特開 2025-9772 プリント回路基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2025009772

(43)【公開日】2025-01-20

(54)【発明の名称】プリント回路基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/16 20060101AFI20250109BHJP

   H05K 1/02 20060101ALI20250109BHJP

   H05K 3/46 20060101ALI20250109BHJP

【ＦＩ】

H05K1/16 D

H05K1/02 C

H05K3/46 N

H05K3/46 B

【審査請求】未請求

【請求項の数】20

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024028410

(22)【出願日】2024-02-28

(31)【優先権主張番号】10-2023-0084666

(32)【優先日】2023-06-30

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

【公序良俗違反の表示】

（特許庁注：以下のものは登録商標）

１．ＢＬＵＥＴＯＯＴＨ

(71)【出願人】

【識別番号】594023722

【氏名又は名称】サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド．

(74)【代理人】

【識別番号】100108453

【弁理士】

【氏名又は名称】村山 靖彦

(74)【代理人】

【識別番号】100110364

【弁理士】

【氏名又は名称】実広 信哉

(72)【発明者】

【氏名】李 栽欣

【テーマコード（参考）】

4E351

5E316

5E338

【Ｆターム（参考）】

4E351AA03

4E351AA04

4E351AA13

4E351BB03

4E351BB33

4E351CC03

4E351CC06

4E351CC07

4E351DD04

4E351DD05

4E351DD06

4E351DD10

4E351DD11

4E351DD12

4E351DD19

4E351GG20

5E316AA32

5E316AA43

5E316BB02

5E316BB03

5E316BB04

5E316CC09

5E316CC10

5E316CC18

5E316CC32

5E316CC33

5E316CC34

5E316CC37

5E316CC38

5E316CC39

5E316CC55

5E316DD02

5E316DD17

5E316DD23

5E316DD24

5E316DD33

5E316EE33

5E316HH22

5E338AA03

5E338AA16

5E338AA18

5E338BB13

5E338BB19

5E338BB25

5E338CC01

5E338CC04

5E338CC06

5E338EE22

5E338EE31

(57)【要約】      （修正有）

【課題】デザイン上の制約なしに所望のサイズ及び容量のキャパシタを形成することができるプリント回路基板を提供する。
【解決手段】プリント回路基板１００Ａは、ガラス層１１０と、ガラス層の上面上に配置された第１配線層１２０と、ガラス層の上面から下面に向かってガラス層の一部をそれぞれ貫通する複数のブラインドホールＶＨ、ガラス層の上面上に配置され、複数のブラインドホールのそれぞれの内部に延長された第１電極層１５１、第１電極層上に配置され、複数のブラインドホールのそれぞれを充填する第２電極層１５２並びに第１電極層及び第２電極層の間に配置された第１誘電体層１５３を含むキャパシタ１５０と、を含む。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ガラス層と、
前記ガラス層の上面上に配置された第１配線層と、
前記ガラス層の上面から下面に向かって前記ガラス層の一部をそれぞれ貫通する複数のブラインドホール、前記ガラス層の上面上に配置され、前記複数のブラインドホールのそれぞれの内部に延長された第１電極層、前記第１電極層上に配置され、前記複数のブラインドホールのそれぞれを充填する第２電極層、並びに前記第１電極層及び前記第２電極層の間に配置された第１誘電体層、を含むキャパシタと、を含む、プリント回路基板。

【請求項2】

前記ガラス層の上面上において、
前記第１配線層と前記第１電極層と前記第２電極層は、厚さが異なる、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項3】

前記ガラス層の上面上において、
前記第１配線層は、前記第２電極層より厚さが厚く、
前記第２電極層は、前記第１電極層より厚さが厚い、請求項２に記載のプリント回路基板。

【請求項4】

前記ガラス層の上面上において、
前記第１電極層の少なくとも一部は、前記第２電極層で覆われないように水平方向に延長されている、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項5】

前記第１配線層は、前記ガラス層の上面上に配置された第１シード層及び前記第１シード層の上面上に配置された第１金属層を含む、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項6】

前記ガラス層の上面上において、
前記第１シード層は、前記第１電極層と厚さが実質的に同一であり、
前記第１金属層は、前記第２電極層より厚さが厚い、請求項５に記載のプリント回路基板。

【請求項7】

前記ガラス層の下面上に配置された第２配線層をさらに含み、
前記第２配線層は、前記ガラス層の下面上に配置された第２シード層及び前記第２シード層の下面上に配置された第２金属層を含む、請求項５に記載のプリント回路基板。

【請求項8】

前記ガラス層を貫通し、前記第１配線層及び前記第２配線層のそれぞれの少なくとも一部を互いに連結する貫通ビアをさらに含み、
前記貫通ビアは、前記ガラス層の上面から下面まで前記ガラス層を貫通する貫通孔、前記貫通孔の壁面上に配置された第３シード層、前記第３シード層上に配置された第２誘電体層、前記第２誘電体層上に配置された第４シード層、及び前記第４シード層上に配置され、前記貫通孔を充填する第３金属層、を含む、請求項７に記載のプリント回路基板。

【請求項9】

前記第１及び第２誘電体層は、互いに同じ絶縁材を含む、請求項８に記載のプリント回路基板。

【請求項10】

前記第１及び第２シード層のそれぞれと前記第３シード層との連結部位には境界が存在せず、
前記第１金属層及び前記第２金属層のそれぞれと前記第３金属層との連結部位には境界が存在する、請求項８に記載のプリント回路基板。

【請求項11】

前記第４シード層及び前記第３金属層のそれぞれの少なくとも一部は、前記第３シード層及び前記第２誘電体層のそれぞれより上側にさらに突出し、
前記第４シード層及び前記第３金属層のそれぞれの他の少なくとも一部は、前記第３シード層及び前記第２誘電体層のそれぞれより下側にさらに突出する、請求項８に記載のプリント回路基板。

【請求項12】

前記第４シード層及び第３金属層のそれぞれの少なくとも一部、及び他の少なくとも一部のさらに突出した厚さは、前記第１及び第２誘電体層のそれぞれの厚さと実質的に同一である、請求項１１に記載のプリント回路基板。

