好ましくは、複数の誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、複数の内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅの２倍よりさらに大きくてもよい。
【0051】
一般に、高電圧電装用電子部品は、高電圧環境下で絶縁破壊電圧（Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ Ｖｏｌｔａｇｅ、ＢＤＶ）の低下による信頼性の問題が主なイシューである。
【0052】
したがって、高電圧環境下で絶縁破壊電圧の低下を防止するために、誘電体層１１１の平均厚さｔｄを内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅの２倍よりも大きくすることにより、内部電極間の距離である誘電体層の厚さを増加させることができ、絶縁破壊電圧特性を向上させることができる。
【0053】
誘電体層１１１の平均厚さｔｄが内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅの２倍以下である場合には、内部電極間の距離である誘電体層の平均厚さが薄くなり、絶縁破壊電圧が低下することがあり、内部電極間の短絡が発生する可能性がある。
【0054】
一方、本体１１０は、容量形成部Ａｃの第１方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）上に配置されるカバー部１１２、１１３を含むことができる。
【0055】
具体的に、容量形成部Ａｃの第１方向の一面に配置される第１カバー部１１２、及び容量形成部Ａｃの第１方向の他面に配置される第２カバー部１１３を含むことができる。より具体的には、容量形成部Ａｃの第１方向の上部に配置される上部カバー部１１２、及び容量形成部Ａｃの第１方向の下部に配置される下部カバー部１１３を含むことができる。
【0056】
上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、単一の誘電体層１１１又は２つ以上の誘電体層１１１を容量形成部Ａｃの上下面にそれぞれ第１方向に積層して形成することができ、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。
【0057】
上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、内部電極１２１、１２２を含まず、誘電体層１１１と同じ材料を含むことができる。すなわち、上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３はセラミック材料を含むことができ、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系セラミック材料を含むことができる。
【0058】
一方、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは特に限定する必要はない。
【0059】
但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは１００μｍ以下であってもよく、好ましくは３０μｍ以下であってもよく、超小型製品では、より好ましくは２０μｍ以下であってもよい。
【0060】
ここで、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは、カバー部１１２、１１３の第１方向のサイズを意味することができる。また、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは、カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃを意味し、カバー部１１２、１１３の第１方向の平均サイズを意味することができる。
【0061】
カバー部１１２、１１３の第１方向の平均サイズは、本体１１０の第１及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を、１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、一つのカバー部をスキャンしたイメージにおいて、第２方向に等間隔である１０個の地点で第１方向のサイズを測定して計算した平均値を意味することができる。
【0062】
なお、上述した方法で測定したカバー部の第１方向の平均サイズは、本体１１０の第１及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）において、カバー部の第１方向の平均サイズと実質的に同じサイズを有することができる。
【0063】
一方、積層型電子部品１００は、本体１１０の第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）上に配置されるサイドマージン部１１４、１１５を含むことができる。
【0064】
より具体的に、サイドマージン部１１４、１１５は、本体１１０の第５面５に配置された第１サイドマージン部１１４及び本体１１０の第６面６に配置された第２サイドマージン部１１５を含むことができる。
【0065】
サイドマージン部１１４、１１５は、図示のように、本体１１０の第１及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準として、第１及び第２内部電極１２１、１２２の第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）と本体１１０の境界面との間の領域を意味することができる。
【0066】
サイドマージン部１１４、１１５は、容量形成部Ａｃに適用されるセラミックグリーンシート上にサイドマージン部１１４、１１５が形成される箇所を除いて、導電性ペーストを塗布して内部電極１２１、１２２を形成し、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後の内部電極１２１、１２２が本体１１０の第５及び第６面５、６に露出するように切断した後、単一の誘電体層１１１又は２つ以上の誘電体層１１１を容量形成部Ａｃの第３方向の両端面（ｅｎｄ－ｓｕｒｆａｃｅ）上に第３方向に積層して形成することもできる。
【0067】
サイドマージン部１１４、１１５は、基本的に物理的又は化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。
【0068】
第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５は、内部電極１２１、１２２を含まず、誘電体層１１１と同じ材料を含むことができる。すなわち、第１サイドマージン部１１４及び第２サイドマージン部１１５はセラミック材料を含むことができ、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系セラミック材料を含むことができる。
【0069】
一方、第１及び第２サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは特に限定する必要はない。
【0070】