【請求項13】

前記ガラス層の上面上に配置された１層以上の第１ビルドアップ絶縁層と、
前記１層以上の第１ビルドアップ絶縁層上又は内にそれぞれ配置された１層以上の第１ビルドアップ配線層と、
前記１層以上の第１ビルドアップ絶縁層のうち少なくとも一つをそれぞれ貫通する１層以上の第１ビルドアップビア層と、
前記ガラス層の下面上に配置された１層以上の第２ビルドアップ絶縁層と、
前記１層以上の第２ビルドアップ絶縁層上又は内にそれぞれ配置された１層以上の第２ビルドアップ配線層と、
前記１層以上の第２ビルドアップ絶縁層のうち少なくとも一つをそれぞれ貫通する１層以上の第２ビルドアップビア層と、
前記１層以上の第１ビルドアップ絶縁層のうち最上側に配置された第１ビルドアップ絶縁層上に配置された第１レジスト層と、
前記１層以上の第２ビルドアップ絶縁層のうち最下側に配置された第２ビルドアップ絶縁層上に配置された第２レジスト層と、をさらに含む、請求項８に記載のプリント回路基板。

【請求項14】

前記第２電極層は、前記第１誘電体層上に配置された第５シード層及び前記第５シード層上に配置され、前記複数のブラインドホールのそれぞれを充填する第４金属層を含み、
前記ガラス層の上面上において、
前記第４金属層は、前記第５シード層より厚さが厚い、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項15】

前記ガラス層は、板ガラス（ｐｌａｔｅ ｇｌａｓｓ）を含む、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項16】

前記第１配線層の上面は、前記第２電極層の上面とは異なるレベルに配置された、請求項１に記載のプリント回路基板。

【請求項17】

ガラス層と、
前記ガラス層の上面から下面まで前記ガラス層を貫通する貫通孔と、
前記ガラス層の上面から下面に向かって前記ガラス層の一部をそれぞれ貫通する複数のブラインドホールと、
前記ガラス層の上面及び下面上に配置され、前記貫通孔の壁面及び前記複数のブラインドホールのそれぞれの壁面及び底面上に延長された第１導体層と、
前記第１導体層上に配置され、前記貫通孔及び前記複数のブラインドホールのそれぞれを充填する第３導体層と、
前記ガラス層の上面、前記貫通孔の壁面、及び前記複数のブラインドホールのそれぞれの壁面及び底面上において、前記第１導体層及び前記第３導体層の間に配置された誘電体層と、を含む、プリント回路基板。

【請求項18】

前記第３導体層は、前記第１導体層の少なくとも一部上に配置され、前記貫通孔及び前記複数のブラインドホールのそれぞれを充填する第３－１導体層、及び前記第１導体層の他の少なくとも一部上に配置され、前記第３－１導体層の前記貫通孔を充填する部分を覆う第３－２導体層、を含み、
前記ガラス層の上面上において、
前記第３－２導体層は、前記第３－１導体層より厚さが厚い、請求項１７に記載のプリント回路基板。

【請求項19】

前記ガラス層の上面上において、
前記第１導体層のさらに他の少なくとも一部は、前記第３－１導体層で覆われないように水平方向に延長されている、請求項１８に記載のプリント回路基板。

【請求項20】

前記誘電体層及び前記第３－１導体層の間に配置された第２導体層をさらに含む、請求項１８に記載のプリント回路基板。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明はプリント回路基板に関する。

【背景技術】

【0002】

最近、パッケージ技術は絶えず発展しており、特に伝統的な基板作製方式である有機（ｏｒｇａｎｉｃ）材料から脱却してガラス（ｇｌａｓｓ）材料を使用しようとする試みが続いている。また、最近のパッケージ基板の場合、パワー特性を改善するために、チップキャパシタやシリコンキャパシタなどの受動素子を基板の外部に実装し、又は基板のコアに貫通キャビティやブラインドキャビティを形成した後にチップキャパシタやシリコンキャパシタなどの受動素子を埋め込む構造を採用している。但し、この場合、受動素子の実装又は埋め込み工程を追加しなければならず、受動素子のサイズに合わせてキャビティを形成しなければならないため、デザイン的な制約が発生することがある。また、多数の受動素子を実装する場合、工程の難易度が高くなる可能性がある。さらに、基板の厚さが厚い場合、キャビティ加工や埋め込み工程の難易度が高くなる可能性がある。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0003】

本発明のいくつかの目的の一つは、デザイン上の制約なしに所望のサイズ及び容量のキャパシタを形成することができるプリント回路基板を提供することである。

【0004】

本発明のいくつかの目的の他の一つは、キャビティ加工及び埋め込み工程を省略することができるプリント回路基板を提供することである。

【0005】

本発明のいくつかの目的のさらに他の一つは、絶縁厚さの散布の面でより優れた効果を有することができるプリント回路基板を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明を通じて提案するいくつかの解決手段のうち一つは、ガラスコアに直接配線層と貫通ビアとキャパシタを形成することである。

【0007】

例えば、一例によるプリント回路基板は、ガラス層と、上記ガラス層の上面上に配置された第１配線層と、上記ガラス層の上面から下面に向かって上記ガラス層の一部をそれぞれ貫通する複数のブラインドホール、上記ガラス層の上面上に配置され、上記複数のブラインドホールのそれぞれの内部に延長された第１電極層、上記第１電極層上に配置され、上記複数のブラインドホールのそれぞれを充填する第２電極層、並びに上記第１及び第２電極層の間に配置された第１誘電体層、を含むキャパシタと、を含むものであってもよい。

【0008】

あるいは、一例によるプリント回路基板は、ガラス層と、上記ガラス層の上面から下面まで上記ガラス層を貫通する貫通孔と、上記ガラス層の上面から下面に向かって上記ガラス層の一部をそれぞれ貫通する複数のブラインドホールと、上記ガラス層の上面及び下面上に配置され、上記貫通孔の壁面及び上記複数のブラインドホールのそれぞれの壁面と底面上に延長された第１導体層と、上記第１導体層上に配置され、上記貫通孔及び上記複数のブラインドホールのそれぞれを充填する第３導体層と、上記ガラス層の上面、上記貫通孔の壁面、及び上記複数のブラインドホールのそれぞれの壁面と底面上において、上記第１及び第３導体層の間に配置された誘電体層と、を含むものであってもよい。