但し、積層型電子部品１００の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは１００μｍ以下であってもよく、好ましくは３０μｍ以下であってもよく、超小型製品では、より好ましくは２０μｍ以下であってもよい。
【0071】
ここで、サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは、サイドマージン部１１４、１１５の第３方向のサイズを意味することができる。また、サイドマージン部１１４、１１５の幅ｗｍは、サイドマージン部１１４、１１５の平均幅ｗｍを意味することができ、サイドマージン部１１４、１１５の第３方向の平均サイズを意味することができる。
【0072】
サイドマージン部１１４、１１５の第３方向の平均サイズは、本体１１０の第１及び第３方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を、１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でイメージをスキャンして測定することができる。より具体的に、一つのサイドマージン部をスキャンしたイメージにおいて、第１方向に等間隔である１０個の地点で第３方向のサイズを測定して計算した平均値を意味することができる。
【0073】
本発明の一実施形態では、積層型電子部品１００が２つの外部電極１３１、１３２を有する構造について説明しているが、外部電極１３１、１３２の個数や形状などは、内部電極１２１、１２２の形態やその他の目的に応じて変更することができる。
【0074】
外部電極１３１、１３２は本体１１０上に配置され、内部電極１２１、１２２と連結されることができる。
【0075】
より具体的に、外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３及び第４面３、４にそれぞれ配置され、第１及び第２内部電極１２１、１２２とそれぞれ連結される第１及び第２外部電極１３１、１３２を含むことができる。すなわち、第１外部電極１３１は本体の第３面３に配置されて第１内部電極１２１と連結されることができ、第２外部電極１３２は本体の第４面４に配置されて第２内部電極１２２と連結されることができる。
【0076】
また、外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第１及び第２面１、２上の一部に延びて配置されることができ、又は本体１１０の第５及び第６面５、６上の一部に延びて配置されることができる。すなわち、第１外部電極１３１は、本体１１０の第１、第２、第５、第６面１、２、５、６上の一部、及び本体１１０の第３面３上に配置されることができ、第２外部電極１３２は、本体１１０の第１、第２、第５、第６面１、２、５、６上の一部、及び本体１１０の第３面３上に配置されることができる。
【0077】
一方、外部電極１３１、１３２は、金属などのように電気伝導性を有するものであれば、如何なる物質を用いて形成されてもよく、電気的特性、構造的安定性などを考慮して具体的な物質が決定されてもよく、さらに多層構造を有してもよい。
【0078】
例えば、外部電極１３１、１３２は、本体１１０に配置される電極層及び電極層上に配置されるめっき層を含むことができる。
【0079】
電極層に対するより具体的な例を挙げると、電極層は、第１導電性金属及びガラスを含む焼成電極である第１電極層１３１ａ、１３２ａを含むか、又は第２導電性金属及び樹脂を含む樹脂系電極である第２電極層１３１ｂ、１３２ｂを含むことができる。
【0080】
ここで、第１電極層１３１ａ、１３２ａに含まれた導電性金属を第１導電性金属と呼び、第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれた導電性金属を第２導電性金属と呼ぶことができる。このとき、第１導電性金属及び第２導電性金属は互いに同一又は異なってもよく、複数の導電性金属を含む場合、一部のみが同じ導電性金属を含んでもよいが、特にこれに限定されるものではない。
【0081】
また、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂは、本体１１０上に焼成電極及び樹脂系電極が順次に形成された形態であってもよい。
【0082】
また、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂは、本体上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されるか、又は焼成電極上に導電性金属を含むシートを転写する方式で形成されたものであってもよい。
【0083】
電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂに含まれる導電性金属として電気伝導性に優れた材料を用いることができ、例えば、導電性金属としては、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群から選択された一つ以上を含むことができるが、特にこれに限定されない。
【0084】
本発明の一実施形態において、電極層１３１ａ、１３２ａ、１３１ｂ、１３２ｂは、第１電極層１３１ａ、１３２ａ及び第２電極層１３１ｂ、１３２ｂを含む２層の構造を有することができ、これにより、外部電極１３１、１３２は、第１導電性金属及びガラスを含む第１電極層１３１ａ、１３２ａ、並びに上記第１電極層１３１ａ、１３２ａ上に配置され、第２導電性金属及び樹脂を含む第２電極層１３１ｂ、１３２ｂを含むことができる。
【0085】
第１電極層１３１ａ、１３２ａはガラスを含むことにより、本体１１０との接合性を向上させる役割を果たし、第２電極層１３１ｂ、１３２ｂは樹脂を含むことにより、曲げ強度を向上させる役割を果たすことができる。
【0086】
第１電極層１３１ａ、１３２ａに含まれる第１導電性金属は、静電容量の形成のために上記内部電極１２１、１２２と電気的に連結できる材質であれば特に限定されず、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群から選択された一つ以上を含むことができる。
【0087】
第１電極層１３１ａ、１３２ａは、第１導電性金属粒子にガラスフリット（ｇｌａｓｓ ｆｒｉｔ）を添加して設けられた導電性ペーストを塗布した後、焼成することにより形成することができる。
【0088】
第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる第２導電性金属は、第１電極層１３１ａ、１３２ａと電気的に連結されるようにする役割を果たすことができる。
【0089】
第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる導電性金属は、電極層１３１ａ、１３２ａと電気的に連結できる材質であれば特に限定されず、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、錫（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群から選択された一つ以上を含むことができる。
【0090】