【発明の効果】

【0009】

本発明の様々な効果のうち、一効果として、デザイン上の制約なしに所望のサイズ及び容量のキャパシタを形成することができるプリント回路基板を提供することができる。

【0010】

本発明の様々な効果のうち、他の一効果として、キャビティ加工及び埋め込み工程を省略することができるプリント回路基板を提供することができる。

【0011】

本発明の様々な効果のうち、さらに他の一効果として、絶縁厚さの散布の面でより優れた効果を有することができるプリント回路基板を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】電子機器システムの例を概略的に示すブロック図である。

【図2】電子機器の一例を概略的に示す斜視図である。

【図3】プリント回路基板の一例を概略的に示す斜視図である。

【図4】図３のプリント回路基板のトップビューを概略的に示す平面図である。

【図5a】図３のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程断面図である。

【図5b】図３のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程断面図である。

【図5c】図３のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程断面図である。

【図5d】図３のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程断面図である。

【図5e】図３のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程断面図である。

【図5f】図３のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程断面図である。

【図5g】図３のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程断面図である。

【図5h】図３のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程断面図である。

【図5i】図３のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程断面図である。

【図5j】図３のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程断面図である。

【図5k】図３のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程断面図である。

【図5l】図３のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程断面図である。

【図5m】図３のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程断面図である。

【図5n】図３のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程断面図である。

【図6】プリント回路基板の他の一例を概略的に示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

以下、添付の図面を参照して本発明について説明する。図面における要素の形状及びサイズなどは、より明確な説明のために誇張又は縮小することができる。

【0014】

電子機器
図１は、電子機器システムの例を概略的に示すブロック図である。

【0015】

図面を参照すると、電子機器１０００はメインボード１０１０を収容する。メインボード１０１０には、チップ関連部品１０２０、ネットワーク関連部品１０３０、及びその他の部品１０４０などが物理的及び／又は電気的に連結されている。これらは後述する他の電子部品とも結合して様々な信号ライン１０９０を形成する。

【0016】

チップ関連部品１０２０としては、揮発性メモリ（例えば、ＤＲＡＭ）、不揮発性メモリ（例えば、ＲＯＭ）、フラッシュメモリなどのメモリチップ；セントラルプロセッサ（例えば、ＣＰＵ）、グラフィックプロセッサ（例えば、ＧＰＵ）、デジタル信号プロセッサ、暗号化プロセッサ、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラなどのアプリケーションプロセッサチップ；アナログ－デジタルコンバータ、ＡＳＩＣ（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ－ｓｐｅｃｉｆｉｃ ＩＣ）などのロジックチップなどが含まれるが、これらに限定されるものではなく、これら以外にもその他の異なる形態のチップ関連電子部品が含まれてもよいことは言うまでもない。また、これらのチップ関連部品１０２０を互いに組み合わせてもよいことは勿論である。チップ関連部品１０２０は、上述したチップや電子部品を含むパッケージ形態であってもよい。

【0017】

ネットワーク関連部品１０３０としては、Ｗｉ－Ｆｉ（ＩＥＥＥ ８０２．１１ファミリなど）、ＷｉＭＡＸ（ＩＥＥＥ ８０２．１６ファミリなど）、ＩＥＥＥ ８０２．２０、ＬＴＥ（ｌｏｎｇ ｔｅｒｍ ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）、Ｅｖ－ＤＯ、ＨＳＰＡ＋、ＨＳＤＰＡ＋、ＨＳＵＰＡ＋、ＥＤＧＥ、ＧＳＭ、ＧＰＳ、ＧＰＲＳ、ＣＤＭＡ、ＴＤＭＡ、ＤＥＣＴ、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ、３Ｇ、４Ｇ、５Ｇ、及びそれ以降のものとして指定された任意の他の無線及び有線プロトコルが含まれるが、これらに限定されるものではなく、これら以外にも、その他の異なる多数の無線又は有線標準やプロトコルのうち任意のものが含まれてもよい。また、ネットワーク関連部品１０３０をチップ関連部品１０２０と併せて互いに組み合わせてもよいことは言うまでもない。

【0018】

その他の部品１０４０としては、高周波インダクタ、フェライトインダクタ、パワーインダクタ、フェライトビーズ、ＬＴＣＣ（ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ－Ｆｉｒｉｎｇ Ｃｅｒａｍｉｃｓ）、ＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）フィルタ、ＭＬＣＣ（Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃｏｎｄｅｎｓｅｒ）などが含まれる。但し、これらに限定されるものではなく、これら以外にも、その他の異なる様々な用途のために使用されるチップ部品形態の受動素子などが含まれてもよい。また、その他の部品１０４０をチップ関連部品１０２０及び／又はネットワーク関連部品１０３０と互いに組み合わせてもよいことは言うまでもない。

【0019】

電子機器１０００の種類に応じて、電子機器１０００は、メインボード１０１０に物理的及び／又は電気的に連結されているか又はされていない他の電子部品を含むことができる。他の電子部品の例としては、カメラモジュール１０５０、アンテナモジュール１０６０、ディスプレイ１０７０、バッテリ１０８０などがある。但し、これらに限定されるものではなく、オーディオコーデック、ビデオコーデック、電力増幅器、羅針盤、加速度計、ジャイロスコープ、スピーカ、大容量記憶装置（例えば、ハードディスクドライブ）、ＣＤ（ｃｏｍｐａｃｔ ｄｉｓｋ）、ＤＶＤ（ｄｉｇｉｔａｌ ｖｅｒｓａｔｉｌｅ ｄｉｓｋ）などであってもよい。これら以外にも、電子機器１０００の種類に応じて様々な用途のために使用されるその他の電子部品などが含まれてもよいことは言うまでもない。

【0020】

電子機器１０００は、スマートフォン（ｓｍａｒｔ ｐｈｏｎｅ）、個人用情報端末機（ｐｅｒｓｏｎａｌ ｄｉｇｉｔａｌ ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、デジタルビデオカメラ（ｄｉｇｉｔａｌ ｖｉｄｅｏ ｃａｍｅｒａ）、デジタルスチルカメラ（ｄｉｇｉｔａｌ ｓｔｉｌｌ ｃａｍｅｒａ）、ネットワークシステム（ｎｅｔｗｏｒｋ ｓｙｓｔｅｍ）、コンピュータ（ｃｏｍｐｕｔｅｒ）、モニタ（ｍｏｎｉｔｏｒ）、タブレット（ｔａｂｌｅｔ）、ラップトップ（ｌａｐｔｏｐ）、ネットブック（ｎｅｔｂｏｏｋ）、テレビ（ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ）、ビデオゲーム（ｖｉｄｅｏ ｇａｍｅ）、スマートウォッチ（ｓｍａｒｔ ｗａｔｃｈ）、オートモーティブ（Ａｕｔｏｍｏｔｉｖｅ）などであってもよい。但し、これらに限定されるものではなく、これら以外にも、データを処理する任意の他の電子機器であってもよいことは言うまでもない。