第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる第２導電性金属は、球状粒子及びフレーク状粒子のうち１以上を含むことができる。すなわち、第２導電性金属はフレーク状粒子のみからなるか、又は球状粒子のみからなることができ、フレーク状粒子と球状粒子とが混合された形態であることもできる。ここで、球状粒子は、完全な球状ではない形態も含むことができ、例えば、長軸と短軸の長さ比率（長軸／短軸）が１．４５以下の形態を含むことができる。フレーク状粒子とは、平たくかつ細長い形態を有する粒子を意味し、特に限定されるものではないが、例えば、長軸と短軸の長さ比率（長軸／短軸）が１．９５以上であってもよい。上記球状粒子及びフレーク状粒子の長軸と短軸の長さは、積層型電子部品の第３方向の中央部で切断した第１及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）でスキャンして得られたイメージから測定することができる。
【0091】
第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる樹脂は、接合性の確保及び衝撃吸収の役割を果たすことができる。第２電極層１３１ｂ、１３２ｂに含まれる樹脂は、接合性及び衝撃吸収性を有し、第２導電性金属粒子と混合してペーストを作製することができるものであれば特に限定されず、例えば、エポキシ系樹脂を含むことができる。
【0092】
また、第２電極層１３１ｂ、１３２ｂは、複数の第２導電性金属粒子、金属間化合物（ｉｎｔｅｒｍｅｔａｌｌｉｃ ｃｏｍｐｏｕｎｄ）及び樹脂を含むことができる。金属間化合物を含むことにより、第１電極層１３１ａ、１３２ａとの電気的連結性をより向上させることができる。上記金属間化合物は、複数の金属粒子を連結して電気的連結性を向上させる役割を果たし、複数の金属粒子を囲んで互いに連結する役割を果たすことができる。
【0093】
このとき、金属間化合物は、樹脂の硬化温度より低い融点を有する金属を含むことができる。すなわち、金属間化合物が樹脂の硬化温度より低い融点を有する金属を含むため、樹脂の硬化温度より低い融点を有する金属が乾燥及び硬化工程を経る過程で溶融し、金属粒子の一部と金属間化合物を形成して金属粒子を囲むようになる。このとき、金属間化合物は、好ましくは３００℃以下の低融点金属を含むことができる。
【0094】
例えば、２１３～２２０℃の融点を有するＳｎを金属間化合物として含むことができる。乾燥及び硬化工程を経る過程でＳｎが溶融し、溶融したＳｎがＡｇ、Ｎｉ又はＣｕのような高融点の金属粒子を毛細管現象により湿らせ、Ａｇ、Ｎｉ又はＣｕ金属粒子の一部と反応してＡｇ３Ｓｎ、Ｎｉ３Ｓｎ４、Ｃｕ６Ｓｎ５、Ｃｕ３Ｓｎなどの金属間化合物を形成する。反応に関与しなかったＡｇ、Ｎｉ又はＣｕは金属粒子の形態で残る。
【0095】
したがって、上記複数の第２導電性金属粒子は、Ａｇ、Ｎｉ及びＣｕのうち一つ以上を含み、上記金属間化合物は、Ａｇ３Ｓｎ、Ｎｉ３Ｓｎ４、Ｃｕ６Ｓｎ５及びＣｕ３Ｓｎのうち一つ以上を含むことができる。
【0096】
めっき層１３１ｃ、１３２ｃは、実装特性を向上させる役割を果たすことができる。
【0097】
めっき層１３１ｃ、１３２ｃの種類は特に限定されず、ニッケル（Ｎｉ）、錫（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）及びこれらの合金のうち一つ以上を含む単一層のめっき層１３１ｃ、１３２ｃであってもよく、複数の層で形成されてもよい。
【0098】
めっき層１３１ｃ、１３２ｃに対するより具体的な例を挙げると、めっき層１３１ｃ、１３２ｃは、Ｎｉめっき層又はＳｎめっき層であってもよく、電極層上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層が順次に形成された形態であってもよく、Ｓｎめっき層、Ｎｉめっき層及びＳｎめっき層が順次に形成された形態であってもよい。また、めっき層１３１ｃ、１３２ｃは、複数のＮｉめっき層及び／又は複数のＳｎめっき層を含んでもよい。
【0099】
積層型電子部品１００のサイズは特に限定する必要はない。
【0100】
但し、小型化及び高容量化を同時に達成するためには、誘電体層及び内部電極の厚さを薄くして積層数を増加させなければならないため、３２１６（長さ×幅：３．２ｍｍ×１．６ｍｍ）サイズ以下の積層型電子部品１００において本発明による効果がより顕著になり得る。
【0101】
以下では、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００についてより具体的に説明する。
【0102】
一方、本発明において、誘電体層１１１は、Ｓｉを含む二次相１４１を含むことができ、より具体的に、Ｓｉを含む二次相１４１は、断面積が０．０１μｍ２以上でありＳｉを含む二次相１４１ａと、断面積が０．０１μｍ２未満でありＳｉを含む二次相１４１ｂとを含むことができる。但し、特別な事情がない限り、Ｓｉを含む二次相１４１に対する説明は、断面積が０．０１μｍ２以上でありＳｉを含む二次相１４１ａ及び断面積が０．０１μｍ２未満でありＳｉを含む二次相１４１ｂに対する説明に該当することができる。
【0103】
本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００において、誘電体層１１１の平均厚さをｔｄμｍとするとき、誘電体層１１１はｔｄμｍ×ｔｄμｍの領域内の断面積が０．０１μｍ２以上であり、Ｓｉを含む二次相１４１ａを５個以上含むことができる。
【0104】
誘電体層１１１はｔｄμｍ×ｔｄμｍの領域内に、断面積が０．０１μｍ２以上でありＳｉを含む二次相１４１ａを５個以上含むことにより、高温加速寿命信頼性を向上させることができる。高温加速寿命信頼性についてより具体的に例を挙げると、１５０℃の温度条件と１０Ｖ／μｍの電界条件での平均故障時間（ＭＴＴＦ）が１００時間以上である特性を満たすことができる。
【0105】
また、高温加速寿命信頼性の向上だけでなく、常温誘電率が２２００以上である特性、誘電損失が１０％以下である特性、１５０℃での絶縁抵抗が１．０Ｅ＋６Ω以上である特性、２５℃での静電容量を基準として－５５℃～１２５℃での静電容量変化率が１５％以下である特性、１０Ｖ／μｍの電界条件でのＤＣ－ｂｉａｓ変化率が７０％以下である特性、及び１５０℃の温度条件と１０Ｖ／μｍの電界条件での平均故障時間（ＭＴＴＦ）が１００時間以上である特性のうち少なくとも一つの特性を満たすことができる。
【0106】
高温加速寿命信頼性を向上させるためには、誘電体層１１１のｔｄμｍ×ｔｄμｍの領域内における、断面積が０．０１μｍ２以上でありＳｉを含む二次相１４１ａの個数の上限は特に限定されず、他の特性が低下することを防止するためには、誘電体層１１１のｔｄμｍ×ｔｄμｍの領域内における、断面積が０．０１μｍ２以上でありＳｉを含む二次相１４１ａの個数が５３個以下であることができる。
【0107】
誘電体層１１１がｔｄμｍ×ｔｄμｍの領域内に、断面積が０．０１μｍ２以上でありＳｉを含む二次相１４１ａを５個未満含む場合、高温加速寿命信頼性が低下するおそれがある。
【0108】
本発明において、積層型電子部品１００の各構成に含まれた元素の含量を測定するより具体的な方法の一例として、破壊工法の場合、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）のエネルギー分散Ｘ線分光法（Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ－ｒａｙ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ、ＥＤＳ）モード、透過電子顕微鏡（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＴＥＭ）のＥＤＳモード、又は走査透過電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、ＳＴＥＭ）のＥＤＳモードを用いて成分を分析することができる。まず、測定しようとする領域において、集束イオンビーム（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ、ＦＩＢ）装備を用いて薄片化された分析試料を準備する。そして、薄片化された試料の表面のダメージ層を、キセノン（Ｘｅ）又はアルゴン（Ａｒ）イオンミリング（ｉｏｎ ｍｉｌｌｉｎｇ）を用いて除去し、その後、ＳＥＭ－ＥＤＳ、ＴＥＭ－ＥＤＳ、又はＳＴＥＭ－ＥＤＳを用いて得られたイメージで測定しようとする各成分をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）して定性／定量分析を行う。この場合、各成分の定性／定量分析グラフは、各元素の質量百分率（ｗｔ％）、原子百分率（ａｔ％）、又はモル百分率（ｍｏｌ％）に換算して表すこともできる。このとき、特定成分のモル数に対する他の特定成分のモル数を換算して表すことができる。
【0109】
さらに他の方法としては、チップを粉砕して測定しようとする領域を選別し、このように選別された誘電体微細構造が含まれた部分について、誘導結合プラズマ分光分析器（ＩＣＰ－ＯＥＳ）、誘導結合プラズマ質量分析器（ＩＣＰ－ＭＳ）等の装置を用いて該当領域の成分を分析することができる。
【0110】
本発明の一実施形態の容量形成部の断面を概略的に示す図５、図６及び本発明の一実施形態の容量形成部の断面をＴＥＭを用いて撮影したイメージを得た後ＥＤＳモードによりＳｉをマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）したイメージである図８を例に挙げて、Ｓｉを含む二次相１４１を測定する方法についてより具体的に説明すると、本体１１０の第３方向の中心における第１及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を、ＳＥＭ、ＴＥＭ、又はＳＴＥＭのＥＤＳモードでＳｉをマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）したとき、誘電体層１１１で観察されるＳｉの集合領域をＳｉを含む二次相１４１と定義することができる。
【0111】
すなわち、誘電体層１１１の平均厚さをｔｄμｍとするとき、誘電体層１１１のｔｄμｍ×ｔｄμｍの領域内に、断面積が０．０１μｍ２以上でありＳｉを含む二次相１４１ａを５個以上含むというのは、本体１１０の第３方向の中心における第１及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）をＳＥＭ、ＴＥＭ、又はＳＴＥＭで撮影したイメージにおいて、誘電体層１１１の平均厚さ（第１方向の平均サイズ）をｔｄμｍと定義することができ、ＳＥＭ、ＴＥＭ、又はＳＴＥＭで撮影したイメージにおいてＥＤＳモードでＳｉをマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）したとき、誘電体層１１１のうち第１方向にｔｄμｍのサイズ及び第２方向にｔｄμｍのサイズを有する領域（面積）内において、断面積が０．０１μｍ２以上でありＳｉを含む二次相１４１ａを５個以上含むことを意味することができる。
【0112】
このとき、誘電体層１１１の全ての領域において誘電体層１１１のｔｄμｍ×ｔｄμｍの領域内に、断面積が０．０１μｍ２以上でありＳｉを含む二次相１４１ａを５個以上含む条件を満たす必要はなく、誘電体層１１１の任意のｔｄμｍ×ｔｄμｍの領域内に、断面積が０．０１μｍ２以上でありＳｉを含む二次相１４１ａが５個以上含まれると、高温加速寿命信頼性を向上させることができるが、誘電体層１１１の全ての領域において誘電体層１１１のｔｄμｍ×ｔｄμｍの領域内に、断面積が０．０１μｍ２以上でありＳｉを含む二次相１４１ａが５個以上含まれることが好ましい。
【0113】
ここで、断面積が０．０１μｍ２以上でありＳｉを含む二次相１４１ａの断面積は、イメージ分析プログラムである「Ｉｍａｇｅ Ｐｒｏ Ｐｌｕｓ」のプログラムフィルタ機能を適用して、断面積が０．０１μｍ２以上でありＳｉを含む二次相１４１ａ以外の周辺のＳｉのノイズ（ｎｏｉｓｅ）を除去した後に測定することができるが、特にこれに限定されるものではない。
【0114】
このような、断面積が０．０１μｍ２以上でありＳｉを含む二次相１４１ａの断面積を測定する方法は、後述する断面積が０．０１μｍ２未満でありＳｉを含む二次相１４１ｂにも同様に適用できることは、通常の技術者に自明であるといえる。
【0115】
なお、本発明において、「二次相（ｓｅｃｏｎｄａｒｙ－ｐｈａｓｅ）」とは、ペロブスカイト系（ＡＢＯ３）誘電体粒子とは異なる組成又は結晶格子を有する粒子又は偏析（ｓｅｇｒｅｇａｔｉｏｎ）を意味することができ、誘電体結晶粒に固溶していない成分の集合体を意味することができるが、特にこれに限定されるものではない。
【0116】
すなわち、二次相は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系誘電体物質の結晶粒の結晶格子構造に固溶又は置換されていない元素の集合体を意味することができ、Ｓｉを含む二次相１４１は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系主成分である誘電体結晶粒の結晶格子構造に固溶又は置換されていないＳｉを含む元素の集合体を意味することができる。
【0117】
また、誘電体層１１１は、１μｍ×１μｍの領域内に、断面積が０．０１μｍ２未満でありＳｉを含む二次相１４１ｂを５個以下含むことができる。
【0118】
誘電体層１１１は１μｍ×１μｍの領域内に、断面積が０．０１μｍ２未満でありＳｉを含む二次相１４１ｂが５個以下含まれることで、高温加速寿命信頼性をより向上させることができる。より向上した高温加速寿命信頼性についてより具体的な例を挙げると、１５０℃の温度条件と１０Ｖ／μｍの電界条件での平均故障時間（ＭＴＴＦ）が２００時間以上である特性を満たすことができる。
【0119】
高温加速寿命信頼性の向上のためには、誘電体層１１１の１μｍ×１μｍの領域内における、断面積が０．０１μｍ２未満でありＳｉを含む二次相１４１ｂの個数の下限は特に限定されないが、他の特性が低下することを防止するために、誘電体層１１１の１μｍ×１μｍの領域内における、断面積が０．０１μｍ２未満でありＳｉを含む二次相１４１ｂの個数は１個以上であってもよい。
【0120】
本体１１０の第３方向の中心における第１及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）をＳＥＭ、ＴＥＭ、又はＳＴＥＭで撮影したイメージにおいてＥＤＳモードでＳｉをマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）したとき、誘電体層１１１うち第１方向に１μｍのサイズと第２方向に１μｍのサイズを有する領域（面積）内に、断面積が０．０１μｍ２未満でありＳｉを含む二次相１４１ｂを５個以下含むことを意味することができる。