【0021】

図２は、電子機器の一例を概略的に示す斜視図である。

【0022】

図面を参照すると、電子機器は、例えば、スマートフォン１１００であってもよい。スマートフォン１１００の内部には、マザーボード１１１０が収容されており、このようなマザーボード１１１０には、様々な部品１１２０が物理的及び／又は電気的に連結されている。また、カメラモジュール１１３０及び／又はスピーカ１１４０のようにマザーボード１１１０に物理的及び／又は電気的に連結されているか又はされていない他の部品が内部に収容されている。部品１１２０のうち一部は、上述したチップ関連部品であってもよく、例えば、部品パッケージ１１２１であってもよいが、これに限定されるものではない。部品パッケージ１１２１は、能動部品及び／又は受動部品を含む電子部品が表面実装配置されたプリント回路基板の形態であってもよい。あるいは、部品パッケージ１１２１は、能動部品及び／又は受動部品が内蔵されたプリント回路基板の形態であってもよい。一方、電子機器は必ずしもスマートフォン１１００に限定されるものではなく、上述したように他の電子機器であってもよいことは言うまでもない。

【0023】

プリント回路基板
図３は、プリント回路基板の一例を概略的に示す斜視図であり、図４は、図３のプリント回路基板のトップビューを概略的に示す平面図である。

【0024】

図面を参照すると、一例によるプリント回路基板１００Ａは、ガラス層１１０、ガラス層１１０の上面上に配置された第１配線層１２０、ガラス層１１０の下面上に配置された第２配線層１３０、ガラス層１１１０を貫通し、第１及び第２配線層１２０、１３０のそれぞれの少なくとも一部を連結する貫通ビア１４０、及びガラス層１１０の上面上に配置され、ガラス層１１０の少なくとも一部を貫通するキャパシタ１５０を含むことができる。

【0025】

第１配線層１２０は、ガラス層１１０の上面上に配置された第１シード層１２１と、第１シード層１２１の上面上に配置された第１金属層１２２とを含むことができる。第２配線層１３０は、ガラス層１１０の下面上に配置された第２シード層１３１と、第２シード層１３１の下面上に配置された第２金属層１３２とを含むことができる。貫通ビア１４０は、ガラス層１１０の上面から下面までガラス層１１０を貫通する貫通孔ＴＨと、貫通孔ＴＨの壁面上に配置された第３シード層１４１と、第３シード層１４１上に配置された第２誘電体層１４３と、第２誘電体層１４３上に配置された第４シード層１４５と、第４シード層１４５上に配置され、貫通孔ＴＨを充填する第３金属層１４２とを含むことができる。キャパシタ１５０は、ガラス層１１０の上面から下面に向かってガラス層１１０の一部をそれぞれ貫通する複数のブラインドホールＶＨと、ガラス層１１０の上面上に配置され、複数のブラインドホールＶＨのそれぞれの内部に延長される第１電極層１５１と、第１電極層１５１上に配置され、複数のブラインドホールＶＨのそれぞれを充填する第２電極層１５２と、第１及び第２電極層１５１、１５２の間に配置された第１誘電体層１５３とを含むことができる。第２電極層１５２は、第１誘電体層１５３上に配置された第５シード層１５２－１と、第５シード層１５２－１上に配置され、複数のブラインドホールＶＨのそれぞれを充填する第４金属層１５２－２とを含むことができる。

【0026】

第１～第３シード層１２１、１３１、１４１は、第１電極層１５１と同じ金属を含むことができる。例えば、第１～第３シード層１２１、１３１、１４１及び第１電極層１５１は、化学銅めっきのような無電解めっきで形成することができる。例えば、第１～第３シード層１２１、１３１、１４１及び第１電極層１５１は、第１導体層Ｍ１であってもよい。第１～第３シード層１２１、１３１、１４１は、１回のめっき工程で形成されることができるため、第１及び第２シード層１２１、１３１のそれぞれと第３シード層１４１との連結部位には境界が存在しない可能性がある。すなわち、互いに一体に形成されることができる。第４及び第５シード層１４５、１５２－１は互いに同じ金属を含むことができる。例えば、第４及び第５シード層１４５、１５２－１は、化学銅めっきのような無電解めっきで形成されてもよい。第４及び第５シード層１４５、１５２－１は、１回のめっき工程で形成することができる。例えば、第４及び第５シード層１４５、１５２－１は、第２導体層Ｍ２であってもよい。

【0027】

第１～第４金属層１２２、１３２、１４２、１５２－２は、互いに同じ金属を含むことができる。例えば、第１～第４金属層１２２、１３２、１４２、１５２－２は、電気銅めっきのような電解めっきで形成することができる。例えば、第１～第４金属層１２２、１３２、１４２、１５２－２は第３導体層Ｍ３であってもよい。第１及び第２金属層１２２、１３２と第３金属層１４２は、２回のめっき工程で形成することができるため、第１及び第２金属層１２２、１３２のそれぞれと第３金属層１４２との連結部位には境界が存在する可能性がある。例えば、第３及び第４金属層１４２、１５２－２は第３－１導体層Ｍ３－１であることができ、第３－１導体層Ｍ３－１は第１導体層Ｍ１の少なくとも一部上に配置され、貫通孔ＴＨ及び複数のブラインドホールＶＨのそれぞれを充填することができる。また、第１及び第２金属層１２２、１３２は第３－２導体層Ｍ３－２であることができ、第３－２導体層Ｍ３－２は第１導体層Ｍ１の他の少なくとも一部上に配置され、第３－１導体層Ｍ３－１の貫通孔ＴＨを充填する部分を覆うことができる。第３－１及び第３－２導体層Ｍ３－１、Ｍ３－２は連結部位に境界を有することができる。

【0028】

第１及び第２誘電体層１５３、１４３は、互いに同じ絶縁材を含むことができる。例えば、第１及び第２誘電体層１５３、１４３は同じコーティング工程で形成することができる。例えば、第１及び第２誘電体層１５３、１４３は、１回のコーティング工程によって同時に形成できる。例えば、誘電体層Ｄは、第１及び第２誘電体層１５３、１４３を含むことができる。したがって、第１及び第２誘電体層１５３、１４３は、厚さが実質的に同一であり得る。