【0121】
このとき、誘電体層１１１の全ての領域において、誘電体層１１１の１μｍ×１μｍの領域内に、断面積が０．０１μｍ２未満でありＳｉを含む二次相１４１ｂを５個以下含む条件を満たす必要はなく、誘電体層１１１の任意の１μｍ×１μｍの領域内に、断面積が０．０１μｍ２未満でありＳｉを含む二次相１４１ｂが５個以下含まれると、高温加速寿命信頼性をより向上させることができるが、誘電体層１１１の全ての領域において、誘電体層１１１の１μｍ×１μｍの領域内に、断面積が０．０１μｍ２未満でありＳｉを含む二次相１４１ｂが５個以下含まれることが好ましい。
【0122】
このとき、誘電体層１１１はｔｄμｍ×ｔｄμｍの領域内に、断面積が０．０１μｍ２以上でありＳｉを含む二次相１４１ａを５個以上含み、ｔｄμｍ×ｔｄμｍの領域のうち１μｍ×１μｍの領域内に、断面積が０．０１μｍ２未満でありＳｉを含む二次相１４１ｂを５個以下含む場合、高温加速寿命信頼性はより一層向上することができる。
【0123】
一方、Ｓｉを含む二次相１４１は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系誘電体結晶粒の組成と異なることがあり、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系誘電体結晶粒の結晶格子に固溶していないさらに別の相（ｐｈａｓｅ）又は結晶粒（ｇｒａｉｎ）を意味することができる。
【0124】
例えば、上述のように、誘電体層１１１は、コア１１及びコア１１の少なくとも一部を囲むシェル１２構造のコア－シェル誘電体結晶粒１０を含むことができる。このとき、コア１１又はシェル１２はＳｉを含むことができ、Ｓｉを含む二次相１４１のＳｉの平均原子百分率は、コア１１のＳｉの平均原子百分率より高くてもよく、又はＳｉを含む二次相１４１のＳｉの平均原子百分率は、シェル１２のＳｉの平均原子百分率より高くてもよい。また、Ｓｉを含む二次相１４１のＢａ及びＴｉのそれぞれの平均原子百分率は、コア１１のＢａ及びＴｉのそれぞれの平均原子百分率より高くてもよく、又はＳｉを含む二次相１４１のＢａ及びＴｉのそれぞれの平均原子百分率は、シェル１２のＢａ及びＴｉのそれぞれの平均原子百分率より高くてもよい。さらに、コア１１、シェル１２、又はＳｉを含む二次相１４１は、Ａｌを含むことができるが、Ｓｉを含む二次相１４１のＡｌの平均原子百分率は、コア１１のＡｌの平均原子百分率より高くてもよく、又はＳｉを含む二次相１４１のＡｌの平均原子百分率は、シェル１２のＡｌの平均原子百分率より高くてもよい。
【0125】
また、ここで、Ｓｉを含む二次相１４１に含まれた各元素の平均原子百分率は、Ｓｉを含む二次相１４１の一つの領域内の３点（ｐｏｉｎｔ）以上で測定された各元素の原子百分率の平均値を意味することができ、コア１１又はシェル１２に含まれた各元素の平均原子百分率は、同じコア１１又はシェル１２に含まれた各元素の５点（ｐｏｉｎｔ）以上で測定された各元素の原子百分率の平均値を意味することができるが、特にこれに限定されるものではない。
【0126】
より具体的に、Ｓｉを含む二次相１４１のＳｉの平均原子百分率は５ａｔ％以上２０ａｔ％以下であってもよく、好ましくは８ａｔ％以上１６ａｔ％以下であってもよい。
【0127】
Ｓｉを含む二次相１４１のＳｉの平均原子百分率が５ａｔ％以上２０ａｔ％以下を満たすことにより、高温加速寿命信頼性は向上することができる。
【0128】
Ｓｉを含む二次相１４１のＳｉの平均原子百分率が５ａｔ％未満の場合、高温加速寿命信頼性が低下したり、絶縁抵抗が低下するおそれがあり、Ｓｉを含む二次相１４１のＳｉの平均原子百分率が２０ａｔ％を超える場合、高温加速寿命信頼性には優れるが、常温誘電率が低下するおそれがある。
【0129】
一方、誘電体層１１１に含まれた複数の誘電体結晶粒の平均直径は、１５０ｎｍ以上２２０ｎｍ以下であってもよい。
【0130】
これは、母材サイズが１００ｎｍである粉末を焼成した結果に相当し得るが、特にこれに限定されるものではない。
【0131】
誘電体層１１１に含まれた複数の誘電体結晶粒の平均直径が１５０ｎｍ以上２２０ｎｍ以下を満たすことにより、高温加速寿命信頼性をより向上させることができ、常温誘電率、誘電損失（ＤＦ）、絶縁抵抗（ＩＲ）、又はＤＣ－ｂｉａｓ特性に優れることができる。
【0132】
誘電体層１１１に含まれた複数の誘電体結晶粒の平均直径が１５０ｎｍ未満の場合、常温誘電率が低下するおそれがあり、誘電体層１１１に含まれた複数の誘電体結晶粒の平均直径が２２０ｎｍを超える場合、高温加速寿命信頼性が低下したり、誘電損失（ＤＦ）、絶縁抵抗（ＩＲ）、又はＤＣ－ｂｉａｓ特性が低下するおそれがある。
【0133】
誘電体層１１１に含まれた複数の誘電体結晶粒の平均直径は、例えば、本体１１０の第３方向の中心における第１及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）の１０μｍ×１０μｍの領域を基準として、誘電体層１１１に含まれた複数の誘電体結晶粒の直径の平均に相当することができる。ここで、誘電体結晶粒の直径とは、誘電体結晶粒の中心を通る任意の直線のサイズを意味することができ、より具体的には、誘電体結晶粒の中心を通る第１方向への直線のサイズを意味することができ、これらを平均した値は複数の誘電体結晶粒の平均直径に相当し得るが、特にこれに限定されるものではない。
【0134】
また、コア－シェル誘電体結晶粒１０において、コア１１の直径は９０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下であってもよい。
【0135】
コア－シェル誘電体結晶粒１０において、コア１１の直径が９０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下を満たすことにより、高温加速寿命信頼性を向上させることができ、目標とする常温誘電率、誘電損失（ＤＦ）、絶縁抵抗（ＩＲ）、Ｘ７Ｒ特性（ＴＣＣ特性）、又はＤＣ－ｂｉａｓ特性のうち少なくとも一つを満たすことができる。
【0136】
コア－シェル誘電体結晶粒１０において、コア１１の直径が９０ｎｍ未満の場合、高温加速寿命信頼性が低下したり、目標とする常温誘電率を満たさないおそれがあり、コア－シェル誘電体結晶粒１０において、コア１１の直径が１４０ｎｍを超える場合、絶縁抵抗（ＩＲ）が低下するおそれがある。
【0137】
コア－シェル誘電体結晶粒１０においてコア１１の直径は、例えば、本体１１０の第３方向の中心における第１及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）の１０μｍ×１０μｍの領域を基準として、ＥＤＳモードを介して希土類元素、例えば、ジスプロシウム（Ｄｙ）又はテルビウム（Ｔｂ）をマッピング（ｍａｐｐｉｎｇ）したとき、誘電体層１１１に含まれたコア－シェル誘電体結晶粒１０のコア１１の直径のサイズを意味することができる。ここで、コア１１の直径は、コア１１の中心を通る任意の直線のサイズを意味することができ、より具体的には、コア１１の中心を通る第１方向への直線のサイズを意味することができるが、特にこれに限定されるものではない。
【0138】
一方、上述したように、誘電体層１１１は、ペロブスカイト（ＡＢＯ３）主成分、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系誘電体物質を主成分として含むことができ、副成分をさらに含むことができ、より具体的には、以下の第１～第４副成分をさらに含むことができる。
【0139】
ａ）第１副成分
本発明の一実施形態によれば、誘電体層１１１は第１副成分元素をさらに含むことができ、第１副成分元素は原子価可変アクセプタ元素であることができる。原子価可変アクセプタ元素はＭｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｏ、及びＺｎのうち一つ以上であってもよく、好ましくは、Ｍｎ及びＶのうち少なくとも一つであってもよく、より好ましくはＭｎ及びＶであってもよい。
本発明の一実施形態によれば、誘電体層１１１は第１副成分元素をさらに含むことができ、第１副成分元素は原子価可変アクセプタ元素であることができる。原子価可変アクセプタ元素はＭｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｏ、及びＺｎのうち一つ以上であってもよく、好ましくは、Ｍｎ及びＶのうち少なくとも一つであってもよく、より好ましくはＭｎ及びＶであってもよい。
【0140】
第１副成分は、原子価可変アクセプタ元素の酸化物又は炭酸塩のうち一つ以上であってもよく、焼成前の主成分原料に共に添加されてもよい。
【0141】
第１副成分元素である原子価可変アクセプタ元素は、焼成温度の低下、誘電特性、絶縁抵抗（ＩＲ）及び高温加速寿命特性を向上させる役割を果たすことができる。
【0142】
このとき、誘電体層１１１に含まれたＴｉ１００モルに対する第１副成分元素のモル数は０．４モル以上０．８モル以下であることができ、複数の第１副成分元素が添加された場合、これらを合わせた総含量を第１副成分元素のモル数と定義することができる。
【0143】
誘電体層１１１に含まれたＴｉ１００モルに対する第１副成分元素の含量が０．４モル未満の場合には、絶縁抵抗（Ｉｎｓｕｌａｔｉｏｎ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ、ＩＲ）が低下するおそれがあり、誘電体層１１１に含まれたＴｉ１００モルに対する第１副成分元素の含量が０．８モルを超える場合には、ＤＣ－ｂｉａｓ変化率が低下するおそれがある。
【0144】
ｂ）第２副成分
本発明の一実施形態によれば、誘電体層１１１は第２副成分元素をさらに含むことができ、第２副成分元素はＭｇであることができる。
本発明の一実施形態によれば、誘電体層１１１は第２副成分元素をさらに含むことができ、第２副成分元素はＭｇであることができる。
【0145】
第２副成分は、Ｍｇの酸化物及び炭酸塩のうち一つ以上であってもよく、焼成前の主成分原料に共に添加されてもよい。
【0146】
第２副成分元素であるＭｇは、耐還元性を付与し、ＲＣ（Ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ Ｃｌａｓｓ）値を高める役割を果たすことができる。ここで、ＲＣ値は、温度による信頼性、高温での信頼性、高電圧での信頼性、寿命評価などを意味することができる。
【0147】
このとき、誘電体層１１１に含まれたＴｉ１００モルに対する第２副成分元素のモル数は、０モル超過１モル以下であってもよい。
【0148】
誘電体層１１１に第２副成分元素が添加されない場合、例えば、誘電体層１１１に含まれたＴｉ１００モルに対する第２副成分元素の含量が０モルの場合、信頼性が低下するおそれがあり、誘電体層１１１に含まれたＴｉ１００モルに対する第２副成分元素の含量が１モルを超える場合、Ｘ７Ｒ温度特性（２５℃での静電容量値を基準として、－５５℃～１２５℃での静電容量変化率が－１５％以上１５％以下）を満たさないおそれがある。
【0149】
ｃ）第３副成分
本発明の一実施形態によれば、誘電体層１１１は第３副成分元素をさらに含むことができ、第３副成分元素は希土類元素であることができる。希土類元素はＹ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｌａ及びＹｂのうち少なくとも一つを含んでもよく、好ましくはＤｙ及びＴｂのうち少なくとも一つであってもよく、より好ましくはＤｙ及びＴｂであってもよい。
本発明の一実施形態によれば、誘電体層１１１は第３副成分元素をさらに含むことができ、第３副成分元素は希土類元素であることができる。希土類元素はＹ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｌａ及びＹｂのうち少なくとも一つを含んでもよく、好ましくはＤｙ及びＴｂのうち少なくとも一つであってもよく、より好ましくはＤｙ及びＴｂであってもよい。
【0150】
第３副成分元素である希土類元素は、高温加速寿命を向上させる役割を果たすことができ、信頼性を向上させる役割を果たすことができる。
【0151】
第３副成分は、希土類元素の酸化物及び炭酸塩のうち一つ以上であってもよく、焼成前の主成分原料に共に添加されてもよい。
【0152】
このとき、誘電体層１１１に含まれたＴｉ１００モルに対する第３副成分元素のモル数は、２．５モル以上３．５モル以下であってもよい。
【0153】
誘電体層１１１に含まれたＴｉ１００モルに対する第３副成分元素のモル数が２．５モル未満の場合、高温加速寿命が低下するおそれがあり、誘電体層１１１に含まれたＴｉ１００モルに対する第３副成分元素のモル数が３．５モルを超える場合、誘電体のｎ型半導体化により絶縁抵抗（ＩＲ）が低下したり、高温加速寿命が低下するおそれがある。
【0154】
ｄ）第４副成分
本発明の一実施形態によれば、誘電体層１１１は第４副成分元素をさらに含むことができ、第４副成分元素はＳｉであることができる。
本発明の一実施形態によれば、誘電体層１１１は第４副成分元素をさらに含むことができ、第４副成分元素はＳｉであることができる。
【0155】
第４副成分は、Ｓｉの酸化物、Ｓｉの炭酸塩及びＳｉを含むガラスのうち少なくとも一つであってもよく、焼成前の主成分原料に共に添加されてもよい。
【0156】
第４副成分元素であるＳｉは焼結助剤の役割を果たすことができ、誘電体結晶粒の粒成長を誘導する役割を果たすことができ、絶縁抵抗（ＩＲ）又は高温加速寿命を向上させる役割を果たすことができる。
【0157】
このとき、誘電体層１１１に含まれたＴｉ１００モルに対する第４副成分元素のモル数は、０．８モル以上２．０モル以下であってもよい。
【0158】
誘電体層１１１に含まれたＴｉ１００モルに対する第４副成分元素のモル数が０．８モル未満の場合、絶縁抵抗（ＩＲ）が低下したり、高温加速寿命が低下するおそれがあり、誘電体層１１１に含まれたＴｉ１００モルに対する第４副成分元素のモル数が２．０モルを超える場合、常温誘電率が低下するおそれがある。
【0159】
本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００は、１５０℃の温度条件及び１０Ｖ／μｍの電界条件での平均故障時間（ＭＴＴＦ）が１００時間以上である特性を満たすことができる。
【0160】
また、本発明の一実施形態に係る積層型電子部品１００は、常温誘電率が２２００以上である特性、誘電損失が１０％以下である特性、１５０℃での絶縁抵抗が１．０Ｅ＋６Ω以上である特性、２５℃での静電容量を基準として－５５℃～１２５℃での静電容量変化率が１５％以下である特性、１０Ｖ／μｍの電界条件でのＤＣ－ｂｉａｓ変化率が７０％以下である特性、及び１５０℃の温度条件と１０Ｖ／μｍの電界条件での平均故障時間（ＭＴＴＦ）が１００時間以上である特性のうち、少なくとも一つの特性を満たすことができる。