【0029】

第４シード層１４５及び第３金属層１４２のそれぞれの少なくとも一部は、第３シード層１４１及び第２誘電体層１４３のそれぞれより上側にさらに突出することができる。第４シード層１４５及び第３金属層１４２のそれぞれの他の少なくとも一部は、第３シード層１４１及び第２誘電体層１４３のそれぞれより下側にさらに突出することができる。第４シード層１４５及び第３金属層１４２のそれぞれのより突出した厚さは、第１及び第２誘電体層１５３、１４３のそれぞれの厚さと実質的に同一であってもよい。

【0030】

ガラス層１１０の上面上において、第１配線層１２０と第１電極層１５１と第２電極層１５２とは厚さが互いに異なってもよい。より具体的には、ガラス層１１０の上面上において、第１配線層１２０は第１及び第２電極層１５１、１５２のそれぞれより厚さが厚くてもよく、第２電極層１５２は第１電極層１５１より厚さが厚くてもよい。例えば、ガラス層１１０の上面上において、第１シード層１２１は、第１電極層１５１と厚さが実質的に同一であってもよく、第１金属層１２２は第２電極層１５２より厚さが厚くてもよい。例えば、ガラス層１１０の上面上において、第３－２導体層Ｍ３－２は、第３－１導体層Ｍ３－１より厚さが厚くてもよい。例えば、第１配線層１２０の上面は、第２電極層１５２の上面とは異なるレベルに配置されてもよい。例えば、第１配線層１２０の上面は、第２電極層１５２の上面より上部に配置されてもよい。

【0031】

ガラス層１１０の上面上において第１電極層１５１の少なくとも一部は、第２電極層１５２で覆われないように水平方向に延長されることができる。例えば、ガラス層１１０の上面上において第１導体層Ｍ１のさらに他の少なくとも一部は、第３－１導体層Ｍ３－１で覆われないように水平方向に延長されてもよい。ガラス層１１０の上面上において、第１電極層１５１と第２電極層１５２と第１誘電体層１５３は段差構造を有することができる。

【0032】

このような構造のプリント回路基板１００Ａは、ガラス層１１０をコア層として含む有機（ｏｒｇａｎｉｃ）材料を脱却してガラス（ｇｌａｓｓ）材料を使用する場合の様々な利点を有することができる。また、シリコン（ｓｉｌｉｃｏｎ）コア層を含む基板の場合、キャパシタが埋め込まれた基板構造であっても、断面のみで回路形成が可能であり、コア層に内蔵されたキャパシタの場合、シリコンと金属との間に絶縁材を追加しなければならないのに対し、ガラス（ｇｌａｓｓ）コア層を含む一例によるプリント回路基板１００Ａは、両面回路形成が可能であり、さらにガラス（ｇｌａｓｓ）自体が絶縁機能を果たすことができるため、コア層に内蔵されたキャパシタにおいて、更なる絶縁材の形成を省略することができる。すなわち、層数を減らすことができる。

【0033】

また、このような構造のプリント回路基板１００Ａは、ガラス層１１０に直接第１及び第２配線層１２０、１３０と貫通ビア１４０とキャパシタ１５０を形成することができるため、デザイン上の制約なしに所望のサイズ及び容量のキャパシタを形成することができ、微細回路をより容易に形成することができる。また、キャパシタ埋め込みのためのキャビティ加工及び埋め込み工程を省略することができ、この場合、埋め込み時に非対称的に体積を占めるキャビティがないため、絶縁厚さの散布の面でより優れた効果を有することができる。また、一例によるプリント回路基板１００Ａは、微細回路及びキャパシタを含むことができるため、ＦＣＢ（Ｆｌｉｐ Ｃｈｉｐ Ｂｏｎｄｉｎｇ）基板やＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）基板などに実装されて配置されるガラスインターポーザ（Ｇｌａｓｓ Ｉｎｔｅｒｐｏｓｅｒ）として用いられることができ、この場合、一例によるプリント回路基板１００Ａ上には複数の半導体チップが実装されて配置されてもよい。

【0034】

以下では、図面を参照して一例によるプリント回路基板１００Ａの構成要素についてより詳細に説明する。

【0035】

ガラス層１１０は、非結晶質固体であるガラスを含むことができる。ガラスは、例えば、純粋な二酸化ケイ素（約１００％のＳｉＯ_２）、ソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、アルミノケイ酸塩ガラス（ａｌｕｍｉｎｏ－ｓｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ）などを含むことができる。但し、これに限定されるものではなく、代替的なガラス材料である、例えば、フッ素ガラス、リン酸ガラス、カルコゲンガラスなども材料として使用されることができる。また、特定の物理的特性を有するガラスを形成するために、その他の添加剤をさらに含むこともできる。このような添加剤は、炭酸カルシウム（例えば、石灰）及び炭酸ナトリウム（例えば、ソーダ）だけでなく、マグネシウム、カルシウム、マンガン、アルミニウム、鉛、ホウ素、鉄、クロム、カリウム、硫黄及びアンチモンと、このような元素、並びに他の元素の炭酸塩及び／又は酸化物を含むことができる。

【0036】

ガラス層１１０は、ガラス繊維（Ｇｌａｓｓ Ｆｉｂｅｒ、Ｇｌａｓｓ Ｃｌｏｔｈ、Ｇｌａｓｓ Ｆａｂｒｉｃ）などを含む有機絶縁材料、例えば、ＣＣＬ（Ｃｏｐｐｅｒ Ｃｌａｄ Ｌａｍｉｎａｔｅ）、ＰＰＧ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）などとは区別される層であってもよい。例えば、ガラス層１１０は板ガラス（ｐｌａｔｅ ｇｌａｓｓ）を含むことができる。ガラス層１１０はコア層であってもよい。例えば、ガラスコアであってもよい。

【0037】

貫通孔ＴＨはガラス層１１０を厚さ方向に貫通することができる。例えば、貫通孔ＴＨは、ガラス層１１０の上面及び下面の間を貫通することができる。貫通孔ＴＨは一つ以上のホールを有することができる。貫通孔ＴＨは楕円柱や円柱の形態であってもよいが、これに限定されるものではなく、砂時計状の柱形態などであってもよい。