【0161】
当該特性の満足の有無については、以下の実施例によりさらに詳細に説明するが、これは、本発明の具体的な理解を助けるためのものであって、本発明の範囲が実施例によって限定されるものではない。
【0162】
（実施例）
表１、３、５は、主成分の母材サイズ、焼成温度、及び第１～第４副成分元素の含量を記載したものである。母材サイズの単位はｎｍであり、焼成温度は℃であり、第１～第４副成分元素は添加剤の種類および第１～第４副成分元素のモル数を示す。例えば、第１－１試験例において、第１副成分元素ＭｎＯ２の０．２モルはＭｎ ０．２モル、第１副成分元素Ｖ２Ｏ５の０．２モルはＶ０．２モル、第２副成分元素ＭｇＣＯ３の０．６モルはＭｇ０．６モル、第３副成分元素Ｄｙ２Ｏ３の３．０モルはＤｙ３．０モル、第３副成分元素Ｔｂ４Ｏ７の０．２モルはＴｂ０．２モル、第４副成分元素ＳｉＯ２の１．２モルはＳｉ１．２モルに相当する。
表１、３、５は、主成分の母材サイズ、焼成温度、及び第１～第４副成分元素の含量を記載したものである。母材サイズの単位はｎｍであり、焼成温度は℃であり、第１～第４副成分元素は添加剤の種類および第１～第４副成分元素のモル数を示す。例えば、第１－１試験例において、第１副成分元素ＭｎＯ２の０．２モルはＭｎ ０．２モル、第１副成分元素Ｖ２Ｏ５の０．２モルはＶ０．２モル、第２副成分元素ＭｇＣＯ３の０．６モルはＭｇ０．６モル、第３副成分元素Ｄｙ２Ｏ３の３．０モルはＤｙ３．０モル、第３副成分元素Ｔｂ４Ｏ７の０．２モルはＴｂ０．２モル、第４副成分元素ＳｉＯ２の１．２モルはＳｉ１．２モルに相当する。
【0163】
主成分の母材として、平均粒径が１００、１５０、２００ｎｍのＢａＴｉＯ３粉末を使用した。ジルコニアビーズ（ｂｅａｄｓ）を混合／分散メディア（ｍｅｄｉａ）として用いて、表１、３、及び５に明示された組成に相当する副成分元素を含む原料粉末と、主成分のＢａＴｉＯ３粉末をエタノール／トルエン溶媒、そして分散剤と共に混合して１０時間ミリング（ｍｉｌｌｉｎｇ）し、バインダーを混合した後、さらに５時間ミリング（ｍｉｌｌｉｎｇ）してスラリー（ｓｌｕｒｒｙ）を作製した。このように製造されたスラリーは、シート（ｓｈｅｅｔ）製造用成形機を用いて３．０μｍと１０μｍの厚さで成形シートを製造した。その後、成形シートにニッケル（Ｎｉ）内部電極印刷を行った。上・下部のカバーは、カバー用シート（１０μｍ以上１３μｍ以下の厚さ）を２５層に積層して作製し、２１層の印刷されたシートを加圧して積層してバー（ｂａｒ）を作製した。圧着バーは、切断機を用いて３２１６（長さ×幅：３．２ｍｍ×１．６ｍｍ）サイズのチップ（ｃｈｉｐ）に切断した。作製が完了した３２１６サイズのＭＬＣＣチップに対してか焼を行った後、還元雰囲気０．１％Ｈ２／９９．９％Ｎ２～０．５％Ｈ２／９９．５％Ｎ２（Ｈ２Ｏ／Ｈ２／Ｎ２雰囲気）で１１５０℃～１２００℃の温度で維持時間２時間の条件で焼成した後、１０００℃のＮ２雰囲気で３時間再酸化を行った。ここで、０．１％のＨ２濃度は、酸素分圧測定器において８５０℃の測定環境で起電力６７０ｍＶの条件に相当し、そして０．５％のＨ２濃度は起電力７６０ｍＶの条件に相当する。焼成されたチップに対して銅（Ｃｕ）ペーストでターミネーション（ｔｅｒｍｉｎａｔｉｏｎ）工程及び電極焼成を経て外部電極を完成した。これにより、焼成後の誘電体層の厚さは約２．０μｍであり、内部電極間の誘電体層の層数が２０層である３２１６サイズのＭＬＣＣチップを作製した。
【0164】
表２、４、６のＡは、本体の第３方向の中心における第１及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準として、容量形成部中の誘電体層の平均厚さをｔｄとしたとき、誘電体層のｔｄμｍ×ｔｄμｍの領域のうち断面積が０．０１μｍ２以上でありＳｉを含む二次相１４１ａの個数に相当し、Ｂは、本体の第３方向の中心における第１及び第２方向の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準として、容量形成部中の誘電体層の１μｍ×１μｍの領域のうち、断面積が０．０１μｍ２未満でありＳｉを含む二次相１４１ｂの個数に相当する。
【0165】
誘電率及び誘電損失（ＤＦ）は、ＭＬＣＣチップの常温静電容量をＬＣＲ ｍｅｔｅｒを用いて１ｋＨｚ、ＡＣ０．５Ｖ／μｍの条件で容量又は容量変化率を測定し、静電容量とＭＬＣＣチップの誘電体層の厚さ、内部電極の面積、誘電体層の積層数からＭＬＣＣチップの誘電率を計算して記載したものである。誘電率は２２００以上の場合、優れると評価し、２２００未満の場合は不良と評価した。誘電損失（ＤＦ）は１０％以下の場合、優れると評価し、１０％を超える場合は不良と評価した。
【0166】
ＩＲ（常温絶縁抵抗）は、サンプルを１０個ずつ取り、１５０℃の温度での絶縁抵抗値を測定して記載したものである。ＩＲは、１．０Ｅ＋６Ω以上の場合、優れると評価し、１．０Ｅ＋６Ω未満の場合は不良と評価した。
【0167】
ＴＣＣ特性（温度による静電容量の変化）は、２５℃での静電容量を基準として、－５５℃～１２５℃の温度範囲で静電容量変化率を測定して記載した。ＴＣＣ特性は、－５５℃～１２５℃の温度範囲で静電容量変化率が－１５％以上＋１５％以下の場合、優れると評価し、これを外れた場合は不良と評価した。
【0168】
ＤＣ－ｂｉａｓ変化率は、サンプルを１０個ずつ取り、ＤＣ１０Ｖ／μｍを印加した状態で６０秒経過後の容量を測定して容量変化率を記載したものである。ＤＣ－ｂｉａｓ変化率は、－７０％以上の場合（すなわち、基準容量に対する容量変化減少率が－７０％～０％であることを意味する）、優れると評価し、－７０％未満の場合は不良と評価した。
【0169】
ＭＴＴＦは、加速寿命評価（Ｈｉｇｈｌｙ Ａｃｃｅｌｅｒａｔｅｄ Ｌｉｆｅ Ｔｉｍｅ Ｔｅｓｔ、ＨＡＬＴ）で進行し、各試験例当たり４０個の試験片に対して１５０℃で電界４０Ｖ／μｍに相当する電圧を印加し、故障が発生する時間を測定して平均時間（Ｍｅａｎ Ｔｉｍｅ ｔｏ Ｆａｉｌｕｒｅ、ＭＴＴＦ）を算出して記載したものである。ＭＴＴＦは、１００時間以上の場合は優れると評価し、２００時間以上の場合、非常に優れると評価し、１００時間未満の場合は不良と評価した。
【0170】
【表1】
【0171】
【表2】
【0172】
表１の試験例１－１～３－４は、主成分ＢａＴｉＯ３の１００ｍｏｌに対して第１副成分元素であるＭｎ、Ｖの合計が０．４モル、第２副成分元素であるＭｇの含量が０．６モル、第３副成分元素である希土類元素Ｄｙ、Ｔｂの合計が３．２モル、第５副成分Ｓｉの含量が１．２モルであるとき、ＢａＴｉＯ３の平均サイズ及び焼成温度による試験例を示し、表２の試験例１－１～３－４は、これらの試験例に相当するサンプルの特性を示す。母材サイズ１００ｎｍ、１５０ｎｍ、２００ｎｍともに焼成温度１１６０℃で、母材サイズ２００ｎｍは本焼成温度１１７０℃でも（試験例１－１、２－１、３－１、３－２）粒成長及び緻密化が十分に起こらず、本発明の目標特性である誘電率≧２２００、ＩＲ≧１．０Ｅ＋６Ω、ＭＴＴＦ≧１００ｈｒｓを満たすことができなかった。
【0173】
焼成条件に応じて微細構造及び誘電特性、信頼性特性の変化が大きい。１１６０℃のサンプルとは異なり、１１７０℃、１１８０℃の焼成温度を有する場合（試験例１－２、１－３、２－２、２－３、３－３）、粒成長と緻密化が正常範囲で起こるため、誘電率、常温ＩＲ、ＤＣ－ｂｉａｓ変化率、ＭＴＴＦなどを満たすことが分かる。しかし、母材サイズに応じてＭＴＴＦ値の差が顕著に現れる。同じ焼成温度であっても、母材サイズ１００ｎｍのＢａＴｉＯ３を適用したＭＬＣＣが、１５０ｎｍ、２００ｎｍのＢａＴｉＯ３を適用したＭＬＣＣに比べてＭＴＴＦが２倍高いことが確認できた。Ａが１０個以上である試験例は、１００ｎｍのＢａＴｉＯ３を適用したＭＬＣＣであるのに対し、１５０ｎｍ、２００ｎｍのＢａＴｉＯ３を適用したＭＬＣＣは、Ａが０～４個と明確な差を示している。また、Ｂの個数に関して、１００ｎｍのＢａＴｉＯ３を適用したＭＬＣＣは２～３個、１５０ｎｍのＢａＴｉＯ３を適用したＭＬＣＣは６～１５個であり、これも大きな差を示している。このようなＡ及びＢの個数の差によりＭＴＴＦが大幅に向上することが確認できる。
【0174】
母材サイズ１００ｎｍ、１５０ｎｍで作製されたＭＬＣＣは、焼成温度１１９０℃では、いずれも過大な粒成長のためＤＦ＞１０％、ＭＴＴＦ＜１００ｈｒｓとなり、本発明の目標を満たさないことが分かる。２００ｎｍの母材ＭＬＣＣの場合には、１１９０℃でも適正な焼成温度であるため、誘電率、ＩＲ、ＭＴＴＦなど、本発明の目標数値に到達したが、大きなサイズのＢａＴｉＯ３母材を使用したため、ＤＣ－ｂｉａｓ変化率は目標から外れる傾向にあることが確認できる。
【0175】
【表3】
【0176】
【表4】
【0177】
表３の試験例４－１～５－５は、主成分のＢａＴｉＯ３母材１００ｍｏｌに対する第４副成分元素の含量及び母材サイズの変化による試験例を示し、表４は、これらの試験例４－１～５－５に相当するサンプルの特性を示す。第４副成分元素であるＳｉの含量が１モル以下である場合（試験例４－１、５－１）、Ａ値が低いか又は存在しないため、本発明のＭＴＴＦの目標値である１００時間を超えないことが確認された。第４副成分元素であるＳｉを１．２モル～２モルまで増量するほど（試験例４－２、４－３、４－４、５－２、５－３、５－４）誘電率が低くなるが、目標特性である２２００以上を維持し、ＭＴＴＦ特性も満たすことが確認できる。また、Ａ値が１０個以上、Ｂ値が５個以下である（試験例４－２、４－３、４－４）サンプルの特性を確認した結果、目標条件を満たさないサンプル（試験例５－２、５－３、５－４）に比べてＭＴＴＦ特性が１００～２００％ほど増加したことが確認できる。第４副成分元素であるＳｉの含量が３モルと、過剰添加の組成サンプル（試験例４－５、５－５）の場合には、絶縁抵抗の高い第４副成分元素Ｓｉの影響により、加速寿命が非常に高い一方、誘電率が目標特性に及ばなかったことが分かる。
【0178】
【表5】
【0179】
【表6】
【0180】
表５の試験例６－１～７－４は、主成分のＢａＴｉＯ３母材１００ｍｏｌに対して母材サイズ及び第１副成分元素と第３副成分元素の含量変化による試験例を示し、表６は、これらの試験例６－１～７－４に相当するサンプルの特性を示す。第１副成分元素である原子価可変元素Ｍｎ、Ｖが存在しないサンプルは、材料内部にトラップサイト（Ｔｒａｐ ｓｉｔｅ）が著しく少ないため、ＩＲが本発明の目標値よりも低い（試験例６－１、７－１）。しかし、試験例６－１は、７－１に比べてＡ値が高く、Ｂ値が低いため、ＭＴＴＦがより高く評価された。試験例６－２～６－４の場合、Ａ値が１０個以上、Ｂ値が５個以下であり、本発明の高温信頼性の目標特性であるＭＴＴＦ≧１００ｈｒｓを満たすことが確認できる。しかし、試験例６－４は、第１副成分元素の総和が過剰投入された組成であって、ＤＣ－ｂｉａｓ変化率が－７０％以上となり、本発明の目標に到達できないことを確認した。試験例７－２～７－４は、試験例６－２～６－４と同様の組成であるが、Ａ値及びＢ値において明確な差があることが確認できる。すなわち、Ａ値が１０個以上、Ｂ値が５個以下の条件を満たすことができず、高温加速寿命においても大きな差があることが分かる。
【0181】
試験例８－１～９－４は、母材サイズ及び第３副成分元素の含量変化による試験例を示したものである。第３副成分元素である希土類元素を増量するほど誘電率が減少し、材料内部のｎ型化が起こるため、ＩＲが減少することが分かる。しかし、高温加速寿命の評価では、酸素空孔の移動度（ｍｏｂｉｌｉｔｙ）を弱めて、ＭＴＴＦが向上する現象を確認することができる。試験例８－１、８－２、９－１、９－２は、第３副成分元素が少量添加されたＭＬＣＣサンプルであって、第３副成分元素が３モル添加された試験例８－３、９－３よりも高温加速寿命が減少した。実際に、第３副成分元素である希土類元素が添加されて信頼性が向上する現象が確認できる。これには、希土類元素の酸素空孔ｍｏｂｉｌｉｔｙの抑制効果もあるが、希土類元素及びＳｉを含む二次相（ｐｙｒｏｃｈｌｏｒｅ）が形成されて信頼性を高める効果も存在するものと予測される。また、試験例８－３の場合、９－３に比べてＡ値が高く、同じ組成であってもＭＴＴＦが約２．４倍程度の差を示すことが確認できる。第３副成分元素である希土類元素が４モル添加されたサンプル（試験例８－４、９－４）は、誘電体が過度にｎ型化されてＩＲが大きく悪化する結果を示し、本発明の特性条件を満たさないことが確認できる。
【0182】
以上のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は、上述した実施形態及び添付の図面によって限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲によって限定されるものとする。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で、当技術分野における通常の知識を有する者により様々な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属するといえる。
【0183】
また、本発明において使用される「一実施形態」という表現は、互いに同じ実施形態を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかし、上記提示された一実施形態は、他の一実施形態の特徴と結合して実現されることを排除しない。例えば、特定の一実施形態において説明された事項が他の一実施形態に説明されていなくても、他の一実施形態においてその事項と反対又は矛盾する説明がない限り、他の一実施形態に関連する説明として理解することができる。
【0184】
本発明において使用される用語は、単に一実施形態を説明するために使用されたものであり、本発明を限定しようとする意図ではない。このとき、単数の表現は、文脈上明らかに異なる意味を示さない限り、複数の表現を含む。
【符号の説明】
【0185】
１０：コア－シェル誘電体結晶粒
１１：コア
１２：シェル
１００：積層型電子部品
１１０：本体
１１１：誘電体層
１１２、１１３：カバー部
１１４、１１５：サイドマージン部
１２１、１２２：内部電極
１３１、１３２：外部電極
１４１ａ、１４１ｂ：Ｓｉを含む二次相
１１：コア
１２：シェル
１００：積層型電子部品
１１０：本体
１１１：誘電体層
１１２、１１３：カバー部
１１４、１１５：サイドマージン部
１２１、１２２：内部電極
１３１、１３２：外部電極
１４１ａ、１４１ｂ：Ｓｉを含む二次相
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