【0038】

ブラインドホールＶＨは、ガラス層１１０を厚さ方向に一部貫通することができる。例えば、ブラインドホールＶＨは、ガラス層１１０の上面から下面に向かってその間を一部貫通することができる。ブラインドホールＶＨは複数個であってもよい。ブラインドホールＶＨは楕円柱や円柱の形態であってもよいが、これに限定されるものではなく、砂時計状の柱形態などであってもよい。また、底面のエッジが丸みを帯びた形態であってもよい。

【0039】

第１及び第２配線層１２０、１３０は、それぞれ設計デザインに応じて様々な機能を果たすことができる。例えば、信号パターン、パワーパターン、グランドパターンなどを含むことができ、これらのパターンは、それぞれライン（又はトレース）、プレーン（又はプレート）、パッド（又はランド）などの様々な形態を有することができる。第１及び第２配線層１２０、１３０は、それぞれ無電解めっき層（又は化学銅）及び電解めっき層（又は電気銅）を含むことができる。必要に応じて、無電解めっき層（又は化学銅）の代わりにスパッタリング層を含んでもよく、無電解めっき層（又は化学銅）とスパッタリング層の両方を含んでもよい。

【0040】

貫通ビア１４０は、設計デザインに応じて様々な機能を果たすことができる。例えば、グランドビア、パワービア、信号ビアなどを含むことができる。貫通ビア１４０は、無電解めっき層（又は化学銅）及び電解めっき層（又は電気銅）を含むことができる。必要に応じて、無電解めっき層（又は化学銅）の代わりにスパッタリング層を含んでもよく、無電解めっき層（又は化学銅）とスパッタリング層の両方を含んでもよい。

【0041】

キャパシタ１５０は、複数のブラインドホールＶＨと第１電極層１５１と第２電極層１５２と第１誘電体層１５３を介して電気容量を電気的電位エネルギーで蓄積することができる。例えば、充電と放電が繰り返される特性を利用して電圧を充電し、電流を出力する電子素子として機能することができる。これにより、不安定な電源を安定させることができ、ノイズを除去することができる。また、直流を遮断して交流を通過させることもできる。さらに、半導体チップの安定した作動のために使用されることができる。

【0042】

第１～第５シード層１２１、１３１、１４１、１４５、１５２－１及び第１電極層１５１は、それぞれ銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／又はこれらの合金などを含むことができ、好ましくは、銅（Ｃｕ）を含むことができるが、これに限定されるものではない。第１～第３シード層１２１、１３１、１４１は、互いに連結部位に境界を有さない一体化した層であってもよい。第１～第５シード層１２１、１３１、１４１、１４５、１５２－１及び第１電極層１５１は、それぞれ無電解めっき（例えば、化学銅めっき）及び／又はスパッタリングで形成することができる。

【0043】

第１～第４金属層１２２、１３２、１４２、１５２－２は、それぞれ銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／又はこれらの合金などを含むことができ、好ましくは、銅（Ｃｕ）を含むことができるが、これに限定されるものではない。第１～第４金属層１２２、１３２、１４２、１５２－２は、それぞれ電解めっき（例えば、電気銅めっき）で形成することができる。第１～第５シード層１２１、１３１、１４１、１４５、１５２－１及び第１電極層１５１のそれぞれは、第１～第４金属層１２２、１３２、１４２、１５２－２のそれぞれより厚さが薄くてもよい。

【0044】

第１及び第２誘電体層１５３、１４３は、絶縁性や比誘電率の観点から、アルミナ、シリカ、シリコンニトライド、タンタルオキシド、酸化チタン、チタン酸カルシウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウムなどを少なくとも一つ含むことができる。但し、これに限定されるものではなく、有機高分子絶縁材を含むこともできる。

【0045】

図５ａ～図５ｎは、図３のプリント回路基板の製造の一例を概略的に示す工程断面図である。

【0046】

図５ａを参照すると、ガラス層１１０を用意し、ガラス層１１０に貫通孔ＴＨと複数のブラインドホールＶＨを形成する。貫通孔ＴＨと複数のブラインドホールＶＨは、レーザ加工、機械的加工、化学的加工など様々な方法で形成することができる。

【0047】

図５ｂを参照すると、ガラス層１１０の上面及び下面、貫通孔ＴＨの壁面、並びに複数のブラインドホールＶＨのそれぞれの壁面及び底面上に第１導体層Ｍ１を形成する。第１導体層Ｍ１は、無電解めっき、例えば、化学銅めっきで形成することができる。必要に応じて、スパッタリングで形成されてもよい。

【0048】

図５ｃを参照すると、第１導体層Ｍ１上に誘電体層Ｄを形成する。誘電体層Ｄは、公知のコーティング工程によって薄膜の形態で形成することができる。

【0049】

図５ｄを参照すると、誘電体層Ｄ上に第２導体層Ｍ２を形成する。第２導体層Ｍ２は、無電解めっき、例えば、化学銅めっきで形成されることができる。必要に応じて、スパッタリングで形成されてもよい。

【0050】

図５ｅを参照すると、第２導体層Ｍ２上に第３－１導体層Ｍ３－１を形成する。第３－１導体層Ｍ３－１は、貫通孔ＴＨ及び複数のブラインドホールＶＨを充填することができる。第３－１導体層Ｍ３－１は、電解めっき、例えば、電気銅めっきで形成されてもよい。

【0051】

図５ｆを参照すると、第３－１導体層Ｍ３－１の一部上に第１ドライフィルム２１０を形成する。第１ドライフィルム２１０は、未硬化の絶縁フィルムを付着した後、硬化して形成することができるが、これに限定されるものではなく、コーティング工程で形成することもできる。

【0052】

図５ｇを参照すると、エッチング工程が行う。エッチングにより、第１ドライフィルム２１０で覆われた領域を除く残りの領域から、第２及び第３－１導体層Ｍ２、Ｍ３－１が除去されることができる。

【0053】

図５ｈを参照すると、第１ドライフィルム２１０を剥離し、ガラス層１１０の上面及び下面上に配置されて露出した誘電体層Ｄの一部をエッチングによって除去する。誘電体層Ｄが除去されると、第１導体層Ｍ１が露出することができる。

【0054】

図５ｉを参照すると、ガラス層１１０の上面及び下面上に回路形成のためのパターニングされた開口を有する第２及び第３ドライフィルム２２０、２３０をそれぞれ形成する。第２及び第３ドライフィルム２２０、２３０は、それぞれ未硬化の絶縁フィルムを付着した後、硬化して形成することができるが、これに限定されるものではなく、コーティング工程で形成することもできる。

【0055】

図５ｊを参照すると、第２及び第３ドライフィルム２２０、２３０のそれぞれのパターニングされた開口を電解めっき、例えば、電気銅めっきで充填して第３－２導体層Ｍ３－２を形成する。

【0056】

図５ｋを参照すると、第２及び第３ドライフィルム２２０、２３０を剥離する。

【0057】

図５ｌを参照すると、第１導体層Ｍ１の一部上に第４ドライフィルム２４０を形成する。第４ドライフィルム２４０は、未硬化の絶縁フィルムを付着した後、硬化して形成することができるが、これに限定されるものではなく、コーティング工程で形成することもできる。

【0058】

図５ｍを参照すると、エッチング工程を行う。エッチングにより、第４ドライフィルム２４０で覆われた領域を除く残りの領域から、第１導体層Ｍ１が除去されることができる。

【0059】

図５ｎを参照すると、第４ドライフィルム２４０を剥離する。その結果、第１～第４シード層１２１、１３１、１４１、１５２Ｓと、第１～第３金属層１２２、１３２、１４２と、第１及び第２電極層１５１、１５２と、第１及び第 ２誘電体層１５３、１４３を含む第１及び第２配線層１２０、１３０と貫通ビア１４０とキャパシタ１５０が形成されることができる。すなわち、上述した一例によるプリント回路基板１００Ａが製造できる。

【0060】

その他の内容は、上述した一例によるプリント回路基板１００Ａで説明したものと実質的に同一であるため、重複説明は省略する。

【0061】

図６は、プリント回路基板の他の一例を概略的に示す断面図である。

【0062】

図面を参照すると、他の一例によるプリント回路基板１００Ｂは、上述した一例によるプリント回路基板を基準にして、上側及び下側に配置されたビルドアップ層をさらに含むことができる。例えば、他の一例によるプリント回路基板１００Ｂは、ガラス層１１０の上面上に配置された１層以上の第１ビルドアップ絶縁層１６１、１層以上の第１ビルドアップ絶縁層１６１上又は内にそれぞれ配置された１層以上の第１ビルドアップ配線層１６２、１層以上の第１ビルドアップ絶縁層１６１のうち少なくとも一つをそれぞれ貫通する１層以上の第１ビルドアップビア層１６３、ガラス層１１０の下面上に配置された１層以上の第２ビルドアップ絶縁層１７１、１層以上の第２ビルドアップ絶縁層１７１上又は内部にそれぞれ配置された１層以上の第２ビルドアップ配線層１７２、１層以上の第２ビルドアップ絶縁層１７１のうち少なくとも一つをそれぞれ貫通する１層以上の第２ビルドアップビア層１７３、１層以上の第１ビルドアップ絶縁層１６１のうち最上側に配置された第１ビルドアップ絶縁層１６１上に配置された第１レジスト層１８１、及び１層以上の第２ビルドアップ絶縁層１７１のうち最下側に配置された第２ビルドアップ絶縁層１７１上に配置された第２レジスト層１８２をさらに含むことができる。例えば、他の一例によるプリント回路基板１００Ｂは、ガラス層１１０をコア層として含むＦＣＢ（Ｆｉｌｐ Ｃｈｉｐ Ｂｏｎｄｉｎｇ）基板、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）基板などであってもよい。

【0063】

以下では、図面を参照して他の一例によるプリント回路基板１００Ｂの構成要素についてより詳細に説明する。

【0064】

１層以上の第１及び第２ビルドアップ絶縁層１６１、１７１はそれぞれ絶縁材を含むことができる。絶縁材は、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、ポリイミドのような熱可塑性樹脂、又はこれらの樹脂と共に、無機フィラー、有機フィラー及び／又はガラス繊維（Ｇｌａｓｓ Ｆｉｂｅｒ、Ｇｌａｓｓ Ｃｌｏｔｈ、Ｇｌａｓｓ Ｆａｂｒｉｃ）を含む材料を含むことができる。例えば、絶縁材は、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ－ｕｐ Ｆｉｌｍ）、ＰＰＧ（Ｐｒｅｐｒｅｇ）などの非感光性絶縁材であってもよいが、これに限定されるものではなく、これら以外にも、他の高分子素材が用いられてもよい。また、絶縁材は、ＰＩＤ（Ｐｈｏｔｏ Ｉｍａｇｅａｂｌｅ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）などの感光性絶縁材であってもよい。１層以上の第１及び第２ビルドアップ絶縁層１６１、１７１は、互いに実質的に同じ絶縁材を含んでもよく、又は互いに異なる絶縁材を含んでもよい。

【0065】

１層以上の第１及び第２ビルドアップ配線層１６２、１７２はそれぞれ金属を含むことができる。金属は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／又はこれらの合金などを含むことができる。好ましくは、銅（Ｃｕ）を含むことができるが、これに限定されるものではない。１層以上の第１及び第２ビルドアップ配線層１６２、１７２は、それぞれ設計デザインに応じて様々な機能を果たすことができる。例えば、信号パターン、パワーパターン、グランドパターンなどを含むことができる。これらのパターンはそれぞれライン、プレーン、パッドなど様々な形態を有することができる。１層以上の第１及び第２ビルドアップ配線層１６２、１７２は、それぞれ無電解めっき層（又は化学銅）及び電解めっき層（又は電気銅）を含むことができる。あるいは、金属箔（又は銅箔）及び電解めっき層（又は電気銅）を含むことができる。あるいは、金属箔（又は銅箔）、無電解めっき層（又は化学銅）及び電解めっき層（又は電気銅）を含むことができる。無電解めっき層（又は化学銅）の代わりにスパッタリング層を含んでもよく、必要に応じて両方を含んでもよい。

【0066】

１層以上の第１及び第２ビルドアップビア層１６３、１７３はそれぞれ金属を含むことができる。金属は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、及び／又はこれらの合金などを含むことができる。好ましくは、銅（Ｃｕ）を含むことができるが、これに限定されるものではない。１層以上の第１及び第２ビルドアップビア層１６３、１７３は、それぞれビアホールを充填するフィルドビア（ｆｉｌｌｅｄ ＶＩＡ）を含むことができるが、ビアホールの壁面に沿って配置されるコンフォーマルビア（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ ＶＩＡ）を含むこともできる。１層以上の第１及び第２ビルドアップビア層１６３、１７３は、設計デザインに応じて様々な機能を果たすことができる。例えば、グランドビア、パワービア、信号ビアなどを含むことができる。１層以上の第１及び第２ビルドアップビア層１６３、１７３は、断面上において互いに反対方向のテーパ形状を有することができる。１層以上の第１及び第２ビルドアップビア層１６３、１７３は、それぞれ無電解めっき層（又は化学銅）及び電解めっき層（又は電気銅）を含むことができる。無電解めっき層（又は化学銅）の代わりにスパッタリング層を含んでもよく、必要に応じて両方を含んでもよい。

【0067】

第１及び第２レジスト層１８１、１８２は、液状又はフィルム型の半田レジスト（Ｓｏｌｄｅｒ Ｒｅｓｉｓｔ）を含むことができるが、これに限定されるものではなく、他の種類の絶縁材が使用されてもよい。第１及び第２レジスト層１８１、１８２は、それぞれパターンを露出させる第１及び第２開口を有することができる。第１開口及び／又は第２開口に露出するパターン上には、必要に応じて表面処理層が形成されてもよい。あるいは、第１開口及び／又は第２開口に露出するパターン上には金属バンプが形成されてもよい。

【0068】

その他の内容は、上述した一例によるプリント回路基板１００Ａで説明したものと実質的に同一であるため、重複説明は省略する。

【0069】

本発明において、深さ、厚さ、幅、長さなどは、それぞれプリント回路基板を研磨又は切断した断面を基準にして走査顕微鏡や光学顕微鏡などで測定することができる。切断断面は垂直断面又は水平断面であってもよく、必要な切断断面を基準にしてそれぞれの数値を測定することができる。数値が一定でない場合には、任意の５点で測定した値の平均値で数値を決定することができる。

【0070】

本発明において、「覆う」という表現は、全体的に覆う場合だけでなく、少なくとも一部を覆う場合を含むことができ、さらに、直接覆う場合だけでなく、間接的に覆う場合も含むことができる。また、「充填する」という表現は、完全に充填する場合だけでなく、おおよそ充填する場合を含むことができ、例えば、一部の空隙やボイドなどが存在する場合を含むことができる。

【0071】

本発明において、実質的には、製造工程上で発生する工程誤差や位置偏差、測定時の誤差などを含めて判断することができる。例えば、線幅、間隔、厚さ、高さなどが「実質的に同一である」とは、数値的に完全に同一である場合だけでなく、ほぼ類似の数値を有することを含むことができる。また、「実質的に共面をなす」とは、完全に同一平面上に存在する場合だけでなく、ほぼ同一平面上に存在する場合も含むことができる。

【0072】

本発明において、「同じ絶縁材」とは、完全に同じ絶縁材である場合だけでなく、同じタイプの絶縁材を含む意味であることができる。したがって、絶縁材の組成は実質的に同じであるものの、それらの具体的な組成比は少しずつ異なる場合がある。

【0073】

本発明において、断面上での意味は、対象物を垂直に切断したときの断面形状、又は対象物を垂直に切断したときの断面形状、又は対象物をサイドビューで見たときの断面形状を意味することができる。また、平面上での意味は、対象物を水平に切断したときの平面形状、又は対象物をトップビュー又はボトムビューで見たときの平面形状を意味することができる。

【0074】

本発明において、下側、下部、下面などは、便宜上、図面の断面を基準にして下方の方向を意味するものとして使用し、上側、上部、上面などは、その反対方向を意味するものとして使用している。また、側部、側面などは、上面及び下面と垂直な方向を意味するものとして使用している。但し、これは説明の便宜上、方向を定義したものであり、特許請求の範囲の権利範囲がこのような方向に対する記載によって特に限定されるものではないことは勿論であり、上／下の概念はいつでも変更することができる。

【0075】

本発明において、「連結される」とは、直接連結されることだけでなく、接着剤層などを介して間接的に連結されることを含む概念である。また、「電気的に連結される」とは、物理的に連結された場合及び連結されていない場合の両方を含む概念である。さらに、「第１、第２」などの表現は、ある構成要素と他の構成要素とを区分するために使用されるものであって、当該構成要素の順序及び／又は重要度などを限定しない。場合によっては、権利範囲を逸脱しない範囲内で、第１構成要素は第２構成要素と命名されてもよく、同様に、第２構成要素は第１構成要素と命名されてもよい。

【0076】

本発明で使用される「一例」という表現は、互いに同じ実施形態を意味するものではなく、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されたものである。しかし、上記提示された一例は、他の一例の特徴と結合して実現されることを排除しない。例えば、特定の一例で説明された事項が、他の一例に説明されていなくても、他の一例において、その事項と反対又は矛盾する説明がない限り、他の一例に関連する説明として理解することができる。

【0077】

本発明で使用される用語は、単に一例を説明するために使用されたものであり、本発明を限定しようとする意図ではない。このとき、単数の表現は、文脈上明らかに異なる意味ではない限り、複数の表現を含む。

【符号の説明】

【0078】

１０００：電子機器
１０１０：メインボード
１０２０：チップ関連部品
１０３０：ネットワーク関連部品
１０４０：その他の部品
１０５０：カメラ
１０６０：アンテナ
１０７０：ディスプレイ
１０８０：バッテリ
１０９０：信号ライン
１１００：スマートフォン
１１１０：マザーボード
１１２０：部品
１１２１：部品パッケージ
１１３０：カメラモジュール
１１４０：スピーカ
１００Ａ、１００Ｂ：プリント回路基板
１１０：ガラス層
１２０、１３０：配線層
１４０：貫通ビア
１５０：キャパシタ
１５１、１５２：電極層
１２１、１３１、１４１、１４５、１５２－１：シード層
１２２、１３２、１４２、１５２－２：金属層
１４３、１５３：誘電体層
１６１、１７１：ビルドアップ絶縁層
１６２、１７２：ビルドアップ配線層
１６３、１７３：ビルドアップビア層
１８１、１８２：レジスト層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5a】

【図5b】

【図5c】

【図5d】

【図5e】

【図5f】

【図5g】

【図5h】

【図5i】

【図5j】

【図5k】

【図5l】

【図5m】

【図5n】

【図6】